KR20200145732A - Varnish composition, method of producing varnish composition, method of producing precursor film of polyimide porous film, precursor film of polyimide porous film, and method of producing polyimide porous film - Google Patents

Varnish composition, method of producing varnish composition, method of producing precursor film of polyimide porous film, precursor film of polyimide porous film, and method of producing polyimide porous film Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a varnish composition containing fine particles for forming a porous polyimide film, capable of forming a coating film having a uniform thickness or composition even though it contains water, to a production method of the varnish composition, to a production method of a precursor film of a porous polyimide film using the varnish composition, to a precursor film of a porous polyimide film, and to a production method of a porous polyimide film using the precursor film. When forming the varnish composition for forming a porous polyimide film comprising: polyamic acid (A); organic fine particles (B); and a solvent (S), the solvent (S) containing an organic solvent (SI) and a predetermined amount of water (S-II) is used while adding a basic compound (C) to the varnish composition.

Description

바니시 조성물, 바니시 조성물의 제조 방법, 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법, 폴리이미드 다공질막의 전구막, 및 폴리이미드 다공질막의 제조 방법{VARNISH COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING VARNISH COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING PRECURSOR FILM OF POLYIMIDE POROUS FILM, PRECURSOR FILM OF POLYIMIDE POROUS FILM, AND METHOD OF PRODUCING POLYIMIDE POROUS FILM}Varnish composition, method of producing a varnish composition, method of producing a precursor film of a porous polyimide film, a precursor film of a porous polyimide film, and a method of producing a porous polyimide film TECHNICAL FIELD [VARNISH COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING VARNISH COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING PRECURSOR FILM OF POLYIMROUS" FILM, PRECURSOR FILM OF POLYIMIDE POROUS FILM, AND METHOD OF PRODUCING POLYIMIDE POROUS FILM}

본 발명은, 바니시 조성물, 바니시 조성물의 제조 방법, 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법, 폴리이미드 다공질막의 전구막, 및 폴리이미드 다공질막의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a varnish composition, a method for producing a varnish composition, a method for producing a precursor film for a porous polyimide film, a precursor film for a porous polyimide film, and a method for producing a porous polyimide film.

최근, 가스 또는 액체의 분리막용으로서 사용되는 필터나, 리튬 이온 전지의 세퍼레이터, 연료 전지 전해질막, 저유전율 재료로서, 폴리이미드 및/또는 폴리아미드이미드 다공질막의 연구가 이루어지고 있다.BACKGROUND ART In recent years, studies on porous polyimide and/or polyamideimide membranes have been conducted as filters used for gas or liquid separation membranes, separators for lithium ion batteries, electrolyte membranes for fuel cells, and materials with low dielectric constants.

예를 들어, 세퍼레이터 용도로 사용되는 폴리이미드의 다공질막의 제조 방법으로서, 폴리아믹산이나 폴리이미드의 폴리머 용액 중에 실리카 입자 등의 미립자를 분산시킨 바니시를 기판 상에 도포한 후, 필요에 따라 도포막을 가열하여 미립자를 포함하는 폴리이미드막을 얻고, 이어서, 폴리이미드막 중의 실리카 입자 등의 미립자를 불산을 사용하여 제거하고, 다공질화시키는 방법이 알려져 있다 (특허문헌 1 참조).For example, as a method for producing a porous polyimide film used for a separator, a varnish in which fine particles such as silica particles are dispersed in a polymer solution of polyamic acid or polyimide is applied on a substrate, and then the coating film is heated if necessary. Thus, there is known a method of obtaining a polyimide film containing fine particles, and then removing fine particles such as silica particles in the polyimide film using hydrofluoric acid to make it porous (see Patent Document 1).

일본 특허공보 제5605566호Japanese Patent Publication No. 55605566

특허문헌 1 에 기재된 방법 등에 의해 다공질의 폴리이미드막을 형성하는 경우, 균일한 조성의 바니시를 사용하여, 두께나 조성이 균일한 도포막을 형성할 것이 요망된다. 그러나, 특허문헌 1 에 기재된 제조 방법에 사용하는 불산의 취급은 용이하지 않다. 그러므로, 불산의 사용이 폴리이미드 다공질막의 제조 비용을 증가시키는 요인이 되고 있다. 이 때문에, 불산을 사용하지 않는 방법이 요구되고 있다. 그래서, 실리카 미립자 대신에, 유기 미립자 등의 다른 미립자를 사용하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 유기 미립자는, 수용매 중에서 조제되는 경우가 많기 때문에, 물을 포함하는 미립자 분산액으로서 유통하는 경우가 많다. 그러한 물을 포함하는 미립자 분산액을 사용하여 바니시를 조제하면, 필연적으로 물을 포함하는 바니시가 얻어진다.When forming a porous polyimide film by the method described in Patent Document 1 or the like, it is desired to use a varnish having a uniform composition to form a coating film having a uniform thickness and composition. However, handling of hydrofluoric acid used in the manufacturing method described in Patent Document 1 is not easy. Therefore, the use of hydrofluoric acid is a factor that increases the manufacturing cost of the porous polyimide film. For this reason, there is a demand for a method that does not use hydrofluoric acid. Therefore, it is conceivable to use other fine particles such as organic fine particles instead of the silica fine particles. However, since organic fine particles are often prepared in an aqueous medium, they are often circulated as fine particle dispersions containing water. When a varnish is prepared using such a water-containing fine particle dispersion, a varnish containing water is inevitably obtained.

이러한 점에서, 폴리아믹산을 포함하는 바니시가 미립자를 포함하지 않는 경우, 바니시가 물을 포함하고 있어도, 폴리아믹산끼리의 배향 등을 저해하는 성분이 적기 때문에 도포 가능한 바니시가 얻어지는 경우가 있다.From this point of view, when the varnish containing the polyamic acid does not contain fine particles, even if the varnish contains water, there are few components that inhibit the orientation of the polyamic acids and the like, so that a varnish that can be applied may be obtained.

그러나, 바니시가 물과 미립자를 포함하는 경우, 폴리아믹산과, 물을 포함하는 용매와의 친화성이 나쁜 점이나, 폴리아믹산 및 미립자를 포함함으로써 폴리아믹산끼리의 배향이 저해되고 막강도가 떨어질 우려 등에서 기인하여, 미립자를 에워싼 폴리아믹산의 괴상물을 포함하고, 도포막을 형성할 수 없는 불균일한 조성의 혼합물이 형성되기 쉬운 문제가 있다.However, when the varnish contains water and fine particles, the affinity between the polyamic acid and the solvent containing water is poor, but the orientation of the polyamic acids is inhibited and the film strength may decrease by including the polyamic acid and the fine particles. Due to such reasons, there is a problem in that a mixture of a non-uniform composition including a block of polyamic acid surrounding the fine particles is easily formed and a coating film cannot be formed.

이 때문에, 두께나 조성이 균일한 도포막을 형성할 수 있으며, 또한 균일한 조성인, 폴리이미드 다공질막 형성용의 미립자를 포함하는 바니시와, 당해 바니시를 사용하는 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법이나, 폴리이미드 다공질막의 제조 방법이 요망되고 있다.For this reason, a coating film having a uniform thickness and composition can be formed, and a varnish containing fine particles for forming a porous polyimide film having a uniform composition, and a method for producing a precursor film of a porous polyimide film using the varnish , A method for producing a porous polyimide film is desired.

본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 물을 포함하고 있음에도 불구하고, 두께나 조성이 균일한 도포막을 형성할 수 있으며, 또한 균일한 조성의, 폴리이미드 다공질막 형성용의 미립자를 포함하는 바니시 조성물과, 당해 바니시 조성물의 제조 방법과, 전술한 바니시 조성물을 사용하는 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법과, 폴리이미드 다공질막의 전구막과, 당해 전구막을 사용하는 폴리이미드 다공질막의 제조법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and can form a coating film having a uniform thickness and composition even though it contains water, and also includes fine particles for forming a porous polyimide film of a uniform composition. To provide a varnish composition, a method for producing the varnish composition, a method for producing a precursor film of a porous polyimide film using the above-described varnish composition, a precursor film of a porous polyimide film, and a method for producing a porous polyimide film using the precursor film It aims to do.

본 발명자들은, 폴리아믹산 (A) 과, 유기 미립자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 폴리이미드 다공질막 형성용의 바니시 조성물을 형성할 때에, 바니시 조성물에 염기성 화합물 (C) 을 첨가함과 함께, 유기 용매 (S-I), 및 소정량의 물 (S-II) 을 포함하는 용매 (S) 를 사용함으로써 상기의 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present inventors added a basic compound (C) to the varnish composition when forming a varnish composition for forming a porous polyimide film containing a polyamic acid (A), an organic fine particle (B), and a solvent (S). Together with the organic solvent (SI), by using a solvent (S) containing a predetermined amount of water (S-II), it was found that the above problems could be solved, and the present invention was completed.

본 발명의 제 1 양태는, 폴리아믹산 (A) 과, 유기 미립자 (B) 와, 염기성 화합물 (C) 과, 용매 (S) 를 혼합하여 얻어지는, 폴리이미드 다공질막 형성용의 바니시 조성물로서,A first aspect of the present invention is a varnish composition for forming a porous polyimide film obtained by mixing a polyamic acid (A), an organic fine particle (B), a basic compound (C), and a solvent (S),

용매 (S) 가, 유기 용매 (S-I), 및 물 (S-II) 을 포함하고,The solvent (S) contains an organic solvent (S-I) and water (S-II),

용매 (S) 의 질량에 대한, 물 (S-II) 의 질량의 비율이 50 질량% 미만인, 바니시 조성물이다.It is a varnish composition wherein the ratio of the mass of water (S-II) to the mass of the solvent (S) is less than 50% by mass.

본 발명의 제 2 양태는, 폴리아믹산 (A) 및 유기 용매 (S-I) 를 포함하는 폴리아믹산 함유액과, 유기 미립자 (B) 를 포함하는 미립자 분산액을, 염기성 화합물 (C) 의 존재하에 혼합하거나, 또는,In a second aspect of the present invention, a polyamic acid-containing liquid containing a polyamic acid (A) and an organic solvent (SI) and a fine particle dispersion containing the organic fine particles (B) are mixed in the presence of a basic compound (C), or , or,

전술한 폴리아믹산 함유액과, 전술한 미립자 분산액을 혼합하여 혼합액을 얻은 후에, 혼합액에 염기성 화합물 (C) 을 첨가하는, 제 1 양태에 관련된 폴리이미드 다공질막 형성용의 바니시 조성물의 제조 방법이다.It is a method for producing a varnish composition for forming a porous polyimide film according to the first aspect, in which a basic compound (C) is added to the mixture after obtaining a mixed solution by mixing the polyamic acid-containing liquid and the fine particle dispersion liquid described above.

본 발명의 제 3 양태는, 제 1 양태에 관련된 바니시 조성물을 기재 상에 도포하여 도포막을 형성하는, 도포막 형성 공정과,A third aspect of the present invention is a coating film forming step of forming a coating film by applying the varnish composition according to the first aspect on a substrate,

도포막으로부터 용매 (S) 를 제거하고, 폴리이미드 다공질막의 전구막을 형성하는, 전구막 형성 공정을 포함하는, 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법이다.It is a method for producing a precursor film of a porous polyimide film including a precursor film formation step of removing the solvent (S) from the coating film and forming a precursor film of the porous polyimide film.

본 발명의 제 4 양태는, 제 1 양태에 관련된 바니시 조성물로 이루어지는 도포막을 건조시켜 이루어지는, 폴리이미드 다공질막의 전구막으로서,A fourth aspect of the present invention is a precursor film of a porous polyimide film formed by drying a coating film made of the varnish composition according to the first aspect,

JIS B7721 의 0.5 급에 따라서 측정되는 신도가, 0.5 % 이상인, 폴리이미드 다공질막의 전구막이다.It is a precursor film of a porous polyimide film having an elongation of 0.5% or more measured according to the 0.5 grade of JIS B7721.

본 발명의 제 5 양태는, 제 4 양태에 관련된 폴리이미드 다공질막의 전구막으로부터, 유기 미립자 (B) 를 제거하는 제거 공정을 포함하는, 폴리이미드 다공질막의 제조 방법이다.A fifth aspect of the present invention is a method for producing a porous polyimide film including a removal step of removing organic fine particles (B) from the precursor film of the porous polyimide film according to the fourth aspect.

본 발명에 의하면, 물을 포함하고 있음에도 불구하고, 두께나 조성이 균일한 도포막을 형성할 수 있으며, 또한 균일한 조성의, 폴리이미드 다공질막 형성용의 미립자를 포함하는 바니시 조성물과, 당해 바니시 조성물의 제조 방법과, 전술한 바니시 조성물을 사용하는 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법과, 폴리이미드 다공질막의 전구막과, 당해 전구막을 사용하는 폴리이미드 다공질막의 제조법을 제공할 수 있다.According to the present invention, a coating film having a uniform thickness and composition can be formed even though it contains water, and a varnish composition containing fine particles for forming a porous polyimide film having a uniform composition, and the varnish composition It is possible to provide a method for producing a polyimide porous film using the above varnish composition, a method for producing a precursor film for a porous polyimide film, a precursor film for a polyimide porous film, and a method for producing a polyimide porous film using the precursor film.

≪바니시 조성물≫≪varnish composition≫

바니시 조성물은, 폴리아믹산 (A) 과, 유기 미립자 (B) 와, 염기성 화합물 (C) 과, 용매 (S) 를 혼합하여 얻어지는 조성물이다. 용매 (S) 는, 유기 용매 (S-I) 및 물 (S-II) 을 포함한다. 바니시 조성물이 유기 미립자 (B) 를 포함하기 때문에, 바니시 조성물을 사용하여 형성한 도포막으로부터 용매 (S) 를 제거함으로써, 폴리이미드 다공질막의 전구막을 형성할 수 있다. 이러한 전구막에 포함되는 폴리아믹산 (A) 의 이미드화와, 전구막으로부터의 유기 미립자 (B) 의 제거를 실시함으로써, 주로 폴리이미드 수지로 이루어지는 폴리이미드 다공질막이 얻어진다.The varnish composition is a composition obtained by mixing a polyamic acid (A), an organic fine particle (B), a basic compound (C), and a solvent (S). The solvent (S) contains an organic solvent (S-I) and water (S-II). Since the varnish composition contains organic fine particles (B), the precursor film of the porous polyimide film can be formed by removing the solvent (S) from the coating film formed using the varnish composition. By imidizing the polyamic acid (A) contained in such a precursor film and removing the organic fine particles (B) from the precursor film, a porous polyimide film mainly composed of a polyimide resin is obtained.

이 때문에, 바니시 조성물은, 폴리이미드 다공질막의 형성에 사용된다.For this reason, the varnish composition is used for formation of a porous polyimide film.

물을 포함하는 바니시 조성물을 조제할 때, 폴리아믹산 (A), 유기 미립자 (B), 및 용매 (S) 를 혼합하는 경우, 유기 미립자 (B) 를 에워싼 폴리아믹산의 괴상물을 생성시키지 않고, 폴리아믹산 (A) 및 유기 미립자 (B) 를, 용매 (S) 중에, 균일하게 용해 또는 분산시키는 것이 곤란한 경우가 많다.When preparing a varnish composition containing water, when mixing the polyamic acid (A), the organic fine particles (B), and the solvent (S), without generating a block of polyamic acid surrounding the organic fine particles (B) In many cases, it is difficult to uniformly dissolve or disperse the polyamic acid (A) and the organic fine particles (B) in the solvent (S).

그러나, 폴리아믹산 (A), 유기 미립자 (B), 및 용매 (S) 와 함께 염기성 화합물 (C) 을 혼합함으로써, 물 (S-II) 을 포함하는 용매 (S) 중에, 폴리아믹산 (A), 및 유기 미립자 (B) 가 균일하게 용해 또는 분산된 바니시 조성물을 조제할 수 있다.However, by mixing the basic compound (C) together with the polyamic acid (A), the organic fine particles (B), and the solvent (S), in the solvent (S) containing water (S-II), the polyamic acid (A) , And a varnish composition in which the organic fine particles (B) are uniformly dissolved or dispersed can be prepared.

또한, 조제된 바니시 조성물에 있어서, 폴리아믹산 (A) 과, 염기성 화합물 (C) 이, 각각 어떠한 상태로 존재하는 것인지, 화학적인 분석 수법에 의해 명확하게 특정하는 것이 곤란하다.In addition, in the prepared varnish composition, it is difficult to clearly identify the polyamic acid (A) and the basic compound (C) in what state, respectively, by a chemical analysis method.

전술한 바와 같이, 용매 (S) 는, 유기 용매 (S-I), 및 물 (S-II) 을 포함한다. 단, 용매 (S) 의 질량에 대한, 물 (S-II) 의 질량의 비율은 50 질량% 미만이다.As described above, the solvent (S) contains an organic solvent (S-I) and water (S-II). However, the ratio of the mass of water (S-II) to the mass of the solvent (S) is less than 50 mass%.

바니시 조성물이, 용매 (S) 로서 물 (S-II) 을 포함하는 경우, 유기 용매 (S-I) 의 비점이 높은 경우라도, 바니시 조성물로 이루어지는 도포막으로부터의 유기 용매 (S-I) 의 제거가 용이하다. 단, 물 (S-II) 의 양이 과다이면, 바니시 조성물 중에서의 폴리아믹산 (A) 의 용해 또는 분산의 안정성이 저해될 우려가 있다. 또, 물 (S-II) 의 양이 과다이면, 바니시 조성물을 사용하여 형성되는 도포막으로부터 용매 (S) 를 제거하여 얻어지는 전구막의 신장이 극도로 열등한 경향이 있다.When the varnish composition contains water (S-II) as the solvent (S), even when the boiling point of the organic solvent (SI) is high, removal of the organic solvent (SI) from the coating film made of the varnish composition is easy. . However, if the amount of water (S-II) is excessive, the stability of dissolution or dispersion of the polyamic acid (A) in the varnish composition may be impaired. In addition, when the amount of water (S-II) is excessive, the elongation of the precursor film obtained by removing the solvent (S) from the coating film formed using the varnish composition tends to be extremely inferior.

한편, 바니시 조성물이, 용매 (S) 로서 물 (S-II) 을 예를 들어, 바니시 조성물의 질량에 대하여 30 질량% 이하 포함하는 경우, 바니시 조성물 중에서의 폴리아믹산의 용해 또는 분산의 안정성이 양호하다. 바니시 조성물의 질량에 대한 물 (S-II) 의 함유량은, 바람직하게는 25 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 20 질량% 이하이다.On the other hand, when the varnish composition contains water (S-II) as the solvent (S), for example, 30% by mass or less based on the mass of the varnish composition, the stability of the dissolution or dispersion of the polyamic acid in the varnish composition is good. Do. The content of water (S-II) with respect to the mass of the varnish composition is preferably 25% by mass or less, and more preferably 20% by mass or less.

또, 유기 미립자 (B) 는, 물을 포함하는 슬러리로서 시판되고 있는 경우도 많다. 상기와 같이, 바니시 조성물은, 용매 (S) 의 질량에 대하여 50 질량% 미만의 물 (S-II) 을 포함한다. 이 때문에, 바니시 조성물의 조제에는, 물 (S-II) 의 함유량이 소정의 상한을 초과하지 않는 한에서, 물을 포함하는 유기 미립자 (B) 의 슬러리를 사용할 수 있다.Moreover, the organic fine particles (B) are often marketed as a slurry containing water. As described above, the varnish composition contains less than 50% by mass of water (S-II) based on the mass of the solvent (S). For this reason, in preparation of a varnish composition, as long as the content of water (S-II) does not exceed a predetermined upper limit, a slurry of organic fine particles (B) containing water can be used.

이하, 바니시 조성물의 조제에 사용되는, 필수, 또는 임의의 성분에 대하여 설명한다.Hereinafter, essential or optional components used in the preparation of the varnish composition will be described.

<폴리아믹산 (A)><Polyamic acid (A)>

폴리아믹산 (A) 으로는, 임의의 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민을 중합하여 얻어지는 생성물을, 특별히 한정되지 않고 사용할 수 있다. 테트라카르복실산 2 무수물 및 디아민의 사용량은 특별히 한정되지 않지만, 테트라카르복실산 2 무수물 1 몰에 대하여, 디아민을 0.50 몰 이상 1.50 몰 이하 사용하는 것이 바람직하고, 0.60 몰 이상 1.30 몰 이하 사용하는 것이 보다 바람직하고, 0.70 몰 이상 1.20 몰 이하 사용하는 것이 특히 바람직하다.As polyamic acid (A), the product obtained by polymerizing arbitrary tetracarboxylic dianhydride and diamine is not specifically limited, and can be used. The amount of tetracarboxylic dianhydride and diamine used is not particularly limited, but it is preferable to use 0.50 mol or more and 1.50 mol or less of diamine, and 0.60 mol or more and 1.30 mol or less, based on 1 mol of tetracarboxylic dianhydride. It is more preferable, and it is particularly preferable to use 0.70 mol or more and 1.20 mol or less.

테트라카르복실산 2 무수물은, 종래부터 폴리아믹산의 합성 원료로서 사용되고 있는 테트라카르복실산 2 무수물로부터 적절히 선택할 수 있다. 테트라카르복실산 2 무수물은, 방향족 테트라카르복실산 2 무수물이어도 되고, 지방족 테트라카르복실산 2 무수물이어도 된다. 얻어지는 폴리이미드 수지의 내열성의 면에서, 방향족 테트라카르복실산 2 무수물을 사용하는 것이 바람직하다. 테트라카르복실산 2 무수물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Tetracarboxylic dianhydride can be appropriately selected from tetracarboxylic dianhydride which has been conventionally used as a raw material for synthesis of polyamic acid. The tetracarboxylic dianhydride may be an aromatic tetracarboxylic dianhydride or an aliphatic tetracarboxylic dianhydride. It is preferable to use an aromatic tetracarboxylic dianhydride from the viewpoint of the heat resistance of the polyimide resin obtained. Tetracarboxylic dianhydride may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

방향족 테트라카르복실산 2 무수물의 바람직한 구체예로는, 피로멜리트산 2 무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 2 무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 2 무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2,6,6-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 2 무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 2 무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 2 무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 2 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 2 무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)에테르 2 무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 4,4-(p-페닐렌디옥시)디프탈산 2 무수물, 4,4-(m-페닐렌디옥시)디프탈산 2 무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 2 무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 2 무수물, 9,9-비스 무수 프탈산플루오렌, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2 무수물 등을 들 수 있다. 지방족 테트라카르복실산 2 무수물로는, 예를 들어, 에틸렌테트라카르복실산 2 무수물, 부탄테트라카르복실산 2 무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 2 무수물, 시클로헥산테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,3,4-시클로헥산테트라카르복실산 2 무수물 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 가격, 입수 용이성 등으로부터, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 및 피로멜리트산 2 무수물이 바람직하다. 또, 이들 테트라카르복실산 2 무수물은 1 종류를 단독으로 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.Preferred examples of aromatic tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, 1,1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, and bis(2,3-dicarboxyphenyl)methane 2 Anhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxyl Acid dianhydride, 2,2,6,6-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(2,3-di Carboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis(2,3 -Dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, bis(3,4- Dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis(2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2',3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4-(p-phenylenedi Oxy)diphthalic dianhydride, 4,4-(m-phenylenedioxy)diphthalic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracar Acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxyl Acid dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis fluorene phthalate anhydride, 3,3 ',4,4'-diphenyl sulfone tetracarboxylic dianhydride, etc. are mentioned. As aliphatic tetracarboxylic dianhydride, for example, ethylene tetracarboxylic dianhydride, butane tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane tetracarboxylic dianhydride, 1, 2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, etc. are mentioned. Among these, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and pyromellitic dianhydride are preferable from the viewpoint of price and availability. Moreover, these tetracarboxylic dianhydrides can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

디아민은, 종래부터 폴리아믹산의 합성 원료로서 사용되고 있는 디아민으로부터 적절히 선택할 수 있다. 디아민은, 방향족 디아민이어도 되고, 지방족 디아민이어도 된다. 얻어지는 폴리이미드 수지의 내열성의 면에서, 방향족 디아민이 바람직하다. 이들 디아민은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The diamine can be appropriately selected from diamines conventionally used as raw materials for synthesis of polyamic acid. The diamine may be an aromatic diamine or an aliphatic diamine. In view of the heat resistance of the obtained polyimide resin, aromatic diamine is preferable. These diamines may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

방향족 디아민으로는, 1 개의 벤젠 고리를 포함하거나, 2 개 이상 10 개 이하 정도의 벤젠 고리가 단결합 또는 2 가의 연결기를 개재하여 결합하거나 축합한 방향족 골격을 포함하는 디아미노 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 페닐렌디아민 및 그 유도체, 디아미노비페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노디페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노트리페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노나프탈렌 및 그 유도체, 아미노페닐아미노인단 및 그 유도체, 디아미노테트라페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노헥사페닐 화합물 및 그 유도체, 카르도형 플루오렌디아민 유도체이다.Examples of the aromatic diamine include diamino compounds containing an aromatic skeleton in which one benzene ring is included, or about 2 or more and 10 or less benzene rings are bonded or condensed via a single bond or a divalent linking group. Specifically, phenylenediamine and its derivatives, diaminobiphenyl compound and its derivatives, diaminodiphenyl compound and its derivatives, diaminotriphenyl compound and its derivatives, diaminonaphthalene and its derivatives, aminophenylaminoindan and Derivatives thereof, diaminotetraphenyl compounds and derivatives thereof, diaminohexaphenyl compounds and derivatives thereof, and cardo-type fluorenediamine derivatives.

페닐렌디아민의 예는, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민 등이다. 페닐렌디아민 유도체의 예는, 메틸기, 에틸기 등의 알킬기가 결합한 디아민, 예를 들어, 2,4-디아미노톨루엔, 2,4-트리페닐렌디아민 등이다.Examples of phenylenediamine are m-phenylenediamine and p-phenylenediamine. Examples of the phenylenediamine derivative are diamines to which an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group is bonded, such as 2,4-diaminotoluene and 2,4-triphenylenediamine.

디아미노비페닐 화합물에서는, 2 개의 아미노페닐기끼리가 결합하고 있다. 디아미노비페닐 화합물로는, 예를 들어, 4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐 등을 들 수 있다.In the diaminobiphenyl compound, two aminophenyl groups are bonded to each other. Examples of the diaminobiphenyl compound include 4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl, and the like.

디아미노디페닐 화합물은, 2 개의 아미노페닐기가 다른 기를 개재하여 페닐기끼리 결합한 화합물이다. 결합은 에테르 결합, 술포닐 결합, 티오에테르 결합, 알킬렌 또는 그 유도체기에 의한 결합, 이미노 결합, 아조 결합, 포스핀옥사이드 결합, 아미드 결합, 우레일렌 결합 등이다. 알킬렌 결합의 탄소 원자수는 1 이상 6 이하 정도이다. 알킬렌기의 유도체기는, 1 이상의 할로겐 원자 등으로 치환된 알킬렌기이다.The diaminodiphenyl compound is a compound in which two aminophenyl groups are bonded to each other through different groups. Bonds are ether bonds, sulfonyl bonds, thioether bonds, bonds by alkylene or derivatives thereof, imino bonds, azo bonds, phosphine oxide bonds, amide bonds, ureylene bonds, and the like. The number of carbon atoms in the alkylene bond is about 1 or more and 6 or less. The derivative group of the alkylene group is an alkylene group substituted with one or more halogen atoms or the like.

디아미노디페닐 화합물의 예로는, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐케톤, 3,4'-디아미노디페닐케톤, 2,2-비스(p-아미노페닐)프로판, 2,2'-비스(p-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 4-메틸-2,4-비스(p-아미노페닐)-1-펜텐, 4-메틸-2,4-비스(p-아미노페닐)-2-펜텐, 이미노디아닐린, 4-메틸-2,4-비스(p-아미노페닐)펜탄, 비스(p-아미노페닐)포스핀옥사이드, 4,4'-디아미노아조벤젠, 4,4'-디아미노디페닐우레아, 4,4'-디아미노디페닐아미드, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다.Examples of the diaminodiphenyl compound include 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodi Phenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4 '-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylketone, 3,4'-diaminodiphenylketone, 2,2-bis(p- Aminophenyl) propane, 2,2'-bis (p-aminophenyl) hexafluoropropane, 4-methyl-2,4-bis (p-aminophenyl) -1-pentene, 4-methyl-2,4- Bis(p-aminophenyl)-2-pentene, iminodianiline, 4-methyl-2,4-bis(p-aminophenyl)pentane, bis(p-aminophenyl)phosphine oxide, 4,4'-dia Minoazobenzene, 4,4'-diaminodiphenylurea, 4,4'-diaminodiphenylamide, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy )Benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[ 4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexa And fluoropropane.

이들 중에서는, 가격, 입수 용이성 등으로부터, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 및 4,4'-디아미노디페닐에테르가 바람직하다.Among these, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, and 4,4'-diaminodiphenyl ether are preferable from the viewpoint of price and availability.

디아미노트리페닐 화합물은, 2 개의 아미노페닐기와 1 개의 페닐렌기가 모두 다른 기를 개재하여 결합한 화합물이다. 다른 기는, 디아미노디페닐 화합물과 동일한 기가 선택된다. 디아미노트리페닐 화합물의 예로는, 1,3-비스(m-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(p-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(p-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있다.The diaminotriphenyl compound is a compound in which two aminophenyl groups and one phenylene group are all bonded through different groups. The other group is selected from the same group as the diaminodiphenyl compound. Examples of diaminotriphenyl compounds include 1,3-bis(m-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(p-aminophenoxy)benzene, and 1,4-bis(p-aminophenoxy)benzene And the like.

디아미노나프탈렌의 예로는, 1,5-디아미노나프탈렌 및 2,6-디아미노나프탈렌을 들 수 있다.Examples of diaminonaphthalene include 1,5-diaminonaphthalene and 2,6-diaminonaphthalene.

아미노페닐아미노인단의 예로는, 5-아미노-1-(p-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단, 또는 6-아미노-1-(p-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단을 들 수 있다.Examples of aminophenylaminoindane include 5-amino-1-(p-aminophenyl)-1,3,3-trimethylindane, or 6-amino-1-(p-aminophenyl)-1,3,3- And trimethylindan.

디아미노테트라페닐 화합물의 예로는, 4,4'-비스(p-아미노페녹시)비페닐, 2,2'-비스[p-(p'-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2'-비스[p-(p'-아미노페녹시)비페닐]프로판, 2,2'-비스[p-(m-아미노페녹시)페닐]벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of diaminotetraphenyl compounds include 4,4'-bis(p-aminophenoxy)biphenyl, 2,2'-bis[p-(p'-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2' -Bis[p-(p'-aminophenoxy)biphenyl]propane, 2,2'-bis[p-(m-aminophenoxy)phenyl]benzophenone, and the like.

카르도형 플루오렌디아민 유도체는, 9,9-비스아닐린플루오렌 등을 들 수 있다.Examples of the cardo-type fluorenediamine derivative include 9,9-bisanilinefluorene.

지방족 디아민의 탄소 원자수는, 예를 들어, 2 이상 15 이하 정도가 바람직하다. 지방족 디아민의 구체예로는, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민 등을 들 수 있다.The number of carbon atoms of the aliphatic diamine is preferably about 2 or more and 15 or less. Specific examples of the aliphatic diamine include pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, and heptamethylenediamine.

또한, 디아민은, 상기의 디아민의 수소 원자가 할로겐 원자, 메틸기, 메톡시기, 시아노기, 페닐기 등의 군에서 선택되는 적어도 1 종의 치환기에 의해 치환된 화합물이어도 된다.Further, the diamine may be a compound in which the hydrogen atom of the diamine is substituted with at least one substituent selected from the group such as a halogen atom, a methyl group, a methoxy group, a cyano group, and a phenyl group.

폴리아믹산 (A) 을 제조하는 수단에 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 용제 중에서 산, 디아민 성분을 반응시키는 방법 등의 공지된 수법을 사용할 수 있다.The means for producing the polyamic acid (A) is not particularly limited, and for example, a known method such as a method of reacting an acid and a diamine component in a solvent can be used.

테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응은, 통상, 용제 중에서 실시된다. 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응에 사용되는 용제는, 테트라카르복실산 2 무수물 및 디아민을 용해시킬 수 있고, 테트라카르복실산 2 무수물 및 디아민과 반응하지 않는 용제이면 특별히 한정되지 않는다. 용제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine is usually carried out in a solvent. The solvent used for the reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine is not particularly limited as long as it can dissolve tetracarboxylic dianhydride and diamine, and does not react with tetracarboxylic dianhydride and diamine. The solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응에 사용되는 용제의 예로는, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제 ; β-프로피오락톤, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, ε-카프로락톤 등의 락톤계 극성 용제 ; 디메틸술폭시드 ; 아세토니트릴 ; 락트산에틸, 락트산부틸 등의 지방산에스테르류 ; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디옥산, 테트라하이드로푸란, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에테르류 ; 크레졸류, 자일렌계 혼합 용매 등의 페놀계 용제를 들 수 있다.Examples of the solvent used in the reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethyl Nitrogen-containing polar solvents such as formamide, N,N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, and N,N,N',N'-tetramethylurea; lactone-based polar solvents such as β-propiolactone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, and ε-caprolactone; Dimethyl sulfoxide; Acetonitrile; Fatty acid esters such as ethyl lactate and butyl lactate; Ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dioxane, tetrahydrofuran, methyl cellosolve acetate, and ethyl cellosolve acetate; Phenolic solvents such as cresols and xylene-based mixed solvents may be mentioned.

이들 용제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 용제의 사용량에 특별히 제한은 없지만, 생성하는 폴리아믹산 (A) 의 함유량이 5 질량% 이상 50 질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.These solvents may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. Although there is no particular limitation on the amount of the solvent used, it is preferable that the content of the produced polyamic acid (A) is 5% by mass or more and 50% by mass or less.

이들 용제 중에서는, 생성하는 폴리아믹산 (A) 의 용해성으로부터, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제가 바람직하다.Among these solvents, from the solubility of the resulting polyamic acid (A), N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethylformamide And nitrogen-containing polar solvents such as N,N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, and N,N,N',N'-tetramethylurea.

중합 온도는 일반적으로는 -10 ℃ 이상 120 ℃ 이하, 바람직하게는 5 ℃ 이상 30 ℃ 이하이다. 중합 시간은 사용하는 원료 조성에 따라 상이하지만, 통상은 3 시간 이상 24 시간 이하이다.The polymerization temperature is generally -10°C or more and 120°C or less, and preferably 5°C or more and 30°C or less. The polymerization time varies depending on the composition of the raw material used, but is usually 3 hours or more and 24 hours or less.

폴리아믹산 (A) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Polyamic acid (A) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

바니시 조성물에 있어서의 폴리아믹산 (A) 의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 바니시 조성물의 점도나 도포성, 바니시 조성물의 고형분 농도를 감안하여 적절히 정해진다.The content of the polyamic acid (A) in the varnish composition is not particularly limited, and is appropriately determined in view of the viscosity and coatability of the varnish composition and the solid content concentration of the varnish composition.

바니시 조성물의 점도는, 원하는 막두께의 도포막을 형성할 수 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 바니시 조성물의 점도는, 300 cP 이상 20000 cP 이하가 바람직하고, 1000 cP 이상 15000 cP 이하가 보다 바람직하고, 1500 cP 이상 12000 cP 이하가 더욱 바람직하다. 바니시 조성물의 점도가 이 범위 내이면, 균일한 성막이 용이하다.The viscosity of the varnish composition is not particularly limited as long as it can form a coating film having a desired film thickness. For example, the viscosity of the varnish composition is preferably 300 cP or more and 20000 cP or less, more preferably 1000 cP or more and 15000 cP or less, and still more preferably 1500 cP or more and 12000 cP or less. When the viscosity of the varnish composition is within this range, uniform film formation is easy.

바니시 조성물은, 폴리아믹산-미립자 복합막으로 했을 때에 유기 미립자 (B)/폴리아믹산 (A) 의 비율이 0.5 ∼ 4.0 (질량비) 이도록, 유기 미립자 (B) 및 폴리아믹산 (A) 을 포함하는 것이 바람직하고, 전술한 비율이 0.7 ∼ 3.5 (질량비) 이도록, 유기 미립자 (B) 및 폴리아믹산 (A) 을 포함하는 것이 보다 바람직하다.The varnish composition contains the organic fine particles (B) and the polyamic acid (A) so that the ratio of the organic fine particles (B)/polyamic acid (A) is 0.5 to 4.0 (mass ratio) when the polyamic acid-fine particle composite film is formed. It is preferable, and it is more preferable to contain organic fine particles (B) and polyamic acid (A) so that the above-described ratio is 0.7 to 3.5 (mass ratio).

또, 바니시 조성물을 사용하여 폴리아믹산-미립자 복합막을 형성한 경우에, 복합막에 있어서의 유기 미립자 (B)/폴리아믹산 (A) 의 체적 비율이 1.0 ∼ 5.0 이 되도록, 유기 미립자 (B) 및 폴리아믹산 (A) 을 포함하는 것이 바람직하다. 전술한 체적 비율은, 1.2 ∼ 4.5 가 더욱 바람직하다. 유기 미립자 (B)/폴리아믹산 (A) 의 질량비 또는 체적비가 하한치 이상이면, 적절한 밀도의 구멍을 형성하기 쉽다. 유기 미립자 (B)/폴리아믹산 (A) 의 질량비 또는 체적비가 상한치 이하이면, 바니시 조성물의 점도의 증가나 막 중의 균열 등의 문제를 발생하지 않고 안정적으로 성막할 수 있다.In addition, when the polyamic acid-fine particle composite film is formed using the varnish composition, the organic fine particles (B) and the organic fine particles (B) and the volume ratio of the organic fine particles (B)/polyamic acid (A) in the composite film are 1.0 to 5.0. It is preferable to contain polyamic acid (A). The volume ratio mentioned above is more preferably 1.2 to 4.5. When the mass ratio or volume ratio of the organic fine particles (B)/polyamic acid (A) is more than the lower limit, it is easy to form pores of an appropriate density. When the mass ratio or volume ratio of the organic fine particles (B)/polyamic acid (A) is equal to or less than the upper limit, the film can be stably formed without causing problems such as an increase in the viscosity of the varnish composition or cracking in the film.

바니시 조성물의 고형분 농도는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 1 질량% 이상이고, 5 질량% 이상인 것이 바람직하고, 10 질량% 이상이 보다 바람직하다. 고형분 농도의 상한은 예를 들어 60 질량% 이하이고, 바람직하게는 30 질량% 이하이다.The solid content concentration of the varnish composition is not particularly limited, but is, for example, 1 mass% or more, preferably 5 mass% or more, and more preferably 10 mass% or more. The upper limit of the solid content concentration is, for example, 60% by mass or less, and preferably 30% by mass or less.

<유기 미립자 (B)><Organic fine particles (B)>

유기 미립자 (B) 의 재질은, 바니시 조성물에 포함되는 용매 (S) 에 불용이고, 이후에 폴리이미드 다공질막의 전구막으로부터 제거 가능한 재질이면, 특별히 한정되지 않고 공지된 재질을 채용 가능하다.The material of the organic fine particles (B) is not particularly limited as long as it is insoluble in the solvent (S) contained in the varnish composition and can be removed from the precursor film of the porous polyimide film afterwards, and a known material can be employed.

유기 미립자 (B) 의 형태로는 특별히 한정되지 않는다. 바니시 조성물의 조제에는, 유기 미립자 (B) 의 건조된 분체를 사용해도 되고, 유기 미립자 (B) 의 분산액을 사용해도 된다. 바니시 조성물은, 특정한 양의 물 (S-II) 을 포함한다. 이 때문에, 유기 미립자 (B) 의 분산액으로서, 물 중에 유기 미립자 (B) 가 분산된 분산액을 사용하여, 바니시 조성물을 조제할 수 있다. 유기 미립자 (B) 로는, 건조에 의한 유기 미립자 (B) 의 응집을 피할 수 있는 점과, 저렴하고 입수하기 쉬운 점에서, 분산액이 바람직하고, 물 중에 유기 미립자 (B) 가 분산된 분산액이 보다 바람직하다.The form of the organic fine particles (B) is not particularly limited. For preparation of the varnish composition, the dried powder of the organic fine particles (B) may be used, or a dispersion of the organic fine particles (B) may be used. The varnish composition contains a specific amount of water (S-II). For this reason, a varnish composition can be prepared using a dispersion in which the organic fine particles (B) are dispersed in water as the dispersion of the organic fine particles (B). As the organic fine particles (B), a dispersion liquid is preferable from the viewpoint of avoiding agglomeration of the organic fine particles (B) by drying, and from the viewpoint of being inexpensive and easy to obtain, and a dispersion in which the organic fine particles (B) are dispersed in water is more desirable.

또, 유기 미립자 (B) 로서, 진구율이 높고, 입경 분포 지수가 작은 미립자가 바람직하다. 이들 조건을 구비한 유기 미립자 (B) 는, 바니시 조성물 중에서의 분산성이 우수하고, 서로 응집되어 있지 않은 상태로 사용할 수 있다.Moreover, as the organic fine particles (B), fine particles having a high sphericity ratio and a small particle size distribution index are preferable. The organic fine particles (B) provided with these conditions are excellent in dispersibility in the varnish composition, and can be used in a state in which they are not aggregated with each other.

유기 미립자 (B) 의 평균 입경 (평균 직경) 으로는, 예를 들어, 2000 ㎚ 이하가 바람직하고, 1000 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 700 ㎚ 이하가 더욱 바람직하고, 10 ㎚ 이상 600 ㎚ 이하가 더욱더 바람직하고, 20 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하가 특히 바람직하고, 30 ㎚ 이상 450 ㎚ 이하가 가장 바람직하다. 이러한 범위 내의 평균 입경인 미립자를 사용함으로써, 원하는 구멍 직경의 미세 구멍을 갖고, 제립 (除粒) 효과가 우수한 폴리이미드 다공질막을 형성하기 쉽다.As the average particle diameter (average diameter) of the organic fine particles (B), for example, 2000 nm or less is preferable, 1000 nm or less is more preferable, 700 nm or less is even more preferable, and 10 nm or more and 600 nm or less are even more. Preferably, 20 nm or more and 500 nm or less are particularly preferable, and 30 nm or more and 450 nm or less are most preferable. By using fine particles having an average particle diameter within such a range, it is easy to form a porous polyimide film having fine pores of a desired pore diameter and excellent in the granulation effect.

또한, 폴리이미드 다공질막 내에 형성되는, 미립자에서 유래하는 구멍부의 사이즈는, 미립자의 평균 입자경과 동일하거나 가깝다. 이 때문에, 폴리이미드 다공질막을 필터로서 사용하는 경우의 유체의 투과성 등의 면에서, 미립자의 평균 입자경은, 5 ㎚ 이상이 바람직하고, 10 ㎚ 이상이 보다 바람직하다.Further, the size of the pores formed in the porous polyimide film and originating from the fine particles is the same as or close to the average particle diameter of the fine particles. For this reason, from the viewpoint of fluid permeability and the like when the porous polyimide membrane is used as a filter, the average particle diameter of the fine particles is preferably 5 nm or more, and more preferably 10 nm or more.

이들 조건을 만족함으로써, 유기 미립자 (B) 를 제거하여 얻어지는 폴리이미드 다공질막의 구멍 직경을 고르게 할 수 있기 때문에, 특히 폴리이미드 다공질막을 세퍼레이터로서 사용한 경우에, 인가되는 전계를 균일화할 수 있어 바람직하다.By satisfying these conditions, since the pore diameter of the porous polyimide film obtained by removing the organic fine particles (B) can be uniform, in particular, when the porous polyimide film is used as a separator, the applied electric field can be made uniform, which is preferable.

유기 미립자의 재질로는, 용매 (S), 특히 유기 용매 (S-I) 에 불용으로서, 성막 후 선택적으로 제거 가능한 재질이면, 특별히 한정되지 않는다. 유기 미립자의 재질로는 수지가 바람직하다.The material of the organic fine particles is not particularly limited as long as it is insoluble in the solvent (S), particularly the organic solvent (S-I), and can be selectively removed after film formation. Resin is preferable as the material of the organic fine particles.

유기 미립자의 재료로서의 수지로는, 예를 들어, 통상적인 선상 폴리머나 공지된 해중합성 폴리머를, 목적에 따라 한정되지 않고 사용할 수 있다. 통상적인 선상 폴리머는, 열 분해시에 폴리머의 분자 사슬이 랜덤으로 절단되는 폴리머이고, 해중합성 폴리머는, 열 분해시에 폴리머가 단량체로 분해되는 폴리머이다. 모두, 가열시에, 단량체, 저분자량체, 혹은, CO2 까지 분해됨으로써, 폴리이미드막으로부터 소실된다. 사용되는 수지 미립자의 분해 온도는 200 ℃ 이상 320 ℃ 이하가 바람직하고, 230 ℃ 이상 260 ℃ 이하가 더욱 바람직하다. 분해 온도가 200 ℃ 이상이면, 바니시 조성물에 고비점 용제를 사용한 경우에도 성막을 실시할 수 있고, 폴리이미드의 소성 조건의 선택의 폭이 넓어진다. 또, 분해 온도가 320 ℃ 미만이면, 폴리이미드에 열적인 데미지를 주지 않고 수지 미립자만을 소실시킬 수 있다.As the resin as the material of the organic fine particles, for example, a conventional linear polymer or a known depolymerizable polymer can be used without limitation depending on the purpose. A typical linear polymer is a polymer in which molecular chains of a polymer are randomly cut during thermal decomposition, and a depolymerizable polymer is a polymer in which the polymer is decomposed into monomers during thermal decomposition. All of them disappear from the polyimide film by decomposition to a monomer, a low molecular weight substance, or to CO 2 upon heating. The decomposition temperature of the resin fine particles to be used is preferably 200°C or more and 320°C or less, and more preferably 230°C or more and 260°C or less. When the decomposition temperature is 200°C or higher, film formation can be performed even when a high boiling point solvent is used for the varnish composition, and the range of selection of the firing conditions of the polyimide is wide. Further, when the decomposition temperature is less than 320°C, only the resin fine particles can be eliminated without causing thermal damage to the polyimide.

상기 선상 폴리머로는, 예를 들어, 저밀도 또는 비정질의 폴리에틸렌, 비정질 폴리프로필렌, 에틸렌아세트산비닐 공중합 수지, 폴리아미드 등을 사용할 수 있다. 또, 상기 해중합성 폴리머로는, 예를 들어, (메트)아크릴계 수지, α-메틸스티렌계 수지, 폴리아세탈계 호모폴리머나 코폴리머 등을 모두 사용할 수 있다.As the linear polymer, for example, low density or amorphous polyethylene, amorphous polypropylene, ethylene vinyl acetate copolymer resin, polyamide, and the like can be used. Further, as the depolymerizable polymer, for example, a (meth)acrylic resin, an α-methylstyrene resin, a polyacetal homopolymer or a copolymer can be used.

상기 (메트)아크릴계 수지로는, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르로부터 얻어지는 단독 폴리머나 2 종 이상을 공중합시켜 얻어지는 공중합 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르를 주성분으로 하고, 이것과 공중합 가능한 다른 단량체 (예를 들어, 글리시딜메타크릴레이트, 스티렌 등) 와 공중합시켜 공중합체를 사용해도 된다.As the (meth)acrylic resin, a single polymer obtained from alkyl (meth)acrylates such as methyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, and 2-ethylhexyl (meth)acrylate, or 2 And a copolymerized polymer obtained by copolymerizing more than one species. Further, the above alkyl (meth)acrylate may be used as a main component, and a copolymer may be used by copolymerizing with another monomer copolymerizable therewith (eg, glycidyl methacrylate, styrene, etc.).

상기 α-메틸스티렌계 수지로는, α-메틸스티렌의 단독 폴리머, α-메틸스티렌을 주성분으로 하고, 이것과 공중합 가능한 다른 단량체와의 공중합 폴리머를 들 수 있다. 상기 해중합성 폴리머는, 단독이어도 되고, 조합하여 사용해도 된다.Examples of the α-methylstyrene-based resin include a single polymer of α-methylstyrene, a copolymer of α-methylstyrene as a main component, and other monomers that can be copolymerized therewith. The depolymerizable polymer may be used alone or in combination.

이들 해중합성 폴리머 중, 열 분해 온도가 낮은 메타크릴산메틸 혹은 메타크릴산이소부틸의 단독 (폴리메틸메타크릴레이트 혹은 폴리이소부틸메타크릴레이트), 혹은 이것을 주성분으로 하는 공중합 폴리머가 구멍 형성시의 취급상 바람직하다.Among these depolymerizable polymers, methyl methacrylate or isobutyl methacrylate having a low thermal decomposition temperature alone (polymethyl methacrylate or polyisobutyl methacrylate), or a copolymerized polymer containing this as a main component It is preferable for handling.

수지 미립자의 재질인 폴리머는, 가교성 모노머에 의해 가교기가 도입된 가교 중합체여도 된다. 유기 미립자 (B) 가, 가교 중합체로 이루어지는 수지 미립자인 경우, 용매 (S) 중의 유기 용매 (S-I) 에 의한 수지 미립자의 용해, 변형, 및 팽윤 등을 억제할 수 있다.The polymer which is the material of the resin fine particles may be a crosslinked polymer in which a crosslinking group is introduced by a crosslinkable monomer. When the organic fine particles (B) are resin fine particles composed of a crosslinked polymer, dissolution, deformation, and swelling of the resin fine particles by the organic solvent (S-I) in the solvent (S) can be suppressed.

가교성 모노머는, 폴리머에 가교기를 도입 가능한 다관능 모노머이면 특별히 한정되지 않는다. 수지 미립자를 구성하는 폴리머가, 예를 들어, 폴리스티렌이나 (메트)아크릴계 수지인 경우, 가교성 모노머로는 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트 등의 아크릴계 다관능성 모노머나 디비닐벤젠 등을 들 수 있다.The crosslinkable monomer is not particularly limited as long as it is a polyfunctional monomer capable of introducing a crosslinking group into the polymer. When the polymer constituting the resin fine particles is, for example, polystyrene or (meth)acrylic resin, examples of the crosslinkable monomer include acrylic polyfunctional monomers such as trimethylolpropane tri(meth)acrylate, divinylbenzene, etc. have.

가교성 모노머에 의해 가교가 도입된 수지 미립자의 바람직한 예로는, 단관능 스티렌계 모노머에서 유래하는 구성 단위 (이하, 간단히 「스티렌계 구성 단위」라고도 기재한다.) 를 포함하는 수지 미립자를 들 수 있다. 스티렌계 구성 단위를 포함하는 수지 미립자에 대하여, 수지 미립자의 질량에 대한 스티렌계 구성 단위의 질량의 비율은, 10 질량% 이상 99 질량% 이하가 바람직하다. 수지 미립자의 질량에 대한 스티렌계 구성 단위의 질량의 비율은, 바람직하게는 20 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 60 질량% 이상이다. 이러한 수지 미립자에 있어서, 다관능의 가교성 모노머에서 유래하는 구성 단위의 질량의 수지 미립자의 질량에 대한 비율은, 1 질량% 이상 15 질량% 이하가 바람직하다. 또, 다관능의 가교성 모노머에서 유래하는 구성 단위의 양은, 단관능 모노머에서 유래하는 구성 단위의 양을 100 질량부로 하여 1 질량부 이상 20 질량부 이하인 것이 바람직하다.Preferred examples of resin fine particles into which crosslinking has been introduced by a crosslinkable monomer include resin fine particles containing a structural unit derived from a monofunctional styrene monomer (hereinafter, also referred to simply as a "styrene structural unit"). . The ratio of the mass of the styrenic structural unit to the mass of the resin fine particles with respect to the resin fine particles containing the styrenic structural unit is preferably 10% by mass or more and 99% by mass or less. The ratio of the mass of the styrenic structural unit to the mass of the resin fine particles is preferably 20% by mass or more, and more preferably 60% by mass or more. In such resin fine particles, the ratio of the mass of the structural unit derived from the polyfunctional crosslinkable monomer to the mass of the resin fine particles is preferably 1% by mass or more and 15% by mass or less. In addition, the amount of the structural unit derived from the polyfunctional crosslinkable monomer is preferably 1 part by mass or more and 20 parts by mass or less with the amount of the structural unit derived from the monofunctional monomer being 100 parts by mass.

이러한 수지 미립자는, 단관능 스티렌계 모노머와, 전술한 가교성 모노머와, 전술한 (메트)아크릴산알킬에스테르 등의 단관능 모노머와의 공중합체여도 된다. 수지 미립자를 구성하는 수지가, 단관능 스티렌계 모노머에서 유래하는 구성 단위 이외에, 다른 단관능 모노머에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 경우, 다른 다관능 모노머에서 유래하는 구성 단위의 양은, 특별히 한정되지 않는다.Such resin fine particles may be a copolymer of a monofunctional styrene-based monomer, the aforementioned crosslinkable monomer, and a monofunctional monomer such as the aforementioned alkyl (meth)acrylate. When the resin constituting the resin microparticles contains structural units derived from other monofunctional monomers in addition to the structural units derived from monofunctional styrene monomers, the amount of the structural units derived from other polyfunctional monomers is not particularly limited. .

단관능 스티렌계 단량체로는, 스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 및 α-메틸스티렌 등을 들 수 있다.Examples of monofunctional styrene-based monomers include styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, and α-methylstyrene.

이상 설명한, 가교성 모노머에 의해 가교가 도입된 가교 중합체로 이루어지는 수지 미립자에 있어서, 단관능 스티렌계 모노머에서 유래하는 구성 단위 이외의 다른 단관능 모노머 유래의 구성 단위의 질량의 비율은, 단관능 모노머에서 유래하는 전체 구성 단위의 질량 중, 1 질량% 이상 100 질량% 이하가 바람직하고, 50 질량% 이상 85 질량% 이하가 보다 바람직하다.In the resin fine particles composed of a crosslinked polymer in which crosslinking has been introduced with a crosslinkable monomer as described above, the ratio of the mass of the structural units derived from a monofunctional monomer other than the constitutional units derived from the monofunctional styrene monomer is the monofunctional monomer In the mass of all the structural units derived from, 1 mass% or more and 100 mass% or less are preferable, and 50 mass% or more and 85 mass% or less are more preferable.

<염기성 화합물 (C)><Basic compound (C)>

염기성 화합물 (C) 로는, 일반적으로 염기성 화합물로서 인식되고 있는 화합물로서, 그 사용에 의해 원하는 효과가 얻어지는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.The basic compound (C) is not particularly limited as long as it is a compound generally recognized as a basic compound and a desired effect is obtained by its use.

염기성 화합물 (C) 로는, 전형적으로는, 물 중에 있어서 7.5 이상의 pKa 값을 나타내는 화합물이 바람직하다. 복수의 pKa 를 나타내는 화합물에 있어서, 모든 pKa 값이 7.5 이상일 필요는 없고, 모든 pKa 값이 7.5 이상인 것이 바람직하다.As the basic compound (C), typically, a compound exhibiting a pKa value of 7.5 or more in water is preferable. In the compound showing a plurality of pKa, it is not necessary that all pKa values are 7.5 or more, and it is preferable that all pKa values are 7.5 or more.

pKa 의 값은, 케미컬·업스트랙 등의 데이터베이스에 기초한 검색 서비스로서 알려진 SciFinder (등록상표) 에 의해 용이하게 검색할 수 있다. 여기서는, Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V11.02 (Copyright 1994-2011 ACD/Labs) 에 의해 산출된 pKa 값을 채용하였다.The value of pKa can be easily searched by SciFinder (registered trademark) known as a search service based on a database such as Chemical Uptrack. Here, the pKa value calculated by Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V11.02 (Copyright 1994-2011 ACD/Labs) was adopted.

염기성 화합물 (C) 은, 염기성 유기 화합물이어도 되고, 염기성 무기 화합물이어도 된다. 이미드화의 공정이나, 유기 미립자 (B) 를 제거하는 공정에서, 폴리이미드 다공질막으로부터 제거되기 쉽고, 폴리이미드 다공질막의 제품에 대한 악영향이 적은 점에서, 염기성 화합물 (C) 로는 염기성 유기 화합물이 바람직하다.The basic compound (C) may be a basic organic compound or a basic inorganic compound. In the step of imidation or the step of removing organic fine particles (B), a basic organic compound is preferable as the basic compound (C) because it is easily removed from the porous polyimide film and has little adverse effect on the product of the porous polyimide film. Do.

염기성 유기 화합물로는, 함질소 염기성 유기 화합물이 바람직하다. 함질소 염기성 유기 화합물은, 방향족 고리를 포함하지 않는 지방족 화합물이어도 되고, 방향족 고리를 포함하는 방향족 화합물이어도 되고, 폴리이미드 다공질막에 잔존하기 어려운 점이나, 양호한 염기성을 나타내는 점에서, 지방족 화합물인 것이 바람직하다.As the basic organic compound, a nitrogen-containing basic organic compound is preferable. The nitrogen-containing basic organic compound may be an aliphatic compound that does not contain an aromatic ring, or may be an aromatic compound containing an aromatic ring, and it is difficult to remain in the polyimide porous film or exhibits good basicity. desirable.

함질소 염기성 유기 화합물로서, 제 1 급 질소 원자, 제 2 급 질소 원자, 또는 제 3 급 질소 원자를 적어도 1 개 포함하는 화합물이 바람직하다. 함질소 염기성 유기 화합물은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, O, S, P, Si, 할로겐 원자 등의 헤테로 원자를 가지고 있어도 된다.As the nitrogen-containing basic organic compound, a compound containing at least one primary nitrogen atom, a secondary nitrogen atom, or a tertiary nitrogen atom is preferable. The nitrogen-containing basic organic compound may have a hetero atom such as O, S, P, Si, or a halogen atom within a range that does not impair the object of the present invention.

함질소 염기성 유기 화합물의 바람직한 예로는, 알킬아민류, 하이드록시알킬아민류, 피페리딘류, 피페라진류, 모르폴린류, 피롤리딘류, 그리고 구아니딘 및 구아니딘염류를 들 수 있다.Preferred examples of the nitrogen-containing basic organic compound include alkylamines, hydroxyalkylamines, piperidines, piperazines, morpholines, pyrrolidines, and guanidine and guanidine salts.

알킬아민류는, 질소 원자에, 적어도 1 개의 지방족 탄화수소기가 결합한 아민 화합물이다. 지방족 탄화수소기로는, 직사슬 알킬기, 분기 사슬 알킬기, 직사슬 알킬렌기, 분기 사슬 알킬렌기, 시클로알킬기, 및 시클로알칸디일기를 들 수 있다. 알킬아민류는, 1 분자 중에, 2 이상의 질소 원자를 포함하고 있어도 된다. 알킬아민류가 1 분자 중에 포함하는 질소 원자의 수는, 1 이상 4 이하가 바람직하다. 알킬아민류가 질소 원자 상에 갖는 알킬기의 탄소 원자수는, 1 이상 6 이하가 바람직하고, 1 이상 4 이하가 보다 바람직하다.Alkylamines are amine compounds in which at least one aliphatic hydrocarbon group is bonded to a nitrogen atom. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear alkyl group, a branched chain alkyl group, a linear alkylene group, a branched chain alkylene group, a cycloalkyl group, and a cycloalkanediyl group. Alkylamines may contain two or more nitrogen atoms in one molecule. The number of nitrogen atoms contained in one molecule of the alkylamines is preferably 1 or more and 4 or less. The number of carbon atoms in the alkyl group that the alkylamines have on the nitrogen atom is preferably 1 or more and 6 or less, and more preferably 1 or more and 4 or less.

알킬아민류의 구체예로는, 트리메틸아민, 디에틸아민, 디메틸에틸아민, 디에틸메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리-n-부틸아민, N-n-프로필에틸아민, N-n-부틸에틸아민, 에틸렌디아민, N-메틸에틸렌디아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N'-디메틸에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, N-에틸에틸렌디아민, N,N-디에틸에틸렌디아민, N,N'-디에틸에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라에틸에틸렌디아민, 1,3-프로판디아민, 디에틸렌트리아민, 및 트리에틸렌테트라민 등을 들 수 있다.Specific examples of alkylamines include trimethylamine, diethylamine, dimethylethylamine, diethylmethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, triisopropylamine, tri-n-butylamine, and Nn-propyl Ethylamine, Nn-butylethylamine, ethylenediamine, N-methylethylenediamine, N,N-dimethylethylenediamine, N,N'-dimethylethylenediamine, N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine, N-ethylethylenediamine, N,N-diethylethylenediamine, N,N'-diethylethylenediamine, N,N,N',N'-tetraethylethylenediamine, 1,3-propanediamine, diethylenetri Amine, triethylenetetramine, etc. are mentioned.

하이드록시알킬아민류는, 전술한 알킬아민류에 있어서 지방족 탄화수소기로 1 이상의 수산기가 치환한 화합물이다. 하이드록시알킬아민류의 구체예로는, 에탄올아민, 디에탄올아민, 및 트리에탄올아민 등을 들 수 있다.Hydroxyalkylamines are compounds in which at least one hydroxyl group is substituted with an aliphatic hydrocarbon group in the aforementioned alkylamines. As a specific example of hydroxyalkylamines, ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, etc. are mentioned.

피페리딘류로는, 무치환의 피페리딘, 또는 N-알킬 치환 피페리딘이 바람직하다. N-알킬 치환 피페리딘에 있어서, 질소 원자 상에 결합한 알킬기의 탄소 원자수는 1 이상 6 이하가 바람직하고, 1 이상 3 이하가 보다 바람직하다. 피페리딘류의 구체예로는, 피페리딘, N-메틸피페리딘, 및 N-에틸피페리딘 등을 들 수 있다.As piperidines, unsubstituted piperidine or N-alkyl substituted piperidine is preferable. In the N-alkyl substituted piperidine, the number of carbon atoms of the alkyl group bonded on the nitrogen atom is preferably 1 or more and 6 or less, and more preferably 1 or more and 3 or less. Specific examples of piperidines include piperidine, N-methylpiperidine, and N-ethylpiperidine.

피페라진류로는, 무치환의 피페라진, N-알킬기 치환 피페라진, 또는 N,N'-디알킬 치환 피페라진이 바람직하다. N-알킬 치환 피페라진, 및 N,N'-디알킬 치환 피페라진에 있어서, 질소 원자 상에 결합한 알킬기의 탄소 원자수는 1 이상 6 이하가 바람직하고, 1 이상 3 이하가 보다 바람직하다. 피페라진류의 구체예로는, 피페라진, N-메틸피페라진, N-에틸피페라진, N,N'-디메틸피페라진, 및 N,N'-디에틸피페라진 등을 들 수 있다.As piperazines, unsubstituted piperazine, N-alkyl group substituted piperazine, or N,N'-dialkyl substituted piperazine is preferable. In the N-alkyl substituted piperazine and the N,N'-dialkyl substituted piperazine, the number of carbon atoms of the alkyl group bonded on the nitrogen atom is preferably 1 or more and 6 or less, and more preferably 1 or more and 3 or less. Specific examples of piperazines include piperazine, N-methyl piperazine, N-ethyl piperazine, N,N'-dimethyl piperazine, and N,N'-diethyl piperazine.

모르폴린류로는, 무치환의 모르폴린, 또는 N-알킬 치환 모르폴린이 바람직하다. N-알킬 치환 모르폴린에 있어서, 질소 원자 상에 결합한 알킬기의 탄소 원자수는 1 이상 6 이하가 바람직하고, 1 이상 3 이하가 보다 바람직하다. 모르폴린류의 구체예로는, 모르폴린, N-메틸모르폴린, 및 N-에틸모르폴린 등을 들 수 있다.As morpholines, unsubstituted morpholine or N-alkyl substituted morpholine is preferable. In the N-alkyl substituted morpholine, the number of carbon atoms of the alkyl group bonded on the nitrogen atom is preferably 1 or more and 6 or less, and more preferably 1 or more and 3 or less. Specific examples of morpholines include morpholine, N-methylmorpholine, and N-ethylmorpholine.

피롤리딘류로는, 무치환의 피롤리딘, 또는 N-알킬 치환 피롤리딘이 바람직하다. N-알킬 치환 피롤리딘에 있어서, 질소 원자 상에 결합한 알킬기의 탄소 원자수는 1 이상 6 이하가 바람직하고, 1 이상 3 이하가 보다 바람직하다. 피롤리딘류의 구체예로는, 피롤리딘, N-메틸피롤리딘, 및 N-에틸피롤리딘 등을 들 수 있다.As the pyrrolidines, unsubstituted pyrrolidine or N-alkyl substituted pyrrolidine is preferable. In the N-alkyl substituted pyrrolidine, the number of carbon atoms in the alkyl group bonded on the nitrogen atom is preferably 1 or more and 6 or less, and more preferably 1 or more and 3 or less. Specific examples of pyrrolidines include pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, and N-ethylpyrrolidine.

구아니딘 및 구아니딘염류로는, 구아니딘, 및 구아니딘과 약산의 염을 들 수 있다. 구아니딘 및 구아니딘염류의 구체예로는, 구아니딘, 탄산구아니딘, 옥살산구아니딘, 및 아세트산구아니딘 등을 들 수 있다.Examples of guanidine and guanidine salts include guanidine and salts of guanidine and weak acids. Specific examples of guanidine and guanidine salts include guanidine, guanidine carbonate, guanidine oxalate, and guanidine acetate.

염기성 무기 화합물로는, 알칼리 금속 수산화물, 및 알칼리 금속과 약산의 염이 바람직하다. 알칼리 금속으로는, Na, K, 및 Li 가 바람직하고, Na, 및 K 가 보다 바람직하다. 약산으로는 탄산, 옥살산, 인산, 및 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 지방족 카르복실산이 바람직하다. 이들 중에서는, 탄산, 옥살산, 아세트산, 및 인산이 특히 바람직하다.As the basic inorganic compound, an alkali metal hydroxide and a salt of an alkali metal and a weak acid are preferable. As the alkali metal, Na, K, and Li are preferable, and Na, and K are more preferable. As the weak acid, carbonic acid, oxalic acid, phosphoric acid, and aliphatic carboxylic acids having 1 to 4 carbon atoms are preferable. Among these, carbonic acid, oxalic acid, acetic acid, and phosphoric acid are particularly preferred.

염기성 무기 화합물의 구체예로는, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 수산화칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 옥살산나트륨, 옥살산칼륨, 아세트산나트륨, 인산나트륨, 인산칼륨, 인산수소이나트륨, 인산수소이칼륨 등을 들 수 있다.Specific examples of the basic inorganic compound include sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydroxide, potassium carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium oxalate, potassium oxalate, sodium acetate, sodium phosphate, potassium phosphate, disodium hydrogen phosphate, and dipotassium hydrogen phosphate. And the like.

바니시 조성물의 조제에 사용되는 염기성 화합물 (C) 의 함유량은, 원하는 효과가 얻어지는 한 특별히 한정되지 않는다.The content of the basic compound (C) used for preparing the varnish composition is not particularly limited as long as a desired effect is obtained.

염기성 화합물 (C) 의 사용량은, 폴리아믹산 (A) 의 질량에 대하여 1 질량% 이상이 바람직하고, 3 질량% 이상이 보다 바람직하고, 5 질량% 이상이 더욱 바람직하다. 염기성 화합물 (C) 의 사용량의 상한은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 바니시 조성물의 조제가 용이한 점에서, 염기성 화합물 (C) 의 사용량의 상한은, 폴리아믹산 (A) 의 질량에 대하여 30 질량% 이하가 바람직하고, 20 질량% 이하가 보다 바람직하고, 10 질량% 이하가 더욱 바람직하다.The amount of the basic compound (C) to be used is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, and still more preferably 5% by mass or more with respect to the mass of the polyamic acid (A). The upper limit of the amount of the basic compound (C) used is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. From the point of easy preparation of the varnish composition, the upper limit of the use amount of the basic compound (C) is preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and 10% by mass with respect to the mass of the polyamic acid (A). The following are more preferable.

<용매 (S)><Solvent (S)>

바니시 조성물은, 용매 (S) 를 포함한다. 용매 (S) 는, 유기 용매 (S-I) 와 물 (S-II) 을 포함한다. 용매 (S) 의 질량에 대한, 물 (S-II) 의 질량의 비율은 50 질량% 미만이다.The varnish composition contains a solvent (S). The solvent (S) contains an organic solvent (S-I) and water (S-II). The ratio of the mass of water (S-II) to the mass of the solvent (S) is less than 50% by mass.

용매 (S) 의 질량에 대한, 물 (S-II) 의 질량의 비율의 상한은, 45 질량% 이하여도 되고, 40 질량% 이하여도 되고, 35 질량% 이하여도 되고, 30 질량% 이하여도 된다.The upper limit of the ratio of the mass of water (S-II) to the mass of the solvent (S) may be 45 mass% or less, 40 mass% or less, 35 mass% or less, or 30 mass% or less. .

용매 (S) 의 질량에 대한, 물 (S-II) 의 질량의 비율의 하한은, 0 질량% 초과여도 되고, 5 질량% 이상이어도 되고, 10 질량% 이상이어도 되고, 15 질량% 이상이어도 되고, 20 질량% 이상이어도 된다.The lower limit of the ratio of the mass of water (S-II) to the mass of the solvent (S) may be more than 0% by mass, 5% by mass or more, 10% by mass or more, or 15% by mass or more. , 20 mass% or more may be sufficient.

유기 용매 (S-I) 의 종류는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 특별히 한정되지 않는다. 유기 용매 (S-I) 는, 통상, 카르복시기, 술폰산기, 인산기 등의 염기성 화합물 (C) 과 반응할 수 있는 기를 가지지 않는 화합물이다. 또, 유기 용매 (S-I) 는, 염기성을 나타내고 있어도 되지만, 폴리아믹산 (A) 의 가수 분해를 피하는 관점에서, 물 중에 있어서 중성, 또는 약염기성을 나타내는 화합물인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 유기 용매 (S-I) 는, 카르복시기, 술폰산기, 인산기 등의 염기성 화합물 (C) 과 반응할 수 있는 기를 가지지 않으며, 또한 물 중에 있어서 7.5 미만의 pKa 값을 나타내는 화합물인 것이 바람직하다.The kind of organic solvent (S-I) is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. The organic solvent (S-I) is usually a compound which does not have a group capable of reacting with a basic compound (C) such as a carboxyl group, a sulfonic acid group, and a phosphoric acid group. Moreover, although the organic solvent (S-I) may exhibit basicity, from the viewpoint of avoiding hydrolysis of the polyamic acid (A), it is preferable that it is a compound exhibiting neutral or weak basicity in water. More specifically, the organic solvent (SI) does not have a group capable of reacting with a basic compound (C) such as a carboxyl group, a sulfonic acid group, and a phosphoric acid group, and is preferably a compound showing a pKa value of less than 7.5 in water. .

바람직한 유기 용매 (S-I) 의 예로는, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), N,N-디메틸아세트아미드 (DMAc), N,N-디메틸이소부틸아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 (DMF), N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 (DMI), 피리딘, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아 (TMU) 등의 함질소 극성 용제 ; β-프로피오락톤, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, 및 ε-카프로락톤 등의 락톤계 극성 용제 ; 디메틸술폭시드 ; 헥사메틸포스포릭트리아미드 ; 아세토니트릴 ; 락트산에틸, 및 락트산부틸 등의 지방산에스테르류 ; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디옥산, 테트라하이드로푸란, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 글라임, 및 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르(테트라글라임) 등의 에테르류 ; 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족계 용매를 들 수 있다.Examples of preferred organic solvents (SI) include N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N,N-dimethylisobutylamide, N,N-diethylacet. Amide, N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI), pyridine, and N,N Nitrogen-containing polar solvents such as ,N',N'-tetramethylurea (TMU); lactone-based polar solvents such as β-propiolactone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, and ε-caprolactone; Dimethyl sulfoxide; Hexamethylphosphoric triamide; Acetonitrile; Fatty acid esters such as ethyl lactate and butyl lactate; Ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dioxane, tetrahydrofuran, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, glyme, and tetraethylene glycol dimethyl ether (tetraglyme) ; And aromatic solvents such as benzene, toluene, and xylene.

바니시 조성물의 용해 안정성 또는 분산 안정성이나, 도포막으로부터의 용매 (S) 의 제거가 용이한 점에서, 유기 용매 (S-I) 가, 하기 식 (S1) :From the viewpoint of dissolution stability or dispersion stability of the varnish composition or the easy removal of the solvent (S) from the coating film, the organic solvent (S-I) is represented by the following formula (S1):

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 (S1) 중, RS1 및 RS2 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 이상 3 이하의 알킬기이고, RS3 은, 수소 원자, 또는 하기 식 (S1-1) 혹은 하기 식 (S1-2) :(In formula (S1), R S1 and R S2 are each independently an alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms, and R S3 is a hydrogen atom, or the following formula (S1-1) or the following formula (S1-2) ):

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

로 나타내는 기이고, RS4 는, 수소 원자 또는 수산기이고, RS5 및 RS6 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 1 이상 3 이하의 알킬기이고, RS7 및 RS8 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 이상 3 이하의 알킬기이다.)Is a group represented by, R S4 is a hydrogen atom or a hydroxyl group, R S5 and R S6 are each independently a hydrogen atom and an alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms, and R S7 and R S8 are each independently It is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms.)

로 나타내는 함질소 유기 용매를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to contain a nitrogen-containing organic solvent represented by.

식 (S1) 로 나타내는 화합물 중, RS3 이 식 (S1-1) 로 나타내는 기인 경우의 구체예로는, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, N-에틸,N,2-디메틸프로피온아미드, N,N-디에틸-2-메틸프로피온아미드, N,N,2-트리메틸-2-하이드록시프로피온아미드, N-에틸-N,2-디메틸-2-하이드록시프로피온아미드, 및 N,N-디에틸-2-하이드록시-2-메틸프로피온아미드 등을 들 수 있다.In the compound represented by formula (S1), as a specific example in the case where R S3 is a group represented by formula (S1-1), N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N,2- Trimethylpropionamide, N-ethyl,N,2-dimethylpropionamide, N,N-diethyl-2-methylpropionamide, N,N,2-trimethyl-2-hydroxypropionamide, N-ethyl-N, 2-dimethyl-2-hydroxypropionamide, and N,N-diethyl-2-hydroxy-2-methylpropionamide, and the like.

식 (S1) 로 나타내는 화합물 중, RS3 이 식 (S1-2) 로 나타내는 기인 경우의 구체예로는, N,N,N',N'-테트라메틸우레아, N,N,N',N'-테트라에틸우레아 등을 들 수 있다.In the compound represented by formula (S1), as a specific example in the case where R S3 is a group represented by formula (S1-2), N,N,N',N'-tetramethylurea, N,N,N',N '-Tetraethylurea, etc. are mentioned.

식 (S1) 로 나타내는 화합물의 예 중, 특히 바람직한 화합물로는, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아를 들 수 있다. 이들 중에서는, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아가 바람직하다. N,N,2-트리메틸프로피온아미드의 대기압하에서의 비점은 175 ℃ 이고, N,N,N',N'-테트라메틸우레아의 대기압하에서의 비점은 177 ℃ 이다. 이와 같이, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아는, 유기 용매 (S-I) 중에서는 비교적 비점이 낮다.Among the examples of the compound represented by formula (S1), particularly preferred compounds include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N,2-trimethylpropionamide, and N,N,N' And N'-tetramethylurea. Among these, N,N,2-trimethylpropionamide and N,N,N',N'-tetramethylurea are preferred. The boiling point of N,N,2-trimethylpropionamide under atmospheric pressure is 175°C, and the boiling point of N,N,N',N'-tetramethylurea under atmospheric pressure is 177°C. Thus, N,N,2-trimethylpropionamide and N,N,N',N'-tetramethylurea have relatively low boiling points in the organic solvent (S-I).

이 때문에, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아로부터 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 용매 (S) 를 함유하는 바니시 조성물을 사용하면, 폴리이미드 다공질막의 전구막을 형성할 때의 가열에 있어서, 전구막 중에 용제가 잔존하기 어렵고, 얻어지는 폴리이미드막의 인장 신도의 저하 등을 초래하기 어렵다.For this reason, when a varnish composition containing a solvent (S) containing at least one selected from N,N,2-trimethylpropionamide and N,N,N',N'-tetramethylurea is used, In heating when forming the precursor film of the mid-porous membrane, the solvent is difficult to remain in the precursor film, and it is difficult to cause a decrease in tensile elongation of the resulting polyimide film.

또한, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아는, EU (유럽연합) 에서의 REACH 규칙에 있어서, 유해성이 염려되는 물질인 SVHC (Substance of Very High Concern, 고염려 물질) 로 지정되어 있지 않듯이, 유해성이 낮은 물질인 점에서도 유용하다.In addition, N,N,2-trimethylpropionamide, and N,N,N',N'-tetramethylurea are substances of concern for harmfulness in the REACH regulation in the EU (European Union), SVHC (Substance of Very High Concern), it is also useful in that it is a low-hazardous substance.

유기 용매 (S-I) 중의, 식 (S1) 로 나타내는 함질소 유기 용매의 함유량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 유기 용매 (S-I) 의 질량에 대한 식 (S1) 로 나타내는 함질소 유기 용매의 질량의 비율은, 전형적으로는, 70 질량% 이상이 바람직하고, 80 질량% 이상이 보다 바람직하고, 90 질량% 이상이 특히 바람직하고, 100 질량% 인 것이 가장 바람직하다.The content of the nitrogen-containing organic solvent represented by formula (S1) in the organic solvent (S-I) is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired. The ratio of the mass of the nitrogen-containing organic solvent represented by the formula (S1) to the mass of the organic solvent (SI) is typically 70 mass% or more, more preferably 80 mass% or more, and 90 mass% or more. This is particularly preferable, and it is most preferable that it is 100 mass %.

또, 유기 용매 (S-I) 로서 설명한 상기의 용매 중에서도, 폴리아믹산과의 상용성이 양호하며 또한 물과 공비하는 용매가 바람직하다. 이와 같은 용매로는, N,N-디메틸아세트아미드, NMP, γ-부티로락톤, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르(테트라글라임) 을 들 수 있다. 유기 용매 (S-I) 가 물과 공비하는 경우, 바니시 조성물로 이루어지는 도포막으로부터의 용매 (S) 의 제거가 용이하다.Moreover, among the above-described solvents described as the organic solvent (S-I), a solvent having good compatibility with a polyamic acid and azeotropic with water is preferable. Examples of such a solvent include N,N-dimethylacetamide, NMP, γ-butyrolactone, and tetraethylene glycol dimethyl ether (tetraglyme). When the organic solvent (S-I) is azeotroped with water, removal of the solvent (S) from the coating film made of the varnish composition is easy.

또, 유기 용매 (S-I) 로서 설명한 상기의 용매 중에서도, 폴리아믹산과 미립자의 분산성이 양호한 점에서, NMP 가 바람직하다.Further, among the above-described solvents described as the organic solvent (S-I), NMP is preferable from the viewpoint of good dispersibility of the polyamic acid and the fine particles.

바니시 조성물 중의 용매 (S) 의 함유량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 바니시 조성물 중의 용매 (S) 의 함유량은, 바니시 조성물의 고형분 함유량에 따라 적절히 조정된다.The content of the solvent (S) in the varnish composition is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired. The content of the solvent (S) in the varnish composition is appropriately adjusted according to the solid content of the varnish composition.

<분산제><Dispersant>

바니시 조성물 중의 유기 미립자 (B) 를 균일하게 분산시키는 것을 목적으로, 유기 미립자 (B) 와 함께 추가로 분산제를 첨가해도 된다. 분산제를 첨가함으로써, 폴리아믹산 (A) 과 유기 미립자 (B) 를 한층 더 균일하게 혼합할 수 있고, 나아가서는, 성막한 막 중의 유기 미립자 (B) 를 균일하게 분포시킬 수 있다. 그 결과, 최종적으로 얻어지는 폴리이미드 다공질막의 표면에 조밀한 개구를 형성하며, 또한, 표리면을 효율적으로 연통시키는 것이 가능해지고, 폴리이미드 다공질막의 투기도가 향상된다. 또한, 분산제를 첨가함으로써, 바니시 조성물의 건조성이 향상되기 쉬워지고, 또, 형성된 폴리이미드 다공질막의 전구막의 기판 등으로부터의 박리성이 향상되기 쉽다.For the purpose of uniformly dispersing the organic fine particles (B) in the varnish composition, a dispersing agent may be further added together with the organic fine particles (B). By adding a dispersant, the polyamic acid (A) and the organic fine particles (B) can be further uniformly mixed, and further, the organic fine particles (B) in the formed film can be uniformly distributed. As a result, a dense opening is formed in the surface of the finally obtained porous polyimide film, it is possible to efficiently communicate the front and back surfaces, and the air permeability of the porous polyimide film is improved. Further, by adding a dispersant, the drying property of the varnish composition is easily improved, and the peelability of the precursor film of the formed polyimide porous film from the substrate or the like is easily improved.

분산제는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 분산제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 야자지방산염, 피마자황산화유염, 라우릴술페이트염, 폴리옥시알킬렌알릴페닐에테르술페이트염, 알킬벤젠술폰산, 알킬벤젠술폰산염, 알킬디페닐에테르디술폰산염, 알킬나프탈렌술폰산염, 디알킬술포숙시네이트염, 이소프로필포스페이트, 폴리옥시에틸렌알킬에테르포스페이트염, 폴리옥시에틸렌알릴페닐에테르포스페이트염 등의 아니온 계면 활성제 ; 올레일아민아세트산염, 라우릴피리디늄클로라이드, 세틸피리디늄클로라이드, 라우릴트리메틸암모늄클로라이드, 스테아릴트리메틸암모늄클로라이드, 베헤닐트리메틸암모늄클로라이드, 디데실디메틸암모늄클로라이드 등의 카티온 계면 활성제 ; 야자알킬디메틸아민옥사이드, 지방산아미드프로필디메틸아민옥사이드, 알킬폴리아미노에틸글리신염산염, 아미드베타인형 활성제, 알라닌형 활성제, 라우릴이미노디프로피온산 등의 양쪽성 계면 활성제 ; 폴리옥시에틸렌옥틸에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴아민, 폴리옥시에틸렌올레일아민, 폴리옥시에틸렌폴리스티릴페닐에테르, 폴리옥시알킬렌폴리스티릴페닐에테르 등, 폴리옥시알킬렌 1 급 알킬에테르 또는 폴리옥시알킬렌 2 급 알킬에테르의 논이온 계면 활성제, 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌라우레이트, 폴리옥시에틸렌화피마자유, 폴리옥시에틸렌화경화피마자유, 소르비탄라우르산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄라우르산에스테르, 지방산디에탄올아미드 등의 그 밖의 폴리옥시알킬렌계의 논이온 계면 활성제 ; 옥틸스테아레이트, 트리메틸올프로판트리데카노에이트 등의 지방산알킬에스테르 ; 폴리옥시알킬렌부틸에테르, 폴리옥시알킬렌올레일에테르, 트리메틸올프로판트리스(폴리옥시알킬렌)에테르 등의 폴리에테르폴리올을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 상기 분산제는, 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.The dispersant is not particularly limited, and a known dispersant can be used. For example, palm fatty acid salt, castor sulfuric acid salt, lauryl sulfate salt, polyoxyalkylene allylphenyl ether sulfate salt, alkylbenzenesulfonic acid, alkylbenzenesulfonate, alkyldiphenyletherdisulfonate, alkylnaphthalenesulfonic acid Anionic surfactants such as salts, dialkyl sulfosuccinate salts, isopropyl phosphate, polyoxyethylene alkyl ether phosphate salts, and polyoxyethylene allyl phenyl ether phosphate salts; Cationic surfactants, such as oleylamine acetate, lauryl pyridinium chloride, cetyl pyridinium chloride, lauryl trimethyl ammonium chloride, stearyl trimethyl ammonium chloride, behenyl trimethyl ammonium chloride, and didecyl dimethyl ammonium chloride; Amphoteric surfactants such as palm alkyl dimethyl amine oxide, fatty acid amide propyl dimethyl amine oxide, alkyl polyaminoethyl glycine hydrochloride, amide betaine type activator, alanine type activator, and lauryl iminodipropionic acid; Polyoxyethylene octyl ether, polyoxyethylene decyl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene laurylamine, polyoxyethylene oleylamine, polyoxyethylene polytyrylphenyl ether, polyoxyalkylene polytyrylphenyl ether, etc. , Polyoxyalkylene primary alkyl ether or polyoxyalkylene secondary alkyl ether nonionic surfactant, polyoxyethylene dilaurate, polyoxyethylene laurate, polyoxyethylenated castor oil, polyoxyethylene hardened castor Other polyoxyalkylene-based nonionic surfactants such as free, sorbitan lauric acid ester, polyoxyethylene sorbitan lauric acid ester, and fatty acid diethanolamide; Fatty acid alkyl esters such as octyl stearate and trimethylolpropane tridecanoate; Polyether polyols, such as polyoxyalkylene butyl ether, polyoxyalkylene oleyl ether, and trimethylolpropane tris (polyoxyalkylene) ether, are mentioned, but are not limited to these. Further, the dispersant may be used in combination of two or more.

바니시 조성물에 있어서의 분산제의 함유량은, 예를 들어, 성막성의 면에서, 상기 유기 미립자 (B) 에 대하여 0.01 질량% 이상 5 질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.05 질량% 이상 1 질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1 질량% 이상 0.5 질량% 이하인 것이 더욱더 바람직하다.The content of the dispersant in the varnish composition is preferably 0.01% by mass or more and 5% by mass or less, and more preferably 0.05% by mass or more and 1% by mass or less with respect to the organic fine particles (B) from the viewpoint of film-forming properties. And it is even more preferable that it is 0.1 mass% or more and 0.5 mass% or less.

이상 설명한, 필수 또는 임의의 성분을, 바니시 조성물의 도포성이나, 제조되는 폴리이미드 다공질막의 여러 가지 특성을 감안하여 미리 정해진 조성에 따라, 이상 설명한 필수 또는 임의의 성분을 혼합함으로써, 바니시 조성물이 제조된다.Varnish composition is prepared by mixing the essential or optional components described above according to a predetermined composition in consideration of the applicability of the varnish composition or various properties of the polyimide porous membrane to be produced. do.

≪바니시 조성물의 제조 방법≫≪Method for producing varnish composition≫

바니시 조성물의 제조 방법은, 전술한 여러 가지 성분을, 각각 소정량 혼합함으로써 제조된다.The manufacturing method of the varnish composition is manufactured by mixing the various components mentioned above in predetermined amounts, respectively.

바니시 조성물의 제조 방법으로서 바람직한 방법으로는,As a preferred method for producing a varnish composition,

폴리아믹산 (A) 및 유기 용매 (S-I) 를 포함하는 폴리아믹산 함유액과, 유기 미립자 (B) 를 포함하는 미립자 분산액을, 염기성 화합물 (C) 의 존재하에 혼합하거나, 또는,The polyamic acid-containing liquid containing the polyamic acid (A) and the organic solvent (S-I) and the fine particle dispersion containing the organic fine particles (B) are mixed in the presence of a basic compound (C), or,

전술한 폴리아믹산 함유액과, 전술한 미립자 분산액을 혼합하여 혼합액을 얻은 후에, 당해 혼합액에 염기성 화합물 (C) 을 첨가하는 방법을 들 수 있다.A method of adding a basic compound (C) to the mixed solution after obtaining a mixed solution by mixing the above-described polyamic acid-containing liquid and the above-described fine particle dispersion is mentioned.

폴리아믹산 함유액에 대하여, 폴리아믹산 (A), 및 유기 용매 (S-I) 는 전술한 바와 같다. 폴리아믹산 함유액은, 주지된 방법으로 제조된 폴리아믹산 (A) 을 유기 용매 (S-I) 에 용해시켜 조제되어도 되고, 유기 용매 (S-I) 중에서 폴리아믹산 (A) 을 합성함으로써 조제되어도 된다.With respect to the polyamic acid-containing liquid, the polyamic acid (A) and the organic solvent (S-I) are as described above. The polyamic acid-containing liquid may be prepared by dissolving the polyamic acid (A) produced by a known method in an organic solvent (S-I), or may be prepared by synthesizing the polyamic acid (A) in an organic solvent (S-I).

폴리아믹산 함유액은, 물 (S-II) 을 포함하고 있어도 된다. 또, 폴리아믹산 함유액은, 폴리아믹산 (A), 유기 용매 (S-I), 및 물 (S-II) 이외의 임의 성분을 포함하고 있어도 된다.The polyamic acid-containing liquid may contain water (S-II). Moreover, the polyamic acid-containing liquid may contain arbitrary components other than polyamic acid (A), organic solvent (S-I), and water (S-II).

미립자 분산액에 대하여, 유기 미립자 (B) 는 전술한 바와 같다. 미립자 분산액에 포함되는 분산매는, 유기 용매 (S-I) 여도 되고, 물 (S-II) 이어도 되고, 유기 용매 (S-I) 와 물 (S-II) 을 포함하는 수용액이어도 된다. 입수가 용이하고 저렴한 점에서, 미립자 분산액은, 물 (S-II) 중에 유기 미립자 (B) 가 분산된 분산액인 것이 바람직하다.With respect to the fine particle dispersion, the organic fine particles (B) are as described above. The dispersion medium contained in the microparticle dispersion liquid may be an organic solvent (S-I), water (S-II), or an aqueous solution containing an organic solvent (S-I) and water (S-II). From the viewpoint of being easily available and inexpensive, the fine particle dispersion is preferably a dispersion in which organic fine particles (B) are dispersed in water (S-II).

또한, 바니시 조성물이 물 (S-II) 을 포함하기 때문에, 폴리아믹산 함유액과 미립자 분산액의 적어도 일방은 물 (S-II) 을 포함한다.Further, since the varnish composition contains water (S-II), at least one of the polyamic acid-containing liquid and the fine particle dispersion contains water (S-II).

상기의 폴리아믹산 함유액과 미립자 분산액을, 염기성 화합물 (C) 의 존재하에 혼합하는 경우, 폴리아믹산 함유액과 미립자 분산액의 적어도 일방에 염기성 화합물 (C) 을 첨가한 후에, 양자를 혼합하여 바니시 조성물이 조제된다.When the polyamic acid-containing liquid and the fine particle dispersion are mixed in the presence of the basic compound (C), after adding the basic compound (C) to at least one of the polyamic acid-containing liquid and the fine particle dispersion, both are mixed and the varnish composition Is prepared.

또, 폴리아믹산 함유액과, 미립자 분산액과, 염기성 화합물 (C) 을 동시에 혼합하여 바니시 조성물을 조제할 수도 있다. 이 경우, 염기성 화합물 (C) 은, 개체 또는 액체로서 그대로 사용되어도 되고, 유기 용매 (S-I) 나 물 (S-II) 에 용해된 용액으로서 사용되어도 된다.Further, a varnish composition can also be prepared by simultaneously mixing the polyamic acid-containing liquid, the fine particle dispersion, and the basic compound (C). In this case, the basic compound (C) may be used as it is as an individual or a liquid, or as a solution dissolved in an organic solvent (S-I) or water (S-II).

또한, 전술한 바와 같이, 폴리아믹산 함유액과 미립자 분산액을 혼합하여 혼합액을 얻은 후에, 당해 혼합액에 염기성 화합물 (C) 을 첨가하는 것에 의해서도 바니시 조성물을 조제할 수 있다. 이 경우, 폴리아믹산 함유액과 미립자 분산액의 적어도 일방에, 염기성 화합물 (C) 의 일부를 미리 첨가해 두어도 된다.Further, as described above, after mixing the polyamic acid-containing liquid and the fine particle dispersion to obtain a mixed liquid, a varnish composition can also be prepared by adding a basic compound (C) to the mixed liquid. In this case, a part of the basic compound (C) may be added in advance to at least one of the polyamic acid-containing liquid and the fine particle dispersion.

상기의 방법에 있어서, 바니시 조성물을 구성하는 각종 재료를 혼합하는 경우, 폴리아믹산 (A) 이나 유기 미립자 (B) 의 과도한 분해나 변형이 생기지 않는 범위에 있어서, 가온된 조건에서 혼합을 실시해도 된다.In the above method, when mixing various materials constituting the varnish composition, mixing may be carried out under a heated condition in a range in which excessive decomposition or deformation of the polyamic acid (A) or organic fine particles (B) does not occur. .

또, 여러 가지 분산 장치를 사용하여, 유기 미립자 (B) 를 분산시키면서 바니시 조성물을 구성하는 각종 재료를 혼합해도 된다.Further, various materials constituting the varnish composition may be mixed while dispersing the organic fine particles (B) by using various dispersing devices.

≪폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법≫≪Method for producing a precursor film of a porous polyimide film≫

폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법은,The method for producing a precursor film of a porous polyimide film,

전술한 바니시 조성물을 기재 상에 도포하여 도포막을 형성하는, 도포막 형성 공정과,A coating film forming step of forming a coating film by applying the above-described varnish composition on a substrate,

도포막으로부터 용매 (S) 를 제거하고, 폴리이미드 다공질막의 전구막을 형성하는, 전구막 형성 공정을 포함한다.It includes a precursor film forming step of removing the solvent (S) from the coating film and forming a precursor film of the porous polyimide film.

이하, 폴리이미드 다공질막의 전구막 (이하, 간단히 「전구막」이라고도 기재한다.) 의 성막 방법에 대하여 설명한다. 전구막 형성 공정에 있어서는, 상기와 같이, 전술한 바니시 조성물을 사용하여 전구막을 성막한다. 그 때, 전구막은, 기재 상에 직접 성막되어도 되고, 기재 상에 형성된 상기 전구막과는 상이한 하층막 상에 성막되어도 된다. 또, 전술한 바니시 조성물을 사용하여 전구막을 성막한 후에, 추가로 상층에 상기 전구막과는 상이한 상층막을 성막해도 된다. 또한, 본 출원에 있어서, 기재 상에 하층막을 형성하는 방법도, 전술한 바니시를 사용하여 전구막을 성막한 후에, 추가로 상층에 상기 전구막과는 상이한 상층막을 성막하는 방법도, 기재 상에 전구막을 형성하는 방법에 포함시킨다. 단, 상층막에 소성 공정 불요의 재료를 사용하는 경우에는, 소성 후의 폴리이미드-미립자 복합막에 대하여, 상층막을 형성해도 된다.Hereinafter, a film-forming method of a precursor film of a porous polyimide film (hereinafter, also simply referred to as a "precursor film") will be described. In the precursor film formation step, as described above, a precursor film is formed using the varnish composition described above. In that case, the precursor film may be formed directly on the substrate, or may be formed on a lower layer film different from the precursor film formed on the substrate. Further, after forming a precursor film using the above-described varnish composition, an upper layer film different from the precursor film may be further formed on the upper layer. In addition, in the present application, the method of forming the lower layer film on the substrate is also a method of forming an upper layer film different from the precursor film on the upper layer after forming the precursor film using the above-described varnish. Included in the method of forming the film. However, in the case of using a material that does not require a firing step for the upper layer film, an upper layer film may be formed on the polyimide-fine particle composite film after firing.

전구막은, 예를 들어, 기재 상에 직접, 또는 기재 상에 형성된 상기 하층막 상에, 전술한 바니시 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상압 또는 진공하에서 0 ℃ 이상 100 ℃ 이하, 바람직하게는 상압에서 10 ℃ 이상 100 ℃ 이하에서 건조시킴으로써, 형성할 수 있다.The precursor film is, for example, directly on the substrate or on the underlayer film formed on the substrate, after applying the above-described varnish composition to form a coating film, and then under normal pressure or vacuum, 0°C or more and 100°C or less, preferably It can be formed by drying at 10°C or more and 100°C or less at normal pressure.

기재로는, 예를 들어, PET 필름, SUS 기판, 유리 기판 등을 들 수 있다.As a base material, a PET film, a SUS substrate, a glass substrate, etc. are mentioned, for example.

상기 하층막 (또는 상층막) 으로는, 예를 들어, 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 전구체, 폴리아미드이미드 및 폴리에테르술폰으로 이루어지는 수지와, 미립자와, 용제를 함유하고, 상기 미립자의 함유량이 상기 수지와 상기 미립자의 합계에 대하여 40 체적% 초과 81 체적% 이하인 하층막 (또는 상층막) 형성용 바니시를 사용하여 성막한 하층 (또는 상층) 미소성 복합막을 들 수 있다. 하층 미소성 복합막은, 기재 상에 형성되어도 된다. 상기 미립자의 함유량이 40 체적% 초과이면, 미립자가 균일하게 분산된다. 또, 상기 미립자의 함유량이 81 체적% 이하이면, 미립자끼리가 응집하는 경우도 없이 분산되기 때문에, 폴리이미드 다공질막에 있어서, 상기 하층막 (또는 상층막) 에서 유래하는 층에 구멍을 균일하게 형성할 수 있다. 또, 상기 미립자의 함유량이 상기 범위 내이면, 하층 미소성 복합막을 기판 상에 형성하는 경우, 상기 기재에 미리 이형층을 형성해 두지 않아도, 성막 후의 이형성을 확보하기 쉽다.As the lower layer film (or upper layer film), for example, a resin composed of polyamic acid, polyimide, polyamideimide precursor, polyamideimide and polyethersulfone, microparticles and a solvent are contained, and the content of the microparticles A lower layer (or upper layer) unfired composite film formed using a varnish for forming a lower layer film (or upper layer film) of more than 40% by volume and not more than 81% by volume with respect to the total of the resin and the fine particles is mentioned. The lower layer unfired composite film may be formed on the substrate. When the content of the fine particles is more than 40% by volume, the fine particles are uniformly dispersed. In addition, if the content of the fine particles is 81% by volume or less, the fine particles are dispersed evenly without aggregation of the fine particles. Therefore, in the polyimide porous film, pores are uniformly formed in the layer derived from the lower layer film (or upper layer film). can do. In addition, when the content of the fine particles is within the above range, when the lower unfired composite film is formed on a substrate, it is easy to ensure the releasability after film formation, even if a release layer is not previously formed on the substrate.

또한, 하층 (또는 상층) 막 형성용 바니시에 사용하는 미립자는, 전술한 바니시 조성물에 사용하는 유기 미립자 (B) 와, 동일해도 되고, 상이해도 된다. 하층 (또는 상층) 미소성 복합막에 있어서의 구멍을 보다 조밀하게 하려면, 하층 (또는 상층) 막 형성용 바니시에 사용하는 미립자는, 전술한 바니시 조성물에 사용하는 유기 미립자 (B) 보다 입경 분포 지수가 작거나 동일한 것이 바람직하다. 혹은, 하층 (또는 상층) 막 형성용 바니시에 사용하는 미립자는, 전술한 바니시 조성물에 사용하는 미립자보다 진구율이 작거나 동일한 것이 바람직하다.In addition, the fine particles used in the varnish for forming the lower layer (or upper layer) film may be the same as or different from the organic fine particles (B) used in the above-described varnish composition. In order to make the pores in the lower layer (or upper layer) unfired composite film more dense, the fine particles used for the varnish for forming the lower layer (or upper layer) film have a particle size distribution index than that of the organic fine particles (B) used in the aforementioned varnish composition. It is preferred that is less than or equal to. Alternatively, the fine particles used in the varnish for forming the lower layer (or upper layer) film preferably have a smaller or equal sphericity ratio than the fine particles used in the above-described varnish composition.

또, 하층 (또는 상층) 막 형성용 바니시에 사용하는 미립자의 평균 입경은, 5 ㎚ 이상 1000 ㎚ 이하가 바람직하고, 10 ㎚ 이상 600 ㎚ 이하가 보다 바람직하다.Further, the average particle diameter of the fine particles used in the varnish for forming the lower layer (or upper layer) film is preferably 5 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably 10 nm or more and 600 nm or less.

또, 하층 (또는 상층) 막 형성용 바니시에 있어서의 미립자의 함유량은, 전술한 바니시 조성물보다 많아도 되고 적어도 된다. 하층 (또는 상층) 막 형성용 바니시에 포함되는, 미립자, 및 용매 등의 성분의 바람직한 예는, 전술한 바니시 조성물과 동일하다. 하층 (또는 상층) 막 형성용 바니시는, 전술한 바니시 조성물과 동일한 방법에 의해 조제할 수 있다.In addition, the content of the fine particles in the varnish for forming the lower layer (or upper layer) film may be higher or lower than the varnish composition described above. Preferred examples of components such as fine particles and a solvent contained in the varnish for forming the lower layer (or upper layer) film are the same as those of the varnish composition described above. The varnish for forming a lower layer (or upper layer) film can be prepared by the same method as the varnish composition described above.

하층 미소성 복합막은, 예를 들어, 기재 상에, 상기 하층막 형성용 바니시를 도포하고, 상압 또는 진공하에서 0 ℃ 이상 100 ℃ 이하, 바람직하게는 상압에서 10 ℃ 이상 100 ℃ 이하에서 건조시킴으로써, 형성할 수 있다. 상층 미소성 복합막의 성막 조건도 동일하다.The lower-layer unfired composite film is, for example, coated on a substrate with the varnish for forming an under-layer film and dried at 0°C or more and 100°C or less, preferably 10°C or more and 100°C or less under normal pressure or vacuum, Can be formed. The film formation conditions of the upper unfired composite film are also the same.

또, 상기 하층 (또는 상층) 막으로는, 예를 들어, 셀룰로오스계 수지, 부직포 (예를 들어, 폴리이미드제 부직포 등 (섬유 직경은, 예를 들어, 약 50 ㎚ 이상 약 3000 ㎚ 이하이다.) 등의 섬유계 재료로 이루어지는 막이나, 폴리이미드 필름도 들 수 있다.In addition, as the lower layer (or upper layer) film, for example, a cellulose resin, a nonwoven fabric (for example, a nonwoven fabric made of polyimide, etc.) (the fiber diameter is, for example, about 50 nm or more and about 3000 nm or less. A film made of a fibrous material such as) and a polyimide film are also mentioned.

이상 설명한 방법에 의해, 기재 상에, 전구막이 단독으로, 또는, 필요에 따라, 하층 (또는 상층) 막과 함께 전구막이 형성된다.By the method described above, a precursor film alone or, if necessary, a precursor film together with a lower (or upper) film is formed on the substrate.

폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법은, 상기의 전구막 형성 공정 후에, 기재로부터 전구막을 박리시키는, 박리 공정을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the manufacturing method of the precursor film of a polyimide porous film includes a peeling process of peeling the precursor film from a base material after the said precursor film formation process.

기재로부터 전구막이 박리되는 경우, 기재에, 전구막을 소성하는 온도에 견딜 수 있는 내열성이 요구되지 않는다.When the precursor film is peeled from the substrate, the substrate is not required to have heat resistance that can withstand the temperature at which the precursor film is fired.

또한, 폴리이미드 다공질막의 전구막은, 신장되기 어렵고 취약한 경우가 많다. 그러나, 전술한 바니시 조성물로 이루어지는 도포막을 건조시켜 이루어지는 전구막은, JIS B7721 의 0.5 급에 따라서 측정되는 신도가, 0.5 % 이상이다. 이 때문에, 전술한 바니시 조성물로 이루어지는 도포막을 건조시켜 이루어지는 전구막은, 파손되지 않고 기재로부터 용이하게 박리 가능하다.Further, the precursor film of the porous polyimide film is difficult to extend and is often fragile. However, the precursor film formed by drying the coating film made of the above-described varnish composition has an elongation of 0.5% or more as measured according to the 0.5 grade of JIS B7721. For this reason, the precursor film formed by drying the coating film made of the above-described varnish composition can be easily peeled off from the substrate without being damaged.

전구막의 신도는, 1 % 이상이 바람직하고, 2 % 이상이 보다 바람직하다.The elongation of the precursor film is preferably 1% or more, and more preferably 2% or more.

전구막 또는 전구막과 하층 (또는 상층) 미소성 복합막의 적층막을 기재로부터 박리하는 경우, 막의 박리성을 더욱 높이기 위해, 미리 이형층을 형성한 기재를 사용할 수도 있다. 기재에 미리 이형층을 형성하는 경우에는, 전술한 바니시 조성물, 또는 하층막 형성용의 바니시를 도포하기 전에, 기재 상에 이형제를 도포하고 건조 혹은 베이킹을 실시한다. 여기서 사용되는 이형제는, 알킬인산암모늄염계, 불소계 또는 실리콘 등의 공지된 이형제가 특별히 제한 없이 사용 가능하다. 상기 건조시킨 전구막을 기재로부터 박리할 때, 전구막의 박리면에 약간이지만 이형제가 잔존하면, 잔존하는 이형제가 소성 중의 변색이나 전기 특성에 대한 악영향의 원인이 될 수 있다. 이 때문에, 박리면에 부착하는 이형제는, 최대한 제거되는 것이 바람직하다. 이형제를 제거하는 것을 목적으로 하여, 기재로부터 박리된 전구막이나 전구막을 포함하는 적층막을, 유기 용매를 사용하여 세정하는 세정 공정을 도입해도 된다.When the precursor film or the laminated film of the precursor film and the lower layer (or upper layer) unbaked composite film is peeled from the substrate, in order to further increase the peelability of the film, a substrate having a release layer formed in advance may be used. In the case of forming a release layer on the substrate in advance, before applying the above-described varnish composition or the varnish for forming an underlayer film, a release agent is applied on the substrate and dried or baked. The releasing agent used herein can be used without particular limitation as a known releasing agent such as an alkyl phosphate ammonium salt, fluorine-based or silicone. When the dried precursor film is peeled from the substrate, if a releasing agent remains slightly on the peeling surface of the precursor film, the remaining releasing agent may cause discoloration during firing or adverse effects on electrical properties. For this reason, it is preferable that the release agent adhering to the peeling surface is removed as much as possible. For the purpose of removing the releasing agent, a washing step of washing the precursor film peeled off from the substrate or the laminated film containing the precursor film may be introduced using an organic solvent.

이형층을 형성하지 않고 기재를 그대로 사용하는 경우에는, 상기의 박리 공정 및 세정 공정을 생략할 수 있다. 또, 전구막의 제조 방법에 있어서, 후술하는 제거 공정의 전에, 물 또는 물을 포함하는 용매에 전구막을 침지시키는 침지 공정, 침지 공정 후의 전구막을 프레스하는 프레스 공정, 침지 공정 후의 전구막을 건조시키는 건조 공정을 각각 임의의 공정으로서 형성해도 된다.When the base material is used as it is without forming a release layer, the above-described peeling step and washing step can be omitted. Moreover, in the manufacturing method of a precursor film, before the removal process mentioned later, an immersion process of immersing the precursor film in water or a solvent containing water, a press process of pressing the precursor film after the immersion process, and a drying process of drying the precursor film after the immersion process You may form each as an arbitrary process.

폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법에 있어서, 상기의 박리 공정을 실시하는 경우, 추가로, 박리 공정 후에, 전구막을 롤상으로 권취하는 권취 공정을 실시하는 것이 바람직하다.In the method for producing a precursor film of a porous polyimide film, when performing the above-described peeling step, it is preferable to perform a winding-up step of winding up the precursor film in a roll shape after the peeling step.

상기와 같이, 전구막은 어느 정도의 신장을 나타내기 때문에, 균열이나 파단을 발생하지 않고 전구막을 권취하는 것이 가능하다. 전구막을 롤상으로 권취하는 경우, 소형의 소성로에서, 롤상의 전구막을 소성하는 것이 가능하다. 또, 전구막을 소성할 때까지의, 전구막의 이송이 용이하고, 보관에 대해서도 스페이스 절약화를 도모할 수 있다.As described above, since the precursor film exhibits a certain degree of elongation, it is possible to wind up the precursor film without causing cracks or fractures. When the precursor film is wound in a roll shape, it is possible to fire the roll-shaped precursor film in a small sintering furnace. Moreover, it is easy to transfer the precursor film until the precursor film is fired, and space saving can be achieved also for storage.

또한, 전구막을 소성하는 프로세스에 대하여, 롤·투·롤 프로세스를 적용 가능하고, 폴리이미드 다공질막의 효율적인 제조가 가능하다.In addition, a roll-to-roll process can be applied to the process of firing the precursor film, and efficient production of a porous polyimide film is possible.

≪폴리이미드 다공질막의 제조 방법≫≪Method for producing a porous polyimide film≫

폴리이미드 다공질막의 제조 방법은, 전술한 폴리이미드 다공질막의 전구막으로부터, 유기 미립자 (B) 를 제거하는 제거 공정을 포함하는 방법이다. 당해 제거 공정에 있어서, 유기 미립자 (B) 의 제거는, 폴리아믹산 (A) 을 이미드화시키면서 실시되어도 되고, 폴리아믹산 (A) 을 이미드화시킨 후에 실시되어도 된다.The method for producing a porous polyimide film is a method including a removal step of removing organic fine particles (B) from the precursor film of the porous polyimide film described above. In the removal step, the organic fine particles (B) may be removed while imidizing the polyamic acid (A), or after imidizing the polyamic acid (A).

폴리아믹산 (A) 을 이미드화시키는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 이미드화는 열 이미드화 및 화학 이미드화의 어느 것이어도 된다. 화학 이미드화로는, 폴리아믹산 (A) 을 포함하는 전구막을, 무수 아세트산, 혹은 무수 아세트산과 이소퀴놀린의 혼합 용매에 침지하는 등의 방법을 사용할 수 있다.The method of imidizing the polyamic acid (A) is not particularly limited. The imidation may be either thermal imidation or chemical imidation. As the chemical imidation, a method such as immersing a precursor film containing polyamic acid (A) in an acetic anhydride or a mixed solvent of acetic anhydride and isoquinoline can be used.

상기의 이미드화 방법 중에서는, 이미드화제의 세정에 의한 제거가 불필요한 점 등으로부터, 열 이미드화인 소성이 바람직하다. 소성에 의해 이미드화를 실시하는 경우, 유기 미립자 (B) 가 수지 미립자이면, 이미드화와 함께 수지 미립자의 제거를 실시할 수 있다.Among the above imidization methods, thermal imidization is preferable because removal by washing of the imidizing agent is unnecessary. When performing imidization by firing, if the organic fine particles (B) are resin fine particles, it is possible to remove the resin fine particles together with the imidization.

이 경우, 유기 미립자 (B) 가, 가교 중합체로 이루어지는 수지 미립자이면, 수지 미립자가 소성에 의해 용이하게 제거되기 쉬운 점과, 가교 중합체로 이루어지는 수지 미립자가 유기 용매 (S-I) 의 영향에 의해 팽윤되거나 변형되거나 하기 어려운 점에서, 원하는 사이즈 및 형상의 구멍부를 갖는 폴리이미드 다공질막을 제조하기 쉽다.In this case, if the organic fine particles (B) are resin fine particles composed of a crosslinked polymer, the resin fine particles are easily removed by firing, and the resin fine particles composed of the crosslinked polymer swell under the influence of the organic solvent (SI). Since it is difficult to be deformed, it is easy to produce a porous polyimide film having pores of a desired size and shape.

이하, 소성에 대하여 설명한다.Hereinafter, firing will be described.

전구막을 제조할 때에, 전구막과 함께 하층 (또는 상층) 막을 형성한 경우, 전구막의 소성과 함께, 하층 (또는 상층) 막을 소성한다. 소성 온도는, 폴리아믹산 (A) 의 구조 등에 따라서도 상이하지만, 120 ℃ 이상 500 ℃ 이하가 바람직하고, 150 ℃ 이상 450 ℃ 이하가 보다 바람직하고, 300 ℃ 이상 450 ℃ 이하가 보다 바람직하다.When manufacturing the precursor film, when the lower layer (or upper layer) film is formed together with the precursor film, the lower layer (or upper layer) film is fired together with the firing of the precursor film. The firing temperature is also different depending on the structure of the polyamic acid (A), and the like, but is preferably 120°C or more and 500°C or less, more preferably 150°C or more and 450°C or less, and more preferably 300°C or more and 450°C or less.

소성 조건은, 예를 들어, 실온으로부터 400 ∼ 450 ℃ 정도까지를 3 시간 정도에 승온시킨 후, 동 온도에서 2 ∼ 30 분간 정도 유지시키는 방법이나, 실온으로부터, 예를 들어 50 ℃ 간격으로 단계적으로 400 ∼ 450 ℃ 까지 승온 (각 스텝 20 분 정도 유지) 하고, 최종적으로 400 ∼ 450 ℃ 에서 2 ∼ 30 분간 정도 유지시키는 등의 단계적인 건조-열 이미드화법을 사용할 수도 있다. 기재 상에 전구막을 성막하고, 기재로부터 전구막 또는 전구막을 포함하는 적층막을 일단 박리하는 경우에는, 전구막 또는 적층막의 단부를 SUS 제의 형틀 등에 고정시켜 변형을 방지하는 방법을 채용할 수도 있다.The firing conditions are, for example, a method of raising the temperature from room temperature to about 400 to 450°C in about 3 hours, and then maintaining the temperature at the same temperature for about 2 to 30 minutes, or stepwise from room temperature, for example, at 50°C intervals. It is also possible to use a stepwise dry-heat imidization method such as heating up to 400 to 450°C (holding for about 20 minutes each step), and finally holding at 400 to 450°C for 2 to 30 minutes. When a precursor film is formed on a substrate and the precursor film or a laminated film including the precursor film is once peeled from the substrate, a method of fixing the precursor film or the end of the laminated film to a mold made of SUS or the like to prevent deformation may be employed.

소성 후에 얻어지는 폴리이미드 다공질막, 또는 폴리이미드 수지-미립자 복합막의 막두께는, 예를 들어 마이크로미터 등으로 복수 지점의 두께를 측정하고 평균함으로써 구할 수 있다. 어떠한 평균 막두께가 바람직한가는, 폴리이미드 다공질막의 용도에 따라 상이하지만, 예를 들어, 세퍼레이터 등에 사용하는 경우에는, 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하가 바람직하고, 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 15 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 필터 등에 사용하는 경우에는, 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하가 바람직하고, 10 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 20 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다.The film thickness of the porous polyimide film or the polyimide resin-fine particle composite film obtained after firing can be obtained by measuring and averaging the thickness of a plurality of points with, for example, a micrometer or the like. Which average film thickness is preferable varies depending on the use of the polyimide porous film, but for example, in the case of using a separator or the like, 5 µm or more and 500 µm or less are preferable, and 10 µm or more and 100 µm or less are more preferable, It is more preferably 15 µm or more and 30 µm or less. When used for a filter or the like, 5 µm or more and 500 µm or less are preferable, 10 µm or more and 300 µm or less are more preferable, and 20 µm or more and 150 µm or less are still more preferable.

이와 같이 하여 얻어진 폴리이미드 다공질막은 비투명한 또는 착색한 다공질막이다. 폴리이미드 다공질막의 전체의 막두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 폴리이미드 다공질막이 세퍼레이터 등에 사용되는 경우, 막두께는, 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하가 바람직하고, 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 15 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 폴리이미드 다공질막이 필터 등에 사용되는 경우, 막두께는, 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하가 바람직하고, 10 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 20 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 상기의 막두께는, 폴리이미드 수지-미립자 복합막의 측정시와 동일하게, 예를 들어 마이크로미터 등으로 복수 지점의 두께를 측정하고 평균함으로써 구할 수 있다. 또, 어떠한 막두께라도, 폴리이미드 다공질막은, 막 전체에 구상 (球狀) 구멍이 연통한 상태로 분포되어 있는 다공질막이고, 표리면이 연통하고 있다.The polyimide porous film thus obtained is a non-transparent or colored porous film. The overall film thickness of the polyimide porous film is not particularly limited, but for example, when the polyimide porous film is used for a separator or the like, the film thickness is preferably 5 µm or more and 500 µm or less, and 10 µm or more and 100 µm or less. It is more preferable and 15 micrometers or more and 30 micrometers or less are still more preferable. When the polyimide porous membrane is used for a filter or the like, the film thickness is preferably 5 µm or more and 500 µm or less, more preferably 10 µm or more and 300 µm or less, and even more preferably 20 µm or more and 150 µm or less. The above film thickness can be obtained by measuring and averaging the thickness of a plurality of points, for example, with a micrometer or the like in the same manner as in the measurement of the polyimide resin-fine particle composite film. In addition, at any film thickness, the polyimide porous film is a porous film in which spherical pores are communicated throughout the film, and the front and back surfaces are in communication.

폴리이미드 다공질막의 제조 방법은, 상기의 제거 공정 전에, 폴리이미드 수지-미립자 복합막의 폴리이미드 수지 부분의 적어도 일부를 제거하거나, 또는, 제거 공정 후에 폴리이미드 다공질막의 적어도 일부를 제거하는 수지 제거 공정을 가지고 있어도 된다. 제거 공정 전에, 폴리이미드 수지-미립자 복합막의 수지 부분의 적어도 일부를 제거함으로써, 계속되는 제거 공정에서 유기 미립자 (B) 가 제거되고 공공이 형성된 경우에, 상기 수지 부분의 적어도 일부를 제거하지 않는 것에 비교하여, 최종 제품의 다공질막의 개공률을 향상시키는 것이 가능해진다. 또, 제거 공정 후에 다공질막의 적어도 일부를 제거함으로써, 상기 다공질막의 적어도 일부를 제거하지 않는 폴리이미드 다공질막에 비교하여, 최종 제품의 폴리이미드 다공질막의 개공률을 향상시키는 것이 가능해진다.The manufacturing method of the polyimide porous film includes a resin removal step of removing at least a part of the polyimide resin portion of the polyimide resin-fine particle composite film before the removal step, or removing at least a part of the polyimide porous film after the removal step. You may have it. By removing at least a part of the resin part of the polyimide resin-fine particle composite film before the removal process, compared to not removing at least part of the resin part when the organic fine particles (B) are removed and voids are formed in the subsequent removal process Thus, it becomes possible to improve the porosity of the porous membrane of the final product. Further, by removing at least a part of the porous film after the removal step, it becomes possible to improve the porosity of the polyimide porous film of the final product as compared to the polyimide porous film in which at least a part of the porous film is not removed.

상기의 수지 부분의 적어도 일부를 제거하는 공정, 혹은, 폴리이미드 다공질막의 적어도 일부를 제거하는 공정은, 통상적인 케미컬 에칭법 혹은 물리적 제거 방법, 또는, 이들을 조합한 방법에 의해 실시할 수 있다.The step of removing at least a part of the resin portion or the step of removing at least a part of the porous polyimide film can be performed by a conventional chemical etching method, a physical removal method, or a combination thereof.

케미컬 에칭법으로는, 무기 알칼리 용액 또는 유기 알칼리 용액 등의 케미컬 에칭액에 의한 처리를 들 수 있다. 무기 알칼리 용액이 바람직하다. 무기 알칼리 용액으로서 예를 들어, 히드라진하이드레이트와 에틸렌디아민을 포함하는 히드라진 용액, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 알칼리 금속 수산화물의 용액, 암모니아 용액, 수산화알칼리와 히드라진과 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논을 주성분으로 하는 에칭액 등을 들 수 있다. 유기 알칼리 용액으로는, 에틸아민, n-프로필아민 등의 제 1 급 아민류 ; 디에틸아민, 디-n-부틸아민 등의 제 2 급 아민류 ; 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 제 3 급 아민류 ; 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알코올아민류 ; 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드 등의 제 4 급 암모늄염 ; 피롤, 피페리딘 등의 고리형 아민류 등의 알칼리성 용액을 들 수 있다.As a chemical etching method, treatment with a chemical etching solution, such as an inorganic alkali solution or an organic alkali solution, is mentioned. Inorganic alkaline solutions are preferred. As an inorganic alkali solution, for example, a hydrazine solution containing hydrazine hydrate and ethylenediamine, a solution of alkali metal hydroxides such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and sodium metasilicate, ammonia solution, alkali hydroxide and hydrazine 1 , An etching solution containing 3-dimethyl-2-imidazolidinone as a main component, and the like. Examples of the organic alkali solution include primary amines such as ethylamine and n-propylamine; Secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine; Tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine; Alcohol amines such as dimethyl ethanol amine and triethanol amine; Quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide; And alkaline solutions such as cyclic amines such as pyrrole and piperidine.

상기의 각 용액의 용매에 대해서는, 순수, 알코올류를 적절히 선택할 수 있다. 또한 계면 활성제를 적당량 첨가한 것을 사용할 수도 있다. 알칼리 농도는, 예를 들어 0.01 질량% 이상 20 질량% 이하이다.For the solvent of each of the above solutions, pure water and alcohols can be appropriately selected. Further, it is also possible to use a surfactant added in an appropriate amount. The alkali concentration is, for example, 0.01% by mass or more and 20% by mass or less.

또, 물리적인 방법으로는, 예를 들어, 플라즈마 (산소, 아르곤 등), 코로나 방전 등에 의한 드라이 에칭, 연마제 (예를 들어, 알루미나 (경도 9) 등) 를 액체에 분산시키고, 이것을 막의 표면에 30 m/s 이상 100 m/s 이하의 속도로 조사함으로써 표면 처리하는 방법 등을 사용할 수 있다.In addition, as a physical method, for example, plasma (oxygen, argon, etc.), dry etching by corona discharge, etc., an abrasive (e.g., alumina (hardness 9), etc.) is dispersed in a liquid, and this is By irradiating at a speed of 30 m/s or more and 100 m/s or less, a method of surface treatment or the like can be used.

상기한 방법은, 유기 미립자 (B) 를 제거하는 제거 공정의 전 또는 후의 어느 쪽에도 적용 가능하기 때문에 바람직하다.The above-described method is preferable because it can be applied to either before or after the removal step of removing the organic fine particles (B).

한편, 유기 미립자 (B) 를 제거하는 제거 공정 후에 실시하는 수지 제거 공정에만 적용 가능한 물리적 방법으로서, 대상 표면을 액체로 적신 대지 (臺紙) 필름 (예를 들어 PET 필름 등의 폴리에스테르 필름) 에 압착 후, 건조시키지 않고 또는 건조시킨 후, 다공질막을 대지 필름으로부터 박리하는 방법을 채용할 수도 있다. 액체의 표면 장력 혹은 정전 부착력에서 기인하여, 다공질막의 표면층만이 대지 필름 상에 남겨진 상태로, 다공질막이 대지 필름으로부터 박리된다.On the other hand, as a physical method applicable only to the resin removal step performed after the removal step of removing the organic fine particles (B), to a base film (for example, a polyester film such as a PET film) moistened with a liquid After compression bonding, without drying, or after drying, a method of peeling the porous membrane from the base film may be employed. Due to the surface tension or electrostatic adhesion of the liquid, the porous film is peeled off from the mount film while only the surface layer of the porous film remains on the mount film.

실시예Example

이하, 실시예를 기초로 실시예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이것에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing examples based on examples, but the scope of the present invention is not limited thereto.

[실시예 1, 및 실시예 2][Example 1 and Example 2]

테트라카르복실산 2 무수물 성분으로서의 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 과, 디아민 성분으로서의 p-페닐렌디아민 (PPD) 또는 m-페닐렌디아민 (MPD) 을, N,N,N',N'-테트라메틸우레아 중에서 반응시켜, 농도 20 질량% 로 폴리아믹산을 포함하는 폴리아믹산 용액을 얻었다. 얻어진 폴리아믹산 용액 25.7 질량부와, 체적 입자경이 420 ㎚ 인 가교형 폴리스티렌 미립자를 농도 40 질량% 로 포함하는 미립자 분산액 30 질량부를 혼합한 후, 얻어진 혼합액에 트리에틸아민 (TEA) 2 질량부를 첨가하여, 유탁 (乳濁) 한 균일한 조성의 바니시 조성물을 얻었다. 또한, TEA 첨가 전의 혼합액에 대하여, 폴리아믹산의 질량과 가교형 폴리스티렌 미립자의 질량의 합계에 대하여, 폴리아믹산의 양은 30 질량% 이고, 가교형 폴리스티렌 미립자의 양은 70 질량% 이고, 혼합액의 고형분 농도는 약 31 질량% 이다.3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) as a tetracarboxylic dianhydride component, and p-phenylenediamine (PPD) or m-phenylenediamine (MPD) as a diamine component ) Was reacted in N,N,N',N'-tetramethylurea to obtain a polyamic acid solution containing polyamic acid at a concentration of 20% by mass. After mixing 25.7 parts by mass of the obtained polyamic acid solution and 30 parts by mass of a fine particle dispersion containing a crosslinked polystyrene fine particles having a volume particle diameter of 420 nm at a concentration of 40% by mass, 2 parts by mass of triethylamine (TEA) were added to the obtained mixture. , To obtain a varnish composition having an oily and uniform composition. In addition, with respect to the mixed solution before TEA addition, the amount of polyamic acid was 30% by mass, the amount of crosslinked polystyrene particles was 70% by mass, and the solid content concentration of the mixture was It is about 31% by mass.

얻어진 바니시 조성물을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 도포하여, 도포막을 형성하였다. 도포막을, 80 ℃ 에서 6 분간 건조시켜, 폴리이미드 다공질막의 전구막을 얻었다. 얻어진 전구막에 대하여, 막두께의 측정과, JIS B7721 의 0.5 급에 따른 신도, 및 인장 강도의 평가를 실시하였다. 이들의 평가 결과를 표 1 에 기재한다. 또, 얻어진 바니시 조성물을 사용함으로써, 하기 방법으로 폴리이미드 다공질막을 문제없이 형성할 수 있었다.The obtained varnish composition was applied onto a polyethylene terephthalate film to form a coating film. The coating film was dried at 80°C for 6 minutes to obtain a precursor film of a porous polyimide film. With respect to the obtained precursor film, measurement of the film thickness and evaluation of the elongation and tensile strength according to the 0.5 grade of JIS B7721 were performed. Table 1 shows the results of these evaluations. Moreover, by using the obtained varnish composition, the polyimide porous film could be formed without a problem by the following method.

<폴리이미드 다공질막 형성 방법><Method of forming a porous polyimide film>

바니시 조성물을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 도포하여, 도포막을 형성하였다. 도포막을, 70 ℃ 에서 10 분간 건조시켜, 폴리이미드 다공질막의 전구막을 얻었다. 얻어진 전구막을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로부터 박리시킨 후, 전구막을 소성로 내에서 420 ℃ 에서 2 분간 소성하여, 폴리스티렌 미립자를 열 분해시키면서 폴리아믹산의 이미드화를 실시하여, 폴리이미드 다공질막을 얻었다.The varnish composition was applied on a polyethylene terephthalate film to form a coating film. The coating film was dried at 70°C for 10 minutes to obtain a precursor film of a porous polyimide film. After peeling the obtained precursor film from the polyethylene terephthalate film, the precursor film was fired in a firing furnace at 420° C. for 2 minutes, and the polyamic acid was imidized while thermally decomposing the polystyrene fine particles to obtain a porous polyimide film.

[실시예 3, 및 실시예 4][Example 3, and Example 4]

테트라카르복실산 2 무수물 성분으로서의 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 과, 디아민 성분으로서의 4,4'-디아미노디페닐아미드 (DABAN) 를, N,N,N',N'-테트라메틸우레아 중에서 반응시켜, 농도 15 질량% 로 폴리아믹산을 포함하는 폴리아믹산 용액을 얻었다. 얻어진 폴리아믹산 용액 34.3 질량부와, 체적 입자경이 420 ㎚ 인 가교형 폴리스티렌 미립자를 농도 40 질량% 로 포함하는 미립자 분산액 30 질량부를 혼합한 후, 얻어진 혼합액에 N-메틸모르폴린 (NMM) 2 질량부, N,N,N',N'-테트라메틸우레아, 및 물을 첨가하고, 표 1 에 기재된 고형분 농도로 조정하여, 유탁한 균일한 조성의 바니시 조성물을 얻었다. 또한, NMM 첨가 전의 혼합액에 대하여, 폴리아믹산의 질량과 가교형 폴리스티렌 미립자의 질량의 합계에 대하여, 폴리아믹산의 양은 30 질량% 이고, 가교형 폴리스티렌 미립자의 양은 70 질량% 이고, 혼합액의 고형분 농도는 약 27 질량% 이다.3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) as a tetracarboxylic dianhydride component and 4,4'-diaminodiphenylamide (DABAN) as a diamine component, N It reacted in ,N,N',N'-tetramethylurea, and the polyamic acid solution containing polyamic acid at a concentration of 15 mass% was obtained. After mixing 34.3 parts by mass of the obtained polyamic acid solution and 30 parts by mass of a fine particle dispersion containing a crosslinked polystyrene fine particles having a volume particle diameter of 420 nm in a concentration of 40% by mass, 2 parts by mass of N-methylmorpholine (NMM) , N,N,N',N'-tetramethylurea, and water were added and adjusted to the solid content concentration shown in Table 1 to obtain a varnish composition having an oily uniform composition. In addition, with respect to the mixed solution before NMM addition, the amount of polyamic acid was 30% by mass, the amount of crosslinked polystyrene particles was 70% by mass, and the solid content concentration of the mixed solution with respect to the total mass of the polyamic acid and the mass of the crosslinked polystyrene fine particles It is about 27% by mass.

얻어진 바니시 조성물을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 도포하여, 도포막을 형성하였다. 도포막을, 80 ℃ 에서 6 분간 건조시켜, 폴리이미드 다공질막의 전구막을 얻었다. 얻어진 전구막에 대하여, 실시예 1 과 동일하게, 막두께, 신도, 및 인장 강도를 평가하였다. 이들의 평가 결과를 표 1 에 기재한다. 또한, 실시예 3 과 실시예 4 에서는, 도포 조건을 조정하여 전구막의 막두께를 상이하게 하였다.The obtained varnish composition was applied onto a polyethylene terephthalate film to form a coating film. The coating film was dried at 80°C for 6 minutes to obtain a precursor film of a porous polyimide film. About the obtained precursor film, the film thickness, elongation, and tensile strength were evaluated in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results of these evaluations. In addition, in Example 3 and Example 4, the film thickness of the precursor film was made different by adjusting the coating conditions.

[실시예 5][Example 5]

실시예 1 에 있어서의 N,N,N',N'-테트라메틸우레아를 NMP 로 변경하고, 고형분 농도와 용매 조성 비율을 표 1 과 같이 변경한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 막두께, 신도, 및 인장 강도를 평가하였다. 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.Film thickness in the same manner as in Example 1, except that N,N,N',N'-tetramethylurea in Example 1 was changed to NMP, and the solid content concentration and solvent composition ratio were changed as shown in Table 1. , Elongation, and tensile strength were evaluated. Table 1 shows the evaluation results.

[비교예 1][Comparative Example 1]

실시예 1 에 있어서의 N,N,N',N'-테트라메틸우레아를 물로 변경하고, PPD 와, PPD 의 몰비 1.95 배의 TEA 를 혼합한 후에 수용매 중에서 BPDA 와 반응시켜, 폴리아믹산 용액을 얻은 후에, 미립자와 수지 폴리아믹산의 체적 비율이 65 : 35 인, 비교 바니시 조성물 1 (고형분 농도 15 질량%) 을 조제하였다.After changing N,N,N',N'-tetramethylurea in Example 1 to water, mixing PPD and TEA of 1.95 times the molar ratio of PPD, it was reacted with BPDA in an aqueous medium to prepare a polyamic acid solution. After obtaining, a comparative varnish composition 1 (solid content concentration 15% by mass) in which the volume ratio of the fine particles and the resin polyamic acid was 65:35 was prepared.

[비교예 2][Comparative Example 2]

비교예 1 에 있어서의 미립자와 수지 폴리아믹산의 체적 비율을 78 : 22 로 하고, 고형분 농도를 18 질량% 로 한 것 외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 비교 바니시 조성물 2 를 얻었다.Comparative varnish composition 2 was obtained in the same manner as in Comparative Example 1, except that the volume ratio of the fine particles and the resin polyamic acid in Comparative Example 1 was 78:22 and the solid content concentration was 18% by mass.

비교 바니시 조성물 1 및 비교 바니시 조성물 2 를 사용하여, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해 폴리이미드 다공질막의 형성을 시도하였다. 그러나, 어떠한 비교예의 바니시 조성물을 사용한 경우에도, 전구막이 지나치게 취약하기 때문에, 파손으로 인해 전구막을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로부터 박리시킬 수 없었다. 이 때문에, 비교예 1 및 비교예 2 에 대하여, 전구막의 평가를 실시하지 않았다.Using the comparative varnish composition 1 and the comparative varnish composition 2, formation of a porous polyimide film was attempted in the same manner as in Example 1. However, even when the varnish composition of any of the comparative examples was used, the precursor film was too brittle, and thus the precursor film could not be peeled off from the polyethylene terephthalate film due to breakage. For this reason, about Comparative Example 1 and Comparative Example 2, evaluation of the precursor film was not performed.

[비교예 3 ∼ 5][Comparative Examples 3 to 5]

염기성 화합물을 첨가하지 않는 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 비교예 3 의 바니시 조성물을 조제하고, 실시예 2 와 동일하게 하여 비교예 4 의 바니시 조성물을 조제하고, 실시예 3 과 동일하게 하여 비교예 5 의 바니시 조성물을 조제하였다. 그 결과, 비교예 3 ∼ 5 의 어느 것에 있어서도, 미립자를 포함하는 폴리아믹산의 괴상물이 생성되고, 도포 가능한 균일한 조성의 바니시 조성물이 얻어지지 않았다.The varnish composition of Comparative Example 3 was prepared in the same manner as in Example 1, except that the basic compound was not added, and the varnish composition of Comparative Example 4 was prepared in the same manner as in Example 2, and in the same manner as in Example 3 The varnish composition of Comparative Example 5 was prepared. As a result, in any of Comparative Examples 3 to 5, a block of polyamic acid containing fine particles was produced, and a varnish composition having a uniform composition that can be applied was not obtained.

Figure pat00003
Figure pat00003

표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 폴리아믹산 (A) 과, 유기 미립자 (B) 와, 염기성 화합물 (C) 과, 물의 함유량이 50 질량% 미만인 용매 (S) 를 혼합하여 제조함으로써, 양호하게 도포 가능하고 균일한 조성의 폴리이미드 다공질막 형성용의 바니시 조성물이 얻어지는 것을 알 수 있다. 또, 실시예 1 ∼ 5 의 바니시 조성물을 사용하여 형성된, 폴리이미드 다공질막 형성용의 전구막은, 양호한 신도를 나타내고, 기재로부터의 박리가 용이하다.As can be seen from Table 1, by mixing a polyamic acid (A), an organic fine particle (B), a basic compound (C), and a solvent (S) having a water content of less than 50% by mass, good coating It can be seen that a varnish composition for forming a porous polyimide film having a possible and uniform composition can be obtained. Further, the precursor film for forming a porous polyimide film, formed using the varnish composition of Examples 1 to 5, exhibits good elongation and is easily peeled from the substrate.

Claims (12)

폴리아믹산 (A) 과, 유기 미립자 (B) 와, 염기성 화합물 (C) 과, 용매 (S) 를 혼합하여 얻어지는, 폴리이미드 다공질막 형성용의 바니시 조성물로서,
상기 용매 (S) 가, 유기 용매 (S-I), 및 물 (S-II) 을 포함하고,
상기 용매 (S) 의 질량에 대한, 물 (S-II) 의 질량의 비율이 50 질량% 미만인, 바니시 조성물.
As a varnish composition for forming a porous polyimide film obtained by mixing a polyamic acid (A), an organic fine particle (B), a basic compound (C), and a solvent (S),
The solvent (S) contains an organic solvent (SI) and water (S-II),
The varnish composition, wherein the ratio of the mass of water (S-II) to the mass of the solvent (S) is less than 50% by mass.
제 1 항에 있어서,
상기 유기 용매 (S-I) 가, 하기 식 (S1) :
[화학식 1]
Figure pat00004

(식 (S1) 중, RS1 및 RS2 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 이상 3 이하의 알킬기이고, RS3 은, 수소 원자, 또는 하기 식 (S1-1) 혹은 하기 식 (S1-2) :
[화학식 2]
Figure pat00005

로 나타내는 기이고, RS4 는, 수소 원자 또는 수산기이고, RS5 및 RS6 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 1 이상 3 이하의 알킬기이고, RS7 및 RS8 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 이상 3 이하의 알킬기이다.)
로 나타내는 함질소 유기 용매인, 폴리이미드 다공질막 형성용의 바니시 조성물.
The method of claim 1,
The organic solvent (SI) is the following formula (S1):
[Formula 1]
Figure pat00004

(In formula (S1), R S1 and R S2 are each independently an alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms, and R S3 is a hydrogen atom, or the following formula (S1-1) or the following formula (S1-2) ):
[Formula 2]
Figure pat00005

Is a group represented by, R S4 is a hydrogen atom or a hydroxyl group, R S5 and R S6 are each independently a hydrogen atom and an alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms, and R S7 and R S8 are each independently It is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms.)
A varnish composition for forming a porous polyimide film, which is a nitrogen-containing organic solvent represented by.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 염기성 화합물 (C) 의 질량이, 폴리아믹산 (A) 의 질량에 대하여, 1 질량% 이상인, 폴리이미드 다공질막 형성용의 바니시 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
The varnish composition for forming a porous polyimide film, wherein the mass of the basic compound (C) is 1% by mass or more with respect to the mass of the polyamic acid (A).
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유기 미립자 (B) 가, 가교 중합체로 이루어지는 수지 미립자인, 폴리이미드 다공질막 형성용의 바니시 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
A varnish composition for forming a porous polyimide film, wherein the organic fine particles (B) are resin fine particles made of a crosslinked polymer.
상기 폴리아믹산 (A) 및 상기 유기 용매 (S-I) 를 포함하는 폴리아믹산 함유액과, 상기 유기 미립자 (B) 를 포함하는 미립자 분산액을, 상기 염기성 화합물 (C) 의 존재하에 혼합하거나, 또는,
상기 폴리아믹산 함유액과, 상기 미립자 분산액을 혼합하여 혼합액을 얻은 후에, 상기 혼합액에 상기 염기성 화합물 (C) 을 첨가하는, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 폴리이미드 다공질막 형성용의 바니시 조성물의 제조 방법.
A polyamic acid-containing liquid containing the polyamic acid (A) and the organic solvent (SI), and a fine particle dispersion containing the organic fine particles (B) are mixed in the presence of the basic compound (C), or,
After mixing the polyamic acid-containing liquid and the fine particle dispersion to obtain a mixed liquid, the basic compound (C) is added to the mixed liquid, and the varnish composition for forming a porous polyimide film according to claim 1 or 2 Manufacturing method.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 상기 바니시 조성물을 기재 상에 도포하여 도포막을 형성하는, 도포막 형성 공정과,
상기 도포막으로부터 상기 용매 (S) 를 제거하고, 폴리이미드 다공질막의 전구막을 형성하는, 전구막 형성 공정을 포함하는, 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법.
A coating film forming step of forming a coating film by applying the varnish composition according to claim 1 or 2 on a substrate,
A method for producing a precursor film of a porous polyimide film, comprising a precursor film forming step of removing the solvent (S) from the coating film and forming a precursor film of the porous polyimide film.
제 6 항에 있어서,
상기 전구막 형성 공정 후에, 상기 기재로부터 상기 전구막을 박리시키는, 박리 공정을 포함하는, 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법.
The method of claim 6,
A method for producing a precursor film of a porous polyimide film comprising a peeling step of peeling the precursor film from the substrate after the precursor film forming step.
제 7 항에 있어서,
상기 박리 공정 후에, 상기 전구막을 롤상으로 권취하는, 권취 공정을 포함하는, 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법.
The method of claim 7,
After the peeling step, a method for producing a precursor film of a porous polyimide film comprising a winding step of winding up the precursor film in a roll shape.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 바니시 조성물로 이루어지는 도포막을 건조시켜 이루어지는, 폴리이미드 다공질막의 전구막으로서,
JIS B7721 의 0.5 급에 따라서 측정되는 신도가, 0.5 % 이상인, 폴리이미드 다공질막의 전구막.
As a precursor film of a porous polyimide film obtained by drying a coating film made of the varnish composition according to claim 1 or 2,
A precursor film of a porous polyimide film having an elongation of 0.5% or more as measured in accordance with JIS B7721 grade 0.5.
제 9 항에 있어서,
롤 형태인, 폴리이미드 다공질막의 전구막.
The method of claim 9,
A precursor film of a porous polyimide film in the form of a roll.
제 9 항에 기재된 폴리이미드 다공질막의 전구막으로부터, 상기 유기 미립자 (B) 를 제거하는 제거 공정을 포함하는, 폴리이미드 다공질막의 제조 방법.A method for producing a porous polyimide film, comprising a removal step of removing the organic fine particles (B) from the precursor film of the porous polyimide film according to claim 9. 제 11 항에 있어서,
상기 유기 미립자 (B) 가 가교 중합체로 이루어지는 수지 미립자이고, 상기 유기 미립자 (B) 의 제거 방법이 소성인, 폴리이미드 다공질막의 제조 방법.
The method of claim 11,
The method for producing a porous polyimide film, wherein the organic fine particles (B) are resin fine particles composed of a crosslinked polymer, and the method for removing the organic fine particles (B) is sintering.
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