KR20200115272A - Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising same - Google Patents

Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising same Download PDF

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Abstract

The present specification provides a heterocyclic compound of chemical formula 1 and an organic light emitting device comprising the same. The heterocyclic compound used in an organic light emitting device can provide long lifespan characteristics.

Description

헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{HETEROCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME}Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising the same TECHNICAL FIELD

본 출원은 2019년 3월 25일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2019-0033688호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2019-0033688 filed with the Korean Intellectual Property Office on March 25, 2019, the entire contents of which are incorporated herein.

본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a heterocyclic compound and an organic light emitting device including the same.

1세대 발광 재료인 형광 물질 및 2세대 발광 재료인 인광 물질에 이어, 최근 3세대 지연 형광 물질을 이용한 유기 발광 소자가 관심을 끌고 있다. 3세대 지연 형광 물질은 일중항 엑시톤을 삼중항 엑시톤으로 바꾸어 빛으로 전환하는 인광 물질과 달리, 삼중항 엑시톤을 일중항 엑시톤로 바꾸어 빛으로 전환하는 물질이며, 이 과정 때문에 지연 형광 특색을 보인다. 지연 형광 물질도 이론적으로는 일중항 엑시톤과 삼중항 엑시톤을 모두 빛으로 바꿀 수 있기 때문에 100% 내부 양자 효율이 가능하여, 인광 물질이 가지고 있는 수명과 효율의 한계를 극복할 수 있는 물질로 기대되고 있다.Organic light-emitting devices using a third-generation delayed fluorescent material have recently attracted attention following a fluorescent material as a first-generation light emitting material and a phosphorescent material as a second-generation light emitting material. The third-generation delayed fluorescent material is a material that converts triplet excitons into singlet excitons and converts them to light, unlike phosphorescent materials that convert singlet excitons into triplet excitons and converts them into light, and because of this process, they exhibit delayed fluorescence characteristics. Delayed fluorescent materials can theoretically convert both singlet excitons and triplet excitons into light, so 100% internal quantum efficiency is possible, and is expected to be a material that can overcome the limitations of lifespan and efficiency of phosphorescent materials. have.

열 활성형 지연 형광(열 여기형 지연 형광이라고도 함: Thermally Activated Delayed Fluorescence: 이하, 적절히 'TADF'라고 약기함) 현상을 발현시키기 위해서는, 실온 또는 발광 소자 중의 발광층 온도에서 전계 여기에 의해 발생한 75%의 삼중항 엑시톤으로부터 일중항 엑시톤으로의 역항간 교차(Reverse Intersystem Crossing: 이하, 적절히 'RISC'라고 약기함)가 일어날 필요가 있다. 또한, 역항간 교차에 의해 발생한 일중항 엑시톤이, 직접 여기에 의해 발생한 25%의 일중항 엑시톤와 마찬가지로 형광 발광하여야 100%의 내부 양자 효율이 이론상 가능하게 된다. 이 역항간 교차가 일어나기 위해서는, 최저 일중항 준위(S1)(이하, '일중항 에너지 준위'라고 약기함)와 최저 삼중항 에너지 준위(T1) (이하, '삼중항 에너지 준위'라고 약기함)와의 차의 절댓값(△EST)이 작을 것이 요구된다.In order to express the phenomenon of thermally activated delayed fluorescence (also referred to as thermally activated delayed fluorescence: hereinafter, appropriately abbreviated as'TADF'), 75% generated by electric field excitation at room temperature or the temperature of the light emitting layer in the light emitting element Reverse Intersystem Crossing (hereinafter, appropriately abbreviated as'RISC') from triplet excitons to singlet excitons needs to occur. In addition, 100% internal quantum efficiency is theoretically possible only when singlet excitons generated by crossover between inverse terms fluoresce like 25% singlet excitons generated by direct excitation. In order for this crossover to occur, the lowest singlet level (S1) (hereinafter abbreviated as'singlet energy level') and the lowest triplet energy level (T1) (hereinafter abbreviated as'triplet energy level') It is required that the absolute value ΔE ST of the difference with is small.

예를 들어, TADF 현상을 발현시키기 위해서는, 유기 화합물의 △EST를 작게 하는 것이 유효하고, △EST를 작게 하기 위해서는, 분자 내의 최고 점유 분자 오비탈(HOMO)과 최저 비점유 분자 오비탈(LUMO)을 혼재시키지 않고 국재화시키는 것(명확하게 분리하는 것)이 유효하다.For example, in order to express the TADF phenomenon, it is effective to reduce the ΔE ST of the organic compound, and in order to decrease the ΔE ST , the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest non-occupied molecular orbital (LUMO) in the molecule It is effective to localize (clearly separate) without mixing them.

하지만, 분자 내의 최고 점유 분자 오비탈(HOMO)과 최저 비점유 분자 오비탈(LUMO)을 혼재시키지 않고 국재화시킬 경우 분자 내의 π 공액계가 축소 또는 절단되어, 안정성과 양립시키는 것이 곤란해지고, 결과적으로는 발광 소자의 수명을 단축시키게 된다.However, if the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest non-occupied molecular orbital (LUMO) in the molecule are localized without being mixed, the π conjugated system in the molecule is reduced or cut, making it difficult to achieve stability and consequently light emission. It will shorten the life of the device.

그로 인해, TADF 수명을 높이는 새로운 방법이 요구되고 있다.For this reason, a new method for increasing the TADF life is required.

한국 공개특허공보 제10-2018-0045798호Korean Patent Application Publication No. 10-2018-0045798

본 발명은 소자의 구동 전압, 전류 효율 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있는 헤테로고리 화합물 및 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an organic light-emitting device including a heterocyclic compound and a heterocyclic compound capable of improving driving voltage, current efficiency and/or life characteristics of the device.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 제공한다. An exemplary embodiment of the present specification provides a heterocyclic compound of Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

X는 O 또는 S이고,X is O or S,

Y1은 수소; 중수소; 시아노기; 또는 할로알킬기이며,Y1 is hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Or a haloalkyl group,

Y2는 수소; 중수소; 시아노기; 또는 할로알킬기이며,Y2 is hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Or a haloalkyl group,

A 및 B 중 어느 하나는 하기 화학식 2-1로 표시되는 기이고, 다른 하나는 하기 화학식 2-2로 표시되는 기이며,Any one of A and B is a group represented by the following formula 2-1, the other is a group represented by the following formula 2-2,

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2-1에 있어서,In Formula 2-1,

X1 내지 X3는 각각 독립적으로 CH, C-CN 또는 N이고, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이며,X1 to X3 are each independently CH, C-CN or N, and at least one of X1 to X3 is N,

Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 2-2에 있어서,In Formula 2-2,

X4는 S, O, N(R1) 또는 C(R2)(R3)이고,X4 is S, O, N(R1) or C(R2)(R3),

b는 1 또는 2이고, b가 2이면

Figure pat00004
는 서로 같거나 상이하며,b is 1 or 2, and if b is 2
Figure pat00004
Are the same or different from each other,

R1은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,R1 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G1 or adjacent R5 to form a substituted or unsubstituted ring,

R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R2 및 R3가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G1 or adjacent R5 to form a substituted or unsubstituted ring, or R2 and R3 combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring,

R4는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,R4 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

R5는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 R1, 인접한 R2 또는 인접한 R3와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고, R5 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with adjacent R1, adjacent R2 or adjacent R3 to form a substituted or unsubstituted ring,

G1은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, R1, R2 또는 R3와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,G1 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combined with R1, R2 or R3 to form a substituted or unsubstituted ring,

G2 내지 G4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,G2 to G4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

a4는 0 내지 4의 정수이며, a4가 2 이상이면 R4는 서로 같거나 상이하며,a4 is an integer of 0 to 4, and if a4 is 2 or more, R4 is the same as or different from each other,

a5는 0, 1 또는 2이며, a5가 2이면 R5는 서로 같거나 상이하다.a5 is 0, 1 or 2, and if a5 is 2, R5 is the same as or different from each other.

본 명세서의 또 다른 실시상태는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.Another exemplary embodiment of the present specification is an organic light-emitting device including a first electrode, a second electrode, and one or more organic material layers disposed between the first electrode and the second electrode, comprising the heterocyclic compound of Formula 1 It provides an organic light emitting device.

본 발명의 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자에서 지연 형광 물질로 사용될 수 있으며, 상기 헤테로고리 화합물을 유기 발광 소자에 사용하는 경우 저구동 전압(V), 고전류효율(cd/A), 고휘도(cd/m2), 고전력효율 및/또는 고수명 특성을 구현할 수 있다. The heterocyclic compound of the present invention can be used as a delayed fluorescent material in an organic light-emitting device, and when the heterocyclic compound is used in an organic light-emitting device, low driving voltage (V), high current efficiency (cd/A), and high luminance (cd/ m 2 ), high power efficiency and/or high lifespan characteristics can be implemented.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자저지층(7), 발광층(8), 정공저지층(9), 전자 주입 및 수송층(10) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3, and a cathode 4.
2 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, an electron blocking layer 7, a light emitting layer 8, a hole blocking layer 9, an electron injection and transport layer ( 10) and a cathode 4 are shown as an example of an organic light-emitting device.

이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미한다. 치환기가 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않는다. 치환기가 2개 이상 치환되는 경우, 2개 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In the present specification, the term "substituted" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent. The position at which the substituent is substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, the position at which the substituent is substituted. When two or more substituents are substituted, the two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 알킬기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기, 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 치환기가 서로 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다.In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Cyano group; Alkyl group; Cycloalkyl group; Aryl group; And one or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group, or two or more substituents selected from the group are substituted or unsubstituted with a substituent connected to each other.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be a linear or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methylbutyl, 1-ethylbutyl, n-pentyl, isopentyl, Neopentyl, tert-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cycloheptyl Methyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethylpropyl, 1,1-dimethylpropyl, Isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 할로알킬기는 할로겐기로 치환된 알킬기이다.In the present specification, the haloalkyl group is an alkyl group substituted with a halogen group.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 환형 탄화수소기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group refers to a cyclic hydrocarbon group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 3 to 60, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, there are cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 전체적으로 또는 부분적으로 불포화되고 방향성을 가지는 탄화수소고리를 의미한다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 40이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 상기 단환식 아릴기는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 트리페닐레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, an aryl group means a hydrocarbon ring that is wholly or partially unsaturated and has aromaticity. The number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 40 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. The monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, a triphenylenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 치환된 플루오레닐기는 플루오렌의 5각 고리의 2개의 치환기가 스피로 결합하여 고리를 형성하는 화합물까지 모두 포함하는 것이다. 상기 치환된 플루오레닐기는 9,9'-스피로바이플루오렌, 스피로[사이클로펜탄-1,9'-플루오렌], 스피로[벤조[c]플루오렌-7,9-플루오렌] 등을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the substituted fluorenyl group includes all compounds in which two substituents of the pentagonal ring of fluorene are spied to form a ring. The substituted fluorenyl group includes 9,9'-spirobifluorene, spiro[cyclopentane-1,9'-fluorene], spiro[benzo[c]fluorene-7,9-fluorene], etc. However, it is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O 및 S 중 1개 이상을 포함하고, 전체적으로 또는 부분적으로 불포화되고 방향성을 가지는 치환 또는 비치환된 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭으로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 40이다. 다른 실시상태에 따르면, 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 30이다. 헤테로아릴기의 예로는 티오페닐기, 퓨라닐기, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 트리아졸릴기, 피리디닐기, 비피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리디닐기, 카르볼리닐기, 아세나프토퀴녹살리닐기, 인데노퀴나졸리닐기, 인데노이소퀴놀리닐기, 인데노퀴놀리닐기, 피리도인돌릴기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오페닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페녹사지닐기, 페노티아지닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 헤테로아릴기는 지방족 헤테로아릴기와 방향족 헤테로아릴기를 포함한다.In the present specification, the heteroaryl group is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic that includes one or more of N, O, and S as a hetero atom, and is wholly or partially unsaturated and has aromaticity, and the number of carbon atoms is particularly limited. However, it is preferably 2 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heteroaryl group has 2 to 40 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the heteroaryl group has 2 to 30 carbon atoms. Examples of heteroaryl groups include thiophenyl group, furanyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, thiazolyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, triazolyl group, pyridinyl group, bipyridinyl group, pyrimidinyl group, tria Genyl group, triazolyl group, acridinyl group, carbonyl group, acenaphthoquinoxalinyl group, indenoquinazolinyl group, indenoisoquinolinyl group, indenoquinolinyl group, pyridoindolyl group, pyridazinyl group, Pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group, pyrazinopyrazinyl group, isoquinolinyl group, indolyl group, carbazolyl group , Benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzocarbazolyl group, benzothiophenyl group, dibenzothiophenyl group, benzofuranyl group, dibenzofuranyl group, phenanthroline group, thiazolyl Group, isoxazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, benzothiazolyl group, phenoxazinyl group, phenothiazinyl group, and the like, but are not limited thereto. The heteroaryl group includes an aliphatic heteroaryl group and an aromatic heteroaryl group.

본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.In the present specification, the "adjacent" group means a substituent substituted on an atom directly connected to the atom where the corresponding substituent is substituted, a substituent positioned three-dimensionally closest to the corresponding substituent, or another substituent substituted on the atom where the corresponding substituent is substituted. I can. For example, two substituents substituted at an ortho position in a benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in an aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" groups to each other.

본 명세서에 있어서, 인접한 기가 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리는 지방족고리, 방향족 탄화수소고리, 또는 헤테로고리이거나, 이들의 축합고리일 수 있다.In the present specification, the substituted or unsubstituted ring formed by bonding of adjacent groups to each other may be an aliphatic ring, an aromatic hydrocarbon ring, or a hetero ring, or a condensed ring thereof.

본 명세서에 있어서, 삼중항 에너지 준위(T1)는 기저 상태(ground state)의 에너지 준위와 삼중항 여기(excited) 상태의 에너지 준위의 차이 값이다.In the present specification, the triplet energy level T1 is a difference between the energy level of the ground state and the energy level of the triplet excited state.

본 명세서에 있어서 일중항 에너지 준위(S1)는 기저 상태(ground state)의 에너지 준위와 일중항 여기(excited) 상태의 에너지 준위의 차이 값이다.In the present specification, the singlet energy level S1 is a difference between the energy level of the ground state and the energy level of the singlet excited state.

본 명세서에 있어서, 삼중항 에너지 준위 및 일중항 에너지 준위는 형광과 인광 측정이 가능한 분광 기기를 이용하여 측정 가능하다.In the present specification, the triplet energy level and the singlet energy level can be measured using a spectroscopic instrument capable of measuring fluorescence and phosphorescence.

상기 삼중항 에너지 준위는 액화 질소를 이용한 극저온 상태에서 톨루엔이나 테트라하이드로퓨란(THF)을 용매로 한 용액을 제조한 후, 상기 용액에 물질의 흡수 파장대의 광원을 조사하여, 발광하는 스펙트럼으로부터 일중항 발광을 제외하고 삼중항 발광 스펙트럼을 분석하여 확인할 수 있다. 광원으로부터 전자가 여기되면 전자가 삼중항 에너지 준위에 머무는 시간이 일중항 에너지 준위에 머무는 시간보다 훨씬 길기 때문에 극저온 상태에서 두 성분의 분리가 가능하다. The triplet energy level is obtained by preparing a solution using toluene or tetrahydrofuran (THF) as a solvent in a cryogenic state using liquid nitrogen, and then irradiating the solution with a light source in the absorption wavelength range of the substance, and singlet from the emission spectrum. Excluding light emission, it can be confirmed by analyzing the triplet emission spectrum. When an electron is excited from a light source, the time that the electron stays in the triplet energy level is much longer than that in the singlet energy level, so that the two components can be separated in a cryogenic state.

상기 일중항 에너지 준위는 형광 기기를 이용하여 측정하며, 전술한 삼중항 에너지 준위 측정 방법과 달리 상온에서 광원을 조사하여 측정할 수 있다.The singlet energy level is measured using a fluorescent device, and unlike the triplet energy level measurement method described above, it may be measured by irradiating a light source at room temperature.

본 명세서에 있어서, "HOMO"는 최고 점유 분자 오비탈(the highest occupied molecular orbital)이고, "LUMO"는 최저 비점유 분자 오비탈(the lowest unoccupied molecular orbital)이다.In the present specification, "HOMO" is the highest occupied molecular orbital, and "LUMO" is the lowest unoccupied molecular orbital.

본 명세서에 있어서, "에너지 준위"는 에너지 크기를 의미하는 것이다. 따라서 진공 준위로부터 마이너스(-) 방향으로 에너지 준위가 표시되는 경우에도, 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, 에너지 준위가 '크다'는 것은 진공 준위로부터 마이너스 방향으로 절대값이 커지는 것을 의미한다. 또한 본 명세서에 있어서, 에너지 준위가 '깊다' 또는 '높다' 등의 표현은 에너지 준위가 크다는 표현과 그 의미가 같은 것이다.In the present specification, "energy level" means the energy level. Therefore, even when the energy level is displayed in the negative (-) direction from the vacuum level, the energy level is interpreted to mean the absolute value of the corresponding energy value. For example, when the energy level is'large', it means that the absolute value increases in the negative direction from the vacuum level. In addition, in the present specification, expressions such as'deep' or'high' energy level have the same meaning as expressions that energy level is large.

상기 HOMO 에너지 준위는 박막 표면에 UV를 조사하고, 이때 튀어나오는 전자(electron)를 검출하여 물질의 이온화 전위(ionization potential)을 측정하는 UPS(UV photoelectron spectroscopy)를 이용하여 측정하거나, 측정 대상 물질을 전해액과 함께 용매에 녹인 후 전압 주사(voltage sweep)를 통하여 산화 전위(oxidation potential)를 측정하는 CV(cyclic voltammetry)를 이용하여 측정할 수 있다.The HOMO energy level is measured using UV photoelectron spectroscopy (UPS), which measures the ionization potential of the material by irradiating UV on the surface of the thin film, and at this time, detecting electrons that protrude. It can be measured using cyclic voltammetry (CV), which measures oxidation potential through voltage sweep after dissolving in a solvent together with an electrolyte.

상기 LUMO 에너지 준위는 IPES(Inverse Photoelectron Spectroscopy) 또는 전기화학적 환원 전위(electrochemical reduction potential)의 측정을 통하여 구할 수 있다. 상기 방법 이외에도, LUMO 에너지 준위는 HOMO 에너지 준위와 일중항 에너지 준위를 이용하여 계산할 수 있다.The LUMO energy level can be obtained through measurement of Inverse Photoelectron Spectroscopy (IPES) or electrochemical reduction potential. In addition to the above method, the LUMO energy level can be calculated using the HOMO energy level and the singlet energy level.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a heterocyclic compound of Formula 1 above.

화합물이 지연 형광 현상을 발현시키기 위해서는, 유기 화합물의 삼중항 에너지 준위와 일중항 에너지 준위의 차이(△EST)를 작게 하는 것이 유효하고, △EST를 작게 하기 위해서는, 분자 내의 최고 점유 분자 오비탈(HOMO)과 최저 비점유 분자 오비탈(LUMO)을 국재화시키는 것(명확하게 분리하는 것)이 중요하다.In order for the compound to exhibit a delayed fluorescence phenomenon, it is effective to reduce the difference (ΔE ST ) between the triplet energy level and the singlet energy level of the organic compound, and to decrease ΔE ST , the highest occupied molecular orbital in the molecule It is important to localize (clearly separate) the (HOMO) and the least unoccupied molecular orbital (LUMO).

상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물에서, 상기 화학식 2-1로 표시되는 전자 받개(electron acceptor)와 상기 화학식 2-2로 표시되는 전자 주개(electron donor)는 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜으로 연결된다. 여기서, 전자 주개에 HOMO가 분포하고, 전자 받개에 LUMO가 분포하여 △EST가 작아지므로, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 지연 형광 특성을 나타낸다. In the heterocyclic compound of Formula 1, the electron acceptor represented by Formula 2-1 and the electron donor represented by Formula 2-2 are connected with dibenzofuran or dibenzothiophene. . Here, since HOMO is distributed in the electron donor and LUMO is distributed in the electron acceptor, ΔE ST decreases, so that the heterocyclic compound of Formula 1 exhibits delayed fluorescence properties.

상기 화학식 1에 있어서, A와 B는 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜의 1번과 4번 탄소에 치환된다. A와 B가 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜의 1번과 4번 탄소에 치환됨으로써, A와 B가 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜의 1번과 4번 탄소에 치환되지 않은 화합물에 비하여 소자의 발광 효율을 높일 수 있다. In Formula 1, A and B are substituted on carbons 1 and 4 of dibenzofuran or dibenzothiophene. As A and B are substituted on carbons 1 and 4 of dibenzofuran or dibenzothiophene, A and B are compared to compounds that are not substituted on carbons 1 and 4 of dibenzofuran or dibenzothiophene. Can increase the luminous efficiency of.

상기 화학식 1의 Y1과 Y2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 또는 할로알킬기일 수 있다. 이때, 상기 Y1 및 Y2 중 적어도 하나가 중수소; 시아노기; 또는 할로알킬기이면, 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 분자 안정성이 특히 높아진다. 분자가 에너지적으로 안정화되면, 유기 발광 소자의 수명이 향상된다. Y1 and Y2 in Formula 1 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Or it may be a haloalkyl group. At this time, at least one of Y1 and Y2 is deuterium; Cyano group; Or if it is a haloalkyl group, of the heterocyclic compound of Formula 1 Molecular stability is particularly high. When the molecules are energetically stabilized, the lifespan of the organic light emitting device is improved.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 발광 파장은 480 nm 내지 560 nm, 바람직하게는 520 nm 내지 550 nm이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the emission wavelength of the heterocyclic compound of Formula 1 is 480 nm to 560 nm, preferably 520 nm to 550 nm.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-2는 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 2-2 is represented by any one of the following Formulas 3-1 to 3-6.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 3-2][Chemical Formula 3-2]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 3-3][Chemical Formula 3-3]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 3-4][Formula 3-4]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 3-5][Formula 3-5]

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식 3-6][Formula 3-6]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화학식 3-1 내지 3-6에 있어서,In Formulas 3-1 to 3-6,

X4, R4, R5, G1, G2, G3, G4, a4 및 a5는 화학식 2-2에서 정의한 바와 같다.X4, R4, R5, G1, G2, G3, G4, a4 and a5 are as defined in Formula 2-2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-2는 하기 화학식 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 2-2 is represented by any one of Formulas 4-1 to 4-4 below.

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure pat00011
Figure pat00011

[화학식 4-2][Formula 4-2]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 4-3][Chemical Formula 4-3]

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 4-4][Formula 4-4]

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 화학식 4-1 내지 4-4에 있어서,In Formulas 4-1 to 4-4,

X10은 S, O, N(R10) 또는 C(R11)(R12)이고,X10 is S, O, N(R10) or C(R11)(R12),

X11은 S, O, N(R13) 또는 C(R14)(R15)이고,X11 is S, O, N(R13) or C(R14)(R15),

R10은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G11과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,R10 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G11 to form a substituted or unsubstituted ring,

R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G11과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R11 및 R12는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G11 to form a substituted or unsubstituted ring, or R11 and R12 combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring,

R13은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,R13 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G15 to form a substituted or unsubstituted ring,

R14 및 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R14 및 R15는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,R14 and R15 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G15 to form a substituted or unsubstituted ring, or R14 and R15 combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring,

G11은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, R10, R11 또는 R12와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,G11 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combined with R10, R11 or R12 to form a substituted or unsubstituted ring,

G15는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, R13, R14 또는 R15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,G15 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with R13, R14 or R15 to form a substituted or unsubstituted ring,

G12 내지 G14 및 G16 내지 G18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,G12 to G14 and G16 to G18 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

R4 및 a4는 화학식 2-2에서 정의한 바와 같다.R4 and a4 are as defined in Formula 2-2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-2는 하기 화학식 5-1 내지 5-9 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 2-2 is represented by any one of Formulas 5-1 to 5-9 below.

[화학식 5-1][Chemical Formula 5-1]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 5-2][Formula 5-2]

Figure pat00016
Figure pat00016

[화학식 5-3][Chemical Formula 5-3]

Figure pat00017
Figure pat00017

[화학식 5-4][Chemical Formula 5-4]

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 5-5][Chemical Formula 5-5]

Figure pat00019
Figure pat00019

[화학식 5-6][Formula 5-6]

Figure pat00020
Figure pat00020

[화학식 5-7][Formula 5-7]

Figure pat00021
Figure pat00021

[화학식 5-8][Chemical Formula 5-8]

Figure pat00022
Figure pat00022

[화학식 5-9][Chemical Formula 5-9]

Figure pat00023
Figure pat00023

상기 화학식 5-1 내지 5-9에 있어서,In Formulas 5-1 to 5-9,

R4, a4 및 a5의 정의는 화학식 2-2에서 정의한 바와 같고,The definitions of R4, a4 and a5 are as defined in Formula 2-2,

R5, R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,R5, R21 and R22 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

b5는 0 또는 1이고,b5 is 0 or 1,

a21은 0 내지 4의 정수이고, a21이 2 이상이면 R21은 서로 같거나 상이하며,a21 is an integer of 0 to 4, and if a21 is 2 or more, R21 is the same as or different from each other,

b21은 0 내지 3의 정수이고, b21이 2 이상이면 R21은 서로 같거나 상이하며,b21 is an integer of 0 to 3, and when b21 is 2 or more, R21 is the same as or different from each other,

a22는 0 내지 4의 정수이고, a22가 2 이상이면 R22는 서로 같거나 상이하다.a22 is an integer of 0 to 4, and when a22 is 2 or more, R22 is the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 내지 X3 중 적어도 2개는 N이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least two of X1 to X3 are N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1은 N이고, X2는 CH, C-CN 또는 N이고, X3는 CH, C-CN 또는 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 is N, X2 is CH, C-CN or N, and X3 is CH, C-CN or N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1은 CH, C-CN 또는 N이고, X2는 N이고, X3는 CH, C-CN 또는 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 is CH, C-CN or N, X2 is N, and X3 is CH, C-CN or N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1은 N이고, X2는 CH, C-CN 또는 N이고, X3는 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 is N, X2 is CH, C-CN or N, and X3 is N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 내지 X3는 각각 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 to X3 are each N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C6-C30)aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C6-C20)aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C16)아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C6-C16) aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 중수소 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are aryl groups unsubstituted or substituted with deuterium or an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2가 치환된 아릴기인 경우, 상기 아릴기의 치환기는 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, when Ar1 and Ar2 are substituted aryl groups, the substituent of the aryl group is deuterium; Or a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2가 치환된 아릴기인 경우, 상기 아릴기의 치환기는 중수소; 또는 (C6-C20)아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, when Ar1 and Ar2 are substituted aryl groups, the substituent of the aryl group is deuterium; Or (C6-C20) aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2가 치환된 아릴기인 경우, 상기 아릴기의 치환기는 중수소; 또는 (C6-C16)아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, when Ar1 and Ar2 are substituted aryl groups, the substituent of the aryl group is deuterium; Or (C6-C16) aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; D5-페닐기; 또는 바이페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group; D 5 -phenyl group; Or a biphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1은 수소; 시아노기; 또는 (C1-C10)할로알킬기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y1 is hydrogen; Cyano group; Or (C1-C10) haloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1은 수소; 시아노기; 또는 (C1-C6)할로알킬기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y1 is hydrogen; Cyano group; Or (C1-C6) haloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1은 수소; 시아노기; 또는 트리플루오로메틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y1 is hydrogen; Cyano group; Or a trifluoromethyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y2는 수소; 시아노기; 또는 (C1-C10)할로알킬기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y2 is hydrogen; Cyano group; Or (C1-C10) haloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y2는 수소; 시아노기; 또는 (C1-C6)할로알킬기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y2 is hydrogen; Cyano group; Or (C1-C6) haloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y2는 수소; 시아노기; 또는 트리플루오로메틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Y2 is hydrogen; Cyano group; Or a trifluoromethyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2 중 적어도 하나는 중수소; 시아노기; 또는 할로알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of Y1 and Y2 is deuterium; Cyano group; Or a haloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2 중 적어도 하나는 시아노기; 또는 할로알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of Y1 and Y2 is a cyano group; Or a haloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2 중 적어도 하나는 시아노기; 또는 트리플루오로알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of Y1 and Y2 is a cyano group; Or a trifluoroalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2 중 적어도 하나는 시아노기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of Y1 and Y2 is a cyano group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted aryl group, or combines with G1 or adjacent R5 to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C30)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted (C6-C30)aryl group, or is bonded to G1 or adjacent R5 to form a substituted or unsubstituted (C5-C30) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C20)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted (C6-C20)aryl group, or is bonded to G1 or adjacent R5 to form a substituted or unsubstituted (C5-C20) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or combines with G1 or adjacent R5 to form a substituted or unsubstituted indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or combines with G1 or adjacent R5 to form a substituted or unsubstituted pentagonal ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 페닐기이거나, 인접한 G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 is a phenyl group, or is bonded to adjacent G1 or adjacent R5 to form an indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 벤젠 고리가 축합된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or is bonded to G1 or adjacent R5 to form a pentagonal ring in which a benzene ring is condensed.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group, or combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C15)알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C36)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C1-C15) alkyl group; Or a substituted or unsubstituted (C6-C30) aryl group, or combine with each other to form a substituted or unsubstituted (C5-C36) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C25)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C1-C10) alkyl group; Or a substituted or unsubstituted (C6-C20) aryl group, or combine with each other to form a substituted or unsubstituted (C5-C25) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C6)알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C16)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C1-C6) alkyl group; Or a substituted or unsubstituted (C6-C12) aryl group, or combine with each other to form a substituted or unsubstituted (C5-C16) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이거나, R2 및 R3는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a methyl group; Or a phenyl group, R2 and R3 are each a phenyl group, and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4는 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R4 is hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4는 수소; 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 (C2-C30)헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R4 is hydrogen; A substituted or unsubstituted (C6-C30) aryl group; Or a substituted or unsubstituted (C2-C30) heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4는 수소; 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 (C2-C20)헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R4 is hydrogen; A substituted or unsubstituted (C6-C20) aryl group; Or a substituted or unsubstituted (C2-C20) heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4는 수소; 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 (C2-C16)헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R4 is hydrogen; A substituted or unsubstituted (C6-C12) aryl group; Or a substituted or unsubstituted (C2-C16) heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4는 수소; 아릴기; 또는 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R4 is hydrogen; Aryl group; Or a heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4는 수소; 페닐기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오페닐기; 또는 카바졸릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R4 is hydrogen; Phenyl group; Dibenzofuranyl group; Dibenzothiophenyl group; Or a carbazolyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a4는 0 또는 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, a4 is 0 or 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5는 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 R1, 인접한 R2 또는 인접한 R3와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In an exemplary embodiment of the present specification, R5 is hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or is bonded to each other with adjacent R1, adjacent R2 or adjacent R3 to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5는 수소; 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 (C2-C30)헤테로아릴기이거나, 인접한 R1, 인접한 R2 또는 인접한 R3와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C2-C36)고리를 형성한다.In an exemplary embodiment of the present specification, R5 is hydrogen; A substituted or unsubstituted (C6-C30) aryl group; Or a substituted or unsubstituted (C2-C30) heteroaryl group, or a substituted or unsubstituted (C2-C36) ring by bonding with adjacent R1, adjacent R2 or adjacent R3 to each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5는 수소; 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 (C2-C20)헤테로아릴기이거나, 인접한 R1, 인접한 R2 또는 인접한 R3와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C2-C25)고리를 형성한다.In an exemplary embodiment of the present specification, R5 is hydrogen; A substituted or unsubstituted (C6-C20) aryl group; Or a substituted or unsubstituted (C2-C20) heteroaryl group, or by bonding with adjacent R1, adjacent R2 or adjacent R3 to form a substituted or unsubstituted (C2-C25) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5는 수소; 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 (C2-C16)헤테로아릴기이거나, 인접한 R1, 인접한 R2 또는 인접한 R3와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C2-C16)고리를 형성한다.In an exemplary embodiment of the present specification, R5 is hydrogen; A substituted or unsubstituted (C6-C12) aryl group; Or a substituted or unsubstituted (C2-C16) heteroaryl group, or by bonding with adjacent R1, adjacent R2 or adjacent R3 to form a substituted or unsubstituted (C2-C16) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5는 수소; 페닐기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오페닐기; 또는 카바졸릴기이거나, 인접한 R1과 서로 결합하여 인돌 고리를 형성한다.In an exemplary embodiment of the present specification, R5 is hydrogen; Phenyl group; Dibenzofuranyl group; Dibenzothiophenyl group; Or a carbazolyl group, or combine with adjacent R1 to form an indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G1은 수소이거나, R1과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G1 is hydrogen or combines with R1 to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G1은 수소이거나, R1과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G1 is hydrogen or combines with R1 to form a substituted or unsubstituted indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G1은 수소이거나, R1과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G1 is hydrogen or combines with R1 to form a substituted or unsubstituted pentagonal ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G1은 수소이거나, R1과 서로 결합하여 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G1 is hydrogen or combines with R1 to form an indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G1은 수소이거나, R1과 서로 결합하여 벤젠 고리가 축합된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G1 is hydrogen or combines with R1 to form a pentagonal ring in which a benzene ring is condensed.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G2는 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, G2 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G3는 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, G3 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G4는 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, G4 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G11은 수소이거나, R10과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G11 is hydrogen or combines with R10 to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G11은 수소이거나, R10과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G11 is hydrogen or combines with R10 to form a substituted or unsubstituted indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G11은 수소이거나, R10과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G11 is hydrogen or combines with R10 to form a substituted or unsubstituted pentagonal ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G11은 수소이거나, R10과 서로 결합하여 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G11 is hydrogen or combines with R10 to form an indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G11은 수소이거나, R10과 서로 결합하여 벤젠 고리가 축합된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G11 is hydrogen or combines with R10 to form a pentagonal ring in which a benzene ring is condensed.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G12는 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, G12 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G13은 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, G13 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G14는 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, G14 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G15는 수소이거나, R13과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G15 is hydrogen or combines with R13 to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G15는 수소이거나, R13과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G15 is hydrogen or combines with R13 to form a substituted or unsubstituted indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G15는 수소이거나, R13과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G15 is hydrogen or combines with R13 to form a substituted or unsubstituted pentagonal ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G15는 수소이거나, R13과 서로 결합하여 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G15 is hydrogen or combines with R13 to form an indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G15는 수소이거나, R13과 서로 결합하여 벤젠 고리가 축합된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, G15 is hydrogen or combines with R13 to form a pentagonal ring in which a benzene ring is condensed.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G16은 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, G16 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G17은 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, G17 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 G18은 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, G18 is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴기이거나, G11과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C30)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R10 is a substituted or unsubstituted (C6-C30)aryl group, or combines with G11 to form a substituted or unsubstituted (C5-C30) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10은 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴기이거나, G11과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C20)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R10 is a substituted or unsubstituted (C6-C20) aryl group, or combines with G11 to form a substituted or unsubstituted (C5-C20) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10은 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, G11과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R10 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or combines with G11 to form a substituted or unsubstituted indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10은 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, G11과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R10 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or combines with G11 to form a substituted or unsubstituted pentagonal ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10은 페닐기이거나, G11과 서로 결합하여 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R10 is a phenyl group, or is bonded to each other with G11 to form an indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10은 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, G11과 서로 결합하여 벤젠 고리가 축합된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R10 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or combines with G11 to form a pentagonal ring in which a benzene ring is condensed.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴기이거나, G15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C30)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is a substituted or unsubstituted (C6-C30)aryl group, or combines with G15 to form a substituted or unsubstituted (C5-C30) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴기이거나, G15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C20)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is a substituted or unsubstituted (C6-C20)aryl group, or combines with G15 to form a substituted or unsubstituted (C5-C20) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, G15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or combines with G15 to form a substituted or unsubstituted indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, G15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or combines with G15 to form a substituted or unsubstituted pentagonal ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 페닐기이거나, G15와 서로 결합하여 인돌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is a phenyl group, or is bonded to G15 to form an indole ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R13은 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, G15와 서로 결합하여 벤젠 고리가 축합된 5각 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R13 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or combines with G15 to form a pentagonal ring in which a benzene ring is condensed.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, R11 및 R12는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group, or R11 and R12 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C15)알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴기이거나, R11 및 R12는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C36)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C1-C15)alkyl group; Or a substituted or unsubstituted (C6-C30) aryl group, or R11 and R12 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted (C5-C36) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴기이거나, R11 및 R12는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C25)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C1-C10) alkyl group; Or a substituted or unsubstituted (C6-C20) aryl group, or R11 and R12 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted (C5-C25) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C6)알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴기이거나, R11 및 R12는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C16)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C1-C6) alkyl group; Or a substituted or unsubstituted (C6-C12) aryl group, or R11 and R12 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted (C5-C16) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이거나, R11 및 R12는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently a methyl group; Or a phenyl group, R11 and R12 are each a phenyl group, and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R14 및 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, R14 및 R15는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R14 and R15 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group, or R14 and R15 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R14 및 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C15)알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴기이거나, R14 및 R15는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C36)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R14 and R15 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C1-C15)alkyl group; Or a substituted or unsubstituted (C6-C30) aryl group, or R14 and R15 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted (C5-C36) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R14 및 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴기이거나, R14 및 R15는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C25)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R14 and R15 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C1-C10) alkyl group; Or a substituted or unsubstituted (C6-C20) aryl group, or R14 and R15 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted (C5-C25) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R14 및 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C6)알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C12)아릴기이거나, R14 및 R15는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 (C5-C16)고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R14 and R15 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted (C1-C6) alkyl group; Or a substituted or unsubstituted (C6-C12) aryl group, or R14 and R15 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted (C5-C16) ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R14 및 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이거나, R14 및 R15는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R14 and R15 are the same as or different from each other, and each independently a methyl group; Or a phenyl group, R14 and R15 are each a phenyl group, and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나이다.In an exemplary embodiment of the present invention, the heterocyclic compound of Formula 1 is any one selected from the following compounds.

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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 전술한 화학식 1의 화합물은 다음과 같은 방법으로 합성할 수 있다. 우선, 1번 및 4번 탄소 위치에 할라이드가 치환된 디벤조퓨란 또는 디벤조싸이오펜을 준비한다. 다음으로, 상기 화합물의 하나의 할라이드에 트리아진기 등의 헤테로아릴기(화학식 2-1의 기)를 스즈키 반응으로 도입하고, 나머지 하나의 할라이드에 카바졸류(화학식 2-2의 기)를 SNAr 반응으로 도입한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound of Formula 1 described above can be synthesized by the following method. First, dibenzofuran or dibenzothiophene in which halide is substituted at carbon positions 1 and 4 are prepared. Next, a heteroaryl group (a group of formula 2-1) such as a triazine group is introduced into one halide of the compound through a Suzuki reaction, and a carbazole (group of formula 2-2) is subjected to an SNAr reaction to the other halide. It is introduced as.

그러나, 전술한 화학식 1의 화합물의 합성 방법은 상기 방법에 한정되지 않는다. 일부 또는 전부의 합성 단계는 공지된 다른 합성 방법으로 변경 가능하며, 기타 다른 공지된 합성 방법을 이용할 수도 있다.However, the method for synthesizing the compound of Formula 1 is not limited to the above method. Some or all of the synthesis steps may be changed to other known synthesis methods, and other known synthesis methods may be used.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides an organic light-emitting device including the heterocyclic compound of Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 전술한 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In the exemplary embodiment of the present specification, an organic light-emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more organic material layers disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer is a hetero It provides an organic light-emitting device comprising a cyclic compound.

일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함한다.In one embodiment, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the heterocyclic compound of Formula 1 described above.

일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 도펀트를 포함하며, 상기 도펀트는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함한다. In an exemplary embodiment, the organic material layer includes an emission layer, the emission layer includes a dopant, and the dopant includes the heterocyclic compound of Formula 1 above.

일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 전술한 화학식 1의 헤테로고리 화합물만으로 구성될 수도 있고, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 이외의 기타 다른 물질을 더 포함할 수도 있다. In one embodiment, the light emitting layer may be composed of only the heterocyclic compound of Formula 1 described above, or may further include other materials other than the heterocyclic compound of Formula 1 above.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 호스트로 사용되거나, 기타 호스트 물질과 함께 사용되어 도펀트의 역할을 할 수도 있다.In an exemplary embodiment, the heterocyclic compound of Formula 1 may be used as a host or may be used together with other host materials to serve as a dopant.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 도펀트로 사용된다.In an exemplary embodiment, the heterocyclic compound of Formula 1 is used as a dopant.

일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 상기 발광층 총 100 중량부 대비 1 중량부 내지 100 중량부; 바람직하게는 20 중량부 내지 60 중량부로 포함한다.In an exemplary embodiment, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer comprises 1 part by weight to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the emission layer of the heterocyclic compound of Formula 1; It is preferably included in an amount of 20 to 60 parts by weight.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함하는 발광층은 호스트를 더 포함한다.In an exemplary embodiment, the emission layer including the heterocyclic compound of Formula 1 further includes a host.

일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 유기물층은 호스트 및 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함한다. 상기 호스트는 인광 호스트 또는 형광 호스트일 수 있다.In an exemplary embodiment, the organic material layer includes an emission layer, and the organic material layer includes a host and a heterocyclic compound of Formula 1 above. The host may be a phosphorescent host or a fluorescent host.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함하는 발광층은 녹색 발광층이다.In one embodiment, the light emitting layer including the heterocyclic compound of Formula 1 is a green light emitting layer.

일 실시상태에 있어서, 발광층에서 발광이 일어날 수 있는 메커니즘은 한정되지 않으며, 발광층에 사용하는 화합물에 따라서 달라질 수 있다.In one embodiment, the mechanism by which light emission can occur in the light emitting layer is not limited and may vary depending on the compound used for the light emitting layer.

일 실시상태에 있어서, 호스트를 통해 정공과 전자가 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물(도펀트)로 이동하여 도펀트에서 엑시톤이 삼중항과 일중항에 3:1 비율로 생성된 후, 도펀트의 삼중항에 생성된 엑시톤은 도펀트의 일중항으로 전이되어 발광하고, 일중항에 생성된 엑시톤은 일중항에서 그대로 발광할 수 있다. 또 다른 실시상태에 있어서, 발광층에 매트릭스 재료로만 작용하는 호스트가 포함되고, 정공; 전자; 또는 정공과 전자가 호스트를 통하지 않고 도펀트로 주입되어 삼중항과 일중항에 엑시톤이 형성될 수도 있다. 그러나, 이는 발광 메커니즘의 하나의 예시일 뿐이며, 기타 다른 발광 메커니즘에 의하여 발광이 일어날 수 있다.In an exemplary embodiment, holes and electrons move through the host to the heterocyclic compound (dopant) of Formula 1, and excitons are generated in the triplet and singlet in the dopant in a 3:1 ratio, and then the triplet of the dopant is The generated exciton is transferred to the singlet of the dopant to emit light, and the exciton generated in the singlet can emit light as it is in the singlet. In another embodiment, a host serving only as a matrix material is included in the light emitting layer, and holes; Electronic; Alternatively, holes and electrons may be injected as a dopant without passing through the host to form excitons in the triplet and the singlet. However, this is only an example of a light-emitting mechanism, and light emission may occur by other light-emitting mechanisms.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 일중항 에너지 준위(S1)와 삼중항 에너지 준위(T1)의 차(△EST)는 0eV 이상 0.3eV 이하; 0eV 이상 0.2eV 이하; 또는 0eV 이상 0.1eV 이하이다. 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 일중항 에너지 준위(S1)와 삼중항 에너지 준위(T1)의 차가 상기 범위를 만족하는 경우, 삼중항 에너지 준위의 엑시톤이 역항간 교차(RISC)에 의해 일중항 에너지 준위로 이동하는 비율 및 속도가 증가하여 삼중항 에너지 준위에 엑시톤이 머무는 시간이 줄어들게 되므로 유기 발광 소자의 효율 및 수명이 증가하는 이점이 있다.In an exemplary embodiment, the difference (ΔE ST ) between the singlet energy level (S1) and the triplet energy level (T1) of the heterocyclic compound of Formula 1 is 0 eV or more and 0.3 eV or less; 0 eV or more and 0.2 eV or less; Or 0 eV or more and 0.1 eV or less. When the difference between the singlet energy level (S1) and the triplet energy level (T1) of the heterocyclic compound of Formula 1 satisfies the above range, the exciton of the triplet energy level is singlet energy by crossover (RISC) As the rate and speed of moving to the level increases, the time for the exciton to stay in the triplet energy level decreases, thereby increasing the efficiency and lifespan of the organic light emitting device.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 삼중항 에너지 준위(T1)는 2.1 eV 내지 2.8 eV 이다.In an exemplary embodiment, the triplet energy level (T1) of the heterocyclic compound of Formula 1 is 2.1 eV to 2.8 eV.

일 실시상태에 있어서, 상기 호스트의 삼중항 에너지 준위(T1H)는 2.4 eV 내지 3.2 eV 이다.In one embodiment, the triplet energy level (T1 H ) of the host is 2.4 eV to 3.2 eV.

일 실시상태에 있어서, 상기 호스트의 일중항 에너지 준위(S1H)는 2.6 eV 내지 3.6 eV 이다.In one embodiment, the singlet energy level (S1 H ) of the host is 2.6 eV to 3.6 eV to be.

일 실시상태에 있어서, 상기 호스트의 삼중항 에너지 준위(T1H)는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 삼중항 에너지 준위(T1)보다 크다.In one embodiment, the triplet energy level (T1 H ) of the host is greater than the triplet energy level (T1) of the heterocyclic compound of Formula 1 above.

일 실시상태에 있어서, 상기 호스트의 일중항 에너지 준위(S1H)는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 일중항 에너지 준위(S1)보다 크다. 상기 에너지 관계를 만족하면 도펀트의 엑시톤이 호스트로 역이동하는 것을 방지할 수 있다. In one embodiment, the singlet energy level (S1 H ) of the host is greater than the singlet energy level (S1) of the heterocyclic compound of Formula 1 above. When the energy relationship is satisfied, it is possible to prevent the excitons of the dopant from moving back to the host.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 물질로는 축합방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 유도체, 플루오란텐 유도체 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 벤조이마다졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the exemplary embodiment of the present specification, the host material includes a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic-containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene derivatives, and fluoranthene derivatives, and heterocyclic compounds include carbazole derivatives, benzoimidazole derivatives, and dibenzo. Furan derivatives, ladder furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 물질은 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이며 본 발명 도펀트의 지연 형광 특성을 발현시키기에 적합한 화합물이라면 한정되지 않고 사용할 수 있다.In one embodiment, the host material may be any one selected from the following structures, but this is only an example, and any compound suitable for expressing the delayed fluorescence characteristic of the dopant of the present invention may be used without limitation.

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본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물; 및 형광 이미터를 포함한다. 이 경우에 있어서, 상기 형광 이미터는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 10 중량부로 포함된다.In an exemplary embodiment of the present invention, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes a heterocyclic compound of Formula 1; And a fluorescent emitter. In this case, the fluorescent emitter is included in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the heterocyclic compound of Formula 1.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물; 호스트; 및 형광 이미터를 포함한다. 이 경우에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 함량은 상기 호스트 100 중량부 대비 1 중량부 내지 50 중량부이고, 상기 형광 이미터의 함량은 상기 호스트 100 중량부 대비 0.5 중량부 내지 10 중량부일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes a heterocyclic compound of Formula 1; Host; And a fluorescent emitter. In this case, the content of the heterocyclic compound of Formula 1 is 1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the host, and the content of the fluorescent emitter is 0.5 parts by weight to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the host. I can.

상기 발광층이 형광 이미터를 더 포함하는 경우, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물이 엑시톤 에너지를 형광 이미터로 전달하여 형광 이미터에서 발광 현상이 일어나게 되므로, 고휘도 발광이 가능하고, 구동 전압이 낮으며, 장수명 특성이 가능한 소자가 구현된다.When the light-emitting layer further includes a fluorescent emitter, the heterocyclic compound of Formula 1 transfers exciton energy to the fluorescent emitter to cause light emission in the fluorescent emitter, so that high luminance light emission is possible and the driving voltage is low In addition, a device capable of long-life characteristics is implemented.

상기 형광 이미터로는 안트라센계 화합물, 파이렌계 화합물, 보론계 화합물과 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As the fluorescent emitter, a fluorescent material such as an anthracene compound, a pyrene compound, and a boron compound may be used, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 형광 이미터의 삼중항 에너지 준위는 상기 화학식 1으로 표시되는 화합물의 삼중항 에너지 준위보다 낮다.In the exemplary embodiment of the present specification, the triplet energy level of the fluorescent emitter is lower than the triplet energy level of the compound represented by Chemical Formula 1.

전술한 화학식 1의 화합물은 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 반응 조건을 이용하여 제조될 수 있다. The compound of Formula 1 described above can be prepared using materials and reaction conditions known in the art.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조 방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic light-emitting device, except for forming one or more organic material layers using the above-described compound.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 발광층 외에, 정공주입층, 정공버퍼층, 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 한 층을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light-emitting device of the present specification may have a structure further including at least one of a hole injection layer, a hole buffer layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the emission layer as an organic material layer. have. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

일 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 노말 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 다른 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.According to an example, the organic light-emitting device may be a normal type organic light-emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. According to another example, the organic light-emitting device may be an organic light-emitting device of an inverted type in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. The organic light-emitting device may have, for example, a stacked structure as described below, but is not limited thereto.

(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Anode

(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) Anode/Hole Injection Layer/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Anode

(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극(3) Anode/Hole injection layer/Hole buffer layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Anode

(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(4) Anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(5) Anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(7) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(8) Anode/Hole injection layer/Hole buffer layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Electron transport layer/Anode

(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(9) Anode/Hole injection layer/Hole buffer layer/Hole transport layer/Light-emitting layer/Electron transport layer/Electron injection layer/Anode

(10) 양극/정공수송층/전자저지층/발광층/전자수송층/음극(10) Anode/hole transport layer/electron blocking layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(11) 양극/ 정공수송층/전자저지층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(11) Anode/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자저지층/발광층/전자수송층/음극(12) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(13) 양극/정공주입층/정공수송층/전자저지층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(13) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Electron blocking layer/Light emitting layer/Electron transport layer/Electron injection layer/Anode

(14) 양극/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/음극(14) Anode/Hole transport layer/Light-emitting layer/Hole blocking layer/Electron transport layer/Anode

(15) 양극/정공수송층/발광층/ 정공저지층/전자수송층/전자주입층/음극(15) Anode/Hole transport layer/Light emitting layer/Hole blocking layer/Electron transport layer/Electron injection layer/Anode

(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/음극(16) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/cathode

(17) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/음극(17) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(18) 양극/정공주입층/정공수송층/전자저지층/발광층/정공저지층/전자 주입 및 수송층/음극(18) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron injection and transport layer/cathode

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. For example, the structure of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 and 2.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3, and a cathode 4. In such a structure, the heterocyclic compound of Formula 1 may be included in the emission layer.

도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자저지층(7), 발광층(8), 정공저지층(9), 전자 주입 및 수송층(10) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.2 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, an electron blocking layer 7, a light emitting layer 8, a hole blocking layer 9, an electron injection and transport layer ( 10) and a cathode 4 are shown as an example of an organic light-emitting device. In such a structure, the heterocyclic compound of Formula 1 may be included in the emission layer.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 적어도 하나의 층이 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers includes the heterocyclic compound of Formula 1 above.

상기 유기 발광 소자가 복수 개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 물리적 증착법(physical Vapor Deposition, PVD)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or alloy thereof is deposited on the substrate. It can be manufactured by forming an anode, forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the heterocyclic compound of Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다. 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light-emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate. However, the manufacturing method is not limited thereto.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SNO 2 :Sb; Poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. It is preferable that the cathode material is a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.

상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer that injects holes from the electrode, and has the ability to transport holes as a hole injection material, so that it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect for a light emitting layer or a light emitting material, and is generated from the light emitting layer. A compound that prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and has excellent thin film formation ability is preferable. It is preferable that the HOMO (highest occupied molecular orbital) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic substances, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic substances, quinacridone-based organic substances, and perylene-based organic substances. Organic substances, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층 또는 인접한 층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the emission layer. The hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the emission layer or an adjacent layer. Materials with high mobility are suitable. Specific examples include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer including a conjugated portion and a non-conjugated portion, but are not limited thereto.

정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 수 있다. 정공버퍼층은 당 기술분야에 알려져 있는 정공 주입 또는 수송 재료를 포함할 수 있다.A hole buffer layer may be additionally provided between the hole injection layer and the hole transport layer. The hole buffer layer may include a hole injection or transport material known in the art.

상기 전자저지층은 발광층으로주터 전자가 양극으로 유입되는 것을 방지하고 발광층으로 유입되는 정공의 흐름을 조절하여 소자 전체의 성능을 조절하는 층이다. 상기 전자 차단 물질로는 발광층으로부터 양극으로의 전자의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 정공의 흐름을 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 일 실시상태에 있어서, 전자저지층으로는 아릴아민 계열의 유기물이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron blocking layer is a layer that prevents electrons from flowing into the light emitting layer and controls the flow of holes flowing into the light emitting layer to control the performance of the entire device. The electron blocking material is preferably a compound having the ability to prevent the inflow of electrons from the emission layer to the anode and to control the flow of holes injected into the emission layer or the emission material. In one embodiment, an arylamine-based organic material may be used as the electron blocking layer, but is not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-하이드록시퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-하이드록시벤조퀴놀린-금속 화합물; 벤즈옥사졸, 벤조티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the light-emitting material, a material capable of emitting light in a visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency against fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 파이렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The emission layer may include a host material and a dopant material. Host materials include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic-containing compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladders. Type furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

상기 발광층의 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스티릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 상기 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 파이렌, 안트라센, 크라이센, 페리플란텐 등을 사용할 수 있다. 상기 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환된 화합물을 사용할 수 있다. 상기 스티릴아민 화합물의 예로는 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material for the light emitting layer include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. As the aromatic amine derivative, as a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamine group, pyrene, anthracene, chrysene, periflanthene and the like having an arylamine group may be used. As the styrylamine compound, a compound in which at least one arylvinyl group is substituted with a substituted or unsubstituted arylamine may be used. Examples of the styrylamine compound include, but are not limited to, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, and styryltetraamine. The metal complex may be an iridium complex or a platinum complex, but is not limited thereto.

상기 정공저지층은 발광층으로부터 정공이 음극으로 유입되는 것을 저지하고 발광층으로 유입되는 전자를 조절하여 소자 전체의 성능을 조절하는 층이다. 정공 차단 물질로는 발광층으로부터 음극으로의 정공의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 전자를 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 전자 조절 물질로는 소자 내 사용되는 유기물층의 구성에 따라 적절한 물질을 사용할 수 있다. 상기 정공저지층은 발광층과 음극 사이에 위치하며, 바람직하게는 발광층에 직접 접하여 구비된다.The hole blocking layer is a layer that prevents holes from flowing from the emission layer to the cathode and controls electrons flowing into the emission layer to control the performance of the entire device. The hole blocking material is preferably a compound having the ability to prevent the inflow of holes from the light emitting layer to the cathode and control electrons injected into the light emitting layer or the light emitting material. As the electron controlling material, a suitable material may be used according to the configuration of the organic material layer used in the device. The hole blocking layer is located between the light emitting layer and the cathode, and is preferably provided in direct contact with the light emitting layer.

상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로, 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-하이드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 하이드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the emission layer. As an electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the emission layer is a material having high mobility for electrons. Suitable. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials that have a low work function and are followed by an aluminum layer or a silver layer. Specifically, they are cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, and in each case, an aluminum layer or a silver layer follows.

상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 엑시톤의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from the electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer A compound that prevents migration to a layer and is excellent in thin film formation ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, and their derivatives, metals Complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include lithium 8-hydroxyquinolinato, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( o-cresolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtholato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtholato)gallium, etc. It is not limited to this.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하기 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 출원의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 출원의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to explain the present specification in detail, it will be described in detail with reference to examples. However, the embodiments according to the present specification may be modified in various forms, and the scope of the present application is not construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present application are provided to more completely describe the present specification to those of ordinary skill in the art.

<< 제조예Manufacturing example >>

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 할라이드가 치환된 다이벤조퓨란 또는 다이벤조티오펜에 보레이트를 도입하고, 스즈키 커플링을 통해 트리아진기를 도입한 후 확장된 카바졸기를 도입하는 과정으로부터 제조할 수 있다. 하기 과정을 통하여 단계적으로 구체예 상의 화합물들을 합성하였다.The compound represented by Formula 1 can be prepared from the process of introducing a borate to halide-substituted dibenzofuran or dibenzothiophene, introducing a triazine group through Suzuki coupling, and then introducing an expanded carbazole group. . The compounds of the specific examples were synthesized step by step through the following process.

제조예Manufacturing example 1-1: 화합물 1-A의 합성 1-1: Synthesis of compound 1-A

Figure pat00084
Figure pat00084

1-클로로-4-플루오로다이벤조[b,d]퓨란 11.03g(50mmol), 비스(피나콜라토)다이보론(Bis(pinacolato)diboron) 55mmol, 포타슘아세테이트 150mmol 및 1,4-다이옥산 130mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-A 13.7g을 얻었다. (수율 88%, MS[M+H]+ = 313)1-chloro-4-fluorodibenzo [b,d] furan 11.03 g (50 mmol), bis (pinacolato) diboron (Bis (pinacolato) diboron) 55 mmol, potassium acetate 150 mmol and 1,4-dioxane 130 mL Mixed and heated to 100°C. 1mmol% of palladium acetate was added thereto, and the mixture was stirred for 12 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was distilled to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography with chloroform/hexane to obtain 13.7 g of compound 1-A. (Yield 88%, MS[M+H] + = 313)

제조예Manufacturing example 1-2: 화합물 1-B의 합성 1-2: synthesis of compound 1-B

Figure pat00085
Figure pat00085

4-클로로-1-플루오로다이벤조[b,d]퓨란 11.03g(50mmol), 비스(피나콜라토)다이보론(Bis(pinacolato)diboron) 55mmol, 포타슘아세테이트 150mmol 및 1,4-다이옥산 130mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-B 14.2g을 얻었다. (수율 91%, MS[M+H]+ = 313)4-chloro-1-fluorodibenzo [b,d] furan 11.03 g (50 mmol), bis (pinacolato) diboron (Bis (pinacolato) diboron) 55 mmol, potassium acetate 150 mmol and 1,4-dioxane 130 mL Mixed and heated to 100°C. 1mmol% of palladium acetate was added thereto, and the mixture was stirred for 12 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was distilled to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography with chloroform/hexane to obtain 14.2 g of compound 1-B. (Yield 91%, MS[M+H] + = 313)

제조예Manufacturing example 1-3: 화합물 1-C의 합성 1-3: Synthesis of Compound 1-C

Figure pat00086
Figure pat00086

1-클로로-4-플루오로다이벤조[b,d]사이오펜 11.8g(50mmol), 비스(피나콜라토)다이보론(Bis(pinacolato)diboron) 55mmol, 포타슘아세테이트 150mmol 및 1,4-다이옥산 130mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-C 13.9g을 얻었다. (수율 85%, MS[M+H]+ = 329)1-chloro-4-fluorodibenzo[b,d]thiophene 11.8 g (50 mmol), bis (pinacolato) diboron 55 mmol, potassium acetate 150 mmol and 1,4-dioxane 130 mL And heated to 100°C. 1mmol% of palladium acetate was added thereto, and the mixture was stirred for 12 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was distilled to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography with chloroform/hexane to obtain 13.9 g of compound 1-C. (Yield 85%, MS[M+H] + = 329)

제조예Manufacturing example 1-4: 화합물 1-D의 합성 1-4: Synthesis of compound 1-D

Figure pat00087
Figure pat00087

4-클로로-1-플루오로다이벤조[b,d]퓨란-2-카보나이트릴 12.3g(50mmol), 비스(피나콜라토)다이보론(Bis(pinacolato)diboron) 55mmol, 포타슘아세테이트 150mmol 및 1,4-다이옥산 130mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-D 14g을 얻었다. (수율 83%, MS[M+H]+ = 338)4-chloro-1-fluorodibenzo[b,d]furan-2-carbonitrile 12.3 g (50 mmol), bis (pinacolato) diboron 55 mmol, potassium acetate 150 mmol and 1, 130 mL of 4-dioxane was mixed and heated to 100°C. 1mmol% of palladium acetate was added thereto, and the mixture was stirred for 12 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was distilled to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography with chloroform/hexane to obtain 14 g of compound 1-D. (Yield 83%, MS[M+H] + = 338)

제조예Manufacturing example 1-5: 화합물 1-E의 합성 1-5: Synthesis of compound 1-E

Figure pat00088
Figure pat00088

1-클로로-4-플루오로다이벤조[b,d]퓨란-2-카보나이트릴 12.3g(50mmol), 비스(피나콜라토)다이보론(Bis(pinacolato)diboron) 55mmol, 포타슘아세테이트 150mmol 및 1,4-다이옥산 130mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-E 13.5g을 얻었다. (수율 80%, MS[M+H]+ = 338)1-chloro-4-fluorodibenzo[b,d]furan-2-carbonitrile 12.3 g (50 mmol), bis (pinacolato) diboron 55 mmol, potassium acetate 150 mmol and 1, 130 mL of 4-dioxane was mixed and heated to 100°C. 1mmol% of palladium acetate was added thereto, and the mixture was stirred for 12 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was distilled to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography with chloroform/hexane to obtain 13.5 g of compound 1-E. (Yield 80%, MS[M+H] + = 338)

제조예Manufacturing example 2-1: 화합물 2-A의 합성 2-1: Synthesis of compound 2-A

Figure pat00089
Figure pat00089

1-A 12.5g(40mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 40mmol, 테트라하이드로퓨란 100mL 및 물 50mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트 120mmol 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.2mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-A 14.5g을 얻었다. (수율 87%, MS[M+H]+ = 418)12.5 g (40 mmol) of 1-A, 40 mmol of 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 100 mL of tetrahydrofuran, and 50 mL of water were mixed and heated to 60°C. 120 mmol of potassium carbonate and tetrakistriphenylphosphine palladium (0.2 mmol) were added, and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the organic layer was extracted from the reaction solution returned to room temperature, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain 14.5 g of compound 2-A. (Yield 87%, MS[M+H] + = 418)

제조예Manufacturing example 2-2: 화합물 2-B의 합성 2-2: Synthesis of compound 2-B

Figure pat00090
Figure pat00090

1-B 12.5g(40mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 40mmol, 테트라하이드로퓨란 100mL 및 물 50mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트 120mmol 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.2mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-B 15g을 얻었다. (수율 90%, MS[M+H]+ = 418)12.5 g (40 mmol) of 1-B, 40 mmol of 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 100 mL of tetrahydrofuran, and 50 mL of water were mixed and heated to 60°C. 120 mmol of potassium carbonate and tetrakistriphenylphosphine palladium (0.2 mmol) were added, and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the organic layer was extracted from the reaction solution returned to room temperature, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain 15 g of compound 2-B. (Yield 90%, MS[M+H] + = 418)

제조예Manufacturing example 2-3: 화합물 2-C의 합성 2-3: Synthesis of compound 2-C

Figure pat00091
Figure pat00091

1-B 12.5g(40mmol), 2-([1,1'-바이페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 40mmol, 테트라하이드로퓨란 100mL 및 물 50mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트 120mmol 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.2mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-C 17g을 얻었다. (수율 86%, MS[M+H]+ = 494)1-B 12.5 g (40 mmol), 2-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine 40 mmol, tetrahydrofuran 100 mL and 50 mL of water was mixed and heated to 60°C. 120 mmol of potassium carbonate and tetrakistriphenylphosphine palladium (0.2 mmol) were added, and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the organic layer was extracted from the reaction solution returned to room temperature, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain 17 g of compound 2-C. (Yield 86%, MS[M+H] + = 494)

제조예Manufacturing example 2-4: 화합물 2-D의 합성 2-4: Synthesis of compound 2-D

Figure pat00092
Figure pat00092

1-B 12.5g(40mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐피리미딘-5-카보나이트릴 40mmol, 테트라하이드로퓨란 100mL 및 물 50mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트 120mmol 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.2mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-D 14.3g을 얻었다. (수율 81%, MS[M+H]+ = 442)12.5 g (40 mmol) of 1-B, 40 mmol of 2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine-5-carbonitrile, 100 mL of tetrahydrofuran, and 50 mL of water were mixed and heated to 60°C. 120 mmol of potassium carbonate and tetrakistriphenylphosphine palladium (0.2 mmol) were added, and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the organic layer was extracted from the reaction solution returned to room temperature, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain 14.3 g of compound 2-D. (Yield 81%, MS[M+H] + = 442)

제조예Manufacturing example 2-5: 화합물 2-E의 합성 2-5: Synthesis of compound 2-E

Figure pat00093
Figure pat00093

1-C 13.1g(40mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 40mmol, 테트라하이드로퓨란 100mL 및 물 50mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트 120mmol 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.2mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-E 13.4g을 얻었다. (수율 77%, MS[M+H]+ = 434)13.1 g (40 mmol) of 1-C, 40 mmol of 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 100 mL of tetrahydrofuran, and 50 mL of water were mixed and heated to 60°C. 120 mmol of potassium carbonate and tetrakistriphenylphosphine palladium (0.2 mmol) were added, and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the organic layer was extracted from the reaction solution returned to room temperature, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain 13.4 g of compound 2-E. (Yield 77%, MS[M+H] + = 434)

제조예Manufacturing example 2-6: 화합물 2-F의 합성 2-6: Synthesis of compound 2-F

Figure pat00094
Figure pat00094

1-D 13.5g(40mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 40mmol, 테트라하이드로퓨란 100mL 및 물 50mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트 120mmol 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.2mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-F 14g을 얻었다. (수율 79%, MS[M+H]+ = 443)13.5 g (40 mmol) of 1-D, 40 mmol of 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 100 mL of tetrahydrofuran, and 50 mL of water were mixed and heated to 60°C. 120 mmol of potassium carbonate and tetrakistriphenylphosphine palladium (0.2 mmol) were added, and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the organic layer was extracted from the reaction solution returned to room temperature, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain 14 g of compound 2-F. (Yield 79%, MS[M+H] + = 443)

제조예Manufacturing example 2-7: 화합물 2-G의 합성 2-7: Synthesis of compound 2-G

Figure pat00095
Figure pat00095

1-E 13.5g(40mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 40mmol, 테트라하이드로퓨란 100mL 및 물 50mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트 120mmol 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.2mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-G 12.9g을 얻었다. (수율 73%, MS[M+H]+ = 443)13.5 g (40 mmol) of 1-E, 40 mmol of 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine, 100 mL of tetrahydrofuran, and 50 mL of water were mixed and heated to 60°C. 120 mmol of potassium carbonate and tetrakistriphenylphosphine palladium (0.2 mmol) were added, and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the organic layer was extracted from the reaction solution returned to room temperature, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain 12.9 g of compound 2-G. (Yield 73%, MS[M+H] + = 443)

제조예Manufacturing example 2-8: 화합물 2-H의 합성 2-8: Synthesis of compound 2-H

Figure pat00096
Figure pat00096

1-A 12.5g(40mmol), 2-클로로-4,6-비스(페닐-d5)-1,3,5-트리아진 40mmol, 테트라하이드로퓨란 100mL 및 물 50mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트 120mmol 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.2mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-H 14g을 얻었다. (수율 82%, MS[M+H]+ = 428)12.5 g (40 mmol) of 1-A, 40 mmol of 2-chloro-4,6-bis (phenyl-d5) -1,3,5-triazine, 100 mL of tetrahydrofuran, and 50 mL of water were mixed and heated to 60°C. 120 mmol of potassium carbonate and tetrakistriphenylphosphine palladium (0.2 mmol) were added, and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the organic layer was extracted from the reaction solution returned to room temperature, and recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain 14 g of compound 2-H. (Yield 82%, MS[M+H] + = 428)

제조예Manufacturing example 3-1: 화합물 1의 합성 3-1: Synthesis of compound 1

Figure pat00097
Figure pat00097

화합물 2-A 10.4g(25mmol) 및 2-(9H-카바졸-9-일)-8-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 1 19.5g을 얻었다. (수율 87%, MS[M+H]+ = 895)Compound 2-A 10.4g (25mmol) and 2-(9H-carbazol-9-yl)-8-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole (25mmol) in dimethylform After completely dissolving in 100 mL of amide, sodium-tert-butoxide (50 mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 19.5 g of compound 1 was obtained. (Yield 87%, MS[M+H] + = 895)

제조예Manufacturing example 3-2: 화합물 2의 합성 3-2: Synthesis of compound 2

Figure pat00098
Figure pat00098

화합물 2-A 10.4g(25mmol) 및 5'H-스파이로[플루오렌-9,8'-인데노[2,1-c]카바졸] (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 2 16.3g을 얻었다. (수율 81%, MS[M+H]+ = 803)Compound 2-A 10.4g (25mmol) and 5'H-spiro[fluorene-9,8'-indeno[2,1-c]carbazole] (25mmol) completely dissolved in 100 mL of dimethylformamide and sodium -tert-butoxide (50mmol) was added, followed by heating and stirring at 80°C for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 16.3 g of compound 2 was obtained. (Yield 81%, MS[M+H] + = 803)

제조예Manufacturing example 3-3: 화합물 3의 합성 3-3: Synthesis of compound 3

Figure pat00099
Figure pat00099

화합물 2-A 10.4g(25mmol) 및 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 3 15.5g을 얻었다. (수율 85%, MS[M+H]+ = 730)Compound 2-A 10.4g (25mmol) and 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole (25mmol) completely dissolved in dimethylformamide 100mL, sodium-tert-butoxide ( 50mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 15.5 g of compound 3 was obtained. (Yield 85%, MS[M+H] + = 730)

제조예Manufacturing example 3-4: 화합물 4의 합성 3-4: Synthesis of compound 4

Figure pat00100
Figure pat00100

화합물 2-A 10.4g(25mmol) 및 8H-벤조[4,5]사이에노[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 4 13.9g을 얻었다. (수율 83%, MS[M+H]+ = 671)Compound 2-A 10.4g (25mmol) and 8H-benzo[4,5]cyeno[2,3-c]carbazole (25mmol) was completely dissolved in 100 mL of dimethylformamide, and sodium-tert-butoxide (50mmol) ) Was added, and heated and stirred at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 13.9 g of compound 4 was obtained. (Yield 83%, MS[M+H] + = 671)

제조예Manufacturing example 3-5: 화합물 5의 합성 3-5: Synthesis of compound 5

Figure pat00101
Figure pat00101

화합물 2-B 10.4g(25mmol) 및 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 5 14.6g을 얻었다. (수율 80%, MS[M+H]+ = 730)Compound 2-B 10.4g (25mmol) and 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole (25mmol) were completely dissolved in 100 mL of dimethylformamide, and sodium-tert-butoxide ( 50mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 14.6 g of compound 5 was obtained. (Yield 80%, MS[M+H] + = 730)

제조예Manufacturing example 3-6: 화합물 6의 합성 3-6: Synthesis of compound 6

Figure pat00102
Figure pat00102

화합물 2-C 12.3g(25mmol) 및 5-페닐-5,11-다이하이드로인돌로[3,2-b]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 6 16.3g을 얻었다. (수율 81%, MS[M+H]+ = 806)Compound 2-C 12.3g (25mmol) and 5-phenyl-5,11-dihydroindolo[3,2-b]carbazole (25mmol) was completely dissolved in 100 mL of dimethylformamide and sodium-tert-butoxide ( 50mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 16.3 g of compound 6 was obtained. (Yield 81%, MS[M+H] + = 806)

제조예Manufacturing example 3-7: 화합물 7의 합성 3-7: Synthesis of compound 7

Figure pat00103
Figure pat00103

화합물 2-D 11g(25mmol) 및 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 7 16g을 얻었다. (수율 85%, MS[M+H]+ = 754)Compound 2-D 11g (25mmol) and 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole (25mmol) completely dissolved in dimethylformamide 100mL, sodium-tert-butoxide (50mmol) ) Was added, and heated and stirred at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 16 g of compound 7 was obtained. (Yield 85%, MS[M+H] + = 754)

제조예Manufacturing example 3-8: 화합물 8의 합성 3-8: Synthesis of compound 8

Figure pat00104
Figure pat00104

화합물 2-B 10.4g(25mmol) 및 5,10-다이페닐-10,15-다이하이드로-5H-다이인돌로[3,2-a:3',2'-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 8 17.7g을 얻었다. (수율 79%, MS[M+H]+ = 895)Compound 2-B 10.4g (25mmol) and 5,10-diphenyl-10,15-dihydro-5H-diindolo[3,2-a:3',2'-c]carbazole (25mmol) After completely dissolving in 100 mL of dimethylformamide, sodium-tert-butoxide (50 mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 17.7 g of compound 8 was obtained. (Yield 79%, MS[M+H] + = 895)

제조예Manufacturing example 3-9: 화합물 9의 합성 3-9: Synthesis of compound 9

Figure pat00105
Figure pat00105

화합물 2-B 10.4g(25mmol) 및 5,6-다이페닐-5,12-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 9 17.3g을 얻었다. (수율 86%, MS[M+H]+ = 806)Compound 2-B 10.4g (25mmol) and 5,6-diphenyl-5,12-dihydroindolo[3,2-a]carbazole (25mmol) was completely dissolved in 100 mL of dimethylformamide and sodium-tert- Butoxide (50 mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 17.3 g of compound 9 was obtained. (Yield 86%, MS[M+H] + = 806)

제조예Manufacturing example 3-10: 화합물 10의 합성 3-10: Synthesis of compound 10

Figure pat00106
Figure pat00106

화합물 2-B 10.4g(25mmol) 및 11H-벤조퓨로[3,2-b]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 10 13.7g을 얻었다. (수율 84%, MS[M+H]+ = 655)Compound 2-B 10.4g (25mmol) and 11H-benzofuro[3,2-b]carbazole (25mmol) completely dissolved in dimethylformamide 100mL, sodium-tert-butoxide (50mmol) was added, and 4 Heated and stirred at 80° C. for an hour. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 13.7 g of compound 10 was obtained. (Yield 84%, MS[M+H] + = 655)

제조예Manufacturing example 3-11: 화합물 11의 합성 3-11: Synthesis of compound 11

Figure pat00107
Figure pat00107

화합물 2-E 10.8g(25mmol) 및 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 11 16g을 얻었다. (수율 86%, MS[M+H]+ = 746)Compound 2-E 10.8g (25mmol) and 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole (25mmol) were completely dissolved in 100 mL of dimethylformamide, and sodium-tert-butoxide ( 50mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 16 g of compound 11 was obtained. (Yield 86%, MS[M+H] + = 746)

제조예Manufacturing example 3-12: 화합물 12의 합성 3-12: Synthesis of compound 12

Figure pat00108
Figure pat00108

화합물 2-F 11.1g(25mmol) 및 8H-벤조퓨로[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 12 14.1g을 얻었다. (수율 83%, MS[M+H]+ = 680)Compound 2-F 11.1g (25mmol) and 8H-benzofuro[2,3-c]carbazole (25mmol) completely dissolved in dimethylformamide 100mL, sodium-tert-butoxide (50mmol) was added, and 4 Heated and stirred at 80° C. for hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 14.1 g of compound 12 was obtained. (Yield 83%, MS[M+H] + = 680)

제조예Manufacturing example 3-13: 화합물 13의 합성 3-13: Synthesis of compound 13

Figure pat00109
Figure pat00109

화합물 2-F 11.1g(25mmol) 및 5-페닐-5,12-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 13 14.2g을 얻었다. (수율 75%, MS[M+H]+ = 755)Compound 2-F 11.1g (25mmol) and 5-phenyl-5,12-dihydroindolo[3,2-a]carbazole (25mmol) completely dissolved in dimethylformamide 100mL, sodium-tert-butoxide ( 50mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 14.2 g of compound 13 was obtained. (Yield 75%, MS[M+H] + = 755)

제조예Manufacturing example 3-14: 화합물 14의 합성 3-14: Synthesis of compound 14

Figure pat00110
Figure pat00110

화합물 2-F 11.1g(25mmol) 및 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 14 13.4g을 얻었다. (수율 71%, MS[M+H]+ = 755)Compound 2-F 11.1g (25mmol) and 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole (25mmol) completely dissolved in 100 mL of dimethylformamide and sodium-tert-butoxide ( 50mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 13.4 g of compound 14 were obtained. (Yield 71%, MS[M+H] + = 755)

제조예Manufacturing example 3-15: 화합물 15의 합성 3-15: Synthesis of compound 15

Figure pat00111
Figure pat00111

화합물 2-G 11.1g(25mmol) 및 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 15 14.5g을 얻었다. (수율 77%, MS[M+H]+ = 755)Compound 2-G 11.1g (25mmol) and 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole (25mmol) completely dissolved in 100 mL of dimethylformamide and sodium-tert-butoxide ( 50mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 14.5 g of compound 15 was obtained. (Yield 77%, MS[M+H] + = 755)

제조예Manufacturing example 3-16: 화합물 16의 합성 3-16: Synthesis of compound 16

Figure pat00112
Figure pat00112

화합물 2-H 10.7g(25mmol) 및 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 (25mmol)을 디메틸포름아마이드 100mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드(50mmol)를 첨가하고, 4시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 헥산이 1:5 부피비로 혼합된 용액으로 컬럼하고 톨루엔과 에탄올이 1:1의 부피비로 혼합된 용액으로 재결정을 실시하여, 화합물 16 15.5g을 얻었다. (수율 84%, MS[M+H]+ = 740)Compound 2-H 10.7g (25mmol) and 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole (25mmol) completely dissolved in dimethylformamide 100mL, sodium-tert-butoxide ( 50mmol) was added, followed by heating and stirring at 80° C. for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the salt, it was concentrated under reduced pressure, followed by column with a solution in which tetrahydrofuran and hexane were mixed in a volume ratio of 1:5, and recrystallized into a solution in which toluene and ethanol were mixed in a volume ratio of 1:1. 15.5 g of compound 16 was obtained. (Yield 84%, MS[M+H] + = 740)

상기 반응식과 동일한 합성 과정을 통해 트리아진기와 카바졸류를 다양하게 도입하여 구체예 상의 물질들을 합성하였다.The materials of the specific examples were synthesized by introducing various triazine groups and carbazoles through the same synthesis process as in the above scheme.

<< 실시예Example > 유기발광소자의 제조> Manufacturing of organic light emitting device

비교예Comparative example 1-1. 1-1.

삼중항 값이 2.4eV 이상인 호스트 재료(m-CBP)와 △EST(일중항 에너지 준위와 삼중항 에너지 준위의 차이)가 0.3eV 미만인 TADF(지연형광) 특성을 갖는 화합물 4CzIPN을 발광층에 포함하여 녹색 유기 발광 소자를 제조하고, 특성을 평가하였다. The triplet value is 2.4 eV A green organic light-emitting device was prepared by including the above host material (m-CBP) and the compound 4CzIPN having TADF (delayed fluorescence) properties with ΔE ST (difference between singlet energy level and triplet energy level) less than 0.3 eV in the emission layer. And evaluated the properties.

ITO(Indium Tin Oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤 및 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법으로 진공도 5.0Х10-4㎩로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 헥사아자트리페닐렌-헥사니트릴(HAT-CN)을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 1,000 Å was placed in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a filter made by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator. Each thin film was stacked on the prepared ITO transparent electrode with a vacuum degree of 5.0 × 10 -4 Pa by vacuum deposition. First, hexaazatriphenylene-hexanitrile (HAT-CN) was thermally vacuum deposited to a thickness of 500Å on ITO to form a hole injection layer.

상기 정공주입층 위에 하기 화합물 NPB를 진공 증착하여 정공수송층(300Å)을 형성하였다.The following compound NPB was vacuum deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer (300Å).

상기 정공수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 EB1를 진공 증착하여 전자저지층을 형성하였다.The electron blocking layer was formed by vacuum depositing the following compound EB1 with a film thickness of 100 Å on the hole transport layer.

이어서, 상기 전자저지층 위에 막 두께 300Å으로 하기 화합물 m-CBP와 4CzIPN을 70:30의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, the following compounds m-CBP and 4CzIPN with a thickness of 300 Å were vacuum deposited on the electron blocking layer at a weight ratio of 70:30 to form a light emitting layer.

상기 발광층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 HB1을 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다.A hole blocking layer was formed by vacuum depositing the following compound HB1 with a film thickness of 100 Å on the emission layer.

상기 정공저지층 위에 하기 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.On the hole blocking layer, the following compound ET1 and compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer with a thickness of 300Å. Lithium fluoride (LiF) in a thickness of 12 Å and aluminum in a thickness of 2,000 Å were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a negative electrode.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4Å/sec내지 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2x10- 7torr 내지 5x10- 6torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of organic material was maintained at 0.4 Å/sec to 0.7 Å/sec, lithium fluoride at the cathode was maintained at 0.3 Å/sec, and the deposition rate for aluminum was 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 2×10. - 7 torr to 5x10 - holding a 6 torr, was produced in the organic light emitting device.

Figure pat00113
Figure pat00113

실시예Example 1-1 내지 1-16. 1-1 to 1-16.

상기 비교예 1-1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1-1, except that the compound of Table 1 was used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 1-1.

비교예Comparative example 1-2 내지 1-5. 1-2 to 1-5.

상기 비교예 1-1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 T1 내지 T4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1-1, except that compounds of the following T1 to T4 were used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 1-1.

Figure pat00114
Figure pat00114

실시예Example 1-1 내지 1-16. 1-1 to 1-16.

상기 비교예 1-1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1-1, except that the compound of Table 1 was used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 1-1.

비교예Comparative example 1-2 내지 1-5. 1-2 to 1-5.

상기 비교예 1-1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 T1 내지 T4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1-1, except that compounds of the following T1 to T4 were used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 1-1.

구분division 화합물
(발광층)
compound
(Luminescent layer)
전압
(V)
Voltage
(V)
효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
CIE 색좌표
(x,y)
CIE color coordinates
(x,y)
T95
(hr)
T 95
(hr)
실시예 1-1Example 1-1 1One 4.14.1 2121 (0.20, 0.66)(0.20, 0.66) 9797 실시예 1-2Example 1-2 22 4.14.1 2020 (0.20, 0.67)(0.20, 0.67) 9999 실시예 1-3Example 1-3 33 4.04.0 2020 (0.21, 0.67)(0.21, 0.67) 9595 실시예 1-4Example 1-4 44 4.24.2 2222 (0.21, 0.66)(0.21, 0.66) 9696 실시예 1-5Example 1-5 55 4.14.1 2121 (0.20, 0.66)(0.20, 0.66) 9898 실시예 1-6Example 1-6 66 4.14.1 2121 (0.21, 0.67)(0.21, 0.67) 9999 실시예 1-7Example 1-7 77 4.24.2 2020 (0.20, 0.66)(0.20, 0.66) 9292 실시예 1-8Example 1-8 88 4.14.1 2121 (0.21, 0.67)(0.21, 0.67) 9696 실시예 1-9Example 1-9 99 4.14.1 2222 (0.20, 0.67)(0.20, 0.67) 9494 실시예 1-10Example 1-10 1010 4.04.0 2020 (0.20, 0.66)(0.20, 0.66) 9393 실시예 1-11Example 1-11 1111 4.14.1 2121 (0.21, 0.67)(0.21, 0.67) 9797 실시예 1-12Example 1-12 1212 4.14.1 2020 (0.20, 0.66)(0.20, 0.66) 9292 실시예 1-13Example 1-13 1313 4.04.0 2121 (0.21, 0.66)(0.21, 0.66) 9999 실시예 1-14Example 1-14 1414 4.24.2 2222 (0.21, 0.66)(0.21, 0.66) 9898 실시예 1-15Example 1-15 1515 4.14.1 2121 (0.21, 0.67)(0.21, 0.67) 9595 실시예 1-16Example 1-16 1616 4.14.1 2020 (0.20, 0.66)(0.20, 0.66) 9696 비교예 1-1Comparative Example 1-1 4CzIPN4CzIPN 4.74.7 1515 (0.21, 0.61)(0.21, 0.61) 5353 비교예 1-2Comparative Example 1-2 T1T1 4.74.7 55 (0.16, 0.50)(0.16, 0.50) 1717 비교예 1-3Comparative Example 1-3 T2T2 4.84.8 66 (0.15, 0.51)(0.15, 0.51) 1414 비교예 1-4Comparative Example 1-4 T3T3 4.84.8 88 (0.20, 0.60)(0.20, 0.60) 1111 비교예 1-5Comparative Example 1-5 T4T4 4.74.7 66 (0.16, 0.53)(0.16, 0.53) 1313

CIE 색좌표는 BT2020을 기준으로 (x, y)의 값이 (0.170, 0.797)에 가까워질수록 색순도가 높다고 판단하였다.As for the CIE color coordinate, the closer the value of (x, y) is to (0.170, 0.797) based on BT2020, the higher the color purity is determined.

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 화학식 1의 화합물을 사용한 실시예 1-1 내지 1-16 의 소자 모두 화합물 4CzIPN의 물질을 사용한 소자(비교예 1-1)보다 전압이 낮아지고, 효율이 향상되었다.As shown in Table 1, all devices of Examples 1-1 to 1-16 using the compound of Formula 1 lowered the voltage and improved the efficiency than the device using the compound 4CzIPN (Comparative Example 1-1). .

또한, 비교예 1-2 내지 1-5의 소자와 비교를 해보면, 본 화학식 1의 화합물을 사용한 소자가 전압, 효율, 색순도 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.In addition, when comparing with the devices of Comparative Examples 1-2 to 1-5, it was found that the device using the compound of Formula 1 exhibited improved characteristics in terms of voltage, efficiency, and color purity.

따라서, 상기 표 1의 결과를 통해 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 색순도가 높아 지연 형광 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다. Accordingly, it was confirmed through the results of Table 1 that the compound according to the present invention has excellent light-emitting ability and high color purity, and thus can be applied to a delayed fluorescent organic light-emitting device.

비교예Comparative example 2-1. 2-1.

ITO(Indium Tin Oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤 및 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법으로 진공도 5.0Х10-4㎩로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 헥사아자트리페닐렌-헥사니트릴(HAT-CN)을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 1,000 Å was placed in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a filter made by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator. Each thin film was stacked on the prepared ITO transparent electrode with a vacuum degree of 5.0 × 10 -4 Pa by vacuum deposition. First, hexaazatriphenylene-hexanitrile (HAT-CN) was thermally vacuum deposited to a thickness of 500Å on ITO to form a hole injection layer.

상기 정공주입층 위에 하기 화합물 NPB를 진공 증착하여 정공수송층(300Å)을 형성하였다.The following compound NPB was vacuum deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer (300Å).

상기 정공수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 EB1를 진공 증착하여 전자저지층을 형성하였다.The electron blocking layer was formed by vacuum depositing the following compound EB1 with a film thickness of 100 Å on the hole transport layer.

이어서, 상기 전자저지층 위에 막 두께 300Å으로 하기 화합물 m-CBP, 4CzIPN 및 GD1을 68:30:2의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, the following compounds m-CBP, 4CzIPN, and GD1 with a thickness of 300 Å were vacuum-deposited at a weight ratio of 68:30:2 on the electron blocking layer to form a light emitting layer.

상기 발광층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 HB1을 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다.A hole blocking layer was formed by vacuum depositing the following compound HB1 with a film thickness of 100 Å on the emission layer.

상기 정공저지층 위에 하기 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.On the hole blocking layer, the following compound ET1 and compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer with a thickness of 300Å. Lithium fluoride (LiF) at a thickness of 12 Å and aluminum at a thickness of 2,000 Å were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a cathode.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4Å/sec내지 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2x10- 7torr 내지 5x10- 6torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of organic material was maintained at 0.4 Å/sec to 0.7 Å/sec, lithium fluoride at the cathode was maintained at 0.3 Å/sec, and the deposition rate for aluminum was 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 2×10. - 7 torr to 5x10 - holding a 6 torr, was produced in the organic light emitting device.

Figure pat00115
Figure pat00115

실시예Example 2-1 내지 2-16. 2-1 to 2-16.

상기 비교예 2-1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 표 2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 2-1, except that the compound of Table 2 below was used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 2-1.

비교예Comparative example 2-2 내지 2-5. 2-2 to 2-5.

상기 비교예 2-1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 표 2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 2-1, except that the compound of Table 2 below was used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 2-1.

Figure pat00116
Figure pat00116

실험예Experimental example 1-2. 1-2.

실시예 2-1 내지 2-16 및 비교예 2-1 내지 2-5의 유기 발광 소자에 대하여 10㎃/㎠의 전류밀도에서 측정한 구동 전압(V)과 전류효율(cd/A), 3000cd/m2의 휘도에서 측정한 CIE 색좌표를 측정하여, 하기 표 2에 나타내었다.Driving voltage (V) and current efficiency (cd/A) measured at a current density of 10 mA/cm 2 for the organic light emitting devices of Examples 2-1 to 2-16 and Comparative Examples 2-1 to 2-5, 3000 cd The CIE color coordinates measured at the luminance of /m 2 were measured, and are shown in Table 2 below.

구분division 화합물
(발광층)
compound
(Luminescent layer)
전압
(V)
Voltage
(V)
효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
CIE 색좌표(x,y)CIE color coordinate (x,y)
실시예 2-1Example 2-1 1One 4.14.1 2222 (0.19, 0.68)(0.19, 0.68) 실시예 2-2Example 2-2 22 4.04.0 2222 (0.19, 0.69)(0.19, 0.69) 실시예 2-3Example 2-3 33 4.14.1 2121 (0.20, 0.68)(0.20, 0.68) 실시예 2-4Example 2-4 44 4.14.1 2323 (0.20, 0.69)(0.20, 0.69) 실시예 2-5Example 2-5 55 4.14.1 2222 (0.19, 0.69)(0.19, 0.69) 실시예 2-6Example 2-6 66 4.14.1 2121 (0.20, 0.68)(0.20, 0.68) 실시예 2-7Example 2-7 77 4.04.0 2222 (0.19, 0.68)(0.19, 0.68) 실시예 2-8Example 2-8 88 4.14.1 2121 (0.20, 0.68)(0.20, 0.68) 실시예 2-9Example 2-9 99 4.14.1 2121 (0.20, 0.69)(0.20, 0.69) 실시예 2-10Example 2-10 1010 4.14.1 2222 (0.19, 0.68)(0.19, 0.68) 실시예 2-11Example 2-11 1111 4.04.0 2121 (0.19, 0.69)(0.19, 0.69) 실시예 2-12Example 2-12 1212 4.04.0 2323 (0.20, 0.68)(0.20, 0.68) 실시예 2-13Example 2-13 1313 4.14.1 2222 (0.20, 0.69)(0.20, 0.69) 실시예 2-14Example 2-14 1414 4.14.1 2323 (0.19, 0.68)(0.19, 0.68) 실시예 2-15Example 2-15 1515 4.04.0 2121 (0.19, 0.68)(0.19, 0.68) 실시예 2-16Example 2-16 1616 4.14.1 2222 (0.20, 0.69)(0.20, 0.69) 비교예 2-1Comparative Example 2-1 4CzIPN4CzIPN 4.64.6 1616 (0.16, 0.67)(0.16, 0.67) 비교예 2-2Comparative Example 2-2 T1T1 4.74.7 77 (0.15, 0.53)(0.15, 0.53) 비교예 2-3Comparative Example 2-3 T2T2 4.74.7 77 (0.14, 0.55)(0.14, 0.55) 비교예 2-4Comparative Example 2-4 T3T3 4.64.6 1010 (0.17, 0.66)(0.17, 0.66) 비교예 2-5Comparative Example 2-5 T4T4 4.74.7 88 (0.15, 0.54)(0.15, 0.54)

CIE 색좌표는 BT2020을 기준으로 (x, y)의 값이 (0.170, 0.797)에 가까워질수록 색순도가 높다고 판단하였다.As for the CIE color coordinate, the closer the value of (x, y) is to (0.170, 0.797) based on BT2020, the higher the color purity is determined.

상기 표 2에서 보는 바와 같이, 화학식 1의 구조를 코어로 하는 화합물을 사용한 실시예 2-1 내지 2-16 의 소자 모두 화합물 4CzIPN의 물질을 사용한 소자(비교예 2-1)보다 전압이 낮아지고, 효율이 향상되었다.As shown in Table 2, all devices of Examples 2-1 to 2-16 using the compound having the structure of Formula 1 as a core have a lower voltage than the device using the material of compound 4CzIPN (Comparative Example 2-1). , The efficiency was improved.

또한, 비교예 2-1 내지 2-5 소자와 비교를 해보면 본 화학식 1의 화합물을 사용한 소자가 전압, 효율 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.In addition, when compared with the devices of Comparative Examples 2-1 to 2-5, it was found that the device using the compound of Formula 1 exhibited improved characteristics in terms of voltage and efficiency.

상기 표 2의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 발광 파장 튜닝이 가능하여 높은 색순도의 유기 발광 소자 구현이 가능함을 확인할 수 있었다.As shown in the results of Table 2, it was confirmed that the compound according to the present invention has excellent luminescence ability and can tune the luminescence wavelength, thereby enabling the implementation of an organic light-emitting device with high color purity.

실험예Experimental example 2. 에너지 준위 측정 2. Energy level measurement

HOMO 및 LUMO 에너지 준위는 측정 화합물을 5mM, 전해질을 0.1M 농도로 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide, DMF)에 용해시키고 CV기기 측정을 통해 산화, 환원 전위를 확인하여 페로센 화합물을 기준으로 비교하여 확인하였다.The HOMO and LUMO energy levels were confirmed by dissolving the measured compound in dimethylformamide (DMF) at a concentration of 5 mM and the electrolyte at 0.1 M, and comparing the oxidation and reduction potentials through CV instrument measurement and comparing the ferrocene compound as a reference. .

실험예Experimental example 2-1. HOMO 에너지 준위 및 2-1. HOMO energy level and LUMOLUMO 에너지 준위의 측정 Energy level measurement

화합물의 HOMO 에너지 준위와 상기 LUMO 에너지 준위는 측정 화합물이 5mM 농도, 전해질이 0.1M 농도로 용해된 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide, DMF) 용액의 산화, 환원 전위를 페로센 화합물을 기준으로 비교하는 순환 전압 전류법(cyclic voltammetry; CV)으로 측정하였다. 구체적인 측정 조건은 다음과 같다.The HOMO energy level of the compound and the LUMO energy level are the circulating voltage comparing the oxidation and reduction potentials of a dimethylformamide (DMF) solution in which the measured compound is dissolved at a concentration of 5 mM and the electrolyte is dissolved at a concentration of 0.1 M based on a ferrocene compound. It was measured by cyclic voltammetry (CV). Specific measurement conditions are as follows.

* CV 기기: Ivium Tech사의 Iviumstat* CV device: Iviumstat from Ivium Tech

* 측정 용액: 측정 화합물이 5mM의 농도 및 전해질(KNO3, Aldrich 사)이 0.1M의 농도로 용해된 다이메틸폼아마이드(DMF) 용액* Measurement solution: Dimethylformamide (DMF) solution in which the measurement compound is dissolved in a concentration of 5 mM and an electrolyte (KNO 3 , Aldrich) is dissolved in a concentration of 0.1 M

* 작업 전극(Working Electrode): 카본 전극* Working Electrode: Carbon electrode

* 기준 전극(Reference Electorde): Al/AgCl 전극* Reference Electorde: Al/AgCl electrode

* 상대 전극(Counter Electrode): 백금 전극* Counter Electrode: Platinum electrode

* 측정 온도: 25℃* Measurement temperature: 25℃

* Scan rate: 50mV/S* Scan rate: 50mV/S

HOMO 에너지 준위(E(HOMO)) 및 LUMO 에너지 준위(E(LUMO))는 하기의 식(1) 및 식(2)를 통하여 계산하였다.The HOMO energy level (E(HOMO)) and the LUMO energy level (E(LUMO)) were calculated through the following equations (1) and (2).

식 (1): E(HOMO)=[Vsolvent-(Eonset ox-E1/ 2(solvent))eVEquation (1): E(HOMO)=[V solvent -(E onset ox -E 1/ 2 (solvent)) eV

식 (2): E(LUMO)=[Vsolvent-(Eonset red-E1/ 2(solvent))eVEquation (2): E(LUMO)=[V solvent -(E onset red -E 1/ 2 (solvent)) eV

상기 식에 있어서, Vsolvent는 용매의 에너지 준위이고, E1/2(solvent)는 용매의 반파 준위이고, Eonset ox는 산화가 시작되는 지점이고, Eonset red는 환원이 시작되는 지점이다.In the above formula, V solvent is the energy level of the solvent, E 1/2 (solvent) is the half-wave level of the solvent, E onset ox is the starting point of oxidation, and E onset red is the starting point of reduction.

실험예Experimental example 2-2. 2-2. 삼중항Triplet 에너지 준위의 측정 Energy level measurement

삼중항 에너지 준위(T1)는 수명이 긴 삼중항 엑시톤의 특성을 이용해 극저온 상태에서 측정하였다. 구체적으로, 화합물을 톨루엔 용매에 용해하여 10-5M의 농도의 시료를 제조한 후, 상기 시료를 석영 키트에 담아 77K로 냉각시키고, 300nm 광원을 인광 측정용 시료에 조사하여 파장을 변경하면서 인광 스펙트럼을 측정한다. 스펙트럼의 측정에는 분광광도계(FP-8600 spectrophotometer, JASCO사)를 이용하였다.The triplet energy level (T1) was measured in a cryogenic state using the characteristics of the triplet exciton with a long life. Specifically, after dissolving the compound in a toluene solvent to prepare a sample having a concentration of 10 -5 M, the sample was put in a quartz kit and cooled to 77 K, and a 300 nm light source was irradiated to the sample for phosphorescence measurement, and phosphorescence while changing the wavelength. Measure the spectrum. For the measurement of the spectrum, a spectrophotometer (FP-8600 spectrophotometer, JASCO) was used.

인광 스펙트럼의 세로축은 인광 강도로, 가로축은 파장으로 하였다. 인광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대해 접선을 긋고, 그 접선과 가로축의 교점의 파장값(λedge1(nm))을 구한 후, 이 파장 값을 하기 식 (3)에 대입하여 삼중항 에너지를 산출하였다.The vertical axis of the phosphorescence spectrum was made into phosphorescence intensity, and the horizontal axis was made into wavelength. Draw a tangent to the rise of the short wavelength side of the phosphorescent spectrum, find the wavelength value (λ edge1 (nm)) of the intersection of the tangent and the horizontal axis, and substitute this wavelength value into the following equation (3) to calculate triplet energy. I did.

식 (3):T1(eV) = 1239.85/λedge1 Equation (3): T1(eV) = 1239.85/λ edge1

인광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선은 이하와 같이 긋는다. 우선, 스펙트럼의 극대값 중 가장 단파장측의 극대값을 확인한다. 이 때, 스펙트럼의 극대 피크 강도의 15% 이하의 피크 강도를 갖는 극대점은, 상기 서술한 가장 단파장측의 극대값에는 포함시키지 않는다. 인광 스펙트럼의 단파장측으로부터 상기 극대값까지의 스펙트럼 곡선 상의 각 점에 있어서의 접선을 생각한다. 이 접선 중 기울기 값이 제일 큰 접선(즉, 변곡점에 있어서의 접선)을 당해 인광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선으로 한다. The tangent to the rise on the short wavelength side of the phosphorescence spectrum is drawn as follows. First, the maximum value of the shortest wavelength side among the maximum values of the spectrum is checked. At this time, the maximum point having a peak intensity of 15% or less of the maximum peak intensity of the spectrum is not included in the maximum value of the shortest wavelength side described above. The tangent line at each point on the spectrum curve from the short wavelength side of the phosphorescence spectrum to the maximum value is considered. Among these tangents, the tangent with the largest inclination value (that is, the tangent to the inflection point) is taken as the tangent to the rise of the short wavelength side of the phosphorescent spectrum.

실험예Experimental example 2-3. 2-3. 일중항Single port 에너지 준위의 측정 Energy level measurement

일중항 에너지 준위(S1)는 다음의 방법으로 측정하였다.The singlet energy level (S1) was measured by the following method.

측정 대상이 되는 화합물의 10-5M 톨루엔 용액을 조제하여 석영 셀에 넣고, 상온(300K)에서 시료의 300nm 광원의 발광 스펙트럼(세로축:발광 강도, 가로축:파장)을 측정하였다. 이 발광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대해 접선을 긋고, 그 접선과 가로축의 교점의 파장값(λedge2(㎚))을 하기 식 (4)에 대입하여 일중항 에너지를 산출하였다. 상기 발광 스펙트럼은 JASCO사의 분광 광도계(FP-8600 spectrophotometer)를 이용하여 측정하였다.A 10 -5 M toluene solution of the compound to be measured was prepared and placed in a quartz cell, and the emission spectrum (vertical axis: luminescence intensity, horizontal axis: wavelength) of the 300 nm light source of the sample was measured at room temperature (300 K). A tangent line was drawn with respect to the rise on the short wavelength side of the emission spectrum, and the singlet energy was calculated by substituting the wavelength value (λ edge2 (nm)) of the intersection of the tangent line and the horizontal axis into the following equation (4). The emission spectrum was measured using a JASCO spectrophotometer (FP-8600 spectrophotometer).

식 (4):S1(eV) = 1239.85/λedge2 Equation (4): S1(eV) = 1239.85/λ edge2

발광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선은 이하와 같이 긋는다. 우선, 스펙트럼의 극대값 중 가장 단파장측의 극대값을 확인한다. 발광 스펙트럼의 단파장측으로부터 상기 극대값까지의 스펙트럼 곡선 상의 각 점에 있어서의 접선을 생각한다. 이 접선 중 기울기 값이 제일 큰 접선(즉, 변곡점에 있어서의 접선)을 당해 발광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선으로 한다. 스펙트럼의 극대 피크 강도의 15% 이하의 피크 강도를 갖는 극대점은, 상기 서술한 가장 단파장측의 극대값에는 포함시키지 않는다.The tangent to the rise on the short wavelength side of the emission spectrum is drawn as follows. First, the maximum value of the shortest wavelength side among the maximum values of the spectrum is checked. The tangent line at each point on the spectrum curve from the short wavelength side of the emission spectrum to the maximum value is considered. Among these tangents, the tangent with the largest inclination value (that is, the tangent to the inflection point) is taken as a tangent to the rise of the short wavelength side of the emission spectrum. The maximum point having a peak intensity of 15% or less of the maximum peak intensity of the spectrum is not included in the maximum value on the shortest wavelength side described above.

상기 실험예 2-1 내지 2-3에서 측정된 삼중항 에너지 준위(T1), 일중항 에너지 준위(S1), HOMO 에너지 준위 및 LUMO 에너지 준위와 △EST를 하기 표 3에 나타내었다.The triplet energy level (T1), singlet energy level (S1), HOMO energy level, LUMO energy level and ΔE ST measured in Experimental Examples 2-1 to 2-3 are shown in Table 3 below.

화합물compound S1(eV)S1(eV) T1(eV)T1(eV) HOMO(eV)HOMO(eV) LUMO(eV)LUMO(eV) △EST(eV)△E ST (eV) 1One 2.412.41 2.382.38 5.715.71 3.063.06 0.030.03 22 2.422.42 2.382.38 5.745.74 3.093.09 0.040.04 33 2.412.41 2.372.37 5.735.73 3.073.07 0.040.04 44 2.422.42 2.382.38 5.725.72 3.083.08 0.040.04 55 2.422.42 2.372.37 5.755.75 3.063.06 0.050.05 66 2.422.42 2.372.37 5.745.74 3.033.03 0.050.05 77 2.412.41 2.382.38 5.735.73 3.043.04 0.030.03 88 2.422.42 2.362.36 5.735.73 3.053.05 0.060.06 99 2.432.43 2.372.37 5.775.77 3.073.07 0.060.06 1010 2.412.41 2.382.38 5.745.74 3.073.07 0.030.03 1111 2.432.43 2.372.37 5.765.76 3.083.08 0.060.06 1212 2.422.42 2.372.37 5.745.74 3.043.04 0.050.05 1313 2.412.41 2.382.38 5.755.75 3.023.02 0.030.03 1414 2.432.43 2.382.38 5.765.76 3.063.06 0.050.05 1515 2.422.42 2.362.36 5.725.72 3.083.08 0.060.06 1616 2.432.43 2.372.37 5.735.73 3.073.07 0.060.06 T1T1 2.732.73 2.352.35 5.995.99 2.752.75 0.380.38 T2T2 2.602.60 2.362.36 5.935.93 2.732.73 0.240.24 T3T3 2.482.48 2.392.39 5.805.80 2.962.96 0.090.09 T4T4 2.592.59 2.372.37 5.955.95 2.822.82 0.220.22 4CzIPN4CzIPN 2.442.44 2.392.39 5.555.55 3.153.15 0.050.05

상기 표 3에서 △EST는 일중항 에너지 준위와 삼중항 에너지 준위의 차이 값이다.In Table 3, ΔE ST is the difference between the singlet energy level and the triplet energy level.

본원 실시예들에 사용된 화합물 1 내지 16는 모두 △EST가 0.3eV 이하로 지연 형광 물질로 적합한 것을 알 수 있다.It can be seen that compounds 1 to 16 used in the examples of the present application all have ΔE ST of 0.3 eV or less and are suitable as delayed fluorescent materials.

비교예로 사용된 화합물 T2, T3, T4 및 4CzIPN도 △EST가 0.3eV 이하로 지연 형광 물질에 해당하나, 표 1 및 표 2에서 살펴본 바와 같이 화합물 1 내지 16가 전압, 효율 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.Compounds T2, T3, T4 and 4CzIPN used as comparative examples also correspond to delayed fluorescent materials with ΔE ST of 0.3 eV or less, but as shown in Tables 1 and 2, compounds 1 to 16 have characteristics in terms of voltage and efficiency. It could be seen that all improved.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.Although preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims and detailed description of the invention, and this also belongs to the scope of the invention. .

1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 전자저지층
8: 발광층
9: 정공저지층
10: 전자 주입 및 수송층
1: substrate
2: anode
3: light emitting layer
4: cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: e-low layer
8: light emitting layer
9: hole block
10: electron injection and transport layer

Claims (9)

하기 화학식 1의 헤테로고리 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00117

상기 화학식 1에 있어서,
X는 O 또는 S이고,
Y1은 수소; 중수소; 시아노기; 또는 할로알킬기이며,
Y2는 수소; 중수소; 시아노기; 또는 할로알킬기이며,
A 및 B 중 어느 하나는 하기 화학식 2-1로 표시되는 기이고, 다른 하나는 하기 화학식 2-2로 표시되는 기이며,
[화학식 2-1]
Figure pat00118

상기 화학식 2-1에 있어서,
X1 내지 X3는 각각 독립적으로 CH, C-CN 또는 N이고, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이며,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
[화학식 2-2]
Figure pat00119

상기 화학식 2-2에 있어서,
X4는 S, O, N(R1) 또는 C(R2)(R3)이고,
b는 1 또는 2이고, b가 2이면
Figure pat00120
는 서로 같거나 상이하며,
R1은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G1 또는 인접한 R5와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R2 및 R3가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
R4는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
R5는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 R1, 인접한 R2 또는 인접한 R3와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
G1은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, R1, R2 또는 R3와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
G2 내지 G4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
a4는 0 내지 4의 정수이며, a4가 2 이상이면 R4는 서로 같거나 상이하며,
a5는 0, 1 또는 2이며, a5가 2이면 R5는 서로 같거나 상이하다.
Heterocyclic compounds of formula 1 below:
[Formula 1]
Figure pat00117

In Formula 1,
X is O or S,
Y1 is hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Or a haloalkyl group,
Y2 is hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Or a haloalkyl group,
Any one of A and B is a group represented by the following formula 2-1, the other is a group represented by the following formula 2-2,
[Formula 2-1]
Figure pat00118

In Formula 2-1,
X1 to X3 are each independently CH, C-CN or N, and at least one of X1 to X3 is N,
Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
[Formula 2-2]
Figure pat00119

In Formula 2-2,
X4 is S, O, N(R1) or C(R2)(R3),
b is 1 or 2, and if b is 2
Figure pat00120
Are the same or different from each other,
R1 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G1 or adjacent R5 to form a substituted or unsubstituted ring,
R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G1 or adjacent R5 to form a substituted or unsubstituted ring, or R2 and R3 combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring,
R4 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
R5 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with adjacent R1, adjacent R2 or adjacent R3 to form a substituted or unsubstituted ring,
G1 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combined with R1, R2 or R3 to form a substituted or unsubstituted ring,
G2 to G4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
a4 is an integer of 0 to 4, and if a4 is 2 or more, R4 is the same as or different from each other,
a5 is 0, 1 or 2, and if a5 is 2, R5 is the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2-2는 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
[화학식 3-1]
Figure pat00121

[화학식 3-2]
Figure pat00122

[화학식 3-3]
Figure pat00123

[화학식 3-4]
Figure pat00124

[화학식 3-5]
Figure pat00125

[화학식 3-6]
Figure pat00126

상기 화학식 3-1 내지 3-6에 있어서,
X4, R4, R5, G1, G2, G3, G4, a4 및 a5는 화학식 2-2에서 정의한 바와 같다.
The method according to claim 1, wherein the formula 2-2 is a heterocyclic compound represented by any one of the following formulas 3-1 to 3-6:
[Formula 3-1]
Figure pat00121

[Chemical Formula 3-2]
Figure pat00122

[Chemical Formula 3-3]
Figure pat00123

[Formula 3-4]
Figure pat00124

[Formula 3-5]
Figure pat00125

[Formula 3-6]
Figure pat00126

In Formulas 3-1 to 3-6,
X4, R4, R5, G1, G2, G3, G4, a4 and a5 are as defined in Formula 2-2.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2-2는 하기 화학식 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
[화학식 4-1]
Figure pat00127

[화학식 4-2]
Figure pat00128

[화학식 4-3]
Figure pat00129

[화학식 4-4]
Figure pat00130

상기 화학식 4-1 내지 4-4에 있어서,
X10은 S, O, N(R10) 또는 C(R11)(R12)이고,
X11은 S, O, N(R13) 또는 C(R14)(R15)이고,
R10은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G11과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G11과 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R11 및 R12는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
R13은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
R14 및 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, G15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R14 및 R15는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
G11은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, R10, R11 또는 R12와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
G15는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, R13, R14 또는 R15와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
G12 내지 G14 및 G16 내지 G18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
R4 및 a4는 화학식 2-2에서 정의한 바와 같다.
The method according to claim 1, wherein the formula 2-2 is a heterocyclic compound represented by any one of the following formulas 4-1 to 4-4:
[Formula 4-1]
Figure pat00127

[Formula 4-2]
Figure pat00128

[Chemical Formula 4-3]
Figure pat00129

[Formula 4-4]
Figure pat00130

In Formulas 4-1 to 4-4,
X10 is S, O, N(R10) or C(R11)(R12),
X11 is S, O, N(R13) or C(R14)(R15),
R10 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G11 to form a substituted or unsubstituted ring,
R11 and R12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G11 to form a substituted or unsubstituted ring, or R11 and R12 combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring,
R13 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G15 to form a substituted or unsubstituted ring,
R14 and R15 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with G15 to form a substituted or unsubstituted ring, or R14 and R15 combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring,
G11 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combined with R10, R11 or R12 to form a substituted or unsubstituted ring,
G15 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with R13, R14 or R15 to form a substituted or unsubstituted ring,
G12 to G14 and G16 to G18 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
R4 and a4 are as defined in Formula 2-2.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2-2는 하기 화학식 5-1 내지 5-9 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
[화학식 5-1]
Figure pat00131

[화학식 5-2]
Figure pat00132

[화학식 5-3]
Figure pat00133

[화학식 5-4]
Figure pat00134

[화학식 5-5]
Figure pat00135

[화학식 5-6]
Figure pat00136

[화학식 5-7]
Figure pat00137

[화학식 5-8]
Figure pat00138

[화학식 5-9]
Figure pat00139

상기 화학식 5-1 내지 5-9에 있어서,
R4, a4 및 a5의 정의는 화학식 2-2에서 정의한 바와 같고,
R5, R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
b5는 0 또는 1이고,
a21은 0 내지 4의 정수이고, a21이 2 이상이면 R21은 서로 같거나 상이하며,
b21은 0 내지 3의 정수이고, b21이 2 이상이면 R21은 서로 같거나 상이하며,
a22는 0 내지 4의 정수이고, a22가 2 이상이면 R22는 서로 같거나 상이하다.
The heterocyclic compound of claim 1, wherein the formula 2-2 is represented by any one of the following formulas 5-1 to 5-9:
[Chemical Formula 5-1]
Figure pat00131

[Formula 5-2]
Figure pat00132

[Chemical Formula 5-3]
Figure pat00133

[Chemical Formula 5-4]
Figure pat00134

[Chemical Formula 5-5]
Figure pat00135

[Formula 5-6]
Figure pat00136

[Formula 5-7]
Figure pat00137

[Chemical Formula 5-8]
Figure pat00138

[Chemical Formula 5-9]
Figure pat00139

In Formulas 5-1 to 5-9,
The definitions of R4, a4 and a5 are as defined in Formula 2-2,
R5, R21 and R22 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
b5 is 0 or 1,
a21 is an integer of 0 to 4, and if a21 is 2 or more, R21 is the same as or different from each other,
b21 is an integer of 0 to 3, and when b21 is 2 or more, R21 is the same as or different from each other,
a22 is an integer of 0 to 4, and when a22 is 2 or more, R22 is the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서, 상기 X1 내지 X3는 각각 N인 것인 헤테로고리 화합물.The heterocyclic compound according to claim 1, wherein each of X1 to X3 is N. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 하기 구조들 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 헤테로고리 화합물:
Figure pat00140

Figure pat00141

Figure pat00142

Figure pat00143

Figure pat00144

Figure pat00145

Figure pat00146

Figure pat00147

Figure pat00148

Figure pat00149

Figure pat00150

Figure pat00151

Figure pat00152

Figure pat00153

Figure pat00154

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Figure pat00157

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Figure pat00185

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Figure pat00190

Figure pat00191

Figure pat00192

Figure pat00193

Figure pat00194

Figure pat00195

Figure pat00196
.
The heterocyclic compound of claim 1, wherein the heterocyclic compound of Formula 1 is any one selected from the following structures:
Figure pat00140

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Figure pat00187

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Figure pat00191

Figure pat00192

Figure pat00193

Figure pat00194

Figure pat00195

Figure pat00196
.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물의 일중항 에너지준위(S1)와 삼중항 에너지 준위(T1)의 차(△EST)는 0eV 이상 0.3eV 이하인 것인 헤테로고리 화합물. The heterocyclic compound according to claim 1, wherein the difference (ΔE ST ) between the singlet energy level (S1) and the triplet energy level (T1) of the heterocyclic compound of Formula 1 is 0 eV or more and 0.3 eV or less. 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 청구항 1 내지 7 중 어느 하나의 항에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.An organic light-emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more organic material layers disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer comprises the heterocyclic compound according to any one of claims 1 to 7 Organic light emitting device comprising 청구항 8에 있어서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하며,
상기 발광층은 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method of claim 8,
The organic material layer includes an emission layer,
The light emitting layer is an organic light-emitting device comprising the heterocyclic compound of Formula 1.
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