KR20210027970A - Pixel circuits for driving display material and display device including thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화소 회로와 이를 포함한 디스플레이 장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 디스플레이 소자의 구동을 위한 화소 회로와 이를 내장한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 화소 회로는, 저장 캐패시터; 디스플레이 소자; 데이터 라인과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터; 기준 전압과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 소스에 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 스캔 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제5 트랜지스터;를 포함한다.
The present invention relates to a pixel circuit and a display device including the same, and more particularly, to a pixel circuit for driving a display device and a display device including the same.
A pixel circuit according to an embodiment of the present invention includes: a storage capacitor; Display elements; A first transistor connected between a data line and one end of the storage capacitor, and a scan line connected to a gate; A second transistor connected between a reference voltage and one end of the storage capacitor and connected to a gate with an emission control signal line; A driving transistor to which a first power signal is applied to a source and the other end of the storage capacitor is connected to a gate; A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the scan line connected to the gate; A fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And a fifth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate.

Description

디스플레이 소자의 구동을 위한 화소 회로 및 이를 포함한 디스플레이 장치{PIXEL CIRCUITS FOR DRIVING DISPLAY MATERIAL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THEREOF}A pixel circuit for driving a display device and a display device including the same {PIXEL CIRCUITS FOR DRIVING DISPLAY MATERIAL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THEREOF}

본 발명은 화소 회로와 이를 포함한 디스플레이 장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 디스플레이 소자의 구동을 위한 화소 회로와 이를 포함한 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pixel circuit and a display device including the same, and more particularly, to a pixel circuit for driving a display device and a display device including the same.

일반적인 디스플레이 장치는 그림 1과 같이 mХn개의 화소가 2차원으로 배열되어 있다. In a general display device, as shown in Figure 1, mХn pixels are arranged in two dimensions.

아날로그 방식으로 화소를 구동하는 디스플레이의 경우, 각 화소에는 아날로그 값을 저장하는 회로가 있으며, 이 회로에 저장된 값에 따라서 화면의 색이 결정된다. In the case of a display that drives pixels in an analog manner, each pixel has a circuit that stores an analog value, and the color of the screen is determined according to the value stored in the circuit.

각각의 화소에 값을 저장하는 방법은, 그림 1의 line selection timing diagram에 나온 것처럼 row line을 SCAN1부터 SCANm까지 순차적으로 ON을 시키면서 각각의 column line (DATA1~DATAn)에 원하는 아날로그 값(전류 또는 전압)을 인가하면 된다.To save the value in each pixel, as shown in the line selection timing diagram in Figure 1, turn on the row line sequentially from SCAN 1 to SCAN m , and the desired analog value in each column line (DATA 1 ~ DATA n ). (Current or voltage) can be applied.

모든 화소에 값이 저장된 후, 새로운 값으로 변경해서, 위의 방법을 반복한다. After the values are stored in all pixels, change them to new values and repeat the above method.

화소 회로에 연결되어 있는 디스플레이 소자는 liquid crystal (LC) 또는 LED/OLED를 주로 사용하는데, LC는 LC 소자 양단에 걸린 전압의 크기에 따라서 밝기가 결정되며, LED/OLED는 다이오드 양단에 흐르는 전류에 따라서 밝기가 결정된다. 따라서, LED/OLED의 경우, 화소 회로는 저장된 아날로그 전압 값을 전류 값으로 변환하는 기능을 포함한다. 이 때, 여러 화소 사이에 전압-전류 변환 값의 차이가 발생하게 되면, 화면의 전체적인 균일성(uniformity)가 나빠지게 되며, 이는 디스플레이 장치의 품질을 저하시킨다. The display element connected to the pixel circuit mainly uses liquid crystal (LC) or LED/OLED. For LC, the brightness is determined according to the voltage across the LC element, and LED/OLED is dependent on the current flowing across the diode. Thus, the brightness is determined. Thus, in the case of LED/OLED, the pixel circuit includes a function of converting the stored analog voltage value into a current value. In this case, when a difference in voltage-current conversion value occurs between several pixels, the overall uniformity of the screen deteriorates, which degrades the quality of the display device.

도 1은 종래의 LED/OLED 디스플레이 장치와 이의 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a conventional LED/OLED display device and a driving method thereof.

도 1을 참조하면, 종래의 LED/OLED 디스플레이 장치는 다수의 스캔 라인(SCAN1, SCAN2, SCAN3,??,SCANm), 다수의 데이터 라인(DATA1, DATA2, DATA3,??, DATAn), 각 스캔 라인과 각 데이터 라인에 연결된 화소 회로(Pixel circuit) 및 화소 회로에 연결된 디스플레이 소자(또는 디스플레이 재료(Display material))로 구성된다. 여기서, 디스플레이 소자는 LED(Light Emitting Diode) 또는 OLED(Organic Light Emitting Diode)일 수 있다. Referring to FIG. 1, a conventional LED/OLED display device includes a plurality of scan lines (SCAN 1 , SCAN 2 , SCAN 3 ,??, SCAN m ), a plurality of data lines (DATA 1 , DATA 2 , DATA 3 ,? ?, DATA n ), a pixel circuit connected to each scan line and each data line, and a display element (or display material) connected to the pixel circuit. Here, the display device may be a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED).

이러한 종래의 LED/OLED 디스플레이 장치는 순차적으로 로우(Row) 라인 선택(Line Selection)을 하면서, 컬럼 라인(Column Line)을 통해 각 픽셀(Pixel)에 아날로그 데이터(또는 아날로그 전압)를 저장한다. Such a conventional LED/OLED display device stores analog data (or analog voltage) in each pixel through a column line while sequentially selecting row lines.

LED 또는 OLED는 다이오드 양단 사이에 전류가 흐르면 빛이 발생하는 소자이다. 따라서, 각 화소 회로는 저장된 아날로그 전압값을 전류값으로 변환하는 기능을 갖는다.LED or OLED is a device that generates light when a current flows between both ends of the diode. Therefore, each pixel circuit has a function of converting the stored analog voltage value into a current value.

일반적으로, 화소 회로는 아날로그 전압값을 저장하기 위한 캐패시터(capacitor), 라인 선택(line selection)을 위한 스위치 트랜지스터(switch transistor), 및 전압-전류 변환과 LED/OLED 구동을 위한 구동 트랜지스터(driving transistor)로 구성된다.In general, the pixel circuit is a capacitor for storing an analog voltage value, a switch transistor for line selection, and a driving transistor for voltage-current conversion and LED/OLED driving. ).

여기서, 각각의 화소 회로의 트랜지스터들은 같은 종류/크기/모양으로 설계를 하더라도, 제작과정에서 그 특성이 조금씩 달라질 수 있다. 이러한 화소 회로간 트랜지스터 특성 차이 때문에 각각의 화소 회로에 같은 전압값을 저장하더라도 다른 전류값이 발생할 수 있으며, 이는 LED/OLED 디스플레이 장치의 균일성(uniformity) 특성을 열화시킨다.Here, even if the transistors of each pixel circuit are designed to have the same type/size/shape, their characteristics may be slightly different during the manufacturing process. Due to the difference in transistor characteristics between the pixel circuits, even if the same voltage value is stored in each pixel circuit, different current values may occur, which deteriorates the uniformity characteristics of the LED/OLED display device.

예를 들어, 도 2에 트랜지스터 2개와 캐패시터 1개로 구성된 2T1C 구조의 화소 회로의 일 예를 도시하였다.For example, FIG. 2 shows an example of a 2T1C pixel circuit composed of two transistors and one capacitor.

도 2에 도시된 상기 회로는 2 상태(2 phase)로 동작한다. 1 상태는 데이터 프로그램(data program)이고, 2 상태는 방출(emission)이다. The circuit shown in Fig. 2 operates in two phases. State 1 is data program and state 2 is emission.

도 3의 (a) 내지 (b)는 도 2에 도시된 픽셀 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 3A to 3B are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit shown in FIG. 2.

도 3의 (a)를 참조하면, 상기 1 상태(data program)에서는 스캔(SCAN) 신호가 로우(low)가 되면 스위치 트랜지스터(T1)가 온(on)이 되고, 데이터(DATA)에 VDATA가 인가되어 캐패시터(C1)에 저장된다. Referring to (a) of FIG. 3, in the 1 state (data program), when the SCAN signal goes low, the switch transistor T 1 is turned on, and the data is V DATA is applied and stored in the capacitor (C 1 ).

도 3의 (b)를 참조하면, 상기 2 상태(Emission)에서는 스캔(SCAN) 신호가 하이(high)가 되면 스위치 트랜지스터(T1)가 오프(off)가 된다. 캐패시터(C1)에 저장된 전압값에 의해서 전류 구동 트랜지스터(TD)에 전류가 흐르게 되며, 이 전류가 디스플레이 소자(LED/OLED)에 흐르게 된다. 여기서, 전류 구동 트랜지스터(TD)및 디스플레이 소자(LED/OLED)에 흐르는 전류는 아래의 <수학식 1>과 같다.Referring to FIG. 3B, in the 2 state (Emission), when the SCAN signal becomes high, the switch transistor T 1 is turned off. A current flows through the current driving transistor T D by the voltage value stored in the capacitor C 1 , and this current flows through the display device (LED/OLED). Here, the current flowing through the current driving transistor T D and the display device (LED/OLED) is as shown in Equation 1 below.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 <수학식 1>에서, VSG _TD는 VS_TD - VG _ TD이고, VS_TD는 전류 구동 트랜지스터(TD)의 소스 전압(여기서는 VDD)이고, VG _TD는 전류 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전압이다. Vth _TD는 전류 구동 트랜지스터(TD)의 쓰레시홀드(threshold) 전압이며, kTD는 트랜지스터 제작 공정 및 TD의 모양/크기에 의해 결정되는 값이다. In the <Equation 1>, V SG _TD is V S_TD -V G _ TD , V S_TD is the source voltage of the current driving transistor T D (here, V DD ), and V G _TD is the current driving transistor T Is the gate voltage of D). V th _TD is threaded upon the hold voltage (threshold) of the current driving transistor (T D), TD k is a value determined by the shape / size of the transistor manufacturing process, and T D.

여기서, 복수의 같은 종류/크기/모양의 트랜지스터를 제작을 하면, kTD값은 비슷하지만 Vth _TD 값은 크게 달라질 수 있다. 따라서, 도 2의 화소 회로를 사용할 경우, 여러 화소에 같은 전압값을 저장하더라도(즉, VG _TD 값이 같더라도), Vth _TD의 차이 때문에 전류값이 크게 달라질 수 있다. 따라서, 상기 디스플레이 장치의 균일성(uniformity)을 크게 열화시킬 수 있다. 최근 LED/OLED 디스플레이 장치의 고사양화(높은 frame rate/해상도/gray scale 등등)와 저가격화를 고려했을 때, 화소간 미스매치(mismatch)를 보상하는 기능은 거의 필수적으로 요구되고 있다.Here, when a plurality of the same type / size / shape of the transistors making, k TD values are similar, but the V th _TD value may vary widely. Thus, the current can vary significantly because in some cases to use a pixel circuit 2, even if the stored voltage values as the number of pixels (that is, V G _TD value be the same), V th _TD difference. Accordingly, the uniformity of the display device can be greatly deteriorated. Considering the high specification (high frame rate/resolution/gray scale, etc.) and low price of LED/OLED display devices in recent years, a function of compensating for a mismatch between pixels is almost indispensable.

이러한 문제를 해결할 수 있는 화소 회로가 도 4에 도시되어 있다.A pixel circuit capable of solving this problem is shown in FIG. 4.

도 4는 종래의 화소(픽셀) 간의 Vth 미스매치(mismatch) 보상이 가능한 화소 회로의 일 예이다.4 is an example of a conventional pixel circuit capable of compensating for a V th mismatch between pixels (pixels).

도 4를 참조하면, 상기 종래의 화소 회로는 3 상태(3 phase)로 동작한다. 1 상태는 리셋(reset)이고, 2 상태는 보상/프로그램(compensation/program)이고, 3 상태는 방출(emission)이다. Referring to FIG. 4, the conventional pixel circuit operates in three phases. State 1 is reset, state 2 is compensation/program, and state 3 is emission.

도 5의 (a) 내지 (c)는 도 4에 도시된 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.5A to 5C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit shown in FIG. 4.

도 5의 (a)를 참조하면, 상기 1 상태(Reset)에서 데이터(DATA)에 매우 낮은 레퍼런스 전압(VREF)을 인가하면, T3에 전류가 흐르다가 결국 흐르지 않게 되므로, TD의 게이트 전압은 (VREF + |Vth_T3|)이 된다.Referring to FIG. 5A, when a very low reference voltage (V REF ) is applied to the data (DATA) in the 1 state (Reset), current flows to T 3 and eventually does not flow. Therefore, the gate of T D The voltage becomes (V REF + |V th_T3 |).

도 5의 (b)를 참조하면, 상기 2 상태(Compensation/program)에서는 데이터(DATA)에 VREF보다 상대적으로 높은 VDATA를 인가하면, T2에 전류가 흐르다가 결국 흐르지 않게 되므로, TD의 게이트 전압은 (VDATA - |Vth_T2|)가 된다. Referring to FIG. 5(b), in the second state (Compensation/program), if V DATA relatively higher than V REF is applied to the data DATA , the current flows in T 2 and eventually stops flowing, so T D of the gate voltage - that is (V DATA | | V th_T2) .

도 5의 (c)를 참조하면, 상기 3 상태(Emission)에서 C1에 저장된 전압값에 의해 TD 및 LED/OLED에 전류가 흐르게 된다. 여기서, 상기 전류값은 아래의 <수학식 2>와 같다.Referring to (c) of FIG. 5, current flows in T D and LED/OLED by the voltage value stored in C 1 in the three states (Emission). Here, the current value is as shown in Equation 2 below.

Figure pat00002
Figure pat00002

트랜지스터들의 Vth 미스매치(mismatch)는 소자간 거리가 멀어질수록 커지며, 인접한 소자들 사이에서는 작아진다. 따라서, 상기 <수학식 2>에서 Vth _T2과 Vth _TD가 매우 작은 값을 가지면, ITD는 트랜지스터의 Vth에 거의 무관하게 되고, 이 화소 회로를 이용한 디스플레이 장치의 균일성(uniformity) 특성은 향상될 수 있다.The V th mismatch of transistors increases as the distance between devices increases, and decreases between adjacent devices. Thus, the <Equation 2> V th _T2 and V th _TD that has the extremely small value, I TD is almost independent of V th of the transistor, homogeneity (uniformity) characteristics of the display device using a pixel circuit Can be improved.

하지만, 일반적으로 전류 구동 트랜지스터(TD)는 상대적으로 크게 설계하고, 나머지 스위치 트랜지스터들(T1, T2, T3)은 상대적으로 작게 설계하기 때문에, 크기 차이에 의한 Vth _T2와 Vth _TD의 차이가 존재하게 된다. 이 차이가 여러 화소 간에 같은 값이면, 디스플레이 장치의 균일성(uniformity)에 영향을 주지 않지만, 그렇지 않을 가능성이 높다. 또한, 트랜지스터의 Vth는 소스-바디 전압차의 크기에 따라 달라지는데(이를 바디 이펙트(body effect)라 함), 화소 회로의 레이아웃을 용이하게 하기 위해 T3와 TD의 바디를 모두 VDD에 연결했을 경우, 상기 두 트랜지스터(T2, TD)의 소스 전압 차이에 의해 Vth 차이가 발생하게 된다. 따라서, 도 4에 도시된 화소 회로는 도 2에 도시된 화소 회로보다 균일성(uniformity)을 더 좋게 할 수 있지만, 그 정도가 충분하지 않을 수 있다. However, in general, since the current driving transistor (T D ) is designed to be relatively large and the remaining switch transistors (T 1 , T 2 , T 3 ) are designed to be relatively small, V th _T2 and V th due to the difference in size There is a difference in _TD. If this difference is the same value between several pixels, it does not affect the uniformity of the display device, but it is likely not. In addition, the V th of the transistor varies according to the magnitude of the source-body voltage difference (this is called a body effect). To facilitate the layout of the pixel circuit, both the bodies of T 3 and T D are connected to V DD . When connected, a difference in V th occurs due to a difference in source voltage between the two transistors T 2 and T D. Accordingly, the pixel circuit illustrated in FIG. 4 may have better uniformity than the pixel circuit illustrated in FIG. 2, but the degree may not be sufficient.

도 2의 화소 회로와 대비하여 도 4의 화소 회로의 단점은, 스캔(scan) 시간 (TSCAN) 동안에 데이터(DATA) 라인(line)에 VREF와 VDATA를 순차적으로 인가해야 한다는 점이다. 이를 위해서는 데이터(DATA) 라인(line)을 구동하는 컬럼 라인 드라이브(column line drive)가 고속으로 동작해야 한다. 따라서 전력 소모가 커질 수 있다. The disadvantage of the pixel circuit of FIG. 4 compared to the pixel circuit of FIG. 2 is that V REF and V DATA must be sequentially applied to the data line during the scan time T SCAN. To this end, a column line drive that drives a data line must operate at high speed. Therefore, power consumption may increase.

도 4의 화소 회로의 또 다른 단점은, 화소에 데이터(data)를 리셋(reset)하는 동안(즉, 도 5의 (a)처럼 데이터(DATA)에 VREF를 인가하는 동안)에 TD가 온(on)이 되어서 디스플레이 소자(LED/OLED)에 전류가 흐른다는 점이다. 상기 전류는 VREF 값에 의해 결정되므로, 화소에 실제 인가하고자 하는 그레이 레벨(gray level)(즉, VDATA 값)에 상관없이 일정하다. 따라서 화소에 낮은 그레이 레벨(gray level)값을 인가하고자 할 때에도 디스플레이 소자(LED/OLED)는 어느 정도의 특정 밝기 값을 가지게 된다. 이는 디스플레이 장치의 명암비(contrast ratio)를 떨어뜨리는 원인이 될 수 있다. Another disadvantage of the pixel circuit of FIG. 4 is that T D is applied while resetting data to the pixel (that is, while applying V REF to the data DATA as in FIG. 5A). It is turned on and current flows through the display device (LED/OLED). Since the current is determined by the V REF value, it is constant regardless of the gray level (ie, V DATA value) to be actually applied to the pixel. Therefore, even when a low gray level value is to be applied to the pixel, the display device (LED/OLED) has a certain brightness value. This may be a cause of lowering the contrast ratio of the display device.

도 4의 화소 회로의 Vth 미스매치(mismatch) 보상 기능을 향상시키기 위한 종래의 다른 화소 회로를 도 6을 참조하여 설명한다.Another conventional pixel circuit for improving the V th mismatch compensation function of the pixel circuit of FIG. 4 will be described with reference to FIG. 6.

도 6은 종래의 화소(픽셀) 간의 Vth 미스매치(mismatch) 보상이 가능한 화소 회로의 다른 일 예이다.6 is another example of a conventional pixel circuit capable of compensating for a V th mismatch between pixels (pixels).

도 6을 참조하면, 상기 화소 회로는 3 상태(3 phase)로 동작한다. 1 상태는 리셋(reset)이고, 2 상태는 보상/프로그램(compensation/program)이고, 3 상태는 방출(emission)이다. Referring to FIG. 6, the pixel circuit operates in three phases. State 1 is reset, state 2 is compensation/program, and state 3 is emission.

도 7의 (a) 내지 (c)는 도 6에 도시된 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.7A to 7C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit shown in FIG. 6.

도 7의 (a)를 참조하면, 상기 1 상태(Reset)에서는 TD의 게이트와 드레인이 VDD에 연결되고, TD의 소스에는 VDATA와 VSS가 동시에 인가된다.Referring to (a) of 7, in the first state (Reset) and a gate and a drain of T D is connected to V DD, a source of T D is applied to V DATA and V SS at the same time.

도 7의 (b)를 참조하면, 상기 2 상태(Compensation/program)에서는 TD를 VDD와 디스플레이 소자(LED/OLED)로부터 분리시키고, TD의 소스에는 VDATA만 인가된다. 이 때, TD의 전류값은 점점 줄어들면서 결국 0이 된다. 따라서 TD의 게이트 전압값은 (VDATA + Vth _TD_comp)가 된다. 여기서, Vth _TD_comp는 상기 2 상태(compensation/program)에서의 TD의 Vth 값이다. 상기 Vth_TD_comp값은 C1에 저장된다. Referring to (b) of FIG. 7, T D is separated from V DD and the display device (LED/OLED) in the two states (Compensation/program), and only V DATA is applied to the source of T D. At this time, the current value of T D gradually decreases and eventually becomes zero. Therefore, the gate voltage value of T D becomes (V DATA + V th _TD_comp ). Here, V th _TD_comp is the V th value of T D in the two state (compensation/program). The V th_TD_comp value is stored in C 1.

도 7의 (c)를 참조하면, 상기 3 상태(Emission)에서 C1에 저장된 전압값이 그대로 유지된 채 TD가 VDD와 디스플레이 소자(LED/OLED)와 연결된다. 이 때, TD 및 디스플레이 소자(LED/OLED)의 전류값은 아래의 <수학식 3>과 같다.Referring to (c) of FIG. 7, T D is connected to V DD and the display device (LED/OLED) while maintaining the voltage value stored in C 1 in the three states (Emission). At this time, the current values of T D and the display device (LED/OLED) are as shown in Equation 3 below.

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 <수학식 3>에서, Vth_TD_EMIT는 3 상태(emission)에서의 TD의 Vth 값이다.In Equation 3, V th_TD_EMIT is the V th value of T D in the 3 state (emission).

상기 <수학식 3>을 참조하면, <수학식 2>와 달리 화소 내부 소자간 Vth 미스매치(mismatch)에 영향을 받지 않음을 알 수 있다. 하지만, 2 상태(compensation/ program)에서의 TD의 소스 전압과 3 상태(emission)에서의 TD의 소스 전압이 다르므로, (

Figure pat00004
)값이 0이 아닐 수 있다. 상기 값은 입력하고자 하는 VDATA 값에 따라서 달라지게 되는데, 같은 VDATA 값에서 화소 간의 (
Figure pat00005
)값의 차이만 없으면, 디스플레이 장치의 균일성(uniformity)에 영향을 주지 않는다. 하지만, 화소 간의 TD 소자의 Vth 미스매치(mismatch) 때문에, 상기 값도 차이가 날 수 있다. 따라서, 도 6의 화소 회로는 도 4의 화소 회로보다 균일성(uniformity)을 더 좋게 할 수 있지만, 그 정도가 충분하지 않을 수 있다.Referring to Equation 3, it can be seen that unlike Equation 2, V th mismatch between internal elements of a pixel is not affected. However, the source voltage of T D in the second state (compensation / program) and the source voltage of the third state T D (emission) in varies, (
Figure pat00004
) Value may not be 0. The above value varies depending on the V DATA value to be input. At the same V DATA value, the (
Figure pat00005
If there is only a difference in) value, it does not affect the uniformity of the display device. However, due to a V th mismatch of the T D element between pixels, the above value may also be different. Accordingly, the pixel circuit of FIG. 6 may have better uniformity than the pixel circuit of FIG. 4, but the degree may not be sufficient.

도 4의 화소 회로와 대비하여 도 6의 화소 회로의 또 다른 장점은, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 화소에 데이터(data)를 프로그램(program)하는 동안에 디스플레이 소자(LED/OLED)에 전류가 흐르지 않는다는 점이다. 따라서, 도 6의 화소 회로를 사용한 디스플레이 장치는 도 4의 화소 회로를 사용한 디스플레이 장치보다 높은 명암비를 가질 수 있다.Another advantage of the pixel circuit of FIG. 6 compared to the pixel circuit of FIG. 4 is that, as shown in FIG. 7 (b), the display device (LED/OLED) is used while programming data into the pixel. ) Is that no current flows. Accordingly, the display device using the pixel circuit of FIG. 6 may have a higher contrast ratio than the display device using the pixel circuit of FIG. 4.

또한, 도 4의 화소 회로와 달리 도 6의 화소 회로의 데이터(DATA) 라인(line)에는 TSCAN 동안에 VDATA만 인가되므로, 컬럼 라인 드라이버(column line driver)가 고속으로 동작할 필요가 없다. 따라서 컬럼 라인 드라이버(column line driver)의 저전력 설계가 가능하다.In addition, unlike the pixel circuit of FIG. 4, since only V DATA is applied to the data line of the pixel circuit of FIG. 6 during T SCAN , the column line driver does not need to operate at high speed. Therefore, low power design of the column line driver is possible.

한편, 도 4의 화소 회로와 대비하여 도 6의 화소 회로의 단점은, 전체 트랜지스터의 개수가 4개에서 7개로 늘어났다는 점이다. 따라서, 화소 크기를 줄이는데 한계가 있고, 이는 디스플레이 장치의 화면 해상도를 높이는 데 불리하게 작용할 수 있다.Meanwhile, the disadvantage of the pixel circuit of FIG. 6 compared to the pixel circuit of FIG. 4 is that the total number of transistors is increased from 4 to 7. Therefore, there is a limit to reducing the pixel size, which may adversely affect the screen resolution of the display device.

도 6의 화소 회로의 또 다른 단점은, 상기 1 상태(reset)에서 TD의 소스에 VDATA와 VSS가 동시에 인가된다는 점이다. 이러한 경우, 전압 충돌이 발생하여 VDATA를 구동하는 컬럼 라인 드라이버(column line driver)에 불필요한 과전류가 흐를 수 있다.Another disadvantage of the pixel circuit of FIG. 6 is that V DATA and V SS are simultaneously applied to the source of T D in the first state (reset). In this case, a voltage collision may occur, and unnecessary overcurrent may flow through a column line driver that drives V DATA.

도 6의 화소 회로보다 트랜지스터의 개수가 적고 도 4의 화소 회로보다 화면 균일성(uniformity)을 높일 수 있는 화소 회로를 도 8을 참조하여 설명한다.A pixel circuit having fewer transistors than the pixel circuit of FIG. 6 and capable of improving screen uniformity than the pixel circuit of FIG. 4 will be described with reference to FIG. 8.

도 8은 종래의 화소(픽셀) 간의 Vth 미스매치(mismatch) 보상이 가능한 화소 회로의 또 다른 일 예이다.8 is another example of a conventional pixel circuit capable of compensating for a V th mismatch between pixels (pixels).

도 8을 참조하면, 상기 화소 회로는 3 상태(3 phase)로 동작한다. 1 상태는 보상(compensation)이고, 2 상태는 프로그램(program)이고, 3 상태는 방출(emission)이다. Referring to FIG. 8, the pixel circuit operates in three phases. State 1 is compensation, state 2 is program, and state 3 is emission.

도 9의 (a) 내지 (c)는 도 8에 도시된 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.9A to 9C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit shown in FIG. 8.

도 9의 (a)를 참조하면, 상기 1 상태(Compensation)에서는 TD는 게이트와 드레인이 묶인 채 디스플레이 소자(LED/OLED)와 분리되고, C2에는 VREF가 인가된다. 이 때, TD에는 이전 3 상태(emission)에서 흐르던 전류가 방전되면서 결국 전류가 흐르지 않게 되고, TD의 게이트 전압은 Vth _TD가 된다. 따라서, C1 양단 전압은 (VREF - Vth_TD)가 된다. Referring to FIG. 9A, in the first state (Compensation), T D is separated from the display device (LED/OLED) while the gate and drain are tied, and V REF is applied to C 2. At this time, T D is flowed as a discharge current in the prior three-state (emission) and no current flows after all, the gate voltage of T D is the V th _TD. Therefore, the voltage across C 1 becomes (V REF -V th_TD ).

도 9의 (b)를 참조하면, 상기 2 상태(Program)에서 C2에는 VDATA가 인가된다. 따라서, TD의 게이트는 플로팅(floating)되며, 따라서 C1 양단 전압은 (VREF - Vth _TD)로 유지된다. 그 결과, TD의 게이트 전압은 [VDATA - (VREF - Vth _TD) = (VDATA - VREF) + Vth_TD]가 된다.Referring to (b) of FIG. 9, V DATA is applied to C 2 in the 2 state (Program). Thus, the gate of T D is floating, so the voltage across C 1 is kept at (V REF -V th _TD ). As a result, the gate voltage of T D is [V DATA - (V REF - V th _TD) = (V DATA -V REF ) + V th_TD ].

도 9의 (c)를 참조하면, 상기 3 상태(Emission)에서 C1과 C2에 저장된 전압값이 그대로 유지된다. 이 때, TD 및 디스플레이 소자(LED/OLED)의 전류값은 아래의 <수학식 4>와 같다.Referring to (c) of FIG. 9, the voltage values stored in C 1 and C 2 in the three states (Emission) are maintained as they are. At this time, the current values of T D and the display device (LED/OLED) are as shown in Equation 4 below.

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 <수학식 4>를 참조하면, <수학식 2> 및 <수학식 3>과 달리, 화소 내부 소자간 Vth 미스매치(mismatch)에 영향이 없음을 알 수 있다. 또한, 상기 1 상태(compensation)과 상기 3 상태(emission)에서 TD의 소스가 항상 VSS에 연결되어 있으므로, 바디 이펙트(body effect)에 의한 Vth 변화의 영향도 없음을 알 수 있다. 따라서, 도 8의 화소 회로는 도 4 및 도 6의 화소 회로들보다 균일성(uniformity)을 더 좋게 할 수 있다.Referring to the <Equation 4>, it can be seen that unlike the <Equation 2> and <Equation 3>, there is no effect on the V th mismatch between the internal elements of the pixel. In addition, since the source of T D is always connected to V SS in the first state (compensation) and the third state (emission), it can be seen that there is no influence of V th change due to a body effect. Accordingly, the pixel circuit of FIG. 8 may have better uniformity than the pixel circuits of FIGS. 4 and 6.

하지만, 도 8의 화소 회로는 초기의 리셋(reset) 상태(또는 단계)가 없다. 따라서, 상기 1 상태(compensation)에서 이전의 3 상태(emission)에서 흐르던 전류가 방전되면서 TD의 게이트 전압이 Vth _TD로 수렴할 때, 상기 1 상태(compensation)의 시간이 충분히 길지 않을 경우, TD의 게이트 전압이 Vth _TD와 차이가 날 수 있다. 이 차이 값은 이전 VDATA 값에 의존성을 띄게 된다. 따라서, 이러한 디스플레이 장치의 서로 다른 이전 값을 가지는 화소들이 같은 그레이 레벨(gray level)을 표시해야 할 때 균일성(uniformity)이 나빠질 수 있다.However, the pixel circuit of FIG. 8 does not have an initial reset state (or step). Therefore, in the case, the time of the first state (compensation) is not long enough to as flowing current is discharged in the previous third state (emission) in the first state (compensation), the gate voltage of T D converges to V th _TD, The gate voltage of T D may be different from V th _TD. This difference value becomes dependent on the previous V DATA value. Accordingly, when pixels having different previous values of the display device must display the same gray level, uniformity may deteriorate.

한편, 도 8의 화소 회로는, 리셋(reset) 상태(또는 단계)가 없지만, 상기 1 상태(compensation)에서 디스플레이 소자(LED/OLED)에 전류가 흐르지 않으므로, 도 6의 화소 회로와 마찬가지로 높은 명암비를 가질 수 있다. 하지만, 도 8의 화소 회로는, 도 4의 화소 회로와 마찬가지로, TSCAN 동안 데이터(DATA) 라인(line)에 VREF와 VDATA를 순차적으로 인가해야 하므로, 데이터(DATA) 라인(line)을 구동하는 컬럼 라인 드라이버(column line driver)가 고속으로 동작해야 한다. 따라서, 컬럼 라인 드라이버(column line driver)의 전력 소모가 커질 수 있다.Meanwhile, the pixel circuit of FIG. 8 does not have a reset state (or step), but since current does not flow through the display device (LED/OLED) in the first state (compensation), a high contrast ratio as in the pixel circuit of FIG. 6 Can have. However, in the pixel circuit of FIG. 8, like the pixel circuit of FIG. 4 , since V REF and V DATA must be sequentially applied to the data (DATA) line during T SCAN , the data (DATA) line is The column line driver to be driven must operate at high speed. Accordingly, power consumption of the column line driver may increase.

도 8의 화소 회로의 또 다른 단점은, 이전의 화소 회로들과 달리 캐패시터가 2개 사용되었다는 점이다. 주어진 면적에 2개의 캐패시터를 사용하면, 각각의 캐패시턴스 값은 작아지는데, 이럴 경우 누설(leakage) 전류에 의해 캐패시터에 저장된 전압값이 시간에 따라서 달라질 수 있다. 디스플레이 장치의 화면 해상도 또는 프레임 레이트(frame rate)가 높을 경우, TSCAN 값이 작으므로 이러한 문제는 괜찮을 수 있지만, 이럴 경우 위에서 언급한 바와 같이, 컬럼 라인 드라이버(column line driver)가 매우 고속으로 동작해야 한다.Another disadvantage of the pixel circuit of FIG. 8 is that, unlike previous pixel circuits, two capacitors are used. When two capacitors are used in a given area, each capacitance value decreases. In this case, the voltage value stored in the capacitor may vary over time due to a leakage current. If the screen resolution or frame rate of the display device is high, T SCAN Since the value is small, this problem can be okay, but in this case, as mentioned above, the column line driver must operate at very high speed.

Sang-Hoon Jung, A new voltage modulated AMOLED pixel design compensating threshold voltage variation of poly-Si TFTs, SID Digest. 2002. Sang-Hoon Jung, A new voltage modulated AMOLED pixel design compensating threshold voltage variation of poly-Si TFTs, SID Digest. 2002. Jae-Hoon Lee, A new a-Si:H TFT pixel design compensating threshold voltage degradation of TFT and OLED, SID Digest. 2004. Jae-Hoon Lee, A new a-Si:H TFT pixel design compensating threshold voltage degradation of TFT and OLED, SID Digest. 2004. Sang-Hoon Jung, An active-matrix organic light-emitting-diode pixel circuit for the compensation of IХR voltage drop in power line, Journal of the SID. 2007. Sang-Hoon Jung, An active-matrix organic light-emitting-diode pixel circuit for the compensation of IХR voltage drop in power line, Journal of the SID. 2007.

본 발명은, 트랜지스터와 디스플레이 소자(LED 또는 OLED)의 문턱 전압(threshold voltage, or Vth)에 영향을 받지 않는 화소 회로 및 이를 포함한 디스플레이 장치를 제공한다. The present invention provides a pixel circuit that is not affected by a threshold voltage (V th ) of a transistor and a display device (LED or OLED), and a display device including the same.

또한, 화소 간의 전압-전류 변환 차이를 최소화시킬 수 있는 화소 회로 및 이를 포함한 디스플레이 장치를 제공한다.In addition, a pixel circuit capable of minimizing a voltage-current conversion difference between pixels, and a display device including the same are provided.

또한, 품질 및 수율을 향상시킬 수 있는 화소 회로 및 이를 포함한 디스플레이 장치를 제공한다.Further, a pixel circuit capable of improving quality and yield, and a display device including the same are provided.

본 발명의 실시 형태에 따른 화소 회로는, 저장 캐패시터; 디스플레이 소자; 데이터 라인과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터; 기준 전압과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 소스에 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 스캔 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제5 트랜지스터;를 포함한다.A pixel circuit according to an embodiment of the present invention includes: a storage capacitor; Display elements; A first transistor connected between a data line and one end of the storage capacitor, and a scan line connected to a gate; A second transistor connected between a reference voltage and one end of the storage capacitor and connected to a gate with an emission control signal line; A driving transistor to which a first power signal is applied to a source and the other end of the storage capacitor is connected to a gate; A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the scan line connected to the gate; A fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And a fifth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate.

본 발명의 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 저장 캐패시터; 디스플레이 소자; 데이터 라인과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터; 기준 전압과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 상기 스캔 라인에 상반되는 상보 스캔 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 소스에 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 스캔 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터;를 포함한다.A pixel circuit according to another embodiment of the present invention includes: a storage capacitor; Display elements; A first transistor connected between a data line and one end of the storage capacitor, and a scan line connected to a gate; A second transistor connected between a reference voltage and one end of the storage capacitor and connected to a gate with a complementary scan line opposite to the scan line; A driving transistor to which a first power signal is applied to a source and the other end of the storage capacitor is connected to a gate; A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the scan line connected to the gate; And a fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line.

본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 일 단에 제1 전원 신호가 인가되는 제1 저장 캐패시터; 일 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터; 디스플레이 소자; 데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터; 소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터;를 포함한다.A pixel circuit according to another embodiment of the present invention includes: a first storage capacitor to which a first power signal is applied to one end; A second storage capacitor having one end connected to the other end of the first storage capacitor; Display elements; A first transistor connected between a data line and the other end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate; A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate; A second transistor connected between a gate and a drain of the driving transistor and a digital input/output line connected to the gate; A third transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And a fourth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate.

본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 일 단에 제1 전원 신호가 인가되는 제1 저장 캐패시터; 일 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터; 디스플레이 소자; 데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터; 소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제3 트랜지스터;를 포함한다.A pixel circuit according to another embodiment of the present invention includes: a first storage capacitor to which a first power signal is applied to one end; A second storage capacitor having one end connected to the other end of the first storage capacitor; Display elements; A first transistor connected between a data line and the other end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate; A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate; A second transistor connected between a gate and a drain of the driving transistor and a digital input/output line connected to the gate; And a third transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line.

본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 제1 저장 캐패시터; 일 단에 제1 전원 신호가 인가되고, 타 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터; 디스플레이 소자; 데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터; 소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터;를 포함한다.A pixel circuit according to another embodiment of the present invention includes: a first storage capacitor; A second storage capacitor to which a first power signal is applied and the other end is connected to the other end of the first storage capacitor; Display elements; A first transistor connected between a data line and one end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate; A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate; A second transistor connected between a gate and a drain of the driving transistor and a digital input/output line connected to the gate; A third transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And a fourth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate.

본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 일 단에 제1 전원 신호가 인가되는 제1 저장 캐패시터; 일 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터; 디스플레이 소자; 데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터; 기준 전압과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 디지털 입출력 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제5 트랜지스터;를 포함한다.A pixel circuit according to another embodiment of the present invention includes: a first storage capacitor to which a first power signal is applied to one end; A second storage capacitor having one end connected to the other end of the first storage capacitor; Display elements; A first transistor connected between a data line and the other end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate; A second transistor connected between a reference voltage and the other end of the first storage capacitor, and a digital input/output line connected to a gate; A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate; A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the digital input/output line connected to the gate; A fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And a fifth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate.

본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 일 단에 제1 전원 신호가 인가되는 제1 저장 캐패시터; 일 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터; 디스플레이 소자; 데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터; 기준 전압과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 디지털 입출력 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터;를 포함한다.A pixel circuit according to another embodiment of the present invention includes: a first storage capacitor to which a first power signal is applied to one end; A second storage capacitor having one end connected to the other end of the first storage capacitor; Display elements; A first transistor connected between a data line and the other end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate; A second transistor connected between a reference voltage and the other end of the first storage capacitor, and a digital input/output line connected to a gate; A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate; A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the digital input/output line connected to the gate; And a fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line.

본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 제1 저장 캐패시터; 일 단에 제1 전원 신호가 인가되고, 타 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터; 디스플레이 소자; 데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터; 기준 전압과 상기 제1 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 디지털 입출력 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제5 트랜지스터;를 포함한다.A pixel circuit according to another embodiment of the present invention includes: a first storage capacitor; A second storage capacitor to which a first power signal is applied and the other end is connected to the other end of the first storage capacitor; Display elements; A first transistor connected between a data line and one end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate; A second transistor connected between a reference voltage and one end of the first storage capacitor, and a digital input/output line connected to a gate; A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate; A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the digital input/output line connected to the gate; A fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And a fifth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate.

본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이 장치는, 앞서 상술한 여러 화소 회로들 중 적어도 하나를 포함한다.A display device according to an embodiment of the present invention includes at least one of the aforementioned various pixel circuits.

본 발명의 실시 형태에 따른 화소 회로 및 이를 포함한 디스플레이 장치를 사용하면, 트랜지스터와 디스플레이 소자(LED 또는 OLED)의 문턱 전압(threshold voltage, or Vth)에 영향을 받지 않는 이점이 있다. 따라서, 디스플레이 장치의 화면 균일성(uniformity)을 향상시킬 수 있다.The use of the pixel circuit and the display device including the same according to an embodiment of the present invention has an advantage that is not affected by a threshold voltage (V th) of a transistor and a display device (LED or OLED). Accordingly, it is possible to improve the screen uniformity of the display device.

또한, 화소 간의 전압-전류 변환 차이를 최소화시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, there is an advantage of minimizing a voltage-current conversion difference between pixels.

또한, 품질 및 수율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, there is an advantage that can improve the quality and yield.

또한, 고속 동작에도 유리하므로, 높은 프레임 레이트(frame rate)를 요구하는 디스플레이 장치에도 용이하게 사용될 수 있는 이점이 있다.In addition, since it is advantageous for high-speed operation, there is an advantage that it can be easily used in a display device requiring a high frame rate.

도 1은 종래의 일반적인 디스플레이 소자(LED/OLED)를 갖는 디스플레이 장치의 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 디스플레이 장치에 적용가능한 종래의 화소 회로의 일 예이다.
도 3의 (a) 내지 (b)는 도 2에 도시된 픽셀 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 종래의 화소(픽셀) 간의 Vth 미스매치(mismatch) 보상이 가능한 화소 회로의 일 예이다.
도 5의 (a) 내지 (c)는 도 4에 도시된 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 종래의 화소(픽셀) 간의 Vth 미스매치(mismatch) 보상이 가능한 화소 회로의 다른 일 예이다.
도 7의 (a) 내지 (c)는 도 6에 도시된 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 종래의 화소(픽셀) 간의 Vth 미스매치(mismatch) 보상이 가능한 화소 회로의 또 다른 일 예이다.
도 9의 (a) 내지 (c)는 도 8에 도시된 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.
도 11의 (a) 내지 (c)는 도 10에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.
도 13의 (a) 내지 (c)는 도 12에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.
도 15의 (a) 내지 (d)는 도 14에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.
도 17의 (a) 내지 (d)는 도 16에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.
도 19의 (a) 내지 (d)는 도 18에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.
도 21의 (a) 내지 (d)는 도 20에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.
도 23의 (a) 내지 (d)는 도 22에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.
도 25의 (a) 내지 (d)는 도 24에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a view for explaining a driving method of a display device having a conventional general display device (LED/OLED).
2 is an example of a conventional pixel circuit applicable to the display device shown in FIG. 1.
3A to 3B are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit shown in FIG. 2.
4 is an example of a conventional pixel circuit capable of compensating for a V th mismatch between pixels (pixels).
5A to 5C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit shown in FIG. 4.
6 is another example of a conventional pixel circuit capable of compensating for a V th mismatch between pixels (pixels).
7A to 7C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit shown in FIG. 6.
8 is another example of a conventional pixel circuit capable of compensating for a V th mismatch between pixels (pixels).
9A to 9C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit shown in FIG. 8.
10 is a pixel circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.
11A to 11C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 10.
12 is a pixel circuit of a display device according to another embodiment of the present invention.
13A to 13C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 12.
14 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.
15A to 15D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 14.
16 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.
17A to 17D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 16.
18 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.
19A to 19D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 18.
20 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.
21A to 21D are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 20.
22 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.
23A to 23D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 22.
24 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.
25A to 25D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 24.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but identical or similar elements are denoted by the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted. The suffix "unit" for the constituent elements used in the following description is given or used interchangeably in consideration of only the ease of writing the specification, and does not itself have a distinct meaning or role from each other.

또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In addition, in describing the embodiments disclosed in the present specification, when it is determined that a detailed description of related known technologies may obscure the subject matter of the embodiments disclosed in the present specification, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and the technical idea disclosed in the present specification is not limited by the accompanying drawings, and all changes included in the spirit and scope of the present invention It should be understood to include equivalents or substitutes.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers such as first and second may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in the middle. Should be. On the other hand, when a component is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in the middle. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features. It is to be understood that the presence or addition of elements, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, does not preclude in advance the possibility of being excluded.

도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.10 is a pixel circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 10에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로는, 도 2, 도 4, 도 6 및 도 8에 도시된 종래의 화소 회로들보다 높은 균일성(uniformity)을 가지면서, 높은 명암비를 유지하고, 캐패시터를 최소로 사용(예를 들어, 1개)하고, 컬럼 라인 드라이버(column line driver)를 고속으로 동작시킬 필요가 없는 이점이 있다.The pixel circuit according to the embodiment of the present invention illustrated in FIG. 10 has a higher uniformity than the conventional pixel circuits illustrated in FIGS. 2, 4, 6, and 8 and has a high contrast ratio. There is an advantage in that there is no need to maintain, use a capacitor to a minimum (for example, one), and to operate a column line driver at high speed.

도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로는, 저장 캐패시터(C1), 구동 트랜지스터(TD), 디스플레이 소자 및 다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5)를 포함한다. Referring to FIG. 10, a pixel circuit according to an embodiment of the present invention includes a storage capacitor C 1 , a driving transistor T D , a display device, and a plurality of transistors T 1 , T 2 , T 3 , and T 4. , T 5 ).

구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자는 제1 전원 신호(VDD)와 제2 전원 신호(VSS) 사이에 연결된다. 구동 트랜지스터(TD)는 저장 캐패시터(C1)의 타 단에 연결되고 소스에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다.The driving transistor T D and the display device are connected between the first power signal V DD and the second power signal V SS. The driving transistor T D is connected to the other end of the storage capacitor C 1 and a first power signal V DD is applied to the source.

다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5)는, 데이터 라인(DATA)과 저장 캐패시터(C1)의 일 단 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제1 트랜지스터(T1), 기준 전압(VREF)과 저장 캐패시터(C1)의 일 단 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인(EMIT)이 연결된 제2 트랜지스터(T2), 구동 트랜지스터(TD)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제3 트랜지스터(T3), 구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인(EMIT)이 연결된 제4 트랜지스터(T4), 구동 트랜지스터(TD)의 드레인과 리셋 전압(VRST) 사이에 연결되고 게이트에 리셋 제어 신호 라인(RST)이 연결된 제5 트랜지스터(T5)를 포함한다.A plurality of transistors (T 1 , T 2 , T 3 , T 4 , T 5 ) are connected between the data line (DATA) and one end of the storage capacitor (C 1 ), and the scan line (SCAN) is connected to the gate. 1 A second transistor T 2 connected between the transistor T 1 , the reference voltage V REF and one end of the storage capacitor C 1 , and the emission control signal line EMIT connected to the gate, and the driving transistor T The third transistor T 3 is connected between the gate and the drain of D ) and the scan line SCAN is connected to the gate, and the emission control signal line EMIT is connected between the driving transistor T D and the display device. The connected fourth transistor T 4 includes a fifth transistor T 5 connected between the drain of the driving transistor T D and the reset voltage V RST , and the reset control signal line RST connected to the gate.

스캔 라인(SCAN), 리셋 제어 신호 라인(RST), 방출 제어 신호 라인(EMIT) 및 데이터 라인(DATA)은 연속되는 제1 상태 구간((1)), 제2 상태 구간((2)) 및 제3 상태 구간((3))에 따라 소정의 타이밍도를 갖는다. 구체적으로, 스캔 라인(SCAN)은 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제3 상태 구간에서는 하이(high)이다. 리셋 제어 신호 라인(RST)은 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제2 및 제3 상태 구간에서는 하이(high)이다. 방출 제어 신호 라인(EMIT)은 제1 및 제2 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제3 상태 구간에서는 로우(low)이다. 데이터 라인(DATA)은 제1 및 제2 상태 구간에서 소정의 데이터 전압(VDATA)이 인가된다.The scan line SCAN, the reset control signal line RST, the emission control signal line EMIT, and the data line DATA are consecutive first state period ((1)), second state period ((2)) and It has a predetermined timing diagram according to the third state period (3). Specifically, the scan line SCAN is low in the first and second state periods and high in the third state period. The reset control signal line RST is low in the first state period and high in the second and third state periods. The emission control signal line EMIT is high in the first and second state periods and low in the third state period. The data line DATA is applied with a predetermined data voltage V DATA in the first and second state periods.

도 10에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로는, 3가지 상태 구간에 따라, 3 상태(3 phase)로 동작한다. 제1 상태는 리셋(reset)이고, 제2 상태는 보상/프로그램(compensation/program)이고, 제3 상태는 방출(emission)이다. The pixel circuit according to the embodiment of the present invention illustrated in FIG. 10 operates in three phases according to three state periods. The first state is reset, the second state is compensation/program, and the third state is emission.

도 11의 (a) 내지 (c)는 도 10에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 좀 더 구체적으로, 도 11의 (a)는 상기 제1 상태 구간((1))에서 도 10에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 11의 (b)는 상기 제2 상태 구간((2))에서 도 10에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 11의 (c)는 상기 제3 상태 구간((3))에서 도 10에 도시된 화소 회로의 등가회로이다.11A to 11C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 10. More specifically, FIG. 11(a) is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 10 in the first state period ((1)), and FIG. 11(b) is the second state period ((2) )) is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 10, and FIG. 11(c) is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 10 in the third state period (3).

도 11의 (a)를 참조하면, 상기 제1 상태 구간(Reset)에서 TD는 게이트와 드레인이 전기적으로 연결되어 VRST에 연결되고, 디스플레이 소자(LED/OLED)와 분리된다. 그리고, C1에는 VDATA가 인가된다.Referring to FIG. 11A, in the first state period (Reset), T D is electrically connected to a gate and a drain to be connected to V RST , and separated from the display device (LED/OLED). And, C 1 is applied to the V DATA.

도 11의 (b)를 참조하면, 상기 제2 상태 구간(Compensation/Program)에서 C1에는 VDATA가 그대로 인가되고, TD의 게이트와 드레인은 전기적으로 연결되어 플로팅(floating)된다. 따라서, TD의 게이트 전압은 (VDD - |Vth_TD|)이 된다. Referring to FIG. 11B, in the second state period (Compensation/Program), V DATA is applied as it is to C 1 , and the gate and drain of T D are electrically connected and floating. Therefore, the gate voltage of T D becomes (V DD- |V th_TD |).

도 11의 (c)를 참조하면, 상기 제3 상태 구간(Emission)에서 T1이 오프(off)되고, T2가 온(on)이 되면, C1의 연결이 데이터 라인(DATA)에서 VREF로 바뀌게 된다. 또한, TD의 게이트는 플로팅(floating)된다. 이 때, C1에 저장된 전압값(VDATA - (VDD - |Vth _TD|))이 그대로 유지된다. 따라서, TD의 게이트 전압은 [VREF - (VDATA - (VDD - |Vth_TD|))]이므로, [(VREF - VDATA) + VDD - |Vth _TD|]이 된다. 여기서, TD 및 디스플레이 소자(LED/OLED)의 전류값은 아래의 <수학식 5>와 같다.Referring to (c) of FIG. 11, when T 1 is off and T 2 is on in the third state period (Emission), the connection of C 1 is V in the data line (DATA). It will be changed to REF. Also, the gate of T D is floating. At this time, the voltage value stored in the C 1 (V DATA - (V DD - | V th _TD |)) is retained. Thus, the gate voltage of T D is [V REF - (V DATA - (V DD - |) | V th_TD)] because it is, [(V REF -V DATA ) + V DD- |V th _TD |]. Here, T D and the current values of the display device (LED/OLED) are as shown in Equation 5 below.

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 <수학식 5>를 참조하면, 앞서 설명한 <수학식4>와 유사하게 화소(pixel) 내 소자간 Vth 미스매치(mismatch)에 영향이 없고, 바디 이펙트(body effect)에 의한 Vth 변화의 영향도 없음을 알 수 있다. 따라서, 도 10의 화소 회로는 도 4 및 도 6의 화소 회로들보다 균일성(uniformity)을 더 좋게 할 수 있다.Referring to <Equation 5>, similar to the above-described <Equation 4>, there is no effect on V th mismatch between devices within a pixel, and V th change due to a body effect It can be seen that there is also no influence of. Accordingly, the pixel circuit of FIG. 10 may have better uniformity than the pixel circuits of FIGS. 4 and 6.

도 10에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로는, 도 8의 화소 회로와 달리, 초기의 리셋(reset) 상태(제1 상태 구간)가 따로 존재하므로, 현재 전류의 이전 데이터(data) 의존도가 없는 장점이 있다. In the pixel circuit according to the embodiment of the present invention illustrated in FIG. 10, unlike the pixel circuit of FIG. 8, since an initial reset state (first state period) exists separately, the previous data of the current current (data ) It has the advantage of no dependence.

또한, 도 10에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로는, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 화소에 데이터(data)를 프로그램(program)하는 동안(제2 상태 구간)에 디스플레이 소자(LED/OLED)에 전류가 흐르지 않기 때문에, 높은 명암비를 가질 수 있다. In addition, the pixel circuit according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 10 is, as shown in FIG. 11B, while programming data in the pixel (second state period). Since no current flows through the display device (LED/OLED), it can have a high contrast ratio.

또한, 도 10에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로는, 데이터 라인(DATA)에 VDATA만 인가하므로, 컬럼 라인 드라이버(column line driver)가 고속으로 동작할 필요가 없다. 따라서, 컬럼 라인 드라이버(column line driver)의 저전력 설계가 가능한 이점도 있다.Further, in the pixel circuit according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 10, since only V DATA is applied to the data line DATA, the column line driver does not need to operate at high speed. Therefore, there is also an advantage that a low power design of a column line driver is possible.

도 12는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.12 is a pixel circuit of a display device according to another embodiment of the present invention.

도 12에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는 도 10에 도시된 화소 회로보다 트랜지스터의 개수를 더 적게 사용한다. 따라서, 도 12에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는 작은 화소 설계가 요구될 때 이용될 수 있는 장점이 있다.The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 12 uses a smaller number of transistors than the pixel circuit illustrated in FIG. 10. Accordingly, the pixel circuit according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 12 has an advantage that can be used when a small pixel design is required.

도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 저장 캐패시터(C1), 구동 트랜지스터(TD), 디스플레이 소자 및 다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4)를 포함한다. Referring to FIG. 12, a pixel circuit according to another embodiment of the present invention includes a storage capacitor C 1 , a driving transistor T D , a display device, and a plurality of transistors T 1 , T 2 , T 3 , and T 4. ).

구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자는 제1 전원 신호(VDD)와 제2 전원 신호(VSS) 사이에 연결된다. 구동 트랜지스터(TD)는 저장 캐패시터(C1)의 타 단에 연결되고 소스에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다.The driving transistor T D and the display device are connected between the first power signal V DD and the second power signal V SS. The driving transistor T D is connected to the other end of the storage capacitor C 1 and a first power signal V DD is applied to the source.

다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4)는, 데이터 라인(DATA)과 저장 캐패시터(C1)의 일 단 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제1 트랜지스터(T1), 기준 전압(VREF)과 저장 캐패시터(C1)의 일 단 사이에 연결되고 게이트에 상보 스캔 라인(SCAN_R)이 연결된 제2 트랜지스터(T2), 구동 트랜지스터(TD)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제3 트랜지스터(T3), 구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인(EMIT)이 연결된 제4 트랜지스터(T4)를 포함한다.The plurality of transistors T 1 , T 2 , T 3 , T 4 are connected between the data line DATA and one end of the storage capacitor C 1 , and the first transistor SCAN is connected to the gate. T1), the second transistor T 2 connected between the reference voltage V REF and one end of the storage capacitor C 1 and the complementary scan line SCAN_R connected to the gate, and the gate of the driving transistor T D A third transistor T 3 connected between the drain and connected to the gate with a scan line SCAN, and a fourth transistor connected between the driving transistor T D and the display device and connected to the gate with an emission control signal line EMIT T 4 ).

스캔 라인(SCAN), 상보 스캔 라인(SCAN_R), 방출 제어 신호 라인(EMIT) 및 데이터 라인(DATA)은 연속되는 제1 상태 구간((1)), 제2 상태 구간((2)) 및 제3 상태 구간((3))에 따라 소정의 타이밍도를 갖는다. 구체적으로, 스캔 라인(SCAN)은 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제3 상태 구간에서는 하이(high)이다. 상보 스캔 라인(SCAN_R) 스캔 라인(SCAN)에 상반된 신호로서, 제1 및 제2 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제3 상태 구간에서는 로우(low)이다. 방출 제어 신호 라인(EMIT)은 제1 및 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제2 상태 구간에서는 하이(high)이다. 데이터 라인(DATA)은 제1 및 제2 상태 구간에서 소정의 데이터 전압(VDATA)이 인가된다.The scan line (SCAN), the complementary scan line (SCAN_R), the emission control signal line (EMIT), and the data line (DATA) are connected to the first state section ((1)), the second state section ((2)), and the second state section ((2)). It has a predetermined timing diagram according to the three-state period (3). Specifically, the scan line SCAN is low in the first and second state periods and high in the third state period. Complementary scan line SCAN_R As a signal opposite to the scan line SCAN, it is high in the first and second state periods and low in the third state period. The emission control signal line EMIT is low in the first and third state periods and high in the second state period. The data line DATA is applied with a predetermined data voltage V DATA in the first and second state periods.

도 12에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 3가지 상태 구간에 따라, 3 상태(3 phase)로 동작한다. 제1 상태 구간은 리셋(reset)이고, 제2 상태 구간은 보상/프로그램(compensation/program)이고, 제3 상태 구간은 방출(emission)이다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 12 operates in three phases according to three state periods. The first state period is reset, the second state period is compensation/program, and the third state period is emission.

도 13의 (a) 내지 (c)는 도 12에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 좀 더 구체적으로, 도 13의 (a)는 상기 제1 상태 구간에서 도 12에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 13의 (b)는 상기 제2 상태 구간에서 도 12에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 13의 (c)는 상기 제3 상태 구간에서 도 12에 도시된 화소 회로의 등가회로이다.13A to 13C are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 12. More specifically, FIG. 13(a) is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 12 in the first state period, and FIG. 13(b) is the pixel circuit shown in FIG. 12 in the second state period. And FIG. 13C is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 12 in the third state section.

도 13의 (a) 내지 (c)와 도 11의 (a) 내지 (c)를 비교해보면, 도 13에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 제1 상태 구간은, 도 11에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로의 제1 상태 구간과 다르다. 한편, 도 13에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 제2 상태 및 제3 상태 구간은 도 11에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화소 회로의 제2 상태 및 제3 상태 구간과 동일하다.Comparing FIGS. 13A to 13C with FIGS. 11A to 11C, a first state section of the pixel circuit according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 13 is shown in FIG. It is different from the illustrated first state period of the pixel circuit according to the exemplary embodiment of the present invention. On the other hand, the second state and the third state section of the pixel circuit according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 13 is the second state and the third state of the pixel circuit according to the embodiment of the present invention shown in FIG. Same as section.

도 13의 (a)를 참조하면, 상기 제1 상태 구간(Reset)에서 TD의 게이트와 드레인은 전기적으로 연결되어 디스플레이 소자(LED/OLED)에 연결된다. 이 때, 디스플레이 소자(LED/OLED)에 전류가 흐르므로, 도 12에 도시된 화소 회로는 도 10에 도시된 화소 회로보다 명암비가 다소 좋지 않을 수 있다. 하지만, 방출 제어 신호 라인(EMIT)의 타이밍(timing)을 조절하여 리셋(reset) 구간을 최대한 작게하면 명암비의 열화를 최대한 방지할 수 있다.Referring to FIG. 13A, in the first state period (Reset), the gate and drain of T D are electrically connected to the display device (LED/OLED). At this time, since a current flows through the display device (LED/OLED), the pixel circuit illustrated in FIG. 12 may have a slightly lower contrast ratio than the pixel circuit illustrated in FIG. 10. However, by adjusting the timing of the emission control signal line EMIT to make the reset period as small as possible, deterioration of the contrast ratio can be prevented as much as possible.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.14 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.

도 14에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 도 10에 도시된 화소 회로보다 트랜지스터의 개수를 1개 줄이면서 높은 명암비를 유지할 수 있는 장점이 있다. The pixel circuit shown in FIG. 14 according to another embodiment of the present invention has an advantage of maintaining a high contrast ratio while reducing the number of transistors by one compared to the pixel circuit shown in FIG. 10.

도 14를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 제1 저장 캐패시터(C1), 제2 저장 캐패시터(C2), 구동 트랜지스터(TD), 디스플레이 소자 및 다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4)를 포함한다. Referring to FIG. 14, a pixel circuit according to another embodiment of the present invention includes a first storage capacitor C 1 , a second storage capacitor C 2 , a driving transistor T D , a display element, and a plurality of transistors. (T 1 , T 2 , T 3 , T 4 ).

구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자는 제1 전원 신호(VDD)와 제2 전원 신호(VSS) 사이에 연결된다. 구동 트랜지스터(TD)는 제2 저장 캐패시터(C2)의 타 단에 연결되고 소스에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다.The driving transistor T D and the display device are connected between the first power signal V DD and the second power signal V SS. The driving transistor T D is connected to the other end of the second storage capacitor C 2 and a first power signal V DD is applied to the source.

제1 저장 캐패시터(C1)의 일 단은 제1 전원 신호(VDD)에 연결되고, 타 단은 제2 저장 캐패시터(C2)의 일 단과 연결된다. 제2 저장 캐패시터(C2)의 타 단은 구동 트랜지스터(TD)의 게이트에 연결된다. One end of the first storage capacitor C 1 is connected to the first power signal V DD , and the other end is connected to one end of the second storage capacitor C 2 . The other end of the second storage capacitor C 2 is connected to the gate of the driving transistor T D.

다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4)는, 데이터 라인(DATA)과 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제1 트랜지스터(T1), 구동 트랜지스터(TD)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고 게이트에 디지털 입출력 라인(DIO)이 연결된 제2 트랜지스터(T2), 구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인(EMIT)이 연결된 제3 트랜지스터(T3), 구동 트랜지스터(TD)의 드레인과 리셋 전압(VRST) 사이에 연결되고 게이트에 리셋 제어 신호 라인(RST)이 연결된 제4 트랜지스터(T4)를 포함한다.The plurality of transistors T 1 , T 2 , T 3 , T 4 are connected between the data line DATA and the other end of the first storage capacitor C 1 , and the scan line SCAN is connected to the gate. The second transistor T 2 is connected between the gate and the drain of the transistor T 1 and the driving transistor T D and the digital input/output line DIO is connected to the gate, and the driving transistor T D is connected between the display element. And the third transistor T 3 to which the emission control signal line EMIT is connected to the gate, the drain of the driving transistor T D and the reset voltage V RST are connected, and the reset control signal line RST is connected to the gate. And a fourth transistor T 4 .

스캔 라인(SCAN), 디지털 입출력 라인(DIO), 리셋 제어 신호 라인(RST), 방출 제어 신호 라인(EMIT) 및 데이터 라인(DATA)은 연속되는 제1 상태 구간((1)), 제2 상태 구간((2)), 제3 상태 구간((3)) 및 제4 상태 구간((4))에 따라 소정의 타이밍도를 갖는다. 구체적으로, 스캔 라인(SCAN)은 제1 내지 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 디지털 입출력 라인(DIO)는 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 리셋 제어 신호 라인(RST)은 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제2 내지 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 방출 제어 신호 라인(EMIT)은 제1 내지 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제4 상태 구간에서는 로우(low)이다. 데이터 라인(DATA)은 제1 및 제2 상태 구간에서 VDATA 또는 VREF가 인가되고, 제3 및 제4 상태 구간에서는 제1 및 제2 상태 구간과는 반대로 인가된다.The scan line (SCAN), the digital input/output line (DIO), the reset control signal line (RST), the emission control signal line (EMIT), and the data line (DATA) are in a continuous first state period ((1)), and a second state. It has a predetermined timing diagram according to the period (2)), the third state period (3), and the fourth state period (4). Specifically, the scan line SCAN is low in the first through third state period and high in the fourth state period. The digital input/output line DIO is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods. The reset control signal line RST is low in the first state period and high in the second to fourth state periods. The emission control signal line EMIT is high in the first to third state periods and low in the fourth state period. The data line DATA is applied with V DATA or V REF in the first and second state periods, and is applied opposite to the first and second state periods in the third and fourth state periods.

도 14에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는 4가지 상태 구간에 따라, 4 상태(4 phase)로 동작한다. 제1 상태 구간은 리셋(reset)이고, 제2 상태 구간은 보상(compensation)이고, 제3 상태 구간은 프로그램(program)이고, 제4 상태 구간은 방출(emission)이다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 14 operates in four phases according to four state periods. The first state period is reset, the second state period is compensation, the third state period is program, and the fourth state period is emission.

도 15의 (a) 내지 (d)는 도 14에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 좀 더 구체적으로, 도 15의 (a)는 상기 제1 상태 구간에서 도 14에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 15의 (b)는 상기 제2 상태 구간에서 도 14에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 15의 (c)는 상기 제3 상태 구간에서 도 14에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 15의 (d)는 상기 제4 상태 구간에서 도 14에 도시된 화소 회로의 등가회로이다.15A to 15D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 14. More specifically, FIG. 15(a) is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 14 in the first state period, and FIG. 15(b) is the pixel circuit shown in FIG. 14 in the second state period. 15(c) is the equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 14 in the third state period, and FIG. 15(d) is the pixel circuit shown in FIG. 14 in the fourth state period. Is the equivalent circuit of

도 15의 (a)를 참조하면, 상기 제1 상태 구간(Reset)에서 TD는 게이트와 드레인이 전기적으로 연결되어 VRST에 연결되고, 디스플레이 소자(LED/OLED)와 분리된다. 그리고, C1에는 VDATA가 인가된다.Referring to FIG. 15A, in the first state period (Reset), T D is electrically connected to a gate and a drain to be connected to V RST , and separated from a display device (LED/OLED). And, C 1 is applied to the V DATA.

도 15의 (b)를 참조하면, 상기 제2 상태 구간(Compensation)에서 C1에는 VDATA가 그대로 인가되고, TD의 게이트와 드레인은 전기적으로 연결되어 플로팅(floating)된다. 따라서, TD의 게이트 전압은 (VDD - |Vth_TD|)이 된다.Referring to FIG. 15B, in the second state period (Compensation), V DATA is applied to C 1 as it is, and the gate and drain of T D are electrically connected to be floating. Therefore, the gate voltage of T D becomes (V DD- |V th_TD |).

도 15의 (c)를 참조하면, 상기 제3 상태 구간(Program)에서 데이터(DATA) 라인(line)에 전압을 VDATA에서 VREF로 바뀐다. 또한, TD의 게이트는 플로팅(floating)된다. 이 때, C2에 저장된 전압값(VDATA - (VDD - |Vth _TD|))이 그대로 유지된다. 따라서, TD의 게이트 전압은 [VREF - (VDATA - (VDD - |Vth _TD|))]이므로, (VREF - VDATA) + VDD - |Vth_TD|이 된다. Referring to (c) of FIG. 15, the voltage on the data line (DATA) is changed from V DATA to V REF in the third state period (Program). Also, the gate of T D is floating. At this time, the voltage value stored in C 2 (V DATA - (V DD - | V th _TD |)) is retained. Thus, the gate voltage of T D is [V REF - (V DATA - (V DD - | V th _TD |))] because it is, (V REF -V DATA ) + V DD- |V th_TD |

도 15의 (d)를 참조하면, 상기 제4 상태 구간(Emission)에서 C1과 C2에 저장된 전압값이 그대로 유지된다. 이 때, TD 및 디스플레이 소자(LED/OLED)의 전류값은 아래의 <수학식 6>과 같다. Referring to FIG. 15D, voltage values stored in C 1 and C 2 are maintained as they are in the fourth state period (Emission). At this time, T D and the current values of the display device (LED/OLED) are as shown in Equation 6 below.

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 <수학식 6>을 참조하면, 앞서 설명한 <수학식 5>와 같다. 따라서, 화소 내 소자간 Vth 미스매치(mismatch)에 영향이 없고, 바디 이펙트(body effect)에 의한 Vth 변화의 영향도 없음을 알 수 있다.Referring to <Equation 6>, it is the same as <Equation 5> described above. Accordingly, it can be seen that there is no effect on V th mismatch between devices in the pixel, and there is no effect of V th change due to a body effect.

한편, 만약, 위에서 VDATA와 VREF를 인가하는 순서를 바꾼다면, 동작은 동일하고, 제4 상태 구간(Emission)에서의 TD 및 디스플레이 소자(LED/OLED)의 전류값은 아래의 수학식 7과 같이 바뀐다.On the other hand, if the order of applying V DATA and V REF is changed from above, the operation is the same, and the T D and the current value of the display element (LED/OLED) in the fourth state period (Emission) are the following equation. It changes as shown in 7.

Figure pat00009
Figure pat00009

도 10에 도시된 화소 회로와 대비하여, 상기 도 14에 도시된 화소 회로는, 트랜지스터가 1개 더 작은 대신에 캐패시터가 1개 더 많다. 따라서, 주어진 제작 공정의 최소 트랜지스터 크기와 면적당 캐패시턴스 크기를 고려하여, 도 10에 도시된 화소 회로 또는 도 14에 도시된 화소 회로를 선택적으로 사용할 수 있다.In contrast to the pixel circuit shown in FIG. 10, the pixel circuit shown in FIG. 14 has one more capacitor instead of one smaller transistor. Accordingly, the pixel circuit shown in FIG. 10 or the pixel circuit shown in FIG. 14 may be selectively used in consideration of the minimum transistor size and the capacitance size per area for a given fabrication process.

도 14에 도시된 화소 회로는, TSCAN 동안에 데이터(DATA) 라인(line)에 VREF와 VDATA를 순차적으로 인가해야 하므로, 도 10에 도시된 화소 회로와 비교하여, 데이터(DATA) 라인(line)을 구동하는 컬럼 라인 드라이버(column line driver)가 고속으로 동작해야 하고, 따라서 전력 소모가 커질 수 있다.In the pixel circuit shown in FIG. 14, since V REF and V DATA must be sequentially applied to the data (DATA) line during T SCAN , compared to the pixel circuit shown in FIG. 10, the data (DATA) line ( line) must operate at high speed, and thus power consumption may increase.

도 16은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.16 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.

도 16에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 도 14에 도시된 화소 회로보다 트랜지스터의 개수를 1개 더 줄일 수 있는 장점이 있다. 따라서, 화소 회로의 소형화가 가능하다.The pixel circuit shown in FIG. 16 according to another embodiment of the present invention has an advantage of reducing the number of transistors by one more than the pixel circuit shown in FIG. 14. Therefore, it is possible to downsize the pixel circuit.

도 16에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 제1 저장 캐패시터(C1), 제2 저장 캐패시터(C2), 구동 트랜지스터(TD), 디스플레이 소자 및 다수의 트랜지스터(T1, T2, T3)를 포함한다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 16 includes a first storage capacitor C 1 , a second storage capacitor C 2 , a driving transistor T D , a display element, and a plurality of transistors. T 1 , T 2 , T 3 ).

구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자는 제1 전원 신호(VDD)와 제2 전원 신호(VSS) 사이에 연결된다. 구동 트랜지스터(TD)는 제2 저장 캐패시터(C2)의 타 단에 연결되고 소스에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다.The driving transistor TD and the display device are connected between the first power signal V DD and the second power signal V SS. The driving transistor T D is connected to the other end of the second storage capacitor C 2 and a first power signal V DD is applied to the source.

제1 저장 캐패시터(C1)의 일 단은 제1 전원 신호(VDD)에 연결되고, 타 단은 제2 저장 캐패시터(C2)의 일 단과 연결된다. 제2 저장 캐패시터(C2)의 타 단은 구동 트랜지스터(TD)의 게이트에 연결된다. One end of the first storage capacitor C 1 is connected to the first power signal V DD , and the other end is connected to one end of the second storage capacitor C 2 . The other end of the second storage capacitor C 2 is connected to the gate of the driving transistor T D.

다수의 트랜지스터(T1, T2, T3)는, 데이터 라인(DATA)과 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제1 트랜지스터(T1), 구동 트랜지스터(TD)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고 게이트에 디지털 입출력 라인(DIO)이 연결된 제2 트랜지스터(T2), 구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인(EMIT)이 연결된 제3 트랜지스터(T3)를 포함한다.The plurality of transistors T 1 , T 2 , and T 3 are connected between the data line DATA and the other end of the first storage capacitor C 1 , and the first transistor T is connected to the gate with the scan line SCAN. 1 ), the second transistor T 2 connected between the gate and the drain of the driving transistor T D and the digital input/output line DIO connected to the gate, the second transistor T 2 connected between the driving transistor T D and the display device, and connected to the gate. And a third transistor T 3 to which the emission control signal line EMIT is connected.

스캔 라인(SCAN), 디지털 입출력 라인(DIO), 방출 제어 신호 라인(EMIT) 및 데이터 라인(DATA)은 연속되는 제1 상태 구간((1)), 제2 상태 구간((2)), 제3 상태 구간((3)) 및 제4 상태 구간((4))에 따라 소정의 타이밍도를 갖는다. 구체적으로, 스캔 라인(SCAN)은 제1 내지 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 디지털 입출력 라인(DIO)는 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 방출 제어 신호 라인(EMIT)은 제2 및 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제1 및 제4 상태 구간에서는 로우(low)이다. 데이터 라인(DATA)은 제1 및 제2 상태 구간에서 VDATA 또는 VREF가 인가되고, 제3 및 제4 상태 구간에서는 제1 및 제2 상태 구간과는 반대로 인가된다.The scan line (SCAN), the digital input/output line (DIO), the emission control signal line (EMIT), and the data line (DATA) are connected to the first state section ((1)), the second state section ((2)), and the second state section. It has a predetermined timing diagram according to the three state period (3) and the fourth state period (4). Specifically, the scan line SCAN is low in the first through third state period and high in the fourth state period. The digital input/output line DIO is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods. The emission control signal line EMIT is high in the second and third state periods and low in the first and fourth state periods. The data line DATA is applied with V DATA or V REF in the first and second state periods, and is applied opposite to the first and second state periods in the third and fourth state periods.

도 16에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 4가지 상태 구간에 따라, 4 상태(4 phase)로 동작한다. 제1 상태 구간은 리셋(reset)이고, 제2 상태 구간은 보상(compensation)이고, 제3 상태 구간은 프로그램(program)이고, 제4 상태 구간은 방출(emission)이다.The pixel circuit according to still another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 16 operates in four phases according to four state periods. The first state period is reset, the second state period is compensation, the third state period is program, and the fourth state period is emission.

도 17의 (a) 내지 (d)는 도 16에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 좀 더 구체적으로, 도 17의 (a)는 상기 제1 상태 구간에서 도 16에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 17의 (b)는 상기 제2 상태 구간에서 도 16에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 17의 (c)는 상기 제3 상태 구간에서 도 16에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 17의 (d)는 상기 제4 상태 구간에서 도 16에 도시된 화소 회로의 등가회로이다.17A to 17D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 16. More specifically, FIG. 17(a) is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 16 in the first state period, and FIG. 17(b) is the pixel circuit shown in FIG. 16 in the second state period. 17(c) is the equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 16 in the third state period, and FIG. 17(d) is the pixel circuit shown in FIG. 16 in the fourth state period. Is the equivalent circuit of

도 17의 (a) 내지 (d)와 도 15의 (a) 내지 (d)를 비교해보면, 도 17에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 제1 상태 구간은, 도 15에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 제1 상태 구간과 다르다. 한편, 도 17에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 제2 상태 내지 제4 상태 구간은 도 15에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 제2 상태 내지 제4 상태 구간과 동일하다.Comparing FIGS. 17A to 17D and 15A to 15D, a first state section of the pixel circuit according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 17 is shown in FIG. 15. It is different from the illustrated first state period of the pixel circuit according to another embodiment of the present invention. On the other hand, the second to fourth state periods of the pixel circuit according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 17 are the second to fourth states of the pixel circuit according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 15. It is the same as the state section.

도 17의 (a)를 참조하면, 상기 제1 상태 구간(Reset)에서 TD의 게이트와 드레인은 전기적으로 연결되어 디스플레이 소자(LED/OLED)에 연결된다. 이 때, 디스플레이 소자(LED/OLED)에 전류가 흐르므로, 도 16의 화소 회로는 도 14의 화소 회로보다 명암비가 다소 좋지 않을 수 있다. 하지만, 방출(EMIT) 신호의 타이밍(timing)을 조절하여 리셋(reset) 구간을 최대한 작게하면, 명암비의 열화를 최대한 방지할 수 있다.Referring to FIG. 17A, in the first state period (Reset), the gate and drain of T D are electrically connected to the display device (LED/OLED). At this time, since current flows through the display device (LED/OLED), the pixel circuit of FIG. 16 may have a slightly lower contrast ratio than the pixel circuit of FIG. 14. However, by adjusting the timing of the emission (EMIT) signal to make the reset period as small as possible, deterioration of the contrast ratio can be prevented as much as possible.

앞서 설명한 <수학식 5>, <수학식 6>, <수학식 7>을 참조하면, 도 10, 도 12, 도 14, 도 16의 화소 회로들의 디스플레이 소자(LED/OLED)의 전류값은 VDATA의 제곱에 비례한다. 이것은 TD의 채널이 강 역전(strong inversion)되었을 때를 가정한 것인데, 경우에 따라서 채널이 충분히 역전(inversion)되지 않은 서브-쓰레시홀드(sub-threshold) 영역에서 동작시켜야 되는 경우가 있다. 특히, 화소(pixel)에 매우 낮은 그레이 레벨(gray level)의 전압을 입력해야 할 때(즉, 디스플레이 소자(LED/OLED)에 매우 작은 전류를 흘리고자 할 때)가 이에 해당한다.Referring to <Equation 5>, <Equation 6>, and <Equation 7> described above, the current value of the display element (LED/OLED) of the pixel circuits of FIGS. 10, 12, 14, and 16 is V It is proportional to the square of DATA. This is assuming that the channel of T D is strong inversion. In some cases, it is necessary to operate in a sub-threshold region where the channel is not sufficiently inverted. In particular, this is the case when it is necessary to input a voltage of a very low gray level to a pixel (that is, when a very small current is to be passed through a display device (LED/OLED)).

트랜지스터가 서브-쓰레시홀드(sub-threshold) 영역에서 동작하게 되면, 전류는 입력 전압의 제곱에 비례하는 것이 아니라, 아래의 <수학식 8>과 같이, 지수의(exponential) 함수식에 따라 증가하게 된다.When the transistor operates in the sub-threshold region, the current is not proportional to the square of the input voltage, but increases according to the exponential function as shown in Equation 8 below. do.

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 <수학식 8>에서, a, b는 제작 공정 및 트랜지스터의 크기/모양에 의해 결정되는 상수값이다.In Equation 8, a and b are constant values determined by the fabrication process and the size/shape of the transistor.

상기 <수학식 8>에 따라 트랜지스터의 전류가 변할 경우, 입력 전압이 조금만 변해도 전류는 매우 많이 변하게 된다. 따라서, 트랜지스터의 전류를 조금씩 변화시킬 필요가 있을 때, 입력 전압을 매우 미세하게 조절해야 한다. 이는 컬럼 라인 드라이버(column line driver) 설계에 부담이 될 수 있다.When the current of the transistor changes according to Equation 8, even if the input voltage changes slightly, the current changes very much. Therefore, when it is necessary to change the current of the transistor little by little, the input voltage must be adjusted very finely. This can be a burden on column line driver design.

도 18은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.18 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.

도 18에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 도 16에 도시된 화소 회로가 갖는 컬럼 라인 드라이버의 설계 부담을 줄일 수 있다.The pixel circuit shown in FIG. 18 according to another embodiment of the present invention can reduce the design burden of the column line driver included in the pixel circuit shown in FIG. 16.

도 18에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 제1 저장 캐패시터(C1), 제2 저장 캐패시터(C2), 구동 트랜지스터(TD), 디스플레이 소자 및 다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4)를 포함한다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 18 includes a first storage capacitor C 1 , a second storage capacitor C 2 , a driving transistor T D , a display element, and a plurality of transistors. T 1 , T 2 , T 3 , T 4 ).

구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자는 제1 전원 신호(VDD)와 제2 전원 신호(VSS) 사이에 연결된다. 구동 트랜지스터(TD)는 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단에 연결되고 소스에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다.The driving transistor T D and the display device are connected between the first power signal V DD and the second power signal V SS. The driving transistor T D is connected to the other end of the first storage capacitor C 1 and a first power signal V DD is applied to the source.

제2 저장 캐패시터(C2)의 일 단은 제1 전원 신호(VDD)에 연결되고, 타 단은 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단과 연결된다. One end of the second storage capacitor C 2 is connected to the first power signal V DD and the other end is connected to the other end of the first storage capacitor C 1 .

다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4)는, 데이터 라인(DATA)과 제1 저장 캐패시터(C1)의 일 단 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제1 트랜지스터(T1), 구동 트랜지스터(TD)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고 게이트에 디지털 입출력 라인(DIO)이 연결된 제2 트랜지스터(T2), 구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인(EMIT)이 연결된 제3 트랜지스터(T3), 구동 트랜지스터(TD)의 드레인과 리셋 전압(VRST) 사이에 연결되고 게이트에 리셋 제어 신호 라인(RST)이 연결된 제4 트랜지스터(T4)를 포함한다. The plurality of transistors T 1 , T 2 , T 3 , T 4 are connected between the data line DATA and one end of the first storage capacitor C 1 , and the scan line SCAN is connected to the gate. The second transistor T 2 is connected between the gate and the drain of the transistor T 1 and the driving transistor T D and the digital input/output line DIO is connected to the gate, and the driving transistor T D is connected between the display element. And the third transistor T 3 to which the emission control signal line EMIT is connected to the gate, the drain of the driving transistor T D and the reset voltage V RST are connected, and the reset control signal line RST is connected to the gate. And a fourth transistor T 4 .

스캔 라인(SCAN), 디지털 입출력 라인(DIO), 리셋 제어 신호 라인(RST), 방출 제어 신호 라인(EMIT) 및 데이터 라인(DATA)은 연속되는 제1 상태 구간((1)), 제2 상태 구간((2)), 제3 상태 구간((3)) 및 제4 상태 구간((4))에 따라 소정의 타이밍도를 갖는다. 구체적으로, 스캔 라인(SCAN)은 제1 내지 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 디지털 입출력 라인(DIO)는 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 리셋 제어 신호 라인(RST)은 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제2 내지 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 방출 제어 신호 라인(EMIT)은 제1 내지 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제4 상태 구간에서는 로우(low)이다. 데이터 라인(DATA)은 제1 및 제2 상태 구간에서 VDATA 또는 VREF가 인가되고, 제3 및 제4 상태 구간에서는 제1 및 제2 상태 구간과는 반대로 인가된다.The scan line (SCAN), the digital input/output line (DIO), the reset control signal line (RST), the emission control signal line (EMIT), and the data line (DATA) are in a continuous first state period ((1)), and a second state. It has a predetermined timing diagram according to the period (2)), the third state period (3), and the fourth state period (4). Specifically, the scan line SCAN is low in the first through third state period and high in the fourth state period. The digital input/output line DIO is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods. The reset control signal line RST is low in the first state period and high in the second to fourth state periods. The emission control signal line EMIT is high in the first to third state periods and low in the fourth state period. The data line DATA is applied with V DATA or V REF in the first and second state periods, and is applied opposite to the first and second state periods in the third and fourth state periods.

도 18에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는 4가지 상태 구간에 따라, 4 상태(4 phase)로 동작한다. 제1 상태 구간은 리셋(reset)이고, 제2 상태 구간은 보상(compensation)이고, 제3 상태 구간은 프로그램(program)이고, 제4 상태 구간은 방출(emission)이다.The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 18 operates in four phases according to four state periods. The first state period is reset, the second state period is compensation, the third state period is program, and the fourth state period is emission.

도 19의 (a) 내지 (d)는 도 18에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 좀 더 구체적으로, 도 19의 (a)는 상기 제1 상태 구간에서 도 18에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 19의 (b)는 상기 제2 상태 구간에서 도 18에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 19의 (c)는 상기 제3 상태 구간에서 도 18에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 19의 (d)는 상기 제4 상태 구간에서 도 18에 도시된 화소 회로의 등가회로이다.19A to 19D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 18. More specifically, FIG. 19(a) is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 18 in the first state period, and FIG. 19(b) is the pixel circuit shown in FIG. 18 in the second state period. 19(c) is the equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 18 in the third state period, and FIG. 19(d) is the pixel circuit shown in FIG. 18 in the fourth state period. Is the equivalent circuit of

도 18에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리는 도 14에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리와 거의 동일하다.The operating principle of the pixel circuit according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 18 is substantially the same as that of the pixel circuit according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 14.

도 19의 (a)를 참조하면, 상기 제1 상태 구간(Reset)에서 TD는 게이트와 드레인이 전기적으로 연결되어 VRST에 연결되고, 디스플레이 소자(LED/OLED)와 분리된다. 그리고, C1에는 VDATA가 인가된다.Referring to (a) of FIG. 19, in the first state period (Reset), T D is electrically connected to a gate and a drain, connected to V RST , and separated from a display device (LED/OLED). And, C 1 is applied to the V DATA.

도 19의 (b)를 참조하면, 상기 제2 상태 구간(Compensation)에서 C1에는 VDATA가 그대로 인가되고, TD의 게이트와 드레인은 전기적으로 연결되어 플로팅(floating)된다. 따라서, TD의 게이트 전압은 (VDD - |Vth_TD|)이 된다.Referring to FIG. 19B, in the second state period (Compensation), V DATA is applied as it is to C 1 , and the gate and drain of T D are electrically connected and floating. Therefore, the gate voltage of T D becomes (V DD- |V th_TD |).

도 19의 (c)를 참조하면, 상기 제3 상태 구간(Program)에서 데이터 라인(DATA)에 전압이 VDATA에서 VREF로 바뀐다. 또한, TD의 게이트는 플로팅(floating)된다. 이 때, C2에 저장된 전압값(VDATA - (VDD - |Vth _TD|))이 그대로 유지된다. 따라서, TD의 게이트 전압은 [VREF - (VDATA - (VDD - |Vth _TD|))]이므로, (VREF - VDATA) + VDD - |Vth_TD|이 된다. Referring to (c) of FIG. 19, the voltage on the data line DATA is changed from V DATA to V REF in the third state period Program. Also, the gate of T D is floating. At this time, the voltage value stored in C 2 (V DATA - (V DD - | V th _TD |)) is retained. Thus, the gate voltage of T D is [V REF - (V DATA - (V DD - | V th _TD |))] because it is, (V REF -V DATA ) + V DD- |V th_TD |

도 19의 (d)를 참조하면, 상기 제4 상태 구간(Emission)에서 C1과 C2에 저장된 전압값이 그대로 유지된다. 여기서, TD의 게이트 전압이 아래의 <수학식 9>와 같다. Referring to FIG. 19D, voltage values stored in C 1 and C 2 are maintained as they are in the fourth state period (Emission). Here, the gate voltage of T D is as shown in Equation 9 below.

Figure pat00011
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상기 <수학식 9>를 참조하면, 입력 전압(VDATA)의 변화량이 TD의 게이트에서 C1/(C1+C2) 만큼 줄어들게 되므로, 같은 크기의 전류 변화를 위해서 입력 전압의 변화 범위를 크게 해도 된다. 따라서, 컬럼 라인 드라이버(column line driver)는 보다 넓은 전압 범위를 가질 수 있다.Referring to Equation 9 above, since the amount of change in the input voltage (V DATA ) is reduced by C 1 /(C 1 +C 2 ) at the gate of T D, the range of change of the input voltage for the same amount of current change. You may increase it. Accordingly, the column line driver may have a wider voltage range.

한편, 도 10 및 도 12의 화소 회로들의 단점 중 하나는, 모든 화소에 공통으로 사용되는 VREF의 전압이 불안정할 때, 방출(emission) 상태(또는 모드)에 있는 화소들의 전류값이 영향을 받는다는 점이다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 한 라인씩(line-by-line) 디스플레이 화면을 스캔(scan)하면, 각 라인(line)들의 스캔(scan)이 끝낼 때마다 VREF가 해당 라인(line)에 연결된 화소들의 내부 캐패시터(도 10 및 도 12의 C1)에 연결된다. 이 때, VREF 전압이 흔들리게 되는데, 그 흔들림 정도는 각 화소에 저장된 VDATA 값에 영향을 받게 된다. 따라서, 각 라인(line) 스캔(scan)을 할 때마다 VREF의 흔들림에 의해 전체 화소의 전류값이 영향을 받게 된다.Meanwhile, one of the drawbacks of the pixel circuits of FIGS. 10 and 12 is that when the voltage of V REF commonly used for all pixels is unstable, the current values of the pixels in the emission state (or mode) are affected. Is to receive. For example, as shown in FIG. 1, if the display screen is scanned line-by-line, V REF becomes the corresponding line whenever the scan of each line is finished. It is connected to internal capacitors (C 1 of FIGS. 10 and 12) of pixels connected to (line). At this time, the V REF voltage fluctuates, and the degree of vibration is the V DATA stored in each pixel. It will be affected by the value. Therefore, the current values of all pixels are affected by the shaking of V REF each time each line is scanned.

도 20은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.20 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.

도 20에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는 도 18에 도시된 화소 회로의 문제점을 해결하기 위한 것일 수 있다. The pixel circuit shown in FIG. 20 according to another embodiment of the present invention may be for solving a problem of the pixel circuit shown in FIG. 18.

도 20에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는 도 10의 화소 회로보다 캐패시터가 1개 더 많고, 도 14의 화소 회로보다 트랜지스터가 1개 더 많다.The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 20 has one more capacitor than the pixel circuit of FIG. 10 and one more transistor than the pixel circuit of FIG. 14.

도 20에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 제1 저장 캐패시터(C1), 제2 저장 캐패시터(C2), 구동 트랜지스터(TD), 디스플레이 소자 및 다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5)를 포함한다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 20 includes a first storage capacitor C 1 , a second storage capacitor C 2 , a driving transistor T D , a display element, and a plurality of transistors. T 1 , T 2 , T 3 , T 4 , T 5 ).

구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자는 제1 전원 신호(VDD)와 제2 전원 신호(VSS) 사이에 연결된다. 구동 트랜지스터(TD)는 제2 저장 캐패시터(C2)의 타 단에 연결되고 소스에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다.The driving transistor T D and the display device are connected between the first power signal V DD and the second power signal V SS. The driving transistor T D is connected to the other end of the second storage capacitor C 2 and a first power signal V DD is applied to the source.

제2 저장 캐패시터(C2)의 일 단은 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단에 연결된다. 제1 저장 캐패시터(C1)의 일 단은 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다. One end of the second storage capacitor C 2 is connected to the other end of the first storage capacitor C 1. The first power signal V DD is applied to one end of the first storage capacitor C 1.

다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5)는, 데이터 라인(DATA)과 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제1 트랜지스터(T1), 기준 전압(VREF)와 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단 사이에 연결되고 게이트에 디지털 입출력 라인(DIO)이 연결된 제2 트랜지스터(T2), 구동 트랜지스터(TD)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고 게이트에 디지털 입출력 라인(DIO)이 연결된 제3 트랜지스터(T3), 구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인(EMIT)이 연결된 제4 트랜지스터(T4), 구동 트랜지스터(TD)의 드레인과 리셋 전압(VRST) 사이에 연결되고 게이트에 리셋 제어 신호 라인(RST)이 연결된 제5 트랜지스터(T5)를 포함한다.A plurality of transistors (T 1 , T 2 , T 3 , T 4 , T 5 ) are connected between the data line (DATA) and the other end of the first storage capacitor (C 1 ), and a scan line (SCAN) is connected to the gate. connected to the first transistor (T 1), a reference voltage (V REF) and a second transistor connected between the first other terminal of the storage capacitor (C 1) is connected to the digital input and output lines (DIO) to the gate (T 2), the driving The third transistor T 3 is connected between the gate and the drain of the transistor T D and the digital input/output line DIO is connected to the gate, and the emission control signal line is connected between the driving transistor T D and the display device and is connected to the gate. A fourth transistor T 4 to which (EMIT) is connected, a fifth transistor T5 connected between the drain of the driving transistor T D and the reset voltage V RST , and the reset control signal line RST is connected to the gate. Includes.

스캔 라인(SCAN), 디지털 입출력 라인(DIO), 리셋 제어 신호 라인(RST), 방출 제어 신호 라인(EMIT) 및 데이터 라인(DATA)은 연속되는 제1 상태 구간((1)), 제2 상태 구간((2)), 제3 상태 구간((3)) 및 제4 상태 구간((4))에 따라 소정의 타이밍도를 갖는다. 구체적으로, 스캔 라인(SCAN)은 제1 및 제2 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제3 및 제4 상태 구간에서는 로우(low)이다. 디지털 입출력 라인(DIO)는 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 리셋 제어 신호 라인(RST)은 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제2 내지 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 방출 제어 신호 라인(EMIT)은 제1 내지 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제4 상태 구간에서는 로우(low)이다. 데이터 라인(DATA)은 제3 및 제4 상태 구간에서 VDATA가 인가된다.The scan line (SCAN), the digital input/output line (DIO), the reset control signal line (RST), the emission control signal line (EMIT), and the data line (DATA) are in a continuous first state period ((1)), and a second state. It has a predetermined timing diagram according to the period (2)), the third state period (3), and the fourth state period (4). Specifically, the scan line SCAN is high in the first and second state periods, and low in the third and fourth state periods. The digital input/output line DIO is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods. The reset control signal line RST is low in the first state period and high in the second to fourth state periods. The emission control signal line EMIT is high in the first to third state periods and low in the fourth state period. V DATA is applied to the data line DATA in the third and fourth state periods.

도 20에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는 4가지 상태 구간에 따라, 4 상태(4 phase)로 동작한다. 제1 상태 구간은 리셋(reset)이고, 제2 상태 구간은 보상(compensation)이고, 제3 상태 구간은 프로그램(program)이고, 제4 상태 구간은 방출(emission)이다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 20 operates in four phases according to four state periods. The first state period is reset, the second state period is compensation, the third state period is program, and the fourth state period is emission.

도 21의 (a) 내지 (d)는 도 20에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 좀 더 구체적으로, 도 21의 (a)는 상기 제1 상태 구간에서 도 20에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 21의 (b)는 상기 제2 상태 구간에서 도 20에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 21의 (c)는 상기 제3 상태 구간에서 도 20에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 21의 (d)는 상기 제4 상태 구간에서 도 20에 도시된 화소 회로의 등가회로이다.21A to 21D are diagrams for explaining the principle of operation of the pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 20. More specifically, (a) of FIG. 21 is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 20 in the first state section, and (b) of FIG. 21 is the pixel circuit shown in FIG. 20 in the second state section. (C) of FIG. 21 is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 20 in the third state section, and (d) of FIG. 21 is the pixel circuit shown in FIG. 20 in the fourth state section. Is the equivalent circuit of

도 21의 (a)를 참조하면, 상기 제1 상태 구간(Reset)에서 TD는 게이트와 드레인이 전기적으로 연결되어 VRST에 연결되고, 디스플레이 소자(LED/OLED)와 분리된다. 그리고, T2가 온(on)이 되고 C1에는 VREF가 인가된다.Referring to (a) of FIG. 21, in the first state period (Reset), T D is electrically connected to a gate and a drain to be connected to V RST , and separated from a display device (LED/OLED). Then, T 2 is turned on and V REF is applied to C 1.

도 21의 (b)를 참조하면, 상기 제2 상태 구간(Compensation)에서 C1에는 VREF가 그대로 인가되고, TD의 게이트와 드레인은 전기적으로 연결되어 플로팅(floating)된다. 따라서, TD의 게이트 전압은 (VDD - |Vth_TD|)가 된다. Referring to FIG. 21B, in the second state period (Compensation), V REF is applied to C 1 as it is, and the gate and drain of T D are electrically connected to be floating. Therefore, the gate voltage of T D becomes (V DD- |V th_TD |).

도 21의 (c)를 참조하면, 상기 제3 상태 구간(Program)에서 T2는 오프(off)되고 T1이 온(on)이 된다. 따라서, C1 전압은 VREF에서 VDATA 전압으로 바뀌게 된다. 또한, TD의 게이트는 플로팅(floating)된다. 이 때, C2에 저장된 전압값(VREF - (VDD - |Vth _TD|))이 그대로 유지된다. 따라서 TD의 게이트 전압은 [VDATA - (VREF - (VDD - |Vth_TD|))]이므로, (VDATA - VREF) + VDD - |Vth_TD|이 된다. Referring to FIG. 21C, in the third state period Program, T 2 is turned off and T 1 is turned on. Therefore, the C 1 voltage changes from V REF to V DATA voltage. Also, the gate of T D is floating. At this time, the voltage value stored in C 2 (V REF - (V DD - | V th _TD |)) is retained. Therefore, the gate voltage of T D is [V DATA - (V REF - (V DD - | V th_TD |))] is the | | V th_TD - so, (V DATA - V REF) + V DD.

도 22의 (d)를 참조하면, 상기 제4 상태 구간(Emission)에서 C1과 C2에 저장된 전압값이 그대로 유지된다. 이 때, TD 및 디스플레이 소자(LED/OLED)의 전류값은 아래의 <수학식 10>과 같다.Referring to FIG. 22D, voltage values stored in C 1 and C 2 are maintained as they are in the fourth state period (Emission). At this time, T D and the current values of the display device (LED/OLED) are as shown in Equation 10 below.

Figure pat00012
Figure pat00012

도 20에 도시된 화소 회로는 도 10의 화소 회로와 거의 유사하며, 하나의 차이점이자 도 10의 화소 회로와 비교하여 장점은, 제4 상태 구간(emission)에서 TD 및 디스플레이 소자(LED/OLED)의 전류가 VREF에 영향을 받지 않는다는 점이다. 이를 위해서 도 10의 화소 회로와 비교하여 캐패시터가 1개 더 사용되었다.The pixel circuit shown in FIG. 20 is almost similar to the pixel circuit of FIG. 10, and one difference and advantage compared to the pixel circuit of FIG. 10 are T D and display devices (LED/OLED) in the fourth state period (emission). ) Is not affected by V REF. To this end, one more capacitor was used compared to the pixel circuit of FIG. 10.

도 22는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.22 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.

도 10의 화소 회로에서 도 12의 화소 회로로 변경하는 방식을 그대로 적용하면, 도 20의 화소 회로로부터 도 22의 화소 회로를 도출할 수 있다. If the method of changing from the pixel circuit of FIG. 10 to the pixel circuit of FIG. 12 is applied as it is, the pixel circuit of FIG. 22 can be derived from the pixel circuit of FIG. 20.

도 22에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 제1 저장 캐패시터(C1), 제2 저장 캐패시터(C2), 구동 트랜지스터(TD), 디스플레이 소자 및 다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4)를 포함한다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 22 includes a first storage capacitor C 1 , a second storage capacitor C 2 , a driving transistor T D , a display element, and a plurality of transistors. T 1 , T 2 , T 3 , T 4 ).

구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자는 제1 전원 신호(VDD)와 제2 전원 신호(VSS) 사이에 연결된다. 구동 트랜지스터(TD)는 제2 저장 캐패시터(C2)의 타 단에 연결되고 소스에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다.The driving transistor T D and the display device are connected between the first power signal V DD and the second power signal V SS. The driving transistor T D is connected to the other end of the second storage capacitor C 2 and a first power signal V DD is applied to the source.

제2 저장 캐패시터(C2)의 일 단은 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단에 연결된다. 제1 저장 캐패시터(C1)의 일 단에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다. One end of the second storage capacitor C 2 is connected to the other end of the first storage capacitor C1. The first power signal VDD is applied to one end of the first storage capacitor C1.

다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4)는, 데이터 라인(DATA)과 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제1 트랜지스터(T1), 기준 전압(VREF)와 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단 사이에 연결되고 게이트에 디지털 입출력 라인(DIO)이 연결된 제2 트랜지스터(T2), 구동 트랜지스터(TD)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고 게이트에 디지털 입출력 라인(DIO)이 연결된 제3 트랜지스터(T3), 구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인(EMIT)이 연결된 제4 트랜지스터(T4)를 포함한다.The plurality of transistors T 1 , T 2 , T 3 , T 4 are connected between the data line DATA and the other end of the first storage capacitor C 1 , and the scan line SCAN is connected to the gate. The second transistor T 2 is connected between the transistor T 1 , the reference voltage V REF and the other end of the first storage capacitor C 1 and the digital input/output line DIO is connected to the gate, and the driving transistor T A third transistor (T 3 ) connected between the gate and the drain of D ) and the digital input/output line (DIO) connected to the gate, and the emission control signal line (EMIT) connected between the driving transistor T D and the display device and connected to the gate. And the connected fourth transistor T 4 .

스캔 라인(SCAN), 디지털 입출력 라인(DIO), 방출 제어 신호 라인(EMIT) 및 데이터 라인(DATA)은 연속되는 제1 상태 구간((1)), 제2 상태 구간((2)), 제3 상태 구간((3)) 및 제4 상태 구간((4))에 따라 소정의 타이밍도를 갖는다. 구체적으로, 스캔 라인(SCAN)은 제1, 제2 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제3 상태 구간에서는 로우(low)이다. 디지털 입출력 라인(DIO)는 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 방출 제어 신호 라인(EMIT)은 제2 및 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제1 및 제4 상태 구간에서는 로우(low)이다. 데이터 라인(DATA)은 제3 상태 구간에서 VDATA가 인가된다.The scan line (SCAN), the digital input/output line (DIO), the emission control signal line (EMIT), and the data line (DATA) are connected to the first state section ((1)), the second state section ((2)), and the second state section ((2)). It has a predetermined timing diagram according to the three state period (3) and the fourth state period (4). Specifically, the scan line SCAN is high in the first, second, and fourth state periods and low in the third state period. The digital input/output line DIO is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods. The emission control signal line EMIT is high in the second and third state periods and low in the first and fourth state periods. V DATA is applied to the data line DATA in the third state period.

도 22에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는 4가지 상태 구간에 따라, 4 상태(4 phase)로 동작한다. 제1 상태 구간은 리셋(reset)이고, 제2 상태 구간은 보상(compensation)이고, 제3 상태 구간은 프로그램(program)이고, 제4 상태 구간은 방출(emission)이다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 22 operates in four phases according to four state periods. The first state period is reset, the second state period is compensation, the third state period is program, and the fourth state period is emission.

도 23의 (a) 내지 (d)는 도 22에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 좀 더 구체적으로, 도 23의 (a)는 상기 제1 상태 구간에서 도 22에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 23의 (b)는 상기 제2 상태 구간에서 도 22에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 23의 (c)는 상기 제3 상태 구간에서 도 22에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 23의 (d)는 상기 제4 상태 구간에서 도 22에 도시된 화소 회로의 등가회로이다.23A to 23D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 22. More specifically, (a) of FIG. 23 is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 22 in the first state section, and (b) of FIG. 23 is the pixel circuit shown in FIG. 22 in the second state section. 23(c) is the equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 22 in the third state section, and FIG. 23(d) is the pixel circuit shown in FIG. 22 in the fourth state section. Is the equivalent circuit of

도 23의 (a)를 참조하면, 상기 제1 상태 구간(Reset)에서 TD는 게이트와 드레인이 전기적으로 연결된다. 그리고, T2가 온(on)이 되고 C1에는 VREF가 인가된다.Referring to FIG. 23A, in the first state period (Reset), T D is electrically connected to a gate and a drain. Then, T 2 is turned on and V REF is applied to C 1.

도 23의 (b)를 참조하면, 상기 제2 상태 구간(Compensation)에서 C1에는 VREF가 그대로 인가되고, TD의 게이트와 드레인은 전기적으로 연결되어 플로팅(floating)된다. 따라서, TD의 게이트 전압은 (VDD - |Vth_TD|)가 된다. Referring to FIG. 23B, in the second state period (Compensation), V REF is applied as it is to C 1 , and the gate and drain of T D are electrically connected to be floating. Therefore, the gate voltage of T D becomes (V DD- |V th_TD |).

도 23의 (c)를 참조하면, 상기 제3 상태 구간(Program)에서 T2는 오프(off)되고 T1이 온(on)이 된다. 따라서, C1 전압은 VREF에서 VDATA 전압으로 바뀌게 된다. 또한, TD의 게이트는 플로팅(floating)된다. 이 때, C2에 저장된 전압값(VREF - (VDD - |Vth _TD|))이 그대로 유지된다. 따라서 TD의 게이트 전압은 [VDATA - (VREF - (VDD - |Vth_TD|))]이므로, (VDATA - VREF) + VDD - |Vth_TD|이 된다. Referring to FIG. 23C, in the third state period Program, T 2 is turned off and T 1 is turned on. Therefore, the C 1 voltage changes from V REF to V DATA voltage. Also, the gate of T D is floating. At this time, the voltage value stored in C 2 (V REF - (V DD - | V th _TD |)) is retained. Therefore, the gate voltage of T D is [V DATA - (V REF - (V DD - | V th_TD |))] is the | | V th_TD - so, (V DATA - V REF) + V DD.

도 23의 (d)를 참조하면, 상기 제4 상태 구간(Emission)에서 C1과 C2에 저장된 전압값이 그대로 유지된다.Referring to FIG. 23D, voltage values stored in C 1 and C 2 are maintained as they are in the fourth state period (Emission).

도 22에 도시된 화소 회로는 도 20에 도시된 화소 회로와 비교하여 트랜지스터의 개수가 1개 적은 대신에 제1 상태 구간(reset)에서 디스플레이 소자(LED/OLED)에 전류가 흐르기 때문에, 명암비가 약간 저하될 수 있다. 하지만, 방출 제어 신호 라인(EMIT)의 타이밍(timing)을 조절하여 리셋(reset) 구간을 최대한 작게하면 명암비의 열화를 최대한 방지할 수 있다.The pixel circuit shown in FIG. 22 has a smaller number of transistors than the pixel circuit shown in FIG. It can be slightly degraded. However, by adjusting the timing of the emission control signal line EMIT to make the reset period as small as possible, deterioration of the contrast ratio can be prevented as much as possible.

도 24는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 화소 회로이다.24 is a pixel circuit of a display device according to still another embodiment of the present invention.

도 14의 화소 회로에서 캐패시터의 위치를 바꿈으로 도 18의 화소 회로로 변경하는 방법을 그대로 적용하면, 도 20의 화소 회로로부터 도 24의 화소 회로를 도출할 수 있다.If the method of changing the position of the capacitor in the pixel circuit of FIG. 14 to the pixel circuit of FIG. 18 is applied as it is, the pixel circuit of FIG. 24 can be derived from the pixel circuit of FIG. 20.

도 24에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는, 제1 저장 캐패시터(C1), 제2 저장 캐패시터(C2), 구동 트랜지스터(TD), 디스플레이 소자 및 다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5)를 포함한다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 24 includes a first storage capacitor C 1 , a second storage capacitor C 2 , a driving transistor T D , a display element, and a plurality of transistors. T 1 , T 2 , T 3 , T 4 , T 5 ).

구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자는 제1 전원 신호(VDD)와 제2 전원 신호(VSS) 사이에 연결된다. 구동 트랜지스터(TD)는 제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단에 연결되고 소스에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다.The driving transistor T D and the display device are connected between the first power signal V DD and the second power signal V SS. The driving transistor T D is connected to the other end of the first storage capacitor C1 and a first power signal V DD is applied to the source.

제1 저장 캐패시터(C1)의 타 단은 제2 저장 캐패시터(C2)의 타 단에 연결된다. 제2 저장 캐패시터(C2)의 일 단에 제1 전원 신호(VDD)가 인가된다. The other end of the first storage capacitor C 1 is connected to the other end of the second storage capacitor C 2 . The first power signal V DD is applied to one end of the second storage capacitor C 2.

다수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5)는, 데이터 라인(DATA)과 제1 저장 캐패시터(C1)의 일 단 사이에 연결되고 게이트에 스캔 라인(SCAN)이 연결된 제1 트랜지스터(T1), 기준 전압(VREF)와 제1 저장 캐패시터(C1)의 일 단 사이에 연결되고 게이트에 디지털 입출력 라인(DIO)이 연결된 제2 트랜지스터(T2), 구동 트랜지스터(TD)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고 게이트에 디지털 입출력 라인(DIO)이 연결된 제3 트랜지스터(T3), 구동 트랜지스터(TD)와 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인(EMIT)이 연결된 제4 트랜지스터(T4), 구동 트랜지스터(TD)의 드레인과 리셋 전압(VRST) 사이에 연결되고 게이트에 리셋 제어 신호 라인(RST)이 연결된 제5 트랜지스터(T5)를 포함한다.A plurality of transistors (T 1 , T 2 , T 3 , T 4 , T 5 ) are connected between the data line (DATA) and one end of the first storage capacitor (C 1 ), and a scan line (SCAN) is connected to the gate. connected to the first transistor (T 1), a reference voltage (V REF) and the first storage a second transistor (T 2) a connection between the stage and attached with a digital input and output lines (DIO) to the gate of the capacitor (C 1), the driving The third transistor T 3 is connected between the gate and the drain of the transistor T D and the digital input/output line DIO is connected to the gate, and the emission control signal line is connected between the driving transistor T D and the display device and is connected to the gate. A fourth transistor T 4 to which (EMIT) is connected , a fifth transistor T 5 connected between the drain of the driving transistor T D and the reset voltage V RST and the reset control signal line RST is connected to the gate Includes.

스캔 라인(SCAN), 디지털 입출력 라인(DIO), 리셋 제어 신호 라인(RST), 방출 제어 신호 라인(EMIT) 및 데이터 라인(DATA)은 연속되는 제1 상태 구간((1)), 제2 상태 구간((2)), 제3 상태 구간((3)) 및 제4 상태 구간((4))에 따라 소정의 타이밍도를 갖는다. 구체적으로, 스캔 라인(SCAN)은 제1, 제2 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제3 상태 구간에서는 로우(low)이다. 디지털 입출력 라인(DIO)는 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 리셋 제어 신호 라인(RST)은 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 제2 내지 제4 상태 구간에서는 하이(high)이다. 방출 제어 신호 라인(EMIT)은 제1 내지 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 제4 상태 구간에서는 로우(low)이다. 데이터 라인(DATA)은 제3 상태 구간에서 VDATA가 인가된다.The scan line (SCAN), the digital input/output line (DIO), the reset control signal line (RST), the emission control signal line (EMIT), and the data line (DATA) are in a continuous first state period ((1)), and a second state. It has a predetermined timing diagram according to the period (2)), the third state period (3), and the fourth state period (4). Specifically, the scan line SCAN is high in the first, second, and fourth state periods and low in the third state period. The digital input/output line DIO is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods. The reset control signal line RST is low in the first state period and high in the second to fourth state periods. The emission control signal line EMIT is high in the first to third state periods and low in the fourth state period. V DATA is applied to the data line DATA in the third state period.

도 24에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로는 4가지 상태 구간에 따라, 4 상태(4 phase)로 동작한다. 제1 상태 구간은 리셋(reset)이고, 제2 상태 구간은 보상(compensation)이고, 제3 상태 구간은 프로그램(program)이고, 제4 상태 구간은 방출(emission)이다. The pixel circuit according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 24 operates in four phases according to four state periods. The first state period is reset, the second state period is compensation, the third state period is program, and the fourth state period is emission.

도 25의 (a) 내지 (d)는 도 24에 도시된 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 화소 회로의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 좀 더 구체적으로, 도 25의 (a)는 상기 제1 상태 구간에서 도 24에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 25의 (b)는 상기 제2 상태 구간에서 도 24에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 25의 (c)는 상기 제3 상태 구간에서 도 24에 도시된 화소 회로의 등가회로이고, 도 25의 (d)는 상기 제4 상태 구간에서 도 24에 도시된 화소 회로의 등가회로이다.25A to 25D are diagrams for explaining an operating principle of a pixel circuit according to still another embodiment of the present invention shown in FIG. 24. More specifically, (a) of FIG. 25 is an equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 24 in the first state section, and (b) of FIG. 25 is the pixel circuit shown in FIG. 24 in the second state section. 25(c) is the equivalent circuit of the pixel circuit shown in FIG. 24 in the third state period, and FIG. 25(d) is the pixel circuit shown in FIG. 24 in the fourth state period. Is the equivalent circuit of

도 25의 (a)를 참조하면, 상기 제1 상태 구간(Reset)에서 TD는 게이트와 드레인이 전기적으로 연결되어 VRST에 연결되고, 디스플레이 소자(LED/OLED)와 분리된다. 그리고, T2가 온(on)이 되고 C1에는 VREF가 인가된다.Referring to FIG. 25A, in the first state period (Reset), T D is electrically connected to a gate and a drain, connected to V RST , and separated from a display device (LED/OLED). Then, T 2 is turned on and V REF is applied to C 1.

도 25의 (b)를 참조하면, 상기 제2 상태 구간(Compensation)에서 C1에는 VREF가 그대로 인가되고, TD의 게이트와 드레인은 전기적으로 연결되어 플로팅(floating)된다. 따라서, TD의 게이트 전압은 (VDD - |Vth_TD|)가 된다. Referring to FIG. 25B, in the second state period (Compensation), V REF is applied as it is to C 1 , and the gate and drain of T D are electrically connected to be floating. Therefore, the gate voltage of T D becomes (V DD- |V th_TD |).

도 25의 (c)를 참조하면, 상기 제3 상태 구간(Program)에서 T2는 오프(off)되고 T1이 온(on)이 된다. 따라서, C1 전압은 VREF에서 VDATA 전압으로 바뀌게 된다. 또한, TD의 게이트는 플로팅(floating)된다. 이 때, C2에 저장된 전압값(VREF - (VDD - |Vth _TD|))이 그대로 유지된다. 따라서 TD의 게이트 전압은 [VDATA - (VREF - (VDD - |Vth_TD|))]이므로, (VDATA - VREF) + VDD - |Vth_TD|이 된다. Referring to FIG. 25C, in the third state period Program, T 2 is turned off and T 1 is turned on. Therefore, the C 1 voltage changes from V REF to V DATA voltage. Also, the gate of T D is floating. At this time, the voltage value stored in C 2 (V REF - (V DD - | V th _TD |)) is retained. Therefore, the gate voltage of T D is [V DATA - (V REF - (V DD - | V th_TD |))] is the | | V th_TD - so, (V DATA - V REF) + V DD.

도 25의 (d)를 참조하면, 상기 제4 상태 구간(Emission)에서 C1과 C2에 저장된 전압값이 그대로 유지된다. Referring to FIG. 25D, voltage values stored in C 1 and C 2 are maintained as they are in the fourth state period (Emission).

도 24의 화소 회로는 도 20의 화소 회로와 대비하여, 컬럼 라인 드라이버(column line driver)의 전압 범위를 넓게 설계할 수 있는 장점이 있다.Compared to the pixel circuit of FIG. 20, the pixel circuit of FIG. 24 has the advantage of being able to design a wide voltage range of a column line driver.

이상에서 실시 형태들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 하나의 실시 형태에 포함되며, 반드시 하나의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 형태에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 형태들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 형태들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment can be implemented by combining or modifying other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiments have been described above, these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention pertains will not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications that are not illustrated are possible. For example, each constituent element specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

Claims (17)

저장 캐패시터;
디스플레이 소자;
데이터 라인과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터;
기준 전압과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제2 트랜지스터;
소스에 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 스캔 라인이 연결된 제3 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제5 트랜지스터;
를 포함하는, 화소 회로.
Storage capacitors;
Display elements;
A first transistor connected between a data line and one end of the storage capacitor, and a scan line connected to a gate;
A second transistor connected between a reference voltage and one end of the storage capacitor and connected to a gate with an emission control signal line;
A driving transistor to which a first power signal is applied to a source and the other end of the storage capacitor is connected to a gate;
A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the scan line connected to the gate;
A fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And
A fifth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate;
Including a pixel circuit.
제 1 항에 있어서,
제1 내지 제3 상태 구간이 시간적으로 반복되고,
상기 스캔 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 리셋 제어 신호 라인은 상기 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제2 및 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 방출 제어 신호 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 데이터 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서 소정의 데이터 전압이 인가되는, 화소 회로.
The method of claim 1,
The first to third state periods are repeated in time,
The scan line is low in the first and second state periods, and high in the third state period,
The reset control signal line is low in the first state period and high in the second and third state periods,
The emission control signal line is high in the first and second state periods, and low in the third state period,
A pixel circuit to which a predetermined data voltage is applied to the data line in the first and second state periods.
저장 캐패시터;
디스플레이 소자;
데이터 라인과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터;
기준 전압과 상기 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 상기 스캔 라인에 상반되는 상보 스캔 라인이 연결된 제2 트랜지스터;
소스에 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 스캔 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터;
를 포함하는, 화소 회로.
Storage capacitors;
Display elements;
A first transistor connected between a data line and one end of the storage capacitor, and a scan line connected to a gate;
A second transistor connected between a reference voltage and one end of the storage capacitor and connected to a gate with a complementary scan line opposite to the scan line;
A driving transistor to which a first power signal is applied to a source and the other end of the storage capacitor is connected to a gate;
A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the scan line connected to the gate; And
A fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line;
Including a pixel circuit.
제 3 항에 있어서,
제1 내지 제3 상태 구간이 시간적으로 반복되고,
상기 스캔 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 방출 제어 신호 라인은 상기 제1 및 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제2 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 데이터 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서 소정의 데이터 전압이 인가되는, 화소 회로.
The method of claim 3,
The first to third state periods are repeated in time,
The scan line is low in the first and second state periods, and high in the third state period,
The emission control signal line is low in the first and third state periods and high in the second state period,
A pixel circuit to which a predetermined data voltage is applied to the data line in the first and second state periods.
일 단에 제1 전원 신호가 인가되는 제1 저장 캐패시터;
일 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터;
디스플레이 소자;
데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터;
소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터;
를 포함하는, 화소 회로.
A first storage capacitor to which a first power signal is applied to one end;
A second storage capacitor having one end connected to the other end of the first storage capacitor;
Display elements;
A first transistor connected between a data line and the other end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate;
A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate;
A second transistor connected between a gate and a drain of the driving transistor and a digital input/output line connected to the gate;
A third transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And
A fourth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate;
Including a pixel circuit.
제 5 항에 있어서,
제1 내지 제4 상태 구간이 시간적으로 반복되고,
상기 스캔 라인은 상기 제1 내지 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 디지털 입출력 라인(DIO)은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 리셋 제어 신호 라인은 상기 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제2 내지 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 방출 제어 신호 라인은 상기 제1 내지 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제4 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 데이터 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서 소정의 데이터 전압 또는 기준 전압이 인가되고, 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 상기 제1 및 제2 상태 구간과는 반대로 인가되는, 화소 회로.
The method of claim 5,
The first to fourth state periods are repeated in time,
The scan line is low in the first to third state period and high in the fourth state period,
The digital input/output line DIO is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods,
The reset control signal line is low in the first state period and high in the second to fourth state periods,
The emission control signal line is high in the first to third state period and low in the fourth state period,
A pixel circuit, wherein a predetermined data voltage or a reference voltage is applied to the data line in the first and second state periods, and in the third and fourth state periods, opposite to the first and second state periods.
일 단에 제1 전원 신호가 인가되는 제1 저장 캐패시터;
일 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터;
디스플레이 소자;
데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터;
소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제3 트랜지스터;
를 포함하는, 화소 회로.
A first storage capacitor to which a first power signal is applied to one end;
A second storage capacitor having one end connected to the other end of the first storage capacitor;
Display elements;
A first transistor connected between a data line and the other end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate;
A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate;
A second transistor connected between a gate and a drain of the driving transistor and a digital input/output line connected to the gate; And
A third transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line;
Including a pixel circuit.
제 7 항에 있어서,
제1 내지 제4 상태 구간이 시간적으로 반복되고,
상기 스캔 라인은 상기 제1 내지 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 디지털 입출력 라인(DIO)은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 방출 제어 신호 라인은 상기 제2 및 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제1 및 제4 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 데이터 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서 소정의 데이터 전압 또는 기준 전압이 인가되고, 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 상기 제1 및 제2 상태 구간과는 반대로 인가되는, 화소 회로.
The method of claim 7,
The first to fourth state periods are repeated in time,
The scan line is low in the first to third state period and high in the fourth state period,
The digital input/output line DIO is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods,
The emission control signal line is high in the second and third state periods, and low in the first and fourth state periods,
A pixel circuit, wherein a predetermined data voltage or a reference voltage is applied to the data line in the first and second state periods, and in the third and fourth state periods, opposite to the first and second state periods.
제1 저장 캐패시터;
일 단에 제1 전원 신호가 인가되고, 타 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터;
디스플레이 소자;
데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터;
소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터;
를 포함하는, 화소 회로.
A first storage capacitor;
A second storage capacitor to which a first power signal is applied and the other end is connected to the other end of the first storage capacitor;
Display elements;
A first transistor connected between a data line and one end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate;
A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate;
A second transistor connected between a gate and a drain of the driving transistor and a digital input/output line connected to the gate;
A third transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And
A fourth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate;
Including a pixel circuit.
제 9 항에 있어서,
제1 내지 제4 상태 구간이 시간적으로 반복되고,
상기 스캔 라인은 상기 제1 내지 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 디지털 입출력 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 리셋 제어 신호 라인은 상기 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제2 내지 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 방출 제어 신호 라인은 상기 제1 내지 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제4 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 데이터 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서 소정의 데이터 전압 또는 기준 전압이 인가되고, 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 상기 제1 및 제2 상태 구간과는 반대로 인가되는, 화소 회로.
The method of claim 9,
The first to fourth state periods are repeated in time,
The scan line is low in the first to third state period and high in the fourth state period,
The digital input/output line is low in the first and second state periods, and high in the third and fourth state periods,
The reset control signal line is low in the first state period and high in the second to fourth state periods,
The emission control signal line is high in the first to third state period and low in the fourth state period,
A pixel circuit, wherein a predetermined data voltage or a reference voltage is applied to the data line in the first and second state periods, and in the third and fourth state periods, opposite to the first and second state periods.
일 단에 제1 전원 신호가 인가되는 제1 저장 캐패시터;
일 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터;
디스플레이 소자;
데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터;
기준 전압과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터;
소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 디지털 입출력 라인이 연결된 제3 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제5 트랜지스터;
를 포함하는, 화소 회로.
A first storage capacitor to which a first power signal is applied to one end;
A second storage capacitor having one end connected to the other end of the first storage capacitor;
Display elements;
A first transistor connected between a data line and the other end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate;
A second transistor connected between a reference voltage and the other end of the first storage capacitor, and a digital input/output line connected to a gate;
A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate;
A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the digital input/output line connected to the gate;
A fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And
A fifth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate;
Including a pixel circuit.
제 11 항에 있어서,
제1 내지 제4 상태 구간이 시간적으로 반복되고,
상기 스캔 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 디지털 입출력 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 리셋 제어 신호 라인은 상기 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제2 내지 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 방출 제어 신호 라인은 상기 제1 내지 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제4 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 데이터 라인은 상기 제3 및 제4 상태 구간에서 소정의 데이터 전압이 인가되는, 화소 회로.
The method of claim 11,
The first to fourth state periods are repeated in time,
The scan line is high in the first and second state periods, and low in the third and fourth state periods,
The digital input/output line is low in the first and second state periods, and high in the third and fourth state periods,
The reset control signal line is low in the first state period and high in the second to fourth state periods,
The emission control signal line is high in the first to third state period and low in the fourth state period,
A pixel circuit to which a predetermined data voltage is applied to the data line in the third and fourth state periods.
일 단에 제1 전원 신호가 인가되는 제1 저장 캐패시터;
일 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터;
디스플레이 소자;
데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터;
기준 전압과 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터;
소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 디지털 입출력 라인이 연결된 제3 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터;
를 포함하는, 화소 회로.
A first storage capacitor to which a first power signal is applied to one end;
A second storage capacitor having one end connected to the other end of the first storage capacitor;
Display elements;
A first transistor connected between a data line and the other end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate;
A second transistor connected between a reference voltage and the other end of the first storage capacitor, and a digital input/output line connected to a gate;
A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate;
A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the digital input/output line connected to the gate; And
A fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line;
Including a pixel circuit.
제 13 항에 있어서,
제1 내지 제4 상태 구간이 시간적으로 반복되고,
상기 스캔 라인은 상기 제1, 제2 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 디지털 입출력 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 방출 제어 신호 라인은 상기 제2 및 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제1 및 제4 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 데이터 라인은 상기 제3 상태 구간에서 소정의 데이터 전압이 인가되는, 화소 회로.
The method of claim 13,
The first to fourth state periods are repeated in time,
The scan line is high in the first, second, and fourth state periods, and is low in the third state period,
The digital input/output line is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods,
The emission control signal line is high in the second and third state periods, and low in the first and fourth state periods,
A pixel circuit to which a predetermined data voltage is applied to the data line in the third state period.
제1 저장 캐패시터;
일 단에 제1 전원 신호가 인가되고, 타 단이 상기 제1 저장 캐패시터의 타 단에 연결된 제2 저장 캐패시터;
디스플레이 소자;
데이터 라인과 상기 제1 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 스캔 라인이 연결된 제1 트랜지스터;
기준 전압과 상기 제1 저장 캐패시터의 일 단 사이에 연결되고, 게이트에 디지털 입출력 라인이 연결된 제2 트랜지스터;
소스에 상기 제1 전원 신호가 인가되고, 게이트에 상기 제2 저장 캐패시터의 타 단이 연결된 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 게이트에 상기 디지털 입출력 라인이 연결된 제3 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 상기 디스플레이 소자 사이에 연결되고 게이트에 방출 제어 신호 라인이 연결된 제4 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 드레인과 리셋 전압 사이에 연결되고, 게이트에 리셋 제어 신호 라인이 연결된 제5 트랜지스터;
를 포함하는, 화소 회로.
A first storage capacitor;
A second storage capacitor to which a first power signal is applied and the other end is connected to the other end of the first storage capacitor;
Display elements;
A first transistor connected between a data line and one end of the first storage capacitor, and a scan line connected to a gate;
A second transistor connected between a reference voltage and one end of the first storage capacitor, and a digital input/output line connected to a gate;
A driving transistor to which the first power signal is applied to a source and the other end of the second storage capacitor is connected to a gate;
A third transistor connected between the gate and the drain of the driving transistor and the digital input/output line connected to the gate;
A fourth transistor connected between the drain of the driving transistor and the display device and connected to a gate with an emission control signal line; And
A fifth transistor connected between a drain of the driving transistor and a reset voltage, and a reset control signal line connected to a gate;
Including a pixel circuit.
제 15 항에 있어서,
제1 내지 제4 상태 구간이 시간적으로 반복되고,
상기 스캔 라인은 상기 제1, 제2 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제3 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 디지털 입출력 라인은 상기 제1 및 제2 상태 구간에서는 로우(low)이고 상기 제3 및 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 리셋 제어 신호 라인은 상기 제1 상태 구간에서는 로우(low)이고, 상기 제2 내지 제4 상태 구간에서는 하이(high)이고,
상기 방출 제어 신호 라인은 상기 제1 내지 제3 상태 구간에서는 하이(high)이고, 상기 제4 상태 구간에서는 로우(low)이고,
상기 데이터 라인은 상기 제3 상태 구간에서 소정의 데이터 전압이 인가되는, 화소 회로.
The method of claim 15,
The first to fourth state periods are repeated in time,
The scan line is high in the first, second, and fourth state periods, and is low in the third state period,
The digital input/output line is low in the first and second state periods and high in the third and fourth state periods,
The reset control signal line is low in the first state period and high in the second to fourth state periods,
The emission control signal line is high in the first to third state period and low in the fourth state period,
A pixel circuit to which a predetermined data voltage is applied to the data line in the third state period.
제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항의 화소 회로를 포함하는 디스플레이 장치.A display device comprising the pixel circuit according to any one of claims 1 to 16.
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