KR20210017016A - Electroluminescent Device - Google Patents

Electroluminescent Device Download PDF

Info

Publication number
KR20210017016A
KR20210017016A KR1020190095623A KR20190095623A KR20210017016A KR 20210017016 A KR20210017016 A KR 20210017016A KR 1020190095623 A KR1020190095623 A KR 1020190095623A KR 20190095623 A KR20190095623 A KR 20190095623A KR 20210017016 A KR20210017016 A KR 20210017016A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bank
electrode
subpixels
light emitting
display device
Prior art date
Application number
KR1020190095623A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최정묵
정낙윤
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190095623A priority Critical patent/KR20210017016A/en
Publication of KR20210017016A publication Critical patent/KR20210017016A/en

Links

Images

Classifications

    • H01L27/3246—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H01L27/3211—
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

An electroluminescent display device of the present invention includes: a substrate; a plurality of sub-pixels arranged along first and second directions on the substrate; a light emitting diode disposed in each of the plurality of sub-pixels and including a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode; a first bank formed between adjacent sub-pixels in the second direction and overlapping an edge of the first electrode; a second bank having an opening corresponding to a sub-pixel array arranged in the second direction and formed between adjacent sub-pixels in the first direction; and a third bank formed over the second bank. The third bank includes a first portion extending in the first direction, and the opening is positioned between the two first portions. Accordingly, when the light emitting layer is formed by a solution process, the deviation between nozzles is minimized. Since the bank height is increased at the edge of the display device to decrease the evaporation rate of the solvent, a light emitting layer having a uniform thickness can be formed.

Description

전계발광 표시장치{Electroluminescent Device}Electroluminescent device {Electroluminescent Device}

본 발명은 전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히, 대면적 및 고해상도를 갖는 전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electroluminescent display device, and more particularly, to an electroluminescent display device having a large area and high resolution.

평판표시장치 중 하나인 전계발광 표시장치(Electroluminescent Display Device)는 자체 발광형이기 때문에 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 비해 시야각 등이 우수하며, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 및 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. Electroluminescent Display Device, one of the flat panel display devices, is self-luminous, so it has superior viewing angles compared to Liquid Crystal Display Devices, and it does not require a backlight, so it can be lightweight and thin. , It is also advantageous in terms of power consumption.

또한, 전계발광 표시장치는 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며, 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓으며, 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. In addition, the electroluminescent display device is capable of low-voltage direct current driving, has a fast response speed, and is resistant to external shock because it is all solid, has a wide operating temperature range, and has an advantage of being inexpensive in terms of manufacturing cost.

전계발광 표시장치는 적, 녹, 청색 부화소로 구성된 다수의 화소를 포함하며, 적, 녹, 청색 부화소를 선택적으로 발광시켜 다양한 컬러 영상을 표시한다. The electroluminescent display device includes a plurality of pixels composed of red, green, and blue subpixels, and displays various color images by selectively emitting red, green, and blue subpixels.

적, 녹, 청색 부화소는 각각 적, 녹, 청색 발광층을 포함하며, 일반적으로 각 발광층은 미세 금속 마스크(fine metal mask)를 이용하여 발광물질을 선택적으로 증착하는 진공 열 증착(vacuum thermal evaporation) 공정을 통해 형성된다. Red, green, and blue subpixels each include red, green, and blue light emitting layers, and in general, each light emitting layer is vacuum thermal evaporation in which a light emitting material is selectively deposited using a fine metal mask. It is formed through a process.

그러나, 이러한 증착 공정은 마스크 구비 등에 의해 제조 비용을 증가시키며, 마스크의 제작 편차와, 처짐, 쉐도우 효과(shadow effect) 등에 의해 대면적 및 고해상도 표시장치에 적용하기 어려운 문제가 있다. However, such a deposition process increases the manufacturing cost due to the provision of a mask, and is difficult to apply to a large-area and high-resolution display device due to variations in mask fabrication, sag, and shadow effects.

본 발명은, 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 대면적 및 고해상도를 갖는 전계발광 표시장치를 제공하고자 한다.The present invention has been presented in order to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an electroluminescent display device having a large area and high resolution.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 전계발광 표시장치는 기판과; 상기 기판에 제1 및 제2 방향을 따라 배열된 다수의 부화소와; 상기 다수의 부화소 각각에 위치하며, 제1 전극과 발광층 및 제2 전극을 포함하는 발광다이오드와; 상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되고, 상기 제1 전극의 가장자리와 중첩하는 제1 뱅크와; 상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소 열에 대응하여 개구부를 가지며, 상기 제1 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되는 제2 뱅크와; 상기 제2 뱅크 상부에 형성되는 제3 뱅크를 포함하며, 상기 제3 뱅크는 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분을 포함하고, 두 개의 제1 부분 사이에 상기 개구부가 위치한다.In order to achieve the above object, an electroluminescent display device of the present invention comprises: a substrate; A plurality of subpixels arranged on the substrate along first and second directions; A light emitting diode positioned on each of the plurality of subpixels and including a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode; A first bank formed between adjacent subpixels along the second direction and overlapping an edge of the first electrode; A second bank having openings corresponding to the subpixel rows arranged along the second direction and formed between adjacent subpixels along the first direction; And a third bank formed on the second bank, wherein the third bank includes a first portion extending along the first direction, and the opening is positioned between the two first portions.

인접한 상기 제2 뱅크의 측면과 상기 제1 부분의 측면은 상기 기판에 대해 경사를 가지며, 상기 제1 부분의 측면 경사각은 상기 제2 뱅크의 측면 경사각보다 크거나 같다.A side surface of the adjacent second bank and a side surface of the first portion have an inclination with respect to the substrate, and a side inclination angle of the first portion is greater than or equal to a side inclination angle of the second bank.

상기 제1 부분의 측면 경사각은 20도보다 크거나 같고 90도보다 작거나 같으며, 상기 제2 뱅크의 측면 경사각은 20도보다 크거나 같고 80도보다 작다.The side inclination angle of the first part is greater than or equal to 20 degrees and less than or equal to 90 degrees, and the side inclination angle of the second bank is greater than or equal to 20 degrees and less than 80 degrees.

상기 제1 부분의 측면은 상기 제2 뱅크의 측면과 접촉하거나 이격된다.The side surface of the first portion is in contact with or spaced apart from the side surface of the second bank.

상기 제1 부분의 측면과 상기 제2 뱅크의 측면 사이의 이격 거리는 0보다 크거나 같고 2 mm보다 작거나 같다.The separation distance between the side surface of the first portion and the side surface of the second bank is greater than or equal to 0 and less than or equal to 2 mm.

상기 제3 뱅크는 상기 제2 방향을 따라 연장되는 제2 부분을 더 포함하고, 두 개의 제2 부분 사이에 상기 제1 방향을 따라 배열된 다수의 부화소가 위치한다.The third bank further includes a second portion extending along the second direction, and a plurality of subpixels arranged along the first direction are positioned between the two second portions.

인접한 상기 제2 뱅크의 제1 및 제2 측면과 상기 제1 및 제2 부분의 측면은 상기 기판에 대해 경사를 가지며, 상기 제2 부분의 측면 경사각은 상기 제2 뱅크의 제1 및 제2 측면 경사각보다 크거나 같고 상기 제1 부분의 측면 경사각보다 작거나 같다.The first and second sides of the adjacent second bank and the side surfaces of the first and second portions have an inclination with respect to the substrate, and the side inclination angles of the second portion are the first and second sides of the second bank It is greater than or equal to the tilt angle and less than or equal to the side tilt angle of the first portion.

상기 제1 및 제2 부분의 측면은 상기 제2 뱅크의 제1 및 제2 측면과 각각 접촉하거나 이격된다.Side surfaces of the first and second portions are in contact with or spaced apart from the first and second side surfaces of the second bank, respectively.

상기 제1 부분의 측면과 상기 제2 뱅크의 제1 측면 사이의 이격 거리는 상기 제2 부분의 측면과 상기 제2 뱅크의 제2 측면 사이의 이격 거리보다 작거나 같다.The separation distance between the side surface of the first portion and the first side surface of the second bank is less than or equal to the separation distance between the side surface of the second portion and the second side surface of the second bank.

상기 제1 부분의 높이는 상기 제2 부분의 높이보다 크거나 같다. The height of the first portion is greater than or equal to the height of the second portion.

상기 제1 뱅크는 친수성 특성을 가지며, 상기 제2 뱅크는 소수성 특성을 가진다.The first bank has a hydrophilic property, and the second bank has a hydrophobic property.

상기 제1 뱅크와 상기 제2 뱅크는 일체로 이루어질 수 있다.The first bank and the second bank may be formed integrally.

상기 제1 뱅크는 상기 제1 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 더 형성된다.The first bank is further formed between adjacent subpixels along the first direction.

상기 발광층은 상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소의 상기 제1 전극 상부 및 상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이의 상기 제1 뱅크 상부에 형성되고 일체로 이루어진다.The emission layer is formed on and integrally formed over the first electrode of the subpixels arranged along the second direction and on the first bank between adjacent subpixels along the second direction.

상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 적어도 하나의 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 적어도 하나의 박막트랜지스터와 연결된다.At least one thin film transistor is further included between the substrate and the first electrode, and the first electrode is connected to the at least one thin film transistor.

본 발명에서는, 각 부화소의 발광층을 용액 공정에 의해 형성함으로써, 마스크를 생략하여 제조 비용을 줄일 수 있으며, 대면적 및 고해상도를 갖는 표시장치를 구현할 수 있다.In the present invention, by forming the light emitting layer of each subpixel by a solution process, manufacturing costs can be reduced by omitting a mask, and a display device having a large area and high resolution can be implemented.

또한, 동일 색의 부화소 간의 발광층이 서로 연결되어 일체로 형성되도록 함으로써, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화할 수 있으며, 각 부화소에 형성되는 발광층의 두께를 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 얼룩(mura)을 방지하여 표시장치의 화질 저하를 막을 수 있다.In addition, since the light emitting layers between the subpixels of the same color are connected to each other to be integrally formed, it is possible to minimize the deviation of the drop amount between the nozzles, and the thickness of the light emitting layer formed in each subpixel can be made uniform. Accordingly, mura can be prevented to prevent deterioration of image quality of the display device.

게다가, 표시장치의 가장자리에서 뱅크 높이를 증가시켜 용매의 증발 속도를 감소시킨다. 이에 따라, 표시장치의 가장자리에서 파일업 현상을 완화하여, 표시장치의 가장자리와 중앙에 형성되는 발광층의 두께를 균일하게 할 수 있다.In addition, the evaporation rate of the solvent is reduced by increasing the bank height at the edge of the display device. Accordingly, the pile-up phenomenon at the edge of the display device can be alleviated, and the thickness of the light emitting layer formed at the edge and the center of the display device can be made uniform.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 하나의 화소영역을 나타내는 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3a와 도 3b는 한 화소영역에서 뱅크의 높이에 따른 발광층의 프로파일을 개략적으로 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V'선에 대응하는 단면도이다.
도 6은 도 4의 VI-VI'선에 대응하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 뱅크 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 9는 도 8의 IX-IX'선에 대응하는 단면도이다.
도 10은 도 8의 X-X'선에 대응하는 단면도이다.
도 11a와 도 11b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 뱅크 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a circuit diagram illustrating one pixel area of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
3A and 3B are graphs schematically showing a profile of a light emitting layer according to a bank height in one pixel area.
4 is a schematic plan view of an electroluminescent display device according to a first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view corresponding to line V-V' of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view corresponding to line VI-VI' of FIG. 4.
7 is a cross-sectional view schematically showing a bank configuration according to a first embodiment of the present invention.
8 is a schematic plan view of an electroluminescent display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view corresponding to line IX-IX' of FIG. 8.
10 is a cross-sectional view corresponding to line X-X' of FIG. 8.
11A and 11B are cross-sectional views schematically showing a bank configuration according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 다수의 화소(pixel)를 포함하고, 각 화소는 적, 녹, 청색 부화소(sub pixels)를 포함하며, 각 부화소에 해당하는 화소영역은 도 1과 같은 구성을 가질 수 있다. The electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixels, each pixel includes red, green, and blue subpixels, and a pixel area corresponding to each subpixel is illustrated in FIG. It can have the same configuration as 1.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 하나의 화소영역을 나타내는 회로도이다. 1 is a circuit diagram illustrating one pixel area of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 전계발광 표시장치는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)을 포함하고, 각 화소영역(P)에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst), 그리고 발광다이오드(De)가 형성된다. As shown in FIG. 1, the electroluminescent display device of the present invention includes a gate line GL and a data line DL that cross each other to define a pixel area P, and each pixel area P includes a switching device. A thin film transistor (Ts), a driving thin film transistor (Td), a storage capacitor (Cst), and a light emitting diode (De) are formed.

보다 상세하게, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트 전극은 게이트 배선(GL)에 연결되고 소스 전극은 데이터 배선(DL)에 연결된다. 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인 전극에 연결되고, 소스 전극은 고전위 전압(VDD)에 연결된다. 발광다이오드(De)의 애노드(anode)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극에 연결되고, 캐소드(cathode)는 저전위 전압(VSS)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 드레인 전극에 연결된다. In more detail, the gate electrode of the switching thin film transistor Ts is connected to the gate line GL, and the source electrode is connected to the data line DL. The gate electrode of the driving thin film transistor Td is connected to the drain electrode of the switching thin film transistor Ts, and the source electrode is connected to the high potential voltage VDD. The anode of the light emitting diode De is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor Td, and the cathode is connected to the low potential voltage VSS. The storage capacitor Cst is connected to the gate electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor Td.

이러한 전계발광 표시장치의 영상표시 동작을 살펴보면, 게이트 배선(GL)을 통해 인가된 게이트 신호에 따라 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되고, 이때, 데이터 배선(DL)으로 인가된 데이터 신호가 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다. Looking at the image display operation of the electroluminescent display device, the switching thin film transistor Ts is turned on according to the gate signal applied through the gate line GL, and at this time, the data line DL is used. The applied data signal is applied to the gate electrode of the driving thin film transistor Td and one electrode of the storage capacitor Cst through the switching thin film transistor Ts.

구동 박막트랜지스터(Td)는 데이터 신호에 따라 턴-온 되어 발광다이오드(De)를 흐르는 전류를 제어하여 영상을 표시한다. 발광다이오드(De)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 전달되는 고전위 전압(VDD)의 전류에 의하여 발광한다.The driving thin film transistor Td is turned on according to a data signal and controls the current flowing through the light emitting diode De to display an image. The light emitting diode De emits light by a current of the high potential voltage VDD transmitted through the driving thin film transistor Td.

즉, 발광다이오드(De)를 흐르는 전류의 양은 데이터 신호의 크기에 비례하고, 발광다이오드(De)가 방출하는 빛의 세기는 발광다이오드(De)를 흐르는 전류의 양에 비례하므로, 화소영역(P)은 데이터 신호의 크기에 따라 상이한 계조를 표시하고, 그 결과 전계발광 표시장치는 영상을 표시한다. That is, the amount of current flowing through the light-emitting diode De is proportional to the size of the data signal, and the intensity of light emitted by the light-emitting diode De is proportional to the amount of current flowing through the light-emitting diode De. ) Displays different gray levels according to the size of the data signal, and as a result, the electroluminescent display device displays an image.

스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호에 대응되는 전하를 일 프레임(frame) 동안 유지하여 발광다이오드(De)를 흐르는 전류의 양을 일정하게 하고 발광다이오드(De)가 표시하는 계조를 일정하게 유지시키는 역할을 한다. The storage capacitor Cst maintains the electric charge corresponding to the data signal for one frame to make the amount of current flowing through the light-emitting diode De constant, and keeps the gradation displayed by the light-emitting diode De constant. Do it.

한편, 화소영역(P)에는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(Ts, Td)와 스토리지 커패시터(Cst) 외에 다른 박막트랜지스터와 커패시터가 더 추가될 수도 있다. Meanwhile, in addition to the switching and driving thin film transistors Ts and Td and the storage capacitor Cst, other thin film transistors and capacitors may be further added to the pixel region P.

즉, 전계발광 표시장치에서는, 데이터 신호가 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극에 인가되어, 발광다이오드(De)가 발광하여 계조를 표시하는 상대적으로 긴 시간 동안 구동 박막트랜지스터(Td)가 턴-온 된 상태를 유지하는데, 이러한 데이터 신호의 장시간 인가에 의하여 구동 박막트랜지스터(Td)는 열화(deterioration)될 수 있다. 이에 따라, 구동 박막트랜지스터(Td)의 이동도(mobility) 및/또는 문턱전압(threshold voltage: Vth)이 변하게 되며, 전계발광 표시장치의 화소영역(P)은 동일한 데이터 신호에 대하여 상이한 계조를 표시하게 되고, 휘도 불균일이 나타나 전계발광 표시장치의 화질이 저하된다.That is, in the electroluminescent display device, a data signal is applied to the gate electrode of the driving thin film transistor Td, and the driving thin film transistor Td is turned on for a relatively long period of time during which the light emitting diode De emits light and displays gray levels. The turned-on state is maintained, and the driving thin film transistor Td may be deteriorated due to the application of the data signal for a long time. Accordingly, the mobility and/or threshold voltage (Vth) of the driving thin film transistor Td is changed, and the pixel region P of the electroluminescent display device displays different gray scales for the same data signal. As a result, non-uniformity in luminance appears, and the image quality of the electroluminescent display device deteriorates.

따라서, 이러한 구동 박막트랜지스터(Td)의 이동도 및/또는 문턱전압의 변화를 보상하기 위해, 각 화소영역(P)에는 전압 변화를 감지하기 위한 적어도 하나의 센싱 박막트랜지스터 및/또는 커패시터가 더 추가될 수 있으며, 센싱 박막트랜지스터 및/또는 커패시터는 기준 전압을 인가하고 센싱전압을 출력하기 위한 기준 배선과 연결될 수 있다.Therefore, in order to compensate for the change in the mobility and/or the threshold voltage of the driving thin film transistor Td, at least one sensing thin film transistor and/or a capacitor for detecting a voltage change is further added to each pixel region P. The sensing thin film transistor and/or the capacitor may be connected to a reference wiring for applying a reference voltage and outputting a sensing voltage.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 단면도로, 하나의 화소영역을 도시한다. 2 is a schematic cross-sectional view of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present invention, showing one pixel area.

도 2에 도시한 바와 같이, 기판(110) 상부에 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 실질적으로 기판(110) 전면에 위치한다. 기판(110)은 유리기판이나 플라스틱기판일 수 있다. 일례로, 플라스틱 기판으로 폴리이미드가 사용될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 버퍼층(120)은 산화실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기물질로 형성될 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 2, a buffer layer 120 is formed on the substrate 110. The buffer layer 120 is substantially positioned on the entire surface of the substrate 110. The substrate 110 may be a glass substrate or a plastic substrate. As an example, polyimide may be used as a plastic substrate, but is not limited thereto. The buffer layer 120 may be formed of an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), and may be formed of a single layer or multiple layers.

버퍼층(120) 상부에는 패터닝된 반도체층(122)이 형성된다. 반도체층(122)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있는데, 이 경우 반도체층(122) 하부에는 차광패턴(도시하지 않음)이 더 형성될 수 있으며, 차광패턴은 반도체층(122)으로 입사되는 빛을 차단하여 반도체층(122)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 반도체층(122)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 반도체층(122)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다. A patterned semiconductor layer 122 is formed on the buffer layer 120. The semiconductor layer 122 may be made of an oxide semiconductor material. In this case, a light-shielding pattern (not shown) may be further formed under the semiconductor layer 122, and the light-shielding pattern absorbs light incident on the semiconductor layer 122. By blocking, the semiconductor layer 122 is prevented from being deteriorated by light. Alternatively, the semiconductor layer 122 may be made of polycrystalline silicon, and in this case, impurities may be doped at both edges of the semiconductor layer 122.

반도체층(122) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(130)이 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 이때, 반도체층(122)이 산화물 반도체 물질로 이루어질 경우, 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 반도체층(122)이 다결정 실리콘으로 이루어질 경우, 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 130 made of an insulating material is formed on the semiconductor layer 122 substantially over the entire surface of the substrate 110. The gate insulating layer 130 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx). In this case, when the semiconductor layer 122 is made of an oxide semiconductor material, the gate insulating layer 130 may be made of silicon oxide (SiO 2 ). In contrast, when the semiconductor layer 122 is made of polycrystalline silicon, the gate insulating layer 130 may be made of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx).

게이트 절연막(130) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(132)이 반도체층(122)의 중앙에 대응하여 형성된다. 또한, 게이트 절연막(130) 상부에는 게이트 배선(도시하지 않음)과 제1 커패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트 배선은 제1 방향을 따라 연장되고, 제1 커패시터 전극은 게이트 전극(132)에 연결된다. A gate electrode 132 made of a conductive material such as metal is formed on the gate insulating layer 130 to correspond to the center of the semiconductor layer 122. Further, a gate wiring (not shown) and a first capacitor electrode (not shown) may be formed on the gate insulating layer 130. The gate wiring extends along the first direction, and the first capacitor electrode is connected to the gate electrode 132.

한편, 본 발명의 실시예에서는 게이트 절연막(130)이 기판(110) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(130)은 게이트 전극(132)과 동일한 모양으로 패턴될 수도 있다. Meanwhile, in the embodiment of the present invention, the gate insulating layer 130 is formed on the entire surface of the substrate 110, but the gate insulating layer 130 may be patterned in the same shape as the gate electrode 132.

게이트 전극(132) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(140)이 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 층간 절연막(140)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성되거나, 포토 아크릴(photo acryl)이나 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있다. An interlayer insulating layer 140 made of an insulating material is formed on the gate electrode 132 substantially over the entire surface of the substrate 110. The interlayer insulating layer 140 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), or may be formed of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene. .

층간 절연막(140)은 반도체층(122)의 양측 상면을 노출하는 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)을 가진다. 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 게이트 전극(132)의 양측에 게이트 전극(132)과 이격되어 위치한다. 여기서, 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 게이트 절연막(130) 내에도 형성된다. 이와 달리, 게이트 절연막(130)이 게이트 전극(132)과 동일한 모양으로 패턴될 경우, 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 층간 절연막(140) 내에만 형성된다. The interlayer insulating layer 140 has first and second contact holes 140a and 140b exposing upper surfaces of both sides of the semiconductor layer 122. The first and second contact holes 140a and 140b are positioned on both sides of the gate electrode 132 to be spaced apart from the gate electrode 132. Here, the first and second contact holes 140a and 140b are also formed in the gate insulating layer 130. In contrast, when the gate insulating layer 130 is patterned in the same shape as the gate electrode 132, the first and second contact holes 140a and 140b are formed only in the interlayer insulating layer 140.

층간 절연막(140) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 소스 및 드레인 전극(142, 144)이 형성된다. 또한, 층간 절연막(140) 상부에는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터 배선(도시하지 않음)과 전원 배선(도시하지 않음) 및 제2 커패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. Source and drain electrodes 142 and 144 are formed on the interlayer insulating layer 140 of a conductive material such as a metal. In addition, a data line (not shown), a power line (not shown), and a second capacitor electrode (not shown) extending along the second direction may be formed on the interlayer insulating layer 140.

소스 및 드레인 전극(142, 144)은 게이트 전극(132)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)을 통해 반도체층(122)의 양측과 접촉한다. 도시하지 않았지만, 데이터 배선은 제2 방향을 따라 연장되고 게이트 배선과 교차하여 각 화소영역을 정의하며, 고전위 전압을 공급하는 전원 배선은 데이터 배선과 이격되어 위치한다. 제2 커패시터 전극은 드레인 전극(144)과 연결되고, 제1 커패시터 전극과 중첩하여 둘 사이의 층간 절연막(140)을 유전체로 스토리지 커패시터를 이룬다. 이와 달리, 제1 커패시터 전극이 드레인 전극(144)과 연결되고, 제2 커패시터 전극이 게이트 전극(132)과 연결될 수도 있다. The source and drain electrodes 142 and 144 are positioned to be spaced apart from the gate electrode 132 and contact both sides of the semiconductor layer 122 through the first and second contact holes 140a and 140b, respectively. Although not shown, the data line extends along the second direction and crosses the gate line to define each pixel region, and the power line supplying the high potential voltage is located apart from the data line. The second capacitor electrode is connected to the drain electrode 144 and overlaps the first capacitor electrode to form a storage capacitor using the interlayer insulating layer 140 between the two as a dielectric. Alternatively, the first capacitor electrode may be connected to the drain electrode 144 and the second capacitor electrode may be connected to the gate electrode 132.

한편, 반도체층(122)과, 게이트 전극(132), 그리고 소스 및 드레인 전극(142, 144)은 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다. 여기서, 박막트랜지스터(Tr)는 반도체층(122)의 일측, 즉, 반도체층(122)의 상부에 게이트 전극(132)과 소스 및 드레인 전극(142, 144)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.Meanwhile, the semiconductor layer 122, the gate electrode 132, and the source and drain electrodes 142 and 144 form a thin film transistor Tr. Here, the thin film transistor Tr is a coplanar structure in which the gate electrode 132 and the source and drain electrodes 142 and 144 are located on one side of the semiconductor layer 122, that is, on the semiconductor layer 122 Have.

이와 달리, 박막트랜지스터(Tr)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 및 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 산화물 반도체 물질 또는 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. Alternatively, the thin film transistor Tr may have an inverted staggered structure in which a gate electrode is located under the semiconductor layer and source and drain electrodes are located above the semiconductor layer. In this case, the semiconductor layer may be made of an oxide semiconductor material or amorphous silicon.

여기서, 박막트랜지스터(Tr)는 구동 박막트랜지스터(도 1의 Td)에 해당하며, 구동 박막트랜지스터(Tr)와 동일한 구조의 스위칭 박막트랜지스터(도시하지 않음)가 각 화소영역의 기판(110) 상에 더 형성된다. 구동 박막트랜지스터(Tr)의 게이트 전극(132)은 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극(도시하지 않음)에 연결되고 구동 박막트랜지스터(Tr)의 소스 전극(142)은 전원 배선(도시하지 않음)에 연결된다. 또한, 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극(도시하지 않음)과 소스 전극(도시하지 않음)은 게이트 배선 및 데이터 배선과 각각 연결된다.Here, the thin film transistor Tr corresponds to the driving thin film transistor (Td in FIG. 1), and a switching thin film transistor (not shown) having the same structure as the driving thin film transistor Tr is placed on the substrate 110 of each pixel area. More formed. The gate electrode 132 of the driving thin film transistor Tr is connected to a drain electrode (not shown) of the switching thin film transistor, and the source electrode 142 of the driving thin film transistor Tr is connected to a power line (not shown). . In addition, a gate electrode (not shown) and a source electrode (not shown) of the switching thin film transistor are connected to a gate line and a data line, respectively.

또한, 구동 박막트랜지스터(Tr)와 동일한 구조의 센싱 박막트랜지스터가 각 화소영역의 기판(110) 상에 더 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.Also, a sensing thin film transistor having the same structure as the driving thin film transistor Tr may be further formed on the substrate 110 in each pixel region, but is not limited thereto.

소스 및 드레인 전극(142, 144) 상부에는 절연물질로 오버코트층(150)이 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 오버코트층(150)은 포토 아크릴이나 벤조사이클로부텐과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있다. 이러한 오버코트층(150)의 상면은 평탄할 수 있다. On the source and drain electrodes 142 and 144, an overcoat layer 150 made of an insulating material is substantially formed on the entire surface of the substrate 110. The overcoat layer 150 may be formed of an organic insulating material such as photoacryl or benzocyclobutene. The top surface of the overcoat layer 150 may be flat.

한편, 오버코트층(150) 하부에는 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 이루어진 절연막이 더 형성될 수 있다. Meanwhile, an insulating layer made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) may be further formed under the overcoat layer 150.

오버코트층(150)은 드레인 전극(144)을 노출하는 드레인 컨택홀(150a)을 가진다. 여기서, 드레인 컨택홀(150a)은 제2 컨택홀(140b)과 이격되어 형성될 수 있다. 이와 달리, 드레인 컨택홀(150a)은 제2 컨택홀(140b) 바로 위에 형성될 수도 있다.The overcoat layer 150 has a drain contact hole 150a exposing the drain electrode 144. Here, the drain contact hole 150a may be formed to be spaced apart from the second contact hole 140b. Alternatively, the drain contact hole 150a may be formed directly above the second contact hole 140b.

오버코트층(150) 상부에는 비교적 일함수가 높은 도전성 물질로 제1 전극(162)이 형성된다. 제1 전극(162)은 각 화소영역마다 형성되고, 드레인 컨택홀(150a)을 통해 드레인 전극(144)과 접촉한다. 일례로, 제1 전극(162)은 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide: ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium zinc oxide: IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. A first electrode 162 is formed on the overcoat layer 150 of a conductive material having a relatively high work function. The first electrode 162 is formed in each pixel region and contacts the drain electrode 144 through the drain contact hole 150a. For example, the first electrode 162 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), but is not limited thereto. .

한편, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 발광다이오드의 빛이 기판(110)과 반대 방향으로 출력되는 상부 발광 방식(top emission type)일 수 있으며, 이에 따라, 제1 전극(162)은 투명 도전성 물질 하부에 반사율이 높은 금속 물질로 형성되는 반사전극 또는 반사층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사전극 또는 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-palladium-copper: APC) 합금이나 은(Ag)으로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 전극(162)은 ITO/APC/ITO나 ITO/Ag/ITO의 3중층 구조를 가질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.Meanwhile, the electroluminescent display device according to the exemplary embodiment of the present invention may be a top emission type in which light from a light emitting diode is output in a direction opposite to the substrate 110, and accordingly, the first electrode 162 The silver may further include a reflective electrode or a reflective layer formed of a metal material having a high reflectivity under the transparent conductive material. For example, the reflective electrode or the reflective layer may be made of an aluminum-palladium-copper (APC) alloy or silver (Ag). In this case, the first electrode 162 may have a triple layer structure of ITO/APC/ITO or ITO/Ag/ITO, but is not limited thereto.

제1 전극(162) 상부에는 절연물질로 뱅크(172, 174)가 형성된다. 뱅크(172, 174)는 친수성의 제1 뱅크(172)와 소수성의 제2 뱅크(174)를 포함할 수 있다. Banks 172 and 174 are formed on the first electrode 162 of an insulating material. The banks 172 and 174 may include a hydrophilic first bank 172 and a hydrophobic second bank 174.

보다 상세하게, 제1 뱅크(172)는 제1 전극(162)의 가장자리와 중첩하고, 제1 전극(162)의 가장자리를 덮으며, 제1 전극(162)의 중앙부를 노출한다. 이러한 제1 뱅크(172)는 친수성 특성을 갖는 물질, 일례로, 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 폴리이미드로 형성될 수도 있다. In more detail, the first bank 172 overlaps the edge of the first electrode 162, covers the edge of the first electrode 162, and exposes the central portion of the first electrode 162. The first bank 172 may be formed of a material having hydrophilic properties, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx). Alternatively, the first bank 172 may be formed of polyimide.

제1 뱅크(172) 상부에는 제2 뱅크(174)가 형성된다. 이때, 제2 뱅크(174)의 적어도 상면은 소수성이며, 제2 뱅크(174)의 측면은 소수성 또는 친수성일 수 있다.A second bank 174 is formed on the first bank 172. At this time, at least an upper surface of the second bank 174 may be hydrophobic, and a side surface of the second bank 174 may be hydrophobic or hydrophilic.

제2 뱅크(174)는 제1 뱅크(172)보다 좁은 폭을 가지고 제1 뱅크(172) 상부에 위치하며, 제1 뱅크(172)의 가장자리를 노출한다. 제2 뱅크(174)의 두께는 제1 뱅크(172)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 제2 뱅크(174)는 제1 전극(162)의 가장자리와 중첩할 수 있다. 이와 달리, 제2 뱅크(174)는 제1 전극(162)과 중첩하지 않고 이격될 수도 있다.The second bank 174 has a narrower width than the first bank 172 and is located above the first bank 172, and exposes the edge of the first bank 172. The thickness of the second bank 174 may be thicker than the thickness of the first bank 172. The second bank 174 may overlap the edge of the first electrode 162. Alternatively, the second bank 174 may be spaced apart without overlapping with the first electrode 162.

이러한 제2 뱅크(174)는 소수성 특성을 갖는 유기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제2 뱅크(174)는 친수성 특성을 갖는 유기절연물질로 형성되고 소수성 처리될 수도 있다. The second bank 174 may be formed of an organic insulating material having hydrophobic properties. Alternatively, the second bank 174 may be formed of an organic insulating material having hydrophilic properties and may be subjected to hydrophobic treatment.

한편, 도시하지 않은 제1 전극(162)의 다른 가장자리 상부에는 제1 뱅크(172)만이 위치할 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 제1 전극(162)의 가장자리 상부에 제1 뱅크(172)와 제2 뱅크(174)가 형성되어 있으나, 제1 뱅크(172)가 생략되고 제2 뱅크(174)만이 제1 전극(162)의 가장자리와 중첩하며 제1 전극(162)의 가장자리를 덮을 수 있다.Meanwhile, only the first bank 172 may be positioned above the other edge of the first electrode 162 (not shown). In addition, although the first bank 172 and the second bank 174 are formed on the upper edge of the first electrode 162 shown in FIG. 2, the first bank 172 is omitted and the second bank 174 Only overlaps the edge of the first electrode 162 and may cover the edge of the first electrode 162.

또한, 도 2에서는 제1 뱅크(172)와 제2 뱅크(174)가 다른 물질로 분리되어 형성되어 있으나, 친수성의 제1 뱅크(172)와 소수성의 제2 뱅크(174)는 동일 물질로 이루어지고, 일체로 형성될 수도 있다. 일례로, 상면이 소수성인 유기물층을 기판(110) 전면에 형성한 다음, 투과부와 차단부 및 반투과부를 포함하는 하프톤 마스크를 이용하여 이를 패터닝함으로써, 서로 다른 폭과 두께를 갖는 제1 뱅크(172)와 제2 뱅크(174)를 형성할 수도 있다. In addition, in FIG. 2, the first bank 172 and the second bank 174 are formed by being separated by different materials, but the hydrophilic first bank 172 and the hydrophobic second bank 174 are made of the same material. And may be formed integrally. For example, an organic material layer having a hydrophobic upper surface is formed on the entire surface of the substrate 110, and then patterned using a halftone mask including a transmissive portion, a blocking portion, and a semitransmissive portion, thereby first banks having different widths and thicknesses ( 172 and a second bank 174 may be formed.

제1 및 제2 뱅크(172, 174)를 통해 노출된 제1 전극(162) 상부에는 발광층(180)이 형성된다. The light emitting layer 180 is formed on the first electrode 162 exposed through the first and second banks 172 and 174.

도시하지 않았지만, 발광층(180)은 제1 전극(162) 상부로부터 순차적으로 위치하는 제1 전하보조층과, 발광물질층(light-emitting material layer), 그리고 제2 전하보조층을 포함할 수 있다. 발광물질층은 적, 녹, 청색 발광물질 중 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 이러한 발광물질은 인광화합물 또는 형광화합물과 같은 유기발광물질이거나 양자 점(quantum dot)과 같은 무기발광물질일 수 있다.Although not shown, the emission layer 180 may include a first charge auxiliary layer sequentially positioned from the top of the first electrode 162, a light-emitting material layer, and a second charge auxiliary layer. . The light emitting material layer may be made of any one of red, green, and blue light emitting materials, but is not limited thereto. Such a light emitting material may be an organic light emitting material such as a phosphorescent compound or a fluorescent compound, or an inorganic light emitting material such as a quantum dot.

제1 전하보조층은 정공보조층(hole auxiliary layer)일 수 있으며, 정공보조층은 정공주입층(hole injection layer: HIL)과 정공수송층(hole transport layer: HTL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2 전하보조층은 전자보조층(electron auxiliary layer)일 수 있으며, 전자보조층은 전자주입층(electron injection layer: EIL)과 전자수송층(electron transport layer: ETL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.The first charge auxiliary layer may be a hole auxiliary layer, and the hole auxiliary layer may include at least one of a hole injection layer (HIL) and a hole transport layer (HTL). . In addition, the second charge auxiliary layer may be an electron auxiliary layer, and the electron auxiliary layer may include at least one of an electron injection layer (EIL) and an electron transport layer (ETL). I can. However, the present invention is not limited thereto.

이러한 발광층(180)은 용액 공정(solution process)을 통해 형성된다. 이에 따라, 공정을 단순화하고 대면적 및 고해상도의 표시장치를 제공할 수 있다. 용액 공정으로는 스핀 코팅법이나 잉크젯 프린팅법 또는 스크린 프린팅법이 사용될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The emission layer 180 is formed through a solution process. Accordingly, a process can be simplified and a display device having a large area and high resolution can be provided. The solution process may be a spin coating method, an inkjet printing method, or a screen printing method, but is not limited thereto.

여기서, 용액이 건조될 때, 제2 뱅크(174)에 인접한 부분과 다른 부분에서는 용매의 증발 속도에 차이가 있다. 즉, 제2 뱅크(174) 근처에서 용매의 증발 속도가 다른 부분에서보다 빠르며, 이에 따라, 제2 뱅크(174) 근처에서 발광층(180)은 제2 뱅크(174)에 가까워질수록 그 높이가 높아진다.Here, when the solution is dried, there is a difference in the evaporation rate of the solvent in a portion adjacent to the second bank 174 and a portion other than the second bank 174. That is, the evaporation rate of the solvent in the vicinity of the second bank 174 is faster than in other parts, and accordingly, the height of the light emitting layer 180 near the second bank 174 increases as it approaches the second bank 174. It gets higher.

한편, 발광층(180) 중에서, 전자보조층은 증착 공정을 통해 형성될 수도 있다. 이때, 전자보조층은 실질적으로 기판(110) 전면에 형성될 수 있다.Meanwhile, among the light emitting layers 180, the electron auxiliary layer may be formed through a deposition process. In this case, the electronic auxiliary layer may be substantially formed on the entire surface of the substrate 110.

발광층(180) 상부에는 비교적 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어진 제2 전극(190)이 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 여기서, 제2 전극(190)은 알루미늄(aluminum)이나 마그네슘(magnesium), 은(silver) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 이때, 제2 전극(190)은 발광층(180)으로부터의 빛이 투과될 수 있도록 상대적으로 얇은 두께를 가진다. 이와 달리, 제2 전극(190)은 인듐-갈륨-옥사이드(indium-gallium-oxide: IGO)와 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.A second electrode 190 made of a conductive material having a relatively low work function is substantially formed on the entire surface of the substrate 110 on the emission layer 180. Here, the second electrode 190 may be formed of aluminum, magnesium, silver, or an alloy thereof. In this case, the second electrode 190 has a relatively thin thickness so that light from the emission layer 180 can be transmitted. Alternatively, the second electrode 190 may be formed of a transparent conductive material such as indium-gallium-oxide (IGO), but is not limited thereto.

제1 전극(162)과 발광층(180) 및 제2 전극(190)은 발광다이오드(De)를 이룬다. 여기서, 제1 전극(162)은 애노드(anode)의 역할을 하고, 제2 전극(190)은 캐소드(cathode)의 역할을 할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The first electrode 162, the light emitting layer 180, and the second electrode 190 form a light emitting diode De. Here, the first electrode 162 may serve as an anode, and the second electrode 190 may serve as a cathode, but is not limited thereto.

앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 발광다이오드(De)의 발광층(180)으로부터의 빛이 기판(110)과 반대 방향, 즉, 제2 전극(190)을 통해 외부로 출력되는 상부 발광 방식일 수 있으며, 이러한 상부 발광 방식은 동일 면적 대비 보다 넓은 발광영역을 가질 수 있으므로, 휘도를 향상시키고 소비 전력을 낮출 수 있다.As mentioned above, in the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention, light from the light emitting layer 180 of the light emitting diode De is in the opposite direction to the substrate 110, that is, through the second electrode 190. The top emission method may be output to the outside, and this top emission method may have a wider emission area compared to the same area, thereby improving luminance and lowering power consumption.

이때, 각 화소영역의 발광다이오드(De)는 방출하는 빛의 파장에 따라 마이크로 캐비티 효과에 해당하는 소자 두께를 가질 수 있으며, 이에 따라, 광 효율을 높일 수 있다.In this case, the light emitting diodes De in each pixel region may have a device thickness corresponding to the micro-cavity effect according to the wavelength of the emitted light, thereby increasing light efficiency.

또한, 제2 전극(190) 상부의 실질적으로 기판(110) 전면에는 보호층 및/또는 봉지층(도시하지 않음)이 형성되어, 외부에서 유입되는 수분이나 산소를 차단함으로써 발광다이오드(De)를 보호할 수 있다.In addition, a protective layer and/or an encapsulation layer (not shown) is formed substantially on the entire surface of the substrate 110 above the second electrode 190 to block moisture or oxygen introduced from the outside, thereby preventing the light emitting diode De. Can protect.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서는 발광층(180)을 용액 공정에 의해 형성함으로써, 미세 금속 마스크를 생략하여 제조 비용을 줄일 수 있으며, 대면적 및 고해상도를 갖는 표시장치를 구현할 수 있다. As described above, in the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention, by forming the light emitting layer 180 by a solution process, manufacturing cost can be reduced by omitting a fine metal mask, and a display device having a large area and high resolution can be implemented. I can.

그런데, 용액 공정을 이용하여 발광층(180)을 형성하는 경우, 한 번에 다수의 부화소 각각에 용액이 적하(drop)되며, 이를 위해 각 부화소에는 서로 다른 노즐이 사용된다. 이때, 노즐 간의 적하량 편차에 따라 각 부화소에 형성되는 박막 두께의 편차가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 동일 색의 부화소 간의 발광층(180)이 서로 연결되어 일체로 형성되도록 함으로써, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화하며, 각 부화소에 형성되는 박막 두께를 균일하게 한다. However, when the light emitting layer 180 is formed using a solution process, a solution is dropped onto each of a plurality of subpixels at once, and for this purpose, different nozzles are used for each subpixel. In this case, a variation in thickness of a thin film formed in each subpixel may occur according to a variation in the amount of dripping between nozzles. Accordingly, in the present invention, the light emitting layers 180 between the subpixels of the same color are connected to each other to be integrally formed, thereby minimizing the variation in the amount of dropping between nozzles, and making the thickness of the thin film formed on each subpixel uniform.

한편, 용액 공정에서는, 발광층(180)을 형성하기 위해 적하된 용액을 건조시키는 공정이 진행된다. 이때, 표시장치의 중앙에서는 주변에 용액이 균일하게 위치하므로 용액의 포화도가 높은 반면, 가장자리에서는 주변 일부에만 용액이 위치하므로 용액의 포화도가 낮아 용매가 빠르게 증발한다. 이에 따라, 가장자리에서 파일업(pile-up) 현상이 발생하며, 가장자리에 위치하는 부화소와 중앙에 위치하는 부화소의 발광층(180) 간에 두께 불균일이 나타난다. 이러한 파일업 현상은 뱅크의 높이가 높아질수록 완화된다. Meanwhile, in the solution process, a process of drying the dropped solution to form the light emitting layer 180 is performed. At this time, since the solution is uniformly located around the display device, the saturation of the solution is high, while the solution is located only in a part of the surrounding area at the edge, so the saturation of the solution is low and the solvent evaporates quickly. Accordingly, a pile-up phenomenon occurs at the edge, and thickness non-uniformity appears between the subpixel positioned at the edge and the light emitting layer 180 of the subpixel positioned at the center. This pile-up phenomenon is alleviated as the height of the bank increases.

도 3a와 도 3b는 한 화소영역에서 뱅크의 높이에 따른 발광층의 프로파일을 개략적으로 도시한 그래프로, 도 3a는 화소영역의 단축 방향에 대한 발광층의 프로파일을 도시하고, 도 3b는 화소영역의 장축 방향에 대한 발광층의 프로파일을 도시한다. 여기서, 발광층은 정공주입층에 해당하며, 뱅크의 높이는 각각 1.3 ㎛, 1.5 ㎛, 1.75 ㎛이다. 3A and 3B are graphs schematically showing the profile of the emission layer according to the height of the bank in one pixel area, FIG. 3A shows the profile of the emission layer in the short axis direction of the pixel area, and FIG. 3B is the long axis of the pixel area. Shows the profile of the light emitting layer with respect to the direction. Here, the light emitting layer corresponds to the hole injection layer, and the heights of the banks are 1.3 µm, 1.5 µm, and 1.75 µm, respectively.

도 3a와 도 3b에 도시한 바와 같이, 뱅크의 높이가 높아질수록 화소영역의 가장자리에서 파일업 현상이 완화되는 것을 확인할 수 있다. 이러한 파일업 현상은 화소영역의 단축 방향에 비해 장축 방향에서 심하게 발생한다.As shown in FIGS. 3A and 3B, it can be seen that as the height of the bank increases, the pile-up phenomenon at the edge of the pixel area is alleviated. This pile-up phenomenon occurs more severely in the long axis direction than in the short axis direction of the pixel area.

따라서, 본 발명에서는 표시장치의 가장자리에서 뱅크의 높이를 중앙에서보다 높게 하여 파일업 현상을 완화한다. Accordingly, in the present invention, the pile-up phenomenon is alleviated by increasing the height of the bank at the edge of the display device than at the center.

<제1 실시예><First Example>

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 평면도로, 뱅크 구성을 중심으로 도시한다. 4 is a schematic plan view of an electroluminescent display device according to a first embodiment of the present invention, showing a bank configuration as the center.

도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)를 포함하고, 제1 방향을 따라 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)가 순차적으로 위치하며, 제2 방향을 따라 동일 색의 부화소(R, G, B)가 위치한다. 여기서, 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)는 사각형 형태를 가지는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않으며, 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)는 모서리가 곡선형태의 사각형이나 타원형 등 다양한 모양을 가질 수 있다.As shown in FIG. 4, the electroluminescent display device according to the first exemplary embodiment of the present invention includes red, green, and blue subpixels (R, G, B), and red, green, and blue subpixels along a first direction. Subpixels R, G, and B are sequentially positioned, and subpixels R, G, and B of the same color are positioned along the second direction. Here, the red, green, and blue subpixels (R, G, B) are shown to have a rectangular shape, but are not limited thereto, and the red, green, and blue subpixels (R, G, B) have a curved edge. It can have a variety of shapes such as square or oval.

인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이 및 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에는 친수성의 제1 뱅크(172)가 위치한다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 생략되어 있을 수 있다. 즉, 제1 뱅크(172)는 제2 방향을 따라 인접한 부화소(R, G, B) 사이에서 제1 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 제1 뱅크(172)는 모든 부화소(R, G, B)를 둘러싸도록 형성될 수 있다.A hydrophilic first bank 172 is positioned between adjacent subpixels R, G, and B of the same color and between adjacent subpixels R, G and B of different colors. Alternatively, the first bank 172 may be omitted between adjacent subpixels R, G, and B of different colors. That is, the first bank 172 may be formed to extend in the first direction between adjacent subpixels R, G, and B along the second direction. In addition, the first bank 172 may be formed to surround all subpixels R, G, and B.

이어, 제1 뱅크(172) 상부에는 소수성의 제2 뱅크(174)가 위치한다. 제2 뱅크(174)는 동일 색의 부화소(R, G, B) 열에 대응하여 개구부(174a)를 가지며, 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에 위치한다. 이에 따라, 개구부(174a)는 제2 방향을 따라 연장되며, 제2 방향의 길이는 제1 방향의 길이보다 길다. 즉, 개구부(174a)는 제1 방향에 평행한 단변을 가지며, 제2 방향에 평행한 장변을 가진다. 이때, 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 제2 뱅크(174)는 제1 뱅크(172)보다 좁은 폭을 가질 수 있다. Subsequently, a hydrophobic second bank 174 is positioned above the first bank 172. The second bank 174 has openings 174a corresponding to rows of subpixels R, G, and B of the same color, and is located between adjacent subpixels R, G, and B of different colors. Accordingly, the opening 174a extends in the second direction, and the length in the second direction is longer than the length in the first direction. That is, the opening 174a has a short side parallel to the first direction and a long side parallel to the second direction. In this case, the second bank 174 may have a narrower width than the first bank 172 between adjacent subpixels R, G, and B of different colors.

한편, 제2 뱅크(174) 상부에는 제3 뱅크(176)가 형성된다. 제3 뱅크(176)는 제1 방향을 따라 연장되며 도면 상에서 개구부(174a)의 상하에 각각 위치한다. 즉, 제3 뱅크(176)는 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분을 포함하고, 제2 방향을 따라 연장되는 개구부(174a)는 두 개의 제1 부분 사이에 위치한다. 이때, 제2 방향을 따라 배열된 동일 색의 부화소(R, G, B) 모두는 두 개의 제1 부분 사이에 위치한다. Meanwhile, a third bank 176 is formed on the second bank 174. The third bank 176 extends in the first direction and is positioned above and below the opening 174a in the drawing. That is, the third bank 176 includes a first portion extending along the first direction, and the opening 174a extending along the second direction is positioned between the two first portions. In this case, all of the subpixels R, G, and B of the same color arranged along the second direction are positioned between the two first portions.

이러한 제3 뱅크(176)는 친수성 또는 소수성 특성을 가질 수 있다. This third bank 176 may have hydrophilic or hydrophobic properties.

이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 단면 구조에 대해 도 5와 도 6을 참조하여 설명한다.A cross-sectional structure of the electroluminescent display device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5는 도 4의 V-V'선에 대응하는 단면도이고, 도 6은 도 4의 VI-VI'선에 대응하는 단면도이다. 5 is a cross-sectional view corresponding to line V-V' of FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view corresponding to line VI-VI' of FIG. 4.

도 5와 도 6에 도시한 바와 같이, 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)에 각각 대응하는 다수의 화소영역(P)이 정의된 기판(110) 상에 버퍼층(120)과 박막트랜지스터(Tr) 및 오버코트층(150)이 순차적으로 형성되고, 오버코트층(160) 상의 각 화소영역(P)에는 제1 전극(162)이 형성된다. 5 and 6, a buffer layer 120 and a buffer layer 120 on the substrate 110 in which a plurality of pixel regions P corresponding to red, green, and blue subpixels R, G, and B, respectively, are defined. The thin film transistor Tr and the overcoat layer 150 are sequentially formed, and a first electrode 162 is formed in each pixel region P on the overcoat layer 160.

여기서, 박막트랜지스터(Tr)는 도 2와 같은 구성을 가질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 또한, 도시하지 않았지만, 버퍼층(120)과 오버코트층(160) 사이에는 게이트 절연막과 층간 절연막이 더 형성될 수 있다. Here, the thin film transistor Tr may have the configuration as shown in FIG. 2, but is not limited thereto. Further, although not shown, a gate insulating layer and an interlayer insulating layer may be further formed between the buffer layer 120 and the overcoat layer 160.

오버코트층(150)은 박막트랜지스터(Tr)의 일부, 즉, 드레인 전극을 노출하는 드레인 컨택홀(150a)을 가지며, 제1 전극(162)은 드레인 컨택홀(150a)을 통해 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극과 접촉한다. The overcoat layer 150 has a portion of the thin film transistor Tr, that is, a drain contact hole 150a exposing the drain electrode, and the first electrode 162 is a thin film transistor Tr through the drain contact hole 150a. In contact with the drain electrode.

한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 더미 부화소를 포함할 수 있다. 즉, 도 6에서 양단 각각의 적어도 하나의 화소영역(P)은 빛이 발광되지 않는 더미 부화소 영역(Pd)일 수 있으며, 더미 부화소 영역(Pd) 사이의 화소영역(P)은 발광부를 이룬다. Meanwhile, the electroluminescent display device according to the first embodiment of the present invention may include a dummy subpixel. That is, in FIG. 6, at least one pixel region P at each end may be a dummy subpixel region Pd in which light is not emitted, and a pixel region P between the dummy subpixel regions Pd is a light emitting unit. Achieve.

이러한 더미 부화소 영역(Pd)에는 발광부의 화소 영역(P)과 마찬가지로 박막트랜지스터(Tr) 및 제1 전극(162)이 형성될 수 있으나, 드레인 컨택홀(150a)은 형성되지 않는다. 이에 따라, 제1 전극(162)은 박막트랜지스터(Tr)에 연결되지 않는다. In the dummy subpixel region Pd, the thin film transistor Tr and the first electrode 162 may be formed in the same manner as the pixel region P of the light emitting part, but the drain contact hole 150a is not formed. Accordingly, the first electrode 162 is not connected to the thin film transistor Tr.

이와 달리, 더미 부화소 영역(Pd)에는 박막트랜지스터(Tr) 및/또는 제1 전극(162)이 생략될 수도 있다. Alternatively, the thin film transistor Tr and/or the first electrode 162 may be omitted in the dummy subpixel region Pd.

또한, 도시하지 않았지만, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 더미 부화소 열을 포함할 수도 있다. 즉, 도 4에서 제1 방향을 따라 양단의 적어도 하나의 부화소 열은 더미 부화소들로 이루어진 더미 부화소 열일 수 있으며, 이러한 더미 부화소 열의 각 더미 부화소는 도 6의 더미 부화소 영역(Pd)과 동일한 구성을 가질 수 있다. Further, although not shown, the electroluminescent display device according to the first exemplary embodiment of the present invention may include dummy subpixel rows. That is, in FIG. 4, at least one subpixel row at both ends along the first direction may be a dummy subpixel row composed of dummy subpixels, and each dummy subpixel of the dummy subpixel row is a dummy subpixel region Pd ) And can have the same configuration.

제1 전극(162) 상부에는 친수성의 제1 뱅크(172)가 형성된다. 제1 뱅크(172)는 제1 전극(162)의 가장자리와 중첩하며, 제1 전극(162)의 가장자리를 덮는다. 제1 뱅크(172)는 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이 및 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에 형성된다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 생략되고, 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에만 형성될 수도 있다.A hydrophilic first bank 172 is formed on the first electrode 162. The first bank 172 overlaps the edge of the first electrode 162 and covers the edge of the first electrode 162. The first bank 172 is formed between adjacent subpixels R, G, and B of the same color and between adjacent subpixels R, G, and B of different colors. Alternatively, the first bank 172 may be omitted between adjacent subpixels R, G, and B of different colors, and may be formed only between adjacent subpixels R, G, and B of the same color.

제1 뱅크(172)는 친수성 특성을 갖는 물질, 일례로, 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 폴리이미드로 형성될 수도 있다.The first bank 172 may be formed of a material having hydrophilic properties, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx). Alternatively, the first bank 172 may be formed of polyimide.

또한, 제1 뱅크(172) 상부에는 소수성의 제2 뱅크(174)가 형성된다. 제2 뱅크(174)는 제1 뱅크(172)보다 두꺼운 두께를 가지며, 제2 뱅크(174)는 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에만 형성되고, 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에는 형성되지 않는다. 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 제2 뱅크(174)의 폭은 제1 뱅크(172)의 폭보다 좁다. In addition, a hydrophobic second bank 174 is formed on the first bank 172. The second bank 174 has a thickness thicker than that of the first bank 172, and the second bank 174 is formed only between adjacent subpixels R, G, and B of different colors, It is not formed between the pixels R, G, and B. The width of the second bank 174 between adjacent subpixels R, G, and B of different colors is narrower than the width of the first bank 172.

제2 뱅크(174)는 동일 색의 부화소(R, G, B) 열에 대응하여 개구부(174a)를 가지며, 개구부(174a)를 통해 동일 색의 부화소(R, G, B) 열의 제1 전극(162)과 제1 전극(162) 사이의 제1 뱅크(172)를 노출한다. The second bank 174 has an opening 174a corresponding to the row of subpixels (R, G, B) of the same color, and through the opening 174a, the first bank of the row of subpixels (R, G, B) of the same color The first bank 172 between the electrode 162 and the first electrode 162 is exposed.

여기서, 제1 뱅크(172)가 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 생략될 경우, 제2 뱅크(174)는 도 5의 제1 전극(162)의 가장자리와 접촉 및 중첩하며 제1 전극(162)의 가장자리를 덮는다. Here, when the first bank 172 is omitted between adjacent subpixels R, G, and B of different colors, the second bank 174 contacts the edge of the first electrode 162 of FIG. Overlap and cover the edge of the first electrode 162.

제2 뱅크(174)는 소수성 특성을 갖는 유기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제2 뱅크(174)는 친수성 특성을 갖는 유기물질로 형성된 후 소수성 처리될 수 있다. The second bank 174 may be formed of an organic insulating material having hydrophobic properties. Alternatively, the second bank 174 may be formed of an organic material having hydrophilic properties and then subjected to hydrophobic treatment.

한편, 친수성의 제1 뱅크(172)와 소수성의 제2 뱅크(174)는 동일 물질로 이루어지고, 일체로 형성될 수도 있다.Meanwhile, the hydrophilic first bank 172 and the hydrophobic second bank 174 are made of the same material and may be integrally formed.

다음, 제2 뱅크(174) 상부에는 제3 뱅크(176)가 형성된다. 제3 뱅크(176)는 친수성 또는 소수성 특성을 가질 수 있다. Next, a third bank 176 is formed on the second bank 174. The third bank 176 may have hydrophilic or hydrophobic properties.

이러한 제3 뱅크(176)는 동일 색의 부화소(R, G, B) 열의 양측, 즉, 개구부(174a)의 단변측에 각각 형성된다. These third banks 176 are formed on both sides of the row of subpixels R, G, and B of the same color, that is, on the short side of the opening 174a.

여기서, 인접한 제2 뱅크(174)의 측면과 제3 뱅크(176)의 측면은 기판(110)에 대해 경사를 가질 수 있으며, 제3 뱅크(176)의 측면 경사각은 제2 뱅크(174)의 측면 경사각보다 크거나 같을 수 있다. Here, the side of the adjacent second bank 174 and the side of the third bank 176 may have an inclination with respect to the substrate 110, and the side inclination angle of the third bank 176 is It can be greater than or equal to the lateral tilt angle.

또한, 제3 뱅크(176)의 측면은 제2 뱅크(174)의 측면과 이격될 수 있다. 이와 달리, 제3 뱅크(176)의 측면은 제2 뱅크(174)의 측면과 접촉할 수도 있다. In addition, a side surface of the third bank 176 may be spaced apart from a side surface of the second bank 174. Alternatively, the side surface of the third bank 176 may contact the side surface of the second bank 174.

한편, 제3 뱅크(176)의 높이는 제2 뱅크(174)의 높이보다 작을 수 있다. 이와 달리, 제3 뱅크(176)의 높이는 제2 뱅크(174)의 높이보다 크거나 같을 수 있다.Meanwhile, the height of the third bank 176 may be smaller than the height of the second bank 174. Alternatively, the height of the third bank 176 may be greater than or equal to the height of the second bank 174.

이러한 제2 뱅크(174)와 제3 뱅크(176)의 구성에 대해 도 7을 참조하여 보다 상세히 설명한다. The configurations of the second bank 174 and the third bank 176 will be described in more detail with reference to FIG. 7.

도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 뱅크 구성을 개략적으로 도시한 단면도로, 제2 뱅크(174)와 제3 뱅크(176)의 단면을 도시한다.7 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a bank according to the first embodiment of the present invention, showing cross-sections of the second bank 174 and the third bank 176.

도 7에 도시한 바와 같이, 인접한 제2 뱅크(174)의 측면과 제3 뱅크(176)의 측면은 기판(도 6의 110)에 대해 경사를 가질 수 있다. 이때, 제3 뱅크(176)의 측면 경사각(a1)은 제2 뱅크(174)의 측면 경사각(b1)보다 크거나 같은 것이 바람직하다. 제3 뱅크(176)의 측면 경사각(a1)이 제2 뱅크(174)의 측면 경사각(b1)보다 작을 경우, 제2 뱅크(174)의 측면 근처에서 용매의 증발 속도를 줄일 수 없으므로, 파일업 현상을 완화할 수 없다. 일례로, 제2 뱅크(174)의 측면 경사각(b1)은 20도보다 크거나 같고 80도보다 작을 수 있으며, 제3 뱅크(176)의 측면 경사각(a1)은 20도보다 크거나 같고 90도보다 작거나 같을 수 있다. As shown in FIG. 7, a side surface of an adjacent second bank 174 and a side surface of the third bank 176 may have an inclination with respect to the substrate (110 in FIG. 6 ). In this case, the side inclination angle a1 of the third bank 176 is preferably greater than or equal to the side inclination angle b1 of the second bank 174. When the side inclination angle (a1) of the third bank 176 is smaller than the side inclination angle (b1) of the second bank 174, the evaporation rate of the solvent near the side of the second bank 174 cannot be reduced, so the pile-up The phenomenon cannot be alleviated. As an example, the side inclination angle b1 of the second bank 174 may be greater than or equal to 20 degrees and less than 80 degrees, and the side inclination angle a1 of the third bank 176 is greater than or equal to 20 degrees and less than 90 degrees. All can be less than or equal.

또한, 제3 뱅크(176)의 측면은 제2 뱅크(174)의 측면과 접촉하거나 이격될 수 있다. 이때, 제2 뱅크(174)의 측면과 제3 뱅크(176)의 측면 사이의 이격 거리(d1)는 0보다 크거나 같고 2 mm보다 작거나 같을 수 있다. 제2 뱅크(174)의 측면과 제3 뱅크(176)의 측면 사이의 이격 거리(d1)가 2 mm보다 클 경우, 제2 뱅크(174)의 측면 근처에서 용매의 증발 속도를 줄일 수 없으므로, 파일업 현상을 완화할 수 없다.Also, the side surface of the third bank 176 may be in contact with or spaced apart from the side surface of the second bank 174. In this case, the separation distance d1 between the side surface of the second bank 174 and the side surface of the third bank 176 may be greater than or equal to 0 and less than or equal to 2 mm. When the separation distance d1 between the side of the second bank 174 and the side of the third bank 176 is greater than 2 mm, the evaporation rate of the solvent near the side of the second bank 174 cannot be reduced, The file-up phenomenon cannot be alleviated.

한편, 제3 뱅크(176)의 높이(h1)는 제2 뱅크(174)의 높이(c1)보다 작을 수 있다. 이와 달리, 제3 뱅크(176)의 높이(h1)는 제2 뱅크(174)의 높이(c1)보다 크거나 같을 수 있다. 일례로, 제2 뱅크(174)의 높이(c1)는 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛이고, 제3 뱅크(176)의 높이(h1)는 제2 뱅크(174)의 높이(c1)의 0.15배 내지 5배일 수 있다.Meanwhile, the height h1 of the third bank 176 may be smaller than the height c1 of the second bank 174. Alternatively, the height h1 of the third bank 176 may be greater than or equal to the height c1 of the second bank 174. For example, the height (c1) of the second bank 174 is 0.5 μm to 3 μm, and the height (h1) of the third bank 176 is 0.15 to 5 times the height (c1) of the second bank 174 It can be a ship.

다시 도 5와 도 6을 참조하면, 각 화소영역(P)의 제2 뱅크(174)의 개구부(174a)를 통해 노출된 제1 전극(162) 상부에는 발광층(180)이 형성된다. 여기서, 적색 부화소(R)에는 적색 발광층이 형성되고, 녹색 부화소(G)에는 녹색 발광층이 형성되며, 청색 부화소(B)에는 청색 발광층이 형성된다. Referring back to FIGS. 5 and 6, an emission layer 180 is formed on the first electrode 162 exposed through the opening 174a of the second bank 174 of each pixel region P. Here, a red emission layer is formed on the red subpixel R, a green emission layer is formed on the green subpixel G, and a blue emission layer is formed on the blue subpixel B.

또한, 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 제2 뱅크(174)의 개구부(174a)를 통해 노출된 제1 뱅크(172) 상부에도 발광층(180)이 형성된다. 즉, 도 6의 인접한 청색 부화소(B) 사이에서 제2 뱅크(174)의 개구부(174a)를 통해 노출된 제1 뱅크(172) 상부에도 청색 발광층(180)이 형성된다. 이때, 제1 뱅크(172) 상부의 발광층(180)은 인접한 화소영역(P)의 제1 전극(162) 상부의 발광층(180)과 연결되어 일체로 형성된다. In addition, the emission layer 180 is also formed on the first bank 172 exposed through the opening 174a of the second bank 174 between adjacent subpixels R, G, and B of the same color. That is, the blue emission layer 180 is also formed on the first bank 172 exposed through the opening 174a of the second bank 174 between adjacent blue subpixels B of FIG. 6. In this case, the emission layer 180 above the first bank 172 is connected to the emission layer 180 above the first electrode 162 in the adjacent pixel region P and is integrally formed.

이러한 발광층(180)은 용액 공정을 통해 형성된다. 여기서, 동일 색의 부화소 열, 일례로, 청색 부화소(B) 열에 대응하는 각 화소영역(P)에 서로 다른 노즐을 통해 적하된 용액은 서로 연결되며, 이러한 용액을 건조하여 발광층(180)을 형성한다. 이에 따라, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화하며, 각 화소영역(P)에 형성되는 박막 두께를 균일하게 할 수 있다.The emission layer 180 is formed through a solution process. Here, a column of subpixels of the same color, for example, solutions dropped through different nozzles in each pixel region P corresponding to a row of blue subpixels (B) are connected to each other, and the light emitting layer 180 is dried by drying these solutions. To form. Accordingly, it is possible to minimize the deviation of the amount of dripping between the nozzles, and make the thickness of the thin film formed in each pixel region P uniform.

또한, 제2 뱅크(174) 상부의 제3 뱅크(176)는 개구부(174a)의 단변측에 대응하는 뱅크 높이를 증가시켜 용매의 증발 속도를 감소시키므로, 개구부(174a)의 단변측에 대응하는 표시장치의 가장자리에서 파일업 현상을 완화할 수 있다. In addition, the third bank 176 above the second bank 174 increases the bank height corresponding to the short side of the opening 174a to reduce the evaporation rate of the solvent, so that the third bank 176 corresponds to the short side of the opening 174a. Pile-up can be alleviated at the edge of the display device.

다음, 발광층(180)과 제2 뱅크(174) 및 제3 뱅크(176) 상부에는 제2 전극(190)이 형성된다. 이때, 제2 전극(190)은 제3 뱅크(176)의 상면 및 측면에도 형성되어, 제3 뱅크(176)의 상면 및 측면과 접촉한다.Next, a second electrode 190 is formed on the emission layer 180, the second bank 174, and the third bank 176. At this time, the second electrode 190 is also formed on the top and side surfaces of the third bank 176 and contacts the top and side surfaces of the third bank 176.

제1 전극(162)과 발광층(180) 및 제2 전극(190)은 발광다이오드(De)를 구성한다. The first electrode 162, the emission layer 180, and the second electrode 190 constitute a light emitting diode De.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서는, 동일 색의 부화소(R, G, B) 간의 발광층(180)이 서로 연결되어 일체로 형성되도록 함으로써, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화할 수 있으며, 각 부화소(R, G, B)에 형성되는 발광층(180)의 두께를 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 얼룩(mura)을 방지하여 표시장치의 화질 저하를 막을 수 있다.As described above, in the electroluminescent display device according to the first embodiment of the present invention, the light emitting layers 180 between the subpixels R, G, and B of the same color are connected to each other to be integrally formed, so that the amount of dropping between nozzles is varied. May be minimized, and the thickness of the light emitting layer 180 formed in each of the subpixels R, G, and B may be made uniform. Accordingly, mura can be prevented to prevent deterioration of image quality of the display device.

또한, 제2 뱅크(174) 상부에 제3 뱅크(176)를 형성함으로써, 개구부(174a)의 단변측에 대응하는 뱅크 높이를 증가시켜 용매의 증발 속도를 감소시킨다. 이에 따라, 개구부(174a)의 단변측에 대응하는 표시장치의 가장자리에서 파일업 현상을 완화하여, 표시장치의 가장자리와 중앙에 형성되는 발광층(180)의 두께를 균일하게 할 수 있다. In addition, by forming the third bank 176 on the second bank 174, the height of the bank corresponding to the short side of the opening 174a is increased, thereby reducing the evaporation rate of the solvent. Accordingly, the pile-up phenomenon at the edge of the display device corresponding to the short side of the opening 174a can be alleviated, and the thickness of the light emitting layer 180 formed at the edge and the center of the display device can be made uniform.

앞서 언급한 바와 같이, 제3 뱅크(176)의 높이(h1)가 높아질수록 용매의 증발 속도가 감소하여 파일업 현상이 완화된다. 또한, 제3 뱅크(176)의 측면 경사각(a1)이 커질수록 용매의 증발 속도가 감소하여 파일업 현상이 완화된다. 한편, 제3 뱅크(176)의 측면과 제2 뱅크(174)의 측면 사이의 이격 거리(d1)가 작아질수록 용매의 증발 속도가 감소하여 파일업 현상이 완화된다.As mentioned above, as the height h1 of the third bank 176 increases, the evaporation rate of the solvent decreases, thereby reducing the pile-up phenomenon. In addition, as the side inclination angle a1 of the third bank 176 increases, the evaporation rate of the solvent decreases, thereby reducing the pile-up phenomenon. Meanwhile, as the separation distance d1 between the side surface of the third bank 176 and the side surface of the second bank 174 decreases, the evaporation rate of the solvent decreases, thereby reducing the pile-up phenomenon.

본 발명의 제3 뱅크는 개구부(174a)의 장변측에도 형성될 수 있다. 이러한 제2 실시예에 대해 도면을 참조하여 설명한다. The third bank of the present invention may also be formed on the long side of the opening 174a. This second embodiment will be described with reference to the drawings.

<제2 실시예><Second Example>

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 평면도로, 뱅크 구성을 중심으로 도시한다. 제2 실시예의 전계발광 표시장치는 제3 뱅크를 제외하면 제1 실시예의 전계발광 표시장치와 동일한 구성을 가지며, 동일 부분에 대해 동일 부호를 부여하고 이에 대한 설명은 생략하거나 간략히 할 수 있다.8 is a schematic plan view of an electroluminescent display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, showing a bank configuration as a center. The electroluminescent display device of the second embodiment has the same configuration as the electroluminescent display device of the first embodiment except for the third bank, and the same reference numerals are assigned to the same parts, and descriptions thereof may be omitted or simplified.

도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)를 포함하고, 제1 방향을 따라 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)가 순차적으로 위치하며, 제2 방향을 따라 동일 색의 부화소(R, G, B)가 위치한다. As shown in FIG. 8, the electroluminescent display device according to the second exemplary embodiment of the present invention includes red, green, and blue subpixels R, G, and B, and red, green, and blue subpixels along a first direction. Subpixels R, G, and B are sequentially positioned, and subpixels R, G, and B of the same color are positioned along the second direction.

인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이 및 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에는 친수성의 제1 뱅크(172)가 위치한다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 생략되어 있을 수 있다. 즉, 제1 뱅크(172)는 제2 방향을 따라 인접한 부화소(R, G, B) 사이에서 제1 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 제1 뱅크(172)는 모든 부화소(R, G, B)를 둘러싸도록 형성될 수 있다.A hydrophilic first bank 172 is positioned between adjacent subpixels R, G, and B of the same color and between adjacent subpixels R, G and B of different colors. Alternatively, the first bank 172 may be omitted between adjacent subpixels R, G, and B of different colors. That is, the first bank 172 may be formed to extend in the first direction between adjacent subpixels R, G, and B along the second direction. In addition, the first bank 172 may be formed to surround all subpixels R, G, and B.

이어, 제1 뱅크(172) 상부에는 소수성의 제2 뱅크(174)가 위치한다. 제2 뱅크(174)는 동일 색의 부화소(R, G, B) 열에 대응하여 개구부(174a)를 가지며, 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에 위치한다. 이에 따라, 개구부(174a)는 제2 방향을 따라 연장되며, 제2 방향의 길이는 제1 방향의 길이보다 길다. 즉, 개구부(174a)는 제1 방향에 평행한 단변을 가지며, 제2 방향에 평행한 장변을 가진다. 이때, 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 제2 뱅크(174)는 제1 뱅크(172)보다 좁은 폭을 가질 수 있다. Subsequently, a hydrophobic second bank 174 is positioned above the first bank 172. The second bank 174 has openings 174a corresponding to rows of subpixels R, G, and B of the same color, and is located between adjacent subpixels R, G, and B of different colors. Accordingly, the opening 174a extends in the second direction, and the length in the second direction is longer than the length in the first direction. That is, the opening 174a has a short side parallel to the first direction and a long side parallel to the second direction. In this case, the second bank 174 may have a narrower width than the first bank 172 between adjacent subpixels R, G, and B of different colors.

한편, 제2 뱅크(174) 상부에는 제3 뱅크(276)가 형성된다. 제3 뱅크(276)는 제1 부분(276a)과 제2 부분(276b)을 포함한다. 제1 부분(276a)은 제1 방향을 따라 연장되며 도면 상에서 개구부(174a)의 상하에 각각 위치한다. 제2 부분(276b)은 제2 방향을 따라 연장되며 도면 상에서 가장 바깥쪽에 위치하는 개구부(174a)의 좌우에 각각 위치한다. Meanwhile, a third bank 276 is formed on the second bank 174. The third bank 276 includes a first portion 276a and a second portion 276b. The first portion 276a extends in the first direction and is positioned above and below the opening 174a in the drawing. The second portion 276b extends along the second direction and is positioned on the left and right of the outermost opening 174a in the drawing.

즉, 제2 방향을 따라 연장되는 개구부(174a)는 두 개의 제1 부분(276a) 사이에 위치하고, 제1 방향을 따라 배열된 개구부(174a) 모두는 두 개의 제2 부분(276b) 사이에 위치한다. 이때, 제2 방향을 따라 배열된 동일 색의 부화소(R, G, B) 모두는 두 개의 제1 부분(276a) 사이에 위치하며, 제1 방향을 따라 순차 배열된 다른 색의 부화소(R, G, B) 모두는 두 개의 제2 부분(276b) 사이에 위치한다.That is, the openings 174a extending along the second direction are located between the two first parts 276a, and all of the openings 174a arranged along the first direction are located between the two second parts 276b. do. In this case, all of the subpixels R, G, and B of the same color arranged along the second direction are located between the two first portions 276a, and subpixels of different colors are sequentially arranged along the first direction ( All of R, G, B) are located between the two second portions 276b.

이러한 제1 부분(276a)과 제2 부분(276b)은 서로 연결될 수 있다. 이에 따라, 모든 부화소(R, G, B) 및 개구부(174a)는 제3 뱅크(276) 내에 놓이며, 제3 뱅크(276)로 둘러싸인다. The first portion 276a and the second portion 276b may be connected to each other. Accordingly, all of the subpixels R, G, and B and the opening 174a are placed in the third bank 276 and surrounded by the third bank 276.

이러한 제3 뱅크(276)는 친수성 또는 소수성 특성을 가질 수 있다. The third bank 276 may have hydrophilic or hydrophobic properties.

이러한 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 단면 구조에 대해 도 9와 도 10을 참조하여 설명한다.A cross-sectional structure of the electroluminescent display device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10.

도 9는 도 8의 IX-IX'선에 대응하는 단면도이고, 도 10은 도 8의 X-X'선에 대응하는 단면도이다. 9 is a cross-sectional view corresponding to line IX-IX' of FIG. 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view corresponding to line X-X' of FIG. 8.

도 9와 도 10에 도시한 바와 같이, 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)에 각각 대응하는 다수의 화소영역(P)이 정의된 기판(110) 상에 버퍼층(120)과 박막트랜지스터(Tr) 및 오버코트층(150)이 순차적으로 형성되고, 오버코트층(160) 상의 각 화소영역(P)에는 제1 전극(162)이 형성된다. 9 and 10, a buffer layer 120 and a buffer layer 120 on a substrate 110 in which a plurality of pixel regions P corresponding to red, green, and blue subpixels R, G, and B, respectively, are defined. The thin film transistor Tr and the overcoat layer 150 are sequentially formed, and a first electrode 162 is formed in each pixel region P on the overcoat layer 160.

여기서, 박막트랜지스터(Tr)는 도 2와 같은 구성을 가질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 또한, 도시하지 않았지만, 버퍼층(120)과 오버코트층(160) 사이에는 게이트 절연막과 층간 절연막이 더 형성될 수 있다. Here, the thin film transistor Tr may have the configuration as shown in FIG. 2, but is not limited thereto. Further, although not shown, a gate insulating layer and an interlayer insulating layer may be further formed between the buffer layer 120 and the overcoat layer 160.

오버코트층(150)은 박막트랜지스터(Tr)의 일부, 즉, 드레인 전극을 노출하는 드레인 컨택홀(150a)을 가지며, 제1 전극(162)은 드레인 컨택홀(150a)을 통해 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극과 접촉한다. The overcoat layer 150 has a portion of the thin film transistor Tr, that is, a drain contact hole 150a exposing the drain electrode, and the first electrode 162 is a thin film transistor Tr through the drain contact hole 150a. In contact with the drain electrode.

한편, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 더미 부화소를 포함할 수 있다. 즉, 도 10에서 양단 각각의 적어도 하나의 화소영역(P)은 빛이 발광되지 않는 더미 부화소 영역(Pd)일 수 있으며, 더미 부화소 영역(Pd) 사이의 화소영역(P)은 발광부를 이룬다. Meanwhile, the electroluminescent display device according to the second embodiment of the present invention may include a dummy subpixel. That is, in FIG. 10, at least one pixel region P at each end may be a dummy subpixel region Pd from which light is not emitted, and a pixel region P between the dummy subpixel regions Pd is a light emitting unit. Achieve.

이러한 더미 부화소 영역(Pd)에는 발광부의 화소 영역(P)과 마찬가지로 박막트랜지스터(Tr) 및 제1 전극(162)이 형성될 수 있으나, 드레인 컨택홀(150a)은 형성되지 않는다. 이에 따라, 제1 전극(162)은 박막트랜지스터(Tr)에 연결되지 않는다. In the dummy subpixel region Pd, the thin film transistor Tr and the first electrode 162 may be formed in the same manner as the pixel region P of the light emitting part, but the drain contact hole 150a is not formed. Accordingly, the first electrode 162 is not connected to the thin film transistor Tr.

이와 달리, 더미 부화소 영역(Pd)에는 박막트랜지스터(Tr) 및/또는 제1 전극(162)이 생략될 수도 있다. Alternatively, the thin film transistor Tr and/or the first electrode 162 may be omitted in the dummy subpixel region Pd.

또한, 도시하지 않았지만, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 더미 부화소 열을 포함할 수도 있다. 즉, 도 8에서 제1 방향을 따라 양단의 적어도 하나의 부화소 열은 더미 부화소들로 이루어진 더미 부화소 열일 수 있으며, 이러한 더미 부화소 열의 각 더미 부화소는 도 10의 더미 부화소 영역(Pd)과 동일한 구성을 가질 수 있다.Further, although not shown, the electroluminescent display device according to the second exemplary embodiment of the present invention may include dummy subpixel rows. That is, in FIG. 8, at least one subpixel row at both ends along the first direction may be a dummy subpixel row composed of dummy subpixels, and each dummy subpixel of the dummy subpixel row is the dummy subpixel region Pd of FIG. ) And can have the same configuration.

제1 전극(162) 상부에는 친수성의 제1 뱅크(172)가 형성된다. 제1 뱅크(172)는 제1 전극(162)의 가장자리와 중첩하며, 제1 전극(162)의 가장자리를 덮는다. 제1 뱅크(172)는 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이 및 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에 형성된다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 생략되고, 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에만 형성될 수도 있다.A hydrophilic first bank 172 is formed on the first electrode 162. The first bank 172 overlaps the edge of the first electrode 162 and covers the edge of the first electrode 162. The first bank 172 is formed between adjacent subpixels R, G, and B of the same color and between adjacent subpixels R, G, and B of different colors. Alternatively, the first bank 172 may be omitted between adjacent subpixels R, G, and B of different colors, and may be formed only between adjacent subpixels R, G, and B of the same color.

제1 뱅크(172)는 친수성 특성을 갖는 물질, 일례로, 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 폴리이미드로 형성될 수도 있다.The first bank 172 may be formed of a material having hydrophilic properties, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx). Alternatively, the first bank 172 may be formed of polyimide.

또한, 제1 뱅크(172) 상부에는 소수성의 제2 뱅크(174)가 형성된다. 제2 뱅크(174)는 제1 뱅크(172)보다 두꺼운 두께를 가지며, 제2 뱅크(174)는 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에만 형성되고, 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에는 형성되지 않는다. 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 제2 뱅크(174)의 폭은 제1 뱅크(172)의 폭보다 좁다. In addition, a hydrophobic second bank 174 is formed on the first bank 172. The second bank 174 has a thickness thicker than that of the first bank 172, and the second bank 174 is formed only between adjacent subpixels R, G, and B of different colors, It is not formed between the pixels R, G, and B. The width of the second bank 174 between adjacent subpixels R, G, and B of different colors is narrower than the width of the first bank 172.

제2 뱅크(174)는 동일 색의 부화소(R, G, B) 열에 대응하여 개구부(174a)를 가지며, 개구부(174a)를 통해 동일 색의 부화소(R, G, B) 열의 제1 전극(162)과 제1 전극(162) 사이의 제1 뱅크(172)를 노출한다. The second bank 174 has an opening 174a corresponding to the row of subpixels (R, G, B) of the same color, and through the opening 174a, the first bank of the row of subpixels (R, G, B) of the same color The first bank 172 between the electrode 162 and the first electrode 162 is exposed.

여기서, 제1 뱅크(172)가 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 생략될 경우, 제2 뱅크(174)는 도 9의 제1 전극(162)의 가장자리와 접촉 및 중첩하며 제1 전극(162)의 가장자리를 덮는다. Here, when the first bank 172 is omitted between adjacent subpixels R, G, and B of different colors, the second bank 174 contacts the edge of the first electrode 162 of FIG. Overlap and cover the edge of the first electrode 162.

제2 뱅크(174)는 소수성 특성을 갖는 유기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제2 뱅크(174)는 친수성 특성을 갖는 유기물질로 형성된 후 소수성 처리될 수 있다. The second bank 174 may be formed of an organic insulating material having hydrophobic properties. Alternatively, the second bank 174 may be formed of an organic material having hydrophilic properties and then subjected to hydrophobic treatment.

한편, 친수성의 제1 뱅크(172)와 소수성의 제2 뱅크(174)는 동일 물질로 이루어지고, 일체로 형성될 수도 있다.Meanwhile, the hydrophilic first bank 172 and the hydrophobic second bank 174 are made of the same material and may be integrally formed.

다음, 제2 뱅크(174) 상부에는 제3 뱅크(276)가 형성된다. 제3 뱅크(276)는 친수성 또는 소수성 특성을 가질 수 있다. Next, a third bank 276 is formed on the second bank 174. The third bank 276 may have hydrophilic or hydrophobic properties.

이러한 제3 뱅크(276)는 제1 부분(276a)과 제2 부분(276b)을 포함한다. 제1 부분(276a)은 동일 색의 부화소(R, G, B) 열의 양측, 즉, 개구부(174a)의 단변측에 각각 형성되고, 제2 부분(276b)은 가장 바깥쪽에 위치하는 동일 색의 부화소(R, G, B) 열의 외측, 즉, 가장 바깥쪽에 위치하는 개구부(174a)의 외측에 형성된다. 일례로, 적색 부화소(R) 열이 가장 바깥쪽에 위치하며, 제2 부분(276b)은 이러한 적색 부화소(R) 열의 외측에 형성된다. 또한, 도시하지 않았지만, 청색 부화소(B) 열이 반대측의 가장 바깥쪽에 위치하며, 제2 부분(276b)은 이러한 청색 부화소(B) 열의 외측에도 형성된다. This third bank 276 includes a first portion 276a and a second portion 276b. The first portion 276a is formed on both sides of the row of subpixels (R, G, B) of the same color, that is, on the short side of the opening 174a, and the second portion 276b is the same color located on the outermost side. Is formed on the outside of the row of subpixels R, G, B, that is, the outermost opening 174a. For example, a row of red subpixels (R) is positioned at the outermost side, and a second portion 276b is formed outside the row of red subpixels (R). Further, although not shown, the blue subpixel (B) row is located at the outermost side of the opposite side, and the second portion 276b is also formed outside the blue subpixel (B) row.

여기서, 인접한 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면과 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면은 기판(110)에 대해 경사를 가질 수 있으며, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면 경사각은 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면 경사각보다 크거나 같을 수 있다. Here, the first and second side surfaces of the adjacent second bank 174 and the side surfaces of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 may have an inclination with respect to the substrate 110, Side inclination angles of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 may be greater than or equal to the first and second side inclination angles of the second bank 174.

또한, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면은 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면과 각각 이격될 수 있다. 이와 달리, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면과 각각 접촉할 수도 있다. Further, side surfaces of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 may be spaced apart from the first and second side surfaces of the second bank 174, respectively. Alternatively, the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 may contact the first and second side surfaces of the second bank 174, respectively.

한편, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 높이는 제2 뱅크(174)의 높이보다 작을 수 있다. 이와 달리, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 높이는 제2 뱅크(174)의 높이보다 크거나 같을 수 있다.Meanwhile, the heights of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 may be smaller than the height of the second bank 174. Alternatively, the heights of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 may be greater than or equal to the height of the second bank 174.

이러한 제2 뱅크(174)와 제3 뱅크(276)의 구성에 대해 도 11a와 도 11b를 참조하여 보다 상세히 설명한다. The configurations of the second bank 174 and the third bank 276 will be described in more detail with reference to FIGS. 11A and 11B.

도 11a와 도 11b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 뱅크 구성을 개략적으로 도시한 단면도로, 도 11a는 제2 뱅크(174)와 제3 뱅크(276)의 제1 부분(276a)의 단면을 도시하고, 도 11b는 제2 뱅크(174)와 제3 뱅크(276)의 제2 부분(276b)의 단면을 도시한다.11A and 11B are cross-sectional views schematically showing a bank configuration according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 11A is a cross-sectional view of a first portion 276a of the second bank 174 and the third bank 276 And FIG. 11B shows a cross-section of the second bank 174 and the second portion 276b of the third bank 276.

도 11a와 도 11b에 도시한 바와 같이, 인접한 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면과 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면은 기판(도 10의 110)에 대해 경사를 가질 수 있다. 이때, 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면은 동일한 측면 경사각(b1)을 가지며, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면 경사각(a1, a2)은 제2 뱅크(174)의 측면 경사각(b1)보다 크거나 같은 것이 바람직하다. 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면 경사각(a1, a2)이 제2 뱅크(174)의 측면 경사각(b1)보다 작을 경우, 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면 근처에서 용매의 증발 속도를 줄일 수 없으므로, 파일업 현상을 완화할 수 없다. 일례로, 제2 뱅크(174)의 측면 경사각(b1)은 20도보다 크거나 같고 80도보다 작을 수 있으며, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면 경사각(a1, a2)은 20도보다 크거나 같고 90도보다 작거나 같을 수 있다. 11A and 11B, the first and second side surfaces of the adjacent second bank 174 and the side surfaces of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 are a substrate (Fig. 10 of 110) can have a slope. At this time, the first and second sides of the second bank 174 have the same side inclination angle b1, and the side inclination angles a1 and a2 of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 ) Is preferably greater than or equal to the side inclination angle b1 of the second bank 174. When the side inclination angles a1 and a2 of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 are smaller than the side inclination angle b1 of the second bank 174, the second bank 174 is Since the evaporation rate of the solvent in the vicinity of the first and second sides cannot be reduced, the pile-up phenomenon cannot be alleviated. For example, the side inclination angle b1 of the second bank 174 may be greater than or equal to 20 degrees and less than 80 degrees, and the side inclination angles of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 (a1, a2) may be greater than or equal to 20 degrees and less than or equal to 90 degrees.

여기서, 제3 뱅크(276)의 제1 부분(276a)의 측면 경사각(a1)은 제2 부분(276b)의 측면 경사각(a2)보다 크거나 같을 수 있다. Here, the side inclination angle a1 of the first portion 276a of the third bank 276 may be greater than or equal to the side inclination angle a2 of the second portion 276b.

또한, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면은 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면과 각각 접촉하거나 이격될 수 있다. 이때, 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면과 이에 대응하는 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면 사이의 이격 거리(d1, d2)는 0보다 크거나 같고 2 mm보다 작거나 같을 수 있다. 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면과 이에 대응하는 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 측면 사이의 이격 거리(d1, d2)가 2 mm보다 클 경우, 제2 뱅크(174)의 제1 및 제2 측면 근처에서 용매의 증발 속도를 줄일 수 없으므로, 파일업 현상을 완화할 수 없다.Further, side surfaces of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 may contact or be spaced apart from the first and second side surfaces of the second bank 174, respectively. At this time, the separation distances d1 and d2 between the first and second side surfaces of the second bank 174 and the side surfaces of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 corresponding thereto are 0. It can be greater than or equal to and less than or equal to 2 mm. The separation distances d1 and d2 between the first and second side surfaces of the second bank 174 and the side surfaces of the first and second portions 276a and 276b of the corresponding third bank 276 are less than 2 mm. If it is large, since the evaporation rate of the solvent in the vicinity of the first and second sides of the second bank 174 cannot be reduced, the pile-up phenomenon cannot be alleviated.

여기서, 제3 뱅크(276)의 제1 부분(276a)과 제2 뱅크(174)의 제1 측면 사이의 이격 거리(d1)는 제2 부분(276b)과 제2 뱅크(174)의 제2 측면 사이의 이격 거리(d2)보다 작거나 같을 수 있다.Here, the separation distance d1 between the first portion 276a of the third bank 276 and the first side of the second bank 174 is the second portion 276b and the second bank 174. It may be less than or equal to the separation distance d2 between the sides.

한편, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 높이(h1, h2)는 제2 뱅크(174)의 높이(c1)보다 작을 수 있다. 이와 달리, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 높이(h1, h2)는 제2 뱅크(174)의 높이(c1)보다 크거나 같을 수 있다. 일례로, 제2 뱅크(174)의 높이(c1)는 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛이고, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b)의 높이(h1, h2)는 제2 뱅크(174)의 높이(c1)의 0.15배 내지 5배일 수 있다.Meanwhile, the heights h1 and h2 of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 may be smaller than the height c1 of the second bank 174. Alternatively, the heights h1 and h2 of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 may be greater than or equal to the height c1 of the second bank 174. As an example, the height c1 of the second bank 174 is 0.5 μm to 3 μm, and the heights h1 and h2 of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276 are second It may be 0.15 to 5 times the height of the bank 174 (c1).

여기서, 제3 뱅크(276)의 제1 부분(276a)의 높이(h1)는 제2 부분(276b)의 높이(h2)보다 크거나 같을 수 있다.Here, the height h1 of the first portion 276a of the third bank 276 may be greater than or equal to the height h2 of the second portion 276b.

다시 도 9와 도 10을 참조하면, 각 화소영역(P)의 제2 뱅크(174)의 개구부(174a)를 통해 노출된 제1 전극(162) 상부에는 발광층(180)이 형성된다. 여기서, 적색 부화소(R)에는 적색 발광층이 형성되고, 녹색 부화소(G)에는 녹색 발광층이 형성되며, 청색 부화소(B)에는 청색 발광층이 형성된다. Referring back to FIGS. 9 and 10, the emission layer 180 is formed on the first electrode 162 exposed through the opening 174a of the second bank 174 of each pixel region P. Here, a red emission layer is formed on the red subpixel R, a green emission layer is formed on the green subpixel G, and a blue emission layer is formed on the blue subpixel B.

또한, 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 제2 뱅크(174)의 개구부(174a)를 통해 노출된 제1 뱅크(172) 상부에도 발광층(180)이 형성된다. 즉, 도 10의 인접한 청색 부화소(B) 사이에서 제2 뱅크(174)의 개구부(174a)를 통해 노출된 제1 뱅크(172) 상부에도 청색 발광층(180)이 형성된다. 이때, 제1 뱅크(172) 상부의 발광층(180)은 인접한 화소영역(P)의 제1 전극(162) 상부의 발광층(180)과 연결되어 일체로 형성된다. In addition, the emission layer 180 is also formed on the first bank 172 exposed through the opening 174a of the second bank 174 between adjacent subpixels R, G, and B of the same color. That is, the blue emission layer 180 is also formed on the first bank 172 exposed through the opening 174a of the second bank 174 between adjacent blue subpixels B of FIG. 10. In this case, the emission layer 180 above the first bank 172 is connected to the emission layer 180 above the first electrode 162 in the adjacent pixel region P and is integrally formed.

이러한 발광층(180)은 용액 공정을 통해 형성된다. 여기서, 동일 색의 부화소 열, 일례로, 청색 부화소(B) 열에 대응하는 각 화소영역(P)에 서로 다른 노즐을 통해 적하된 용액은 서로 연결되며, 이러한 용액을 건조하여 발광층(180)을 형성한다. 이에 따라, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화하며, 각 화소영역(P)에 형성되는 박막 두께를 균일하게 할 수 있다.The emission layer 180 is formed through a solution process. Here, a column of subpixels of the same color, for example, solutions dropped through different nozzles in each pixel region P corresponding to a row of blue subpixels (B) are connected to each other, and the light emitting layer 180 is dried by drying these solutions. To form. Accordingly, it is possible to minimize the deviation of the amount of dripping between the nozzles, and make the thickness of the thin film formed in each pixel region P uniform.

또한, 제2 뱅크(174) 상부의 제3 뱅크(276)는 개구부(174a)의 단변측 및 장변측에 대응하는 뱅크 높이를 증가시켜 용매의 증발 속도를 감소시키므로, 개구부(174a)의 단변측 및 장변측에 대응하는 표시장치의 가장자리에서 파일업 현상을 완화할 수 있다. In addition, since the third bank 276 above the second bank 174 increases the bank height corresponding to the short side and the long side of the opening 174a to decrease the evaporation rate of the solvent, the short side of the opening 174a And a file-up phenomenon at the edge of the display device corresponding to the long side can be alleviated.

다음, 발광층(180)과 제2 뱅크(174) 그리고 제3 뱅크(276) 상부에는 제2 전극(190)이 형성된다. 이때, 제2 전극(190)은 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b) 각각의 상면 및 측면에도 형성되어, 제3 뱅크(276)의 제1 및 제2 부분(276a, 276b) 각각의 상면 및 측면과 접촉한다.Next, a second electrode 190 is formed on the emission layer 180, the second bank 174, and the third bank 276. At this time, the second electrode 190 is also formed on the top and side surfaces of each of the first and second portions 276a and 276b of the third bank 276, and the first and second portions of the third bank 276 ( 276a, 276b) in contact with each of the top and side surfaces.

제1 전극(162)과 발광층(180) 및 제2 전극(190)은 발광다이오드(De)를 구성한다. The first electrode 162, the emission layer 180, and the second electrode 190 constitute a light emitting diode De.

이와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서는, 동일 색의 부화소(R, G, B) 간의 발광층(180)이 서로 연결되어 일체로 형성되도록 함으로써, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화할 수 있으며, 각 부화소(R, G, B)에 형성되는 발광층(180)의 두께를 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 얼룩(mura)을 방지하여 표시장치의 화질 저하를 막을 수 있다.As described above, in the electroluminescent display device according to the second embodiment of the present invention, the light emitting layers 180 between the subpixels R, G, and B of the same color are connected to each other to be integrally formed, so that the amount of dropping between nozzles May be minimized, and the thickness of the light emitting layer 180 formed in each of the subpixels R, G, and B may be made uniform. Accordingly, mura can be prevented to prevent deterioration of image quality of the display device.

또한, 제2 뱅크(174) 상부에 제3 뱅크(276)를 형성함으로써, 개구부(174a)의 단변측 및 장변측에 대응하는 뱅크 높이를 증가시켜 용매의 증발 속도를 감소시킨다. 이에 따라, 개구부(174a)의 단변측 및 장변측에 대응하는 표시장치의 가장자리에서 파일업 현상을 완화하여, 표시장치의 가장자리와 중앙에 형성되는 발광층(180)의 두께를 균일하게 할 수 있다. In addition, by forming the third bank 276 on the second bank 174, the height of the bank corresponding to the short side and the long side of the opening 174a is increased, thereby reducing the evaporation rate of the solvent. Accordingly, the pile-up phenomenon at the edge of the display device corresponding to the short side and the long side of the opening 174a can be alleviated, and the thickness of the light emitting layer 180 formed at the edge and the center of the display device can be made uniform.

한편, 도 3a와 도 3b에서와 같이, 파일업 현상은 화소영역의 단축 방향에 비해 장축 방향에서 더 발생하며, 장축의 길이가 길어질수록 심해질 수 있다. 이때, 제3 뱅크(276)의 제1 부분(276a)의 측면 경사각(a1)을 제2 부분(276b)의 측면 경사각(a2)보다 크게 하고, 제1 부분(276a)의 이격 거리(d1)를 제2 부분(276b)의 이격 거리(d2)보다 작게 하며, 제1 부분(276a)의 높이(h1)를 제2 부분(276b)의 높이(h2)보다 높게 함으로써, 개구부(174a)의 단변측 및 장변측에 대응하는 표시장치의 가장자리에서 용매의 증발 속도를 균일하게 하여, 발광층(180)의 두께를 더욱더 균일하게 할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 3A and 3B, the pile-up phenomenon occurs more in the long axis direction than in the short axis direction of the pixel area, and may become worse as the length of the long axis increases. At this time, the side inclination angle a1 of the first portion 276a of the third bank 276 is larger than the side inclination angle a2 of the second portion 276b, and a separation distance d1 of the first portion 276a Is smaller than the separation distance d2 of the second part 276b, and the height h1 of the first part 276a is higher than the height h2 of the second part 276b, so that the short side of the opening 174a By making the evaporation rate of the solvent uniform at the edges of the display device corresponding to the side and the long side, the thickness of the light emitting layer 180 can be made even more uniform.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will variously modify and change the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. You will understand that you can do it.

R, G, B: 적, 녹, 청색 부화소 110: 기판
162: 제1 전극 172: 제1 뱅크
174: 제2 뱅크 174a: 개구부
176: 제3 뱅크 180: 발광층
190: 제2 전극 De: 발광다이오드R, G, B: red, green, blue subpixel 110: substrate
162: first electrode 172: first bank
174: second bank 174a: opening
176: third bank 180: light emitting layer
190: second electrode De: light-emitting diode

Claims (15)

기판과;
상기 기판에 제1 및 제2 방향을 따라 배열된 다수의 부화소와;
상기 다수의 부화소 각각에 위치하며, 제1 전극과 발광층 및 제2 전극을 포함하는 발광다이오드와;
상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되고, 상기 제1 전극의 가장자리와 중첩하는 제1 뱅크와;
상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소 열에 대응하여 개구부를 가지며, 상기 제1 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되는 제2 뱅크와;
상기 제2 뱅크 상부에 형성되는 제3 뱅크
를 포함하며,
상기 제3 뱅크는 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분을 포함하고, 두 개의 제1 부분 사이에 상기 개구부가 위치하는 전계발광 표시장치.
A substrate;
A plurality of subpixels arranged on the substrate along first and second directions;
A light emitting diode positioned on each of the plurality of subpixels and including a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode;
A first bank formed between adjacent subpixels along the second direction and overlapping an edge of the first electrode;
A second bank having openings corresponding to the subpixel rows arranged along the second direction and formed between adjacent subpixels along the first direction;
A third bank formed above the second bank
Including,
The third bank includes a first portion extending in the first direction, and the opening portion is positioned between two first portions.
 제1항에 있어서,
인접한 상기 제2 뱅크의 측면과 상기 제1 부분의 측면은 상기 기판에 대해 경사를 가지며, 상기 제1 부분의 측면 경사각은 상기 제2 뱅크의 측면 경사각보다 크거나 같은 전계발광 표시장치.
The method of claim 1,
A side surface of the adjacent second bank and a side surface of the first portion have an inclination with respect to the substrate, and a side inclination angle of the first portion is greater than or equal to a side inclination angle of the second bank.
 제2항에 있어서,
상기 제1 부분의 측면 경사각은 20도보다 크거나 같고 90도보다 작거나 같으며, 상기 제2 뱅크의 측면 경사각은 20도보다 크거나 같고 80도보다 작은 전계발광 표시장치.
The method of claim 2,
A side inclination angle of the first portion is greater than or equal to 20 degrees and less than or equal to 90 degrees, and a side inclination angle of the second bank is greater than or equal to 20 degrees and less than 80 degrees.
 제2항에 있어서,
상기 제1 부분의 측면은 상기 제2 뱅크의 측면과 접촉하거나 이격되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 2,
A side surface of the first portion is in contact with or spaced apart from a side surface of the second bank.
 제4항에 있어서,
상기 제1 부분의 측면과 상기 제2 뱅크의 측면 사이의 이격 거리는 0보다 크거나 같고 2 mm보다 작거나 같은 전계발광 표시장치.
The method of claim 4,
An electroluminescent display device having a separation distance between a side surface of the first part and a side surface of the second bank is greater than or equal to 0 and less than or equal to 2 mm.
 제1항에 있어서,
상기 제3 뱅크는 상기 제2 방향을 따라 연장되는 제2 부분을 더 포함하고, 두 개의 제2 부분 사이에 상기 제1 방향을 따라 배열된 다수의 부화소가 위치하는 전계발광 표시장치.
The method of claim 1,
The third bank further includes a second portion extending along the second direction, and a plurality of subpixels arranged along the first direction are positioned between the two second portions.
 제6항에 있어서,
인접한 상기 제2 뱅크의 제1 및 제2 측면과 상기 제1 및 제2 부분의 측면은 상기 기판에 대해 경사를 가지며, 상기 제2 부분의 측면 경사각은 상기 제2 뱅크의 제1 및 제2 측면 경사각보다 크거나 같고 상기 제1 부분의 측면 경사각보다 작거나 같은 전계발광 표시장치.
The method of claim 6,
The first and second sides of the adjacent second bank and the side surfaces of the first and second portions have an inclination with respect to the substrate, and the side inclination angles of the second portion are the first and second sides of the second bank An electroluminescent display device that is greater than or equal to an inclination angle and less than or equal to a side inclination angle of the first portion.
 제7항에 있어서,
상기 제1 및 제2 부분의 측면은 상기 제2 뱅크의 제1 및 제2 측면과 각각 접촉하거나 이격되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 7,
Side surfaces of the first and second portions are in contact with or spaced apart from the first and second side surfaces of the second bank, respectively.
 제8항에 있어서,
상기 제1 부분의 측면과 상기 제2 뱅크의 제1 측면 사이의 이격 거리는 상기 제2 부분의 측면과 상기 제2 뱅크의 제2 측면 사이의 이격 거리보다 작거나 같은 전계발광 표시장치.
The method of claim 8,
A separation distance between a side surface of the first portion and a first side surface of the second bank is less than or equal to a separation distance between a side surface of the second portion and a second side surface of the second bank.
 제6항에 있어서,
상기 제1 부분의 높이는 상기 제2 부분의 높이보다 크거나 같은 전계발광 표시장치.
The method of claim 6,
The height of the first portion is greater than or equal to the height of the second portion.
 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 뱅크는 친수성 특성을 가지며, 상기 제2 뱅크는 소수성 특성을 가지는 전계발광 표시장치.
The method according to any one of claims 1 to 10,
The first bank has a hydrophilic property, and the second bank has a hydrophobic property.
 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 뱅크와 상기 제2 뱅크는 일체로 이루어지는 전계발광 표시장치.
The method according to any one of claims 1 to 10,
An electroluminescent display device in which the first bank and the second bank are integrally formed.
 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 뱅크는 상기 제1 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 더 형성되는 전계발광 표시장치.
The method according to any one of claims 1 to 10,
The first bank is further formed between adjacent subpixels along the first direction.
 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소의 상기 제1 전극 상부 및 상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이의 상기 제1 뱅크 상부에 형성되고 일체로 이루어지는 전계발광 표시장치.
The method according to any one of claims 1 to 10,
The light emitting layer is formed on the first electrode of the subpixels arranged along the second direction and on the first bank between adjacent subpixels along the second direction and integrally formed therewith.
 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 적어도 하나의 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 적어도 하나의 박막트랜지스터와 연결되는 전계발광 표시장치.The method according to any one of claims 1 to 10,
An electroluminescent display device further comprising at least one thin film transistor between the substrate and the first electrode, wherein the first electrode is connected to the at least one thin film transistor.
KR1020190095623A 2019-08-06 2019-08-06 Electroluminescent Device KR20210017016A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190095623A KR20210017016A (en) 2019-08-06 2019-08-06 Electroluminescent Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190095623A KR20210017016A (en) 2019-08-06 2019-08-06 Electroluminescent Device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210017016A true KR20210017016A (en) 2021-02-17

Family

ID=74731511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190095623A KR20210017016A (en) 2019-08-06 2019-08-06 Electroluminescent Device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210017016A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11864425B2 (en) Electroluminescent display device having large size and high definition
US12022721B2 (en) Electroluminescent display device
KR102689217B1 (en) Electroluminescent Device
US11063097B2 (en) Transparent display device
CN111384111B (en) Electroluminescent display device
US11631724B2 (en) Electroluminescent display device with uneven pattern in non-display area
US11839108B2 (en) Transparent display device
US11903235B2 (en) Transparent display device
KR20210071369A (en) Electroluminescent Device
KR20220076082A (en) Electroluminescent Display Device
US11658205B2 (en) Electroluminescent display device
KR20210072451A (en) Electroluminescent Device
KR20220076077A (en) Electroluminescent Display Device
KR20210080925A (en) Electroluminescent Device
KR20210083679A (en) Electroluminescent Display Device
KR20210017016A (en) Electroluminescent Device
KR20200066879A (en) Electroluminescent display device
KR20230086182A (en) Electroluminescent Display Device And Manufacturing Method Of The Same
KR20220076081A (en) Electroluminescent Display Device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal