KR20200084150A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20200084150A
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gas supply
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KR1020190000195A
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전성근
이영민
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피에스케이홀딩스 (주)
피에스케이 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지며, 기판이 반입되는 반입구가 형성된 프로세스 챔버와; 상기 프로세스 챔버에 기판을 반입하거나, 상기 프로세스 챔버로부터 기판을 반출하는 반송 로봇을 포함하되, 상기 반입구를 통해 반송 중인 기판 상으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 가스를 공급하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 노광, 애싱 및 세정 같은 다양한 공정이 수반된다. 이러한 반도체 제조 공정에 있어서, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하거나, 기판을 가열하여 기판을 처리하는 공정이 일반적으로 널리 수행되고 있다.
일반적으로 기판은 공정 챔버로 반입된 이후 가열되고, 로드락 챔버에서 냉각된 후 회수 된다. 기판이 고온 상태인 공정 챔버로 반입되는 경우 기판의 온도는 급격히 올라간다. 또한, 기판이 로드락 챔버로 반입되어 냉각되는 경우 기판의 온도는 급격히 내려간다. 기판의 온도 변화로 기판에는 열응력(Thermal Stress)이 가해진다. 기판의 온도가 급격히 변화 하는 경우 이러한 열응력이 짧은 시간 동안 기판에 가해지며, 이에 기판이 파손될 위험이 발생한다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판이 반송되면서 기판의 급격한 온도 변화로 기판이 파손될 위험을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지며, 기판이 반입되는 반입구가 형성된 프로세스 챔버와; 상기 프로세스 챔버에 기판을 반입하거나, 상기 프로세스 챔버로부터 기판을 반출하는 반송 로봇을 포함하되, 상기 반입구를 통해 반송 중인 기판 상으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 반입구의 상부에 위치되도록 상기 프로세스 챔버에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은, 내부 공간을 가지는 하우징과; 상기 내부 공간 내에서 상기 가스의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하고, 상기 하우징의 상단에는 상기 내부 공간으로 가스를 도입하는 유입홀이 형성되고, 상기 하우징의 하단에는 상기 내부 공간 내의 가스를 상기 내부 공간 외부로 분사하는 분사홀이 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 온도 조절 부재는, 상기 내부 공간으로 유입된 가스를 가열하는 히터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 기판을 상기 프로세스 챔버에 반입하는 경우에는 상기 히터를 온(On)하고, 상기 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 반출하는 경우에는 상기 히터를 오프(Off)하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 내부 공간으로 유입되는 상기 가스를 여과하는 필터와; 상기 기체를 상기 내부 공간으로 유입시키는 팬을 포함하되, 상기 필터, 상기 팬, 그리고 상기 온도 조절 부재는 상기 내부 공간에서 아래 방향으로 순차적으로 위치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 기판이 상기 프로세스 챔버로 반입되는 경우 제1온도의 가스를 상기 기판에 분사하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하고, 상기 제1온도는 상온보다 높은 온도일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 기판이 상기 프로세스 챔버로부터 반출되는 경우 제2온도의 가스를 상기 기판에 분사하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하고, 상기 제2온도는 상기 제1온도보다 낮은 온도일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 내부에 처리 공간을 가지는 프로세스 챔버로 반송 로봇을 이용하여 기판을 반입 또는 반출하는 도중에 상기 기판이 상기 반송 로봇에 지지된 상태에서 상기 기판으로 온도가 조절된 가스를 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스는 상기 프로세스 챔버에 제공된 상기 기판이 반입되는 반입구를 상기 기판이 통과하는 도중에 공급될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스는, 커튼 방식으로 분사되고, 상기 기판이 반송되는 방향에 교차되는 방향으로 분사될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판이 상기 프로세스 챔버로 반입되는 경우, 제1온도로 조절된 가스를 상기 기판에 공급하고, 상기 제1온도는 상온보다 높은 온도일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판이 상기 프로세스 챔버에서 반출되는 경우, 제2온도로 조절된 가스를 상기 기판에 공급하고, 상기 제2온도는 상기 제1온도보다 낮은 온도일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 프로세스 챔버에서 기판을 처리하는 중에 상기 기판은 제3온도로 가열되고, 상기 제3온도는 상기 제1온도보다 높은 온도일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판을 처리하는 처리 모듈과; 상기 처리 모듈에 인접하게 배치되는 인덱스 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은, 기판이 수용된 용기가 놓이는 하나 또는 복수의 로드 포트와; 상기 로드 포트와 상기 처리 모듈 사이에 배치되며, 기판을 상기 용기와 상기 처리 모듈 간에 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 인덱스 프레임을 포함하고, 상기 처리 모듈은, 기판을 반송하는 반송 로봇이 제공된 트랜스퍼 챔버와; 상기 트랜스퍼 챔버의 측부에 배치되며, 기판을 처리하고, 기판이 반입되는 반입구가 형성된 프로세스 챔버와; 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 프레임 사이에 배치되며, 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 프레임 사이에 전달되는 기판이 일시적으로 놓이는 버퍼 공간을 가지고, 기판이 출입하는 개구를 가지는 로드락 챔버를 포함하고, 상기 로드락 챔버에서 상기 프로세스 챔버로 기판이 상기 반송 로봇에 지지된 상태로 반송 중에 상기 기판 상으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 로드락 챔버의 상기 개구의 상부에 위치되도록 상기 로드락 챔버에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 프로세스 챔버의 상기 반입구의 상부에 위치되도록 상기 프로세스 챔버에 설치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 기판이 상기 로드락 챔버에서 상기 프로세스 챔버로 반입되는 경우, 제1온도로 조절된 가스를 상기 기판에 공급하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하고, 상기 제1온도는 상온보다 높은 온도일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판이 상기 프로세스 챔버에서 반출되어 상기 로드락 챔버로 반송되는 경우 제2온도로 조절된 가스를 상기 기판에 공급하고, 상기 제2온도는 상기 제1온도보다 낮은 온도일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 프로세스 챔버에서 기판을 처리하는 중에 상기 기판은 제3온도로 가열되고, 상기 제3온도는 상기 제1온도보다 높은 온도일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 로드락 챔버의 상기 개구의 상부에 설치된 제1가스 공급 유닛과; 상기 프로세스 챔버의 상기 반입구의 상부에 설치된 제2가스 공급 유닛을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 기판이 상기 로드락 챔버에서 상기 프로세스 챔버로 반송되는 경우, 상기 제1가스 공급 유닛에서 제1가열온도의 가스를 상기 기판으로 공급하고 상기 제2가스 공급 유닛에서 제2가열온도의 가스를 상기 기판으로 공급하도록 상기 제1가스 공급 유닛과 상기 제2가스 공급 유닛을 제어하고, 상기 제1가열온도는 상온보다 높은 온도이고, 상기 제2가열온도는 상기 제1가열온도보다 높은 온도일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 기판이 상기 프로세스 챔버에서 상기 로드락 챔버로 반송되는 경우, 상기 제2가스 공급 유닛에서 제1냉각온도의 가스를 상기 기판으로 공급하고, 상기 제1가스 공급 유닛에서 제2냉각온도의 가스를 상기 기판으로 공급하도록 상기 제1가스 공급 유닛과 상기 제2가스 공급 유닛을 제어하고, 상기 제1냉각온도는 상기 제2냉각온도보다 높은 온도일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판이 반송되면서 기판이 급격한 온도 변화로 기판이 파손되거나, 손상될 수 있는 위험을 최소화 할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 반송 로봇을 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 1의 가스 공급 유닛이 프로세스 챔버에 설치되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 가스 공급 유닛의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 1의 가스 공급 유닛의 상면을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 1의 가스 공급 유닛의 저면을 보여주는 도면이다.
도 7은 기판이 프로세스 챔버에 반입되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 기판이 프로세스 챔버에서 반출되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 10은 기판이 로드락 챔버에서 프로세스 챔버로 반입되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 기판이 프로세스 챔버에서 로드락 챔버로 반출되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 기판이 로드락 챔버에서 프로세스 챔버로 반입되는 경우 가스 공급 유닛이 기판에 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 13은 기판이 프로세스 챔버에서 로드락 챔버로 반출되는 경우 가스 공급 유닛이 기판에 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(100)과 처리 모듈(200)을 가진다.
인덱스 모듈(100)은 처리 모듈(200)의 전방에 장착되어, 웨이퍼들(W)이 수용된 용기(160)와 처리 모듈(200) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(100)은 복수의 로드 포트(120)들과 인덱스 프레임(140)을 가진다. 인덱스 프레임(140)은 로드 포트(120)와 처리 모듈(200) 사이에 위치된다. 기판(W)을 수용하는 용기(160)는 오버헤드 트랜스퍼(overhead transfer), 오버헤드 컨베이어(overhead conveyor), 또는 자동 안내 차량(automatic guided vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)에 의해 로드 포트(120) 상에 놓여진다. 용기(160)는 전면 개방 일체식 포드(front open unified pod)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 인덱스 프레임(140) 내에는 로드 포트(120)에 놓여진 용기(160)와 처리 모듈(200) 간에 기판(W)을 반송하는 인덱스 로봇(180)이 제공된다. 인덱스 프레임(140) 내에는 용기(160)의 도어를 자동으로 개폐하는 도어 오프너(도시되지 않음)가 설치될 수 있다. 또한, 인덱스 프레임(140)에는 청정 공기가 인덱스 프레임(140) 내 상부에서 하부로 흐르도록 청정 공기를 인덱스 프레임(140) 내로 공급하는 팬 필터 유닛(fan filter unit)(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
처리 모듈(200)은 로드락 챔버(loadlock chamber)(220), 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)(240), 그리고 프로세스 챔버(process chamber)(260)를 가진다.
로드락 챔버(220)는 트랜스퍼 챔버(240)의 측부들 중 인덱스 모듈(100)과 인접한 측부에 위치되고, 프로세스 챔버(260)는 다른 측부에 위치된다. 로드락 챔버(220)는 로드락 챔버 프레임(220)을 가진다. 로드락 챔버 프레임(220)은 기판이 일시적으로 놓이는 버퍼 공간(223)을 가진다. 로드착 챔버 프레임(220)은 기판이 회수되기 전 기판을 냉각하는 냉각 공간(224)을 가진다. 냉각 공간(224)에는 냉각 플레이트(225)가 제공될 수 있다. 또한, 로드락 챔버 프레임(220)에는 기판(W)이 반입 또는 반출될 수 있는 개구(226)가 형성된다. 또한, 개구(226)의 하단에는, 개구(226)를 개폐할 수 있는 로드락 챔버 도어(228)가 제공될 수 있다.
로드락 챔버(220)는 하나 또는 복수개가 제공된다. 일 예에 의하면, 로드락 챔버(220)는 두 개가 제공된다. 두 개의 로드락 챔버들(220) 중 하나에는 공정 진행을 위해 처리 모듈(200)로 유입되는 기판(W)들이 일시적으로 머무르고, 다른 하나에는 공정이 완료되어 처리 모듈(200)로부터 유출되는 기판(W)들이 일시적으로 머무를 수 있다. 로드락 챔버(220) 내에서 기판(W)들은 서로 상하로 이격되어 서로 대향되도록 놓인다. 로드락 챔버(220)에는 기판(W)의 가장자리 영역 일부를 지지하는 슬롯들이 복수 개 제공될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(240)는 상부에서 바라볼 때 대체로 다각의 형상을 가진다. 트랜스퍼 챔버(240)에는 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(300)이 제공된다.
도 2는 도 1의 반송 로봇(300)을 보여주는 사시도이다. 도 2를 참조하면, 반송 로봇(300)은 프로세스 챔버(260)와 로드락 챔버(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 또한, 프로세스 챔버(260)가 복수 개 제공되는 경우, 반송 로봇(300)은 프로세스 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다.
반송 로봇(300)은 블레이드 부재(320), 아암 부재(340), 회전체(360), 그리고 구동 부재(미도시)를 가진다. 기판(W)은 블레이드 부재(320)에 놓인다. 블레이드 부재(320)는 아암 부재(340)와 함께 이동되고, 아암 부재(340)에 대해 회전 가능하게 제공된다. 구동 부재(미도시)는 아암 부재(340) 또는 블레이드 부재(320)에 구동력을 제공한다.
블레이드 부재(320)는 상부 블레이드(320a)와 하부 블레이드(320b)를 가진다. 이는 블레이드 부재(320)가 두 개의 기판(W)을 동시에 반송할 수 있도록 한다. 하부 블레이드(320b)는 아암 부재(340) 상에 설치된다. 상부 블레이드(320a)는 하부 블레이드(320b)의 상부에 위치된다. 상부 블레이드(320a)와 하부 블레이드(320b)는 서로 간의 상대 위치가 변화 가능하게 제공된다. 상부 블레이드(320a)와 하부 블레이드(320b)는 상하 방향으로 서로 대향되는 위치인 접힘 상태와 일정 각도 틀어진 펼침 상태 간에 전환 가능하도록 제공된다. 예컨대, 상부 블레이드(320a)와 하부 블레이드(320b)는 접힘 상태에서 서로 반대되는 방향으로 기설정각도 회전됨으로써 펼침 상태로 전환될 수 있다.
상부 블레이드(320a)는 제 1 지지부(322), 제 2 지지부(324), 그리고 연결부(326)를 가진다. 제 1 지지부(322)와 제 2 지지부(324) 각각은 기판(W)이 놓이는 부분이며, 연결부(326)는 제 1 지지부(322)와 제 2 지지부(324)를 연결한다. 연결부(326)는 로드 형상을 가진다. 제 1 지지부(322)는 연결부(326)의 일단으로부터 연결부(326)의 길이 방향으로 연장된다. 제 2 지지부(324)는 연결부(326)의 타단으로부터 연결부(326)의 길이 방향으로 연장된다. 제 1 지지부(322)와 제 2 지지부(324)는 동일한 형상을 가진다. 예컨대, 제 1 지지부(322)와 제 2 지지부(324)는 'C'자 형상으로 제공될 수 있다. 하부 블레이드(320b)는 상부 블레이드(320a)와 대체로 동일한 형상을 가진다. 다만, 하부 블레이드(320b)의 연결부(326) 중앙 영역에는 상부 블레이드(320a)를 회전시키는 회전축이 삽입되도록 상하 방향으로 통공이 형성된다.
블레이드 부재(320)는 아암 부재(340) 상에 제공되어, 아암 부재(340)와 함께 이동된다. 아암 부재(340)는 복수의 아암들을 가진다. 일 예에 의하면, 아암 부재(340)는 상부 아암(340a)과 하부 아암(340b)을 가진다. 상부 아암(340a)은 하부 아암(340b)의 상부에 위치되며 하부 아암(340b) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 상부 아암(340a)과 하부 아암(340b)은 각각 긴 로드 형상을 가진다. 상부 아암(340a)과 하부 아암(340b)의 내부에는 구동 부재(380)의 일부 구성이 삽입되는 빈 공간이 제공된다. 상부 아암(340a)의 일단 상벽에는 개구가 형성된다. 또한, 하부 아암(340b)의 일단 상벽에는 개구가 형성된다. 블레이드 부재(320)의 연결부(326)는 상부 아암(340a)의 일단 상에 위치되고, 상부 아암(340a)의 타단은 하부 아암(340b)의 일단 상에 위치된다.
회전체(360)는 하부 아암(340b)을 회전시키고 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 회전체(360)는 내부에 빈 공간이 형성된 통 형상을 가진다.
다시 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(240)의 측면에는 로드락 챔버(220) 또는 프로세스 챔버(260)가 위치된다. 트랜스 챔버(240) 및 프로세스 챔버(260) 내부는 진공으로 유지되고, 로드락 챔버(220) 내부는 진공 및 대기압으로 전환된다. 로드락 챔버(220)는 외부 오염물질이 트랜스퍼 챔버(240) 및 프로세스 챔버(260)로 유입되는 것을 방지한다. 로드락 챔버(220)와 트랜스퍼 챔버(240) 사이, 그리고 로드락 챔버(220)와 인덱스 모듈(100) 사이에는 게이트 밸브(도시되지 않음)가 설치된다. 인덱스 모듈(100)과 로드락 챔버(220) 간에 기판(W)이 이동되는 경우 로드락 챔버(220)와 트랜스퍼 챔버(240) 사이에 제공되는 게이트 밸브가 닫히고, 로드락 챔버(220)와 트랜스퍼 챔버(24) 간에 기판(W)이 이동되는 경우, 로드락 챔버(220)와 인덱스 모듈(100) 사이에 제공되는 게이트 밸브가 닫힌다.
프로세스 챔버(260)는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행한다. 예컨대, 프로세스 챔버(260)는 애싱, 증착, 식각, 또는 측정 등과 같은 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 또한, 프로세스 챔버(260)는 기판을 가열하는 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 프로세스 챔버(260)는 트랜스퍼 챔버(240)의 측부에 하나 또는 복수 개가 제공된다. 프로세스 챔버(260)가 복수 개 제공되는 경우, 각각의 프로세스 챔버(260)는 기판(W)에 대해 서로 동일한 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 프로세스 챔버(260)가 복수 개 제공되는 경우, 프로세스 챔버(260)들은 순차적으로 기판(W)에 대해 일련의 공정을 수행할 수 있다.
프로세스 챔버(260)는 프로세스 챔버 프레임(262)과 지지 부재(264)를 가진다. 프로세스 챔버 프레임(262)은 내부에 공정이 수행되는 처리 공간(263)을 제공한다. 지지 부재(264)는 프로세스 챔버 프레임(262) 내에 제공되며, 공정 진행시 기판(W)을 지지한다. 지지 부재(264)는 기계적 클램핑에 의해 기판(W)을 고정하는 구조로 제공되거나, 정전력에 의해 기판(W)을 고정하는 구조로 제공될 수 있다. 프로세스 챔버 프레임(262) 내에는 두 개의 지지 부재(264)들이 제공될 수 있다. 두 개의 지지 부재(264)들은 서로 측방향으로 나란하게 배치될 수 있다.
프로세스 챔버 프레임(262)의 외벽 중 트랜스퍼 챔버(260)와 대향되는 영역에는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 반입구(266)가 형성된다. 반입구(266)는 프로세스 챔버 도어(268)에 의해 개폐될 수 있다. 반입구(266)는 두 개의 기판(W)이 동시에 출입될 수 있는 폭으로 제공된다. 선택적으로 반입구(266)는 프로세스 챔버 프레임(262) 내 지지 부재(264)와 동일한 수로 제공되고, 각각의 반입구(266)는 하나의 기판(W)이 출입될 수 있는 폭으로 제공될 수 있다. 프로세스 챔버 프레임(262)에 제공되는 지지 부재(264)들의 수는 더 증가될 수 있다.
가스 공급 유닛(400)은 프로세스 챔버(260)의 반입구(266)를 통해 반송 중인 기판(W) 상으로 온도가 조절된 가스를 공급할 수 있다. 예컨대, 가스 공급 유닛(400)은 프로세스 챔버(260)로 반송 로봇(300)을 이용하여 기판(W)을 반입 또는 반출하는 도중에 기판(W)이 반송 로봇(300)에 지지된 상태에서 기판으로 온도가 조절된 가스를 공급할 수 있다.
도 3은 도 1의 가스 공급 유닛이 프로세스 챔버에 설치되는 모습을 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 가스 공급 유닛(400)은 프로세스 챔버(260)에 설치될 수 있다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이 프로세스 챔버(260)의 프로세스 챔버 프레임(262)에 형성되는 반입구(266)의 상부에 위치되도록 프로세스 챔버(260)에 설치 될 수 있다. 또한, 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 라인(490)을 포함할 수 있다. 가스 공급 라인(490)은 외부의 기체가 가스 공급 유닛(400)의 하우징(410) 내부 공간으로 유입될 수 있는 경로를 제공한다.
도 4는 도 1의 가스 공급 유닛의 일 실시예를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 1의 가스 공급 유닛의 상면을 보여주는 도면이고. 도 6은 도 1의 가스 공급 유닛의 저면을 보여주는 도면이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 가스 공급 유닛(400)은 하우징(410), 필터(420), 팬(430), 온도 조절 부재(440), 그리고 제어기(미도시)를 포함할 수 있다.
하우징(410)은 내부 공간(411)을 가진다. 하우징(410)은 대체로 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 하우징(410)은 내부 공간(411)을 가질 수 있는 다양한 형상으로 변형될 수 있다. 하우징(410)은 외부로의 열 전달율이 낮은 재질로 제공될 수 있다. 하우징(410)의 상단에는 하우징(410)의 내부 공간으로 가스를 도입하는 유입홀(412)이 형성된다. 하우징(410)의 하단에는 하우징(410)의 내부 공간 내의 가스를 내부 공간 외부로 분사하는 분사홀(414)이 형성된다.
유입홀(412)은 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 유입홀(412)은 하우징(410)의 상단에 복수 개로 형성될 수 있다. 유입홀(412)은 서로 이격되고, 일정한 간격으로 형성될 수 있다. 분사홀(414)은 슬릿 형상을 가질 수 있다. 분사홀(414)의 길이 방향은 유입홀(412)의 길이 방향에 수직할 수 있다. 분사홀(412)이 슬릿 형상을 가짐으로써 가스 공급 유닛(400)에서 분사되는 가스는 커튼 방식으로 분사될 수 있다.
필터(420)는 하우징(410)의 내부 공간(411)으로 유입되는 가스를 여과시킬 수 있다. 예컨대, 필터(420)는 가스 공급 라인(490)을 따라 내부 공간(411)으로 유입된 외부의 기류가 포함하는 파티클(Particle) 등의 불순물을 필터링 할 수 있다.
팬(430)은 가스를 하우징(410)의 내부 공간(411)으로 유입시킬 수 있다. 예컨대, 팬(430)은 회전 날개를 포함할 수 있다. 팬(430)의 회전 날개가 회전하게 되면, 팬(430)의 상부와 가스 공급 라인(490)에 감압을 제공할 수 있다. 이에, 가스 공급 라인(490)에 흐르는 외부의 기체 또는 가스는 하우징(410)의 내부 공간(411)으로 유입될 수 있다.
온도 조절 부재(440)는 하우징(410)의 내부 공간(411)으로 유입된 가스의 온도를 조절할 수 있다. 온도 조절 부재(440)는 내부 공간(411)으로 유입된 가스를 가열하는 히터를 포함할 수 있다. 온도 조절 부재(440)의 히터는 코일 형상을 가지는 열선으로 제공될 수 있다. 이에, 내부 공간(411)으로 유입된 가스를 가열하고자 하는 경우 히터를 온(On)하여 가스를 가열할 수 있다. 또한, 상온의 가스를 기판에 공급하고자 하는 경우, 히터를 오프(Off)할 수 있다.
상술한 예에서는, 온도 조절 부재(440)가 히터인 것을 예를 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 가스를 가열할 수 있는 다양한 구성으로 변형될 수 있다.
또한, 상술한 예에서는 상온의 가스를 기판에 공급하는 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리, 상온보다 낮은 온도의 가스를 기판에 공급하고자 하는 경우, 온도 조절 부재(440)는 냉각 부재를 더 포함하여, 내부 공간(411)에 유입된 가스를 냉각시킬 수 있다.
하우징(410)의 내부 공간(411)에는 필터(420), 팬(430), 그리고 온도 조절 부재(440)가 위치될 수 있다. 필터(420), 팬(430), 그리고 온도 조절 부재(440)는 하우징(410)의 내부 공간(411)에서 아래 방향으로 순차적으로 위치될 수 있다. 팬(430)이 구동되면 유입홀(412)을 통해 내부 공간(411)으로 가스가 유입된다. 내부 공간(411)으로 유입된 가스는 필터(420)를 통과하여 여과된다. 필터(420)를 통과하여 여과된 가스는 온도 조절 부재(440)를 거치면서 온도가 조절될 수 있다.
제어기(미도시)는 가스 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다. 제어기(미도시)는 가스 공급 유닛(400)을 통해 기판으로 공급되는 가스의 온도를 조절할 수 있다. 또한, 제어기(미도시)는 후술하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록, 가스 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 7은 기판이 프로세스 챔버에 반입되는 모습을 보여주는 도면이고, 도 8은 기판이 프로세스 챔버에서 반출되는 모습을 보여주는 도면이다. 도 7과 도 8을 참조하면, 가스 공급 유닛(400)이 공급하는 가스를 실선 또는 점선으로 표시하였다. 실선으로 표시된 가스는 상온보다 높은 온도의 가스를 의미한다. 또한, 점선으로 표시된 가스는 상온의 가스를 의미하거나, 실선으로 표시된 가스보다 낮은 온도의 가스를 의미할 수 있다.
도 7과 도 8을 참조하면, 기판(W)은 반송 로봇(300)에 지지된 상태로 프로세스 챔버(260)의 반입구(266)를 통해 프로세스 챔버(260)의 내부로 반입되거나, 프로세스 챔버(260)로부터 반출될 수 있다. 이때, 가스 공급 유닛(400)은 아래 방향으로 온도가 조절된 가스를 커튼 방식으로 분사할 수 있다. 기판(W)은 반송 로봇(300)에 지지된 상태에서 가스 공급 유닛(400)이 분사하는 가스의 분사 경로에 교차되도록 반송된다. 즉, 기판(W)의 상면에는 가스 공급 유닛(400)이 분사하는 가스가 스캔 방식으로 공급된다.
기판(W)이 프로세스 챔버(260)로 반입되는 경우, 가스 공급 유닛(400)은 제1온도의 가스를 기판(W)에 분사할 수 있다. 이때 제1온도는 상온보다 높은 온도 일 수 있다. 또한, 프로세스 챔버(260)는 기판(W)을 처리하면서 기판(W)을 제3온도로 가열할 수 있다. 제1온도는 제3온도보다 낮은 온도이다.
기판(W)이 프로세스 챔버(260)로부터 반출되는 경우, 가스 공급 유닛(400)은 제2온도의 가스를 기판(W)에 분사할 수 있다. 이때 제2온도는 제1온도보다 낮은 온도이다. 예컨대, 제2온도는 상온과 같거나 높은 온도일 수 있다. 선택적으로, 가스 공급 유닛(400)에 냉각 부재가 제공되는 경우 제2온도는 상온보다 낮은 온도 일 수 있다.
기판이 고온 상태인 공정 챔버로 반입되는 경우 기판의 온도는 급격히 올라간다. 기판의 온도 변화로 기판에는 열응력(Thermal Stress)이 가해진다. 기판의 온도가 급격히 변화 하는 경우 이러한 열응력이 짧은 시간 동안 기판에 가해지며, 이에 기판이 파손될 위험이 발생한다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판(W)을 프로세스 챔버(260)로 반입하는 도중에 상온보다 높은 온도로 가열된 제1온도의 가스를 기판(W)에 공급한다. 또한, 제1온도는 프로세스 챔버(260)에서 기판(W)을 가열하는 온도인 제3온도보다 작을 수 있다. 이에, 기판(W)이 프로세스 챔버(260)로 반입되면서, 기판(W)은 미리 가열된다. 이에, 기판(W)의 급격한 온도 변화로 인해 기판(W)이 열응력(Thermal Stress)이 가해지면서 파손되는 문제점을 줄일 수 있다.
또한, 기판(W)을 프로세스 챔버(260)에서 반출하는 도중에 제1온도보다 낮은 제2온도의 가스를 기판(W)에 공급한다. 또한, 제2온도는 상온과 같거나 높은 온도 일 수 있다. 이에, 기판(W)이 프로세스 챔버(260)로부터 반출되면서, 기판(W)은 미리 냉각된다. 이에, 기판(W)의 급격한 온도 변화로 인해 기판(W)이 열응력(Thermal Stress)이 가해지면서 파손되는 문제점을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 가스 공급 유닛(400)은 기판(W)이 프로세스 챔버(260)에 반입 또는 반출하는 도중에 온도가 조절된 가스를 공급한다. 즉, 가스 공급 유닛(400)은 기판(W)이 프로세스 챔버(260)에 제공된 반입구(266)를 통과하는 도중에 온도가 조절된 가스를 공급한다. 기판(W)에 온도가 조절된 가스를 공급하는데 있어서, 기판(W)의 반송 동작을 멈추지 않기 때문에 가스 공급으로 인하여 기판(W) 반송 시간이 증가하는 것을 최소화 할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 가스 공급 유닛(400)은 제1가스 공급 유닛(400a)과 제2가스 공급 유닛(400b)을 포함할 수 있다. 제1가스 공급 유닛(400a)과 제2가스 공급 유닛(400b)의 구성과 기능은 상술한 가스 공급 유닛(400)과 동일/유사할 수 있다. 제1가스 공급 유닛(400a)은 로드락 챔버(220)의 개구(226)의 상부에 위치되도록 로드락 챔버(220)에 설치될 수 있다. 또한, 제2가스 공급 유닛(400b)은 프로세스 챔버(260)의 반입구(266)의 상부에 위치되도록 프로세스 챔버(260)에 설치될 수 있다.
도 10은 기판이 로드락 챔버에서 프로세스 챔버로 반입되는 모습을 보여주는 도면이고, 도 11은 기판이 프로세스 챔버에서 로드락 챔버로 반출되는 모습을 보여주는 도면이다. 도 10과 도 11을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 도 10에 도시된 바와 같이 기판(W)이 로드락 챔버(220)에서 프로세스 챔버(260)로 반송되는 경우, 제1가스 공급 유닛(400a)과 제2가스 공급 유닛(400b)은 제1온도의 가스를 기판(W)에 공급할 수 있다. 여기서, 제1온도는 상온보다 높은 온도일 수 있다. 또한, 프로세스 챔버(2600)에서 기판(W)을 처리하는 중에 기판(W)을 제3온도로 가열할 수 있다. 여기서 제3온도는 제1온도보다 높은 온도 일 수 있다.
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 프로세스 챔버(260)에서 반출되어 로드락 챔버(220)로 반송되는 경우, 제1가스 공급 유닛(400a)과 제2가스 공급 유닛(400b)은 제2온도의 가스를 기판(W)에 공급할 수 있다. 여기서 제2온도는 제1온도보다 낮은 온도 일 수 있다. 또한, 제2온도는 상온과 같거나 높은 온도 일 수 있다.
이하에서는 제1가스 공급 유닛(400a)과 제2가스 공급 유닛(400b)의 동작을 구체적으로 설명한다. 로드락 챔버(220)에서 기판(W)이 반출되어 프로세스 챔버(260)로 반입되는 경우, 로드락 챔버(220)에서 기판(W)이 반송되기 시작할 때 제1가스 공급 유닛(400a)은 가스를 토출할 수 있다. 이때, 기판(W)은 제1가스 공급 유닛(400a)이 토출하는 가스의 토출 경로에 교차하도록 반송될 수 있다. 기판(W)의 상면이 제1가스 공급 유닛(400a)이 토출하는 가스의 토출 경로를 벗어나게 되면, 제1가스 공급 유닛(400a)은 가스 토출을 정지시킬 수 있다. 이후, 반송 로봇(300)에 지지된 기판(W)이 제2가스 공급 유닛(400b)에 인접하게 되면, 제2가스 공급 유닛(400b)은 가스를 토출할 수 있다. 이때, 기판(W)은 제2가스 공급 유닛(400b)이 토출하는 가스의 토출 경로에 교차하도록 반송될 수 있다. 기판(W)의 상면이 제2가스 공급 유닛(400b)이 토출하는 가스의 토출 경로를 벗어나게 되면, 제2가스 공급 유닛(400b)은 가스 토출을 정지할 수 있다. 예컨대, 기판(W)이 프로세스 챔버(260)에 반입되어 프로세스 챔버 도어(268)가 반입구(266)를 차단하게 되면 제2가스 공급 유닛(400b)은 가스 토출을 정지할 수 있다.
프로세스 챔버(260)에서 기판(W)을 처리하는 공정이 완료된 이후 기판(W)은 프로세스 챔버(260)에서 반출될 수 있다. 기판(W)이 프로세스 챔버(260)에서 반출되어 로드락 챔버(220)로 반입되는 경우, 프로세스 챔버 도어(268)가 반입구(266)를 개방하면, 제2가스 공급 유닛(400b)이 가스를 토출할 수 있다. 이때, 기판(W)은 제2가스 공급 유닛(400b)이 토출하는 가스의 토출 경로에 교차하도록 반송될 수 있다. 기판(W)의 상면이 제2가스 공급 유닛(400b)이 토출하는 가스의 토출 경로를 벗어나게 되면, 제2가스 공급 유닛(400b)은 가스 토출을 정지시킬 수 있다. 예컨대, 프로세스 챔버 도어(268)가 반입구(266)를 차단하게 되면, 제2가스 공급 유닛(400b)은 가스 토출을 정지할 수 있다. 이후, 반송 로봇(300)에 지지된 기판(W)이 제1가스 공급 유닛(400a)에 인접하게 되면, 제1가스 공급 유닛(400a)은 가스를 토출할 수 있다. 이때, 기판(W)은 제1가스 공급 유닛(400a)이 토출하는 가스의 토출 경로에 교차하도록 반송될 수 있다. 기판(W)의 상면이 제1가스 공급 유닛(400a)이 토출하는 가스의 토출 경로를 벗어나게 되면, 제1가스 공급 유닛(400a)은 가스 토출을 정지할 수 있다. 예컨대, 기판(W)이 로드락 챔버(220)에 반입되어 버퍼 공간(223)에 안착되면, 제1가스 공급 유닛(400a)은 가스 토출을 정지할 수 있다.
도 12는 기판이 로드락 챔버에서 프로세스 챔버로 반입되는 경우 가스 공급 유닛이 기판에 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 13은 기판이 프로세스 챔버에서 로드락 챔버로 반출되는 경우 가스 공급 유닛이 기판에 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 12 내지 도 13을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 로드락 챔버(220)에서 프로세스 챔버(260)로 반송되는 경우, 제1가스 공급 유닛(400a)은 제1가열온도(t11)의 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 또한, 제2가스 공급 유닛(400b)은 제2가열온도(t12)의 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 여기서 제1가열온도(t11)는 상온보다 높은 온도 일 수 있다. 또한, 제2가열온도(t12)는 제1가열온도(t11)보다 높은 온도일 수 있다. 또한, 제2가열온도(t12)는 프로세스 챔버(260)에서 기판을 처리하는 온도인 공정온도(tp)보다 낮은 온도 일 수 있다.
도 13에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 프로세스 챔버(260)에서 로드락 챔버(220)로 반송되는 경우, 제2가스 공급 유닛(400b)은 제1냉각온도(t21)의 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 또한, 제1가스 공급 유닛(400a)은 제2냉각온도(t22)의 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 여기서 제1냉각온도(t21)는 제2냉각온도(t22)보다 높은 온도일 수 있다. 제2냉각온도(t22)는 상온과 같거나 높은 온도 일 수 있다. 또한, 제1냉각온도(t21)는 공정온도(tp)보다 낮은 온도일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 기판(W)이 로드락 챔버(220)에서 프로세스 챔버(260)로 반송되는 경우, 기판(W)에는 온도가 순차적으로 높은 가스가 기판(W)으로 공급될 수 있다. 또한, 기판(W)이 프로세스 챔버(260)에서 로드락 챔버(220)로 반송되는 경우, 기판(W)에는 온도가 순차적으로 낮은 가스가 기판(W)으로 공급될 수 있다. 이 경우, 기판(W)이 반송되면서 급격히 온도가 변화하는 것을 더욱 최소화 할 수 있다. 이에, 기판(W)에 열응력(Thermal Stress)이 인가되는 시간을 증가시킬 수 있어 기판(W)이 파손될 위험을 더욱 최소화 할 수 있다.
상술한 예에서는, 가스 공급 유닛(400)이 프로세스 챔버(260)에 설치되거나, 로드락 챔버(220)와 프로세스 챔버(260) 모두에 설치되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 14에서 도시하는바 같이 가스 공급 유닛(400)은 프로세스 챔버(260)에 설치되지 않고, 로드락 챔버(220)에 설치될 수 있다. 이 경우에도, 가스 공급 유닛(400)을 이용한 상술한 기판 처리 방법은 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
상술한 예에서는, 가스 공급 유닛(400)이 프로세스 챔버(260) 또는 로드락 챔버(220)에 설치되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 가스 공급 유닛(400)은 반송 로봇(300)에 포함되는 구성으로 제공될 수 있다. 또한, 가스 공급 유닛(400)은 기판(W)이 반송되는 경로 어디에든 설치될 수 있다. 이 경우에도, 가스 공급 유닛(400)을 이용한 상술한 기판 처리 방법은 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
220: 로드락 챔버
240: 트랜스퍼 챔버
260: 프로세스 챔버
300: 반송 로봇
400: 가스 공급 유닛

Claims (23)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지며, 기판이 반입되는 반입구가 형성된 프로세스 챔버와;
    상기 프로세스 챔버에 기판을 반입하거나, 상기 프로세스 챔버로부터 기판을 반출하는 반송 로봇을 포함하되,
    상기 반입구를 통해 반송 중인 기판 상으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    상기 반입구의 상부에 위치되도록 상기 프로세스 챔버에 설치되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    내부 공간을 가지는 하우징과;
    상기 내부 공간 내에서 상기 가스의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하고,
    상기 하우징의 상단에는 상기 내부 공간으로 가스를 도입하는 유입홀이 형성되고, 상기 하우징의 하단에는 상기 내부 공간 내의 가스를 상기 내부 공간 외부로 분사하는 분사홀이 형성된 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 온도 조절 부재는,
    상기 내부 공간으로 유입된 가스를 가열하는 히터를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 기판을 상기 프로세스 챔버에 반입하는 경우에는 상기 히터를 온(On)하고,
    상기 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 반출하는 경우에는 상기 히터를 오프(Off)하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 내부 공간으로 유입되는 상기 가스를 여과하는 필터와;
    상기 가스를 상기 내부 공간으로 유입시키는 팬을 포함하되,
    상기 필터, 상기 팬, 그리고 상기 온도 조절 부재는 상기 내부 공간에서 아래 방향으로 순차적으로 위치되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 기판이 상기 프로세스 챔버로 반입되는 경우 제1온도의 가스를 상기 기판에 분사하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하고,
    상기 제1온도는 상온보다 높은 온도인 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 기판이 상기 프로세스 챔버로부터 반출되는 경우 제2온도의 가스를 상기 기판에 분사하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하고,
    상기 제2온도는 상기 제1온도보다 낮은 온도인 기판 처리 장치.
  9. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 프로세스 챔버로 반송 로봇을 이용하여 기판을 반입 또는 반출하는 도중에 상기 기판이 상기 반송 로봇에 지지된 상태에서 상기 기판으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 가스는 상기 프로세스 챔버에 제공된 상기 기판이 반입되는 반입구를 상기 기판이 통과하는 도중에 공급되는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 가스는,
    커튼 방식으로 분사되고,
    상기 기판이 반송되는 방향에 교차되는 방향으로 분사되는 기판 처리 방법.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판이 상기 프로세스 챔버로 반입되는 경우, 제1온도로 조절된 가스를 상기 기판에 공급하고,
    상기 제1온도는 상온보다 높은 온도인 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판이 상기 프로세스 챔버에서 반출되는 경우, 제2온도로 조절된 가스를 상기 기판에 공급하고,
    상기 제2온도는 상기 제1온도보다 낮은 온도인 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버에서 기판을 처리하는 중에 상기 기판은 제3온도로 가열되고,
    상기 제3온도는 상기 제1온도보다 높은 온도인 기판 처리 방법.
  15. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 모듈과;
    상기 처리 모듈에 인접하게 배치되는 인덱스 모듈을 포함하되,
    상기 인덱스 모듈은,
    기판이 수용된 용기가 놓이는 하나 또는 복수의 로드 포트와;
    상기 로드 포트와 상기 처리 모듈 사이에 배치되며, 기판을 상기 용기와 상기 처리 모듈 간에 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 인덱스 프레임을 포함하고,
    상기 처리 모듈은,
    기판을 반송하는 반송 로봇이 제공된 트랜스퍼 챔버와;
    상기 트랜스퍼 챔버의 측부에 배치되며, 기판을 처리하고, 기판이 반입되는 반입구가 형성된 프로세스 챔버와;
    상기 트랜스퍼 챔버와 상기 프레임 사이에 배치되며, 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 프레임 사이에 전달되는 기판이 일시적으로 놓이는 버퍼 공간을 가지고, 기판이 출입하는 개구를 가지는 로드락 챔버를 포함하고,
    상기 로드락 챔버에서 상기 프로세스 챔버로 기판이 상기 반송 로봇에 지지된 상태로 반송 중에 상기 기판 상으로 온도가 조절된 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    상기 로드락 챔버의 상기 개구의 상부에 위치되도록 상기 로드락 챔버에 설치되는 기판 처리 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    상기 프로세스 챔버의 상기 반입구의 상부에 위치되도록 상기 프로세스 챔버에 설치되는 기판 처리 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
    상기 기판이 상기 로드락 챔버에서 상기 프로세스 챔버로 반입되는 경우, 제1온도로 조절된 가스를 상기 기판에 공급하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하고,
    상기 제1온도는 상온보다 높은 온도인 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 기판이 상기 프로세스 챔버에서 반출되어 상기 로드락 챔버로 반송되는 경우 제2온도로 조절된 가스를 상기 기판에 공급하고,
    상기 제2온도는 상기 제1온도보다 낮은 온도인 기판 처리 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버에서 기판을 처리하는 중에 상기 기판은 제3온도로 가열되고,
    상기 제3온도는 상기 제1온도보다 높은 온도인 기판 처리 장치.
  21. 제15항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    상기 로드락 챔버의 상기 개구의 상부에 설치된 제1가스 공급 유닛과;
    상기 프로세스 챔버의 상기 반입구의 상부에 설치된 제2가스 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    기판이 상기 로드락 챔버에서 상기 프로세스 챔버로 반송되는 경우, 상기 제1가스 공급 유닛에서 제1가열온도의 가스를 상기 기판으로 공급하고 상기 제2가스 공급 유닛에서 제2가열온도의 가스를 상기 기판으로 공급하도록 상기 제1가스 공급 유닛과 상기 제2가스 공급 유닛을 제어하고,
    상기 제1가열온도는 상온보다 높은 온도이고,
    상기 제2가열온도는 상기 제1가열온도보다 높은 온도인 기판 처리 장치.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 가스 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    기판이 상기 프로세스 챔버에서 상기 로드락 챔버로 반송되는 경우, 상기 제2가스 공급 유닛에서 제1냉각온도의 가스를 상기 기판으로 공급하고, 상기 제1가스 공급 유닛에서 제2냉각온도의 가스를 상기 기판으로 공급하도록 상기 제1가스 공급 유닛과 상기 제2가스 공급 유닛을 제어하고,
    상기 제1냉각온도는 상기 제2냉각온도보다 높은 온도인 기판 처리 장치.
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