KR20200126416A - 루미네선스-향상 시스템들 - Google Patents

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스티븐 발세로
아니타 로각스
라그후비르 엔. 센쿱타
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휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.
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Abstract

루미네선스-향상 시스템은 기판 및 가요성이고 기판에 부착된 지지 단부, 기판에 대해 원위에 배치된 말단 팁, 및 지지 단부와 말단 팁 사이의 중간 부분을 포함할 수 있는 개별적인 나노핑거들을 갖는 나노핑거들의 그룹을 갖는 루미네선스-향상 센서를 포함할 수 있다. 금속 또는 금속 합금의 코팅은 기판 및 도전성이 연속인 말단 팁에 도포될 수 있다. 중간 부분은 코팅이 없을 수 있거나 중간 부분에서의 코팅은 도전성이 불연속이다. 액체 방출기가 존재할 수 있고 액체 방출기는 2pL 내지 10μL의 체적을 갖는 액체 방울을 방출하기 위한 분사 노즐을 포함할 수 있다. 나노핑거들의 그룹 및 분사 노즐은 방울이 나노핑거들의 그룹 상에 퇴적되도록 서로에 대해 상대적으로 배치가능할 수 있다

Description

루미네선스-향상 시스템들
루미네선스 검출 시스템들은 로컬라이즈된 표면 플라즈몬 공진, 광자 산란 등을 측정할 수 있다. 예를 들어, 공진은 일부 맥락들에서 센서라고 할 수 있는, 기판의 표면 상의 전자들이 특정한 파장들의 광에 응답하여 진동할 때 발생할 수 있다. 루미네선스 검출 시스템들은 일반적으로 폴리머 및 재료 과학들, 생화학, 생체-감지, 촉매 작용, 전기화학 등의 분야들에서 분자들의 화학적 정체성 및/또는 구조적 정보를 결정하기 위해 이용될 수 있다. 보다 구체적으로, 이들 유형의 시스템들은 생물학적 샘플들 내의 분자들, 질병들, 및 폭발물들의 검출뿐만 아니라, 분자 내의 원자들의 물리적 배열을 결정하기 위해 사용될 수 있다.
본원의 도면들은 본원에 제시된 예들을 대표하고 특히 제한하는 것으로서 고려되어서는 안된다는 것을 이해한다. 또한, 도면들을 반드시 축척에 맞게 그려진 것이 아니고, 오히려 예들을 나타낸다.
도 1a는 본원의 예들에 따른 루미네선스-향상 시스템의 예를 개략적으로 도시하고;
도 1b는 본원의 예들에 따른 루미네선스-향상 시스템의 예를 개략적으로 도시하고;
도 2a는 본원의 예들에 따른 그룹으로 배열된 가요성 나노핑거들을 갖는 기판의 상면도를 개략적으로 도시하고;
도 2b는 본원의 예들에 따른 그룹으로 배열된 가요성 나노핑거들을 갖는 기판의 상면도를 개략적으로 도시하고;
도 2c는 본원의 예들에 따른 그룹으로 배열된 가요성 나노핑거들을 갖는 기판의 상면도를 개략적으로 도시하고;
도 3은 본원의 예들에 따른 그룹들로 배열된 가요성 나노핑거들의 다수의 그룹을 갖는 기판의 상면도를 개략적으로 도시하고;
도 4는 본원의 예들에 따른 기판에 도달하지 않고 나노핑거의 말단 팁 상에 놓인 작은 방울을 디스펜스하는 루미네선스-향상 시스템의 예를 개략적으로 도시하고;
도 5는 본원의 예들에 따른 방울들의 타이밍된 방출의 예를 도시한 루미네선스-향상 시스템의 예를 개략적으로 도시하고;
도 6은 본원의 예들에 따른 방울들의 대안적인 타이밍된 방출의 예를 도시한 루미네선스-향상 시스템의 예를 개략적으로 도시하고;
도 7은 본원의 예에 따른 루미네선스-향상 시스템의 예를 개략적으로 도시하고;
도 8은 본원의 예에 따른 루미네선스-향상 시스템의 예를 개략적으로 도시하고;
도 9는 본원의 예들에 따른 피분석물을 감지하는 방법의 예를 개략적으로 도시한다.
피분석물 검출 및/또는 분자 배열 검출을 위한 루미네선스 센서들은 센서 표면 상으로 용액을 흡수하기 위해 타겟 화합물을 포함하는 용액 내에 센서를 담그고, 많은 예들에서, 느슨하게 결합된 분자들을 제거하고/하거나 농도 구배가 센서 상에 형성하는 것을 방지하기 위해 센서를 헹구고 보통 그 다음에 센서를 건조시킴으로써 준비될 수 있다. 이 과정은 시간 소모적이고, 일부 예들에서, 추가적인 헹굼 및 건조 단계들이 예를 들어, 나노핑거 폐쇄를 제어하기 위해 또는 다른 방법을 위해, 센서 특성들을 개선시키기 위해 추가될 수 있다. 예를 들어, 낮은 농도의 타겟 화합물 또는 피분석물을 포함하는 액체들로 사용하기 위한 것과 같은, 예를 들어, 때때로 심지어 단일의 분자 검출을 위해 센서의 감도를 향상시키기 위해, 보다 정밀하게 제어되는 예측가능한 및/또는 균일한 나노핑거 폐쇄 방법이 실제로 유용할 수 있다. 따라서, 본원에 설명된 루미네선스-향상 시스템들은 루미네선스-향상 센서의 덜 지루하고 덜 시간 소모적인 준비를 가능하게 할 수 있고, 이러한 루미네선스-향상 센서들은 본원에 설명된 시스템들로 사용될 때 양호한 감도를 나타낼 수 있다.
본원에 따르면, 루미네선스-향상 시스템은 기판, 나노핑거들의 그룹, 및 그에 도포된 금속 또는 금속 합금의 코팅을 포함하는 루미네선스-향상 센서를 포함할 수 있다. 나노핑거들의 그룹은 가요성이고 기판에 부착된 지지 단부, 기판에 대해 원위에 배치된 말단 팁, 및 지지 단부와 말단 팁 사이의 중간 부분을 포함할 수 있는 (그룹 내의) 개별적인 나노핑거들을 포함할 수 있다. 코팅은 보다 구체적으로, 도전성이 연속되는 방식으로, 예를 들어, 전기적 도전성에 대해 연속 코팅 또는 유효하게 연속적인 코팅으로 기판 및 말단 팁에 도포될 수 있다. 다른 한편으로, (나노핑거들의) 중간 부분은 코팅이 없을 수 있거나 중간 부분에서의 코팅은 도전성이 불연속인데, 예를 들어, 중간 부분은 도전성이 아니다. 시스템은 또한 2pL 내지 10μL의 체적을 갖는 방울의 형태로 액체를 방출하기 위한 분사 노즐을 포함하는 액체 방출기를 포함할 수 있다. 나노핑거들의 그룹 및 분사 노즐은 방울이 나노핑거들의 그룹 상에 퇴적되도록 서로에 대해 상대적으로 배치가능할 수 있다. 한 예에서, 나노핑거들의 그룹 내의 개별적인 나노핑거들은 20㎚ 내지 500㎚로 지지 단부에서 이격되고, 0.05㎛ 내지 2㎛의 평균 길이, 및 50㎚ 내지 500㎚의 지지 단부에서의 평균 단면 폭을 갖는다. 또 하나의 예에서, 액체 방출기는 그 안에 로드된 액체를 추가로 포함할 수 있다. 액체와 가요성 나노핑거들은 그러므로 페어링될 수 있어서, 액체 방출기에 의해 나노핑거들의 그룹 상으로 방출된 방울이 나노핑거들의 그룹의 인접한 개별적인 나노핑거들로 하여금 그들 각자의 말단 팁들에서 수렴하게 하지만 여전히 인접한 말단 팁들 사이에 갭을 남기게 하는 힘을 발생시키도록 한다. 특정한 예에서, 액체는 표면 장력을 가질 수 있고 나노핑거들의 그룹의 개별적인 나노핑거들이 나노핑거의 지지 단부를 적시지 않고서 그들 각자의 말단 팁에서의 방울에 의해 접촉되도록 나노핑거들의 그룹의 개별적인 나노핑거들 사이의 간격에 대해 상대적인 방울 체적에서 액체 방출기로부터 방출가능할 수 있다. 또 하나의 예에서, 방울은 말단 팁과 기판 둘 다를 적실 수 있다. 액체 방출기는 액체의 방울로부터의 액체의 증발 속도에 대해 상대적으로 나노핑거들의 그룹 상으로의 방울들의 방출의 타이밍을 맞추도록 조정가능할 수 있다. 한 예에서, 루미네선스-향상 시스템은 2pL 내지 10μL의 체적을 갖는 제2 방울의 형태로 제2 액체를 방출하기 위한 제2 분사 노즐을 포함하는 제2 액체 방출기를 포함할 수 있다. 이 예에서, 액체 방출기는 그 안에 로드된 액체를 포함할 수 있고, 제2 액체 방출기는 그 안에 로드된 제2 액체를 포함할 수 있다. 액체는 방울을 통해 나노핑거들의 그룹 상에 로드될 피분석물을 포함할 수 있고, 제2 액체는 나노핑거들의 그룹의 인접한 개별적인 나노핑거들로 하여금 방울의 접촉 또는 증발 시 그들 각자의 말단 팁들에서 수렴하게 하지만 여전히 인접한 말단 팁들 사이에 갭을 남기게 할 수 있다. 또 하나의 예에서, 루미네선스-향상 시스템은 나노핑거들의 그룹을 분사 노즐, (산란, 공진 등을 검출하기 위해 존재할 수 있는) 광학 검출기, 또는 이들의 조합에 정렬시키기 위해 루미네선스-향상 센서를 지지하는 이동가능한 스테이지를 포함할 수 있다. 시스템은 또한 0.5㎛ 내지 5㎛로 이격된 나노핑거들의 인접한 그룹들을 갖는 나노핑거들의 복수의 주기적으로 이격된 그룹들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 서로 독립하는 검출을 위해 사용될 수 있는 나노핑거들의 다수의 그룹이 있을 수 있고, 또는 그룹들은 예를 들어, 2개의 그룹, 3개의 그룹, 10개의 그룹, 50개의 그룹 등의 작은 그룹으로 될 수 있고, 또는 그룹들 모두는 그룹들의 필드로서 평가될 수 있다.
또 하나의 예에서, 루미네선스-향상 시스템은 루미네선스-향상 센서, 액체 방출기, 방사 소스, 및 광학 검출기를 포함할 수 있다. 루미네선스-향상 센서는 기판, 나노핑거들의 그룹, 및 그에 도포된 금속 또는 금속 합금의 코팅을 포함할 수 있다. 나노핑거들의 그룹은 가요성이고 기판에 부착된 지지 단부, 기판에 대해 원위에 배치된 말단 팁, 및 지지 단부와 말단 팁 사이의 중간 부분을 포함할 수 있는 (그룹 내의) 개별적인 나노핑거들을 포함할 수 있다. 코팅은 보다 구체적으로, 도전성이 연속되는 방식으로, 예를 들어, 전기적 도전성에 대해 연속 코팅 또는 유효하게 연속적인 코팅으로 기판 및 말단 팁에 도포될 수 있다. 다른 한편으로, (나노핑거들의) 중간 부분은 코팅이 없을 수 있거나 중간 부분에서의 코팅은 도전성이 불연속인데, 예를 들어, 중간 부분은 도전성이 아니다. 시스템은 또한 2pL 내지 10μL의 체적을 갖는 방울의 형태로 액체를 방출하기 위한 분사 노즐을 포함하는 액체 방출기를 포함할 수 있다. 나노핑거들의 그룹 및 분사 노즐은 방울이 나노핑거들의 그룹 상에 퇴적되도록 서로에 대해 상대적으로 배치가능할 수 있다. 예를 들어, 분사 노즐은 캐리지를 따라 선형으로, 또는 나노핑거들의 타겟 그룹에 대해 상대적으로 자체를 배치하기 위해 평면형 2D 공간에서, 또는 3D 공간에서 이동할 수 있다. 루미네선스-향상 센서는 측방향으로, 분사 노즐에 대해 상대적으로 자체를 배치하기 위해 평면형 2D 공간에서, 또는 3D 공간에서 이동가능한 플랫폼 상에 있을 수 있다. 또 하나의 예에서, 분사 노즐과 센서 둘 다는 노즐로부터 나노핑거들의 그룹 또는 심지어 단일의 나노핑거 상으로의 유체 방울 퇴적을 위해 정렬되도록 이동가능할 수 있다. 전자기 방사 소스는 나노핑거들의 그룹을 향해 전자기 방사를 방출할 수 있고, 광학 검출기는 나노핑거들의 그룹 상의 방울의 도포에 의해 발생된 향상된 루미네선스 영역으로부터 방출된 루미네선스를 검출할 수 있다. (향상된 루미네선스 영역으로부터) 방출된 루미네선스는 전자기 방사와의 상호작용에 응답할 수 있다. 또한, 나노핑거들의 1개 초과의 그룹이 있을 수 있다. 한 예에서, 루미네선스-향상 시스템은 표면-향상된 라만 분광학(SERS) 시스템 또는 표면-향상된 형광(SEF) 시스템이다.
또 하나의 예에서, 피분석물을 감지하는 방법은 피분석물을 갖는 액체의 방울을 분사 노즐로부터 기판에 부착된 나노핑거들의 그룹을 포함하는 루미네선스-향상 센서 상으로 방출하는 단계를 포함할 수 있다. 개별적인 나노핑거들은 가요성이고 기판에 부착된 지지 단부, 기판에 대해 원위에 배치된 말단 팁, 및 지지 단부와 말단 팁 사이의 중간 부분을 포함할 수 있다. 루미네선스-향상 센서는 기판 및 도전성이 연속인 말단 팁에 도포된 금속 또는 금속 합금의 코팅을 포함할 수 있고, 중간 부분은 코팅이 없을 수 있거나 중간 부분에서의 코팅은 도전성이 불연속이다. 추가적인 단계들은 향상된 루미네선스 영역(또는 "핫 스팟")을 형성하기 위해 나노핑거들의 그룹의 개별적인 나노핑거들을 수렴하는 단계 - 여기서 개별적인 나노핑거들의 각자의 말단 팁들은 그 사이에 여전히 작은 갭을 남기면서 수렴될 수 있음 - ; 향상된 루미네선스 영역에 배치된 피분석물부터 방출된 신호를 광학적으로 검출하는 단계를 포함할 수 있다. 이것은 예를 들어, 피분석물을 검출하기 위한 정보를 제공할 수 있다. 한 예에서, 수렴은 제2 액체의 제2 방울을 제2 분사 노즐로부터 나노핑거들의 그룹 상으로 방출하는 단계를 포함할 수 있다. 또 하나의 예에서, 수렴은 나노핑거들의 그룹과의 접촉으로부터의 방울 증발에 의해 유발될 수 있는 모세관력들로 인해 발생할 수 있고 피분석물이 향상된 루미네선스 영역에 액체로부터 퇴적될 수 있다.
다양한 시스템들 및 방법들을 논의할 때, 이들 논의들 각각은 그들이 그 예의 맥락에서 명시적으로 논의되든 아니든 간에 다른 예들에 적용가능한 것으로 고려될 수 있다는 점에 주목한다. 그러므로, 예를 들어, 루미네선스-향상 시스템과 관련된 루미네선스-향상 센서를 논의하는 데 있어서, 이러한 논의는 또한 다른 유형들의 시스템의 맥락에서 그리고 루미네선스-향상 센서를 사용하여 피분석물을 감지하는 방법에서 직접 지지되고 그들과 관련되고 그 반대도 가능하다.
언급된 것과 같이, 본 예들은 루미네선스-향상 시스템들 및 피분석물을 감지하는 방법에 관한 것이다. 본원의 루미네선스-향상 시스템들 및 방법들은 표면-향상된 루미네선스를 측정하기 위해 이용될 수 있다. 본원에 사용된 것과 같이, "표면-향상된" 루미네선스를 참조할 때, 예들은 표면-향상된 라만 방출, 표면-향상된 형광, 레일레이 방출들 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표면-향상된 라만 분광학(SERS) 및 표면-향상된 형광은 거친 금속 또는 금속화된 표면의 사용을 포함하고, 본 개시내용의 따라, 거친 표면은 금속화된 팁들을 갖는 가요성 나노핑거들을 갖는 금속화된 기판을 포함한다. 이들 특정한 구조는 본원에서 루미네선스-향상 "센서"라고 할 수 있다.
도 1a 및 1b에 도시한 것과 같은, 시스템 자체를 참조하면, 시스템(100)은 루미네선스-향상 센서(102) 및 액체 방출기(110)를 포함할 수 있다. 루미네선스-향상 센서는 기판(104) 및 그룹으로(또는 도 1b에 도시한 것과 같은 다수의 그룹으로) 배열된 가요성 나노핑거들(106)을 포함할 수 있다. 개별적인 나노핑거들은 기판에 부착된 지지 단부(118A), 말단 팁(118B), 및 그 사이의 중간 부분(118C)을 포함할 수 있다. 도전성 금속 또는 금속 합금은 기판(108B) 및 나노핑거들의 말단 팁(108A)을 코팅할 수 있고, 중간 부분은 코팅되지 않은 채로 남을 수 있거나 코팅이 나노핑거들의 그 부분을 따라 도전성이지 않도록 불연속적으로 코팅될 수 있다(예를 들어, 기판 및 말단 팁 코팅들에 대해 상대적으로 유효하게 기능상 비도전성이기에 충분히 불연속). 액체 방출기(110)는 루미네선스-향상 센서, 나노핑거들의 개별적인 그룹들, 복수의 또는 그룹핑의 나노핑거 그룹들 상으로, 또는 기판 등을 적시지 않고서 나노핑거들의 팁들로 방울들로서 액체를 방출하기 위한 분사 노즐(112)을 포함할 수 있다.
루미네선스-향상 센서는 기판을 포함할 수 있다. 기판은 한 예에서 크기가 10㎛2 내지 25㎟의 범위인 평탄한 평면형 표면일 수 있지만, 비균일한 또는 평면형 이외의 구성으로 또한 될 수 있다. 일부 예들에서, 기판은 시트, 웨이퍼, 막, 또는 망의 형태로 될 수 있다. 기판은 강성 또는 가요성일 수 있고 실리콘, 유리, 석영, 실리콘 질화물, 사파이어, 알루미늄 산화물, 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소, 폴리머들, 금속들, 금속 합금들 또는 이들의 조합으로부터 선택된 재료로 구성될 수 있다. 한 예에서, 기판은 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 또는 이들의 조합과 같은 폴리머로 구성될 수 있다. 기판은 강성 또는 가요성일 수 있다.
루미네선스-향상 센서는 기판으로부터 수직으로 연장하는 가요성-나노핑거들을 추가로 포함할 수 있다. 나노핑거들은 기판에 부착된 지지 단부 및 말단 팁을 포함할 수 있는 원주형 구조일 수 있다. 개별적인 나노핑거들의 형상은 변화할 수 있다. 예를 들어, 개별적인 나노핑거들은 기둥들, 원뿔들, 피라미드들, 봉들, 막대기들 등의 형상으로 될 수 있다. 한 예에서, 개별적인 나노핑거들은 0.05㎛ 내지 2㎛ 범위의 기판 단부로부터 말단 팁까지의 길이를 가질 수 있다. 또 다른 예들에서 길이는 0.05㎛ 내지 0.9㎛, 0.25㎛ 내지 2㎛, 0.50㎛ 내지 1㎛, 또는 0.75㎛ 내지 1.5㎛의 범위일 수 있다. 일부 예들에서, 나노핑거들은 말단 팁의 원주보다 넓은 지지 단부에서의 원주를 갖는 단면 폭으로 테이퍼될 수 있다. 또 다른 예들에서, 개별적인 나노핑거들의 단면 폭은 나노핑거의 길이를 따라 실질적으로 일치할 수 있다. 일부 예들에서, 단면 폭은 50㎚ 내지 500㎚ 범위일 수 있다. 또 다른 예들에서, 단면 폭은 100㎚ 내지 500㎚, 100㎚ 내지 300㎚, 50㎚ 내지 250㎚, 또는 75㎚ 내지 450㎚ 범위일 수 있다. 일부 예들에서, 단면 폭은 나노핑거의 길이를 따라 평균일 수 있지만; 다른 예들에서, 단면 폭들은 나노핑거의 말단 팁에서의 폭일 수 있다.
개별적인 나노핑거들 간의 간격은 또한 변화할 수 있다. 한 예에서, 지지 단부에서의 개별적인 나노핑거들 간의 간격은 20㎚로부터 500㎚까지 변화할 수 있다. 또 다른 예들에서, 지지 단부에서의 개별적인 나노핑거들 간의 간격은 50㎚로부터 400㎚까지, 100㎚로부터 300㎚까지, 75㎚부터 350㎚까지, 200㎚부터 500㎚까지, 또는 150㎚부터 400㎚까지 변화할 수 있다.
언급된 것과 같이, 나노핑거들은 기판 상에 그룹으로 배열될 수 있다. 한 예에서, 그룹은 개별적인 나노핑거들의 몇개의 정렬된 행들과 같은 어레이일 수 있다. 다른 예들에서, 그룹들은 나노핑거들이 중심 점까지 주변에 배열될 수 있는 기하학적 그룹핑일 수 있다. 예를 들어, 나노핑거들은 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 칠각형, 팔각형, 구각형, 십각형 등의 형상으로 배열될 수 있다. 그룹을 위한 상이한 기하학적 구성들의 상면도가 기판(204)의 상부 부분도 및 나노핑거들(206)의 상면도를 포함하는 도 2a-2c에 도시되어 있다. 한 특정한 예에서, 오각형 그룹이 본 개시내용에 따라 사용하기 위한 좋은 배열일 수 있다.
그룹 내의 개별적인 나노핑거들 간의 간격은 또한 변화할 수 있다. 예를 들어, 그룹 내의 개별적인 나노핑거들은 지지 단부에서 서로로부터 50㎚ 내지 400㎚ 이격될 수 있다. 다른 예들에서, 그룹 내의 개별적인 나노핑거들은 지지 단부에서 서로로부터 100㎚ 내지 350㎚, 50㎚ 내지 250㎚, 또는 75㎚ 내지 300㎚ 이격될 수 있다. 한 예에서, 그룹 내의 개별적인 나노핑거들은 지지 단부에서 서로로부터 50㎚ 내지 400㎚ 이격될 수 있고, 나노핑거들은 0.25㎛ 내지 2㎛의 평균 길이 및 50㎚ 내지 500㎚의 지지 단부에서의 평균 단면 폭을 가질 수 있다. 일부 예들에서, 나노핑거들의 간격, 길이, 및 폭은 수렴 시 말단 팁들 간의 특정된 갭을 달성하기 위해 서로 관계가 있을 수 있다.
다른 예들에서, 기판은 나노핑거들의 다수의 그룹, 또는 나노핑거들의 그룹들의 "그룹핑들"을 포함할 수 있다. (부분적) 기판(304)의 상면도 및 인접한 그룹들을 따라, 그룹으로 배열된 개별적인 나노핑거들(306)의 상면도의 개략적인 예가 도 3에 도시된다. 도시한 나노핑거들의 그룹들 중 하나 내의 나노핑거들의 말단 팁을 가로질러 매달린 액체의 방울(320)이 또한 도 3에 도시된다. 한 예에서, 방울의 표면 장력 및 말단 팁들의 소수성은 증발이 발생할 때까지 방울이 그룹 내의 나노핑거들의 말단 팁들 상에 매달리게 남게 할 수 있다. 예를 들어, 기판은 나노핑거들의 복수의 주기적으로 이격된 그룹을 포함할 수 있다. 한 예에서, 인접한 그룹들 간의 간격은 0.5㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 다른 예들에서, 나노핑거들의 인접한 그룹들 간의 간격은 1㎛ 내지 5㎛, 0.5㎛ 내지 4㎛, 또는 0.75㎛ 내지 3㎛의 범위일 수 있다.
나노핑거들은 기판과 동일한 재료들 또는 상이한 재료들로 구성될 수 있다. 한 예에서, 나노핑거들은 유전체 재료, 비유전체 재료, 반도체 재료 등을 포함할 수 있다. 한 예에서, 나노핑거들의 중간 부분의 도전율은 기판 및 나노핑거들의 말단 팁들 상에 코팅된 금속 또는 금속 합금의 도전율보다 적을 수 있다. 나노핑거들은 폴리실록산, 실리콘, 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물, 스핀-온 글래스, 졸-겔, 다이아몬드, 탄소, 알루미늄 산화물, 사파이어, 아연 산화물, 티타늄 이산화물, 코폴리머들, 또는 이들의 조합들로 구성될 수 있다. 가요성 조성물은 나노핑거들이 나노핑거들의 그룹으로 배열될 때 개별적인 나노핑거의 말단 팁이 또 하나의 나노핑거의 말단 팁을 향해 또는 중심 점으로 수렴하게 할 수 있다.
기판 및 나노핑거들의 말단 팁은 도전성 금속 또는 금속 합금으로 코팅될 수 있다. 본원에 사용된 것과 같이, "금속 합금"은 다수의 금속의 조합, 또는 심지어 금속(들)과 비금속의 조합을 포함하는 것으로 한다. 금속 합금은 또한 기판 및 나노핑거들의 말단 팁 상의 2개의 금속들의 공동 도포를 포함할 수 있거나, 다수의 금속(또는 금속과 비금속)의 혼합된 금속을 포함할 수 있다. 한 예에서, 금속 또는 금속 합금은 구리, 은, 알루미늄, 또는 금을 포함할 수 있다. 코팅은 예를 들어 본원에 설명된 액체 방출기를 사용하여 도포될 때, 그에 가깝게 근접할 수 있는 피분석물로부터의 루미네선스를 향상시킬 수 있다.
일부 예들에서, 방울에 의해 접촉될 때 그룹의 나노핑거들은 수렴할 수 있지만 그들의 말단 팁에서 나노핑거들 사이에 갭을 남길 수 있다. 한 예에서, 이것은 방울로부터의 액체의 접촉 또는 증발에 기인할 수 있다. 예를 들어, 액체는 모일 수 있거나 나노핑거들 간에 트랩되게 남을 수 있고 나노핑거들 상으로 미세-모세관력들을 가할 수 있다. 미세-모세관력들은 개별적인 가요성 나노핑거들을 함께 끌어 당길 수 있고 액체가 증발할 때 가요성 나노핑거들이 그룹의 중심 위치를 향해 수렴하게 한다. 수렴의 중심 위치는 나노핑거들의 말단 팁을 코팅하는 금속 또는 금속 합금과 액체 내의 피분석물 간의 반 데르 발스 힘들에 의해 적어도 부분적으로 지향될 수 있다.
이제 액체 방출기를 참조하여 보자. 액체 방출기는 피분석물 및/또는 폐쇄 액체를 포함하는 액체와 같은, 액체의 정밀한 퇴적을 가능하게 할 수 있다. 한 예에서, 액체 방출기는 압전 방출기, 열 방출기, 정전기 방출기, 또는 음향 방출기일 수 있다. 한 예에서, 방출기는 열 방출기일 수 있다. 또 다른 예에서, 방출기는 압전 방출기일 수 있다. 유형에 관계 없이, 액체 방출기는 제어된 방울 크기, 개선된 방울 일관성, 및 위성 방울들의 제거를 가능하게 할 수 있다. 본원에 사용된 것과 같이, 위성 방울들은 산란하고 센서가 있지 않은 영역 상에 위치한 액체의 방울 또는 방울들을 의미한다.
앞서 언급된 것과 같이, 액체 방출기는 제어된 방울 크기를 가능하게 할 수 있다. 한 예에서, 액체 방출기의 분사 노즐은 2pL 내지 10μL의 체적을 가질 수 있는 액체의 방울의 방출을 가능하게 할 수 있다. 다른 예들에서, 액체의 방울은 25pL 내지 5μL, 5pL 내지 5μL, 15pL 내지 1μL, 50pL 내지 500pL, 10pL 내지 1,000pL, 또는 20pL 내지 500pL의 체적을 가질 수 있다. 이 크기 범위 내의 방울은 일부 예들에서 나노핑거의 말단 팁 상에 정밀하게 퇴적될 수 있고 말단 팁에 퇴적될 액체 내의 피분석물의 집중을 가능하게 할 수 있다. 도 4는 액체의 방울(420)을 루미네선스-향상 센서(402) 상으로 방출하기 위해 사용될 수 있는 액체 방출기(410) 및 분사 노즐(412)을 개략적으로 도시한다. 루미네선스-향상 센서는 나노핑거들(406)을 갖는 기판(404) 및 기판(408B) 및 나노핑거들의 말단 팁(408A)을 코팅하는 도전성 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다. 이 예에서, 방울은 도시한 것과 같이, 단일의 나노핑거의 팁 상에만 퇴적될 수 있거나, 다수의 인접한 팁들(도시 안됨)에 도포될 수 있다. 소정의 예들에서, 액체의 표면 장력, 방울 크기, 나노핑거(들)의 크기, 나노핑거들 간의 간격 등은 말단 팁에서 주로 도포되는 퇴적 이벤트들을 제공할 수 있고 그 아래의 기판을 적시지 않는다.
또 다른 예에서, 액체 방출기는 방울로부터의 액체의 최소 증발과 일치하기 위해 나노핑거들 상의 방울의 방출의 타이밍을 맞추도록 조정가능할 수 있다. 예를 들어, 방울들의 방출은 액체의 증발 속도와 정합하도록 타이밍이 맞추어질 수 있으므로, 액체의 박막이 센서의 표면 상에 남는다. 한 이러한 예에서, 액체의 박막이 나노핑거들의 말단 팁에 또는 그 아래에 남도록 방출의 타이밍이 맞추어질 수 있다. 액체를 나노핑거들의 말단 팁에 또는 그 아래에 유지하면 전체 디스펜싱 기간에 걸쳐 미세-모세관력들이 가해질 수 있다. 도 5는 방울(520)을 루미네선스-향상 센서(502) 상으로 방출하기 위해 사용되는 액체 방출기(510) 및 분사 노즐(512)을 도시한다. 루미네선스-향상 센서는 나노핑거들(506)을 갖는 기판(504) 및 기판(508B) 및 나노핑거들의 말단 팁(508A)을 코팅하는 도전성 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다. 액체(522)는 이 예에서 나노핑거들의 말단 팁 아래를 제외하고 센서의 표면 상에 남을 수 있다. 증발은 (e)로 도시한 것과 같이, 발생할 수 있어서 액체를 제거하고 다음에 새로운 액체 방울들이 말단 팁 금속 코팅 아래에 액체의 레벨을 유지하는 속도로 도포될 수 있다.
또 다른 예에서, 타이밍은 후속하는 방울이 방출되기 전에, 또는 후속하는 방울이 센서에 충돌하기 전에 본질적으로 완전한 또는 완전한 증발(e)을 가능하게 하도록 이격될 수 있다. 한 이러한 예가 도 6에 개략적으로 도시된다. 도 6에 도시한 것과 같이 액체 방출기(610) 및 분사 노즐(612)은 방울들(620)을 루미네선스-향상 센서(602) 상으로 방출하기 위해 사용된다. 루미네선스-향상 센서는 나노핑거들(606)을 갖는 기판(604) 및 기판(608B)의 부분 및 나노핑거들의 말단 팁(608A)을 코팅하는 도전성 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다. 도시한 것과 같이, 액체는 후속하는 방울이 기판을 터치하기 전에 기판으로부터 증발할 수 있다. 이 타이밍은 일련의 로컬 건조 이벤트들을 야기할 수 있다.
일부 예들에서, 루미네선스-향상 시스템은 제2 분사 노즐을 갖는 제2 액체 방출기를 추가로 포함할 수 있다. 제2 액체 방출기 및 제2 분사 노즐은 제2 액체의 제2 방울을 나노핑거들의 그룹 상에 방출하기 위해 루미네선스-향상 센서에 대해 상대적으로 배치가능할 수 있다. 도 7에 도시한 것과 같이 한 예에서, 루미네선스-향상 시스템(700)은 액체 방출기(710)와 분사 노즐(712); 제2 액체 방출기(714)와 제2 분사 노즐(716); 기판(704), 나노핑거들(706), 및 나노핑거들(708A)의 말단 팁 및 기판(708B) 상의 금속 또는 금속 합금 코팅을 포함하는 루미네선스-향상 센서(702); 및 이동가능한 스테이지(730)를 포함할 수 있다. 특히, 이동가능한 스테이지는 단지 하나의 액체 방출기를 갖고, 또는 다른 루미네선스-향상 센서들 또는 시스템들을 갖는 본원의 다른 예들과 관련될 수 있다. 이중 액체 방출기 시스템은 피분석물을 포함하는 액체가 나노핑거들의 수렴을 야기하지 않을 때 유용할 수 있다. 예를 들어, 액체 방출기와 분사 노즐은 나노핑거들 상에 피분석물을 퇴적할 수 있는 액체를 디스펜스할 수 있다. 제2 액체 방출기와 제2 분사 노즐은 제2 액체에 의해 접촉된 그룹의 나노핑거들로 하여금 수렴하게 하지만 방울로부터의 액체의 접촉 또는 증발로 인한 말단 팁에서의 나노핑거들 사이에 갭을 남기게 할 수 있는 제2 액체의 방울들을 디스펜스할 수 있다. 제2 액체는 폐쇄 액체일 수 있다. 본원에 사용된 것과 같이, "폐쇄 액체"는 그룹으로 배열된 나노핑거들의 말단 팁들로 하여금 액체의 접촉 또는 증발로 인해 수렴하게 하도록 동작가능한 액체를 의미한다. 일부 예들에서, 나노핑거들의 말단 팁들 사이의 갭은 폐쇄 이후에 2㎚보다 적을 수 있다.
또 하나의 예에서, 루미네선스-향상 시스템은 단일의 액체 방출기 및 분사 노즐을 공유할 수 있는 다수의 액체 저장소를 포함할 수 있다. 이전과 같이, 시스템의 이 유형은 피분석물을 포함하는 액체가 센서 상에 디스펜스되게 할 수 있고 다음에 폐쇄 액체가 센서 상으로 후속하여 방출되게 할 수 있다. 또 다른 예들에서, 루미네선스-향상 시스템은 피분석물을 포함하는 다수의 액체가 센서 상의 나노핑거들의 상이한 그룹들 상에 디스펜스되게 하기 위해 다수의 액체 저장소를 포함할 수 있다.
추가의 예에서, 루미네선스-향상 시스템은 도 7에서 730으로 도시한 것과 같이, 루미네선스-향상 센서를 지지하기 위한 이동가능한 스테이지를 포함할 수 있다. 이동가능한 스테이지는 나노핑거들의 그룹을 액체 방출기의 분사 노즐, 제2 액체 방출기의 제2 분사 노즐, 및/또는 광학 검출 시스템과 정렬시키기 위해 센서의 위치를 이동시키기 위해 사용될 수 있다. 한 예에서, 이동가능한 스테이지는 스테이지, 예를 들어, 하나 또는 2개의 축을 따르는 100㎚ 내지 100㎜ 스테이지를 통해 정밀한 이동을 가능하게 하도록 동작가능할 수 잇다. 이것은 액체 방출기 및 분사 노즐로의 센서 상에 나노핑거들의 상이한 그룹을 노출시키기 위해 센서가 이전에 이동되게 할 수 있다. 추가의 예에서, 이동가능한 스테이지는 그것이 액체 방출기 및 분사 노즐과 정렬되는 영역으로부터 센서를 광학 검출기와 정렬시키도록 제2 영역으로 센서를 이동시키기 위해 더 많이 이동하기 위해 사용될 수 있다. 스테이지는 정밀한 이동을 가능하게 할 수 있는 임의의 스테이지일 수 있다.
또 다른 예에서, 루미네선스-향상 시스템은 루미네선스-향상 센서를 향해 지향가능하거나 지향될 수 있는 광학 검출기를 추가로 포함할 수 있다. 본원에 사용된 것과 같이 "광학 검출기"는 분자 진동들에 기인할 수 있는 분자로부터의 루미네선스의 변화를 측정하기 위한 디바이스를 의미한다. 한 예가 도 8에 도시된다. 도 8에 도시한 것과 같이 루미네선스-향상 시스템(800)은 액체 방출기(810)와 분사 노즐(812), 기판(804), 나노핑거들(806), 및 나노핑거들(808A)의 말단 팁들 및 기판(808B) 상의 금속 또는 금속 합금 코팅을 포함하는 루미네선스-향상 센서(802)를 포함할 수 있다. 시스템은 또한 고 에너지 레이저, 예를 들어, 분자 진동들, 광자들, 및 다른 여기들과 상호작용하는 근 UV, 근 IR, 가시 광과 같은 전자기 방사 소스(840)를 포함할 수 있다. 광학 검출기(850)는 산란, 광자 여기들, 분자 공진 등을 검출하기 위해 또한 존재할 수 있다. 일부 예들에서, 광학 검출기는 방출된 전자기 방사를 검출 및 분석하기 위한 검출기 및 분석기를 추가로 포함할 수 있다. 한 예에서, 루미네선스-향상 시스템은 전자기 방사 소스, 루미네선스-향상 센서, 및 표면-향상된 라만 분광학(SERS) 디바이스 또는 표면-향상된 형광(SEF) 디바이스의 부분으로서의 광학 검출기를 포함할 수 있다.
도 9에 도시한 것과 같은 추가의 예에서, 피분석물을 감지하는 방법(900)은 피분석물을 갖는 액체의 방울을 분사 노즐로부터 기판에 부착된 나노핑거들의 그룹을 포함하는 루미네선스-향상 센서 상으로 방출하는(910) 단계를 포함할 수 있다. 개별적인 나노핑거들은 가요성이고 기판에 부착된 지지 단부, 기판에 대해 원위에 배치된 말단 팁, 및 지지 단부와 말단 팁 사이의 중간 부분을 포함할 수 있다. 루미네선스-향상 센서는 기판 및 도전성이 연속인 말단 팁에 도포된 금속 또는 금속 합금의 코팅을 포함할 수 있고, 중간 부분은 코팅이 없을 수 있거나 중간 부분에서의 코팅은 도전성이 불연속이다. 방법은 향상된 루미네선스 영역, 또는 루미네선스 핫 스팟을 형성하기 위해 나노핑거들의 그룹의 개별적인 나노핑거들을 수렴하는(920) 단계 - 여기서 개별적인 나노핑거들의 각자의 말단 팁들은 각자의 말단 팁들 사이에 갭을 남기면서 수렴될 수 있음 - , 및 향상된 루미네선스 영역에 배치된 피분석물로부터 방출된 신호를 검출하는(930) 단계를 또한 포함할 수 있다.
본원에 사용된 것과 같이, "향상된 루미네선스 영역"은 또한 때때로 루미네선스 "핫 스팟"이라고 하고 이는 향상된 루미네선스가 발생하는 센서의 영역이라고 한다. 한 예에서, 향상된 루미네선스는 나노핑거들의 그룹의 말단 팁들의 수렴으로 인해 발생할 수 있다. 피분석물이 이들 사이트에 위치하거나 트랩되고 향상된 루미네선스 영역이 전자기 방사 소스와 인터로게이트될 때, 광학 검출기에 의해 검출된 피분석물 신호는 향상될 수 있는데, 예를 들어 증폭이 향상될 수 있다. 그러므로, 향상된 루미네선스는 보다 민감한 검출을 가능하게 할 수 있다.
한 예에서, 액체 내의 피분석물은 그룹 수렴 내에 나노핑거들의 말단 팁을 야기하지 않을 수 있다. 예를 들어, 이것은 액체의 방울이 도 4에 도시한 것과 같이, 나노핑거의 말단 팁 상에 받쳐지는 체적을 갖고, 나노핑거의 지지 단부를 관통하지 않을 때 발생할 수 있다. 이것은 또한 피분석물을 포함하는 용질이 나노핑거들의 말단 팁들로 하여금 수렴하게 하기에 충분히 강한 모세관력들을 야기하지 않는 예에서 발생할 수 있다. 이것은 용질이 빨리 증발하는 예에서 발생할 수 있다. 수렴이 발생하지 않거나 원하는 정도까지 발생하지 않을 때, 한 예에서, 수렴은 제2 액체의 제2 방울을 제2 분사 노즐로부터 나노핑거들의 그룹 상으로 방출하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 액체의 제2 방울이 나노핑거들의 그룹을 관통하고 관통 및 증발로부터 모세관력들을 소멸시킴에 따라, 수렴이 발생할 수 있다. 또 하나의 예에서, 수렴은 나노핑거들의 그룹과의 접촉으로부터 방울 증발에 의해 유발된 모세관력들로 인해 발생할 수 있고, 피분석물은 향상된 루미네선스 영역에 액체로부터 퇴적될 수 있다. 예를 들어 방출된 방울은 피분석물을 포함할 수 있고 피분석물을 포함하는 용질의 관통 및 증발은 수렴을 야기할 수 있다.
본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용된 것과 같이, 단수 형태들은 내용이 명백히 달리 지시하지 않는다면 복수를 포함할 수 있다는 점에 주목한다.
본원에 사용된 것과 같이, 복수의 아이템, 구조적 요소, 구성 요소들, 및/또는 재료들은 편의상 공통 리스트 내에 존재할 수 있다. 그러나, 이들 리스트는 리스트의 각각의 부재가 별도의 및 유일한 부재로서 개별적으로 식별되는 것처럼 해석되어야 한다. 그러므로, 이러한 리스트의 개별적인 부재는 반대로 표시하지 않는다면 공통 그룹 내의 그들의 제시에 기초하여 단독으로 동일한 리스트의 기타 부재의 사실상의 등가물로서 해석되지 않아야 한다.
농도들, 치수들, 양들, 및 다른 수치 데이터는 범위 형식으로 본원에 제시된다. 이러한 범위 형식은 단지 편의성과 간결성을 위해 사용된 것이고 범위의 한계들로서 명시적으로 나열된 수치 값들뿐만 아니라 각각의 수치 값 및 하위 범위가 명시적으로 나열된 것처럼 그 범위 내에 포함되는 개별적인 수치 값 또는 하위 범위들을 포함하기 위해 신축성있게 해석되어야 한다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 25pL 내지 75μL의 체적 범위는 25pL 및 75μL의 명시적으로 나열된 한계들을 포함할 뿐만 아니라 50pL, 100pL, 25μL과 같은 개별적인 중량들, 및 40pL 내지 15μL, 또는 100pL 내지 1μL 등과 같은 그 사이의 하위 범위들을 포함하도록 해석되어야 한다.

Claims (15)

  1. 루미네선스-향상 시스템으로서,
    기판,
    나노핑거들의 그룹 - 개별적인 나노핑거들은 가요성이고 상기 기판에 부착된 지지 단부, 상기 기판에 대해 원위에 배치된 말단 팁, 및 상기 지지 단부와 상기 말단 팁 사이의 중간 부분을 포함함 - , 및
    상기 기판 및 도전성이 연속인 상기 말단 팁에 도포된 금속 또는 금속 합금의 코팅 - 상기 중간 부분은 상기 코팅이 없거나 상기 중간 부분에서의 상기 코팅은 도전성이 불연속임 - 을 포함하는
    루미네선스-향상 센서; 및
    2pL 내지 10μL의 체적을 갖는 방울의 형태로 액체를 방출하기 위한 분사 노즐을 포함하는 액체 방출기 - 나노핑거들의 상기 그룹 및 상기 분사 노즐은 상기 방울이 나노핑거들의 상기 그룹 상에 퇴적되도록 서로에 대해 상대적으로 배치가능함 -
    를 포함하는 루미네선스-향상 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 나노핑거들의 상기 그룹 내의 개별적인 나노핑거들은 20㎚ 내지 500㎚로 상기 지지 단부에서 이격되고, 0.05㎛ 내지 2㎛의 평균 길이를 갖고, 50㎚ 내지 500㎚의 지지 단부에서의 평균 폭을 갖는 루미네선스-향상 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 액체 방출기는 그 안에 로드된 상기 액체를 추가로 포함하는 루미네선스-향상 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 액체와 상기 가요성 나노핑거들은 페어링되고 상기 액체 방출기에 의해 나노핑거들의 상기 그룹 상으로 방출된 상기 방울은 나노핑거들의 상기 그룹의 인접한 개별적인 나노핑거들로 하여금 그들 각자의 말단 팁들에서 수렴하게 하지만, 여전히 인접한 말단 팁들 사이에 갭을 남기게 하는 힘들을 발생시키는 루미네선스-향상 시스템.
  5. 제3항에 있어서, 상기 액체는
    표면 장력을 갖고,
    나노핑거들의 상기 그룹의 개별적인 나노핑거들이 그것의 지지 단부를 적시지 않고서 그들 각자의 말단 팁들에서 상기 방울에 의해 접촉되도록, 나노핑거들의 상기 그룹의 개별적인 나노핑거들 사이의 간격에 대해 상대적인 방울 체적에서 상기 액체 방출기로부터 방출가능한 루미네선스-향상 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 액체 방출기는 액체의 상기 방울로부터의 액체의 증발 속도에 대해 상대적으로 나노핑거들의 상기 그룹 상으로의 상기 방울들의 방출의 타이밍을 맞추도록 조정가능한 루미네선스-향상 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 2pL 내지 10μL의 체적을 갖는 제2 방울의 형태로 제2 액체를 방출하기 위한 제2 분사 노즐을 포함하는 제2 액체 방출기를 추가로 포함하는 루미네선스-향상 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 액체 방출기는 그 안에 로드된 상기 액체를 포함하고, 상기 제2 액체 방출기는 그 안에 로드된 상기 제2 액체를 추가로 포함하고, 상기 액체는 상기 방울을 통해 나노핑거들의 상기 그룹 상에 로드될 피분석물을 포함하고, 상기 제2 액체는 나노핑거들의 상기 그룹의 인접한 개별적인 나노핑거들로 하여금 그들 각자의 말단 팁들에서 수렴하게 하지만 여전히 인접한 말단 팁들 사이에 갭을 남기게 하는 루미네선스-향상 시스템.
  9. 제1항에 있어서, 나노핑거들의 상기 그룹을 상기 분사 노즐, 광학 검출기, 또는 이들의 조합과 정렬시키기 위해 상기 루미네선스-향상 센서를 지지하는 이동가능한 스테이지를 추가로 포함하는 루미네선스-향상 시스템.
  10. 제1항에 있어서, 0.5㎛ 내지 5㎛로 이격된 나노핑거들의 인접한 그룹들을 갖는 나노핑거들의 복수의 주기적으로 이격된 그룹을 추가로 포함하는 루미네선스-향상 시스템.
  11. 루미네선스-향상 시스템으로서,
    기판,
    나노핑거들의 그룹 - 개별적인 나노핑거들은 가요성이고 상기 기판에 부착된 지지 단부, 상기 기판에 대해 원위에 배치된 말단 팁, 및 상기 지지 단부와 상기 말단 팁 사이의 중간 부분을 포함함 - , 및
    상기 기판 및 도전성이 연속인 상기 말단 팁에 도포된 금속 또는 금속 합금의 코팅 - 상기 중간 부분은 상기 코팅이 없거나 상기 중간 부분에서의 상기 코팅은 도전성이 불연속임 - 을 포함하는
    루미네선스-향상 센서; 및
    2pL 내지 10μL의 체적을 갖는 방울의 형태로 액체를 나노핑거들의 상기 그룹 상으로 방출하기 위한 분사 노즐을 포함하는 액체 방출기 - 나노핑거들의 상기 그룹 및 상기 분사 노즐은 상기 방울이 나노핑거들의 상기 그룹 상에 퇴적되도록 서로에 대해 상대적으로 배치가능함 - ;
    나노핑거들의 상기 그룹을 향해 전자기 방사를 방출하기 위한 전자기 방사 소스; 및
    나노핑거들의 상기 그룹 상의 상기 방울의 도포에 의해 발생된 향상된 루미네선스 영역으로부터 방출된 루미네선스를 검출하기 위한 광학 검출기 - 상기 방출된 루미네선스는 상기 전자기 방사와의 상호작용에 응답함 -
    를 포함하는 루미네선스-향상 시스템.
  12. 제10항에 있어서, 상기 루미네선스-향상 시스템은 표면-향상된 라만 분광학(SERS) 시스템 또는 표면-향상된 형광(SEF) 시스템인 시스템.
  13. 피분석물을 감지하는 방법으로서,
    피분석물을 갖는 액체의 방울을 분사 노즐로부터 기판에 부착된 나노핑거들의 그룹을 포함하는 루미네선스-향상 센서 상으로 방출하는 단계 - 개별적인 나노핑거들은 가요성이고 기판에 부착된 지지 단부, 상기 기판에 대해 원위에 배치된 말단 팁, 및 상기 지지 단부와 상기 말단 팁 사이의 중간 부분을 포함하고, 상기 루미네선스-향상 센서는 상기 기판 및 도전성이 연속인 상기 말단 팁에 도포된 금속 또는 금속 합금의 코팅을 포함하고, 상기 중간 부분은 상기 코팅이 없거나 상기 중간 부분에서의 상기 코팅은 도전성이 불연속임 - ;
    향상된 루미네선스 영역을 형성하기 위해 나노핑거들의 상기 그룹의 개별적인 나노핑거들을 수렴하는 단계 - 여기서 상기 개별적인 나노핑거들의 각자의 말단 팁들은 상기 각자의 말단 팁들 사이에 갭을 남기면서 수렴됨 - ; 및
    향상된 루미네선스 영역에 배치된 피분석물로부터 방출된 신호를 광학적으로 검출하는 단계
    를 포함하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 수렴은 제2 액체의 제2 방울을 제2 분사 노즐로부터 나노핑거들의 상기 그룹 상으로 방출하는 단계를 포함하는 방법.
  15. 제13항에 있어서, 수렴은 나노핑거들의 상기 그룹과의 접촉으로부터의 방울 증발에 의해 유발된 모세관력들로 인해 발생하고 피분석물이 상기 향상된 루미네선스 영역에 상기 액체로부터 퇴적되는 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11820140B2 (en) 2022-03-21 2023-11-21 Funai Electric Co., Ltd Dispense modes for multi-mode capable device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6225061B1 (en) * 1999-03-10 2001-05-01 Sequenom, Inc. Systems and methods for performing reactions in an unsealed environment
US20140009758A1 (en) * 2011-02-17 2014-01-09 Zhiyong Li Apparatus for use in sensing applications
JP2015212674A (ja) * 2014-05-07 2015-11-26 セイコーエプソン株式会社 分析装置及び電子機器
US20160363539A1 (en) * 2012-04-24 2016-12-15 Hewlett-Packard Development Company L.P. Apparatus for performing a sensing application

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040241667A1 (en) 2003-05-30 2004-12-02 Chesk William G. Pulse-jet ejection head diagnostic system
WO2012128762A1 (en) 2011-03-23 2012-09-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hybrid nanostructures for molecular analysis
US9476833B2 (en) 2013-01-30 2016-10-25 Hewlett-Packard Devleopment Company, L.P. Forming 3-D nano-particle assemblies
US9702821B2 (en) 2013-01-30 2017-07-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Surface enhanced fluorescence spectroscopy apparatus
US9157842B1 (en) 2014-05-16 2015-10-13 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Molecular concentrator based on thermal ratcheting
WO2016036409A1 (en) 2014-09-05 2016-03-10 California Institute Of Technology Surface enhanced raman spectroscopy detection of gases, particles and liquids through nanopillar structures
US20160116334A1 (en) 2014-10-28 2016-04-28 Frank Jiann-Fu Yang Multi-well plate for use in raman spectroscopy
KR101545989B1 (ko) 2014-11-21 2015-08-24 한국기계연구원 표면증강 라만 분광용 기판, 이의 제조방법 및 이를 이용한 분석방법
WO2018017021A2 (en) 2016-07-21 2018-01-25 Temasek Polytechnic Biomarker detection system
CN106814059B (zh) 2017-01-16 2019-06-14 北京芯创睿胜科技有限公司 Sers活性液滴、制备方法及分子检测方法
CN107037032B (zh) 2017-05-31 2020-03-31 厦门大学 快速制备大面积石墨烯/金属复合结构sers基底方法
CN107643278B (zh) 2017-09-14 2020-04-21 浙江工业大学 一种表面增强拉曼衬底的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6225061B1 (en) * 1999-03-10 2001-05-01 Sequenom, Inc. Systems and methods for performing reactions in an unsealed environment
US20140009758A1 (en) * 2011-02-17 2014-01-09 Zhiyong Li Apparatus for use in sensing applications
US20160363539A1 (en) * 2012-04-24 2016-12-15 Hewlett-Packard Development Company L.P. Apparatus for performing a sensing application
JP2015212674A (ja) * 2014-05-07 2015-11-26 セイコーエプソン株式会社 分析装置及び電子機器

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