KR20210010447A - Substrate particle, conductive particle, conductive material and connection structure - Google Patents
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Abstract
피착체에 균일하게 접촉시킬 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성 및 내충격성을 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있는 기재 입자를 제공한다. 본 발명에 관한 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용되는 기재 입자이며, BET 비표면적이 5m2/g 이상이며, 입자 직경의 CV값이 10% 이하이다.When the electrodes are electrically connected to each other using conductive particles having a conductive layer formed on the surface of the adherend, the adhesion and impact resistance with the conductive layer can be effectively improved, and the connection resistance is increased. It provides a substrate particle that can be effectively lowered and can effectively increase connection reliability. The substrate particle according to the present invention is a substrate particle used as a spacer, or a conductive layer is formed on a surface thereof, and a substrate particle used to obtain a conductive particle having the conductive layer, the BET specific surface area is 5 m 2 /g or more, and the particle The CV value of the diameter is 10% or less.
Description
본 발명은, 양호한 압축 특성을 갖는 기재 입자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 기재 입자를 사용한 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to substrate particles having good compression properties. Further, the present invention relates to a conductive particle, a conductive material, and a connection structure using the substrate particle.
이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 바인더 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.
상기 이방성 도전 재료는 플렉시블 프린트 기판(FPC), 유리 기판, 유리 에폭시 기판 및 반도체 칩 등의 다양한 접속 대상 부재의 전극간을 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻기 위해 사용되고 있다. 또한, 상기 도전성 입자로서, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 갖는 도전성 입자가 사용되는 경우가 있다.The anisotropic conductive material is used to electrically connect electrodes of various members to be connected, such as a flexible printed circuit board (FPC), a glass substrate, a glass epoxy substrate, and a semiconductor chip, to obtain a connection structure. Moreover, as said electroconductive particle, electroconductive particle which has a substrate particle and a conductive layer arrange|positioned on the surface of the said substrate particle may be used.
상기 기재 입자의 일례로서, 하기 특허문헌 1에서는, 비표면적이 2.0m2/g이며, 톨루엔에 대한 용출 성분량이 1% 내지 5%이며, 입자 직경의 변동 계수(CV값)가 15% 이하이고, 평균 입자 직경이 0.8㎛ 내지 50㎛인 이형 단분산 입자가 개시되어 있다. 상기 이형 단분산 입자에서는, 아크릴계 단량체에서 유래하는 중합체 성분과 에틸렌성 불포화기를 2개 이상 갖는 단량체에서 유래하는 중합체 성분의 합계 100질량% 중, 에틸렌성 불포화기를 2개 이상 갖는 단량체에서 유래하는 중합체 성분의 함유량이, 18질량% 내지 89질량%이다. 하기 특허문헌 1의 실시예에서는, 상기 이형 단분산 입자의 비표면적이 2.0m2/g 내지 2.6m2/g인 것이 기재되어 있다.As an example of the substrate particle, in the following
하기 특허문헌 2에는, 단량체 혼합물의 중합체로 구성되는 다공질 수지 입자가 개시되어 있다. 상기 다공질 수지 입자에서는, 상기 단량체 혼합물 100중량% 중, (메트)아크릴산 잔기 중에만 에틸렌성 불포화기를 갖고, 에테르기 및 에스테르기의 적어도 한쪽과 수산기를 알코올 잔기 중에 포함하는 모노(메트)아크릴산에스테르계 단량체의 함유량은 3중량% 내지 40중량%이다. 상기 다공질 수지 입자에서는, 상기 단량체 혼합물 100중량% 중, 에틸렌성 불포화기를 1개 갖는 다른 단관능 비닐계 단량체의 함유량은 10중량% 내지 69중량%이다. 상기 다공질 수지 입자에서는, 상기 단량체 혼합물 100중량% 중, 에틸렌성 불포화기를 2개 이상 갖는 다관능 비닐계 단량체의 함유량은 30중량% 내지 70중량%이다. 하기 특허문헌 2의 실시예에서는, 다공질 수지 입자의 비표면적이 4.9m2/g 내지 184.0m2/g인 것이 기재되어 있다. 하기 특허문헌 2에서는, 다공질 수지 입자의 압축 탄성률에 대하여는 일절 기재되어 있지 않다. 하기 특허문헌 2에서는, 다공질 수지 입자를 스페이서로서 사용하는 것, 또는 도전성 입자를 얻기 위해 사용하는 것에 대하여는 일절 기재되어 있지 않다.In the following
또한, 액정 표시 소자는, 2매의 유리 기판간에 액정이 배치되어 구성되어 있다. 해당 액정 표시 소자에서는, 2매의 유리 기판의 간격(갭)을 균일하면서 일정하게 유지하기 위해서, 갭 제어재로서 스페이서가 사용되고 있다. 해당 스페이서로서, 기재 입자가 일반적으로 사용되고 있다.Moreover, the liquid crystal display element is comprised by arrange|positioning a liquid crystal between two glass substrates. In the liquid crystal display device, in order to keep the gap (gap) between two glass substrates uniform and constant, a spacer is used as a gap control material. As the spacer, substrate particles are generally used.
상기 스페이서의 일례로서, 하기 특허문헌 3에는, 표면의 전역에 걸쳐 요철 형상을 갖는 액정 표시 소자용 스페이서가 개시되어 있다. 하기 특허문헌 3의 실시예에서는, 상기 액정 표시 소자용 스페이서의 BET 비표면적이 1.24m2/g 또는 1.33m2/g인 것이 기재되어 있다.As an example of the spacer, the following Patent Document 3 discloses a spacer for a liquid crystal display element having an uneven shape over the entire surface. In Examples of the following Patent Document 3, it is described that the BET specific surface area of the spacer for a liquid crystal display element is 1.24 m 2 /g or 1.33 m 2 /g.
근년, 도전성 입자를 포함하는 도전 재료나 접속 재료를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속할 때에 비교적 낮은 압력이어도, 전극간을 전기적으로 확실하게 접속하여, 접속 저항을 낮출 것이 요망되고 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, FOG 공법에 있어서의 플렉시블 기판의 실장 시에는, 유리 기판 상에 이방성 도전 재료를 배치하고, 플렉시블 기판을 적층하여, 열압착이 행해지고 있다. 근년, 액정 패널의 프레임 폭 협소화나 유리 기판의 박형화가 진행되고 있다. 이 경우에, 플렉시블 기판의 실장 시에, 높은 압력 및 높은 온도에서 열압착을 행하면, 플렉시블 기판의 실장에 변형이 발생하고, 표시 불균일이 발생하는 경우가 있다. 따라서, FOG 공법에 있어서의 플렉시블 기판의 실장 시에는, 비교적 낮은 압력에서 열압착을 행하는 것이 바람직하다. 또한, FOG 공법 이외에도, 열압착 시의 압력이나 온도를 비교적 낮출 것이 요구되는 것이 있다.In recent years, when electrically connecting between electrodes using a conductive material or a connecting material containing electroconductive particles, it is desired to electrically connect the electrodes reliably even at a relatively low pressure to lower the connection resistance. For example, in the manufacturing method of a liquid crystal display device, at the time of mounting a flexible substrate in the FOG method, an anisotropic conductive material is disposed on a glass substrate, a flexible substrate is laminated, and thermocompression bonding is performed. In recent years, narrowing of the frame width of a liquid crystal panel and thinning of the glass substrate have progressed. In this case, when thermal compression bonding is performed at a high pressure and high temperature at the time of mounting the flexible substrate, deformation occurs in the mounting of the flexible substrate, and display unevenness may occur. Therefore, it is preferable to perform thermocompression bonding at a relatively low pressure when mounting a flexible substrate in the FOG method. In addition to the FOG method, there is a requirement to relatively lower the pressure and temperature during thermocompression bonding.
종래의 기재 입자에서는, 이하의 제1 과제가 있다.In the conventional substrate particle, the following 1st problem exists.
종래의 기재 입자를 도전성 입자로서 사용하는 경우에는, 비교적 낮은 압력에서 전극간을 전기적으로 접속하면, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다. 이 원인으로서는, 도전성 입자가 전극(피착체)에 충분히 접촉하지 않거나, 기재 입자와 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층과의 밀착성이 낮아, 도전층이 박리되는 것을 들 수 있다. 또한, 종래의 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하는 접속부를 형성한 경우에, 해당 접속부에 낙하 등에 의한 충격이 가해지면, 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층의 박리 등에 의해, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.In the case of using conventional substrate particles as conductive particles, connection resistance may increase if the electrodes are electrically connected at a relatively low pressure. The cause of this is that the conductive particles do not sufficiently contact the electrode (adherent), or the adhesion between the substrate particles and the conductive layer disposed on the surface of the substrate particles is low, and the conductive layer is peeled off. In addition, in the case of forming a connection portion that electrically connects the electrodes using conventional conductive particles, when an impact such as dropping is applied to the connection portion, the connection may be made by peeling off the conductive layer disposed on the surface of the substrate particle. Resistance sometimes increases.
또한, 종래의 도전성 입자에서는, 도전성 입자의 입자 직경이 변동되는 경우가 있고, 도전성 입자가 전극(피착체)에 균일하게 접촉하지 않고, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.In addition, in the conventional electroconductive particle, the particle diameter of electroconductive particle may fluctuate, and the electroconductive particle may not make uniform contact with an electrode (adherence), and connection resistance may become high.
또한, 종래의 기재 입자를 액정 표시 소자 등에 사용되는 스페이서로서 사용하는 경우에는, 액정 표시 소자용 부재 등(피착체)을 흡집내는 경우가 있다. 종래의 스페이서에서는, 스페이서의 입자 직경이 변동되는 경우가 있고, 스페이서가 액정 표시 소자용 부재 등(피착체)에 균일하게 접촉하지 않고, 충분한 갭 제어 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다.In addition, when conventional substrate particles are used as spacers used in a liquid crystal display device or the like, a member for a liquid crystal display device or the like (adherence) may be sucked. In the conventional spacer, the particle diameter of the spacer may fluctuate, and the spacer may not evenly contact the member for a liquid crystal display element or the like (adherence), and a sufficient gap control effect may not be obtained.
상기 제1 과제에 대하여, 본 발명의 목적은, 피착체에 균일하게 접촉시킬 수 있는 기재 입자를 제공하는 것이다. 또한, 상기 제1 과제에 대하여, 본 발명의 목적은, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성 및 내충격성을 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있는 기재 입자를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 상기 기재 입자를 사용한 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체를 제공하는 것이다.With respect to the above first problem, an object of the present invention is to provide a substrate particle that can be brought into uniform contact with an adherend. In addition, with respect to the first problem, the object of the present invention is to effectively increase adhesion and impact resistance with the conductive layer when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface. It is to provide a substrate particle capable of effectively lowering connection resistance and effectively increasing connection reliability. Further, an object of the present invention is to provide a conductive particle, a conductive material, and a connection structure using the substrate particle.
또한, 종래의 기재 입자에서는, 이하의 제2 과제가 있다.Moreover, in the conventional substrate particle, there exists the following 2nd subject.
종래의 기재 입자를 도전성 입자로서 사용하는 경우에는, 비교적 낮은 압력에서 전극간을 전기적으로 접속하면, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다. 이 원인으로서는, 도전성 입자가 전극(피착체)에 충분히 접촉하지 않아, 도전성 입자가 압입되어 형성되는 오목부인 압흔이 형성되기 어렵거나, 도전층 및 전극의 표면 산화막을 충분히 관통할 수 없는 것을 들 수 있다. 또한, 종래의 도전성 입자에서는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층과의 밀착성이 낮아, 도전층이 박리되는 경우가 있고, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.In the case of using conventional substrate particles as conductive particles, connection resistance may increase if the electrodes are electrically connected at a relatively low pressure. The cause of this is that the conductive particles are not in sufficient contact with the electrode (the adherend), so that the indentation, which is a concave portion formed by pressing the conductive particles, is difficult to form, or the conductive layer and the surface oxide film of the electrode cannot be sufficiently penetrated. have. In addition, in the conventional electroconductive particle, the adhesion between the substrate particle and the conductive layer disposed on the surface of the substrate particle is low, the conductive layer may be peeled off, and the connection resistance may increase.
또한, 종래의 도전성 입자에서는, 상기 압흔과는 다른 흠집이 전극(피착체)에 형성되어, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.In addition, in the conventional electroconductive particle, a flaw different from the above indentation is formed on the electrode (to-be-adhered body), and connection resistance may increase.
또한, 종래의 기재 입자를 액정 표시 소자 등에 사용되는 스페이서로서 사용하는 경우에는, 액정 표시 소자용 부재 등(피착체)을 흡집내는 경우가 있다. 종래의 스페이서에서는, 충분한 갭 제어 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다.In addition, when conventional substrate particles are used as spacers used in a liquid crystal display device or the like, a member for a liquid crystal display device or the like (adherence) may be sucked. In the conventional spacer, there are cases where a sufficient gap control effect cannot be obtained.
상기 제2 과제에 대하여, 본 발명의 목적은, 피착체의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있는 기재 입자를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 상기 기재 입자를 사용한 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체를 제공하는 것이다.Regarding the second problem, the object of the present invention is to effectively suppress the occurrence of scratches on an adherend, and when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the conductive layer It is to provide a substrate particle capable of effectively increasing the adhesion to and effectively lowering the connection resistance, and effectively increasing the connection reliability. Further, an object of the present invention is to provide a conductive particle, a conductive material, and a connection structure using the substrate particle.
또한, 종래의 기재 입자에서는, 이하의 제3 과제가 있다.Moreover, in the conventional substrate particle, there is the following 3rd subject.
종래의 기재 입자를 도전성 입자로서 사용하는 경우에는, 비교적 낮은 압력에서 전극간을 전기적으로 접속하면, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다. 이 원인으로서는, 도전성 입자가 전극(피착체)에 충분히 접촉하지 않아, 도전성 입자가 압입되어 형성되는 오목부인 압흔이 형성되기 어렵거나, 도전층 및 전극의 표면 산화막을 충분히 관통 가능하지 않은 것을 들 수 있다. 또한, 상기 압흔과는 다른 흠집이 전극(피착체)에 형성되고, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.In the case of using conventional substrate particles as conductive particles, connection resistance may increase if the electrodes are electrically connected at a relatively low pressure. The cause of this is that the conductive particles are not in sufficient contact with the electrode (adherent), so that the indentation, which is a concave portion formed by pressing the conductive particles, is difficult to form, or the conductive layer and the surface oxide film of the electrode are not sufficiently penetrated. have. Further, scratches different from the above indentations are formed on the electrode (adhered body), and connection resistance may increase.
또한, 종래의 기재 입자를 액정 표시 소자 등에 사용되는 스페이서로서 사용하는 경우에는, 액정 표시 소자용 부재 등(피착체)을 흡집내는 경우가 있다. 종래의 스페이서에서는, 충분한 갭 제어 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다.In addition, when conventional substrate particles are used as spacers used in a liquid crystal display device or the like, a member for a liquid crystal display device or the like (adherence) may be sucked. In the conventional spacer, there are cases where a sufficient gap control effect cannot be obtained.
상기 제3 과제에 대하여, 본 발명의 목적은, 피착체의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있는 기재 입자를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 상기 기재 입자를 사용한 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체를 제공하는 것이다.Regarding the third problem, the object of the present invention is to effectively suppress the occurrence of scratches on an adherend, and when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, connection resistance It is to provide a substrate particle capable of effectively lowering the value and effectively increasing the connection reliability. Further, an object of the present invention is to provide a conductive particle, a conductive material, and a connection structure using the substrate particle.
또한, 종래의 기재 입자에서는, 이하의 제4 과제가 있다.Moreover, in the conventional substrate particle, there is the following 4th problem.
종래의 기재 입자를 도전성 입자로서 사용하는 경우에는, 비교적 낮은 압력에서 전극간을 전기적으로 접속하면, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다. 이 원인으로서는, 도전성 입자가 전극(피착체)에 충분히 접촉하지 않거나, 기재 입자와 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층과의 밀착성이 낮아, 도전층이 박리되는 것을 들 수 있다. 또한, 종래의 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하는 접속부를 형성한 경우에, 해당 접속부에 낙하 등에 의한 충격이 가해지면, 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층의 박리 등에 의해, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.In the case of using conventional substrate particles as conductive particles, connection resistance may increase if the electrodes are electrically connected at a relatively low pressure. The cause of this is that the conductive particles do not sufficiently contact the electrode (adherent), or the adhesion between the substrate particles and the conductive layer disposed on the surface of the substrate particles is low, and the conductive layer is peeled off. In addition, in the case of forming a connection portion that electrically connects the electrodes using conventional conductive particles, when an impact such as dropping is applied to the connection portion, the connection may be made by peeling off the conductive layer disposed on the surface of the substrate particle. Resistance sometimes increases.
또한, 종래의 도전성 입자에서는, 접속 시의 압력뿐만 아니라 전극(피착체)의 경도(재질)에 의해, 도전성 입자가 전극(피착체)에 충분히 접촉하지 않고, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다. 또한, 전극(피착체) 표면에 흠집이 형성되어, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.In addition, in the conventional electroconductive particle, not only the pressure at the time of connection but also the hardness (material) of an electrode (adherence), the electroconductive particle does not fully contact an electrode (adherence), and connection resistance may become high. In addition, scratches may be formed on the surface of the electrode (to-be-adhered body) and the connection resistance may increase.
또한, 종래의 기재 입자를 액정 표시 소자 등에 사용되는 스페이서로서 사용하는 경우에는, 액정 표시 소자용 부재 등(피착체)을 흡집내는 경우가 있다. 종래의 스페이서에서는, 액정 표시 소자용 부재 등(피착체)에 충분히 접촉하지 않고, 충분한 갭 제어 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다.In addition, when conventional substrate particles are used as spacers used in a liquid crystal display device or the like, a member for a liquid crystal display device or the like (adherence) may be sucked. In a conventional spacer, there is a case where a sufficient gap control effect cannot be obtained without sufficiently contacting a member for a liquid crystal display element or the like (adherence).
상기 제4 과제에 대하여, 본 발명의 목적은, 피착체의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있고, 내충격성을 효과적으로 높일 수 있고, 또한 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있는 기재 입자를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 상기 기재 입자를 사용한 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체를 제공하는 것이다.Regarding the fourth problem, it is an object of the present invention to effectively suppress the occurrence of scratches on an adherend, and when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the conductive layer It is to provide a substrate particle capable of effectively increasing the adhesion to and effectively increasing the impact resistance, and effectively lowering the connection resistance. Further, an object of the present invention is to provide a conductive particle, a conductive material, and a connection structure using the substrate particle.
본원 명세서는 상기 제1 과제, 상기 제2 과제, 상기 제3 과제 및 상기 제4 과제를 각각 해결할 수 있는 기재 입자(적어도 4종류의 기재 입자)를 제공한다.The present specification provides substrate particles (at least four types of substrate particles) capable of solving the first problem, the second problem, the third problem, and the fourth problem, respectively.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성됨으로써, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용되는 기재 입자이며, BET 비표면적이 5m2/g 이상이며, 입자 직경의 CV값이 10% 이하인, 기재 입자가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, it is a substrate particle used as a spacer or a conductive layer is formed on the surface to obtain the conductive particles having the conductive layer, and the BET specific surface area is 5 m 2 /g or more, A substrate particle having a CV value of 10% or less of the particle diameter is provided.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1N/mm2 이상 3500N/mm2 이하이다.In a particular aspect of the base particles of the present invention, the compression modulus of 10% when compressed at least 1N / mm 2 3500N / mm 2 or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1N/mm2 이상 3000N/mm2 이하이다.In a particular aspect of the base particles of the present invention, the compression elastic modulus at 30% compression hayeoteul least 1N / mm 2 3000N / mm 2 or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 압축 회복률이 5% 이상 60% 이하이다.In a specific aspect of the substrate particles according to the present invention, the compression recovery rate is 5% or more and 60% or less.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, BET 비표면적이 300m2/g 이상 600m2/g 미만이고, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하인, 기재 입자가 제공된다.According to the broad aspect of the invention, the BET specific surface area of 300m 2 / g more than 600m 2 / g is less than a, the compression elastic modulus when compressed 10% 100N / mm 2 more than 3000N / mm 2 or less, base particles are provided.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 2500N/mm2 이하이다.In a particular aspect of the base particles of the present invention, the compression modulus is 100N / mm 2 more than 2500N / mm 2 or less at the time of 30% compression hayeoteul.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 압축 회복률이 5% 이상 60% 이하이다.In a specific aspect of the substrate particles according to the present invention, the compression recovery rate is 5% or more and 60% or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 입자 직경의 CV값이 10% 이하이다.In certain aspects of the substrate particles according to the present invention, the CV value of the particle diameter is 10% or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성됨으로써, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다.In a specific aspect of the substrate particle according to the present invention, the substrate particle is used as a spacer, or is used to obtain a conductive particle having the conductive layer by forming a conductive layer on the surface thereof.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, BET 비표면적이 5m2/g 이상 300m2/g 미만이고, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하인, 기재 입자가 제공된다.According to the broad aspect of the invention, the BET specific surface area of 5m 2 / g more than 300m 2 / g is less than a, the compression modulus of the time 30% hayeoteul compression 100N / mm 2 more than 3000N / mm 2 or less, base particles are provided.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 3500N/mm2 이하이다.In a particular aspect of the base particles of the present invention, the compression modulus is 100N / mm 2 more than 3500N / mm 2 or less at the time when compressed 10%.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 압축 회복률이 5% 이상 60% 이하이다.In a specific aspect of the substrate particles according to the present invention, the compression recovery rate is 5% or more and 60% or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 입자 직경의 CV값이 10% 이하이다.In certain aspects of the substrate particles according to the present invention, the CV value of the particle diameter is 10% or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성됨으로써, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다.In a specific aspect of the substrate particle according to the present invention, the substrate particle is used as a spacer, or is used to obtain a conductive particle having the conductive layer by forming a conductive layer on the surface thereof.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, BET 비표면적이 600m2/g 이상이며, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이고, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이고, 압축 회복률이 5% 이상인, 기재 입자가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, the BET specific surface area is 600 m 2 /g or more, the compressive elastic modulus when compressed by 10% is 1200 N/mm 2 or less, and the compressive elastic modulus when compressed by 30% is 1200 N/mm 2 or less. And the base particles having a compression recovery rate of 5% or more are provided.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 입자 직경의 CV값이 10% 이하이다.In certain aspects of the substrate particles according to the present invention, the CV value of the particle diameter is 10% or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성됨으로써, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다.In a specific aspect of the substrate particle according to the present invention, the substrate particle is used as a spacer, or is used to obtain a conductive particle having the conductive layer by forming a conductive layer on the surface thereof.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 밀도가 1g/cm3 이상 1.4g/cm3 이하이다.In a specific aspect of the substrate particles according to the present invention, the density is 1 g/cm 3 or more and 1.4 g/cm 3 or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 전체 세공 용적이 0.01cm3/g 이상 3cm3/g 이하이다.In certain aspects of the substrate particles according to the present invention, the total pore volume is 0.01 cm 3 /g or more and 3 cm 3 /g or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 평균 세공 직경이 10nm 이하이다.In certain aspects of the substrate particles according to the present invention, the average pore diameter is 10 nm or less.
본 발명에 관한 기재 입자의 어느 특정한 국면에서는, 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상 100㎛ 이하이다.In certain aspects of the substrate particles according to the present invention, the average particle diameter is 0.1 µm or more and 100 µm or less.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, 상술한 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 구비하는, 도전성 입자가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, electroconductive particles are provided that include the above-described substrate particles and a conductive layer disposed on the surface of the substrate particles.
본 발명에 관한 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전층의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 더 구비한다.In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, an insulating material disposed on the outer surface of the conductive layer is further provided.
본 발명에 관한 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전층의 외표면에 돌기를 갖는다.In a specific aspect of the electroconductive particle according to the present invention, a protrusion is provided on the outer surface of the electroconductive layer.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, 도전성 입자와 바인더 수지를 포함하고, 상기 도전성 입자가 상술한 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 구비하는, 도전 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material comprising electroconductive particles and a binder resin, wherein the electroconductive particles include the aforementioned substrate particles and a conductive layer disposed on the surface of the substrate particles.
본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부가 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 바인더 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있고, 상기 도전성 입자가 상술한 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 구비하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, a first connection object member having a first electrode on its surface, a second connection object member having a second electrode on its surface, the first connection object member and the second connection object member are provided. A connecting portion to be connected is provided, the connecting portion is formed of conductive particles, or is formed of a conductive material containing the conductive particles and a binder resin, and the conductive particles are the aforementioned substrate particles and the substrate particles. There is provided a connection structure comprising a conductive layer disposed on the surface of the cell, wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
본 발명에 관한 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적이 5m2/g 이상이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 입자 직경의 CV값이 10% 이하이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 피착체에 균일하게 접촉시킬 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성 및 내충격성을 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.The substrate particle according to the present invention is used as a spacer, or a conductive layer is formed on the surface, and is used to obtain conductive particles having the conductive layer. In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 5 m 2 /g or more. In the substrate particle according to the present invention, the CV value of the particle diameter is 10% or less. In the substrate particle according to the present invention, since the above configuration is provided, it can be uniformly brought into contact with an adherend, and when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the conductive layer It is possible to effectively increase adhesion and impact resistance to and to effectively lower the connection resistance, and to increase connection reliability effectively.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적이 300m2/g 이상 600m2/g 미만이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 피착체의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 300 m 2 /g or more and less than 600 m 2 /g. The base particles according to the present invention, the compression modulus is 100N / mm 2 more than 3000N / mm 2 or less at the time when compressed 10%. In the substrate particle according to the present invention, since the above configuration is provided, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend, and when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, The adhesion to the conductive layer can be effectively increased, the connection resistance can be effectively reduced, and the connection reliability can be effectively increased.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적이 5m2/g 이상 300m2/g 미만이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 피착체의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 5 m 2 /g or more and less than 300 m 2 /g. The base particles according to the present invention, the compression modulus is 100N / mm 2 more than 3000N / mm 2 or less at the time of 30% compression hayeoteul. In the substrate particle according to the present invention, since the above configuration is provided, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend, and when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, Connection resistance can be effectively lowered, and connection reliability can be effectively increased.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적이 600m2/g 이상이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 압축 회복률이 5% 이상이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 피착체의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있고, 내충격성을 효과적으로 높일 수 있고, 또한 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 600 m 2 /g or more. In the substrate particles according to the present invention, the compressive elastic modulus when compressed by 10% is 1200 N/mm 2 or less. In the substrate particles according to the present invention, the compressive elastic modulus when compressed by 30% is 1200 N/mm 2 or less. In the substrate particle according to the present invention, the compression recovery rate is 5% or more. In the substrate particle according to the present invention, since the above configuration is provided, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend, and when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, The adhesion to the conductive layer can be effectively increased, the impact resistance can be effectively increased, and the connection resistance can be effectively reduced.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 도전성 입자를 사용한 접속 구조체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5는, 본 발명에 관한 기재 입자를 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용한 액정 표시 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a third embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing an example of a connection structure using electroconductive particles according to the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing an example of a liquid crystal display device in which the substrate particles according to the present invention are used as a spacer for a liquid crystal display device.
이하, 본 발명의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described.
(기재 입자)(Substrate particle)
본 발명에서는, 이하의 기재 입자 1 내지 기재 입자 4를 개시한다.In the present invention, the following
기재 입자 1:Substrate particle 1:
본 발명에 관한 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적이 5m2/g 이상이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 입자 직경의 CV값이 10% 이하이다.The substrate particle according to the present invention is used as a spacer, or a conductive layer is formed on the surface, and is used to obtain conductive particles having the conductive layer. In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 5 m 2 /g or more. In the substrate particle according to the present invention, the CV value of the particle diameter is 10% or less.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 피착체에 균일하게 접촉시킬 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성 및 내충격성을 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, since the above configuration is provided, it can be uniformly brought into contact with an adherend, and when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the conductive layer It is possible to effectively increase adhesion and impact resistance to and to effectively lower the connection resistance, and to increase connection reliability effectively.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 적당한 BET 비표면적을 갖기 때문에, 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성할 때에 기재 입자의 표면의 미세한 공극에 도전층이 들어가고, 기재 입자와 도전층의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있어, 도전층의 박리를 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하는 접속부를 형성하는 경우에는, 해당 접속부에 낙하 등에 의한 충격이 가해져도, 도전층의 박리가 효과적으로 방지되고, 전극간의 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있다. 본 발명에 관한 기재 입자를 사용한 도전성 입자로는, 내충격성을 효과적으로 높일 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 입자 직경의 CV값이 비교적 작고, 도전성 입자의 입자 직경의 변동을 효과적으로 억제할 수 있고, 도전성 입자를 전극에 균일하게 접촉시킬 수 있다. 결과적으로, 전극간의 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 전극간의 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다. 예를 들어, 도전성 입자에 의해 전극간이 전기적으로 접속된 접속 구조체를 고온 및 고습 조건 하에서 장시간 방치해도, 접속 저항이 한층 더 높아지기 어렵고, 도통 불량이 한층 더 발생하기 어려워진다.In the substrate particle according to the present invention, since it has an appropriate BET specific surface area, when forming the conductive layer on the surface of the substrate particle, the conductive layer enters the fine pores of the surface of the substrate particle, and the adhesion between the substrate particle and the conductive layer is effective. It can be increased, and peeling of the conductive layer can be effectively prevented. In addition, in the case of forming a connection portion that electrically connects the electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface of the substrate particle according to the present invention, even if an impact by dropping or the like is applied to the connection portion, the conductive layer Peeling is effectively prevented, and connection resistance between electrodes can be effectively lowered. With the electroconductive particle using the base material particle of this invention, impact resistance can be improved effectively. Further, in the substrate particle according to the present invention, the CV value of the particle diameter is relatively small, the fluctuation of the particle diameter of the electroconductive particle can be effectively suppressed, and the electroconductive particle can be brought into uniform contact with the electrode. As a result, the connection resistance between the electrodes can be effectively lowered, and the connection reliability between the electrodes can be effectively increased. For example, even if the connection structure electrically connected between electrodes by electroconductive particles is left for a long time under high temperature and high humidity conditions, the connection resistance is more difficult to increase and conduction failure is more difficult to occur.
또한, 본 발명에 관한 기재 입자를 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용한 경우에는, 액정 표시 소자용 부재 등의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 입자 직경의 CV값이 비교적 작고, 스페이서의 입자 직경의 변동을 효과적으로 억제할 수 있고, 스페이서를 액정 표시 소자용 부재 등에 균일하게 접촉시킬 수 있다. 이 때문에, 충분한 갭 제어 효과를 얻을 수 있다. 결과적으로, 액정 표시 소자의 표시 품질을 한층 더 양호하게 할 수 있다.In addition, when the substrate particle according to the present invention is used as a spacer for a liquid crystal display element, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the member for a liquid crystal display element. Further, in the substrate particle according to the present invention, the CV value of the particle diameter is relatively small, the fluctuation of the particle diameter of the spacer can be effectively suppressed, and the spacer can be uniformly brought into contact with a member for a liquid crystal display element or the like. For this reason, a sufficient gap control effect can be obtained. As a result, the display quality of the liquid crystal display element can be further improved.
본 발명에 관한 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다. 본 발명에 관한 기재 입자는 스페이서로서 사용되어도 된다. 본 발명에 관한 기재 입자는, 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용되어도 된다. 본 발명에 관한 기재 입자는 스페이서용 기재 입자인 것이 바람직하다. 본 발명에 관한 기재 입자는, 도전성 입자용 기재 입자인 것이 바람직하다.The substrate particle according to the present invention is used as a spacer, or a conductive layer is formed on the surface, and is used to obtain conductive particles having the conductive layer. The substrate particle according to the present invention may be used as a spacer. The substrate particle according to the present invention has a conductive layer formed on its surface, and may be used to obtain conductive particles having the conductive layer. It is preferable that the base material particle of this invention is a base material particle for spacers. It is preferable that the base material particle of this invention is a base material particle for electroconductive particle.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적은 5m2/g 이상이다. 상기 기재 입자의 BET 비표면적은 바람직하게는 8m2/g 이상, 보다 바람직하게는 12m2/g 이상이며, 바람직하게는 1200m2/g 이하, 보다 바람직하게는 1000m2/g 이하, 더욱 바람직하게는 700m2/g 이하이다. 상기 BET 비표면적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성 및 내충격성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 5 m 2 /g or more. The BET specific surface area of the substrate particles is preferably 8 m 2 /g or more, more preferably 12 m 2 /g or more, preferably 1200 m 2 /g or less, more preferably 1000 m 2 /g or less, even more preferably Is not more than 700m 2 /g. If the BET specific surface area is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the adhesion and impact resistance with the conductive layer are further effectively improved. This can be achieved, the connection resistance can be further effectively lowered, and the connection reliability can be further increased more effectively.
상기 BET 비표면적은 BET법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 BET 비표면적의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다. 또한, 측정 시의 조건은 샘플량: 0.5g, 아웃 가스의 종류: 질소, 아웃 가스의 온도: 28℃, 아웃 가스 시간: 3시간 및 배스 온도: 273K(0℃)인 것이 바람직하다.The BET specific surface area can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen based on the BET method. Examples of the device for measuring the BET specific surface area include "NOVA4200e" manufactured by Cantachrom Instruments. In addition, the conditions at the time of measurement are preferably sample amount: 0.5 g, out gas type: nitrogen, out gas temperature: 28°C, out gas time: 3 hours, and bath temperature: 273 K (0° C.).
상기 기재 입자의 밀도는 바람직하게는 1g/cm3 이상, 보다 바람직하게는 1.1g/cm3 이상이며, 바람직하게는 1.4g/cm3 이하, 보다 바람직하게는 1.3g/cm3 이하이다. 상기 밀도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The density of the substrate particles is preferably 1 g/cm 3 or more, more preferably 1.1 g/cm 3 or more, preferably 1.4 g/cm 3 or less, more preferably 1.3 g/cm 3 or less. If the density is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, and the connection reliability is further increased. You can increase it more effectively.
상기 기재 입자의 밀도는 비중 병법 밀도 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다. 상기 비중 병법 밀도 측정 장치로서는, 시마즈 세이사쿠쇼사제 「Accupyc 1330」 등을 들 수 있다. 또한, 측정 시의 조건은 샘플량: 1g 및 측정 온도: 28℃인 것이 바람직하다.The density of the substrate particles can be measured using a specific gravity combination density measuring device. Examples of the specific gravity combined method density measuring device include "Accupyc 1330" manufactured by Shimadzu Corporation. In addition, the conditions at the time of measurement are preferably sample amount: 1 g and measurement temperature: 28°C.
상기 기재 입자의 전체 세공 용적은 바람직하게는 0.01cm3/g 이상, 보다 바람직하게는 0.05cm3/g 이상이며, 바람직하게는 3cm3/g 이하, 보다 바람직하게는 1.5cm3/g 이하이다. 상기 전체 세공 용적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성 및 내충격성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The total pore volume of the substrate particles is preferably 0.01 cm 3 /g or more, more preferably 0.05 cm 3 /g or more, preferably 3 cm 3 /g or less, more preferably 1.5 cm 3 /g or less . When the total pore volume is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the adhesion and impact resistance with the conductive layer are further effectively improved. This can be achieved, the connection resistance can be further effectively lowered, and the connection reliability can be further increased more effectively.
상기 전체 세공 용적은 BJH법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 전체 세공 용적의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다.The total pore volume can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen in accordance with the BJH method. Examples of the device for measuring the total pore volume include "NOVA4200e" manufactured by Cantachrom Instruments.
상기 기재 입자의 평균 세공 직경은 바람직하게는 10nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이하이다. 상기 기재 입자의 평균 세공 직경의 하한은 특별히 한정되지 않는다. 상기 기재 입자의 평균 세공 직경은 1nm 이상이어도 된다. 상기 평균 세공 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성 및 내충격성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The average pore diameter of the substrate particles is preferably 10 nm or less, more preferably 5 nm or less. The lower limit of the average pore diameter of the substrate particles is not particularly limited. The average pore diameter of the substrate particles may be 1 nm or more. If the average pore diameter is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the adhesion and impact resistance to the conductive layer are further effectively improved. This can be achieved, the connection resistance can be further effectively lowered, and the connection reliability can be further increased more effectively.
상기 평균 세공 직경은 BJH법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 평균 세공 직경의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다.The average pore diameter can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen in accordance with the BJH method. As the measuring device for the average pore diameter, "NOVA4200e" by Cantachrom Instruments Inc. is mentioned.
상기 BET 비표면적, 상기 전체 세공 용적 및 상기 평균 세공 직경의 바람직한 범위를 만족시키는 기재 입자는, 예를 들어 하기 공정을 구비하는 기재 입자의 제조 방법에 의해 얻을 수 있다. 중합성 모노머와, 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제를 혼합하여, 중합성 모노머 용액을 조정하는 공정. 상기 중합성 모노머 용액과 음이온성 분산 안정제를 극성 용매에 첨가하여 유화시켜 유화액을 얻는 공정. 상기 유화액을 수회로 나누어 첨가하고, 종입자에 모노머를 흡수시켜, 모노머가 팽윤된 종입자를 포함하는 현탁액을 얻는 공정. 상기 중합성 모노머를 중합시켜 기재 입자를 얻는 공정. 상기 중합성 모노머로서는, 예를 들어 단관능성 모노머 및 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제는, 중합계의 매체인 물 등의 극성 용매와 상용하지 않는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 상기 유기 용제로서는, 예를 들어 시클로헥산, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산알릴, 아세트산프로필, 클로로포름, 메틸시클로헥산, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 상기 유기 용제의 첨가량은, 상기 중합성 모노머 성분 100중량부에 대하여 1중량부 내지 215중량부인 것이 바람직하고, 5중량부 내지 210중량부인 것이 보다 바람직하다. 상기 유기 용제의 첨가량이 상기 바람직한 범위이면, BET 비표면적을 한층 더 적합한 범위로 제어할 수 있고, 입자 내부에서 치밀한 세공이 얻어지기 쉬워진다. 특히 중합성 모노머의 SP값이 8.0 내지 10.0이며, 또한 유기 용제의 SP값이 8.0 내지 11.0인 조합의 경우에, 상기 BET 비표면적, 상기 전체 세공 용적 및 상기 평균 세공 직경을 보다 한층 더 효과적으로 적합한 범위로 제어할 수 있다.The substrate particles satisfying the preferred ranges of the BET specific surface area, the total pore volume, and the average pore diameter can be obtained, for example, by a method for producing a substrate particle comprising the following steps. A step of preparing a polymerizable monomer solution by mixing a polymerizable monomer and an organic solvent that does not react with the polymerizable monomer. A step of obtaining an emulsion by adding the polymerizable monomer solution and an anionic dispersion stabilizer to a polar solvent and emulsifying it. A step of dividing the emulsion into several times and absorbing the monomer into the seed particles to obtain a suspension containing the seed particles swollen with the monomer. A step of polymerizing the polymerizable monomer to obtain substrate particles. As said polymerizable monomer, a monofunctional monomer, a polyfunctional monomer, etc. are mentioned, for example. The organic solvent that does not react with the polymerizable monomer is not particularly limited as long as it is not compatible with a polar solvent such as water, which is a polymerization medium. Examples of the organic solvent include cyclohexane, toluene, xylene, ethyl acetate, butyl acetate, allyl acetate, propyl acetate, chloroform, methylcyclohexane, and methyl ethyl ketone. The amount of the organic solvent added is preferably 1 to 215 parts by weight, more preferably 5 to 210 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymerizable monomer component. If the amount of the organic solvent to be added is within the preferred range, the BET specific surface area can be controlled to a further suitable range, and fine pores are easily obtained inside the particles. In particular, in the case of a combination in which the SP value of the polymerizable monomer is 8.0 to 10.0 and the SP value of the organic solvent is 8.0 to 11.0, the BET specific surface area, the total pore volume, and the average pore diameter are more effectively suited to the range. Can be controlled by
상기 기재 입자를 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률(10% K값)은, 바람직하게는 1N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 100N/mm2 이상이며, 바람직하게는 3500N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 3000N/mm2 이하이다. 상기 10% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.Compression modulus (10% K value) when compressing the base particles 10%, preferably more than 1N / mm 2 or more, and more preferably at least 100N / mm 2, preferably 3500N / mm 2 or less, Preferably it is 3000 N/mm 2 or less. If the 10% K value is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the connection resistance can be lowered even more effectively when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, and the connection Reliability can be improved even more effectively.
상기 기재 입자를 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률(30% K값)은, 바람직하게는 1N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 100N/mm2 이상이며, 바람직하게는 3000N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 2800N/mm2 이하이다. 상기 30% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.Compression modulus (30% K value) when compressing the base particles 30%, preferably more than 1N / mm 2 or more, and more preferably at least 100N / mm 2, preferably 3000N / mm 2 or less, It is preferably 2800 N/mm 2 or less. If the 30% K value is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, and further connection Reliability can be improved even more effectively.
상기 기재 입자에 있어서의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) in the substrate particle can be measured as follows.
미소 압축 시험기를 사용하여, 원주(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃, 압축 속도 0.3mN/초 및 최대 시험 하중 20mN의 조건 하에서 기재 입자 1개를 압축한다. 이 때의 하중값(N) 및 압축 변위(mm)를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다. 상기 기재 입자에 있어서의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)은, 임의로 선택된 50개의 기재 입자의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)을 산술 평균함으로써 산출하는 것이 바람직하다.Using a micro-compression tester, one substrate particle is compressed under the conditions of 25°C, a compression speed of 0.3 mN/sec, and a maximum test load of 20 mN, on an end surface of a smooth indenter of a circumference (diameter 50 μm, made of diamond). The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the obtained measured values, the compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) can be determined by the following equation. As the micro-compression tester, for example, "Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer is used. The compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) of the substrate particles is calculated by arithmetic average of the compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) of 50 randomly selected substrate particles. desirable.
10% K값 또는 30% K값(N/mm2)=(3/21/2)·F·S-3/2·R-1/2 10% K value or 30% K value (N/mm 2 )=(3/2 1/2 )·F·S -3/2 ·R -1/2
F: 기재 입자가 10% 또는 30% 압축 변형되었을 때의 하중값(N)F: Load value (N) when the base particles are compressed by 10% or 30%
S: 기재 입자가 10% 또는 30% 압축 변형되었을 때의 압축 변위(mm)S: Compression displacement (mm) when the substrate particles are compressed by 10% or 30%
R: 기재 입자의 반경(mm)R: radius of the substrate particle (mm)
상기 압축 탄성률은 기재 입자의 경도를 보편적이면서 정량적으로 나타낸다. 상기 압축 탄성률의 사용에 의해, 기재 입자의 경도를 정량적이면서 일의적으로 나타낼 수 있다.The compressive modulus is a universal and quantitative representation of the hardness of the substrate particles. By using the compression modulus, the hardness of the substrate particles can be quantitatively and uniquely expressed.
상기 기재 입자의 압축 회복률은 바람직하게는 5% 이상, 보다 바람직하게는 7% 이상이며, 바람직하게는 60% 이하, 보다 바람직하게는 50% 이하이다. 상기 압축 회복률이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The compression recovery rate of the substrate particles is preferably 5% or more, more preferably 7% or more, preferably 60% or less, and more preferably 50% or less. If the compression recovery rate is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, and connection reliability is further improved. It can be increased more effectively.
상기 기재 입자의 압축 회복률은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compression recovery rate of the substrate particles can be measured as follows.
시료대 상에 기재 입자를 살포한다. 살포된 기재 입자 1개에 대하여, 미소 압축 시험기를 사용하여, 원주(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃에서 기재 입자의 중심 방향으로, 기재 입자가 30% 압축 변형될 때까지 부하(반전 하중값)를 부여한다. 그 후, 원점용 하중값(0.40mN)까지 제하를 행한다. 이 사이의 하중-압축 변위를 측정하고, 하기 식으로부터 압축 회복률을 구할 수 있다. 또한, 부하 속도는 0.33mN/초로 한다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.The substrate particles are sprayed on the sample stage. For one sprayed substrate particle, using a micro-compression tester, the substrate particle will be compressed by 30% at the end face of the smooth indenter of the circumference (diameter 50 μm, made of diamond), in the direction of the center of the substrate particle at 25°C. The load (reverse load value) is applied until. After that, unloading is performed up to the original load value (0.40mN). The load-compression displacement in the meantime is measured, and the compression recovery rate can be calculated|required from the following formula. In addition, the load speed is set to 0.33 mN/sec. As the micro-compression tester, for example, "Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer is used.
압축 회복률(%)=[L2/L1]×100Compression recovery rate (%)=[L2/L1]×100
L1: 부하를 부여할 때의 원점용 하중값으로부터 반전 하중값에 이르기까지의 압축 변위L1: Compression displacement from the origin load value at the time of applying the load to the reverse load value
L2: 부하를 해방할 때의 반전 하중값으로부터 원점용 하중값에 이르기까지의 제하 변위L2: Unloading displacement from the reverse load value when the load is released to the origin load value
상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다. 상기 도전성 입자에 있어서, 상기 도전층은 상기 기재 입자의 표면 상에 형성된다. 상기 기재 입자는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용되는 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 스페이서의 사용 방법으로서는, 액정 표시 소자용 스페이서, 갭 제어용 스페이서 및 응력 완화용 스페이서 등을 들 수 있다. 상기 갭 제어용 스페이서는, 스탠드 오프 높이 및 평탄성을 확보하기 위한 적층 칩의 갭 제어, 그리고 유리면의 평활성 및 접착제층의 두께를 확보하기 위한 광학 부품의 갭 제어 등에 사용할 수 있다. 상기 응력 완화용 스페이서는 센서 칩 등의 응력 완화 및 2개의 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부의 응력 완화 등에 사용할 수 있다.The substrate particle is used as a spacer, or a conductive layer is formed on a surface thereof, and is used to obtain conductive particles having the conductive layer. In the electroconductive particle, the electroconductive layer is formed on the surface of the substrate particle. It is preferable that the said substrate particle is formed with a conductive layer on the surface, and is used to obtain the electroconductive particle which has the said electroconductive layer. It is preferable that the substrate particles are used as spacers. As a method of using the spacer, a spacer for a liquid crystal display device, a spacer for gap control, a spacer for stress relaxation, and the like can be mentioned. The gap control spacer may be used for gap control of a laminated chip to ensure standoff height and flatness, and gap control of an optical component to ensure smoothness of a glass surface and a thickness of an adhesive layer. The stress relaxation spacer can be used for stress relaxation of a sensor chip or the like and stress relaxation of a connection portion connecting two members to be connected.
상기 기재 입자는 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용되는 것이 바람직하고, 액정 표시 소자용 주변 시일제에 사용되는 것이 바람직하다. 상기 액정 표시 소자용 주변 시일제에 있어서, 상기 기재 입자는 스페이서로서 기능하는 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 양호한 압축 변형 특성을 가지므로, 상기 기재 입자를 스페이서로서 사용하여 기판간에 배치하거나, 표면에 도전층을 형성하여 도전성 입자로서 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하거나 한 경우에, 스페이서 또는 도전성 입자가 기판간 또는 전극간에 효율적으로 배치된다. 또한, 상기 기재 입자에서는, 액정 표시 소자용 부재 등에 균일하게 접촉시킬 수 있으므로, 상기 액정 표시 소자용 스페이서를 사용한 액정 표시 소자 및 상기 도전성 입자를 사용한 접속 구조체에 있어서, 접속 불량 및 표시 불량이 발생하기 어려워진다.The substrate particle is preferably used as a spacer for a liquid crystal display device, and is preferably used for a peripheral sealant for a liquid crystal display device. In the peripheral sealing agent for a liquid crystal display device, it is preferable that the substrate particle functions as a spacer. Since the substrate particles have good compressive deformation properties, when the substrate particles are used as spacers and disposed between substrates, or a conductive layer is formed on the surface and used as conductive particles to electrically connect the electrodes, a spacer or The conductive particles are efficiently disposed between substrates or between electrodes. In addition, since the substrate particles can be uniformly brought into contact with a member for a liquid crystal display element, etc., in the liquid crystal display element using the spacer for the liquid crystal display element and the connection structure using the conductive particles, poor connection and display failure occur. It becomes difficult.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 기재 입자의 입자 직경의 CV값(변동 계수)은 10% 이하이다. 상기 CV값은 바람직하게는 7% 이하, 보다 바람직하게는 5% 이하이다. 상기 CV값이 상기 상한 이하이면, 기재 입자를 피착체에 한층 더 균일하게 접촉시킬 수 있어, 기재 입자를 도전성 입자 및 스페이서의 용도에 한층 더 적합하게 사용 가능해진다. 또한, 상기 CV값은 기재 입자의 분급에 의해 조정할 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the CV value (coefficient of variation) of the particle diameter of the substrate particle is 10% or less. The CV value is preferably 7% or less, more preferably 5% or less. If the CV value is less than or equal to the above upper limit, the substrate particles can be brought into contact with the adherend more evenly, and the substrate particles can be used more suitably for the use of conductive particles and spacers. In addition, the CV value can be adjusted by classification of the substrate particles.
상기 CV값은 하기 식으로 표현된다.The CV value is expressed by the following equation.
CV값(%)=(ρ/Dn)×100CV value (%) = (ρ/Dn) × 100
ρ: 기재 입자의 입자 직경의 표준 편차ρ: standard deviation of the particle diameter of the substrate particle
Dn: 기재 입자의 입자 직경의 평균값Dn: the average value of the particle diameter of the substrate particles
기재 입자 2:Substrate particle 2:
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적이 300m2/g 이상 600m2/g 미만이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하이다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 300 m 2 /g or more and less than 600 m 2 /g. The base particles according to the present invention, the compression modulus is 100N / mm 2 more than 3000N / mm 2 or less at the time when compressed 10%.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 피착체의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, since the above configuration is provided, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend, and when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, The adhesion to the conductive layer can be effectively increased, the connection resistance can be effectively reduced, and the connection reliability can be effectively increased.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률(10% K값)이 비교적 높고, 압축 초기의 경도가 비교적 높다. 이 때문에, 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하는 경우에, 압축 초기에 발현하는 기재 입자의 경도에 의해 도전층 또는 전극의 표면 산화막을 충분히 관통시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 적당한 BET 비표면적을 갖고, 어느 정도 압축된 단계(압축 중기)에서는, 기재 입자의 경도가 비교적 저하되기 쉽다. 이 때문에, 전극에 흠집이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 적당한 BET 비표면적을 갖기 때문에, 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성할 때에 기재 입자의 표면의 미세한 공극에 도전층이 들어가고, 기재 입자와 도전층의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있어, 도전층의 박리를 효과적으로 방지할 수 있다. 결과적으로, 전극간의 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 전극간의 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다. 예를 들어, 도전성 입자에 의해 전극간이 전기적으로 접속된 접속 구조체를 고온 및 고습 조건 하에서 장시간 방치해도, 접속 저항이 한층 더 높아지기 어렵고, 도통 불량이 한층 더 발생하기 어려워진다.In the substrate particle according to the present invention, the compressive elastic modulus (10% K value) when compressed by 10% is relatively high, and the hardness at the initial stage of compression is relatively high. For this reason, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface of the substrate particles, the conductive layer or the surface oxide film of the electrode is sufficiently penetrated by the hardness of the substrate particles expressed at the initial stage of compression. I can make it. In addition, the substrate particles according to the present invention have an appropriate BET specific surface area, and in a step (mid-compression period) compressed to some extent, the hardness of the substrate particles is liable to be relatively lowered. For this reason, it can prevent that a flaw is formed in an electrode. In addition, since the substrate particle according to the present invention has an appropriate BET specific surface area, when forming the conductive layer on the surface of the substrate particle, the conductive layer enters the fine pores of the surface of the substrate particle, and the adhesion between the substrate particle and the conductive layer Can be effectively increased, and peeling of the conductive layer can be effectively prevented. As a result, the connection resistance between the electrodes can be effectively lowered, and the connection reliability between the electrodes can be effectively increased. For example, even if the connection structure electrically connected between electrodes by electroconductive particles is left for a long time under high temperature and high humidity conditions, the connection resistance is more difficult to increase and conduction failure is more difficult to occur.
또한, 본 발명에 관한 기재 입자를 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용한 경우에는, 액정 표시 소자용 부재 등의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 충분한 갭 제어 효과를 얻을 수 있다. 결과적으로, 액정 표시 소자의 표시 품질을 한층 더 양호하게 할 수 있다.In addition, when the substrate particle according to the present invention is used as a spacer for a liquid crystal display element, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the member for a liquid crystal display element, etc., and a sufficient gap control effect can be obtained. As a result, the display quality of the liquid crystal display element can be further improved.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적은 300m2/g 이상 600m2/g 미만이다. 상기 기재 입자의 BET 비표면적은 바람직하게는 320m2/g 이상, 보다 바람직하게는 340m2/g 이상이며, 바람직하게는 580m2/g 이하, 보다 바람직하게는 560m2/g 이하이다. 상기 BET 비표면적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 BET 비표면적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 300 m 2 /g or more and less than 600 m 2 /g. The BET specific surface area of the substrate particles is preferably 320 m 2 /g or more, more preferably 340 m 2 /g or more, preferably 580 m 2 /g or less, more preferably 560 m 2 /g or less. When the BET specific surface area is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the occurrence of scratches on the adherend can be more effectively suppressed. In addition, when the BET specific surface area is more than the lower limit and less than the upper limit, when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the adhesion with the conductive layer can be further effectively improved. In addition, the connection resistance can be further effectively lowered, and the connection reliability can be further effectively increased.
상기 BET 비표면적은 BET법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 BET 비표면적의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다. 또한, 측정 시의 조건은 샘플량: 0.5g, 아웃 가스의 종류: 질소, 아웃 가스의 온도: 28℃, 아웃 가스 시간: 3시간 및 배스 온도: 273K(0℃)인 것이 바람직하다.The BET specific surface area can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen based on the BET method. Examples of the device for measuring the BET specific surface area include "NOVA4200e" manufactured by Cantachrom Instruments. In addition, the conditions at the time of measurement are preferably sample amount: 0.5 g, out gas type: nitrogen, out gas temperature: 28°C, out gas time: 3 hours, and bath temperature: 273 K (0° C.).
상기 기재 입자의 밀도는 바람직하게는 1g/cm3 이상, 보다 바람직하게는 1.1g/cm3 이상이며, 바람직하게는 1.4g/cm3 이하, 보다 바람직하게는 1.3g/cm3 이하이다. 상기 밀도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 밀도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The density of the substrate particles is preferably 1 g/cm 3 or more, more preferably 1.1 g/cm 3 or more, preferably 1.4 g/cm 3 or less, more preferably 1.3 g/cm 3 or less. When the density is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the density is greater than or equal to the lower limit and less than the upper limit, connection resistance can be further effectively lowered and connection reliability when electrically connected between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface thereof. Can be increased more effectively.
상기 기재 입자의 밀도는 비중 병법 밀도 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다. 상기 비중 병법 밀도 측정 장치로서는, 시마즈 세이사쿠쇼사제 「Accupyc 1330」 등을 들 수 있다. 또한, 측정 시의 조건은 샘플량: 1g 및 측정 온도: 28℃인 것이 바람직하다.The density of the substrate particles can be measured using a specific gravity combination density measuring device. Examples of the specific gravity combined method density measuring device include "Accupyc 1330" manufactured by Shimadzu Corporation. In addition, the conditions at the time of measurement are preferably sample amount: 1 g and measurement temperature: 28°C.
상기 기재 입자의 전체 세공 용적은 바람직하게는 0.01cm3/g 이상, 보다 바람직하게는 0.05cm3/g 이상이며, 바람직하게는 3cm3/g 이하, 보다 바람직하게는 1.5cm3/g 이하이다. 상기 전체 세공 용적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 전체 세공 용적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The total pore volume of the substrate particles is preferably 0.01 cm 3 /g or more, more preferably 0.05 cm 3 /g or more, preferably 3 cm 3 /g or less, more preferably 1.5 cm 3 /g or less . When the total pore volume is more than the lower limit and less than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the total pore volume is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the adhesion with the conductive layer can be improved more effectively. In addition, the connection resistance can be further effectively lowered, and the connection reliability can be further effectively increased.
상기 전체 세공 용적은 BJH법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 전체 세공 용적의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다.The total pore volume can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen in accordance with the BJH method. Examples of the device for measuring the total pore volume include "NOVA4200e" manufactured by Cantachrom Instruments.
상기 기재 입자의 평균 세공 직경은 바람직하게는 10nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이하이다. 상기 기재 입자의 평균 세공 직경의 하한은 특별히 한정되지 않는다. 상기 기재 입자의 평균 세공 직경은 1nm 이상이어도 된다. 상기 평균 세공 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 평균 세공 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The average pore diameter of the substrate particles is preferably 10 nm or less, more preferably 5 nm or less. The lower limit of the average pore diameter of the substrate particles is not particularly limited. The average pore diameter of the substrate particles may be 1 nm or more. When the average pore diameter is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the occurrence of scratches on the adherend can be more effectively suppressed. In addition, when the average pore diameter is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the adhesion with the conductive layer can be further effectively improved. In addition, the connection resistance can be further effectively lowered, and the connection reliability can be further effectively increased.
상기 평균 세공 직경은 BJH법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 평균 세공 직경의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다.The average pore diameter can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen in accordance with the BJH method. As the measuring device for the average pore diameter, "NOVA4200e" by Cantachrom Instruments Inc. is mentioned.
상기 BET 비표면적, 상기 전체 세공 용적 및 상기 평균 세공 직경의 바람직한 범위를 만족시키는 기재 입자는, 예를 들어 하기 공정을 구비하는 기재 입자의 제조 방법에 의해 얻을 수 있다. 중합성 모노머와, 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제를 혼합하여, 중합성 모노머 용액을 조정하는 공정. 상기 중합성 모노머 용액과 음이온성 분산 안정제를 극성 용매에 첨가하여 유화시켜 유화액을 얻는 공정. 상기 유화액을 수회로 나누어 첨가하고, 종입자에 모노머를 흡수시켜, 모노머가 팽윤된 종입자를 포함하는 현탁액을 얻는 공정. 상기 중합성 모노머를 중합시켜 기재 입자를 얻는 공정. 상기 중합성 모노머로서는, 예를 들어 단관능성 모노머 및 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제는, 중합계의 매체인 물 등의 극성 용매와 상용하지 않는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 상기 유기 용제로서는, 예를 들어 시클로헥산, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산알릴, 아세트산프로필, 클로로포름, 메틸시클로헥산, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 상기 유기 용제의 첨가량은, 상기 중합성 모노머 성분 100중량부에 대하여 55중량부 내지 100중량부인 것이 바람직하고, 60중량부 내지 95중량부인 것이 보다 바람직하다. 상기 유기 용제의 첨가량이 상기 바람직한 범위이면, BET 비표면적을 한층 더 적합한 범위로 제어할 수 있고, 입자 내부에서 치밀한 세공이 얻어지기 쉬워진다. 특히 중합성 모노머의 SP값이 8.0 내지 10.0이며, 또한 유기 용제의 SP값이 8.0 내지 11.0인 조합의 경우에, 상기 BET 비표면적, 상기 전체 세공 용적 및 상기 평균 세공 직경을 보다 한층 더 효과적으로 적합한 범위로 제어할 수 있다.The substrate particles satisfying the preferred ranges of the BET specific surface area, the total pore volume, and the average pore diameter can be obtained, for example, by a method for producing a substrate particle comprising the following steps. A step of preparing a polymerizable monomer solution by mixing a polymerizable monomer and an organic solvent that does not react with the polymerizable monomer. A step of obtaining an emulsion by adding the polymerizable monomer solution and an anionic dispersion stabilizer to a polar solvent and emulsifying it. A step of dividing the emulsion into several times and absorbing the monomer into the seed particles to obtain a suspension containing the seed particles swollen with the monomer. A step of polymerizing the polymerizable monomer to obtain substrate particles. As said polymerizable monomer, a monofunctional monomer, a polyfunctional monomer, etc. are mentioned, for example. The organic solvent that does not react with the polymerizable monomer is not particularly limited as long as it is not compatible with a polar solvent such as water, which is a polymerization medium. Examples of the organic solvent include cyclohexane, toluene, xylene, ethyl acetate, butyl acetate, allyl acetate, propyl acetate, chloroform, methylcyclohexane, and methyl ethyl ketone. The amount of the organic solvent added is preferably 55 parts by weight to 100 parts by weight, more preferably 60 parts by weight to 95 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymerizable monomer component. If the amount of the organic solvent to be added is within the preferred range, the BET specific surface area can be controlled to a further suitable range, and fine pores are easily obtained inside the particles. In particular, in the case of a combination in which the SP value of the polymerizable monomer is 8.0 to 10.0 and the SP value of the organic solvent is 8.0 to 11.0, the BET specific surface area, the total pore volume, and the average pore diameter are more effectively suited to the range. Can be controlled by
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률(10% K값)은 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하이다. 상기 기재 입자의 10% K값은 바람직하게는 120N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 140N/mm2 이상이며, 바람직하게는 2800N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 2600N/mm2 이하이다. 상기 10% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 10% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The base particles according to the present invention, the compression modulus (10% K value) when compressed 10% was 100N / mm 2 it is at least 3000N / mm 2 or less. 10% K value of the base particles is preferably 120N / mm 2, more preferably at least 140N / mm 2, preferably 2800N / mm 2, more preferably at most 2600N / mm 2 or less. When the 10% K value is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the 10% K value is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, Moreover, connection reliability can be improved more effectively.
상기 기재 입자를 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률(30% K값)은, 바람직하게는 100N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 120N/mm2 이상이며, 바람직하게는 2500N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 2300N/mm2 이하이다. 상기 30% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 30% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The compressive elastic modulus (30% K value) when the substrate particles are compressed by 30% is preferably 100 N/mm 2 or more, more preferably 120 N/mm 2 or more, preferably 2500 N/mm 2 or less, more It is preferably 2300 N/mm 2 or less. When the 30% K value is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the 30% K value is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, Moreover, connection reliability can be improved more effectively.
상기 기재 입자에 있어서의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) in the substrate particle can be measured as follows.
미소 압축 시험기를 사용하여, 원주(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃, 압축 속도 0.3mN/초 및 최대 시험 하중 20mN의 조건 하에서 기재 입자 1개를 압축한다. 이 때의 하중값(N) 및 압축 변위(mm)를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다. 상기 기재 입자에 있어서의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)은, 임의로 선택된 50개의 기재 입자의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)을 산술 평균함으로써 산출하는 것이 바람직하다.Using a micro-compression tester, one substrate particle is compressed under the conditions of 25°C, a compression speed of 0.3 mN/sec, and a maximum test load of 20 mN, on an end surface of a smooth indenter of a circumference (diameter 50 μm, made of diamond). The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the obtained measured values, the compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) can be determined by the following equation. As the micro-compression tester, for example, "Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer is used. The compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) of the substrate particles is calculated by arithmetic average of the compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) of 50 randomly selected substrate particles. desirable.
10% K값 또는 30% K값(N/mm2)=(3/21/2)·F·S-3/2·R-1/2 10% K value or 30% K value (N/mm 2 )=(3/2 1/2 )·F·S -3/2 ·R -1/2
F: 기재 입자가 10% 또는 30% 압축 변형되었을 때의 하중값(N)F: Load value (N) when the base particles are compressed by 10% or 30%
S: 기재 입자가 10% 또는 30% 압축 변형되었을 때의 압축 변위(mm)S: Compression displacement (mm) when the substrate particles are compressed by 10% or 30%
R: 기재 입자의 반경(mm)R: radius of the substrate particle (mm)
상기 압축 탄성률은 기재 입자의 경도를 보편적이면서 정량적으로 나타낸다. 상기 압축 탄성률의 사용에 의해, 기재 입자의 경도를 정량적이면서 일의적으로 나타낼 수 있다.The compressive modulus is a universal and quantitative representation of the hardness of the substrate particles. By using the compression modulus, the hardness of the substrate particles can be quantitatively and uniquely expressed.
상기 기재 입자의 압축 회복률은 바람직하게는 5% 이상, 보다 바람직하게는 7% 이상이며, 바람직하게는 60% 이하, 보다 바람직하게는 50% 이하이다. 상기 기재 입자의 압축 회복률이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 압축 회복률이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The compression recovery rate of the substrate particles is preferably 5% or more, more preferably 7% or more, preferably 60% or less, and more preferably 50% or less. When the compression recovery rate of the substrate particles is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the occurrence of scratches on the adherend can be further effectively suppressed. In addition, when the compression recovery rate is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the connection resistance can be further effectively lowered when the electrode is electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface thereof. Reliability can be improved even more effectively.
상기 기재 입자의 압축 회복률은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compression recovery rate of the substrate particles can be measured as follows.
시료대 상에 기재 입자를 살포한다. 살포된 기재 입자 1개에 대하여, 미소 압축 시험기를 사용하여, 원주(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃에서 기재 입자의 중심 방향으로, 기재 입자가 30% 압축 변형될 때까지 부하(반전 하중값)를 부여한다. 그 후, 원점용 하중값(0.40mN)까지 제하를 행한다. 이 사이의 하중-압축 변위를 측정하고, 하기 식으로부터 압축 회복률을 구할 수 있다. 또한, 부하 속도는 0.33mN/초로 한다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.The substrate particles are sprayed on the sample stage. For one sprayed substrate particle, using a micro-compression tester, the substrate particle will be compressed by 30% at the end face of the smooth indenter of the circumference (diameter 50 μm, made of diamond), in the direction of the center of the substrate particle at 25°C. The load (reverse load value) is applied until. After that, unloading is performed up to the original load value (0.40mN). The load-compression displacement in the meantime is measured, and the compression recovery rate can be calculated|required from the following formula. In addition, the load speed is set to 0.33 mN/sec. As the micro-compression tester, for example, "Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer is used.
압축 회복률(%)=[L2/L1]×100Compression recovery rate (%)=[L2/L1]×100
L1: 부하를 부여할 때의 원점용 하중값으로부터 반전 하중값에 이르기까지의 압축 변위L1: Compression displacement from the origin load value at the time of applying the load to the reverse load value
L2: 부하를 해방할 때의 반전 하중값으로부터 원점용 하중값에 이르기까지의 제하 변위L2: Unloading displacement from the reverse load value when the load is released to the origin load value
상기 기재 입자의 용도는 특별히 한정되지 않는다. 상기 기재 입자는 각종 용도에 적합하게 사용할 수 있다. 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다. 상기 도전성 입자에 있어서, 상기 도전층은 상기 기재 입자의 표면 상에 형성된다. 상기 기재 입자는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용되는 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 스페이서의 사용 방법으로서는, 액정 표시 소자용 스페이서, 갭 제어용 스페이서 및 응력 완화용 스페이서 등을 들 수 있다. 상기 갭 제어용 스페이서는, 스탠드 오프 높이 및 평탄성을 확보하기 위한 적층 칩의 갭 제어, 그리고 유리면의 평활성 및 접착제층의 두께를 확보하기 위한 광학 부품의 갭 제어 등에 사용할 수 있다. 상기 응력 완화용 스페이서는 센서 칩 등의 응력 완화 및 2개의 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부의 응력 완화 등에 사용할 수 있다.The use of the substrate particles is not particularly limited. The substrate particles can be suitably used for various uses. The substrate particle is used as a spacer, or a conductive layer is formed on a surface thereof, and is used to obtain conductive particles having the conductive layer. In the electroconductive particle, the electroconductive layer is formed on the surface of the substrate particle. It is preferable that the said substrate particle is formed with a conductive layer on the surface, and is used to obtain the electroconductive particle which has the said electroconductive layer. It is preferable that the substrate particles are used as spacers. As a method of using the spacer, a spacer for a liquid crystal display device, a spacer for gap control, a spacer for stress relaxation, and the like can be mentioned. The gap control spacer may be used for gap control of a laminated chip to ensure standoff height and flatness, and gap control of an optical component to ensure smoothness of a glass surface and a thickness of an adhesive layer. The stress relaxation spacer can be used for stress relaxation of a sensor chip or the like and stress relaxation of a connection portion connecting two members to be connected.
상기 기재 입자는 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용되는 것이 바람직하고, 액정 표시 소자용 주변 시일제에 사용되는 것이 바람직하다. 상기 액정 표시 소자용 주변 시일제에 있어서, 상기 기재 입자는 스페이서로서 기능하는 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 양호한 압축 변형 특성을 가지므로, 상기 기재 입자를 스페이서로서 사용하여 기판간에 배치하거나, 표면에 도전층을 형성하여 도전성 입자로서 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하거나 한 경우에, 스페이서 또는 도전성 입자가 기판간 또는 전극간에 효율적으로 배치된다. 또한, 상기 기재 입자에서는, 액정 표시 소자용 부재 등의 흠집 발생을 억제할 수 있으므로, 상기 액정 표시 소자용 스페이서를 사용한 액정 표시 소자 및 상기 도전성 입자를 사용한 접속 구조체에 있어서, 접속 불량 및 표시 불량이 발생하기 어려워진다.The substrate particle is preferably used as a spacer for a liquid crystal display device, and is preferably used for a peripheral sealant for a liquid crystal display device. In the peripheral sealing agent for a liquid crystal display device, it is preferable that the substrate particle functions as a spacer. Since the substrate particles have good compressive deformation properties, when the substrate particles are used as spacers and disposed between substrates, or a conductive layer is formed on the surface and used as conductive particles to electrically connect the electrodes, a spacer or The conductive particles are efficiently disposed between substrates or between electrodes. In addition, since the substrate particles can suppress the occurrence of scratches on the members for liquid crystal display elements, etc., in the liquid crystal display element using the spacer for the liquid crystal display element and the connection structure using the conductive particles, poor connection and display It becomes difficult to occur.
또한, 상기 기재 입자는 무기 충전재, 토너의 첨가제, 충격 흡수제 또는 진동 흡수제로서도 적합하게 사용된다. 예를 들어, 고무 또는 스프링 등의 대체품으로서, 상기 기재 입자를 사용할 수 있다.Further, the substrate particles are suitably used also as inorganic fillers, additives for toners, shock absorbers or vibration absorbers. For example, as a substitute for rubber or spring, the above substrate particles can be used.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 기재 입자의 입자 직경의 변동 계수(CV값)는 바람직하게는 10% 이하, 보다 바람직하게는 7% 이하, 더욱 바람직하게는 5% 이하이다. 상기 CV값이 상기 상한 이하이면, 기재 입자를 도전성 입자 및 스페이서의 용도에 한층 더 적합하게 사용 가능해진다. 또한, 상기 CV값은 기재 입자의 분급에 의해 조정할 수 있다.In the substrate particles according to the present invention, the coefficient of variation (CV value) of the particle diameter of the substrate particles is preferably 10% or less, more preferably 7% or less, and still more preferably 5% or less. When the CV value is less than or equal to the above upper limit, the substrate particles can be used more suitably for the use of conductive particles and spacers. In addition, the CV value can be adjusted by classification of the substrate particles.
상기 CV값은 하기 식으로 표현된다.The CV value is expressed by the following equation.
CV값(%)=(ρ/Dn)×100CV value (%) = (ρ/Dn) × 100
ρ: 기재 입자의 입자 직경의 표준 편차ρ: standard deviation of the particle diameter of the substrate particle
Dn: 기재 입자의 입자 직경의 평균값Dn: the average value of the particle diameter of the substrate particles
기재 입자 3:Substrate particle 3:
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적은 5m2/g 이상 300m2/g 미만이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률(30% K값)은 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하이다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 5 m 2 /g or more and less than 300 m 2 /g. The base particles according to the present invention, the 30% compression the compression modulus (30% K value) when the 100N / mm 2 is at least 3000N / mm 2 or less.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 피착체의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, since the above configuration is provided, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend, and when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, Connection resistance can be effectively lowered, and connection reliability can be effectively increased.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 적당한 BET 비표면적을 갖는다. 또한, 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 어느 정도 압축된 단계(압축 중기)에서도 경도가 저하되기 어렵고, 기재 입자의 경도는 비교적 유지된다. 이 때문에, 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하는 경우에, 압축 초기에 발현하는 기재 입자의 경도에 의해 도전층 또는 전극의 표면 산화막을 충분히 관통시킬 수 있다. 또한, 압축 중기에도 유지되는 기재 입자의 경도에 의해, 도전성 입자가 압입되어 형성되는 오목부인 압흔을 형성할 수 있다. 이 때문에, 전극간의 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 전극간의 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다. 예를 들어, 도전성 입자에 의해 전극간이 전기적으로 접속된 접속 구조체를 고온 및 고습 조건 하에서 장시간 방치해도, 접속 저항이 한층 더 높아지기 어렵고, 도통 불량이 한층 더 발생하기 어려워진다. 또한, 상기 압흔은 전극에 의도하지 않게 형성되는 흠집에는 포함되지 않는다.The substrate particle according to the present invention has a suitable BET specific surface area. In addition, in the substrate particles according to the present invention, even in the compressed stage (mid-compression period) to some extent, the hardness is less likely to decrease, and the hardness of the substrate particles is relatively maintained. For this reason, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface of the substrate particles, the conductive layer or the surface oxide film of the electrode is sufficiently penetrated by the hardness of the substrate particles expressed at the initial stage of compression. I can make it. Further, by the hardness of the substrate particles that are retained even in the middle of compression, an indentation, which is a concave portion formed by pressing the conductive particles, can be formed. For this reason, the connection resistance between electrodes can be effectively reduced, and the connection reliability between electrodes can be improved effectively. For example, even if the connection structure electrically connected between electrodes by electroconductive particles is left for a long time under high temperature and high humidity conditions, the connection resistance is more difficult to increase and conduction failure is more difficult to occur. In addition, the indentation is not included in a scratch that is unintentionally formed on the electrode.
또한, 본 발명에 관한 기재 입자를 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용한 경우에는, 액정 표시 소자용 부재 등의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 충분한 갭 제어 효과를 얻을 수 있다. 결과적으로, 액정 표시 소자의 표시 품질을 한층 더 양호하게 할 수 있다.In addition, when the substrate particle according to the present invention is used as a spacer for a liquid crystal display element, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the member for a liquid crystal display element, and a sufficient gap control effect. As a result, the display quality of the liquid crystal display element can be further improved.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적은 5m2/g 이상 300m2/g 미만이다. 상기 기재 입자의 BET 비표면적은 바람직하게는 8m2/g 이상, 보다 바람직하게는 12m2/g 이상이며, 바람직하게는 290m2/g 이하, 보다 바람직하게는 280m2/g 이하이다. 상기 BET 비표면적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 BET 비표면적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 5 m 2 /g or more and less than 300 m 2 /g. The BET specific surface area of the substrate particles is preferably 8 m 2 /g or more, more preferably 12 m 2 /g or more, preferably 290 m 2 /g or less, more preferably 280 m 2 /g or less. When the BET specific surface area is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the occurrence of scratches on the adherend can be more effectively suppressed. In addition, when the BET specific surface area is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, and further Connection reliability can be improved more effectively.
상기 BET 비표면적은 BET법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 BET 비표면적의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다. 또한, 측정 시의 조건은 샘플량: 0.5g, 아웃 가스의 종류: 질소, 아웃 가스의 온도: 28℃, 아웃 가스 시간: 3시간 및 배스 온도: 273K(0℃)인 것이 바람직하다.The BET specific surface area can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen based on the BET method. Examples of the device for measuring the BET specific surface area include "NOVA4200e" manufactured by Cantachrom Instruments. In addition, the conditions at the time of measurement are preferably sample amount: 0.5 g, out gas type: nitrogen, out gas temperature: 28°C, out gas time: 3 hours, and bath temperature: 273 K (0° C.).
상기 기재 입자의 밀도는 바람직하게는 1g/cm3 이상, 보다 바람직하게는 1.1g/cm3 이상이며, 바람직하게는 1.4g/cm3 이하, 보다 바람직하게는 1.3g/cm3 이하이다. 상기 밀도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 밀도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The density of the substrate particles is preferably 1 g/cm 3 or more, more preferably 1.1 g/cm 3 or more, preferably 1.4 g/cm 3 or less, more preferably 1.3 g/cm 3 or less. When the density is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the density is greater than or equal to the lower limit and less than the upper limit, connection resistance can be further effectively lowered and connection reliability when electrically connected between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface thereof. Can be increased more effectively.
상기 기재 입자의 밀도는 비중 병법 밀도 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다. 상기 비중 병법 밀도 측정 장치로서는, 시마즈 세이사쿠쇼사제 「Accupyc 1330」 등을 들 수 있다. 또한, 측정 시의 조건은 샘플량: 1g 및 측정 온도: 28℃인 것이 바람직하다.The density of the substrate particles can be measured using a specific gravity combination density measuring device. Examples of the specific gravity combined method density measuring device include "Accupyc 1330" manufactured by Shimadzu Corporation. In addition, the conditions at the time of measurement are preferably sample amount: 1 g and measurement temperature: 28°C.
상기 기재 입자의 전체 세공 용적은 바람직하게는 0.01cm3/g 이상, 보다 바람직하게는 0.05cm3/g 이상이며, 바람직하게는 3cm3/g 이하, 보다 바람직하게는 1.5cm3/g 이하이다. 상기 전체 세공 용적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 전체 세공 용적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The total pore volume of the substrate particles is preferably 0.01 cm 3 /g or more, more preferably 0.05 cm 3 /g or more, preferably 3 cm 3 /g or less, more preferably 1.5 cm 3 /g or less . When the total pore volume is more than the lower limit and less than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the total pore volume is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, and further Connection reliability can be improved more effectively.
상기 전체 세공 용적은 BJH법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 전체 세공 용적의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다.The total pore volume can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen in accordance with the BJH method. Examples of the device for measuring the total pore volume include "NOVA4200e" manufactured by Cantachrom Instruments.
상기 기재 입자의 평균 세공 직경은 바람직하게는 10nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이하이다. 상기 기재 입자의 평균 세공 직경의 하한은 특별히 한정되지 않는다. 상기 기재 입자의 평균 세공 직경은 1nm 이상이어도 된다. 상기 평균 세공 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 평균 세공 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The average pore diameter of the substrate particles is preferably 10 nm or less, more preferably 5 nm or less. The lower limit of the average pore diameter of the substrate particles is not particularly limited. The average pore diameter of the substrate particles may be 1 nm or more. When the average pore diameter is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the occurrence of scratches on the adherend can be more effectively suppressed. In addition, when the average pore diameter is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, and further Connection reliability can be improved more effectively.
상기 평균 세공 직경은 BJH법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 평균 세공 직경의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다.The average pore diameter can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen in accordance with the BJH method. As the measuring device for the average pore diameter, "NOVA4200e" by Cantachrom Instruments Inc. is mentioned.
상기 BET 비표면적, 상기 전체 세공 용적 및 상기 평균 세공 직경의 바람직한 범위를 만족시키는 기재 입자는, 예를 들어 하기 공정을 구비하는 기재 입자의 제조 방법에 의해 얻을 수 있다. 중합성 모노머와, 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제를 혼합하여, 중합성 모노머 용액을 조정하는 공정. 상기 중합성 모노머 용액과 음이온성 분산 안정제를 극성 용매에 첨가하여 유화시켜 유화액을 얻는 공정. 상기 유화액을 수회로 나누어 첨가하고, 종입자에 모노머를 흡수시켜, 모노머가 팽윤된 종입자를 포함하는 현탁액을 얻는 공정. 상기 중합성 모노머를 중합시켜 기재 입자를 얻는 공정. 상기 중합성 모노머로서는, 예를 들어 단관능성 모노머 및 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제는, 중합계의 매체인 물 등의 극성 용매와 상용하지 않는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 상기 유기 용제로서는, 예를 들어 시클로헥산, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산알릴, 아세트산프로필, 클로로포름, 메틸시클로헥산, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 상기 유기 용제의 첨가량은, 상기 중합성 모노머 성분 100중량부에 대하여 1중량부 내지 50중량부인 것이 바람직하고, 5중량부 내지 45중량부인 것이 보다 바람직하다. 상기 유기 용제의 첨가량이 상기 바람직한 범위이면, BET 비표면적을 한층 더 적합한 범위로 제어할 수 있고, 입자 내부에서 치밀한 세공이 얻어지기 쉬워진다. 특히 중합성 모노머의 SP값이 8.0 내지 10.0이며, 또한 유기 용제의 SP값이 8.0 내지 11.0인 조합의 경우에, 상기 BET 비표면적, 상기 전체 세공 용적 및 상기 평균 세공 직경을 보다 한층 더 효과적으로 적합한 범위로 제어할 수 있다.The substrate particles satisfying the preferred ranges of the BET specific surface area, the total pore volume, and the average pore diameter can be obtained, for example, by a method for producing a substrate particle comprising the following steps. A step of preparing a polymerizable monomer solution by mixing a polymerizable monomer and an organic solvent that does not react with the polymerizable monomer. A step of obtaining an emulsion by adding the polymerizable monomer solution and an anionic dispersion stabilizer to a polar solvent and emulsifying it. A step of dividing the emulsion into several times and absorbing the monomer into the seed particles to obtain a suspension containing the seed particles swollen with the monomer. A step of polymerizing the polymerizable monomer to obtain substrate particles. As said polymerizable monomer, a monofunctional monomer, a polyfunctional monomer, etc. are mentioned, for example. The organic solvent that does not react with the polymerizable monomer is not particularly limited as long as it is not compatible with a polar solvent such as water, which is a polymerization medium. Examples of the organic solvent include cyclohexane, toluene, xylene, ethyl acetate, butyl acetate, allyl acetate, propyl acetate, chloroform, methylcyclohexane, and methyl ethyl ketone. The amount of the organic solvent added is preferably 1 to 50 parts by weight, and more preferably 5 to 45 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymerizable monomer component. If the amount of the organic solvent to be added is within the preferred range, the BET specific surface area can be controlled to a further suitable range, and fine pores are easily obtained inside the particles. In particular, in the case of a combination in which the SP value of the polymerizable monomer is 8.0 to 10.0 and the SP value of the organic solvent is 8.0 to 11.0, the BET specific surface area, the total pore volume, and the average pore diameter are more effectively suited to the range. Can be controlled by
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률(30% K값)은 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하이다. 상기 기재 입자의 30% K값은 바람직하게는 150N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 200N/mm2 이상이며, 바람직하게는 2800N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 2500N/mm2 이하이다. 상기 30% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 30% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The base particles according to the present invention, the 30% compression the compression modulus (30% K value) when the 100N / mm 2 is at least 3000N / mm 2 or less. 30% K value of the base particles is preferably 150N / mm 2, more preferably at least 200N / mm 2, preferably 2800N / mm 2, more preferably at most 2500N / mm 2 or less. When the 30% K value is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the 30% K value is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, Moreover, connection reliability can be improved more effectively.
상기 기재 입자를 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률(10% K값)은 바람직하게는 100N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 150N/mm2 이상이며, 바람직하게는 3500N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 3000N/mm2 이하이다. 상기 10% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 10% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.Compression modulus (10% K value) when compressing the base material particles of 10% is preferably 100N / mm 2, more preferably at least 150N / mm 2, preferably 3500N / mm 2 or less, more preferably It is less than 3000N/mm 2 . When the 10% K value is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the 10% K value is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, Moreover, connection reliability can be improved more effectively.
상기 기재 입자에 있어서의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) in the substrate particle can be measured as follows.
미소 압축 시험기를 사용하여, 원주(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃, 압축 속도 0.3mN/초 및 최대 시험 하중 20mN의 조건 하에서 기재 입자 1개를 압축한다. 이 때의 하중값(N) 및 압축 변위(mm)를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다. 상기 기재 입자에 있어서의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)은, 임의로 선택된 50개의 기재 입자의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)을 산술 평균함으로써 산출하는 것이 바람직하다.Using a micro-compression tester, one substrate particle is compressed under the conditions of 25°C, a compression speed of 0.3 mN/sec, and a maximum test load of 20 mN, on an end surface of a smooth indenter of a circumference (diameter 50 μm, made of diamond). The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the obtained measured values, the compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) can be determined by the following equation. As the micro-compression tester, for example, "Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer is used. The compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) of the substrate particles is calculated by arithmetic average of the compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) of 50 randomly selected substrate particles. desirable.
10% K값 또는 30% K값(N/mm2)=(3/21/2)·F·S-3/2·R-1/2 10% K value or 30% K value (N/mm 2 )=(3/2 1/2 )·F·S -3/2 ·R -1/2
F: 기재 입자가 10% 또는 30% 압축 변형되었을 때의 하중값(N)F: Load value (N) when the base particles are compressed by 10% or 30%
S: 기재 입자가 10% 또는 30% 압축 변형되었을 때의 압축 변위(mm)S: Compression displacement (mm) when the substrate particles are compressed by 10% or 30%
R: 기재 입자의 반경(mm)R: radius of the substrate particle (mm)
상기 압축 탄성률은 기재 입자의 경도를 보편적이면서 정량적으로 나타낸다. 상기 압축 탄성률의 사용에 의해, 기재 입자의 경도를 정량적이면서 일의적으로 나타낼 수 있다.The compressive modulus is a universal and quantitative representation of the hardness of the substrate particles. By using the compression modulus, the hardness of the substrate particles can be quantitatively and uniquely expressed.
상기 기재 입자의 압축 회복률은 바람직하게는 5% 이상, 보다 바람직하게는 7% 이상이며, 바람직하게는 60% 이하, 보다 바람직하게는 50% 이하이다. 상기 기재 입자의 압축 회복률이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 압축 회복률이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The compression recovery rate of the substrate particles is preferably 5% or more, more preferably 7% or more, preferably 60% or less, and more preferably 50% or less. When the compression recovery rate of the substrate particles is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the occurrence of scratches on the adherend can be further effectively suppressed. In addition, when the compression recovery rate is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the connection resistance can be further effectively lowered when the electrode is electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface thereof. Reliability can be improved even more effectively.
상기 기재 입자의 압축 회복률은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compression recovery rate of the substrate particles can be measured as follows.
시료대 상에 기재 입자를 살포한다. 살포된 기재 입자 1개에 대하여, 미소 압축 시험기를 사용하여, 원주(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃에서 기재 입자의 중심 방향으로, 기재 입자가 30% 압축 변형될 때까지 부하(반전 하중값)를 부여한다. 그 후, 원점용 하중값(0.40mN)까지 제하를 행한다. 이 사이의 하중-압축 변위를 측정하고, 하기 식으로부터 압축 회복률을 구할 수 있다. 또한, 부하 속도는 0.33mN/초로 한다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.The substrate particles are sprayed on the sample stage. For one sprayed substrate particle, using a micro-compression tester, the substrate particle will be compressed by 30% at the end face of the smooth indenter of the circumference (diameter 50 μm, made of diamond), in the direction of the center of the substrate particle at 25°C. The load (reverse load value) is applied until. After that, unloading is performed up to the original load value (0.40mN). The load-compression displacement in the meantime is measured, and the compression recovery rate can be calculated|required from the following formula. In addition, the load speed is set to 0.33 mN/sec. As the micro-compression tester, for example, "Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer is used.
압축 회복률(%)=[L2/L1]×100Compression recovery rate (%)=[L2/L1]×100
L1: 부하를 부여할 때의 원점용 하중값으로부터 반전 하중값에 이르기까지의 압축 변위L1: Compression displacement from the origin load value at the time of applying the load to the reverse load value
L2: 부하를 해방할 때의 반전 하중값으로부터 원점용 하중값에 이르기까지의 제하 변위L2: Unloading displacement from the reverse load value when the load is released to the origin load value
상기 기재 입자의 용도는 특별히 한정되지 않는다. 상기 기재 입자는 각종 용도에 적합하게 사용할 수 있다. 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다. 상기 도전성 입자에 있어서, 상기 도전층은 상기 기재 입자의 표면 상에 형성된다. 상기 기재 입자는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용되는 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 스페이서의 사용 방법으로서는, 액정 표시 소자용 스페이서, 갭 제어용 스페이서 및 응력 완화용 스페이서 등을 들 수 있다. 상기 갭 제어용 스페이서는, 스탠드 오프 높이 및 평탄성을 확보하기 위한 적층 칩의 갭 제어, 그리고 유리면의 평활성 및 접착제층의 두께를 확보하기 위한 광학 부품의 갭 제어 등에 사용할 수 있다. 상기 응력 완화용 스페이서는 센서 칩 등의 응력 완화 및 2개의 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부의 응력 완화 등에 사용할 수 있다.The use of the substrate particles is not particularly limited. The substrate particles can be suitably used for various uses. The substrate particle is used as a spacer, or a conductive layer is formed on a surface thereof, and is used to obtain conductive particles having the conductive layer. In the electroconductive particle, the electroconductive layer is formed on the surface of the substrate particle. It is preferable that the said substrate particle is formed with a conductive layer on the surface, and is used to obtain the electroconductive particle which has the said electroconductive layer. It is preferable that the substrate particles are used as spacers. As a method of using the spacer, a spacer for a liquid crystal display device, a spacer for gap control, a spacer for stress relaxation, and the like can be mentioned. The gap control spacer may be used for gap control of a laminated chip to ensure standoff height and flatness, and gap control of an optical component to ensure smoothness of a glass surface and a thickness of an adhesive layer. The stress relaxation spacer can be used for stress relaxation of a sensor chip or the like and stress relaxation of a connection portion connecting two members to be connected.
상기 기재 입자는 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용되는 것이 바람직하고, 액정 표시 소자용 주변 시일제에 사용되는 것이 바람직하다. 상기 액정 표시 소자용 주변 시일제에 있어서, 상기 기재 입자는 스페이서로서 기능하는 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 양호한 압축 변형 특성을 가지므로, 상기 기재 입자를 스페이서로서 사용하여 기판간에 배치하거나, 표면에 도전층을 형성하여 도전성 입자로서 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하거나 한 경우에, 스페이서 또는 도전성 입자가 기판간 또는 전극간에 효율적으로 배치된다. 또한, 상기 기재 입자에서는, 액정 표시 소자용 부재 등의 흠집 발생을 억제할 수 있으므로, 상기 액정 표시 소자용 스페이서를 사용한 액정 표시 소자 및 상기 도전성 입자를 사용한 접속 구조체에 있어서, 접속 불량 및 표시 불량이 발생하기 어려워진다.The substrate particle is preferably used as a spacer for a liquid crystal display device, and is preferably used for a peripheral sealant for a liquid crystal display device. In the peripheral sealing agent for a liquid crystal display device, it is preferable that the substrate particle functions as a spacer. Since the substrate particles have good compressive deformation properties, when the substrate particles are used as spacers and disposed between substrates, or a conductive layer is formed on the surface and used as conductive particles to electrically connect the electrodes, a spacer or The conductive particles are efficiently disposed between substrates or between electrodes. In addition, since the substrate particles can suppress the occurrence of scratches on the members for liquid crystal display elements, etc., in the liquid crystal display element using the spacer for the liquid crystal display element and the connection structure using the conductive particles, poor connection and display It becomes difficult to occur.
또한, 상기 기재 입자는 무기 충전재, 토너의 첨가제, 충격 흡수제 또는 진동 흡수제로서도 적합하게 사용된다. 예를 들어, 고무 또는 스프링 등의 대체품으로서, 상기 기재 입자를 사용할 수 있다.Further, the substrate particles are suitably used also as inorganic fillers, additives for toners, shock absorbers or vibration absorbers. For example, as a substitute for rubber or spring, the above substrate particles can be used.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 기재 입자의 입자 직경의 변동 계수(CV값)는 바람직하게는 10% 이하, 보다 바람직하게는 7% 이하, 더욱 바람직하게는 5% 이하이다. 상기 CV값이 상기 상한 이하이면, 기재 입자를 도전성 입자 및 스페이서의 용도에 한층 더 적합하게 사용 가능해진다. 또한, 상기 CV값은 기재 입자의 분급에 의해 조정할 수 있다.In the substrate particles according to the present invention, the coefficient of variation (CV value) of the particle diameter of the substrate particles is preferably 10% or less, more preferably 7% or less, and still more preferably 5% or less. When the CV value is less than or equal to the above upper limit, the substrate particles can be used more suitably for the use of conductive particles and spacers. In addition, the CV value can be adjusted by classification of the substrate particles.
상기 CV값은 하기 식으로 표현된다.The CV value is expressed by the following equation.
CV값(%)=(ρ/Dn)×100CV value (%) = (ρ/Dn) × 100
ρ: 기재 입자의 입자 직경의 표준 편차ρ: standard deviation of the particle diameter of the substrate particle
Dn: 기재 입자의 입자 직경의 평균값Dn: the average value of the particle diameter of the substrate particles
기재 입자 4:Substrate particle 4:
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적이 600m2/g 이상이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이다. 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 압축 회복률이 5% 이상이다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 600 m 2 /g or more. In the substrate particles according to the present invention, the compressive elastic modulus when compressed by 10% is 1200 N/mm 2 or less. In the substrate particles according to the present invention, the compressive elastic modulus when compressed by 30% is 1200 N/mm 2 or less. In the substrate particle according to the present invention, the compression recovery rate is 5% or more.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 피착체의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있고, 내충격성을 효과적으로 높일 수 있고, 또한 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, since the above configuration is provided, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend, and when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, The adhesion to the conductive layer can be effectively increased, the impact resistance can be effectively increased, and the connection resistance can be effectively reduced.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적의 값이 비교적 크고, 비교적 낮은 압력 및 온도에서 용이하게 변형된다. 이 때문에, 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하는 경우에, 열압착 시의 압력이나 온도를 비교적 낮게 해도, 도전성 입자를 전극에 충분히 접촉시킬 수 있고, 또한 전극에 흠집이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적의 값이 비교적 크기 때문에, 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성할 때에 기재 입자의 표면의 미세한 공극에 도전층이 들어가고, 기재 입자와 도전층의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있어, 도전층의 박리를 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하는 접속부를 형성하는 경우에는, 해당 접속부에 낙하 등에 의한 충격이 가해져도, 도전층의 박리가 효과적으로 방지되고, 전극간의 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있다. 본 발명에 관한 기재 입자를 사용한 도전성 입자에서는, 내충격성을 효과적으로 높일 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 기재 입자에서는, 압축 회복률이 비교적 크고, 양호한 복원성을 갖는다. 이 때문에, BET 비표면적의 값이 비교적 큼에도 불구하고, 기재 입자는 좌굴되는 일이 없고, 또한 파괴되기 어렵고, 도전성 입자를 전극에 충분히 접촉시킬 수 있다. 결과적으로, 전극간의 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 전극간의 접속 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the value of the BET specific surface area is relatively large, and it is easily deformed at a relatively low pressure and temperature. For this reason, in the case of electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface of the substrate particles, even if the pressure or temperature during thermocompression bonding is relatively low, the conductive particles can be sufficiently brought into contact with the electrodes. In addition, it is possible to prevent the formation of scratches on the electrode. In addition, in the substrate particle according to the present invention, since the value of the BET specific surface area is relatively large, when forming the conductive layer on the surface of the substrate particle, the conductive layer enters the fine pores of the surface of the substrate particle, and the substrate particle and the conductive layer The adhesiveness of can be effectively improved, and peeling of the conductive layer can be effectively prevented. In addition, in the case of forming a connection portion that electrically connects the electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface of the substrate particle according to the present invention, even if an impact by dropping or the like is applied to the connection portion, the conductive layer Peeling is effectively prevented, and connection resistance between electrodes can be effectively lowered. In the electroconductive particle using the substrate particle according to the present invention, impact resistance can be effectively improved. Further, in the substrate particle according to the present invention, the compression recovery rate is relatively large and has good recovery properties. For this reason, even though the value of the BET specific surface area is relatively large, the substrate particles do not buckling, and are less likely to be destroyed, and the conductive particles can be sufficiently brought into contact with the electrode. As a result, the connection resistance between the electrodes can be effectively lowered, and the connection reliability between the electrodes can be effectively increased.
또한, 본 발명에 관한 기재 입자를 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용한 경우에는, 액정 표시 소자용 부재 등의 흠집 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 액정 표시 소자용 부재 등에 충분히 접촉시킬 수 있고, 충분한 갭 제어 효과를 얻을 수 있다. 결과적으로, 액정 표시 소자의 표시 품질을 한층 더 양호하게 할 수 있다.In addition, when the substrate particle according to the present invention is used as a spacer for a liquid crystal display element, it is possible to effectively suppress the occurrence of scratches on the member for a liquid crystal display element. Further, the liquid crystal display element member or the like can be sufficiently contacted, and a sufficient gap control effect can be obtained. As a result, the display quality of the liquid crystal display element can be further improved.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, BET 비표면적이 600m2/g 이상이다. 상기 기재 입자의 BET 비표면적은 바람직하게는 605m2/g 이상, 보다 바람직하게는 610m2/g 이상이며, 바람직하게는 1200m2/g 이하, 보다 바람직하게는 1000m2/g 이하이다. 상기 BET 비표면적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 BET 비표면적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 내충격성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 또한 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the BET specific surface area is 600 m 2 /g or more. The BET specific surface area of the substrate particles is preferably 605 m 2 /g or more, more preferably 610 m 2 /g or more, preferably 1200 m 2 /g or less, more preferably 1000 m 2 /g or less. When the BET specific surface area is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the occurrence of scratches on the adherend can be more effectively suppressed. In addition, when the BET specific surface area is more than the lower limit and less than the upper limit, when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the adhesion with the conductive layer can be further effectively improved. In addition, the impact resistance can be increased more effectively, and the connection resistance can be further effectively lowered.
상기 BET 비표면적은 BET법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 BET 비표면적의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다. 또한, 측정 시의 조건은 샘플량: 0.5g, 아웃 가스의 종류: 질소, 아웃 가스의 온도: 28℃, 아웃 가스 시간: 3시간 및 배스 온도: 273K(0℃)인 것이 바람직하다.The BET specific surface area can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen based on the BET method. Examples of the device for measuring the BET specific surface area include "NOVA4200e" manufactured by Cantachrom Instruments. In addition, the conditions at the time of measurement are preferably sample amount: 0.5 g, out gas type: nitrogen, out gas temperature: 28°C, out gas time: 3 hours, and bath temperature: 273 K (0° C.).
상기 기재 입자의 밀도는 바람직하게는 1g/cm3 이상, 보다 바람직하게는 1.1g/cm3 이상이며, 바람직하게는 1.4g/cm3 이하, 보다 바람직하게는 1.3g/cm3 이하이다. 상기 밀도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 밀도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.The density of the substrate particles is preferably 1 g/cm 3 or more, more preferably 1.1 g/cm 3 or more, preferably 1.4 g/cm 3 or less, more preferably 1.3 g/cm 3 or less. When the density is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the density is greater than or equal to the lower limit and less than the upper limit, connection resistance can be further effectively lowered and connection reliability when electrically connected between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface thereof. Can be increased more effectively.
상기 기재 입자의 밀도는 비중 병법 밀도 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다. 상기 비중 병법 밀도 측정 장치로서는, 시마즈 세이사쿠쇼사제 「Accupyc 1330」 등을 들 수 있다. 또한, 측정 시의 조건은 샘플량: 1g 및 측정 온도: 28℃인 것이 바람직하다.The density of the substrate particles can be measured using a specific gravity combination density measuring device. Examples of the specific gravity combined method density measuring device include "Accupyc 1330" manufactured by Shimadzu Corporation. In addition, the conditions at the time of measurement are preferably sample amount: 1 g and measurement temperature: 28°C.
상기 기재 입자의 전체 세공 용적은 바람직하게는 0.01cm3/g 이상, 보다 바람직하게는 0.05cm3/g 이상이며, 바람직하게는 3cm3/g 이하, 보다 바람직하게는 1.5cm3/g 이하이다. 상기 전체 세공 용적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 전체 세공 용적이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 내충격성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 또한 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있다.The total pore volume of the substrate particles is preferably 0.01 cm 3 /g or more, more preferably 0.05 cm 3 /g or more, preferably 3 cm 3 /g or less, more preferably 1.5 cm 3 /g or less . When the total pore volume is more than the lower limit and less than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the total pore volume is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the adhesion with the conductive layer can be improved more effectively. In addition, the impact resistance can be increased more effectively, and the connection resistance can be further effectively lowered.
상기 전체 세공 용적은 BJH법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 전체 세공 용적의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다.The total pore volume can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen in accordance with the BJH method. Examples of the device for measuring the total pore volume include "NOVA4200e" manufactured by Cantachrom Instruments.
상기 기재 입자의 평균 세공 직경은 바람직하게는 10nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이하이다. 상기 기재 입자의 평균 세공 직경의 하한은 특별히 한정되지 않는다. 상기 기재 입자의 평균 세공 직경은 1nm 이상이어도 된다. 상기 평균 세공 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 평균 세공 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전층과의 밀착성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 내충격성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있고, 또한 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있다.The average pore diameter of the substrate particles is preferably 10 nm or less, more preferably 5 nm or less. The lower limit of the average pore diameter of the substrate particles is not particularly limited. The average pore diameter of the substrate particles may be 1 nm or more. When the average pore diameter is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the occurrence of scratches on the adherend can be more effectively suppressed. In addition, when the average pore diameter is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, when the electrodes are electrically connected using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the adhesion with the conductive layer can be further effectively improved. In addition, the impact resistance can be increased more effectively, and the connection resistance can be further effectively lowered.
상기 평균 세공 직경은 BJH법에 준거하여 질소의 흡착 등온선으로부터 측정할 수 있다. 상기 평균 세공 직경의 측정 장치로서는, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」 등을 들 수 있다.The average pore diameter can be measured from the adsorption isotherm of nitrogen in accordance with the BJH method. As the measuring device for the average pore diameter, "NOVA4200e" by Cantachrom Instruments Inc. is mentioned.
상기 BET 비표면적, 상기 전체 세공 용적 및 상기 평균 세공 직경의 바람직한 범위를 만족시키는 기재 입자는, 예를 들어 하기 공정을 구비하는 기재 입자의 제조 방법에 의해 얻을 수 있다. 중합성 모노머와, 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제를 혼합하여, 중합성 모노머 용액을 조정하는 공정. 상기 중합성 모노머 용액과 음이온성 분산 안정제를 극성 용매에 첨가하여 유화시켜 유화액을 얻는 공정. 상기 유화액을 수회로 나누어 첨가하고, 종입자에 모노머를 흡수시켜, 모노머가 팽윤된 종입자를 포함하는 현탁액을 얻는 공정. 상기 중합성 모노머를 중합시켜 기재 입자를 얻는 공정. 상기 중합성 모노머로서는, 예를 들어 단관능성 모노머 및 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제는, 중합계의 매체인 물 등의 극성 용매와 상용하지 않는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 상기 유기 용제로서는, 예를 들어 시클로헥산, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산알릴, 아세트산프로필, 클로로포름, 메틸시클로헥산, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 상기 유기 용제의 첨가량은, 상기 중합성 모노머 성분 100중량부에 대하여 105중량부 내지 215중량부인 것이 바람직하고, 110중량부 내지 210중량부인 것이 보다 바람직하다. 상기 유기 용제의 첨가량이 상기 바람직한 범위이면, BET 비표면적을 한층 더 적합한 범위로 제어할 수 있고, 입자 내부에서 치밀한 세공이 얻어지기 쉬워진다. 특히 중합성 모노머의 SP값이 8.0 내지 10.0이며, 또한 유기 용제의 SP값이 8.0 내지 11.0인 조합의 경우에, 상기 BET 비표면적, 상기 전체 세공 용적 및 상기 평균 세공 직경을 보다 한층 더 효과적으로 적합한 범위로 제어할 수 있다.The substrate particles satisfying the preferred ranges of the BET specific surface area, the total pore volume, and the average pore diameter can be obtained, for example, by a method for producing a substrate particle comprising the following steps. A step of preparing a polymerizable monomer solution by mixing a polymerizable monomer and an organic solvent that does not react with the polymerizable monomer. A step of obtaining an emulsion by adding the polymerizable monomer solution and an anionic dispersion stabilizer to a polar solvent and emulsifying it. A step of dividing the emulsion into several times and absorbing the monomer into the seed particles to obtain a suspension containing the seed particles swollen with the monomer. A step of polymerizing the polymerizable monomer to obtain substrate particles. As said polymerizable monomer, a monofunctional monomer, a polyfunctional monomer, etc. are mentioned, for example. The organic solvent that does not react with the polymerizable monomer is not particularly limited as long as it is not compatible with a polar solvent such as water, which is a polymerization medium. Examples of the organic solvent include cyclohexane, toluene, xylene, ethyl acetate, butyl acetate, allyl acetate, propyl acetate, chloroform, methylcyclohexane, and methyl ethyl ketone. The amount of the organic solvent added is preferably 105 parts by weight to 215 parts by weight, more preferably 110 parts by weight to 210 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymerizable monomer component. If the amount of the organic solvent to be added is within the preferred range, the BET specific surface area can be controlled to a further suitable range, and fine pores are easily obtained inside the particles. In particular, in the case of a combination in which the SP value of the polymerizable monomer is 8.0 to 10.0 and the SP value of the organic solvent is 8.0 to 11.0, the BET specific surface area, the total pore volume, and the average pore diameter are more effectively suited to the range. Can be controlled by
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이다. 상기 기재 입자의 10% K값은 바람직하게는 5N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 10N/mm2 이상이며, 바람직하게는 1100N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 1000N/mm2 이하이다. 상기 10% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 10% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particles according to the present invention, the compressive elastic modulus when compressed by 10% is 1200 N/mm 2 or less. 10% K value of the base particles is preferably from 5N / mm 2, more preferably at least 10N / mm 2, preferably 1100N / mm 2, more preferably at most 1000N / mm 2 or less. When the 10% K value is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the 10% K value is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, Moreover, connection reliability can be improved more effectively.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이다. 상기 기재 입자의 30% K값은 바람직하게는 5N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 10N/mm2 이상이며, 바람직하게는 1100N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 1000N/mm2 이하이다. 상기 30% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 30% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particles according to the present invention, the compressive elastic modulus when compressed by 30% is 1200 N/mm 2 or less. 30% K value of the base particles is preferably from 5N / mm 2, more preferably at least 10N / mm 2, preferably 1100N / mm 2, more preferably at most 1000N / mm 2 or less. When the 30% K value is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of scratches on the adherend. In addition, when the 30% K value is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, Moreover, connection reliability can be improved more effectively.
상기 기재 입자에 있어서의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) in the substrate particle can be measured as follows.
미소 압축 시험기를 사용하여, 원주(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃, 압축 속도 0.3mN/초 및 최대 시험 하중 20mN의 조건 하에서 기재 입자 1개를 압축한다. 이 때의 하중값(N) 및 압축 변위(mm)를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다. 상기 기재 입자에 있어서의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)은, 임의로 선택된 50개의 기재 입자의 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)을 산술 평균함으로써 산출하는 것이 바람직하다.Using a micro-compression tester, one substrate particle is compressed under the conditions of 25°C, a compression speed of 0.3 mN/sec, and a maximum test load of 20 mN, on an end surface of a smooth indenter of a circumference (diameter 50 μm, made of diamond). The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the obtained measured values, the compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) can be determined by the following equation. As the micro-compression tester, for example, "Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer is used. The compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) of the substrate particles is calculated by arithmetic average of the compressive elastic modulus (10% K value and 30% K value) of 50 randomly selected substrate particles. desirable.
10% K값 또는 30% K값(N/mm2)=(3/21/2)·F·S-3/2·R-1/2 10% K value or 30% K value (N/mm 2 )=(3/2 1/2 )·F·S -3/2 ·R -1/2
F: 기재 입자가 10% 또는 30% 압축 변형되었을 때의 하중값(N)F: Load value (N) when the base particles are compressed by 10% or 30%
S: 기재 입자가 10% 또는 30% 압축 변형되었을 때의 압축 변위(mm)S: Compression displacement (mm) when the substrate particles are compressed by 10% or 30%
R: 기재 입자의 반경(mm)R: radius of the substrate particle (mm)
상기 압축 탄성률은 기재 입자의 경도를 보편적이면서 정량적으로 나타낸다. 상기 압축 탄성률의 사용에 의해, 기재 입자의 경도를 정량적이면서 일의적으로 나타낼 수 있다.The compressive modulus is a universal and quantitative representation of the hardness of the substrate particles. By using the compression modulus, the hardness of the substrate particles can be quantitatively and uniquely expressed.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 압축 회복률이 5% 이상이다. 상기 기재 입자의 압축 회복률은 바람직하게는 10% 이상, 보다 바람직하게는 15% 이상이며, 바람직하게는 60% 이하, 보다 바람직하게는 50% 이하이다. 상기 기재 입자의 압축 회복률이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 피착체의 흠집 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 10% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 표면 상에 도전층을 형성한 도전성 입자를 사용하여 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.In the substrate particle according to the present invention, the compression recovery rate is 5% or more. The compression recovery rate of the substrate particles is preferably 10% or more, more preferably 15% or more, preferably 60% or less, and more preferably 50% or less. When the compression recovery rate of the substrate particles is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the occurrence of scratches on the adherend can be further effectively suppressed. In addition, when the 10% K value is more than the lower limit and less than the upper limit, when electrically connecting between electrodes using conductive particles having a conductive layer formed on the surface, the connection resistance can be further effectively lowered, Moreover, connection reliability can be improved more effectively.
상기 기재 입자의 압축 회복률은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compression recovery rate of the substrate particles can be measured as follows.
시료대 상에 기재 입자를 살포한다. 살포된 기재 입자 1개에 대하여, 미소 압축 시험기를 사용하여, 원주(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃에서 기재 입자의 중심 방향으로, 기재 입자가 30% 압축 변형될 때까지 부하(반전 하중값)를 부여한다. 그 후, 원점용 하중값(0.40mN)까지 제하를 행한다. 이 사이의 하중-압축 변위를 측정하고, 하기 식으로부터 압축 회복률을 구할 수 있다. 또한, 부하 속도는 0.33mN/초로 한다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.The substrate particles are sprayed on the sample stage. For one sprayed substrate particle, using a micro-compression tester, the substrate particle will be compressed by 30% at the end face of the smooth indenter of the circumference (diameter 50 μm, made of diamond), in the direction of the center of the substrate particle at 25°C. The load (reverse load value) is applied until. After that, unloading is performed up to the original load value (0.40mN). The load-compression displacement in the meantime is measured, and the compression recovery rate can be calculated|required from the following formula. In addition, the load speed is set to 0.33 mN/sec. As the micro-compression tester, for example, "Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer is used.
압축 회복률(%)=[L2/L1]×100Compression recovery rate (%)=[L2/L1]×100
L1: 부하를 부여할 때의 원점용 하중값으로부터 반전 하중값에 이르기까지의 압축 변위L1: Compression displacement from the origin load value at the time of applying the load to the reverse load value
L2: 부하를 해방할 때의 반전 하중값으로부터 원점용 하중값에 이르기까지의 제하 변위L2: Unloading displacement from the reverse load value when the load is released to the origin load value
상기 기재 입자의 용도는 특별히 한정되지 않는다. 상기 기재 입자는 각종 용도에 적합하게 사용할 수 있다. 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되거나, 또는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용된다. 상기 도전성 입자에 있어서, 상기 도전층은 상기 기재 입자의 표면 상에 형성된다. 상기 기재 입자는 표면 상에 도전층이 형성되고, 상기 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해 사용되는 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 스페이서로서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 스페이서의 사용 방법으로서는, 액정 표시 소자용 스페이서, 갭 제어용 스페이서 및 응력 완화용 스페이서 등을 들 수 있다. 상기 갭 제어용 스페이서는, 스탠드 오프 높이 및 평탄성을 확보하기 위한 적층 칩의 갭 제어, 그리고 유리면의 평활성 및 접착제층의 두께를 확보하기 위한 광학 부품의 갭 제어 등에 사용할 수 있다. 상기 응력 완화용 스페이서는 센서 칩 등의 응력 완화 및 2개의 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부의 응력 완화 등에 사용할 수 있다.The use of the substrate particles is not particularly limited. The substrate particles can be suitably used for various uses. The substrate particle is used as a spacer, or a conductive layer is formed on a surface thereof, and is used to obtain conductive particles having the conductive layer. In the electroconductive particle, the electroconductive layer is formed on the surface of the substrate particle. It is preferable that the said substrate particle is formed with a conductive layer on the surface, and is used to obtain the electroconductive particle which has the said electroconductive layer. It is preferable that the substrate particles are used as spacers. As a method of using the spacer, a spacer for a liquid crystal display device, a spacer for gap control, a spacer for stress relaxation, and the like can be mentioned. The gap control spacer may be used for gap control of a laminated chip to ensure standoff height and flatness, and gap control of an optical component to ensure smoothness of a glass surface and a thickness of an adhesive layer. The stress relaxation spacer can be used for stress relaxation of a sensor chip or the like and stress relaxation of a connection portion connecting two members to be connected.
상기 기재 입자는 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용되는 것이 바람직하고, 액정 표시 소자용 주변 시일제에 사용되는 것이 바람직하다. 상기 액정 표시 소자용 주변 시일제에 있어서, 상기 기재 입자는 스페이서로서 기능하는 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 양호한 압축 변형 특성 및 양호한 압축 파괴 특성을 가지므로, 상기 기재 입자를 스페이서로서 사용하여 기판간에 배치하거나, 표면에 도전층을 형성하여 도전성 입자로서 사용하여 전극간을 전기적으로 접속하거나 한 경우에, 스페이서 또는 도전성 입자가 기판간 또는 전극간에 효율적으로 배치된다. 또한, 상기 기재 입자에서는, 액정 표시 소자용 부재 등의 흠집 발생을 억제할 수 있으므로, 상기 액정 표시 소자용 스페이서를 사용한 액정 표시 소자 및 상기 도전성 입자를 사용한 접속 구조체에 있어서, 접속 불량 및 표시 불량이 발생하기 어려워진다.The substrate particle is preferably used as a spacer for a liquid crystal display device, and is preferably used for a peripheral sealant for a liquid crystal display device. In the peripheral sealing agent for a liquid crystal display device, it is preferable that the substrate particle functions as a spacer. Since the substrate particles have good compressive deformation properties and good compression fracture properties, the substrate particles are used as spacers to be disposed between substrates, or a conductive layer is formed on the surface and used as conductive particles to electrically connect the electrodes. In the case, spacers or conductive particles are efficiently disposed between substrates or between electrodes. In addition, since the substrate particles can suppress the occurrence of scratches on the members for liquid crystal display elements, etc., in the liquid crystal display element using the spacer for the liquid crystal display element and the connection structure using the conductive particles, poor connection and display It becomes difficult to occur.
또한, 상기 기재 입자는 무기 충전재, 토너의 첨가제, 충격 흡수제 또는 진동 흡수제로서도 적합하게 사용된다. 예를 들어, 고무 또는 스프링 등의 대체품으로서, 상기 기재 입자를 사용할 수 있다.Further, the substrate particles are suitably used also as inorganic fillers, additives for toners, shock absorbers or vibration absorbers. For example, as a substitute for rubber or spring, the above substrate particles can be used.
본 발명에 관한 기재 입자에서는, 상기 기재 입자의 입자 직경의 변동 계수(CV값)는 바람직하게는 10% 이하, 보다 바람직하게는 7% 이하, 더욱 바람직하게는 5% 이하이다. 상기 CV값이 상기 상한 이하이면, 기재 입자를 도전성 입자 및 스페이서의 용도에 한층 더 적합하게 사용 가능해진다. 또한, 상기 CV값은 기재 입자의 분급에 의해 조정할 수 있다.In the substrate particles according to the present invention, the coefficient of variation (CV value) of the particle diameter of the substrate particles is preferably 10% or less, more preferably 7% or less, and still more preferably 5% or less. When the CV value is less than or equal to the above upper limit, the substrate particles can be used more suitably for the use of conductive particles and spacers. In addition, the CV value can be adjusted by classification of the substrate particles.
상기 CV값은 하기 식으로 표현된다.The CV value is expressed by the following equation.
CV값(%)=(ρ/Dn)×100CV value (%) = (ρ/Dn) × 100
ρ: 기재 입자의 입자 직경의 표준 편차ρ: standard deviation of the particle diameter of the substrate particle
Dn: 기재 입자의 입자 직경의 평균값Dn: the average value of the particle diameter of the substrate particles
상술한 기재 입자(기재 입자 1 내지 기재 입자 4)의 10% K값, 30% K값, 압축 회복률의 바람직한 범위를 만족시키는 제조 방법으로서는, 상술한 기재 입자(기재 입자 1 내지 기재 입자 4)의 BET 비표면적, 전체 세공 용적 및 평균 세공 직경의 바람직한 범위를 만족시키는 경우와 마찬가지의, 하기 공정을 구비하는 기재 입자의 제조 방법을 들 수 있다. 중합성 모노머와, 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제를 혼합하여, 중합성 모노머 용액을 조정하는 공정. 상기 중합성 모노머 용액과 음이온성 분산 안정제를 극성 용매에 첨가하여 유화시켜 유화액을 얻는 공정. 상기 유화액을 수회로 나누어 첨가하고, 종입자에 모노머를 흡수시켜, 모노머가 팽윤된 종입자를 포함하는 현탁액을 얻는 공정. 상기 중합성 모노머를 중합시켜 기재 입자를 얻는 공정. 상기 중합성 모노머로서는, 예를 들어 단관능성 모노머 및 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 상기 중합성 모노머와는 반응하지 않는 유기 용제는, 중합계의 매체인 물 등의 극성 용매와 상용하지 않는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 상기 유기 용제로서는, 예를 들어 시클로헥산, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산알릴, 아세트산프로필, 클로로포름, 메틸시클로헥산, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 상기 유기 용제의 첨가량은, 상기 중합성 모노머 성분 100중량부에 대하여 1중량부 내지 215중량부인 것이 바람직하고, 5중량부 내지 210중량부인 것이 보다 바람직하다. 특히 중합성 모노머의 SP값이 8.0 내지 10.0이며, 또한 유기 용제의 SP값이 8.0 내지 11.0인 조합의 경우에, 상기 10% K값, 상기 30% K값 및 상기 압축 회복률을 보다 한층 더 효과적으로 적합한 범위로 제어할 수 있다.As a manufacturing method satisfying the preferable ranges of the 10% K value, 30% K value, and compression recovery rate of the above-described substrate particles (
이하, 상술한 기재 입자(기재 입자 1 내지 기재 입자 4)의 다른 상세를 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴」은 「아크릴」과 「메타크릴」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.Hereinafter, other details of the above-described substrate particles (
(상술한 기재 입자(기재 입자 1 내지 기재 입자 4)의 다른 상세)(Other details of the above-described substrate particles (
상기 기재 입자의 재료는 특별히 한정되지 않는다. 상기 기재 입자의 재료는 유기 재료여도 되고, 무기 재료여도 된다.The material of the substrate particle is not particularly limited. The material of the substrate particle may be an organic material or an inorganic material.
상기 유기 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민 포름알데히드 수지, 요소 포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 디비닐벤젠 중합체, 그리고 디비닐벤젠 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 디비닐벤젠 공중합체 등으로서는, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체 및 디비닐벤젠-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자의 압축 특성을 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 기재 입자의 재료는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.Examples of the organic material include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; Acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester Resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, divinylbenzene polymer, and divinylbenzene copolymer, etc. Can be mentioned. Examples of the divinylbenzene copolymer and the like include divinylbenzene-styrene copolymer and divinylbenzene-(meth)acrylic acid ester copolymer. Since the compression properties of the substrate particles can be easily controlled within a suitable range, the material of the substrate particles is preferably a polymer obtained by polymerizing one or two or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group.
상기 기재 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시켜 얻는 경우, 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체로서는, 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.When the substrate particle is obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, examples of the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group include a non-crosslinkable monomer and a crosslinkable monomer.
상기 비가교성의 단량체로서는, 비닐 화합물로서, 스티렌, α-메틸스티렌, 클로로스티렌 등의 스티렌 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르 화합물; 염화비닐, 불화비닐 등의 할로겐 함유 단량체; (메트)아크릴 화합물로서, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트 화합물; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트 등의 할로겐 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; α-올레핀 화합물로서, 디이소부틸렌, 이소부틸렌, 리니얼렌, 에틸렌, 프로필렌 등의 올레핀 화합물; 공액 디엔 화합물로서, 이소프렌, 부타디엔 등을 들 수 있다.As the non-crosslinkable monomer, examples of the vinyl compound include styrene monomers such as styrene, α-methylstyrene, and chlorostyrene; Vinyl ether compounds such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; Acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, and vinyl stearate; Halogen-containing monomers such as vinyl chloride and vinyl fluoride; As (meth)acrylic compounds, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, lauryl (meth) Alkyl (meth)acrylate compounds such as acrylate, cetyl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, and isobornyl (meth)acrylate; Oxygen atom-containing (meth)acrylate compounds such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, glycerol (meth)acrylate, polyoxyethylene (meth)acrylate, and glycidyl (meth)acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth)acrylonitrile; Halogen-containing (meth)acrylate compounds such as trifluoromethyl (meth)acrylate and pentafluoroethyl (meth)acrylate; Examples of the α-olefin compound include olefin compounds such as diisobutylene, isobutylene, linealene, ethylene, and propylene; As a conjugated diene compound, isoprene, butadiene, etc. are mentioned.
상기 가교성의 단량체로서는, 비닐 화합물로서, 디비닐벤젠, 1,4-디비닐옥시부탄, 디비닐술폰 등의 비닐 단량체; (메트)아크릴 화합물로서, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 폴리테트라메틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 알릴 화합물로서, 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르; 실란 화합물로서, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 이소프로필트리메톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 시클로헥실 트리메톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, n-옥틸트리에톡시실란, n-데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디이소프로필디메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1,3-디비닐테트라메틸디실록산, 메틸페닐디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란 등의 실란알콕시드 화합물; 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 디메톡시메틸비닐시실란, 디메톡시에틸비닐실란, 디에톡시메틸비닐실란, 디에톡시에틸비닐실란, 에틸메틸지비닐실란, 메틸비닐디메톡시실란, 에틸비닐디메톡시실란, 메틸비닐디에톡시실란, 에틸비닐디에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 중합성 이중 결합 함유 실란알콕시드; 데카메틸시클로펜타실록산 등의 환상 실록산; 편말단 변성 실리콘 오일, 양쪽 말단 실리콘 오일, 측쇄형 실리콘 오일 등의 변성(반응성) 실리콘 오일; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include vinyl monomers such as divinylbenzene, 1,4-divinyloxybutane, and divinyl sulfone as vinyl compounds; As (meth)acrylic compounds, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, polytetramethylene glycol diacrylate, tetramethylolmethane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethanedi(meth)acrylate, trimethylol Propane tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, glycerol tri(meth)acrylate, glycerol di(meth)acrylate, polyethylene glycol di( Polyfunctional (meth)acrylate compounds such as meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, polytetramethylene glycol di(meth)acrylate, and 1,4-butanediol di(meth)acrylate; As an allyl compound, triallyl (iso) cyanurate, triallyl trimellitate, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether; As a silane compound, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, isopropyltrimethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane Silane, cyclohexyl trimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, di Silane alkoxy such as isopropyldimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, γ-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, 1,3-divinyltetramethyldisiloxane, methylphenyldimethoxysilane, and diphenyldimethoxysilane De compounds; Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, dimethoxymethylvinylsilane, dimethoxyethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, diethoxyethylvinylsilane, ethylmethyldivinylsilane, methylvinyldimethoxysilane, ethyl Vinyldimethoxysilane, methylvinyldiethoxysilane, ethylvinyldiethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3- Polymerizable double bond-containing silane alkoxides such as methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, and 3-acryloxypropyltrimethoxysilane; Cyclic siloxanes such as decamethylcyclopentasiloxane; Modified (reactive) silicone oils such as one-end modified silicone oil, both terminal silicone oil, and branched silicone oil; Carboxyl group-containing monomers, such as (meth)acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride, etc. are mentioned.
상기 기재 입자는, 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시킴으로써 얻을 수 있다. 상기 중합 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 라디칼 중합, 이온 중합, 중축합(축합 중합, 축중합), 부가 축합, 리빙 중합 및 리빙 라디칼 중합 등의 공지된 방법을 들 수 있다. 또한, 다른 중합 방법으로서는, 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합을 들 수 있다.The substrate particle can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group. The polymerization method is not particularly limited, and known methods such as radical polymerization, ionic polymerization, polycondensation (condensation polymerization, condensation polymerization), addition condensation, living polymerization and living radical polymerization can be mentioned. In addition, as another polymerization method, suspension polymerization is mentioned in the presence of a radical polymerization initiator.
상기 무기 재료로서는, 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아, 카본 블랙, 규산 유리, 붕규산 유리, 납유리, 소다 석회유리 및 알루미나 실리케이트 유리 등을 들 수 있다.Examples of the inorganic material include silica, alumina, barium titanate, zirconia, carbon black, silicate glass, borosilicate glass, lead glass, soda lime glass, and alumina silicate glass.
상기 기재 입자는 상기 유기 재료만에 의해 형성되어 있어도 되고, 상기 무기 재료만에 의해 형성되어 있어도 되고, 상기 유기 재료와 상기 무기 재료의 양쪽에 의해 형성되어 있어도 된다. 상기 기재 입자는 유기 재료만에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 상기 기재 입자의 압축 특성을 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있어, 도전성 입자 및 스페이서의 용도에 한층 더 적합하게 사용 가능해진다.The substrate particle may be formed of only the organic material, may be formed of only the inorganic material, or may be formed of both the organic material and the inorganic material. It is preferable that the substrate particles are formed of only an organic material. In this case, the compressive properties of the substrate particles can be easily controlled within a suitable range, and thus they can be used more suitably for the use of conductive particles and spacers.
상기 기재 입자는 유기 무기 하이브리드 입자여도 된다. 상기 기재 입자는 코어 셸 입자여도 된다. 상기 기재 입자가 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에, 상기 기재 입자의 재료인 무기물로서는, 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 무기물은 금속이 아닌 것이 바람직하다. 상기 실리카에 의해 형성된 기재 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 가수 분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수 분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라서 소성을 행함으로써 얻어지는 기재 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 가교한 알콕시실릴 폴리머와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.The substrate particle may be an organic-inorganic hybrid particle. The said substrate particle may be a core shell particle. When the substrate particle is an organic-inorganic hybrid particle, examples of the inorganic material that is a material of the substrate particle include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. It is preferable that the inorganic material is not a metal. The substrate particles formed of the silica are not particularly limited, but substrate particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, followed by firing as necessary. have. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.
상기 유기 무기 하이브리드 입자는, 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 셸을 갖는 코어 셸형의 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 코어가 유기 코어인 것이 바람직하다. 상기 셸이 무기 셸인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는, 유기 코어와 상기 유기 코어의 표면 상에 배치된 무기 셸을 갖는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다.The organic-inorganic hybrid particle is preferably a core-shell type organic-inorganic hybrid particle having a core and a shell disposed on the surface of the core. It is preferred that the core is an organic core. It is preferred that the shell is an inorganic shell. The substrate particle is preferably an organic-inorganic hybrid particle having an organic core and an inorganic shell disposed on the surface of the organic core.
상기 유기 코어의 재료로서는, 상술한 유기 재료 등을 들 수 있다.Examples of the material for the organic core include the organic materials described above.
상기 무기 셸의 재료로서는, 상술한 기재 입자의 재료로서 예시된 무기물을 들 수 있다. 상기 무기 셸의 재료는 실리카인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은, 상기 코어의 표면 상에서, 금속 알콕시드를 졸겔법에 의해 셸상물로 한 후, 해당 셸상물을 소성시킴으로써 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 금속 알콕시드는 실란알콕시드인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은 실란알콕시드에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.As the material of the inorganic shell, an inorganic material exemplified as the material of the substrate particle described above can be mentioned. It is preferable that the material of the inorganic shell is silica. It is preferable that the said inorganic shell is formed on the surface of the said core by making a metal alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method, and then firing the shell-like material. It is preferable that the metal alkoxide is a silane alkoxide. It is preferable that the inorganic shell is formed of a silane alkoxide.
상기 기재 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하이다. 상기 기재 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 기재 입자를 도전성 입자 및 스페이서의 용도에 한층 더 적합하게 사용 가능해진다. 스페이서로서 사용하는 관점에서는, 상기 기재 입자의 평균 입자 직경은 1㎛ 이상 80㎛ 이하인 것이 바람직하다. 도전성 입자로서 사용하는 관점에서는, 상기 기재 입자의 평균 입자 직경은 1㎛ 이상 20㎛ 이하인 것이 바람직하다.The average particle diameter of the substrate particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, and more preferably 80 μm or less. When the average particle diameter of the substrate particles is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the substrate particles can be used more suitably for use as conductive particles and spacers. From the viewpoint of using as a spacer, the average particle diameter of the substrate particles is preferably 1 µm or more and 80 µm or less. From the viewpoint of use as conductive particles, the average particle diameter of the substrate particles is preferably 1 µm or more and 20 µm or less.
상기 기재 입자의 입자 직경은, 상기 기재 입자가 진구상인 경우에는 직경을 의미하고, 상기 기재 입자가 진구상 이외의 형상인 경우에는, 그 체적 상당의 진구라 가정하였을 때의 직경을 의미한다. 기재 입자의 평균 입자 직경은 수평균 입자 직경인 것이 바람직하다. 기재 입자의 평균 입자 직경은 임의의 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있다. 예를 들어, 레이저광 산란, 전기 저항값 변화, 촬상 후의 화상 해석 등의 원리를 사용한 입도 분포 측정 장치 등을 사용하여 측정할 수 있다. 더욱 구체적으로는, 기재 입자의 평균 입자 직경의 측정 방법으로서, 입도 분포 측정 장치(베크만 콜터사제 「Multisizer4」)를 사용하여, 약 100000개의 기재 입자의 입자 직경을 측정하고, 평균 입자 직경을 측정하는 방법을 들 수 있다.The particle diameter of the substrate particle means the diameter when the substrate particle is in a spherical shape, and when the substrate particle has a shape other than a spherical shape, it means the diameter assuming that the particle size is a spherical sphere equivalent to the volume. The average particle diameter of the substrate particles is preferably a number average particle diameter. The average particle diameter of the substrate particles can be measured by an arbitrary particle size distribution measuring device. For example, the measurement can be performed using a particle size distribution measuring apparatus using principles such as laser light scattering, change in electric resistance value, and image analysis after imaging. More specifically, as a method of measuring the average particle diameter of the substrate particles, a particle size distribution measuring device (``Multisizer4'' manufactured by Beckman Coulter) is used to measure the particle diameter of about 100000 substrate particles, and the average particle diameter is measured. There is a method.
상기 기재 입자의 애스펙트비는 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.5 이하, 더욱 바람직하게는 1.2 이하이다. 상기 애스펙트비는 긴 직경/짧은 직경을 나타낸다. 상기 애스펙트비는, 임의의 기재 입자 10개를 전자 현미경 또는 광학 현미경에서 관찰하여, 최대 직경과 최소 직경을 각각 긴 직경, 짧은 직경이라 하고, 각 기재 입자의 긴 직경/짧은 직경의 평균값을 산출함으로써 구하는 것이 바람직하다.The aspect ratio of the substrate particles is preferably 2 or less, more preferably 1.5 or less, and still more preferably 1.2 or less. The aspect ratio represents a long diameter/short diameter. The aspect ratio is obtained by observing 10 arbitrary substrate particles with an electron microscope or an optical microscope, and calculating the average value of the long/short diameters of each substrate particle by denoting the maximum and minimum diameters as long and short diameters, respectively. It is desirable to seek.
(도전성 입자)(Conductive particles)
상기 도전성 입자는 상술한 기재 입자(기재 입자 1 내지 기재 입자 4)와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 구비한다.The electroconductive particle includes the above-described substrate particles (
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a first embodiment of the present invention.
도 1에 나타내는 도전성 입자(1)는 기재 입자(11)와, 기재 입자(11)의 표면 상에 배치된 도전층(2)을 갖는다. 도전층(2)은 기재 입자(11)의 표면을 피복하고 있다. 도전성 입자(1)는 기재 입자(11)의 표면이 도전층(2)에 의해 피복된 피복 입자이다. 기재 입자(11)는 상술한 기재 입자 1 내지 기재 입자 4 중 어느 기재 입자인 것이 바람직하다.The
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.
도 2에 나타내는 도전성 입자(21)는 기재 입자(11)와, 기재 입자(11)의 표면 상에 배치된 도전층(22)을 갖는다. 도 2에 나타내는 도전성 입자(21)에서는, 도전층(22)만이 도 1에 나타내는 도전성 입자(1)와 다르다. 도전층(22)은, 내층인 제1 도전층(22A)과 외층인 제2 도전층(22B)을 갖는다. 기재 입자(11)의 표면 상에, 제1 도전층(22A)이 배치되어 있다. 제1 도전층(22A)의 표면 상에, 제2 도전층(22B)이 배치되어 있다.The
도 3은, 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 도전성 입자를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a third embodiment of the present invention.
도 3에 나타내는 도전성 입자(31)는 기재 입자(11)와, 도전층(32)과, 복수의 코어 물질(33)과, 복수의 절연성 물질(34)을 갖는다.The
도전층(32)은 기재 입자(11)의 표면 상에 배치되어 있다. 도전성 입자(31)는 도전성의 표면에 복수의 돌기(31a)를 갖는다. 도전층(32)은 외표면에 복수의 돌기(32a)를 갖는다. 이와 같이, 상기 도전성 입자는 도전성 입자의 도전성 표면에 돌기를 갖고 있어도 되고, 도전층의 외표면에 돌기를 갖고 있어도 된다. 복수의 코어 물질(33)이 기재 입자(11)의 표면 상에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(33)은 도전층(32) 내에 매립되어 있다. 코어 물질(33)은 돌기(31a, 32a)의 내측에 배치되어 있다. 도전층(32)은 복수의 코어 물질(33)을 피복하고 있다. 복수의 코어 물질(33)에 의해 도전층(32)의 외표면이 융기되어 있고, 돌기(31a, 32a)가 형성되어 있다.The conductive layer 32 is disposed on the surface of the substrate particle 11. The
도전성 입자(31)는 도전층(32)의 외표면 상에 배치된 절연성 물질(34)을 갖는다. 도전층(32)의 외표면의 적어도 일부의 영역이, 절연성 물질(34)에 의해 피복되어 있다. 절연성 물질(34)은 절연성을 갖는 재료에 의해 형성되어 있고, 절연성 입자이다. 이와 같이, 상기 도전성 입자는 도전층의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 갖고 있어도 된다.The
상기 도전층을 형성하기 위한 금속은 특별히 한정되지 않는다. 상기 금속으로서는, 금, 은, 팔라듐, 구리, 백금, 아연, 철, 주석, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 탈륨, 게르마늄, 카드뮴, 규소, 텅스텐, 몰리브덴 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서는, 주석 도프 산화인듐(ITO) 및 땜납 등을 들 수 있다. 전극간의 접속 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 금속은 주석을 포함하는 합금, 니켈, 팔라듐, 구리 또는 금인 것이 바람직하고, 니켈 또는 팔라듐인 것이 바람직하다.The metal for forming the conductive layer is not particularly limited. As the metals, gold, silver, palladium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium, silicon, tungsten, molybdenum and These alloys, etc. are mentioned. Moreover, as said metal, tin-doped indium oxide (ITO), solder, etc. are mentioned. From the viewpoint of further enhancing the connection reliability between electrodes, the metal is preferably an alloy containing tin, nickel, palladium, copper or gold, and preferably nickel or palladium.
도전성 입자(1, 31)와 같이, 상기 도전층은 하나의 층에 의해 형성되어 있어도 된다. 도전성 입자(21)와 같이, 도전층은 복수의 층에 의해 형성되어 있어도 된다. 즉, 도전층은 2층 이상의 적층 구조를 갖고 있어도 된다. 도전층이 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에는, 최외층은 금층, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 주석과 은을 포함하는 합금층인 것이 바람직하고, 금층인 것이 보다 바람직하다. 최외층이 이들 바람직한 도전층인 경우에는, 전극간의 접속 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다. 또한, 최외층이 금층인 경우에는, 내부식성을 한층 더 높일 수 있다.Like the
상기 기재 입자의 표면 상에 도전층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전층을 형성하는 방법으로서는, 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법, 그리고 금속 분말 혹은 금속 분말과 바인더를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 도전층을 한층 더 용이하게 형성하는 관점에서는, 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는, 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다.The method of forming the conductive layer on the surface of the substrate particle is not particularly limited. As a method of forming the conductive layer, a method of electroless plating, a method of electroplating, a method of physical vapor deposition, a method of coating a metal powder or a paste containing a metal powder and a binder on the surface of the substrate particles, etc. Can be mentioned. From the viewpoint of forming the conductive layer more easily, a method by electroless plating is preferable. Examples of the physical vapor deposition method include vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering.
상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1.0㎛ 이상이며, 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 450㎛ 이하, 한층 더 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 특히 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자를 사용하여 전극간을 접속한 경우에, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 충분히 커지고, 또한 도전층을 형성할 때에 응집된 도전성 입자가 형성되기 어려워진다. 또한, 도전성 입자를 통해 접속된 전극간의 간격이 너무 커지지 않고, 또한 도전층이 기재 입자의 표면으로부터 박리되기 어려워진다. 또한, 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자를 도전 재료의 용도에 적합하게 사용 가능하다.The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 µm or more, more preferably 1.0 µm or more, preferably 500 µm or less, more preferably 450 µm or less, still more preferably 100 µm or less, even more preferably It is preferably 50 µm or less, particularly preferably 20 µm or less. If the average particle diameter of the electroconductive particle is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the contact area between the electroconductive particle and the electrode becomes sufficiently large when the electrode is connected using electroconductive particles, and the aggregated electroconductivity when forming the conductive layer. It becomes difficult to form particles. In addition, the gap between the electrodes connected via the electroconductive particle does not become too large, and the electroconductive layer becomes difficult to peel off from the surface of the substrate particle. Moreover, as long as the average particle diameter of the electroconductive particle is more than the said lower limit and less than the said upper limit, electroconductive particle can be used suitably for the use of a conductive material.
상기 도전성 입자의 입자 직경은 도전성 입자가 진구상인 경우에는 직경을 의미하고, 도전성 입자가 진구상 이외의 형상인 경우에는, 그 체적 상당의 진구라 가정하였을 때의 직경을 의미한다.The particle diameter of the electroconductive particle means the diameter when the electroconductive particle is a spherical shape, and when the electroconductive particle has a shape other than the spherical shape, it means the diameter assuming that the electroconductive particle is a spherical equivalent of the volume.
상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은 수평균 입자 직경인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경에서 관찰하여, 평균값을 산출하거나, 레이저 회절식 입도 분포 측정을 행함으로써 구해진다. 전자 현미경 또는 광학 현미경에서의 관찰에서는, 1개당 도전성 입자의 입자 직경은 원 상당 직경에서의 입자 직경으로서 구해진다. 전자 현미경 또는 광학 현미경에서의 관찰에 있어서, 임의의 50개의 도전성 입자의 원 상당 직경에서의 평균 입자 직경은 구 상당 직경에서의 평균 입자 직경과 거의 동등해진다. 레이저 회절식 입도 분포 측정에서는, 1개당 도전성 입자의 입자 직경은 구 상당 직경에서의 입자 직경으로서 구해진다. 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은 레이저 회절식 입도 분포 측정에 의해 산출하는 것이 바람직하다.It is preferable that the average particle diameter of the said electroconductive particle is a number average particle diameter. The average particle diameter of the electroconductive particle is determined by observing 50 arbitrary electroconductive particles with an electron microscope or an optical microscope, calculating an average value, or performing a laser diffraction particle size distribution measurement. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle diameter of each electroconductive particle is calculated|required as the particle diameter in a circle equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter at the equivalent circle diameter of any 50 electroconductive particle becomes almost equal to the average particle diameter at the sphere equivalent diameter. In the laser diffraction type particle size distribution measurement, the particle diameter of each electroconductive particle is determined as the particle diameter in the equivalent sphere diameter. It is preferable to calculate the average particle diameter of the said electroconductive particle by laser diffraction type particle size distribution measurement.
상기 도전층의 두께는 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 상기 도전층의 두께는, 도전층이 다층인 경우에는 도전층 전체의 두께이다. 도전층의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지며, 또한 도전성 입자가 지나치게 딱딱해지지 않아, 전극간의 접속 시에 도전성 입자가 충분히 변형된다.The thickness of the conductive layer is preferably 0.005 µm or more, more preferably 0.01 µm or more, preferably 10 µm or less, more preferably 1 µm or less, and still more preferably 0.3 µm or less. The thickness of the conductive layer is the thickness of the entire conductive layer when the conductive layer is a multilayer. When the thickness of the conductive layer is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles do not become too hard, and the conductive particles are sufficiently deformed at the time of connection between electrodes.
상기 도전층이 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에, 최외층의 도전층의 두께는 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이하이다. 상기 최외층의 도전층의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 최외층의 도전층에 의한 피복이 균일해지고, 내부식성이 충분히 높아지고, 또한 전극간의 접속 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다. 또한, 상기 최외층이 금층인 경우에, 금층의 두께가 얇을수록, 비용이 낮아진다.In the case where the conductive layer is formed of a plurality of layers, the thickness of the outermost conductive layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 0.5 μm or less, more preferably It is 0.1 μm or less. When the thickness of the outermost conductive layer is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the covering by the outermost conductive layer becomes uniform, corrosion resistance is sufficiently high, and connection reliability between electrodes can be further improved. Further, when the outermost layer is a gold layer, the thinner the gold layer, the lower the cost.
상기 도전층의 두께는, 예를 들어 투과형 전자 현미경(TEM)을 사용하여, 도전성 입자의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다. 상기 도전층의 두께에 대하여는, 임의의 도전층의 두께 5군데의 평균값을 1개의 도전성 입자의 도전층의 두께로서 산출하는 것이 바람직하고, 도전층 전체의 두께의 평균값을 1개의 도전성 입자의 도전층의 두께로서 산출하는 것이 보다 바람직하다. 상기 도전층의 두께는 임의의 도전성 입자 10개에 대하여, 각 도전성 입자의 도전층의 두께 평균값을 산출함으로써 구하는 것이 바람직하다.The thickness of the conductive layer can be measured by observing the cross section of the conductive particles using, for example, a transmission electron microscope (TEM). With respect to the thickness of the conductive layer, it is preferable to calculate the average value of five thicknesses of an arbitrary conductive layer as the thickness of the conductive layer of one conductive particle, and the average value of the thickness of the entire conductive layer is the conductive layer of one conductive particle. It is more preferable to calculate it as the thickness of. The thickness of the conductive layer is preferably determined by calculating the average value of the thickness of the conductive layer of each conductive particle for 10 arbitrary conductive particles.
상기 도전성 입자는 도전층의 외표면에 돌기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는 도전성의 표면에 돌기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 돌기는 복수인 것이 바람직하다. 도전층의 표면 그리고 도전성 입자에 의해 접속되는 전극의 표면에는, 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 돌기를 갖는 도전성 입자를 사용한 경우에는, 전극간에 도전성 입자를 배치하여 압착시킴으로써, 돌기에 의해 상기 산화 피막이 효과적으로 배제된다. 이 때문에, 전극과 도전성 입자의 도전층을 한층 더 확실하게 접촉시킬 수 있고, 전극간의 접속 저항을 한층 더 낮출 수 있다. 또한, 도전성 입자가 표면에 절연성 물질을 구비하는 경우에, 또는 도전성 입자가 바인더 수지 중에 분산되어 도전 재료로서 사용되는 경우에, 도전성 입자의 돌기에 의해, 도전성 입자와 전극 사이의 절연성 물질 또는 바인더 수지를 한층 더 효과적으로 배제할 수 있다. 이 때문에, 전극간의 접속 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다.It is preferable that the said electroconductive particle has a protrusion on the outer surface of a conductive layer. It is preferable that the said electroconductive particle has a protrusion on the electroconductive surface. It is preferable that the protrusion is plural. An oxide film is often formed on the surface of the conductive layer and the surface of the electrode connected by the conductive particles. When conductive particles having protrusions are used, the oxide film is effectively removed by the protrusions by placing and pressing electroconductive particles between electrodes. For this reason, the electrode and the conductive layer of the electroconductive particle can be brought into contact more reliably, and the connection resistance between the electrodes can be further lowered. In addition, when the conductive particles have an insulating material on the surface, or when the conductive particles are dispersed in a binder resin and used as a conductive material, the protrusion of the conductive particles causes the insulating material or binder resin between the conductive particles and the electrode. Can be removed more effectively. For this reason, connection reliability between electrodes can be further improved.
상기 도전성 입자의 표면에 돌기를 형성하는 방법으로서는, 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시킨 후, 무전해 도금에 의해 도전층을 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 도전층을 형성한 후, 코어 물질을 부착시키고, 또한 무전해 도금에 의해 도전층을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 돌기를 형성하기 때문에, 상기 코어 물질을 사용하지 않아도 된다.As a method of forming protrusions on the surface of the conductive particles, a method of forming a conductive layer by electroless plating after attaching a core material to the surface of the base particles, and a conductive layer by electroless plating on the surface of the base particles After forming, a method of attaching a core material and further forming a conductive layer by electroless plating may be mentioned. In addition, since the protrusion is formed, the core material does not need to be used.
상기 돌기를 형성하는 방법으로서는, 이하의 방법 등도 들 수 있다. 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 도전층을 형성하는 도중 단계에서 코어 물질을 첨가하는 방법. 무전해 도금에 의해 코어 물질을 사용하지 않고 돌기를 형성하는 방법으로서, 무전해 도금에 의해 금속 핵을 발생시켜, 기재 입자 또는 도전층의 표면에 금속 핵을 부착시키고, 또한 무전해 도금에 의해 도전층을 형성하는 방법.As a method of forming the projections, the following methods and the like are also mentioned. A method of adding a core material in a step during forming a conductive layer on the surface of a substrate particle by electroless plating. As a method of forming projections without using a core material by electroless plating, metal nuclei are generated by electroless plating to attach metal nuclei to the surface of substrate particles or conductive layer, and conduct by electroless plating. How to form a layer.
상기 도전성 입자는 상기 도전층의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 더 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 도전성 입자를 전극간의 접속에 사용하면, 인접하는 전극간의 단락을 방지할 수 있다. 구체적으로는, 복수의 도전성 입자가 접촉하였을 때, 복수의 전극간에 절연성 물질이 존재하므로, 상하의 전극간이 아니라 가로 방향으로 인접하는 전극간의 단락을 방지할 수 있다. 또한, 전극간의 접속 시에, 2개의 전극으로 도전성 입자를 가압함으로써, 도전성 입자의 도전층과 전극 사이의 절연성 물질을 용이하게 배제할 수 있다. 도전성 입자가 상기 도전층의 표면에 돌기를 갖는 경우에는, 도전성 입자의 도전층과 전극 사이의 절연성 물질을 한층 더 용이하게 배제할 수 있다. 상기 절연성 물질은 절연성 수지층 또는 절연성 입자인 것이 바람직하고, 절연성 입자인 것이 보다 바람직하다. 상기 절연성 입자는 절연성 수지 입자인 것이 바람직하다.It is preferable that the conductive particles further include an insulating material disposed on the outer surface of the conductive layer. In this case, if electroconductive particles are used for connection between electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are in contact, since an insulating material is present between the plurality of electrodes, it is possible to prevent a short circuit between electrodes adjacent to each other in the horizontal direction rather than between the upper and lower electrodes. Further, at the time of connection between the electrodes, by pressing the conductive particles with the two electrodes, the insulating material between the conductive layer of the conductive particles and the electrodes can be easily removed. When the conductive particles have protrusions on the surface of the conductive layer, the insulating material between the conductive layer of the conductive particles and the electrode can be more easily removed. The insulating material is preferably an insulating resin layer or insulating particles, more preferably insulating particles. It is preferable that the said insulating particle is an insulating resin particle.
상기 도전층의 외표면 및 절연성 입자의 표면은 각각, 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 피복되어 있어도 된다. 도전층의 외표면과 절연성 입자의 표면은, 직접 화학 결합되어 있지 않아도 되고, 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 간접적으로 화학 결합되어 있어도 된다. 도전층의 외표면에 카르복실기를 도입한 후, 해당 카르복실기가 폴리에틸렌이민 등의 고분자 전해질을 통해 절연성 입자의 표면 관능기와 화학 결합되어 있어도 상관없다.The outer surface of the conductive layer and the surface of the insulating particles may be each covered with a compound having a reactive functional group. The outer surface of the conductive layer and the surface of the insulating particles do not need to be chemically bonded directly, but may be chemically bonded indirectly by a compound having a reactive functional group. After introducing a carboxyl group to the outer surface of the conductive layer, the carboxyl group may be chemically bonded to the surface functional group of the insulating particles through a polymer electrolyte such as polyethyleneimine.
(도전 재료)(Conductive material)
상기 도전 재료는 상술한 도전성 입자와 바인더 수지를 포함한다. 상기 도전성 입자는 바인더 수지 중에 분산되어, 도전 재료로서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 전극의 전기적인 접속에 적합하게 사용된다. 상기 도전 재료는 회로 접속 재료인 것이 바람직하다.The conductive material contains the above-described conductive particles and a binder resin. It is preferable that the said electroconductive particle is dispersed in a binder resin and used as a conductive material. It is preferable that the said conductive material is an anisotropic conductive material. The conductive material is suitably used for electrical connection of electrodes. It is preferable that the said conductive material is a circuit connection material.
상기 바인더 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 바인더 수지로서, 공지된 절연성의 수지가 사용된다. 상기 바인더 수지는 열가소성 성분 (열가소성 화합물) 또는 경화성 성분을 포함하는 것이 바람직하고, 경화성 성분을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 상기 경화성 성분으로서는, 광경화성 성분 및 열경화성 성분을 들 수 있다. 상기 광경화성 성분은 광경화성 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 성분은 열경화성 화합물 및 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 바인더 수지로서는, 예를 들어 비닐 수지, 열가소성 수지, 경화성 수지, 열가소성 블록 공중합체 및 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 바인더 수지는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used. It is preferable that the said binder resin contains a thermoplastic component (thermoplastic compound) or a curable component, and it is more preferable that it contains a curable component. As said curable component, a photocurable component and a thermosetting component are mentioned. It is preferable that the photocurable component contains a photocurable compound and a photopolymerization initiator. It is preferable that the thermosetting component includes a thermosetting compound and a thermosetting agent. Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers and elastomers. Only 1 type may be used for the said binder resin, and 2 or more types may be used together.
상기 비닐 수지로서는, 예를 들어 아세트산비닐 수지, 아크릴 수지 및 스티렌 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 폴리올레핀 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화성 수지는 상온 경화형 수지, 열경화형 수지, 광경화형 수지 또는 습기 경화형 수지여도 된다. 상기 경화성 수지는 경화제와 병용되어도 된다. 상기 열가소성 블록 공중합체로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 및 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 엘라스토머로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔 공중합 고무 및 아크릴로니트릴-스티렌 블록 공중합 고무 등을 들 수 있다.As said vinyl resin, a vinyl acetate resin, an acrylic resin, a styrene resin, etc. are mentioned, for example. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, and polyamide resin. As said curable resin, an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, an unsaturated polyester resin, etc. are mentioned, for example. Further, the curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. As the thermoplastic block copolymer, for example, a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and hydrogen of a styrene-isoprene-styrene block copolymer Additives, etc. are mentioned. As said elastomer, a styrene-butadiene copolymer rubber, an acrylonitrile-styrene block copolymer rubber, etc. are mentioned, for example.
상기 도전 재료는 상기 도전성 입자 및 상기 바인더 수지 외에도, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열안정제, 광안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material is, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant. Various additives such as may be contained.
상기 바인더 수지 중에 상기 도전성 입자를 분산시키는 방법은, 종래 공지된 분산 방법을 사용할 수 있고 특별히 한정되지 않는다. 상기 바인더 수지 중에 상기 도전성 입자를 분산시키는 방법으로서는, 예를 들어 이하의 방법 등을 들 수 있다. 상기 바인더 수지 중에 상기 도전성 입자를 첨가한 후, 플라네터리 믹서 등으로 혼련하여 분산시키는 방법. 상기 도전성 입자를 물 또는 유기 용제 중에 균질기 등을 사용하여 균일하게 분산시킨 후, 상기 바인더 수지 중에 첨가하고, 플라네터리 믹서 등에서 혼련하여 분산시키는 방법. 상기 바인더 수지를 물 또는 유기 용제 등으로 희석한 후, 상기 도전성 입자를 첨가하고, 플라네터리 믹서 등으로 혼련하여 분산시키는 방법.The method of dispersing the conductive particles in the binder resin may be a conventionally known dispersion method, and is not particularly limited. As a method of dispersing the conductive particles in the binder resin, for example, the following methods may be mentioned. After adding the electroconductive particle to the binder resin, kneading and dispersing with a planetary mixer or the like. A method in which the conductive particles are uniformly dispersed in water or an organic solvent using a homogenizer or the like, added to the binder resin, and kneaded in a planetary mixer to disperse. After diluting the binder resin with water or an organic solvent, the conductive particles are added and kneaded with a planetary mixer to disperse.
상기 도전 재료의 25℃에서의 점도(η25)는 바람직하게는 30Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 50Pa·s 이상이며, 바람직하게는 400Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 300Pa·s 이하이다. 상기 도전 재료의 25℃에서의 점도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극간의 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다. 상기 점도(η25)는 배합 성분의 종류 및 배합량에 의해 적절히 조정할 수 있다.The viscosity (η25) of the conductive material at 25°C is preferably 30 Pa·s or more, more preferably 50 Pa·s or more, preferably 400 Pa·s or less, and more preferably 300 Pa·s or less. When the viscosity of the conductive material at 25° C. is equal to or greater than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the connection reliability between electrodes can be further effectively improved. The viscosity (η25) can be appropriately adjusted depending on the type and amount of the components to be blended.
상기 점도(η25)는, 예를 들어 E형 점도계(도끼 산교사제 「TVE22L」) 등을 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정할 수 있다.The viscosity (η25) can be measured under conditions of 25°C and 5 rpm using, for example, an E-type viscometer ("TVE22L" manufactured by Toki Sangyo).
상기 도전 재료는 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 본 발명에 관한 도전 재료가 도전 필름인 경우에는, 도전성 입자를 포함하는 도전 필름에, 도전성 입자를 포함하지 않는 필름이 적층되어 있어도 된다. 상기 도전 페이스트는 이방성 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다.The conductive material can be used as a conductive paste and a conductive film. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on a conductive film containing conductive particles. It is preferable that the said conductive paste is an anisotropic conductive paste. It is preferable that the said conductive film is an anisotropic conductive film.
상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 바인더 수지의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 30중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상, 특히 바람직하게는 70중량% 이상이며, 바람직하게는 99.99중량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9중량% 이하이다. 상기 바인더 수지의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극간에 도전성 입자가 효율적으로 배치되고, 도전 재료에 의해 접속된 접속 대상 부재의 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.In 100% by weight of the conductive material, the content of the binder resin is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, It is preferably 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, conductive particles are efficiently disposed between electrodes, and the connection reliability of the member to be connected connected by the conductive material is further increased.
상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.01중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량% 이상이며, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하, 한층 더 바람직하게는 40중량% 이하, 더욱 바람직하게는 20중량% 이하, 특히 바람직하게는 10중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극간의 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮출 수 있고, 또한 전극간의 접속 신뢰성을 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.In 100% by weight of the conductive material, the content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, further It is more preferably 40% by weight or less, still more preferably 20% by weight or less, and particularly preferably 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is more than the lower limit and less than the upper limit, the connection resistance between the electrodes can be further effectively lowered, and the connection reliability between the electrodes can be further effectively improved.
(접속 구조체)(Connection structure)
상술한 도전성 입자, 또는 상술한 도전성 입자와 바인더 수지를 포함하는 도전 재료를 사용하여, 접속 대상 부재를 접속함으로써, 접속 구조체를 얻을 수 있다.A connection structure can be obtained by connecting the member to be connected using the conductive particles described above or the conductive material containing the conductive particles and a binder resin described above.
상기 접속 구조체는, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비한다. 상기 접속 구조체에서는, 상기 접속부가 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 바인더 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는 상술한 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 구비하는 것이 바람직하다. 상기 접속 구조체에서는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있는 것이 바람직하다.The connection structure connects a first connection object member having a first electrode on its surface, a second connection object member having a second electrode on its surface, and the first connection object member and the second connection object member. It has a connection part. In the connection structure, it is preferable that the connection portion is formed of conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin. It is preferable that the said electroconductive particle comprises the above-mentioned base material particle, and the conductive layer arrange|positioned on the surface of the said base material particle. In the connection structure, it is preferable that the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
상기 도전성 입자가 단독으로 사용된 경우에는, 접속부 자체가 도전성 입자이다. 즉, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재가 상기 도전성 입자에 의해 접속된다. 상기 접속 구조체를 얻기 위해 사용되는 상기 도전 재료는, 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다.When the said electroconductive particle is used individually, the connection part itself is electroconductive particle. That is, the first connection object member and the second connection object member are connected by the conductive particles. It is preferable that the conductive material used to obtain the connection structure is an anisotropic conductive material.
도 4는, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 도전성 입자를 사용한 접속 구조체의 일례를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing an example of a connection structure using electroconductive particles according to the first embodiment of the present invention.
도 4에 나타내는 접속 구조체(41)는 제1 접속 대상 부재(42)와, 제2 접속 대상 부재(43)와, 제1 접속 대상 부재(42)와 제2 접속 대상 부재(43)를 접속하고 있는 접속부(44)를 구비한다. 접속부(44)는, 도전성 입자(1)와 바인더 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 도 4에서는, 도시의 편의상, 도전성 입자(1)는 약도적으로 나타나 있다. 도전성 입자(1) 대신에, 도전성 입자(21, 31)의 다른 도전성 입자를 사용해도 된다.The
제1 접속 대상 부재(42)는 표면(상면)에 복수의 제1 전극(42a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(43)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(43a)을 갖는다. 제1 전극(42a)과 제2 전극(43a)이 1개 또는 복수의 도전성 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1, 제2 접속 대상 부재(42, 43)가 도전성 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.The first
상기 접속 구조체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 접속 구조체의 제조 방법의 일례로서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재 사이에 상기 도전 재료를 배치하고, 적층체를 얻은 후, 해당 적층체를 가열 및 가압하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 가압 시의 압력은 바람직하게는 40MPa 이상, 보다 바람직하게는 60MPa 이상이며, 바람직하게는 90MPa 이하, 보다 바람직하게는 70MPa 이하이다. 상기 가열 시의 온도는 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상이고, 바람직하게는 140℃ 이하, 보다 바람직하게는 120℃ 이하이다.The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of the manufacturing method of the connection structure, after disposing the said conductive material between a 1st connection object member and a 2nd connection object member, and obtaining a laminated body, the method of heating and pressing the laminated body etc. is mentioned. The pressure during the pressurization is preferably 40 MPa or more, more preferably 60 MPa or more, preferably 90 MPa or less, and more preferably 70 MPa or less. The temperature during the heating is preferably 80°C or higher, more preferably 100°C or higher, preferably 140°C or lower, and more preferably 120°C or lower.
상기 제1 접속 대상 부재 및 제2 접속 대상 부재는 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1 접속 대상 부재 및 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체 칩, 반도체 패키지, LED 칩, LED 패키지, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 그리고 수지 필름, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블, 리지드 플렉시블 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 제1 접속 대상 부재 및 제2 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다.The first connection object member and the second connection object member are not particularly limited. As the first connection target member and the second connection target member, specifically, semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, electronic components such as capacitors and diodes, and resin films, printed circuit boards, flexible printed circuit boards, and flexible flats. Electronic components such as circuit boards such as cables, rigid flexible substrates, glass epoxy substrates, and glass substrates. It is preferable that the said 1st connection object member and 2nd connection object member are electronic components.
상기 도전 재료는 전자 부품을 접속하기 위한 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 도전 페이스트는 페이스트상의 도전 재료이며, 페이스트상의 상태에서 접속 대상 부재 상에 도공되는 것이 바람직하다.It is preferable that the said conductive material is a conductive material for connecting electronic components. The conductive paste is a paste-like conductive material, and is preferably applied on a member to be connected in a paste-like state.
상기 도전성 입자 및 상기 도전 재료는 터치 패널에도 적합하게 사용된다. 따라서, 상기 접속 대상 부재는 플렉시블 기판이거나, 또는 수지 필름의 표면 상에 전극이 배치된 접속 대상 부재인 것도 바람직하다. 상기 접속 대상 부재는 플렉시블 기판인 것이 바람직하고, 수지 필름의 표면 상에 전극이 배치된 접속 대상 부재인 것이 바람직하다. 상기 플렉시블 기판이 플렉시블 프린트 기판 등인 경우에, 플렉시블 기판은 일반적으로 전극을 표면에 갖는다.The said electroconductive particle and said electroconductive material are used suitably also for a touch panel. Therefore, it is preferable that the connection object member is a flexible substrate or a connection object member in which an electrode is disposed on the surface of a resin film. It is preferable that the said connection object member is a flexible substrate, and it is preferable that it is a connection object member in which an electrode is arrange|positioned on the surface of a resin film. In the case where the flexible substrate is a flexible printed circuit board or the like, the flexible substrate generally has an electrode on its surface.
상기 접속 대상 부재에 마련되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극, SUS 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 은 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Metal electrodes, such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, a SUS electrode, and a tungsten electrode, are mentioned as an electrode provided in the said connection object member. When the connection object member is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the member to be connected is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. Further, when the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed of only aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Sn, Al, Ga, etc. are mentioned as said trivalent metal element.
또한, 상기 기재 입자는 액정 표시 소자용 스페이서로서 적합하게 사용할 수 있다. 상기 제1 접속 대상 부재는 제1 액정 표시 소자용 부재여도 된다. 상기 제2 접속 대상 부재는 제2 액정 표시 소자용 부재여도 된다. 상기 접속부는, 상기 제1 액정 표시 소자용 부재와 상기 제2 액정 표시 소자용 부재가 대향한 상태에서, 상기 제1 액정 표시 소자용 부재와 상기 제2 액정 표시 소자용 부재의 외주를 시일하고 있는 시일부여도 된다.Further, the substrate particles can be suitably used as a spacer for a liquid crystal display device. The first member to be connected may be a member for a first liquid crystal display element. The second connection object member may be a second liquid crystal display element member. The connection portion seals an outer periphery of the first liquid crystal display element member and the second liquid crystal display element member in a state in which the first liquid crystal display element member and the second liquid crystal display element member face each other. You can also give it a seal.
상기 기재 입자는 액정 표시 소자용 주변 시일제에 사용할 수도 있다. 액정 표시 소자는 제1 액정 표시 소자용 부재와 제2 액정 표시 소자용 부재를 구비한다. 액정 표시 소자는, 상기 제1 액정 표시 소자용 부재와 상기 제2 액정 표시 소자용 부재가 대향한 상태에서, 상기 제1 액정 표시 소자용 부재와 상기 제2 액정 표시 소자용 부재의 외주를 시일하고 있는 시일부와, 상기 시일부의 내측에서, 상기 제1 액정 표시 소자용 부재와 상기 제2 액정 표시 소자용 부재 사이에 배치되어 있는 액정을 더 구비한다. 이 액정 표시 소자에서는, 액정 적하 공법이 적용되고, 또한 상기 시일부가 액정 적하 공법용 시일제를 열경화시킴으로써 형성되어 있다.The said substrate particle can also be used for the peripheral sealing agent for liquid crystal display elements. A liquid crystal display device includes a first member for a liquid crystal display device and a second member for a liquid crystal display device. The liquid crystal display element seals an outer periphery of the first liquid crystal display element member and the second liquid crystal display element member in a state in which the first liquid crystal display element member and the second liquid crystal display element member face each other, And a liquid crystal disposed between the first liquid crystal display element member and the second liquid crystal display element member on the inside of the seal portion. In this liquid crystal display element, a liquid crystal dropping method is applied, and the sealing portion is formed by thermosetting a sealing agent for a liquid crystal dropping method.
도 5는, 본 발명에 관한 기재 입자를 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용한 액정 표시 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing an example of a liquid crystal display device in which the substrate particles according to the present invention are used as a spacer for a liquid crystal display device.
도 5에 나타내는 액정 표시 소자(81)는 한 쌍의 투명 유리 기판(82)을 갖는다. 투명 유리 기판(82)은 대향하는 면에 절연막(도시하지 않음)을 갖는다. 절연막의 재료로서는, 예를 들어 SiO2 등을 들 수 있다. 투명 유리 기판(82)에 있어서의 절연막 상에 투명 전극(83)이 형성되어 있다. 투명 전극(83)의 재료로서는, ITO 등을 들 수 있다. 투명 전극(83)은, 예를 들어 포토리소그래피에 의해 패터닝하여 형성 가능하다. 투명 유리 기판(82)의 표면 상의 투명 전극(83) 상에 배향막(84)이 형성되어 있다. 배향막(84)의 재료로서는, 폴리이미드 등이 예시되어 있이다.The liquid
한 쌍의 투명 유리 기판(82) 사이에는, 액정(85)이 봉입되어 있다. 한 쌍의 투명 유리 기판(82) 사이에는, 복수의 기재 입자(11)가 배치되어 있다. 기재 입자(11)는 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용되고 있다. 복수의 기재 입자(11)에 의해, 한 쌍의 투명 유리 기판(82)의 간격이 규제되고 있다. 한 쌍의 투명 유리 기판(82)의 테두리부간에는, 시일제(86)가 배치되어 있다. 시일제(86)에 의해, 액정(85)의 외부의 유출이 방지되어 있다. 시일제(86)에는, 기재 입자(11)와 입경만이 다른 기재 입자(11A)가 포함되어 있다.A
상기 액정 표시 소자에 있어서 1mm2당 액정 표시 소자용 스페이서의 배치 밀도는 바람직하게는 10개/mm2 이상이며, 바람직하게는 1000개/mm2 이하이다. 상기 배치 밀도가 10개/mm2 이상이면, 셀 갭이 한층 더 균일해진다. 상기 배치 밀도가 1000개/mm2 이하이면, 액정 표시 소자의 콘트라스트가 한층 더 양호해진다.In the liquid crystal display device, the arrangement density of spacers for liquid crystal display elements per 1 mm 2 is preferably 10 pieces/mm 2 or more, and preferably 1000 pieces/mm 2 or less. If the batch density is 10 pieces/mm 2 or more, the cell gap becomes even more uniform. When the said arrangement density is 1000 pieces/mm 2 or less, the contrast of a liquid crystal display element becomes more favorable.
이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
(시험예 (1), (2), (3) 및 (4)의 평가)(Evaluation of Test Examples (1), (2), (3) and (4))
후술하는 시험예 (1) 내지 (4)의 기재 입자, 도전성 입자 및 접속 구조체에 대하여, 이하의 평가를 실시하였다. 또한, 시험예 (1), (2), (3) 및 (4)간에 있어서, 접속 구조체의 제작 조건이 다르기 때문에, 시험예 (1), (2), (3) 및 (4)간의 접속 구조체의 평가 결과는, 서로 직접 대비할 수는 없다.The following evaluation was performed about the base material particle, electroconductive particle, and connection structure of Test Examples (1)-(4) mentioned later. In addition, since the manufacturing conditions of the connection structure are different between Test Examples (1), (2), (3) and (4), the connection between Test Examples (1), (2), (3) and (4) The evaluation results of the structure cannot be directly compared to each other.
(평가 1) 기재 입자의 BET 비표면적(Evaluation 1) BET specific surface area of substrate particles
얻어진 기재 입자에 대하여, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」를 사용하여, 질소의 흡착 등온선을 측정하였다. 측정 결과로부터, BET법에 준거하여 기재 입자의 비표면적을 산출하였다.About the obtained base material particle|grains, the adsorption isotherm of nitrogen was measured using "NOVA4200e" by the Cantachrome Instruments company. From the measurement results, the specific surface area of the substrate particles was calculated according to the BET method.
(평가 2) 기재 입자의 전체 세공 용적(Evaluation 2) Total pore volume of substrate particles
얻어진 기재 입자에 대하여, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」를 사용하여, 질소의 흡착 등온선을 측정하였다. 측정 결과로부터, BJH법에 준거하여 기재 입자의 전체 세공 용적을 산출하였다.About the obtained base material particle|grains, the adsorption isotherm of nitrogen was measured using "NOVA4200e" by the Cantachrome Instruments company. From the measurement results, the total pore volume of the substrate particles was calculated according to the BJH method.
(평가 3) 기재 입자의 평균 세공 직경(Evaluation 3) Average pore diameter of substrate particles
얻어진 기재 입자에 대하여, 칸타크롬·인스트루먼츠사제 「NOVA4200e」를 사용하여, 질소의 흡착 등온선을 측정하였다. 측정 결과로부터, BJH법에 준거하여 기재 입자의 평균 세공 직경을 산출하였다.About the obtained base material particle|grains, the adsorption isotherm of nitrogen was measured using "NOVA4200e" by the Cantachrome Instruments company. From the measurement results, the average pore diameter of the substrate particles was calculated according to the BJH method.
(평가 4) 기재 입자의 압축 탄성률(Evaluation 4) Compression modulus of substrate particles
얻어진 기재 입자에 대하여, 상기 압축 탄성률(10% K값 및 30% K값)을 상술한 방법에 의해 미소 압축 시험기(피셔사제 「피셔 스코프 H-100」)을 사용하여 측정하였다. 측정 결과로부터, 10% K값 및 30% K값을 산출하였다.With respect to the obtained substrate particles, the compression modulus (10% K value and 30% K value) was measured using a micro compression tester ("Fisher Scope H-100" manufactured by Fisher) by the method described above. From the measurement result, a 10% K value and a 30% K value were calculated.
(평가 5) 기재 입자의 압축 회복률(Evaluation 5) Compression recovery rate of base particles
얻어진 기재 입자의 상기 압축 회복률을, 상술한 방법에 의해 미소 압축 시험기(피셔사제 「피셔 스코프 H-100」)을 사용하여 측정하였다.The compression recovery rate of the obtained substrate particles was measured using a micro compression tester ("Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer) by the method described above.
(평가 6) 기재 입자의 평균 입자 직경 및 기재 입자의 입자 직경의 CV값(Evaluation 6) CV value of the average particle diameter of the substrate particles and the particle diameter of the substrate particles
얻어진 기재 입자에 대하여, 입도 분포 측정 장치(베크만 콜터사제 「Multisizer4」)를 사용하여, 약 100000개의 기재 입자의 입자 직경을 측정하고, 평균 입자 직경을 산출하였다. 또한, 기재 입자의 입자 직경 측정 결과로부터, 기재 입자의 입자 직경의 CV값을 하기 식으로부터 산출하였다.With respect to the obtained substrate particles, a particle size distribution measuring device ("Multisizer4" manufactured by Beckman Coulter) was used to measure the particle diameter of about 100,000 substrate particles, and the average particle diameter was calculated. In addition, from the particle diameter measurement results of the substrate particles, the CV value of the particle diameter of the substrate particles was calculated from the following equation.
CV값(%)=(ρ/Dn)×100CV value (%) = (ρ/Dn) × 100
ρ: 기재 입자의 입자 직경의 표준 편차ρ: standard deviation of the particle diameter of the substrate particle
Dn: 기재 입자의 입자 직경의 평균값Dn: the average value of the particle diameter of the substrate particles
(평가 7) 기재 입자와 도전층의 밀착성(Evaluation 7) adhesion between the substrate particles and the conductive layer
얻어진 도전성 입자를, 자동 유발 장치(닛토 가가쿠사제 「AMM-140D」)를 사용하여 막자 회전수 120rpm 및 유발 회전수 7rpm, 처리 시간 30분으로 해쇄 처리하였다. 이 해쇄 후의 도전성 입자를, 주사형 전자 현미경(히타치 하이테크놀로지사제 「Regulus8220」)을 사용하여, 촬영 장소를 옮기면서 3000배의 입자 화상을 5매 촬영하였다. 얻어진 5매의 화상 중의 도전성 입자 100개에 대하여, 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층이 박리되어 있는지 여부를 확인하였다. 기재 입자와 도전층의 밀착성을 이하의 기준으로 판정하였다.The obtained electroconductive particle was pulverized using an automatic induction device ("AMM-140D" manufactured by Nitto Chemical Co., Ltd.) at 120 rpm, 7 rpm, and 30 minutes of treatment time. The electroconductive particle after the disintegration was photographed by using a scanning electron microscope ("Regulus8220" manufactured by Hitachi High-Technology Co., Ltd.), while moving the photographing location, and photographing five particle images of 3000 times. For 100 electroconductive particles in the obtained five images, it was confirmed whether or not the electroconductive layer disposed on the surface of the substrate particles had peeled off. The adhesion between the substrate particles and the conductive layer was determined based on the following criteria.
[기재 입자와 도전층의 밀착성의 판정 기준][Criteria for judging adhesion between substrate particles and conductive layer]
○○○: 도전층이 박리된 도전성 입자가 0개○○○: 0 conductive particles from which the conductive layer was peeled off
○○: 도전층이 박리된 도전성 입자가 0개를 초과하고 15개 이하○○: More than 0 and 15 or less conductive particles from which the conductive layer was peeled off
○: 도전층이 박리된 도전성 입자가 15개를 초과하고 30개 이하○: More than 15 electroconductive particles from which the conductive layer was peeled off and not more than 30
△: 도전층이 박리된 도전성 입자가 30개를 초과하고 50개 이하△: More than 30 conductive particles from which the conductive layer was peeled off and not more than 50
×: 도전층이 박리된 도전성 입자가 50개를 초과한다X: More than 50 electroconductive particles from which the conductive layer was peeled off
(평가 8) 접속 신뢰성(상하의 전극간)(Evaluation 8) Connection reliability (between upper and lower electrodes)
얻어진 20개의 접속 구조체의 상하의 전극간의 접속 저항을 각각, 4 단자법에 의해 측정하였다. 접속 저항의 평균값을 산출하였다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 접속 신뢰성을 하기 기준으로 판정하였다.The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained 20 connection structures was measured by the four-terminal method, respectively. The average value of the connection resistance was calculated. Further, from the relationship between voltage = current x resistance, the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. Connection reliability was determined based on the following criteria.
[접속 신뢰성의 판정 기준][Connection Reliability Criteria]
○○○: 접속 저항의 평균값이 1.5Ω 이하○○○: The average value of connection resistance is 1.5Ω or less
○○: 접속 저항의 평균값이 1.5Ω을 초과하고 2.0Ω 이하○○: The average value of the connection resistance exceeds 1.5 Ω and is 2.0 Ω or less
○: 접속 저항의 평균값이 2.0Ω을 초과하고 5.0Ω 이하○: The average value of the connection resistance exceeds 2.0 Ω and is 5.0 Ω or less
△: 접속 저항의 평균값이 5.0Ω을 초과하고 10Ω 이하△: The average value of the connection resistance exceeds 5.0 Ω and is 10 Ω or less
×: 접속 저항의 평균값이 10Ω을 초과한다×: The average value of the connection resistance exceeds 10 Ω
(평가 9) 내충격성(Evaluation 9) Impact resistance
상기 (평가 8) 접속 신뢰성의 평가에서 얻어진 접속 구조체를 높이 70cm의 위치로부터 낙하시켜, 상기 (평가 8)의 평가와 마찬가지로 하여, 접속 저항을 확인함으로써 내충격성의 평가를 행하였다. 상기 (평가 8)의 평가에서 얻어진 접속 저항의 평균값으로부터의 저항값의 상승률에 의해 내충격성을 하기 기준으로 판정하였다.The connection structure obtained in the evaluation of the (Evaluation 8) connection reliability was dropped from the position of 70 cm in height, and the impact resistance was evaluated by checking the connection resistance in the same manner as in the evaluation of (Evaluation 8). The impact resistance was determined based on the following criteria by the rate of increase of the resistance value from the average value of the connection resistance obtained in the evaluation of (Evaluation 8).
[내충격성의 판정 기준][Criteria for determining impact resistance]
○: 접속 저항의 평균값으로부터의 저항값의 상승률이 30% 이하○: The increase rate of the resistance value from the average value of the connection resistance is 30% or less
△: 접속 저항의 평균값으로부터의 저항값의 상승률이 30%를 초과하고 50% 이하△: The increase rate of the resistance value from the average value of the connection resistance exceeds 30% and is 50% or less
×: 접속 저항의 평균값으로부터의 저항값의 상승률이 50%를 초과한다X: The increase rate of the resistance value from the average value of the connection resistance exceeds 50%
(평가 10) 고온 및 고습 조건 후의 접속 신뢰성(Evaluation 10) Connection reliability after high temperature and high humidity conditions
상기 (평가 8) 접속 신뢰성의 평가에서 얻어진 접속 구조체 100개를, 85℃, 85%RH에서 100시간 방치하였다. 방치 후의 100개의 접속 구조체에 대하여, 상하의 전극간의 도통 불량이 발생하고 있는지 여부를 평가하였다. 고온 및 고습 조건 후의 접속 신뢰성을 이하의 기준으로 판정하였다.The 100 connection structures obtained in the above (Evaluation 8) connection reliability evaluation were left at 85°C and 85% RH for 100 hours. With respect to the 100 connection structures after standing, it was evaluated whether or not a conduction failure between the upper and lower electrodes occurred. Connection reliability after high temperature and high humidity conditions was determined by the following criteria.
[고온 및 고습 조건 후의 접속 신뢰성의 판정 기준][Criteria for judging connection reliability after high temperature and high humidity conditions]
○○: 접속 구조체 100개 중, 도통 불량이 발생하고 있는 개수가 1개 이하이다○○: Out of 100 connection structures, the number of defective conduction is one or less.
○: 접속 구조체 100개 중, 도통 불량이 발생하고 있는 개수가 2 내지 5개이다○: Out of 100 connection structures, the number of occurrence of conduction failure is 2 to 5
△: 접속 구조체 100개 중, 도통 불량이 발생하고 있는 개수가 6 내지 10개이다△: Out of 100 connection structures, the number of defective conduction is 6 to 10
×: 접속 구조체 100개 중, 도통 불량이 발생하고 있는 개수가 11개 이상이다×: Out of 100 connection structures, the number of occurrence of conduction failure is 11 or more
(시험예 (1))(Test Example (1))
시험예 (1)에서는, 기재 입자 1 등을 제작하였다.In Test Example (1),
(실시예 (1)-1)(Example (1)-1)
(1) 기재 입자의 제작(1) Preparation of substrate particles
종입자로서 평균 입자 직경 0.69㎛의 폴리스티렌 입자를 준비하였다. 상기 폴리스티렌 입자 3.9중량부와, 이온 교환수 500중량부와, 5중량% 폴리비닐알코올 수용액 120중량부를 혼합하여, 혼합액을 조제하였다. 상기 혼합액을 초음파에 의해 분산시킨 후, 세퍼러블 플라스크에 넣어 균일하게 교반하였다.As seed particles, polystyrene particles having an average particle diameter of 0.69 µm were prepared. 3.9 parts by weight of the polystyrene particles, 500 parts by weight of ion-exchanged water, and 120 parts by weight of a 5% by weight polyvinyl alcohol aqueous solution were mixed to prepare a mixed solution. After dispersing the mixture by ultrasonic waves, it was put into a separable flask and stirred uniformly.
이어서, 디비닐벤젠(모노머 성분) 150중량부와, 2,2'-아조비스(이소부티르산메틸)(와코 쥰야꾸 고교사제 「V-601」) 2중량부와, 과산화벤조일(니치유사제 「나이퍼 BW」) 2중량부를 혼합하였다. 또한, 라우릴황산트리에탄올아민 9중량부와, 톨루엔(용매) 30중량부와, 이온 교환수 1100중량부를 첨가하여, 유화액을 조제하였다.Next, 150 parts by weight of divinylbenzene (monomer component), 2 parts by weight of 2,2'-azobis (methyl isobutyrate) ("V-601" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and benzoyl peroxide (manufactured by Nichiyu Corporation) Niper BW") 2 parts by weight were mixed. Further, 9 parts by weight of lauryl sulfate triethanolamine, 30 parts by weight of toluene (solvent), and 1100 parts by weight of ion-exchanged water were added to prepare an emulsion.
세퍼러블 플라스크 중의 상기 혼합액에, 상기 유화액을 수회로 나누어 첨가하여 12시간 교반하고, 종입자에 모노머를 흡수시켜, 모노머가 팽윤된 종입자를 포함하는 현탁액을 얻었다.To the mixed solution in a separable flask, the emulsion was added in several portions, stirred for 12 hours, and the monomer was absorbed into the seed particles to obtain a suspension containing the seed particles in which the monomer was swollen.
그 후, 5중량% 폴리비닐알코올 수용액 490중량부를 첨가하고, 가열을 개시하여 85℃에서 9시간 반응시켜, 입자 직경 3.24㎛의 기재 입자를 얻었다.Then, 490 parts by weight of a 5% by weight polyvinyl alcohol aqueous solution was added, heating was started, and the reaction was carried out at 85°C for 9 hours to obtain base particles having a particle diameter of 3.24 μm.
(2) 도전성 입자의 제작(2) Preparation of conductive particles
얻어진 기재 입자를 세정하고, 건조시킨 후, 팔라듐 촉매액을 5중량% 포함하는 알칼리 용액 100중량부에, 기재 입자 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 기재 입자를 취출하였다. 이어서, 기재 입자를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하여, 기재 입자의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 가하여, 분산시킴으로써 분산액을 얻었다. 이어서, 니켈 입자 슬러리(평균 입자 직경 100nm) 1g을 3분간에 걸쳐 상기 분산액에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 기재 입자를 포함하는 현탁액을 얻었다.After washing and drying the obtained substrate particles, 10 parts by weight of the substrate particles are dispersed in 100 parts by weight of an alkali solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, and then the solution is filtered to remove the base particles. It was taken out. Subsequently, the substrate particles were added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the substrate particles. After sufficiently washing the surface-activated substrate particles with water, 500 parts by weight of distilled water was added and dispersed to obtain a dispersion. Subsequently, 1 g of a nickel particle slurry (average particle diameter of 100 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain a suspension containing the substrate particles to which the core material was attached.
또한, 황산니켈 0.35mol/L, 디메틸아민보란 1.38mol/L 및 시트르산나트륨 0.5mol/L를 포함하는 니켈 도금액(pH 8.5)을 준비하였다.Further, a nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.35 mol/L of nickel sulfate, 1.38 mol/L of dimethylamine borane and 0.5 mol/L of sodium citrate was prepared.
얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하여, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써, 입자를 취출하여 수세하고 건조시킴으로써, 기재 입자의 표면에 니켈-보론 도전층(두께 0.15㎛)이 형성되고, 도전부를 표면에 갖는 도전성 입자를 얻었다.While stirring the obtained suspension at 60° C., the nickel plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform electroless nickel plating. Thereafter, the suspension was filtered to remove particles, washed with water, and dried to form a nickel-boron conductive layer (thickness 0.15 µm) on the surface of the substrate particles, thereby obtaining conductive particles having a conductive portion on the surface.
(3) 절연성 입자의 제작(3) Preparation of insulating particles
4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브를 설치한 1000mL 세퍼러블 플라스크에, 하기 모노머 조성물을 넣은 후, 하기 모노머 조성물의 고형분이 10중량%가 되도록 증류수를 넣어 200rpm으로 교반하고, 질소 분위기 하 60℃에서 24시간 중합을 행하였다. 상기 모노머 조성물은 메타크릴산메틸 360mmol, 메타크릴산글리시딜 45mmol, 파라스티릴디에틸포스핀 20mmol, 디메타크릴산에틸렌글리콜 13mmol, 폴리비닐피롤리돈 0.5mmol 및 2,2'-아조비스{2-[N-(2-카르복시에틸)아미디노]프로판} 1mmol을 포함한다. 반응 종료 후, 동결 건조시켜, 파라스티릴디에틸포스핀에서 유래하는 인 원자를 표면에 갖는 절연성 입자(입자 직경 360nm)를 얻었다.After putting the following monomer composition into a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, cooling tube, and temperature probe, distilled water was added so that the solid content of the following monomer composition became 10% by weight, and stirred at 200 rpm. Then, polymerization was performed at 60°C for 24 hours in a nitrogen atmosphere. The monomer composition includes 360 mmol of methyl methacrylate, 45 mmol of glycidyl methacrylate, 20 mmol of parastyryldiethylphosphine, 13 mmol of dimethacrylate ethylene glycol, 0.5 mmol of polyvinylpyrrolidone and 2,2'-azobis{ 2-[N-(2-carboxyethyl)amidino]propane} 1 mmol. After completion of the reaction, it was freeze-dried to obtain insulating particles (particle diameter of 360 nm) having a phosphorus atom derived from parastyryldiethylphosphine on the surface.
(4) 절연성 입자 구비 도전성 입자의 제작(4) Preparation of conductive particles with insulating particles
상기에서 얻어진 절연성 입자를 초음파 조사 하에서 증류수에 분산시켜, 절연성 입자의 10중량% 수분산액을 얻었다. 얻어진 도전성 입자 10g을 증류수 500mL에 분산시키고, 절연성 입자의 10중량% 수분산액 1g을 첨가하여 실온에서 8시간 교반하였다. 3㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 또한 메탄올로 세정, 건조시켜 절연성 입자 구비 도전성 입자를 얻었다.The insulating particles obtained above were dispersed in distilled water under ultrasonic irradiation to obtain a 10% by weight aqueous dispersion of the insulating particles. 10 g of the obtained electroconductive particles were dispersed in 500 mL of distilled water, 1 g of a 10% by weight aqueous dispersion of insulating particles was added, followed by stirring at room temperature for 8 hours. After filtration with a 3 µm mesh filter, it was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles with insulating particles.
(5) 도전 재료(이방성 도전 페이스트)의 제작(5) Preparation of conductive material (anisotropic conductive paste)
얻어진 도전성 입자 7중량부와, 비스페놀 A형 페녹시 수지 25중량부와, 플루오렌형 에폭시 수지 4중량부와, 페놀노볼락형 에폭시 수지 30중량부와, SI-60L(산신 가가꾸 고교사제)을 배합하고, 3분간 탈포 및 교반함으로써 도전 재료(이방성 도전 페이스트)를 얻었다.7 parts by weight of the obtained conductive particles, 25 parts by weight of a bisphenol A-type phenoxy resin, 4 parts by weight of a fluorene-type epoxy resin, 30 parts by weight of a phenol novolak-type epoxy resin, and SI-60L (manufactured by Sanshin Chemical Industries, Ltd.) Was blended, defoaming and stirring for 3 minutes to obtain a conductive material (anisotropic conductive paste).
(6) 접속 구조체의 제작(6) Fabrication of connection structure
L/S가 10㎛/10㎛인 IZO 전극 패턴(제1 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 100Hv)이 상면에 형성된 투명 유리 기판을 준비하였다. 또한, L/S가 10㎛/10㎛인 Au 전극 패턴(제2 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 50Hv)이 하면에 형성된 반도체 칩을 준비하였다. 상기 투명 유리 기판 상에 얻어진 이방성 도전 페이스트를 두께 30㎛가 되도록 도공하여, 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층 상에 상기 반도체 칩을, 전극끼리가 대향하도록 적층하였다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 100℃가 되게 헤드의 온도를 조정하면서, 반도체 칩의 상면에 가압 가열 헤드를 얹고, 78MPa의 압력을 가하여 이방성 도전 페이스트층을 100℃에서 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.A transparent glass substrate on which an IZO electrode pattern having an L/S of 10 µm/10 µm (a first electrode and a Vickers hardness of 100 Hv of metal on the electrode surface) was formed on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having an L/S of 10 μm/10 μm (second electrode, Vickers hardness of metal on the electrode surface of 50 Hv) formed on the lower surface thereof was prepared. The anisotropic conductive paste obtained on the transparent glass substrate was applied to a thickness of 30 µm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the semiconductor chips were stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Thereafter, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 100°C, a pressurized heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and a pressure of 78 MPa is applied to cure the anisotropic conductive paste layer at 100°C. Got it.
(실시예 (1)-2 내지 (1)-32 및 비교예 (1)-1 내지 (1)-7)(Examples (1)-2 to (1)-32 and Comparative Examples (1)-1 to (1)-7)
기재 입자의 제작 시에 사용한 모노머 성분의 종류, 용매의 종류 및 그들의 배합량을, 하기 표 1 내지 4에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 (1)-1과 마찬가지로 하여, 기재 입자, 도전성 입자, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 얻었다.In the same manner as in Example (1)-1, except that the types of monomer components used in the production of the substrate particles, the types of solvents, and their blending amounts were changed as shown in Tables 1 to 4 below, the substrate particles, conductive particles, and An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained.
시험예 (1)에 있어서의 기재 입자 및 도전성 입자의 상세 및 결과를 표 1 내지 4에 나타낸다.The details and results of the substrate particles and electroconductive particles in Test Example (1) are shown in Tables 1 to 4.
(시험예 2)(Test Example 2)
시험예 2에서는, 기재 입자 2 등을 제작하였다.In Test Example 2,
(실시예 (2)-1)(Example (2)-1)
(1) 기재 입자의 제작(1) Preparation of substrate particles
종입자로서 평균 입자 직경 0.69㎛의 폴리스티렌 입자를 준비하였다. 상기 폴리스티렌 입자 3.9중량부와, 이온 교환수 500중량부와, 5중량% 폴리비닐알코올 수용액 120중량부를 혼합하여, 혼합액을 조제하였다. 상기 혼합액을 초음파에 의해 분산시킨 후, 세퍼러블 플라스크에 넣어 균일하게 교반하였다.As seed particles, polystyrene particles having an average particle diameter of 0.69 µm were prepared. 3.9 parts by weight of the polystyrene particles, 500 parts by weight of ion-exchanged water, and 120 parts by weight of a 5% by weight polyvinyl alcohol aqueous solution were mixed to prepare a mixed solution. After dispersing the mixture by ultrasonic waves, it was put into a separable flask and stirred uniformly.
이어서, 디비닐벤젠(모노머 성분) 150중량부와, 2,2'-아조비스(이소부티르산메틸)(와코 쥰야꾸 고교사제 「V-601」) 2중량부와, 과산화벤조일(니치유사제 「나이퍼 BW」) 2중량부를 혼합하였다. 또한, 라우릴황산트리에탄올아민 9중량부와, 톨루엔(용매) 70중량부와, 이온 교환수 1100중량부를 첨가하여, 유화액을 조제하였다.Next, 150 parts by weight of divinylbenzene (monomer component), 2 parts by weight of 2,2'-azobis (methyl isobutyrate) ("V-601" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and benzoyl peroxide (manufactured by Nichiyu Corporation) Niper BW") 2 parts by weight were mixed. Further, 9 parts by weight of lauryl sulfate triethanolamine, 70 parts by weight of toluene (solvent), and 1100 parts by weight of ion-exchanged water were added to prepare an emulsion.
세퍼러블 플라스크 중의 상기 혼합액에, 상기 유화액을 수회로 나누어 첨가하여 12시간 교반하고, 종입자에 모노머를 흡수시켜, 모노머가 팽윤된 종입자를 포함하는 현탁액을 얻었다.To the mixed solution in a separable flask, the emulsion was added in several portions, stirred for 12 hours, and the monomer was absorbed into the seed particles to obtain a suspension containing the seed particles in which the monomer was swollen.
그 후, 5중량% 폴리비닐알코올 수용액 490중량부를 첨가하고, 가열을 개시하여 85℃에서 9시간 반응시켜, 입자 직경 3.69㎛의 기재 입자를 얻었다.Thereafter, 490 parts by weight of a 5% by weight polyvinyl alcohol aqueous solution was added, heating was started, and the reaction was carried out at 85°C for 9 hours to obtain substrate particles having a particle diameter of 3.69 µm.
(2) 도전성 입자의 제작(2) Preparation of conductive particles
얻어진 기재 입자를 세정하고, 건조시킨 후, 팔라듐 촉매액을 5중량% 포함하는 알칼리 용액 100중량부에, 기재 입자 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 기재 입자를 취출하였다. 이어서, 기재 입자를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하여, 기재 입자의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 가하여, 분산시킴으로써 분산액을 얻었다. 이어서, 니켈 입자 슬러리(평균 입자 직경 100nm) 1g을 3분간에 걸쳐 상기 분산액에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 기재 입자를 포함하는 현탁액을 얻었다.After washing and drying the obtained substrate particles, 10 parts by weight of the substrate particles are dispersed in 100 parts by weight of an alkali solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, and then the solution is filtered to remove the base particles. It was taken out. Subsequently, the substrate particles were added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the substrate particles. After sufficiently washing the surface-activated substrate particles with water, 500 parts by weight of distilled water was added and dispersed to obtain a dispersion. Subsequently, 1 g of a nickel particle slurry (average particle diameter of 100 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain a suspension containing the substrate particles to which the core material was attached.
또한, 황산니켈 0.35mol/L, 디메틸아민보란 1.38mol/L 및 시트르산나트륨 0.5mol/L를 포함하는 니켈 도금액(pH 8.5)을 준비하였다.Further, a nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.35 mol/L of nickel sulfate, 1.38 mol/L of dimethylamine borane and 0.5 mol/L of sodium citrate was prepared.
얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하여, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써, 입자를 취출하여 수세하고 건조시킴으로써, 기재 입자의 표면에 니켈-보론 도전층(두께 0.15㎛)이 형성되고, 도전부를 표면에 갖는 도전성 입자를 얻었다.While stirring the obtained suspension at 60° C., the nickel plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform electroless nickel plating. Thereafter, the suspension was filtered to remove particles, washed with water, and dried to form a nickel-boron conductive layer (thickness 0.15 µm) on the surface of the substrate particles, thereby obtaining conductive particles having a conductive portion on the surface.
(3) 절연성 입자의 제작(3) Preparation of insulating particles
4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브를 설치한 1000mL 세퍼러블 플라스크에, 하기 모노머 조성물을 넣은 후, 하기 모노머 조성물의 고형분이 10중량%가 되도록 증류수를 넣어 200rpm으로 교반하고, 질소 분위기 하 60℃에서 24시간 중합을 행하였다. 상기 모노머 조성물은 메타크릴산메틸 360mmol, 메타크릴산글리시딜 45mmol, 파라스티릴디에틸포스핀 20mmol, 디메타크릴산에틸렌글리콜 13mmol, 폴리비닐피롤리돈 0.5mmol 및 2,2'-아조비스{2-[N-(2-카르복시에틸)아미디노]프로판} 1mmol을 포함한다. 반응 종료 후, 동결 건조시켜, 파라스티릴디에틸포스핀에서 유래하는 인 원자를 표면에 갖는 절연성 입자(입자 직경 360nm)를 얻었다.After putting the following monomer composition into a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, cooling tube, and temperature probe, distilled water was added so that the solid content of the following monomer composition became 10% by weight, and stirred at 200 rpm. Then, polymerization was performed at 60°C for 24 hours in a nitrogen atmosphere. The monomer composition includes 360 mmol of methyl methacrylate, 45 mmol of glycidyl methacrylate, 20 mmol of parastyryldiethylphosphine, 13 mmol of dimethacrylate ethylene glycol, 0.5 mmol of polyvinylpyrrolidone and 2,2'-azobis{ 2-[N-(2-carboxyethyl)amidino]propane} 1 mmol. After completion of the reaction, it was freeze-dried to obtain insulating particles (particle diameter of 360 nm) having a phosphorus atom derived from parastyryldiethylphosphine on the surface.
(4) 절연성 입자 구비 도전성 입자의 제작(4) Preparation of conductive particles with insulating particles
상기에서 얻어진 절연성 입자를 초음파 조사 하에서 증류수에 분산시켜, 절연성 입자의 10중량% 수분산액을 얻었다. 얻어진 도전성 입자 10g을 증류수 500mL에 분산시키고, 절연성 입자의 10중량% 수분산액 1g을 첨가하여 실온에서 8시간 교반하였다. 3㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 또한 메탄올로 세정, 건조시켜 절연성 입자 구비 도전성 입자를 얻었다.The insulating particles obtained above were dispersed in distilled water under ultrasonic irradiation to obtain a 10% by weight aqueous dispersion of the insulating particles. 10 g of the obtained electroconductive particles were dispersed in 500 mL of distilled water, 1 g of a 10% by weight aqueous dispersion of insulating particles was added, followed by stirring at room temperature for 8 hours. After filtration with a 3 µm mesh filter, it was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles with insulating particles.
(5) 도전 재료(이방성 도전 페이스트)의 제작(5) Preparation of conductive material (anisotropic conductive paste)
얻어진 도전성 입자 7중량부와, 비스페놀 A형 페녹시 수지 25중량부와, 플루오렌형 에폭시 수지 4중량부와, 페놀노볼락형 에폭시 수지 30중량부와, SI-60L(산신 가가꾸 고교사제)을 배합하고, 3분간 탈포 및 교반함으로써 도전 재료(이방성 도전 페이스트)를 얻었다.7 parts by weight of the obtained conductive particles, 25 parts by weight of a bisphenol A-type phenoxy resin, 4 parts by weight of a fluorene-type epoxy resin, 30 parts by weight of a phenol novolak-type epoxy resin, and SI-60L (manufactured by Sanshin Chemical Industries, Ltd.) Was blended, defoaming and stirring for 3 minutes to obtain a conductive material (anisotropic conductive paste).
(6) 접속 구조체의 제작(6) Fabrication of connection structure
L/S가 10㎛/10㎛인 IZO 전극 패턴(제1 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 100Hv)이 상면에 형성된 투명 유리 기판을 준비하였다. 또한, L/S가 10㎛/10㎛인 Au 전극 패턴(제2 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 50Hv)이 하면에 형성된 반도체 칩을 준비하였다. 상기 투명 유리 기판 상에 얻어진 이방성 도전 페이스트를 두께 30㎛가 되도록 도공하여, 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층 상에 상기 반도체 칩을, 전극끼리가 대향하도록 적층하였다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 100℃가 되게 헤드의 온도를 조정하면서, 반도체 칩의 상면에 가압 가열 헤드를 얹고, 70MPa의 압력을 가하여 이방성 도전 페이스트층을 100℃에서 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.A transparent glass substrate on which an IZO electrode pattern having an L/S of 10 µm/10 µm (a first electrode and a Vickers hardness of 100 Hv of metal on the electrode surface) was formed on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having an L/S of 10 μm/10 μm (second electrode, Vickers hardness of metal on the electrode surface of 50 Hv) formed on the lower surface thereof was prepared. The anisotropic conductive paste obtained on the transparent glass substrate was applied to a thickness of 30 µm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the semiconductor chips were stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Thereafter, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 100°C, a pressurized heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and a pressure of 70 MPa is applied to cure the anisotropic conductive paste layer at 100°C. Got it.
(실시예 (2)-2 내지 (2)-17 및 비교예 (2)-1 내지 (2)-7)(Examples (2)-2 to (2)-17 and Comparative Examples (2)-1 to (2)-7)
기재 입자의 제작 시에 사용한 모노머 성분의 종류, 용매의 종류 및 그들의 배합량을, 하기 표 5 내지 7에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 (2)-1과 마찬가지로 하여, 기재 입자, 도전성 입자, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 얻었다.In the same manner as in Example (2)-1, except that the type of the monomer component used in the production of the substrate particle, the type of the solvent, and the amount of the mixture were changed as shown in Tables 5 to 7 below, the substrate particle, the conductive particle, An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained.
시험예 2에 있어서의 기재 입자 및 도전성 입자의 상세 및 결과를 표 5 내지 7에 나타낸다.The details and results of the substrate particles and electroconductive particles in Test Example 2 are shown in Tables 5 to 7.
(시험예 3)(Test Example 3)
시험예 3에서는, 기재 입자 3 등을 제작하였다.In Test Example 3, substrate particles 3 and the like were produced.
(실시예 (3)-1)(Example (3)-1)
(1) 기재 입자의 제작(1) Preparation of substrate particles
종입자로서 평균 입자 직경 0.69㎛의 폴리스티렌 입자를 준비하였다. 상기 폴리스티렌 입자 3.9중량부와, 이온 교환수 500중량부와, 5중량% 폴리비닐알코올 수용액 120중량부를 혼합하여, 혼합액을 조제하였다. 상기 혼합액을 초음파에 의해 분산시킨 후, 세퍼러블 플라스크에 넣어 균일하게 교반하였다.As seed particles, polystyrene particles having an average particle diameter of 0.69 µm were prepared. 3.9 parts by weight of the polystyrene particles, 500 parts by weight of ion-exchanged water, and 120 parts by weight of a 5% by weight polyvinyl alcohol aqueous solution were mixed to prepare a mixed solution. After dispersing the mixture by ultrasonic waves, it was put into a separable flask and stirred uniformly.
이어서, 디비닐벤젠(모노머 성분) 150중량부와, 2,2'-아조비스(이소부티르산메틸)(와코 쥰야꾸 고교사제 「V-601」) 2중량부와, 과산화벤조일(니치유사제 「나이퍼 BW」) 2중량부를 혼합하였다. 또한, 라우릴황산트리에탄올아민 9중량부와, 톨루엔(용매) 30중량부와, 이온 교환수 1100중량부를 첨가하여, 유화액을 조제하였다.Next, 150 parts by weight of divinylbenzene (monomer component), 2 parts by weight of 2,2'-azobis (methyl isobutyrate) ("V-601" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and benzoyl peroxide (manufactured by Nichiyu Corporation) Niper BW") 2 parts by weight were mixed. Further, 9 parts by weight of lauryl sulfate triethanolamine, 30 parts by weight of toluene (solvent), and 1100 parts by weight of ion-exchanged water were added to prepare an emulsion.
세퍼러블 플라스크 중의 상기 혼합액에, 상기 유화액을 수회로 나누어 첨가하여 12시간 교반하고, 종입자에 모노머를 흡수시켜, 모노머가 팽윤된 종입자를 포함하는 현탁액을 얻었다.To the mixed solution in a separable flask, the emulsion was added in several portions, stirred for 12 hours, and the monomer was absorbed into the seed particles to obtain a suspension containing the seed particles in which the monomer was swollen.
그 후, 5중량% 폴리비닐알코올 수용액 490중량부를 첨가하고, 가열을 개시하여 85℃에서 9시간 반응시켜, 입자 직경 3.24㎛의 기재 입자를 얻었다.Then, 490 parts by weight of a 5% by weight polyvinyl alcohol aqueous solution was added, heating was started, and the reaction was carried out at 85°C for 9 hours to obtain base particles having a particle diameter of 3.24 μm.
(2) 도전성 입자의 제작(2) Preparation of conductive particles
얻어진 기재 입자를 세정하고, 건조시킨 후, 팔라듐 촉매액을 5중량% 포함하는 알칼리 용액 100중량부에, 기재 입자 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 기재 입자를 취출하였다. 이어서, 기재 입자를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하여, 기재 입자의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 가하여, 분산시킴으로써 분산액을 얻었다. 이어서, 니켈 입자 슬러리(평균 입자 직경 100nm) 1g을 3분간에 걸쳐 상기 분산액에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 기재 입자를 포함하는 현탁액을 얻었다.After washing and drying the obtained substrate particles, 10 parts by weight of the substrate particles are dispersed in 100 parts by weight of an alkali solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, and then the solution is filtered to remove the base particles. It was taken out. Subsequently, the substrate particles were added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the substrate particles. After sufficiently washing the surface-activated substrate particles with water, 500 parts by weight of distilled water was added and dispersed to obtain a dispersion. Subsequently, 1 g of a nickel particle slurry (average particle diameter of 100 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain a suspension containing the substrate particles to which the core material was attached.
또한, 황산니켈 0.35mol/L, 디메틸아민보란 1.38mol/L 및 시트르산나트륨 0.5mol/L를 포함하는 니켈 도금액(pH 8.5)을 준비하였다.Further, a nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.35 mol/L of nickel sulfate, 1.38 mol/L of dimethylamine borane and 0.5 mol/L of sodium citrate was prepared.
얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하여, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써, 입자를 취출하여 수세하고 건조시킴으로써, 기재 입자의 표면에 니켈-보론 도전층(두께 0.15㎛)이 형성되고, 도전부를 표면에 갖는 도전성 입자를 얻었다.While stirring the obtained suspension at 60° C., the nickel plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform electroless nickel plating. Thereafter, the suspension was filtered to remove particles, washed with water, and dried to form a nickel-boron conductive layer (thickness 0.15 µm) on the surface of the substrate particles, thereby obtaining conductive particles having a conductive portion on the surface.
(3) 절연성 입자의 제작(3) Preparation of insulating particles
4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브를 설치한 1000mL 세퍼러블 플라스크에, 하기 모노머 조성물을 넣은 후, 하기 모노머 조성물의 고형분이 10중량%가 되도록 증류수를 넣어 200rpm으로 교반하고, 질소 분위기 하 60℃에서 24시간 중합을 행하였다. 상기 모노머 조성물은 메타크릴산메틸 360mmol, 메타크릴산글리시딜 45mmol, 파라스티릴디에틸포스핀 20mmol, 디메타크릴산에틸렌글리콜 13mmol, 폴리비닐피롤리돈 0.5mmol 및 2,2'-아조비스{2-[N-(2-카르복시에틸)아미디노]프로판} 1mmol을 포함한다. 반응 종료 후, 동결 건조시켜, 파라스티릴디에틸포스핀에서 유래하는 인 원자를 표면에 갖는 절연성 입자(입자 직경 360nm)를 얻었다.After putting the following monomer composition into a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, cooling tube, and temperature probe, distilled water was added so that the solid content of the following monomer composition became 10% by weight, and stirred at 200 rpm. Then, polymerization was performed at 60°C for 24 hours in a nitrogen atmosphere. The monomer composition includes 360 mmol of methyl methacrylate, 45 mmol of glycidyl methacrylate, 20 mmol of parastyryldiethylphosphine, 13 mmol of dimethacrylate ethylene glycol, 0.5 mmol of polyvinylpyrrolidone and 2,2'-azobis{ 2-[N-(2-carboxyethyl)amidino]propane} 1 mmol. After completion of the reaction, it was freeze-dried to obtain insulating particles (particle diameter of 360 nm) having a phosphorus atom derived from parastyryldiethylphosphine on the surface.
(4) 절연성 입자 구비 도전성 입자의 제작(4) Preparation of conductive particles with insulating particles
상기에서 얻어진 절연성 입자를 초음파 조사 하에서 증류수에 분산시켜, 절연성 입자의 10중량% 수분산액을 얻었다. 얻어진 도전성 입자 10g을 증류수 500mL에 분산시키고, 절연성 입자의 10중량% 수분산액 1g을 첨가하여 실온에서 8시간 교반하였다. 3㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 또한 메탄올로 세정, 건조시켜 절연성 입자 구비 도전성 입자를 얻었다.The insulating particles obtained above were dispersed in distilled water under ultrasonic irradiation to obtain a 10% by weight aqueous dispersion of the insulating particles. 10 g of the obtained electroconductive particles were dispersed in 500 mL of distilled water, 1 g of a 10% by weight aqueous dispersion of insulating particles was added, followed by stirring at room temperature for 8 hours. After filtration with a 3 µm mesh filter, it was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles with insulating particles.
(5) 도전 재료(이방성 도전 페이스트)의 제작(5) Preparation of conductive material (anisotropic conductive paste)
얻어진 도전성 입자 7중량부와, 비스페놀 A형 페녹시 수지 25중량부와, 플루오렌형 에폭시 수지 4중량부와, 페놀노볼락형 에폭시 수지 30중량부와, SI-60L(산신 가가꾸 고교사제)을 배합하고, 3분간 탈포 및 교반함으로써 도전 재료(이방성 도전 페이스트)를 얻었다.7 parts by weight of the obtained conductive particles, 25 parts by weight of a bisphenol A-type phenoxy resin, 4 parts by weight of a fluorene-type epoxy resin, 30 parts by weight of a phenol novolak-type epoxy resin, and SI-60L (manufactured by Sanshin Chemical Industries, Ltd.) Was blended, defoaming and stirring for 3 minutes to obtain a conductive material (anisotropic conductive paste).
(6) 접속 구조체의 제작(6) Fabrication of connection structure
L/S가 10㎛/10㎛인 IZO 전극 패턴(제1 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 100Hv)이 상면에 형성된 투명 유리 기판을 준비하였다. 또한, L/S가 10㎛/10㎛인 Au 전극 패턴(제2 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 50Hv)이 하면에 형성된 반도체 칩을 준비하였다. 상기 투명 유리 기판 상에 얻어진 이방성 도전 페이스트를 두께 30㎛가 되도록 도공하여, 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층 상에 상기 반도체 칩을, 전극끼리가 대향하도록 적층하였다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 100℃가 되게 헤드의 온도를 조정하면서, 반도체 칩의 상면에 가압 가열 헤드를 얹고, 85MPa의 압력을 가하여 이방성 도전 페이스트층을 100℃에서 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.A transparent glass substrate on which an IZO electrode pattern having an L/S of 10 µm/10 µm (a first electrode and a Vickers hardness of 100 Hv of metal on the electrode surface) was formed on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having an L/S of 10 μm/10 μm (second electrode, Vickers hardness of metal on the electrode surface of 50 Hv) formed on the lower surface thereof was prepared. The anisotropic conductive paste obtained on the transparent glass substrate was applied to a thickness of 30 µm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the semiconductor chips were stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Thereafter, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 100°C, a pressurized heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and a pressure of 85 MPa is applied to cure the anisotropic conductive paste layer at 100°C. Got it.
(실시예 (3)-2 내지 (3)-17 및 비교예 (3)-1 내지 (3)-6)(Examples (3)-2 to (3)-17 and Comparative Examples (3)-1 to (3)-6)
기재 입자의 제작 시에 사용한 모노머 성분의 종류, 용매의 종류 및 그들의 배합량을, 하기 표 8 내지 10에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 (3)-1과 마찬가지로 하여, 기재 입자, 도전성 입자, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 얻었다.In the same manner as in Example (3)-1, except that the types of monomer components used in the production of the substrate particles, the types of solvents, and their blending amounts were changed as shown in Tables 8 to 10 below, the substrate particles, conductive particles, and An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained.
시험예 3에 있어서의 기재 입자 및 도전성 입자의 상세 및 결과를 표 8 내지 10에 나타낸다.The details and results of the substrate particles and electroconductive particles in Test Example 3 are shown in Tables 8 to 10.
(시험예 4)(Test Example 4)
시험예 4에서는, 기재 입자 4 등을 제작하였다.In Test Example 4, substrate particles 4 and the like were produced.
(실시예 (4)-1)(Example (4)-1)
(1) 기재 입자의 제작(1) Preparation of substrate particles
종입자로서 평균 입자 직경 0.69㎛의 폴리스티렌 입자를 준비하였다. 상기 폴리스티렌 입자 3.9중량부와, 이온 교환수 500중량부와, 5중량% 폴리비닐알코올 수용액 120중량부를 혼합하여, 혼합액을 조제하였다. 상기 혼합액을 초음파에 의해 분산시킨 후, 세퍼러블 플라스크에 넣어 균일하게 교반하였다.As seed particles, polystyrene particles having an average particle diameter of 0.69 µm were prepared. 3.9 parts by weight of the polystyrene particles, 500 parts by weight of ion-exchanged water, and 120 parts by weight of a 5% by weight polyvinyl alcohol aqueous solution were mixed to prepare a mixed solution. After dispersing the mixture by ultrasonic waves, it was put into a separable flask and stirred uniformly.
이어서, 디비닐벤젠(모노머 성분) 150중량부와, 2,2'-아조비스(이소부티르산메틸)(와코 쥰야꾸 고교사제 「V-601」) 2중량부와, 과산화벤조일(니치유사제 「나이퍼 BW」) 2중량부를 혼합하였다. 또한, 라우릴황산트리에탄올아민 9중량부와, 톨루엔(용매) 180중량부와, 이온 교환수 1100중량부를 첨가하여, 유화액을 조제하였다.Next, 150 parts by weight of divinylbenzene (monomer component), 2 parts by weight of 2,2'-azobis (methyl isobutyrate) ("V-601" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and benzoyl peroxide (manufactured by Nichiyu Corporation) Niper BW") 2 parts by weight were mixed. Further, 9 parts by weight of lauryl sulfate triethanolamine, 180 parts by weight of toluene (solvent), and 1100 parts by weight of ion-exchanged water were added to prepare an emulsion.
세퍼러블 플라스크 중의 상기 혼합액에, 상기 유화액을 수회로 나누어 첨가하여 12시간 교반하고, 종입자에 모노머를 흡수시켜, 모노머가 팽윤된 종입자를 포함하는 현탁액을 얻었다.To the mixed solution in a separable flask, the emulsion was added in several portions, stirred for 12 hours, and the monomer was absorbed into the seed particles to obtain a suspension containing the seed particles in which the monomer was swollen.
그 후, 5중량% 폴리비닐알코올 수용액 490중량부를 첨가하고, 가열을 개시하여 85℃에서 9시간 반응시켜, 입자 직경 3.83㎛의 기재 입자를 얻었다.Thereafter, 490 parts by weight of a 5% by weight polyvinyl alcohol aqueous solution was added, heating was started, and the reaction was carried out at 85°C for 9 hours to obtain substrate particles having a particle diameter of 3.83 µm.
(2) 도전성 입자의 제작(2) Preparation of conductive particles
얻어진 기재 입자를 세정하고, 건조시킨 후, 팔라듐 촉매액을 5중량% 포함하는 알칼리 용액 100중량부에, 기재 입자 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 기재 입자를 취출하였다. 이어서, 기재 입자를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하여, 기재 입자의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 가하여, 분산시킴으로써 분산액을 얻었다. 이어서, 니켈 입자 슬러리(평균 입자 직경 100nm) 1g을 3분간에 걸쳐 상기 분산액에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 기재 입자를 포함하는 현탁액을 얻었다.After washing and drying the obtained substrate particles, 10 parts by weight of the substrate particles are dispersed in 100 parts by weight of an alkali solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, and then the solution is filtered to remove the base particles. It was taken out. Subsequently, the substrate particles were added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the substrate particles. After sufficiently washing the surface-activated substrate particles with water, 500 parts by weight of distilled water was added and dispersed to obtain a dispersion. Subsequently, 1 g of a nickel particle slurry (average particle diameter of 100 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain a suspension containing the substrate particles to which the core material was attached.
또한, 황산니켈 0.35mol/L, 디메틸아민보란 1.38mol/L 및 시트르산나트륨 0.5mol/L를 포함하는 니켈 도금액(pH 8.5)을 준비하였다.Further, a nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.35 mol/L of nickel sulfate, 1.38 mol/L of dimethylamine borane and 0.5 mol/L of sodium citrate was prepared.
얻어진 현탁액을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액을 현탁액에 서서히 적하하여, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 그 후, 현탁액을 여과함으로써, 입자를 취출하여 수세하고 건조시킴으로써, 기재 입자의 표면에 니켈-보론 도전층(두께 0.15㎛)이 형성되고, 도전부를 표면에 갖는 도전성 입자를 얻었다.While stirring the obtained suspension at 60° C., the nickel plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform electroless nickel plating. Thereafter, the suspension was filtered to remove particles, washed with water, and dried to form a nickel-boron conductive layer (thickness 0.15 µm) on the surface of the substrate particles, thereby obtaining conductive particles having a conductive portion on the surface.
(3) 절연성 입자의 제작(3) Preparation of insulating particles
4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브를 설치한 1000mL 세퍼러블 플라스크에, 하기 모노머 조성물을 넣은 후, 하기 모노머 조성물의 고형분이 10중량%가 되도록 증류수를 넣어 200rpm으로 교반하고, 질소 분위기 하 60℃에서 24시간 중합을 행하였다. 상기 모노머 조성물은 메타크릴산메틸 360mmol, 메타크릴산글리시딜 45mmol, 파라스티릴디에틸포스핀 20mmol, 디메타크릴산에틸렌글리콜 13mmol, 폴리비닐피롤리돈 0.5mmol 및 2,2'-아조비스{2-[N-(2-카르복시에틸)아미디노]프로판} 1mmol을 포함한다. 반응 종료 후, 동결 건조시켜, 파라스티릴디에틸포스핀에서 유래하는 인 원자를 표면에 갖는 절연성 입자(입자 직경 360nm)를 얻었다.After putting the following monomer composition into a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, cooling tube, and temperature probe, distilled water was added so that the solid content of the following monomer composition became 10% by weight, and stirred at 200 rpm. Then, polymerization was performed at 60°C for 24 hours in a nitrogen atmosphere. The monomer composition includes 360 mmol of methyl methacrylate, 45 mmol of glycidyl methacrylate, 20 mmol of parastyryldiethylphosphine, 13 mmol of dimethacrylate ethylene glycol, 0.5 mmol of polyvinylpyrrolidone and 2,2'-azobis{ 2-[N-(2-carboxyethyl)amidino]propane} 1 mmol. After completion of the reaction, it was freeze-dried to obtain insulating particles (particle diameter of 360 nm) having a phosphorus atom derived from parastyryldiethylphosphine on the surface.
(4) 절연성 입자 구비 도전성 입자의 제작(4) Preparation of conductive particles with insulating particles
상기에서 얻어진 절연성 입자를 초음파 조사 하에서 증류수에 분산시켜, 절연성 입자의 10중량% 수분산액을 얻었다. 얻어진 도전성 입자 10g을 증류수 500mL에 분산시키고, 절연성 입자의 10중량% 수분산액 1g을 첨가하여 실온에서 8시간 교반하였다. 3㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 또한 메탄올로 세정, 건조시켜 절연성 입자 구비 도전성 입자를 얻었다.The insulating particles obtained above were dispersed in distilled water under ultrasonic irradiation to obtain a 10% by weight aqueous dispersion of the insulating particles. 10 g of the obtained electroconductive particles were dispersed in 500 mL of distilled water, 1 g of a 10% by weight aqueous dispersion of insulating particles was added, followed by stirring at room temperature for 8 hours. After filtration with a 3 µm mesh filter, it was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles with insulating particles.
(5) 도전 재료(이방성 도전 페이스트)의 제작(5) Preparation of conductive material (anisotropic conductive paste)
얻어진 도전성 입자 7중량부와, 비스페놀 A형 페녹시 수지 25중량부와, 플루오렌형 에폭시 수지 4중량부와, 페놀노볼락형 에폭시 수지 30중량부와, SI-60L(산신 가가꾸 고교사제)을 배합하고, 3분간 탈포 및 교반함으로써 도전 재료(이방성 도전 페이스트)를 얻었다.7 parts by weight of the obtained conductive particles, 25 parts by weight of a bisphenol A-type phenoxy resin, 4 parts by weight of a fluorene-type epoxy resin, 30 parts by weight of a phenol novolak-type epoxy resin, and SI-60L (manufactured by Sanshin Chemical Industries, Ltd.) Was blended, defoaming and stirring for 3 minutes to obtain a conductive material (anisotropic conductive paste).
(6) 접속 구조체의 제작(6) Fabrication of connection structure
L/S가 10㎛/10㎛인 IZO 전극 패턴(제1 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 100Hv)이 상면에 형성된 투명 유리 기판을 준비하였다. 또한, L/S가 10㎛/10㎛인 Au 전극 패턴(제2 전극, 전극 표면의 금속의 비커스 경도 50Hv)이 하면에 형성된 반도체 칩을 준비하였다. 상기 투명 유리 기판 상에 얻어진 이방성 도전 페이스트를 두께 30㎛가 되도록 도공하여, 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층 상에 상기 반도체 칩을, 전극끼리가 대향하도록 적층하였다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 100℃가 되게 헤드의 온도를 조정하면서, 반도체 칩의 상면에 가압 가열 헤드를 얹고, 55MPa의 압력을 가하여 이방성 도전 페이스트층을 100℃에서 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.A transparent glass substrate on which an IZO electrode pattern having an L/S of 10 µm/10 µm (a first electrode and a Vickers hardness of 100 Hv of metal on the electrode surface) was formed on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having an L/S of 10 μm/10 μm (second electrode, Vickers hardness of metal on the electrode surface of 50 Hv) formed on the lower surface thereof was prepared. The anisotropic conductive paste obtained on the transparent glass substrate was applied to a thickness of 30 µm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the semiconductor chips were stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Thereafter, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 100°C, a pressurized heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and a pressure of 55 MPa is applied to cure the anisotropic conductive paste layer at 100°C. Got it.
(실시예 (4)-2 내지 (4)-17 및 비교예 (4)-1 내지 (4)-7)(Examples (4)-2 to (4)-17 and Comparative Examples (4)-1 to (4)-7)
기재 입자의 제작 시에 사용한 모노머 성분의 종류, 용매의 종류 및 그들의 배합량을, 하기 표 11 내지 13에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 (4)-1과 마찬가지로 하여, 기재 입자, 도전성 입자, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 얻었다.In the same manner as in Example (4)-1, except that the types of monomer components used in the production of the substrate particles, the types of solvents, and their blending amounts were changed as shown in Tables 11 to 13 below, the substrate particles, conductive particles, and An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained.
시험예 4에 있어서의 기재 입자 및 도전성 입자의 상세 및 결과를 표 11 내지 13에 나타낸다.The details and results of the substrate particles and electroconductive particles in Test Example 4 are shown in Tables 11 to 13.
(시험예 (1), (2), (3) 및 (4)의 다른 평가)(Other evaluations of Test Examples (1), (2), (3) and (4))
상술한 시험예 (1) 내지 (4)의 기재 입자에 대하여, 이하의 평가를 실시하였다.The following evaluation was performed on the substrate particles of the above-described Test Examples (1) to (4).
(평가 11) 액정 표시 소자용 스페이서로서의 사용예(Evaluation 11) Example of use as a spacer for a liquid crystal display element
STN형 액정 표시 소자의 제작:Fabrication of STN type liquid crystal display element:
이소프로필알코올 70중량부와 물 30중량부를 포함하는 분산매에, 얻어지는 스페이서 분산액 100중량% 중에서 실시예 1 내지 32의 액정 표시 소자용 스페이서(기재 입자)를 고형분 농도가 2중량%가 되도록 첨가하고 교반하여, 액정 표시 소자용 스페이서 분산액을 얻었다.To a dispersion medium containing 70 parts by weight of isopropyl alcohol and 30 parts by weight of water, in 100% by weight of the obtained spacer dispersion, spacers for liquid crystal display elements (substrate particles) of Examples 1 to 32 were added so that the solid content concentration became 2% by weight, and stirred. Thus, a liquid crystal display device spacer dispersion was obtained.
한 쌍의 투명 유리판(세로 50mm, 가로 50mm, 두께 0.4mm)의 한 면에, CVD법에 의해 SiO2막을 증착한 후, SiO2막의 표면 전체에 스퍼터링에 의해 ITO막을 형성하였다. 얻어진 ITO막 구비 유리 기판에, 스핀 코팅법에 의해 폴리이미드 배향막 조성물(닛산 가가꾸사제, SE3510)을 도공하고, 280℃에서 90분간 소성함으로써 폴리이미드 배향막을 형성하였다. 배향막에 러빙 처리를 실시한 후, 한쪽의 기판의 배향막측에, 액정 표시 소자용 스페이서를 1mm2당 100개가 되게 습식 살포하였다. 다른 쪽의 기판 주변에 시일제를 형성한 후, 이 기판과 스페이서를 살포한 기판을 러빙 방향이 90°가 되게 대향 배치시켜, 양자를 접합하였다. 그 후, 160℃에서 90분간 처리하여 시일제를 경화시켜, 빈 셀(액정이 들어가 있지 않은 화면)을 얻었다. 얻어진 빈 셀에, 키랄제를 넣은 STN형 액정(DIC사제)을 주입하고, 이어서 주입구를 밀봉제로 막은 후, 120℃에서 30분간 열처리하여 STN형 액정 표시 소자를 얻었다.After depositing a SiO 2 film on one side of a pair of transparent glass plates (50 mm in length, 50 mm in width, 0.4 mm in thickness) by the CVD method, an ITO film was formed on the entire surface of the SiO 2 film by sputtering. A polyimide alignment film composition (manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd., SE3510) was applied to the obtained glass substrate with an ITO film by spin coating and fired at 280°C for 90 minutes to form a polyimide alignment film. After performing the rubbing treatment on the alignment film, the liquid crystal display element spacers were wet-spread on the alignment film side of one of the substrates to be 100 per 1 mm 2 . After forming the sealing agent around the other substrate, the substrate and the substrate to which the spacer was sprayed were opposed to each other so that the rubbing direction was 90°, and both were bonded. Then, it processed at 160 degreeC for 90 minutes, and the sealing agent was hardened, and the empty cell (a screen which did not contain liquid crystal) was obtained. In the obtained empty cell, an STN type liquid crystal (manufactured by DIC) containing a chiral agent was injected, and the injection port was then covered with a sealing agent, and then heat-treated at 120°C for 30 minutes to obtain an STN type liquid crystal display element.
얻어진 액정 표시 소자에서는, 실시예 (1)-1 내지 (1)-32, (2)-1 내지 (2)-17, (3)-1 내지 (3)-17 및 (4)-1 내지 (4)-17의 액정 표시 소자용 스페이서에 의해 기판간의 간격이 양호하게 규제되어 있었다. 또한, 액정 표시 소자는 양호한 표시 품질을 나타내었다. 또한, 액정 표시 소자의 주변 시일제에, 실시예 (1)-1 내지 (1)-32, (2)-1 내지 (2)-17, (3)-1 내지 (3)-17 및 (4)-1 내지 (4)-17의 기재 입자를 액정 표시 소자용 스페이서로서 사용한 경우에도, 얻어진 액정 표시 소자의 표시 품질은 양호하였다.In the obtained liquid crystal display device, Examples (1)-1 to (1)-32, (2)-1 to (2)-17, (3)-1 to (3)-17 and (4)-1 to The space between the substrates was well regulated by the liquid crystal display element spacers of (4)-17. In addition, the liquid crystal display device exhibited good display quality. In addition, to the peripheral sealing agent of the liquid crystal display device, Examples (1)-1 to (1)-32, (2)-1 to (2)-17, (3)-1 to (3)-17 and ( Even when the substrate particles of 4)-1 to (4)-17 were used as a spacer for a liquid crystal display element, the display quality of the obtained liquid crystal display element was good.
1…도전성 입자
2…도전층
11…기재 입자
11A…기재 입자
21…도전성 입자
22…도전층
22A…제1 도전층
22B…제2 도전층
31…도전성 입자
31a…돌기
32…도전층
32a…돌기
33…코어 물질
34…절연성 물질
41…접속 구조체
42…제1 접속 대상 부재
42a…제1 전극
43…제2 접속 대상 부재
43a…제2 전극
44…접속부
81…액정 표시 소자
82…투명 유리 기판
83…투명 전극
84…배향막
85…액정
86…시일제One… Conductive particles
2… Conductive layer
11... Substrate particle
11A... Substrate particle
21... Conductive particles
22... Conductive layer
22A... First conductive layer
22B... Second conductive layer
31... Conductive particles
31a... spin
32... Conductive layer
32a... spin
33... Core material
34... Insulating material
41... Connection structure
42... First connection target member
42a... First electrode
43... Second connection target member
43a... Second electrode
44... Connection
81... Liquid crystal display element
82... Transparent glass substrate
83... Transparent electrode
84... Alignment film
85... LCD
86... Seal system
Claims (26)
BET 비표면적이 5m2/g 이상이며,
입자 직경의 CV값이 10% 이하인, 기재 입자.It is a substrate particle used as a spacer or used to obtain conductive particles having the conductive layer by forming a conductive layer on the surface thereof,
BET specific surface area is 5m 2 /g or more,
The substrate particle, wherein the CV value of the particle diameter is 10% or less.
10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하인, 기재 입자.BET specific surface area is 300m 2 /g or more and less than 600m 2 /g,
The compression elastic modulus of the time of 10% compression hayeoteul 100N / mm 2 more than 3000N / mm 2 or less, the base material particles.
30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 3000N/mm2 이하인, 기재 입자.BET specific surface area is 5m 2 /g or more and less than 300m 2 /g,
The compression elastic modulus at 30% compression hayeoteul 100N / mm 2 more than 3000N / mm 2 or less, the base material particles.
10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이고,
30% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 1200N/mm2 이하이고,
압축 회복률이 5% 이상인, 기재 입자.BET specific surface area is 600m 2 /g or more,
The compressive elastic modulus when compressed by 10% is 1200 N/mm 2 or less,
The compressive elastic modulus when compressed by 30% is 1200 N/mm 2 or less,
A substrate particle having a compression recovery rate of 5% or more.
상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 구비하는, 도전성 입자.The substrate particle according to any one of claims 1 to 21, and
A conductive particle comprising a conductive layer disposed on the surface of the substrate particle.
상기 도전성 입자가, 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 기재된 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 구비하는, 도전 재료.Including conductive particles and a binder resin,
A conductive material, wherein the conductive particles include the substrate particles according to any one of claims 1 to 21, and a conductive layer disposed on the surface of the substrate particles.
제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
상기 접속부가, 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 바인더 수지를 포함하는 도전 재료에 의해 형성되어 있고,
상기 도전성 입자가, 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 기재된 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 구비하고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.
A first connection object member having a first electrode on its surface,
A second connection object member having a second electrode on its surface,
And a connection portion connecting the first connection object member and the second connection object member,
The connection portion is formed of conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin,
The said electroconductive particle comprises the base material particle of any one of Claims 1-21, and the conductive layer arrange|positioned on the surface of the said base material particle,
The connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
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