KR20200077245A - Cleaning fluid supply device and cleaning fluid nozzle - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 197
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 153
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical compound FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Abstract
Description
아래의 실시 예는 세정액 공급 장치 및 세정 노즐에 관한 것이다.The following embodiments relate to a cleaning liquid supply device and a cleaning nozzle.
일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판 세정 장치가 채용된다. 기판 세정 장치는 기판 상으로 세정액을 분사하여 기판의 표면을 세정한다. 이때, 상기 기판 세정 장치는 필요에 따라 세정액을 가열하여 고온의 세정액을 이용하게 된다. 종래의 세정 장치는, 세정액을 미리 가열하여 기판까지 이송하는 구조로 형성되었다. 이와 같은 종래 구조에 의하면, 가열된 세정액을 기판까지 이송하는 과정에서 세정액의 온도가 감소되는 문제가 있었다. 또한, 고온의 세정액을 이송해야 하므로, 배관의 변형 또는 유출 방지 대책 등이 요구된다는 문제가 있었다. 종래의 세정 장치는, 히터 자체의 온도가 상승하여 세정액을 가열하는 방식을 이용하였다. 이와 같은 가열 방식에 의하면, 세정액을 목표 온도까지 가열하기까지 많은 시간이 소요되었고, 히터 자체의 가열로 인하여 안전 문제가 발생하기 쉬웠다. 따라서, 세정액을 분사 직전에 가열할 수 있고, 안전하면서도 빠르게 세정액을 가열할 수 있는 세정액 공급 장치 및 세정 노즐이 요구되는 실정이다.In general, semiconductors are manufactured by repeatedly performing a series of processes such as lithography, deposition, and etching. Contaminants such as various particles, metal impurities, or organic substances remain on the surface of the substrate constituting such a semiconductor through an iterative process. Since the contaminants remaining on the substrate decrease the reliability of the semiconductor being manufactured, a substrate cleaning apparatus is employed during the semiconductor manufacturing process to improve this. The substrate cleaning apparatus cleans the surface of the substrate by spraying a cleaning solution onto the substrate. At this time, the substrate cleaning apparatus uses a high temperature cleaning solution by heating the cleaning solution as necessary. The conventional cleaning device is formed in a structure in which the cleaning liquid is heated in advance and transferred to the substrate. According to such a conventional structure, there is a problem in that the temperature of the cleaning solution is reduced in the process of transferring the heated cleaning solution to the substrate. In addition, since a high-temperature cleaning liquid has to be transported, there is a problem in that measures for preventing deformation or leakage of the pipe are required. In the conventional washing apparatus, a method in which the temperature of the heater itself rises and the washing liquid is heated is used. According to this heating method, it took a long time to heat the cleaning solution to the target temperature, and it was easy to cause a safety problem due to the heating of the heater itself. Accordingly, there is a need for a cleaning liquid supply device and a cleaning nozzle capable of heating the cleaning liquid immediately before injection, and safely and quickly heating the cleaning liquid.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.The above-described background art is possessed or acquired by the inventor during the derivation process of the present invention, and is not necessarily a known technology disclosed to the public before filing the present invention.
일 실시 예의 목적은, 세정액을 분사 직전에 가열할 수 있는 세정액 공급 장치 및 세정 노즐을 제공하는 것이다.An object of one embodiment is to provide a cleaning liquid supply device and a cleaning nozzle capable of heating the cleaning liquid immediately before injection.
일 실시 예의 목적은, 세정액을 안전하고 빠르게 고온으로 가열할 수 있는 세정액 공급 장치 및 세정 노즐을 제공하는 것이다.An object of one embodiment is to provide a cleaning liquid supply device and a cleaning nozzle capable of safely and quickly heating the cleaning liquid to a high temperature.
일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치는, 기판 세정을 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 상기 세정액 공급부에 연결되고, 내부에서 상기 세정액이 유동하며, 단부에서 상기 기판을 향해 세정액이 분사되는 유동관; 및 상기 유동관의 일 부위에 연결되고, 상기 세정액을 가열하는 세정액 가열부를 포함할 수 있다.A cleaning liquid supply apparatus according to an embodiment includes a cleaning liquid supply unit that supplies a cleaning liquid for cleaning a substrate; A flow tube connected to the cleaning liquid supply unit, the cleaning liquid flows therein, and a cleaning liquid is sprayed from the end toward the substrate; And it is connected to a portion of the flow tube, it may include a cleaning liquid heating unit for heating the cleaning liquid.
상기 세정액 가열부는, 상기 세정액이 분사되는 상기 유동관의 단부에 위치할 수 있다.The cleaning liquid heating unit may be located at an end of the flow tube through which the cleaning liquid is injected.
상기 세정액 가열부는, 상기 유동관이 내부를 관통하는 하우징; 및 상기 하우징 내부에 구비되고, 마이크로파를 발생시키는 발진부를 포함할 수 있다.The cleaning liquid heating unit, a housing through which the flow pipe penetrates; And an oscillation unit provided inside the housing and generating microwaves.
상기 하우징은, 상기 마이크로파가 상기 하우징의 외부로 방출되는 것을 차단하는 반사층을 포함할 수 있다.The housing may include a reflective layer that blocks the microwaves from being emitted outside the housing.
상기 하우징은, 상기 반사층에 적층되고, 내산성을 가지는 내산성층을 더 포함할 수 있다.The housing may further include an acid resistant layer laminated on the reflective layer and having acid resistance.
상기 유동관은 상기 마이크로파를 투과시키는 재질을 포함할 수 있다.The flow tube may include a material that transmits the microwave.
상기 유동관은 상기 하우징의 내부 공간에서 권취될 수 있다.The flow tube can be wound in the inner space of the housing.
상기 마이크로파의 주파수는 1Ghz 내지 10Ghz일 수 있다.The frequency of the microwave may be 1Ghz to 10Ghz.
상기 세정액 공급부는, 상기 세정액을 저장하는 세정액 탱크; 및 상기 세정액 탱크로부터 세정액을 공급하는 세정액 공급관을 포함할 수 있다.The washing liquid supply unit, a washing liquid tank for storing the washing liquid; And a cleaning liquid supply pipe supplying a cleaning liquid from the cleaning liquid tank.
상기 세정액의 종류, 현재 온도, 목표 온도 및 상기 기판의 종류 중 적어도 어느 하나를 고려하여 상기 발진부의 발진 주파수, 발진 시간 또는 작동 유무를 조절하는 제어부를 더 포함할 수 있다.The controller may further include a control unit for adjusting the oscillation frequency, oscillation time, or operation of the oscillation unit in consideration of at least one of the type of the cleaning solution, the current temperature, the target temperature, and the type of the substrate.
일 실시 예에 따른 세정 노즐은, 세정액 공급 장치에 연결되는 세정 노즐에 있어서, 하우징; 상기 하우징 내부를 관통하고, 일단에서 세정액이 분사되는 유동관; 및 상기 하우징 내부에 구비되고, 마이크로파를 발생시키는 발진부를 포함할 수 있다.A cleaning nozzle according to an embodiment may include: a cleaning nozzle connected to a cleaning liquid supply device, comprising: a housing; A flow tube penetrating the inside of the housing and spraying cleaning liquid at one end; And an oscillation unit provided inside the housing and generating microwaves.
상기 하우징은 상기 세정액이 분사되는 위치를 향할수록 단면이 좁아지는 형상으로 형성될 수 있다.The housing may be formed in a shape in which a cross section becomes narrower toward the position where the cleaning liquid is injected.
상기 유동관은 상기 하우징의 내부 공간에서 권취될 수 있다.The flow tube can be wound in the inner space of the housing.
상기 유동관은 상기 발진부를 권취하도록 형성될 수 있다.The flow tube may be formed to wind the oscillation portion.
상기 하우징은, 상기 마이크로파를 반사하는 반사층; 및 상기 반사층의 내면 또는 외면에 적층되고, 내산성을 갖는 내산성층을 포함할 수 있다.The housing includes a reflective layer that reflects the microwaves; And an acid resistant layer laminated on the inner surface or the outer surface of the reflective layer and having acid resistance.
일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치 및 세정 노즐은, 세정액을 분사 직전에 가열할 수 있다.The cleaning liquid supply device and the cleaning nozzle according to an embodiment may heat the cleaning liquid immediately before injection.
일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치 및 세정 노즐은, 세정액을 안전하고 빠르게 고온으로 가열할 수 있다.The cleaning liquid supply device and the cleaning nozzle according to an embodiment may safely and quickly heat the cleaning liquid to a high temperature.
일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치 및 세정 노즐의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the cleaning liquid supply device and the cleaning nozzle according to an embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치의 개략도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 세정액 가열부의 개략도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치의 블록도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치의 개략도이다.The following drawings attached to this specification are intended to illustrate one preferred embodiment of the present invention, and to serve to further understand the technical spirit of the present invention together with the detailed description of the present invention, the present invention is only described in those drawings It should not be construed limitedly.
1 is a schematic diagram of a cleaning liquid supply apparatus according to an embodiment.
2 is a schematic diagram of a cleaning liquid heating unit according to an embodiment.
3 is a block diagram of a cleaning liquid supply apparatus according to an embodiment.
4 is a schematic diagram of a cleaning liquid supply apparatus according to an embodiment.
이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail through exemplary drawings. It should be noted that in adding reference numerals to the components of each drawing, the same components have the same reference numerals as possible even though they are displayed on different drawings. In addition, in describing an embodiment, when it is determined that a detailed description of a related known configuration or function interferes with understanding of the embodiment, the detailed description is omitted.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Further, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), (b), and the like can be used. These terms are only for distinguishing the component from other components, and the nature, order, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, but another component between each component It should be understood that may be "connected", "coupled" or "connected".
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in any one embodiment and components including common functions will be described using the same name in other embodiments. Unless there is an objection to the contrary, the description described in any one embodiment may be applied to other embodiments, and a detailed description will be omitted in the overlapped range.
도 1은 일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치의 개략도이다. 도 2는 일 실시 예에 따른 세정액 가열부의 개략도이다. 도 3은 일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치의 블록도이다.1 is a schematic diagram of a cleaning liquid supply apparatus according to an embodiment. 2 is a schematic diagram of a cleaning liquid heating unit according to an embodiment. 3 is a block diagram of a cleaning liquid supply apparatus according to an embodiment.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 세정액 공급 장치(1)는 기판(W)을 세정하기 위한 세정액을 공급할 수 있다. 예를 들어, 세정액 공급 장치(1)는 반도체나 PFD, Sola Cell 등의 기판(W)을 세정할 때, 사용될 수 있다. 세정액 공급 장치(1)는 회전하는 기판(W) 위에 세정액을 분사하는 방식이나 기판(W)의 길이 방향으로 형성된 스프레이를 사용하여 넓은 범위에서 세정액을 분사하는 방식을 포함할 수 있다. 세정액 공급 장치(1)는 세정액을 가열하여 고온의 세정액을 공급할 수 있다. 세정액은 황산 및 인산 등의 고온이 필요한 세정액을 포함할 수 있다.1 to 3, the cleaning
일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치(1)는 세정액 공급부(10), 유동관(11), 세정액 가열부(12) 및 제어부(13)를 포함할 수 있다.The cleaning
세정액 공급부(10)는 기판 세정을 위한 세정액을 공급할 수 있다. 세정액 공급부(10)는 세정액 탱크(101) 및 세정액 공급관(102)을 포함할 수 있다. 세정액 탱크(101)는 세정액을 저장할 수 있다. 세정액 탱크(101)는 세정액 종류 별로 각각 마련될 수 있다. 세정액 공급관(102)은 세정액 탱크(101)로부터 세정액을 공급할 수 있다. 세정액 공급관(102)은 일측이 세정액 탱크(101)에 연결되고, 타측이 후술하는 유동관(11)에 연결될 수 있다. 세정액 공급관(102)은 세정액 탱크(101)로부터 유동관(11)으로 세정액을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따른 세정액 공급부는 세정액 펌프를 더 포함할 수도 있다.The cleaning
유동관(11)은 세정액 공급부(10)에 연결될 수 있다. 유동관(11)은 세정액 공급부(10)로부터 세정액을 공급받을 수 있다. 유동관(11)의 내부로 세정액이 유동할 수 있다. 유동관(11)의 단부에서 기판(W)을 향해 세정액이 분사될 수 있다. 예를 들어, 유동관(11)의 일측은 세정액 공급부(10)에 연결되고, 타측은 세정액이 분사되는 위치로서 개방될 수 있다. 유동관(11)은 후술하는 하우징(121) 내부를 관통할 수 있다. 유동관(11)은 마이크로파를 투과시키는 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유동관(11)은 quartz 또는 PFA 등의 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 발진부(122)에서 발생된 마이크로파가 유동관(11)을 투과하면서 유동관(11) 내부를 유동하는 세정액을 가열시킬 수 있다. 유동관(11)은 하우징(121) 내에서 만곡 구조 또는 절곡 구조로 형성될 수 있다. 유동관(11)의 적어도 일부는 하우징(121)의 내부 공간에서 권취될 수 있다. 예를 들어, 유동관(11)의 적어도 일부는 발진부(122)를 권취하도록 형성될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 하우징(121)의 한정된 내부 공간에 유동관(11)의 경로를 길게 형성할 수 있고, 그에 따라 유동관(11) 내부에서 유동하는 세정액이 하우징(121) 내부에서 오랜 시간 머물면서 높은 온도까지 가열될 수 있다.The
세정액 가열부(12)는 마이크로 마이크로파를 이용하여 세정액을 가열할 수 있다. 세정액 가열부(12)는 유동관(11)의 일 부위에 연결될 수 있다. 예를 들어, 세정액 가열부(12)는 도 1과 같이, 세정액이 분사되는 유동관(11)의 단부에 위치할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 세정액은 분사 직전에 가열될 수 있다. 따라서, 고온의 세정액이 이송되는 과정을 생략할 수 있으므로, 고온의 세정액의 이송 중 온도 손실, 변질 또는 배관의 파손, 변형 등의 위험을 최소화할 수 있다. 또한, 세정액 가열부(12)가 세정액 분사 위치 직전에 위치하므로, 세정액의 목표 온도를 정확하게 조절하여 분사할 수 있다. 유동관(11)의 단부에 위치한 세정액 가열부(12)는 세정 노즐로서 기능할 수 있다.The cleaning
일 실시 예에 따른 세정액 가열부(12)는 하우징(121) 및 발진부(122)를 포함할 수 있다.The cleaning
하우징(121)은 세정액 가열부(12)의 케이스를 구성할 수 있다. 하우징(121)은 내부에 공간이 형성될 수 있다. 유동관(11)은 하우징(121)의 내부를 관통할 수 있다. 하우징(121)은 유동관(11)의 적어도 일부를 감쌀 수 있다. 하우징(121)의 내부에는 발진부(122)가 구비될 수 있다. 하우징(121)은 세정액이 분사되는 위치를 향할수록 단면이 좁아지는 형상으로 형성될 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 정확한 위치에 세정액을 분사할 수 있고, 세정액 가열부(12)는 세정 노즐로 기능할 수 있다.The
일 실시 예에 따른 하우징(121)은 반사층(1211) 및 내산성층(1212)을 포함할 수 있다.The
반사층(1211)은, 후술하는 발진부(122)에서 발생된 마이크로파가 하우징(121)의 외부로 방출되는 것을 차단할 수 있다. 반사층(1211)은 마이크로파가 하우징(121)의 내부에서 반사되도록 마이크로파를 반사할 수 있다. 반사층(1211)은 마이크로파를 반사하는 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사층(1211)은 금속 재질을 포함할 수 있다. 반사층(1211)으로 인하여, 하우징(121) 내부에서 발생된 마이크로파는 하우징(121) 내부에서 지속적으로 반사될 수 있고, 그에 따라 세정액 가열 효율이 상승될 수 있다.The
내산성층(1212)은 내산성을 갖는 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 내산성층(1212)은 PFA, PTFE, PFE, CTFE, ETFE, PPS, PES, PSF, m-PPE/PPO, PAI, PEI, PEEK, PVC, LCP, PE 및 PP 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 내산성층(1212)은 반사층(1211)에 적층될 수 있다. 내산성층(1212)은 반사층(1211)의 내면의 전부 또는 일부에 적층될 수 있다. 반사층(1211)의 내면에 적층된 내산성층(1212a)은, 유동관(11)에서 세정액이 유출되더라도 세정액에 의하여 하우징(121)의 내부가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 내산성층(1212)은 반사층(1211)의 외면의 전부 또는 일부에 적층될 수 있다. 반사층(1211)의 외면에 적층된 내산성층(1212b)은, 하우징(121)의 외부에 세정액이 튀거나 묻더라도 하우징(121)의 외부가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 내산성층(1212)은 하우징(121)의 접액부 또는 외부 노출 부분에 위치될 수 있다. 접액부는 세정액과 맞닿는 부분을 의미할 수 있다.The acid-resistant layer 1212 may include a material having acid resistance. For example, the acid-resistant layer 1212 may include at least one of PFA, PTFE, PFE, CTFE, ETFE, PPS, PES, PSF, m-PPE/PPO, PAI, PEI, PEEK, PVC, LCP, PE and PP. It can contain. The acid resistant layer 1212 may be stacked on the
발진부(122)는 마이크로파를 발생시킬 수 있다. 발진부(122)에서 발생된 마이크로파는 유동관(11) 내부를 유동하는 세정액을 가열할 수 있다. 발진부(122)는 예를 들어, 마그네트론을 포함할 수 있다. 발진부(122)는 하우징(121) 내부에 구비될 수 있다. 예를 들어, 발진부(122)는 하우징(121)의 중앙부에 위치할 수 있다. 발진부(122)의 발진 주파수는 1Ghz 내지 10Ghz일 수 있다. 발진 주파수 범위가 상기 범위 내에 포함되는 경우, 세정액을 효율적으로 가열할 수 있다. 발진부(122)에서 발생되는 마이크로파를 이용하여 세정액을 가열하는 방식은, 종래의 히터를 이용한 가열 방식보다 향상된 정확성, 효율성 및 안전성을 가질 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 따른 가열 방식은 마이크로파를 이용하기 때문에 히터를 사용하는 방식보다 정확하게 세정액의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 히터를 이용하는 가열 방식은 히터 자체가 가열되어야 하므로 세정액을 목표 온도까지 가열하기까지 많은 시간이 소요되었으나, 본 발명과 같이 발진부(122)를 이용한 가열 방식은 마이크로파를 이용하기 때문에 세정액을 단시간에 가열할 수 있다. 나아가, 히터를 이용하는 방식은 유사시 히터의 전원을 차단하더라도 히터 자체의 온도가 내려가기까지 오랜 시간이 걸린다는 문제가 있으나, 본 발명과 같이 발진부(122)를 이용하는 방식은 발진부(122)의 전원을 차단하면 온도가 즉시 내려가므로, 히터를 사용하는 가열 방식에 비하여 안전성을 확보할 수 있다.The
제어부(13)는 발진부(122)의 동작을 제어할 수 있다. 제어부(13)는 세정액의 종류, 현재 온도, 목표 온도 및 기판(W)의 종류 중 적어도 어느 하나를 고려하여, 발진부(122)의 발진 주파수, 발진 시간 또는 작동 유무를 조절할 수 있다. 예를 들어, 제어부(13)는 세정액의 종류에 따라 발진 주파수 크기를 조절할 수 있다. 제어부(13)는 세정액의 현재 온도 및 목표 온도를 고려하여, 발진부(122)의 발진 시간 및 작동 유무를 조절할 수 있다. 상기 예시는 일 실시 예에 불과하며, 제어부(13)는 다양한 요소를 고려하여, 발진부(122)의 동작을 제어할 수 있다.The
도 4는 일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치의 개략도이다.4 is a schematic diagram of a cleaning liquid supply apparatus according to an embodiment.
일 실시 예에 따른 세정액 공급 장치(2)는 세정액 공급부(20), 유동관(21), 세정액 가열부(22) 및 제어부를 포함할 수 있다.The cleaning
세정액 가열부(22)는 유동관(21)의 일 부위에 연결될 수 있다. 세정액 가열부(22)는 유동관(21)의 다양한 위치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 세정액 가열부(22)는 유동관(21)의 분사 위치 측에 위치될 수 있다. 또는, 세정액 가열부(22')는 유동관(21)의 중앙부에 위치될 수 있다. 세정액 가열부(22)는 복수 개 마련되고, 유동관(21)의 다양한 위치에 적용될 수 있다. The cleaning
이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.Although the embodiments have been described by the limited drawings as described above, a person skilled in the art can make various modifications and variations from the above description. For example, the described techniques may be performed in a different order than the described method, and/or components such as the structure, device, etc. described may be combined or combined in a different form from the described method, or may be applied to other components or equivalents. Even if replaced or substituted by, appropriate results can be achieved.
1: 세정액 공급 장치
10: 세정액 공급부
11: 유동관
12: 세정액 가열부
121: 하우징
122: 발진부
13: 제어부1: Cleaning liquid supply device
10: cleaning liquid supply
11: flow tube
12: cleaning liquid heating section
121: housing
122: oscillation unit
13: Control
Claims (15)
상기 세정액 공급부에 연결되고, 내부에서 상기 세정액이 유동하며, 단부에서 상기 기판을 향해 세정액이 분사되는 유동관; 및
상기 유동관의 일 부위에 연결되고, 상기 세정액을 가열하는 세정액 가열부를 포함하는, 세정액 공급 장치.A cleaning liquid supply unit supplying a cleaning liquid for cleaning the substrate;
A flow tube connected to the cleaning liquid supply unit, the cleaning liquid flows therein, and a cleaning liquid is sprayed from the end toward the substrate; And
It is connected to a portion of the flow pipe, and includes a cleaning liquid heating unit for heating the cleaning liquid, the cleaning liquid supply device.
상기 세정액 가열부는,
상기 세정액이 분사되는 상기 유동관의 단부에 위치하는, 세정액 공급 장치.According to claim 1,
The cleaning liquid heating unit,
A cleaning liquid supply device located at an end of the flow pipe through which the cleaning liquid is injected.
상기 세정액 가열부는,
상기 유동관이 내부를 관통하는 하우징; 및
상기 하우징 내부에 구비되고, 마이크로파를 발생시키는 발진부를 포함하는, 세정액 공급 장치.According to claim 2,
The cleaning liquid heating unit,
A housing through which the flow tube penetrates; And
A cleaning liquid supply device provided in the housing and including an oscillation unit for generating microwaves.
상기 하우징은, 상기 마이크로파가 상기 하우징의 외부로 방출되는 것을 차단하는 반사층을 포함하는, 세정액 공급 장치.According to claim 3,
The housing, the cleaning liquid supply device comprising a reflective layer for blocking the microwaves are emitted to the outside of the housing.
상기 하우징은, 상기 반사층에 적층되고, 내산성을 가지는 내산성층을 더 포함하는, 세정액 공급 장치.According to claim 4,
The housing is laminated on the reflective layer, further comprising an acid-resistant layer having acid resistance, the cleaning liquid supply device.
상기 유동관은 상기 마이크로파를 투과시키는 재질을 포함하는, 세정액 공급 장치.According to claim 3,
The flow tube includes a material that transmits the microwaves, the cleaning liquid supply device.
상기 유동관은 상기 하우징의 내부 공간에서 권취되는, 세정액 공급 장치.According to claim 3,
The flow pipe is wound in the inner space of the housing, the cleaning liquid supply device.
상기 마이크로파의 주파수는 1Ghz 내지 10Ghz인, 세정액 공급 장치.According to claim 3,
The frequency of the microwave is 1Ghz to 10Ghz, cleaning liquid supply device.
상기 세정액 공급부는,
상기 세정액을 저장하는 세정액 탱크; 및
상기 세정액 탱크로부터 세정액을 공급하는 세정액 공급관을 포함하는, 세정액 공급 장치.According to claim 1,
The cleaning liquid supply unit,
A cleaning liquid tank for storing the cleaning liquid; And
And a cleaning liquid supply pipe supplying a cleaning liquid from the cleaning liquid tank.
상기 세정액의 종류, 현재 온도, 목표 온도 및 상기 기판의 종류 중 적어도 어느 하나를 고려하여 상기 발진부의 발진 주파수, 발진 시간 또는 작동 유무를 조절하는 제어부를 더 포함하는, 세정액 공급 장치.According to claim 3,
And a control unit for adjusting the oscillation frequency, oscillation time, or operation of the oscillation unit in consideration of at least one of the type of the cleaning solution, the current temperature, the target temperature, and the type of the substrate.
하우징;
상기 하우징 내부를 관통하고, 일단에서 세정액이 분사되는 유동관; 및
상기 하우징 내부에 구비되고, 마이크로파를 발생시키는 발진부를 포함하는, 세정 노즐.In the cleaning nozzle connected to the cleaning liquid supply device,
housing;
A flow tube penetrating the inside of the housing and spraying cleaning liquid at one end; And
A cleaning nozzle provided inside the housing and including an oscillation unit for generating microwaves.
상기 하우징은 상기 세정액이 분사되는 위치를 향할수록 단면이 좁아지는 형상으로 형성되는, 세정 노즐.The method of claim 11,
The housing is formed in a shape in which the cross section becomes narrower toward the position where the cleaning liquid is injected, the cleaning nozzle.
상기 유동관은 상기 하우징의 내부 공간에서 권취되는, 세정 노즐.The method of claim 11,
The flow tube is wound in the inner space of the housing, the cleaning nozzle.
상기 유동관은 상기 발진부를 권취하도록 형성되는, 세정 노즐.The method of claim 11,
The flow tube is formed to wind the oscillation portion, a cleaning nozzle.
상기 하우징은,
상기 마이크로파를 반사하는 반사층; 및
상기 반사층의 내면 또는 외면에 적층되고, 내산성을 갖는 내산성층을 포함하는, 세정 노즐.The method of claim 11,
The housing,
A reflective layer reflecting the microwaves; And
A cleaning nozzle comprising an acid-resistant layer laminated on an inner surface or an outer surface of the reflective layer and having acid resistance.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180166575A KR102597131B1 (en) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | Cleaning fluid supply device and cleaning fluid nozzle |
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| KR1020180166575A KR102597131B1 (en) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | Cleaning fluid supply device and cleaning fluid nozzle |
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|---|---|
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Family
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| KR (1) | KR102597131B1 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006071262A (en) * | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid heating apparatus, cleaning apparatus and cleaning method |
| JP2008066505A (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fluid heating apparatus, and wafer processor utilizing same apparatus |
| KR20090047251A (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-12 | 세메스 주식회사 | Apparatus for supplying chemicals |
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2018
- 2018-12-20 KR KR1020180166575A patent/KR102597131B1/en active IP Right Grant
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