KR20200104966A - Transferring apparatus - Google Patents

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KR20200104966A
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Abstract

A transfer device comprises a base and a plurality of stamping units arranged on the base, wherein the base has an auxetic structure having a negative Poisson′s ratio. Micro devices can be mass-transferred by means of a transfer device having an auxetic structure. In addition, a transfer process can be easily performed even when the shape and the size of a target substrate vary.

Description

전사장치{Transferring apparatus}Transferring apparatus

본 발명은 전사장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대량 전사가 가능한 전사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer device, and more particularly, to a transfer device capable of mass transfer.

반도체로 예시될 수 있는 마이크로 디바이스는 높은 속도의 발전을 거듭하여 현대 산업에 필수불가결한 기기로 자리 잡고 있다.Microdevices, which can be exemplified as semiconductors, continue to develop at a high rate and are positioned as indispensable devices in the modern industry.

마이크로 디바이스 중 일례로 마이크로 발광다이오드(μLED)는 고효율 소자를 이용한 고밀도 디스플레이 기술로서, 기존 디스플레이 소자보다 초소형화, 경박화된 고효율, 고내구성 디바이스구현이 가능하게 한다.Micro light-emitting diodes (μLEDs), as an example of micro-devices, are high-density display technology using high-efficiency devices, and enable ultra-miniature, thinner, high-efficiency, and high-durability devices than conventional display devices.

특히, 초현실 구현을 위한 가상 현실 (VR) 디바이스의 5 cm 미만의 짧은 시청거리에서는 훨씬 선명하고 (1000 ppi 이상) 반응속도가 빠른 (nanosecond) μLED 소자가 필수적이다.Particularly, in a short viewing distance of less than 5 cm for a virtual reality (VR) device for surreal implementation, a much sharper (1000 ppi or more) and fast (nanosecond) μLED device is essential.

고해상도 μLED 디스플레이 제작을 위해서는 1억개가 넘는 적, 녹, 청색의 초소형 μLED 소자를 구동회로 기판에 정밀하고 빠르게 정렬 및 전사해야 한다.In order to manufacture a high-resolution μLED display, more than 100 million red, green, and blue micro-LED devices must be accurately and quickly aligned and transferred to the driving circuit board.

이를 위한 다양한 전사공정기술이 연구되었으나, 아직까지 극소량의 소자를 개별적으로 배열하여 전사하는 느린 공정에 기반하기 때문에 생산비용이 매우 높은 상황이다.Various transfer process technologies have been studied for this, but production costs are still very high because it is based on a slow process of individually arranging and transferring a very small number of devices.

따라서, 제조기판에 있는 대량의 μLED소자들을 목표기판인 디바이스용 기판에 한꺼번에 정렬하고 정밀하게 전사시키는 혁신적인 대규모 병렬 공정기술의 개발이 매우 중요하다.Therefore, it is very important to develop an innovative large-scale parallel process technology that aligns and precisely transfers a large number of μLED devices on a manufacturing substrate to a device substrate, which is a target substrate.

본 발명의 일 측면은 대량전사가 가능한 전사장치를 제공한다.An aspect of the present invention provides a transfer device capable of mass transfer.

본 발명의 일 측면은 전사 간격을 달리할 수 있는 전사장치를 제공한다.An aspect of the present invention provides a transfer device capable of varying the transfer interval.

본 발명의 사상에 따른 전사장치는 베이스; 상기 베이스에 마련되는 복수의 스탬핑부;를 포함하고, 상기 베이스는 음의 프아송비를 갖는 오그제틱(auxetic)구조를 포함한다.The transfer device according to the spirit of the present invention includes a base; And a plurality of stamping portions provided on the base, and the base includes an auxetic structure having a negative Poisson's ratio.

상기 베이스는, 제 1 상태와, 상기 복수의 스탬핑부가 상호간에 이격되도록 상기 제 1 상태로부터 확장된 제 2 상태를 동작할 수 있다.The base may operate in a first state and a second state extended from the first state such that the plurality of stamping portions are spaced apart from each other.

상기 복수의 스탬핑부는, 상기 베이스가 상기 제 1 상태에 있을 때, 상호간에 제 1 간격 이격되고, 상기 베이스가 상기 제 2 상태에 있을 때, 상호간에 상기 제 1 간격보다 큰 제 2 간격 이격되도록 구성될 수 있다.The plurality of stamping units are configured to be spaced apart from each other by a first distance when the base is in the first state, and to be spaced apart from each other by a second distance greater than the first distance when the base is in the second state Can be.

상기 복수의 스탬핑부는, 상기 베이스가 상기 제 1 상태일 때, 상기 제 1 간격으로 배열되는 대상기판의 마이크로 디바이스들을 점착하여 분리시키고, 상기 베이스가 상기 제 2 상태에 있을 때, 상기 제 2 간격으로 목표기판에 상기 점착된 마이크로 디바이스들을 배치시키도록 구성될 수 있다.When the base is in the first state, the plurality of stamping units adhere and separate the microdevices of the target substrate arranged at the first interval, and when the base is in the second state, at the second interval It may be configured to place the adhered microdevices on a target substrate.

상기 마이크로 디바이스는 마이크로 LED를 포함할 수 있다.The micro device may include a micro LED.

상기 제 2 간격은 가로방향과 제 2 가로간격과, 세로방향의 제 2 세로간격을 포함하고, 상기 복수의 스탬핑부는, 상기 베이스가 상기 제 2 상태일 때, 상기 제 2 가로간격과, 상기 제 2 가로간격과 다른 제 2 세로간격으로 이격되도록 구성될 수 있다.The second interval includes a horizontal direction, a second horizontal interval, and a second vertical interval in a vertical direction, and the plurality of stamping portions include the second horizontal interval and the second horizontal interval when the base is in the second state. It may be configured to be spaced apart at a second vertical interval different from the 2 horizontal interval.

상기 베이스는, 제 1 구간과, 상기 제 1 구간과 인접한 제 2 구간;을 포함하고, 상기 복수의 스탬핑부는, 상기 베이스의 제 1 구간에 배치되는 제 1 복수의 스탬핑부와, 상기 제 1 구간과 인접한 상기 베이스의 제 2 구간에 배치되는 제 2 복수의 스탬핑부;를 포함하고, 상기 제 1 복수의 스탬핑부는 상기 베이스가 상기 제 2 상태일 때, 상기 제 2 복수의 스탬핑부보다 이격간격이 작게 배치되도록 구성될 수 있다.The base includes a first section and a second section adjacent to the first section, wherein the plurality of stamping units include a first plurality of stamping units disposed in the first section of the base, and the first section And a second plurality of stamping portions disposed in a second section of the base adjacent to, wherein the first plurality of stamping portions are spaced apart from the second plurality of stamping portions when the base is in the second state. It can be configured to be small.

상기 베이스는, 상기 제 2 상태에서 적어도 일부가 곡면을 포함하도록 구성될 수 있다.The base may be configured to include at least a portion of the curved surface in the second state.

상기 베이스는 벤딩가능하도록 구성될 수 있다.The base may be configured to be bendable.

상기 복수의 스탬핑부는 점착성재질을 포함할 수 있다.The plurality of stamping portions may include an adhesive material.

상기 베이스와 상기 복수의 스탬핑부는 일체로 형성될 수 있다.The base and the plurality of stamping portions may be integrally formed.

본 발명의 일 측면에 따르면 오그제틱(auxetic) 구조를 이용하여 마이크로 디바이스의 대량전사가 가능하다.According to an aspect of the present invention, mass transfer of micro devices is possible using an auxetic structure.

본 발명의 일 측면에 따르면 목표기판의 형상 및 크기를 달리하여도 손쉽게 전사공정을 실행할 수 있다.According to an aspect of the present invention, even if the shape and size of the target substrate are different, the transfer process can be easily performed.

본 발명의 일 측면에 따르면 제조기판에서 제조되는 마이크로 디바이스의 간격과 목표기판에서의 요구되는 마이크로 디바이스의 간격을 달리하여도 전사장치를 통해 전사가 가능하다.According to an aspect of the present invention, even if the spacing of the microdevices manufactured on the manufacturing substrate and the spacing of the microdevices required on the target substrate are different, transfer is possible through the transfer device.

본 발명의 일 측면에 따르면 목표기판의 적어도 일부가 곡면을 포함하는 경우에도 전사대상물의 전사가 가능하다.According to an aspect of the present invention, even when at least a part of the target substrate includes a curved surface, transfer of a transfer object is possible.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치와 제조기판의 사시도.
도 2a, 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치의 정면도.
도 3a, 3b, 3c, 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치의 개념도.
도 4a, 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치가 제조기판으로부터 마이크로디바이스들을 떼어내는 동작에 관한 도면.
도 5a, 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치의 제 1, 2 상태에 관한 도면.
도 6a, 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치가 마이크로디바이스들을 목표기판에 배치하는 동작에 관한 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로디바이스의 전사과정을 개략적으로 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치를 통해 마이크로디바이스들을 목표기판에 배치한 도면.
도 9a 내지 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치의 제 1 내지 4 상태를 도시한 도면.
도 10, 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사장치의 정면도.
도 12, 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전사장치의 정면도.1 is a perspective view of a transfer device and a manufacturing substrate according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are front views of a transfer device according to an embodiment of the present invention.
3A, 3B, 3C, and 3D are conceptual diagrams of a transfer device according to an embodiment of the present invention.
4A and 4B are diagrams illustrating an operation of removing microdevices from a manufacturing substrate by a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B are diagrams of the first and second states of the transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
6A and 6B are diagrams illustrating an operation of arranging microdevices on a target substrate by a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram schematically illustrating a transfer process of a microdevice according to an embodiment of the present invention.
8 is a view in which microdevices are arranged on a target substrate through a transfer device according to an embodiment of the present invention.
9A to 9D are views showing first to fourth states of the transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
10 and 11 are front views of a transfer device according to another embodiment of the present invention.
12 and 13 are front views of a transfer device according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 개시된 발명의 바람직한 일 예에 불과할 뿐이며, 본 출원의 출원시점에 있어서 본 명세서의 실시예와 도면을 대체할 수 있는 다양한 변형 예들이 있을 수 있다.The embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are only preferred examples of the disclosed invention, and there may be various modifications that may replace the embodiments and drawings of the present specification at the time of filing of the present application.

또한, 본 명세서의 각 도면에서 제시된 동일한 참조번호 또는 부호는 실질적으로 동일한 기능을 수행하는 부품 또는 구성요소를 나타낸다.In addition, the same reference numerals or reference numerals shown in each drawing of the present specification indicate parts or components that substantially perform the same function.

또한, 본 명세서에서 사용한 용어는 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 개시된 발명을 제한 및/또는 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.In addition, terms used in the present specification are used to describe the embodiments, and are not intended to limit and/or limit the disclosed invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this specification, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or a combination thereof described in the specification, but one or more other features. It does not preclude the presence or addition of elements, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof.

또한, 본 명세서에서 사용한 “제1”, “제2” 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않으며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. “및/또는” 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.In addition, terms including ordinal numbers such as “first” and “second” used in the present specification may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms, and the terms are It is used only for the purpose of distinguishing one component from other components. For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element. The term “and/or” includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

또한, "~부", "~기", "~블록", "~부재", "~모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 용어들은 FPGA (field-programmable gate array)/ ASIC (application specific integrated circuit) 등 적어도 하나의 하드웨어, 메모리에 저장된 적어도 하나의 소프트웨어 또는 프로세서에 의하여 처리되는 적어도 하나의 프로세스를 의미할 수 있다.In addition, terms such as "~ unit", "~ group", "~ block", "~ member", and "~ module" may mean a unit that processes at least one function or operation. For example, the terms may refer to at least one hardware such as field-programmable gate array (FPGA)/application specific integrated circuit (ASIC), at least one software stored in a memory, or at least one process processed by a processor. have.

이하에서는 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치와 제조기판의 사시도, 도 2a, 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치의 정면도이다. 1 is a perspective view of a transfer device and a manufacturing substrate according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are front views of a transfer device according to an embodiment of the present invention.

전사장치(40)는 전사대상물을 이동 및 배치하도록 마련된다. 전사대상물은 마이크로 디바이스(10aa)를 포함할 수 있다. 구체적으로 전사대상물은 마이크로 LED를 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 전사대상물이 마이크로 LED인 것을 예로 들지만, 그 대상물은 한정되지 않는다.The transfer device 40 is provided to move and arrange the transfer object. The transfer object may include a micro device 10aa. Specifically, the transfer object may include a micro LED. In this embodiment, the transfer object is a micro LED, but the object is not limited.

전사장치(40)는 베이스(50)와, 복수의 스탬핑부(70)를 포함할 수 있다.The transfer device 40 may include a base 50 and a plurality of stamping portions 70.

베이스(50)는 오그제틱(auxetic)구조로 형성될 수 있다. 오그제틱구조는 음의 프아송비(Poisson’s ratio, ν)로 구성될 수 있다. 프아송비는 재료 내부에 생기는 수직응력에 의한 가로변형과 세로변형과의 비로서, 다음을 만족할 수 있다. The base 50 may be formed in an auxetic structure. The augitive structure can be composed of negative Poisson's ratio (ν). The Poisson's ratio is the ratio between the lateral deformation and the longitudinal deformation due to the vertical stress generated inside the material, and can satisfy the following.

ν=-세로변형도/가로변형도ν=-vertical strain/horizontal strain

음의 프아송비는 가로방향와 세로방향 중 어느 하나의 방향으로 양의 (또는 음의) 변형변위가 발생할 때, 다른 하나의 방향으로도 양의(또는 음의) 변형변위가 발생하는 것을 의미한다.The negative Poisson's ratio means that when a positive (or negative) deformation displacement occurs in one of the horizontal and vertical directions, a positive (or negative) deformation displacement occurs in the other direction.

베이스(50)는 탄성을 가진 재질을 포함할 수 있다. 베이스(50)의 오그제틱 구조는 탄성을 가진 재질로 구성되어, 외력에 의해 벤딩되거나 변형시에 원상태로 복원되도록 구성될 수 있다.The base 50 may include a material having elasticity. The augitive structure of the base 50 is made of a material having elasticity, and may be configured to be bent by an external force or restored to its original state when deformed.

복수의 스탬핑부(70)는 전사대상물을 떼어내거나, 배치하도록 마련될 수 있다. 스탬핑부(70)는 점착력을 갖도록 구성될 수 있다. 복수의 스탬핑부(70)는 마이크로 디바이스(10aa)에 점착되어 제조기판(10a)으로부터 떼어내어, 목표기판(20)에서 목표된 위치에 배치할 수 있다. 복수의 스탬핑부(70)와 베이스(50)는 일체로 형성될 수 있다. 제조기판(10a)과 목표기판(20)의 종류는 한정되지 않는다. 제조기판(10a)과 목표기판(20)은 디바이스용 기판 또는 인터포저를 포함할 수 있다.The plurality of stamping portions 70 may be provided to remove or arrange the transfer object. The stamping part 70 may be configured to have adhesive force. The plurality of stamping portions 70 may be adhered to the microdevice 10aa to be removed from the manufacturing substrate 10a and disposed at a target position on the target substrate 20. The plurality of stamping portions 70 and the base 50 may be integrally formed. The types of the manufacturing substrate 10a and the target substrate 20 are not limited. The manufacturing substrate 10a and the target substrate 20 may include a device substrate or an interposer.

복수의 스탬핑부(70)는 점착력이 있는 탄성중합체 재질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 점착력이 있는 재질이면 이를 만족한다. 일례로, 베이스(50)와 복수의 스탬핑부(70)는 동일한 재질로 구성될 수도 있다.The plurality of stamping portions 70 may include an elastomer material having adhesive force. However, the present invention is not limited thereto, and any material having adhesive strength is satisfied. For example, the base 50 and the plurality of stamping portions 70 may be formed of the same material.

전사장치(40)는 벤딩가능한 재질로 구성될 수 있다. 즉, 이후 설명하는 바와 같이, 전사장치(40)는 목표기판(20)의 적어도 일부가 곡면을 포함하고 있어도 마이크로 디바이스(10aa)의 전사가 가능하도록 벤딩가능하게 구성될 수 있다. 전사장치(40)의 구체적인 재질은 한정되지 않는다. The transfer device 40 may be made of a bendable material. That is, as will be described later, the transfer device 40 may be configured to be bendable so that the micro device 10aa can be transferred even if at least a part of the target substrate 20 includes a curved surface. The specific material of the transfer device 40 is not limited.

베이스(50)는 제 1 상태(50a, 도 2a 참고)와, 제 1 상태(50a)로부터 펼쳐진 제 2 상태(50b, 도 2b 참고)를 동작할 수 있다. 베이스(50)는 제 2 상태(50b)에서 제 1 상태(50a)보다 확장되도록 구성될 수 있다.The base 50 may operate in a first state 50a (refer to FIG. 2A) and a second state 50b (refer to FIG. 2B) unfolded from the first state 50a. The base 50 may be configured to be extended from the first state 50a in the second state 50b.

베이스(50)가 제 1 상태(50a)일 때, 복수의 스탬핑부(70)는 도 2a와 같이 제 1 간격(I1)을 가지고 이격될 수 있다. 베이스(50)가 제 2 상태(50b)일 때, 복수의 스탬핑부(70)는 도 2b과 같이 제 1 간격(I1)보다 큰 제 2 간격(I2)으로 이격될 수 있다. 간격의 기준은 도 2a, 2b와 같이 복수의 스탬핑부(70)의 중심간의 거리일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 간격의 기준은 복수의 스탬핑부(70)간의 거리일 수도 있다. When the base 50 is in the first state 50a, the plurality of stamping portions 70 may be spaced apart at a first interval I1 as shown in FIG. 2A. When the base 50 is in the second state 50b, the plurality of stamping portions 70 may be spaced apart by a second interval I2 that is greater than the first interval I1 as shown in FIG. 2B. The criterion of the spacing may be a distance between the centers of the plurality of stamping portions 70 as shown in FIGS. 2A and 2B. However, the present invention is not limited thereto, and the criterion of the interval may be a distance between the plurality of stamping portions 70.

이러한 구성을 통해 도 4a와 같이 전사장치(40)는 제조기판(10a)에 제 1 간격(I1)으로 배열된 마이크로 디바이스(10aa)를 점착하여, 도 6a와 같이 목표기판(20)에서 제 1 간격(I1)과 큰 제 2 간격(I2)으로 배치된 목표지점에 배치시킬 수 있다. Through this configuration, as shown in FIG. 4A, the transfer device 40 adheres the microdevices 10aa arranged at the first interval I1 to the manufacturing substrate 10a, so that the first It can be arranged at the target point arranged at the interval I1 and the large second interval I2.

베이스(50)는 복수의 베이스바디(54)와, 복수의 베이스바디(54)를 연결하는 복수의 레그(56)를 포함할 수 있다.The base 50 may include a plurality of base bodies 54 and a plurality of legs 56 connecting the plurality of base bodies 54.

복수의 베이스바디(54)와 복수의 레그(56)는 도 2a, 2b에서와 같이 상호 연결될 수 있도록 구성될 수 있다. The plurality of base bodies 54 and the plurality of legs 56 may be configured to be interconnected as shown in FIGS. 2A and 2B.

복수의 베이스바디(54)의 일면에는 스탬핑부(70)가 마련될 수 있다. 스탬핑부(70)는 복수의 베이스바디(54)의 일면으로부터 돌출구조로 형성될 수도 있으며, 베이스바디(54)의 일면과 일체의 점착면을 형성할 수도 있다. 복수의 스탬핑부(70)는 베이스바디(54)에 위치하는 것으로 설명하나, 이에 한정되지 않는다. 복수의 스탬핑부(70)는 복수의 레그(56)에 형성될 수도 있다.A stamping part 70 may be provided on one surface of the plurality of base bodies 54. The stamping part 70 may be formed in a protruding structure from one surface of the plurality of base bodies 54, and may form an adhesive surface integral with one surface of the base body 54. The plurality of stamping portions 70 are described as being positioned on the base body 54, but are not limited thereto. The plurality of stamping portions 70 may be formed on the plurality of legs 56.

복수의 레그(56)는 복수의 베이스바디(54)로부터 연장되도록 구성될 수 있다. 복수의 레그(56)는 복수의 베이스바디(54)와 일체로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 베이스바디(54)는 그 둘레를 따라 배치되는 4개의 레그(56)가 연결되도록 마련된다. 그러나 베이스바디(54)와 레그(56)의 형상은 한정되지 않으며 베이스(50)가 오그제틱구조로 형성되면 이를 만족한다. The plurality of legs 56 may be configured to extend from the plurality of base bodies 54. The plurality of legs 56 may be integrally formed with the plurality of base bodies 54. In this embodiment, the base body 54 is provided so that four legs 56 disposed along the circumference thereof are connected. However, the shape of the base body 54 and the leg 56 is not limited, and it is satisfied if the base 50 is formed in an augitive structure.

도 2a에서와 같이 베이스(50)가 제 1 상태(50a)에 있을 때는 복수의 레그(56)와 복수의 베이스바디(54)는 구획선을 두고 배치되고, 베이스(50)가 제 2 상태(50b)에 있을 때는 구획선이 벌어지도록 구성될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 구획선 부분에 벤딩가능한 가이드부(미도시)가 마련될 수 있다. 즉, 가이드부는 일측은 베이스바디(54)에 타측은 레그(56)와 연결될 수 있다. 가이드부는 베이스(50)가 제 1 상태(50a)에 있을 때는 접힌 상태로 있고, 제 2 상태(50b)에 있을 때는 펴지도록 구성될 수 있다. 가이드부를 통해 베이스(50)가 일정상태 이상으로 펴지는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 2A, when the base 50 is in the first state 50a, the plurality of legs 56 and the plurality of base bodies 54 are arranged at a partition line, and the base 50 is in the second state 50b. ), the division line can be configured to open. However, the present invention is not limited thereto, and a bendable guide part (not shown) may be provided at a portion of the partition line. That is, one side of the guide part may be connected to the base body 54 and the other side may be connected to the leg 56. The guide portion may be configured to be folded when the base 50 is in the first state 50a and unfolded when it is in the second state 50b. It is possible to prevent the base 50 from being unfolded beyond a certain state through the guide part.

본 실시예에서 오그제틱구조는 일례로서, 도 2a, 2b과 같은 형상을 예로 들었다. 그러나 이에 한정되지 않고, 다양한 형상의 오그제틱구조가 적용될 수 있다. 또한 본 실시예에서 베이스(50)는 구조적으로 음의 프아송비를 구현되는 구조를 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 일례로 베이스(50)는 재료의 특성에 의해 음의 프아송비가 구현될 수도 있다.In this embodiment, as an example, the augetic structure is illustrated in Figs. 2A and 2B. However, the present invention is not limited thereto, and various shapes of an augitive structure may be applied. In addition, in the present embodiment, a structure in which the base 50 structurally implements a negative Poisson's ratio has been described, but the present invention is not limited thereto. For example, the base 50 may have a negative Poisson's ratio depending on the material properties.

도 3a, 3b, 3c, 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치의 개념도이다.3A, 3B, 3C, and 3D are conceptual diagrams of a transfer device according to an embodiment of the present invention.

도 2a, 2b에서는 설명의 편의를 위해 오그제틱스구조의 일례를 들어 설명하였다. 그러나 도 3a, 3b, 3c, 3d에서와 같이 가로변형율과 세로변형율이 또는 가로변형율, 세로변형율, 높이변형율이 함께 증가 또는 감소하는 구조이면 이를 만족한다.In FIGS. 2A and 2B, an example of an augetics structure has been described for convenience of description. However, as shown in Figs. 3a, 3b, 3c, and 3d, this is satisfied if the lateral strain and the vertical strain are increased or decreased together with the lateral strain, the longitudinal strain, and the height strain.

도 3a, 3b는 가로변형율과 세로변형율이 함께 증가 또는 감소하는 오그제틱스구조의 개념도이다. 전사장치(140)의 베이스(150)는 도 3a와 같이 제 1 상태(150a)에서, 도 3b와 같이 제 2 상태(150b)로 확장될 수 있다.3A and 3B are conceptual diagrams of an aggetics structure in which the lateral strain rate and the longitudinal strain rate increase or decrease together. The base 150 of the transfer device 140 may be extended from the first state 150a as shown in FIG. 3A to the second state 150b as shown in FIG. 3B.

도 3c는 다층적인 오그제틱스구조에 관한 것이다. 앞서 설명한 예들은 2차원적 오그제틱스구조를 일례로 들었으나, 도 3c에서와 같이, 3차원적으로 높이변형율도 함께 증가 또는 감소하도록 변형될 수 있다. 즉 전사장치(240)의 베이스(250)는 가로변형율, 세로변형율, 높이변형율이 함께 증가 또는 감소하는 오그제틱스구조일 수 있다.3C relates to a multi-layered augetics structure. In the above-described examples, a two-dimensional augetics structure has been cited as an example, but as shown in FIG. 3C, the height deformation rate may also be modified to increase or decrease in three dimensions. That is, the base 250 of the transfer device 240 may have an augetic structure in which the lateral strain, the vertical strain, and the height strain increase or decrease.

도 3d는 계층적인 오그제틱스구조에 관한 것이다. 도 3c의 경우에는 복수의 각층이 동일한 오그제틱스구조로 구성되나, 도 3d에서는 각층이 서로 다른 구조의 오그제틱스구조로 구성될 수 있다.3D relates to a hierarchical augetics structure. In the case of FIG. 3C, each of the plurality of layers is configured with the same augetic structure, but in FIG. 3D, each layer may be configured with a different structure of the augetic structure.

전사장치(340)는 서로 구조가 다른 베이스들(351, 352, 353)을 포함할 수 있다. 서로 다른 베이스들(351, 352, 353)은 함께 증가 또는 감소하는 오그제틱스구조로 구성될 수 있다. 그러나 서로 다른 베이스들(351, 352, 353)은 상호간의 가로변형율, 세로변형율, 높이변형율의 크기를 달리할 수 있다.The transfer device 340 may include bases 351, 352, and 353 having different structures. The different bases 351, 352, 353 may be configured with an augetic structure that increases or decreases together. However, the different bases 351, 352, and 353 may have different sizes of the horizontal strain, the vertical strain, and the height strain.

이하는 본 발명의 전사장치의 동작에 관하여 설명한다.The following describes the operation of the transfer device of the present invention.

도 4a, 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치가 제조기판으로부터 마이크로디바이스들을 떼어내는 동작에 관한 도면, 도 5a, 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치의 제 1, 2 상태에 관한 도면, 도 6a, 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치가 마이크로디바이스들을 목표기판에 배치하는 동작에 관한 도면이다.4A and 4B are diagrams illustrating an operation of removing microdevices from a manufacturing substrate by a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 5A and 5B are first and second states of a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention. 6A and 6B are diagrams illustrating an operation of arranging microdevices on a target substrate by a transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.

전사장치(40)는 베이스(50)가 제 1 상태(50a)로 동작할 때 제조기판(10a)에 접촉하여, 복수의 스탬핑부(70)를 통해 제조기판(10a)의 복수의 마이크로 디바이스(10aa)와 점착할 수 있다. 도 4a와 같이 제조기판(10a)에 배치된 마이크로 디바이스(10aa)를 전체적으로 점착할 수도 있으며, 도 4b와 같이 제조기판(10a)의 일부 영역의 마이크로 디바이스(10aa)만 점착할 수도 있다.The transfer device 40 contacts the manufacturing substrate 10a when the base 50 is operated in the first state 50a, and a plurality of microdevices of the manufacturing substrate 10a through the plurality of stamping portions 70 ( 10aa) and can adhere. As shown in FIG. 4A, the microdevice 10aa disposed on the manufacturing substrate 10a may be entirely adhered, or only the microdevice 10aa in a partial area of the manufacturing substrate 10a may be adhered as shown in FIG. 4B.

이후 베이스(50)는 도 5a, 5b와 같이 제 1 상태(50a)에서 제 2 상태(50b)로 동작할 수 있다. 이 과정에서 복수의 스탬핑부(70)에 각각 점착된 복수의 마이크로 디바이스(10aa)는 상호간에 요구되는 간격으로 이격될 수 있다. 즉, 복수의 스탬핑부(70)는 제 1 간격(I1)에서 제 2 간격(I2)으로 이격되고, 복수의 마이크로 디바이스(10aa)도 복수의 스탬핑부(70)와 함께 제 1 간격(I1)에서 제 2 간격(I2)으로 이격될 수 있다.Thereafter, the base 50 may operate from the first state 50a to the second state 50b as shown in FIGS. 5A and 5B. In this process, the plurality of microdevices 10aa each adhered to the plurality of stamping portions 70 may be spaced apart at a required interval. That is, the plurality of stamping portions 70 are spaced apart from the first interval I1 to the second interval I2, and the plurality of microdevices 10aa are also separated together with the plurality of stamping portions 70 at the first interval I1. It may be spaced apart from the second interval I2.

설명의 편의를 위해 베이스(50)가 제 1 상태(50a)일 때, 마이크로 디바이스(10aa)가 점착되고, 베이스(50)가 제 2 상태(50b)일 때 마이크로 디바이스(10aa)는 목표기판으로 배치되는 것을 설명하였다. 그러나 이에 한정되지 않고, 이와 반대로 베이스(50)가 제 2 상태(50b)일 때, 마이크로 디바이스(10aa)가 점착되고, 베이스(50)가 제 1 상태(50a)일 때 마이크로 디바이스(10aa)는 목표기판으로 배치될 수 도 있다.For convenience of explanation, when the base 50 is in the first state 50a, the micro device 10aa is adhered, and when the base 50 is in the second state 50b, the micro device 10aa is used as a target substrate. Explained what is being placed. However, the present invention is not limited thereto, and on the contrary, when the base 50 is in the second state 50b, the microdevice 10aa is adhered, and when the base 50 is in the first state 50a, the microdevice 10aa is It can also be placed as a target substrate.

전사장치(40)는 베이스(50)를 제 1 상태(50a)에서 제 2 상태(50b)로 변형시키고, 목표기판(20)으로 이동되어, 목표기판(20)에 도 6a와 같이 점착된 마이크로 디바이스(10aa)를 배치시킬 수 있다. 본 실시예에서 마이크로 디바이스(10aa)는 마이크로 LED를 포함하며, 도 6a, 6b와 같이 파랑, 초록, 빨강, 백색의 마이크로 LED를 각각 적용할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 마이크로 디바이스(10aa)는 IC, 센서등을 포함할 수 있다. 이러한 전사장치(40)는 제조기판에 있는 대량의 μLED소자들을 목표기판인 디바이스용 기판에 한꺼번에 정렬하고 정밀하게 전사시키는 혁신적인 대규모 병렬 전사가 가능하다.The transfer device 40 transforms the base 50 from the first state 50a to the second state 50b, is moved to the target substrate 20, and is attached to the target substrate 20 as shown in FIG. 6A. The device 10aa can be placed. In this embodiment, the micro device 10aa includes a micro LED, and blue, green, red, and white micro LEDs may be applied, respectively, as shown in FIGS. 6A and 6B. However, the present invention is not limited thereto, and the micro device 10aa may include an IC or a sensor. The transfer device 40 enables innovative large-scale parallel transfer by aligning and precisely transferring a large number of μLED devices on a manufacturing substrate to a device substrate, which is a target substrate.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로디바이스의 전사과정을 개략적으로 도시한 도면, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치를 통해 마이크로디바이스들을 목표기판에 배치한 도면이다.7 is a diagram schematically illustrating a transfer process of a microdevice according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view in which microdevices are arranged on a target substrate through a transfer device according to an embodiment of the present invention.

도 7은 전사과정을 개략적으로 도시한 도면이다. 마이크로 LED는 복수의 제 1 내지 4 마이크로 LED(10aa, 10ba, 10ca, 10da)를 포함할 수 있다. 제 1 내지 4 마이크로 LED는 각각 빨강, 초록, 파랑, 백색광을 생성하도록 구성될 수 있다.7 is a diagram schematically showing a transfer process. The micro LED may include a plurality of first to fourth micro LEDs 10aa, 10ba, 10ca, 10da. The first to fourth micro LEDs may be configured to generate red, green, blue, and white light, respectively.

제조기판(10a)에서 제 1 간격(I1)으로 배치되는 복수의 제 1 내지 4 마이크로 LED(10aa, 10ba, 10ca, 10da)는 각각 베이스(50)가 제 1 상태(50a)에서 제 2 상태(50b)로 동작하면서, 제 2 간격(I2)으로 이격될 수 있다. 제 2 간격(I2)으로 이격된 복수의 제 1 내지 4 마이크로 LED(10aa, 10ba, 10ca, 10da)는 목표기판(20)에 배치될 수 있다. Each of the plurality of first to fourth micro LEDs 10aa, 10ba, 10ca, and 10da disposed at the first interval I1 on the manufacturing substrate 10a has the base 50 in the first state 50a to the second state ( While operating at 50b), it may be spaced apart by a second interval I2. A plurality of first to fourth micro LEDs 10aa, 10ba, 10ca, and 10da spaced apart by a second interval I2 may be disposed on the target substrate 20.

이러한 과정을 통해 전사장치(40)는 목표기판(20)에 동일한 종류의 복수의 마이크로 LED를 한번에 배열시킬 수 있고, 또한 점착되는 복수의 마이크로 LED들 간의 간격을 임의로 조절할 수 있게 된다. 즉, 전사장치(40)는 대량의 μLED들을 목표기판인 디바이스용 기판에 대규모 병렬 전사시킬 수 있다.Through this process, the transfer device 40 can arrange a plurality of micro LEDs of the same type on the target substrate 20 at one time, and also can arbitrarily adjust the spacing between the plurality of micro LEDs to be adhered. That is, the transfer device 40 can transfer a large amount of μLEDs to a device substrate, which is a target substrate, in large-scale parallel.

복수의 마이크로 LED를 원하는 이격거리로 한번에 목표기판(20)으로 배치시킬 수 있어서, 마이크로 LED의 대량전사가 가능하게 된다. 또한 도 8과 같이 목표기판(20)이 곡면으로 형성되는 경우에도 베이스(50)의 굴곡도를 변형하고, 이격거리를 조절하여 대량전사가 가능하게 된다.Since a plurality of micro LEDs can be placed on the target substrate 20 at a desired separation distance, mass transfer of micro LEDs is possible. In addition, even when the target substrate 20 is formed in a curved surface as shown in FIG. 8, mass transfer is possible by modifying the curvature of the base 50 and adjusting the separation distance.

도 9a 내지 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사장치의 제 1 내지 4 상태를 도시한 도면이다.9A to 9D are views showing first to fourth states of the transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.

전사장치(40)는 벤딩가능하게 마련될 수 있다. 전사장치(40)는 벤딩가능한 재질을 포함할 수 있다. 전사장치(40)의 구체적인 재질은 한정되지 않는다.The transfer device 40 may be provided to be bent. The transfer device 40 may include a bendable material. The specific material of the transfer device 40 is not limited.

전사장치(40)는 목표기판(20)의 적어도 일부가 곡면을 포함하고 있어도 마이크로 디바이스(10aa)의 전사가 가능하도록 벤딩가능하게 구성될 수 있다. The transfer device 40 may be configured to be bendable so that the micro device 10aa can be transferred even if at least a part of the target substrate 20 includes a curved surface.

전사장치(40)는 도 9a와 같이 제 1 상태(50a)에서 평면형상으로 형성될 수도 있고, 도 9b와 같이 제 2 상태(50b)로 펼쳐질 수도 있다.The transfer device 40 may be formed in a planar shape in the first state 50a as shown in FIG. 9A, or may be unfolded in the second state 50b as in FIG. 9B.

또한 전사장치(40)는 도 9c와 같이 적어도 일부가 곡면 형성하는 제 3 상태(50c)로 벤딩될 수도 있고, 도 9d와 같이 구형형상의 제 4 상태(50d)로 벤딩될 수도 있다. 설명의 편의를 위해 제 3 상태(50c)와, 제 4 상태(50d)를 구분하였으나, 제 3 상태(50c)와, 제 4 상태(50d)는 제 2 상태(50b)의 일례일 수 있다.In addition, the transfer device 40 may be bent in a third state 50c in which at least a part of which is curved as shown in FIG. 9C, or in a fourth state 50d in a spherical shape as in FIG. 9D. For convenience of explanation, the third state 50c and the fourth state 50d are classified, but the third state 50c and the fourth state 50d may be examples of the second state 50b.

전사장치(40)는 벤딩가능하게 마련됨으로서, 유연기판 및 스트레쳐블 기판과 같은 3차원 구조의 기판위에 정밀하게 마이크로 디바이스(10aa) 또는 마이크로 LED를 전사할 수 있게 된다. 또한 굴곡이 많이 형성된 신체에 적용할 수 있는 신체부착형 디바이스를 위한 기판에도 정밀한 전사가 가능하게 된다.Since the transfer device 40 is bendable, it is possible to precisely transfer the micro device 10aa or the micro LED onto a substrate having a three-dimensional structure such as a flexible substrate and a stretchable substrate. In addition, precise transfer is possible on a substrate for a body-attached device that can be applied to a body with a large number of curves.

이하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사장치에 관하여 설명한다.Hereinafter, a transfer device according to another embodiment of the present invention will be described.

설명에 있어서, 앞서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 구체적인 설명을 생략한다.In the description, detailed descriptions of the same components as those described above will be omitted.

도 10, 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사장치의 정면도이다.10 and 11 are front views of a transfer device according to another embodiment of the present invention.

전사장치(140)는 제 1 상태(150a)에서 제 1 간격(I1)으로 배치되고 제 2 상태(150b)에서 제 2 간격(I2)으로 배치되는 복수의 스탬핑부(70)를 포함할 수 있다. 제 1, 2 간격은 제 1, 2 가로간격(I1a, I2a)과 제 1, 2 세로간격(I1b, I2b)을 포함할 수 있다.The transfer device 140 may include a plurality of stamping portions 70 disposed at a first interval I1 in the first state 150a and disposed at a second interval I2 in the second state 150b. . The first and second intervals may include first and second horizontal intervals I1a and I2a and first and second vertical intervals I1b and I2b.

복수의 스탬핑부(70)는 제 2 가로간격(I2a)이 제 2 세로간격(I2b)보다 크도록 구성될 수 있다. 즉, 베이스(150)는 제 2 상태(150b)에서 가로방향으로의 변형도가 세로방향의 변형도와 다르도록 구성될 수 있다. 이러한 구성을 통해 실장되는 마이크로 디바이스(10aa)의 밀집도 또는 방향성을 달리할 수 있다. 또한 이러한 전사장치(140)를 통해 다양한 디자인의 목표기판(20)을 설계할 수 있다.The plurality of stamping portions 70 may be configured such that the second horizontal interval I2a is larger than the second vertical interval I2b. That is, the base 150 may be configured such that the degree of deformation in the horizontal direction is different from that in the vertical direction in the second state 150b. Through this configuration, the density or orientation of the mounted micro device 10aa can be changed. In addition, it is possible to design the target substrate 20 of various designs through the transfer device 140.

전사장치(140)는 도 10에서 제 1 상태(150a)에서 제 1 가로간격(I1a)과, 제 1 세로간격(I1b)이 동일한 것을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 제 1 상태(150a)에서도 제 1 가로간격(I1a)과 제 1 세로간격(I1b)은 다르도록 구성될 수 있다.In FIG. 10, the transfer device 140 shows that the first horizontal interval I1a and the first vertical interval I1b are the same in the first state 150a, but is not limited thereto, and the first state 150a The first horizontal interval I1a and the first vertical interval I1b may be configured to be different.

또한 도 11에서의 전사장치(140)는 제 2 상태(150b)에서 제 2 가로간격(I2a)은 제 2 세로간격(I2b)보다 크도록 구성되는 것을 일례로 도시하였다. 그러나 이에 한정되지 않고, 제 2 가로간격(I2a)이 제 2 세로간격(I2b)보다 작도록 구성될 수도 있다.In addition, the transfer device 140 in FIG. 11 is shown as an example that the second horizontal interval I2a is configured to be larger than the second vertical interval I2b in the second state 150b. However, the present invention is not limited thereto, and the second horizontal interval I2a may be configured to be smaller than the second vertical interval I2b.

설명의 편의를 위해 가로방향의 가로간격과, 세로방향의 세로간격으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 어느 일 방향의 제 1 방향간격, 어느 일방향과 다른 방향의 제 2 방향간격으로 이격방향을 달리하도록 구성될 수도 있다.For convenience of explanation, the horizontal intervals in the horizontal direction and the vertical intervals in the vertical direction have been described, but are not limited thereto. That is, it may be configured to change the separation direction in a first direction interval in one direction and a second direction interval in a direction different from one direction.

도 12, 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전사장치의 정면도이다.12 and 13 are front views of a transfer device according to another embodiment of the present invention.

전사장치(240)는 제 1 상태(250a)에서 제 1 간격(I1a, I1b)으로 배치되고 제 2 상태(250b)에서 제 2 간격(I2a, I2b)으로 배치되는 복수의 스탬핑부(70)를 포함할 수 있다.The transfer device 240 includes a plurality of stamping portions 70 disposed at first intervals I1a and I1b in the first state 250a and second intervals I2a and I2b in the second state 250b. Can include.

전사장치(240)는 제 1 구간(51)의 제 1 복수의 스탬핑부(70)와 제 2 구간(52)의 제 2 복수의 스탬핑부(70)를 포함할 수 있다.The transfer device 240 may include a plurality of first stamping portions 70 of the first section 51 and a plurality of second stamping portions 70 of the second section 52.

제 1, 2 복수의 스탬핑부(70)는 상호간의 이격간격을 달리할 수 있다. 즉, 제 1 복수의 스탬핑부(70)는 베이스(250)가 제 2 상태(250b)일 때, 제 2a 간격(I2a) 이격되며, 제 2 복수의 스탬핑부(70)는 베이스(250)가 제 2 상태(250b)일 때, 제 2b 간격(I2b) 이격될 수 있다. 제 2a, 2b 간격은 다르도록 구성될 수 있다. 즉, 베이스(250)는 일부구간이 다른 구간과 스탬핑부(70)의 간격이 다르도록 배치될 수 있다.The first and second plurality of stamping portions 70 may have a different spacing between them. That is, when the base 250 is in the second state 250b, the first plurality of stamping parts 70 are spaced apart from each other by the second a distance I2a, and the second plurality of stamping parts 70 are separated from the base 250. In the second state 250b, the 2b interval I2b may be separated. The intervals 2a and 2b may be configured to be different. That is, the base 250 may be disposed so that the interval between the stamping unit 70 and the interval in which some sections are different are different.

본 실시예에서는 제 1 구간(51)의 제 1 복수의 스탬핑부(70)는 제 2 구간(52)의 제 2 복수의 스탬핑부(70)보다 이격간격이 좁도록 배치된다. 그러나 이에 한정되지 않고, 복수의 스탬핑부(70)가 적어도 일부영역에서 이격간격을 달리하도록 배치되면 이를 만족한다. 또한 제 1 복수의 스탬핑부(70)는 제 2 복수의 스탬핑부(70)에 비해 가로방향으로만 간격이 다르도록 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 다른방향으로도 간격이 다르도록 구성될 수도 있다.In the present embodiment, the first plurality of stamping portions 70 of the first section 51 are disposed to have a narrower spacing than the second plurality of stamping portions 70 of the second section 52. However, the present invention is not limited thereto, and it is satisfied if the plurality of stamping portions 70 are arranged to have different spacing in at least some areas. In addition, the first plurality of stamping portions 70 are illustrated and described so that the intervals differ only in the horizontal direction compared to the second plurality of stamping portions 70, but are not limited thereto and may be configured to have different intervals in other directions. have.

이러한 구성을 통해 전사장치(240)는 목표기판(20)의 영역별 마이크로 디바이스(10aa)의 밀집도를 달리할 수 있다. 또한 이러한 전사장치(240)를 통해 다양한 디자인의 목표기판(20)을 설계할 수 있다Through this configuration, the transfer device 240 may vary the density of the microdevices 10aa for each area of the target substrate 20. In addition, it is possible to design the target substrate 20 of various designs through the transfer device 240.

이상에서는 특정의 실시예에 대하여 도시하고 설명하였다. 그러나, 상기한 실시예에만 한정되지 않으며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상의 요지를 벗어남이 없이 얼마든지 다양하게 변경 실시할 수 있을 것이다.In the above, specific embodiments have been illustrated and described. However, it is not limited only to the above-described embodiments, and those of ordinary skill in the technical field to which the invention pertains will be able to perform various changes without departing from the gist of the technical idea of the invention described in the following claims. .

10a : 제조기판 10aa : 마이크로 디바이스
20 : 목표기판 40 : 전사장치
50 : 베이스 50a : 제 1 상태
50b : 제 2 상태 54 : 베이스바디
56 : 레그 70 : 스탬핑부
I1 : 제 1 간격 I2 : 제 2 간격10a: manufacturing substrate 10aa: micro device
20: target substrate 40: transfer device
50: base 50a: first state
50b: second state 54: base body
56: leg 70: stamping part
I1: first interval I2: second interval

Claims (11)

베이스;
상기 베이스에 마련되는 복수의 스탬핑부;를 포함하고,
상기 베이스는 음의 프아송비를 갖는 오그제틱(auxetic)구조를 포함하는 전사장치.Base;
Includes; a plurality of stamping portions provided on the base,
The base is a transfer device comprising an auxetic structure having a negative Poisson's ratio. 제 1 항에 있어서,
상기 베이스는,
제 1 상태와, 상기 복수의 스탬핑부가 상호간에 이격되도록 상기 제 1 상태로부터 확장된 제 2 상태를 동작하는 전사장치.The method of claim 1,
The base,
A transfer apparatus for operating a first state and a second state extended from the first state so that the plurality of stamping portions are spaced apart from each other. 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 스탬핑부는,
상기 베이스가 상기 제 1 상태에 있을 때, 상호간에 제 1 간격 이격되고,
상기 베이스가 상기 제 2 상태에 있을 때, 상호간에 상기 제 1 간격보다 큰 제 2 간격 이격되도록 구성되는 전사장치.The method of claim 2,
The plurality of stamping parts,
When the base is in the first state, a first distance is spaced apart from each other,
When the base is in the second state, the transfer device is configured to be spaced apart from each other by a second gap greater than the first gap. 제 3 항에 있어서,
상기 복수의 스탬핑부는,
상기 베이스가 상기 제 1 상태일 때, 상기 제 1 간격으로 배열되는 대상기판의 마이크로 디바이스들을 점착하여 분리시키고,
상기 베이스가 상기 제 2 상태에 있을 때, 상기 제 2 간격으로 목표기판에 상기 점착된 마이크로 디바이스들을 배치시키도록 구성되는 전사장치.The method of claim 3,
The plurality of stamping parts,
When the base is in the first state, microdevices of the target substrate arranged at the first interval are adhered and separated,
When the base is in the second state, a transfer apparatus configured to place the adhered microdevices on a target substrate at the second interval. 제 4 항에 있어서,
상기 마이크로 디바이스는 마이크로 LED를 포함하는 전사장치.The method of claim 4,
The micro device is a transfer device comprising a micro LED. 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 간격은 가로방향과 제 2 가로간격과, 세로방향의 제 2 세로간격을 포함하고,
상기 복수의 스탬핑부는,
상기 베이스가 상기 제 2 상태일 때, 상기 제 2 가로간격과, 상기 제 2 가로간격과 다른 제 2 세로간격으로 이격되도록 구성되는 전사장치.The method of claim 3,
The second interval includes a horizontal direction and a second horizontal interval, and a second vertical interval in the vertical direction,
The plurality of stamping parts,
When the base is in the second state, the transfer device is configured to be spaced apart by the second horizontal interval and a second vertical interval different from the second horizontal interval. 제 3 항에 있어서,
상기 베이스는,
제 1 구간과, 상기 제 1 구간과 인접한 제 2 구간;을 포함하고,
상기 복수의 스탬핑부는,
상기 베이스의 제 1 구간에 배치되는 제 1 복수의 스탬핑부와, 상기 제 1 구간과 인접한 상기 베이스의 제 2 구간에 배치되는 제 2 복수의 스탬핑부;를 포함하고,
상기 제 1 복수의 스탬핑부는 상기 베이스가 상기 제 2 상태일 때, 상기 제 2 복수의 스탬핑부보다 이격간격이 작게 배치되도록 구성되는 전사장치.The method of claim 3,
The base,
Including a first section and a second section adjacent to the first section;
The plurality of stamping parts,
Including; a first plurality of stamping portions disposed in the first section of the base, and a second plurality of stamping portions disposed in a second section of the base adjacent to the first section,
The first plurality of stamping portions, when the base is in the second state, the transfer device is configured to be arranged to be smaller than the second plurality of stamping portions. 제 2 항에 있어서,
상기 베이스는,
상기 제 2 상태에서 적어도 일부가 곡면을 포함하도록 구성되는 전사장치.The method of claim 2,
The base,
A transfer device configured to include at least a portion of a curved surface in the second state. 제 1 항에 있어서,
상기 베이스는 벤딩가능하도록 구성되는 전사장치.The method of claim 1,
The base is a transfer device configured to be bent. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 스탬핑부는 점착성재질을 포함하는 전사장치.The method of claim 1,
The transfer device of the plurality of stamping parts including an adhesive material. 제 1 항에 있어서,
상기 베이스와 상기 복수의 스탬핑부는 일체로 형성되는 전사장치.
The method of claim 1,
A transfer device in which the base and the plurality of stamping portions are integrally formed.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11718115B2 (en) * 2019-11-27 2023-08-08 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Architected stamps for liquid transfer printing

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003501827A (en) * 1999-06-02 2003-01-14 コミツサリア タ レネルジー アトミーク Method for transferring elements and apparatus for enabling such transfer
KR101971470B1 (en) * 2017-11-29 2019-04-23 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 Carrier film for transferring micro-device
KR20200049949A (en) * 2018-10-29 2020-05-11 한국기계연구원 Sheet for controlling gap between device and method of controlling gap between device using the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100559271C (en) * 2005-05-03 2009-11-11 皇家飞利浦电子股份有限公司 Pattern is transferred to the method and apparatus of matrix from die
JP5637785B2 (en) * 2010-09-06 2014-12-10 キヤノン株式会社 Original plate and method of manufacturing article using the same
KR101673580B1 (en) * 2014-12-29 2016-11-07 광주과학기술원 Transferring apparatus and transferringmethod for a micro-device, and fabricating method for the transferring apparatue
KR101771327B1 (en) * 2015-11-11 2017-08-25 연세대학교 산학협력단 Direct transfer printing method and transfer medium used for the method
KR101897129B1 (en) * 2016-10-18 2018-09-10 한국기계연구원 Method of transferring a device and electronics manufacturing method using the same method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003501827A (en) * 1999-06-02 2003-01-14 コミツサリア タ レネルジー アトミーク Method for transferring elements and apparatus for enabling such transfer
KR101971470B1 (en) * 2017-11-29 2019-04-23 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 Carrier film for transferring micro-device
KR20200049949A (en) * 2018-10-29 2020-05-11 한국기계연구원 Sheet for controlling gap between device and method of controlling gap between device using the same

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