KR20200049197A - 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents

유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화학식 1로 표시되는 화합물과, 제 1전극, 제 2전극 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이의 유기물층을 포함하는 유기전기소자, 및 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치를 제공한다. 상기 유기물층에 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 유기전기소자의 구동전압을 낮출 수 있고 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.

Description

유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치{COMPOUND FOR ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT USING THE SAME, AND AN ELECTRONIC DEVICE THEREOF}
본 발명은 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물 층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
현재 휴대용 디스플레이 시장은 대면적 디스플레이로 그 크기가 증가하고 있는 추세이며, 이로 인해 기존 휴대용 디스플레이에서 요구되던 소비적력보다 더 큰 소비전력이 요구되고 있다. 따라서, 배터리라는 제한적인 전력 공급원을 가지고 있는 휴대용 디스플레이 입장에서는 소비전력이 매우 중요한 요소가 되었고, 효율과 수명 문제 또한 반드시 해결해야 하는 상황이다.
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동 시 발생하는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다. 하지만, 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면, 각 유기물층 간의 에너지 준위(energy level) 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
따라서 높은 열적 안정성을 가지며 발광층 내에서 효율적으로 전하 균형(charge balance)을 이룰 수 있는 발광 재료의 개발이 필요한 실정이다. 즉, 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 그 중에서도 특히 발광층의 호스트 물질에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
본 발명은 소자의 구동전압을 낮출 수 있고, 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 제공한다.
Figure pat00001
다른 측면에서, 본 발명은 상기 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 화합물을 이용함으로써 소자의 구동전압을 낮출 수 있고, 소자의 발광효율 및 수명을 크게 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
본 발명에서 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한 아릴기에는 플루오렌일기가 포함되고 아릴렌기에는 플루오렌일렌기가 포함된다.
본 발명에서 사용된 용어 "플루오렌일기" 또는 "플루오렌일렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R' 및 R"이 모두 수소인 1가 또는 2가 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기" 또는 "치환된 플루오렌일렌기"는 치환기 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다.
Figure pat00002
본 발명에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 N, O, S, P 또는 Si 등과 같은 헤테로원자가 포함된 고리를 의미하며, "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 고리를 형성하는 탄소 대신 하기 화합물과 같이 SO2, P=O 등과 같은 헤테로원자단을 포함하는 화합물도 포함될 수 있다.
Figure pat00003
본 발명에 사용된 용어 "지방족고리기"는 방향족탄화수소를 제외한 고리형 탄화수소를 의미하며, 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함하며, 다른 설명이 없는 한 탄소수 3 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 방향족고리인 벤젠과 비방향족고리인 사이클로헥산이 융합된 경우에도 지방족고리에 해당한다.
본 명세서에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '기 이름'은 '가수를 반영한 기의 이름'을 기재할 수도 있지만, '모체화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴'로 2가의 기는 '페난트릴렌' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다. 유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일기, 2가의 경우에는 피리미딘일렌 등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다.
또한, 본 명세서에서는 화합물 명칭이나 치환기 명칭을 기재함에 있어 위치를 표시하는 숫자나 알파벳 등은 생략할 수도 있다. 예컨대, 피리도[4,3-d]피리미딘을 피리도피리미딘으로, 벤조퓨로[2,3-d]피리미딘을 벤조퓨로피리미딘으로, 9,9-다이메틸플루오렌을 다이메틸플루오렌 등과 같이 기재할 수 있다. 따라서, 벤조[g]퀴녹살린이나 벤조[f]퀴녹살린을 모두 벤조퀴녹살린이라고 기재할 수 있다.
또한, 명시적인 설명이 없는 한,　본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에　의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
Figure pat00004
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하는 것을 의미하는데, 즉 a가 0인 경우는 벤젠고리를 형성하는 탄소에 모두 수소가 결합된 것을 의미하며, 이때 탄소에 결합된 수소의 표시를 생략하고 화학식이나 화합물을 기재할 수 있다. 또한, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 예컨대 아래와 같이 결합할 수 있고, a가 4 내지 6의 정수인 경우에도 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, a가 2 이상의 정수인 경우 R1은 서로 같거나 상이할 수 있다.
이하, 본 발명의 화합물이 포함된 유기전기소자의 적층구조에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다.
본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자에 대한 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 제 1전극(120), 제 2전극(180), 및 제 1전극(120)과 제 2전극(180) 사이에 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기물층을 포함한다. 이때, 제 1전극(120)은 애노드(양극)이고, 제 2전극(180)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제 1전극이 캐소드이고 제 2전극이 애노드일 수 있다.
유기물층은 제 1전극(120) 상에 순차적으로 적층된 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160), 전자주입층(170) 등을 포함할 수 있다. 이때, 이들 층 중 적어도 하나가 생략되거나, 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층(151), 전자수송보조층, 버퍼층(141) 등을 더 포함할 수도 있고, 전자수송층(160) 등이 정공저지층의 역할을 할 수도 있다.
또한, 미도시하였지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 보호층 또는 광효율 개선층을 더 포함할 수 있다. 이러한 광효율 개선층은 제 1전극의 양면 중 유기물층과 접하지 않는 면 또는 제 2전극의 양면 중 유기물층과 접하지 않는 면에 형성될 수 있다.
상기 유기물층에 적용되는 본 발명의 일 실시예에 따른 화합물은 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광보조층(151), 전자수송보조층, 전자수송층(160), 전자주입층(170), 발광층(150)의 호스트 또는 도펀트, 또는 광효율 개선층의 재료로 사용될 수 있을 것이다. 바람직하게는, 본 발명의 화학식 1에 따른 화합물은 발광층의 호스트로 사용될 수 있다.
한편, 동일유사한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합에 대한 연구가 필요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로 사용함으로써, 각 유기물층 간의 에너지 레벨 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등을 최적화하여 유기전기소자의 수명 및 효율을 동시에 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 다양한 증착법(deposition)을 이용하여 제조될 수 있을 것이다. PVD나 CVD 등의 증착 방법을 사용하여 제조될 수 있는데, 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(120)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(180)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 또한, 정공수송층(140)과 발광층(150) 사이에 발광보조층(151)을, 발광층(150)과 전자수송층(160) 사이에 전자수송보조층을 추가로 더 형성할 수 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 화합물에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 측면에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
<화학식 1>
Figure pat00005
상기 화학식에서 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
A환 내지 D환은 서로 독립적으로 C6~C60의 방향족탄화수소이다. 단, A환 내지 D환 중에서 적어도 하나는 C10 이상의 방향족탄화수소이다.
A환 내지 D환은 예컨대, 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌 등이 될 수 있다.
A환 내지 D환은 각각 R로 더 치환될 수 있다. 이때, R은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
R이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프탈렌, 터페닐 등이 될 수 있다. R이 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C20의 알킬기, 더욱 바람직하게는 C1~C10의 알킬기, 예컨대 메틸, 프로필, t-부틸 등이 될 수 있다.
L1 및 L2는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
Z1 내지 Z4는 서로 독립적으로 N, C 또는 C-(L3-Ar1)이고, Z1 내지 Z4 중에서 적어도 두개는 N이다. L2는 Z1 내지 Z4는 중에서 C인 것과 결합한다. 여기서, L3은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, Ar1은 C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
Ar1이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프탈렌, 터페닐 등이 될 수 있다. Ar1이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C18의 헤테로고리기, 예컨대, 피리딘, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 카바졸, 페닐카바졸 등이 될 수 있다.
X1은 C(R')(R"), N-(L4-Ar2), O 또는 S이고, X2 및 X3은 서로 독립적으로 O 또는 S이다.
여기서, R' 및 R"은 서로 독립적으로 수소; C6~C60의 아릴기; C3~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)으로 이루어진 군에서 선택되며, R'과 R"은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. R'과 R"이 서로 결합하여 고리를 형성할 경우 스파이로 화합물이 형성될 수 있다.
또한, L4는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, Ar2는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
Ar2가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프탈렌, 터페닐 등이 될 수 있다.
R5는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
e는 0 내지 4의 정수이고, e가 2 이상의 정수인 경우 복수의 R5 각각은 서로 같거나 상이하다.
상기 L'은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 각 기호는 치환기로 더 치환될 수 있다. 예컨대, R, R5, R', R", Ra, Rb, L1-L4, L', Ar1, Ar2, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리 등은 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴알콕시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
상기에서 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성된 고리는 C6~C60의 방향족탄화수소, O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기, 또는 C3~C60의 지방족고리기일 수 있다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 2> <화학식 3> <화학식 4>
Figure pat00006
<화학식 5> <화학식 6> <화학식 7>
Figure pat00007
상기 화학식에서, X1, X2, X3, Z1 내지 Z4, L1, L2, R5 및 e는 화학식 1에서 정의된 것과 같고, R1, R2, R3 및 R4는 화학식 1에서 정의된 R과 같으며, a는 0~4의 정수이고, b, c 및 d는 각각 0~3의 정수이고, A환 내지 D환은 서로 독립적으로 C10~C60의 방향족탄화수소이다.
또한, 상기 화학식 1은 하기 화학식 8 내지 화학식 22 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 8> <화학식 9> <화학식 10>
Figure pat00008
<화학식 11> <화학식 12> <화학식 13>
Figure pat00009
<화학식 14> <화학식 15> <화학식 16>
Figure pat00010
<화학식 17> <화학식 18> <화학식 19>
Figure pat00011
<화학식 20> <화학식 21> <화학식 22>
Figure pat00012
상기 화학식에서, X1, X2, X3, Z1 내지 Z4, L1, L2, R5 및 e는 화학식 1에서 정의된 것과 같고, R1, R2, R3 및 R4는 화학식 1에서 정의된 R과 같으며, a는 0~4의 정수이고, b, c 및 d는 각각 0~3의 정수이며, f는 0~6의 정수이고, g는 0~5의 정수이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 23 내지 화학식 37 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 23> <화학식 24> <화학식 25>
Figure pat00013
<화학식 26> <화학식 27> <화학식 28>
Figure pat00014
<화학식 29> <화학식 30> <화학식 31>
Figure pat00015
<화학식 32> <화학식 33> <화학식 34>
Figure pat00016
<화학식 35> <화학식 36> <화학식 37>
Figure pat00017
상기 화학식에서, X1, X2, X3, Z1 내지 Z4, L1, L2, R5 및 e는 화학식 1에서 정의된 것과 같고, R1, R2, R3 및 R4는 화학식 1에서 정의된 R과 같으며, a는 0~4의 정수이고, b는 각각 0~3의 정수이다.
화학식 23~25, 화학식 26~37에서 c는 0~5의 정수이고, 화학식 26~28에서 c는 0~3의 정수이다.
화학식 23~25에서 d는 0~3의 정수이고, 화학식 26~37에서 d는 0~5의 정수이다.
구체적으로, 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
.
본 발명은 다른 측면에서, 제 1전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자를 제공하며, 이때 상기 유기물층은 화학식 1로 표시되는 1종 단독 화합물 또는 2종 이상의 화합물을 포함한다.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공 수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 포함하며, 바람직하게는 상기 화합물은 상기 발광층에 포함되며, 더욱 바람직하게는 상기 화합물은 발광층의 호스트로 사용된다.
본 발명의 또 다른 측면에서, 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 하기 화학식 A-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는, 발광층의 호스트는 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 하기 화학식 A-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
<화학식 A-1>
Figure pat00023
상기 화학식 A-1에서 각 기호는 아래와 같이 정의된다.
Xa1은 C(R')(R"), N-(La2-Ara2), O 또는 S이다.
La1 및 La2는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택된다.
Ara1 및 Ara2는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
Ra1 내지 Ra4은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 R', R", L', Ra 및 Rb는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
상기 화학식 A-1로 표시되는 화합물은 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00024
합성예
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같이 Sub-1과 Sub-2를 반응시켜 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 1>
Figure pat00025
Sub의 합성
상기 화학식 1의 Sub는 하기 반응식 2에 의해 합성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 2> (Hal1, Hal2는 F, Cl, Br 또는 I임)
Figure pat00026
Figure pat00027
상기 반응식 2에서, S-1, S-3, S-3 등은 한국공개특허 10-2016-0139159와 KR 2017-0091755와 10-2018-0010165 등에 기재된 공지의 제조방법을 이용하여 합성할 수 있다.
(1) S-2의 합성
둥근 바닥 플라스크에 질소를 채운 뒤, S-1 (1 eq.)를 넣고 THF에 녹인다. -78℃ bath에서 n-BuLi (1.2 eq.)을 천천히 적가하고 2시간 이상 교반한 뒤, Tri-isopropylborate (1.5 eq.) 를 넣는다. 상온에서 12시간 교반 후, 0.1 M HCl 용액을 넣고 교반한다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후, 농축물에 실리카겔 칼럼 및 재결정을 적용하여 S-2를 (수율: 60-85 %)를 얻었다.
(2) S-4의 합성
둥근 바닥 플라스크에 S-2 (1.1 eq.), S-3 (1 eq.), Pd(PPh3)4 (0.03 eq.), K2CO3 (3 eq.), THF (0.3 M), 물을 첨가하고 90℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물에 실리카겔칼럼 및 재결정을 적용하여 S-4를 (수율: 60-85 %)를 얻었다.
(3) Sub의 합성
둥근 바닥 플라스크에 S-4 (1 eq.), bis(pinacolato)diboron(1.2 eq.), Pd(dppf)Cl2 (0.03 eq.), KOAc (3 eq.), DMF (0.3 M)을 첨가하고 120℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물에 실리카겔칼럼 및 재결정을 적용하여 Sub를 (수율: 60-85 %)를 얻었다.
Sub-4-1의 합성
Figure pat00028
둥근바닥플라스크에 S-2-1 (CAS Registry Number: 947770-80-1) (27.71 g, 94.21 mmol), S-3-1 (CAS Registry Number: 160199-05-3) (21.85 g, 85.65 mmol), Pd(PPh3)4 (3.96 g, 3.43 mmol), K2CO3 (35.51 g, 256.94 mmol), THF (300ml), 물 (150ml)을 넣고, 상기 S-4의 합성법과 같은 방법으로 반응을 진행시켜서 생성물 14.25 g (수율: 43%)를 얻었다
Sub-4-2의 합성
Figure pat00029
둥근바닥플라스크에 S-2-2 (CAS Registry Number: 1263272-83-8) (35.44 g, 107.32 mmol), S-3-2 (CAS Registry Number: 76872-40-7) (24.89 g, 97.56 mmol), Pd(PPh3)4 (4.51 g, 3.90 mmol), K2CO3 (40.45 g, 292.69 mmol), THF (170ml), 물 (340ml)을 넣고, 상기 S-4의 합성법과 같은 방법으로 반응을 진행시켜서 생성물 19.81 g (수율: 48%)를 얻었다.
Sub 1의 합성
Figure pat00030
(1) S-4-3의 합성
둥근바닥플라스크에 S-2-3 (50g, 168.5mmol), S-3-3 (45.7g, 185.3mmol), Pd(PPh3)4 (5.8g, 5.1mmol), K2CO3 (70g, 505.4mmol), THF (560ml), 물을 넣고, 상기 S-4의 합성법과 같은 방법으로 반응을 진행시켜서 S-4-3을 56g(수율: 73 %)를 얻었다.
(2) Sub 1의 합성
둥근 바닥 플라스크에 S-4-3 (30g, 64.8mmol), bis(pinacolato)diboron(19.7g, 77.8mmol), Pd(dppf)Cl2 (1.4g, 1.9mmol), KOAc (19.1g, 194.4mmol), DMF (216ml)을 첨가하고 120℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물을 실리카겔칼럼과 재결정을 이용하여 불순물을 분리한 후 Sub 1 35g (수율: 61 %)를 얻었다.
최종화합물의 합성예
P-115의 합성예
Figure pat00031
둥근바닥플라스크에 Sub 2 (10g, 18mmol), INTER 1-1 (6.2g, 19.8mmol), Pd(PPh3)4 (0.6g, 0.5mmol), K2CO3 (7.5g, 54.1mmol), THF (60ml), 물을 첨가하고 90℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물에 실리카겔 칼럼 및 재결정을 적용하여 P-115 7.5g (수율: 63 %)를 얻었다.
P-120의 합성예
Figure pat00032
둥근바닥플라스크에 Sub 3 (10g, 18mmol), INTER 1-2 (6.2g, 19.8mmol), Pd(PPh3)4 (0.6g, 0.5mmol), K2CO3 (7.5g, 54.1mmol), THF (60ml), 물을 넣고 상기 P-115의 합성법과 같은 방법으로 반응을 진행시켜서 생성물 P-120을 7.2g (수율: 60 %) 얻었다.
P-157의 합성예
Figure pat00033
둥근바닥플라스크에 Sub 4 (10g, 16.5mmol), INTER 1-3 (7.4g, 24.8mmol), Pd(PPh3)4 (0.6g, 0.5mmol), K2CO3 (6.9g, 49.6mmol), THF (60ml), 물을 넣고 상기 P-115의 합성법과 같은 방법으로 반응을 진행시켜서 생성물 P-157을 5.9g (수율: 51 %) 얻었다.
상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P-1 내지 P-160의 FD-MS 값은 하기 표 1과 같다.
[표 1]
Figure pat00034
Figure pat00035
Figure pat00036
유기전기소자의 제조평가
[ 실시예 1] 유기전기발광소자( 레드 호스트)
유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 상에 N1-(naphthalen-2-yl)-N4,N4-bis(4-(naphthalen-2-yl(phenyl)amino)phenyl)-N1-phenylbenzene-1,4-diamine를 60 nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 상기 정공주입층 상에 4,4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐을 60 nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다.
이후, 상기 정공수송층 상에 본 발명 화합물 P-28을 호스트 물질로, bis-(1-phenylisoquinolyl)iridium(Ⅲ)acetylacetonate를 도펀트 물질로 사용하되 이들 중량비가 95:5가 되도록 도펀트를 도핑하여 30nm 두께의 발광층을 증착하였다.
다음으로, 상기 발광층 상에 (1,1'-biphenyl-4-olato)bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum을 10 nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공저지층 상에 트리스(8-퀴놀리놀)알루미륨을 40 nm 두께로 성막하여 전자수송층을 형성하였다.
이후, 전자수송층 상에 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 상기 전자주입층 상에 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하였다.
[ 실시예 2] 내지 [ 실시예 14]
발광층의 호스트 물질로 화합물 P-28 대신 하기 표 2에 기재된 본 발명의 화합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제조하였다.
[ 실시예 15]
발광층의 호스트 물질로 화합물 1-28 대신 9-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9'-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole와 화합물 1-132를 5:5의 비율로 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제조하였다.
[ 비교예 1] 내지 [ 비교예 4]
발광층의 호스트 물질로 본 발명의 화합물 P-28 대신 하기 비교화합물 A 내지 비교화합물 D 중 하나를 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
<비교화합물 A> <비교화합물 B> <비교화합물 C> <비교화합물 D>
Figure pat00037
이와 같이 제조된 실시예 1 내지 15, 비교예 1 내지 4의 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하고, 2500cd/m2 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다. 그 측정 결과는 하기 표 2와 같다.
[표 2]
Figure pat00038
상기 표 2의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 유기전기발광소자용 재료를 인광호스트로 사용한 유기전기발광소자는 비교예에 비해 구동전압, 수명 및 효율이 개선되었으며, 특히 수명이 현저하게 향상되었다.
즉, 비교화합물 A보다는 비교하합물 B나 C를 사용한 경우 구동전압이 훨씬 낮아졌고 효율 및 수명도 향상되었고, 비스카바졸에 벤조퓨로피리미딘이 치환기로 결합되거나(비교화합물 B), 카바졸-플루오렌 골격에서 플루오렌에 벤조퓨로피리미딘이 치환된 경우(비교화합물 C)보다 다이벤조퓨란 골격에 다이벤조싸이오펜과 벤조퓨로피리미딘이 결합된 비교화합물 D를 사용한 경우 효율 및 수명이 향상되었다. 그리고, 비교화합물 D와 유사하지만, 비교화합물 D의 다이벤조퓨란이나 다이벤조싸이오펜의 벤젠 부분에 고리가 하나 더 융합된 본 발명의 화합물을 사용할 경우 구동전압, 효율 및 수명이 모두 향상되었다.
이는 본 발명의 화합물과 같이 고리가 하나 이상 더 융합될 경우 컨쥬게이션 길이가 길어짐에 따라 밴드갭이 좁아짐으로써, 보다 장파장에서 흡수 및 발광이 일어나기 때문에 소자 특성이 향상된 것으로 보인다.
또한, 유기전계발광소자 내에서 전하의 이동에 의해 주울열이 발생하면 소자의 수명에 영향을 미치게 되는데, 비교 화합물 A 내지 D보다 본 발명의 화합물이 높은 유리전이온도를 가지기 때문에 열적 안정성이 우수하여 수명이 개선된 것으로 보인다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명 하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 유기전기소자 110: 기판
120: 제 1전극 130: 정공주입층
140: 정공수송층 141: 버퍼층
150: 발광층 151: 발광보조층
160: 전자수송층 170: 전자주입층
180: 제 2전극

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    <화학식 1>
    Figure pat00039

    상기 화학식에서,
    A환 내지 D환은 C6~C60의 방향족탄화수소이며, 단 A환 내지 D환 중에서 적어도 하나는 C10 이상의 방향족탄화수소이고, A환 내지 D환은 각각 R로 더 치환될 수 있으며,
    Z1 내지 Z4는 서로 독립적으로 N, C 또는 C-(L3-Ar1)이고, Z1 내지 Z4 중에서 적어도 두개는 N이며,
    X1은 C(R')(R"), N-(L4-Ar2), O 또는 S이고,
    X2 및 X3은 서로 독립적으로 O 또는 S이며,
    L1 내지 L4는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
    R5 및 상기 R은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
    e는 0 내지 4의 정수이고, e가 2 이상의 정수인 경우 복수의 R5 각각은 서로 같거나 상이하며,
    상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되며,
    상기 R' 및 R"은 서로 독립적으로 수소; C6~C60의 아릴기; C3~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)으로 이루어진 군에서 선택되며, R'과 R"은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
    상기 L'은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
    상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택된다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 2> <화학식 3> <화학식 4>
    Figure pat00040

    <화학식 5> <화학식 6> <화학식 7>
    Figure pat00041

    상기 화학식에서, X1, X2, X3, Z1 내지 Z4, L1, L2, R5 및 e는 제1항에서 정의된 것과 같고, R1, R2, R3 및 R4는 제1항에서 정의된 R과 같으며, a는 0~4의 정수이고, b, c 및 d는 각각 0~3의 정수이며, A환 내지 D환은 서로 독립적으로 C10~C60의 방향족탄화수소이다.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 8 내지 화학식 22 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 8> <화학식 9> <화학식 10>
    Figure pat00042

    <화학식 11> <화학식 12> <화학식 13>
    Figure pat00043

    <화학식 14> <화학식 15> <화학식 16>
    Figure pat00044

    <화학식 17> <화학식 18> <화학식 19>
    Figure pat00045

    <화학식 20> <화학식 21> <화학식 22>
    Figure pat00046

    상기 화학식에서, X1, X2, X3, Z1 내지 Z4, L1, L2, R5 및 e는 제1항에서 정의된 것과 같고, R1, R2, R3 및 R4는 제1항에서 정의된 R과 같으며, a는 0~4의 정수이고, b, c 및 d는 각각 0~3의 정수이며, f는 0~6의 정수이고, g는 0~5의 정수이다.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 23 내지 화학식 37 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 23> <화학식 24> <화학식 25>
    Figure pat00047

    <화학식 26> <화학식 27> <화학식 28>
    Figure pat00048

    <화학식 29> <화학식 30> <화학식 31>
    Figure pat00049

    <화학식 32> <화학식 33> <화학식 34>
    Figure pat00050

    <화학식 35> <화학식 36> <화학식 37>
    Figure pat00051

    상기 화학식에서, X1, X2, X3, Z1 내지 Z4, L1, L2, R5 및 e는 제1항에서 정의된 것과 같고, R1, R2, R3 및 R4는 제1항에서 정의된 R과 같으며, a는 0~4의 정수이고, b는 각각 0~3의 정수이며,
    화학식 23~25, 화학식 26~37에서 c는 0~5의 정수이고, 화학식 26~28에서 c는 0~3의 정수이며,
    화학식 23~25에서 d는 0~3의 정수이고, 화학식 26~37에서 d는 0~5의 정수이다.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pat00052

    Figure pat00053

    Figure pat00054

    Figure pat00055

    Figure pat00056

    .
  6. 제 1전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
    상기 유기물층은 제1항의 화학식 1로 표시되는 1종 단독 화합물 또는 2종 이상의 화합물을 포함하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층, 정공 수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 화합물은 상기 발광층에 포함된 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 제 1전극 또는 제 2전극의 양면 중에서 상기 유기물층과 접하지 않는 면 상에 형성된 광효율 개선층을 더 포함하는 유기전기소자.
  10. 제 6항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및
    상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
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