KR20200125233A - Semiconductor Package Assembly having Thermal Blocking member and Electronic Equipment having the Same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 패키지 어셈블리 및 이를 구비한 전자기기에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 하나의 회로기판에 실장되는 부품에서 발생되는 열이 인근의 다른 부품에 전달되는 것을 차단함으로써 소형화가 가능하고 신뢰성이 향상될 수 있는 반도체 소자 패키지 어셈블리 및 이를 포함하는 전자기기에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device package assembly and an electronic device having the same, and more specifically, it is possible to reduce the size and reliability by blocking heat generated from a component mounted on one circuit board from being transferred to other nearby components. It relates to an improved semiconductor device package assembly and an electronic device including the same.
전자기기에서 일반적으로 사용되는 반도체 패키지는 패턴이 형성된 인쇄회로기판에 여러 가지 반도체 소자 및 부품들을 실장하여 구비된다.Semiconductor packages commonly used in electronic devices are provided by mounting various semiconductor devices and components on a patterned printed circuit board.
최근에는 핸드폰이나 노트북 등 모바일기기의 사용이 확대되는데, 이러한 모바일 기기는 휴대성이 강조되므로 그에 탑재되는 각종 부품들의 소형화가 요구되고 있다 In recent years, the use of mobile devices such as cell phones and laptops is expanding, and since such mobile devices have an emphasis on portability, miniaturization of various parts mounted therein is required.
이러한 부품의 소형화의 요구는 반도체 패키지도 예외는 아니며, 반도체 패키지에서도 보다 작은 크기에 여러 가지 부품들을 실장하기 위하여 반도체 부품 자체의 크기를 소형화 하거나 또는 인쇄회로기판의 양면에 소자 및 부품을 실장하거나 또는 실장되는 반도체 부품간의 간격을 최소화 함으로써 반도체 패키지의 크기를 줄이려는 노력이 계속되고 있다.The demand for miniaturization of such components is not an exception to the semiconductor package, and in order to mount various components in a smaller size even in the semiconductor package, the size of the semiconductor component itself is reduced, or devices and components are mounted on both sides of a printed circuit board, or Efforts to reduce the size of a semiconductor package continue by minimizing the spacing between the mounted semiconductor components.
한편, 이 같은 노력에도 불구하고, 반도체 부품 자체의 직접도가 올라가는 바, 반도체 소자에서 발생되는 발열량은 계속 증가하는 추세에 있으며, 이러한 경우 해당 반도체 소자 근처에 발열에 민감한 부품을 실장하기 곤란하여 반도체 패키지의 소형화에 걸림돌이 되고 있다.On the other hand, despite such efforts, the direct degree of the semiconductor component itself increases, and the amount of heat generated from the semiconductor device is on the rise. In this case, it is difficult to mount a component sensitive to heat generation near the semiconductor device. It is an obstacle to downsizing the package.
한편, 전자기기의 부품들 중, 레이저 발광소자는 여러 가지 용도로 쓰이는데, 최근 레이저 발광소자로서 수직캐비티표면광방출레이저(VCSEL: Vertical Surface Emitting Laser)가 개발되어, 대상물과의 거리 측정, 이미지 감지, 3D화상제작등에 응용되고 있다.On the other hand, among the parts of electronic devices, laser light emitting devices are used for various purposes. Recently, as a laser light emitting device, a Vertical Surface Emitting Laser (VCSEL) has been developed to measure the distance to the object and detect images. , 3D image production, etc.
이러한 수직캐비티표면광방출레이저(VCSEL: Vertical Surface Emitting Laser)는 휴대폰 등의 모바일 기기뿐만 아니라, 차량의 라이다(LiDAR)나 드론, 로봇 등에도 그 적용이 시도되고 있다.Such a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) is being applied not only to mobile devices such as mobile phones, but also to LiDAR of vehicles, drones, and robots.
또한, 상기 모바일 기기뿐만 아니라 차량의 라이다, 드론, 로봇 등에서도 탑재되는 부품의 소형화 요구는 지속적으로 제기되고 있는데, 이러한 VCSEL 소자의 경우 온도에 민감하여 그 주변에 발열량이 큰 구동소자 등을 위치시키기 곤란하였으며, 이러한 어려움으로 인해 반도체 패키지의 소형화에 어려움을 겪고 있고, 더불어 신뢰성의 향상 또한 어려움을 겪고 있는 실정이다.In addition, the demand for miniaturization of components mounted not only in mobile devices, but also in vehicle lidars, drones, robots, etc., is constantly being raised.In the case of such VCSEL devices, driving devices with high heat generation are located around them because they are sensitive to temperature. It was difficult to do so, and due to these difficulties, it is difficult to reduce the size of the semiconductor package, and in addition, it is difficult to improve reliability.
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로서, 회로기판에 실장된 소자에서 발생되는 열이 인근의 부품 및 소자로 전달되는 것을 차단하는 차단부가 구비됨으로써, 반도체 패키지를 보다 소형화 시킴과 동시에 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 어셈블리 및 이를 포함하는 전자기기를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised in consideration of the above points, and is provided with a blocking unit that blocks heat generated from a device mounted on a circuit board from being transferred to nearby components and devices, thereby miniaturizing the semiconductor package and making it more reliable. An object of the present invention is to provide a semiconductor device package assembly and an electronic device including the same.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 회로기판; 상기 회로기판에 실장되며, 레이저를 발신하는 발광소자; 상기 회로기판에 실장되며, 상기 발광소자를 제어하는 구동소자; 및 상기 구동소자에서 방출되는 열이 상기 발광소자에 전해지는 것을 차단하는 차단부;를 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention includes a circuit board; A light emitting device mounted on the circuit board and emitting a laser; A driving device mounted on the circuit board and controlling the light emitting device; And a blocking part that blocks heat emitted from the driving device from being transmitted to the light emitting device.
또한, 상기 회로기판은, 상기 구동소자 및 발광소자가 실장되는 세라믹 재질의 제1기판층; 및 상기 제1기판층의 하측에 형성되며, 상기 제1기판층보다 상대적으로 열전도도가 높은 재질의 제2기판층;을 포함할 수 있다.In addition, the circuit board may include a first substrate layer made of a ceramic material on which the driving device and the light emitting device are mounted; And a second substrate layer formed under the first substrate layer and made of a material having a relatively higher thermal conductivity than the first substrate layer.
또한, 상기 차단부는, 상기 발광소자와 상기 구동소자 사이에 상기 회로기판의 표면으로부터 돌출 형성되어, 상기 구동소자에서 방출되는 열이 상기 발광소자로 복사되는 것을 것을 차단하는 제1열차단부재를 포함할 수 있다.In addition, the blocking unit includes a first heat blocking member protruding from the surface of the circuit board between the light emitting device and the driving device to block heat emitted from the driving device from being radiated to the light emitting device. can do.
또한, 상기 차단부는, 상기 발광소자와 상기 구동소자 사이에 상기 회로기판의 내부에 매립되며, 열전도도가 높은 재질로 형성되며, 상기 회로기판을 통해 상기 발광소자로 전도되는 상기 구동소자의 열을 상기 회로기판의 외부로 방출하는 제2열차단부재를 포함할 수 있다.In addition, the blocking unit is buried in the inside of the circuit board between the light emitting device and the driving device, is formed of a material having high thermal conductivity, and the heat of the driving device conducted to the light emitting device through the circuit board It may include a second heat blocking member that radiates to the outside of the circuit board.
또한, 상기 회로기판의 각종 소자가 실장되는 영역 또는 그 주위에 상기 발광소자가 실장되는 일면부터 그 배면인 타면까지 관통되도록 형성되어, 상기 발광소자에서 발생되는 열 및 회로기판의 열을 외부로 방출하는 열방출부재를 더 포함할 수 있다.In addition, it is formed so as to penetrate from one surface on which the light emitting device is mounted to the other surface that is the rear surface of the area where various devices of the circuit board are mounted or around it, thereby discharging heat generated from the light emitting device and heat of the circuit board to the outside. It may further include a heat dissipating member.
또한, 전자파 차폐성 및 열전달성을 가지도록 이루어지고, 상기 회로기판의 상측을 덮으며, 상기 발광소자의 상측에 대응되는 영역에 개구부가 형성되며, 내측면이 상기 구동소자와 직접 접촉되도록 구비되는 하우징을 더 포함할 수 있다.In addition, the housing is made to have electromagnetic wave shielding properties and heat transfer properties, covers the upper side of the circuit board, has an opening formed in an area corresponding to the upper side of the light emitting device, and has an inner surface in direct contact with the driving device It may further include.
또한, 상기 차단부는, 상기 발광소자와 상기 구동소자 사이에 상기 제1기판층의 표면으로부터 돌출 형성되어, 상기 구동소자에서 방출되는 열이 상기 발광소자로 복사되는 것을 것을 차단하는 제1열차단부재; 및 상기 발광소자와 상기 구동소자 사이에 상기 제1기판층의 내부에 매립되며, 열전도도가 높은 재질로 형성되며, 상기 제1기판층을 통해 상기 발광소자로 전도되는 상기 구동소자의 열을 상기 제1기판층의 외부로 방출하는 제2열차단부재;를 포함할 수 있다.In addition, the blocking portion is formed between the light emitting device and the driving device protruding from the surface of the first substrate layer, the first heat blocking member to block the heat emitted from the driving device from being radiated to the light emitting device ; And the heat of the driving device, which is embedded in the first substrate layer between the light emitting device and the driving device, is made of a material having high thermal conductivity, and is conducted to the light emitting device through the first substrate layer. It may include; a second heat blocking member that radiates to the outside of the first substrate layer.
또한, 상기 제1열차단부재는, 그 표면에 열을 반사시키는 열반사코팅이 형성될 수 있다.In addition, the first heat blocking member may have a heat reflective coating that reflects heat on its surface.
또한, 상기 열반사코팅은 상기 제1열차단부재의 상기 구동소자를 향하는 측면에 형성될 수 있다.Further, the heat reflection coating may be formed on a side surface of the first heat blocking member facing the driving element.
또한, 상기 제1기판층에는 접지패턴이 형성되며, 상기 제2열차단부재는 상기 접지패턴과 연결되어 통해 제1기판층의 외부로 열을 방출할 수 있다.In addition, a ground pattern is formed on the first substrate layer, and the second heat shield member is connected to the ground pattern to emit heat to the outside of the first substrate layer.
또한, 상기 제1기판층의 상기 발광소자가 실장되는 영역에 상기 발광소자가 실장되는 일면부터 그 배면인 타면까지 관통하여 제2기판층에 연접되도록 형성되며, 상기 발광소자에서 발생되는 열을 제2기판층으로 전달하는 제1열방출부재를 더 포함할 수 있다.In addition, the first substrate layer is formed to be connected to the second substrate layer by penetrating from one surface on which the light-emitting element is mounted to the other surface on which the light-emitting element is mounted, and to control heat generated from the light-emitting element. It may further include a first heat dissipating member for transferring to the second substrate layer.
또한, 상기 제1기판층의 일면부터 타면까지 관통하여 상기 제1기판층의 열을 전달하는 제2열방출부재; 및 상기 제2기판층의 일면부터 타면까지 관통하도록 형성되며, 상기 제1기판층의 타면에 형성된 제2열방출부재의 끝단부와 접촉하도록 구비되는 제3열방출부재;를 더 포함하여, 상기 제1기판층 및 제2기판층의 열을 상기 회로기판의 외부로 배출하도록 구비될 수 있다.In addition, a second heat dissipating member penetrating from one surface to the other surface of the first substrate layer to transfer heat from the first substrate layer; And a third heat dissipating member formed to penetrate from one surface to the other surface of the second substrate layer and provided to contact an end portion of the second heat dissipating member formed on the other surface of the first substrate layer. It may be provided to discharge heat of the first substrate layer and the second substrate layer to the outside of the circuit board.
또한, 전자방해잡음 차폐성 및 열전달성을 가지도록 이루어지고, 상기 회로기판의 상측을 덮으며, 상기 발광소자의 상측에 대응되는 영역에 개구부가 형성되며, 내측면이 상기 구동소자와 직접 접촉되도록 구비되는 하우징; 및 상기 구동소자와 상기 하우징 사이에 개재되어 상기 구동소자의 열을 상기 하우징에 전달하는 열전달물질;을 더 포함할 수 있다.In addition, it is made to have electromagnetic interference noise shielding property and heat transfer property, covers the upper side of the circuit board, has an opening formed in a region corresponding to the upper side of the light emitting device, and provided such that the inner surface is in direct contact with the driving device. A housing; And a heat transfer material interposed between the driving device and the housing to transfer heat from the driving device to the housing.
또한, 상기 하우징은, 금속재질로 형성되며, 그 표면에 열방사 코팅층이 형성될 수 있다.In addition, the housing may be formed of a metal material, and a heat radiation coating layer may be formed on the surface thereof.
또한, 상기 하우징은, 열전달성 플라스틱으로 형성되며, 내측 표면에 전자방해잡음 차폐 코팅층이 형성될 수 있다.In addition, the housing may be formed of a heat transfer plastic, and an electromagnetic interference noise shielding coating layer may be formed on an inner surface.
또한, 상기 발광소자는 수직캐비티표면광방출레이져VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)일 수 있다.Further, the light emitting device may be a vertical cavity surface light emitting laser (VCSEL).
한편, 본 발명은 전술한 반도체 소자 패키지 어셈블리를 포함하는 전자기기일 수 있다.Meanwhile, the present invention may be an electronic device including the semiconductor device package assembly described above.
본 발명에 의하면, 구동소자와 발광소자 사이에 제1열차단부재 및 제2열차단부재가 구비됨으로써, 구동소자에서 발생된 열이 열에 민감한 발광소자로 복사나 전도의 방법으로 전달되는 것이 차단되어 열에 민감한 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 구동소자와 발광소자의 간격을 좁힐 수 있어 반도체 소자 패키지를 보다 소형화 할 수 있다.According to the present invention, since the first heat shield member and the second heat shield member are provided between the driving device and the light emitting device, heat generated from the driving device is blocked from being transmitted to the heat-sensitive light emitting device by means of radiation or conduction. Not only can the reliability of the heat-sensitive light-emitting device be improved, but the distance between the driving device and the light-emitting device can be narrowed, thereby miniaturizing the semiconductor device package.
또한, 본 발명은 발광소자가 실장되는 영역에 상기 발광소자와 접촉하는 제1열방출부재가 구비되므로, 상기 발광소자의 자체발열을 직접 외부로 방출할 수 있어 열에 민감한 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 반도체 패키지를 보다 소형화 할 수 있다.In addition, in the present invention, since the first heat dissipating member in contact with the light emitting element is provided in the area where the light emitting element is mounted, the self-heating of the light emitting element can be directly discharged to the outside, thereby improving the reliability of the heat-sensitive light emitting element. Not only can the semiconductor package be made smaller.
또한, 본 발명은 구동소자와 하우징이 열접촉 되므로, 하우징이 전자방해잡음 차단 기능을 수행할 뿐만 아니라, 상기 구동소자의 열을 방출하는 역할도 수행할 수 있어 방열의 효율성이 높아질 수 있다.In addition, in the present invention, since the driving element and the housing are in thermal contact, the housing not only performs a function of blocking electromagnetic interference noise, but also serves to dissipate heat from the driving element, so that the efficiency of heat dissipation can be increased.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 어셈블리를 도시한 분해 사시도;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 어셈블리의 단면도;
도 3은 도 1 및 도 2의 열차단부재를 확대하여 도시한 단면도;
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 어셈블리를 도시한 분해 사시도;
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 어셈블리를 도시한 단면도;
도 6은 회로기판에 제2열방출부재가 형성된 모습을 도시한 사시도;
도 7은 회로기판에 제2열방출부재 및 제3열방출부재가 형성된 모습을 도시한 단면도;
도 8은 디퓨져를 도시한 저면도; 그리고,
도 9는 디퓨져가 하우징에 결합된 모습을 도시한 단면도 이다.1 is an exploded perspective view showing a semiconductor device assembly according to an embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view of a semiconductor device assembly according to an embodiment of the present invention;
3 is an enlarged cross-sectional view of the heat shield member of FIGS. 1 and 2;
4 is an exploded perspective view showing a semiconductor device assembly according to another embodiment of the present invention;
5 is a cross-sectional view showing a semiconductor device assembly according to another embodiment of the present invention;
6 is a perspective view showing a state in which a second heat dissipating member is formed on a circuit board;
7 is a cross-sectional view showing a state in which a second heat dissipating member and a third heat dissipating member are formed on a circuit board;
8 is a bottom view showing the diffuser; And,
9 is a cross-sectional view illustrating a diffuser coupled to a housing.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부가한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily implement the present invention. The present invention may be implemented in various different forms, and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts not related to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and the same reference numerals are added to the same or similar components throughout the specification.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 패키지 어셈블리(100)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 회로기판(110), 발광소자(120), 구동소자(130) 및 차단부를 포함할 수 있다.The semiconductor
상기 회로기판(110)은 여러 가지 반도체 소자 및 부품들이 실장되는 구성요소이며, 내부 또는 표면에 회로패턴이 형성될 수 있다.The
상기 회로기판(110)은 제1기판층(112)과 제2기판층(114)을 포함할 수 있다. The
상기 제1기판층(112)은 표면에 상기 구동소자(130) 및 발광소자(120)가 실장되는 기판층이다. 본 실시예에서 상기 제1기판층(112)은 저온동시소성세라믹(LCTT: Low Temperature Co-fired Ceramic)방식으로 제조되며, 다층의 회로패턴이 형성될 수 있고, 세라믹 재질로 형성되는 것을 예로 들어 설명하나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 제2기판층(114)은 상기 제1기판층(112)의 상기 구동소자(130) 및 발광소자(120)가 실장되는 면의 배면(즉, 하측면)에 연접되어 형성되며, 상기 제1기판층(112)보다 상대적으로 열전도도가 우수한 재질인 질화알루미늄(AlN)재질로 형성될 수 있다. 상기 질화알루미늄은 내열성, 내식성, 전기절연성, 열전도성 등이 우수하여 회로기판(110)의 소재로 적당할 수 있다.The
즉, 상기 회로기판(110)이 제1기판층(112)과 제2기판층(114)으로 이루어지며, 구동소자(130)와 발광소자(120)가 실장되는 제1기판층(112)은 열전도성이 상대적으로 낮은 세라믹 재질로 이루어져 실장된 소자에서 방출되는 열이 인근에 실장된 다른 부품으로 전도되는 것을 어느 정도 억제할 수 있으며, 상기 제1기판층(112)의 하측면에 상기 제1기판층(112)보다 열전도성이 우수한 제2기판층(114)이 형성되므로, 상기 제1기판층(112)의 열을 신속하게 전달받아 방열함으로써 전체적인 방열성능을 높일 수 있다.That is, the
물론, 본 발명은 상기 제1기판층(112)이 저온동시소송세라믹 방식으로 제조되거나, 상기 제2기판층(114)이 질화알루미늄 재질로 형성되는 것에 한정되지 아니하며, 다양한 방식 및 다양한 재질로 형성될 수 있다.Of course, the present invention is not limited to that the
한편, 상기 발광소자(120)는 상기 회로기판(110)에 실장되며, 레이저를 발신하는 구성요소이다. 이러한 발광소자(120)로는 여러 가지 종류가 적용될 수 있으나, 본 실시예에서 상기 발광소자(120)는 수직 캐비티 표면 광 방출 레이저(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)인 것을 예로 들어 설명한다. 다만, 본 발명은 상기 발광소자(120)로서 수직 캐비티 표면 광 방출 레이저 외에도 다른 여러 가지 알려진 종류의 레이저 발광소자가 적용될 수 있다.Meanwhile, the
상기 구동소자(130)는 상기 발광소자(120)를 제어하거나 구동하는 부품으로서, 상기 발광소자(120)가 실장된 회로기판(110)에 상기 발광소자(120)가 실장된 표면에 실장될 수 있다. 이 때, 반도체 소자 패키지 어셈블리(100)를 보다 소형화 하기 위하여, 상기 구동소자(130)는 상기 발광소자(120)의 인근에 배치될 수 있다. The
또한, 본 실시예의 반도체 소자 패키지 어셈블리(100)가 거리 인식용 삼차원 센서 모듈 등에 적용되는 경우, 정밀성 향상 등의 이유로 상기 수직 캐비티 표면 광 방출 레이저의 응답속도가 매우 중요한데, 이를 위해 구동소자(130)와 발광소자(120) 간의 패턴 거리를 최소화 해 줄 필요가 있다. In addition, when the semiconductor
한편, 일반적으로 수직 캐비티 표면 광 방출 레이저(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)는 온도에 민감하여, 온도에 따라 특성변화가 일어나고, 이는 측정 정밀도에 악영향을 끼칠 수 있다.Meanwhile, in general, a Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) is sensitive to temperature, and characteristics change according to temperature, which may adversely affect measurement accuracy.
또한, 구동소자(130)는 고집접소자인 경우가 많아 작동 중에 방출되는 열이 상대적으로 많을 수 있다. In addition, since the
따라서, 이러한 구동소자(130)가 상기 발광소자(120)에 근접하게 배치되어, 상기 구동소자(130)에서 방출되는 열이 발광소자(120)로 적용된 수직 캐비티 표면 광 방출 레이저(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)에 전달되면 열에 민감한 수직 캐비티 표면 광 방출 레이저(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)의 특성이 변화되어, 측정의 정확성 및 응답성 등에 악영향을 미칠 수 있다.Therefore, such a
따라서, 본 실시예에서는 상기 구동소자(130)에서 방출되는 열이 상기 발광소자(120)에 전해지는 것을 차단하는 차단부가 구비될 수 있다.Accordingly, in the present embodiment, a blocking part may be provided to block heat emitted from the driving
상기 차단부는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1열차단부재(152) 및 제2열차단부재(154)를 포함할 수 있다.1 and 2, the blocking unit may include a first
상기 제1열차단부재(152)는, 상기 구동소자(130) 및 발광소자(120)가 실장된 회로기판(110)의 상기 발광소자(120)와 구동소자(130) 사이에 상기 회로기판(110)의 표면으로부터 돌출되도록 형성된 제1열차단부재(152)로 구현될 수 있다.The first heat-blocking
상기 제1열차단부재(152)는 적어도 상기 구동소자(130)의 너비에 대응되는 길이를 갖도록 형성되어 상기 구동소자(130)에서 상기 발광소자(120) 측으로 방사되어 복사되는 열을 차단하도록 형성될 수 있다.The first
상기와 같은 제1열차단부재(152)는 전술한 바와 같이, 상기 회로기판(110)의 발광소자(120)와 구동소자(130) 사이에 형성되는데, 이러한 제1열차단부재(152)는 상기 회로기판(110)과 같은 재질로서 상기 회로기판(110)과 일체로 형성될 수 있다.As described above, the first
물론, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 재1열차단부재(152)가 상기 회로기판(110)과는 같거나 다른재질로서 상기 회로기판(110)과는 별개로 형성되어 추후 회로기판(110)에 결합 또는 부착되어 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.Of course, the present invention is not limited thereto, and the first
상기 구동소자(130)와 발광소자(120)가 상기 회로기판(110)의 제1기판층(112)에 형성되므로, 상기 제1열차단부재(152) 또한 상기 제1기판층(112) 표면에 일체로 형성될 수 있다.Since the driving
또한, 상기 제2열차단부재(154)는 상기 발광소자(120)와 상기 구동소자(130) 사이의 상기 회로기판(110) 내부에 매립될 수 있다. 즉, 상기 제2열차단부재(154)는 상기 회로기판(110)의 표면에 노출되지 아니하고 그 내부에 매립되는 것이다. 이 때, 상기 제2열차단부재(154)는 열전도도가 높은 재질은 금이나 은, 구리 등의 재질로 형성될 수 있다. 그러나 상기 제2열차단부재(154)의 재질은 이에 한정되지 아니하며, 열전도성이 우수한 재질이라면 공지된 여러 종류의 재질의 적용이 가능하다.In addition, the second
또한, 상기 제2열차단부재(154)는 상기 회로기판(110) 내에 수직방향으로 길이방향을 갖도록 형성될 수도 있고, 수평방향으로 길이방향을 갖도록 형성될 수도 있다. 물론, 필요에 따라 하나 또는 복수개 매립되어 형성될 수도 있을 것이다.In addition, the second
상기 제2열차단부재(154)는 상기 발광소자(120)와 구동소자(130) 사이의 회로기판(110) 내부에 매립됨으로써, 상기 회로기판(110)을 통해 상기 발광소자(120)로 전도되는 상기 구동소자(130)의 열을 상기 회로기판(110)의 외부로 방출하는 구성요소로서, 흡수한 열을 상기 회로기판(110)의 외부로 방출하기 위해 상기 회로기판(110)에 배설된 접지패턴(GND)과 연결될 수 있다.The second heat-blocking
일반적으로 접지패턴(GND)은 다른 회로패턴에 비해 그 두께(면적)이 굵게 형성되며, 접지를 위해 회로기판(110)의 외부와 연결되므로, 상기 제2열차단부재(154)의 열이 상기 접지패턴(GND)을 통해 상기 회로기판(110)의 외부로 방열될 수 있다.In general, the ground pattern GND has a thicker thickness (area) than other circuit patterns, and is connected to the outside of the
한편, 상기 제2열차단부재(154)는 상기 회로기판(110)의 제1기판층(112)에 매립될 수 있다. 이는 상기 구동소자(130) 및 발광소자(120)가 상기 제1기판층(112)에 실장되기 때문이다.Meanwhile, the second
따라서, 상기 구동소자(130)에서 방출되는 열 중 상기 발광소자(120)로 복사되는 열은 상기 제1열차단부재(152)에 의해 차단되며, 상기 구동소자(130)에서 방출되는 열 중 상기 회로기판(110)을 통해 상기 발광소자(120)로 전도되는 열은 상기 제2열차단부재(154)에 의해 상기 발광소자(120)가 아닌 다른 곳으로 방열될 수 있다.Therefore, among the heat radiated from the driving
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1열차단부재(152)는 그 측면 중 상기 구동소자(130)를 향하는 표면에 열반사코팅(158)이 이루어질 수 있다. In addition, as shown in FIG. 3, the first
상기 열반사코팅(158)은 금, 은 또는 알루미늄과 같은 금속박판이 증착되어 형성될 수 있다. 물론, 상기 금, 은, 알루미늄 외에도 열을 흡수하지 않은 높은 열반사율과, 열을 방출하지 않는 낮은 열방사율을 가진 재질이라면 어느 것이던 적용이 가능할 수 있다.The
또한, 본 실시예의 설명에서는 상기 열반사코팅(158)이 상기 제1열차단부재(152)의 상기 구동소자(130)를 향하는 측면에 형성되는 것을 예로 들었으나, 이 외에도 상기 발광소자(120)를 향하는 측면에도 형성될 수 있는 등 다양한 변형이 가능할 것이다.In addition, in the description of the present embodiment, it has been exemplified that the
한편, 상기 회로기판의 열을 외부로 방출되는 열방출부재가 구비될 수 있다. 상기 열방출부재는 상기 회로기판의 각종 소자가 실장되는 영역 또는 그 영역 주변에 형성될 수 있으며, 상기 소자가 실장되는 일면부터 그 배면인 타면까지 관통되도록 형성되어, 상기 회로기판에 실장된 각종 소자들에 의해 상기 회로기판으로 전도되는 열을 외부로 방출하는 구성요소이다.Meanwhile, a heat dissipating member for dissipating heat from the circuit board to the outside may be provided. The heat dissipating member may be formed in a region where various elements of the circuit board are mounted or around the region, and is formed to penetrate from one surface on which the device is mounted to the other surface that is the rear surface thereof, and various devices mounted on the circuit board It is a component that discharges heat conducted to the circuit board to the outside.
이러한 상기 열방출부재는 제1열방출부재(162), 제2열방출부재(164) 및 제3열방출부재(166)를 포함할 수 있다.The heat dissipating member may include a first
상기 발광소자(120)의 작동 중에는 상기 발광소자(120)에서도 발열이 일어날 수 있다. 이러한 발광소자(120)의 발열을 적절히 방열하지 않는다면, 상기 발광소자(120)가 자체 발열에 의해 그 작동 특성이 변할 수 있다. 이러한 상기 발광소자(120)의 발열을 방열시키기 위해 제1열방출부재(162)가 구비될 수 있다.During the operation of the
상기 제1열방출부재(162)는 상기 회로기판(110)의 상기 발광소자(120)가 실장되는 영역에, 상기 발광소자(120)가 실장되는 일면부터 그 배면인 타면까지 관통 형성되어, 상기 발광소자(120)와 직접 접촉하여 상기 발광소자(120)에서 발생되는 열을 상기 회로기판(110)의 외부로 방출할 수 있다.The first
이와 같은 상기 제1열방출부재(162)는 열전도도가 높은 재질은 금이나 은, 구리 등의 재질로 형성될 수 있다. 그러나 상기 제1열방출부재(162)의 재질은 이에 한정되지 아니하며, 열전도성이 우수한 재질이라면 공지된 여러 종류의 재질의 적용이 가능하다.The first
한편, 본 실시예에서 상기 제1열방출부재(162)는 상기 제1기판층(112)에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1기판층(112)의 상기 발광소자(120)가 실장되는 영역에 상기 발광소자(120)가 실장되는 일면부터 그 배면인 타면까지 관통하여 상기 제1기판층(112)에 실장된 발광소자(120) 및 제2기판층(114)에 연접되도록 형성되며, 상기 발광소자(120)에서 발생되는 열을 제2기판층(114)으로 전달하도록 형성될 수 있다.Meanwhile, in this embodiment, the first
전술한 바와 같이, 상기 제2기판층(114)은 상기 제1기판층(112)에 비하여 열전도도가 높은 재질로 형성되므로, 상기 제1열방출부재(162)에 의해 제2기판층(114)으로 전달된 열은 상기 제2기판층(114)의 재질에 의해 외부로 방열될 수 있다.As described above, since the
즉, 상기 구동소자(130)에서 방출되는 열 중 상기 발광소자(120)로 복사되는 열은 상기 제1열차단부재(152)에 의해 차단되며, 상기 구동소자(130)에서 방출되는 열 중 상기 회로기판(110)을 통해 상기 발광소자(120)로 전도되는 열은 상기 제2열차단부재(154)에 의해 차단되고, 상기 발광소자(120)에서 발생되는 열은 상기 제1열방출부재(162)를 통해 제2기판층(114)으로 배출되는 것이다.That is, among the heat radiated from the driving
한편, 상기 제2열방출부재(164) 및 제3열방출부재(166)는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1기판층(112) 및 제2기판층(114)에 형성되어, 상기 제1기판층(112) 및 제2기판층(114)의 열을 상기 회로기판(110)의 외부로 방출하도록 구비될 수 있다.Meanwhile, the second
이 때, 상기 제2열방출부재(164) 및 제3열방출부재(166)는 상기 제1기판층(112) 및 제2기판층(114)의 두께방향으로 형성되어 열전달 길이를 단축시킬 수 있다.At this time, the second
즉, 상기 제2열방출부재(164)는 상기 제1기판층(112)에 형성되며, 상기 제3열방출부재(166)는 상기 제2기판층(114)에 형성될 수 있다.That is, the second
이 때, 상기 제2열방출부재(164) 및 제3열방출부재(166)는 상기 회로기판(110)에 소자가 실장되는 영역이 아닌 그 주변의 영역에 배치될 수 있다. 이는 상기 회로기판(110)에 실장되는 소자와의 간섭을 피하기 위함이다.In this case, the second
즉, 상기 제2열방출부재(164)는 상기 제1기판층(112)의 소자가 실장되는 일면부터 그 배면인 타면까지 관통하여, 상기 제1기판층(112)의 열을 전달하도록 하나 이상 형성될 수 있다.That is, at least one second
또한, 상기 제3열방출부재(166)는 상기 제2기판층(114)의 일면부터 타면까지 관통하도록 형성되며, 이 때 상기 제3열방출부재(166)는 상기 제1기판층(112)의 타면에 형성된 제2열방출부재(164)의 끝단과 접촉하여 열전달이 가능하도록 구비될 수 있다.In addition, the third
따라서, 상기 제1기판층(112)에 실장된 소자에 의해 상기 제1기판층(112)으로 전도된 열은 상기 제2열방출부재(164) 및 제3열방출부재(166)에 의해 상기 회로기판(110)의 외부로 신속하게 방출될 수 있다.Therefore, heat conducted to the
이러한 상기 제2열방출부재(164) 및 제3열방출부재(166)는 상기 제1열방출부재(162)와 유사하게 열전도도가 높은 재질은 금이나 은, 구리 등의 재질로 형성될 수 있다. 그러나, 열전도성이 우수한 재질이라면 공지된 여러 종류의 재질의 적용이 가능하다.Similar to the first
한편, 상기 회로기판(110)의 상측을 덮는 하우징(170)이 구비될 수 있다. 상기 발광소자(120)에서 방출되는 빛은 레이저이므로, 인체의 안구에 조사될 경우 시신경의 손상을 유발할 수 있어 적절하게 확산되어야 한다. 이를 위해, 상기 하우징(170)은 상기 발광소자(120)의 상측에 대응하는 영역에 개구부(172)가 형성되며, 상기 개구부(172)에 빛을 확산시키는 디퓨져(180)가 구비될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 디퓨져(180)에는 레이저를 확산시키는 렌즈패턴(182) 형성될 수 있다.Meanwhile, a
따라서, 상기 발광소자(120)에서 방출되는 빛(레이저)는 상기 디퓨져(172)를 통해 확산된 후 더 외측에 위치된 윈도우(190)를 통해 외부로 조사되며, 물체의 표면에서 반사된 레이저는 상기 윈도우(190)를 투과하여 모처에 구비된 수광부로 수광될 수 있다.Therefore, the light (laser) emitted from the
또한, 상기 발광소자(120)의 일측에 포토 다이오드(140)가 구비될 수 있다. 상기 포토 다이오드(140)는 상기 디퓨져(180)가 파손될 때 상기 발광소자(120)의 작동을 중지시켜 시신경의 손상을 차단하기 위하여 구비될 수 있다.In addition, a
한편, 상기 구동소자(130)의 작동 중에는 전자방해잡음(EMI: Electro Magnetic Interference)가 발생할 수 있으며, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 하우징(270)은 이러한 전자방해잡음을 차폐하기 위해서 상기 발광소자(120)와 상기 구동소자(130)를 모두 덮도록 구비될 수 있다.Meanwhile, during the operation of the driving
이러한 하우징(270)은 전자방해잡음 차폐성 및 방열성을 갖기 위하여, 금속소재의 표면에 열방사 코팅층(276)이 형성되어 구비될 수도 있다.The
그런데, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 디퓨져(180)의 테두리에는 상기 디퓨져(180)의 파손을 감지하기 위한 ITO코팅(184)층이 형성될 수 있다. However, as illustrated in FIG. 8, an
이러한 경우, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 디퓨져(180)가 하우징(270)의 개구부(272)에 결합될 때, 상기 ITO코팅층(184)이 형성된 부분이 금속 소재의 하우징(270)에 맞닿아 전기적 간섭을 일으킬 우려가 있다. 이러한 우려를 배제하기 위하여, 상기 하우징(270)은 열전도성 플라스틱 소재로 이루어지고, 그 내측 표면에 전자파 차폐를 위한 금속 재질의 전자방해잡음 차폐 코팅층(278)이 형성될 수도 있다.In this case, as shown in FIG. 9, when the
상기 열방사 코팅층(276)은 전기 절연성과 열 전도성을 모두 갖춘 절연성 방열필러가 포함된 성분으로 이루어질 수 있다. 이러한 예로서, 상기 열방사 코팅층(276)은 방열성 및 절연성을 동시에 갖도록 고분자매트릭스에 분산되는 절연성 방열필러를 포함한 재질로 이루어질 수 있다.The thermal
구체적인 일례로써, 상기 고분자매트릭스는 공지된 열가소성 고분자화합물일 수 있고, 상기 열가소성 고분자화합물은 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리케톤, 액정고분자, 폴리올레핀, 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI) 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택된 1종의 화합물, 또는 2종 이상의 혼합물 또는 코폴리머일 수 있다. As a specific example, the polymer matrix may be a known thermoplastic polymer compound, and the thermoplastic polymer compound is polyamide, polyester, polyketone, liquid crystal polymer, polyolefin, polyphenylene sulfide (PPS), polyetheretherketone (PEEK ), polyphenylene oxide (PPO), polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), and one compound selected from the group consisting of polyimide, or a mixture or copolymer of two or more.
또한, 상기 절연성 방열필러는 절연성 및 방열성을 동시에 가지는 것이라면 제한 없이 모두 사용될 수 있다. 구체적인 일례로써, 상기 절연성 방열필러는 산화마그네슘, 이산화티타늄, 질화알루미늄, 질화규소, 질화붕소, 산화알루미늄, 실리카, 산화아연, 티탄산바륨, 티탄산스트론튬, 산화베릴륨, 실리콘카바이드 및 산화망간으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.In addition, the insulating heat dissipation filler may be used without limitation as long as it has both insulation and heat dissipation properties. As a specific example, the insulating heat dissipation filler is selected from the group consisting of magnesium oxide, titanium dioxide, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, aluminum oxide, silica, zinc oxide, barium titanate, strontium titanate, beryllium oxide, silicon carbide and manganese oxide. It may contain one or more.
더불어, 상기 절연성 방열필러는 다공질이거나 비다공질일 수 있으며, 카본계, 금속 등의 공지된 전도성 방열필러를 코어로 하고 절연성 성분이 상기 코어를 둘러싸는 코어쉘 타입의 필러일 수도 있다.In addition, the insulating heat dissipation filler may be porous or non-porous, and may be a core-shell type filler having a known conductive heat dissipation filler such as carbon-based or metal as a core and an insulating component surrounding the core.
더하여, 상기 절연성 방열필러는 젖음성 등을 향상시켜 고분자매트릭스와의 계면 접합력을 향상시킬 수 있도록 표면이 실란기, 아미노기, 아민기, 히드록시기, 카르복실기 등의 관능기로 개질된 것일 수도 있다.In addition, the insulating heat dissipation filler may have a surface modified with a functional group such as a silane group, an amino group, an amine group, a hydroxy group, or a carboxyl group so as to improve wettability and the like to improve the interfacial bonding strength with the polymer matrix.
그러나 본 발명은 이에 한정하는 것은 아니며 절연성과 방열성을 동시에 갖는 재질이라면 제한 없이 모두 사용될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and any material having both insulation and heat dissipation properties may be used without limitation.
또한, 상기 전자방해잡음 차폐 코팅층(278)은 금속재질이 증착 등을 통한 박막형태로 형성될 수 있다. 물론, 상기 전자방해잡음 차폐 코팅층(278)은 금속재질에 한정되는 것은 아니며, 전자방해잡음을 차폐할 수 있는 알려진 재질이라면 어느 것이던지 적용이 가능할 것이다.In addition, the electromagnetic interference noise shielding
또한, 상기 구동소자(130)의 열을 보다 신속하고 효율적으로 배출시키기 위하여, 상기 하우징(270)의 내측면과 상기 구동소자(130)가 직접 접촉될 수 있다. 상기 구동소자(130)와 상기 하우징(270)이 직접 접촉됨으로써, 상기 구동소자(130)에서 발생되는 열이 상기 하우징(270)을 통해 반도체 소자 패키지 어셈블리(100)의 외부로 신속하게 방열될 수 있다.In addition, in order to discharge heat from the driving
이 때 상기 구동소자(130)의 표면 및 상기 구동소자(130)와 접촉하는 하우징의 접촉면(274)은 별도의 경면 가공을 거치지 아니하므로 겉보기에는 평평하다고 하더라도 확대하여 보면 무수히 많은 작은 요철이 형성되어 있다. 이러한 요철은 상기 구동소자(130)와 하우징의 밀착을 저해시킬 수 있으며, 요철의 사이에 공기층이 형성되어 열전달을 방해할 수 있다.At this time, since the surface of the driving
따라서, 상기 구동소자(130)와 하우징(270)의 보다 긴밀한 열적 접촉을 위하여, 상기 구동소자(130)의 하우징(270)과 접촉하는 면 및 상기 하우징의 접촉면(274) 사이에 열전달물질(132)이 개재될 수 있다.Therefore, for a closer thermal contact between the driving
상기 열전달물질(132)은 상기 구동소자(130)의 표면 및 상기 하우징의 내측면의 표면 요철 사이에 충진되어 공극이 발생되지 않도록 함으로써 열전달이 보다 원할하게 이루어지도록 할 수 있다.The
상기 열전달물질(132)은 서멀 그리스 등의 TIM(Thermal interface material)일 수 있는데, 예를 들어 열전도성 필러가 분산되어 이루어질 수 있다. 이 때 상기 열전도성 필러는 금속필러, 세라믹 피러 및 카본계 피러 중 1종 이상을 포함할 수 있다.The
상기 금속필러는 Al, Ag, Cu, NI, In-Bi-Sn 합금, Sn-In-Zn 합금, Sn-In-Ag 합금, Sn-Ag-Bi 합금, Sn-Bi-Cu-Ag 합금, Sn-Ag-Cu-Sb 합금, Sn-Ag-Cu 합금, Sn-Ag 합금 및 Sn-Ag-Cu-Zn 합금 등의 공지된 금속필러 중 1 종 이상을 포함할 수 있고, 상기 세라믹필러는 AlN, Al2O3, BN, SiC 및 BeO 등의 공지된 세라믹필러 중 1 종 이상을 포함할 수 있으며, 상기 카본계 필러는 그라파이트(graphite), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 탄소섬유(carbon fiber), 다이아몬드 및 그래핀(graphene) 등의 공지된 카본계 필러를 1종 이상 포함할 수 있다.The metal filler is Al, Ag, Cu, NI, In-Bi-Sn alloy, Sn-In-Zn alloy, Sn-In-Ag alloy, Sn-Ag-Bi alloy, Sn-Bi-Cu-Ag alloy, Sn -Ag-Cu-Sb alloy, Sn-Ag-Cu alloy, Sn-Ag alloy and Sn-Ag-Cu-Zn alloy may include one or more of known metal fillers, the ceramic filler is AlN, Al2O3, BN, SiC and BeO may include one or more of known ceramic fillers, and the carbon-based filler is graphite, carbon nanotube, carbon fiber, diamond, and It may contain one or more known carbon-based fillers such as graphene.
또한, 보다 확실한 밀착을 위하여, 상기 하우징의 접촉면(274)은 상기 구동소자(130) 측으로 돌출되도록 형성될 수 있다. 물론, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 상기 접촉면(274)은 상기 구동소자(130)가 수용되도록 함몰형성된 홈의 형태로 이루어질 수도 있으며, 돌출되거나 함몰 형성되지 아니하고 평면을 이루도록 형성될 수도 있을 것이다.In addition, for more reliable adhesion, the
따라서, 상기 하우징(270)은 상기 구동소자(130)에서 발생하는 전자방해잡음을 차폐할 뿐만 아니라, 상기 구동소자(130)에서 발생하는 열을 외부로 직접 방열함으로써, 상기 구동소자(130)의 열이 발광소자(120)로 전달되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the
이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.Although an embodiment of the present invention has been described above, the spirit of the present invention is not limited to the embodiment presented in the present specification, and those skilled in the art who understand the spirit of the present invention can add components within the scope of the same idea. It will be possible to easily propose other embodiments by changing, deleting, adding, etc., but it will be said that this is also within the scope of the present invention.
100: 반도체 소자 패키지 어셈블리 110: 회로기판
112: 제1기판층 114: 제2기판층
120: 발광소자 130: 구동소자
132: 열전달물질 140: 포토 다이오드
152: 제1열차단부재 154: 제2열차단부재
158: 열반사 코팅 162: 제1열방출부재
164: 제2열방출부재 166: 제3열방출부재
170: 하우징 180: 디퓨져
190: 윈도우 270: 하우징
272: 개구부 274: 접촉면
276: 열방사 코팅층 278: 전자방해잡음 차폐 코팅층
GND: 접지패턴100: semiconductor device package assembly 110: circuit board
112: first substrate layer 114: second substrate layer
120: light emitting element 130: driving element
132: heat transfer material 140: photodiode
152: first heat blocking member 154: second heat blocking member
158: heat reflection coating 162: first heat dissipating member
164: second heat dissipating member 166: third heat dissipating member
170: housing 180: diffuser
190: window 270: housing
272: opening 274: contact surface
276: thermal radiation coating layer 278: electromagnetic interference noise shielding coating layer
GND: ground pattern
Claims (17)
상기 회로기판에 실장되며, 레이저를 발신하는 발광소자;
상기 회로기판에 실장되며, 상기 발광소자를 제어하는 구동소자; 및
상기 구동소자에서 방출되는 열이 상기 발광소자에 전해지는 것을 차단하는 차단부;를 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.Circuit board;
A light emitting device mounted on the circuit board and emitting a laser;
A driving device mounted on the circuit board and controlling the light emitting device; And
A semiconductor device package assembly comprising a; a blocking unit that blocks heat emitted from the driving device from being transmitted to the light emitting device.
상기 회로기판은,
상기 구동소자 및 발광소자가 실장되는 세라믹 재질의 제1기판층; 및
상기 제1기판층의 하측에 형성되며, 상기 제1기판층보다 상대적으로 열전도도가 높은 재질의 제2기판층;을 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 1,
The circuit board,
A first substrate layer made of ceramic on which the driving device and the light emitting device are mounted; And
And a second substrate layer formed under the first substrate layer and made of a material having a relatively higher thermal conductivity than the first substrate layer.
상기 차단부는,
상기 발광소자와 상기 구동소자 사이에 상기 회로기판의 표면으로부터 돌출 형성되어, 상기 구동소자에서 방출되는 열이 상기 발광소자로 복사되는 것을 것을 차단하는 제1열차단부재를 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 1,
The blocking unit,
A semiconductor device package assembly comprising a first heat-blocking member formed between the light emitting device and the driving device to protrude from the surface of the circuit board to block the heat emitted from the driving device from being radiated to the light emitting device.
상기 차단부는,
상기 발광소자와 상기 구동소자 사이에 상기 회로기판의 내부에 매립되며, 열전도도가 높은 재질로 형성되며, 상기 회로기판을 통해 상기 발광소자로 전도되는 상기 구동소자의 열을 상기 회로기판의 외부로 방출하는 제2열차단부재를 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 1,
The blocking unit,
The heat of the driving device is buried in the circuit board between the light emitting device and the driving device, is formed of a material having high thermal conductivity, and conducts heat from the driving device to the light emitting device through the circuit board to the outside of the circuit board. A semiconductor device package assembly including a second heat blocking member that emits.
상기 회로기판의 각종 소자가 실장되는 영역 또는 그 주위에 상기 발광소자가 실장되는 일면부터 그 배면인 타면까지 관통되도록 형성되어, 상기 발광소자에서 발생되는 열 및 회로기판의 열을 외부로 방출하는 열방출부재를 더 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 1,
The heat generated by the light emitting device and the heat generated from the circuit board to the outside by being formed to penetrate from one surface where the light emitting device is mounted to the other surface of the light emitting device mounted around or around the area where various devices of the circuit board are mounted A semiconductor device package assembly further comprising an emission member.
전자파 차폐성 및 열전달성을 가지도록 이루어지고, 상기 회로기판의 상측을 덮으며, 상기 발광소자의 상측에 대응되는 영역에 개구부가 형성되며, 내측면이 상기 구동소자와 직접 접촉되도록 구비되는 하우징을 더 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 1,
Further comprising a housing made to have electromagnetic wave shielding property and heat transfer property, covering the upper side of the circuit board, having an opening formed in a region corresponding to the upper side of the light emitting device, and having an inner side in direct contact with the driving device. A semiconductor device package assembly comprising.
상기 차단부는,
상기 발광소자와 상기 구동소자 사이에 상기 제1기판층의 표면으로부터 돌출 형성되어, 상기 구동소자에서 방출되는 열이 상기 발광소자로 복사되는 것을 것을 차단하는 제1열차단부재; 및
상기 발광소자와 상기 구동소자 사이에 상기 제1기판층의 내부에 매립되며, 열전도도가 높은 재질로 형성되며, 상기 제1기판층을 통해 상기 발광소자로 전도되는 상기 구동소자의 열을 상기 제1기판층의 외부로 방출하는 제2열차단부재;를 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 2,
The blocking unit,
A first heat-blocking member protruding from the surface of the first substrate layer between the light emitting device and the driving device to block heat emitted from the driving device from being radiated to the light emitting device; And
The first substrate layer is buried between the light emitting element and the driving element, is formed of a material having high thermal conductivity, and is transferred to the light emitting element through the first substrate layer. A semiconductor device package assembly comprising a; a second heat blocking member emitting to the outside of the first substrate layer.
상기 제1열차단부재는,
그 표면에 열을 반사시키는 열반사코팅이 형성된 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 7,
The first heat blocking member,
A semiconductor device package assembly formed with a heat reflective coating that reflects heat on its surface.
상기 열반사코팅은 상기 제1열차단부재의 상기 구동소자를 향하는 측면에 형성되는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 8,
The heat reflection coating is formed on a side surface of the first heat blocking member facing the driving element.
상기 제2열차단부재는 접지패턴과 연결되어, 상기 접지패턴을 통해 제1기판층의 외부로 열을 방출하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 7,
The second heat-blocking member is connected to a ground pattern and radiates heat to the outside of the first substrate layer through the ground pattern.
상기 제1기판층의 상기 발광소자가 실장되는 영역에 상기 발광소자가 실장되는 일면부터 그 배면인 타면까지 관통하여 제2기판층에 연접되도록 형성되며, 상기 발광소자에서 발생되는 열을 제2기판층으로 전달하는 제1열방출부재를 더 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 2,
The first substrate layer is formed to pass through from one surface on which the light-emitting element is mounted to the other surface on which the light-emitting element is mounted to be connected to the second substrate layer in a region where the light-emitting element is mounted, A semiconductor device package assembly further comprising a first heat dissipating member for transferring to a layer.
상기 제1기판층의 일면부터 타면까지 관통하여 상기 제1기판층의 열을 전달하는 제2열방출부재; 및
상기 제2기판층의 일면부터 타면까지 관통하도록 형성되며, 상기 제1기판층의 타면에 형성된 제2열방출부재의 끝단부와 접촉하도록 구비되는 제3열방출부재;를 더 포함하여, 상기 제1기판층 및 제2기판층의 열을 상기 회로기판의 외부로 배출하도록 구비되는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 11,
A second heat dissipating member penetrating from one surface to the other surface of the first substrate layer to transfer heat from the first substrate layer; And
A third heat dissipating member formed to penetrate from one surface to the other surface of the second substrate layer and provided to contact an end portion of the second heat dissipating member formed on the other surface of the first substrate layer; A semiconductor device package assembly provided to discharge heat of the first substrate layer and the second substrate layer to the outside of the circuit board.
전자방해잡음 차폐성 및 열전달성을 가지도록 이루어지고, 상기 회로기판의 상측을 덮으며, 상기 발광소자의 상측에 대응되는 영역에 개구부가 형성되며, 내측면이 상기 구동소자와 직접 접촉되도록 구비되는 하우징; 및
상기 구동소자와 상기 하우징 사이에 개재되어 상기 구동소자의 열을 상기 하우징에 전달하는 열전달물질;을 더 포함하는 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method of claim 2,
Housing made to have electromagnetic interference noise shielding and heat transfer, covering the upper side of the circuit board, having an opening formed in a region corresponding to the upper side of the light emitting device, and having an inner surface in direct contact with the driving device ; And
A semiconductor device package assembly further comprising a heat transfer material interposed between the driving device and the housing to transfer heat from the driving device to the housing.
상기 하우징은,
금속재질로 형성되며, 그 표면에 열방사 코팅층이 형성되는 반도체 소자 어셈블리.The method of claim 13,
The housing,
A semiconductor device assembly formed of a metal material and having a heat radiation coating layer formed on the surface thereof.
상기 하우징은,
열전달성 플라스틱으로 형성되며, 내측 표면에 전자방해잡음 차폐 코팅층이 형성되는 반도체 소자 어셈블리.The method of claim 13,
The housing,
A semiconductor device assembly made of heat transferable plastic and having an electromagnetic interference noise shielding coating layer formed on the inner surface thereof.
상기 발광소자는 수직캐비티표면광방출레이져VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)인 반도체 소자 패키지 어셈블리.The method according to any one of claims 1 to 15,
The light emitting device is a vertical cavity surface light emitting laser VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) semiconductor device package assembly.
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