KR20210007441A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

According to an embodiment of the present invention, provided is a substrate processing device which can measure surface temperature of a substrate from the outside of a chamber. The substrate processing device comprises: a chamber in which a process is performed on a substrate; a view port formed on one side of the chamber; a substrate state measurement module installed in the view port and measuring at least one of a mounting state and a surface temperature of the substrate; and a control unit controlling a process for the substrate by using a measured value of the substrate state measurement module.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

아래의 실시 예는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The following embodiments relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판을 세정하는 공정이 요구된다.In general, semiconductors are manufactured by repeatedly performing a series of processes such as lithography, deposition, and etching. Contaminants such as various particles, metal impurities, or organic substances remain on the surface of the substrate constituting such a semiconductor through a repetitive process. Contaminants remaining on the substrate degrade the reliability of the semiconductor to be manufactured, and thus a process of cleaning the substrate during the semiconductor manufacturing process is required to improve this.

최근에는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 공정이 채용되고 있다. 이러한 초임계 처리 공정은 초임계 유체의 조건을 만족시키기 위해 처리 공간 내부에 고압이 형성되어야 한다. 공정의 효율 및 안정성을 높이기 위해서는 기판이 정위치에 안착되는 것이 중요할 수 있다. 다만, 챔버 내부에는 고압이 형성되기 때문에 기판의 정위치 안착 여부를 직접 확인하기 어렵다는 문제가 있었다. 따라서, 챔버의 일측에 형성된 뷰 포트를 통하여 기판의 정위치 안착 여부 등을 확인할 수 있는 기판 처리 장치가 요구된다.Recently, a process of treating a substrate using a supercritical fluid has been adopted. In such a supercritical treatment process, a high pressure must be formed in the treatment space in order to satisfy the condition of the supercritical fluid. In order to increase the efficiency and stability of the process, it may be important that the substrate is placed in place. However, there is a problem in that it is difficult to directly check whether the substrate is properly seated because a high pressure is formed inside the chamber. Accordingly, there is a need for a substrate processing apparatus capable of confirming whether or not a substrate is properly seated through a view port formed on one side of the chamber.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.The above-described background technology is possessed or acquired by the inventor in the process of deriving the present invention, and is not necessarily a known technology disclosed to the general public prior to filing the present invention.

일 실시 예의 목적은, 챔버의 외부에서 기판의 경사도를 측정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.An object of an embodiment is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of measuring a slope of a substrate outside a chamber.

일 실시 예의 목적은, 챔버의 외부에서 기판의 표면 온도를 측정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.An object of an embodiment is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of measuring a surface temperature of a substrate outside a chamber.

일 실시 예의 목적은, 측정된 기판의 경사도 및 표면 온도를 이용하여 정확하고 안전하게 공정을 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.An object of an embodiment is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of accurately and safely performing a process using the measured inclination and surface temperature of a substrate.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 대한 공정이 수행되는 챔버; 상기 챔버의 일측에 형성되는 뷰 포트; 상기 뷰 포트에 설치되고, 상기 기판의 안착 상태 및 표면 온도 중 적어도 어느 하나를 측정하는 기판 상태 측정 모듈; 및 상기 기판 상태 측정 모듈의 측정값을 이용하여 상기 기판에 대한 공정을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes: a chamber in which a process for a substrate is performed; A view port formed on one side of the chamber; A substrate state measurement module installed in the view port and configured to measure at least one of a seating state and a surface temperature of the substrate; And a control unit for controlling a process for the substrate by using the measured value of the substrate state measurement module.

상기 기판 상태 측정 모듈은, 상기 기판의 경사도를 측정하는 경사 측정부를 포함할 수 있다.The substrate state measurement module may include a tilt measurement unit that measures a tilt of the substrate.

상기 제어부는 상기 경사 측정부의 측정값을 이용하여 상기 기판의 정위치 안착 여부를 판단할 수 있다.The control unit may determine whether or not the substrate is properly seated using the measured value of the inclination measuring unit.

상기 제어부는 상기 기판이 정위치에 안착된 것으로 판단된 경우, 상기 기판에 대한 공정을 수행할 수 있다.When it is determined that the substrate is seated in the correct position, the control unit may perform a process on the substrate.

상기 제어부는 상기 기판이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 상기 기판에 대한 공정을 중단시킬 수 있다.When it is determined that the substrate is not seated in the correct position, the control unit may stop the process of the substrate.

상기 제어부는 상기 기판이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 알람을 발생시킬 수 있다.The control unit may generate an alarm when it is determined that the substrate is not seated in the correct position.

상기 기판 상태 측정 모듈은, 상기 기판의 안착 유무를 측정하는 안착 측정부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 안착 측정부의 측정값을 이용하여 기판의 안착 유무를 판단할 수 있다.The substrate state measurement module further includes a seating measuring unit for measuring whether the substrate is seated, and the control unit may determine whether the substrate is seated using a measured value of the seating measuring unit.

상기 기판 상태 측정 모듈은, 상기 기판의 표면 온도를 측정하는 온도 측정부를 더 포함할 수 있다.The substrate state measurement module may further include a temperature measuring unit that measures a surface temperature of the substrate.

상기 제어부는 상기 온도 측정부의 측정값을 이용하여 상기 기판에 대한 공정을 피드백 제어할 수 있다.The control unit may feedback control a process for the substrate using the measured value of the temperature measurement unit.

상기 제어부는 상기 온도 측정부의 측정값이 설정 범위를 벗어난 경우, 상기 기판에 대한 공정을 중단할 수 있다.When the measured value of the temperature measuring unit is out of a set range, the control unit may stop the process of the substrate.

기판에 대한 공정이 수행되는 챔버, 상기 챔버의 일측에 형성되는 뷰 포트, 상기 뷰 포트에 설치되고, 상기 기판의 안착 상태 및 표면 온도 중 적어도 어느 하나를 측정하는 기판 상태 측정 모듈 및 상기 기판 상태 측정 모듈의 측정값을 이용하여 상기 기판에 대한 공정을 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 상기 챔버 내부에 상기 기판이 안착되는 안착 단계; 상기 기판의 경사도를 측정하는 경사도 측정 단계; 상기 측정된 경사도를 이용하여 상기 기판의 정위치 안착 여부를 판단하는 정위치 판단 단계; 및 상기 기판이 정위치에 안착된 것으로 판단된 경우, 상기 기판에 대한 공정을 수행하는 공정 단계를 포함할 수 있다.A substrate state measurement module that measures at least one of a chamber in which a process is performed on a substrate, a view port formed on one side of the chamber, a view port, and measures at least one of a seating state and a surface temperature of the substrate, and the substrate state measurement According to an embodiment, a substrate processing method using a substrate processing apparatus including a control unit for controlling a process of the substrate using a measured value of a module may include: a mounting step of mounting the substrate in the chamber; A tilt measurement step of measuring the tilt of the substrate; Determining whether or not the substrate is properly seated using the measured inclination; And when it is determined that the substrate is seated in the correct position, a process step of performing a process on the substrate.

상기 기판이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 상기 기판에 대한 공정을 중단하는 불완전 안착 인터락 단계를 더 포함할 수 있다.When it is determined that the substrate is not seated in the correct position, an incomplete seating interlock step of stopping the process of the substrate may be further included.

상기 공정 단계는, 상기 기판의 표면 온도를 측정하는 온도 측정 단계; 및 상기 측정된 표면 온도를 이용하여 상기 기판에 대한 공정을 피드백 제어하는 온도 피드백 단계를 포함할 수 있다.The process step may include a temperature measurement step of measuring a surface temperature of the substrate; And a temperature feedback step of controlling the process of the substrate using the measured surface temperature.

상기 공정 단계는, 상기 측정된 표면 온도가 설정 범위를 벗어난 경우, 상기 기판에 대한 공정을 중단하는 온도 인터락 단계를 더 포함할 수 있다.The process step may further include a temperature interlock step of stopping the process of the substrate when the measured surface temperature is out of a set range.

상기 안착 단계는, 상기 기판의 안착 유무를 판단하는 안착 판단 단계를 포함할 수 있다.The seating step may include a seating determination step of determining whether the substrate is seated.

상기 안착 단계는, 상기 안착 판단 단계에서 상기 기판이 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 알람을 발생시키는 미안착 알람 단계를 더 포함할 수 있다.The seating step may further include a non-seat alarm step of generating an alarm when it is determined that the substrate is not seated in the seating determination step.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 챔버의 외부에서 기판의 경사도를 측정할 수 있다.In the substrate processing apparatus and substrate processing method according to an exemplary embodiment, an inclination of a substrate may be measured outside a chamber.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 챔버의 외부에서 기판의 표면 온도를 측정할 수 있다.In the substrate processing apparatus and substrate processing method according to an exemplary embodiment, a surface temperature of a substrate may be measured outside a chamber.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 측정된 기판의 경사도 및 표면 온도를 이용하여 정확하고 안전하게 공정을 수행할 수 있다.A substrate processing apparatus and a substrate processing method according to an exemplary embodiment may accurately and safely perform a process using the measured inclination and surface temperature of the substrate.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Effects of the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to an exemplary embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the following description.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 2 내지 도 4는 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도이다.The following drawings attached to the present specification illustrate a preferred embodiment of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention together with the detailed description of the present invention, so the present invention is limited to the matters described in such drawings. It is limited and should not be interpreted.
1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.
2 to 4 are flowcharts illustrating a method of processing a substrate according to an exemplary embodiment.

이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail through exemplary drawings. In adding reference numerals to elements of each drawing, it should be noted that the same elements are assigned the same numerals as possible even if they are indicated on different drawings. In addition, in describing the embodiment, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function interferes with the understanding of the embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the constituent elements of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a) and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, order, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but another component between each component It should be understood that may be “connected”, “coupled” or “connected”.

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components including common functions will be described using the same name in other embodiments. Unless otherwise stated, descriptions in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed descriptions in the overlapping range will be omitted.

도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 기판(W)에 대한 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(1)는 고압을 이용한 세정 장치일 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 챔버(10), 뷰 포트(11), 기판 상태 측정 모듈(12) 및 제어부(13)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 according to an exemplary embodiment may perform a process on a substrate W. For example, the substrate processing apparatus 1 may be a cleaning apparatus using high pressure. The substrate processing apparatus 1 may include a chamber 10, a view port 11, a substrate state measurement module 12, and a control unit 13.

챔버(10) 내부에서 기판에 대한 공정이 수행될 수 있다. 챔버(10) 내부에는 고압이 형성될 수 있다. 챔버(10)는 내부에 고압이 유지되도록 밀폐 구조를 가질 수 있다. 챔버(10) 내부에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 챔버(10)에는 기판(W)이 안착될 수 있도록, 기판 안착부가 위치될 수 있다.A process may be performed on the substrate inside the chamber 10. A high pressure may be formed inside the chamber 10. The chamber 10 may have a closed structure to maintain a high pressure therein. The substrate W may be mounted inside the chamber 10. A substrate mounting part may be positioned in the chamber 10 so that the substrate W may be mounted.

뷰 포트(11)는 챔버(10)의 일측에 형성될 수 있다. 예를 들어, 뷰 포트(11)는 챔버(10)의 일면에 형성될 수 있다. 뷰 포트(11)는 투명하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 뷰 포트(11)는 유리 또는 플라스틱 등을 포함할 수 있다.The view port 11 may be formed on one side of the chamber 10. For example, the view port 11 may be formed on one surface of the chamber 10. The view port 11 may be formed to be transparent. For example, the view port 11 may comprise glass or plastic or the like.

기판 상태 측정 모듈(12)은 기판(W)의 상태를 측정할 수 있다. 기판(W)의 상태는 기판(W)의 안착 유무, 기판(W)의 정위치 안착 여부 및 기판(W)의 표면 온도를 포함할 수 있다. 기판 상태 측정 모듈(12)은 뷰 포트(11)에 설치될 수 있다. 기판 상태 측정 모듈(12)은 챔버(10)의 외부에서 뷰 포트(11)를 통하여 기판(W)의 상태를 측정할 수 있다. 기판 상태 측정 모듈(12)이 챔버(10)의 외부에 위치하기 때문에, 챔버(10) 내부에 형성된 고압에 영향을 받거나, 영향을 주지 않을 수 있다. 따라서, 챔버(10) 내부에 고압이 형성된 상태에서도, 기판 상태 측정 모듈(12)은 기판(W)의 상태를 측정할 수 있다. 기판 상태 측정 모듈(12)은 안착 측정부(121), 경사 측정부(122) 및 온도 측정부(123)를 포함할 수 있다.The substrate state measurement module 12 may measure the state of the substrate W. The state of the substrate W may include whether the substrate W is seated, whether the substrate W is correctly seated, and a surface temperature of the substrate W. The substrate condition measurement module 12 may be installed in the view port 11. The substrate state measurement module 12 may measure the state of the substrate W from the outside of the chamber 10 through the view port 11. Since the substrate state measurement module 12 is located outside the chamber 10, it may or may not be affected by the high pressure formed in the chamber 10. Accordingly, even in a state in which a high pressure is formed in the chamber 10, the substrate state measurement module 12 may measure the state of the substrate W. The substrate state measurement module 12 may include a seating measurement unit 121, an inclination measurement unit 122, and a temperature measurement unit 123.

안착 측정부(121)는 기판(W)의 안착 유무를 측정할 수 있다. 예를 들어, 안착 측정부(121)는 기판(W)까지의 거리를 측정할 수 있다. 안착 측정부(121)는 광섬유 센서를 포함할 수 있다. 안착 측정부(121)는 실시간으로 기판(W)의 안착 유무를 측정할 수 있다.The seating measurement unit 121 may measure whether the substrate W is seated. For example, the seating measurement unit 121 may measure a distance to the substrate W. The seating measurement unit 121 may include an optical fiber sensor. The seating measurement unit 121 may measure whether or not the substrate W is seated in real time.

경사 측정부(122)는 기판(W)의 경사도를 측정할 수 있다. 경사 측정부(122)는 챔버(10) 또는 기판 안착부에 대한 기판(W)의 경사도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 경사 측정부(122)는 광섬유 센서를 포함할 수 있다. 경사 측정부(122)는 실시간으로 기판(W)의 경사도를 측정할 수 있다. 한편, 안착 측정부(121) 및 경사 측정부(122)는 일체로 형성될 수 있다.The tilt measurement unit 122 may measure the tilt of the substrate W. The inclination measuring unit 122 may measure the inclination of the substrate W with respect to the chamber 10 or the substrate mounting portion. For example, the tilt measurement unit 122 may include an optical fiber sensor. The tilt measurement unit 122 may measure the tilt of the substrate W in real time. Meanwhile, the seating measurement unit 121 and the inclination measurement unit 122 may be integrally formed.

온도 측정부(123)는 기판(W)의 표면 온도를 측정할 수 있다. 온도 측정부(123)는 기판(W)에 대한 공정이 진행되는 중에 기판(W)의 표면 온도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 온도 측정부(123)는 적외선 온도계를 포함할 수 있다. 온도 측정부(123)는 실시간으로 기판(W)의 온도를 측정할 수 있다.The temperature measuring unit 123 may measure the surface temperature of the substrate W. The temperature measuring unit 123 may measure the surface temperature of the substrate W while a process for the substrate W is in progress. For example, the temperature measuring unit 123 may include an infrared thermometer. The temperature measuring unit 123 may measure the temperature of the substrate W in real time.

제어부(13)는 기판 상태 측정 모듈(12)로부터 측정값을 전달받을 수 있다. 제어부(13)는 기판 상태 측정 모듈(12)의 측정값을 이용하여 기판(W)에 대한 공정을 제어할 수 있다.The control unit 13 may receive a measurement value from the substrate state measurement module 12. The controller 13 may control a process for the substrate W by using the measured value of the substrate state measurement module 12.

제어부(13)는 안착 측정부(121)의 측정값을 이용하여 기판(W)의 안착 유무를 판단할 수 있다. 예를 들어, 제어부(13)는 안착 측정부(121)의 측정값과 설정값을 비교하여, 기판(W)의 안착 유무를 판단할 수 있다. 상기 설정값은 기판(W)이 기판 안착부에 안착됐을 때의 측정값일 수 있다. 예를 들어, 안착 측정부(121)가 기판(W)까지의 거리를 측정하는 경우, 측정된 거리가 설정값과 일치하거나 오차 범위 내에 포함되는 경우, 제어부(13)는 기판(W)이 안착된 것으로 판단할 수 있다. 기판(W)이 안착된 것으로 판단된 경우, 제어부(13)는 기판(W)의 정위치 안착 유무를 판단하거나, 공정을 수행할 수 있다. 한편, 측정된 거리가 설정값과 다르거나 오차 범위를 벗어나는 경우, 제어부(13)는 기판(W)이 안착되지 않은 것으로 판단할 수 있다. 기판(W)이 이송되었으나 기판(W)이 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 제어부(13)는 알람을 발생시킬 수 있다. 기판(W)의 안착 유무 판단은 기판(W)의 이송 중뿐만 아니라, 공정 시작 전 및 공정 수행 중에도 수행될 수 있다.The control unit 13 may determine whether or not the substrate W is seated using the measured value of the seating measurement unit 121. For example, the control unit 13 may determine whether the substrate W is seated by comparing the measured value and the set value of the seating measuring unit 121. The set value may be a measured value when the substrate W is seated on the substrate mounting portion. For example, when the seating measuring unit 121 measures the distance to the substrate W, if the measured distance coincides with the set value or falls within the error range, the control unit 13 allows the substrate W to be seated. It can be judged that it has become. When it is determined that the substrate W is seated, the control unit 13 may determine whether or not the substrate W is correctly seated or perform a process. Meanwhile, when the measured distance is different from the set value or out of the error range, the control unit 13 may determine that the substrate W is not seated. When it is determined that the substrate W has been transferred but the substrate W is not seated, the control unit 13 may generate an alarm. The determination of whether the substrate W is seated may be performed not only during the transfer of the substrate W, but also before the start of the process and during the process.

제어부(13)는 경사 측정부(122)의 측정값을 이용하여 기판의 정위치 안착 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 제어부(13)는 경사 측정부(122)의 측정값과 설정값을 비교하여, 기판의 정위치 안착 여부를 판단할 수 있다. 상기 설정값은 기판(W)이 기판 안착부의 정위치에 안착됐을 때의 경사도일 수 있다. 예를 들어, 제어부(13)는 경사 측정부(122)의 측정값이 설정값과 일치하거나 오차 범위 내에 포함되는 경우, 기판(W)이 정위치에 안착된 것으로 판단할 수 있다. 기판(W)이 정위치에 안착된 것으로 판단된 경우, 제어부(13)는 기판(W)에 대한 공정을 수행할 수 있다. 한편, 제어부(13)는 경사 측정부(122)의 측정값이 설정값과 다르거나 오차 범위를 벗어나는 경우, 기판(W)이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단할 수 있다. 기판(W)이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 제어부(13)는 기판(W)에 대한 공정을 중단시킬 수 있다. 또한, 이 경우, 제어부(13)는 알람을 발생시켜 사용자에게 알릴 수 있다. 이를 위하여, 제어부(13)는 기판(W)에 대한 공정을 시작하기 전 뿐만 아니라, 공정이 수행되는 중에도 기판(W)의 정위치 안착 여부를 실시간으로 판단할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 공정 중 발생될 수 있는 기판(W)의 안착 위치 변동 또는 파손 등을 실시간으로 감지할 수 있으므로, 보다 정확하고 안정적으로 공정을 수행할 수 있다.The control unit 13 may determine whether the substrate is properly seated using the measured value of the tilt measurement unit 122. For example, the control unit 13 may compare a measured value and a set value of the inclination measuring unit 122 to determine whether the substrate is properly seated. The set value may be a degree of inclination when the substrate W is seated in the proper position of the substrate seating portion. For example, when the measured value of the inclination measuring unit 122 matches the set value or falls within an error range, the control unit 13 may determine that the substrate W is seated in the correct position. When it is determined that the substrate W is seated in the correct position, the control unit 13 may perform a process on the substrate W. Meanwhile, when the measured value of the inclination measuring unit 122 is different from the set value or out of the error range, the controller 13 may determine that the substrate W is not seated in the correct position. When it is determined that the substrate W is not seated in the correct position, the control unit 13 may stop the process of the substrate W. Also, in this case, the control unit 13 may generate an alarm and notify the user. To this end, the control unit 13 may determine in real time whether the substrate W is properly seated not only before starting the process of the substrate W but also during the process. According to such a configuration, it is possible to detect in real time a change in the seating position or damage of the substrate W that may occur during the process, so that the process can be performed more accurately and stably.

제어부(13)는 온도 측정부(123)의 측정값을 이용하여 기판(W)에 대한 공정을 피드백 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(13)는 온도 측정부(123)의 측정값이 기준치보다 높아지면 기판(W)의 온도가 낮아지는 방향으로 공정을 제어할 수 있다. 제어부(13)는 온도 측정부(123)의 측정값이 기준치보다 낮아지면 기판(W)의 온도가 높아지는 방향으로 공정을 제어할 수 있다. 또한, 제어부(13)는 온도 측정부(123)의 측정값과 설정 범위를 비교하여, 기판(W)에 대한 공정을 제어할 수 있다. 상기 설정 범위는 기판(W)에 대한 공정이 정상적으로 수행되는 동안의 온도 범위일 수 있다. 예를 들어, 제어부(13)는 온도 측정부(123)의 측정값이 설정 범위를 벗어나거나 오차 범위를 벗어나는 경우, 기판(W)에 대한 공정을 중단할 수 있다. 또한, 이 경우, 제어부(13)는 알람을 발생시켜 사용자에게 알릴 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 기판(W)의 표면 온도를 확인함으로써, 보다 정확한 공정 진행이 가능할 수 있다.The control unit 13 may feedback control a process for the substrate W using the measured value of the temperature measurement unit 123. For example, the controller 13 may control a process in a direction in which the temperature of the substrate W decreases when the measured value of the temperature measurement unit 123 is higher than the reference value. The controller 13 may control a process in a direction in which the temperature of the substrate W increases when the measured value of the temperature measuring unit 123 is lower than the reference value. In addition, the control unit 13 may control a process for the substrate W by comparing the measured value of the temperature measuring unit 123 with a setting range. The setting range may be a temperature range during which a process for the substrate W is normally performed. For example, when the measured value of the temperature measuring unit 123 is out of a set range or out of an error range, the control unit 13 may stop the process of the substrate W. Also, in this case, the control unit 13 may generate an alarm and notify the user. According to such a configuration, by checking the surface temperature of the substrate W, a more accurate process may be performed.

도 2 내지 도 4는 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도이다.2 to 4 are flowcharts illustrating a method of processing a substrate according to an exemplary embodiment.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법(2)은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 기판 처리 방법(2)은 안착 단계(21), 경사도 측정 단계(22), 정위치 판단 단계(23), 공정 단계(24) 및 불완전 안착 인터락 단계(25)를 포함할 수 있다.2 to 4, the substrate processing method 2 according to an embodiment may be performed using the above-described substrate processing apparatus. The substrate processing method 2 may include a seating step 21, a tilt measurement step 22, a correct position determination step 23, a process step 24, and an incomplete seating interlock step 25.

안착 단계(21)는 챔버 내부에 기판이 안착되는 단계일 수 있다. 안착 단계(21)는 안착 판단 단계(211) 및 미안착 알람 단계(212)를 포함할 수 있다. 안착 단계(21)는 기판의 안착 유무를 판단하는 단계일 수 있다. 기판의 안착 유무는 안착 측정부에 의해 측정된 값을 설정값과 비교하여 판단될 수 있다. 미안착 알람 단계(212)는 안착 판단 단계(211)에서 기판이 안착되지 않은 것으로 판단된 경우 알람을 발생시키는 단계일 수 있다. 이와 같은 방법에 의하면, 기판의 안착 여부를 정확히 판단하여 정확하고 안전하게 공정을 수행할 수 있다.The seating step 21 may be a step in which the substrate is seated in the chamber. The seating step 21 may include a seating determination step 211 and a non-settling alarm step 212. The seating step 21 may be a step of determining whether the substrate is seated. Whether the substrate is seated may be determined by comparing a value measured by the seating measuring unit with a set value. The non-settling alarm step 212 may be a step of generating an alarm when it is determined that the substrate is not seated in the seating determination step 211. According to this method, it is possible to accurately and safely perform the process by accurately determining whether the substrate is seated.

경사도 측정 단계(22)는 기판의 경사도를 측정하는 단계일 수 있다. 경사도 측정은 경사도 측정부에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 기판 안착부 또는 챔버에 대하여 기판의 경사도를 측정할 수 있다.The tilt measurement step 22 may be a step of measuring the tilt of the substrate. The inclination measurement may be performed by the inclination measurement unit. For example, it is possible to measure the inclination of the substrate with respect to the substrate mounting portion or the chamber.

정위치 판단 단계(23)는 측정된 경사도를 이용하여 기판의 정위치 안착 여부를 판단하는 단계일 수 있다. 정위치 판단 단계(23)는 측정된 경사도를 설정값과 비교하여 정위치 안착 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 측정된 경사도가 설정값과 일치하거나 오차 범위 내에 포함되는 경우, 기판이 정위치에 안착된 것으로 판단할 수 있다. 측정된 경사도가 설정값과 다르거나 오차 범위를 벗어나는 경우, 기판이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단할 수 있다. 기판이 정위치에 안착되는 것으로 판단된 경우, 공정 단계(24)가 수행될 수 있다. 기판이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 알람을 발생시킬 수 있다.The position determination step 23 may be a step of determining whether the substrate is properly seated using the measured inclination. The correct position determination step 23 may determine whether the correct position is settled by comparing the measured inclination with a set value. For example, when the measured inclination coincides with the set value or falls within an error range, it may be determined that the substrate is seated in the correct position. If the measured inclination is different from the set value or out of the error range, it may be determined that the substrate is not seated in the correct position. When it is determined that the substrate is seated in the correct position, the process step 24 may be performed. If it is determined that the substrate is not seated in the correct position, an alarm may be generated.

공정 단계(24)는 기판에 대한 공정이 수행되는 단계일 수 있다. 공정 단계(24)는 기판이 정위치에 안착된 것으로 판단된 경우에 수행될 수 있다. 예를 들어, 챔버 내부에 고압이 형성되고, 기판에 대한 세정이 수행될 수 있다. 공정 단계(24)는 온도 측정 단계(241), 온도 피드백 단계(242) 및 온도 인터락 단계(243)를 포함할 수 있다. 온도 측정 단계(214)는 기판의 표면 온도를 측정하는 단계일 수 있다. 온도 측정 단계(214)는 실시간으로 수행될 수 있다. 온도 피드백 단계(242)는 측정된 표면 온도를 이용하여 기판에 대한 공정을 피드백 제어하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 측정된 표면 온도가 기준치보다 높아지면 기판의 온도가 낮아지는 방향으로 공정을 제어할 수 있다. 측정된 표면 온도가 기준치보다 낮아지면 기판의의 온도가 높아지는 방향으로 공정을 제어할 수 있다. 온도 인터락 단계(243)는 측정된 표면 온도가 설정 범위를 벗어난 경우, 기판에 대한 공정을 중단하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 측정된 표면 온도가 설정 범위를 벗어나거나 오차 범위를 벗어나는 경우, 기판에 대한 공정을 중단할 수 있다.The process step 24 may be a step in which a process is performed on a substrate. The process step 24 may be performed when it is determined that the substrate is seated in the correct position. For example, a high pressure is formed in the chamber, and cleaning of the substrate may be performed. The process step 24 may include a temperature measurement step 241, a temperature feedback step 242, and a temperature interlock step 243. The temperature measuring step 214 may be a step of measuring the surface temperature of the substrate. The temperature measurement step 214 may be performed in real time. The temperature feedback step 242 may be a step of feedback control of a process for the substrate using the measured surface temperature. For example, when the measured surface temperature is higher than the reference value, the process can be controlled in a direction in which the temperature of the substrate is lowered. When the measured surface temperature is lower than the reference value, the process can be controlled in a direction in which the temperature of the substrate increases. The temperature interlock step 243 may be a step of stopping a process of a substrate when the measured surface temperature is out of a set range. For example, if the measured surface temperature is out of the set range or out of the error range, the process for the substrate can be stopped.

불완전 안착 인터락 단계(25)는 기판이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 기판에 대한 공정을 중단하는 단계일 수 있다. 불완전 안착 인터락 단계(25)는 공정 단계(24)와 동시에 수행될 수 있다. 이와 같은 방법에 의하면, 공정 중 발생될 수 있는 기판(W)의 안착 위치 변동 또는 파손 등을 실시간으로 감지할 수 있으므로, 보다 정확하고 안정적으로 공정을 수행할 수 있다.The incomplete seating interlock step 25 may be a step of stopping a process for the substrate when it is determined that the substrate is not seated in the correct position. The incomplete seating interlock step 25 may be performed simultaneously with the process step 24. According to this method, since it is possible to detect in real time a change in the seating position or damage of the substrate W that may occur during the process, the process can be performed more accurately and stably.

이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described by the limited drawings, various modifications and variations are possible from the above description to those of ordinary skill in the art. For example, the described techniques are performed in a different order from the described method, and/or components such as the described structure, device, etc. are combined or combined in a form different from the described method, or in other components or equivalents. Even if substituted or substituted by, appropriate results can be achieved.

1: 기판 처리 장치
10: 챔버
11: 뷰 포트
12: 기판 상태 측정 모듈
121: 안착 측정부
122: 경사 측정부
123: 온도 측정부
13: 제어부1: substrate processing device
10: chamber
11: view port
12: board condition measurement module
121: seating measurement unit
122: tilt measurement unit
123: temperature measuring unit
13: control unit

Claims (16)

기판에 대한 공정이 수행되는 챔버;
상기 챔버의 일측에 형성되는 뷰 포트;
상기 뷰 포트에 설치되고, 상기 기판의 안착 상태 및 표면 온도 중 적어도 어느 하나를 측정하는 기판 상태 측정 모듈; 및
상기 기판 상태 측정 모듈의 측정값을 이용하여 상기 기판에 대한 공정을 제어하는 제어부를 포함하는, 기판 처리 장치.A chamber in which a process is performed on the substrate;
A view port formed on one side of the chamber;
A substrate state measurement module installed in the view port and configured to measure at least one of a seating state and a surface temperature of the substrate; And
And a control unit for controlling a process for the substrate using a measured value of the substrate state measurement module. 제1항에 있어서,
상기 기판 상태 측정 모듈은, 상기 기판의 경사도를 측정하는 경사 측정부를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate state measurement module includes a tilt measurement unit for measuring a tilt of the substrate. 제2항에 있어서,
상기 제어부는 상기 경사 측정부의 측정값을 이용하여 상기 기판의 정위치 안착 여부를 판단하는, 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The control unit determines whether or not the substrate is properly seated using a measured value of the tilt measurement unit. 제3항에 있어서,
상기 제어부는 상기 기판이 정위치에 안착된 것으로 판단된 경우, 상기 기판에 대한 공정을 수행하는, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
When it is determined that the substrate is seated in the correct position, the control unit performs a process on the substrate. 제3항에 있어서,
상기 제어부는 상기 기판이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 상기 기판에 대한 공정을 중단시키는, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
When it is determined that the substrate is not seated in the correct position, the control unit stops the process of the substrate. 제3항에 있어서,
상기 제어부는 상기 기판이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 알람을 발생시키는, 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The control unit generates an alarm when it is determined that the substrate is not seated in the correct position. 제2항에 있어서,
상기 기판 상태 측정 모듈은, 상기 기판의 안착 유무를 측정하는 안착 측정부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 안착 측정부의 측정값을 이용하여 기판의 안착 유무를 판단하는, 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The substrate state measurement module further includes a seating measurement unit that measures whether the substrate is seated or not,
The control unit determines whether or not the substrate is seated using the measured value of the seating measurement unit. 제2항에 있어서,
상기 기판 상태 측정 모듈은, 상기 기판의 표면 온도를 측정하는 온도 측정부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The substrate state measurement module further includes a temperature measurement unit that measures a surface temperature of the substrate. 제8항에 있어서,
상기 제어부는 상기 온도 측정부의 측정값을 이용하여 상기 기판에 대한 공정을 피드백 제어하는, 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The control unit is configured to perform feedback control of a process on the substrate by using a measured value of the temperature measurement unit. 제9항에 있어서,
상기 제어부는 상기 온도 측정부의 측정값이 설정 범위를 벗어난 경우, 상기 기판에 대한 공정을 중단하는, 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The control unit stops the process for the substrate when the measured value of the temperature measurement unit is out of a set range. 기판에 대한 공정이 수행되는 챔버, 상기 챔버의 일측에 형성되는 뷰 포트, 상기 뷰 포트에 설치되고, 상기 기판의 안착 상태 및 표면 온도 중 적어도 어느 하나를 측정하는 기판 상태 측정 모듈 및 상기 기판 상태 측정 모듈의 측정값을 이용하여 상기 기판에 대한 공정을 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
상기 챔버 내부에 상기 기판이 안착되는 안착 단계;
상기 기판의 경사도를 측정하는 경사도 측정 단계;
상기 측정된 경사도를 이용하여 상기 기판의 정위치 안착 여부를 판단하는 정위치 판단 단계; 및
상기 기판이 정위치에 안착된 것으로 판단된 경우, 상기 기판에 대한 공정을 수행하는 공정 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.A substrate state measurement module for measuring at least one of a chamber in which a process is performed on a substrate, a view port formed on one side of the chamber, a view port, and measures at least one of a seating state and a surface temperature of the substrate, and the substrate state measurement In the substrate processing method using a substrate processing apparatus comprising a control unit for controlling a process for the substrate using a measured value of the module,
A seating step in which the substrate is seated in the chamber;
A tilt measurement step of measuring the tilt of the substrate;
Determining whether or not the substrate is properly seated using the measured inclination; And
And a process step of performing a process on the substrate when it is determined that the substrate is seated in the correct position. 제11항에 있어서,
상기 기판이 정위치에 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 상기 기판에 대한 공정을 중단하는 불완전 안착 인터락 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 11,
When it is determined that the substrate is not seated in the correct position, the substrate processing method further comprising an incomplete seating interlock step of stopping the process of the substrate. 제11항에 있어서,
상기 공정 단계는,
상기 기판의 표면 온도를 측정하는 온도 측정 단계; 및
상기 측정된 표면 온도를 이용하여 상기 기판에 대한 공정을 피드백 제어하는 온도 피드백 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 11,
The process step,
A temperature measurement step of measuring the surface temperature of the substrate; And
And a temperature feedback step of feedback-controlling a process for the substrate using the measured surface temperature. 제13항에 있어서,
상기 공정 단계는,
상기 측정된 표면 온도가 설정 범위를 벗어난 경우, 상기 기판에 대한 공정을 중단하는 온도 인터락 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 13,
The process step,
If the measured surface temperature is out of the set range, further comprising a temperature interlock step of stopping the process of the substrate, the substrate processing method. 제11항에 있어서,
상기 안착 단계는,
상기 기판의 안착 유무를 판단하는 안착 판단 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 11,
The seating step,
A substrate processing method comprising the step of determining whether the substrate is seated or not. 제15항에 있어서,
상기 안착 단계는,
상기 안착 판단 단계에서 상기 기판이 안착되지 않은 것으로 판단된 경우, 알람을 발생시키는 미안착 알람 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 15,
The seating step,
When it is determined that the substrate is not seated in the seating determination step, the substrate processing method further comprises a non-seat alarm step of generating an alarm.
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