KR20200077383A - Comparator curcuit, adc citcuit, semiconductor device and mobile device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 비교기 회로, ADC 회로, 반도체 장치 및 모바일 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to comparator circuits, ADC circuits, semiconductor devices and mobile devices.
최근, 스마트 폰 등의 모바일 디바이스용 이미지 센서 LSI(Large Scale Integration)는 저소비 전력를 강하게 요구하고 있다. 이미지 센서 LSI 내에 탑재되는 ADC(Analog to Digital Converter)는 이미지 센서 LSI에서의 소비 전력의 주된 요인이다. 그 때문에, ADC의 저소비 전력화를 꾀하는 것은 이미지 센서 LSI의 저소비 전력화를 구현하기 위하여 유효하다.Recently, a large scale integration (LSI) of an image sensor for a mobile device such as a smart phone strongly demands low power consumption. The ADC (Analog to Digital Converter) mounted in the image sensor LSI is the main factor of power consumption in the image sensor LSI. Therefore, it is effective to realize low power consumption of the image sensor LSI to achieve low power consumption of the ADC.
그런데, ADC에 관한 여러가지 제안들이 있다. 예를 들면, 특허 문헌에는동상 입력 전압 (Common-mode input voltage) 변동에 대한 출력 동작점의 변동을 억제하는 차동증폭 회로가 제안되어 있다. 관련 차동증폭 회로는 2조의 푸쉬 풀형 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 반전 증폭기를 포함한다. 여기서, NMOS 트랜지스터 쌍의 공통 소스와 접지 사이에, 게이트가 출력 단자에 접속된, NMOS 트랜지스터가 배치된다.However, there are several proposals for ADC. For example, the patent document proposes a differential amplification circuit that suppresses the variation of the output operating point with respect to the variation of the common-mode input voltage. The related differential amplification circuit includes a pair of push-pull complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inverting amplifiers. Here, between the common source and ground of the pair of NMOS transistors, an NMOS transistor is arranged, with a gate connected to the output terminal.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 된 것으로, 저전원 전압 구동이 가능한 비교기 회로 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve such a problem, and an object thereof is to provide a comparator circuit capable of driving a low power voltage.
본 발명에 따른 비교기 회로는, 차동신호 형태의 제1 입력 신호와 제2 입력 신호를 비교하여 비교 결과를 출력하는 차동 증폭기, 및 비교 결과에 근거하여 증폭 신호를 출력하는 출력단 증폭기를 포함한다. 차동 증폭기는 입력 차동 단, 부하 회로, 제1 전류원, 제1 바이어스 전압 공급부, 제3 접속부, 및 제4 접속부를 포함한다. 입력 차동 단은 제1 입력 신호가 제1 캐패시터를 개재하여 게이트에 공급되는 제1 트랜지스터, 및 제2 입력 신호가 제2 캐패시터를 개재하여 게이트에 공급되는 제2 트랜지스터를 포함한다. 부하 회로는 입력 차동 단에 제공된다. 부하 회로는 제1 접속부를 개재하여 제1 트랜지스터에 접속하는 제3 트랜지스터, 및 제2 접속부를 개재하여 제2 트랜지스터에 접속함과 함께 제3 트랜지스터와 서로의 게이트가 접속되는 제4 트랜지스터로를 포함하고, 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터의 게이트들은 제3 캐패시터를 개재하여 제1 접속부에 접속한다. 제1 전류원은 입력 차동 단의 전류원으로서 제1 트랜지스터 및 제2트랜지스터에 접속한다. 제1 바이어스 전압 공급부는 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터의 게이트들과 제3 캐패시터와의 사이에 제1 바이어스 전압을 공급한다. 제3 접속부는 제1 트랜지스터의 게이트와 제1 접속부를 접속한다. 제4 접속부는 제2 트랜지스터의 게이트와 제2 접속부를 접속한다. 출력단 증폭기는 제5 트랜지스터, 제2 전류원, 제6 접속부, 및 출력부를 포함한다. 비교 결과에 근거하는 신호가, 제4 캐패시터를 개재하여, 제5 트랜지스터의 게이트에 공급된다. 제2 전류원은 제5 접속부를 개재하여 제5 트랜지스터에 접속한다. 제6 접속부는 제5 트랜지스터의 게이트와 제5 접속부를 접속한다.The comparator circuit according to the present invention includes a differential amplifier for comparing a first input signal and a second input signal in the form of a differential signal to output a comparison result, and an output stage amplifier for outputting an amplification signal based on the comparison result. The differential amplifier includes an input differential stage, a load circuit, a first current source, a first bias voltage supply, a third connection, and a fourth connection. The input differential stage includes a first transistor in which the first input signal is supplied to the gate through the first capacitor, and a second transistor in which the second input signal is supplied to the gate through the second capacitor. The load circuit is provided at the input differential stage. The load circuit includes a third transistor connected to the first transistor via the first connection, and a fourth transistor connected to the second transistor via the second connection and a gate connected to the third transistor and each other. The gates of the third transistor and the fourth transistor are connected to the first connection part via the third capacitor. The first current source is a current source of the input differential stage and is connected to the first transistor and the second transistor. The first bias voltage supply unit supplies a first bias voltage between the gates of the third and fourth transistors and the third capacitor. The third connection part connects the gate of the first transistor and the first connection part. The fourth connection portion connects the gate of the second transistor and the second connection portion. The output stage amplifier includes a fifth transistor, a second current source, a sixth connection portion, and an output portion. The signal based on the comparison result is supplied to the gate of the fifth transistor via the fourth capacitor. The second current source is connected to the fifth transistor via the fifth connection. The sixth connecting portion connects the gate of the fifth transistor and the fifth connecting portion.
출력부는 제5 접속부에 배치되어 증폭 신호를 출력한다.The output unit is disposed on the fifth connection unit and outputs an amplified signal.
상기의 구성에 의해, 본 발명은 저전원 전압 구동이 가능한 비교기 회로 등을 제공할 수 있다.By the above configuration, the present invention can provide a comparator circuit or the like capable of driving a low power voltage.
상기 비교기 회로에서, 제1 바이어스 전압 공급부는 제1 바이어스 전압을 공급하는 타이밍을 조절하는 제1 스위치를 포함하고, 제3 접속부는 제1 트랜지스터의 게이트와 제1 접속부를 접속하는 타이밍을 조절하는 제2 스위치를 포함할 수 있다.In the comparator circuit, the first bias voltage supply unit includes a first switch that adjusts the timing for supplying the first bias voltage, and the third connection unit is configured to control the timing of connecting the gate of the first transistor and the first connection unit. It may include 2 switches.
제4 접속부는 제2 트랜지스터의 게이트와 제2 접속부를 접속하는 타이밍을 조절하는 제3 스위치를 포함하고, 제6 접속부는 제5 트랜지스터의 게이트와 제5 접속부를 접속하는 타이밍을 조절하는 제4 스위치를 포함할 수 있다. 이것에 의해, 비교기 회로는 각 트랜지스터의 동작점을 설정할 수 있다.The fourth connection portion includes a third switch for adjusting the timing of connecting the gate of the second transistor and the second connection portion, and the sixth connection portion is a fourth switch for adjusting the timing of connecting the gate of the fifth transistor and the fifth connection portion. It may include. Thereby, the comparator circuit can set the operating point of each transistor.
상기 비교기 회로에서, 차동 증폭기는 제1 접속부에 제2 바이어스 전압을 공급하는 제2 바이어스 전압 공급부, 제1 접속부에 제2 바이어스 전압을 공급하는 타이밍을 조절하는 제5 스위치로를 더 포함할 수 있다. 이것에 의해, 비교기 회로는 부하 회로에 매우 적합한 바이어스 전압을 공급할 수 있다.In the comparator circuit, the differential amplifier may further include a second bias voltage supply unit supplying a second bias voltage to the first connection unit, and a fifth switch path adjusting timing of supplying a second bias voltage to the first connection unit. . Thereby, the comparator circuit can supply a bias voltage very suitable for the load circuit.
상기 비교기 회로에서, 제1 스위치는 제2 스위치, 제3 스위치, 제4 스위치 및 제5 스위치가 온되기 전에 온되고, 제5 스위치는 제2 스위치, 제3 스위치 및 제4 스위치와 동시에 온되고, 제2 스위치, 제3 스위치 및 제4 스위치는 제1 스위치 및 제5 스위치가 오프된 후에 오프되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 각 트랜지스터에 대해서 매우 적합하게 동작점의 설정을 실시할 수 있다.In the comparator circuit, the first switch is turned on before the second switch, the third switch, the fourth switch and the fifth switch are turned on, and the fifth switch is turned on simultaneously with the second switch, the third switch and the fourth switch , The second switch, the third switch, and the fourth switch are preferably turned off after the first switch and the fifth switch are turned off. Thereby, the operation point can be set very appropriately for each transistor.
상기 비교기 회로에서, 차동 증폭기는 제1 캐패시터와 제1 트랜지스터의 게이트 사이에 버퍼 회로를 더 포함할 수 있다. 버퍼 회로는 정전류 공급부, 버퍼 트랜지스터, 제2 바이어스 전압 공급부, 및 제6 스위치를 포함한다. 정전류 공급부는 미리 설정된 전류를 공급한다. 버퍼 트랜지스터의 소스 또는 드레인의 어느 한편이 정전류 공급부에 접속되고, 다른 한편은 접지에 접속되고, 게이트에는 제1 입력 신호 및 제2 바이어스 전압이 공급된다. 제2 바이어스 전압 공급부는 제2 바이어스 전압을 공급한다. 제6 스위치는 버퍼 트랜지스터의 게이트에 제2 바이어스 전압의 공급을 하는 타이밍을 조절한다. 이것에 의해, 제2 바이어스 전압 공급부의 부하를 저감시킬 수 있다.In the comparator circuit, the differential amplifier may further include a buffer circuit between the first capacitor and the gate of the first transistor. The buffer circuit includes a constant current supply, a buffer transistor, a second bias voltage supply, and a sixth switch. The constant current supply unit supplies a preset current. One of the source or drain of the buffer transistor is connected to the constant current supply, the other is connected to ground, and the gate is supplied with a first input signal and a second bias voltage. The second bias voltage supply unit supplies the second bias voltage. The sixth switch adjusts the timing at which the second bias voltage is supplied to the gate of the buffer transistor. Thereby, the load of the 2nd bias voltage supply part can be reduced.
상기 비교기 회로에서, 제2 스위치, 제3 스위치 및 제4 스위치는 제1 스위치 및 제6 스위치가 온된 후에 온되고, 한편, 제1 스위치 및 제6 스위치가 오프된 후에 오프될 수 있다. 이것에 의해, 버퍼 회로를 가지는 비교기 회로는 각 트랜지스터에 대해서 매우 적합하게 동작점의 설정을 실시할 수 있다.In the comparator circuit, the second switch, the third switch, and the fourth switch are turned on after the first switch and the sixth switch are turned on, while they can be turned off after the first switch and the sixth switch are turned off. As a result, the comparator circuit having the buffer circuit can set the operating point very appropriately for each transistor.
상기 비교기 회로에서, 제1 전류원 및 제2 전류원은 각각 전류원 트랜지스터를 포함하고, 전류원 트랜지스터의 게이트에는 제3 바이어스 전압이 공급될 수 있다. 이 경우, 제1 전류원 및 제2 전류원은 제3 바이어스 전압의 공급 타이밍을 조절하는 전류원 스위치를 포함할 수 있다. 게다가, 전류원 스위치는 제1 스위치가 오프되는 것과 동시에 오프될 수 있다. 이러한 구성에 의해, 비교기 회로는 주변의 구성과 서로 미치는 영향을 줄일 수 있다.In the comparator circuit, the first current source and the second current source each include a current source transistor, and a third bias voltage may be supplied to the gate of the current source transistor. In this case, the first current source and the second current source may include a current source switch that adjusts the supply timing of the third bias voltage. In addition, the current source switch can be turned off simultaneously with the first switch being turned off. With this configuration, the comparator circuit can reduce the influence of each other with the surrounding configuration.
본 발명에 따른 ADC 회로는 상기 비교기 회로를 복수개 포함한다.The ADC circuit according to the present invention includes a plurality of the comparator circuits.
본 발명에 따른 반도체 장치는 상기 ADC 회로, 및 매트릭스 상으로 배치된 복수의 광전 변환 소자들을 포함하고, ADC 회로는 광전 변환 소자가 생성한 아날로그 신호를 이산(descret)한다. 게다가, 본 발명에 따른 모바일 디바이스는 상기 반도체 장치, 및 피사체의 화상을 촬상하기 위한 렌즈를 포함하고, 상기 반도체 장치는 렌즈를 개재하여 촬상한 화상 데이터를 생성하는 처리를 실시한다. 이러한 구성에 의해, 상기 ADC 회로, 상기 반도체 장치 및 상기 모바일 디바이스는 소비 전력을 저감시킬 수 있다.The semiconductor device according to the present invention includes the ADC circuit and a plurality of photoelectric conversion elements arranged on a matrix, and the ADC circuit discretes the analog signal generated by the photoelectric conversion element. Moreover, the mobile device according to the present invention includes the semiconductor device and a lens for imaging an image of a subject, and the semiconductor device performs processing for generating image data captured through a lens. With this configuration, the ADC circuit, the semiconductor device, and the mobile device can reduce power consumption.
본 발명에 의하면, 구동 전압을 낮게 억제할 수 있는 비교기 회로 등을 제공한다.According to the present invention, a comparator circuit or the like capable of suppressing the driving voltage is provided.
도 1은 실시 예 1에 따른 비교기 회로의 회로도이다.
도 2는 실시 예 1에 따른 비교기 회로에서의 스위치의 타이밍 차트이다.
도 3은 실시 예 2에 따른 비교기 회로의 회로도이다.
도 4는 실시 예 2에 따른 비교기 회로에서의 스위치의 타이밍 차트이다.
도 5는 실시 예 3에 따른 비교기 회로의 회로도이다.
도 6은 실시 예 3에 따른 비교기 회로에서의 스위치의 타이밍 차트이다.1 is a circuit diagram of a comparator circuit according to the first embodiment.
2 is a timing chart of a switch in the comparator circuit according to the first embodiment.
3 is a circuit diagram of a comparator circuit according to the second embodiment.
4 is a timing chart of a switch in the comparator circuit according to the second embodiment.
5 is a circuit diagram of a comparator circuit according to the third embodiment.
6 is a timing chart of a switch in the comparator circuit according to the third embodiment.
설명의 명확화를 위해, 이하의 기재 및 도면은 적당하게 생략, 및 간략화가 이루어질 것이다. 덧붙여, 각 도면에서 동일한 요소에는 동일한 부호가 부여되고 필요에 따라서 중복 설명은 생략될 것이다.For clarity of explanation, the following description and drawings will be appropriately omitted, and simplified. In addition, the same reference numerals are assigned to the same elements in each drawing, and duplicate descriptions will be omitted if necessary.
<실시 예 1><Example 1>
이하, 도면을 참조하여, 실시 예 1에 대해 설명한다. 도 1은 실시 예 1에 따른 비교기 회로의 회로도이다. 도시된 비교기 회로(10)는, 예를 들면, ADC 등에 이용될 수 있다.Hereinafter, Example 1 will be described with reference to the drawings. 1 is a circuit diagram of a comparator circuit according to the first embodiment. The illustrated
비교기 회로(10)는 차동신호 형태의 제1 입력 신호(IN1)와 제2 입력 신호(IN2)를 비교하여 비교 결과를 출력하는 차동 증폭기(11), 및 비교 결과에 응해 출력 신호(VOUT)를 출력하는 출력단 증폭기(12)를 포함할 수 있다. 덧붙여, 출력 신호(VOUT)는 증폭 신호라고도 칭해진다.The
이하에서, 차동 증폭기(11)에 대해 설명한다. 차동 증폭기(11)는 입력 차동 단(111), 부하 회로(112), 제1 전류원(113), 제1 바이어스 전압 공급부(114), 제2 바이어스 전압 공급부(115), 제3 접속부(W3), 및 제4 접속부(W4)를 포함한다.The
입력 차동 단(111)은 제1 입력 신호(IN1)가 제1 캐패시터(C1)를 개재하여 게이트로 공급되는 제1 트랜지스터(T1), 및 제2 입력 신호(IN2)가 제2 캐패시터(C2)를 개재하여 게이트로 공급되는 제2 트랜지스터(T2)를 포함한다. 본 실시 예에서, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)는 N형의 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)이다. 덧붙여, N형의 MOSFET를 NMOS라고도 칭한다.The input
부하 회로(112)는, 입력 차동 단(111)에 대응하여, 부하 차동 트랜지스터 단을 구성한다. 부하 회로(112)는 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)을 포함한다. 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)는 P형의 MOSFET이다. 덧붙여, P형의 MOSFET를 PMOS라고도 칭한다.The
제3 트랜지스터(T3)의 소스는 제1 전원(V1)에 접속되고, 드레인은 제1 접속부(W1)를 개재하여 제1 트랜지스터(T1)의 드레인에 접속된다. 제4 트랜지스터(T4)의 소스는 제2 전원(V2)에 접속되고, 드레인은 제2 접속부(W2)를 개재하여 제2 트랜지스터(T2)의 드레인에 접속된다. 또한, 제3 트랜지스터(T3)와 제4 트랜지스터(T4)의 게이트들은 서로 접속된다. 게다가, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)의 게이트들은 제3 캐패시터(C3)를 개재하여 제1 접속부(W1)에 접속된다. 즉, 부하 회로(112)를 구성하는 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)는 제1 트랜지스터(T1) 측에 다이오드 접속된 전류 미러 회로를 구성한다. 다만, 다이오드 접속의 구성에 제3 캐패시터(C3)가 추가된다.The source of the third transistor T3 is connected to the first power supply V1, and the drain is connected to the drain of the first transistor T1 through the first connection portion W1. The source of the fourth transistor T4 is connected to the second power supply V2, and the drain is connected to the drain of the second transistor T2 through the second connecting portion W2. Further, the gates of the third transistor T3 and the fourth transistor T4 are connected to each other. Further, the gates of the third transistor T3 and the fourth transistor T4 are connected to the first connection W1 through the third capacitor C3. That is, the third transistor T3 and the fourth transistor T4 constituting the
또한, 부하 회로(112)는 제1 바이어스 전압 공급부(114)에 접속된다. 제1 바이어스 전압 공급부(114)는 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)의 게이트들과 제3 캐패시터(C3) 사이에 제1 바이어스 전압(Vb1)을 공급한다. 제1 바이어스 전압 공급부(114)는 제 1 바이어스 전압(Vb1)을 공급하는 타이밍을 조절하는 제1 스위치(SW1)를 포함한다. 제1 스위치(SW1)의 조절에 의하여, 부하 회로(112)는 제1 바이어스 전압(Vb1)를 받고, 이에 상응하여 부하 회로(112)의 동작점이 설정된다.Further, the
제1 전류원(113)은 입력 차동 단(111)의 전류원이고, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)에 접속한다. 제1 전류원(113)은 NMOS인 제6 트랜지스터(T6)를 갖는다. 제6 트랜지스터(T6)의 드레인은 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 소스에 접속하고, 소스는 접지(GND)에 접속한다. 또한, 제6 트랜지스터(T6)의 게이트에는 제3 바이어스 전압(Vb3)이 공급된다.The first
제3 접속부(W3)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트와 제1 접속부(W1)를 접속한다. 즉, 제3 접속부(W3)에 의해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트와 드레인은 합선된다.The third connection part W3 connects the gate of the first transistor T1 and the first connection part W1. That is, the gate and drain of the first transistor T1 are short-circuited by the third connection portion W3.
또한, 제3 접속부(W3)는 제2 스위치(SW2)를 포함한다. 제2 스위치(SW2)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트와 제1 접속부(W1)를 접속하는 타이밍을 조절한다. 제2 스위치(SW2)의 조절에 의해, 제1 트랜지스터(T1)의 동작점이 설정된다.Further, the third connecting portion W3 includes the second switch SW2. The second switch SW2 adjusts the timing of connecting the gate of the first transistor T1 and the first connection portion W1. By adjusting the second switch SW2, the operating point of the first transistor T1 is set.
제4 접속부(W4)는 제2 트랜지스터(T2)의 게이트와 제2 접속부(W2)를 접속한다. 즉, 제4 접속부(W4)에 의해, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트와 드레인은 합선된다.The fourth connection portion W4 connects the gate of the second transistor T2 and the second connection portion W2. That is, the gate and drain of the second transistor T2 are short-circuited by the fourth connecting portion W4.
또한, 제4 접속부(W4)는 제3 스위치(SW3)를 포함한다. 제3 스위치(SW3)는 제2 트랜지스터(T2)의 게이트와 제2 접속부(W2)를 접속하는 타이밍을 조절한다. 제3 스위치(SW3)의 조절에 의해, 제2 트랜지스터(T2)의 동작점이 설정된다.Further, the fourth connecting portion W4 includes the third switch SW3. The third switch SW3 adjusts the timing of connecting the gate of the second transistor T2 and the second connection portion W2. By adjusting the third switch SW3, the operating point of the second transistor T2 is set.
제2 바이어스 전압 공급부(115)는 제1 접속부(W1)에 접속하고, 제2 바이어스 전압(Vb2)을 제1 접속부(W1)에 공급한다. 또한, 제2 바이어스 전압 공급부(115)는 제5 스위치(SW5)를 포함한다. 제5 스위치(SW5)는 제1 접속부(W1)에 제2 바이어스 전압(Vb2)을 공급하는 타이밍을 조절한다. 제5 스위치(SW5)의 조절에 의해, 제3 트랜지스터(T3)의 드레인·소스간의 전압(Vds)이 설정된다.The second bias
상술의 구성에 의해, 차동 증폭기(11)는 제1 입력 신호(IN1)와 제2 입력 신호(IN2)를 전송받아, 전송된 2개의 신호를 비교한 결과의 신호를 생성하고, 생성된 신호를 출력단 증폭기(12)에 공급한다.By the above-described configuration, the
다음, 출력단 증폭기(12)에 대해 설명한다. 출력단 증폭기(12)는 차동 증폭기(11)로부터 공급된 신호를 받고, 이 신호에 응해 출력 신호(VOUT)를 출력한다. 출력단 증폭기(12)는 주된 구성이고, 제5 트랜지스터(T5), 제2 전류원(121), 제6 접속부(W6) 및 출력부(122)를 포함한다.Next, the
제5 트랜지스터(T5)는 PMOS이고, 소스는 전원(V3)에 접속한다. 또한, 차동 증폭기(11)가 출력한 비교 결과의 신호는, 제4 캐패시터(C4)를 개재하여, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트에 공급된다. 나아가, 제5 트랜지스터의 드레인은, 제5 접속부(W5)를 개재하여, 제2 전류원(121)에 접속한다. 차동 증폭기(11)의 출력은, 제4 캐패시터(C4)를 개재하여, 제5 트랜지스터(T5)에 공급되는 것에 의해, 차동 증폭기(11)와 출력단 증폭기(12)의 전압을 분리하고 차동 증폭기(11)가 출력단 증폭기(12)의 영향을 받는 것을 막을 수 있다.The fifth transistor T5 is a PMOS, and the source is connected to the power supply V3. The signal of the comparison result output from the
제2 전류원(121)은, 제5 접속부(W5)를 개재하여, 제5 트랜지스터(T5)에 접속한다.The second
제2 전류원(121)은 NMOS인 제7 트랜지스터(T7)를 포함한다. 제7 트랜지스터(T7)의 드레인은, 제5 접속부(W5)를 개재하여, 제5 트랜지스터(T5)의 드레인에 접속한다. 또한, 제7 트랜지스터(T7)의 소스는 접지(GND)에 접속한다. 또한, 제7 트랜지스터(T7)의 게이트에 제3 바이어스 전압(Vb3)이 공급된다. 게다가, 도 1에 도시된 바와 같이, 제7 트랜지스터(T7)의 게이트에 공급되는 제3 바이어스 전압(Vb3)과 제6 트랜지스터(T6)의 게이트에 공급되는 제3 바이어스 전압(Vb3)은 동일 전원으로부터 공급된다.The second
제6 접속부(W6)는 제5 트랜지스터(T5)의 게이트와 제5 접속부(W5)를 접속한다. 즉, 제6 접속부(W6)에 의해 제5 트랜지스터(T5)의 게이트와 드레인은 합선된다.The sixth connection portion W6 connects the gate of the fifth transistor T5 and the fifth connection portion W5. That is, the gate and drain of the fifth transistor T5 are shorted by the sixth connection W6.
또한, 제6 접속부(W6)는 제4 스위치(SW4)를 포함한다. 제4 스위치(SW4)는 제5 트랜지스터(T5)의 게이트와 제5 접속부(W5)를 접속하는 타이밍을 조절한다. 제4 스위치(SW4)의 조절에 의하여, 제5 트랜지스터(T5)의 동작점이 설정된다.Further, the sixth connection portion W6 includes a fourth switch SW4. The fourth switch SW4 adjusts the timing of connecting the gate of the fifth transistor T5 and the fifth connection W5. By adjusting the fourth switch SW4, the operating point of the fifth transistor T5 is set.
출력부(122)는 제5 접속부(W5)에 배치되어, 출력단 증폭기(12)가 생성한 출력 신호(VOUT)를 출력한다.The
다음, 도 2를 참조하여, 본 실시 예에 따른 비교기 회로(10)의 스위치들의 동작 타이밍에 대해 설명한다. 도 2는 실시 예 1에 따른 비교기 회로에서의 스위치의 타이밍 차트이다. 도 2의 가로 축은 시간(t)이고, 세로 축은 스위치 상태(온 또는 오프)를 나타낸다. 예를 들면, 제1 스위치(SW1)는 시각 t0보다 전부터 온되어 있고, 시각 t1에 온으로부터 오프로 바뀐다. 제5 스위치(SW5)는 시각 t0에 오프로부터 온으로 바뀌고, 시각 t1에 온으로부터 오프로 바뀐다. 제2 스위치(SW2), 제3 스위치(SW3) 및 제4 스위치(SW4)는 모두 시각 t0에서 오프로부터 온으로 바뀌고, 시각 t2에서 온으로부터 오프로 바뀐다.Next, with reference to FIG. 2, the operation timing of the switches of the
도 2에 도시된 바와 같이, 비교기 회로(10)에서의 제1 스위치(SW1)는 제2 스위치(SW2), 제3 스위치(SW3), 제4 스위치(SW4) 및 제5 스위치(SW5)가 온 하기 전에 온되어 있다. 또한, 제5 스위치(SW5)는 제2 스위치(SW2), 제3 스위치(SW3) 및 제4 스위치(SW4)와 동시에 온되고, 제1 스위치(SW1)와 동시에 오프된다. 제2 스위치(SW2), 제3 스위치(SW3) 및 제4 스위치(SW4)는 제1 스위치(SW1) 및 제5 스위치(SW5)가 오프된 후에 오프된다. 비교기 회로(10)는 상술한 타이밍에 각 스위치를 조절하는 것으로써, 각 트랜지스터의 동작점을 설정한다.As shown in FIG. 2, the first switch SW1 in the
이상, 실시 예 1에 관한 비교기 회로(10)에 대해 설명했다. 위에서 설명한 바와 같이, 실시 예1에 관한 비교기 회로(10)는 각 트랜지스터의 동작점을 별개로 설정할 수 있도록 구성된다. 또한, 비교기 회로(10)에서 각 트랜지스터의 게이트가 상술한 캐패시터를 구비하는 것에 의해, 각각의 직류 성분을 분리하여 설정함과 함께 교류 성분을 전파 가능하도록 구성된다. 이것에 의해, 예를 들면, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트에 공급되는 제1 바이어스 전압(Vb1)과 제3 트랜지스터(T3)의 드레인에 공급되는 제2 바이어스 전압(Vb2)은 다른 값으로 설정될 수 있다. 따라서, 제1 바이어스 전압(Vb1)은, 게이트 소스간 전압(Vgs)이 제3 트랜지스터(T3)의 문턱전압(Vth) 보다 커지도록, 설정된다. 한편, 제2 바이어스 전압(Vb2)은 제1 바이어스 전압(Vb1)과는 다른 전압이며, 제2 바이어스 전압(Vb2)에 기초하여, 제3 트랜지스터(T3)가 포화 영역에서 정상적으로 동작 가능한 드레인 소스간 전압(Vds)이 설정될 수 있다.The
보다 구체적으로, 비교기 회로(10)는, 예를 들면, 제2 바이어스 전압(Vb2)을제1 바이어스 전압(Vb1) 보다 높은 전압으로 설정할 수 있다. 따라서, 비교기 회로(10)의 트랜지스터는 드레인 소스간 전압(Vds)을 정전압 구동에 적절한 값으로 설정할 수 있다. 이것에 의해, 비교기 회로(10)는 구동 전압을 저감시킬 수 있다.More specifically, the
상술의 비교기 회로(10)는 저소비 전력이 요구되는 장치나 디바이스에 이용될 수 있다. 예를 들면, 비교기 회로(10)는 카메라 기능을 가지는 모바일 디바이스에 이용될 수 있다. 이러한 모바일 디바이스는 렌즈를 사용하여 피사체를 촬상한 화상 데이터를 생성하는 이미지 센서를 갖는다. 이미지 센서에서, 매트릭스 상으로 배치된 복수의 광전 변환 소자들(즉, 촬상 소자)은 아날로그 신호를 생성하고 아날로그 신호를 받은 싱글 슬로프 ADC가 이산 처리를 실시한다. 따라서, 비교기 회로(10)를 이용한 모바일 디바이스는 소비 전력을 저감시킬 수 있다.The above-described
이상과 같이, 실시 예 1에 의하면, 저전압 구동이 가능한 비교기 회로 등이 제공될 수 있다. 또한, 실시 예 1에 따른 비교기 회로를 사용하는 것에 의해, ADC 회로, 반도체 장치 또는 모바일 디바이스의 소비 전력을 저감시킬 수 있다.As described above, according to the first embodiment, a comparator circuit or the like capable of driving low voltage can be provided. In addition, by using the comparator circuit according to the first embodiment, power consumption of the ADC circuit, the semiconductor device, or the mobile device can be reduced.
<실시 예 2><Example 2>
다음, 실시 예 2에 대해 설명한다. 실시 예 2에 따른 비교기 회로는 제2 바이어스 전압의 부하 전류를 작게 하기 위한 버퍼 회로를 가지는 점에서 실시 예 1과 다르다.Next, Example 2 will be described. The comparator circuit according to the second embodiment is different from the first embodiment in that it has a buffer circuit for reducing the load current of the second bias voltage.
도 3을 참조하여, 실시 예 2에 따른 비교기 회로에 대해 설명한다. 도 3은 실시 예 2에 따른 비교기 회로의 회로도이다. 덧붙여, 이하에서 실시 예 1의 설명에서 이미 설명한 구성에 대해서는 적당하게 설명을 생략한다.The comparator circuit according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 3. 3 is a circuit diagram of a comparator circuit according to the second embodiment. Incidentally, the configuration already described in the description of Example 1 below is appropriately omitted.
도 3에 도시된 비교기 회로(20)는 제1 입력 신호(IN1), 및 제2 바이어스 전압의 입력단에 연결된 버퍼 회로(21)를 갖는다. 환언하면, 도 1의 차동 증폭기(11)는 제1 캐패시터(C1)와 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 사이에 버퍼 회로를 더 포함한다. 버퍼 회로(21)는 주된 구성이고, 정전류 공급부(A1) 및 버퍼 트랜지스터(T8)를 포함한다.The
정전류 공급부(A1)는 미리 설정된 전류를 공급할 수 있는 정전류원이며, 전원(V4)과 버퍼 트랜지스터(T8)의 소스에 접속한다. 또한, 정전류 공급부(A1)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트에 접속하고, 버퍼 트랜지스터(T8)의 스위칭 동작에 응하여 미리 설정된 신호를 제1 트랜지스터(T1)에 공급한다.The constant current supply unit A1 is a constant current source capable of supplying a predetermined current, and is connected to the power source V4 and the source of the buffer transistor T8. In addition, the constant current supply unit A1 connects to the gate of the first transistor T1 and supplies a predetermined signal to the first transistor T1 in response to the switching operation of the buffer transistor T8.
버퍼 트랜지스터(T8)는 PMOS이며, 소스가 정전류 공급부(A1)에 접속하고, 드레인이 접지(GND)에 접속한다. 또한, 버퍼 트랜지스터(T8)의 게이트는 제1 캐패시터(C1)에 접속함과 함께, 제2 바이어스 전압 공급부(211)에 접속한다. 제2 바이어스 전압 공급부(211)는 버퍼 트랜지스터(T8)의 게이트에 제2 바이어스 전압(Vb4)을 공급한다. 또한, 제2 바이어스 전압 공급부(211)는 제6 스위치(SW6)를 갖는다. 제6 스위치(SW6)는 버퍼 트랜지스터(T8)의 게이트에 제2 바이어스 전압(Vb4)을 공급하는 타이밍을 조절한다.The buffer transistor T8 is a PMOS, and the source is connected to the constant current supply unit A1, and the drain is connected to ground (GND). Further, the gate of the buffer transistor T8 is connected to the first capacitor C1 and to the second bias
다음, 도 4를 참조하여, 실시 예 2에 따른 비교기 회로(20)의 각 스위치의 동작 타이밍에 대해 설명한다. 도 4는 실시 예 2에 따른 비교기 회로에서의 스위치의 타이밍 차트이다.Next, the operation timing of each switch of the
본 실시 예에 따른 비교기 회로(20)는 제6 스위치(SW6)를 가지는 점이 실시 예 1과 다르다. 제6 스위치(SW6)는 시각 t0 보다 전부터 온되어 있고, 시각 t21에 온으로부터 오프로 바뀐다.The
도 4에 도시된 바와 같이, 제2 스위치(SW2), 제3 스위치(SW3) 및 제4 스위치(SW4)는 제1 스위치(SW1) 및 제6 스위치(SW6)가 온된 후에 온되고, 제1 스위치(SW1) 및 제6 스위치(SW6)가 오프된 후에 오프된다. 또한, 제6 스위치(SW6)는 제1 스위치(SW1)가 오프되기 전에 오프된다.4, the second switch SW2, the third switch SW3, and the fourth switch SW4 are turned on after the first switch SW1 and the sixth switch SW6 are turned on, and the first switch SW1 is turned on. The switch SW1 and the sixth switch SW6 are turned off and then off. Also, the sixth switch SW6 is turned off before the first switch SW1 is turned off.
비교기 회로(20)는 상술한 타이밍에 각 스위치를 조절하는 것에 의해 각 트랜지스터의 동작점을 설정한다.The
이상의 구성에 의해, 실시 예 2에 따른 비교기 회로(20)는 제1 접속부(W1)에 정전류 공급부(A1)로부터의 신호를 공급받을 수 있다. 그 때문에, 비교기 회로(20)는 저 임피던스로 제2 바이어스 전압(Vb4)을 입력받을 수 있다. 제2 바이어스 전압 공급부(211)가 저부하로 동작하도록 구성될 수 있다.With the above configuration, the
이상과 같이, 실시 예 2에 의하면, 저전압 구동이 가능한 비교기 회로 등이 제공될 수 있다. 또한, 실시 예 2에 따른 비교기 회로(20)는 자기 바이어스시의 바이어스 전압 생성 회로에 대한 부하 전류를 작게 할 수 있다. 그 때문에, 실시 예 2에 따른 비교기 회로(20)는 바이어스 전압 생성 회로의 소비 전력을 저감할 수 있다. 따라서, 실시 예 2에 따른한 비교기 회로를 사용하는 것에 의해, ADC 회로, 반도체 장치 또는 모바일 디바이스의 소비 전력을 저감할 수 있다.As described above, according to the second embodiment, a comparator circuit or the like capable of low-voltage driving can be provided. Further, the
<실시 예 3><Example 3>
다음, 도 5를 참조하여, 실시 예 3에 대해 설명한다. 실시 예 3은 제1 전류원(113)이 제1 전류원 스위치(SW31)를 가지는 점 및 제2 전류원(121)이 제2 전류원 스위치(SW32)를 가지는 점에서, 실시 예 1의 구성과 다르다. 덧붙여, 그 외의 구성은 실시 예 1의 구성과 같기 때문에, 이하 실시 예 1과 다른 점에 대해 설명한다.Next, Example 3 will be described with reference to FIG. 5. Embodiment 3 differs from the configuration of
본 실시 예에 따른 비교기 회로(30)에서, 제1 전류원(113) 및 제2 전류원(121)은 각각 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)를 포함하고, 이러한 트랜지스터의 게이트에는 제3 바이어스 전압(Vb3)이 각각 공급된다. 또한, 제1 전류원(113)은 제1 전류원 스위치(SW31)를 포함하고, 제2 전류원(121)은 제2 전류원 스위치(SW32)를 포함한다.In the
제1 전류원 스위치(SW31)는 제6 트랜지스터(T6)의 게이트에 접속하고, 제6 트랜지스터(T6)에 대한 제3 바이어스 전압(Vb3)의 공급 타이밍을 조절한다. 제2 전류원 스위치(SW32)는 제7 트랜지스터(T7)의 게이트에 접속하고, 제7 트랜지스터(T7)에 대한 제3 바이어스 전압(Vb3)의 공급 타이밍을 조절한다.The first current source switch SW31 connects to the gate of the sixth transistor T6 and adjusts the supply timing of the third bias voltage Vb3 to the sixth transistor T6. The second current source switch SW32 is connected to the gate of the seventh transistor T7 and adjusts the supply timing of the third bias voltage Vb3 to the seventh transistor T7.
도 6을 참조하여, 실시 예 3에 따른 비교기 회로(30)의 각 스위치의 동작 타이밍에 대해 설명한다. 도 6은 실시 예 3에 따른 비교기 회로에서의 스위치의 타이밍 차트이다.Referring to Fig. 6, the operation timing of each switch of the
도 6에 도시된 타이밍 차트는 전류원 스위치들(SW31, SW32)이 추가된 점이 실시 예 1에 관한 타이밍 차트와 다르다. 전류원 스위치들(SW31, SW32)은 시각 t0보다 전에 온되고, 시각 t1에 온으로부터 오프로 바뀐다. 즉, 전류원 스위치들(SW31, SW32)은 제1 스위치(SW1)가 오프되는 것과 동시에 오프된다.The timing chart shown in FIG. 6 is different from the timing chart according to
이상의 구성에 의해, 실시 예 3에 따른 비교기 회로(30)는 바이어스 전압 결정 후에 전류원의 스위치를 오프로 전환하여 인접 회로와의 사이에 서로 미치는 영향을 저감 시킬 수 있다. 이러한 구성에 의해, 복수의 스위치들을 포함하는 비교기 회로(30)는 스위치의 변환 동작에 의해 생기는 노이즈에 대한 영향을 받기 어렵게 된다. 따라서, 실시 예 3에 의하면, 노이즈에 의한 오동작을 저감하고, 한편, 저전압 구동이 가능한 비교기 회로 등을 제공할 수 있다.With the above configuration, the
덧붙여, 본 발명은 상기 실시 예에 한정된 것은 아니고, 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적당 변경하는 것이 가능하다.In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it is possible to appropriately change the scope without departing from the spirit.
10 비교기 회로
11 차동 증폭기
12 출력단 증폭기
20 비교기 회로
21 버퍼 회로
30 비교기 회로
111 입력 차동 단
112 부하 회로
122 출력부
A1 정전류 공급부
SW1 제1 스위치
SW2 제2 스위치
SW3 제3 스위치
SW4 제4 스위치
SW5 제5 스위치
SW6 제6 스위치
SW31 제1 전류원 스위치
SW32 제2 전류원 스위치
T1 제1 트랜지스터
T2 제2 트랜지스터
T3 제3 트랜지스터
T4 제4 트랜지스터
T5 제5 트랜지스터
T6 제6 트랜지스터
T7 제7 트랜지스터
T8 버퍼 트랜지스터10 Comparator circuit
11 Differential Amplifier
12 output stage amplifier
20 comparator circuit
21 buffer circuit
30 comparator circuit
111 input differential stage
112 load circuit
122 outputs
A1 constant current supply
SW1 first switch
SW2 second switch
SW3 third switch
SW4 4th switch
SW5 fifth switch
SW6 sixth switch
SW31 first current source switch
SW32 second current source switch
T1 first transistor
T2 second transistor
T3 third transistor
T4 fourth transistor
T5 fifth transistor
T6 sixth transistor
T7 seventh transistor
T8 buffer transistor
Claims (12)
상기 차동 증폭기는:
상기 제1 입력 신호가 제1 캐패시터를 개재하여 게이트에 공급되는 제1 트랜지스터, 및 상기 제2 입력 신호가 제2 캐패시터를 개재하여 게이트에 공급되는 제2 트랜지스터를 포함하는 입력 차동 단;
상기 입력 차동 단에 대한 부하로 제공되고, 제1 접속부를 개재하여 상기 제1 트랜지스터에 접속하는 제3 트랜지스터, 및 제2 접속부를 개재하여 상기 제2 트랜지스터에 접속함과 함께 상기 제3 트랜지스터와 서로의 게이트가 접속되는 제4 트랜지스터를 포함하고, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터의 게이트는 제3 캐패시터를 개재하여 상기 제1 접속부에 접속하는 부하 회로;
상기 입력 차동 단의 전류원이고, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터에 접속하는 제1 전류원;
상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터의 게이트들과 상기 제3 캐패시터 사이에 배치되고, 제1 바이어스 전압을 공급하는 제1 바이어스 전압 공급부;
상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 제1 접속부를 접속하는 제3 접속부; 및
상기 제2 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 접속부를 접속하는 제4 접속부를 포함하고,
상기 출력단 증폭기는:
제4 캐패시터를 개재하여, 상기 비교 결과에 근거하는 신호가 게이트에 공급되는 제5 트랜지스터;
제5 접속부를 개재하여, 상기 제5 트랜지스터에 접속하는 제2 전류원;
상기 제5 트랜지스터의 게이트와 상기 제5 접속부를 접속하는 제6 접속부; 및
상기 제5 접속부에 배치되어, 상기 증폭 신호를 출력하는 출력부를 포함하는 비교기 회로.
In the comparator circuit including a differential amplifier for comparing the first input signal and the second input signal in the form of a differential signal to output a comparison result, and an output stage amplifier for outputting an amplified signal based on the comparison result,
The differential amplifier is:
An input differential stage including a first transistor to which the first input signal is supplied to a gate via a first capacitor, and a second transistor to which the second input signal is supplied to a gate via a second capacitor;
The third transistor is provided as a load to the input differential stage, and is connected to the third transistor via a first connecting portion and connected to the second transistor via a second connecting portion, and the third transistor is connected to each other. A load circuit including a fourth transistor to which the gate of the gate is connected, and the gates of the third transistor and the fourth transistor to be connected to the first connecting portion via a third capacitor;
A first current source connected to the first transistor and the second transistor, the current source of the input differential stage;
A first bias voltage supply unit disposed between the gates of the third transistor and the fourth transistor and the third capacitor and supplying a first bias voltage;
A third connection portion connecting the gate of the first transistor and the first connection portion; And
And a fourth connection part connecting the gate of the second transistor and the second connection part,
The output stage amplifier:
A fifth transistor through which a signal based on the comparison result is supplied to the gate via a fourth capacitor;
A second current source connected to the fifth transistor via a fifth connection portion;
A sixth connection portion connecting the gate of the fifth transistor and the fifth connection portion; And
A comparator circuit including an output unit disposed on the fifth connection unit and outputting the amplified signal.
상기 제1 바이어스 전압 공급부는 상기 제1 바이어스 전압을 공급하는 타이밍을 조절하는 제1 스위치를 포함하고,
상기 제3 접속부는 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 제1 접속부를 접속하는 타이밍을 조절하는 제2 스위치를 포함하고,
상기 제4 접속부는 상기 제2 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 접속부를 접속하는 타이밍을 조절하는 제3 스위치를 포함하고,
상기 제6 접속부는 상기 제5 트랜지스터의 게이트와 상기 제5 접속부를 접속하는 타이밍을 조절하는 제4 스위치를 포함하는 비교기 회로.
The method according to claim 1,
The first bias voltage supply unit includes a first switch for adjusting the timing for supplying the first bias voltage,
The third connection portion includes a second switch for adjusting the timing of connecting the gate of the first transistor and the first connection portion,
The fourth connection portion includes a third switch for adjusting the timing of connecting the gate of the second transistor and the second connection portion,
And the sixth connection portion includes a fourth switch that adjusts a timing for connecting the gate of the fifth transistor and the fifth connection portion.
상기 차동 증폭기는:
상기 제1 접속부에 제2 바이어스 전압을 공급하는 제2 바이어스 전압 공급부; 및
상기 제1 접속부에 상기 제2 바이어스 전압을 공급하는 타이밍을 조절하는 제5 스위치를 더 포함하는 비교기 회로.
The method according to claim 2,
The differential amplifier is:
A second bias voltage supply unit supplying a second bias voltage to the first connection unit; And
And a fifth switch for adjusting timing of supplying the second bias voltage to the first connection.
상기 제1 스위치는 상기 제2 스위치, 상기 제3 스위치, 상기 제4 스위치 및 상기 제5 스위치가 온되기 전에 온되고,
상기 제5 스위치는 상기 제2 스위치, 상기 제3 스위치 및 상기 제4 스위치와 동시에 온되고,
상기 제2 스위치, 상기 제3 스위치 및 상기 제4 스위치는 상기 제1 스위치 및 상기 제5 스위치가 오프된 후에 오프되는 비교기 회로.
The method according to claim 3,
The first switch is turned on before the second switch, the third switch, the fourth switch, and the fifth switch are turned on,
The fifth switch is turned on simultaneously with the second switch, the third switch and the fourth switch,
And the second switch, the third switch, and the fourth switch are turned off after the first switch and the fifth switch are turned off.
상기 차동 증폭기는:
상기 제1 캐패시터와 상기 제1 트랜지스터의 게이트의 사이에 버퍼 회로를 더 포함하고,
상기 버퍼 회로는:
미리 설정된 전류를 공급하는 정전류 공급부;
소스 또는 드레인 중의 어느 하나는 상기 정전류 공급부에 접속되고, 다른 하나는 접지에 접속되고, 게이트에 상기 제1 입력 신호 및 제2 바이어스 전압이 공급되는 버퍼 트랜지스터;
상기 제2 바이어스 전압을 공급하는 제2 바이어스 전압 공급부; 및
상기 버퍼 트랜지스터의 게이트에 상기 제2 바이어스 전압을 공급하는 타이밍을 조절하는 제6 스위치를 포함하는 비교기 회로.
The method according to claim 2,
The differential amplifier is:
Further comprising a buffer circuit between the first capacitor and the gate of the first transistor,
The buffer circuit:
A constant current supply unit supplying a preset current;
One of the source or drain is connected to the constant current supply, the other is connected to ground, a buffer transistor to which the gate is supplied with the first input signal and the second bias voltage;
A second bias voltage supply unit supplying the second bias voltage; And
And a sixth switch for adjusting timing of supplying the second bias voltage to the gate of the buffer transistor.
상기 제2 스위치, 상기 제3 스위치 및 상기 제4 스위치는 상기 제1 스위치 및 상기 제6 스위치가 온된 후에 온되고, 상기 제1 스위치 및 상기 제6 스위치가 오프된 후에 오프되는 비교기 회로.
The method according to claim 5,
The second switch, the third switch and the fourth switch are turned on after the first switch and the sixth switch are turned on, and the comparator circuit is turned off after the first switch and the sixth switch are turned off.
상기 제1 전류원 및 상기 제2 전류원은 각각 전류원 트랜지스터를 포함하고, 상기 전류원 트랜지스터의 게이트에 제3 바이어스 전압이 공급되는 비교기 회로.
The method according to claim 2,
The first current source and the second current source each include a current source transistor, and a comparator circuit to which a third bias voltage is supplied to the gate of the current source transistor.
상기 제1 전류원 및 상기 제2 전류원의 각각은 상기 제3 바이어스 전압의 공급 타이밍을 조절하는 전류원 스위치를 포함하는 비교기 회로.
The method according to claim 7,
Each of the first current source and the second current source comprises a comparator circuit including a current source switch that adjusts the supply timing of the third bias voltage.
상기 전류원 스위치는 상기 제1 스위치가 오프되는 것과 동시에 오프되는 비교기 회로.
The method according to claim 8,
The current source switch is a comparator circuit that is turned off simultaneously with the first switch.
An ADC circuit comprising a plurality of the comparator circuits according to claim 1.
매트릭스 상으로 배치된 복수의 광전 변환 소자들을 포함하고,
상기 ADC 회로는 상기 광전 변환 소자들이 생성한 아날로그 신호를 이산하는 반도체 장치.
The ADC circuit of claim 10; And
A plurality of photoelectric conversion elements arranged on a matrix,
The ADC circuit is a semiconductor device for discrete analog signals generated by the photoelectric conversion elements.
피사체의 화상을 촬상하기 위한 렌즈를 포함하고,
상기 반도체 장치는 상기 렌즈를 개재히여 촬상한 화상 데이터를 생성하고 처리하는 모바일 디바이스.The semiconductor device according to claim 11; And
Includes a lens for imaging the image of the subject,
The semiconductor device is a mobile device for generating and processing image data captured through the lens.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
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Family
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Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114448424A (en) * | 2022-01-14 | 2022-05-06 | 电子科技大学 | Low-voltage comparator with bias |
Also Published As
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---|---|
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