KR20200091843A - Apparatus Having Direct Cooling Pathway for Cooling Power Semiconductor - Google Patents

Apparatus Having Direct Cooling Pathway for Cooling Power Semiconductor Download PDF

Info

Publication number
KR20200091843A
KR20200091843A KR1020200092410A KR20200092410A KR20200091843A KR 20200091843 A KR20200091843 A KR 20200091843A KR 1020200092410 A KR1020200092410 A KR 1020200092410A KR 20200092410 A KR20200092410 A KR 20200092410A KR 20200091843 A KR20200091843 A KR 20200091843A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling
power semiconductor
box
power
fluid
Prior art date
Application number
KR1020200092410A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102356681B1 (en
Inventor
박영섭
Original Assignee
현대모비스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020150141526A external-priority patent/KR102443261B1/en
Application filed by 현대모비스 주식회사 filed Critical 현대모비스 주식회사
Priority to KR1020200092410A priority Critical patent/KR102356681B1/en
Publication of KR20200091843A publication Critical patent/KR20200091843A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102356681B1 publication Critical patent/KR102356681B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/20218Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating using a liquid coolant without phase change in electronic enclosures
    • H05K7/20272Accessories for moving fluid, for expanding fluid, for connecting fluid conduits, for distributing fluid, for removing gas or for preventing leakage, e.g. pumps, tanks or manifolds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/20927Liquid coolant without phase change

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

Disclosed is a power semiconductor cooling device. According to an embodiment of the present disclosure, the power semiconductor cooling device for cooling a plurality of first power semiconductors arranged in a line and a plurality of second power semiconductors arranged in a line parallel to the first power semiconductors, comprises: a first cooling segment assembly including a plurality of first cooling segments including a first upper box arranged on an upper surface of the first power semiconductors and a first lower box arranged on a lower surface of the first power semiconductors; a second cooling segment assembly including a plurality of second cooling segments having a second upper box arranged on an upper surface of the second power semiconductors and a second lower box arranged on a lower surface of the second power semiconductors; an inlet tank connected to pass through one ends of the first and second upper boxes, and having a fluid introduced thereto; an outlet tank connected to pass through one ends of the first and second lower boxes, and having the fluid introduced thereto; and a connection tank connected to pass through the other ends of the first and second upper boxes and the first and second lower boxes.

Description

직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치{Apparatus Having Direct Cooling Pathway for Cooling Power Semiconductor}Apparatus Having Direct Cooling Pathway for Cooling Power Semiconductor

본 개시는 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 냉매, 냉각수, 열교환매체 등과 같은 유체가 복수개의 전력반도체의 상면 및 저면에 각각 직접 접촉하여, 전력반도체의 핀 및 그 근접 주변을 제외한 전력반도체를 직접 접촉하여 냉각할 수 있게 한 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a power semiconductor cooling device having a direct cooling flow path. In more detail, a fluid such as a refrigerant, cooling water, heat exchange medium, etc. is in direct contact with the top and bottom surfaces of a plurality of power semiconductors, respectively, so that the power semiconductors can be cooled by directly contacting the power semiconductors except for the pins and their surroundings. It relates to a power semiconductor cooling device having a cooling channel.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 개시에 대한 배경정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information for the present disclosure and does not constitute a prior art.

일반적으로 가솔린, 디젤과 같이 화석연료를 동력원으로 사용하는 자동차와, 환경에 이롭고 자연에너지, 물(수소) 또는 전기에너지를 동력원으로 사용하는 친환경자동차(EFV: Environmentally Friendly Vehicle)가 있다.In general, there are automobiles using fossil fuels as a power source, such as gasoline and diesel, and environmentally friendly vehicles (EFVs) that are beneficial to the environment and use natural energy, water (hydrogen), or electric energy as a power source.

예컨대, 친환경자동차에는 하이브리드자동차(HEV)를 비롯하여, 플러그인 하이브리드(PHEV), 전기차(EV), 수소연료전지차(FCEV) 등이 있다.For example, eco-friendly vehicles include hybrid vehicles (HEV), plug-in hybrids (PHEV), electric vehicles (EV), and hydrogen fuel cell vehicles (FCEV).

이들 친환경자동차는 구동용 배터리의 높은 전압(예를 들면, 300V)과 전류의 전력을 이용하고, 이러한 전력을 모터에 공급되도록 조절하는 PCU(파워제어유닛: power control unit) 또는 파워모듈(power module)이 함께 장착된다.These eco-friendly vehicles use high voltage (for example, 300V) and current power of a driving battery, and PCU (power control unit) or power module (power module) that controls such power to be supplied to the motor. ) Are mounted together.

파워모듈은 인버터(inverter), 평활 콘덴서(smoothing condenser) 및 컨버터(converter) 등의 전기소자 또는 전력변환장치인 전력반도체를 포함한다. 전기소자 또는 전력반도체는 전력의 공급에 따라 열을 발생하기 때문에, 반드시 별도의 냉각수단이 필요한 실정이다. 특히 전력반도체 등과 같은 전력변환장치의 설계시에는 냉각 성능이 중요한 고려 요소이다.The power module includes an electric device such as an inverter, a smoothing condenser, and a converter, or a power semiconductor that is a power converter. Since an electric element or a power semiconductor generates heat according to the supply of electric power, a separate cooling means is necessarily required. In particular, when designing a power conversion device such as a power semiconductor, cooling performance is an important factor.

이와 관련 종래 기술로서 자동차 분야의 파워모듈용 냉각수단에서는 전기소자의 단면만을 냉각시키는 수단 또는 혹은 전기소자의 양면을 냉각시키는 수단이 사용된 바 있다.As a related art, in the cooling means for power modules in the automobile field, a means for cooling only one end of an electric element or a means for cooling both sides of an electric element has been used.

예컨대, 종래 기술의 전기소자 냉각용 열교환기는 냉매, 냉각수 또는 열교환매체 등의 유체가 유동되도록 서로 마주보는 한 쌍의 플레이트가 내부에 공간부를 형성하며, 전기소자의 높이방향으로 일측면에 배치되는 제1튜브와, 타측면에 배치되는 제2튜브와, 길이방향으로 일측에서 제1튜브의 일부영역과 연통 형성되는 입구부와, 길이방향으로 일측에서 제2튜브의 일부영역과 연통 형성되는 출구부와, 제1튜브 및 제2튜브가 서로 연통되도록 연결하는 연결부를 포함하여 형성된다.For example, in the prior art heat exchanger for cooling an electric element, a pair of plates facing each other so that a fluid such as a refrigerant, cooling water, or a heat exchange medium flows, forms a space therein, and is disposed on one side in the height direction of the electric element. One tube, a second tube disposed on the other side, an inlet portion formed in communication with a partial region of the first tube on one side in the longitudinal direction, and an outlet portion formed in communication with a partial region of the second tube on one side in the longitudinal direction. And, the first tube and the second tube is formed to include a connecting portion connecting to communicate with each other.

그런데, 종래 기술에서는 유체가 제1튜브 및 제2튜브의 내부 공간을 따라 유동하고, 이때, 유체의 냉열 또는 전기소자의 온열이 제1튜브 또는 제2튜브의 벽을 통해 간접냉각방식으로 열교환을 수행하고 있다.By the way, in the prior art, the fluid flows along the inner spaces of the first tube and the second tube, and at this time, the heat of cooling of the fluid or the heat of the electric element exchanges heat indirectly through the walls of the first tube or the second tube. I am doing.

즉, 종래 기술의 전기소자 냉각용 열교환기는 전기소자와 접촉되는 튜브 외표면에 써멀그리스 도포공정(thermal grease coating process)이 필요하여 생산성이 매우 저하되는 단점이 있다.That is, the heat exchanger for cooling an electric element of the prior art requires a thermal grease coating process on the outer surface of the tube in contact with the electric element, and thus has a disadvantage in that productivity is very low.

또한, 종래 기술의 전기소자 냉각용 열교환기는 제1튜브 또는 제2튜브 각각 2개의 튜브 벽(상부벽, 하부벽)이 전기소자의 상면 및 저면에 형성되기 때문에, 열교환기 전체의 두께가 상대적으로 증가되는 단점이 있다. In addition, the heat exchanger for cooling an electric element of the prior art has two tube walls (upper wall and lower wall) on the first tube and the second tube, respectively, and is formed on the upper and lower surfaces of the electric device, so that the overall thickness of the heat exchanger is relatively There is an increased drawback.

또한, 종래 기술의 전기소자 냉각용 열교환기는 간접냉각방식으로 인하여 열교환 효율이 상대적으로 떨어지고, 복수개의 전기소자들이 하나의 몸체를 이루도록 패키징화되는 기술에서는 전기소자 각각의 냉각성능뿐만 아니라 전기소자 및 하우징으로 이루어진 패키지 전체에서 냉각효율이 상대적으로 떨어지는 단점이 있다.In addition, in the prior art heat exchanger for cooling an electric element, the heat exchange efficiency is relatively low due to the indirect cooling method, and in a technique in which a plurality of electric elements are packaged to form one body, not only the cooling performance of each electric element, but also the electric element and housing There is a disadvantage in that the cooling efficiency is relatively low in the entire package made of.

또한, 종래 기술의 전기소자 냉각용 열교환기는 제1튜브와 제2튜브의 사이에 전력반도체 등의 전기소자를 끼워 넣은 후 상호 압착하기 때문에 제1튜브 또는 제2튜부의 변형이 일어나고, 이에 따라 품질문제가 발생할 가능성이 매우 크다.In addition, the heat exchanger for cooling the electric element of the prior art inserts an electric element such as a power semiconductor between the first tube and the second tube, and then compresses the first tube or the second tube so that the deformation occurs. It is very likely that problems will occur.

또한, 종래 기술의 전기소자 냉각용 열교환기는 열교환기와 전기소자간 조립공정에서 전기소자인 전력반도체의 핀을 인쇄회로기판(PCB)의 접속시킬 때, 핀의 정위치를 잡기가 힘들고, 이로 인하여 별도의 핀 정렬 공정이 추가되고, 이로 인하여 조립, 품질문제 해결 및 정위치에 따른 별도 핀 정렬 공정 등과 같이 인쇄회로기판 조립공정의 사이클 타임이 늘어나기 때문에 생산성이 상대적으로 낮은 실정이다.In addition, the heat exchanger for cooling an electric element of the prior art is difficult to grasp the pin's exact position when a pin of a power semiconductor, which is an electric element, is connected to a printed circuit board (PCB) in an assembly process between the heat exchanger and the electric element, thereby making it difficult The pin alignment process of is added, and as a result, the cycle time of the assembly process of the printed circuit board is increased, such as assembly, quality problem solving, and separate pin alignment process according to the position, so productivity is relatively low.

또한, 종래 기술의 전기소자 냉각용 열교환기는 전기소자 또는 전력반도체의 개수에 대응한 튜브의 길이가 미리 정해져 있으므로, 전기소자 또는 전력반도체의 개수 감소 또는 증가에 따라 별도의 튜브 제작이 이루어져야 하여 범용성이 매우 떨어지는 단점이 있다.In addition, since the length of the tube corresponding to the number of electric elements or power semiconductors is predetermined, the heat exchanger for cooling the electric elements of the prior art has to be manufactured in a separate tube according to the decrease or increase in the number of electric elements or power semiconductors. It has a very poor drawback.

본 개시 목적은, 상기와 같은 실정을 감안하여 제안된 것으로, 전력반도체의 상면 및 저면을 기반으로 부착되어 내부의 유체를 전력반도체의 상면 및 저면에 직접 접촉시켜 냉각하는 다수의 냉각세그먼트(cooling segment)를 제공함으로써, 써멀그리스 도포공정을 제거하여 생산성을 높일 수 있는 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치를 제공하는 데 있다.The object of the present disclosure is proposed in view of the above circumstances, and is attached on the basis of the upper and lower surfaces of the power semiconductor, so that a plurality of cooling segments (cooling segments) are attached to cool the fluid inside by directly contacting the upper and lower surfaces of the power semiconductor. It is to provide a power semiconductor cooling device having a direct cooling channel that can increase the productivity by removing the thermal grease coating process by providing ).

본 개시의 일 실시예에 의하면, 일렬로 배치된 복수의 제1전력반도체 및 복수의 제1전력반도체와 나란히 일렬로 배치되는 복수의 제2전력반도체를 냉각하기 위한 전력반도체 냉각 장치에 있어서, 복수의 제1전력반도체의 상면 상에 배치되는 제1상부박스 및 복수의 제1전력반도체의 저면 상에 배치되는 제1하부박스를 구비하는 복수의 제1냉각세그먼트를 포함하는 제1냉각세그먼트 조립체; 복수의 제2전력반도체의 상면 상에 배치되는 제2상부박스 및 복수의 제2전력반도체의 하면 상에 배치되는 제2하부박스를 구비하는 복수의 제2냉각세그먼트를 포함하는 제2냉각세그먼트 조립체; 제1상부박스의 일측 단부 및 제2상부박스의 일측 단부에 관통하게 연결되며, 유체가 유입되는 입구탱크; 제1하부박스의 일측 단부 및 제2하부박스의 일측 단부에 관통하게 연결되며, 유체가 배출되는 출구탱크; 및 제1상부박스, 제2상부박스, 제1하부박스, 및 제2하부박스 각각의 타측 단부에 관통하게 연결되는 연결탱크를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 냉각 장치를 제공한다.According to an embodiment of the present disclosure, in a power semiconductor cooling apparatus for cooling a plurality of first power semiconductors arranged in a line and a plurality of second power semiconductors arranged in parallel with the plurality of first power semiconductors, the plurality of A first cooling segment assembly including a plurality of first cooling segments having a first upper box disposed on an upper surface of the first power semiconductor and a first lower box disposed on a bottom surface of the plurality of first power semiconductors; A second cooling segment assembly comprising a plurality of second cooling segments having a second upper box disposed on the upper surface of the plurality of second power semiconductors and a second lower box disposed on the lower surface of the plurality of second power semiconductors ; An inlet tank connected to one end of the first upper box and one end of the second upper box and through which fluid is introduced; An outlet tank that is connected to one end of the first lower box and one end of the second lower box and through which the fluid is discharged; And it provides a power semiconductor cooling device, characterized in that it comprises a first upper box, the second upper box, the first lower box, and a connection tank connected to the other end of each of the second lower box through.

본 개시에 의한 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치는, 전력반도체의 상부와 저부를 덮고 있고 내부에 냉매, 냉각수, 열교환매체 등과 같은 유체를 유동시킬 수 있는 복수개의 냉각세그먼트들을 직접냉각유로의 방향을 따라 서로 조립함으로써, 유체의 냉열 또는 전력반도체의 온열간 직접 열교환을 수행함으로써 열교환 효율을 상대적으로 증대시킬 수 있는 장점이 있다.Power semiconductor cooling apparatus having a direct cooling flow path according to the present disclosure, covers a top and a bottom of the power semiconductor, and directs a plurality of cooling segments capable of flowing a fluid such as a refrigerant, cooling water, heat exchange medium, etc. in the direction of the direct cooling flow path. By assembling with each other according to, there is an advantage that the heat exchange efficiency can be relatively increased by performing direct heat exchange between the heat of the fluid or the heat of the power semiconductor.

또한, 본 개시의 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치는, 기존의 튜브를 이용한 열교환장치에서 튜브의 외표면과 전력반도체의 외표면 사이에 이루어지는 써멀그리스 도포공정을 제거함으로써 생산성을 증대시킬 수 있다.In addition, the power semiconductor cooling apparatus having a direct cooling flow path of the present disclosure can increase productivity by removing a thermal grease coating process between the outer surface of the tube and the outer surface of the power semiconductor in a heat exchanger using an existing tube. .

또한, 본 개시의 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치는, 냉각세그먼트에서 박스 저면이 개방된 상부박스와, 박스 상면이 개방된 하부박스가 전력반도체의 상면 또는 저면에 직접 부착되어 덮는 구조를 형성함으로써, 기존에 비하여 전력반도체를 개재한 상태의 장치의 두께를 상대적으로 줄여서 컴팩트한 장치 구조를 구현할 수 있는 장점이 있다.In addition, the power semiconductor cooling apparatus having a direct cooling flow path of the present disclosure forms a structure in which an upper box with an open bottom of the box and a lower box with an open top of the box are directly attached to the top or bottom of the power semiconductor in a cooling segment. By doing so, there is an advantage in that a compact device structure can be realized by relatively reducing the thickness of a device with a power semiconductor interposed therebetween.

또한, 본 개시의 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치는, 직접냉각방식의 열교환을 수행함으로써, 열교환 효율이 상대적으로 매우 높고, 이로 인하여, 전력반도체를 다수로 구비한 패키지 모듈의 전체 냉각효율도 증대시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, the power semiconductor cooling device having a direct cooling flow path of the present disclosure, the heat exchange efficiency is relatively very high, by performing the heat exchange of the direct cooling method, thereby, the overall cooling efficiency of the package module having a large number of power semiconductors There is an advantage that can be increased.

또한, 본 개시의 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치는, 냉각세그먼트가 직접 전력반도체에 부착되는 방식이면서, 사각링형의 제 1 오링(O-ring) 또는 제 2 오링이 냉각세그먼트의 상부박스의 저면 테두리 또는 하부박스의 상면 테두리 각각의 플랜지부의 안착홈에 설치되어서, 유체가 냉각세그먼트 외부로 누수되지 않게 기밀을 유지할 수 있고, 기존처럼 전력반도체 쪽으로 압착되지 않기 때문에 품질문제의 발생 가능성을 미연에 차단할 수 있다.In addition, the power semiconductor cooling apparatus having a direct cooling flow path of the present disclosure is a method in which the cooling segment is directly attached to the power semiconductor, and the first O-ring or the second O-ring of the square ring type is the upper box of the cooling segment. Since it is installed in the seating groove of each flange of the bottom edge or the upper edge of the lower box, it is possible to maintain the airtightness so that the fluid does not leak outside the cooling segment, and the possibility of quality problems is unknown because it is not compressed to the power semiconductor as before. To cut off.

또한, 본 개시의 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치는, 복수개의 냉각세그먼트와, 입구탱크와, 출구탱크 및 연결탱크에 각각 관통하게 연결되어서, 냉각세그먼트의 간격에 대응하게 해당 냉각세그먼트에 개재된 전력반도체의 간격이 일정하게 유지됨으로써, 전력반도체의 핀을 인쇄회로기판(PCB)에 접속시킬 때, 용이하게 핀의 정위치를 잡을 수 있으므로, 별도의 핀 정렬 공정이 필요 없으므로, 인쇄회로기판 조립공정의 사이클 타임을 상대적으로 줄여서 생산성을 극대화할 수 있다.In addition, the power semiconductor cooling device having a direct cooling flow path of the present disclosure is connected to a plurality of cooling segments, an inlet tank, an outlet tank, and a connecting tank, respectively, and intervenes in the cooling segment corresponding to the interval of the cooling segment. Since the spacing of the power semiconductors is kept constant, when the pins of the power semiconductors are connected to the printed circuit board (PCB), the pins can be easily positioned, so no separate pin alignment process is required, so the printed circuit board Productivity can be maximized by relatively shortening the cycle time of the assembly process.

또한, 본 개시의 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치는, 냉각세그먼트가 모듈화되어서 서로 연결되는 구조이므로, 전력반도체의 개수 감소 또는 증가에 따라 사이즈가 큰 냉각세그먼트를 제작할 필요 없이 냉각세그먼트의 개수를 용이하게 감소 또는 증대시킬 수 있어서, 확장성 및 범용성이 매우 뛰어난 장점이 있다.In addition, the power semiconductor cooling device having a direct cooling flow path of the present disclosure has a structure in which cooling segments are modularized and connected to each other, so that the number of cooling segments can be increased without the need to manufacture a large sized cooling segment as the number of power semiconductors decreases or increases. Since it can be easily reduced or increased, it has the advantage of excellent scalability and versatility.

도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 냉각세그먼트의 분해 사시도.
도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 냉각세그먼트의 결합관계를 설명하기 위한 사시도.
도 5는 도 3에 도시된 냉각세그먼트와 입구탱크와 출구탱크 및 연결탱크의 결합관계를 설명하기 위한 사시도.
도 6은 도 5에 도시된 선 A-A'의 단면도.
1 is a perspective view of a power semiconductor cooling device having a direct cooling flow path according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 2 is an exploded perspective view of the cooling segment shown in Figure 1;
3 and 4 are perspective views for explaining the coupling relationship of the cooling segment shown in FIG.
5 is a perspective view for explaining a coupling relationship between the cooling segment shown in FIG. 3, the inlet tank, the outlet tank, and the connecting tank.
6 is a cross-sectional view of line A-A' shown in FIG. 5;

이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present disclosure will be described in detail through exemplary drawings. It should be noted that in adding reference numerals to the components of each drawing, the same components have the same reference numerals as possible, even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present disclosure, when it is determined that a detailed description of related known configurations or functions may obscure the subject matter of the present disclosure, the detailed description will be omitted.

본 개시에 따른 실시예의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, i), ii), a), b) 등의 부호를 사용할 수 있다. 이러한 부호는 그 구성요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 부호에 의해 해당 구성요소의 본질 또는 차례나 순서 등이 한정되지 않는다. 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함' 또는 '구비'한다고 할 때, 이는 명시적으로 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In describing the components of the embodiment according to the present disclosure, codes such as first, second, i), ii), a), and b) may be used. These symbols are only for distinguishing the components from other components, and the essence or order or order of the components is not limited by the symbols. When a part in the specification refers to'include' or'equipment' a component, this means that other components may be further included rather than excluding other components, unless explicitly stated to the contrary. .

도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치의 사시도이다.1 is a perspective view of a power semiconductor cooling apparatus having a direct cooling flow path according to an embodiment of the present disclosure.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치는 전력반도체(300)의 개수(예: 6개)에 대응하는 다수의 냉각세그먼트(cooling segment, 200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e), 입구탱크(inlet tank, 100), 출구탱크(outlet tank, 500), 연결탱크(connecting tank, 400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a power semiconductor cooling device having a direct cooling flow path in this embodiment includes a plurality of cooling segments (200, 200a, 200b, 200c, 200c) corresponding to the number of power semiconductors 300 (for example, 6). , 200d, 200e), an inlet tank (100), an outlet tank (outlet tank 500), and a connecting tank (connecting tank 400).

냉각세그먼트(200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e), 입구탱크(100), 출구탱크(500) 및 연결탱크(400)의 재질은 엔지지어링 플라스틱 또는 열응력에 의해 강한 합성수지, 성형이 용이한 금속 또는 비금속 중 어느 하나의 재질로 형성되어 있으며, 하기에 설명하는 형상으로 사출 성형되어 있다.Cooling segments (200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e), inlet tank 100, outlet tank 500, and connecting tank 400 are made of engineering plastics or synthetic resin that is strong by thermal stress, forming It is formed of any one of easy metal or non-metal, and is injection molded into a shape described below.

각 냉각세그먼트(200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e)는 그의 두께 방향의 중간 위치에 전력반도체(300)를 개재하여 하나의 몸체를 이루도록 제작 또는 조립되어 있다.Each cooling segment (200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e) is manufactured or assembled to form one body through the power semiconductor 300 at an intermediate position in its thickness direction.

각 전력반도체(300)는 각 냉각세그먼트(200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e)의 상부박스(upper box)와 하부박스(lower box)의 사이에 개재된다.Each power semiconductor 300 is interposed between the upper box and the lower box of each cooling segment (200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e).

각 냉각세그먼트(200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e)의 상부박스는 그의 저면이 개방되어 있고 전력반도체(300)의 상면에 접착되어 있다. 또한, 하부박스는 전력반도체(300)의 저면을 향하는 박스 상면이 개방되어 있고 전력반도체(300)의 저면에 접착되어 있다.The upper box of each cooling segment (200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e) has its bottom surface open and is adhered to the upper surface of the power semiconductor (300). In addition, the lower box has an open top of the box facing the bottom of the power semiconductor 300 and is adhered to the bottom of the power semiconductor 300.

입구탱크(100)는 일측에 배치된 냉각세그먼트(200, 200e)의 상부박스의 일측 단부에 관통하게 연결되며, 외부 열방출 장치(미 도시)로부터 유체를 유입 받고, 냉각세그먼트(200, 200e)의 상부박스의 내부 공간 쪽으로 유체를 공급 또는 분배하는 역할을 담당한다.The inlet tank 100 is penetrated to one end of the upper box of the cooling segments 200 and 200e arranged on one side, receives fluid from an external heat dissipation device (not shown), and the cooling segments 200 and 200e It is responsible for supplying or dispensing fluid toward the inner space of the upper box.

여기서, 유체는 외부 열방출 장치와 본 실시예 사이를 순환하는 냉매, 냉각수, 열교환매체, 상변화물질(PCM, Phase Change Material)은 물질의 상태가 변화하면서 많은 열을 흡수 또는 방출할 수 있는 물질을 의미한다. 상변화물질은 잠열까지 이용하기 때문에 열교환 효율이 다른 매체에 비해 상대적으로 월등할 수 있다.Here, the fluid is a refrigerant that circulates between the external heat dissipation device and the present embodiment, a coolant, a heat exchange medium, and a phase change material (PCM) that can absorb or release a lot of heat while the state of the material changes. Means Since the phase change material uses latent heat, the heat exchange efficiency may be superior to that of other media.

출구탱크(500)는 입구탱크(100)와 동일한 체적 또는 평면적을 가지고 있으며, 입구탱크(100)의 상부에 적층되어 있다.The outlet tank 500 has the same volume or plane area as the inlet tank 100, and is stacked on the top of the inlet tank 100.

출구탱크(500)는 일측에 배치된 냉각세그먼트(200, 200e)의 하부박스의 일측 단부에 관통하게 연결되며, 냉각세그먼트(200, 200e)의 하부박스의 내부 공간의 유체를 전달 받아서, 외부 열방출 장치 쪽으로 배출하는 역할을 담당한다.The outlet tank 500 is penetrated to one end of the lower box of the cooling segments 200 and 200e disposed on one side, and receives the fluid in the inner space of the lower box of the cooling segments 200 and 200e to receive external heat. It is responsible for discharging to the discharge device.

연결탱크(400)는 타측에 배치된 냉각세그먼트(200b, 200c)의 상부박스 및 하부박스 각각의 타측 단부에 관통하게 연결된다.The connecting tank 400 is connected to the other end of each of the upper and lower boxes of the cooling segments 200b and 200c disposed on the other side.

연결탱크(400)는 냉각세그먼트(200b)의 상부박스의 유체를 공급받은 후 동일 냉각세그먼트(200b)의 하부박스의 내부로 유체를 제공하는 역할을 담당한다.The connecting tank 400 serves to provide fluid to the inside of the lower box of the same cooling segment 200b after receiving the fluid of the upper box of the cooling segment 200b.

또한, 연결탱크(400)는 냉각세그먼트(200b)와 함께 병렬 연결 구조로 연결된 다른 냉각세그먼트(200c)의 상부박스의 유체를 공급받은 후 해당 냉각세그먼트(200c)의 하부박스의 내부로 유체를 제공하는 역할을 담당한다.In addition, the connection tank 400 is supplied with the fluid of the upper box of the other cooling segment (200c) connected in a parallel connection structure with the cooling segment (200b) and provides fluid to the interior of the lower box of the cooling segment (200c) Plays a role.

즉, 복수의 냉각세그먼트(200b, 200c) 각각의 상부박스의 유체는 연결탱크(400)의 내부에서 섞일 수 있고, 이후 냉각세그먼트(200b, 200c) 각각의 하부박스의 내부로 유동될 수 있다.That is, the fluid of the upper box of each of the plurality of cooling segments 200b and 200c may be mixed in the interior of the connection tank 400, and then flowed into the lower box of each of the cooling segments 200b and 200c.

다시 말해, 제1상부박스(210A) 및 제2상부박스(210B)로부터 연결탱크(400)로 유입된 유체는 연결탱크(400) 내에서 혼합될 수 있으며, 연결탱크(400) 내에서 혼합된 유체는 연결탱크(400)로부터 제1하부박스(240A) 및 제2하부박스(240B)로 유입될 수 있다.In other words, the fluid flowing into the connecting tank 400 from the first upper box 210A and the second upper box 210B may be mixed in the connecting tank 400, and mixed in the connecting tank 400. The fluid may be introduced into the first lower box 240A and the second lower box 240B from the connection tank 400.

이러한 냉각세그먼트(200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e)들은 전력반도체(power semiconductor, 300)의 개수별로 서로 연결되어서, 입구탱크(100)와 연결탱크(400)의 사이 또는 출구탱크(500)와 연결탱크(400)의 사이에 직접냉각유로를 형성하고, 유체가 전력반도체(300)의 상면 및 저면에 직접 접촉하여, 전력반도체(300)를 냉각하게 된다.These cooling segments (200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e) are connected to each other by the number of power semiconductors (power semiconductor, 300), between the inlet tank 100 and the connecting tank 400 or the outlet tank 500 ) To form a direct cooling flow path between the connecting tank 400, and the fluid directly contacts the upper and lower surfaces of the power semiconductor 300 to cool the power semiconductor 300.

냉각세그먼트(200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e)들은 전력반도체(300)별로 개별 제작된 후 배관 연결 방식으로 서로 관통하게 조립된다.The cooling segments 200, 200a, 200b, 200c, 200d, and 200e are individually manufactured for each power semiconductor 300 and then assembled to penetrate each other through a pipe connection method.

이러한 조립이 가능하도록 각 냉각세그먼트(200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e)들은 도 2에 도시된 구성 및 결합관계를 갖는다.Each of the cooling segments (200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e) has the configuration and coupling relationship shown in Figure 2 to enable this assembly.

도 2에서는 설명의 용이성을 위해서 하나의 냉각세그먼트(200)를 기준으로 그의 세부 구성 및 결합관계가 설명되고, 이러한 설명은 다른 모든 냉각세그먼트(200a, 200b, 200c, 200d, 200e)에 동일하게 적용될 수 있다.In FIG. 2, for ease of explanation, detailed configuration and coupling relations of one cooling segment 200 are described based on the cooling segment 200, and this description is equally applied to all other cooling segments 200a, 200b, 200c, 200d, and 200e. Can.

한편, 전력반도체(300)는 일렬로 배치된 복수의 제1전력반도체(first power semiconductor, 300A) 및 복수의 제1전력반도체(300A)와 나란히 일렬로 배치되는 복수의 제2전력반도체(second power semiconductor, 300B)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the power semiconductor 300 includes a plurality of first power semiconductors 300A and a plurality of second power semiconductors arranged in parallel with the plurality of first power semiconductors 300A. semiconductor, 300B).

또한, 복수의 냉각세그먼트(200)는 제1냉각세그먼트 조립체(first cooling segment assembly, 20A) 및 제2냉각세그먼트 조립체(second cooling segment assembly, 20B)를 구성할 수 있다.Further, the plurality of cooling segments 200 may constitute a first cooling segment assembly (20A) and a second cooling segment assembly (second cooling segment assembly, 20B).

제1냉각세그먼트 조립체(20A)는 복수의 제1전력반도체(300A)의 상면 상에 배치되는 제1상부박스(210A) 및 상기 복수의 제1전력반도체(300A)의 저면 상에 배치되는 제1하부박스(240A)를 구비하는 복수의 제1냉각세그먼트(21A)를 포함할 수 있다.The first cooling segment assembly 20A includes a first upper box 210A disposed on an upper surface of a plurality of first power semiconductors 300A, and a first disposed on a bottom surface of the plurality of first power semiconductors 300A. A plurality of first cooling segments 21A having a lower box 240A may be included.

제2냉각세그먼트 조립체(20B)는 복수의 제2전력반도체(300B)의 상면 상에 배치되는 제2상부박스(210B) 및 복수의 제2전력반도체(300B)의 하면 상에 배치되는 제2하부박스(240B)를 구비하는 복수의 제2냉각세그먼트(21B)를 포함할 수 있다.The second cooling segment assembly 20B includes a second upper box 210B disposed on an upper surface of a plurality of second power semiconductors 300B and a second lower portion disposed on a lower surface of the plurality of second power semiconductors 300B. A plurality of second cooling segments 21B including the box 240B may be included.

제1냉각세그먼트 조립체(20A) 및 제2냉각세그먼트 조립체(20B)는 서로 병렬로 배치될 수 있다.The first cooling segment assembly 20A and the second cooling segment assembly 20B may be arranged in parallel with each other.

도 2는 도 1에 도시된 냉각세그먼트의 분해 사시도이다.FIG. 2 is an exploded perspective view of the cooling segment shown in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 냉각세그먼트(200)는 대략 전력반도체(300)를 기준으로 상측 또는 하측에 배치되는 구성으로서 상부박스(210) 및 하부박스(240)를 포함한다. 상부박스(210) 및 하부박스(240)는 플라스틱 재질 등으로 성형된 사출 성형(injection modling) 구조물일 수 있다.Referring to FIG. 2, the cooling segment 200 is configured to be disposed on the upper side or the lower side based on the power semiconductor 300, and includes the upper box 210 and the lower box 240. The upper box 210 and the lower box 240 may be injection molding structures formed of a plastic material or the like.

상부박스(210)는 측면 및 상면이 폐쇄되어 있으며, 저면이 개방되어 있는 사각 박스 구조물 형태의 제 1 중공몸체(213)를 갖는다. 여기서, 제 1 중공몸체(213)의 내부에는 유체가 채워지거나 유동하는 유체 저장 공간이 형성된다.The upper box 210 has a first hollow body 213 in the form of a rectangular box structure with side and top surfaces closed and a bottom surface open. Here, a fluid storage space in which a fluid is filled or flows is formed inside the first hollow body 213.

또한, 상부박스(210)는 상부박스(210)의 일측 단부에 해당하며, 제 1 중공몸체(213)의 일측면에 관통하게 형성되며, 상대적으로 직경이 작은 제 1 연결관(211)을 갖는다.In addition, the upper box 210 corresponds to one end of the upper box 210, is formed to penetrate through one side of the first hollow body 213, has a relatively small diameter of the first connecting pipe 211 .

또한, 상부박스(210)는 상부박스(210)의 타측 단부에 해당하며, 제 1 중공몸체(213)의 타측면에 관통하게 형성되며, 인접하는 다른 냉각세그먼트의 제 1 연결관이 삽입될 수 있는 내경의 내부에 정지턱(212a)을 형성한 제 2 연결관(212)을 갖는다.In addition, the upper box 210 corresponds to the other end of the upper box 210, is formed to penetrate the other side of the first hollow body 213, the first connecting tube of another adjacent cooling segment can be inserted It has a second connecting pipe 212 that forms a stop jaw 212a inside the inner diameter.

또한, 상부박스(210)는 제 1 중공몸체(213)의 저면 테두리에서 외측 방향으로 돌출되며, 저면 테두리를 따라 연장되어 있으며, 저면에 안착홈이 형성되며, 안착홈이 형성된 곳을 제외한 저면이 전력반도체(300)의 상면(301)에 접착되는 제 1 플랜지부(214)를 갖는다.In addition, the upper box 210 protrudes outward from the bottom edge of the first hollow body 213, extends along the bottom edge, and has a seating groove on the bottom, and a bottom surface except where the seating groove is formed. It has a first flange portion 214 adhered to the upper surface 301 of the power semiconductor (300).

또한, 상부박스(210)는 제 1 플랜지부(214)의 안착홈에 결합되는 제 1 오링(O-ring, 220)을 포함한다.In addition, the upper box 210 includes a first O-ring (220) coupled to the seating groove of the first flange portion 214.

하부박스(240)는 측면 및 저면이 폐쇄되어 있으며, 상면이 개방되어 있는 사각 박스 구조물 형태의 제 2 중공몸체(243)를 갖는다. 여기서, 제 2 중공몸체(243)의 내부에는 유체가 채워지거나 유동하는 유체 저장 공간이 형성된다.The lower box 240 has a second hollow body 243 in the form of a square box structure with side and bottom surfaces closed and an upper surface open. Here, a fluid storage space in which a fluid is filled or flows is formed inside the second hollow body 243.

또한, 하부박스(240)는 하부박스(240)의 일측 단부에 해당하며, 제 2 중공몸체(243)의 일측면에 관통하게 형성되며, 상대적으로 직경이 작은 제 3 연결관(241)을 갖는다. 여기서, 제 3 연결관(241)은 제 1 연결관(211)에 비교할 때 동일 사이즈, 직경(외경) 및 내경을 갖는다.In addition, the lower box 240 corresponds to one end of the lower box 240, is formed to penetrate through one side of the second hollow body 243, has a relatively small diameter of the third connector (241) . Here, the third connector 241 has the same size, diameter (outer diameter), and inner diameter as compared to the first connector 211.

또한, 하부박스(240)는 하부박스(240)의 타측 단부에 해당하며, 제 2 중공몸체(243)의 타측면에 관통하게 형성되며, 인접하는 다른 냉각세그먼트의 제 3 연결관이 삽입될 수 있는 내경의 내부에 정지턱(242a)을 형성한 제 4 연결관(242)을 갖는다. 여기서, 제 4 연결관(242)은 제 2 연결관(212)에 비교할 때 동일 사이즈, 외경 및 내경을 갖는다.In addition, the lower box 240 corresponds to the other end of the lower box 240, is formed to penetrate the other side of the second hollow body 243, the third connecting tube of the other adjacent cooling segment can be inserted It has a fourth connecting pipe 242 formed with a stopper 242a inside the inner diameter. Here, the fourth connector 242 has the same size, outer diameter, and inner diameter as compared to the second connector 212.

정지턱(242a)은 인접하는 다른 냉각세그먼트의 제 3 연결관의 끝단과 접촉하여, 제 3 연결관의 삽입 깊이를 미리 정한 범위 내에서 일정하게 유지시키는 역할을 담당한다.The stop jaw 242a is in contact with the end of the third connecting tube of another adjacent cooling segment, and serves to keep the insertion depth of the third connecting tube constant within a predetermined range.

이를 위해 모든 정지턱(212a, 242a)의 내경은 제 1 연결관 또는 제 3 연결관의 내경과 일치되는 크기의 내경을 갖는다. 따라서, 연결관 내부에서의 유체의 유동 손실이 없거나 상대적으로 매우 적을 수 있다.To this end, the inner diameters of all the stop jaws 212a and 242a have an inner diameter sized to match the inner diameter of the first or third connector. Therefore, there may be no or relatively little flow loss of fluid inside the connector.

또한, 하부박스(240)는 제 2 중공몸체(243)의 상면 테두리에서 외측 방향으로 돌출되며, 상면 테두리를 따라 연장되어 있으며, 상면에 안착홈(245)이 형성되며, 안착홈(245)이 형성된 곳을 제외한 상면이 전력반도체(300)의 저면(303)에 접착되는 제 2 플랜지부(244)를 갖는다.In addition, the lower box 240 protrudes outward from the upper rim of the second hollow body 243, extends along the upper rim, a seating groove 245 is formed on the upper face, and a seating groove 245 is provided. The upper surface, except where it is formed, has a second flange portion 244 that is bonded to the bottom surface 303 of the power semiconductor 300.

또한, 하부박스(240)는 제 2 플랜지부(244)의 안착홈(245)에 결합되는 제 2 오링(230)을 갖는다.In addition, the lower box 240 has a second O-ring 230 coupled to the seating groove 245 of the second flange portion 244.

이러한 하부박스(240)는 상부박스(210)에 대하여 상하 대칭으로 형성되어 있다.The lower box 240 is formed symmetrically up and down with respect to the upper box 210.

제 1 오링(220) 및 제 2 오링(230)을 제외하고 제 1 플랜지부(214)의 저면 또는 제 2 플랜지부(244)의 상면은 접착제 수단, 초음파 융착 수단, 고주파 융착 수단 중 어느 하나에 의해서 전력반도체(300)의 해당 상면(301) 또는 저면(303)에 고정된다.Except for the first O-ring 220 and the second O-ring 230, the bottom surface of the first flange portion 214 or the top surface of the second flange portion 244 is attached to any one of adhesive means, ultrasonic welding means, and high-frequency welding means. It is fixed to the upper surface 301 or the lower surface 303 of the power semiconductor 300 by.

제 1 오링(220) 또는 제 2 오링(230)의 두께는 안착홈의 깊이 보다 상대적으로 더 크게 형성되며, 삽입 후 접착시에 발생되는 압착력에 의해 탄성 변형될 수 있다.The thickness of the first O-ring 220 or the second O-ring 230 is formed to be relatively larger than the depth of the seating groove, and may be elastically deformed by a pressing force generated during adhesion after insertion.

제 1 오링(220) 및 제 2 오링(230)은 고무링(rubber ring), 씰링(sealing), 개스킷(gasket) 등을 통칭할 수 있다.The first O-ring 220 and the second O-ring 230 may collectively refer to a rubber ring, a sealing, a gasket, and the like.

제 1 오링(220) 및 제 2 오링(230)은 접착에도 불구하고 혹시 발생 가능한 누수 부위에서의 누수를 제 1 오링(220) 및 제 2 오링(230) 각각의 탄성지지 및 압착을 통해 방지하게 된다.The first O-ring 220 and the second O-ring 230 prevent leakage through the elastic support and crimping of the first O-ring 220 and the second O-ring 230, respectively, in spite of adhesion. do.

전력반도체(300)의 핀(302)은 제 1 연결관(211) 내지 제 4 연결관(242) 중 어느 하나의 연결관의 연결 방향에 수직한 방향을 기준으로 전력반도체(300)의 양측면에서 다수로 돌출되어 있다. 핀(302)은 전력반도체(300)의 몰드 내부의 회로에 접속되어 있다.Pins 302 of the power semiconductor 300 are on both sides of the power semiconductor 300 based on the direction perpendicular to the connection direction of any one of the first connector 211 to the fourth connector 242 It is protruding in large numbers. The pin 302 is connected to a circuit inside the mold of the power semiconductor 300.

전력반도체(300)의 핀(302)은 전력반도체(300)의 간격에 대응하게 접속 부위 또는 단자를 갖는 인쇄회로기판에 접속될 수 있다. 핀(302)은 복수개의 핀 형상부 또는 구멍을 갖는 터미널 형상부 등을 통칭할 수 있다.The pin 302 of the power semiconductor 300 may be connected to a printed circuit board having a connection portion or a terminal corresponding to an interval of the power semiconductor 300. The pin 302 may collectively be a pin-shaped portion or a terminal-shaped portion having a hole.

모든 연결관(211, 212, 241, 242)의 돌출 길이는 전력반도체(300)의 배치 간격에 따라 정해질 수 있으므로, 도 2 등에 도시된 길이보다 길게 또는 짧게 형성되어 있을 수 있다.Since the protruding lengths of all the connecting pipes 211, 212, 241, and 242 may be determined according to the arrangement interval of the power semiconductor 300, they may be formed to be longer or shorter than the length shown in FIG. 2 and the like.

모든 연결관(211, 212, 241, 242)의 외경 및 내경의 사이즈는 유체의 유동량 또는 냉각 성능을 고려하여 크게 또는 작게 성형될 수 있다.The size of the outer diameter and the inner diameter of all the connecting pipes 211, 212, 241, 242 can be formed to be large or small in consideration of the flow rate or cooling performance of the fluid.

도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 냉각세그먼트의 결합관계를 설명하기 위한 사시도이다.3 and 4 are perspective views for explaining the coupling relationship of the cooling segment shown in FIG. 2.

도 3 및 도 4를 참조하면, 냉각세그먼트(200, 200a)는 동일 사이즈 및 동일 형상을 가지고 있고, 제 1 연결관(211a)과 제 2 연결관(212)이 동일한 연결 방향 및 높이에 위치되며, 역시 제 3 연결관(241a)과 제 4 연결관(242)이 동일한 연결 방향 및 높이에 위치되어 있다.3 and 4, the cooling segments 200 and 200a have the same size and the same shape, and the first connection pipe 211a and the second connection pipe 212 are located in the same connection direction and height. , Also, the third connector 241a and the fourth connector 242 are located in the same connection direction and height.

따라서, 냉각세그먼트(200)와 인접하는 다른 냉각세그먼트(200a)들은 서로 대응하는 제 1 연결관(211a)과 제 2 연결관(212)을 서로 끼워맞춤으로 조립함과 동시에, 역시 서로 대응하는 제 3 연결관(241a)과 제 4 연결관(242)을 서로 끼워맞춤으로 조립하는 것만으로도, 도 4와 같이 직렬 연결 구조의 냉각세그먼트 조립체(200f)가 될 수 있다.Accordingly, the cooling segments 200 and the other cooling segments 200a adjacent to each other are assembled by fitting the first and second connectors 211a and 212 corresponding to each other, and at the same time, they also correspond to each other. Just by assembling the three connecting pipes 241a and the fourth connecting pipes 242 to fit each other, it can be a cooling segment assembly 200f having a series connection structure as shown in FIG. 4.

특히, 직렬 연결 구조의 냉각세그먼트 조립체(200f)에서는 냉각세그먼트(200)와 인접하는 다른 냉각세그먼트(200a)의 사이 간격이 일정하게 될 수 있다.In particular, in the cooling segment assembly 200f having a series connection structure, the interval between the cooling segment 200 and another adjacent cooling segment 200a may be constant.

따라서, 냉각세그먼트(200, 200a)에 탑재된 각 전력반도체(300)의 간격 또는 핀 간격도 일정하게 될 수 있고, 전력반도체(300)의 핀을 인쇄회로기판(미 도시)에 접속시킬 때, 용이하게 핀의 정위치를 잡을 수 있고, 별도의 핀 정렬 공정이 필요 없으므로, 인쇄회로기판 조립공정의 사이클 타임을 상대적으로 줄여서 생산성을 극대화할 수 있다.Accordingly, the spacing or pin spacing of each power semiconductor 300 mounted on the cooling segments 200 and 200a may also be constant, and when the pin of the power semiconductor 300 is connected to a printed circuit board (not shown), Since pins can be easily positioned and a separate pin alignment process is not required, productivity can be maximized by relatively shortening the cycle time of the printed circuit board assembly process.

도 5는 도 3에 도시된 냉각세그먼트와 입구탱크와 출구탱크 및 연결탱크의 결합관계를 설명하기 위한 사시도이고, 도 6은 도 5에 도시된 선 A-A'의 단면도이다.5 is a perspective view for explaining a coupling relationship between the cooling segment shown in FIG. 3, the inlet tank, the outlet tank, and the connecting tank, and FIG. 6 is a cross-sectional view of line A-A' shown in FIG.

도 5를 참조하면, 각각 직렬 연결 구조를 갖는 냉각세그먼트 조립체(200f, 200g)는 도 3 및 도 4에 도시된 결합 과정의 반복을 통해서 다수(예: 2개의 열)로 제작될 수 있다.Referring to FIG. 5, the cooling segment assemblies 200f and 200g each having a series connection structure may be manufactured in a plurality (for example, two rows) through repetition of the bonding process illustrated in FIGS. 3 and 4.

즉, 냉각세그먼트(200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e)는 직렬로 서로 연결되어 각각 직렬 연결 구조의 냉각세그먼트 조립체(200f, 200g)가 되고, 이러한 냉각세그먼트 조립체(200f, 200g)는 입구탱크(100)와 연결탱크(400)의 사이 또는 출구탱크(500)와 연결탱크(400)의 사이에서 이격 배치되어 병렬 연결 구조를 형성하면서, 유체를 유동시킬 수 있도록 연결되어 있을 수 있다.That is, the cooling segments 200, 200a, 200b, 200c, 200d, and 200e are connected to each other in series to become cooling segment assemblies 200f and 200g of a series connection structure, and the cooling segment assemblies 200f and 200g are inlets It may be connected between the tank 100 and the connecting tank 400 or between the outlet tank 500 and the connecting tank 400 to form a parallel connection structure, allowing fluid to flow.

이를 위해서, 입구탱크(100)는 유체가 유입되는 유입관(113)과, 냉각세그먼트(200, 200e)의 제 1 연결관(211, 211e)에 배관되는 복수개의 제 1 피팅부(111, 112)를 갖는다.To this end, the inlet tank 100 includes a plurality of first fitting parts 111 and 112 that are piped to the inlet pipe 113 through which fluid flows and the first connecting pipes 211 and 211e of the cooling segments 200 and 200e. ).

또한, 입구탱크(100)는 유입관(113)과 제 1 피팅부(111, 112)의 사이에 관통하게 연결되며, 유입된 유체를 제 1 피팅부(111, 112) 쪽으로 분배하는 내부 체적을 갖는 제 1 분배헤더(first distribution header, 110)를 포함한다.In addition, the inlet tank 100 is connected to penetrate between the inlet pipe 113 and the first fitting parts 111 and 112, and an internal volume for distributing the introduced fluid toward the first fitting parts 111 and 112 is provided. It has a first distribution header (110).

출구탱크(500)도 제 2 분배헤더(second distribution header, 510)를 포함한다. 제 2 분배헤더(510)는 제 1 분배헤더(110)에 비교하여 동일한 체적, 형상을 가질 수 있고, 제 1 분배헤더(110)의 아래에 적층될 수 있다.The outlet tank 500 also includes a second distribution header (510). The second distribution header 510 may have the same volume and shape as compared to the first distribution header 110 and may be stacked under the first distribution header 110.

제 2 분배헤더(510)와 제 1 분배헤더(110)의 경계에는 열차단용 인슐레이션패드(미 도시)가 개재되어 있거나, 공기층 혹은 열차단 재질의 접착제층이 형성되어 있을 수 있다. 절연패드(insulation pad), 공기층, 접착제층 등은 제 2 분배헤더(510)와 제 1 분배헤더(110)의 열교환을 차단하는 효율적인 수단일 수 있다.At the boundary between the second distribution header 510 and the first distribution header 110, an insulation pad (not shown) for a thermal barrier may be interposed, or an adhesive layer of an air layer or a thermal barrier material may be formed. An insulation pad, an air layer, an adhesive layer, etc. may be an effective means of blocking heat exchange between the second distribution header 510 and the first distribution header 110.

출구탱크(500)는 유체가 배출되는 배출관(513)과, 냉각세그먼트(200, 200e)의 제 3 연결관(241, 241e)에 배관되는 복수개의 제 2 피팅부(511, 512)를 갖는다.The outlet tank 500 has a discharge pipe 513 through which fluid is discharged, and a plurality of second fitting portions 511 and 512 piped to the third connecting pipes 241 and 241e of the cooling segments 200 and 200e.

또한, 출구탱크(500)의 제 2 분배헤더(510)는 배출관(513)과 제 2 피팅부(511, 512)의 사이에 형성되며, 제 2 분배헤더(510)의 내부의 유체를 배출관(513) 쪽으로 배출하는 내부 체적을 갖는다.In addition, the second distribution header 510 of the outlet tank 500 is formed between the discharge pipe 513 and the second fitting parts 511 and 512, and discharges the fluid inside the second distribution header 510 ( 513).

본 실시예의 평면을 기준으로 입구탱크(100)의 유입관(113)은 출구탱크(500)의 배출관(513)에 비하여 편심되게 배치되어서 유입관(113) 또는 배출관(513)에 연결할 호스(미 도시)의 연결을 용이하게 할 수 있다.The inlet pipe 113 of the inlet tank 100 based on the plane of the present embodiment is disposed eccentrically compared to the outlet pipe 513 of the outlet tank 500 so that the hose connected to the inlet pipe 113 or the outlet pipe 513 (not shown) City).

연결탱크(400)는 입구탱크(100) 및 출구탱크(500)의 반대쪽, 즉 타측에 배치된 냉각세그먼트(200b, 200c)의 상부박스의 유체를 전달받아서 동일 냉각세그먼트(200b, 200c)의 하부박스의 내부로 공급하는 역할을 담당한다.Connection tank 400 receives the fluid of the upper box of the cooling segment (200b, 200c) disposed on the other side of the inlet tank 100 and the outlet tank 500, that is, the lower portion of the same cooling segment (200b, 200c) It is responsible for supplying the inside of the box.

이를 위해서, 연결탱크(400)는 상부박스의 유체를 공급받거나, 유체를 하부박스 쪽으로 공급하기 위한 내부 체적을 갖는 제 3 분배헤더(410)와, 냉각세그먼트(200b, 200c)를 향하는 제 3 분배헤더(410)의 측면에 형성되며, 제 2 연결관(212b, 212c) 또는 제 4 연결관(242b, 242c)에 관통하게 연결되기 위한 복수개(예: 4개)의 제 3 피팅부(411)를 포함한다.To this end, the connecting tank 400 receives the fluid of the upper box, or the third distribution header 410 having an internal volume for supplying the fluid toward the lower box, and the third distribution toward the cooling segments 200b and 200c. It is formed on the side of the header 410, a plurality of (for example, four) third fitting portion 411 for penetrating the second connector 212b, 212c or the fourth connector 242b, 242c It includes.

예컨대, 4개의 제 3 피팅부(411) 중에서 1열의 냉각세그먼트 조립체(200f) 쪽에서 상하 방향으로 이격 배치된 2개의 피팅부는 냉각세그먼트 조립체(200f) 끝의 냉각세그먼트(200b)의 제 2 연결관(212b) 또는 제 4 연결관(242b)에 관통하게 연결된다.For example, among the three third fitting parts 411, the two fitting parts spaced apart in the vertical direction from the side of the cooling segment assembly 200f of the first row, the second connecting pipe of the cooling segment 200b at the end of the cooling segment assembly 200f ( 212b) or the fourth connection pipe 242b.

같은 방식으로, 4개의 제 3 피팅부(411) 중에서 2열의 냉각세그먼트 조립체(200g) 쪽에서 상하 방향으로 이격 배치된 다른 2개의 피팅부는 냉각세그먼트 조립체(200g) 끝의 냉각세그먼트(200c)의 제 2 연결관(212c) 또는 제 4 연결관(242c)에 관통하게 연결된다.In the same way, the other two fitting parts spaced apart in the vertical direction from the cooling segment assembly 200g in the second row among the four third fitting parts 411, the second of the cooling segment 200c at the end of the cooling segment assembly 200g It is connected to penetrate the connecting pipe 212c or the fourth connecting pipe 242c.

이하, 도 5 또는 도 6을 참조하여, 본 실시예에 따른 직접냉각유로를 갖는 전력반도체 냉각 장치의 작동 관계에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, an operating relationship of the power semiconductor cooling device having the direct cooling flow path according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5 or 6.

미 도시된 외부 열방출 장치에서 냉각된 유체는 유입관(113)을 통해서 입구탱크(100)의 내부로 들어온다.The fluid cooled in the external heat dissipation device, not shown, enters the inside of the inlet tank 100 through the inlet pipe 113.

이후, 입구탱크(100)의 내부의 유체는 순차적으로 연결된 냉각세그먼트(200, 200a, 200b)에 형성된 상측 직접냉각유로(C1)을 따라 유동한다. 이때, 해당 상측 제 1 중공몸체(213)의 내부의 유체는 전력반도체(300)의 상면과 직접 접촉한다. 이때, 전력반도체(300)에서 발생된 온열과 유체의 냉열의 사이에서 1차 열교환이 이루어진다.Thereafter, the fluid inside the inlet tank 100 flows along the upper direct cooling passages C1 formed in sequentially connected cooling segments 200, 200a, 200b. At this time, the fluid inside the upper first hollow body 213 directly contacts the upper surface of the power semiconductor 300. At this time, the primary heat exchange is performed between the warm heat generated in the power semiconductor 300 and the cold heat of the fluid.

입구탱크(100)의 내부에서 분배된 유체도 역시 같은 방식으로 해당 냉각세그먼트(200e, 200d, 200c)를 따라 유동하면서 역시 1차 열교환을 수행한다.The fluid distributed inside the inlet tank 100 also flows along the corresponding cooling segments 200e, 200d, 200c in the same manner, and also performs primary heat exchange.

한편, 1차 열교환을 끝내고, 마지막 냉각세그먼트(200b, 200c)를 빠져나온 유체는 연결탱크(400)의 내부로 유입된다.On the other hand, after the primary heat exchange is finished, the fluid that has exited the last cooling segments 200b and 200c flows into the connection tank 400.

연결탱크(400)의 유체는 각 냉각세그먼트(200b, 200a, 200, 200c, 200d, 200e)의 하측 직접냉각유로(C2)을 따라 유동한다.The fluid of the connecting tank 400 flows along the lower direct cooling passage C2 of each cooling segment 200b, 200a, 200, 200c, 200d, 200e.

이 과정에서, 해당 하측 제 2 중공몸체(243)의 내부의 유체는 전력반도체(300)의 저면과 직접 접촉한다. 이때, 전력반도체(300)에서 발생된 온열과 유체의 냉열의 사이에서 2차 열교환이 이루어진다.In this process, the fluid inside the corresponding lower second hollow body 243 directly contacts the bottom surface of the power semiconductor 300. At this time, a second heat exchange is performed between the warm heat generated in the power semiconductor 300 and the cold heat of the fluid.

이렇게 모든 열교환을 끝마친 유체는 출구탱크(500)의 내부에 도달한 후, 배출관(513)을 통해 외부 열방출 장치 쪽으로 회수된다.After completing all of the heat exchange, the fluid reaches the inside of the outlet tank 500 and is recovered toward the external heat dissipation device through the discharge pipe 513.

또한, 회수된 유체는 외부 열방출 장치에서 다시 냉각되어서 본 실시예 쪽으로 재공급되는 것을 반복하면서 전력반도체(300)를 직접냉각방식의 냉각시킨다.In addition, the recovered fluid is cooled again in the external heat dissipation device, and the power semiconductor 300 is cooled by direct cooling while repeating re-supply toward the present embodiment.

이러한 본 실시예는 유체와 대상물 사이의 유체 통로 벽(예: 튜브 벽)을 통해 이루어지는 간접냉각방식에 비해 상대적으로 열교환 효율이 매우 높은 장점이 있다.This embodiment has an advantage of relatively high heat exchange efficiency compared to the indirect cooling method made through a fluid passage wall (eg, tube wall) between the fluid and the object.

예컨대, 본 실시예의 열저항은 실험을 통해 확인한 결과, 동일 용량 기준으로 간접냉각방식에 비해 50 % 향상되어 있다.For example, the heat resistance of this embodiment was confirmed through experiments, and is improved by 50% compared to the indirect cooling method based on the same capacity.

이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present embodiment, and those skilled in the art to which this embodiment belongs may be capable of various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present embodiment. Therefore, the present embodiments are not intended to limit the technical spirit of the present embodiment, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present embodiment is not limited by these embodiments. The protection scope of the present embodiment should be interpreted by the claims below, and all technical spirits within the equivalent range should be interpreted as being included in the scope of the present embodiment.

100: 입구탱크 200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e: 냉각세그먼트
210: 상부박스 220: 제 1 오링
230: 제 2 오링 240: 하부박스
300: 전력반도체 302: 핀
400: 연결탱크 500: 출구탱크
100: inlet tank 200, 200a, 200b, 200c, 200d, 200e: cooling segment
210: upper box 220: first O-ring
230: second O-ring 240: lower box
300: power semiconductor 302: pin
400: connecting tank 500: outlet tank

Claims (4)

일렬로 배치된 복수의 제1전력반도체(first power semiconductor) 및 상기 복수의 제1전력반도체와 나란히 일렬로 배치되는 복수의 제2전력반도체(second power semiconductor)를 냉각하기 위한 전력반도체 냉각 장치에 있어서,
상기 복수의 제1전력반도체의 상면 상에 배치되는 제1상부박스(first upper box) 및 상기 복수의 제1전력반도체의 저면 상에 배치되는 제1하부박스(first lower box)를 구비하는 복수의 제1냉각세그먼트(first cooling segment)를 포함하는 제1냉각세그먼트 조립체(first cooling segment assembly);
상기 복수의 제2전력반도체의 상면 상에 배치되는 제2상부박스(second upper box) 및 상기 복수의 제2전력반도체의 하면 상에 배치되는 제2하부박스(second lower box)를 구비하는 복수의 제2냉각세그먼트(second cooling segment)를 포함하는 제2냉각세그먼트 조립체(second cooling segment assembly);
상기 제1상부박스의 일측 단부 및 상기 제2상부박스의 일측 단부에 관통하게 연결되며, 유체가 유입되는 입구탱크(inlet tank);
상기 제1하부박스의 일측 단부 및 상기 제2하부박스의 일측 단부에 관통하게 연결되며, 유체가 배출되는 출구탱크(outlet tank); 및
상기 제1상부박스, 상기 제2상부박스, 상기 제1하부박스, 및 상기 제2하부박스 각각의 타측 단부에 관통하게 연결되는 연결탱크(connecting tank)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 냉각 장치(apparatus having cooling power semiconductor).
A power semiconductor cooling device for cooling a plurality of first power semiconductors arranged in series and a plurality of second power semiconductors arranged in parallel with the plurality of first power semiconductors. ,
A plurality of first upper boxes (first upper box) disposed on the upper surface of the plurality of first power semiconductors and a first lower box (first lower box) disposed on the bottom surface of the plurality of first power semiconductors A first cooling segment assembly including a first cooling segment;
A plurality of second upper box (second upper box) disposed on the upper surface of the plurality of second power semiconductors and a second lower box (second lower box) disposed on the lower surface of the plurality of second power semiconductors A second cooling segment assembly including a second cooling segment;
An inlet tank connected to one end of the first upper box and one end of the second upper box and through which fluid flows;
An outlet tank connected to one end of the first lower box and one end of the second lower box and through which fluid is discharged; And
The first upper box, the second upper box, the first lower box, and the power semiconductor cooling device, characterized in that it comprises a connecting tank (connecting tank) connected to the other end of each of the second lower box (apparatus having cooling power semiconductor).
제1항에 있어서,
상기 제1상부박스 및 상기 제2상부박스로부터 상기 연결탱크로 유입된 유체는 상기 연결탱크 내에서 혼합되고,
상기 연결탱크 내에서 혼합된 유체는 상기 연결탱크로부터 상기 제1하부박스 및 상기 제2하부박스로 유입되는 것을 특징으로 하는 전력반도체 냉각 장치.
According to claim 1,
The fluid flowing into the connecting tank from the first upper box and the second upper box is mixed in the connecting tank,
The fluid mixed in the connecting tank is a power semiconductor cooling device, characterized in that flowing into the first lower box and the second lower box from the connecting tank.
제1항에 있어서,
상기 복수의 제1전력반도체의 상면을 향하는 상기 제1상부박스의 저면은 개방되어 있고, 상기 복수의 제1전력반도체의 하면을 향하는 상기 제1하부박스의 상면은 개방되어 있고,
상기 복수의 제2전력반도체의 상면을 향하는 상기 제2상부박스의 저면은 개방되어 있고, 상기 복수의 제2전력반도체의 하면을 향하는 상기 제2하부박스의 상면은 개방되어 있는 것을 특징으로 하는 전력반도체 냉각 장치.
According to claim 1,
The bottom surfaces of the first upper box facing the upper surfaces of the plurality of first power semiconductors are open, and the upper surfaces of the first lower box toward the lower surfaces of the plurality of first power semiconductors are open,
The bottom surface of the second upper box facing the upper surface of the plurality of second power semiconductors is open, and the upper surface of the second lower box toward the bottom surface of the plurality of second power semiconductors is open. Semiconductor cooling device.
제3항에 있어서,
상기 제1냉각세그먼트 조립체의 내부를 유동하는 유체는 상기 제1전력반도체의 상면과 상기 제1전력반도체의 저면과 직접 접촉함으로써 상기 제1전력반도체를 냉각하도록 구성되고,
상기 제2냉각세그먼트 조립체의 내부를 유동하는 유체는 상기 제2전력반도체의 상면과 상기 제2전력반도체의 저면과 직접 접촉함으로써 상기 제2전력반도체를 냉각하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전력반도체 냉각 장치.
According to claim 3,
The fluid flowing inside the first cooling segment assembly is configured to cool the first power semiconductor by directly contacting the top surface of the first power semiconductor and the bottom surface of the first power semiconductor,
The fluid flowing through the interior of the second cooling segment assembly is configured to cool the second power semiconductor by directly contacting the top surface of the second power semiconductor and the bottom surface of the second power semiconductor, thereby cooling the second power semiconductor. .
KR1020200092410A 2015-10-08 2020-07-24 Apparatus Having Direct Cooling Pathway for Cooling Power Semiconductor KR102356681B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200092410A KR102356681B1 (en) 2015-10-08 2020-07-24 Apparatus Having Direct Cooling Pathway for Cooling Power Semiconductor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150141526A KR102443261B1 (en) 2015-10-08 2015-10-08 apparatus with direct cooling pathway for cooling both side of power semiconductor
KR1020200092410A KR102356681B1 (en) 2015-10-08 2020-07-24 Apparatus Having Direct Cooling Pathway for Cooling Power Semiconductor

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150141526A Division KR102443261B1 (en) 2015-10-08 2015-10-08 apparatus with direct cooling pathway for cooling both side of power semiconductor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200091843A true KR20200091843A (en) 2020-07-31
KR102356681B1 KR102356681B1 (en) 2022-02-07

Family

ID=80252978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200092410A KR102356681B1 (en) 2015-10-08 2020-07-24 Apparatus Having Direct Cooling Pathway for Cooling Power Semiconductor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102356681B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100618005B1 (en) * 2000-05-22 2006-08-31 알스톰 An electronic power device
US7656016B2 (en) * 2004-12-08 2010-02-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device
JP2012110207A (en) * 2010-10-25 2012-06-07 Denso Corp Electric power conversion system
KR20150033259A (en) * 2013-09-24 2015-04-01 한라비스테온공조 주식회사 heat exchanger for cooling electric element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100618005B1 (en) * 2000-05-22 2006-08-31 알스톰 An electronic power device
US7656016B2 (en) * 2004-12-08 2010-02-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device
JP2012110207A (en) * 2010-10-25 2012-06-07 Denso Corp Electric power conversion system
KR20150033259A (en) * 2013-09-24 2015-04-01 한라비스테온공조 주식회사 heat exchanger for cooling electric element

Also Published As

Publication number Publication date
KR102356681B1 (en) 2022-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102443261B1 (en) apparatus with direct cooling pathway for cooling both side of power semiconductor
US10818985B2 (en) Heat exchanger for cooling electrical element
US9373873B2 (en) Cooling system for automotive battery
CN103314478B (en) There is the cooling component of the packaging efficiency of raising and adopt the battery module of this cooling component
CN103217048B (en) For the plastic liquid heat exchanger of battery cooling system
CN108352476B (en) Energy accumulator arrangement
US10582649B2 (en) Heat exchanger for cooling electrical device
KR102173362B1 (en) cooling module for electric element
KR102351954B1 (en) heat exchanger for cooling electric element
KR20120091326A (en) Energy store device
WO2013057952A1 (en) Battery heat exchanger
KR101781923B1 (en) Battery cooler for vehicle
JP2014509441A (en) Cooling member with improved cooling efficiency and battery module using the same
CN103712508A (en) Heat exchanger
CN111180621A (en) Battery module
KR101769753B1 (en) Battery cooler for vehicle
KR102356681B1 (en) Apparatus Having Direct Cooling Pathway for Cooling Power Semiconductor
KR102161487B1 (en) heat exchanger for cooling electric element
KR102612584B1 (en) apparatus with direct cooling pathway for cooling both sides of stack type power semiconductor
KR101988985B1 (en) heat exchanger for cooling electric element
CN219226386U (en) Battery liquid cooling plate
JP2024145291A (en) heat sink
US20210339599A1 (en) Thermal management device for an electric power storage device for a motor vehicle
JP2024145292A (en) heat sink

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant