KR20210033891A - Processing apparatus and wafer processing method - Google Patents

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KR20210033891A
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wafer
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outer circumferential
holding
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KR1020200109129A
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도모아키 스기야마
준 나카마
요시마사 고지마
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

Disclosed is a technology which enables dicing of a wafer without removing the wafer from a holding table in the wafer of which a circular concave portion and an outer periphery convex portion are formed on a back surface. To this end, the present invention relates to a device for processing the wafer, which comprises: a rotatable holding table having a holding portion made of a transparent material, and holding a surface side of the wafer; a lower imaging camera for photographing the surface of the wafer held by the holding table through the holding portion; a first cutting unit having a first cutting blade for cutting the outer periphery convex portion of the back surface of the wafer to reduce a height of the outer periphery convex portion; and a second cutting unit having a second cutting blade for cutting the wafer along a street of the surface of the wafer photographed by the lower imaging camera.

Description

가공 장치, 및 웨이퍼의 가공 방법{PROCESSING APPARATUS AND WAFER PROCESSING METHOD}A processing apparatus, and a processing method of a wafer TECHNICAL FIELD {PROCESSING APPARATUS AND WAFER PROCESSING METHOD}

본 발명은, 이면의 원형 오목부에 의해 외주 볼록부가 형성되는 웨이퍼를 가공하는 가공 장치, 및 가공 장치를 사용한 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a processing apparatus for processing a wafer in which an outer circumferential convex portion is formed by a circular concave portion on the back surface, and a processing method using the processing apparatus.

반도체 웨이퍼의 가공 공정에 있어서, 박화 (薄化) 된 웨이퍼의 이면에 금속막을 성막하는 공정에서는, 웨이퍼의 강도 부족에 의해 웨이퍼 파손이 발생하는 것이 염려된다.In the process of processing a semiconductor wafer, in the process of forming a metal film on the back surface of the thinned wafer, there is a concern that wafer damage may occur due to insufficient strength of the wafer.

이 웨이퍼 파손을 방지하기 위해, 웨이퍼의 이면을 연삭할 때에 외주 잉여 영역은 연삭하지 않고, 원래의 두께인 상태로 잔존시켜 외주 볼록부를 형성하고, 외주 볼록부에서 보강부를 구성하는 기술이 알려져 있다.In order to prevent the wafer from being damaged, a technique for forming an outer circumferential convex portion by grinding the back surface of a wafer without grinding the outer circumferential surplus region but remaining at the original thickness to form a reinforcing portion from the outer circumferential convex portion is known.

그리고, 금속막을 성막한 후에 개개의 칩으로 다이싱할 때에는, 웨이퍼의 표면을 위로 한 상태에서 절삭할 필요가 있기 때문에, 외주 볼록부에 둘러싸인 원형 오목부의 형상에 대응되는 유지 테이블이 이용되는 것이고, 예를 들어, 특허문헌 1 에서는, 원형 오목부에 끼워 맞추는 원반상 포러스 흡착부를 구비한 소위 볼록형의 유지 테이블에 대해 개시하고 있다.In addition, when dicing into individual chips after depositing the metal film, since it is necessary to cut the wafer with the surface facing up, a holding table corresponding to the shape of the circular concave portion surrounded by the outer circumferential convex portion is used. For example, Patent Literature 1 discloses a so-called convex holding table provided with a disk-shaped porous adsorption portion fitted to a circular concave portion.

한편, 특허문헌 2 에서는, 웨이퍼의 이면 중 디바이스 영역에 상당하는 영역의 연삭에 의해 원형 오목부를 형성하여 외주 볼록부를 형성하고, 이면 연삭 후의 웨이퍼의 디바이스 영역 또는 이면에 추가 가공을 실시한 후에, 추가 가공 후의 웨이퍼의 외주 볼록부를 제거하는 기술에 대해 개시되어 있다.On the other hand, in Patent Document 2, a circular concave portion is formed by grinding a region corresponding to the device region of the back surface of the wafer, and further processing is performed after performing additional processing on the device region or the back surface of the wafer after the back surface grinding. Disclosed is a technique for removing the outer circumferential convex portion of a subsequent wafer.

일본 공개특허공보 2010-016146호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2010-016146 일본 공개특허공보 2007-019379호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-019379

그러나, 보강부인 외주 볼록부의 폭은 웨이퍼의 패턴 (칩 사이즈나 디바이스 영역의 사이즈) 등에 따라 상이한 것이다. 이 때문에, 특허문헌 1 에 개시되는 볼록형의 유지 테이블에 의한 구성에서는, 각 웨이퍼의 폭이 상이한 외주 볼록부에 대응되는 유지 테이블을 제작할 필요가 발생함과 함께, 그 관리 부담도 발생하여, 번잡한 것이 된다. 또, 가공시에 교환하는 수고가 발생하고, 이로써, 장치의 가동 시간도 삭감되어 버리게 된다.However, the width of the outer circumferential convex portion, which is a reinforcing portion, is different depending on the wafer pattern (chip size or the size of the device region). For this reason, in the configuration of the convex holding table disclosed in Patent Literature 1, while it is necessary to manufacture a holding table corresponding to the outer circumferential convex portions having different widths of each wafer, the management burden is also generated, which is cumbersome. It becomes. In addition, labor of exchanging during processing occurs, and thus, the operating time of the device is also reduced.

볼록형의 유지 테이블을 사용하지 않는 방법으로서, 웨이퍼의 이면을 위로 하여 노출시킨 상태에서 웨이퍼를 절삭하는 것을 생각할 수 있지만, 웨이퍼의 이면에 금속막이 성막되어 있으면 IR 카메라로 표면측을 촬상할 수 없기 때문에, 스트리트를 검출할 수 없고, 얼라이먼트를 할 수 없다는 문제가 있다.As a method that does not use a convex holding table, it is conceivable to cut the wafer while exposing the back side of the wafer upward, but if a metal film is deposited on the back side of the wafer, the IR camera cannot image the surface side. , There is a problem that the street cannot be detected and alignment cannot be performed.

이상을 토대로 하여, 외주 볼록부의 상단을 성막하지 않고, 이 영역을 IR 카메라로 촬상하여 스트리트를 검출하는 것도 생각할 수 있지만, 외주 부분은 패턴 정밀도가 낮고, 고정밀도의 얼라이먼트를 하는 것이 어렵게 되어, 이 방법도 채용하는 것은 어렵다.Based on the above, it is conceivable to detect the street by imaging this area with an IR camera without forming a film on the upper end of the outer circumferential convex portion, but the outer circumferential portion has low pattern precision and it is difficult to perform high-precision alignment. It is difficult to employ a method as well.

한편, 특허문헌 2 와 같이, 외주 볼록부를 제거하여 웨이퍼의 이면을 평탄하게 한 후, 웨이퍼의 표면을 위로 하여 다이싱하는 것을 생각할 수 있다. 이것에 의하면, 볼록형의 유지 테이블을 사용할 필요가 없다.On the other hand, as in Patent Document 2, it is conceivable to remove the outer circumferential convex portion to make the back surface of the wafer flat, and then dicing with the surface of the wafer upward. According to this, it is not necessary to use a convex holding table.

이 경우, 웨이퍼의 표면을 노출시켜 가공하기 위해서, 웨이퍼의 이면에 테이프를 첩착 (貼着) 하는 작업이 필요해지지만, 박화된 웨이퍼의 보강부인 외주 볼록부가 제거됨으로써 웨이퍼의 강도가 약해져 있기 때문에, 테이프를 첩착하는 작업시에 웨이퍼를 파손해 버릴 우려가 있다.In this case, in order to process by exposing the surface of the wafer, it is necessary to attach the tape to the back surface of the wafer, but the strength of the wafer is weakened by removing the outer circumferential convex portion, which is the reinforcing portion of the thinned wafer. There is a fear of damaging the wafer during the work of attaching the wafer.

따라서, 본 발명의 목적은, 이면에 원형 오목부와 외주 볼록부가 형성된 웨이퍼에 있어서, 유지 테이블로부터 웨이퍼를 떼어내지 않고 웨이퍼의 테이프에 대한 개편화 (個片化) 를 가능하게 하는 가공 장치 및 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a wafer with a processing apparatus and a wafer that enables the individualization of the wafer tape without removing the wafer from the holding table in a wafer having a circular concave portion and an outer circumferential convex portion on the back surface. It is to provide a method of processing.

본 발명의 하나의 측면에 의하면, 표면의 교차하는 복수의 스트리트로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 영역에 대응되는 이면에 오목부가 형성됨과 함께 그 오목부를 둘러싸는 외주 볼록부가 형성된 웨이퍼를 가공하는 가공 장치로서, 그 웨이퍼의 그 표면측을 유지하는, 투명재로 이루어지는 유지부를 가진 회전 가능한 유지 테이블과, 그 유지 테이블에서 유지된 그 웨이퍼의 그 표면을 그 유지부를 통하여 촬상하는 하방 촬상 카메라와, 그 웨이퍼의 이면의 그 외주 볼록부를 절삭하여 그 외주 볼록부의 높이를 줄이는 제 1 절삭 블레이드를 갖는 제 1 절삭 유닛과, 그 하방 촬상 카메라로 촬상한 그 웨이퍼의 그 표면의 그 스트리트를 따라 그 웨이퍼를 절삭하는 제 2 절삭 블레이드를 갖는 제 2 절삭 유닛을 구비한 절삭 기구와, 그 유지 테이블과 그 절삭 기구를 상대 이동시키는 이동 기구를 포함하는 가공 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, a wafer in which a concave portion is formed on the back surface corresponding to the device area in which a device is formed in each area divided by a plurality of streets intersecting the surface and an outer circumferential convex portion surrounding the concave portion is formed A processing apparatus comprising: a rotatable holding table having a holding portion made of a transparent material that holds the surface side of the wafer, and a downward imaging camera that photographs the surface of the wafer held by the holding table through the holding portion; , A first cutting unit having a first cutting blade that cuts the outer circumferential convex portion of the back surface of the wafer to reduce the height of the outer circumferential convex portion, and the wafer along the street of the surface of the wafer imaged with the lower imaging camera There is provided a processing apparatus including a cutting mechanism including a second cutting unit having a second cutting blade that cuts the blade, and a moving mechanism that moves the holding table and the cutting mechanism relative to each other.

바람직하게는, 가공 장치는, 그 유지 테이블에서 유지된 웨이퍼의 그 이면을 촬상하는 상방 촬상 카메라를 추가로 구비한다.Preferably, the processing apparatus further includes an upper imaging camera for imaging the back surface of the wafer held on the holding table.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 표면의 교차하는 복수의 스트리트로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 영역에 대응되는 이면에 오목부가 형성됨과 함께 그 오목부를 둘러싸는 외주 볼록부가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 스텝과, 그 웨이퍼의 표면에 투명한 보호 부재를 배치 형성하는 보호 부재 배치 형성 스텝과, 그 보호 부재를 통하여 그 웨이퍼의 표면측을 투명재로 이루어지는 유지부를 가진 유지 테이블에서 유지하는 유지 스텝과, 그 유지 테이블에서 유지된 그 웨이퍼의 그 외주 볼록부에 대해 제 1 절삭 블레이드의 선단을 그 오목부의 바닥면에 도달하지 않는 높이로 절입시켜 절삭하여 그 외주 볼록부의 높이를 줄이는 제 1 절삭 스텝과, 그 제 1 절삭 스텝을 실시한 후, 그 유지 테이블의 하방에 배치 형성된 하방 촬상 카메라로 투명한 그 유지부와 투명한 그 보호 부재를 통하여 그 웨이퍼의 그 표면을 촬상하여 스트리트를 검출하는 스트리트 검출 스텝과, 그 스트리트 검출 스텝에서 검출한 그 스트리트를 따라 제 2 절삭 블레이드로 그 웨이퍼를 절삭하는 제 2 절삭 스텝을 구비한 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, preparing a wafer in which a concave portion is formed on a rear surface corresponding to a device area in which a device is formed in each area divided by a plurality of streets intersecting the surface, and an outer circumferential convex portion surrounding the concave A wafer preparation step, a protective member arrangement forming step for arranging and forming a transparent protective member on the surface of the wafer, and a holding step for holding the surface side of the wafer through the protective member on a holding table having a holding portion made of a transparent material; , A first cutting step for reducing the height of the outer circumferential convex portion by cutting the tip of the first cutting blade to a height not reaching the bottom surface of the concave portion with respect to the outer circumferential convex portion of the wafer held on the holding table; and , After performing the first cutting step, a street detection step for detecting a street by imaging the surface of the wafer through the transparent holding portion and the transparent protective member with a lower imaging camera disposed under the holding table, There is provided a wafer processing method including a second cutting step of cutting the wafer with a second cutting blade along the street detected in the street detection step.

본 발명의 구성에 의하면, 이면에 원형 오목부와 외주 볼록부가 형성되는 웨이퍼에 있어서, 유지 테이블로부터 웨이퍼를 떼어내지 않고 웨이퍼의 개편화가 가능해져, 유지 테이블로부터 웨이퍼를 떼어내어 취급할 때에 발생하는 웨이퍼의 파손 우려를 방지할 수 있다.According to the configuration of the present invention, in a wafer having a circular concave portion and an outer circumferential convex portion formed on the back surface, it is possible to separate the wafer without removing the wafer from the holding table, and the wafer generated when the wafer is removed from the holding table and handled. It can prevent the risk of damage.

또, 외주 볼록부가 제 1 절삭 블레이드에 의해 가공되어, 외주 볼록부의 부분의 두께가 얇아져 있기 때문에, 제 2 절삭 블레이드의 날끝 내밀기량을 과도하게 많이 설정할 필요가 없고, 적정한 날끝 내밀기량으로 절삭이 가능해진다. 이로써, 절삭 블레이드의 균열이나, 흔들림의 발생 등의 문제의 발생을 억제할 수 있다.In addition, since the outer circumferential convex portion is processed by the first cutting blade, and the thickness of the outer circumferential convex portion is thin, there is no need to set excessively large amount of cutting edge of the second cutting blade, and cutting can be performed with an appropriate amount of cutting edge. It becomes. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of problems such as cracking of the cutting blade and occurrence of vibration.

도 1 은, 본 발명 실시형태의 가공 장치의 대략 사시도이다.
도 2 는, 지지 박스 및 유지 테이블 부분의 분해 사시도이다.
도 3(A) 는 지지 박스 상에 탑재된 유지 테이블의 사시도이다. 도 3(B) 는 하방 촬상 카메라 및 그 지지 구조의 사시도이다.
도 4 는, 유지 테이블과 하방 촬상 카메라의 위치 관계에 대해 설명하는 도면이다.
도 5(A) 는 피가공물의 일례인 웨이퍼의 사시도이다. 도 5(B) 는 웨이퍼의 이면측 사시도이다.
도 6(A) 는 보호 부재의 첩착에 대해 설명하는 도면이다. 도 6(B) 는 웨이퍼 유닛의 사시도이다.
도 7(A) 는 제 1 절삭 블레이드로 외주 볼록부를 제거하는 제 1 절삭 스텝을 나타내는 일부 단면 측면도이다. 도 7(B) 는 외주 볼록부를 제거한 웨이퍼의 단면도이다.
도 8(A) 는 유지 패드를 통하여 웨이퍼의 표면을 촬상하는 것에 대해 설명하는 일부 단면 측면도이다. 도 8(B) 는 제 2 절삭 유닛에 의한 절삭 가공에 대해 설명하는 일부 단면 측면도이다.1 is a schematic perspective view of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view of a support box and a holding table portion.
Fig. 3(A) is a perspective view of a holding table mounted on a support box. 3(B) is a perspective view of a lower imaging camera and a supporting structure thereof.
4 is a diagram illustrating a positional relationship between a holding table and a lower imaging camera.
Fig. 5(A) is a perspective view of a wafer which is an example of a workpiece. Fig. 5(B) is a perspective view of the back side of the wafer.
Fig. 6(A) is a diagram explaining the adhesion of the protective member. 6(B) is a perspective view of the wafer unit.
Fig. 7(A) is a partial cross-sectional side view showing a first cutting step in which an outer circumferential convex portion is removed with a first cutting blade. Fig. 7(B) is a cross-sectional view of the wafer with the outer circumferential convex portion removed.
Fig. 8A is a partial cross-sectional side view illustrating imaging of the surface of a wafer through a holding pad. Fig. 8(B) is a partial cross-sectional side view explaining the cutting process by the second cutting unit.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 가공 장치 (2) 의 사시도이다. 가공 장치 (2) 는 2 개의 절삭 블레이드가 대향되어 배치 형성된 페이싱 듀얼 스핀들 타입의 절삭 장치로서 구성된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1 is a perspective view of a processing apparatus 2 according to an embodiment of the present invention. The processing device 2 is constituted as a facing dual spindle type cutting device in which two cutting blades are opposed and disposed.

가공 장치 (2) 의 기대 (4) 에는, 유지 테이블 (27) 이 이동 기구 (23) (도 3(A)) 에 의해 X 축 방향으로 왕복동 가능하게 배치 형성되어 있다. 유지 테이블 (27) 의 주위에는 워터 커버 (14) 가 배치 형성되어 있고, 이 워터 커버 (14) 와 기대 (4) 에 걸쳐 벨로즈 (16) 가 연결되어 있다.On the base 4 of the processing apparatus 2, the holding table 27 is disposed so as to reciprocate in the X-axis direction by a moving mechanism 23 (Fig. 3(A)). A water cover 14 is disposed around the holding table 27, and a bellows 16 is connected across the water cover 14 and the base 4.

기대 (4) 의 전측 모서리부에는, 후술하는 피가공물을 수용하는 카세트 (20) 를 재치 (載置) 하기 위한 카세트 재치대 (21) 가 형성된다.In the front edge portion of the base 4, a cassette mounting table 21 for placing a cassette 20 for accommodating a workpiece to be described later is formed.

기대 (4) 상에는 문형 형상의 칼럼 (24) 이 세워 형성되어 있고, 칼럼 (24) 에는 Y 축 방향으로 신장되는 1 쌍의 가이드 레일 (26) 이 고정되어 있다. 칼럼 (24) 에는 제 1 Y 축 이동 블록 (28) 이, 볼 나사 (30) 와 펄스 모터 (도시 생략) 로 이루어지는 제 1 Y 축 이동 기구 (34) 에 의해 가이드 레일 (26) 에 안내되어 Y 축 방향으로 이동 가능하게 탑재되어 있다.A gate-shaped column 24 is erected on the base 4, and a pair of guide rails 26 extending in the Y-axis direction are fixed to the column 24. In the column 24, the first Y-axis moving block 28 is guided to the guide rail 26 by a first Y-axis moving mechanism 34 composed of a ball screw 30 and a pulse motor (not shown). It is mounted to be movable in the axial direction.

제 1 Y 축 이동 블록 (28) 에는 Z 축 방향으로 신장되는 1 쌍의 가이드 레일 (36) 이 고정되어 있다. 제 1 Y 축 이동 블록 (28) 상에는, 제 1 Z 축 이동 블록 (38) 이 볼 나사 (40) 와 펄스 모터 (42) 로 이루어지는 제 1 Z 축 이동 기구 (44) 에 의해 가이드 레일 (36) 에 안내되어 Z 축 방향으로 이동 가능하게 탑재되어 있다.A pair of guide rails 36 extending in the Z-axis direction are fixed to the first Y-axis moving block 28. On the first Y-axis moving block 28, the first Z-axis moving block 38 is a guide rail 36 by a first Z-axis moving mechanism 44 composed of a ball screw 40 and a pulse motor 42. It is guided to and mounted to be movable in the Z-axis direction.

제 1 Z 축 이동 블록 (38) 에는 제 1 절삭 유닛 (46) 및 상방 촬상 카메라 (52) 가 장착되어 있다. 제 1 절삭 유닛 (46) 은, 도 7(A) 에 나타내는 바와 같이, 모터 (도시 생략) 에 의해 회전 구동되는 스핀들 (48) 의 선단부에 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 착탈 가능하게 장착하여 구성되어 있다.The first Z-axis movement block 38 is equipped with a first cutting unit 46 and an upward imaging camera 52. The first cutting unit 46 is configured by attaching and detaching the first cutting blade 50 to the distal end of the spindle 48 that is rotationally driven by a motor (not shown), as shown in Fig. 7(A). Has been.

문형 형상의 칼럼 (24) 에는 추가로, 제 2 Y 축 이동 블록 (28a) 이 볼 나사 (30a) 와 펄스 모터 (32a) 로 이루어지는 제 2 Y 축 이동 기구 (34a) 에 의해 가이드 레일 (26) 에 안내되어 Y 축 방향으로 이동 가능하게 탑재되어 있다.In addition to the gate-shaped column 24, the second Y-axis moving block 28a is a guide rail 26 by a second Y-axis moving mechanism 34a comprising a ball screw 30a and a pulse motor 32a. It is guided to and mounted to be movable in the Y-axis direction.

제 2 Y 축 이동 블록 (28a) 에는 Z 축 방향으로 신장되는 1 쌍의 가이드 레일 (36a) 이 고정되어 있다. 제 2 Y 축 이동 블록 (28a) 상에는, 제 2 Z 축 이동 블록 (38a) 이 볼 나사 (40a) 및 펄스 모터 (42a) 로 이루어지는 제 2 Z 축 이동 기구 (44a) 에 의해 가이드 레일 (36a) 에 안내되어 Z 축 방향으로 이동 가능하게 탑재되어 있다.A pair of guide rails 36a extending in the Z-axis direction are fixed to the second Y-axis moving block 28a. On the second Y-axis moving block 28a, the second Z-axis moving block 38a is guide rail 36a by a second Z-axis moving mechanism 44a composed of a ball screw 40a and a pulse motor 42a. It is guided to and mounted to be movable in the Z-axis direction.

제 2 Z 축 이동 블록 (38a) 에는 제 2 절삭 유닛 (46a) 이 장착되어 있다. 제 2 절삭 유닛 (46a) 은, 모터 (도시 생략) 에 의해 회전 구동되는 스핀들의 선단부에 제 2 절삭 블레이드가 착탈 가능하게 장착되어 구성되어 있다.The second cutting unit 46a is attached to the second Z-axis moving block 38a. The second cutting unit 46a is configured such that a second cutting blade is detachably attached to a distal end portion of a spindle that is rotationally driven by a motor (not shown).

기대 (4) 상에는, 스피너 테이블 (56) 을 갖는 스피너 세정 유닛 (54) 이 형성되어 있고, 절삭 가공 후의 피가공물을 스피너 테이블 (56) 로 흡인 유지하여 스피너를 세정하고, 세정 후 추가로 스핀 건조시키는 것이다.On the base 4, a spinner cleaning unit 54 having a spinner table 56 is formed, the workpiece after cutting is suctioned and held by the spinner table 56 to clean the spinner, and then spin-drying further after washing. It is to let you do.

도 2 는, 유지 테이블 (27) 의 구성에 대해 설명하는 도면이다. 유지 테이블 (27) 은 고리형 지지 부재 (62) 와 원반상의 유지 패드 (74) 를 갖는다. 고리형 지지 부재 (62) 는, 끼워 맞춤 볼록부 (64) 와, 끼워 맞춤 볼록부 (64) 보다 큰 직경인 벨트 권회부 (66) 와, 끼워 맞춤 볼록부 (64) 와 대략 동일 직경인 고리형 수용부 (68) 와, 축방향으로 관통하는 관통부 (65) 와, 관통부 (65) 를 형성하는 내주면 (65a) 을 갖는다.2 is a diagram illustrating the configuration of the holding table 27. The holding table 27 has an annular support member 62 and a disk-shaped holding pad 74. The annular support member 62 includes a fitting convex portion 64, a belt winding portion 66 having a larger diameter than the fitting convex portion 64, and a ring having approximately the same diameter as the fitting convex portion 64 It has the mold receiving part 68, the penetration part 65 penetrating in the axial direction, and the inner peripheral surface 65a which forms the penetration part 65.

고리형 수용부 (68) 는 유지 패드 (74) 의 외형과 대략 동일한 내경을 가지고 있고, 고리형 수용부 (68) 의 내측 저부에는 유지 패드 (74) 를 지지하는 고리형 지지부 (70) 가 형성되어 있다.The annular accommodating portion 68 has an inner diameter substantially the same as the outer shape of the retaining pad 74, and an annular support 70 supporting the retaining pad 74 is formed at the inner bottom of the annular accommodating portion 68 Has been.

유지 패드 (74) 는, 석영 유리, 붕규산 유리, 사파이어, 불화칼슘, 불화리튬, 불화마그네슘 등의 투명 물질로 형성되어 있고, 그 표면의 유지부 (74a) 에는, 다수의 세공 (76) 이 개구되어 있다. 또한, 투명 물질의「투명」이란,「가시광의 적어도 일부의 파장의 광을 투과하고, 흡수, 산란시키지 않는다」는 것을 말하는 것이고, 후술하는 외주 볼록부 검출 스텝이나, 스트리트 검출 스텝의 실행을 가능하게 하는 것이면 되고, 착색된 것이어도 된다. 또, 세공 (76) 의 배치에 대해서는, 특히 도 2 에 나타나는 바와 같이 원주 상에 배치되는 것에 한정되지 않고, 예를 들어, 유지부 (74a) 의 전체 면에 배치되는 것이어도 된다.The holding pad 74 is made of a transparent material such as quartz glass, borosilicate glass, sapphire, calcium fluoride, lithium fluoride, and magnesium fluoride, and a number of pores 76 are opened in the holding portion 74a on the surface thereof. Has been. In addition, ``transparent'' of a transparent material means ``it does not transmit, absorb, and scatter light of at least a part of the visible light'', and it is possible to perform the outer circumferential convex detection step or street detection step described later. What is necessary is just to make it, and it may be colored. In addition, the arrangement of the pores 76 is not particularly limited to being arranged on the circumference as shown in FIG. 2, and for example, may be arranged on the entire surface of the holding portion 74a.

각 세공 (76) 은 유지 패드 (74) 의 내부에 형성된 흡인 홈 (78a) (도 4) 에 연통되어 있고, 고리형 지지 부재 (62) 의 고리형 지지부 (70) 에는 유지 패드 (74) 의 흡인 홈 (78a) (도 4) 에 연통되는 연통로 (72) 가 형성되어 있다. 연통로 (72) 는 흡인원 (80) 에 접속되어 있다.Each of the pores 76 is in communication with a suction groove 78a (Fig. 4) formed inside the holding pad 74, and the annular support portion 70 of the annular support member 62 includes the holding pad 74. A communication path 72 communicating with the suction groove 78a (FIG. 4) is formed. The communication path 72 is connected to the suction source 80.

유지 패드 (74) 를 고리형 지지 부재 (62) 의 고리형 지지부 (70) 상에 탑재하고, 고리형 지지 부재 (62) 의 끼워 맞춤 볼록부 (64) 를 지지 박스 (15) 의 원형 개구 (15a) 안에 끼워 맞춤하면, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이 유지 테이블 (27) 이 지지 박스 (15) 에 회전 가능하게 탑재된 상태가 된다.The holding pad 74 is mounted on the annular support portion 70 of the annular support member 62, and the fitting convex portion 64 of the annular support member 62 is inserted into the circular opening of the support box 15 ( When fitting into 15a), as shown in FIG. 3(A), the holding table 27 is in the state which is rotatably mounted on the support box 15. As shown in FIG.

지지 박스 (15) 의 연결판 (15b) 에는 모터 (17) 가 장착되어 있고, 모터 (17) 의 출력축에 연결된 풀리 (17a) 와 고리형 지지 부재 (62) 의 벨트 권회부 (66) 에 걸쳐 벨트 (29) 가 권회되어 있다. 모터 (17) 를 구동시키면, 벨트 (29) 를 통하여 유지 테이블 (27) 이 회전된다.A motor 17 is attached to the connecting plate 15b of the support box 15, and the pulley 17a connected to the output shaft of the motor 17 and the belt winding portion 66 of the annular support member 62 The belt 29 is wound. When the motor 17 is driven, the holding table 27 is rotated via the belt 29.

모터 (17) 는 예를 들어 펄스 모터로 구성되고, 얼라이먼트 수행시에 모터 (17) 를 소정 펄스로 구동시키면, 유지 테이블 (27) 이 소정량 회전 (θ 회전) 되어, 도 5(A) 에 나타내는 웨이퍼 (10) 의 스트리트 (분할 예정 라인) (13) 의 얼라이먼트를 실시할 수 있다.The motor 17 is composed of, for example, a pulse motor, and when the motor 17 is driven with a predetermined pulse during alignment, the holding table 27 is rotated by a predetermined amount (θ rotation), and Fig. 5(A) shows The street (scheduled division line) 13 of the illustrated wafer 10 can be aligned.

지지 박스 (15) 의 상판 (15c) 에는, 복수 (본 실시형태에서는 4 개) 의 프레임 지지대 (15d) 가 형성되어 있고, 이들 프레임 지지대 (15d) 의 상면에서 후술하는 고리형 프레임을 지지한다.A plurality of (four in this embodiment) frame supports 15d are formed on the upper plate 15c of the support box 15, and an annular frame described later is supported on the upper surface of these frame supports 15d.

도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 지지 박스 (15) 는, X 축 방향으로 고정적으로 연장되는 1 쌍의 가이드 레일 (31) 에 슬라이드 가능하게 재치되어 있고, 이동 기구 (23) 에 의해 X 축 방향으로 이동된다. 이동 기구 (23) 는, 가이드 레일 (31) 사이에 평행으로 배치되는 볼 나사 (23a) 와 펄스 모터 (23b) 를 갖고 구성된다.As shown in FIG. 3(A), the support box 15 is slidably mounted on a pair of guide rails 31 fixedly extending in the X-axis direction, and the X-axis by the moving mechanism 23 Move in the direction. The moving mechanism 23 is configured with a ball screw 23a and a pulse motor 23b arranged in parallel between the guide rails 31.

도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 볼 나사 (23a) 는 지지 박스 (15) 의 하판 (15e) 의 하면에 형성된 암나사부에 나사 결합되고, 펄스 모터 (23b) 를 구동시켜 볼 나사 (23a) 를 회전시킴으로써, 지지 박스 (15) 가 X 축 방향으로 이동한다.As shown in Fig. 3(A), the ball screw 23a is screwed to the female screw portion formed on the lower surface of the lower plate 15e of the support box 15, and drives the pulse motor 23b to make the ball screw 23a. By rotating, the support box 15 moves in the X-axis direction.

도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블 (27) 의 지지 박스 (15) 의 근방에는, 유지 테이블 (27) 에 유지된 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 유지 패드 (74) 의 하측에서부터 촬상하는 하방 촬상 카메라 (82) 가 형성되어 있다.As shown in FIG. 3(A), in the vicinity of the support box 15 of the holding table 27, a workpiece such as a semiconductor wafer held by the holding table 27 is imaged from the lower side of the holding pad 74. A downward imaging camera 82 is provided.

도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 하방 촬상 카메라 (82) 는, Y 축 이동 블록 (83) 에 세워 형성되는 칼럼 (96) 에 형성된다. Y 축 이동 블록 (83) 은, Y 축 방향으로 고정적으로 연장되는 1 쌍의 가이드 레일 (81) 에 슬라이드 가능하게 재치되어 있고, 구동 수단 (85) 에 의해 Y 축 방향으로 이동된다. 구동 수단 (85) 은, 가이드 레일 (81) 사이에 평행하게 배치되는 볼 나사 (85a) 와 펄스 모터 (85b) 를 갖고 구성된다.As shown in FIG. 3(A), the downward imaging camera 82 is formed in the column 96 formed by the Y-axis moving block 83. The Y-axis movement block 83 is slidably mounted on a pair of guide rails 81 that are fixedly extended in the Y-axis direction, and is moved in the Y-axis direction by the drive means 85. The drive means 85 is configured with a ball screw 85a and a pulse motor 85b arranged in parallel between the guide rails 81.

도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 볼 나사 (85a) 는 Y 축 이동 블록 (83) 의 하면에 형성된 암나사부에 나사 결합되고, 펄스 모터 (85b) 를 구동시켜 볼 나사 (85a) 를 회전시킴으로써, Y 축 이동 블록 (83) 이 Y 축 방향으로 이동한다.As shown in Fig. 3(A), the ball screw 85a is screwed to the female thread formed on the lower surface of the Y-axis moving block 83, and drives the pulse motor 85b to rotate the ball screw 85a. , Y-axis movement block 83 is moved in the Y-axis direction.

도 3(B) 에 나타내는 바와 같이, 하방 촬상 카메라 (82) 는 저배율 카메라 (86) 및 고배율 카메라 (88) 를 갖는 카메라 유닛 (84) 을 갖는다. 카메라 유닛 (84) 의 측면에는 카메라 유닛 (84) 에 의한 촬상시에 촬상 지점을 조명하기 위한 2 개의 조명 장치 (90, 92) 가 장착된다.As shown in FIG. 3B, the downward imaging camera 82 has a camera unit 84 having a low magnification camera 86 and a high magnification camera 88. On the side surface of the camera unit 84, two illumination devices 90, 92 for illuminating an image pickup point at the time of image pickup by the camera unit 84 are mounted.

도 3(B) 에 나타내는 바와 같이, 카메라 유닛 (84) 은 지지 플레이트 (94) 에 의해 지지되고, 지지 플레이트 (94) 의 기단부는 Z 축 이동 블록 (98) 에 고정되어 있다. Y 축 이동 블록 (83) 에 세워 형성되는 칼럼 (96) 에는, 볼 나사 (100) 및 펄스 모터 (102) 로 구성되는 Z 축 이동 수단 (104) 에 의해, 하방 촬상 카메라 (82) 를 구성하는 카메라 유닛 (84) 은 1 쌍의 가이드 레일 (106) 을 따라 Z 축 방향 (상하 방향) 으로 이동된다.As shown in FIG. 3(B), the camera unit 84 is supported by the support plate 94, and the base end part of the support plate 94 is fixed to the Z-axis movement block 98. In the column 96 erected on the Y-axis moving block 83, the Z-axis moving means 104 composed of the ball screw 100 and the pulse motor 102 constitutes the downward imaging camera 82. The camera unit 84 is moved along a pair of guide rails 106 in the Z-axis direction (up-down direction).

도 4 에 나타내는 바와 같이, 지지 박스 (15) 는, 상판 (15c), 하판 (15e), 및 연결판 (15b) 으로 측면에서 보았을 때 대략 コ 자를 이루고 있고, 연결판 (15b) 의 반대측에는, 상판 (15c) 과 하판 (15e) 사이의 공간에 하방 촬상 카메라 (82) 의 진입을 가능하게 하는 개구부 (15g) 가 형성된다.As shown in FIG. 4, the support box 15 has an upper plate 15c, a lower plate 15e, and a connecting plate 15b that form a substantially U-shape when viewed from the side, and on the opposite side of the connecting plate 15b, An opening 15g is formed in the space between the upper plate 15c and the lower plate 15e to allow entry of the lower imaging camera 82.

다음으로, 이상의 장치 구성을 사용한 웨이퍼의 가공 방법의 예에 대해 설명한다.Next, an example of a wafer processing method using the above apparatus configuration will be described.

＜웨이퍼 준비 스텝＞<Wafer preparation step>

먼저, 도 5(A) 및 도 5(B) 에 나타나는 피가공물의 일례인 웨이퍼 (10) 를 준비한다.First, a wafer 10, which is an example of a workpiece shown in Figs. 5A and 5B, is prepared.

도 5(A) 는 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 을 나타내는 것으로, 디바이스 (11) 가 격자상으로 배열되고, 스트리트 (13) 를 따라 절삭 가공 등의 분할 가공이 실시됨으로써, 칩으로 분할되는 것이다.5(A) shows the surface 10a of the wafer 10, in which the devices 11 are arranged in a grid and divided into chips by performing divisional processing such as cutting along the street 13 will be.

도 5(B) 는 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 나타내는 것으로, 원반상의 웨이퍼 (10) 와 동심 상의 원형 오목부 (18) 와, 오목부 (18) 의 주위를 둘러싸도록 외주 볼록부 (19) 가 형성되어 있다. 오목부 (18) 는, 표면 (10a) 에 있어서 디바이스 (11) 가 형성되는 디바이스 영역에 대응되는 부분에 형성된다. 또한, 오목부 (18) 나 외주 볼록부 (19) 에는, 그 표면에 금속막이 형성되어 있는 경우가 있다.Fig. 5(B) shows the back surface 10b of the wafer 10, and the outer circumferential convex portion ( 19) is formed. The concave portion 18 is formed in a portion corresponding to the device region in which the device 11 is formed on the surface 10a. In addition, in the concave portion 18 or the outer circumferential convex portion 19, a metal film may be formed on the surface thereof.

＜보호 부재 배치 형성 스텝＞<Protection member arrangement formation step>

이상의 웨이퍼 (10) 에 대해, 도 6(A) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 측에 디바이스를 보호하는 보호 부재로서 투명한 테이프 (T) 를 첩착함과 함께, 도 6(B) 에 나타내는 바와 같이, 테이프 (T) 의 외주부를 고리형 프레임 (F) 에 첩착하여, 웨이퍼 유닛 (8) 을 구성한다. 또한, 여기서 말하는 테이프 (T) 의「투명」이란,「가시광의 적어도 일부의 파장의 광을 투과하고, 흡수, 산란시키지 않는다」는 것을 말하는 것으로, 후술하는 외주 볼록부 검출 스텝이나, 스트리트 검출 스텝의 실행을 가능하게 하는 것이면 되고, 착색된 것이어도 된다. 또, 보호 부재로는, 신축성이 있는 수지제의 테이프 외에, 하드 플레이트 (유리나 수지 등) 여도 된다.With respect to the above wafer 10, as shown in FIG. 6(A), while attaching a transparent tape T as a protective member for protecting the device on the surface 10a side of the wafer 10, FIG. 6 ( As shown in B), the outer peripheral part of the tape T is attached|attached to the annular frame F, and the wafer unit 8 is comprised. In addition, the term "transparent" of the tape T as referred to herein means that "light of at least a part of the wavelength of visible light is not transmitted, absorbed, and scattered", and the outer circumferential convex portion detection step or street detection step described later Anything that enables the execution of may be used, or a colored one may be used. Moreover, as a protective member, a hard plate (glass, resin, etc.) may be sufficient as well as an elastic resin tape.

테이프 (T) 는, 예를 들어, 10 ∼ 200 ㎛ 의 두께를 갖는 염화 비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 또는 폴리이미드 (PI) 등의 기재와 아크릴이나 고무계의 풀층으로 구성된다.The tape (T) is composed of, for example, a base material such as vinyl chloride, polyethylene terephthalate (PET), or polyimide (PI) having a thickness of 10 to 200 µm, and an acrylic or rubber-based full layer.

＜유지 스텝＞<Maintenance Step>

이어서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 유닛 (8) 을 유지 테이블 (27) 상에 배치하고, 웨이퍼 (10) 를 테이프 (T) 를 통하여 유지 테이블 (27) 에서 유지하는 상태로 한다. 구체적으로는, 웨이퍼 유닛 (8) 의 테이프 (T) 가 유지 테이블 (27) 의 유지 패드 (74) 상에 재치되고, 흡인원 (80) 에 의한 흡인을 개시하여, 세공 (76) 을 통하여 테이프 (T) 의 이면측을 흡인 유지한다. 또, 이 때웨이퍼 유닛 (8) 의 고리형 프레임 (F) 은, 프레임 지지대 (15d) 에 재치된다.Next, as shown in FIG. 4, the wafer unit 8 is placed on the holding table 27, and the wafer 10 is held in the holding table 27 via the tape T. Specifically, the tape T of the wafer unit 8 is placed on the holding pad 74 of the holding table 27, suction by the suction source 80 is started, and the tape is passed through the pores 76. The back side of (T) is suction-held. Moreover, at this time, the annular frame F of the wafer unit 8 is mounted on the frame support 15d.

＜외주 볼록부 검출 스텝＞<Outer circumferential convex part detection step>

이어서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 상방 촬상 카메라 (52) 에 의해, 웨이퍼 (10) 의 외주 볼록부 (19) 의 위치를 검출한다. 구체적으로는, 상방 촬상 카메라 (52) 로 촬상한 화상을 화상 해석하여, 외주 볼록부 (19) 의 외주 가장자리의 위치, 즉 웨이퍼의 외주 가장자리의 위치를 검출한다. 또, 외주 볼록부 (19) 의 폭 (W) (웨이퍼 (10) 의 반경 방향의 폭) 이나 웨이퍼 직경은, 웨이퍼의 종류마다 웨이퍼 (10) 의 속성 정보로서 미리 가공 장치측에서 인식되어 있다.Next, as shown in FIG. 4, the position of the outer peripheral convex portion 19 of the wafer 10 is detected by the upper imaging camera 52. Specifically, the image picked up by the upper imaging camera 52 is image-analyzed, and the position of the outer periphery of the outer circumferential convex portion 19, that is, the position of the outer periphery of the wafer is detected. Further, the width W of the outer circumferential convex portion 19 (the width in the radial direction of the wafer 10) and the wafer diameter are previously recognized on the processing apparatus side as attribute information of the wafer 10 for each type of wafer.

또한, 이와 같이 상방 촬상 카메라 (52) (도 4) 의 촬상 화상에 의해 외주 볼록부 (19) 의 외주 가장자리의 위치를 검출하는 대신에, 하방 촬상 카메라 (82) 로 하측에서부터 웨이퍼 (10) 를 촬상하고, 촬상한 화상을 화상 해석함으로써, 외주 볼록부 (19) 의 외주 가장자리 (웨이퍼의 외주 가장자리) 의 위치를 검출하는 것으로 해도 된다. 이것에 의하면, 상방 촬상 카메라 (52) (도 4) 에 의한 촬상을 생략하는 것이나, 장치 구성에 따라서는, 상방 촬상 카메라 (52) (도 4) 의 설치를 생략할 수 있다.In addition, instead of detecting the position of the outer circumferential edge of the outer circumferential convex portion 19 by the image captured by the upper imaging camera 52 (FIG. 4) in this way, the wafer 10 is moved from the lower side with the lower imaging camera 82. The position of the outer periphery (outer periphery of the wafer) of the outer periphery convex portion 19 may be detected by image-capturing and image analysis of the picked-up image. According to this, imaging by the upper imaging camera 52 (FIG. 4) can be omitted, or the installation of the upper imaging camera 52 (FIG. 4) can be omitted depending on the device configuration.

＜제 1 절삭 스텝＞<1st cutting step>

이어서, 도 7(A) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 절삭 유닛 (46) 의 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 외주 볼록부 (19) 에 위치시킴과 함께, 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 외주 볼록부 (19) 에 절입시킴으로써, 외주 볼록부 (19) 를 절삭에 의해 제거한다.Next, as shown in FIG. 7(A), while placing the first cutting blade 50 of the first cutting unit 46 on the outer circumferential convex portion 19, the first cutting blade 50 is convex on the outer circumference. By cutting into the portion 19, the outer circumferential convex portion 19 is removed by cutting.

보다 구체적으로는, 외주 볼록부 (19) 의 상방에 위치시킨 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 제 1 소정 높이까지 하강시켜 절입시킴과 함께, 유지 테이블 (27) 을 회전시킴으로써, 외주 볼록부 (19) 를 절삭에 의해 제거한다. 유지 테이블 (27) 의 회전은, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 모터 (17) 를 구동시켜 벨트 (29) 를 통하여 유지 테이블 (27) 을 회전시킴으로써 실시된다. 제 1 절삭 블레이드 (50) 와 유지 테이블 (27) (외주 볼록부 (19)) 의 위치 맞춤은, 상기 서술한 외주 볼록부 검출 스텝에 의해 구해진 웨이퍼 (10) 의 외주 볼록부 (19) 의 외주 가장자리 (웨이퍼의 외주 가장자리) 의 좌표를 이용함으로써 실시할 수 있다.More specifically, the first cutting blade 50 positioned above the outer circumferential convex portion 19 is lowered to a first predetermined height to cut in, and the holding table 27 is rotated to thereby rotate the outer circumferential convex portion 19. ) Is removed by cutting. The rotation of the holding table 27 is performed by driving the motor 17 to rotate the holding table 27 via the belt 29, as shown in FIG. 3(A). The alignment of the first cutting blade 50 and the holding table 27 (outer circumferential convex portion 19) is the outer circumference of the outer circumferential convex portion 19 of the wafer 10 obtained by the above-described outer circumferential convex portion detection step. This can be done by using the coordinates of the edge (the outer peripheral edge of the wafer).

여기서, 「제 1 소정 높이」란, 제 1 절삭 블레이드 (50) 가 디바이스 영역의 이면 (10b) (도 7(A)) 의 예에서는 금속막 (18a)) 에 도달하지 않는 높이이며, 웨이퍼 (10) 의 두께나, 오목부 (18) 의 깊이에 기초하여 규정되는 것이다.Here, the "first predetermined height" is a height at which the first cutting blade 50 does not reach the metal film 18a in the example of the back surface 10b (Fig. 7A) of the device region), and the wafer ( It is defined based on the thickness of 10) and the depth of the concave portion 18.

이상과 같이 외주 볼록부 (19) 가 제거됨으로써, 도 7(B) 에 나타내는 바와 같은 상태가 된다. 또한, 도 7(A) 및 도 7(B) 에 나타내는 웨이퍼 (10) 에 있어서는, 오목부 (18) 의 범위에 금속막 (18a) 이 형성되어 있지만, 금속막 (18a) 이 형성되어 있지 않은 웨이퍼 (10) 에 대해서도, 본원발명은 적용할 수 있는 것이다.When the outer circumferential convex portion 19 is removed as described above, the state as shown in Fig. 7B is obtained. In addition, in the wafer 10 shown in Figs. 7A and 7B, the metal film 18a is formed in the range of the concave portion 18, but the metal film 18a is not formed. Also for the wafer 10, the present invention is applicable.

또, 이상과 같이 외주 볼록부 (19) 와 제 1 절삭 블레이드 (50) 의 위치 맞춤을 엄밀하게 실시하여 절삭에 의해 제거하는 것을 대신하여, 다음과 같이 실시해도 된다. 먼저, 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 상기 서술한 제 1 소정 높이에 위치시킨다. 이어서, 유지 테이블 (27) 의 X 축 방향 이동 (도 1) 과 제 1 절삭 블레이드 (50) 의 Y 축 방향 (도 1) 의 인덱스 이송을 반복하여, 웨이퍼 (10) 의 전체 범위를 커버하도록 웨이퍼 (10) 와 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 상대 이동시킨다. 이로써, 웨이퍼 (10) 의 전체 범위의 외주 볼록부 (19) 를 제거할 수 있다.In addition, instead of removing by cutting by strictly performing the alignment of the outer circumferential convex portion 19 and the first cutting blade 50 as described above, it may be carried out as follows. First, the first cutting blade 50 is positioned at the first predetermined height described above. Subsequently, the movement of the holding table 27 in the X-axis direction (FIG. 1) and the index transfer of the first cutting blade 50 in the Y-axis direction (FIG. 1) are repeated to cover the entire range of the wafer 10. (10) and the first cutting blade 50 are moved relative to each other. Thereby, the outer peripheral convex part 19 of the whole range of the wafer 10 can be removed.

또, 유지 테이블 (27) 이 360 도 회전 가능한 구성에 있어서, 외주 볼록부 검출 스텝을 실시하지 않고, 웨이퍼 (10) 의 직경과 유지 테이블 (27) 의 중심 위치를 기초로 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 웨이퍼 (10) 의 외주 가장자리에 위치시켜, 유지 테이블 (27) 을 360 도의 범위로 회전시킴으로써 제 1 절삭 스텝을 실시하는 것으로 해도 된다.Further, in the configuration in which the holding table 27 can be rotated 360 degrees, the first cutting blade 50 based on the diameter of the wafer 10 and the center position of the holding table 27 without performing the outer circumferential convex portion detection step. ) Is placed on the outer peripheral edge of the wafer 10 and the holding table 27 is rotated within a range of 360 degrees to perform the first cutting step.

또한, 유지 테이블 (27) 이 180 도 회전 가능하게 하는 구성에 있어서, 외주 볼록부 검출 스텝을 실시하지 않고, 웨이퍼 (10) 의 직경과 유지 테이블 (27) 의 중심 위치를 기초로 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 웨이퍼 (10) 의 외주 가장자리의 일단측에 위치시키고, 유지 테이블 (27) 을 시계 방향으로 180 도의 범위로 회전시켜 웨이퍼 (10) 의 180 도 범위의 외주 볼록부 (19) 를 제거한 후, 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 웨이퍼 (10) 의 중심을 사이에 두고 그 일단측과 대면하는 타단측에 위치시키고, 유지 테이블 (27) 을 시계 반대 방향으로 180 도의 범위로 회전시켜, 나머지의 외주 볼록부 (19) 를 제거함으로써, 제 1 절삭 스텝을 실시하는 것으로 해도 된다.Further, in the configuration in which the holding table 27 can be rotated 180 degrees, the first cutting blade based on the diameter of the wafer 10 and the center position of the holding table 27 without performing the outer circumferential convex portion detection step. 50 is positioned at one end of the outer peripheral edge of the wafer 10, and the holding table 27 is rotated clockwise in the range of 180 degrees to remove the outer circumferential convex portion 19 of the wafer 10 in the range of 180 degrees. Thereafter, the first cutting blade 50 is placed on the other end side facing the one end side with the center of the wafer 10 interposed therebetween, and the holding table 27 is rotated in a range of 180 degrees in the counterclockwise direction, and the rest By removing the outer circumferential convex portion 19 of, the first cutting step may be performed.

이상과 같은 형태에서는, 상방 촬상 카메라 (52), 혹은, 하방 촬상 카메라 (82) 에 의한 외주 볼록부 (19) 의 외주 가장자리를 검출하기 위한 촬상을 생략할 수 있고, 외주 볼록부 검출 스텝을 생략할 수 있다.In the above form, imaging for detecting the outer circumferential edge of the outer circumferential convex portion 19 by the upper imaging camera 52 or the lower imaging camera 82 can be omitted, and the outer circumferential convex portion detection step is omitted. can do.

＜스트리트 검출 스텝＞<Street detection step>

이어서, 도 4 및 도 8(A) 에 나타내는 바와 같이, Y 축 이동 블록 (83) 을 이동시킴으로써, 하방 촬상 카메라 (82) 를 웨이퍼 (10) 의 하방에 위치시키고, 유지 테이블 (27) 의 유지 패드 (74), 테이프 (T) 를 통하여, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) (도 8(A) 에 있어서 하측의 면) 을 촬상하여, 웨이퍼 (10) 의 스트리트 (13) (도 5(A)) 를 검출한다.Next, as shown in FIG. 4 and FIG. 8(A), by moving the Y-axis movement block 83, the downward imaging camera 82 is positioned under the wafer 10, and the holding table 27 is held. Through the pad 74 and the tape T, the surface 10a of the wafer 10 (the lower surface in Fig. 8A) is imaged, and the street 13 of the wafer 10 (Fig. 5 ( A)) is detected.

＜제 2 절삭 스텝＞<2nd cutting step>

이어서, 도 8(B) 에 나타내는 바와 같이, 검출된 스트리트 (13) (도 5(A)) 를 따라, 제 2 절삭 유닛 (46a) 의 제 2 절삭 블레이드 (50a) 에 의한 절삭 가공이 실시된다.Subsequently, as shown in Fig. 8(B), cutting with the second cutting blade 50a of the second cutting unit 46a is performed along the detected street 13 (Fig. 5(A)). .

이 절삭 가공을 실시하기 전에는, 얼라이먼트가 실시된다. 즉, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 모터 (17) 를 구동시켜 벨트 (29) 를 통하여 유지 테이블 (27) 을 회전시켜 각도 변경하고, 스트리트 (13) (도 5(A)) 가 X 축 방향, 혹은, Y 축 방향과 평행해지도록 함과 함께, 제 2 절삭 유닛 (46a) 을 Y 축 방향으로 이동시킴으로써, 스트리트 (13) (도 5(A)) 와 제 2 절삭 유닛 (46a) 의 제 2 절삭 블레이드 (50a) 의 위치를 일치시킨다.Before performing this cutting process, alignment is performed. That is, as shown in Fig. 3(A), the motor 17 is driven, the holding table 27 is rotated through the belt 29 to change the angle, and the street 13 (Fig. 5(A)) is X The street 13 (Fig. 5(A)) and the second cutting unit 46a by moving the second cutting unit 46a in the Y axis direction while being parallel to the axial direction or the Y axis direction Match the position of the second cutting blade 50a.

얼라이먼트를 실시한 후에, 제 2 절삭 유닛 (46a) 의 제 2 절삭 블레이드 (50a) 를 선단이 웨이퍼에 절입되는 제 2 소정의 높이에 위치시키면서, 유지 테이블 (27) 을 X 축 방향 (도 1) 으로 가공 이송하고, 제 2 절삭 유닛 (46a) 을 Y 축 방향 (도 1) 으로 인덱스 이송하여, 제 1 방향으로 연신되는 모든 스트리트 (13) 에 대해 제 2 절삭 블레이드 (50a) 에 의한 절삭 가공을 실시한다. 이어서, 유지 테이블 (27) 을 90 도 회전시켜, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향으로 연신되는 모든 스트리트 (13) 에 대해 제 2 절삭 블레이드 (50a) 로 절삭 가공을 실시한다. 제 2 소정의 높이를, 보호 부재에 블레이드의 선단이 절입되는 높이로 설정함으로써, 웨이퍼 (10) 가 칩으로 분할된다.After performing the alignment, while positioning the second cutting blade 50a of the second cutting unit 46a at a second predetermined height at which the tip is cut into the wafer, the holding table 27 is moved in the X-axis direction (Fig. 1). Machining feeds and index feeds the second cutting unit 46a in the Y-axis direction (Fig. 1), and cutting with the second cutting blade 50a is performed on all the streets 13 stretched in the first direction. do. Next, the holding table 27 is rotated 90 degrees, and cutting is performed with the second cutting blade 50a on all the streets 13 extending in the second direction orthogonal to the first direction. The wafer 10 is divided into chips by setting the second predetermined height to a height at which the tip of the blade is cut into the protection member.

이 제 2 절삭 스텝에 있어서는, 도 7(B) 에 나타내는 바와 같이, 외주 볼록부 (19) 가 제 1 절삭 블레이드 (50) 에 의해 가공되어, 외주 볼록부 (19) 의 부분의 두께가 얇아져 있기 때문에, 제 2 절삭 블레이드 (50a) 의 날끝 내밀기량을 과도하게 많이 설정할 필요가 없고, 적정한 날끝 내밀기량으로 절삭이 가능해진다. 즉, 만일, 외주 볼록부 (19) 가 존재하는 경우에는, 외주 볼록부 (19) 를 절삭 하면서 날끝을 웨이퍼 (10) 의 표면측까지 도달시킬 필요가 있고, 날끝 내밀기량은 많이 설정할 필요가 있어, 절삭 블레이드의 균열이나, 흔들림의 발생 등의 문제가 염려되지만, 이와 같은 문제의 발생을 회피할 수 있게 된다. 또, 날끝 내밀기량이 적어도 됨으로써, 보다 얇은 절삭 블레이드를 선택할 수 있게 되고, 이로써, 보다 정밀한 절삭 가공을 실현할 수 있게 된다.In this second cutting step, as shown in Fig. 7(B), the outer circumferential convex portion 19 is processed by the first cutting blade 50, so that the thickness of the portion of the outer circumferential convex portion 19 is reduced. Therefore, it is not necessary to set an excessively large amount of cutting edge protruding of the second cutting blade 50a, and cutting can be performed with an appropriate amount of cutting edge protruding. That is, if the outer circumferential convex portion 19 is present, it is necessary to reach the edge of the blade to the surface side of the wafer 10 while cutting the outer circumferential convex portion 19, and it is necessary to set a large amount of cutting edge protrusion. , Problems such as occurrence of cracks or shaking of the cutting blade are concerned, but the occurrence of such a problem can be avoided. In addition, by reducing the amount of cutting edge protrusion, it is possible to select a thinner cutting blade, and thereby, a more precise cutting process can be realized.

또한, 제 2 절삭 스텝에 있어서는, 웨이퍼 (10) 의 두께 방향에 있어서 웨이퍼 (10) 를 관통하도록 절삭하는 풀 컷을 실시하는 것으로 하는 것 외에, 웨이퍼 (10) 의 두께 방향에 있어서 도중의 위치까지 절삭하는 하프 컷을 실시하는 것으로 해도 된다.In addition, in the second cutting step, in addition to performing a full cut so as to penetrate the wafer 10 in the thickness direction of the wafer 10, to the middle position in the thickness direction of the wafer 10 It is good also as performing half-cut to cut.

이상과 같이 하여 본 발명을 실현할 수 있다.In the manner described above, the present invention can be realized.

즉, 도 1 내지 도 8 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 하나의 측면에 의하면,That is, as shown in Figs. 1 to 8, according to one aspect of the present invention,

표면 (10a) 의 교차하는 복수의 스트리트 (13) 로 구획된 각 영역에 각각 디바이스 (11) 가 형성된 디바이스 영역에 대응되는 이면 (10b) 에 오목부 (18) 가 형성됨과 함께 오목부 (18) 를 둘러싸는 외주 볼록부 (19) 가 형성된 웨이퍼 (10) 를 가공하는 가공 장치로서,A recess 18 is formed in the rear surface 10b corresponding to the device area in which the device 11 is formed in each area divided by a plurality of streets 13 intersecting the surface 10a, and the recess 18 As a processing apparatus for processing the wafer 10 on which the outer circumferential convex portion 19 is formed,

웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 측을 유지하는, 투명재로 이루어지는 유지부 (74a) 를 가진 회전 가능한 유지 테이블 (27) 과,A rotatable holding table 27 having a holding portion 74a made of a transparent material for holding the surface 10a side of the wafer 10, and

유지 테이블 (27) 에서 유지된 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 을 유지부 (74a) 를 통하여 촬상하는 하방 촬상 카메라 (82) 와,A downward imaging camera 82 for imaging the surface 10a of the wafer 10 held on the holding table 27 through the holding portion 74a,

웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 의 외주 볼록부 (19) 를 절삭하여 외주 볼록부 (19) 의 높이를 줄이는 제 1 절삭 블레이드 (50) 를 갖는 제 1 절삭 유닛 (46) 과, 하방 촬상 카메라 (82) 로 촬상한 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 의 스트리트 (13) 를 따라 웨이퍼 (10) 를 절삭하는 제 2 절삭 블레이드 (50a) 를 갖는 제 2 절삭 유닛 (46a) 을 구비한 절삭 기구 (제 1 절삭 유닛 (46), 제 2 절삭 유닛 (46a)) 와,A first cutting unit 46 having a first cutting blade 50 that cuts the outer circumferential convex portion 19 of the rear surface 10b of the wafer 10 to reduce the height of the outer circumferential convex portion 19, and a lower imaging camera A cutting mechanism with a second cutting unit 46a having a second cutting blade 50a for cutting the wafer 10 along the street 13 of the surface 10a of the wafer 10 imaged with 82 (The first cutting unit 46, the second cutting unit 46a) and,

유지 테이블 (27) 과 절삭 기구를 상대 이동시키는 이동 기구 (23) 를 구비한 가공 장치 (2) 가 제공된다.A processing apparatus 2 provided with a moving mechanism 23 for moving the holding table 27 and the cutting mechanism relative to each other is provided.

이로써, 이면 (10b) 에 원형 오목부 (18) 와 외주 볼록부 (19) 가 형성되는 웨이퍼 (10) 에 있어서, 유지 테이블 (27) 로부터 웨이퍼를 떼어내지 않고 웨이퍼 (10) 의 개편화가 가능해져, 유지 테이블 (27) 로부터 웨이퍼 (10) 를 떼어내어 취급할 때에 발생하는 웨이퍼 (10) 의 파손 우려를 방지할 수 있다.Thereby, in the wafer 10 in which the circular concave portion 18 and the outer circumferential convex portion 19 are formed on the back surface 10b, the wafer 10 can be divided into pieces without removing the wafer from the holding table 27, And, it is possible to prevent the risk of damage to the wafer 10 that occurs when the wafer 10 is removed from the holding table 27 and handled.

또, 외주 볼록부 (19) 가 제 1 절삭 블레이드 (50) 에 의해 가공되어, 외주 볼록부 (19) 의 부분의 두께가 얇아져 있기 때문에, 제 2 절삭 블레이드 (50a) 의 날끝 내밀기량을 과도하게 많이 설정할 필요가 없고, 적정한 날끝 내밀기량으로 절삭이 가능해진다. 이로써, 절삭 블레이드의 균열이나, 흔들림의 발생 등의 문제의 발생을 억제할 수 있다.In addition, since the outer circumferential convex portion 19 is processed by the first cutting blade 50 and the thickness of the portion of the outer circumferential convex portion 19 is reduced, the amount of the second cutting blade 50a to be pushed out excessively There is no need to set a lot, and cutting can be performed with an appropriate amount of cutting edge. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of problems such as cracking of the cutting blade and occurrence of vibration.

또, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블 (27) 에서 유지된 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 촬상하는 상방 촬상 카메라 (52) 를 추가로 구비하는 것이 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 4, it is preferable to further include an upper imaging camera 52 for imaging the back surface 10b of the wafer 10 held by the holding table 27.

이로써, 외주 볼록부 (19) 의 위치를 검출할 수 있게 되어, 제 1 절삭 블레이드 (50) 의 위치를 외주 볼록부 (19) 에 맞추어 외주 볼록부 (19) 의 가공을 실시할 수 있게 된다.Thereby, the position of the outer circumferential convex part 19 can be detected, and the outer circumferential convex part 19 can be processed by matching the position of the first cutting blade 50 with the outer circumferential convex part 19.

또, 즉, 도 1 내지 도 8 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 다른 측면에 의하면,In other words, as shown in Figs. 1 to 8, according to another aspect of the present invention,

표면 (10a) 의 교차하는 복수의 스트리트 (13) 로 구획된 각 영역에 각각 디바이스 (11) 가 형성된 디바이스 영역에 대응되는 이면 (10b) 에 오목부 (18) 가 형성됨과 함께 오목부 (18) 를 둘러싸는 외주 볼록부 (19) 가 형성된 웨이퍼 (10) 를 준비하는 웨이퍼 (10) 준비 스텝과,The concave portion 18 is formed in the rear surface 10b corresponding to the device area in which the device 11 is formed in each area divided by a plurality of streets 13 intersecting the surface 10a. A wafer 10 preparation step of preparing a wafer 10 with an outer circumferential convex portion 19 formed thereon,

웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 에 투명한 보호 부재 (테이프 (T)) 를 배치 형성하는 보호 부재 배치 형성 스텝과,A protective member arrangement forming step of arranging and forming a transparent protective member (tape T) on the surface 10a of the wafer 10;

보호 부재를 통하여 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 측을 유지 테이블 (27) 에서 유지하는 유지 스텝과,A holding step of holding the surface 10a side of the wafer 10 in the holding table 27 through the protective member,

유지 테이블 (27) 에서 유지된 웨이퍼 (10) 의 외주 볼록부 (19) 에 대해 제 1 절삭 블레이드 (50) 의 선단을 오목부 (18) 의 바닥면에 도달하지 않는 높이로 절입시켜 절삭하여 외주 볼록부 (19) 의 높이를 줄이는 제 1 절삭 스텝과,With respect to the outer circumferential convex portion 19 of the wafer 10 held by the holding table 27, the tip of the first cutting blade 50 is cut to a height that does not reach the bottom surface of the concave portion 18 and cut to the outer periphery. A first cutting step to reduce the height of the convex portion 19,

제 1 절삭 스텝을 실시한 후, 하방 촬상 카메라 (82) 로 유지부 (74a) 와 보호 부재를 통하여 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 을 촬상하여 스트리트 (13) 를 검출하는 스트리트 검출 스텝과,After performing the first cutting step, a street detection step of detecting the street 13 by imaging the surface 10a of the wafer 10 through the holding portion 74a and the protective member with the lower imaging camera 82;

스트리트 검출 스텝에서 검출한 스트리트 (13) 를 따라 제 2 절삭 블레이드 (50a) 로 웨이퍼 (10) 를 절삭하는 제 2 절삭 스텝을 포함하는 가공 방법이 제공된다.A processing method including a second cutting step of cutting the wafer 10 with the second cutting blade 50a along the street 13 detected in the street detection step is provided.

이로써, 이면 (10b) 에 원형 오목부 (18) 와 외주 볼록부 (19) 가 형성되는 웨이퍼 (10) 에 있어서, 유지 테이블 (27) 로부터 웨이퍼를 떼어내지 않고 웨이퍼 (10) 의 개편화가 가능해져, 유지 테이블 (27) 로부터 웨이퍼 (10) 를 떼어내어 취급할 때에 발생하는 웨이퍼 (10) 의 파손 우려를 방지할 수 있다.Thereby, in the wafer 10 in which the circular concave portion 18 and the outer circumferential convex portion 19 are formed on the back surface 10b, the wafer 10 can be divided into pieces without removing the wafer from the holding table 27, , It is possible to prevent the risk of damage to the wafer 10 that occurs when the wafer 10 is removed from the holding table 27 and handled.

2 : 가공 장치
10 : 웨이퍼
10a : 표면
10b : 이면
11 : 디바이스
13 : 스트리트
18 : 오목부
18a : 금속막
19 : 외주 볼록부
23 : 이동 기구
27 : 유지 테이블
46 : 제 1 절삭 유닛
46a : 제 2 절삭 유닛
50 : 제 1 절삭 블레이드
50a : 제 2 절삭 블레이드
52 : 상방 촬상 카메라
74 : 유지 패드
74b : 유지부
82 : 하방 촬상 카메라
T : 테이프2: processing equipment
10: wafer
10a: surface
10b: back side
11: device
13: Street
18: recess
18a: metal film
19: outer circumferential convex
23: moving mechanism
27: holding table
46: first cutting unit
46a: second cutting unit
50: first cutting blade
50a: second cutting blade
52: upper imaging camera
74: retention pad
74b: maintenance unit
82: Downward imaging camera
T: tape

Claims (3)

표면의 교차하는 복수의 스트리트로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 영역에 대응되는 이면에 오목부가 형성됨과 함께 그 오목부를 둘러싸는 외주 볼록부가 형성된 웨이퍼를 가공하는 가공 장치로서,
그 웨이퍼의 그 표면측을 유지하는, 투명재로 이루어지는 유지부를 가진 회전 가능한 유지 테이블과,
그 유지 테이블에서 유지된 그 웨이퍼의 그 표면을 그 유지부를 통하여 촬상하는 하방 촬상 카메라와,
그 웨이퍼의 이면의 그 외주 볼록부를 절삭하여 그 외주 볼록부의 높이를 줄이는 제 1 절삭 블레이드를 갖는 제 1 절삭 유닛과, 그 하방 촬상 카메라로 촬상한 그 웨이퍼의 그 표면의 그 스트리트를 따라 그 웨이퍼를 절삭하는 제 2 절삭 블레이드를 갖는 제 2 절삭 유닛을 포함하는 절삭 기구와,
그 유지 테이블과 그 절삭 기구를 상대 이동시키는 이동 기구를 구비한 가공 장치.A processing apparatus for processing a wafer in which a concave portion is formed on a rear surface corresponding to a device area in which a device is formed in each area divided by a plurality of streets intersecting the surface, and an outer circumferential convex portion surrounding the concave portion is formed,
A rotatable holding table having a holding portion made of a transparent material for holding the surface side of the wafer,
A downward imaging camera for imaging the surface of the wafer held on the holding table through the holding portion,
A first cutting unit having a first cutting blade that cuts the outer circumferential convex portion of the back surface of the wafer to reduce the height of the outer circumferential convex portion, and the wafer is moved along the street of the surface of the wafer imaged with the lower imaging camera. A cutting mechanism including a second cutting unit having a second cutting blade to cut,
A processing apparatus provided with a moving mechanism that moves the holding table and the cutting mechanism relative to each other. 제 1 항에 있어서,
그 유지 테이블에서 유지된 웨이퍼의 그 이면을 촬상하는 상방 촬상 카메라를 추가로 구비한, 가공 장치.The method of claim 1,
A processing apparatus further comprising an upward imaging camera for imaging the back surface of the wafer held on the holding table. 웨이퍼의 가공 방법으로서,
표면의 교차하는 복수의 스트리트로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 영역에 대응되는 이면에 오목부가 형성됨과 함께 그 오목부를 둘러싸는 외주 볼록부가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 스텝과,
그 웨이퍼의 표면에 투명한 보호 부재를 배치 형성하는 보호 부재 배치 형성 스텝과,
그 보호 부재를 통하여 그 웨이퍼의 표면측을 투명재로 이루어지는 유지부를 가진 유지 테이블에서 유지하는 유지 스텝과,
그 유지 테이블에서 유지된 그 웨이퍼의 그 외주 볼록부에 대해 제 1 절삭 블레이드의 선단을 그 오목부의 바닥면에 도달하지 않는 높이로 절입시켜 절삭하여 그 외주 볼록부의 높이를 줄이는 제 1 절삭 스텝과,
그 제 1 절삭 스텝을 실시한 후, 그 유지 테이블의 하방에 배치 형성된 하방 촬상 카메라로 투명한 그 유지부와 투명한 그 보호 부재를 통하여 그 웨이퍼의 그 표면을 촬상하여 스트리트를 검출하는 스트리트 검출 스텝과,
그 스트리트 검출 스텝에서 검출한 그 스트리트를 따라 제 2 절삭 블레이드로 그 웨이퍼를 절삭하는 제 2 절삭 스텝을 구비한 웨이퍼의 가공 방법.As a wafer processing method,
A wafer preparation step of preparing a wafer in which a concave portion is formed on a rear surface corresponding to a device area in which a device is formed in each area divided by a plurality of streets intersecting the surface, and an outer circumferential convex portion surrounding the concave portion is formed;
A protective member arrangement forming step of arranging and forming a transparent protective member on the surface of the wafer,
A holding step of holding the surface side of the wafer through the protection member in a holding table having a holding portion made of a transparent material;
A first cutting step for reducing the height of the outer circumferential convex portion by cutting the tip of the first cutting blade to a height not reaching the bottom surface of the concave portion with respect to the outer circumferential convex portion of the wafer held on the holding table;
After performing the first cutting step, a street detection step for detecting a street by imaging the surface of the wafer through the transparent holding portion and the transparent protective member with a lower imaging camera disposed under the holding table;
A wafer processing method comprising a second cutting step of cutting the wafer with a second cutting blade along the street detected in the street detection step.
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