KR20200067503A - A Distributing Type of a Plasma Scrubber Apparatus - Google Patents

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KR20200067503A
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이하균
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Abstract

The present invention relates to a plasma scrubber device of a distributing structure, and more specifically, to a plasma scrubber device of a distributing structure capable of providing a simple structure and improved processing efficiency by processing discharged gas in a plurality of plasma scrubber modules connected to a plurality of vacuum pumps. The plasma scrubber device of a distributing structure comprises: a plurality of vacuum pumps (11_1 to 11_N) which discharge gas; the plurality of plasma scrubber modules (13_1 to 13_N) which process the gas including a harmful component supplied from the plurality of vacuum pumps (11_1 to 11_N); and a postprocessing scrubber module (15) which is connected to the plurality of plasma scrubber modules (13_1 to 13_N).

Description

분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치{A Distributing Type of a Plasma Scrubber Apparatus} A Distributing Type of a Plasma Scrubber Apparatus}

본 발명은 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치에 관한 것이고, 구체적으로 다수 개의 진공 펌프와 연결된 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈에서 배출 기체를 처리하여 구조적으로 간단하면서 처리 효율이 향상된 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma scrubber device having a dispersion structure, and specifically to a plasma scrubber device having a structurally simple and improved processing efficiency by treating exhaust gas in a plurality of plasma scrubber modules connected to a plurality of vacuum pumps.

반도체 제조 과정 또는 이와 유사한 화합물을 처리 과정에서 발생되는 유해 기체가 스크러버(scrubber) 장치에 의하여 처리될 수 있다. 예를 들어 반도체의 제조를 위한 팹(Fab)에서 진공 펌프(dry pump)에 의하여 배출된 공정 기체는 이송 도관을 통하여 스크러버 장치로 이송되어 처리될 수 있다. 이와 같은 구조에서 스크러버 장치의 용량은 진공 펌프의 주입 용량에 비하여 크고, 스크러버 장치는 진공 펌프와 분리되어 설치되므로 일정한 길이를 가진 이송 도관에 의하여 기체가 이송될 수 있다. 이로 인하여 이송 도관의 온도의 유지를 위한 가열 재킷과 같은 가열 수단이 사용되어야 하고, 도관 막힘을 방지를 위한 설비가 갖추어질 필요가 있다. 그러나 이와 같은 구조로 인하여 장치 전체의 구조가 복잡해지면서 운영비용이 증가된다. 특허공개번호 제10-2018-0066571호는 반응실 내에 다수의 차단벽이 구비된 플라즈마 스크러버 장치에 대하여 개시한다. 또한 특허공개번호 제10-2009-0057037호는 와류를 형성하여 유해 가스를 처리하는 유해가스 처리 방법에 대하여 개시한다. 그러나 선행기술은 모두 집합 형태를 가지는 것에 의하여 위에서 설명된 문제점을 그대로 가진다. 그러므로 적절한 분배 구조의 처리 장치가 만들어질 필요가 있다. Harmful gases generated in the semiconductor manufacturing process or in the process of processing similar compounds may be treated by a scrubber device. For example, the process gas discharged by a vacuum pump from a fab for the production of semiconductors may be transferred to a scrubber device through a transport conduit and processed. In this structure, the capacity of the scrubber device is larger than that of the vacuum pump, and since the scrubber device is installed separately from the vacuum pump, gas can be transferred by a transport conduit having a constant length. For this reason, heating means such as a heating jacket for maintaining the temperature of the conveying conduit must be used, and there is a need to be equipped with equipment for preventing conduit clogging. However, due to this structure, the overall structure of the device is complicated and the operation cost is increased. Patent Publication No. 10-2018-0066571 discloses a plasma scrubber device having a plurality of blocking walls in a reaction chamber. In addition, Patent Publication No. 10-2009-0057037 discloses a method for treating a harmful gas to form a vortex to treat the harmful gas. However, all of the prior arts have the problems described above by having a collective form. Therefore, it is necessary to make a processing device with an appropriate distribution structure.

본 발명은 선행기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다. The present invention is to solve the problems of the prior art has the following purposes.

선행기술 1: 특허공개번호 제10-2018-0066571호((주)트리플코어스코리아, 2018년06월19일 공개) 차단벽이 구비된 플라즈마 스크러버 장치Prior Art 1: Patent Publication No. 10-2018-0066571 (TripleCores Korea, published on June 19, 2018) Plasma scrubber device with barrier 선행기술 2: 특허공개번호 제10-2009-0057037호(유니셈(주), 2009년07월08일 공개) 플라즈마 스크러버 및 유해 가스 처리 방법Prior Art 2: Patent Publication No. 10-2009-0057037 (Unisem, published on 08/08/2009) Plasma scrubber and harmful gas treatment method

본 발명의 목적은 진공 펌프와 플라즈마 스크러버 모듈이 분배 구조로 서로 연결되어 구조적으로 간단하면서 배출 기체의 처리 효율이 향상되도록 하는 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a plasma scrubber device having a dispersive structure in which a vacuum pump and a plasma scrubber module are connected to each other in a distribution structure to be structurally simple and to improve the treatment efficiency of exhaust gas.

본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치는 기체를 배출시키는 다수 개의 진공 펌프; 다수 개의 진공 펌프로부터 공급되는 유해 성분을 포함하는 기체를 처리하는 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈; 및 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈과 연결된 후처리 스크러버 모듈을 포함한다.According to a preferred embodiment of the present invention, the plasma scrubber device having a dispersion structure includes a plurality of vacuum pumps for discharging gas; A plurality of plasma scrubber modules that process gases containing harmful components supplied from a plurality of vacuum pumps; And a post-treatment scrubber module connected to a plurality of plasma scrubber modules.

본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 다수 개의 진공 펌프와 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈은 유동 조절 관에 의하여 연결된다.According to another suitable embodiment of the invention, the plurality of vacuum pumps and the plurality of plasma scrubber modules are connected by flow control tubes.

본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈로부터 처리되어 후처리 스크러버 모듈로 공급되는 기체의 양은 압력 분배 모듈에 의하여 조절된다.According to another suitable embodiment of the present invention, the amount of gas processed from the plurality of plasma scrubber modules and supplied to the post-treatment scrubber module is controlled by a pressure distribution module.

본 발명에 따른 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치는 다수 개의 진공 펌프가 다수 개의 스크러버 모듈에 연결되어 1차적으로 유해 기체가 처리된 이후 습식 스크러버 장치로 이송된다. 이에 의하여 구조적으로 간단해지면서 배출 기체의 처리 효율이 향상되도록 한다. The plasma scrubber device of the dispersion structure according to the present invention is transferred to a wet scrubber device after a plurality of vacuum pumps are connected to a plurality of scrubber modules to treat harmful gases primarily. This makes it possible to improve the treatment efficiency of the exhaust gas while being structurally simple.

도 1은 본 발명에 따른 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치의 구조의 실시 예를 블록 다이어그램으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 스크러버 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 스크러버 장치가 적용된 실시 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 스크러버 장치의 작동 구조의 실시 예를 도시한 것이다. 1 is a block diagram showing an embodiment of a structure of a plasma scrubber device having a dispersion structure according to the present invention.
2 shows an embodiment of a scrubber apparatus according to the present invention.
3 shows an embodiment in which a scrubber device according to the present invention is applied.
Figure 4 shows an embodiment of the operating structure of the scrubber device according to the present invention.

아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다. The present invention will be described in detail below with reference to the embodiments presented in the accompanying drawings, but the embodiments are intended for a clear understanding of the present invention and the present invention is not limited thereto. In the following description, components having the same reference numerals in different drawings have similar functions, and are not described repeatedly unless necessary for understanding of the invention, and well-known components are briefly described or omitted, but the present invention It should not be understood as being excluded from the embodiment.

도 1은 본 발명에 따른 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치의 구조의 실시 예를 블록 다이어그램으로 도시한 것이다. 1 is a block diagram showing an embodiment of a structure of a plasma scrubber device having a dispersion structure according to the present invention.

도 1을 참조하면, 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치는 기체를 배출시키는 다수 개의 진공 펌프(11_1 내지 11_N); 다수 개의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)로부터 공급되는 유해 성분을 포함하는 기체를 처리하는 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N); 및 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)과 연결된 후처리 스크러버 모듈(15)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the plasma scrubber device having a dispersion structure includes a plurality of vacuum pumps 11_1 to 11_N for discharging gas; A plurality of plasma scrubber modules 13_1 to 13_N for processing gas containing harmful components supplied from the plurality of vacuum pumps 11_1 to 11_N; And a post-treatment scrubber module 15 connected to the plurality of plasma scrubber modules 13_1 to 13_N.

다수 개의 진공 펌프(dry pump)(11_1 내지 11_N)는 공정 챔버와 연결될 수 있고, 반도체 웨이퍼 또는 이와 유사한 기판의 공정 전후에 공정 챔버로부터 기체를 배출시킬 수 있다. 배출 기체는 예를 들어 NF3, CF4, SF6, 또는 이와 유사한 유해 성분을 포함할 수 있고, 플라즈마에 의하여 처리되어 이와 같은 유해 성분이 처리될 필요가 있다. 각각의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)는 각각의 배출 라인을 통하여 공정 챔버(11_1 내지 11_N)와 연결될 수 있고, 공정 챔버(11_1 내지 11_N)는 주입 탭(111_1 내지 111_N)을 통하여 진공 펌프(11_1 내지 11_N)로 유입되어 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)로 이송될 수 있다. 각각의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)은 예를 들어 음극과 양극에 개시 전압을 인가하여 아크를 인가하여 발생되는 열 플라즈마에 의하여 유해 성분을 처리하는 열 플라즈마 구조를 가질 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 각각의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)와 각각의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)은 연결 도관(12_1 내지 12_N)에 의하여 연결될 수 있다. 연결 도관(12_1 내지 12_N)은 기체의 이송이 가능하면서 배출 기체에 포함된 유해 성분에 대한 부식 저항성을 가진 소재로 만들어질 수 있다. 연결 도관(12_1 내지 12_N)은 가능한 짧은 길이를 가질 수 있고, 예를 들어 이송 과정에서 온도 변화가 거의 발생되지 않는 길이가 될 수 있다. 이송 과정에서 온도 변화가 0.1 내지 5 ℃의 범위가 되거나, 서로 다른 모듈 사이에 기체의 이송을 위한 최소 거리가 될 수 있다. 선택적으로 진공 펌프(11_1 내지 11_N)와 일체로 연결될 수 있고, 연결 도관(12_1 내지 12_N)은 기체 공급이 가능한 공급 스크루 구조가 될 수 있다. 진공 펌프(11_1 내지 11_N)와 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)은 별도의 추가 시설이 없이 기체의 온도 또는 압력 변화가 최소가 되도록 하는 다양한 구조로 연결될 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. 각각의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)은 각각의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)로부터 공급되는 배출 기체의 처리에 적합한 구조로 만들어질 수 있다. 각각의 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)에 의하여 배출 기체에 포함된 유해 성분이 처리될 수 있고, 유해 성분이 제거된 배출 기체는 이송 도관(14_1 내지 14_N)을 통하여 후처리 스크러버 모듈(15)로 이송될 수 있고, 후처리 스크러버 모듈(15)에서 유해 성분이 제거된 배출 기체가 추가적으로 처리되어 외부로 배출될 수 있다. 예를 들어 배출 기체가 냉각되거나, 잔존하는 유해 성분이 침전되거나, 산화가 될 수 있다. 이송 도관(14_1 내지 14_N)은 임의의 길이를 가질 수 있고, 후처리 스크러버 모듈(15)은 다양한 위치에 배출될 수 있다. 후처리 스크러버 모듈(15)은 배출 기체의 처리를 위한 다양한 기능을 가질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. The plurality of vacuum pumps 11_1 to 11_N may be connected to the process chamber, and may exhaust gas from the process chamber before and after processing a semiconductor wafer or a similar substrate. The exhaust gas may contain, for example, NF 3 , CF 4 , SF 6, or similar harmful components, and it is necessary to treat such harmful components by treatment with plasma. Each of the vacuum pumps 11_1 to 11_N may be connected to the process chambers 11_1 to 11_N through respective discharge lines, and the process chambers 11_1 to 11_N may be vacuum pumps 11_1 to 11 through the injection taps 111_1 to 111_N. 11_N) and may be transferred to the plasma scrubber modules 13_1 to 13_N. Each of the plasma scrubber modules 13_1 to 13_N may have, for example, a thermal plasma structure that processes harmful components by thermal plasma generated by applying an arc by applying an initial voltage to the cathode and the anode, but is not limited thereto. Each vacuum pump 11_1 to 11_N and each plasma scrubber module 13_1 to 13_N may be connected by connection conduits 12_1 to 12_N. The connecting conduits 12_1 to 12_N may be made of a material having corrosion resistance to harmful components included in the exhaust gas while being capable of transporting the gas. The connecting conduits 12_1 to 12_N may have a length as short as possible, for example, a length in which a temperature change hardly occurs in a conveying process. The temperature change in the transport process may be in the range of 0.1 to 5°C, or may be a minimum distance for transport of gas between different modules. Optionally, it may be integrally connected to the vacuum pumps 11_1 to 11_N, and the connecting conduits 12_1 to 12_N may be a supply screw structure capable of supplying gas. The vacuum pumps 11_1 to 11_N and the plasma scrubber modules 13_1 to 13_N may be connected in various structures to minimize a change in temperature or pressure of the gas without additional facilities, and are not limited to the presented embodiments. Each plasma scrubber module 13_1 to 13_N may be made of a structure suitable for the treatment of the exhaust gas supplied from each vacuum pump 11_1 to 11_N. Hazardous components included in the exhaust gas may be processed by each scrubber module 13_1 to 13_N, and the exhaust gas from which the harmful components are removed is transferred to the post-treatment scrubber module 15 through the transport conduits 14_1 to 14_N The exhaust gas from which harmful components are removed in the post-treatment scrubber module 15 may be additionally treated and discharged to the outside. For example, the exhaust gas may be cooled, residual harmful components may be precipitated or oxidized. The transport conduits 14_1 to 14_N may have any length, and the post-treatment scrubber module 15 may be discharged to various locations. The post-treatment scrubber module 15 may have various functions for the treatment of exhaust gas and is not limited to the presented embodiment.

도 2는 본 발명에 따른 스크러버 장치의 실시 예를 도시한 것이다. 2 shows an embodiment of a scrubber apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 다수 개의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)와 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)은 유동 조절 관(21)에 의하여 연결된다. Referring to FIG. 2, the plurality of vacuum pumps 11_1 to 11_N and the plurality of plasma scrubber modules 13_1 to 13_N are connected by a flow control tube 21.

각각의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)는 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있고, 동일한 공정 챔버에 공통 도관에 의하여 연결될 수 있다. 각각의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)는 독립적으로 작동될 수 있고, 다수 개의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)는 서로 병렬 구조로 연결되어 진공 펌프 모듈을 형성할 수 있다. 각각의 주입 탭(111_1 내지 111_N)을 통하여 각각의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)로 유입된 배출 기체는 각각의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)에 의하여 각각의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)로 공급되어 처리될 수 있다. 각각의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)는 각각의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)과 유동 조절 관(21)에 의하여 연결될 수 있다. 유도 조절 관(21)은 서로 다른 두 개의 모듈을 연결하는 커넥터의 기능 및 기체 공급 밸브의 기능을 가질 수 있다. 유도 조절 관(21)은 기체가 유동되는 유동 관과 유동 관과 분리되어 둘러싸는 보호관으로 이루어질 수 있고, 유동 관의 외부 둘레 면을 따라 유동 조절 튜브(22)가 감길 수 있고, 유동 조절 튜브(22)의 한쪽 끝은 조절 탐지 유닛(23)에 연결될 수 있다. 유동 조절 튜브(22)를 통하여 미리 결정된 온도를 가지는 기체가 유동될 수 있고, 유동 기체의 온도 변화에 의하여 유동 관을 통하여 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)로 유입되는 기체의 온도를 탐지하는 기능을 가질 수 있다. 선택적으로 유동 조절 튜브(22)는 유동 관을 통하여 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)로 공급되는 배출 기체의 온도를 조절하는 기능을 가질 수 있다. Each of the vacuum pumps 11_1 to 11_N may have the same or similar structure, and may be connected to the same process chamber by a common conduit. Each of the vacuum pumps 11_1 to 11_N may be operated independently, and the plurality of vacuum pumps 11_1 to 11_N may be connected in parallel to each other to form a vacuum pump module. The exhaust gas introduced into the respective vacuum pumps 11_1 to 11_N through the respective injection taps 111_1 to 111_N is supplied to the respective plasma scrubber modules 13_1 to 13_N by the respective vacuum pumps 11_1 to 11_N. Can be processed. Each vacuum pump 11_1 to 11_N may be connected to each plasma scrubber module 13_1 to 13_N by a flow control tube 21. The induction control pipe 21 may have a function of a connector connecting two different modules and a function of a gas supply valve. The induction regulating tube 21 may be formed of a flow tube through which gas flows and a protective tube enclosed separately from the flow tube, and the flow regulating tube 22 may be wound along the outer circumferential surface of the flow tube, and the flow regulating tube ( One end of 22) may be connected to the control detection unit 23. A gas having a predetermined temperature may be flowed through the flow control tube 22, and a function of detecting the temperature of the gas flowing into the plasma scrubber modules 13_1 to 13_N through the flow pipe by the temperature change of the flow gas Can have Optionally, the flow control tube 22 may have a function of controlling the temperature of the exhaust gas supplied to the plasma scrubber modules 13_1 to 13_N through the flow tube.

각각의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)에서 처리된 배출 기체는 하나의 후처리 스크러버 모듈(15)로 유도될 수 있다. 후처리 스크러버 모듈(15)은 예를 들어 처리된 기체를 산화시키거나, 환원시키거나, 냉각시키거나, 세정액으로 처리하는 기능을 가질 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)에서 처리된 배출 기체는 이송 도관(14_1 내지 14_N)을 통하여 후처리 스크러버 모듈(15)로 공급될 수 있다. 후처리 스크러버 모듈(15)은 큰 규모를 가지므로 공정 설비로부터 떨어진 위치에 설치될 수 있고, 이송 도관(14_1 내지 14_N)은 임의의 길이를 가질 수 있다.The exhaust gas treated in each plasma scrubber module 13_1 to 13_N may be led to one post-treatment scrubber module 15. The post-treatment scrubber module 15 may, for example, have a function of oxidizing, reducing, cooling, or treating the treated gas with a cleaning solution, but is not limited thereto. The exhaust gas processed in the plasma scrubber modules 13_1 to 13_N may be supplied to the post-treatment scrubber module 15 through the transport conduits 14_1 to 14_N. Since the post-treatment scrubber module 15 has a large scale, it can be installed at a location away from the process equipment, and the transfer conduits 14_1 to 14_N can have any length.

다수 개의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)가 하나의 공정 챔버에 연결되면서 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)이 하나의 후처리 스크러버 모듈(15)에 연결되는 구조에서 배출 기체의 공급이 적절하게 조절되는 것이 유리하다. Supply of exhaust gas is appropriately controlled in a structure in which a plurality of plasma scrubber modules 13_1 to 13_N are connected to one post-treatment scrubber module 15 while a plurality of vacuum pumps 11_1 to 11_N are connected to one process chamber It is advantageous to be.

도 3은 본 발명에 따른 스크러버 장치가 적용된 실시 예를 도시한 것이다. 3 shows an embodiment in which a scrubber device according to the present invention is applied.

도 3을 참조하면, 공정 챔버(31)와 진공 펌프 모듈(11)이 기체 유동이 가능하도록 서로 연결될 수 있고, 진공 펌프 모듈(11)은 다수 개의 진공 펌프를 포함할 수 있다. 공정 챔버(31)에 설치된 적어도 하나의 배출 조절 수단(321, 322)을 통하여 배출되는 배출 기체는 유도관(33)을 통하여 분산 모듈(34)로 배출 기체를 유도할 수 있다. 분산 모듈(34)과 진공 펌프 모듈(11)은 다수 개의 분배 관(341_1 내지 341_N)으로 연결될 수 있고, 각각의 분배 관(341_1 내지 341_N)은 각각의 진공 펌프와 연결될 수 있다. 분산 모듈(34)의 내부에 압력 개폐 조절 밸브가 설치될 수 있고, 압력 개폐 조절 밸브는 각각의 분배 관(341_1 내지 341_N)의 유동 압력에 따라 개폐 수준이 조절될 수 있다. 압력 개폐 조절 밸브의 개폐 수준에 따라 각각의 진공 펌프로 공급되는 배출 기체의 양이 조절될 수 있고, 진공 펌프 모듈(11)로 공급된 배출 기체는 플라즈마 스크러버 모듈 군(13)에서 처리될 수 있다. 플라즈마 스크러버 모듈 군(13)에 각각의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)에 연결 도관(12_1 내지 12_N)에 의하여 연결되는 플라즈마 스크러버 모듈이 설치될 수 있다. 각각의 플라즈마 스크러버 모듈 군(13)에 의하여 처리된 배출 기체는 각각 이송 도관(14)을 통하여 후처리 스크러버 모듈(15)로 이송될 수 있다. 이와 같이 반도체 공정 또는 이와 유사한 공정에 적용되는 플라즈마 처리 장치의 작동 과정에 대하여 아래에서 설명된다. Referring to FIG. 3, the process chamber 31 and the vacuum pump module 11 may be connected to each other to enable gas flow, and the vacuum pump module 11 may include a plurality of vacuum pumps. The exhaust gas discharged through the at least one emission control means 321 and 322 installed in the process chamber 31 may induce exhaust gas into the dispersion module 34 through the induction pipe 33. The dispersion module 34 and the vacuum pump module 11 may be connected to a plurality of distribution pipes 341_1 to 341_N, and each distribution pipe 341_1 to 341_N may be connected to each vacuum pump. A pressure opening/closing control valve may be installed inside the dispersion module 34, and the opening/closing level may be adjusted according to the flow pressure of each distribution pipe 341_1 to 341_N. The amount of the exhaust gas supplied to each vacuum pump can be adjusted according to the opening/closing level of the pressure opening/closing control valve, and the exhaust gas supplied to the vacuum pump module 11 can be processed in the plasma scrubber module group 13. . Plasma scrubber modules connected to each vacuum pump 11_1 to 11_N by connecting conduits 12_1 to 12_N may be installed in the plasma scrubber module group 13. The exhaust gas processed by each plasma scrubber module group 13 may be transferred to the post-treatment scrubber module 15 through the transport conduit 14, respectively. The operation process of the plasma processing apparatus applied to the semiconductor process or the like is described below.

도 4는 본 발명에 따른 스크러버 장치의 작동 구조의 실시 예를 도시한 것이다. Figure 4 shows an embodiment of the operating structure of the scrubber device according to the present invention.

도 4를 참조하면, 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)로부터 처리되어 후처리 스크러버 모듈(15)로 공급되는 기체의 양은 압력 분배 모듈(43)에 의하여 조절된다. Referring to FIG. 4, the amount of gas processed from the plurality of plasma scrubber modules 13_1 to 13_N and supplied to the post-treatment scrubber module 15 is controlled by the pressure distribution module 43.

제어 모듈(41)에 의하여 스크러버 장치의 전체 작동이 조절될 수 있고, 제어 모듈(41)은 작동 조절 모듈(42)에 의하여 진공 펌프 모듈(11) 및 플라즈마 스크러버 모듈 군(13)의 작동을 조절할 수 있다. 각각의 진공 펌프 및 각각의 플라즈마 스크러버 모듈의 작동 상태가 제1, 2 탐지 유닛(441, 442)에 의하여 탐지되어 작동 조절 모듈(42)로 전송될 수 있다. 제1, 2 탐지 유닛(441, 442)은 각각의 진공 펌프로 유입 또는 배출되는 기체의 압력 또는 온도를 탐지할 수 있다. 작동 조절 모듈(42)은 제1, 2 탐지 유닛(441, 442)으로부터 탐지된 정보에 기초하여 각각의 진공 펌프 및 각각의 플라즈마 스크러버 모듈의 작동을 조절할 수 있다. 각각의 플라즈마 스크러버 모듈에서 처리된 배출 기체는 압력 분배 모듈(43)로 전송할 수 있다, 압력 분배 모듈(43)은 서로 다른 플라즈마 스크러버 모듈로부터 유입되는 배출 기체의 압력을 균일하게 유지하는 기능을 가지면서 후처리 스크러버 모듈(15)의 압력을 탐지하여 유입되는 배출 기체의 압력을 공급 압력을 조절하는 기능을 가질 수 있다. 압력 분배 모듈(43)의 압력 또는 온도가 제3 탐지 유닛(443)에 의하여 탐지되어 작동 조절 모듈(42)로 전송될 수 있다. 작동 조절 모듈(42)은 제3 탐지 유닛(443)에 의하여 탐지된 압력 정보에 기초하여 각각의 진공 펌프와 플라즈마 스크러버 모듈의 작동 수준을 조절할 수 있다. The overall operation of the scrubber device can be controlled by the control module 41, and the control module 41 controls the operation of the vacuum pump module 11 and the plasma scrubber module group 13 by the operation control module 42. You can. The operating state of each vacuum pump and each plasma scrubber module can be detected by the first and second detection units 441 and 442 and transmitted to the operation control module 42. The first and second detection units 441 and 442 may detect the pressure or temperature of the gas flowing into or out of each vacuum pump. The operation adjustment module 42 may adjust the operation of each vacuum pump and each plasma scrubber module based on information detected from the first and second detection units 441 and 442. The exhaust gas processed in each plasma scrubber module can be transmitted to the pressure distribution module 43, while the pressure distribution module 43 has a function of uniformly maintaining the pressure of the exhaust gas flowing from different plasma scrubber modules. It can have a function of detecting the pressure of the aftertreatment scrubber module 15 and adjusting the supply pressure to the pressure of the incoming exhaust gas. The pressure or temperature of the pressure distribution module 43 can be detected by the third detection unit 443 and transmitted to the operation control module 42. The operation adjustment module 42 may adjust the operation level of each vacuum pump and plasma scrubber module based on the pressure information detected by the third detection unit 443.

플라즈마 스크러버 장치는 다양한 방법으로 작동이 될 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. The plasma scrubber device can be operated in various ways and is not limited to the presented embodiment.

본 발명에 따른 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치는 다수 개의 진공 펌프가 다수 개의 스크러버 모듈에 연결되어 1차적으로 유해 기체가 처리된 이후 습식 스크러버 장치로 이송된다. 이에 의하여 구조적으로 간단해지면서 배출 기체의 처리 효율이 향상되도록 한다. The plasma scrubber device of the dispersion structure according to the present invention is transferred to a wet scrubber device after a plurality of vacuum pumps are connected to a plurality of scrubber modules to treat harmful gases primarily. This makes it possible to improve the treatment efficiency of the exhaust gas while being structurally simple.

위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다. The present invention has been described in detail with reference to the presented embodiments, but those skilled in the art will be able to make various modifications and modified inventions without departing from the technical spirit of the present invention with reference to the presented embodiments. . The present invention is not limited by such modified and modified inventions, but is limited by the appended claims.

11: 진공 펌프 모듈 11_1 내지 11_N: 진공 펌프
12_1 내지 12_N: 연결 도관 13: 플라즈마 스크러버 모듈 군
13_1 내지 13_N: 플라즈마 스크러버 모듈
14, 14_1 내지 14_N: 이송 도관 15: 후처리 스크러버 모듈
21: 유동 조절 관 22: 유동 조절 튜브
23: 조절 탐지 유닛 31: 공정 챔버
33: 유도관 34: 분산 모듈
41: 제어 모듈 42: 작동 조절 모듈
43: 압력 분배 모듈 111_1 내지 111_N: 주입 탭
321, 322: 배출 조절 수단 341_1 내지 341_N: 분배 관
441, 442, 443: 제1, 2, 3 탐지 유닛11: vacuum pump modules 11_1 to 11_N: vacuum pump
12_1 to 12_N: connecting conduit 13: plasma scrubber module group
13_1 to 13_N: Plasma scrubber module
14, 14_1 to 14_N: transfer conduit 15: post-treatment scrubber module
21: flow control tube 22: flow control tube
23: control detection unit 31: process chamber
33: guide tube 34: dispersion module
41: control module 42: operation control module
43: pressure distribution modules 111_1 to 111_N: injection tap
321, 322: discharge control means 341_1 to 341_N: distribution pipe
441, 442, 443: 1st, 2nd, 3rd detection unit

Claims (3)

기체를 배출시키는 다수 개의 진공 펌프(11_1 내지 11_N);
다수 개의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)로부터 공급되는 유해 성분을 포함하는 기체를 처리하는 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N); 및
다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)과 연결된 후처리 스크러버 모듈(15)을 포함하는 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치. A plurality of vacuum pumps 11_1 to 11_N for discharging gas;
A plurality of plasma scrubber modules 13_1 to 13_N for treating gas containing harmful components supplied from the plurality of vacuum pumps 11_1 to 11_N; And
A plasma scrubber device having a distributed structure including a post-treatment scrubber module 15 connected to a plurality of plasma scrubber modules 13_1 to 13_N. 청구항 1에 있어서, 다수 개의 진공 펌프(11_1 내지 11_N)와 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)은 유동 조절 관(21)에 의하여 연결되는 것을 특징으로 하는 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치. The method according to claim 1, The plurality of vacuum pumps (11_1 to 11_N) and the plurality of plasma scrubber modules (13_1 to 13_N) is a plasma scrubber device having a dispersion structure, characterized in that connected by a flow control tube (21). 청구항 1에 있어서, 다수 개의 플라즈마 스크러버 모듈(13_1 내지 13_N)로부터 처리되어 후처리 스크러버 모듈(15)로 공급되는 기체의 양은 압력 분배 모듈(43)에 의하여 조절되는 것을 특징으로 하는 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치. The method according to claim 1, The amount of gas processed by the plurality of plasma scrubber modules (13_1 to 13_N) to be supplied to the post-treatment scrubber module (15) is controlled by a pressure distribution module (43), a plasma scrubber having a distributed structure. Device.
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