KR20200079414A - Resin composition, and method of manufacturing substrate including microlens pattern - Google Patents

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마사토시 마에다
신고 이소보
도모유키 이노우에
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

The present invention relates to a resin composition, which is used for forming a dot pattern when forming a microlens pattern by heating the dot pattern including a square dot and a lattice-shaped space to thermally flow the dot pattern, and also, is able to form the dot pattern which can properly thermally flow even at low temperatures, and to a method for manufacturing a substrate having a microlens pattern using the resin composition. According to the resin composition of the present invention, which is used for forming a dot pattern when forming a microlens pattern by heating the dot pattern including a square dot and a lattice-shaped space to thermally flow the dot pattern, a glass transition temperature Tg measured under predetermined conditions of a resin film formed by using the resin composition is 70°C or less.

Description

수지 조성물, 및 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법{RESIN COMPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE INCLUDING MICROLENS PATTERN}RESIN COMPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE INCLUDING MICROLENS PATTERN}

본 발명은, 수지 조성물과, 당해 수지 조성물을 사용하는 마이크로렌즈 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition and a method for producing a microlens pattern using the resin composition.

현재, 폭 넓게 보급되고 있는, 디지털 카메라나, 카메라가 부착된 휴대 전화 등에는, 고체 촬상 소자가 탑재되어 있다. 대표적인 고체 촬상 소자로는, CCD (charge coupled device) 이미지 센서나 CMOS (complementaly metal-oxide semiconductor) 이미지 센서 등을 들 수 있다. 이들 이미지 센서에 있어서, 감도의 향상을 목적으로 하여, 미세한 렌즈 (이하, 마이크로렌즈라고 한다) 가 형성되어 있다. 이미지 센서의 제조에 있어서는, 마이크로렌즈 외에, 필요에 따라 컬러 필터 등의 다른 부품이 형성된다.BACKGROUND ART A solid-state imaging device is mounted on a digital camera, a mobile phone with a camera, and the like, which are widely spread nowadays. Typical solid-state imaging devices include charge coupled device (CCD) image sensors and complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors. In these image sensors, fine lenses (hereinafter referred to as microlenses) are formed for the purpose of improving sensitivity. In the manufacture of the image sensor, in addition to the microlens, other parts such as a color filter are formed as necessary.

최근, 고체 촬상 소자의 소형화, 촬상 화소수의 증가 등이 진행되어, 더욱 집광 효율을 향상시키기 위해 여러 가지 연구 개발이 이루어지고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 고체 촬상 소자의 수광부 상측에 형성된 평탄화층 상에 레지스트막을 도포하고, 포토마스크를 개재하여, 레지스트막을 노광한 후, 노광된 레지스트막을 현상하여, 레지스트막을 렌즈 형상으로 패터닝하는 방법이 제안되어 있다.In recent years, miniaturization of a solid-state imaging device, an increase in the number of imaging pixels, and the like have progressed, and various research and development have been made to further improve light collection efficiency. For example, in Patent Literature 1, a resist film is applied onto a planarization layer formed on a light-receiving portion of a solid-state imaging element, a photomask is interposed to expose the resist film, and then the exposed resist film is developed to make the resist film into a lens shape A patterning method has been proposed.

특허문헌 1 에 기재된 방법에서는, 표면부에 계단부를 갖는 광 굴절계의 매체로 이루어지는 광 투과부를 형성한 포토마스크를 사용하여, 레지스트막의 노광이 실시된다.In the method described in Patent Document 1, the resist film is exposed using a photomask in which a light-transmitting portion made of a medium of a light refractometer having a stepped portion is formed on a surface portion.

일본 공개특허공보 2003-98649호Japanese Patent Publication No. 2003-98649

한편, 수지 조성물로 이루어지는 마이크로렌즈 패턴의 전구 패턴을 형성한 후, 당해 전구 패턴을 열 처리에 의해 열 플로시키는 것에 의해서도, 마이크로렌즈 패턴을 형성할 수 있다.On the other hand, after forming the bulb pattern of the microlens pattern which consists of a resin composition, the microlens pattern can also be formed by heat-flowing the said bulb pattern by heat processing.

특허문헌 1 에 기재된 방법에서는, 정밀하게 설계된 형상을 구비하는 포토마스크를 사용할 필요가 있다. 이러한 포토마스크는, 고가이고, 또 제조가 곤란하다. 그러나, 상기의 열 플로에 의한 방법이면, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같은 포토마스크를 사용할 필요가 없다.In the method described in Patent Document 1, it is necessary to use a photomask having a precisely designed shape. Such a photomask is expensive and difficult to manufacture. However, it is not necessary to use the photomask as described in patent document 1 in the method by the said heat flow.

상기의 열 플로에 의한 마이크로렌즈 패턴의 제조 방법에 관하여, 고체 촬상 소자에 사용되는 재료의 내열성이나, 마이크로렌즈 패턴의 제조 에너지의 저감의 점에서, 가열 온도를 낮게 해도 양호하게 열 플로되는 패턴을 형성할 수 있는 수지 조성물이 요구되고 있다.Regarding the above-mentioned method for manufacturing a microlens pattern by heat flow, from the viewpoint of reducing the heat resistance of the material used for the solid-state imaging element and the manufacturing energy of the microlens pattern, even if the heating temperature is lowered, the pattern that heat flows satisfactorily There is a need for a resin composition that can be formed.

본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 사각형의 도트와, 격자상의 스페이스로 이루어지는 도트 패턴을 가열하여, 도트 패턴을 서멀 플로시키는 것에 의한 마이크로렌즈 패턴을 형성할 때에, 도트 패턴의 형성에 사용되고, 또한 저온에서도 양호하게 열 플로 가능한 도트 패턴을 형성 가능한 수지 조성물과, 당해 수지 조성물을 사용하는 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made|formed in view of the said subject, When forming a microlens pattern by heating the dot pattern which consists of a square dot and a lattice-like space, and making a dot pattern thermally flow, it is used for formation of a dot pattern. An object of the present invention is to provide a resin composition capable of forming a dot pattern capable of being heat-flowed well even at low temperatures and a method for manufacturing a substrate having a microlens pattern using the resin composition.

본 발명자들은, 사각형의 도트와, 격자상의 스페이스로 이루어지는 도트 패턴을 가열하여, 도트 패턴을 서멀 플로시키는 것에 의한 마이크로렌즈 패턴을 형성할 때에, 도트 패턴의 형성에 사용되는 수지 조성물에 대해, 당해 수지 조성물을 사용하여 형성되는 수지막의 소정의 조건에서 측정되는 유리 전이 온도 Tg 를 70 ℃ 이하로 함으로써, 상기의 과제를 해결할 수 있는 것 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.When the present inventors form a microlens pattern by heating a dot pattern consisting of a square dot and a lattice-like space to thermally flow the dot pattern, the resin composition used for the formation of the dot pattern is the resin. It has been found that the above-described problems can be solved by setting the glass transition temperature Tg measured under predetermined conditions of the resin film formed using the composition to 70° C. or less, and the present invention has been completed. More specifically, the present invention provides the following.

본 발명의 제 1 양태는, 사각형의 도트와, 격자상의 스페이스로 이루어지는 도트 패턴을 가열하여, 도트 패턴을 열 플로시키는 것에 의한 마이크로렌즈 패턴의 형성 방법에 있어서, 상기 도트 패턴의 형성에 사용되는 수지 조성물로서,In the first aspect of the present invention, in a method for forming a microlens pattern by heating a dot pattern composed of a rectangular dot and a lattice-like space to thermally flow the dot pattern, the resin used for the formation of the dot pattern As a composition,

수지 조성물이, 수지 (A) 를 함유하고,The resin composition contains the resin (A),

수지 조성물을 사용하여 형성되는 수지막의, 하기의 1) ∼ 4) :Of the resin film formed using the resin composition, the following 1) to 4):

1) 수지 조성물을 기판 상에 스핀 코트하여 도포막을 형성하는 공정,1) Process of spin coating a resin composition on a substrate to form a coating film,

2) 도포막을 100 ℃ 에서 90 초간 가열하여 수지막을 형성하는 공정,2) Process of heating the coating film at 100° C. for 90 seconds to form a resin film,

3) 얻어진 수지막으로부터 유리 전이점 측정용의 시료를 채취하고, 얻어진 시료를 사용하여 시차 주사 열량계 (DSC) 에 의한 측정을 실시하여, 리버스 히트 플로 곡선을 취득하는 공정, 및3) a step of taking a sample for measuring a glass transition point from the obtained resin film, and performing a measurement by a differential scanning calorimeter (DSC) using the obtained sample to obtain a reverse heat flow curve, and

4) 얻어진 리버스 히트 플로 곡선을 온도로 1 차 미분하여 도출되는 미분 곡선에 있어서의 극솟값을 유리 전이 온도 Tg 로서 판독하여, 유리 전이 온도 Tg 의 값을 결정하는 공정,4) A step of determining the value of the glass transition temperature Tg by reading the minimum value in the differential curve derived by first differentiating the obtained reverse heat flow curve with temperature as the glass transition temperature Tg,

의 공정으로 이루어지는 방법에 따라 측정되는 유리 전이 온도 Tg 가 70 ℃ 이하인, 수지 조성물.The resin composition whose glass transition temperature Tg measured according to the method which consists of the process of 70 degreeC or less is 70 degrees C or less.

본 발명의 제 2 양태는, 제 1 양태에 관련된 수지 조성물을 사용하여, 기판 상에, 사각형의 도트와, 격자상의 스페이스로 이루어지는 도트 패턴을 형성하는 공정과,The 2nd aspect of this invention is the process of forming the dot pattern which consists of square dots and a lattice-shaped space on a board|substrate using the resin composition which concerns on 1st aspect,

도트 패턴을 가열에 의해 열 플로시키는 열 플로 공정을 포함하는 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법이다.It is a manufacturing method of the board|substrate which has a microlens pattern including the heat flow process which heat-flows a dot pattern by heating.

본 발명에 의하면, 사각형의 도트와, 격자상의 스페이스로 이루어지는 도트 패턴을 가열하여, 도트 패턴을 서멀 플로시키는 것에 의한 마이크로렌즈 패턴을 형성할 때에, 도트 패턴의 형성에 사용되고, 또한 저온에서도 양호하게 열 플로 가능한 도트 패턴을 형성 가능한 수지 조성물과, 당해 수지 조성물을 사용하는 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, when forming a microlens pattern by heating a dot pattern consisting of a square dot and a lattice-like space to thermally flow the dot pattern, it is used for forming a dot pattern and heats well even at low temperatures. It is possible to provide a method for manufacturing a substrate comprising a resin composition capable of forming a flowable dot pattern and a microlens pattern using the resin composition.

도 1 은, 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a method of manufacturing a substrate having a microlens pattern.

≪수지 조성물≫≪Resin composition≫

수지 조성물은, 사각형의 도트와, 격자상의 스페이스로 이루어지는 도트 패턴을 가열하여, 도트 패턴을 열 플로시키는 것에 의한 마이크로렌즈 패턴의 형성 방법에 있어서, 도트 패턴의 형성에 사용된다.The resin composition is used for forming a dot pattern in a method of forming a microlens pattern by heating a dot pattern composed of square dots and a lattice-like space to heat-flow a dot pattern.

여기서, 마이크로렌즈 패턴은, 소정의 위치에 각각 배치된, 2 이상의 마이크로렌즈로 이루어지는 패턴이다.Here, the microlens pattern is a pattern composed of two or more microlenses, each disposed at a predetermined position.

수지 조성물은, 수지 (A) 를 함유한다.The resin composition contains resin (A).

또, 수지 조성물을 사용하여 형성되는 수지막의, 하기의 1) ∼ 4) :Moreover, the following 1)-4) of the resin film formed using a resin composition:

1) 수지 조성물을 기판 상에 스핀 코트하여 도포막을 형성하는 공정,1) Process of spin coating a resin composition on a substrate to form a coating film,

2) 도포막을 100 ℃ 에서 90 초간 가열하여 수지막을 형성하는 공정,2) Process of heating the coating film at 100° C. for 90 seconds to form a resin film,

3) 얻어진 수지막으로부터 유리 전이점 측정용의 시료를 채취하고, 얻어진 시료를 사용하여 시차 주사 열량계 (DSC) 에 의한 측정을 실시하여, 리버스 히트 플로 곡선을 취득하는 공정, 및3) a step of taking a sample for measuring a glass transition point from the obtained resin film, and performing a measurement by a differential scanning calorimeter (DSC) using the obtained sample to obtain a reverse heat flow curve, and

4) 얻어진 리버스 히트 플로 곡선을 온도로 1 차 미분하여 도출되는 미분 곡선에 있어서의 극솟값을 유리 전이 온도 Tg 로서 판독하여, 유리 전이 온도 Tg 의 값을 결정하는 공정,4) A step of determining the value of the glass transition temperature Tg by reading the minimum value in the differential curve derived by first differentiating the obtained reverse heat flow curve with temperature as the glass transition temperature Tg,

의 공정으로 이루어지는 방법에 따라 측정되는 유리 전이 온도 Tg 는, 70 ℃ 이하이다. 이러한 Tg 의 값은, 68 ℃ 이하가 보다 바람직하고, 66 ℃ 이하가 특히 바람직하다.The glass transition temperature Tg measured according to the method comprising the steps of is 70° C. or less. The value of Tg is more preferably 68°C or lower, and particularly preferably 66°C or lower.

또, Tg 의 하한은, 40 ℃ 이상이 바람직하고, 50 ℃ 이상이 보다 바람직하고, 55 ℃ 이상이 더욱 바람직하다.Moreover, the lower limit of Tg is preferably 40°C or higher, more preferably 50°C or higher, and even more preferably 55°C or higher.

수지 조성물이 상기의 열적 특성을 구비함으로써, 수지 조성물을 사용하여 형성되는 도트 패턴에 대한, 저온에서의 양호한 열 플로가 실현된다.When the resin composition has the above-mentioned thermal properties, good heat flow at a low temperature for the dot pattern formed using the resin composition is realized.

상기의 방법에 의해 측정되는 Tg 는, 예를 들어, 수지 (A) 를 구성하는 구성 단위의 화학 구조를 적절히 변경함으로써 조정할 수 있다. 또, 수지 (A) 가, 2 종 이상의 복수의 구성 단위를 함유하는 경우, 구성 단위의 비율을 변화시킴으로써, 상기의 방법에 의해 측정되는 Tg 를 조정할 수 있다. 또한, 수지 조성물이, 후술하는 바와 같이 감광제 (B) 를 함유하는 경우, 수지 조성물에 함유되는 감광제 (B) 의 종류나 함유량을 변경함으로써, 상기의 방법에 의해 측정되는 Tg 를 조정할 수 있다.Tg measured by the above method can be adjusted, for example, by appropriately changing the chemical structure of the structural unit constituting the resin (A). Moreover, when resin (A) contains 2 or more types of structural unit, Tg measured by the said method can be adjusted by changing the ratio of a structural unit. Moreover, when a resin composition contains a photosensitive agent (B) as mentioned later, Tg measured by the said method can be adjusted by changing the kind and content of the photosensitive agent (B) contained in a resin composition.

도트 패턴의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 도트 패턴은, 잉크젯 인쇄법 등의 인쇄법에 의해 형성되어도 된다. 도트 패턴은, 노광 및 현상에 의한 패터닝을 포함하는 포토리소그래피법에 의해 형성되어도 된다.The method for forming the dot pattern is not particularly limited. For example, the dot pattern may be formed by a printing method such as an inkjet printing method. The dot pattern may be formed by a photolithography method including patterning by exposure and development.

수지 조성물로는, 미세하고 또한 양호한 형상의 도트 패턴의 형성이 용이한 점에서, 포토리소그래피법에 의해 도트 패턴을 형성 가능한, 감광성 수지 조성물이 바람직하다.The resin composition is preferably a photosensitive resin composition capable of forming a dot pattern by a photolithography method, since it is easy to form a fine and fine dot pattern.

수지 조성물을 사용하여 형성되는 도트 패턴에 대해, 스페이스의 폭은, 0.2 ㎛ 이상 2.0 ㎛ 이하가 바람직하고, 0.25 ㎛ 이상 1.0 ㎛ 이하가 보다 바람직하다.For the dot pattern formed using the resin composition, the width of the space is preferably 0.2 µm or more and 2.0 µm or less, and more preferably 0.25 µm or more and 1.0 µm or less.

또, 스페이스의 폭을 W 로 하고, 도트의 높이를 H 로 하는 경우에, H/W 로 나타내는 애스펙트비가 1.0 이상 10.0 이하인 것이 바람직하고, 2.0 이상 8.0 이하인 것이 보다 바람직하다.In addition, when the width of the space is set to W and the height of the dot is set to H, the aspect ratio expressed in H/W is preferably 1.0 or more and 10.0 or less, and more preferably 2.0 or more and 8.0 or less.

도트의 높이 H 는, 특별히 한정되지 않지만, 전형적으로는 0.25 ㎛ 이상 4.0 ㎛ 이하가 바람직하고, 0.5 ㎛ 이상 2.0 ㎛ 이하가 보다 바람직하다.The height H of the dot is not particularly limited, but is preferably 0.25 μm or more and 4.0 μm or less, and more preferably 0.5 μm or more and 2.0 μm or less.

또한, 도트 패턴은 기판 상에 형성된다. 도트 패턴을 구성하는 각 도트는, 통상적으로 직방체 형상, 입방체 형상, 또는 이들 형상과 유사한 형상으로서, 도트에 대한 기판의 두께 방향과 동 방향의 치수를 도트의 높이 H 로 한다.Further, the dot pattern is formed on the substrate. Each dot constituting the dot pattern is usually a cuboid shape, a cube shape, or a shape similar to these shapes, and the dimension in the thickness direction and the same direction of the substrate with respect to the dot is the height H of the dot.

또, 도트에 대한 기판의 면 방향과 동 방향 또는 대략 동 방향의 사각형의 면의 형상은, 정방형, 장방형, 또는 이들 형상과 유사한 형상이다. 도트에 대한 기판의 면 방향과 동 방향 또는 대략 동 방향의 사각형의 면에 대해, 4 변 각각의 길이는, 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하가 바람직하고, 1 ㎛ 이상 4 ㎛ 이하가 보다 바람직하다.Moreover, the shape of a square surface in the same direction or substantially the same direction as the plane direction of the substrate with respect to the dot is a square, a rectangle, or a shape similar to these shapes. The length of each of the four sides is preferably 0.5 µm or more and 5 µm or less, and more preferably 1 µm or more and 4 µm or less, with respect to the surface of the substrate relative to the dot and the square surface in the same or approximately the same direction.

수지 조성물을 사용하여 형성되는 도트 패턴에 대해, 스페이스의 폭과, 애스펙트비가 상기의 범위 내이면, 열 플로 후에 원하는 형상의 마이크 렌즈 패턴을 얻기 쉽다.For the dot pattern formed using the resin composition, if the width of the space and the aspect ratio are within the above range, it is easy to obtain a microphone lens pattern of a desired shape after heat flow.

또, 수지 조성물을 사용하여 형성되는 도트 패턴에 대한 열 플로의 온도는, 상기 (Tg + 5) ℃ 이상 130 ℃ 이하가 바람직하고, (Tg + 5) ℃ 이상 100 ℃ 이하가 보다 바람직하다.The temperature of the heat flow for the dot pattern formed using the resin composition is preferably (Tg + 5) °C or higher and 130 °C or lower, and more preferably (Tg + 5) °C or higher and 100 °C or lower.

이러한 범위 내의 온도에서, 수지 조성물을 사용하여 형성되는 도트 패턴을 열 플로시키는 경우, 도트 패턴의 과도한 열 플로를 억제하면서, 원하는 정도로 도트 패턴을 열 플로시키기 쉽다.When the dot pattern formed using the resin composition is heat-flowed at a temperature within this range, it is easy to heat-flow the dot pattern to a desired degree while suppressing excessive heat flow of the dot pattern.

바람직한 수지 조성물로는, 수지 (A) 로서의 알칼리 가용성 수지 (A1) 과, 감광제 (B) 를 함유하는, 감광성 수지 조성물을 들 수 있다. 이하, 이러한 바람직한 감광성 수지 조성물에 함유되는, 필수 또는 임의의 성분에 대해 설명한다.As a preferable resin composition, the photosensitive resin composition containing alkali-soluble resin (A1) as resin (A) and a photosensitive agent (B) is mentioned. Hereinafter, essential or arbitrary components contained in such a preferred photosensitive resin composition will be described.

<알칼리 가용성 수지 (A1)><Alkali-soluble resin (A1)>

알칼리 가용성 수지 (A1) 로는, 카르복시기, 페놀성 수산기 등의 알칼리 가용성기를 갖는 수지로서, 염기성의 용액에 가용인 수지이면 특별히 한정되지 않는다.The alkali-soluble resin (A1) is a resin having an alkali-soluble group such as a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, and is not particularly limited as long as it is a resin soluble in a basic solution.

예를 들어, 알칼리 가용성 수지 (A1) 로는, 페놀 수지, 아크릴 수지, 스티렌과 아크릴산의 공중합체, 하이드록시스티렌의 중합체 또는 공중합체, 및 폴리비닐페놀, 폴리α-메틸비닐페놀 등을 들 수 있다.For example, examples of the alkali-soluble resin (A1) include a phenol resin, an acrylic resin, a copolymer of styrene and acrylic acid, a polymer or copolymer of hydroxystyrene, and polyvinylphenol, polyα-methylvinylphenol, and the like. .

알칼리 가용성 수지 (A1) 은, 하기 식 (a1) :The alkali-soluble resin (A1) has the following formula (a1):

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 (a1) 중, R1 은, 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고, R2 는, 단결합, 또는 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기를 나타내고, R3 은, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기를 나타내고, a 는, 1 이상 5 이하의 정수를 나타내고, b 는 0 이상 4 이하의 정수를 나타내고, a + b 는, 5 이하이고, b 가 2 이상인 경우, 복수의 R3 은 서로 동일해도 되고 상이해도 된다)(In formula (a1), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and R 3 has 1 to 5 carbon atoms. The following alkyl group, a represents an integer of 1 or more and 5 or less, b represents an integer of 0 or more and 4 or less, a+b is 5 or less, and when b is 2 or more, a plurality of R 3 s It may be the same or different)

로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable to contain the (meth)acrylic-type resin containing the structural unit represented by.

(메트)아크릴계 수지가 상기 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 함유하는 경우, 감광성 수지 조성물을 사용하여 도트 패턴을 형성할 때의 양호한 패터닝 특성을 얻기 쉽다.When a (meth)acrylic-type resin contains the structural unit represented by said formula (a1), it is easy to obtain favorable patterning characteristics at the time of forming a dot pattern using a photosensitive resin composition.

상기 식 (a1) 에 있어서, R2 가 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기인 경우, 당해 알킬렌기는, 직사슬형이어도 되고 분기 사슬형이어도 된다. R2 로서의 알킬렌기의 구체예로는, 메틸렌기, 에탄-1,2-디일기, 에탄-1,1-디일기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 프로판-1,1-디일기, 프로판-2,2-디일기, 부탄-1,4-디일기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-1,2-디일기, 부탄-1,1-디일기, 부탄-2,3-디일기, 부탄-2,2-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 펜탄-1,4-디일기, 펜탄-1,3-디일기, 펜탄-1,2-디일기, 펜탄-1,1-디일기, 펜탄-2,4-디일기, 펜탄-2,3-디일기, 펜탄-2,2-디일기, 및 펜탄-3,3-디일기를 들 수 있다.In the formula (a1), when R 2 is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, the alkylene group may be linear or branched. Specific examples of the alkylene group as R 2 are methylene group, ethane-1,2-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, Propane-1,1-diyl group, propane-2,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, butane-1,3-diyl group, butane-1,2-diyl group, butane-1,1 -Diyl group, butane-2,3-diyl group, butane-2,2-diyl group, pentane-1,5-diyl group, pentane-1,4-diyl group, pentane-1,3-diyl group, pentane -1,2-diyl group, pentane-1,1-diyl group, pentane-2,4-diyl group, pentane-2,3-diyl group, pentane-2,2-diyl group, and pentane-3,3 -Di-diary.

이상 설명한 R2 로는, 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 부여하는 화합물의 입수나 합성이 용이한 점과, 수지 조성물을 사용하여, 양호하게 저온에서 플로되는 도트 패턴을 형성하기 쉬운 점에서, 단결합, 메틸렌기, 및 에탄-1,2-디일기가 바람직하고, 단결합, 및 메틸렌기가 보다 바람직하고, 단결합이 특히 바람직하다.As R 2 described above, it is easy to obtain or synthesize a compound that gives the structural unit represented by formula (a1), and from the viewpoint of easy to form a dot pattern that flows favorably at a low temperature using a resin composition. A bond, a methylene group, and an ethane-1,2-diyl group are preferable, a single bond, and a methylene group are more preferable, and a single bond is particularly preferable.

상기 식 (a1) 에 있어서, R3 은 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기이다. R3 으로서의 알킬렌기는, 직사슬형이어도 되고 분기 사슬형이어도 된다. R3 으로서의 알킬렌기의 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 및 펜탄-3-일기를 들 수 있다.In the formula (a1), R 3 is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms. The alkylene group as R 3 may be linear or branched. Specific examples of the alkylene group as R 3 are methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, and isophene Til group, neopentyl group, sec-pentyl group, tert-pentyl group, and pentane-3-yl group.

식 (a1) 에 있어서, 벤젠 고리 상의 수산기의 수인 a 는, 1 이상 5 이하의 정수이다. a 로는, 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 부여하는 화합물의 입수나 합성이 용이한 점에서, 1 또는 2 가 바람직하고, 1 이 보다 바람직하다.In Formula (a1), a, which is the number of hydroxyl groups on the benzene ring, is an integer of 1 or more and 5 or less. As a, point 1 or 2 is preferable and 1 is more preferable at the point which is easy to obtain or synthesize|combine the compound which gives the structural unit represented by Formula (a1).

식 (a1) 에 있어서, 1 이상의 수산기 중의 적어도 1 개가, 벤젠 고리 상에 있어서, -CO-O-R2- 로 나타내는 기가 결합하는 위치에 대한 파라 위치에 결합하는 것이 바람직하다.In formula (a1), it is preferable that at least one of the one or more hydroxyl groups is bonded to the para position relative to the position where the group represented by -CO-OR 2 -is bonded on the benzene ring.

식 (a1) 로 나타내는 구성 단위로는, 예를 들어, 하기 식 (a1-1) 또는 하기 식 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하다. 식 (a1-1) 및 식 (a1-2) 중, R1 은, 수소 원자, 또는 메틸기이다.As a structural unit represented by Formula (a1), a structural unit represented by the following Formula (a1-1) or the following Formula (a1-2) is preferable, for example. In formulas (a1-1) and (a1-2), R 1 is a hydrogen atom or a methyl group.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지에 있어서, 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위의 함유량은, 20 질량% 이상 80 질량% 이하가 바람직하고, 20 질량% 이상 70 질량% 이하가 보다 바람직하고, 20 질량% 이상 60 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 20 질량% 이상 50 질량% 이하가 특히 바람직하다.In the (meth)acrylic resin containing the structural unit represented by formula (a1), the content of the structural unit represented by formula (a1) is preferably 20% by mass or more and 80% by mass or less, and 20% by mass or more and 70% by mass The following are more preferable, 20 mass% or more and 60 mass% or less are more preferable, and 20 mass% or more and 50 mass% or less are particularly preferable.

식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지에 있어서의, 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위의 함유량의 하한은, 25 질량% 이상, 또는 30 질량% 이상인 것도 바람직하다.It is also preferable that the lower limit of the content of the structural unit represented by the formula (a1) in the (meth)acrylic resin containing the structural unit represented by the formula (a1) is 25% by mass or more, or 30% by mass or more.

식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지에 있어서의, 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위의 함유량이 상기의 범위 내이면, 감광성 수지 조성물을 사용하여 도트 패턴을 형성할 때의 양호한 패터닝 특성과, 도트 패턴의 양호한 저온 열 플로성을 양립하기 쉽다.When the content of the structural unit represented by Formula (a1) in the (meth)acrylic resin containing the structural unit represented by Formula (a1) is within the above range, when forming a dot pattern using a photosensitive resin composition It is easy to achieve good patterning characteristics and the good low-temperature heat flow property of a dot pattern.

상기 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지는, 상기 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위와 함께, 추가로 (메트)아크릴산의 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 알킬에스테르에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.The (meth)acrylic resin containing the structural unit represented by the formula (a1) is derived from an alkyl ester having 1 to 10 carbon atoms or more of the (meth)acrylic acid together with the structural unit represented by the formula (a1). It is preferable to contain the said structural unit.

이 경우, 감광성 수지 조성물을 사용하여, 특히 저온 열 플로성이 우수한 도트 패턴을 형성하기 쉽다.In this case, using a photosensitive resin composition, it is particularly easy to form a dot pattern excellent in low-temperature heat flow properties.

(메트)아크릴산의 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 알킬에스테르로는, (메트)아크릴산의 탄소 원자수 2 이상 6 이하의 알킬에스테르가 바람직하고, (메트)아크릴산의 탄소 원자수 3 이상 5 이하의 알킬에스테르가 보다 바람직하다.As the alkyl ester having 1 to 10 carbon atoms in (meth)acrylic acid, alkyl esters having 2 to 6 carbon atoms in (meth)acrylic acid are preferred, and 3 to 5 carbon atoms in (meth)acrylic acid Alkyl ester is more preferable.

알킬에스테르를 구성하는 알킬기는, 직사슬형이어도 되고, 분기 사슬형이어도 되며, 직사슬형이 바람직하다.The alkyl group constituting the alkyl ester may be linear or branched, and a linear chain is preferred.

(메트)아크릴산의 알킬에스테르의 바람직한 구체예로는, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산n-프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산sec-부틸, (메트)아크릴산n-펜틸, (메트)아크릴산n-헥실, (메트)아크릴산n-헵틸, (메트)아크릴산n-옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산n-노닐, 및 (메트)아크릴산n-데실을 들 수 있다.Preferable specific examples of the alkyl ester of (meth)acrylic acid include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, ( Isobutyl meth)acrylate, sec-butyl acrylate, n-pentyl (meth)acrylate, n-hexyl (meth)acrylate, n-heptyl acrylate, n-octyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylic acid 2-ethylhexyl, (meth)acrylic acid n-nonyl, and (meth)acrylic acid n-decyl.

이들 중에서는, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산n-프로필, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산n-펜틸, 및 (메트)아크릴산n-헥실이 바람직하다.Of these, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, n-pentyl (meth)acrylate, and n-hexyl (meth)acrylate are preferred. Do.

식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지에 있어서, (메트)아크릴산의 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 알킬에스테르에서 유래하는 구성 단위의 함유량은, 10 질량% 이상 80 질량% 이하가 바람직하고, 15 질량% 이상 80 질량% 이하가 보다 바람직하고, 20 질량% 이상 80 질량% 이하가 더욱 바람직하다.In the (meth)acrylic resin containing a structural unit represented by formula (a1), the content of the structural unit derived from an alkyl ester having 1 to 10 carbon atoms in (meth)acrylic acid is 10% by mass or more and 80% by mass The following are preferable, 15 mass% or more and 80 mass% or less are more preferable, and 20 mass% or more and 80 mass% or less are more preferable.

식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위, 및 (메트)아크릴산의 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 알킬에스테르에서 유래하는 구성 단위 이외의, 다른 구성 단위를 함유하고 있어도 된다.(Meth)acrylic-type resin containing the structural unit represented by Formula (a1) is 1 to 10 carbon atoms of the structural unit represented by Formula (a1) and (meth)acrylic acid within the range which does not impair the object of the present invention. You may contain other structural units other than the structural unit derived from the following alkyl ester.

이러한 다른 구성 단위를 부여하는 단량체로는, (메트)아크릴산의 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 알킬에스테르 이외의, 에폭시기를 갖지 않는 (메트)아크릴산에스테르류, 에폭시기를 갖는 불포화 화합물, (메트)아크릴아미드류, 알릴 화합물, 비닐에테르류, 비닐에스테르류, 스티렌류 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the monomer conferring these other structural units include (meth)acrylic acid esters having no epoxy group, unsaturated compounds having an epoxy group, and (meth)acrylic groups other than alkyl esters having 1 to 10 carbon atoms in (meth)acrylic acid. And amides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, and styrenes. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

에폭시기를 갖지 않는 (메트)아크릴산에스테르류로는, 클로로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2-디메틸하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판모노(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 및 푸르푸릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of (meth)acrylic acid esters that do not have an epoxy group include chloroethyl (meth)acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, and trimethylolpropane mono. (Meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, and furfuryl (meth)acrylate.

에폭시기를 갖는 불포화 화합물로는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메트)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산에폭시알킬에스테르류 ; α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산6,7-에폭시헵틸 등의 α-알킬아크릴산에폭시알킬에스테르류 ; 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having an epoxy group include glycidyl (meth)acrylate, 2-methylglycidyl (meth)acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth)acrylate, and 6,7-epoxyheptyl (meth). (Meth)acrylic acid epoxy alkyl esters such as acrylates; α-alkyl acrylic acid epoxyalkyl esters such as α-ethyl acrylate glycidyl, α-n-propyl acrylate glycidyl, α-n-butyl acrylate glycidyl, and α-ethyl acrylic acid 6,7-epoxyheptyl; And the like.

에폭시기를 갖는 불포화 화합물로는, 에폭시기를 함유하는 지환식 기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르도 바람직하다.As the unsaturated compound having an epoxy group, (meth)acrylic acid ester having an alicyclic group containing an epoxy group is also preferable.

(메트)아크릴아미드류로는, (메트)아크릴아미드, N-알킬(메트)아크릴아미드, N-아릴(메트)아크릴아미드, N,N-디알킬(메트)아크릴아미드, N,N-아릴(메트)아크릴아미드, N-메틸-N-페닐(메트)아크릴아미드, N-하이드록시에틸-N-메틸(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of (meth)acrylamides include (meth)acrylamide, N-alkyl(meth)acrylamide, N-aryl(meth)acrylamide, N,N-dialkyl(meth)acrylamide, and N,N-aryl (Meth)acrylamide, N-methyl-N-phenyl (meth)acrylamide, N-hydroxyethyl-N-methyl (meth)acrylamide, and the like.

알릴 화합물로는, 아세트산알릴, 카프로산알릴, 카프릴산알릴, 라우르산알릴, 팔미트산알릴, 스테아르산알릴, 벤조산알릴, 아세토아세트산알릴, 락트산알릴 등의 알릴에스테르류 ; 알릴옥시에탄올 ; 등을 들 수 있다.Examples of the allyl compound include allyl esters such as allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, and allyl lactate; Allyloxyethanol; And the like.

비닐에테르류로는, 헥실비닐에테르, 옥틸비닐에테르, 데실비닐에테르, 에틸헥실비닐에테르, 메톡시에틸비닐에테르, 에톡시에틸비닐에테르, 클로르에틸비닐에테르, 1-메틸-2,2-디메틸프로필비닐에테르, 2-에틸부틸비닐에테르, 하이드록시에틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜비닐에테르, 디메틸아미노에틸비닐에테르, 디에틸아미노에틸비닐에테르, 부틸아미노에틸비닐에테르, 벤질비닐에테르, 테트라하이드로푸르푸릴비닐에테르 등의 알킬비닐에테르 ; 비닐페닐에테르, 비닐톨릴에테르, 비닐클로르페닐에테르, 비닐-2,4-디클로르페닐에테르, 비닐나프틸에테르, 비닐안트라닐에테르 등의 비닐아릴에테르 ; 등을 들 수 있다.As vinyl ethers, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethyl hexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chlorethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl Vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl Alkyl vinyl ethers such as ether; Vinyl aryl ethers such as vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chlorphenyl ether, vinyl-2,4-dichlorphenyl ether, vinyl naphthyl ether, and vinyl anthranyl ether; And the like.

비닐에스테르류로는, 비닐부티레이트, 비닐이소부티레이트, 비닐트리메틸아세테이트, 비닐디에틸아세테이트, 비닐발레이트, 비닐카프로에이트, 비닐클로르아세테이트, 비닐디클로르아세테이트, 비닐메톡시아세테이트, 비닐부톡시아세테이트, 비닐페닐아세테이트, 비닐아세토아세테이트, 비닐락테이트, 비닐-β-페닐부티레이트, 벤조산비닐, 살리실산비닐, 클로르벤조산비닐, 테트라클로르벤조산비닐, 나프토산비닐 등을 들 수 있다.Vinyl esters include vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valate, vinyl caproate, vinyl chlor acetate, vinyl dichlor acetate, vinyl methoxy acetate, vinyl butoxy acetate, vinyl And phenyl acetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenylbutyrate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorbenzoate, vinyl tetrachlorbenzoate, and vinyl naphthoate.

스티렌류로는, 스티렌 ; 메틸스티렌, 디메틸스티렌, 트리메틸스티렌, 에틸스티렌, 디에틸스티렌, 이소프로필스티렌, 부틸스티렌, 헥실스티렌, 시클로헥실스티렌, 데실스티렌, 벤질스티렌, 클로르메틸스티렌, 트리플루오로메틸스티렌, 에톡시메틸스티렌, 아세톡시메틸스티렌 등의 알킬스티렌 ; 메톡시스티렌, 4-메톡시-3-메틸스티렌, 디메톡시스티렌 등의 알콕시스티렌 ; 클로로스티렌, 디클로로스티렌, 트리클로로스티렌, 테트라클로로스티렌, 펜타클로로스티렌, 브로모스티렌, 디브로모스티렌, 요오드스티렌, 플루오로스티렌, 트리플루오로스티렌, 2-브로모-4-트리플루오로메틸스티렌, 4-플루오로-3-트리플루오로메틸스티렌 등의 할로스티렌 ; 등을 들 수 있다.As styrenes, Styrene; Methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, diethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, hexylstyrene, cyclohexylstyrene, decylstyrene, benzylstyrene, chlormethylstyrene, trifluoromethylstyrene, ethoxymethylstyrene , Alkyl styrenes such as acetoxy methyl styrene; Alkoxystyrenes such as methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene and dimethoxystyrene; Chlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodinestyrene, fluorostyrene, trifluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethyl Halostyrenes such as styrene and 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene; And the like.

식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지에 있어서의, 그 밖의 구성 단위의 양은, (메트)아크릴계 수지의 질량으로부터, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않고, 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위의 질량, 및 (메트)아크릴산의 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 알킬에스테르에서 유래하는 구성 단위의 질량을 뺀, 잔여의 양이어도 된다.The amount of other structural units in the (meth)acrylic resin containing the structural unit represented by formula (a1) is not limited within the range of not impairing the object of the present invention from the mass of the (meth)acrylic resin, The remaining amount may be subtracted from the mass of the structural unit represented by the formula (a1) and the mass of the structural unit derived from an alkyl ester having 1 to 10 carbon atoms in (meth)acrylic acid.

알칼리 가용성 수지 (A1) 중의, 상기 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지의 함유량은, 70 질량% 이상이 바람직하고, 80 질량% 이상이 보다 바람직하고, 90 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 100 질량% 인 것이 특히 바람직하다.The content of the (meth)acrylic resin containing the structural unit represented by the formula (a1) in the alkali-soluble resin (A1) is preferably 70 mass% or more, more preferably 80 mass% or more, and more preferably 90 mass% or more. This is more preferable, and particularly preferably 100% by mass.

알칼리 가용성 수지 (A1) 의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 질량 평균 분자량 (Mw : 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 의 스티렌 환산에 의한 측정값) 으로서, 1000 이상 20000 이하가 바람직하고, 1500 이상 15000 이하가 보다 바람직하고, 2000 이상 10000 이하가 더욱 바람직하다.The molecular weight of the alkali-soluble resin (A1) is not particularly limited, but as a mass average molecular weight (Mw: measured value in terms of styrene in gel permeation chromatography (GPC)), 1000 or more and 20000 or less are preferable, 1500 or more and 15000 or less Is more preferable, and 2000 or more and 10,000 or less are even more preferable.

<감광제 (B)><Photosensitive agent (B)>

감광제 (B) 는, 노광에 의해 감광성 수지 조성물의 알칼리 현상액에 대한 용해성을 높이는 것이다. 감광제 (B) 는, 퀴논디아지드기 함유 화합물인 것이 바람직하다.The photosensitive agent (B) increases the solubility of the photosensitive resin composition in the alkali developer by exposure. It is preferable that the photosensitive agent (B) is a quinonediazide group containing compound.

퀴논디아지드기 함유 화합물로는, 페놀 화합물과, 나프토퀴논디아지드술폰산 화합물의 완전 에스테르화물이나 부분 에스테르화물을 들 수 있다. 상기 페놀 화합물로는, 예를 들어 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 등의 폴리하이드록시벤조페논 화합물 ; 트리스(4-하이드록시페닐)메탄, 비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,3,5-트리메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-4-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-3-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-4-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-3-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시-2,5-디메틸페닐)-2,4-디하이드록시페닐메탄, 비스(4-하이드록시페닐)-3-메톡시-4-하이드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-하이드록시-2-메틸페닐)-4-하이드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-하이드록시-2-메틸페닐)-3-하이드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-하이드록시-2-메틸페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 비스(5-시클로헥실-4-하이드록시-2-메틸페닐)-3,4-디하이드록시페닐메탄 등의 트리스페놀형 화합물 ; 2,4-비스(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-5-하이드록시페놀, 2,6-비스(2,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-4-메틸페놀 등의 리니어형 3 핵체 페놀 화합물 ; 1,1-비스〔3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-4-하이드록시-5-시클로헥실페닐〕이소프로판, 비스[2,5-디메틸-3-(4-하이드록시-5-메틸벤질)-4-하이드록시페닐]메탄, 비스[2,5-디메틸-3-(4-하이드록시벤질)-4-하이드록시페닐]메탄, 비스[3-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-4-하이드록시-5-메틸페닐]메탄, 비스[3-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-4-하이드록시-5-에틸페닐]메탄, 비스[3-(3,5-디에틸-4-하이드록시벤질)-4-하이드록시-5-메틸페닐]메탄, 비스[3-(3,5-디에틸-4-하이드록시벤질)-4-하이드록시-5-에틸페닐]메탄, 비스[2-하이드록시-3-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)-5-메틸페닐]메탄, 비스[2-하이드록시-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-5-메틸페닐]메탄, 비스[4-하이드록시-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-5-메틸페닐]메탄, 비스[2,5-디메틸-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-4-하이드록시페닐]메탄 등의 리니어형 4 핵체 페놀 화합물 ; 2,4-비스[2-하이드록시-3-(4-하이드록시벤질)-5-메틸벤질]-6-시클로헥실페놀, 2,4-비스[4-하이드록시-3-(4-하이드록시벤질)-5-메틸벤질]-6-시클로헥실페놀, 2,6-비스[2,5-디메틸-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-4-하이드록시벤질]-4-메틸페놀 등의 리니어형 5 핵체 페놀 화합물 등의 리니어형 폴리페놀 화합물 ; 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 2,3,4-트리하이드록시페닐-4'-하이드록시페닐메탄, 2-(2,3,4-트리하이드록시페닐)-2-(2',3',4'-트리하이드록시페닐)프로판, 2-(2,4-디하이드록시페닐)-2-(2',4'-디하이드록시페닐)프로판, 2-(4-하이드록시페닐)-2-(4'-하이드록시페닐)프로판, 2-(3-플루오로-4-하이드록시페닐)-2-(3'-플루오로-4′-하이드록시페닐)프로판, 2-(2,4-디하이드록시페닐)-2-(4'-하이드록시페닐)프로판, 2-(2,3,4-트리하이드록시페닐)-2-(4'-하이드록시페닐)프로판, 2-(2,3,4-트리하이드록시페닐)-2-(4'-하이드록시-3',5'-디메틸페닐)프로판 등의 비스페놀형 화합물 ; 1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠, 1-[1-(3-메틸-4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(3-메틸-4-하이드록시페닐)에틸]벤젠 등의 다핵 분기형 화합물 ; 1,1-비스(4-하이드록시페닐)시클로헥산 등의 축합형 페놀 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the quinonediazide group-containing compound include a complete esterified product or a partial esterified product of a phenol compound and a naphthoquinonediazide sulfonic acid compound. Examples of the phenol compound include polyhydroxybenzophenone compounds such as 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone; Tris(4-hydroxyphenyl)methane, bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,3,5-trimethylphenyl)-2-hydroxy Phenylmethane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-3-hydroxyphenylmethane, bis(4 -Hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-4-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2, 5-dimethylphenyl)-3-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)- 3,4-dihydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-3,4-dihydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)- 2,4-dihydroxyphenylmethane, bis(4-hydroxyphenyl)-3-methoxy-4-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-4- Hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-3-hydroxyphenylmethane, bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-2-hydroxy Trisphenol type compounds such as phenylmethane and bis(5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)-3,4-dihydroxyphenylmethane; 2,4-bis(3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl)-5-hydroxyphenol, 2,6-bis(2,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl)-4-methylphenol, etc. Linear trinuclear phenol compounds; 1,1-bis[3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-hydroxy-5-cyclohexylphenyl]isopropane, bis[2,5-dimethyl-3-(4-hydroxy- 5-methylbenzyl)-4-hydroxyphenyl]methane, bis[2,5-dimethyl-3-(4-hydroxybenzyl)-4-hydroxyphenyl]methane, bis[3-(3,5-dimethyl -4-hydroxybenzyl)-4-hydroxy-5-methylphenyl]methane, bis[3-(3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl)-4-hydroxy-5-ethylphenyl]methane, bis [3-(3,5-diethyl-4-hydroxybenzyl)-4-hydroxy-5-methylphenyl]methane, bis[3-(3,5-diethyl-4-hydroxybenzyl)-4- Hydroxy-5-ethylphenyl]methane, bis[2-hydroxy-3-(3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl)-5-methylphenyl]methane, bis[2-hydroxy-3-(2 -Hydroxy-5-methylbenzyl)-5-methylphenyl]methane, bis[4-hydroxy-3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-5-methylphenyl]methane, bis[2,5-dimethyl Linear type 4 nucleus phenol compounds such as -3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-hydroxyphenyl]methane; 2,4-bis[2-hydroxy-3-(4-hydroxybenzyl)-5-methylbenzyl]-6-cyclohexylphenol, 2,4-bis[4-hydroxy-3-(4-hydroxy Hydroxybenzyl)-5-methylbenzyl]-6-cyclohexylphenol, 2,6-bis[2,5-dimethyl-3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-hydroxybenzyl]-4 -Linear polyphenol compounds, such as a linear 5 nucleus phenol compound, such as methylphenol; Bis(2,3,4-trihydroxyphenyl)methane, bis(2,4-dihydroxyphenyl)methane, 2,3,4-trihydroxyphenyl-4'-hydroxyphenylmethane, 2-( 2,3,4-trihydroxyphenyl)-2-(2',3',4'-trihydroxyphenyl)propane, 2-(2,4-dihydroxyphenyl)-2-(2', 4'-dihydroxyphenyl)propane, 2-(4-hydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxyphenyl)propane, 2-(3-fluoro-4-hydroxyphenyl)-2-( 3'-fluoro-4'-hydroxyphenyl)propane, 2-(2,4-dihydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxyphenyl)propane, 2-(2,3,4-tri Hydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxyphenyl)propane, 2-(2,3,4-trihydroxyphenyl)-2-(4'-hydroxy-3',5'-dimethylphenyl) Bisphenol-type compounds such as propane; 1-[1-(4-hydroxyphenyl)isopropyl]-4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]benzene, 1-[1-(3-methyl-4-hydroxyphenyl )Isopropyl]-4-[1,1-bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)ethyl]benzene, and other polynuclear branched compounds; And condensed phenol compounds such as 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)cyclohexane. These may be used alone or in combination of two or more.

또, 상기 나프토퀴논디아지드술폰산 화합물로는, 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-술폰산클로라이드 또는 나프토퀴논-1,2-디아지드-4-술폰산클로라이드 등을 들 수 있다.In addition, examples of the naphthoquinone diazide sulfonic acid compound include naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid chloride or naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonic acid chloride.

또, 다른 퀴논디아지드기 함유 화합물, 예를 들어 오르토벤조퀴논디아지드, 오르토나프토퀴논디아지드, 오르토안트라퀴논디아지드 또는 오르토나프토퀴논디아지드술폰산에스테르류 등의 이들 핵치환 유도체, 나아가서는 오르토퀴논디아지드술포닐클로라이드와 수산기 또는 아미노기를 갖는 화합물, 예를 들어 페놀, p-메톡시페놀, 디메틸페놀, 하이드로퀴논, 비스페놀 A, 나프톨, 피로카테콜, 피로갈롤, 피로갈롤모노메틸에테르, 피로갈롤-1,3-디메틸에테르, 갈산, 수산기를 일부 남겨 에스테르화 또는 에테르화된 갈산, 아닐린, p-아미노디페닐아민 등의 반응 생성물 등도 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 또 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In addition, other quinonediazide group-containing compounds, such as orthobenzoquinonediazides, orthonaphthoquinonediazides, orthoanthraquinonediazides, orthonaphthoquinonediazidesulfonic acid esters and the like, these nuclear-substituted derivatives, furthermore Orthoquinone diazide sulfonyl chloride and compounds having hydroxyl or amino groups, such as phenol, p-methoxyphenol, dimethylphenol, hydroquinone, bisphenol A, naphthol, pyrocatechol, pyrogallol, pyrogallol monomethyl ether, Pyrogalol-1,3-dimethyl ether, gallic acid, a reaction product such as esterified or etherified gallic acid, aniline, p-aminodiphenylamine, etc. may also be used by leaving some hydroxyl groups. These may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

이들 퀴논디아지드기 함유 화합물은, 예를 들어 상기의 페놀 화합물과, 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-술폰산클로라이드 또는 나프토퀴논-1,2-디아지드-4-술폰산클로라이드를 디옥산 등의 적당한 용제 중에 있어서, 트리에탄올아민, 탄산 알칼리, 탄산수소 알칼리 등의 알칼리의 존재하에 축합시켜, 완전 에스테르화 또는 부분 에스테르화함으로써 제조할 수 있다.These quinonediazide group-containing compounds include, for example, the phenol compounds described above and naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid chloride or naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonic acid chloride. In a suitable solvent such as dioxane, it can be produced by condensation in the presence of an alkali such as triethanolamine, alkali carbonate, or alkali hydrogen carbonate, followed by complete esterification or partial esterification.

감광제 (B) 의 사용량은, 수지 (A) 의 질량에 대해, 50 질량% 이하가 바람직하고, 40 질량% 이하가 보다 바람직하고, 30 질량% 이하가 특히 바람직하다. 감광제 (B) 의 사용량의 하한은, 예를 들어, 수지 (A) 의 질량에 대해, 10 질량% 이상이고, 15 질량% 이상이 보다 바람직하고, 20 질량% 이하가 더욱 바람직하다.The amount of the photosensitive agent (B) used is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and particularly preferably 30% by mass or less, relative to the mass of the resin (A). The lower limit of the amount of the photosensitive agent (B) used is, for example, 10 mass% or more, more preferably 15 mass% or more, and even more preferably 20 mass% or less, relative to the mass of the resin (A).

이러한 범위의 양의 감광제 (B) 를 사용함으로써, 상기의 Tg 가 적절한 값인 수지 조성물을 조제하기 쉽다. 그 결과, 감광성 수지 조성물을 사용하여 도트 패턴을 형성할 때의 양호한 패터닝 특성과, 도트 패턴의 양호한 저온 열 플로성의 양립이 용이하다.By using the photosensitive agent (B) in an amount in this range, it is easy to prepare a resin composition in which the above Tg is an appropriate value. As a result, good patterning characteristics when forming a dot pattern using a photosensitive resin composition, and good low-temperature heat flow property of a dot pattern are easily compatible.

(그 밖의 성분)(Other ingredients)

수지 (A) 로서의 알칼리 가용성 수지 (A1) 과, 감광제 (B) 를 함유하는, 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라 알칼리 가용성 수지 (A1) 및 감광제 (B) 이외의 다른 성분을 함유하고 있어도 된다.The photosensitive resin composition containing the alkali-soluble resin (A1) as the resin (A) and the photosensitive agent (B) may contain components other than the alkali-soluble resin (A1) and the photosensitive agent (B) as necessary.

다른 성분으로는, 예를 들어, 유기 용제나, 열가교제를 들 수 있다.As another component, an organic solvent and a heat crosslinking agent are mentioned, for example.

감광성 수지 조성물이 열가교제를 함유하는 경우, 형성되는 마이크로렌즈의 내열성을 향상시킬 수 있어, 도트 패턴의 과도한 열 플로를 억제하기 쉽다.When the photosensitive resin composition contains a heat crosslinking agent, the heat resistance of the formed microlens can be improved, and it is easy to suppress excessive heat flow of the dot pattern.

열가교제로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 공지된 가교제와 동일한 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어 멜라민 수지, 우레아 수지, 구아나민 수지, 글리콜우릴-포름알데히드 수지, 숙시닐아미드-포름알데히드 수지, 에틸렌우레아-포름알데히드 수지 등이 사용된다.There is no restriction|limiting in particular as a heat crosslinking agent, For example, the thing similar to a well-known crosslinking agent can be used selecting it suitably. For example, melamine resin, urea resin, guanamine resin, glycoluril-formaldehyde resin, succinylamide-formaldehyde resin, ethyleneurea-formaldehyde resin, and the like are used.

특히 알콕시메틸화 멜라민 수지나 알콕시메틸화 우레아 수지 등의 알콕시메틸화 아미노 수지 등을 바람직하게 사용할 수 있다.In particular, alkoxymethylated amino resins such as alkoxymethylated melamine resins and alkoxymethylated urea resins can be preferably used.

그 중에서도, 열가교제의 바람직한 구체예로는, 메톡시메틸화 멜라민 수지, 프로폭시메틸화 멜라민 수지, 부톡시메틸화 멜라민 수지, 메톡시메틸화 우레아 수지, 에톡시메틸화 우레아 수지, 프로폭시메틸화 우레아 수지, 및 부톡시메틸화 우레아 수지 등을 들 수 있다.Among them, preferred examples of the heat crosslinking agent include methoxymethylated melamine resin, propoxymethylated melamine resin, butoxymethylated melamine resin, methoxymethylated urea resin, ethoxymethylated urea resin, propoxymethylated urea resin, and parts And ethoxymethylated urea resins.

이상 설명한 성분을 균일하게 혼합함으로써, 수지 조성물이 조제된다.A resin composition is prepared by uniformly mixing the components described above.

≪마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법≫≪Method for manufacturing a substrate having a microlens pattern≫

이상 설명한 수지 조성물을 사용하여, 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판이 제조된다.A substrate having a microlens pattern is manufactured using the resin composition described above.

구체적으로는, 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법은,Specifically, a method of manufacturing a substrate having a microlens pattern,

전술한 수지 조성물을 사용하여, 기판 상에, 사각형의 도트와, 격자상의 스페이스로 이루어지는 도트 패턴을 형성하는 공정과,A step of forming a dot pattern consisting of square dots and lattice-like spaces on a substrate using the resin composition described above,

도트 패턴을 가열에 의해 열 플로시키는 열 플로 공정을 포함한다.And a heat flow step in which the dot pattern is heat flowed by heating.

또한, 도트 패턴의 형상 및 치수, 도트 패턴에 있어서의 스페이스의 폭을 W, 도트의 높이를 H 로 하는 경우의 애스펙트비 H/W 의 값 등의 바람직한 범위는, 수지 조성물에 대해 전술한 바와 같다.Moreover, preferable ranges, such as the shape and dimension of a dot pattern, the width of the space in a dot pattern, and the aspect ratio H/W value when the height of a dot is set to H, are the same as described above for the resin composition. .

기판으로는, 종래부터 마이크로렌즈 패턴의 형성 대상으로서 사용되고 있는 기판이면 특별히 한정되지 않는다.The substrate is not particularly limited as long as it is a substrate conventionally used as a target for forming microlens patterns.

바람직한 기판의 일례로는, 실리콘 기판 상에, 고체 촬상 소자, 제 1 평탄화막, 컬러 필터, 및 제 2 평탄화막이 형성되어 있는 기판을 들 수 있다.Examples of preferred substrates include substrates on which a solid-state imaging element, a first planarizing film, a color filter, and a second planarizing film are formed on a silicon substrate.

이러한 기판에서는, 실리콘 기판 상의 소정의 위치에 점재하는 고체 촬상 소자를 피복하도록, 평탄한 면을 구비하는 제 1 평탄화막이 형성된다. 제 1 평탄화막 상에서는, 각 고체 촬상 소자의 위치의 상방의 위치에 컬러 필터가 형성된다. 그리고, 컬러 필터를 피복하도록, 평탄한 면을 구비하는 제 2 평탄화막이 형성된다.In such a substrate, a first planarization film having a flat surface is formed so as to cover a solid-state imaging element located at a predetermined position on the silicon substrate. On the first planarizing film, color filters are formed at positions above the positions of the respective solid-state imaging elements. Then, a second flattening film having a flat surface is formed so as to cover the color filter.

또한, 기판에 있어서, 실리콘 기판으로부터 제 2 평탄화막측으로의 방향을 상방으로 하고, 제 2 평탄화막으로부터 실리콘 기판측으로의 방향을 하방으로 한다.In addition, in the substrate, the direction from the silicon substrate to the second planarization film side is upward, and the direction from the second planarization film to the silicon substrate side is downward.

이하, 기판 상에 마이크로렌즈 패턴을 형성하는 방법에 대해, 도 1 을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, a method of forming a microlens pattern on a substrate will be described with reference to FIG. 1.

<도트 패턴을 형성하는 공정><Step of forming dot pattern>

도 1(b) 에 기재된 바와 같이, 기판 (10) 상에 마이크로렌즈 패턴을 형성하기 위해, 먼저, 기판 (10) 상에, 상기의 수지 조성물을 사용하여 도트 패턴 (12) 을 형성한다.1(b), in order to form a microlens pattern on the substrate 10, first, a dot pattern 12 is formed on the substrate 10 using the above resin composition.

도트 패턴 (12) 의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다.The method for forming the dot pattern 12 is not particularly limited.

예를 들어, 전술한 바와 같이, 도트 패턴 (12) 은, 잉크젯 인쇄법 등의 인쇄법에 의해 형성되어도 된다. 도트 패턴 (12) 은, 노광 및 현상에 의한 패터닝을 포함하는 포토리소그래피법에 의해 형성되어도 된다.For example, as described above, the dot pattern 12 may be formed by a printing method such as an inkjet printing method. The dot pattern 12 may be formed by a photolithography method including patterning by exposure and development.

포토리소그래피법의 상세한 처방은, 수지 조성물에 함유되는 성분의 종류나, 수지 조성물의 조성에 따라 적절히 선택된다.The detailed prescription of the photolithography method is appropriately selected depending on the kind of component contained in the resin composition or the composition of the resin composition.

예를 들어, 바람직한 수지 조성물인, 알칼리 가용성 수지 (A1) 과, 감광제 (B) 를 함유하는 포지티브형의 감광성 수지 조성물을 사용하는 경우, 먼저, 도 1(a) 에 기재된 바와 같이, 기판 (10) 상에, 수지 조성물을 도포하여 도포막 (11) 을 형성한다.For example, when a positive photosensitive resin composition containing an alkali-soluble resin (A1) and a photosensitive agent (B), which are preferable resin compositions, is used, first, as shown in Fig. 1(a), the substrate 10 ), the resin composition is applied to form the coating film 11.

도포 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 코터나 스핀 코터를 사용하는 주지 방법을 사용할 수 있다.It does not specifically limit as a coating method, For example, the well-known method using a roll coater or a spin coater can be used.

도포막 (11) 이 용제 등의 휘발성의 성분을 함유하는 경우, 필요에 따라 도포막 (11) 으로부터 휘발성의 성분을 제거해도 된다.When the coating film 11 contains a volatile component such as a solvent, the volatile component may be removed from the coating film 11 as necessary.

휘발성의 성분을 제거하는 방법으로는, 도포막 (11) 을 감압 분위기하에 두는 방법이나, 도포막 (11) 을 가열하는 방법이 바람직하다. 단, 도트 패턴이 저온 열 플로성이 우수한 바와 같이, 도포막 (11) 도 저온에서도 열 플로되기 쉽다. 이 때문에, 도포막 (11) 으로부터 휘발성의 성분을 제거할 때에는, 필요에 따라 감압된 분위기하에 두어, 도포막 (11) 을 (Tg + 50 ℃ 이하) 의 온도로, 120 초 이하, 바람직하게는 90 초 이하 정도의 단시간 가열하는 것이 바람직하다.As a method for removing volatile components, a method of placing the coating film 11 under a reduced pressure atmosphere or a method of heating the coating film 11 is preferable. However, as the dot pattern has excellent low-temperature heat-flow property, the coating film 11 is also likely to heat-flow at low temperatures. For this reason, when removing a volatile component from the coating film 11, it is placed in a pressure-reduced atmosphere as needed, and the coating film 11 is at a temperature of (Tg + 50°C or less), preferably 120 seconds or less, preferably It is preferable to heat for a short time of about 90 seconds or less.

이어서, 소정의 형상의 마스크를 개재하여 도포막 (11) 을 노광한 후에, 노광된 도포막 (11) 을 현상함으로써, 도 1(b) 에 기재된 바와 같이 도트 패턴 (12) 이 형성된다.Subsequently, after exposing the coating film 11 via a mask of a predetermined shape, the exposed coating film 11 is developed to form a dot pattern 12 as described in Fig. 1(b).

노광은, 예를 들어, 자외선, 엑시머 레이저 광 등의 활성 에너지선을 조사함으로써 실시된다. 조사하는 에너지선량은, 감광성 수지 조성물의 조성에 따라 상이하기도 하지만, 예를 들어 30 mJ/㎠ 이상 2000 mJ/㎠ 이하 정도가 바람직하다.Exposure is performed by irradiating active energy rays, such as ultraviolet rays and excimer laser light, for example. The energy dose to be irradiated may vary depending on the composition of the photosensitive resin composition, but, for example, about 30 mJ/cm 2 or more and 2000 mJ/cm 2 or less is preferable.

현상액으로는, 예를 들어, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액과 같은 유기 알칼리 수용액 또는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 메타규산나트륨, 인산나트륨 등의 무기 알칼리 수용액을 사용할 수 있다.As the developer, for example, an organic alkali aqueous solution such as an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) or an inorganic alkali aqueous solution such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium metasilicate, and sodium phosphate can be used.

이상과 같이 하여 형성된 도트 패턴 (12) 에 대해, 전면 노광에 의한 블리칭을 실시해도 된다. 이러한 블리칭에 의해, 도트 패턴 (12) 의 투명성이 향상된다.The dot pattern 12 formed as described above may be bleached by front exposure. The transparency of the dot pattern 12 is improved by such bleaching.

블리칭을 함으로써, 수지 조성물 중에 함유되어 있던, 퀴논디아지드기 함유 화합물과 같은 감광제 (B) 의 광 반응이 발생하여 도트 패턴 (12) 의 투명성이 향상된다.By bleaching, the photoreaction of the photosensitive agent (B), such as a quinonediazide group-containing compound, contained in the resin composition occurs, and the transparency of the dot pattern 12 is improved.

블리칭의 방법으로는, 구체적으로는, 파장이 300 ㎚ 이상 450 ㎚ 이하의 범위 내의 자외선을 조사하는 것이 바람직하다.As a method of bleaching, specifically, it is preferable to irradiate ultraviolet rays having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less.

또한, 블리칭을 실시하지 않아도, 도트 패턴 (12) 의 투명성이 양호한 경우, 블리칭을 필요에 따라 생략할 수 있다.Further, even if no bleaching is performed, when the transparency of the dot pattern 12 is good, bleaching can be omitted if necessary.

<열 플로 공정><heat flow process>

필요에 따라 블리칭된 도트 패턴 (12) 에 대해 가열을 실시함으로써, 도트 패턴 (12) 을 열 플로시킨다. 이러한 열 플로에 의해, 기판 (10) 상에 마이크로렌즈 패턴 (13) 이 형성된다.If necessary, the dot pattern 12 is heat-flowed by heating the bleached dot pattern 12. The microlens pattern 13 is formed on the substrate 10 by such a heat flow.

열 플로의 온도는, (Tg + 5) ℃ 이상 130 ℃ 이하가 바람직하고, (Tg + 5) ℃ 이상 100 ℃ 이하가 보다 바람직하다.The temperature of the heat flow is preferably (Tg + 5) °C or higher and 130 °C or lower, and more preferably (Tg + 5) °C or higher and 100 °C or lower.

이러한 범위 내의 온도에서, 수지 조성물을 사용하여 형성되는 도트 패턴 (12) 을 열 플로시키는 경우, 도트 패턴 (12) 의 과도한 열 플로를 억제하면서, 원하는 정도로 도트 패턴 (12) 을 열 플로시키기 쉽다.When heat-flowing the dot pattern 12 formed using a resin composition at a temperature within this range, it is easy to heat-flow the dot pattern 12 to a desired degree while suppressing excessive heat flow of the dot pattern 12.

이상 설명한 방법에 의하면, 도트 패턴을 저온에서도 양호하게 열 플로시킬 수 있고, 이것에 의해 양호하게 마이크로렌즈 패턴을 형성할 수 있다.According to the method described above, the dot pattern can be heat-flowed satisfactorily even at a low temperature, whereby a microlens pattern can be satisfactorily formed.

실시예Example

이하에, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. The present invention is not limited by these examples.

〔실시예 1 ∼ 4, 비교예 1, 및 비교예 2〕[Examples 1 to 4, Comparative Example 1, and Comparative Example 2]

실시예 1 ∼ 4 에서는, 이하에 설명하는, 수지 (A), 감광제 (B), 용제를 균일하게 혼합하여, 감광성 수지 조성물을 조제하였다.In Examples 1-4, the resin (A), the photosensitive agent (B), and the solvent demonstrated below were mixed uniformly, and the photosensitive resin composition was prepared.

<수지 (A)><Resin (A)>

각 실시예, 및 비교예에서는, 하기 식 A-1, A-2, 및 A-3 으로 나타내는 단위를, 하기 표 1 에 나타내는 질량비로 함유하는 공중합체 100 질량부를 수지 (A) 로서 사용하였다. 각 실시예, 및 비교예에서 사용한 공중합체의 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 모두 8,000 이었다.In each of Examples and Comparative Examples, 100 parts by mass of the copolymer containing units represented by the following formulas A-1, A-2, and A-3 in the mass ratio shown in Table 1 below was used as the resin (A). The mass average molecular weight (Mw) of the copolymer used in each Example and the comparative example was all 8,000.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00003
Figure pat00003

<감광제 (B)><Photosensitive agent (B)>

각 실시예, 및 각 비교예에서는, 감광제 (B) 로서, 하기 식으로 나타내는 화합물이 갖는 수산기 중의 수소 원자가, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐기로 치환된 치환체를, 표 1 에 기재된 양 사용하였다. 감광제가 갖는 수산기 중의 수소 원자의 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐기에 의한 치환율은, 98.7 몰% 였다.In each Example and each comparative example, as a photosensitizer (B), the substituent in which the hydrogen atom in the hydroxyl group of the compound represented by the following formula is substituted with the 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group is shown in Table 1 The amounts described were used. The substitution rate of the hydrogen atom in the hydroxyl group of the photosensitive agent by the 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group was 98.7 mol%.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

수지 (A) 100 질량부와, 하기 표 1 에 기재된 양의 감광제 (B) 를, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 중에 고형분 농도 24 질량% 가 되도록 용해시켜, 각 실시예 및 각 비교예의 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물에 대해, 시차 주사 열량계에 의해 전술한 방법에 따라 Tg 를 측정하였다. Tg 의 측정 결과를 표 1 에 기재한다.100 parts by mass of the resin (A) and the photosensitive agent (B) in an amount shown in Table 1 were dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate to a solid content concentration of 24 mass%, thereby obtaining resin compositions of each of Examples and Comparative Examples . About the obtained resin composition, Tg was measured by the differential scanning calorimeter according to the method mentioned above. Table 1 shows the measurement results of Tg.

얻어진 수지 조성물에 대해, 이하의 방법에 따라, 저온 열 플로성을 평가하였다. 평가 결과를 표 1 에 기재한다.About the obtained resin composition, low temperature heat flow property was evaluated by the following method. Table 1 shows the evaluation results.

<저온 열 플로성 평가><Evaluation of low-temperature heat flow properties>

실리콘 기판 상에, 각 실시예 및 각 비교예의 수지 조성물을 스핀 코터에 의해 도포한 후, 90 ℃ 90 초간의 베이크를 실시하여, 막 두께 1.8 ㎛ 의 도포막을 형성하였다.After coating the resin composition of each Example and each comparative example on a silicon substrate with a spin coater, it baked at 90 degreeC 90 seconds, and formed the coating film of 1.8 micrometers in film thickness.

형성된 도포막에 대해, 위치 선택적인 노광을 실시한 후, 농도 2.38 질량% 의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액을 사용하여 60 초간 현상을 실시하여, 도트 패턴을 형성하였다.After the positional exposure was performed on the formed coating film, the development was conducted for 60 seconds using an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) at a concentration of 2.38% by mass to form a dot pattern.

형성된 도트 패턴을 구성하는 도트의, 기판의 면 방향과 평행한 면의 형상은, 4 ㎛ × 4 ㎛ 의 정방형이었다. 또, 도트 사이의 스페이스의 폭은 0.5 ㎛ 였다.The shape of the surface of the dot constituting the formed dot pattern parallel to the plane direction of the substrate was a square of 4 µm × 4 µm. Moreover, the width of the space between dots was 0.5 µm.

형성된 도트 패턴을, 표 1 에 기재된 조건에서 열 플로시킨 후, 기판의 표면을, 전자 현미경 사진에 의해 관찰한 전자 현미경 화상을 취득하였다. 얻어진 전자 현미경 화상으로부터, 하기의 기준에 기초하여, 저온 열 플로성을 평가하였다.After the formed dot pattern was heat-flowed under the conditions described in Table 1, an electron microscope image obtained by observing the surface of the substrate by electron micrograph was obtained. From the obtained electron microscope image, low-temperature heat flow property was evaluated based on the following criteria.

◎ 도트 패턴을 구성하는 도트의 4 변이, 스페이스 방향으로 돌출되는 호상으로 변형되어 있고, 또한, 도트 사이의 스페이스를 명확하게 시인할 수 있다.◎ The four sides of the dots constituting the dot pattern are deformed into an arc projecting in the space direction, and the space between dots can be clearly seen.

○ 도트 패턴의 열 플로는 확인되지만, 도트 사이의 스페이스가 잘 시인되지 않는다.○ Although the heat flow of the dot pattern is confirmed, the space between dots is not well recognized.

× 도트 패턴을 구성하는 도트의 4 변이 모두 직선상이고, 열 플로가 확인되지 않는다.× All four sides of the dots constituting the dot pattern are linear, and no heat flow is observed.

Figure pat00005
Figure pat00005

표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 소정의 방법으로 측정되는, 수지 조성물을 사용하여 형성된 수지막의 Tg 가 70 ℃ 이하인 수지 조성물을 사용하는 경우, 약 (Tg + 30) ℃ 정도의 저온에서도, 수지 조성물을 사용하여 형성된 도트 패턴이 양호하게 열 플로되는 것을 알 수 있다.As can be seen from Table 1, when using a resin composition having a Tg of 70° C. or less of a resin film formed using a resin composition, measured by a predetermined method, even at a low temperature of about (Tg + 30)° C., the resin composition It can be seen that the dot pattern formed by using is well heat-flowed.

한편, 비교예로부터는, 상기 Tg 의 값이 70 ℃ 초과인 수지 조성물을 사용하는 경우, 약 (Tg + 30) ℃ 정도의 저온에서는, 수지 조성물을 사용하여 형성된 도트 패턴이 거의 열 플로되지 않는 것을 알 수 있다.On the other hand, from the comparative example, in the case of using a resin composition having a Tg value of more than 70° C., at a low temperature of about (Tg + 30)° C., the dot pattern formed using the resin composition hardly flows. Able to know.

10 : 기판
11 : 도포막
12 : 도트 패턴
13 : 마이크로렌즈 패턴
10: substrate
11: coating film
12: dot pattern
13: micro lens pattern

Claims (13)

사각형의 도트와, 격자상의 스페이스로 이루어지는 도트 패턴을 가열하여, 도트 패턴을 열 플로시키는 것에 의한 마이크로렌즈 패턴의 형성 방법에 있어서, 상기 도트 패턴의 형성에 사용되는 수지 조성물로서,
상기 수지 조성물이, 수지 (A) 를 함유하고,
상기 수지 조성물을 사용하여 형성되는 수지막의, 하기의 1) ∼ 4) :
1) 상기 수지 조성물을 기판 상에 스핀 코트하여 도포막을 형성하는 공정,
2) 상기 도포막을 100 ℃ 에서 90 초간 가열하여 수지막을 형성하는 공정,
3) 얻어진 상기 수지막으로부터 유리 전이점 측정용의 시료를 채취하고, 얻어진 상기 시료를 사용하여 시차 주사 열량계 (DSC) 에 의한 측정을 실시하여, 리버스 히트 플로 곡선을 취득하는 공정, 및
4) 얻어진 상기 리버스 히트 플로 곡선을 온도로 1 차 미분하여 도출되는 미분 곡선에 있어서의 극솟값을 유리 전이 온도 Tg 로서 판독하여, 상기 유리 전이 온도 Tg 의 값을 결정하는 공정,
의 공정으로 이루어지는 방법에 따라 측정되는, 상기 유리 전이 온도 Tg 가 70 ℃ 이하인, 수지 조성물.
A method for forming a microlens pattern by heating a dot pattern consisting of a rectangular dot and a lattice-like space and causing the dot pattern to heat flow, the resin composition used for forming the dot pattern,
The resin composition contains the resin (A),
Of the resin film formed using the resin composition, the following 1) to 4):
1) a step of spin coating the resin composition on a substrate to form a coating film,
2) a step of heating the coating film at 100° C. for 90 seconds to form a resin film,
3) a step of taking a sample for measuring a glass transition point from the obtained resin film, and measuring by differential scanning calorimetry (DSC) using the obtained sample to obtain a reverse heat flow curve, and
4) A step of determining the value of the glass transition temperature Tg by reading the minimum value in the differential curve derived by first differentiating the obtained reverse heat flow curve with temperature as the glass transition temperature Tg,
The resin composition, measured according to the method comprising the process of, has a glass transition temperature Tg of 70°C or lower.
제 1 항에 있어서,
수지 (A) 로서의 알칼리 가용성 수지 (A1) 과, 감광제 (B) 를 함유하는, 수지 조성물.
According to claim 1,
Resin composition containing alkali-soluble resin (A1) as resin (A) and photosensitive agent (B).
제 2 항에 있어서,
상기 수지 조성물에 있어서의 상기 감광제 (B) 의 함유량이, 상기 수지 (A) 의 질량에 대해 50 질량% 이하인, 수지 조성물.
According to claim 2,
The resin composition in which the content of the photosensitive agent (B) in the resin composition is 50% by mass or less with respect to the mass of the resin (A).
제 2 항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지 (A1) 이, 하기 식 (a1) :
Figure pat00006

(식 (a1) 중, R1 은, 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고, R2 는, 단결합, 또는 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기를 나타내고, R3 은, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기를 나타내고, a 는, 1 이상 5 이하의 정수를 나타내고, b 는 0 이상 4 이하의 정수를 나타내고, a + b 는, 5 이하이고, b 가 2 이상인 경우, 복수의 R3 은 서로 동일해도 되고 상이해도 된다)
로 나타내는 구성 단위를 함유하는 (메트)아크릴계 수지를 함유하는, 수지 조성물.
According to claim 2,
The alkali-soluble resin (A1), the following formula (a1):
Figure pat00006

(In formula (a1), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and R 3 has 1 to 5 carbon atoms. The following alkyl group, a represents an integer of 1 or more and 5 or less, b represents an integer of 0 or more and 4 or less, a+b is 5 or less, and when b is 2 or more, a plurality of R 3 s are It may be the same or different)
The resin composition containing the (meth)acrylic-type resin containing the structural unit represented by.
제 4 항에 있어서,
상기 (메트)아크릴계 수지의 질량에 대한, 상기 식 (a1) 로 나타내는 구성 단위의 질량의 비율이, 20 질량% 이상 80 질량% 이하인, 수지 조성물.
The method of claim 4,
The resin composition in which the ratio of the mass of the structural unit represented by the formula (a1) to the mass of the (meth)acrylic resin is 20% by mass or more and 80% by mass or less.
제 4 항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지 (A1) 이, 추가로 (메트)아크릴산의 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 알킬에스테르에서 유래하는 구성 단위를 함유하는, 수지 조성물.
The method of claim 4,
The said alkali-soluble resin (A1) further contains the structural unit derived from the alkyl ester of (meth)acrylic acid of 1 or more and 10 or less carbon atoms.
제 1 항에 있어서,
상기 스페이스의 폭이 0.2 ㎛ 이상 2.0 ㎛ 이하이고,
상기 스페이스의 폭을 W 로 하고, 상기 도트의 높이를 H 로 하는 경우에, H/W 로 나타내는 애스펙트비가 1.0 이상 10.0 이하인, 수지 조성물.
According to claim 1,
The width of the space is 0.2 μm or more and 2.0 μm or less,
When the width of the space is set to W and the height of the dot is set to H, the resin composition has an aspect ratio represented by H/W of 1.0 or more and 10.0 or less.
제 1 항에 있어서,
상기 열 플로의 온도가, (상기 Tg + 5) ℃ 이상 130 ℃ 이하인, 수지 조성물.
According to claim 1,
The resin composition whose temperature of the said heat flow is (the said Tg+5) degreeC or more and 130 degreeC or less.
제 8 항에 있어서,
상기 열 플로의 온도가 (상기 Tg + 5) ℃ 이상 100 ℃ 이하인, 수지 조성물.
The method of claim 8,
The resin composition in which the temperature of the heat flow is (Tg + 5) °C or higher and 100 °C or lower.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 사용하여, 기판 상에, 사각형의 도트와, 격자상의 스페이스로 이루어지는 도트 패턴을 형성하는 공정과,
상기 도트 패턴을 가열에 의해 열 플로시키는 열 플로 공정을 포함하는, 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법.
The process of forming a dot pattern which consists of a square dot and a lattice-shaped space on a board|substrate using the resin composition in any one of Claims 1-9,
A method of manufacturing a substrate having a microlens pattern, comprising a heat flow step of heat-flowing the dot pattern by heating.
제 10 항에 있어서,
상기 스페이스의 폭이 0.2 ㎛ 이상 2.0 ㎛ 이하이고,
상기 스페이스의 폭을 W 로 하고, 상기 도트의 높이를 H 로 하는 경우에, H/W 로 나타내는 애스펙트비가 1.0 이상 10.0 이하이고,
상기 수지 조성물을 사용하여 상기 도트 패턴의 형성을 실시하는, 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법.
The method of claim 10,
The width of the space is 0.2 μm or more and 2.0 μm or less,
When the width of the space is W and the height of the dot is H, the aspect ratio expressed in H/W is 1.0 or more and 10.0 or less,
The manufacturing method of the board|substrate with a microlens pattern which performs the formation of the said dot pattern using the said resin composition.
제 10 항에 있어서,
상기 열 플로의 온도가, (상기 Tg + 5) ℃ 이상 130 ℃ 이하이고,
상기 수지 조성물을 사용하여 상기 도트 패턴의 형성을 실시하는, 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법.
The method of claim 10,
The temperature of the heat flow is (Tg + 5) °C or higher and 130 °C or lower,
The manufacturing method of the board|substrate with a microlens pattern which performs the formation of the said dot pattern using the said resin composition.
제 10 항에 있어서,
상기 열 플로의 온도가 (상기 Tg + 5) ℃ 이상 100 ℃ 이하이고,
상기 수지 조성물을 사용하여 상기 도트 패턴의 형성을 실시하는, 마이크로렌즈 패턴을 구비하는 기판의 제조 방법.
The method of claim 10,
The temperature of the heat flow is (Tg + 5) ℃ or more and 100 ℃ or less,
The manufacturing method of the board|substrate with a microlens pattern which performs the formation of the said dot pattern using the said resin composition.
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