KR20200088232A - Driver Circuit For Transistor - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a driver circuit for a transistor. As the allowable voltage and current of the transistor increase, parasitic capacitance increases and this parasitic capacitance decreases the response speed of the transistor, which cause poor response characteristics, which makes poor efficiency to cause a heat generation problem. In the present invention, an auxiliary transistor whose electrical conductivity decreases when the output voltage of a driving transistor increases is included between the driving transistor and a voltage difference generating element so that the voltage of the voltage difference generating element can be rapidly reduced. Accordingly, the present invention not only improves the characteristics of a large-capacity transistor by rapidly turning off the large-capacity transistor, but also increases efficiency by reducing a switching energy, thereby providing a basis for solving the heating problem of the large-capacity transistor.

Description

트랜지스터 드라이버 회로{Driver Circuit For Transistor}Transistor driver circuit

본 발명은 대용량 트랜지스터를 제어하는 구동 트랜지스터의 보조 트랜지스터를 이용한 트랜지스터 드라이버 회로에 관한 것으로서, 보다 자세하게 전기모터나 벅 컨버터, SMPS등에 사용되는 대용량 트랜지스터를 구동 트랜지스터가 제어할 때 구동 트랜지스터의 출력단자에 보조 트랜지스터를 설치하여 구동 트랜지스터의 잔여전류를 제어하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a transistor driver circuit using an auxiliary transistor of a driving transistor that controls a large-capacity transistor, and more specifically, when the driving transistor controls a large-capacity transistor used in an electric motor, a buck converter, SMPS, etc., it is assisted with an output terminal of the driving transistor. The present invention relates to a technique of controlling a residual current of a driving transistor by installing a transistor.

양극 접합 트랜지스터(BJT, Bipolar Junction Transistor), 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET, metal oxide semiconductor field-effect transistor), 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT, Insulated gate bipolar transistor), JFET(Junction Field Effcet Transistor)와 같은 트랜지스터는 모두 제어단자-입력단자, 제어단자-출력단자, 입력단자-출력단자 사이에 기생 커패시턴스(parasitic capacitance)를 포함하며 이는 신호용 트랜지스터의 경우 대역폭 문제를, 고전압 고전류 트랜지스터의 경우 응답특성과 효율과 발열의 문제를 일으킨다. 특히 허용전류와 허용전압이 높아질수록 기생 커패시턴스는 증가한다. 따라서 이러한 기생 커패시턴스는 트랜지스터의 동적특성을 나타내는 중요변수이다.Bipolar Junction Transistor (BJT), Metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), Insulated gate bipolar transistor (IGBT), Junction Field Effcet Transistor (JFET) and All of the same transistors include parasitic capacitance between the control terminal-input terminal, the control terminal-output terminal, and the input terminal-output terminal, which causes bandwidth problems for signal transistors and response characteristics and efficiency for high voltage high current transistors. Causes the problem of overheating. In particular, parasitic capacitance increases as the permissible current and permissible voltage increase. Therefore, this parasitic capacitance is an important variable representing the dynamic characteristics of the transistor.

BJT와 MOSFET은 전류를 차단상태에서 제어단자와 입력단자의 전류 또는 전압에 따라 출력단자의 전류를 제어하는 스위칭 트랜지스터이고, IGBT는 접합형 트랜지스터의 제어단자에 전계효과를 이용하는 스위칭 트랜지스터이다. 따라서 이들을 스위칭 계열 트랜지스터라 할 수 있다. 이와는 조금 달리 반도체 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)는 입력단자와 제어단자 전압에 따라 체널의 전기전도도를 변화시키는 용도로 사용된다.BJT and MOSFET are switching transistors that control the current of the output terminal according to the current or voltage of the control terminal and the input terminal while the current is blocked, and the IGBT is a switching transistor that uses an electric field effect on the control terminal of the junction type transistor. Therefore, these can be referred to as switching series transistors. Unlike this, the semiconductor junction field effect transistor (JFET) is used to change the electrical conductivity of the channel according to the voltage of the input terminal and the control terminal.

JFET는 채널에 흐르는 다수 캐리어가 무엇인지에 따라 N-channel JFET과 P-channel JFET으로 구분되고, N-channel JFET는 n형 반도체의 일측이 입력단자(source)이고, 타측은 출력단자(drain)이고, n형 반도체의 상측과 하측은 p형 반도체와 접합되어 있고 두 p형 반도체는 서로 연결되어 제어단자(gate)를 구성한다. N-channel JFET는 주로 음 전압으로 제어를 하는데 제어단자와 입력단자의 전압이 같으면 전하는 N형 반도체를 따라 자유롭게 이동하고, 제어단자 전압이 입력단자보다 작으면 즉, 음 전압이 인가되면 PN접합 부분에서 공핍층이 형성되고 형성된 공핍층은 마치 저항과 같이 전하의 이동을 방해하고, 음 전압이 커지면 커질수록 JFET의 출력단자 전류는 작아진다. N형, P형 반도체가 서로 바뀌면 P-channel JFET이다. JFET는 입력 임피던스가 높고, 전류성 잡음이 작고, 혼변조 일그러짐이 거의 없으며, 열 폭주가 거의 없으며, 축적시간(storage time)이 짧고, 고속스위칭이 가능한 장점이 있으나, 현재 새로운 재료(화합물 반도체) 및 이종접합 구조로 제작된 변조-도핑 전계효과 트랜지스터(MOdulation-Doped FET, MODFET)라고도 하는 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 또는 Si 대신 GaAs를 사용하는 금속-반도체 전계효과 트랜지스터 (Metal Semiconductor Field Effect Transistor, MESFET)가 JFET 대신 사용된다. 따라서 이들 모두를 반도체 접합 전계효과 계열 트랜지스터(JFET)라 할 수 있다.JFETs are classified into N-channel JFETs and P-channel JFETs according to what are the majority carriers flowing in the channel. In the N-channel JFET, one side of an n-type semiconductor is an input terminal (source), and the other side is an output terminal (drain). , And the upper and lower sides of the n-type semiconductor are bonded to the p-type semiconductor, and the two p-type semiconductors are connected to each other to form a control terminal. The N-channel JFET is mainly controlled by a negative voltage. If the voltage of the control terminal and the input terminal are the same, the charge moves freely along the N-type semiconductor, and if the control terminal voltage is smaller than the input terminal, that is, when a negative voltage is applied, the PN junction part The depletion layer is formed at and the depletion layer is formed, as if it is a resistor, which prevents the movement of electric charges. As the negative voltage increases, the output terminal current of the JFET decreases. When N-type and P-type semiconductors are interchanged, they are P-channel JFETs. JFET has the advantages of high input impedance, low current noise, little intermodulation distortion, little thermal runaway, short storage time, and high-speed switching, but is now a new material (compound semiconductor). And a metal-semiconductor field effect transistor using GaAs instead of Si or a high-mobility transistor (HEMT), also called a modulation-doped field effect transistor (MODFET) made of a heterojunction structure. , MESFET) is used instead of JFET. Therefore, all of these can be referred to as semiconductor junction field effect series transistors (JFET).

한편, 도 1에 도시된 벅 컨버터의 제어회로와 같이 일반적으로 충전 트랜지스터(M1)는 보다 작은 용량을 가진 트랜지스터(Mt)에 의하여 제어된다. 본 문서에서는 제어신호를 증폭하는 트랜지스터(Mt)를 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 출력에 따라 보다 큰 전류를 제어하는 트랜지스터(M1)를 대용량 트랜지스터라 한다. 단, 이러한 명명은 구분을 위한 것으로써 허용전류 또는 허용전압의 범위를 한정하는 것은 아니다.Meanwhile, as in the control circuit of the buck converter shown in FIG. 1, the charging transistor M1 is generally controlled by the transistor Mt having a smaller capacity. In this document, a transistor Mt that amplifies a control signal is referred to as a driving transistor, and a transistor M1 that controls a larger current according to the output of the driving transistor is referred to as a large-capacity transistor. However, these names are for classification and do not limit the range of allowable current or allowable voltage.

한편, 대용량 트랜지스터의 기생 커패시턴스가 증가할수록 대용량 트랜지스터의 반응속도는 감소한다. 이러한 반응속도 감소는 대용량 트랜지스터가 사용되는 제품의 특성을 낮출 뿐만 아니라, 스위칭 에너지를 증가시켜 효율을 떨어뜨리고, 발열량을 증가시키는 결과를 유발할 수 있다. 또한 기생 커패시턴스를 극복하기 위하여 강한 전류로 빠르게 대용량 트랜지스터의 제어단자를 제어하여야 한다. Meanwhile, as the parasitic capacitance of the large-capacity transistor increases, the reaction rate of the large-capacity transistor decreases. The reduction in the reaction rate may not only lower the characteristics of the product in which a large-capacity transistor is used, but also increase the switching energy, thereby lowering efficiency and increasing heat generation. In addition, to overcome parasitic capacitance, the control terminal of a large-capacity transistor must be rapidly controlled with a strong current.

이에 따라 일반적인 트랜지스터 드라이버는 도 1에 도시된 바와 같이 구성된다. 구동 트랜지스터(Mt)의 출력단자와 저항(R1)은 직렬로 전원(PW)에 연결되고 저항의 출력은 대용량 트랜지스터(M1)의 제어단자에 연결된다. 이때 저항이 출력하는 전압은 토템-폴(Totem-pole) 트랜지스터에 의하여 전류 증폭될 수 있다. 토템-폴 트랜지스터는 입력전압과 출력전압 사이에 발생한 오차 전압만큼 Q1 또는 Q2가 전류를 공급하는 회로이다.Accordingly, a typical transistor driver is configured as shown in FIG. 1. The output terminal and the resistor R1 of the driving transistor Mt are connected to the power supply PW in series, and the output of the resistor is connected to the control terminal of the large-capacity transistor M1. In this case, the voltage output by the resistor may be amplified by a totem-pole transistor. The totem-pole transistor is a circuit in which Q1 or Q2 supplies current as much as an error voltage generated between an input voltage and an output voltage.

도 1에 도시된 회로의 동작을 살펴보면, 구동 트랜지스터(Mt)의 제어전압(제어단자와 입력단자의 전압 차)이 상승하였을 때 구동 트랜지스터(Mt) 출력단자의 전류는 증가하고 이는 저항(R1)에 전압차를 발생시킨다. 이러한 전압차는 대용량 트랜지스터(M1)의 제어전압으로 동작하여 대용량 트랜지스터의 전류를 제어한다. 이때 제너다이오드(Dz)는 저항(R1)이 발생시킨 전압차를 대용량 트랜지스터의 제어단자 허용전압 한계까지만 제한하는 동작을 수행한다. Referring to the operation of the circuit shown in FIG. 1, when the control voltage of the driving transistor Mt (the voltage difference between the control terminal and the input terminal) rises, the current of the output terminal of the driving transistor Mt increases, which is the resistance R1. Causes a voltage difference. The voltage difference operates as a control voltage of the large-capacity transistor M1 to control the current of the large-capacity transistor. At this time, the Zener diode Dz performs an operation of limiting the voltage difference generated by the resistor R1 to the limit of the allowable voltage of the control terminal of the large-capacity transistor.

하지만, 구동 트랜지스터(Mt)의 전류가 감소할 때(대용량 트랜지스터를 Turn -off할 때) 구동 트랜지스터(Mt) 출력단자의 기생 커패시턴스에 머물던 전하들은 저항(R1)으로 이동하여 저항이 발생하는 전압차의 감소속도를 느리게 한다. 이는 대용량 트랜지스터의 Turn-off 동작을 매우 느리게 하는 원인으로 동작한다. 또한, 전압차 감소속도를 증가하려면, 작은 값의 저항(R1)을 사용하여야 하는데 저항값이 작아짐에 따라 구동 트랜지스터(Mt)의 허용전류는 증가하여야 하기에 구동 트랜지스터의 기생 커패시턴스가 증가하여 버퍼(BUF) 출력전압의 상승속도가 감소하는 결과를 유발한다.However, when the current of the driving transistor Mt decreases (when the large-capacity transistor is turned off), the electric charges that remained in the parasitic capacitance of the output terminal of the driving transistor Mt move to the resistor R1 and the voltage difference generated by the resistance Slows the rate of decrease. This causes the turn-off operation of the large-capacity transistor to be very slow. In addition, in order to increase the rate of decrease in the voltage difference, a small value of the resistor R1 must be used, but as the resistance value decreases, the allowable current of the driving transistor Mt must increase, so the parasitic capacitance of the driving transistor increases and the buffer ( BUF) It causes a decrease in output voltage rise rate.

위와 같은 구동 트랜지스터 허용전압 상승을 방지하기 위하여 트랜지스터(Ms)를 구동 트랜지스터(Mt)와 직렬로 설치(Cascade 연결)하여 허용전압이 낮은 두 개의 트랜지스터로 저항의 전류를 제어하기도 하나 이는 두 개의 구동 트랜지스터를 제어하기가 불편한 단점을 가진다. 한편, 일본 특허공보 특허 제3730244호는 트랜지스터(Ms)의 자리에 JFET를 설치하고 JFET의 제어단자를 구동 트랜지스터(Mt)의 입력단자에 연결하는 회로를 발표한 바 있다. 이때 JFET는 허용전압이 낮은 구동 트랜지스터(Mt)를 사용하여 높은 전압을 제어하는 정적특성에 대하여 언급하였다.In order to prevent the increase in the allowable voltage of the driving transistor as described above, the transistor Ms is installed in series with the driving transistor Mt (cascade connection) to control the current of the resistance with two transistors having a low allowable voltage, but these are two driving transistors. It has the disadvantage of inconvenient to control. On the other hand, Japanese Patent Publication No. 3730244 discloses a circuit that installs a JFET in the place of the transistor Ms and connects the control terminal of the JFET to the input terminal of the driving transistor Mt. At this time, JFET mentioned the static characteristic of controlling a high voltage using a driving transistor (Mt) having a low allowable voltage.

일본 특허공보 특허 제3730244호Japanese Patent Publication No. 3730244

대용량 트랜지스터의 Turn-off 시간이 길어지면, 대용량 트랜지스터가 제어하는 모터나 SMPS, buck 컨버터, 스피커 등의 동작특성이 떨어질 뿐만 아니라 소모에너지가 증가하여 발열문제를 일으키고, 효율이 감소된다.When the turn-off time of the large-capacity transistor becomes long, the operating characteristics of the motor, SMPS, buck converter, speaker, etc. controlled by the large-capacity transistor are lowered, and energy consumption increases, causing heat generation problems and efficiency.

본 발명은 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 기생 커패시턴스가 큰 대용량 트랜지스터를 제어하는 구동 트랜지스터에 있어서, 구동 트랜지스터가 대용량 트랜지스터를 빠르게 Turn-off 할 수 있도록 함으로써 빠른 응답 특성과 우수한 동적 특성을 얻는 것이다.The present invention has been proposed to solve the problems of the prior art, the object of the present invention is a driving transistor for controlling a large-capacity transistor having a large parasitic capacitance, the driving transistor is fast by turning off the large-capacity transistor fast It is to obtain response characteristics and excellent dynamic characteristics.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 전원과, 전압차 발생소자와, 상기 전압차 발생소자의 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와, 상기 전압차 발생소자의 일단이 제어단자와 연결되는 대용량 트랜지스터를 포함하는 회로에 있어서, 상기 구동 트랜지스터와 전압차 발생소자 사이에 입력단자와 출력단자가 직렬로 연결되는 보조 트랜지스터를 포함하고, 상기 구동 트랜지스터의 입력단자와 출력단자 전압의 차가 증가할 때 보조 트랜지스터의 출력단자의 전기전도도가 감소하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 드라이버 회로가 제공된다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object, a power supply, a voltage difference generating element, a driving transistor for controlling the current of the voltage difference generating element, and one end of the voltage difference generating element is a control terminal In the circuit including a large-capacity transistor connected to the, and the auxiliary transistor is connected to the input terminal and the output terminal in series between the driving transistor and the voltage difference generating element, the difference between the input terminal and the output terminal voltage of the driving transistor increases A transistor driver circuit is provided, wherein the electrical conductivity of the output terminal of the auxiliary transistor is reduced.

여기서, 상기 보조 트랜지스터의 제어단자는 일정한 전압원과 연결되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the control terminal of the auxiliary transistor is connected to a constant voltage source.

그리고, 상기 전압차 발생소자는 저항 또는, 상기 구동 트랜지스터의 입력단자와 출력단자 전압의 차가 증가할 때 보조 트랜지스터의 출력단자의 전기전도도가 증가하는 반도체 접합 전계효과 계열 트랜지스터인 것이 바람직하다.In addition, the voltage difference generating element is preferably a semiconductor junction field effect series transistor in which the electrical conductivity of the output terminal of the auxiliary transistor increases when the difference between the resistance or the voltage of the input terminal and the output terminal of the driving transistor increases.

또한, 상기 보조 트랜지스터는 제어단자가 구동 트랜지스터의 입력단자에 연결되는 반도체 접합 전계효과 계열 트랜지스터 또는 제어단자가 보조 트랜지스터 전류제어소자를 통하여 임의의 전압원에 연결되는 스위칭 계열 트랜지스터일 수 있다.In addition, the auxiliary transistor may be a semiconductor junction field effect series transistor in which the control terminal is connected to the input terminal of the driving transistor or a switching series transistor in which the control terminal is connected to an arbitrary voltage source through the auxiliary transistor current control element.

상기 보조 트랜지스터가 스위칭 계열 트랜지스터인 경우, 상기 보조 트랜지스터 전류제어소자는 저항 또는 반도체 접합 전계효과 계열 트랜지스터인 것이 바람직하고, 상기 보조 트랜지스터의 제어단자에 최대전압 제한회로가 연결될 수 있다.When the auxiliary transistor is a switching series transistor, the auxiliary transistor current control element is preferably a resistance or semiconductor junction field effect series transistor, and a maximum voltage limiting circuit may be connected to the control terminal of the auxiliary transistor.

본 발명에 따르면, 구동 트랜지스터의 전류가 감소할 때 보조 트랜지스터가 구동 트랜지스터 출력단자의 기생 커패시턴스에 머물던 전하가 전압차 발생소자로 이동하는 것을 방해하여 대용량 트랜지스터의 제어단자 전압은 매우 빠르게 감소한다. 따라서 대용량 트랜지스터의 Turn-off 응답시간이 빨라지고 이에 따라 대용량 트랜지스터가 제어하는 대상의 동적특성이 우수해질 뿐만 아니라 소모에너지를 감소시켜 발열문제를 해결하고 효율을 증가시킨다.According to the present invention, when the current of the driving transistor decreases, the control transistor voltage of the large-capacity transistor decreases very rapidly by preventing the charge of the auxiliary transistor from remaining in the parasitic capacitance of the output terminal of the driving transistor from moving to the voltage difference generating element. Therefore, the turn-off response time of the large-capacity transistor is faster, and accordingly, the dynamic characteristics of the object controlled by the large-capacity transistor are improved, and the energy consumption is reduced to solve the heat generation problem and increase efficiency.

도 1은 기존 벅 컨버터 트랜지스터 드라이버 회로의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로이다.
도 4는 구동 트랜지스터의 전류를 측정한 시험결과이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로이다.
도 6은 도 5에 도시된 회로를 시험한 결과이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로이다.
도 8은 도 7에 도시된 회로를 시험한 결과이다.1 is a circuit diagram of a conventional buck converter transistor driver circuit.
2 is a transistor driver circuit according to a first embodiment of the present invention.
3 is a transistor driver circuit according to a second embodiment of the present invention.
4 is a test result of measuring the current of the driving transistor.
5 is a transistor driver circuit according to a third embodiment of the present invention.
6 is a result of testing the circuit shown in FIG. 5.
7 is a transistor driver circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a result of testing the circuit shown in FIG. 7.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 도면 중 동일한 구성요소들은 가능한 어느 곳에서든지 동일한 부호들로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한, 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. It should be noted that the same components in the drawings are denoted by the same reference numerals wherever possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may unnecessarily obscure the subject matter of the invention are omitted.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로이다. 제 1 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로는 전원(PW), 접지(GND), 대용량 트랜지스터(M1)과 구동 트랜지스터(Mt), 전압차 발생소자(R1)과 전압차 발생소자(R1)의 출력이 대용량 트랜지스터의 제어단자로 입력되는 일반적인 트랜지스터 드라이버 회로에서, 구동 트랜지스터(Mt)와 전압차 발생소자(R1)의 출력 사이에 입력단자와 출력단자가 직렬로 연결되고 제어단자가 접지에 연결되는 보조 트랜지스터(Jc)를 포함하여 구성된다.2 is a transistor driver circuit according to a first embodiment of the present invention. In the transistor driver circuit according to the first embodiment, the outputs of the power source (PW), the ground (GND), the large-capacity transistor (M1) and the driving transistor (Mt), the voltage difference generating element (R1) and the voltage difference generating element (R1) are In a typical transistor driver circuit input to the control terminal of a large-capacity transistor, an auxiliary transistor connected between the input terminal and the output terminal in series and the control terminal connected to ground between the output of the driving transistor Mt and the voltage difference generating element R1 ( Jc).

도 2의 대용량 트랜지스터(M1)의 Turn-on 과정을 살펴보면, 구동 트랜지스터(Mt)가 Turn-on 되면, Node_A(구동 트랜지스터(Mt)의 출력단자)전압은 약 7V에서 0.3V로 감소한다. 이때 보조 트랜지스터(Jc)의 제어단자-입력단자 전압은 -7 전압에서 -0.3V로 감소하기에 보조 트랜지스터(Jc)의 전기전도도는 증가한다.Looking at the turn-on process of the large-capacity transistor M1 of FIG. 2, when the driving transistor Mt is turned on, the Node_A (output terminal of the driving transistor Mt) voltage decreases from about 7V to 0.3V. At this time, since the control terminal-input terminal voltage of the auxiliary transistor Jc decreases from -7 to -0.3V, the electrical conductivity of the auxiliary transistor Jc increases.

또한, 관심분야인 대용량 트랜지스터(M1)의 Turn-off 과정을 살펴보면, 구동 트랜지스터(Mt)가 Turn-off 되면, 보조 트랜지스터(Jc)의 제어단자-입력단자 전압은 -0.3V에서 -7V로 증가하기에 보조 트랜지스터(Jc)의 전기전도도는 감소한다. 이처럼 보조 트랜지스터(Jc) 채널의 전기전도도가 감소함에 따라 구동 트랜지스터(Mt) 출력단자의 기생커패시턴스에 머물던 전하가 전압차 발생소자(R1)로 이동하는 것을 보조 트랜지스터(Jc) 채널이 방해한다. 따라서 전압차 발생소자(R1)의 출력전압은 매우 빠르게 감소하여 대용량 트랜지스터(M1)의 제어단자전압을 매우 빠르게 감소시켜 대용량 트랜지스터(M1)을 매우 빠르게 turn-off한다.In addition, looking at the turn-off process of the large-capacity transistor M1 of interest, when the driving transistor Mt is turned off, the control terminal-input terminal voltage of the auxiliary transistor Jc increases from -0.3V to -7V. In the following, the electrical conductivity of the auxiliary transistor Jc decreases. As such, as the electrical conductivity of the auxiliary transistor (Jc) channel decreases, the auxiliary transistor (Jc) channel prevents the electric charge remaining in the parasitic capacitance of the output terminal of the driving transistor (Mt) from moving to the voltage difference generating element R1. Therefore, the output voltage of the voltage difference generating element R1 decreases very quickly, thereby reducing the control terminal voltage of the large-capacity transistor M1 very quickly and turning off the large-capacity transistor M1 very quickly.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로이다. 제 2 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로는 도 2와 같은 회로에서 제어단가가 5V에 풀업저항(Rc)으로 연결된 보조 트랜지스터(Qc: BJT)를 포함한다. 3 is a transistor driver circuit according to a second embodiment of the present invention. The transistor driver circuit according to the second embodiment includes an auxiliary transistor Qc (BJT) whose control unit is connected to 5V by a pull-up resistor Rc in the circuit shown in FIG. 2.

도 3의 대용량 트랜지스터(M1)의 turn-on 과정을 살펴보면, 구동 트랜지스터(Mt)가 turn-on 되면, 5V에 머물던 전하는 풀업저항(Rc)을 거쳐 보조 트랜지스터(Qc)의 제어단자-입력단자를 따라 Node_A로 이동한다. 따라서 Node_A는 1.2V에서 0V로 떨어지고, 보조 트랜지스터(Qc)의 제어단자-입력단자 전압은 0.1V에서 0.8V로 상승한다. 이러한 제어단자 전압은 보조 트랜지스터(Qc)의 출력단자-입력단자 전류를 유도하여 전압차 발생소자(R1)에 전압차를 발생시키고, 전압차 발생소자(R1)에 발생한 전압차는 대용량 트랜지스터(M1)의 제어전압으로 사용된다. 보조 트랜지스터(Qc)의 제어단자-입력단자 전압이 0.1V에서 0.8V로 상승이 끝나면, Node_A는 0.6V로 상승한다.Looking at the turn-on process of the large-capacity transistor M1 of FIG. 3, when the driving transistor Mt is turned on, the charge staying at 5V passes through the pull-up resistor Rc and the control terminal-input terminal of the auxiliary transistor Qc So, go to Node_A. Therefore, Node_A falls from 1.2V to 0V, and the control terminal-input terminal voltage of the auxiliary transistor Qc rises from 0.1V to 0.8V. This control terminal voltage induces a voltage difference in the voltage difference generating element R1 by inducing the output terminal-input terminal current of the auxiliary transistor Qc, and the voltage difference generated in the voltage difference generating element R1 is a large-capacity transistor M1. It is used as a control voltage. When the control terminal-input terminal voltage of the auxiliary transistor Qc rises from 0.1V to 0.8V, Node_A rises to 0.6V.

또한, 관심분야인 대용량 트랜지스터(M1)의 turn-off 과정을 살펴보면, 구동 트랜지스터(Mt)가 turn-off 되면, Node_A전압은 0.6V에서 0.9V로 증가한다. 따라서 보조 트랜지스터(Qc)의 제어단자-입력단자의 전압은 0.8V에서 0.5V로 떨어지고 이에 따라 보조 트랜지스터(Qc)의 출력단자-입력단자 전류는 차단된다. 이처럼, 보조 트랜지스터(Qc)의 제어단자-입력단자의 전류가 차단됨에 따라 구동 트랜지스터(Mt) 출력단자의 기생커패시턴스에 머물던 전하는 전압차 발생소자(R1)로 이동하지 못한다. 따라서 전압차 발생소자(R1)의 전압차는 매우 빠르게 감소하여 대용량 트랜지스터(M1)의 제어단자전압을 매우 빠르게 감소시켜 대용량 트랜지스터(M1)를 매우 빠르게 turn-off한다. In addition, looking at the turn-off process of the large-capacity transistor M1 of interest, when the driving transistor Mt is turned off, the Node_A voltage increases from 0.6V to 0.9V. Therefore, the voltage of the control terminal-input terminal of the auxiliary transistor Qc drops from 0.8V to 0.5V, and accordingly, the output terminal-input terminal current of the auxiliary transistor Qc is cut off. As such, as the current of the control terminal-input terminal of the auxiliary transistor Qc is cut off, the electric charges remaining in the parasitic capacitance of the output terminal of the driving transistor Mt do not move to the voltage difference generating element R1. Therefore, the voltage difference of the voltage difference generating element R1 decreases very rapidly, thereby reducing the control terminal voltage of the large-capacity transistor M1 very quickly and turning off the large-capacity transistor M1 very quickly.

한편, 구동 트랜지스터(Mt)가 turn-off 되면, Node_A전압은 0.6V에서 0.9V로 증가하므로 풀업저항(Rc)을 N-ch JFET로 변경하고 JFET의 제어단자를 Node_A에 연결하면 대용량 트랜지스터(M1)의 전류를 더 빠르게 차단할 수 있다. 또한, 선택적으로 Dc1, Dc2 다이오드로 풀업저항(Rc)의 전압상승을 제어할 수 있다. 풀업저항(Rc)의 전압을 제한하면 보조 트랜지스터(Qc)의 제어단자 최대전류는 제한되며 이는 보조 트랜지스터(Qc)의 최대전류를 제한하여 전압차 발생소자(R1)의 전압차를 제한할 수 있다. 또한, 풀업저항(Rc)의 값은 보조 트랜지스터(Qc)의 제어단자 전류량을 제어하고 이는보조 트랜지스터(Qc)의 출력단자 전류량을 제어한다. 즉, Rc의 값이 증가하면, Node_A의 상승속도는 감소한다.On the other hand, when the driving transistor Mt is turned off, the Node_A voltage increases from 0.6V to 0.9V, so if the pull-up resistor Rc is changed to an N-ch JFET and the control terminal of the JFET is connected to Node_A, the large-capacity transistor M1 ) Can cut the current faster. In addition, the voltage rise of the pull-up resistor Rc can be selectively controlled by Dc1 and Dc2 diodes. When the voltage of the pull-up resistor Rc is limited, the maximum current of the control terminal of the auxiliary transistor Qc is limited, which can limit the maximum current of the auxiliary transistor Qc, thereby limiting the voltage difference of the voltage difference generating element R1. . In addition, the value of the pull-up resistor Rc controls the amount of the control terminal current of the auxiliary transistor Qc, which controls the amount of the output terminal current of the auxiliary transistor Qc. That is, when the value of Rc increases, the rising speed of Node_A decreases.

도 4는 보조 트랜지스터를 제외한 동일한 환경에서 구동 트랜지스터(Mt)의 전류를 측정한 시험결과로서 구동 트랜지스터(Mt)의 전류는 R1의 전압과 유사한 결과를 나타낸다. 또한, 도 1과 같은 트랜지스터 드라이버를 바탕으로 “with R2” 곡선은 도 1의 트랜지스터(Ms) 대신 저항 R2(250Ω)를 설치하고 시험한 결과이고, “with Jc” 곡선은 도 1의 트랜지스터(Ms) 대신 보조 트랜지스터(Jc)를 설치하고 시험한 결과이며, “with Qc” 곡선은 Ms대신 보조 트랜지스터(Qc)를 설치하고 시험한 결과이다. 보조 트랜지스터(Qc)와 보조 트랜지스터(Jc)의 자세한 설치는 도 2와 도 3과 같으며, 도 3에서 Rc는 1kΩ, Dc1, Dc2를 모두 설치한 회로이다.4 is a test result of measuring the current of the driving transistor Mt in the same environment except the auxiliary transistor, and the current of the driving transistor Mt shows a result similar to the voltage of R1. In addition, based on the transistor driver shown in FIG. 1, the “with R2” curve is the result of installing and testing the resistor R2 (250 Ω) instead of the transistor Ms in FIG. 1, and the “with Jc” curve is the transistor (Ms) in FIG. 1. ) Is the result of installing and testing the auxiliary transistor (Jc), and the “with Qc” curve is the result of installing and testing the auxiliary transistor (Qc) instead of Ms. The detailed installation of the auxiliary transistor Qc and the auxiliary transistor Jc is the same as in FIGS. 2 and 3, and in FIG. 3, Rc is a circuit in which all 1 kΩ, Dc1, and Dc2 are installed.

도 4를 참조하여 시험결과를 살펴보면, 구동 트랜지스터(Mt)가 turn-on됨에 따라 “with Jc”회로에 포함된 구동 트랜지스터(Mt)의 출력단자 전류가 165mA까지 가장 먼저 상승한다. 후에 “with Qc”회로에 포함된 구동 트랜지스터(Mt)의 출력단자 전류가 273mA까지 천천히 상승하고, “with R2”회로에 포함된 구동 트랜지스터(Mt)의 출력단자 전류가 726mA까지 천천히 상승한다. turn-off 과정을 살펴보면, “with Qc”회로에 포함된 구동 트랜지스터(Mt)의 출력단자전류가 6ns 후에 가장 먼저 0A를 출력하고, “with Jc”회로에 포함된 구동 트랜지스터(Mt)의 출력단자 전류가 12ns후에 0A를 출력하고, “with R2”회로에 포함된 구동 트랜지스터(Mt)의 출력단자 전류가 48ns 후에 0A를 출력한다. 단, “with Qc”의 전류의 상승속도와 최대전류는 제어할 수 있음을 상기하여야 한다. 또한, 보조 트랜지스터(Qc)를 MOSFET로 변경하고 제어단자에 일정 전압을 공급하여도 비슷한 결과를 얻을 수 있다.Looking at the test results with reference to Figure 4, as the driving transistor (Mt) is turned on, the output terminal current of the driving transistor (Mt) included in the "with Jc" circuit rises to 165mA first. Afterwards, the output terminal current of the driving transistor Mt included in the “with Qc” circuit slowly rises to 273mA, and the output terminal current of the driving transistor Mt included in the “with R2” circuit slowly rises to 726mA. Looking at the turn-off process, the output terminal current of the driving transistor Mt included in the “with Qc” circuit outputs 0A first after 6ns, and the output terminal of the driving transistor Mt included in the “with Jc” circuit. The current outputs 0A after 12ns, and the output terminal current of the driving transistor Mt included in the "with R2" circuit outputs 0A after 48ns. However, it should be recalled that the rising speed and maximum current of “with Qc” can be controlled. Also, similar results can be obtained by changing the auxiliary transistor Qc to MOSFET and supplying a constant voltage to the control terminal.

도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로를 포함하는 벅 컨버터 회로이다. 제 3 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로는 도 2와 같은 벅 컨버터 회로에서 트랜지스터(Ms) 대신 제어단자가 5V 전원에 풀업저항(Rc)으로 연결된 보조 트랜지스터(Qc: BJT)로 구성되고, 저항 Rc는 두 개의 다이오드(Dc1, Dc2)로 풀다운되었다.5 is a buck converter circuit including a transistor driver circuit according to a third embodiment of the present invention. The transistor driver circuit according to the third embodiment is composed of an auxiliary transistor Qc (BJT) in which a control terminal is connected to a 5V power supply as a pull-up resistor Rc instead of the transistor Ms in the buck converter circuit shown in FIG. 2, and the resistance Rc is Two diodes (Dc1, Dc2) were pulled down.

도 6은 도 5에 도시된 회로를 시험한 결과로서, v(Mt.g)는 구동 트랜지스터의 제어단자 입력전압, i(M1.d)는 대용량 트랜지스터의 출력단자 전류를 측정한 결과이다. 또한, “with R2” 곡선은 Ms대신 R2를 설치하고 측정한 결과이고, “with Qc” 곡선은 트랜지스터(Ms) 대신 보조 트랜지스터(Qc)를 설치하고 측정한 결과이다. 단, PW는 200V, 버퍼(BUF)는 500ns동안 0V를 입력받고, 대용량 트랜지스터(M1)은 IRF9620, Lm은 8uH, R1은 500Ω를 사용하였다. 또한, 보조 트랜지스터(Qc)의 사용여부에 따라 구동 트랜지스터(Mt)의 허용전압이 달라져야 하므로 “with R2”을 시험할 때 구동 트랜지스터(Mt)는 2n6784를, 트랜지스터(Ms) 대신 R2(250Ω)를 사용하였고, “with Qc”을 측정할 때 구동 트랜지스터(Mt)는 2n7002를 사용하였다. 또한, “with R2” 회로와 “with Qc”회로의 구동 트랜지스터(Mt)의 출력단자 전류는 도 4에 도시된 바와 같다.FIG. 6 is a result of testing the circuit shown in FIG. 5, where v(Mt.g) is the control terminal input voltage of the driving transistor, and i(M1.d) is the result of measuring the output terminal current of the large-capacity transistor. In addition, the “with R2” curve is the result of installing and measuring R2 instead of Ms, and the “with Qc” curve is the result of installing and measuring the auxiliary transistor Qc instead of the transistor Ms. However, 200 V for the PW, 0 V for the buffer (BUF) for 500 ns, IRF9620 for the large-capacity transistor (M1), 8 uH for Lm, and 500 Ω for R1 were used. In addition, since the allowable voltage of the driving transistor Mt must be changed according to whether the auxiliary transistor Qc is used, when testing “with R2”, the driving transistor Mt uses 2n6784 and R2 (250Ω) instead of the transistor Ms. 2n7002 was used as the driving transistor (Mt) when measuring “with Qc”. In addition, the output terminal current of the driving transistor Mt of the “with R2” circuit and the “with Qc” circuit is as shown in FIG. 4.

본 문서에서는 대용량 트랜지스터(M1)의 turn-off 과정을 중심으로 살펴볼 예정이고, 먼저 구동 트랜지스터(Mt)의 제어단자 전압 v(Mt.g)이 감소하는 과정을 살펴보면, “with Jc” 회로의 구동 트랜지스터(Mt, 2n7002)는 허용전압은 낮기 때문에 기생 커패시턴스가 작다. 따라서 버퍼(BUF)입력이 5V로 상승한 후, 5ns 후에 구동 트랜지스터(Mt, 2n7002)의 제어단자 전압은 0V로 떨어졌다. 이와 달리 “with R2” 회로의 구동 트랜지스터(Mt, 2n6784)는 허용전압이 높기에 기생 커패시턴스가 크다. 따라서 버퍼(BUF)입력이 5V로 상승한 후, 58ns 후에 구동 트랜지스터(Mt, 2n6784)의 제어단자 전압은 0V로 떨어졌다.In this document, we will focus on the turn-off process of the large-capacity transistor (M1). First, look at the process of reducing the control terminal voltage v (Mt.g) of the driving transistor (Mt), driving the “with Jc” circuit. Since the allowable voltage of the transistors Mt and 2n7002 is low, the parasitic capacitance is small. Therefore, after the buffer BUF input rose to 5V, the control terminal voltage of the driving transistors Mt and 2n7002 dropped to 0V after 5ns. On the other hand, the driving transistor (Mt, 2n6784) of the “with R2” circuit has a high parasitic capacitance due to a high permissible voltage. Therefore, after the buffer BUF rose to 5V, after 58ns, the control terminal voltage of the driving transistors Mt and 2n6784 dropped to 0V.

또한 “with Qc” 회로의 대용량 트랜지스터(M1) 출력단자 전류는 58ns에 12.3A 최대전류를 출력하고, 후에 감소하기 시작하여 83ns에 0A로 떨어진다. 반면, “with R2” 회로의 대용량 트랜지스터(M1) 출력단자 전류는 97ns에 14.1A 최대전류를 출력하고 후에 감소하기 시작하여 133ns에 0A로 떨어진다. 단, 이는 “with R2” 회로에서 R2를 250Ω 사용하였기 때문이다. R2값이 작아지면 대용량 트랜지스터(M1)의 출력단자 전류는 빠르게 차단되나 구동 트랜지스터(Mt)의 최대전류는 증가하여 구동 트랜지스터(Mt)와 R2가 소모하는 에너지는 증가한다.Also, the large-capacity transistor (M1) output terminal current of the “with Qc” circuit outputs a maximum current of 12.3A at 58ns, and then begins to decrease, dropping to 0A at 83ns. On the other hand, the large-capacity transistor (M1) output terminal current of the “with R2” circuit outputs a maximum current of 14.1A at 97ns, and then begins to decrease, dropping to 0A at 133ns. However, this is because R2 is used as 250Ω in the “with R2” circuit. When the value of R2 decreases, the output terminal current of the large-capacity transistor M1 is rapidly cut off, but the maximum current of the driving transistor Mt increases, so that the energy consumed by the driving transistors Mt and R2 increases.

벅 컨버터의 성능에 따라 결과를 살펴보면, “with R2” 회로의 대용량 트랜지스터(M1) 최대전류는 목표전류보다 높은 전류를 출력한다. 이는 벅 컨버터의 출력전압이 목표전압보다 높은 결과를 일으키고 이러한 오차를 수정하기 위한 노력이 필요하다.Looking at the results according to the performance of the buck converter, the maximum current of the large-capacity transistor M1 of the “with R2” circuit outputs a current higher than the target current. This causes the output voltage of the buck converter to be higher than the target voltage, and efforts to correct such errors are required.

도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로를 포함하는 벅 컨버터 회로이다. 제 4 실시예에 따른 트랜지스터 드라이버 회로는 도 2와 같은 벅 컨버터 회로에서 트랜지스터(Ms) 대신 제어단자가 구동 트랜지스터(Mt)의 입력단자에 연결된 보조 트랜지스터(Jc : JFET)로 구성된다. 7 is a buck converter circuit including a transistor driver circuit according to a fourth embodiment of the present invention. The transistor driver circuit according to the fourth embodiment is composed of an auxiliary transistor (Jc: JFET) in which the control terminal is connected to the input terminal of the driving transistor Mt instead of the transistor Ms in the buck converter circuit shown in FIG. 2.

도 8은 도 7에 도시된 회로를 시험한 결과로서, E(M1)는 대용량 트랜지스터의 소모에너지, i(M1.d)는 대용량 트랜지스터의 출력단자 전류를 측정한 결과이다. 또한, “with Qc” 곡선은 도 7에 도시된 회로를 측정한 결과이고, “with R2” 곡선은 보조 트랜지스터(Jc) 대신 저항 R2를 설치하고 측정한 결과이다. 한편, 같은 구동 트랜지스터를 사용한 경우의 시험결과를 살펴보고자 PW는 100V를 사용하였고, PW가 100V로 변경됨에 따라 두 회로 모두 대용량 트랜지스터(M1)은 IRF9610, 구동 트랜지스터(Mt)는 2n7002를 사용하였다. 또한, 두 회로 모두 구동 트랜지스터(Mt)가 같은 최대전류를 출력하기 위하여 R2의 값을 670Ω으로 설정하였고 두 회로 모두 구동 트랜지스터(Mt)의 최대 전류값은 126mA로 같다. 8 is a result of testing the circuit shown in FIG. 7, where E(M1) is the energy consumption of a large-capacity transistor and i(M1.d) is the result of measuring the output terminal current of a large-capacity transistor. In addition, the “with Qc” curve is a result of measuring the circuit shown in FIG. 7, and the “with R2” curve is a result of installing and measuring the resistor R2 instead of the auxiliary transistor Jc. Meanwhile, in order to examine the test results when the same driving transistor was used, 100 V was used for PW, and as the PW was changed to 100 V, the large-capacity transistor M1 used IRF9610 and the driving transistor Mt used 2n7002. In addition, in both circuits, the value of R2 was set to 670Ω in order to output the same maximum current to the driving transistor Mt, and the maximum current value of the driving transistor Mt in both circuits is the same as 126mA.

한편, 더 나은 전압차 발생소자를 살펴보고자 R1을 대신하여 Jt(N-ch JFET)를 사용하였다. Jt는 구동 트랜지스터(Mt)의 입력단자-출력단자 전압이 증가할 때 채널의 전기전도도가 증가하도록 고안된 JFET이다. 따라서 R1을 사용하였을 때 꼬리처럼 남는 전압을 빠르게 제거할 수 있는 장점이 있다. 또한, N-ch JFET를 Jt로 사용함에 따라 Jt의 제어전압은 보조 트랜지스터(Jc)의 출력단자와 연결되었고, P-ch JFET를 Jt로 사용할 경우 Jt의 제어전압은 PW에 연결되어야 한다.On the other hand, Jt (N-ch JFET) was used instead of R1 to look at a better voltage difference generating device. Jt is a JFET designed to increase the electrical conductivity of a channel when the input terminal-output terminal voltage of the driving transistor Mt increases. Therefore, when R1 is used, there is an advantage that the voltage remaining like a tail can be quickly removed. In addition, as the N-ch JFET is used as Jt, the control voltage of Jt is connected to the output terminal of the auxiliary transistor Jc, and when the P-ch JFET is used as Jt, the control voltage of Jt must be connected to PW.

도 8을 참조하여 시험결과를 살펴보면, “with Jc” 회로에 포함된 대용량 트랜지스터(M1)의 출력단자가 12ns 먼저 turn-off된다. 따라서 “with Jc”회로에 포함된 대용량 트랜지스터(M1)의 출력단자 전류는 “with R2”회로의 것보다 보다 최대전류는 0.07A 작고, 대용량 트랜지스터(M1)의 소모에너지는 1.424uws 만큼 적다. 단, “with Jc”회로의 경우 대용량 트랜지스터(M1)의 turn-off 스위칭 에너지가 거의 없다는 점에 주목하여야 한다. 전도에너지는 대용량 트랜지스터(M1)의 제조특성에 따라 발생하는 전도시 저항(Ron) 특성에 따라 발생하기에 소모에너지를 줄일 수 없지만, turn-off 스위칭 에너지는 대용량 트랜지스터(M1)가 출력하는 에너지와 관계가 없으며 대용량 트랜지스터(M1)의 제어단자를 빠르게 제어함으로써 감소시킬 수 있다.Looking at the test results with reference to Figure 8, the output terminal of the large-capacity transistor (M1) included in the "with Jc" circuit is turned off 12ns first. Therefore, the output terminal current of the large-capacity transistor M1 included in the "with Jc" circuit is 0.07A smaller than the maximum of the "with R2" circuit, and the energy consumption of the large-capacity transistor M1 is less than 1.424uws. However, it should be noted that the “with Jc” circuit has little turn-off switching energy of the large-capacity transistor M1. Since the conduction energy is generated according to the resistance (Ron) characteristic during conduction generated according to the manufacturing characteristics of the large-capacity transistor M1, the energy consumption cannot be reduced, but the turn-off switching energy is equal to the energy output from the large-capacity transistor M1. It is irrelevant and can be reduced by quickly controlling the control terminal of the large-capacity transistor M1.

상기 여러 실시예에서 반드시 보조 트랜지스터(Jc, Qc)의 제어단자가 반드시 구동 트랜지스터의 입력단자나 5V 전원에 연결되어야 하는 것만은 아니다. 보조 트랜지스터의 역할은 구동 트랜지스터 입력단자-출력단자의 전압이 증가할 때 보조 트랜지스터의 전기전도도가 작아지는 것에 있다. 즉, 보조 트랜지스터(Jc)를 사용하는 경우 임의의 전압에 커패시터 또는 다이오드를 통하여 연결할 수 있으며, 보조트랜지스터(Qc)를 사용하는 경우에 저항 Rc 대신 JFET 트랜지스터를 사용할 수도 있음을 명시하였다. 따라서 보조 트랜지스터 제어단자가 연결되는 지점은 본 문서에서 중요한 사항은 아니다.In the above embodiments, the control terminals of the auxiliary transistors Jc and Qc are not necessarily connected to the input terminal of the driving transistor or the 5V power supply. The role of the auxiliary transistor is to decrease the electrical conductivity of the auxiliary transistor when the voltage of the input terminal and output terminal of the driving transistor increases. That is, when using the auxiliary transistor (Jc), it can be connected to any voltage through a capacitor or a diode, and when using the auxiliary transistor (Qc), it was stated that a JFET transistor may be used instead of the resistor Rc. Therefore, the point where the auxiliary transistor control terminal is connected is not important in this document.

한편, 일본 특허공보 특허 제3730244호가 JFET의 전압을 분배하는 정적인 효과에 주목했다면, 본 발명에 사용된 JFET는 구동 트랜지스터가 turn-off되는 과정에서 전하의 이동을 방해하는 동적인 효과에 주목할 필요가 있다. 또한, 도 1에 도시된 트랜지스터(Ms)도 전하의 이동을 방해하는 목적으로 사용될 수 있지만, 본 발명에 사용된 보조 트랜지스터들은 별도의 제어라인이 필요치 않다는 것에 주목할 필요가 있다. On the other hand, if the Japanese Patent Publication No. 3730244 pays attention to the static effect of distributing the voltage of the JFET, the JFET used in the present invention needs to pay attention to the dynamic effect of interfering with the movement of charge in the process of turning off the driving transistor. There is. In addition, although the transistor Ms shown in FIG. 1 may also be used for the purpose of preventing the movement of charges, it is necessary to note that the auxiliary transistors used in the present invention do not require a separate control line.

비록 본 발명이 상기 바람직한 실시 예들과 관련하여 설명되어졌지만, 상술한 바와 같이 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서, 첨부된 특허 청구범위는 본 발명의 요지에 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.Although the present invention has been described in connection with the above preferred embodiments, it is possible to make various modifications or variations without departing from the spirit and scope of the invention as described above. Accordingly, the appended claims will cover such modifications or variations that fall within the spirit of the invention.

Claims (7)

전원과, 전압차 발생소자와, 상기 전압차 발생소자의 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와, 상기 전압차 발생소자의 일단이 제어단자와 연결되는 대용량 트랜지스터를 포함하는 회로에 있어서,
상기 구동 트랜지스터와 전압차 발생소자 사이에 입력단자와 출력단자가 직렬로 연결되는 보조 트랜지스터를 포함하고,
상기 구동 트랜지스터의 입력단자와 출력단자 전압의 차가 증가할 때 보조 트랜지스터의 출력단자의 전기전도도가 감소하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 드라이버 회로.
In the circuit comprising a power supply, a voltage difference generating element, a driving transistor for controlling the current of the voltage difference generating element, and a large-capacity transistor having one end of the voltage difference generating element connected to a control terminal,
And an auxiliary transistor in which an input terminal and an output terminal are connected in series between the driving transistor and the voltage difference generating element,
When the difference between the voltage of the input terminal and the output terminal of the driving transistor increases, the transistor driver circuit, characterized in that the electrical conductivity of the output terminal of the auxiliary transistor decreases.
제 1 항에 있어서,
상기 보조 트랜지스터의 제어단자는 일정한 전압원과 연결되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 드라이버 회로.
According to claim 1,
The transistor driver circuit, characterized in that the control terminal of the auxiliary transistor is connected to a constant voltage source.
제 1 항에 있어서,
상기 전압차 발생소자는
저항 또는, 상기 구동 트랜지스터의 입력단자와 출력단자 전압의 차가 증가할 때 보조 트랜지스터의 출력단자의 전기전도도가 증가하는 반도체 접합 전계효과 계열 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 드라이버 회로.
According to claim 1,
The voltage difference generating element
A transistor driver circuit characterized in that it is a semiconductor junction field effect series transistor in which the electrical conductivity of the output terminal of the auxiliary transistor increases when the difference between the resistance or the voltage of the input terminal and the output terminal of the driving transistor increases.
제 1 항에 있어서,
상기 보조 트랜지스터는 제어단자가 구동 트랜지스터의 입력단자에 연결되는 반도체 접합 전계효과 계열 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 드라이버 회로.
According to claim 1,
The auxiliary transistor is a transistor driver circuit, characterized in that the semiconductor junction field effect series transistor, the control terminal is connected to the input terminal of the driving transistor.
제 1 항에 있어서,
상기 보조 트랜지스터는 제어단자가 보조 트랜지스터 전류제어소자를 통하여 임의의 전압원에 연결되는 스위칭 계열 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 드라이버 회로.
According to claim 1,
The auxiliary transistor is a transistor driver circuit, characterized in that the control terminal is a switching series transistor connected to an arbitrary voltage source through the auxiliary transistor current control element.
제 5 항에 있어서,
상기 보조 트랜지스터 전류제어소자는 저항 또는 반도체 접합 전계효과 계열 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 드라이버 회로.
The method of claim 5,
The auxiliary transistor current control element is a transistor driver circuit characterized in that the resistance or semiconductor junction field effect series transistor.
제 5 항에 있어서,
상기 보조 트랜지스터의 제어단자에 최대전압 제한회로가 연결되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 드라이버 회로.The method of claim 5,
A transistor driver circuit, characterized in that a maximum voltage limiting circuit is connected to the control terminal of the auxiliary transistor.
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