KR20200145023A - Boat for semiconductor processing - Google Patents

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김봉주
허관선
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Abstract

Disclosed is a boat for a semiconductor process which carries a charged wafer into a reactor. The boat comprises: a base of a wafer; an upper plate spaced parallel to an upper portion of the base; a plurality of rods installed between the base and the upper plate and disposed to form a wafer charge space therein and to form an inlet through which the wafer can enter and exit in one direction; and a plurality of wafer support units configured on the plurality of rods and forming a plurality of vertically arranged slots.

Description

반도체 공정용 보트{BOAT FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING}Boat for semiconductor process {BOAT FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING}

본 발명은 반도체 공정용 보트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 차지(Charge)한 웨이퍼를 리액터로 반입하는 반도체 공정용 보트에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor process boat, and more particularly, to a semiconductor process boat carrying a charged wafer into a reactor.

반도체 공정은 웨이퍼의 고온 반응을 위한 열처리 공정 등 다양한 공정들을 포함한다. 열처리 공정을 위한 장치로서 보트(Boat)를 이용하는 리액터(Reactor)가 예시될 수 있다.The semiconductor process includes various processes such as a heat treatment process for a high temperature reaction of a wafer. As an apparatus for the heat treatment process, a reactor using a boat may be exemplified.

통상, 리액터는 웨이퍼들을 차지(Charge)한 보트를 수직으로 반입하거나 반출하는 구조를 갖는다. 보트에는 슬롯들이 형성되며, 슬롯들은 수직 방향으로 일렬로 형성된다. 그리고, 웨이퍼는 보트의 각 슬롯(Slot)에 한 매씩 차지된다.Typically, the reactor has a structure in which a boat charged with wafers is vertically carried in or out. Slots are formed in the boat, and the slots are formed in a line in a vertical direction. Then, one wafer is occupied in each slot of the boat.

보트는 일정한 매수 단위(예시적으로 180매)로 웨이퍼들을 차지(Charge)하도록 구성된다. The boat is configured to charge wafers in units of a certain number (e.g. 180 sheets).

열처리 공정을 위하여, 웨이퍼들은 보트에 차지된 상태로 리액터의 내부로 반입되거나 리액터의 외부로 반출될 수 있다. 리액터의 외부로 반출된 웨이퍼는 다음 프로세스를 위하여 보트에서 디스차지(Discharge)될 수 있다.For the heat treatment process, wafers may be carried into the reactor while occupied by the boat or taken out to the outside of the reactor. Wafers carried out of the reactor can be discharged from the boat for the next process.

복층의 슬롯들을 형성하기 위하여, 보트에는 웨이퍼 지지부들이 형성되며, 웨이퍼 지지부들은 베이스와 상부 플레이트 사이에 수직으로 구성된 라드(Rod)를 따라 슬롯을 형성하기 위한 높이만큼 서로 이격되며 수직 방향으로 배열된다.In order to form the multilayered slots, wafer supports are formed in the boat, and the wafer supports are spaced apart from each other by a height to form a slot along a rod formed vertically between a base and an upper plate and are arranged in a vertical direction.

각 층의 웨이퍼 지지부는 상부의 슬롯에 차지되는 웨이퍼를 지지하기 위한 구조를 갖는다. 이를 위하여 웨이퍼 지지부는 수평을 유지하도록 웨이퍼를 지지하는 3개 또는 4 개의 지지대를 구비할 수 있다. 각 지지대는 라드로부터 웨이퍼가 차지되는 공간으로 수평으로 연장된 형상을 가지며, 웨이퍼의 저면과 면접촉되도록 구성된다.The wafer support portion of each layer has a structure for supporting a wafer occupied in an upper slot. To this end, the wafer support unit may be provided with three or four supports for supporting the wafer so as to be horizontal. Each support has a shape extending horizontally from the rod to a space occupied by the wafer, and is configured to be in surface contact with the bottom surface of the wafer.

반도체 공정에서, 열처리 공정은 예시적으로 950℃ 내지 1200℃의 고온 환경에서 진행될 수 있다.In the semiconductor process, the heat treatment process may be performed in a high temperature environment of 950°C to 1200°C, for example.

보트 및 웨이퍼는 고온 환경에 노출되면 변형될 수 있다. 보트와 웨이퍼는 다른 열팽창 계수를 갖는다. 상기한 열팽창 계수의 차이에 의해, 웨이퍼에는 열처리 공정 중 웨이퍼 슬립(Wafer Slip)이 발생할 수 있다. 상기한 웨이퍼 슬립은 결정 전위로 불린다.Boats and wafers can deform when exposed to high temperature environments. Boats and wafers have different coefficients of thermal expansion. Due to the difference in coefficient of thermal expansion described above, wafer slip may occur in the wafer during the heat treatment process. The wafer slip described above is called crystal dislocation.

이상적인 경우, 웨이퍼의 저면은 열처리 공정 중 웨이퍼 지지부의 지지대들과 면 접촉된다Ideally, the bottom of the wafer is in surface contact with the supports of the wafer support during the heat treatment process.

그러나, 고온의 열처리 공정 중 휨이나 처짐이 웨이퍼에 발생할 수 있다. 이 경우, 웨이퍼 지지부의 지지대들은 웨이퍼의 저면과 점 접촉된다. 3개 또는 4 개의 지지대가 이용되는 경우, 각 지지대의 단부가 웨이퍼의 저면과 점 접촉된다. However, warpage or sagging may occur in the wafer during the high-temperature heat treatment process. In this case, the supports of the wafer support part are in point contact with the bottom surface of the wafer. When three or four supports are used, the ends of each support are in point contact with the bottom of the wafer.

고온의 열처리 공정 중 웨이퍼의 하중은 적의 수로 형성되는 접 접촉 위치들로 집중되며, 그 결과 상기한 웨이퍼 슬립이 웨이퍼의 접 접촉 위치들에 발생될 수 있다.During the high-temperature heat treatment process, the load of the wafer is concentrated to the contact points formed in an appropriate number, and as a result, the wafer slip may occur at the contact points of the wafer.

상기한 웨이퍼 슬립은 웨이퍼가 대구경일수록 발생하기 쉬우며 수율을 저감시키는 요인으로 작용한다.The wafer slip is more likely to occur as the wafer has a larger diameter and acts as a factor to reduce the yield.

본 발명의 목적은 고온의 열처리 공정 중 웨이퍼 슬립의 발생을 방지할 수 있는 반도체 공정용 보트를 제공함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a boat for a semiconductor process capable of preventing the occurrence of wafer slip during a high temperature heat treatment process.

본 발명의 다른 목적은 고온의 열처리 공정에서 발생할 수 있는 웨이퍼의 휨이나 처짐을 개선하고 웨이퍼의 하중을 많은 수의 지지점들로 분산시켜서 웨이퍼 슬립의 발생을 방지할 수 있는 반도체 공정용 보트를 제공함을 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a boat for semiconductor processing capable of preventing wafer slip from occurring by improving the warpage or sag of a wafer that may occur in a high temperature heat treatment process and distributing the load of the wafer to a large number of support points. For a different purpose.

본 발명의 반도체 공정용 보트는, 베이스; 상기 베이스의 상부에 평행하게 이격된 상부 플레이트; 상기 베이스와 상기 상부 플레이트 사이에 설치되며, 웨이퍼 차지 공간을 내부에 형성하고 일방향에 대하여 웨이퍼의 출입이 가능한 입구를 형성하도록 배치되는 복수 개의 라드(Rod); 및 상기 복수 개의 라드에 구성되며, 수직으로 배열된 복수 개의 슬롯을 형성하는 복수 개의 웨이퍼 지지부;를 포함하고, 각 웨이퍼 지지부는 상기 웨이퍼 차지 공간을 향하여 수평으로 연장되며 상기 슬롯에 차지되는 상기 웨이퍼의 하부를 지지하는 복수 개의 핑거를 구비하며, 상기 복수 개의 핑거에 의해 형성되는 6개의 단부가 상기 웨이퍼의 중심에 대한 동심원 상에 등각으로 분산된 6개의 지지점에 위치함을 특징으로 한다.The boat for a semiconductor process of the present invention includes a base; An upper plate spaced parallel to the upper portion of the base; A plurality of rods installed between the base and the upper plate and disposed to form a wafer charge space therein and to form an entrance through which the wafer can enter and exit in one direction; And a plurality of wafer support units configured on the plurality of rods and forming a plurality of slots arranged vertically, wherein each wafer support unit extends horizontally toward the wafer charge space and includes the wafer occupied in the slot. A plurality of fingers supporting a lower portion are provided, and six ends formed by the plurality of fingers are located at six support points that are equally distributed on a concentric circle with respect to the center of the wafer.

또한, 본 발명의 반도체 공정용 보트는, 베이스; 상기 베이스의 상부에 평행하게 이격된 상부 플레이트; 상기 베이스와 상기 상부 플레이트 사이에 설치되며, 타원의 원주에 대응하는 위치에 배열되고, 웨이퍼 차지 공간을 내부에 형성하고 일방향에 대하여 웨이퍼의 출입이 가능한 입구를 형성하도록 배치되는 복수 개의 라드(Rod); 및 상기 복수 개의 라드에 구성되며, 수직으로 배열된 복수 개의 슬롯을 형성하는 복수 개의 웨이퍼 지지부;를 포함하고, 각 웨이퍼 지지부는 상기 웨이퍼 차지 공간을 향하여 수평으로 연장되며 상기 슬롯에 차지되는 상기 웨이퍼의 하부를 지지하는 복수 개의 핑거를 구비하며, 상기 복수 개의 핑거에 의해 형성되는 6개의 단부가 상기 웨이퍼의 중심에 대한 동심원 상에 등각으로 분산된 6개의 지지점에 위치함을 특징으로 한다.In addition, the boat for a semiconductor process of the present invention, the base; An upper plate spaced parallel to the upper portion of the base; A plurality of rods installed between the base and the upper plate, arranged at a position corresponding to the circumference of the ellipse, and arranged to form a wafer charge space inside and to form an inlet through which the wafer can enter and exit in one direction ; And a plurality of wafer support units configured on the plurality of rods and forming a plurality of slots arranged vertically, wherein each wafer support unit extends horizontally toward the wafer charge space and includes the wafer occupied in the slot. A plurality of fingers supporting a lower portion are provided, and six ends formed by the plurality of fingers are located at six support points that are equally distributed on a concentric circle with respect to the center of the wafer.

본 발명은 고온의 열처리 공정에서 발생할 수 있는 웨이퍼의 휨이나 처짐을 개선하고 웨이퍼의 하중을 많은 수의 지지점들로 분산시킴으로써 웨이퍼 슬립의 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of preventing the occurrence of wafer slip by improving the warpage or sag of a wafer that may occur in a high-temperature heat treatment process and distributing the load of the wafer to a large number of support points.

본 발명은 상기와 같이 웨이퍼 슬립의 발생을 방지함으로써 보트를 이용하는 웨이퍼의 고온의 열처리 공정에 대한 개선된 수율을 확보할 수 있는 이점이 있다.The present invention has the advantage of securing an improved yield for a high temperature heat treatment process of a wafer using a boat by preventing the occurrence of wafer slip as described above.

도 1은 본 발명의 반도체 공정용 보트의 바람직한 실시예를 도시한 정면도.
도 2는 도 1의 요부확대 사시도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 사용상태 평 단면도.
도 4는 도 3에 웨이퍼가 차지된 상태를 도시한 사용상태 단면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 사용상태 평 단면도.1 is a front view showing a preferred embodiment of a boat for semiconductor processing of the present invention.
Figure 2 is an enlarged perspective view of the main part of Figure 1;
Figure 3 is a flat cross-sectional view in a use state according to the first embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view showing a state in which the wafer is occupied in Figure 3 in use.
Figure 5 is a flat cross-sectional view in a use state according to the second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Terms used in the present specification and claims are not limited to a conventional or dictionary meaning and are not interpreted, but should be interpreted as meanings and concepts consistent with the technical matters of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.Since the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are preferred embodiments of the present invention, and do not represent all the technical spirit of the present invention, various equivalents and modifications that can replace them at the time of the present application are There may be.

본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 공정용 보트(이하, “보트”라 함)는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명될 수 있다.A boat for wafer processing (hereinafter, referred to as “boat”) according to an embodiment of the present invention may be described with reference to FIGS. 1 and 2.

보트는 일정한 매수의 웨이퍼를 차지하기 위한 슬롯들을 구비한다. 슬롯들은 수직 방향으로 일렬로 적층된 구조를 갖도록 보트에 형성되며, 각 슬롯에 웨이퍼가 차지된다.The boat has slots for occupying a certain number of wafers. The slots are formed in the boat to have a structure stacked in a line in a vertical direction, and a wafer is occupied in each slot.

보트는 하부의 매니폴드(도시되지 않음) 및 클램프(도시되지 않음)와 결합되고, 리액터로 반입 또는 반출을 위하여 승하강 모듈(도시되지 않음)에 의해 승강 또는 하강하도록 구성될 수 있다.The boat is coupled with a lower manifold (not shown) and a clamp (not shown), and may be configured to lift or lower by an elevating module (not shown) for carrying in or out of the reactor.

보트는 리액터로 반입되면 이너 튜브, 아우터 튜브 및 히팅 블록이 조립된 상부 구조물과 결합되고 이너 튜브에 수용될 수 있다.When the boat is brought into the reactor, the inner tube, the outer tube, and the heating block may be combined with the assembled upper structure and accommodated in the inner tube.

상기한 구성에서, 매니폴드는 공정 가스를 이너 튜브 내부로 공급하기 위한 장치이고, 클램프는 상부 구조물과 결합을 위한 장치이며, 이너 튜브와 아우터 튜브는 보트의 공정 환경을 외부와 차단하기 위한 것이고, 히팅 블록은 열처리 공정에 필요한 가열을 위한 장치이다.In the above configuration, the manifold is a device for supplying process gas into the inner tube, the clamp is a device for coupling with the upper structure, the inner tube and the outer tube are for blocking the process environment of the boat from the outside, The heating block is a device for heating necessary for the heat treatment process.

도 1 및 도 2를 참조하면, 보트(10)는 베이스(20), 상부 플레이트(30), 복수 개의 라드(40a~40f) 및 복수 개의 웨이퍼 지지부를 포함한다.1 and 2, the boat 10 includes a base 20, an upper plate 30, a plurality of rods 40a to 40f, and a plurality of wafer supports.

베이스(20)는 웨이퍼들(WF)이 수직으로 차지되는 공간의 하부에 구성된다.The base 20 is configured under the space occupied by the wafers WF vertically.

그리고, 상부 플레이트(30)는 웨이퍼들(WF)이 수직으로 차지되는 공간의 상부에 구성된다.In addition, the upper plate 30 is configured above the space where the wafers WF are vertically occupied.

즉, 상부 플레이트(30)는 베이스(20)의 상부의 이격된 위치에 베이스(20)와 마주하며 평행하게 구성된다. That is, the upper plate 30 is configured to face the base 20 at a spaced apart position above the base 20 and to be parallel.

베이스(20)와 상부 플레이트(30) 각각은 예시적으로 후술하는 복수 개의 라드(40a~40f)가 설치될 수 있는 폭을 갖는 원형 판 또는 링 형상으로 구성될 수 있다. 베이스(20)와 상부 플레이트(30)는 서로 동일한 폭, 직경 및 면적으로 구성되거나 둘 중 하나가 폭, 직경 및 면적이 크게 구성될 수 있다.Each of the base 20 and the upper plate 30 may be configured in a circular plate or ring shape having a width in which a plurality of rods 40a to 40f, which will be described later, may be installed. The base 20 and the upper plate 30 may have the same width, diameter, and area, or one of them may have a larger width, diameter and area.

그리고, 복수 개의 라드(Rod) (40a~40f)는 베이스(20)와 상부 플레이트(30) 사이의 웨이퍼들(WF)이 차지되는 공간에 수직으로 설치된다. 본 발명은 6개의 라드(40a~40f)가 구성된 것으로 실시된다. 6개의 라드는 베이스(20) 상에 시계 방향으로 배열된 순서에 따라 40a~40f로 구분하여 표시한다.Further, the plurality of rods 40a to 40f are vertically installed in a space occupied by the wafers WF between the base 20 and the upper plate 30. The present invention is implemented by consisting of six rods (40a to 40f). The six rods are divided into 40a to 40f according to the order in which they are arranged clockwise on the base 20 and displayed.

도 3을 추가로 참조하면 복수 개의 라드 즉 6개의 라드(40a~40f)의 배치가 보다 구체적으로 이해될 수 있다. With additional reference to FIG. 3, the arrangement of a plurality of rods, that is, six rods 40a to 40f may be understood in more detail.

6개의 라드(40a~40f)는 베이스(20)와 상부 플레이트(30) 사이에 설치되며, 웨이퍼 차지 공간을 내부에 형성하고 일방향에 대하여 웨이퍼(WF)의 출입이 가능한 입구를 형성하도록 배치된다. The six rods 40a to 40f are installed between the base 20 and the upper plate 30, and are arranged to form a wafer charge space therein and an inlet through which the wafer WF can enter and exit in one direction.

웨이퍼의 출입 방향은 도 2에 WD로 표시되며, 웨이퍼 차지 공간은 6개의 라드(40a~40f)에 의해 둘러싸인 공간으로 이해될 수 있고, 입구는 웨이퍼 출입 방향 WD에 대해 형성된 라드(40a) 및 라드(40f) 사이의 공간으로 이해될 수 있다. The entrance direction of the wafer is indicated by WD in FIG. 2, the space occupied by the wafer can be understood as a space surrounded by six rods 40a to 40f, and the entrance is the rod 40a and the rod formed for the wafer entrance direction WD. It can be understood as the space between (40f).

6개의 라드(40a~40f)는 원형 링인 베이스(20) 상에 설치되며, 웨이퍼(WF)의 중심에서 등거리에 위치하도록 구성될 수 있다. The six rods 40a to 40f are installed on the base 20, which is a circular ring, and may be configured to be located at an equidistant distance from the center of the wafer WF.

6개의 라드(40a~40f)는 라드(40a) 및 라드(40f) 사이의 입구를 형성하면서 원형 링인 베이스(20)를 따라 배열되며, 그 결과 6개의 라드(40a~40f)에 의해 둘러싸인 공간 즉 웨이퍼 차지 공간이 형성된다.Six rods (40a to 40f) are arranged along the base 20, which is a circular ring, forming an inlet between the rods (40a) and the rods (40f), as a result, a space surrounded by the six rods (40a to 40f) A wafer charge space is formed.

입구를 형성하는 라드(40a)와 라드(40f)는 웨이퍼(WF)의 진입을 보장하기 위하여 웨이퍼(WF)의 직경보다 넓은 거리로 이격됨이 바람직하다. 보다 웨이퍼(WF)의 진입을 보장하기 충분한 이격 거리를 확보하기 위하여, 라드(40a) 및 라드(40f)의 웨이퍼 차지 공간을 마주하는 면들(42)은 웨이퍼 진입 방향(WD)과 평행하게 형성됨이 바람직하다.It is preferable that the rod 40a and the rod 40f forming the inlet are spaced apart by a larger distance than the diameter of the wafer WF in order to ensure the entrance of the wafer WF. In order to secure a sufficient separation distance to ensure the entry of the wafer WF, the surfaces 42 facing the wafer occupied space of the rod 40a and the rod 40f are formed parallel to the wafer entry direction WD. desirable.

그리고, 입구를 형성하는 라드들(40a, 40f)은 차지된 웨이퍼(WF)의 중심에서 웨이퍼 진입 방향(WD)과 직교하는 구분선(PL)을 중심으로 다른 라드들(40b~40e)과 반대쪽에 위치한다. 상기한 6개의 라드(40a~40f)의 배치 관계는 후술하는 복수 개의 핑거(60a~60f)의 구성을 위한 것이다.In addition, the rods 40a and 40f forming the inlet are opposite to the other rods 40b to 40e around the division line PL that is orthogonal to the wafer entry direction WD at the center of the occupied wafer WF. Located. The arrangement of the six rods 40a to 40f described above is for the configuration of a plurality of fingers 60a to 60f to be described later.

상기와 같이 베이스(20)와 상부 플레이트(30) 사이에 수직으로 설치되는 6개의 라드(40a~40f)는 복수 개의 웨이퍼 지지부가 구성된다.As described above, the six rods 40a to 40f vertically installed between the base 20 and the upper plate 30 are configured with a plurality of wafer support portions.

복수 개의 웨이퍼 지지부는 수직으로 층을 이루는 슬롯들(12)을 형성도록 복수 개의 라드에 수직으로 배열된다. 웨이퍼 지지부들은 일정한 높이의 슬롯을 형성하도록 균일한 간격으로 수직으로 이격되도록 구성된다.A plurality of wafer supports are arranged vertically on a plurality of rods to form vertically layered slots 12. The wafer supports are configured to be vertically spaced at uniform intervals to form slots having a constant height.

각 층의 웨이퍼 지지부는 복수 개의 핑거(60a~60f)를 포함한다. 본 발명은 6개의 핑거(60a~60f)가 구성된 것으로 실시된다.The wafer support portion of each layer includes a plurality of fingers 60a to 60f. The present invention is implemented by consisting of six fingers (60a ~ 60f).

본 발명의 실시예에서 각 층의 웨이퍼 지지부는 동일한 층에 구성된 6개의 핑거(60a~60f)로 구성된 것으로 이해될 수 있으며 복수 개의 웨이퍼 지지부는 6개의 핑거(60a~60f)가 다층으로 구성된 것으로 이해될 수 있다.In the embodiment of the present invention, the wafer support of each layer can be understood as being composed of six fingers (60a to 60f) configured on the same layer, and the plurality of wafer support units is understood to be composed of a multilayer of six fingers (60a to 60f). Can be.

6개의 핑거(60a~60f)는 3개 또는 4개의 라드에 의해 구성되거나 본 발명의 본 발명의 실시예와 같이 6개의 라드(40a~40f)에 의해 구성될 수 있다.The six fingers 60a to 60f may be constituted by three or four rods, or may be constituted by six rods 40a to 40f as in the embodiment of the present invention.

예시적으로, 3개의 라드에 의해 6개의 핑거(60a~60f)가 구성되는 경우, 각 라드에 핑거가 2개씩 구성될 수 있다. 그리고, 4개의 라드에 의해 6개의 핑거(60a~60f)가 구성되는 경우, 두 개의 라드에 핑거가 1개씩 구성되고, 나머지 두 개의 라드에 핑거가 2개씩 구성될 수 있다.For example, when six fingers 60a to 60f are configured by three rods, two fingers may be configured for each rod. Further, when six fingers 60a to 60f are configured by four rods, one finger may be configured for two rods, and two fingers may be configured for the remaining two rods.

본 발명은 각 라드에 하나의 핑거가 구성되는 것으로 실시된다. 보다 구체적으로, 보다 구체적으로, 핑거(60a)는 라드(40a)에 구성되고, 핑거(60b)는 라드(40b)에 구성되며, 핑거(60c)는 라드(40c)에 구성되고, 핑거(60d)는 라드(40d)에 구성되며, 핑거(60e)는 라드(40e)에 구성되고, 핑거(60f)는 라드(40f)에 구성된다. The present invention is implemented in that one finger is configured for each rod. More specifically, more specifically, the finger (60a) is configured on the rod (40a), the finger (60b) is configured on the rod (40b), the finger (60c) is configured on the rod (40c), the finger (60d) ) Is composed of the rod 40d, the finger 60e is composed of the rod 40e, and the finger 60f is composed of the rod 40f.

핑거는 라드와 일체로 형성될 수 있다. 이와 달리 핑거는 라드와 조립되도록 구성될 수 있다. 라드에 대한 핑거의 구성은 제작자의 의도에 따라 다양하게 구성될 수 있으며, 본 발명은 핑거와 라드가 일체로 형성된 것으로 설명한다.The fingers may be formed integrally with the rod. Alternatively, the fingers may be configured to be assembled with the rod. The configuration of the finger for the rod may be variously configured according to the intention of the manufacturer, and the present invention will be described as being integrally formed with the finger and the rod.

상술한 바와 같이, 각 층의 웨이퍼 지지부는 웨이퍼 차지 공간을 향하여 수평으로 연장되며 슬롯(12)에 차지되는 웨이퍼(WF)의 하부를 지지하는 복수 개 즉 6개의 핑거(60a~60f)의 핑거를 구비한다.As described above, the wafer support portion of each layer extends horizontally toward the wafer occupied space, and includes a plurality of, that is, six fingers 60a to 60f supporting the lower portion of the wafer WF occupied in the slot 12. Equipped.

본 발명의 실시예는 복수 개의 핑거에 의해 형성되는 6개의 단부가 웨이퍼(WF)의 중심에 대한 동심원 상에 등각으로 분산된 6개의 지지점(EA~EF)에 위치하도록 구성된다.In an embodiment of the present invention, six ends formed by a plurality of fingers are configured to be located at six support points EA to EF distributed equiangularly on a concentric circle with respect to the center of the wafer WF.

여기에서, 6개의 지지점(EA~EF)은 웨이퍼(WF)의 중심에 대한 동심원 상에 60도의 등각으로 분산된 위치로 지정될 수 있다. 첫째 지지점(EA)은 웨이퍼 진입 방향(WD)을 기준으로 시계 회전 방향으로 30도의 위치의 동심원 상에 위치하고, 나머지 지지점들(EB~EF)은 단계적으로 60도씩 회전된 위치의 동심원 상에 위치한다.Here, the six support points EA to EF may be designated as dispersed positions at an equal angle of 60 degrees on a concentric circle with respect to the center of the wafer WF. The first support point EA is located on a concentric circle at a position of 30 degrees in the clockwise rotation direction based on the wafer entry direction (WD), and the remaining support points (EB to EF) are located on a concentric circle at a position rotated by 60 degrees in steps. .

본 발명의 실시예는 동일한 층의 6개의 핑거(60a~60f)가 한 층의 웨이퍼 지지부로서 구성되며, 6개의 핑거(60a~60f)는 동일한 높이에 형성된다. In the embodiment of the present invention, six fingers 60a to 60f of the same layer are configured as a wafer support portion of one layer, and the six fingers 60a to 60f are formed at the same height.

6개의 핑거(60a~60f) 각각은 6개의 라드(40a~40f) 중 해당하는 라드로부터 웨이퍼 차지 공간을 향하여 수평으로 연장되며 단부가 해당 지지점에 형성되도록 구성된다. 그리고, 6개의 핑거(60a~60f) 각각은 상부에 차지되는 웨이퍼(WF)의 저면과 면접촉될 수 있도록 편평한 상면을 갖는다.Each of the six fingers 60a to 60f is configured to extend horizontally from a corresponding rod of the six rods 40a to 40f toward the wafer occupied space, and ends thereof are formed at the corresponding support points. In addition, each of the six fingers 60a to 60f has a flat upper surface so as to be in surface contact with the bottom surface of the wafer WF occupied thereon.

상기한 구성에 의하여, 슬롯(12)에 차지되는 웨이퍼(WF)는 하부의 6개의 핑거(60a~60f)에 의해 지지되며, 웨이퍼(WF)의 저면은 6개의 핑거(60a~60f)의 편평한 상면과 면접촉된다.By the above-described configuration, the wafer WF occupied in the slot 12 is supported by the lower six fingers 60a to 60f, and the bottom surface of the wafer WF is the flat surface of the six fingers 60a to 60f. Surface contact with the upper surface.

6개의 핑거(60a~60f) 각각은 6개의 라드(40a~40f) 중 해당하는 라드에서 수평으로 커브를 갖도록 연장되며 6개의 지지점(EA~EF) 중 해당하는 지지점에 단부가 형성되도록 구성된다.Each of the six fingers 60a to 60f extends to have a horizontal curve from the corresponding rod among the six rods 40a to 40f, and is configured such that an end is formed at the corresponding support point among the six support points EA to EF.

본 발명의 실시예에서 6개의 핑거(60a~60f)는 효율적으로 웨이퍼(WF)를 지지할 수 있도록 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 6개의 핑거(60a~60f)는 웨이퍼 진입 방향(WD)에 대하여 대칭하는 두 개의 그룹으로 나눠질 수 있다. 하나의 그룹에는 3개의 핑거(60a~60c)가 속하고, 나머지 그룹에는 3개의 핑거(60d~60f)가 속한다.In an embodiment of the present invention, the six fingers 60a to 60f may be configured to efficiently support the wafer WF. More specifically, the six fingers 60a to 60f may be divided into two groups that are symmetric with respect to the wafer entry direction WD. Three fingers 60a to 60c belong to one group, and three fingers 60d to 60f belong to the other group.

6개의 핑거(60a~60f) 각각은 6개의 라드(40a~40f) 중 해당하는 라드의 입구 쪽의 모서리에서 연장되며 단부가 차지된 웨이퍼(WF)의 내측을 향하는 커브 형상을 갖도록 구성된다.Each of the six fingers 60a to 60f extends from the edge of the inlet side of the corresponding rod among the six rods 40a to 40f and is configured to have a curved shape toward the inside of the wafer WF occupied by the end.

이때 동일 그룹에 속한 핑거들은 동일 방향의 커브를 형성하며, 길이는 라드와 지지점 간의 거리에 따라 달라질 수 있다. At this time, fingers belonging to the same group form a curve in the same direction, and the length may vary depending on the distance between the rod and the support point.

웨이퍼 진입 방향(WD)에 대하여 일측에 형성된 3개의 핑거(60a~60c)는 라드들(40a~44c)로부터 반시계방향의 커브를 갖도록 형성되며, 웨이퍼 진입 방향(WD)에 대하여 타측에 형성된 3개의 핑거(60d~60f)는 라드들(40d~44f)로부터 시계방향의 커브를 갖도록 형성된다.Three fingers 60a to 60c formed on one side with respect to the wafer entry direction WD are formed to have a counterclockwise curve from the rods 40a to 44c, and three fingers 60a to 60c formed on the other side with respect to the wafer entry direction WD The fingers 60d to 60f are formed to have a clockwise curve from the rods 40d to 44f.

입구를 형성하는 라드(60a) 및 라드(60f)는 웨이퍼(WF)의 출입을 보장하기 위한 이격된 폭을 갖기 위하여 구분선(PL)에 가깝게 형성된다. 그러므로, 라드(60a) 및 라드(60f)에서 수평으로 연장되는 핑거들(60a, 60f)는 구분선(PL)의 반대쪽에 위치한 라드들(40b~40e)에서 수평으로 연장되는 핑거들(60b~60e) 보다 긴 길이를 갖도록 구성된다.The rod 60a and the rod 60f forming the inlet are formed close to the division line PL to have a spaced width for ensuring the entrance of the wafer WF. Therefore, the fingers 60a and 60f extending horizontally from the rod 60a and the rod 60f are fingers 60b to 60e extending horizontally from the rods 40b to 40e located on the opposite side of the division line PL. ) Is configured to have a longer length.

본 발명의 상술한 도 1 내지 도 3의 실시예에 의한 보트(10)는 도 4와 같이 웨이퍼(WF)를 차지할 수 있다.The boat 10 according to the embodiment of FIGS. 1 to 3 described above of the present invention may occupy the wafer WF as shown in FIG. 4.

열처리 공정 전, 차지된 웨이퍼(WF)는 6개의 핑거(60a~60f)에 의해 수평을 유지하도록 지지된다. 이때, 웨이퍼(WF)의 저면은 6개의 핑거(60a~60f)의 편평한 상면과 면 접촉된다.Before the heat treatment process, the charged wafer WF is supported so as to be horizontally maintained by six fingers 60a to 60f. At this time, the bottom surface of the wafer WF is in surface contact with the flat upper surfaces of the six fingers 60a to 60f.

그 후, 950℃ 내지 1200℃의 고온의 열처리 공정이 진행되면, 보트(10) 및 웨이퍼(Wf)는 고온에 의해 변형될 수 있다.Thereafter, when a heat treatment process at a high temperature of 950° C. to 1200° C. is performed, the boat 10 and the wafer Wf may be deformed by the high temperature.

즉, 웨이퍼(WF)의 휨이나 처짐이 발생될 수 있으며, 이 경우, 6개의 핑거(60a~60f)의 단부가 웨이퍼(WF)의 저면과 점 접촉될 수 있다.That is, bending or sagging of the wafer WF may occur, and in this case, the ends of the six fingers 60a to 60f may be in point contact with the bottom surface of the wafer WF.

본 발명의 실시예에 의하여, 고온의 열처리 공정 중 웨이퍼(WF)는 6개의 단부의 점 접촉에 의해 지지된다.According to an embodiment of the present invention, during the high-temperature heat treatment process, the wafer WF is supported by the point contact of the six ends.

웨이퍼(WF)의 하중은 많은 수 즉 6개의 점 접촉 위치들로 분산되며, 각 지지점(EA~EF) 별로 집중되는 하중이 경감될 수 있다. 그 결과 웨이퍼(WF)의 접 접촉 위치들의 웨이퍼 슬립 발생이 방지될 수 있다.The load of the wafer WF is distributed to a large number, that is, six point contact positions, and the load concentrated for each support point EA to EF can be reduced. As a result, it is possible to prevent the occurrence of wafer slip at the contact points of the wafer WF.

그러므로, 본 발명의 실시예는 웨이퍼 수율을 개선하는 효과를 기대할 수 있다.Therefore, the embodiment of the present invention can be expected to improve the wafer yield.

한편, 도 1 내지 도 4의 실시예에서, 6개의 핑거(60a~60f) 중 입구에 인접한 핑거들(60a, 60f)이 다른 핑거들(60b~60e)보다 상대적으로 길게 수평으로 연장된다. 그러므로, 핑거들(60a, 60f)이 다른 핑거들(60b~60e)보다 고온에 더 민감하게 변형될 수 있다.Meanwhile, in the embodiment of FIGS. 1 to 4, among the six fingers 60a to 60f, the fingers 60a and 60f adjacent to the inlet extend relatively longer and horizontally than the other fingers 60b to 60e. Therefore, the fingers 60a and 60f may be deformed more sensitively to high temperatures than the other fingers 60b to 60e.

이를 해소하기 위하여 본 발명은 도 5와 같이 보트(10)를 변형 실시할 수 있다.In order to solve this, the present invention may modify the boat 10 as shown in FIG. 5.

도 5의 실시예는 타원형 링의 베이스를 이용하는 점, 복수 개의 라드가 타원형으로 배치되는 점, 및 입구에 인접한 라드들에 형성된 핑거들(60a, 60f)의 길이가 도 1 내지 도 4의 실시예보다 짧은 점에서 차이가 있다. 도 5의 실시예에서 도 1 내지 도 4와 동일한 구성의 중복 설명은 생략한다.In the embodiment of FIG. 5, a point using the base of an elliptical ring, a point at which a plurality of rods are arranged in an elliptical shape, and the lengths of fingers 60a and 60f formed on the rods adjacent to the entrance are the embodiments of FIGS. 1 to 4 There is a difference in a shorter way. In the embodiment of FIG. 5, a duplicate description of the same configuration as in FIGS. 1 to 4 will be omitted.

도 5의 실시예에서, 베이스(20)는 타원형 판 또는 링 형상으로 구성된다. 상부 플레이트(30)도 베이스(20)와 동일하게 타원형 링으로 구성될 수 있다. 그리고, 필요한 경우, 베이스(20)는 웨이퍼(WF)가 진입하는 쪽으로 직선으로 연장된 면(SR)을 포함할 수 있으며, 직선으로 연장된 면(SR)은 라드(40a)와 라드(40b) 사이 및 라드(40d)와 라드(40f) 사이에 형성됨이 바람직하다. 그리고, 상부 플레이트(30)도 베이스(20)와 유사하게 직선으로 연장된 면을 가질 수 있다.In the embodiment of Figure 5, the base 20 is configured in the shape of an oval plate or ring. The upper plate 30 may also be formed of an elliptical ring similar to the base 20. And, if necessary, the base 20 may include a surface SR that extends in a straight line toward the entrance of the wafer WF, and the surface SR that extends in a straight line is a rod 40a and a rod 40b. It is preferably formed between and between the rod 40d and the rod 40f. In addition, the upper plate 30 may also have a surface extending in a straight line similar to the base 20.

6개의 라드(40a~40f)가 베이스(20)와 상부 플레이트(30) 사이에 설치되며, 타원의 원주에 대응하는 위치에 배열될 수 있다.Six rods 40a to 40f are installed between the base 20 and the upper plate 30, and may be arranged at a position corresponding to the circumference of the ellipse.

그리고, 6개의 라드(40a~40f) 중 입구에 인접한 라드들(40a, 40f)는 웨이퍼(WF)의 직경보다 넓은 거리로 이격된다.And, among the six rods 40a to 40f, the rods 40a and 40f adjacent to the inlet are spaced apart by a distance greater than the diameter of the wafer WF.

그리고, 라드들(40a, 40f)은 차지된 웨이퍼(WF)의 중심에서 웨이퍼 진입 방향(WD)과 직교하는 구분선(PL)을 중심으로 다른 라드들(40b~40e)과 반대쪽에 위치한다.In addition, the rods 40a and 40f are located opposite to the other rods 40b to 40e with a dividing line PL perpendicular to the wafer entry direction WD at the center of the occupied wafer WF.

라드들(40b~40e)은 웨이퍼(WF)의 중심과 등거리를 갖는다. 그러나, 라드들(40a, 40f)은 도 1 내지 도 4의 실시예보다 구분선(PL)로부터 멀리 떨어지게 위치되며, 다른 라드들(40b~40e)보다 웨이퍼가 진입하는 쪽에 더 멀리 떨어져서 위치한다.The rods 40b to 40e have an equidistant distance from the center of the wafer WF. However, the rods 40a and 40f are located farther away from the dividing line PL than the embodiments of FIGS. 1 to 4, and are located farther away from the side where the wafer enters than the other rods 40b to 40e.

그 결과, 라드들(40a, 40f)은 도 1 내지 도 4 실시예보다 지지점들(EA, EF)에 가까이 위치한다. As a result, the rods 40a and 40f are located closer to the supporting points EA and EF than in the embodiments of FIGS. 1 to 4.

라드들(40a, 40f)에서 연장되는 입구에 인접한 핑거들(60a, 60f)은 도 1 내지 도 4의 실시예보다 짧은 길이를 가질 수 있다. 그러므로, 핑거들(60a, 60f)이 도 1 내지 도 4 실시예보다 고온에 덜 민감할 수 있다.Fingers 60a and 60f adjacent to the inlet extending from the rods 40a and 40f may have a shorter length than the embodiments of FIGS. 1 to 4. Therefore, the fingers 60a and 60f may be less sensitive to high temperatures than the embodiments of FIGS. 1 to 4.

그러므로, 도 5의 실시예도 웨이퍼(WF)의 하중을 많은 수 즉 6개의 점 접촉 위치들에 효과적으로 분산할 수 있으며, 각 지지점(EA~EF) 별로 집중되는 하중이 경감될 수 있다. Therefore, even in the embodiment of FIG. 5, the load of the wafer WF can be effectively distributed to a large number of, that is, six point contact positions, and the load concentrated for each support point EA to EF can be reduced.

따라서, 웨이퍼(WF)의 접 접촉 위치들의 웨이퍼 슬립 발생이 방지될 수 있으며, 웨이퍼 수율이 개선될 수 있다.Accordingly, the occurrence of wafer slip at the contact points of the wafer WF can be prevented, and the wafer yield can be improved.

또한, 도 5의 실시예는 도 1 내지 도 4의 실시예와 비교하여 입구가 상대적으로 넓게 형성될 수 있다. 따라서, 도 5의 실시예는 웨이퍼의 출입을 보다 편하게 보장하는 이점을 가질 수 있다.In addition, in the embodiment of FIG. 5, the inlet may be formed relatively wider than the embodiment of FIGS. 1 to 4. Accordingly, the embodiment of FIG. 5 may have the advantage of ensuring more convenient access of the wafer.

Claims (15)

베이스;
상기 베이스의 상부에 평행하게 이격된 상부 플레이트;
상기 베이스와 상기 상부 플레이트 사이에 설치되며, 웨이퍼 차지 공간을 내부에 형성하고 일방향에 대하여 웨이퍼의 출입이 가능한 입구를 형성하도록 배치되는 복수 개의 라드(Rod); 및
상기 복수 개의 라드에 구성되며, 수직으로 배열된 복수 개의 슬롯을 형성하는 복수 개의 웨이퍼 지지부;를 포함하고,
각 웨이퍼 지지부는 상기 웨이퍼 차지 공간을 향하여 수평으로 연장되며 상기 슬롯에 차지되는 상기 웨이퍼의 하부를 지지하는 복수 개의 핑거를 구비하며,
상기 복수 개의 핑거에 의해 형성되는 6개의 단부가 상기 웨이퍼의 중심에 대한 동심원 상에 등각으로 분산된 6개의 지지점에 위치함을 특징으로 하는 반도체 공정용 보트.Base;
An upper plate spaced parallel to the upper portion of the base;
A plurality of rods installed between the base and the upper plate and disposed to form a wafer charge space therein and to form an entrance through which the wafer can enter and exit in one direction; And
Includes; a plurality of wafer supports configured on the plurality of rods and forming a plurality of vertically arranged slots,
Each wafer support unit includes a plurality of fingers extending horizontally toward the wafer charge space and supporting a lower portion of the wafer occupied in the slot,
6. A boat for semiconductor processing, characterized in that the six ends formed by the plurality of fingers are located at six support points that are equally distributed on a concentric circle with respect to the center of the wafer. 제1 항에 있어서,
상기 복수 개의 핑거는 상면이 편평한 상기 6개의 핑거를 포함하고,
상기 6개의 단부는 상기 6개의 핑거의 단부에 해당하는 반도체 공정용 보트.The method of claim 1,
The plurality of fingers includes the six fingers having a flat top surface,
The six ends correspond to the ends of the six fingers for a semiconductor process boat. 제2 항에 있어서,
상기 6개의 핑거는 웨이퍼 진입 방향에 대하여 대칭하는 두 개의 그룹으로 나눠지며,
각 핑거는 상기 복수 개의 라드의 상기 입구 쪽의 모서리에서 연장되며 단부가 차지된 상기 웨이퍼의 내측을 향하는 커브 형상을 갖는 반도체 공정용 보트.The method of claim 2,
The six fingers are divided into two groups that are symmetric with respect to the wafer entry direction,
Each finger extends from an edge of the inlet side of the plurality of rods, and has a curved shape toward the inside of the wafer, the end of which is occupied. 제1 항에 있어서,
상기 복수 개의 라드는 6개의 라드를 포함하며,
상기 6개의 라드의 각각에 상면이 편평한 하나의 상기 핑거가 구성되고,
상기 6개의 단부는 상기 6개의 라드에 구성되는 6개의 핑거의 단부에 해당하는 반도체 공정용 보트.The method of claim 1,
The plurality of rods includes 6 rods,
One finger having a flat top is configured on each of the six rods,
The six ends correspond to the ends of the six fingers configured in the six rods for semiconductor processing. 제4 항에 있어서,
상기 복수 개의 라드들 중 상기 입구에 인접한 제1 및 제2 라드는 상기 웨이퍼 직경보다 넓은 거리로 이격되며, 차지된 상기 웨이퍼의 중심에서 웨이퍼 진입 방향과 직교하는 구분선을 중심으로 다른 라드들과 반대쪽에 위치하는 반도체 공정용 보트.The method of claim 4,
Among the plurality of rods, the first and second rods adjacent to the inlet are spaced apart by a distance greater than the diameter of the wafer, and are opposite to the other rods around a dividing line perpendicular to the entrance direction of the wafer from the center of the occupied wafer. The boat for the semiconductor process on which it is located. 제5 항에 있어서,
상기 베이스는 원형 판 또는 링 형상으로 형성되며,
상기 복수 개의 라드들은 상기 원형 판 또는 링 형상상에 설치되며 상기 웨이퍼의 중심에서 등거리에 위치하는 반도체 공정용 보트.The method of claim 5,
The base is formed in a circular plate or ring shape,
The plurality of rods are installed on the circular plate or ring shape and positioned at an equidistant distance from the center of the wafer. 제4 항에 있어서,
상기 복수 개의 라드들 중 상기 입구에 인접한 제1 및 제2 라드는 상기 웨이퍼 직경보다 넓은 거리로 이격되고, 차지된 상기 웨이퍼의 중심에서 상기 웨이퍼 진입 방향과 직교하는 구분선을 중심으로 다른 라드들과 반대쪽에 위치하며, 상기 웨이퍼의 중심과 등거리를 갖는 다른 라드들보다 상기 웨이퍼가 진입하는 쪽에 더 멀리 떨어진 반도체 공정용 보트.The method of claim 4,
Among the plurality of rods, the first and second rods adjacent to the inlet are spaced apart by a distance greater than the diameter of the wafer, and are opposite to other rods based on a dividing line perpendicular to the entrance direction of the wafer from the center of the occupied wafer. A boat for semiconductor processing that is located at and farther away from the side of the wafer entry than other rods having an equidistant distance from the center of the wafer. 제7 항에 있어서,
상기 베이스는 타원형 판 또는 링 형상으로 형성되며,
상기 복수 개의 라드들은 상기 타원형 판 또는 링 형상상에 설치되는 반도체 공정용 보트.The method of claim 7,
The base is formed in an oval plate or ring shape,
The plurality of rods are installed on the oval plate or ring shape for a semiconductor process boat. 제5 항 또는 상기 제 8항에 있어서,
상기 제1 및 제2 라드의 상기 웨이퍼 차지 공간을 마주하는 면들은 상기 웨이퍼 진입 방향과 평행하게 형성되는 반도체 공정용 보트.The method of claim 5 or 8,
Surfaces of the first and second rods facing the wafer occupied space are formed parallel to the entrance direction of the wafer. 제1 항에 있어서,
상기 6개의 단부는 상기 웨이퍼의 중심에 대한 동심원 상에 60도의 등각으로 분산된 상기 6개의 지지점에 위치함을 특징으로 하는 반도체 공정용 보트.The method of claim 1,
The six end portions are positioned at the six support points distributed at an equal angle of 60 degrees on a concentric circle with respect to the center of the wafer. 베이스;
상기 베이스의 상부에 평행하게 이격된 상부 플레이트;
상기 베이스와 상기 상부 플레이트 사이에 설치되며, 타원의 원주에 대응하는 위치에 배열되고, 웨이퍼 차지 공간을 내부에 형성하고 일방향에 대하여 웨이퍼의 출입이 가능한 입구를 형성하도록 배치되는 복수 개의 라드(Rod); 및
상기 복수 개의 라드에 구성되며, 수직으로 배열된 복수 개의 슬롯을 형성하는 복수 개의 웨이퍼 지지부;를 포함하고,
각 웨이퍼 지지부는 상기 웨이퍼 차지 공간을 향하여 수평으로 연장되며 상기 슬롯에 차지되는 상기 웨이퍼의 하부를 지지하는 복수 개의 핑거를 구비하며,
상기 복수 개의 핑거에 의해 형성되는 6개의 단부가 상기 웨이퍼의 중심에 대한 동심원 상에 등각으로 분산된 6개의 지지점에 위치함을 특징으로 하는 반도체 공정용 보트.Base;
An upper plate spaced parallel to the upper portion of the base;
A plurality of rods installed between the base and the upper plate, arranged at a position corresponding to the circumference of the ellipse, and arranged to form a wafer charge space inside and to form an inlet through which the wafer can enter and exit in one direction ; And
Includes; a plurality of wafer supports configured on the plurality of rods and forming a plurality of slots arranged vertically,
Each wafer support portion includes a plurality of fingers extending horizontally toward the wafer charge space and supporting a lower portion of the wafer occupied in the slot,
6. A boat for semiconductor processing, characterized in that the six ends formed by the plurality of fingers are located at six support points that are equally distributed on a concentric circle with respect to the center of the wafer. 제11 항에 있어서,
상기 복수 개의 라드는 6개의 라드를 포함하며,
상기 6개의 라드의 각각에 상면이 편평한 하나의 상기 핑거가 구성되고,
상기 6개의 단부는 상기 6개의 라드에 구성되는 6개의 핑거의 단부에 해당하는 반도체 공정용 보트.The method of claim 11,
The plurality of rods includes 6 rods,
One finger having a flat top is configured on each of the six rods,
The six ends correspond to the ends of the six fingers configured in the six rods for semiconductor processing. 제12 항에 있어서,
상기 6개의 핑거는 웨이퍼 진입 방향에 대하여 대칭하는 두 개의 그룹으로 나눠지며,
각 핑거는 상기 복수 개의 라드의 상기 입구 쪽의 모서리에서 연장되며 단부가 차지된 상기 웨이퍼의 내측을 향하는 커브 형상을 갖는 반도체 공정용 보트.The method of claim 12,
The six fingers are divided into two groups that are symmetric with respect to the wafer entry direction,
Each finger extends from an edge of the inlet side of the plurality of rods, and has a curved shape toward the inside of the wafer, the end of which is occupied. 제11 항에 있어서,
상기 베이스는 타원형 판 또는 링 형상으로 형성되며,
상기 복수 개의 라드들은 상기 타원형 판 또는 링 형상상에 설치되는 반도체 공정용 보트.The method of claim 11,
The base is formed in an oval plate or ring shape,
The plurality of rods are installed on the oval plate or ring shape for a semiconductor process boat. 제11 항에 있어서,
상기 6개의 단부는 상기 웨이퍼의 중심에 대한 동심원 상에 60도의 등각으로 분산된 상기 6개의 지지점에 위치함을 특징으로 하는 반도체 공정용 보트.The method of claim 11,
The six end portions are positioned at the six support points distributed at an equal angle of 60 degrees on a concentric circle with respect to the center of the wafer.
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