KR20200121427A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는. 기판; 상기 기판 상에 이격되어 배치된 제1 및 제2 화소 전극; 상기 제1 및 제2 화소 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2 화소 전극의 단부를 덮고, 계단식 단차가 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 배치된 보조 전극; 상기 제1 및 제2 화소 전극 상에 이격되어 배치되고, 제1 및 제2 발광층을 각각 포함하는 제1 및 제2 중간층; 상기 제1 및 제2 중간층 상에 이격되어 배치되고, 상기 보조 전극과 접촉하는 제1 및 제2 대향 전극; 상기 제1 및 제2 대향 전극 상에 이격되어 배치되고, 상기 제1 및 제2 대향 전극을 완전히 덮는 제1 및 제2 패시베이션층;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same}
본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 불량을 줄이고 공정을 간소화 할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시장치이다.
유기 발광층을 기판 위에 증착하기 위한 기술로 미세 금속 마스크(Fine Metal Mask, FMM)를 사용할 수 있으나, 금속 마스크의 섀도우 현상(shadow effect)으로 인해 고해상도의 유기 발광 표시 장치를 제작하는데 한계가 있어 대안적인 증착 기술이 요구된다.
본 발명의 실시예들은 불량을 줄이고 공정을 간소화 할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는. 기판; 상기 기판 상에 이격되어 배치된 제1 및 제2 화소 전극; 상기 제1 및 제2 화소 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2 화소 전극의 단부를 덮고, 계단식 단차가 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 배치된 보조 전극; 상기 제1 및 제2 화소 전극 상에 이격되어 배치되고, 제1 및 제2 발광층을 각각 포함하는 제1 및 제2 중간층; 상기 제1 및 제2 중간층 상에 이격되어 배치되고, 상기 보조 전극과 접촉하는 제1 및 제2 대향 전극; 상기 제1 및 제2 대향 전극 상에 이격되어 배치되고, 상기 제1 및 제2 대향 전극을 완전히 덮는 제1 및 제2 패시베이션층;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
상기 보조 전극은 상기 제1 및 제2 화소 전극 주위를 둘러싸는 폐루프 형상 일 수 있다.
상기 절연막은 상기 제1 및 제2 화소 전극 주위를 둘러싸는 폐루프 형상인 일 수 있다.
상기 절연막은 유기 절연물을 포함하는 제1 층과, 상기 제1 층을 덮는 무기 절연물을 포함하는 제2 층을 포함할 수 있다.
상기 절연막은 무기절연물을 포함하는 제1 층과, 상기 제1 층 상에 배치되고 유기 절연물을 포함하는 제2 층과, 상기 제2 층을 덮는 무기 절연물을 포함하는 제3층을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 대향 전극의 단부는 상기 보조 전극의 상면과 접촉할 수 있다.
상기 제1 및 제2 페시베이션층은 산화물, 질화물, 질산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 패시베이션층 상에 연속적으로 배치되고, 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함하는 봉지부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 대향 전극과 상기 제1 패시베이션층 사이에 배치된 제1 연결층; 및 상기 제2 대향 전극과 상기 제2 패시베이션층 사이에 배치된 제2 연결층;을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 연결층은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 상에 제1 화소 전극과 제2 화소 전극을 이격되도록 형성함; 상기 제1 및 제2 화소 전극의 단부를 덮으며 계단식 단차가 형성된 절연막을 형성함; 상기 절연막 상에 보조 전극을 형성함; 상기 제1 및 제2 화소 전극, 상기 절연막, 상기 보조 전극 상에, 제1 리프트오프층 및 제1 포토레지스트를 순차로 형성함; 상기 제1 리프트오프층 및 상기 제1 포토레지스트를 패터닝하여, 상기 제1 화소 전극의 상면, 상기 절연막의 상면, 및 상기 보조 전극의 상면을 노출하는 제1 개구를 형성함; 상기 제1 개구 및 상기 제1 포토레지스트 상에 제1 발광층을 포함하는 제1 중간층, 및 제1 대향 전극을 순차로 형성함; 상기 제1 대향 전극의 상면 및 단부를 완전히 덮도록 제1 패시베이션층을 형성함; 및 상기 제1 개구 외부에 잔존하는 제1 리프트오프층과 제1 포토레지스트를 제거함;을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
상기 제1 중간층은 제1 증착 공정으로 형성하고, 상기 제1 대향 전극은 제2 증착 공정으로 형성하고, 상기 제1 패시베이션층은 상기 제1 중간층 및 제1 대향 전극보다 스텝 커버리지를 크게 할 수 있는 제3 증착 공정으로 형성할 수 있다.
상기 제1 증착 공정 및 상기 제2 증착 공정은 물리적 기상 증착 공정을 이용할 수 있다.
상기 제3 증착 공정은 화학적 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정을 이용할 수 있다.
상기 제3 증착 공정은 화학적 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정을 이용할 수 있다.
상기 제3 증착 공정 후에, 드라이 에칭으로 상기 보조 전극 상에 형성된 제1제1 패시베이션층을 제거할 수 있다.
상기 제1 개구에서, 상기 제1 포토레지스트의 단부는 상기 제1 리프트오프층의 단부보다 돌출되고, 상기 제1 포토레지스트의 돌출된 영역은, 상기 제1 패시베이션층을 형성하는 공정에서 상기 기판 쪽으로 처지는 오버행(overhang) 구조를 형성할 수 있다.
상기 제1 대향 전극과 상기 제1 패시베이션층 사이에, 제1 연결층을 더 형성할 수 있다.
상기 제1 개구 외부에 잔존하는 제1 리프트오프층과 제1 포토레지스트를 제거한 후에, 상기 제2 화소 전극, 상기 절연막, 상기 보조 전극 상에, 제2 리프트오프층 및 제2 포토레지스트를 순차로 형성함; 상기 제2 리프트오프층 및 상기 제2 포토레지스트를 패터닝하여, 상기 제2 화소 전극의 상면, 상기 절연막의 상면, 및 상기 보조 전극의 상면을 노출하는 제2 개구를 형성함; 상기 제2 개구 및 상기 제2 포토레지스트 상에 제2 발광층을 포함하는 제2 중간층, 및 제2 대향 전극을 순차로 형성함; 상기 제2 대향 전극의 상면 및 단부를 완전히 덮도록 제2 패시베이션층을 형성함; 및 상기 제2 개구 외부에 잔존하는 제2 리프트오프층과 제2 포토레지스트를 제거함;을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 발광층에서 방출되는 색과 상기 제2 발광층에서 방출되는 색을 서로 다르게 형성할 수 있다.
상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 패시베이션층 상에 연속적으로 배치되고, 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함하는 봉지부재를 더 형성할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 발광층을 포함하는 중간층을 미세 금속 마스크를 사용하여 증착하는 대신 리프트오프 공정으로 형성하기 때문에, 미세 금속 마스크의 미스 얼라인 문제를 방지하고 제조원가를 절감할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 패시베이션층을 스텝 커버리지가 우수한 기상 증착 방법으로 형성함으로써, 대향 전극을 완전히 커버하여 발광 소자의 불량을 줄일 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 패시베이션층 형성 공정에서 포토레지스트 단부가 오버행되어 언더컷 공간이 줄어들어도, 화소 정의막에 계단식 단차를 형성하여 화소 정의막에 후퇴된 공간을 형성하여 후속공정을 원활하게 진행할 수 있다.
물론 상술한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 일부를 도시한 평면도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 방법에 관한 개략적인 공정도이다.
도 4는 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 기판(100) 위에 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103), 화소 정의막(110) 및 보조 전극(120)이 형성된 단계를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 화소 정의막(110)의 계단식 단차를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6 내지 8은 화소 정의막(110)의 다양한 실시예들을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 9a 내지 도 9g는 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제1 단위 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 10a 내지 도 10g는 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제2 단위 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 11a 내지 도 11g는 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제3 단위 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 12는 도 9e의 ⅩⅡ 부분을 확대한 단면도이다.
도 13은 도 9f의 ⅩⅢ 부분을 확대한 단면도이다.
도 14는 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 15는 도 14의 ⅩⅤ부분을 확대한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 일부를 도시한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(100) 상에 제1 화소 전극(101), 제2 화소 전극(102), 제3 화소 전극(103)를 포함하는 복수의 화소 전극이 서로 이격되어 배치된다.
화소 정의막(110)은 복수의 제1 내지 제3 화소 전극 (101, 102, 103)의 단부를 커버하며, 발광 영역을 정의하고 각 화소 전극 단부에서의 전계 집중을 방지한다.
화소 정의막(110) 상에는 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)과 이격된 보조 전극(120)이 배치되어 있다. 보조 전극(120)은 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)을 각각 둘러싸며 폐루프 형상으로 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103) 상에는 제1 내지 제3 발광층(미도시)을 포함하는 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303)이 각각 위치하고, 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303) 상에는 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)이 각각 위치한다.
제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)과, 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303)과, 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)은 각각 아일랜드 타입의 패턴을 갖는다. 아일랜드 타입의 패턴이란, 일정 영역이 그 일정 영역을 둘러싸는 다른 영역과 구별되는 섬 모양으로 패터닝 된 것일 수 있다.
본 실시예에서 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)은 각각 화소 정의막(110) 상으로 연장되어 보조 전극(120)의 상면과 접촉할 수 있다. 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)의 단부는 각각 보조 전극(120)의 단부와 중첩되어 각각 제1 내지 제3 중첩영역(OL1, OL2, OL3)를 형성할 수 있다.
도면에 도시되어 있지 않으나, 보조 전극(120)은 공통전원전압에 전기적으로 연결되고, 보조 전극(120)과 접촉하는 각 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)에 공통전원전압을 인가할 수 있다. 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)에 각각 구동 박막트랜지스터로부터(미도시) 구동전류가 전달되고, 보조 전극(120)을 통하여 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)에 공통전원전압이 인가되면, 제1 내지 제3 발광층(미도시)은 발광한다.
제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)과, 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303)은 각각 물리적 기상법(Physical Vapor Deposition: PVD)으로 증착 할 수 있다.
제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403) 상에 각각 아일랜드 타입의 패턴을 갖는 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)이 위치한다.
제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)은 물리적 기상법보다 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 화학적 기상법(Chemical Vapor Deposition: CVD) 또는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD)으로 증착 가능한 재료로 이루어질 수 있다. 일 실시예로 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)은 산화물, 질화물, 산화질화물 계열 물질을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)은 각각 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303)과 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)을 완전히 커버함으로써, 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303) 및 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)이 공정 중 열화되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)의 넓이는 각각 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303)과 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)의 넓이보다 넓은 면적으로 형성할 수 있다.
제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503) 및 보조 전극(120) 상에는 봉지 부재(700)가 배치될 수다. 있다. 봉지 부재(700)는 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 도 1에는 제1 무기층(701), 유기층(702) 및 제2 무기층(703)이 순차로 적층된 구조를 도시하고 있다.
유기층(702)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 무기층(701, 703)은 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3) 질화티타늄(TiN), 산화티타늄(TiO2), 산질화규소(SiON), 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
봉지 부재(700)는 투습을 방지하여 전술한 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)과 함께 수분에 취약한 유기 발광 소자의 손상을 방지할 수 있다.
제1 내지 제3 부화소(P1, P2, P3)에 위치하는 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303)에 포함되는 제1 내지 제3 발광층(미도시)는 서로 다른 색의 빛을 방출할 수 있다. 제1 부화소(P1)는 적색의 빛을, 제2 부화소(P2)는 녹색의 빛을, 제3 부화소(P3)는 청색의 빛을 방출할 수 있다. 본 실시예에서는 3개의 부화소가 배치된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 또한, 제1 내지 제3 부화소(P1, P2, P3)는 상술한 적색의 빛, 녹색의 빛, 청색의 빛뿐만 아니라 백색의 빛을 방출할 수 있다.
이하 도 3 내지 도 11g를 참조하여 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치(1)를 보다 상세히 설명한다.
도 3은 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 방법에 관한 개략적인 공정도이고, 도 4는 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 기판(100) 위에 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103), 화소 정의막(110) 및 보조 전극(120)이 형성된 단계를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 5는 화소 정의막(110)의 계단식 단차를 개략적으로 도시한 단면도이고 도 6 내지 8은 화소 정의막(110)의 다양한 실시예들을 개략적으로 도시한 단면도들이고, 도 9a 내지 도 9g는 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제1 단위 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이고, 도 10a 내지 도 10g는 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제2 단위 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이고, 도 11a 내지 도 11g는 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제3 단위 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이고, 도 12는 도 9e의 ⅩⅡ 부분을 확대한 단면도이고, 도 13은 도 9f의 ⅩⅢ 부분을 확대한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 방법은, 기판 상에 제1 화소 전극과, 제1 화소 전극과 이격된 제2 화소 전극을 형성함(S10), 상기 제1 및 제2 화소 전극의 단부를 덮으며 계단식 단차가 형성된 화소 정의막을 형성함(S20), 화소 정의막 상에 보조 전극을 형성함(S30), 제1 및 제2 화소 전극, 화소 정의막 및 보조 전극 상에 제1 리프트오프층 및 제1 포토레지스트를 순차로 형성함(S40), 제1 리프트오프층 및 제1 포토레지스트를 패터닝하여 제1 화소 전극의 상면, 화소 정의막의 상면, 및 보조 전극의 상면을 노출하는 제1 개구를 형성함(S50), 제1 개구 및 제1 포토레지스트 상에 제1 발광층을 포함하는 제1 중간층, 및 제1 대향 전극을 순차로 형성함(S60), 제1 대향 전극의 상면 및 단부를 완전히 덮도록 제1 패시베이션층을 형성함(S70), 및 제1 개구 외부에 잔존하는 제1 리프트오프층 및 제1 포토레지스트를 제거함(S80)을 포함한다. 이하 도 4 내지 도 9를 참조하여 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 방법을 상세히 설명한다.
도 4를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 화소 전극(101), 제2 화소 전극(102) 및 제3 화소 전극(103)을 포함하는 복수의 화소 전극을 형성한다.
기판(100)은 다양한 재질을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 기판(100)은 유리 또는 플라스틱을 이용하여 형성할 수 있다. 플라스틱은 폴리이미드 (polyimide), 폴리에틸렌나프탈레이트 (polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate), 폴리아릴레이트 (Polyarylate), 폴리카보네이트 (polycarbonate), 폴리에테르이미드 (Polyetherlmide), 또는 폴리에테르술폰 (Polyethersulfone) 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 소재로 만들어 질 수 있다.
도 4에는 도시되어 있지 않으나, 기판(100)의 상부에 평활한 면을 형성하고 불순 원소가 침투하는 것을 차단하기 위한 버퍼층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 예들 들어, 버퍼층(미도시)은 실리콘질화물 및/또는 실리콘산화물 등으로 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다.
제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)은 도전성 물질층(미도시)을 형성한 후 이를 아일랜트 타입으로 패터닝하여 형성할 수 있다.
도전성 물질층은 Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막을 포함할 수 있다. 또는 도전성 물질은 전술한 반사막과, 반사막의 위 및/또는 아래에 형성된 투명 도전성 산화물(TCO)막을 더 포함할 수 있다. 또는, 도전성 물질층은 은(Ag) 또는 은(Ag) 합금을 포함하는 박막일 수 있다 또는 도전성 물질은 전술한 박막과, 박막 위 및/또는 아래에 형성된 투명 도전성 산화물막을 더 포함할 수 있다. 도전성 물질층에 따라, 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)은, 반사 전극이거나 투광성 전극일 수 있다.
제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)이 형성된 기판(100) 상에 절연막(미도시)을 형성하고 이를 패터닝하여 계단식 단차가 형성된 화소 정의막(110)을 형성한다. 화소 정의막(110)은 제1 내지 제3 화소 전극 (101, 102, 103)의 단부를 커버한다.
도 5를 참조하여, 계단식 단차가 형성된 화소 정의막(110)의 형상을 보다 상세히 설명한다.
화소 정의막(110)은 제1 화소 전극(101)과 접촉하고 제1 경사각(θ1)을 갖는 제1 면(S1), 제1 면(S1)의 단부에서 기판(100)이 연장된 방향으로 연장된 제2 면(S2), 제2 면(S2)의 단부에서 연장되고 제2 경사각(θ2)을 갖는 제3 면(S3), 제3 면(S3)의 단부에서 기판(100)이 연장된 방향으로 연장된 제4 면(S4), 제4 면(S4)의 단부에서 연장되고 제3 경사각(θ3)을 갖는 제5 면(S5), 제5 면의 단부에서 기판(100)이 연장된 방향으로 연장된 제6 면(S6), 제6 면(S6)의 단부에서 연장되고 제4 경사각(θ4)을 갖는 제7 면(S7)을 가질 수 있다.
제1 내지 제4 경사각(θ1, θ2, θ3, θ4)은 동일하거나 서로 다른 경사각일 수 있다. 예를 들어, 제1 경사각(θ1)과 제4 경사각(θ4) 및 제2 경사각(θ2)과 제3 경사각(θ3)은 실질적으로 동일하게 형성되어 화소 정의막(110)은 대칭적 형상일 수 있다. 또한 제1 경사각(θ1) 자체는 하나의 고정된 경사각이 아니라 제1 면(S1)의 각 지점에서 변화하는 경사각일 수 있다. 마찬가지로 제2 내지 제4 경사각(θ2, θ3, θ4)도 각각 하나의 고정된 경사각이 아니라 제3 면(S3), 제5 면(S5), 제7 면(S7)의 각 지점에서 변화하는 경사각일 수 있다.
한편, 도 5에는 제2 면(S2), 제4 면(S4) 및 제6 면(S6)이 경사가 없는 편평한 면으로 도시되어 있으나, 경사각이 0도인 것에 한정되지 않는다. 제2 면(S2), 제4 면(S4) 및 제6 면(S6)은 경사가 형성된 제1 면(S1), 제3 면(S3), 제5 면(S5), 및 제7 면(S7)과 비교하여 경사가 매우 작은 것으로 이해될 수 있다.
본 실시예에서 화소 정의막(110)은 제1 면(S1)과 제4 면(S4) 사이에 계단식 단차(SC1)가 형성됨으로써, 단차가 형성되지 않은 가상의 화소 정의막의 면(S0)과 비교할 때 화소 정의막(110)의 중심 방향으로 후퇴된 공간(SP)을 확보할 수 있다. 이와 같이 후퇴된 공간(SP)은 후술할 패시베이션의 증착 공정에서 포토레지스트의 오버행 처짐 발생으로 인해 언더컷 하부의 증착공간이 줄어들어 후속공정을 원활하게 진행할 수 없는 문제를 해결할 수 있다. 이에 대해서는 이후에 상세히 설명한다.
화소 정의막(110)은 유기 절연재 또는 무기 절연재로 형성될 수 있다.
유기 절연재는 일반 범용고분자(PMMA, PS), 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.. 무기 절연재로 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 및 실리콘 질산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 5에는 화소 정의막(110)이 유기 절연재 또는 무기 절연재로 형성된 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 화소 정의막(110)은 유기 절연재와 무기 절연재가 함께 사용될 수 있다.
예를 들어, 도 6을 참조하면, 화소 정의막(110)은 계단식 단차(SC1)가 형성된 유기 절연재를 포함하는 제1 층(111)과, 제1 층(111)을 완전히 커버하며 계단식 단차(SC1)가 형성된 무기 절연재를 포함하는 제2 층(112)을 포함하는 구조일 수 있다.
도 7을 참조하면, 화소 정의막(110)은 무기 절연재를 포함하는 제1 층(113)과, 제1 층(113) 상에 제1 층(113)의 상면보다 작은 저면을 가지고 유기 절연재를 포함하는 제2 층(114)과, 제2 층(114)을 커버하며 무기 절연재를 포함하는 제3 층(115)을 포함하는 구조일 수 있다. 제2 층(114)의 저면을 제1 층(113)의 상면보다 작게 형성하여 계단식 단차(SC1)를 형성한 구조이다.
도 6 및 도 7과 같이, 화소 정의막(110)의 최외각을 무기 절연재로 둘러쌈으로써, 후술할 리트프오프 제거 공정과 같은 습식공정에서 수분이 화소 정의막(110)을로 침투하여 발광소자에 영향을 끼치는 것을 차단할 수 있다.
도 8을 참조하면, 화소 정의막(110)은 2개의 계단식 단차(SC1, SC2)가 형성된 구조일 수 있다. 또한, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 단차는 3개 이상 형성될 수 있으며, 좌우 대칭이 아닌 비대칭으로 형성될 수 있음은 물론이다.
도 4에는 도시되어 있지 않으나 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)는, 기판(100)과 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103) 사이에 위치하는 제1 내지 제3 박막트랜지스터(미도시)에 각각 전기적으로 접속되도록 형성될 수 있다.
화소 정의막(110) 상에 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)과 이격된 보조 전극(120)이 배치된다. 보조 전극(120)은 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)을 각각 둘러싸며 폐루프 형상으로 형성될 수 있다.
도 9a를 참조하면, 도 4의 구조물 상에 제1 리프트오프층(LOL1) 및 제1 포토레지스트(PR1)가 순차로 형성된다.
제1 리프트오프층(LOL1)은 비감광 유기물일 수 있다. 제1 리프트오프층(LOL1)은 불소중합체(fluoroploymer)를 포함할 수 있다. 제1 리프트오프층(LOL1)에 포함되는 불소중합체는 20~60 wt%의 불소 함량을 포함하는 고분자(polymer)로 형성할 수 있다. 예를 들어, 불소중합체는 폴리테트라플루오로에틸렌 (polytetrafluoroethylene,), 폴리클로로트리플루오로에틸렌 (polychlorotrifluoroethylene,), 폴리디클로로디플루오로에틸렌 (polydichlorodifluoroethylene), 클로로트리플루오로에틸렌 (chlorotrifluoroethylene)과 디클로로디플루오로에틸렌과의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌 (tetrafluoroethylene)과 퍼플루오로알킬비닐에테르 (perfluoroalkylvinylether)와의 공중합체, 클로로트리플루오로에틸렌 (chlorotrifluoroethylene)과 퍼플루오로알킬비닐에테르 (perfluoroalkylvinylether)와의 공중합체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 리프트오프층(LOL1)은 도포법, 인쇄법, 증착법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
제1 리프트오프층(LOL1) 상에 제1 포토레지스트(PR1)를 형성한다. 광투과부(M11)와 광차단부(M12)를 포함하는 제1 포토마스크(M1)를 통하여 제1 화소 전극(101)에 대응되는 위치의 제1 포토레지스트(PR1)를 노광한다.
도 9b를 참조하면, 제1 포토레지스트(PR1)를 현상(develop)한다. 제1 포토레지스트(PR1)는 포지티브 형 또는 네가티브 형 어느 것도 가능하다. 본 실시예에서는 포지티브 형을 예로 설명한다. 현상된 제1 포토레지스트(PR1)는 제1 화소 전극(101)에 대응하는 부분에 제1 개구(C1) 가 형성된다.
도 9c를 참조하면, 도 9b의 패터닝 된 제1 포토레지스트(PR1)를 식각 마스크로 하여 제1 리프트오프층(LOL1)을 에칭한다.
제1 리프트오프층(LOL1)이 불소중합체를 포함하는 경우, 식각액은 불소중합체를 식각 할 수 있는 용매를 사용한다. 제1 용매는 히드로플루오로에테르(hydrofluoroether)를 포함할 수 있다. 히드로플루오로에테르는 다른 소재와의 상호작용이 낮아 전자화학적으로 안정적인 재료이고, 지구 온난화 계수와 독성이 낮아서 환경적으로 안정적인 재료이다.
식각 공정에 의해, 제1 리프트오프층(LOL1) 에칭 시, 불소를 포함하는 제1 용매는 제1 포토레지스트(PR1)의 제1 개구(C1) 아래에서 제1 언더컷(UC1)을 형성하고, 제1 화소 전극(101)의 상면, 화소 정의막(110)의 일부, 및 보조 전극(120)의 상면을 노출시키는 제2 개구(C2)를 형성한다. 제1 언더컷(UC1)이 형성됨으로써 제1 화소 전극(101) 상에 보다 넓은 증착 공간을 확보할 수 있다.
도 9d를 참조하면, 도 9c의 구조물 상에 제1 발광층(미도시)를 포함하는 제1 중간층(301) 및 제1 대향 전극(401)을 형성한다.
제1 중간층(301) 및 제1 대향 전극(401)은 진공 증착으로 형성한다. 챔버(미도시)에 증착원(미도시)을 배치하고, 증착원(미도시) 방출된 물질이 기판(100)을 향해 입사하도록 증착입사각을 조절하며 증착한다.
제1 중간층(301)은 제1 발광층(미도시) 외, 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transport layer), 전자수송층(electron transport layer), 및 전자주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 포함하도록 형성할 수 있다.
제1 대향 전극(401)은 투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일 실시예로, 제1 대향 전극(401)은 Ag, Mg, Al, Yb, Ca, Li, 및 Au 중 적어도 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 금속박막 또는 금속후막일 수 있다. 제1 대향 전극(401)은 제1 중간층(301)을 덮는 형태로 형성되기 때문에 수분과 산소에 취약한 제1 중간층(301)을 보호하는 보호막 역할을 할 수 있다.
제1 중간층(301)은 제2 개구(C2)에 위치하는 제1 화소 전극(101)의 상면, 화소 정의막(110)의 일부에 증착되고, 제1 포토레지스트(PR1) 상부에도 적층된다.
제1 대향 전극(401)은 제2 개구(C2)에 위치하는 제1 화소 전극(101)의 상면, 화소 정의막(110)의 일부, 및 보조 전극(120)의 일부에 증착되고, 제1 포토레지스트(PR1) 상부에도 적층된다.
제1 중간층(301)과 제1 대향 전극(401)은 물리적 기상 증착(PVD) 공정으로 증착 할 수 있다. 일 실시예로 제1 중간층(301)은 스퍼터링(Sputtering), 열증착법 (Thermal evaporation), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 레이저분자빔증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (Pulsed Laser Deposition) 중 하나의 공정으로 증착될 수 있다. 증착 입사각, 챔버 압력, 온도, 반응가스 등을 조절하여 제1 대향 전극(401)이 제1 중간층(301)을 커버하고 보조 전극(120)과 접촉하도록 형성한다.
도 9e를 참조하면, 도 9d의 구조물 상에 제1 패시베이션층(501)을 형성한다. 제1 패시베이션층(501)은 제1 대향 전극(401)의 상면 및 단부를 완전히 덮도록 형성된다. 제1 패시베이션층(501)은 물리적 기상 증착보다 스텝 커버리지가 우수한 화학적 기상 증착(CVD) 공정 또는 원자층 증착(ALD)공정으로 증착 할 수 있다. 일 실시예로 제1 패시베이션층(501)은 열 CVD(thermal CVD), 플라즈마 CVD, MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 중 하나의 공정으로 증착될 수 있다.
화학적 기상 증착 또는 원자층 증착 결과, 제1 패시베이션층(501)은 제1 포토레지스트(PR1) 상부에도 적층된다. 또한, 제1 언더컷(UC1)이 형성된 영역에서, 제1 포토레지스터(PR1)의 하면, 보조 전극(110)의 상면, 제1 리프트오프층(LOL1)의 측면에도 증착된다.
화학적 기상 증착(CVD) 공정 또는 원자층 증착(ALD)공정으로 제1 패시베이션층(501)을 증착하는 동안, 제1 패시베이션층(501)에 가해지는 압축 스트레스(compressive stress)로 인해, 제1 언더컷(UC1)이 형성된 제1 포토레지스트(PR1)의 단부가 기판(100)쪽으로 처지면서 오버행(overhang) 구조가 형성된다. 즉, 제1 포토레지스트(PR1)의 단부는 압축 스트레스(compressive stress)가 발생하기 전의 제1 포토레지스트(PR1)의 저면에 비해 일정 높이(H1)만큼 기판(100)쪽으로 하강함으로써, 오버행 구조의 제1 포토레지스트(PR1)의 저면과 제2 개구(C2)에 배치된 제1 패시베이션층(501) 사이의 공간이 줄어들게 된다.
오버행 구조의 처짐 발생으로, 제1 포토레지스트(PR1)의 저면과 제2 개구(C2)에 배치된 제1 패시베이션층(501) 사이의 공간이 줄어들게 됨으로써, 후술할 드라이 에칭 공정에서 공정 마진이 감소하여 제1 리프트오프층(LOL1)이 완전히 제거되지 않는 문제가 발생할 수 있다. 그러나, 본 실시예에서 전술한 도 5에서 설명하였듯이 화소 정의막(110)을 계단식 단차(SC1, 도 5 참조)가 형성된 구조로 형성함으로써 화소 정의막(110)에 후퇴된 공간(SP, 도 5 참조)을 형성함으로써, 후속 공정의 마진을 확보할 수 있다.
도 9e의 ⅩⅡ부분을 확대한 도 12를 참조하면, 제1 언더컷(UC1)이 형성된 영역근방에서, 제1 포토레지스터(PR1)의 하면, 보조 전극(120)의 상면, 제1 리프트오프층(LOL1)의 측면에 증착된 제1 패시베이션층(501)의 두께(D2)는, 제1 대향 전극(401)의 상면에 증착된 제1 패시베이션층(501)의 두께(D1)와 제1 리프트오프층(LOL1)의 상면에 증착된 제1 패시베이션층(501)의 두께(D3)보다 얇다.
도 9f를 참조하면, 도 9e의 구조물에 대해 드라이 에칭(dry etching) 공정을 실시한다. 드라이 에칭 결과, 1 언더컷(UC1)이 형성된 영역 근방에서 제1 패시베이션층(501)이 식각되어 제거된다.
도 9f의 ⅩⅢ부분을 확대한 도 13을 참조하면, 제1 패시베이션층(501)의 두께가 줄어든 것을 알 수 있다. 제1 대향 전극(401)의 상면에 증착된 제1 패시베이션층(501)의 두께(D1')와 제1 리프트오프층(LOL1)의 상면에 증착된 제1 패시베이션층(501)의 두께(D3')는 드라이 에칭 전의 도 12와 비교 시 두께가 줄어들었고, 제1 언더컷(UC1)이 형성된 영역 근방에서, 제1 포토레지스터(PR1)의 하면, 보조 전극(120)의 상면, 제1 리프트오프층(LOL1)의 측면에 증착된 제1 패시베이션층(501)의 두께(D2')는 드라이 에칭 전과 비교하여 줄어들어 완전히 제거되었다.
도 9g를 참조하면, 도 9f의 구조물에 대하여 리프트오프 공정을 수행한다. 리프트오프 공정은 챔버(미도시) 외부에서 실시할 수 있다. 일 실시예로 리프트오프 공정은 상온의 대기 중에서 실시할 수도 있다.
제1 리프트오프층(LOL1)이 불소중합체를 포함하는 경우, 불소를 포함하는 제2용매를 사용하여 제1 리프트오프층(LOL1)을 제거할 수 있다. 제1 발광층(미도시)을 포함하는 제1 중간층(301) 형성 후 리프트오프 공정을 실시하기 때문에, 제2 용매는 제1 중간층(301)과의 반응성이 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 제2 용매는 제1 용매와 같이 히드로플루오로에테르(hydrofluoroether)를 포함할 수 있다.
리프트오프 결과, 제1 화소 전극(101) 상에 배치된 제1 중간층(301), 제1 대향 전극(401) 및 제1 패시베이션층(501)이 패턴으로 남는다.
본 실시예에서는 제1 패시베이션층(501)을 스탭 커버리지가 큰 증착 방법으로 형성하였기 때문에, 제1 패시베이션층(501)은 제1 대향 전극(401)을 완전히 커버하여, 습식 공정인 리프트오프 공정 중에서 손상될 수 있는 제1 대향 전극(401) 및 제1 중간층(301)을 보호한다.
한편, 스탭 커버리지가 큰 증착 공정을 실시한 결과, 제1 언더컷(UC1)이 형성된 영역 근방, 예를 들어 도 12에서 제1 리프트오프층(LOL1)의 하면과 화소 정의막(110)의 상면이 만나는 영역(A1)에 증착된 제1 패시베이션층(501)은 리프트오프 공정에 장애가 될 수 있다. 그러나, 본 실시예에서는 드라이 에칭을 실시하여 해당 영역(A1)의 제1 패시베이션층(501)을 제거한 후, 리프트오프 공정을 진행할 수 있다.
그리고, 본 실시예는 화소 정의막(110)을 계단식 단차(SC1, 도 5 참조)가 형성된 구조로 형성함으로써 화소 정의막(110)에 후퇴된 공간(SP, 도 5 참조)을 형성함으로써, 드라이 에칭 공정의 마진을 확보할 수 있다.
이하 제2 단위 공정에 대해 설명한다. 제1 단위 공정과 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 10a를 참조하면, 도 9g의 구조물 상에 제2 리프트오프층(LOL2) 및 제2 포토레지스트(PR2)가 순차로 형성된다.
제2 리프트오프층(LOL2)은 제1 리프트오프층(LOL1)과 동일한 물질일 수 있다. 제2 리프트오프층(LOL2)은 도포법, 인쇄법, 증착법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
제2 리프트오프층(LOL2) 상에 제2 포토레지스트(PR2)를 형성한다. 광투과부(M21)와 광차단부(M22)를 포함하는 제2 포토마스크(M2)를 통하여 제2 화소 전극(102)에 대응되는 위치의 제2 포토레지스트(PR2)를 노광한다.
도 10b를 참조하면, 제2 포토레지스트(PR2)를 현상한다. 현상된 제2 포토레지스트(PR2)는 제2 화소 전극(102)에 대응하는 부분에 제3 개구(C3) 가 형성된다.
도 10c를 참조하면, 도 10b의 패터닝 된 제2 포토레지스트(PR2)를 식각 마스크로 하여 제2 리프트오프층(LOL2)을 에칭한다.
제2 리프트오프층(LOL2)이 불소중합체를 포함하는 경우, 식각액은 불소중합체를 식각 할 수 있는 용매를 사용한다. 제1 용매는 히드로플루오로에테르(hydrofluoroether)를 포함할 수 있다.
식각 공정에 의해, 제2 리프트오프층(LOL2) 에칭 시, 불소를 포함하는 제1 용매는 제2 포토레지스트(PR2)의 제3 개구(C3) 아래에서 제2 언더컷(UC2)을 형성하고, 제2 화소 전극(102)의 상면, 화소 정의막(110)의 일부, 및 보조 전극(120)의 상면을 노출시키는 제4 개구(C4)를 형성한다. 제2 언더컷(UC2)이 형성됨으로써 제2 화소 전극(102) 상에 보다 넓은 증착 공간을 확보할 수 있다.
도 10d를 참조하면, 도 10c의 구조물 상에 제2 발광층(미도시)를 포함하는 제2 중간층(302) 및 제2 대향 전극(402)을 형성한다.
제2 중간층(302) 및 제2 대향 전극(402)은 진공 증착으로 형성한다. 챔버(미도시)에 증착원(미도시)을 배치하고, 증착원(미도시) 방출된 물질이 기판(100)을 향해 입사하도록 증착입사각을 조절하며 증착한다.
제2 중간층(302)은 제2 발광층(미도시) 외, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 하나를 더 포함하도록 형성할 수 있다.
제2 대향 전극(402)은 투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제2 대향 전극(402)은 제2 중간층(302)을 덮는 형태로 형성되기 때문에 수분과 산소에 취약한 제2 중간층(302)을 보호하는 보호막 역할을 할 수 있다.
제2 중간층(301)은 제4 개구(C4)에 위치하는 제2 화소 전극(102)의 상면, 화소 정의막(110)의 일부에 증착되고, 제2 포토레지스트(PR2) 상부에도 적층된다.
제2 대향 전극(401)은 제4 개구(C4)에 위치하는 제2 화소 전극(102)의 상면, 화소 정의막(110)의 일부, 및 보조 전극(120)의 일부에 증착되고, 제2 포토레지스트(PR2) 상부에도 적층된다.
제1 단위 공정과 같이, 제2 중간층(302)과 제2 대향 전극(402)은 물리적 기상 증착(PVD) 공정으로 증착할 수 있다.증착 입사각, 챔버 압력, 온도, 반응가스 등을 조절하여 제2 대향 전극(402)이 제2 중간층(302)을 커버하고 보조 전극(120)과 접촉하도록 형성한다.
도 10e를 참조하면, 도 10d의 구조물 상에 제2 패시베이션층(502)을 형성한다. 제2 패시베이션층(502)은 제2 대향 전극(402)의 상면 및 단부를 완전히 덮도록 형성된다. 제2 패시베이션층(502)은 물리적 기상 증착보다 스텝 커버리지가 우수한 화학적 기상 증착(CVD) 공정 또는 원자층 증착(ALD)공정으로 증착 할 수 있다.
화학적 기상 증착 또는 원자층 증착 결과, 제2 패시베이션층(502)은 제2 포토레지스트(PR2) 상부에도 적층된다. 또한, 제2 언더컷(UC2)이 형성된 영역에서, 제2 포토레지스터(PR2)의 하면, 화소 정의막(110)의 상면, 제2 리프트오프층(LOL2)의 측면에도 증착된다.
화학적 기상 증착(CVD) 공정 또는 원자층 증착(ALD)공정으로 제2 패시베이션층(502)을 증착하는 동안, 제2 패시베이션층(502)에 가해지는 압축 스트레스(compressive stress)로 인해, 제2 언더컷(UC2)이 형성된 제2 포토레지스트(PR2)의 단부가 기판(100)쪽으로 처지면서 오버행(overhang) 구조가 형성된다. 즉, 제2 포토레지스트(PR2)의 단부는 압축 스트레스(compressive stress)가 발생하기 전의 제2 포토레지스트(PR2)의 저면에 비해 일정 높이(H2)만큼 기판(100)쪽으로 하강함으로써, 오버행 구조의 제2 포토레지스트(PR2)의 저면과 제4 개구(C4)에 배치된 제2 패시베이션층(502) 사이의 공간이 줄어들게 된다. 그러나, 본 실시예에서 전술한 도 5에서 설명하였듯이 화소 정의막(110)을 계단식 단차(SC1, 도 5 참조)가 형성된 구조로 형성함으로써 화소 정의막(110)에 후퇴된 공간(SP, 도 5 참조)을 형성함으로써, 후속 공정의 마진을 확보할 수 있다.
도 10f를 참조하면, 도 10e의 구조물에 대해 드라이 에칭(dry etching) 공정을 실시한다. 드라이 에칭 결과, 제2 언더컷(UC2)이 형성된 영역 근방에서 제2 패시베이션층(502)이 식각되어 제거된다.
도 10g를 참조하면, 도 10f의 구조물에 대하여 리프트오프 공정을 수행한다. 리프트오프 공정은 챔버(미도시) 외부에서 실시할 수 있다. 일 실시예로 리프트오프 공정은 상온의 대기 중에서 실시할 수도 있다.
제2 리프트오프층(LOL2)이 불소중합체를 포함하는 경우, 불소를 포함하는 제2용매를 사용하여 제2 리프트오프층(LOL2)을 제거할 수 있다. 제2 발광층(미도시)을 포함하는 제2 중간층(302) 형성 후 리프트오프 공정을 실시하기 때문에, 제2 용매는 제2 중간층(302)과의 반응성이 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 제2 용매는 제1 용매와 같이 히드로플루오로에테르(hydrofluoroether)를 포함할 수 있다.
리프트오프 결과, 제2 화소 전극(102) 상에 배치된 제2 중간층(302), 제2 대향 전극(402) 및 제2 패시베이션층(502)이 패턴으로 남는다.
이하 제3 단위 공정에 대해 설명한다. 제1 및 제2 단위 공정과 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 11a를 참조하면, 도 10g의 구조물 상에 제3 리프트오프층(LOL3) 및 제3 포토레지스트(PR3)가 순차로 형성된다.
제3 리프트오프층(LOL3)은 제1 및 제2 리프트오프층(LOL1, LOL2)과 동일한 물질일 수 있다. 제3 리프트오프층(LOL3)은 도포법, 인쇄법, 증착법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
제3 리프트오프층(LOL3) 상에 제3 포토레지스트(PR3)를 형성한다. 광투과부(M31)와 광차단부(M32)를 포함하는 제3 포토마스크(M3)를 통하여 제3 화소 전극(103)에 대응되는 위치의 제3 포토레지스트(PR3)를 노광한다.
도 11b를 참조하면, 제3 포토레지스트(PR3)를 현상한다. 현상된 제3 포토레지스트(PR3)는 제3 화소 전극(103)에 대응하는 부분에 제5 개구(C5) 가 형성된다.
도 11c를 참조하면, 도 11b의 패터닝 된 제3 포토레지스트(PR3)를 식각 마스크로 하여 제3 리프트오프층(LOL3)을 에칭한다.
제3 리프트오프층(LOL3)이 불소중합체를 포함하는 경우, 식각액은 불소중합체를 식각 할 수 있는 용매를 사용한다. 제1 용매는 히드로플루오로에테르(hydrofluoroether)를 포함할 수 있다.
식각 공정에 의해, 제3 리프트오프층(LOL3) 에칭 시, 불소를 포함하는 제1 용매는 제3 포토레지스트(PR3)의 제5 개구(C5) 아래에서 제3 언더컷(UC3)을 형성하고, 제3 화소 전극(103)의 상면, 화소 정의막(110)의 일부, 및 보조 전극(120)을 노출시키는 제6 개구(C6)를 형성한다. 제3 언더컷(UC3)이 형성됨으로써 제3 화소 전극(103) 상에 보다 넓은 증착 공간을 확보할 수 있다.
도 11d를 참조하면, 도 11c의 구조물 상에 제3 발광층(미도시)를 포함하는 제3 중간층(303)및 제3 대향 전극(403)을 형성한다.
제3 중간층(303) 및 제3 대향 전극(403)은 진공 증착으로 형성한다. 챔버(미도시)에 증착원(미도시)을 배치하고, 증착원(미도시) 방출된 물질이 기판(100)을 향해 입사하도록 증착입사각을 조절하며 증착한다.
제3 중간층(303)은 제3 발광층(미도시) 외, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 하나를 더 포함하도록 형성할 수 있다.
제3 대향 전극(403)은 투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제3 대향 전극(403)은 제3 중간층(303)을 덮는 형태로 형성되기 때문에 수분과 산소에 취약한 제3 중간층(303)을 보호하는 보호막 역할을 할 수 있다.
제3 중간층(303)은 제6 개구(C6)에 위치하는 제3 화소 전극(103)의 상면, 화소 정의막(110)의 일부에 증착되고, 제3 포토레지스트(PR3) 상부에도 적층된다.
제3 대향 전극(403)은 제6 개구(C6)에 위치하는 제3 화소 전극(103)의 상면, 화소 정의막(110)의 일부, 및 보조 전극(120)의 일부에 증착되고, 제3 포토레지스트(PR3) 상부에도 적층된다.
제2 단위 공정과 같이, 제3 중간층(303)과 제3 대향 전극(403)은 물리적 기상 증착(PVD) 공정으로 증착할 수 있다. 증착 입사각, 챔버 압력, 온도, 반응가스 등을 조절하여 제3 대향 전극(403)이 제3 중간층(303)을 커버하고 보조 전극(120)과 접촉하도록 형성한다.
도 11e를 참조하면, 도 11d의 구조물 상에 제3 패시베이션층(503)을 형성한다. 제3 패시베이션층(503)은 제3 대향 전극(403)의 상면 및 단부를 완전히 덮도록 형성된다. 제3 패시베이션층(503)은 물리적 기상 증착보다 스텝 커버리지가 우수한 화학적 기상 증착(CVD) 공정 또는 원자층 증착(ALD)공정으로 증착 할 수 있다.
화학적 기상 증착 또는 원자층 증착 결과, 제3 패시베이션층(503)은 제3 포토레지스트(PR3) 상부에도 적층된다. 또한, 제3 언더컷(UC3)이 형성된 영역에서, 제3 포토레지스터(PR3)의 하면, 화소 정의막(110)의 상면, 제3 리프트오프층(LOL3)의 측면에도 증착된다.
화학적 기상 증착(CVD) 공정 또는 원자층 증착(ALD)공정으로 제3 패시베이션층(503)을 증착하는 동안, 제3 패시베이션층(503)에 가해지는 압축 스트레스(compressive stress)로 인해, 제3 언더컷(UC3)이 형성된 제3 포토레지스트(PR3)의 단부가 기판(100)쪽으로 처지면서 오버행(overhang) 구조가 형성된다. 즉, 제3 포토레지스트(PR3)의 단부는 압축 스트레스가 발생하기 전의 제3 포토레지스트(PR3)의 저면에 비해 일정 높이(H3)만큼 기판(100)쪽으로 하강함으로써, 오버행 구조의 제3 포토레지스트(PR3)의 저면과 제6 개구(C6)에 배치된 제3 패시베이션층(503) 사이의 공간이 줄어들게 된다. 그러나, 본 실시예에서 전술한 도 5에서 설명하였듯이 화소 정의막(110)을 계단식 단차(SC1, 도 5 참조)가 형성된 구조로 형성함으로써 화소 정의막(110)에 후퇴된 공간(SP, 도 5 참조)을 형성함으로써, 후속 공정의 마진을 확보할 수 있다.
도 11f를 참조하면, 도 11e의 구조물에 대해 드라이 에칭(dry etching) 공정을 실시한다. 드라이 에칭 결과, 제3 언더컷(UC3)이 형성된 영역 근방에서 제3 패시베이션층(503)이 식각되어 제거된다.
도 11g를 참조하면, 도 11f의 구조물에 대하여 리프트오프 공정을 수행한다. 리프트오프 공정은 챔버(미도시) 외부에서 실시할 수 있다. 일 실시예로 리프트오프 공정은 상온의 대기 중에서 실시할 수도 있다.
제3 리프트오프층(LOL3)이 불소중합체를 포함하는 경우, 불소를 포함하는 제3용매를 사용하여 제3 리프트오프층(LOL3)을 제거할 수 있다. 제3 발광층(미도시)을 포함하는 제3 중간층(303) 형성 후 리프트오프 공정을 실시하기 때문에, 제3 용매는 제3 중간층(303)과의 반응성이 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 제3 용매는 제2 용매와 같이 히드로플루오로에테르(hydrofluoroether)를 포함할 수 있다.
리프트오프 결과, 제3 화소 전극(103) 상에 배치된 제3 중간층(303), 제3 대향 전극(403) 및 제3 패시베이션층(503)이 패턴으로 남는다.
제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)상에는 봉지 부재(700)가 배치될 수다. 있다. 봉지 부재(700)는 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 도 1에는 제1 무기층(701), 유기층(702) 및 제2 무기층(703)이 순차로 적층된 구조를 도시하고 있다.
상술한 제1 내지 제3 단위 공정을 실시한 후, 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503) 상면을 모두 커버하는 봉지 부재(700 도 1 참조)가 배치된다.
봉지 부재(700)는 투습을 방지하여 전술한 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)과 함께 수분에 취약한 유기 발광 소자의 손상을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 실시예에서는 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)을 스탭 커버리지가 큰 증착 방법으로 형성하였기 때문에, 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)은 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)을 완전히 커버하여, 습식 공정인 리프트오프 공정 중에서 손상될 수 있는 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403) 및 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303)을 보호할 수 있다.
또한, 화소 정의막(110)을 계단식 단차(SC1, 도 5 참조)가 형성된 구조로 형성함으로써 화소 정의막(110)에 후퇴된 공간(SP, 도 5 참조)을 형성함으로써, 드라이 에칭 공정의 마진을 확보할 수 있다.
이하 도 14 및 도 15를 참조하여 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)에 대해 설명한다.
도 14는 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 15는 도 14의 ⅩⅤ부분을 확대한 단면도이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)는 기판(100) 상에 제1 화소 전극(101), 제2 화소 전극(102), 제3 화소 전극(103)를 포함하는 복수의 화소 전극이 서로 이격되어 배치되고, 화소 정의막(110)이 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)의 단부를 커버하여 각 화소 전극 단부에서의 전계 집중을 방지하고 발광 영역을 정의한다.
화소 정의막(110) 상에는 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)과 이격된 보조 전극(120)이 배치되어 있다. 보조 전극(120)은 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)을 각각 둘러싸며 폐루프 형상으로 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 제1 실시예와 달리, 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)의 일부가 보조 전극(120)의 상면과 접촉하지 않을 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)을 증착하는 동안 공정 오차에 의해, 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)의 단부가 각각 보조 전극(120)의 단부와 중첩되지 않고 이격 거리(DS)가 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)의 일부가 보조 전극(120)의 상면과 접촉하지 않을 경우, 도면에 도시되어 있지 않으나, 보조 전극(120)에 연결된 공통전원전압이 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)에 인가되지 않을 수 있다.
이를 방지하기 위해 본 실시예에서는 제1 대향 전극(401)과 제1 패시베이션층(501) 사이에 배치된 제1 연결층(801), 제2 대향 전극(402)과 제2 패시베이션층(502) 사이에 배치된 제2 연결층(802), 및 제3 대향 전극(403)과 제3 패시베이션층(503) 사이에 배치된 제3 연결층(803)을 더 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 연결층(801, 802, 803)은 도전성 재료를 포함하며, 일 실시예로 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
따라서, 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)에 각각 구동 박막트랜지스터로부터(미도시) 구동전류가 전달되고, 보조 전극(120) 및 제1 내지 제3 연결층(801, 802, 803)을 통하여 제1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403)에 공통전원전압이 인가되면, 제1 내지 제3 발광층(미도시)은 발광한다.
제1 내지 제3 연결층(801, 802, 803) 상에 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)이 배치된다.
제1 패시베이션층(501)은 제1 연결층(801)을 완전히 커버하고, 보조 전극(120) 상으로 연장되어, 제1 패시베이션층(501)의 단부는 보조 전극(120)의 상면과 접촉한다. 제2 패시베이션층(502)은 제2 연결층(802)을 완전히 커버하고, 보조 전극(120) 상으로 연장되어, 제2 패시베이션층(502)의 단부는 보조 전극(120)의 상면과 접촉한다. 제3 패시베이션층(503)은 제3 연결층(803)을 완전히 커버하고, 보조 전극(120) 상으로 연장되어, 제3 패시베이션층(503)의 단부는 보조 전극(120)의 상면과 접촉한다.
제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)은 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303) 및 제1 내지 제3 연결층(801, 802, 803)을 각각 완전히 커버함으로써, 패터닝 공정에서 유기 발광 소자의 손상을 방지할 수 있다.
본 실시예에서 제1 내지 제3 화소 전극(101, 102, 103)은 전술한 제1 실시예와 마찬가지로 아일랜드 형상으로 서로 이격되어 배치되고, 그 위에 제1 내지 제3 중간층(301, 302, 303)도 아일랜드 형상으로 배치될 수 있다. 그리고, 1 내지 제3 대향 전극(401, 402, 403), 제1 내지 제3 연결층(801, 802, 803) 및 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503)도 전술한 제1 실시예와 마찬가지로 아일랜드 형상으로 배치될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 패시베이션층(501, 502, 503) 및 보조 전극(120)의 상면을 모두 커버하는 봉지 부재(700)가 배치된다.
봉지 부재(700)는 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 도 14에는 제1 무기층(701), 유기층(702) 및 제2 무기층(703)이 순차로 적층된 구조를 도시하고 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2) 및 그 제조 방법에 따르면, 패시베이션층을 스탭 커버리지가 큰 증착 방법으로 형성하였기 때문에, 제대향 전극을 완전히 커버하여 리프트오프 공정 중 중간층 및 대향전극을 보호하고, 동일 챔버에서 드라이 에칭을 실시하여 챔버 외부 대기와 수분으로부터 손상을 방지할 수 있고, 보조 전극을 추가 형성함으로써 공통 전극의 전압 강하를 방지 할 수 있다.
또한, 대향 전극과 패시베이션층 사이에 도전성의 연결층을 형성함으로써, 대향 전극과 보조 전극이 이격되는 경우에도, 연결층이 대향 전극과 보조 전극을 전기적으로 연결하여 전원 불량을 방지할 수 있다. 또한, 화소 정의막을 계단식 단차가 형성된 구조로 형성함으로써 화소 정의막에 후퇴된 공간을 형성함으로써, 드라이 에칭 공정의 마진을 확보할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1, 2: 유기 발광 표시 장치
100: 기판
101: 제1 화소 전극
102: 제2 화소 전극
103: 제3 화소 전극
110: 화소 정의막
120: 보조 전극
301: 제1 중간층
302: 제2 중간층
303: 제3 중간층
401: 제1 대향 전극
402: 제2 대향 전극
403: 제3 대향 전극
501: 제1 패시베이션층
502: 제2 패시베이션층
503: 제3 패시베이션층
700: 봉지부재
701: 제1 무기층
702: 유기층
703: 제2 무기층

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 이격되어 배치된 제1 및 제2 화소 전극;
    상기 제1 및 제2 화소 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2 화소 전극의 단부를 덮고, 계단식 단차가 형성된 절연막;
    상기 절연막 상에 배치된 보조 전극;
    상기 제1 및 제2 화소 전극 상에 이격되어 배치되고, 제1 및 제2 발광층을 각각 포함하는 제1 및 제2 중간층;
    상기 제1 및 제2 중간층 상에 이격되어 배치되고, 상기 보조 전극과 접촉하는 제1 및 제2 대향 전극;
    상기 제1 및 제2 대향 전극 상에 이격되어 배치되고, 상기 제1 및 제2 대향 전극을 완전히 덮는 제1 및 제2 패시베이션층;을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 제1 및 제2 화소 전극 주위를 둘러싸는 폐루프 형상인유기 발광 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 제1 및 제2 화소 전극 주위를 둘러싸는 폐루프 형상인 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 절연막은 유기 절연물을 포함하는 제1 층과, 상기 제1 층을 덮는 무기 절연물을 포함하는 제2 층을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 절연막은 무기절연물을 포함하는 제1 층과, 상기 제1 층 상에 배치되고 유기 절연물을 포함하는 제2 층과, 상기 제2 층을 덮는 무기 절연물을 포함하는 제3층을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 대향 전극의 단부는 상기 보조 전극의 상면과 접촉하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 페시베이션층은 산화물, 질화물, 질산화물 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 패시베이션층 상에 연속적으로 배치되고, 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함하는 봉지부재를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 대향 전극과 상기 제1 패시베이션층 사이에 배치된 제1 연결층; 및
    상기 제2 대향 전극과 상기 제2 패시베이션층 사이에 배치된 제2 연결층;을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 연결층은 투명 도전성 산화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 기판 상에 제1 화소 전극과 제2 화소 전극을 이격되도록 형성함;
    상기 제1 및 제2 화소 전극의 단부를 덮으며 계단식 단차가 형성된 절연막을 형성함;
    상기 절연막 상에 보조 전극을 형성함;
    상기 제1 및 제2 화소 전극, 상기 절연막, 상기 보조 전극 상에, 제1 리프트오프층 및 제1 포토레지스트를 순차로 형성함;
    상기 제1 리프트오프층 및 상기 제1 포토레지스트를 패터닝하여, 상기 제1 화소 전극의 상면, 상기 절연막의 상면, 및 상기 보조 전극의 상면을 노출하는 제1 개구를 형성함;
    상기 제1 개구 및 상기 제1 포토레지스트 상에 제1 발광층을 포함하는 제1 중간층, 및 제1 대향 전극을 순차로 형성함;
    상기 제1 대향 전극의 상면 및 단부를 완전히 덮도록 제1 패시베이션층을 형성함; 및
    상기 제1 개구 외부에 잔존하는 제1 리프트오프층과 제1 포토레지스트를 제거함;을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 중간층은 제1 증착 공정으로 형성하고,
    상기 제1 대향 전극은 제2 증착 공정으로 형성하고,
    상기 제1 패시베이션층은 상기 제1 중간층 및 제1 대향 전극보다 스텝 커버리지를 크게 할 수 있는 제3 증착 공정으로 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 증착 공정 및 상기 제2 증착 공정은 물리적 기상 증착 공정을 이용하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제3 증착 공정은 화학적 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정을 이용하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 제3 증착 공정 후에, 드라이 에칭으로 상기 보조 전극 상에 형성된 제1제1 패시베이션층을 제거하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 개구에서, 상기 제1 포토레지스트의 단부는 상기 제1 리프트오프층의 단부보다 돌출되고,
    상기 제1 포토레지스트의 돌출된 영역은, 상기 제1 패시베이션층을 형성하는 공정에서 상기 기판 쪽으로 처지는 오버행(overhang) 구조를 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 대향 전극과 상기 제1 패시베이션층 사이에, 제1 연결층을 더 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 개구 외부에 잔존하는 제1 리프트오프층과 제1 포토레지스트를 제거한 후에,
    상기 제2 화소 전극, 상기 절연막, 상기 보조 전극 상에, 제2 리프트오프층 및 제2 포토레지스트를 순차로 형성함;
    상기 제2 리프트오프층 및 상기 제2 포토레지스트를 패터닝하여, 상기 제2 화소 전극의 상면, 상기 절연막의 상면, 및 상기 보조 전극의 상면을 노출하는 제2 개구를 형성함;
    상기 제2 개구 및 상기 제2 포토레지스트 상에 제2 발광층을 포함하는 제2 중간층, 및 제2 대향 전극을 순차로 형성함;
    상기 제2 대향 전극의 상면 및 단부를 완전히 덮도록 제2 패시베이션층을 형성함; 및
    상기 제2 개구 외부에 잔존하는 제2 리프트오프층과 제2 포토레지스트를 제거함;을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 발광층에서 방출되는 색과 상기 제2 발광층에서 방출되는 색을 서로 다르게 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 패시베이션층 상에 연속적으로 배치되고, 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함하는 봉지부재를 더 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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