KR20200029974A

KR20200029974A - Optical member and display apparatus including the same

Info

Publication number: KR20200029974A
Application number: KR1020190027343A
Authority: KR
Inventors: 임태우; 김동우; 김민수; 맹천재; 이성연; 이홍범
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2018-09-10
Filing date: 2019-03-11
Publication date: 2020-03-19
Also published as: JP7360857B2; TW202028828A; JP2020091469A

Abstract

The present invention relates to an optical member with increased reliability. The optical member comprises: a base substrate; a quantum dot layer disposed on the base substrate, including a first upper surface having irregularities, and including a medium layer and a plurality of quantum dots dispersed in the medium layer; a lower barrier layer disposed between the base substrate and the quantum dot layer; and an upper barrier layer covering the irregularities of the upper surface of the quantum dot layer. The upper barrier layer has a second upper surface having irregularities corresponding to the irregularities.

Description

OPTICAL MEMBER AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME

본 발명은 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 상세하게는 신뢰성이 향상된 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an optical member and a display device including the same, and more particularly, to an optical member having improved reliability and a display device including the same.

표시 장치는 자발광 표시 장치, 반사형 표시 장치, 및 투과형 표시 장치를 포함한다. 반사형 표시 장치는 광의 투과율을 변경시키는 표시 패널 및 표시 패널에 광을 공급하기 위한 백라이트 유닛을 포함한다. 표시 패널은 백라이트 유닛으로부터 공급된 광의 투과율을 조절하여 영상을 표시한다.The display device includes a self-luminous display device, a reflective display device, and a transmissive display device. The reflective display device includes a display panel for changing the transmittance of light and a backlight unit for supplying light to the display panel. The display panel controls the transmittance of light supplied from the backlight unit to display an image.

한편, 광효율을 증가시키고 색재현성을 높이기 위하여 백라이트 유닛에 여러 종류의 광학 부재가 추가되고 있다. 최근에는 우수한 광학 특성뿐 아니라 박형의 표시 장치에 대한 요구가 증가되고 있으며, 표시 장치의 표시 품질 개선을 위하여 다양한 광학 부재가 추가될 수 있다.Meanwhile, in order to increase light efficiency and increase color reproducibility, various types of optical members are added to the backlight unit. Recently, as well as excellent optical properties, a demand for a thin display device has increased, and various optical members may be added to improve display quality of the display device.

본 발명은 박형화되고 신뢰성이 향상된 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a thinner and improved reliability optical member and a display device including the same.

본 발명의 일 실시예에 다른 광학 부재는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 요철을 가진 제1 상면을 포함하며, 매질층 및 상기 매질층 내에 분산된 복수의 양자점들을 포함하는 양자점층, 상기 베이스 기판과 상기 양자점층 사이에 배치된 하부 배리어 층, 및 상기 양자점층의 상기 상면의 상기 요철을 커버하는 상부 배리어 층을 포함하고, 상기 상부 배리어 층은 상기 요철과 대응되는 요철을 가진 제2 상면을 가진다.An optical member according to an embodiment of the present invention includes a base substrate, a quantum dot layer disposed on the base substrate, including a first upper surface having irregularities, and comprising a medium layer and a plurality of quantum dots dispersed in the medium layer, A lower barrier layer disposed between the base substrate and the quantum dot layer, and an upper barrier layer covering the unevenness of the upper surface of the quantum dot layer, wherein the upper barrier layer has a second unevenness corresponding to the unevenness It has a top surface.

상기 상부 배리어 층은 상기 베이스 기판 상에서 균일한 두께를 가질 수 있다.The upper barrier layer may have a uniform thickness on the base substrate.

상기 양자점 층은 상기 베이스 기판 상에서 상이한 두께를 가질 수 있다.The quantum dot layer may have a different thickness on the base substrate.

상기 상부 배리어 층은 무기막을 포함할 수 있다.The upper barrier layer may include an inorganic film.

상기 요철은 복수로 구비되고, 상기 요철들 중 적어도 어느 하나는 평면상에서 곡선 형상을 가질 수 있다.The irregularities may be provided in plural, and at least one of the irregularities may have a curved shape on a plane.

상기 요철들 중 적어도 두 개의 요철들은 서로 연결될 수 있다.At least two of the irregularities may be connected to each other.

상기 곡선 형상은 폐곡선 형상을 포함할 수 있다.The curved shape may include a closed curve shape.

상기 요철들은 제1 폐곡선 형상을 가진 제1 요철 및 제2 폐곡선 형상을 가진 제2 요철을 포함하고, 상기 제1 폐곡선 형상과 상기 제2 폐곡선 형상은 서로 상이할 수 있다.The unevenness may include a first unevenness having a first closed curve shape and a second unevenness having a second closed curve shape, and the first closed curve shape and the second closed curve shape may be different from each other.

상기 제1 요철과 상기 제2 요철은 서로 연결될 수 있다.The first unevenness and the second unevenness may be connected to each other.

상기 요철들 각각의 단면상에서의 높이는 약 1㎛ 이내일 수 있다.The height of each of the irregularities may be within about 1 μm.

상기 요철들 사이의 거리는 100㎛ 이하일 수 있다.The distance between the irregularities may be 100 μm or less.

본 발명의 일 실시예에 다른 광학 부재는 상기 베이스 기판과 상기 하부 배리어 층 사이에 배치되고, 1.5 이하의 굴절률을 가진 저 굴절층을 더 포함할 수 있다.The optical member according to an embodiment of the present invention may further include a low refractive layer disposed between the base substrate and the lower barrier layer, and having a refractive index of 1.5 or less.

상기 베이스 기판은 유리 기판을 포함할 수 있다.The base substrate may include a glass substrate.

본 발명의 일 실시예에 다른 광학 부재는 상기 상부 배리어 층 상에 배치되고 유기물을 포함하는 보호층을 더 포함하고, 상기 보호층은, 상기 제2 상면을 커버하고 평탄한 상면을 가질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the optical member is further disposed on the upper barrier layer and further includes a protective layer including an organic material, and the protective layer may cover the second upper surface and have a flat upper surface.

본 발명의 일 실시예에 다른 표시 장치는 광을 생성하는 광원, 상기 광원과 마주하는 입사면을 포함하는 광학 부재; 및A display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes an optical member including a light source generating light and an incident surface facing the light source; And

상기 광학 부재 상에 배치되고, 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널을 포함하고, 상기 광학 부재는, 상기 표시 패널과 마주하는 상면, 상기 상면과 대향되는 하면, 및 상기 상면과 상기 하면을 연결하는 복수의 측면들을 포함하고, 상기 입사면은 상기 측면들 중 적어도 어느 하나인 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 평탄한 상면을 포함하는 하부 배리어 층, 상기 하부 배리어 층 상에 배치되고 상기 하부 배리어 층의 상기 상면 대비 복수의 요철들을 가진 상면을 포함하는 상부 배리어 층, 및 상기 하부 배리어 층과 상기 상부 배리어 층 사이에 배치되고 매질층 및 상기 매질층 내에 분산된 복수의 양자점들을 포함하는 양자점층을 포함하고, 상기 요철들은 평면상에서 곡선 형상을 가진다.A display panel disposed on the optical member and including a display panel including a plurality of pixels, the optical member comprising: a top surface facing the display panel, a bottom surface facing the top surface, and a plurality connecting the top surface and the bottom surface Side surfaces, wherein the incident surface is at least one of the side surfaces, a base substrate, a lower barrier layer including a flat top surface, a lower barrier layer disposed on the lower barrier layer, And an upper barrier layer including an upper surface having a plurality of irregularities relative to the upper surface, and a quantum dot layer disposed between the lower barrier layer and the upper barrier layer and comprising a medium layer and a plurality of quantum dots dispersed in the medium layer. And, the irregularities have a curved shape on a plane.

상기 요철들은 평면상에서 제1 형상을 가진 제1 요철 및 평면상에서 제2 형상을 가진 제2 요철을 포함하고, 상기 제1 형상과 상기 제2 형상은 서로 상이할 수 있다.The unevenness includes a first unevenness having a first shape on a plane and a second unevenness having a second shape on the plane, and the first shape and the second shape may be different from each other.

상기 매질층의 상면은 상기 베이스 기판의 상기 상면 대비 요철을 가질 수 있다.The upper surface of the medium layer may have irregularities relative to the upper surface of the base substrate.

상기 매질층은 상기 베이스 기판 상에서 불 균일한 두께를 갖고, 상기 상부 배리어 층은 상기 베이스 기판 상에서 균일한 두께를 가질 수 있다.The medium layer may have an uneven thickness on the base substrate, and the upper barrier layer may have a uniform thickness on the base substrate.

상기 표시 장치는 상기 베이스 기판과 상기 양자점층 사이에 배치되고 1.5 미만의 굴절률을 가진 저 굴절층을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a low refractive layer disposed between the base substrate and the quantum dot layer and having a refractive index of less than 1.5.

상기 표시 장치는 상기 상부 배리어 층 상에 배치되어 상기 상부 배리어 층의 상기 상면을 커버하는 보호층을 더 포함하고, 상기 보호층은 상기 상부 배리어 층의 상면 대비 평탄한 상면을 가질 수 있다.The display device may further include a protective layer disposed on the upper barrier layer to cover the upper surface of the upper barrier layer, and the protective layer may have a flat upper surface than the upper surface of the upper barrier layer.

상기 표시 패널은 일 방향을 따라 연장된 축을 중심으로 휘어질 수 있다.The display panel may be bent about an axis extending along one direction.

본 발명에 따르면, 양자점 층을 커버하는 무기 배리어 층에 요철들을 형성함으로써, 온도나 외부 충격 등으로 인해 양자점 층이 변형되더라도 무기 배리어 층의 손상이 방지될 수 있다. 이에 따라, 광학 부재의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the present invention, by forming irregularities in the inorganic barrier layer covering the quantum dot layer, damage to the inorganic barrier layer can be prevented even if the quantum dot layer is deformed due to temperature or external impact. Accordingly, the reliability of the optical member can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 일부 구성을 도시한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛를 간략히 도시한 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛를 간략히 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 분해 사시도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 일부를 도시한 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 일부를 도시한 사진이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 일부를 도시한 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 일부를 도시한 단면도이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 단면도들이다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 11a 내지 도 11d는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.1 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a partial configuration of the display device illustrated in FIG. 1.
3A is a schematic cross-sectional view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention.
3B is a cross-sectional view schematically showing a backlight unit according to an embodiment of the present invention.
4 is an exploded perspective view of an optical member according to an embodiment of the present invention.
5A is a cross-sectional view showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention.
5B is a photograph showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention.
6A is a cross-sectional view showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention.
6B is a cross-sectional view showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention.
7A to 7C are cross-sectional views of an optical member according to an embodiment of the present invention.
8A to 8E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an optical member according to an embodiment of the present invention.
9A to 9D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an optical member according to an embodiment of the present invention.
10 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
11A to 11D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an optical member according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다. In the present specification, when a component (or region, layer, part, etc.) is referred to as being “on”, “connected” to, or “joined” to another component, it is directly placed on another component / It means that it can be connected / coupled or a third component can be arranged between them.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.The same reference numerals refer to the same components. In addition, in the drawings, the thickness, ratio, and dimensions of the components are exaggerated for effective description of technical content.

"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다. “And / or” includes all combinations of one or more that the associated configurations may define.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components. For example, the first component may be referred to as a second component without departing from the scope of the present invention, and similarly, the second component may be referred to as a first component. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.In addition, terms such as "below", "below", "above", "above", etc. are used to describe the relationship between the components shown in the drawings. The terms are relative concepts and are explained based on the directions indicated in the drawings.

다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.Unless otherwise defined, all terms (including technical terms and scientific terms) used herein have the same meaning as commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. In addition, terms such as terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and are explicitly defined herein unless interpreted as ideal or excessively formal meanings. do.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terms "include" or "have" are intended to indicate the presence of a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, one or more other features, numbers, or steps. It should be understood that it does not preclude the existence or addition possibility of the operation, components, parts or combinations thereof.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 일부 구성을 도시한 단면도이다. 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛를 간략히 도시한 단면도이다. 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛를 간략히 도시한 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 3b를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.1 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a partial configuration of the display device illustrated in FIG. 1. 3A is a schematic cross-sectional view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention. 3B is a cross-sectional view schematically showing a backlight unit according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3B.

도 1에 도시된 것과 같이, 표시 장치(DA)는 표시 패널(100), 백라이트 유닛(BLU), 상부 보호 부재(410), 하부 보호 부재(420), 및 광학 필름(500)을 포함한다. 백라이트 유닛(BLU)은 광원(200) 및 광학 부재(300)를 포함할 수 있다.1, the display device DA includes a display panel 100, a backlight unit BLU, an upper protection member 410, a lower protection member 420, and an optical film 500. The backlight unit BLU may include a light source 200 and an optical member 300.

표시 패널(100)은 전기적 신호를 수신하여 영상을 표시한다. 사용자는 표시 장치(DA) 중 표시 패널(100)이 제공하는 영상을 통해 정보를 수신한다. 표시 패널(100)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의되는 평면과 평행한 표시면(IS)을 포함한다. 표시면(IS)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)으로 구분될 수 있다. 표시 패널(100)은 액티브 영역(AA)에서 제3 방향(DR3)을 향해 영상을 표시한다. 액티브 영역(AA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 표시 패널(100)은 액티브 영역(AA)에 배치된 복수의 화소들(PX)을 포함한다.The display panel 100 receives an electrical signal and displays an image. The user receives information through an image provided by the display panel 100 among the display devices DA. The display panel 100 includes a display surface IS parallel to a plane defined by the first direction DR1 and the second direction DR2. The display surface IS may be divided into an active area AA and a peripheral area NAA. The display panel 100 displays an image in the active area AA toward the third direction DR3. The active area AA may be an area activated according to an electrical signal. The display panel 100 includes a plurality of pixels PX disposed in the active area AA.

주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다. 본 실시예에서, 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(NAA)에는 화소들(PX)에 전기적 신호를 제공하는 각종 구동 회로나 외부로부터 전기적 신호들을 수신하기 위한 패드들이 배치될 수 있다.The peripheral area NAA is adjacent to the active area AA. In the present exemplary embodiment, the peripheral area NAA may surround the active area AA. Various driving circuits that provide electrical signals to the pixels PX or pads for receiving electrical signals from the outside may be disposed in the peripheral area NAA.

도 2에는 표시 패널(100) 중 일 화소(PX, 이하 화소)가 배치된 영역의 단면도를 예시적으로 도시하였다. 이하, 도 2를 참조하여 표시 패널(100)에 대해 설명한다.FIG. 2 exemplarily shows a cross-sectional view of an area in which one pixel PX (hereinafter referred to as a pixel) of the display panel 100 is disposed. Hereinafter, the display panel 100 will be described with reference to FIG. 2.

표시 패널(100)은 제1 기판(110), 제2 기판(120), 및 액정층(LCL)을 포함할 수 있다. 제1 기판(110)은 제1 베이스 층(S1), 화소(PX), 및 복수의 절연층들(10, 20, 30)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 절연층들(10, 20, 30)은 제3 방향(DR3)을 따라 순차적으로 적층된 제1 절연층(10), 제2 절연층(20), 및 제3 절연층(30)으로 도시되었다.The display panel 100 may include a first substrate 110, a second substrate 120, and a liquid crystal layer (LCL). The first substrate 110 may include a first base layer S1, a pixel PX, and a plurality of insulating layers 10, 20, and 30. In this embodiment, the insulating layers 10, 20, and 30 are the first insulating layer 10, the second insulating layer 20, and the third insulating layer sequentially stacked along the third direction DR3 ( 30).

제1 베이스 층(S1)은 절연 물질을 포함한다. 예를 들어, 제1 베이스 층(S1)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.The first base layer S1 includes an insulating material. For example, the first base layer S1 may include glass or plastic.

화소(PX)는 박막 트랜지스터(TR) 및 화소 전극(PE)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(TR)는 반도체 패턴(AL), 제어 전극(CE), 입력 전극(IE), 및 출력 전극(OE)을 포함한다. 반도체 패턴(AL)은 제1 베이스 층(S1)과 제1 절연층(10) 사이에 배치된다. 반도체 패턴(AL)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 물질은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 산화물 반도체, 및 화합물 반도체 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 화소(PX)는 복수의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있고, 박막 트랜지스터들 각각은 동일하거나 동일하거나 상이한 반도체 물질을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.The pixel PX may include a thin film transistor TR and a pixel electrode PE. The thin film transistor TR includes a semiconductor pattern AL, a control electrode CE, an input electrode IE, and an output electrode OE. The semiconductor pattern AL is disposed between the first base layer S1 and the first insulating layer 10. The semiconductor pattern AL may include a semiconductor material. For example, the semiconductor material may include at least one of amorphous silicon, polycrystalline silicon, monocrystalline silicon, oxide semiconductor, and compound semiconductor. Further, the pixel PX may include a plurality of thin film transistors, and each of the thin film transistors may include the same or the same or different semiconductor material, and is not limited to any one embodiment.

제어 전극(CE)은 제1 절연층(10)과 제2 절연층(20) 사이에 배치될 수 있다. 제어 전극(CE)은 제1 절연층(10)을 사이에 두고 반도체 패턴(AL)으로부터 이격되어 배치된다.The control electrode CE may be disposed between the first insulating layer 10 and the second insulating layer 20. The control electrode CE is disposed spaced apart from the semiconductor pattern AL with the first insulating layer 10 interposed therebetween.

입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에 배치될 수 있다. 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 서로 이격되어 배치된다. 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE) 각각은 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)을 관통하여 반도체 패턴(AL)에 접속될 수 있다.The input electrode IE and the output electrode OE may be disposed between the second insulating layer 20 and the third insulating layer 30. The input electrode IE and the output electrode OE are spaced apart from each other. Each of the input electrode IE and the output electrode OE may pass through the first insulating layer 10 and the second insulating layer 20 and be connected to the semiconductor pattern AL.

화소 전극(PE)은 박막 트랜지스터(TR)에 연결된다. 화소 전극(PE)은 공통 전극(CE) 및 액정층(LCL)과 함께 액정 커패시터(C_LC)를 구성한다. 액정 커패시터(C_LC)는 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 형성된 전계로 액정층(LCL)의 배향을 제어하여 액정층(LCL)의 투과율을 제어할 수 있다. 화소(PX)는 액정층(LCL)의 투과율에 대응하는 광을 표시한다. The pixel electrode PE is connected to the thin film transistor TR. The pixel electrode PE constitutes the liquid crystal capacitor C _LC together with the common electrode CE and the liquid crystal layer LCL. The liquid crystal capacitor C _LC is an electric field formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE to control the alignment of the liquid crystal layer LCL to control the transmittance of the liquid crystal layer LCL. The pixel PX displays light corresponding to the transmittance of the liquid crystal layer LCL.

화소 전극(PE)은 제3 절연층(30) 상에 배치된다. 화소 전극(PE)은 제3 절연층(30)을 관통하여 박막 트랜지스터(TR)에 접속될 수 있다. 전기적 신호들 중 게이트 신호는 제어 전극(CE)에 전달되어 박막 트랜지스터(TR)를 턴-온 시키고, 전기적 신호들 중 데이터 신호는 입력 전극(IE)을 통해 수신된 후 출력 전극(OE)으로 전달되어 화소 전극(PE)에 제공될 수 있다.The pixel electrode PE is disposed on the third insulating layer 30. The pixel electrode PE may pass through the third insulating layer 30 and be connected to the thin film transistor TR. The gate signal of the electrical signals is transmitted to the control electrode CE to turn on the thin film transistor TR, and the data signal of the electrical signals is received through the input electrode IE and then transmitted to the output electrode OE Can be provided to the pixel electrode PE.

제2 기판(120)은 제2 베이스 층(S2), 컬러 필터층(CF), 오버 코트층(CC), 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다. 제2 베이스 층(S2)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 베이스 층(S2)은 예를 들어 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.The second substrate 120 may include a second base layer S2, a color filter layer CF, an overcoat layer CC, and a common electrode CE. The second base layer S2 may include an insulating material. The second base layer S2 may include, for example, glass or plastic.

제2 베이스 층(S2)은 제1 베이스 층(S1)과 마주하는 배면 및 배면과 대향하는 전면을 포함한다. 전면은 표시면(IS, 도 1 참조)이 제공되는 면일 수 있다. 컬러 필터층(CF) 및 공통 전극(CE)은 제2 베이스 층(S2)의 배면에 배치된다.The second base layer S2 includes a rear surface facing the first base layer S1 and a front surface facing the rear surface. The front surface may be a surface provided with a display surface (IS, see FIG. 1). The color filter layer CF and the common electrode CE are disposed on the rear surface of the second base layer S2.

컬러 필터층(CF)은 블랙 매트릭스(BM) 및 컬러 패턴(CP)을 포함할 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 블랙 매트릭스(BM)에 입사되는 광을 차광한다. 블랙 매트릭스(BM)는 광이 표시되는 화소 영역들을 구획하고 화소 영역들의 주변을 커버하여 화소 영역들 주변으로의 빛샘을 방지한다.The color filter layer CF may include a black matrix BM and a color pattern CP. The black matrix BM blocks light incident on the black matrix BM. The black matrix BM partitions the pixel areas where light is displayed and covers the periphery of the pixel areas to prevent light leakage around the pixel areas.

컬러 패턴(CP)은 블랙 매트릭스(BM)에 인접하여 배치된다. 컬러 패턴(CP)은 화소(PX) 중 화소 전극(PE)에 중첩한다. 컬러 패턴(CP)은 복수로 제공되어 화소 영역들 각각에 배치될 수 있다. 화소 영역들 각각은 액정 커패시터(C_LC)에 의해 제어되는 영역이고, 화소 전극(PE)과 대응되는 영역일 수 있다.The color pattern CP is disposed adjacent to the black matrix BM. The color pattern CP overlaps the pixel electrode PE among the pixels PX. A plurality of color patterns CP may be provided and disposed in each of the pixel areas. Each of the pixel areas is an area controlled by the liquid crystal capacitor C _LC , and may be an area corresponding to the pixel electrode PE.

컬러 패턴(CP)은 컬러 패턴(CP)에 입사되는 광을 소정의 컬러로 출사시킨다. 컬러 패턴(CP)은 염료, 안료, 유기 형광체, 및 무기 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(100)에 있어서, 컬러 필터층(CF)은 제1 베이스 층(S1) 상에 배치되어 제1 기판(110)을 형성할 수도 있다. 또는, 컬러 필터층(CF)은 생략될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러 필터층(CF)은 다양한 형태로 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.The color pattern CP emits light incident on the color pattern CP in a predetermined color. The color pattern (CP) may include at least one of a dye, a pigment, an organic phosphor, and an inorganic phosphor. Meanwhile, in the display panel 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, the color filter layer CF may be disposed on the first base layer S1 to form the first substrate 110. Alternatively, the color filter layer CF may be omitted. The color filter layer CF according to an embodiment of the present invention may be provided in various forms, and is not limited to any one embodiment.

오버 코트층(CC)은 컬러 필터층(CF)을 커버한다. 오버 코트층(CC)은 절연 물질을 포함한다. 오버 코트층(CC)은 컬러 필터층(CF)의 배면을 커버하여 공통 전극(CE)에 평탄면을 제공한다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(100)에 있어서, 오버 코트층(CC)은 생략될 수도 있다.The overcoat layer CC covers the color filter layer CF. The overcoat layer CC includes an insulating material. The overcoat layer CC covers the back surface of the color filter layer CF to provide a flat surface to the common electrode CE. Meanwhile, in the display panel 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, the overcoat layer CC may be omitted.

공통 전극(CE)은 화소 전극(PE)과 전계를 형성한다. 본 실시예에서 공통 전극(CE)은 제2 베이스 층(S2)의 배면에 배치되어 복수의 화소들과 중첩하는 일체의 형상으로 제공되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 공통 전극(CE)은 복수의 패턴들로 제공되어 화소 영역들마다 제공될 수도 있다. 또는, 공통 전극(CE)은 제1 베이스 층(S1) 상에 배치되어 제1 기판(110)을 구성할 수도 있다. 한편, 본 실시예에서 화소 전극(PE)은 슬릿 등이 형성되지 않은 형상으로 도시되었으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(100)에 있어서, 공통 전극(CE)과 화소 전극(PE) 중 적어도 어느 하나는 복수의 슬릿들을 포함하는 형상을 가질 수도 있다.The common electrode CE forms an electric field with the pixel electrode PE. In this embodiment, the common electrode CE is disposed on the rear surface of the second base layer S2 and is provided in an integral shape overlapping a plurality of pixels. However, this is illustratively illustrated, and the common electrode CE may be provided in a plurality of patterns and may be provided for each pixel area. Alternatively, the common electrode CE may be disposed on the first base layer S1 to form the first substrate 110. Meanwhile, in this embodiment, the pixel electrode PE is shown in a shape in which slits and the like are not formed, but in the display panel 100 according to an embodiment of the present invention, the common electrode CE and the pixel electrode PE At least one of them may have a shape including a plurality of slits.

액정층(LCL)은 미 도시된 액정 분자들을 포함한다. 액정 분자들을 방향성을 가진 입자로, 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 형성된 전계에 따라 배향이 조절될 수 있다. 액정층(LCL)의 투과율은 실질적으로 액정 분자들의 배향에 의해 제어될 수 있다.The liquid crystal layer LCL includes liquid crystal molecules not shown. The liquid crystal molecules are particles having directionality, and alignment may be adjusted according to an electric field formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE. The transmittance of the liquid crystal layer LCL can be substantially controlled by the alignment of the liquid crystal molecules.

도 3a에는 도 1에 도시된 백라이트 유닛(BLU)의 단면도를 도시하였고, 도 3b에는 일부 구성이 추가된 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛(BLU-1)의 단면도를 도시하였다. 이하, 도 1 및 도 3a를 참조하여 백라이트 유닛(BLU)에 대해 설명한다.3A is a cross-sectional view of the backlight unit BLU shown in FIG. 1, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the backlight unit BLU-1 according to an embodiment of the present invention in which some components are added. Hereinafter, the backlight unit BLU will be described with reference to FIGS. 1 and 3A.

백라이트 유닛(BLU)은 표시 패널(100)에 광을 제공한다. 표시 패널(100)은 제공된 광을 기초로 각 화소들(PX)의 투과율들을 각각 제어하여 영상을 구현한다. 본 실시예에서, 표시 패널(100)은 광 투과형 표시 패널일 수 있다.The backlight unit BLU provides light to the display panel 100. The display panel 100 controls an transmittance of each pixel PX based on the provided light to implement an image. In this embodiment, the display panel 100 may be a light transmissive display panel.

광원(200)은 광을 생성하여 광학 부재(300)의 일 측에 제공한다. 광원(200)은 회로 기판(210) 및 복수의 발광 소자들(220)을 포함한다. 회로 기판(210)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 길이를 갖고 제3 방향(DR3)을 따라 연장된 너비를 가진 플레이트 형상으로 제공될 수 있다. 도시되지 않았으나, 회로 기판(210)은 절연 기판 및 절연 기판 상에 실장된 회로 배선들을 포함할 수 있다. 회로 배선들은 외부로부터 전기적 신호를 수신하여 발광 소자들에 전달하거나, 발광 소자들(220)을 전기적으로 연결할 수 있다.The light source 200 generates light and provides it to one side of the optical member 300. The light source 200 includes a circuit board 210 and a plurality of light emitting elements 220. The circuit board 210 may be provided in a plate shape having a length extending along the first direction DR1 and a width extending along the third direction DR3. Although not shown, the circuit board 210 may include an insulating substrate and circuit wirings mounted on the insulating substrate. The circuit wires may receive an electrical signal from the outside and transmit it to the light emitting devices, or electrically connect the light emitting devices 220.

발광 소자들(220) 각각은 광을 생성한다. 발광 소자들(220)은 회로 기판(210)에 배치되어 회로 기판(210)에 전기적으로 연결된다. 발광 소자들(220)은 회로 기판(210)의 길이 방향을 따라 서로 이격되어 배열될 수 있다. 본 실시예에서, 발광 소자들(220)은 제1 방향(DR1)을 따라 일렬로 배열된 형태로 도시되었다.Each of the light emitting elements 220 generates light. The light emitting devices 220 are disposed on the circuit board 210 and electrically connected to the circuit board 210. The light emitting devices 220 may be arranged to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the circuit board 210. In this embodiment, the light emitting elements 220 are illustrated in a form arranged in a line along the first direction DR1.

광학 부재(300)는 표시 패널(100)과 평행한 플레이트 형상을 가질 수 있다. 광학 부재(300)의 상면(300-S)은 표시 패널(100)을 향하는 면일 수 있다.The optical member 300 may have a plate shape parallel to the display panel 100. The upper surface 300 -S of the optical member 300 may be a surface facing the display panel 100.

광학 부재(300)는 광원(200)으로부터 광을 수신하여 표시 패널(100)에 제공한다. 광학 부재(300)는 광원(200)으로부터 출사되는 광의 경로를 제어하여 표시 패널(100)의 전면에 제공되도록 한다.The optical member 300 receives light from the light source 200 and provides it to the display panel 100. The optical member 300 controls the path of light emitted from the light source 200 to be provided on the front surface of the display panel 100.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재(300)는 입사되는 광을 백색 광으로 변환시킬 수 있다. 이에 따라, 광원(200)이 백색이 아닌 색상, 예를 들어, 청색 광을 생성하더라도, 표시 패널(100)은 광학 부재(300)를 통해 백색 광을 제공받을 수 있다. 광학 부재(300)는 도광판 및 광 변환 부재로 기능할 수 있다. 본 발명에 따르면, 단일의 광학 부재(300)로 도광판 및 광 변환 부재를 대체할 수 있어 표시 장치(DA)의 두께를 감소시킬 수 있고 표시 장치(DA)의 조립 공정이 단순화될 수 있다.The optical member 300 according to an embodiment of the present invention may convert incident light into white light. Accordingly, even if the light source 200 generates a color other than white, for example, blue light, the display panel 100 may receive white light through the optical member 300. The optical member 300 may function as a light guide plate and a light conversion member. According to the present invention, since the light guide plate and the light conversion member can be replaced with a single optical member 300, the thickness of the display device DA can be reduced, and the assembly process of the display device DA can be simplified.

광학 부재(300)는 베이스 기판(310) 및 양자점 유닛(320)을 포함할 수 있다. 베이스 기판(310)은 광원(200)과 마주하는 입사면(SF1)을 포함한다. 본 실시예에서 입사면(SF1)은 베이스 기판(310)의 복수의 측면들 중 하나에 정의되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 입사면(SF1)은 복수의 측면들에 정의될 수도 있다.The optical member 300 may include a base substrate 310 and a quantum dot unit 320. The base substrate 310 includes an incident surface SF1 facing the light source 200. In this embodiment, the incident surface SF1 is defined on one of a plurality of side surfaces of the base substrate 310. However, this is illustratively illustrated, and the incident surface SF1 may be defined on a plurality of side surfaces.

베이스 기판(310)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(310)은 유리를 포함할 수 있다.The base substrate 310 may include an insulating material. For example, the base substrate 310 may include glass.

베이스 기판(310)은 입사면(SF1)을 통해 수신된 광을 도광시켜 베이스 기판(310)의 상면을 향해 출사되도록 한다. 제2 방향(DR2)을 향하던 광 경로는 제3 베이스 기판(310)에 의해 방향(DR3)으로 변화될 수 있다. 광학 부재(300)의 도광 기능은 실질적으로 베이스 기판(310)에 의해 이루어질 수 있다.The base substrate 310 guides the light received through the incident surface SF1 to be emitted toward the upper surface of the base substrate 310. The optical path toward the second direction DR2 may be changed in the direction DR3 by the third base substrate 310. The light guiding function of the optical member 300 may be substantially made by the base substrate 310.

양자점 유닛(320)은 베이스 기판(310) 상에 배치된다. 양자점 유닛(320)은 양자점 층(321), 하부 배리어 층(322), 및 상부 배리어 층(323)을 포함한다. 양자점 층(321)은 미 도시된 복수의 양자점들을 포함한다. 양자점 층(321)은 양자점 층(321)에 입사되는 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The quantum dot unit 320 is disposed on the base substrate 310. The quantum dot unit 320 includes a quantum dot layer 321, a lower barrier layer 322, and an upper barrier layer 323. The quantum dot layer 321 includes a plurality of quantum dots not shown. The quantum dot layer 321 may change the wavelength of light incident on the quantum dot layer 321.

하부 배리어 층(322) 및 상부 배리어 층(323)은 양자점 층(321)을 봉지할 수 있다. 하부 배리어 층(322)은 양자점 층(321) 및 베이스 기판(310) 사이에 배치되어 양자점 층(321) 하부에 배치되는 구성으로부터 양자점 층(321)을 보호하고, 외부 습기나 수분의 침투를 방지한다. 상부 배리어 층(323)은 양자점 층(321) 상에 배치되어 양자점 층(321)의 상면을 커버한다. 상부 배리어 층(323)은 양자점 층(321) 상에 배치되는 구성으로부터 양자점 층(321)을 보호하고, 외부 습기나 수분의 침투를 방지한다.The lower barrier layer 322 and the upper barrier layer 323 may encapsulate the quantum dot layer 321. The lower barrier layer 322 is disposed between the quantum dot layer 321 and the base substrate 310 to protect the quantum dot layer 321 from a configuration disposed under the quantum dot layer 321, and prevents penetration of external moisture or moisture do. The upper barrier layer 323 is disposed on the quantum dot layer 321 to cover the top surface of the quantum dot layer 321. The upper barrier layer 323 protects the quantum dot layer 321 from a configuration disposed on the quantum dot layer 321 and prevents penetration of external moisture or moisture.

하부 배리어 층(322) 및 상부 배리어 층(323) 각각은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 배리어 층(322) 및 상부 배리어 층(323) 각각은 금속 산화물이나 금속 질화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 배리어 층(322) 및 상부 배리어 층(323) 각각은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 티타늄 산화물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 기재한 것이고, 하부 배리어 층(322) 및 상부 배리어 층(323)은 양자점 층(321)을 봉지할 수 있는 무기물이라면 다양한 물질을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 한편, 하부 배리어 층(322) 및 상부 배리어 층(323)은 독립적으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 하부 배리어 층(322) 및 상부 배리어 층(323)은 서로 동일하거나 상이한 물질로 형성될 수 있다.Each of the lower barrier layer 322 and the upper barrier layer 323 may include inorganic materials. For example, each of the lower barrier layer 322 and the upper barrier layer 323 may include metal oxide or metal nitride. For example, each of the lower barrier layer 322 and the upper barrier layer 323 may include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxide nitride, titanium oxide, or combinations thereof. However, this is illustratively described, and the lower barrier layer 322 and the upper barrier layer 323 may include various materials as long as they are inorganic materials capable of encapsulating the quantum dot layer 321. It is not limited. Meanwhile, the lower barrier layer 322 and the upper barrier layer 323 may be formed independently. Accordingly, the lower barrier layer 322 and the upper barrier layer 323 may be formed of the same or different materials from each other.

본 실시예에서, 양자점 층(321)의 측면들은 하부 배리어 층(322) 및 상부 배리어 층(323)으로부터 노출된 것으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재(300)에 있어서, 양자점 층(321)의 측면들은 하부 배리어 층(322)과 상부 배리어 층(323)에 의해 커버되어 외부에 노출되지 않을 수도 있다.In this embodiment, sides of the quantum dot layer 321 are shown exposed from the lower barrier layer 322 and the upper barrier layer 323. However, this is illustratively shown, and in the optical member 300 according to an embodiment of the present invention, the side surfaces of the quantum dot layer 321 are covered by the lower barrier layer 322 and the upper barrier layer 323 May not be exposed to the outside.

한편, 도 3b를 참조하면, 백라이트 유닛(BLU-1)은 저 굴절층(330)을 더 포함할 수도 있다. 저 굴절층(330)은 베이스 기판(310)과 양자점 유닛(320) 사이에 배치된다. 저 굴절층(330)은 베이스 기판(310) 상면을 커버할 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 3B, the backlight unit BLU-1 may further include a low refractive layer 330. The low refractive layer 330 is disposed between the base substrate 310 and the quantum dot unit 320. The low refractive layer 330 may cover the top surface of the base substrate 310.

저 굴절층(330)은 베이스 기판(310)보다 낮은 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 저 굴절층(330)은 1.5 미만의 굴절율을 가질 수 있다. 저 굴절층(330)은 베이스 기판(310)의 도광 기능을 향상시킬 수 있다.The low refractive layer 330 may have a lower refractive index than the base substrate 310. For example, the low refractive layer 330 may have a refractive index of less than 1.5. The low refractive layer 330 may improve the light guiding function of the base substrate 310.

다시 도 1을 참조하면, 상부 보호 부재(410)는 표시 패널(100) 상에 배치되어 표시 패널(100)을 커버한다. 상부 보호 부재(410)는 표시 패널(100)의 적어도 일부를 노출시키는 소정의 개구부(410-OP)를 포함할 수 있다. 개구부(410-OP)는 적어도 표시 패널(100)의 액티브 영역(AA)을 노출시킨다. 액티브 영역(AA)에 표시되는 영상은 개구부(410-OP)를 통해 외부에 시인될 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DA)는 개구부(410-OP)에 배치된 투명 보호 부재를 더 포함할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 보호 부재(410)는 광학적으로 투명하게 제공될 수 있다. 이때, 개구부(410-OP)는 생략될 수도 있다.Referring to FIG. 1 again, the upper protection member 410 is disposed on the display panel 100 to cover the display panel 100. The upper protection member 410 may include a predetermined opening 410 -OP exposing at least a portion of the display panel 100. The opening 410 -OP exposes at least the active area AA of the display panel 100. The image displayed on the active area AA may be visually recognized through the opening 410 -OP. Meanwhile, the display device DA according to an exemplary embodiment of the present invention may further include a transparent protection member disposed in the opening 410 -OP. Alternatively, the upper protection member 410 according to an embodiment of the present invention may be optically transparent. At this time, the opening 410-OP may be omitted.

하부 보호 부재(420)는 상부 보호 부재(410)와 결합하여 표시 패널(100) 및 백라이트 유닛(BLU)을 보호할 수 있다. 하부 보호 부재(420)는 바닥부(420-B) 및 측벽부(420-W)를 포함한다. 바닥부(420-B)는 표시 패널(100) 및 광학 부재(300)의 면적 이상의 면적을 가질 수 있다. 측벽부(420-W)는 바닥부(420-B)에 연결되고 바닥부(420-B)로부터 제3 방향(DR3)으로 절곡된다. 바닥부(420-B)와 측벽부(420-W)는 소정의 내부 공간(420-SS)을 정의한다. 표시 패널(100) 및 백라이트 유닛(BLU)은 내부 공간(420-SS)에 수용되어 외부 충격으로부터 보호될 수 있다.The lower protection member 420 may be combined with the upper protection member 410 to protect the display panel 100 and the backlight unit BLU. The lower protection member 420 includes a bottom portion 420 -B and a side wall portion 420 -W. The bottom portion 420 -B may have an area equal to or greater than that of the display panel 100 and the optical member 300. The side wall portion 420 -W is connected to the bottom portion 420 -B and is bent in the third direction DR3 from the bottom portion 420 -B. The bottom portion 420-B and the side wall portion 420-W define a predetermined inner space 420-SS. The display panel 100 and the backlight unit BLU are accommodated in the interior space 420 -SS to be protected from external impact.

광학 필름(500)은 표시 패널(100)과 광학 부재(300) 사이에 배치된다. 광학 필름(500)은 광학 부재(300)로부터 출사되는 광이 표시 패널(100)에 제공되는 광 효율을 향상시키거나, 표시 패널(100) 전면에 균일하게 도달되도록 광 균일도를 향상시킬 수 있다. 광학 필름(500)은 단일의 시트나 복수의 시트들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학 필름(500)은 레티큘러 시트, 프리즘 시트, 및 산란 시트 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DA)에 있어서, 광학 필름(500)은 생략될 수도 있다.The optical film 500 is disposed between the display panel 100 and the optical member 300. The optical film 500 may improve light efficiency in which light emitted from the optical member 300 is provided to the display panel 100 or improve light uniformity so as to reach the front surface of the display panel 100 uniformly. The optical film 500 may include a single sheet or a plurality of sheets. For example, the optical film 500 may include at least one of a reticular sheet, a prism sheet, and a scattering sheet. Meanwhile, in the display device DA according to an embodiment of the present invention, the optical film 500 may be omitted.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 분해 사시도이다. 도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 일부를 도시한 단면도이다. 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 일부를 도시한 사진이다. 도 4에는 용이한 설명을 위해 베이스 기판(310)과 양자점 유닛(320)을 분리하여 도시하였다. 도 5a에는 도 4에 도시된 구성들 중 양자점 유닛(320)의 일 영역을 도시하였다. 이하 도 4 내지 도 5b를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.4 is an exploded perspective view of an optical member according to an embodiment of the present invention. 5A is a cross-sectional view showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention. 5B is a photograph showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention. 4, the base substrate 310 and the quantum dot unit 320 are separated and illustrated for easy description. 5A shows an area of the quantum dot unit 320 among the configurations shown in FIG. 4. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 5B.

베이스 기판(310)은 상면(SF-U), 하면(SF-L), 및 복수의 측면들(SF1, SF2, SF3, SF4)을 포함한다. 상면(SF-U)은 표시 패널(100, 도 1 참조)을 향하는 면일 수 있다. 양자점 유닛(320)은 상면(SF-U)에 배치된다. 하면(SF-L)은 상면(SF-U)에 대향된다. 하면(SF-L)은 하부 보호 부재(420, 도 1 참조)의 바닥부(420-B, 도 1 참조)를 향하는 면일 수 있다.The base substrate 310 includes an upper surface SF-U, a lower surface SF-L, and a plurality of side surfaces SF1, SF2, SF3, and SF4. The upper surface SF-U may be a surface facing the display panel 100 (see FIG. 1). The quantum dot unit 320 is disposed on the upper surface SF-U. The lower surface SF-L faces the upper surface SF-U. The lower surface SF-L may be a surface facing the bottom portion 420 -B (see FIG. 1) of the lower protection member 420 (see FIG. 1).

측면들(SF1, SF2, SF3, SF4)은 제1 측면(SF1), 제2 측면(SF2), 제3 측면(SF3), 및 제4 측면(SF4)을 포함한다. 제1 측면(SF1)과 제2 측면(SF2) 각각은 제1 방향(DR1) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 평면과 평행하고, 제2 방향(DR2)에서 서로 대향될 수 있다. 제3 측면(SF3) 및 제4 측면(SF4) 각각은 제2 방향(DR2) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 평면과 평행하고, 제1 방향(DR1)에서 서로 대향될 수 있다.The side surfaces SF1, SF2, SF3, and SF4 include a first side SF1, a second side SF2, a third side SF3, and a fourth side SF4. Each of the first side SF1 and the second side SF2 is parallel to a plane defined by the first direction DR1 and the third direction DR3 and may face each other in the second direction DR2. Each of the third side SF3 and the fourth side SF4 is parallel to a plane defined by the second direction DR2 and the third direction DR3, and may face each other in the first direction DR1.

상술한 바와 같이, 측면들(SF1, SF2, SF3, SF4) 중 적어도 어느 하나는 광원(200: 도 1 참조(과 마주하는 입사면일 수 있다. 본 실시예에서, 입사면은 제1 측면(SF1)에 정의된다.As described above, at least one of the side surfaces SF1, SF2, SF3, and SF4 may be an incident surface facing the light source 200 (see FIG. 1). In this embodiment, the incident surface is the first side SF1 ).

양자점 유닛(320)은 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 하부 배리어 층(322), 양자점 층(321), 및 상부 배리어 층(323)을 포함한다. 하부 배리어 층(322)은 베이스 기판(310) 상에 배치된다. 하부 배리어 층(322)의 상면(322-S, 이하 하부 배리어 층의 상면)은 하부에 배치된 베이스 기판(310)의 상면과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 하부 배리어 층의 상면(322-S)은 상부 배리어 층의 상면(323-S) 대비 평탄(flat)할 수 있다.The quantum dot unit 320 includes a lower barrier layer 322 stacked along the third direction DR3, a quantum dot layer 321, and an upper barrier layer 323. The lower barrier layer 322 is disposed on the base substrate 310. The upper surface of the lower barrier layer 322 (322-S, hereinafter referred to as the upper surface of the lower barrier layer) may have a shape corresponding to the upper surface of the base substrate 310 disposed below. In this embodiment, the upper surface 322-S of the lower barrier layer may be flat compared to the upper surface 323-S of the upper barrier layer.

양자점 층(321)은 매질층(MX), 복수의 양자점들(PT1, PT2), 및 산란 입자(SP)를 포함할 수 있다. 양자점들(PT1, PT2) 및 산란 입자(SP)는 매질층(MX)내에 분산된다.The quantum dot layer 321 may include a medium layer MX, a plurality of quantum dots PT1 and PT2, and scattering particles SP. Quantum dots PT1 and PT2 and scattering particles SP are dispersed in the medium layer MX.

매질층(MX)은 일반적으로 바인더(binder)로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 매질층(MX)은 고분자 수지일 수 있다. 예를 들어, 매질층(MX)은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 매질층(MX)은 광학적으로 투명한 투명 수지일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 본 명세서에서 양자점들(PT1, PT2)을 분산 배치시킬 수 있는 매질이면 그 명칭, 추가적인 다른 기능, 구성 물질 등에 상관없이 매질층(MX)으로 지칭될 수 있다.The medium layer MX may be made of various resin compositions, which may be generally referred to as a binder. For example, the medium layer MX may be a polymer resin. For example, the medium layer MX may be acrylic resin, urethane resin, silicone resin, epoxy resin, or the like. The medium layer MX may be an optically transparent transparent resin. However, the present invention is not limited thereto, and a medium capable of distributing quantum dots PT1 and PT2 in this specification may be referred to as a medium layer MX regardless of its name, additional functions, and constituent materials.

양자점들(PT1, PT2)은 양자점들(PT1, PT2)에 입사되는 광의 파장을 변환시킬 수 있다. 양자점들(PT1, PT2) 각각은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되며, 작은 크기로 인해 에너지 밴드 갭(band gap)이 커지는 양자 구속(quantum confinement) 효과를 나타낸다. 양자점들(PT1, PT2) 각각에 밴드 갭보다 에너지가 높은 파장의 빛이 입사하는 경우, 양자점들(PT1, PT2) 각각은 그 빛을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 방출된 광의 파장은 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다. 양자점들(PT1, PT2) 각각의 크기나 조성 등을 조절함으로써, 양자 구속 효과에 의한 발광 특성을 조절할 수 있고, 이에 따라 양자점들(PT1, PT2) 각각에 의해 변환되어 방출되는 광의 파장이 제어될 수 있다.The quantum dots PT1 and PT2 may convert the wavelength of light incident on the quantum dots PT1 and PT2. Each of the quantum dots PT1 and PT2 is a material having a crystal structure of several nanometers in size, composed of hundreds to thousands of atoms, and the quantum confinement in which the energy band gap is increased due to the small size. It shows an effect. When light having a wavelength higher in energy than the band gap enters each of the quantum dots PT1 and PT2, each of the quantum dots PT1 and PT2 absorbs the light and becomes excited, and emits light of a specific wavelength to the bottom. Falls into state The wavelength of the emitted light has a value corresponding to the band gap. By adjusting the size or composition of each of the quantum dots PT1 and PT2, the light emission characteristics due to the quantum confinement effect can be controlled, and accordingly, the wavelength of light converted and emitted by each of the quantum dots PT1 and PT2 can be controlled. You can.

양자점들(PT1, PT2) 각각은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.Each of the quantum dots PT1 and PT2 may be selected from a group II-VI compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and combinations thereof.

II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.Group II-VI compound is a binary element compound selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and mixtures thereof, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe A group consisting of ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS, and mixtures of these, Z, , CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.

III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.Group III-V compound is a binary element selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; Ternary compounds selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb and mixtures thereof. The group IV-VI compound is a binary element selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; Ternary compounds selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe and mixtures thereof; And SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. Group IV elements may be selected from the group consisting of Si, Ge and mixtures thereof. The group IV compound may be a binary compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다.In this case, the binary element compound, the trielement compound, or the quaternary element compound may be present in the particles at a uniform concentration or may be present in the same particle because the concentration distribution is partially divided into different states.

양자점들(PT1, PT2) 각각은 코어(core)와 코어를 둘러싸는 쉘(shell)을 포함하는 코어쉘 구조일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.Each of the quantum dots PT1 and PT2 may be a core shell structure including a core and a shell surrounding the core. Also, one quantum dot may have a core / shell structure surrounding another quantum dot. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the center.

양자점들(PT1, PT2) 각각은 나노미터 스케일의 크기를 갖는 입자일 수 있다. 양자점들(PT1, PT2) 각각은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점들(PT1, PT2)을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.Each of the quantum dots PT1 and PT2 may be a particle having a size on a nanometer scale. Each of the quantum dots PT1 and PT2 may have a full width of half maximum (FWHM) of an emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, and more preferably about 30 nm or less. Color purity and color reproducibility can be improved. In addition, since light emitted through the quantum dots PT1 and PT2 is emitted in all directions, a wide viewing angle may be improved.

또한, 양자점들(PT1, PT2)의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노 와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.In addition, the shape of the quantum dots (PT1, PT2) is not particularly limited to that of a type commonly used in the art, but more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, or cube (cubic) Nanoparticles, nanotubes, nanowires, nanofibers, nanoplatelets, and the like can be used.

본 실시예에 따른 양자점들(PT1, PT2)은 제1 양자점(PT1) 및 제2 양자점(PT2)을 포함할 수 있다. 제1 양자점(PT1) 및 제2 양자점(PT2) 각각에 입사되어 방출되는 광의 파장은 서로 상이할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 양자점들(PT1, PT2)이 변환시키는 광의 파장은 단일의 파장 범위일 수도 있다. 또는, 양자점들(PT1, PT2)은 또 다른 파장의 광으로 변환시키는 추가 양자점을 더 포함할 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점들(PT1, PT2)의 종류나 수는 어느 하나의 실시예로 제한되지 않는다.The quantum dots PT1 and PT2 according to the present embodiment may include a first quantum dot PT1 and a second quantum dot PT2. The wavelengths of light incident on and emitted from the first quantum dot PT1 and the second quantum dot PT2 may be different from each other. However, this is illustratively illustrated, and the wavelengths of light converted by the quantum dots PT1 and PT2 may be a single wavelength range. Alternatively, the quantum dots PT1 and PT2 may further include additional quantum dots that convert to light of another wavelength. The type or number of quantum dots PT1 and PT2 according to an embodiment of the present invention is not limited to any one embodiment.

산란 입자(SP)는 티타늄 산화물과 같은 반사율이 높은 금속 산화물이나 실리카계 나노 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자(SP)는 양자점들(PT1, PT2)에서 방출되는 광을 산란시켜 양자점 유닛(320) 내에서의 광 재생(recycling) 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 양자점 유닛(320)으로부터 방출되는 광 효율이 향상될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 유닛(320)에 있어서, 산란 입자(SP)는 생략될 수도 있다.The scattering particles SP may include highly reflective metal oxides such as titanium oxide or silica-based nanoparticles. The scattering particles SP may scatter light emitted from the quantum dots PT1 and PT2 to improve light recycling efficiency in the quantum dot unit 320. Accordingly, light efficiency emitted from the quantum dot unit 320 may be improved. However, this is illustratively illustrated, and in the quantum dot unit 320 according to an embodiment of the present invention, the scattering particles SP may be omitted.

본 실시예에 따른 양자점 층(321)의 상면(321-S, 이하 양자점 층의 상면)은 복수의 요철들(WRK-Q, 이하, 양자점 층의 상면의 요철들)을 포함한다. 양자점 층의 상면의 요철들(WRK-Q)은 양자점 층의 상면(321-S) 중 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 평면 대비 제3 방향(DR3)을 향해 돌출된 부분들일 수 있다. 요철들(WRK-Q) 각각의 단면상에서의 높이는 약 1㎛ 이내일 수 있다. 이에 따라, 양자점 층의 상면(321-S)은 하부 배리어 층의 상면(323-S) 대비 굴곡질 수 있다.The upper surface of the quantum dot layer 321 according to the present embodiment (321-S, hereinafter the upper surface of the quantum dot layer) includes a plurality of irregularities (WRK-Q, hereinafter, irregularities on the upper surface of the quantum dot layer). The irregularities WRK-Q on the upper surface of the quantum dot layer protrude toward the third direction DR3 compared to the plane defined by the first direction DR1 and the second direction DR2 among the upper surfaces 321 -S of the quantum dot layer. It can be parts. The height of each of the irregularities WRK-Q may be within about 1 µm. Accordingly, the upper surface 321-S of the quantum dot layer may be curved compared to the upper surface 323-S of the lower barrier layer.

양자점 층의 상면의 요철들(WRK-Q)은 양자점 층(321) 형성 과정 또는 형성 이후에 존재하는 잔류 응력에 의해 형성될 수 있다. 양자점 층의 상면(321-S)은 양자점 층의 상면의 요철들(WRK-Q)에 의해 주름진(wrinkle) 형상을 가질 수 있다. 양자점 층의 상면의 요철들(WRK-Q)의 형상은 실질적으로 상부 배리어 층(323)의 상면에 반영되어 나타날 수 있다. 이하 상세한 설명은 후술하기로 한다.The irregularities WRK-Q on the upper surface of the quantum dot layer may be formed by residual stress existing during or after the formation of the quantum dot layer 321. The upper surface 321 -S of the quantum dot layer may have a wrinkled shape by the irregularities WRK-Q of the upper surface of the quantum dot layer. The shape of the irregularities WRK-Q on the upper surface of the quantum dot layer may appear substantially reflected on the upper surface of the upper barrier layer 323. The detailed description will be described later.

상부 배리어 층(323)은 양자점 층(321) 상에 배치되어 양자점 층의 상면(321-S)을 직접 커버할 수 있다. 상부 배리어 층(323)은 베이스 기판(310) 상에서 실질적으로 균일한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 양자점 층의 상면(321-S) 중 양자점 층의 상면의 요철들(WRK-Q)과 중첩하는 영역에서의 상부 배리어 층(323)의 두께(T1)와 양자점 층의 상면의 요철들(WRK-Q)에 인접하는 영역에서의 상부 배리어 층(323)의 두께(T2)는 실질적으로 동일할 수 있다.The upper barrier layer 323 may be disposed on the quantum dot layer 321 to directly cover the top surface 321 -S of the quantum dot layer. The upper barrier layer 323 may have a substantially uniform thickness on the base substrate 310. For example, the thickness T1 of the upper barrier layer 323 in the region overlapping the irregularities WRK-Q of the upper surface of the quantum dot layer among the upper surfaces 321-S of the quantum dot layer and the irregularities of the upper surface of the quantum dot layer The thickness T2 of the upper barrier layer 323 in the region adjacent to the fields WRK-Q may be substantially the same.

본 실시예에서, 상부 배리어 층(323)의 상면(323-S, 이하 상부 배리어 층의 상면)은 광학 부재의 상면(300-S, 도 1 참조)을 정의한다. 상부 배리어 층의 상면(323-S)은 하부에 배치된 양자점 층의 상면(321-S)과 대응되는 형상을 가진다. 이에 따라, 상부 배리어 층의 상면(323-S)은 양자점 층의 상면의 요철들(WRK-Q)과 대응되는 복수의 요철들(WRK)을 포함할 수 있다. 요철들(WRK)은 상부 배리어 층의 상면(323-S) 중 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의하는 평면 대비 제3 방향(DR3)을 향해 돌출된 부분들일 수 있다. 요철들(WRK)에 의해 상부 배리어 층의 상면(323-S)은 베이스 기판(310)의 상면(SF-U) 대비 단면상에서 굴곡질 수 있다. 요철들(WRK)에 의해 상부 배리어 층의 상면(323-S)은 주름진 형상을 가질 수 있다.In this embodiment, the upper surface of the upper barrier layer 323 (323-S, hereafter the upper surface of the upper barrier layer) defines the upper surface of the optical member (300-S, see FIG. 1). The upper surface 323-S of the upper barrier layer has a shape corresponding to the upper surface 321-S of the quantum dot layer disposed below. Accordingly, the upper surface 323-S of the upper barrier layer may include a plurality of irregularities WRK corresponding to the irregularities WRK-Q of the upper surface of the quantum dot layer. The unevenness WRK may be portions protruding toward the third direction DR3 relative to a plane defined by the first direction DR1 and the second direction DR2 of the upper surface 323 -S of the upper barrier layer. . The upper surface 323 -S of the upper barrier layer may be bent on a cross section compared to the upper surface SF-U of the base substrate 310 by unevenness WRK. The upper surface 323-S of the upper barrier layer by the irregularities WRK may have a corrugated shape.

도 5b에는 상부 배리어 층의 상면(323-S)의 일부 영역을 확대하여 도시한 사진이다. 도 5b를 참조하면, 요철들(WRK)은 베이스 기판(310)의 상면(SF-U)에서 랜덤하게 배열될 수 있다.5B is an enlarged view of a portion of the upper surface 323 -S of the upper barrier layer. Referring to FIG. 5B, the irregularities WRK may be randomly arranged on the upper surface SF-U of the base substrate 310.

요철들(WRK) 중 적어도 어느 하나는 평면상에서 곡선 형상을 가질 수 있다. 곡선은 적어도 일부에 굴곡을 가진 선을 의미하며, 개곡선 및 폐곡선을 포함한다. 도 5b에는 용이한 설명을 위해 요철들(WRK) 중 제1 요철(WRK1), 제2 요철(WRK2), 및 제3 요철(WRK3)의 인출부호를 도시하였다.At least one of the irregularities WRK may have a curved shape on a plane. The curve means a line having at least a part of the curve, and includes an open curve and a closed curve. For ease of explanation, FIG. 5B shows withdrawal codes of the first unevenness WRK1, the second unevenness WRK2, and the third unevenness WRK3 among the unevennesses WRK.

제1 요철(WRK1)은 평면상에서 곡선 형상을 가진다. 제1 요철(WRK1)의 곡선 형상은 개곡선 형상일 수 있다. 제2 요철(WRK2)은 평면상에서 곡선 형상을 가진다. 제2 요철(WRK2)의 곡선 형상은 개곡선 형상일 수 있다.The first unevenness WRK1 has a curved shape on a plane. The curved shape of the first unevenness WRK1 may be an open curve shape. The second unevenness WRK2 has a curved shape on a plane. The curved shape of the second unevenness WRK2 may be an open curve shape.

제1 요철(WRK1)과 제2 요철(WRK2)은 서로 독립적인 형상을 가질 수 있다. 즉, 제1 요철(WRK1)의 곡선 형상과 제2 요철(WRK2)의 곡선 형상은 서로 독립적으로 제어되므로, 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 요철(WRK1)과 제2 요철(WRK2)은 서로 상이한 곡선 형상들을 가진 것으로 도시되었다.The first unevenness WRK1 and the second unevenness WRK2 may have independent shapes. That is, since the curved shape of the first unevenness WRK1 and the curved shape of the second unevenness WRK2 are controlled independently of each other, they may be the same or different from each other. In this embodiment, the first unevenness WRK1 and the second unevenness WRK2 are shown as having different curved shapes.

제1 요철(WRK1)과 제2 요철(WRK2)은 서로 연결될 수 있다. 본 실시예에서, 제2 요철(WRK2)의 일 단은 제1 요철(WRK1)의 일부와 연결된 것으로 도시되었다 . 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 요철(WRK1)과 제2 요철(WRK2) 사이의 연결은 다른 위치에서 이루어지거나, 제1 요철(WRK1)과 제2 요철(WRK2)은 서로 분리될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.The first unevenness WRK1 and the second unevenness WRK2 may be connected to each other. In this embodiment, one end of the second unevenness WRK2 is illustrated as being connected to a part of the first unevenness WRK1. However, this is illustratively illustrated, and the connection between the first unevenness WRK1 and the second unevenness WRK2 is made at different locations, or the first unevenness WRK1 and the second unevenness WRK2 are separated from each other. It may be, it is not limited to any one embodiment.

제3 요철(WRK3)은 제1 요철(WRK1) 및 제2 요철(WRK2)로부터 이격된다. 제3 요철(WRK3)은 곡선 형상을 가진다. 제3 요철(WRK3)의 곡선 형상은 폐곡선 형상일 수 있다.The third unevenness WRK3 is spaced apart from the first unevenness WRK1 and the second unevenness WRK2. The third unevenness WRK3 has a curved shape. The curved shape of the third unevenness WRK3 may be a closed curve shape.

본 발명의 일 실시예에 따른 요철들(WRK)은 각각 평면상에서 다양한 형상들을 가질 수 있다. 상술한 바와 같이, 요철들(WRK) 중 일부는 서로 연결될 수도 있고, 서로 이격되어 분리될 수도 있다. 또한, 요철들(WRK) 중 일부는 개곡선 형상을 갖거나 폐곡선 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 요철들(WRK) 사이의 거리는 100㎛ 이하일 수 있다.Unevenness (WRK) according to an embodiment of the present invention may have various shapes on each plane. As described above, some of the irregularities WRK may be connected to each other or separated from each other. Also, some of the irregularities WRK may have an open curve shape or a closed curve shape. For example, the distance between the irregularities WRK may be 100 μm or less.

본 발명에 따르면, 상부 배리어 층(323)은 복수의 요철들(WRK)을 포함하는 굴곡진 상면(323-S)을 포함한다. 요철들(WRK)은 실질적으로 양자점 층의 상면(321-S)이 반영되어 형성된 것일 수 있다. 본 발명에 따르면, 양자점 층의 상면의 요철들(WRK-Q)을 따라 상부 배리어 층(323)을 형성함으로써, 외부 충격이나 온도 변화에 따른 양자점 층(321)의 변형이 있더라도, 상부 배리어 층(323)이 변형에 용이하게 대응할 수 있다. 이에 따라, 양자점 층(321)과 상부 배리어 층(323) 사이의 층간 박리나 상부 배리어 층(323)의 깨짐과 같은 상부 배리어 층(323)의 손상이 방지될 수 있고, 광학 부재(300)의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the present invention, the upper barrier layer 323 includes a curved upper surface 323 -S including a plurality of irregularities WRK. The irregularities WRK may be formed by substantially reflecting the upper surface 321 -S of the quantum dot layer. According to the present invention, by forming the upper barrier layer 323 along the unevenness (WRK-Q) of the upper surface of the quantum dot layer, even if there is a deformation of the quantum dot layer 321 due to external impact or temperature change, the upper barrier layer ( 323) can easily respond to this deformation. Accordingly, damage to the upper barrier layer 323 such as interlayer peeling between the quantum dot layer 321 and the upper barrier layer 323 or cracking of the upper barrier layer 323 can be prevented, and the optical member 300 can be prevented. Reliability can be improved.

도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 일부를 도시한 단면도이다. 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 일부를 도시한 단면도이다. 도 6a 및 도 6b에는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 유닛들(320-1, 320-2)의 일부 영역들의 단면도들을 도시하였다. 이하, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 5b에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.6A is a cross-sectional view showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention. 6B is a cross-sectional view showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention. 6A and 6B show cross-sectional views of some regions of the quantum dot units 320-1 and 320-2 according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 6A and 6B. Meanwhile, the same reference numerals are assigned to the same components as those described in FIGS. 1 to 5B, and duplicate descriptions will be omitted.

도 6a에 도시된 것과 같이, 양자점 유닛(320-1)은 복수의 층들을 포함하는 하부 배리어 층(322-1) 및 복수의 층들을 포함하는 상부 배리어 층(323-1)을 포함할 수 있다. 하부 배리어 층(322-1)은 제1 하부층(L11) 및 제2 하부층(L21)을 포함한다. 제1 하부층(L11) 및 제2 하부층(L21) 각각은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 하부층(L11) 및 제2 하부층(L21) 각각은 금속 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 한편, 제1 하부층(L11) 및 제2 하부층(L21)을 구성하는 물질들은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.As shown in FIG. 6A, the quantum dot unit 320-1 may include a lower barrier layer 322-1 comprising a plurality of layers and an upper barrier layer 323-1 comprising a plurality of layers. . The lower barrier layer 322-1 includes a first lower layer L11 and a second lower layer L21. Each of the first lower layer L11 and the second lower layer L21 may include an inorganic material. For example, each of the first lower layer L11 and the second lower layer L21 may include metal oxide, silicon oxide, silicon nitride, or a combination thereof. Meanwhile, materials constituting the first lower layer L11 and the second lower layer L21 may be identical to or different from each other, and are not limited to any one embodiment.

상부 배리어 층(323-1)은 제1 상부층(L12) 및 제2 상부층(L22)을 포함한다. 제1 상부층(L12) 및 제2 상부층(L22) 각각은 무기물을 포함할 수 있다. 또한, 제1 상부층(L12) 및 제2 상부층(L22)을 구성하는 물질들은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.The upper barrier layer 323-1 includes a first upper layer L12 and a second upper layer L22. Each of the first upper layer L12 and the second upper layer L22 may include an inorganic material. In addition, materials constituting the first upper layer L12 and the second upper layer L22 may be the same or different from each other, and are not limited to any one embodiment.

도 6b에 도시된 것과 같이, 양자점 유닛(320-2)은 도 5a에 도시된 양자점 유닛(320)과 비교할 때, 커버층(324)을 더 포함할 수 있다. 커버층(324)은 상부 배리어 층(323) 상에 배치되어 상부 배리어 층의 상면(323-S)을 커버한다. 이때, 도 1에 도시된 광학 부재의 상면(300-S: 도 1 참조)은 커버층(324)의 상면과 대응될 수 있다.6B, the quantum dot unit 320-2 may further include a cover layer 324 when compared with the quantum dot unit 320 illustrated in FIG. 5A. The cover layer 324 is disposed on the upper barrier layer 323 to cover the upper surface 323 -S of the upper barrier layer. At this time, the top surface of the optical member shown in FIG. 1 (300-S: see FIG. 1) may correspond to the top surface of the cover layer 324.

커버층(324)은 요철들(WRK)을 커버하여 양자점 유닛(320-2)의 상부에 평탄면을 제공한다. 이에 따라, 커버층(324)에 있어서, 요철들(WRK)과 중첩하는 부분의 두께(T3)와 요철들(WRK)에 인접하는 부분의 두께(T4)는 서로 상이할 수 있다.The cover layer 324 covers the irregularities WRK to provide a flat surface on the top of the quantum dot unit 320-2. Accordingly, in the cover layer 324, the thickness T3 of the portion overlapping the irregularities WRK and the thickness T4 of the portion adjacent to the irregularities WRK may be different from each other.

커버층(324)은 유기물을 포함한다. 커버층(324)은 광학적으로 투명할 수 있다. 이에 따라, 커버층(324)에 의해 양자점 유닛(320-2)으로부터 방출되는 광의 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The cover layer 324 includes an organic material. The cover layer 324 may be optically transparent. Accordingly, it is possible to prevent the efficiency of light emitted from the quantum dot unit 320-2 from being lowered by the cover layer 324.

도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 단면도들이다. 용이한 설명을 위해 도 7b 및 도 7c에는 도 7a에 도시된 광학 부재(300)가 외부 충격이나 열에 의해 변형되는 경우의 단면도들을 도시하였다. 이하, 도 7a 내지 도 7c를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.7A to 7C are cross-sectional views of an optical member according to an embodiment of the present invention. 7B and 7C illustrate cross-sectional views when the optical member 300 shown in FIG. 7A is deformed by external impact or heat for easy description. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7C.

도 7a에 도시된 것과 같이, 광학 부재(300)는 베이스 기판(310) 및 양자점 유닛(320)을 포함한다. 상부 배리어 층의 상면(323-S)은 요철들(WRK)을 포함한다. 상부 배리어 층(323)은 요철들(WRK) 상에서의 두께(T1)와 인접한 영역에서의 두께(T2)가 실질적으로 동일하도록 균일한 두께를 가질 수 있다. 양자점 층(321)은 주름진 상면(321-S)을 포함한다. 양자점(321)은 요철들(WRK)로 인해 불 균일한 두께를 가질 수 있다. 요철들(WRK)이 정의된 영역에서 최대 두께(TQ)를 가질 수 있다.7A, the optical member 300 includes a base substrate 310 and a quantum dot unit 320. The upper surface 323-S of the upper barrier layer includes irregularities WRK. The upper barrier layer 323 may have a uniform thickness such that the thickness T1 on the irregularities WRK and the thickness T2 in the adjacent region are substantially the same. The quantum dot layer 321 includes a corrugated top surface 321 -S. The quantum dot 321 may have an uneven thickness due to irregularities WRK. The unevenness WRK may have a maximum thickness TQ in a defined area.

도 7b에 도시된 것과 같이, 광학 부재(300-TS)에 인장 응력(TS-I)이 작용하면, 양자점 층(321)의 형상이 변형될 수 있다. 양자점 층의 상면(321-S)의 요철 정도가 감소되고, 양자점 층(321)의 최대 두께(TQ1)는 도 7a에 도시된 최대 두께(TQ)에 비해 감소될 수 있다. 인장 응력(TS-I)은 외부 충격으로 인한 것이거나, 양자점 층(321)에 잔존하는 잔류 응력으로 인한 것일 수 있다.As illustrated in FIG. 7B, when the tensile stress TS-I acts on the optical member 300 -TS, the shape of the quantum dot layer 321 may be deformed. The unevenness of the upper surface 321 -S of the quantum dot layer is reduced, and the maximum thickness TQ1 of the quantum dot layer 321 may be reduced compared to the maximum thickness TQ illustrated in FIG. 7A. The tensile stress (TS-I) may be due to an external impact or residual stress remaining in the quantum dot layer 321.

또는, 도 7c에 도시된 것과 같이, 광학 부재(300-CS)에 압축 응력(CS-I)이 작용하면, 양자점 층(321)의 형상이 변형될 수 있다. 양자점 층의 상면(321-S)의 요철 정도가 증가되고, 양자점 층(321)의 최대 두께(TQ2)는 도 7a에 도시된 최대 두께(TQ)에 비해 증가될 수 있다. 압축 응력(CS-I)은 외부 충격으로 인한 것이거나, 양자점 층(321)에 잔존하는 잔류 응력으로 인한 것일 수 있다.Alternatively, as illustrated in FIG. 7C, when the compressive stress CS-I acts on the optical member 300 -CS, the shape of the quantum dot layer 321 may be deformed. The degree of unevenness of the upper surface 321 -S of the quantum dot layer is increased, and the maximum thickness TQ2 of the quantum dot layer 321 may be increased compared to the maximum thickness TQ illustrated in FIG. 7A. The compressive stress (CS-I) may be due to an external impact or residual stress remaining in the quantum dot layer 321.

본 발명에 따르면, 상부 배리어 층(323)은 양자점 층의 상면(321-S)의 굴곡을 따라 균일한 두께로 형성됨으로써, 양자점 층의 상면(321-S)의 요철 정도가 변화되더라도 양자점 층(321)과의 접촉력을 안정적으로 유지할 수 있다. 상부 배리어 층의 상면의 요철들(WRK-T, WRK-C)의 요철 정도는 양자점 층의 상면(321-S)의 변화에 따라 감소 또는 증가 수는 있으나, 상부 배리어 층(323)의 두께가 균일하게 유지되므로, 상부 배리어 층(323)의 중립면(neutral plane)의 위치는 도 7a의 광학 부재(300)로부터 변화되지 않는다.According to the present invention, the upper barrier layer 323 is formed with a uniform thickness along the curvature of the upper surface 321-S of the quantum dot layer, so that even if the unevenness of the upper surface 321-S of the quantum dot layer changes 321) can maintain a stable contact force. The unevenness of the top and bottom surfaces of the upper barrier layer (WRK-T, WRK-C) may be reduced or increased according to the change of the top surface of the quantum dot layer (321-S), but the thickness of the upper barrier layer 323 Since it remains uniform, the position of the neutral plane of the upper barrier layer 323 does not change from the optical member 300 of FIG. 7A.

이에 따라, 상부 배리어 층(323)은 양자점 층의 상면(321-S)의 변화에 대해 안정적으로 유지될 수 있어 광학 부재(300-TS)의 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, the upper barrier layer 323 can be stably maintained with respect to the change of the upper surface 321 -S of the quantum dot layer, thereby improving the reliability of the optical member 300 -TS.

도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 제조 방법을 도시한 단면도들이다. 도 9a 내지 도 9d에는 도 8c 내지 도 8e와 대응되는 단계들을 도시하였다. 이하, 도 8a 내지 도 9d를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 7c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.8A to 8E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an optical member according to an embodiment of the present invention. 9A to 9D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an optical member according to an embodiment of the present invention. 9A to 9D show steps corresponding to FIGS. 8C to 8E. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 8A to 9D. Meanwhile, the same reference numerals are assigned to the same components as those described in FIGS. 1 to 7C, and duplicate descriptions will be omitted.

도 8a에 도시된 것과 같이, 베이스 기판(310)이 제공된다. 베이스 기판(310)은 유리 기판일 수 있다. 베이스 기판(310)은 상면(310-S, 이하 베이스 기판의 상면)이 상 측인 제3 방향(DR3, 도 1 참조)을 향하도록 제공될 수 있다.As shown in FIG. 8A, a base substrate 310 is provided. The base substrate 310 may be a glass substrate. The base substrate 310 may be provided so that the upper surface 310 -S (hereinafter, the upper surface of the base substrate) faces the third direction (DR3, see FIG. 1) that is the upper side.

이후, 도 8b에 도시된 것과 같이, 베이스 기판(310) 상에 하부 배리어 층(322) 및 예비 양자점 층(321-I)을 순차적으로 형성한다. 하부 배리어 층(322)은 무기물을 베이스 기판의 상면(310-S)에 코팅하여 형성될 수 있다. 코팅 방식은 증착 또는 인쇄 공정을 포함할 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIG. 8B, the lower barrier layer 322 and the preliminary quantum dot layer 321 -I are sequentially formed on the base substrate 310. The lower barrier layer 322 may be formed by coating an inorganic material on the upper surface 310 -S of the base substrate. The coating method may include a deposition or printing process.

예비 양자점 층(321-I)은 하부 배리어 층(322)이 형성된 이후에 형성될 수 있다. 예비 양자점 층(321-I)은 매질층(MX), 제1 양자점(PT1), 및 제2 양자점(PT2)을 포함할 수 있다. 예비 양자점 층(321-I)은 제1 양자점(PT1) 및 제2 양자점(PT2)이 분산된 매질층(MX)을 하부 배리어 층(322) 상에 도포하여 형성될 수 있다.The preliminary quantum dot layer 321 -I may be formed after the lower barrier layer 322 is formed. The preliminary quantum dot layer 321 -I may include a medium layer MX, a first quantum dot PT1, and a second quantum dot PT2. The preliminary quantum dot layer 321 -I may be formed by applying the medium layer MX in which the first quantum dot PT1 and the second quantum dot PT2 are dispersed on the lower barrier layer 322.

이후, 도 8c 및 도 8d에 도시된 것과 같이, 예비 양자점 층(321-I)을 경화하여 양자점 층(321)을 형성한다. 도 8c에 도시된 것과 같이, 예비 양자점 층(321-I)의 경화는 열(HT)이 제공되는 열 경화 공정으로 진행될 수 있다. 열(HT)은 예비 양자점 층(321-I)의 조성, 제공양, 및 형성하고자 하는 양자점 층(321)의 두께에 따라 다양한 온도와 시간으로 조절될 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIGS. 8C and 8D, the preliminary quantum dot layer 321 -I is cured to form a quantum dot layer 321. As shown in FIG. 8C, curing of the preliminary quantum dot layer 321 -I may be performed by a thermal curing process in which heat HT is provided. The heat HT can be controlled at various temperatures and times depending on the composition of the preliminary quantum dot layer 321 -I, the amount provided, and the thickness of the quantum dot layer 321 to be formed.

도 8d에 도시된 것과 같이, 양자점 층(321)의 상면(321-S, 이하 양자점 층의 상면)에 소정의 요철들(WRK-Q, 이하 양자점의 상면의 요철들)이 형성될 수 있다. 경화 공정이 진행된 후, 양자점 층의 상면(321-S)은 하부 배리어 층의 상면(322-S) 대비 주름진 면일 수 있다.8D, predetermined irregularities (WRK-Q, irregularities on the upper surface of the quantum dot) may be formed on the upper surface of the quantum dot layer 321 (321-S, hereinafter the upper surface of the quantum dot layer). After the curing process is performed, the upper surface 321-S of the quantum dot layer may be a wrinkled surface compared to the upper surface 322-S of the lower barrier layer.

양자점의 상면의 요철들(WRK-Q)은 예비 양자점 층(321-I) 상면에 가해진 응력(SS)에 의해 형성될 수 있다. 응력(SS)의 크기가 클수록 양자점의 상면의 요철들(WRK-Q)의 요철 정도는 증가될 수 있다. 요철 정도가 클수록 양자점의 상면의 요철들(WRK-Q)의 돌출 정도가 클 수 있다.The irregularities WRK-Q on the upper surface of the quantum dot may be formed by the stress SS applied to the upper surface of the preliminary quantum dot layer 321 -I. As the magnitude of the stress SS is increased, the degree of unevenness of the upper and lower surfaces of the quantum dot WRK-Q may be increased. The greater the degree of irregularities, the greater the degree of protrusion of the irregularities WRK-Q on the upper surface of the quantum dot.

요철 정도는 다양한 방식으로 조절될 수 있다. 예를 들어, 요철 정도는 예비 양자점 층(321-I)의 물성에 따라 달라질 수 있다. 요철 정도에 영향을 미치는 예비 양자점 층(321-I)의 물성은 유리 전이 온도를 포함할 수 있다. 예비 양자점 층(321-I)이 경화 공정에서 제공되는 열(HT)에 대한 안정성이 낮을수록 요철 정도는 증가될 수 있다.The degree of irregularities can be adjusted in various ways. For example, the degree of unevenness may vary depending on the physical properties of the preliminary quantum dot layer 321 -I. The physical properties of the preliminary quantum dot layer 321 -I affecting the degree of unevenness may include a glass transition temperature. The lower the stability of the preliminary quantum dot layer 321 -I to the heat HT provided in the curing process, the more the unevenness may be increased.

또는, 요철 정도는 양자점 층(321)의 두께에 따라 달라질 수 있다. 형성하고자 하는 양자점 층(321)의 두께가 두꺼울수록 제공되는 예비 양자점 층(321-I)의 양은 증가된다. 이때, 요철 정도는 양자점 층(321)의 두께가 두꺼울수록 증가될 수 있다.Alternatively, the degree of unevenness may vary depending on the thickness of the quantum dot layer 321. The thicker the thickness of the quantum dot layer 321 to be formed, the larger the amount of preliminary quantum dot layers 321 -I provided. At this time, the degree of unevenness may be increased as the thickness of the quantum dot layer 321 is thick.

또는, 요철 정도는 베이스 기판(310)과 예비 양자점 층(321-I) 사이의 유리 전이 온도 차이에 따라 달라질 수 있다. 경화 공정에서 제공된 열(HT)에 대한 안정성은 베이스 기판(310)과 예비 양자점 층(321-I)에 대해 서로 상이할 수 있다. 이에 따라, 예비 양자점 층(321-I)에 소정의 잔류 응력이 발생될 수 있고, 잔류 응력이 압축 응력일수록 요철 정도는 증가될 수 있다.Alternatively, the degree of unevenness may vary according to a difference in glass transition temperature between the base substrate 310 and the preliminary quantum dot layer 321 -I. The stability to heat (HT) provided in the curing process may be different from the base substrate 310 and the preliminary quantum dot layers 321 -I. Accordingly, a predetermined residual stress may be generated in the preliminary quantum dot layer 321 -I, and the degree of unevenness may be increased as the residual stress is compressive stress.

이후, 도 8e에 도시된 것과 같이, 양자점 층(321) 상에 상부 배리어 층(323)을 형성하여 광학 부재(300)를 형성한다. 상부 배리어 층(323)은 양자점 층의 상면(321-S)을 무기막으로 코팅하여 형성될 수 있다. 코팅 방식은 증착 또는 인쇄 공정을 포함할 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIG. 8E, the upper barrier layer 323 is formed on the quantum dot layer 321 to form the optical member 300. The upper barrier layer 323 may be formed by coating the upper surface 321 -S of the quantum dot layer with an inorganic film. The coating method may include a deposition or printing process.

이때, 상부 배리어 층(323)에는 양자점 층의 상면(321-S)을 따라 굴곡진 상면(323-S, 이하 상부 배리어 층의 상면)이 형성될 수 있다. 상부 배리어 층의 상면(323-S)은 양자점 층의 상면(321-S)이 반영될 수 있다. 이에 따라, 상부 배리어 층의 상면(323-S)은 양자점의 상면의 요철들(WRK-Q)에 대응되는 복수의 요철들(WRK)을 포함할 수 있다.At this time, a curved upper surface (323-S, hereinafter upper surface of the upper barrier layer) may be formed on the upper barrier layer 323 along the upper surface 321 -S of the quantum dot layer. The upper surface 323-S of the upper barrier layer may reflect the upper surface 321-S of the quantum dot layer. Accordingly, the upper surface 323-S of the upper barrier layer may include a plurality of irregularities WRK corresponding to the irregularities WRK-Q of the upper surface of the quantum dot.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재(300)는 주름진 상면(321-S)을 포함하는 양자점 층(321) 상에 무기물로 형성된 상부 배리어 층(323)을 형성함으로써, 상부 배리어 층(323)에 주름진 상면(323-S)을 형성할 수 있다. 양자점 층(321)에 있어서, 경화 공정에서 발생된 변형은 열(HT)에 따른 스트레스로 인한 것일 수 있다. 양자점 층(321)은 열(HT)에 따른 스트레스를 불균일한 상면(321-S)을 형성함으로써 완화시킬 수 있다.The optical member 300 according to an embodiment of the present invention, by forming an upper barrier layer 323 formed of an inorganic material on the quantum dot layer 321 including a corrugated upper surface (321-S), the upper barrier layer 323 It is possible to form a corrugated upper surface (323-S). In the quantum dot layer 321, the deformation generated in the curing process may be due to stress due to heat (HT). The quantum dot layer 321 can relieve stress caused by heat HT by forming a non-uniform top surface 321 -S.

본 발명에 따르면, 변형이 발생된 양자점 층(321) 상에 상부 배리어 층(323)을 그대로 형성함으로써, 양자점 층(321)의 추후 변형이 방지될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상부 배리어 층(323)을 양자점 층(321)의 요철(WRK-Q)을 따라 형성함으로써, 양자점 층(321)의 추후 변형에 따라 요철(WRK-Q)이 변형되더라도 상부 배리어 층(323)의 손상이나 박리가 개선될 수 있다.According to the present invention, by forming the upper barrier layer 323 as it is on the quantum dot layer 321 where the deformation occurs, subsequent deformation of the quantum dot layer 321 can be prevented. Further, according to the present invention, by forming the upper barrier layer 323 along the unevenness (WRK-Q) of the quantum dot layer 321, even if the unevenness (WRK-Q) is deformed according to the subsequent deformation of the quantum dot layer 321 Damage or peeling of the upper barrier layer 323 may be improved.

한편, 도 9a 내지 도 9d를 참조하면, 양자점 층의 상면의 요철들(WRK-Q)과 상부 배리어 층의 상면의 요철들(WRK)은 동시에 형성될 수도 있다. 도 9a 및 도 9b에 도시된 것과 같이, 제1 예비 양자점 층(321-I1)을 경화시켜 제2 예비 양자점 층(321-I2)을 형성할 수 있다. 제1 예비 양자점 층(321-I1)은 도 7c에 도시된 예비 양자점 층(321-I)과 대응될 수 있다.Meanwhile, referring to FIGS. 9A to 9D, irregularities WRK-Q on the upper surface of the quantum dot layer and irregularities WRK on the upper surface of the upper barrier layer may be simultaneously formed. As illustrated in FIGS. 9A and 9B, the first preliminary quantum dot layer 321 -I1 may be cured to form the second preliminary quantum dot layer 321 -I2. The first preliminary quantum dot layer 321 -I1 may correspond to the preliminary quantum dot layer 321 -I shown in FIG. 7C.

제1 예비 양자점 층(321-I1)으로부터 경화되어 형성된 제2 예비 양자점 층(321-I2)은 도 8d에 도시된 양자점 층(321)과 달리 평탄한 상면(321-S20)을 가질 수 있다. 제1 예비 양자점 층(321-I1)의 상면(321-S10)과 제2 예비 양자점 층(321-I2)의 상면(321-S20)은 실질적으로 동일할 수 있다. 이 때, 제2 예비 양자점 층(321-I2)은 열(HT)에 의한 스트레스를 받은 상태이나 제1 예비 양자점 층(321-I1)으로부터의 상면의 변형은 발생되지 않은 상태일 수 있다.The second preliminary quantum dot layer 321 -I2 formed by curing from the first preliminary quantum dot layer 321 -I1 may have a flat top surface 321-S20 unlike the quantum dot layer 321 illustrated in FIG. 8D. The upper surface 321-S10 of the first preliminary quantum dot layer 321-I1 and the upper surface 321-S20 of the second preliminary quantum dot layer 321-I2 may be substantially the same. At this time, the second preliminary quantum dot layer (321-I2) may be in a state in which stress is caused by heat (HT), but a deformation of the top surface from the first preliminary quantum dot layer (321-I1) may not occur.

이후, 도 9c에 도시된 것과 같이 제2 예비 양자점 층(321-I2) 상에 예비 상부 배리어 층(323-I)을 형성한다. 예비 상부 배리어 층(323-I)은 제2 예비 양자점 층의 상면(321-S20)이 반영된 상면(323-S10)을 가질 수 있다. 이에 따라, 예비 상부 배리어 층(323-I)의 상면(323-S10)은 평탄한 면일 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 9C, a preliminary upper barrier layer 323-I is formed on the second preliminary quantum dot layer 321-I2. The preliminary upper barrier layer 323 -I may have a top surface 323-S10 on which the top surface 321-S20 of the second preliminary quantum dot layer is reflected. Accordingly, the upper surface 323-S10 of the preliminary upper barrier layer 323-I may be a flat surface.

이때, 도 9d에 도시된 것과 같이, 제2 예비 양자점 층(321-I2) 및 예비 상부 배리어 층(323-I)이 변형되어 양자점 층(321) 및 상부 배리어 층(323)이 형성될 수 있다. 본 발명에서는 용이한 설명을 위해 상부 배리어 층(323)이 형성된 후 변형되는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 상부 배리어 층(323)의 형성 공정 중에 변형이 발생될 수도 있다.At this time, as illustrated in FIG. 9D, the second preliminary quantum dot layer 321 -I2 and the preliminary upper barrier layer 323 -I may be modified to form the quantum dot layer 321 and the upper barrier layer 323. . In the present invention, for ease of description, the upper barrier layer 323 is formed and then deformed. However, the present invention is not limited thereto, and deformation may occur during the process of forming the upper barrier layer 323.

양자점 층(321)은 열(HT)에 따른 스트레스로 인한 잔류 응력(SS)에 의해 제2 예비 양자점 층(321-I2)이 변형되면서 형성될 수 있다. 양자점 층의 상면(321-S)과 상부 배리어 층(323)의 상면(323-S)에는 잔류 응력(SS)에 따른 요철들(WRK-Q, WRK)이 각각 형성될 수 있다. 잔류 응력(SS)은 요철들(WRK-Q, WRK)에 대해 압축 응력일 수 있다.The quantum dot layer 321 may be formed while the second preliminary quantum dot layer 321 -I2 is deformed by residual stress SS due to stress due to heat HT. Unevennesses WRK-Q and WRK according to the residual stress SS may be formed on the upper surface 321 -S of the quantum dot layer and the upper surface 323 -S of the upper barrier layer 323, respectively. Residual stress (SS) may be a compressive stress for unevenness (WRK-Q, WRK).

본 발명에 따르면, 변형이 발생된 양자점 층(321) 상에 상부 배리어 층(323)을 그대로 형성함으로써, 양자점 층(321)의 추후 변형이 방지될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상부 배리어 층(323)을 양자점 층(321)의 요철(WRK1)을 따라 형성함으로써, 양자점 층(321)의 추후 변형에 따라 요철(WRK1)이 변형되더라도 상부 배리어 층(323)의 손상이나 박리가 개선될 수 있다.According to the present invention, by forming the upper barrier layer 323 as it is on the quantum dot layer 321 where the deformation occurs, subsequent deformation of the quantum dot layer 321 can be prevented. Further, according to the present invention, by forming the upper barrier layer 323 along the unevenness (WRK1) of the quantum dot layer 321, even if the unevenness (WRK1) is deformed according to the subsequent deformation of the quantum dot layer 321, the upper barrier layer ( 323) can be improved.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 11a 내지 도 11d는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 제조 방법을 도시한 단면도들이다. 이하, 도 10 내지 도 11d를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.10 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 11A to 11D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an optical member according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 11D.

도 10에 도시된 것과 같이, 표시 장치(DA-C)는 휘어진 형상을 가질 수 있다. 표시 장치(DA-C)는 표시 패널(100C), 백라이트 유닛(BLU), 상부 보호 부재(410C), 하부 보호 부재(420C), 및 광학 필름(500)을 포함한다.As illustrated in FIG. 10, the display device DA-C may have a curved shape. The display device DA-C includes a display panel 100C, a backlight unit BLU, an upper protective member 410C, a lower protective member 420C, and an optical film 500.

표시 패널(100C)은 휘어진 형상을 가질 수 있다. 표시 패널(100C)은 제1 기판(110C) 및 제2 기판(120C)을 포함한다. 제1 기판(110C) 및 제2 기판(120C)은 휘어진 형상을 제외하고, 도 1에 도시된 제1 기판(110) 및 제2 기판(120)과 대응되므로, 이하 중복된 설명은 생략하기로 한다.The display panel 100C may have a curved shape. The display panel 100C includes a first substrate 110C and a second substrate 120C. Since the first substrate 110C and the second substrate 120C correspond to the first substrate 110 and the second substrate 120 illustrated in FIG. 1 except for a curved shape, a duplicate description will be omitted below. do.

상부 보호 부재(410C) 및 하부 보호 부재(420C)은 각각 휘어진 형상을 가질 수 있다. 광학 필름(500)은 휘어진 상태로 표시 장치(DA-C)에 조립될 수 있다. 상부 보호 부재(410C), 하부 보호 부재(420C), 및 광학 필름(500)은 휘어진 형상을 제외하고, 도 1에 도시된 상부 보호 부재(410), 하부 보호 부재(420), 및 광학 필름(500)과 대응되므로 이하 중복된 설명은 생략하기로 한다.The upper protection member 410C and the lower protection member 420C may each have a curved shape. The optical film 500 may be assembled to the display device DA-C in a curved state. The upper protective member 410C, the lower protective member 420C, and the optical film 500 except for the curved shape, the upper protective member 410, the lower protective member 420, and the optical film shown in FIG. 1 ( 500), the duplicate description will be omitted below.

백라이트 유닛(BLU)은 광원(200C) 및 광학 부재(300C)를 포함한다. 광원(200C)은 회로 기판(210C) 및 복수의 발광 소자들(220C)을 포함한다. 본 발명에 있어서, 광원(200C)은 도 1에 도시된 광원(200)과 실질적으로 동일하므로 이하 중복된 설명은 생략하기로 한다.The backlight unit BLU includes a light source 200C and an optical member 300C. The light source 200C includes a circuit board 210C and a plurality of light emitting elements 220C. In the present invention, since the light source 200C is substantially the same as the light source 200 shown in FIG. 1, a duplicate description will be omitted below.

광학 부재(300C)는 일 방향을 따라 휘어진 형상을 가질 수 있다. 광학 부재(300C)의 상면(300C-S)은 표시 패널(100C)을 향하는 면일 수 있다. 광학 부재(300C)는 휘어진 형상을 제외하고 도 1에 도시된 광학 부재(300)와 대응될 수 있다. 이하, 광학 부재(300C)에 대해서는 이하 도 11a 내지 도 11d를 참조하여 설명한다.The optical member 300C may have a curved shape along one direction. The upper surface 300C-S of the optical member 300C may be a surface facing the display panel 100C. The optical member 300C may correspond to the optical member 300 shown in FIG. 1 except for a curved shape. Hereinafter, the optical member 300C will be described with reference to FIGS. 11A to 11D.

도 11a 및 도 11b에 도시된 것과 같이, 예비 베이스 기판(312-I)을 소정의 벤딩축(BX)을 중심으로 벤딩하여 휘어진 형상의 베이스 기판(312C)을 형성한다. 이 때, 베이스 기판(312C)에는 소정의 응력(SS1)이 발생된다. 응력(SS1)은 압축 응력일 수 있다. 베이스 기판(312C)은 응력(SS1)에 의해 벤딩축(BX)을 중심으로 휘어질 수 있다.11A and 11B, the preliminary base substrate 312-I is bent around a predetermined bending axis BX to form a curved base substrate 312C. At this time, a predetermined stress SS1 is generated in the base substrate 312C. The stress SS1 may be compressive stress. The base substrate 312C may be bent around the bending axis BX by the stress SS1.

베이스 기판(312C)은 벤딩축(BX)을 중심으로 소정의 곡률 반경(RC)으로 휘어질 수 있다. 한편, 본 실시예에서 곡률 반경(RC)은 일정한 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판(312C)은, 상이한 곡률 반경(RC)을 갖도록 휘어질 수도 있다.The base substrate 312C may be bent with a predetermined radius of curvature RC around the bending axis BX. Meanwhile, in this embodiment, the radius of curvature RC is shown to be constant, but the present invention is not limited thereto, and the base substrate 312C according to an embodiment of the present invention may be bent to have a different radius of curvature RC.

이후, 도 11c에 도시된 것과 같이, 베이스 기판(310C)에 하부 배리어 층(322C), 양자점 층(321C), 및 상부 배리어 층(323C)을 순차적으로 형성하여 광학 부재(300C)를 형성한다. 상부 배리어 층(323C)의 상면에는 요철들(WRK)이 형성된다. 요철들(WRK)은 상술한 바와 같이, 양자점 층(321C)의 경화 시 형성되거나 상부 배리어 층(323C)이 형성될 때 형성된 요철들로 인해 형성될 수 있다. 이에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 11C, an optical member 300C is formed by sequentially forming a lower barrier layer 322C, a quantum dot layer 321C, and an upper barrier layer 323C on the base substrate 310C. The irregularities WRK are formed on the upper surface of the upper barrier layer 323C. As described above, the irregularities WRK may be formed when the quantum dot layer 321C is cured or may be formed due to irregularities formed when the upper barrier layer 323C is formed. Duplicate description of this will be omitted.

한편, 도 11d에 도시된 것과 같이, 광학 부재(300C)가 형성된 이후, 베이스 기판(310C)에는 소정의 응력(SS2)이 발생될 수 있다. 응력(SS2)은 베이스 기판(310C)의 잔류 응력으로, 인장응력일 수 있다. 잔류 응력은 베이스 기판(310C)에 가해진 벤딩 스트레스에 따라 유발된 것일 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 11D, after the optical member 300C is formed, a predetermined stress SS2 may be generated in the base substrate 310C. The stress SS2 is the residual stress of the base substrate 310C, and may be a tensile stress. The residual stress may be caused by bending stress applied to the base substrate 310C.

본 발명에 따르면, 요철들(WRK)을 포함하는 상부 배리어 층의 상면(323C-S)으로 인해, 응력(SS2)으로 인해 양자점 층(321C) 등의 형상이 변형되더라도 상부 배리어 층(323C)과 양자점 층(321C) 사이의 접착력이 안정적으로 유지될 수 있다. 이에 따라, 상부 배리어 층(323C)이 양자점 층(321C)으로부터 박리되거나, 상부 배리어 층(323C)에 발생되는 깨짐 등이 발생되는 불량이 감소되어 광학 부재(300C)의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the present invention, due to the upper surface (323C-S) of the upper barrier layer including the unevenness (WRK), even if the shape of the quantum dot layer (321C) is deformed due to the stress (SS2) and the upper barrier layer (323C) The adhesion between the quantum dot layers 321C may be stably maintained. Accordingly, defects in which the upper barrier layer 323C is peeled from the quantum dot layer 321C or cracks generated in the upper barrier layer 323C are reduced, so that the reliability of the optical member 300C can be improved.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will not depart from the spirit and technical scope of the invention described in the claims below. It will be understood that various modifications and changes may be made to the present invention without departing from the scope.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

DA: 표시 장치 100: 표시 패널
200: 광원 300: 광학 부재
WRK: 요철들DA: Display device 100: Display panel
200: light source 300: optical member
WRK: Unevenness

Claims

Base substrate;
A quantum dot layer disposed on the base substrate, including a first upper surface having irregularities, and comprising a medium layer and a plurality of quantum dots dispersed in the medium layer;
A lower barrier layer disposed between the base substrate and the quantum dot layer; And
And an upper barrier layer covering the unevenness of the upper surface of the quantum dot layer,
The upper barrier layer is an optical member having a second upper surface with irregularities corresponding to the irregularities.

According to claim 1,
The upper barrier layer is an optical member having a uniform thickness on the base substrate.

According to claim 2,
The quantum dot layer is an optical member having a different thickness on the base substrate.

According to claim 2,
The upper barrier layer is an optical member comprising an inorganic film.

According to claim 1,
The irregularities are provided in plural,
At least one of the irregularities is an optical member having a curved shape on a plane.

The method of claim 5,
At least two of the irregularities are optical members connected to each other.

The method of claim 5,
The curved shape is an optical member including a closed curve shape.

The method of claim 7,
The unevenness includes a first unevenness having a first closed curve shape and a second unevenness having a second closed curve shape,
The first closed curve shape and the second closed curve shape are different optical members.

The method of claim 8,
The first and second irregularities are optical members connected to each other.

The method of claim 5,
An optical member having a height on a cross section of each of the irregularities within about 1 μm.

The method of claim 10,
The distance between the irregularities is 100 µm or less.

According to claim 1,
An optical member disposed between the base substrate and the lower barrier layer, and further comprising a low refractive layer having a refractive index of 1.5 or less.

The method of claim 12,
The base substrate is an optical member comprising a glass substrate.

The method of claim 12,
Further comprising a protective layer disposed on the upper barrier layer and comprising an organic material,
The protective layer covers the second upper surface and has an optical member having a flat upper surface.

A light source generating light;
An optical member including an incident surface facing the light source; And
A display panel disposed on the optical member and including a plurality of pixels,
The optical member,
A base substrate facing an upper surface of the display panel, a lower surface facing the upper surface, and a plurality of side surfaces connecting the upper surface and the lower surface, wherein the incident surface is at least one of the side surfaces;
A lower barrier layer disposed on the base substrate and including a flat upper surface;
An upper barrier layer disposed on the lower barrier layer and including an upper surface having a plurality of irregularities relative to the upper surface of the lower barrier layer; And
A quantum dot layer disposed between the lower barrier layer and the upper barrier layer and comprising a medium layer and a plurality of quantum dots dispersed in the medium layer,
The unevenness is a display device having a curved shape on a plane.

The method of claim 15,
The unevenness includes a first unevenness having a first shape on a plane and a second unevenness having a second shape on a plane,
The first shape and the second shape are different from each other.

The method of claim 16,
The first unevenness and the second unevenness are connected to each other.

The method of claim 15,
A display device having an upper surface of the medium layer having irregularities compared to the upper surface of the base substrate.

The method of claim 18,
The medium layer has an uneven thickness on the base substrate,
The upper barrier layer is a display device having a uniform thickness on the base substrate.

The method of claim 18,
The upper barrier layer includes an inorganic layer.

The method of claim 15,
The base substrate includes a glass substrate.

The method of claim 21,
A display device further comprising a low refractive layer disposed between the base substrate and the quantum dot layer and having a refractive index of less than 1.5.

The method of claim 15,
A protective layer disposed on the upper barrier layer to cover the upper surface of the upper barrier layer,
The protective layer is a display device having a flat upper surface than the upper surface of the upper barrier layer.

The method of claim 15,
The display panel is a display device that is bent around an axis extending in one direction.