KR20200031358A - Manufacturing method of organic compound - Google Patents

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Abstract

A specification of the present invention provides a method for manufacturing an organic compound. The method comprising: a first step of making a compound represented by chemical formula 1 react with phenylmagnesium bromide; and a second step of making phenol react with a first product obtained through the first step. The present specification is intended to provide the method of manufacturing an organic compound capable of mass production without including a cryogenic process.

Description

유기 화합물의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC COMPOUND}Manufacturing method of organic compounds {MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC COMPOUND}

본 명세서는 유기 화합물의 제조방법에 관한 것이다. The present specification relates to a method for preparing an organic compound.

종래에는 유기 발광 소자를 제조하기 위하여 증착 공정을 주로 사용해 왔다. 그러나, 증착 공정으로 유기 발광 소자의 제조 시, 재료의 손실이 많이 발생한다는 문제점이 있어, 이를 해결하기 위하여, 재료의 손실이 적어 생산 효율을 증대 시킬 수 있는 용액 공정을 통하여 소자를 제조하는 기술 및 용액 공정용 유기 발광 소자에서 사용되는 물질이 개발되고 있다.Conventionally, a deposition process has been mainly used to manufacture an organic light emitting device. However, when manufacturing an organic light emitting device by a deposition process, there is a problem that a lot of material loss occurs, and in order to solve this, a technology for manufacturing a device through a solution process that can increase production efficiency by reducing material loss and Materials used in organic light emitting devices for solution processing are being developed.

그러나, 용액 공정용 물질의 합성과정에서 극저온 공정이 진행되거나, 특수관리물질에 해당하는 벤젠이 사용됨으로써, 용액 공정용 물질을 합성하기 위한 제조 과정을 다루기 어려우며, 대량 생산을 위한 공장의 스케일 업(Scale up)이 어렵다는 문제점이 있다. However, it is difficult to deal with the manufacturing process for synthesizing the material for the solution processing because the cryogenic process is performed in the process of synthesizing the material for the solution processing, or benzene corresponding to the special management material is used, and the scale-up of the factory for mass production ( There is a problem that scale up) is difficult.

따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위한 새로운 제조방법이 요구되고 있다.Therefore, a new manufacturing method for solving such a problem is required.

한국특허공개 제10-2015-0066429호Korean Patent Publication No. 10-2015-0066429

본 명세서에는 극저온 공정을 포함하지 않고, 대량 생산이 가능한 유기 화합물의 제조방법을 제공하고자 한다.This specification does not include a cryogenic process, and is intended to provide a method of manufacturing an organic compound capable of mass production.

본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 페닐 마그네슘 브로마이드를 반응시키는 제1 단계; 및 상기 제1 단계를 통하여 얻어진 제1 생성물 및 페놀을 반응시키는 제2 단계를 포함하는 유기 화합물의 제조방법을 제공한다.The present specification is a first step of reacting the compound represented by the formula (1) and phenyl magnesium bromide; And a second step of reacting phenol and the first product obtained through the first step.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 X는 할로겐기이다.X is a halogen group.

또한, 상기 제2 단계를 통하여 얻어진 제2 생성물 및 트리플루오로메탄설폰산을 반응시키는 제3 단계를 더 포함하는 유기 화합물의 제조방법을 제공한다.In addition, it provides a method for producing an organic compound further comprising a third step of reacting the second product obtained through the second step and trifluoromethanesulfonic acid.

마지막으로, 상기 제3 단계를 통하여 얻어진 제3 생성물; 및 비닐 마그네슘 브로마이드 또는 비닐 보레이트를 반응시키는 제4 단계를 더 포함하는 유기 화합물의 제조방법을 제공한다.Finally, the third product obtained through the third step; And a fourth step of reacting vinyl magnesium bromide or vinyl borate.

본 발명의 유기 화합물의 제조방법은, 본 발명의 최종 생성물인 화학식 5로 표시되는 화합물을 합성하기 위한 과정에서 기존의 합성과정에서 사용되던 n-부틸리튬(n-BuLi)대신 페닐 마그네슘 브로마이드를 사용함으로써, 극저온 공정(약 -78℃)을 회피할 수 있으며, 취급이 어려운 벤젠 대신 페놀을 사용함으로써 대량 생산을 위한 공장의 스케일 업(Scale up)이 가능하다.The method for preparing the organic compound of the present invention uses phenyl magnesium bromide instead of n-butyllithium (n-BuLi), which was used in the conventional synthesis process in the process for synthesizing the compound represented by Formula 5, which is the final product of the present invention. By doing so, a cryogenic process (about -78 ° C) can be avoided, and scale-up of a factory for mass production is possible by using phenol instead of benzene, which is difficult to handle.

도 1은 화합물 1의 Mass 측정 그래프를 나타낸 도이다.1 is a diagram showing a graph for measuring the mass of Compound 1.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 페닐 마그네슘 브로마이드를 반응시키는 제1 단계; 및 상기 제1 단계를 통하여 얻어진 제1 생성물 및 페놀을 반응시키는 제2 단계를 포함하는 유기 화합물의 제조방법을 제공한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the first step of reacting the compound represented by the formula (1) and phenyl magnesium bromide; And a second step of reacting phenol and the first product obtained through the first step.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 X는 할로겐기이다.X is a halogen group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 용매 내에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 페닐 마그네슘 브로마이드를 반응시키는 제1 단계; 및 용매 내에서 상기 제1 단계를 통하여 얻어진 제1 생성물 및 페놀을 반응시키는 제2 단계를 포함하는 유기 화합물의 제조방법을 제공한다.According to another exemplary embodiment, the first step of reacting the compound represented by Formula 1 and phenyl magnesium bromide in a solvent; And a second step of reacting the phenol and the first product obtained through the first step in a solvent.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 F(불소), Cl(염소), Br(브롬) 또는 I(요오드)이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X is F (fluorine), Cl (chlorine), Br (bromine) or I (iodine).

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 Br(브롬)이다.According to another exemplary embodiment, X is Br (bromine).

[제1 단계][Step 1]

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계는 용매 내에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 페닐 마그네슘 브로마이드(Phenyl Magnesium Bromide)를 반응시킨다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the first step is to react the compound represented by the formula (1) and phenyl magnesium bromide (Phenyl Magnesium Bromide) in a solvent.

상기 제1 단계에서 사용되는 용매는 테트라하이드로퓨란(THF) 등 일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The solvent used in the first step may be tetrahydrofuran (THF), but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계는 -30 ℃ 내지 10 ℃에서 수행되고, 바람직하게는 -10 ℃ 내지 5 ℃에서 수행될 수 있다. 상기 제1 단계가 상기 온도 범위에서 수행되는 경우, 적절한 반응 속도를 가지며, 추가적인 공정 장비가 필요하지 않다는 이점이 있다. 구체적으로 상기 제1 단계의 반응 온도가 10 ℃를 초과하여 진행되는 경우 반응이 원하는 방향으로 진행되지 않고 불순물이 생성될 가능성이 높으며, 반응 온도가 상기 온도 범위보다 낮은 온도에서 진행되는 경우 반응이 느리게 진행되며 반응 온도를 낮춰주기 위한 장비가 추가적으로 필요하게 된다. 특히, 기존의 합성과정과 같이 부틸리튬(n-BuLi)을 이용하여 후술하는 화학식 5로 표시되는 화합물을 합성하는 공정은 극저온 (약 -78℃)의 반응 온도로 낮춰주기 위한 추가적인 공정 장비가 필요하다는 문제점이 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the first step is performed at -30 ° C to 10 ° C, preferably at -10 ° C to 5 ° C. When the first step is performed in the temperature range, it has an advantage that it has an appropriate reaction rate and does not require additional process equipment. Specifically, when the reaction temperature of the first step proceeds in excess of 10 ° C, the reaction is not likely to proceed in a desired direction and impurities are likely to be generated, and when the reaction temperature is performed at a temperature lower than the temperature range, the reaction is slow. As it progresses, additional equipment is needed to lower the reaction temperature. In particular, the process of synthesizing the compound represented by Chemical Formula 5 to be described later using butyl lithium (n-BuLi) as in the conventional synthesis process requires additional process equipment to lower the reaction temperature to a cryogenic temperature (about -78 ° C). There is a problem.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 단계에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 페닐 마그네슘 브로마이드의 몰비(화학식 1 : 페닐 마그네슘 브로마이드)는 1 : 1 내지 1 : 2일 수 있으며, 바람직하게는 1 : 1.5 내지 1 : 2일 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 페닐 마그네슘 브로마이드의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량이 높은 경우 발생하는 전체 수율이 낮아지는 문제점을 막을 수 있으며, 상기 페닐 마그네슘 브로마이드의 함량이 높은 경우 반응에 참여하지 않는 페닐 마그네슘 브로마이드가 잔류함으로서 불필요한 원료물질로 인한 경제적 손실이 발생하는 것을 막을 수 있다는 이점이 있다. In an exemplary embodiment of the present invention, in the first step, the molar ratio of the compound represented by Chemical Formula 1 and phenyl magnesium bromide (Chemical Formula 1: phenyl magnesium bromide) may be 1: 1 to 1: 2, preferably It may be 1: 1.5 to 1: 2. When the content of the compound represented by Chemical Formula 1 and the phenyl magnesium bromide satisfies the above range, when the content of the compound represented by Chemical Formula 1 is high, it is possible to prevent the problem of lowering the overall yield, and the phenyl magnesium bromide In the case of high content of phenyl magnesium bromide, which does not participate in the reaction, it has the advantage of preventing the economic loss caused by unnecessary raw materials.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계는 하기와 같은 과정을 통하여 진행될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the first step may be performed through the following process.

Figure pat00003
Figure pat00003

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 단계는 10 시간 내지 72 시간 동안 진행될 수 있으며, 보다 바람직하게는 15 시간 내지 24 시간일 수 있다. 상기 제1 단계의 반응 시간이 상기 범위를 만족하는 경우, 추가적인 부가 반응이 진행되지 않는 범위 내에서 가장 높은 수율을 얻을 수 있다는 이점이 있다.In one embodiment of the present specification, the first step may be performed for 10 hours to 72 hours, and more preferably 15 hours to 24 hours. When the reaction time in the first step satisfies the above range, there is an advantage that the highest yield can be obtained within a range in which additional addition reaction does not proceed.

[제2 단계][Step 2]

본 발명의 유기 화합물의 제조방법은 상기 제1 단계를 통하여 얻어진 제1 생성물 및 페놀을 반응시키는 제2 단계를 포함한다.The method for preparing an organic compound of the present invention includes a first step obtained through the first step and a second step of reacting phenol.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계를 통하여 얻어진 제1 생성물 및 페놀을 용매 내에서 반응시키는 제2 단계를 포함한다.According to another exemplary embodiment, the first product obtained through the first step and a second step of reacting phenol in a solvent are included.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 생성물은 하기 화학식 2로 표시된다.According to another exemplary embodiment, the first product is represented by Chemical Formula 2 below.

[화학식 2] [Formula 2]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 X는 할로겐기이다.X is a halogen group.

상기 제2 단계에서 사용되는 용매는 디클로로메탄일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The solvent used in the second step may be dichloromethane, but is not limited thereto.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 단계에서는 메탄 설폰산, 황산, p-톨루엔설폰산(p-toluenesulfonic acid) 등의 추가 화합물을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.According to another exemplary embodiment, the second step may further include additional compounds such as methane sulfonic acid, sulfuric acid, and p-toluenesulfonic acid, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 단계에서 상기 화학식 2로 표시되는 화합물, 페놀 및 메탄 설폰산 등의 추가 화합물의 몰비(화학식 2 : 페놀 : 추가 화합물)는 1 : 5 : 1 일 수 있다.In one embodiment of the present specification, in the second step, the molar ratio (chemical formula 2: phenol: additional compound) of additional compounds such as the compound represented by Chemical Formula 2, phenol, and methane sulfonic acid may be 1: 5: 1 have.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 단계는 하기와 같은 과정을 통하여 진행될 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present specification, the second step may be performed through the following process.

Figure pat00005
Figure pat00005

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 단계는 15 ℃ 내지 40 ℃에서 수행되고, 바람직하게는 17 ℃ 내지 25 ℃에서 수행될 수 있다. 상기 제2 단계가 상기 온도 범위를 벗어나는 경우, 추가적인 장비가 필요하거나, 용매의 끓는점을 초과하게 되어 환류상태를 유지하게 된다는 문제점이 있다.According to another exemplary embodiment, the second step is performed at 15 ° C to 40 ° C, preferably at 17 ° C to 25 ° C. If the second step is out of the temperature range, there is a problem that additional equipment is required or the boiling point of the solvent is exceeded to maintain reflux.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 단계는 5 시간 내지 24 시간 동안 진행될 수 있으며, 보다 바람직하게는 15 시간 내지 18 시간일 수 있다. 상기 반응 시간 범위를 벗어나는 경우, 수율이 떨어지거나 추가적인 반응이 진행되지 않는다는 문제점이 있다.In one embodiment of the present specification, the second step may be performed for 5 hours to 24 hours, and more preferably 15 hours to 18 hours. If it is out of the reaction time range, there is a problem that the yield falls or no further reaction proceeds.

[제3 단계][Step 3]

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 본 발명의 유기 화합물의 제조방법은 상기 제2 단계를 통하여 얻어진 제2 생성물 및 트리플루오로메탄설폰산을 반응시키는 제3 단계를 더 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the method for preparing an organic compound of the present invention further includes a third step of reacting the second product and trifluoromethanesulfonic acid obtained through the second step.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 본 발명의 유기 화합물의 제조방법은 상기 제2 단계를 통하여 얻어진 제2 생성물 및 트리플루오로메탄설폰산을 용매 내에서 반응시키는 제3 단계를 더 포함한다.According to another exemplary embodiment, the method for producing an organic compound of the present invention further includes a third step of reacting the second product and trifluoromethanesulfonic acid obtained through the second step in a solvent.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 생성물은 하기 화학식 3으로 표시된다.In another exemplary embodiment, the second product is represented by Chemical Formula 3 below.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 X는 할로겐기이다.X is a halogen group.

상기 제3 단계에서 사용되는 용매는 디클로로메탄일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The solvent used in the third step may be dichloromethane, but is not limited thereto.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제3 단계에서는 피리딘 또는 트리에틸아민(triethylamine); 및 트리플루오로메탄설폰산을 더 포함할 수 있다.According to another exemplary embodiment, in the third step, pyridine or triethylamine; And trifluoromethanesulfonic acid.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제3 단계에서 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물; 피리딘 또는 트리에틸아민;과 트리플루오로메탄설폰산의 몰비(화학식 3 : 피리딘 또는 트리에틸아민 : 트리플루오로메탄설폰산)는 1 : 2 : 1.2 일 수 있다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by Chemical Formula 3 in the third step; The molar ratio of pyridine or triethylamine; and trifluoromethanesulfonic acid (Formula 3: Pyridine or triethylamine: trifluoromethanesulfonic acid) may be 1: 2: 1.2.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제3 단계는 하기와 같은 과정을 통하여 진행될 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present specification, the third step may be performed through the following process.

Figure pat00007
Figure pat00007

본 명세서서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제3 단계는 -20 ℃ 내지 10 ℃에서 수행되고, 바람직하게는 -5 ℃ 내지 0 ℃에서 수행될 수 있다. 상기 제3 단계가 상기 온도 범위에서 수행되는 경우, 불순물의 생성을 줄일 수 있으며 반응 온도를 매우 낮은 온도로 낮추기 위한 추가 장비 및 에너지 소모가 필요하지 않다는 이점이 있다.In one embodiment of the present specification, the third step is performed at -20 ° C to 10 ° C, preferably at -5 ° C to 0 ° C. When the third step is performed in the temperature range, there is an advantage that it is possible to reduce the generation of impurities and does not require additional equipment and energy consumption to lower the reaction temperature to a very low temperature.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제3 단계는 30 분 내지 10 시간 동안 진행될 수 있으며, 보다 바람직하게는 2 시간 내지 5 시간일 수 있다. 상기 반응 시간 범위를 벗어나는 경우, 수율이 떨어지거나 추가적인 반응이 진행되지 않는다는 문제점이 있다.In one embodiment of the present specification, the third step may be performed for 30 minutes to 10 hours, and more preferably 2 hours to 5 hours. If it is out of the reaction time range, there is a problem that the yield falls or no further reaction proceeds.

[제4 단계][Step 4]

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 본 발명의 유기 화합물의 제조방법은 상기 제3 단계를 통하여 얻어진 제3 생성물; 및 비닐 마그네슘 브로마이드(vinylmagnesium bromide) 또는 비닐 보레이트를 반응시키는 제4 단계를 더 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the method for producing an organic compound of the present invention comprises a third product obtained through the third step; And a fourth step of reacting vinyl magnesium bromide or vinyl borate.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 본 발명의 유기 화합물의 제조방법은 상기 제3 단계를 통하여 얻어진 제3 생성물; 및 비닐 마그네슘 브로마이드(vinylmagnesium bromide) 또는 비닐 보레이트를 용매 내에서 반응시키는 제4 단계를 더 포함한다.According to another exemplary embodiment, the method for preparing an organic compound of the present invention includes a third product obtained through the third step; And a fourth step of reacting vinyl magnesium bromide or vinyl borate in a solvent.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 제3 생성물은 하기 화학식 4으로 표시된다.In another exemplary embodiment, the third product is represented by Chemical Formula 4 below.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 X는 할로겐기이다.X is a halogen group.

상기 제4 단계에서 사용되는 용매는 테트라하이드로퓨란(THF)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The solvent used in the fourth step may be tetrahydrofuran (THF), but is not limited thereto.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 제4 단계에서는 염화아연, 칼륨나트륨 또는 리튬 브로마이드의 추가 화합물을 더 포함할 수 있다.In another exemplary embodiment, the fourth step may further include additional compounds of zinc chloride, sodium potassium, or lithium bromide.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제4 단계에서 상기 화학식 4로 표시되는 화합물; 비닐 마그네슘 브로마이드(vinylmagnesium bromide) 또는 비닐 보레이트 및 추가 화합물의 몰비(화학식 4 : 비닐 마그네슘 브로마이드 또는 비닐 보레이트 : 추가 화합물)은 1 : 1.2 : 1.2 일 수 있다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by Chemical Formula 4 in the fourth step; The molar ratio of vinyl magnesium bromide or vinyl borate and the additional compound (Formula 4: Vinyl magnesium bromide or vinyl borate: additional compound) may be 1: 1.2: 1.2.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제4 단계는 네기쉬(Negishi) 반응, 스즈키(Suzuki) 반응 또는 쿠마다(Kumada) 반응을 통하여 진행될 수 있다. 구체적으로, 상기 제4 단계에서 상기 화학식 4로 표시되는 화합물, 비닐 마그네슘 브로마이드 및 염화아연을 포함하는 경우 네기쉬(Negishi) 반응이 진행되고, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물, 비닐 보레이트 및 칼륨나트륨을 포함하는 경우 스즈키(Suzuki) 반응이 진행되며, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물, 비닐 마그네슘 브로마이드 및 리튬 브로마이드를 포함하는 경우 쿠마다(Kumada) 반응이 진행된다.According to the exemplary embodiment of the present specification, the fourth step may be performed through a Negishi reaction, a Suzuki reaction, or a Kumada reaction. Specifically, in the fourth step, when the compound represented by Chemical Formula 4, vinyl magnesium bromide, and zinc chloride are included, a Negishi reaction proceeds, and the compound represented by Chemical Formula 4, vinyl borate, and sodium potassium When included, the Suzuki reaction proceeds, and when the compound represented by Chemical Formula 4, vinyl magnesium bromide, and lithium bromide is included, the Kumada reaction proceeds.

[네기쉬(Negishi) 반응식][Negishi Reaction Scheme]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 반응식에 있어서, In the above reaction formula,

X1은 Br, R1은 비닐기(vinyl group), X는 OTf(트리플루오로메틸설포닐기), R은 하기 구조를 의미한다.X 1 is Br, R 1 is a vinyl group (vinyl group), X is OTf (trifluoromethylsulfonyl group), R means the following structure.

Figure pat00010
Figure pat00010

또한, 상기 반응식에 있어서, 촉매는 0.02 내지 0.15 당량, 바람직하게는 0.03 내지 0.1 당량으로 포함될 수 있으며, 상기 촉매는 팔라듐 촉매를 의미하며, 구체적으로 Pd(P(t-Bu)3)2 또는 Pd(dppp)Cl2이다.In addition, in the above reaction formula, the catalyst may be included in 0.02 to 0.15 equivalents, preferably 0.03 to 0.1 equivalent, and the catalyst means a palladium catalyst, and specifically Pd (P (t-Bu) 3 ) 2 Or Pd (dppp) Cl 2 .

본 명세서서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제4 단계는 15 ℃ 내지 100 ℃에서 수행되고, 바람직하게는 60 ℃ 내지 85 ℃에서 수행될 수 있다. 상기 제4 단계가 상기 온도 범위에서 수행되는 경우, 높은 수율로 생성물을 획득할 수 있다는 이점이 있다.In one embodiment of the present specification, the fourth step is performed at 15 ° C to 100 ° C, and preferably 60 ° C to 85 ° C. When the fourth step is performed in the temperature range, there is an advantage that the product can be obtained with a high yield.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제4 단계는 1 시간 내지 24 시간 동안 진행될 수 있으며, 보다 바람직하게는 18 시간 내지 20 시간일 수 있다. 상기 반응 시간을 만족하는 경우 생성물의 수율 및 합성 순도가 높다는 이점이 있다.In one embodiment of the present specification, the fourth step may be performed for 1 hour to 24 hours, and more preferably 18 hours to 20 hours. When the reaction time is satisfied, there is an advantage in that the yield and synthetic purity of the product are high.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 화합물의 제조방법에서 제조된 유기 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 화합물이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic compound prepared in the method for producing the organic compound is a compound represented by the formula (5).

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 X는 할로겐기이다.X is a halogen group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 5로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1일 수 있다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by Chemical Formula 5 may be Compound 1 below.

[화합물 1][Compound 1]

Figure pat00012
Figure pat00012

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 각 단계의 생성물을 얻기 위하여, 반응을 중단시키는 단계; 추출하는 단계; 건조하여 여과하는 단계; 및 유기용매를 제거하는 단계로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 단계가 진행될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, in order to obtain the product of each step, stopping the reaction; Extracting; Drying and filtering; And one or more steps selected from the group consisting of removing the organic solvent may be performed.

상기 반응을 중단시키는 단계에서는 포화 NH4Cl (aq), 포화 NaHCO3(aq), 물 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.In the step of stopping the reaction, saturated NH 4 Cl (aq), saturated NaHCO 3 (aq), water, and the like may be used, but are not limited thereto.

상기 추출하는 단계에서는 디클로로메탄(Dichloromethane), 에틸 아세테이트(EA, ethyl acetate) 등이 사용될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.In the extraction step, dichloromethane, ethyl acetate (EA), or the like may be used, but is not limited thereto.

상기 건조하여 여과하는 단계는 MgSO4(magnesium sulfate)를 이용하여 진행될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.The step of drying and filtering may be performed using MgSO 4 (magnesium sulfate), but is not limited thereto.

상기 유기용매를 제거하는 단계는 진공회전농축기를 이용하여 진행될 수 있다.The step of removing the organic solvent may be performed using a vacuum rotary concentrator.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 화합물의 제조방법을 통하여 제조된 상기 화학식 5로 표시되는 화합물을 중간체로 하여 용액 공정용 화합물을 제조할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a compound for solution processing may be prepared by using the compound represented by Chemical Formula 5 as an intermediate through the method for preparing the organic compound.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 용액 공정용 화합물 및 용매를 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 유기 발광 소자의 유기물층을 형성할 수 있다.According to another exemplary embodiment, the organic material layer of the organic light emitting device may be formed using a coating composition including the solution process compound and a solvent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 액상일 수 있다. 상기 "액상"은 상온 및 상압에서 액체 상태인 것을 의미한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may be liquid. The term "liquid phase" means a liquid state at normal temperature and pressure.

상기 코팅 조성물에 포함되는 용매는 예컨대, 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론(Isophorone), 테트랄론(Tetralone), 데칼론(Decalone), 아세틸아세톤(Acetylacetone) 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매; 및 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 테트랄린 등의 용매가 예시되나, 본원 발명의 일 실시상태에 따른 플루오렌 유도체를 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매면 족하고, 이들을 한정하지 않는다.Examples of the solvent included in the coating composition include chlorine-based solvents such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, and o-dichlorobenzene; Ether-based solvents such as tetrahydrofuran and dioxane; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, trimethylbenzene and mesitylene; Aliphatic hydrocarbon-based solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane; Ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, isosophone, tetralone, decalone and acetylacetone; Ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate; Polyvalent values of ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, 1,2-hexanediol, etc. Alcohols and derivatives thereof; Alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, and cyclohexanol; Sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide; And amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide; A solvent such as tetralin is exemplified, but a solvent capable of dissolving or dispersing the fluorene derivative according to an exemplary embodiment of the present invention is sufficient, and is not limited thereto.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물에 포함되는 용매는 1종 단독으로 사용하거나, 또는 2종 이상의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다.In another exemplary embodiment, the solvent included in the coating composition may be used alone or as a mixture of two or more solvents.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물 및 고분자 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종의 화합물을 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may further include one or two types of compounds selected from the group consisting of a compound having a thermosetting group or a photocurable group introduced into a molecule and a polymer compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 코팅 조성물이 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물을 더 포함하는 경우에는 코팅 조성물의 경화도를 더 높일 수 있다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may further include a compound having a thermosetting group or a photocurable group introduced into the molecule. When the coating composition further includes a compound in which a thermosetting group or a photocurable group is introduced into the molecule, the degree of curing of the coating composition may be further increased.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물의 분자량은 1,000 g/mol 내지 3,000 g/mol이다. In one embodiment of the present specification, the molecular weight of the compound in which a thermosetting group or photocurable group is introduced into the molecule is 1,000 g / mol to 3,000 g / mol.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 고분자 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 코팅 조성물이 고분자 화합물을 더 포함하는 경우에는 코팅 조성물의 잉크 특성을 높일 수 있다. 즉, 상기 고분자 화합물을 더 포함하는 코팅 조성물은 코팅 또는 잉크젯 하기 적당한 점도를 제공할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may further include a polymer compound. When the coating composition further includes a polymer compound, ink characteristics of the coating composition may be improved. That is, the coating composition further comprising the polymer compound may provide a suitable viscosity for coating or inkjet.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 열중합 개시제 및 광중합 개시제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2 종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may further include one or more additives selected from the group consisting of a thermal polymerization initiator and a photo polymerization initiator.

상기 열중합 개시제로서는, 메틸 에틸 케톤퍼옥사이드, 메틸 이소부틸 케톤 퍼옥사이드, 아세틸아세톤퍼옥사이드, 메틸사이클로헥사논 퍼옥사이드, 시클로헥사논 퍼옥사이드, 이소부티릴 퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일 퍼옥사이드, 비스-3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, p-크롤 벤조일 퍼옥사이드, 디큐밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-(t-부틸 옥시)-헥산, 1,3-비스(t-부틸 퍼옥시-이소프로필) 벤젠, t-부틸 쿠밀(cumyl) 퍼옥사이드, 디-t부틸 퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-( 디t-부틸 퍼옥시) 헥산-3, 트리스-(t-부틸 퍼 옥시) 트리아진, 1,1-디t-부틸 퍼옥시-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-디t-부틸 퍼옥시 사이클로헥산, 2,2-디( t-부틸 퍼옥시) 부탄, 4,4-디-t-브치르파오키시바레릭크앗시드 n-부틸 에스테르, 2,2-비스(4,4-t-부틸 퍼옥시 사이클로헥실)프로판, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 디t-부틸 퍼옥시 헥사하이드로 테레프탈레이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디t-부틸 퍼옥시트리메틸 아디페이트 등의 과산화물, 혹은 아조비스 이소부틸니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, 아조비스 시클로헥실 니트릴 등의 아조계가 있으나, 이를 한정하지 않는다.As the thermal polymerization initiator, methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, acetylacetone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, cyclohexanone peroxide, isobutyryl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl per Oxide, bis-3,5,5-trimethyl hexanoyl peroxide, lauryl peroxide, benzoyl peroxide, p-crol benzoyl peroxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5- (t- Butyl oxy) -hexane, 1,3-bis (t-butyl peroxy-isopropyl) benzene, t-butyl cumyl peroxide, di-tbutyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5- (Dit-butyl peroxy) hexane-3, tris- (t-butyl peroxy) triazine, 1,1-dit-butyl peroxy-3,3,5-trimethyl cyclohexane, 1,1-di t-butyl peroxy cyclohexane, 2,2-di (t-butyl peroxy) butane, 4,4-di-t-butyroxycybareric acid n-butyl ester, 2,2-bis (4 , 4-t-butyl perox Cycyclohexyl) propane, t-butylperoxyisobutylate, dit-butyl peroxy hexahydro terephthalate, t-butyl peroxy-3,5,5-trimethylhexaate, t-butylperoxybenzoate, Peroxides such as dit-butyl peroxytrimethyl adipate, or azo systems such as azobis isobutylnitrile, azobisdimethylvaleronitrile, and azobis cyclohexyl nitrile, but are not limited thereto.

상기 광중합 개시제로서는, 디에톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온,1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤,4-(2-히드록시 에톡시) 페닐-(2-하이드록시-2-프로필) 케톤,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐) 부타논-1,2-하이드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온,2-메틸-2-모르폴리노(4-메틸 티오 페닐) 프로판-1-온,1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐) 옥심, 등의 아세토페논계 또는 케탈계 광중합 개시제, 벤조인, 벤조인메치르에이텔, 벤조인에치르에이텔, 벤조인이소브치르에이텔, 벤조인이소프로피르에이텔, 등의 벤조인에테르계 광중합 개시제, 벤조페논, 4-하이드록시벤조페논, 2-벤조일 나프탈렌,4-벤조일 비페닐,4-벤조일 페닐 에테르, 아크릴화 벤조페논, 1,4-벤조일 벤젠, 등의 벤조페논계 광중합 개시제,2-이소프로필티옥산톤,2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 등의 티옥산톤계 광중합 개시제, 기타 광중합 개시제로서는, 에틸 안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일 페닐 에톡시 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤 조일) 페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4-디메톡시 벤조일)-2,4,4-트리메틸 펜틸포스핀 옥사이드, 메치르페니르그리오키시에스텔, 9,10-페난트렌, 아크리딘계 화합물, 트리아진계 화합물, 이미다졸계 화합물을 들 수 있다. 또, 광중합 촉진 효과를 가지는 것을 단독 또는 상기 광 중합 개시제와 병용해 이용할 수도 있다. 예를 들면, 트리에탄올아민, 메틸 디에탄올 아민, 4-디메틸아미노 안식향산 에틸, 4-디메틸아미노 안식향산 이소아밀, 안식향산(2-디메틸아미노) 에틸, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.As the photopolymerization initiator, diethoxy acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 4- (2-hydroxyethoxy ) Phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1,2-hydroxy-2-methyl-1- Phenyl propan-1-one, 2-methyl-2-morpholino (4-methyl thiophenyl) propan-1-one, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) Acetophenone-based or ketal-based photopolymerization initiators such as oxime, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ether ether, benzoin isobutyl ether, benzoin isopropierate, benzoin, etc. Ether-based photopolymerization initiators, benzophenone-based photopolymerization initiators such as benzophenone, 4-hydroxybenzophenone, 2-benzoyl naphthalene, 4-benzoyl biphenyl, 4-benzoyl phenyl ether, acrylate benzophenone, 1,4-benzoyl benzene, and the like. , 2-isopropyl thioxanthone, 2-chloro Thioxanthone-based photopolymerization initiators such as thioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, and other photopolymerization initiators include ethyl anthraquinone, 2 , 4,6-trimethylbenzoyl diphenyl phosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl phenyl ethoxy phosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenyl phosphine oxide, bis (2,4 -Dimethoxy benzoyl) -2,4,4-trimethyl pentylphosphine oxide, methyl phenyl glyciokistelyl, 9,10-phenanthrene, acridine compounds, triazine compounds, imidazole compounds have. Moreover, what has a photopolymerization promoting effect can also be used individually or in combination with the said photoinitiator. Examples include triethanolamine, methyl diethanol amine, ethyl 4-dimethylamino benzoate, isoamyl 4-dimethylamino benzoate, ethyl benzoate (2-dimethylamino), 4,4'-dimethylaminobenzophenone, and the like, It is not limited.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함하지 않는다. In one embodiment of the present specification, the coating composition does not further include a p-doped material.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition further includes a p-doped material.

본 명세서에서 상기 p 도핑 물질이란, 호스트 물질을 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질을 의미한다. p 반도체 특성이란 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위로 정공을 주입받거나 수송하는 특성 즉, 정공의 전도도가 큰 물질의 특성을 의미한다.In the present specification, the p-doped material means a material that makes the host material have p-semiconductor properties. The p-semiconductor property means a property in which holes are injected or transported at a HOMO (highest occupied molecular orbital) energy level, that is, a property of a material having high hole conductivity.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질은 하기 화학식 6-1 내지 6-3과 같이 F4TCNQ 이거나 Farylborate 계 화합물일 수 있으나, 이를 한정하지 않는다. In one embodiment of the present specification, the p-doped material may be F4TCNQ or a Farylborate-based compound as in the following Chemical Formulas 6-1 to 6-3, but is not limited thereto.

[화학식 6-1] [Formula 6-1]

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 6-2][Formula 6-2]

Figure pat00014
Figure pat00014

[화학식 6-3][Formula 6-3]

Figure pat00015
Figure pat00015

본 명세서에서 상기 p 도핑 물질은 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질이면 족하고, 1종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있으며, 이의 종류를 한정하지 않는다.In the present specification, the p-doped material is sufficient as long as it is a material having p-semiconductor properties, and one or two or more types may be used, and the type of the p-doped material is not limited.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 화학식 1의 플루오렌계 화합물을 기준으로 0 중량% 내지 50 중량%이다.In one embodiment of the present specification, the content of the p-doped material is 0% to 50% by weight based on the fluorene-based compound of Chemical Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 0 내지 30 중량%를 포함한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 1 내지 30 중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 10 내지 30 중량%를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.In one embodiment of the present specification, the content of the p-doped material includes 0 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition. In one embodiment of the present specification, the content of the p-doped material preferably includes 1 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition, and in another embodiment, the p-doped material It is more preferable that the content of 10 to 30% by weight based on the total solids content of the coating composition.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자를 더 포함할 수 있다. 상기와 같이 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자의 분자량은 2,000 g/mol이하의 화합물일 수 있다.In another embodiment, the coating composition is a single molecule comprising a thermosetting group or a photocurable group; Or it may further include a single molecule containing a terminal group capable of forming a polymer by heat. Single molecule containing a thermosetting group or a photocurable group as described above; Alternatively, the molecular weight of a single molecule containing a terminal group capable of forming a polymer by heat may be 2,000 g / mol or less.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 분자량은 2,000 g/mol이하이고, 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자를 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition has a molecular weight of 2,000 g / mol or less, a single molecule comprising a thermosetting group or a photocurable group; Or it further includes a single molecule containing a terminal group capable of forming a polymer by heat.

상기 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자는 페닐, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌의 아릴; 아릴아민; 또는 플루오렌에 열경화성기 또는 광경화성기 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기가 치환된 단분자를 의미할 수 있다.A single molecule comprising the thermosetting group or photocurable group; Or a single molecule containing a terminal group capable of forming a polymer by heat includes aryl of phenyl, biphenyl, fluorene, and naphthalene; Arylamine; Or it may mean a single molecule in which fluorene is substituted with a thermosetting group or a photocurable group or a terminal group capable of forming a polymer by heat.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 점도는 2 cP 내지 15 cP이다.In another exemplary embodiment, the viscosity of the coating composition is 2 cP to 15 cP.

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification also provides an organic light emitting device formed using the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 이용하여 형성된다. 상기 코팅 조성물의 경화물이란, 상기 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리에 의하여 경화된 상태를 의미한다.In one embodiment of the present specification, the first electrode; A second electrode; And at least one layer of an organic material provided between the first electrode and the second electrode, and at least one layer of the organic material layer is formed using the coating composition or a cured product thereof. The cured product of the coating composition means a state in which the coating composition is cured by heat treatment or light treatment.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공수송층, 정공주입층 또는 정공수송과 정공주입을 동시에 하는 층이다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is a hole transport layer, a hole injection layer, or a layer simultaneously performing hole transport and hole injection.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 발광층이다.In another exemplary embodiment, the organic layer containing the coating composition or a cured product thereof is a light emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a hole injection layer, a hole transport layer. It further includes at least one layer or two or more layers selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer and a hole blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 제2 전극은 캐소드이다.In one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 제2 전극은 애노드이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an organic light emitting device having a structure in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공주입 및 정공수송을 동시에 하는 층, 발광층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층, 전자주입층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention is a hole injection layer, a hole transport layer, a layer simultaneously performing hole injection and hole transport as an organic material layer, a light emitting layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron injection and electron transport It may have a structure including a layer and the like at the same time. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include a smaller number of organic layers.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 5로 표시되는 화합물을 중간체로하여 제조된 용액 공정용 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성되는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present specification is known in the art except that at least one layer of the organic material layer is formed using a coating composition containing a compound for solution processing prepared by using the compound represented by Chemical Formula 5 as an intermediate. It can be made from materials and methods.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(Physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층을 포함하는 유기물층을 증착 또는 용액 공정을 통하여 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.For example, the organic light emitting device of the present specification can be manufactured by sequentially laminating an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, an anode is formed by depositing a metal or conductive metal oxide or alloys thereof on a substrate using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation. Then, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection and electron transport layer at the same time is formed through a deposition or solution process, and then produced by depositing a material that can be used as a cathode thereon. You can. In addition to this method, an organic light emitting device may be formed by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.The present specification also provides a method for manufacturing an organic light emitting device formed using the coating composition.

구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된다.Specifically, in one embodiment of the present specification, preparing a substrate; Forming a first electrode on the substrate; Forming one or more organic material layers on the first electrode; And forming a second electrode on the organic material layer, wherein at least one layer of the organic material layer is formed using the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 용액 공정을 이용하여 형성된다.According to one embodiment of the present specification, the organic material layer formed using the coating composition is formed using a solution process.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 스핀 코팅을 이용하여 형성된다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer formed using the coating composition is formed using spin coating.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 인쇄법에 의하여 형성된다.In another embodiment, the organic layer formed using the coating composition is formed by a printing method.

본 명세서의 상태에 있어서, 상기 인쇄법은 예컨대, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 오프셋 프린팅, 전사 프린팅 또는 스크린 프린팅 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.In the state of the present specification, the printing method includes, for example, inkjet printing, nozzle printing, offset printing, transfer printing or screen printing, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 코팅 조성물은 구조적인 특성으로 용액 공정이 적합하여 인쇄법에 의하여 형성될 수 있으므로 소자의 제조 시에 시간 및 비용적으로 경제적인 효과가 있다.Since the coating composition according to one embodiment of the present specification has a structural property and a solution process is suitable, it can be formed by a printing method, and thus has an economical effect in time and cost when manufacturing the device.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 형성하는 단계는 상기 캐소드 또는 애노드 상에 상기 코팅 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리 하는 단계를 포함한다.In one embodiment of the present specification, forming an organic material layer formed using the coating composition may include coating the coating composition on the cathode or anode; And heat-treating or photo-treating the coated coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 열처리하는 단계에서의 열처리 온도는 85 ℃ 내지 250 ℃ 이다.In one embodiment of the present specification, the heat treatment temperature in the heat treatment step is 85 ° C to 250 ° C.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 열처리하는 단계에서의 열처리 시간은 1분 내지 1 시간일 수 있다.In another exemplary embodiment, the heat treatment time in the heat treatment step may be 1 minute to 1 hour.

상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is preferably used to facilitate hole injection into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2 : Combination of metal and oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 바륨, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the cathode material include metals such as barium, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; There is a multilayer structure material such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but is not limited thereto.

상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.The hole injection layer is a layer for injecting holes from an electrode, and has the ability to transport holes as a hole injection material, and thus has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect for a light emitting layer or a light emitting material, and is generated in the light emitting layer. A compound which prevents migration of the excitons to the electron injection layer or the electron injection material, and which has excellent thin film formation ability is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic substances, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic substances, quinacridone-based organic substances, and perylene-based substances. Organic materials, anthraquinones, and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 애노드나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer. As a hole transport material, the hole is transported to the light emitting layer by transporting holes from the anode or the hole injection layer, and the mobility of holes is large. The material is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion, but are not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the light emitting material, a material capable of emitting light in the visible region by receiving and bonding holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, is preferably a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited to these.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The light emitting layer may include a host material and a dopant material. The host material may be a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladder types Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material include aromatic amine derivatives, strylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes arylamino groups such as pyrene, anthracene, chrysene, periplanten, and the substituted or unsubstituted styrylamine compound. A compound in which at least one arylvinyl group is substituted with the arylamine, a substituent selected from 1 or 2 or more from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an arylamino group is substituted or unsubstituted. Specifically, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but are not limited thereto. In addition, examples of the metal complex include an iridium complex and a platinum complex, but are not limited thereto.

상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer, a material having high mobility for electrons is suitable Do. Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited to these. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are those that have a low work function and are followed by an aluminum or silver layer. Specifically, cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, each case followed by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer is a layer that injects electrons from an electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from a cathode, has an excellent electron injection effect on a light emitting layer or a light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer A compound that prevents migration to the layer and has excellent thin film forming ability is preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone and the like and their derivatives, metal Complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( There are o-cresolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtholato) gallium, It is not limited to this.

상기 정공저지층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer is a layer that prevents the cathode from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a front emission type, a back emission type, or a double-sided emission type, depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be described in detail to specifically describe the present specification. However, the embodiments according to the present specification may be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not interpreted to be limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more fully describe the present specification to those skilled in the art.

<< 실험예Experimental example >>

실시예Example 1. One.

1) One)

Figure pat00016
Figure pat00016

[화합물 A]                                             [Compound A]

2)2)

Figure pat00017
Figure pat00017

[화합물 A] [화합물 B]     [Compound A] [Compound B]

3)3)

Figure pat00018
Figure pat00018

[화합물 B] [화합물 C]     [Compound B] [Compound C]

4)4)

Figure pat00019
Figure pat00019

[화합물 C] [화합물 1]     [Compound C] [Compound 1]

1) 2-브로모-9H-플루오렌-9-온 [2-Bromo-9H-fluoren-9-one](30g, 115mmol)을 테트라하이드로퓨란[tetrahydrofuran] 250ml에 녹이고 0℃로 낮췄다. 페닐 마그네슘 브로마이드[Phenyl Magnesium Bromide](1M in THF, 208ml, 208mmol)를 넣고, 밤새 0℃에서 교반하였다. 포화 NH4Cl (aq)로 반응을 종결하고, 디클로로메탄으로 추출하고 모은 유기용액을 MgSO4(magnesium sulfate)를 사용하여 건조시키고 필터한 후, 유기용매를 진공회전농축기로 제거하여 추가 정제 없이 화합물 A를 얻었다. 1) 2-Bromo-9H-fluorene-9-one [2-Bromo-9H-fluoren-9-one] (30 g, 115 mmol) was dissolved in 250 ml of tetrahydrofuran and lowered to 0 ° C. Phenyl Magnesium Bromide (1M in THF, 208 ml, 208 mmol) was added and stirred overnight at 0 ° C. The reaction was terminated with saturated NH 4 Cl (aq), extracted with dichloromethane, and the collected organic solution was dried and filtered using MgSO 4 (magnesium sulfate), and then the organic solvent was removed with a vacuum rotary concentrator to remove the compound without further purification. A was obtained.

2) 농축한 크루드(Crude) 화합물 A에 250ml 디클로로메탄을 넣고 페놀(54 ml, 579 mmol)과 메탄 설폰산[methane sulfonic acid] (7.5 ml, 115mmol)을 넣은 후 밤새 상온에서 교반하였다. 포화 NaHCO3(aq)로 산을 중화시킨 후 컬럼 정제하여 화합물 B를 30.1g (수율 63%) 얻었다.2) 250 ml dichloromethane was added to the concentrated Crude compound A, phenol (54 ml, 579 mmol) and methane sulfonic acid (7.5 ml, 115 mmol) were added and stirred overnight at room temperature. After neutralizing the acid with saturated NaHCO 3 (aq), column purification gave 30.1 g of compound B (yield 63%).

3) 화합물 B(30.1g, 55.3mmol)를 디클로로메탄에 용해시킨 후 피리딘(8.9 ml, 111mmol)과 트리플루로메탄설폰산(11.2 ml, 66.3mmol)을 넣고 2시간 교반시켰다. 포화 NaHCO3(aq)로 반응을 중단시키고 MgSO4(magnesium sulfate)를 사용하여 건조시키고 필터한 후, 유기용매를 진공회전농축기로 제거하였다. 잔여물을 컬럼 정제하여 화합물 C를 15.1g(수율 50%) 얻었다.3) Compound B (30.1 g, 55.3 mmol) was dissolved in dichloromethane, pyridine (8.9 ml, 111 mmol) and trifluromethanesulfonic acid (11.2 ml, 66.3 mmol) were added and stirred for 2 hours. The reaction was stopped with saturated NaHCO 3 (aq), dried using MgSO 4 (magnesium sulfate) and filtered, and then the organic solvent was removed with a vacuum rotary concentrator. The residue was purified by column to obtain 15.1 g of compound C (yield 50%).

4) 화합물 C(15.1g, 35.6mmol), 염화 아연(3.6g, 77.4mmol)과 비닐마그네슘 브로마이드[vinylmagnesium bromide](1M in THF, 77.4ml, 77.4mmol), 그리고 Pd(dppp)Cl2를 테트라하이드로퓨란[tetrahydrofuran]에 넣고 밤새 75 ℃에서 교반하였다. 물로 반응을 중단시키고 에틸 아세테이트(EA)로 추출하였다. 모은 유기용액에 MgSO4(magnesium sulfate)를 넣어 건조시키고 필터한 후, 유기용매를 진공회전농축기로 제거하였다. 잔여물을 컬럼 정제하여 화합물 1을 6.78g (수율 45%) 얻었다.4) Compound C (15.1 g, 35.6 mmol), zinc chloride (3.6 g, 77.4 mmol) and vinylmagnesium bromide (1M in THF, 77.4 ml, 77.4 mmol), and Pd (dppp) Cl 2 tetra It was put in hydrofuran [tetrahydrofuran] and stirred at 75 ° C overnight. The reaction was stopped with water and extracted with ethyl acetate (EA). MgSO 4 (magnesium sulfate) was added to the collected organic solution, dried and filtered, and then the organic solvent was removed with a vacuum rotary concentrator. The residue was purified by column to obtain 6.78 g (45% yield) of Compound 1.

상기 화합물 1의 Mass 측정 그래프를 도 1에 나타내으며, 도 1의 세로축은 강도(intensity)를 의미하고, 가로축은 m/z 값을 의미한다.The mass measurement graph of Compound 1 is shown in FIG. 1, the vertical axis in FIG. 1 refers to intensity, and the horizontal axis refers to m / z value.

상기 도 1의 LC mass 분석에는 LTQ mass spectrometer (Thermo, USA) 기기를 이용하였으며, Capcellpak C18 (4.6mm id x 50 mm L, 3um) 컬럼으로 용매 A는 부피비로 아세토니트릴(Acetonitrile)과 테트라하이드로퓨란(THF)을 50%, 50%의 조성을 가지며, 용매 B는 부피비로 H2O와 아세토니트릴(Acetonitrile) 100%, 1%의 조성을 가지는 것을 사용하여, 266 nm에서 분자량 422를 가지는 화합물 1을 검출하였다.In the LC mass analysis of FIG. 1, an LTQ mass spectrometer (Thermo, USA) instrument was used, and a solvent A was a volume ratio of Capcellpak C18 (4.6 mm id x 50 mm L, 3 um) column, and acetonitrile and tetrahydrofuran in a volume ratio. (THF) has a composition of 50%, 50%, and solvent B uses H 2 O, acetonitrile 100%, and 1% composition in a volume ratio to detect compound 1 having a molecular weight of 422 at 266 nm. Did.

비교예Comparative example 1.  One.

Figure pat00020
Figure pat00020

[화합물 T-1]                                               [Compound T-1]

Figure pat00021
Figure pat00021

[화합물 T-2] [화합물 T-3] [화합물 1] [Compound T-2] [Compound T-3] [Compound 1]

1-브로모-4-(디에톡시메틸)벤젠[1-bromo-4-(diethyoxymethyl)benzene](30g, 115mmol)을 테트라하이드로퓨란[tetrahydrofuran] 250ml에 녹이고 -78℃로 낮췄다. n-BuLi(2.5M in hexane, 42ml, 105mol)를 넣고, 30분동안 -78℃에서 교반하였다. 2-브로모-9H-플루오렌-9-온 [2-Bromo-9Hfluoren-9-one](18.9g, 73mmol)을 한 번에 넣고 밤새 교반하여 화합물 T-1을 얻었다. 1N HCl(aq)로 반응을 투입하고, 에틸 아세테이트[ethyl acetate]로 추출하고 모은 유기용액을 MgSO4(magnesium sulfate)를 사용하여 건조시키고 필터한 후, 유기용매를 진공회전농축기로 제거하였다. 잔여물을 컬럼 정제한 후 재결정(toluene/hexane)하여 화합물 T-2를 23g (수율 87%) 얻었다.1-bromo-4- (diethoxymethyl) benzene [1-bromo-4- (diethyoxymethyl) benzene] (30 g, 115 mmol) was dissolved in 250 ml of tetrahydrofuran and lowered to -78 ° C. n-BuLi (2.5M in hexane, 42ml, 105mol) was added and stirred at -78 ° C for 30 minutes. 2-Bromo-9H-fluorene-9-one [2-Bromo-9Hfluoren-9-one] (18.9 g, 73 mmol) was added at once and stirred overnight to obtain compound T-1. The reaction was added with 1N HCl (aq), extracted with ethyl acetate, and the collected organic solution was dried and filtered using MgSO 4 (magnesium sulfate), and then the organic solvent was removed with a vacuum rotary concentrator. After the column was purified, the residue was recrystallized (toluene / hexane) to obtain 23 g of compound T-2 (yield 87%).

화합물 T-2(11.5g, 31.4mmol)에 400ml의 벤젠[benzene]을 넣고 메탄 술폰산[methane sulfonic acid] (2.1ml, 31.4mmol)을 넣은 후 딘-스타크[dean-stark] 기구를 사용해 환류하였다. 포화 NaHCO3(aq)로 산을 중화시킨 후 컬럼 정제하여 화합물 T-3을 6.5g (수율 49%) 얻었다.Compound T-2 (11.5 g, 31.4 mmol) was added with 400 ml of benzene [methane sulfonic acid] (2.1 ml, 31.4 mmol), and refluxed using a dean-stark mechanism. . After neutralizing the acid with saturated NaHCO 3 (aq), column purification gave 6.5 g (49% yield) of compound T-3.

화합물 T-3(5.3g, 12.3mmol)과 CH3BrPPh3(8.8g, 24.7mmol)을 테트라하이드로퓨란[THF]에 넣고 포타슘 tert-부톡사이드[potassium tert-butoxide](2.77g, 24.7mmol)을 0℃에서 넣고 1시간 교반시켰다. 물로 반응을 중단시키고 에틸 아세테이트(EA)로 추출하였다. 모은 유기용액에 MgSO4(magnesium sulfate)를 넣어 건조시키고 필터한 후, 유기용매를 진공회전농축기로 제거하였다. 잔여물을 컬럼 정제하여 화합물 1을 4.67g (수율 89%) 얻었다.Compound T-3 (5.3 g, 12.3 mmol) and CH 3 BrPPh 3 (8.8 g, 24.7 mmol) were added to tetrahydrofuran [THF] and potassium tert-butoxide (2.77 g, 24.7 mmol) Was added at 0 ° C and stirred for 1 hour. The reaction was stopped with water and extracted with ethyl acetate (EA). MgSO 4 (magnesium sulfate) was added to the collected organic solution, dried and filtered, and then the organic solvent was removed with a vacuum rotary concentrator. The residue was purified by column to obtain 4.67 g (yield 89%) of Compound 1.

상기 실시예 1 및 비교예 1의 제조방법을 통하여 본원 화학식 5로 표시되는 화합물(화합물 1)을 제조할 수 있으나, 상기 비교예 1의 제조방법은 n-부틸리튬(n-BuLi)을 사용함에 따라 극저온(-78℃) 조건에서 반응이 진행되어야 하며, 특수관리물질인 벤젠이 사용됨에 따라 양산에 적용하기 어려우나, 상기 실시예 1의 제조방법은 n-부틸리튬(n-BuLi) 대신 페닐 마그네슘 브로마이드를 사용함으로써 극저온 반응을 회피할 수 있으며, 벤젠 대신 페놀을 사용함으로써 양산에 적용 가능할 수 있다.The compound represented by Chemical Formula 5 (Compound 1) may be prepared through the production methods of Example 1 and Comparative Example 1, but the production method of Comparative Example 1 uses n-butyl lithium (n-BuLi). Therefore, the reaction should be carried out at cryogenic conditions (-78 ° C), and it is difficult to apply to mass production as benzene, a special management material, is used, but the preparation method of Example 1 is phenyl magnesium instead of n-butyllithium (n-BuLi). Cryogenic reaction can be avoided by using bromide, and phenol may be used instead of benzene to be applicable to mass production.

Claims (8)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 페닐 마그네슘 브로마이드를 반응시키는 제1 단계; 및
상기 제1 단계를 통하여 얻어진 제1 생성물 및 페놀을 반응시키는 제2 단계를 포함하는 유기 화합물의 제조방법.
[화학식 1]
Figure pat00022

상기 X는 할로겐기이다.
A first step of reacting the compound represented by the formula (1) and phenyl magnesium bromide; And
Method of producing an organic compound comprising a second step of reacting the phenol and the first product obtained through the first step.
[Formula 1]
Figure pat00022

X is a halogen group.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 단계는 -30 ℃ 내지 10 ℃ 에서 수행되는 것인 유기 화합물의 제조방법.
The method according to claim 1,
The first step is a method for producing an organic compound that is performed at -30 ℃ to 10 ℃.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 생성물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 유기 화합물의 제조방법.
[화학식 2]
Figure pat00023

상기 X는 할로겐기이다.
The method according to claim 1,
The first product is a method for producing an organic compound that is a compound represented by the following formula (2).
[Formula 2]
Figure pat00023

X is a halogen group.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 단계를 통하여 얻어진 제2 생성물 및 트리플루오로메탄설폰산을 반응시키는 제3 단계를 더 포함하는 유기 화합물의 제조방법.
The method according to claim 1,
Method for producing an organic compound further comprising a third step of reacting the second product obtained through the second step and trifluoromethanesulfonic acid.
청구항 4에 있어서,
상기 제2 생성물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물인 유기 화합물의 제조방법.
[화학식 3]
Figure pat00024

상기 X는 할로겐기이다.
The method according to claim 4,
The second product is a method for producing an organic compound that is a compound represented by the following formula (3).
[Formula 3]
Figure pat00024

X is a halogen group.
청구항 4에 있어서,
상기 제3 단계를 통하여 얻어진 제3 생성물; 및 비닐 마그네슘 브로마이드 또는 비닐 보레이트를 반응시키는 제4 단계를 더 포함하는 유기 화합물의 제조방법.
The method according to claim 4,
A third product obtained through the third step; And a fourth step of reacting vinyl magnesium bromide or vinyl borate.
청구항 6에 있어서,
상기 제3 생성물은 하기 화학식 4로 표시되는 화합물인 유기 화합물의 제조방법.
[화학식 4]
Figure pat00025

상기 X는 할로겐기이다.
The method according to claim 6,
The third product is a method for producing an organic compound that is a compound represented by the following formula (4).
[Formula 4]
Figure pat00025

X is a halogen group.
청구항 1에 있어서,
상기 유기 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 화합물인 유기 화합물의 제조 방법.
[화학식 5]
Figure pat00026

상기 X는 할로겐기이다.
The method according to claim 1,
The organic compound is a method for producing an organic compound that is a compound represented by the formula (5).
[Formula 5]
Figure pat00026

X is a halogen group.
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