KR20200082733A - Co-Mo COMPOSITE METALIZING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, Co-Mo COMPOSITE METALIZING STRUCTURE FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS WITH Co-Mo COMPOSITE METALIZING - Google Patents

Co-Mo COMPOSITE METALIZING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, Co-Mo COMPOSITE METALIZING STRUCTURE FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS WITH Co-Mo COMPOSITE METALIZING Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a metallizing method capable of increasing efficiency by preventing diffusion of a skutterudite thermoelectric material. The method comprises: a preparation step of preparing Mo power and Co power; a mixing step of mixing the Mo power and the Co power; a primary sintering step of primarily sintering the mixed power to form a Co-Mo composite metal film; and a bonding step of bonding the Co-Mo composite metal film to the surface of the skutterudite thermoelectric material and forming a metalizing layer. In the present invention, Mo, which has a high sintering temperature, can be easily metallized on the skutterudite thermoelectric material, and cracks due to a difference in thermal expansion coefficients do not occur at an interface. In addition, compared to the conventional Ti metalizing layer applied to prevent diffusion, the present invention can easily form the metalizing layer having excellent diffusion preventing effects in the sintering process and diffusion preventing effects in an actual use environment. Furthermore, compared to the conventional Ti metalizing layer applied to prevent diffusion, the metalizing layer having a lower contact resistance can be easily formed.

Description

스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 구조와 메탈라이징 방법 및 Co-Mo 복합 메탈라이징된 스커테루다이트 열전소재의 제조방법{Co-Mo COMPOSITE METALIZING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, Co-Mo COMPOSITE METALIZING STRUCTURE FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS WITH Co-Mo COMPOSITE METALIZING}Co-Mo composite metallization structure and metallization method for skeletalite thermoelectric materials and method of manufacturing Co-Mo composite metallized scerterite thermoelectric material {Co-Mo COMPOSITE METALIZING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, Co-Mo COMPOSITE METALIZING STRUCTURE FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS WITH Co-Mo COMPOSITE METALIZING}

본 발명은 열전발전모듈을 구성하는 열전소재에 대한 메탈라이징 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 스커테루다이트 열전소재의 메탈라이징 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a metallization method for a thermoelectric material constituting a thermoelectric power module, and more particularly, to a metallization method of a scertherite thermoelectric material.

일반적으로 열전소재는 열에너지를 전기에너지로 변환할 수 있는 재료로서 열전발전모듈을 구성하여 열전발전에 사용된다. 열전발전 기술은 에너지 하베스트 (Energy harvest) 기술의 하나로 열에너지를 전기에너지로 변환 시키는 기술을 말한다. 또한 산업체 및 다양한 폐열이 발생하는 곳에서 사용할 수 있다는 점 때문에 신재생 에너지 기술 분야에서 주목을 받고 있다.In general, a thermoelectric material is a material that can convert thermal energy into electrical energy, and is used for thermoelectric power by constructing a thermoelectric power module. Thermoelectric power generation technology refers to a technology that converts thermal energy into electrical energy as one of energy harvesting technologies. In addition, it is receiving attention in the field of new and renewable energy technology because it can be used in industries and where various waste heat is generated.

수십 년간 저효율 에너지 변환 기술로 알려진 열전발전기술은 중온(300~700℃) 영역에서 10%이상의 효율이 가능한 것으로 보고되고 있으며 신규 에너지 재생기술로 크게 주목받으며 국내외에서 활발히 연구가 진행되고 있다. 여러 열전 소재 중 스커테루다이트(SKD) 열전소재는 중온 영역에서 좋은 열전 특성 및 기계적 특성을 보이는 촉망받는 소재이기 때문에 세계 여러 기관에서 스커테루다이트를 활용한 중온 열전발전 모듈을 개발하고 있다. 중온 열전발전모듈의 핵심 기술 중 하나인 메탈라이징(금속화)은 열전소재를 전극에 접합시킬 때 열전소재와 전극 간의 열팽창 계수 차이에 의한 기계적 균열을 막고 중온 영역에서 접합 계면의 지속적인 확산을 막아주는 금속 층을 열전소재 표면에 형성하는 기술이다.Thermoelectric power generation technology, known as low-efficiency energy conversion technology for decades, has been reported to be capable of more than 10% efficiency in the medium temperature (300~700℃) area. Among the various thermoelectric materials, SKD thermoelectric material is a promising material that shows good thermoelectric and mechanical properties in the medium temperature region, so many institutions around the world are developing mesophilic thermoelectric power modules utilizing the scleruteite. Metallization (metallization), one of the core technologies of the medium temperature thermoelectric power generation module, prevents mechanical cracking due to a difference in thermal expansion coefficient between the thermoelectric material and the electrode when the thermoelectric material is bonded to the electrode, and prevents the continuous diffusion of the bonding interface in the medium temperature region. It is a technique to form a metal layer on the surface of a thermoelectric material.

열팽창 계수의 문제를 해결하면서 낮은 접촉저항을 나타낼 수 있는 Ti가 대표적인 메탈라이징 물질이다. Ti는 상온에서 973K까지 n형 스커테루다이트 열전소재와 비슷한 거동으로 열팽창하기 때문에 메탈라이징 이후 메탈라이징층과 열전소재 사이에 균열이 발생하지 않는다. 하지만 Ti와 스커테루다이트 열전소재 원소들 간의 상호 확산이 이루어지면서 제3의 층인 금속간 화합물을 형성하는 단점이 있다. 이러한 금속간 화합물의 형성은 결과적으로 스커테루다이트 열전 소재의 조성을 바꾸게 되면서 열전모듈의 효율을 급격히 저하시키는 요인이 된다.Ti, which can exhibit low contact resistance while solving the problem of thermal expansion coefficient, is a typical metallization material. Since Ti thermally expands from room temperature to 973K in a behavior similar to that of n-type skirt teruite thermoelectric material, no cracking occurs between the metalizing layer and the thermoelectric material after metalizing. However, there is a disadvantage in that inter-diffusion between Ti and the sclerutite thermoelectric element forms a third layer, an intermetallic compound. As a result, the formation of the intermetallic compound is a factor that dramatically changes the efficiency of the thermoelectric module while changing the composition of the scertherite thermoelectric material.

미국등록특허 4855810U.S. registered patent 4855810

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 스커테루다이트 열전소재의 확산을 방지하여 효율을 향상시킬 수 있는 메탈라이징 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a metallization method capable of improving the efficiency by preventing the diffusion of the scertherite thermoelectric material as a solution to the above-mentioned problems of the prior art.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 방법은, Mo와 Co를 분말로 준비하는 준비 단계; Mo 분말과 Co 분말을 혼합하는 혼합 단계; 혼합된 분말을 1차 소결하여 Co-Mo 복합금속막을 형성하는 1차 소결 단계; 및 Co-Mo 복합금속막을 스커테루다이트 열전소재의 표면에 접합하여 메탈라이징층을 형성하는 접합 단계를 포함한다.The Co-Mo composite metallization method for scertherite thermoelectric material according to the present invention for achieving the above object, a preparation step of preparing Mo and Co as a powder; A mixing step of mixing the Mo powder and the Co powder; Primary sintering step of forming a Co-Mo composite metal film by primary sintering the mixed powder; And a bonding step of bonding the Co-Mo composite metal film to the surface of the skirted tertite thermoelectric material to form a metalizing layer.

Mo는 고온에서의 열안정성이 좋고 스커테루다이트 열전소재를 구성하는 원소의 확산을 방지하는 특성이 뛰어난 것으로 알려져 Ti를 대체할 메탈라이징 물질로서 관심이 높지만, 소결온도가 높아서 열전소재에 직접 접합이 어렵고 스커테루다이트 열전소재와 열팽창 계수 차이가 큰 단점이 있다.Mo is known for its excellent thermal stability at high temperatures and excellent in preventing diffusion of elements constituting the sclerutite thermoelectric material, but is highly interested as a metallization material to replace Ti, but has a high sintering temperature, so it is directly bonded to the thermoelectric material. This is difficult and there is a big disadvantage that the difference between the thermal expansion coefficient and the thermal expansion coefficient of the skirtedite.

본 발명의 발명자들은 Mo와 스커테루다이트 열전소재 사이의 열팽창계수 차이를 보완하기 위하여, Mo층과 스커테루다이트의 사이에 Ti층을 형성하는 기술을 개발하여 출원(특허출원 제10-2017-0046695호)하였으나, Mo의 소결온도가 높은 문제점을 완전히 해결하지는 못하였다.The inventors of the present invention have developed and applied a technique of forming a Ti layer between the Mo layer and the skirtedite to compensate for the difference in thermal expansion coefficient between Mo and the skirtedite thermoelectric material (Patent Application No. 10-2017 -0046695), but did not completely solve the problem of high Mo sintering temperature.

본 발명은 Mo 분말과 Co 분말을 선 소결하여, Mo와 Co가 소결된 Mo-Co 복합 포일을 제조하고, 제조된 Mo-Co 복합 포일을 스커테루다이트 열전소재의 표면에 메탈라이징 하는 방법을 적용하였다. 본 발명은 Co가 Mo의 단점을 보완하여 낮은 온도에서 메탈라이징이 가능한 동시에 스커테루다이트 열전소재와 메탈라이징층의 사이에 크랙이 발생하지 않는다.The present invention is a method of pre-sintering Mo powder and Co powder to prepare a Mo-Co composite foil in which Mo and Co are sintered, and metallizing the prepared Mo-Co composite foil on the surface of a scer teritite thermoelectric material. Applied. In the present invention, Co is able to metalize at a low temperature by compensating for the disadvantages of Mo, and at the same time, no cracks are generated between the skirted ruthetite thermoelectric material and the metalizing layer.

이때, 접합 단계가, 스커테루다이트 열전소재의 분말을 소결하는 과정에서 Co-Mo 복합금속막을 함께 장입하여, 스커테루다이트 열전소재 분말을 소결하는 것과 동시에 표면에 메탈라이징층이 형성되는 2차 소결 단계에 의해서 수행될 수 있다.At this time, in the bonding step, the Co-Mo composite metal film is charged together in the process of sintering the powder of the skirted ruthetite thermoelectric material, and the metalizing layer is formed on the surface at the same time as the sintering the powder of the skirted ruthetite thermoelectric material. It can be carried out by a secondary sintering step.

혼합 단계에서, Mo 분말과 Co 분말의 혼합 비율이 몰비율을 기준으로 3:7~4:6 범위인 것이 바람직하다.In the mixing step, the mixing ratio of the Mo powder and the Co powder is preferably in the range of 3:7 to 4:6 based on the molar ratio.

1차 소결 단계가 900~1000℃ 범위에서 수행되는 것이 좋으며, 2차 소결 단계는 600~700℃ 범위에서 수행되는 것이 바람직하다.It is preferable that the primary sintering step is performed in the range of 900 to 1000°C, and the secondary sintering step is preferably performed in the range of 600 to 700°C.

본 발명의 다른 형태에 의한 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 구조는, 스커테루다이트 열전소재의 표면에 형성되는 메탈라이징 구조로서, 스커테루다이트 열전소재에 접하여 형성된 메탈라이징층이 Co 분말과 Mo 분말을 소결하여 형성된 Co-Mo 복합금속막인 것을 특징으로 한다. The Co-Mo composite metallization structure for a scertruded thermoelectric material according to another aspect of the present invention is a metallized structure formed on the surface of the scertruded thermoelectric material, and the metallization formed in contact with the scertruded thermoelectric material It is characterized in that the layer is a Co-Mo composite metal film formed by sintering Co powder and Mo powder.

본 발명의 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 구조는 제조방법적으로 표현되었으나, Co 분말과 Mo 분말을 먼저 소결한 박막을 메탈라이징으로 적용하는 구성에 의해서 본 발명에 의한 메탈라이징 구조의 특징이 발현되는 것이므로, 방법적으로 기재하여야만 본 발명의 구성을 명확하게 설명할 수 있도록 기재된 경우에 해당합니다.Although the Co-Mo composite metallization structure for scertherite thermoelectric material of the present invention was expressed in a manufacturing method, the metallization according to the present invention was performed by applying a metallization of a thin film obtained by sintering Co powder and Mo powder first. Since the features of the structure are expressed, it should be described in a method so that the configuration of the present invention can be clearly described.

Mo 분말과 Co 분말의 혼합 비율이 몰비율을 기준으로 3:7~4:6 범위인 것이 바람직하다.It is preferable that the mixing ratio of the Mo powder and the Co powder is in the range of 3:7 to 4:6 based on the molar ratio.

본 발명의 또 다른 형태에 의한 Co-Mo 복합 메탈라이징된 스커테루다이트 열전소재의 제조방법은, 스커테루다이트 분말을 소결하여 스커테루다이트 열전소재를 제조하는 방법에 있어서, Mo와 Co를 분말로 준비하는 준비 단계; Mo 분말과 Co 분말을 혼합하는 혼합 단계; 혼합된 분말을 1차 소결하여 Co-Mo 복합금속막을 형성하는 1차 소결 단계; 및 스커테루다이트 열전소재의 분말을 소결하는 2차 소결 단계를 포함하며, 상기 2차 소결 단계에서, 스커테루다이트 열전소재의 분말과 상기 Co-Mo 복합금속막을 함께 장입하여, 스커테루다이트 열전소재 분말을 소결하는 것과 동시에 표면에 Co-Mo 복합 메탈라이징층이 형성되는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a Co-Mo composite metallized skirterutite thermoelectric material according to another aspect of the present invention is a method of manufacturing a skirteriteite thermoelectric material by sintering a skirterite powder, Mo and Co Preparation step of preparing a powder; A mixing step of mixing the Mo powder and the Co powder; Primary sintering step of forming a Co-Mo composite metal film by primary sintering the mixed powder; And a secondary sintering step of sintering the powder of the skirted ruthetite thermoelectric material, and in the secondary sintering step, the powder of the skirted ruthetite thermoelectric material and the Co-Mo composite metal film are charged together to form a skirted die. It is characterized by forming a Co-Mo composite metallization layer on the surface at the same time as sintering the thermoelectric material powder.

본 발명은 Co 분말과 Mo 분말을 먼저 소결하였기 때문에, 스커테루다이트 열전소재 분말을 소결하는 동시에 Mo가 포함된 메탈라이징층을 형성할 수 있다.In the present invention, since the Co powder and the Mo powder are first sintered, the metalizing layer containing Mo can be formed at the same time as sintering the powder of the thermothermal material of the skirtedite.

혼합 단계에서, Mo 분말과 Co 분말의 혼합 비율이 몰비율을 기준으로 3:7~4:6 범위인 것이 바람직하다.In the mixing step, the mixing ratio of the Mo powder and the Co powder is preferably in the range of 3:7 to 4:6 based on the molar ratio.

1차 소결 단계가 900~1000℃ 범위에서 수행되는 것이 좋으며, 2차 소결 단계는 600~700℃ 범위에서 수행되는 것이 바람직하다.It is preferable that the primary sintering step is performed in the range of 900 to 1000°C, and the secondary sintering step is preferably performed in the range of 600 to 700°C.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명은, 소결 온도가 높은 단점이 있는 Mo를 스커테루다이트 열전소재에 쉽게 메탈라이징할 수 있으며, 계면에서 열팽창계수 차이에 의한 크랙이 발생하지 않는다.The present invention, configured as described above, can easily metallize Mo, which has a disadvantage of high sintering temperature, to the sclerutite thermoelectric material, and does not generate cracks due to a difference in thermal expansion coefficient at the interface.

또한, 종래에 확산방지를 위하여 적용된 Ti 메탈라이징층에 비하여, 소결과정에서의 확산 방지 효과와 실사용 환경에서의 확산 방지 효과가 뛰어난 메탈라이징층을 쉽게 형성할 수 있다.In addition, compared to the Ti metallization layer previously applied for diffusion prevention, it is possible to easily form a metallization layer having an excellent diffusion prevention effect in a sintering process and an diffusion prevention effect in a practical use environment.

나아가 종래에 확산방지를 위하여 적용된 Ti 메탈라이징층에 비하여, 접촉저항이 더 낮은 메탈라이징층을 쉽게 형성할 수 있다.Furthermore, a metallization layer having a lower contact resistance can be easily formed compared to a Ti metallization layer applied for preventing diffusion in the past.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 메탈라이징 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 실시예의 열전소재와 비교예의 열전소재에 대하여 소결 직후의 단면을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 3은 본 발명에 따른 실시예의 열전소재와 비교예의 열전소재에 대하여 열처리를 수행한 뒤의 단면을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 4는 본 발명에 따른 실시예의 열전소재와 비교예의 열전소재에 대하여 소결 직후의 계면 접촉저항을 측정한 결과이다.
도 5는 본 발명에 따른 실시예의 열전소재와 비교예의 열전소재에 대하여 열처리를 수행한 뒤의 계면 접촉저항을 측정한 결과이다.1 is a flowchart illustrating a metallizing method according to an embodiment of the present invention.
2 is an electron microscope photograph of a cross section immediately after sintering for the thermoelectric material of the embodiment according to the present invention and the thermoelectric material of the comparative example.
FIG. 3 is an electron microscope photograph of a cross section after heat treatment of the thermoelectric material of the embodiment and the thermoelectric material of the comparative example according to the present invention.
4 is a result of measuring the interfacial contact resistance immediately after sintering for the thermoelectric material of the embodiment according to the present invention and the thermoelectric material of the comparative example.
5 is a result of measuring the interface contact resistance after performing heat treatment on the thermoelectric material of the embodiment according to the present invention and the thermoelectric material of the comparative example.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. An embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

그러나 본 발명의 실시형태는 여러 가지의 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로만 한정되는 것은 아니다. 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. However, the embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited only to the embodiments described below. The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and elements indicated by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

그리고 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 또는 "구비"한다고 할 때, 이는 특별이 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함하거나 구비할 수 있는 것을 의미 한다.And throughout the specification, when a part is said to be "connected" to another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with other elements in between. Also, when a part is said to "include" or "equipment" a component, this means that other components may be further included or provided, rather than excluding other components unless otherwise specified. do.

또한, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.In addition, terms such as “first” and “second” are for distinguishing one component from other components, and the scope of rights should not be limited by these terms. For example, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 메탈라이징 방법을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a metallizing method according to an embodiment of the present invention.

먼저, 원료 물질인 Mo 분말과 Co 분말을 준비한다. First, the raw materials Mo powder and Co powder are prepared.

Mo 분말과 Co 분말은 특별히 제한되지 않으며, 또한 Mo 분말과 Co 분말의 입경은, 특별히 제한되지 않지만 메탈라이징층의 두께를 고려하여 조절하는 것이 바람직하다. 이때, Mo 재질이 고르게 분산되어야 확산방지 효과를 나타내기 때문에 Mo 분말의 크기가 작은 것이 좋으며, 100nm 이하의 나노미터급의 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 반면에 Co 재질은 Mo 분말의 주변에서 Mo의 물성을 보완하는 기능을 하기 때문에 Co 분말의 크기는 특별히 제한되지 않으며, 본 실시예에서는 평균 직경이 45㎛인 Co 분말과 60~80nm인 Mo 분말을 사용하였다. The Mo powder and the Co powder are not particularly limited, and the particle size of the Mo powder and the Co powder is not particularly limited, but is preferably adjusted in consideration of the thickness of the metallizing layer. At this time, it is preferable that the size of the Mo powder is small because the Mo material exhibits an anti-diffusion effect evenly dispersed, and it is preferable to use a nanometer-class powder of 100 nm or less. On the other hand, since the Co material functions to supplement the physical properties of Mo in the vicinity of the Mo powder, the size of the Co powder is not particularly limited. In this embodiment, the Co powder having an average diameter of 45 μm and the Mo powder having a thickness of 60 to 80 nm are used. Used.

다음으로, 준비된 Mo 분말과 Co 분말을 혼합한다.Next, the prepared Mo powder and Co powder are mixed.

Mo 분말과 Co 분말은 몰비를 기준으로 4:6의 비율로 혼합하였으며, 고르게 섞이도록 막자사발에서 혼합하였다. Mo 분말과 Co 분말의 혼합비율은 몰비율을 기준으로 3:7~4:6의 범위가 바람직하며, Co의 함량이 너무 적으면 소결온도와 열팽창계수에 대한 보완 효과를 얻을 수 없고, Mo의 함량이 너무 적으면 확산방지 효과를 얻을 수 없다.Mo powder and Co powder were mixed in a ratio of 4:6 based on the molar ratio, and mixed in a mortar to mix evenly. The mixing ratio of the Mo powder and the Co powder is preferably in the range of 3:7 to 4:6 based on the molar ratio, and if the content of Co is too small, a complementary effect on the sintering temperature and the coefficient of thermal expansion cannot be obtained. If the content is too small, a diffusion preventing effect cannot be obtained.

그리고 혼합된 Mo 분말과 Co 분말만을 1차 소결하여 Co-Mo 복합금속막을 형성한다.Then, only the mixed Mo powder and Co powder are first sintered to form a Co-Mo composite metal film.

1차 소결은 950℃ 50MPa에서 스파크 플라즈마 소결(SPS)로 수행되었다. 이는 일반적인 Mo의 소결을 수행하는 온도 범위인 900~1000℃에 해당하고, 스커테루다이트의 소결을 위한 온도 범위보다 높다. 이와 같은 Mo에 대한 소결 온도 범위에서, 스커테루다이트 열전소재의 표면에 직접 소결을 수행하면, 스커테루다이트 열전소재의 품질에 영향을 미칠 수도 있다.Primary sintering was performed by spark plasma sintering (SPS) at 50 MPa at 950°C. This corresponds to a temperature range of 900 to 1000° C., which performs general sintering of Mo, and is higher than the temperature range for sintering of scer teritite. In such a sintering temperature range for Mo, if the sintering is directly performed on the surface of the skirted ruthetite thermoelectric material, the quality of the skirted ruthetite thermoelectric material may be affected.

그리고 1차 소결에 의해서 형성되는 Co-Mo 복합금속막의 두께는 0.5~1mm 범위인 것이 바람직하다. 스커테루다이트의 표면에 접합하는 과정에서 두께의 감소가 발생할 것을 감안하여, 목표로 하는 메탈라이징층의 두께보다 두껍게 제조한다. And the thickness of the Co-Mo composite metal film formed by primary sintering is preferably in the range of 0.5 to 1 mm. In view of the fact that a decrease in thickness may occur in the process of bonding to the surface of the skirtedite, it is made thicker than the thickness of the target metallization layer.

마지막으로 스커테루다이트 열전소재 분말을 소결하는 2차 소결을 수행하면서, 표면에 Co-Mo 복합금속막을 접합하여 메탈라이징층을 형성한다. Lastly, while performing secondary sintering to sinter the powder of the thermothermite material, a metallization layer is formed by bonding the Co-Mo composite metal film to the surface.

2차 소결을 위하여 장입하는 과정에서, Co-Mo 복합금속막을 스커테루다이트 열전소재 분말의 표면에 함께 위치시키고, 650℃의 온도와 50MPa에서 스파크 플라즈마 소결로 2차 소결을 수행하였다. In the course of charging for the secondary sintering, the Co-Mo composite metal film was placed on the surface of the powder of the skirted teruite thermoelectric material, and secondary sintering was performed by spark plasma sintering at a temperature of 650°C and 50 MPa.

별도로 스커테루다이트 열전소재 분말을 소결한 뒤에, 소결된 스커테루다이트 열전소재의 표면에 Co-Mo 복합금속막을 접합하는 것도 가능하다. 하지만, 앞서 제조된 Co-Mo 복합금속막은 Co에 의해서 스커테루다이트 열전소재 분말의 소결온도인 600~700℃ 범위에서도 충분한 소결이 가능하기 때문에, 본 실시예에서는 스커테루다이트 열전소재의 분말을 소결하는 2차 소결 과정에서 Co-Mo 복합금속막을 함께 장입하여 소결함으로써 Co-Mo 복합 메탈라이징층을 쉽게 형성할 수 있었다.It is also possible to separately bond the Co-Mo composite metal film to the surface of the sintered skirt teruite thermoelectric material after sintering the powder of the skirt teruite thermoelectric material. However, the Co-Mo composite metal film prepared above is capable of sufficiently sintering even in the range of 600 to 700° C., which is the sintering temperature of the powder of the thermospheric material by Co, so in this embodiment, the powder of the thermospheric material of the skirting. In the second sintering process of sintering, the Co-Mo composite metallization layer could be easily formed by charging and sintering the Co-Mo composite metal film together.

이상의 방법으로 제조된 스커테루다이트 열전소재는 표면에 Co-Mo 복합 메탈라이징층이 형성되며, Co-Mo 복합 메탈라이징층은 크랙없이 완전하게 접합된 것을 확인할 수 있었다. It was confirmed that the Co-Mo composite metallization layer was formed on the surface of the scer teritite thermoelectric material produced by the above method, and that the Co-Mo composite metallization layer was completely bonded without cracking.

이하에서는 Co-Mo 복합 메탈라이징층의 성능을 확인한다.Hereinafter, the performance of the Co-Mo composite metalizing layer is confirmed.

비교예로서 현재까지 열전소재의 확산을 방지하는 특성이 뛰어난 것으로 알려진 Ti를 메탈라이징층으로 형성한 스커테루다이트 열전소재를 제조하였다.As a comparative example, a scattererite thermoelectric material was prepared in which Ti, which is known to have excellent properties to prevent the diffusion of thermoelectric materials, as a metallization layer.

상기한 방법으로 제조된 본 발명의 실시예에 따른 열전소재와 비교예의 열전소재에 대하여 열전소재의 동작 온도인 550℃에서 100시간 동안 열처리를 수행하였다. For the thermoelectric material according to the embodiment of the present invention prepared by the above method and the thermoelectric material of the comparative example, heat treatment was performed at 550° C., the operating temperature of the thermoelectric material, for 100 hours.

도 2는 본 발명에 따른 실시예의 열전소재와 비교예의 열전소재에 대하여 소결 직후의 단면을 촬영한 전자현미경 사진이고, 도 3은 본 발명에 따른 실시예의 열전소재와 비교예의 열전소재에 대하여 열처리를 수행한 뒤의 단면을 촬영한 전자현미경 사진이다.2 is an electron microscope photograph of a cross section immediately after sintering the thermoelectric material of the embodiment according to the present invention and the thermoelectric material of the comparative example, and FIG. 3 shows heat treatment of the thermoelectric material of the embodiment according to the present invention and the thermoelectric material of the comparative example This is an electron microscope photograph of the cross section after performing.

도 2의 왼쪽에 도시된 것과 같이, 소결 직후에 비교예의 열전소재는 Ti 메탈라이징층과 열전소재의 계면에 형성된 금속간화합물층의 두께가 15.92㎛이다. 오른쪽에 도시된 본 실시예의 열전소재는 Co-Mo 복합 메탈라이징층과 열전소재의 계면에 형성된 금속간화합물층의 두께가 5.97㎛에 불과하여, 메탈라이징층 형성과정에서 Co-Mo 복합 메탈라이징층의 확산 억제 능력이 Ti 메탈라이층보다 뛰어난 것을 확인할 수 있다.2, the thickness of the intermetallic compound layer formed on the interface between the Ti metalizing layer and the thermoelectric material is 15.92 µm in the thermoelectric material of the comparative example immediately after sintering. In the thermoelectric material of the present embodiment shown on the right, the thickness of the intermetallic compound layer formed at the interface between the Co-Mo composite metallization layer and the thermoelectric material is only 5.97 μm, so that the Co-Mo composite metallization layer is formed in the process of forming the metallization layer. It can be seen that the diffusion suppression ability is superior to that of the Ti metallization layer.

또한 도 3의 왼쪽에 도시된 것과 같이, 열전소재의 동작 온도인 550℃에서 100시간 동안 열처리를 수행한 뒤에 비교예의 열전소재는 Ti 메탈라이징층과 열전소재의 계면에 형성된 금속간화합물층의 두께가 20.18㎛로 도 2에 비하여 4.26㎛ 증가한 것을 확인할 수 있다. 오른쪽에 도시된 본 실시예의 열전소재는 Co-Mo 복합 메탈라이징층과 열전소재의 계면에 형성된 금속간화합물층의 두께가 7.39㎛로 확인되어 1.42㎛ 증가하였고, 이는 장기간의 실제 사용 환경에서도 Co-Mo 복합 메탈라이징층의 확산 억제 능력이 Ti 메탈라이층보다 뛰어난 것을 나타낸다.In addition, as shown in the left side of Figure 3, after performing the heat treatment for 100 hours at 550 ℃ operating temperature of the thermoelectric material, the thermoelectric material of the comparative example has a thickness of the intermetallic compound layer formed at the interface between the Ti metalizing layer and the thermoelectric material. It can be seen that the increase was 4.26 µm compared to FIG. 2 at 20.18 µm. In the thermoelectric material of the present embodiment shown on the right, the thickness of the intermetallic compound layer formed at the interface between the Co-Mo composite metallization layer and the thermoelectric material was confirmed to be 7.39 µm, which increased by 1.42 µm, which is a long-term actual use environment. It shows that the diffusion suppression ability of the composite metallization layer is superior to that of the Ti metallization layer.

도 4는 본 발명에 따른 실시예의 열전소재와 비교예의 열전소재에 대하여 소결 직후의 계면 접촉저항을 측정한 결과이고, 도 5는 본 발명에 따른 실시예의 열전소재와 비교예의 열전소재에 대하여 열처리를 수행한 뒤의 계면 접촉저항을 측정한 결과이다.4 is a result of measuring the interface contact resistance immediately after sintering for the thermoelectric material of the Examples according to the present invention and the thermoelectric materials of the Comparative Examples, and FIG. 5 shows heat treatment for the thermoelectric materials of the Examples according to the present invention and the thermoelectric materials of the Comparative Examples. It is the result of measuring the interface contact resistance after performing.

계면의 확산을 방지하려는 이유는 스커테루다이트 열전소재의 성분 변화에 따른 효율 감소를 방지하는 것과 접촉 계면에서의 저항이 높아지는 것을 방지하려는 것이며, 접촉저항이 10-5Ω·cm2보다 높아지면 열전소자의 출력에 영향을 준다.The reason for preventing the diffusion of the interface is to prevent the decrease in efficiency due to the change in the composition of the sclerutite thermoelectric material and to prevent the resistance at the contact interface from increasing, and when the contact resistance is higher than 10 -5 Ω·cm 2 It affects the output of the thermoelectric element.

도 4에 도시된 것과 같이, 소결 직후에 비교예의 열전소재에 대한 Ti 메탈라이징층과 열전소재의 계면에서의 접촉저항이 본 발명의 열전소재에 대한 Co-Mo 복합 메탈라이징층과 열전소재의 계면에서의 접촉저항보다 높은 것을 확인할 수 있다.As shown in Fig. 4, immediately after sintering, the contact resistance at the interface between the Ti metallization layer and the thermoelectric material for the thermoelectric material of the comparative example is the interface between the Co-Mo composite metallization layer and the thermoelectric material for the thermoelectric material of the present invention. It can be seen that it is higher than the contact resistance at.

또한, 도 5에서는, 열전소재의 동작 온도인 550℃에서 100시간 동안 열처리를 수행한 뒤에도 본 발명의 열전소재에 대한 Co-Mo 복합 메탈라이징층과 열전소재의 계면에서의 접촉저항이 더 낮은 것을 확인할 수 있다. 이는 앞서 살펴본 금속간화합물층의 두께와 일치하는 결과이며, Co-Mo 복합금속막을 적용하는 것이 접촉저항에 영향을 미치지 않았고, 확산을 방지하여 낮은 접촉저항을 유지할 수 있음을 알 수 있다. 특히, 비교예의 열전소재는 열처리 이후에 접촉저항이 10-5Ω·cm2보다 높아져서 열전소자의 출력에 영향을 줄 수 있는 반면, 본 실시예의 열전소재는 여전히 10-5Ω·cm2보다 낮은 접촉저항을 유지하여 장기간 사용에도 열전소자의 출력에 영향을 미치지 않을 것으로 예상된다. In addition, in FIG. 5, after performing heat treatment at 550° C., which is the operating temperature of the thermoelectric material, for 100 hours, the contact resistance at the interface between the Co-Mo composite metalizing layer and the thermoelectric material for the thermoelectric material of the present invention is lower. Can be confirmed. This is a result consistent with the thickness of the intermetallic layer described above, and it can be seen that the application of the Co-Mo composite metal film did not affect the contact resistance, and it was possible to maintain low contact resistance by preventing diffusion. In particular, the thermoelectric material of the comparative example has a contact resistance higher than 10 -5 Ω·cm 2 after heat treatment, which may affect the output of the thermoelectric element, while the thermoelectric material of this embodiment is still lower than 10 -5 Ω·cm 2 It is expected that the output of the thermoelectric element will not be affected by long-term use by maintaining contact resistance.

이상에서 살펴본 것과 같이, 본 실시예의 방법에 따르면 소결 온도가 높은 단점이 있는 Mo를 스커테루다이트 열전소재에 쉽게 메탈라이징할 수 있으며, 계면에서 열팽창계수 차이에 의한 크랙이 발생하지 않는다.As described above, according to the method of the present embodiment, Mo, which has a disadvantage of high sintering temperature, can be easily metallized to the sclerutite thermoelectric material, and cracks do not occur due to a difference in thermal expansion coefficient at the interface.

또한, 종래에 확산방지를 위하여 적용된 Ti 메탈라이징층에 비하여, 소결과정에서의 확산 방지 효과와 실사용 환경에서의 확산 방지 효과가 뛰어난 것을 확인할 수 있었으며, 그 결과 접촉저항도 더 낮은 것을 확인할 수 있었다.In addition, it was confirmed that the diffusion prevention effect in the sintering process and the diffusion prevention effect in the actual use environment were superior to the Ti metallization layer previously applied for diffusion prevention, and as a result, it was confirmed that the contact resistance was lower. .

이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention has been described through preferred embodiments, but the above-described embodiments are merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and various changes are possible within the scope of the present invention. Anyone with ordinary knowledge will understand. Therefore, the protection scope of the present invention should be interpreted by the matters described in the claims, not by specific embodiments, and all technical ideas within the equivalent range should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

Claims (11)

Mo와 Co를 분말로 준비하는 준비 단계;
Mo 분말과 Co 분말을 혼합하는 혼합 단계;
혼합된 분말을 1차 소결하여 Co-Mo 복합금속막을 형성하는 1차 소결 단계; 및
Co-Mo 복합금속막을 스커테루다이트 열전소재의 표면에 접합하여 메탈라이징층을 형성하는 접합 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 방법.
Preparation step of preparing Mo and Co as a powder;
A mixing step of mixing the Mo powder and the Co powder;
Primary sintering step of forming a Co-Mo composite metal film by primary sintering the mixed powder; And
A Co-Mo composite metallization method for a scertruded thermoelectric material comprising a bonding step of bonding a Co-Mo composite metal film to the surface of the scertruded thermoelectric material to form a metallization layer.
청구항 1에 있어서,
상기 접합 단계가, 스커테루다이트 열전소재의 분말을 소결하는 과정에서 Co-Mo 복합금속막을 함께 장입하여, 스커테루다이트 열전소재 분말을 소결하는 것과 동시에 표면에 메탈라이징층이 형성되는 2차 소결 단계에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 방법.
The method according to claim 1,
In the bonding step, the Co-Mo composite metal film is charged together in the process of sintering the powder of the skirted ruthetite thermoelectric material, and the metalizing layer is formed on the surface at the same time as the sintering the powder of the skirted ruthetite thermoelectric material. Co-Mo composite metallization method for scertherite thermoelectric materials, characterized by being performed by a sintering step.
청구항 1에 있어서,
상기 혼합 단계에서, Mo 분말과 Co 분말의 혼합 비율이 몰비율을 기준으로 3:7~4:6 범위인 것을 특징으로 하는 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 방법.
The method according to claim 1,
In the mixing step, the mixing ratio of the Mo powder and the Co powder is based on a molar ratio of 3:7 to 4:6 range, characterized in that the co-Mo composite metallization method for a thermosintered material.
청구항 1에 있어서,
상기 1차 소결 단계가, 900~1000℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 형성 방법.
The method according to claim 1,
The primary sintering step, Co-Mo composite metallization forming method for a screedite thermoelectric material, characterized in that performed in the range of 900 ~ 1000 ℃.
청구항 2에 있어서,
상기 2차 소결 단계가, 600~700℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 형성 방법.
The method according to claim 2,
The second sintering step, Co-Mo composite metallization forming method for a scler teruite thermoelectric material, characterized in that is performed in the range of 600 ~ 700 ℃.
스커테루다이트 열전소재의 표면에 형성되는 메탈라이징 구조로서,
스커테루다이트 열전소재에 접하여 형성된 메탈라이징층이 Co 분말과 Mo 분말을 소결하여 형성된 Co-Mo 복합금속막인 것을 특징으로 하는 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 구조.
As a metallization structure formed on the surface of the skirted ruthetite thermoelectric material,
A Co-Mo composite metallization structure for a scertruded thermoelectric material, characterized in that the metallization layer formed in contact with the scertruded thermoelectric material is a Co-Mo composite metal film formed by sintering Co powder and Mo powder.
청구항 6에 있어서,
Mo 분말과 Co 분말의 혼합 비율이 몰비율을 기준으로 3:7~4:6 범위인 것을 특징으로 하는 스커테루다이트 열전소재용 Co-Mo 복합 메탈라이징 구조.
The method according to claim 6,
The Co-Mo composite metallization structure for scertherite thermoelectric material, characterized in that the mixing ratio of Mo powder and Co powder is in the range of 3:7~4:6 based on the molar ratio.
스커테루다이트 분말을 소결하여 스커테루다이트 열전소재를 제조하는 방법에 있어서,
Mo와 Co를 분말로 준비하는 준비 단계;
Mo 분말과 Co 분말을 혼합하는 혼합 단계;
혼합된 분말을 1차 소결하여 Co-Mo 복합금속막을 형성하는 1차 소결 단계; 및
스커테루다이트 열전소재의 분말을 소결하는 2차 소결 단계를 포함하며,
상기 2차 소결 단계에서, 스커테루다이트 열전소재의 분말과 상기 Co-Mo 복합금속막을 함께 장입하여, 스커테루다이트 열전소재 분말을 소결하는 것과 동시에 표면에 Co-Mo 복합 메탈라이징층이 형성되는 것을 특징으로 하는 Co-Mo 복합 메탈라이징된 스커테루다이트 열전소재의 제조방법.
In the method of manufacturing a sintered powder of sintered teruite powder,
Preparation step of preparing Mo and Co as a powder;
A mixing step of mixing the Mo powder and the Co powder;
Primary sintering step of forming a Co-Mo composite metal film by primary sintering the mixed powder; And
It includes a secondary sintering step of sintering the powder of the skirt teruite thermoelectric material,
In the second sintering step, by charging the powder of the scertherite thermoelectric material and the Co-Mo composite metal film together, sintering the powder of the scer teritite thermoelectric material and simultaneously forming a Co-Mo composite metallization layer on the surface. A method of manufacturing a Co-Mo composite metallized skirt teruite thermoelectric material.
청구항 8에 있어서,
상기 혼합 단계에서, Mo 분말과 Co 분말의 혼합 비율이 몰비율을 기준으로 3:7~4:6 범위인 것을 특징으로 하는 Co-Mo 복합 메탈라이징된 스커테루다이트 열전소재의 제조방법.
The method according to claim 8,
In the mixing step, the method of manufacturing a Co-Mo composite metallized sclerutite thermoelectric material, characterized in that the mixing ratio of Mo powder and Co powder is in the range of 3:7 to 4:6 based on the molar ratio.
청구항 8에 있어서,
상기 1차 소결 단계가, 900~1000℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 Co-Mo 복합 메탈라이징된 스커테루다이트 열전소재의 제조방법.
The method according to claim 8,
The first sintering step, Co-Mo composite metallized method of manufacturing a scattererite thermoelectric material, characterized in that performed in the range of 900 ~ 1000 ℃.
청구항 8에 있어서,
상기 2차 소결 단계가, 600~700℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 Co-Mo 복합 메탈라이징된 스커테루다이트 열전소재의 제조방법.The method according to claim 8,
The second sintering step, Co-Mo composite metallized method of manufacturing a scattererite thermoelectric material, characterized in that performed in the range of 700 ~ 700 ℃.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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WO2014084315A1 (en) * 2012-11-28 2014-06-05 古河機械金属株式会社 Thermoelectric conversion module
KR20180114694A (en) * 2017-04-11 2018-10-19 한국에너지기술연구원 Fe-Ni/Ti METALIZING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, Fe-Ni/Ti MULTILAYER METALIZING STRUCTURE FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS WITH Fe-Ni/Ti MULTILAYER METALIZING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855810A (en) 1987-06-02 1989-08-08 Gelb Allan S Thermoelectric heat pump
WO2014084315A1 (en) * 2012-11-28 2014-06-05 古河機械金属株式会社 Thermoelectric conversion module
KR20180114694A (en) * 2017-04-11 2018-10-19 한국에너지기술연구원 Fe-Ni/Ti METALIZING METHOD FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, Fe-Ni/Ti MULTILAYER METALIZING STRUCTURE FOR SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS, SKUTTERUDITE THERMOELECTRIC MATERIALS WITH Fe-Ni/Ti MULTILAYER METALIZING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

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