KR20200068606A - High-oriented patch antenna structure with improved null - Google Patents

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KR20200068606A
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(주)지에쓰씨
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    • H01Q9/04—Resonant antennas
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01Q1/3275—Adaptation for use in or on road or rail vehicles characterised by the location of the antenna on the vehicle mounted on a horizontal surface of the vehicle, e.g. on roof, hood, trunk

Abstract

According to an embodiment of the present invention, provided is a high directional patch antenna structure with improved null. The technical problem to be solved is to improve the directivity to increase the antenna gain, thereby improving the antenna reception rate. In addition, the high directional patch antenna structure with improved null in which the null is improved to improve the omnidirectional reception rate, so as to improve the field reception ratio. To this end, the high directional patch antenna structure with improved null comprises: a dielectric block including an upper surface, a lower surface opposite to the upper surface, and a side surface between the upper surface and the lower surface; a radiation patch electrode formed on the upper surface of the dielectric block; a ground electrode formed on a lower surface of the dielectric block; and a reflector in the shape of a ring spaced apart from the upper surface of the dielectric block.

Description

널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물{High-oriented patch antenna structure with improved null}High-oriented patch antenna structure with improved null

본 발명의 실시예는 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a highly directional patch antenna structure with improved nulls.

일반적으로 이동 멀티미디어 정보, 방송 서비스 혹은 현재 위치와 전자 지도 서비스를 이용하기 위한 위성 신호 수신기는 마이크로 스트립 패치 안테나(Microstrip patch antenna)를 사용한다. 즉, 위성에서는 전리층의 간섭과 지상에서 반사되는 다중 경로 신호(잡음)의 영향을 최소화할 수 있도록 송신 시에 우현 편파(Right Hand Circular Polarization : RHCP)로 송신하는데, 수신기에서는 이와 같은 GPS 위성 신호를 수신하기 위하여 원형 편파(Circular Polarization) 안테나를 사용하는 것이 바람직하며, 여러 종류의 원형 편파 안테나 가운데 마이크로 스트립 패치 안테나가 저렴하고 수신율이 좋기 때문이다.In general, a satellite signal receiver for using mobile multimedia information, a broadcast service, or a current location and an electronic map service uses a microstrip patch antenna. That is, the satellite transmits a right hand circular polarization (RHCP) at the time of transmission to minimize the influence of the ionosphere interference and the multi-path signal (noise) reflected from the ground, and the receiver transmits the GPS satellite signal. It is preferable to use a circular polarization antenna for reception, because among the various types of circular polarization antennas, a microstrip patch antenna is cheap and has a good reception rate.

마이크로 스트립 패치 안테나는 중량이 가볍고, 공간을 적게 차지하는 평면적 구조를 가지면서도 주어진 공간 내에서 가장 큰 이득과 지향성을 보유할 수 있는 장점이 있는 안테나로서, 단독으로 사용되거나 LNA(Low Noise Amplifier) 증폭단과 함께 사용되며, 주로 GPS(Global Positioning System), GNSS(Global Navigation Satellite System), SXM(SiriusXM) 등의 응용기기에 적용되고 있다.The microstrip patch antenna is an antenna that has the advantage of being able to have the greatest gain and directivity in a given space, while having a light weight, space-saving planar structure, and used alone or with an LNA (Low Noise Amplifier) amplification stage. It is used together and is mainly applied to applications such as Global Positioning System (GPS), Global Navigation Satellite System (GNSS), and SiriusXM (SXM).

이러한 종래의 안테나는 일반적으로 고유전율을 갖는 유전체 블록과, 유전체 블록의 상면에 형성된 방사 패치 전극과, 유전체 블록의 하면에 형성된 접지 전극과, 유전체 블록을 관통하는 급전 핀을 포함한다. 여기서, 급전 핀은 방사 패치 전극에 전기적으로 연결되나, 접지 전극에 연결되지 않는다. 또한, 유전체 블록의 상면에 형성된 방사 패치 전극은 적어도 하나의 꼭지점이 챔퍼 처리되는데, 챔퍼의 방향에 의해 원형 편파 타입의 방향이 결정된다.Such a conventional antenna generally includes a dielectric block having a high dielectric constant, a radiation patch electrode formed on the upper surface of the dielectric block, a ground electrode formed on the lower surface of the dielectric block, and a feeding pin passing through the dielectric block. Here, the feed pin is electrically connected to the radiation patch electrode, but not to the ground electrode. Further, at least one vertex of the radiation patch electrode formed on the upper surface of the dielectric block is chamfered, and the direction of the circular polarization type is determined by the direction of the chamfer.

이와 같은 종래의 마이크로 스트립 패치 안테나는 최근 점차 고주파 대역의 주파수 이용에 따라 수신율을 향상시키기 위해 지향성이 향상될 필요가 있고, 또한 필드 수신율을 향상시키기 위해 널(null) 특성이 개선될 필요가 있다.The conventional microstrip patch antenna needs to be improved in directivity in order to improve the reception rate in accordance with the frequency use of the high frequency band in recent years, and it is also necessary to improve the null characteristics to improve the field reception rate.

이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.The above-described information disclosed in the background of the present invention is only for improving the understanding of the background of the present invention, and thus may include information that does not constitute the prior art.

본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 제공하는데 있다. 일예로, 본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 지향성을 향상시켜 안테나 게인을 증가시키고 이에 따라 안테나 수신율을 향상시키고, 또한 널을 개선하여 전방위 수신율을 향상시키고 이에 따라 필드 수신율을 향상시킬 수 있는 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 제공하는데 있다.The problem to be solved according to an embodiment of the present invention is to provide a highly directional patch antenna structure with improved nulls. As an example, the problem to be solved according to an embodiment of the present invention is to improve the directionality to increase the antenna gain, thereby improving the antenna reception rate, and also improving the null to improve the omnidirectional reception rate and thus the field reception rate. The null is to provide an improved highly directional patch antenna structure.

본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물은 상면과, 상면의 반대면인 하면과, 상면과 하면 사이의 측면을 포함하는 유전체 블록; 유전체 블록의 상면에 형성된 방사 패치 전극; 유전체 블록의 하면에 형성된 접지 전극; 및 유전체 블록의 상면으로부터 이격되어 위치된 링 형태의 리플렉터를 포함할 수 있다.A high-directional patch antenna structure with improved null according to an embodiment of the present invention includes a dielectric block including an upper surface, a lower surface that is an opposite surface of the upper surface, and a side surface between the upper surface and the lower surface; A radiation patch electrode formed on the top surface of the dielectric block; A ground electrode formed on a lower surface of the dielectric block; And a ring-shaped reflector positioned spaced apart from the top surface of the dielectric block.

리플렉터는 유전체 블록의 상면과 평행할 수 있다.The reflector can be parallel to the top surface of the dielectric block.

리플렉터는 상부 표면과, 상부 표면의 반대면인 하부 표면과, 상부 표면과 하부 표면 사이의 내측면과, 내측면의 반대면으로서 상부 표면과 하부 표면 사이의 외측면과, 내측면의 내측 공간을 포함할 수 있다.The reflector includes an upper surface, a lower surface opposite to the upper surface, an inner surface between the upper surface and the lower surface, an outer surface between the upper surface and the lower surface as the opposite surface of the inner surface, and an inner space of the inner surface. It can contain.

상부 표면 및 하부 표면의 폭보다 내측면 및 외측면의 폭이 더 클 수 있다.The width of the inner and outer surfaces may be greater than the width of the upper and lower surfaces.

리플렉터는 원형의 링 형태일 수 있다.The reflector may be in the form of a circular ring.

리플렉터의 크기는 방사 패치 전극의 크기보다 크거나 같을 수 있다.The size of the reflector may be greater than or equal to the size of the radiation patch electrode.

리플렉터의 두께는 유전체 블록의 두께보다 작거나 같을 수 있다.The thickness of the reflector may be less than or equal to the thickness of the dielectric block.

리플렉터는 하우징의 고정 부재에 고정되어 유전체 블록으로부터 이격될 수 있다.The reflector is secured to the fixing member of the housing and can be spaced apart from the dielectric block.

본 발명의 실시예는 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 제공한다. 일예로, 본 발명의 실시예는 지향성을 향상시켜 안테나 게인을 증가시키고 이에 따라 안테나 수신율을 향상시키며, 또한 널을 개선하여 전방위 수신율을 향상시키고 이에 따라 필드 수신율을 향상시킬 수 있는 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 제공한다.An embodiment of the present invention provides a highly directional patch antenna structure with improved nulls. As an example, an embodiment of the present invention improves the directionality to improve the antenna gain, thereby improving the antenna reception rate, and also improving the null to improve the omnidirectional reception rate and thus improve the field reception rate. A directional patch antenna structure is provided.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물이 하우징에 결합된 상태를 도시한 투시 사시도, 투시 평면도 및 투시 측면도이다.
도 5a 및 도 5b는 일반적인 패치 안테나 구조물과 본 발명의 실시예에 따른 패치 안테나 구조물의 LHCP(Left Hand Circular Polarization) 및 Null의 특성을 비교한 테이블이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 도시한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 도시한 단면도이다.1 is a plan view showing a highly directional patch antenna structure with improved null according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a highly directional patch antenna structure with improved null according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a highly directional patch antenna structure with improved null according to an embodiment of the present invention.
4A to 4C are perspective perspective views, perspective plan views, and perspective side views showing a state in which a high-directional patch antenna structure with improved nulls according to an embodiment of the present invention is coupled to a housing.
5A and 5B are tables comparing the characteristics of a general patch antenna structure and a left hand circular polarization (LHCP) and a null of a patch antenna structure according to an embodiment of the present invention.
6 is a perspective view showing a highly directional patch antenna structure with improved null according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing a highly directional patch antenna structure with improved null according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to the Examples. Rather, these examples are provided to make the present disclosure more faithful and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art.

또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.In addition, in the following drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description, and the same reference numerals in the drawings refer to the same elements. As used herein, the term “and/or” includes any and all combinations of one or more of the listed items. In addition, in this specification, "connected" means not only when the A member and the B member are directly connected, but also when the C member is interposed between the A member and the B member to indirectly connect the A member and the B member. do.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terms used in this specification are used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. As used herein, singular forms may include plural forms unless the context clearly indicates otherwise. Also, when used herein, "comprise, include" and/or "comprising, including" refer to the shapes, numbers, steps, actions, elements, elements and/or groups of these mentioned. It is to specify existence and not to exclude the presence or addition of one or more other shapes, numbers, actions, elements, elements and/or groups.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various members, parts, regions, layers and/or parts, these members, parts, regions, layers and/or parts are defined by these terms It is obvious that not. These terms are only used to distinguish one member, part, region, layer or part from another region, layer or part. Accordingly, the first member, component, region, layer or portion described below may refer to the second member, component, region, layer or portion without departing from the teachings of the present invention.

"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "아래"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.Space-related terms such as "beneath", "below", "lower", "above", and "upper" are associated with one element or feature shown in the drawings. It can be used for easy understanding of other elements or features. Terms related to these spaces are for easy understanding of the present invention according to various process states or use states of the present invention, and are not intended to limit the present invention. For example, if an element or feature in a drawing is flipped over, the element or feature described as “bottom” or “below” becomes “top” or “above”. Thus, "below" is a concept encompassing "top" or "bottom".

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(100)을 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(100)을 도시한 사시도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(100)을 도시한 단면도이다.1 is a plan view showing a high-directional patch antenna structure 100 with improved null according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a high-direction patch antenna structure with improved null according to an embodiment of the present invention 3 is a cross-sectional view showing a highly directional patch antenna structure 100 with improved null according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(100)은 유전체 블록(110), 방사 패치 전극(120), 급전핀(130), 접지 전극(140) 및 리플렉터(150)를 포함할 수 있다. 1 to 3, the high-directional patch antenna structure 100 with improved null according to an embodiment of the present invention includes a dielectric block 110, a radiation patch electrode 120, a feeding pin 130, A ground electrode 140 and a reflector 150 may be included.

여기서, 급전핀(130) 및 접지 전극(140)은 회로기판(160) 상에 실장될 수 있고, 리플렉터(150)는 추후 설명될 하우징에 결합되어 유전체 블록(110) 상에 플로팅(floating)될 수 있다.Here, the feed pin 130 and the ground electrode 140 may be mounted on the circuit board 160, and the reflector 150 may be coupled to a housing to be described later to be floated on the dielectric block 110. Can be.

유전체 블록(110)은 상면(111)과, 상면(111)의 반대면인 하면(112)과, 상면(111)과 하면(112) 사이의 다수의 측면(113)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 유전체 블록(110)은 대략 납작한 육면체 형태일 수 있다. 즉, 상면(111)과 하면(112)은 대략 평평한 사각 형태일 수 있고, 상면(111)과 하면(112)의 네 둘레를 연결하는 측면(113) 역시 각각 사각 형태일 수 있다. 또한, 일부 예들에서, 유전체 블록(110)은 납작한 원판 형태이나 다각 형태일 수 있다.The dielectric block 110 may include an upper surface 111, a lower surface 112 that is an opposite surface of the upper surface 111, and a plurality of side surfaces 113 between the upper surface 111 and the lower surface 112. In some examples, dielectric block 110 may be in the form of an approximately flat cube. That is, the upper surface 111 and the lower surface 112 may have a substantially flat square shape, and the side surfaces 113 connecting the four circumferences of the upper surface 111 and the lower surface 112 may also have a rectangular shape, respectively. Further, in some examples, the dielectric block 110 may be in the form of a flat disc or a polygonal shape.

일부 예들에서, 유전체 블록(110)은, 고유전율을 가지며, 알루미나, 지르코니아, 사이알론, 탄화규소, 질화규소와 같은 세라믹, PI(polyimide), PC(polycarbonate), ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene), PBT(polybutylene terephthalate), ASA(acrylonitrile-styrene-acrylate), PE(polyethylene), PET(polyethylene terephthalate), PP(polypropylene)와 같은 플라스틱 수지, 또는 그 혼합물로 형성될 수 있다. 이러한 유전체 블록(110)은 안테나의 성능이 향상되도록, 대략 45 이상의 유전율을 갖도록 설계될 수 있다.In some examples, dielectric block 110 has high dielectric constant, ceramics such as alumina, zirconia, sialon, silicon carbide, silicon nitride, polyimide (PI), polycarbonate (PC), acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS), It may be formed of a plastic resin such as polybutylene terephthalate (PBT), acrylonitrile-styrene-acrylate (ASA), polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), or polypropylene (PP), or a mixture thereof. The dielectric block 110 may be designed to have a dielectric constant of approximately 45 or more so that the performance of the antenna is improved.

방사 패치 전극(120)은 유전체 블록(110)의 상면(111) 상에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 방사 패치 전극(120)은 대략 사각 형태로 형성될 수 있으나, 그 면적은 유전체 블록(110)의 상면(111)의 면적보다 작을 수 있다. 또한, 일부 예들에서, 방사 패치 전극(120)은 대향되는 모서리에 각각 형성된 챔퍼(121)를 더 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 방사 패치 전극(120)은 4개의 변과 2개의 챔퍼(121)를 포함할 수 있다. 또한, 일부 예들에서, 방사 패치 전극(120)은 동작 주파수에 따라 다양한 크기/면적을 가질 수 있으며, 모양도 상술한 사각형이 아닌 원형 등이 가능하다.The radiation patch electrode 120 may be formed on the top surface 111 of the dielectric block 110. In some examples, the radiation patch electrode 120 may be formed in a substantially rectangular shape, but the area may be smaller than the area of the top surface 111 of the dielectric block 110. Further, in some examples, the radiation patch electrode 120 may further include chamfers 121 formed at opposite edges, respectively. In some examples, the radiation patch electrode 120 may include four sides and two chamfers 121. In addition, in some examples, the radiation patch electrode 120 may have various sizes/areas according to the operating frequency, and the shape may be circular, not rectangular, as described above.

급전핀(130)은 방사 패치 전극(120)에 연결된 채 유전체 블록(110)을 관통할 수 있다. 일부 예들에서, 급전핀(130)은 대략 유전체 블록(110)의 측면(113)과 평행한 관계를 가질 수 있으며, 접지 전극(140)으로부터 이격될 수 있다.The feed pin 130 may penetrate the dielectric block 110 while being connected to the radiation patch electrode 120. In some examples, the feed pin 130 may have a substantially parallel relationship with the side 113 of the dielectric block 110 and may be spaced from the ground electrode 140.

접지 전극(140)은 유전체 블록(110)의 하면(112)에 형성될 수 있다. 접지 전극(140) 역시 대략 사각 형태로 형성될 수 있으며, 이의 면적은 유전체 블록(110)의 하면(112)의 면적과 유사하거나 작을 수 있다. 물론, 접지 전극(140)은 급전핀(130)으로부터 이격될 수 있도록 급전핀(130)과 대응되는 영역에 형성된 원형의 오프닝을 포함할 수 있다. 더불어, 일부 예들에서, 접지 전극(140) 역시 원형으로 형성될 수도 있다.The ground electrode 140 may be formed on the lower surface 112 of the dielectric block 110. The ground electrode 140 may also be formed in a substantially rectangular shape, and the area thereof may be similar to or smaller than the area of the lower surface 112 of the dielectric block 110. Of course, the ground electrode 140 may include a circular opening formed in a region corresponding to the feed pin 130 so as to be spaced from the feed pin 130. In addition, in some examples, the ground electrode 140 may also be formed in a circular shape.

리플렉터(150)는 유전체 블록(110)의 상면(111)으로부터 일정 거리 이격되어 위치될 수 있다. 일부 예들에서, 리플렉터(150)는 대략 링 형태일 수 있다. 또한, 리플렉터(150)는 유전체 블록(110)의 상면(111)과 대략 평행하게 위치될 수 있다.The reflector 150 may be positioned at a predetermined distance from the top surface 111 of the dielectric block 110. In some examples, reflector 150 may be approximately ring shaped. Also, the reflector 150 may be positioned substantially parallel to the top surface 111 of the dielectric block 110.

일부 예들에서, 리플렉터(150)는 상부 표면(151)과, 상부 표면(151)의 반대면인 하부 표면(152)과, 상부 표면(151)과 하부 표면(152) 사이의 내측면(153)과, 내측면(153)의 반대면으로서 상부 표면(151)과 하부 표면(152) 사이의 외측면(154)과, 내측면(153)의 내측에 구비된 내측 공간(155)을 포함할 수 있다. 다르게 설명하면, 리플렉터(150)는 두께 및/또는 폭을 갖는 원형의 링 형태일 수 있다. 여기서, 상부 표면(151)과 하부 표면(152)의 폭은 동일할 수 있다. 또한, 내측면(153)과 외측면(154)의 폭(즉, 높이) 역시 동일할 수 있다.In some examples, the reflector 150 includes an upper surface 151, a lower surface 152 opposite the upper surface 151, and an inner surface 153 between the upper surface 151 and the lower surface 152. And, as the opposite side of the inner surface 153, may include an outer surface 154 between the upper surface 151 and the lower surface 152, and an inner space 155 provided inside the inner surface 153. have. In other words, the reflector 150 may be in the form of a circular ring having a thickness and/or width. Here, the width of the upper surface 151 and the lower surface 152 may be the same. In addition, the width (ie, height) of the inner surface 153 and the outer surface 154 may also be the same.

일부 예들에서, 리플렉터(150)의 상부 표면(151) 및 하부 표면(152)의 폭보다 내측면(153) 및 외측면(154)의 폭(높이)이 더 클 수 있다. 다르게 설명하면, 리플렉터(150)의 수평 방향 폭보다 수직 방향 폭(높이)이 더 클 수 있다.In some examples, the width (height) of the inner surface 153 and the outer surface 154 may be greater than the width of the upper surface 151 and the lower surface 152 of the reflector 150. In other words, the vertical width (height) may be larger than the horizontal width of the reflector 150.

일부 예들에서, 리플렉터(150)의 크기(직경)는 유전체 블록(110) 및/또는 방사 패치 전극(120)의 크기(대각선 길이)보다 크거나 같을 수 있다.In some examples, the size (diameter) of the reflector 150 may be greater than or equal to the size (diagonal length) of the dielectric block 110 and/or the radiation patch electrode 120.

일부 예들에서, 리플렉터(150)의 두께(높이)는 유전체 블록(110) 및/또는 방사 패치 전극(120)의 두께보다 작거나 같을 수 있다.In some examples, the thickness (height) of the reflector 150 may be less than or equal to the thickness of the dielectric block 110 and/or the radiation patch electrode 120.

한편, 이러한 리플렉터(150)와 유전체 블록(110) 및/또는 방사 패치 전극(120)의 사이에는 공기만 존재할 수 있기 때문에, 리플렉터(150)와 유전체 블록(110) 및/또는 방사 패치 전극(120)의 사이의 유전율은 공기의 유전율과 같을 수 있고, 이에 따라 임피던스에 영향(변화)이 없다. 더불어, 리플렉터(150)와 유전체 블록(110) 및/또는 방사 패치 전극(120)의 사이의 이격 거리는 대략 0.1mm 내지 1mm로서, 이에 따라 하우징의 크기를 더욱 축소할 수 있다.Meanwhile, since only air may exist between the reflector 150 and the dielectric block 110 and/or the radiation patch electrode 120, the reflector 150 and the dielectric block 110 and/or the radiation patch electrode 120 ) May have the same dielectric constant as air, so there is no influence (change) on the impedance. In addition, the separation distance between the reflector 150 and the dielectric block 110 and/or the radiation patch electrode 120 is approximately 0.1 mm to 1 mm, thereby further reducing the size of the housing.

일부 예들에서, 급전핀(130) 및 접지 전극(140)은 각각 회로기판(160)에 구비된 급전패드(미도시) 및 접지 패드(161)에 각각 전기적으로 연결될 수 있고, 리플렉터(150)는 후술할 하우징의 결합 부재에 결합되어 고정될 수 있다.In some examples, the feed pin 130 and the ground electrode 140 may be respectively electrically connected to a feed pad (not shown) and a ground pad 161 provided on the circuit board 160, and the reflector 150 may It can be fixed to be coupled to the coupling member of the housing to be described later.

일부 예들에서, 방사 패치 전극(120), 급전핀(130) 및 접지 전극(140)은 금, 백금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐, 크롬, 그 합금 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다. 더불어, 일부 예들에서, 방사 패치 전극(120), 급전핀(130) 및 접지 전극(140)은 무전해 도금, 전해 도금, 스퍼터링, 증발, CVD(Chemical Vapor Deposition), MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced CVD), ALD(Atomic Layer Deposition), PVD(Physical vapor Deposition), PLD (Pulsed Laser Deposition), L-MBE (Laser Molecular Beam Epitaxy) 및 등가 방법 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다. 더불어, 일부 예들에서, 방사 패치 전극(120), 급전핀(130) 및 접지 전극(140)은 전도성 잉크의 인쇄 및 소결 공정, 플라즈마 용사 공정, 또는 상온 진공 분사 공정, 에어로졸 디포지션 공정 등으로 형성될 수도 있다. 더욱이, 일부 예들에서, 방사 패치 전극(120), 급전핀(130) 및 접지 전극(140)은 금속 포일을 단조, 펀치, 드로잉, 컷팅. 절곡 등과 같은 전통적인 가공 방식을 이용하여 형성한 후, 유전체 블록(110)에 접착층으로 접착시켜 형성할 수도 있다.In some examples, the radiation patch electrode 120, the feed pin 130 and the ground electrode 140 may be formed of any one selected from gold, platinum, silver, copper, aluminum, nickel, palladium, chromium, alloys thereof, and equivalents thereof. Can be. In addition, in some examples, the radiation patch electrode 120, the feed pin 130, and the ground electrode 140 are electroless plating, electrolytic plating, sputtering, evaporation, chemical vapor deposition (CVD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) ), PECVD (Plasma Enhanced CVD), ALD (Atomic Layer Deposition), PVD (Physical vapor Deposition), PLD (Pulsed Laser Deposition), L-MBE (Laser Molecular Beam Epitaxy), and can be formed by any one of equivalent methods . In addition, in some examples, the radiation patch electrode 120, the feed pin 130, and the ground electrode 140 are formed by a printing and sintering process of a conductive ink, a plasma spray process, or a vacuum vacuum process at room temperature, an aerosol deposition process, etc. It may be. Moreover, in some examples, radiation patch electrode 120, feed pin 130, and ground electrode 140 forge, punch, draw, cut a metal foil. After forming using a conventional processing method such as bending, it may be formed by bonding to the dielectric block 110 with an adhesive layer.

한편, 리플렉터(150)는, 일부 예들에서, 스테인리스 스틸, 스틸, 금, 백금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐, 크롬, 그 합금 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다. 더불어, 일부 예들에서, 리플렉터(150)는 금속 포일을 단조, 펀치, 드로잉, 컷팅. 절곡 등과 같은 전통적인 가공 방식 또는 용융된 금속을 주조하는 방식을 이용하여 형성한 후, 하우징의 결합 부재에 결합시켜 고정할 수 있다.On the other hand, the reflector 150, in some examples, may be formed of any one selected from stainless steel, steel, gold, platinum, silver, copper, aluminum, nickel, palladium, chromium, alloys thereof, and equivalents thereof. In addition, in some examples, reflector 150 forge, punch, draw, cut a metal foil. After forming using a conventional processing method such as bending or casting a molten metal, it can be fixed by being coupled to a coupling member of the housing.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예는 유전체 블록(110) 및 방사 패치 전극(120)의 상부에 이격되어 위치된 원형 링 타입의 리플렉터(150)를 더 구비함으로써, 지향성을 향상시켜 안테나 게인을 증가시키고 이에 따라 안테나 수신율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 원형 링 타입의 리플렉터(150)로 인해, 널을 개선하여 전방위 수신율을 향상시키고 이에 따라 필드 수신율을 향상시킬 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention further comprises a circular ring-type reflector 150 spaced apart from the dielectric block 110 and the radiation patch electrode 120, thereby improving directionality to improve antenna gain. It is possible to increase the antenna reception rate accordingly. In addition, according to the embodiment of the present invention, due to the circular ring-type reflector 150, the null can be improved to improve the omnidirectional reception rate and thus the field reception rate.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(100)이 베이스(171) 및 하우징(172)에 결합된 상태를 도시한 투시 사시도, 투시 평면도 및 투시 측면도이다.4A to 4C are perspective perspective views, perspective plan views, and perspective side views showing a state in which a high-directional patch antenna structure 100 with improved nulls according to an embodiment of the present invention is coupled to a base 171 and a housing 172. to be.

도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(100)은 베이스(171)와 하우징(172)의 사이에 결합될 수 있다. 일례로, 패치 안테나 구조물(100)이 실장된 회로기판(160)이 베이스(171)에 안착되고, 링 타입의 리플렉터(150)는 하우징(172)에 구비된 결합 부재(173)에 결합되어 고정될 수 있다.4A to 4C, the high-direction patch antenna structure 100 with improved null according to an embodiment of the present invention may be coupled between the base 171 and the housing 172. For example, the circuit board 160 on which the patch antenna structure 100 is mounted is seated on the base 171, and the ring-type reflector 150 is fixed to the coupling member 173 provided in the housing 172. Can be.

이와 같이 하여, 원형 링 타입의 리플렉터(150)를 포함하는 패치 안테나 구조물(100)이 베이스(171)와 하우징(172)의 사이에 위치됨으로써, 본 발명의 실시예는 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(100)을 제공하게 된다.In this way, the patch antenna structure 100 including the circular ring-type reflector 150 is positioned between the base 171 and the housing 172, so that an embodiment of the present invention is a highly directional patch with improved null. The antenna structure 100 is provided.

도 5a 및 도 5b는 일반적인 패치 안테나 구조물과 본 발명의 실시예에 따른 패치 안테나 구조물의 LHCP(Left Hand Circular Polarization) 및 Null의 특성을 비교한 테이블이다.5A and 5B are tables comparing characteristics of a general patch antenna structure and a left hand circular polarization (LHCP) and a null of a patch antenna structure according to an embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 패치 안테나 구조물(도 5b 참조)은 0도 내지 90도의 전 각도 범위에서 널이 개선됨을 볼 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에 따른 패치 안테나 구조물(도 5b 참조)은 0도 내지 30도의 범위에서 널이 더욱 개선됨으로써 고지향성 즉, 위성을 바라보는 각도에서 특히 널이 개선됨을 볼 수 있다. 여기서, 0도는 예를 들면 지면에 수직인 위성 방향을 의미하고, 90도는 지면과 평행한 방향을 의미한다. As shown in FIGS. 5A and 5B, it can be seen that the patch antenna structure (see FIG. 5B) according to an embodiment of the present invention improves null in the entire angle range of 0 to 90 degrees. In particular, the patch antenna structure (see FIG. 5B) according to an embodiment of the present invention can be seen that the null is further improved in the range of 0 to 30 degrees, so that the null is improved in high directivity, that is, from an angle of viewing the satellite. Here, 0 degrees means, for example, a satellite direction perpendicular to the ground, and 90 degrees means a direction parallel to the ground.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(200)을 도시한 사시도이다. 도 6에 도시된 패치 안테나 구조물(200)은 도 1 내지 3에 도시된 패치 안테나 구조물(100)과 유사하므로 그 차이점을 중심으로 설명한다.6 is a perspective view showing a highly directional patch antenna structure 200 with improved null according to another embodiment of the present invention. Since the patch antenna structure 200 shown in FIG. 6 is similar to the patch antenna structure 100 shown in FIGS. 1 to 3, the differences will be mainly described.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(200)은 접지 암 전극(210)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 접지 암 전극(210)은 회로기판(160) 상에 실장될 수 있다.As illustrated in FIG. 6, the high-directional patch antenna structure 200 with improved null according to another embodiment of the present invention may further include a ground arm electrode 210. Here, the ground arm electrode 210 may be mounted on the circuit board 160.

접지 암 전극(210)은 유전체 블록(110)의 외측으로서 측면(113)에 평행하게 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 접지 암 전극(210)은 대향되는 적어도 한쌍 또는 두쌍이 형성될 수 있으며, 이들은 접지 전극(140)에 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 예들에서, 접지 암 전극(210)은 회로기판(160)에 구비된 암 패드(211)에 전기적으로 연결될 수 있다.The ground arm electrode 210 may be formed parallel to the side surface 113 as the outer side of the dielectric block 110. In some examples, the ground arm electrode 210 may be formed of at least one pair or two pairs facing each other, and they may be electrically connected to the ground electrode 140. In some examples, the ground arm electrode 210 may be electrically connected to the arm pad 211 provided on the circuit board 160.

한편, 접지 암 전극(210)은, 일부 예들에서, 금, 백금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐, 크롬, 그 합금 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다. 더불어, 일부 예들에서, 접지 암 전극(210)은 금속 포일을 단조, 펀치, 드로잉, 컷팅. 절곡 등과 같은 전통적인 가공 방식을 이용하여 형성한 후, 회로기판(160)의 암 전극 패드(211)에 접착층(예를 들면, 솔더)으로 접착시켜 형성할 수 있다.On the other hand, the ground arm electrode 210 may be formed of any one selected from gold, platinum, silver, copper, aluminum, nickel, palladium, chromium, alloys thereof, and equivalents, in some examples. In addition, in some examples, the ground arm electrode 210 is forging, punching, drawing, cutting a metal foil. After forming using a conventional processing method such as bending, it may be formed by bonding to the female electrode pad 211 of the circuit board 160 with an adhesive layer (for example, solder).

이러한 접지 암 전극(210)은 제1쌍을 포함하고, 제1쌍은 유전체 블록(110)의 대향되는 측면(113)(대향되는 양측면(113))의 외측에 각각 형성될 수 있고, 추가적으로 접지 암 전극(210)은 제2쌍을 포함하고, 제2쌍은 유전체 블록(110)의 다른 대향되는 측면(113)(다른 대향되는 양측면(113))의 외측에 각각 형성될 수 있다.The ground arm electrode 210 may include a first pair, and the first pair may be respectively formed on opposite sides 113 of the dielectric block 110 (opposite side surfaces 113), and additionally ground. The female electrode 210 may include a second pair, and the second pair may be formed on the outer sides of the other opposite side surfaces 113 (the other opposite side surfaces 113) of the dielectric block 110, respectively.

일부 예들에서, 접지 암 전극(210)의 폭은 유전체 블록(110)의 측면(113)의 폭보다 작을 수 있고, 또한 접지 암 전극(210)의 높이는 유전체 블록(110)의 측면(113)의 높이보다 높을 수 있다. 여기서, 용량(즉, 캐패시턴스)은 접지 암 전극(210)의 높이 및 폭에 의해 결정될 수 있다.In some examples, the width of the ground arm electrode 210 may be less than the width of the side 113 of the dielectric block 110, and the height of the ground arm electrode 210 may also be greater than that of the side 113 of the dielectric block 110. It can be higher than the height. Here, the capacity (ie, capacitance) may be determined by the height and width of the ground arm electrode 210.

일부 예들에서, 접지 암 전극(210)은 유전체 블록(110)의 측면(113)에 대하여 대략 평행한 직선 형태일 수 있다. 일부 예들에서, 접지 암 전극(210)은 유전체 블록(110)의 측면(113)에 평행한 대략 평평한 플레이트 형태 또는 직사각 플레이트 형태일 수 있다. 일부 예들에서, 유전체 블록(110)의 원판 형태일 경우, 접지 암 전극(210) 역시 유전체 블록(110)의 측면(곡면)에 대략 균일한 거리로 이격될 수 있도록 곡면 플레이트 형태(또는 호 형태)로 형성될 수 있다. In some examples, the ground arm electrode 210 may be in the form of a straight line that is approximately parallel to the side surface 113 of the dielectric block 110. In some examples, the ground arm electrode 210 may be in the form of a substantially flat plate or rectangular plate parallel to the side 113 of the dielectric block 110. In some examples, when in the form of a disc of the dielectric block 110, the ground arm electrode 210 is also curved plate (or arc) so as to be spaced at a substantially uniform distance to the side (curved surface) of the dielectric block 110. It can be formed of.

일부 예들에서, 접지 전극(140)과 접지 암 전극(210)은 상호간 전기적으로 연결되어, 동일한 접지 전위를 가질 수 있다. 그러나, 방사 패치 전극(120) 및 급전핀(130)은 접지 전극(140) 및 접지 암 전극(210)으로부터 이격될 수 있다. 일부 예들에서, 접지 전극(140) 및 접지 암 전극(210)은 하나의 공통 접지 전극으로 볼 수도 있다.In some examples, the ground electrode 140 and the ground arm electrode 210 are electrically connected to each other to have the same ground potential. However, the radiation patch electrode 120 and the feed pin 130 may be spaced apart from the ground electrode 140 and the ground arm electrode 210. In some examples, ground electrode 140 and ground arm electrode 210 may be viewed as one common ground electrode.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 패치 안테나 구조물(200)은 유전체 블록(110)의 외측에 형성되어 접지 전극(140)에 전기적으로 연결된 제1쌍 및/또는 제2쌍의 접지 암 전극(210)을 더 포함함으로써, 원하는 공진 주파수(fr)와 축비를 쉽게 얻을 수 있다. 다르게 설명하면, 유전체 블록(110)중 측면(113)의 외측에 대향되는 한쌍 이상의 접지 암 전극(210)이 더 형성됨으로써, 접지 암 전극(210)이 방사 패치 전극(120)에 더 근접하게 위치되고, 이에 따라 방사 패치 전극(120)과, 접지 전극(140) 및 접지 암 전극(210) 사이의 용량(캐패시턴스)이 증가하게 된다. 이러한 용량의 증가는 방사 패치 전극(120)의 공진 주파수가 작아진다는 것을 의미하므로 위의 공진주파수는 방사 패치 전극(120)의 넓이를 줄임으로써 용량이 증가되기 전과 같은 주파수를 만들 수 있다. 이것은 원형 편파 패치 안테나의 자체를 소형화할 수 있다는 것을 의미한다. 따라서 원형 편파 패치 안테나의 소형화는 방사 패치 전극(120)과, 접지 전극(140) 사이의 용량을 증가시키도록 접지 암 전극(210)을 구성함으로써 구현할 수 있다.As described above, the patch antenna structure 200 according to the embodiment of the present invention is formed on the outside of the dielectric block 110 and electrically connected to the ground electrode 140 of the first pair and/or the second pair of ground arm electrodes ( 210), it is possible to easily obtain the desired resonance frequency (fr) and the axial ratio. In other words, one or more pairs of ground arm electrodes 210 facing the outside of the side surface 113 of the dielectric block 110 are further formed, so that the ground arm electrode 210 is positioned closer to the radiation patch electrode 120. Accordingly, the capacity (capacitance) between the radiation patch electrode 120 and the ground electrode 140 and the ground arm electrode 210 is increased. This increase in capacity means that the resonant frequency of the radiation patch electrode 120 decreases, so the above resonant frequency can reduce the width of the radiation patch electrode 120 to make the same frequency as before the capacity increases. This means that the circularly polarized patch antenna itself can be miniaturized. Therefore, miniaturization of the circular polarized patch antenna can be implemented by configuring the ground arm electrode 210 to increase the capacity between the radiation patch electrode 120 and the ground electrode 140.

더욱이, 상술한 접지 암 전극(210)은 방사 패치 전극(120)과의 용량을 증가시켜 패치 안테나를 소형화하며, 접지 암 전극(210)이 높이를 조정함으로써, 원하는 공진 주파수를 얻을 수 있고, 또한 접지 암 전극(210)의 높이 및 폭을 조절하여 원하는 공진 주파수 및 축비를 얻을 수 있다.Moreover, the above-described ground arm electrode 210 increases the capacity with the radiating patch electrode 120 to miniaturize the patch antenna, and by adjusting the height of the ground arm electrode 210, a desired resonance frequency can be obtained, and By adjusting the height and width of the ground arm electrode 210, a desired resonance frequency and axial ratio can be obtained.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물(300)을 도시한 단면도이다. 도 7에 도시된 패치 안테나 구조물(300)은 도 1 내지 3, 6에 도시된 패치 안테나 구조물(100,200)과 유사하므로 그 차이점을 중심으로 설명한다.7 is a cross-sectional view showing a highly directional patch antenna structure 300 with improved null according to another embodiment of the present invention. Since the patch antenna structure 300 shown in FIG. 7 is similar to the patch antenna structure 100,200 shown in FIGS. 1 to 3, 6, the differences will be mainly described.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 패치 안테나 구조물(300)은 접지 암 전극(310)이 유전체 블록(110)의 측면(113)에 대하여 상부로 갈수록 내측으로 휘는 곡면 형태일 수 있다. 여기서, 접지 암 전극(310)은 대향되는 한쌍 또는 두쌍을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 접지 암 전극(310)은 제1쌍을 포함하고, 제1쌍의 상단을 지지하는 지지대(320)를 더 포함할 수 있다. 지지대(312)는 유전체 또는 절연체일 수 있으며, 이는 곡면 형태의 접지 암 전극(310)이 스스로 곡면 모양을 유지할 수 있다면 생략될 수 있다.As shown in FIG. 7, the patch antenna structure 300 according to another embodiment of the present invention has a curved shape in which the ground arm electrode 310 curves inward toward the upper side with respect to the side surface 113 of the dielectric block 110. Can be Here, the ground arm electrode 310 may include opposite pairs or two pairs. In some examples, the ground arm electrode 310 includes a first pair, and may further include a support 320 that supports the top of the first pair. The support 312 may be a dielectric or an insulator, and may be omitted if the ground arm electrode 310 having a curved shape can maintain a curved shape by itself.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.As described above, the null according to the present invention is only one embodiment for implementing the highly directional patch antenna structure, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, and as claimed in the following claims Likewise, without departing from the gist of the present invention, any person having ordinary knowledge in the field to which the present invention pertains will have the technical spirit of the present invention to the extent that various changes can be implemented.

100,200,300; 본 발명의 실시예에 따른 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물
110; 유전체 블록 111; 상면
112; 하면 113; 측면
120; 방사 패치 전극 121; 챔퍼
130; 급전핀 140; 접지 전극
150; 리플렉터 160; 회로기판
161; 접지 패드 171; 베이스
172; 하우징 173; 결합 부재100,200,300; High-directional patch antenna structure with improved null according to an embodiment of the present invention
110; Dielectric block 111; Top
112; Lower 113; side
120; Radiation patch electrode 121; Chamfer
130; Feed pin 140; Ground electrode
150; Reflector 160; Circuit board
161; Ground pad 171; Base
172; Housing 173; Coupling member

Claims (8)

상면과, 상면의 반대면인 하면과, 상면과 하면 사이의 측면을 포함하는 유전체 블록;
유전체 블록의 상면에 형성된 방사 패치 전극;
유전체 블록의 하면에 형성된 접지 전극; 및
유전체 블록의 상면으로부터 이격되어 위치된 링 형태의 리플렉터를 포함하는, 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물.A dielectric block including an upper surface, a lower surface that is an opposite surface of the upper surface, and a side surface between the upper surface and the lower surface;
A radiation patch electrode formed on the top surface of the dielectric block;
A ground electrode formed on a lower surface of the dielectric block; And
An improved, highly directional patch antenna structure comprising a ring-shaped reflector positioned spaced apart from the top surface of the dielectric block. 제 1 항에 있어서,
리플렉터는 유전체 블록의 상면과 평행한, 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물.According to claim 1,
The reflector is a highly directional patch antenna structure with improved nulls, parallel to the top surface of the dielectric block. 제 1 항에 있어서,
리플렉터는 상부 표면과, 상부 표면의 반대면인 하부 표면과, 상부 표면과 하부 표면 사이의 내측면과, 내측면의 반대면으로서 상부 표면과 하부 표면 사이의 외측면과, 내측면의 내측 공간을 포함하는, 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물.According to claim 1,
The reflector includes an upper surface, a lower surface opposite to the upper surface, an inner surface between the upper surface and the lower surface, an outer surface between the upper surface and the lower surface as the opposite surface of the inner surface, and an inner space of the inner surface. A high-directional patch antenna structure comprising a null board. 제 3 항에 있어서,
상부 표면 및 하부 표면의 폭보다 내측면 및 외측면의 폭이 더 큰, 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물.The method of claim 3,
A highly directional patch antenna structure with improved nulls, wherein the widths of the inner and outer surfaces are greater than the widths of the upper and lower surfaces. 제 1 항에 있어서,
리플렉터는 원형의 링 형태인, 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물.According to claim 1,
The reflector is a circular ring-shaped, high-directional patch antenna structure with improved nulls. 제 1 항에 있어서,
리플렉터의 크기는 방사 패치 전극의 크기보다 크거나 같은, 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물.According to claim 1,
A highly directional patch antenna structure with improved nulls, the reflector being greater than or equal to the size of the radiating patch electrode. 제 1 항에 있어서,
리플렉터의 두께는 유전체 블록의 두께보다 작거나 같은, 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물.According to claim 1,
A highly directional patch antenna structure with improved nulls, wherein the reflector is less than or equal to the thickness of the dielectric block. 제 1 항에 있어서,
리플렉터는 하우징의 고정 부재에 고정되어 유전체 블록으로부터 이격된, 널이 개선된 고지향성 패치 안테나 구조물.
According to claim 1,
The reflector is fixed to the fastening member of the housing and is spaced apart from the dielectric block.
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