KR20200022994A - X-ray tube and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20200022994A KR1020180099308A KR20180099308A KR20200022994A KR 20200022994 A KR20200022994 A KR 20200022994A KR 1020180099308 A KR1020180099308 A KR 1020180099308A KR 20180099308 A KR20180099308 A KR 20180099308A KR 20200022994 A KR20200022994 A KR 20200022994A
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Abstract

The present invention relates to an X-ray tube used for radiography and a manufacturing method thereof. The X-ray tube comprises a body unit, a gate electrode, an anode electrode, a support unit, and a cathode electrode. The body unit has a hollow part formed therein. The gate electrode is connected to one side of the body unit, has an electron emission module for generating electrons therein, and has a gate power connection unit for receiving a gate powder formed to be depressed on the outer circumference thereof. The anode electrode is connected to the other side of the body unit, and generates light by collision with electrons emitted from the electron emission module. The support unit is coupled to one side of the gate electrode, and has a through-hole formed on a surface facing the electron emission module. The cathode electrode has a part thereof to pass through the through-hole to support the electron emission module, and has a negative power connection unit formed on a surface exposed to the outside. The manufacturing method of the X-ray tube comprises the steps of: coupling an anode electrode to an upper portion of a body unit; coupling a gate electrode to a lower portion of the body unit; seating an electron emission module inside the gate electrode; brazing and coupling a support unit to the gate electrode; and brazing and coupling the support unit and a cathode electrode.

Description

엑스레이 튜브 및 이의 제조방법{X-RAY TUBE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}X-ray tube and its manufacturing method {X-RAY TUBE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 엑스선 촬영에 사용되는 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전원을 공급받기 위한 전원 접속부들이 엑스레이 튜브 외부로 돌출되지 않아 아크 발생을 줄여 전원 접속부 주변에 위치한 부품들의 손상을 줄일 수 있으며, 조립 공정이 용이한 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an X-ray tube used for X-ray imaging and a method of manufacturing the same, and more particularly, power connections for receiving power do not protrude to the outside of the X-ray tube, thereby reducing the occurrence of arc, thereby preventing damage to components located around the power connection. The present invention relates to an X-ray tube and a method of manufacturing the same, which can be reduced and facilitated in an assembly process.

일반적으로 엑스레이 소스는 엑스레이를 발생시키는 장치로서, 진공관 내에 음극과 양극으로 구성된 엑스레이 튜브, 엑스레이 튜브에 고전압을 인가하기 위한 고전압 제어 및 발생장치, 엑스레이 튜브에서 발생하는 열을 냉각시키는 냉각장치 등으로 구성된다. In general, an X-ray source is an X-ray generating device, which is composed of an X-ray tube composed of a cathode and an anode in a vacuum tube, a high voltage control and generator for applying a high voltage to the X-ray tube, and a cooling device for cooling the heat generated from the X-ray tube. do.

기존의 엑스레이 소스는 텅스텐 필라멘트와 같은 전자원을 고온으로 가열하여 방출된 전자를 타겟에 충돌시켜 발생시키나, 순간적인 스위칭이나 전류 변조가 어려우므로 디지털 방식으로 구동되는 것이 난해할 뿐만 아니라, 높은 소비전력, 방출되는 전자의 에너지 분포 및 방향성, 전자 집속의 어려움 등의 단점이 존재하였다. Conventional X-ray sources generate electrons, such as tungsten filaments, by heating them to a high temperature to impinge the emitted electrons on the target.However, instantaneous switching and current modulation are difficult, making it difficult to operate digitally. There are disadvantages such as energy distribution and directivity of electrons emitted and difficulty in electron focusing.

따라서, 전계 방출원으로 나노소재를 이용한 엑스레이 튜브의 개발이 활발하게 진행중이고, 나노소재를 이용할 경우, 소형 엑스레이 장치를 배열 또는 와이어 끝부분에 엑스레이 장치를 부착하여 관측대상 내부에 삽입하는 형태 등과 같이 다양한 형태의 엑스레이 튜브의 제작이 가능할 수 있다. Therefore, the development of X-ray tubes using nano materials as field emission sources is actively underway, and in the case of using nano materials, small x-ray devices are arranged or inserted into the observation object by attaching X-ray devices to the ends of wires. Various types of X-ray tubes may be manufactured.

한편, 도 1은 종래 기술에 다른 CNT 기반의 엑스레이 튜브의 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 엑스레이 튜브(1)는 전원을 공급받기 위한 전원 접속부(12)들이 바디부(11) 외부로 길게 노출되어 있어, 항시 아크(Arc) 발생의 우려가 있으며 이로 인해 인접한 부품이 손상되는 문제가 있었다.  1 is a perspective view of a CNT based X-ray tube according to the prior art. As shown in FIG. 1, in the conventional X-ray tube 1, the power connection parts 12 for receiving power are exposed to the outside of the body part 11 for a long time, which may cause arcing at all times. There was a problem that adjacent parts are damaged.

또한, 전원 접속부(12)를 외부로 노출시키기 위해서는 바디부(11)에 관통 홀을 형성 한 후, 이 관통 홀에 전원 접속부(12)를 삽입시키는 공정을 필요로 하므로, 제조 공정이 번거롭고 바디부(11) 내부의 기밀성이 저하되는 문제가 있었다. In addition, in order to expose the power supply connection portion 12 to the outside, a through hole is formed in the body portion 11 and a step of inserting the power supply connection portion 12 into the through hole is required. (11) There was a problem that the airtightness of the interior was lowered.

본 발명의 과제는 전원을 공급받기 위한 양극 전원 접속부와, 음극 전원 접속부와, 게이트 전원 접속부들이 모두 바디부 외부로 돌출되어 있지 않아 아크 발생을 줄일 수 있으며, 아크 발생으로 인한 주변의 부품들의 손상을 미연에 예방할 수 있는 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 관한 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is that the positive power supply connection portion, the negative power supply connection portion, and the gate power supply connection portion for receiving power do not protrude out of the body portion, thereby reducing the occurrence of arcing and preventing damage to surrounding components due to the arc generation. The present invention relates to an X-ray tube and a method for manufacturing the same that can be prevented in advance.

또한, 본 발명의 과제는 게이트 전극 내부에 마련된 안착 홈에 복수의 구성을 갖는 전자방출모듈을 일렬로 안착 및 고정되도록 구조를 변경함에 따라, 전자방출모듈의 정렬이 용이해져 조립성이 향상된 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 관한 것이다. In addition, an object of the present invention is to change the structure to be seated and fixed in a row to the electron emitting module having a plurality of configurations in a seating groove provided in the gate electrode, the alignment of the electron emitting module is easy to assemble X-ray tube with improved assembly And it relates to a preparation method thereof.

상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 엑스레이 튜브는 바디부와, 게이트 전극과, 애노드 전극과, 지지부, 및 캐소드 전극을 포함한다. 바디부는 내부에 중공이 형성된다. 게이트 전극은 바디부의 일측에 연결되며, 내부에 전자를 발생시키는 전자방출모듈이 구비되고, 외측 둘레에는 게이트 전원을 공급받기 위한 게이트 전원 접속부가 함몰 형성된다. 애노드 전극은 바디부의 타측에 연결되며, 전자방출모듈에서 방출되는 전자와의 충돌에 의해 광을 발생시킨다. 지지부는 게이트 전극의 일측에 결합되며, 전자방출모듈과 마주하는 면에 관통 홀이 형성된다. 캐소드 전극은 일부가 관통 홀을 통과하여 전자방출모듈을 지지하며, 외부로 노출되는 면에 음극 전원 접속부가 함몰 형성된다. An X-ray tube according to the present invention for achieving the above object includes a body portion, a gate electrode, an anode electrode, a support portion, and a cathode electrode. A hollow is formed inside the body part. The gate electrode is connected to one side of the body portion, and has an electron emission module for generating electrons therein, and a gate power connection for receiving a gate power is formed in an outer circumference. The anode electrode is connected to the other side of the body portion, and generates light by collision with electrons emitted from the electron emission module. The support part is coupled to one side of the gate electrode, and a through hole is formed on a surface facing the electron emission module. A portion of the cathode electrode passes through the through hole to support the electron emission module, and the negative electrode power connection portion is formed on the surface exposed to the outside.

일 실시예에 따르면, 음극 전원 접속부는 볼트 형상의 음극 전원 연결부와 나사 결합되고, 음극 전원 연결부에는 음극 전원 접속부로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부가 연결된다. According to one embodiment, the negative power supply is screwed with the bolt-shaped negative power connection, the negative power supply is connected to the negative power supply for supplying negative power to the negative power connection.

일 실시예에 따르면, 음극 전원 공급부는 와이어 형상으로 형성되어 음극 전원 연결부의 외주면에 연결되고, 음극 전원 접속부에 음극 전원 연결부가 결합될 때 가압되어 캐소드 전극 상에 고정된다. According to one embodiment, the negative power supply is formed in a wire shape is connected to the outer circumferential surface of the negative power supply connecting portion, is pressed when the negative power connection is coupled to the negative power connection is fixed on the cathode electrode.

일 실시예에 따르면, 지지부의 하부에는 관통 홀 둘레를 따라 단턱이 형성된다. 그리고, 캐소드 전극은 지지부의 단턱에 안착되고, 일면에 전자방출모듈의 중심부와 마주하도록 배치된 음극 전원 접속부가 형성된 접속 플레이트와, 접속 플레이트의 타면으로부터 돌출되고, 관통 홀에 삽입되어 전자방출모듈을 지지하는 돌출부재를 포함한다. According to one embodiment, the lower step of the support is formed along the periphery of the through hole. The cathode electrode is mounted on the support of the support, and has a connection plate having a negative electrode power connection portion disposed on one surface thereof so as to face the center of the electron emission module, and protrudes from the other surface of the connection plate, and is inserted into the through hole to provide the electron emission module. And a supporting member for supporting.

일 실시예에 따르면, 전자방출모듈은 캐소드 전극 접촉부와, 에미터와, 제1 절연부재와, 게이트 금속망과, 제2 절연부재를 포함한다. 캐소드 전극 접촉부는 게이트 전극과 지지부 사이에 배치되고, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구가 형성된다. 에미터는 캐소드 전극 접촉부의 상부에 배치되어 전자를 방출한다. 제1 절연부재는 캐소드 전극 접촉부의 상부에 배치되고, 중앙부에 에미터가 삽입되는 제2 개구가 형성된다. 게이트 금속망은 제1 절연부재의 상부에 배치되며, 내부에 금속 재질의 메쉬가 형성된다. 제2 절연부재는 에미터와 게이트 금속망 사이에 배치되고, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구가 형성된다. According to an embodiment, the electron emission module includes a cathode electrode contact portion, an emitter, a first insulating member, a gate metal net, and a second insulating member. The cathode electrode contact portion is disposed between the gate electrode and the support portion, and a first opening for moving electrons is formed in the center portion. The emitter is disposed on top of the cathode electrode contacts to emit electrons. The first insulating member is disposed above the cathode electrode contact portion, and a second opening through which the emitter is inserted is formed in the center portion. The gate metal net is disposed on the first insulating member, and a metal mesh is formed therein. The second insulating member is disposed between the emitter and the gate metal mesh, and a third opening for moving electrons is formed in the center.

일 실시예에 따르면, 상기 전자방출모듈은 제1 절연부재와 제2 절연부재 사이에 배치되며, 중앙부에 상기 에미터의 크기보다 작은 제4 개구가 형성되어 에미터의 모서리부를 커버하는 에지 아킹(Edge arcing) 방지부를 더 포함한다. According to one embodiment, the electron-emitting module is disposed between the first insulating member and the second insulating member, the fourth portion is formed in the center smaller than the size of the emitter edge arcing to cover the edge of the emitter ( Edge arcing) protection further comprises.

일 실시예에 따르면, 게이트 전극은 에미터로부터 방출되는 전자를 포커싱한다. According to one embodiment, the gate electrode focuses electrons emitted from the emitter.

일 실시예에 따르면, 게이트 전극은 지지부재와, 연결부재와, 고정부재를 포함한다. 지지부재는 바디부의 하측 일부가 안착되고, 내부에 바디부의 중공과 연통되는 개구가 형성된다. 연결부재는 지지부재의 개구로부터 상부로 돌출되어 바디부의 중공에 삽입된다. 고정부재는 지지부재의 외주면으로부터 하측 방향으로 연장되며, 지지부의 상측 일부가 삽입 및 고정된다. According to an embodiment, the gate electrode includes a supporting member, a connecting member, and a fixing member. The support member has a lower portion of the body portion is seated, there is formed an opening in communication with the hollow of the body portion. The connecting member protrudes upward from the opening of the supporting member and is inserted into the hollow of the body portion. The fixing member extends downward from the outer circumferential surface of the supporting member, and an upper portion of the supporting portion is inserted and fixed.

일 실시예에 따르면, 연결부재의 하부에는 상측 방향으로 함몰 형성된 안착 홈이 형성되고, 안착 홈에는 전자방출모듈이 안착된다. According to one embodiment, the lower portion of the connection member is formed with a recess groove formed in the upper direction, the electron emitting module is seated in the mounting groove.

일 실시예에 따르면, 애노드 전극과 바디부 사이를 밀봉하기 위한 애노드 보조부를 더 포함하며, 애노드 보조부는 바디부의 상부에 브레이징(brazing) 공정에 의해 결합된다. According to one embodiment, further comprising an anode auxiliary for sealing between the anode electrode and the body portion, the anode auxiliary is coupled to the top of the body by a brazing process.

일 실시예에 따르면, 지지부는 세라믹 재질로 형성되어 게이트 전극과 캐소드 전극 사이를 절연한다. According to one embodiment, the support is formed of a ceramic material to insulate between the gate electrode and the cathode electrode.

일 실시예에 따르면, 지지부는 게이트 전극의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합된다. According to one embodiment, the support is coupled to the bottom of the gate electrode by a brazing process.

본 발명에 따른 엑스레이 튜브의 제조방법은 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계와, 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계와, 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계와, 게이트 전극에 지지부를 브레이징 결합하는 단계, 및 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계를 포함한다. 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계는 애노드 보조부를 구비한 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합한다. 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계는 바디부를 뒤집어 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합한다. 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계는 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시킨다. 게이트 전극에 지지부를 브레이징 결합하는 단계는 게이트 전극 상에 중앙에 관통 홀이 형성된 지지부를 브레이징 결합한다. 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계는 지지부의 관통 홀에 캐소드 전극의 일부를 통과시켜 전자방출모듈과 밀착시키며, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합한다. The method of manufacturing an X-ray tube according to the present invention includes the steps of: coupling an anode electrode to an upper portion of the body portion, coupling a gate electrode to the lower portion of the body portion, mounting an electron emission module inside the gate electrode, and Brazing the support to the support, and brazing the support and the cathode electrode. Coupling the anode electrode on the upper portion of the body portion is coupled to the anode electrode having an anode auxiliary portion on the upper portion of the body portion. Coupling the gate electrode to the lower portion of the body portion inverts the body portion to couple the gate electrode to the lower portion of the body portion. The step of seating the electron emission module inside the gate electrode seats the electron emission module inside the gate electrode. Brazing coupling the support to the gate electrode is brazing coupling the support with a through hole formed in the center on the gate electrode. The step of brazing coupling the support and the cathode electrode passes a portion of the cathode electrode through the through hole of the support to closely contact the electron emission module and braze the support and the cathode electrode.

일 실시예에 따르면, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계 이후에, 게이트 전원 접속부에 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계를 더 포함한다. 게이트 전원 접속부에 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계는 게이트 전극의 외측 둘레를 따라 함몰 형성된 게이트 전원 접속부로 게이트 전원을 공급하기 위한 게이트 전원 공급부를 결합한다. According to one embodiment, after the step of brazing coupling the support and the cathode electrode, further comprising coupling the gate power supply to the gate power connection. Coupling the gate power supply to the gate power connection couples the gate power supply for supplying gate power to the gate power connection recessed along the outer periphery of the gate electrode.

일 실시예에 따르면, 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계는, 게이트 전극의 하측 일부가 함몰 형성된 안착 홈 내부에 금속 재질의 메쉬가 내부에 형성된 게이트 금속망을 안착시키는 과정과, 게이트 금속망 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구가 형성된 제2 절연부재를 안착시키는 과정과, 제2 절연부재 상에 중앙부에 에미터의 크기보다 작은 제3 개구가 형성되어 에미터의 모서리부를 커버하는 에지 아킹 방지부를 안착시키는 과정과, 에지 아킹 방지부 상에 중앙부에 제2 개구가 형성된 제1 절연부재를 안착시키는 과정과, 제1 절연부재의 제2 개구 내부에 전자를 방출하는 에미터를 안착시키는 과정과, 제1 절연부재 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구가 형성된 캐소드 전극 접촉부를 안착시키는 과정을 포함한다. According to one embodiment, the step of seating the electron emission module in the interior of the gate electrode, the process of seating the gate metal mesh formed inside the metal mesh inside the seating groove in which the lower portion of the gate electrode is recessed, the gate Seating a second insulating member having a third opening for moving electrons in a central portion on the metal mesh; and a third opening smaller than the size of the emitter in the central insulating portion is formed on the second insulating member to form an edge of the emitter. Seating an edge arcing prevention part covering the part, seating a first insulating member having a second opening in the center portion on the edge arcing prevention part, and emitting an electron in the second opening of the first insulating member And mounting a cathode and a cathode electrode contact portion having a first opening for moving electrons in a central portion of the first insulating member. .

일 실시예에 따르면, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계는, 캐소드 전극의 외부로 노출되는 면에 형성된 음극 전원 접속부로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부를 결합하는 과정과, 바디부를 뒤집어 애노드 전극의 외부로 노출되는 면에 형성된 양극 전원 접속부로 양극 전원을 공급하기 위한 양극 전원 공급부를 결합하는 과정을 포함한다. According to an embodiment, the brazing coupling between the support and the cathode may include: coupling the cathode power supply for supplying the cathode power to the cathode power connecting portion formed on a surface exposed to the outside of the cathode electrode, and inverting the body portion to the anode; And coupling a positive power supply for supplying positive power to the positive power connection formed on a surface exposed to the outside of the electrode.

일 실시예에 따르면, 지지부는 세라믹 재질로 형성되며, 게이트 전극의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합되어 게이트 전극과 캐소드 전극 사이를 절연한다. According to one embodiment, the support is formed of a ceramic material, and is coupled to the lower portion of the gate electrode by a brazing process to insulate the gate electrode and the cathode electrode.

본 발명에 따르면, 엑스레이 튜브는 외부의 전원을 공급받기 위한 전원 접속부들이 외부로 노출되어 있지 않으므로, 아크 발생을 줄여 전원 접속부 주변에 위치한 부품들의 손상을 줄일 수 있게 된다. 즉, 애노드 전극의 노출되는 면에 양극 전원 접속부가 함몰 형성되고, 캐소드 전극의 노출되는 면에 음극 전원 접속부가 함몰 형성되고, 게이트 전극의 둘레에 게이트 전원 접속부가 함몰 형성됨에 따라, 종래와 같이 전원 접속부들이 노출되지 않으므로 아크 발생을 줄일 수 있게 된다. According to the present invention, since the X-ray tube is not exposed to the outside of the power supply for external power supply, it is possible to reduce the damage of the components located around the power connection by reducing the arc generation. That is, as the positive electrode power connection portion is formed on the exposed surface of the anode electrode, the negative electrode power connection portion is formed on the exposed surface of the cathode electrode, and the gate power connection portion is formed around the gate electrode, so that Since the connections are not exposed, arcing can be reduced.

또한, 전원 접속부들이 외부로 노출되지 않음에 따라 바디부에 관통 홀을 형성하고, 이 관통 홀에 각각의 전원 접속부들을 삽입시키는 공정을 줄일 수 있으므로 되므로 제조 공정이 간소화 되고, 바디부 내부의 기밀성이 향상되는 이점이 있다.In addition, since the power connection parts are not exposed to the outside, a through hole may be formed in the body part, and a process of inserting the respective power connection parts into the through hole may be reduced, thereby simplifying the manufacturing process and improving airtightness inside the body part. There is an advantage to be improved.

또한, 게이트 전극의 내부에 마련된 안착 홈에 복수의 구성을 갖는 전자방출모듈이 일렬로 안착 및 고정됨에 따라, 전자방출모듈의 정렬이 용이해져 조립성이 향상된다. In addition, as the electron-emitting modules having a plurality of configurations are seated and fixed in a row in the mounting grooves provided in the gate electrode, alignment of the electron-emitting modules is facilitated, thereby improving assembly performance.

아울러, 바디부의 상부 및 하부가 각각 브레이징 공정을 통해 밀봉됨에 따라, 결합 및 밀봉 효율이 좋아져 바디부 내부의 진공도를 향상시킬 수 있게 된다. In addition, as the upper and lower portions of the body portion are sealed through the brazing process, the coupling and sealing efficiency may be improved to improve the degree of vacuum inside the body portion.

도 1은 종래 기술에 따른 엑스레이 튜브의 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 튜브의 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 단면도.
도 4는 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 분해 사시도.
도 5는 도 2에 도시된 엑스레이 튜브에 전원 접속부가 결합된 상태를 도시한 도면.
도 6은 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 제조 방법을 도시한 블록도.
1 is a perspective view of an x-ray tube according to the prior art.
2 is a perspective view of an x-ray tube according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the x-ray tube shown in FIG.
4 is an exploded perspective view of the x-ray tube shown in FIG.
5 is a view showing a state in which the power connection is coupled to the x-ray tube shown in FIG.
FIG. 6 is a block diagram illustrating a method of manufacturing the x-ray tube shown in FIG. 2.

이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 엑스레이 튜브 및 이의 제조방법에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서, 동일한 구성에 대해서는 동일부호를 사용하며, 반복되는 설명, 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다. Hereinafter, an X-ray tube and a method of manufacturing the same according to a preferred embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, the same reference numerals are used for the same configurations, and detailed descriptions of well-known functions and configurations that may unnecessarily obscure the repeated description and the subject matter of the invention will be omitted. Embodiments of the invention are provided to more completely describe the invention for those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 튜브의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 단면도이다. 그리고, 도 4는 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 분해 사시도이다. 2 is a perspective view of an x-ray tube according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the x-ray tube shown in FIG. 2. 4 is an exploded perspective view of the x-ray tube shown in FIG. 2.

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 엑스레이 튜브(100)는 바디부(110)와, 게이트 전극(120)과, 전자방출모듈(130)과, 애노드 전극(140)과, 지지부(150), 및 캐소드 전극(160)을 포함한다. As shown in FIGS. 2 to 4, the X-ray tube 100 includes a body part 110, a gate electrode 120, an electron emission module 130, an anode electrode 140, and a support part 150. , And a cathode electrode 160.

바디부(110)는 내부에 중공(110a)이 형성된 원기둥 형태로 형성될 수 있으며, 상부 및 하부에 각각 단턱(111, 112)이 형성될 수 있다. 바디부(110)는 내부가 진공 상태가 되도록 밀봉 가능한 재질로 형성될 수 있다. 일례로 바디부(110)는 유리 또는 석영 재질로 형성될 수 있다. The body part 110 may be formed in a cylindrical shape having a hollow 110a formed therein, and stepped portions 111 and 112 may be formed at upper and lower portions, respectively. The body part 110 may be formed of a sealable material so that the inside thereof becomes a vacuum state. For example, the body part 110 may be formed of glass or quartz material.

게이트 전극(120)은 바디부(110)의 일측에 연결되며, 내부에 전자를 발생시키는 전자방출모듈(130)이 구비될 수 있다. 구체적으로, 게이트 전극(120)은 바디부(110)의 중공(110a)과 연통 가능하도록 내부에 개구(120a)가 형성될 수 있으며, 전자방출모듈(130)로부터 발생된 전자를 외부로 포커싱하여 방출할 수 있다. 즉, 게이트 전극(120)은 후술되는 에미터(132)로부터 전자를 추출하는 동시에, 방출되는 전자가 퍼지거나 산란되지 않고 애노드 전극(140)을 향하여 이동할 수 있도록 포커싱 기능을 포함한다. The gate electrode 120 may be connected to one side of the body 110 and may have an electron emission module 130 generating electrons therein. Specifically, the gate electrode 120 may have an opening 120a formed therein so as to be in communication with the hollow 110a of the body part 110, by focusing electrons generated from the electron emission module 130 to the outside. Can be released. That is, the gate electrode 120 includes a focusing function to extract electrons from the emitter 132 which will be described later, and to move toward the anode electrode 140 without being diffused or scattered.

게이트 전극(120)은 지지부재(121)와, 연결부재(122)와, 고정부재(123)를 포함하여 형성될 수 있다. The gate electrode 120 may include a support member 121, a connection member 122, and a fixing member 123.

지지부재(121)에는 바디부(110)의 하측 일부가 안착되고, 내부에 바디부(110)의 중공(110a)과 연통되는 원형의 개구(120a)가 형성될 수 있다. A portion of the lower side of the body part 110 may be seated in the support member 121, and a circular opening 120a may be formed therein to communicate with the hollow 110a of the body part 110.

연결부재(122)는 지지부재(121)의 개구(120a)로부터 상부로 돌출되어 바디부(110)의 중공(110a)에 삽입될 수 있다. 즉, 바디부(110)와 게이트 전극(120)을 결합할 때, 연결부재(122)의 외주면이 바디부(110)의 하측 내주면에 삽입되는 형태가 된다. 이때, 연결부재(122)의 하부에는 상측 방향으로 함몰 형성된 안착 홈(122a)이 형성될 수 있는데, 이 안착 홈(122a)에 전자방출모듈(130)이 안착될 수 있다. The connection member 122 may protrude upward from the opening 120a of the support member 121 and be inserted into the hollow 110a of the body part 110. That is, when the body portion 110 and the gate electrode 120 are coupled, the outer circumferential surface of the connection member 122 is inserted into the lower inner circumferential surface of the body portion 110. In this case, a mounting recess 122a recessed in an upward direction may be formed below the connection member 122, and the electron emission module 130 may be seated in the mounting recess 122a.

고정부재(123)는 지지부재(121)의 외주면으로부터 하측 방향으로 연장되며, 후술되는 지지부(150)의 상측 일부가 삽입 및 고정될 수 있다. 즉, 게이트 전극(120)과 지지부(150)를 결합할 때, 고정부재(123)의 내주면에 지지부(150)의 상측 외주면이 삽입되는 형태가 된다. The fixing member 123 extends downward from the outer circumferential surface of the supporting member 121, and a portion of the upper side of the supporting unit 150 to be described later may be inserted and fixed. That is, when the gate electrode 120 and the support unit 150 are coupled to each other, the upper outer peripheral surface of the support unit 150 is inserted into the inner circumferential surface of the fixing member 123.

한편, 도 5는 게이트 전극(120)에 게이트 전원 공급부(10)가 연결된 상태를 도시한 도면으로써, 도 5에 도시된 바와 같이 게이트 전극(120)의 외측 둘레에는 게이트 전원을 공급받기 위한 게이트 전원 접속부(124)가 함몰 형성될 수 있다. Meanwhile, FIG. 5 is a view illustrating a state in which the gate power supply unit 10 is connected to the gate electrode 120. As illustrated in FIG. 5, a gate power source for receiving gate power is provided at an outer circumference of the gate electrode 120. The connection part 124 may be recessed.

일례로, 게이트 전원 접속부(124)로 게이트 전원을 공급하기 위한 게이트 전원 공급부(10)는 게이트 전원 접속부(124)에 삽입되어 와이어 본딩 또는 용접에 의하여 결합될 수 있다. 이처럼 게이트 전원 공급부(10)와 연결되는 게이트 전원 접속부(124)가 게이트 전극(120)의 외측 둘레에 함몰 형성됨에 따라, 종래와 같이 게이트 전원 접속부(124)가 바디부(110) 외부로 길게 돌출되지 않으므로, 아크(Arc) 발생을 줄일 수 있게 된다. 또한, 종래에는 전원 접속부(12)를 바디부(11) 외부로 노출시키기 위해 바디부(11)에 관통 홀을 형성하였으나, 본 발명에 따르면 이러한 관통 홀을 형성하지 않아도 되므로 제조 공정이 간소화 되고, 바디부(110) 내부의 기밀성이 향상되는 이점이 있다. For example, the gate power supply 10 for supplying the gate power to the gate power connector 124 may be inserted into the gate power connector 124 and coupled by wire bonding or welding. As the gate power connection 124 connected to the gate power supply 10 is recessed around the outer side of the gate electrode 120, the gate power connection 124 protrudes outward from the body 110 as in the related art. Therefore, the arc generation can be reduced. In addition, although a through hole is formed in the body part 11 to expose the power connection part 12 to the outside of the body part 11, according to the present invention, the manufacturing process is simplified because the through hole is not required. There is an advantage that the airtightness inside the body portion 110 is improved.

전자방출모듈(130)은 캐소드 전극 접촉부(131)와, 에미터(132)와, 제1 절연부재(133)와, 게이트 금속망(134)과, 제2 절연부재(135)를 포함하여 형성될 수 있다. The electron emission module 130 includes a cathode electrode contact portion 131, an emitter 132, a first insulating member 133, a gate metal net 134, and a second insulating member 135. Can be.

캐소드 전극 접촉부(131)는 게이트 전극(120)과 지지부(150) 사이에 배치되어 캐소드 전극(160)에 의해 지지될 수 있으며, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구(131a)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 캐소드 전극 접촉부(131)는 얇은 원형의 판 형상으로 형성될 수 있으며, 절연성을 갖는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 그리고, 캐소드 전극 접촉부(131)의 중앙부에 형성된 제1 개구(131a)는 원형으로 형성될 수 있으며, 그 지름이 후술되는 캐소드 전극(160)의 돌출부재(162) 지름보다 작게 형성될 수 있다. 이에 따라, 캐소드 전극 접촉부(131)에 의해 캐소드 전극(160)과 에미터(132) 사이에 간극이 형성되고, 캐소드 전극(160)과 에미터(132)는 직접적으로 접촉되지 않게 된다. 그러나, 제1 개구(131a)의 크기는 이에 한정되지 않으며, 돌출부재(162)의 지름보다 크게 형성되는 것도 가능하다. The cathode electrode contact portion 131 may be disposed between the gate electrode 120 and the support portion 150 to be supported by the cathode electrode 160, and a first opening 131a may be formed in the center to move electrons. have. Specifically, the cathode electrode contact portion 131 may be formed in a thin circular plate shape, and may be formed of a ceramic material having insulation. In addition, the first opening 131a formed at the center portion of the cathode electrode contact portion 131 may be formed in a circular shape, and its diameter may be smaller than the diameter of the protruding member 162 of the cathode electrode 160 which will be described later. As a result, a gap is formed between the cathode electrode 160 and the emitter 132 by the cathode electrode contact portion 131, and the cathode electrode 160 and the emitter 132 do not directly contact each other. However, the size of the first opening 131a is not limited thereto and may be larger than the diameter of the protruding member 162.

에미터(132)는 캐소드 전극 접촉부(131)의 상부에 배치되어 전자를 방출할 수 있다. 여기서, 에미터(132)에는 전자를 방출시키는 다수개의 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)가 증착 형성될 수 있다. 구체적으로, 탄소나노튜브는 에미터(132)의 표면에 CVD, PECVD, 스크린 프린팅 중 선택된 하나의 공정을 통해 증착될 수 있다. 이에 따라, 캐소드 전극(160)에 음극 전원이 인가되면 에미터(132)에 증착된 다수의 탄소나노튜브에서 전자가 방출된다. 이처럼 에미터(132)가 나노 소재인 탄소나노튜브를 이용하여 형성됨에 따라 단위 면적당 높은 전류 방출이 가능하므로, 기존의 열전자 방식의 전자공급원에 비하여 선명한 방사선 영상 정보를 얻을 수 있다. 이러한 에미터(132)의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 금속, 탄소계열 물질로 구성된 전도성 물질인 것이 바람직하다. The emitter 132 may be disposed above the cathode electrode contact 131 to emit electrons. Here, the emitter 132 may be formed by depositing a plurality of carbon nanotubes (CNTs) for emitting electrons. Specifically, the carbon nanotubes may be deposited on the surface of the emitter 132 through one process selected from CVD, PECVD, and screen printing. Accordingly, when a cathode power is applied to the cathode electrode 160, electrons are emitted from a plurality of carbon nanotubes deposited on the emitter 132. As the emitter 132 is formed using carbon nanotubes, which are nanomaterials, high current emission per unit area is possible, and thus, clear radiographic image information can be obtained as compared with a conventional thermoelectronic electron source. The type of the emitter 132 is not particularly limited, but is preferably a conductive material composed of a metal or a carbon-based material.

제1 절연부재(133)는 캐소드 전극 접촉부(131)의 상부에 배치되고, 중앙부에 에미터(132)가 삽입되는 제2 개구(133a)가 형성될 수 있다. 이를 위하여, 제2 개구(133a)는 에미터(132)와 대응되는 형태로 형성될 수 있으며, 제2 개구(133a)의 크기는 에미터(132)의 크기와 같거나 크게 형성될 수 있다. 이러한 제1 절연부재(133)는 얇은 원형의 판 형상으로 형성될 수 있으며, 절연성을 갖는 세라믹 재질로 형성될 수 있다.The first insulating member 133 may be disposed on the cathode electrode contact portion 131, and a second opening 133a may be formed at the center to insert the emitter 132. To this end, the second opening 133a may be formed in a shape corresponding to the emitter 132, and the size of the second opening 133a may be equal to or larger than the size of the emitter 132. The first insulating member 133 may be formed in a thin circular plate shape and may be formed of a ceramic material having insulation.

게이트 금속망(134)은 제1 절연부재(133)의 상부에 배치되며, 내부에 금속 재질의 메쉬(M)가 형성될 수 있다. 여기서, 메쉬(M)는 에미터(132)의 가운데 부분까지 전기장이 잘 인가되도록 하여 에미터(132)에서 전자 추출이 균일하게 이루어지도록 하는 것으로, 에미터(132)로부터 기 설정된 간격만큼 이격될 수 있다. 일례로, 메쉬(M)는 금속망 사이로 다수의 개구가 형성되고, 개구의 형상이 육각형의 벌집 형상으로 형성될 수 있다. 이러첨 메쉬(M)의 형상이 육각형의 벌집 형상으로 형성됨에 따라, 메쉬(M)가 전자를 효율적으로 추출하면서도 전자가 금속망에 의하여 충돌되지 않고 안정적으로 개출되는 개구율이 극대화될 수 있다. The gate metal net 134 may be disposed on the first insulating member 133, and a metal mesh M may be formed therein. In this case, the mesh M is such that the electric field is well applied to the center portion of the emitter 132 so that the electron extraction is uniformly performed at the emitter 132. The mesh M may be spaced apart from the emitter 132 by a predetermined interval. Can be. For example, the mesh M may have a plurality of openings formed between the metal meshes, and the openings may have a hexagonal honeycomb shape. As the shape of the mesh M is formed in a hexagonal honeycomb shape, the mesh M efficiently extracts electrons, while maximizing the aperture ratio of stably opening the electrons without colliding with the metal mesh.

제2 절연부재(135)는 에미터(132)와 게이트 금속망(134) 사이에 배치되어 에미터(132)와 게이트 금속망(134) 사이를 절연하며, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구(135a)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 절연부재(135)는 얇은 원형의 판 형상으로 형성될 수 있으며, 절연성을 갖는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 그리고, 제3 개구(135a)는 에미터(132)와 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. The second insulating member 135 is disposed between the emitter 132 and the gate metal mesh 134 to insulate between the emitter 132 and the gate metal mesh 134 and to move electrons in the center portion. An opening 135a may be formed. Specifically, the second insulating member 135 may be formed in a thin circular plate shape and may be formed of a ceramic material having insulation. The third opening 135a may be formed in a shape corresponding to the emitter 132.

한편, 전자방출모듈(130)은 제1 절연부재(133)와 제2 절연부재(135) 사이에 배치되며, 중앙부에 에미터(132)의 크기보다 작은 제4 개구(136a)가 형성되어 에미터(132)의 모서리부를 커버하는 에지 아킹(Edge arcing) 방지부(136)를 더 포함할 수 있다. On the other hand, the electron emission module 130 is disposed between the first insulating member 133 and the second insulating member 135, the fourth opening 136a smaller than the size of the emitter 132 is formed in the center Emmy An edge arcing prevention part 136 may be further included to cover the edge of the rotor 132.

에지 아킹 방지부(136)는 얇은 원형의 판 형상으로 형성될 수 있으며, 금속 재질로 형성될 수 있다. 에지 아킹 방지부(136)의 제4 개구(136a)가 에미터(132)의 크기보다 작게 형성됨에 따라 에미터(132)의 상단 모서리부를 커버할 수 있고, 이에 따라 에지 아킹 방지부(136)는 에미터(132)의 상단 모서리부에서 발생할 수 있는 에지 아킹(arcing)을 방지할 수 있다. The edge arcing prevention part 136 may be formed in a thin circular plate shape, and may be formed of a metal material. As the fourth opening 136a of the edge arcing prevention portion 136 is formed to be smaller than the size of the emitter 132, the upper edge portion of the emitter 132 may be covered, and thus the edge arcing prevention portion 136 May prevent edge arcing that may occur at the top edge of emitter 132.

만약 에지 아킹 방지부(136)가 설치되지 않는 경우에는 에미터(132)에서 배출된 전자가 제2 절연부재(135)의 제3 개구(135a)의 내주면에 부착되어 제2 절연부재(135)의 내주면이 손상되는 에지부 아킹 현상이 발생할 수 있으며, 에지 아킹 방지부(136)가 제1 절연부재(133)의 상부에 설치되는 경우에는 이러한 에지부의 아킹을 방지할 수 있게 된다. If the edge arcing prevention part 136 is not installed, the electrons discharged from the emitter 132 are attached to the inner circumferential surface of the third opening 135a of the second insulating member 135 and thus the second insulating member 135. An edge arcing phenomenon may occur in which an inner circumferential surface thereof is damaged, and when the edge arcing prevention part 136 is installed on the first insulating member 133, arcing may be prevented.

애노드 전극(140)은 바디부(110)의 타측에 연결되며, 전자방출모듈(130)에서 방출되는 전자와의 충돌에 의해 광을 발생시킨다. 구체적으로, 애노드 전극(140)은 바디부(110)의 상부에 연결될 수 있으며, 구리, 텅스텐, 망간, 몰리브덴 중 선택된 하나 또는 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 재료로 형성될 수 있다. 이러한 구성으로 인해 에미터(132)로부터 방출된 전자는 애노드 전극(140)을 구성하는 금속에 충돌한 후 반사 또는 그 금속을 통과하면서 엑스선을 발생시킬 수 있다. The anode electrode 140 is connected to the other side of the body portion 110 and generates light by collision with electrons emitted from the electron emission module 130. Specifically, the anode electrode 140 may be connected to the upper portion of the body portion 110, it may be formed of a material selected from the group consisting of one or a combination of copper, tungsten, manganese, molybdenum. Due to this configuration, the electrons emitted from the emitter 132 may generate X-rays while colliding with the metal constituting the anode electrode 140 and passing through the metal.

애노드 전극(140)의 중앙에는 양극 전원 접속부(140a)가 함몰 형성될 수 있다. 일례로, 양극 전원 접속부(140a)는 도 5에 도시된 바와 같이 볼트 형상의 양극 전원 연결부(41)와 나사 결합될 수 있으며, 양극 전원 연결부(41)의 외주면에 전기적으로 연결된 양극 전원 공급부(40)로부터 양극 전원을 공급받을 수 있게 된다. A positive power supply connecting portion 140a may be recessed in the center of the anode electrode 140. For example, the positive electrode power connecting unit 140a may be screwed with the bolt-shaped positive electrode power connecting unit 41 as shown in FIG. 5, and the positive electrode power supply unit 40 electrically connected to the outer circumferential surface of the positive electrode power connecting unit 41. Can be supplied with positive power.

애노드 전극(140)은 전자방출모듈(130)에서 방출되는 전자가 충돌하는 충돌부(141)와, 충돌부(141)에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 열전달부(142)를 포함할 수 있다. The anode 140 may include a collision unit 141 in which electrons emitted from the electron emission module 130 collide with each other, and a heat transfer unit 142 that emits heat generated from the collision unit 141 to the outside. .

충돌부(141)는 애노드 전극(140)의 저면에 형성될 수 있고, 전자가 충돌되어 발생된 엑스선을 바디부(110)의 측면으로 방향 전환시킬 수 있도록 경사지게 형성될 수 있다. 충돌부(141)는 텡스텐, 망간, 몰리브덴 중 선택된 하나 또는 이의 조합으로 이루어진 금속 가운데 적어도 하나의 재질로 형성될 수 있다.The impingement part 141 may be formed on the bottom surface of the anode electrode 140, and may be formed to be inclined so as to redirect X-rays generated by collision of electrons to the side of the body part 110. The impingement portion 141 may be formed of at least one material selected from tungsten, manganese, and molybdenum, or a metal formed of a combination thereof.

열전달부(142)는 충돌부(141)에서 발생되는 열이 전달되는 것으로, 열전도도가 충돌부(141)보다 우수한 금속재질로 형성되는 것이 바람직하다. 일례로 열전달부(142)는 구리 재질로 형성될 수 있다.The heat transfer part 142 is a heat transfer from the impingement portion 141 is transmitted, it is preferable that the thermal conductivity is formed of a metal material superior to the impingement portion 141. For example, the heat transfer part 142 may be formed of a copper material.

지지부(150)는 게이트 전극(120)의 일측에 결합되며, 전자방출모듈(130)과 마주하는 면에 관통 홀(150a)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 지지부(150)는 상측 일부가 게이트 전극(120)의 하부에 형성된 안착 홈(122a)에 안착 및 고정될 수 있으며, 세라믹 재질로 형성되어 게이트 전극(120)과 캐소드 전극(160) 사이를 절연할 수 있다. 여기서, 지지부(150)는 게이트 전극(120)의 하부에 브레이징(brazing) 공정에 의해 결합될 수 있다. The support 150 may be coupled to one side of the gate electrode 120, and a through hole 150a may be formed on a surface facing the electron emission module 130. In detail, the upper part of the support part 150 may be seated and fixed in the mounting groove 122a formed in the lower portion of the gate electrode 120, and may be formed of a ceramic material to form a gap between the gate electrode 120 and the cathode electrode 160. Can be insulated. Here, the support 150 may be coupled to the lower portion of the gate electrode 120 by a brazing process.

브레이징은 공정은 금속판 사이에 놋쇠납, 은납 등을 접착제로 하여 이를 가열하고 용해시켜서 접합시키는 방식으로, 본 실시예와 같이 금속판과 세라믹 등의 절연체를 결합할 때 주로 사용되는 방식이다. 이러한 브레이징 방식에 의하여 지지부(150)와 게이트 전극(120) 사이의 접합면에서의 결합이 견고해질 수 있다. The brazing process is a method in which brass solder, silver lead, etc. are used as an adhesive to heat and dissolve the metal sheets between the metal plates to bond the metal plates with each other. By such a brazing method, the bonding at the bonding surface between the support 150 and the gate electrode 120 may be secured.

이처럼 브레이징 공정을 이용하여 부재들을 결합하면 보다 견고히 결합할 수 있으므로, 엑스레이 튜브(100)를 구성는 각 부재들은 브레이징 공정을 통해 상호 결합될 수 있다. As such, when the members are combined using the brazing process, the members may be more firmly coupled, and thus, the members constituting the X-ray tube 100 may be coupled to each other through the brazing process.

캐소드 전극(160)은 일부가 관통 홀(150a)을 통과하여 전자방출모듈(130)을 지지하며, 금속 재질, 보다 구체적으로 니켈, 철, 코발트 등의 합금이나 단일 전이금속으로 형성될 수 있다. 이러한 캐소드 전극(160)은 음극(-)을 띄므로 “음극기판 전극”으로 칭할 수 있다. A part of the cathode electrode 160 passes through the through hole 150a to support the electron emission module 130, and may be formed of a metal material, more specifically, an alloy such as nickel, iron, cobalt, or a single transition metal. Since the cathode electrode 160 has a negative electrode (−), it may be referred to as a “cathode substrate electrode”.

캐소드 전극(160)은 외부로 노출되는 면에 음극 전원 접속부(160a)가 함몰 형성될 수 있다. 구체적으로, 음극 전원 접속부(160a)는 양극 전원 접속부(140a)와 중심이 일치하도록 형성될 수 있으며, 둘레에 나사산이 형성될 수 있다. 따라서, 도 5에 도시된 바와 같이 볼트 형상의 음극 전원 연결부(21)와 나사 결합될 수 있다. 이때, 음극 전원 연결부(21)에는 음극 전원 접속부(160a)로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부(20)가 연결되어 있어, 음극 전원 접속부(160a)는 음극 전원 공급부(20)로부터 음극 전원을 공급받을 수 있게 된다. The cathode electrode 160 may be recessed on the surface of the cathode electrode 160 exposed to the outside. In detail, the negative electrode power connection unit 160a may be formed to coincide with the positive electrode power connection unit 140a, and a thread may be formed around the negative electrode power connection unit 140a. Thus, as shown in Figure 5 can be screwed with the bolt-shaped negative power supply connection 21. At this time, the negative electrode power supply unit 21 is connected to the negative electrode power supply unit 20 for supplying negative power to the negative electrode power connection unit 160a, and the negative electrode power supply unit 160a receives the negative electrode power supply from the negative electrode power supply unit 20. It will be available.

일례로, 음극 전원 공급부(20)는 와이어 형상으로 형성될 수 있으며, 음극 전원 연결부(21)의 외주면을 감싸는 형태로 연결될 수 있다. 이에 따라, 음극 전원 공급부(20)는 음극 전원 접속부(160a)에 음극 전원 연결부(21)가 나사 결합될 때 가압되어 캐소드 전극(160) 상에 고정될 수 있다. 즉, 음극 전원 공급부(20)는 캐소드 전극(160)과 음극 전원 연결부(21) 사이에 개재될 수 있다. For example, the negative electrode power supply unit 20 may be formed in a wire shape, and may be connected to surround the outer circumferential surface of the negative electrode power connection unit 21. Accordingly, the negative electrode power supply unit 20 may be pressed when the negative electrode power connection unit 21 is screwed to the negative electrode power connection unit 160a to be fixed on the cathode electrode 160. That is, the negative electrode power supply unit 20 may be interposed between the cathode electrode 160 and the negative electrode power connection unit 21.

캐소드 전극(160)은 접속 플레이트(161)와, 돌출부재(162)를 포함하여 형성될 수 있다. The cathode electrode 160 may be formed to include the connection plate 161 and the protruding member 162.

접속 플레이트(161)는 지지부(150)의 관통 홀(150a) 둘레를 따라 형성된 단턱(151)에 안착되고, 일면에 전자방출모듈(130)의 중심부와 마주하도록 배치된 음극 전원 접속부(160a)가 형성될 수 있다. 즉, 전자방출모듈(130)의 중심 축과 음극 전원 접속부(160a)의 중심 축은 나란하게 배치될 수 있다. The connection plate 161 is seated on the step 151 formed along the periphery of the through hole 150a of the support 150, and the negative electrode power connection 160a disposed on one surface thereof to face the center of the electron emission module 130 is provided. Can be formed. That is, the center axis of the electron emission module 130 and the center axis of the negative electrode power connection unit 160a may be arranged side by side.

돌출부재(162)는 접속 플레이트(161)의 타면으로부터 돌출되고, 지지부(150)의 관통 홀(150a)에 삽입되어 전자방출모듈(130)을 지지할 수 있다. 즉, 전자방출모듈(130)은 게이트 전극(120)과 지지부(150) 사이에 배치되고, 캐소드 전극(160)의 돌출부재(162)에 의해 게이트 전극(120)의 하측면에 밀착될 수 있다. 이때, 돌출부재(162)는 도 3에 도시된 바와 같이 캐소드 전극 접촉부(131)에 고정되거나 도 5에 도시된 바와 같이 캐소드 전극 접촉부(131)의 제1 개구(131a)에 삽입되어 에미터(132) 및 제1 절연부재(133)에 고정될 수 있다. The protruding member 162 may protrude from the other surface of the connection plate 161 and may be inserted into the through hole 150a of the support 150 to support the electron emission module 130. That is, the electron emission module 130 may be disposed between the gate electrode 120 and the support part 150, and may be in close contact with the bottom surface of the gate electrode 120 by the protruding member 162 of the cathode electrode 160. . At this time, the protruding member 162 is fixed to the cathode electrode contact portion 131 as shown in FIG. 3 or inserted into the first opening 131a of the cathode electrode contact portion 131 as shown in FIG. 132 and the first insulating member 133 may be fixed.

한편, 엑스레이 튜브(100)는 애노드 전극(140)과 바디부(110) 사이를 밀봉하기 위한 애노드 보조부(170)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 애노드 보조부(170)는 바디부(110)의 상부에 브레이징(brazing) 공정에 의해 결합될 수 있다. 이처럼 엑스레이 튜브(100)의 상부는 애노드 보조부(170)에 의해 밀봉되고 하부는 지지부(150) 및 캐소드 전극(160)에 의해 밀봉됨에 따라, 바디부(110) 내부는 진공의 상태를 유지할 수 있게 된다. Meanwhile, the X-ray tube 100 may further include an anode auxiliary portion 170 for sealing between the anode electrode 140 and the body portion 110. Here, the anode auxiliary unit 170 may be coupled to the upper portion of the body portion 110 by a brazing process. As such, the upper part of the X-ray tube 100 is sealed by the anode auxiliary part 170 and the lower part is sealed by the support part 150 and the cathode electrode 160, so that the inside of the body part 110 can maintain a vacuum state. do.

전술한 바와 같이, 엑스레이 튜브(100)는 외부의 전원을 공급받기 위한 전원 접속부(124, 140a, 160a)들이 외부로 돌출되어 있지 않으므로, 아크 발생을 줄여 전원 접속부 주변에 위치한 부품들의 손상을 줄일 수 있게 된다. 즉, 애노드 전극(140)의 노출되는 면에 양극 전원 접속부(140a)가 함몰 형성되고, 캐소드 전극(160)의 노출되는 면에 음극 전원 접속부(160a)가 함몰 형성되고, 게이트 전극(120)의 둘레에 게이트 전원 접속부(124)가 함몰 형성됨에 따라, 종래와 같이 바디부(11) 외부로 전원 접속부(12)들이 돌출되지 않으므로 아크 발생을 줄일 수 있게 된다. As described above, since the X-ray tube 100 does not protrude to the outside of the power connection parts 124, 140a, and 160a for receiving external power, the X-ray tube 100 may reduce damage of components located near the power connection part by reducing arc generation. Will be. That is, the positive electrode power connecting portion 140a is recessed on the exposed surface of the anode electrode 140, the negative electrode power connecting portion 160a is recessed on the exposed surface of the cathode electrode 160, and the gate electrode 120 is recessed. As the gate power supply connection part 124 is recessed around the power supply connection part 12 does not protrude to the outside of the body part 11 as in the prior art, it is possible to reduce the occurrence of arc.

또한, 전원 접속부(124, 140a, 160a)들이 외부로 돌출되지 않음에 따라 종래와 같이 바디부에 관통 홀을 형성하고, 이 관통 홀에 각각의 전원 접속부들을 삽입시키는 공정을 줄일 수 있으므로 제조 공정이 간소화 되고, 바디부(110) 내부의 기밀성이 향상되는 이점이 있다. In addition, since the power connection parts 124, 140a, and 160a do not protrude to the outside, a process for forming a through hole in the body part as in the prior art and inserting respective power connection parts into the through hole can be reduced. Simplified, there is an advantage that the airtightness inside the body portion 110 is improved.

또한, 게이트 전극(120)의 내부에 마련된 안착 홈(122a)에 복수의 구성을 갖는 전자방출모듈(130)이 일렬로 안착 및 고정됨에 따라, 전자방출모듈(130)의 정렬이 용이해져 조립성이 향상된다. In addition, as the electron emission modules 130 having a plurality of configurations are seated and fixed in a row in the seating grooves 122a provided in the gate electrode 120, alignment of the electron emission modules 130 may be facilitated and assembling is possible. This is improved.

아울러, 바디부(110)의 상부 및 하부가 각각 브레이징 공정을 통해 밀봉됨에 따라, 결합 및 밀봉 효율이 좋아져 바디부(110) 내부의 진공도를 향상시킬 수 있게 된다. In addition, as the upper and lower portions of the body portion 110 are sealed through the brazing process, the coupling and sealing efficiency may be improved, thereby improving the degree of vacuum inside the body portion 110.

도 6은 도 2에 도시된 엑스레이 튜브의 제조 방법을 도시한 블록도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예와의 차이점을 중심으로 설명하기로 한다. 6 is a block diagram illustrating a method of manufacturing the x-ray tube illustrated in FIG. 2. In the present embodiment will be described focusing on the difference from the above-described embodiment.

도 6에 도시된 바와 같이, 엑스레이 튜브의 제조 방법(S100)는 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계(S110)와, 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계(S120)와, 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계(S130)와, 게이트 전극에 지지부를 브레이징 결합하는 단계(S140)와, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계(S150), 및 게이트 전원 접속부에 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계(S160)를 포함한다. As shown in FIG. 6, the method of manufacturing an X-ray tube (S100) includes coupling the anode electrode to the upper portion of the body portion (S110), coupling the gate electrode to the lower portion of the body portion (S120), and Mounting an electron emission module therein (S130), brazing a support unit to the gate electrode (S140), brazing a support unit and the cathode electrode (S150), and a gate power supply unit to the gate power connection unit Joining step (S160).

애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계(S110)에서는 애노드 보조부(170)를 구비한 애노드 전극(140)을 바디부(110)의 상부에 결합한다. 이때, 애노드 보조부(170)는 애노드 전극(140)과 바디부(110) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 애노드 보조부(170)의 하측 내주면은 바디부(110)의 상측 외주면에 형성된 단턱(111)에 삽입될 수 있으며, 브레이징 공정에 의해 서로 결합될 수 있다. In the step of coupling the anode electrode to the upper portion of the body portion (S110), the anode electrode 140 having the anode auxiliary portion 170 is coupled to the upper portion of the body portion 110. In this case, the anode auxiliary unit 170 may be disposed between the anode electrode 140 and the body unit 110. Specifically, the lower inner circumferential surface of the anode auxiliary unit 170 may be inserted into the step 111 formed on the upper outer circumferential surface of the body part 110, and may be coupled to each other by a brazing process.

게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계(S120)에서는 바디부(110)를 뒤집어 게이트 전극(120)을 바디부(110)의 하부에 결합한다. 이처럼 애노드 전극(140)과 결합된 바디부(110)를 뒤집음에 따라 바디부(110)의 상하 위치가 역전될 수 있다. 즉, 게이트 전극을 바디부의 하부에 결합하는 단계(S120)에서는 바디부(110)의 하부가 상부를 향하는 상태가 되고, 이 상태에서 게이트 전극(120)의 연결부재(122)를 바디부(110)의 중공(110a)에 삽입시킨 후 바디부(110)와 게이트 전극(120)을 결합하는 것이다. 이때, 바디부(110)와 게이트 전극(120)은 브레이징 공정에 의해 서로 결합될 수 있다. In the step S120 of coupling the gate electrode to the lower part of the body part, the body part 110 is inverted to couple the gate electrode 120 to the lower part of the body part 110. As such, as the body part 110 coupled with the anode electrode 140 is flipped over, the vertical position of the body part 110 may be reversed. That is, in the step S120 of coupling the gate electrode to the lower part of the body part, the lower part of the body part 110 is in a state of facing upward, and in this state, the connection member 122 of the gate electrode 120 is connected to the body part 110. After insertion into the hollow (110a) of the body portion 110 and the gate electrode 120 is to be coupled. In this case, the body 110 and the gate electrode 120 may be coupled to each other by a brazing process.

게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계(S130)에서는 게이트 전극(120) 내부에 형성된 안착 홈(122a)에 전자방출모듈(130)을 안착시킨다. 이때, 전자방출모듈(130)은 게이트 금속망(134)과, 제2 절연부재(135)와, 에지 아킹 방지부(136)와, 제1 절연부재(133)와, 에미터(132)와, 캐소드 전극 접촉부(131) 순으로 게이트 전극(120) 내부에 안착될 수 있다. In the step S130 of mounting the electron emission module inside the gate electrode, the electron emission module 130 is seated in the mounting recess 122a formed in the gate electrode 120. In this case, the electron emission module 130 may include the gate metal mesh 134, the second insulating member 135, the edge arcing prevention part 136, the first insulating member 133, the emitter 132, and the like. The cathode electrode contact portion 131 may be seated inside the gate electrode 120.

구체적으로, 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계(S130)는, 게이트 전극(120)의 하측 일부가 함몰 형성된 안착 홈(122a)에 금속 재질의 메쉬(M)가 내부에 형성된 게이트 금속망(134)를 안착시키는 과정과, 게이트 금속망(134) 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구(135a)가 형성된 제2 절연부재(135)를 안착시키는 과정과, 제2 절연부재(135) 상에 중앙부에 에미터(132)의 크기보다 작은 제4 개구(136a)가 형성되어 에미터(132)의 모서리부를 커버하는 에지 아킹 방지부(136)를 안착시키는 과정과, 에지 아킹 방지부(136) 상에 중앙부에 제2 개구(133a)가 형성된 제1 절연부재(133)를 안착시키는 과정과, 제1 절연부재(133)의 제2 개구(133a) 내부에 전자를 방출하는 에미터(132)를 안착시키는 과정과, 제1 절연부재(133) 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구(131a)가 형성된 캐소드 전극 접촉부(131)를 안착시키는 과정을 포함할 수 있다. Specifically, in the step S130 of mounting the electron emission module inside the gate electrode, a gate metal having a metal mesh M formed therein in a seating groove 122a in which a lower portion of the gate electrode 120 is recessed. A process of seating the network 134, a process of seating the second insulating member 135 having a third opening 135a for moving electrons in a central portion on the gate metal network 134, and a second insulating member A fourth opening 136a having a smaller size than the size of the emitter 132 is formed on the center at 135 to seat the edge anti-arking portion 136 covering the edge of the emitter 132, and the edge arcing. Seating the first insulating member 133 having the second opening 133a formed at the center portion on the prevention part 136, and emitting electrons into the second opening 133a of the first insulating member 133; A process of seating the emitter 132 and a first movement of electrons in a central portion on the first insulating member 133; Syntax may include a process of (131a) is secured to the cathode electrode contacting portion 131 is formed.

게이트 전극에 지지부를 브레이징 결합하는 단계(S140)에서는 게이트 전극(120)의 하부에 마련된 고정부재(123)에 중앙에 관통 홀(150a)이 형성된 지지부(150)를 브레이징 결합한다. 이때, 게이트 전극(120)과 지지부(150)가 마주보는 면의 중앙은 안착 홈(122a)에 의해 서로 접촉되지 않고, 일정 길이로 이격 배치될 수 있다. In the brazing coupling of the supporting part to the gate electrode (S140), the supporting part 150 having the through hole 150a formed at the center of the fixing member 123 provided under the gate electrode 120 is brazed. In this case, the centers of the surfaces where the gate electrode 120 and the support part 150 face each other may not be in contact with each other by the mounting grooves 122a and may be spaced apart by a predetermined length.

지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계(S150)에서는 지지부(150)의 관통 홀(150a)에 캐소드 전극(160)의 일부를 통과시켜 전자방출모듈(130)과 밀착시키며, 지지부(150)와 캐소드 전극(160)을 브레이징 결합할 수 있다. 이처럼 캐소드 전극(160)의 일부, 구체적으로 캐소드 전극(160)의 돌출부재(162)가 전자방출모듈(130)을 가압하여 지지부(150) 내부에 밀착됨에 따라, 별도의 접착물 없이도 지지부(150) 내에 전자방출모듈(130)을 고정시킬 수 있게 된다. 이때, 지지부(150)는 세라믹 재질로 형성될 수 있으며, 게이트 전극(120)의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합될 수 있다. 이처럼 지지부(150)가 세라믹 재질로 형성됨에 따라 게이트 전극(120)과 캐소드 전극(160) 사이를 절연할 수 있게 된다. In the brazing coupling of the support part and the cathode electrode (S150), a portion of the cathode electrode 160 passes through the through hole 150a of the support part 150 to closely contact the electron emission module 130, and the support part 150 and the cathode The electrode 160 may be brazed. As a part of the cathode electrode 160, specifically, the protruding member 162 of the cathode electrode 160 presses the electron-emitting module 130 to be in close contact with the inside of the support 150, the support 150 without a separate adhesive. It is possible to fix the electron emitting module 130 in the). In this case, the support 150 may be formed of a ceramic material and may be coupled to the lower portion of the gate electrode 120 by a brazing process. As the support 150 is formed of a ceramic material as described above, the gate electrode 120 and the cathode electrode 160 can be insulated from each other.

한편, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계(S150)에서는, 캐소드 전극(160)의 외부로 노출되는 면에 형성된 음극 전원 접속부(160a)로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부(20)를 결합하는 과정과, 바디부(110)를 뒤집어 애노드 전극(140)의 외부로 노출되는 면에 형성된 양극 전원 접속부(140a)로 양극 전원을 공급하기 위한 양극 전원 공급부(40)를 결합하는 과정이 이루어질 수 있다. Meanwhile, in the step S150 of brazing coupling the support unit with the cathode electrode, the cathode power supply unit 20 for supplying the cathode power to the cathode power connection unit 160a formed on the surface exposed to the outside of the cathode electrode 160 is coupled. And a process of combining the positive electrode power supply unit 40 for supplying the positive electrode power to the positive electrode power connection unit 140a formed on the surface exposed to the outside of the anode electrode 140 by inverting the body 110. have.

즉, 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계(S150)에서는 바디부(110)의 상하부 위치가 역전된 상태이므로 음극 전원 접속부(160a)가 상부로 노출되는 형태가 된다. 따라서, 1차로 음극 전원 접속부(160a)에 음극 전원 공급부(20)를 연결하고, 이후 바디부(110)를 다시 뒤집으면 바디부(110)의 상하부 위치는 원상태로 복귀가 되므로, 2차로 양극 전원 접속부(140a)에 양극 전원 공급부(40)를 연결하는 것이다. 이때, 음극 전원 공급부(20)는 볼트 형상의 음극 전원 연결부(21)를 통해 음극 전원 접속부(160a)에 고정될 수 있으며, 양극 전원 공급부(40)는 볼트 형상의 양극 전원 연결부(41)를 통해 양극 전원 접속부(140a)에 고정될 수 있다. That is, in the step S150 of brazing coupling the support part and the cathode electrode, since the upper and lower positions of the body part 110 are reversed, the negative electrode power connection part 160a is exposed upward. Therefore, when the negative electrode power supply unit 20 is first connected to the negative electrode power supply unit 160a, and then the body unit 110 is inverted again, the upper and lower positions of the body unit 110 are returned to their original states, and thus the positive electrode power source is secondary. The positive power supply unit 40 is connected to the connection unit 140a. In this case, the negative electrode power supply unit 20 may be fixed to the negative electrode power connection unit 160a through the bolt-shaped negative electrode power connection unit 21, and the positive electrode power supply unit 40 may be fixed through the bolt-shaped positive electrode power connection unit 41. It may be fixed to the positive power supply connection 140a.

이 상태에서 음극 전원 접속부(160a)를 통해 캐소드 전극(160)에 음극 전원이 인가되면 에미터(132)의 표면에 증착된 다수의 CNT에서 전자가 방출되고, 이렇게 방출된 전자는 양극을 띄는 애노드 전극(140)의 반사면에 충돌하여 엑스레이를 촬영하기 위한 광을 발생시킬 수 있게 된다. In this state, when cathode power is applied to the cathode electrode 160 through the cathode power connection unit 160a, electrons are emitted from a plurality of CNTs deposited on the surface of the emitter 132, and the emitted electrons are anodes having an anode. The light collides with the reflective surface of the electrode 140 to generate light for capturing X-rays.

게이트 전원 접속부에 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계(S160)에서는 게이트 전극(120)의 외측 둘레를 따라 함몰 형성된 게이트 전원 접속부(124)로 게이트 전원 공급부(10)를 삽입시킨 후, 와이어 본딩 또는 용접을 통해 게이트 전원 접속부(124)에 게이트 전원 공급부(10)를 결합할 수 있다. In operation S160, the gate power supply unit 10 is inserted into the gate power supply unit 124 recessed along the outer circumference of the gate electrode 120, and then wire bonding or welding is performed. The gate power supply unit 10 may be coupled to the gate power connection unit 124 through the gate power supply unit 124.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Could be. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.

110.. 바디부 110a.. 중공
120.. 게이트 전극 121.. 지지부재
122.. 연결부재 123.. 고정부재
124.. 게이트 전원 접속부 130.. 전자방출모듈
131.. 캐소드 전극 접촉부 132.. 에미터
133.. 제1 절연부재 134.. 게이트 금속망
135.. 제2 절연부재 136.. 에지 아킹 방지부
140.. 애노드 전극 150.. 지지부
150a.. 관통 홀 160.. 캐소드 전극
160a.. 음극 전원 접속부 161.. 접속 플레이트
162.. 돌출부재 170.. 애노드 보조부
110 .. Body 110a .. Hollow
120. Gate electrode 121. Support member
122 .. Connecting member 123 .. Holding member
124 .. Gate power connection 130. Electronic emission module
131. Cathode electrode contacts 132. Emitter
133. First insulating member 134. Gate metal net
135 .. 2nd insulating member 136 .. edge arcing prevention part
140. Anode electrode 150. Support
150a .. Through hole 160 .. Cathode electrode
160a .. negative power connection 161 .. connection plate
162. Protrusions 170. Anode Auxiliary

Claims (17)

내부에 중공이 형성된 바디부;
상기 바디부의 일측에 연결되며, 내부에 전자를 발생시키는 전자방출모듈이 구비되고, 외측 둘레에는 게이트 전원을 공급받기 위한 게이트 전원 접속부가 함몰 형성된 게이트 전극;
상기 바디부의 타측에 연결되며, 상기 전자방출모듈에서 방출되는 전자와의 충돌에 의해 광을 발생시키는 애노드 전극;
상기 게이트 전극의 일측에 결합되며, 상기 전자방출모듈과 마주하는 면에 관통 홀이 형성된 지지부; 및
일부가 상기 관통 홀을 통과하여 상기 전자방출모듈을 지지하며, 외부로 노출되는 면에 음극 전원 접속부가 함몰 형성된 캐소드 전극;
를 포함하는 엑스레이 튜브.
A hollow body part formed therein;
A gate electrode connected to one side of the body part and having an electron emission module generating electrons therein, and having a gate power connection portion recessed at an outer circumference thereof to receive a gate power;
An anode electrode connected to the other side of the body part to generate light by collision with electrons emitted from the electron emission module;
A support part coupled to one side of the gate electrode and having a through hole formed on a surface facing the electron emission module; And
A cathode supporting a portion of the electron emission module through the through hole and having a negative electrode power connection portion recessed on a surface exposed to the outside;
X-ray tube comprising a.
제1항에 있어서,
상기 음극 전원 접속부는 볼트 형상의 음극 전원 연결부와 나사 결합되고,
상기 음극 전원 연결부에는 상기 음극 전원 접속부로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부가 연결되는 엑스레이 튜브.
The method of claim 1,
The negative electrode power connection portion is screwed with the bolt-shaped negative electrode power connection portion,
X-ray tube is connected to the negative power supply for supplying negative power to the negative power connection to the negative power connection.
제2항에 있어서,
상기 음극 전원 공급부는 와이어 형상으로 형성되어 상기 음극 전원 연결부의 외주면에 연결되고, 상기 음극 전원 접속부에 상기 음극 전원 연결부가 결합될 때 가압되어 상기 캐소드 전극 상에 고정되는 엑스레이 튜브.
The method of claim 2,
The negative electrode power supply is formed in a wire shape is connected to the outer peripheral surface of the negative electrode power connection portion, the X-ray tube is pressed on the cathode electrode when the negative electrode power connection portion is coupled to the fixed on the cathode electrode.
제1항에 있어서,
상기 지지부의 하부에는 상기 관통 홀 둘레를 따라 단턱이 형성되며,
상기 캐소드 전극은,
상기 단턱에 안착되고, 일면에 상기 전자방출모듈의 중심부와 마주하도록 배치된 상기 음극 전원 접속부가 형성된 접속 플레이트와,
상기 접속 플레이트의 타면으로부터 돌출되고, 상기 관통 홀에 삽입되어 상기 전자방출모듈을 지지하는 돌출부재를 포함하는 엑스레이 튜브.
The method of claim 1,
A stepped portion is formed in the lower portion of the support along the circumference of the through hole,
The cathode electrode,
A connection plate seated on the step and formed with one surface of the negative electrode power connection part disposed to face a central portion of the electron emission module;
And a protruding member protruding from the other surface of the connection plate and inserted into the through hole to support the electron emission module.
제1항에 있어서,
상기 전자방출모듈은,
상기 게이트 전극과 상기 지지부 사이에 배치되고, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구가 형성된 캐소드 전극 접촉부와,
상기 캐소드 전극 접촉부의 상부에 배치되어 전자를 방출하는 에미터와,
상기 캐소드 전극 접촉부의 상부에 배치되고, 중앙부에 상기 에미터가 삽입되는 제2 개구가 형성된 제1 절연부재와,
상기 제1 절연부재의 상부에 배치되며, 내부에 금속 재질의 메쉬가 형성된 게이트 금속망과,
상기 에미터와 상기 게이트 금속망 사이에 배치되고, 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구가 형성된 제2 절연부재를 포함하는 엑스레이 튜브.
The method of claim 1,
The electron emitting module,
A cathode electrode contact portion disposed between the gate electrode and the support portion and having a first opening for moving electrons in a central portion thereof;
An emitter disposed above the cathode electrode contact to emit electrons;
A first insulating member disposed on an upper portion of the cathode electrode contact portion and having a second opening through which the emitter is inserted;
A gate metal net disposed on the first insulating member and having a metal mesh formed therein;
And a second insulating member disposed between the emitter and the gate metal network and having a third opening formed at the center thereof to move electrons.
제5항에 있어서,
상기 전자방출모듈은,
상기 제1 절연부재와 상기 제2 절연부재 사이에 배치되며, 중앙부에 상기 에미터의 크기보다 작은 제4 개구가 형성되어 상기 에미터의 모서리부를 커버하는 에지 아킹(Edge arcing) 방지부를 더 포함하는 엑스레이 튜브.
The method of claim 5,
The electron emitting module,
An edge arcing prevention part disposed between the first insulating member and the second insulating member and having a fourth opening smaller than the size of the emitter in a central portion thereof to cover an edge of the emitter; X-ray tube.
제5항에 있어서,
상기 게이트 전극은 상기 에미터로부터 방출되는 전자를 포커싱하는 엑스레이 튜브.
The method of claim 5,
The gate electrode focuses electrons emitted from the emitter.
제1항에 있어서,
상기 게이트 전극은,
상기 바디부의 하측 일부가 안착되고, 내부에 상기 바디부의 중공과 연통되는 개구가 형성된 지지부재와,
상기 지지부재의 개구로부터 상부로 돌출되어 상기 바디부의 중공에 삽입되는 연결부재와,
상기 지지부재의 외주면으로부터 하측 방향으로 연장되며, 상기 지지부의 상측 일부가 삽입 및 고정되는 고정부재를 포함하는 엑스레이 튜브.
The method of claim 1,
The gate electrode,
A support member having a lower portion of the body portion seated therein and having an opening communicating with the hollow of the body portion therein;
A connection member protruding upward from the opening of the support member and inserted into the hollow of the body part;
An X-ray tube extending downward from an outer circumferential surface of the support member, the fixing member is inserted and fixed to the upper portion of the support.
제8항에 있어서,
상기 연결부재의 하부에는 상측 방향으로 함몰 형성된 안착 홈이 형성되고, 상기 안착 홈에는 상기 전자방출모듈이 안착되는 엑스레이 튜브.
The method of claim 8,
An X-ray tube is formed in the lower portion of the connecting member is formed in the recess recessed in the upper direction, the electron emitting module is seated in the mounting groove.
제1항에 있어서,
상기 애노드 전극과 상기 바디부 사이를 밀봉하기 위한 애노드 보조부를 더 포함하며, 상기 애노드 보조부는 상기 바디부의 상부에 브레이징(brazing) 공정에 의해 결합되는 엑스레이 튜브.
The method of claim 1,
And an anode auxiliary portion for sealing between the anode electrode and the body portion, wherein the anode auxiliary portion is coupled to an upper portion of the body portion by a brazing process.
제1항에 있어서,
상기 지지부는 세라믹 재질로 형성되어 상기 게이트 전극과 상기 캐소드 전극 사이를 절연하는 엑스레이 튜브.
The method of claim 1,
The support part is formed of a ceramic material to insulate between the gate electrode and the cathode electrode.
제1항에 있어서,
상기 지지부는 상기 게이트 전극의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합되는 엑스레이 튜브.
The method of claim 1,
The support unit is coupled to the lower portion of the gate electrode by a brazing process x-ray tube.
애노드 보조부를 구비한 애노드 전극을 바디부의 상부에 결합하는 단계;
상기 바디부를 뒤집어 게이트 전극을 상기 바디부의 하부에 결합하는 단계;
상기 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계;
상기 게이트 전극 상에 중앙에 관통 홀이 형성된 지지부를 브레이징 결합하는 단계; 및
상기 지지부의 관통 홀에 캐소드 전극의 일부를 통과시켜 상기 전자방출모듈과 밀착시키며, 상기 지지부와 상기 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계;
를 포함하는 엑스레이 튜브의 제조방법.
Coupling an anode electrode having an anode auxiliary portion to an upper portion of the body portion;
Inverting the body portion and coupling a gate electrode to the lower portion of the body portion;
Mounting an electron emission module in the gate electrode;
Brazing a support having a through hole formed in the center on the gate electrode; And
Passing a portion of the cathode electrode through the through hole of the support to closely contact the electron emission module, and brazing the support to the cathode;
Method for producing a x-ray tube comprising a.
제13항에 있어서,
상기 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계 이후에,
상기 게이트 전극의 외측 둘레를 따라 함몰 형성된 게이트 전원 접속부로 게이트 전원을 공급하기 위한 게이트 전원 공급부를 결합하는 단계를 더 포함하는 엑스레이 튜브의 제조방법.
The method of claim 13,
After brazing the support and the cathode,
And coupling a gate power supply for supplying gate power to the gate power connection formed recessed along the outer circumference of the gate electrode.
제13항에 있어서,
상기 게이트 전극의 내부에 전자방출모듈을 안착시키는 단계는,
상기 게이트 전극의 하측 일부가 함몰 형성된 안착 홈 내부에 금속 재질의 메쉬가 내부에 형성된 게이트 금속망을 안착시키는 과정과,
상기 게이트 금속망 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제3 개구가 형성된 제2 절연부재를 안착시키는 과정과,
상기 제2 절연부재 상에 중앙부에 상기 에미터의 크기보다 작은 제4 개구가 형성되어 상기 에미터의 모서리부를 커버하는 에지 아킹 방지부를 안착시키는 과정과,
상기 에지 아킹 방지부 상에 중앙부에 제2 개구가 형성된 제1 절연부재를 안착시키는 과정과,
상기 제1 절연부재의 제2 개구 내부에 전자를 방출하는 에미터를 안착시키는 과정과,
상기 제1 절연부재 상에 중앙부에 전자가 이동하기 위한 제1 개구가 형성된 캐소드 전극 접촉부를 안착시키는 과정을 포함하는 엑스레이 튜브의 제조방법.
The method of claim 13,
Mounting the electron emission module in the gate electrode,
Seating a gate metal net in which a metal mesh is formed in a seating groove in which a lower portion of the gate electrode is recessed;
Mounting a second insulating member having a third opening for moving electrons in a central portion of the gate metal network;
Forming a fourth opening smaller than a size of the emitter in a central portion of the second insulating member to seat an edge arcing prevention part covering an edge of the emitter;
Mounting a first insulating member having a second opening in a central portion thereof on the edge anti-arking portion;
Mounting an emitter emitting electrons inside the second opening of the first insulating member;
And mounting a cathode electrode contact portion having a first opening for moving electrons in a central portion on the first insulating member.
제13항에 있어서,
상기 지지부와 캐소드 전극을 브레이징 결합하는 단계는,
상기 캐소드 전극의 외부로 노출되는 면에 형성된 음극 전원 접속부로 음극 전원을 공급하기 위한 음극 전원 공급부를 결합하는 과정과,
상기 바디부를 뒤집어 상기 애노드 전극의 외부로 노출되는 면에 형성된 양극 전원 접속부로 양극 전원을 공급하기 위한 양극 전원 공급부를 결합하는 과정을 포함하는 엑스레이 튜브의 제조방법.
The method of claim 13,
Brazing the support and the cathode electrode,
Coupling a negative electrode power supply unit for supplying negative electrode power to a negative electrode power connection unit formed on a surface exposed to the outside of the cathode electrode;
And coupling a positive power supply for supplying positive power to a positive power connection formed on a surface exposed to the outside of the anode by flipping the body part.
제13항에 있어서,
상기 지지부는 세라믹 재질로 형성되며, 상기 게이트 전극의 하부에 브레이징 공정에 의해 결합되어 상기 게이트 전극과 상기 캐소드 전극 사이를 절연하는 엑스레이 튜브의 제조방법.
The method of claim 13,
The support part is formed of a ceramic material and is coupled to the lower portion of the gate electrode by a brazing process to insulate between the gate electrode and the cathode electrode.
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