KR20210036558A - 건식 면세정 시스템, 이를 이용한 시트 세정방법 및 이를 이용한 유기전자장치용 봉지재 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 138
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims description 65
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 81
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 36
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 152
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 90
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 63
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 54
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 claims description 10
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 185
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 54
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 42
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 42
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 35
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 29
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 20
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 13
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 9
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 9
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 5
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 3
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- OJOWICOBYCXEKR-KRXBUXKQSA-N (5e)-5-ethylidenebicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(=C/C)/CC1C=C2 OJOWICOBYCXEKR-KRXBUXKQSA-N 0.000 description 2
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101710137710 Thioesterase 1/protease 1/lysophospholipase L1 Proteins 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- FAQJJMHZNSSFSM-UHFFFAOYSA-N phenylglyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 FAQJJMHZNSSFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxypropylamino)propan-1-ol Chemical compound OCCCNCCCO CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000428575 Ctenomys lami Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001410 Microfiber Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910019800 NbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010599 Verbascum thapsus Nutrition 0.000 description 1
- 244000178289 Verbascum thapsus Species 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000036983 biotransformation Effects 0.000 description 1
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N gallium;sulfuric acid Chemical compound [Ga].OS(O)(=O)=O SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003658 microfiber Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);disulfate Chemical compound [Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- 150000003746 yttrium Chemical class 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
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-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L51/0001—
-
- H01L51/5237—
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- H—ELECTRICITY
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H01L2251/56—
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Abstract
본 발명은 시트 제조시 시트를 가공하는 공정에 적용하여 가공된 시트(필름, 플레이트 포함)의 표면을 효율적으로 세정할 수 있는 건식 면 세정 시스템, 이를 이용한 시트 세정방법 및 이를 이용하여 유기전자장치용 봉지재를 제조하는 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 시트 제조시 시트를 가공하는 공정에 적용하여 가공된 시트의 표면을 효율적으로 세정할 수 있는 건식 면세정 시스템, 이를 이용한 시트 세정방법 및 이를 이용하여 유기전자장치용 봉지재를 제조하는 방법에 관한 것이다.
유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는 발광층이 박막의 유기 화합물로 이루어지는 발광 다이오드로서, 형광성 유기 화합물에 전류를 통과시켜 빛을 발생시키는 전계 발광 현상을 이용한다. 이러한 유기발광다이오드는 일반적으로 3색(Red, Green, Blue) 독립화소 방식, 생변환 방식(CCM), 컬리 필터 방식 등으로 주요 컬러를 구현하며, 사용하는 발광재료에 포함된 유기물질의 양에 따라 저분자 유기발광다이오드와 고분자 유기발광다이오드로 구분된다. 또한, 구동방식에 따라 수동형 구동방식과 능동형 구동방식으로 구분될 수 있다.
이러한 유기발광다이오드는 자체 발광에 의한 고효율, 저전압 구동, 간단한 구동 등의 특징을 가지고 있어, 고화질의 동영상을 표현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 유기물의 유연한 특성을 이용한 플렉서블 디스플레이 및 유기물 전자소자에 대한 응용도 기대되고 있는 실정이다.
유기발광다이오드는 기판 상에 발광층인 유기 화합물을 박막의 형태로 적층하는 형태로 제조된다. 그러나, 유기발광다이오드에 사용되는 유기 화합물은 불순물, 산소 및 수분에 매우 민감하여 외부 노출 또는 수분, 산소 침투에 의해 특성이 쉽게 열화되는 문제를 안고 있다. 이러한 유기물의 열화현상은 유기발광다이오드의 발광특성에 영향을 미치고, 수명을 단축시키게 된다. 이러한 현상을 방지하기 위하여 유기전자장치의 내부로 산소, 수분 등이 유입되는 것을 방지하기 위한 박막봉지공정(Thin Film Encapsulation)이 요구된다.
종래에는 금속 캔이나 유리를 홈을 가지도록 캡 형태로 가공하여 그 홈에 수분 흡수를 위한 건습제를 파우더 형태로 탑재하였으나, 이러한 방법은 봉지된 유기전자장치로 투습을 목적하는 수준으로 제거하고, 유기전자장치에 수분, 불순물 등의 불량원인 물질이 접근하지 못하도록 차단하며, 수분이 제거될 때 발생할 수 있는 층간 박리현상이 일어나지 않고, 내습성 및 내열성이 우수한 효과를 동시에 가지기 어려운 문제가 있었다.
그리고, 기존 유기전자장치용 봉지재 제조시, CO2 레이저 컷팅 방식으로 봉지수지층과 이형층을 1차 커팅한 후, 광섬유(fiber) 레이저를 이용하여 메탈층을 2차 컷팅시키는 방법으로 봉지재를 제조하였는데, 이러한 기존 레이저 컷팅 방식은 생산 공정이 복잡 다단하여 생산시간이 오래 걸리고, 봉지수지층과 이형층 간에 열변형 영역(이형층 상부에 둔턱 형성 및 봉지수지층과 이형층 절단면에 잔사 발생)이 발생하여 이형층 제거가 어려운 문제가 있으며, 컷팅 단면에 버(burr)가 발생하고, 2차 커팅시 오픗셋(off-set)영역이 발생하기 때문에 오프셋 영역 만큼 유기전자장치의 수명이 단축되는 문제가 있었다.
이러한 유기전자장치용 봉지재 등의 제조에 사용되는 시트를 기계적 컷팅, 레이저 컷팅 등에 의한 가공시 시트의 표면 및/또는 절단면에 컷팅에 의해 이물질이 발생하게 되는데, 이를 제거하기 위해서 건식, 습식 또는 정전기식 등의 세정을 수행하게 된다. 하지만, 기존 세정 방법은 자동화된 공정에 적합하지 않거나 또는 세정력이 좋지 않아서 가공된 최종 제품의 품질을 떨어뜨리는 문제가 있었으며, 기존 세정 방법으로는 시트를 연속적인 자동 공정으로 제조하는데 어려움이 있었다.
본 발명은 세정 방법 등의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기계적 컷팅 등을 통해 시트를 가공시 효율적으로 가공된 시트를 세정할 수 있는 세정 시스템 및 이의 조건을 알게 되어 본 발명을 완성하게 되었다. 즉, 본 발명은 시트용 건식 면세정 시스템, 이를 이용한 시트 세정 방법을 제공하고자 하며, 나아가, 상기 건식 면세정 시스템 및 시트 세정 방법을 도입한 유기전자장치용 봉지재를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 건식 면 세정 시스템은 시트의 표면 및/또는 절단면을 세정하기 위한 세정 공정 시스템으로서, 제1정전기 제거 공정, 에어 샤워 공정, 제2정전기 제거 공정, 털기 공정 및 제3정전기 제거 공정을 연속적으로 수행하며, 석션의 흡입을 통해 제거된 이물질이 건식 면 세정기 외부로 배출되는 세정 공정 시스템이다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 제1 정전기 제거 공정의 수행 여부는 선택적이며, 이를 수행하거나 수행하지 않을 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 건식 면 세정 시스템은 건식 면 세정기를 이용하며, 상기 건식 면 세정기는 시트의 상부를 세정하는 상부 세정기 및 시트의 하부를 세정하는 하부 세정기를 포함하며, 상기 상부 세정기 및 하부 세정기 각각은 독립적으로 2개 이상의 이오나이져, 1개의 에어나이프, 1개의 회전 브러쉬(brush) 및 석션(suction)을 포함하고, 세정대상인 시트는 상기 상부 세정기 및 하부 세정기 사이를 통과한다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 제1 정전기 제거 공정 내지 제3 정전기 제거 공정 각각은 이오나이져(ionizer)에 의해 수행하여, 시트 표면의 정전기를 제거할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 에어 샤워 공정은 에어나이프에 의해 수행되며, 에어나이프로부터 에어를 배출하여 시트 표면 및/또는 절단면의 이물질으 부유시켜 시트로부터 제거하며, 이때, 에어 배출 압력 1 ~ 4bar일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 털기 공정은 회전하는 브러쉬(brush)가 시트에 직접 접촉하여, 시트 상하부 양면의 이물질을 제거하며, 상부 세정기 브러쉬 및 하부 세정기 브러쉬 각각은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하되, 상부 세정기 브러쉬의 회전 방향과 하부 세정기 브러쉬의 회전 방향은 서로 다른 방향으로 회전할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상부 세정기의 브러쉬 및 하부 세정기 브러쉬 각각의 회전 속도는 200 ~ 400 rpm일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상부 세정기 석션 및 하부 세정기 석션 각각의 흡입 압력은 5 ~ 20 CMM일 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 시트 세정 방법에 관한 것으로서, 앞서 설명한 건식 면 세정 시스템을 이용하여, 기계적 컷팅 및/또는 레이저 컷팅된 시트의 시트의 표면 및/또는 절단면을 세정할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 시트는 메탈층, 봉지수지층 및 이형층을 포함하거나, 또는 메탈층 및 봉지수지층을 포함하는 복합시트를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 기계적 컷팅은 슬릿팅 컷팅(slitting cutting) 및 쉐어링 컷팅(shearing cutting) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 컷팅 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 앞서 설명한 시트 세정 방법을 수행하여 유기전자장치용 봉지재를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 유기전자장치용 봉지재 제조방법은 메탈층, 봉지수지층 및 이형층을 포함하는 복합시트 또는 메탈층 및 봉지수지층을 포함하는 복합시트를 준비하는 1단계; 상기 복합시트의 장변 방향 양변을 슬릿팅 컷팅 또는 쉐어링 컷팅의 기계적 컷팅을 수행하는 2단계; 기계적 컷팅을 수행한 복합시트를 단변 방향으로 슬릿팅 컷팅(slitting cutting) 또는 쉐어링 컷팅(shearing cutting)의 기계적 컷팅을 수행하는 3단계; 및 3단계의 기계적 컷팅된 복합시트를 앞서 설명한 건식 면세정 시스템으로 세정을 수행하는 4단계;를 포함하는 공정을 수행하며, 상기 2단계 내지 3단계, 또는 2단계 내지 4단계는 연속적인 공정일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제조방법에 있어서, 1단계의 복합시트는 고정롤, 서포팅 컬롤(supporting curl roll), 제1컬롤, 제2컬롤, 상단 롤 라미네이터, 하단 롤 라미네이터를 포함하는 컬링 제어 시스템이 구비된 롤 라미네이션 기기를 이용하여 제조할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 제조방법에 있어서, 2단계 및 3단계의 기계적 컷팅은 서로 상이한 기계적 컷팅으로 수행할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 쉐어링 컷팅은 칼날 각도(slope) 0.140° ~ 0.300°인 상도 나이프(knife) 및 칼날 각도 3° 이하인 하도 나이프인 쉐어링 컷팅기를 이용하여 수행할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 2단계는 기계적 컷팅 후, 3단계의 기계적 컷팅 전 복합시트를 엣지 클리너 시스템으로 습식 세정하는 공정을 더 포함할 수도 있다.
본 발명에서 사용하는 용어인 "테이퍼 각도"는 테이퍼 측정 대상 절단면의 측면 방향에서 보았을 때, 복합시트 하부층(또는 하부시트)의 최하부 표면 기준으로 복합시트 하부층(또는 하부시트) 절단면 최하부 표면 끝단과 복합시트 상부층(또는 상부시트) 절단면 최상부 표면 끝단이 이루는 사이각을 의미한다(도 9 참조).
본 발명에서 사용하는 용어인 "빗살무늬"는 사선 방향으로 형성된 무늬를 의미한다.
본 발명에서 사용하는 용어인 "테이퍼 길이"는 테이퍼 측정 대상 절단면의 측면 방향에서 보았을 때, 복합시트 절단면의 하부층(또는 하부시트) 최하부 표면 끝단과 상부층(또는 상부시트) 최상부 표면 끝단의 길이 차이를 의미한다(도 9 참조).
본 발명의 건식 면 세정 시스템은 슬릿팅 컷팅 및/또는 쉐어링 컷팅 방법으로 기계적 컷팅된 시트의 표면 및 절단면에 잔존하는 불순물, 컷팅된 잔여물 등을 매우 효과적으로 세정이 가능하며, 또한, 본 발명의 건식 면 세정 시스템은 자동화 공정에 적용하기에 매우 적합하다. 그리고, 이러한 본 발명의 건식 면 세정 시스템을 이용하여 시트를 가공함으로써, 시트 제조 공정 효율성 증대가 가능하며, 바람직하게는 유기전자장치용 봉지재 제조시 기계적 컷팅에 의한 가공 공정에 적용하기에 매우 적합하다.
도 1의 A는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 건식 면 세정 시스템의 개략적인 단면도이며, B는 상부 면 세정기를 확대한 개략적인 단면도이다.
도 2의 A 및 B는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 복합필름 및/또는 유기전자장치 봉지재의 개략적인 단면도이다.
도 3은 엣지 클리너 시스템의 개략도이다.
도 4는 슬릿팅 컷팅의 개략도이다.
도 5a 및 도 5b는 쉐어링 컷팅 및 이에 사용되는 상도 및 하도 나이프의 모식도이며, 도 5c는 복합시트의 절단면 설명을 위한 개략도이다.
도 6은 슬릿팅 컷팅된 장변 절단면에 대한 SEM 측정 이미지이다.
도 7은 상도 및 하도 나이프에 의해 쉐어링 컷팅된 절단면의 SEM 측정 이미지이다.
도 8은 레이저 컷팅된 복합시트의 절단면에 대한 SEM 이미지 및 모식도를 나타낸 것이다.
도 9는 테이퍼 길이 및 테이퍼 각도에 대한 설명을 예시한 모식도이다.
도 10은 실험예 2에서 실시한 복합시트의 이형시트 초기 박리력 측정에 사용된 기기 및 수행 사진이다.
도 11은 실험예 2에서 실시한 복합시트의 이형시트 초기 박리력 측정 결과이다.
도 12a ~ 도 12f는 상도 나이프 측압을 달리하여 슬릿팅 컷팅된 복합시트 장변 절단면의 광학 현미경 측정 이미지이다.
도 13a는 쉐어링 컷팅의 하도 나이프에 의한 절단면에 대한 SEM 이미지이고, 도 13b는 이형시트의 단부로부터 내부 방향으로 발생되는 PET의 들뜸 발생을 확인한 이미지이다.
도 2의 A 및 B는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 복합필름 및/또는 유기전자장치 봉지재의 개략적인 단면도이다.
도 3은 엣지 클리너 시스템의 개략도이다.
도 4는 슬릿팅 컷팅의 개략도이다.
도 5a 및 도 5b는 쉐어링 컷팅 및 이에 사용되는 상도 및 하도 나이프의 모식도이며, 도 5c는 복합시트의 절단면 설명을 위한 개략도이다.
도 6은 슬릿팅 컷팅된 장변 절단면에 대한 SEM 측정 이미지이다.
도 7은 상도 및 하도 나이프에 의해 쉐어링 컷팅된 절단면의 SEM 측정 이미지이다.
도 8은 레이저 컷팅된 복합시트의 절단면에 대한 SEM 이미지 및 모식도를 나타낸 것이다.
도 9는 테이퍼 길이 및 테이퍼 각도에 대한 설명을 예시한 모식도이다.
도 10은 실험예 2에서 실시한 복합시트의 이형시트 초기 박리력 측정에 사용된 기기 및 수행 사진이다.
도 11은 실험예 2에서 실시한 복합시트의 이형시트 초기 박리력 측정 결과이다.
도 12a ~ 도 12f는 상도 나이프 측압을 달리하여 슬릿팅 컷팅된 복합시트 장변 절단면의 광학 현미경 측정 이미지이다.
도 13a는 쉐어링 컷팅의 하도 나이프에 의한 절단면에 대한 SEM 이미지이고, 도 13b는 이형시트의 단부로부터 내부 방향으로 발생되는 PET의 들뜸 발생을 확인한 이미지이다.
이하 본 발명을 더욱 자세하게 설명을 한다.
본 발명의 건식 면 세정 시스템은 도 1의 A 및 B에 개략도로 나타낸 구조를 가지는 건식 면 세정기를 이용하여 시트(또는 필름, 플레이트 포함)를 세정할 수 있다.
상기 건식 면 세정기(100)는 시트의 상부를 세정하는 상부 세정기 및 시트의 하부를 세정하는 하부 세정기를 포함하며, 상기 상부 세정기(101) 및 하부 세정기(102) 각각은 독립적으로 2개 이상, 바람직하게는 3개의 이오나이져(11, 12, 13), 1개의 에어나이프(20), 1개의 회전 브러쉬(brush, 30) 및 석션(suction, 40)을 포함하며, 이와 같이 상부 세정기 및 하부 세정기를 통해 시트의 상하부를 모두 면 세정을 수행한다.
이러한 건식 면 세정기를 이용하여 시트를 세정하는 방법에 대해 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
기계적 컷팅 및/또는 레이저 컷팅된 시트 표면 내지 절단면에 존재하는 이물질(불순물)을 제거하기 위해 상기 시트를 상기 건식 면 세정기를 이용하여 건식 세정을 수행하며, 세정 공정은 제1 정전기 제거 공정, 에어 샤워 공정, 제2 정전기 제거 공정, 털기 공정, 집진 공정 및 제3 정전기 제거 공정을 연속적으로 수행한다.
상기 정전기 제거 공정은 이오나이져(11, 12, 13)을 통해 수행하게 되는데, 제1 정전기 제거 공정은 에어 샤워 공정 전 시트의 전하를 없애서 시트의 이물질이 에어 샤워에 의해 시트로부터 이탈이 용이하게 하기 위한 공정으로서, 이오나이져(11)에 의한 정전기 제거 처리를 수행할 수 있으며, 제1정전기 제거 공정은 필요에 따라 선택적으로 생략하거나, 수행할 수가 있다.
다음으로, 상기 에어 샤워 공정은 에어나이프를 통해 배출되는 바람에 의해 정전기가 제거된 시트에 존재하는 이물질을 제거하는 공정으로서, 이때, 에어 나이프의 에어 배출 압력은 1 ~ 4bar, 바람직하게는 1.5 ~ 3.0 bar 정도인 것이 적절하며, 이때, 에어 배출 압력이 1 bar 미만이면 이물질 제거 효과가 크게 감소하고, 4 bar를 초과하면 시트의 변형이 되는 문제가 있을 수 있으므로 상기 범위 내의 에어 배출 압력을 유지하는 것이 좋다.
다음으로, 상기 털기 공정은 도 1의 A를 통해서 확인할 수 있듯이, 시트의 상하부 면의 회전 브러쉬(30)가 시트에 직접 접촉하여 에어 샤워 공정 후 시트 표면 등에 잔존하는 이물질을 제거하는 공정이다.
상부 세정기 브러쉬 및 하부 세정기 브러쉬 각각은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하되, 상부 세정기 브러쉬의 회전 방향과 하부 세정기 브러쉬의 회전 방향은 서로 다른 방향으로 회전할 수 있다. 예를 들면, 상부 브러쉬는 시계 반대 방향으로 회전하며, 하부 브러쉬는 시계 반향으로 회전을 하게 된다. 그리고, 상하부 회전 브러쉬 각각의 회전 속도는 약 200 ~ 400 rpm, 바람직하게는 250 ~ 350rpm인 것이 좋다.
다음으로, 제2 정전기 제거 공정은 털기 공정 수행시, 회전하는 브러쉬에 발생하는 정전기를제거하기 위한 것으로서, 이오나이져(12)에 의한 정전기 제거 처리를 수행할 수 있다.
그리고, 상기 상하부의 회전 브러쉬로부터 이탈된 이물질 및 에어 샤워 공정과 털기 공정에서 시트로부터 이탈되어 발생되는 부유 이물질은 석션(40)을 통해 건식 면 세정기 외부로 배출하게 된다. 이때, 석션 흡입 압력은 5 ~ 20 CMM 정도인 것이, 바람직하게는 7 ~ 15 CMM 정도인 것이 좋으며, 석션 흡입 압력이 5 CMM 미만이면 부유 이물질이 건식 면 세정기 내 잔류하여 시트에 다시 부착되는 문제가 있을 수 있고, 석션 흡입 압력이 20 CMM을 초과하면 시트의 이동을 방해하는 문제가 있을 수 있으므로 상기 범위 내의 석션 흡입 압력을 유지하는 것이 좋다.
또한, 제3 정전기 제거 공정은 털기 공정 수행 후에도 시트에 잔존할 수 있는 이물질이 시트로부터 쉽게 이탈하고, 건식 면 세정 완료 후에 시트 표면의 마찰에 의한 정전기가 발생할 수 있으므로, 털기 공정 수행된 시트의 표면 정전기를 제거하는 공정으로서, 이오나이져(13)에 의한 정전기 제거 처리를 수행할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 건식 면 세정 시스템은 기계적 컷팅 및/또는 레이저 컷팅된 시트를 세정하기에 적절하며, 상기 기계적 컷팅은 슬릿팅 컷팅(slitting cutting) 및 쉐어링 컷팅(shearing cutting) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 컷팅 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 건식 면 세정 시스템 및 이를 이용한 세정방법을 통하여 유기전자장치용 봉지재를 제조하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
상기 건식 면 세정 시스템을 적용한 유기전자장치용 봉지재의 제조방법의 바람직한 일례로서, 메탈층, 봉지수지층 및 이형층을 포함하는 복합시트 또는 메탈층 및 봉지수지층을 포함하는 복합시트를 준비하는 1단계; 상기 복합시트의 장변 방향 양변을 기계적 컷팅을 수행하는 2단계; 기계적 컷팅을 수행한 복합시트를 단변 방향으로 기계적 컷팅을 수행하는 3단계; 및 3단계의 기계적 컷팅된 복합시트를 앞서 설명한 건식 면세정 시스템으로 세정을 수행하는 4단계;를 포함하는 공정을 수행하여 유기전자장치용 봉지재를 제조할 수 있다.
그리고, 상기 2단계 내지 3단계 또는 2단계 내지 4단계는 연속적인 공정일 수 있다.
또한, 상기 2단계는 기계적 컷팅 후, 3단계의 기계적 컷팅 수행 전에, 2단계의 기계적 컷팅된 복합시트의 장변 방향 가장자리 양변을 엣지 클리너 시스템을 통해 세정을 수행하여 복합시트의 상하부 양표면 및 절단면에 잔존하는 불순물 등을 세정을 수행하는 공정을 더 포함할 수도 있다.
각 단계를 구체적으로 설명하면 하기와 같다.
1단계의 상기 복합시트 및/또는 본 발명의 유기전자장치용 봉지재는 도 2에 개략도로 나타낸 바와 같이, 메탈층(14), 봉지수지층(15) 및 이형층(13)를 포함하는 복합시트(10)를 포함할 수 있으며, 또는 이형층이 박리된, 메탈층(14) 및 봉지수지층(15)를 포함하는 복합시트를 포함할 수 있다. 그리고, 복합시트는 복수의 단부에 절단면이 형성된 시트이며, 바람직하게는 4개의 단부를 포함하고, 각 단부에 절단면이 형성된 시트일 수 있다.
상기 복합시트의 메탈층 및 봉지수지층 사이에는 메탈층 및 봉지수지층과는 다른 성분의 층 및/또는 역할을 하는 층(또는 시트)을 더 포함할 수도 있으며, 봉지수지층 및 이형층 사이에는 봉지수지층 및 이형층과는 다른 성분의 층 및/또는 역할을 하는 층(또는 시트)을 더 포함할 수도 있다.
그리고, 도 2의 (a) 및 (b)에 개략도로 나타낸 바와 같이, 봉지수지층은 단층의 감압점착제층 또는 2층 이상의 다층의 감압점착제층을 포함할 수 있으며, 봉지수지층이 다층의 감압점착제층으로 구성되는 경우, 감압점착제층 각층은 서로 다른 조성 및/또는 조성비의 감압점착 성분으로 구성될 수 있다.
[메탈층]
상기 복합시트 및/또는 본 발명의 유기전자장치용 봉지재에 있어서, 상기 메탈층은 철(Fe), 비스무트(Bi), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 규소(Si), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W) 및 이들의 합금 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
바람직한 일례를 들면, 비스무트(Bi), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 등을 포함하는 스테인레스 스틸 재질의 메탈시트를 포함하며, 더욱 바람직하게는 니켈 34 ~ 38 중량% 및 잔량의 철(Fe)을 포함하는 합금을 포함하는 메탈시트(니켈, 철 외에 필수불가피한 불순물 포함)일 수 있다.
[봉지수지층]
또한, 본 발명의 유기전자장치용 봉지재에 있어서, 봉지수지층은 폴리올레핀계 접착수지를 포함하는 감압점착제 조성물로 제조할 수 있으며, 상기 폴리올레핀계 수지는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리프로필렌, 폴리이소부틸렌(Polyisobutylene) 등의 폴리(C2 ~ C6)알킬렌 수지; 및 에틸렌, 프로필렌 및/또는 디엔계 화합물이 공중합된 랜덤 공중합체 수지; 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.
바람직한 일례를 들면, 상기 폴리올레핀계 접착수지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서, R1는 수소원자 또는 C3 ~ C10의 직쇄형 알케닐기 또는 C4 ~ C10의 분쇄형 알케닐기이고, 바람직하게는 R1은 수소원자, C4 ~ C8의 직쇄형 알케닐기 또는 C4 ~ C8의 분쇄형 알케닐기 일 수 있다. 그리고, 상기 n은 화학식 1로 표시되는 화합물의 중량평균분자량 10,000 ~ 2,000,000을 만족시키는 유리수, 바람직하게는 중량평균분자량 30,000 ~ 1,550,000을 만족하는 유리수이고, 더욱 바람직하게는 중량평균분자량 40,000 ~ 1,500,000을 만족하는 유리수일 수 있다. 만일, 중량평균분자량이 10,000 미만이면 모듈러스 저하에 따른 패널 처짐 현상이 발생할 수 있고, 내열성이 저하될 수 있으며, 흡습제의 충진성이 저하됨에 따라 신뢰성이 저하될 수 있고, 기계적 물성이 저하될 수 있으며, 탄성 저하에 따른 흡습제 부피 팽창에 의한 기재와의 들뜸 현상이 발생할 수 있다. 또한, 중량평균분자량이 2,000,000을 초과하면 젖음성 저하로 인해 기재와의 점착력이 저하될 수 있고, 모듈러스 증가에 따라 패널에 대한 점착성이 저하될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 측정방법으로 측정시 100℃ ~ 140℃, 바람직하게는 110℃ ~ 130℃, 더욱 바람직하게는 115℃ ~ 125℃의 결정화 온도를 가질 수 있다.
[측정방법]
200℃에서 -150℃까지 10℃의 속도로 냉각시키면서 시차 주사 열량측정기(Differential Scanning Calorimetry, DSC)로 측정한 열류량의 냉각곡선의 피크 분석을 통하여 결정화 온도(Tc)를 측정함.
또한, 상기 폴리올레핀계 접착수지는 에틸렌, 프로필렌 및 디엔계 화합물이 공중합된 랜덤 공중합체를 포함할 수 있다. 이 때, 에틸렌 및 프로필렌은 1 : 0.3 ~ 1.4의 중량비로, 바람직하게는 1 : 0.5 ~ 1.2의 중량비로 랜덤공중합될 수 있다. 만일 공중합되는 에틸렌 및 프로필렌의 중량비가 1 : 0.3 미만이면 모듈러스 및 경도 증가에 따른 패널 합착성 불량을 야기시킬 수 있고, 기재와의 점착력 및 저온에서의 물성 저하를 초래하는 문제가 발생하며 탄성률 저하에 따른 흡습제 부피 팽창에 불리하게 작용할 수 있으며, 중량비가 1 : 1.4를 초과하면 모듈러스 및 경도 저하에 따른 패널 처짐이 발생할 수 있으며, 기계적 물성의 저하는 제품의 기계적 물성의 저하로 연결되어지며, 흡습제의 고충진이 어려움에 따라 신뢰성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 디엔계 화합물은 에틸렌, 프로필렌 및 디엔계 화합물이 공중합된 랜덤 공중합체 전체 중량에 대하여 2 ~ 15 중량%로, 바람직하게는 7 ~ 11 중량%로 포함될 수 있다. 만일 디엔계 화합물이 2 중량% 미만이면 낮은 경화속도 및 경화밀도로 인해 모듈러스가 저하됨에 따른 패널 처짐 문제를 야기할 수 있고, 내열성이 저하될 수 있으며, 탄성 저하에 따른 흡습제 부피 팽창에 의해 기재와의 들뜸현상이 발생할 수 있고, 15 중량%를 초과하면 높은 경화밀도로 인한 젖음성 부족으로 기재와의 점착력 저하, 수지 간의 상용성 저하, 높은 모듈러스에 의한 패널 합착성 저하 문제가 발생하며 열에 의한 황변 현상을 초래할 수 있다.
상기 폴리올레핀계 접착수지는 탄성력 증대 등의 물성 향상 측면에서 2종의 접착수지를 혼합하여 사용할 수도 있으며, 이의 바람직한 일례를 들면, 상기 에틸렌, 프로필렌 및 디엔계 화합물이 공중합된 랜덤 공중합체(제1접착수지) 및 상기 화학식 1로 표시되는 화합물(제2접착수지)를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 제1접착수지 및 제2접착수지를 1 : 0.1 ~ 10의 중량비, 바람직하게는 1 : 1 ~ 9의 중량비, 더욱 바람직하게는 1 : 1.1 ~ 5의 중량비로 포함할 수도 있다. 이때, 중량비가 1 : 10을 초과하면 탄성력이 저하되는 문제가 발생할 수 있으므로, 제1접착수지 및 제2접착수지를 혼합 사용시에는 상기 범위 내로 사용하는 것이 좋다.
봉지수지층 제조에 사용되는 감압점착제 조성물은 앞서 설명한 폴리올레핀계 접착 수지 외에 점착부여제, 흡습제, 경화제, 광개시제, 산화방지제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
첨가제 중 상기 점착부여제는 통상적으로 유기전자장치 봉지재용 접착조성물에 사용되는 점착 수지라면 제한 없이 포함할 수 있으며, 바람직하게는 수첨 석유수지, 수첨 로진수지, 수첨 로진 에스테르 수지, 수첨 테르펜 수지, 수첨 테르펜 페놀 수지, 중합 로진 수지 및 중합 로진 에스테르 수지 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 그리고, 점착부여제의 사용량은 폴리올레핀계 접착수지 100 중량부에 대하여, 50 ~ 300 중량부, 바람직하게는 80 ~ 280 중량부로 사용하는 것이 좋다. 만일 혼합수지 100 중량부에 대하여 점착부여제가 50 중량부 미만이면 내습성이 확보가 부족할 수 있고, 300 중량부를 초과 사용하면 탄성저하(Brittle)에 따른 내구성 및 내습성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
첨가제 중 상기 흡습제는 통상적으로 유기전자장치의 패키징에 사용되는 흡습제라면 제한 없이 사용할 수 있고, 바람직하게는 제올라이트, 티타니아, 지르코니아 또는 몬모릴로나이트 등을 성분으로 포함하는 흡습제, 금속염 및 금속산화물 중 1종 이상을 포함할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 금속산화물을 포함할 수 있다.
금속산화물은 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 또는 산화마그네슘(MgO) 등의 금속산화물, 유기 금속산화물 및 오산화인(P2O5) 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
금속염은 황산리튬(Li2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산코발트(CoSO4), 황산갈륨(Ga2(SO4)3), 황산티탄(Ti(SO4)2) 또는 황산니켈(NiSO4) 등의 황산염, 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘(MgCl2), 염화스트론튬(SrCl2), 염화이트륨(YCl3), 염화구리(CuCl2), 불화세슘(CsF), 불화탄탈륨(TaF5), 불화니오븀(NbF5), 브롬화리튬(LiBr), 브롬화칼슘(CaBr2), 브롬화세슘(CeBr3), 브롬화셀레늄(SeBr4), 브롬화바나듐(VBr3), 브롬화마그네슘(MgBr2), 요오드화바륨(BaI2) 또는 요오드화마그네슘(MgI2) 등의 금속할로겐화물 및 과염소산바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산마그네슘(Mg(ClO4)2) 등의 금속염소산염 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
흡습제는 순도가 95% 이상을 사용하는 것이 좋으며, 순도 95% 미만인 경우 수분 흡수기능이 저하될 뿐 아니라 흡습제에 포함되는 물질이 불순물로 작용해 접착필름의 불량을 야기할 수 있고, 유기전자장치에도 영향을 줄 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
흡습제 사용시 적정 사용량은 폴리올레핀계 접착수지 100 중량부에 대하여, 10 ~ 550 중량부, 바람직하게는 20 ~ 520 중량부를 포함할 수 있다. 만일 흡습제 사용량이 10 중량부 미만이면 유기전자장치의 내구성이 저하되고, 수분 제거 효과가 현저히 저하되는 등 목적하는 접착필름을 구현할 수 없고, 흡습제 사용량이 550 중량부를 초과하면 젖음성 부족으로 인해 접착필름과 유기전자장치와의 밀착력, 접착력 등 합착 불량으로 유기전자장치의 신뢰성이 저하되고, 수분 흡습 시 과도한 부피팽창으로 인해 들뜸 현상이 발생함에 따라, 유기전자장치의 수명이 단축되는 문제가 발생할 수 있다.
첨가제 중 상기 경화제는 통상적으로 경화제로 사용될 수 있는 물질이라면 제한없이 포함할 수 있으며, 바람직하게는 가교제의 역할을 함으로써 접착필름의 충분한 가교밀도를 확보할 수 있는 물질을 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 중량평균분자량이 100 ~ 1500인 우레탄 아크릴레이트계 경화제 및 중량평균분자량이 100 ~ 1500인 아크릴레이트계 경화제 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 만일 경화제의 중량평균분자량이 100 미만이면 경도 증가에 의해 패널 합착성 및 기재와의 점착력 저하하며 미반응 경화제의 아웃가스(Outgas) 문제가 발생할 수 있고, 중량평균분자량이 1500를 초과하면 연화성(Softness)증가에 의해 기계적 물성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 그리고, 경화제의 적정 사용량은 폴리올레핀계 접착수지 100 중량부에 대하여 2 ~ 50 중량부, 바람직하게는 5 ~ 40 중량부를 사용할 수 있다. 만일 경화제를 2 중량부 미만으로 사용할 경우 목적하는 겔화율 및 모듈러스를 달성할 수 없고, 탄성력이 저하되는 문제가 발생할 수 있으며, 50 중량부를 초과하여 사용할 경우 높은 모듈러스 및 경도로 인해 패널 합착 불량, 젖음성 저하에 따른 점착력 저하 문제가 발생할 수 있다.
첨가제 중 상기 광 개시제는 통상적으로 사용되는 광 개시제로 사용되는 것이라면 제한 없이 포함할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, 모노 아실 포스파인(Mono Acyl Phosphine), 비스 아실 포스파인(Bis Acyl Phosphine), α-히드록시케톤(α-Hydroxyketone), α-아미노케톤(α-Aminoketone), 페닐글리옥실레이트(Phenylglyoxylate), 벤질디메틸-케탈(Benzyldimethyl-ketal) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 그리고, 광개시제의 적정 사용량은 폴리올레핀계 접착수지 100 중량부에 대하여, 0.1 ~ 10 중량부, 바람직하게는 0.5 ~ 8 중량부로 사용할 수 있다. 만일 광 개시제를 0.1 중량부 미만으로 사용하게 되면 경화 불량에 따른 내열성이 좋지 않은 문제가 발생할 수 있고, 10 중량부를 초과하여 사용하게 되면 경화밀도 저하에 따른 내열성이 좋지 않은 문제가 발생할 수 있다.
봉지수지층 제조에 사용되는 상기 감압점착제 조성물은 점도 100,000 ~ 300,000 Paㆍs(50℃), 바람직하게는 점도 120,000 ~ 280,000 Paㆍs(50℃)일 수 있다. 점도가 100,000 Paㆍs(50℃) 미만이면 점착성(Tack) 증가에 따라 공정성이 좋지 않게 되어 이형층(또는 이형시트)를 박리할 수 없는 문제가 발생할 수 있고, 점도가 300,000 Paㆍs(50℃)를 초과하면 점착성(Tack) 저하에 따라 기판과의 점착력이 너무 낮은 문제가 발생할 수 있다.
봉지수지층은 상기 감압점착제 조성물을 이용하여 앞서 설명한 바와 같이 단층 또는 다층의 감압점착제층으로 제조할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, 하기와 같다. 하지만, 이를 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시이며, 이에 본 발명을 한정하여 해석해서는 안 된다.
봉지수지층이 단층 구조의 감압점착제층인 경우, 글래스(glass) 점착력이 1,500 gf/25㎜ 이상, 바람직하게는 1,600 gf/25㎜ 이상일 수 있다. 이때, 점착력은 핸드롤러(2Kg Hand Roller)를 통해 점착력 측정 테이프(7475, TESA)을 접착필름 상면에 라미네이션하고, 시료를 폭 25㎜ 및 길이 120㎜로 재단 후, 80에서 접착필름 하면을 글라스에 라미네이션한 후, 준비된 시료를 30분 상온 방치하고, 300㎜/min속도로 글래스 점착력을 측정한 것이다.
그리고 봉지수지층의 메탈층에 대한 점착력은 1000 gf/25㎜ 이상, 바람직하게는 1100 gf/25㎜ 이상일 수 있다. 이때, 메탈층에 대한 점착력은 80℃에서 접착필름 상면을 두께 80㎛의 Ni 합금에 라미네이션하고, 핸드롤러(2Kg Hand Roller)를 통해 점착력 측정 테이프(7475, TESA)을 접착필름 하면에 라미네이션하여, 시료를 폭 25㎜ 및 길이 120㎜ 재단한 후, 준비된 시료를 30분 상온 방치하고, 300㎜/min 속도로 점착력을 측정한 것이다.
또한, 봉지수지층은 도 2의 B에 개략도로 나타낸 바와 같이, 제1감압점착제층(11) 및 제2감압점착제층(12)의 2층 구조를 가지는 감압점착제층으로 형성될 수 있다.
상기 제1감압점착제층(11)은 유기전자장치에 직접적으로 접촉하는 층으로써, 제1혼합수지(11b), 점착부여제 및 제1흡습제(11a)를 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 제1혼합수지(11b)는 제1접착수지 및 제2접착수지를 포함할 수 있으며, 점착부여제는 제1점착부여제를 포함할 수 있으며, 제2점착부여제를 더 포함할 수 있다.
제1감압점착제층의 폴리올레핀계 접착수지(11b)는 상기 제1접착수지 및 상기 제2접착수지를 포함할 수 있다. 그리고, 제1감압점착제층(11)의 점착부여제는 1종 또는 2종의 점착부여제(제1 및 제2 점착부여제)를 포함할 수 있다. 이때, 점착부여제는 앞서 설명한 종류를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 연화점이 상이한 수첨 석유수지를 포함할 수 있다. 일례로, 연화점이 상이한 수첨 석유수지를 포함하는 경우, 제1점착부여제의 연화점은 제2점착부여제의 연화점 보다 작을 수 있으며, 제1점착부여제 및 제2점착부여제의 혼합 사용량은 1 : 0.5 ~ 1.5의 중량비로, 바람직하게는 1 : 0.6 ~ 1.4의 중량비로 포함할 수 있다. 만일 제1점착부여제 및 제2점착부여제의 중량비가 1 : 0.5 미만이면 내열 유지력이 저하되는 문제가 발생할 수 있고, 중량비가 1 : 1.5를 초과하면 점착 및 젖음성 저하로 인해 기재와의 점착력 저하 문제가 발생할 수 있다.
그리고, 제1감압점착제층 제조에 사용되는 제1흡습제(11a)는 통상적으로 흡습제로 사용할 수 있는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 BET 비표면적이 2 ~ 20 m2/g, 바람직하게는 BET 비표면적이 3 ~ 14 m2/g, 더욱 바람직하게는 BET 비표면적이 4 ~ 8 m2/g인 실리카를 사용할 수 있다. 제1흡습제(11a)로 실리카를 사용함에 따라 수분 제거 성능이 우수하고, 유기전자장치와 봉지재의 분리가 방지될 수 있고, 유기전자장치의 내구성을 현저히 증가시킬 수 있다.
상기 제2감압점착제층(12) 제조에 사용되는 감압점착제 조성물은 폴리올레핀계 접착수지(12b), 점착부여제 및 제2흡습제(12a)를 포함할 수 있다. 이때, 폴리올레핀계 접착수지(12b)는 제1접착수지 및 제2접착수지를 포함할 수 있으며, 점착부여제는 2종의 점착부여제인 제1 및 제2 점착부여제를 혼합 사용하는 제1감압점착제층과 달리 상기 제1점착부여제만을 사용할 수 있다. 그리고, 흡습제로서 제1감압점착제층 제조에 사용되는 흡습제와 동일한 것을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 산화칼슘을 사용할 수도 있다.
[이형층]
본 발명의 유기전자장치용 봉지재에 있어서, 이형층의 이형시트(liner sheet) 소재로 당업계에서 일반적으로 사용하는 이형시트 소재를 사용할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, PET(polyethylene terephthalate), 종이(Paper), PI(Poly Imide) 및 PE(Poly Ester) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 시트 세정방법을 이용한 유기전자장치용 봉지재 제조방법에 있어서, 2단계의 기계적 컷팅은 슬릿팅 컷팅(slitting cutting) 또는 쉐어링 컷팅(shearing cutting)으로 수행할 수 있으며, 바람직하게는 슬릿팅 컷팅으로 수행할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 2단계 기계적 컷팅 후 3단계 기계적 컷팅 전에, 시트용 엣지 클리너 시스템을 통해 2단계 기계적 컷팅된 시트(또는 필름, 플레이트 포함)의 장변 방향(길이 방향)의 가장자리를 세정할 수 있으며, 상기 시트용 엣지 클리너 시스템은 도 3의 개략도로 나타낸 바와 같이 1세트의 클리너(세정기)를 2 세트(set)로 구성된 세정 시스템이다. 그리고, 1세트의 클리너는 시트의 상하부 각각에 위치하는 클램프(21, 22, 23, 24) 및 시트(10)의 표면과 상기 클램프(21, 22) 사이에 위치하는 세정지(31, 32, 33, 34)를 포함하며, 이러한 1세트의 클리너가 시트 장변 방향 가장자리 각각에 설치되어 2세트의 클리너로 구성될 수 있으며, 2세트 이상을 포함할 수도 있다.
그리고, 상기 세정지는 시트 표면과 클램프 사이를 연속적으로 통과하되, 시트 진행방향의 역방향으로 회전하면서 통과할 수 있다.
그리고, 각각의 세정지는 2개 내지 3개의 롤러를 통해 클램프와 시트 표면과 클램프 사이를 통과하도록 연속적으로 공급될 수 있다.
그리고, 상기 세정지는 시트 표면과 클램프 사이를 연속적으로 통과하되, 시트 진행 방향의 수직 방향으로 회전하면서 통과하며, 세정지의 회전 방향은 장변 방향의 시트 중심부와 멀어지는 방향으로 회전하게 된다.
시트 세정시 클램프에는 일정 압력이 가하여, 세정지가 시트와 잘 접촉되게 하는데 클램프에 가해지는 압력은 0.5 ~ 2.5 bar, 바람직하게는 0.8 ~ 2.0 bar, 더욱 바람직하게는 1.0 ~ 1.5 bar 정도인 것이 좋다. 이때, 압력이 0.5 bar 미만이면 세정력이 떨어질 수 있고, 2.5 bar를 초과하면 시트의 진행에 방해가 되거나 또는 시트의 변형 및/또는 시트 표면에 스크래치가 발생하는 문제가 있을 수 있으므로, 상기 범위 내의 압력을 클램프에 가하는 것이 좋다.
상기 엣지 클리너 시스템은 습식 세정 시스템으로서, 상기 세정지는 세정액을 포함한다. 그리고, 상기 세정액에 적용되는 세정액은 제거하고자 하는 시트 내 불순물(잔여물) 등에 따라 적용이 가능하며, 바람직하게는 에탄올 수용액을 사용할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, 99 중량% 농도 이상의 에탄올 수용액을 사용할 수 있다. 상기 세정액은 세정지에 3 ~ 7초당 1 회씩 분사되어 공급하는 것이, 바람직하게는 4 ~ 6초단 1회씩 분사되어 공급하는 것이 적정 세정력 유지 측면에서 좋다.
그리고, 상기 세정지는 내구성이 좋으면서 시트에 스크래치를 발생시키는 않으며, 세정액 흡수력이 좋은 소재를 사용하는 것이 좋으며, 바람직한 일례를 들면, 무진천류인 폴리에스터 와이퍼, 극세사 와이퍼, PVA 와이퍼, 부직포 와이퍼 등을 사용할 수 있다.
상기 세정지는 다수 개의 롤(roll), 예를 들면, 2 ~ 4개의 롤에 의해 회전 및 이동하면서 클램프와 시트 사이에 공급되며 이때, 세정지의 이동속도는 세정하고자 하는 시트의 진행속도에 따라 조절할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, 세정지의 이동속도는 5 ~ 15 mm/분, 바람직하게는 7 ~ 12 mm/분인 것이 좋으며, 세정지의 이동속도가 5 mm/분 미만이면 충분하게 시트의 불순물 세정이 되지 않을 수 있고, 세정지 이동속도에 맞춰서 시트 진행속도를 줄여야 해서 생산성이 떨어질 수 있으며, 세정지의 이동속도가 15 mm/분을 초과하면 오히려 시트 불순물 세정력이 감소할 수 있으므로, 상기 범위 내로 세정지의 이동속도를 조절하는 것이 좋다.
다음으로, 3단계의 기계적 컷팅은 슬릿팅 컷팅 또는 쉐어링 컷팅으로 수행할 수 있으며, 바람직하게는 쉐어링 컷팅으로 수행할 수 있다.
또한, 봉지재 제조방법은 4단계 이후 연속적 또는 단속적으로 연속적으로 복합시트를 건식 면 세정하는 공정을 수행하며, 건식 면 세정 공정은 앞서 설명한 건식 면 세정기를 이용하여 수행할 수 있으며, 이의 특징, 방법 등은 앞서 설명한 바와 같다.
2단계 및/또는 3단계의 기계적 컷팅 방법 중 상기 슬릿팅 컷팅은 도 4에 개략도로 나타낸 바와 같이, 회전날 형태의 상도 나이프와 상도 나이프의 삽입되는 삽입부가 형성된 하도 나이프를 포함하는 슬릿팅 컷팅기로 수행할 수 있다. 그리고, 상기 상도 나이프는 하이스 재질인 것을 사용하는 것이, 하도 나이프는 초경 재질의 나이프를 사용하는 것이 재단 품질면에서 바람직하다. 또한, 상기 상도 및 하도 나이프의 랜드(land)값은 각각 0.10 ~ 0.30 mm, 바람직하게는 0.15 ~ 0.25 mm, 더욱 바람직하게는 0.18 ~ 0.22 mm인 것이 좋으며, 랜드값이 0.10 mm 미만이면 나이프의 내구성에 문제가 있을 수 있고, 랜드값이 0.30 mm를 초과하면 재단 품질에 문제가 있을 수 있다.
슬릿팅 컷팅시 상도 나이프에 가해지는 측압은 0.5 ~ 2.5 kgf/㎠, 바람직하게는 측압 0.5 ~ 1.8 kgf/㎠, 더욱 바람직하게는 측압 0.8 ~ 1.2 kgf/㎠ 인 것이 좋으며, 이때, 측압이 0.5 kgf/㎠ 미만이면 재단면의 균일성에 문제가 있을 수 있고, 측압이 2.5 kgf/㎠를 초과하면 오프-셋 발생 영역이 증가하는 문제가 있을 수 있다.
그리고, 상기 슬릿팅 컷팅시 상도 나이프의 하도 나이프에 대한 삽입 깊이는 0.3 ~ 2.0 mm, 바람직하게는 0.5 ~ 1.5 mm, 더욱 바람직하게는 0.6 ~ 1.3 mm 인 것이 좋으며, 이때, 삽입 깊이가 0.3 mm이면 미컷팅이 되는 부분이 발생하는 문제가 있을 수 있고, 삽입 깊이가 2.0 mm를 초과하면 감압점착제층이 무너지는(뭉게지는) 문제가 있을 수 있다.
그리고, 2단계에서 슬릿팅 컷팅 적용시, 슬릿팅 컷팅의 상도 나이프인 회전날의 회전 속도는 복합시트의 진행 속도와 동일한 속도로 회전하는 것이 바람직하다.
또한, 2단계 및/또는 3단계의 기계적 컷팅 방법 중 상기 쉐어링 컷팅은 도 5a 및 도 5b에 개략도로 나타낸 바와 같이 칼날 각도(slope)가 형성된 상도 나이프 및 칼날 각도가 0.30° 이하, 바람직하게는 칼날 각도가 0.005° 이하인 하도 나이프로 구성된 쉐어링 컷팅기를 이용하여 수행할 수 있다. 상기 상도 나이프는 칼날 각도 0.140° ~ 0.300°, 바람직하게는 0.143° ~ 0.287°, 더욱 바람직하게는 0.143° ~ 0.225°인 것이 좋으며, 이때, 칼날 각도가 0.140° 미만이면 FSPM의 상처(Damage)가 가해지는 문제가 있을 수 있고, 상도 나이프의 칼날 각도가 0.300°을 초과하면, 재단면의 밀림 현상이 발생하여 치수 균일성의 문제가 있을 수 있다.
그리고, 상도 나이프와 하도 나이프의 간격(gap)은 0.5㎛ ~ 50㎛, 바람직하게는 1㎛ ~ 25㎛, 더욱 바람직하게는 2㎛ ~ 10㎛인 것이 적절하며, 상기 간격이 50㎛를 초과하면 이형시트가 들뜨게 되는 문제가 있을 수 있다.
그리고, 쉐어링 컷팅 속도는 복합시트 진행 속도와 제조하고자 하는 복합시트의 크기에 따라 조절할 수 있으며, 바람직하게는 150 ~ 300 mm/sec, 더욱 바람직하게는 180 ~ 250 mm/sec 정도인 것이 적절하다.
이러한 방법으로 제조한 유기전자장치용 봉지재는 기계적 컷팅된 절단면을 가지게 되며, 상기 절단면 각각은 테이퍼(taper) 각도가 73˚ ~ 90˚, 바람직하게는 75˚ ~ 90˚일 수 있으며, 절단면 각각은 테이퍼 각도가 같거나, 상이할 수 있다. 그리고, 상기 절단면 각각은 테이퍼 길이가 60㎛ 이하, 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0 ~ 30㎛일 수 있다. 이러한, 테이퍼 각도 및 테이퍼 길이는 레이저 컷팅법에 의해 형성된 절단면과 비교하여 상대적으로 높은 테이퍼 각도 및 낮은 테이퍼 길이이며, 이는 레이저 컷팅법에 의해 형성되는 오프-셋(off-set) 영역이 기계적 컷팅법의 절단면에서는 발생하지 않거나, 매우 낮기 때문이다.
또한, 상기 유기전자장치용 봉지재는 이형층이 제거된, 메탈층 및 봉지수지층을 포함하는 복합시트로 구성될 수도 있으며, 이때, 복합시트의 절단면 각각의 테이퍼 각도는 67˚ ~ 90˚일 수 있고, 바람직하게는 68˚~ 89˚일 수 있으며, 동일한 두께 및 조성의 메틸층, 봉지수지층으로 제조된 복합시트의 경우, 이형층이 제거된 복합시트는 이형층을 포함하는 복합시트 보다 테이퍼 각도가 낮다.
본 발명의 봉지재는 4개의 단부를 포함하고, 각 단부는 절단면이 형성되어 있을 수 있고, 4개의 절단면은 모두 동일한 기계적 컷팅법에 의해 형성된 절단면일 수 있다. 그리고, 각 절단면의 테이퍼 각도는 서로 상이할 수 있다.
또한, 봉지재가 장변 및 단변을 가지는 시트 형태일 때, 2개의 장변 단부 및 2개의 단변 단부를 포함하고, 각 단부에는 절단면이 형성되어 있을 때, 2개의 장변 절단면 및 2개의 단변 절단면 각각은 독립적으로 슬릿팅 컷팅(slitting cutting) 또는 쉐어링 컷팅(shearing cutting)에 의해 형성된 절단면일 수 있다. 이 경우, 상기 2개의 장변 절단면 및 상기 2개의 단변 절단면은 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다.
슬릿팅 컷팅된 절단면의 표면은 빗살무늬가 형성되고, 상기 쉐어링 컷팅된 절단면은 수직 방향으로 선 무늬가 형성되어 있을 수 있다.
그리고, 쉐어링 컷팅된 절단면과 슬릿팅 컷팅된 절단면은 하기 방정식 1을 만족할 수 있다.
[방정식 1]
쉐어링 컷팅된 절단면의 평균 테이퍼 각도 ≥ 슬릿팅 컷팅된 평균 테이퍼 각도
상기 방정식 1에서, 상기 테이퍼 각도는 테이퍼 측정 대상 절단면의 측면 방향에서 보았을 때, 절단면의 하부층(또는 하부시트) 최하부 표면 기준으로 절단면의 하부층(또는 하부시트) 최하부 표면 끝단과 절단면의 상부층(또는 상부시트) 최상부 표면 끝단이 이루는 사이각을 의미한다.
또한, 상기 2개의 슬릿팅 컷팅된 절단면, 및 상기 2개의 쉐어링 컷팅된 절단면은 하기 방정식 2를 만족할 수 있다.
[방정식 2]
슬릿팅 컷팅된 절단면의 테이퍼 각도 편차 < 쉐어링 컷팅된 절단면의 테이퍼 각도 편차
방정식 2에서, 장변 절단면의 테이퍼 각도 편차는 2개의 슬릿팅 컷팅된 절단면 각각의 테이퍼 각도 차이를 의미하며, 쉐어링 컷팅된 절단면의 테이퍼 각도 편차는 2개의 쉐어링 컷팅된 절단면 각각의 테이퍼 각도 차이를 의미한다.
메탈층, 봉지수지층 및 이형층을 포함하는 복합시트의 경우, 슬릿팅 컷팅된 절단면의 테이퍼 각도는 83˚~ 90˚, 바람직하게는 85˚~ 90˚일 수 있다. 또한, 이형층이 제거된 메탈층 및 봉지수지층을 포함하는 복합시트의 경우, 슬릿팅 컷팅된 절단면의 테이퍼 각도는 80˚~ 90˚, 바람직하게는 81˚~ 89˚일 수 있다.
그리고, 장변 절단면의 테이퍼 길이는 20㎛ 이하이고, 장변 절단면의 잘려나간 스크랩(Scrap)은 스크랩 와인더(Scrap Winder)를 통하여 제거될 수 있다.
또한, 상기 메탈층, 봉지수지층 및 이형층을 포함하는 복합시트의 경우, 쉐어링 컷팅된 절단면은 쉐어링 컷팅 나이프의 하도 나이프에 의해 형성된 제1절단면과 쉐어링 컷팅 나이프의 상도 나이프에 의해 형성된 제2절단면을 가질 수 있으며, 상기 제1절단면은 테이퍼 각도가 73˚~ 90˚(또는 0 ˚~ -17 ˚)이고, 상기 제2 절단면은 테이퍼 각도가 73˚~ 90˚일 수 있다. 그리고, 이때, 상기 제1절단면의 테이퍼 길이는 0 ~ +60㎛, 바람직하게는 0 ~ +50㎛이고, 제2절단면의 테이퍼 길이는 0 ~ +60㎛(또는 0 ~ -60㎛), 바람직하게는 0 ~ +50㎛(또는 0 ~ -50㎛)일 수 있다.
또한, 이형층이 제거된 메탈층 및 봉지수지층을 포함하는 복합시트의 경우, 상기 제1절단면은 테이퍼 각도가 67˚ ~ 90˚ (또는 0 ˚~ -23 ˚)이고, 상기 제2 절단면은 테이퍼 각도가 68˚~ 88˚일 수 있다. 이때, 제1절단면의 테이퍼 길이는 0 ~ +60㎛, 바람직하게는 0 ~ +50㎛이고, 제2절단면의 테이퍼 길이는 0 ~ +60㎛(또는 0 ~ -60㎛), 바람직하게는 0 ~ +50㎛(또는 0 ~ -50㎛)일 수 있다.
바람직한 일례를 들면, 메탈층(14), 봉지수지층(15) 및 이형층(13)을 포함하는 복합시트(10)를 적정 크기로 가공하기 위해 기계적 컷팅시, 복합시트의 장변방향(길이방향)은 슬릿팅 컷팅을 수행하고, 단변방향은 쉐어링 컷팅을 수행하여 가공할 수 있으며, 이렇게 제조된 봉지재는 4개의 단부 및 4개의 절단면을 가지며, 장변 절단면과 단변 절단면은 상이한 절단면 표면 형태, 테이퍼 각도, 테이퍼 길이를 가지며, 단변 절단면의 쉐어링 컷팅 나이프의 하도 나이프에 의해 형성된 제1단변 절단면과 쉐어링 컷팅 나이프의 상도 나이프에 의해 형성된 제2단변 절단면은 테이퍼 각도 및 테이퍼 길이가 상이할 수 있다.
그리고, 메탈층은 두께 60㎛ ~ 150㎛, 바람직하게는 70㎛ ~ 120㎛, 더욱 바람직하게는 75㎛ ~ 105㎛일 수 있다.
그리고, 봉지수지층은 두께 30㎛ ~ 100㎛, 바람직하게는 40㎛ ~ 80㎛, 더욱 바람직하게는 45㎛ ~ 75㎛일 수 있다.
그리고, 이형층은 두께 15㎛ ~ 75㎛, 바람직하게는 25㎛ ~ 60㎛, 더욱 바람직하게는 35㎛ ~ 55㎛일 수 있다.
본 발명의 봉지재는 전체 두께는 120㎛ ~ 280㎛, 바람직하게는 125 ~ 220㎛, 더욱 바람직하게는 128㎛ ~ 200㎛일 수 있다.
본 발명의 봉지재는 지그 하강속도 및 상승속도 1.0 mm/sec, 드웰힘(dwell force) 800 gf 및 드웰시간(dwell time) 10.0 초 조건 하에서, UTM 방법에 의해 초기 박리력 측정시, 이형층 모서리의 초기 박리력은 200 ~ 400 gf, 바람직하게는 250 ~ 380 gf, 더욱 바람직하게는 300 ~ 370 gf일 수 있다. 이러한 봉지재의 초기 박리력 값은 레이저 컷팅에 의해 제조된 봉지재의 초기 박리력이 500 gf 이상인 것과 비교할 때, 상대적으로 매우 낮은 수치이며, 이는 레이저 컷팅시 이형층과 봉지수지층의 절단면에 발생 및 형성된 잔사 존부 차이 때문이다.
본 발명의 봉지재는 상기 이형층 표면은 하기 수학식 1에 따른 높이 편차가 4㎛ 이하, 바람직하게는 2㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0 ~ 1.5㎛로 높이 편차가 거의 없다. 여기서, 상기 높이 편차의 높이는 봉지수지층과 이형층의 접합부위의 이형층 하부면으로부터 상기 이형층 하부면에 대응하는 상부면 표면까지의 수직 방향의 높이를 의미한다.
[수학식 1]
높이 편차 = (이형층 가장자리 최대 높이) - (이형층 중심의 높이)
상기 수학식 1에서 상기 이형층 가장자리는 절단면으로부터 이형층 내부 방향으로 1mm까지의 이형층 표면 부위를 의미한다.
레이저 컷팅에 의해 제조된 봉지재는 열융합에 의해 이형층 끝단 부분에 둔턱이 형성되어 높이 편차가 큰 것과 비교할 때, 본 발명의 봉지재는 이러한 둔턱이 거의 발생하지 않기 때문에 높이 편차가 매우 낮거나 없는 것이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기로 한다. 그러나, 하기 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니며, 이는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 할 것이다.
[실시예]
준비예 1-1: 유기전자장치 봉지재용 접착시트의 제조
(1) 폴리올레핀계 접착수지의 제조
에틸렌, 프로필렌 및 디엔계 화합물이 공중합된 랜덤 공중합체(제1접착수지) 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물(제2접착수지)을 1 : 2.33의 중량비로 혼합하여 폴리올레핀계 접착수지를 제조하였다.
상기 제1접착수지는 에틸렌 및 프로필렌 단량체를 1 : 0.85의 중량비로 공중합하고, 디엔계 화합물을 랜덤 공중합체 전체 중량에 대하여 9 중량%로 공중합하여 제조하였으며, 상기 디엔계 화합물은 에틸리덴 노보넨(ethylidene norbornene)을 사용하여 제조한 중량평균분자량 500,000 인 랜덤 공중합체이다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서, 상기 R1은 이소프렌이고, 상기 n은 화학식 1로 표시되는 화합물의 중량평균분자량 400,000를 만족시키는 유리수이다.
제1접착수지 및 제2접착수지 각각에 대하여 200℃에서 -150℃의 온도까지 10℃의 속도로 냉각시키면서 시차 주사 열량측정기(Differential Scanning Calorimetry, DSC)로 측정한 열류량의 냉각곡선의 피크 분석을 통하여 결정화 온도 (Tc)를 측정하였으며, 제1접착수지는 결정화 온도가 측정되지 않았고, 제2접착수지는 120℃로 측정되었다
(2) 유기전자장치 봉지재용 접착시트의 제조
앞서 제조한 상기 폴리올레핀계 접착수지(제1접착수지) 100 중량부에 대하여 제1점착부여제(SU-90, 코오롱인더스트리) 80 중량부 및 제2점착부여제(SU-100, 코오롱인더스트리) 50 중량부, 경화제로 중량평균분자량 226 인 아크릴레이트(M200, 미원스페셜티케미칼) 11 중량부, 광 개시제(irgacure TPO, Ciba) 3 중량부 및 평균입경이 0.5 ㎛인 실리카 24 중량부를 투입한 후 교반하였다. 교반이 완료된 혼합물은 캡슐 필터를 통과시켜 이물질을 제거한 후 두께가 38㎛인 중박리 이형 PET(REL382, Toray advance Materials)에 슬롯 다이 코터를 이용하여 도포하고, 이후 120℃로 건조시켜서 용매를 제거한 후 최종 두께 10㎛인 제1감압점착제층을 형성시켰다.
다음으로, 앞서 제조한 상기 폴리올레핀계 접착수지(제2접착수지) 100 중량부에 대하여 제1점착부여제(SU-90, 코오롱인더스트리) 150 중량부, 경화제로 경화제로 중량평균분자량 226 인 아크릴레이트(M200, 미원스페셜티케미칼) 17 중량부, 광 개시제(irgacure TPO, Ciba) 3 중량부 및 평균입경이 3 ㎛인 산화칼슘 100 중량부를 투입한 후 교반하였다. 교반이 완료된 혼합물은 20℃에서 점도를 800cps로 맞추고 캡슐 필터를 통과시켜 이물질을 제거한 후 두께가 36um인 경박리 이형PET(TG65R, SKC)에 슬롯다이 코터를 이용하여 도포하고, 이후 120℃로 건조시켜서 용매를 제거한 후 최종 두께 40 ㎛인 제2감압점착제층을 형성시켰다.
상기 제조된 제1감압점착제층에 제2감압점착제층이 대면하도록 합지하여 70℃ 라미롤(lami. Roll)을 통과시켜서 유기전자장치 봉지재용 접착 시트를 제조하였다(도 1 b 참조).
준비예 1-2: 유기전자장치 봉지재용 접착시트의 제조
상기 준비예 1-1과 동일한 방법으로 유기전자장치 봉지재용 접착시트를 제조하되, 제2접착수지만을 사용하여 폴리올레핀계 접착수지를 제조하였으며, 이를 이용하여 제1감압점착제층 및 제2감압점착제층의 폴리올레핀계 접착 수지로 사용하였다. 또한, 제1감압점착제층 제조시 실리카 대신 제2감압점착제층 제조에 사용된 동일한 산화칼슘을 사용하여 제1감압점착제층을 형성한 후, 제2감압점착제층과 합지하여 유기전자장치 봉지재용 접착 시트를 제조하였다.
준비예 2: 메탈시트(Face Seal Metal) 시트 준비
Ni 약 36 중량% 및 잔량의 철(Fe) 함유(필수불가결한 불순물 포함함)하고, 밀도(d) 8.1 및 경도 200HV인 평균두께 80㎛의 메탈시트를 준비하였다.
준비예 3-1 : 복합시트(FSPM 시트)의 제조 1
준비예 1-1의 봉지시트 및 준비예 2의 메탈시트를 합지시켜서 복합시트인 FSPM 시트를 제조한 후, 합지된 시트를 롤로 권취하여. 3층 구조(메탈층(80㎛)-봉지수지층(50㎛)-이형층(38㎛))의 FSPM 시트(복합시트)를 제조하였다.
준비예 3-2 : 복합시트(FSPM 시트)의 제조 2
상기 준비예 3-1과 동일한 방법으로 롤링된 복합시트를 제조하되, 준비예 1-1의 봉지시트 대신 준비예 1-2의 봉지시트를 사용하여 롤링된 복합시트(이하, "FSPM 시트"로 칭함)를 제조하였다.
실시예 1 : 기계적 컷팅된 복합시트의 시트 면 세정
준비예 3-1의 롤링된 복합시트인 FSPM 시트의 장변 방향 양변을 하기와 같이 슬릿팅 컷팅하고, 단변 방향을 쉐어링 컷팅을 수행한 후, 건식 면 세정을 수행하였다.
(1) 슬릿팅 컷팅(slitting cutting) 공정
도 2에 개략도로 나타낸 바와 같이, 상기 슬릿팅 컷팅부는 컷팅용 회전날로서 지름 150mm의 원형 나이프(Knife)인 상도 및 지름 150mm의 원형 나이프인 하도를 포함하며, 상기 상도는 하이스 재질이고, 하도는 초경 재질이며, 상도와 하도의 랜드(Land) 값은 각각 0.2mm 이다.
컷팅 대상물 공급부에서 공급되는 롤링된 복합시트를 상기 슬릿팅 컷팅부에서의 길이방향인 양 장변을 동시에 슬릿팅 컷팅을 수행하였으며, 컷팅 시 FSPM 시트의 이형층이 상도 방향을 향하도록 컷팅을 수행하였다. 그리고, 슬릿팅 컷팅용 회전날에 가해지는 측압은 1.0 kgf/㎠이고, 컷팅 시 하도 표면 기준으로 상도인 회전날의 깊이는 0.8mm의 조건으로 재단하였다. 그리고, 잘려나간 스크랩(Scrap)은 스크랩 와인더(Scrap Winder)를 통하여 제거하였다.
(2) 엣지 클리너 시스템을 통한 복합시트의 습식 세정 공정
장변 방향으로 슬릿팅 컷팅된 복합시트를 도 3의 개략도로 나타낸 바와 같이 구비된 엣지 클리너 시스템으로 복합시트의 장변 방향 가장자리를 습식 세정하였다.
이때, 세정지는 세정액이 묻은 무진천이며, 99.5 중량% 농도의 에탄올 수용액(세정액)이 5초당 1회씩 무진천에 분사되어 공급되며, 세정지의 시트 표면과 클램프 사이에 통과되는 이동속도는 약 10mm/분이었으며, 슬릿팅 컷팅된 복합시트의 진행속도는 약 8m/분이었다. 그리고, 시트 방향으로 4개의 클램프 각각에 가해지는 압력은 1.0bar였다.
엣지 클리너 시스템으로 세정하기 전후의 복합시트의 이물 수량 및 이물 크기를 하기 표 1에 나타내었으며, 표 1의 측정 결과는 복합시트의 10 군대 부위를 무작위로 선택하여 측정한 것이며, 복합시트의 길이방향으로 5 cm 범위에 존재하는 이물 수량과 크기를 측정한 것이다.
장변 세정 결과 | 세정 전 | 세정 후 |
이물 크기 | 10 ~ 50㎛ | 10㎛ 이하 |
이물 수량 | 4 ~ 10ea | 2ea 이하 |
(3) 쉐어링 컷팅(Shearing cutting) 공정
슬릿팅 컷팅 및 습식 세정을 수행한 FSPM 시트를 카메라를 통해 위치 값을 확인하여 치수보정을 수행하는 자동검사를 수행한 후, FSPM 시트의 단변을 컷팅하는 쉐어링(Shearing) 컷팅 공정을 수행하였다.
쉐어링 공정은 도 5a 및 도 5b에 개락도로 나타낸 바와 같이, 상도의 상하 운동을 통해 컷팅이 수행되며, 쉐어링 컷팅 공정 시 하도 나이프와 상도 나이프의 갭은 5㎛이고, 상도 나이프의 칼날 각도(Slope)는 0.143*이며, 하도 나이프는 각도(Slope)는 89*였다. 또한, 상도 나이프의 재질은 하이스 재질이고, 하도는 초경 재질이었다. 그리고, 컷팅 속도는 200mm/Sec 였다.
(4) 건식 면 세정 공정
장변 방향으로 슬릿팅 컷팅 및 단변 방향으로 쉐어링 컷팅을 수행한 상기 FSPM 시트를 쉐어링 컷팅 후 연속적으로 건식 면 세정 공정을 수행하였다.
이때, 건식 면 세정 공정은 도 1에 개략도로 나타낸 바와 같이 3개의 이오나이져, 1개의 에어나이프, 1개의 회전 브러쉬(brush) 및 석션(suction)을 포함하는 상부 세정기 및 하부 세정기로 구성된 건식 면 세정기를 이용하여 제1 정전기 제거 공정, 에어 샤워 공정, 제2 정전기 제거 공정, 털기 공정 및 제3 정전기 제거 공정을 연속적으로 수행하였다.
그리고, 제1 정전기 제거 공정은 이오나이져(11)를 수행하였으며, 제2 정전기 제거 공정은 이오나이져(12)를 수행하였고, 제3 정전기 제거 공정은 이오나이져(13)를 하여 수행하였다.
그리고, 에어 샤워 공정은 에어 배출 압력 2bar를 에어나이프에 가하여 수행하였으며, 털기 공정은 상부 및 하부 회전 브러쉬의 회전 속도 250 rpm 조건으로 수행하였다. 그리고, 석션 흡입 압력은 10 CMM이였다.
건식 면 세정 전후의 복합시트 이물 크기 및 수량을 하기 표 2에 나타내었으며, 하기 표 2의 측정 결과는 슬릿팅 및 쉐어링 컷팅하여 제조한 10개의 복합시트(봉지재) 10 개를 무작위로 선택하여 측정한 결과이다.
세정 결과 | 세정 전 | 세정 후 |
이물 크기 | 10 ~ 100㎛ | 10㎛ 이하 |
이물 수량 | 3 ~ 20ea | 0 ~ 3ea |
실시예 2 ~ 3 및 비교예 1 ~ 2 : 기계적 컷팅된 복합시트의 시트 세정
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 복합시트 장변을 슬릿팅 컷팅, 습식 세정 및 쉐어링 컷팅을 수행한 후, 동일한 방법으로 복합시트 건식 면 세정을 수행하였다. 다만, 에어나이프에 가해지는 에어배출 압력을 2bar가 아닌 하기 표 3와 같이 압력을 달리하여 실시예 2 ~ 3 및 비교예 1 ~ 2를 각각 실시하였다. 그리고, 하기 표 3의 측정 결과는 슬릿팅 및 쉐어링 컷팅하여 제조한 10개의 복합시트(봉지재) 10 개를 무작위로 선택하여 측정한 결과이다.
세정 결과 | 이물 크기 | 이물 수량 |
세정 전 | 10 ~ 100㎛ | 3 ~ 20ea |
실시예 2(1.2 bar) | 5 ~ 10㎛ | 0 ~ 5ea |
실시예 3(3.0 bar) | 5 ~ 7㎛ | 0 ~ 2ea |
비교예 1(0.8 bar) | 10 ~ 60㎛ | 5 ~ 15ea |
비교예 2(4.5 Bar) | 5㎛ 이하 | 0 ~ 2ea |
상기 표 2 및 표 3을 살펴보면, 실시예 1 ~ 3의 경우, 부유성 혹은 재단하면서 발생되는 이물의 수량이 에어배출압력이 증가 함에 따라 이물 크기 및 수량이 감소하는 것을 확인 할 수 있으며, 비교예 2의 4 bar를 초과한 경우 세정 효과가 신뢰성이 매우 우수하나, 에어 압력에 의해 봉지수지층 표면 형태가 약간 울퉁불퉁하게 변형이 일어나는 부분이 발생하는 문제가 있었다. 또한, 비교예 1 를 보면 1.0Bar 미만의 배출 압력의 경우 실시예와 비교하여 이물 제거 효율이 낮은 결과를 보였다.
제조예 1 : 기계적 컷팅된 유기전자장치 봉지재의 제조
준비예 3-1의 롤링된 복합시트인 FSPM 시트를 SSC(Slitting & Shearing Cutting) 자동화 기기는 컷팅 대상물 공급부, 슬릿팅 컷팅부, 엣지 클리너(edge cleaner)부, 자동치수검사부, 쉐어링 컷팅부 및 건식 면세정부를 포함한다.
상기 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 상기 복합시트를 슬릿팅 컷팅, 습식 세정, 쉐어링 컷팅 및 건식 면 세정을 수행하여 유지전자장치용 봉지재를 제조하였으며, 제조된 유기전자장치용 봉지재의 슬릿팅 컷팅된 절단면(장변)의 SEM 측정 사진을 도 7에 나타내었다.
슬릿팅 컷팅된 절단면을 보면, 슬릿팅 컷팅 절단면에는 빗살무늬가 형성되며, 이는 회전날에 의해 형성된 것으로 판단된다.
그리고, 제조된 유기전자장치용 봉지재의 쉐어링 컷팅된 하도 및 상도 절단면에 대한 SEM 측정 사진을 도 7에 나타내었다.
본 발명의 SSC 공정에 의해 봉지재 제조시, 복합시트(FSPM 시트)의 진행 방향으로 볼 때, 앞쪽 단변은 쉐어링 컷팅용 하도 나이프에 의해 절단면이 형성되며, 뒤쪽 단변은 쉐어링 컷팅용 상도 나이프에 의해 절단면이 형성된다. 따라서, 도 8을 살펴보면, 쉐어링 컷팅된 절단면은 슬릿팅 컷팅된 절단면과 달리 빗살무늬가 없으며, 수직방향으로 선 무늬가 형성되었다. 그리고, 상도 절단면과 하도 절단면의 단면 형태가 다른 것을 확인할 수 있으며, 단변의 하도 절단면은 오프-셋 영역이 거의 형성되지 않으며, 단변의 상도 절단면은 오프-셋 영역이 다소 발생하는 형태적 차이가 발생함을 확인할 수 있었다.
제조예 2 : SSC 공정을 통한 유기전자장치 봉지재의 제조
제조예 1과 동일한 방법으로 SSC 공정을 통한 유기전자장치 봉지재를 제조하되, 준비예 3-1의 롤링된 복합시트 대신 준비예 3-2의 롤링된 복합시트를 사용하여 SSC 자동화 기기를 이용하여 유기전자장치 봉지재를 제조하였다.
비교제조예 1
준비예 3의 롤링된 복합시트와 동일한 복합시트(FSPM 시트)를 준비하였다.
다음으로, 상기 복합시트를 CO2 레이저 컷팅 방식으로 봉지수지층과 이형층을 1차 컷팅하였다.
다음으로, 복합시트의 메탈층을 광광섬유(fiber) 레이저를 이용하여 2차 컷팅시켜서 레이저 컷팅 방식으로 제조한 봉지재를 제조하였다.
이때, CO2 레이저 컷팅의 파워(Power)는 약 140 W/cm2였고, 광섬유 레이저 컷팅의 파워(Power)는 170 W/cm2 였다.
제조한 봉지재의 SEM 측정사진을 도 8에 나타내었으며, SEM 이미지로부터 확인할 수 있는 이형층 끝단에 형성된 둔턱, 이형층과 봉지수지층에 존재하는 잔사 및 오프-셋(off-set)영역에 대한 개념도를 도 9에 나타내었다.
둔턱 및 잔사가 없고, 오프-셋 영역이 없거나 최소화된 제조예 1(도 6 ~ 7 참조)과 달리 레이저 컷팅으로 제조한 비교제조예 1(도 8 참조)의 경우, 이형층 상부 표면에 둔턱이 형성되고, 이형층과 봉지수지층에 존재하는 잔사가 형성되어 있으며, 오프-셋(off-set)영역이 크게 형성되어 있음을 확인할 수 있었다. 이는 레이저 컷팅시 발생하는 열에 의한 이형층 및 봉지수지층의 열 변형에 의해 초래되는 것이다(도 9 참조).
실험예 1 : 테이퍼(Taper) 각 측정
(1) 레이저 컷팅 공법으로 제조된 봉지재의 테이퍼 각 측정
하기 표 4와 같은 두께를 가지는 복합시트를 제조한 후, 이를 비교제조예 1과 동일한 방법으로 레이저 컷팅을 수행하여 봉지재를 제조하였다. 이때, 상기 복합시트는 메탈층과 이형층의 두께를 달리하여 각각 제조한 것이다.
그리고, 테이퍼 길이는 테이퍼 측정 대상 절단면의 측면 방향에서 보았을 때, 절단면의 메탈층 최하부 표면 끝단과 이형층 최상부 표면 끝단의 길이 차이이다(off-set 영역의 최장 길이).
또한, 테이퍼 각도는 테이퍼 측정 대상 절단면의 측면 방향에서 보았을 때, 절단면의 메탈층 최하부 표면 기준으로 절단면의 메탈층 최하부 표면 끝단과 절단면의 이형층 최상부 표면 끝단이 이루는 사이각을 의미하며, 이해를 돕기 위해 테이퍼 길이와 테이퍼 각도 표현을 도 8(비교예 1) 및 도 7(제조예 1의 상도 쉐어링 절단면)에 개략도로 나타내었다.
그리고, 레이저 공정을 수행하여 제조한 봉지재 중 무작위로 10개를 선별하였으며, 이들의 평균 테이퍼길이 및 테이퍼 각도를 측정한 것을 하기 표 4에 나타내었다.
Off- Set 영역에 따른 테이퍼 각도(˚) 변화 |
봉지재 두께 | ||||
168㎛ | 180㎛ | 188㎛ | 200㎛ | ||
이형시트 두께 | 38㎛ | 50㎛ | 38㎛ | 50㎛ | |
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | |
메탈시트 두께 | 80㎛ | 80㎛ | 100㎛ | 100㎛ | |
테이퍼 길이 |
20㎛ | 83.21 | 83.66 | 83.93 | 84.30 |
30㎛ | 79.88 | 80.54 | 80.93 | 81.47 | |
50㎛ | 73.43 | 74.48 | 75.11 | 75.96 | |
100㎛ | 59.24 | 60.95 | 62.00 | 63.40 | |
150㎛ | 48.28 | 50.20 | 51.34 | 53.06 | |
180㎛ | 43.00 | 45.00 | 46.10 | 48.00 | |
250㎛ | 33.90 | 35.75 | 36.94 | 38.67 | |
평균 111.4㎛ | 60.13 | 61.51 | 62.34 | 63.55 |
상기 표 4를 살펴보면, FSPM 시트 두께가 두꺼울수록 테이퍼 각도가 증가하는 경향이 있으며, 테이퍼 길이가 증가할수록 테이퍼 각도가 감소하는 경향이 있음을 확인할 수 있다. 그리고, 레이저 컷팅법을 이용한 봉지재는 봉지재의 두께가 168 ~ 200㎛일 때, 33.9 ˚ ~ 84.30˚ 범위의 테이퍼 각을 가짐을 확인할 수 있었다.
(2) SSC 공법으로 제조된 제조예 1 봉지재의 테이퍼 각 측정
하기 표 5와 같은 두께를 가지는 FSPM 시트를 제조한 후, 제조예 1과 동일한 방법으로 슬릿팅 컷팅 및 쉐어링 컷팅을 수행하여 봉지재를 제조하였다. 이때, 상기 FSPM 시트는 메탈층과 이형층의 두께를 달리하여 각각 제조한 것이다. 그리고, 봉지재의 쉐어링 컷팅된 단변의 하도 및 상도 절단면에 대한 테이퍼 길이 및 테이퍼 각도를 각각 측정하였고, 이를 하기 표 5에 나타내었다.
그리고, 슬릿팅 컷팅 및 쉐어링 컷팅 공정 등을 자동공정으로 수행하여 제조한 봉지재 중 무작위로 10개를 선별하였으며, 이들의 평균 테이퍼 길이 및 테이퍼 각도를 측정한 것을 하기 표 5 ~ 표 6에 나타내었다.
쉐어링 컷팅에 따른 테이퍼 각도(˚) 변화 |
봉지재 두께 | |||||
168㎛ | 180㎛ | 188㎛ | 200㎛ | |||
이형시트 두께 | 38㎛ | 50㎛ | 38㎛ | 50㎛ | ||
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | ||
메탈시트 두께 | 80㎛ | 80㎛ | 100㎛ | 100㎛ | ||
테이퍼 길이 |
단변 하도 절단면 |
10㎛ | 86.59 | 86.82 | 86.96 | 87.14 |
20㎛ | 83.21 | 83.66 | 83.93 | 84.29 | ||
30㎛ | 79.88 | 80.54 | 80.93 | 81.47 | ||
40㎛ | 76.60 | 77.47 | 77.99 | 78.69 | ||
50㎛ | 73.43 | 74.48 | 75.11 | 75.96 | ||
평균 30㎛ | 79.94 | 80.59 | 80.98 | 81.51 | ||
단변 상도 절단면 |
-10㎛ | 86.59 | 86.82 | 86.96 | 87.14 | |
-20㎛ | 83.21 | 83.66 | 83.93 | 84.29 | ||
-30㎛ | 79.88 | 80.54 | 80.93 | 81.47 | ||
-40㎛ | 76.60 | 77.47 | 77.99 | 78.69 | ||
-50㎛ | 73.43 | 74.48 | 75.11 | 75.96 | ||
평균 -30㎛ | 79.94 | 80.59 | 80.98 | 81.51 |
슬릿팅 컷팅에 따른 테이퍼 각도(˚) 변화 |
봉지재 두께 | |||||
168㎛ | 180㎛ | 188㎛ | 200㎛ | |||
이형시트 두께 | 38㎛ | 50㎛ | 38㎛ | 50㎛ | ||
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | ||
메탈시트 두께 | 80㎛ | 80㎛ | 100㎛ | 100㎛ | ||
테이퍼 길이 |
장변 하도 절단면 |
0㎛ | 90.00 | 90.00 | 90.00 | 90.00 |
10㎛ | 86.59 | 86.82 | 86.96 | 87.14 | ||
20㎛ | 83.21 | 83.66 | 83.93 | 84.29 | ||
평균 10㎛ | 86.60 | 86.83 | 86.96 | 87.14 |
그리고, 제조예 1 및 비교제조예 1에서 제조한 봉지재 장변 절단면의 측면 방향에서의 SEM 측정 이미지를 각각 도 8(비교제조예 1) 및 도 7(제조예 1)에 나타내었다.
도 8을 살펴보면, 레이저 컷팅으로 제조된 비교제조예 1의 경우, 버(burr)가 발생하고, 오프-셋 영역이 존재함을 확인할 수 있는데 반해, 제조예 1의 경우, 장변의 절단면 버가 존재하지 않을 뿐만 아니라, 오프-셋 영역이 존재하지 않음을 확인할 수 있었다.
또한, 상기 표 5를 살펴보면, SSC 공정으로 제조한 봉지재의 경우, 단변의 상도와 하도의 절단면은 오프-셋 영역의 길이인 테이퍼 길이가 없거나 매우 짧아서 테이퍼 각이 73˚~ 90˚ 임을 확인할 수 있으며, 이를 통하여 SSC 공정으로 제조한 봉지재는 레이저 컷팅 가공으로 제조한 봉지재와 달리 매우 낮은 오프-셋 영역을 가짐을 확인할 수 있었다.
또한, 도 6을 살펴보면, 장변의 절단면의 상도 영역은 잘려나가게 되며, 발생된 스크랩(Scrap)은 스크랩 와인더(Scrap Winder)를 통하여 제거하게 되어, 하도의 재단면을 가지는 봉지재가 만들어진다. 슬릿팅 절단면의 테이퍼 각도는 위의 표 5에 나타내었다. 이 때의 각도는 단변부 보다 적은 테이퍼 각인 83˚~ 90˚공차 범위를 확인할 수 있었다.
(3) SSC 공법으로 제조된 실시예 2 봉지재의 테이퍼 각 측정
상기 (2)와 동일한 방법으로 테이퍼 각도를 측정하되, 제조예 1의 봉지재 대신 제조예 2에서 제조한 봉지재의 테이퍼 각도를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 7 ~ 표 8에 나타내었다. 그리고, 슬릿팅 컷팅 및 쉐어링 컷팅 공정 등을 자동공정으로 수행하여 제조한 봉지재 중 무작위로 10개를 선별하였으며, 이들의 평균 테이퍼길이 및 테이퍼 각도를 측정한 것을 하기 표 7 ~ 8에 나타내었다.
쉐어링 컷팅에 따른 테이퍼 각도(˚) 변화 |
봉지재 두께 | |||||
168㎛ | 180㎛ | 188㎛ | 200㎛ | |||
이형시트 두께 | 38㎛ | 50㎛ | 38㎛ | 50㎛ | ||
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | ||
메탈시트 두께 | 80㎛ | 80㎛ | 100㎛ | 100㎛ | ||
테이퍼 길이 |
단변 하도 절단면 |
10㎛ | 86.59 | 86.83 | 86.91 | 87.16 |
20㎛ | 83.24 | 83.65 | 83.94 | 84.30 | ||
30㎛ | 79.90 | 80.57 | 80.95 | 81.46 | ||
40㎛ | 76.63 | 77.52 | 77.94 | 78.68 | ||
50㎛ | 73.49 | 74.50 | 75.15 | 75.94 | ||
평균 30㎛ | 79.97 | 80.61 | 80.98 | 81.51 | ||
단변 상도 절단면 |
-10㎛ | 86.66 | 86.86 | 86.97 | 87.12 | |
-20㎛ | 83.25 | 83.68 | 83.95 | 84.32 | ||
-30㎛ | 79.94 | 80.55 | 80.96 | 81.50 | ||
-40㎛ | 76.59 | 77.55 | 77.97 | 78.72 | ||
-50㎛ | 73.46 | 74.49 | 75.18 | 75.95 | ||
평균 -30㎛ | 79.98 | 80.63 | 81.01 | 81.52 |
슬릿링 컷팅에 따른 테이퍼 각도(˚) 변화 |
봉지재 두께 | |||||
168㎛ | 180㎛ | 188㎛ | 200㎛ | |||
이형시트 두께 | 38㎛ | 50㎛ | 38㎛ | 50㎛ | ||
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | ||
메탈시트 두께 | 80㎛ | 100㎛ | 100㎛ | 100㎛ | ||
테이퍼 길이 |
장변 하도 절단면 |
0㎛ | 90.00 | 90.00 | 90.00 | 90.00 |
10㎛ | 86.62 | 86.85 | 86.94 | 87.24 | ||
20㎛ | 83.26 | 83.69 | 83.90 | 84.34 | ||
평균 10㎛ | 86.63 | 86.85 | 86.95 | 87.19 |
상기 표 7 및 표 8의 테이퍼 각도 측정 결과와, 상기 표 2 ~ 표 3의 테이퍼 각도 측정 결과를 살펴보면, 거의 유사 내지 동일한 결과를 보였으며, 봉지수지층이 동일 두께인 경우, 봉지시트의 조성이 테이퍼 각도에 영향을 미치지는 않음을 확인할 수 있었다.
(4) 제조예 1 봉지재의 이형시트 제거된 후의 테이퍼 각 측정
상기 제조예 1에서 제조 및 테이퍼 각도 측정한 봉지재의 이형시트를 제거한 후의 봉지재(메탈시트-봉지시트)의 장변 및 단변 절단면의 테이퍼 각을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 9 및 표 10에 나타내었다.
쉐어링 컷팅에 따른 테이퍼 각도(˚) 변화 |
봉지재 두께 (이형층 제거) | |||
130㎛ | 150㎛ | |||
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | ||
메탈시트 두께 | 80㎛ | 100㎛ | ||
테이퍼 길이 |
단변 하도 절단면 |
10㎛ | 85.60 | 86.19 |
20㎛ | 81.25 | 82.40 | ||
30㎛ | 77.01 | 78.69 | ||
40㎛ | 72.90 | 75.07 | ||
50㎛ | 68.96 | 71.57 | ||
평균 30㎛ | 77.67 | 78.96 | ||
단변 상도 절단면 |
-10㎛ | 85.60 | 86.19 | |
-20㎛ | 81.25 | 82.40 | ||
-30㎛ | 77.01 | 78.69 | ||
-40㎛ | 72.90 | 75.07 | ||
-50㎛ | 68.96 | 71.57 | ||
평균 -30㎛ | 77.14 | 78.78 |
슬릿링 컷팅에 따른 테이퍼 각도(˚) 변화 |
봉지재 두께 (이형층 제거) | |||
130㎛ | 150㎛ | |||
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | ||
메탈시트 두께 | 80㎛ | 100㎛ | ||
테이퍼 길이 |
장변 하도 절단면 |
0㎛ | 90.00 | 90.00 |
10㎛ | 85.60 | 86.19 | ||
20㎛ | 81.25 | 82.40 | ||
평균 10㎛ | 85.62 | 86.20 |
상기 표 9 및 표 10의 테이퍼 각을 상기 표 5 ~ 표 8과 비교해보면, 이형시트 제거로 인해, 테이퍼 각도가 다소 감소하는 경향이 있음을 확인할 수 있다.
그리고, 쉐어링 컷팅 절단면의 테이퍼 각도는 67˚~ 90˚였으며, 슬릿팅 컷팅 절단면의 테이퍼 각도는 80˚ ~ 90˚임을 확인할 수 있었다.
실험예 2 : 이형층 초기 박리력 측정
제조예 1 및 비교제조예 1에서 제조한 복합시트(FSPM 시트)를 각각 준비하였다.
다음으로, UTM을 이용하여 제조예 1 및 비교제조예 1의 FSPM 시트 각각의 모서리 4군데의 이형층(liner film)에 대한 초기 박리력을 프로브 택 테스트(probe tack test)를 통해 측정하였다.
측정 방법은 지그 하강속도 및 상승속도 1.0 mm/sec, 드웰힘(dwell force, 가압력) 800 gf 및 드웰시간(dwell time, 가압 유지 시간) 10 초였다.
실험에 사용된 기기 및 실험 수행 사진을 도 10의 A와 B에 사진으로 나타내었으며, 도 10의 C에는 볼 형태의 지그가 시트 모서리에 접근, 접촉유지 및 이형층 분리 모식도를 나타내었다. 그리고, 제조예 1 및 비교제조예 1의 초기 박리력 측정 결과를 도 11의 A 및 B에 나타내었고, 도 11의 C에는 초기 박리력(gf) 평균값을 나타내었다. 도 11의 A, B에서 L/C-1 ~ L/C-5 및 SSC-1 ~ SSC-5 각각은 제조예 1 및/또는 비교제조예 1에서 제조된 봉지재를 임의로 선택하여 초기 박리력 측정한 봉지재를 의미한다.
도 11을 살펴보면, 레이저 컷팅 가공법에 의해 제조된 봉지재(비교제조예 1)의 경우, 이형층의 봉지수지층에 대한 초기 박리력이 500 ~ 500 gf인데 반해, SSC 가공법에 의해 제조된 봉지재(제조예 1)의 경우, 이형층의 봉지수지층에 대한 초기 박리력이 300 ~ 350 gf으로 초기 박리력이 크게 낮음을 확인할 수 있었다. 이러한 차이는 비교제조예 1의 경우, 레이저 컷팅시 이형층 및/또는 봉지수지층에 열변형이 발생하여, 이형층과 봉지수지층의 절단면 표면에 잔사가 형성되어 초기 박리력을 증대시키는 요인으로 작용했기 때문이기 때문이다.
제조예 3
(1) 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 준비예 3-1의 롤링된 복합시트(FSPM 시트)를 SSC(Slitting & Shearing Cutting) 자동화 기기를 이용하여 유기전자장치 봉지재를 제조하되, 하기 표 11과 같이, 슬릿팅 컷팅시 측압 및 상도 나이프의 삽입 깊이를 달리하여 복합시트의 장변을 슬릿팅 컷팅을 수행하였으며, 슬릿팅 컷팅된 장변의 절단면 SEM 측정 사진을 도 12a ~ 도 12f에 나타내었다. 하기 표 11의 알파벳 부호는 도 12의 광학 현미경 측정 이미지를 표시한 것이다. 이때, 도 12의 이미지에서 하부층이 메탈층이다.
구분 | 상도 나이프 측압(kgf/㎠) | |||||
0.5 | 1.0 | 2.0 | 2.5 | 2.7 | ||
상도 나이프 삽입 깊이 (mm) |
0.3 | A | B | C | D | E |
1.0 | F | G | H | I | J | |
1.5 | K | L | M | N | O | |
2.0 | P | Q | R | S | T | |
2.2 | U | V | W | X | Y |
도 12a ~ 도 12f를 살펴보면, 상도 나이프 삽입 깊이 2.0 mm를 초과한 2.2 mm의 경우, 감압점착제층이 무너지게 되며, 각 층의 구분이 불분명하여 컷팅 품질이 좋지 않음을 확인할 수 있다. 또한, 상도 나이프에 가해지는 측압이 2.5kgf를 초과한 2.7kgf의 경우, 테이퍼가 과하게 발생하며, 균일성이 떨어져 품질이 좋지 않은 문제가 있음을 확인할 수 있었다.
(2) 상도 나이프 조건에 따른 테이퍼 각도
상기 표 11의 상도 나이프 삽입 깊이 및 측압 조건에 따라 슬릿 컷팅된 절단면의 하도 절단면에 대한 테이퍼 각도를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 12에 나타내었다. 하기 표 12의 알파벳은 표 11의 상도 나이프 조건을 의미한다.
슬릿링 컷팅에 따른 테이퍼 각도(˚) 변화 |
봉지재 두께 | |||
168㎛ | 180㎛ | 188㎛ | 200㎛ | |
이형시트 두께 | 38㎛ | 50㎛ | 38㎛ | 50㎛ |
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ |
메탈시트 두께 | 80㎛ | 80㎛ | 100㎛ | 100㎛ |
A | 88.98 | 89.05 | 89.39 | 89.42 |
B | 88.64 | 88.73 | 88.78 | 88.85 |
C | 88.30 | 88.41 | 88.78 | 88.85 |
D | 84.90 | 85.24 | 85.74 | 85.43 |
E | 79.88 | 79.00 | 78.58 | 78.14 |
F | 88.64 | 89.05 | 88.78 | 88.85 |
G | 88.64 | 88.41 | 88.48 | 88.85 |
H | 88.30 | 88.41 | 88.17 | 88.85 |
I | 84.90 | 84.92 | 85.44 | 85.43 |
J | 78.56 | 78.08 | 77.99 | 77.59 |
K | 88.64 | 89.05 | 88.78 | 88.85 |
L | 88.64 | 88.41 | 88.48 | 88.85 |
M | 88.30 | 88.41 | 88.17 | 88.85 |
N | 84.90 | 84.92 | 85.44 | 85.43 |
O | 77.58 | 77.77 | 77.70 | 76.78 |
P | 88.98 | 89.05 | 88.78 | 88.85 |
Q | 88.64 | 88.41 | 88.48 | 88.85 |
R | 88.30 | 88.41 | 88.17 | 88.85 |
S | 84.90 | 84.92 | 85.44 | 85.43 |
T | 82.87 | 83.03 | 83.03 | 82.87 |
U | 82.54 | 82.72 | 82.43 | 82.03 |
V | 81.87 | 81.78 | 81.23 | 80.35 |
W | 81.53 | 80.85 | 80.64 | 80.07 |
X | 79.88 | 78.38 | 76.54 | 76.23 |
Y | 77.25 | 76.86 | 75.96 | 75.96 |
상기 표 12를 살펴보면, 상도 나이프 삽입 깊이 2.0 mm를 초과한 2.2 mm의 경우, 또는 상도 나이프에 가해지는 측압이 2.5kgf를 초과한 경우, 테이퍼 길이(오프-셋 영역)이 증가하여 테이퍼 각도가 낮아지는 경향이 있음을 확인할 수 있다.
제조예 4
(1) 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 준비예 3-1의 롤링된 복합시트(FSPM 시트)를 SSC 자동화 기기를 이용하여 유기전자장치 봉지재를 제조하되, 단변을 쉐어링 컷팅시 상도 나이프와 하도 나이프의 간격을 5㎛, 12.5㎛, 25㎛ 및 50㎛로 하여 쉐어링 컷팅을 수행하였으며, 쉐어링 컷팅의 하도 나이프에 의한 절단면의 광학 현미경 측정 이미지를 도 13a에 나타내었고, 복합시트의 PET 들뜸 여부는 광학 현미경 측정 이미지를 도 13b에 나타내었다. 도 13b의 Avg.(Average)값은 이형시트의 단부로부터 내부 방향으로 발생되는 PET의 들뜸 양에 대한 평균값을 의미하며, 들뜸 현상 발생 여부는 재단된 FSPM 시트를 이형층 위에서 현미경으로 확인한 것이다. 도 13b를 살펴보면, 상도 나이프와 하도 나이프의 갭 간격이 증가할수록 이형시트의 들뜸 현상 발생 부분이 증가하는 경향을 보임을 확인할 수 있었다(표 13 참조).
쉐어링 컷팅 Liner PET 들뜸 | 봉지재 두께 | ||||
168㎛ | 180㎛ | 188㎛ | 200㎛ | ||
이형시트 두께 | 38㎛ | 50㎛ | 38㎛ | 50㎛ | |
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | |
메탈시트 두께 | 80㎛ | 80㎛ | 100㎛ | 100㎛ | |
상하도 나이프 간격 |
0.5㎛ | 0.2mm | 0.3mm | 0.2mm | 0.3mm |
2 ㎛ | 0.4mm | 0.5mm | 0.5mm | 0.7mm | |
5 ㎛ | 0.7mm | 1.0mm | 1.0mm | 1.5mm | |
10 ㎛ | 1.2mm | 1.7mm | 1.2mm | 2.0mm | |
25 ㎛ | 2.0mm | 3.0mm | 2.5mm | 3.5mm | |
50 ㎛ | 3.5mm | 4.5mm | 3.0mm | 5.0mm |
(3) 쉐어링 컷팅 시, 상도 나이프의 칼날각도에 따른 쉐어링 컷팅 상도 절단면의 테이퍼 각도
상기 제조예 1과 동일한 방법으로 준비예 3-1의 롤링된 복합시트(FSPM 시트)를 SSC 자동화 기기를 이용하여 유기전자장치 봉지재를 제조하되, 단변을 쉐어링 컷팅시 상도 나이프의 칼날각도를 달리하여, 쉐어링 컷팅을 수행한 후, 쉐어링 컷팅된 단변 상도 절단면의 테이퍼 각도를 측정한 결과를 하기 표 14에 나타내었다.
쉐어링 컷팅에 따른 테이퍼 각도(˚) 변화 |
봉지재 두께 | ||||
168㎛ | 180㎛ | 188㎛ | 200㎛ | ||
이형시트 두께 | 38㎛ | 38㎛ | 38㎛ | 50㎛ | |
봉지시트 두께 | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | 50㎛ | |
메탈시트 두께 | 80㎛ | 92㎛ | 100㎛ | 100㎛ | |
상도 나이프 칼날각도 |
0.135° | 76.61 | 76.87 | 76.83 | 77.05 |
0.143° | 82.54 | 82.72 | 82.73 | 82.88 | |
0.215° | 84.22 | 84.29 | 83.93 | 84.00 | |
0.285° | 85.58 | 85.55 | 85.44 | 85.43 | |
0.316° | 75.00 | 75.07 | 74.54 | 75.14 |
상기 표 14를 살펴보면, 상도 나이프의 칼날각도가 0.140° 미만이거나, 0.300°를 초과하는 경우, 테이퍼 각도가 오히려 급격하게 낮아지는 경향이 있음을 확인할 수 있다.
상기 실시예 및 실험예를 통하여, 본 발명은 기존 레이저 공법으로 제조된 봉지재의 문제점인 이형층의 컷팅면 부분에 둔턱 발생, 컷팅면에 잔사와 버(burr)가 발생 및 오프-셋(off-set) 영역 다량 발생이 해결된 유기전자장치용 봉지재를 제공할 수 있음을 확인할 수 있었다.
Claims (11)
- 건식 면 세정기를 이용하여 시트를 세정하는 시스템으로서,
제1 정전기 제거 공정, 에어 샤워 공정, 제2 정전기 제거 공정, 털기 공정 및 제3 정전기 제거 공정을 연속적으로 수행하며,
석션의 흡입을 통해 제거된 이물질이 건식 면 세정기 외부로 배출되고,
상기 제1 정전기 제거 공정의 수행 여부는 선택적인 것을 특징으로 하는 건식 면세정 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 건식 면 세정기는 시트의 상부를 세정하는 상부 세정기 및 시트의 하부를 세정하는 하부 세정기를 포함하며,
상기 상부 세정기 및 하부 세정기 각각은 독립적으로 2개 이상의 이오나이져, 1개의 에어나이프, 1개의 회전 브러쉬(brush) 및 석션(suction)을 포함하고,
시트는 상기 상부 세정기 및 하부 세정기 사이를 통과하는 것을 특징으로 하는 건식 면세정 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 정전기 제거 공정 내지 제3 정전기 제거 공정 각각은 이오나이져(ionizer)에 의해 수행하는 것을 특징으로 하는 건식 면세정 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 에어 샤워 공정은 에어나이프에 의해 수행되며,
에어나이프의 에어 배출 압력은 1 ~ 4bar인 것을 특징으로 하는 건식 면세정 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 털기 공정은 회전하는 브러쉬(brush)가 시트 양면의 이물질을 제거하여 수행되며,
상부 세정기 브러쉬 및 하부 세정기 브러쉬 각각은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하되, 상부 세정기 브러쉬의 회전 방향과 하부 세정기 브러쉬의 회전 방향은 서로 다른 방향으로 회전하며,
상부 세정기 브러쉬 및 하부 세정기 브러쉬 각각의 회전 속도는 200 ~ 400 rpm인 것을 특징으로 하는 건식 면세정 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 석션의 흡입 압력은 5 ~ 20 CMM인 것을 특징으로 하는 건식 면세정 시스템.
- 제1항 내지 제6항 중에서 선택된 어느 한 항의 건식 면세정 시스템을 이용하여, 기계적 컷팅된 시트를 세정하는 것을 특징으로 하는 시트 세정 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 시트는 메탈층, 봉지수지층 및 이형층을 포함하거나, 또는 메탈층 및 봉지수지층을 포함하는 복합시트를 포함하는 것을 특징으로 하는 시트 세정 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 기계적 컷팅은 슬릿팅 컷팅(slitting cutting) 및 쉐어링 컷팅(shearing cutting) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 컷팅 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 시트 세정 방법.
- 제7항의 시트 세정 방법을 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재 제조방법.
- 메탈층, 봉지수지층 및 이형층을 포함하는 복합시트 또는 메탈층 및 봉지수지층을 포함하는 복합시트를 준비하는 1단계;
상기 복합시트의 장변 방향 양변을 슬릿팅 컷팅(slitting cutting) 또는 쉐어링 컷팅(shearing cutting)의 기계적 컷팅을 수행하는 2단계;
기계적 컷팅을 수행한 복합시트를 단변 방향으로 슬릿팅 컷팅(slitting cutting) 또는 쉐어링 컷팅(shearing cutting)의 기계적 컷팅을 수행하는 3단계; 및
3단계의 기계적 컷팅된 복합시트를 제1항 내지 제6항 중에서 선택된 어느 한 항의 건식 면세정 시스템으로 세정을 수행하는 4단계;를 포함하는 공정을 수행하며,
상기 2단계 내지 3단계 또는 2단계 내지 4단계는 연속적인 공정인 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 봉지재의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190118659A KR20210036558A (ko) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 건식 면세정 시스템, 이를 이용한 시트 세정방법 및 이를 이용한 유기전자장치용 봉지재 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020190118659A KR20210036558A (ko) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 건식 면세정 시스템, 이를 이용한 시트 세정방법 및 이를 이용한 유기전자장치용 봉지재 제조방법 |
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Publication Number | Publication Date |
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KR20210036558A true KR20210036558A (ko) | 2021-04-05 |
Family
ID=75462087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020190118659A KR20210036558A (ko) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 건식 면세정 시스템, 이를 이용한 시트 세정방법 및 이를 이용한 유기전자장치용 봉지재 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20210036558A (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060030718A (ko) | 2004-10-06 | 2006-04-11 | 에스케이씨 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시 소자 및 이의 봉지 방법 |
JP2016024240A (ja) | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 日本化薬株式会社 | 液晶シール剤及びそれを用いた液晶表示セル |
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2019
- 2019-09-26 KR KR1020190118659A patent/KR20210036558A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
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