KR20200112648A

KR20200112648A - laser device

Info

Publication number: KR20200112648A
Application number: KR1020200012474A
Authority: KR
Inventors: 김진태
Original assignee: 한국전자통신연구원
Priority date: 2019-03-20
Filing date: 2020-02-03
Publication date: 2020-10-05
Also published as: KR102631982B1

Abstract

The present invention discloses a laser device capable of increasing the degree of integration of a plurality of light sources. The device comprises: a substrate; a pump light source disposed on the substrate and having a light emitting layer for generating pump light; and an upper waveguide disposed on the pump light source in a first direction and having an upper resonator for generating and resonating laser light by using the pump light.

Description

Laser device

본 발명은 레이저 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 펌프 광을 이용하여 레이저 광을 생성하는 레이저 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a laser device, and more particularly, to a laser device that generates laser light using pump light.

광통신 기술은 레이저 광에 근거하여 비약적으로 발전하고 있다. 레이저 광은 가시광 파장 및 적외선 파장을 가질 수 있다. 그 중에 적외선 파장의 레이저 광은 광통신에 주로 사용될 수 있다. 레이저 장치는 수직공진 표면방출레이저(VCSEL), 광섬유 결합 레이저 다이오드, 및 반도체 레이저 다이오드를 포함할 수 있다. Optical communication technology is rapidly developing based on laser light. The laser light may have a visible wavelength and an infrared wavelength. Among them, laser light having an infrared wavelength can be mainly used for optical communication. The laser device may include a vertical resonance surface emission laser (VCSEL), a fiber-coupled laser diode, and a semiconductor laser diode.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 복수개의 광원들의 집적도를 증가시킬 수 있는 레이저 장치를 제공하는 데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a laser device capable of increasing the degree of integration of a plurality of light sources.

본 발명의 개념에 따른 레이저 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 펌프 광을 생성하는 발광 층을 구비한 펌프 광 소스; 및 상기 발광 층 상에 제 1 방향으로 배치되고, 상기 펌프 광을 이용하여 레이저 광을 생성 및 공진시키는 상부 공진기를 구비하는 상부 도파로를 포함한다.A laser device according to the concept of the present invention includes a substrate; A pump light source disposed on the substrate and having a light emitting layer generating pump light; And an upper waveguide disposed on the light-emitting layer in a first direction and having an upper resonator for generating and resonating laser light using the pump light.

일 예로, 상기 발광 층은 그래핀 또는 금속 칼코게나이드를 포함할 수 있다.For example, the light emitting layer may include graphene or metal chalcogenide.

일 예로, 상기 펌프 광 소스는 상기 상부 도파로 외곽 상기 발광 층의 양 측벽들 상에 배치된 상부 전극들을 더 포함할 수 있다.For example, the pump light source may further include upper electrodes disposed on both sidewalls of the emission layer outside the upper waveguide.

일 예로, 상기 펌프 광 소스는 상기 발광 층과 상기 기판 사이의 하부 전극을 더 포함할 수 있다.For example, the pump light source may further include a lower electrode between the emission layer and the substrate.

일 예로, 상기 발광 층 외곽의 상기 기판과 상기 상부 도파로 사이에 배치되고, 상기 제 1 방향으로 연장하는 제 1 하부 도파로들을 더 포함할 수 있다.For example, first lower waveguides disposed between the substrate and the upper waveguide outside the emission layer may further include first lower waveguides extending in the first direction.

일 예로, 상기 발광 층과 상기 기판 사이에 배치되는 하부 공진기를 갖고, 상기 제 1 방향으로 연장하는 제 2 하부 도파로를 더 포함할 수 있다. For example, a second lower waveguide having a lower resonator disposed between the light emitting layer and the substrate, and extending in the first direction may be further included.

일 예로, 상기 하부 공진기는: 하부 공진 홀; 상기 하부 공진 홀의 일측에 배치된 제 1 하부 미러 홀; 및 상기 하부 공진 홀의 타측에 배치된 제 2 하부 미러 홀을 포함할 수 있다.For example, the lower resonator may include: a lower resonance hole; A first lower mirror hole disposed on one side of the lower resonance hole; And a second lower mirror hole disposed on the other side of the lower resonance hole.

일 예로, 상기 상부 공진기는: 상기 하부 공진 홀 상에 배치되고, 상기 하부 공진 홀보다 큰 상부 공진 홀; 상기 상부 공진 홀들의 일측에 배치되는 제 1 상부 미러 홀; 및 상기 상부 공질 홀들의 타측에 배치되는 제 2 상부 미러 홀을 포함할 수 있다. For example, the upper resonator may include: an upper resonant hole disposed on the lower resonant hole and larger than the lower resonant hole; A first upper mirror hole disposed on one side of the upper resonance holes; And a second upper mirror hole disposed on the other side of the upper pore holes.

일 예로, 상기 제 1 상부 미러 홀과 상기 제 1 하부 미러 홀 내에 제공되는 제 1 정렬 키를 더 포함할 수 있다.For example, a first alignment key provided in the first upper mirror hole and the first lower mirror hole may be further included.

일 예로, 상기 상부 도파로는 상기 상부 공진기에 이격하는 상부 정렬 홀을 더 포함하고, 상기 제 2 하부 도파로는 상기 하부 공진기에 이격하는 하부 정렬 홀을 더 포함하고, 상기 장치는: 상기 상부 정렬 홀과 상기 하부 정렬 홀 내에 제공되는 제 2 정렬 키를 더 포함할 수 있다. For example, the upper waveguide further includes an upper alignment hole spaced apart from the upper resonator, and the second lower waveguide further includes a lower alignment hole spaced apart from the lower resonator, and the device includes: the upper alignment hole and A second alignment key provided in the lower alignment hole may be further included.

본 발명의 일 예에 따른 레이저 장치는, 기판 상의 하부 공진기를 갖는 하부 도파로; 상기 하부 공진기 상에 배치되고, 상기 펌프 광을 생성하는 발광 층을 구비한 펌프 광 소스; 및 상기 발광 층 및 상기 하부 도파로 상에 배치되고, 상기 펌프 광을 이용하여 레이저 광을 생성 및 공진시키는 상부 공진기를 갖는 상부 도파로를 포함한다.A laser device according to an embodiment of the present invention includes a lower waveguide having a lower resonator on a substrate; A pump light source disposed on the lower resonator and having a light emitting layer generating the pump light; And an upper waveguide disposed on the light emitting layer and the lower waveguide and having an upper resonator for generating and resonating laser light using the pump light.

일 예로, 상기 하부 공진기는: 하부 공진 홀; 상기 하부 공진 홀의 일측에 배치되고, 상기 하부 공진 홀보다 큰 제 1 하부 미러 홀; 및 상기 하부 공진 홀들의 타측에 배치되고, 상기 제 1 하부 미러 홀의 크기와 동일한 크기를 갖는 제 2 하부 미러 홀을 포함할 수 있다.For example, the lower resonator may include: a lower resonance hole; A first lower mirror hole disposed at one side of the lower resonance hole and larger than the lower resonance hole; And a second lower mirror hole disposed on the other side of the lower resonance holes and having the same size as that of the first lower mirror hole.

일 예로, 상기 상부 공진기는: 상기 하부 공진 홀 상에 배치되고, 상기 하부 공진 홀보다 큰 상부 공진 홀; 상기 상부 공진 홀의 일측에 배치되고, 상기 상부 공진 홀보다 큰 제 1 상부미러 홀; 및 상기 상부 공진 홀의 타측에 배치되고, 상기 제 1 상부 미러 홀의 크기와 동일한 크기를 갖는 반투과 미러 홀들을 포함할 수 있다.For example, the upper resonator may include: an upper resonant hole disposed on the lower resonant hole and larger than the lower resonant hole; A first upper mirror hole disposed at one side of the upper resonance hole and larger than the upper resonance hole; And transflective mirror holes disposed on the other side of the upper resonance hole and having the same size as that of the first upper mirror hole.

일 예로, 상기 제 1 하부 미러 홀과 상기 제 1 상부 미러 홀 내에 제공되는 제 1 정렬 키를 더 포함할 수 있다. For example, a first alignment key provided in the first lower mirror hole and the first upper mirror hole may be further included.

일 예로, 상기 상부 공진 홀은 상기 하부 공진 홀보다 크고, 상기 제 1 및 제 2 하부 미러 홀들은 상기 제 1 및 제 2 상부 미러 홀들의 크기와 동일한 크기를 가질 수 있다.For example, the upper resonance hole may be larger than the lower resonance hole, and the first and second lower mirror holes may have the same size as the first and second upper mirror holes.

일 예로, 상기 발광 층 외곽의 상기 하부 도파로 및 상기 상부 도파로 사이에 배치된 유전체 층을 더 포함할 수 있다.For example, it may further include a dielectric layer disposed between the lower waveguide and the upper waveguide outside the emission layer.

일 예로, 상기 상부 도파로는 상기 상부 공진기로부터 결합 거리에 이격하는 상부 정렬 홀을 더 포함하고, 상기 하부 도파로는 상기 상부 정렬 홀 아래에 배치된하부 정렬 홀을 더 포함할 수 있다. For example, the upper waveguide may further include an upper alignment hole spaced apart from the upper resonator by a coupling distance, and the lower waveguide may further include a lower alignment hole disposed below the upper alignment hole.

일 예로, 상기 유전 층을 관통하여 상기 상부 정렬 홀 및 상기 하부 정렬 홀 내에 제공되는 제 2 정렬 키를 더 포함할 수 있다. For example, it may further include a second alignment key that penetrates the dielectric layer and is provided in the upper alignment hole and the lower alignment hole.

일 예로, 상기 유전체 층은 상기 상부 도파로의 굴절률보다 크고 상기 하부 도파로의 굴절률보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. For example, the dielectric layer may have a refractive index that is greater than that of the upper waveguide and smaller than that of the lower waveguide.

일 예로, 상기 기판은 상기 하부 공진기 아래에 배치되는 리세스를 가질 수 있다.For example, the substrate may have a recess disposed under the lower resonator.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 장치는 펌프 광 소스의 발광 층 상에 상부 공진기를 갖는 상부 도파로를 이용하여 복수개의 광원들의 집적도를 증가시킬 수 있다. As described above, the laser device according to the exemplary embodiment of the present invention may increase the degree of integration of a plurality of light sources by using an upper waveguide having an upper resonator on the emission layer of the pump light source.

도 1은 본 발명의 개념에 따른 레이저 장치의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 I-I' 및 II-II' 선상을 각각 절취하여 보여주는 단면도들이다.
도 4는 도 1의 상부 도파로의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 1의 상부 도파로의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 1의 펌프 광 소스의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 1의 펌프 광 소스의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 1의 기판의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 개념에 따른 레이저 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 10 및 도 11은 도 10의 III-III' 및 IV-IV' 선상들을 각각 보여주는 단면도들이다.
도 12는 도 11의 제 2 하부 도파로의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 13은 도 9의 제 2 하부 도파로에 상부 도파로를 정렬하는 제 1 정렬 키 및 제 2 정렬 키를 보여주는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 개념에 따른 레이저 장치의 일 예를 보여주는 사시도이다.1 is a perspective view showing an example of a laser device according to the concept of the present invention.
2 and 3 are cross-sectional views taken along lines II' and II-II' of FIG. 1, respectively.
4 is a perspective view showing an example of the upper waveguide of FIG. 1.
5 is a perspective view showing an example of the upper waveguide of FIG. 1.
6 is a cross-sectional view illustrating an example of the pump light source of FIG. 1.
7 is a cross-sectional view illustrating an example of the pump light source of FIG. 1.
8 is a cross-sectional view illustrating an example of the substrate of FIG. 1.
9 is a cross-sectional view showing an example of a laser device according to the concept of the present invention.
10 and 11 are cross-sectional views showing lines III-III' and IV-IV' of FIG. 10, respectively.
12 is a perspective view showing an example of the second lower waveguide of FIG. 11.
13 is a cross-sectional view showing a first alignment key and a second alignment key for aligning the upper waveguide with the second lower waveguide of FIG. 9.
14 is a perspective view showing an example of a laser device according to the concept of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in different forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed contents may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art, and the present invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. The terms used in the present specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. 'Comprises' and/or'comprising' as used in the specification excludes the presence or addition of one or more other components, operations and/or elements to the referenced elements, operations and/or elements. I never do that. Further, since it is according to a preferred embodiment, reference numerals presented in the order of description are not necessarily limited to the order.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. In addition, the embodiments described in the present specification will be described with reference to cross-sectional views and/or plan views, which are ideal exemplary views of the present invention. In the drawings, the thicknesses of films and regions are exaggerated for effective description of technical content. Therefore, the shape of the exemplary diagram may be modified by manufacturing technology and/or tolerance. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include a change in form generated according to the manufacturing process.

도 1은 본 발명의 개념에 따른 레이저 장치(100)의 일 예를 보여준다. 1 shows an example of a laser device 100 according to the concept of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 레이저 장치(100)는 광통신용 레이저 광원일 수 있다. 일 예로, 본 발명의 레이저 장치(100)는 기판(10), 펌프 광 소스(pump light source, 20), 및 상부 도파로(30)를 포함할 수 있다.Referring to Figure 1, the laser device 100 of the present invention may be a laser light source for optical communication. For example, the laser device 100 of the present invention may include a substrate 10, a pump light source 20, and an upper waveguide 30.

기판(10)은 실리콘 산화물 기판, 또는 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기판일 수 있다. 이와 달리, 기판은 결정 실리콘 기판, 또는 III-V족 반도체 기판일 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. The substrate 10 may be a silicon oxide substrate or a silicon on insulator (SOI) substrate. Alternatively, the substrate may be a crystalline silicon substrate or a III-V group semiconductor substrate, and the present invention is not limited thereto.

복수개의 제 1 하부 도파로들(12)이 기판(10) 상에 제공될 수 있다. 제 1 하부 도파로들(12)은 제 1 방향(X)으로 배열될 수 있다. 제 1 하부 도파로들(12)은 펌프 광 소스(20)의 양측들에 배치될 수 있다. 제 1 하부 도파로들(12)은 실리콘 도파로일 수 있다. 제 1 하부 도파로들(12)의 각각은 약 10nm 내지 약 100nm의 두께를 가질 수 있다. A plurality of first lower waveguides 12 may be provided on the substrate 10. The first lower waveguides 12 may be arranged in the first direction X. The first lower waveguides 12 may be disposed on both sides of the pump light source 20. The first lower waveguides 12 may be silicon waveguides. Each of the first lower waveguides 12 may have a thickness of about 10 nm to about 100 nm.

도 2 및 도 3은 도 1의 I-I' 및 II-II' 선상을 각각 절취하여 보여준다. 2 and 3 show the lines I-I' and II-II' of FIG. 1 by cutting, respectively.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 펌프 광 소스(20)는 제 1 하부 도파로들(12) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 펌프 광 소스(20)는 기판(10)과 상부 도파로(30) 사이에 배치될 수 있다. 펌프 광 소스(20)는 펌프 광(21)을 생성하여 상부 도파로(30)에 제공할 수 있다. 펌프 광 소스(20)는 가시광 소스(visible light source)일 수 있다. 예를 들어, 펌프 광(21)은 약 400nm 내지 약 700nm의 가시광 파장을 가질 수 있다. 이와 달리, 펌프 광(21)은 적외선 파장을 가질 수 있다. 일 예로, 펌프 광 소스(20)는 발광 층(22) 및 상부 전극들(24)을 포함할 수 있다. 1 to 3, the pump light source 20 may be disposed between the first lower waveguides 12. Further, the pump light source 20 may be disposed between the substrate 10 and the upper waveguide 30. The pump light source 20 may generate the pump light 21 and provide it to the upper waveguide 30. The pump light source 20 may be a visible light source. For example, the pump light 21 may have a visible light wavelength of about 400 nm to about 700 nm. Alternatively, the pump light 21 may have an infrared wavelength. For example, the pump light source 20 may include a light emitting layer 22 and upper electrodes 24.

발광 층(22)은 제 1 하부 도파로들(12) 사이에 배치될 수 있다. 발광 층(22)은 기판(10) 및 상부 도파로(30) 사이에 배치될 수 있다. 발광 층(22)은 제 2 방향(Y)으로 배열될 수 있다. 일 예로, 발광 층(22)은 2차원물질 층(two dimensional material layer)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 층(22)은 그래핀을 포함할 수 있다. 발광 층(22)은 제 1 하부 도파로들(12)보다 얇을 수 있다. 예를 들어, 발광 층(22)은 약 1nm 내지 약 10nm의 두께를 가질 수 있다. The emission layer 22 may be disposed between the first lower waveguides 12. The light emitting layer 22 may be disposed between the substrate 10 and the upper waveguide 30. The light-emitting layer 22 may be arranged in the second direction (Y). As an example, the light emitting layer 22 may include a two dimensional material layer. For example, the light emitting layer 22 may include graphene. The light emitting layer 22 may be thinner than the first lower waveguides 12. For example, the light emitting layer 22 may have a thickness of about 1 nm to about 10 nm.

상부 전극들(24)은 상부 도파로(30) 외곽의 발광 층(22)의 양측들 상에 각각 배치될 수 있다. 전원 전압(source voltage)이 상부 전극들(24)에 제공되면, 발광 층(22)은 펌프 광(21)을 생성할 수 있다. 펌프 광(21)은 상부 도파로(30)에 제공될 수 있다. The upper electrodes 24 may be disposed on both sides of the light emitting layer 22 outside the upper waveguide 30, respectively. When a source voltage is applied to the upper electrodes 24, the light emitting layer 22 can generate the pump light 21. The pump light 21 may be provided to the upper waveguide 30.

상부 도파로(30)는 제 1 하부 도파로들(12) 및 발광 층(22) 상에 배치될 수 있다. 상부 도파로(30)는 제 1 방향(X)으로 배열될 수 있다. 일 예로, 상부 도파로(30)는 III-V족의 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상부 도파로(30)는 InP를 포함할 수 있다. 상부 도파로(30)는 레이저 광원(laser light source)일 수 있다. 상부 도파로(30)는 펌프 광(21)을 이용하여 레이저 광(31)을 생성할 수 있다. 펌프 광(21)이 상부 도파로(30)에 제공되면, 상부 도파로(30)는 다운 컨버젼을 통해 III-V족 반도체의 에너지 갭에 해당하는 적외선의 레이저 광(31)을 생성할 수 있다. 레이저 광(31)은 연속 파(Continuous Wave)일 수 있다. 펄스 신호가 상부 전극들(24)에 제공되면, 레이저 광(31)은 상기 펄스 신호에 따라 펄스 광 신호로 출력될 수 있다. The upper waveguide 30 may be disposed on the first lower waveguides 12 and the light emitting layer 22. The upper waveguide 30 may be arranged in the first direction X. For example, the upper waveguide 30 may include a III-V group semiconductor. For example, the upper waveguide 30 may include InP. The upper waveguide 30 may be a laser light source. The upper waveguide 30 may generate the laser light 31 using the pump light 21. When the pump light 21 is provided to the upper waveguide 30, the upper waveguide 30 may generate infrared laser light 31 corresponding to the energy gap of the III-V group semiconductor through down-conversion. The laser light 31 may be a continuous wave. When a pulse signal is provided to the upper electrodes 24, the laser light 31 may be output as a pulsed light signal according to the pulse signal.

도 4는 도 1의 상부 도파로(30)의 일 예를 보여준다. 4 shows an example of the upper waveguide 30 of FIG. 1.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상부 도파로(30)는 상부 공진기(32)를 가질 수 있다. 상부 공진기(32)는 발광 층(22) 상에 배치될 수 있다. 발광 층(22)이 펌프 광(21)을 생성하면, 상부 공진기(32)는 펌프 광(21)을 이용하여 레이저 광(31)을 생성 및 공진시킬 수 있다. 발광 층(22)과 상부 공진기(32)는 적층되어 광원들의 집적도를 증가시킬 수 있다. 레이저 광(31)의 세기는 펌프 광(21)의 세기 및/또는 에너지에 비례할 수 있다. 펌프 광(21)이 적외선 파장보다 높은 에너지의 가시광 파장을 가질 때, 레이저 광(31)의 세기는 증가할 수 있다. 일 예로, 상부 공진기(32)는 상부 공진 홀들(34), 제 1 상부 미러 홀들(36) 및 제 2 상부 미러 홀들(38)을 포함할 수 있다. 상부 공진 홀들(34), 제 1 상부 미러 홀들(36) 및 제 2 상부 미러 홀들(38)은 제 1 방향(X)으로 배열될 수 있다. 2 to 4, the upper waveguide 30 may have an upper resonator 32. The upper resonator 32 may be disposed on the light emitting layer 22. When the light emitting layer 22 generates the pump light 21, the upper resonator 32 may generate and resonate the laser light 31 using the pump light 21. The light emitting layer 22 and the upper resonator 32 may be stacked to increase the degree of integration of light sources. The intensity of the laser light 31 may be proportional to the intensity and/or energy of the pump light 21. When the pump light 21 has a visible light wavelength of higher energy than the infrared wavelength, the intensity of the laser light 31 may increase. For example, the upper resonator 32 may include upper resonant holes 34, first upper mirror holes 36, and second upper mirror holes 38. The upper resonance holes 34, the first upper mirror holes 36, and the second upper mirror holes 38 may be arranged in the first direction X.

상부 공진 홀들(34)은 발광 층(22) 상에 배치될 수 있다. 상부 공진 홀들(34)은 펌프 광(21)을 흡수하여 레이저 광(31)을 생성할 수 있다. 상부 공진 홀들(34)의 각각은 약 200nm 내지 300nm의 직경을 가질 수 있다. 상부 공진 홀들(34) 사이의 거리는 그들 각각의 직경보다 작을 수 있다. 상부 공진 홀들(34)의 직경들은 제 1 상부 미러 홀들(36)과 제 2 상부 미러 홀들(38)로부터의 거리에 따라 변화될 수 있다. 상부 공진 홀들(34)의 직경들은 제 1 상부 미러 홀들(36)과 제 2 상부 미러 홀들(38)로부터 멀어질수록 감소할 수 있다.The upper resonance holes 34 may be disposed on the emission layer 22. The upper resonance holes 34 may absorb the pump light 21 to generate the laser light 31. Each of the upper resonance holes 34 may have a diameter of about 200 nm to 300 nm. The distance between the upper resonant holes 34 may be smaller than their respective diameter. The diameters of the upper resonance holes 34 may be changed according to the distance from the first upper mirror holes 36 and the second upper mirror holes 38. The diameters of the upper resonance holes 34 may decrease as the distance from the first upper mirror holes 36 and the second upper mirror holes 38 increases.

제 1 상부 미러 홀들(36)은 상부 공진 홀들(34)의 일측에 배치될 수 있다. 일 예로, 제 1 상부 미러 홀들(36)은 전반사 미러 홀들일 수 있다. 제 1 상부 미러 홀들(36)은 레이저 광(31)을 상부 공진 홀들(34)에 반사할 수 있다. 제 1 상부 미러 홀들(36)은 상부 공진 홀들(34) 보다 클 수 있다. 예를 들어, 제 1 상부 미러 홀들(36)은 약 400nm 내지 약 450nm의 직경을 가질 수 있다. 제 1 상부 미러 홀들(36) 사이의 거리는 그들 각각의 직경보다 작을 수 있다.The first upper mirror holes 36 may be disposed on one side of the upper resonance holes 34. For example, the first upper mirror holes 36 may be total reflection mirror holes. The first upper mirror holes 36 may reflect the laser light 31 to the upper resonance holes 34. The first upper mirror holes 36 may be larger than the upper resonance holes 34. For example, the first upper mirror holes 36 may have a diameter of about 400 nm to about 450 nm. The distance between the first upper mirror holes 36 may be smaller than their respective diameter.

제 2 상부 미러 홀들(38)은 상부 공진 홀들(34)의 타측에 배열될 수 있다. 제 2 상부 미러 홀들(38)은 반투과 미러 홀들일 수 있다. 제 2 상부 미러 홀들(38)은 레이저 광(31)의 일부를 투과하거나 반사할 수 있다. 제 2 상부 미러 홀들(38)은 제 1 상부 미러 홀들(36)의 직경과 동일한 직경을 가질 수 있다. 제 2 상부 미러 홀들(38) 사이의 거리는 그들 각각의 직경보다 작을 수 있다. 제 2 상부 미러 홀들(38)의 개수는 제 1 상부 미러 홀들(36)의 개수보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제 2 상부 미러 홀들(38)은 약 3개이하이고, 제 1 상부 미러 홀들(36)은 약 4개 이상일 수 있다. The second upper mirror holes 38 may be arranged on the other side of the upper resonance holes 34. The second upper mirror holes 38 may be transflective mirror holes. The second upper mirror holes 38 may transmit or reflect part of the laser light 31. The second upper mirror holes 38 may have the same diameter as the first upper mirror holes 36. The distance between the second upper mirror holes 38 may be smaller than their respective diameter. The number of second upper mirror holes 38 may be smaller than the number of first upper mirror holes 36. For example, the number of second upper mirror holes 38 may be about 3 or less, and the first upper mirror holes 36 may be about 4 or more.

제 2 상부 미러 홀들(38)에 인접하는 상부 도파로(30)의 말단(end)은 테이퍼(tapered)질 수 있다. 상부 도파로(30)의 테이퍼진 말단은 제 1 하부 도파로(12)에 결합(coupled)될 수 있다. 레이저 광(31)은 상부 도파로(30)의 테이퍼진 말단을 통해 제 1 하부 도파로(12)에 전달될 수 있다.An end of the upper waveguide 30 adjacent to the second upper mirror holes 38 may be tapered. The tapered end of the upper waveguide 30 may be coupled to the first lower waveguide 12. The laser light 31 may be transmitted to the first lower waveguide 12 through the tapered end of the upper waveguide 30.

도 5는 도 1의 상부 도파로(30)의 일 예를 보여준다.5 shows an example of the upper waveguide 30 of FIG. 1.

도 5를 참조하면, 상부 도파로(30)는 하부 층(33), 활성 층(35), 및 상부 층(37)을 포함할 수 있다. 하부 층(33), 활성 층(35), 및 상부 층(37)은 적층(stacked)될 수 있다. 상부 공진기(32)는 도 2 및 도 4와 동일하게 구성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the upper waveguide 30 may include a lower layer 33, an active layer 35, and an upper layer 37. The lower layer 33, the active layer 35, and the upper layer 37 may be stacked. The upper resonator 32 may be configured in the same manner as in FIGS. 2 and 4.

하부 층(33)은 III-V족 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 층(33)은 InP를 포함할 수 있다. The lower layer 33 may include a III-V group semiconductor. For example, the lower layer 33 may include InP.

활성 층(35)은 하부 층(33)과 상부 층(37) 사이에 배치될 수 있다. 활성 층(35)은 InGaAsP를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 활성 층(35)은 양자 점들을 가질 수 있다. 양자 점들은 레이저 광(31)의 포톤을 제어할 수 있다. 예를 들어, 활성 층(35)은 싱글 포톤 소스로서 작용(operated)되어 양자 통신 또는 양자 컴퓨팅을 실현시킬 수 있다.The active layer 35 may be disposed between the lower layer 33 and the upper layer 37. The active layer 35 may include InGaAsP. Although not shown, the active layer 35 may have quantum dots. The quantum dots can control the photons of the laser light 31. For example, the active layer 35 can be operated as a single photon source to realize quantum communication or quantum computing.

상부 층(37)은 활성 층(35) 상에 배치될 수 있다. 상부 층(37)은 하부 층(33)과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상부 층(37)은 InP를 포함할 수 있다.The upper layer 37 may be disposed on the active layer 35. The upper layer 37 may be the same as the lower layer 33. For example, the upper layer 37 may include InP.

도 6은 도 1의 펌프 광 소스(20)의 일 예를 보여준다.6 shows an example of the pump light source 20 of FIG. 1.

도 6을 참조하면, 펌프 광 소스(20)는 발광 층(22)과 기판(10) 사이의 층간 절연 층(26) 및 하부 전극(28)을 더 포함할 수 있다. 기판(10) 및 상부 도파로(30)는 도 3과 동일하게 구성될 수 있다. Referring to FIG. 6, the pump light source 20 may further include an interlayer insulating layer 26 and a lower electrode 28 between the light emitting layer 22 and the substrate 10. The substrate 10 and the upper waveguide 30 may be configured in the same manner as in FIG. 3.

펌프 광 소스(20)의 발광 층(22)은 금속 칼코게나이드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 층(22)은 MoS₂, MoSe₂, WS₂, WSe₂, MoTe₂, 또는 WTe₂를 포함할 수 있다. 발광 층(22)은 제 1 하부 도파로들(12)보다 얇을 수 있다. The light emitting layer 22 of the pump light source 20 may include a metal chalcogenide. For example, the light emitting layer 22 may include MoS ₂ , MoSe ₂ , WS ₂ , WSe ₂ , MoTe ₂ , or WTe ₂ . The light emitting layer 22 may be thinner than the first lower waveguides 12.

층간 절연 층(26)은 발광 층(22)과 하부 전극(28) 사이에 배치될 수 있다. 층간 절연 층(26)은 발광 층(22)을 하부 전극(28)으로부터 절연시킬 수 있다. 예를 들어, 층간 절연 층(26)은 육방정 질화 붕소(hexagonal boron nitride)를 포함할 수 있다. The interlayer insulating layer 26 may be disposed between the light emitting layer 22 and the lower electrode 28. The interlayer insulating layer 26 may insulate the light emitting layer 22 from the lower electrode 28. For example, the interlayer insulating layer 26 may include hexagonal boron nitride.

하부 전극(28)은 기판(10)과 층간 절연 층(26) 사이에 배치될 수 있다. 하부 전극(28)은 플레이트 전극일 수 있다. 여기 전압(exciting voltage)이 하부 전극(28)에 제공되고, 전원 전압(source voltage)이 상부 전극들(24)에 제공되면, 발광 층(22)은 상기 여기 전압 및 상기 전원 전압을 이용하여 펌프 광(21)을 생성할 수 있다. 여기 전압은 하부 전극(28)과 상부 전극들(24) 사이에 제공될 수 있다. 펌프 광(21)의 중심 파장은 발광 층(22)의 종류에 따라 달라질 수 있다. 발광 층(22)이 WSe₂일 경우, 펌프 광(21)은 약 600nm의 파장을 가질 수 있다. 발광 층(22)이 MoSe₂일 경우, 펌프 광(21)은 약 700nm의 파장을 가질 수 있다. The lower electrode 28 may be disposed between the substrate 10 and the interlayer insulating layer 26. The lower electrode 28 may be a plate electrode. When an excitation voltage is provided to the lower electrode 28 and a source voltage is provided to the upper electrodes 24, the light emitting layer 22 is pumped using the excitation voltage and the power supply voltage. Light 21 can be generated. The excitation voltage may be provided between the lower electrode 28 and the upper electrodes 24. The central wavelength of the pump light 21 may vary depending on the type of the light emitting layer 22. When the emission layer 22 is WSe ₂ , the pump light 21 may have a wavelength of about 600 nm. When the light emitting layer 22 is MoSe ₂ , the pump light 21 may have a wavelength of about 700 nm.

도 7은 도 1의 펌프 광 소스(20)의 일 예를 보여준다.7 shows an example of the pump light source 20 of FIG. 1.

도 7을 참조하면, 펌프 광 소스(20)의 발광 층(22)은 제 1 발광 층(23) 및 제 2 발광 층(25)을 포함할 수 있다. 기판(10) 및 상부 도파로(30)는 도 3과 동일하게 구성될 수 있다.Referring to FIG. 7, the emission layer 22 of the pump light source 20 may include a first emission layer 23 and a second emission layer 25. The substrate 10 and the upper waveguide 30 may be configured in the same manner as in FIG. 3.

제 1 발광 층(23)은 기판(10)과 상부 전극들(24) 중의 하나 사이에 배치될 수 있다. 또한, 제 1 발광 층(23)은 기판(10)과 상부 도파로(30) 사이에 배치될 수 있다. 제 1 발광 층(23)은 WSe₂를 포함할 수 있다. The first emission layer 23 may be disposed between the substrate 10 and one of the upper electrodes 24. Also, the first emission layer 23 may be disposed between the substrate 10 and the upper waveguide 30. The first light emitting layer 23 may include WSe ₂ .

제 2 발광 층(25)은 기판(10)과 상부 전극들(24) 중의 나머지 하나 사이에 배치될 수 있다. 또한, 제 2 발광 층(25)은 제 1 발광 층(23)과 상부 도파로(30) 사이에 배치될 수 있다. 제 2 발광 층(25)은 MoS₂를 포함할 수 있다. 제 1 발광 층(23) 및 제 2 발광 층(25)은 복수개의 상부 전극들(24) 사이에 적층(stacked)될 수 있다. 적층된 제 1 발광 층(23)과 제 2 발광 층(25)은 PN 접합을 형성할 수 있다. 전원 전압이 상부 전극들(24)에 제공되면, 펌프 광(21)은 적층된 제 1 발광 층(23)과 제 2 발광 층(25)의 PN 접합에서 생성될 수 있다.The second emission layer 25 may be disposed between the substrate 10 and the other one of the upper electrodes 24. Also, the second emission layer 25 may be disposed between the first emission layer 23 and the upper waveguide 30. The second light-emitting layer 25 may include MoS ₂ . The first emission layer 23 and the second emission layer 25 may be stacked between the plurality of upper electrodes 24. The stacked first emission layer 23 and second emission layer 25 may form a PN junction. When a power voltage is applied to the upper electrodes 24, the pump light 21 may be generated at the PN junction of the stacked first and second emission layers 23 and 25.

도 8은 도 1의 기판(10)의 일 예를 보여준다.8 shows an example of the substrate 10 of FIG. 1.

도 8을 참조하면, 기판(10)은 리세스(14)를 가질 수 있다. 리세스(14)는 펌프 광 소스(20)의 발광 층(22) 아래에 배치될 수 있다. 리세스(14)는 펌프 광(21)을 공진 및/또는 안정화시킬 수 있다. 리세스(14)는 발광 층(22)과 기판(10) 사이에 에어 갭(air gap)을 제공하여 펌프 광(21)의 전기장 및/또는 모드의 세기를 발광 층(22)의 상하에 대칭적으로 유도할 수 있다. 제 1 하부 도파로들(12), 및 상부 도파로(30)는 도 2와 동일하게 구성될 수 있다. Referring to FIG. 8, the substrate 10 may have a recess 14. The recess 14 may be disposed under the light emitting layer 22 of the pump light source 20. The recess 14 may resonate and/or stabilize the pump light 21. The recess 14 provides an air gap between the light emitting layer 22 and the substrate 10 to symmetric the electric field and/or mode intensity of the pump light 21 to the top and bottom of the light emitting layer 22 It can be induced as an enemy. The first lower waveguides 12 and the upper waveguide 30 may be configured in the same manner as in FIG. 2.

도 9는 본 발명의 개념 예에 따른 레이저 장치(100)의 일 예를 보여준다.9 shows an example of a laser device 100 according to a conceptual example of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 레이저 장치(100)는 1차원 광결정 레이저 장치일 수 있다. 일 예로, 본 발명의 레이저 장치(100)는 제 2 하부 도파로(40), 및 유전체 층(50)을 더 포함할 수 있다. 기판(10), 펌프 광 소스(20) 및 상부 도파로(30)는 도 1과 동일하게 구성될 수 있다.Referring to FIG. 9, the laser device 100 of the present invention may be a one-dimensional photonic crystal laser device. For example, the laser device 100 of the present invention may further include a second lower waveguide 40 and a dielectric layer 50. The substrate 10, the pump light source 20, and the upper waveguide 30 may be configured in the same manner as in FIG. 1.

도 10 및 도 11은 도 10의 III-III' 및 IV-IV' 선상들을 각각 보여준다. 10 and 11 show lines III-III' and IV-IV' of FIG. 10, respectively.

도 10 및 도 11을 참조하면, 제 2 하부 도파로(40)는 기판(10)과 펌프 광 소스(20) 사이에 배치될 수 있다. 제 2 하부 도파로(40)는 제 1 방향(X)으로 연장할 수 있다. 제 2 하부 도파로(40)는 기판(10)과 유전체 층(50) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 하부 도파로(40)는 결정 실리콘을 포함할 수 있다. 일 예로, 제 2 하부 도파로(40)는 하부 공진기(42)를 가질 수 있다. 10 and 11, the second lower waveguide 40 may be disposed between the substrate 10 and the pump light source 20. The second lower waveguide 40 may extend in the first direction X. The second lower waveguide 40 may be disposed between the substrate 10 and the dielectric layer 50. For example, the second lower waveguide 40 may include crystalline silicon. For example, the second lower waveguide 40 may have a lower resonator 42.

하부 공진기(42)는 기판(10)과 펌프 광 소스(20) 사이에 배치될 수 있다. 하부 공진기(42)는 펌프 광(21)을 공진시킬 수 있다. 하부 공진기(42)는 포토닉 크리스탈 공진기일 수 있다. 하부 공진기(42)는 펌프 광(21)을 제 3 방향(Z)으로 방출시킬 수 있다. 또한, 하부 공진기(42)는 펌프 광(21)의 중심 파장의 세기를 증가시킬 수 있다. 펌프 광(21)이 약 600 nm 내지 약 700 nm의 파장을 가질 때, 하부 공진기(42)는 약 650nm의 중심 파장의 세기를 증가시킬 수 있다. 일 예로, 하부 공진기(42)는 하부 공진 홀들(44), 제 1 하부 미러 홀들(46) 및 제 2 하부 미러 홀들(48)을 포함할 수 있다. The lower resonator 42 may be disposed between the substrate 10 and the pump light source 20. The lower resonator 42 may resonate the pump light 21. The lower resonator 42 may be a photonic crystal resonator. The lower resonator 42 may emit the pump light 21 in the third direction Z. Further, the lower resonator 42 may increase the intensity of the center wavelength of the pump light 21. When the pump light 21 has a wavelength of about 600 nm to about 700 nm, the lower resonator 42 may increase the intensity of the center wavelength of about 650 nm. As an example, the lower resonator 42 may include lower resonant holes 44, first lower mirror holes 46 and second lower mirror holes 48.

도 12는 도 11의 제 2 하부 도파로(40)의 일 예를 보여준다.12 shows an example of the second lower waveguide 40 of FIG. 11.

도 10 내지 도 12를 참조하면, 하부 공진 홀들(44)은 상부 공진 홀들(34) 아래에 배치될 수 있다. 하부 공진 홀들(44)은 펌프 광(21)의 중심 파장을 공진시킬 수 있다. 공진된 중심 파장의 펌프 광(21)은 발광 층(22)을 투과하여 상부 도파로(30)에 제공될 수 있다. 하부 공진 홀들(44)은 상부 공진 홀들(34)의 크기보다 작은 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 하부 공진 홀들(44)은 200nm 이하의 직경을 가질 수 있다. 하부 공진 홀들(44)의 직경은 제 1 하부 미러 홀들(46) 및 제 2 하부 미러 홀들(48)로부터 멀어질수록 감소할 수 있다. 하부 공진 홀들(44) 사이의 거리는 그들 각각의 직경보다 작을 수 있다. 10 to 12, the lower resonance holes 44 may be disposed under the upper resonance holes 34. The lower resonance holes 44 may resonate the center wavelength of the pump light 21. The pump light 21 having a resonant center wavelength may pass through the light emitting layer 22 and be provided to the upper waveguide 30. The lower resonance holes 44 may have a size smaller than the size of the upper resonance holes 34. For example, the lower resonance holes 44 may have a diameter of 200 nm or less. The diameter of the lower resonance holes 44 may decrease as the distance from the first lower mirror holes 46 and the second lower mirror holes 48 increases. The distance between the lower resonant holes 44 may be smaller than their respective diameter.

제 1 하부 미러 홀들(46)은 하부 공진 홀들(44)의 일측에 배치될 수 있다. 제 1 하부 미러 홀들(46)은 중심 파장의 펌프 광(21)을 하부 공진 홀들(44)에 반사할 수 있다. 제 1 하부 미러 홀들(46)은 제 1 상부 미러 홀들(36) 아래에 배치될 수 있다. 제 1 하부 미러 홀들(46)은 제 1 상부 미러 홀들(36)의 크기와 동일한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 하부 미러 홀들(46)은 약 400nm 내지 약 450nm의 직경을 가질 수 있다. 제 1 하부 미러 홀들(46) 사이의 거리는 그들 각각의 직경보다 작을 수 있다.The first lower mirror holes 46 may be disposed on one side of the lower resonance holes 44. The first lower mirror holes 46 may reflect the pump light 21 having a center wavelength to the lower resonance holes 44. The first lower mirror holes 46 may be disposed under the first upper mirror holes 36. The first lower mirror holes 46 may have the same size as the first upper mirror holes 36. For example, the first lower mirror holes 46 may have a diameter of about 400 nm to about 450 nm. The distance between the first lower mirror holes 46 may be smaller than their respective diameter.

제 2 하부 미러 홀들(48)은 하부 공진 홀들(44)의 타측에 배치될 수 있다. 제 2 하부 미러 홀들(48)은 제 2 상부 미러 홀들(38) 아래에 배치될 수 있다. 제 2 하부 미러 홀들(48)은 중심 파장의 펌프 광(21)을 하부 공진 홀들(44)에 반사할 수 있다. 제 2 하부 미러 홀들(48)은 제 1 하부 미러 홀들(46)의 크기와 동일한 크기를 가질 수 있다. 에를 들어, 제 2 하부 미러 홀들(48)은 약 400nm 내지 약 450nm의 직경을 가질 수 있다. 제 2 하부 미러 홀들(48) 사이의 거리는 그들 각각의 직경보다 작을 수 있다.The second lower mirror holes 48 may be disposed on the other side of the lower resonance holes 44. The second lower mirror holes 48 may be disposed under the second upper mirror holes 38. The second lower mirror holes 48 may reflect the pump light 21 having a center wavelength to the lower resonance holes 44. The second lower mirror holes 48 may have the same size as the first lower mirror holes 46. For example, the second lower mirror holes 48 may have a diameter of about 400 nm to about 450 nm. The distance between the second lower mirror holes 48 may be smaller than their respective diameter.

다시 도 10을 참조하면, 유전체 층(50)은 제 2 하부 도파로(40)와 상부 도파로(30) 사이에 배치될 수 있다. 유전체 층(50)은 상부 도파로(30)를 제 2 하부 도파로(40)로부터 분리시킬 수 있다. 유전체 층(50)은 제 2 하부 도파로(40)의 굴절률보다 낮고, 상부 도파로(30)의 굴절률보다 높은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 유전체 층(50)은 유기 고분자를 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.Referring back to FIG. 10, the dielectric layer 50 may be disposed between the second lower waveguide 40 and the upper waveguide 30. The dielectric layer 50 may separate the upper waveguide 30 from the second lower waveguide 40. The dielectric layer 50 may have a refractive index lower than the refractive index of the second lower waveguide 40 and higher than the refractive index of the upper waveguide 30. For example, the dielectric layer 50 may include an organic polymer, and the present invention is not limited thereto.

도 13은 도 9의 제 2 하부 도파로(40)에 상부 도파로(30)를 정렬하는 제 1 정렬 키(62) 및 제 2 정렬 키(64)를 보여준다.13 shows a first alignment key 62 and a second alignment key 64 for aligning the upper waveguide 30 with the second lower waveguide 40 of FIG. 9.

도 13을 참조하면, 본 발명의 레이저 장치(100)는 제 1 정렬 키(62) 및 제 2 정렬 키(64)를 더 포함할 수 있다. 기판(10) 및 펌프 광 소스(20)는 도 9 및 도 10과 동일하게 구성될 수 있다. 제 1 정렬 키(62) 및 제 2 정렬 키(64)는 유전체 층(50)을 관통하여 상부 도파로(30)를 제 2 하부 도파로(40)에 정렬시킬 수 있다. Referring to FIG. 13, the laser device 100 of the present invention may further include a first alignment key 62 and a second alignment key 64. The substrate 10 and the pump light source 20 may be configured in the same manner as in FIGS. 9 and 10. The first alignment key 62 and the second alignment key 64 may pass through the dielectric layer 50 to align the upper waveguide 30 with the second lower waveguide 40.

유전체 층(50)은 제 1 관통 홀(52)과 제 2 관통 홀(54)을 가질 수 있다. 제 1 관통 홀(52)은 상부 공진기(32)와 하부 공진기(42) 사이에 배치될 수 있다. 일 예로, 제 1 관통 홀(52)은 제 1 하부 미러 홀(46)과 제 1 상부 미러 홀(36) 사이에 배치될 수 있다. 제 2 관통 홀(54)은 상부 공진기(32)와 하부 공진기(42)의 외곽에 배치될 수 있다. The dielectric layer 50 may have a first through hole 52 and a second through hole 54. The first through hole 52 may be disposed between the upper resonator 32 and the lower resonator 42. For example, the first through hole 52 may be disposed between the first lower mirror hole 46 and the first upper mirror hole 36. The second through hole 54 may be disposed outside the upper resonator 32 and the lower resonator 42.

제 1 정렬 키(62)는 제 1 상부 미러 홀(36), 제 1 관통 홀(52) 및 제 1 하부 미러 홀(46) 내에 제공될 수 있다. 제 1 상부 미러 홀(36)은 제 1 정렬 키(62)에 의해 제 1 하부 미러 홀(46)에 정렬될 수 있다. 따라서, 상부 도파로(30)는 제 2 하부 도파로(40)에 정렬될 수 있다.The first alignment key 62 may be provided in the first upper mirror hole 36, the first through hole 52, and the first lower mirror hole 46. The first upper mirror hole 36 may be aligned with the first lower mirror hole 46 by the first alignment key 62. Accordingly, the upper waveguide 30 may be aligned with the second lower waveguide 40.

상부 도파로(30)는 상부 정렬 홀(39)을 가질 수 있다. 상부 정렬 홀(39)은 제 2 관통 홀(54) 상에 배치될 수 있다. 상부 정렬 홀(39)은 상부 공진기(32)의 제 2 상부 미러 홀들(38)로부터 결합 길이(Lc)에 이격하여 배치될 수 있다. 결합 길이(Lc)는 레이저 광(31)이 상부 도파로(30)에서 하부 도파로(40)까지 모두 전달되는 거리일 수 있다. 예를 들어, 결합 길이(Lc)는 약 1㎛ 내지 약 1mm일 수 있다.The upper waveguide 30 may have an upper alignment hole 39. The upper alignment hole 39 may be disposed on the second through hole 54. The upper alignment hole 39 may be disposed to be spaced apart from the second upper mirror holes 38 of the upper resonator 32 to the coupling length Lc. The coupling length Lc may be a distance through which the laser light 31 is transmitted from the upper waveguide 30 to the lower waveguide 40. For example, the coupling length Lc may be about 1 μm to about 1 mm.

제 2 하부 도파로(40)는 하부 정렬 홀(49)을 가질 수 있다. 하부 정렬 홀(49)은 상부 정렬 홀(39) 및 제 2 관통 홀(54) 아래에 배치될 수 있다. The second lower waveguide 40 may have a lower alignment hole 49. The lower alignment hole 49 may be disposed below the upper alignment hole 39 and the second through hole 54.

제 2 정렬 키(64)는 상부 정렬 홀(39), 제 2 관통 홀(54) 및 하부 정렬 홀(43) 내에 제공되어 상부 도파로(30)를 제 2 하부 도파로(40)에 정렬시킬 수 있다. 또한, 제 2 정렬 키(64)는 상부 도파로(30)를 하부 도파로(40)에 연결시킬 수 있다. 제 2 정렬 키(64)는 레이저 광(31)을 상부 도파로(30)에서 하부 도파로(40)까지 전달할 수 있다. The second alignment key 64 is provided in the upper alignment hole 39, the second through hole 54, and the lower alignment hole 43 to align the upper waveguide 30 with the second lower waveguide 40. . Also, the second alignment key 64 may connect the upper waveguide 30 to the lower waveguide 40. The second alignment key 64 may transmit the laser light 31 from the upper waveguide 30 to the lower waveguide 40.

도 14는 본 발명의 레이저 장치(100)의 일 예를 보여준다.14 shows an example of the laser device 100 of the present invention.

도 14를 참조하면, 본 발명의 레이저 장치(100)의 제 2 하부 도파로(40)는 평판 도파로(plate waveguide)일 수 있다. 제 2 하부 도파로(40)의 하부 공진기(42)는 라인 도파로일 수 있다. 기판(10), 펌프 광 소스(20), 상부 도파로(30) 및 유전체 층(50)은 도 9와 동일하게 구성될 수 있다. Referring to FIG. 14, the second lower waveguide 40 of the laser device 100 of the present invention may be a plate waveguide. The lower resonator 42 of the second lower waveguide 40 may be a line waveguide. The substrate 10, the pump light source 20, the upper waveguide 30, and the dielectric layer 50 may be configured in the same manner as in FIG. 9.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.In the above, embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You can understand that there is. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and are not limiting.

Claims

Board;
A pump light source disposed on the substrate and having a light emitting layer generating pump light; And
A laser device comprising an upper waveguide disposed on the light emitting layer in a first direction and having an upper resonator for generating and resonating laser light using the pump light.

The method of claim 1,
The light emitting layer is a laser device containing graphene or metal chalcogenide.

The method of claim 1,
The pump light source further includes upper electrodes disposed on both sidewalls of the emission layer outside the upper waveguide.

The method of claim 1,
The pump light source further comprises a lower electrode between the light emitting layer and the substrate.

The method of claim 1,
The laser device further comprises first lower waveguides disposed between the substrate and the upper waveguide outside the emission layer and extending in the first direction.

The method of claim 1,
The laser device further comprises a second lower waveguide extending in the first direction and having a lower resonator disposed between the light emitting layer and the substrate.

The method of claim 6,
The lower resonator is:
Lower resonance hole;
A first lower mirror hole disposed on one side of the lower resonance hole; And
A laser device including a second lower mirror hole disposed on the other side of the lower resonance hole.

The method of claim 7,
The upper resonator is:
An upper resonance hole disposed on the lower resonance hole and larger than the lower resonance hole;
A first upper mirror hole disposed on one side of the upper resonance hole; And
Laser device comprising a second upper mirror hole disposed on the other side of the upper pore hole.

The method of claim 8,
The laser device further comprises a first alignment key provided in the first upper mirror hole and the first lower mirror hole.

The method of claim 1,
The upper waveguide further includes an upper alignment hole spaced apart from the upper resonator,
The second lower waveguide further includes a lower alignment hole spaced apart from the lower resonator,
The device is:
The laser device further comprises a second alignment key provided in the upper alignment hole and the lower alignment hole.

A lower waveguide having a lower resonator on the substrate;
A pump light source disposed on the lower resonator and having a light emitting layer generating the pump light; And
A laser device comprising an upper waveguide disposed on the light emitting layer and the lower waveguide and having an upper resonator for generating and resonating laser light using the pump light.

The method of claim 11,
The lower resonator is:
Lower resonance hole;
A first lower mirror hole disposed at one side of the lower resonance hole and larger than the lower resonance hole; And
A laser device including a second lower mirror hole disposed on the other side of the lower resonance holes and having the same size as the first lower mirror hole.

The method of claim 12,
The upper resonator is:
An upper resonance hole disposed on the lower resonance hole and larger than the lower resonance hole;
A first upper mirror hole disposed at one side of the upper resonance hole and larger than the upper resonance hole; And
A laser device comprising transflective mirror holes disposed on the other side of the upper resonance hole and having the same size as the first upper mirror hole.

The method of claim 13,
The laser device further comprises a first alignment key provided in the first lower mirror hole and the first upper mirror hole.

The method of claim 13,
The upper resonance hole is larger than the lower resonance hole,
The first and second lower mirror holes have the same size as the first and second upper mirror holes.

The method of claim 11,
The laser device further comprises a dielectric layer disposed between the lower waveguide and the upper waveguide outside the emission layer.

The method of claim 16,
The upper waveguide further includes an upper alignment hole spaced apart from the upper resonator by a coupling length,
The lower waveguide further comprises a lower alignment hole disposed below the upper alignment hole.

The method of claim 17,
The laser device further comprises a second alignment key penetrating the dielectric layer and provided in the upper alignment hole and the lower alignment hole.

The method of claim 17,
The dielectric layer is a laser device having a refractive index greater than the refractive index of the upper waveguide and smaller than the refractive index of the lower waveguide.

The method of claim 11,
The substrate is a laser device having a recess disposed under the lower resonator.