KR20200086138A - Light emitting device package and lighting system - Google Patents
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Abstract
Description
발명의 실시 예는 발광 소자 패키지 및 광원장치에 관한 것이다.An embodiment of the invention relates to a light emitting device package and a light source device.
3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Light emitting devices such as Light Emitting Diodes or Laser Diodes using Group 3-5 or 2-6 compound semiconductor materials are developed through thin film growth technology and device materials, resulting in red, green, blue and There is an advantage that can realize light in various wavelength bands such as ultraviolet rays. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group 3-5 or 2-6 compound semiconductor material can use a fluorescent material or combine colors to implement a white light source with high efficiency. Such a light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다. 예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.The light emitting device may be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electrical energy is converted into light energy using, for example, a group 3-5 element or a group 2-6 element in the periodic table. Various wavelengths are possible by adjusting the composition ratio. For example, nitride semiconductors have received great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide band gap energy. In particular, blue light emitting devices using nitride semiconductors, green light emitting devices, ultraviolet (UV) light emitting devices, red (RED) light emitting devices, and the like are commercialized and widely used.
발광소자 패키지에 있어, 발광소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 패키지의 프레임과 발광소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In the light emitting device package, research is being conducted on a method of improving the light extraction efficiency of the light emitting device and improving the light intensity at the package stage. In addition, research is being conducted on a method for improving bonding strength between the frame of the package and the light emitting device.
발명의 실시 예는 복수의 발광소자와 캐비티의 내측면과의 간격을 줄인 발광소자 패키지를 제공한다. An embodiment of the present invention provides a light emitting device package that reduces a distance between a plurality of light emitting devices and an inner surface of a cavity.
발명의 실시 예는 각 프레임들에 연결되는 와이어의 본딩으로 인한 프레임들의 노출 면적을 줄인 발광소자 패키지를 제공한다. An embodiment of the present invention provides a light emitting device package that reduces the exposed area of frames due to bonding of wires connected to each frame.
발명의 실시 예는 캐비티 바닥에서의 프레임의 노출 면적을 줄이고 몸체 면적을 증가시켜 광 손실을 줄일 수 있는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment of the present invention provides a light emitting device package capable of reducing light loss by reducing an exposed area of a frame at a cavity floor and increasing a body area.
발명의 실시 예는 프레임에서 와이어가 본딩되는 본딩부를 각 발광소자들의 단변 영역 및 코너 영역에 각각 배치한 발광 소자 패키지를 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention provides a light emitting device package in which a bonding part in which a wire is bonded in a frame is disposed in short sides and corner areas of each light emitting device.
발명의 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 배치된 제1프레임; 상기 캐비티의 바닥에 배치되고 상기 제1프레임과 이격된 제2프레임; 상기 제1프레임 위에 배치된 제1발광소자; 상기 제2프레임 위에 배치된 제2발광소자를 포함하며, 상기 몸체는 서로 반대측에 배치된 제1 및 제2외측면, 및 서로 반대측에 배치된 제3 및 제4외측면을 포함하며, 상기 제3 및 제4외측면은 길이는 상기 제1 및 제2외측면의 길이보다 길며, 상기 캐비티는 상기 제1 내지 제4내측면 각각에 인접한 제1 내지 제4내측면을 포함하며,상기 캐비티는 상기 제1내측면의 하단에서 상기 제1외측면 방향으로 함몰된 제1리세스, 상기 제2내측면의 하단에서 상기 제2외측면 방향으로 함몰된 제2리세스, 상기 제3내측면의 하단에서 상기 제3외측면 방향으로 함몰된 제3리세스 및 상기 제4내측면의 하단에서 상기 제4외측면 방향으로 함몰된 제4리세스를 포함하며, 상기 제1프레임은 상기 제1 및 제3리세스에 연장되고 노출된 제1 및 제2본딩부를 포함하며, 상기 제2프레임은 상기 제2 및 제4리세스에 연장되고 노출된 제3 및 제4본딩부를 포함하며, 상기 제1발광소자와 상기 제1 및 제2본딩부에 각각 연결된 제1 및 제2와이어, 상기 제2발광소자와 상기 제3 및 제4본딩부에 각각 연결된 제3 및 제4와이어를 포함하며, 상기 제1 및 제2리세스는 상기 제1 및 제2발광소자의 단변과 대면하며, 수평 방향으로 중첩될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a body having a cavity; A first frame disposed on the bottom of the cavity; A second frame disposed on the bottom of the cavity and spaced apart from the first frame; A first light emitting element disposed on the first frame; It includes a second light emitting element disposed on the second frame, the body includes first and second outer sides disposed on opposite sides of each other, and third and fourth outer sides disposed on opposite sides of each other, and the first The third and fourth outer surfaces are longer than the lengths of the first and second outer surfaces, and the cavity includes first to fourth inner surfaces adjacent to the first to fourth inner surfaces, respectively. The first recess recessed in the direction of the first outer surface from the lower end of the first inner surface, the second recess recessed in the direction of the second outer surface from the lower end of the second inner surface, the third inner surface And a third recess recessed in the direction of the third outer surface at the bottom and a fourth recess recessed in the direction of the fourth outer surface at the bottom of the fourth inner surface, wherein the first frame includes the first and It includes first and second bonding portions extending and exposed to a third recess, and the second frame includes third and fourth bonding portions extending and exposed to the second and fourth recesses, and the first And first and second wires respectively connected to the light emitting element and the first and second bonding portions, and third and fourth wires connected to the second light emitting element and the third and fourth bonding portions, respectively. The first and second recesses face the short sides of the first and second light emitting elements, and may overlap in the horizontal direction.
발명에 의하면, 상기 캐비티의 바닥 면적에서 상기 제1 및 제2프레임들의 상면이 노출되는 면적은 상기 몸체의 상면 전체 면적의 15% 이하이며, 상기 면적은 상기 제1 내지 제4리세스의 영역을 제외될 수 있다.According to the invention, the area where the top surfaces of the first and second frames are exposed in the bottom area of the cavity is 15% or less of the total area of the top surface of the body, and the area is the area of the first to fourth recesses. Can be excluded.
발명에 의하면, 상기 제1 및 제2발광소자와 상기 캐비티의 제1 내지 제4내측면 하단 사이의 간격은 0.15mm 이하이며, 상기 제1 내지 제4리세스는 상기 캐비티의 제1 내지 제4내측면의 하단부터 0.4mm 이하의 깊이로 함몰될 수 있다.According to the invention, the distance between the first and second light emitting elements and the first to fourth inner side lower ends of the cavity is 0.15 mm or less, and the first to fourth recesses are the first to fourth recesses of the cavity. It may be recessed to a depth of 0.4 mm or less from the bottom of the inner surface.
발명에 의하면, 상기 제 1내지 제4와이어는 상기 제1 내지 제4리세스 내에서 테일부를 가질 수 있다. According to the invention, the first to fourth wires may have a tail portion in the first to fourth recesses.
발명에 의하면, 상기 제3리세스는 상기 제3내측면의 하부에서 상기 제1발광소자의 장변과 대면하며, 상기 제4리세스는 상기 제4내측면의 하부에서 상기 제2발광소자의 장변과 대면하며, 상기 제3와이어는 상기 제1발광소자의 단변 상으로 상기 제3리세스 방향으로 연장되며, 상기 제4와이어는 상기 제2발광소자의 단변 상으로 상기 제4리세스 방향으로 연장될 수 있다. According to the invention, the third recess faces the long side of the first light emitting element at the bottom of the third inner side, and the fourth recess is the long side of the second light emitting element at the bottom of the fourth inner side. Facing the third wire, the third wire extends in the direction of the third recess toward the short side of the first light emitting element, and the fourth wire extends in the direction of the fourth recess toward the short side of the second light emitting element Can be.
발명에 의하면, 상기 제1 및 제2내측면의 경사 각도와 상기 제3 및 제4내측면의 경사 각도의 차이는 5도 이하이며, 상기 제1 및 제2내측면의 경사 각도는 상기 제3 및 제4내측면의 경사 각도보다 클 수 있다. According to the invention, the difference between the inclination angles of the first and second inner surfaces and the inclination angles of the third and fourth inner surfaces is 5 degrees or less, and the inclination angles of the first and second inner surfaces are the third And an inclination angle of the fourth inner surface.
발명에 의하면, 상기 제1 및 제2리세스는 상기 제1 및 제2발광소자의 단변 센터 영역과 대향되며, 상기 제1 내지 제4리세스는 반구형 형상을 포함할 수 있다.According to the present invention, the first and second recesses face the short-side center regions of the first and second light emitting elements, and the first to fourth recesses may include a hemispherical shape.
발명에 의하면, 상기 프레임은 상부에 Ag 반사층을 포함할 수 있다.According to the invention, the frame may include an Ag reflective layer on the top.
발명에 의하면, 상기 제3 또는 제4내측면에 상기 캐비티 바닥과 이격되며 오목한 제5리세스를 포함하며, 상기 제5리세스에 보호 소자가 배치될 수 있다.According to the present invention, the third or fourth inner surface includes a fifth recess spaced apart from the bottom of the cavity, and a protection element may be disposed in the fifth recess.
발명에 의하면, 상기 캐비티의 바닥에서 제1 및 제2프레임 사이의 중심을 기준으로 상기 제1 및 제2리세스는 대칭되며, 상기 제3 및 제4리세스는 대칭될 수 있다.According to the invention, the first and second recesses are symmetrical with respect to the center between the first and second frames at the bottom of the cavity, and the third and fourth recesses can be symmetrical.
발명의 실시 예는 발광소자 패키지 내에서의 광량을 증가시켜 줄 수 있다. An embodiment of the invention may increase the amount of light in the light emitting device package.
발명의 실시 예는 발광소자 패키지 내에서의 광 손실을 줄일 수 있다. Embodiments of the invention can reduce the light loss in the light emitting device package.
발명의 실시 예는 발광소자 패키지 내에서의 광 효율을 개선하여 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. An embodiment of the invention may improve reliability by improving light efficiency in a light emitting device package.
발명의 실시 예는 발광소자들 주변에서의 반사 재질의 수지 면적을 증가시키고 프레임의 노출 면적을 줄여, 프레임의 변색으로 인한 문제를 줄일 수 있다. An embodiment of the present invention can increase the resin area of the reflective material around the light emitting elements and reduce the exposed area of the frame, thereby reducing problems caused by discoloration of the frame.
발명의 실시 예는 발광소자 패키지 및 이를 구비한 광원 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.An embodiment of the invention can improve the reliability of the light emitting device package and the light source device having the same.
도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 도 2의 발광소자 패키지의 배면도이다.
도 4는 도 2의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 2의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이다.
도 6은 도 2의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도이다.
도 7은 도 2의 발광소자 패키지에서 발광소자를 제외한 캐비티 바닥 구조를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 2의 발광소자 패키지에서 와이어가 본딩되는 본딩부를 상세하게 나타낸 도면이다.
도 9는 도 4에서 와이어가 본딩되는 리세스에서의 와이어의 본딩 구조를 설명한 도면이다.
도 10은 도 2의 발광소자 패키지에서의 발광소자의 예를 나타낸 측 단면도이다.1 is a view showing a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of the light emitting device package of FIG. 1.
3 is a rear view of the light emitting device package of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view taken along the AA side of the light emitting device package of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view taken along the BB side of the light emitting device package of FIG. 2.
6 is a cross-sectional view taken along the CC side of the light emitting device package of FIG. 2.
7 is a view showing a cavity bottom structure excluding the light emitting device from the light emitting device package of FIG. 2.
8 is a view showing in detail a bonding portion to which the wire is bonded in the light emitting device package of FIG. 2.
9 is a view illustrating a bonding structure of a wire in a recess in which the wire is bonded in FIG. 4.
10 is a side cross-sectional view showing an example of a light emitting device in the light emitting device package of FIG. 2.
본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, "A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한 개 이상)"로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 확정되지 않는다. 그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속'되는 경우도 포함할 수 있다. 또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.The technical spirit of the present invention is not limited to some of the embodiments described, but may be implemented in various different forms, and within the scope of the technical spirit of the present invention, selectively combines one or more of its components between embodiments. , Can be used by substitution. In addition, the terms used in the embodiments of the present invention (including technical and scientific terms), unless specifically defined and described, can be generally understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. It can be interpreted as meaning, and commonly used terms, such as predefined terms, may interpret the meaning in consideration of the contextual meaning of the related technology. In addition, the terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention. In the present specification, a singular form may also include a plural form unless specifically stated in the phrase, and is combined with A, B, C when described as "at least one (or more than one) of A and B, C". It can contain one or more of all possible combinations. In addition, in describing components of the embodiments of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only for distinguishing the component from other components, and the term does not determine the essence, order, or order of the component. And, when a component is described as being'connected','coupled' or'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to the other component, but also to the component It may also include a case of'connected','coupled' or'connected' due to another component located between the other components. In addition, when described as being formed or disposed in the "top (top) or bottom (bottom)" of each component, the top (top) or bottom (bottom) is one as well as when the two components are in direct contact with each other It also includes a case in which another component described above is formed or disposed between two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one component.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도를 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 평면도이고, 도 3은 도 2의 발광소자 패키지의 배면도이며, 도 4는 도 2의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이고, 도 5는 도 2의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이며, 도 6은 도 2의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도이고, 도 7은 도 2의 발광소자 패키지에서 발광소자를 제외한 캐비티 바닥 구조를 나타낸 도면이며, 도 8은 도 2의 발광소자 패키지에서 와이어가 본딩되는 본딩부를 상세하게 나타낸 도면이고, 도 9는 도 4에서 와이어가 본딩되는 리세스에서의 와이어의 본딩 구조를 설명한 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment of the invention, Figure 2 is a plan view of the light emitting device package of Figure 1, Figure 3 is a rear view of the light emitting device package of Figure 2, Figure 4 is a 2 is an AA side sectional view of the light emitting device package, FIG. 5 is a BB side sectional view of the light emitting device package of FIG. 2, FIG. 6 is a CC side sectional view of the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. 7 is a light emitting device package of FIG. 8 is a view showing a cavity bottom structure excluding the light emitting device, and FIG. 8 is a view showing in detail a bonding portion to which a wire is bonded in the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. 9 is a wire in a recess in which the wire is bonded in FIG. It is a diagram explaining the bonding structure of.
도 1내지 도 9를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 캐비티(102)를 갖는 몸체(110), 복수의 프레임(121,123), 발광소자(171,173), 와이어들(181 내지 184) 및 몰딩부(191)를 포함한다. 1 to 9, the light
상기 몸체(110)는 절연 재질 또는 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, EMC(Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 수지 재질의 내부에 Al2O3, TiO2와 SiO2 중 적어도 하나의 필러를 포함할 수 있다. 상기 필러의 함유 비율은 상기 몸체 내에 50wt% 이상 예컨대, 70wt% 이상 또는 80 내지 85wt% 범위로 첨가될 수 있다. 상기 몸체(110)는 반사 몸체로 기능할 수 있으며, EMC(epoxy molding compound) 재질은 성형성, 내습성, 및 접착성을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 몸체(110)의 형상은 위에서 볼 때, 삼각형, 사각형, 오각형과 같은 다각형 구조로 형성되거나, 원형, 곡면을 갖는 형상으로 형성될 수 있다. The
상기 몸체(110) 및 복수의 프레임(121,123)은 패키지 몸체로 정의될 수 있다. 상기 패키지 몸체의 제1방향(X) 길이는 복수의 프레임(121,123)의 양단까지의 길이이며 제2방향(Y)의 길이보다 클 수 있으며, 제2방향 길이에 비해 1.5배 이상 예컨대, 1.5배 내지 2배의 범위일 수 있다. 이러한 패키지 내에는 복수의 발광소자(171,173)를 제1방향으로 배열하여 고 효율의 패키지를 제공할 수 있다. 상기 패키지 몸체 또는 몸체(110)의 두께는 1.2mm 이하 예컨대, 0.8mm 내지 1.2mm의 범위일 수 있으며, 상기 두께 범위 내에서 광속이 개선될 수 있다. The
상기 몸체(110)는 복수의 외측면(S1,S2,S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 외측면(S1,S2,S3,S4) 중 적어도 하나 또는 모두는 상기 몸체(110)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 몸체(110)의 외측면(S1,S2,S3,S4)이 경사진 경우, 몸체(110)의 사출 성형 후의 틀의 분리가 용이한 효과가 있다.The
상기 몸체(110)는 제1 내지 제4외측면(S1,S2,S3,S4)를 그 예로 설명하며, 제1외측면(S1)과 제2외측면(S2)은 제2방향(Y) 방향으로 긴 길이를 갖고 연장되며 서로 반대측 면이며, 상기 제3외측면(S3)과 상기 제4외측면(S4)은 제1방향(X)으로 긴 길이를 갖고 연장되며 서로 반대측 면이다. 상기 제1외측면(S1) 및 제2외측면(S2) 각각의 길이는 제3외측면(S3) 및 제4외측면(S4)의 길이보다 작을 수 있다. 상기 제1외측면(S1) 또는 제2외측면(S2)의 길이는 상기 제3외측면(S3) 및 제4외측면(S4) 사이의 간격일 수 있다. 상기 몸체(110)의 길이 방향은 제1방향(X) 방향이며, 상기 복수의 발광소자(171,173)의 중심을 지나는 방향이거나, 제1 및 제2외측면(S1,S2) 사이의 간격이거나, 상기 복수의 발광소자(171,173)가 배열되는 방향일 수 있다. 상기 몸체(110)의 너비 방향은 제2 방향(Y)이며, 제1 방향과 직교되는 방향이며 제3 및 제4외측면(S3,S4) 사이의 간격일 수 있다. 상기 제1 및 제2 외측면(S1,S2)의 양단에는 제3외측면(S3) 또는 제4외측면(S3,S4)의 양단이 연결될 수 있다. 여기서, 상기 복수의 발광소자(171,173)의 양 단변 간의 거리(C1)는 2.2mm 이상 예컨대, 2.2 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 소자 사이즈에 따라 다를 수 있다. 여기서, 상기 캐비티(102)의 바닥에서의 리세스(R1,R2) 간의 최대 거리(C1)는 상기 거리(C1)의 150% 이하 예컨대, 130 내지 150% 범위일 수 있다. The
상기 몸체(110)의 외측면들 중에서 적어도 한 제4외측면(S4)에는 오목부(Ra)가 형성될 수 있으며, 상기 오목부(Ra)는 사출 게이트용 홈일 수 있다. 상기 오목부(Ra)는 장변에 배치되어, 보다 넓은 사출 게이트를 통해 몸체 재질의 주입 효율을 개선시켜 줄 수 있다.A recess Ra may be formed on at least one fourth outer surface S4 of the outer surfaces of the
도 1 및 도 2와 도 4 내지 도 6과 같이, 상기 몸체(110)는 소정 깊이(T1, 도 5 참조)를 갖고 상면(S5)가 개방된 캐비티(102)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티(102)는 상면(S5)에서 후면(S6) 방향으로 함몰될 수 있다. 상기 캐비티(102)는 위에서 바라본 형상이 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있다. 상기 캐비티(102)의 깊이는 상기 몸체(110)의 상면부터 프레임(121,123)의 상면까지의 깊이이며, 0.5mm 이상 예컨대, 0.5mm 내지 0.8mm의 범위로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 깊이는 상기 몸체(110)의 두께의 55% 이상 예컨대, 55% 내지 75%의 범위일 수 있다. 상기 캐비티(102)의 깊이가 상기 범위보다 큰 경우 패키지의 두께가 증가될 수 있고 상기 범위보다 작은 경우 광의 지향각 분포가 증가되거나 광도가 저하될 수 있다.1 and 2 and FIGS. 4 to 6, the
상기 캐비티(102)의 내측면을 보면, 제1내측면(S11)과 제2내측면(S12)은 서로 대면하며, 제3 및 제4내측면(S13,S14)은 서로 대면할 수 있다. 상기 제1내측면(S11)은 제1외측면(S1)과 인접하며, 상기 제2내측면(S12)은 제2외측면(S2)과 인접하며, 상기 제3내측면(S13)은 제3외측면(S3)과 인접하며, 상기 제4내측면(S14)은 제4외측면(S4)과 인접할 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 제1 내지 제4내측면(S11,S12,S13,S14)의 하단이 상기 발광소자(171,171)들에 가장 인접한 부분까지 연장되고, 상기 프레임(121,131)들의 상면 면적의 노출을 줄여줄 수 있다. 상기 제1 내지 제4내측면(S11,S12,S13,S14)은 상기 몸체(110)의 재질로 형성되고 상기 발광소자(171,173)와 최소 거리를 갖고 배치되므로, 캐비티(102) 바닥에서의 광 손실을 줄여줄 수 있다. 즉, 프레임(121,131)의 표면은 상기 발광소자(171,173)로부터 방출된 광에 의해 변색될 수 있고, 광 반사율이 상기 몸체(110)의 재질보다 낮은 특성이 있다. 이로 인해 프레임(121,131)의 면적이 감소될수록 광 손실은 줄어들 수 있다. Looking at the inner surface of the
상기 제1내측면(S11)은 제1발광소자(171)의 단변과 제1방향으로 대면하며, 상기 제2내측면(S12)은 제2발광소자(173)의 단변과 제1방향으로 대면하며, 상기 제3내측면(S13)과 상기 제4내측면(S14)은 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)의 장변과 제1방향으로 대면할 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)에서 단변은 제1방향으로 중첩되며, 장변은 제2방향으로 중첩될 수 있다. 여기서, 상기 몸체(110)의 길이가 제1방향이 길고 제2방향이 짧게 배치되므로, 제2방향에 배치된 제3 및 제4내측면(S13,S14) 간의 간격은 제1방향에 배치된 제1 및 제2내측면(S11,S12) 간의 간격보다 짧을 수 있다. 상기 제1 및 제2내측면(S11,S12) 간의 제1방향의 최소 간격은 상기 제3 및 제4내측면(S13,S14) 간의 제2방향의 최소 간격보다 2배 초과 예컨대, 2.1배 내지 2.8배의 범위일 수 있다. 즉, 패키지 몸체의 장변과 단변의 길이 차이가 2배 이하의 차이를 갖고, 상기 캐비티(102)의 바닥의 제1방향과 제2방향의 길이 차이가 2배 초과로 배치되므로, 제2방향의 캐비티(102)의 바닥 길이를 최소화시켜 줄 수 있다. 이는 제2방향에 배치된 제3 및 제4내측면(S13,S14)을 캐비티(102)의 바닥 중심으로 연장시켜 주어, 프레임(121,131)들의 노출 면적을 줄여줄 수 있다. 상기 캐비티(102)의 바닥 형상은 대칭 형상을 포함할 수 있다. The first inner surface S11 faces the short side of the first
도 4 및 도 6과 같이, 상기 제1 및 제2내측면(S11,S12)은 제1각도(Q1)로 경사지며, 상기 제3 및 제4내측면(S13,S14)은 제2각도(Q2)로 경사질 수 있다. 상기 제1각도(Q1)는 몸체(110)의 상면에 수평한 직선을 기준으로 상기 제1 내측면(S1)과 상기 제2내측면(S2)의 경사진 각도이며, 상기 제2각도(Q2)는 상기 몸체(110)의 상면에 수평한 직선을 기준으로 상기 제3 및 제4내측면(S13,S14)의 경사진 각도이다. 상기 제3 및 제4내측면(S13,S14)이 발광소자에 더 인접하게 연장되므로, 상기 제2각도(Q2)는 비교 예의 구조보다 더 줄어들 수 있다. 상기 제2각도(Q2)는 65도 이하 예컨대, 60도 내지 65도의 범위일 수 있다. 상기 비교 예는 복수의 발광소자(171,173)가 제1방향으로 정렬되지 않고, 제2방향으로 정렬된 패키지 예이며, 이러한 구조에서 제2방향의 캐비티(102)의 내측면의 경사각도는 80도 이상으로 커질 수 있다. 상기 제1각도(Q1)는 상기 제2각도(Q2)보다 작을 수 있으며, 상기 제1각도(Q1)와 상기 제2각도(Q2)의 차이는 5도 이하 예컨대, 1도 내지 5도의 범위 또는 1.5도 내지 5도의 범위일 수 있다. 상기 제2각도(Q2)는 60도 이하일 수 있다. 이러한 제1 내지 제4내측면(S11,S12,S13,S14)에서의 제1 및 제2각도(Q1,Q2)의 차이가 거의 없게 됨으로써, 동일한 패키지 사이즈에서 제2방향의 광 지향각 특성을 보다 넓게 제공할 수 있다. 상기 제1 및 제2각도(Q1,Q2)는 프레임(121,131)의 상면에 수평한 직선에 대한 각 내측면(S11,S12,S13,S14)의 내부 각도일 수 있다.4 and 6, the first and second inner surfaces S11 and S12 are inclined at a first angle Q1, and the third and fourth inner surfaces S13 and S14 are at a second angle ( Q2). The first angle Q1 is an inclined angle between the first inner surface S1 and the second inner surface S2 based on a straight line horizontal to the upper surface of the
도 8 및 도 9와 같이, 상기 캐비티(102)의 내측면 하단과 상기 발광소자(171,173)들 사이의 간격(G1)은 0.15mm 이하 예컨대, 0.05 내지 0.15mm의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 Ag 표면에 의한 광속저하의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 작은 경우 발광소자(171,173)의 탑재나 와이어의 본딩 장비의 삽입이 어려울 수 있다. 이에 따라 캐비티(102) 바닥에서의 프레임(121,131)의 반사층(예: Ag)의 면적을 최소화시켜 줄 수 있어, 몸체 재질의 의한 광 반사율을 개선시켜 줄 수 있다. 8 and 9, the gap G1 between the lower end of the inner surface of the
도 2와 같이, 상기 캐비티(102)의 내측면(S11,S12,S13,S14) 각각은 리세스(R1,R2,R3,R4)를 포함할 수 있다. 상기 리세스(R1,R2,R3,R4)는 상기 제1내측면(S11)에 배치된 제1리세스(R1), 상기 제2내측면(S12)에 배치된 제2리세스(R2), 상기 제3내측면(S13)에 배치된 제3리세스(R3) 및 상기 제4내측면(S14)에 배치된 제4리세스(R4)를 포함할 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 상기 제1내측면(S11)의 하부에서 상기 제1외측면(S1) 방향으로 오목하게 함몰되며, 상기 제2리세스(R2)는 상기 제2내측면(S12)의 하부에서 상기 제2외측면(S2) 방향으로 오목하게 함몰되며, 상기 제3리세스(R3)는 상기 제3내측면(S13)의 하부에서 상기 제3외측면(S3) 방향으로 오목하게 함몰되며, 상기 제4리세스(R4)는 상기 제4내측면(S14)의 하부에서 상기 제4외측면(S4) 방향으로 오목하게 함몰될 수 있다. 상기 제1 내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4) 각각의 최대 폭은 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)의 너비 또는 단변의 길이보다 작을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 상기 제1발광소자(171)의 단변과 대면하거나 제1방향으로 중첩되며, 상기 제2리세스(R2)는 상기 제2발광소자(173)의 단변과 대면하거나 제1방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제3리세스(R3)는 상기 제1발광소자(171)의 장변과 대면하며, 상기 제4리세스(R4)는 상기 제2발광소자(173)의 장변과 대면할 수 있다.2, each of the inner surfaces S11, S12, S13, and S14 of the
상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)와 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)는 제1방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제3 및 제4리세스(R3,R4)는 제2방향으로 서로 어긋나거나 중첩되지 않을 수 있다. 도 4 및 도 7과 같이, 상기 제1 및 제3리세스(R1,R3)에는 상기 제1프레임(121)이 연장되고 노출되며, 상기 제2 및 제3리세스(R2,R3)에는 상기 제2프레임(131)이 연장되고 노출될 수 있다. 상기 제1 내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4)는 외측 방향으로 반구 형상이거나 원의 곡률 반경을 갖는 곡면 형상을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 중심은 상기 발광소자(171,173)들의 중심을 지나는 직선 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4)는 캐비티(102) 바닥과 같은 수평 면으로 연장될 수 있다. The first and second recesses R1 and R2 and the first and second
상기 제3리세스(R3)는 제1발광소자(171)의 장변과 부분적으로 대면하며, 제1발광소자(171)의 코너 및 분리부(115)와 대응될 수 있다. 상기 제4리세스(R4)는 제2발광소자(173)의 장변과 부분적으로 대면하며, 제2발광소자(173)의 코너 및 분리부(115)와 대응될 수 있다. The third recess R3 partially faces the long side of the first
도 2 및 도 7과 같이, 상기 제3 또는 제4내측면(S13,S14)에는 제5리세스(R5)가 배치되며, 상기 제5리세스(R5)는 상기 캐비티(102) 바닥과 장벽부(105)에 의해 이격될 수 있다. 상기 제5리세스(R5)는 제3내측면(S13)에 배치된 예로 설명하기로 하며, 상기 장벽부(105)는 상기 제5리세스(R5)와 상기 캐비티(102) 바닥 사이에 댐 역할을 수행하며, 몸체의 재질로 형성될 수 있다. 상기 장벽부(105)는 상기 제2발광소자(173)의 장변을 따라 연장되며, 제2내측면(S12)의 하부(106, 도 8 참조)에서 제3내측면(S13)의 하부 방향으로 연장될 수 있다. 상기 장벽부(105)의 폭은 0.12mm 이상이거나 0.12mm 내지 0.17mm의 범위이며, 높이는 0.08mm 이상 예컨대, 0.08 내지 0.12mm의 범위일 수 있다. 상기 장벽부(105)의 높이는 상기 발광소자(171,173)들의 두께의 50% 이상으로 배치되어, 광 손실을 줄일 수 있다. 상기 제5리세스(R5)에는 보호소자(175) 및 이에 연결된 제5와이어(185)가 배치될 수 있다. 상기 보호소자(175)는 제2프레임(131)으로부터 연장된 서브 영역(25) 상에 배치되고, 상기 제1프레임(121)으로부터 제2외측면(S2) 방향으로 돌출된 제1돌출부(22)의 단부(25)와 제5와이어(185)로 연결될 수 있다. 상기 장벽부(105)는 제2발광소자(173)로부터 측 방향으로 방출된 광이 보호소자(175)에 의해 손실되는 것을 억제할 수 있도록 반사 댐으로 기능할 수 있다. 상기 제5리세스(R5)에는 반사성 수지가 몰딩될 수 있다. 이에 따라 제5리세스(R5)에서의 광 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 보호소자(175)는 싸이리스터, 제너 다이오드나 TVS (Transient voltage suppressor) 다이오드와 같은 과전압 보호용 소자를 포함할 수 있다. 상기 보호 소자(175)는 제1발광소자(171) 및 제2발광소자(173)의 연결 회로에 병렬로 연결됨으로써, 상기 발광소자(171,173)을 보호할 수 있다. 2 and 7, a fifth recess (R5) is disposed on the third or fourth inner surfaces (S13, S14), and the fifth recess (R5) is a barrier and a bottom of the cavity (102). It can be spaced by the
여기서, 분리부(115)는 상기 복수의 프레임(121,131)들 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2프레임(121,131)을 이격시키고 절연시켜 줄 수 있다. 상기 분리부(115)는 상기 몸체(110)의 재질로 형성되고 제1 및 제2프레임(121,131) 사이에 배치될 수 있다. Here, the
도 2 내지 도 5와 같이, 상기 복수의 프레임(121,131)은 2개 이상으로 배치될 수 있으며, 제1 및 제2프레임(121,123)으로 정의될 수 있다. 상기 제1프레임(121)은 상기 캐비티(102) 바닥과 제1, 제3 및 제4외측면(S1,S3,S4)에 인접한 몸체(110)의 하부에 배치되며, 상기 제2프레임(131)은 상기 캐비티(102)의 바닥과 제2, 제3 및 제4외측면(S2,S3,S4)에 인접한 몸체(110)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(121,131)은 도전성 프레임 또는 금속 프레임을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(121,131)은 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(121,131)의 두께는 방열 특성 및 전기 전도 특성을 고려하여 형성될 수 있으며, 200 ㎛ 이상 예컨대 200 내지 400 ㎛의 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1 프레임(121)과 상기 제2 프레임(131)은 상기 패키지 몸체의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(171,173)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(121,131)의 표면에는 고 반사 재질 예컨대, Ag와 같은 금속층이 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(121,131)의 표면에 형성된 Ag와 같은 금속층은 몸체(110) 또는 분리부(115)의 재질보다 광 반사율이 낮을 수 있다. 이에 따라 발광소자(171,173)의 하부에서 상기 프레임(121,131)의 노출 면적이 증가할수록 광 반사율이 저하되며, 상기 몸체(110)의 면적이 증가할수록 광 반사율은 증가될 수 있다. 2 to 5, the plurality of
상기 제1프레임(121)의 제1단부(123)는 상기 몸체(110)의 제1외측면(S1)아래에서 상기 몸체(110)의 제1외측면(S1)보다 외측으로 돌출될 수 있다. 제2프레임(131)의 제2단부(133)는 상기 몸체(110)의 제4외측면(S4)보다 더 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(121,131)의 하면은 상기 몸체(110)의 하면(S6)에 노출될 수 있다. 도 3과 같이, 상기 제1 및 제2프레임(121,131)은 외측 둘레를 따라 단차 구조(ST1,ST2)가 배치되며, 상기 단차 구조(ST1,ST2)에 의해 상기 제1 및 제2프레임(121,131)의 상면 면적은 하면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(121,131)의 단차 구조(ST1,ST2)는 몸체(110)와의 결합 면적이 증가될 수 있어, 습기 침투를 억제시켜 줄 수 있다. The
도 3과 같이, 상기 제1 및 제2프레임(121,131)은 복수의 홀(H1,H2,H3,H4)을 포함하며, 상기 복수의 홀(H1,H2,H3,H4)은 상기 몸체(110)의 일부가 결합될 수 있다. 상기 복수의 홀(H1,H2,H3,H4)은 단차 구조를 갖고 몸체(110)와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 상기 제1프레임(121)의 홀(H1,H3)들은 상기 제1단부에 인접한 영역에 배치되며, 상기 제2프레임(131)의 홀들(H2,H4)은 상기 제2단부에 인접한 영역에 배치될 수 있다.3, the first and
도 2 및 도 3과 같이, 상기 제1프레임(121)은 상기 제1발광소자(171)가 배치된 제1영역(21)을 포함하며, 상기 제2프레임(131)은 상기 제2발광소자(173)가 배치된 제2영역(31)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2영역(21,31)은 분리부(115)의 양측에서 서로 대향될 수 있다. 상기 제1프레임(121)은 상기 제3외측면(S3)에 인접한 영역에서 상기 제2프레임(131) 또는 제2외측면(S2) 방향으로 돌출된 제1돌출부(22)를 포함하며, 상기 제1돌출부(22)의 단부(25)에는 제5와이어(185)가 본딩되는 영역일 수 있다. 상기 제1돌출부(22)의 단부(25)는 상기 제2발광소자(173)의 장변의 중앙 지점까지 연장될 수 있다. 상기 제2프레임(131)은 상기 제1돌출부(22)의 단부와 대응되는 제1서브 영역(35)이 돌출될 수 있다. 상기 제1서브 영역(33)은 제2영역(31)으로부터 리세스 영역(Rb)에 의해 이격될 수 있다. 2 and 3, the
상기 제2프레임(131)은 상기 제4외측면(S4)에 인접한 영역에서 상기 제1프레임(121) 또는 제1외측면(S1) 방향으로 돌출된 제2돌출부(32)를 포함하며, 상기 제2돌출부(32)의 단부(32A)는 상기 제1발광소자(171)의 장변의 중앙 지점까지 연장될 수 있다. 여기서, 상기 분리부(115)는 제1프레임(121)의 제1돌출부(22)와 제2프레임(131)의 제2영역(31) 사이로 연장된 제1연장부(15A)와, 상기 제2프레임(131)의 제2돌출부(32)와 상기 제1프레임(121)의 제1영역(21) 사이로 연장된 제2연장부(15B)를 포함할 수 있다. 상기 제1연장부(15A)는 상기 분리부(115)로부터 제2외측면(S2) 방향으로 연장되며, 상기 제2연장부(15B)는 상기 분리부(115)로부터 제1외측면(S1) 방향으로 연장될 수 있다. 제1 및 제2연장부(15A,15B)는 상기 분리부(115)를 기준으로 서로 반대 방향으로 연장됨으로써, 상기 분리부(115)와 상기 프레임(121,123)들 사이의 결합을 강화시켜 줄 수 있고, 상기 몸체(110)의 중심의 강성 저하를 방지할 수 있다. 상기 제1 및 제2돌출부(22,32)는 대칭 형상으로 배치될 수 있으며, 상기 제1돌출부(22)의 단부(25)는 가상의 중심 라인(Y0)로부터 제2외측면(S2) 방향으로 소정 거리(D1)로 돌출되며, 상기 제2도출부(32)의 단부(32A)는 상기 중심 라인(Y0)로부터 제1외측면(S1) 방향으로 소정 거리(D2)로 돌출될 수 있다. 상기 거리(D1,D2)는 0.8mm 이상 예컨대, 0.8mm 내지 1.2mm의 범위일 수 있다. The
도 2 및 도 7과 같이, 상기 제1프레임(121)은 상기 제1리세스(R1)의 바닥에 배치된 제1본딩부(11A) 및 상기 제3리세스(R3)의 바닥에 배치된 제2본딩부(11B)를 포함할 수 있다. 상기 제2프레임(131)은 상기 제2리세스(R2)의 바닥에 배치된 제3본딩부(31A)와 상기 제4리세스(R4)의 바닥에 배치된 제4본딩부(31B)를 포함할 수 있다. 상기 제 1내지 제4본딩부(11A,11B,31A,31B)들의 상면은 프레임(121,131)들의 상면과 같은 평면 상에 배치되며, 각 프레임(121,131)들의 상면이 연장될 수 있다. 상기 제2본딩부(11B)의 외측 단 및 제4본딩부(31B)의 외측 단은 상기 분리부(115)가 연장되거나 상기 분리부(115)와 제2방향으로 중첩될 수 있다.2 and 7, the
도 9와 같이, 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 최대 폭(B2)는 0.55 mm 이하 예컨대, 0.35 내지 0.55의 범위일 수 있으며, 이러한 폭(B2)는 와이어 본딩 장비의 위한 최소한의 공간일 수 있으며 광 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 최대 깊이(K2)는 상기 최대 폭(B2)와 동일하거나 작을 수 있으며, 예컨대 0.4mm 이하이거나 0.2mm 내지 0.4mm의 범위일 수 있다. 이러한 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 깊이(K2)는 제1,3 와이어(181,183)의 타단(Wb)의 테일부(Wc)의 길이에 의해 달라질 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 깊이(K2)는 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 외주면과 상기 캐비티(102)의 제1 및 제2내측면(S11,S12) 하단 사이의 거리이다. As illustrated in FIG. 9, the maximum width B2 of the first and second recesses R1 and R2 may be 0.55 mm or less, for example, in the range of 0.35 to 0.55, and this width B2 is for wire bonding equipment. It can be a minimal space and can reduce light loss. The maximum depth K2 of the first and second recesses R1 and R2 may be equal to or smaller than the maximum width B2, for example, 0.4 mm or less or in a range of 0.2 mm to 0.4 mm. The depth K2 of the first and second recesses R1 and R2 may be changed by the length of the tail portion Wc of the other end Wb of the first and
상기 제1 및 제2와이어(181,182)의 테일부(Wc)의 길이(K4)는 0.12mm±0.05mm의 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)에 배치된 와이어(181,183) 각각의 일단(Wa)과 타단(Wb) 사이의 직선 거리(K3)는 평면 상에서 상기 테일부(Wc)의 길이(K4)의 2배 이하 또는 1.5배 이하일 수 있다. 상기 직선 거리(K3)는 0.15mm±0.05mm의 범위일 수 있다. 또한 제1 및 제2발광소자(171,173)의 단변과 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 외주면(Sr)까지의 최대 거리는 0.45mm ±0.1의 범위일 수 있다. The length K4 of the tail portion Wc of the first and
상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 외주면(Sr)의 최대 높이(T2)는 각 프레임(121,131)의 상면을 기준으로 상기 제3 및 제4리세스(R3,R4)의 외주면의 최대 높이보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 외주면(Sr)의 최대 높이(T2)는 0.33mm 이하 예컨대, 0.24mm 내지 0.33mm의 범위일 수 있으며, 상기 제3 및 제4리세스(R3,R4)의 외주면의 최대 높이는 0.3mm 이하 예컨대, 0.18 내지 0.3mm의 범위일 수 있다. 상기 제 1내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4)의 외주면은 상기 범위보다 큰 경우, 캐비티(102)의 내측면의 면적이 즐어들 수 있어, 상기 범위 내에서 Ag 노출 면적을 최소화할 수 있다. 상기 제 1내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4)의 외주면(Sr)은 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. The maximum height T2 of the outer circumferential surfaces Sr of the first and second recesses R1 and R2 is the outer circumferential surfaces of the third and fourth recesses R3 and R4 based on the upper surfaces of the
도 7과 같이, 발명의 실시 예는 상기 제1 내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4)의 영역을 제외한 상기 캐비티(102)의 바닥 면적이 제1반사 영역(A1)이고, 상기 제1반사 영역은 분리부(115)의 영역을 제외할 수 있다. 상기 분리부(115)의 영역(A2)은 상기 캐비티(102) 바닥에서 분리부(115)의 면적이며, 상기 제1 내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4)의 외곽 라인을 연결한 가상의 직선을 연결한 사각형의 내측 영역의 면적은 제2반사 영역(A3)로 정의한다. 이때 상기 제1 내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4)의 외곽 라인을 연결한 가상의 직선으로 형성되는 사각형의 내측 영역은 상기 제1 내지 제4내측면(S11,S12,S13,S14)을 연장하지 않을 때의 제2반사 영역(A2)일 수 있다. 즉, 제2반사 영역(A2)은 상기 제1 내지 제4내측면(S11,S12,S13,S14)의 연장 부분이 없는 경우, 각 프레임(121,131)의 반사층의 면적은 더 증가될 수 있으며, 이로 인한 광 손실은 커질 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 제2반사 영역(A2)보다는 작은 제1반사 영역(분리부의 영역 제외)(A1)을 캐비티(102의 바닥 면적으로 제공해 주어, 상기 각 프레임(121,131)의 반사층의 면적 감소 또는 캐비티(102)의 각 내측면(S11,S12,S13,S14)의 연장 부분에 의한 광 반사 효율의 증가를 개선시켜 줄 수 있다. 상기 2반사 영역(A2)은 상기 몸체 상면의 전체 면적을 기준으로 18% 이상일 수 있으며, 상기 제1반사 영역(분리부의 영역 제외)은 몸체(110)의 상면의 전체 면적을 기준으로 15% 이하 예컨대, 13% 내지 15% 범위일 수 있다. 즉, 제1반사 영역(A1)은 제2반사 영역(A2)보다 3% 이하로 줄어들 수 있다. 또한 캐비티(102)의 각 내측면에 제1 내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4)를 분산 배치하여, 광 손실을 줄여줄 수 있다.As illustrated in FIG. 7, in the exemplary embodiment of the present invention, the bottom area of the
도 1 내지 도 5를 참조하면, 상기 캐비티(102) 내에는 복수의 발광소자(171,173)이 배치될 수 있다. 상기 발광소자(171,173)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체와 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 LED 칩을 포함한다. 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)는 동일한 컬러의 광 세기가 가장 크거나 서로 다른 컬러의 광 세기가 가장 클 수 있다. 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)는 예컨대, 400nm 내지 470nm의 파장 범위이거나 청색 광을 발광할 수 있다. 1 to 5, a plurality of
상기 제1 및 제2발광소자(171,173)는 수평형 칩일 수 있으며, 제1도전형 반도체층, 제2도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. 상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)는 하부에 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판은 투광성 재질이거나 반도체 재질 또는 금속 재질일 수 있다. The first and second
상기 제1발광소자(171)는 상기 제1프레임(121)의 제1영역 상에 접착부재로 접착되며, 상기 제2발광소자(173)는 제2프레임(131)의 제2영역 상에 접착부재로 접착될 수 있다. 상기 접착 부재는 절연성 접착제 또는 전도성 접착제일 수 있다. 상기 절연성 접착제는 에폭시 또는 실리콘과 같은 재질을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 접착제는 솔더와 같은 본딩 재질을 포함할 수 있다. The first
상기 제1 및 제2발광소자(171,173)는 제1 및 제2패드를 포함하며, 상기 제1 및 제2패드는 제1 및 제2도전형 반도체층과 연결되고, 제1 및 제2프레임(121,131)과 연결될 수 있다. 상기 제1발광소자(171)는 제1 및 제2와이어(181,182)를 통해 제1 및 제2프레임(121,131)과 연결될 수 있다. 상기 제2발광소자(173)는 제3 및 제4와이어(183,184)를 통해 제1 및 제2프레임(121,131)과 연결될 수 있다. The first and second
상기 제1와이어(181)는 제1발광소자(171)와 상기 제1프레임(121)의 제1본딩부(11A) 각각에 연결되며, 상기 제2와이어(182)는 상기 제1발광소자(171)와 상기 제2프레임(131)의 제4본딩부 각각에 연결된다. 상기 제3와이어(183)는 상기 제2발광소자(173)와 상기 제2프레임(131)의 제3본딩부 각각에 연결되며, 상기 제4와이어(184)는 상기 제2발광소자(173)와 상기 제1프레임(121)의 제2본딩부에 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2와이어(181,182)의 각 일단(Wa)은 제1발광소자(171)의 각 패드에 본딩되고, 타단(Wb)은 제1 및 제4본딩부에 본딩된다. 상기 제3 및 제4와이어(183,184)의 각 일단(Wa)은 제2발광소자(173)의 각 패드에 본딩되고, 타단(Wb)은 제3 및 제2본딩부에 본딩된다. 상기 제1 내지 제4와이어(181,182,183,184)의 타단(Wb)은 상기 제1 내지 제4리세스(R1,R2,R3,R4)의 바닥에 본딩되고, 상기 제1 내지 제4내측면(S11,S12,S13,S14)의 하단(Pa)으로 연장된 가상의 직선(E1, 도 9 참조)보다 내측에 배치될 수 있다. The
상기 제1 내지 제4와이어(181,182,183,184)에서 각각의 타단(Wb)은 테일부(Wc)를 구비하며, 상기 테일부(Wc)는 상기 타단(Wb)으로부터 상기 각 리세스의 내측 방향 또는 각 리세스의 외주면(Sr, 도 9 참조) 방향으로 연장된다. 상기 각 와이어의 테일부(Wc)는 상기 각 와이어의 타단(Wb)의 접합력을 개선시키고 상기 와이어가 끓어지거나 본딩 불량을 방지할 수 있다. In the first to
여기서, 상기 제1 및 제3와이어(181,183)는 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)의 단변 방향으로 연장되어, 제1 및 제2리세스(R1,R2) 내부로 연장된다. 이에 따라 상기 제1 및 제2발광소자(171,173)가 측면들을 통해 광을 방출할 때, 장벽을 통해 더 많은 광이 방출되므로, 상기 각 발광소자(171,173)의 단변 상에 배치되는 제1 및 제3와이어(181,183)에 의한 광 손실이 장벽 상에 배치될 때보다 감소될 수 있다. 또한 각 발광소자(171,173)에서 측면을 통해 광을 방출할 때, 제3 및 제4내측면(S13,S14)을 각 발광소자(171,173)에 인접하게 배치되므로, 각 발광소자(171,173)의 장변을 통해 방출되는 광의 추출 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. Here, the first and
또한 상기 제1 및 제3와이어(181,183)를 광 손실을 줄이기 위해, 캐비티(102)의 내측면의 각 각 코너에 리세스를 배치하고, 발광소자에 연결된 와이어를 상기 코너 방향으로 인출할 때, 상기 제1 및 제3와이어의 일부가 상기 각 발광소자(171,173)의 코너에 걸리는 문제가 발생되고 오픈 불량이나 쇼트와 같은 문제가 발생될 수 있다. In addition, in order to reduce the light loss of the first and
상기 제2와이어(182)는 제2발광소자(173)에서 제2본딩부 방향으로 연장될 때, 상기 제2발광소자(173)의 코너를 벗어난 단변 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제4와이어(184)는 제1발광소자(171)에서 제4본딩부 방향으로 연장될 때, 상기 제4발광소자의 코너를 벗어난 단변 방향으로 연장될 수 있다. 이에 따라 제2 및 제4와이어(182,184)가 각 발광소자(171,173)의 코너에 접촉되는 불량을 방지할 수 있고, 광 손실을 최소화시켜 줄 수 있다. When the
상기 캐비티(102)에는 몰딩부(191)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(191)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(191)는 상기 발광소자(171,173) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체 또는 양자잠을 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광소자(171,173)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩부(191)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A
상기 몰딩부(191)의 표면은 광 출사면이 될 수 있다. 상기 몰딩부(191)의 상부에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 발광소자(171,173)에 대해 볼록한 렌즈, 오목한 렌즈, 중심부에 전반사면을 갖는 볼록 렌즈를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The surface of the
발명의 실시 예에 따른 발광 소자는 도 10의 예를 참조하여, 설명하기로 한다. The light emitting device according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the example of FIG. 10.
도 10을 참조하면, 발광소자(171,173)은 기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 기판(311)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함한다. 상기 버퍼층(312)은 기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. Referring to FIG. 10, the
상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. The
상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The
상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. A second
상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.The second
또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다. In addition, the conductivity type of the
상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.The
상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1패드(316)가 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2패드(317)를 포함한다. 상기 제1 및 제2패드(316,317)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2패드(316,317)는 각 발광소자(171,173)의 상부에 노출되고 각각 와이어의 일단(Wa)이 본딩될 수 있다.A
한편, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 하나 또는 복수개가 회로 기판에 배치되어 광원 장치에 적용될 수 있다. 또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. Meanwhile, one or a plurality of light emitting device packages according to embodiments of the present invention may be disposed on a circuit board and applied to a light source device. Further, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like according to the industrial field.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.As an example of a light source device, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, and is disposed in front of the reflector and guides light emitted from the light emitting module forward A light guide plate, an optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, of the display panel It may include a color filter disposed in front. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. Also, the display device does not include a color filter, and may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are disposed respectively.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, and reflected by the reflector It may include a lens that refracts light forward, and a shade that is reflected by a reflector to block or reflect a portion of light directed to the lens to form a light distribution pattern desired by the designer.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 발명의 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat radiator, a power supply unit, an inner case, and a socket. Further, the light source device according to an embodiment of the present invention may further include any one or more of a member and a holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment of the invention.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope of the present invention without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be determined by the scope of the claims.
Claims (10)
상기 캐비티의 바닥에 배치된 제1프레임;
상기 캐비티의 바닥에 배치되고 상기 제1프레임과 이격된 제2프레임;
상기 제1프레임 위에 배치된 제1발광소자;
상기 제2프레임 위에 배치된 제2발광소자를 포함하며,
상기 몸체는 서로 반대측에 배치된 제1 및 제2외측면, 및 서로 반대측에 배치된 제3 및 제4외측면을 포함하며, 상기 제3 및 제4외측면은 길이는 상기 제1 및 제2외측면의 길이보다 길며,
상기 캐비티는 상기 제1 내지 제4내측면 각각에 인접한 제1 내지 제4내측면을 포함하며,
상기 캐비티는 상기 제1내측면의 하단에서 상기 제1외측면 방향으로 함몰된 제1리세스, 상기 제2내측면의 하단에서 상기 제2외측면 방향으로 함몰된 제2리세스, 상기 제3내측면의 하단에서 상기 제3외측면 방향으로 함몰된 제3리세스 및 상기 제4내측면의 하단에서 상기 제4외측면 방향으로 함몰된 제4리세스를 포함하며,
상기 제1프레임은 상기 제1 및 제3리세스에 연장되고 노출된 제1 및 제2본딩부를 포함하며,
상기 제2프레임은 상기 제2 및 제4리세스에 연장되고 노출된 제3 및 제4본딩부를 포함하며,
상기 제1발광소자와 상기 제1 및 제2본딩부에 각각 연결된 제1 및 제2와이어, 상기 제2발광소자와 상기 제3 및 제4본딩부에 각각 연결된 제3 및 제4와이어를 포함하며,
상기 제1 및 제2리세스는 상기 제1 및 제2발광소자의 단변과 대면하며, 수평 방향으로 중첩되는 발광 소자 패키지.A body having a cavity;
A first frame disposed on the bottom of the cavity;
A second frame disposed on the bottom of the cavity and spaced apart from the first frame;
A first light emitting element disposed on the first frame;
And a second light emitting element disposed on the second frame,
The body includes first and second outer surfaces disposed opposite to each other, and third and fourth outer surfaces disposed opposite to each other, and the third and fourth outer surfaces have lengths of the first and second outer surfaces. Longer than the length of the outer surface,
The cavity includes first to fourth inner sides adjacent to each of the first to fourth inner sides,
The cavity has a first recess recessed in the direction of the first outer surface from the bottom of the first inner surface, a second recess recessed in the direction of the second outer surface from the bottom of the second inner surface, and the third It includes a third recess recessed in the direction of the third outer surface from the bottom of the inner surface and a fourth recess recessed in the direction of the fourth outer surface from the bottom of the fourth inner surface,
The first frame includes first and second bonding portions extending and exposed to the first and third recesses,
The second frame includes third and fourth bonding portions extending and exposed to the second and fourth recesses,
And first and second wires respectively connected to the first light emitting element and the first and second bonding portions, and third and fourth wires respectively connected to the second light emitting element and the third and fourth bonding portions, ,
The first and second recesses face the short sides of the first and second light emitting elements, and the light emitting device package overlaps in a horizontal direction.
상기 캐비티의 바닥 면적에서 상기 제1 및 제2프레임들의 상면이 노출되는 면적은 상기 몸체의 상면 전체 면적의 15% 이하이며, 상기 면적은 상기 제1 내지 제4리세스의 영역을 제외하는 발광 소자 패키지.According to claim 1,
The area in which the upper surfaces of the first and second frames are exposed in the bottom area of the cavity is 15% or less of the total area of the upper surface of the body, and the area is a light emitting device excluding the areas of the first to fourth recesses. package.
상기 제1 및 제2발광소자와 상기 캐비티의 제1 내지 제4내측면 하단 사이의 간격은 0.15mm 이하이며,
상기 제1 내지 제4리세스는 상기 캐비티의 제1 내지 제4내측면의 하단부터 0.4mm 이하의 깊이로 함몰되는 발광 소자 패키지.According to claim 2,
The distance between the first and second light emitting elements and the lower ends of the first to fourth inner surfaces of the cavity is 0.15 mm or less,
The first to fourth recesses are light emitting device packages that are recessed to a depth of 0.4 mm or less from the bottom of the first to fourth inner surfaces of the cavity.
상기 제 1내지 제4와이어는 상기 제1 내지 제4리세스 내에서 테일부를 갖는 발광 소자 패키지.According to claim 1,
The first to fourth wires are light emitting device packages having a tail in the first to fourth recesses.
상기 제3리세스는 상기 제3내측면의 하부에서 상기 제1발광소자의 장변과 대면하며,
상기 제4리세스는 상기 제4내측면의 하부에서 상기 제2발광소자의 장변과 대면하며,
상기 제3와이어는 상기 제1발광소자의 단변 상으로 상기 제3리세스 방향으로 연장되며,
상기 제4와이어는 상기 제2발광소자의 단변 상으로 상기 제4리세스 방향으로 연장되는 발광 소자 패키지.The method according to any one of claims 1 to 4,
The third recess faces a long side of the first light emitting element at a lower portion of the third inner side,
The fourth recess faces the long side of the second light emitting element at the bottom of the fourth inner side,
The third wire extends in the direction of the third recess on the short side of the first light emitting element,
The fourth wire is a light emitting device package extending in the direction of the fourth recess toward the short side of the second light emitting device.
상기 제1 및 제2내측면의 경사 각도와 상기 제3 및 제4내측면의 경사 각도의 차이는 5도 이하이며,
상기 제1 및 제2내측면의 경사 각도는 상기 제3 및 제4내측면의 경사 각도보다 큰 발광 소자 패키지.The method according to any one of claims 1 to 4,
The difference between the inclination angles of the first and second inner surfaces and the inclination angles of the third and fourth inner surfaces is 5 degrees or less,
The first and second inclined angle of the inner surface is greater than the inclined angle of the third and fourth inner surface light emitting device package.
상기 제1 및 제2리세스는 상기 제1 및 제2발광소자의 단변 센터 영역과 대향되며,
상기 제1 내지 제4리세스는 반구형 형상을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to any one of claims 1 to 4,
The first and second recesses are opposed to short-side center regions of the first and second light emitting elements,
The first to fourth recesses are light emitting device packages including a hemispherical shape.
상기 프레임은 상부에 Ag 반사층을 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to any one of claims 1 to 4,
The frame is a light emitting device package including an Ag reflective layer on the top.
상기 제3 또는 제4내측면에 오목한 제5리세스를 포함하며,
상기 제5리세스에 보호 소자가 배치되는 발광 소자 패키지. The method according to any one of claims 1 to 4,
And a fifth recess recessed on the third or fourth inner surface,
A light emitting device package in which a protection element is disposed in the fifth recess.
상기 캐비티의 바닥에서 제1 및 제2프레임 사이의 중심을 기준으로 상기 제1 및 제2리세스는 대칭되며, 상기 제3 및 제4리세스는 대칭되는 발광 소자 패키지.The method according to any one of claims 1 to 4,
A light emitting device package in which the first and second recesses are symmetrical with respect to the center between the first and second frames at the bottom of the cavity, and the third and fourth recesses are symmetrical.
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