KR20200110581A - 색변환 기판 및 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
색변환 기판 및 표시 장치가 제공된다. 색변환 기판은, 제1투광영역 및 상기 제1투광영역 주변의 차광영역이 정의된 베이스부; 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 제1투광영역 내에 위치하는 제1컬러필터; 상기 제1컬러필터 상의 제1미세공간 내에 위치하고 제1파장 시프터를 포함하는 제1파장변환패턴; 및 상기 베이스부 상에 위치하되 상기 차광영역 내에 위치하는 차광부재; 를 포함하고, 상기 제1미세공간의 일측은 개방되고, 개방된 상기 제1미세공간의 일측에서 상기 차광부재는 상기 제1파장변환패턴과 직접 접촉한다.
Description
본 발명은 색변환 기판 및 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display Device, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
표시 장치 중, 자발광 표시 장치는 자발광 소자, 예시적으로 유기 발광 소자를 포함한다. 자발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 발광층을 포함할 수 있다. 예시적으로 상기 자발광 소자가 유기 발광 소자인 경우, 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
이러한 자발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
표시 장치의 각 화소가 하나의 기본색을 고유하게 표시하도록 하기 위한 한 가지 방법으로, 광원으로부터 시청자에 이르는 광 경로 상에 각 화소마다 색 변환 패턴 또는 파장변환패턴을 배치하는 방법을 들 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시품질을 향상시킬 수 있는 색변환 기판 및 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 색변환 기판은, 제1투광영역 및 상기 제1투광영역 주변의 차광영역이 정의된 베이스부; 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 제1투광영역 내에 위치하는 제1컬러필터; 상기 제1컬러필터 상의 제1미세공간 내에 위치하고 제1파장 시프터를 포함하는 제1파장변환패턴; 및 상기 베이스부 상에 위치하되 상기 차광영역 내에 위치하는 차광부재; 를 포함하고, 상기 제1미세공간의 일측은 개방되고, 개방된 상기 제1미세공간의 일측에서 상기 차광부재는 상기 제1파장변환패턴과 직접 접촉한다.
몇몇 실시예에서, 상기 차광부재는 제1방향을 따라 연장되고, 상기 제1투광영역과 상기 차광영역은 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 인접할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1컬러필터 상에 위치하는 제1캡핑층; 및 상기 제1파장변환패턴 상에 위치하는 제2캡핑층; 을 더 포함하고, 상기 제1미세공간은 상기 제1캡핑층과 상기 제2캡핑층 사이에 정의될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제2캡핑층 상에 위치하고 유기절연물질을 포함하는 제1절연층; 및 상기 제1절연층 상에 위치하고 무기절연물질을 포함하는 제2절연층; 을 더 포함하고, 상기 차광부재는 상기 제1절연층 및 상기 제2절연층과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제2절연층 상에 위치하고 상기 차광부재를 커버하는 제3절연층; 및 상기 제3절연층 상에 위치하는 제4절연층; 을 더 포함하고, 상기 제1절연층은 유기절연물질을 포함하고, 상기 제2절연층은 무기절연물질을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 베이스부에는 상기 제1투광영역과 제1방향을 따라 인접한 제2투광영역이 더 정의되고, 상기 제1투광영역과 상기 차광영역은 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 인접하고, 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 제2투광영역 내에 위치하는 제2컬러필터; 및 상기 제2컬러필터 상의 제2미세공간 내에 위치하고 제2파장 시프터를 포함하는 제2파장변환패턴; 을 더 포함하고, 상기 제2미세공간의 일측은 개방되고, 상기 차광부재는 개방된 상기 제2미세공간의 일측에서 상기 제2파장변환패턴과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1파장변환패턴과 상기 제2파장변환패턴 사이에 위치하는 혼색방지부재를 더 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1파장변환패턴 및 상기 제2파장변환패턴 상에 위치하는 캡핑층을 더 포함하고, 상기 혼색방지부재는 상기 캡핑층 상에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 혼색방지부재 상에 위치하는 절연층을 더 포함하고, 상기 혼색방지부재는 상기 캡핑층과 상기 절연층 사이에 위치하고, 상기 차광부재는 상기 절연층 상에 위치하는 부분을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 베이스부에는 상기 제1방향을 따라 상기 제1투광영역의 일측에 위치하되, 상기 제1투광영역을 사이에 두고 상기 제2투광영역의 반대측에 위치하는 제3투광영역이 더 정의되고, 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 제3투광영역 내에 위치하는 제3컬러필터; 및 상기 제3컬러필터 상의 제3미세공간 내에 위치하는 광투과 패턴; 을 더 포함하고, 상기 제3미세공간의 일측은 개방되고, 상기 차광부재는 개방된 상기 제3미세공간의 일측에서 상기 광투과 패턴과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제3컬러필터는 청색의 색재를 포함하고, 상기 제1컬러필터와 상기 제2컬러필터 중 어느 하나는 적색의 색재를 포함하고, 상기 제1컬러필터와 상기 제2컬러필터 중 나머지 하나는 녹색의 색재를 포함하고, 상기 제1파장 시프터와 상기 제2파장 시프터는 양자점일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 베이스부에는 상기 차광영역을 사이에 두고 상기 제1투광영역의 반대측에 위치하는 제4투광영역이 더 정의되고, 상기 제1컬러필터는 상기 제4투광영역 내에 더 위치하고, 상기 제4투광영역에서 상기 제1컬러필터 상의 제4미세공간 내에는 상기 제1파장변환패턴이 더 위치하고, 상기 제4미세공간의 일측은 개방되고, 개방된 상기 제1미세공간의 일측과 상기 제4미세공간의 일측은 서로 마주볼 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시장치는, 제1발광영역, 제2발광영역 및 상기 제1발광영역과 상기 제2발광영역을 둘러싸는 비발광 영역이 정의된 제1베이스부; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1애노드 전극; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2애노드 전극; 상기 제1애노드 전극 및 상기 제2애노드 전극 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 위치하는 충진제; 상기 충진제 상에 위치하는 제2베이스부; 상기 제1베이스부를 향하는 상기 제2베이스부의 일면 상에 위치하고 상기 제1발광영역과 중첩하는 제1컬러필터; 상기 제2베이스부의 일면 상에 위치하고 상기 제2발광영역과 중첩하는 제2컬러필터; 상기 제1컬러필터 상의 제1미세공간 내에 위치하고 제1파장 시프터를 포함하는 제1파장변환패턴; 상기 제2컬러필터 상의 제2미세공간 내에 위치하고 제2파장 시프터를 포함하는 제2파장변환패턴; 및 상기 제2베이스부의 일면 상에 위치하되 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광부재; 를 포함하고, 상기 제1미세공간의 일측 및 상기 제2미세공간의 일측은 개방되고, 상기 차광부재는, 개방된 상기 제1미세공간의 일측에서 상기 제1파장변환패턴과 직접 접촉하고 개방된 상기 제2미세공간의 일측에서 상기 제2파장변환패턴과 직접 접촉한다.
몇몇 실시예에서, 상기 발광층은, 서로 중첩하는 둘 이상의 청색 발광층을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1컬러필터는 적색의 색재를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 녹색의 색재를 포함하고. 상기 제1파장 시프터 및 상기 제2파장 시프터는 양자점일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시장치는, 제1발광영역, 제2발광영역 및 상기 제1발광영역과 상기 제2발광영역을 둘러싸는 비발광 영역이 정의된 제1베이스부; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1애노드 전극; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2애노드 전극; 상기 제1애노드 전극 및 상기 제2애노드 전극 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 위치하는 박막 봉지층; 상기 박막 봉지층 상에 위치하되 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1미세공간; 상기 박막 봉지층 상에 위치하되 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2미세공간; 상기 제1미세공간 내에 위치하고 제1파장 시프터를 포함하는 제1파장변환패턴; 상기 제2미세공간 내에 위치하고 제2파장 시프터를 포함하는 제2파장변환패턴; 상기 제1파장변환패턴 상에 위치하는 제1컬러필터; 상기 제2파장변환패턴 상에 위치하는 제2컬러필터; 상기 박막 봉지층 상에 위치하되 상기 비발광 영역 내에 위치하는 차광부재; 를 포함하고, 상기 제1미세공간의 일측 및 상기 제2미세공간의 일측은 개방되고, 상기 차광부재는, 개방된 상기 제1미세공간의 일측에서 상기 제1파장변환패턴과 직접 접촉하고 개방된 상기 제2미세공간의 일측에서 상기 제2파장변환패턴과 직접 접촉한다.
몇몇 실시예에서, 상기 박막 봉지층 상에 위치하는 제1캡핑층 및 제2캡핑층을 더 포함하고, 상기 제1컬러필터 및 상기 제2컬러필터는 상기 제2캡핑층 상에 위치하고, 상기 제1미세공간 및 상기 제2미세공간은 상기 제1캡핑층과 상기 제2캡핑층 사이에 정의될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1파장변환패턴과 상기 제2파장변환패턴 사이에 위치하고 상기 비발광 영역 내에 위치하는 혼색방지부재를 더 포함하고, 상기 제1컬러필터 및 상기 제2컬러필터는 상기 혼색방지부재 상에 위치하는 부분을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1컬러필터 및 상기 제2컬러필터 상에 위치하는 제1절연층을 더 포함하고, 상기 차광부재는 상기 제1절연층 상에 위치하는 부분을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1절연층 상에 위치하고 상기 차광부재를 커버하는 제2절연층; 및 상기 제2절연층 상에 위치하는 제3절연층; 을 더 포함하고, 상기 제2절연층은 유기절연물질을 포함하고, 상기 제3절연층은 무기절연물질을 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 표시품질이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 Xa-Xa'를 따라 절단한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 표시 장치 중 표시 영역에서 표시 기판의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 표시 장치 중 표시 영역에서 제2기판의 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 3 및 도 4의 X1-X1'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 도 5의 Q부분을 확대한 단면도이다.
도 7은 도 3 및 도 4의 X2-X2'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 도 3 및 도 4의 X3-X3'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 도 3 및 도 4의 X4-X4'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 도 3 및 도 4의 X5-X5'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 차광패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 컬러필터들의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 미세공간들의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 제1파장변환패턴, 제2파장변환패턴 및 광투과패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 혼색방지부재의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 16은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 차광부재의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 17, 도 18, 도 19, 도 20 및 도 21은 도 8의 구조를 기준으로 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 22는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X1-X1'를 따라 절단한 단면도이다.
도 23은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X2-X2'를 따라 절단한 단면도이다.
도 24는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X3-X3'를 따라 절단한 단면도이다.
도 25는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X4-X4'를 따라 절단한 단면도이다.
도 26은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X5-X5'를 따라 절단한 단면도이다.
도 27, 도 28, 도 29, 도 30 및 도 31은 도 24의 구조를 기준으로 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제1기판의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 Xa-Xa'를 따라 절단한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 표시 장치 중 표시 영역에서 표시 기판의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 표시 장치 중 표시 영역에서 제2기판의 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 3 및 도 4의 X1-X1'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 도 5의 Q부분을 확대한 단면도이다.
도 7은 도 3 및 도 4의 X2-X2'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 도 3 및 도 4의 X3-X3'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 도 3 및 도 4의 X4-X4'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 도 3 및 도 4의 X5-X5'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 차광패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 컬러필터들의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 미세공간들의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 제1파장변환패턴, 제2파장변환패턴 및 광투과패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 혼색방지부재의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 16은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 차광부재의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 17, 도 18, 도 19, 도 20 및 도 21은 도 8의 구조를 기준으로 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 22는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X1-X1'를 따라 절단한 단면도이다.
도 23은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X2-X2'를 따라 절단한 단면도이다.
도 24는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X3-X3'를 따라 절단한 단면도이다.
도 25는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X4-X4'를 따라 절단한 단면도이다.
도 26은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X5-X5'를 따라 절단한 단면도이다.
도 27, 도 28, 도 29, 도 30 및 도 31은 도 24의 구조를 기준으로 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제1기판의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 위치할 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
비록 제1, 제2, 제3, 제4 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소, 제3 구성요소, 제4 구성요소 중 어느 하나일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 사시도, 도 2는 도 1의 Xa-Xa'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 태블릿 PC, 스마트폰, 자동차 내비게이션 유닛, 카메라, 자동차에 제공되는 중앙정보 디스플레이(center information display, CID), 손목 시계형 전자 기기, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기와 같은 중소형 전자 장비, 텔레비전, 외부 광고판, 모니터, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터와 같은 중대형 전자 장비 등 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로써, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 물론이다.
몇몇 실시예에서 표시 장치(1)는 평면상 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 표시 장치(1)는 제1방향(D1)으로 연장된 두개의 제1변과 제1방향(D1)과 교차하는 제2방향(D2)으로 연장된 두개의 제2변을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)의 상기 제1변과 상기 제2변이 만나는 모서리는 직각일 수 있지만, 이에 한정되지 않으며, 곡면을 이룰 수도 있다. 몇몇 실시예예서 상기 제1변은 상기 제2변보다 짧을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 표시 장치(1)의 평면 형상은 예시된 것에 제한되지 않고, 원형이나 기타 다른 형상으로 적용될 수도 있다.
표시 장치(1)는 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 영상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있으며, 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다.
다른 정의가 없는 한, 본 명세서에서 “상”, “상측”, "상부", "탑", "상면"은 도면을 기준으로 제1방향(D1) 및 제2방향(D2)과 교차하는 제3방향(D3)의 화살표가 향하는 방향을 의미하고, “하”, “하측”, "하부", "바텀", "하면"은 도면을 기준으로 제3방향(D3)의 화살표가 향하는 방향의 반대 방향을 의미하는 것으로 한다.
표시 장치(1)의 개략적 적층 구조를 설명하면, 몇몇 실시예에서 표시 장치(1)는 제1기판(10), 제1기판(10)과 대향하는 제2기판(30)을 포함하며, 제1기판(10)과 제2기판(30)을 결합하는 실링부(50), 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이에 채워진 충진제(70)를 더 포함할 수 있다.
제1기판(10)은 영상을 표시하기 위한 소자 및 회로들, 예컨대 스위칭 소자 등과 같은 화소 회로, 표시 영역(DA)에 후술할 발광 영역 및 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막 및 자발광 소자(self-light emitting element)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 자발광 소자는 유기발광소자(Organic Light Emitting Diode), 양자점 발광소자(Quantum dot Light Emitting Diode), 무기물 기반의 마이크로 발광다이오드(예컨대 Micro LED), 무기물 기반의 나노 발광 다이오드(예컨대 nano LED) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 자발광 소자가 유기발광소자인 경우를 예로서 설명한다.
제2기판(30)은 제1기판(10) 상에 위치하고 제1기판(10)과 대향할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2기판(30)은 입사광의 색을 변환하는 색변환 패턴을 포함할 수 있다. 즉, 제2기판(30)은 색변환 기판일 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 색변환 패턴은 컬러필터와 파장변환패턴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이하에서는 제2기판과 색변환 기판의 용어를 혼용하며, 동일한 도면부호를 부여한다.
비표시 영역(NDA)에서 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이에는 실링부(50)가 위치할 수 있다. 실링부(50)는 비표시 영역(NDA)에서 제1기판(10)과 제2기판(30)의 가장자리를 따라 배치되어 평면 상에서 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 제1기판(10)과 제2기판(30)은 실링부(50)를 매개로 상호 결합될 수 있다.
몇몇 실시예에서 실링부(50)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예시적으로 실링부(50)는 에폭시계 레진으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
실링부(50)에 의해 둘러싸인 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이의 공간에는 충진제(70)가 위치할 수 있다. 충진제(70)는 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이의 공간을 채울 수 있다.
몇몇 실시예에서 충진제(70)는 광투과 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 충진제(70)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예시적으로 충진제(70)는 Si계 유기물질, 에폭시계 유기물질 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서 충진제(70)는 생략될 수도 있다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 표시 기판의 개략적인 평면도로서, 보다 구체적으로 표시 영역에서 표시 기판의 개략적인 평면도, 도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 표시 장치 중 표시 영역에서 제2기판의 개략적인 평면도이다.
도 1 및 도 2에 부가하여 도 3 및 도 4를 더 참조하면, 표시 영역(DA)에서 제1기판(10)에는 복수의 발광 영역들(LA1, LA2, LA3, LA4, LA5, LA6) 및 비발광 영역(NLA)이 정의될 수 있다. 발광 영역들(LA1, LA2, LA3, LA4, LA5, LA6)은 제1기판(10)의 발광소자에서 생성된 광이 제1기판(10)의 외부로 방출되는 영역일 수 있으며, 비발광 영역(NLA)은 제1기판(10)의 외부로 광이 방출되지 않는 영역일 수 있다.
몇몇 실시예에서 발광 영역들(LA1, LA2, LA3, LA4, LA5, LA6) 각각에서 제1기판(10)의 외부로 방출되는 광은 제1색의 광일 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 제1색의 광은 청색광일 수 있으며, 약 440nm 내지 약 480nm 범위에서 피크파장을 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서 표시 영역(DA)에서 제1기판(10) 중 제1행(RL1)에는 제1방향(D1)을 따라 제1발광영역(LA1), 제2발광영역(LA2) 및 제3발광영역(LA3)이 순차적으로 반복 배치될 수 있다. 또한 제2방향(D2)을 따라 제1행(RL1)과 인접한 제2행(RL2)에는 제1방향(D1)을 따라 제4발광영역(LA4), 제5발광영역(LA5) 및 제6발광영역(LA6)이 순차적으로 반복 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1방향(D1)을 따라 측정한 제1발광영역(LA1)의 제1폭(WL1)은, 제1방향(D1)을 따라 측정한 제2발광영역(LA2)의 제2폭(WL2) 및 제3발광영역(LA3)의 제3폭(WL3)보다 좁을 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2발광영역(LA2)의 제2폭(WL2)과 제3발광영역(LA3)의 제3폭(WL3)도 서로 상이할 수 있다. 예시적으로 제2발광영역(LA2)의 제2폭(WL2)은, 제3발광영역(LA3)의 제3폭(WL3)보다 넓을 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 제1발광영역(LA1)의 면적은, 제2발광영역(LA2)의 면적 및 제3발광영역(LA3)의 면적보다 작을 수 있으며, 제2발광영역(LA2)의 면적 및 제3발광영역(LA3)의 면적보다 넓을 수 있다.
제2방향(D2)을 따라 제1발광영역(LA1)과 인접한 제4발광영역(LA4)은 제2행(RL2)에 위치하는 점에서만 제1발광영역(LA1)과 상이하며, 폭, 면적 및 영역 내에 배치되는 구성들의 구조는 제1발광영역(LA1)과 실질적으로 동일할 수 있다.
유사하게 제2방향(D2)을 따라 서로 인접하는 제2발광영역(LA2)과 제5발광영역(LA5)은 실질적으로 동일한 구조로 이루어질 수 있으며, 제2방향(D2)을 따라 서로 인접하는 제3발광영역(LA3)과 제6발광영역(LA6)은 실질적으로 동일한 구조로 이루어질 수 있다.
표시 영역(DA)에서 제2기판(30)에는 복수의 투광 영역(TA1, TA2, TA3, TA4, TA5, TA6) 및 차광영역(BA)이 정의될 수 있다. 투광 영역(TA1, TA2, TA3, TA4, TA5, TA6)은 제1기판(10)에서 방출된 광이 제2기판(30)을 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 제공되는 영역일 수 있다. 차광영역(BA)은 제1기판(10)에서 방출된 광이 투과하지 않는 영역일 수 있다.
몇몇 실시예에서 표시 영역(DA)에서 제2기판(30) 중 제1행(RT1)에는 제1방향(D1)을 따라 제1투광영역(TA1), 제2투광영역(TA2) 및 제3투광영역(TA3)이 순차적으로 반복 배치될 수 있다. 제1투광영역(TA1)은 제1발광영역(LA1)에 대응하거나 또는 제1발광영역(LA1)과 중첩할 수 있다. 유사하게 제2투광영역(TA2)은 제2발광영역(LA2)과 대응하거나 중첩하고 제3투광영역(TA3)은 제3발광영역(LA3)과 대응하거나 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1기판(10)에서 제공된 상기 제1색의 광은 제1투광영역(TA1), 제2투광영역(TA2) 및 제3투광영역(TA3)을 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 제공될 수 있다. 제1투광영역(TA1)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광을 제1출사광이라 지칭하고, 제2투광영역(TA2)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광을 제2출사광이라 지칭하고, 제3투광영역(TA3)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광을 제3출사광이라 지칭하면, 상기 제1출사광은 상기 제1색의 광이고, 상기 제2출사광은 상기 제1색과 다른 제2색의 광이고, 상기 제3출사광은 상기 제1색 및 상기 제2색과 다른 제3색의 광일 수 있다. 몇몇 실시예예서 상기 제1색의 광은 상술한 바와 같이 440nm 내지 약 480nm 범위에서 피크파장을 갖는 청색광일 수 있으며, 상기 제2색의 광은 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색광일 수 있다. 또한 상기 제3색의 광은 약 510nm 내지 약 550nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색광일 수 있다.
제2방향(D2)을 따라 제1행(RT1)과 인접한 제2행(RT2)에는, 제1방향(D1)을 따라 제4투광영역(TA4), 제5투광영역(TA5) 및 제6투광영역(TA6)이 순차적으로 반복 배치될 수 있다. 제4투광영역(TA4)은 제4발광영역(LA4)과 대응하거나 중첩하고 제5투광영역(TA5)은 제5발광영역(LA5)과 대응하거나 중첩하고 제6투광영역(TA6)은 제6발광영역(LA6)과 대응하거나 중첩할 수 있다.
제1발광영역(LA1), 제2발광영역(LA2) 및 제3발광영역(LA3)과 유사하게, 몇몇 실시예에서 제1방향(D1)을 따라 측정한 제1투광영역(TA1)의 제1폭(WT1)은, 제1방향(D1)을 따라 측정한 제2투광영역(TA2)의 제2폭(WT2) 및 제3투광영역(TA3)의 제3폭(WT3)보다 좁을 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2투광영역(TA2)의 제2폭(WT2)과 제3투광영역(TA3)의 제3폭(WT3)도 서로 상이할 수 있다. 예시적으로 제2투광영역(TA2)의 제2폭(WT2)은, 제3투광영역(TA3)의 제3폭(WT3)보다 넓을 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 제1투광영역(TA1)의 면적은, 제2투광영역(tA2)의 면적 및 제3투광영역(TA3)의 면적보다 작을 수 있으며, 제2투광영역(TA2)의 면적 및 제3투광영역(TA3)의 면적보다 넓을 수 있다.
제2방향(D2)을 따라 서로 인접하는 제1투광영역(TA1)과 제4투광영역(TA4)은 폭, 면적 및 영역 내에 배치되는 구성들의 구조 및 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광의 색이 실질적으로 동일할 수 있다.
유사하게 제2방향(D2)을 따라 서로 인접하는 제2투광영역(TA2)과 제5투광영역(TA5)은 실질적으로 동일한 구조로 이루어질 수 있으며, 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광의 색도 실질적으로 동일할 수 있다. 또한 제2방향(D2)을 따라 서로 인접하는 제3투광영역(TA3)과 제6투광영역(TA6)은 실질적으로 동일한 구조로 이루어질 수 있으며, 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광의 색도 실질적으로 동일할 수 있다.
표시 영역(DA) 내에서 제2기판(30)의 투광 영역(TA1, TA2, TA3, TA4, TA5, TA6)의 주변에는 차광영역(BA)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 차광영역(BA)을 영역별로 구분하면, 제1차광영역(BA1), 제2차광영역(BA2), 제3차광영역(BA3), 제4차광영역(BA4), 제5차광영역(BA5), 제6차광영역(BA6) 및 제7차광영역(BA7)을 포함할 수 있다.
제1차광영역(BA1)은 제1방향(D1)을 따라 제1투광영역(TA1)과 제2투광영역(TA2) 사이에 위치하고, 제2차광영역(BA2)은 제1방향(D1)을 따라 제2투광영역(TA2)과 제3투광영역(TA3) 사이에 위치하고, 제3차광영역(BA3)은 제1방향(D1)을 따라 제3투광영역(TA3)과 제1투광영역(TA1) 사이에 위치할 수 있다.
제4차광영역(BA4)은 제1방향(D1)을 따라 제4투광영역(TA4)과 제5투광영역(TA5) 사이에 위치하고, 제5차광영역(BA5)은 제1방향(D1)을 따라 제5투광영역(TA5)과 제6투광영역(TA6) 사이에 위치하고, 제6차광영역(BA6)은 제1방향(D1)을 따라 제6투광영역(TA6)과 제4투광영역(TA4) 사이에 위치할 수 있다.
제7차광영역(BA7)은 제2방향(D2)을 따라 인접하는 제1행(RT1)과 제2행(RT2) 사이에 위치할 수 있다.
이하 표시 장치(1)의 구조에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 5는 도 3 및 도 4의 X1-X1'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 6은 도 5의 Q부분을 확대한 단면도, 도 7은 도 3 및 도 4의 X2-X2'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 8은 도 3 및 도 4의 X3-X3'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 9는 도 3 및 도 4의 X4-X4'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 10은 도 3 및 도 4의 X5-X5'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3 및 도 4에 부가하여 도 5 내지 도 10을 더 참조하면, 표시 장치(1)는 상술한 바와 같이 제1기판(10) 및 제2기판(30)을 포함하며, 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이에 위치하는 충진제(70)를 더 포함할 수 있다.
이하 제1기판(10)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
제1베이스부(110)는 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1베이스부(110)는 유리기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 제1베이스부(110)가 플라스틱 기판인 경우, 제1베이스부(110)는 가요성을 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1베이스부(110)는 유리기판 또는 플라스틱 기판 상에 위치하는 별도의 층, 예컨대 버퍼층 또는 절연층을 더 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1베이스부(110)에는 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3, LA4, LA5, LA6) 및 비발광 영역(NLA)이 정의될 수 있음은 상술한 바와 같다.
도 5, 도 7, 도 8, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1베이스부(110) 상에는 제1스위칭 소자(T1), 제2스위칭 소자(T2), 제3스위칭 소자(T3), 제4스위칭 소자(T4), 제5스위칭 소자(T5) 및 제6스위칭 소자(T6)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1스위칭 소자(T1), 제2스위칭 소자(T2), 제3스위칭 소자(T3), 제4스위칭 소자(T4), 제5스위칭 소자(T5) 및 제6스위칭 소자(T6)는 모두 비발광 영역(NLA) 내에 위치할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 몇몇 다른 실시예에서 제1발광영역(LA1)에는 제1스위칭 소자(T1)가 위치하고, 제2발광영역(LA2)에는 제2스위칭 소자(T2)가 위치하고 제3발광영역(LA3)에는 제3스위칭 소자(T3)가 위치하고, 제4발광영역(LA4)에는 제4스위칭 소자(T4)가 위치하고, 제5발광영역(LA5)에는 제5스위칭 소자(T5)가 위치하고 제6발광영역(LA6)에는 제6스위칭 소자(T6)가 위치할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 스위칭 소자들(T1, T2, T3, T4, T5, T6)은 각각 폴리 실리콘을 포함하는 박막 트랜지스터 또는 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터일 수 있다.
이외 도면에는 미도시 하였으나, 제1베이스부(110) 상에는 각 스위칭 소자에 신호를 전달하는 복수의 신호선들(예컨대, 게이트선, 데이터선, 전원선 등)이 더 위치할 수 있다.
스위칭 소자들(T1, T2, T3, T4, T5, T6) 상에는 절연막(130)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연막(130)은 평탄화막일 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연막(130)은 유기막으로 이루어질 수 있다. 예시적으로 절연막(130)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 에스테르계 수지 등을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연막(130)은 포지티브 감광성 재료 또는 네거티브 감광성 재료를 포함할 수 있다.
절연막(130) 위에는 제1애노드 전극(AE1), 제2애노드 전극(AE2), 제3애노드 전극(AE3), 제4애노드 전극(AE4), 제5애노드 전극(AE5) 및 제6애노드 전극(AE6)이 위치할 수 있다. 제1애노드 전극(AE1)은 제1발광영역(LA1) 내에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제2애노드 전극(AE2)은 제2발광영역(LA2)에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있으며, 제3애노드 전극(AE3)은 제3발광영역(LA3)에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제4애노드 전극(AE4)은 제4발광영역(LA4) 내에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제5애노드 전극(AE5)은 제5발광영역(LA5)에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있으며, 제6애노드 전극(AE6)은 제6발광영역(LA6)에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제1애노드 전극(AE1)은 절연막(130)을 관통하여 제1스위칭 소자(T1)와 연결되고 제2애노드 전극(AE2)은 절연막(130)을 관통하여 제2스위칭 소자(T2)와 연결되고, 제3애노드 전극(AE3)은 절연막(130)을 관통하여 제3스위칭 소자(T3)와 연결되고, 제4애노드 전극(AE4)은 절연막(130)을 관통하여 제4스위칭 소자(T4)와 연결되고 제5애노드 전극(AE5)은 절연막(130)을 관통하여 제5스위칭 소자(T5)와 연결되고, 제6애노드 전극(AE6)은 절연막(130)을 관통하여 제6스위칭 소자(T6)와 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1애노드 전극(AE1), 제2애노드 전극(AE2) 및 제3애노드 전극(AE3)의 폭 또는 면적은 서로 상이할 수 있다. 예시적으로 제1애노드 전극(AE1)의 폭은 제2애노드 전극(AE2)의 폭보다 작고, 제3애노드 전극(AE3)의 폭은 제2애노드 전극(AE2)의 폭보다 작되 제1애노드 전극(AE1)의 폭보다 클 수도 있다. 또는 제1애노드 전극(AE1)의 면적은 제2애노드 전극(AE2)의 면적보다 작고, 제3애노드 전극(AE3)의 면적은 제2애노드 전극(AE2)의 면적보다 작되 제1애노드 전극(AE1)의 면적보다는 클 수도 있다. 제4애노드 전극(AE4)의 폭 또는 면적은 제1애노드 전극(AE1)과 동일하고, 제5애노드 전극(AE5)의 폭 또는 면적은 제2애노드 전극(AE2)과 동일하고, 제6애노드 전극(AE6)의 폭 또는 면적은 제3애노드 전극(AE3)과 동일할 수 있다.
애노드 전극들(AE1, AE2, AE3, AE4, AE5, AE6)은 반사형 전극일 수 있고, 이 경우에 애노드 전극들(AE1, AE2, AE3, AE4, AE5, AE6)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr와 같은 금속을 포함하는 금속층일 수 있다. 다른 실시예에서는, 애노드 전극들(AE1, AE2, AE3, AE4, AE5, AE6)은 상기 금속층 위에 적층된 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 애노드 전극들(AE1, AE2, AE3, AE4, AE5, AE6) 각각은 ITO/Ag, Ag/ITO, ITO/Mg, ITO/MgF의 2층 구조 또는 ITO/Ag/ITO와 같은 다중층의 구조를 가질 수도 있다.
애노드 전극들(AE1, AE2, AE3, AE4, AE5, AE6) 상에는 화소정의막(150)이 위치할 수 있다. 화소정의막(150)은 애노드 전극들(AE1, AE2, AE3, AE4, AE5, AE6) 각각을 노출하는 개구부를 포함할 수 있으며, 제1발광영역(LA1), 제2발광영역(LA2), 제3발광영역(LA3), 제4발광영역(LA4), 제5발광영역(LA5), 제6발광영역(LA6) 및 비발광 영역(NLA)을 정의할 수 있다. 즉, 제1애노드 전극(AE1) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제1발광영역(LA1)일 수 있다. 유사하게 제2애노드 전극(AE2) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제2발광영역(LA2)일 수 있으며, 제3애노드 전극(AE3) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제3발광영역(LA3)일 수 있다. 그리고 화소정의막(150)이 위치하는 영역은 비발광 영역(NLA)일 수 있다. 제4발광영역(LA4), 제5발광영역(LA5) 및 제6발광영역(LA6)도 각각 제4애노드 전극(AE4), 제5애노드 전극(AE5) 및 제6애노드 전극(AE6) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역으로 정의될 수 있다.
몇몇 실시예에서 화소정의막(150)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 화소정의막(150)은 후술할 차광패턴(221)과 중첩할 수 있다. 또한 화소정의막(150)은 후술할 혼색방지부재(370) 및 차광부재(380)와도 중첩할 수 있다.
애노드 전극들(AE1, AE2, AE3, AE4, AE5, AE6) 및 화소정의막(150) 상에는 발광층(OL)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 발광층(OL)은 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3, LA4, LA5, LA6) 및 비발광 영역(NLA)에 걸쳐 형성된 연속된 막의 형상을 가질 수 있다. 발광층(OL)에 대한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
발광층(OL) 상에는 캐소드 전극(CE)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 캐소드 전극(CE)은 반투과성 또는 투과성을 가질 수 있다. 캐소드 전극(CE)이 상기 반투과성을 갖는 경우에, 캐소드 전극(CE)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물, 예를 들어 Ag와 Mg의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 캐소드 전극(CE)의 두께가 수십 내지 수백 옹스트롬인 경우에, 캐소드 전극(CE)은 반투과성을 가질 수 있다.
캐소드 전극(CE)이 투과성을 갖는 경우, 캐소드 전극(CE)은 투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 캐소드 전극(CE)은 WxOx(tungsten oxide), TiO2(Titanium oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), MgO(magnesium oxide) 등을 포함할 수 있다.
제1애노드 전극(AE1), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제1발광소자(ED1)를 이루고, 제2애노드 전극(AE2), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제2발광소자(ED2)를 이루고, 제3애노드 전극(AE3), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제3발광소자(ED3)를 이룰 수 있다. 유사하게 제4애노드 전극(AE4), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제4발광소자(ED4)를 이루고, 제5애노드 전극(AE5), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제5발광소자(ED5)를 이루고, 제6애노드 전극(AE6), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제6발광소자(ED6)를 이룰 수 있다. 제1발광소자(ED1), 제2발광소자(ED2), 제3발광소자(ED3), 제4발광소자(ED4), 제5발광소자(ED5) 및 제6발광소자(ED6)는 각각 출사광(L1)을 방출하고, 출사광(L1)은 제2기판(30)에 제공될 수 있다. 각각의 발광소자들이 출사하는 출사광(L1)의 색은 동일할 수 있으며, 예시적으로 출사광(L1)은 청색광일 수 있다.
몇몇 실시예에서 발광층(OL)은 텐덤(tandem) 구조로 이루어질 수 있다. 예시적으로 도 6을 참조하면, 발광층(OL)은 제1발광층(EML1)을 포함하는 제1스택(ST1), 제1스택(ST1) 상에 위치하고 제2발광층(EML2)을 포함하는 제2스택(ST2), 제2스택(ST2) 상에 위치하고 제3발광층(EML3)을 포함하는 제3스택(ST3), 제1스택(ST1)과 제2스택(ST2) 사이에 위치하는 제1전하생성층(CGL1) 및 제2스택(ST2)과 제3스택(ST3) 사이에 위치하는 제2전하생성층(CGL2)을 포함할 수 있다. 제1스택(ST1), 제2스택(ST2) 및 제3스택(ST3)은 서로 중첩하도록 배치될 수 있다.
제1발광층(EML1), 제2발광층(EML2) 및 제3발광층(EML3)은 서로 중첩하도록 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1발광층(EML1), 제2발광층(EML2) 및 제3발광층(EML3) 각각이 방출하는 광은 피크 파장이 610nm 미만일 수 있으며, 제1발광층(EML1), 제2발광층(EML2) 및 제3발광층(EML3) 각각은 피크 파장이 610nm 이상 680nm 이하인 광, 예컨대 적색광을 방출하지 않을 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1발광층(EML1), 제2발광층(EML2) 및 제3발광층(EML3)은 모두 상기 제1색의 광, 예컨대 청색광을 발광할 수 있다. 예시적으로 제1발광층(EML1), 제2발광층(EML2) 및 제3발광층(EML3)은 각각 청색 발광층일 수 있으며, 유기물을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1발광층(EML1), 제2발광층(EML2) 및 제3발광층(EML3) 각각 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2′'-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용할 수 있다.
청색광을 방출하는 제1발광층(EML1), 제2발광층(EML2) 및 제3발광층(EML3) 은 각각 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 유기 금속 착체(organometallic complex)를 포함하는 인광 물질을 포함할 수도 있다.
상술한 실시예들에 따르면, 텐덤(tandem) 방식의 구조, 즉 복수개의 발광층을 적층한 구조를 채용하지 않는 종래의 발광 소자에 비하여 광 효율이 상승하는 이점 및 장수명을 구현할 수 있는 이점을 갖는다.
제1전하생성층(CGL1)은 제1스택(ST1)과 제2스택(ST2) 사이에 위치할 수 있다. 제1전하생성층(CGL1)은 각 발광층에 전하를 주입하는 역할을 할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1)은 제1스택(ST1)과 제2스택(ST2) 사이에서 전하 균형을 조절하는 역할을 할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1)은 n형 전하생성층(CGL11) 및 p형 전하생성층(CGL12)을 포함할 수 있다. p형 전하생성층(CGL12)은 n형 전하생성층(CGL11) 상에 배치될 수 있으며, n형 전하생성층(CGL11)과 제2스택(ST2) 사이에 위치할 수 있다.
제1 전하생성층(CGL1)은 n형 전하생성층(CGL11) 및 p형 전하생성층(CGL12)이 서로 접합 구조를 가질 수도 있다. n형 전하생성층(CGL11)은 제1발광층(EML1)에 전자를 공급하고, p형 전하생성층(CGL12)은 제2스택(ST2)에 포함되는 제2발광층(EML2)에 정공을 공급한다. 제1 전하생성층(CGL1)을 제1스택(ST1) 및 제2스택(ST2) 사이에 배치하여, 각각의 발광층에 전하를 제공함으로써, 발광 효율을 증대시키고, 구동 전압을 낮출 수 있게 된다.
제1스택(ST1)은 제1정공수송층(HTL1), 제1전자블록층(BIL1), 제1전자수송층(ETL1)을 더 포함할 수 있다.
제1정공수송층(HTL1)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, 정공수송물질을 포함할 수 있다. 상기 정공수송물질은, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine])등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1전자블록층(BIL1)은 제1정공수송층(HTL1) 상에 위치할 수 있으며, 제1정공수송층(HTL1)과 제1발광층(EML1) 사이에 위치할 수 있다. 제1전자블록층(BIL1)은 제1발광층(EML1)에서 생성된 전자가 제1정공수송층(HTL1)으로 넘어오는 것을 방지하도록 정공수송물질과 금속 또는 금속 화합물을 포함하여 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 상술한 제1 정공수송층(HTL1)과 제1전자블록층(BIL1)은 각각의 재료가 혼합된 단일층으로도 이루어질 수도 있다.
제1전자수송층(ETL1)은 제1발광층(EML1) 상에 위치할 수 있으며, 제1전하생성층(CGL1)과 제1발광층(EML1) 사이에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1전자수송층(ETL1)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물과 같은 전자수송물질을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 전자 수송 물질의 종류에 한정되는 것은 아니다.
제2스택(ST2)은 제1전하생성층(CGL1) 상에 위치할 수 있으며, 제2정공수송층(HTL2), 제2전자블록층(BIL2), 제2전자수송층(ETL1)을 더 포함할 수 있다.
제2정공수송층(HTL2)은 제1전하생성층(CGL1) 상에 위치할 수 있다. 제2정공수송층(HTL2)은 제1정공수송층(HTL1)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1정공수송층(HTL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
제2전자블록층(BIL2)은 제2정공수송층(HTL2) 상에 위치할 수 있으며, 제2정공수송층(HTL2)과 제1발광층(EML2) 사이에 위치할 수 있다. 제2전자블록층(BIL2)은 제1전자블록층(BIL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1전자블록층(BIL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
제2전자수송층(ETL2)은 제2발광층(EML2) 상에 위치할 수 있으며, 제2전하생성층(CGL2)과 제2발광층(EML2) 사이에 위치할 수 있다. 제2전자수송층(ETL2)은 제1전자수송층(ETL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1전자수송층(ETL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
제2전하생성층(CGL2)은 제2스택(ST2) 상에 위치하고 제2스택(ST2)과 제3스택(ST3) 사이에 위치할 수 있다.
제2전하생성층(CGL2)은 상술한 제1전하생성층(CGL1)과 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2전하생성층(CGL2)은 제2스택(ST2)에 보다 인접하게 배치된 n형 전하생성층(CGL21)과, 캐소드 전극(CE)에 더 인접하게 배치되는 p형 전하생성층(CGL22)을 포함할 수 있다. p형 전하생성층(CGL22)은 n형 전하생성층(CGL21) 상에 배치될 수 있다.
제2전하생성층(CGL2)은 n형 전하생성층(CGL21) 및 p형 전하생성층(CGL22)이 서로 접한 구조로 이루어질 수 있다. 제1전하생성층(CGL1) 및 제2전하생성층(CGL2)은 서로 다른 재료로 이루어질 수도 있고, 동일한 재료로 이루어질 수도 있다.
제2스택(ST2)은 제2전하생성층(CGL2) 상에 위치할 수 있으며, 제3정공수송층(HTL3) 및 제3전자수송층(ETL3)을 더 포함할 수 있다.
제3정공수송층(HTL3)은 제2전하생성층(CGL2) 상에 위치할 수 있다. 제3정공수송층(HTL3)은 제1정공수송층(HTL1)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1정공수송층(HTL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
제3전자수송층(ETL3)은 제3발광층(EML3) 상에 위치할 수 있으며, 캐소드 전극(CE)과 제3발광층(EML3) 사이에 위치할 수 있다. 제3전자수송층(ETL3)은 제1전자수송층(ETL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1전자수송층(ETL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
도 5, 도 7 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극(CE) 상에는 박막 봉지층(170)이 배치된다. 박막 봉지층(170)은 발광영역들(LA1, LA2, LA3, LA4, LA5, LA6) 및 비발광 영역(NLA)에 공통적으로 배치된다. 몇몇 실시예에서 박막 봉지층(170)은 캐소드 전극(CE)을 직접 커버한다. 몇몇 실시예에서, 박막 봉지층(TFE)과 캐소드 전극(CE) 사이에는, 캐소드 전극(CE)을 커버하는 캡핑층(도면 미도시)이 더 배치될 수 있으며, 이러한 경우 박막 봉지층(TFE)은 캡핑층을 직접 커버할 수 있다.
몇몇 실시예에서 박막 봉지층(170)은 캐소드 전극(CE) 상에 순차적으로 적층된 제1 봉지 무기막(171), 봉지 유기막(173) 및 제2 봉지 무기막(175)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 봉지 무기막(171) 및 제2 봉지 무기막(175)은 각각 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물(SiON), 리튬 플로라이드 등으로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 봉지 유기막(173)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등으로 이루어질 수 있다.
다만 박막 봉지층(170)의 구조가 상술한 예에 한정되는 것은 아니며, 이외에도 박막 봉지층(170)의 적층구조는 다양하게 변경될 수 있다.
이하 도 5 내지 도 10에 부가하여 도 11 내지 도 16을 더 참조하여 제2기판(30)에 대해 설명한다. 본 실시예에서 제2기판(30)이 색변환 기판임은 상술한 바와 같다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 차광패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도, 도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 컬러필터들의 개략적인 배치를 도시한 평면도, 도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 미세공간들의 개략적인 배치를 도시한 평면도, 도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 제1파장변환패턴, 제2파장변환패턴 및 광투과패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도, 도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 혼색방지부재의 개략적인 배치를 도시한 평면도, 도 16은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판에서, 차광부재의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 5 내지 도 16를 참조하면, 도 5 내지 도 10에 도시된 제2베이스부(310)는 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2베이스부(310)는 유리기판 또는 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2베이스부(310)는 유리기판 또는 플라스틱 기판 상에 위치하는 별도의 층, 예시적으로 무기막 등의 절연층 등을 더 포함할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제2베이스부(310)에는 도 4에 도시된 바와 같이 복수의 투광 영역(TA1, TA2, TA3, TA4, TA5, TA6) 및 차광영역(BA)이 정의될 수 있음은 상술한 바와 같다.
도 5 및 도 7 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 제1기판(10)을 향하는 제2베이스부(310)의 일면 상에는 차광패턴(221)이 위치할 수 있다. 차광패턴(221)은 차광영역(BA) 내에 위치하여 광의 투과를 차단할 수 있다. 몇몇 실시예에서 차광패턴(221)은 도 11에 도시된 바와 같이 평면상 대략 격자 형태로 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 차광패턴(221)은 유기 차광 물질을 포함할 수 있으며, 유기 차광 물질의 코팅 및 노광 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
도 5 및 도 7 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 제1기판(10)을 향하는 제2베이스부(310)의 일면 상에는 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235)가 위치할 수 있다.
제1컬러필터(231)는 제1투광영역(TA1) 및 제4투광영역(TA4) 내에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1투광영역(TA1) 내에 위치하는 제1컬러필터(231)와 제4투광영역(TA4) 내에 위치하는 제1컬러필터(231)는 제2방향(D2)을 따라 서로 이격될 수 있다.
제1컬러필터(231)는 상기 제1색의 광(예컨대, 청색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제2색의 광(예컨대, 적색광) 및 상기 제3색의 광(예컨대, 녹색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1컬러필터(231)는 청색 컬러필터(blue color filter)일 수 있으며, 청색염료 또는 청색안료와 같은 청색의 색재(blue colorant)를 포함할 수 있다.
제2컬러필터(233)는 제2투광영역(TA2) 및 제5투광영역(TA5)내에 위치할 수 있으며, 제3컬러필터(235)는 제3투광영역(TA3) 및 제6투광영역(TA6) 내에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2컬러필터(233)는 상기 제1색의 광(예컨대, 청색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제2컬러필터(233)는 청색광을 차단하는 청색광 차단 필터로 기능할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2컬러필터(233)는 상기 제2색의 광(예컨대, 적색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제1색의 광(예컨대, 청색광) 및 상기 제3색의 광(예컨대, 녹색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예시적으로 제2컬러필터(233)는 적색 컬러필터(red color filter)일 수 있으며, 적색의 색재(red colorant)를 포함할 수 있다.
제3컬러필터(235)는 상기 제1색의 광(예컨대, 청색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제3컬러필터(235)도 청색광 차단 필터로 기능할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3컬러필터(235)는 상기 제3색의 광(예컨대, 녹색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제1색의 광(예컨대, 청색광) 및 상기 제2색의 광(예컨대, 적색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예시적으로 제3컬러필터(235)는 녹색 컬러필터(green color filter)일 수 있으며, 녹색의 색재(green colorant)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1컬러필터(231)의 일측 및 타측, 제2컬러필터(233)의 일측 및 타측, 제3컬러필터(235)의 일측 및 타측은 각각 적어도 일부가 차광영역(BA) 내에 위치하고 차광패턴(221)과 중첩할 수 있다.
도 5, 도 7 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 제2베이스부(310)의 일면 상에는 차광패턴(221), 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235)를 커버하는 제1캡핑층(391)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1캡핑층(391)은 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235)와 직접 접촉할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1캡핑층(391)은 차광패턴(221)과 더 접촉할 수 있다.
제1캡핑층(391)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 차광패턴(221), 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235) 등을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또한 제1캡핑층(391)은 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235)에 포함된 색재가 다른 구성, 예컨대 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350) 등으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1캡핑층(391)은 무기물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1캡핑층(391)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
도 5, 도 7 내지 도 10 및 도 13에 도시된 바와 같이, 제1캡핑층(391) 상에는 미세공간들이 위치할 수 있다. 예시적으로 제1캡핑층(391) 상에는 제1미세공간(C1), 제2미세공간(C2), 제3미세공간(C3), 제4미세공간(C4), 제5미세공간(C5) 및 제6미세공간(C6)이 위치할 수 있다.
제1미세공간(C1)은 제1투광영역(TA1)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1미세공간(C1)의 일측(C1a)은 제4미세공간(C4)의 일측(C4a)과 마주보는 제7차광영역(BA7)에 위치할 수 있으며, 제1미세공간(C1)의 일측(C1a)은 개방될 수 있다. 여기서, 제1미세공간(C1)의 일측(C1a)이 개방되었다는 의미는, 제1미세공간(C1)의 일측(Cla)이 후술할 제2캡핑층(933)에 의해 커버되지 않았다는 의미일 수 있다.
제2미세공간(C2)은 제2투광영역(TA2)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2미세공간(C2)의 일측(C2a)은 제5미세공간(C5)의 일측(C5a)과 마주보는 제7차광영역(BA7)에 위치할 수 있으며, 제2미세공간(C2)의 일측(C2a)은 개방될 수 있다.
제3미세공간(C3)은 제3투광영역(TA3)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3미세공간(C3)의 일측(C3a)은 제6미세공간(C6)의 일측(C6a)과 마주보는 제7차광영역(BA7)에 위치할 수 있으며, 제3미세공간(C3)의 일측(C3a)은 개방될 수 있다.
제4미세공간(C4)은 제4투광영역(TA4)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제4미세공간(C4)의 일측(C4a)은 제1미세공간(C1)의 일측(C1a)과 마주보는 제7차광영역(BA7)에 위치할 수 있으며, 제4미세공간(C4)의 일측(C4a)은 개방될 수 있다.
제5미세공간(C5)은 제5투광영역(TA5)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제5미세공간(C5)의 일측(C5a)은 제2미세공간(C2)의 일측(C2a)과 마주보는 제7차광영역(BA7)에 위치할 수 있으며, 제5미세공간(C5)의 일측(C5a)은 개방될 수 있다.
제6미세공간(C6)은 제6투광영역(TA6)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제6미세공간(C6)의 일측(C6a)은 제3미세공간(C3)의 일측(C3a)과 마주보는 제7차광영역(BA7)에 위치할 수 있으며, 제3미세공간(C3)의 일측(C6a)은 개방될 수 있다.
각 미세공간들의 개방된 일측은 제2기판(30)의 제조 과정에서 미세공간 내에 주입되는 물질의 주입구로 기능할 수 있다.
제1미세공간(C1), 제2미세공간(C2), 제3미세공간(C3), 제4미세공간(C4), 제5미세공간(C5) 및 제6미세공간(C6)은 제1캡핑층(391)과 후술할 제2캡핑층(393) 사이에 정의될 수 있다.
도 5, 도 7 내지 도 10 및 도 14에 도시된 바와 같이 제1캡핑층(391) 상에는 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예예서 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)은 잉크젯 방식을 이용하여 형성될 수 있다.
광투과 패턴(330)은 제1캡핑층(391) 상에 위치하되 제1투광영역(TA1) 및 제4투광영역(TA4)에 위치할 수 있다. 광투과 패턴(330)은 제1컬러필터(231)와 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)은 제1미세공간(C1) 및 제4미세공간(C4) 내에 위치하고 제1미세공간(C1) 및 제4미세공간(C4)을 채울 수 있다.
광투과 패턴(330)은 입사광을 투과시킬 수 있다. 제1발광소자(ED1)에서 제공된 출사광(L1)은 상술한 바와 같이 청색광일 수 있다. 청색광인 출사광(L1)은 광투과 패턴(330) 및 제1컬러필터(231)를 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 출사된다. 즉, 제1투광영역(TA1)에서 출사되는 광은 청색광 일 수 있다.
몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)은 제1베이스 수지(331)를 포함할 수 있으며, 제1베이스 수지(331) 내에 분산된 제1산란체(333)를 더 포함할 수 있다.
제1베이스 수지(331)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1베이스 수지(331)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 제1베이스 수지(331)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
제1산란체(333)는 제1베이스 수지(331)와 상이한 굴절률을 가지고 제1베이스 수지(331)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1산란체(333)는 광 산란 입자일 수 있다. 제1산란체(333)는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 제1산란체(333)는 광투과 패턴(330)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사광의 입사 방향과 무관하게 랜덤한 방향으로 광을 산란시킬 수 있다.
제1파장변환패턴(340)은 제1캡핑층(391) 상에 위치하되 제2투광영역(TA2) 및 제5투광영역(TA5)에 위치할 수 있다. 제1파장변환패턴(340)은 제2컬러필터(233)와 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(340)은 제2미세공간(C2) 및 제5미세공간(C5) 내에 위치하고 제2미세공간(C2) 및 제5미세공간(C5)을 채울 수 있다.
제1파장변환패턴(340)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(340)은 제2발광소자(ED2)에서 제공된 출사광(L1)인 청색광을 약 610nm 내지 약 650nm 범위의 피크파장을 갖는 적색광으로 변환하여 출사할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(340)은 제2베이스 수지(341) 및 제2베이스 수지(341) 내에 분산된 제1파장 시프터(345)를 포함할 수 있으며, 제2베이스 수지(341) 내에 분산된 제2산란체(343)를 더 포함할 수 있다.
제2베이스 수지(341)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2베이스 수지(341)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2베이스 수지(341)는 제1베이스 수지(331)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제1베이스 수지(331)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1파장 시프터(345)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1파장 시프터(345)는 제2발광소자(ED2)에서 제공된 청색광인 제1색의 광(L1)을 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 단일 피크 파장을 갖는 적색광으로 변환하여 방출할 수 있다.
제1파장 시프터(345)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다.
상기 양자점은 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상기 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1파장 시프터(345)가 방출하는 광은 약 45nm 이하, 또는 약 40nm 이하, 또는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며 이를 통해 표시 장치(1)가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 더욱 개선할 수 있다. 또, 제1파장 시프터(345)가 방출하는 광은 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향을 향하여 방출될 수 있다. 이를 통해 제2투광영역(TA2)에서 표시되는 제2 색의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
제2발광소자(ED2)에서 제공된 청색광인 출사광(L1) 중 일부는 제1파장 시프터(345)에 의해 적색광으로 변환되지 않고 제1파장변환패턴(340)을 투과하여 방출될 수 있다. 출사광(L1)중 제1파장변환패턴(340)에 의해 변환되지 않고 제2컬러필터(233)에 입사한 성분은, 제2컬러필터(233)에 의해 차단될 수 있다. 반면, 출사광(L1) 중 제1파장변환패턴(340)에 의해 변환된 적색광은 제2컬러필터(233)를 투과하여 외부로 출사된다. 즉, 제2투광영역(TA2)에서 출사되는 광은 적색광 일 수 있다.
제2산란체(343)는 제2베이스 수지(341)와 상이한 굴절률을 가지고 제2베이스 수지(341)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2산란체(343)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제2산란체(343)에 대한 구체적 설명은 제1산란체(333)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
제2파장변환패턴(350)은 제1캡핑층(391) 상에 위치하되 제3투광영역(TA3) 및 제6투광영역(TA6) 내에 위치할 수 있다. 제2파장변환패턴(350)은 제3컬러필터(235)와 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2파장변환패턴(350)은 제3미세공간(C3) 및 제6미세공간(C6) 내에 위치하고 제3미세공간(C3) 및 제6미세공간(C6)을 채울 수 있다.
제2파장변환패턴(350)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2파장변환패턴(350)은 제3발광소자(ED3)에서 제공된 청색광인 출사광(L1)을 약 510nm 내지 약 550nm 범위인 녹색광으로 변환하여 출사할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2파장변환패턴(350)은 제3베이스 수지(351) 및 제3베이스 수지(351) 내에 분산된 제2파장 시프터(355)를 포함할 수 있으며, 제3베이스 수지(351) 내에 분산된 제2산란체(353)를 더 포함할 수 있다.
제3베이스 수지(351)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3베이스 수지(351)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3베이스 수지(351)는 제1베이스 수지(331)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제1베이스 수지(331)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2파장 시프터(355)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2파장 시프터(355)는 440nm 내지 480nm 범위의 피크 파장을 갖는 청색광을 510nm 내지 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색광으로 변환할 수 있다.
제2파장 시프터(355)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 제2파장 시프터(355)에 대한 보다 구체적인 설명은 제1파장 시프터(345)의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
몇몇 실시예에서 제1파장 시프터(345) 및 제2파장 시프터(355)는 모두 양자점으로 이루어질 수 있다. 이러한 경우 제1파장 시프터(345)를 이루는 양자점의 입자 크기는 제2파장 시프터(355)를 이루는 양자점의 입자 크기보다 클 수 있다.
제2산란체(353)는 제3베이스 수지(351)와 상이한 굴절률을 가지고 제3 베이스 수지(351)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2산란체(353)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제2산란체(353)에 대한 구체적 설명은 제2산란체(343)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 5, 도 7 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350) 상에는 제2캡핑층(393)이 위치할 수 있다. 제2캡핑층(393)은 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)을 커버할 수 있다. 제2캡핑층(393)은 제1캡핑층(391)과 접촉할 수 있으며, 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)을 밀봉할 수 있다. 이에 따라 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2캡핑층(393)은 무기물로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2캡핑층(393)은 제1캡핑층(391)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1캡핑층(391)의 설명에서 언급된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2캡핑층(393)은 제1캡핑층(391)과 함께 제1미세공간(C1), 제2미세공간(C2), 제3미세공간(C3), 제4미세공간(C4), 제5미세공간(C5) 및 제6미세공간(C6)을 정의할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2캡핑층(393)은 상술한 제1미세공간(C1)의 일측(C1a), 제2미세공간(C2)의 일측(C2a), 제3미세공간(C3)의 일측(C3a), 제4미세공간(C4)의 일측(C4a), 제5미세공간(C5)의 일측(C5a) 및 제6미세공간(C6)의 일측(C6a)을 커버하지 않을 수 있다.
도 5, 도 10 및 도 15에 도시된 바와 같이, 제2캡핑층(393) 상에는 혼색방지부재(370)가 위치할 수 있다. 혼색방지부재(370)는 차광영역(BA) 내에 위치하여 광의 투과를 차단할 수 있다. 보다 구체적으로 혼색방지부재(370)는 광투과 패턴(330)과 제1파장변환패턴(340) 사이 및 제1파장변환패턴(340)과 제2파장변환패턴(350) 사이에 위치하여 이웃하는 투광영역 간의 혼색을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 혼색방지부재(370)는 제2방향(D2)을 따라 연장된 스트라이프 형상으로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 혼색방지부재(370)는 차광영역(BA) 중 제1차광영역(BA1), 제2차광영역(BA2), 제3차광영역(BA3), 제4차광영역(BA4), 제5차광영역(BA5) 및 제6차광영역(BA6) 내에 위치하고, 제7차광영역(BA7) 내에는 위치하지 않을 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 혼색방지부재(370)의 일부는 제7차광영역(BA7) 내에 더 위치할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 혼색방지부재(370)는 유기 차광 물질을 포함할 수 있으며, 유기 차광 물질의 코팅 및 노광 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
제2캡핑층(393) 상에는 혼색방지부재(370)를 커버하는 제1절연층(394)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1절연층(394)은 각 미세공간들(C1, C2, C3, C4, C5, C6)의 상측 및 측부의 일부를 커버하되, 제1미세공간(C1)의 일측(C1a), 제2미세공간(C2)의 일측(C2a), 제3미세공간(C3)의 일측(C3a), 제4미세공간(C4)의 일측(C4a), 제5미세공간(C5)의 일측(C5a) 및 제6미세공간(C6)의 일측(C6a)은 커버하지 않을 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1절연층(394)은 유기물질로 이루어질 수 있다. 제1절연층(394)은 경화 공정에 의해 단단해져 각 미세공간들(C1, C2, C3, C4, C5, C6)의 형상을 유지시키는 역할을 할 수 있다. 몇몇 다른 실시예에서 제1절연층(394)은 생략될 수도 있다.
제1절연층(394) 상에는 제2절연층(395)이 위치할 수 있다. 제2절연층(395)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제2절연층(395)은 제1절연층(394)의 상면을 커버할 수 있으며, 제1절연층(394)을 보호하는 역할을 할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1절연층(394)과 마찬가지로 제2절연층(395)은 제1미세공간(C1)의 일측(C1a), 제2미세공간(C2)의 일측(C2a), 제3미세공간(C3)의 일측(C3a), 제4미세공간(C4)의 일측(C4a), 제5미세공간(C5)의 일측(C5a) 및 제6미세공간(C6)의 일측(C6a)은 커버하지 않을 수 있다.
제2절연층(395) 상에는 차광부재(380)가 위치할 수 있다. 차광부재(380)는 차광영역(BA) 중 제7차광영역(BA7) 내에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 차광부재(380)는 도 16에 도시된 바와 같이 제1방향(D1)을 따라 연장된 스트라이프 형상으로 이루어질 수 있다. 차광부재(380)는 어느 한 발광영역에서 방출된 광이 의도하지 않은 다른 투광영역으로 입사하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 차광부재(380)는 제1발광영역(LA1)에서 방출된 광이 제1투광영역(TA1)이 아닌 제4투광영역(TA4), 제5투광영역(TA5), 제6투광영역(TA6) 등으로 입사하는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 차광부재(380) 중 제1미세공간(C1)의 일측(C1a), 제2미세공간(C2)의 일측(C2a), 제3미세공간(C3)의 일측(C3a), 제4미세공간(C4)의 일측(C4a), 제5미세공간(C5)의 일측(C5a) 및 제6미세공간(C6)의 일측(C6a)이 위치하는 제7차광영역(BA7) 내에 위치하는 부분은, 각 미세공간들(C1, C2, C3, C4, C5, C6)을 밀봉할 수 있다. 즉, 차광부재(380)는 각 미세공간들(C1, C2, C3, C4, C5, C6)을 밀봉하는 밀봉부재로 기능할 수 있으며, 차광부재(380)의 일부는 제1미세공간(C1)의 일측(C1a), 제2미세공간(C2)의 일측(C2a), 제3미세공간(C3)의 일측(C3a), 제4미세공간(C4)의 일측(C4a), 제5미세공간(C5)의 일측(C5a) 및 제6미세공간(C6)의 일측(C6a)을 커버할 수 있다.
몇몇 실시예에서 차광부재(380) 중 각 미세공간들(C1, C2, C3, C4, C5, C6)을 밀봉하는 부분은 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)과 직접 접촉할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 차광부재(380) 중 각 미세공간들(C1, C2, C3, C4, C5, C6)을 밀봉하는 부분은 제1캡핑층(391)과 직접 접촉할 수 있으며, 제1절연층(394) 및 제2절연층(395)과도 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 차광부재(380)는 유기 차광 물질을 포함할 수 있으며, 유기 차광 물질의 코팅 및 노광 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
제2절연층(395) 상에는 차광부재(380)를 커버하는 제3절연층(396)이 위치할 수 있으며, 제3절연층(396) 상에는 제4절연층(397)이 위치할 수 있다.
제3절연층(396) 및 제4절연층(397)은 그 하부에 위치하는 구성들을 밀봉할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3절연층(396)은 유기절연물질로 이루어지고 제4절연층(397)은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
제2기판(30)과 제1기판(10) 사이의 공간에는 충진제(70)가 위치할 수 있음은 상술한 바와 같다. 몇몇 실시예에서 충진제(70)는 도 5, 도 7 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 제4절연층(397)과 박막 봉지층(170) 사이에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 충진제(70)는 제4절연층(397) 및 박막 봉지층(170)과 직접 접촉할 수 있다.
이하 도 17 내지 도 21을 더 참고하여, 제2기판(30)의 제조 과정을 설명한다.
도 17, 도 18, 도 19, 도 20 및 도 21은 도 8의 구조를 기준으로 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5 내지 도 16에 부가하여 도 17 내지 도 21을 참고하면, 우선 도 17에 도시된 바와 같이 제2베이스부(310) 상에 제1컬러필터(도 5의 231), 제2컬러필터(233), 제3컬러필터(도 5의 235) 및 차광패턴(221)을 형성하고, 그 상부에 제1캡핑층(391)을 형성한다.
이후 제1캡핑층(391) 상에 희생패턴(SP)을 형성한다. 희생패턴(SP)은 제2방향(D2)을 따라 이웃하는 두개의 투광영역에 걸쳐 형성될 수 있으며, 희생패턴(SP)의 일부는 제7차광영역(BA7) 내에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 희생패턴(SP)은 감광성 유기물질을 도포하고 이를 노광 및 현상하여 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 희생패턴(SP)의 두께는 1㎛ 내지 20㎛일 수 있다.
이후 제1캡핑층(391) 상에 희생패턴(SP)을 커버하는 제2캡핑층(393)을 형성한다. 몇몇 실시예에서 제2캡핑층(393)은 무기절연물질로 이루어질 수 있으며, 플라즈마 가속 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2캡핑층(393)의 두께는 1000Å 내지 20000Å일 수 있다.
이후 제2캡핑층(393) 상에 혼색방지부재(도 5의 370)을 형성하고, 제2캡핑층(393) 상에 혼색방지부재(도 5의 370)을 커버하는 제1절연층(394)을 형성한다. 제1절연층(394)은 감광성 유기물질을 도포하고 이를 노광 및 현상하여 형성될 수 있으며, 제7차광영역(BA7)에서 제2캡핑층(393)의 일부를 노출하도록 형성될 수 있다.
이후 제1절연층(394) 상에 제2절연층(395)을 형성한다. 제2절연층(395)은 제1절연층(394)을 커버하도록 형성될 수 있다.
다음으로 도 18에 도시된 바와 같이 제7차광영역(BA7)에서 제2절연층(395)과 제2캡핑층(393) 중 제1절연층(394)에 의해 커버되지 않은 부분을 제거하여 희생패턴(SP)을 노출시킨다.
다음으로 도 19에 도시된 바와 같이, 노출된 희생패턴(SP)에 현상액 또는 스트리퍼 용액 등과 같은 물질(ET)을 공급하여 희생패턴(SP)을 제거하거나, 애싱(ashing) 공정을 이용하여 희생패턴(SP)을 제거하면, 희생패턴(SP)이 위치하였던 자리에 미세공간들, 예시적으로 도 20에 도시 바와 같이 일측(C2a)이 개방된 제2미세공간(C2) 및 일측(C5a)이 개방된 제5미세공간(C5)이 형성되며, 마찬가지로 각각 일측이 개방된 제1미세공간(도 7의 C1), 제3미세공간(도 9의 C3), 제4미세공간(도 7의 C4), 제6미세공간(도 9의 C3)이 형성된다.
이후 각 미세공간의 개방된 부분에 노즐(NZ) 등을 이용하여 잉크를 토출하면, 토출된 잉크는 모세관 현상에 의해 각 미세공간 내부로 주입된다. 예시적으로 도 20에 도시된 바와 같이 제2미세공간(C2)의 일측(C2a)과 제5미세공간(C5)의 일측(C5a) 사이에 제2산란체(343) 및 제1파장 시프터(345)를 포함하는 잉크(340a)를 토출하면, 잉크(340a)는 모세관 현상에 의해 제2미세공간(C2) 및 제5미세공간(C5)으로 주입되어 제2미세공간(C2) 및 제5미세공간(C5)을 채울 수 있다.
유사하게 제2파장 시프터(도 9의 355) 및 제3산란체(도 9의 353)를 포함하는 잉크는 제3미세공간(도 9의 C3)의 일측(도 9의 C3a)과 제6미세공간(도 9의 C3)의 일측(C6a) 사이에 제공될 수 있으며, 제1산란체(도 7의 333)를 포함하는 잉크는 제1미세공간(도 7의 C1)의 일측(도 7의 C1a)과 제4미세공간(도 7의 C4)의 일측(C4a) 사이에 제공될 수 있다.
이후 도 21에 도시된 바와 같이 제2절연층(395) 상에 차광부재(380)를 형성한다. 차광부재(380) 중 일부는 각 미세공간들의 개방된 일측을 밀봉하여 각 미세공간들 내에 주입된 물질이 각 미세공간들의 외부로 나오는 것을 방지할 수 있다.
이후 제2절연층(395) 상에 차광부재(380)를 커버하는 제3절연층(396) 및 제4절연층(397)을 순차 형성하여 제2기판(30)을 제조할 수 있다.
이후 제조된 제2기판(30)과 표시 기판(도 5의 10)을 충진제(70), 실링재(도 3의 50) 등을 매개로 결합하면 표시장치를 제조할 수 있다.
상술한 실시예들에 따른 표시장치는 미세공간을 구획하고 미세공간 내에 잉크 등을 주입하여 파장변환패턴을 형성하는 바, 제조과정에서 재료사용 효율이 향상되는 이점을 갖는다. 또한 희생패턴의 크기를 조절함으로써 미세공간의 크기를 용이하게 조절할 수 있는 바, 이에 따라 광투과 패턴, 제1파장변환패턴 및 제2파장변환패턴의 두께를 용이하게 조절할 수 있는 이점을 갖는다. 아울러 희생패턴의 형상을 조절함으로써 미세공간의 형상을 용이하게 제어할 수 있는 바, 광투과 패턴, 제1파장변환패턴 및 제2파장변환패턴의 형상도 용이하게 제어 가능한 이점을 갖는다.
도 22는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X1-X1'를 따라 절단한 단면도, 도 23은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X2-X2'를 따라 절단한 단면도, 도 24는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X3-X3'를 따라 절단한 단면도, 도 25는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X4-X4'를 따라 절단한 단면도, 도 26은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 3 및 도 4의 X5-X5'를 따라 절단한 단면도이다.
도 22 내지 도 26을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 제1기판(10a)이 도 5에 도시된 제2기판(도 5의 30)의 구성들 중 제2베이스부(310)를 제외한 나머지 구성들을 포함하는 점, 제2기판(30b)이 제2기판(도 5의 30)과는 달리 제2베이스부(310)만을 포함하는 점에서 가장 큰 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명하며 동일하거나 유사한 부분의 설명은 간략히 언급하거나 생략한다.
이하 제1기판(10a)에 대해 설명한다.
제1베이스부(110)에 대한 설명, 제1베이스부(110)와 박막 봉지층(170) 사이에 위치하는 구성에 대한 설명 및 박막 봉지층(170)에 대한 설명은 앞서 상술한 바와 동일하다.
박막 봉지층(170) 상에는 제1캡핑층(391a)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1캡핑층(391a)은 박막 봉지층(170)과 접촉할 수 있다. 제1캡핑층(391a)에 대한 보다 구체적인 설명은 표시 장치(도 5의 1)의 제1캡핑층(도 5의 391)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
제1캡핑층(391a) 상에는 미세공간들이 위치할 수 있다. 예시적으로 제1캡핑층(391a) 상에는 제1미세공간(C11), 제2미세공간(C21), 제3미세공간(C31), 제4미세공간(C41), 제5미세공간(C51) 및 제6미세공간(C61)이 위치할 수 있다.
제1미세공간(C11)은 제1발광영역(LA1)에 위치할 수 있으며, 개방된 일측(C11a)을 포함할 수 있다. 제2미세공간(C21)은 제2발광영역(LA2)에 위치할 수 있으며 개방된 일측(C21a)을 포함할 수 있다. 제3미세공간(C31)은 제3발광영역(LA3)에 위치할 수 있으며 개방된 일측(C31a)을 포함할 수 있고, 제4미세공간(C41)은 제4발광영역(LA4)에 위치할 수 있으며 개방된 일측(C41a)을 포함할 수 있고, 제5미세공간(C51)은 제5발광영역(LA5)에 위치할 수 있으며 개방된 일측(C51a)을 포함할 수 있고, 제6미세공간(C61)은 제6발광영역(LA6)에 위치할 수 있으며 개방된 일측(C61a)을 포함할 수 있다.
제1미세공간(C11), 제2미세공간(C21), 제3미세공간(C31), 제4미세공간(C41), 제5미세공간(C51) 및 제6미세공간(C61)은 제1캡핑층(391a)과 후술할 제2캡핑층(393a) 사이에 정의될 수 있다. 각 미세공간들의 평면상에서 배치는 도 13에 도시된 구조와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
제1캡핑층(391a) 상에는 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)이 위치할 수 있다.
광투과 패턴(330)은 제1캡핑층(391a) 상에 위치하되 제1발광영역(LA1) 및 제4발광영역(LA4)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)은 제1미세공간(C11) 및 제4미세공간(C41) 내에 위치하고 제1미세공간(C11) 및 제4미세공간(C41)을 채울 수 있다.
제1파장변환패턴(340)은 제1캡핑층(391a) 상에 위치하되 제2발광영역(LA2) 및 제5발광영역(LA5)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(340)은 제2미세공간(C21) 및 제5미세공간(C51) 내에 위치하고 제2미세공간(C21) 및 제5미세공간(C51)을 채울 수 있다.
제2파장변환패턴(350)은 제1캡핑층(391a) 상에 위치하되 제3발광영역(LA3) 및 제6발광영역(LA6) 내에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2파장변환패턴(350)은 제3미세공간(C31) 및 제6미세공간(C61) 내에 위치하고 제3미세공간(C31) 및 제6미세공간(C61)을 채울 수 있다.
이외 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)에 대한 보다 구체적인 설명은 앞서 설명한 바와 동일한 바, 생략한다.
광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350) 상에는 재2캡핑층(393a)이 위치할 수 있다. 제2캡핑층(393a)은 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)을 커버할 수 있다. 제2캡핑층(393a)에 대한 보다 구체적인 설명은 표시 장치(도 5의 1)의 제2캡핑층(도 5의 393)에 대한 설명과 실질적으로 동일한 바, 생략한다.
제2캡핑층(393a) 상에는 혼색방지부재(370a)가 위치할 수 있다. 혼색방지부재(370a)는 비발광영역(NLA) 내에 위치하여 광의 투과를 차단할 수 있다. 보다 구체적으로 혼색방지부재(370a)는 광투과 패턴(330)과 제1파장변환패턴(340) 사이 및 제1파장변환패턴(340)과 제2파장변환패턴(350) 사이에 위치하여 이웃하는 투광영역 간의 혼색을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 혼색방지부재(370a)의 평면 구조는 도 16에 도시된 혼색방지부재(도 16의 370)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
제2캡핑층(393a) 상에는 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235)가 위치할 수 있다. 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235)의 일부분은 혼색방지부재(370a) 상에 위치할 수 있다.
제1컬러필터(231)는 제1발광영역(LA1) 및 제4발광영역(LA4) 내에 위치하고, 제2컬러필터(233)는 제2발광영역(LA2) 및 제5발광영역(LA5) 내에 위치하고, 제3컬러필터(235)는 제3발광영역(LA3) 및 제6발광영역(LA6) 내에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235)는 각 미세공간들(C11, C21, C31, C41, C51, C61)의 형상을 유지시키는 역할을 할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1컬러필터(231)는 제1미세공간(C11) 및 제4미세공간(C41)의 측부의 일부 및 상측을 커버하되, 제1미세공간(C11)의 일측(C11a) 및 제4미세공간(C41)의 일측(C41a)은 커버하지 않을 수 있다. 또한, 제2컬러필터(233)는 제2미세공간(C21) 및 제5미세공간(C51)의 측부의 일부 및 상측을 커버하되, 제2미세공간(C21)의 일측(C21a) 및 제5미세공간(C51)의 일측(C51a)은 커버하지 않을 수 있다. 아울러 제3컬러필터(235)는 제3미세공간(C31) 및 제6미세공간(C61)의 측부의 일부 및 상측을 커버하되, 제3미세공간(C31)의 일측(C31a) 및 제6미세공간(C61)의 일측(C61a)은 커버하지 않을 수 있다.
이외 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235)에 대한 설명은 상술한 바와 동일하다.
제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235) 상에는 제1절연층(395a)이 위치할 수 있다. 제1절연층(395a)은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 각 미세공간들(C11, C21, C31, C41, C51, C61)의 일측은 커버하지 않을 수 있다. 이외 제1절연층(395a)에 대한 보다 구체적인 설명은 표시 장치(도 5의 1)의 제2절연층(도 5의 395)에 대한 설명과 실질적으로 동일한 바, 생략한다
제1절연층(395a) 상에는 차광부재(380a)가 위치할 수 있다. 차광부재(380)는 비발광 영역(NLA) 내에 위치하고, 차광영역(BA)과 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 차광부재(380a)의 평면 형상은 도 11에 도시된 차광패턴(도 11의 221)과 유사하게 격자 형상으로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 차광부재(380a) 중 제7차광영역(BA7)과 중첩하는 부분은 각 미세공간들(C11, C21, C31, C41, C51, C61)을 밀봉할 수 있다. 즉, 차광부재(380a)의 일부는 제1미세공간(C11)의 일측(C11a), 제2미세공간(C21)의 일측(C21a), 제3미세공간(C31)의 일측(C31a), 제4미세공간(C41)의 일측(C41a), 제5미세공간(C51)의 일측(C51a) 및 제6미세공간(C61)의 일측(C61a)을 커버할 수 있다.
차광부재(380a) 중 제7차광영역(BA7)과 중첩하는 부분은 광투과 패턴(330), 제1파장변환패턴(340) 및 제2파장변환패턴(350)과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 차광부재(380a)는 유기 차광 물질을 포함할 수 있으며, 유기 차광 물질의 코팅 및 노광 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
제1절연층(395a) 상에는 차광부재(380a)를 커버하는 제2절연층(396a)이 위치할 수 있으며, 제2절연층(396a) 상에는 제3절연층(397a)이 위치할 수 있다.
제2절연층(396a) 및 제3절연층(397a)은 그 하부에 위치하는 구성들을 밀봉할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2절연층(396a)은 유기절연물질로 이루어지고 제3절연층(397a)은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
제1기판(10a) 상에는 제2베이스부(310)를 포함하는 제2기판(30a)이 위치할 수 있으며, 제2기판(30a)과 제1기판(10a) 사이에는 충진제(70)가 위치할 수 있다.
본 실시예에서 제2기판(30a) 및 충진제(70)는 생략될 수도 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1a)의 경우, 각 발광영역 내에 위치하는 구성들 간의 얼라인 공차(예시적으로 발광소자와 파장변환패턴 간의 얼라인 공차 또는 화소정의막과 혼색방지부재 간의 얼라인 공차 또는 화소정의막과 차광부재 간의 얼라인 공차 등)를 감소시킬 수 있는 이점이 존재한다.
이하 도 27 내지 도 31을 참고하여, 제1기판(10a)의 제조 과정을 설명하며, 박막 봉지층 상에 위치하는 구성들의 제조과정을 중심으로 설명한다.
도 27, 도 28, 도 29, 도 30 및 도 31은 도 24의 구조를 기준으로 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제2기판의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 22 내지 도 26에 부가하여 도 27 내지 도 31을 참고하면, 우선 도 27에 도시된 바와 같이 박막 봉지층(170) 상에 제1캡핑층(391a)을 형성하고, 제1캡핑층(391a) 상에 희생패턴(SP)을 형성한다. 희생패턴(SP)은 제2방향(도 3의 D2)을 따라 이웃하는 두개의 발광영역에 걸쳐 형성될 수 있으며, 희생패턴(SP) 중 일부는 비발광영역(NLA) 내에 위치할 수 있다. 이외 희생패턴(SP)에 대한 설명은 도 17 내지 도 21의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
이후 제1캡핑층(391a) 상에 희생패턴(SP)을 커버하는 제2캡핑층(393a)을 형성하고, 제2캡핑층(393a) 상에 혼색방지부재(도 22의 370a)를 형성하고, 이후 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235)를 형성한다.
이후 제1컬러필터(231), 제2컬러필터(233) 및 제3컬러필터(235) 상에 제1절연층(395a)을 형성한다. 제1절연층(395a)은 제2캡핑층(393a)을 커버하도록 형성될 수 있다.
다음으로 도 28에 도시된 바와 같이 비발광 영역(NLA)에서 제1절연층(395a)과 제2캡핑층(393a)을 제거하여 희생패턴(SP)을 노출시킨다.
다음으로 도 29에 도시된 바와 같이 노출된 희생패턴(SP)에 현상액 또는 스트리퍼 용액 등과 같은 물질(ET)을 공급하여 희생패턴(SP)을 제거하거나, 애싱(ashing) 공정을 이용하여 희생패턴(SP)을 제거하면, 희생패턴(SP)이 위치하였던 자리에 미세공간들이 형성된다. 도 30에는 예시적으로 일측(C21a)이 개방된 제2미세공간(C21) 및 일측(C51a)이 개방된 제5미세공간(C51)이 도시되어 있다.
각 미세공간의 개방된 부분에 노즐(NZ) 등을 이용하여 잉크를 토출하면, 토출된 잉크는 모세관 현상에 의해 각 미세공간 내부로 주입된다. 도 30에는 예시적으로 제2산란체(343) 및 제1파장 시프터(345)를 포함하는 잉크(340a)가 제2미세공간(C21) 및 제5미세공간(C51)으로 주입되는 과정을 도시하였다.
이후 도 31에 도시된 바와 같이 제1절연층(395a) 상에 차광부재(380a)를 형성한다. 차광부재(380a)는 평면상에서 격자형태로 형성될 수 있으며, 차광부재(380a) 중 일부는 각 미세공간들의 개방된 일측을 밀봉할 수 있다.
이후 제1절연층(395a) 상에 차광부재(380a)를 커버하는 제2절연층(396a) 및 제3절연층(397a)을 순차 형성하여 제1기판(10a)을 제조할 수 있다.
상술한 실시예에 따른 표시 장치(2)는 구성간 미스얼라인 가능성을 낮출 수 있는 이점, 미세공간의 크기 조절에 따라 광투과 패턴, 제1파장변환패턴 및 제2파장변환패턴의 두께를 용이하게 조절할 수 있는 이점, 희생패턴의 형상 조절을 통해 광투과 패턴, 제1파장변환패턴 및 제2파장변환패턴의 형상도 용이하게 제어 가능한 이점을 갖는다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (20)
- 제1투광영역 및 상기 제1투광영역 주변의 차광영역이 정의된 베이스부;
상기 베이스부 상에 위치하고 상기 제1투광영역 내에 위치하는 제1컬러필터;
상기 제1컬러필터 상의 제1미세공간 내에 위치하고 제1파장 시프터를 포함하는 제1파장변환패턴; 및
상기 베이스부 상에 위치하되 상기 차광영역 내에 위치하는 차광부재; 를 포함하고,
상기 제1미세공간의 일측은 개방되고,
개방된 상기 제1미세공간의 일측에서 상기 차광부재는 상기 제1파장변환패턴과 직접 접촉하는 색변환 기판. - 제1항에 있어서,
상기 차광부재는 제1방향을 따라 연장되고,
상기 제1투광영역과 상기 차광영역은 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 인접한 색변환 기판. - 제1항에 있어서,
상기 제1컬러필터 상에 위치하는 제1캡핑층; 및
상기 제1파장변환패턴 상에 위치하는 제2캡핑층; 을 더 포함하고,
상기 제1미세공간은 상기 제1캡핑층과 상기 제2캡핑층 사이에 정의된 색변환 기판. - 제3항에 있어서,
상기 제2캡핑층 상에 위치하고 유기절연물질을 포함하는 제1절연층; 및
상기 제1절연층 상에 위치하고 무기절연물질을 포함하는 제2절연층; 을 더 포함하고,
상기 차광부재는 상기 제1절연층 및 상기 제2절연층과 직접 접촉하는 색변환 기판. - 제4항에 있어서,
상기 제2절연층 상에 위치하고 상기 차광부재를 커버하는 제3절연층; 및
상기 제3절연층 상에 위치하는 제4절연층; 을 더 포함하고,
상기 제1절연층은 유기절연물질을 포함하고,
상기 제2절연층은 무기절연물질을 포함하는 색변환 기판. - 제1항에 있어서,
상기 베이스부에는 상기 제1투광영역과 제1방향을 따라 인접한 제2투광영역이 더 정의되고,
상기 제1투광영역과 상기 차광영역은 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 인접하고,
상기 베이스부 상에 위치하고 상기 제2투광영역 내에 위치하는 제2컬러필터; 및
상기 제2컬러필터 상의 제2미세공간 내에 위치하고 제2파장 시프터를 포함하는 제2파장변환패턴; 을 더 포함하고,
상기 제2미세공간의 일측은 개방되고,
상기 차광부재는 개방된 상기 제2미세공간의 일측에서 상기 제2파장변환패턴과 직접 접촉하는 색변환 기판. - 제6항에 있어서,
상기 제1파장변환패턴과 상기 제2파장변환패턴 사이에 위치하는 혼색방지부재를 더 포함하는 색변환 기판. - 제7항에 있어서,
상기 제1파장변환패턴 및 상기 제2파장변환패턴 상에 위치하는 캡핑층을 더 포함하고,
상기 혼색방지부재는 상기 캡핑층 상에 위치하는 색변환 기판. - 제8항에 있어서,
상기 혼색방지부재 상에 위치하는 절연층을 더 포함하고,
상기 혼색방지부재는 상기 캡핑층과 상기 절연층 사이에 위치하고,
상기 차광부재는 상기 절연층 상에 위치하는 부분을 포함하는 색변환 기판. - 제6항에 있어서,
상기 베이스부에는 상기 제1방향을 따라 상기 제1투광영역의 일측에 위치하되, 상기 제1투광영역을 사이에 두고 상기 제2투광영역의 반대측에 위치하는 제3투광영역이 더 정의되고,
상기 베이스부 상에 위치하고 상기 제3투광영역 내에 위치하는 제3컬러필터; 및
상기 제3컬러필터 상의 제3미세공간 내에 위치하는 광투과 패턴; 을 더 포함하고,
상기 제3미세공간의 일측은 개방되고,
상기 차광부재는 개방된 상기 제3미세공간의 일측에서 상기 광투과 패턴과 직접 접촉하는 색변환 기판. - 제10항에 있어서,
상기 제3컬러필터는 청색의 색재를 포함하고,
상기 제1컬러필터와 상기 제2컬러필터 중 어느 하나는 적색의 색재를 포함하고,
상기 제1컬러필터와 상기 제2컬러필터 중 나머지 하나는 녹색의 색재를 포함하고,
상기 제1파장 시프터와 상기 제2파장 시프터는 양자점인 색변환 기판. - 제10항에 있어서,
상기 베이스부에는 상기 차광영역을 사이에 두고 상기 제1투광영역의 반대측에 위치하는 제4투광영역이 더 정의되고,
상기 제1컬러필터는 상기 제4투광영역 내에 더 위치하고,
상기 제4투광영역에서 상기 제1컬러필터 상의 제4미세공간 내에는 상기 제1파장변환패턴이 더 위치하고,
상기 제4미세공간의 일측은 개방되고,
개방된 상기 제1미세공간의 일측과 상기 제4미세공간의 일측은 서로 마주보는 색변환 기판. - 제1발광영역, 제2발광영역 및 상기 제1발광영역과 상기 제2발광영역을 둘러싸는 비발광 영역이 정의된 제1베이스부;
상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1애노드 전극;
상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2애노드 전극;
상기 제1애노드 전극 및 상기 제2애노드 전극 상에 위치하는 발광층;
상기 발광층 상에 위치하는 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극 상에 위치하는 충진제;
상기 충진제 상에 위치하는 제2베이스부;
상기 제1베이스부를 향하는 상기 제2베이스부의 일면 상에 위치하고 상기 제1발광영역과 중첩하는 제1컬러필터;
상기 제2베이스부의 일면 상에 위치하고 상기 제2발광영역과 중첩하는 제2컬러필터;
상기 제1컬러필터 상의 제1미세공간 내에 위치하고 제1파장 시프터를 포함하는 제1파장변환패턴;
상기 제2컬러필터 상의 제2미세공간 내에 위치하고 제2파장 시프터를 포함하는 제2파장변환패턴; 및
상기 제2베이스부의 일면 상에 위치하되 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광부재; 를 포함하고,
상기 제1미세공간의 일측 및 상기 제2미세공간의 일측은 개방되고,
상기 차광부재는,
개방된 상기 제1미세공간의 일측에서 상기 제1파장변환패턴과 직접 접촉하고 개방된 상기 제2미세공간의 일측에서 상기 제2파장변환패턴과 직접 접촉하는 표시장치. - 제13항에 있어서,
상기 발광층은,
서로 중첩하는 둘 이상의 청색 발광층을 포함하는 표시장치. - 제14항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 적색의 색재를 포함하고,
상기 제2컬러필터는 녹색의 색재를 포함하고.
상기 제1파장 시프터 및 상기 제2파장 시프터는 양자점인 표시장치. - 제1발광영역, 제2발광영역 및 상기 제1발광영역과 상기 제2발광영역을 둘러싸는 비발광 영역이 정의된 제1베이스부;
상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1애노드 전극;
상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2애노드 전극;
상기 제1애노드 전극 및 상기 제2애노드 전극 상에 위치하는 발광층;
상기 발광층 상에 위치하는 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극 상에 위치하는 박막 봉지층;
상기 박막 봉지층 상에 위치하되 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1미세공간;
상기 박막 봉지층 상에 위치하되 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2미세공간;
상기 제1미세공간 내에 위치하고 제1파장 시프터를 포함하는 제1파장변환패턴;
상기 제2미세공간 내에 위치하고 제2파장 시프터를 포함하는 제2파장변환패턴;
상기 제1파장변환패턴 상에 위치하는 제1컬러필터;
상기 제2파장변환패턴 상에 위치하는 제2컬러필터; 및
상기 박막 봉지층 상에 위치하되 상기 비발광 영역 내에 위치하는 차광부재; 를 포함하고,
상기 제1미세공간의 일측 및 상기 제2미세공간의 일측은 개방되고,
상기 차광부재는,
개방된 상기 제1미세공간의 일측에서 상기 제1파장변환패턴과 직접 접촉하고 개방된 상기 제2미세공간의 일측에서 상기 제2파장변환패턴과 직접 접촉하는 표시장치. - 제16항에 있어서,
상기 박막 봉지층 상에 위치하는 제1캡핑층 및 제2캡핑층을 더 포함하고,
상기 제1컬러필터 및 상기 제2컬러필터는 상기 제2캡핑층 상에 위치하고,
상기 제1미세공간 및 상기 제2미세공간은 상기 제1캡핑층과 상기 제2캡핑층 사이에 정의된 표시장치. - 제17항에 있어서,
상기 제1파장변환패턴과 상기 제2파장변환패턴 사이에 위치하고 상기 비발광 영역 내에 위치하는 혼색방지부재를 더 포함하고,
상기 제1컬러필터 및 상기 제2컬러필터는 상기 혼색방지부재 상에 위치하는 부분을 포함하는 표시장치. - 제17항에 있어서,
상기 제1컬러필터 및 상기 제2컬러필터 상에 위치하는 제1절연층을 더 포함하고,
상기 차광부재는 상기 제1절연층 상에 위치하는 부분을 포함하는 표시장치. - 제19항에 있어서,
상기 제1절연층 상에 위치하고 상기 차광부재를 커버하는 제2절연층; 및
상기 제2절연층 상에 위치하는 제3절연층; 을 더 포함하고,
상기 제2절연층은 유기절연물질을 포함하고,
상기 제3절연층은 무기절연물질을 포함하는 표시장치.
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