KR20200102350A - A method for manufacturing semiconductor package - Google Patents

A method for manufacturing semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
KR20200102350A
KR20200102350A KR1020200012746A KR20200012746A KR20200102350A KR 20200102350 A KR20200102350 A KR 20200102350A KR 1020200012746 A KR1020200012746 A KR 1020200012746A KR 20200012746 A KR20200012746 A KR 20200012746A KR 20200102350 A KR20200102350 A KR 20200102350A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dyes
substrate
laser
semiconductor chip
bonding member
Prior art date
Application number
KR1020200012746A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
엄용성
최광성
장기석
문석환
주지호
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to US16/795,009 priority Critical patent/US11488841B2/en
Publication of KR20200102350A publication Critical patent/KR20200102350A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Provided is a method for manufacturing a semiconductor package with high adhesion efficiency. The method for manufacturing a semiconductor package comprises: providing a semiconductor chip on a substrate; providing a bonding member between the substrate and the semiconductor chip; and bonding the semiconductor chip on the substrate by irradiating a laser on the substrate, wherein the bonding member can include a thermosetting resin, a curing agent, and a laser absorber.

Description

반도체 패키지의 제조 방법{A METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE}Manufacturing method of semiconductor package {A METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE}

본 발명은 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 접합 부재를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor package, and more particularly, to a method of manufacturing a semiconductor package using a bonding member.

반도체 패키징용 접합소재로 사용되는 고분자 기반 노플로우 언더필 및 고분자 수지와 솔더 분말 기반의 하이브리드 언더필 소재의 접합공정을 위하여 일반적으로 플립칩 본더를 사용하는 열압착 공정 또는 리플로우 공정을 이용한 열경화 공정을 주로 사용한다. 이러한 반도체 접합공정의 열원으로는 열풍 혹은 할로겐 램프를 사용함으로 공정시간은 수분에 이르게 된다. 이렇게 긴 시간의 가열공정을 위하여 반도체 패키징에 사용되는 기판은 고내열성이 요구되며, 이러한 고내열성 기판은 고가임으로 고비용의 자재비가 요구된다.For the bonding process of polymer-based no-flow underfill used as a bonding material for semiconductor packaging, and hybrid underfill material based on polymer resin and solder powder, a thermocompression bonding process using a flip chip bonder or a thermal curing process using a reflow process is generally used. Mainly used. The process time reaches several minutes by using hot air or a halogen lamp as a heat source for this semiconductor bonding process. For such a long heating process, a substrate used for semiconductor packaging is required to have high heat resistance, and such a high heat resistance substrate is expensive and requires a high material cost.

상기 반도체 패키지들은 주로 패키지 기판 상에 실장될 수 있다. 패키지 기판은 하드 기판과, 유연 기판을 포함할 수 있다. 하드 기판은 PET, PEN, 폴리이미드, 글래스, 실리콘, 또는 사파이어를 포함할 수 있다. 유연 기판은 주로 고분자(Polymer)를 포함할 수 있다. 유연 기판은 패키지 공정 중에 열에 취약할 수 있다.The semiconductor packages may be mainly mounted on a package substrate. The package substrate may include a hard substrate and a flexible substrate. The hard substrate may include PET, PEN, polyimide, glass, silicon, or sapphire. The flexible substrate may mainly include a polymer. Flexible substrates can be vulnerable to heat during the packaging process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 접착 효율이 높은 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor package having high adhesion efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 기판 및 반도체 칩의 손상이 적은 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는데 있다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor package with less damage to a substrate and a semiconductor chip.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법은 기판 상에 반도체 칩을 제공하는 것, 상기 기판과 상기 반도체 칩 사이에 접합 부재를 제공하는 것, 및 상기 기판 상에 레이저를 조사하여 상기 기판 상에 상기 반도체 칩을 접합하는 것을 포함할 수 있다. 상기 접합 부재는 열경화성 수지, 경화제 및 레이저 흡수제를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a semiconductor package according to embodiments of the present invention for solving the above-described technical problems includes providing a semiconductor chip on a substrate, providing a bonding member between the substrate and the semiconductor chip, and the substrate It may include bonding the semiconductor chip on the substrate by irradiating a laser thereon. The bonding member may include a thermosetting resin, a curing agent, and a laser absorber.

일 실시예에 따르면, 상기 반도체 칩을 접합하는 것은 상기 반도체 칩의 일측으로 노출되는 상기 접합 부재의 일부 상에 상기 레이저를 조사하는 제 1 공정, 및 상기 반도체 칩 상에 레이저를 조사하는 제 2 공정을 포함할 수 있다.According to an embodiment, bonding the semiconductor chip includes a first process of irradiating the laser onto a part of the bonding member exposed to one side of the semiconductor chip, and a second process of irradiating the laser onto the semiconductor chip. It may include.

일 실시예에 따르면, 상기 제 1 공정 중, 상기 접합 부재는 상기 레이저를 흡수하여 가열될 수 있다.According to an embodiment, during the first process, the bonding member may be heated by absorbing the laser.

일 실시예에 따르면, 상기 제 2 공정 중, 상기 반도체 칩은 상기 레이저에 의해 가열되고, 상기 접합 부재는 상기 반도체 칩으로부터 열을 전달받을 수 있다.According to an embodiment, during the second process, the semiconductor chip may be heated by the laser, and the bonding member may receive heat from the semiconductor chip.

일 실시예에 따르면, 상기 접합 부재는 솔더 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 접합 부재는 상기 기판의 기판 패드와 상기 반도체 칩의 칩 패드 사이에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the bonding member may further include a solder material. The bonding member may be provided between the substrate pad of the substrate and the chip pad of the semiconductor chip.

일 실시예에 따르면, 상기 접합 부재는 상기 레이저의 조사에 의해 상기 기판 패드와 상기 칩 패드를 연결하는 제 1 연결 단자를 형성할 수 있다.According to an embodiment, the bonding member may form a first connection terminal connecting the substrate pad and the chip pad by irradiation of the laser.

일 실시예에 따르면, 상기 기판과 상기 반도체 칩 사이에 접합 부재를 제공하기 전에, 상기 반도체 칩을 상기 기판 상에 실장하는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 반도체 칩은 제 2 연결 단자를 이용하여 상기 기판에 실장되고, 상기 접합 부재는 상기 기판과 상기 반도체 칩의 사이의 잔부를 채울 수 있다.According to an embodiment, before providing a bonding member between the substrate and the semiconductor chip, mounting the semiconductor chip on the substrate may be further included. The semiconductor chip may be mounted on the substrate using a second connection terminal, and the bonding member may fill the remainder between the substrate and the semiconductor chip.

일 실시예에 따르면, 상기 제 2 연결 단자는 상기 기판의 기판 패드와 상기 반도체 칩의 칩 패드 사이에 제공되는 솔더 볼, 또는 상기 반도체 칩의 상면으로부터 상기 기판의 상기 기판 패드로 연장되는 본딩 와이어를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second connection terminal includes a solder ball provided between a substrate pad of the substrate and a chip pad of the semiconductor chip, or a bonding wire extending from an upper surface of the semiconductor chip to the substrate pad of the substrate. Can include.

일 실시예에 따르면, 상기 레이저 흡수제는 Acid Dyes, Natural Dyes, Basic Dyes, Cationic Dyes, Synthetic Dyes, Direct Dyes, substantive Dyes, Disperse Dyes, Sulfur Dyes, Pigment Dyes, Mordant Dyes, Vat Dyes, Reactive Dyes, Macromolecular Dyes, Metallized Dyes, Naphthol Dyes, Premetallized Dyes, Gel Dyeing, Developed Dyes, Azo Dyes, Aniline Dyes 및 Anthraquinone Dyes와 같은 염료를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the laser absorber is Acid Dyes, Natural Dyes, Basic Dyes, Cationic Dyes, Synthetic Dyes, Direct Dyes, substantive Dyes, Disperse Dyes, Sulfur Dyes, Pigment Dyes, Mordant Dyes, Vat Dyes, Reactive Dyes, Macromolecular Dyes, Metallized Dyes, Naphthol Dyes, Premetallized Dyes, Gel Dyeing, Developed Dyes, Azo Dyes, Aniline Dyes, and Dyes such as Anthraquinone Dyes.

일 실시예에 따르면, 상기 레이저 흡수제의 중량은 상기 열경화성 수지의 중향의 4% 내지 8%일 수 있다.According to an embodiment, the weight of the laser absorber may be 4% to 8% of the weight of the thermosetting resin.

일 실시예에 따르면, 상기 레이저 Rubber Carbon black, N234 Carbon black, N326 Carbon black, N339 Carbon black, SAF(super abrasion furnace) grade 762 Carbon black와 같은 고무용 탄소 물질, 또는 Electrical conductive Carbon black를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the laser may include a rubber carbon material such as Rubber Carbon black, N234 Carbon black, N326 Carbon black, N339 Carbon black, and SAF (super abrasion furnace) grade 762 Carbon black, or Electrical conductive Carbon black. have.

일 실시예에 따르면, 상기 레이저 흡수제의 중량은 상기 열경화성 수지의 중향의 0.2% 내지 0.6%일 수 있다.According to an embodiment, the weight of the laser absorber may be 0.2% to 0.6% of the weight of the thermosetting resin.

일 실시예에 따르면, 상기 레이저의 조사 시간은 1초 내지 10초일 수 있다.According to an embodiment, the irradiation time of the laser may be 1 second to 10 seconds.

일 실시예에 따르면, 상기 접합 소재는 환원제를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the bonding material may further include a reducing agent.

상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법은 반도체 칩의 칩 패드 상에 접합 부재를 제공하는 것, 상기 접합 부재가 기판의 기판 패드에 접하도록 상기 기판 상에 상기 반도체 칩을 배치하는 것, 및 상기 접합 부재에 레이저를 조사하여 연결 단자를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 상기 접합 부재는 솔더 물질 및 레이저 흡수제를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a semiconductor package according to embodiments of the present invention for solving the above-described technical problems is to provide a bonding member on a chip pad of a semiconductor chip, and on the substrate so that the bonding member contacts the substrate pad of the substrate. It may include disposing the semiconductor chip on and forming a connection terminal by irradiating a laser onto the bonding member. The bonding member may include a solder material and a laser absorber.

일 실시예에 따르면, 상기 접합 부재의 제 1 부분은 상기 반도체 칩의 일측 상으로 돌출될 수 있다. 상기 접합 부재의 상기 제 1 부분은 상기 레이저가 직접 조사되어 상기 연결 단자를 형성할 수 있다.According to an embodiment, the first portion of the bonding member may protrude onto one side of the semiconductor chip. The first portion of the bonding member may be directly irradiated with the laser to form the connection terminal.

일 실시예에 따르면, 상기 기판과 상기 반도체 칩 사이에 제공되는 상기 접합 부재의 제 2 부분은 상기 레이저에 의해 가열된 상기 반도체 칩으로부터 열을 전달받아 상기 연결 단자를 형성할 수 있다.According to an embodiment, the second portion of the bonding member provided between the substrate and the semiconductor chip may receive heat from the semiconductor chip heated by the laser to form the connection terminal.

일 실시예에 따르면, 상기 레이저의 조사 시간은 1초 내지 10초일 수 있다.According to one embodiment, The irradiation time of the laser may be 1 second to 10 seconds.

일 실시예에 따르면, 상기 접합 소재는 열경화성 수지 및 경화제를 포함할 수 있다. 상기 접합 소재는 상기 레이저 조사 공정 시 경화될 수 있다.According to an embodiment, the bonding material may include a thermosetting resin and a curing agent. The bonding material may be cured during the laser irradiation process.

일 실시예에 따르면, 상기 레이저 흡수제는 Acid Dyes, Natural Dyes, Basic Dyes, Cationic Dyes, Synthetic Dyes, Direct Dyes, substantive Dyes, Disperse Dyes, Sulfur Dyes, Pigment Dyes, Mordant Dyes, Vat Dyes, Reactive Dyes, Macromolecular Dyes, Metallized Dyes, Naphthol Dyes, Premetallized Dyes, Gel Dyeing, Developed Dyes, Azo Dyes, Aniline Dyes 및 Anthraquinone Dyes와 같은 염료, Rubber Carbon black, N234 Carbon black, N326 Carbon black, N339 Carbon black, SAF(super abrasion furnace) grade 762 Carbon black와 같은 고무용 탄소 물질, 또는 Electrical conductive Carbon black를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the laser absorber is Acid Dyes, Natural Dyes, Basic Dyes, Cationic Dyes, Synthetic Dyes, Direct Dyes, substantive Dyes, Disperse Dyes, Sulfur Dyes, Pigment Dyes, Mordant Dyes, Vat Dyes, Reactive Dyes, Macromolecular Dyes, Metallized Dyes, Naphthol Dyes, Premetallized Dyes, Gel Dyeing, Developed Dyes, Azo Dyes, Aniline Dyes and Dyes such as Anthraquinone Dyes, Rubber Carbon black, N234 Carbon black, N326 Carbon black, N339 Carbon black, SAF (super abrasion furnace) ) May contain rubber carbon material, such as grade 762 Carbon black, or Electrical conductive Carbon black.

일 실시예에 따르면, 상기 연결 단자는 상기 칩 패드와 상기 기판 패드를 전기적으로 연결할 수 있다.According to an embodiment, the connection terminal may electrically connect the chip pad and the substrate pad.

본 발명의 실시예들에 따른 접합 부재 조성물 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법에 따르면, 접합 부재 조성물은 레이저 조사에 의해 가열되는 주변의 기판, 소자 또는 칩 등으로부터 열을 전달받아 경화되는 간접 경화 방식뿐만 아니라, 접합 부재 조성물이 레이저 조사에 의해 직접 가열되어 스스로 경화되는 직접 경화 방식으로 경화될 수 있다. 이로 인해, 접합 부재 조성물의 경화 공정의 효율성이 향상될 수 있으며, 짧은 공정 시간(즉, 레이저 조사 시간)으로 인해 기판, 소자 또는 칩 등이 파손되는 것을 방지할 수 있다.According to a bonding member composition according to embodiments of the present invention and a method of manufacturing a semiconductor package using the same, the bonding member composition is an indirect curing method in which heat is transferred from a surrounding substrate, element, or chip heated by laser irradiation In addition, the bonding member composition may be directly heated by laser irradiation and cured by a direct curing method that cures itself. Accordingly, the efficiency of the curing process of the bonding member composition may be improved, and damage to the substrate, device, or chip due to a short process time (ie, laser irradiation time) may be prevented.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 13는 실험예 1-1의 레이저 투과, 흡수 및 반사 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 14는 실험예들 및 비교예의 레이저 흡수 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 15는 실험예 2-1의 레이저 투과, 흡수 및 반사 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 16은 실험예들 및 비교예의 레이저 흡수 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.1 to 4 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package according to example embodiments.
5 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package according to example embodiments.
9 to 12 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package according to example embodiments.
13 is a graph showing results of measuring laser transmission, absorption, and reflection characteristics of Experimental Example 1-1.
14 is a graph showing results of measuring laser absorption characteristics of Experimental Examples and Comparative Examples.
15 is a graph showing results of measuring laser transmission, absorption, and reflection characteristics of Experimental Example 2-1.
16 is a graph showing results of measuring laser absorption characteristics of Experimental Examples and Comparative Examples.

본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 그러나 본 발명은, 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 당해 기술분야에서 통상의 기술을 가진 자는 본 발명의 개념이 어떤 적합한 환경에서 수행될 수 있다는 것을 이해할 것이다.In order to fully understand the configuration and effects of the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, and may be implemented in various forms and various modifications may be made. However, it is provided to complete the disclosure of the present invention through the description of the present embodiments, and to fully inform the scope of the present invention to those of ordinary skill in the art. Those of ordinary skill in the art will understand that the inventive concept may be practiced in any suitable environment.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함한다(comprises)’ 및/또는 ‘포함하는(comprising)’은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자 외에 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terms used in the present specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. As used in the specification,'comprises' and/or'comprising' means the presence of one or more other components, steps, actions and/or elements in addition to the mentioned elements, steps, actions and/or elements. Or does not exclude additions.

본 명세서에서 어떤 막(또는 층)이 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막(또는 층)이 개재될 수도 있다.When a film (or layer) is referred to herein as being on another film (or layer) or substrate, it may be formed directly on the other film (or layer) or substrate or a third film ( Or a layer) may be interposed.

본 명세서의 다양한 실시 예들에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어가 다양한 영역, 막들(또는 층들) 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막(또는 층)을 다른 영역 또는 막(또는 층)과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시예에의 제 1 막질로 언급된 막질이 다른 실시 예에서는 제 2 막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 나타낸다. In various embodiments of the present specification, terms such as first, second, and third are used to describe various regions, films (or layers), and the like, but these regions and films should not be limited by these terms. do. These terms are only used to distinguish one region or film (or layer) from another region or film (or layer). Accordingly, the film quality referred to as the first film quality in one embodiment may be referred to as the second film quality in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. Parts indicated by the same reference numerals throughout the specification represent the same elements.

본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.Terms used in the embodiments of the present invention may be interpreted as meanings commonly known to those of ordinary skill in the art, unless otherwise defined.

이하, 도면들 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing preferred embodiments of the present invention with reference to the drawings.

<접합 부재 조성물><Joining member composition>

본 발명의 실시예들에 따른 접합 부재 조성물은 열경화성 수지, 경화제, 환원제, 촉매제 및 레이저 흡수제가 혼합된 조성을 가질 수 있다. 접합 부재 조성물은 반도체 칩과 같은 전자 부품을 기판 또는 다른 전자 부품과 접착 또는 접합하는 데에 이용될 수 있다.The bonding member composition according to embodiments of the present invention may have a composition in which a thermosetting resin, a curing agent, a reducing agent, a catalyst, and a laser absorber are mixed. The bonding member composition may be used to bond or bond an electronic component such as a semiconductor chip to a substrate or other electronic component.

접합 부재 조성물을 구성하는 열경화성 수지는 접합 부재 조성물을 이용하여 기판, 소자 또는 칩 등을 실장 또는 접합시킬 때, 접합 부재 조성물의 내구성을 증가시키며, 실질적으로 기판, 소자 또는 칩 등에 대한 접착력을 제공할 수 있다. 열경화성 수지는 열에 의해 경화되는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 열경화성 수지는 에폭시(epoxy), 페녹시(phenoxy), 비스말레이미드(bismaleimide), 불포화 폴리에스테르(unsaturated polyester), 우레탄(urethane), 요소(urea), 페놀-포름알데히드(phenol-formaldehyde), 가황 고무(vulcanized rubber), 멜라민 수지(melamine resin), 폴리이미드(polyimide), 노볼락 에폭시 수지(novolac epoxy resin), 또는 시안산 에스테르(cyan pyromellitic dianhydrideate ester)를 포함할 수 있다.The thermosetting resin constituting the bonding member composition increases the durability of the bonding member composition when mounting or bonding a substrate, device, or chip using the bonding member composition, and substantially provides adhesion to the substrate, device, or chip. I can. The thermosetting resin may include a material that is cured by heat. For example, thermosetting resins include epoxy, phenoxy, bismaleimide, unsaturated polyester, urethane, urea, phenol-formaldehyde. ), vulcanized rubber, melamine resin, polyimide, novolac epoxy resin, or cyan pyromellitic dianhydrideate ester.

경화제는 접합 부재 조성물에 열이 제공될 시 열경화성 수지를 경화시킬 수 있다. 접합 부재 조성물의 조성 내에서, 경화제는 열경화성 수지에 대해 0.5 내지 0.9의 중량비를 가질 수 있다. 바람직하게는 경화제의 중량은 열경화성 수지의 중량의 70%일 수 있다. 경화제는 지방족 아민(aliphatic amine), 방향족 아민(aromatic amine), 변성지환족 아민(cycloaliphatic amine), 페날카민(phenalkamine), 이미다졸(imidazole), 카르복시산(carboxylic acid), 무수물(anhydride), PDMA(pyromellitic dianhydride), 폴리아미드계 경화제(polyamide-based hardners), 페놀계 경화제(phenolic curing agents), 또는 수용성 경화제(waterborne curing agents)를 포함할 수 있다.The curing agent may cure the thermosetting resin when heat is provided to the bonding member composition. Within the composition of the bonding member composition, the curing agent may have a weight ratio of 0.5 to 0.9 with respect to the thermosetting resin. Preferably, the weight of the curing agent may be 70% of the weight of the thermosetting resin. The curing agent is aliphatic amine, aromatic amine, cycloaliphatic amine, phenalkamine, imidazole, carboxylic acid, anhydride, PDMA ( pyromellitic dianhydride), polyamide-based hardners, phenolic curing agents, or waterborne curing agents.

환원제는 접합 부재 조성물의 경화 공정 시 기판, 소자 또는 칩을 실장하기 위한 연결 단자들 또는 접합 부재 조성물에 산화막이 형성되는 것을 방지하거나, 상기 산화막을 제거할 수 있다. 접합 부재 조성물의 조성 내에서, 환원제는 열경화성 수지에 대해 0.1 내지 0.2의 중량비를 가질 수 있다. 바람직하게는 환원제의 중량은 열경화성 수지의 중량의 14.6%일 수 있다. 환원제는 포름산(formic acid), 아세트산(acetic acid), 젖산(lactic acid), 글루탐산(glutamic acid), 올레산(oleic acid), 로졸산(rosolic acid), 하이드록시메틸렌 프로파노산(2,2-bis(hydroxymethylene)propanoic acid), 부탄산(butanoic acid), 프로파노산(propanoic acid), 탄닌산(tannic acid), 글루콘산(gluconic acid), 펜탄산(pentanoic acid), 헥산산(hexanoic acid), 브롬화수소산(hydrobromic acid), 염산(hydrochloric acid), 요산(uric acid), 불화수소산(hydrofluoric acid), 황산(sulfuric acid), 글루타르산(glutaric acid), 말산(malic acid), 인산(phosphoric acid), 옥살산(oxalic acid), 우란산(uranic acid), 염산염(hydrochlorate), 과염소산(perchloric acid), 갈산(gallic acid), 아인산(phosphorous acid), 시트르산(citric acid), 말론산(malonic acid), 타타르산(tartaric acid), 프탈산(phthalic acid), 신남산(cinnamic acid), 렉사노익산(hexanoic acid), 프로피온산(propionic acid), 스테아린 산(stearic acid), 아스코르브산(ascorbic acid), 아세틸살리실산(acetylsalicylic acid), 아젤라산(azelaic acid), 벤질산(benzilic acid), 또는 푸마르산(fumaric acid)을 포함할 수 있다.The reducing agent may prevent the oxide film from being formed on the bonding member composition or the connection terminals for mounting the substrate, device, or chip during the curing process of the bonding member composition, or may remove the oxide layer. Within the composition of the bonding member composition, the reducing agent may have a weight ratio of 0.1 to 0.2 with respect to the thermosetting resin. Preferably, the weight of the reducing agent may be 14.6% of the weight of the thermosetting resin. The reducing agent is formic acid, acetic acid, lactic acid, glutamic acid, oleic acid, rosolic acid, hydroxymethylene propanoic acid (2,2- bis(hydroxymethylene)propanoic acid), butanoic acid, propanoic acid, tannic acid, gluconic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, Hydrobromic acid, hydrochloric acid, uric acid, hydrofluoric acid, sulfuric acid, glutaric acid, malic acid, phosphoric acid ), oxalic acid, uranic acid, hydrochlorate, perchloric acid, gallic acid, phosphorous acid, citric acid, malonic acid , Tartaric acid, phthalic acid, cinnamic acid, hexanoic acid, propionic acid, stearic acid, ascorbic acid, acetyl Salicylic acid (acetylsalicylic acid), azelaic acid (azelaic acid), benzyl acid (benzilic acid), or fumaric acid (fumaric acid) may be included.

촉매제는 접합 부재 조성물의 경화 공정 시 접합 부재 조성물의 반응 속도를 조절하기 위한 촉매일 수 있다. 접합 부재 조성물의 조성 내에서, 촉매제는 열경화성 수지에 대해 0.002 내지 0.006의 중량비를 가질 수 있다. 바람직하게는 촉매제의 중량은 열경화성 수지의 중량의 0.4%%일 수 있다. 촉매제는 1-메틸 이미다졸(1-methyl imidazole), 2-메틸 이미다졸(2-methyl imidazole), 디메틸벤질 이미다졸(dimethylbenzyl imidazole), 1-데실-2-메틸이미자돌(1-decyl-2-methylimidazole), 벤질 디메틸 아민(benzyl dimethyl amine), 트리메틸 아민(trimethyl amine), 트리에틸 아민(triethyl amine), 디에틸아미노 프로필아민(diethylamino propylamine), 피리딘(pyridine), 2-헵타데실 이미다졸(2-heptadecyl imidazole), 보론트리플루오라이드 모노에틸아민(boron trifluoride monoethylamine), 1-(3(2-hydroxyphenyl)prop-2-enyl)imidazole, 또는 18-diazobicyclo[5,4,0]undec-7-ene을 포함할 수 있다.The catalyst may be a catalyst for controlling the reaction rate of the bonding member composition during the curing process of the bonding member composition. Within the composition of the bonding member composition, the catalyst may have a weight ratio of 0.002 to 0.006 relative to the thermosetting resin. Preferably, the weight of the catalyst may be 0.4%% of the weight of the thermosetting resin. Catalysts include 1-methyl imidazole, 2-methyl imidazole, dimethylbenzyl imidazole, and 1-decyl-2-methylimidazole. -methylimidazole), benzyl dimethyl amine, trimethyl amine, triethyl amine, diethylamino propylamine, pyridine, 2-heptadecyl imidazole ( 2-heptadecyl imidazole), boron trifluoride monoethylamine, 1-(3(2-hydroxyphenyl)prop-2-enyl)imidazole, or 18-diazobicyclo[5,4,0]undec-7 May contain -ene.

레이저 흡수제는 레이저를 흡수하여 열 에너지로 변환할 수 있다. 일 예로, 레이저 흡수제는 접합 부재 조성물을 이용하여 기판, 소자 또는 칩 등을 실장 또는 접합시킬 때, 레이저를 흡수하여 접합 부재 조성물을 가열시킬 수 있으며, 접합 부재 조성물은 경화될 수 있다. 레이저 흡수제는 산성 염료(acid dyes), 천연 염료(natural dyes), 염기성 염료(basic dyes), 양이온 염료(cationic dyes), 합성 염료(synthetic dyes), 직접 염료(direct dyes/substantive dyes), 분산 염료(disperse dyes), 황화 염료(sulfur dyes), 안료수지 염료(pigment dyes), 매염 염료(mordant dyes), 건염 염료(vat dyes), 반응 염료(reactive dyes), 고분자 염료(macromolecular dyes), 함금속 염료(metallized dyes/premetallized dyes), 나프톨 염료(naphthol dyes), 겔 염료(gel dyeing), 현색 염료(developed dyes), 아조 염료(azo dyes), 아닐린 염료(aniline dyes) 및 안트라퀴논 염료(anthraquinone dyes)와 같은 염료, 고무용 카본 블랙(rubber carbon black), N234 카본 블랙(N234 Carbon black), N236 카본 블랙(N326 Carbon black), N339 카본 블랙(N339 Carbon black), SAF(super abrasion furnace) grade 762 Carbon black와 같은 고무용 탄소 물질, 또는 전도성 카본 블랙(electrical conductive carbon black)을 포함할 수 있다.Laser absorbers can absorb the laser and convert it into thermal energy. As an example, when a substrate, device, or chip is mounted or bonded using the bonding member composition, the laser absorber may absorb a laser to heat the bonding member composition, and the bonding member composition may be cured. Laser absorbers are acid dyes, natural dyes, basic dyes, cationic dyes, synthetic dyes, direct dyes/substantive dyes, and disperse dyes. (disperse dyes), sulfur dyes, pigment resin dyes, mordant dyes, vat dyes, reactive dyes, macromolecular dyes, metal-containing Metallized dyes/premetallized dyes, naphthol dyes, gel dyeing, developed dyes, azo dyes, aniline dyes and anthraquinone dyes ), such as rubber carbon black, N234 carbon black, N236 carbon black, N339 carbon black, super abrasion furnace (SAF) grade 762 It may include a carbon material for rubber such as carbon black, or electrical conductive carbon black.

레이저 흡수제가 염료를 포함하는 경우, 접합 부재 조성물의 조성 내에서, 레이저 흡수제는 열경화성 수지에 대해 0.05 내지 0.1의 중량비를 가질 수 있다. 예를 들어, 레이저 흡수제의 중량은 열경화성 수지의 중량의 2% 내지 10%일 수 있다. 레이저 흡수제의 중량이 열경화성 수지의 중량의 2%보다 작을 경우, 접합 부재 조성물의 레이저 흡수율이 작을 수 있다. 레이저 흡수제의 중량이 열경화성 수지의 중량의 10%보다 클 경우, 접합 부재 조성물 내에 보이드(void)가 형성될 수 있다. 가장 바람직하게는, 레이저 흡수제의 중량은 열경화성 수지의 중량의 4% 내지 8%일 수 있다.When the laser absorber includes a dye, within the composition of the bonding member composition, the laser absorber may have a weight ratio of 0.05 to 0.1 with respect to the thermosetting resin. For example, the weight of the laser absorber may be 2% to 10% of the weight of the thermosetting resin. When the weight of the laser absorber is less than 2% of the weight of the thermosetting resin, the laser absorption rate of the bonding member composition may be small. When the weight of the laser absorbent is greater than 10% of the weight of the thermosetting resin, voids may be formed in the bonding member composition. Most preferably, the weight of the laser absorber may be 4% to 8% of the weight of the thermosetting resin.

레이저 흡수제가 카본 블랙을 포함하는 경우, 접합 부재 조성물의 조성 내에서, 레이저 흡수제는 열경화성 수지에 대해 0.001 내지 0.01의 중량비를 가질 수 있다. 예를 들어, 레이저 흡수제의 중량은 열경화성 수지의 중량의 0.2% 내지 1.0%일 수 있다. 레이저 흡수제의 중량이 열경화성 수지의 중량의 0.2%보다 작을 경우, 접합 부재 조성물의 레이저 흡수율이 작을 수 있다. 레이저 흡수제의 중량이 열경화성 수지의 중량의 1.0%보다 클 경우, 레이저 흡수제의 중량이 증가함에 따라 레이저 흡수율이 증가하지 않을 수 수 있다. 가장 바람직하게는, 레이저 흡수제의 중량은 열경화성 수지의 중량의 0.2% 내지 0.6%일 수 있다.When the laser absorber contains carbon black, within the composition of the bonding member composition, the laser absorber may have a weight ratio of 0.001 to 0.01 with respect to the thermosetting resin. For example, the weight of the laser absorber may be 0.2% to 1.0% of the weight of the thermosetting resin. When the weight of the laser absorber is less than 0.2% of the weight of the thermosetting resin, the laser absorption rate of the bonding member composition may be small. When the weight of the laser absorber is greater than 1.0% of the weight of the thermosetting resin, the laser absorption rate may not increase as the weight of the laser absorber increases. Most preferably, the weight of the laser absorber may be 0.2% to 0.6% of the weight of the thermosetting resin.

다른 실시예들에 따르면, 접합 부재 조성물은 열경화성 수지, 경화제, 환원제, 촉매제 및 레이저 흡수제에 더하여, 솔더 부재를 더 포함하는 조성을 가질 수 있다. 이 경우, 접합 부재 조성물은 반도체 칩과 같은 전자 부품을 기판 또는 다른 전자 부품과 접착 또는 접합하고, 더하여 상기 전자 부품을 기판 또는 다른 전자 부품과 전기적으로 연결되도록 실장하는 데에 이용될 수 있다. 솔더 부재는 주석(Sn), 또는 은(Ag), 구리(Cu)나 니켈(Ni) 등을 포함하는 주석(Sn) 합금을 포함할 수 있다. 주석(Sn) 합금에서 주석(Sn)의 비중은 90% 내지 98%일 수 있다.According to other embodiments, the bonding member composition may further include a solder member in addition to a thermosetting resin, a curing agent, a reducing agent, a catalyst, and a laser absorber. In this case, the bonding member composition may be used for bonding or bonding an electronic component such as a semiconductor chip to a substrate or other electronic component, and further mounting the electronic component to be electrically connected to a substrate or other electronic component. The solder member may include tin (Sn) or a tin (Sn) alloy including silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), or the like. The specific gravity of tin (Sn) in the tin (Sn) alloy may be 90% to 98%.

본 발명의 실시예들에 따른 접합 부재 조성물은 레이저 흡수제를 포함하여, 레이저 공정 시 레이저를 직접 흡수하여 경화될 수 있다. 즉, 접합 부재 조성물은 레이저 조사에 의해 가열되는 주변의 기판, 소자 또는 칩 등으로부터 열을 전달받아 경화되는 간접 경화 방식뿐만 아니라, 접합 부재 조성물이 레이저 조사에 의해 직접 가열되어 스스로 경화되는 직접 경화 방식으로 경화될 수 있다. 이로 인해, 접합 부재 조성물의 경화 공정의 효율성이 향상될 수 있으며, 짧은 공정 시간(즉, 레이저 조사 시간)으로 인해 기판, 소자 또는 칩 등이 파손되는 것을 방지할 수 있다.The bonding member composition according to the embodiments of the present invention may include a laser absorber and may be cured by directly absorbing a laser during a laser process. That is, the bonding member composition is not only an indirect curing method in which heat is transferred from a surrounding substrate, element, or chip heated by laser irradiation and cured, but also a direct curing method in which the bonding member composition is directly heated by laser irradiation and cured by itself Can be cured. Accordingly, the efficiency of the curing process of the bonding member composition may be improved, and damage to the substrate, device, or chip due to a short process time (ie, laser irradiation time) may be prevented.

<반도체 패키지의 제조 방법><Method of manufacturing semiconductor package>

도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.1 to 4 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package according to example embodiments.

도 1을 참조하여, 기판(100)이 제공될 수 있다. 기판(100)은 고형의 기판(rigid substrate) 또는 유연 기판(flexible substrate)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 에폭시계 수지 또는 폴리에틸렌계 수지 등을 포함할 수 있다. 기판(100)은 상부면(100a) 및 상부면(100a)에 대향하는 하부면(100b)을 가질 수 있다. 기판(100)은 그의 상부면(100a)에 배치되는 기판 패드들(110)을 포함할 수 있다. 기판 패드들(110)은 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 금(Au)으로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 1, a substrate 100 may be provided. The substrate 100 may include a solid substrate or a flexible substrate. For example, the substrate 100 may include an epoxy resin or a polyethylene resin. The substrate 100 may have an upper surface 100a and a lower surface 100b facing the upper surface 100a. The substrate 100 may include substrate pads 110 disposed on the upper surface 100a thereof. The substrate pads 110 may be made of copper (Cu), nickel (Ni), or gold (Au).

기판(100) 상에 접합 부재(200)가 제공될 수 있다. 접합 부재(200)는 기판(100)의 기판 패드들(110) 상에 배치될 수 있다. 이때, 접합 부재(200)는 고형물일 수 있다. 즉, 접합 부재(200)는 복수로 제공되어, 그 각각이 기판 패드들(110) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 접합 부재(200)는 테이프 등의 형태로 제공될 수 있다. 이와는 다르게, 접합 부재(200)는 유체일 수 있으며, 이 경우, 접합 부재(200)는 기판(100)의 기판 패드들(110) 상에 각각 도포될 수 있다. 접합 부재(200)는 상술한 접합 부재 조성물을 포함할 수 있다. 즉, 접합 부재(200)는 열경화성 수지, 경화제, 환원제, 촉매제, 레이저 흡수제 및 솔더 부재를 포함하는 조성물일 수 있다. 특히, 접합 부재(200)는 레이저 흡수제를 포함하는 조성을 가짐으로써, 후술되는 공정에서 접합 부재(200)의 경화 효율이 향상될 수 있으며, 기판(100) 및 반도체 칩(300, 도 2 및 도 3 참조)이 손상되지 않을 수 있다. 이에 대해서는 뒤에서 상세히 설명하도록 한다. 접합 부재(200)의 조성에 대한 구체적인 설명은 상기 설명한 접합 부재 조성물과 같아 생략한다. The bonding member 200 may be provided on the substrate 100. The bonding member 200 may be disposed on the substrate pads 110 of the substrate 100. In this case, the bonding member 200 may be a solid material. That is, the bonding member 200 may be provided in plural, and each may be provided on the substrate pads 110. For example, the bonding member 200 may be provided in the form of a tape or the like. Unlike this, the bonding member 200 may be a fluid, and in this case, the bonding member 200 may be applied on the substrate pads 110 of the substrate 100, respectively. The bonding member 200 may include the bonding member composition described above. That is, the bonding member 200 may be a composition including a thermosetting resin, a curing agent, a reducing agent, a catalyst, a laser absorber, and a solder member. In particular, since the bonding member 200 has a composition including a laser absorber, the curing efficiency of the bonding member 200 may be improved in a process to be described later, and the substrate 100 and the semiconductor chip 300 (FIGS. 2 and 3 ). Reference) may not be damaged. This will be described in detail later. A detailed description of the composition of the bonding member 200 is omitted as it is the same as the bonding member composition described above.

도 2를 참조하여, 기판(100) 상에 반도체 칩(300)이 제공될 수 있다. 반도체 칩(300)은 기판(100)의 상부면(100a)과 마주하는 제 1 면(300a) 및 제 1 면(300a)에 대향하는 제 2 면(300b)을 가질 수 있다. 반도체 칩(300)은 제 1 면(300a)에 배치되는 칩 패드들(310)을 포함할 수 있다. 즉, 반도체 칩(300)의 제 1 면(300a)은 활성면이고, 제 2 면(300b)은 비활성면일 수 있다. 칩 패드들(310)은 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 금(Au)으로 이루어질 수 있다. 반도체 칩(300)은 로직 칩 또는 메모리 칩과 같은 다양한 반도체 칩을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(100) 상에 반도체 칩(300)이 제공되는 것을 예시로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따르면, 기판(100) 상에 실장되기 위한 다른 전자 소자 또는 또 다른 기판이 제공될 수 있다. 이하, 기판(100) 상에 반도체 칩(300)이 제공되는 것을 기준으로 계속 설명한다.2, a semiconductor chip 300 may be provided on a substrate 100. The semiconductor chip 300 may have a first surface 300a facing the upper surface 100a of the substrate 100 and a second surface 300b facing the first surface 300a. The semiconductor chip 300 may include chip pads 310 disposed on the first surface 300a. That is, the first surface 300a of the semiconductor chip 300 may be an active surface, and the second surface 300b may be an inactive surface. The chip pads 310 may be made of copper (Cu), nickel (Ni), or gold (Au). The semiconductor chip 300 may include various semiconductor chips such as a logic chip or a memory chip. Here, it has been described as an example that the semiconductor chip 300 is provided on the substrate 100, but the present invention is not limited thereto. According to the present invention, another electronic device or another substrate for mounting on the substrate 100 may be provided. Hereinafter, a description will be continued based on the semiconductor chip 300 being provided on the substrate 100.

칩 패드들(310)이 기판 패드들(110)과 정렬되도록 반도체 칩(300)을 기판(100) 상에 위치시킬 수 있다. 칩 패드들(310)은 접합 부재들(200)과 접할 수 있다. 이때, 접합 부재들(200)의 일부는 반도체 칩(300)의 측면으로부터 돌출될 수 있다. 즉, 최외각에 배치되는 접합 부재(202)의 일부분(202a)은 반도체 칩(300)과 오버랩(overlap)되고, 다른 일부분(202b)은 반도체 칩(300)과 오버랩되지 않을 수 있다. 평면적 관점에서, 상기 최외각에 배치되는 접합 부재(202)의 상기 다른 일부분(202b)은 반도체 칩(300)으로부터 노출될 수 있다. 설명의 편의를 위하여 반도체 칩(300)과 오버랩되는 최외각 접합 부재(202)의 일부분(202a)을 제 1 부분(202a)이라 지칭하고, 반도체 칩(300)과 오버랩되지 않는 최외각 접합 부재(202)의 다른 일부분(202b)을 제 2 부분(202b)이라 지칭한다.The semiconductor chip 300 may be positioned on the substrate 100 so that the chip pads 310 are aligned with the substrate pads 110. The chip pads 310 may contact the bonding members 200. In this case, some of the bonding members 200 may protrude from the side surfaces of the semiconductor chip 300. That is, a portion 202a of the bonding member 202 disposed at the outermost side may overlap with the semiconductor chip 300, and the other portion 202b may not overlap with the semiconductor chip 300. From a plan view, the other portion 202b of the bonding member 202 disposed at the outermost side may be exposed from the semiconductor chip 300. For convenience of description, a portion 202a of the outermost bonding member 202 overlapping the semiconductor chip 300 is referred to as a first portion 202a, and the outermost bonding member that does not overlap with the semiconductor chip 300 ( The other portion 202b of 202 is referred to as a second portion 202b.

도 3을 참조하여, 반도체 칩(300)이 기판(100) 상에 접합될 수 있다. 예를 들어, 기판(100) 상에 레이저 조사 공정이 수행될 수 있다. 상세하게는, 레이저(LA)가 반도체 칩(300)의 제 2 면(300b) 상에 조사될 수 있다. 반도체 칩(300)은 레이저(LA)에 의해 가열될 수 있다. 반도체 칩(300)에서 발생한 열(HE)은 접합 부재들(200)을 향해 전달될 수 있다. 접합 부재들(200)은 반도체 칩(300)으로부터 전달되는 열(HE)을 흡수하여 경화될 수 있다. 이때, 열 전달 경로에 따라, 접합 부재들(200)은 반도체 칩(300)과 인접한 부분부터 경화될 수 있다.Referring to FIG. 3, the semiconductor chip 300 may be bonded on the substrate 100. For example, a laser irradiation process may be performed on the substrate 100. In detail, the laser LA may be irradiated on the second surface 300b of the semiconductor chip 300. The semiconductor chip 300 may be heated by the laser LA. Heat HE generated from the semiconductor chip 300 may be transferred toward the bonding members 200. The bonding members 200 may be cured by absorbing heat (HE) transferred from the semiconductor chip 300. In this case, according to the heat transfer path, the bonding members 200 may be cured from a portion adjacent to the semiconductor chip 300.

일반적으로, 레이저를 이용하여 접합 부재들을 경화시키는 경우, 반도체 칩과의 접촉 면적이 적은 접합 부재들(일 예로, 최외각의 접합 부재)은 반도체 칩으로부터 연을 전달받기 어려울 수 있다. 이에 따라, 접합 부재들 모두를 완전히 경화시키기 위하여, 레이저 조사 공정 시간이 장시간 수행될 수 있다. 이 경우, 장시간 조사되는 레이저에 의해 반도체 칩 또는 기판이 손상될 수 있다.In general, when bonding members are cured using a laser, bonding members having a small contact area with a semiconductor chip (eg, an outermost bonding member) may be difficult to receive a lead from the semiconductor chip. Accordingly, in order to completely cure all of the bonding members, a laser irradiation process time may be performed for a long time. In this case, the semiconductor chip or the substrate may be damaged by the laser irradiated for a long time.

본 발명에 따르면, 접합 부재들(200)은 레이저 흡수제를 포함하는 조성을 가질 수 있다. 따라서, 반도체 칩(300)으로부터 돌출된 접합 부재들(일 예로, 최외각의 접합 부재(202))에 레이저(LA)를 직접 조사하여, 상기 최외각 접합 부재들(202)이 레이저를 흡수하여 가열될 수 있다. 최외각 접합 부재(202)의 제 1 부분(202a)은 반도체 칩(300)으로부터 열을 전달받고, 최외각 접합 부재(202)의 제 2 부분(202b)은 레이저(LA)를 직접 흡수하여 가열될 수 있다. 이에 따라, 반도체 칩(300)의 측면으로부터 돌출되어 반도체 칩(300)으로부터 열을 전달받기 어려운 최외각 접합 부재(202)의 제 2 부분(202b)을 경화하는 것이 용이할 수 있다.According to the present invention, the bonding members 200 may have a composition including a laser absorber. Therefore, by directly irradiating the laser (LA) to the bonding members (for example, the outermost bonding member 202) protruding from the semiconductor chip 300, the outermost bonding members 202 absorb the laser Can be heated. The first part 202a of the outermost bonding member 202 receives heat from the semiconductor chip 300, and the second part 202b of the outermost bonding member 202 directly absorbs and heats the laser LA. Can be. Accordingly, it may be easy to cure the second portion 202b of the outermost bonding member 202 that protrudes from the side surface of the semiconductor chip 300 and is difficult to transfer heat from the semiconductor chip 300.

즉, 본 발명에 따른 접합 부재(200)는 레이저 조사에 의해 가열되는 반도체 칩(300)으로부터 열을 전달받아 경화되는 간접 경화 방식뿐만 아니라, 부재(200)가 레이저 조사에 의해 직접 가열되어 스스로 경화되는 직접 경화 방식으로 경화될 수 있다. 이로 인해, 접합 부재(200)가 빠른 시간 내에 경화될 수 있어, 경화 공정의 효율성이 향상될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 짧은 공정 시간(즉, 레이저 조사 시간)으로 인해 기판(100) 또는 반도체 칩(300) 등이 파손되는 것을 방지할 수 있다.That is, the bonding member 200 according to the present invention is not only an indirect curing method in which heat is transferred from the semiconductor chip 300 heated by laser irradiation to be cured, but also the member 200 is directly heated by laser irradiation to cure itself. It can be cured in a direct curing manner. Due to this, the bonding member 200 may be cured within a short time, and thus the efficiency of the curing process may be improved. In addition, according to the present invention, it is possible to prevent damage to the substrate 100 or the semiconductor chip 300 due to a short process time (ie, laser irradiation time).

상기 레이저(LA)를 조사하는 공정에서, 레이저(LA)는 900nm 내지 1100nm의 파장 대역을 가질 수 있다. 레이저 조사 공정은 1초 내지 10초간 수행될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 레이저 조사 공정에 이용되는 레이저(LA)는 접합 부재(200)가 흡수할 수 있는 파장 대역의 레이저 중에서 선택될 수 있다.In the process of irradiating the laser LA, the laser LA may have a wavelength band of 900 nm to 1100 nm. The laser irradiation process may be performed for 1 second to 10 seconds. However, the present invention is not limited thereto, and the laser LA used in the laser irradiation process may be selected from lasers having a wavelength band that the bonding member 200 can absorb.

도 4를 참조하여, 접합 부재들(200, 도 3 참조)이 경화되어 연결 단자들(210)이 형성될 수 있다. 일 예로, 도 3을 참조하여 설명한 레이저 조사 공정 후, 접합 부재들(200) 각각은 서로 대응되는 칩 패드들(310) 및 기판 패드들(110)을 연결할 수 있다. 접합 부재들(200)이 솔더 부재를 포함하는 조성을 가짐에 따라, 접합 부재들(200)이 경화되어 형성된 연결 단자들(210)은 칩 패드들(310)과 기판 패드들(110)을 전기적으로 연결할 수 있다. 반도체 칩(300)은 연결 단자들(210)을 통해 기판(100)에 실장될 수 있다.Referring to FIG. 4, the bonding members 200 (see FIG. 3) may be cured to form connection terminals 210. For example, after the laser irradiation process described with reference to FIG. 3, each of the bonding members 200 may connect the chip pads 310 and the substrate pads 110 corresponding to each other. As the bonding members 200 have a composition including a solder member, the connection terminals 210 formed by curing the bonding members 200 electrically connect the chip pads 310 and the substrate pads 110 to each other. I can connect. The semiconductor chip 300 may be mounted on the substrate 100 through the connection terminals 210.

상기와 같이 반도체 패키지가 형성될 수 있다.A semiconductor package may be formed as described above.

도 5 내지 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 설명의 편의를 위하여 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 것과 동일한 것은 생략하도록 한다.5 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package according to example embodiments. For convenience of description, the same descriptions as those described with reference to FIGS. 1 to 4 will be omitted.

도 5를 참조하여, 기판(100)이 제공될 수 있다. 기판(100)은 상부면(100a) 및 상부면(100a)에 대향하는 하부면(100b)을 가질 수 있다. 기판(100)은 그의 상부면(100a)에 배치되는 기판 패드들(110)을 포함할 수 있다. 기판 패드들(110)은 기판(100)의 외각부 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판 패드들(110)은 후공정에서 반도체 칩(300, 도 5 참조)이 접착되는 기판(100)의 중심부 상에는 제공되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 5, a substrate 100 may be provided. The substrate 100 may have an upper surface 100a and a lower surface 100b facing the upper surface 100a. The substrate 100 may include substrate pads 110 disposed on the upper surface 100a thereof. The substrate pads 110 may be provided on the outer portion of the substrate 100. For example, the substrate pads 110 may not be provided on the center of the substrate 100 to which the semiconductor chip 300 (refer to FIG. 5) is adhered in a post process.

기판(100) 상에 접합 부재(200)가 제공될 수 있다. 접합 부재(200)는 기판(100)의 중심부 상에 배치될 수 있다. 일 예로, 접합 부재(200)는 기판 패드들(110)의 사이에 제공될 수 있다. 이때, 접합 부재(200)는 고형물일 수 있다. 또는, 접합 부재(200)는 유체일 수 있으며, 이 경우 접합 부재(200)는 기판(100)의 중심부 상에 도포될 수 있다. 접합 부재(200)는 상술한 접합 부재 조성물을 포함할 수 있다. 즉, 접합 부재(200)는 열경화성 수지, 경화제, 환원제, 촉매제 및 레이저 흡수제를 포함하는 조성물일 수 있다. 이때, 접합 부재(200)는 솔더 부재를 포함하지 않을 수 있다.The bonding member 200 may be provided on the substrate 100. The bonding member 200 may be disposed on the center of the substrate 100. For example, the bonding member 200 may be provided between the substrate pads 110. In this case, the bonding member 200 may be a solid material. Alternatively, the bonding member 200 may be a fluid, and in this case, the bonding member 200 may be applied on the center of the substrate 100. The bonding member 200 may include the bonding member composition described above. That is, the bonding member 200 may be a composition including a thermosetting resin, a curing agent, a reducing agent, a catalyst, and a laser absorber. In this case, the bonding member 200 may not include a solder member.

도 6을 참조하여, 기판(100) 상에 반도체 칩(300)이 제공될 수 있다. 반도체 칩(300)은 기판(100)의 상부면(100a)과 마주하는 제 1 면(300a) 및 제 1 면(300a)에 대향하는 제 2 면(300b)을 가질 수 있다. 반도체 칩(300)은 제 2 면(300b)에 배치되는 칩 패드들(310)을 포함할 수 있다. 즉, 반도체 칩(300)의 제 2 면(300b)은 활성면이고, 제 1 면(300a)은 비활성면일 수 있다.6, a semiconductor chip 300 may be provided on a substrate 100. The semiconductor chip 300 may have a first surface 300a facing the upper surface 100a of the substrate 100 and a second surface 300b facing the first surface 300a. The semiconductor chip 300 may include chip pads 310 disposed on the second surface 300b. That is, the second surface 300b of the semiconductor chip 300 may be an active surface, and the first surface 300a may be an inactive surface.

반도체 칩(300)의 제 1 면(300a)이 접합 부재(200)와 접하도록 반도체 칩(300)을 기판(100) 상에 위치시킬 수 있다. 이때, 접합 부재(200)의 일부(200b)는 반도체 칩(300)의 측면으로부터 돌출될 수 있다. 접합 부재(200)의 제 1 부분(200a)은 반도체 칩과 오버랩되고, 접합 부재(200)의 제 2 부분(200b)은 반도체 칩과 오버랩되지 않을 수 있다.The semiconductor chip 300 may be positioned on the substrate 100 so that the first surface 300a of the semiconductor chip 300 contacts the bonding member 200. In this case, a part 200b of the bonding member 200 may protrude from the side surface of the semiconductor chip 300. The first portion 200a of the bonding member 200 may overlap the semiconductor chip, and the second portion 200b of the bonding member 200 may not overlap with the semiconductor chip.

도 7을 참조하여, 반도체 칩(300)이 기판(100) 상에 접합될 수 있다. 예를 들어, 기판(100) 상에 레이저 조사 공정이 수행될 수 있다. 상세하게는, 레이저(LA)가 반도체 칩(300)의 제 2 면(300b) 상에 조사될 수 있다. 반도체 칩(300)은 레이저(LA)에 의해 가열될 수 있다. 반도체 칩(300)에서 발생한 열(HE)은 접합 부재(200)의 제 1 부분(200a)으로 전달될 수 있다. 접합 부재(200)의 제 1 부분(200a)은 반도체 칩(300)으로부터 전달되는 열(HE)을 흡수하여 경화될 수 있다.Referring to FIG. 7, the semiconductor chip 300 may be bonded on the substrate 100. For example, a laser irradiation process may be performed on the substrate 100. In detail, the laser LA may be irradiated on the second surface 300b of the semiconductor chip 300. The semiconductor chip 300 may be heated by the laser LA. Heat HE generated from the semiconductor chip 300 may be transferred to the first part 200a of the bonding member 200. The first portion 200a of the bonding member 200 may be cured by absorbing heat HE transferred from the semiconductor chip 300.

반도체 칩(300)으로부터 돌출된 접합 부재(200)의 제 2 부분(200b)은 레이저(LA)를 직접 흡수하여 가열될 수 있다. 제 2 부분(200b)은 레이저(LA)로부터 열을 흡수하여 경화될 수 있다.The second portion 200b of the bonding member 200 protruding from the semiconductor chip 300 may be heated by directly absorbing the laser LA. The second part 200b may be cured by absorbing heat from the laser LA.

도 8을 참조하여, 접합 부재(200)가 경화되어 접착층(220)이 형성될 수 있다. 접착층(220)은 반도체 칩(300)을 기판(100)의 상부면(100a) 상에 고정시킬 수 있다.Referring to FIG. 8, the bonding member 200 may be cured to form an adhesive layer 220. The adhesive layer 220 may fix the semiconductor chip 300 on the upper surface 100a of the substrate 100.

반도체 칩(300)의 칩 패드들(310)과 기판(100)의 기판 패드들(110)을 전기적으로 연결하여 반도체 칩(300)이 기판(100)에 실장될 수 있다. 예를 들어, 반도체 칩(300)은 본딩 와이어(320)를 이용하는 와이어 본딩 방식으로 기판(100)에 실장될 수 있다.The semiconductor chip 300 may be mounted on the substrate 100 by electrically connecting the chip pads 310 of the semiconductor chip 300 and the substrate pads 110 of the substrate 100. For example, the semiconductor chip 300 may be mounted on the substrate 100 by a wire bonding method using a bonding wire 320.

상기와 같이 반도체 패키지가 형성될 수 있다.A semiconductor package may be formed as described above.

도 9 내지 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.9 to 12 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package according to example embodiments.

도 5를 참조하여, 기판(100)이 제공될 수 있다. 기판(100)은 상부면(100a) 및 상부면(100a)에 대향하는 하부면(100b)을 가질 수 있다. 기판(100)은 그의 상부면(100a)에 배치되는 기판 패드들(110)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, a substrate 100 may be provided. The substrate 100 may have an upper surface 100a and a lower surface 100b facing the upper surface 100a. The substrate 100 may include substrate pads 110 disposed on the upper surface 100a thereof.

기판(100) 상에 반도체 칩(300)이 제공될 수 있다. 반도체 칩(300)은 기판(100)의 상부면(100a)과 마주하는 제 1 면(300a) 및 제 1 면(300a)에 대향하는 제 2 면(300b)을 가질 수 있다. 반도체 칩(300)은 제 1 면(300a)에 배치되는 칩 패드들(310)을 포함할 수 있다. 즉, 반도체 칩(300)의 제 1 면(300a)은 활성면이고, 제 2 면(300b)은 비활성면일 수 있다.A semiconductor chip 300 may be provided on the substrate 100. The semiconductor chip 300 may have a first surface 300a facing the upper surface 100a of the substrate 100 and a second surface 300b facing the first surface 300a. The semiconductor chip 300 may include chip pads 310 disposed on the first surface 300a. That is, the first surface 300a of the semiconductor chip 300 may be an active surface, and the second surface 300b may be an inactive surface.

반도체 칩(300)이 기판(100)에 실장될 수 있다. 예를 들어, 반도체 칩(300)은 플립 칩 본딩 방식으로 기판(100)에 실장될 수 있다. 반도체 칩(300)과 기판(100)은 기판 패드들(110)과 칩 패드들(310) 사이에 각각 형성되는 연결 단자들(330)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The semiconductor chip 300 may be mounted on the substrate 100. For example, the semiconductor chip 300 may be mounted on the substrate 100 by flip chip bonding. The semiconductor chip 300 and the substrate 100 may be electrically connected by connection terminals 330 formed between the substrate pads 110 and the chip pads 310, respectively.

도 10을 참조하여, 기판(100)과 반도체 칩(300) 사이에 접합 부재(200)가 제공될 수 있다. 이때, 접합 부재(200)는 유체일 수 있다. 접합 부재(200)는 기판(100)과 반도체 칩(300) 사이의 공간을 채울 수 있으며, 연결 단자들(330)을 둘러쌀 수 있다. 접합 부재(200)는 기판(100)의 상부면(100a) 및 반도체 칩(300)의 제 1 면(300a)과 접할 수 있다. 접합 부재(200)는 그의 일부(200b)가 반도체 칩(300)의 측면으로부터 돌출될 수 있다. 접합 부재(200)의 제 1 부분(200a)은 반도체 칩(300)과 오버랩되고, 접합 부재(200)의 제 2 부분(200b)은 반도체 칩(300)과 오버랩되지 않을 수 있다. 접합 부재(200)는 상술한 접합 부재 조성물을 포함할 수 있다. 즉, 접합 부재(200)는 열경화성 수지, 경화제, 환원제, 촉매제 및 레이저 흡수제를 포함하는 조성물일 수 있다. 이때, 접합 부재(200)는 솔더 부재를 포함하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 10, a bonding member 200 may be provided between the substrate 100 and the semiconductor chip 300. In this case, the bonding member 200 may be a fluid. The bonding member 200 may fill the space between the substrate 100 and the semiconductor chip 300, and may surround the connection terminals 330. The bonding member 200 may contact the upper surface 100a of the substrate 100 and the first surface 300a of the semiconductor chip 300. A portion 200b of the bonding member 200 may protrude from the side surface of the semiconductor chip 300. The first portion 200a of the bonding member 200 may overlap the semiconductor chip 300, and the second portion 200b of the bonding member 200 may not overlap the semiconductor chip 300. The bonding member 200 may include the bonding member composition described above. That is, the bonding member 200 may be a composition including a thermosetting resin, a curing agent, a reducing agent, a catalyst, and a laser absorber. In this case, the bonding member 200 may not include a solder member.

도 11을 참조하여, 반도체 칩(300)이 기판(100) 상에 접합될 수 있다. 예를 들어, 기판(100) 상에 레이저 조사 공정이 수행될 수 있다. 상세하게는, 레이저(LA)가 반도체 칩(300)의 제 2 면(300b) 상에 조사될 수 있다. 반도체 칩(300)은 레이저(LA)에 의해 가열될 수 있다. 반도체 칩(300)에서 발생한 열(HE)은 접합 부재(200)의 제 1 부분(200a)으로 전달될 수 있다. 접합 부재(200)의 제 1 부분(200a)은 반도체 칩(300)으로부터 전달되는 열(HE)을 흡수하여 경화될 수 있다.Referring to FIG. 11, the semiconductor chip 300 may be bonded on the substrate 100. For example, a laser irradiation process may be performed on the substrate 100. In detail, the laser LA may be irradiated on the second surface 300b of the semiconductor chip 300. The semiconductor chip 300 may be heated by the laser LA. Heat HE generated from the semiconductor chip 300 may be transferred to the first part 200a of the bonding member 200. The first portion 200a of the bonding member 200 may be cured by absorbing heat HE transferred from the semiconductor chip 300.

반도체 칩(300)으로부터 돌출된 접합 부재(200)의 제 2 부분(200b)은 레이저(LA)를 직접 흡수하여 가열될 수 있다. 제 2 부분(200b)은 레이저(LA)로부터 열을 흡수하여 경화될 수 있다.The second portion 200b of the bonding member 200 protruding from the semiconductor chip 300 may be heated by directly absorbing the laser LA. The second part 200b may be cured by absorbing heat from the laser LA.

도 12를 참조하여, 접합 부재(200)가 경화되어 접착층(230)이 형성될 수 있다. 접착층(230)은 반도체 칩(300)을 기판(100)의 상부면(100a) 상에 고정시킬 수 있다.Referring to FIG. 12, the bonding member 200 may be cured to form an adhesive layer 230. The adhesive layer 230 may fix the semiconductor chip 300 on the upper surface 100a of the substrate 100.

상기와 같이 반도체 패키지가 형성될 수 있다.A semiconductor package may be formed as described above.

실험예Experimental example 1-1 1-1

다음과 같은 조성으로 접합 부재 조성물을 제조하였다. 열경화성 수지는 비스페놀 A형 에폭시(DGEBA)를 사용하였다. 경화제는 PDMA(pyromellitic dianhydride)를 사용하였으며, 열경화성 수지의 70% 중량비로 첨가하였다. 환원제는 프탈산(phthalic acid)을 사용하였으며, 열경화성 수지의 14.6% 중량비로 첨가하였다. 촉매제는 트리에틸 아민(triethyl amine)을 사용하였으며, 열경화성 수지의 0.4% 중량비로 첨가하였다. 레이저 흡수제는 분산 염료(disperse dyes)를 사용하였으며, 열경화성 수지의 8% 중량비로 첨가하였다.A bonding member composition was prepared with the following composition. As the thermosetting resin, bisphenol A type epoxy (DGEBA) was used. The curing agent was PDMA (pyromellitic dianhydride), and was added in a 70% weight ratio of the thermosetting resin. The reducing agent was phthalic acid, and was added in a 14.6% weight ratio of the thermosetting resin. Triethyl amine was used as the catalyst, and it was added in a weight ratio of 0.4% of the thermosetting resin. As the laser absorber, disperse dyes were used and added in an 8% weight ratio of the thermosetting resin.

실험예Experimental example 1-2 1-2

실험예 1-1과 동일하게 제조하되, 레이저 흡수제를 열경화성 수지의 4% 중량비로 첨가하였다.It was prepared in the same manner as in Experimental Example 1- 1, but the laser absorbent was added in a 4% weight ratio of the thermosetting resin.

실험예Experimental example 1-3 1-3

실험예 1-1과 동일하게 제조하되, 레이저 흡수제를 열경화성 수지의 2% 중량비로 첨가하였다.Experimental Examples, but identically prepared and 1 1, the laser absorbent was added to 2% by weight of the thermosetting resin.

실험예Experimental example 1-4 1-4

실험예 1-1과 동일하게 제조하되, 레이저 흡수제를 열경화성 수지의 1% 중량비로 첨가하였다.Experimental Examples, but identically prepared and 1 1, the laser absorbent was added in 1% by weight of the thermosetting resin.

비교예Comparative example 1 One

실험예 1-1과 동일하게 제조하되, 레이저 흡수제를 첨가하지 않았다.Experimental Examples, but identically prepared and 1-1, was not added to the laser absorbent.

도 13는 실험예 1-1의 레이저 투과, 흡수 및 반사 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.13 is a graph showing results of measuring laser transmission, absorption, and reflection characteristics of Experimental Example 1-1.

20mm×20mm의 크기를 갖는 유리 기판 상에 실험예 1-1의 조성을 갖는 접합 부재 조성물을 50um의 두께로 도포한 후, 레이저를 사출하여 투과, 흡수 및 반사 특성을 측정하였다. 도 13에 도시된 바와 같이, 980nm 파장의 레이저를 사출한 결과, 실험예 1-1의 경우 51%의 투과율, 5%의 반사율 및 44%의 흡수율을 나타내었다. 즉, 레이저 공정에 이용되는 980nm 파장 대역에서 높은 흡수율을 나타내는 것을 확인할 수 있으며, 접합 부재 조성물에 직접 조사되는 레이저의 44%가 열로 변환되어 반도체 접합 공정의 열원으로 사용될 수 있다.After the bonding member composition having the composition of Experimental Example 1-1 was applied to a thickness of 50 μm on a glass substrate having a size of 20 mm×20 mm, transmission, absorption, and reflection characteristics were measured by emitting a laser. As shown in FIG. 13, as a result of emitting a laser having a wavelength of 980 nm, in the case of Experimental Example 1-1, a transmittance of 51%, a reflectance of 5%, and an absorption of 44% were shown. That is, it can be seen that a high absorption rate is exhibited in the 980 nm wavelength band used in the laser process, and 44% of the laser directly irradiated to the bonding member composition is converted into heat, so that it can be used as a heat source for the semiconductor bonding process.

도 14는 실험예들 및 비교예 1의 레이저 흡수 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.14 is a graph showing results of measuring laser absorption characteristics of Experimental Examples and Comparative Example 1.

20mm×20mm의 크기를 갖는 유리 기판 상에 실험예들 및 비교예 1의 조성을 갖는 접합 부재 조성물을 각각 50um의 두께로 도포한 후, 레이저를 사출하여 흡수 특성을 측정하였다. 도 14에 도시된 바와 같이, 레이저 흡수제가 첨가된 실험예 1-1은, 레이저 공정에 이용되는 980nm 파장 대역에서 높은 흡수율을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 또한, 실험예 1-1 내지 1-4와 비교예의 레이저 흡수율을 확인해보면, 레이저 흡수제가 많이 첨가될수록 레이저 흡수율이 높은 것을 확인할 수 있다. 상세하게는, 레이저 흡수제의 중량이 열경화성 수지의 중량의 4% 및 8%인 실험예 1-1과 실험예 1-2의 레이저 흡수율이 높으며, 특히 실험예 1-1의 경우 레이저의 흡수율이 약 40% 내지 50%의 높은 수치를 보여주는 것을 확인할 수 있다. 즉, 레이저 흡수제를 포함하는 조성을 갖는 본 발명에 따른 접합 부재 조성물은 레이저 흡수율이 높은 것을 확인할 수 있으며, 접합 부재 조성물이 레이저 조사에 의해 직접 가열되어 스스로 경화되는 직접 경화 방식에서 용이하게 경화될 수 있다.The bonding member compositions having the compositions of Experimental Examples and Comparative Example 1 were each coated on a glass substrate having a size of 20 mm×20 mm to a thickness of 50 μm, and then laser was injected to measure absorption characteristics. As shown in FIG. 14, it can be seen that Experimental Example 1-1 to which the laser absorber was added exhibits a high absorption rate in the 980 nm wavelength band used in the laser process. In addition, when checking the laser absorption rates of Experimental Examples 1-1 to 1-4 and Comparative Example, it can be seen that the laser absorption rate is higher as the amount of the laser absorber is added. Specifically, the laser absorption rate of Experimental Examples 1-1 and 1-2, in which the weight of the laser absorber was 4% and 8% of the weight of the thermosetting resin, was high, and in particular, the absorption rate of the laser was about 1-1. It can be seen that it shows a high value of 40% to 50%. That is, it can be confirmed that the bonding member composition according to the present invention having a composition including a laser absorber has a high laser absorption rate, and can be easily cured in a direct curing method in which the bonding member composition is directly heated by laser irradiation and cured by itself. .

즉, 약 20%의 레이저 흡수율을 나타내는 레이저 흡수제 첨가량은 열경화성 수지의 4% 이상이며, 보이드에 의해 접합 특성이 저하되는 레이저 흡수제의 첨가량은 열경화성 수지의 10% 이하이다. 즉, 염료 계열의 레이저 흡수제를 포함하는 접합 부재 조성물의 효율을 향상시키기 위하여, 레이저 흡수제는 열경화성 수지의 4% 내지 10%로 첨가될 수 있다. 가장 바람직하게는, 레이저 흡수제의 중량은 열경화성 수지의 중량의 4% 내지 8%일 수 있다.That is, the added amount of the laser absorber exhibiting a laser absorption rate of about 20% is 4% or more of the thermosetting resin, and the addition amount of the laser absorber whose bonding property is lowered by voids is 10% or less of the thermosetting resin. That is, in order to improve the efficiency of the bonding member composition including the dye-based laser absorber, the laser absorber may be added in an amount of 4% to 10% of the thermosetting resin. Most preferably, the weight of the laser absorber may be 4% to 8% of the weight of the thermosetting resin.

실험예Experimental example 2-1 2-1

다음과 같은 조성으로 접합 부재 조성물을 제조하였다. 열경화성 수지는 비스페놀 A형 에폭시(DGEBA)를 사용하였다. 경화제는 PDMA(pyromellitic dianhydride)를 사용하였으며, 열경화성 수지의 70% 중량비로 첨가하였다. 환원제는 프탈산(phthalic acid)을 사용하였으며, 열경화성 수지의 14.6% 중량비로 첨가하였다. 촉매제는 트리에틸 아민(triethyl amine)을 사용하였으며, 열경화성 수지의 0.4% 중량비로 첨가하였다. 레이저 흡수제는 카본 블랙(carbon black)을 사용하였으며, 열경화성 수지의 1.0% 중량비로 첨가하였다.A bonding member composition was prepared with the following composition. As the thermosetting resin, bisphenol A type epoxy (DGEBA) was used. The curing agent was PDMA (pyromellitic dianhydride), and was added in a 70% weight ratio of the thermosetting resin. The reducing agent was phthalic acid, and was added in a 14.6% weight ratio of the thermosetting resin. Triethyl amine was used as the catalyst, and it was added in a weight ratio of 0.4% of the thermosetting resin. The laser absorber was used as carbon black, and was added in a 1.0% weight ratio of the thermosetting resin.

실험예Experimental example 2-2 2-2

실험예 2-1과 동일하게 제조하되, 레이저 흡수제를 열경화성 수지의 0.8% 중량비로 첨가하였다.Experimental Examples, but identically prepared and 2-1, was added to the laser absorbent in the 0.8% by weight of the thermosetting resin.

실험예Experimental example 2-3 2-3

실험예 2-1과 동일하게 제조하되, 레이저 흡수제를 열경화성 수지의 0.6% 중량비로 첨가하였다.Experimental Examples, but identically prepared and 2-1, was added to the laser absorbent in the 0.6% by weight of the thermosetting resin.

실험예Experimental example 2-4 2-4

실험예 2-1과 동일하게 제조하되, 레이저 흡수제를 열경화성 수지의 0.4% 중량비로 첨가하였다.Experimental Examples, but identically prepared and 2-1, was added to the laser absorbent in the 0.4% by weight of the thermosetting resin.

실험예Experimental example 2-5 2-5

실험예 2-1과 동일하게 제조하되, 레이저 흡수제를 열경화성 수지의 0.2% 중량비로 첨가하였다.Experimental Examples, but identically prepared and 2-1, was added to the laser absorbent in the 0.2% by weight of the thermosetting resin.

비교예Comparative example 2 2

실험예 2-1과 동일하게 제조하되, 레이저 흡수제를 첨가하지 않았다.Experimental Examples, but identically prepared and 2-1, was not added to the laser absorbent.

도 15는 실험예 1의 레이저 투과, 흡수 및 반사 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.15 is a graph showing results of measuring laser transmission, absorption, and reflection properties of Experimental Example 1.

20mm×20mm의 크기를 갖는 유리 기판 상에 실험예 2-4의 조성을 갖는 접합 부재 조성물을 50um의 두께로 도포한 후, 레이저를 사출하여 투과, 흡수 및 반사 특성을 측정하였다. 도 15에 도시된 바와 같이, 980nm 파장의 레이저를 사출한 결과, 실험예 2-4의 경우 19%의 투과율, 5%의 반사율 및 76%의 흡수율을 나타내었다. 즉, 레이저 공정에 이용되는 980nm 파장 대역에서 매우 높은 흡수율을 나타내는 것을 확인할 수 있으며, 접합 부재 조성물에 직접 조사되는 레이저의 76%가 열로 변환되어 반도체 접합 공정의 열원으로 사용될 수 있다.After the bonding member composition having the composition of Experimental Example 2-4 was applied to a thickness of 50 μm on a glass substrate having a size of 20 mm×20 mm, transmission, absorption, and reflection characteristics were measured by emitting a laser. As shown in FIG. 15, as a result of emitting a laser having a wavelength of 980 nm, in the case of Experimental Example 2-4, a transmittance of 19%, a reflectance of 5%, and an absorption of 76% were shown. That is, it can be seen that the absorption rate is very high in the 980nm wavelength band used in the laser process, and 76% of the laser directly irradiated to the bonding member composition is converted into heat, and thus can be used as a heat source for the semiconductor bonding process.

도 16은 실험예들 및 비교예 2의 레이저 흡수 특성 및 점도 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.16 is a graph showing results of measuring laser absorption characteristics and viscosity characteristics of Experimental Examples and Comparative Example 2.

20mm×20mm의 크기를 갖는 유리 기판 상에 실험예들 및 비교예 2의 조성을 갖는 접합 부재 조성물을 각각 50um의 두께로 도포한 후, 레이저 공정에 이용되는 980nm 파장 대역의 레이저를 사출하여 흡수 특성을 측정하였다.After applying the bonding member composition having the composition of Experimental Examples and Comparative Example 2 to a thickness of 50 μm on a glass substrate having a size of 20 mm × 20 mm, the absorption characteristics were obtained by injecting a laser of a wavelength band of 980 nm used in the laser process. Measured.

도 16에 도시된 바와 같이, 레이저 흡수제가 첨가되지 않은 비교예 2의 경우 레이저 흡수율이 0%에 가까우며, 열경화성 수지의 0.2% 중량비로 레이저 흡수제가 첨가된 실험예 2-5의 경우 레이저 흡수율이 50%보다 높게 측정되었다. 특히, 레이저 흡수제의 첨가율이 증가할수록 레이저 흡수율이 높게 측정되었으며, 열경화성 수지의 1.0% 중량비로 레이저 흡수제가 첨가된 실험예 2-1의 경우 레이저 흡수율이 90%보다 높게 측정되어, 매우 높은 레이저 흡수율을 나타내는 것을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 16, in the case of Comparative Example 2 in which the laser absorber was not added, the laser absorption rate was close to 0%, and in the case of Experimental Example 2-5 in which the laser absorber was added at 0.2% weight ratio of the thermosetting resin, the laser absorption rate was 50 It was measured higher than %. In particular, as the addition rate of the laser absorber increased, the laser absorption rate was measured higher, and in the case of Experimental Example 2-1 in which the laser absorber was added at 1.0% weight ratio of the thermosetting resin, the laser absorption rate was measured higher than 90%, resulting in a very high laser absorption rate. You can see what it represents.

접합 부재 조성물의 점도의 경우, 비교예 2, 실험예 2-5, 실험예 2-4 및 실험예 2-3의 경우 약 15000cPs의 점도를 나타내고 있다. 열경화성 수지의 0.8% 이상의 중량비로 레이저 흡수제가 첨가될 경우, 레이저 흡수제의 첨가율이 증가할수록 접합 부재 조성물의 점도가 급속히 증가되었다. 특히 열경화성 수지의 1.0% 중량비로 레이저 흡수제가 첨가된 실험예 2-1의 경우, 약 30000cPs의 점도를 나타내고 있다.In the case of the viscosity of the bonding member composition, Comparative Example 2, Experimental Example 2-5, Experimental Example 2-4, and Experimental Example 2-3 exhibited a viscosity of about 15000 cPs. When the laser absorber was added in a weight ratio of 0.8% or more of the thermosetting resin, the viscosity of the bonding member composition rapidly increased as the addition rate of the laser absorber increased. In particular, in the case of Experimental Example 2-1 in which the laser absorbent was added in a 1.0% weight ratio of the thermosetting resin, the viscosity of about 30000 cPs was shown.

즉, 약 40%의 레이저 흡수율을 나타내는 레이저 흡수제 첨가량은 열경화성 수지의 0.8% 이상이며, 약 17000cPs 이하의 점도를 나타내는 레이저 흡수제 첨가량은 열경화성 수지의 0.6% 이하이다. 즉, 카본 블랙 계열의 레이저 흡수제를 포함하는 접합 부재 조성물의 효율을 향상시키기 위하여, 레이저 흡수제는 열경화성 수지의 0.2% 내지 0.6%로 첨가될 수 있다.That is, the added amount of the laser absorber showing a laser absorption rate of about 40% is 0.8% or more of the thermosetting resin, and the added amount of the laser absorber showing a viscosity of about 17000 cPs or less is 0.6% or less of the thermosetting resin. That is, in order to improve the efficiency of the bonding member composition including the carbon black-based laser absorber, the laser absorber may be added in an amount of 0.2% to 0.6% of the thermosetting resin.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.In the above, embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You can understand that there is. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting.

100: 기판 110: 기판 패드
200: 접합 부재 300: 반도체 칩
310: 칩 패드 LA: 레이저
HE: 열 이동 경로100: substrate 110: substrate pad
200: bonding member 300: semiconductor chip
310: chip pad LA: laser
HE: thermal path

Claims (20)

기판 상에 반도체 칩을 제공하는 것;
상기 기판과 상기 반도체 칩 사이에 접합 부재를 제공하는 것; 및
상기 기판 상에 레이저를 조사하여 상기 기판 상에 상기 반도체 칩을 접합하는 것을 포함하되,
상기 접합 부재는 열경화성 수지, 경화제 및 레이저 흡수제를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.Providing a semiconductor chip on a substrate;
Providing a bonding member between the substrate and the semiconductor chip; And
Including bonding the semiconductor chip on the substrate by irradiating a laser on the substrate,
The bonding member is a method of manufacturing a semiconductor package comprising a thermosetting resin, a curing agent and a laser absorber. 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 칩을 접합하는 것은:
상기 반도체 칩의 일측으로 노출되는 상기 접합 부재의 일부 상에 상기 레이저를 조사하는 제 1 공정; 및
상기 반도체 칩 상에 레이저를 조사하는 제 2 공정을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
Bonding the semiconductor chip:
A first process of irradiating the laser onto a portion of the bonding member exposed to one side of the semiconductor chip; And
A method of manufacturing a semiconductor package including a second step of irradiating a laser onto the semiconductor chip. 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 공정 중, 상기 접합 부재는 상기 레이저를 흡수하여 가열되는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 2,
During the first step, the bonding member is heated by absorbing the laser. 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 공정 중, 상기 반도체 칩은 상기 레이저에 의해 가열되고, 상기 접합 부재는 상기 반도체 칩으로부터 열을 전달받는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 2,
During the second process, the semiconductor chip is heated by the laser, and the bonding member receives heat from the semiconductor chip. 제 1 항에 있어서,
상기 접합 부재는 솔더 물질을 더 포함하되,
상기 접합 부재는 상기 기판의 기판 패드와 상기 반도체 칩의 칩 패드 사이에 제공되는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
The bonding member further comprises a solder material,
The bonding member is a method of manufacturing a semiconductor package provided between the substrate pad of the substrate and the chip pad of the semiconductor chip. 제 5 항에 있어서,
상기 접합 부재는 상기 레이저의 조사에 의해 상기 기판 패드와 상기 칩 패드를 연결하는 제 1 연결 단자를 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 5,
The method of manufacturing a semiconductor package in which the bonding member forms a first connection terminal connecting the substrate pad and the chip pad by irradiation of the laser. 제 1 항에 있어서,
상기 기판과 상기 반도체 칩 사이에 접합 부재를 제공하기 전에,
상기 반도체 칩을 상기 기판 상에 실장하는 것을 더 포함하되,
상기 반도체 칩은 제 2 연결 단자를 이용하여 상기 기판에 실장되고,
상기 접합 부재는 상기 기판과 상기 반도체 칩의 사이의 잔부를 채우는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
Before providing a bonding member between the substrate and the semiconductor chip,
Further comprising mounting the semiconductor chip on the substrate,
The semiconductor chip is mounted on the substrate using a second connection terminal,
The method of manufacturing a semiconductor package, wherein the bonding member fills the remainder between the substrate and the semiconductor chip. 제 7 항에 있어서,
상기 제 2 연결 단자는 상기 기판의 기판 패드와 상기 반도체 칩의 칩 패드 사이에 제공되는 솔더 볼, 또는 상기 반도체 칩의 상면으로부터 상기 기판의 상기 기판 패드로 연장되는 본딩 와이어를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 7,
The second connection terminal is a solder ball provided between a substrate pad of the substrate and a chip pad of the semiconductor chip, or a bonding wire extending from an upper surface of the semiconductor chip to the substrate pad of the substrate. Way. 제 1 항에 있어서,
상기 레이저 흡수제는 Acid Dyes, Natural Dyes, Basic Dyes, Cationic Dyes, Synthetic Dyes, Direct Dyes, substantive Dyes, Disperse Dyes, Sulfur Dyes, Pigment Dyes, Mordant Dyes, Vat Dyes, Reactive Dyes, Macromolecular Dyes, Metallized Dyes, Naphthol Dyes, Premetallized Dyes, Gel Dyeing, Developed Dyes, Azo Dyes, Aniline Dyes 및 Anthraquinone Dyes와 같은 염료를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
The laser absorbers are Acid Dyes, Natural Dyes, Basic Dyes, Cationic Dyes, Synthetic Dyes, Direct Dyes, substantive Dyes, Disperse Dyes, Sulfur Dyes, Pigment Dyes, Mordant Dyes, Vat Dyes, Reactive Dyes, Macromolecular Dyes, Metallized Dyes, Naphthol A method of manufacturing a semiconductor package including dyes such as Dyes, Premetallized Dyes, Gel Dyeing, Developed Dyes, Azo Dyes, Aniline Dyes, and Anthraquinone Dyes. 제 9 항에 있어서,
상기 레이저 흡수제의 중량은 상기 열경화성 수지의 중향의 4% 내지 8%인 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 9,
A method of manufacturing a semiconductor package in which the weight of the laser absorber is 4% to 8% of the weight of the thermosetting resin. 제 1 항에 있어서,
상기 레이저 흡수제는 Rubber Carbon black, N234 Carbon black, N326 Carbon black, N339 Carbon black, SAF(super abrasion furnace) grade 762 Carbon black와 같은 고무용 탄소 물질, 또는 Electrical conductive Carbon black를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
The laser absorber is a method of manufacturing a semiconductor package including rubber carbon black, N234 carbon black, N326 carbon black, N339 carbon black, a rubber carbon material such as SAF (super abrasion furnace) grade 762 carbon black, or electrical conductive carbon black . 제 11 항에 있어서,
상기 레이저 흡수제의 중량은 상기 열경화성 수지의 중향의 0.2% 내지 0.6%인 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 11,
A method of manufacturing a semiconductor package in which the weight of the laser absorber is 0.2% to 0.6% of the weight of the thermosetting resin. 제 1 항에 있어서,
상기 레이저의 조사 시간은 1초 내지 10초인 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
The method of manufacturing a semiconductor package in which the laser irradiation time is 1 second to 10 seconds. 제 1 항에 있어서,
상기 접합 소재는 환원제를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
The bonding material is a method of manufacturing a semiconductor package further comprising a reducing agent. 반도체 칩의 칩 패드 상에 접합 부재를 제공하는 것;
상기 접합 부재가 기판의 기판 패드에 접하도록 상기 기판 상에 상기 반도체 칩을 배치하는 것; 및
상기 접합 부재에 레이저를 조사하여 연결 단자를 형성하는 것을 포함하되,
상기 접합 부재는 솔더 물질 및 레이저 흡수제를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.Providing a bonding member on the chip pad of the semiconductor chip;
Disposing the semiconductor chip on the substrate such that the bonding member contacts a substrate pad of the substrate; And
Including forming a connection terminal by irradiating a laser on the bonding member,
The bonding member is a method of manufacturing a semiconductor package including a solder material and a laser absorber. 제 15 항에 있어서,
상기 접합 부재의 제 1 부분은 상기 반도체 칩의 일측 상으로 돌출되고,
상기 접합 부재의 상기 제 1 부분은 상기 레이저가 직접 조사되어 상기 연결 단자를 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 15,
The first portion of the bonding member protrudes onto one side of the semiconductor chip,
The method of manufacturing a semiconductor package in which the first portion of the bonding member is directly irradiated with the laser to form the connection terminal. 제 15 항에 있어서,
상기 기판과 상기 반도체 칩 사이에 제공되는 상기 접합 부재의 제 2 부분은 상기 레이저에 의해 가열된 상기 반도체 칩으로부터 열을 전달받아 상기 연결 단자를 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 15,
A method of manufacturing a semiconductor package, wherein a second portion of the bonding member provided between the substrate and the semiconductor chip receives heat from the semiconductor chip heated by the laser to form the connection terminal. 제 15 항에 있어서,
상기 레이저의 조사 시간은 1초 내지 10초인 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 15,
The method of manufacturing a semiconductor package in which the laser irradiation time is 1 second to 10 seconds. 제 15 항에 있어서,
상기 접합 소재는 열경화성 수지 및 경화제를 포함하되,
상기 접합 소재는 상기 레이저 조사 공정 시 경화되는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 15,
The bonding material includes a thermosetting resin and a curing agent,
The method of manufacturing a semiconductor package, wherein the bonding material is cured during the laser irradiation process. 제 15 항에 있어서,
상기 레이저 흡수제는 Acid Dyes, Natural Dyes, Basic Dyes, Cationic Dyes, Synthetic Dyes, Direct Dyes, substantive Dyes, Disperse Dyes, Sulfur Dyes, Pigment Dyes, Mordant Dyes, Vat Dyes, Reactive Dyes, Macromolecular Dyes, Metallized Dyes, Naphthol Dyes, Premetallized Dyes, Gel Dyeing, Developed Dyes, Azo Dyes, Aniline Dyes 및 Anthraquinone Dyes와 같은 염료, Rubber Carbon black, N234 Carbon black, N326 Carbon black, N339 Carbon black, SAF(super abrasion furnace) grade 762 Carbon black와 같은 고무용 탄소 물질, 또는 Electrical conductive Carbon black를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.
The method of claim 15,
The laser absorbers are Acid Dyes, Natural Dyes, Basic Dyes, Cationic Dyes, Synthetic Dyes, Direct Dyes, substantive Dyes, Disperse Dyes, Sulfur Dyes, Pigment Dyes, Mordant Dyes, Vat Dyes, Reactive Dyes, Macromolecular Dyes, Metallized Dyes, Naphthol Dyes, Premetallized Dyes, Gel Dyeing, Developed Dyes, Azo Dyes, Aniline Dyes, and dyes such as Anthraquinone Dyes, Rubber Carbon black, N234 Carbon black, N326 Carbon black, N339 Carbon black, SAF (super abrasion furnace) grade 762 Carbon black and A method of manufacturing a semiconductor package including the same rubber carbon material or electrical conductive carbon black.
KR1020200012746A 2019-02-20 2020-02-03 A method for manufacturing semiconductor package KR20200102350A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/795,009 US11488841B2 (en) 2019-02-20 2020-02-19 Method for manufacturing semiconductor package

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20190020126 2019-02-20
KR1020190020126 2019-02-20
KR20190058003 2019-05-17
KR1020190058003 2019-05-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200102350A true KR20200102350A (en) 2020-08-31

Family

ID=72234491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200012746A KR20200102350A (en) 2019-02-20 2020-02-03 A method for manufacturing semiconductor package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200102350A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6821878B2 (en) Area-array device assembly with pre-applied underfill layers on printed wiring board
KR102246076B1 (en) Method of fabricating a semiconductor package
US5925936A (en) Semiconductor device for face down bonding to a mounting substrate and a method of manufacturing the same
US11488841B2 (en) Method for manufacturing semiconductor package
JP3962449B2 (en) Method and structure for bonding substrates
US9960325B2 (en) Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same
US6541872B1 (en) Multi-layered adhesive for attaching a semiconductor die to a substrate
KR101232409B1 (en) Method of producing semiconductor device
US7713787B2 (en) Mounted body and method for manufacturing the same
EP2899244A1 (en) Anisotropic conductive adhesive and connection structure
CN104064483B (en) Semiconductor device and its manufacture method
CN101103449A (en) Method of connecting a semiconductor package to a printed wiring board
KR100327948B1 (en) How to assemble coated and fine metal wires and semiconductor devices using them
JP2004221169A (en) Semiconductor element protecting material and semiconductor device
CN101819939B (en) Chip attach adhesive to facilitate embedded chip build up and related systems and methods
KR20060123285A (en) Electronic packaging materials for use with low-k dielectric-containing semiconductor devices
KR20200102350A (en) A method for manufacturing semiconductor package
JP4366934B2 (en) Optical module and method of manufacturing the same
CA2221286A1 (en) Semiconductor unit package, semiconductor unit packaging method, and encapsulant for use in semiconductor unit packaging
JPH05218137A (en) Manufacture of semiconductor device
JP2002118147A (en) Method of mounting semiconductor chip to printed circuit board, and mounting sheet used for embodying the method
JPH09246325A (en) Semiconductor element mounting structure and manufacture thereof
JP3155811B2 (en) Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device
KR20210102817A (en) Bonding method using laser
CN111508854A (en) Preparation method of hybrid chip and hybrid chip

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application