KR20200140544A - 안테나 튜닝을 위한 전자 장치 - Google Patents

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김민수
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사공민
조현태
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Abstract

다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치(electronic device)는 안테나(antenna) 및 제1 PCB(print circuit board)를 포함하는 제1 구조체(body), 상기 안테나는 상기 제1 PCB에 배치되고, RF(radio frequency) 모듈 및 제2 PCB를 포함하는 제2 구조체(body), 상기 RF 모듈은 상기 제2 PCB에 배치되고, 상기 제1 구조체를 제1 상태에서 제2 상태로 이동시키는 프레임(slide frame); 및 상기 제1 구조체와 상기 제2 구조체를 전기적으로(electrically) 연결시키는 연결 구조를 포함할 수 있다. 상기 연결 구조는, 상기 제1 PCB 상에 배치되는 적어도 하나의 안테나 연결 단자; 및 상기 제2 PCB 상에 배치되는 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들을 포함하고, 상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제1 RF 연결 단자 및 제2 RF 연결 단자를 포함하고, 상기 제1 구조체는, 상기 제1 상태에서 상기 연결 구조를 통해 상기 제1 RF 연결 단자와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 상태에서 상기 연결 구조를 통해 상기 제2 RF 연결 단자와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 PCB는 상기 제1 RF 연결 단자에 대한 제1 RF 튜닝 회로(tuning circuit) 및 상기 제2 RF 연결 단자에 대한 제2 RF 튜닝 회로를 포함할 수 있다.

Description

안테나 튜닝을 위한 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE FOR ANTENNA TUNING}
후술되는 다양한 실시 예들은 안테나 튜닝(antenna tuning)을 위한 전자 장치(electronic device)에 관한 것이다.
전자 장치는 안테나를 이용하여 신호를 전송할 수 있다. 방사 성능의 효율을 높이기 위해, 안테나에 연결되는 RF(radio frequency) 회로의 튜닝이 요구된다. 이 때, 안테나를 포함하는 구조체와 RF 모듈을 포함하는 구조체간 상대적인 위치가 변경되면, 기존 회로 소자들로 인한 안테나의 방사 특성이 변경될 수 있다.
하나의 튜닝 설정만으로 각 구조체의 물리적인 위치에 따른 방사 특성을 최적화하기 어려운 문제가 있다. 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 안테나를 포함하는 구조체와 RF(radio frequency) 모듈을 포함하는 구조체 간 상대적인 위치 변경에 따른 안테나 성능 차이를 최소화하고, 각 위치에서 안테나 성능을 최적화할 수 있다.
본 문서에서 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치(electronic device)는 안테나(antenna) 및 제1 PCB(print circuit board)를 포함하는 제1 구조체(body), 상기 안테나는 상기 제1 PCB에 배치되고, RF(radio frequency) 모듈 및 제2 PCB를 포함하는 제2 구조체(body), 상기 RF 모듈은 상기 제2 PCB에 배치되고, 상기 제1 구조체를 제1 상태에서 제2 상태로 이동시키는 프레임(slide frame); 및 상기 제1 구조체와 상기 제2 구조체를 전기적으로(electrically) 연결시키는 연결 구조를 포함할 수 있다. 상기 연결 구조는, 상기 제1 PCB 상에 배치되는 적어도 하나의 안테나 연결 단자; 및 상기 제2 PCB 상에 배치되는 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들을 포함하고, 상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제1 RF 연결 단자 및 제2 RF 연결 단자를 포함하고, 상기 제1 구조체는, 상기 제1 상태에서 상기 연결 구조를 통해 상기 제1 RF 연결 단자와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 상태에서 상기 연결 구조를 통해 상기 제2 RF 연결 단자와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 PCB는 상기 제1 RF 연결 단자에 대한 제1 RF 튜닝 회로(tuning circuit) 및 상기 제2 RF 연결 단자에 대한 제2 RF 튜닝 회로를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(electronic device)는, 분리된 구조체들 간 상대적인 위치 별 RF 회로를 제공함으로써, 각 위치에서 최적의 안테나 성능을 제공할 수 있다.
본 개시에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은, 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블럭도이다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른, 복수 개의 셀룰러 네트워크들(cellular networks)을 포함하는 네트워크 환경에서의 전자 장치의 블록도이다.
도 3은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 유형의 예를 도시한다.
도 4a는 다양한 실시 예들에 따른 슬라이드 전자 장치의 구조의 예를 도시한다.
도 4b는 다양한 실시 예들에 따른 슬라이드 전자 장치의 구조의 다른 예를 도시한다.
도 5는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들간 연결의 예를 도시한다.
도 6은 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결에 대한 회로의 예를 도시한다.
도 7은 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 위한 컨택 구조의 예를 도시한다.
도 8a는 다양한 실시 예들에 따른 컨택 구조에서의 안테나 튜닝의 예를 도시한다.
도 8b는 다양한 실시 예들에 따른 안테나 튜닝에 대한 회로의 예를 도시한다.
도 9a는 다양한 실시 예들에 따른 컨택 구조에서 안테나 튜닝의 다른 예를 도시한다.
도 9b는 다양한 실시 예들에 따른 안테나 튜닝에 대한 회로의 다른 예를 도시한다.
도 10a는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 연결 구조의 예를 도시한다.
도 10b는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 연결 구조의 다른 예를 도시한다.
도 11은 다양한 실시 예들에 따른 커패시터를 이용한 커플링 구조의 예를 도시한다.
도 12a는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 커플링 구조의 예를 도시한다.
도 12b는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 커플링 구조의 다른 예를 도시한다.
도 12c는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 커플링 구조의 또 다른 예를 도시한다.
도 13은 다양한 실시 예들에 따른 유전체를 이용한 구조체들 간 연결의 예를 도시한다.
도 14a는 다양한 실시 예들에 가이드 형태의 유전체를 이용한 구조체들 간 연결의 예를 도시한다.
도 14b는 다양한 실시 예들에 가이드 형태의 유전체를 이용한 구조체들 간 연결 구조의 단면의 예를 도시한다.
본 개시에서 사용되는 용어들은 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 다른 실시 예의 범위를 한정하려는 의도가 아닐 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 용어들은 본 개시에 기재된 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가질 수 있다. 본 개시에 사용된 용어들 중 일반적인 사전에 정의된 용어들은, 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 동일 또는 유사한 의미로 해석될 수 있으며, 본 개시에서 명백하게 정의되지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. 경우에 따라서, 본 개시에서 정의된 용어일지라도 본 개시의 실시 예들을 배제하도록 해석될 수 없다.
이하에서 설명되는 본 개시의 다양한 실시 예들에서는 하드웨어적인 접근 방법을 예시로서 설명한다. 하지만, 본 개시의 다양한 실시 예들에서는 하드웨어와 소프트웨어를 모두 사용하는 기술을 포함하고 있으므로, 본 개시의 다양한 실시 예들이 소프트웨어 기반의 접근 방법을 제외하는 것은 아니다.
이하 본 개시는 무선 통신 시스템에서 안테나 튜닝(antenna tuning) 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 개시는 무선 통신 시스템에서 안테나를 포함하는 구조체와 RF(radio frequency) 모듈을 포함하는 구조체의 상대적인 위치의 변경에 따라 안테나와 RF 모듈 사이의 RF 회로를 적응적으로 구성함으로써, 안테나의 방사 성능을 높이기 위한 기술을 설명한다.
이하 설명에서 사용되는 안테나를 지칭하는 용어(예: 안테나 엘리먼트, 어레이 안테나, 안테나 모듈, 안테나 회로), 전자 장치의 구조물을 지칭하는 용어(예: 구조체, 바디, 이동부, 고정부), 도체를 지칭하는 용어(예: 도전성 부재, 도전체, 도전판, 도전성 플레이트, 도전성 요소), 구조체들 간 연결부를 지칭하는 용어(예: 컨택 소자, 컨택 구조체, 컨택 부재, 컨택 단자, 연결 단자, 연결 소자, 연결 구조체, 커플링 단자, 커플링 구조체), 회로를 지칭하는 용어 (예: RF 신호선, RF 경로, RF 모듈, 안테나 선, 그라운드 회로, RF 회로) 등은 설명의 편의를 위해 예시된 것이다. 따라서, 본 개시가 후술되는 용어들에 한정되는 것은 아니며, 동등한 기술적 의미를 가지는 다른 용어가 사용될 수 있다.
이하에 설명되는 도 1 내지 14b, 및 이 특허 명세서에 있어서의 본 개시의 원리들을 설명하기 위해 사용되는 각종 실시 예들은 오직 예시의 방법에 의한 것이며, 어떤 방식으로도 본 개시의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 본 개시의 원리들은 임의의 적절하게 구성된 시스템 또는 장치에서 구현될 수 있다는 것을 당업자는 이해할 수 있을 것이다. 또한, 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 1은, 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치의 블럭도이다.
도 1을 참고하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 장치(150), 음향 출력 장치(155), 표시 장치(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 표시 장치(160) 또는 카메라 모듈(180))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들은 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(176)(예: 지문 센서, 홍채 센서, 또는 조도 센서)은 표시 장치(160)(예: 디스플레이)에 임베디드된 채 구현될 수 있다
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 로드하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 및 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대체적으로, 보조 프로세서(123)은 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 표시 장치(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)는 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 장치(150)는, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(150)는, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 장치(155)는 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(155)는, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
표시 장치(160)는 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 표시 장치(160)는, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 표시 장치(160)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(touch circuitry), 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(예: 압력 센서)를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 장치(150)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)기 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(178)은, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(388)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi direct 또는 IrDA(infrared data association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 및 인증할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 하나의 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC)이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 전자 장치(102, 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부 전자 장치들(102, 104, or 108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른, 복수 개의 셀룰러 네트워크들(cellular networks)을 포함하는 네트워크 환경에서의 전자 장치(101)의 블록도(200)이다.
도 2를 참조하면, 전자 장치(101)는 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212), 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214), 제 1 RFIC(radio frequency integrated circuit(222), 제 2 RFIC(224), 제 3 RFIC(226), 제 4 RFIC(228), 제 1 RFFE(radio frequency front end)(232), 제 2 RFFE(234), 제 1 안테나 모듈(242), 제 2 안테나 모듈(244), 및 안테나(248)를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 프로세서(120) 및 메모리(130)를 더 포함할 수 있다. 제 2 네트워크(199)는 제 1 셀룰러 네트워크(292)와 제 2 셀룰러 네트워크(294)를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 도 1에 기재된 부품들 중 적어도 하나의 부품을 더 포함할 수 있고, 제 2 네트워크(199)는 적어도 하나의 다른 네트워크를 더 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212), 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214), 제 1 RFIC(222), 제 2 RFIC(224), 제 4 RFIC(228), 제 1 RFFE(232), 및 제 2 RFFE(234)는 무선 통신 모듈(192)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 제 4 RFIC(228)는 생략되거나, 제 3 RFIC(226)의 일부로서 포함될 수 있다.
제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)는 제 1 셀룰러 네트워크(292)와의 무선 통신에 사용될 대역의 통신 채널의 수립(establishment), 및 수립된 통신 채널을 통한 네트워크 통신을 지원할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 제 1 셀룰러 네트워크는 2세대(2G), 3G, 4G, 또는 LTE(long term evolution) 네트워크를 포함하는 네트워크일 수 있다. 일 예로, 제1 커뮤니케이션 프로세서(212)는 제1 셀룰러 네트워크에 접속하기 위한 무선 접속 기술(radio access technology, RAT)로써, 3GPP에서 정의하는 LTE 통신 프로토콜을 지원할 수 있다. 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 제 2 셀룰러 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 지정된 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네크워크 통신을 지원할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 제 2 셀룰러 네트워크(294)는 5G 네트워크일 수 있다. 일 예로, 제2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 제2 셀룰러 네트워크에 접속하기 위한 무선 접속 기술로써, 3GPP에서 정의하는 NR(new radio) 통신 프로토콜을 지원할 수 있다. 추가적으로, 일 실시 예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 제 2 셀룰러 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 다른 지정된 대역(예: 약 6GHz 이하)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네크워크 통신을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)와 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 단일(single) 칩 또는 단일 패키지 내에 구현될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 프로세서(120), 보조 프로세서(예: 도 1의 보조 프로세서(123)), 또는 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))과 단일 칩 또는 단일 패키지 내에 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)와 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 인터페이스(미도시)에 의해 직접적으로 또는 간접적으로 서로 연결되어, 어느 한 방향으로 또는 양 방향으로 데이터 또는 제어 신호를 제공하거나 받을 수 있다.
제 1 RFIC(222)는, 송신 시에, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)에 의해 생성된 기저대역(baseband) 신호를 제 1 셀룰러 네트워크(292)(예: LTE 네트워크)에 사용되는 약 700MHz 내지 약 3GHz의 라디오 주파수(RF) 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에는, RF 신호가 안테나(예: 제 1 안테나 모듈(242))를 통해 제 1 셀룰러 네트워크(292)(예: LTE 네트워크)로부터 획득되고, RFFE(예: 제 1 RFFE(232))를 통해 전처리(preprocess)될 수 있다. 제 1 RFIC(222)는 전처리된 RF 신호를 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.
제 2 RFIC(224)는, 송신 시에, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에 사용되는 Sub6 대역(예: 약 6GHz 이하)의 RF 신호(이하, 5G Sub6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시에는, 5G Sub6 RF 신호가 안테나(예: 제 2 안테나 모듈(244))를 통해 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득되고, RFFE(예: 제 2 RFFE(234))를 통해 전처리될 수 있다. 제 2 RFIC(224)는 전처리된 5G Sub6 RF 신호를 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214) 중 대응하는 커뮤니케이션 프로세서에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.
제 3 RFIC(226)는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에서 사용될 5G Above6 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 RF 신호(이하, 5G Above6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시에는, 5G Above6 RF 신호가 안테나(예: 안테나(248))를 통해 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득되고 제 3 RFFE(236)를 통해 전처리될 수 있다. 제 3 RFIC(226)는 전처리된 5G Above6 RF 신호를 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 3 RFFE(236)는 제 3 RFIC(226)의 일부로서 형성될 수 있다.
전자 장치(101)는, 일 실시 예에 따르면, 제 3 RFIC(226)와 별개로 또는 적어도 그 일부로서, 제 4 RFIC(228)를 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 4 RFIC(228)는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 중간(intermediate) 주파수 대역(예: 약 9GHz ~ 약 11GHz)의 RF 신호(이하, IF(intermediate frequency) 신호)로 변환한 뒤, 상기 IF 신호를 제 3 RFIC(226)로 전달할 수 있다. 제 3 RFIC(226)는 IF 신호를 5G Above6 RF 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에, 5G Above6 RF 신호가 안테나(예: 안테나(248))를 통해 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 수신되고 제 3 RFIC(226)에 의해 IF 신호로 변환될 수 있다. 제 4 RFIC(228)는 IF 신호를 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)가 처리할 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제 1 RFIC(222)와 제 2 RFIC(224)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 RFFE(232)와 제 2 RFFE(234)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 안테나 모듈(242) 또는 제 2 안테나 모듈(244)중 적어도 하나의 안테나 모듈은 생략되거나 다른 안테나 모듈과 결합되어 대응하는 복수의 대역들의 RF 신호들을 처리할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제 3 RFIC(226)와 안테나(248)는 동일한 서브스트레이트(substrate)에 배치되어 제 3 안테나 모듈(246)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 무선 통신 모듈(192) 또는 프로세서(120)가 제 1 서브스트레이트(예: main PCB)에 배치될 수 있다. 이런 경우, 제 1 서브스트레이트와 별도의 제 2 서브스트레이트(예: sub PCB)의 일부 영역(예: 하면)에 제 3 RFIC(226)가, 다른 일부 영역(예: 상면)에 안테나(248)가 배치되어, 제 3 안테나 모듈(246)이 형성될 수 있다. 제 3 RFIC(226)와 안테나(248)를 동일한 서브스트레이트에 배치함으로써 그 사이의 전송 선로의 길이를 줄이는 것이 가능하다. 이는, 예를 들면, 5G 네트워크 통신에 사용되는 고주파 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 신호가 전송 선로에 의해 손실(예: 감쇄)되는 것을 줄일 수 있다. 이로 인해, 전자 장치(101)는 제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)와의 통신의 품질 또는 속도를 향상시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 안테나(248)는 빔포밍에 사용될 수 있는 복수 개의 안테나 엘리먼트들을 포함하는 안테나 어레이(antenna array)로 형성될 수 있다. 이런 경우, 제 3 RFIC(226)는, 예를 들면, 제 3 RFFE(236)의 일부로서, 복수 개의 안테나 엘리먼트들에 대응하는 복수 개의 위상 변환기(phase shifter)(238)들을 포함할 수 있다. 송신 시에, 복수 개의 위상 변환기(238)들 각각은 대응하는 안테나 엘리먼트를 통해 전자 장치(101)의 외부(예: 5G 네트워크의 기지국)로 송신될 5G Above6 RF 신호의 위상을 변환할 수 있다. 수신 시에, 복수 개의 위상 변환기(238)들 각각은 대응하는 안테나 엘리먼트를 통해 상기 외부로부터 수신된 5G Above6 RF 신호의 위상을 동일한 또는 실질적으로 동일한 위상으로 변환할 수 있다. 이것은 전자 장치(101)와 상기 외부 간의 빔포밍을 통한 송신 또는 수신을 가능하게 한다.
제 2 셀룰러 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)는 제 1 셀룰러 네트워크(292)(예: LTE 네트워크)와 독립적으로 운영되거나(예: Stand-Alone (SA)), 연결되어 운영될 수 있다(예: Non-Stand Alone (NSA)). 예를 들면, 5G 네트워크에는 액세스 네트워크(예: 5G radio access network(RAN) 또는 next generation RAN(NG RAN))만 있고, 코어 네트워크(예: next generation core(NGC))는 없을 수 있다. 이런 경우, 전자 장치(101)는 5G 네트워크의 액세스 네트워크에 액세스한 후, 제1 셀룰러 네트워크의 코어 네트워크(예: evolved packed core(EPC))의 제어 하에 외부 네트워크(예: 인터넷)에 액세스할 수 있다. 제1 셀룰러 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보(예: LTE 프로토콜 정보) 또는 5G 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보(예: NR 프로토콜 정보)는 메모리(130)에 저장되어, 다른 부품(예: 프로세서(120), 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212), 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214))에 의해 액세스될 수 있다.
도 2는 복수의 셀룰러 네트워크들을 도시하였으나, 도 2에 도시된 전자 장치(101)는 일 예일 뿐, 본 개시의 다양한 실시 예들은 이에 한정되지 않는다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)는, 제1 셀룰러 네트워크(예: LTE) 또는 제2 셀룰러 네트워크(예: NR, 6Ghz이하)를 위한 안테나를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 안테나는 메탈 안테나(metal antenna)를 포함할 수 있다.
본 개시는, 두 개 이상의 구조체들을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다. 즉, 전자 장치는 제1 구조체와 제2 구조체를 포함할 수 있다. 제1 구조체는 안테나를 포함할 수 있다. 제2 구조체는 RF 모듈 및 RF 모듈과 안테나를 연결하기 위한 RF 회로를 포함할 수 있다. 이하, 도 3을 통해 구조체들에 따른 전자 장치의 예를 도시한다.
도 3은 다양한 실시예에 따른 전자 장치(101)의 유형의 예(300)를 도시한다. 전자 장치(101)는 두 개 이상의 구조체들을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 유형은 슬라이드 타입(slide type)일 수 있다.
도 3을 참고하면, 전자 장치(300)는 제1 구조체(310)와 제1 구조체 (310)에 중첩되도록 배치되는 제2 구조체(360)를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 제1 구조체(310)는 무선 통신을 위한 안테나를 포함할 수 있다. 제2 구조체(360)는 무선 통신을 위한 RF 모듈(예: RFIC) 및 안테나와 연결되는 RF 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따라, 제1 구조체(310)는 디스플레이(325)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(310)는 전자 장치(101)의 전면에 위치하고, 제2 구조체(360)는 전자 장치(101)의 후면에 위치할 수 있다.
제1 구조체(310)는 제2 구조체(360)의 한 면을 따라 이동(예: 직선 이동 또는 곡선 이동)이 가능한 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 구조체(310)는 x축 상의 직선 이동(350)이 가능한 구조일 수 있다. 이하. 설명의 편의를 위해, 제1 구조체(310)가 x축 상에서 X 좌표가 작아지는 방향은 아래로 이동, 제1 구조체(310)가 x축 상에서 X 좌표가 커지는 방향은 위로 이동으로 지칭하여 서술한다. 제1 구조체(310)는 x축 상에서 상하 이동을 수행할 수 있다.
제1 구조체(310)의 상하 이동에 따라, 2가지 상태들이 정의될 수 있다. 2가지 상태들은, 제1 상태(300a)와 제2 상태(300b)를 포함할 수 있다. 제1 구조체는, 슬라이드 이동부로 지칭될 수 있다. 제2 구조체는 고정부로 지칭될 수 있다.
제1 상태(300a)에서, 제1 구조체(310)는 z축에 수직인 면의 위에서 볼 때 제2 구조체(360)와 적어도 일부 중첩할 수 있다. 제1 상태(300a)는, 제1 구조체(310)가 제2 구조체(360)와 가장 많은 영역에서 중첩된 상태로 정의될 수 있다. 제1 상태(300a)는 슬라이드-다운(slide-down) 상태로 지칭될 수 있다. 제2 상태(300b)에서, 제1 구조체(310)는 z축에 수직인 면의 위에서 볼 때 제2 구조체(360)와 적어도 일부 중첩할 수 있다. 제2 상태(300b)는, 제1 구조체(310)가 제2 구조체(360)와 가장 적은 영역에서 중첩된 상태로 정의될 수 있다. 제2 상태(300b)는 슬라이드-업(slide-up) 상태로 지칭될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 제2 상태(300b)에서 중첩되는 영역은 제1 상태(300a)에서 중첩되는 영역보다 작을 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 제1 구조체의 이동에 따라, 제1 구조체와 제2 구조체 간 상대적인 위치 관계가 달라질 수 있다. 예를 들어, 제1 구조체의 이동에 따라, 제1 구조체에 포함된 안테나와 제2 구조체에 포함된 RF 회로 간의 전송 선로(transmission line)의 길이가 달라질 수 있다. 또한, 예를 들어, 제1 구조체의 이동에 따라, 제1 구조체와 제2 구조체 간 중첩되는 영역의 크기가 달리질 수 있다. 즉, 안테나를 포함하는 제1 구조체의 이동은, 안테나를 포함하는 제1 구조체와 RF 모듈을 포함하는 제2 구조체 간 공간적인 특성들이 달라지게 할 수 있다. 제1 구조체의 이동은 안테나와 관련된 전계 및/또는 자계에 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(101)는 각 상태에 최적화된 안테나 성능을 제공하기 위한 구조를 포함할 수 있다.
도 3에서는, 제1 구조체(310)가 제2 구조체(360)에서 x축 방향으로 개방되는 슬라이드 유형을 예로 서술하였으나, 본 개시의 다양한 실시 예들은 이에 한정되지 않는다. 제1 구조체(310)가 제2 구조체(360)에서 y 축 방향으로 개방되는 슬라이드 유형 또한 본 개시의 일 실시 예로써 이해될 수 있다.
또한, 도 3은 전자 장치의 구조체들 간 상태를 2가지 상태들 중 하나로 정의하였으나, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 제1 구조체의 이동에 따라 3개 이상의 상태들이 정의될 수 있음은 물론이다. 제1 구조체가 가장 높은 위치 또는 가장 낮은 위치에 있는 경우 외에, 중간 상태를 제3 상태로서 정의할 수 있다.
또한, 도 3은 슬라이드 유형의 구조를 예로 서술하였으나, 본 개시의 다양한 실시 예들은 슬라이드 유형 뿐만 아니라, 두 구조체들이 분리되고 두 구조체들 간 상대적인 위치에 따라 복수의 물리적인 형태들을 갖는 전자 장치의 유형에 적용 가능하다. 예를 들어, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 튜닝 구조는, 접히거나 젖혀지는 구조체와 다른 구조체를 포함하는 유형의 전자 장치(예: 분절되는 구조체들을 포함하는 폴더블(foldable) 전자 장치)에서도 적용될 수 있다.
도 3에서 서술된 바와 같이, 본 개시는 두 개 이상의 구조체들을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다. 구체적으로 본 개시는, 안테나를 포함하는 안테나 회로를 포함하는 제1 구조체와 RF 모듈 및 프로세서를 포함하는 메인 회로를 포함하는 제2 구조체 간 연결 방식 및 각 연결 방식에 따른 안테나 튜닝에 관한 것이다. 이하, 설명의 편의를 위하여, 제1 구조체는 슬라이드 이동 부, 제2 구조체는 고정부로 지칭하여 서술하나, 본 개시의 다양한 실시 예들은 이에 한정되지 않는다. 일 실시 예에 따라, 제1 구조체가 고정부, 제2 구조체가 슬라이드 이동부일 수 있다. 즉, 전자 장치(101)의 디스플레이를 포함하는 전면부는 고정되고, 후면부가 상하 이동을 수행할 수 있다. 다른 일 실시 예에 따라, 제1 구조체 및 제2 구조체 모두 슬라이드 이동부일 수 있다. 즉, 제1 구조체 및 제2 구조체 모두 상하 이동을 수행할 도 있다.
종래 슬라이드 유형의 전자 장치는 슬라이드 이동부에 실장된 안테나와 고정부에 실장된 안테나 회로를 연결 시, 동축 케이블(coaxial cable) 혹은 FPCB(flexible printed circuit board)를 이용하여 슬라이드 이동부의 상하 이동에 따라 연결되는 부분들을 같이 움직이도록 구현되었다. 그러나, 슬라이드 이동부의 상하 이동은, 전자 장치의 유전체, 디스플레이와의 상대적인 변화 등과 같은 전자계 상황에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 동축 케이블 또는 FPCB 등이 슬라이드 이동부와 같이 움직일 수 있게 실장 공간이 추가적으로 요구될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들은, 안테나를 포함하는 구조체 및 RF 회로를 포함하는 구조체를 직접 접촉되는 방식(이하, 컨택 방식) 또는 커플링 방식을 통해 전기적으로 연결함으로써 실장 공간 부족으로 인한 문제를 해소할 수 있다. 그러나, 두 구조체들 간 연결을 컨택 방식 또는 커플링 방식으로 구현하더라도, 제1 구조체와 제2 구조체 간 상대적인 위치가 변경되면, 안테나와 RF 회로 간 상대적인 거리가 달라짐으로써 신호가 전달되는 RF 경로의 특성이 달라질 수 있다. 또한 물리적인 위치의 변경에 따라, 전자 장치에 배치되는 도전성 부재들로 인해 형성되는 자계가 달라지고 이는 안테나 성능에 영향을 미친다. 따라서, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 안테나를 포함하는 제1 구조체와 RF 회로 및 RF 모듈을 포함하는 제2 구조체 간 상대적인 위치에 따른 각 상태에서, 안테나 튜닝을 위한 RF 회로를 각각 구성할 수 있다. 접촉 또는 커플링 시, 구조체 간 상태(예: 슬라이드-다운 상태, 슬라이드-업 상태)에 따라 개별적으로 안테나에 연결되는 RF 회로를 튜닝함으로써, 안테나 성능을 구조체 간 상태에 따라 최적화 할 수 있다.
이하, 본 개시에서 안테나 튜닝이란, 안테나 성능을 높이기 위한 회로 설계를 의미할 수 있다. 안테나 성능은 통신이 수행되는 주파수 대역, 안테나와 연결되는 RF 회로 내 소자 값들, RF 회로를 구성하는 전송 선로의 길이, 도전체들 간의 배치에 영향을 받을 수 있다. 안테나 성능이란, 안테나와 RF 경로를 통해 형성되는 공진 주파수, 안테나를 통해 통신 주파수 대역에서 얻는 신호 이득, 안테나와 RF 경로를 통해 획득되는 정재파비 또는 반사 계수를 포함할 수 있다. 또한, 최적화된 성능이란, 정재파비(standing wave ratio, SWR), 반사 손실(return loss) 또는 공진 주파수에 따라 정의될 수 있다. 예를 들어, 안테나와 연결되는 RF 회로는 통신 주파수 대역에서 임피던스 매칭(impendence matching) 회로로 동작할 수 있다. 임피던스 매칭을 통해, 전자 장치(101)는 높은 안테나 성능(예: 낮은 반사 계수, 낮은 공진 오차, 높은 신호 이득)을 제공할 수 있다.
이하, 본 개시는 주파수 대역의 범위를 저주파수 대역(low-frequency band, 예: 1.3 GHz 미만), 중간 주파수 대역(mid-frequency band, 예: 1.3GHz 이상 2.2GHz 미만), 및 고주파수 대역(high-frequency band, 예: 2.2GHz 이상)로 구별하여 서술하나, 본 개시의 다양한 실시 예들은 이에 한정되지 않는다. 주파수 대역의 높고 낮음은 전자 장치에 구비되는 안테나의 성능에 따라 다르게 정의될 수 있다.
도 4a는 다양한 실시 예들에 따른 슬라이드 전자 장치(101)의 구조의 예(400)를 도시한다. 전자 장치(101)는 풀 슬라이드(full slide) 동작을 위한 구조체를 포함할 수 있다.
도 4를 참고하면, 전자 장치(101)는 하단부(400a)와 상단부(400b)를 포함할 수 있다. 하단부(400a)는 y축 상에서 상대적으로 아래에 위치하는 영역, 상단부(400b)는 y축 상에서 상대적으로 위에 위치하는 영역을 의미할 수 있다.
하단부(400a)는 셀룰러 안테나들을 포함할 수 있다. 일 실시 예예 따라, 하단부(400a)는 제1 셀룰러 안테나(411), 제2 셀룰러 안테나(412), 및 제3 셀룰러 안테나(413) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 셀룰러 안테나(411)는 저주파수 대역(low frequency band, LB), 중간 주파수 대역(mid frequency band, MB), 초고주파 대역(ultra-high frequency band, UHB)의 신호의 송신 또는 수신을 지원할 수 있다. 또한, 일 예로, 제3 셀룰러 안테나(413)은 중간 주파수 대역(MB) 및 고주파 대역(high frequency band, HB)의 신호의 송신 또는 수신을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 셀룰러 안테나(411)는 메탈 안테나 분절 구조를 포함할 수 있다.
상단부(400b)는 보조 안테나들(auxiliary antennas)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따라, 상단부(400b)는 제1 보조 안테나(421), 제2 보조 안테나(422), 제3 보조 안테나(423), 및 제4 보조 안테나(424)를 포함할 수 있다. 다른 일 실시 예에 따라, 상술된 실시 예의 제1 보조 안테나(421)는 상단부(400b)의 상단에 배치되는 대신, 측면부에 배치되는 제1 보조 안테나(425)로 대체될 수 있다. 제1 보조 안테나(421 또는 425)는 저주파수 대역(LB) 및 초고주파 대역(UHB)의 신호의 송신 또는 수신을 지원할 수 있다. 제2 보조 안테나(422)는 중간 주파수 대역(MB) 및 고주파수 대역(HB)의 신호의 송신 또는 수신을 지원할 수 있다. 제3 보조 안테나(423)는 중간 주파수 대역(MB) 및 고주파수 대역(HB)의 신호의 송신 또는 수신을 지원할 수 있다. 제4 보조 안테나(424)는 초고주파 대역(UHB)의 신호의 송신 또는 수신을 지원할 수 있다.
상단부(400b)는 무선랜(wireless local area network, WLAN) 안테나들을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따라, 상단부(400b)는 제1 무선랜 안테나(431) 및 제2 무선랜 안테나(432)를 포함할 수 있다. 제1 무선랜 안테나(431)는 GPS 신호와 2.4GHz 또는 5GHz의 무선랜(예: Wi-Fi) 신호의 송신 또는 수신을 지원할 수 있다. 제2 무선랜 안테나(432)는 2.4GHz 또는 5GHz의 무선랜(예: Wi-Fi) 신호의 송신 또는 수신을 지원할 수 있다.
전자 장치(101)은 슬라이드 분절부(440)의 상하로 구별되는 두 구조체들을 포함할 수 있다. 두 구조체들은 슬라이드 이동부인 제1 구조체와 고정부인 제2 구조체를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 구조체가 제2 구조체 상에서 상하로 이동하도록 가이드 레일을 형성하는 슬라이드 프레임(slide frame)(450)을 포함할 수 있다. 슬라이드 프레임(450)은, 제1 구조체의 슬라이드 이동을 위한 방향을 제공할 수 있다. 슬라이드 분절부(440)을 기준으로 제1 구조체를 y 축 상에서 상하로 이동시키기 위해, 전자 장치(101)는 슬라이드 구동을 위한 모터(460)을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(101)는 상단부(400b)에 위치하는 제1 구조체를 포함할 수 있다. 제1 구조체는 상단부(400b)에 배치되는 적어도 하나의 안테나들을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 구조체의 PCB에 안테나들이 실장될 수 있다. 제1 구조체가 슬라이드 프레임에 따라 이동함으로써, 제1 구조체의 안테나와 전자 장치(101)의 RF 모듈 간 거리가 달라질 수 있다.
도 4b는 다양한 실시 예들에 따른 슬라이드 전자 장치(101)의 구조의 다른 예(480)를 도시한다. 전자 장치(101)는 팝업 슬라이드(pop-up slide) 동작을 위한 구조체를 포함할 수 있다. 도 4a의 구조의 예(400)과 동일 또는 유사한 설명은 생략될 수 있다.
도 4b를 참고하면, 전자 장치(101)는 슬라이드 분절부(485)의 상하로 구별되는 두 구조체들을 포함할 수 있다. 두 구조체들은 슬라이드 이동부인 제1 구조체와 고정부인 제2 구조체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 상단부에 배치되는 카메라 영역과 같은 기구의 일부 영역이 솟아나오는 형태로 슬라이드 동작이 가능한 제1 구조체를 포함할 수 있다.
도 4a와 마찬가지로, 전자 장치(101)는 제1 구조체의 슬라이드 동작에 대한 방향을 가이드하기 위한 슬라이드 프레임(490)을 포함할 수 있다. 제1 구조체는, 슬라이드 프레임(490)을 따라 y축 상에서 위로 이동하거나 아래로 이동할 수 있다. 즉, 슬라이드 프레임(490)은 도면 상의 y축 방향으로의 가이드 레일을 제공하도록 구성될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 슬라이드 유형의 전자 장치의 구조를 예시하였다. 슬라이드 형태에 따라, 슬라이드 분절부의 위치 및 안테나 실장 구조는 변경될 수 있다. 또한, 슬라이드 동작을 위한 구조체에 실장되는 안테나 배치가 변경됨에 따라, 안테나의 최적화된 성능을 제공하기 위한 튜닝 회로의 설정이 달라질 수 있다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 안테나의 최적화된 성능을 제공하기 위한 튜닝 회로는 슬라이드 유형, 슬라이드 동작에 따른 구조체들 간 상태, 분절부의 위치, 안테나의 배치, 위치 중 적어도 하나에 기반하여 설정될 수 있다. 이하, 도 5 내지 도9b를 통해, 슬라이드 동작에 따른 구조체들 간 연결 구조 및 각 연결에 따른 튜닝 회로 설계 방안이 서술된다.
도 5는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들간 연결의 예(500)를 도시한다. 본 개시에서 구조체들 간 연결 구조는 각 구조체와 도전성 부재의 접촉을 통해 직접 연결되는 구조(이하, 컨택 구조) 또는 각 구조체의 도전성 플레이트를 통해 전기적으로 연결되는 구조를 포함할 수 있다. 이하, 도 5는 컨택 구조가 예로 서술되나, 이는 예시일 뿐, 본 개시의 실시 예들을 한정하지 않는다.
도 5를 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(510)과 제2 구조체(560)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(510)는 슬라이드 전자 장치(101)의 이동부이고, 제2 구조체(560)는 슬라이드 전자 장치의 고정부인 상황이 예로 서술된다.
제1 구조체(510)는 제1 PCB(printed circuit board)(520)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(510)는 제1 PCB(520)에 배치되는 안테나(미도시)를 포함할 수 있다. 안테나는 제1 PCB(520)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 구조체(510)는 제1 PCB(520) 내에 구성되고 안테나와 연결되는 회로(이하, 안테나 연결 회로)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(510)는, 안테나와 제2 구조체(560)의 연결을 위한 제1 안테나 연결 단자(521) 및 제2 안테나 연결 단자(522)를 포함할 수 있다. 여기서, 안테나 연결 단자란, 다른 구조체와 안테나를 연결하기 위한 도전성 부재를 의미할 수 있다. 제1 PCB(520)는 제1 안테나 연결 단자(521) 및 제2 안테나 연결 단자(522)를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따라, 안테나 연결 단자는, 다른 구조체와의 연결을 위한 도전성 부재와 연결될 수 있다.
제2 구조체(560)는 제2 PCB(570)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(560)는 제2 PCB(570)에 배치되는 RF 모듈(미도시)을 포함할 수 있다. 예를 들어, RF 모듈은, RFIC로 구현될 수 있다. 제2 구조체(560)는, 제2 PCB(570)에 배치되고 RF 모듈 또는 그라운드(ground, GND)와 연결되는 회로(이하, RF 회로)를 포함할 수 있다. RF 회로는 적어도 하나의 튜닝 회로를 포함할 수 있다. 튜닝 회로는 그라운드와 연결되는 매칭 회로 또는 RF 모듈과 연결되는 회로일 수 있다. 제2 구조체(560)는, RF 회로와 제1 구조체(510)의 연결을 위한 제1 RF 연결 단자(571), 제2 RF 연결 단자(572), 및 제3 RF연결 단자(573)을 포함할 수 있다. 여기서, RF 연결 단자란, 다른 구조체와 RF 모듈을 연결하기 위한 도전성 부재를 의미할 수 있다. 제2 PCB(570)는 제1 RF 연결 단자(571), 제2 RF 연결 단자(572), 및 제3 RF 연결 단자(573)를 포함할 수 있다.
제1 상태(500a)는 제1 구조체가 y축 상에서 상대적으로 아래에 위치하는 상태일 수 있다. 제1 상태(500a)는 슬라이드-다운 또는 닫힌(closed) 상태로 지칭될 수 있다. 제1 상태(500a)에서, 제1 안테나 연결 단자(521)는 제1 RF 연결 단자(571)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시 예에 따를 때, 제1 안테나 연결 단자(521)은, 도전성 접촉 부재를 통해 제1 RF 연결 단자(571)와 물리적으로 접촉될(contact) 수 있다. 도전성 접촉 부재가 제1 안테나 연결 단자(521)과 제1 RF 연결 단자(571)사이에 물리적으로 연결됨에 따라 전기적인 RF 경로가 형성될 수 있다. 다른 일 실시 예에 따를 때, 제1 안테나 연결 단자(521)은, 커패시터(capacitor)를 통해 제1 RF 연결 단자(571)와 커플링(coupling)될 수 있다. 커패시터의 충전 전하로 인해, 제1 안테나 연결 단자(521)과 제1 RF 연결 단자(571)사이에 전기적인 RF 경로가 형성될 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(521) 및 제1 RF 연결 단자(571)과 마찬가지로, 제2 안테나 연결 단자(522)는 제2 RF 연결 단자(572)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 상태(500b)는 제1 구조체가 y축 상에서 상대적으로 위에 위치하는 상태일 수 있다. 제2 상태(500b)는 슬라이드-업 또는 열린(open) 상태로 지칭될 수 있다. 제2 상태(500b)에서, 제1 안테나 연결 단자(521)는 제2 RF 연결 단자(572)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시 예에 따를 때, 제1 안테나 연결 단자(521)은, 도전성 접촉 부재를 통해 제2 RF 연결 단자(572)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 도전성 접촉 부재가 제1 안테나 연결 단자(521)과 제2 RF 연결 단자(572)사이에 물리적으로 연결됨에 따라 전기적인 RF 경로가 형성될 수 있다. 다른 일 실시 예에 따를 때, 제1 안테나 연결 단자(521)은, 커패시터(capacitor)를 통해 제2 RF 연결 단자(572)와 커플링될 수 있다. 커패시터의 충전 전하로 인해, 제1 안테나 연결 단자(521)과 제2 RF 연결 단자(572)사이에 전기적인 RF 경로가 형성될 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(521) 및 제2 RF 연결 단자(572)와 마찬가지로, 제2 안테나 연결 단자(522)는 제3 RF 연결 단자(573)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 구조체(510)이 아래에서 위로 이동함에 따라, 전자 장치(101)는 제1 상태(500a)에서 제2 상태(500b)로 변경될 수 있다. 제1 상태(500a)에서 제2 상태(500b)로 변경됨에 따라, 각 안테나 연결 단자에 연결되는 RF 연결 단자가 달라질 수 있다. 일 실시 예에 따라, 안테나 연결 단자는 컨택 구조를 통해 RF 연결 단자와 연결될 수 있다, 제1 구조체 (510)이 아래에서 위로 이동함에 따라, 컨택 방식(545)과 같이, 제1 안테나 연결 단자(521)은 y축 상에서 상대적으로 아래에 위치한 제1 RF 연결 단자(571)에서 분리되고(detached), y 축 상에서 상대적으로 위에 위치한 제2 RF 연결 단자(572)에 연결될 수 있다.
제2 구조체(560)는 RF 회로를 포함할 수 있다. RF 회로는, 제1 상태(500a)에서 제1 구조체(510)와 연결되는 RF 회로 구성과 제2 상태(500b)에서 제2 구조체(560)와 연결되는 RF 회로 구성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 PCB(570)에 배치되는 RF 회로는, 제1 RF 연결 단자(571)를 포함하는 제1 튜닝 회로, 제2 RF 연결 단자(572)를 포함하는 제2 튜닝 회로, 및 제3 RF 연결 단자(573)를 포함하는 제3 튜닝 회로를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 튜닝 회로는, 제1 상태(500a)인 슬라이드-다운 상태에서만 제1 구조체(510)의 안테나 연결 회로와 연결되어 RF 경로를 형성하므로, 제1 상태(500a)에서의 안테나 튜닝을 위한 소자들을 포함할 수 있다. 제3 튜닝 회로는, 제2 상태(500b)인 슬라이드-업 상태에서만 제1 구조체(510)의 안테나 연결 회로와 연결되어 RF 경로를 형성하므로, 제2 상태(500b)에서의 안테나 튜닝을 위한 소자들을 포함할 수 있다.
이와 같이, 다양한 실시 예들에 따른 제2 구조체(560)는, 제1 구조체(510)의 이동에 따라 통신 경로와 연결되는 RF 연결 단자를 다르게 구성함으로써, 제1 구조체(510)의 위치에 따라 다르게 구성되는 RF 회로를 포함할 수 있다. 제2 구조체(560)의 각 RF 연결 단자에 대응하는 튜닝 회로가 각 상태에서 최적의 안테나 성능을 제공하는 소자들로 구성됨으로써, 전자 장치(101)는 제1 구조체의 위치가 달라지더라도 높은 안테나 성능을 제공할 수 있다.
이하, 도 6을 통해 최적의 안테나 성능을 제공하기 위한 각 구조체의 회로 구성의 예를 도시한다.
도 6은 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결에 대한 회로의 예(600)를 도시한다. 도 6은, 도 5의 제1 구조체(510)과 제2 구조체(560) 간 연결을 회로로 표현한 도면이다. 제1 구조체(610) 및 제2 구조체(660)는 제1 구조체(510) 및 제2 구조체(560) 각각에 대응할 수 있다. 제1 구조체(610)는 슬라이드 전자 장치의 이동부이고, 제2 구조체(660)는 슬라이드 전자 장치의 고정부인 상황이 서술된다. 이하, 도 5와 동일 또는 유사한 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
전자 장치(101)는, 슬라이드-업 상태와 슬라이드-다운 상태 각각에서, 제1 구조체(610)과 제2 구조체(660) 간 신호 전달을 위한 연결부를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는, 슬라이드-업 상태와 슬라이드-다운 상태 각각에서, 안테나 성능을 최적화하기 위한 튜닝부를 포함할 수 있다.
도 6을 참고하면, 제1 구조체(610)는 안테나(611)를 포함할 수 있다. 안테나(611)는 제1 PCB(예: 도 5의 제1 PCB(520))에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 구조체(610)는 제1 PCB에 배치되는 안테나 연결 회로(630)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(610)는, 안테나 연결 회로와 제2 구조체(660)의 연결을 위한 제1 안테나 연결 단자(621) 및 제2 안테나 연결 단자(622)를 포함할 수 있다.
제2 구조체(660)는 RF 모듈(675)을 포함할 수 있다. 예를 들어, RF 모듈(675)은, RFIC로 구현될 수 있다. 제2 구조체(660)는, 제2 PCB(예: 도 5의 제2 PCB (570))에 배치되고 RF 모듈 또는 그라운드(ground, GND)와 연결되는 회로(이하, RF 회로)(680)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(660)는, RF 회로와 제1 구조체(610)의 연결을 위한 제1 RF 연결 단자(671), 제2 RF 연결 단자(672), 및 제3 RF 연결 단자(673)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따라, RF 회로(680)는, 각 RF 회로 단자에 따른 튜닝 회로를 포함할 수 있다. RF 회로(680)는, 제1 RF 연결 단자(671)와 연결되는 제1 튜닝 회로(681), 제2 RF 연결 단자(672)와 연결되는 제2 튜닝 회로(682), 및 제3 RF 연결 단자(673)와 연결되는 제3 튜닝 회로(683)를 포함할 수 있다.
한편, 각 RF 연결 단자에 구성되는 튜닝 회로는 일 예시일 뿐, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. RF 회로(680)는 복수의 RF 연결 단자들에 대한 하나의 튜닝 회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, RF 회로(680)는 제1 RF 연결 단자(671) 및 제2 RF 연결 단자(672)에 대한 튜닝 회로와 제3 RF 연결 단자(673)에 대한 다른 튜닝 회로를 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, RF 회로(680)는 제1 RF 연결 단자(671)에 대한 튜닝 회로와 제2 RF 연결 단자(672) 및 제3 RF 연결 단자(673)에 대한 다른 튜닝 회로를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)는, 제1 구조체(610)의 상하 이동에 따라, 제1 구조체(610)의 안테나 연결 단자들(예: 제1 안테나 연결 단자(621) 및 제2 안테나 연결 단자(622))과 연결되는 제2 구조체(660)의 RF 연결 단자들이 달라지는 연결 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 제2 구조체(660)의 제1 RF 연결 단자(671), 및 제1 RF 연결 단자(671)보다 y축 상에서 상대적으로 위에 배치되는 제2 RF 연결 단자(672), 및 제2 RF 연결 단자(672)보다 y축 상에서 상대적으로 위에 배치되는 제3 RF 연결 단자(673)을 포함할 수 있다. 여기서, y축은 슬라이드이동 방향에 따른 축을 의미한다. 슬라이드-다운 상태에서, 제1 안테나 연결 단자(621)는 제1 RF 연결 단자(671)에 연결될 수 있다. 슬라이드-다운 상태에서, 제2 안테나 연결 단자(622)는 제2 RF 연결 단자(672)에 연결될 수 있다. 이후, 슬라이드-업 상태에서, 제1 안테나 연결 단자(621)는 제2 RF 연결 단자(672)에 연결될 수 있다. 또한, 제2 안테나 연결 단자(622)는 제3 RF 연결 단자(673)에 연결될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)는 각 상태에서 다른 RF 회로 구성을 포함하는 RF 회로(680)를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 슬라이드-업 상태와 슬라이드-다운 상태 각각에서 제1 구조체(610)와 연결되는 RF 연결 단자들이 다르도록 구성되는 연결 구조를 포함할 수 있다. RF 연결 단자들이 달라짐에 따라, 제1 구조체(610)의 안테나 회로 및 제2 구조체(660)의 RF 회로의 연결을 통해 안테나부터 RF 모듈까지 형성되는 RF 경로의 구성이 달라질 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 RF 회로(680)는, 각 상태(예: 슬라이드-업 또는 슬라이드-다운)에서 제1 구조체(610)와 접촉 혹은 전기적으로 연결되는 RF 단자에 대한 튜닝 회로가 개별적으로 구성될 수 있다. 일 예로, 슬라이드-다운 상태에서, 안테나 성능의 최적화를 위해 제1 튜닝 회로(681) 및 제2 튜닝 회로(682)를 포함하는 RF 회로(680)가 설계될 수 있다. 또한, 일 예로, 슬라이드-업 상태에서, 안테나 성능의 최적화를 위해 제2 튜닝 회로(682) 및 제3 튜닝 회로(683)를 포함하는 RF 회로(680)가 설계될 수 있다. 전자 장치(101)는, 슬라이드-업 상태와 슬라이드-다운 상태 각각에서, 서로 다른 RF 경로를 형성하는 제1 구조체(610), 제2 구조체(660), 및 연결 구조를 포함할 수 있다.
도 7은 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 위한 컨택 구조의 예(700)를 도시한다.
도 7을 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(710)과 제2 구조체(760)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(710)는 슬라이드 전자 장치(101)의 이동부이고, 제2 구조체(760)는 슬라이드 전자 장치(101)의 고정부일 수 있다. 단면도(700a)는 제1 구조체(710)과 제2 구조체(760) 간의 연결을 위한 단자들을 포함하는 접촉 구조를 예시하고, 다른 단면도(700b)는 각 구조체의 내부 단자들을 예시한다.
제1 구조체(710)는 제1 PCB(720)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(710)는, 제1 PCB(720)에 배치되는 안테나(711)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(710)는, 제1 PCB(720) 상에 배치되고 안테나(711)와 연결되는 제1 안테나 연결 단자(721) 및/또는 제2 안테나 연결 단자(722)를 포함할 수 있다. 각 안테나 연결 단자는 전도성 부재일 수 있다.
제2 구조체(760)는 제2 PCB(770)을 포함할 수 있다. 제2 구조체(760)는, 제2 PCB(770)에 배치되는 RF 모듈을 포함할 수 있다. 제2 구조체(760)는, 제2 PCB(770) 상에 배치되는 컨택 패드(contact pad)를 포함할 수 있다. 컨택 패드는, 제2 PCB(770) 상에서 RF 모듈 또는 그라운드(ground, GND)와 연결되는 제1 RF 연결 단자(771), 제2 RF 연결 단자(772), 및/또는 제3 RF 연결 단자(773)를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 단면도(700a)을 참고하면, 제1 안테나 연결 단자(721)는 컨택 부재(745)와 물리적으로 부착될(attached) 수 있다. 컨택 부재(745)는 전도성 부재일 수 있다. 컨택 부재(745)는 제2 구조체(760)의 제1 RF 연결 단자(771)에 물리적으로 접촉할 수 있다. 전도성 부재들의 물리적인 접촉에 따라 제1 구조체(710)의 안테나(711)부터 제2 구조체(760)의 RF 모듈(미도시)까지 RF 경로가 형성될 수 있다.
안테나를 통해 신호를 무선 채널로 전송하거나 무선 채널로부터 신호를 수신하기 위해서는, RF 신호가 전달되는 경로가 요구될 수 있다. RF 신호는 물리적으로 접촉하는 컨택 구조를 통해 전달될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는, 다른 단면도(700a)을 참고하면, 제1 구조체(710)가 상하로 이동하는 경우, 상하로 이동하는 컨택 구조를 포함할 수 있다. 컨택 구조는, 제1 구조체(710)의 안테나 연결 단자(예: 제1 안테나 연결 단자(721), 제2 안테나 연결 단자722)), 제2 구조체(760)의 RF 연결 단자(예: 제1 RF 연결 단자(771), 제2 RF 연결 단자(772), 제3 RF 연결 단자(773)), 및 컨택 부재(745)를 포함할 수 있다. 컨택 부재(745)를 포함하는 컨택 구조를 통해, 전자 장치(101)는 제1 구조체(710)의 안테나와 제2 구조체(760)의 RF 회로간 연결을 위한 동축 케이블 또는 FPCB 없이, 연결될 수 있다.
도 8a는 다양한 실시 예들에 따른 컨택 구조에서의 안테나 튜닝의 예(800)를 도시한다. 컨택 구조는, 도 7과 같이 도전성을 갖는 컨택 부재를 제1 구조체의 안테나 연결 단자와 제2 구조체의 RF 연결 단자 사이에 물리적으로 접촉시킴으로써, 두 구조체들이 연결되는 구조를 의미할 수 있다.
도 8a를 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(810) 및 제2 구조체(860)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(810)는 슬라이드 전자 장치(101)의 이동부, 제2 구조체(860)는 슬라이드 전자 장치의 고정부인 상황이 예로 서술된다.
제1 구조체(810)는 제1 PCB(820)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(810)는 제1 PCB(820)에 배치되는 안테나(811)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(810)는, 제1 PCB (820)내에 구성되는 안테나 연결 회로를 포함할 수 있다. 안테나(811)은 안테나 연결 회로를 통해, 제1 안테나 연결 단자(821) 및 제2 안테나 연결 단자(822)와 연결될 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(821) 및 제2 안테나 연결 단자(822)는, 안테나 연결 회로를 통해 제1 구조체(810)에 배치될 수 있다.
제2 구조체(860)는 제2 PCB(870)을 포함할 수 있다. 제2 구조체(860)는 제2 PCB(870)에 배치되는 RF 모듈(예: RFIC) (875)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(860)는, 제2 PCB 내에 RF 회로를 구성할 수 있다. 그라운드는 RF 회로를 통해 제1 RF 연결 단자(871) 및 제3 RF 연결 단자(873)와 연결될 수 있다. RF 모듈(875)은 RF 회로를 통해 제2 RF 연결 단자(872)와 연결될 수 있다. 제1 RF 연결 단자(871), 제2 RF 연결 단자(872), 및 제3 RF 연결 단자(873)는 RF 회로를 통해 제2 구조체(860)에 배치될 수 있다.
단면도(800a)를 참고하면, 장치(101)는 슬라이드-다운 상태일 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(821)는 제1 컨택 부재(845a)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 제2 안테나 연결 단자(822)는 제2 컨택 부재(845b)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 제1 컨택 부재(845a)는 제1 RF 연결 단자(871)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 제2 컨택 부재(845b)는 제2 RF 연결 단자(872)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 슬라이드-업 상태가 되기 위해, 제1 구조체(810)가 x축 상에서 오른쪽으로 이동할 수 있다. 슬라이드-업 상태에서, 제 1 컨택 부재(845a)는 제2 RF 연결 단자(872)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 제2 컨택 부재(845b)는 제3 RF 연결 단자(873)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 각 컨택 부재를 통해, 안테나 연결 단자와 RF 연결 단자는 전기적으로 연결될 수 있다. 안테나(811)부터 RF 모듈(875)까지 또는 RF 모듈(875)부터 안테나(811)까지 신호가 전달되는 RF 경로가 형성될 수 있다.
내부 회로도(800b)를 참고하면, 제2 구조체(860)는 각 RF 연결 단자에 대응하는 튜닝 회로를 포함할 수 있다. 제1 RF 연결 단자(871)는 제1 튜닝 회로(881)에 연결될 수 있다. 제1 튜닝 회로(881)는 그라운드와 연결될 수 있다. 제1 튜닝 회로(881)는 제1 길이를 갖는 전송 선로, 인덕터, 그리고 커패시터를 포함할 수 있다. 제2 RF 연결 단자(872)는 제2 튜닝 회로(882)에 연결될 수 있다. 제2 튜닝 회로는 RF 모듈(875)에 연결될 수 있다. 제2 튜닝 회로(882)는 인덕터 그리고 커패시터를 포함할 수 있다. 제3 RF 연결 단자(873)는 제3 튜닝 회로(883)에 연결될 수 있다. 제3 튜닝 회로(883)는 그라운드와 연결될 수 있다. 제3 튜닝 회로(883)는 제2 길이를 갖는 전송 선로, 인덕터, 그리고 커패시터를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에서, 제1 RF 튜닝 회로(881)는 제1 커패시터, 제1 저항, 제1 인덕터, 또는 제1 칩(예: 보상 회로) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 RF 튜닝 회로(882)는 제2 커패시터, 제2 저항, 제2 인덕터, 또는 제2 칩(예: 보상 회로) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서 제1 커패시터, 상기 제1 저항, 상기 제1 인덕터, 상기 제1 칩 중 적어도 하나는, 상기 제1 상태에서의 상기 제1 안테나와 관련된 정재파비가 최대가 되는 값을 가지고, 상기 제2 커패시터, 상기 제2 저항, 상기 제2 인덕터, 상기 제2 칩 중 적어도 하나는, 상기 제2 상태에서의 상기 제2 안테나와 관련된 정재파비가 최대가 되는 값을 가질 수 있다.
슬라이드-다운 상태에서는, 제1 RF 연결 단자(871)과 제2 RF 연결 단자(872)만 제1 컨택 부재(845a) 및 제2 컨택 부재(845b)를 통해 제1 구조체(810)와 각각 연결되므로, 제3 튜닝 회로(883)는 비활성화될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)은 제1 튜닝 회로(881) 및 제2 튜닝 회로(882)의 설계를 통해, 슬라이드-다운 상태에서, 안테나 성능을 최적화 할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 안테나 성능을 최적화하기 위한 튜닝 회로의 설계는, 안테나 단의 반사 계수 또는 반사 손실을 낮추는 회로 설계, 안테나를 통해 전달되는 신호 이득을 높이는 회로 설계, 안테나 단의 임피던스에 대응하는 임피던스 매칭 회로의 설계 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제3 튜닝 회로(883)는, 슬라이드-다운 상태에서의 안테나에 대한 반사 손실을 최소화기 위한 튜닝 회로 설계에 영향을 미치지 않을 수 있다. 일 실시 예에 따라, 상기 최적화를 위한 튜닝 회로의 커패시터의 값 및 인덕터의 값은 미리 정해진 값(예: 실험 값)일 수 있다.
슬라이드-업 상태에서는, 제2 RF 연결 단자(872)와 제3 RF 연결 단자(873)만 제1 컨택 부재(845a) 및 제2 컨택 부재(845b)를 통해 제1 구조체(810)와 각각 연결되므로, 제1 튜닝 회로(881)는 비활성화될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)은 제2 튜닝 회로(882) 및 제3 튜닝 회로(883)의 설계를 통해, 슬라이드-업 상태에서, 안테나 성능을 최적화 할 수 있다. 제1 튜닝 회로(881)는, 슬라이드-업 상태에서의 안테나에 대한 반사 손실을 최소화기 위한 튜닝 회로 설계에 영향을 미치지 않을 수 있다. 일 실시 예에 따라, 상기 최적화를 위한 튜닝 회로의 커패시터의 값 및 인덕터의 값은 미리 정해진 값(예: 실험 값)일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 제1 구조체(810)의 슬라이드 이동에 따라, 안테나(811)부터 제2 구조체(860)까지의 선로 길이가 달라질 수 있다. 내부회로도(800b)에서 안테나(811)이 y축 상에서 위로 이동하면, 제2 구조체(860)와 안테나(811) 사이의 거리가 증가할 수 있다. 즉, 제2 구조체(860)부터 안테나(811)까지 RF 신호가 전달되는 전송 선로의 길이가 증가할 수 있다. 반대로, 안테나(811)이 y축 상에서 아래로 이동하면, 제2 구조체(860)와 안테나(811) 사이의 거리가 감소할 수 있다. 즉, 제2 구조체(860)부터 안테나(811)까지 RF 신호가 전달되는 전송 선로의 길이가 감소할 수 있다. 안테나(811)은 하나이므로, 안테나(811)의 성능을 최적화하는 튜닝 회로 구성을 위해, 각 상태에서 달라지는 전송 선로의 길이를 보상할 것이 요구될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 슬라이드-다운 상태에서 활성화되는 제1 튜닝 회로(881)의 전송 선로는, 안테나(811)와 제2 구조체(860) 간 짧은 길이의 전송 선로를 보상하기 위해, 슬라이드-업 상태에서 활성화되는 제3 튜닝 회로(883)의 전송 선로보다 길도록 구성될 수 있다. 다시 말해, 전자 장치(101)은 제1 길이를 갖는 전송 선로를 포함하는 제1 튜닝 회로(881)와 제1 길이보다 짧은 제2길이를 갖는 전송 선로를 포함하는 제3 튜닝 회로(883)을 포함할 수 있다. 또한, 다른 일 실시 예에 따라, 슬라이드 업-상태와 슬라이드-다운 상태에서의 안테나 주변의 환경(간섭)이 다르기 때문에, 슬라이드 다운 상태를 위한 보상 소자가 더 추가된 회로가 구성될 수 있다. 즉, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 튜닝 회로는, 전기적으로 안테나의 길이가 달라짐에 따라 달라지는 공진 주파수를 원하는 주파수로 일정하게 유지할 수 있고 또한 슬라이드-업 상태 혹은 슬라이드-다운 상태에 따라 주변의 기구물들로 인해 발생할 수 있는 특성 변화를 최적화하기 위해 이용될 수 있다.
도 8b는 다양한 실시 예들에 따른 안테나 튜닝에 대한 회로의 예(850)를 도시한다. 도 8b는, 도 8a의 제1 구조체(810)과 제2 구조체(860) 간 연결을 회로로 표현한 도면이다. 제1 구조체(810) 및 제2 구조체(860)는 도 6의 제1 구조체(610) 및 제2 구조체(860) 각각에 대응할 수 있다. 제1 구조체(810)는 슬라이드 전자 장치의 이동부이고, 제2 구조체(860)는 슬라이드 전자 장치의 고정부인 상황이 서술된다. 이하, 도 6과 동일 또는 유사한 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 8b를 참고하면, 제1 구조체(810)는 안테나(811)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(810)는 제1 안테나 연결 단자(821) 및 제2 안테나 연결 단자(822)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(810)는 안테나(811)와 각 안테나 연결 단자를 연결시키는 안테나 연결 회로(830)를 포함할 수 있다. 안테나 연결 회로는 2-단자 구조일 수 있다.
제2 구조체(860)는 RF 모듈(875)을 포함할 수 있다. 예를 들어, RF 모듈(875)은, RFIC로 구현될 수 있다. 제2 구조체(860)는, 제1 RF 연결 단자(871), 제2 RF 연결 단자(872), 및 제3 RF 연결 단자(873)을 포함할 수 있다. 제2 구조체(860)는, RF 모듈(875)과 RF 연결 단자 간 전기적 연결을 위한 RF 회로(880)를 포함할 수 있다. 각 RF 연결 단자는 RF 모듈(875) 또는 그라운드와 연결될 수 있다. RF 회로(880)는, 각 RF 회로 단자에 따른 튜닝 회로를 포함할 수 있다. RF 회로(880)는, 제1 RF 연결 단자(871)와 연결되는 제1 튜닝 회로(881), 제2 RF 연결 단자(872)와 연결되는 제2 튜닝 회로(882), 및 제3 RF 연결 단자(873)와 연결되는 제3 튜닝 회로(883)를 포함할 수 있다. 즉, RF 회로(880)는 3-단자 구조일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 슬라이드-다운 상태에서, 전자 장치(101)는, 제1 RF 연결 단자(871)를 통해 제1 안테나 연결 단자(821)와 연결되고, 제2 RF 연결 단자(872)를 통해 제2 안테나 연결 단자(822)와 연결되는 RF 회로(880)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 안테나 연결 단자(821)와 제1 RF 연결 단자(871) 간 연결은 슬라이드-다운 상태에서만 수행되는 바, 제1 RF 연결 단자(871)에 연결되는 제1 튜닝 회로(881)은 슬라이드-다운 상태에 대한 최적화 설정에 기반하여 설계될 수 있다. 제1 튜닝 회로(881)은 전송 선로와 수동 소자(예: 저항, 인덕터, 커패시터)를 포함할 수 있다. 전송 선로의 길이, 수동 소자의 값들은 슬라이드-다운 상태의 최적화 설정을 위해 결정되는 값들일 수 있다. 최적화 설정은, 안테나(811)의 이득을 높이기 위한 회로 설정, 반사 손실을 줄이기 위한 회로 설정, 해당 주파수 대역에서 낮은 공진 오차를 제공하기 위한 회로 설정 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 즉, 최적화 설정에서 제1 튜닝 회로(881)은, 슬라이드-다운 상태에서 구성되는 RF 경로들에 대한 임피던스 매칭(impedance matching) 회로로 동작할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 슬라이드-다운 상태에서, 제3 튜닝 회로(883)는 비활성화될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 슬라이드-다운 상태에서, 제3 튜닝 회로(883)는 튜닝 회로 설계에 영향을 미치지 않기 위해, 개방 회로로 동작하거나 혹은 종단 저항과 연결될 수 있다.
슬라이드-업 상태에서, 전자 장치(101)는, 제1 안테나 연결 단자(821)와 제2 RF 연결 단자(872)가 연결되고, 제2 안테나 연결 단자(822)와 제3 RF 연결 단자(873)가 연결되는 RF 회로(880)를 포함할 수 있다. 이 때, 제2 안테나 연결 단자(822)와 제3 RF 연결 단자(873) 간 연결은 슬라이드-업 상태에서만 수행되는 바, 제3 RF 연결 단자(873)에 연결되는 제3 튜닝 회로(883)는 슬라이드-업 상태에 대한 최적화 설정에 기반하여 설계될 수 있다. 제3 튜닝 회로(883)는 전송 선로와 수동 소자(예: 저항(resistance), 인덕터(inductor), 커패시터(capacitor))를 포함할 수 있다. 전송 선로의 길이, 수동 소자의 값들은 슬라이드-업 상태의 최적화 설정을 위해 결정되는 값들일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 슬라이드-업 상태에서, 제1 튜닝 회로(881)는 비활성화될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 슬라이드-업 상태에서, 제1 튜닝 회로(881)는 튜닝 회로 설계에 영향을 미치지 않기 위해, 개방 회로로 동작하거나 혹은 종단 저항과 연결될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)는, 제1 튜닝 회로(881)보다 짧은 길이의 전송 선로를 갖는 제3 튜닝 회로(883)를 포함하는 제2 구조체(860)을 포함할 수 있다. 슬라이드-업 상태에서의 안테나(811)와 제2 구조체(860)간 물리적인 거리가 슬라이드-다운 상태에서의 안테나(811)와 제2 구조체(860)간 물리적인 거리보다 길 수 있다. 제3 튜닝 회로(883)의 전송 선로의 길이가 제1 튜닝 회로(881)의 전송 선로의 길이보다 짧게 구성됨으로써, 슬라이드-다운 상태 대비 슬라이드-업 상태에서 증가하는 RF 경로의 길이에 따른 안테나 방사 특성이 보상될 수 있다.
도 8a 내지 도 8b의 연결 구조는 2-단자 구조의 안테나 연결 회로(830) 및 3-단자 구조의 RF 회로(880)를 이용하여, 제1 구조체(810)와 제2 구조체(860)를 연결하고 각 연결 상태에 따른 튜닝 회로를 제공하였다. 그러나, 2-단자 구조의 안테나 연결 회로(830) 또는 3-단자 구조의 RF 회로(880)는 설명을 위한 예시일 뿐, 본 개시의 다양한 실시 예들은 이에 한정되지 않는다. 이하, 대안적인 예로써, 도 9a 내지 도 9b를 통해 1-단자 구조의 안테나 연결 회로 및 2-단자 구조의 RF 회로를 이용하는 연결 구조에 대한 실시 예들이 서술된다.
도 9a는 다양한 실시 예들에 따른 컨택 구조에서 안테나 튜닝의 다른 예(900)를 도시한다. 컨택 구조는, 도 7과 같이 도전성을 갖는 컨택 부재를 제1 구조체의 안테나 연결 단자와 제2 구조체의 RF 연결 단자 사이에 물리적으로 접촉시킴으로써, 두 구조체들이 연결되는 구조를 의미할 수 있다.
도 9a를 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(910) 및 제2 구조체(960)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(910)는 슬라이드 전자 장치(101)의 이동부, 제2 구조체(960)는 슬라이드 전자 장치의 고정부인 상황이 예로 서술된다.
제1 구조체(910)는 제1 PCB(920)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(910)는 제1 PCB(920)에 배치되는 안테나(911)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(910)는, 제1 PCB (920)내에 구성되는 안테나 연결 회로를 포함할 수 있다. 안테나(911)은 안테나 연결 회로를 통해, 제1 안테나 연결 단자(921)와 연결될 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(921)는, 안테나 연결 회로를 통해 제1 구조체(910)에 배치될 수 있다.
제2 구조체(960)는 제2 PCB(970)을 포함할 수 있다. 제2 구조체(960)는 제2 PCB(970)에 배치되는 RF 모듈(예: RFIC) (975)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(960)는, 제2 PCB 내에 RF 회로를 구성할 수 있다. 제1 RF 연결 단자(971) 및 제2 RF 연결 단자(972)는 RF 회로를 통해 그라운드와 연결될 수 있다. 또한, 제1 RF 연결 단자(971) 및 제2 RF 연결 단자(972)는 RF 회로를 통해 RF 모듈(975)과 연결될 수 있다. 제1 RF 연결 단자(971) 및 제2 RF 연결 단자(972)는 RF 회로를 통해 제2 구조체(960)에 배치될 수 있다.
단면도(900a)를 참고하면, 장치(101)는 슬라이드-다운 상태일 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(921)는 제1 컨택 부재(945a) 및 제2 컨택 부재(945b)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 제1 컨택 부재(945a) 및 제2 컨택 부재(945b)는 제1 RF 연결 단자(971)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 슬라이드-업 상태가 되기 위해, 제1 구조체(910)가 x축 상에서 오른쪽으로 이동할 수 있다. 슬라이드-업 상태에서, 제1 컨택 부재(945a) 및 제2 컨택 부재(945b)는 제2 RF 연결 단자(972)와 물리적으로 접촉될 수 있다. 각 컨택 부재를 통해, 안테나 연결 단자와 RF 연결 단자는 전기적으로 연결될 수 있다. 안테나(911)부터 RF 모듈(975)까지 또는 RF 모듈(975)부터 안테나(911)까지 신호가 전달되는 RF 경로가 형성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른, 제1 안테나 연결 단자(921)가 2개의 컨택 부재들과 연결됨으로써, 슬라이드 이동 중에도 제1 구조체(910) 및 제2 구조체(960) 간 연결이 유지될 수 있다. 구체적인 설명은 도 10b를 통해 서술된다.
내부 회로도(900b)를 참고하면, 제2 구조체(960)는 각 RF 연결 단자에 대응하는 튜닝 회로를 포함할 수 있다. 제1 RF 연결 단자(971)는 제1 튜닝 회로(981)에 연결될 수 있다. 제1 튜닝 회로(981)는 그라운드 및 RF 모듈(975)과 연결될 수 있다. 제1 튜닝 회로(981)는 제1 길이를 갖는 전송 선로, 인덕터, 그리고 커패시터를 포함할 수 있다. 제2 RF 연결 단자(972)는 제2 튜닝 회로(982)에 연결될 수 있다. 제2 튜닝 회로는 그라운드 및 RF 모듈(975)과 연결될 수 있다. 제2 튜닝 회로(982)는 제2 길이를 갖는 전송 선로, 인덕터, 그리고 커패시터를 포함할 수 있다.
슬라이드-다운 상태에서는, 제1 RF 연결 단자(971)만 제1 컨택 부재(945a) 및 제2 컨택 부재(945b)를 통해 제1 구조체(910)와 연결되므로, 제2 튜닝 회로(982)는 비활성화될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)은 제1 튜닝 회로(981)의 설계를 통해, 슬라이드-다운 상태에서, 안테나 성능을 최적화 할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 안테나 성능을 최적화하기 위한 튜닝 회로의 설계는, 안테나 단의 반사 계수 또는 반사 손실을 낮추는 회로 설계, 안테나를 통해 전달되는 신호 이득을 높이는 회로 설계, 안테나 단의 임피던스에 대응하는 임피던스 매칭 회로의 설계 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 튜닝 회로(982)는, 슬라이드-다운 상태에서의 안테나에 대한 반사 손실을 최소화기 위한 튜닝 회로 설계에 영향을 미치지 않을 수 있다. 일 실시 예에 따라, 상기 최적화를 위한 튜닝 회로의 커패시터의 값 및 인덕터의 값은 미리 정해진 값(예: 실험 값)일 수 있다.
슬라이드-업 상태에서는, 제2 RF 연결 단자(972)만 제1 컨택 부재(945a) 및 제2 컨택 부재(945b)를 통해 제1 구조체(910)와 연결되므로, 제1 튜닝 회로(981)는 비활성화될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)은 제2 튜닝 회로(982)의 설계를 통해, 슬라이드-다운 상태에서, 안테나 성능을 최적화 할 수 있다. 제1 튜닝 회로(981)는, 슬라이드-업 상태에서의 안테나에 대한 반사 손실을 최소화기 위한 튜닝 회로 설계에 영향을 미치지 않을 수 있다. 일 실시 예에 따라, 상기 최적화를 위한 튜닝 회로의 커패시터의 값 및 인덕터의 값은 미리 정해진 값(예: 실험 값)일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 제1 구조체(910)의 슬라이드 이동에 따라, 안테나(911)부터 제2 구조체(960)까지의 선로 길이가 달라질 수 있다. 도 8a에서 언급한 바와 같이, 슬라이드-업 상태에서 안테나(911)와 제2 구조체(960) 간 길이가 슬라이드-다운 상태에서의 길이보다 길게 형성되므로, 제2 튜닝 회로(982)의 전송 선로보다 긴 전송 선로를 포함하는 제1 튜닝 회로(981)를 포함하는 RF 회로가 제2 구조체(960)에 배치될 수 있다.
도 9b는 다양한 실시 예들에 따른 안테나 튜닝에 대한 회로의 다른 예를 도시한다. 도 9b는, 도 9a의 제1 구조체(910)과 제2 구조체(960) 간 연결을 회로로 표현한 도면이다. 제1 구조체(910) 및 제2 구조체(960)는 도 6의 제1 구조체(610) 및 제2 구조체(960) 각각에 대응할 수 있다. 제1 구조체(910)는 슬라이드 전자 장치의 이동부이고, 제2 구조체(960)는 슬라이드 전자 장치의 고정부인 상황이 서술된다. 이하, 도 6과 동일 또는 유사한 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 9b를 참고하면, 제1 구조체(910)는 안테나(911)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(910)는 제1 안테나 연결 단자(921)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(910)는 안테나(911)와 제1 안테나 연결 단자(921)를 연결시키는 안테나 연결 회로(930)를 포함할 수 있다. 안테나 연결 회로는 1-단자 구조일 수 있다.
제2 구조체(960)는 RF 모듈(975)을 포함할 수 있다. 예를 들어, RF 모듈(975)은, RFIC로 구현될 수 있다. 제2 구조체(960)는, 제1 RF 연결 단자(971)를및 제2 RF 연결 단자(972)을 포함할 수 있다.제2 구조체(960)는, RF 모듈(975)과 RF 연결 단자 간 전기적 연결을 위한 RF 회로(980)를 포함할 수 있다. 각 RF 연결 단자는 RF 모듈 및 그라운드와 연결될 수 있다. RF 회로(980)는, 각 RF 회로 단자에 따른 튜닝 회로를 포함할 수 있다. RF 회로(980)는, 제1 RF 연결 단자(971)와 연결되는 제1 튜닝 회로(981) 및 제2 RF 연결 단자(972)와 연결되는 제2 튜닝 회로(982)를 포함할 수 있다. 즉, RF 회로(980)는 2-단자 구조일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 슬라이드-다운 상태에서, 전자 장치(101)는, 제1 RF 연결 단자(971)를 통해 제1 안테나 연결 단자(921)와 연결되는 RF 회로(980)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 안테나 연결 단자(921)와 제1 RF 연결 단자(971) 간 연결은 슬라이드-다운 상태에서만 수행되는 바, 제1 RF 연결 단자(971)에 연결되는 제1 튜닝 회로(981)은 슬라이드-다운 상태에 대한 최적화 설정에 기반하여 설계될 수 있다. 제1 튜닝 회로(981)은 전송 선로와 수동 소자(예: 저항, 인덕터, 커패시터)를 포함할 수 있다. 전송 선로의 길이, 수동 소자의 값들은 슬라이드-다운 상태의 최적화 설정을 위해 결정되는 값들일 수 있다. 최적화 설정은, 안테나(911)의 이득을 높이기 위한 회로 설정, 반사 손실을 줄이기 위한 회로 설정, 해당 주파수 대역에서 낮은 공진 오차를 제공하기 위한 회로 설정 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 즉, 최적화 설정에서 제1 튜닝 회로(981)는, 슬라이드-다운 상태에서 구성되는 RF 경로들에 대한 임피던스 매칭(impedance matching) 회로로 동작할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 슬라이드-다운 상태에서, 제2 튜닝 회로(982)는 비활성화될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 슬라이드-다운 상태에서, 제2 튜닝 회로(982)는 튜닝 회로 설계에 영향을 미치지 않기 위해, 개방 회로로 동작하거나 혹은 종단 저항과 연결될 수 있다.
슬라이드-업 상태에서, 전자 장치(101)는, 제2 RF 연결 단자(972)를 통해 제1 안테나 연결 단자(921)와 연결되는 RF 회로(880)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 안테나 연결 단자(921)와 제2 RF 연결 단자(972) 간 연결은 슬라이드-업 상태에서만 수행되는 바, 제2 RF 연결 단자(972)에 연결되는 제2 튜닝 회로(982)는 슬라이드-업 상태에 대한 최적화 설정에 기반하여 설계될 수 있다. 제2 튜닝 회로(982)는 전송 선로와 수동 소자(예: 저항(resistance), 인덕터(inductor), 커패시터(capacitor))를 포함할 수 있다. 전송 선로의 길이, 수동 소자의 값들은 슬라이드-업 상태의 최적화 설정을 위해 결정되는 값들일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 슬라이드-업 상태에서, 제1 튜닝 회로(981)는 비활성화될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 슬라이드-업 상태에서, 제1 튜닝 회로(981)는 튜닝 회로 설계에 영향을 미치지 않기 위해, 개방 회로로 동작하거나 혹은 종단 저항과 연결될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)는, 제1 튜닝 회로(981)보다 짧은 길이의 전송 선로를 갖는 제2 튜닝 회로(982)를 포함하는 제2 구조체(960)을 포함할 수 있다. 슬라이드-업 상태에서의 안테나(911)와 제2 구조체(960)간 물리적인 선로의 길이가 슬라이드-다운 상태에서의 안테나(911)와 제2 구조체(960)간 물리적인 선로의 길이보다 길게 형성되기 때문에, 제2 튜닝 회로(982)의 전송 선로의 길이를 제1 튜닝 회로(981)의 전송 선로의 길이보다 짧도록 구현할 수 있다. 이에 따라, 슬라이드-다운 상태 대비 슬라이드-업 상태에서 증가하는 RF 경로의 길이에 따른 안테나 방사 특성이 보상될 수 있다.
도 10a는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 연결 구조의 예(1000a, 1000b, 1000c)를 도시한다. 도 10a의 실시 예들은, 도 8a 내지 8b와 같이 3개의 RF 연결 단자들로 구성되는 연결 구조를 예로 서술된다.
도 10a를 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(810) 및 제2 구조체(860)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(810)는 안테나를 포함할 수 있다. 제2 구조체(860)는 RF 회로를 포함할 수 있다. 제1 구조체(810)는 제1 안테나 연결 단자(821) 및 제2 안테나 연결 단자 (822)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(860)는 제1 RF 연결 단자(871), 제2 RF 연결 단자(872), 및 제3 RF 연결 단자(873)를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 연결부를 포함할 수 있다. 연결부는, 제1 컨택 부재(845a) 및 제2 컨택 부재(845b)를 포함할 수 있다. 제1 컨택 부재(845a)는 제1 안테나 연결 단자(821)에 부착될 수 있다. 제2 컨택 부재(845b)는 제2 안테나 연결 단자(822)에 부착될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는, 안테나 연결 단자들 중 어느 하나라도 RF 회로와 연결됨으로써, 제1 구조체(810) 및 제2 구조체(860) 간 연결이 유지되는 연결 구조를 포함할 수 있다. 본 개시에서 연결 구조는, 제1 구조체의 제1 PCB 상에 배치되는 안테나 연결 단자, 안테나 연결 단자에 연결되는 컨택 부재, 및 컨택 부재와 물리적으로 부착되고 제2 구조체의 제2 PCB 상에 배치되는 RF 연결 단자를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는, 제2 컨택 부재(845b)가 제2 구조체(860)와 컨택이 분리되는 때, 제1 컨택 부재(845a)는 제2 구조체(860)와 컨택이 유지되는 연결 구조를 포함할 수 있다. 또한, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는, 제1 컨택 부재(845a)가 제2 구조체(860)와 컨택이 분리되는 때 제2 컨택 부재(845b)는 제2 구조체(860)와 컨택이 유지되는 연결 구조를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치(101)는 하나의 컨택 부재가 제2 구조체(860)와 떨어지는 시간 및 다른 컨택 부재가 제2 구조체(860)와 떨어지는 시간 간에 차이를 형성하는 연결부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 제1 구조체(810)이 슬라이드 이동 시, 제1 컨택 부재(845a)가 제1 RF 연결 단자(871)와의 컨택이 분리된 시점부터 제2 RF 연결 단자(872)에 컨택되는 시점까지의 구간 동안 제2 컨택 부재(845b)가 제2 RF 연결 단자(872)에 연결이 유지되는 구조를 포함할 수 있다. 또한 예를 들어, 전자 장치(101)는 제1 구조체(810)이 슬라이드 이동 시, 제2 컨택 부재(845b)가 제2 RF 연결 단자(872)와의 컨택이 분리된 시점부터 제3 RF 연결 단자(873)에 컨택되는 시점까지의 구간 동안 제1 컨택 부재(845a)가 제2 RF 연결 단자(872)에 연결이 유지되는 구조를 포함할 수 있다.
제1 상태(1000a)는 슬라이드-다운 상태일 수 있다. 제1 상태(1000a)에서, 제1 컨택 부재(845a)는 제1 RF 연결 단자(871)와 연결될 수 있다. 제2 컨택 부재(845b)는 제2 RF 연결 단자(872)와 연결될 수 있다.
제2 상태(1000b)는 슬라이드-다운 상태에서 슬라이드-업 상태로 이동 중인 상태일 수 있다. 즉, 제2 상태(1000b)는, 제1 상태(1000a)에서 제1 구조체(810)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황을 나타낸다. 제1 컨택 부재(845a)가 제1 RF 연결 단자(871)과 분리되더라도 제2 컨택 부재(845b)가 제2 RF 연결 단자(872)와 연결이 유지되는 구조를 통해, 제1 구조체(810) 및 제2 구조체(860) 간 연결이 유지될 수 있다. 전자 장치(101)는 제1 컨택 부재(845a)가 제2 RF 연결 단자(872)에 연결될 때까지, 제2 컨택 부재(845b)가 제2 RF 연결 단자(872)에 접촉이 유지되는 연결 구조를 포함할 수 있다.
제3 상태(1000c)는 슬라이드-업 상태일 수 있다. 즉, 제3 상태(1000c)는, 제2 상태(1000b)에서 제1 구조체(810)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황이다. 제2 컨택 부재(845b)가 제2 RF 연결 단자(872)와 분리되더라도 제1 컨택 부재(845a)가 제2 RF 연결 단자(872)와 연결이 유지되는 구조를 통해, 제1 구조체(810) 및 제2 구조체(860) 간 연결이 유지될 수 있다. 전자 장치(101)는 제2 컨택 부재(845b)가 제3 RF 연결 단자(873)에 연결될 때까지, 제1 컨택 부재(845a)가 제2 RF 연결 단자(872)에 접촉이 유지되는 연결 구조를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는, 3개의 RF 단자들로 구성되는 제2 구조체(860)을 포함할 수 있다. 3개의 RF 단자들 중에서 하나는 접촉 영역의 길이가 다른 RF 단자를 포함할 수 있다. 컨택 부재와의 접촉을 위한 영역(이하, 접촉 영역)의 길이가 양 끝의RF 연결 단자보다 크도록 구현될 수 있다. 여기서, 접촉 영역의 길이는 슬라이드 이동 방향(예: x축)에 대응하는 길이일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, RF 연결 단자들 간의 접촉 영역의 길이가 다른 연결 구조를 통해, 컨택 부재들 각각이 제2 구조체(860)와 분리되어 부착되는 시간(이하, 접촉 이동 시간)이 서로 중첩되지 않을 수 있다. 구체적으로, 제1 구조체(810)의 제1 안테나 연결 단자(821)에 연결되는 제1 컨택 부재(845a)가 제2 구조체(960)에 분리되는 시점(예: 제1 RF 연결 단자(871)과 분리되는 시점)부터 제2 구조체(860)에 다시 부착되는 시점(예: 제2 RF 연결 단자(872)와 접촉하는 시점)은, 제2 컨택 부재(845b)가 제2 구조체(860)에 분리되는 시점(예: 제2 RF 연결 단자(872)과 분리되는 시점)부터 제2 구조체(860)에 다시 부착되는 시점(예: 제3 RF 연결 단자(873)와 접촉하는 시점)과 시간축 상에서 중첩하지 않을 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)는 각 컨택 부재의 제2 구조체(860)와의 접촉이 해제되는 시점이 중첩되지 않음으로써, 제1 구조체(810)의 슬라이드 이동과 상관없이 제1 구조체(810)와 제2 구조체(860)가 접촉이 유지되는 연결 구조를 포함할 수 있다.
도 10b는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 연결 구조의 다른 예(1050a, 1050b, 1050c)를 도시한다. 도 10b의 실시 예들은, 도 9a 내지 9b와 같이 2개의 RF 연결 단자들로 구성되는 연결 구조를 예로 서술된다.
도 10b를 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(910) 및 제2 구조체(960)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(910)는 안테나를 포함할 수 있다. 제2 구조체(960)는 RF 회로를 포함할 수 있다. 제1 구조체(910)는 제1 안테나 연결 단자(921)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(960)는 제1 RF 연결 단자(971) 및 제2 RF 연결 단자(972)를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 연결부를 포함할 수 있다. 연결부는, 제1 컨택 부재(945a) 및 제2 컨택 부재(945b)를 포함할 수 있다. 제1 컨택 부재(945a)는 제1 안테나 연결 단자(921)에 부착될 수 있다. 제2 컨택 부재(945b)도 제1 안테나 연결 단자(921)에 부착될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는, 제2 컨택 부재(945b)가 제2 구조체(960)와 컨택이 분리되는 때 제1 컨택 부재(945a)는 제2 구조체(960)와 컨택이 유지되는 연결 구조를 포함할 수 있다. 또한, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는, 제1 컨택 부재(945a)가 제2 구조체(960)와 컨택이 분리되는 때 제2 컨택 부재(945b)는 제2 구조체(960)와 컨택이 유지되는 연결 구조를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치(101)는 하나의 컨택 부재가 제2 구조체(960)와 떨어지는 시간 및 다른 컨택 부재가 제2 구조체(960)와 떨어지는 시간 간에 차이를 형성하는 연결부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 제1 구조체(910)이 슬라이드 이동 시, 제2 컨택 부재(945b)가 제1 RF 연결 단자(971)와의 컨택이 분리된 시점부터 제2 RF 연결 단자(972)에 컨택되는 시점까지의 구간 동안, 제1 컨택 부재(945a)가 제1 RF 연결 단자(971)에 연결이 유지되는 구조를 포함할 수 있다. 또한 예를 들어, 전자 장치(101)는 제1 구조체(810)이 슬라이드 이동 시, 제1 컨택 부재(945a)가 제1 RF 연결 단자(971)와의 컨택이 분리된 시점부터 제2 RF 연결 단자(972)에 컨택되는 시점까지의 구간 동안 제2 컨택 부재(945b)가 제2 RF 연결 단자(972)에 연결이 유지되는 구조를 포함할 수 있다.
제1 상태(1050a)는 슬라이드-다운 상태일 수 있다. 제1 상태(1050a)에서, 제1 컨택 부재(945a) 및 제2 컨택 부재(945b) 모두 제1 RF 연결 단자(971)와 연결될 수 있다.
제2 상태(1050b)는 슬라이드-다운 상태에서 슬라이드-업 상태로 이동 중인 상태일 수 있다. 즉, 제2 상태(1050b)는, 제1 상태(1050a)에서 제1 구조체(910)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황을 나타낸다. 제1 컨택 부재(945a)는 제1 RF 연결 단자(971)와 연결되나 제2 컨택 부재(945b)는 제2 RF 연결 단자(972)와 연결될 수 있다. 제2 컨택 부재(945b)가 제1 RF 연결 단자(971)에 분리되더라도 제1 컨택 부재(945a)가 제1 RF 연결 단자(971)에 연결이 유지되는 구조를 통해, 제1 구조체(910) 및 제2 구조체(960) 간 연결이 유지될 수 있다. 일 예로, 콜 상태에서 슬라이드-다운에서 슬라이드-업 혹은 슬라이드-업에서 슬라이드-다운 상태로 변동 시, 안테나와 RF 모듈 간의 연결이 유지됨으로써, 완전 단락에 의한 콜 끊어짐이 방지되고 안전성이 확보될 수 있다.
제3 상태(1050c)는 슬라이드-업 상태일 수 있다. 즉, 제3 상태(1050c)는, 제2 상태(1050b)에서 제1 구조체(910)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황이다. 제1 컨택 부재(945a)가 제1 RF 연결 단자(921)에 분리되더라도 제1 컨택 부재(945a)가 제1 RF 연결 단자(921)에 연결이 유지되는 구조를 통해, 제1 구조체(910) 및 제2 구조체(960) 간 연결이 유지될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는, 접촉 영역의 길이가 다른 2개의 RF 단자들로 구성되는 제2 구조체(960)를 포함할 수 있다. 각 RF 연결 단자들의 접촉 영역의 길이가 다름에 따라, 컨택 부재들 각각이 제2 구조체(960)와 분리되어 부착되는 시간(즉, 접촉 이동 시간)이 서로 중첩되지 않을 수 있다. 구체적으로, 제1 구조체(910)의 제1 안테나 연결 단자(921)에 연결되는 제1 컨택 부재(945a)가 제2 구조체(960)에 분리되는 시점(예: 제1 RF 연결 단자(971)과 분리되는 시점)부터 제2 구조체(960)에 다시 부착되는 시점(예: 제2 RF 연결 단자(972)와 접촉하는 시점)은, 제2 컨택 부재(945b)가 제2 구조체(960)에 분리되는 시점(예: 제1 RF 연결 단자(971)과 분리되는 시점)부터 제2 구조체(960)에 다시 부착되는 시점(예: 제2 RF 연결 단자(972)와 접촉하는 시점)과 시간축 상에서 중첩하지 않을 수 있다.
다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)는 각 컨택 부재가 제2 구조체(960)와의 접촉이 해제되는 시점이 중첩되지 않음으로써, 슬라이드 이동과 상관없이 제1 구조체(910)와 제2 구조체(960)가 접촉이 유지되는 연결 구조를 포함할 수 있다.
도 10a 및 도 10b에서는 컨택 부재들 간 접촉이 해제되는 시점이 서로 중첩되지 않도록 슬라이드 동작 과정 도중에 안테나와 RF 회로 간의 완전 단절 현상을 방지하기 위한 구조의 실시 예들이 서술되었다.
도 10a 및 도 10b에서 2개의 컨택 부재들이 예로 서술되었으나, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는 3개 이상의 컨택 부재들을 포함할 수 있다. 제1 구조체와 제2 구조체 간 연결 유지를 위해, 각 컨택 부재의 제1 구조체에서 분리되어 제2 구조체에 다시 연결되는 시간(이하, 접촉 이동 시간)이 모두 중첩되는 영역(다시 말해, 모든 컨택 부재들의 접촉 이동 시간이 중첩되는 영역)이 발생하지 않도록 설계되는 연결 구조를 포함할 수 있다. 모든 컨택 부재들의 접촉 이동 시간이 적어도 일부 중첩되면, 제1 구조체와 제2 구조체간 완전한 단절이 발생하기 때문이다.
도 10a 및 도 10b를 통해 접촉 영역의 길이가 다른 RF 연결 단자보다 긴 중간에 배치된 RF 연결 단자를 통해, 컨택 방식의 연결부에서 슬라이드 이동 동안 연결이 유지되기 위한 방안이 서술되었다. 그러나, 본 개시에서 연결이 유지되기 위한 연결부는 RF 연결 단자의 접촉 영역의 길이 외에 다른 방식으로 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 제1 안테나 연결 단자(821)와 제2 안테나 연결 단자(822) 간의 거리가, 각 RF 연결 단자의 길이보다 길게 구성됨으로써, 전자 장치(101)는 적어도 하나의 안테나 연결 단자가 항상 RF 연결 단자와 접촉되는 구조를 갖는 연결 구조를 포함할 수 있다.
도 10a 내지 도 10b에서는 도전성 부재를 포함하는 컨택 부재를 통해 제1 구조체와 제2 구조체가 연결되는 것으로 서술되었으나, 컨택 부재의 형태는 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는 롤링(rolling) 구조를 갖는 컨택 부재를 포함할 수 있다. 제2 구조체(또는 제1 구조체)와의 접촉이 분리되고 다시 부착되는 동작이 반복됨에 따른 마모를 줄이기 위해, 컨택 부재는 롤링을 위한 형태를 가질 수 있다. 롤링을 위한 형태는, 슬라이드 이동에 따라 회전이 가능한 원기둥 또는 구의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 제1 구조체가 슬라이드 이동을 하더라도, 제1 구조체와 제2 구조체 간 연결을 유지하기 위하여, 롤링 형태의 제1 컨택 부재의 컨택 이동 시간은 롤링 형태의 제2 컨택 부재의 컨택 이동 시간과 중첩되지 않을 수 있다.
도 11은 다양한 실시 예들에 따른 커패시터를 이용한 커플링(coupling) 구조의 예(1100)를 도시한다. 커플링(coupling)이란 독립된 공간 또는 선로 간에서 전기적 혹은 자계적으로 교류 신호 에너지가 상호 전달되는 현상을 의미할 수 있다. 도 8a 내지 도 10b에서 서술된 제1 구조체와 제2 구조체간 컨택을 통한 연결 구조와 달리, 제1 구조체와 제2 구조체가 컨택되지 않더라도 커플링을 통해 제1 구조체와 제2 구조체를 전기적으로 연결하기 위한 구조에 대한 실시 예들이 도 11과 함께 서술된다.
도 11을 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(1110) 및 제2 구조체(1160)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(1110)는 슬라이드 전자 장치(101)의 이동부, 제2 구조체(1160)는 슬라이드 전자 장치의 고정부인 상황이 예로 서술된다.
제1 구조체(1110)는 제1 PCB(1120)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(1110)는 제1 PCB(1120)에 배치되는 안테나(1111)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(1110)는, 제1 PCB (1120)내에 구성되는 안테나 연결 회로를 포함할 수 있다. 안테나(1111)은 안테나 연결 회로를 통해, 제1 안테나 연결 단자(1121) 및 제2 안테나 연결 단자(1122)와 연결될 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1121) 및 제2 안테나 연결 단자(1122)는, 안테나 연결 회로를 통해 제1 구조체(1110)에 배치될 수 있다.
제2 구조체(1160)는 제2 PCB(1170)을 포함할 수 있다. 제2 구조체(1160)는 제2 PCB(1170)에 배치되는 RF 모듈(예: RFIC) (1175)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(1160)는, 제2 PCB 내에 RF 회로를 구성할 수 있다. 그라운드는 RF 회로를 통해 제1 RF 연결 단자(1171) 및 제3 RF 연결 단자(1173)와 연결될 수 있다. RF 모듈(1175)은 RF 회로를 통해 제2 RF 연결 단자(1172)와 연결될 수 있다. 제1 RF 연결 단자(1171), 제2 RF 연결 단자(1172), 및 제3 RF 연결 단자(1173)는 RF 회로를 통해 제2 구조체(1160)에 배치될 수 있다.
단면도(1100a)를 참고하면, 전자 장치(101)는 슬라이드-다운 상태일 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1121)은 도전성 플레이트(conductive plate))를 포함할 수 있다. 제2 안테나 연결 단자(1122)는 도전성 플레이트를 포함할 수 있다. 마찬가지로, 제1 RF 연결 단자(1171), 제2 RF 연결 단자(1172), 및 제3 RF 연결 단자(1173) 각각은 도전성 플레이트를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 두 개 이상의 도전성 플레이트들이 공간을 형성함으로써, 전하가 충전되는 연결 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나 연결 단자(1121)의 도전성 플레이트와 제1 RF 연결 단자(1171)의 도전성 플레이트 내에 전하가 충전됨으로써, 전자 장치(101)는 제1 구조체(1110)와 제2 구조체(1160) 사이에 커패시터가 삽입되는 것과 같은 등가 회로를 제공하는 연결 구조(1145a)를 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 제2 안테나 연결 단자(1122)의 도전성 플레이트와 제2 RF 연결 단자(1172)의 도전성 플레이트 내에 전하가 충전됨으로써, 전자 장치(101)는 제1 구조체(1110)와 제2 구조체(1160) 사이에 커패시터가 삽입되는 것과 같은 등가 회로를 제공하는 연결 구조(1145b)를 포함할 수 있다.
슬라이드-업 상태가 되기 위해, 제1 구조체(1110)가 x축 상에서 오른쪽으로 이동할 수 있다. 도전성 플레이트들이 정확히 대칭되지 않더라도 전자 장치(101)는 제1 구조체(1110)와 제2 구조체(1160)간 RF 연결이 단락(short)되는 구조를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)는 기준값보다 큰 커패시터의 값을 제공하는 도전성 플레이트들을 포함하는 연결 구조를 포함할 수 있다. 기준값은, 각 도전성 플레이트간 형성되는 공간, 도전성 플레이트의 면적의 크기, 유전율, 제1 구조체와 제2 구조체 간의 거리에 기반하여 결정될 수 있다.
슬라이드-업 상태에서도, 전자 장치(101)는 두 개 이상의 도전성 플레이트들이 공간을 형성함으로써, 전하가 충전되는 연결 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나 연결 단자(1121)의 도전성 플레이트와 제2 RF 연결 단자(1172)의 도전성 플레이트 내에 전하가 충전됨으로써, 전자 장치(101)는 제1 구조체(1110)와 제2 구조체(1160) 사이에 커패시터가 삽입되는 것과 같은 등가 회로를 제공하는 연결 구조(1145c)를 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 제2 안테나 연결 단자(1122)의 도전성 플레이트와 제3 RF 연결 단자(1173)의 도전성 플레이트 내에 전하가 충전됨으로써, 전자 장치(101)는 제1 구조체(1110)와 제2 구조체(1160) 사이에 커패시터가 삽입되는 것과 같은 등가 회로를 제공하는 연결 구조(1145d)를 포함할 수 있다.
내부 회로도(1100b)를 참고하면, 제2 구조체(1160)는 각 RF 연결 단자에 대응하는 튜닝 회로를 포함할 수 있다. 제1 튜닝 회로(1181), 제2 튜닝 회로(1182), 및 제3 튜닝 회로(1183)은 도 8의 제1 튜닝 회로(881), 제2 튜닝 회로(882), 및 제3 튜닝 회로(883)에 각각 대응할 수 있다. 슬라이드-다운 상태와 슬라이드-업 상태 각각에 대응하는 튜닝 회로의 설계는 도 8a 및 도 8b와 동일한 바, 설명이 생략될 수 있다.
전자 장치는 각 안테나 연결 단자 또는 각 RF 단자에 포함되는 도전성 플레이트들을 통해 커패시턴스(capacitance)를 형성함으로써 제1 구조체와 제2 구조체 간 커플링되는 연결 구조를 예로 서술하였다. 도 11에서 예시된 안테나 연결 단자들 및 RF 연결 단자들은, 커플링을 위한 예시일 뿐, 본 개시의 다양한 실시 예들은 도 11에 도시된 구성으로 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1 구조체는 1개의 안테나 연결 단자와 연결되고 제2 구조체는 3개의 안테나 연결 단자들과 연결될 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 구조체는 1개의 안테나 연결 단자와 연결되고 제2 구조체는 2개의 안테나 연결 단자들과 연결될 수 있다. 이하, 각 커플링 기반 연결 구조에 따른 슬라이드 이동 시 연결을 유지하기 위한 방안이 도 12a 내지 도 12c를 통해 서술된다.
도 12a는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 커플링 구조의 예(1200a)를 도시한다. RF 회로는 3개의 RF 단자들 및 각 RF 단자와 연결되는 튜닝 회로를 포함할 수 있다.
도 12a를 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(1210)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(1210)은 제1 PCB(1220) 및 제1 PCB(1220)에 배치되는 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치(101)는 제2 구조체(1260)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(1260)은 제2 PCB(1270) 및 제2 PCB(1270)에 배치되는 RF 모듈을 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치(101)는 그리고 제1 구조체와 제2 구조체를 연결하는 제1 커플링 구조를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 제1 커플링 구조는 제1 구조체(1210)와 연결되는 제1 안테나 연결 단자(1211) 및 제2 안테나 연결 단자(1212)를 포함할 수 있다. 각 안테나 연결 단자는 도전성 플레이트를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따른 제1 커플링 구조는 제2 구조체(1260)와 연결되는 제1 RF 연결 단자(1221), 제2 RF 연결 단자(1222), 및 제3 RF 연결 단자(1223)를 포함할 수 있다. 각 RF 연결 단자는 도전성 플레이트를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 제1 구조체(1210)는 제2 구조체(1260)의 일 면에 따라 이동할 수 있다. 예를 들어, 제1 구조체(1210)의 위치는, 슬라이드-업 동작으로서, 제1 상태(1201a)에서 제2 상태(1202a)를 거쳐 제3 상태(1203a)로 변경될 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 구조체(1210)의 위치는, 슬라이드-다운 동작으로써, 제3 상태(1203a)에서 제2 상태(1202a)를 거쳐 제1 상태(1201a)로 변경될 수 있다.
제1 상태(1201a)는 슬라이드-다운 상태일 수 있다. 제1 상태(1201a)에서, 제1 안테나 연결 단자(1211)의 도전성 플레이트는, y축에 수직인 면을 위에서 볼 때 제1 RF 연결 단자(1221)의 도전성 플레이트와 적어도 일부 중첩될 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나 연결 단자(1211)의 도전성 플레이트는 제1 RF 연결 단자(1221)의 도전성 플레이트에 대칭인 위치에 배치될 수 있다. 제2 안테나 연결 단자(1212)의 도전성 플레이트는, 제2 RF 연결 단자(1222)의 도전성 플레이트에 대칭인 위치에 배치될 수 있다. 두 도전성 플레이트들이 대칭면을 형성함에 따라 두 도전성 플레이트들 사이에 전하가 충전될 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260) 사이에 형성되는 커패시턴스를 통해 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)가 전기적으로 연결되는 구조를 포함할 수 있다.
제2 상태(1202a)는 슬라이드-다운 상태에서 슬라이드-업 상태로 이동 중인 상태일 수 있다. 즉, 제2 상태(1202a)는, 제1 상태(1201a)에서 제1 구조체(1210)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황을 나타낸다. 제1 안테나 연결 단자(1211) 및 제2 안테나 연결 단자(1212)가 제1 구조체(1210)의 이동에 따라 오른쪽((+)x축 방향)으로 이동할 수 있다.
제1 안테나 연결 단자(1211)의 도전성 플레이트가 제1 RF 연결 단자(1221)의 도전성 플레이트와 일정 거리 이상 이격되더라도 제1 안테나 연결 단자(1211)의 도전성 플레이트가 제2 RF 연결 단자(1222)의 도전성 플레이트와 일정 거리 내에 근접함에 따라 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)간 전기적 연결이 유지될 수 있다. 마찬가지로, 제2 안테나 연결 단자(1212)의 도전성 플레이트가 제2 RF 연결 단자(1222)의 도전성 플레이트와 일정 거리 이상 이격됨에 따라 연결이 단절되더라도 제2 안테나 연결 단자(1212)의 도전성 플레이트가 제3 RF 연결 단자(1223)의 도전성 플레이트와 일정 거리 내에 근접함에 따라 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)간 전기적 연결이 유지될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(101)는 제1 안테나 연결 단자(1211)와 제2 안테나 연결 단자(1212)가 슬라이드 이동을 수행하더라도 제1 RF 연결 단자(1221), 제2 RF 연결 단자(1222), 및 제3 RF 연결 단자(1223) 중 적어도 하나와 연결되도록 구성되는 제1 커플링 구조를 포함할 수 있다. 각 연결 단자는 도전성 플레이트를 포함할 수 있다. 제1 커플링 구조는, 각 단자의 도전성 플레이트의 면적, 안테나 연결 단자 간 이격 거리, RF 연결 단자간 이력 거리, 안테나 연결 단자의 도전성 플레이트와 RF 연결 단자의 도전성 플레이트 간의 거리, 또는 도전성 플레이트들 사이에 위치하는 유전체 중에서 적어도 하나에 기반하여 결정될 수 있다.
한편, 두 도전성 플레이트는 RF 회로의 관점에서 커패시터로 동작하기 때문에, 두 도전성 플레이트들 사이에서 형성되는 커패시턴스(capacitance)는 안테나 성능에 영향을 미친다. 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(101)는 슬라이드-업 상태와 슬라이드-다운 상태 뿐만 아니라 슬라이드 이동 중인 상태에서도 동일한 회로 성능의 유지를 위해 일정 오차 범위 내에서 커패시턴스를 유지하기 위한 연결 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나 연결 단자(1211)의 도전성 플레이트가 제1RF 연결 단자(1221)의 도전성 플레이트와 y축과 수직인 면 상에서 중첩되는 영역이 감소하더라도 제2 RF 연결 단자(1222)의 도전성 플레이트와 상기 면 상에서 중첩되는 영역이 증가하게 됨에 따라 커패시턴스는 일정 범위 내에서 유지될 수 있다.
제3 상태(1203a)는 슬라이드-업 상태일 수 있다. 즉, 제3 상태(1203a)는, 제2 상태(1202a)에서 제1 구조체(1210)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황이다. 제3 상태(1203a)에서, 제1 안테나 연결 단자(1211)의 도전성 플레이트는, y축에 수직인 면의 위에서 볼 때 제2 RF 연결 단자(1222)의 도전성 플레이트와 적어도 일부 중첩될 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나 연결 단자(1211)의 도전성 플레이트는 제2 RF 연결 단자(1222)의 도전성 플레이트에 대칭인 위치에 배치될 수 있다. 제2 안테나 연결 단자(1212)의 도전성 플레이트는, 제3 RF 연결 단자(1223)의 도전성 플레이트에 대칭인 위치에 배치될 수 있다. 두 도전성 플레이트들이 대칭면을 형성함에 따라 두 도전성 플레이트들 사이에 전하가 충전될 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260) 사이에 형성되는 커패시턴스를 통해 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)가 전기적으로 연결되는 구조를 포함할 수 있다.
도 12b는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 커플링 구조의 다른 예(1200b)를 도시한다. RF 회로는 3개의 RF 단자들 및 각 RF 단자와 연결되는 튜닝 회로를 포함할 수 있다.
도 12b를 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(1210)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(1210)은 제1 PCB(1220) 및 제1 PCB(1220)에 배치되는 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치(101)는 제2 구조체(1260)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(1260)은 제2 PCB(1270) 및 제2 PCB(1270)에 배치되는 RF 모듈을 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치(101)는 그리고 제1 구조체와 제2 구조체를 연결하는 제2 커플링 구조를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 제2 커플링 구조는 제1 구조체(1210)와 연결되는 제1 안테나 연결 단자(1241)를 포함할 수 있다. 도 12a의 제1 커플링 구조와 달리 제1 구조체(1210)은 하나의 안테나 연결 단자를 포함할 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1241)는 도전성 플레이트를 포함할 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1241)의 도전성 플레이트는 도12a의 각 안테나 연결 단자의 도전성 플레이트보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 보다 넓은 면적의 도전성 플레이트는 보다 큰 커패시턴스 값을 제공할 수 있다. 다양한 실시 예들에 제2 커플링 구조는 제2 구조체(1260)와 연결되는 제1 RF 연결 단자(1251), 제2 RF 연결 단자(1252), 및 제3 RF 연결 단자(1253)를 포함할 수 있다. 각 RF 연결 단자는 도전성 플레이트를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 제1 구조체(1210)는 제2 구조체(1260)의 일 면에 따라 이동할 수 있다. 예를 들어, 제1 구조체(1210)의 위치는, 슬라이드-업 동작으로서, 제1 상태(1201b)에서 제2 상태(1202b)를 거쳐 제3 상태(1203b)로 변경될 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 구조체(1210)의 위치는, 슬라이드-다운 동작으로써, 제3 상태(1203b)에서 제2 상태(1202b)를 거쳐 제1 상태(1200b)로 변경될 수 있다.
제1 상태(1201b)는 슬라이드-다운 상태일 수 있다. 제1 상태(1201b)에서, 제1 안테나 연결 단자(1241)의 도전성 플레이트는, y축에 수직인 면을 위에서 볼 때 제1 RF 연결 단자(1251), 제2 RF 연결 단자(1252), 및 제3 RF 연결 단자(1253) 중 적어도 하나와 적어도 일부 중첩될 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나 연결 단자(1241)의 도전성 플레이트는 제1 RF 연결 단자(1251)의 도전성 플레이트 및 제2 RF 연결 단자(1252)의 도전성 플레이트에 대칭인 위치에 배치될 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1241)의 도전성 플레이트가 두 도전성 플레이트들과 대칭면을 형성함에 따라 두 개의 커패시터들을 포함하는 등가 회로가 형성될 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260) 사이에 형성되는 커패시터를 포함하는 등가 회로를 통해 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)가 전기적으로 연결되는 구조를 포함할 수 있다.
제2 상태(1202b)는 슬라이드-다운 상태에서 슬라이드-업 상태로 이동 중인 상태일 수 있다. 즉, 제2 상태(1202b)는, 제1 상태(1201b)에서 제1 구조체(1210)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황을 나타낸다. 제1 안테나 연결 단자(1241)이 제1 구조체(1210)의 이동에 따라 오른쪽((+)x축 방향)으로 이동할 수 있다.
제1 안테나 연결 단자(1241)의 도전성 플레이트가 제1 RF 연결 단자(1251)의 도전성 플레이트와 일정 거리 이상 이격되더라도 제1 안테나 연결 단자(1241)의 도전성 플레이트가 제2 RF 연결 단자(1252)의 도전성 플레이트와 일정 거리 내를 유지함으로써, 제1 구조체(1210)과 제2 구조체(1260) 간 전기적 연결이 유지될 수 있다. y축에 수직인 면의 위에서 볼 때, 제2 RF 연결 단자(1252)의 도전성 플레이트는 제1 안테나 연결 단자(1241)의 도전성 플레이트에 완전히 중첩될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)는 슬라이드 이동에 따라 도전성 플레이트의 중첩이 유지되는 커플링 구조를 포함할 수 있다. 즉, 제1 구조체(1210)이 이동하더라도, 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)간 전기적 연결이 유지될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(101)는 제1 안테나 연결 단자(1241)가 슬라이드 이동을 수행하더라도 제1 RF 연결 단자(1251), 제2 RF 연결 단자(1252), 및 제3 RF 연결 단자(1253) 중 적어도 하나와 연결되도록 구성되는 제2 커플링 구조를 포함할 수 있다. 각 연결 단자는 도전성 플레이트를 포함할 수 있다. 제2 커플링 구조는, 안테나 연결 단자의 도전성 플레이트의 면적, 각 RF 연결 단자의 도전성 플레이트의 면적, 안테나 연결 단자의 도전성 플레이트와 RF 연결 단자의 도전성 플레이트 간의 거리, RF 연결 단자간 이력 거리, 또는 도전성 플레이트들 사이에 위치하는 유전체 중에서 적어도 하나에 기반하여 결정될 수 있다.
제3 상태(1203b)는 슬라이드-업 상태일 수 있다. 즉, 제3 상태(1203b)는, 제2 상태(1202b)에서 제1 구조체(1210)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황이다. 제3 상태(1203b)에서, 제1 안테나 연결 단자(1241)의 도전성 플레이트는, y축에 수직인 면의 위에서 볼 때 제2 RF 연결 단자(1252)의 도전성 플레이트 및 제3 RF 연결 단자(1253)의 도전성 플레이트와 적어도 일부 중첩될 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나 연결 단자(1241)의 도전성 플레이트는 제2 RF 연결 단자(1252)의 도전성 플레이트 및 제3 RF 연결 단자(1253)의 도전성 플레이트에 대칭인 위치에 배치될 수 있다. 두 개의 커패시터들을 포함하는 등가 회로가 형성될 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260) 사이에 형성되는 커패시터를 통해 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)가 전기적으로 연결되는 구조를 포함할 수 있다.
도 12c는 다양한 실시 예들에 따른 구조체들 간 연결을 유지하기 위한 커플링 구조의 또 다른 예(1200c)를 도시한다. RF 회로는 2개의 RF 단자들 및 각 RF 단자와 연결되는 튜닝 회로를 포함할 수 있다.
도 12c를 참고하면, 전자 장치(101)는 제1 구조체(1210)를 포함할 수 있다. 제1 구조체(1210)은 제1 PCB(1220) 및 제1 PCB(1220)에 배치되는 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치(101)는 제2 구조체(1260)를 포함할 수 있다. 제2 구조체(1260)은 제2 PCB(1270) 및 제2 PCB(1270)에 배치되는 RF 모듈을 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치(101)는 그리고 제1 구조체와 제2 구조체를 연결하는 제3 커플링 구조를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 제3 커플링 구조는 제1 구조체(1210)와 연결되는 제1 안테나 연결 단자(1271)를 포함할 수 있다. 도 12a의 제1 커플링 구조와 달리 제1 구조체(1210)은 하나의 안테나 연결 단자를 포함할 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1271)는 도전성 플레이트를 포함할 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1271)의 도전성 플레이트는 도12a의 각 안테나 연결 단자의 도전성 플레이트보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 보다 넓은 면적의 도전성 플레이트는 보다 큰 커패시턴스 값을 제공할 수 있다. 다양한 실시 예들에 제3 커플링 구조는 제2 구조체(1260)와 연결되는 제1 RF 연결 단자(1281) 및 제2 RF 연결 단자(1282)를 포함할 수 있다. 도 12b의 제2 커플링 구조와 달리 제2 구조체(1260)은 2개의 RF 연결 단자들을 포함할 수 있다. 각 RF 연결 단자는 도전성 플레이트를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 제1 구조체(1210)는 제2 구조체(1260)의 일 면에 따라 이동할 수 있다. 예를 들어, 제1 구조체(1210)의 위치는, 슬라이드-업 동작으로서, 제1 상태(1201c)에서 제2 상태(1202c)를 거쳐 제3 상태(1203c)로 변경될 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 구조체(1210)의 위치는, 슬라이드-다운 동작으로써, 제3 상태(1203c)에서 제2 상태(1202c)를 거쳐 제1 상태(1201c)로 변경될 수 있다.
제1 상태(1201c)는 슬라이드-다운 상태일 수 있다. 제1 상태(1201c)에서, 제1 안테나 연결 단자(1271)의 도전성 플레이트는, y축에 수직인 면을 위에서 볼 때 제1 RF 연결 단자(1251)와 적어도 일부 중첩될 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나 연결 단자(1271)의 도전성 플레이트는 제1 RF 연결 단자(1281)의 도전성 플레이트 의 도전성 플레이트에 대칭인 위치에 배치될 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1271)의 도전성 플레이트가 제1 RF 연결 단자(1281)의 도전성 플레이트와 대칭면을 형성함에 따라 커패시터를 포함하는 등가 회로가 형성될 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260) 사이에 형성되는 커패시터를 포함하는 등가 회로를 통해 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)가 전기적으로 연결되는 구조를 포함할 수 있다.
제2 상태(1202c)는 슬라이드-다운 상태에서 슬라이드-업 상태로 이동 중인 상태일 수 있다. 즉, 제2 상태(1202b)는, 제1 상태(1201b)에서 제1 구조체(1210)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황을 나타낸다. 제1 안테나 연결 단자(1271)이 제1 구조체(1210)의 이동에 따라 오른쪽((+)x축 방향)으로 이동할 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1271)의 도전성 플레이트가 제1 RF 연결 단자(1281)의 도전성 플레이트와 일정 거리 이상 이격되더라도, 제2 RF 연결 단자(1282)의 도전성 플레이트와 일정 거리 내에 근접함에 따라 일정 범위 내의 커패시터를 포함하는 등가 회로가 형성될 수 있다. 하나의 커패시터부터 최대2개까지의 커패시터들을 포함하는 등가 회로가 형성될 수 있다. 등가 회로를 포함하는 연결 구조를 통해, 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)간 전기적 연결이 유지될 수 있다.
제3 상태(1203c)는 슬라이드-업 상태일 수 있다. 즉, 제3 상태(1203c)는, 제2 상태(1202c)에서 제1 구조체(1210)가 오른쪽((+)x축 방향)으로 더 이동하는 상황이다. 제3 상태(1203c)에서, 제1 안테나 연결 단자(1271)의 도전성 플레이트는, y축에 수직인 면의 위에서 볼 때 제2 RF 연결 단자(1282)의 도전성 플레이트와 적어도 일부 중첩될 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나 연결 단자(1271)의 도전성 플레이트는 제2 RF 연결 단자(1282)의 도전성 플레이트에 대칭인 위치에 배치될 수 있다. 두 도전성 플레이트들이 대칭됨에 따라, 전자 장치(101)의 연결부는 커패시터 포함하는 회로를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260) 사이에 형성되는 커패시터를 통해 제1 구조체(1210)와 제2 구조체(1260)가 전기적으로 연결되는 구조를 포함할 수 있다.
도 13은 다양한 실시 예들에 따른 유전체를 이용한 구조체들 간 연결의 예(1300)를 도시한다. 구조체들 간 연결을 위한 커플링 구조는 도 7의 커플링 구조와 유사하므로, 동일 또는 유사한 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 13을 참고하면, 제1 단면도(1300a)에 도시된 바와 같이, 전자 장치(101)는 제1 구조체(1310) 및 제2 구조체(1360)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(1310)는 슬라이드 전자 장치(101)의 이동부, 제2 구조체(1360)는 슬라이드 전자 장치의 고정부인 상황이 예로 서술된다. 제1 구조체(1310)는 제1 PCB(1320)을 포함할 수 있다. 제1 구조체(1310)는 제1 PCB(1320)에 배치되는 안테나 연결 회로를 통해, 제1 안테나 연결 단자(1321) 및 제2 안테나 연결 단자(1322)와 연결될 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1321) 및 제2 안테나 연결 단자(1322)는, 안테나 연결 회로를 통해 제1 구조체(1310)에 배치될 수 있다. 제2 구조체(1360)는 제2 PCB(1370)을 포함할 수 있다. 제2 구조체(1360)는, 제2 PCB(1370)에 배치되는 RF 연결 회로를 통해 제1 RF 연결 단자(1371), 제2 RF 연결 단자(1372), 및 제3 RF 연결 단자(1373)와 연결될 수 있다. 다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(101)은 각 안테나 연결 단자와 각 RF 연결 단자 사이에 배치되는 유전체(1350)를 포함할 수 있다. 유전체(1350)을 통해, 제1 구조체(1310) 및 제2 구조체(1360) 간 전기적 연결이 유지될 수 있다.
전자 장치(101)은 제1 구조체(1310) 및 제2 구조체(1360)를 연결하기 위한 연결 구조를 포함할 수 있다. 연결 구조는, 각 안테나 연결 단자, 각 RF 연결 단자, 및 유전체(1350)를 포함할 수 있다. 제2 단면도(1300b)를 참고하면, 유전체(1350)은 각 안테나 연결 단자 및 각 RF 연결 단자 모두와 연결될 수 있다. 유전체는 전기장 안에서 극성을 지니는 절연체로, 절연성 물질을 포함할 수 있다. 유전체의 유전율이 높을수록 선로의 길이가 짧아질 수 있고, 이는 작은 회로의 구현을 가능하게 할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따를 때, 전자 장치(101)은 공기의 유전율보다 높은 유전율을 가지는 유전체를 제1 구조체(1310) 및 제2 구조체(1360) 사이에 배치함으로써, 감소된 크기의 커플링 구조를 포함할 수 있다.
내부 회로도(1300c)를 참고하면, 제1 RF 연결 단자(1371), 제2 RF 연결 단자(1372), 및 제3 RF 연결 단자(1373) 는 유전체(1350)와 접촉될 수 있다. 유전체(1350)은 제1 안테나 연결 단자(1321) 및 제2 안테나 연결 단자(1322)와 접촉될 수 있다. 제1 안테나 연결 단자(1321) 및 제2 안테나 연결 단자(1322)는 안테나(1311)과 연결될 수 있다. 제2 구조체(1360)는 각 RF 단자에 대응하는 튜닝 회로를 포함할 수 있다. 제1 RF 연결 단자(1371)는 제1 튜닝 회로를 통해 그라운드와 연결될 수 있다. 제2 RF 연결 단자(1372)는 제2 튜닝 회로를 통해 RFIC(1375)와 연결될 수 있다. 제3 RF 연결 단자(1373)는 제3 튜닝 회로를 통해 그라운드와 연결될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 슬라이드-다운 상태에서 제1 튜닝 회로 및 제2 튜닝 회로는, 안테나의 임피던스 매칭을 위한 회로일 수 있다. 일 실시 예에 따라, 슬라이드-업 상태에서 제2 튜닝 회로 및 제3 튜닝 회로는, 안테나의 임피던스 매칭을 위한 회로일 수 있다.
도 14a는 다양한 실시 예들에 가이드 형태의 유전체를 이용한 구조체들 간 연결의 예(1400)를 도시한다. 구조체들은 안테나를 포함하는 제1 구조체와 RF 모듈을 포함하는 제2 구조체를 포함할 수 있다.
도 14a를 참고하면, 전자 장치(101)은 제1 구조체의 제1 PCB(1420)과 제2 구조체의 제2 PCB(1470)을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)은, 제1 구조체와 제2 구조체 간 연결을 위한 커플링 구조를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따른 커플링 구조는, 제1 PCB(1420)에 배치되는 제1 안테나 연결 단자(1421), 제2 PCB(1470)에 배치되는 제1 RF 연결 단자(1471) 및 제2 RF 연결 단자(1472), 그리고 유전체(1450)을 포함할 수 있다. 커플링 구조는 제1 PCB(1420), 제1 안테나 연결 단자(1421), 유전체(1450), 제1 RF 연결 단자(1471), 제2 PCB(1470) 순으로 z축 상에서 위에서 아래의 방향으로 층을 형성하는 적층 구조일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 유전체(1450)는 가이드 형태일 수 있다. 여기서, 가이드 형태란, 슬라이드 전자 장치(101)의 이동부인 제1 구조체가 이동하는 방향을 가이드하기 위한 형태를 의미한다. 예를 들어, 제1 단면도(1400a) 및 제2 단면도(1400b)와 같이, 제1 PCB(1420) 는 좌우로 이동할 수 있다. 제1 PCB(1420)는 제1 구조체에 포함되어 함께 이동할 수 있다. 유전체(1450)은, 제1 PCB(1420)이 좌우로 이동하도록 가이드하는 형태일 수 있다. 다양한 실시 예들에 따른 유전체(1450)는, 제1 구조체(즉, 제1 PCB(1420))를 가이드(guide)하도록 제1 안테나 연결 단자(1421)의 면을 둘러싸는 형태로 배치될 수 있다.
도 14b는 다양한 실시 예들에 가이드 형태의 유전체를 이용한 구조체들 간 연결 구조의 단면의 예(1401)를 도시한다. 도 14b는, 도 14a의 적층 구조를 제1 PCB(1420)의 이동 방향에 수직인 면의 위에서 바라본 단면도이다.
도 14b를 참고하면, 유전체(1450)은 제1 안테나 연결 단자(1421)의 면들을 둘러쌓도록 제1 PCB(1420) 및 제2 PCB(1470) 사이에 배치될 수 있다. 제1 구조체(1410)의 이동에 따라, 제1 구조체(1410)의 제1 PCB(1420)에 부착되는 제1 안테나 연결 단자(1421)도 함께 이동할 수 있다. 유전체(1450)은 제1 안테나 연결 단자(1421)의 이동 방향을 가이드하는 형태로 배치될 수 있다. 가이드 형태의 유전체를 통해, 외압이나 슬라이드 이동부와 고정부 간의 유격으로 인해 커플링 공간이 일정하게 유지되지 않는 문제를 최소화할 수 있다. 제1 구조체(1410)의 제1 PCB(1420) 상에 배치되는 제1 안테나 연결 단자(1421)의 면들을 둘러싸는 형태로 유전체를 배치함으로써, 슬라이드 방향과 수직인 방향으로의 흔들림을 줄일 수 있다. 다시 말해, 전자 장치(101)은 슬라이드 이동부, 즉 제1 구조체(1410)의 이동 방향에 따른 가이드를 통해, 커패시턴스 변경으로 인한 안테나 특성의 변동성을 최소화함으로써 각 RF 연결 단자에 연결되는 안테나 튜닝 회로의 성능 열화가 줄어들 수 있다.
다양한 실시 예들에 따라, 제1 안테나 연결 단자(1421)는 도전성 부재를 포함할 수 있다. 제1 RF 연결 단자(1471) 및 제2 RF 연결 단자(1472) 각각은 도전성 부재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도전성 부재는 SUS(stainless use steel)일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른, 전자 장치(101)의 연결 구조는 가이드 형태의 유전체(1450)와 SUS(1471)가 결합되는 결합 구조체(1490)를 포함할 수 있다. 결합 구조체(1490)는 제2 구조체(1460)의 제2 PCB(1470) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 결합 구조체(1490)은 제2 PCB(1470)의 표면에 실장될 수 있다. 표면에 실장되는 소자는 SMD(surface-mount device)로 지칭될 수 있다. 제1 구조체(1410)의 제1 PCB(1420)의 표면에도 SUS(1421)가 실장될 수 있다. SUS(1421)-유전체(1450)-SUS(1471)의 커패시터 구조를 통해, 커플링 연결 구조를 구현함으로써, 결합 구조체(1490)은 슬라이드의 상항 이동 시 좌우 흔들림으로 보완할 수 있다. 슬라이드 이동으로 인한 움직임을 최소화함으로써, 전자 장치(101)은 보다 강건한(robust) 신호를 전달할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101)은, 유전체를 포함하는 연결 구조를 통해 커패시턴스를 높임으로써, 도전성 플레이트를 포함하는 연결 구조의 공간을 줄일 수 있다. 예를 들어, 유전체의 유전율이 높아질수록 동일한 커패시턴스 값을 제공하기 위한 도전성 플레이트 면적은 감소하는 바, 높은 유전율을 포함하는 연결 구조는 많은 실장 공간 확보에 유리할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치(electronic device)(예: 도 1의 전자 장치 (101))는 안테나(antenna)(예: 도 1의 안테나 모듈(192)), 및 제1 PCB(print circuit board)(예: 도 5의 제1 PCB(520))를 포함하는 제1 구조체(body)(예: 도 5의 제1 구조체(510)), 상기 안테나는 상기 제1 PCB에 배치되고, RF(radio frequency) 모듈(예: 도 6의 RF 모듈(675)) 및 제2 PCB(예: 도 5의 제2 PCB(570))를 포함하는 제2 구조체(body)(예: 도 5의 제2 구조체(560)), 상기 RF 모듈은 상기 제2 PCB에 배치되고, 상기 제1 구조체를 제1 상태(예: 도 5의 제1 상태(500a))에서 제2 상태(예: 도 5의 제2 상태(500b))로 이동시키는 프레임(slide frame); 및 상기 제1 구조체와 상기 제2 구조체를 전기적으로(electrically) 연결시키는 연결 구조를 포함할 수 있다. 상기 연결 구조는, 상기 제1 PCB 상에 배치되는 적어도 하나의 안테나 연결 단자; 및 상기 제2 PCB 상에 배치되는 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들을 포함하고, 상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제1 RF 연결 단자(예: 도 6의 제1 RF 연결 단자(671), 도 8a, 8b의 제1 RF 연결 단자(871), 도 9a, 9b의 제1 RF 연결 단자(971)) 및 제2 RF 연결 단자(예: 도 6의 제3 RF 연결 단자(673), 도 8a, 8b의 제3 RF 연결 단자(873), 도 9a, 9b의 제2 RF 연결 단자(972))를 포함하고, 상기 제1 구조체는, 상기 제1 상태에서 상기 연결 구조를 통해 상기 제1 RF 연결 단자와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 상태에서 상기 연결 구조를 통해 상기 제2 RF 연결 단자와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 PCB는 상기 제1 RF 연결 단자에 대한 제1 RF 튜닝 회로(tuning circuit)(예: 도 6의 제1 튜닝 회로(681), 도 8의 제1 튜닝 회로(881)) 및 상기 제2 RF 연결 단자에 대한 제2 RF 튜닝 회로(예: 도 6의 제3 튜닝 회로(683), 도 8의 제3 튜닝 회로(883))를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자는, 제1 안테나 연결 단자((예: 도 6의 제1 안테나 연결 단자(621), 도 8a, 8b의 제1 안테나 연결 단자(821)) 및 제2 안테나 연결 단자(예: 도 6의 제2 안테나 연결 단자(622), 도 8a, 8b의 제2 안테나 연결 단자(822))를 포함하고, 상기 연결 구조는, 상기 제1 안테나 연결 단자에 접촉되는 제1 도전성 부재(예: 도 8a의 제1 컨택 부재(845a)) 및 상기 제2 안테나 연결 단자에 접촉되는 제2 도전성 부재(예: 도 8a의 제2 컨택 부재(845b))를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 전자 장치는, 상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제3 RF 연결 단자(예: 도 6의 제2 RF 연결 단자(672), 도 8a, 8b의 제2 RF 연결 단자(872))를 더 포함하고, 상기 제1 도전성 부재는, 상기 제1 RF 연결 단자 또는 상기 제3 RF 연결 단자에 연결 가능하도록 배치되고, 상기 제2 도전성 부재는, 상기 제2 RF 연결 단자 또는 상기 제3 RF 연결 단자에 연결 가능하도록 배치될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 제1 도전성 부재는, 상기 제1 구조체가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 이동 시, 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되어 상기 제3 RF 연결 단자로 연결되도록 배치되고, 상기 제2 도전성 부재는, 상기 제1 구조체가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 이동 시, 상기 제3 RF 연결 단자에서 분리되어 상기 제2 RF 연결 단자로 연결되도록 배치될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 연결 구조는, 상기 제1 도전성 부재가 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되는 시점부터 상기 제3 RF 연결 단자에 연결되는 시점 사이의 제1 구간이 상기 제2 도전성 부재가 상기 제3 RF 연결 단자에서 분리되는 시점부터 상기 제2 RF 연결 단자에 연결되는 시점 사이의 제2 구간과 중첩되지 않도록 상기 제1 안테나 연결 단자, 상기 제2 안테나 연결 단자, 상기 제1 RF 연결 단자, 상기 제2 RF 연결 단자, 및 상기 제3 RF 연결 단자가 배치되는 구조를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자는, 제1 안테나 연결 단자(예: 도 9a, 9b의 제1 안테나 연결 단자(921))를 포함하고, 상기 연결 구조는, 상기 제1 안테나 연결 단자에 접촉되는 제1 도전성 부재(예: 도 9a의 제1 컨택 부재(945a)) 및 제2 도전성 부재(예: 도 9a의 제2 컨택 부재(945b))를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 제1 도전성 부재는, 상기 제1 구조체가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 이동 시, 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되어 상기 제2 RF 연결 단자로 연결되도록 배치되고, 상기 제2 도전성 부재는, 상기 제1 구조체가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 이동 시, 상기 제2 RF 연결 단자에서 분리되어 상기 제3 RF 연결 단자로 연결되도록 배치될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 연결 구조는, 상기 제1 도전성 부재가 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되는 시점부터 상기 제2 RF 연결 단자에 연결되는 시점 사이의 제1 구간이 상기 제2 도전성 부재가 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되는 시점부터 상기 제2 RF 연결 단자에 연결되는 시점 사이의 제2 구간과 중첩되지 않도록 상기 제1 안테나 연결 단자, 상기 제1 RF 연결 단자, 및 상기 제2 RF 연결 단자가 배치되는 구조를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 연결 구조는 상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자 및 상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들 중 적어도 하나와 접촉되는 롤링(rolling) 구조의 도전성 부재를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 연결 구조는 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에 배치되는 유전체(예: 도 14의 유전체(1450))를 더 포함하고, 상기 유전체는 상기 제1 구조체가 제1 상태에서 제2 상태로 이동하는 경로를 가이드하도록 배치될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 유전체는 상기 제1 PCB에 표면 실장되는 도전성 부재의 적어도 둘 이상의 면들을 둘러쌓도록 배치되고, 상기 유전체는, 상기 제 2PCB에 표면 실장되는 도전성 부재와 컨택될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 연결 구조는, 상기 제1 PCB에 표면 실장되는 제1 SUS(stainless use steel), 상기 유전체; 및 상기 제2 PCB에 표면 실장되는 제2 SUS를 포함하는 연결 구조체를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 유전체는 공기보다 높은 유전율을 갖는 유전체를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자 각각은 제1 도전성 플레이트를 포함하고, 상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들 각각은 제2 도전성 플레이트를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 제1 RF 연결 단자는 제1 도전성 플레이트를 포함하고, 상기 제2 RF 연결 단자는 제2 도전성 플레이트를 포함하고, 상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자는 적어도 하나의 도전성 플레이트를 포함하고, 상기 적어도 하나의 도전성 플레이트는 상기 제1 도전성 플레이트 또는 상기 제2 도전성 플레이트 중에서 적어도 하나와 전하를 충전하도록 배치될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제3 RF 연결 단자를 더 포함하고, 상기 제3 RF 연결 단자는 제3 도전성 플레이트를 포함하고, 상기 적어도 하나의 도전성 플레이트는 상기 제1 도전성 플레이트, 상기 제2 도전성 플레이트, 및 상기 제3 도전성 플레이트 중에서 적어도 하나와 전하를 충전하도록 배치될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 제1 RF 튜닝 회로는 제1 커패시터, 제1 저항, 또는 제1 인덕터 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 RF 튜닝 회로는 제2 커패시터, 제2 저항, 또는 제2 인덕터 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제1 커패시터, 상기 제1 저항, 또는 상기 제1 인덕터 중 적어도 하나는, 상기 제1 상태에서의 상기 제1 안테나와 관련된 정재파비가 최대가 되는 값을 가지고, 상기 제2 커패시터, 상기 제2 저항, 또는 상기 제2 인덕터 중 적어도 하나는, 상기 제2 상태에서의 상기 제2 안테나와 관련된 정재파비가 최대가 되는 값을 가질 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 제1 RF 튜닝 회로 및 상기 제2 RF 튜닝 회로는 상기 제2 PCB를 통해 상기 RF 모듈에 연결될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제3 RF 연결 단자를 더 포함하고, 상기 제2 PCB는, 상기 제3 RF 연결 단자에 대한 제3 RF 튜닝 회로를 포함하고, 상기 제1 RF 튜닝 회로 및 상기 제2 RF 튜닝 회로는 그라운드에 연결되고, 상기 제3 RF 튜닝 회로는 상기 RF 모듈에 연결될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 제1 구조체는 슬라이드 전자 장치의 이동부에 대응하고, 상기 제2 구조체는 슬라이드 전자 장치의 고정부에 대응하고, 상기 제1 상태는 슬라이드-다운(slide down) 상태이고, 상기 제2 상태는 슬라이드 업(slide-up) 상태일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 제1 구조체, 제2 구조체, 및 제1 구조체와 제2 구조체를 연결되는 연결 구조를 포함할 수 있다. 연결 구조는 제1 구조체와 제2 구조체를 물리적인 접촉을 통해 연결하기 위한 컨택 구조 또는 커패시터를 포함하는 등가회로를 형성하도록 도전성 플레이트를 이용하는 커플링 구조를 포함할 수 있다.
상기 연결 구조가 동축 케이블과 FPCB를 포함하는 것이 아니라 상대적으로 적은 면적을 차지하는 컨택 구조 또는 커플링 구조를 포함함으로써, 전자 장치 내 실장 공간을 보다 확보할 수 있다. 이를 통해, 소형화되는 모바일 전자기기에서 실장 공간의 이점을 가져갈 수 있다. 또한, 각 슬라이드 상태에서 개별 안테나 튜닝을 수행하고 슬라이드 이동 중에 연결이 유지되도록 함으로써, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 최적의 안테나 성능을 보장함과 동시에 실시간성 서비스(예: 통화)를 안정적인 상태로 제공할 수 있다.
본 개시에서, 특정 조건의 충족(fulfilled) 여부를 판단하기 위해, 이상 또는 이하의 표현이 사용되었으나, 이는 일 예를 표현하기 위한 기재일 뿐 초과 또는 미만(또는 이내)의 기재를 배제하는 것이 아니다. '이상'으로 기재된 조건은 '초과', '이하'로 기재된 조건은 '미만', '이상 및 미만'으로 기재된 조건은 '초과 및 이하'로 대체될 수 있다.
본 개시의 청구항 또는 명세서에 기재된 실시 예들에 따른 방법들은 하드웨어, 소프트웨어, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합의 형태로 구현될(implemented) 수 있다.
소프트웨어로 구현하는 경우, 하나 이상의 프로그램(소프트웨어 모듈)을 저장하는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체가 제공될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 저장되는 하나 이상의 프로그램은, 전자 장치(device) 내의 하나 이상의 프로세서에 의해 실행 가능하도록 구성된다(configured for execution). 하나 이상의 프로그램은, 전자 장치로 하여금 본 개시의 청구항 또는 명세서에 기재된 실시 예들에 따른 방법들을 실행하게 하는 명령어(instructions)를 포함한다.
이러한 프로그램(소프트웨어 모듈, 소프트웨어)은 랜덤 액세스 메모리(random access memory), 플래시(flash) 메모리를 포함하는 불휘발성(non-volatile) 메모리, 롬(ROM: read only memory), 전기적 삭제가능 프로그램가능 롬(EEPROM: electrically erasable programmable read only memory), 자기 디스크 저장 장치(magnetic disc storage device), 컴팩트 디스크 롬(CD-ROM: compact disc-ROM), 디지털 다목적 디스크(DVDs: digital versatile discs) 또는 다른 형태의 광학 저장 장치, 마그네틱 카세트(magnetic cassette)에 저장될 수 있다. 또는, 이들의 일부 또는 전부의 조합으로 구성된 메모리에 저장될 수 있다. 또한, 각각의 구성 메모리는 다수 개 포함될 수도 있다.
또한, 상기 프로그램은 인터넷(Internet), 인트라넷(Intranet), LAN(local area network), WLAN(wide LAN), 또는 SAN(storage area network)과 같은 통신 네트워크, 또는 이들의 조합으로 구성된 통신 네트워크를 통하여 접근(access)할 수 있는 부착 가능한(attachable) 저장 장치(storage device)에 저장될 수 있다. 이러한 저장 장치는 외부 포트를 통하여 본 개시의 실시 예를 수행하는 장치에 접속할 수 있다. 또한, 통신 네트워크상의 별도의 저장장치가 본 개시의 실시 예를 수행하는 장치에 접속할 수도 있다.
상술한 본 개시의 구체적인 실시 예들에서, 개시에 포함되는 구성 요소는 제시된 구체적인 실시 예에 따라 단수 또는 복수로 표현되었다. 그러나, 단수 또는 복수의 표현은 설명의 편의를 위해 제시한 상황에 적합하게 선택된 것으로서, 본 개시가 단수 또는 복수의 구성 요소에 제한되는 것은 아니며, 복수로 표현된 구성 요소라 하더라도 단수로 구성되거나, 단수로 표현된 구성 요소라 하더라도 복수로 구성될 수 있다.
한편 본 개시의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 개시의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 개시의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (20)

  1. 전자 장치(electronic device)에 있어서,
    안테나(antenna) 및 제1 PCB(print circuit board)를 포함하는 제1 구조체(body), 상기 안테나는 상기 제1 PCB에 배치되고;
    RF(radio frequency) 모듈 및 제2 PCB를 포함하는 제2 구조체(body), 상기 RF 모듈은 상기 제2 PCB에 배치되고;
    상기 제1 구조체를 제1 상태에서 제2 상태로 이동시키는 프레임(slide frame); 및
    상기 제1 구조체와 상기 제2 구조체를 전기적으로(electrically) 연결시키는 연결 구조를 포함하고,
    상기 연결 구조는,
    상기 제1 PCB 상에 배치되는 적어도 하나의 안테나 연결 단자; 및
    상기 제2 PCB 상에 배치되는 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들을 포함하고,
    상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제1 RF 연결 단자 및 제2 RF 연결 단자를 포함하고,
    상기 제1 구조체는, 상기 제1 상태에서 상기 연결 구조를 통해 상기 제1 RF 연결 단자와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 상태에서 상기 연결 구조를 통해 상기 제2 RF 연결 단자와 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 PCB는 상기 제1 RF 연결 단자에 대한 제1 RF 튜닝 회로(tuning circuit) 및 상기 제2 RF 연결 단자에 대한 제2 RF 튜닝 회로를 포함하는 전자 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자는, 제1 안테나 연결 단자 및 제2 안테나 연결 단자를 포함하고,
    상기 연결 구조는, 상기 제1 안테나 연결 단자에 접촉되는 제1 도전성 부재 및 상기 제2 안테나 연결 단자에 접촉되는 제2 도전성 부재를 포함하는 전자 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제3 RF 연결 단자를 더 포함하고,
    상기 제1 도전성 부재는, 상기 제1 RF 연결 단자 또는 상기 제3 RF 연결 단자에 연결 가능하도록 배치되고,
    상기 제2 도전성 부재는, 상기 제2 RF 연결 단자 또는 상기 제3 RF 연결 단자에 연결 가능하도록 배치되는 전자 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 도전성 부재는, 상기 제1 구조체가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 이동 시, 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되어 상기 제3 RF 연결 단자로 연결되도록 배치되고,
    상기 제2 도전성 부재는, 상기 제1 구조체가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 이동 시, 상기 제3 RF 연결 단자에서 분리되어 상기 제2 RF 연결 단자로 연결되도록 배치되는 전자 장치.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 연결 구조는,
    상기 제1 도전성 부재가 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되는 시점부터 상기 제3 RF 연결 단자에 연결되는 시점 사이의 제1 구간이 상기 제2 도전성 부재가 상기 제3 RF 연결 단자에서 분리되는 시점부터 상기 제2 RF 연결 단자에 연결되는 시점 사이의 제2 구간과 중첩되지 않도록, 상기 제1 안테나 연결 단자, 상기 제2 안테나 연결 단자, 상기 제1 RF 연결 단자, 상기 제2 RF 연결 단자, 및 상기 제3 RF 연결 단자가 배치되는 구조를 포함하는 전자 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자는, 제1 안테나 연결 단자를 포함하고,
    상기 연결 구조는, 상기 제1 안테나 연결 단자에 접촉되는 제1 도전성 부재 및 제2 도전성 부재를 포함하는 전자 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 도전성 부재는, 상기 제1 구조체가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 이동 시, 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되어 상기 제2 RF 연결 단자로 연결되도록 배치되고,
    상기 제2 도전성 부재는, 상기 제1 구조체가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 이동 시, 상기 제2 RF 연결 단자에서 분리되어 상기 제3 RF 연결 단자로 연결되도록 배치되는 전자 장치.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 연결 구조는,
    상기 제1 도전성 부재가 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되는 시점부터 상기 제2 RF 연결 단자에 연결되는 시점 사이의 제1 구간이 상기 제2 도전성 부재가 상기 제1 RF 연결 단자에서 분리되는 시점부터 상기 제2 RF 연결 단자에 연결되는 시점 사이의 제2 구간과 중첩되지 않도록 상기 제1 안테나 연결 단자, 상기 제1 RF 연결 단자, 및 상기 제2 RF 연결 단자가 배치되는 구조를 포함하는 전자 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 연결 구조는 상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자 및 상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들 중 적어도 하나와 접촉되는 롤링(rolling) 구조의 도전성 부재를 포함하는 전자 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 연결 구조는 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에 배치되는 유전체를 더 포함하고,
    상기 유전체는 상기 제1 구조체가 제1 상태에서 제2 상태로 이동하는 경로를 가이드하도록 배치되는 전자 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 유전체는 상기 제1 PCB에 표면 실장되는 도전성 부재의 적어도 둘 이상의 면들을 둘러쌓도록 배치되고,
    상기 유전체는, 상기 제 2PCB에 표면 실장되는 도전성 부재와 컨택되는 전자 장치.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 연결 구조는,
    상기 제1 PCB에 표면 실장되는 제1 SUS(stainless use steel),
    상기 유전체; 및
    상기 제2 PCB에 표면 실장되는 제2 SUS를 포함하는 연결 구조체를 포함하는 전자 장치.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 유전체는 공기보다 높은 유전율을 갖는 유전체를 포함하는 전자 장치.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자 각각은 제1 도전성 플레이트를 포함하고,
    상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들 각각은 제2 도전성 플레이트를 포함하는 전자 장치.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 RF 연결 단자는 제1 도전성 플레이트를 포함하고,
    상기 제2 RF 연결 단자는 제2 도전성 플레이트를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 안테나 연결 단자는 적어도 하나의 도전성 플레이트를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 도전성 플레이트는 상기 제1 도전성 플레이트 또는 상기 제2 도전성 플레이트 중에서 적어도 하나와 전하를 충전하도록 배치되는 전자 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제3 RF 연결 단자를 더 포함하고,
    상기 제3 RF 연결 단자는 제3 도전성 플레이트를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 도전성 플레이트는 상기 제1 도전성 플레이트, 상기 제2 도전성 플레이트, 및 상기 제3 도전성 플레이트 중에서 적어도 하나와 전하를 충전하도록 배치되는 전자 장치.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 RF 튜닝 회로는 제1 커패시터, 제1 저항, 또는 제1 인덕터 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제2 RF 튜닝 회로는 제2 커패시터, 제2 저항, 또는 제2 인덕터 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제1 커패시터, 상기 제1 저항, 또는 상기 제1 인덕터 중 적어도 하나는, 상기 제1 상태에서의 상기 제1 안테나와 관련된 정재파비가 최대가 되는 값을 가지고,
    상기 제2 커패시터, 상기 제2 저항, 또는 상기 제2 인덕터 중 적어도 하나는, 상기 제2 상태에서의 상기 제2 안테나와 관련된 정재파비가 최대가 되는 값을 가지는 전자 장치.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 제1 RF 튜닝 회로 및 상기 제2 RF 튜닝 회로는 상기 제2 PCB를 통해 상기 RF 모듈에 연결되는 전자 장치.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 적어도 둘 이상의 RF 연결 단자들은 제3 RF 연결 단자를 더 포함하고,
    상기 제2 PCB는, 상기 제3 RF 연결 단자에 대한 제3 RF 튜닝 회로를 포함하고,
    상기 제1 RF 튜닝 회로 및 상기 제2 RF 튜닝 회로는 그라운드에 연결되고,
    상기 제3 RF 튜닝 회로는 상기 RF 모듈에 연결되는 전자 장치.
  20. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 구조체는 슬라이드 전자 장치의 이동부에 대응하고,
    상기 제2 구조체는 슬라이드 전자 장치의 고정부에 대응하고,
    상기 제1 상태는 슬라이드-다운(slide down) 상태이고, 상기 제2 상태는 슬라이드 업(slide-up) 상태인 전자 장치.

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