KR102667150B1 - Manufacturing method of organic compound - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 유기 화합물의 제조방법을 제공한다.This specification provides a method for producing organic compounds.

Description

유기 화합물의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC COMPOUND}{MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC COMPOUND}

본 명세서는 유기 화합물의 제조방법에 관한 것이다.This specification relates to a method for producing organic compounds.

종래에는 유기 발광 소자를 제조하기 위하여 증착 공정을 주로 사용해 왔다. 그러나, 증착 공정으로 유기 발광 소자의 제조 시, 재료의 손실이 많이 발생한다는 문제점이 있어, 이를 해결하기 위하여, 재료의 손실이 적어 생산 효율을 증대 시킬 수 있는 용액 공정을 통하여 소자를 제조하는 기술 및 용액 공정용 유기 발광 소자에서 사용되는 물질이 개발되고 있다.Conventionally, a deposition process has been mainly used to manufacture organic light-emitting devices. However, when manufacturing an organic light emitting device through a deposition process, there is a problem that a lot of material loss occurs. To solve this problem, a technology for manufacturing devices through a solution process that can increase production efficiency by reducing material loss and Materials used in organic light-emitting devices for solution processing are being developed.

그러나, 기존의 용액 공정용 물질의 합성과정에서 극저온 공정이 진행되거나, DMF(dimehthylformamide)와 같은 특별 관리 물질에 해당하는 용매를 사용하거나, 컬럼을 사용한 정제를 사용함으로써, 용액 공정용 물질을 합성하기 위한 제조 과정을 다루기 어렵고, 대량 생산을 위한 공장의 스케일 업(Scale up)이 어렵다는 문제점이 있으며, 이 뿐만 아니라 물질을 합성하는 과정에서 정제 수율이 낮고 공정 시간이 오려 걸려 경제적이지 못하다는 문제점이 있다.However, in the synthesis of existing solution process materials, a cryogenic process is performed, a solvent corresponding to a specially controlled substance such as DMF (dimehthylformamide) is used, or purification using a column is used to synthesize solution process materials. There are problems in that it is difficult to handle the manufacturing process for mass production and that it is difficult to scale up the factory for mass production. In addition, there is a problem in that the purification yield is low and the process time is long in the process of synthesizing the material, making it uneconomical. .

따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위한 새로운 제조방법이 요구되고 있다.Therefore, a new manufacturing method is required to solve these problems.

한국특허공개 제10-2015-0066429호Korean Patent Publication No. 10-2015-0066429

본 명세서의 몇몇 실시상태는 대량 생산에 적용될 수 있는 유기 화합물의 제조방법을 제공하고자 한다.Some embodiments of the present specification are intended to provide methods for producing organic compounds that can be applied to mass production.

또한, 본 명세서의 몇몇 실시상태는 정제 시 용매 사용량과 공정시간이 단축되고, 수율이 개선된 유기 화합물의 제조방법을 제공한다.In addition, some embodiments of the present specification provide a method for producing organic compounds with improved yield and reduced solvent usage and process time during purification.

본 명세서의 일 실시상태는One embodiment of this specification is

하기 화학식 1의 화합물과 하기 화학식 2의 화합물을 반응시켜 제1 생성물을 얻는 제1 단계; 및A first step of reacting a compound of Formula 1 below with a compound of Formula 2 below to obtain a first product; and

상기 제1 생성물의 OH기의 H 대신에 열경화성기 또는 광경화성기를 도입하는 제2 단계를 포함하는 유기 화합물의 제조방법을 제공한다.It provides a method for producing an organic compound comprising a second step of introducing a thermosetting group or a photocurable group in place of H of the OH group of the first product.

[화학식 1][Formula 1]

[화학식 2] [Formula 2]

상기 화학식 1 및 2에 있어서,In Formulas 1 and 2,

Ar1 내지 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 치환 또는 비치환된 아릴기이고, Ar1 to Ar3 are the same or different from each other and are substituted or unsubstituted aryl groups,

L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,L is a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

X1은 할로겐기이다.X1 is a halogen group.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제2 단계는 According to another embodiment of the present specification, the second step is

상기 제1 생성물과 케톤기를 포함하는 열경화성기 또는 광경화성기를 갖는 화합물을 반응시켜, 제2 생성물을 얻는 제3 단계; 및A third step of obtaining a second product by reacting the first product with a compound having a thermosetting group or a photocurable group containing a ketone group; and

상기 제2 생성물의 케톤기가 알켄기로 전환된 열경화성기 또는 광경화성기를 갖는 제3 생성물을 얻는 제4 단계를 포함한다. The ketone group of the second product is converted to an alkene group. and a fourth step of obtaining a third product having a thermosetting group or a photocuring group.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계는 상기 제1 생성물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함한다. According to another embodiment of the present specification, the first step further includes purifying the first product by recrystallization.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제2 단계는 상기 유기 화합물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함한다. According to another embodiment of the present specification, the second step further includes purifying the organic compound by recrystallization.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제3 단계는 상기 제2 생성물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함한다. According to another embodiment of the present specification, the third step further includes purifying the second product by recrystallization.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제4 단계는 상기 제3 생성물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함한다.According to another embodiment of the present specification, the fourth step further includes purifying the third product by recrystallization.

본 발명의 유기 화합물의 제조방법은, 열경화성기 또는 광경화성기를 갖는 플루오렌 구조 2개가 디아민을 연결기로 하여 연결된 구조의 화합물을 제조하는 방법으로서, 출발 물질 및 반응 순서를 본 명세서의 실시상태들과 같이 특정함으로써, 용매로서 특별 관리가 필요 없는 용매를 사용할 수 있어 대량 생산에 적용할 수 있고, 정제 공정도 컬럼 공정이 아닌 재결정 공정을 사용할 수 있어 용매 사용량과 공정 시간을 대폭 단축할 수 있으며, 최종 화합물의 수율도 개선할 수 있다.The method for producing an organic compound of the present invention is a method of producing a compound having a structure in which two fluorene structures having a thermosetting group or a photocuring group are connected using a diamine as a linking group, and the starting materials and reaction sequence are consistent with the embodiments of the present specification. By specifying the same, a solvent that does not require special management can be used as a solvent and can be applied to mass production, and the purification process can also use a recrystallization process rather than a column process, greatly reducing the amount of solvent usage and process time. The yield of the compound can also be improved.

도 1은 화합물 1의 Mass 측정 그래프를 나타낸 도이다.Figure 1 is a diagram showing a mass measurement graph of Compound 1.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 명세서에 있어서, 상기 “치환”이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In this specification, the term “substitution” means changing the hydrogen atom bonded to the carbon atom of the compound to another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as it is the position where the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent can be substituted, When two or more substituents are substituted, the two or more substituents may be the same or different from each other.

본 명세서에서 “치환 또는 비치환된”이라는 용어는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 알킬기; 알콕시기; 알케닐기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.As used herein, the term “substituted or unsubstituted” refers to hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; Nitrile group; nitro group; hydroxyl group; Alkyl group; Alkoxy group; alkenyl group; Aryl group; and substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group, or substituted or unsubstituted with two or more substituents among the above-exemplified substituents linked. For example, “a substituent group in which two or more substituents are connected” may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, or it may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

본 명세서에서 “열경화성기 또는 광경화성기”란 열 및 또는 광에 노출시킴으로써, 화합물 간에 가교를 시키는 반응성 치환기를 의미할 수 있다. 가교는 열처리 또는 광조사에 의하여, 탄소-탄소 다중결합, 환형 구조가 분해되면서 생성된 라디칼이 연결되면서 생성될 수 있다.As used herein, “thermocurable group or photocurable group” may mean a reactive substituent that crosslinks compounds by exposing them to heat and/or light. Crosslinking can be created by heat treatment or light irradiation, where radicals generated when carbon-carbon multiple bonds and cyclic structures are decomposed are connected.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, According to one embodiment of the present specification,

하기 화학식 1의 화합물과 하기 화학식 2의 화합물을 반응시켜 제1 생성물을 얻는 제1 단계; 및A first step of reacting a compound of Formula 1 below with a compound of Formula 2 below to obtain a first product; and

상기 제1 생성물의 OH기의 H 대신에 열경화성기 또는 광경화성기를 도입하는 제2 단계를 포함하는 유기 화합물의 제조방법을 제공한다.It provides a method for producing an organic compound comprising a second step of introducing a thermosetting group or a photocurable group in place of H of the OH group of the first product.

[화학식 1][Formula 1]

[화학식 2] [Formula 2]

상기 화학식 1 및 2에 있어서,In Formulas 1 and 2,

Ar1 내지 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 치환 또는 비치환된 아릴기이고, Ar1 to Ar3 are the same or different from each other and are substituted or unsubstituted aryl groups,

L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,L is a substituted or unsubstituted arylene group or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

X1은 할로겐기이다.X1 is a halogen group.

[제1 단계][Step 1]

상기 제1 단계는 상기 화학식 1의 화합물과 상기 화학식 2의 화합물을 반응시키는 단계이다.The first step is a step of reacting the compound of Formula 1 with the compound of Formula 2.

일 예에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, X1은 할로겐기이다.According to one example, in Formula 1, X1 is a halogen group.

일 예에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, X1은 F, Cl, Br 또는 I이다.According to one example, in Formula 1, X1 is F, Cl, Br, or I.

일 예에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, X1은 Br이다. According to one example, in Formula 1, X1 is Br.

일 예에 따르면, 상기 화학식 1에서 Ar1은 알킬기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기이다. According to one example, in Formula 1, Ar1 is a C6 to C20 aryl group substituted or unsubstituted with an alkyl group.

일 예에 따르면, 상기 화학식 1에서 Ar1은 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 C6 내지 C20의 아릴기이다. According to one example, in Formula 1, Ar1 is a C6 to C20 aryl group substituted with a straight-chain or branched alkyl group.

일 예에 따르면, 상기 화학식 1에서 Ar1은 C3 내지 C12의 분지쇄의 알킬기로 치환된 C6 내지 C12의 아릴기이다. According to one example, in Formula 1, Ar1 is a C6 to C12 aryl group substituted with a C3 to C12 branched alkyl group.

일 예에 따르면, 상기 화학식 1에서 Ar1은 t-부틸로 치환된 페닐기이다. According to one example, in Formula 1, Ar1 is a phenyl group substituted with t-butyl.

일 예에 따르면, 상기 화학식 2에서 Ar2 및 Ar3는 서로 같거나 상이하고, C6 내지 C20의 아릴기이다.According to one example, in Formula 2, Ar2 and Ar3 are the same or different from each other and are C6 to C20 aryl groups.

일 예에 따르면, 상기 화학식 2에서 Ar2 및 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기 또는 나프틸기이다. According to one example, Ar2 and Ar3 in Formula 2 are the same or different from each other and are a phenyl group, biphenylyl group, terphenylyl group, or naphthyl group.

일 예에 따르면, 상기 화학식 2에서 Ar2 및 Ar3는 페닐기이다.According to one example, in Formula 2, Ar2 and Ar3 are phenyl groups.

일 예에 따르면, 상기 화학식 2에서 L은 C6 내지 C30의 아릴렌기 또는 C2 내지 C30의 헤테로아릴렌기이다.According to one example, in Formula 2, L is a C6 to C30 arylene group or a C2 to C30 heteroarylene group.

일 예에 따르면, 상기 화학식 2에서 L은 페닐렌기, 바이페닐릴렌기, 터페닐릴렌기 또는 나프틸렌기이다.According to one example, in Formula 2, L is a phenylene group, biphenylylene group, terphenylylene group, or naphthylene group.

일 예에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1과 같이 표시될 수 있다. According to one example, Chemical Formula 1 may be expressed as Chemical Formula 1-1 below.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

화학식 1-1에 있어서, 치환기의 정의는 화학식 1에서의 정의와 같다. In Formula 1-1, the definition of the substituent is the same as the definition in Formula 1.

상기 화학식 1의 화합물과 상기 화학식 2의 화합물은 이론적으로 2:1 몰비로 반응할 수 있으나, 필요에 따라 30:10 내지 9:10의 몰비, 바람직하게는 21:10 내지 20:10의 몰비로 사용될 수 있다. The compound of Formula 1 and the compound of Formula 2 can theoretically react at a molar ratio of 2:1, but if necessary, they can be reacted at a molar ratio of 30:10 to 9:10, preferably 21:10 to 20:10. can be used

일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물과 상기 화학식 2의 화합물은 용매 중에서 반응시킬 수 있다. According to one embodiment, in the first step, the compound of Formula 1 and the compound of Formula 2 may be reacted in a solvent.

상기 용매로는 톨루엔을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Toluene may be used as the solvent, but is not limited thereto.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 용매로는 자일렌, 메시틸렌, 벤젠, 메틸벤젠, 에틸벤젠 또는 아이소프로필벤젠 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. According to another embodiment, the solvent may be xylene, mesitylene, benzene, methylbenzene, ethylbenzene, or isopropylbenzene, but is not limited thereto.

용매의 사용량은 상기 화학식 1의 화합물 및 상기 화학식 2의 화합물의 용해도 또는 반응 조건에 따라 결정될 수 있다. 예컨대, 상기 화학식 1의 화합물은 용매 1 L 당 30 g 내지 600 g, 바람직하게는 50 g 내지 300 g을 사용할 수 있다. 상기 화학식 2의 화합물은 용매 1 L당 5 g 내지 150 g, 바람직하게는 10 g 내지 100 g 사용할 수 있다. The amount of solvent used may be determined depending on the solubility or reaction conditions of the compound of Formula 1 and the compound of Formula 2. For example, the compound of Formula 1 may be used in an amount of 30 g to 600 g, preferably 50 g to 300 g, per 1 L of solvent. The compound of Formula 2 can be used in an amount of 5 g to 150 g, preferably 10 g to 100 g, per 1 L of solvent.

일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계에 있어서, K2CO3, CsCO3, KOAc 등의 염기, 바람직하게는 포타슘 t-부톡사이드 또는 소디움 t-부톡사이드, 더욱 바람직하게는 소디움 t-부톡사이드를 더 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, in the first step, a base such as K 2 CO 3 , CsCO 3 , KOAc, preferably potassium t-butoxide or sodium t-butoxide, more preferably sodium t-butoxide. may be further used, but is not limited thereto.

또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계에 있어서, Pd 함유 촉매를 더 사용할 수 있다. Pd 함유 촉매로는 Pd(t-Bu3P)2, Pd(dba)2, Pd(PPh3)4, Pd(dppp)Cl2 또는 Pd(dppf)Cl2 등이 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.According to another embodiment, in the first step, a Pd-containing catalyst may be further used. Pd-containing catalysts include, but are not limited to, Pd(t-Bu 3 P) 2 , Pd(dba) 2 , Pd(PPh 3 ) 4 , Pd(dppp)Cl 2 or Pd(dppf)Cl 2 .

일 예에 따르면, 상기 제1 단계에 있어서, Pd 함유 촉매로서 Pd(t-Bu3P)2가 더 사용될 수 있다. According to one example, in the first step, Pd(t-Bu 3 P) 2 may be further used as a Pd-containing catalyst.

촉매의 사용량은 상기 화학식 1의 화합물 및 상기 화학식 2의 화합물의 사용량에 따라 결정될 수 있다. 예컨대, 상기 화학식 1의 화합물 대비 0.01 내지 1.0으로 사용될 수 있다. 상기 범위를 초과하는 경우, 불필요한 촉매 사용으로 인해 경제적 손실이 발생하며 상기 범위보다 소량 사용될 경우, 합성 수율이 낮아지는 문제점이 있다.The amount of catalyst used may be determined depending on the amount of the compound of Formula 1 and the compound of Formula 2. For example, it can be used at an amount of 0.01 to 1.0 compared to the compound of Formula 1. If the above range is exceeded, economic loss occurs due to unnecessary catalyst use, and if a small amount is used than the above range, there is a problem in that the synthesis yield is lowered.

일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계는 불활성 분위기에서 진행되는 것이 바람직하며, 예컨대 질소 분위기 하에서 진행될 수 있다. According to one embodiment, the first step is preferably carried out in an inert atmosphere, for example, it may be carried out under a nitrogen atmosphere.

일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계는 50℃ 내지 120℃, 바람직하게는 60℃ 내지 100℃, 더욱 바람직하게는 75℃ 내지 90℃에서 수행될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 가장 높은 수율을 얻을 수 있다는 이점이 있다. According to one embodiment, the first step may be performed at 50°C to 120°C, preferably 60°C to 100°C, and more preferably 75°C to 90°C. When the above range is satisfied, there is an advantage in that the highest yield can be obtained.

상기 제1 단계에서의 반응 시간은 출발물질의 종류 또는 양, 용매의 종류 또는 양, 반응 온도 등의 반응 조건에 따라 결정될 수 있으며, 예컨대 30분 내지 3시간 수행될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. The reaction time in the first step may be determined depending on reaction conditions such as the type or amount of starting material, the type or amount of solvent, and reaction temperature, and may be carried out for, for example, 30 minutes to 3 hours, but is not limited thereto. .

상기 제1 단계의 반응이 완료되면, 상온으로 온도를 내리고, 반응을 종결시킨다. 반응을 종결시키기 위하여, 예컨대 물을 첨가할 수 있다. When the reaction in the first step is completed, the temperature is lowered to room temperature and the reaction is terminated. To terminate the reaction, for example water can be added.

반응이 종결된 후, 제1 단계에서 제조된 제1 생성물을 분리할 수 있다. 상기 제1 생성물을 분리하는 단계는 예컨대 유기층을 상분리하고, 잔류 수분을 건조하고, 유기 용매를 제거할 수 있다. 잔류 수분의 건조는 MgSO4(Magnesium sulfate)를 이용하여 수행할 수 있다. 유기 용매의 제거는 당 기술분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 예컨대 진공회전농축기를 이용하여 수행할 수 있다. After the reaction is completed, the first product prepared in the first step can be separated. The step of separating the first product may, for example, phase-separate the organic layer, dry residual moisture, and remove the organic solvent. Drying of residual moisture can be performed using MgSO 4 (Magnesium sulfate). Removal of the organic solvent can be done using a method known in the art, for example, using a vacuum rotary concentrator.

상기 제1 단계에서 제조되는 제1 생성물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다. The first product prepared in the first step may be represented by the following formula (3).

[화학식 3][Formula 3]

상기 화학식 3에 있어서, Ar1, Ar2, Ar3, L의 정의는 화학식 1 및 2에서의 정의와 같고, Ar1'는 Ar1 내지 Ar3와 동일하거나 상이하고, 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In Formula 3, the definitions of Ar1, Ar2, Ar3, and L are the same as those in Formulas 1 and 2, and Ar1' is the same as or different from Ar1 to Ar3 and is a substituted or unsubstituted aryl group.

일 예에 따르면, 상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1로 표시될 수 있다. According to one example, Chemical Formula 3 may be expressed as Chemical Formula 3-1 below.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

상기 화학식 3-1에 있어서, Ar1, Ar1', Ar2, Ar3 및 L의 정의는 화학식 3에서의 정의와 같다.In Formula 3-1, the definitions of Ar1, Ar1', Ar2, Ar3, and L are the same as those in Formula 3.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제1 단계는 상기 제1 생성물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함한다. According to another embodiment of the present specification, the first step further includes purifying the first product by recrystallization.

본 명세서에 있어서, 재결정(recrystallization) 공정은 용해도 차이를 이용하여 원하는 용질을 용해하였다가 다시 결정화시키는 공정을 의미한다. In this specification, the recrystallization process refers to a process of dissolving a desired solute using a difference in solubility and then crystallizing it again.

본 명세서에 있어서, 정제(精製)는 화합물의 순도를 높이기 위하여 이루어지는 공정을 의미한다.In this specification, refining refers to a process performed to increase the purity of a compound.

상기 제1 생성물의 재결정은 먼저 제1 용매를 이용하여 상기 제1 생성물을 용해시킨 후, 제2 용매를 이용하여 제1 생성물을 결정시키는 방법으로 수행될 수 있다. 상기 제1 용매로는 DMSO를 사용할 수 있고, 상기 제2 용매로는 물과 에탄올을 1:3.5의 부피비로 혼합한 용매를 사용할 수 있다. 또한, 상기 제2 용매로는 메탄올, 2-프로판올 등의 알코올 류를 사용할 수 있고, 이에 한정되는 것은 아니다.Recrystallization of the first product may be performed by first dissolving the first product using a first solvent and then crystallizing the first product using a second solvent. DMSO can be used as the first solvent, and a mixture of water and ethanol in a volume ratio of 1:3.5 can be used as the second solvent. Additionally, the second solvent may be an alcohol such as methanol or 2-propanol, but is not limited thereto.

[제2 단계][Second stage]

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제2 단계는 According to another embodiment of the present specification, the second step is

상기 제1 생성물과 케톤기를 포함하는 열경화성기 또는 광경화성기를 갖는 화합물을 반응시켜, 제2 생성물을 얻는 제3 단계; 및A third step of obtaining a second product by reacting the first product with a compound having a thermosetting group or a photocurable group containing a ketone group; and

상기 제2 생성물의 케톤기가 알켄기로 전환된 열경화성기 또는 광경화성기를 갖는 제3 생성물을 얻는 제4 단계를 포함한다. It includes a fourth step of obtaining a third product having a thermosetting group or a photocurable group in which the ketone group of the second product is converted to an alkene group.

[제3 단계][Step 3]

일 예에 따르면, 상기 제3 단계에 있어서, 상기 케톤기를 포함하는 열경화성기 또는 광경화성기를 갖는 화합물은 하기 화학식 4와 같이 표시될 수 있다. According to one example, in the third step, the compound having a thermosetting group or a photocuring group including the ketone group may be represented by the following formula (4).

[화학식 4][Formula 4]

상기 화학식 4에 있어서, X2는 할로겐기 또는 니트로기이며, 바람직하게는 불소기이다. In Formula 4, X2 is a halogen group or a nitro group, and is preferably a fluorine group.

일 예에 따르면, 상기 화학식 4는 하기 화학식 4-1로 표시될 수 있다. According to one example, Chemical Formula 4 may be expressed as Chemical Formula 4-1 below.

[화학식 4-1][Formula 4-1]

상기 화학식 4-1에 있어서 X2의 정의는 화학식 4에서의 정의와 같다.In Formula 4-1, the definition of X2 is the same as that in Formula 4.

일 예에 따르면, X2는 F, Cl, Br, I 또는 NO2이다.According to one example, X2 is F, Cl, Br, I or NO2 .

상기 제1 생성물의 OH기와 상기 화합물의 할로겐기 또는 니트로기는 이론적으로 1:1 몰비로 반응할 수 있으나, 필요에 따라 1:1 내지 1:6의 몰비, 바람직하게는 1:2 내지 1:5의 몰비로 사용될 수 있다. 해당 범위를 만족하는 경우, 가장 높은 순도로 생성물을 얻을 수 있다는 이점이 있다. The OH group of the first product and the halogen group or nitro group of the compound can theoretically react at a 1:1 molar ratio, but if necessary, the molar ratio is 1:1 to 1:6, preferably 1:2 to 1:5. It can be used at a molar ratio of If the range is satisfied, there is an advantage in that the product can be obtained with the highest purity.

상기 제3 단계에서의 용매로는 DMSO 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The solvent in the third step may be DMSO or the like, but is not limited thereto.

용매의 사용량은 상기 제1 생성물의 용해도 또는 반응 조건에 따라 결정될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 생성물은 용매 1 L 당 30 g 내지 300 g, 바람직하게는 50 g 내지 150 g을 사용할 수 있다. The amount of solvent used may be determined depending on the solubility of the first product or reaction conditions. For example, the first product may be used in an amount of 30 g to 300 g, preferably 50 g to 150 g, per 1 L of solvent.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제3 단계에는 K2CO3, CsCO3, KOAc, 포타슘 t-부톡사이드 또는 소디움 t-부톡사이드 등의 염기, 바람직하게는 K2CO3 또는 CsCO3, 더욱 바람직하게는 K2CO3를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to another embodiment, in the third step, a base such as K 2 CO 3 , CsCO 3 , KOAc, potassium t-butoxide or sodium t-butoxide, preferably K 2 CO 3 or CsCO 3 , More preferably, K 2 CO 3 can be used, but it is not limited thereto.

일 실시상태에 따르면, 상기 제3 단계는 50℃ 내지 120℃, 바람직하게는 60℃ 내지 100℃, 더욱 바람직하게는 75℃ 내지 95℃에서 수행될 수 있다. 상기 온도 범위를 만족하는 경우, 가장 높은 수율을 얻을 수 있다는 이점이 있다. According to one embodiment, the third step may be performed at 50°C to 120°C, preferably 60°C to 100°C, and more preferably 75°C to 95°C. When the above temperature range is satisfied, there is an advantage in that the highest yield can be obtained.

상기 제3 단계에서의 반응 시간은 시작물질의 종류 또는 양, 용매의 종류 또는 양, 반응 온도 등의 반응 조건에 따라 결정될 수 있으며, 예컨대 30분 내지 10시간 수행될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. The reaction time in the third step may be determined depending on reaction conditions such as the type or amount of starting material, the type or amount of solvent, and reaction temperature, and may be carried out for, for example, 30 minutes to 10 hours, but is not limited thereto. .

상기 제3 단계의 반응이 완료되면, 상온으로 온도를 내리고, 반응을 종결시킨다. 반응을 종결시키기 위하여, 예컨대 물을 첨가할 수 있다. When the reaction in the third step is completed, the temperature is lowered to room temperature and the reaction is terminated. To terminate the reaction, for example water can be added.

반응이 종결된 후, 제3 단계에서 제조된 제2 생성물을 분리할 수 있다. 상기 제2 생성물을 분리하는 단계로는 예컨대 생성된 고체를 여과하고, 필요에 따라 세척 및 건조하는 단계를 수행할 수 있다. 상기 세척 시 물을 사용할 수 있으며, 건조는 60℃ 내지 100℃의 진공 오븐에서 수행할 수 있다. After the reaction is completed, the second product prepared in the third step can be separated. The step of separating the second product may include, for example, filtering the produced solid, washing and drying if necessary. Water can be used for the washing, and drying can be performed in a vacuum oven at 60°C to 100°C.

상기 제3 단계에서 제조되는 제2 생성물은 하기 화학식 5로 표시될 수 있다. The second product prepared in the third step may be represented by the following formula (5).

[화학식 5][Formula 5]

상기 화학식 5에 있어서, 치환기의 정의는 화학식 1 내지 3에서의 정의와 같다. In Formula 5, the definitions of substituents are the same as those in Formulas 1 to 3.

일 예에 따르면, 상기 화학식 5는 하기 화학식 5-1로 표시될 수 있다. According to one example, Chemical Formula 5 may be expressed as Chemical Formula 5-1 below.

[화학식 5-1][Formula 5-1]

상기 화학식 5-1에 있어서, 치환기의 정의는 화학식 1 내지 3에서의 정의와 같다. In Formula 5-1, the definitions of substituents are the same as those in Formulas 1 to 3.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제3 단계는 상기 제2 생성물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함한다. 상기 재결정은 먼저 제3 용매를 이용하여 상기 제2 생성물을 용해시킨 후, 제4 용매를 이용하여 제2 생성물을 결정시키는 방법으로 수행될 수 있다. 상기 제3 용매로는 DMSO를 사용할 수 있고, 상기 제4 용매로는 2-프로판올을 사용할 수 있다. According to another embodiment of the present specification, the third step further includes purifying the second product by recrystallization. The recrystallization may be performed by first dissolving the second product using a third solvent and then crystallizing the second product using a fourth solvent. DMSO can be used as the third solvent, and 2-propanol can be used as the fourth solvent.

[제4 단계][Step 4]

일 실시상태에 따르면, 상기 제4 단계는 메틸트리페닐포스포늄 브로마이드와 상기 제2 생성물을 접촉시킴으로써 수행할 수 있다. According to one embodiment, the fourth step can be performed by contacting methyltriphenylphosphonium bromide with the second product.

화합물의 몰비는 제2 생성물:메틸트리페닐포스포늄 브로마이드 = 1:1 내지 1:2.5, 바람직하게는 1:2이다. 해당 범위 이하를 사용할 경우 시작물질이 남게 되어 전환율이 감소하며, 해당 범위를 초과할 경우 불필요한 반응물질 사용으로 경제성이 떨어지는 단점이 있으며, 해당 범위를 만족할 경우 최대의 합성 순도를 얻을 수 있다.The molar ratio of the compounds is second product:methyltriphenylphosphonium bromide = 1:1 to 1:2.5, preferably 1:2. If the range is used below, starting materials remain and the conversion rate decreases. If the range is exceeded, there is a disadvantage in reducing economic efficiency due to the use of unnecessary reactants. However, if the range is satisfied, maximum synthetic purity can be obtained.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제4 단계에 있어서, K2CO3, CsCO3, KOAc, 포타슘 t-부톡사이드 또는 소디움 t-부톡사이드 등의 염기, 바람직하게는 강염기인 포타슘 t-부톡사이드 또는 소디움 t-부톡사이드, 더욱 바람직하게는 포타슘 t-부톡사이드를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. According to another embodiment, in the fourth step, K 2 CO 3 , CsCO 3 , KOAc, a base such as potassium t-butoxide or sodium t-butoxide, preferably a strong base, potassium t-butoxide. Side or sodium t-butoxide, more preferably potassium t-butoxide, can be used, but it is not limited thereto.

일 실시상태에 따르면, 상기 제4 단계에서는 용매가 사용될 수 있다. 상기 제4 단계에서의 용매로는 THF 등이 사용될 수 있다. 이때 THF 대신 메틸 삼차 뷰틸 에터(MTBE) 또는 톨루엔 등을 사용할 수 있다. According to one embodiment, a solvent may be used in the fourth step. THF or the like may be used as a solvent in the fourth step. At this time, methyl tertiary butyl ether (MTBE) or toluene can be used instead of THF.

용매의 사용량은 상기 제2 생성물의 용해도 또는 반응 조건에 따라 결정될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 생성물은 용매 1 L 당 50 g 내지 600 g, 바람직하게는 100 g 내지 300 g을 사용할 수 있다. The amount of solvent used may be determined depending on the solubility of the second product or reaction conditions. For example, the second product may be used in an amount of 50 g to 600 g, preferably 100 g to 300 g, per 1 L of solvent.

일 실시상태에 따르면, 제4 단계는 -10℃ 내지 15℃, 바람직하게는 -5℃ 내지 5℃에서 수행될 수 있다. 상기 제4 단계는 불활성 분위기에서 진행되는 것이 바람직하며, 예컨대 질소 분위기 하에서 진행될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 가장 높은 수율을 얻을 수 있다는 이점이 있다. According to one embodiment, the fourth step may be performed at -10°C to 15°C, preferably -5°C to 5°C. The fourth step is preferably carried out in an inert atmosphere, for example, it can be carried out under a nitrogen atmosphere. When the above range is satisfied, there is an advantage in that the highest yield can be obtained.

일 예에 따르면, 상기 제4 단계에서는 메틸트리페닐포스포늄 브로마이드 및 포타슘 t-부톡사이드를 용매와 혼합한 후, 여기에 제2 생성물과 용매의 혼합물을 적가하는 방식으로 수행될 수 있다. 필요에 따라 교반을 추가로 수행할 수 있다. According to one example, the fourth step may be performed by mixing methyltriphenylphosphonium bromide and potassium t-butoxide with a solvent, and then adding the mixture of the second product and the solvent dropwise thereto. Additional stirring may be performed as needed.

상기 제4 단계의 반응이 완료되면, 반응을 종결시킨다. 반응을 종결시키기 위하여, 예컨대 물을 첨가할 수 있다. When the reaction in the fourth step is completed, the reaction is terminated. To terminate the reaction, for example water can be added.

반응이 종결된 후, 제4 단계에서 제조된 제3 생성물을 분리할 수 있다. 상기 제3 생성물을 분리하는 단계로는 예컨대 유기층을 상분리하고, 잔류 수분을 건조하고, 유기 용매를 제거할 수 있다. 잔류 수분의 건조는 MgSO4(Magnesium sulfate)를 이용하여 수행할 수 있다. 유기 용매의 제거는 당 기술분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 예컨대 진공회전농축기를 이용하여 수행할 수 있다. After the reaction is completed, the third product prepared in the fourth step can be separated. In the step of separating the third product, for example, the organic layer may be phase separated, residual moisture may be dried, and the organic solvent may be removed. Drying of residual moisture can be performed using MgSO 4 (Magnesium sulfate). Removal of the organic solvent can be done using a method known in the art, for example, using a vacuum rotary concentrator.

상기 제4 단계에서 제조되는 제3 생성물은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다. The third product prepared in the fourth step may be represented by the following formula (6).

[화학식 6][Formula 6]

상기 화학식 6에 있어서, 치환기의 정의는 화학식 1 내지 3에서의 정의와 같다. In Formula 6, the definitions of substituents are the same as those in Formulas 1 to 3.

일 예에 따르면, 상기 화학식 6은 하기 화학식 6-1로 표시될 수 있다. According to one example, Chemical Formula 6 may be expressed as Chemical Formula 6-1 below.

[화학식 6-1][Formula 6-1]

상기 화학식 6-1에 있어서, 치환기의 정의는 화학식 1 내지 3에서의 정의와 같다. In Formula 6-1, the definitions of substituents are the same as those in Formulas 1 to 3.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제4 단계는 상기 제3 생성물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함한다. 상기 재결정은 먼저 제5 용매를 이용하여 상기 제3 생성물을 용해시킨 후, 제6 용매를 이용하여 제3 생성물을 결정시키는 방법으로 수행될 수 있다. 상기 제5 용매로는 EA(에틸렌 아세테이트)를 사용할 수 있고, 상기 제6 용매로는 2-프로판올을 사용할 수 있다. According to another embodiment of the present specification, the fourth step further includes purifying the third product by recrystallization. The recrystallization may be performed by first dissolving the third product using a fifth solvent and then crystallizing the third product using a sixth solvent. EA (ethylene acetate) can be used as the fifth solvent, and 2-propanol can be used as the sixth solvent.

이때, 제5 용매로 EA 대신 디메틸설폭시드(DMSO) 또는 메틸 삼차 뷰틸 에터(MTBE)를 사용할 수 있고, 제6 용매로 2-프로판올 대신 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 부탄올 등의 알코올 류를 사용할 수 있다.At this time, dimethyl sulfoxide (DMSO) or methyl tertiary butyl ether (MTBE) can be used instead of EA as the fifth solvent, and alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, and butanol can be used instead of 2-propanol as the sixth solvent. You can.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제조방법은 상기 제1 단계 이전에 상기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 더 포함한다. According to another embodiment of the present specification, the production method further includes preparing the compound of Formula 1 before the first step.

일 예에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계는 하기 화학식 11로 표시되는 화합물 및 치환 또는 비치환된 페닐 마그네슘 브로마이드를 반응시키는 단계(A); 및 According to one example, the step of preparing the compound of Formula 1 includes reacting a compound represented by the following Formula 11 and substituted or unsubstituted phenyl magnesium bromide (A); and

상기 단계(A)를 통하여 얻어진 생성물(a) 및 페놀을 반응시키는 단계(B)를 포함한다. 필요에 따라, 상기 단계(B)는 재결정 공정을 통하여 생성물(b)을 정제하는 공정을 더 포함할 수 있다. It includes a step (B) of reacting the product (a) obtained through step (A) and phenol. If necessary, step (B) may further include a process of purifying product (b) through a recrystallization process.

[화학식 11][Formula 11]

상기 화학식 11에 있어서, X는 할로겐기이다.In Formula 11, X is a halogen group.

일 예에 따르면, 용매 내에서 상기 화학식 11로 표시되는 화합물 및 치환 또는 비치환된 페닐 마그네슘 브로마이드를 반응시키는 단계(A); 및 용매 내에서 상기 단계(A)를 통하여 얻어진 생성물(a) 및 페놀을 반응시키는 단계(B)를 포함한다.According to one example, reacting the compound represented by Formula 11 and substituted or unsubstituted phenyl magnesium bromide in a solvent (A); and a step (B) of reacting the product (a) obtained through step (A) with phenol in a solvent.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 F(불소), Cl(염소), Br(브롬) 또는 I(요오드)이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X is F (fluorine), Cl (chlorine), Br (bromine), or I (iodine).

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 Br(브롬)이다.According to another exemplary embodiment, X is Br (bromine).

[단계(A)][Step (A)]

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 단계(A)는 용매 내에서 상기 화학식 11로 표시되는 화합물 및 치환 또는 비치환된 페닐 마그네슘 브로마이드를 반응시키는 단계이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, step (A) is a step of reacting the compound represented by Formula 11 and substituted or unsubstituted phenyl magnesium bromide in a solvent.

일 예에 따르면, 상기 화학식 11은 하기 화학식 11-1로 표시될 수 있다. According to one example, Chemical Formula 11 may be expressed as Chemical Formula 11-1 below.

[화학식 11-1][Formula 11-1]

상기 화학식 11-1에 있어서, X는 할로겐기이다.In Formula 11-1, X is a halogen group.

상기 단계(A)에서 사용되는 용매는 테트라하이드로퓨란(THF) 등일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The solvent used in step (A) may be tetrahydrofuran (THF), but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 단계(A)는 -30 ℃ 내지 10 ℃에서 수행되고, 바람직하게는 -10 ℃ 내지 5 ℃에서 수행될 수 있다. 상기 단계(A)가 상기 온도 범위에서 수행되는 경우, 적절한 반응 속도를 가지며, 추가적인 공정 장비가 필요하지 않다는 이점이 있다. 구체적으로 상기 단계(A)의 반응 온도가 10 ℃를 초과하여 진행되는 경우 반응이 원하는 방향으로 진행되지 않고 불순물이 생성될 가능성이 높으며, 반응 온도가 상기 온도 범위보다 낮은 온도에서 진행되는 경우 반응이 느리게 진행되며 반응 온도를 낮춰주기 위한 장비가 추가적으로 필요하게 된다. 특히, 기존의 합성과정과 같이 부틸리튬(n-BuLi)을 이용하여 본 발명의 유기 화합물을 합성하는 공정은 극저온 (약 -78℃)의 반응 온도로 낮춰주기 위한 추가적인 공정 장비가 필요하다는 문제점이 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, step (A) may be performed at -30 °C to 10 °C, and preferably at -10 °C to 5 °C. When step (A) is performed in the above temperature range, there is an advantage that it has an appropriate reaction rate and no additional process equipment is required. Specifically, if the reaction temperature in step (A) proceeds above 10°C, there is a high possibility that the reaction will not proceed in the desired direction and impurities will be generated, and if the reaction temperature proceeds at a temperature lower than the above temperature range, the reaction may proceed in the desired direction. It progresses slowly and requires additional equipment to lower the reaction temperature. In particular, the process of synthesizing the organic compound of the present invention using butyllithium (n-BuLi), like the existing synthesis process, has the problem of requiring additional process equipment to lower the reaction temperature to extremely low temperature (about -78°C). there is.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 단계(A)에서 상기 화학식 11로 표시되는 화합물과 치환 또는 비치환된 페닐 마그네슘 브로마이드의 몰비(화학식 11 : 페닐 마그네슘 브로마이드)는 약 1 : 1 내지 1 : 2일 수 있으며, 바람직하게는 약 1 : 1.5 내지 1 : 2일 수 있다. 상기 화학식 11로 표시되는 화합물과 치환 또는 비치환된 페닐 마그네슘 브로마이드의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 화학식 11로 표시되는 화합물의 함량이 높은 경우 발생하는 전체 수율이 낮아지는 문제점을 막을 수 있으며, 상기 치환 또는 비치환된 페닐 마그네슘 브로마이드의 함량이 높은 경우 반응에 참여하지 않는 페닐 마그네슘 브로마이드가 잔류함으로서 불필요한 원료물질로 인한 경제적 손실이 발생하는 것을 막을 수 있다는 이점이 있다. In one embodiment of the present invention, in step (A), the molar ratio of the compound represented by Formula 11 and substituted or unsubstituted phenyl magnesium bromide (Formula 11: phenyl magnesium bromide) is about 1:1 to 1:2. It may be, preferably about 1:1.5 to 1:2. When the content of the compound represented by Formula 11 and the substituted or unsubstituted phenylmagnesium bromide satisfies the above range, the problem of lowering the overall yield that occurs when the content of the compound represented by Formula 11 is high can be prevented. , when the content of the substituted or unsubstituted phenyl magnesium bromide is high, there is an advantage in preventing economic loss due to unnecessary raw materials due to remaining phenyl magnesium bromide that does not participate in the reaction.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 단계(A)는 하기와 같은 과정을 통하여 진행될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, step (A) may be carried out through the following process.

상기 반응식에서 R은 수소 또는 알킬기이다. In the above reaction formula, R is hydrogen or an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 단계(A)는 10 시간 내지 72 시간 동안 진행될 수 있으며, 보다 바람직하게는 15 시간 내지 24 시간일 수 있다. 반응 시간이 상기 범위를 만족하는 경우, 추가적인 부가 반응이 진행되지 않는 범위 내에서 가장 높은 수율을 얻을 수 있다는 이점이 있다.In one embodiment of the present specification, step (A) may be performed for 10 hours to 72 hours, and more preferably for 15 hours to 24 hours. When the reaction time satisfies the above range, there is an advantage in that the highest yield can be obtained within the range in which no additional addition reaction occurs.

[단계(B)][Step (B)]

본 발명의 유기 화합물의 제조방법은 상기 단계(A)를 통하여 얻어진 생성물(a) 및 페놀을 반응시키는 단계(B)를 포함한다.The method for producing an organic compound of the present invention includes the step (B) of reacting the product (a) obtained through step (A) and phenol.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 단계(A)를 통하여 얻어진 생성물(a) 및 페놀을 용매 내에서 반응시키는 단계(B)를 포함한다.According to another embodiment, a step (B) of reacting the product (a) obtained through step (A) and phenol in a solvent is included.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 생성물(a)은 하기 화학식 12로 표시된다.According to another exemplary embodiment, the product (a) is represented by the following formula (12).

[화학식 12] [Formula 12]

상기 화학식 12에 있어서, X는 할로겐기이고, R은 수소 또는 알킬기이다.In Formula 12, X is a halogen group, and R is hydrogen or an alkyl group.

예컨대, 상기 화학식 12는 하기 화학식 12-1로 표시될 수 있다. For example, Chemical Formula 12 may be expressed as Chemical Formula 12-1 below.

[화학식 12-1][Formula 12-1]

상기 화학식 12-1에 있어서, 치환기의 정의는 화학식 12에서의 정의와 같다.In Formula 12-1, the definition of the substituent is the same as that in Formula 12.

상기 단계(B)에서 사용되는 용매는 디클로로메탄일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The solvent used in step (B) may be dichloromethane, but is not limited thereto.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 단계(B)에서는 메탄 설폰산, 황산, p-톨루엔설폰산(p-toluenesulfonic acid) 등의 추가 화합물을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.According to another embodiment, step (B) may further include additional compounds such as methane sulfonic acid, sulfuric acid, and p-toluenesulfonic acid, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 단계(B)에서 상기 화학식 12로 표시되는 화합물과 페놀의 몰비(화학식 12 : 페놀)는 약 1 : 3 내지 1 : 6, 1 : 4 내지 1 : 6 일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, in step (B), the molar ratio of the compound represented by Formula 12 and phenol (Formula 12: phenol) is about 1:3 to 1:6, 1:4 to 1:6. You can.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 단계(B)에서 상기 화학식 12로 표시되는 화합물과 상기 추가 화합물의 몰비(화학식 12 : 추가 화합물)는 약 1 : 0.5 내지 1 : 1.5 일 수 있다. In one embodiment of the present specification, the molar ratio of the compound represented by Formula 12 and the additional compound (Formula 12: additional compound) in step (B) may be about 1:0.5 to 1:1.5.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 단계(B)에서 상기 화학식 12로 표시되는 화합물, 페놀, 및 메탄 설폰산 등의 추가 화합물의 몰비(화학식 2 : 페놀 : 추가 화합물)는 약 1 : 5 : 1 일 수 있다.In one embodiment of the present specification, in step (B), the molar ratio of the compound represented by Formula 12, phenol, and additional compounds such as methane sulfonic acid (Formula 2: phenol: additional compound) is about 1:5: It can be 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 단계(B)는 하기와 같은 과정을 통하여 진행될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present specification, step (B) may be carried out through the following process.

상기 반응식에서 R은 수소 또는 알킬기이다. In the above reaction formula, R is hydrogen or an alkyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 단계(B)는 15 ℃ 내지 40 ℃에서 수행되고, 바람직하게는 17 ℃ 내지 25 ℃에서 수행될 수 있다. 상기 단계(B)가 상기 온도 범위를 벗어나는 경우, 추가적인 장비가 필요하거나, 용매의 끓는점을 초과하게 되어 환류상태를 유지하게 된다는 문제점이 있다.According to another embodiment, step (B) may be performed at 15°C to 40°C, and preferably at 17°C to 25°C. If step (B) is outside the above temperature range, there is a problem that additional equipment is required or the boiling point of the solvent is exceeded and the reflux state is maintained.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 단계(B)는 5 시간 내지 24 시간 동안 진행될 수 있으며, 보다 바람직하게는 15 시간 내지 18 시간일 수 있다. 상기 반응 시간 범위를 벗어나는 경우, 수율이 떨어지거나 추가적인 반응이 진행되지 않는다는 문제점이 있다.In one embodiment of the present specification, step (B) may be performed for 5 hours to 24 hours, and more preferably for 15 hours to 18 hours. If the reaction time is outside the above range, there is a problem in that the yield decreases or additional reaction does not proceed.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 단계(B)는 상기 생성물(a) 및 페놀을 반응시켜 '정제 전 생성물(b)'을 얻는 공정; 및 상기 '정제 전 생성물(b)'을 재결정 공정을 통하여 생성물(b)을 정제하는 공정을 포함하며, 상기 재결정 공정은 단계(B)의 마지막에 진행될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, step (B) is a process of reacting the product (a) and phenol to obtain 'product (b) before purification'; and a process of purifying the product (b) through a recrystallization process of the 'product (b) before purification', and the recrystallization process may be performed at the end of step (B).

상기 생성물(b)을 정제하는 공정은 재결정 용매를 투입하고 교반하여 이루어진다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 재결정 용매를 투입하기 전 단계에서 마그네슘 설페이트(MgSO4, magnesium sulfate) 등의 물질을 이용하여 건조시키고 용매를 제거하는 과정을 포함한다.The process of purifying the product (b) is performed by adding a recrystallization solvent and stirring. According to an exemplary embodiment of the present specification, the step before adding the recrystallization solvent includes drying using a material such as magnesium sulfate (MgSO 4 , magnesium sulfate) and removing the solvent.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 생성물(b)을 정제하는 공정에 사용되는 재결정 용매는 n-부탄, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the recrystallization solvent used in the process of purifying the product (b) is n-butane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n- It may be an aliphatic hydrocarbon-based solvent such as decane.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 생성물(b)을 정제하는 공정에 사용되는 재결정 용매는 헥산(hexane)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.According to another embodiment, the recrystallization solvent used in the process of purifying the product (b) may be hexane, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 생성물(b)을 정제하는 공정의 교반 시간은 10 시간 내지 72 시간 동안 진행될 수 있으며, 보다 바람직하게는 15 시간 내지 24 시간일 수 있다. 상기 교반 시간이 상기 범위를 만족하는 경우, 수율을 최대화시킬 수 있다는 이점이 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the stirring time for the process of purifying the product (b) may be performed for 10 hours to 72 hours, and more preferably 15 hours to 24 hours. When the stirring time satisfies the above range, there is an advantage in that yield can be maximized.

전술한 제조 방법에 의하여 제조된 화합물은 용액 공정을 이용하여 소자에 적용될 수 있다. 예컨대, 상기 화합물 및 용매를 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 유기 발광 소자의 유기물층을 형성할 수 있다.The compound prepared by the above-described manufacturing method can be applied to a device using a solution process. For example, an organic layer of an organic light emitting device can be formed using a coating composition containing the above compound and a solvent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 액상일 수 있다. 상기 "액상"은 상온 및 상압에서 액체 상태인 것을 의미한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may be in a liquid form. The “liquid phase” means that it is in a liquid state at room temperature and pressure.

상기 코팅 조성물에 포함되는 용매는 예컨대, 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론(Isophorone), 테트랄론(Tetralone), 데칼론(Decalone), 아세틸아세톤(Acetylacetone) 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매; 및 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 테트랄린 등의 용매가 예시되나, 본원 발명의 일 실시상태에 따른 플루오렌 유도체를 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매면 족하고, 이들을 한정하지 않는다.Solvents included in the coating composition include, for example, chlorine-based solvents such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, and o-dichlorobenzene; Ether-based solvents such as tetrahydrofuran and dioxane; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, trimethylbenzene, and mesitylene; Aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane; Ketone-based solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, isophorone, Tetralone, Decalone, and Acetylacetone; Ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate; Polyhydric acids such as ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, 1,2-hexanediol, etc. alcohol and its derivatives; Alcohol-based solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, and cyclohexanol; Sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide; and amide-based solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N,N-dimethylformamide; Solvents such as tetralin are exemplified, but any solvent capable of dissolving or dispersing the fluorene derivative according to an exemplary embodiment of the present invention is sufficient and is not limited thereto.

상기 코팅 조성물에 포함되는 용매는 1종 단독으로 사용하거나, 또는 2종 이상의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다.The solvent included in the coating composition may be used alone, or two or more solvents may be mixed.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물 및 고분자 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종의 화합물을 더 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the coating composition may further include one or two compounds selected from the group consisting of a compound having a thermosetting group or a photocurable group introduced into the molecule and a polymer compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 코팅 조성물이 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물을 더 포함하는 경우에는 코팅 조성물의 경화도를 더 높일 수 있다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may further include a compound into which a thermosetting group or a photocurable group is introduced into the molecule. When the coating composition further includes a compound into which a thermosetting group or a photocurable group is introduced into the molecule, the degree of curing of the coating composition can be further increased.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물의 분자량은 1,000 g/mol 내지 3,000 g/mol이다. In one embodiment of the present specification, the molecular weight of the compound in which a thermosetting group or a photocurable group is introduced into the molecule is 1,000 g/mol to 3,000 g/mol.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 고분자 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 코팅 조성물이 고분자 화합물을 더 포함하는 경우에는 코팅 조성물의 잉크 특성을 높일 수 있다. 즉, 상기 고분자 화합물을 더 포함하는 코팅 조성물은 코팅 또는 잉크젯 하기 적당한 점도를 제공할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may further include a polymer compound. When the coating composition further includes a polymer compound, the ink properties of the coating composition can be improved. That is, the coating composition further comprising the polymer compound can provide a viscosity suitable for coating or inkjet.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 열중합 개시제 및 광중합 개시제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2 종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the coating composition may further include one or two or more additives selected from the group consisting of a thermal polymerization initiator and a photopolymerization initiator.

상기 열중합 개시제로서는, 메틸 에틸 케톤퍼옥사이드, 메틸 이소부틸 케톤 퍼옥사이드, 아세틸아세톤퍼옥사이드, 메틸사이클로헥사논 퍼옥사이드, 시클로헥사논 퍼옥사이드, 이소부티릴 퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일 퍼옥사이드, 비스-3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, p-크롤 벤조일 퍼옥사이드, 디큐밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-(t-부틸 옥시)-헥산, 1,3-비스(t-부틸 퍼옥시-이소프로필) 벤젠, t-부틸 쿠밀(cumyl) 퍼옥사이드, 디-t부틸 퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-( 디t-부틸 퍼옥시) 헥산-3, 트리스-(t-부틸 퍼 옥시) 트리아진, 1,1-디t-부틸 퍼옥시-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-디t-부틸 퍼옥시 사이클로헥산, 2,2-디( t-부틸 퍼옥시) 부탄, 4,4-디-t-브치르파오키시바레릭크앗시드 n-부틸 에스테르, 2,2-비스(4,4-t-부틸 퍼옥시 사이클로헥실)프로판, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 디t-부틸 퍼옥시 헥사하이드로 테레프탈레이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디t-부틸 퍼옥시트리메틸 아디페이트 등의 과산화물, 혹은 아조비스 이소부틸니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, 아조비스 시클로헥실 니트릴 등의 아조계가 있으나, 이를 한정하지 않는다.Examples of the thermal polymerization initiator include methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, acetylacetone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, cyclohexanone peroxide, isobutyryl peroxide, and 2,4-dichlorobenzoyl peroxide. oxide, bis-3,5,5-trimethyl hexanoyl peroxide, lauryl peroxide, benzoyl peroxide, p-chlorol benzoyl peroxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-(t- Butyloxy)-hexane, 1,3-bis(t-butyl peroxy-isopropyl)benzene, t-butyl cumyl peroxide, di-tbutyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5- (di-t-butyl peroxy)hexane-3, tris-(t-butyl peroxy)triazine, 1,1-dit-butyl peroxy-3,3,5-trimethyl cyclohexane, 1,1-di t-butyl peroxy cyclohexane, 2,2-di(t-butyl peroxy) butane, 4,4-di-t-butyric acid cyclohexane, 2,2-bis(4) ,4-t-butyl peroxy cyclohexyl)propane, t-butyl peroxyisobutyrate, dit-butyl peroxy hexahydro terephthalate, t-butyl peroxy-3,5,5-trimethylhexaate, t -Peroxides such as butyl peroxybenzoate and dit-butyl peroxytrimethyl adipate, or azo systems such as azobis isobutylnitrile, azobisdimethyl valeronitrile, and azobis cyclohexyl nitrile, but are not limited to these. .

상기 광중합 개시제로서는, 디에톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온,1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤,4-(2-히드록시 에톡시) 페닐-(2-하이드록시-2-프로필) 케톤,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐) 부타논-1,2-하이드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온,2-메틸-2-모르폴리노(4-메틸 티오 페닐) 프로판-1-온,1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐) 옥심, 등의 아세토페논계 또는 케탈계 광중합 개시제, 벤조인, 벤조인메치르에이텔, 벤조인에치르에이텔, 벤조인이소브치르에이텔, 벤조인이소프로피르에이텔, 등의 벤조인에테르계 광중합 개시제, 벤조페논, 4-하이드록시벤조페논, 2-벤조일 나프탈렌,4-벤조일 비페닐,4-벤조일 페닐 에테르, 아크릴화 벤조페논, 1,4-벤조일 벤젠, 등의 벤조페논계 광중합 개시제,2-이소프로필티옥산톤,2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 등의 티옥산톤계 광중합 개시제, 기타 광중합 개시제로서는, 에틸 안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일 페닐 에톡시 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤 조일) 페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4-디메톡시 벤조일)-2,4,4-트리메틸 펜틸포스핀 옥사이드, 메치르페니르그리오키시에스텔, 9,10-페난트렌, 아크리딘계 화합물, 트리아진계 화합물, 이미다졸계 화합물을 들 수 있다. 또, 광중합 촉진 효과를 가지는 것을 단독 또는 상기 광 중합 개시제와 병용해 이용할 수도 있다. 예를 들면, 트리에탄올아민, 메틸 디에탄올 아민, 4-디메틸아미노 안식향산 에틸, 4-디메틸아미노 안식향산 이소아밀, 안식향산(2-디메틸아미노) 에틸, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.Examples of the photopolymerization initiator include diethoxy acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 4-(2-hydroxy ethoxy ) Phenyl-(2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl) butanone-1,2-hydroxy-2-methyl-1- Phenyl propan-1-one, 2-methyl-2-morpholino (4-methyl thio phenyl) propan-1-one, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl) Acetophenone-based or ketal-based photopolymerization initiators such as oxime, benzoin such as benzoin, benzoin methyl atel, benzoin ethyl atel, benzoin isobzyle atel, benzoin isopropyl atel, etc. Ether-based photopolymerization initiators, benzophenone, 4-hydroxybenzophenone, 2-benzoyl naphthalene, 4-benzoyl biphenyl, 4-benzoyl phenyl ether, acrylated benzophenone, 1,4-benzoyl benzene, etc. Thioxanthone-based photopolymerization of 2-isopropylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, etc. Initiators and other photopolymerization initiators include ethyl anthraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyl diphenyl phosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl phenyl ethoxy phosphine oxide, and bis(2,4,6-trimethylbene). Zoyl) phenyl phosphine oxide, bis(2,4-dimethoxy benzoyl)-2,4,4-trimethyl pentylphosphine oxide, methylphenyl glycoxyester, 9,10-phenanthrene, acridine-based compound , triazine-based compounds, and imidazole-based compounds. Additionally, those having a photopolymerization acceleration effect can be used alone or in combination with the photopolymerization initiator. For example, triethanolamine, methyl diethanol amine, 4-dimethylamino ethyl benzoate, 4-dimethylamino isoamyl benzoate, ethyl benzoate (2-dimethylamino), 4,4'-dimethylaminobenzophenone, etc. This is not limited.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함하지 않는다. In one embodiment of the present specification, the coating composition does not further include a p-doping material.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition further includes a p-doping material.

본 명세서에서 상기 p 도핑 물질이란, 호스트 물질을 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질을 의미한다. p 반도체 특성이란 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위로 정공을 주입받거나 수송하는 특성 즉, 정공의 전도도가 큰 물질의 특성을 의미한다.In this specification, the p-doping material refers to a material that causes the host material to have p-semiconductor characteristics. The p semiconductor characteristic refers to the characteristic of injecting or transporting holes at the HOMO (highest occupied molecular orbital) energy level, that is, the characteristic of a material with high hole conductivity.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질은 하기 화학식 7-1 내지 7-3과 같이 F4TCNQ 이거나 Farylborate 계 화합물일 수 있으나, 이를 한정하지 않는다. In an exemplary embodiment of the present specification, the p-doping material may be F4TCNQ or a farylborate-based compound as shown in the following formulas 7-1 to 7-3, but is not limited thereto.

[화학식 7-1][Formula 7-1]

[화학식 7-2][Formula 7-2]

[화학식 7-3][Formula 7-3]

본 명세서에서 상기 p 도핑 물질은 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질이면 족하고, 1종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있으며, 이의 종류를 한정하지 않는다.In this specification, the p-doping material is sufficient as long as it has p-semiconductor properties, and one type or two or more types can be used, and the type is not limited.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 화학식 6의 플루오렌계 화합물 100 중량%를 기준으로 0 중량% 내지 50 중량%이다.In one embodiment of the present specification, the content of the p-doping material is 0% by weight to 50% by weight based on 100% by weight of the fluorene-based compound of Formula 6.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 0 내지 30 중량%를 포함한다.In one embodiment of the present specification, the content of the p-doping material includes 0 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 1 내지 30 중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 코팅 조성물의 전체 고형분 함량을 기준으로 10 내지 30 중량%를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.In one embodiment of the present specification, the content of the p-doping material is preferably 1 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition, and in another embodiment, the p-doping material It is more preferable that the content includes 10 to 30% by weight based on the total solid content of the coating composition.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자를 더 포함할 수 있다. 상기와 같이 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자의 분자량은 2,000 g/mol이하의 화합물일 수 있다.In another embodiment, the coating composition is a single molecule containing a thermosetting group or a photocuring group; Alternatively, it may further include a single molecule containing a terminal group capable of forming a polymer by heat. A single molecule containing a thermosetting group or a photocuring group as described above; Alternatively, the compound may have a single molecule containing a terminal group capable of forming a polymer by heat and have a molecular weight of 2,000 g/mol or less.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 분자량은 2,000 g/mol이하이고, 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자를 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the coating composition has a molecular weight of 2,000 g/mol or less and is a single molecule containing a thermosetting group or a photocuring group; Or, it further includes a single molecule containing a terminal group capable of forming a polymer by heat.

상기 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 단분자; 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기를 포함하는 단분자는 페닐, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌의 아릴; 아릴아민; 또는 플루오렌에 열경화성기 또는 광경화성기 또는 열에 의한 폴리머 형성이 가능한 말단기가 치환된 단분자를 의미할 수 있다.A single molecule containing the thermosetting or photocuring group; Alternatively, single molecules containing terminal groups capable of forming polymers by heat include aryl of phenyl, biphenyl, fluorene, and naphthalene; Arylamine; Alternatively, it may refer to a single molecule in which fluorene is substituted with a thermosetting group, a photocurable group, or a terminal group capable of forming a polymer by heat.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 점도는 2 cP 내지 15 cP이다.In another embodiment, the viscosity of the coating composition is 2 cP to 15 cP.

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자를 제공한다.This specification also provides an organic light-emitting device formed using the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 이용하여 형성된다. 상기 코팅 조성물의 경화물이란, 상기 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리에 의하여 경화된 상태를 의미한다.In one embodiment of the present specification, a first electrode; second electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein one or more layers of the organic material layers are formed using the coating composition or a cured product thereof. The cured product of the coating composition refers to a state in which the coating composition has been cured by heat treatment or light treatment.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공수송층, 정공주입층 또는 정공수송과 정공주입을 동시에 하는 층이다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer containing the coating composition or a cured product thereof is a hole transport layer, a hole injection layer, or a layer that performs hole transport and hole injection simultaneously.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 발광층이다.In another embodiment, the organic layer containing the coating composition or a cured product thereof is a light-emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a hole injection layer or a hole transport layer. It further includes one or two layers selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, and a hole blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 제2 전극은 캐소드이다.In one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 제2 전극은 애노드이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another embodiment, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In another embodiment, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공주입 및 정공수송을 동시에 하는 층, 발광층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층, 전자주입층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention includes an organic material layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that simultaneously performs hole injection and hole transport, a light emitting layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron injection and electron transport layer. It may have a structure that includes layers that simultaneously do the following. However, the structure of the organic light emitting device is not limited to this and may include fewer organic layers.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 5로 표시되는 화합물을 중간체로 하여 제조된 용액 공정용 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성되는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present specification is known in the art, except that at least one layer of the organic material layer is formed using a coating composition containing a compound for solution processing prepared using the compound represented by Formula 5 as an intermediate. It can be manufactured using materials and methods.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(Physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층을 포함하는 유기물층을 증착 또는 용액 공정을 통하여 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.For example, the organic light emitting device of the present specification can be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, an anode is formed by depositing a metal, a conductive metal oxide, or an alloy thereof on the substrate using a PVD (Physical Vapor Deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation. It can be manufactured by forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and a layer that simultaneously performs electron injection and electron transport through a deposition or solution process, and then depositing a material that can be used as a cathode on it. You can. In addition to this method, an organic light-emitting device can be made by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.This specification also provides a method of manufacturing an organic light-emitting device formed using the coating composition.

구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된다.Specifically, in one embodiment of the present specification, preparing a substrate; forming a first electrode on the substrate; Forming one or more organic layers on the first electrode; and forming a second electrode on the organic layer, wherein at least one layer of the organic layer is formed using the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 용액 공정을 이용하여 형성된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer formed using the coating composition is formed using a solution process.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 스핀 코팅을 이용하여 형성된다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer formed using the coating composition is formed using spin coating.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 인쇄법에 의하여 형성된다.In another embodiment, the organic layer formed using the coating composition is formed by a printing method.

본 명세서의 상태에 있어서, 상기 인쇄법은 예컨대, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 오프셋 프린팅, 전사 프린팅 또는 스크린 프린팅 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.In the context of the present specification, the printing method includes, for example, inkjet printing, nozzle printing, offset printing, transfer printing, or screen printing, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 코팅 조성물은 구조적인 특성으로 용액 공정이 적합하여 인쇄법에 의하여 형성될 수 있으므로 소자의 제조 시에 시간 및 비용적으로 경제적인 효과가 있다.The coating composition according to an exemplary embodiment of the present specification is suitable for a solution process due to its structural characteristics and can be formed by a printing method, so it is economical in terms of time and cost when manufacturing a device.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 형성하는 단계는 상기 캐소드 또는 애노드 상에 상기 코팅 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리 하는 단계를 포함한다.In one embodiment of the present specification, forming an organic material layer formed using the coating composition includes coating the coating composition on the cathode or anode; and heat-treating or light-treating the coated coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 열처리하는 단계에서의 열처리 온도는 85 ℃ 내지 250 ℃ 이다.In one embodiment of the present specification, the heat treatment temperature in the heat treatment step is 85 ℃ to 250 ℃.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 열처리하는 단계에서의 열처리 시간은 1분 내지 1 시간일 수 있다.In another embodiment, the heat treatment time in the heat treatment step may be 1 minute to 1 hour.

상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode material is generally preferably a material with a large work function to facilitate hole injection into the organic layer. Specific examples of anode materials that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO:Al or SnO 2 : Combination of metal and oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline are included, but are not limited to these.

상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 바륨, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode material is generally preferably a material with a small work function to facilitate electron injection into the organic layer. Specific examples of cathode materials include metals such as barium, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; There are, but are not limited to, multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al.

상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.The hole injection layer is a layer that injects holes from the electrode. The hole injection material has the ability to transport holes and has an excellent hole injection effect at the anode, a light-emitting layer or a light-emitting material, and the hole injection material generated in the light-emitting layer A compound that prevents movement of excitons to the electron injection layer or electron injection material and has excellent thin film forming ability is preferred. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic substances, hexanitrilehexaazatriphenylene-based organic substances, quinacridone-based organic substances, and perylene-based organic substances. These include organic materials, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited to these.

상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 애노드나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light-emitting layer. The hole transport material is a material that can receive holes from the anode or hole injection layer and transfer them to the light-emitting layer, and has high mobility for holes. The material is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers with both conjugated and non-conjugated portions, but are not limited to these.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light-emitting material is a material that can emit light in the visible light range by receiving holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and combining them, and is preferably a material with good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV) series polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, etc., but are not limited to these.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The light emitting layer may include a host material and a dopant material. Host materials include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic ring-containing compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladder-type compounds. These include, but are not limited to, furan compounds and pyrimidine derivatives.

도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Dopant materials include aromatic amine derivatives, strylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. Specifically, aromatic amine derivatives include condensed aromatic ring derivatives having a substituted or unsubstituted arylamino group, such as pyrene, anthracene, chrysene, and periplanthene, and styrylamine compounds include substituted or unsubstituted arylamino groups. It is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted on the arylamine, and is substituted or unsubstituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of aryl group, silyl group, alkyl group, cycloalkyl group, and arylamino group. Specifically, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, etc. are included, but are not limited thereto. Additionally, metal complexes include, but are not limited to, iridium complexes and platinum complexes.

상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light-emitting layer. The electron transport material is a material that can easily inject electrons from the cathode and transfer them to the light-emitting layer. A material with high electron mobility is suitable. do. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complex containing Alq 3 ; organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, etc., but are not limited to these. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials with a low work function followed by an aluminum or silver layer. Specifically, cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, in each case followed by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer is a layer that injects electrons from the electrode, has the ability to transport electrons, has an excellent electron injection effect from the cathode, a light-emitting layer or a light-emitting material, and hole injection of excitons generated in the light-emitting layer. A compound that prevents movement to the layer and has excellent thin film forming ability is preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc. and their derivatives, metals. These include, but are not limited to, complex compounds and nitrogen-containing five-membered ring derivatives.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compounds include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, Tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, Tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( o-cresolato) gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato) aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato) gallium, etc. It is not limited to this.

상기 정공저지층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer is a layer that blocks holes from reaching the cathode, and can generally be formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, it includes oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a front emitting type, a back emitting type, or a double-sided emitting type depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to explain the present specification in detail, examples will be given in detail. However, the embodiments according to the present specification may be modified into various other forms, and the scope of the present specification is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of this specification are provided to more completely explain the present specification to those with average knowledge in the art.

<실험예><Experimental example>

실시예 1Example 1

1) One)

[화합물 A] [Compound A]

2)2)

[화합물 A] [화합물 B] [Compound A] [Compound B]

3)3)

[화합물 B] [화합물 1] [Compound B] [Compound 1]

1) 초자에 4-(2-브로모-9-(4-(tert-부틸)페닐)-9H-플루오렌-9-일)페놀 120 g (255.6 mmol, 2.05 eq), N,N'-디페닐벤지딘 41.9 g(124.7 mmol, 1.0 eq), 소디움 tert-부톡사이드 59.9 g(623.5 mmol, 5.0 eq), Pd(t-Bu3P)2 3.2 g(6.23 mmol, 0.05 eq)을 톨루엔 1 L에 녹인 후 질소 분위기하에서 85℃로 승온하여 1시간 반응시켰다. 이후 상온으로 온도를 내리고 H2O 1 L를 넣어 반응을 종결시키고, 유기층을 상분리하고 MgSO4를 사용하여 잔류 수분을 건조시키고, 유기용매를 진공회전농축기로 제거하였다. 농축한 크루드(crude) 화합물 A에 DMSO 720 ml을 투입하여 용해시킨 후 물과 에탄올을 1:3.5의 부피비로 혼합하여 2160 ml을 투입하여 상아색 고체 화합물 A 210.6 g(수율 74%)을 얻었다. 1) 120 g (255.6 mmol, 2.05 eq) of 4-(2-bromo-9-(4-(tert-butyl)phenyl)-9H-fluoren-9-yl)phenol, N,N'- 41.9 g (124.7 mmol, 1.0 eq) of diphenylbenzidine, 59.9 g (623.5 mmol, 5.0 eq) of sodium tert-butoxide, and 3.2 g (6.23 mmol, 0.05 eq) of Pd(t-Bu 3 P) 2 were dissolved in 1 L of toluene. After dissolving in , the temperature was raised to 85°C under a nitrogen atmosphere and reacted for 1 hour. Afterwards, the temperature was lowered to room temperature and 1 L of H 2 O was added to terminate the reaction. The organic layer was phase-separated, the residual moisture was dried using MgSO 4 , and the organic solvent was removed using a vacuum rotary concentrator. 720 ml of DMSO was added to the concentrated crude Compound A to dissolve it, and then 2160 ml of water and ethanol were mixed at a volume ratio of 1:3.5 to obtain 210.6 g of ivory solid Compound A (yield 74%).

2) 화합물 A 210.6 g, K2CO3(104.6 g, 756.7 mmol), 4-플루오로벤즈알데하이드(81.2 ml, 756.7 mmol)에 2 L의 DMSO를 투입한 후 오일 온도를 80℃로 설정하고 5시간 동안 유지하였다. 이후 H2O 5 L를 넣어 반응을 종결시킨 다음 상온으로 식히고, 생성된 고체를 여과하고 물로 세척하고 80℃ 진공오븐에서 건조하였다. 2) After adding 2 L of DMSO to 210.6 g of Compound A, K 2 CO 3 (104.6 g, 756.7 mmol), and 4-fluorobenzaldehyde (81.2 ml, 756.7 mmol), the oil temperature was set to 80°C and 5 It was maintained for some time. Afterwards, the reaction was terminated by adding 5 L of H 2 O, and then cooled to room temperature. The resulting solid was filtered, washed with water, and dried in a vacuum oven at 80°C.

건조가 끝난 고체는 DMSO 210 ml에 용해시킨 후 840 ml의 2-프로판올을 투입하여 화합물 B를 197.5 g(수율 79%)을 얻었다. The dried solid was dissolved in 210 ml of DMSO and then 840 ml of 2-propanol was added to obtain 197.5 g of Compound B (yield 79%).

3) 초자에 메틸트리페닐포스포늄 브로마이드 106.8 g(298.89 mmol, 2.0 eq), 포타슘 tert-부톡사이드 33.5 g(298.89 mmol, 2.0 eq), 무수 THF 600 ml를 넣고 0 ℃, 불활성한 분위기를 만들었다. 화합물 B 197.5 g(149.4 mmol, 1.0 eq)을 400 ml의 무수 THF에 녹인 후 적가하여 초자에 투입하였다. 1시간 교반한 후 H2O 600 ml을 넣어 반응을 종료한 후 종결시키고 유기층을 층분리하고 MgSO4를 사용하여 잔류 수분을 건조시키고 유기용매를 진공 회전농축기로 제거하였다. 농축한 크루드물 화합물 1에 EA(에틸 아세테이트) 200 ml을 투입하여 용해시킨 후 IPA 800 ml을 투입하여 고체 상태의 화합물 1 167 g(수율 85%)을 얻었다. 3) 106.8 g (298.89 mmol, 2.0 eq) of methyltriphenylphosphonium bromide, 33.5 g (298.89 mmol, 2.0 eq) of potassium tert-butoxide, and 600 ml of anhydrous THF were added to a glassware and an inert atmosphere was created at 0°C. Compound B 197.5 g (149.4 mmol, 1.0 eq) was dissolved in 400 ml of anhydrous THF and then added dropwise to the vitrine. After stirring for 1 hour, 600 ml of H 2 O was added to terminate the reaction, the organic layer was separated, the residual moisture was dried using MgSO 4 , and the organic solvent was removed using a vacuum rotary concentrator. 200 ml of EA (ethyl acetate) was added and dissolved in the concentrated crude compound 1, and then 800 ml of IPA was added to obtain 167 g of solid compound 1 (yield 85%).

제조된 최종물의 Mass 측정 그래프를 도 1에 나타내었다. 도 1의 세로축은 강도(intensity)를 의미하고, 가로축은 m/z 값을 의미한다. LC mass 분석에는 LTQ mass spectrometer (Thermo, USA) 기기를 이용하였으며, Capcellpak C18(4.6mm id x 50 mmL, 3㎛) 컬럼으로, 용매 A는 부피비로 아세토니트릴(Acetonitrile)과 테트라하이드로퓨란(THF)을 50%, 50%의 조성을 가지며, 용매 B는 부피비로 H2O와 아세토니트릴(Acetonitrile)100%, 1% 조성을 가지는 것을 사용하여, 278nm에서 분자량 1316 g/mol을 가지는 화합물 1을 검출하였다.A mass measurement graph of the manufactured final product is shown in Figure 1. The vertical axis in Figure 1 represents intensity, and the horizontal axis represents m/z values. LC mass analysis was performed using an LTQ mass spectrometer (Thermo, USA) using a Capcellpak C18 (4.6mm id x 50 mmL, 3㎛) column, and solvent A was acetonitrile and tetrahydrofuran (THF) in volume ratio Compound 1 with a molecular weight of 1316 g/mol was detected at 278 nm using a composition of 50% and 50%, and solvent B containing 100% and 1% of H 2 O and acetonitrile by volume.

비교예 1Comparative Example 1

[화합물 T-1] [화합물 T-2] [Compound T-1] [Compound T-2]

[화합물 T-3] [Compound T-3]

초자에 4-(2-브로모-9-(4-(tert-부틸)페닐)-9H-플루오렌-9-일)페놀 120 g(255.6 mmol, 1.0 eq)과 4-니트로벤즈알데하이드 42.5 g(281.2 mmol, 1.1 eq), 세슘 카보네이트 91.6 g(281.2 mmol, 1.1 eq), 구리 아세테이트(II) 2.4 g(12.78 mml, 0.05 eq)을 DMF 850 ml에 녹인 뒤 오일 온도를 100℃로 설정하고 12시간 이상 밤새 교반하였다. 포화 NH4Cl(aq)를 투입하여 반응을 종결시키고 유기층을 층분리하고 MgSO4를 사용하여 잔류 수분을 건조시키고 유기용매를 진공 회전농축기로 제거하였다. 농축한 크루드 화합물 T-1에 700 ml 에탄올을 넣고 밤새 교반하여 상아색 고체 상태의 화합물 T-1 115.8 g(수율 79%)을 얻었다. First, 120 g (255.6 mmol, 1.0 eq) of 4-(2-bromo-9-(4-(tert-butyl)phenyl)-9H-fluoren-9-yl)phenol and 42.5 g of 4-nitrobenzaldehyde. (281.2 mmol, 1.1 eq), 91.6 g (281.2 mmol, 1.1 eq) of cesium carbonate, and 2.4 g (12.78 mml, 0.05 eq) of copper acetate (II) were dissolved in 850 ml of DMF, then the oil temperature was set to 100°C and 12 It was stirred for over an hour and overnight. The reaction was terminated by adding saturated NH 4 Cl(aq), the organic layer was separated, the residual moisture was dried using MgSO 4 , and the organic solvent was removed using a vacuum rotary concentrator. 700 ml of ethanol was added to the concentrated crude Compound T-1 and stirred overnight to obtain 115.8 g (79% yield) of Compound T-1 as an ivory solid.

초자에 메틸트리페닐포스포늄 브로마이드 144.3 g(403.82 mmol, 2.0 eq), 포타슘 tert-부톡사이드 45.3 g(403.82 mmol, 2.0 eq), 무수 THF 600 ml을 넣고, 0 ℃, 불활성한 분위기를 만들었다. 화합물 T-1 115.8 g(201.91 mmol, 1.0 eq)을 400 ml의 무수 THF에 녹인 후 적가하여 초자에 투입하였다. 한 시간 교반한 후 H2O 600 ml을 넣어 반응을 종료한 후 컬럼 정제 및 진공회전농축기를 이용하여 고체상태의 크루드 화합물 T-2를 얻었다. 농축한 크루드 화합물 T-2에 1 L의 에탄올을 넣고 밤새 교반하여 고체 상태의 화합물 T-2 99.3 g(수율 86%)을 얻었다. 144.3 g (403.82 mmol, 2.0 eq) of methyltriphenylphosphonium bromide, 45.3 g (403.82 mmol, 2.0 eq) of potassium tert-butoxide, and 600 ml of anhydrous THF were added to a glassware, and an inert atmosphere was created at 0°C. 115.8 g (201.91 mmol, 1.0 eq) of Compound T-1 was dissolved in 400 ml of anhydrous THF and then added dropwise to a glass jar. After stirring for one hour, 600 ml of H 2 O was added to terminate the reaction, and then crude compound T-2 in solid state was obtained by column purification and vacuum rotary concentrator. 1 L of ethanol was added to the concentrated crude compound T-2 and stirred overnight to obtain 99.3 g of solid compound T-2 (yield 86%).

화합물 T-2 99.3 g(174 mmol, 2.05 eq), N,N'-디페닐벤지딘 28.5 g(84.75 mmol, 1.0 eq), 소디움 tert-부톡사이드 32.6 g(33.90 mmol, 4.0 eq), Pd(t-Bu3P)2 2.6 g(5.08 mmol, 0.06 eq)을 톨루엔 800 ml에 녹인 후 질소 분위기하에서 85 ℃로 승온하여 1시간 반응시켰다. 이후 상온으로 온도를 내리고 H2O 600 ml을 넣어 반응을 종료하였다. 컬럼 정제 및 진공회전농축기를 이용하여 고체 상태의 크루드 화합물 T-3를 얻었다. 농축한 크루드 화합물 T-3에 3 L 에탄올을 넣고 밤새 교반하여 고체 상태의 화합물 T-3 150 g(수율 66%)을 얻었다. Compound T-2 99.3 g (174 mmol, 2.05 eq), N,N'-diphenylbenzidine 28.5 g (84.75 mmol, 1.0 eq), sodium tert-butoxide 32.6 g (33.90 mmol, 4.0 eq), Pd(t 2.6 g (5.08 mmol, 0.06 eq) of -Bu3P)2 was dissolved in 800 ml of toluene, then heated to 85°C under a nitrogen atmosphere and reacted for 1 hour. Afterwards, the temperature was lowered to room temperature and 600 ml of H 2 O was added to complete the reaction. Crude compound T-3 in solid state was obtained using column purification and vacuum rotary concentrator. 3 L ethanol was added to the concentrated crude compound T-3 and stirred overnight to obtain 150 g of solid compound T-3 (yield 66%).

실시예 1 및 비교예 1의 제조과정의 각 단계의 수율을 하기 표 1에 기재하였다.The yields of each step in the manufacturing process of Example 1 and Comparative Example 1 are listed in Table 1 below.

실시예 1Example 1 비교예 1Comparative Example 1 제1 단계의 수율Yield of first step 74%74% 79%79% 제3 단계의 수율Yield of third step 79%79% 86%86% 제4 단계의 수율Yield of Step 4 85%85% 66%66% 최종 수율final yield 50% (167 g)50% (167 g) 45% (150 g)45% (150 g)

비교예 1에 비하여, 실시예 1에서는 특별 관리가 필요한 용매를 사용할 필요가 없을 뿐만 아니라, 재결정에 의하여 중간체 및 최종물을 정제할 수 있으므로, 용매의 사용량이 크게 감소되고, 공정 시간도 크게 단축되었다. 또한, 비교예 1에 비하여, 실시예 1에서는 최종 수율이 크게 증가하였다. Compared to Comparative Example 1, in Example 1, not only is there no need to use a solvent requiring special management, but the intermediate and final products can be purified by recrystallization, so the amount of solvent used is greatly reduced and the process time is greatly shortened. . Additionally, compared to Comparative Example 1, the final yield was greatly increased in Example 1.

Claims (11)

하기 화학식 1의 화합물과 하기 화학식 2의 화합물을 반응시켜 제1 생성물을 얻는 제1 단계; 및
상기 제1 생성물의 OH기의 H 대신에 열경화성기 또는 광경화성기를 도입하는 제2 단계를 포함하는 하기 화학식 5 및 하기 화학식 6 중 어느 하나로 표현되는 유기 화합물의 제조방법:
[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 5]

[화학식 6]

상기 화학식 1 및 2에 있어서,
Ar1 내지 Ar3 및 Ar1'은 서로 같거나 상이하고, 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
X1은 할로겐기이고,
상기 열경화성기 또는 광경화성기는 아래 구조 중 하나이며,

는 제1생성물의 OH기의 H 대신에 연결되는 부위이고,
상기 '치환 또는 비치환된'이라는 용어는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 알킬기; 알콕시기; 알케닐기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다.
A first step of reacting a compound of Formula 1 below with a compound of Formula 2 below to obtain a first product; and
A method for producing an organic compound represented by any one of the following formula 5 and the following formula 6, comprising a second step of introducing a thermosetting group or a photocurable group in place of H of the OH group of the first product:
[Formula 1]

[Formula 2]

[Formula 5]

[Formula 6]

In Formulas 1 and 2,
Ar1 to Ar3 and Ar1' are the same or different from each other and are substituted or unsubstituted aryl groups,
L is a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
X1 is a halogen group,
The thermosetting group or photocuring group has one of the structures below,

is a portion connected instead of H of the OH group of the first product,
The term 'substituted or unsubstituted' refers to hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; Nitrile group; nitro group; hydroxyl group; Alkyl group; Alkoxy group; alkenyl group; Aryl group; and substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group, or substituted or unsubstituted with two or more substituents among the above-exemplified substituents linked.
청구항 1에 있어서, 상기 제2 단계는
상기 제1 생성물과 케톤기를 포함하는 열경화성기 또는 광경화성기를 갖는 화합물을 반응시켜, 제2 생성물을 얻는 제3 단계; 및
상기 제2 생성물의 케톤기가 알켄기로 전환된 열경화성기 또는 광경화성기를 갖는 제3 생성물을 얻는 제4 단계를 포함하는 것인 유기 화합물의 제조방법.
The method of claim 1, wherein the second step is
A third step of obtaining a second product by reacting the first product with a compound having a thermosetting group or a photocurable group containing a ketone group; and
The ketone group of the second product is converted to an alkene group. A method for producing an organic compound comprising a fourth step of obtaining a third product having a thermosetting group or a photocuring group.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 단계는 상기 제1 생성물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함하는 것인 유기 화합물의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first step further includes purifying the first product by recrystallization. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 단계는 상기 유기 화합물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함하는 것인 유기 화합물의 제조방법.The method of claim 1, wherein the second step further includes purifying the organic compound by recrystallization. 청구항 2에 있어서, 상기 제3 단계는 상기 제2 생성물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함하는 것인 유기 화합물의 제조방법.The method of claim 2, wherein the third step further includes purifying the second product by recrystallization. 청구항 2에 있어서, 상기 제4 단계는 상기 제3 생성물을 재결정에 의하여 정제하는 단계를 더 포함하는 것인 유기 화합물의 제조방법.The method of claim 2, wherein the fourth step further includes purifying the third product by recrystallization. 청구항 2에 있어서, 상기 제3 단계의 케톤기를 포함하는 열경화성기 또는 광경화성기를 갖는 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 것인 유기 화합물의 제조방법:
[화학식 4]

X2는 할로겐기 또는 니트로기이다.
The method for producing an organic compound according to claim 2, wherein the compound having a thermosetting group or a photocurable group containing a ketone group in the third step is represented by the following formula (4):
[Formula 4]

X2 is a halogen group or nitro group.
청구항 2에 있어서, 상기 제3 생성물은 하기 화학식 6으로 표시되는 것인 유기 화합물의 제조방법:
[화학식 6]

상기 화학식 6에 있어서, Ar1, Ar2, Ar3, L의 정의는 화학식 1 및 2에서의 정의와 같고, Ar1'는 Ar1 내지 Ar3와 동일하거나 상이하고, 알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
The method for producing an organic compound according to claim 2, wherein the third product is represented by the following formula (6):
[Formula 6]

In Formula 6, the definitions of Ar1, Ar2, Ar3, and L are the same as those in Formulas 1 and 2, and Ar1' is the same as or different from Ar1 to Ar3 and is an aryl group substituted or unsubstituted by an alkyl group.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 단계 이전에 상기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 더 포함하는 유기 화합물의 제조방법.The method of claim 1, further comprising preparing the compound of Formula 1 before the first step. 청구항 9에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계는
하기 화학식 11로 표시되는 화합물 및 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐 마그네슘 브로마이드를 반응시키는 단계(A); 및
상기 단계(A)를 통하여 얻어진 생성물(a) 및 페놀을 반응시키는 단계(B)를 포함하는 것인 유기 화합물의 제조방법:
[화학식 11]

상기 화학식 11에 있어서, X는 할로겐기이다.
The method of claim 9, wherein the step of preparing the compound of Formula 1 includes
Step (A) of reacting a compound represented by the following formula (11) and phenyl magnesium bromide substituted or unsubstituted with an alkyl group; and
A method for producing an organic compound comprising the step (B) of reacting the product (a) obtained through step (A) and phenol:
[Formula 11]

In Formula 11, X is a halogen group.
청구항 10에 있어서, 상기 단계(B)는 재결정 공정을 통하여 생성물(b)을 정제하는 공정을 더 포함하는 것인 유기 화합물의 제조방법. The method of claim 10, wherein step (B) further includes purifying product (b) through a recrystallization process.
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