JP2020091469A - Optical member and display device including the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光学部材及びそれを含むディスプレイ装置に関し、より詳細には、信頼性を向上させた光学部材及びそれを含むディスプレイ装置に関する。 The present invention relates to an optical member and a display device including the same, and more particularly, to an optical member having improved reliability and a display device including the same.
ディスプレイ装置は、自発光ディスプレイ装置、反射型ディスプレイ装置、及び透過型ディスプレイ装置を含む。反射型ディスプレイ装置は、光の透過率を変更させるディスプレイパネル及びディスプレイパネルに光を供給するためのバックライトユニットを含む。ディスプレイパネルは、バックライトユニットから供給された光の透過率を調節してイメージをディスプレイする。 The display device includes a self-luminous display device, a reflective display device, and a transmissive display device. The reflective display device includes a display panel for changing light transmittance and a backlight unit for supplying light to the display panel. The display panel displays an image by adjusting the transmittance of light supplied from the backlight unit.
一方、光効率を増加させ、色再現性を高めるために、バックライトユニットに多様な種類の光学部材が追加されている。最近では、優れた光学特性だけでなく、薄型のディスプレイ装置に対する要求が増加しており、ディスプレイ装置のディスプレイ品質を向上させるために、多様な光学部材が追加される。 Meanwhile, various types of optical members have been added to the backlight unit in order to increase light efficiency and color reproducibility. Recently, there is an increasing demand for a thin display device as well as excellent optical characteristics, and various optical members are added to improve the display quality of the display device.
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、薄型化され、信頼性を向上させた光学部材及びそれを含むディスプレイ装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above prior art, and an object of the present invention is to provide an optical member that is thin and has improved reliability, and a display device including the optical member.
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による光学部材は、ベース基板と、前記ベース基板上に配置され、リンクル(wrinkle)を有する第1上面を含んで媒質層及び前記媒質層内に分散された複数の量子ドットを含む量子ドット層と、前記ベース基板と前記量子ドット層との間に配置された下部バリア層と、前記量子ドット層の第1上面のリンクルをカバーする上部バリア層と、を備え、前記上部バリア層は、前記第1上面のリンクルに対応するリンクルを含む第2上面を有する。 An optical member according to an aspect of the present invention made to achieve the above object includes a medium layer and a medium layer including a base substrate and a first upper surface disposed on the base substrate and having a wrinkle. A quantum dot layer including a plurality of quantum dots dispersed in a lower barrier layer, a lower barrier layer disposed between the base substrate and the quantum dot layer, and an upper barrier covering a wrinkle on a first upper surface of the quantum dot layer. A layer, the upper barrier layer having a second upper surface that includes a wrinkle corresponding to the wrinkle of the first upper surface.
前記上部バリア層は、前記ベース基板上に一様な厚さを有し得る。
前記量子ドット層は、前記ベース基板上で異なる厚さを有し得る。
前記上部バリア層は、無機膜を含み得る。
前記リンクルは、複数備えられ、前記複数のリンクルのうちの少なくともいずれか一つは、平面上で曲線形状を有し得る。
前記複数のリンクルのうちの少なくとも二つのリンクルは、互いに連結され得る。
前記曲線形状は、閉曲線形状を含み得る。
前記複数のリンクルは、第1閉曲線形状を有する第1リンクル及び第2閉曲線形状を有する第2リンクルを含み、前記第1閉曲線形状と前記第2閉曲線形状とは、互いに異なり得る。
前記第1リンクルと前記第2リンクルとは、互いに連結され得る。
前記複数のリンクルのそれぞれの垂直の厚さは、1μm以内であり得る。
前記複数のリンクル間の距離は、100μm以下であり得る。
前記光学部材は、前記ベース基板と前記下部バリア層との間に配置され、1.5以下の屈折率を有する低屈折率層を更に含み得る。
前記ベース基板は、ガラス基板を含み得る。
前記光学部材は、前記上部バリア層上に配置され、有機物を含む保護層を更に含み、前記保護層は、前記第2上面をカバーして平坦な上面を有し得る。
The upper barrier layer may have a uniform thickness on the base substrate.
The quantum dot layers may have different thicknesses on the base substrate.
The upper barrier layer may include an inorganic film.
A plurality of the wrinkles may be provided, and at least one of the plurality of wrinkles may have a curved shape on a plane.
At least two wrinkles of the plurality of wrinkles may be connected to each other.
The curved shape may include a closed curved shape.
The plurality of wrinkles may include a first wrinkle having a first closed curve shape and a second wrinkle having a second closed curve shape, and the first closed curve shape and the second closed curve shape may be different from each other.
The first wrinkle and the second wrinkle may be connected to each other.
The vertical thickness of each of the plurality of wrinkles may be within 1 μm.
The distance between the plurality of wrinkles may be 100 μm or less.
The optical member may further include a low refractive index layer disposed between the base substrate and the lower barrier layer and having a refractive index of 1.5 or less.
The base substrate may include a glass substrate.
The optical member may further include a protective layer disposed on the upper barrier layer and including an organic material, and the protective layer may have a flat upper surface that covers the second upper surface.
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるディスプレイ装置は、光を生成する光源と、前記光源に対向する入射面を含む光学部材と、前記光学部材上に配置され、複数の画素を含むディスプレイパネルと、を備え、前記光学部材は、前記ディスプレイパネルに対向する上面、前記上面に対向する下面、及び前記上面と下面とを連結する複数の側面を含み、前記入射面が前記側面のうちの少なくともいずれか一つであるベース基板と、前記ベース基板上に配置され、平坦な上面を含む下部バリア層と、前記下部バリア層上に配置され、前記下部バリア層の上面に比べて不均一である複数のリンクル(wrinkle)を有する上面を含む上部バリア層と、前記下部バリア層と前記上部バリア層との間に配置され、媒質層及び前記媒質層内に分散された複数の量子ドット層と、を備え、前記リンクルは、平面上で曲線形状を有する。 A display device according to an aspect of the present invention made to achieve the above object includes a light source for generating light, an optical member including an incident surface facing the light source, and a plurality of pixels arranged on the optical member. And a display panel including the optical member, wherein the optical member includes an upper surface facing the display panel, a lower surface facing the upper surface, and a plurality of side surfaces connecting the upper surface and the lower surface, and the incident surface is the side surface. A base substrate that is at least one of the following, a lower barrier layer that is disposed on the base substrate and includes a flat upper surface, and a lower barrier layer that is disposed on the lower barrier layer and that is lower than the upper surface of the lower barrier layer. An upper barrier layer including an upper surface having a plurality of wrinkles that are non-uniform, a medium layer, and a plurality of quantums dispersed in the medium layer and disposed between the lower barrier layer and the upper barrier layer. A dot layer, and the wrinkle has a curved shape on a plane.
前記リンクルは、平面上で第1形状を有する第1リンクル及び平面上で第2形状を有する第2リンクルを含み、前記第1形状と前記第2形状とは、互いに異なり得る。
前記第1リンクルと前記第2リンクルとは、互いに連結され得る。
前記媒質層の上面は、前記ベース基板の上面に比べてリンクル形状を有し得る。
前記媒質層は、前記ベース基板上で不均一な厚さを有し、前記上部バリア層は、前記ベース基板上で均一な厚さを有し得る。
前記上部バリア層は、無機膜を含み得る。
前記ベース基板は、ガラス基板を含み得る。
前記ディスプレイ装置は、前記ベース基板と前記量子ドット層との間に配置され、1.5未満の屈折率を有する低屈折層を更に含み得る。
前記ディスプレイ装置は、前記上部バリア層上に配置され、前記上部バリア層の上面をカバーする保護層を更に含み、前記保護層は、前記保護層の上面に比べて平坦な上面を有し得る。
前記ディスプレイパネルは、一方向に沿って延長された軸を中心にベンディング(bending)され得る。
The wrinkle includes a first wrinkle having a first shape on a plane and a second wrinkle having a second shape on a plane, and the first shape and the second shape may be different from each other.
The first wrinkle and the second wrinkle may be connected to each other.
An upper surface of the medium layer may have a wrinkle shape as compared with an upper surface of the base substrate.
The medium layer may have a non-uniform thickness on the base substrate, and the upper barrier layer may have a uniform thickness on the base substrate.
The upper barrier layer may include an inorganic film.
The base substrate may include a glass substrate.
The display device may further include a low refractive layer disposed between the base substrate and the quantum dot layer and having a refractive index of less than 1.5.
The display device may further include a protective layer disposed on the upper barrier layer and covering an upper surface of the upper barrier layer, and the protective layer may have a flat upper surface as compared to an upper surface of the protective layer.
The display panel may be bent around an axis extending along one direction.
本発明によると、量子ドット層をカバーする無機バリア層にリンクルを形成することで、温度や外部からの衝撃などにより量子ドット層が変形されても無機バリア層の損傷を防止することができる。これにより、光学部材の信頼性が向上する。 According to the present invention, by forming a wrinkle in the inorganic barrier layer that covers the quantum dot layer, it is possible to prevent the inorganic barrier layer from being damaged even if the quantum dot layer is deformed due to temperature or external impact. This improves the reliability of the optical member.
本明細書において、ある構成要素(又は領域、層、部分など)が他の構成要素「上にある」、「連結される」、又は「結合される」と述べる場合に、他の構成要素上に直接配置/連結/結合されるか又はそれらの間に第3構成要素が配置される可能性があることを意味する。 As used herein, when a component (or region, layer, portion, etc.) is referred to as being "on," "coupled with," or "coupled" to another component, it refers to another component. Means that the third component may be placed/connected/coupled directly to or between them.
同一の図面符号は同一の構成要素を指す。また、図面において構成要素の厚さ、比率、及び寸法は、技術的な内容の効果的な説明のために誇張される。 The same reference numerals refer to the same components. In addition, in the drawings, thicknesses, ratios, and dimensions of components are exaggerated for effective description of technical contents.
「及び/又は」は、関連する構成が定義可能な1つ以上の組み合わせを全て含む。 “And/or” includes all one or more combinations in which the relevant configurations can be defined.
第1、第2などの用語は、多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素は用語によって限定されてはならない。用語は1つの構成要素を他の構成要素から区別するためにのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から逸脱せずに、第1構成要素は第2構成要素として命名され、同様に第2構成要素も第1構成要素として命名される。単数の表現は、文脈上明らかに別事を意味しない限り、複数の表現を含む。 The terms first, second, etc. are used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The term is used only to distinguish one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component is named as the second component, and the second component is similarly named as the first component. A singular expression includes plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成要素の相互関連を説明するために使用される。用語は、相対的な概念であり、図面に示す方向を基準に説明する。 Also, terms such as "below", "below", "above", "above" are used to describe the interrelationship of the components shown in the drawings. The terms are relative concepts and will be described based on the directions shown in the drawings.
別の方法で定義されない限り、本明細書で使用する全ての用語(技術用語及び科学用語を含む)は、本発明が属する技術分野における当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書に定義されたような用語は、関連技術のコンテキストにおける意味に一致する意味を有するものと解釈すべきであり、理想的又は過度に形式的な意味に解釈されない限り、明示的にここで定義される。 Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. .. Also, terms such as those defined in commonly used dictionaries should be construed to have the meaning consistent with the meaning in the context of the relevant art, and not to be interpreted as ideal or overly formal. As long as it is explicitly defined here.
「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、一つ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加の可能性を予め排除しないものと理解すべきである。 The term "comprising" or "having", and the like is intended to specify that there are features, numbers, steps, acts, components, parts, or combinations thereof described in the specification. It should be understood that the possibility of the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, acts, components, parts, or combinations thereof is not precluded in advance.
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, a specific example of a mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の分解斜視図である。図2は、図1に示したディスプレイ装置の一部の構成を示す断面図である。図3Aは、本発明の一実施形態によるバックライトユニットの一例を概略的に示す断面図である。図3Bは、本発明の一実施形態によるバックライトユニットの他の例を概略的に示す断面図である。以下、図1〜図3Bを参照して、本発明について説明する。 FIG. 1 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a partial configuration of the display device shown in FIG. FIG. 3A is a sectional view schematically showing an example of a backlight unit according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 3B is a sectional view schematically showing another example of the backlight unit according to the embodiment. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3B.
図1に示したように、ディスプレイ装置DAは、ディスプレイパネル100、バックライトユニットBLU、上部保護部材410、下部保護部材420、及び光学フィルム500を備える。バックライトユニットBLUは、光源200と光学部材300とを含む。
As shown in FIG. 1, the display device DA includes a
ディスプレイパネル100は、電気信号を受信してイメージをディスプレイする。ユーザーは、ディスプレイ装置DAのディスプレイパネル100が提供するイメージを通して情報を受信する。ディスプレイパネル100は、第1方向DR1及び第2方向DR2によって定義される平面に平行なディスプレイ面ISを含む。ディスプレイ面ISは、アクティブ領域AAとその周辺領域NAAとに区分される。ディスプレイパネル100は、アクティブ領域AAで第3方向DR3に向けてイメージをディスプレイする。アクティブ領域AAは、電気信号に基づいて活性化される領域である。ディスプレイパネル100は、アクティブ領域AAに配置された複数の画素PXを含む。
The
周辺領域NAAは、アクティブ領域AAに隣接する。本実施形態で、周辺領域NAAは、アクティブ領域AAを取り囲む。周辺領域NAAには、画素PXに電気信号を提供する各種駆動回路や外部から電気信号を受信するためのパッドが配置される。 The peripheral area NAA is adjacent to the active area AA. In the present embodiment, the peripheral area NAA surrounds the active area AA. Various drive circuits that provide electric signals to the pixels PX and pads for receiving electric signals from the outside are arranged in the peripheral area NAA.
図2には、ディスプレイパネル100のうち、1画素PXが配置されたディスプレイパネル領域の一例を示した。以下、図2を参照して、ディスプレイパネル100について説明する。
FIG. 2 shows an example of the display panel area in which one pixel PX is arranged in the
ディスプレイパネル100は、第1基板110、第2基板120、及び液晶層LCLを含む。第1基板110は、第1ベース層S1、画素PX、及び複数の絶縁層(10、20、30)を含む。本実施形態で、絶縁層(10、20、30)は、第3方向DR3に沿って順次に積層された第1絶縁層10、第2絶縁層20、及び第3絶縁層30で示される。
The
第1ベース層S1は、絶縁材料を含む。例えば、第1ベース層S1は、ガラスやプラスチックを含む。 The first base layer S1 includes an insulating material. For example, the first base layer S1 includes glass or plastic.
画素PXは、薄膜トランジスタTR及び画素電極PEを含む。薄膜トランジスタTRは、半導体パターンAL、制御電極CE、入力電極IE、及び出力電極OEを含む。半導体パターンALは、第1ベース層S1と第1絶縁層10との間に配置される。半導体パターンALは、半導体材料を含む。例えば、半導体材料は、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、酸化物半導体、及び化合物半導体の中の少なくともいずれか一つを含む。更に、画素PXは複数の薄膜トランジスタを含み、薄膜トランジスタのそれぞれは、同一であるか又は異なる半導体材料を含むが、いずれか一つの実施形態に限定されない。
The pixel PX includes a thin film transistor TR and a pixel electrode PE. The thin film transistor TR includes a semiconductor pattern AL, a control electrode CE, an input electrode IE, and an output electrode OE. The semiconductor pattern AL is arranged between the first base layer S1 and the first insulating
制御電極CEは、第1絶縁層10と第2絶縁層20との間に配置される。制御電極CEは、第1絶縁層10を間に置いて、半導体パターンALから離隔して配置される。
The control electrode CE is arranged between the first insulating
入力電極IE及び出力電極OEは、第2絶縁層20と第3絶縁層30との間に配置される。入力電極IEと出力電極OEとは、互いに離隔して配置される。入力電極IE及び出力電極OEのそれぞれは、第1絶縁層10及び第2絶縁層20を貫通して半導体パターンALに接続される。
The input electrode IE and the output electrode OE are arranged between the second insulating
画素電極PEは、薄膜トランジスタTRに連結される。画素電極PEは、共通電極CME及び液晶層LCLと共に液晶キャパシタCLCを構成する。液晶キャパシタCLCは、画素電極PEと共通電極CMEとの間に形成された電界によって液晶層LCLの配向を制御して液晶層LCLの透過率を制御する。画素PXは、液晶層LCLの透過率に対応する光をディスプレイする。 The pixel electrode PE is connected to the thin film transistor TR. The pixel electrode PE constitutes a liquid crystal capacitor C LC together with the common electrode CME and the liquid crystal layer LCL. The liquid crystal capacitor C LC controls the orientation of the liquid crystal layer LCL by the electric field formed between the pixel electrode PE and the common electrode CME to control the transmittance of the liquid crystal layer LCL. The pixel PX displays light corresponding to the transmittance of the liquid crystal layer LCL.
画素電極PEは、第3絶縁層30上に配置される。画素電極PEは、第3絶縁層30を貫通して薄膜トランジスタTRに連結される。電気信号のうちのゲート信号は制御電極CEに伝達されて薄膜トランジスタTRをターンオンさせ、電気信号のうちのデータ信号は入力電極IEを介して受信された後に出力電極OEに伝達されて画素電極PEに提供される。
The pixel electrode PE is arranged on the third insulating
第2基板120は、第2ベース層S2、カラーフィルタ層CF、オーバーコート層CC、及び共通電極CMEを含む。第2ベース層S2は、絶縁材料を含む。第2ベース層S2は、例えばガラス又はプラスチックを含む。
The
第2ベース層S2は、第1ベース層S1に対向する背面、及び背面に対向する前面を含む。前面は、ディスプレイ面IS(図1を参照)が提供される面である。カラーフィルタ層CF及び共通電極CMEは、第2ベース層S2の背面に配置される。 The second base layer S2 includes a back surface facing the first base layer S1 and a front surface facing the back surface. The front surface is the surface on which the display surface IS (see FIG. 1) is provided. The color filter layer CF and the common electrode CME are arranged on the back surface of the second base layer S2.
カラーフィルタ層CFは、ブラックマトリックスBM及びカラーパターンCPを含む。ブラックマトリックスBMは、ブラックマトリックスBMに入射する光を遮光する。ブラックマトリックスBMは、光がディスプレイされる画素領域を区画し、画素領域の周辺をカバーして画素領域の周辺への光漏れを防止する。 The color filter layer CF includes a black matrix BM and a color pattern CP. The black matrix BM blocks light that enters the black matrix BM. The black matrix BM partitions a pixel area in which light is displayed, covers the periphery of the pixel area, and prevents light from leaking to the periphery of the pixel area.
カラーパターンCPは、ブラックマトリックスBMに隣接して配置される。カラーパターンCPは、画素PXの画素電極PEに重畳する。カラーパターンCPは、複数で提供されて画素領域のそれぞれに配置される。画素領域のそれぞれは、液晶キャパシタCLCによって制御される領域であり、画素電極PEに対応する領域である。 The color pattern CP is arranged adjacent to the black matrix BM. The color pattern CP is superimposed on the pixel electrode PE of the pixel PX. A plurality of color patterns CP are provided and arranged in each of the pixel regions. Each of the pixel regions is a region controlled by the liquid crystal capacitor CLC and is a region corresponding to the pixel electrode PE.
カラーパターンCPは、カラーパターンCPに入射する光を所定カラーにより出射させる。カラーパターンCPは、染料、顔料、有機蛍光体、及び無機蛍光体の中の少なくとも一つを含む。本実施形態によるディスプレイパネル100において、カラーフィルタ層CFは、第1ベース層S1上に配置されて第1基板110を形成する可能性もある。或いは、カラーフィルタ層CFは省略される可能性もある。本実施形態によるカラーフィルタ層CFは、多様な形で提供され、いずれか一つの実施形態に限定されない。
The color pattern CP emits light incident on the color pattern CP in a predetermined color. The color pattern CP includes at least one of a dye, a pigment, an organic phosphor, and an inorganic phosphor. In the
オーバーコート層CCは、カラーフィルタ層CFをカバーする。オーバーコート層CCは、絶縁材料を含む。オーバーコート層CCは、カラーフィルタ層CFの背面をカバーして共通電極CMEに平坦面を提供する。一方、本実施形態によるディスプレイパネル100において、オーバーコート層CCは省略されることもある。
The overcoat layer CC covers the color filter layer CF. The overcoat layer CC contains an insulating material. The overcoat layer CC covers the back surface of the color filter layer CF and provides a flat surface for the common electrode CME. Meanwhile, in the
共通電極CMEは、画素電極PEとの間で電界を形成する。本実施形態で、共通電極CMEは、第2ベース層S2の背面に配置され、複数の画素に重畳する一体の形状で提供される。但し、これは例として示したものであり、共通電極CMEは、複数のパターンで提供されて画素領域毎に提供されることもある。また、共通電極CMEは、第1ベース層S1上に配置されて第1基板110を構成することもできる。一方、本実施形態で、画素電極PEはスリットなどが形成されない形状で示したが、本実施形態によるディスプレイパネル100において、共通電極CME及び画素電極PEの中の少なくともいずれか1つは、複数のスリットを含む形状を有することもできる。
The common electrode CME forms an electric field with the pixel electrode PE. In the present embodiment, the common electrode CME is provided on the back surface of the second base layer S2 and is provided in an integral shape that overlaps a plurality of pixels. However, this is shown as an example, and the common electrode CME may be provided in a plurality of patterns and provided for each pixel region. In addition, the common electrode CME may be disposed on the first base layer S1 to form the
液晶層LCLは、液晶分子(図示せず)を含む。液晶分子は、方向性を有する粒子であり、画素電極PEと共通電極CMEとの間に形成された電界に応じて配向が調節される。液晶層LCLの透過率は、実質的に液晶分子の配向によって制御される。 The liquid crystal layer LCL includes liquid crystal molecules (not shown). The liquid crystal molecules are directional particles, and their alignment is adjusted according to the electric field formed between the pixel electrode PE and the common electrode CME. The transmittance of the liquid crystal layer LCL is substantially controlled by the alignment of liquid crystal molecules.
図3Aには、図1に示したバックライトユニットBLUの一例の断面図を示し、図3Bには、一部の構成が追加された本発明の一実施形態によるバックライトユニットBLU−1の他の例の断面図を示した。以下、図1及び図3Aを参照して、バックライトユニットBLUについて説明する。 FIG. 3A shows a cross-sectional view of an example of the backlight unit BLU shown in FIG. 1, and FIG. 3B shows another example of the backlight unit BLU-1 according to an embodiment of the present invention in which a part of the configuration is added. The cross-sectional view of the example of FIG. Hereinafter, the backlight unit BLU will be described with reference to FIGS. 1 and 3A.
バックライトユニットBLUは、ディスプレイパネル100に光を提供する。ディスプレイパネル100は、提供された光をベースに各画素PXの透過率をそれぞれ制御してイメージを具現する。本実施形態で、ディスプレイパネル100は、光透過型ディスプレイパネルである。
The backlight unit BLU provides light to the
光源200は、光を生成して光学部材300の一側に提供する。光源200は、回路基板210と複数の発光素子220とを含む。回路基板210は、第1方向DR1に沿って延長された長さを有し、第3方向DR3に沿って延長された幅を有するプレート形状で提供される。図示していないが、回路基板210は、絶縁基板と絶縁基板上に実装された回路配線とを含む。回路配線は、外部から電気信号を受信して発光素子に伝達したり発光素子220を電気的に連結したりする。
The
発光素子220のそれぞれは、光を生成する。発光素子220は、回路基板210に配置されて回路基板210に電気的に連結される。発光素子220は、回路基板210の長さ方向に沿って互いに離隔して配列される。本実施形態で、発光素子220は、第1方向DR1に沿って一列に配列された形で示した。
Each of the
光学部材300は、ディスプレイパネル100に平行なプレート形状を有する。光学部材300の上面300−Sは、ディスプレイパネル100に向かう面である。
The
光学部材300は、光源200から光を受信してディスプレイパネル100に提供する。光学部材300は、光源200から出射する光の経路を制御してディスプレイパネル100の前面に提供されるようにする。
The
本実施形態による光学部材300は、入射する光を白色光に変換させる。これにより、光源200が白色ではないカラー、例えば青色光を生成しても、ディスプレイパネル100は、光学部材300を介して白色光の提供を受けられる。光学部材300は、導光板及び光変換部材として機能する。本発明によると、単一の光学部材300で導光板及び光変換部材を代替することができ、ディスプレイ装置DAの厚さを減少させることができ、ディスプレイ装置DAの組立工程が単純化される。
The
光学部材300は、ベース基板310及び量子ドットユニット320を含む。ベース基板310は、光源200と向き合う入射面(SF1)を含む。本実施形態で、入射面(SF1)は、ベース基板310の複数の側面のいずれか1つに定義される。但し、これは例として示したものであり、入射面(SF1)は、複数の側面に定義され得る。
The
ベース基板310は、絶縁材料を含む。例えば、ベース基板310は、ガラスを含む。
The
ベース基板310は、入射面(SF1)を介して受信された光を導光させてベース基板310の上面に向けて出射されるようにする。第2方向DR2に向いた光経路は、ベース基板310によって第3方向DR3に変化する。光学部材300の導光機能は、実質的にベース基板310によって行われる。
The
量子ドットユニット320は、ベース基板310上に配置される。量子ドットユニット320は、量子ドット層(QDL)321、下部バリア層(LBL)322、及び上部バリア層(UBL)323を含む。量子ドット層321は、複数の量子ドット(図示せず)を含む。量子ドット層321は、量子ドット層321に入射する光の波長を変化させる。
The
下部バリア層322と上部バリア層323とは、量子ドット層321をシール(seal)する。下部バリア層322は、量子ドット層321とベース基板310との間に配置されて量子ドット層321の下部に配置される構成によって量子ドット層321を保護し、外部の湿気や水分の浸透を防止する。上部バリア層323は、量子ドット層321上に配置されて量子ドット層321の上面をカバーする。上部バリア層323は、量子ドット層321上に配置される構成によって量子ドット層321を保護し、外部の湿気や水分の浸透を防止する。
The
下部バリア層322及び上部バリア層323のそれぞれは、無機物を含む。例えば、下部バリア層322及び上部バリア層323のそれぞれは、金属酸化物や金属窒化物を含む。例えば、下部バリア層322及び上部バリア層323のそれぞれは、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、酸化チタン、又はそれらの組み合わせを含む。但し、これは例として記載したものであり、下部バリア層322及び上部バリア層323は、量子ドット層321をシールすることができる無機物であれば、多様な物質を含むことができ、いずれか一つの実施形態に限定されない。一方、下部バリア層322及び上部バリア層323は、独立して形成される。これにより、下部バリア層322及び上部バリア層323は、互いに同一であるか又は異なる物質で形成される。
Each of the
本実施形態で、量子ドット層321の側面は、下部バリア層322及び上部バリア層323から露出されたもので示した。但し、これは例として示したものであり、本実施形態による光学部材300において、量子ドット層321の側面は、下部バリア層322及び上部バリア層323によってカバーされて外部に露出されない可能性もある。
In this embodiment, the side surface of the
一方、図3Bを参照すると、バックライトユニットBLU−1は、低屈折率層330を更に含む。低屈折率層330は、ベース基板310と量子ドットユニット320との間に配置される。低屈折率層330は、ベース基板310の上面をカバーする。
Meanwhile, referring to FIG. 3B, the backlight unit BLU-1 further includes a low
低屈折率層330は、ベース基板310よりも低い屈折率を有する。例えば、低屈折率層330は、1.5未満の屈折率を有する。低屈折率層330は、ベース基板310の導光機能を向上させる。
The low
再び、図1を参照すると、上部保護部材410は、ディスプレイパネル100上に配置されてディスプレイパネル100をカバーする。上部保護部材410は、ディスプレイパネル100の少なくとも一部を露出させる所定の開口部410−OPを含む。開口部410−OPは、少なくともディスプレイパネル100のアクティブ領域AAを露出させる。アクティブ領域AAにディスプレイされるイメージは、開口部410−OPを通して外部に視認される。一方、本実施形態によるディスプレイ装置DAは、開口部410−OPに配置された透明保護部材を更に含む。また、本実施形態による上部保護部材410は、光学的に透明に提供される。この時、開口部410−OPは、省略される可能性もある。
Referring back to FIG. 1, the
下部保護部材420は、上部保護部材410と結合してディスプレイパネル100及びバックライトユニットBLUを保護する。下部保護部材420は、底部420−B及び側壁部420−Wを含む。底部420−Bは、ディスプレイパネル100及び光学部材300の面積以上の面積を有する。側壁部420−Wは、底部420−Bに連結されて底部420−Bから第3方向DR3に曲げられる。底部420−Bと側壁部420−Wとは、所定の内部空間420−SSを定義する。ディスプレイパネル100及びバックライトユニットBLUは、内部空間420−SSに収容されて外部の衝撃から保護される。
The
光学フィルム500は、ディスプレイパネル100と光学部材300との間に配置される。光学フィルム500は、光学部材300から出射する光がディスプレイパネル100に提供される光の効率を向上させたり、ディスプレイパネル100の前面に均一に到達されるように光の均一度を向上させたりする。光学フィルム500は、単一のシートや複数のシートを含む。例えば、光学フィルム500は、レンティキュラーシート、プリズムシート、及び散乱シートの中の少なくともいずれか一つを含む。一方、本実施形態によるディスプレイ装置DAにおいて、光学フィルム500は、省略され得る。
The
図4は、本発明の一実施形態による光学部材の分解斜視図である。図5Aは、本発明の一実施形態による光学部材の一部を示す断面図である。図5Bは、本発明の一実施形態による光学部材の一部を示す写真である。図4には、説明を容易にするために、ベース基板310と量子ドットユニット320とを分離して示した。図5Aには、図4に示した構成のうちの量子ドットユニット320の一領域を示した。以下、図4〜図5Bを参照して、本発明について説明する。
FIG. 4 is an exploded perspective view of an optical member according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 5A is a cross-sectional view showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention. FIG. 5B is a photograph showing a part of an optical member according to an embodiment of the present invention. In FIG. 4, the
ベース基板310は、上面SF−U、下面SF−L、及び複数の側面(SF1、SF2、SF3、SF4)を含む。上面SF−Uは、ディスプレイパネル100(図1参照)に向かう面である。量子ドットユニット320は、上面SF−Uに配置される。下面SF−Lは、上面SF−Uに対向する。下面SF−Lは、下部保護部材420(図1参照)の底部420−B(図1を参照)に向かう面である。
The
側面(SF1、SF2、SF3、SF4)は、第1側面SF1、第2側面SF2、第3側面SF3、及び第4側面SF4を含む。第1側面SF1及び第2側面SF2のそれぞれは、第1方向DR1及び第3方向DR3によって定義される平面に平行して第2方向DR2で互いに対向する。第3側面SF3及び第4側面SF4のそれぞれは、第2方向DR2及び第3方向DR3によって定義される平面に平行して第1方向DR1で互いに対向する。 The side surfaces (SF1, SF2, SF3, SF4) include a first side surface SF1, a second side surface SF2, a third side surface SF3, and a fourth side surface SF4. Each of the first side surface SF1 and the second side surface SF2 is parallel to the plane defined by the first direction DR1 and the third direction DR3 and faces each other in the second direction DR2. The third side surface SF3 and the fourth side surface SF4 are parallel to a plane defined by the second direction DR2 and the third direction DR3 and face each other in the first direction DR1.
上述したように、側面(SF1、SF2、SF3、SF4)の中の少なくともいずれか一つは、光源200(図1参照)に向き合う入射面である。本実施形態で、入射面は、第1側面SF1に定義される。 As described above, at least one of the side surfaces (SF1, SF2, SF3, SF4) is the incident surface facing the light source 200 (see FIG. 1). In the present embodiment, the incident surface is defined by the first side surface SF1.
量子ドットユニット320は、第3方向DR3に沿って積層された下部バリア層322、量子ドット層321、及び上部バリア層323を含む。下部バリア層322は、ベース基板310上に配置される。下部バリア層322の上面322−S(以下、下部バリア層の上面)は、下部に配置されたベース基板310の上面に対応する形状を有する。本実施形態で、下部バリア層の上面322−Sは、上部バリア層の上面323−Sと比較して平坦(flat)である。
The
量子ドット層321は、媒質層MX、複数の量子ドット(PT1、PT2)及び散乱粒子SPを含む。量子ドット(PT1、PT2)及び散乱粒子SPは、媒質層MX内に分散される。
The
媒質層MXは、一般的にバインダー(binder)と称される多様な樹脂組成物からなる。例えば、媒質層MXは、高分子樹脂である。例えば、媒質層MXは、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などである。媒質層MXは、光学的に透明な透明樹脂である。但し、これに限定されず、本明細書で量子ドット(PT1、PT2)を分散配置させることができる媒質であれば、その名称、追加の他の機能、構成物質などに拘わらず、媒質層MXと称され得る。 The medium layer MX is made of various resin compositions generally called a binder. For example, the medium layer MX is a polymer resin. For example, the medium layer MX is an acrylic resin, a urethane resin, a silicon resin, an epoxy resin, or the like. The medium layer MX is an optically transparent transparent resin. However, the medium layer MX is not limited to this, as long as it is a medium in which the quantum dots (PT1, PT2) can be dispersed and arranged in the present specification, regardless of the name, additional other functions, constituent materials, or the like. Can be called.
量子ドット(PT1、PT2)は、量子ドット(PT1、PT2)に入射する光の波長を変換させる。量子ドット(PT1、PT2)のそれぞれは、数ナノメートルの大きさの結晶構造を有する物質であり、数百から数千個程度の原子で構成され、サイズが小さいため、エネルギーバンドギャップ(band gap)が大きくなる量子閉じ込め(quantum confinement)効果を示す。量子ドット(PT1、PT2)のそれぞれにバンドギャップよりもエネルギーが高い波長の光が入射する場合には、量子ドット(PT1、PT2)のそれぞれは、その光を吸収して励起状態になり、特定の波長の光を放出しながら基底状態に落ちる。放出された光の波長は、バンドギャップに相当する値を有する。量子ドット(PT1、PT2)のそれぞれの大きさや組成などを調節することにより、量子閉じ込め効果による発光特性を調節することができ、これにより、量子ドット(PT1、PT2)のそれぞれによって変換されて放出される光の波長が制御される。 The quantum dots (PT1, PT2) convert the wavelength of light incident on the quantum dots (PT1, PT2). Each of the quantum dots (PT1, PT2) is a substance having a crystal structure with a size of several nanometers, is composed of several hundreds to several thousands of atoms, and has a small size. Therefore, the energy band gap (band gap) is large. ) Shows a quantum confinement effect. When light having a wavelength higher than the band gap is incident on each of the quantum dots (PT1, PT2), each of the quantum dots (PT1, PT2) absorbs the light and enters an excited state. It emits light of the wavelength of and falls to the ground state. The wavelength of the emitted light has a value corresponding to the bandgap. By adjusting the size and composition of each of the quantum dots (PT1, PT2), the emission characteristics due to the quantum confinement effect can be adjusted, whereby the quantum dots (PT1, PT2) are converted and emitted. The wavelength of the emitted light is controlled.
量子ドット(PT1、PT2)のそれぞれは、II−VI族化合物、III−V族化合物、IV−VI族化合物、IV族元素、IV族化合物、及びこれらの組み合わせから選択される。 Each of the quantum dots (PT1, PT2) is selected from II-VI group compounds, III-V group compounds, IV-VI group compounds, IV group elements, IV group compounds, and combinations thereof.
II−VI族化合物は、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、及びこれらの混合物からなる群の2元素化合物、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、及びこれらの混合物からなる群の3元素化合物、並びにHgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、及びこれらの混合物からなる群の4元素化合物から選択される。 The II-VI group compound includes CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and a two-element compound of the group consisting of CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe. , ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnS, Sg, CdS, CdZn, Sg, Sg, Sd, HgZn, Sg, Sd, HgZnS, CgZn, Sg, Sd, HgZn, Sd, Sg, Sd, Sg, Sd, Sg, Sd, Sg, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, Sd, and Sd, and Sd, Sd, Sd, and Sd, and Sd, and S and S and S and S, and S and S and C and S and S, and a mixture of these elements. CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.
III−V族化合物は、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、及びこれらの混合物からなる群の2元素化合物、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、及びこれらの混合物からなる群の3元素化合物、並びにGaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、及びこれらの混合物からなる群の4元素化合物から選択される。IV−VI族化合物は、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、及びこれらの混合物からなる群の2元素化合物、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、及びこれらの混合物からなる群の3元素化合物、並びにSnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、及びこれらの混合物からなる群の4元素化合物から選択される。IV族元素としては、Si、Ge、及びこれらの混合物からなる群から選択される。IV族化合物としては、SiC、SiGe、及びこれらの混合物からなる群から選択される2元素化合物である。 The III-V group compound is a two-element compound of the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs. , GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and ternary compounds of mixtures thereof, as well as GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and a mixture of these four element compounds. Group IV-VI compounds are two-element compounds of the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSnSbPnSb. It is selected from the group consisting of these three-element compounds and the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and the group consisting of these four-element compounds. The Group IV element is selected from the group consisting of Si, Ge, and a mixture thereof. The Group IV compound is a two-element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and a mixture thereof.
このとき、2元素化合物、3元素化合物、又は4元素化合物は、均一な濃度で粒子内に存在するか又は濃度分布が部分的に様々な状態に分けられて同じ粒子内に存在する。 At this time, the 2-element compound, the 3-element compound, or the 4-element compound exists in the particles at a uniform concentration, or the concentration distribution is partially divided into various states and exists in the same particle.
量子ドット(PT1、PT2)のそれぞれは、コア(core)とコアを取り囲むシェル(shell)を含むコアシェル構造である。或いは、一つの量子ドットがもう一つの量子ドットを囲むコア/シェル構造を有する。コアとシェルとの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配(gradient)を有する。 Each of the quantum dots (PT1, PT2) has a core-shell structure including a core and a shell surrounding the core. Alternatively, one quantum dot has a core/shell structure surrounding another quantum dot. The interface between the core and the shell has a concentration gradient in which the concentration of the element existing in the shell becomes lower toward the center.
量子ドット(PT1、PT2)のそれぞれは、ナノメートルスケールの大きさを有する粒子である。量子ドット(PT1、PT2)のそれぞれは、約45nm以下、好ましくは約40nm以下、更に好ましくは約30nm以下の発光波長スペクトルの半値幅(FWHM:full width of half maximum)を有し、この範囲で色純度や色再現性を向上させる。なお、これらの量子ドット(PT1、PT2)を介して発光される光は、全方向に放出されることによって、広視野角が向上する。 Each of the quantum dots (PT1, PT2) is a particle having a size on the nanometer scale. Each of the quantum dots (PT1, PT2) has a full width of half maximum (FWHM) of the emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, more preferably about 30 nm or less, and within this range. Improves color purity and color reproducibility. The light emitted through these quantum dots (PT1, PT2) is emitted in all directions, so that the wide viewing angle is improved.
更に、量子ドット(PT1、PT2)の形態は、当分野で一般的に使用される形態のものに特に限定されないが、より具体的には、球形、ピラミッド型、マルチアーム(multi−arm)、又は立方体(cubic)のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態のものが使用される。 Further, the morphology of the quantum dots (PT1, PT2) is not particularly limited to those commonly used in the art, and more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, Alternatively, cubic nanoparticles, nanotubes, nanowires, nanofibers, nanoplate-like particles and the like are used.
本実施形態による量子ドット(PT1、PT2)は、第1量子ドットPT1及び第2量子ドットPT2を含む。第1量子ドットPT1及び第2量子ドットPT2のそれぞれに入射して放出される光の波長は、互いに異なる。但し、これは例として示したものである。量子ドット(PT1、PT2)が変換する光の波長は、単一の波長範囲である。また、量子ドット(PT1、PT2)は、別の波長の光に変換する追加の量子ドットを更に含むこともできる。本実施形態による量子ドット(PT1、PT2)の種類や数は、いずれか一つの実施形態に制限されない。 The quantum dots (PT1, PT2) according to the present embodiment include a first quantum dot PT1 and a second quantum dot PT2. The wavelengths of the light that enters and is emitted from the first quantum dots PT1 and the second quantum dots PT2 are different from each other. However, this is shown as an example. The wavelength of light converted by the quantum dots (PT1, PT2) is in a single wavelength range. In addition, the quantum dots (PT1, PT2) can further include additional quantum dots that convert light of another wavelength. The type and number of quantum dots (PT1, PT2) according to this embodiment are not limited to any one embodiment.
散乱粒子SPは、酸化チタンのような反射率の高い金属酸化物やシリカ系ナノ粒子を含む。散乱粒子SPは、量子ドット(PT1、PT2)から放出される光を散乱させて量子ドットユニット320内における光再生(recycling)の効率を向上させる。これにより、量子ドットユニット320から放出される光の効率が向上する。但し、これは例として示したものであり、本実施形態による量子ドットユニット320において、散乱粒子SPは省略され得る。
The scattering particles SP include metal oxides having high reflectance such as titanium oxide and silica-based nanoparticles. The scattering particles SP scatter the light emitted from the quantum dots (PT1, PT2) and improve the efficiency of light recycling in the
本実施形態において、量子ドット層321の上面321−S(以下、QDL(量子ドット層)の上面)は、複数のリンクル又はリンクルパターン(WRK−Q)(以下、QDLリンクル)を含む。QDLリンクルWRK−Qは、第1方向DR1及び第2方向DR2によって画定される平面と比較した場合に、第3方向DR3に突出するQDLの上面321−Sの部分である。QDLリンクルWRK−Qは、垂直方向に測定した場合、約1μm以下の厚さを有する。従って、QDLの上面321−Sは、LBLの上面322−Sと比較して、不均一である。 In the present embodiment, the upper surface 321-S of the quantum dot layer 321 (hereinafter, the upper surface of the QDL (quantum dot layer)) includes a plurality of wrinkles or wrinkle patterns (WRK-Q) (hereinafter, QDL wrinkle). The QDL wrinkle WRK-Q is a part of the upper surface 321-S of the QDL protruding in the third direction DR3 when compared with the plane defined by the first direction DR1 and the second direction DR2. The QDL wrinkle WRK-Q has a thickness of about 1 μm or less when measured in the vertical direction. Therefore, the upper surface 321-S of the QDL is non-uniform compared to the upper surface 322-S of the LBL.
QDLリンクルWRK−Qは、量子ドット層(QDL)321の形成過程又は形成後に存在する残留応力によって形成される。QDLの上面321−Sのリンクルは、QDLリンクルWRK−Qによりリンクル(wrinkle)の形状を有する。QDLリンクルWRK−Qの形状は、実質的に上部バリア層323の上面に反映されてディスプレイされる。以下、詳細な説明は後述する。
The QDL wrinkle WRK-Q is formed by the residual stress existing during or after the formation of the quantum dot layer (QDL) 321. The wrinkle on the upper surface 321-S of the QDL has the shape of a wrinkle due to the QDL wrinkle WRK-Q. The shape of the QDL wrinkle WRK-Q is substantially reflected and displayed on the upper surface of the
上部バリア層323は、量子ドット層(QDL)321上に配置されて量子ドット層の上面321−Sを直接カバーする。上部バリア層323は、ベース基板310上で実質的に均一な厚さを有する。例えば、量子ドット層の上面321−Sのうち、QDLリンクルWRK−Qに重畳する領域における上部バリア層323の厚さT1とQDLリンクルWRK−Qに隣接する領域における上部バリア層323の厚さT2は、実質的に同一である。
The
本実施形態で、上部バリア層323の上面323−S(以下、上部バリア層の上面)は、光学部材の上面300−S(図1を参照)を定義する。上部バリア層の上面323−Sは、下部に配置された量子ドット層の上面321−Sに対応する形状を有する。これにより、上部バリア層の上面323−Sは、QDLリンクルWRK−Qに対応する複数のリンクルWRKを含む。リンクルWRKは、上部バリア層の上面323−Sのうち、第1方向DR1及び第2方向DR2によって定義される平面に比べて、第3方向DR3を向いて突出する部分である。リンクルWRKによって、上部バリア層の上面323−Sは、ベース基板310の上面SF−Uと比べて断面上で不均一である。リンクルWRKによって、上部バリア層の上面323−Sは、リンクルの形状を有する。
In the present embodiment, the upper surface 323-S of the upper barrier layer 323 (hereinafter, the upper surface of the upper barrier layer) defines the upper surface 300-S (see FIG. 1) of the optical member. The upper surface 323-S of the upper barrier layer has a shape corresponding to the upper surface 321-S of the quantum dot layer arranged below. Accordingly, the upper surface 323-S of the upper barrier layer includes a plurality of wrinkle WRKs corresponding to the QDL wrinkle WRK-Q. The wrinkle WRK is a portion of the upper surface 323-S of the upper barrier layer that protrudes in the third direction DR3 as compared with the plane defined by the first direction DR1 and the second direction DR2. Due to the wrinkle WRK, the upper surface 323-S of the upper barrier layer is non-uniform in cross section as compared with the upper surface SF-U of the
図5Bは、上部バリア層の上面323−Sの一部の領域を拡大して示した写真である。図5Bを参照すると、リンクルWRKは、ベース基板310の上面SF−Uでランダムに配列される。
FIG. 5B is an enlarged photograph showing a part of the upper surface 323-S of the upper barrier layer. Referring to FIG. 5B, the wrinkles WRK are randomly arranged on the upper surface SF-U of the
リンクルWRKの中の少なくともいずれか一つは、平面上で曲線形状を有する。曲線は、少なくとも一部に屈曲を有する線を意味し、開曲線及び閉曲線を含む。図5Bには、説明を容易にするために、リンクルWRKのうち、第1リンクルWRK1、第2リンクルWRK2、及び第3リンクルWRK3の参照符号を示した。 At least one of the wrinkles WRK has a curved shape on a plane. Curve means a line having a bend at least in part, and includes an open curve and a closed curve. In FIG. 5B, reference numerals of the first wrinkle WRK1, the second wrinkle WRK2, and the third wrinkle WRK3 among the wrinkle WRK are shown for ease of explanation.
第1リンクルWRK1は平面上で曲線形状を有する。第1リンクルWRK1の曲線形状は、開曲線形状であり得る。第2リンクルWRK2は平面上で曲線形状を有する。第2リンクルWRK2の曲線形状は、開曲線形状であり得る。 The first wrinkle WRK1 has a curved shape on a plane. The curved shape of the first wrinkle WRK1 may be an open curved shape. The second wrinkle WRK2 has a curved shape on a plane. The curved shape of the second wrinkle WRK2 may be an open curved shape.
第1リンクルWRK1と第2リンクルWRK2とは、互いに独立した形状を有することができる。即ち、第1リンクルWRK1の曲線形状と第2リンクルWRK2の曲線形状とは、互いに独立して制御されるため、互いに同一であるか又は異なる。本実施形態で、第1リンクルWRK1と第2リンクルWRK2とは、互いに異なる曲線形状を有するものとして示した。 The first wrinkle WRK1 and the second wrinkle WRK2 may have independent shapes. That is, since the curved shape of the first wrinkle WRK1 and the curved shape of the second wrinkle WRK2 are controlled independently of each other, they are the same or different from each other. In the present embodiment, the first wrinkle WRK1 and the second wrinkle WRK2 are shown as having different curved shapes.
第1リンクルWRK1と第2リンクルWRK2とは、互いに連結される。本実施形態で、第2リンクルWRK2の一端は、第1リンクルWRK1の一部に連結されたもので示した。但し、これは例として示したものであり、第1リンクルWRK1と第2リンクルWRK2との間の連結は別の場所で行われたり、第1リンクルWRK1と第2リンクルWRKと2は互いに分離されたりすることができ、いずれか一つの実施形態に限定されない。 The first wrinkle WRK1 and the second wrinkle WRK2 are connected to each other. In the present embodiment, one end of the second wrinkle WRK2 is shown as being connected to a part of the first wrinkle WRK1. However, this is shown as an example, and the connection between the first wrinkle WRK1 and the second wrinkle WRK2 is performed in another place, or the first wrinkle WRK1 and the second wrinkle WRK2 are separated from each other. However, the present invention is not limited to any one embodiment.
第3リンクルWRK3は、第1リンクルWRK1及び第2リンクルWRK2から離隔される。第3リンクルWRK3は曲線形状を有する。第3リンクルWRK3の曲線形状は、閉曲線形状であり得る。 The third wrinkle WRK3 is separated from the first wrinkle WRK1 and the second wrinkle WRK2. The third wrinkle WRK3 has a curved shape. The curved shape of the third wrinkle WRK3 may be a closed curved shape.
本実施形態によるリンクルWRKは、それぞれ平面上で様々な形状を有する。上述したように、リンクルのWRKの一部は、互いに連結されることもあり、互いに離隔して分離される可能性もある。更に、リンクルのWRKの一部は、開曲線形状を有するか又は閉曲線形状を有する。例えば、複数のリンクルWRKとの間の距離は、100μm以下である。 The wrinkle WRK according to the present embodiment has various shapes on a plane. As described above, some of the wrinkles of the wrinkle may be connected to each other or may be separated from each other. Further, some of the wrinkles of the wrinkle have an open curve shape or a closed curve shape. For example, the distance between the plurality of wrinkles WRK is 100 μm or less.
本発明によると、上部バリア層323は、複数のリンクルWRKを含む不均一の上面323−Sを有する。リンクルWRKは、実質的に量子ドット層の上面321−Sが反映されて形成される。本発明によると、量子ドット層の上面のリンクル(WRK−Q)に沿って上部バリア層323を形成することにより、外部からの衝撃や温度変化による量子ドット層321の変形があっても、上部バリア層323が容易に変形に対応することができる。これにより、量子ドット層321と上部バリア層323との間の層間剥離や、上部バリア層323の割れなどのような上部バリア層323の損傷が防止され、光学部材300の信頼性が向上する。
According to the present invention, the
図6Aは、本発明の一実施形態による光学部材の他の例の一部を示す断面図である。図6Bは、本発明の一実施形態による光学部材の更に他の例の一部を示す断面図である。図6A及び図6Bは、本発明の一実施形態による量子ドットユニット(320−1、320−2)の一部の領域の断面図を示した。以下、図6A及び図6Bを参照して、本発明について説明する。一方、図1〜図5Bで説明した構成と同一の構成については、同一の参照符号を付与して重複する説明は省略する。 FIG. 6A is a cross-sectional view showing a part of another example of the optical member according to the embodiment of the present invention. FIG. 6B is a sectional view showing a part of still another example of the optical member according to the embodiment of the present invention. 6A and 6B are cross-sectional views of a part of a quantum dot unit (320-1, 320-2) according to an exemplary embodiment of the present invention. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 6A and 6B. On the other hand, the same components as those described with reference to FIGS. 1 to 5B are designated by the same reference numerals and redundant description will be omitted.
図6Aに示したように、量子ドットユニット320−1は、複数の層を含む下部バリア層322−1及び複数の層を含む上部バリア層323−1を有する。下部バリア層322−1は、第1下部層L11及び第2下部層L21を含む。第1下部層L11及び第2下部層L21のそれぞれは、無機物を含む。例えば、第1下部層L11及び第2下部層L21のそれぞれは、金属酸化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物、又はそれらの組み合わせを含む。一方、第1下部層L11及び第2下部層L21を構成する物質は、互いに同一であるか又は異なり、いずれか一つの実施形態に限定されない。 As shown in FIG. 6A, the quantum dot unit 320-1 has a lower barrier layer 322-1 including a plurality of layers and an upper barrier layer 323-1 including a plurality of layers. The lower barrier layer 322-1 includes a first lower layer L11 and a second lower layer L21. Each of the first lower layer L11 and the second lower layer L21 contains an inorganic substance. For example, each of the first lower layer L11 and the second lower layer L21 includes metal oxide, silicon oxide, silicon nitride, or a combination thereof. Meanwhile, materials forming the first lower layer L11 and the second lower layer L21 may be the same or different from each other, and are not limited to any one embodiment.
上部バリア層323−1は、第1上部層L12及び第2上部層L22を含む。第1上部層L12及び第2上部層L22のそれぞれは、無機物を含む。第1上部層L12及び第2上部層L22を構成する物質は、互いに同一であるか又は異なり、いずれか一つの実施形態に限定されない。 The upper barrier layer 323-1 includes a first upper layer L12 and a second upper layer L22. Each of the first upper layer L12 and the second upper layer L22 contains an inorganic substance. Materials forming the first upper layer L12 and the second upper layer L22 may be the same or different from each other, and are not limited to any one embodiment.
図6Bに示したように、量子ドットユニット320−2は、図5Aに示した量子ドットユニット320と比較すると、カバー層(保護層)324を更に含む。カバー層324は、上部バリア層323上に配置されて、上部バリア層の上面323−Sをカバーして上部バリア層を保護する。この時、図1に示した光学部材の上面300−S(図1参照)は、カバー層324の上面324−Sに対応する。
As shown in FIG. 6B, the quantum dot unit 320-2 further includes a cover layer (protective layer) 324 when compared with the
カバー層324は、リンクルWRKをカバーして量子ドットユニット320−2の上部に平坦面を提供する。これにより、カバー層324において、リンクルWRKに重畳する部分の厚さT3とリンクルWRKに隣接する部分の厚さT4とは、互いに異なる。
The
カバー層324は、有機物を含む。カバー層324は、光学的に透明である。これにより、カバー層324によって量子ドットユニット320−2から放出される光の効率が低下することを防止する。
The
図7A〜図7Cは、本発明の一実施形態による光学部材の断面図である。説明を容易にするため、図7B及び図7Cは、図7Aに示した光学部材300が外部からの衝撃や熱によって変形された場合の断面図を示した。以下、図7A〜図7Cを参照して、本発明について説明する。
7A to 7C are cross-sectional views of an optical member according to an exemplary embodiment. For ease of explanation, FIGS. 7B and 7C are cross-sectional views when the
図7Aに示したように、光学部材300は、ベース基板310及び量子ドットユニット320を含む。上部バリア層の上面323−Sは、リンクルWRKを含む。上部バリア層323は、リンクルWRK上における厚さT1に隣接する領域における厚さT2が実質的に同じになるように均一な厚さを有する。量子ドット層321は上面321−Sにリンクルを含む。量子ドット層321は、リンクルWRKにより不均一な厚さを有する。リンクルWRKが定義された領域で最大の厚さTQを有する。
As shown in FIG. 7A, the
図7Bに示したように、光学部材300−TSに引張応力TS−Iが働くと、量子ドット層321の形状が変形する。量子ドット層の上面321−Sのリンクルの程度が減少し、量子ドット層321の最大の厚さTQ1は、図7Aに示した最大の厚さTQに比べて減少する。引張応力TS−Iは、外部からの衝撃に起因するか又は量子ドット層321に残存する残留応力に起因する。
As shown in FIG. 7B, when the tensile stress TS-I acts on the optical member 300-TS, the shape of the
図7Cに示したように、光学部材300−CSに圧縮応力CS−Iが働くと、量子ドット層321の形状が変形する。量子ドット層の上面321−Sのリンクルの程度が増加し、量子ドット層321の最大の厚さTQ2は、図7Aに示した最大の厚さTQに比べて増加する。圧縮応力CS−Iは、外部からの衝撃に起因するか又は量子ドット層321に残存する残留応力に起因する。
As shown in FIG. 7C, when the compressive stress CS-I acts on the optical member 300-CS, the shape of the
本発明によると、上部バリア層323は、量子ドット層の上面321−Sの不均一さに沿って一様な厚さに形成されることにより、量子ドット層の上面321−Sのリンクルの程度が変化しても、量子ドット層321との接触力を安定的に維持することができる。上部バリア層の上面のリンクル(WRK−T、WRK−C)のリンクルの程度は、量子ドット層の上面321−Sの変化に応じて減少又は増加するが、上部バリア層323の厚さが均一に維持されるため、上部バリア層323の中立面(neutral plane)の位置は、図7Aの光学部材300で変化しない。
According to the present invention, the
これにより、上部バリア層323は、量子ドット層の上面321−Sの変形に対して安定的に維持されることから、光学部材300−TSの信頼性が向上する。
Thereby, the
図8A〜図8Bは、本発明の一実施形態による光学部材の製造方法の一例を示す断面図である。図9A〜図9Dは、本発明の一実施形態による光学部材の製造方法の他の例を示す断面図である。図9A〜図9Cは、図8C〜図8Eに対応するステップを示した。以下、図8A〜図9Cを参照して、本発明について説明する。一方、図1〜図7Cで説明した構成と同一の構成については、同一の参照符号を付与し、重複する説明は省略する。 8A to 8B are sectional views showing an example of a method for manufacturing an optical member according to an embodiment of the present invention. 9A to 9D are cross-sectional views showing another example of the method for manufacturing the optical member according to the embodiment of the present invention. 9A to 9C show steps corresponding to FIGS. 8C to 8E. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 8A to 9C. On the other hand, the same reference numerals are given to the same configurations as the configurations described in FIGS. 1 to 7C, and duplicate description will be omitted.
図8Aに示したように、ベース基板310が提供される。ベース基板310は、ガラス基板であり得る。ベース基板310は、上面310−S(以下、ベース基板の上面)が上側の第3方向DR3(図1を参照)を向くように提供される。
As shown in FIG. 8A, a
次に、図8Bに示したように、ベース基板310上に下部バリア層322及び予備量子ドット層321−Iを順次形成する。下部バリア層322は、鉱物をベース基板の上面310−Sにコーティングして形成される。コーティング方式は、蒸着又は印刷工程を含む。
Next, as shown in FIG. 8B, a
予備量子ドット層321−Iは、下部バリア層322が形成された後に形成される。予備量子ドット層321−Iは、媒質層MX、第1量子ドットPT1、及び第2量子ドットPT2を含む。予備量子ドット層321−Iは、第1量子ドットPT1及び第2量子ドットPT2が分散された媒質層MXを、下部バリア層322上にコーティングして形成される。
The preliminary quantum dot layer 321-I is formed after the
その後、図8C及び図8Dに示したように、予備量子ドット層321−Iを硬化して量子ドット層321を形成する。図8Cに示したように、予備量子ドット層321−Iの硬化は、熱HTが提供される熱硬化工程で行われる。熱HTは、予備量子ドット層321−Iの組成、提供量、及び形成しようとする量子ドット層321の厚さに応じて、多様な温度及び時間で調節される。
Then, as shown in FIGS. 8C and 8D, the preliminary quantum dot layer 321-I is cured to form the
図8Dに示したように、量子ドット層(QDL)321の上面321−S(以下、量子ドット層QDLの上面)に所定のリンクル(WRK−Q)(以下、量子ドット層(QDL)リンクル)が形成される。硬化工程が進行した後、量子ドット層QDLの上面321−Sは、下部バリア層LBLの上面322−Sと比べてリンクルの形状を有する。 As shown in FIG. 8D, a predetermined wrinkle (WRK-Q) (hereinafter, quantum dot layer (QDL) wrinkle) is formed on the upper surface 321-S of the quantum dot layer (QDL) 321 (hereinafter, upper surface of the quantum dot layer QDL). Is formed. After the curing process, the upper surface 321-S of the quantum dot layer QDL has a wrinkle shape as compared with the upper surface 322-S of the lower barrier layer LBL.
QDLリンクルWRK−Qは、予備量子ドット層321−Iの上面に加えられた応力SSによって形成される。応力SSの大きさが大きいほど、QDLリンクルWRK−Qのリンクル程度は増加する。QDLリンクルWRK−Qのリンクル程度が大きいほど、QDLリンクルWRK−Qの突出程度が大きくなる。 The QDL wrinkle WRK-Q is formed by the stress SS applied to the upper surface of the preliminary quantum dot layer 321-I. As the magnitude of the stress SS increases, the wrinkle degree of the QDL wrinkle WRK-Q increases. The larger the wrinkle degree of the QDL wrinkle WRK-Q, the larger the protrusion degree of the QDL wrinkle WRK-Q.
リンクルの程度は、多様な方法で調節される。例えば、リンクルの程度は、予備量子ドット層321−Iの物性に応じて異なる。リンクルの程度に影響を与える予備量子ドット層321−Iの物性は、ガラス転移温度を含む。予備量子ドット層321−Iが硬化工程で提供される熱HTに対する安定性が低いほど、リンクルの程度は増加する。 The degree of wrinkle can be adjusted in various ways. For example, the degree of wrinkle varies depending on the physical properties of the preliminary quantum dot layer 321-I. The physical properties of the preliminary quantum dot layer 321-I that affect the degree of wrinkle include the glass transition temperature. The less stable the preliminary quantum dot layer 321-I is to the thermal HT provided in the curing process, the greater the degree of wrinkling.
また、リンクルの程度は、量子ドット層(QDL)321の厚さに応じて異なる。形成しようとする量子ドット層321の厚さが厚いほど、提供される予備量子ドット層321−Iの量は増加する。このとき、リンクルの程度は量子ドット層321の厚さが厚いほど増加する。
Further, the degree of wrinkle varies depending on the thickness of the quantum dot layer (QDL) 321. The thicker the
また、リンクルの程度は、ベース基板310と予備量子ドット層321−Iとの間のガラス転移温度の差に応じて異なる。硬化工程で提供される熱HTに対する安定性は、ベース基板310と予備量子ドット層321−Iとに対して互いに異なる。これにより、予備量子ドット層321−Iに所定の残留応力が発生し、残留応力が圧縮応力であるほど、リンクルの程度は増加する。
Further, the degree of wrinkle varies depending on the difference in glass transition temperature between the
次に、図8Eに示したように、量子ドット層(QDL)321上に上部バリア層323を形成して光学部材300を形成する。上部バリア層323は、量子ドット層の上面321−Sを無機膜でコーティングして形成される。コーティング方法は、蒸着又は印刷工程を含む。
Next, as shown in FIG. 8E, the
このとき、上部バリア層323には、量子ドット層の上面321−Sに沿って上面323−S(以下、上部バリア層の上面)にリンクルが形成される。上部バリア層UBLの上面323−Sは、量子ドット層の上面321−Sを反映する。これにより、上部バリア層の上面323−Sは、量子ドット層(QDL)リンクルWRK−Qに対応する複数のリンクルWRKを含む。
At this time, in the
本実施形態による光学部材300は、リンクルの上面321−Sを含む量子ドット層321上に無機物によって形成された上部バリア層323を形成することにより、上部バリア層323にリンクルの上面323−Sを形成する。量子ドット層321において、硬化工程で発生した変形は、熱HTによる応力が原因である。量子ドット層321は、熱HTによる応力を、不均一な上面321−Sを形成することにより、緩和させる。
In the
本発明によると、変形が発生した量子ドット層321上に上部バリア層323をそのまま形成することにより、追って発生し得る量子ドット層321の変形が防止される。また、本発明によると、上部バリア層323を量子ドット層(QDL)321のリンクル(WRK−Q)に沿って形成することにより、追って発生し得る量子ドット層321の変形に応じてQDLリンクルWRK−Qが変形されても、上部バリア層323の損傷や剥離が改善される。
According to the present invention, by forming the
一方、図9A〜図9Dを参照すると、量子ドット層(QDL)リンクルWRK−Qと上部バリア層(UBL)の上面のリンクルWRKとは、同時に形成される。図9A及び図9Bに示したように、第1予備量子ドット層321−I1を硬化させて第2予備量子ドット層321−I2を形成する。第1予備量子ドット層321−I1は、図7Cに示した予備量子ドット層321−Iに対応する。 On the other hand, referring to FIGS. 9A to 9D, the quantum dot layer (QDL) wrinkle WRK-Q and the wrinkle WRK on the upper surface of the upper barrier layer (UBL) are simultaneously formed. As shown in FIGS. 9A and 9B, the first preliminary quantum dot layer 321-I1 is cured to form the second preliminary quantum dot layer 321-I2. The first preliminary quantum dot layer 321-I1 corresponds to the preliminary quantum dot layer 321-I shown in FIG. 7C.
第1予備量子ドット層321−I1を硬化して形成された第2予備量子ドット層321−I2は、図8Dに示した量子ドット層321とは異なり、平坦な上面321−S20を有する。第1予備量子ドット層321−I1の上面321−S10と第2予備量子ドット層321−I2の上面321−S20とは、実質的に同一である。このとき、第2予備量子ドット層321−I2は、熱HTによる応力を受けた状態であるが、第1予備量子ドット層321−I1からの上面の変形は発生していない状態である。
The second preliminary quantum dot layer 321-I2 formed by curing the first preliminary quantum dot layer 321-I1 has a flat upper surface 321-S20, unlike the
次に、図9Cに示したように、第2予備量子ドット層321−I2上に予備上部バリア層323−Iを形成する。予備上部バリア層323−Iは、第2予備量子ドット層の上面321−S20が反映された上面323−S10を有する。これにより、予備上部バリア層323−Iの上面323−S10は、平坦な面である。 Next, as shown in FIG. 9C, a preliminary upper barrier layer 323-I is formed on the second preliminary quantum dot layer 321-I2. The preliminary upper barrier layer 323-I has an upper surface 323-S10 that reflects the upper surface 321-S20 of the second preliminary quantum dot layer. As a result, the upper surface 323-S10 of the preliminary upper barrier layer 323-I is a flat surface.
この時、図9Dに示したように、第2予備量子ドット層321−I2と予備上部バリア層323−Iが変形して量子ドット層321と上部バリア層323とが形成される。本発明では、説明を容易にするために、上部バリア層323が形成された後、変形されたものとして示したが、これに限定されず、上部バリア層323の形成工程中に変形が発生するようにすることもできる。
At this time, as shown in FIG. 9D, the second preliminary quantum dot layer 321-I2 and the preliminary upper barrier layer 323-I are deformed to form the
量子ドット層321は、熱HTによる応力に起因する残留応力SSによって第2予備量子ドット層321−I2が変形されながら形成される。量子ドット層の上面321−Sと上部バリア層323の上面323−Sには、残留応力SSによるリンクル(WRK−Q、WRK)がそれぞれ形成される。残留応力SSは、リンクル(WRK−Q、WRK)に対して圧縮応力である。
The
本発明によると、変形が発生した量子ドット層(QDL)321上に上部バリア層323をそのまま形成することにより、追って発生し得る量子ドット層321の変形が防止される。また、本発明によると、上部バリア層323を量子ドット層321のリンクル(WRK1)に沿って形成することにより、追って発生し得る量子ドット層321の変形に応じてリンクルWRK1が変形されても、上部バリア層323の損傷や剥離が改善される。
According to the present invention, the
図10は、本発明の他の実施形態によるディスプレイ装置の分解斜視図である。図11A〜図11Dは、本発明の他の実施形態による光学部材の製造方法を示す断面図である。以下、図10〜図11Dを参照して、本発明について説明する。 FIG. 10 is an exploded perspective view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. 11A to 11D are cross-sectional views showing a method of manufacturing an optical member according to another embodiment of the present invention. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 11D.
図10に示したように、ディスプレイ装置DA−Cは、曲がった形状を有する。ディスプレイ装置DA−Cは、ディスプレイパネル100C、バックライトユニットBLU、上部保護部材410C、下部保護部材420C、及び光学フィルム500を含む。
As shown in FIG. 10, the display device DA-C has a bent shape. The display device DA-C includes a display panel 100C, a backlight unit BLU, an
ディスプレイパネル100Cは、曲がった形状を有する。ディスプレイパネル100Cは、第1基板110C及び第2基板120Cを含む。第1基板110C及び第2基板120Cは、曲がった形状を除いて、図1に示した第1基板110及び第2基板120に対応することから、以下、重複する説明は省略する。
The display panel 100C has a curved shape. The display panel 100C includes a
上部保護部材410C及び下部保護部材420Cは、それぞれ曲がった形状を有する。光学フィルム500は、曲がった状態でディスプレイ装置DA−Cに組み立てられる。上部保護部材410C、下部保護部材420C、及び光学フィルム500は、曲がった形状を除いて、図1に示した上部保護部材410、下部保護部材420、及び光学フィルム500に対応することから、以下、重複する説明は省略する。
The
バックライトユニットBLUは、光源200C及び光学部材300Cを含む。光源200Cは、回路基板210C及び複数の発光素子220Cを含む。本発明において、光源200Cは、図1に示した光源200と実質的に同じであるため、以下、重複する説明は省略する。
The backlight unit BLU includes a
光学部材300Cは、一方向に沿って曲がった形状を有する。光学部材300Cの上面300C−Sは、ディスプレイパネル100Cに向かう面である。光学部材300Cは、曲がった形状を除いて、図1に示した光学部材300に対応する。以下、光学部材300Cに対して、図11A〜図11Dを参照して説明する。
The
図11A及び図11Bに示したように、予備ベース基板310C−Iを所定のベンディング軸BXを中心にベンディングして曲線形状のベース基板310Cを形成する。このとき、ベース基板310Cには、所定の応力SS1が発生する。応力SS1は圧縮応力である。ベース基板310Cは、応力SS1によりベンディング軸BXを中心に曲げられる。
As shown in FIGS. 11A and 11B, the
ベース基板310Cは、ベンディング軸BXを中心に所定の曲率半径RCに曲げられる。一方、本実施形態で、曲率半径RCは、一定のものとして示したが、これに限定されず、本実施形態によるベース基板310Cは、異なる曲率半径RCを有するように曲げられる。
The
次に、図11Cに示したように、ベース基板310C上に下部バリア層322C、量子ドット層321C、及び上部バリア層323Cを順次形成して光学部材300Cを形成する。上部バリア層323Cの上面323C−Sには、リンクルWRKが形成される。リンクルWRKは、上述したように、量子ドット層321Cの硬化時に形成されるか、或いは上部バリア層323Cが形成されるときに形成されたリンクルのために形成される。これに対する重複する説明は省略する。
Next, as shown in FIG. 11C, a
一方、図11Dに示したように、光学部材300Cが形成された後に、ベース基板310Cには所定の応力SS2が発生する。応力SS2は、ベース基板310Cの残留応力であり、引張応力である。残留応力は、ベース基板310Cに加えられたベンディング応力に基づいて誘発される。
On the other hand, as shown in FIG. 11D, a predetermined stress SS2 is generated in the
本発明によると、リンクルWRKを含む上部バリア層の上面323C−Sのため、応力SS2により量子ドット層321Cなどの形状が変形されても、上部バリア層323Cと量子ドット層321Cとの間の接着力が安定的に維持される。これにより、上部バリア層323Cが量子ドット層321Cから剥離されたり、上部バリア層323Cに発生する割れ等が発生したりする不良が減少し、光学部材300Cの信頼性が向上する。
According to the present invention, due to the
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above with reference to the drawings, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are made without departing from the technical idea of the present invention. It is possible to carry out.
10、20、30 第1〜第3絶縁層
100、100C ディスプレイパネル
110、110C 第1基板
120、120C 第2基板
200、200C 光源
210、210C 回路基板
220、220C 発光素子
300、300−1、300C、300−CS、300−TS 光学部材
300−S、300C−S 光学部材の上面
310、310C ベース基板
310−S ベース基板の上面
310C−I 予備ベース基板
320、320−1、320−2、320C 量子ドットユニット
321、321C 量子ドット層(QDL)
321−I 予備量子ドット層
321−I1、321−I2 第1、第2予備量子ドット層
321−S1
321−S 量子ドット層(QDL)の上面
321−S10、321−S20 第1、第2予備量子ドット層の上面
322、322−1、322C 下部バリア層(LBL)
322−S 下部バリア層の上面
323、323−1、323C 上部バリア層(UBL)
323−I 予備上部バリア層
323−S、323C−S 上部バリア層の上面
323−S10 予備上部バリア層の上面
324 カバー層(保護層)
324−S カバー層(保護層)の上面
330 低屈折率層
410、410C 上部保護部材
410−OP 開口部
420、420C 下部保護部材
420−B 下部保護部材の底部
420−SS 内部空間
420−W 下部保護部材の側壁部
500 光学フィルム
AA アクティブ領域
AL 半導体パターン
BLU、BLU−1 バックライトユニット
BM ブラックマトリックス
CC オーバーコート層
CE 制御電極
CF カラーフィルタ層
CLC 液晶キャパシタ
CME 共通電極
CP カラーパターン
DA、 DA−C ディスプレイ装置
IE 入力電極
IS ディスプレイ面
L11、L21 第1、第2下部層
L12、L22 第1、第2上部層
LCL 液晶層
MX 媒質層
NAA 周辺領域
OE 出力電極
PE 画素電極
PT1、PT2 第1、第2量子ドット
PX 画素
S1、S2 第1、第2ベース層
SF−L ベース基板の下面
SF−U ベース基板の上面
SF1〜SF4 ベース基板の第1〜第4側面
SP 散乱粒子
TR 薄膜トランジスタ
WRK、WRK−1 リンクル
WRK1〜WRK3 第1〜第3リンクル
WRK−C、WRK−T 上部バリア層の上面のリンクル
WRK−Q 量子ドット層の上面のリンクル(QDLリンクル)
10, 20, 30 1st-3rd
321-I Preliminary quantum dot layer 321-I1, 321-I2 First and second preliminary quantum dot layer 321-S1
321-S Quantum dot layer (QDL) upper surface 321-S10, 321-S20 First and second preliminary quantum dot layer
322-S upper surface of
323-I Preliminary upper barrier layer 323-S, 323C-S Upper surface of upper barrier layer 323-S10 Upper surface of preliminary
324-S Upper surface of cover layer (protective layer) 330 Low
Claims (24)
前記ベース基板上に配置され、リンクル(wrinkle)を有する第1上面を含んで媒質層及び前記媒質層内に分散された複数の量子ドットを含む量子ドット層と、
前記ベース基板と前記量子ドット層との間に配置された下部バリア層と、
前記量子ドット層の第1上面のリンクルをカバーする上部バリア層と、を備え、
前記上部バリア層は、前記第1上面のリンクルに対応するリンクルを含む第2上面を有することを特徴とする光学部材。 A base substrate,
A quantum dot layer including a first upper surface having a wrinkle disposed on the base substrate, and a quantum dot layer including a plurality of quantum dots dispersed in the medium layer;
A lower barrier layer disposed between the base substrate and the quantum dot layer,
An upper barrier layer covering the wrinkle on the first upper surface of the quantum dot layer,
The optical member, wherein the upper barrier layer has a second upper surface including a wrinkle corresponding to the wrinkle on the first upper surface.
前記複数のリンクルのうちの少なくともいずれか一つは、平面上で曲線形状を有することを特徴とする請求項1に記載の光学部材。 A plurality of the wrinkles are provided,
The optical member according to claim 1, wherein at least one of the plurality of wrinkles has a curved shape on a plane.
前記第1閉曲線形状と前記第2閉曲線形状とは、互いに異なることを特徴とする請求項7に記載の光学部材。 The plurality of wrinkles includes a first wrinkle having a first closed curve shape and a second wrinkle having a second closed curve shape,
The optical member according to claim 7, wherein the first closed curve shape and the second closed curve shape are different from each other.
前記保護層は、前記第2上面をカバーして平坦な上面を有することを特徴とする請求項12に記載の光学部材。 Further comprising a protective layer disposed on the upper barrier layer and including an organic material,
The optical member according to claim 12, wherein the protective layer has a flat upper surface that covers the second upper surface.
前記光源に対向する入射面を含む光学部材と、
前記光学部材上に配置され、複数の画素を含むディスプレイパネルと、を備え、
前記光学部材は、
前記ディスプレイパネルに対向する上面、前記上面に対向する下面、及び前記上面と下面とを連結する複数の側面を含み、前記入射面が前記側面のうちの少なくともいずれか一つであるベース基板と、
前記ベース基板上に配置され、平坦な上面を含む下部バリア層と、
前記下部バリア層上に配置され、前記下部バリア層の上面に比べて不均一である複数のリンクル(wrinkle)を有する上面を含む上部バリア層と、
前記下部バリア層と前記上部バリア層との間に配置され、媒質層及び前記媒質層内に分散された複数の量子ドットを含む量子ドット層と、を備え、
前記リンクルは、平面上で曲線形状を有することを特徴とするディスプレイ装置。 A light source that produces light,
An optical member including an incident surface facing the light source,
A display panel disposed on the optical member, the display panel including a plurality of pixels,
The optical member is
A base substrate that includes an upper surface that faces the display panel, a lower surface that faces the upper surface, and a plurality of side surfaces that connect the upper surface and the lower surface, and that the incident surface is at least one of the side surfaces;
A lower barrier layer disposed on the base substrate and including a flat upper surface;
An upper barrier layer disposed on the lower barrier layer and including an upper surface having a plurality of wrinkles that are non-uniform compared to an upper surface of the lower barrier layer;
A quantum dot layer disposed between the lower barrier layer and the upper barrier layer, the medium layer and a quantum dot layer including a plurality of quantum dots dispersed in the medium layer,
The display device is characterized in that the wrinkle has a curved shape on a plane.
前記第1形状と前記第2形状とは、互いに異なることを特徴とする請求項15に記載のディスプレイ装置。 The wrinkle includes a first wrinkle having a first shape on a plane and a second wrinkle having a second shape on a plane,
The display device of claim 15, wherein the first shape and the second shape are different from each other.
前記上部バリア層は、前記ベース基板上で均一な厚さを有することを特徴とする請求項18に記載のディスプレイ装置。 The medium layer has a non-uniform thickness on the base substrate,
The display device of claim 18, wherein the upper barrier layer has a uniform thickness on the base substrate.
前記保護層は、前記上部バリア層の上面に比べて平坦な上面を有することを特徴とする請求項15に記載のディスプレイ装置。 Further comprising a protective layer disposed on the upper barrier layer and covering an upper surface of the upper barrier layer,
The display device of claim 15, wherein the protective layer has an upper surface that is flat compared to an upper surface of the upper barrier layer.
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