KR20200046703A - 선형성을 개선한 증폭 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 증폭 장치는, 파워증폭기 및 바이어스 회로를 포함하고, 상기 바이어스 회로는 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 온도 전압을 출력하고, 입력받은 제어신호에 응답하여 내부 전류를 조절하여 조절된 바이어스 전류를 상기 파워증폭기에 공급하는 증폭 회로; 및 송신모드 시작시점 부터 입력신호의 입력시점 까지로 정의되는 초기 구동 동안에, 상기 온도 전압에 기초해 상기 제어신호를 생성하여 상기 증폭 회로에 출력하는 온도 제어 회로; 를 포함한다.

Description

선형성을 개선한 증폭 장치{AMPLIFIER WITH IMPROVED LINEARITY}
본 발명은 선형성을 개선한 증폭 장치에 관한 것이다.
점차로 가용 주파수가 줄어드는 상황에서 5G 대응 및 모바일 생태계 조성을 위해 TDD([Time Division Duplex)방식의 주파수 활용 필요성이 높아지는 추세이다.
TDD 방식의 경우 하나의 주파수를 이용하는 장점이 있으나, 통신을 하는 시간을 구분하여 통신을 하게 되므로 통신하는 과정에서 송신과 수신이 반복적으로 변환되는 동작이 수행된다.
한편 송신기에서의 선형성은 항상 중요한 성능지표다. FDD(frequency division duplex) 시스템에서는 ACLR(adjacent channel leakage ratio)이 선형성의 가장 중요한 파라메터(parameter)이고, TDD 시스템에서는 시간을 고려한 동적 EVM(Dynamic Error Vector Magnitude) 성능이 중요하게 된다.
기존의 TDD 방식의 통신 시스템에서, 송신모드가 온되어 파워증폭기(PA)가 포화영역에 도달되고, 파워증폭기(PA)의 온도가 증가하면서 이득이 조금씩 달라지게 된다. 이 때문에 선형성이 저하된다.
TDD 방식의 통신 시스템의 선형성의 지표인 DEVM(Dynamic Error Vector Magnitude)를 개선하기 위해서는, 송신모드가 시작되면 파워증폭기(PA)가 가능한 빨리 포화(Saturation) 영역에 도달하도록 하여 파워증폭기의 온도 및 이득을 일정하도록 제어하여야 한다.
한편, TDD 방식의 통신 시스템에 적용되는 증폭 장치는, 송신모드가 시작되면 일정시간 이후에 파워증폭기가 포화영역에 도달되며, 포화 영역에 도달하면 파워증폭기가 일정 온도 이상이 되므로, 파워증폭기의 온도 정보에 기초하여 파워증폭기가 포화영역에 신속하게 하는 것이 필요하다.
그러나, 기존의 TDD 방식의 통신 시스템의 증폭 장치는 온도 정보를 기초하여 파워증폭기가 신속하게 포화 영역에 도달하도록 파워증폭기의 웜업(warm-up)을 제어하는 기능을 제공하지 못하여, 신속하게 포화영역에 도달하도록 온도에 기초한 적절한 제어를 할 수 없다는 문제점이 있다.
(선행기술문헌)
(특허문헌 1) US 2013/0034144 (2013.02.07)
본 발명의 일 실시 예는, 송신모드 시작시 파워증폭기가 신속하게 포화상태에 도달할 수 있도록 제어하여 선형성을 개선할 수 있는 증폭 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의해, 파워증폭기 및 바이어스 회로를 포함하고, 상기 바이어스 회로는 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 온도 전압을 출력하고, 입력받은 제어신호에 응답하여 내부 전류를 조절하여 조절된 바이어스 전류를 상기 파워증폭기에 공급하는 증폭 회로; 및 송신모드 시작시점 부터 입력신호의 입력시점 까지로 정의되는 초기 구동 동안에, 상기 온도 전압에 기초해 상기 제어신호를 생성하여 상기 증폭 회로에 출력하는 온도 제어 회로; 를 포함하는 증폭 장치가 제안된다.
상기 바이어스 회로는, 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 상기 온도 전압을 출력하는 온도 검출 회로; 를 포함할 수 있다.
상기 온도 제어 회로는, 상기 온도 전압을 검출 전압으로 변환하는 온도전압 컨버터; 상기 검출 전압과 기준전압을 비교하여 그 비교결과에 따른 레벨을 포함하는 비교신호를 출력하는 비교회로; 상기 입력신호의 크기를 검출하여 검출신호를 출력하는 신호검출회로; 및 상기 검출신호 및 상기 비교신호에 기초하여 상기 제어신호로 생성하는 제어 출력회로; 를 포함할 수 있다.
상기 제어 출력회로는, 상기 검출신호와 상기 비교신호를 논리 연산하여 상기 제어신호를 생성하는 로직 회로를 포함할 수 있다.
상기 제어 출력회로는, 상기 검출신호에 따라 온상태 또는 오프상태가 되고, 온상태일 경우 상기 비교신호를 상기 제어신호로 제공하는 스위치 회로를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 기준전류를 제공받아 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 온도 검출 전압을 생성하는 트랜지스터 회로를 포함하는 온도 검출 회로; 상기 온도 검출 회로로부터의 온도 검출 전압에 기초해 내부 전류를 생성하는 전류 출력회로; 및 상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호에 응답하여 추가 전류를 생성하여 상기 내부 전류에 더하여 상기 바이어스 전류를 생성하는 전류 추가 회로; 를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 상기 온도 검출 회로와 접지 사이에 접속되어 상기 초기 구동 동안에 오프상태가 되는 스위치; 를 더 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호에 응답하여 추가 전류를 생성하여 기준전류에 더하는 전류 추가 회로; 상기 내부 전류를 제공받아 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 온도 검출 전압을 생성하는 트랜지스터 회로를 포함하는 온도 검출 회로; 상기 온도 검출 회로로부터의 온도 검출 전압에 기초해 바이어스 전류를 생성하는 전류 출력 회로; 를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시 예에 의해, 파워증폭기, 온도 검출 회로, 및 바이어스 회로를 포함하고, 상기 온도 검출 회로는 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 온도 전압을 출력하고, 상기 바이어스 회로는 입력받은 제어신호에 응답하여 내부 전류를 조절하여 조절된 바이어스 전류를 상기 파워증폭기에 공급하는 증폭 회로; 및 송신모드 시작시점 부터 입력신호의 입력시점 까지로 정의되는 초기 구동 동안에, 상기 온도 전압에 기초해 상기 제어신호를 생성하여 상기 증폭 회로에 출력하는 온도 제어 회로; 를 포함하는 증폭 장치가 제안된다.
상기 온도 제어 회로는, 상기 온도 전압을 검출 전압으로 변환하는 온도전압 컨버터; 상기 검출 전압과 기준전압을 비교하여 그 비교결과에 따른 레벨을 포함하는 비교신호를 출력하는 비교회로; 상기 입력신호의 크기를 검출하여 검출신호를 출력하는 신호검출회로; 및 상기 검출신호 및 상기 비교신호에 기초하여 상기 제어신호로 생성하는 제어 출력회로; 를 포함할 수 있다.
상기 제어 출력회로는, 상기 검출신호와 상기 비교신호를 논리 연산하여 상기 제어신호를 생성하는 로직 회로를 포함할 수 있다.
상기 제어 출력회로는, 상기 검출신호에 따라 온상태 또는 오프상태가 되고, 온상태일 경우 상기 비교신호를 상기 제어신호로 제공하는 스위치 회로를 포함할 수 있다.
상기 온도 검출 회로는. 동작 전압 접지 사이에 직렬로 접속된 저항 및 트랜지스터를 포함하고, 상기 트랜지스터는 다이오드 결선된 BJT 트랜지스터로 이루어질 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 기준전류에 따른 온도 보정 전압을 생성하는 온도 보정 회로; 상기 온도 보정 회로로부터의 온도 보정 전압에 기초해 내부 전류를 생성하는 전류 출력회로; 및 상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호에 응답하여 추가 전류를 생성하여 상기 내부 전류에 더하여 상기 바이어스 전류를 생성하는 전류 추가 회로; 를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 상기 온도 검출 회로와 접지 사이에 접속되어 상기 초기 구동 동안에 오프상태가 되는 스위치; 를 더 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로는, 상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호에 응답하여 추가 전류를 생성하여 기준전류에 더하여 내부 전류를 생성하는 전류 추가 회로; 상기 내부 전류에 따른 온도 보상 전압을 생성하는 상기 온도 검출 회로; 및 상기 온도 검출 회로로부터의 온도 보상 전압에 기초해 바이어스 전류를 생성하는 전류 출력 회로; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 송신모드 시작시 파워증폭기가 신속하게 포화상태에 도달할 수 있도록 하여 동적 EVM(DEVM)을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 증폭 장치의 일 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 증폭 장치의 일 예시도이다
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 제어 회로의 일 예시도이다.
도 4는 도 3의 제어 출력 회로의 일 예시도이다.
도 5는 도 3의 제어 출력 회로의 일 예시도이다.
도 6은 도 1의 증폭 회로의 예시도이다.
도 7은 도 1의 증폭 회로의 예시도이다.
도 8은 도 1의 증폭 회로의 예시도이다.
도 9는 도 2의 증폭 회로의 예시도이다.
도 10은 도 2의 증폭 회로의 예시도이다.
도 11은 도 2의 증폭 회로의 예시도이다.
도 12는 도 1 및 도 3의 증폭 장치 및 온도 제어 회로의 주요 신호에 대한 타이밍 차트이다.
이하에서는, 본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 각 실시 예에 있어서, 하나의 예로써 설명되는 구조, 형상 및 수치는 본 발명의 기술적 사항의 이해를 돕기 위한 예에 불과하므로, 이에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 본 발명의 실시 예들은 서로 조합되어 여러 가지 새로운 실시 예가 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명에 참조된 도면에서 본 발명의 전반적인 내용에 비추어 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위해서, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 증폭 장치의 일 예시도이다.
도 1을 참조라면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 증폭 장치는, 증폭 회로(100) 및 온도 제어 회로(200)를 포함한다.
상기 증폭 회로(100)는, 파워증폭기(110) 및 바이어스 회로(130)를 포함한다.
일 예로, 상기 파워증폭기(110)는, 포화영역에서 상기 바이어스 회로(130)로부터 바이어스 전류를 공급받아서, 입력단(RFIN)을 통해 입력되는 신호를 증폭하여 증폭된 신호를 출력단(RFOUT)을 통해 출력할 수 있다. 이와같이, 상기 파워증폭기(110)가 증폭동작을 수행하기 위해서는 송신모드가 시작되면 신속하게 포화영역에 도달하여야 한다.
일 예로, 상기 바이어스 회로(130)는 상기 파워증폭기(PA)의 주변온도를 검출하여 온도 전압(Vtd)을 출력하고, 입력받은 제어신호(SC)에 응답하여 내부 전류(Iint)를 조절하여 조절된 바이어스 전류(Ibias)를 상기 파워증폭기(110)에 공급할 수 있다.
일 예로, 상기 온도 제어 회로(200)는, 송신모드 인에이블 신호(TXen)에 기초하여 송신모드 시작시점 부터 입력신호(Sin)가 입력되는 입력시점 까지로 정의되는 초기 구동 동안에, 상기 온도 전압(Vtd)에 기초해 상기 제어신호(SC)를 생성하여 상기 증폭 회로(100)에 출력할 수 있다.
예를 들어, 상기 바이어스 회로(130)는 온도 검출 회로(131)를 포함할 수 있다. 상기 온도 검출 회로(131)는, 상기 파워증폭기(PA)의 주변온도를 검출하여 상기 온도 전압(Vtd)을 출력할 수 있다.
본 발명의 각 도면에 대해, 동일한 부호 및 동일한 기능의 구성요소에 대해서는 가능한 불필요한 중복 설명은 생략될 수 있고, 각 도면에 대해 가능한 차이점에 대한 사항이 설명될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 증폭 장치의 일 예시도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 증폭 장치는, 증폭 회로(100) 및 온도 제어 회로(200)를 포함한다.
상기 증폭 회로(100)는, 파워증폭기(110), 온도 검출 회로(120), 및 바이어스 회로(130)를 포함할 수 있다.
상기 온도 검출 회로(120)는 상기 파워증폭기(PA)의 주변온도를 검출하여 온도 전압(Vtd)을 출력할 수 있다. 상기 바이어스 회로(130)는 입력받은 제어신호(SC)에 응답하여 내부 전류(Iint)를 조절하여 조절된 바이어스 전류(Ibias)를 상기 파워증폭기(110)에 공급할 수 있다.
상기 온도 제어 회로(200)는, 송신모드 인에이블 신호(TXen)에 기초하여 송신모드 시작시점 부터 입력신호(Sin)의 입력시점 까지로 정의되는 초기 구동 동안에, 상기 온도 전압(Vtd)에 기초해 상기 제어신호(SC)를 생성하여 상기 증폭 회로(100)에 출력할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 제어 회로의 일 예시도이다.
도 3을 참조하면, 상기 온도 제어 회로(200)는, 온도전압 컨버터(210), 비교회로(220), 신호검출회로(230) 및 제어 출력회로(240)를 포함할 수 있다.
상기 온도전압 컨버터(210)는, 상기 온도 전압(Vtd)을 검출 전압(Vd)으로 변환할 수 있다. 일 예로, 상기 온도전압 컨버터(210)는 증폭회로를 포함할 수 있고, 상기 증폭회로는 상기 온도 전압(Vtd)을 증폭하여 증폭된 상기 검출 전압(Vd)을 출력할 수 있다.
상기 비교회로(220)는, 상기 검출 전압(Vd)과 기준전압(Vref)을 비교하여 그 비교결과에 따른 레벨을 포함하는 비교신호(Scom)를 출력할 수 있다. 일 예로, 상기 비교회로(220)는, 상기 검출 전압(Vd)이 기준전압(Vref)보다 높으면, 하이레벨을 갖는 비교신호(Scom)를 출력하고, 상기 검출 전압(Vd)이 기준전압(Vref)보다 낮으면, 로우레벨을 갖는 비교신호(Scom)를 출력할 수 있다.
상기 신호검출회로(230)는 상기 입력신호(Sin)의 크기를 검출하여 검출신호(Sdet)를 상기 제어 출력회로(240)에 출력할 수 있다.
상기 제어 출력회로(240)는 상기 검출신호(Sdet) 및 상기 비교신호(Scom)에 기초하여 상기 제어신호(SC)로 생성할 수 있다. 상기 제어 출력회로(240)에 대해서는 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다.
도 4는 도 3의 제어 출력 회로(240)의 일 예시도이다.
도 4를 참조하면, 일 예로, 상기 제어 출력회로(240)는 로직 회로(242)를 포함할 수 있다. 상기 로직 회로(242)는 상기 검출신호(Sdet)와 상기 비교신호(Scom)를 논리 연산하여 상기 제어신호(SC)를 생성할 수 있다.
예를 들어, 상기 로직 회로(242)는, 원하는 제어신호(SC)를 출력하기 위해서, 상기 앤드 게이트, 오아 게이트 및 반전기중 적어도 하나 또는 그들의 조합으로 구현될 수 있다.
일 예로, 상기 검출 전압(Vd)이 기준전압(Vref)보다 낮을 경우에 상기 비교신호(Scom)가 하이레벨을 갖고, 입력신호(Sin)가 없는 경우 상기 검출신호(Sdet)는 하이레벨이고, 입력신호(Sin)가 입력되면 상기 검출신호(Sdet)는 로우레벨이 될 수 있으며, 상기 로직 회로(242)는 앤드 게이트를 포함할 수 있다.
상기 앤드 게이트는 상기 비교신호(Scom)가 하이레벨이고, 입력신호(Sin)가 없어서 검출신호(Sdet)가 하이레벨이면 스위칭 온 레벨(예, 하이레벨)을 갖는 제어신호(SC)를 제공할 수 있다. 반면, 상기 앤드 게이트는 상기 비교신호(Scom)가 로우레벨이거나, 입력신호(Sin)가 있어서 검출신호(Sdet)가 로우레벨이면 스위칭 오프 레벨(예, 로우레벨)을 갖는 제어신호(SC)를 제공할 수 있다.
도 5는 도 3의 제어 출력 회로(240)의 일 예시도이다.
도 5를 참조하면, 일 예로, 상기 제어 출력회로(240)는 스위치 회로(244)를 포함할 수 있다. 상기 스위치 회로(244)는, 상기 검출신호(Sdet)에 따라 온상태 또는 오프상태가 되고, 검출신호(Sdet)에 따라 상기 스위치 회로(244)가 온상태일 경우 상기 비교신호(Scom)를 상기 제어신호(SC)로 제공할 수 있고, 상기 스위치 회로(244)가 오프상태일 경우 상기 비교신호(Scom)를 상기 제어신호(SC)로 제공할 수 있고, 상기 비교신호(Scom)를 출력하지 않고, 오프레벨의 제어신호(SC)를 출력할 수 있다.
도 6 내지 도 11을 참조하여 증폭 회로(100)의 다양한 구현 예를 설명한다. 중복되는 내용에 대해서는 가능한 생략한다.
도 6은 도 1의 증폭 회로의 예시도이다.
도 6을 참조하면, 증폭 회로(100)는 상기 파워증폭기(110) 및 상기 바이어스 회로(130)를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로(130)는, 상기 온도 검출 회로(131), 전류 출력회로(133) 및 전류 추가 회로(135A)를 포함할 수 있다.
상기 온도 검출 회로(131)는, 일 예로, 기준전류(Iref) 단자와 접지 사이에 직렬로 접속된 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)를 포함할 수 있다. 상기 트랜지스터 회로(T1,T2)는 기준전류(Iref)를 제공받아 상기 파워증폭기(110)의 주변온도를 검출하여 온도 검출 전압(Vtd)을 생성하는 할 수 있다. 여기서, 상기 온도 검출 회로(131)의 출력단과 접지 사이에는, 온도 검출 회로(131)의 출력전압의 안정화를위해 상기 커패시터(C1)이 접속될 수 있다.
상기 전류 출력회로(133)는, 일 예로, 상기 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)로부터 온도 검출 전압(Vtd)을 입력받는 베이스, 저항(R2)을 통해 배테리 전압(VBAT)단에 접속된 컬렉터, 바이어스 저항(R3)을 통해 신호 라인에 바이어스 전류를 공급하는 에미터를 갖는 바이어스 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 상기 바이어스 트랜지스터(T3)는 상기 온도 검출 회로(131)로부터의 온도 검출 전압(Vtd)에 기초해 내부 전류(Iint)를 생성할 수 있다.
상기 전류 추가 회로(135A)는, 일 예로, 상기 전원전압(VCC)단에 접속된 컬렉터, 상기 제어신호(SC)를 입력받는 베이스, 상기 바이어스 트랜지스터(T3)의 에미터에 접속된 에미터를 갖는 보상 트랜지스터(TS)를 포함할 수 있다. 상기 보상 트랜지스터(TS)는, 상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호(SC)에 응답하여 온상태로 되어, 추가 전류(Iadd)를 생성하여 상기 바이어스 트랜지스터(T3)의 에미터에 제공한다. 이에 따라, 상기 내부 전류(Iint)에 추가 전류(Iadd)가 합쳐져서 상기 바이어스 전류(Ibias)가 생성될 수 있다.
또한, 상기 파워증폭기(110)는 코일(L1)을 통해 상기 전원전압(VCC)단 및 커패시터(C3)를 통해 출력단(RFOUT)에 접속된 컬렉터, 커패시터(C2)를 통해 입력단(RFIN) 및 상기 바이어스 저항(R3)을 통해 상기 바이어스 트랜지스터(T3)의 에미터에 접속된 베이스, 접지된 에미터를 갖는 증폭 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 상기 증폭 트랜지스터(T4)는 상기 바이어스 전류(Ibias)를 공급받고, 상기 입력단(RFIN)을 통해 입력되는 신호를 증폭하여 증폭된 신호를 커패시터(C3)를 통해 접속된 출력단(RFOUT)을 통해 출력할 수 있다.
도 6에 도시된 파워증폭기(110)는 도 7 내지 도 11의 파워증폭기와 동일한 구조 및 기능을 수행하므로, 중복 설명을 생략한다.
도 7은 도 1의 증폭 회로의 예시도이다.
도 7에 도시된 증폭 회로(100)는, 도 6의 증폭 회로에, 스위치(137)를 더 포함할 수 있다.
상기 스위치(137)는, 상기 온도 검출 회로(131)와 접지 사이에 접속되어 상기 초기 구동 동안에 오프상태가 될 수 있다.
이와 같이, 상기 초기 구동 동안에 스위치(137)가 오프상태이면 상기 온도 검출 회로(131)를 통해 접지로 흐르던 전류가, 접지로 흐르지 않고, 상기 바이어스 트랜지스터(T3)의 베이스를 통해 흐르게 되어, 이에 따라 그 만큼 내부 전류 및 바이어스 전류가 상승하게 된다.
도 8은 도 1의 증폭 회로의 예시도이다.
도 8을 참조하면, 증폭 회로(100)는 상기 파워증폭기(110) 및 상기 바이어스 회로(130)를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로(130)는, 전류 추가 회로(135B), 상기 온도 검출 회로(131) 및 전류 출력 회로(133)를 포함할 수 있다.
상기 전류 추가 회로(135B)는, 배터리전압(VBAT)단과 상기 온도 검출 회로(131) 사이에 스위치 트랜지스터(Ta) 및 저항(Ra)을 포함하여, 상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호(SC)에 스위치 트랜지스터(Ta)가 온상태로 되어 배터리전압(VBAT)과 저항(Ra)에 의해 생성된 추가 전류(Iadd)를 생성하여 온도 검출 회로(131)에 출력한다.
상기 온도 검출 회로(131)는, 도 6과 같이, 기준전류(Iref) 단자와 접지 사이에 직렬로 접속된 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)를 포함할 수 있다. 상기 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)는, 상기 초기 구동 동안에 상기 기준 전류(Iref)에 추가 전류(Iadd)가 더해진 내부 전류(Iint)를 제공받고, 상기 파워증폭기(110)의 주변온도를 검출하여 온도 검출 전압(Vtd)을 생성할 수 있다. 또한, 상기 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)는, 상기 초기 구동 이후에는 기준 전류(Iref)를 제공받는다. 상기 초기 구동 동안의 내부 전류(Iint)는 기준전류(Iint)보다 추가 전류(Iadd)만큼 크다 .
이에 따라 상기 전류 출력 회로(133)는, 일 예로, 상기 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)로부터 온도 검출 전압(Vtd)을 입력받는 베이스, 저항(R2)을 통해 배타리 전압(VBAT)단에 접속된 컬렉터, 바이어스 저항(R3)을 통해 신호 라인에 바이어스 전류를 공급하는 에미터를 갖는 바이어스 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 상기 바이어스 트랜지스터(T3)는 상기 온도 검출 회로(131)로부터의 온도 검출 전압(Vtd)에 기초해 상기 초기 구동 동안에 상대적으로 큰 바이어스 전류(Ibias)를 생성할 수 있다.
도 9는 도 2의 증폭 회로의 예시도이다.
도 9를 참조하면, 증폭 회로(100)는 상기 파워증폭기(110), 온도 검출 회로(120) 및 상기 바이어스 회로(130)를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로(130)는, 상기 온도 보정 회로(131), 전류 출력회로(133) 및 전류 추가 회로(135A)를 포함할 수 있다.
상기 온도 보정 회로(131)는, 도 6과 같이, 기준전류(Iref) 단자와 접지 사이에 직렬로 접속된 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)를 포함할 수 있다. 상기 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)는, 상기 초기 구동 동안에 상기 기준 전류(Iref)를 제공받고, 상기 파워증폭기(110)의 주변온도를 검출하여 온도 검출 전압(Vtd)을 생성할 수 있다.
상기 전류 출력회로(133)는, 일 예로, 상기 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)로부터 온도 검출 전압(Vtd)을 입력받는 베이스, 저항(R2)을 통해 배타리 전압(VBAT)단에 접속된 컬렉터, 바이어스 저항(R3)을 통해 신호 라인에 바이어스 전류를 공급하는 에미터를 갖는 바이어스 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 상기 바이어스 트랜지스터(T3)는, 상기 온도 보정 회로(131)로부터의 온도 보정 전압(Vtd)에 기초해 내부 전류(Iint)를 생성할 수 있다.
상기 전류 추가 회로(135)는, 전원전압(VCC)단과 상기 온도 검출 회로(131) 사이에 스위치 트랜지스터(Ta) 및 저항(Ta)을 포함하여, 상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호(SC)에 스위치 트랜지스터(Ta)가 온상태로 되어 전원전압(VCC)과 저항(Ra)에 의해 생성된 추가 전류(Iadd)를 생성하여 온도 검출 회로(131)에 출력한다.
상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호(SC)에 응답하여 추가 전류(Iadd)를 생성하여 상기 내부 전류(Iint)에 더하여 상기 바이어스 전류(Ibias)를 생성할 수 있다. 이에 따라, 상기 초기 구동 동안에 추가 전류(Iadd)에 의해 상대적으로 큰 바이어스 전류(Ibias)를 생성할 수 있다.
상기 온도 검출 회로(120)는 동작 전압(VCC) 접지 사이에 직렬로 접속된 저항(R4) 및 트랜지스터(T5)를 포함하고, 상기 트랜지스터(T5)는 다이오드 결선된 BJT 트랜지스터가 될 수 있다.
도 10은 도 2의 증폭 회로의 예시도이다.
도 10에 도시된 상기 증폭 장치의 바이어스 회로(130)는, 상기 도 9의 바이어스 회로에 스위치(137)를 추가할 수 있다.
상기 스위치(137)는, 상기 온도 검출 회로(131)와 접지 사이에 접속되어 상기 초기 구동 동안에 오프상태가 될 수 있다.
이와 같이, 상기 초기 구동 동안에 스위치(137)가 오프상태이면 상기 온도 검출 회로(131)를 통해 접지로 흐르던 전류가, 접지로 흐르지 않고, 상기 바이어스 트랜지스터(T3)의 베이스를 통해 흐르게 되어, 이에 따라 그 만큼 내부 전류 및 바이어스 전류가 상승하게 된다.
도 11은 도 2의 증폭 회로의 예시도이다.
도 11을 참조하면, 증폭 회로(100)는 상기 파워증폭기(110), 온도 검출 회로(120) 및 상기 바이어스 회로(130)를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로(130)는, 전류 추가 회로(134B), 온도 검출 회로(131), 및 전류 출력 회로(133)를 포함할 수 있다.
상기 전류 추가 회로(134B)는, 배터리전압(VBAT)단과 상기 온도 검출 회로(131) 사이에 스위치 트랜지스터(Ta) 및 저항(Ra)을 포함하여, 상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호(SC)에 스위치 트랜지스터(Ta)가 온상태로 되어 배터리전압(VBAT)과 저항(Ra)에 의해 생성된 추가 전류(Iadd)를 생성하여 온도 검출 회로(131)에 출력한다.
상기 온도 검출 회로(131)는, 도 6과 같이, 기준전류(Iref) 단자와 접지 사이에 직렬로 접속된 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)를 포함할 수 있다. 상기 다이오드 결선의 트랜지스터 회로(T1,T2)는, 상기 초기 구동 동안에 기준전류(Iref)에 상기 추가 전류(Iadd)가 더해진 내부 전류(Iint)에 따른 온도 보상 전압(Vc)을 생성할 수 있다.
상기 전류 출력 회로(133)는, 상기 온도 검출 회로(131)로부터의 온도 보상 전압(Vc)에 기초해 바이어스 전류(Ibias)를 생성할 수 있다.
이에 따라, 상기 초기 구동 동안에 추가 전류(Iadd)에 의해 상대적으로 큰 바이어스 전류(Ibias)를 생성할 수 있다.
도 12는 도 1 및 도 3의 증폭 장치 및 온도 제어 회로의 주요 신호에 대한 타이밍 차트이다.
도 1, 도 2 및 도 12를 참조하면, TXen은, 송신모드 인에이블 신호이고, 이 신호는 송신모드 시작지점에서 하이레벨을 갖는다. Sin은 입력신호이다. Iint는 바이어스 회로(130)의 내부 전류이다. Vdt는 온도 검출 회로(131 또는 120)에서 온도 제어 회로(200)에 출력하는 온도 전압이다. Vref은 비교회로(220)에 입력되는 기준 전압이다. Vd는 온도전압 컨버터(210)에서 상기 비교회로(220)에 출력되는 검출 전압이다. 그리고, Scom은 비교회로(220)에서 출력되는 비교신호(Scom)이다.
도 12에서, 송신모드 인에이블 신호(TXen)는, 상기 초기 구동의 시작시점을 의미하는 송신모드 시작시점에서 하이레벨을 갖는다. 입력신호(Sin)는 송신모드 시작시점부터 일정시간까지는 입력신호가 입력되지 않고, 일정시간(예, 대략 50 내지 250μsec) 이후에 입력신호가 입력될 수 있다. 상기 내부 전류(Iint)는 송신모드 시작시점부터 대략 1μsec 이내에 생성될 수 있다. 온도 전압(Vdt)은 파워증폭기(110)의 주변온도를 의미하는 전압으로, 이는 파워증폭기(110)에 공급되는 바이어스 전류에 따라 파워증폭기의 주변온도는 점차 증가하다가 증가와 감소를 반복될 수 있다. 기준전압(Vref)은 온도변호에 관계없이 크기가 일정한 전압이다. 검출전압(Vd)은 온도 전압(Vtd)이 보다 큰 전압으로 변환된 전압이다. 그리고 비교신호(Scom)는 검출전압(Vd)과 기준전압(Vref)을 비교하여 기준전압(Vref)이 검출전압(Vd)보다 높으면 하이레벨을 갖고, 기준전압(Vref)이 검출전압(Vd)보다 낮으면 로우레벨을 갖는 펄스폭 변조 신호(PWM)가 될 수 있다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
100: 증폭 회로
110: 파워증폭기
130: 바이어스 회로
131: 온도 검출 회로
133: 전류 출력회로
135A, 135B: 전류 추가 회로
137: 스위치
200: 온도 제어 회로
210: 온도전압 컨버터
220: 비교회로
230: 신호검출회로
240: 제어 출력회로
242: 로직 회로
244: 스위치 회로

Claims (16)

  1. 파워증폭기 및 바이어스 회로를 포함하고, 상기 바이어스 회로는 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 온도 전압을 출력하고, 입력받은 제어신호에 응답하여 내부 전류를 조절하여 조절된 바이어스 전류를 상기 파워증폭기에 공급하는 증폭 회로; 및
    송신모드 시작시점 부터 입력신호의 입력시점 까지로 정의되는 초기 구동 동안에, 상기 온도 전압에 기초해 상기 제어신호를 생성하여 상기 증폭 회로에 출력하는 온도 제어 회로;
    를 포함하는 증폭 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 회로는
    상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 상기 온도 전압을 출력하는 온도 검출 회로; 를 포함하는
    증폭 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 온도 제어 회로는,
    상기 온도 전압을 검출 전압으로 변환하는 온도전압 컨버터;
    상기 검출 전압과 기준전압을 비교하여 그 비교결과에 따른 레벨을 포함하는 비교신호를 출력하는 비교회로;
    상기 입력신호의 크기를 검출하여 검출신호를 출력하는 신호검출회로; 및
    상기 검출신호 및 상기 비교신호에 기초하여 상기 제어신호로 생성하는 제어 출력회로;
    를 포함하는 증폭 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어 출력회로는
    상기 검출신호와 상기 비교신호를 논리 연산하여 상기 제어신호를 생성하는 로직 회로를 포함하는
    증폭 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제어 출력회로는
    상기 검출신호에 따라 온상태 또는 오프상태가 되고, 온상태일 경우 상기 비교신호를 상기 제어신호로 제공하는 스위치 회로를 포함하는
    증폭 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 바이어스 회로는
    기준전류를 제공받아 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 온도 검출 전압을 생성하는 트랜지스터 회로를 포함하는 온도 검출 회로;
    상기 온도 검출 회로로부터의 온도 검출 전압에 기초해 내부 전류를 생성하는 전류 출력회로; 및
    상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호에 응답하여 추가 전류를 생성하여 상기 내부 전류에 더하여 상기 바이어스 전류를 생성하는 전류 추가 회로;
    를 포함하는 증폭 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 바이어스 회로는
    상기 온도 검출 회로와 접지 사이에 접속되어 상기 초기 구동 동안에 오프상태가 되는 스위치;
    를 더 포함하는 증폭 장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 바이어스 회로는
    상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호에 응답하여 추가 전류를 생성하여 기준전류에 더하는 전류 추가 회로;
    상기 내부 전류를 제공받아 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 온도 검출 전압을 생성하는 트랜지스터 회로를 포함하는 온도 검출 회로;
    상기 온도 검출 회로로부터의 온도 검출 전압에 기초해 바이어스 전류를 생성하는 전류 출력 회로;
    를 포함하는 증폭 장치.
  9. 파워증폭기, 온도 검출 회로, 및 바이어스 회로를 포함하고, 상기 온도 검출 회로는 상기 파워증폭기의 주변온도를 검출하여 온도 전압을 출력하고, 상기 바이어스 회로는 입력받은 제어신호에 응답하여 내부 전류를 조절하여 조절된 바이어스 전류를 상기 파워증폭기에 공급하는 증폭 회로;
    송신모드 시작시점 부터 입력신호의 입력시점 까지로 정의되는 초기 구동 동안에, 상기 온도 전압에 기초해 상기 제어신호를 생성하여 상기 증폭 회로에 출력하는 온도 제어 회로;
    를 포함하는 증폭 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 온도 제어 회로는,
    상기 온도 전압을 검출 전압으로 변환하는 온도전압 컨버터;
    상기 검출 전압과 기준전압을 비교하여 그 비교결과에 따른 레벨을 포함하는 비교신호를 출력하는 비교회로;
    상기 입력신호의 크기를 검출하여 검출신호를 출력하는 신호검출회로; 및
    상기 검출신호 및 상기 비교신호에 기초하여 상기 제어신호로 생성하는 제어 출력회로;
    를 포함하는 증폭 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제어 출력회로는
    상기 검출신호와 상기 비교신호를 논리 연산하여 상기 제어신호를 생성하는 로직 회로를 포함하는
    증폭 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제어 출력회로는
    상기 검출신호에 따라 온상태 또는 오프상태가 되고, 온상태일 경우 상기 비교신호를 상기 제어신호로 제공하는 스위치 회로를 포함하는
    증폭 장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 온도 검출 회로는
    동작 전압 접지 사이에 직렬로 접속된 저항 및 트랜지스터를 포함하고, 상기 트랜지스터는 다이오드 결선된 BJT 트랜지스터인
    증폭 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 바이어스 회로는
    기준전류에 따른 온도 보정 전압을 생성하는 온도 보정 회로;
    상기 온도 보정 회로로부터의 온도 보정 전압에 기초해 내부 전류를 생성하는 전류 출력회로; 및
    상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호에 응답하여 추가 전류를 생성하여 상기 내부 전류에 더하여 상기 바이어스 전류를 생성하는 전류 추가 회로;
    를 포함하는 증폭 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 바이어스 회로는
    상기 온도 검출 회로와 접지 사이에 접속되어 상기 초기 구동 동안에 오프상태가 되는 스위치;
    를 더 포함하는 증폭 장치.
  16. 제3항에 있어서, 상기 바이어스 회로는
    상기 초기 구동 동안에 상기 제어신호에 응답하여 추가 전류를 생성하여 기준전류에 더하여 내부 전류를 생성하는 전류 추가 회로;
    상기 내부 전류에 따른 온도 보상 전압을 생성하는 상기 온도 검출 회로;
    상기 온도 검출 회로로부터의 온도 보상 전압에 기초해 바이어스 전류를 생성하는 전류 출력 회로;
    를 포함하는 증폭 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11698307B2 (en) * 2019-12-31 2023-07-11 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus to trim temperature sensors
CN112066531A (zh) * 2020-09-22 2020-12-11 珠海格力电器股份有限公司 温度控制装置、方法及空调

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110135565A (ko) * 2010-06-11 2011-12-19 삼성전기주식회사 씨모스 전력 증폭장치 및 그 온도 보상 회로

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6215358B1 (en) * 1999-09-16 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Temperature compensated bias network for a power amplifier and method of operation
US8260224B2 (en) 2009-12-02 2012-09-04 Sige Semiconductor Inc. System and method of prebias for rapid power amplifier response correction
JP5990781B2 (ja) * 2011-02-14 2016-09-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 高周波電力増幅器
CN110086432B (zh) 2013-12-31 2024-04-19 天工方案公司 关于动态误差向量幅度校正的系统、电路和方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110135565A (ko) * 2010-06-11 2011-12-19 삼성전기주식회사 씨모스 전력 증폭장치 및 그 온도 보상 회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220162026A (ko) * 2021-05-31 2022-12-07 리치웨이브 테크놀로지 코포레이션 온도 변화에 관계없이 일정한 게인을 유지할 수 있는 전력 증폭기

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