KR20200063663A - Apparatus for controlling temperature of purge gas - Google Patents

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KR20200063663A
KR20200063663A KR1020180149649A KR20180149649A KR20200063663A KR 20200063663 A KR20200063663 A KR 20200063663A KR 1020180149649 A KR1020180149649 A KR 1020180149649A KR 20180149649 A KR20180149649 A KR 20180149649A KR 20200063663 A KR20200063663 A KR 20200063663A
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purge gas
temperature
cooling chamber
sensor
supply line
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이슬
이정훈
강휘재
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세메스 주식회사
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Abstract

An apparatus for controlling temperature of purge gas can include: a supply line for supplying purge gas into a reticle pod; a cooling chamber for receiving a part of the supply line and circulating cooling water to cool the purge gas; and a heat jacket provided to surround the supply line between the reticle pod and the cooling chamber and heating the cooled purge gas to predetermined reference temperature. Therefore, the apparatus for controlling temperature of purge gas can control the temperature of the purge gas supplied to the reticle pod.

Description

퍼지 가스 온도 조절 장치{Apparatus for controlling temperature of purge gas}Apparatus for controlling temperature of purge gas

본 발명은 퍼지 가스 온도 조절 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레티클 포드를 퍼지하기 위한 퍼지 가스 온도 조절 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a purge gas temperature control device, and more particularly, to a purge gas temperature control device for purging a reticle pod.

반도체 장치 제조 공정에서 레티클이 수납된 레티클 포드들은 스토커(Stocker)에 보관될 수 있다. 상기 스토커는 상기 레티클 포드가 안착되는 로드 포트 및 상기 레티클 포드를 적재하기 위한 복수의 선반들을 구비할 수 있다. In the semiconductor device manufacturing process, reticle pods in which the reticle is stored may be stored in a stocker. The stocker may include a load port on which the reticle pod is seated and a plurality of shelves for loading the reticle pod.

상기 레티클 포드에 수납된 레티클이 오염되는 것을 방지하기 위해 상기 레티클 포드로 퍼지 가스가 공급될 수 있다. A purge gas may be supplied to the reticle pod to prevent contamination of the reticle accommodated in the reticle pod.

그러나, 종래 기술에 따르면, 상기 퍼지 가스를 상기 레티클 포드로 단순히 공급할 뿐 상기 퍼지 가스의 온도를 조절하지 않는다. 따라서, 상기 퍼지 가스가 다양한 온도를 가질 수 있다. However, according to the prior art, the purge gas is simply supplied to the reticle pod but does not control the temperature of the purge gas. Therefore, the purge gas may have various temperatures.

상기 퍼지 가스가 상기 레티클의 최적 온도를 벗어나는 경우, 상기 레티클을 보호하는 펠리클이 부풀거나 상기 레티클의 마스크 기능이 저하되어 상기 반도체 소자 제조 공정의 수율이 저하될 수 있다. When the purge gas is outside the optimum temperature of the reticle, the pellicle protecting the reticle may be swollen or the mask function of the reticle may be reduced, resulting in a decrease in the yield of the semiconductor device manufacturing process.

본 발명은 레티클 포드로 공급되는 퍼지 가스의 온도를 조절할 수 있는 퍼지 가스 온도 조절 장치를 제공한다. The present invention provides a purge gas temperature control device capable of adjusting the temperature of the purge gas supplied to the reticle pod.

본 발명에 따른 퍼지 가스 온도 조절 장치는, 레티클 포드의 내부로 퍼지 가스를 공급하기 위한 공급 라인과, 상기 공급 라인의 일부를 수용하며, 냉각수를 순환시켜 상기 퍼지 가스를 냉각하는 냉각 챔버 및 상기 레티클 포드와 상기 냉각 챔버 사이의 공급 라인을 감싸도록 구비되며, 상기 냉각된 퍼지 가스를 기 설정된 기준 온도로 가열하기 위한 히트 재킷을 포함할 수 있다. The purge gas temperature control device according to the present invention includes a supply line for supplying a purge gas to the interior of the reticle pod, a cooling chamber accommodating a part of the supply line, and circulating cooling water to cool the purge gas and the reticle It is provided to surround the supply line between the pod and the cooling chamber, and may include a heat jacket for heating the cooled purge gas to a predetermined reference temperature.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 퍼지 가스 온도 조절 장치는, 상기 공급 라인에서 상기 냉각 챔버에 수용되는 부위의 후단에 구비되며, 상기 냉각 챔버에서 냉각된 후의 상기 퍼지 가스의 온도를 측정하기 위한 제1 센서 및 상기 제1 센서의 측정된 상기 퍼지 가스의 온도와 상기 기준 온도와의 차이를 고려하여 상기 퍼지 가스의 온도를 상기 기준 온도로 상승시키기 위해 상기 히트 재킷의 온도를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, a purge gas temperature control device is provided at a rear end of a portion accommodated in the cooling chamber in the supply line, and for measuring the temperature of the purge gas after being cooled in the cooling chamber In consideration of the difference between the first sensor and the measured temperature of the purge gas of the first sensor and the reference temperature, a control unit for controlling the temperature of the heat jacket to increase the temperature of the purge gas to the reference temperature is further provided. It can contain.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 퍼지 가스 온도 조절 장치는, 상기 공급 라인에서 상기 냉각 챔버에 수용되는 부위의 전단에 구비되며, 상기 냉각 챔버에서 냉각되기 전의 상기 퍼지 가스의 온도를 측정하기 위한 제2 센서 및 상기 냉각 챔버 내부에 구비되며, 상기 냉각수의 온도를 측정하기 위한 제3 센서를 더 포함하며, 상기 제어부는 상기 제2 센서에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도 및 상기 제3 센서에서 측정된 상기 냉각수의 온도를 고려하여 상기 퍼지 가스가 상기 냉각 챔버를 지나는 동안 상기 기준 온도보다 낮은 온도로 냉각되도록 상기 냉각수의 유량을 제어할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, a purge gas temperature control device is provided at a front end of a portion accommodated in the cooling chamber in the supply line, and for measuring the temperature of the purge gas before being cooled in the cooling chamber It is provided inside the second sensor and the cooling chamber, and further includes a third sensor for measuring the temperature of the cooling water, and the control unit measures the temperature of the purge gas measured by the second sensor and the third sensor. In consideration of the temperature of the cooled water, the flow rate of the cooling water may be controlled so that the purge gas is cooled to a temperature lower than the reference temperature while passing through the cooling chamber.

본 발명에 따른 퍼지 가스 온도 조절 장치는 상기 퍼지 가스를 상기 냉각 챔버에서 냉각한 후 상기 히트 재킷으로 상기 기 설정된 온도로 가열하여 상기 레티클 포드로 공급한다. 따라서, 상기 레티클 포드에 보관된 상기 레티클에서 펠리클이 부푸는 현상을 방지할 수 있고, 상기 레티클의 마스크 기능을 유지할 수 있다. 그러므로, 상기 레티클의 품질을 유지할 수 있고, 상기 레티클을 이용한 반도체 소자 제조 공정의 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. The purge gas temperature control device according to the present invention cools the purge gas in the cooling chamber and then heats it to the predetermined temperature with the heat jacket and supplies it to the reticle pod. Therefore, it is possible to prevent the pellicle from being swollen from the reticle stored in the reticle pod, and maintain the mask function of the reticle. Therefore, the quality of the reticle can be maintained, and the yield of the semiconductor device manufacturing process using the reticle can be prevented from being lowered.

또한, 상기 공급 라인을 통해 공급되는 상기 퍼지 가스를 상기 공급 라인의 외부에서 간접적으로 냉각 및 가열하므로, 상기 퍼지 가스가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 퍼지 가스에 의해 상기 레티클이 오염되는 것을 방지할 수 있다. In addition, since the purge gas supplied through the supply line is indirectly cooled and heated from the outside of the supply line, it is possible to prevent the purge gas from being contaminated. Therefore, it is possible to prevent the reticle from being contaminated by the purge gas.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 퍼지 가스 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view for describing a purge gas supply device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention can be applied to various changes and may have various forms, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosure form, and it should be understood that it includes all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each drawing, similar reference numerals are used for similar components. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown to be enlarged than the actual for clarity of the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components. For example, the first component may be referred to as a second component without departing from the scope of the present invention, and similarly, the second component may be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, terms such as “include” or “have” are intended to indicate the presence of features, numbers, steps, actions, elements, parts or combinations thereof described in the specification, but one or more other features. It should be understood that the presence or addition possibilities of fields or numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains. Terms, such as those defined in a commonly used dictionary, should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and should not be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present application. Does not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 퍼지 가스 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view for describing a purge gas supply device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 퍼지 가스 공급 장치(100)는 공급 라인(110), 냉각 챔버(120), 히트 재킷(130), 제1 센서(140), 제2 센서(150), 제3 센서(160) 및 제어부(170)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the purge gas supply device 100 includes a supply line 110, a cooling chamber 120, a heat jacket 130, a first sensor 140, a second sensor 150, and a third sensor It may include a 160 and the control unit 170.

상기 공급 라인(110)은 퍼지 가스 탱크(미도시)와 레티클 포드(10)를 연결하며, 상기 레티클 포드(10)의 내부로 상기 퍼지 가스를 공급한다. The supply line 110 connects a purge gas tank (not shown) and the reticle pod 10, and supplies the purge gas to the interior of the reticle pod 10.

상기 퍼지 가스의 예로는 질소 가스가 사용될 수 있으며, 다른 예로, 불활성 가스가 사용될 수도 있다. Nitrogen gas may be used as an example of the purge gas, and inert gas may be used as another example.

상기 냉각 챔버(120)는 내부에 냉각수를 저장한다. 상기 냉각수는 PCW(Process Cooling Water)일 수 있다. 상기 냉각 챔버(120)는 입구(122)와 출구(124)를 갖는다. 상기 입구(122)는 상기 냉각수를 상기 냉각 챔버(120)로 공급하기 위한 통로이며, 상기 출구(124)는 상기 냉각 챔버(120)의 냉각수를 배출하기 위한 통로이다. 상기 냉각 챔버(120)의 상기 냉각수는 별도의 펌프(미도시)에 의해 상기 입구(122)와 상기 출구(124)를 통해 순환될 수 있다. The cooling chamber 120 stores cooling water therein. The cooling water may be PCW (Process Cooling Water). The cooling chamber 120 has an inlet 122 and an outlet 124. The inlet 122 is a passage for supplying the cooling water to the cooling chamber 120, and the outlet 124 is a passage for discharging the cooling water in the cooling chamber 120. The cooling water in the cooling chamber 120 may be circulated through the inlet 122 and the outlet 124 by separate pumps (not shown).

상기 냉각수의 온도는 일정하게 유지되는 것이 바람직하지만, 일정 범위에서 상기 온도가 달라질 수도 있다. 예를 들면, 상기 냉각수의 온도는 약 18 ℃인 것이 바람직하지만, 상기 약 18℃가 아닌 다른 온도일 수도 있다. 이때, 상기 냉각수의 온도는 후술하는 기 설정된 기준 온도보다 낮을 수 있다. The temperature of the cooling water is preferably maintained constant, but the temperature may be varied within a certain range. For example, the temperature of the cooling water is preferably about 18 °C, but may be a temperature other than about 18 °C. At this time, the temperature of the cooling water may be lower than a preset reference temperature, which will be described later.

상기 냉각 챔버(120)는 상기 공급 라인(110)의 일부를 수용한다. 즉, 상기 공급 라인(110)이 상기 냉각 챔버(120)를 통과할 수 있다. 상기 냉각 챔버(120)는 상기 냉각수를 이용하여 상기 공급 라인(110)을 지나는 상기 퍼지 가스를 냉각할 수 있다. The cooling chamber 120 accommodates a part of the supply line 110. That is, the supply line 110 may pass through the cooling chamber 120. The cooling chamber 120 may cool the purge gas passing through the supply line 110 using the cooling water.

상기 히트 재킷(130)은 상기 레티클 포드(10)와 상기 냉각 챔버(120) 사이에 위치하는 공급 라인(110)을 감싸도록 구비된다. 상기 히트 재킷(130)은 내부에 발열 부재가 구비되고, 외부 전원에 의해 상기 발열 부재가 열을 발생한다. 상기 히트 재킷(130)이 열을 발생하여 상기 공급 라인(110)을 지나는 상기 냉각된 퍼지 가스를 상기 기준 온도로 가열한다. The heat jacket 130 is provided to surround the supply line 110 located between the reticle pod 10 and the cooling chamber 120. The heat jacket 130 is provided with a heat generating member therein, and the heat generating member generates heat by an external power source. The heat jacket 130 generates heat to heat the cooled purge gas passing through the supply line 110 to the reference temperature.

상기 기준 온도는 상기 레티클 포드에 적재된 레티클을 저장하기 위한 최적인 온도이다. 상기 기준 온도는 약 21.5 ℃ 내지 22.5 ℃인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 22 ℃일 수 있다. The reference temperature is an optimal temperature for storing the reticle loaded in the reticle pod. The reference temperature is preferably about 21.5 °C to 22.5 °C, and more preferably 22 °C.

또한, 상기 공급 라인(110)을 통해 공급되는 상기 퍼지 가스가 상기 공급 라인(110)의 외부에 위치하는 상기 냉각 챔버(120) 및 상기 히트 재킷(130)에 의해 간접적으로 냉각 및 가열된다. 따라서, 상기 퍼지 가스가 냉각 및 가열되는 동안 상기 퍼지 가스가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 상기 퍼지 가스에 의해 상기 레티클이 오염되는 것을 방지할 수 있다. In addition, the purge gas supplied through the supply line 110 is indirectly cooled and heated by the cooling chamber 120 and the heat jacket 130 located outside the supply line 110. Therefore, it is possible to prevent the purge gas from being contaminated while the purge gas is cooled and heated. Therefore, it is possible to prevent the reticle from being contaminated by the purge gas.

상기 제1 센서(140)는 상기 공급 라인(110)에서 상기 냉각 챔버(120)에 수용되는 부위의 후단에 구비되며, 상기 냉각 챔버(120)에서 냉각된 상기 퍼지 가스의 온도를 측정한다. The first sensor 140 is provided at a rear end of a portion accommodated in the cooling chamber 120 in the supply line 110 and measures the temperature of the purge gas cooled in the cooling chamber 120.

상기 제어부(170)는 상기 제1 센서(140)에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도와 상기 기준 온도와의 차이를 고려하여 상기 퍼지 가스의 온도를 상기 기준 온도로 상승시키기 위해 상기 히트 재킷(130)의 온도를 제어한다. The control unit 170, in consideration of the difference between the temperature of the purge gas measured by the first sensor 140 and the reference temperature, the heat jacket 130 to increase the temperature of the purge gas to the reference temperature To control the temperature.

구체적으로, 상기 냉각수의 온도가 상기 기준 온도보다 낮으므로, 상기 제1 센서(140)에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도가 상기 기준 온도보다 낮을 수 있다. 상기 제어부(170)는 상기 제1 센서(140)에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도와 상기 기준 온도의 차이를 연산하고, 상기 온도 차이에 따라 상기 퍼지 가스를 상기 기준 온도로 가열하는데 필요한 열용량을 연산한다. 이후, 상기 제어부(170)는 상기 연산된 열용량에 따라 필요한 전류를 제공하여 상기 히트 재킷(130)을 동작시킨다. 따라서, 상기 히트 재킷(130)이 상기 퍼지 가스를 가열하여 상기 공급 라인(110)의 상기 퍼지 가스를 상기 기준 온도로 가열할 수 있다. Specifically, since the temperature of the cooling water is lower than the reference temperature, the temperature of the purge gas measured by the first sensor 140 may be lower than the reference temperature. The control unit 170 calculates a difference between the temperature of the purge gas measured by the first sensor 140 and the reference temperature, and calculates a heat capacity required to heat the purge gas to the reference temperature according to the temperature difference do. Thereafter, the control unit 170 operates the heat jacket 130 by providing a required current according to the calculated heat capacity. Therefore, the heat jacket 130 may heat the purge gas to heat the purge gas of the supply line 110 to the reference temperature.

상기 제2 센서(150)는 상기 공급 라인(110)에서 상기 냉각 챔버(120)에 수용되는 부위의 전단에 구비되며, 상기 냉각 챔버(120)에서 냉각되기 전의 상기 퍼지 가스의 온도를 측정한다. The second sensor 150 is provided at a front end of a portion accommodated in the cooling chamber 120 in the supply line 110 and measures the temperature of the purge gas before being cooled in the cooling chamber 120.

상기 제3 센서(160)는 상기 냉각 챔버(120) 내부에 구비되며, 상기 냉각수의 온도를 측정한다. The third sensor 160 is provided inside the cooling chamber 120 and measures the temperature of the cooling water.

상기 제어부(170)는 상기 제2 센서(150)에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도 및 상기 제3 센서(160)에서 측정된 상기 냉각수의 온도를 고려하여 상기 퍼지 가스가 상기 냉각 챔버(120)를 지나는 동안 상기 기준 온도보다 낮은 온도로 냉각되도록 상기 냉각수의 유량을 제어할 수 있다. The control unit 170 takes into account the temperature of the purge gas measured by the second sensor 150 and the temperature of the cooling water measured by the third sensor 160 so that the purge gas is the cooling chamber 120 The flow rate of the cooling water may be controlled to be cooled to a temperature lower than the reference temperature during passing.

상기 제어부(170)는 상기 제2 센서(150)에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도와 상기 제3 센서(160)에서 측정된 상기 냉각수의 온도의 차이 크기에 따라 상기 냉각수의 유량을 제어할 수 있다. 예를 들면, 상기 제어부(170)는 사익 냉각 챔버(120)에 연결된 상기 별도 펌프를 제어하여 상기 냉각수의 유량을 조절할 수 있다. The control unit 170 may control the flow rate of the cooling water according to the difference between the temperature of the purge gas measured by the second sensor 150 and the temperature of the cooling water measured by the third sensor 160. . For example, the control unit 170 may control the flow rate of the cooling water by controlling the separate pump connected to the cock cooling chamber 120.

구체적으로, 상기 제어부(170)는 상기 제2 센서(150)에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도 및 상기 제3 센서(160)에서 측정된 상기 냉각수의 온도를 비교한다. Specifically, the control unit 170 compares the temperature of the purge gas measured by the second sensor 150 and the temperature of the cooling water measured by the third sensor 160.

상기 제2 센서(150)에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도가 상기 제3 센서(160)에서 측정된 상기 냉각수의 온도보다 크게 높은 경우, 상기 제어부(170)는 상기 냉각 챔버(120)에서 상기 냉각수의 유량을 증가시킬 수 있다. 상기 냉각수의 유량의 증가함에 따라 상기 냉각수의 순환 속도가 증가하므로, 상기 공급 라인(110)을 통해 상기 냉각 챔버(120)로 공급되는 상기 퍼지 가스를 신속하게 냉각할 수 있다. 따라서 상기 퍼지 가스가 상기 냉각 챔버(120)를 지나는 동안 상기 기준 온도보다 낮은 온도로 냉각될 수 있다. When the temperature of the purge gas measured by the second sensor 150 is significantly higher than the temperature of the coolant measured by the third sensor 160, the control unit 170 controls the cooling water in the cooling chamber 120. Can increase the flow rate. Since the circulation speed of the cooling water increases as the flow rate of the cooling water increases, the purge gas supplied to the cooling chamber 120 through the supply line 110 can be rapidly cooled. Therefore, the purge gas may be cooled to a temperature lower than the reference temperature while passing through the cooling chamber 120.

상기 제2 센서(150)에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도가 상기 제3 센서(160)에서 측정된 상기 냉각수의 온도보다 약간 높은 경우, 상기 제어부(170)는 상기 냉각 챔버(120)에서 상기 냉각수의 유량을 감소시킬 수 있다. 상기 냉각수의 유량의 감소함에 따라 상기 냉각수의 순환 속도가 감소하므로, 상기 공급 라인(110)을 통해 상기 냉각 챔버(120)로 공급되는 상기 퍼지 가스를 신속하게 냉각하기 어렵다. 그러나, 상기 제2 센서(150)에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도가 상기 제3 센서(160)에서 측정된 상기 냉각수의 온도보다 약간 높으므로, 상기 퍼지 가스가 상기 냉각 챔버(120)를 지나는 동안 상기 기준 온도보다 낮은 온도로 충분히 냉각될 수 있다. When the temperature of the purge gas measured by the second sensor 150 is slightly higher than the temperature of the coolant measured by the third sensor 160, the control unit 170 controls the cooling water in the cooling chamber 120. To reduce the flow rate. Since the circulation rate of the cooling water decreases as the flow rate of the cooling water decreases, it is difficult to rapidly cool the purge gas supplied to the cooling chamber 120 through the supply line 110. However, since the temperature of the purge gas measured by the second sensor 150 is slightly higher than the temperature of the coolant measured by the third sensor 160, while the purge gas passes through the cooling chamber 120 It can be sufficiently cooled to a temperature lower than the reference temperature.

상기 퍼지 가스 온도 조절 장치(100)는 상기 공급 라인(110)을 통해 공급되는 상기 퍼지 가스를 상기 냉각 챔버(120)에서 냉각한 후 상기 히트 재킷(130)으로 상기 기준 온도로 가열한다. 상기 퍼지 가스가 상기 기준 온도로 가열된 상태에서 상기 레티클 포드로 공급되므로, 상기 레티클 포드(10)에 보관된 상기 레티클에서 펠리클이 부푸는 현상을 방지할 수 있고, 상기 레티클의 마스크 기능을 유지할 수 있다. 그러므로, 상기 레티클의 품질을 유지할 수 있고, 상기 레티클을 이용한 반도체 소자 제조 공정의 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. The purge gas temperature regulating device 100 cools the purge gas supplied through the supply line 110 in the cooling chamber 120 and heats it to the reference temperature with the heat jacket 130. Since the purge gas is supplied to the reticle pod in a state heated to the reference temperature, it is possible to prevent the pellicle from swelling in the reticle stored in the reticle pod 10 and maintain the mask function of the reticle. have. Therefore, the quality of the reticle can be maintained, and the yield of the semiconductor device manufacturing process using the reticle can be prevented from being lowered.

상술한 바와 같이, 상기 퍼지 가스 온도 조절 장치는 상기 퍼지 가스를 기준 온도로 조절하여 상기 레티클 포드로 공급하므로, 상기 레티클 포드에 수납된 상기 레티클을 최적 상태로 저장할 수 있다. 따라서, 상기 레티클의 품질을 안정적으로 유지할 수 있다. As described above, since the purge gas temperature control device adjusts the purge gas to a reference temperature and supplies it to the reticle pod, the reticle accommodated in the reticle pod may be stored in an optimal state. Therefore, the quality of the reticle can be stably maintained.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art may variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that you can.

100 : 퍼지 가스 온도 조절 장치 110 : 공급 라인
120 : 냉각 챔버 130 : 히트 재킷
140 : 제1 센서 150 : 제2 센서
160 : 제3 센서 170 : 제어부
10 : 레티클 포드100: purge gas temperature control device 110: supply line
120: cooling chamber 130: heat jacket
140: first sensor 150: second sensor
160: third sensor 170: control unit
10: reticle pod

Claims (3)

레티클 포드의 내부로 퍼지 가스를 공급하기 위한 공급 라인;
상기 공급 라인의 일부를 수용하며, 냉각수를 순환시켜 상기 퍼지 가스를 냉각하는 냉각 챔버; 및
상기 레티클 포드와 상기 냉각 챔버 사이의 공급 라인을 감싸도록 구비되며, 상기 냉각된 퍼지 가스를 기 설정된 기준 온도로 가열하기 위한 히트 재킷을 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼지 가스 온도 조절 장치. A supply line for supplying purge gas into the interior of the reticle pod;
A cooling chamber accommodating a part of the supply line and circulating cooling water to cool the purge gas; And
It is provided to surround the supply line between the reticle pod and the cooling chamber, characterized in that it comprises a heat jacket for heating the cooled purge gas to a predetermined reference temperature. 제1항에 있어서, 상기 공급 라인에서 상기 냉각 챔버에 수용되는 부위의 후단에 구비되며, 상기 냉각 챔버에서 냉각된 후의 상기 퍼지 가스의 온도를 측정하기 위한 제1 센서; 및
상기 제1 센서의 측정된 상기 퍼지 가스의 온도와 상기 기준 온도와의 차이를 고려하여 상기 퍼지 가스의 온도를 상기 기준 온도로 상승시키기 위해 상기 히트 재킷의 온도를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼지 가스 온도 조절 장치.According to claim 1, It is provided in the rear end of the portion accommodated in the cooling chamber in the supply line, the first sensor for measuring the temperature of the purge gas after being cooled in the cooling chamber; And
Further comprising a control unit for controlling the temperature of the heat jacket to increase the temperature of the purge gas to the reference temperature in consideration of the difference between the measured temperature of the first sensor and the reference temperature of the first sensor Purge gas temperature control device. 제2항에 있어서, 상기 공급 라인에서 상기 냉각 챔버에 수용되는 부위의 전단에 구비되며, 상기 냉각 챔버에서 냉각되기 전의 상기 퍼지 가스의 온도를 측정하기 위한 제2 센서; 및
상기 냉각 챔버 내부에 구비되며, 상기 냉각수의 온도를 측정하기 위한 제3 센서를 더 포함하며,
상기 제어부는 상기 제2 센서에서 측정된 상기 퍼지 가스의 온도 및 상기 제3 센서에서 측정된 상기 냉각수의 온도를 고려하여 상기 퍼지 가스가 상기 냉각 챔버를 지나는 동안 상기 기준 온도보다 낮은 온도로 냉각되도록 상기 냉각수의 유량을 제어하는 것을 특징으로 하는 퍼지 가스 온도 조절 장치. According to claim 2, It is provided in the front end of the portion accommodated in the cooling chamber in the supply line, a second sensor for measuring the temperature of the purge gas before being cooled in the cooling chamber; And
It is provided inside the cooling chamber, and further includes a third sensor for measuring the temperature of the cooling water,
The control unit may be configured to cool the purge gas to a temperature lower than the reference temperature while passing through the cooling chamber in consideration of the temperature of the purge gas measured by the second sensor and the temperature of the coolant measured by the third sensor. Purge gas temperature control device characterized in that to control the flow rate of the cooling water.
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