KR20200072106A - Apparatus for processing substrate and method of control using the same - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a substrate processing device capable of electrical sensing for sensing a chucking state in mono-polar type by measuring a flowing RF voltage coupled to an inner line and an outer line in a heater, which may be divided into a plurality of areas. The substrate processing device comprises a process chamber, a gas spray unit, a plasma power supply unit, a chuck structure, an electrostatic power supply unit, a first heater control circuit unit, a second heater control circuit unit, first and second measurement units, and a control unit.

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 제어 방법{Apparatus for processing substrate and method of control using the same}Apparatus for processing substrate and method of control using the same}

본 발명은 반도체 제조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 제어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor manufacturing, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma and a control method using the same.

반도체 소자의 제조에 있어서 플라즈마를 이용한 공정이 적용되고 있다. 예를 들어, 플라즈마를 이용하여 공정 기체를 활성화함으로써 낮은 공정 온도에서도 빠른 속도로 증착 또는 에칭 등의 공정을 수행할 수 있다. 이러한 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 있어서 공정 챔버에 따른 플라즈마 매칭의 제어, 가스량, 압력 등과 같은 공정 변수의 제어 등 플라즈마 환경의 제어가 중요하다.In the manufacture of semiconductor devices, a process using plasma has been applied. For example, a process such as deposition or etching can be performed at a high speed even at a low process temperature by activating a process gas using plasma. In such a substrate processing apparatus using plasma, it is important to control the plasma environment, such as control of plasma matching according to a process chamber, control of process variables such as gas amount and pressure.

하지만, 기존의 플라즈마 제어의 경우에 있어서는, 공정 챔버의 조건에 따라서 임피던스 매칭을 함으로써 공정 챔버 내 플라즈마 환경을 안정화할 수는 있지만, 공정 챔버가 전체적으로 접지되어 있기 때문에 기판 상으로 흐르는 전류를 최적화하는 데에는 한계가 있었다. 또한, 척 구조체를 적용한 기판 처리 장치에서 정전력을 고려한 기판 상으로의 플라즈마 환경을 정밀하게 제어하며, 나아가, 정전력을 고려한 척킹 상태의 감지 및 제어를 효율적으로 구현할 필요가 있다. However, in the case of the conventional plasma control, it is possible to stabilize the plasma environment in the process chamber by impedance matching according to the conditions of the process chamber, but since the process chamber is entirely grounded, it is not necessary to optimize the current flowing on the substrate. There were limits. In addition, in the substrate processing apparatus to which the chuck structure is applied, it is necessary to precisely control the plasma environment on the substrate in consideration of constant power, and furthermore, it is necessary to efficiently implement detection and control of the chucking state in consideration of constant power.

예를 들어, 척 구조체 상에 안착된 기판에 증착 공정을 진행하는 과정에서 기판의 척킹 상태를 감지하는 것이 중요한 바, 공정 중에 기판의 척킹 이상이 발생하면 원하는 특성의 박막을 증착하기가 어려운 문제점이 발생할 수 있다. 한편, 기판 상에 증착이 완료된 후 기판을 챔버 외부로 반출하고자 하는 경우 기판의 디척킹 상태를 감지하는 중요한 바, 기판 상에 남아 있는 축적된 전하로 인해 디척킹이 완료되지 않은 기판을 리프트핀으로 무리하게 들어올릴 경우 기판이 파손되는 문제점이 발생할 수 있다. For example, it is important to detect the chucking state of the substrate in the course of the deposition process on the substrate mounted on the chuck structure. Can occur. On the other hand, when deposition is completed on the substrate and it is important to sense the dechucking state of the substrate when the substrate is to be taken out of the chamber, the dechucking substrate due to the accumulated charge remaining on the substrate is lift pin. If it is lifted excessively, a problem that the substrate is damaged may occur.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 정전력을 고려한 척킹 및 디척킹 상태의 감지 및 제어를 효율적으로 구현할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve a number of problems, including the problems as described above, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a control method using the same, which can effectively implement the detection and control of the chucking and dechucking states in consideration of constant power. Is done. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 기판 처리 장치는 내부에 박막을 처리하기 위한 처리 공간을 한정하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 분사부; 상기 공정 챔버 내부로 플라즈마 분위기를 형성하기 위하여 제 1 플라즈마 전극인 상기 가스 분사부에 적어도 하나의 RF 전력을 인가하도록 적어도 하나의 RF 전원을 포함하는 플라즈마 전원 공급부; 기판이 안착되는 안착플레이트, 상기 안착플레이트 내부의 제 2 플라즈마 전극, 상기 제 2 플라즈마 전극 하부에 배치되되 상기 기판의 내측 영역을 가열하기 위해 외부에 구비된 제 1 히터 전원부와 연결되는 제 1 히터와 상기 기판의 외측 영역을 가열하기 위해 외부에 구비된 제 2 히터 전원부와 연결되는 제 2 히터를 구비하는, 척(chuck) 구조체; 상기 제 2 플라즈마 전극에 연결되어 DC 전력을 공급하는 정전력 전원 공급부; 상기 제 1 히터와 상기 제 1 히터 전원부 사이에 연결되어 상기 제 1 히터 전원부로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 제 1 RF 필터를 구비하는 제 1 히터 제어 회로부; 상기 제 2 히터와 상기 제 2 히터 전원부 사이에 연결되어 상기 제 2 히터 전원부로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 제 2 RF 필터를 구비하는 제 2 히터 제어 회로부; 상기 제 1 히터와 상기 제 1 히터 제어 회로부 사이에 설치되어 상기 제 1 히터 제어 회로부로 인가되는 제 1 RF 전압을 측정하는 제 1 측정부와 상기 제 2 히터와 상기 제 2 히터 제어 회로부 사이에 설치되어 상기 제 2 히터 제어 회로부로 인가되는 제 2 RF 전압을 측정하는 제 2 측정부; 및 상기 기판의 처리 상태에 따라, 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이를 이용하여 상기 척 구조체에 안착된 상기 기판의 안착 상태를 모니터링 하는 제어부; 를 포함한다. A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention for solving the above problems includes a process chamber for defining a processing space for processing a thin film therein; A gas injection unit installed in the process chamber and supplying process gas to the processing space; A plasma power supply unit including at least one RF power source to apply at least one RF power to the gas injection unit which is a first plasma electrode to form a plasma atmosphere inside the process chamber; A seating plate on which a substrate is seated, a second plasma electrode inside the seating plate, and a first heater disposed below the second plasma electrode and connected to a first heater power supply provided outside to heat an inner region of the substrate. A chuck structure having a second heater connected to a second heater power source provided outside to heat the outer region of the substrate; A constant power power supply unit connected to the second plasma electrode to supply DC power; A first heater control circuit unit connected between the first heater and the first heater power unit and having a first RF filter for filtering RF components flowing into the first heater power unit; A second heater control circuit unit connected between the second heater and the second heater power unit and having a second RF filter for filtering RF components flowing into the second heater power unit; It is installed between the first heater and the first heater control circuit part and is installed between a first measurement part measuring a first RF voltage applied to the first heater control circuit part and the second heater and the second heater control circuit part. A second measuring unit configured to measure a second RF voltage applied to the second heater control circuit unit; And a control unit for monitoring a seating state of the substrate seated on the chuck structure by using a difference between measured RF voltage values input from the first measuring part and the second measuring part according to the processing state of the substrate. It includes.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제 2 플라즈마 전극은 상기 정전력 전원 공급부로부터 단일 극성(mono-polar type)의 DC 전원이 인가될 수 있다. In the substrate processing apparatus, the second plasma electrode may be supplied with a mono-polar type DC power from the constant power supply.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는, 상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원이 공급되며, 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원이 공급된 상태에서, 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이가 설정 범위를 벗어나는 경우 알람을 발생시킬 수 있다. In the substrate processing apparatus, the control unit is supplied with RF power to the first plasma electrode and DC power is supplied to the second plasma electrode, and is input from the first measurement unit and the second measurement unit. If the difference between the measured RF voltage values is outside the set range, an alarm can be generated.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는, 상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원이 공급되며, 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원의 공급이 중단된 상태에서, 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이가 설정 범위를 벗어나는 경우 알람을 발생시킬 수 있다. In the substrate processing apparatus, the control unit, the RF power is supplied to the first plasma electrode, the supply of DC power to the second plasma electrode is stopped, from the first measurement unit and the second measurement unit If the difference between the input measured RF voltage values is out of the set range, an alarm can be generated.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법에서, 상기 제어부는, 상기 기판의 처리 상태에 따라, 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이를 이용하여 상기 척 구조체에 안착된 상기 기판의 안착 상태를 모니터링 하는 단계를 포함한다. In the control method using the substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention for solving the above problems, the control unit, the measurement RF input from the first measurement unit and the second measurement unit according to the processing state of the substrate And monitoring a seating state of the substrate seated on the chuck structure using a difference in voltage values.

상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법은, 상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원을 공급하며, 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원을 공급한 상태에서, 상기 제어부는 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이가 설정 범위를 벗어나는 경우 상기 기판의 척킹(chucking) 이상을 알리는 알람을 발생시키는 제 1 단계를 포함할 수 있다.In the control method using the substrate processing apparatus, while supplying RF power to the first plasma electrode and supplying DC power to the second plasma electrode, the control unit may include the first measurement unit and the second measurement unit. When the difference between the measured RF voltage values input from the outside of the set range may include a first step of generating an alarm notifying the chucking of the substrate.

상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법에서, 상기 제 1 단계는 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마 분위기가 형성된 상태에서 상기 기판 상에 박막을 증착하는 동안 수행될 수 있다. In a control method using the substrate processing apparatus, the first step may be performed while depositing a thin film on the substrate while a plasma atmosphere is formed inside the process chamber.

상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법에서, 상기 제 1 단계는 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이에 대한 절대값이 양의 제 1 설정값 보다 큰 경우 수행될 수 있다. In the control method using the substrate processing apparatus, the first step is performed when the absolute value of the difference between the measured RF voltage values input from the first measurement unit and the second measurement unit is greater than a positive first set value. Can be.

상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법은, 상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원을 공급하며, 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원의 공급이 중단된 상태에서, 상기 제어부는 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이가 설정 범위를 벗어나는 경우 상기 기판의 디척킹(de-chucking) 이상을 알리는 알람을 발생시키는 제 2 단계를 포함할 수 있다. In the control method using the substrate processing apparatus, the RF power is supplied to the first plasma electrode, and the supply of DC power to the second plasma electrode is stopped, the control unit controls the first measurement unit and the second When the difference between the measured RF voltage values input from the measurement unit is out of a set range, a second step of generating an alarm notifying de-chucking of the substrate may be included.

상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법에서, 상기 제 2 단계는 상기 기판 상에 박막을 증착하는 단계 후 및 상기 기판을 상기 공정 챔버의 외부로 반출하기 위하여 상기 안착플레이트 상으로 리프트핀이 상승하는 단계 전에 수행될 수 있다. In the control method using the substrate processing apparatus, the second step is after the step of depositing a thin film on the substrate and before the step of raising the lift pin onto the seating plate to take the substrate out of the process chamber. Can be performed.

상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법에서, 상기 제 2 단계는 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이에 대한 절대값이 양의 제 2 설정값 보다 작은 경우 수행될 수 있다. In the control method using the substrate processing apparatus, the second step is performed when the absolute value of the difference between the measured RF voltage values input from the first measurement unit and the second measurement unit is less than a positive second set value. Can be.

상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법에서, 상기 기판을 상기 공정 챔버의 외부로 반출하기 위하여 상기 안착플레이트 상으로 리프트핀이 상승하는 단계는, 상기 기판의 디척킹(de-chucking) 상태를 확인한 후에, 상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원의 공급과 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원의 공급이 중단된 상태에서 수행될 수 있다. In the control method using the substrate processing apparatus, the step of lifting the lift pin onto the seating plate to take the substrate out of the process chamber, after confirming the de-chucking state of the substrate, The supply of RF power to the first plasma electrode and the supply of DC power to the second plasma electrode may be performed in a stopped state.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 정전력을 고려한 척킹 및 디척킹 감지 및 제어를 정밀하게 구현할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 제어 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention made as described above, it is possible to implement a substrate processing apparatus and a control method using the same, which can accurately implement chucking and dechucking detection and control in consideration of constant power. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 기판(S)이 척킹(chucking)된 상태에서의 히터와 기판 사이의 위치 관계를 개요적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 기판(S)이 디척킹(de-chucking)된 상태에서의 히터와 기판 사이의 위치 관계를 개요적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 척킹(chucking)된 상태와 디척킹(de-chucking)된 상태에서 전압차(△V = V1 - V2)를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 도 1 또는 도 5의 기판 처리 장치에서 플라즈마 전원 인가 시 RF 전류의 흐름을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 도 5의 기판처리장치에서 조절 회로부의 구성의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 5의 전류 조절 회로부의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 5의 기판처리장치에서 전류 조절 회로부의 구성의 변형된 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing the positional relationship between the heater and the substrate in the state where the substrate S is chucked.
3 is a view schematically showing a positional relationship between a heater and a substrate in a state where the substrate S is de-chucked.
4 is a graph showing a voltage difference (ΔV = V1-V2) in a chucked state and a de-chucked state.
5 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a diagram schematically showing a flow of RF current when plasma power is applied in the substrate processing apparatus of FIG. 1 or 5.
7 is a view schematically showing an example of the configuration of the control circuit unit in the substrate processing apparatus of FIG. 5.
8 is a diagram schematically showing an example of the current control circuit of FIG. 5.
9 is a view schematically showing a modified example of the configuration of the current control circuit in the substrate processing apparatus of FIG. 5.

명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 상기 다른 구성요소 "상에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. Throughout the specification, when one component, such as a film, region or substrate, is referred to as being “on” another component, the one component directly contacts or “on” the other component, or It can be interpreted that there may be other intervening components. On the other hand, when referring to one component being "directly on" another component, it is interpreted that there are no other components interposed therebetween.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것일 수 있다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the drawings, for example, depending on the manufacturing technique and/or tolerance, deformations of the illustrated shape can be expected. Therefore, embodiments of the inventive concept should not be interpreted as being limited to a specific shape of the region shown in this specification, but should include, for example, a change in shape resulting from manufacturing. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings may be exaggerated for convenience and clarity of explanation. The same reference numerals refer to the same elements.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 공정 챔버(110); 가스 분사부(120); 척 구조체(130); 및 정전력 전원 공급부(150);를 포함할 수 있다.Referring to Figure 1, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the process chamber 110; Gas injection unit 120; Chuck structure 130; And a constant power power supply unit 150.

공정 챔버(110)는 내부에 박막을 처리(증착 또는 식각)하기 위한 처리 공간(112)을 한정할 수 있다. 예를 들어, 공정 챔버(110)는 기밀을 유지하도록 구성되며, 처리 공간(112) 내 공정 가스를 배출하고 처리 공간(112) 내 진공도를 조절하도록 배기 포트를 통해서 진공 챔버(미도시)에 연결될 수 있다. 공정 챔버(110)는 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 예컨대 처리 공간(112)을 한정하는 측벽부와 측벽부 상단에 위치하는 덮개부를 포함할 수 있다.The process chamber 110 may define a processing space 112 for processing (deposition or etching) a thin film therein. For example, the process chamber 110 is configured to maintain airtightness, and may be connected to a vacuum chamber (not shown) through an exhaust port to discharge process gas in the processing space 112 and adjust the degree of vacuum in the processing space 112. Can be. The process chamber 110 may be provided in various shapes, and may include, for example, a side wall portion defining the processing space 112 and a cover portion positioned on the top side of the side wall portion.

가스 분사부(120)는 공정 챔버(110)의 외부로부터 공급된 공정 가스를 처리 공간(112)으로 공급하도록 공정 챔버(110)에 설치될 수 있다. 가스 분사부(120)는 척 구조체(130) 상에 안착된 기판(S)에 공정 가스를 분사하도록 공정 챔버(110)의 상부에 척 구조체(130)에 대향되게 설치될 수 있다. 가스 분사부(120)는 외부로부터 공정 가스를 공급받기 위해 상측 또는 측부에 형성된 적어도 하나의 유입홀과, 기판(S) 상에 공정 가스를 분사하기 위해서 기판(S)을 바라보는 하방으로 형성된 복수의 분사홀들을 포함할 수 있다. The gas injection unit 120 may be installed in the process chamber 110 to supply the process gas supplied from the outside of the process chamber 110 to the processing space 112. The gas injection unit 120 may be installed to face the chuck structure 130 on the upper portion of the process chamber 110 to inject process gas onto the substrate S mounted on the chuck structure 130. The gas injection unit 120 includes at least one inflow hole formed at an upper side or a side to receive process gas from the outside, and a plurality of downwards facing the substrate S to inject process gas onto the substrate S It may include injection holes.

예를 들어, 가스 분사부(120)는 샤워 헤드(shower head) 형태, 노즐(nozzle) 형태 등 다양한 형태를 가질 수 있다. 가스 분사부(120)가 샤워 헤드 형태인 경우, 가스 분사부(120)는 공정 챔버(110)의 상부를 덮는 형태로 공정 챔버(110)에 결합될 수도 있다. 예를 들어, 가스 분사부(120)가 공정 챔버(110)의 덮개 형태로 측벽부에 결합될 수 있다.For example, the gas injection unit 120 may have various shapes such as a shower head shape and a nozzle shape. When the gas injection unit 120 is in the form of a shower head, the gas injection unit 120 may be coupled to the process chamber 110 in a form that covers the upper portion of the process chamber 110. For example, the gas injection unit 120 may be coupled to the side wall portion in the form of a cover of the process chamber 110.

척 구조체(130)는 가스 분사부(120)에 대향되게 공정 챔버(110)에 설치되며, 그 상부에 기판(S)이 안착될 수 있다. 척 구조체(130)는 기판(S)이 안착되는 안착플레이트(132), 상기 안착플레이트(132) 내부의 제 2 플라즈마 전극(135), 상기 제 2 플라즈마 전극(135) 하부에 배치되되 상기 기판(S)의 내측 영역을 가열하기 위해 외부에 구비된 제 1 히터 전원부(182a)와 연결되는 제 1 히터(137a)와 상기 기판(S)의 외측 영역을 가열하기 위해 외부에 구비된 제 2 히터 전원부(182b)와 연결되는 제 2 히터(137b)를 구비한다. The chuck structure 130 is installed in the process chamber 110 to face the gas injection unit 120, and a substrate S may be mounted on the process chamber 110. The chuck structure 130 is disposed under the mounting plate 132 on which the substrate S is seated, the second plasma electrode 135 inside the seating plate 132, and the second plasma electrode 135. The first heater 137a connected to the first heater power supply 182a provided outside to heat the inner region of S) and the second heater power supply provided externally to heat the outer region of the substrate S And a second heater 137b connected to (182b).

살펴본 바와 같이, 척 구조체(130)는 기판(S)을 가열하기 위한 히터(137)를 포함할 수 있다. 히터(137)는 복수개의 서로 이격된 서브 히터들로 구성될 수 있다. 예를 들어, 히터(137)는 제 1 영역에 배치된 제 1 히터(137a) 및 상기 제 1 영역과 이격된 제 2 영역에 배치된 제 2 히터(137b)를 구비할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역은 척 구조체(130)의 이너(inner) 영역이며, 상기 제 2 영역은 척 구조체(130)의 아우터(outer) 영역일 수 있다. 하지만, 이러한 영역 배치는 예시적인 것이며, 히터(137)가 복수개의 서로 이격된 서브 히터들로 구성된다는 본 발명의 기술적 사상 중 일부를 구현하기 위하여 다양한 변형예가 가능하다.As described, the chuck structure 130 may include a heater 137 for heating the substrate S. The heater 137 may be composed of a plurality of sub-heaters separated from each other. For example, the heater 137 may include a first heater 137a disposed in a first region and a second heater 137b disposed in a second region spaced apart from the first region. For example, the first region may be an inner region of the chuck structure 130, and the second region may be an outer region of the chuck structure 130. However, the arrangement of the regions is exemplary, and various modifications are possible to implement some of the technical spirit of the present invention in which the heater 137 is composed of a plurality of sub-heated spacers.

척 구조체(130)의 형상은 대체로 기판(S)의 모양에 대응되나 이에 한정되지 않고 기판(S)을 안정적으로 안착시킬 수 있도록 기판(S)보다 크게 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 척 구조체(130)는 승하강이 가능하도록 외부 모터(미도시)에 연결될 수 있으며, 이 경우 기밀 유지를 위하여 벨로우즈관(미도시)이 연결될 수도 있다. 나아가, 척 구조체(130)는 그 위에 기판(S)을 안치하도록 구성되기 때문에, 기판 지지대, 서셉터 등으로 불릴 수도 있다. 제 2 플라즈마 전극(135)은 기판(S)에 정전기력을 인가하기 위한 정전 전극의 역할도 담당할 수 있다.The shape of the chuck structure 130 generally corresponds to the shape of the substrate S, but is not limited thereto, and may be provided in various shapes larger than the substrate S so that the substrate S can be stably seated. In one example, the chuck structure 130 may be connected to an external motor (not shown) to allow elevation, and in this case, a bellows tube (not shown) may be connected to maintain airtightness. Furthermore, since the chuck structure 130 is configured to place the substrate S thereon, it may be referred to as a substrate support, susceptor, or the like. The second plasma electrode 135 may also serve as an electrostatic electrode for applying electrostatic force to the substrate S.

정전력 전원 공급부(150)는 정전 전극인 제 2 플라즈마 전극(135)에 DC 전력을 공급하도록 DC 전원(152)을 포함한다. 예를 들어, DC　전원(152)은 그 일단이 접지부에 연결되고, 타단이 노드(n1)를 거쳐서 정전 전극인 제 2 플라즈마 전극(135)에 전기적으로 연결되도록 설치될 수 있다. 부가적으로, 정전력 전원 공급부(150)는 제 2 플라즈마 전극(135)을 통한 RF 전류가 DC 전원(152)으로 인입되는 것을 차단하기 위해 제 2 플라즈마 전극(135) 및 DC 전원(152) 사이에 배치된 DC 필터(155)를 포함할 수 있다. 예를 들어, DC 필터(155)는 노드(n1)와 DC 전원(152) 사이에 직렬 연결될 수 있다. DC 필터(155)는 RF 전류는 차단하면서 DC 전류는 통과시키도록 다양한 형태로 구성될 수 있다.The constant power power supply 150 includes a DC power 152 to supply DC power to the second plasma electrode 135 which is an electrostatic electrode. For example, the DC power source 152 may be installed such that one end is connected to the ground and the other end is electrically connected to the second plasma electrode 135, which is an electrostatic electrode, through the node n1. Additionally, the constant power power supply 150 may be provided between the second plasma electrode 135 and the DC power source 152 to block the RF current through the second plasma electrode 135 from entering the DC power source 152. It may include a DC filter 155 disposed in. For example, the DC filter 155 may be connected in series between the node n1 and the DC power source 152. The DC filter 155 may be configured in various forms to block the RF current and pass the DC current.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 제 1 히터(137a)에 연결된 제 1 히터 제어 회로부(180a); 및 제 2 히터(137b)에 연결된 제 2 히터 제어 회로부(180b); 를 더 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes: a first heater control circuit unit 180a connected to the first heater 137a; And a second heater control circuit unit 180b connected to the second heater 137b. It may further include.

제 1 히터 제어 회로부(180a)는, 상기 제 1 히터(137a)와 상기 제 1 히터 전원부(182a) 사이에 연결되며, 상기 제 1 히터 전원부(182a)로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 제 1 RF 필터(185a)를 구비할 수 있다. 제 1 히터 전원부(182a)는 일단은 제 1 히터(137a)에 AC 전력을 인가하도록 제 1 히터(137a)에 연결되고 타단은 접지될 수 있다. 제 1 RF 히터 필터(185a)는 저항(R), 인덕터(L) 및 커패시터(C) 군에서 선택된 둘 또는 그 이상의 직렬 또는 병렬 조합으로 구성될 수 있으며, 예를 들어, 제 1 히터(137a)와 제 1 히터 전원부(182a) 사이에 직렬로 연결된 인덕터(La)와 상기 인덕터(La)와 병렬로 연결된 커패시터(Ca)를 포함할 수 있다. The first heater control circuit unit 180a is connected between the first heater 137a and the first heater power unit 182a, and is configured to filter RF components flowing into the first heater power unit 182a. An RF filter 185a may be provided. The first heater power unit 182a may be connected to the first heater 137a at one end and ground at the other end to apply AC power to the first heater 137a. The first RF heater filter 185a may be composed of two or more series or parallel combinations selected from the group of resistors (R), inductors (L), and capacitors (C), for example, the first heater (137a) And a capacitor C a connected in parallel with the inductor L a connected in series and the inductor L a between the first heater power supply 182 a .

제 2 히터 제어 회로부(180b)는, 상기 제 2 히터(137b)와 상기 제 2 히터 전원부(182b) 사이에 연결되며, 상기 제 2 히터 전원부(182b)로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 제 2 RF 필터(185b)를 구비할 수 있다. 제 2 히터 전원부(182b)는 일단은 제 2 히터(137b)에 AC 전력을 인가하도록 제 2 히터(137b)에 연결되고 타단은 접지될 수 있다. 제 2 RF 히터 필터(185b)는 저항(R), 인덕터(L) 및 커패시터(C) 군에서 선택된 둘 또는 그 이상의 직렬 또는 병렬 조합으로 구성될 수 있으며, 예를 들어, 제 2 히터(137b)와 제 2 히터 전원부(182b) 사이에 직렬로 연결된 인덕터(Lb)와 상기 인덕터(Lb)와 병렬로 연결된 커패시터(Cb)를 포함할 수 있다. The second heater control circuit unit 180b is connected between the second heater 137b and the second heater power unit 182b, and a second for filtering RF components flowing into the second heater power unit 182b. An RF filter 185b may be provided. The second heater power supply unit 182b may be connected to the second heater 137b at one end and ground at the other end to apply AC power to the second heater 137b. The second RF heater filter 185b may be composed of two or more series or parallel combinations selected from the group of resistors (R), inductors (L), and capacitors (C), for example, the second heater (137b) It may include an inductor (L b ) connected in series between the and the second heater power supply (182b) and a capacitor (C b ) connected in parallel with the inductor (L b ).

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 플라즈마 전원 공급부(140); 임피던스 매칭부(146); 전류 조절 회로부(160);를 더 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a plasma power supply unit 140; Impedance matching unit 146; It may further include a current control circuit 160;

플라즈마 전원 공급부(140)는 공정 챔버(110) 내부로 플라즈마 분위기를 형성하기 위해서 공정 챔버(110)에 적어도 하나의 RF(radio frequency) 전력을 인가하도록 적어도 하나의 RF 전원을 포함할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 전원 공급부(140)는 가스 분사부(120)에 RF 전력을 인가하도록 연결될 수 있다. 이 경우, 가스 분사부(120)는 전원 공급 전극 또는 상부 전극으로 불릴 수도 있다.The plasma power supply 140 may include at least one RF power source to apply at least one radio frequency (RF) power to the process chamber 110 to form a plasma atmosphere inside the process chamber 110. For example, the plasma power supply unit 140 may be connected to apply RF power to the gas injection unit 120. In this case, the gas injection unit 120 may be referred to as a power supply electrode or an upper electrode.

한편, 공정 챔버 내부로 플라즈마 분위기를 형성하기 위하여 플라즈마 전원 공급부(140)가 적어도 하나의 RF 전력을 가스 분사부(120)에 인가하는 구성에서는 가스 분사부(120)가 제 1 플라즈마 전극으로 이해될 수 있으며, 이 경우, 정전 전극인 제 2 플라즈마 전극(135)은 상기 제 1 플라즈마 전극와 대향 설치되는 전극으로 이해될 수 있다. Meanwhile, in a configuration in which the plasma power supply unit 140 applies at least one RF power to the gas injection unit 120 to form a plasma atmosphere inside the process chamber, the gas injection unit 120 may be understood as the first plasma electrode. In this case, the second plasma electrode 135, which is an electrostatic electrode, may be understood as an electrode installed opposite to the first plasma electrode.

플라즈마 전원 공급부(140) 내 RF 전원은 하나 또는 복수개일 수 있다. 예를 들어, RF 전원은 공정 조건에 따른 플라즈마 환경 제어를 위하여 제 2 주파수 대역의 제 2 RF 전원(144)을 포함할 수 있다. 제 2 RF 전원(144)은 제 2 주파수 대역이 적어도 27.12 MHz를 포함하는 고주파(high frequency, HF) 전원일 수 있다. 고주파(HF) 전원은 5 MHz 내지 60 MHz 범위, 선택적으로 13.56 MHz 내지 27.12 MHz의 주파수 범위의 RF 전원일 수 있다.The RF power in the plasma power supply 140 may be one or plural. For example, the RF power supply may include a second RF power supply 144 in a second frequency band for controlling the plasma environment according to process conditions. The second RF power source 144 may be a high frequency (HF) power source in which the second frequency band includes at least 27.12 MHz. The high frequency (HF) power source may be an RF power source in a frequency range of 5 MHz to 60 MHz, and optionally 13.56 MHz to 27.12 MHz.

플라즈마 전원 공급부(140)에서 공급된 RF 전력은 플라즈마 전원 공급부(140)와 공정 챔버(110) 사이에서 임피던스 매칭부(146)를 통해서 적절하게 임피던스 매칭이 되어야 공정 챔버(110)에서 반사되서 되돌아오지 않고 공정 챔버(110)로 효과적으로 전달될 수 있다. 통상적으로는 플라즈마 전원 공급부(140)의 임피던스가 고정되어 있고, 공정 챔버(110)의 임피던스가 일정하지 않기 때문에 공정 챔버(110)의 임피던스와 플라즈마 전원 공급부(140)의 임피던스를 맞추도록 임피던스 매칭부(146)의 임피던스가 정해질 수 있지만, 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것은 아니다. RF power supplied from the plasma power supply unit 140 must be properly impedance matched through the impedance matching unit 146 between the plasma power supply unit 140 and the process chamber 110 to be reflected back from the process chamber 110 and not returned. It can be effectively transferred to the process chamber 110 without. Typically, since the impedance of the plasma power supply 140 is fixed and the impedance of the process chamber 110 is not constant, the impedance matching unit matches the impedance of the process chamber 110 and the impedance of the plasma power supply 140. The impedance of 146 may be determined, but the scope of the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 임피던스 매칭부(146)는 저항(R), 인덕터(L) 및 커패시터(C) 군에서 선택된 둘 또는 그 이상의 직렬 또는 병렬 조합으로 구성될 수 있다. 나아가, 임피던스 매칭부(146)는 RF 전력의 주파수와 공정 조건에 따라서 그 임피던스 값이 가변될 수 있도록 가변 커패시터 또는 커패시터 어레이 스위칭 구조를 채택할 수 있다.For example, the impedance matching unit 146 may be composed of two or more series or parallel combinations selected from the group of resistors (R), inductors (L), and capacitors (C). Furthermore, the impedance matching unit 146 may adopt a variable capacitor or a capacitor array switching structure so that the impedance value can be changed according to the frequency and process conditions of RF power.

전류 조절 회로부(160)는 가스 분사부(120) 및 척 구조체(130) 사이의 플라즈마 분위기를 제어하기 위해, 접지부와 제 2 플라즈마 전극(135) 사이에 연결되되, 제 2 플라즈마 전극(135)으로부터 접지부에 이르는 경로 상의 임피던스를 조절하도록 제 2 플라즈마 전극(135)으로 흐르는 RF 전류를 제어하도록 구성될 수 있다. The current control circuit 160 is connected between the ground part and the second plasma electrode 135 to control the plasma atmosphere between the gas injection part 120 and the chuck structure 130, and the second plasma electrode 135 It can be configured to control the RF current flowing to the second plasma electrode 135 to adjust the impedance on the path from to the ground.

전류 조절 회로부(160)는, 상기 적어도 하나의 RF 전원에 의해서 생성되어 척 구조체(130)를 통해서 흐르는 적어도 하나의 RF 전류를 통과시키기 위한 적어도 하나의 RF 필터를 포함할 수 있다. The current regulation circuit unit 160 may include at least one RF filter for passing at least one RF current generated by the at least one RF power source and flowing through the chuck structure 130.

이러한 전류 조절 회로부(160)는 임피던스 매칭부(146)에 의하여 플라즈마 전원 공급부(140)와 공정 챔버(110) 사이에 임피던스 매칭이 된 상태를 전제로 공정 챔버(110)의 측벽 상으로의 RF 전류와, 척 구조체(130) 또는 기판(S) 상으로 RF 전류의 비를 제어하여 기판(S) 상의 플라즈마 특성을 제어하기 위한 것으로서, 플라즈마 전원 공급부(140)와 공정 챔버(110) 사이의 임피던스 매칭을 위한 임피던스 매칭부(146)와는 구분될 수 있다. The current control circuit 160 is the RF current on the side wall of the process chamber 110 on the premise that the impedance matching between the plasma power supply 140 and the process chamber 110 by the impedance matching unit 146 And, for controlling the plasma characteristics on the substrate S by controlling the ratio of the RF current on the chuck structure 130 or the substrate S, impedance matching between the plasma power supply 140 and the process chamber 110 It can be distinguished from the impedance matching unit 146 for.

아울러, 비교예로, 가스 분사부(120)가 아닌 척 구조체(130)에 RF 전력을 인가하는 경우에는 척 구조체(130)과 하부 RF전원(미도시) 사이의 임피던스 매칭을 위하여 둘 사이에 하부 임피던스 매칭부가 부가되기 때문에, 이러한 하부 임피던스 매칭부와 전류 조절 회로부(160)도 구분될 수 있다.In addition, as a comparative example, when applying RF power to the chuck structure 130, not the gas injection unit 120, the lower portion between the two for impedance matching between the chuck structure 130 and the lower RF power source (not shown). Since the impedance matching unit is added, the lower impedance matching unit and the current adjustment circuit unit 160 may also be distinguished.

전류 조절 회로부(160)는, 상기 적어도 하나의 RF 전원에 의해서 생성되어 척 구조체(130)를 통해서 흐르는 적어도 하나의 RF 전류를 통과시키기 위한 적어도 하나의 RF 필터를 포함할 수 있다. 상기 RF 필터는 저항(R), 인덕터(L) 및 커패시터(C) 군에서 선택된 둘 또는 그 이상의 직렬 또는 병렬 조합으로 구성될 수 있다. The current regulation circuit unit 160 may include at least one RF filter for passing at least one RF current generated by the at least one RF power source and flowing through the chuck structure 130. The RF filter may be composed of two or more series or parallel combinations selected from the group of resistors (R), inductors (L), and capacitors (C).

본 발명에서, 상기 정전기력을 이용한 기판(S)의 척킹(chucking)은 상기 정전력 전원 공급부(150)로부터 상기 정전 전극인 제 2 플라즈마 전극(135)에 단일 극성의 DC 전력이 공급되고, 접지된 상기 공정 챔버(110)의 월(wall)에서 상기 기판(S)으로 전자가 유입됨으로써, 구현되는 모노-폴라(mono-polar) 타입의 척킹이다. 이와는 달리, 바이폴라(bipolar) 타입으로 구현되는 척킹은 기판(S)에 외부 전하가 유입되지 않고 기판(S) 내부 전하의 분극(polarization)에 의해 구현될 수 있다. 본 발명에서는 지금까지 알려지지 않은 모노-폴라(mono-polar) 타입의 척킹 및 디척킹 상태를 감지하기 위한 전기적인 센싱 방법이 가능한 기판 처리 장치를 제공한다. In the present invention, the chucking of the substrate S using the electrostatic force is supplied with DC power of a single polarity to the second plasma electrode 135, which is the electrostatic electrode, from the constant power power supply unit 150 and grounded. It is a mono-polar type chucking implemented by introducing electrons from the wall of the process chamber 110 to the substrate S. Unlike this, chucking implemented in a bipolar type may be implemented by polarization of electric charges inside the substrate S without introducing external charges into the substrate S. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of an electric sensing method for detecting a chucking and dechucking state of a mono-polar type, which is not known so far.

이를 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 기판(S)의 척킹 및 디척킹 상태를 감지하기 위하여, 상기 제 1 히터(137a)와 상기 제 1 히터 제어 회로부(180a) 사이에 설치되어 상기 제 1 히터 제어 회로부(180a)로 인가되는 제 1 RF 전압(V1)을 측정하는 제 1 측정부(167a)와 상기 제 2 히터(137b)와 상기 제 2 히터 제어 회로부(180b) 사이에 설치되어 상기 제 2 히터 제어 회로부(180b)로 인가되는 제 2 RF 전압(V2)을 측정하는 제 2 측정부(167b); 및 상기 기판(S)의 처리 상태에 따라, 상기 제 1 측정부(167a) 및 상기 제 2 측정부(167b)로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)를 이용하여 상기 척 구조체(130)에 안착된 상기 기판(S)의 안착 상태를 모니터링 하는 제어부(169);를 도입한다. 여기에서, 상기 기판(S)의 처리 상태라 함은, 상기 제 1 플라즈마 전극(120)으로 RF 전원의 공급 여부 및 상기 제 2 플라즈마 전극(135)으로 DC 전원의 공급 여부에 따른, 기판(S)의 증착 공정 내지 반출 공정 사이의 임의의 처리 상태를 의미한다.To this end, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, in order to detect the chucking and dechucking state of the substrate S, the first heater 137a and the first heater control circuit unit 180a ) Is installed between the first measurement unit 167a measuring the first RF voltage (V1) applied to the first heater control circuit unit 180a, the second heater 137b and the second heater control circuit unit ( A second measuring unit 167b installed between 180b) and measuring a second RF voltage V2 applied to the second heater control circuit unit 180b; And the difference (ΔV = V1-V2) between measured RF voltage values input from the first measurement unit 167a and the second measurement unit 167b according to the processing state of the substrate S. Introducing a control unit 169 for monitoring the seating state of the substrate S seated on the chuck structure 130. Here, the processing state of the substrate S depends on whether RF power is supplied to the first plasma electrode 120 and DC power is supplied to the second plasma electrode 135. ) Means any treatment state between the deposition process and the export process.

도 2는 기판(S)이 척킹(chucking)된 상태에서의 히터(137)와 기판(S) 사이의 위치 관계를 개요적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 기판(S)이 디척킹(de-chucking)된 상태에서의 히터(137)와 기판(S) 사이의 위치 관계를 개요적으로 나타낸 도면이며, 도 4는 척킹(chucking)된 상태와 디척킹(de-chucking)된 상태에서 전압차(△V = V1 - V2)를 나타낸 그래프이다. FIG. 2 is a view schematically showing the positional relationship between the heater 137 and the substrate S in a state where the substrate S is chucked, and FIG. 3 shows that the substrate S is dechucked. FIG. 4 is a view schematically showing the positional relationship between the heater 137 and the substrate S in a chucked state, and FIG. 4 shows a voltage difference in a chucked state and a de-chucked state ( ΔV = V1-V2).

도 2를 참조하면, 기판(S)이 척킹(chucking)된 상태에서는 제 1 히터(137a)와 기판(S) 사이의 이격거리와 제 2 히터(137b)와 기판(S) 사이의 이격거리가 동일하다. 제 1 히터(137a)가 배치되는 제 1 영역은 척 구조체(130)의 이너(inner) 영역이며, 제 2 히터(137b)가 배치되는 상기 제 2 영역은 척 구조체(130)의 아우터(outer) 영역일 수 있다. 이 경우, 제 1 히터(137a)와 제 1 히터 제어 회로부(180a) 를 연결하는 라인과 제 2 히터(137b)와 제 2 히터 제어 회로부(180b)를 연결하는 라인 사이의 전압차(△V = V1 - V2)가 이상적으로는 0의 값을 가진다. 즉, 기판(S)의 척킹(chucking) 상태는 상기 전압차(△V = V1 - V2)가 0에 가까울수록 상대적으로 양호함을 알 수 있다. Referring to FIG. 2, when the substrate S is chucked, the separation distance between the first heater 137a and the substrate S and the separation distance between the second heater 137b and the substrate S are same. The first region in which the first heater 137a is disposed is an inner region of the chuck structure 130, and the second region in which the second heater 137b is disposed is the outer portion of the chuck structure 130. It can be a domain. In this case, the voltage difference (ΔV =) between the line connecting the first heater 137a and the first heater control circuit unit 180a and the line connecting the second heater 137b and the second heater control circuit unit 180b V1-V2) ideally have a value of 0. That is, it can be seen that the chucking state of the substrate S is relatively good as the voltage difference (ΔV = V1-V2) approaches 0.

도 3을 참조하면, 기판(S)이 디척킹(de-chucking)된 상태에서는 기판(S) 상의 적층된 박막 등에 의하여 제 1 히터(137a)와 기판(S) 사이의 이격거리와 제 2 히터(137b)와 기판(S) 사이의 이격거리가 상이할 수 있다. 예를 들어, 제 2 히터(137b)와 기판(S) 사이의 이격거리가 제 1 히터(137a)와 기판(S) 사이의 이격거리 보다 더 클 수 있다. 제 1 히터(137a)가 배치되는 제 1 영역은 척 구조체(130)의 이너(inner) 영역이며, 제 2 히터(137b)가 배치되는 상기 제 2 영역은 척 구조체(130)의 아우터(outer) 영역일 수 있다. 이 경우, 제 1 히터(137a)와 제 1 히터 제어 회로부(180a)를 연결하는 라인과 제 2 히터(137b)와 제 2 히터 제어 회로부(180b)를 연결하는 라인 사이의 전압차(△V = V1 - V2)는 0 보다 큰 양의 실수값을 가질 수 있다. Referring to FIG. 3, in a state where the substrate S is de-chucked, the separation distance between the first heater 137a and the substrate S and the second heater by a thin film or the like laminated on the substrate S The separation distance between the (137b) and the substrate (S) may be different. For example, the separation distance between the second heater 137b and the substrate S may be greater than the separation distance between the first heater 137a and the substrate S. The first region in which the first heater 137a is disposed is an inner region of the chuck structure 130, and the second region in which the second heater 137b is disposed is the outer portion of the chuck structure 130. It can be a domain. In this case, the voltage difference (ΔV =) between the line connecting the first heater 137a and the first heater control circuit unit 180a and the line connecting the second heater 137b and the second heater control circuit unit 180b V1-V2) may have a positive real value greater than zero.

즉, 본 발명에서는 2개의 존(zone)으로 구분될 수 있는 히터에서 이너 라인과 아우터 라인에 커플링(coupling)되어 흐르는 RF 전압을 측정함으로써, 모노-폴라(mono-polar) 타입의 척킹 상태를 감지하기 위한 전기적인 센싱 방법을 제공한다. That is, in the present invention, the chucking state of a mono-polar type is measured by measuring an RF voltage flowing through a coupling between an inner line and an outer line in a heater that can be divided into two zones. Provides an electrical sensing method for sensing.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제어부(169)는, 상기 제 1 플라즈마 전극(120)으로 RF 전원이 공급되며, 상기 제 2 플라즈마 전극(135)으로 DC 전원이 공급된 상태에서, 상기 제 1 측정부(167a) 및 제 2 측정부(167b)로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)가 설정 범위를 벗어나는 경우 알람을 발생시킬 수 있다. In the substrate processing apparatus, the control unit 169, in the state where RF power is supplied to the first plasma electrode 120 and DC power is supplied to the second plasma electrode 135, the first measurement unit When the difference (ΔV = V1-V2) between the measured RF voltage values input from the 167a and the second measurement unit 167b is out of a set range, an alarm may be generated.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 제어부(169)는, 상기 제 1 플라즈마 전극(120)으로 RF 전원이 공급되며, 상기 제 2 플라즈마 전극(135)으로 DC 전원의 공급이 중단된 상태에서, 상기 제 1 측정부(167a) 및 제 2 측정부(167b)로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)가 설정 범위를 벗어나는 경우 알람을 발생시킬 수 있다.In the substrate processing apparatus, the control unit 169 is supplied with RF power to the first plasma electrode 120 and the supply of DC power to the second plasma electrode 135 is stopped, the first When the difference (ΔV = V1-V2) between the measured RF voltage values input from the measurement unit 167a and the second measurement unit 167b is out of a set range, an alarm may be generated.

본 발명의 일 관점에 따른 상술한 상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법은 상기 기판(S)의 처리 상태에 따라, 상기 제 1 측정부(167a) 및 상기 제 2 측정부(167b)로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)를 이용하여 상기 척 구조체(130)에 안착된 상기 기판(S)의 안착 상태를 모니터링 하는 단계를 포함한다.The control method using the above-described substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention is a measurement input from the first measurement unit 167a and the second measurement unit 167b according to the processing state of the substrate S And monitoring a seating state of the substrate S seated on the chuck structure 130 using a difference (ΔV = V1-V2) of the RF voltage values.

표 1은 기판(S)의 처리 상태에 따라 제 1 플라즈마 전극(120)으로 RF 전원의 공급 여부 및 제 2 플라즈마 전극(135)으로 DC 전원의 공급 여부를 나타낸 것이다. Table 1 shows whether RF power is supplied to the first plasma electrode 120 and whether DC power is supplied to the second plasma electrode 135 according to the processing state of the substrate S.

제1단계 Stage 1 제2단계Stage 2 제3단계Stage 3 기판Board 척킹
(Chucking)Chucking
(Chucking) 디척킹
(De-Chucking)Dechucking
(De-Chucking) 리프트 핀 업
(Lift Pin Up)Lift pin up
(Lift Pin Up) RF 전원RF power OnOn OnOn OffOff DC 전원DC power OnOn OffOff OffOff

도 1 내지 도 4와 함께 표 1을 참조하면, 상기 제 1 단계에서는 공정 중 척킹(Chucking) 이상을 감지하고자 한다. 상기 제 1 단계에서 RF 전원이 인가되고 플라즈마가 활성화되어 있을 때, DC 전원이 인가된 상태에서는 척킹이 정상적으로 작동해야 한다. 이 경우, 상기 제 1 측정부(167a) 및 상기 제 2 측정부(167b)로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)는 이상적으로는 제로의 값을 가진다. 그러나, 공정 중에 척킹 이상이 발생하게 된다면 상기 측정 RF 전압값들의 차이(△V)의 절대값은 0 보다 큰 값을 가진다. 한편, 상기 제 2 단계에서는 공정 후 척킹(Chucking)으로 인한 축적된 전하의 방전 유무를 감지하여 기판의 파손을 방지하고자 한다. 이러한 목적을 위해서는 공정 후 구간에서의 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)의 절대값을 모니터링하여 디척킹 여부를 판별한다. 정상적인 디척킹 상태에서는 상기 측정 RF 전압값들의 차이(△V)의 절대값은 0 보다 큰 값을 가진다. 공정 후 구간에서 플라즈마가 방전되어 있는 상태에서 DC 전원을 오프(OFF)하여 기판을 디척킹한다. 이 때 유전체의 분극 현상에 의해 척킹력(chucking force)는 바로 사라지지만 기판과 척 구조체 표면 사이의 에어갭(air gap) 사이에 축적된 전하에 의한 척킹력은 바로 사라지지 않고 남아있을 수 있다. 해당 전하들의 방전이 이루어져야 기판의 척킹 상태가 해제되고 기판 반출 구간 이전에서 리프트핀으로 기판을 들어올릴 수 있다. Referring to Table 1 together with FIGS. 1 to 4, the first step is to detect an abnormality in chucking during the process. When the RF power is applied and the plasma is activated in the first step, the chucking should operate normally in a DC power applied state. In this case, the difference (ΔV = V1-V2) between the measured RF voltage values input from the first measurement unit 167a and the second measurement unit 167b is ideally zero. However, if a chucking abnormality occurs during the process, the absolute value of the difference (ΔV) between the measured RF voltage values has a value greater than zero. Meanwhile, in the second step, the presence or absence of discharge of accumulated charges due to chucking after the process is detected to prevent damage to the substrate. For this purpose, the absolute value of the difference (ΔV = V1-V2) of the measured RF voltage values in the post-processing section is monitored to determine whether or not dechucking. In a normal dechucking state, the absolute value of the difference (ΔV) between the measured RF voltage values has a value greater than zero. In the post-processing section, the DC power is turned off while the plasma is discharged to dechuck the substrate. At this time, due to the polarization of the dielectric, the chucking force disappears immediately, but the chucking force due to the electric charge accumulated between the air gap between the substrate and the surface of the chuck structure may not immediately disappear. When the charges are discharged, the chucking state of the substrate is released and the substrate can be lifted with a lift pin before the substrate is removed.

본 발명에서는 기판의 척킹 및 디척킹 상태(예를 들어, 공정 중 척킹 이상 감지, 정상적인 디척킹 여부)를 모니터링하고자 한다. 특히, 디척킹의 판별은 챔버에서 기판이 반출될 때가 아니라 공정 후 구간(디척킹)이 종료되고 기판 반출 이전 구간에서 리프트핀이 기판을 들어올릴 때 문제가 생기는 것을 방지하기 위하여 공정 이후 구간에서 디척킹 상태를 모니터링한다. In the present invention, it is intended to monitor the chucking and dechucking state of the substrate (for example, detection of a chucking abnormality in the process, whether normal dechucking). In particular, the determination of dechucking is not performed when the substrate is unloaded from the chamber, but after the process, the post-processing section (dechucking) ends and the lift pin is lifted from the post-processing section to prevent problems when lifting the substrate. Monitor the chucking status.

이러한 기술적 사상을 이용한 상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법은, 구체적으로, 상기 제 1 플라즈마 전극(120)으로 RF 전원을 공급하며, 상기 제 2 플라즈마 전극(135)으로 DC 전원을 공급한 상태에서, 상기 제어부(169)는 상기 제 1 측정부(167a) 및 상기 제 2 측정부(167b)로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)가 설정 범위를 벗어나는 경우 상기 기판(S)의 척킹(chucking) 이상을 알리는 알람을 발생시키는 제 1 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 1 단계는 상기 공정 챔버(110) 내부에 플라즈마 분위기가 형성된 상태에서 상기 기판(S) 상에 박막을 증착하는 동안 수행될 수 있다. 상기 제 1 단계는 상기 제 1 측정부(167a) 및 상기 제 2 측정부(167b)로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)에 대한 절대값이 양의 제 1 설정값 보다 큰 경우 수행될 수 있다.The control method using the substrate processing apparatus using the technical idea, specifically, while supplying RF power to the first plasma electrode 120 and supplying DC power to the second plasma electrode 135, When the difference (ΔV = V1-V2) between the measured RF voltage values inputted from the first measurement unit 167a and the second measurement unit 167b is out of the set range, the control unit 169 may include the substrate S It may include a first step of generating an alarm indicating the chucking (chucking) anomaly. The first step may be performed while depositing a thin film on the substrate S in a state where a plasma atmosphere is formed inside the process chamber 110. In the first step, an absolute value for a difference (ΔV = V1-V2) between measured RF voltage values input from the first measurement unit 167a and the second measurement unit 167b is a positive first setting value. If it is larger, it can be done.

상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법은, 상기 제 1 플라즈마 전극(120)으로 RF 전원을 공급하며, 상기 제 2 플라즈마 전극(135)으로 DC 전원의 공급이 중단된 상태에서, 상기 제어부(169)는 상기 제 1 측정부(167a) 및 상기 제 2 측정부(167b)로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)가 설정 범위를 벗어나는 경우 상기 기판(S)의 디척킹(de-chucking) 이상을 알리는 알람을 발생시키는 제 2 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 2 단계는 상기 기판(S) 상에 박막을 증착하는 단계 후 및 상기 기판(S)을 상기 공정 챔버(110)의 외부로 반출하기 위하여 상기 안착플레이트(132) 상으로 리프트핀(미도시)이 상승하는 단계 전에 수행될 수 있다. 상기 제 2 단계는 상기 제 1 측정부(167a) 및 상기 제 2 측정부(167b)로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이(△V = V1 - V2)에 대한 절대값이 양의 제 2 설정값 보다 작은 경우 수행될 수 있다. In the control method using the substrate processing apparatus, the RF power is supplied to the first plasma electrode 120, and the supply of DC power to the second plasma electrode 135 is stopped, the control unit 169 When the difference (ΔV = V1-V2) between the measured RF voltage values input from the first measurement unit 167a and the second measurement unit 167b is out of a set range, dechucking of the substrate S (de -chucking) may include a second step of generating an alarm indicating an abnormality. The second step is a lift pin (not shown) after the step of depositing a thin film on the substrate S and on the seating plate 132 to take the substrate S out of the process chamber 110. ) Can be performed before the rising step. In the second step, an absolute value for a difference (ΔV = V1-V2) between measured RF voltage values input from the first measurement unit 167a and the second measurement unit 167b is a positive second setting value. If it is smaller, it can be done.

상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법에서, 상기 기판(S)을 상기 공정 챔버(110)의 외부로 반출하기 위하여 상기 안착플레이트(132) 상으로 리프트핀이 상승하는 제 3 단계는, 상기 기판(S)의 디척킹(de-chucking) 상태를 확인한 후에, 상기 제 1 플라즈마 전극(120)으로 RF 전원의 공급과 상기 제 2 플라즈마 전극(135)으로 DC 전원의 공급이 중단된 상태에서 수행될 수 있다.In the control method using the substrate processing apparatus, a third step in which the lift pin rises onto the seating plate 132 in order to take the substrate S out of the process chamber 110 includes the substrate S After checking the de-chucking state of ), the supply of RF power to the first plasma electrode 120 and the supply of DC power to the second plasma electrode 135 may be performed in a stopped state. .

상술한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 제어 방법에 의하면, 예를 들어, 척 구조체(130) 상에 안착된 기판(S)에 증착 공정을 진행하는 과정에서 기판(S)의 척킹 상태를 효과적으로 감지할 수 있으며, 이에 의하여, 공정 중에 기판의 척킹 이상이 발생하여 불량한 특성의 박막을 증착하는 이상 공정을 원천적으로 방지할 수 있다. 한편, 기판(S) 상에 증착이 완료된 후 기판(S)을 챔버(110) 외부로 반출하고자 하는 경우 기판(S)의 디척킹 상태를 효과적으로 감지할 수 있으며, 이에 의하여, 기판 상에 남아있는 축적된 전하로 인해 디척킹이 완료되지 않은 기판(S)을 리프트핀으로 무리하게 들어올려 기판(S)이 파손되는 현상을 원천적으로 방지할 수 있다. According to the above-described substrate processing apparatus and a control method using the same, for example, it is possible to effectively detect the chucking state of the substrate S in the process of depositing the substrate S mounted on the chuck structure 130. Thereby, an abnormal process of depositing a thin film having poor characteristics due to an abnormal chucking of the substrate during the process can be fundamentally prevented. On the other hand, when deposition on the substrate S is completed and the substrate S is to be taken out of the chamber 110, the dechucking state of the substrate S can be effectively sensed, whereby the substrate S remains on the substrate. It is possible to prevent the substrate S from being damaged by forcibly lifting the substrate S which has not been dechucked due to the accumulated charges with a lift pin.

한편, 본 발명의 다른 실시예에서는 제어부(169)가 기판(S)의 척킹 및 디척킹의 이상 여부를 감지할 뿐만 아니라, 이상을 감지한 후에 기판(S)의 정상적인 척킹 또는 디척킹을 새롭게 구현하기 위하여 척 구조체(130) 상에 실장된 기판(S)에 인가되는 정전 전압의 크기를 변경할 수 있는 요소들을 제어할 수도 있다. On the other hand, in another embodiment of the present invention, the control unit 169 not only detects whether the substrate S is chucked or dechucked, but also detects the abnormality and newly implements normal chucking or dechucking of the substrate S. In order to control the elements that can change the magnitude of the electrostatic voltage applied to the substrate S mounted on the chuck structure 130.

첫번째 예로서, 제어부(169)는 기판(S)의 척킹 상태를 감지한 후에 상기 기판(S)의 정상적인 척킹 또는 디척킹을 새롭게 구현하기 위하여 정전력 전원 공급부(150)의 DC 전원(152)에서 공급되는 DC 전력의 크기를 가변적으로 제어할 수 있다. 이 경우, 상기 DC 전원(152)은 가변 전원부일 수 있다. As a first example, the control unit 169 detects the chucking state of the substrate S, and then, from the DC power source 152 of the constant power power supply 150 to newly implement normal chucking or dechucking of the substrate S. The size of the DC power supplied can be variably controlled. In this case, the DC power supply 152 may be a variable power supply unit.

두번째 예로서, 제어부(169)는 기판(S)의 척킹 및 디척킹의 이상을 감지한 후에 상기 기판(S)의 정상적인 척킹 또는 디척킹을 새롭게 구현하기 위하여 정전 전극(135)과 정전력 전원 공급부(150) 사이에 연결되는 저항부(R)의 저항값을 가변적으로 제어할 수 있다. 이 경우, 상기 저항부(R)는, 기판(S)과 척 구조체(130) 사이의 척킹력을 조절하도록, 가변 저항부일 수 있다. 상기 가변 저항부(R)는 정전 전극(135)과 정전력 전원 공급부(150) 사이에 직렬로 연결될 수 있다. 가변 저항부(R)는 정전 전극(135)과 DC 필터(155) 사이에 연결될 수 있다. As a second example, the control unit 169 detects an abnormality in chucking and dechucking of the substrate S, and then, in order to newly implement normal chucking or dechucking of the substrate S, the electrostatic electrode 135 and a constant power power supply unit The resistance value of the resistor part R connected between the 150 may be variably controlled. In this case, the resistance part R may be a variable resistance part to adjust the chucking force between the substrate S and the chuck structure 130. The variable resistor part R may be connected in series between the electrostatic electrode 135 and the constant power power supply part 150. The variable resistor unit R may be connected between the electrostatic electrode 135 and the DC filter 155.

정전력 전원 공급부(150)에 의하여 DC 전압(Vset)이 인가될 때 척 구조체(130) 의 저항값(R1)과 정전 전극(135)과 정전력 전원 공급부(150) 사이의 저항값(R2)에 따라 DC 전압(Vset)은 척 구조체(130)에 걸리는 제 1 분배전압(Va)과 정전 전극(135)과 정전력 전원 공급부(150) 사이에 걸리는 제 2 분배전압(Vb)으로 분배된다. 구체적으로는, 척 구조체(130)와 가변 저항부(VR)는 DC　전원(152)에 직렬로 연결되므로, Vset = Va + Vb 의 관계가 성립한다. 따라서, 정전력 전원 공급부(150)와 척 구조체(130) 사이를 흐르는 DC 전류를 Itotal이라 할 때, 척 구조체(130)와 기판(S) 사이의 접촉면에 인가되는 제 1 분배전압(Va)은 Va = (Vset × R1 /(R1 + R2))으로 나타난다. 즉, 가변 저항부(VR)의 저항값(R2)이 낮을수록 기판(S)의 접촉면에 인가되는 제 1 분배전압(Va)은 증가하게 된다. 정전 전극(135)과 정전력 전원 공급부(150) 사이의 저항값(R2)을 조절하여, 즉, 가변 저항부(VR)의 저항값을 조절하여, 제 1 분배전압(Va)을 제어함으로써 기판(S)과 척 구조체(130) 사이의 척킹력을 조절할 수 있다. When the DC voltage (V set ) is applied by the constant power power supply 150, the resistance value R1 of the chuck structure 130 and the resistance value R2 between the electrostatic electrode 135 and the constant power power supply 150 ), the DC voltage V set is the first distribution voltage V a applied to the chuck structure 130 and the second distribution voltage V b applied between the electrostatic electrode 135 and the constant power power supply 150. Is distributed as Specifically, since the chuck structure 130 and the variable resistor unit VR are connected in series to the DC power supply 152, a relationship of V set = V a + V b is established. Therefore, when the DC current flowing between the constant power power supply unit 150 and the chuck structure 130 is I total , the first distribution voltage V a applied to the contact surface between the chuck structure 130 and the substrate S is ) Is represented by V a = (V set × R1 /(R1 + R2)). That is, as the resistance value R2 of the variable resistor unit VR is lower, the first distribution voltage V a applied to the contact surface of the substrate S increases. By controlling the resistance value R2 between the electrostatic electrode 135 and the constant power power supply unit 150, that is, by adjusting the resistance value of the variable resistor unit VR, by controlling the first distribution voltage V a The chucking force between the substrate S and the chuck structure 130 may be adjusted.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5는 도 1과 달리, 플라즈마 전원 공급부(140) 내 RF 전원이 복수개인 경우를 도입하였으며, 이에 대응하는 조절 회로부(160)의 구성을 개시하였다. 제 1 히터 제어 회로부(180a), 제 2 히터 제어 회로부(180b) 및 제어부(169) 등에 대한 설명과 상술한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 제어 방법에 대한 설명은 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 것으로 대체한다. 5 is a view schematically showing a substrate processing apparatus 100 according to another embodiment of the present invention. Unlike FIG. 1, FIG. 5 introduces a case where there are a plurality of RF power sources in the plasma power supply unit 140 and discloses the configuration of the control circuit unit 160 corresponding thereto. Descriptions of the first heater control circuit unit 180a, the second heater control circuit unit 180b, and the controller 169, and the description of the above-described substrate processing apparatus and control method using the same are described with reference to FIGS. 1 to 4 Replace.

플라즈마 전원 공급부(140) 내 RF 전원은 공정 조건에 따른 플라즈마 환경 제어를 위하여 제 1 주파수 대역의 제 1 RF 전원(142) 및 제 1 주파수 대역보다 높은 제 2 주파수 대역의 제 2 RF 전원(144)을 포함할 수 있다. 제 1 RF 전원(142) 및 제 2 RF 전원(144)으로 구성되는 듀얼 주파수 전원은 공정 조건에 따라서 또는 공정 스텝에 따라서 주파수 대역을 달리할 수 있어서 공정을 정밀하게 제어할 수 있는 장점이 있다. 물론, 도 5는 플라즈마 전원 공급부(140)의 전원이 두 개의 RF 전원들(142, 144)인 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것으로서 본 발명의 범위가 이에 제한되지는 않는다.The RF power in the plasma power supply 140 is a first RF power 142 in a first frequency band and a second RF power 144 in a second frequency band higher than the first frequency band for controlling the plasma environment according to process conditions It may include. The dual frequency power source composed of the first RF power source 142 and the second RF power source 144 has a merit of precisely controlling the process because the frequency band can be varied according to process conditions or according to process steps. Of course, FIG. 5 shows that the power of the plasma power supply 140 is two RF power sources 142 and 144, but this is exemplary and the scope of the present invention is not limited thereto.

이러한 플라즈마 전원 공급부(140)의 일 예에서, 제 1 RF 전원(142)은 제 1 주파수 대역이 적어도 570 kHz를 포함하는 저주파(low frequency, LF) 전원이고, 제 2 RF 전원(144)은 제 2 주파수 대역이 적어도 27.12 MHz를 포함하는 고주파(high frequency, HF) 전원일 수 있다. 고주파(HF) 전원은 5 MHz 내지 60 MHz 범위, 선택적으로 13.56 MHz 내지 27.12 MHz의 주파수 범위의 RF 전원일 수 있다. 저주파(LF) 전원은 100 kHz 내지 5 MHz, 선택적으로 300 kHz 내지 600 kHz 의 주파수 범위의 RF 전원일 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 주파수 대역은 13.56 MHz 내지 27.12 MHz 의 주파수 범위를 가지며, 제 1 주파수 대역은 300 kHz 내지 600 kHz 의 주파수 범위를 가질 수 있다.In one example of such a plasma power supply 140, the first RF power source 142 is a low frequency (LF) power source in which the first frequency band includes at least 570 kHz, and the second RF power source 144 is the first RF power source 142. The 2 frequency band may be a high frequency (HF) power source including at least 27.12 MHz. The high frequency (HF) power source may be an RF power source in a frequency range of 5 MHz to 60 MHz, and optionally 13.56 MHz to 27.12 MHz. The low frequency (LF) power source may be an RF power source in a frequency range of 100 kHz to 5 MHz, and optionally 300 kHz to 600 kHz. In one embodiment, the second frequency band has a frequency range of 13.56 MHz to 27.12 MHz, and the first frequency band can have a frequency range of 300 kHz to 600 kHz.

이러한 플라즈마 전원 공급부(140)에 대응하는 조절 회로부(160)를 이하에서 설명한다. The control circuit unit 160 corresponding to the plasma power supply unit 140 will be described below.

도 6은 도 1 또는 도 5의 기판 처리 장치에서 플라즈마 전원 인가 시 RF 전류의 흐름을 개략적으로 도시한 도면이다.6 is a diagram schematically showing a flow of RF current when plasma power is applied in the substrate processing apparatus of FIG. 1 or 5.

도 6을 참조하면, 플라즈마 전원 공급부(140)에서 가스 분사부(120)로 RF 전원을 공급하면 임피던스 매칭부(146)를 거쳐서 RF 전력이 공정 챔버(110)로 공급되어 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 가스 분사부(120)로 RF 전류(It)가 흐르게 된다. 이 RF 전류(It)는 공정 챔버(110) 내 플라즈마(plasma)를 거쳐서 공정 챔버(110)의 벽면으로 흐르는 RF 전류(Iw)와 공정 챔버(120) 내 플라즈마를 거쳐서 척 구조체(130)로 흐르는 RF 전류(Ic)로 분기될 수 있다.Referring to FIG. 6, when the RF power is supplied from the plasma power supply unit 140 to the gas injection unit 120, RF power is supplied to the process chamber 110 through the impedance matching unit 146 to supply the plasma power supply unit 140. RF current (It) flows from to the gas injection unit 120. This RF current (It) flows through the plasma (plasma) in the process chamber 110 to the RF current (Iw) flowing to the wall surface of the process chamber 110 and through the plasma in the process chamber 120 to the chuck structure 130 It can branch to the RF current (Ic).

기판(S)은 척 구조체(130) 상에 안착되어 있기 때문에, 기판(S) 상에 막을 증착하거나 기판(S) 상의 막을 에칭할 때 공정 처리 효율을 높이기 위해서는 기판(S) 상으로 플라즈마 특성, 예컨대 플라즈마 밀도, 균일도, 형상 등을 제어할 필요가 있다. 이를 위해서, 공정 챔버(110)의 벽면으로 흐르는 RF 전류(Iw)와 척 구조체(130)로 흐르는 RF 전류(Ic)의 비를 제어할 필요가 있다. 두 RF 전류(Iw, Ic)의 합은 RF 전류(It)로 일정하기 때문에 RF 전류(Ic)를 조절하기 위해서는 척 구조체(130)에서 접지부로 이어지는 경로 상의 임피던스를 조절할 필요가 있고, 조절 회로부(160)는 이러한 척 구조체(130)로부터 접지부에 이르는 경로 상의 임피던스를 조절하여 척 구조체(130)로 흐르는 RF 전류(Ic)를 제어할 수 있다. Since the substrate S is seated on the chuck structure 130, plasma properties on the substrate S, in order to increase process processing efficiency when depositing a film on the substrate S or etching a film on the substrate S, For example, it is necessary to control plasma density, uniformity, shape, and the like. To this end, it is necessary to control the ratio of the RF current Iw flowing to the wall surface of the process chamber 110 and the RF current Ic flowing to the chuck structure 130. Since the sum of the two RF currents Iw and Ic is constant as the RF current It, in order to adjust the RF current Ic, it is necessary to adjust the impedance on the path from the chuck structure 130 to the ground, and the adjustment circuit part ( The 160 may control the RF current Ic flowing to the chuck structure 130 by adjusting the impedance on the path from the chuck structure 130 to the ground.

예를 들어, 공정 챔버(110)의 벽면으로 흐르는 RF 전류(Iw)가 과도하게 커지면 플라즈마가 기판(S)의 주변부로 분산되어 플라즈마 균일도가 나빠져, 기판(S) 상의 증착 막의 균일도가 나빠지거나 또는 에칭 막의 균일도가 나빠질 수 있다. 하지만, 조절 회로부(160)를 통해서 척 구조체(130) 또는 기판(S) 상의 플라즈마 밀도를 높여서 RF 전류(Ic)를 높이면, 증착 막의 균일도와 에칭 막의 균일도가 높아질 수 있다. 따라서, 조절 회로부(160)를 제어하여, 척 구조체(130) 또는 기판(S) 상의 플라즈마 특성을 제어할 수 있다.For example, when the RF current (Iw) flowing to the wall surface of the process chamber 110 becomes excessively large, the plasma is dispersed to the periphery of the substrate S, resulting in poor plasma uniformity, and the uniformity of the deposited film on the substrate S becomes worse, or The uniformity of the etching film may be deteriorated. However, when the RF current Ic is increased by increasing the plasma density on the chuck structure 130 or the substrate S through the control circuit 160, the uniformity of the deposition film and the uniformity of the etching film may be increased. Therefore, by controlling the control circuit 160, it is possible to control the plasma characteristics on the chuck structure 130 or the substrate S.

도 7은 도 5의 기판처리장치에서 조절 회로부의 구성의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 8은 도 5의 조절 회로부의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 9는 도 5의 기판처리장치에서 조절 회로부의 구성의 변형된 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.7 is a view schematically showing an example of the configuration of the control circuit unit in the substrate processing apparatus of FIG. 5, FIG. 8 is a view schematically showing an example of the control circuit unit of FIG. 5, and FIG. 9 is a substrate processing of FIG. 5 It is a view schematically showing a modified example of the configuration of the control circuit in the device.

도 7을 참조하면, 전류 조절 회로부(160)는 RF 필터(162)와 DC 차단 소자(168)를 포함할 수 있다. 플라즈마 전원 공급부(140) 내 전원이 제 1 RF 전원(142)과 제 2 RF 전원(144)을 포함하는 경우, RF 필터(162)는 적어도 제 1 주파수 대역의 제 1 RF 전류(I1)를 통과시키기 위한 제 1 RF 필터(166)와 적어도 제 2 주파수 대역의 제 2 RF 전류(I2)를 통과시키기 위한 제 2 RF 필터(164)를 포함할 수 있다. RF 전류에는 제 1 주파수 대역과 제 2 주파수 대역의 RF 전류 외에 고조파(harmonics) 성분의 RF 전류가 포함될 수 있으므로, 제 1 RF 필터(166) 또는 제 2 RF 필터(164)는 제 1 주파수 대역과 제 2 주파수 대역 외에 이러한 고조파 성분의 RF 전류를 통과시킬 필요가 있다.Referring to FIG. 7, the current regulation circuit unit 160 may include an RF filter 162 and a DC blocking element 168. When the power in the plasma power supply 140 includes the first RF power source 142 and the second RF power source 144, the RF filter 162 passes at least the first RF current I1 in the first frequency band. It may include a first RF filter 166 for passing and a second RF filter 164 for passing a second RF current (I2) of at least the second frequency band. Since the RF current may include RF currents of harmonic components in addition to the RF currents of the first frequency band and the second frequency band, the first RF filter 166 or the second RF filter 164 may be connected to the first frequency band. In addition to the second frequency band, it is necessary to pass RF currents of these harmonic components.

제 1 RF 필터(166)가 제 1 주파수 대역(저주파, LF)의 RF 전류를 통과시키는 경우, DC 차단 소자(168)는 제 1 RF 필터(166)로 DC 전류가 흐르는 것을 차단하도록 노드(n1)와 제 1 RF 필터(166) 사이에 직렬 연결될 수 있다. 제 2 RF 필터(164)가 제 2 주파수 대역(고주파, HF)의 RF 전류를 통과시키고 저주파 대역을 차단하도록 구성되는 경우, 제 2 RF 필터(164)가 DC 전류를 차단할 수 있어서 제 2 RF 필터(164)에는 별도로 DC 차단 소자의 연결을 생략할 수 있다. 이 경우, 제 2 RF 필터(164)가 DC 차단 소자를 내재하는 것으로 해석할 수도 있다.When the first RF filter 166 passes the RF current in the first frequency band (low frequency, LF), the DC blocking element 168 blocks the node n1 to block the flow of DC current to the first RF filter 166. ) And the first RF filter 166 may be connected in series. When the second RF filter 164 is configured to pass the RF current in the second frequency band (high frequency, HF) and block the low frequency band, the second RF filter 164 can block the DC current so that the second RF filter The connection of the DC blocking element may be omitted separately at 164. In this case, the second RF filter 164 may be interpreted as having a DC blocking element.

예를 들어, 제 1 RF 필터(166)는 제 1 주파수 대역(저주파, LF)과 고조파 성분의 제 1 RF 전류(I1)를 통과시키는 대역 저지 필터(band rejection filter, BRF)를 포함하고, 제 2 RF 필터(164)는 제 2 주파수 대역(고주파, HF)의 제 2 RF 전류(I2)를 통과시키면서 DC 전류를 차단하는 대역 통과 필터(band pass filter, BPF)를 포함할 수 있다. 이러한 대역 저지 필터(BRF)는 특정 밴드 만을 저지하고 나머지 성분을 모두 통과시킨 다는 점에서 노치 필터(notch filter)로 불릴 수도 있다. 예를 들어, 제 1 RF 필터는 제 2 주파수 대역(HF)은 저지하고 나머지를 통과시키는 대역 저지 필터로 구성될 수 있다. 한편, 제 1 RF 필터(166)는 제 2 주파수 대역(HF)보다 낮은 주파수 대역과 제 2 주파수 대역(HF)보다 높은 대역을 통과시킨 다는 점에서 이중 대역 통과 필터로 불릴 수도 있다.For example, the first RF filter 166 includes a band rejection filter (BRF) for passing a first frequency band (low frequency, LF) and a first RF current (I1) of harmonic components. The 2 RF filter 164 may include a band pass filter (BPF) that blocks DC current while passing the second RF current I2 of the second frequency band (high frequency, HF). Such a band stop filter (BRF) may be referred to as a notch filter in that it blocks only a specific band and passes all remaining components. For example, the first RF filter may be configured as a band stop filter that blocks the second frequency band (HF) and passes the rest. Meanwhile, the first RF filter 166 may be referred to as a dual band pass filter in that it passes a lower frequency band than the second frequency band (HF) and a higher band than the second frequency band (HF).

도 8을 참조하면, DC 차단 소자(168)는 차단 커패시터로서 제 1 커패시터(C1)를 포함하고, 제 1 RF 필터(166)는 적어도 서로 병렬로 연결된 제 1 인덕터(L1) 및 제 2 커패시터(C2)를 포함할수 있다. 나아가, 제 1 RF 필터(166)는 제 1 인덕터(L1) 및 제 2 커패시터(C2)의 병렬 연결 구조와 접지부 사이에 직렬 연결된 제 4 커패시터(C4)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 인덕터(L1) 및 제 2 커패시터(C2)의 병렬 연결 구조는 제 1 커패시터(C1)와 직렬 접속될 수 있다.Referring to FIG. 8, the DC blocking element 168 includes a first capacitor C1 as a blocking capacitor, and the first RF filter 166 includes at least a first inductor L1 and a second capacitor connected in parallel with each other ( C2). Furthermore, the first RF filter 166 may further include a fourth capacitor C4 connected in series between the parallel connection structure of the first inductor L1 and the second capacitor C2 and the ground portion. For example, the parallel connection structure of the first inductor L1 and the second capacitor C2 may be connected in series with the first capacitor C1.

제 1 RF 필터(166)에 있어서, 제 2 주파수 대역(HF)보다 낮은 RF 전류(I11)는 제 1 인덕터(L1)를 통해서 접지부로 흐르고, 제 2 주파수 대역(HF)보다 높은 고조파 성분의 RF 전류(I12)는 제 2 커패시터(C2) 및 제 4 커패시터(C4)를 통해서 접지부로 흐를 수 있다.In the first RF filter 166, the RF current I11 lower than the second frequency band HF flows through the first inductor L1 to the ground, and the harmonic component RF higher than the second frequency band HF The current I12 may flow to the ground through the second capacitor C2 and the fourth capacitor C4.

제 2 RF 필터(164)는 서로 직렬로 연결된 제 2 인덕터(L2) 및 제 3 커패시터(C3)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 인덕터(L2)는 노드(n1)에 접속되고, 제 3 커패시터(C3)는 제 2 인덕터(L2)와 접지부 사이에 직렬 접속될 수 있다. 제 2 RF 필터(164)는 제 2 주파수 대역(HF)의 제 2 RF 전류(I2)가 통과되도록 구성될 수 있다.The second RF filter 164 may include a second inductor L2 and a third capacitor C3 connected in series with each other. For example, the second inductor L2 may be connected to the node n1, and the third capacitor C3 may be connected in series between the second inductor L2 and the ground. The second RF filter 164 may be configured to pass the second RF current I2 in the second frequency band HF.

따라서, 전술한 실시에에 따르면, 고주파 전원과 저주파 전원의 듀얼 RF 전원에 대응하여, 전류 조절 회로부(160) 내에 듀얼 RF 필터 구조를 구성하여, 공정 특성을 더욱 정밀하게 제어할 수 있다.Therefore, according to the above-described implementation, in response to the dual RF power supply of the high-frequency power supply and the low-frequency power supply, a dual RF filter structure is configured in the current control circuit 160 to control the process characteristics more precisely.

일 실시예에서, 제 3 커패시터(C3)는 제 2 RF 필터(164)의 임피던스를 조절할 수 있도록 가변 커패시터로 제공될 수도 있다. 부가적인 실시예에서, 제 2 RF 필터(164)로 흐르는 제 2 RF 전류(I2)의 양을 검출하기 위한 센서가 전류 조절 회로부(160)에 더 부가될 수도 있다. 이 경우, 센서를 이용하여 제 2 RF 전류(I2)를 검출하고, 그 검출된 값을 기반으로 제 2 RF 전류(I2)가 원하는 값이 되도록 제 3 커패시터(C3)의 커패시턴스를 조절할 수도 있다.In one embodiment, the third capacitor C3 may be provided as a variable capacitor to adjust the impedance of the second RF filter 164. In an additional embodiment, a sensor for detecting the amount of the second RF current I2 flowing through the second RF filter 164 may be further added to the current regulation circuit 160. In this case, the second RF current I2 may be detected using a sensor, and the capacitance of the third capacitor C3 may be adjusted so that the second RF current I2 becomes a desired value based on the detected value.

나아가, 증착 또는 에칭 공정 완료 후 기판(S) 상의 막 특성, 예컨대 프로파일, 균일도 등을 측정하여, 측정 결과에 따라서 원하는 막 특성을 얻도록 제 3 커패시터(C3)의 커패시턴스를 조절할 수도 있다.Further, after the deposition or etching process is completed, the film characteristics on the substrate S, for example, profile, uniformity, etc. may be measured, and the capacitance of the third capacitor C3 may be adjusted to obtain desired film characteristics according to the measurement result.

도 9를 참조하면, 상기 제 3 커패시터(C3)는 제 2 RF 필터(164)의 임피던스를 가변적으로 조절할 수 있도록 가변 커패시턴스일 수 있다. 가변 커패시터를 사용하는 경우, 커패시터(C3)가 고정된 값을 가지는 경우와 달리, 커패시턴스 resolution 확보가 용이하고 세밀한 공정 조절이 가능하여 공정변화에 유연하게 대처 가능하다.Referring to FIG. 9, the third capacitor C3 may be a variable capacitance to variably adjust the impedance of the second RF filter 164. In the case of using a variable capacitor, unlike the case where the capacitor C3 has a fixed value, it is easy to secure a capacitance resolution and it is possible to finely control the process to flexibly cope with process changes.

전류 조절 회로부(160)는 제 2 RF 필터(164)로 흐르는 제 2 RF 전류의 양 또는 제 2 RF 필터(164)에 인가되는 전압의 크기를 검출하기 위한 센서(165) 및 센서(165)에서 검출된 값(V, I)을 기반으로 입출력단자(163)를 통하여 상기 가변 커패시턴스(C3)의 값을 설정할 수 있는 추가 제어부(161)를 더 구비할 수 있다. The current adjusting circuit 160 is provided by the sensors 165 and the sensors 165 for detecting the amount of the second RF current flowing through the second RF filter 164 or the magnitude of the voltage applied to the second RF filter 164. Based on the detected values V and I, an additional control unit 161 capable of setting the value of the variable capacitance C3 through the input/output terminal 163 may be further provided.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (12)

내부에 박막을 처리하기 위한 처리 공간을 한정하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버에 설치되고, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 분사부;
상기 공정 챔버 내부로 플라즈마 분위기를 형성하기 위하여 제 1 플라즈마 전극인 상기 가스 분사부에 적어도 하나의 RF 전력을 인가하도록 적어도 하나의 RF 전원을 포함하는 플라즈마 전원 공급부;
기판이 안착되는 안착플레이트, 상기 안착플레이트 내부의 제 2 플라즈마 전극, 상기 제 2 플라즈마 전극 하부에 배치되되 상기 기판의 내측 영역을 가열하기 위해 외부에 구비된 제 1 히터 전원부와 연결되는 제 1 히터와 상기 기판의 외측 영역을 가열하기 위해 외부에 구비된 제 2 히터 전원부와 연결되는 제 2 히터를 구비하는, 척(chuck) 구조체;
상기 제 2 플라즈마 전극에 연결되어 DC 전력을 공급하는 정전력 전원 공급부;
상기 제 1 히터와 상기 제 1 히터 전원부 사이에 연결되어 상기 제 1 히터 전원부로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 제 1 RF 필터를 구비하는 제 1 히터 제어 회로부;
상기 제 2 히터와 상기 제 2 히터 전원부 사이에 연결되어 상기 제 2 히터 전원부로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 제 2 RF 필터를 구비하는 제 2 히터 제어 회로부;
상기 제 1 히터와 상기 제 1 히터 제어 회로부 사이에 설치되어 상기 제 1 히터 제어 회로부로 인가되는 제 1 RF 전압을 측정하는 제 1 측정부와 상기 제 2 히터와 상기 제 2 히터 제어 회로부 사이에 설치되어 상기 제 2 히터 제어 회로부로 인가되는 제 2 RF 전압을 측정하는 제 2 측정부; 및
상기 기판의 처리 상태에 따라, 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이를 이용하여 상기 척 구조체에 안착된 상기 기판의 안착 상태를 모니터링 하는 제어부; 를 포함하는,
기판 처리 장치.A process chamber defining a processing space for processing the thin film therein;
A gas injection unit installed in the process chamber and supplying process gas to the processing space;
A plasma power supply unit including at least one RF power source to apply at least one RF power to the gas injection unit which is a first plasma electrode to form a plasma atmosphere inside the process chamber;
A seating plate on which the substrate is seated, a second plasma electrode inside the seating plate, and a first heater disposed below the second plasma electrode and connected to a first heater power supply provided outside to heat an inner region of the substrate. A chuck structure having a second heater connected to a second heater power source provided outside to heat the outer region of the substrate;
A constant power power supply unit connected to the second plasma electrode to supply DC power;
A first heater control circuit unit connected between the first heater and the first heater power unit and having a first RF filter for filtering RF components flowing into the first heater power unit;
A second heater control circuit unit connected between the second heater and the second heater power unit and having a second RF filter for filtering RF components flowing into the second heater power unit;
It is installed between the first heater and the first heater control circuit part and is installed between a first measurement part measuring a first RF voltage applied to the first heater control circuit part and the second heater and the second heater control circuit part. A second measuring unit configured to measure a second RF voltage applied to the second heater control circuit unit; And
A control unit for monitoring a seating state of the substrate seated on the chuck structure using a difference between measured RF voltage values input from the first measuring part and the second measuring part according to the processing state of the substrate; Containing,
Substrate processing device. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 플라즈마 전극은 상기 정전력 전원 공급부로부터 단일 극성(mono-polar type)의 DC 전원이 인가되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.According to claim 1,
The second plasma electrode is characterized in that a single polarity (mono-polar type) DC power is applied from the constant power power supply,
Substrate processing device. 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원이 공급되며, 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원이 공급된 상태에서, 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이가 설정 범위를 벗어나는 경우 알람을 발생시키는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.According to claim 1,
The control unit, while the RF power is supplied to the first plasma electrode, the DC power is supplied to the second plasma electrode, the difference between the measured RF voltage values input from the first measurement unit and the second measurement unit Characterized in that it generates an alarm when is out of the set range.
Substrate processing device. 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원이 공급되며, 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원의 공급이 중단된 상태에서, 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이가 설정 범위를 벗어나는 경우 알람을 발생시키는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.According to claim 1,
The control unit, while the RF power is supplied to the first plasma electrode, the supply of DC power to the second plasma electrode is stopped, the measured RF voltage value input from the first measurement unit and the second measurement unit Characterized in that, when the difference between the outside of the setting range, an alarm is generated,
Substrate processing device. 제 1 항에 의한 상기 기판 처리 장치를 이용한 제어 방법으로서,
상기 제어부는, 상기 기판의 처리 상태에 따라, 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이를 이용하여 상기 척 구조체에 안착된 상기 기판의 안착 상태를 모니터링 하는 단계를 포함하는,
기판 처리 장치를 이용한 제어 방법.As a control method using the substrate processing apparatus according to claim 1,
The control unit, according to the processing state of the substrate, using the difference between the measured RF voltage values input from the first measurement unit and the second measurement unit to monitor the seating state of the substrate seated on the chuck structure Containing,
Control method using a substrate processing apparatus. 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원을 공급하며, 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원을 공급한 상태에서, 상기 제어부는 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이가 설정 범위를 벗어나는 경우 상기 기판의 척킹(chucking) 이상을 알리는 알람을 발생시키는 제 1 단계를 포함하는,
기판 처리 장치를 이용한 제어 방법.The method of claim 5,
In the state in which RF power is supplied to the first plasma electrode and DC power is supplied to the second plasma electrode, the control unit has a difference in measured RF voltage values input from the first measurement unit and the second measurement unit. A first step of generating an alarm indicating an abnormality in chucking of the substrate when it is out of a set range,
Control method using a substrate processing apparatus. 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 단계는 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마 분위기가 형성된 상태에서 상기 기판 상에 박막을 증착하는 동안 수행되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치를 이용한 제어 방법.The method of claim 6,
The first step is performed while depositing a thin film on the substrate in a state where a plasma atmosphere is formed inside the process chamber,
Control method using a substrate processing apparatus. 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 단계는 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이에 대한 절대값이 양의 제 1 설정값 보다 큰 경우 수행되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치를 이용한 제어 방법.The method of claim 6,
The first step is characterized in that is performed when the absolute value of the difference between the measured RF voltage values input from the first measurement unit and the second measurement unit is greater than a positive first set value,
Control method using a substrate processing apparatus. 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원을 공급하며, 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원의 공급이 중단된 상태에서, 상기 제어부는 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이가 설정 범위를 벗어나는 경우 상기 기판의 디척킹(de-chucking) 이상을 알리는 알람을 발생시키는 제 2 단계를 포함하는,
기판 처리 장치를 이용한 제어 방법.The method of claim 5,
When the RF power is supplied to the first plasma electrode and the supply of DC power to the second plasma electrode is stopped, the control unit measures the measured RF voltage values input from the first measurement unit and the second measurement unit. And a second step of generating an alarm indicating an abnormality in de-chucking of the substrate when the difference is out of a set range.
Control method using a substrate processing apparatus. 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 단계는 상기 기판 상에 박막을 증착하는 단계 후 및 상기 기판을 상기 공정 챔버의 외부로 반출하기 위하여 상기 안착플레이트 상으로 리프트핀이 상승하는 단계 전에 수행되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치를 이용한 제어 방법.The method of claim 9,
The second step is characterized in that it is performed after the step of depositing a thin film on the substrate and before the step of lifting the lift pin onto the seating plate to take the substrate out of the process chamber,
Control method using a substrate processing apparatus. 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 단계는 상기 제 1 측정부 및 상기 제 2 측정부로부터 입력되는 측정 RF 전압값들의 차이에 대한 절대값이 양의 제 2 설정값 보다 작은 경우 수행되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치를 이용한 제어 방법.The method of claim 9,
The second step is performed when the absolute value of the difference between the measured RF voltage values input from the first measurement unit and the second measurement unit is smaller than a positive second set value.
Control method using a substrate processing apparatus. 제 10 항에 있어서,
상기 기판을 상기 공정 챔버의 외부로 반출하기 위하여 상기 안착플레이트 상으로 리프트핀이 상승하는 단계는, 상기 기판의 디척킹(de-chucking) 상태를 확인한 후에, 상기 제 1 플라즈마 전극으로 RF 전원의 공급과 상기 제 2 플라즈마 전극으로 DC 전원의 공급이 중단된 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치를 이용한 제어 방법.The method of claim 10,
The step of raising the lift pin onto the seating plate to take the substrate out of the process chamber, after confirming the de-chucking state of the substrate, supplying RF power to the first plasma electrode And supplying DC power to the second plasma electrode is stopped.
Control method using a substrate processing apparatus.
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