KR20200040303A - Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20200040303A
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지아 탕
장순 임
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선전 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명은 OLED 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 OLED 디스플레이 패널은 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이의 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방에 차광층을 설치하여 픽셀의 측면 빛 샘을 차단함으로써 각 상부 발광형 OLED에서 방출하는 광선을 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 한정할 수 있고, 더욱이, 픽셀 측면 광 누출과 색 혼합의 문제가 발생하는 것을 효과적으로 방지했다. 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법은 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방의 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이에 차광층을 설치하여 픽셀의 측면 광 누출을 차단함으로써 각 상부 발광형 OLED에서 방출하는 광선을 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 한정할 수 있고, 더욱이, 픽셀 측면 광 누출과 색 혼합의 문제가 발생하는 것을 효과적으로 방지했다.The present invention provides an OLED display panel and its manufacturing method. In the OLED display panel of the present invention, a light shielding layer is provided above the pixel gap area between the OLED back plate and the package cover to block the side light leakage of the pixel, thereby corresponding to the light emitted from each top-emitting OLED. It can be limited to be emitted within, and, furthermore, effectively prevents the problem of pixel side light leakage and color mixing. The manufacturing method of the OLED display panel of the present invention provides a light-blocking layer between the upper OLED back plate and the package cover corresponding to the pixel spacing area to block side light leakage of the pixels, thereby emitting light emitted from each upper light emitting OLED. It can be limited to be emitted within the corresponding pixel, and furthermore, the problem of pixel side light leakage and color mixing has been effectively prevented.

Description

유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof

본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로, 특히, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the field of display technology, and more particularly, to an organic light emitting diode display panel and a method for manufacturing the same.

유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 디스플레이는 자체 발광이 가능하고, 구동 전압이 낮으며, 발광 효율이 높고, 응답 시간이 짧으며, 해상도 및 콘트라스트가 높고, 시야가 넓으며, 사용 온도 범위가 넓어 연성 디스플레이와 대면적의 컬러 디스플레이를 실현할 수 있는 등 많은 장점을 가지고 있어, 업계에서 가장 발전 잠재력이 있는 디스플레이 장치로 인정받고 있다. 현재 OLED 제품은 주로 소형 휴대폰, 태블릿 컴퓨터(패드) 및 대형 TV 화면 등에 분포되어 있다.Organic Light Emitting Diodes (OLED) displays are capable of self-emission, low drive voltage, high luminous efficiency, short response time, high resolution and contrast, wide field of view, and operating temperature range It has a wide range of advantages such as flexible display and large-area color display, and is recognized as the most powerful display device in the industry. Currently, OLED products are mainly distributed in small mobile phones, tablet computers (pads), and large TV screens.

유기 발광 다이오드(OLED)는 기판 상에 차례로 형성된 양극, 유기 발광 재료 층 및 음극을 구비한다. 대형 OLED 디스플레이의 적용 방향에서 시판되는 대부분의 제품은 하부 발광형(Bottom emission) 구조를 채용하고, OLED의 음극은 비교적 두꺼운 금속 층을 사용하며, 이러한 구조를 채용한 OLED 디스플레이 패널은, 유기 발광 재료 층에서 방출되는 광선이 그 아래의 평판 층(PLN)과 박막 트랜지스터(TFT) 층을 투과해야 하므로, 발광 효율이 낮아진다. 때문에, 해상도가 높아짐에 따라 하부 발광형 OLED는 개구율의 제한을 받아 고해상도를 달성하기 어렵고, 점점 더 많은 종사자들이 발광 효율을 높이고, 고해상도의 디스플레이를 실현하기 위해 상부 발광형(Top emission) OLED의 개발에 관심을 돌리고 있다.The organic light emitting diode (OLED) includes an anode, an organic light emitting material layer, and a cathode, which are sequentially formed on a substrate. Most products marketed in the direction of application of large OLED displays adopt a bottom emission structure, the cathode of the OLED uses a relatively thick metal layer, and the OLED display panel employing such a structure is an organic light emitting material. Since the light emitted from the layer has to pass through the flat layer (PLN) and the thin film transistor (TFT) layer below it, the luminous efficiency is lowered. Therefore, as the resolution increases, the lower emission type OLED is difficult to achieve high resolution due to the limitation of the aperture ratio, and more and more workers develop the top emission OLED to increase the luminous efficiency and realize a high resolution display. Is turning attention to.

그러나, 풀 컬러 디스플레이 상부 발광형 OLED 디스플레이 패널에 대해, 도 1에 도시된 바와 같이, 각 픽셀(pixel)의 OLED(11)가 커버 플레이트(20)에 수직 방향으로만 입사되는 것이 아니라 방사와 유사한 방식으로 OLED 백 플레이트(10) 상방으로 빛이 방출되고, 또, 커버 플레이트(20)와 OLED 백 플레이트(10)의 각 픽셀 사이에 차단물이 설치되지 않았기 때문에, 본 픽셀의 OLED(11)에서 방출되는 광선이 다른 픽셀의 영역에 방출되어 픽셀의 측면 광 누출 문제가 쉽게 발생하게 되고, 더욱이, 각 픽셀들 사이 즉 도면에서 동그라미 표시한 부분에 색 혼합 문제가 발생한다.However, for the full-color display upper light emitting OLED display panel, as shown in FIG. 1, the OLED 11 of each pixel is not only incident in the vertical direction to the cover plate 20, but similar to radiation. In this way, since light is emitted above the OLED back plate 10, and a blocking material is not installed between each pixel of the cover plate 20 and the OLED back plate 10, the OLED 11 of this pixel The emitted light is emitted to the area of another pixel, which easily causes a side light leakage problem of the pixel, and furthermore, a color mixing problem occurs between each pixel, that is, the circled portion of the drawing.

본 발명의 목적은 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이의 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방에 차광층을 설치함으로써, 각 상부 발광형 OLED에서 방출되는 광선이 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 제한할 수 있고, 픽셀의 측면 광 누출과 색 혼합 문제가 발생하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있는 OLED 디스플레이 패널을 제공하는 것이다. The object of the present invention is to provide a light shielding layer on the upper side corresponding to the pixel spacing area between the OLED back plate and the package cover, thereby limiting the light emitted from each upper emission type OLED to be emitted within the corresponding pixel, It is to provide an OLED display panel that can more effectively prevent the side light leakage and color mixing problems of pixels.

본 발명의 다른 목적은 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방에서 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이에 차광층을 설치함으로써 각 상부 발광형 OLED에서 방출되는 광선이 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 제한할 수 있고, 픽셀의 측면 광 누출과 색 혼합의 문제가 발생하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light-blocking layer between the OLED back plate and the package cover in the upper direction corresponding to the pixel spacing area to limit the light emitted from each upper-emission type OLED to be emitted within the corresponding pixel, It is to provide a method for manufacturing an OLED display panel that can more effectively prevent the problem of side light leakage and color mixing of pixels.

상기 목적을 실현하기 위해, 본 발명은, 대향되게 설치된 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 및 상기 패키지 커버의 OLED 백 플레이트 부근의 일측에 설치된 차광층을 포함하고, In order to realize the above object, the present invention includes an opposing OLED back plate and a package cover, and a light blocking layer provided on one side of the package cover near the OLED back plate,

상기 OLED 백 플레이트는 TFT 어레이 기판 및 상기 TFT 어레이 기판에 설치되어 어레이로 배열된 복수개의 상부 발광형 OLED를 포함하고,The OLED back plate includes a TFT array substrate and a plurality of upper emission OLEDs arranged on the TFT array substrate and arranged in an array,

상기 OLED 백 플레이트는 픽셀 간격 영역 및 상기 픽셀 간격 영역에 의해 이격된 상기 복수의 상부 발광형 OLED와 일대 일로 대응하는 복수개의 픽셀 발광 영역을 구비하며,The OLED back plate includes a pixel spacing area and a plurality of pixel emission areas corresponding one-to-one with the plurality of upper emission OLEDs spaced by the pixel spacing area,

상기 차광층은 상기 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이에 위치하고, 상기 OLED 백 플레이트의 픽셀 간격 영역에 대응하게 접하는 OLED 디스플레이 패널을 제공한다.The light-shielding layer is positioned between the OLED back plate and the package cover, and provides an OLED display panel that is in contact with a pixel spacing area of the OLED back plate.

상기 차광층은 유기 포토레지스트 재료 또는 무기 재료이다.The light shielding layer is an organic photoresist material or an inorganic material.

각 상기 상부 발광형 OLED는 상기 TFT 어레이 기판 상에 아래에서 위로 차례로 적층된 양극, 유기 발광 재료 층 및 투명 음극을 포함한다.Each of the top emission type OLEDs includes an anode, an organic light emitting material layer and a transparent cathode stacked sequentially from bottom to top on the TFT array substrate.

상기 OLED 백 플레이트는 TFT 어레이 기판과 양극 상에 설치된 픽셀 규정 층을 더 포함하며, 상기 픽셀 규정 층은 양극의 일부를 노출시키는 비아홀을 가지며, 각 상기 상부 발광형 OLED의 유기 발광 재료 층은 상기 비아홀 내에 대응되게 설치되고, 상기 OLED 백 플레이트의 상기 픽셀 규정 층에 대응하는 영역은 픽셀 간격 영역이고, 상기 비아홀에 대응하는 영역은 픽셀 발광 영역이며,The OLED back plate further includes a TFT array substrate and a pixel defining layer provided on the anode, wherein the pixel defining layer has a via hole exposing a portion of the anode, and the organic light emitting material layer of each of the top emitting OLEDs is the via hole A region corresponding to the pixel defining layer of the OLED back plate is a pixel spacing region, and a region corresponding to the via hole is a pixel emitting region,

상기 차광층은 상기 픽셀 규정 층의 상방에 대응되게 설치된다.The light blocking layer is provided to correspond to the upper side of the pixel defining layer.

상기 유기 발광 재료 층의 재료는 유기 증착 재료 또는 잉크젯 프린팅 재료이다.The material of the organic light emitting material layer is an organic vapor deposition material or an inkjet printing material.

본 발명은, TFT 기판을 제공하며, 상기 TFT 기판 상에 어레이로 배열된 복수의 상부 발광형 OLED를 형성하여 OLED 백 플레이트를 얻으며, 상기 OLED 백 플레이트는 픽셀 간격 영역 및 상기 픽셀 간격 영역에 의해 이격된, 상기 복수의 상부 발광형 OLED에 일대 일로 대응하는 복수의 픽셀 발광 영역을 가지는 단계(S1);The present invention provides a TFT substrate, and forms a plurality of upper light emitting OLEDs arranged in an array on the TFT substrate to obtain an OLED back plate, the OLED back plate being spaced by a pixel spacing area and the pixel spacing area A step (S1) of having a plurality of pixel emission regions corresponding one-to-one to the plurality of upper emission OLEDs;

패키지 커버를 제공하며, 상기 패키지 커버 상의 상기 OLED 백 플레이트에 대응하는 픽셀 간격 영역에 차광층을 제작하는 단계(S2);Providing a package cover, and manufacturing a light blocking layer in a pixel gap area corresponding to the OLED back plate on the package cover (S2);

패키지 커버 상에 제조된 차광층을 상기 OLED 백 플레이트를 향하게 하고, 상기 패키지 커버와 OLED 백 플레이트를 한조로 패키징하여 상기 차광층이 상기 OLED 백 플레이트의 픽셀 간격 영역에 대응되게 접하도록 하는 단계(S3);을 포함하는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법을 더 제공한다.The step of facing the light blocking layer prepared on the package cover toward the OLED back plate, and packaging the package cover and the OLED back plate in a pair so that the light blocking layer corresponds to the pixel spacing area of the OLED back plate (S3). ); It further provides a method for manufacturing an OLED display panel comprising a.

상기 단계(S2)에서, 상기 차광층은 유기 포토레지스트 재료이고, 상기 차광층은 황색 발광 공정을 통해 얻어지거나, 또는,In step S2, the light-blocking layer is an organic photoresist material, and the light-blocking layer is obtained through a yellow light-emitting process, or

상기 차광층은 무기 재료이고, 상기 차광층은 차례로 진행하는 막 형성 공정, 황색 발광 공정 및 식각 공정을 통해 얻어지며, The light shielding layer is an inorganic material, and the light shielding layer is obtained through a film forming process, a yellow light emitting process, and an etching process, which are sequentially performed.

여기서, 상기 황색 발광 공정은 차례로 진행하는 포토 레지스트 코팅 단계, 노출 단계 및 현상 단계를 포함하고,Here, the yellow light emitting process includes a photoresist coating step, an exposure step and a development step which are sequentially performed,

상기 막 형성 공정은 화학 기상 증착 공정 또는 물리 기상 증착 공정을 이용하고,The film forming process uses a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process,

상기 식각 공정은 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용한다.The etching process uses a dry etching process or a wet etching process.

상기 단계(S1)에서, 각 상기 상부 발광형 OLED는 상기 TFT 어레이 기판 상에 아래에서 위로 차례로 적층된 양극, 유기 발광 재료 층 및 투명 음극을 포함한다. In the step (S1), each of the top emission type OLEDs includes an anode, an organic light emitting material layer and a transparent cathode stacked sequentially from bottom to top on the TFT array substrate.

상기 단계(S1)에서, TFT 어레이 기판과 양극 상에 픽셀 규정 층을 설치하는 단계를 더 포함하며, 상기 픽셀 규정 층은 양극의 일부를 노출시키는 비아홀을 가지며, 각 상기 상부 발광형 OLED의 유기 발광 재료 층은 상기 비아홀 내에 대응되게 설치되고,In the step (S1), further comprising the step of installing a pixel defining layer on the TFT array substrate and the anode, the pixel defining layer has a via hole exposing a portion of the anode, and organic light emission of each of the top emitting OLEDs The material layer is correspondingly installed in the via hole,

상기 OLED 백 플레이트의 상기 픽셀 규정 층에 대응하는 영역은 픽셀 간격 영역이고, 상기 비아홀에 대응하는 영역은 픽셀 발광 영역이며,The region corresponding to the pixel defining layer of the OLED back plate is a pixel spacing region, and the region corresponding to the via hole is a pixel emitting region,

상기 단계(S3)에서, 상기 차광층은 상기 픽셀 규정 층의 상방에 대응되게 설치된다.In step S3, the light blocking layer is provided to correspond to the upper side of the pixel defining layer.

상기 단계(S1)에서, 상기 유기 발광 재료 층의 재료는 유기 증착 재료이고, 상기 유기 발광 재료 층은 증착 공정을 통해 형성되거나, 또는In step S1, the material of the organic light emitting material layer is an organic vapor deposition material, and the organic light emitting material layer is formed through a deposition process, or

상기 유기 발광 재료 층의 재료는 잉크젯 프린팅 재료이고, 상기 유기 발광 재료 층은 잉크젯 프린팅 공정에 의해 형성된다.The material of the organic light emitting material layer is an inkjet printing material, and the organic light emitting material layer is formed by an inkjet printing process.

대향되게 설치된 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 및 상기 패키지 커버의 OLED 백 플레이트 부근의 일측에 설치된 차광층을 포함하고, It includes an opposing OLED back plate and a package cover, and a light blocking layer installed on one side near the OLED back plate of the package cover,

상기 OLED 백 플레이트는 TFT 어레이 기판 및 상기 TFT 어레이 기판에 설치되어 어레이로 배열된 복수개의 상부 발광형 OLED를 포함하고,The OLED back plate includes a TFT array substrate and a plurality of upper emission OLEDs arranged on the TFT array substrate and arranged in an array,

상기 OLED 백 플레이트는 픽셀 간격 영역 및 상기 픽셀 간격 영역에 의해 이격된 상기 복수의 상부 발광형 OLED와 일대 일로 대응하는 복수개의 픽셀 발광 영역을 구비하며,The OLED back plate includes a pixel spacing area and a plurality of pixel emission areas corresponding one-to-one with the plurality of upper emission OLEDs spaced by the pixel spacing area,

상기 차광층은 상기 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이에 위치하고, 상기 OLED 백 플레이트의 픽셀 간격 영역에 대응하게 접하며,The light blocking layer is located between the OLED back plate and the package cover, and is in contact with the pixel spacing area of the OLED back plate,

여기서, 상기 차광층은 유기 포토레지스트 재료 또는 무기 재료이고,Here, the light-shielding layer is an organic photoresist material or an inorganic material,

여기서, 각 상기 상부 발광형 OLED는 상기 TFT 어레이 기판 상에 아래에서 위로 차례로 적층된 양극, 유기 발광 재료 층 및 투명 음극을 포함하며,Here, each of the upper emission type OLED includes an anode, an organic light emitting material layer and a transparent cathode stacked sequentially from bottom to top on the TFT array substrate,

여기서, 상기 OLED 백 플레이트는 TFT 어레이 기판과 양극 상에 설치된 픽셀 규정 층을 더 포함하며, 상기 픽셀 규정 층은 양극의 일부를 노출시키는 비아홀을 가지며, 각 상기 상부 발광형 OLED의 유기 발광 재료 층은 상기 비아홀 내에 대응되게 설치되고,Here, the OLED back plate further includes a TFT array substrate and a pixel defining layer provided on the anode, the pixel defining layer has a via hole exposing a portion of the anode, and the organic light emitting material layer of each of the top emitting OLEDs is Correspondingly installed in the via hole,

상기 OLED 백 플레이트의 상기 픽셀 규정 층에 대응하는 영역은 픽셀 간격 영역이고, 상기 비아홀에 대응하는 영역은 픽셀 발광 영역이며,The region corresponding to the pixel defining layer of the OLED back plate is a pixel spacing region, and the region corresponding to the via hole is a pixel emitting region,

상기 차광층은 상기 픽셀 규정 층의 상방에 대응되게 설치되며,The light blocking layer is installed to correspond to the upper side of the pixel defining layer,

여기서, 상기 유기 발광 재료 층의 재료는 유기 증착 재료 또는 잉크젯 프린팅 재료인 OLED 디스플레이 패널을 더 제공한다.Here, the material of the organic light emitting material layer further provides an OLED display panel that is an organic vapor deposition material or an inkjet printing material.

본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다. 본 발명의 OLED 디스플레이 패널은 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이의 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방에 차광층을 설치하여 픽셀의 측면 광 누출을 차단함으로써 각 상부 발광형 OLED에서 방출되는 광선이 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 한정할 수 있고, 픽셀 측면 광 누출과 색 혼합의 문제가 발생하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있다. 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법은, 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방의 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이에 차광층을 설치하여 픽셀의 측면 광 누출을 차단함으로써 각 상부 발광형 OLED에서 방출하는 광선이 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 한정할 수 있고, 픽셀 측면 광 누출과 색 혼합의 문제가 발생하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있다.The beneficial effects of the present invention are as follows. In the OLED display panel of the present invention, a light-blocking layer is provided above the pixel gap area between the OLED back plate and the package cover to block side light leakage of the pixel, so that the light emitted from each upper light emitting OLED corresponds to the pixel. It can be limited to be emitted within, and can more effectively prevent the problem of pixel side light leakage and color mixing. In the manufacturing method of the OLED display panel of the present invention, a light shielding layer is provided between the upper OLED back plate and the package cover corresponding to the pixel spacing area to block side light leakage of pixels, thereby emitting light emitted from each upper light emitting OLED. It can be limited to be emitted within the corresponding pixel, and it is possible to more effectively prevent the problem of pixel side light leakage and color mixing.

본 발명의 특징 및 기술적 내용에 대해 더 이해하기 위해, 이하 본 발명에 관한 상세한 설명과 첨부 도면을 참조할 수 있으나, 첨부 도면은 참고와 설명하기 위해 제공하는 것일 뿐 본 발명을 한정하는 것은 아니다.In order to further understand the features and technical contents of the present invention, reference may be made to the detailed description of the present invention and the accompanying drawings, but the accompanying drawings are provided for reference and description only and do not limit the present invention.

이하, 첨부 도면을 결합하여 본 발명의 구체적 실시방식에 대해 상세하게 설명하는 것을 통해 본 발명의 기술적 방안 및 기타 유익한 효과가 명백해질 것이다.
도면에서,
도 1은 종래의 OLED 디스플레이 패널에서 픽셀의 측면 광 누출 및 색 혼합이 발생하는 것을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법의 단계 S1를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법의 단계 S2를 나타내는 도면이다.Hereinafter, the technical method of the present invention and other beneficial effects will be apparent through a detailed description of a specific embodiment of the present invention in combination with the accompanying drawings.
In the drawing,
FIG. 1 is a diagram illustrating side light leakage and color mixing of pixels in a conventional OLED display panel.
2 is a view showing the structure of the OLED display panel of the present invention.
3 is a flow chart showing a method of manufacturing an OLED display panel of the present invention.
4 is a view showing step S1 of a method for manufacturing an OLED display panel of the present invention.
5 is a view showing step S2 of the method for manufacturing an OLED display panel of the present invention.

본 발명에서 사용한 기술적 수단 및 그 효과를 더 설명하기 위해, 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예 및 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.In order to further describe the technical means and effects used in the present invention, it will be described in detail below with reference to preferred embodiments of the present invention and the accompanying drawings.

도 2를 참조하면, 본 발명은, 우선 서로 마주보게 설치된 OLED 백 플레이트(100)와 패키지 커버(200) 및 상기 패키지 커버(200)의 OLED 백 플레이트(100) 부근의 일측에 설치되고, 상기 OLED 백 플레이트(100)와 패키지 커버(200) 사이에 위치하는 차광층(300)을 포함하고;Referring to FIG. 2, the present invention is first installed on one side of the OLED back plate 100 and the package cover 200 and the OLED back plate 100 of the package cover 200 installed facing each other, and the OLED A light blocking layer 300 positioned between the back plate 100 and the package cover 200;

상기 OLED 백 플레이트(100)는 TFT 어레이 기판(110) 및 상기 TFT 어레이 기판(110) 상에 어레이로 배열된 복수의 상부 발광형 OLED(120)를 포함하고;The OLED back plate 100 includes a TFT array substrate 110 and a plurality of upper light emitting OLEDs 120 arranged in an array on the TFT array substrate 110;

상기 OLED 백 플레이트(100)는 픽셀 간격 영역 및 상기 픽셀 간격 영역으로부터 이격되고 상기 복수의 상부 발광형 OLED(120)에 일대 일로 대응하는 복수의 픽셀 발광 영역을 가지며;The OLED back plate 100 has a pixel spacing area and a plurality of pixel emitting areas spaced apart from the pixel spacing area and corresponding one-to-one to the plurality of upper emission OLEDs 120;

상기 차광층(300)은 상기 OLED 백 플레이트(100)의 픽셀 간격 영역에 대응하여 접함으로써 각 상부 발광형 OLED(120)에서 방출되는 광선이 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 제한할 수 있어 픽셀의 측면 광 누출을 차단할 수 있다. .The light-blocking layer 300 may limit the light emitted from each upper emission type OLED 120 to be emitted within a corresponding pixel by contacting with the pixel spacing area of the OLED back plate 100, so that the side of the pixel Light leakage can be blocked. .

구체적으로, 상기 차광층(300)은 폴리이미드(PI), 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM) 재료 또는 광 투과율이 비교적 낮은 기타 유기 포토레지스트 재료와 같은 유기 포토레지스트 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 황색 발광 공정에 의해 형성되고, 상기 황색 발광 공정은 구체적으로 차례로 진행되는 포토 레지스트 코팅(coating) 단계, 노출 단계 및 현상 단계를 포함한다. 또는,Specifically, the light blocking layer 300 may use an organic photoresist material, such as polyimide (PI), black matrix (BM) material, or other organic photoresist material having relatively low light transmittance. Specifically, the yellow light emitting process is formed by a yellow light emitting process, and the yellow light emitting process specifically includes a photoresist coating (coating) step, an exposure step, and a development step. or,

상기 차광층(300)은 광 투과율이 비교적 낮은 무기 재료를 사용할 수도 있으며, 구체적으로 차례로 진행되는 막 형성 공정, 황색 발광 공정 및 식각 공정을 통해 형성되며, 상기 막 형성 공정은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 공정 또는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 공정을 이용할 수 있고, 상기 황색 발광 공정은 차례로 진행하는 포토 레지스트 코팅 단계, 노출 단계 및 현상 단계를 포함하며, 상기 식각 공정은 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용한다.The light-blocking layer 300 may use an inorganic material having a relatively low light transmittance, and is specifically formed through a film formation process, a yellow light emission process, and an etching process that are sequentially performed, and the film formation process is chemical vapor deposition (Chemical Vapor) Deposition, CVD) process or physical vapor deposition (PVD) process may be used, and the yellow light emission process may include a photoresist coating step, an exposure step, and a development step, which are sequentially performed, and the etching process is dry etching. Process or wet etching process is used.

구체적으로, 상기 TFT 어레이 기판(110)은 상부 발광형 OLED(120)를 구동하기 위한 복수개의 어레이로 배열된 TFT(미도시)를 가지며, 상기 TFT의 유형에는 제한이 없고, 저온 폴리-실리콘형(Low Temperature Poly-silicon，LTPS), 산화물형(Oxide) 또는 고상 결정화형(Solid-Phase-Crystallization, SPC) 등 임의의 유형의 TFT일 수 있다.Specifically, the TFT array substrate 110 has TFTs (not shown) arranged in a plurality of arrays for driving the upper emission type OLED 120, and there is no limitation in the type of the TFTs, and a low temperature poly-silicon type It may be any type of TFT, such as (Low Temperature Poly-silicon, LTPS), Oxide, or Solid-Phase-Crystallization (SPC).

구체적으로, 각 상기 상부 발광형 OLED(120)는 상기 TFT 어레이 기판(110) 상에 아래에서 위로 차례로 적층된 양극(121), 유기 발광 재료 층(122) 및 투명 음극(123)을 포함한다.Specifically, each of the upper light emitting OLED 120 includes an anode 121, an organic light emitting material layer 122 and a transparent cathode 123 stacked sequentially from bottom to top on the TFT array substrate 110.

구체적으로, 상기 OLED 백 플레이트(100)는 TFT 어레이 기판(110)과 양극(121) 상에 설치된 픽셀 규정 층(Pixel Definition Layer, PDL)(130)을 더 포함하며, 상기 픽셀 규정 층(130)은 양극(121)의 일부를 노출시키는 비아홀(131)을 가지며, 각 상기 상부 발광형 OLED(120)의 유기 발광 재료 층(122)은 상기 비아홀(131) 내에 대응되게 설치된다. Specifically, the OLED back plate 100 further includes a pixel definition layer (PDL) 130 installed on the TFT array substrate 110 and the anode 121, and the pixel defining layer 130 Silver has a via hole 131 exposing a portion of the anode 121, and the organic light emitting material layer 122 of each of the upper light emitting OLED 120 is installed correspondingly in the via hole 131.

구체적으로, 상기 OLED 백 플레이트(100)의 상기 픽셀 규정 층(130)에 대응하는 영역은 픽셀 간격 영역이고, 상기 비아홀(131)에 대응하는 영역은 픽셀 발광 영역이다.Specifically, an area corresponding to the pixel defining layer 130 of the OLED back plate 100 is a pixel spacing area, and an area corresponding to the via hole 131 is a pixel emitting area.

구체적으로, 상기 차광층(300)은 상기 픽셀 규정 층(130)의 상방에 대응하게 설치된다.Specifically, the light blocking layer 300 is installed to correspond to the upper side of the pixel defining layer 130.

구체적으로, 상기 유기 발광 재료 층(122)은 유기 증착 재료를 사용할 수 있으며, 증착 공정에 의해 형성될 경우, 상기 픽셀 규정 층(130)은 통상적인 친수성 PDL 재료를 사용하면 된다. 또는;Specifically, the organic light emitting material layer 122 may use an organic deposition material, and when formed by a deposition process, the pixel defining layer 130 may use a conventional hydrophilic PDL material. or;

상기 유기 발광 재료 층(122)은 잉크젯 프린팅(Ink Jet Printing, IJP) 재료를 이용할 수 있으며, 상기 유기 발광 재료 층(122)이 잉크젯 프린팅 공정에 의해 형성될 경우, 상기 픽셀 규정 층(130)은 소수성 PDL 재료를 사용해야 한다.The organic light emitting material layer 122 may use ink jet printing (IJP) material, and when the organic light emitting material layer 122 is formed by an inkjet printing process, the pixel defining layer 130 may Hydrophobic PDL materials should be used.

본 발명의 OLED 디스플레이 패널에서, OLED 백 플레이트(100)와 패키지 커버(200) 사이의 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방에 차광층(300)이 설치되어 픽셀의 측면 광 누출을 차단함으로써 각 상부 발광형 OLED(120)에서 방출되는 광선이 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 한정하여 픽셀 측면 광 누출과 색 혼합 문제가 발생하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있다.In the OLED display panel of the present invention, a light blocking layer 300 is installed above the pixel gap area between the OLED back plate 100 and the package cover 200 to block side light leakage of pixels, thereby emitting each upper light emission type. By limiting the light emitted from the OLED 120 to be emitted within the corresponding pixel, it is possible to more effectively prevent the pixel side light leakage and color mixing problems.

도 3에 의하면, 상기 OLED 디스플레이 패널을 토대로 본 발명은 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법을 더 제공하며, 제조 방법은 아래 단계를 포함한다:According to FIG. 3, based on the OLED display panel, the present invention further provides a method for manufacturing an OLED display panel, the method comprising:

단계 S21, 도 4에 도시된 바와 같이, TFT 기판(110)을 제공하며, 상기 TFT 기판(110) 상에 어레이로 배열된 복수의 상부 발광형 OLED(120)를 형성하여 OLED 백 플레이트(100)를 얻는다. 상기 OLED 백 플레이트(100)는 픽셀 간격 영역 및 상기 픽셀 간격 영역에 의해 이격된, 상기 복수의 상부 발광형 OLED(120)에 일대 일로 대응하는 복수의 픽셀 발광 영역을 가진다.Step S21, as shown in FIG. 4, provides a TFT substrate 110, and forms a plurality of upper light emitting OLEDs 120 arranged in an array on the TFT substrate 110 to form an OLED back plate 100 Get The OLED back plate 100 has a pixel spacing area and a plurality of pixel emission areas spaced by the pixel spacing area, one to one corresponding to the plurality of upper emission OLEDs 120.

구체적으로, 상기 TFT 어레이 기판(110)은 상기 상부 발광형 OLED(120)를 구동하기 위한 복수의 어레이로 배열된 TFT를 가지며, 상기 TFT의 유형에는 제한이 없고, 저온 폴리-실리콘형(Low Temperature Poly-silicon，LTPS), 산화물형(Oxide) 또는 고상 결정화형(Solid-Phase-Crystallization, SPC) 등 임의의 유형의 TFT일 수 있다.Specifically, the TFT array substrate 110 has TFTs arranged in a plurality of arrays for driving the upper light emitting OLED 120, and there is no limitation in the type of the TFTs, and a low temperature poly-silicon type (Low Temperature) It may be any type of TFT, such as poly-silicon (LTPS), oxide type (Oxide) or solid-phase crystallization type (SPC).

구체적으로, 각 상기 상부 발광형 OLED(120)는 상기 TFT 어레이 기판(110) 상에 아래에서 위로 차례로 적층된 양극(121), 유기 발광 재료 층(122) 및 투명 음극(123)을 포함한다.Specifically, each of the upper light emitting OLED 120 includes an anode 121, an organic light emitting material layer 122 and a transparent cathode 123 stacked sequentially from bottom to top on the TFT array substrate 110.

구체적으로, 상기 단계 S1은 상기 복수의 상부 발광형 OLED(120)의 유기 발광 재료 층(122)을 제조하기 전에, 상기 TFT 어레이 기판(110)과 양극(121) 상에 픽셀 규정 층(130)을 더 제작하고, 상기 픽셀 규정 층(130)은 양극(121)의 일부를 노출시키는 비아홀(131)을 가지며, 각 상기 상부 발광형 OLED(120)의 유기 발광 재료 층(122)은 상기 비아홀(131) 내에 대응되게 설치된다. 상기 OLED 백 플레이트(100)의 상기 픽셀 규정 층(130)에 대응하는 영역은 픽셀 간격 영역이고, 상기 비아홀(131)에 대응하는 영역은 픽셀 발광 영역이다.Specifically, the step S1, before manufacturing the organic light-emitting material layer 122 of the plurality of top emission type OLED 120, the pixel defining layer 130 on the TFT array substrate 110 and the anode 121 In further manufacturing, the pixel defining layer 130 has a via hole 131 exposing a portion of the anode 121, and the organic light emitting material layer 122 of each of the upper light emitting OLED 120 has the via hole ( 131). The area corresponding to the pixel defining layer 130 of the OLED back plate 100 is a pixel spacing area, and the area corresponding to the via hole 131 is a pixel emitting area.

구체적으로, 상기 유기 발광 재료 층(122)은 유기 증착 재료를 사용할 수 있으며, 상기 단계 S1에서, 증착 공정에 의해 형성될 경우, 상기 픽셀 규정 층(130)은 통상적인 친수성 PDL 재료를 사용하면 된다. 또는;Specifically, the organic light emitting material layer 122 may use an organic deposition material, and in step S1, when formed by a deposition process, the pixel defining layer 130 may use a conventional hydrophilic PDL material. . or;

상기 유기 발광 재료 층(122)은 잉크젯 프린팅(Ink Jet Printing, IJP) 재료를 이용할 수 있으며, 상기 단계 S1에서, 상기 유기 발광 재료 층(122)이 잉크젯 프린팅 공정에 의해 제작 형성될 경우, 상기 픽셀 규정 층(130)은 소수성 PDL 재료를 사용해야 한다.The organic light emitting material layer 122 may use ink jet printing (IJP) material, and in step S1, when the organic light emitting material layer 122 is formed and formed by an inkjet printing process, the pixel The defining layer 130 must use a hydrophobic PDL material.

단계 S2, 도 5에 도시한 바와 같이, 패키지 커버를 제공하며, 상기 패키지 커버(200) 상의 상기 OLED 백 플레이트(100)에 대응하는 픽셀 간격 영역에 차광층(300)을 제작한다.As shown in step S2, FIG. 5, a package cover is provided, and a light blocking layer 300 is fabricated in a pixel spacing area corresponding to the OLED back plate 100 on the package cover 200.

구체적으로, 상기 차광층(300)은 폴리이미드, 블랙 매트릭스 재료 또는 광 투과율이 비교적 낮은 기타 유기 포토레지스트 재료와 같은 유기 포토레지스트 재료를 사용할 수 있으며, 상기 단계 S3에서, 상기 차광층(300)은 구체적으로는 황색 발광 제조 공정에 의해 형성되고, 상기 황색 발광 공정은 구체적으로 차례로 진행되는 포토 레지스트 코팅 단계, 노출 단계 및 현상 단계를 포함한다. 또는,Specifically, the light blocking layer 300 may use an organic photoresist material such as polyimide, black matrix material, or other organic photoresist material having a relatively low light transmittance. In step S3, the light blocking layer 300 may be Specifically, it is formed by a yellow light-emitting manufacturing process, and the yellow light-emitting process includes a photoresist coating step, an exposure step, and a development step that are specifically performed in sequence. or,

상기 차광층(300)은 광 투과율이 비교적 낮은 무기 재료를 사용할 수도 있으며, 상기 단계 S3에서, 구체적으로 차례로 진행되는 막 형성 공정, 황색 발광 공정 및 식각 공정을 수행하여 얻어진다. 상기 막 형성 공정은 화학 기상 증착 공정 또는 물리 기상 증착 공정을 이용하고, 상기 황색 발광 공정은 차례로 진행하는 포토 레지스트 코팅 단계, 노출 단계 및 현상 단계를 포함하며, 상기 식각 공정은 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용한다.The light-blocking layer 300 may be made of an inorganic material having a relatively low light transmittance, and is obtained in step S3 by performing a film formation process, a yellow light emission process, and an etching process, which are specifically performed in sequence. The film forming process uses a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process, and the yellow light emission process includes a photoresist coating step, an exposure step, and a development step, which are sequentially performed, and the etching process is a dry etching process or a wet etching process. Use the process.

단계 S3, 패키지 커버(200) 상에 제조된 차광층(300)을 상기 OLED 백 플레이트(100)을 향하게 하고, 상기 패키지 커버(200)와 OLED 백 플레이트(100)를 한조로 패키징하여 상기 차광층(300)이 상기 OLED 백 플레이트(100)의 픽셀 간격 영역에 대응되게 접하도록 하여 도 2에 도시된 바와 같은 OLED 디스플레이 패널을 얻음으로써 상기 차광층(300)이 각 상부 발광형 OLED(120)에서 방출되는 광선이 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 제한함으로써, 픽셀의 측면 광 누출을 차단할 수 있다. Step S3, the light blocking layer 300 manufactured on the package cover 200 is directed to the OLED back plate 100, and the package cover 200 and the OLED back plate 100 are packaged in a pair to form the light blocking layer The light-blocking layer 300 is formed in each upper emission type OLED 120 by obtaining the OLED display panel as shown in FIG. 2 by making the 300 contact the pixel spacing area of the OLED back plate 100. By limiting the emitted light to be emitted within the corresponding pixel, side light leakage of the pixel can be blocked.

구체적으로, 상기 단계 S3에서, 상기 패키지 커버(200)와 OLED 백 플레이트(100)를 한조로 패키징한 후, 상기 차광층(300)을 상기 픽셀 규정층(120)의 상방에 대응되게 설치한다.Specifically, in step S3, after packaging the package cover 200 and the OLED back plate 100 in a pair, the light blocking layer 300 is installed to correspond to the upper side of the pixel defining layer 120.

본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법은 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방의 OLED 백 플레이트(100)와 패키지 커버(200) 사이에 차광층(300)을 설치하여 픽셀의 측면 광 누출을 차단함으로써 각 상부 발광형 OLED(120)에서 방출되는 광선이 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 한정할 수 있고, 픽셀 측면 광 누출과 색 혼합의 문제가 발생하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있다.The manufacturing method of the OLED display panel of the present invention is provided with a light blocking layer 300 between the upper OLED back plate 100 and the package cover 200 corresponding to the pixel spacing area to block side light leakage of the pixels, thereby preventing each upper portion of the pixel. The light emitted from the light emitting OLED 120 may be limited to be emitted within a corresponding pixel, and it is possible to more effectively prevent a problem of pixel side light leakage and color mixing.

상술한 바와 같이, 본 발명의 OLED 디스플레이 패널은 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이의 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방에 차광층(300)을 설치하여 픽셀의 측면 광 누출을 차단함으로써 각 상부 발광형 OLED에서 방출된는 광선이 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 한정할 수 있고, 픽셀 측면 광 누출과 색 혼합의 문제가 발생하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있다. 본 발명의 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법은 픽셀 간격 영역에 대응하는 상방의 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이에 차광층을 설치하여 픽셀의 측면 광 누출을 차단함으로써 각 상부 발광형 OLED에서 방출된는 광선이 그에 대응하는 픽셀 내에서 방출되도록 한정할 수 있고, 픽셀 측면 광 누출과 색 혼합의 문제가 발생하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있다.As described above, the OLED display panel of the present invention is installed in the upper light-emitting OLED by blocking the side light leakage of the pixel by installing the light-shielding layer 300 on the upper side corresponding to the pixel spacing area between the OLED back plate and the package cover. Emitted can limit light rays to be emitted within corresponding pixels, and can more effectively prevent the problem of pixel side light leakage and color mixing. In the manufacturing method of the OLED display panel of the present invention, a light shielding layer is provided between the upper OLED back plate and the package cover corresponding to the pixel spacing area to block side light leakage of pixels, so that the light emitted from each upper emission type OLED is It can be limited to be emitted within the corresponding pixel, and more effectively prevents the problem of pixel side light leakage and color mixing.

상술한 바와 같이, 본 기술분야의 기술자는 본 발명의 기술적 방안과 기술적 사상에 따라 기타 각종 대응하는 변경 및 변형을 실시할 수 있으며, 이러한 변경 및 변형은 모두 본 발명의 청구범위의 보호 범위에 속한다고 해야 할 것이다.As described above, a person skilled in the art can perform various other corresponding changes and modifications according to the technical solutions and technical ideas of the present invention, and all such changes and modifications fall within the protection scope of the claims of the present invention. You will have to say.

Claims (11)

대향되게 설치된 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 및 상기 패키지 커버의 OLED 백 플레이트 부근의 일측에 설치된 차광층을 포함하고,
상기 OLED 백 플레이트는 TFT 어레이 기판 및 상기 TFT 어레이 기판에 설치되어 어레이로 배열된 복수개의 상부 발광형 OLED를 포함하고,
상기 OLED 백 플레이트는 픽셀 간격 영역 및 상기 픽셀 간격 영역에 의해 이격된 상기 복수의 상부 발광형 OLED와 일대 일로 대응하는 복수개의 픽셀 발광 영역을 구비하며,
상기 차광층은 상기 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이에 위치하고, 상기 OLED 백 플레이트의 픽셀 간격 영역에 대응하게 접하는 OLED 디스플레이 패널.It includes an opposing OLED back plate and a package cover, and a light blocking layer installed on one side near the OLED back plate of the package cover,
The OLED back plate includes a TFT array substrate and a plurality of upper emission OLEDs arranged on the TFT array substrate and arranged in an array,
The OLED back plate includes a pixel spacing area and a plurality of pixel emission areas corresponding one-to-one with the plurality of upper emission OLEDs spaced by the pixel spacing area,
The light blocking layer is positioned between the OLED back plate and the package cover, and the OLED display panel is in contact with the pixel spacing area of the OLED back plate. 제 1 항에 있어서,
상기 차광층은 유기 포토레지스트 재료 또는 무기 재료인 OLED 디스플레이 패널.According to claim 1,
The light blocking layer is an organic photoresist material or an inorganic material, an OLED display panel. 제 1 항에 있어서,
각 상기 상부 발광형 OLED는 상기 TFT 어레이 기판 상에 아래에서 위로 차례로 적층된 양극, 유기 발광 재료 층 및 투명 음극을 포함하는 OLED 디스플레이 패널.According to claim 1,
Each of the upper light emitting OLEDs comprises an anode, an organic light emitting material layer and a transparent cathode stacked sequentially from bottom to top on the TFT array substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 OLED 백 플레이트는 TFT 어레이 기판과 양극 상에 설치된 픽셀 규정 층을 더 포함하며, 상기 픽셀 규정 층은 양극의 일부를 노출시키는 비아홀을 가지며, 각 상기 상부 발광형 OLED의 유기 발광 재료 층은 상기 비아홀 내에 대응되게 설치되고,
상기 OLED 백 플레이트의 상기 픽셀 규정 층에 대응하는 영역은 픽셀 간격 영역이고, 상기 비아홀에 대응하는 영역은 픽셀 발광 영역이며,
상기 차광층은 상기 픽셀 규정 층의 상방에 대응되게 설치되는 OLED 디스플레이 패널.The method of claim 3,
The OLED back plate further includes a TFT array substrate and a pixel defining layer provided on the anode, wherein the pixel defining layer has a via hole exposing a portion of the anode, and the organic light emitting material layer of each of the upper light emitting OLEDs is the via hole Installed in correspondence within,
The region corresponding to the pixel defining layer of the OLED back plate is a pixel spacing region, and the region corresponding to the via hole is a pixel emitting region,
The light blocking layer is an OLED display panel that is installed to correspond to the upper side of the pixel defining layer. 제 3 항에 있어서,
상기 유기 발광 재료 층의 재료는 유기 증착 재료 또는 잉크젯 프린팅 재료인 OLED 디스플레이 패널.The method of claim 3,
The material of the organic light emitting material layer is an organic vapor deposition material or an inkjet printing material, an OLED display panel. TFT 기판을 제공하며, 상기 TFT 기판 상에 어레이로 배열된 복수의 상부 발광형 OLED를 형성하여 OLED 백 플레이트를 얻으며, 상기 OLED 백 플레이트는 픽셀 간격 영역 및 상기 픽셀 간격 영역에 의해 이격된, 상기 복수의 상부 발광형 OLED에 일대 일로 대응하는 복수의 픽셀 발광 영역을 가지는 단계(S1);
패키지 커버를 제공하며, 상기 패키지 커버 상의 상기 OLED 백 플레이트에 대응하는 픽셀 간격 영역에 차광층을 제작하는 단계(S2);
패키지 커버 상에 제조된 차광층을 상기 OLED 백 플레이트를 향하게 하고, 상기 패키지 커버와 OLED 백 플레이트를 한조로 패키징하여 상기 차광층이 상기 OLED 백 플레이트의 픽셀 간격 영역에 대응되게 접하도록 하는 단계(S3);을 포함하는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법.A TFT substrate is provided, and a plurality of upper emission type OLEDs arranged in an array on the TFT substrate is formed to obtain an OLED back plate, wherein the OLED back plate is spaced apart by a pixel spacing area and the pixel spacing area. A step (S1) of having a plurality of pixel emission regions corresponding one-to-one to the upper emission type OLED;
Providing a package cover, and manufacturing a light blocking layer in a pixel gap area corresponding to the OLED back plate on the package cover (S2);
A step of facing the light blocking layer prepared on the package cover toward the OLED back plate, and packaging the package cover and the OLED back plate in a pair so that the light blocking layer is in contact with the pixel spacing area of the OLED back plate (S3). ); A method of manufacturing an OLED display panel comprising a. 제 6 항에 있어서,
상기 단계(S2)에서, 상기 차광층은 유기 포토레지스트 재료이고, 상기 차광층은 황색 발광 공정을 통해 얻어지거나, 또는,
상기 차광층은 무기 재료이고, 상기 차광층은 차례로 진행하는 막 형성 공정, 황색 발광 공정 및 식각 공정을 통해 얻어지며,
여기서, 상기 황색 발광 공정은 차례로 진행하는 포토 레지스트 코팅 단계, 노출 단계 및 현상 단계를 포함하고,
상기 막 형성 공정은 화학 기상 증착 공정 또는 물리 기상 증착 공정을 이용하고,
상기 식각 공정은 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 이용하는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법.The method of claim 6,
In step S2, the light-blocking layer is an organic photoresist material, and the light-blocking layer is obtained through a yellow light-emitting process, or
The light shielding layer is an inorganic material, and the light shielding layer is obtained through a film forming process, a yellow light emitting process, and an etching process, which are sequentially performed.
Here, the yellow light emitting process includes a photoresist coating step, an exposure step and a development step which are sequentially performed,
The film forming process uses a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process,
The etching process is a method of manufacturing an OLED display panel using a dry etching process or a wet etching process. 제 6 항에 있어서,
상기 단계(S1)에서, 각 상기 상부 발광형 OLED는 상기 TFT 어레이 기판 상에 아래에서 위로 차례로 적층된 양극, 유기 발광 재료 층 및 투명 음극을 포함하는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법.The method of claim 6,
In the step (S1), each of the upper light-emitting OLED manufacturing method of an OLED display panel comprising an anode, an organic light emitting material layer and a transparent cathode sequentially stacked from bottom to top on the TFT array substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 단계(S1)에서, TFT 어레이 기판과 양극 상에 픽셀 규정 층을 설치하는 단계를 더 포함하며, 상기 픽셀 규정 층은 양극의 일부를 노출시키는 비아홀을 가지며, 각 상기 상부 발광형 OLED의 유기 발광 재료 층은 상기 비아홀 내에 대응되게 설치되고,
상기 OLED 백 플레이트의 상기 픽셀 규정 층에 대응하는 영역은 픽셀 간격 영역이고, 상기 비아홀에 대응하는 영역은 픽셀 발광 영역이며,
상기 단계(S3)에서, 상기 차광층은 상기 픽셀 규정 층의 상방에 대응되게 설치되는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법.The method of claim 8,
In the step (S1), further comprising the step of installing a pixel defining layer on the TFT array substrate and the anode, the pixel defining layer has a via hole exposing a portion of the anode, and organic light emission of each of the top emitting OLEDs The material layer is correspondingly installed in the via hole,
The region corresponding to the pixel defining layer of the OLED back plate is a pixel spacing region, and the region corresponding to the via hole is a pixel emitting region,
In the step (S3), the light shielding layer is a manufacturing method of an OLED display panel that is installed to correspond to the upper portion of the pixel defining layer. 제 8 항에 있어서,
상기 단계(S1)에서, 상기 유기 발광 재료 층의 재료는 유기 증착 재료이고, 상기 유기 발광 재료 층은 증착 공정을 통해 형성되거나, 또는
상기 유기 발광 재료 층의 재료는 잉크젯 프린팅 재료이고, 상기 유기 발광 재료 층은 잉크젯 프린팅 공정에 의해 형성되는 OLED 디스플레이 패널의 제조 방법.The method of claim 8,
In step S1, the material of the organic light emitting material layer is an organic vapor deposition material, and the organic light emitting material layer is formed through a deposition process, or
The material of the organic light emitting material layer is an inkjet printing material, and the organic light emitting material layer is a method of manufacturing an OLED display panel formed by an inkjet printing process. 대향되게 설치된 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 및 상기 패키지 커버의 OLED 백 플레이트 부근의 일측에 설치된 차광층을 포함하고,
상기 OLED 백 플레이트는 TFT 어레이 기판 및 상기 TFT 어레이 기판에 설치되어 어레이로 배열된 복수개의 상부 발광형 OLED를 포함하고,
상기 OLED 백 플레이트는 픽셀 간격 영역 및 상기 픽셀 간격 영역에 의해 이격된 상기 복수의 상부 발광형 OLED와 일대 일로 대응하는 복수개의 픽셀 발광 영역을 구비하며,
상기 차광층은 상기 OLED 백 플레이트와 패키지 커버 사이에 위치하고, 상기 OLED 백 플레이트의 픽셀 간격 영역에 대응하게 접하며,
여기서, 상기 차광층은 유기 포토레지스트 재료 또는 무기 재료이고,
여기서, 각 상기 상부 발광형 OLED는 상기 TFT 어레이 기판 상에 아래에서 위로 차례로 적층된 양극, 유기 발광 재료 층 및 투명 음극을 포함하며,
여기서, 상기 OLED 백 플레이트는 TFT 어레이 기판과 양극 상에 설치된 픽셀 규정 층을 더 포함하며, 상기 픽셀 규정 층은 양극의 일부를 노출시키는 비아홀을 가지며, 각 상기 상부 발광형 OLED의 유기 발광 재료 층은 상기 비아홀 내에 대응되게 설치되고,
상기 OLED 백 플레이트의 상기 픽셀 규정 층에 대응하는 영역은 픽셀 간격 영역이고, 상기 비아홀에 대응하는 영역은 픽셀 발광 영역이며,
상기 차광층은 상기 픽셀 규정 층의 상방에 대응되게 설치되며,
여기서, 상기 유기 발광 재료 층의 재료는 유기 증착 재료 또는 잉크젯 프린팅 재료인 OLED 디스플레이 패널.
It includes an opposing OLED back plate and a package cover, and a light blocking layer installed on one side near the OLED back plate of the package cover,
The OLED back plate includes a TFT array substrate and a plurality of upper emission OLEDs arranged on the TFT array substrate and arranged in an array,
The OLED back plate includes a pixel spacing area and a plurality of pixel emission areas corresponding one-to-one with the plurality of upper emission OLEDs spaced by the pixel spacing area,
The light blocking layer is located between the OLED back plate and the package cover, and is in contact with the pixel spacing area of the OLED back plate,
Here, the light-shielding layer is an organic photoresist material or an inorganic material,
Here, each of the upper emission type OLED includes an anode, an organic light emitting material layer and a transparent cathode stacked sequentially from bottom to top on the TFT array substrate,
Here, the OLED back plate further includes a TFT array substrate and a pixel defining layer provided on the anode, the pixel defining layer has a via hole exposing a portion of the anode, and the organic light emitting material layer of each of the top emitting OLEDs is Correspondingly installed in the via hole,
The region corresponding to the pixel defining layer of the OLED back plate is a pixel spacing region, and the region corresponding to the via hole is a pixel emitting region,
The light blocking layer is installed to correspond to the upper side of the pixel defining layer,
Here, the material of the organic light emitting material layer is an organic vapor deposition material or an inkjet printing material OLED display panel.
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