KR20200136786A - Apparatus for monitoring the deterioration of electrolytic gold deposit amount - Google Patents

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Abstract

An objective of the present invention is to provide a method for monitoring the deterioration of an electrolytic gold plating solution and an apparatus for monitoring the deterioration of the electrolytic gold plating solution, in which a deteriorated state of a gold sulfite deposit plating solution is continuously detected, thereby enabling gold-plating to be always stably performed. The present invention provides an electrolytic gold plating method for performing electrolytic gold plating on the surface of a substrate body by using a gold sulfite plating solution, wherein gold plating is performed while the deterioration of a plating solution is constantly or intermittently detected during plating. In addition, the present invention provides an electrolytic gold plating device for performing electrolytic gold plating on the surface of a substrate body by using a gold sulfite plating solution, wherein the device comprises a detection means for constantly or intermittently detecting the deterioration of the plating solution and a monitoring unit for displaying the degree of the deterioration.

Description

전해 금도금액의 열화를 감시하는 장치{Apparatus for monitoring the deterioration of electrolytic gold deposit amount}Device for monitoring the deterioration of electrolytic gold deposit amount

본 발명은 아황산금 착물의 금도금액의 열화도가 측정 및 감시되는 새로운 전해 금도금 방법 및 상기 전해 금도금 방법을 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a novel electrolytic gold plating method in which the degree of deterioration of a gold plating solution of a sulfite complex is measured and monitored, and an apparatus for the electrolytic gold plating method.

종래의 전해 금도금 방법으로는, 시안화금 착물이 도금액의 주성분으로 사용되는 시안화금 도금방법이 공지되어 있다. 시안화금 도금액은 매우 안정되어 있기 때문에, 금속금(metallic gold)의 비정상 퇴적이 발생하지 않는다. 그러나 시안화 화합물은 강한 독성을 가지고 이에 따라 환경적 측면에 문제가 있기 때문에, 비-시안계 도금방법이 개발되어 왔고 실제로 사용되어 왔다.As a conventional electrolytic gold plating method, a gold cyanide plating method is known in which a gold cyanide complex is used as a main component of a plating solution. Since the cyanide gold plating solution is very stable, abnormal deposition of metallic gold does not occur. However, since cyanide compounds have strong toxicity and thus have environmental problems, a non-cyanide plating method has been developed and has been actually used.

최근에는, 아황산금 착물의 주성분을 갖는 아황산금 도금액이 점점 광범위하게 사용되고 있다. 상술한 바와 같이, 아황산금 도금액은 독성을 가지지 않고 환경적인 영향이 충분히 고려되기 때문에, 무공해 전해 금도금이 가능하게 되었다. 그러나, 아황산금 도금액의 환경적인 영향이 충분히 고려되더라도, 용액의 안정성은 충분하지 않고, 따라서 사용시 금속금의 비정상 퇴적이 발생하기 쉽다. 그 이유는 아황산금 착물의 불안정성에 있다. 즉, 아황산금 착물의 안정성은 시안화금 착물의 안정성에 비하여 매우 작다. 아황산금 착물은 열화되고 분해되어, 1가 유리(free) 금이온을 형성하고, 상기 금이온은 불균화 반응을 통하여 금속금을 형성한다. 상기 금속금은 초기상태에는 매우 작은 입자의 형태이지만, 상기 금입자들은 입자의 응결에 의하여 성장한다. 그 후, 금속금은, 통전(current-carrying)과는 관계없이, 도금조 내부에 있는 장치의 구성요소의 표면상에 비정상적으로 퇴적된다. 이러한 현상은 정상적인 금도금을 불가능하게 하는 문제를 일으킨다. 아황산금 착물을 사용하는 금도금액은 일본국 특개평 제9-59792호, 일본국 특개평 제10-251887호 및 일본국 특개평 제11-61480호에 개시되어 있다.In recent years, gold sulfite plating solutions having a main component of gold sulfite complexes have been increasingly widely used. As described above, since the gold sulfite plating solution has no toxicity and environmental influences are sufficiently considered, pollution-free electrolytic gold plating has become possible. However, even if the environmental influence of the gold sulfite plating solution is sufficiently considered, the stability of the solution is not sufficient, and therefore abnormal deposition of metal gold is liable to occur during use. The reason lies in the instability of the sulfite complex. That is, the stability of the gold sulfite complex is very small compared to the stability of the gold cyanide complex. The gold sulfite complex deteriorates and decomposes to form monovalent free gold ions, and the gold ions form metallic gold through disproportionation reaction. The metal gold is in the form of very small particles in the initial state, but the gold particles grow by condensation of the particles. Thereafter, metal gold is abnormally deposited on the surface of the components of the apparatus inside the plating bath, irrespective of current-carrying. This phenomenon causes a problem that makes normal gold plating impossible. The gold plating amount using a sulfurous acid gold complex is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-59792, Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-251887, and Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-61480.

상술된 비정상적인 금 퇴적이 발생되면, 상기 장치의 내부를 세정하기 위하여 상기 용액이 도금장치로부터 배출되어야 한다. 그러나, 금은 매우 안정된 금속이고, 이에 따라 보통의 산과 같은 용제를 사용하여 용해 및 제거될 수 없다.When the above-described abnormal gold deposition occurs, the solution must be discharged from the plating apparatus to clean the interior of the apparatus. However, gold is a very stable metal and therefore cannot be dissolved and removed using solvents such as ordinary acids.

따라 서, 상기 도금장치는 세정을 행하여 초기상태로 복귀시켜야 한다. 따라서, 이것은 많은 시간과 비용을 요구하며, 극히 비경제적이다.Therefore, the plating apparatus must be cleaned to return to its initial state. Hence, this requires a lot of time and money and is extremely uneconomical.

또한, 상술된 공보에는, 금도금이 상기 용액을 사용하여 행해지는 경우, 아황산금 착물 도금액의 열화에 대하여 기술되어 있지 않다.Further, in the above-described publication, when gold plating is performed using the above solution, there is no description of deterioration of the gold sulfite complex plating solution.

본 발명의 목적은 항상 전해 금도금을 안정적으로 할 수 있고, 아황산금 착물 도금액을 사용하여 금도금이 행해지는동안, 아황산금 착물 도금액의 열화상태를 연속적으로 또는 간헐적으로 검출하여 전해 금도금의 수행 불가능을 방지할 수 있는 전해 금도금 방법 및 전해 금도금 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to always stably perform electrolytic gold plating, and to prevent the impossibility of performing electrolytic gold plating by continuously or intermittently detecting the deterioration state of the sulfite complex plating solution while gold plating is performed using a sulfite complex plating solution. It is to provide an electrolytic gold plating method and an electrolytic gold plating device capable of being performed.

본 발명은 아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 방법으로 특징지어지며, 상기 방법은 도금액의 열화도를 검출하는 단계 및 상기 도금을 행하는 단계를 포함하여 이루어진다. 도금액의 열화도의 검출은, 도금을 시작하기 전이나 도금하는 동안 상시 또는 간헐적으로 행해지는 것이 바람직하다.The present invention is characterized by an electrolytic gold plating method in which electrolytic gold plating is performed on the surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, the method comprising detecting the degree of deterioration of the plating solution and performing the plating. It is preferable that the detection of the degree of deterioration of the plating solution is always or intermittently performed before starting or during plating.

열화 정도의 검출에 관해서는, 도금액에 광을 조사한 후, 특정흡수파장의 광도, 바람직하게는 310nm의 특정흡수파장의 광도를 측정하는 것이 바람직하다. 도금액내에 형성된 금 콜로이드 양의 검출, 도금액의 pH의 측정, 도금액내의 아황산금 착물의 아황산 농도 측정 및 도금액내의 황산의 농도 측정 중 적어도 하나를 행하는 것이 바람직하다.With regard to the detection of the degree of deterioration, after irradiating the plating solution with light, it is preferable to measure the luminous intensity at a specific absorption wavelength, preferably at a specific absorption wavelength of 310 nm. It is preferable to perform at least one of the detection of the amount of colloidal gold formed in the plating solution, the measurement of the pH of the plating solution, the measurement of the sulfurous acid concentration of the gold sulfite complex in the plating solution, and the measurement of the concentration of sulfuric acid in the plating solution.

1) 피도금물을 조정하고 수직으로 설정함으로써, 도금된 표면의 잔존하는 기포의 영향 및 양극판으로부터 블랙막(black film)이 분리되어 떨어지는 영향을 억 제하기 때문에, 고품질 도금막 표면이 형성될 수 있다.1) By adjusting the object to be plated and setting it vertically, the effect of the remaining air bubbles on the plated surface and the effect of separating the black film from the anode plate are suppressed, so that a high-quality plated film surface can be formed. have.

2) 도금공정 조정기구가 피도금물과 상기 피도금물에 대향하여 수직으로 배치되는 양극판 사이에 배치될 수 있기 때문에, 도금된 막두께 분포가 용이하게 제어될 수 있다.2) Since the plating process adjusting mechanism can be disposed between the object to be plated and the positive electrode plate arranged vertically opposite the object to be plated, the plated film thickness distribution can be easily controlled.

3) 피도금물이 기판스테이지를 사용하여 도금조의 측면상의 개구부에 대하여 가압 및 푸시되어 유지되는 구조를 채택하여, 종래의 딥(dip)방식 장치에 사용되는 피도금물을 홀딩하는 홀더가 제거될 수 있기 때문에, 완전자동 도금장치를 목적으로 하는 설계가 용이하게 행해질 수 있다.3) By adopting a structure in which the object to be plated is pressed and pushed against the opening on the side of the plating bath using the substrate stage, the holder for holding the object to be plated used in the conventional dip method device can be removed. Thus, design for the purpose of a fully automatic plating apparatus can be easily performed.

4) 도금조의 측판에 제공되는 개구부 및 분리가능한 기판스테이지의 도금된대상물진공홀딩부를 만들어, 상이한 직경을 갖는 복수 종류의 반도체기판(피도금물)의 도금공정이 단일 도금장치에 의하여 수행될 수 있다.4) By making an opening provided in the side plate of the plating bath and the plated object vacuum holding part of the detachable substrate stage, the plating process of plural kinds of semiconductor substrates (to be plated) having different diameters can be performed by a single plating apparatus. .

5) 도금조와 기판스테이지는 1유닛으로 쌍을 이루기 때문에, 확장가능한 완전자동 도금장치가 제공될 수 있다.5) Since the plating bath and the substrate stage are paired with one unit, an expandable fully automatic plating apparatus can be provided.

도 1은 아황산금 착물 도금액의 도금지속시간에 대한 특정흡수파장의 흡광도의 시간에 따른 변화를 도시한 그래프,
도 2는 아황산금 착물 도금액의 공기산화에 대한 아황산 농도의 시간에 따른 변화를 도시한 그래프,
도 3은 본 발명에 따른 수직 홀더식 전해 금도금 장치의 상세를 도시한 블럭도,
도 4는 본 발명에 따른 도금장치의 실시예를 도시한 단면도,
도 5는 도금조의 원형개구부를 도시한 상세도.
FIG. 1 is a graph showing the change in absorbance of a specific absorption wavelength with respect to the plating duration of an gold sulfite complex plating solution with time;
2 is a graph showing the change of sulfurous acid concentration over time for air oxidation of a gold sulfite complex plating solution
3 is a block diagram showing a detail of the vertical holder type electrolytic gold plating apparatus according to the present invention,
4 is a cross-sectional view showing an embodiment of a plating apparatus according to the present invention,
5 is a detailed view showing a circular opening of the plating bath.

본 발명은 도금액의 부가, pH의 조정, 아황산 농도의 조정 및 상기 도금액의 금 콜로이드의 양, 상기 도금액의 pH 값, 상기 도금액내의 아황산금 착물의 아황산 농도 및 상기 도금액내의 황산 농도 중 적어도 하나를 측정하여 얻어진 값에 기초한 황산의 조정 가운데 적어도 하나를 행하는 단계를 포함하는 전해 금도금 방법으로 특징지어진다.The present invention measures at least one of the addition of the plating solution, the adjustment of the pH, the adjustment of the sulfurous acid concentration and the amount of colloidal gold in the plating solution, the pH value of the plating solution, the sulfurous acid concentration of the gold sulfite complex in the plating solution, and the sulfuric acid concentration in the plating solution. Characterized by an electrolytic gold plating method comprising the step of performing at least one of adjustment of sulfuric acid based on the obtained value.

본 발명은 아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 장치로 특징지어지며, 상기 장치는 도금액의 열화도를 검출하는 검출수단을 포함하는 것을 특징으로 하고, 또한 열화 정도를 디스플레이하는 감시유닛을 포함하는 전해 금도금 장치로 특징지어진다. 도금액의 열화 정도의 검출은, 도금을 시작하기 전이나 도금을 하는 동안 상시 또는 간헐적으로 행해지는 것이 바람직하다.The present invention is characterized by an electrolytic gold plating apparatus for performing electrolytic gold plating on the surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, wherein the apparatus comprises a detection means for detecting the degree of deterioration of the plating solution, and the degree of deterioration It is characterized by an electrolytic gold plating device comprising a monitoring unit that displays. It is preferable that the detection of the degree of deterioration of the plating solution is always or intermittently performed before starting or during plating.

도금액에 광을 조사하고, 상기 조사 후에 광도를 측정하는 수단, 도금액의 pH를 측정하는 수단, 도금액의 아황산금착물의 아황산을 측정하는 수단 및 도금액의 황산을 측정하는 수단 가운데 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다.Including at least one of a means for irradiating the plating solution with light and measuring the light intensity after the irradiation, a means for measuring the pH of the plating solution, a means for measuring the sulfurous acid of the sulfite metal complex in the plating solution, and a means for measuring sulfuric acid in the plating solution. desirable.

상기 광도를 측정하는 수단은 흡광광도계이고, 상기 pH를 측정하는 수단은 유리전극 (glass electrode)을 사용하는 pH계이며, 상기 착물내의 아황산을 측정하는 수단은 자동적정기(automatic titrator) 또는 액체크로마토그래프인 것이 바람직하다.The means for measuring the light intensity is an absorbance photometer, the means for measuring the pH is a pH meter using a glass electrode, and the means for measuring the sulfurous acid in the complex is an automatic titrator or a liquid chromatograph. It is preferable to be.

즉, 본 발명의 발명자들은 아황산금 도금액에 대하여 상세한 연구를 행하여, 도금액의 흡수특성, 도금액의 pH, 도금액내의 아황산의 농도 및 황산의 농도는 상기 용액의 열화가 진행됨에 따라 변화된다는 것을 알았다. 상기 용액의 열화가 진 행됨에 따라, 도금액의 특정파장의 흡수강도는 증가되고, pH 및 착물내의 아황산의 농도는 감소되며, 황산의 농도는 증가된다. 따라서, 도금액의 열화 정도로서 사용되도록 이들이 검출되는 것이다.That is, the inventors of the present invention conducted a detailed study on the gold sulfite plating solution, and found that the absorption characteristics of the plating solution, the pH of the plating solution, the concentration of sulfurous acid in the plating solution, and the concentration of sulfuric acid changed as the solution deteriorated. As the solution deteriorates, the absorption strength of a specific wavelength of the plating solution increases, the pH and the concentration of sulfurous acid in the complex decrease, and the concentration of sulfuric acid increases. Therefore, they are detected to be used as the degree of deterioration of the plating liquid.

또한, 본 발명은 아황산금 도금액의 열화상태를 감시하도록, 한 종류 또는 보다 많은 종류의 상술된 인자들의 조합을 검출 및 분석함으로써 금도금을 안정적으로 할 수 있게 한다. 금의 비정상적인 퇴적이 예측되어, 경보가 출력되는 것이 바람직하다.In addition, the present invention makes it possible to stably perform gold plating by detecting and analyzing one or more types of combinations of the above-described factors so as to monitor the deterioration state of the gold sulfite plating solution. It is desirable that abnormal accumulation of gold is predicted and an alarm is output.

더 나아가, 본 발명은 도금액의 금 콜로이드 양, 도금액의 pH 값, 도금액내의 아황산금 착물의 아황산 농도 및 도금액의 황산 농도 중 적어도 하나를 측정하여 얻어진 값에 기초하여 도금액을 부가하는 자동부가액공급유닛 pH를 조정하는 자동 pH 조정유닛 및 증발된 물을 위하여 물을 공급하는 자동물공급유닛을 포함하여 이루어지는 전해 금도금 장치로 특징지어진다.Further, the present invention is an automatic addition solution supply unit for adding a plating solution based on a value obtained by measuring at least one of the amount of gold colloids in the plating solution, the pH value of the plating solution, the sulfite concentration of the gold sulfite complex in the plating solution, and the sulfuric acid concentration of the plating solution. It is characterized by an electrolytic gold plating apparatus comprising an automatic pH adjustment unit for adjusting the pH and an automatic water supply unit for supplying water for the evaporated water.

본 발명은 반도체 디바이스에 사용되는 리드단자(lead terminal) 및 와이어를 형성하기 위한 전해 금도금에 효과적이다.The present invention is effective in electrolytic gold plating for forming lead terminals and wires used in semiconductor devices.

(실시예 1)(Example 1)

금도금액으로는 시판되는 아황산금 도금액이 사용되었고, 전해 금도금 장치로는 후술할 도금장치가 사용되었다. 피도금 기판 몸체는, 표면상의 스퍼터링에 의하여 형성되는 Au 고형막을 구비한 6인치 Si 웨이퍼가 사용되었고, 금도금은 상기 도금액이 액온도 65℃ 및 전류밀도 10mA/cm 2 의 조건하에서 상기 용액안으로 공기를 불어넣어 교반되어지고 있는 동안에 행해졌다. 도금하는 동안, 상기 도금액을 5회의 임의의 시간에 샘플링하여, 광흡수 스펙트럼을 측정하였다.A commercially available gold sulfite plating solution was used as the gold plating solution, and a plating apparatus to be described later was used as the electrolytic gold plating device. As the substrate body to be plated, a 6-inch Si wafer with an Au solid film formed by sputtering on the surface was used, and for gold plating, air was introduced into the solution under the conditions of a liquid temperature of 65°C and a current density of 10mA/cm 2. It was done while being blown and stirred. During plating, the plating solution was sampled at an arbitrary time five times, and the light absorption spectrum was measured.

도 1은 흡광도와 파장간의 관계를 도시한 그래프이다. 라인 ①은 새로운 아황산금 도금액의 흡수 스펙트럼을 도시하고, 라인 ②,③,④,⑤는 순서대로 금도금 시간의 흡수 스펙트럼을 도시한다. 금도금이 계속됨에 따라, 도면에 나타낸 310nm의 특정흡수파장의 흡수강도가 커졌고, 도금시간이 소정의 시간을 경과한 후에 금의 비정상 퇴적이 관측되었다.1 is a graph showing the relationship between absorbance and wavelength. Line ① shows the absorption spectrum of the new gold sulfite plating solution, and lines ②, ③, ④, ⑤ show the absorption spectrum of the gold plating time in order. As the gold plating continued, the absorption strength of the specific absorption wavelength of 310 nm shown in the figure increased, and abnormal deposition of gold was observed after the plating time elapsed a predetermined time.

이 결과로부터, 금도금액의 열화는 상기 특정흡수파장의 흡수강도를 측정하여 검출될 수 있음을 알았다.From these results, it was found that the deterioration of the gold plating solution can be detected by measuring the absorption intensity of the specific absorption wavelength.

(실시예2)(Example 2)

산화로 인한 아황산금 도금액의 열화는, 시판되는 아황산금 도금액을 금도금액으로 사용하여 액온도 65℃의 조건하에서, 공기가 상기 용액안으로 불어넣어지면서 측정되었다. 아황산은 산화에 대하여 불안정한 물질이고, 아황산금 착물은 또한 반응식(1)에 따라 산화되면서 분해된다.The deterioration of the gold sulfite plating solution due to oxidation was measured by blowing air into the solution under the condition of a liquid temperature of 65° C. using a commercially available gold sulfite plating solution as the gold plating solution. Sulfuric acid is a substance that is unstable to oxidation, and the gold sulfite complex is also decomposed while being oxidized according to the equation (1).

반응식 1Scheme 1

Au(SO 3 ) 2 3- + O 2 →Au(I) + 2SO 4 2- Au(SO 3 ) 2 3- + O 2 → Au(I) + 2SO 4 2-

그 결과, 1가의 금이 생성된다. 또한, 상기 1가 금이온은 반응식(2)에 도시된 불균화 반응을 통하여 비이온화된 금과 3가의 금이 된다.As a result, monovalent gold is produced. In addition, the monovalent gold ions become non-ionized gold and trivalent gold through the disproportionation reaction shown in Scheme (2).

반응식 2Scheme 2

3Au(I) → 2Au(0) + Au(III)3Au(I) → 2Au(0) + Au(III)

생성된 비이온화된 금은 비정상 퇴적을 일으키는 금속금이다. 따라서, 반응식(1)에 표시된 산화로 인한 아황산량의 변화를 고려하여, 본 발명의 발명자들은 금도금액내로 공기를 불어넣으면서 임의의 시간에 도금액을 샘플링하고, 그 샘플로부터 아황산의 농도를 측정하였다.The resulting non-ionized gold is a metallic gold that causes abnormal deposition. Therefore, taking into account the change in the amount of sulfurous acid due to oxidation indicated in Reaction Formula (1), the inventors of the present invention sampled the plating solution at an arbitrary time while blowing air into the gold plating solution, and measured the concentration of sulfurous acid from the sample.

도 2는 시간에 따른 아황산의 농도의 변화를 도시한 그래프이다. 여기서, 총 아황산은 요오드 적정을 통하여 측정되는 아황산의 농도이고, 유리 아황산은 양이온교환수지를 사용하여 이온배제 액체크로마토그래프에 의하여 측정되는 아황산의 농도이며, 착물의 아황산은 상기 총 아황산에서 상기 유리 아황산을 감산하여 계산된다. 총 아황산 및 유리 아황산의 농도는 시간 경과에 따라 감소됨을 알 수 있다. 또한, 착물의 아황산의 농도도 총 아황산의 감소에 비례하여 일정 범위내에서 감소된다. 금도금액의 열화도가 도금액의 총 아황산의 농도 또는 유리 아황산의 농도를 측정하여 검출될 수 있다는 것이 상기 결과로부터 명백하다.2 is a graph showing the change in the concentration of sulfurous acid over time. Here, total sulfurous acid is the concentration of sulfurous acid measured through iodine titration, free sulfurous acid is the concentration of sulfurous acid measured by ion exclusion liquid chromatography using a cation exchange resin, and the sulfurous acid of the complex is the free sulfurous acid in the total sulfurous acid. It is calculated by subtracting. It can be seen that the concentration of total sulfurous acid and free sulfurous acid decreases over time. In addition, the concentration of sulfurous acid in the complex also decreases within a certain range in proportion to the decrease of total sulfurous acid. It is clear from the above results that the degree of deterioration of the gold plating solution can be detected by measuring the concentration of total sulfurous acid or the concentration of free sulfurous acid in the plating solution.

(실시예 3)(Example 3)

도 3은 본 발명에 따른 감시유닛을 구비한 수직 홀더식 전해 금도금 장치의 상세를 도시한 블럭도이다. 상기 도금액은 도금조(1)로부터 샘플링관(2)을 통하여 흡광광도계(3)내로 도입된다. 상기 장치는, 도금액이 펌프와 직접 접촉하는 것을 방지하기 위하여, 진공펌프(7)의 시동에 의하여 관(6)을 통하여 탱크(5)의 내부가 부압상태가 되어, 상기 도금조(1)로부터 흡광광도계(3)내로 이송된 용액을 흡입할 수 있는 구조를 가진다. 상기 흡광광도계(3)는 도금액의 310nm 특정흡수파장의 흡수강도를 측정하는 기구이며, 상기 도금액의 열화도는 제어용퍼스널컴퓨터(8)에 데 이터를 입력하여 측정된다. 그 결과 중 하나가 실시예 1에 도시되어 있다.3 is a block diagram showing a detail of a vertical holder type electrolytic gold plating apparatus having a monitoring unit according to the present invention. The plating solution is introduced from the plating bath 1 into the absorbance photometer 3 through the sampling tube 2. In the apparatus, in order to prevent the plating solution from directly contacting the pump, the inside of the tank 5 is brought into a negative pressure state through the tube 6 by the start of the vacuum pump 7 and from the plating bath 1 It has a structure capable of inhaling a solution transferred into the absorbance photometer (3). The absorbance photometer 3 is a device for measuring the absorption intensity of the plating solution at a specific absorption wavelength of 310 nm, and the degree of deterioration of the plating solution is measured by inputting data to the control personal computer 8. One of the results is shown in Example 1.

또한, 상술한 바와 병행하여, 도금액의 일정량이 도금조(1)로부터 샘플링관(9)을 통하여 피페터(pipetter 10)를 사용하여 샘플링되어, 샘플링관(11)을 통하여 자동적정기(12)로 이송된다. 상기 자동적정기(12)는 샘플링된 도금액을 수용한 후, 요오드액이 관(14)을 통하여 피페터(13)에 의하여 자동적정기(12)로 피페팅(pipetted)되고, 또한 아세트산-아세트산나트륨 완충용액도 관(16)을 통하여 피페터(15)에 의하여 자동적정기(12)로 피페팅된다. 그 후, 자동적정기(12)에서, 금도금액내의 아황산의 농도측정이 시작되고, 상기 측정의 완료 후에, 데이터를 제어용퍼스널컴퓨터(8)로 입력하여 금도금액의 열화도가 측정된다. 측정 완료된 용액은 진공펌프(7)의 시동에 의하여 관(17)을 통하여 탱크(5)로 배출되어, 관(6)을 통하여 탱크(5)의 내부를 부압상태로 만든다. 탱크(5)에 저장되는 폐액 등은, 상기 탱크(5)의 진공상태가 깨진 후에 관(18)을 통하여 배수탱크(19)로 배출된다. 자동적정기(12)의 요오드적정을 통하여 아황산 농도를 측정하는 방법은 JIS의 K0101에 따라 행해진다.In addition, in parallel to the above, a certain amount of the plating solution is sampled from the plating bath 1 through the sampling tube 9 using a pipette 10, and transferred to the automatic titrator 12 through the sampling tube 11. Is transported. The automatic titrator 12 receives the sampled plating solution, and then the iodine solution is pipetted to the automatic titrator 12 by the pipette 13 through the tube 14, and the acetate-sodium acetate buffer The solution is also pipetted to the automatic titrator 12 by the pipetter 15 through the tube 16. Thereafter, the automatic titrator 12 starts measuring the concentration of sulfurous acid in the gold plating solution, and after completion of the measurement, data is input to the control personal computer 8 to measure the degree of deterioration of the gold plating solution. The measured solution is discharged to the tank 5 through the tube 17 by the start of the vacuum pump 7 and makes the inside of the tank 5 into a negative pressure state through the tube 6. Waste liquid and the like stored in the tank 5 are discharged to the drainage tank 19 through the pipe 18 after the vacuum state of the tank 5 is broken. The method of measuring the concentration of sulfurous acid through iodine titration of the automatic titrator 12 is carried out in accordance with JIS K0101.

또한, 상술한 바와 병행하여, pH 측정용 유리전극을 금도금조(1)의 금도금액내에 삽입함으로써, pH계(21)를 사용하여 금도금액의 pH가 측정된다. 상기 측정된 값은 제어용퍼스널컴퓨터(8)로 입력되어, 도금액의 열화도를 측정한다.Further, in parallel with the above, the pH of the gold plating solution is measured by using the pH meter 21 by inserting the glass electrode for pH measurement into the gold plating solution of the gold plating bath 1. The measured value is inputted to the control personal computer 8 to measure the degree of deterioration of the plating solution.

비록 열화도의 측정이 상술된 금도금액의 분석수단 중의 하나로 행해질 수 있지만, 상기 금도금액의 열화도는 상기 수단을 조합하여 더욱 정밀하게 검출될 수 있다.Although the measurement of the degree of deterioration can be performed by one of the above-described analysis means for the gold plating solution, the degree of deterioration of the gold plating solution can be detected more precisely by combining the above means.

상술된 도금장치는 도금조내에 수직으로 배치되는 양극 상기 양극에 대향하여 수직으로 배치되는 피도금물 상기 도금조의 측면부에 배치되는 개구부 피도금물을 진공-홀딩하며, 상기 개구부를 막는 상태로 상기 도금조에 분리가능하게 부착되는 기판스테이지 및 상기 기판스테이지를 상기 개구부로 및 상기 개구부로부터 푸싱 및 해제시키는 푸싱유닛을 포함하여 이루어지고, 상기 피도금물은 상기 도금조내의 도금액과 접촉하게 되도록 상기 도금조 내부에 위치하는 것을 특징으로 한다.The above-described plating apparatus vacuum-holds an opening plated object disposed on a side surface of the plating bath, and the plating is in a state that closes the opening of the plated object vertically arranged opposite the anode. And a substrate stage detachably attached to the bath and a pushing unit for pushing and releasing the substrate stage to and from the opening, wherein the object to be plated is in contact with the plating solution in the plating bath. It characterized in that it is located in.

본 실시예에 따르면, 아황산 착물의 산화에 의한 용액 열화 및 금이온의 불균화 반응에 의한 금의 퇴적을 교차-감시(cross-monitoring)하여, 높은 정밀도의 열화 감시가 행해질 수 있다. 또한, 상기 감시에 의하여 도금액을 교체하는 시간이 적절하게 판단될 수 있다. 나아가, 비정상 퇴적으로 인한 장치의 세정이 배제될 수 있기 때문에, 도금장치의 유용성이 향상될 수 있다. 또한, 적산 전류값과 금의 농도를 측정하여, 물을 공급하는 타이밍이 적절하게 설정될 수 있다.According to the present embodiment, by cross-monitoring the solution deterioration due to oxidation of the sulfurous acid complex and the deposition of gold due to the disproportionation reaction of gold ions, high precision deterioration monitoring can be performed. Further, the time to replace the plating solution can be appropriately determined by the monitoring. Further, since cleaning of the device due to abnormal deposition can be excluded, the usefulness of the plating device can be improved. Also, by measuring the accumulated current value and the concentration of gold, the timing of supplying water can be appropriately set.

또한, 본 발명의 도금장치는, 상기 도금장치가 도금조내에 도금액을 담아두도록 도금조에 연결되는 도금액저장조를 포함하고, 도금액의 액면높이가 상술된 개구부의 상단보다 더 높은 위치에 도달할 수 있도록 상기 도금조를 채우기에 충분한 용량을 가지며 상기 도금장치가 상기 도금조의 개구부 근처의 위치에 배치되는 도금액 교반기구를 포함하고 상술된 개구부는 상기 도금조를 구성하는 분리가능한 측판상에 형성되며 가압유닛은 기판스테이지를 회전 및 이동시킬 수 있고 기판스테이지는 스테이지본체로부터 분리가능하며, 피도금물을 진공 홀딩하는 도금된대상 물진공홀딩부는 상기 스테이지본체상에 장착되고, 상기 스테이지본체로부터 분리가능하며 상기 기판스테이지는 기판스테이지 푸싱파워부를 구비하고, 상기 기판스테이지푸싱파워부내에 구형베어링이 배치되며 상기 구형베어링은, 상기 기판스테이지가 상기 개구부에 대하여 푸시될 때, 상기 개구부에 대하여 기판스테이지의 실부(seal portion)를 회전하여 밀착시키고, 피도금물이 상기 기판스테이지상에 유지될 때 고정되는 구조를 가진다.In addition, the plating apparatus of the present invention includes a plating liquid storage tank connected to the plating bath so that the plating apparatus holds the plating liquid in the plating bath, and the liquid level of the plating liquid reaches a position higher than the upper end of the above-described opening. The plating apparatus has a sufficient capacity to fill the plating bath, and the plating apparatus includes a plating solution stirring mechanism disposed at a position near the opening of the plating bath, and the above-described opening is formed on the detachable side plate constituting the plating bath, and the pressing unit is a substrate The stage can be rotated and moved, and the substrate stage is detachable from the stage body, and the plated water vacuum holding part for vacuum holding the object to be plated is mounted on the stage body and is detachable from the stage body. Has a substrate stage pushing power portion, and a spherical bearing is disposed in the substrate stage pushing power portion, and the spherical bearing is a seal portion of the substrate stage with respect to the opening when the substrate stage is pushed against the opening. It rotates and adheres closely, and has a structure that is fixed when the object to be plated is held on the substrate stage.

도 4는 상술된 실시예에 사용된 도금장치를 도시한 단면도이다. 상기 도금장치는 도금조(31)와 기판스테이지(32)를 포함한다. 상기 도금조(31)는 박스형상으로 성형되고, 수지로 만들어지며, 그 측면부에 원형개구부(33)를 가진다. 또한, 도금조(31)는 그 내부에 구획판(48)을 가져, 상기 도금조를 2개의 섹션으로 분할한다. 도금액배수관(49)은 룸(room 42, 43) 중의 하나에 연결되고, 도금액유입관(46)은 상기 룸의 다른 하나에 연결된다. 원형개구부(33)가 기판(34)에 의하여 닫히면, 상기 룸(43)은 도금액이 구획판(48)을 넘쳐 흐르도록 도금액(47)이 채워진다. 상기 도금장치는 도금액의 열화를 측정하는 유닛 및 도 3에 도시된 제어용퍼스널컴퓨터 (8)를 포함하지만, 본 도면에는 도시되지 않았다.4 is a cross-sectional view showing a plating apparatus used in the above-described embodiment. The plating apparatus includes a plating bath 31 and a substrate stage 32. The plating bath 31 is molded in a box shape, made of resin, and has a circular opening 33 at its side. Further, the plating bath 31 has a partition plate 48 therein, and the plating bath is divided into two sections. The plating liquid drainage pipe 49 is connected to one of the rooms 42 and 43, and the plating liquid inlet pipe 46 is connected to the other one of the rooms. When the circular opening 33 is closed by the substrate 34, the room 43 is filled with the plating solution 47 so that the plating solution overflows the partition plate 48. The plating apparatus includes a unit for measuring deterioration of the plating solution and the personal computer 8 for control shown in Fig. 3, but is not shown in this figure.

음극전극(45)은 원형개구부(33)의 개구부(44) 근처의 위치에 배치된다. 또한, 도금조(31)에는, 기판(34)과 양극판(25) 사이에 배치되는 도금액교반부재를 포함하는 도금액교반기(40)가 제공된다. 이러한 도금제어기구를 배치함으로써, 도금막 두께분포를 제어하는 것이 용이해진다.The cathode electrode 45 is disposed at a position near the opening 44 of the circular opening 33. In addition, the plating bath 31 is provided with a plating liquid stirrer 40 including a plating liquid stirring member disposed between the substrate 34 and the positive electrode plate 25. By arranging such a plating control mechanism, it becomes easy to control the thickness distribution of the plating film.

기판스테이지(32)는 기판(34)용 진공홀딩기구를 구비한 기판테이블(35) 및 스테이지본체로서의 몸체부(36)와 회전샤프트(37)를 조합하여 이루어지며, 상기 회전샤프트(37)는 브래킷(38)내에 포함된 베어링(39)에 의하여 회전가능하게 지지되어, 모터(51)를 사용하여 동력전달벨트(50)를 통하여 상기 기판스테이지(32)를 수평위치로부터 수직위치로 회전시킨다. 역운전도 물론 가능하다. 상기 브래킷(38)은 레일(52)상에 배치되고, 볼스크루(ball screw 54)를 통하여 모터(53)에 의하여 이동된다. 상기 기판테이블(35)은, 후술하는 바와 같이, 상기 개구부(44)를 닫기 위하여, 상기 기판스테이지푸싱파워부를 사용하여 원형개구부에 대하여 푸시된다.The substrate stage 32 is formed by combining a substrate table 35 having a vacuum holding mechanism for a substrate 34 and a body portion 36 and a rotation shaft 37 as a stage body, and the rotation shaft 37 It is rotatably supported by a bearing 39 included in the bracket 38, and rotates the substrate stage 32 from a horizontal position to a vertical position through a power transmission belt 50 using a motor 51. Reverse operation is also possible. The bracket 38 is disposed on the rail 52 and is moved by the motor 53 through a ball screw 54. The substrate table 35 is pushed against the circular opening using the substrate stage pushing power portion in order to close the opening 44, as described later.

원형개구부(33)는 도금조(31)의 측판에 분리가능하게 부착된다. 도금조(31)의 원형개구부(33) 및 기판스테이지(34)의 도금된대상물진공홀딩부로서의 기판테이블(35)은 도금조로부터 분리가능하기 때문에, 상이한 직경을 갖는 복수종류의 반도체기판(피도금물)은 단일 장치를 사용하여 도금처리될 수 있다.The circular opening 33 is detachably attached to the side plate of the plating bath 31. Since the circular opening 33 of the plating bath 31 and the substrate table 35 as a vacuum holding part of the plated object of the substrate stage 34 are detachable from the plating bath, a plurality of types of semiconductor substrates having different diameters Plated) can be plated using a single device.

도금조(31)와 기판스테이지(34)는 하나의 유닛으로 쌍을 이룬다. 따라서, 도금공정에 대응하여 배치 및 구조가 변화 될 수 있고, 이에 따라 확장가능한 완전자동 도금장치가 제공될 수 있다. 반도체기판(피도금물)은 카세트로부터 완전 자동으로 꺼내진 후, 일련의 도금공정을 완료한 후에 최종적으로 상기 카세트로 되돌아가는 것이 가능하다.The plating bath 31 and the substrate stage 34 are paired into one unit. Accordingly, the arrangement and structure can be changed in response to the plating process, and accordingly, an expandable fully automatic plating apparatus can be provided. After the semiconductor substrate (substrate to be plated) is completely automatically removed from the cassette, it is possible to finally return to the cassette after completing a series of plating processes.

도금조(31)의 외부에 피도금물을 수평으로 위치시키고 진공홀딩시키며, 상기 진공홀딩된 피도금물을 상기 도금조의 측면상에 제공되는 개구부에 수직으로 설정되도록 회전시킨 후, 도금조내에 도금액을 주입함으로써 도금이 행해진다.After placing the object to be plated horizontally outside the plating bath 31 and vacuum holding the object to be plated, rotating the vacuum holding object to be set vertically to the opening provided on the side of the plating bath, Plating is performed by injecting.

상기 도금은, 대상물의 일측면을 도금액과 접촉시켜 도금하고, 도금조 외부의 대기 환경하 에서 타측면을 진공홀딩시킴으로써 행해진다. 피도금물은 대기환경하에서 카세트내에 유지되고, 대기환경하에서 수평으로 설정되며, 대기 환경하에서 회전되고 이동된다.The plating is performed by bringing one side of the object into contact with a plating solution to plate, and vacuum holding the other side in an atmospheric environment outside the plating bath. The object to be plated is held in the cassette under the atmospheric environment, set horizontally under the atmospheric environment, and rotated and moved under the atmospheric environment.

상기 도금은, 대기환경하에서 기판카세트로부터 반도체기판을 꺼내고, 상기 반도체기판을 수평으로 위치시키며, 대기환경하에서 기판스테이지를 회전 및 이동시켜, 도금조 내부에 수직으로 배치되는 양극판에 대향하여 반도체기판을 수직으로 설정하고, 반도체기판의 일측면이 도금액과 접촉하게 함으로써 행해진다.In the plating, the semiconductor substrate is removed from the substrate cassette under an atmospheric environment, the semiconductor substrate is placed horizontally, and the substrate stage is rotated and moved under the atmospheric environment, so that the semiconductor substrate is placed opposite the positive electrode plate vertically disposed inside the plating bath. It is set vertically and is performed by making one side of the semiconductor substrate in contact with the plating solution.

도 5는 도금조(31)의 원형개구부(33)를 도시한 상세도이다. 도금조(31)의 측면상에 있는 원형개구부(33)는 도금전원(23)으로부터의 통전을 위한 음극전극(45) 및 기판(34)과 도금조(31) 사이를 실링하는 실기구(seal mechanism 57)를 구비한다. 또한, 원형개구부(33)는, 기판테이블(35)이 원형부로 푸시될 때, 변위를 억제하는 테이퍼진 가이드부(58)를 구비하며, 외부로 누출되는 소량의 도금액을 한 장소로 모으는 폐액구(59)도 구비한다.5 is a detailed view showing the circular opening 33 of the plating bath 31. The circular opening 33 on the side of the plating bath 31 is a cathode electrode 45 for energization from the plating power supply 23 and a seal mechanism for sealing between the substrate 34 and the plating bath 31. mechanism 57). In addition, the circular opening 33 has a tapered guide portion 58 that suppresses displacement when the substrate table 35 is pushed to the circular portion, and a waste liquid port that collects a small amount of plating liquid leaking out to one place. (59) is also provided.

더 나아가, 원형개구부(33)는 패킹(packing 60)을 구비하여, 볼트(61)로 도금조(31)에 고정되기 때문에, 음극전극(45)과 실기구(57)는 원형개구부(33)를 제거하여 예정된 교환일정(scheduled exchanging)으로 용이하게 교환될 수 있다. 덧붙여, 도금조(31)의 본체를 교환하지 않고 원형개구부(33)만을 교체함으로써, 상기 도금장치는 다양한 직경을 갖는 기판의 처리에 대처할 수 있다. 본 도금장치는 다음의 효과를 가진다.Further, since the circular opening 33 is provided with a packing 60 and is fixed to the plating bath 31 with a bolt 61, the negative electrode 45 and the sealing mechanism 57 are provided with a circular opening 33 It can be easily exchanged with a scheduled exchanging by removing. In addition, by replacing only the circular opening 33 without replacing the main body of the plating bath 31, the plating apparatus can cope with the processing of substrates having various diameters. This plating apparatus has the following effects.

1) 피도금물을 조정하고 수직으로 설정함으로써, 도금된 표면의 잔존하는 기 포의 영향 및 양극판으로부터 블랙막(black film)이 분리되어 떨어지는 영향을 억제하기 때문에, 고품질 도금막 표면이 형성될 수 있다.1) By adjusting the object to be plated and setting it vertically, the effect of the remaining air bubbles on the plated surface and the effect of separating the black film from the anode plate are suppressed, so that a high-quality plated film surface can be formed. have.

2) 도금공정 조정기구가 피도금물과 상기 피도금물에 대향하여 수직으로 배치되는 양극판 사이에 배치될 수 있기 때문에, 도금된 막두께 분포가 용이하게 제어될 수 있다.2) Since the plating process adjusting mechanism can be disposed between the object to be plated and the positive electrode plate arranged vertically opposite the object to be plated, the plated film thickness distribution can be easily controlled.

3) 피도금물이 기판스테이지를 사용하여 도금조의 측면상의 개구부에 대하여 가압 및 푸시되어 유지되는 구조를 채택하여, 종래의 딥(dip)방식 장치에 사용되는 피도금물을 홀딩하는 홀더가 제거될 수 있기 때문에, 완전자동 도금장치를 목적으로 하는 설계가 용이하게 행해질 수 있다.3) By adopting a structure in which the object to be plated is pressed and pushed against the opening on the side of the plating bath using the substrate stage, the holder for holding the object to be plated used in the conventional dip method device can be removed. Thus, design for the purpose of a fully automatic plating apparatus can be easily performed.

4) 도금조의 측판에 제공되는 개구부 및 분리가능한 기판스테이지의 도금된대상물진공홀딩부를 만들어, 상이한 직경4) By making an opening provided in the side plate of the plating bath and a vacuum holding part of the plated object of the detachable substrate stage,

을 갖는 복수 종류의 반도체기판(피도금물)의 도금공정이 단일 도금장치에 의하여 수행될 수 있다.A plating process of a plurality of types of semiconductor substrates (to be plated) having a single plating apparatus may be performed.

5) 도금조와 기판스테이지는 1유닛으로 쌍을 이루기 때문에, 확장가능한 완전자동 도금장치가 제공될 수 있다.5) Since the plating bath and the substrate stage are paired with one unit, an expandable fully automatic plating apparatus can be provided.

상기 효과들은, 반도체기판(피도금물)이 카세트로부터 완전자동으로 꺼내진 후, 일련의 도금공정이 완료된 후에 최종The above effects are finalized after the semiconductor substrate (substrate to be plated) is completely automatically removed from the cassette, and after a series of plating processes are completed.

적으로 상기 카세트로 되돌아갈 수 있기 때문에, 도금작업의 스루풋 개선, 전후 도금공정에 대한 연결의 용이성, 도금Since it can be returned to the above cassette, it is possible to improve the throughput of plating work, ease of connection to the plating process before and after, plating

된 막의 품질 및 장치설치의 공간절약의 개선의 관점에서 효과가 크다.The effect is great from the viewpoint of improving the quality of the membrane and the space saving of installation.

본 실시예는 수직형 홀더식의 도금장치에 유사하게 적용될 수 있다.This embodiment can be similarly applied to a vertical holder type plating apparatus.

본 실시예는 반도체 디바이스에 사용되는 리드단자 및 와이어를 형성하는 전 해 금도금에 있어 균일한 막을 형성할In this embodiment, a uniform film can be formed in electrolytic gold plating to form lead terminals and wires used in semiconductor devices.

수 있고, 연속적인 도금막 형성에 있어 각 도금막이 불균일하지 않은 도금막을 형성할 수 있다.In addition, it is possible to form a plated film in which each plated film is not non-uniform in forming a continuous plated film.

(실시예 4)(Example 4)

실시예 3에 부가하여, 본 실시예는 도금액으로 광을 조사하고, 상기 조사 후에 광도를 측정하는 흡광광도계 도금액의 pH를 측정하는 pH계 도금액내의 아황산 또는 황산 중 적어도 하나의 농도를 측정하는 자동적정기 또는 액체크로마토그래프로 구성되는 농도측정유닛 상술된 기구(instrument)를 사용하여, 도금액의 금 콜로이드의 양, 도금액의 pH값, 도금액내의 아황산금 착물의 아황산 농도 및 도금액의 황산 농도 중 적어도 하나를 측정하여 얻어지는 값에 기초하여 도금액을 부가하는 자동부가액공급유닛, pH를 조정하는 자동 pH 조정유닛 및 증발된 물을 위하여 물을 공급하는 자동물공급유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition to Example 3, this example is an automatic titrator that measures the concentration of at least one of sulfurous acid or sulfuric acid in the plating solution, a pH meter that measures the pH of the plating solution, with an absorbance photometer that measures the light intensity after the irradiation. Alternatively, a concentration measuring unit composed of a liquid chromatograph is used to measure at least one of the amount of colloidal gold in the plating solution, the pH value of the plating solution, the sulfite concentration of the gold sulfite complex in the plating solution, and the sulfuric acid concentration in the plating solution. It characterized in that it further comprises an automatic supplementary solution supply unit for adding a plating solution based on the value obtained by doing so, an automatic pH adjustment unit for adjusting pH, and an automatic water supply unit for supplying water for the evaporated water.

본 실시예는 반도체 디바이스에 사용되는 리드단자 및 와이어를 형성하는 전해 금도금에 있어 균일한 막을 형성할 수도 있고, 연속적인 도금막 형성에 있어 장시간동안 각 도금막이 불균일하지 않은 도금막을 형성할 수 있다.In this embodiment, a uniform film may be formed in electrolytic gold plating for forming lead terminals and wires used in semiconductor devices, and a plated film in which each plated film is not non-uniform for a long time can be formed in continuous plating film formation.

본 발명에 따르면, 금도금이 행해지는 동안, 아황산금 착물 도금액의 열화상태가 연속적으로 또는 간헐적으로 검출되기 때문에, 금도금을 안정적으로 수행하는 것과 전해 금도금의 수행 불가능을 방지하는 것이 가능하다.According to the present invention, since the deterioration state of the gold sulfite complex plating solution is continuously or intermittently detected during gold plating, it is possible to stably perform gold plating and prevent the inability to perform electrolytic gold plating.

Claims (16)

아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 방법에 있어서, 상기 도금액의 열화도(deterioration degree)를 검출하는 단계 및 상기 도금을 행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 방법.An electrolytic gold plating method in which electrolytic gold plating is performed on the surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, comprising the step of detecting a degree of deterioration of the plating solution and performing the plating. Gold plating method. 아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 방법에 있어서, 상기 도금액에 광을 조사하는 단계 상기 조사 후에 광도를 측정하는 단계 및 상기 도금을 행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 방법.An electrolytic gold plating method for performing electrolytic gold plating on a surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, comprising: irradiating the plating solution with light, measuring a light intensity after the irradiation, and performing the plating Electrolytic gold plating method. 아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 방법에 있어서, 상기 도금액의 pH를 측정하는 단계 및 상기 도금을 행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 방법.An electrolytic gold plating method for performing electrolytic gold plating on a surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, comprising the steps of measuring a pH of the plating solution and performing the plating. 아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 방법에 있어서, 상기 도금액내의 아황산금 착물의 아황산을 측정하는 단계 및 상기 도금을 행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 방법.An electrolytic gold plating method in which electrolytic gold plating is performed on a surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, comprising the step of measuring the sulfurous acid of a sulfite complex in the plating solution and performing the plating. Way. 아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 방법에 있어서, 상기 도금액내의 황산을 측정하는 단계 및 상기 도금을 행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 방법.An electrolytic gold plating method for performing electrolytic gold plating on a surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, comprising the steps of measuring sulfuric acid in the plating solution and performing the plating. 아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 방법에 있어서, 상기 도금액의 금 콜로이드의 양, 상기 도금액의 pH 값, 상기 도금액내의 아황산금 착물의 아황산 농도 및 상기 도금액내의 황산 농도 중 적어도 하나를 측정하는 단계 상기 측정된 값에 기초하여 상기 도금액의 열화도를 계산하는 단계 및 상기 열화도에 기초하여 상기 도금을 행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것 을 특징으로 하는 전해 금도금 방법.In the electrolytic gold plating method of performing electrolytic gold plating on the surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, the amount of gold colloids in the plating solution, the pH value of the plating solution, the sulfite concentration of the sulfite gold complex in the plating solution, and sulfuric acid in the plating solution Measuring at least one of the concentrations, calculating a degree of deterioration of the plating solution based on the measured value, and performing the plating based on the degree of deterioration. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금액의 부가, pH의 조정, 아황산 농도의 조정 및 상기 도금액의 금 콜로이드의 양, 상기 도금액의 pH 값, 상기
도금액내의 아황산금 착물의 아황산 농도 및 상기 도금액내의 황산 농도 중 적어도 하나를 측정하여 얻어진 값에 기초한 황산의 조정 중 적어도 하나를 행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 방법.
The method according to any one of claims 1 to 6, wherein the plating solution is added, the pH is adjusted, the sulfurous acid concentration is adjusted, and the amount of colloidal gold in the plating solution, the pH value of the plating solution, the
And performing at least one of adjustment of sulfuric acid based on a value obtained by measuring at least one of the sulfurous acid concentration of the gold sulfite complex in the plating solution and the sulfuric acid concentration in the plating solution.
아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 장치에 있어서, 상기 도금액의 열화도를 검출하는 검출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 장치.An electrolytic gold plating apparatus for performing electrolytic gold plating on a surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, comprising: detecting means for detecting a degree of deterioration of the plating solution. 아황산금 도금액을 사용하여 기판 몸체의 표면상에 전해 금도금을 행하는 전해 금도금 장치에 있어서, 상기 도금액에 광을 조사하고, 상기 조사 후에 광도를 측정하는 수단, 상기 도금액의 pH를 측정하는 수단, 상기 도금액의 아황산금 착물내의 아황산을 측정하는 수단, 및 상기 도금액의 황산을 측정하는 수단 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 장치.An electrolytic gold plating apparatus for performing electrolytic gold plating on a surface of a substrate body using a gold sulfite plating solution, comprising: a means for irradiating the plating solution with light and measuring light intensity after the irradiation; a means for measuring the pH of the plating solution; and the plating solution An electrolytic gold plating apparatus comprising at least one of a means for measuring sulfurous acid in the gold sulfite complex and means for measuring sulfuric acid in the plating solution. 제9항에 있어서, 상기 광도를 측정하는 상기 수단은 흡광광도계인 것을 특징으로 하는 전해 금도금 장치.The electrolytic gold plating apparatus according to claim 9, wherein the means for measuring the light intensity is an absorbance photometer. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 pH를 측정하는 상기 수단은 유리전극을 사용하는 pH계인 것을 특징으로 하는 전해 금도금 장치.The electrolytic gold plating apparatus according to claim 9 or 10, wherein the means for measuring the pH is a pH meter using a glass electrode. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 착물내의 상기 아황산 또는 황산을 측정하는 상기 수단은 자동적정기 (automatic titrator) 또는 액체크로마토그래프인 것을 특징으로 하는 전해 금도금 장치.The electrolytic gold plating apparatus according to any one of claims 9 to 11, wherein the means for measuring the sulfurous acid or sulfuric acid in the complex is an automatic titrator or a liquid chromatograph. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 광도를 측정하는 상기 수단, 상기 pH를 측정하는 상기 수단, 아황산을 측정하는 상기 수단 및 황산을 측정하는 상기 수단 중 적어도 하나에 의하여 측정된 값을 디스플레이하는 감시유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 장치.A value measured by at least one of the means for measuring light intensity, the means for measuring the pH, the means for measuring sulfurous acid, and the means for measuring sulfuric acid. Electrolytic gold plating apparatus comprising a monitoring unit for displaying. 아황산금 도금액을 담고 있는 금도금조에서 기판 몸체의 표면상에 전해 금도 금을 행하는 전해 금도금 장치에 있어서, 상기 도금액에 광을 조사하고, 상기 조사 후에 광도를 측정하는 흡광광도계, 상기 도금액의 pH를 측정하는 pH계, 상기 도금액내의 아황산 또는 황산 중 적어도 하나의 농도를 측정하는 자동적정기 또는 액체크로마토그래프로 구성되는 농도측정유닛, 상기 흡광광도계, 상기 pH계 및 상기 농도측정유닛을 상기 금도금조에 개별적으로 연결시키고, 상기 도금액을 통과하도록 하는 관 및 상기 흡광광도계, 상기 pH계 및 상기 농도측정유닛 중 적어도 하나에 의하여 측정된 값에 기초하여 상기 도금액의 품질을 디스플레이하는 퍼스널컴퓨터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 장치.In an electrolytic gold plating apparatus for performing electrolytic gold plating on a surface of a substrate body in a gold plating bath containing a gold sulfite plating solution, the plating solution is irradiated with light, and an absorbance photometer that measures light intensity after the irradiation, and the pH of the plating solution A pH meter to measure, an automatic titrator to measure the concentration of at least one of sulfurous acid or sulfuric acid in the plating solution, or a concentration measuring unit composed of a liquid chromatograph, the absorbance photometer, the pH meter, and the concentration measuring unit separately in the gold plating bath. And a personal computer that displays the quality of the plating solution based on a value measured by at least one of the absorbance photometer, the pH meter, and the concentration measuring unit, and a tube for connecting and passing the plating solution. Electrolytic gold plating device. 제8항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도금액의 금 콜로이드의 양, 상기 도금액의 pH 값, 상기 도금액의 아황산금 착물내의 아황산 농도 및 상기 도금
액의 황산 농도 중 적어도 하나를 측정하여 얻어진 값을 기초로 한 상기 도금액을 부가하는 자동부가액공급유닛, pH를 조정하는 자동 pH 조정유닛 및 증발된 물을 위하여 물을 공급하는 자동물공급유닛을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해 금도금 장치.
The plating according to any one of claims 8 to 14, wherein the amount of colloidal gold in the plating solution, the pH value of the plating solution, the concentration of sulfurous acid in the gold sulfite complex of the plating solution, and the plating
An automatic addition solution supply unit that adds the plating solution based on a value obtained by measuring at least one of the sulfuric acid concentration of the solution, an automatic pH adjustment unit that adjusts the pH, and an automatic water supply unit that supplies water for the evaporated water. Electrolytic gold plating apparatus comprising a.
제8항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 수직으로 배치되는 양극, 상기 양극에 대향하여 배치되어 있는 피도금물 및 도금조의 측면부에 배치되어 있는 상기 도금조의 개구부, 상기 피도금물을 진공-홀딩하며, 상기 개구부를 막는 상태로 상기 도금조에 분리가능하게 부착되는 기판스테이지 및 상기 기판 스테이지를 상기 개구부로 및 상기 개구부로부터 푸싱 및 해제시키는 푸싱유닛을 포함하여 이루어지는 것
을 특징으로 하는 전해 금도금 장치.
The method according to any one of claims 8 to 15, wherein an anode disposed vertically, an object to be plated disposed opposite to the anode, and an opening of the plating bath disposed on a side of the plating bath, and the object to be plated are vacuumed. -Comprising a substrate stage detachably attached to the plating bath while holding and blocking the opening, and a pushing unit for pushing and releasing the substrate stage to and from the opening
Electrolytic gold plating device, characterized in that.
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