KR20200017167A - Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, which comprises a process fluid supply system which can selectively connect or disconnect a chamber and a fluid supply unit, and a method for processing a substrate. According to the present invention, the apparatus for processing the substrate comprises: a chamber configured to process the substrate which accommodates and processes the substrate, and connected to a supply port; and a fluid supply unit connected to a docking port for docking the supply port, thereby supplying a process fluid to the chamber, and is characterized by, when the supply port is docked on the docking port, supplying the process fluid to the chamber and, when the docking between the supply port and the docking port is canceled, stopping the supply of the process fluid to the chamber. According to the present invention, the method for processing the substrate comprises: a) a step in which the supply port of the chamber accommodating the substrate is docked on the docking port of the fluid supply unit; b) a step in which the process fluid is supplied from the fluid supply unit to the chamber, and the substrate is processed; and c) a step in which the docking between the supply port and the docking port is released.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof}Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 챔버와 유체공급부를 선택적으로 연결 또는 분리하는 공정유체 공급체계를 구비한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method having a process fluid supply system for selectively connecting or separating a chamber and a fluid supply unit.

최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다. Recently, with the rapid development of the information and communication field and the popularization of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In addition, various methods have been researched and developed in order to reduce the size of individual devices formed on a substrate and maximize device performance in accordance with the trend of high integration of semiconductor devices.

일반적으로 반도체 소자는 리소그래피(Lithography), 증착(Deposition) 및 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정 및 건조공정 등의 복수의 기판 처리를 반복적으로 진행하여 제조된다.In general, a semiconductor device repeatedly processes a plurality of substrates such as lithography, deposition and etching, coating of photoresist, development, cleaning, and drying. Are manufactured.

각 공정은 각각의 목적에 적합한 공정유체를 이용하여 이루어지며, 각 공정마다 적합한 공정 환경이 요구된다. Each process is performed using a process fluid suitable for each purpose, and a suitable process environment is required for each process.

각 공정은 해당하는 공정 환경이 조성되는 챔버 또는 배스에 기판을 수용하여 이루어지는 것이 일반적이며, 외부 파티클의 유입을 방지하기 위해 밀폐된 챔버 내부에 기판을 수용하여 이루어질 수 있다.Each process is generally made by accommodating a substrate in a chamber or bath in which a corresponding process environment is formed, and may be made by accommodating a substrate in a sealed chamber to prevent the inflow of external particles.

각 공정을 수행하는 기판상에는 금속 불순물, 유기물 등의 파티클이 잔존하게 되는데, 이와 같은 오염물질은 기판의 공정 불량을 일으키고 제품의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치게 된다. Particles, such as metal impurities and organic matter, remain on the substrate performing each process. Such contaminants cause process failure of the substrate and adversely affect product yield and reliability.

따라서 파티클을 제거하기 위해 각 공정의 완료시마다 반복적으로 수행되는 세정 및 건조공정이 매우 중요하게 다뤄지고 있다.Therefore, the cleaning and drying process that is repeatedly performed at the completion of each process to remove the particles is very important.

세정은 습식세정과 건식세정으로 분류될 수 있으며, 그 중에서도 습식세정이 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. Cleaning may be classified into wet cleaning and dry cleaning, among which wet cleaning is widely used in the semiconductor manufacturing field.

습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로, 산과 알칼리 용액 등의 공정유체를 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.In wet cleaning, contaminants are continuously removed by using chemicals suitable for contaminants in each step, and a large amount of process fluid such as an acid and an alkaline solution is used to remove contaminants remaining on a substrate.

기판 처리 공정은 크게 두가지 방식에 의해 이루어지는데, 복수 개의 기판을 동시에 처리하는 외엽식(배치식) 방식과, 기판을 한 장씩 낱개로 처리하는 매엽식 방식이 있다. Substrate processing is largely performed by two methods, such as an outer leaf type (batch type) method for processing a plurality of substrates at the same time, and a single leaf type method for processing substrates individually.

외엽식의 경우 복수 개의 기판을 동시에 처리하여 우수한 드루풋(throughput)을 얻을 수 있다는 장점이 있고, 매엽식의 경우 기판을 한 장씩 낱개로 처리하는 바 매우 정밀한 공정구현이 가능하다는 장점이 있다.In the case of the outer leaf type, there is an advantage in that excellent throughput can be obtained by simultaneously processing a plurality of substrates, and in the case of the single leaf type, the substrates are processed one by one, so that an accurate process can be realized.

도 1을 참조하여 종래 기술에 의한 매엽식 기판 처리 장치와 이를 이용한 기판 처리 방법에 대해 설명한다. A single wafer type substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same according to the prior art will be described with reference to FIG. 1.

종래 기술에 의한 기판 처리 장치는, 제1하우징(11)과 제2하우징(12)이 결합되어 형성되는 밀폐된 기판 처리 공간에 기판(W)을 수용하여 처리하는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)에 공정유체를 공급하는 유체공급부(50)와, 상기 제1하우징(11)을 지지하며 승강 이동시켜 상기 챔버(10)를 개폐하기 위한 구동부(40)를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the related art includes a chamber 10 for receiving and processing a substrate W in an enclosed substrate processing space formed by combining the first housing 11 and the second housing 12, and the chamber. And a fluid supply unit 50 for supplying a process fluid to the 10, and a driving unit 40 for opening and closing the chamber 10 by lifting and moving the support and the first housing 11.

상기 챔버(10)는 기판(W)이 챔버(10) 내부로 인입되거나 상기 챔버(10) 내부로부터 외부로 반출되는 경우 개방되며, 상기 챔버(10) 내부에서 기판(W)의 처리 공정이 수행되는 동안 밀폐 상태를 유지한다.The chamber 10 is opened when the substrate W is introduced into the chamber 10 or taken out of the chamber 10 to the outside, and the processing of the substrate W is performed in the chamber 10. Keep sealed while in operation.

상기 공정유체는 상기 유체공급부(50)와 상기 챔버(10)를 연결하는 공급라인(61)을 통해 상기 챔버(10) 내부로 유입되며, 상기 챔버(10) 내부의 기판 처리 공간에서 기판 처리 공정을 수행한 후 벤트라인(62)을 통해 배출된다. The process fluid is introduced into the chamber 10 through a supply line 61 connecting the fluid supply unit 50 and the chamber 10 to process the substrate in a substrate processing space inside the chamber 10. It is discharged through the vent line 62 after performing.

상기한 바와 같은 종래 기술의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 하나의 기판(W)이 수용되는 하나의 챔버(10)에 공정유체를 공급하여 한 번에 하나의 기판(W)을 처리하게 되어, 복수의 기판(W)을 처리하기 위해 상당한 시간이 소요되었다.According to the substrate processing apparatus and substrate processing method of the prior art as described above, the process fluid is supplied to one chamber 10 in which one substrate W is accommodated so as to process one substrate W at a time. Thus, a considerable time was required to process the plurality of substrates W. FIG.

또한, 챔버(10)와 유체공급부(50)를 연결하는 고정된 공급라인(61)을 통한 공정유체 공급체계를 갖추고 있어, 챔버(10)에 공정유체를 안정적으로 공급하기 위해 챔버(10)의 이동이 제한되었다.In addition, it has a process fluid supply system through a fixed supply line 61 connecting the chamber 10 and the fluid supply unit 50, so that the process fluid of the chamber 10 to stably supply the process fluid to the chamber 10. Movement was limited.

이러한 문제 해결을 위하여 기판 처리 시간을 단축하고 공정유체 공급 체계를 변화시켜 기판 처리 공정의 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 개발이 필요하다.In order to solve this problem, it is necessary to develop a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of shortening a substrate processing time and changing a process fluid supply system to increase efficiency of a substrate processing process.

상기한 바와 같은 기판 처리 장치에 대한 선행기술의 일례로 대한민국 공개특허 제10-2015-0064494호가 있다.An example of the prior art for the substrate processing apparatus as described above is the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2015-0064494.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 챔버와 유체공급부가 선택적으로 연결 또는 분리되는 공정유체 공급체계를 구비한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method having a process fluid supply system in which the chamber and the fluid supply unit are selectively connected or separated.

또한, 복수의 기판을 처리하는데 소요되는 시간을 단축하여 기판 처리 공정의 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 그 목적이 있다. In addition, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can shorten the time required to process a plurality of substrates to increase the efficiency of the substrate processing process.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하여 처리하고, 공급포트가 연결된 기판 처리용 챔버와, 상기 공급포트에 도킹되는 도킹포트가 연결되어 상기 챔버에 공정유체를 공급하는 유체공급부를 포함하고, 상기 공급포트와 상기 도킹포트가 도킹되면 상기 공정유체가 상기 챔버에 공급되고, 상기 공급포트와 상기 도킹포트의 도킹이 해제되면 상기 챔버로의 공정유체 공급이 중단되도록 구성된다.In the substrate processing apparatus of the present invention for realizing the above object, a substrate processing chamber for receiving and processing a substrate, a supply port is connected, and a docking port docked to the supply port are connected to the process fluid. And a fluid supply unit for supplying the supply fluid, wherein the process fluid is supplied to the chamber when the supply port and the docking port are docked, and the supply of the process fluid to the chamber is stopped when the supply port and the docking port are released. It is configured to.

상기 공급포트와 상기 도킹포트는 상기 도킹포트를 이동시키는 도킹 구동부의 구동에 의해 도킹되고 도킹 해제되도록 이루어질 수 있다.The supply port and the docking port may be docked and undocked by the driving of a docking driver for moving the docking port.

상기 챔버는 일정한 이동경로를 반복하여 이동하도록 구성될 수 있으며, 상기 도킹포트는 상기 챔버의 이동경로상에 형성되는 도킹부에 위치하여, 상기 챔버가 이동하여 상기 도킹부에 도달하면 상기 공급포트와 상기 도킹포트가 도킹되고, 상기 챔버가 이동하여 상기 도킹부로부터 분리되면 상기 공급포트와 상기 도킹포트가 도킹 해제되도록 이루어질 수 있다.The chamber may be configured to repeatedly move a predetermined movement path, wherein the docking port is located in a docking portion formed on the movement path of the chamber, and when the chamber moves to reach the docking portion, When the docking port is docked and the chamber is moved and separated from the docking unit, the supply port and the docking port may be undocked.

복수 개의 상기 챔버로 이루어지는 멀티챔버가 구비되어, 상기 멀티챔버가 일정 각도씩 회전하며 상기 챔버가 일정하게 이동하도록 이루어질 수 있다.A multichamber configured with a plurality of the chambers may be provided, such that the multichamber rotates by a predetermined angle and the chamber moves constantly.

상기 멀티챔버는 상기 유체공급부를 중심으로 상기 복수의 챔버가 일정 간격 이격되어 배치되도록 이루어질 수 있으며, 상기 복수의 챔버가 상기 유체공급부를 중심으로 회전하도록 이루어질 수 있다.The multichamber may be configured such that the plurality of chambers are spaced apart from each other by a predetermined interval about the fluid supply unit, and the plurality of chambers may be rotated about the fluid supply unit.

상기 도킹부는 상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버와 같은 개수로 구비되어, 상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버가 복수 개의 상기 도킹부에 동시에 도달하여 각각의 상기 공급포트와 상기 도킹포트가 동시에 도킹되도록 이루어질 수 있다. The docking part is provided in the same number as the plurality of chambers constituting the multi-chamber, and the plurality of chambers constituting the multi-chamber simultaneously reach a plurality of the docking parts so that each of the supply port and the docking port are simultaneously docked. Can be.

상기 유체공급부는 상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버에 동시에 상기 공정유체를 공급하여, 상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버에서 기판 처리 공정이 동시에 수행될 수 있다.The fluid supply unit simultaneously supplies the process fluid to a plurality of chambers constituting the multichamber, so that a substrate treatment process may be simultaneously performed in the plurality of chambers constituting the multichamber.

상기 멀티챔버의 일측과 타측에는 로딩부와 언로딩부가 각각 구비되어, 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버가 회전하여 순차로 인입부에 도달하여 상기 로딩부로부로부터 상기 기판을 이송받고, 상기 복수의 도킹부에서 기판 처리 공정을 수행한 후, 다시 회전하여 순차로 인출부에 도달하여 상기 언로딩부에 상기 기판을 이송하도록 할 수 있다.One side and the other side of the multi-chamber is provided with a loading portion and an unloading portion, respectively, a plurality of chambers constituting the multi-chamber rotates to reach the inlet in order to receive the substrate from the loading portion, the plurality of docking After performing the substrate processing process in the unit, it may be rotated again to reach the withdrawal unit in order to transfer the substrate to the unloading unit.

본 발명의 기판 처리 방법은, a) 기판이 수용된 챔버의 공급포트와 유체공급부의 도킹포트가 도킹되는 단계와, b) 상기 유체공급부로부터 상기 챔버에 공정유체가 공급되어 상기 기판의 처리가 수행되는 단계와, c) 상기 공급포트와 상기 도킹포트가 도킹 해제되는 단계를 포함하여 구성된다.The substrate processing method of the present invention includes a) docking a supply port of a chamber in which a substrate is accommodated and a docking port of a fluid supply unit, and b) a process fluid is supplied from the fluid supply unit to the chamber to process the substrate. And c) undocking the supply port and the docking port.

본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 챔버와 유체공급부를 선택적으로 연결 또는 분리하는 공정유체 공급체계를 구비하여 챔버의 이동에 관계없이 공정유체를 안정적으로 공급할 수 있다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention, the process fluid supply system for selectively connecting or separating the chamber and the fluid supply unit can be provided to stably supply the process fluid regardless of the movement of the chamber.

또한, 복수의 챔버에 수용되는 복수의 기판에 대한 기판 처리 공정을 간소화하고 전체 기판 처리 공정의 소요시간을 줄일 수 있다.In addition, it is possible to simplify the substrate processing process for a plurality of substrates accommodated in the plurality of chambers and to reduce the time required for the entire substrate processing process.

또한, 챔버를 지지하여 이송하는 챔버 지지대를 구비하여 챔버 내부의 기판 처리 환경이 상기 챔버의 이동에 의해 영향을 받는 것을 방지할 수 있다.In addition, a chamber support for supporting and transferring the chamber may be provided to prevent the substrate processing environment inside the chamber from being affected by the movement of the chamber.

또한, 챔버 구동부 및 스토퍼가 챔버의 이동경로 외측에 구비되도록 하여 챔버의 이동에 방해가 되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the chamber driving unit and the stopper may be provided outside the movement path of the chamber, thereby preventing the chamber from moving.

또한, 복수의 챔버에 대한 기판 이송 시스템을 간소화하는 동시에 각 챔버에 대해 공정유체를 안정적으로 공급함으로써 효율적인 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.In addition, an efficient substrate processing process can be performed by simplifying the substrate transfer system for a plurality of chambers and at the same time stably supplying a process fluid to each chamber.

또한, 공정유체가 공통의 유체공급부로부터 복수의 챔버에 공급되도록 하여, 공정유체의 사용량과 유체공급부의 설치공간을 최소화 할 수 있다.In addition, the process fluid is supplied to the plurality of chambers from a common fluid supply unit, thereby minimizing the amount of process fluid used and the installation space of the fluid supply unit.

또한, 공정유체가 공급된 복수의 챔버에서 동시에 기판 처리 공정이 수행되도록 하여 복수의 기판의 처리에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.In addition, the substrate processing process may be simultaneously performed in a plurality of chambers supplied with the process fluid, thereby reducing the time required for processing the plurality of substrates.

또한, 실린더의 직선 구동을 통해 멀티챔버를 회전시킴으로써 보다 효율적인 회전동력을 제공할 수 있다.In addition, it is possible to provide a more efficient rotational power by rotating the multi-chamber through the linear drive of the cylinder.

또한, 구동 피니언의 구동에 의해 멀티챔버를 설정된 각도 만큼 정밀하게 회전시킬 수 있어 공급포트와 도킹포트가 정확한 위치에서 도킹 또는 도킹 해제될 수 있어, 기판 처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the multi-chamber can be rotated precisely by a set angle by the driving pinion so that the supply port and the docking port can be docked or undocked at the correct position, thereby improving the reliability of the substrate processing process.

도 1은 종래 기술에 의한 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치에서 공급포트와 도킹포트의 (a) 도킹상태와 (b) 비도킹상태를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치에서 이동하는 챔버를 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치에서 회전하는 멀티챔버를 나타내는 평면도.
도 5는 도 4의 멀티챔버가 반시계방향으로 90도씩 3회 회전한 상태를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5의 멀티챔버가 반시계방향으로 다시 90도씩 3회 회전한 상태를 나타내는 평면도.
도 7은 본 발명의 제4실시예에 따른 기판 처리 장치에서 실린더로 이루어지는 챔버 구동부에 의해 회전하는 멀티챔버를 나타내는 사시도.
도 8은 본 발명의 제5실시예에 따른 기판 처리 장치에서 구동 피니언을 포함하는 챔버 구동부에 의해 회전하는 멀티챔버를 나타내는 사시도.
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 순서도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows schematically the structure of the substrate processing apparatus by a prior art.
2 is a cross-sectional view illustrating (a) a docking state and (b) a non-docking state of a supply port and a docking port in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing a chamber moving in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
4 is a plan view illustrating a multichamber rotating in a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
5 is a plan view illustrating a state in which the multichamber of FIG. 4 is rotated three times by 90 degrees in a counterclockwise direction.
FIG. 6 is a plan view illustrating a state in which the multichamber of FIG. 5 is rotated three times by 90 degrees in the counterclockwise direction.
FIG. 7 is a perspective view showing a multichamber rotated by a chamber driving unit made of a cylinder in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. FIG.
8 is a perspective view illustrating a multichamber rotated by a chamber driver including a drive pinion in a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
9 is a flow chart of a substrate processing method according to the present invention.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판(W)을 수용하여 처리하고, 공급포트(110)가 연결된 기판 처리용 챔버(100)와, 상기 공급포트(110)에 도킹되는 도킹포트(210)가 연결되어 상기 챔버(100)에 공정유체를 공급하는 유체공급부(200)를 포함하고, 상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)가 도킹되면 상기 공정유체가 상기 챔버(100)에 공급되고, 상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)의 도킹이 해제되면 상기 챔버(100)로의 공정유체 공급이 중단되도록 구성된다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a substrate processing chamber 100 that receives and processes a substrate W, and has a supply port 110 connected thereto, and the supply port ( The docking port 210 which is docked to the 110 is connected to include a fluid supply unit 200 for supplying a process fluid to the chamber 100, when the supply port 110 and the docking port 210 is docked The process fluid is supplied to the chamber 100, and when the docking of the supply port 110 and the docking port 210 is released, the process fluid supply to the chamber 100 is stopped.

상기 기판(W)은 반도체 기판(W)이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 상기 기판(W)의 형상 및 크기는 본 발명의 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.The substrate W may be a silicon wafer to be a semiconductor substrate W. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate W may be a transparent substrate such as glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). The shape and size of the substrate W are not limited by the drawings of the present invention, and may have substantially various shapes and sizes, such as circular and rectangular plates.

상기 기판(W)에는, 상기 기판(W) 상의 오염물질을 제거하기 위한 액체 또는 기체 상태의 세정제가 공급된다. 세정제는 처리 대상이 되는 종류에 따라 복수의 세정제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 레지스트를 제거하기 위해서는 유기용제, 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 산화 실리콘(SiO)를 제거하기 위해서는 물, 불화수소(HF), 이소프로필 알코올(IPA) 및 질소(N2) 가스 등이 사용될 수 있다. 또한, 금속을 제거하기 위해서는 염산(HCl), 오존(O3), 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 레지스트 이외의 유기물을 제거하기 위해서는 오존(O3), 질소(N2) 가스를 사용할 수 있다. 이외에도, 그 밖의 파티클을 제거하기 위해서는 암모니아 가수(加水)(APM), 질소(N2) 가스, 또는 아르곤(Ar)을 사용할 수 있다. 또한, 불소(F), 염소(Cl), 암모니아(NH4)의 이온을 제거하기 위해서는 물, 이소프로필 알코올(IPA) 및 질소(N2) 가스를 사용할 수 있다. The substrate W is supplied with a liquid or gaseous cleaner for removing contaminants on the substrate W. The cleaning agent may be a plurality of cleaning agents depending on the kind to be treated. For example, an organic solvent and nitrogen (N 2) gas may be used to remove the resist. In addition, water, hydrogen fluoride (HF), isopropyl alcohol (IPA), nitrogen (N 2) gas, or the like may be used to remove silicon oxide (SiO). In addition, hydrochloric acid (HCl), ozone (O3), nitrogen (N2) gas may be used to remove the metal. In addition, in order to remove organic substances other than a resist, ozone (O3) and nitrogen (N2) gas can be used. In addition, to remove other particles, ammonia water (APM), nitrogen (N 2) gas, or argon (Ar) may be used. In addition, in order to remove ions of fluorine (F), chlorine (Cl) and ammonia (NH 4), water, isopropyl alcohol (IPA) and nitrogen (N 2) gas may be used.

상기 세정제가 공급된 상기 기판(W)에는 건조를 위한 건조제가 공급될 수 있다. 건조제는 상기 기판(W)상에 공급된 세정제의 종류에 대응하여 구비되며, 이산화탄소(CO2), 물(H2O), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C2H2), 메탄올(C2H3OH), 에탄올(C2H5OH), 육불화황(SF6), 아세톤(C3H8O) 등의 초임계유체가 이용될 수 있다. A drying agent for drying may be supplied to the substrate W to which the cleaning agent is supplied. Desiccant is provided corresponding to the type of cleaning agent supplied on the substrate (W), carbon dioxide (CO2), water (H2O), methane (CH4), ethane (C2H6), propane (C3H8), ethylene (C2H4), Supercritical fluids such as propylene (C2H2), methanol (C2H3OH), ethanol (C2H5OH), sulfur hexafluoride (SF6), acetone (C3H8O) and the like may be used.

이하, 이러한 세정제 및 건조제를 공정유체라 통칭한다.Hereinafter, such a washing | cleaning agent and a drying agent are called process fluid.

상기 챔버(100)는 상기 공정유체를 이용하는 기판 처리 환경을 견딜 수 있도록 소정의 두께를 갖는 높은 강성을 가진 재질로 이루어지며, 온도와 압력의 변화를 견디기 위한 높은 내열성 및 내압성과, 유체에 반응하여 변질되거나 부식이 일어나 기판 처리 공정에 영향을 끼치지 않도록 내화학성 및 내식성을 가지는 재질로 이루어진다.The chamber 100 is made of a material having a high rigidity having a predetermined thickness to withstand a substrate processing environment using the process fluid, and has high heat resistance and pressure resistance to withstand changes in temperature and pressure, and reacts with a fluid. It is made of a material having chemical resistance and corrosion resistance so as not to deteriorate or cause corrosion to affect the substrate processing process.

상기 조건들을 만족하는 재질로는 스테인리스강(SUS)이 있다. 스테인리스강은 강성이 높고 내열성, 내식성, 내화학성이 우수하며 접근성이 좋고 경제적인 장점이 있어 상기 챔버(100)를 구성하는 데 가장 많이 이용되고 있는 재질 중 하나이다.The material satisfying the above conditions is stainless steel (SUS). Stainless steel is one of the most used materials for constituting the chamber 100 due to its high rigidity, excellent heat resistance, corrosion resistance, chemical resistance, accessibility and economic advantages.

상기 챔버(100)와 상기 유체공급부(200)에 있어서, 상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)는, 밀폐되어 상기 챔버(100)의 기밀을 확보하고 상기 유체공급부(200)로부터의 상기 공정유체의 유동을 통제하는 비도킹상태(도 2의 (b))를 기본으로 한다.In the chamber 100 and the fluid supply unit 200, the supply port 110 and the docking port 210 are hermetically sealed to ensure the airtightness of the chamber 100 and to prevent the fluid supply unit 200 from being supplied. Based on the non-docking state (Fig. 2 (b)) to control the flow of the process fluid.

상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)는, 도킹되면서 개방되어 서로 통하는 도킹상태(도 2의 (a))가 되며, 상기 공정유체가 상기 개방된 도킹포트(210)와 상기 개방된 공급포트(110)를 통해 상기 챔버(100) 내부로 공급됨으로써 상기 기판(W)의 처리공정이 수행된다. The supply port 110 and the docking port 210 are docked and open to be in a docking state (Fig. 2 (a)) to communicate with each other, the process fluid is the docking port 210 and the open The substrate W is processed by being supplied into the chamber 100 through a supply port 110.

상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)의 도킹은 도킹 구동부(700)의 구동에 의해 이루어진다.Docking of the supply port 110 and the docking port 210 is performed by driving the docking driver 700.

상기 도킹 구동부(700)는 상기 도킹포트(210)에 연결되도록 구비될 수 있으며, 상기 도킹 구동부(700)의 구동에 의해 상기 도킹포트(210)가 상기 공급포트(110)를 향해 이동하여 도킹되거나, 상기 도킹포트(210)가 상기 공급포트(110)와 이격되는 방향으로 이동하여 도킹 해제되도록 이루어진다.The docking driver 700 may be provided to be connected to the docking port 210, and the docking port 210 is moved toward the supply port 110 by the docking driver 700 to be docked or moved. The docking port 210 moves in a direction spaced apart from the supply port 110 to be undocked.

상기 공급포트(110)는 상기 도킹포트(210)의 상측에 위치할 수 있으며, 상기 도킹 구동부(700)는 수직방향으로 신축구동하는 실린더로 이루어질 수 있다. The supply port 110 may be positioned above the docking port 210, and the docking driver 700 may be formed of a cylinder that stretches in a vertical direction.

상기 도킹포트(210)는 상기 도킹 구동부(700)를 이루는 실린더의 신장구동에 의해 상승하여 상기 공급포트(110)에 도킹되고, 수축구동에 의해 하강하여 상기 공급포트(110)와의 도킹이 해제된다.The docking port 210 is lifted by the extension drive of the cylinder constituting the docking drive unit 700 is docked to the supply port 110, is lowered by the shrinkage drive is released from the docking port 110. .

즉, 본 발명에 의하면, 상기 챔버(100)와 상기 유체공급부(200)간의 선택적 도킹을 통해 상기 챔버(100)에 상기 공정유체가 공급되도록 하여, 상기 챔버(100)에 대해 상기 공정유체를 안정적으로 공급할 수 있다.That is, according to the present invention, the process fluid is supplied to the chamber 100 through selective docking between the chamber 100 and the fluid supply unit 200, thereby stably maintaining the process fluid with respect to the chamber 100. Can be supplied by

도 3에 도시된 본 발명의 제2실시예를 참조하면, 상기 챔버(100)는 일정한 이동경로(P)을 반복하여 이동하도록 이루어질 수 있다.Referring to the second embodiment of the present invention illustrated in FIG. 3, the chamber 100 may be configured to repeatedly move a certain movement path P. FIG.

상기 이동경로(P)은, 상기 기판(W)이 로딩부(810)로부터 이송되어 상기 챔버(100)에 인입되는 인입부(310)와, 상기 기판(W)이 상기 챔버(100)로부터 인출되어 언로딩부(820)로 이송되는 인출부(330) 사이에 형성될 수 있다. The movement path P includes an inlet part 310 in which the substrate W is transferred from the loading part 810 and drawn into the chamber 100, and the substrate W is drawn out of the chamber 100. And may be formed between the lead portions 330 that are transferred to the unloading portion 820.

상기 로딩부(810)와 인입부(310) 사이 및 상기 인출부(330)와 언로딩부(820) 사이에는 이송로봇(400)이 구비되어, 상기 로딩부(810)로부터 상기 기판(W)을 이송하여 상기 챔버(100)에 인입하고, 상기 챔버(100)로부터 기판 처리 공정이 완료된 기판(W)을 인출부(330)로 인출한 후 언로딩부(820)로 이송한다. A transfer robot 400 is provided between the loading part 810 and the inlet part 310 and between the withdrawal part 330 and the unloading part 820, and the substrate W from the loading part 810. Transfers the lead to the chamber 100, and withdraws the substrate W having the substrate processing process from the chamber 100 to the take-out unit 330 and then transfers the unloaded unit 820.

상기 이동경로(P)상에는 상기 도킹포트(210)가 위치하는 도킹부(320)가 구비되고, 상기 챔버(100)는 상기 인입부(310)로부터 상기 도킹부(320)를 경유하여 상기 인출부(330)로 이동한다.The docking part 320 in which the docking port 210 is located is provided on the movement path P, and the chamber 100 is separated from the inlet part 310 via the docking part 320. Go to 330.

상기 도킹부(320)에서는 상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)가 도킹되어 상기 기판(W)의 처리 공정이 이루어지며, 상기 기판(W)의 처리가 완료되면 상기 도킹포트(210)가 상기 공급포트(110)로부터 분리되어 도킹이 해제된다.In the docking unit 320, the supply port 110 and the docking port 210 are docked to process the substrate W. When the processing of the substrate W is completed, the docking port 210 is completed. ) Is separated from the supply port 110 and the docking is released.

상기 챔버(100)는 챔버 구동부(500)의 구동에 의해 이동하며, 스토퍼(600)에 의해 정지한다.The chamber 100 is moved by the driving of the chamber driver 500 and is stopped by the stopper 600.

상기 챔버 구동부(500)는 신축구동하는 실린더로 이루어질 수 있다.The chamber driver 500 may be formed of a cylinder that stretches and drives.

상기 챔버 구동부(500)를 이루는 실린더는, 도 3에서 실선으로 나타낸 바와 같이 신장구동하여 챔버 지지대(150)의 밀침부(151)를 밀어 상기 챔버(100)가 이동하는 동력을 제공한다.The cylinder constituting the chamber driver 500 extends and drives the pusher 151 of the chamber supporter 150 as shown by the solid line in FIG. 3 to provide power to move the chamber 100.

상기 챔버 지지대(150)는, 상기 챔버(100)를 지지하며 이동하도록 구비됨으로써 상기 챔버(100) 내부의 기판 처리 환경이 상기 챔버(100)의 이동에 의해 직접적으로 영향을 받는 것을 방지할 수 있다.The chamber support 150 may be provided to move while supporting the chamber 100, thereby preventing the substrate processing environment inside the chamber 100 from being directly affected by the movement of the chamber 100. .

또한, 상기 챔버 구동부(500)를 이루는 실린더는, 상기 챔버(100)의 상기 이동경로(P)에 비스듬한 방향으로 구동하도록 구비되어, 도 3에서 점선으로 나타낸 바와 같이 수축구동시 상기 이동경로(P)의 외측에 위치하여 상기 챔버(100)의 이동에 방해가 되지 않도록 이루어진다.In addition, the cylinder constituting the chamber driver 500 is provided to drive in the oblique direction to the movement path P of the chamber 100, the movement path (P) during shrinkage driving as indicated by the dotted line in FIG. Located on the outside of the) is made so as not to interfere with the movement of the chamber (100).

상기 스토퍼(600)는 상기 이동경로(P)상에 구비되어, 이동중인 상기 챔버 지지대(150)의 막힘부(152)를 가로막아 정지시킴으로써 상기 챔버(100)의 이동을 제한하고 위치를 고정한다.The stopper 600 is provided on the movement path P to stop and block the blocking portion 152 of the chamber support 150 which is moving, thereby restricting the movement of the chamber 100 and fixing the position.

상기 스토퍼(600)는 스토퍼 구동부(900)의 구동에 의해 이동하도록 이루어질 수 있으며, 신축구동하는 실린더로 이루어질 수 있다.The stopper 600 may be configured to move by driving of the stopper driver 900, and may be formed of a cylinder for stretching and driving.

상기 스토퍼 구동부(900)를 이루는 실린더는, 도 3에서 점선으로 나타낸 바와 같이 신장구동하여 상기 스토퍼(600)를 밀어 상기 챔버(100)의 이동경로(P)상에 위치시킨다.The cylinder constituting the stopper driver 900 extends and drives the stopper 600 to be positioned on the movement path P of the chamber 100, as indicated by a dotted line in FIG. 3.

또한, 상기 스토퍼 구동부(900)를 이루는 실린더는, 도 3에서 실선으로 나타낸 바와 같이 수축구동하여 상기 스토퍼(600)를 당겨 상기 이동경로(P)의 외측에 위치시킴으로써 상기 챔버(100)의 이동에 방해가 되지 않도록 이루어진다.In addition, the cylinder constituting the stopper drive unit 900 is contracted and driven as shown by a solid line in FIG. 3 to pull the stopper 600 outward to the outside of the movement path P to move the chamber 100. It is made out of the way.

또한, 상기 도킹부(320)는 상기 인입부(310) 또는 상기 인출부(330)에 위치할 수도 있다. In addition, the docking part 320 may be located in the inlet part 310 or the outlet part 330.

일실시예로, 상기 도킹부(320)가 상기 인입부(310)에 위치하는 경우, 상기 인입부(310)에서 상기 기판(W)의 이송 및 상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)의 도킹이 이루어진다.In an embodiment, when the docking part 320 is located in the inlet part 310, the inlet part 310 transfers the substrate W and the supply port 110 and the docking port 210. ) Is docked.

이때, 상기 챔버(100)는 상기 인입부(310)로부터 상기 도킹부(320)를 경유하여 상기 인출부(330)로 이동하는 대신 상기 인입부(310)로부터 인출부(330)로 바로 이동하게 되므로, 상기 챔버(100)의 이동에 소요되는 시간을 단축하여 전체 기판 처리 공정의 소요시간을 줄일 수 있다.In this case, the chamber 100 moves directly from the inlet unit 310 to the outlet unit 330 instead of moving from the inlet unit 310 to the outlet unit 330 via the docking unit 320. Therefore, the time required for the movement of the chamber 100 may be shortened to reduce the time required for the entire substrate processing process.

또한, 상기 챔버(100)와 같은 구성을 가지는 복수의 챔버가 상기 이동경로(P)를 따라 순차로 이동하며 기판 처리 공정을 수행하도록 이루어져, 복수의 챔버에 수용되는 복수의 기판에 대한 기판 처리 공정을 간소화하고 전체 기판 처리 공정의 소요시간을 줄일 수 있다.In addition, a plurality of chambers having the same configuration as the chamber 100 are sequentially moved along the movement path P to perform a substrate processing process, thereby processing a substrate for a plurality of substrates accommodated in the plurality of chambers. Simplify and reduce the time required for the entire substrate processing process.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)로 구성되는 기판 처리용 멀티챔버(1000)를 포함하여 구성된다.4 to 6, the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention includes a substrate processing multichamber 1000 including a plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140. do.

상기 멀티챔버(1000)는 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)의 집합체일 수 있으며, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)가 일체를 이루도록 형성된 것일 수 있다.The multichamber 1000 may be an assembly of the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140, and may be formed such that the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 are integrally formed.

상기 유체공급부(200)는 상기 멀티챔버(1000)를 이루는 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 공정유체를 공급하며, 상기 멀티챔버(1000)를 이루는 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)는 상기 유체공급부(200)를 중심으로 일정 간격으로 이격되어 고리 형상으로 배치될 수 있다.The fluid supply unit 200 supplies process fluids to the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 forming the multichambers 1000, and provides a plurality of chambers 1110, 1120, and constituting the multichambers 1000. 1130 and 1140 may be arranged in a ring shape spaced apart at regular intervals with respect to the fluid supply unit 200.

상기 멀티챔버(1000)는 전술한 챔버 구동부(500)의 구동에 의해 회전하도록 이루어져, 상기 멀티챔버(1000)의 회전에 의해 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)가 일정한 이동경로(P)을 반복하여 이동하게 된다.The multichamber 1000 is configured to rotate by the above-described driving of the chamber driver 500, and the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 are fixed by the rotation of the multichamber 1000. Repeatedly move P).

이때, 상기 유체공급부(200)의 위치는 고정되며, 상기 멀티챔버(1000)를 이루는 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)가 상기 유체공급부(200)를 중심으로 회전하게 된다.In this case, the position of the fluid supply unit 200 is fixed, and the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 constituting the multichamber 1000 are rotated about the fluid supply unit 200.

상기 멀티챔버(1000)의 일측과 타측에는 로딩부(810)와 언로딩부(820)가 구비되어, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)의 이동경로(P)는 상기 로딩부(810)에 인접하는 상기 인입부(310)와 상기 언로딩부(820)에 인접하는 상기 인출부(330) 사이에 형성된다.One side and the other side of the multi-chamber 1000 is provided with a loading unit 810 and an unloading unit 820, the movement path (P) of the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, 1140 is the loading unit It is formed between the lead portion 310 adjacent to 810 and the lead portion 330 adjacent to the unloading portion 820.

상기 유체공급부(200)에는 복수 개의 도킹포트(210)가 구비되며, 상기 이동경로(P)상에 복수 개의 도킹부(320;321,322,323,324)가 구비된다. The fluid supply unit 200 includes a plurality of docking ports 210 and a plurality of docking units 320; 321, 322, 323 and 324 on the movement path (P).

상기 복수의 도킹포트(210)의 개수는 상기 멀티챔버(1000)를 이루는 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)와 같은 개수로 구비되어, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)와 상기 복수의 도킹포트(210)가 일대일 대응되도록 할 수 있다. The plurality of docking ports 210 are provided in the same number as the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 constituting the multichamber 1000, and the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140. ) And the plurality of docking ports 210 may correspond one-to-one.

상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)는 상기 멀티챔버(1000)의 회전에 의해 이동하여 순차로 상기 인입부(310)에 도달하며, 상기 로딩부(810)로부터 복수 개의 상기 기판(W)을 순차로 이송받는다.The plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 may be moved by the rotation of the multichamber 1000 to sequentially reach the lead portion 310, and the plurality of substrates may be separated from the loading portion 810. W) is sequentially transferred.

상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 상기 복수의 기판(W)이 모두 수용되면, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)는 상기 멀티챔버(1000)의 회전에 의해 이동하여 상기 복수의 도킹부(320)에 각각 도달하며, 각 챔버의 공급포트(110)와 각 도킹부(320;321,322,323,324)의 도킹포트(210)가 도킹되어, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140) 내부에 상기 공정유체가 공급되어 상기 기판(W)의 처리공정이 수행된다.When all of the plurality of substrates W are accommodated in the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140, the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 are rotated by the multichamber 1000. Move to reach the plurality of docking units 320, and the supply port 110 of each chamber and the docking port 210 of each of the docking units 320; 321, 322, 323, and 324 are docked to provide the plurality of chambers 1110, 1120. The process fluid is supplied into the substrates 1130 and 1140 to perform the processing of the substrate (W).

상기 유체공급부(200)는 상기 복수의 도킹부(320)를 통해 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 상기 공정유체를 동시에 공급할 수 있도록 이루어지며, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 각각 수용되는 복수의 기판(W)에 대해 동시에 처리 공정이 수행될 수 있다.The fluid supply unit 200 is configured to simultaneously supply the process fluid to the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 through the plurality of docking units 320, and the plurality of chambers 1110, 1120. The processing processes may be performed on the plurality of substrates W accommodated in the plurality of substrates 1130 and 1140, respectively.

상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에서 기판 처리 공정이 완료되면, 상기 각 도킹포트(210)와 상기 각 공급포트(110)의 도킹이 해제되며, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)는 상기 멀티챔버(1000)의 회전에 의해 이동하여 순차로 상기 인출부(330)에 도달하여, 상기 언로딩부(820)에 복수 개의 상기 기판(W)을 순차로 이송한다.When the substrate processing process is completed in the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140, the docking ports 210 and the supply ports 110 are undocked, and the plurality of chambers 1110, 1120 are processed. 1130 and 1140 move by the rotation of the multichamber 1000 to sequentially reach the withdrawal part 330, and sequentially transfer the plurality of substrates W to the unloading part 820. .

일례로, 도 4에 나타난 바와 같이, 상기 멀티챔버(1000)는 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)로 이루어질 수 있다. For example, as shown in FIG. 4, the multichamber 1000 may include four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140.

상기 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)는 상기 유체공급부(200)를 중심으로 일정한 간격으로 배치되며, 서로 인접한 2개의 챔버와 상기 유체공급부(200)는 90도 각도를 이룬다.The four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 are disposed at regular intervals around the fluid supply unit 200, and two chambers adjacent to each other and the fluid supply unit 200 form an angle of 90 degrees.

또한, 상기 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)의 이동경로(P)에는 이에 대응하는 4개의 도킹부(321,322,323,324)가 구비된다.In addition, four docking parts 321, 322, 323, and 324 are provided in the movement paths P of the four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140.

상기 4개의 도킹부(321,322,323,324) 역시 상기 유체공급부(200)를 중심으로 일정한 간격으로 배치되며, 이중 서로 인접한 2개의 도킹부와 상기 유체공급부(200)는 90도 각도를 이룬다.The four docking parts 321, 322, 323, and 324 are also arranged at regular intervals around the fluid supply part 200, and two docking parts adjacent to each other and the fluid supply part 200 form an angle of 90 degrees.

이때, 상기 4개의 도킹부(321,322,323,324) 중 하나가 상기 인입부(310)에 위치할 수 있으며, 설명의 편의를 위해 상기 인입부(310)에 위치하는 도킹부를 제2도킹부(322)라 하고, 나머지 3개의 도킹부(323,324,321)는 상기 제2도킹부(322)로부터 반시계방향으로 제3도킹부(323)와 제4도킹부(324) 및 제1도킹부(321)라 칭하기로 한다.In this case, one of the four docking parts 321, 322, 323, and 324 may be located in the inlet part 310. For convenience of description, the docking part located in the inlet part 310 is referred to as a second docking part 322. The remaining three docking units 323, 324, and 321 are referred to as a third docking unit 323, a fourth docking unit 324, and a first docking unit 321 in a counterclockwise direction from the second docking unit 322. .

또한, 상기 멀티챔버(1000)를 이루는 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140) 중 어느 하나가 상기 인입부(310)에 처음으로 위치하게 되는 상태를 초기상태라 하고, 이때 상기 인입부(310)에 위치하는 챔버를 상기 제1챔버(1110)라 하며, 나머지 3개의 챔버(1120,1130,1140)는 상기 제1챔버(1110)로부터 반시계방향으로 제2챔버(1120)와 제3챔버(1130) 및 제4챔버(1140)라 칭하기로 한다.In addition, a state in which any one of the four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 constituting the multichamber 1000 is positioned in the inlet unit 310 for the first time is referred to as an initial state. The chamber located at 310 is referred to as the first chamber 1110, and the remaining three chambers 1120, 1130 and 1140 are counterclockwise from the first chamber 1110 and the third chamber 1120. The chamber 1130 and the fourth chamber 1140 will be referred to as.

상기 초기상태의 멀티챔버(1000)에서, 상기 로딩부(810)로부터 상기 제1챔버(1110)에 상기 기판(W)이 이송되며, 이후 상기 멀티챔버(1000)가 반시계방향으로 90도씩 3회 회전하며 상기 제2챔버(1120)와 상기 제3챔버(1130) 및 상기 제4챔버(1140)가 순차로 상기 인입부(310)에 도달하여 상기 로딩부(810)로부터 상기 기판(W)을 하나씩 이송받게 된다.In the multi-chamber 1000 in the initial state, the substrate W is transferred from the loading unit 810 to the first chamber 1110, and then the multi-chamber 1000 is rotated by 90 degrees in a counterclockwise direction. The second chamber 1120, the third chamber 1130, and the fourth chamber 1140 sequentially reach the inlet part 310 and rotate from the loading part 810 to the substrate W. Will be transported one by one.

도 5는, 상기 도 4의 상태로부터 상기 멀티챔버(1000)가 반시계방향으로 90도씩 3회 회전하여 상기 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)가 상기 기판(W)을 모두 이송받은 상태를 나타내는 도면이다.FIG. 5 illustrates that the multichamber 1000 is rotated three times by 90 degrees counterclockwise from the state of FIG. 4 so that the four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 transfer all the substrates W. It is a figure which shows the state.

이때, 상기 제1챔버(1110)와 제2챔버(1120)와 제3챔버(1130) 및 제4챔버(1140)는 각각 상기 제1도킹부(321)와 제2도킹부(322)와 제3도킹부(323) 및 제4도킹부(324)상에 위치하게 되며, 각 도킹부(321,322,323,324)에 위치하는 상기 도킹포트(210)와 각 챔버의 공급포트(110)가 도킹되고, 상기 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 상기 공정유체가 공급되어 각 기판의 처리가 수행된다.In this case, the first chamber 1110, the second chamber 1120, the third chamber 1130, and the fourth chamber 1140 may be formed of the first docking unit 321, the second docking unit 322, and the first chamber 1322, respectively. The docking port 210 and the supply port 110 of each chamber are positioned on the third docking unit 323 and the fourth docking unit 324, and the docking port 210 located at each docking unit 321, 322, 323, or 324 is docked. The process fluid is supplied to two chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 to process the substrates.

기판 처리가 완료되면, 상기 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140) 중 상기 인출부(330)로부터 가장 가까운 챔버로부터 기판이 인출된다. When the substrate processing is completed, the substrate is withdrawn from the chamber closest to the lead portion 330 among the four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140.

상기 인출부(330)가 상기 유체공급부(200)를 중심으로 상기 인입부(310)의 반대편에 위치하는 경우, 상기 인출부(330)에 위치하는 상기 제4챔버(1140)로부터 상기 기판(W)이 인출되어 상기 언로딩부(820)에 이송되며, 상기 멀티챔버(1000)가 반시계방향으로 90도씩 3회 회전하며 상기 제3챔버(1130)와 상기 제2챔버(1120)와 상기 제1챔버(1110)가 순차로 상기 인출부(330)에 도달하여 상기 언로딩부(820)에 상기 기판(W)을 이송하게 된다.When the outlet part 330 is located opposite to the inlet part 310 with respect to the fluid supply part 200, the substrate W from the fourth chamber 1140 positioned in the outlet part 330. ) Is drawn out and transferred to the unloading unit 820, and the multichamber 1000 is rotated three times by 90 degrees in the counterclockwise direction, and the third chamber 1130, the second chamber 1120, and the first chamber are rotated three times. The first chamber 1110 sequentially reaches the lead portion 330 to transfer the substrate W to the unloading portion 820.

도 6은 상기 멀티챔버(1000)가 도 5의 상태로부터 반시계방향으로 90도씩 3회 회전하여 상기 기판(W)이 상기 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)로부터 상기 언로딩부(820)로 모두 이송된 상태를 나타낸 도면이다.6 shows that the multi-chamber 1000 is rotated three times by 90 degrees counterclockwise from the state of FIG. 5 so that the substrate W is unloaded from the four chambers 1110, 1120, 1130 and 1140. 820 shows a state in which all have been transferred.

즉, 상기 멀티챔버(1000)는 상기 도 4에 나타난 초기상태로부터 90도씩 6회, 즉, 총 540도 회전하여 상기 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)의 기판 처리 공정을 수행한다.That is, the multi-chamber 1000 is rotated six times by 90 degrees from the initial state shown in FIG. 4, that is, rotated 540 degrees to perform substrate processing of the four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140.

또한, 상기 로딩부(810)와 상기 언로딩부(810)가 하나의 로딩 및 언로딩부(미도시)로 이루어지는 경우, 상기 인출부(330)는 상기 인입부(310)와 같은 위치에 형성되며, 상기 멀티챔버(1000)가 90도씩 3회 회전하며 상기 제2챔버(1120)와 상기 제1챔버(1110)와 상기 제4챔버(1140) 및 상기 제3챔버(1130)가 순차로 상기 인출부(330)에 도달하여 상기 언로딩부(820)에 상기 기판(W)을 순차로 이송하게 된다.In addition, when the loading unit 810 and the unloading unit 810 consist of one loading and unloading unit (not shown), the withdrawal unit 330 is formed at the same position as the inlet unit 310. The multichamber 1000 is rotated three times by 90 degrees, and the second chamber 1120, the first chamber 1110, the fourth chamber 1140, and the third chamber 1130 are sequentially The substrate W is sequentially transferred to the unloading part 820 by reaching the lead part 330.

또한, 다른 예로, 상기 멀티챔버(1000)는 상기 유체공급부(200)를 중심으로 일정한 간격으로 배치되는 8개의 챔버로 이루어질 수 있다(미도시).Also, as another example, the multichamber 1000 may include eight chambers arranged at regular intervals around the fluid supply unit 200 (not shown).

이때, 상기 8개의 챔버 중 서로 인접한 2개의 챔버와 상기 유체공급부(200)가 45도 각도를 이루게 되며, 상기 8개의 챔버에 대응하여 구비되는 8개의 도킹부 중 서로 인접한 2개의 도킹부와 상기 유체공급부(200) 또한 45도 각도를 이루게 된다.At this time, the two chambers adjacent to each other of the eight chambers and the fluid supply unit 200 forms an angle of 45 degrees, and the two docking units and the fluid adjacent to each other among the eight docking units provided corresponding to the eight chambers. Supply unit 200 also makes an angle of 45 degrees.

따라서, 상기 8개의 챔버로 이루어지는 상기 멀티챔버(1000)는 45도씩 7회 회전하여 상기 인입부(310)에 상기 8개의 챔버를 순차로 도달시킬 수 있으며, 상기 8개의 도킹부에서 상기 공정유체를 공급받아 기판 처리 공정을 수행하고, 다시 45도씩 7회 회전하여 상기 인출부(330)에 상기 8개의 챔버를 순차로 도달시킬 수 있으며Therefore, the multi-chamber 1000 including the eight chambers may rotate the seven chambers at 45 degrees seven times to sequentially reach the eight chambers to the inlet 310. The substrate treatment process is supplied and rotated seven times at 45 degrees to reach the eight chambers sequentially in the lead-out unit 330.

상기한 바와 같은 본 발명의 제3실시예에 의하면, 상기 멀티챔버(1000)가 회전하며 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)가 상기 인입부(310)로부터 상기 도킹부(320)를 경유하여 상기 인출부(330)로 이동하도록 하여, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 대한 기판 이송 시스템을 간소화하는 동시에 각 챔버(100)에 대해 상기 공정유체를 안정적으로 공급함으로써 효율적인 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.According to the third embodiment of the present invention as described above, the multi-chamber 1000 is rotated and the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 are moved from the inlet portion 310 to the docking portion 320. Simplified substrate transfer system for the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, 1140 by moving to the withdrawal unit 330 via a stable supply of the process fluid to each chamber 100 As a result, an efficient substrate treatment process can be performed.

또한, 상기 공정유체가 상기 공통의 유체공급부(200)로부터 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 공급되도록 하여, 상기 공정유체의 사용량과 상기 유체공급부(200)의 설치공간을 최소화 할 수 있다.In addition, the process fluid is supplied from the common fluid supply unit 200 to the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140, thereby minimizing the amount of process fluid used and the installation space of the fluid supply unit 200. can do.

또한, 상기 공정유체가 공급된 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)는 동시에 기판 처리 공정을 수행하여 각각의 챔버에 수용된 복수의 기판(W)을 동시에 처리함으로써, 상기 복수의 기판(W)을 처리하는 데 소요되는 시간을 단축할 수 있다.In addition, the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 to which the process fluid is supplied simultaneously perform a substrate processing process to simultaneously process the plurality of substrates W accommodated in the respective chambers. The time taken to process W) can be shortened.

이하, 도 7과 도 8을 참조하여 상기 멀티챔버(1000)를 회전시키는 챔버 구동부(500)에 대해 설명한다.Hereinafter, the chamber driver 500 for rotating the multichamber 1000 will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제4실시예에 따른 기판 처리 장치는, 상기 멀티챔버(1000)를 회전시키는 상기 챔버 구동부(500)가 신축구동하는 실린더로 구성된다.Referring to FIG. 7, the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention includes a cylinder in which the chamber driver 500 for rotating the multichamber 1000 is stretched and driven.

상기 챔버 구동부(500)는, 신장하며 상기 멀티챔버(1000)를 지지하며 이동하는 멀티 챔버 지지대(1500)에 구비된 밀침부(151)를 상기 멀티챔버(1000)의 반경방향에 대해 수직 방향으로 밀어 상기 멀티챔버(1000)가 회전하는 동력을 제공한다. The chamber driver 500 extends the pusher 151 provided in the multi-chamber support 1500 that supports and moves the multichamber 1000 in a direction perpendicular to the radial direction of the multichamber 1000. Push to provide the power to rotate the multi-chamber (1000).

상기 챔버 구동부(500)는 상기 멀티챔버(1000)의 둘레를 따라 복수 개 구비될 수 있으며, 상기 스토퍼(600) 또한 복수 개 구비될 수 있다.The chamber driver 500 may be provided in plural along the circumference of the multichamber 1000, and the stopper 600 may also be provided in plural.

상기 실린더로 이루어지는 챔버 구동부(500)는 직선방향의 동력으로부터 회전력을 이끌어내 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)를 보다 효율적으로 이동시킬 수 있다. The chamber driver 500 formed of the cylinder may move the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 more efficiently by drawing a rotational force from linear power.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제5실시예에 따른 기판 처리 장치는, 상기 멀티챔버(1000)를 회전시키는 상기 챔버 구동부(500)가 구동 피니언(510)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 8, in the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention, the chamber driver 500 for rotating the multichamber 1000 includes a driving pinion 510.

상기 멀티챔버(1000)를 지지하여 이동하는 멀티챔버 지지대(1500)의 둘레에는 기어부(153)가 형성되고, 상기 챔버 구동부(500)는 상기 기어부(153)와 기어결합되며 회전하는 구동 피니언(510)을 포함하여 구성된다.A gear unit 153 is formed around the multi-chamber support 1500 that supports and moves the multichamber 1000, and the chamber driving unit 500 is gear-coupled with the gear unit 153 to rotate. 510 is configured.

상기 구동 피니언(510)은, 상기 기어부(153)와 맞물리며 회전함으로써 상기 멀티챔버(1000)에 상기 구동 피니언(510)의 회전과 반대방향의 회전 동력을 제공한다.The driving pinion 510 rotates in engagement with the gear unit 153 to provide rotational power to the multichamber 1000 in a direction opposite to that of the driving pinion 510.

상기 구동 피니언(510)을 포함하여 이루어지는 챔버 구동부(500)는, 상기 설정된 각도 만큼 상기 구동 피니언(510)을 회전시킴으로써 상기 멀티챔버(1000)를 설정된 각도 만큼 정밀하게 회전시킬 수 있어 공급포트(110)와 도킹포트(210)가 정확한 위치에서 도킹 또는 도킹 해제될 수 있다.The chamber driving unit 500 including the driving pinion 510 may rotate the multichamber 1000 by a predetermined angle by rotating the driving pinion 510 by the set angle, thereby providing a supply port 110. ) And the docking port 210 may be docked or undocked at the correct position.

이하, 도 9를 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법을 설명한다.Hereinafter, the substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIG. 9.

단계 S10은, 로딩부(810)로부터 기판(W)이 이송되어 기판 처리용 챔버(100)에 인입되는 단계이다.Step S10 is a step in which the substrate W is transferred from the loading unit 810 and introduced into the substrate processing chamber 100.

상기 챔버(100)는 복수 개가 집합을 이루어 멀티챔버(1000)로 구비될 수 있으며, 상기 멀티챔버(1000)는 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)가 일체를 이루도록 형성된 것일 수 있다.The plurality of chambers 100 may be provided as a multi-chamber 1000 by a plurality of sets, and the multi-chambers 1000 may be formed so that the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 are integrally formed. .

상기 멀티챔버(1000)를 이루는 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)는, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 공정유체를 공급하는 유체공급부(200)를 중심으로 하여 회전하도록 구비된다.The plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 constituting the multichamber 1000 have a fluid supply unit 200 for supplying a process fluid to the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140. It is provided to rotate.

상기 멀티챔버(1000)의 회전은 챔버 구동부(500)의 구동에 의해 이루어진다.The rotation of the multichamber 1000 is performed by driving the chamber driver 500.

상기 챔버 구동부(500)는, 상기 멀티챔버(1000)를 지지하여 이동하는 멀티챔버 지지대(1500)를 상기 멀티챔버(1000)의 반경방향에 대해 수직 방향으로 밀어 상기 멀티챔버(1000)가 회전하는 동력을 제공하는 실린더로 이루어질 수 있다.The chamber driver 500 pushes the multichamber support 1500 moving in support of the multichamber 1000 in a direction perpendicular to the radial direction of the multichamber 1000 so that the multichamber 1000 rotates. It may consist of a cylinder that provides power.

또한, 상기 챔버 구동부(500)는, 상기 멀티챔버 지지대(1500) 둘레에 형성되는 기어부(153)와 기어결합되는 구동 피니언(510)을 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the chamber driving unit 500 may include a driving pinion 510 geared with a gear unit 153 formed around the multi-chamber support 1500.

상기 기판(W)의 인입은 상기 이동경로(P)상의 인입부(310)에서 이루어진다.The drawing of the substrate W is made at the drawing part 310 on the movement path P.

상기 로딩부(810)는 상기 멀티챔버(1000)의 일측에 위치하며, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)는 상기 멀티 챔버(1000)가 회전함에 따라 순차로 상기 인입부(310)에 도달하여 상기 로딩부(810)로부터 상기 기판(W)을 순차로 이송받는다.The loading unit 810 is located at one side of the multichamber 1000, and the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 are sequentially introduced as the multichamber 1000 rotates. ) Is transferred to the substrate (W) in sequence from the loading unit 810.

상기 멀티챔버(1000)가 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)로 이루어지는 경우, 상기 멀티챔버(1000)는 회당 90도씩 회전하여 상기 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)를 상기 인입부(310)에 순차로 도달시킬 수 있다.When the multichamber 1000 is composed of four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140, the multichamber 1000 rotates by 90 degrees per revolution to rotate the four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140. The inlet 310 may be sequentially reached.

단계 S20은, 상기 챔버(100)의 공급포트(110)와 유체공급부(200)의 도킹포트(210)가 도킹되는 단계이다.In operation S20, the supply port 110 of the chamber 100 and the docking port 210 of the fluid supply unit 200 are docked.

상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)의 도킹은 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)의 이동경로(P)상의 도킹부(320)에서 이루어진다.The supply port 110 and the docking port 210 are docked in the docking part 320 on the movement path P of the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140.

상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)는 도킹 구동부(700)의 구동에 의해 도킹된다. The supply port 110 and the docking port 210 are docked by driving the docking driver 700.

상기 도킹 구동부(700)는 신축구동하는 실린더로 이루어져, 상기 도킹 구동부(700)를 이루는 실린더가 신장하며 상기 도킹포트(210)를 상기 공급포트(110)를 향해 이동시켜 상기 공급포트(110)에 도킹시킨다.The docking driving unit 700 is formed of a cylinder for stretching and driving, the cylinder forming the docking driving unit 700 extends and moves the docking port 210 toward the supply port 110 to the supply port 110. Dock

상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)의 이동경로(P)상에는 복수 개의 상기 도킹부(320)가 구비되며, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)가 상기 복수의 도킹부(320)에서 동시에 도킹되도록 이루어질 수 있다.A plurality of docking units 320 are provided on the movement paths P of the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140, and the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 are docked with the plurality of chambers. It may be made to be docked at the same time in the unit (320).

단계 S30은, 상기 챔버(100) 내부에 공정유체가 공급되는 단계로, 상기 챔버(100)에서 상기 공정유체에 의한 상기 기판(W)의 처리가 수행되는 단계이다. In operation S30, a process fluid is supplied into the chamber 100, and a process of processing the substrate W by the process fluid is performed in the chamber 100.

상기 공급포트(110)와 상기 도킹포트(210)는 도킹되면 개방되어 서로 통하게 되며, 상기 개방된 공급포트(110)와 상기 개방된 도킹포트(210)를 통해 상기 유체공급부(200)로부터 상기 챔버(100) 내부로 상기 공정유체가 공급된다.The supply port 110 and the docking port 210 are opened when they are docked to communicate with each other, and the chamber from the fluid supply unit 200 through the open supply port 110 and the open docking port 210. The process fluid is supplied into 100.

상기 공정유체는 상기 복수의 도킹부(320)를 통해 상기 멀티챔버(1000)를 이루는 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 동시에 공급되어, 상기 멀티챔버(1000)를 이루는 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에서 기판 처리 공정이 동시에 수행될 수 있다.The process fluid is simultaneously supplied to the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 constituting the multichamber 1000 through the plurality of docking units 320 to form the plurality of chambers constituting the multichamber 1000. At 1110, 1120, 1130, and 1140, the substrate processing process may be performed at the same time.

단계 S40은, 상기 챔버(100)의 공급포트(110)와 유체공급부(200)의 도킹포트(210)가 도킹 해제되는 단계이다.In step S40, the docking port 210 of the supply port 110 and the fluid supply unit 200 of the chamber 100 is undocked.

상기 단계 S30의 기판 처리 공정이 완료되면, 상기 도킹 구동부(700)를 이루는 실린더가 수축하여 상기 도킹포트(210)를 이동시켜 상기 공급포트(110)로부터 도킹 해제 시킨다.When the substrate processing process of step S30 is completed, the cylinder constituting the docking driving unit 700 is contracted to move the docking port 210 to release the docking from the supply port 110.

상기 챔버(100)는 상기 도킹포트(210)와 상기 공급포트(110)가 완전히 분리된 후, 상기 챔버 구동부(500)의 구동에 의해 인출부(330)로 이동한다.After the docking port 210 and the supply port 110 are completely separated, the chamber 100 moves to the lead-out part 330 by driving the chamber driver 500.

단계 S50은, 상기 챔버(100)로부터 기판 처리가 완료된 상기 기판(W)이 인출되어 언로딩부(820)에 이송되는 단계이다.Step S50 is a step in which the substrate W, which has been processed on the substrate, is removed from the chamber 100 and transferred to the unloading unit 820.

상기 기판(W)의 인출은 상기 이동경로(P)상의 인출부(330)에서 이루어진다.The withdrawal of the substrate W is performed by the withdrawal portion 330 on the movement path P.

상기 언로딩부(820)는 상기 멀티챔버(1000)의 타측에 위치할 수 있으며, 상기 인출부(330)는 상기 유체공급부(200)를 사이에 두고 상기 인입부(310)의 반대편에 위치할 수 있다.The unloading part 820 may be located at the other side of the multichamber 1000, and the withdrawal part 330 may be located at the opposite side of the inlet part 310 with the fluid supply part 200 therebetween. Can be.

또한, 상기 로딩부(810)와 상기 언로딩부(820)는 하나의 로딩 및 언로딩부(미도시)일 수 있으며, 이때 상기 인출부(330)는 상기 인입부(310)와 같은 위치에 형성된다. In addition, the loading unit 810 and the unloading unit 820 may be one loading and unloading unit (not shown), wherein the withdrawal unit 330 is located at the same position as the inlet unit 310. Is formed.

상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)는 상기 멀티 챔버(1000)가 회전함에 따라 순차로 상기 인입부(310)에 도달하여 상기 로딩부(810)로부터 상기 기판(W)을 순차로 이송받는다. The plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 sequentially reach the inlet part 310 as the multichamber 1000 rotates, and sequentially the substrate W from the loading part 810. Received.

상기 멀티챔버(1000)가 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)로 이루어지는 경우, 상기 멀티챔버(1000)는 회당 90도씩 회전하여 상기 4개의 챔버(1110,1120,1130,1140)를 상기 인출부(330)에 순차로 도달시킬 수 있다.When the multichamber 1000 is composed of four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140, the multichamber 1000 rotates by 90 degrees per revolution to rotate the four chambers 1110, 1120, 1130, and 1140. The lead portion 330 may be sequentially reached.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 챔버(100)와 유체공급부(200)간의 선택적 도킹을 통해 상기 챔버(100)에 공정유체가 선택적으로 공급되는 공정유체 공급체계를 구비하여, 상기 챔버(100)의 이동에 관계없이 상기 공정유체를 안정적으로 공급할 수 있다.As described above, according to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, a process fluid supply system in which a process fluid is selectively supplied to the chamber 100 through selective docking between the chamber 100 and the fluid supply unit 200. With a, it is possible to stably supply the process fluid regardless of the movement of the chamber (100).

또한, 복수의 챔버에 수용되는 복수의 기판에 대한 기판 처리 공정을 간소화하고 전체 기판 처리 공정의 소요시간을 단축할 수 있다.In addition, it is possible to simplify the substrate processing process for the plurality of substrates accommodated in the plurality of chambers and to reduce the time required for the entire substrate processing process.

또한, 상기 챔버(100)를 지지하여 이송하는 챔버 지지대(150)를 구비하여 상기 챔버(100) 내부의 기판 처리 환경이 상기 챔버(100)의 이동에 의해 영향을 받는 것을 방지할 수 있다.In addition, the chamber support 150 may be provided to support and transport the chamber 100 to prevent the substrate processing environment inside the chamber 100 from being affected by the movement of the chamber 100.

또한, 챔버 구동부(500)와 상기 스토퍼(600)가 상기 챔버(100)의 외측에 위치하도록 하여 상기 챔버(100)의 이동에 방해가 되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the chamber driver 500 and the stopper 600 may be positioned outside the chamber 100 to prevent the chamber from moving in the chamber 100.

또한, 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 대한 기판 이송 시스템을 간소화하는 동시에 각 챔버(100)에 상기 공정유체가 안정적으로 공급되도록 함으로써 효율적인 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.In addition, the substrate transport system for the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 may be simplified, and the process fluid may be stably supplied to each chamber 100, thereby performing an efficient substrate processing process.

또한, 상기 공정유체가 공통의 유체공급부(200)로부터 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)에 공급되도록 하여, 상기 공정유체의 사용량과 상기 유체공급부(200)의 설치공간을 최소화 할 수 있다.In addition, the process fluid is supplied from the common fluid supply unit 200 to the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 to minimize the amount of the process fluid and the installation space of the fluid supply unit 200. Can be.

또한, 상기 공정유체가 공급된 상기 복수의 챔버(1110,1120,1130,1140)는 동시에 기판 처리 공정을 수행하여 각각의 챔버에 수용된 복수의 기판(W)을 동시에 처리함으로써, 상기 복수의 기판(W)을 처리하는 데 소요되는 시간을 단축할 수 있다.In addition, the plurality of chambers 1110, 1120, 1130, and 1140 to which the process fluid is supplied simultaneously perform a substrate processing process to simultaneously process the plurality of substrates W accommodated in the respective chambers. The time taken to process W) can be shortened.

또한, 실린더로 이루어지는 챔버 구동부(500)를 구비하여 직선방향의 구동을 통해 상기 멀티챔버(1000)를 회전시킴으로써 보다 효율적인 회전동력을 제공할 수 있다. In addition, the chamber driving unit 500 formed of a cylinder may be provided to rotate the multichamber 1000 by driving in a linear direction, thereby providing more efficient rotational power.

또한, 구동 피니언(510)을 포함하는 챔버 구동부(500)의 구동에 의해 멀티챔버(1000)를 설정된 각도 만큼 정밀하게 회전시킬 수 있어 공급포트(110)와 도킹포트(210)가 정확한 위치에서 도킹 또는 도킹 해제될 수 있어, 기판 처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the multi-chamber 1000 may be precisely rotated by a set angle by the driving of the chamber driver 500 including the driving pinion 510 so that the supply port 110 and the docking port 210 are docked at the correct position. Or it can be undocked, thereby improving the reliability of the substrate processing process.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하고, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and obvious modifications can be made by those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the present invention as claimed in the claims, and such modifications are possible. Implementation is within the scope of the present invention.

W : 기판 100 : 챔버
110 : 공급포트 150 : 챔버 지지대
151 : 밀침부 152 : 막힘부
153 : 기어부 200 : 유체공급부
210 : 도킹포트 310 : 인입부
320 : 도킹부 321 : 제1도킹부
322 : 제2도킹부 323 : 제3도킹부
324 : 제4도킹부 330 : 인출부
400 : 이송로봇 500 : 챔버 구동부
510 : 구동 피니언 600 : 스토퍼
700 : 도킹 구동부 810 : 로딩부
820 : 언로딩부 900 : 스토퍼 구동부
1000 : 멀티챔버 1110 : 제1챔버
1120 : 제2챔버 1130 : 제3챔버
1140 : 제4챔버 1500 : 멀티챔버 지지대W: substrate 100: chamber
110: supply port 150: chamber support
151: push part 152: blockage
153: gear 200: fluid supply
210: docking port 310: inlet
320: docking unit 321: first docking unit
322: second docking unit 323: third docking unit
324: fourth docking unit 330: withdrawal unit
400: transfer robot 500: chamber drive unit
510: driving pinion 600: stopper
700: docking driving unit 810: loading unit
820: unloading unit 900: stopper drive unit
1000: multichamber 1110: first chamber
1120: second chamber 1130: third chamber
1140: fourth chamber 1500: multi-chamber support

Claims (37)

기판을 수용하여 처리하고, 공급포트가 연결된 기판 처리용 챔버;
상기 공급포트에 도킹되는 도킹포트가 연결되어 상기 챔버에 공정유체를 공급하는 유체공급부; 를 포함하고,
상기 공급포트와 상기 도킹포트가 도킹되면 상기 공정유체가 상기 챔버에 공급되고, 상기 공급포트와 상기 도킹포트의 도킹이 해제되면 상기 챔버로의 공정유체 공급이 중단되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A substrate processing chamber for receiving and processing a substrate and having a supply port connected thereto;
A fluid supply unit connected to a docking port docked with the supply port to supply a process fluid to the chamber; Including,
And the process fluid is supplied to the chamber when the supply port and the docking port are docked, and the supply of the process fluid to the chamber is stopped when the supply port and the docking port are released. 제1항에 있어서,
상기 챔버는 챔버 구동부의 구동에 의해 일정한 이동경로를 반복하여 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The chamber is a substrate processing apparatus, characterized in that for repeatedly moving a predetermined movement path by the drive of the chamber drive unit. 제2항에 있어서,
상기 도킹포트가 위치하는 도킹부는 상기 챔버의 이동경로상에 구비되어, 상기 챔버가 이동하여 상기 도킹부에 도달하면 상기 공급포트와 상기 도킹포트가 도킹되고, 상기 챔버가 이동하여 상기 도킹부로부터 분리되면 상기 공급포트와 상기 도킹포트의 도킹이 해제되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method of claim 2,
The docking part in which the docking port is located is provided on a movement path of the chamber. When the chamber moves to reach the docking part, the supply port and the docking port are docked, and the chamber is moved to separate from the docking part. And the docking port is released from the supply port and the docking port. 제2항에 있어서,
상기 챔버를 지지하며 이동하는 챔버 지지대가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
And a chamber support for supporting and moving the chamber. 제1항에 있어서,
상기 도킹포트를 이동시켜 상기 공급포트와 도킹시키는 도킹 구동부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And a docking driver for moving the docking port and docking with the supply port. 제5항에 있어서,
상기 도킹부에서, 상기 공급포트는 상기 도킹포트의 상측에 위치하며,
상기 도킹구동부는 상기 도킹포트를 승강이동시켜 상기 공급포트와 상기 도킹포트를 도킹 또는 도킹 해제하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
In the docking portion, the supply port is located above the docking port,
And the docking driving unit moves up and down the docking port to dock or undock the supply port and the docking port. 제6항에 있어서,
상기 도킹 구동부는 신축구동하는 실린더로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The docking driving unit is a substrate processing apparatus, characterized in that made of a stretch-driven cylinder. 제2항에 있어서,
상기 챔버의 측부에는 상기 기판을 로딩하는 로딩부와 상기 기판을 언로딩하는 언로딩부가 구비되고;
상기 챔버의 이동경로는 상기 로딩부와 상기 언로딩부 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
A side portion of the chamber is provided with a loading portion for loading the substrate and an unloading portion for unloading the substrate;
The movement path of the chamber is formed between the loading portion and the unloading portion. 제2항에 있어서,
복수 개의 상기 챔버로 이루어지는 멀티챔버가 구비되고,
상기 챔버 구동부는 상기 멀티챔버를 회전시키도록 이루어져, 상기 멀티챔버의 회전에 의해 상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버가 일정한 이동경로를 반복하여 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
It is provided with a multi-chamber consisting of a plurality of the chamber,
The chamber driving unit is configured to rotate the multi-chamber, wherein the plurality of chambers constituting the multi-chamber by the rotation of the multi-chamber repeatedly moving a predetermined movement path. 제9항에 있어서,
상기 유체공급부는 상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버에 공정유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The fluid supply unit substrate processing apparatus, characterized in that for supplying a process fluid to the plurality of chambers constituting the multi-chamber. 제10항에 있어서,
상기 복수의 챔버는 상기 유체공급부를 중심으로 일정 간격으로 이격되어 고리 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The plurality of chambers are substrate processing apparatus, characterized in that arranged in a ring form spaced apart at regular intervals with respect to the fluid supply. 제11항에 있어서,
상기 유체공급부의 위치가 고정되고;
상기 복수의 챔버는 상기 유체공급부를 중심으로 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The position of the fluid supply is fixed;
And the plurality of chambers rotate about the fluid supply unit. 제12항에 있어서,
상기 도킹포트는 상기 복수의 챔버에 대응하는 복수로 구비되고,
상기 복수의 챔버에 각각 구비되는 공급포트와 상기 복수의 도킹포트가 동시에 도킹되어, 상기 복수의 챔버에 상기 공정유체가 동시에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 12,
The docking port is provided in plurality corresponding to the plurality of chambers,
And a supply port provided in the plurality of chambers and the plurality of docking ports are simultaneously docked so that the process fluid is simultaneously supplied to the plurality of chambers. 제9항에 있어서,
상기 멀티챔버는 회당 45도씩 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
And the multichamber rotates by 45 degrees per revolution. 제9항에 있어서,
상기 멀티챔버는 회당 90도씩 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
And the multichamber rotates by 90 degrees per revolution. 제2항에 있어서,
상기 챔버 구동부는 신축구동하는 실린더로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The chamber driving unit is a substrate processing apparatus, characterized in that made of a stretch-driven cylinder. 제16항에 있어서,
상기 챔버 구동부는, 상기 챔버의 이동경로에 비스듬한 방향으로 구비되어, 신장구동시 상기 챔버를 밀어 이동시키고, 수축구동시 상기 챔버의 이동경로 외측에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 16,
The chamber driving unit is provided in an oblique direction to the movement path of the chamber, and pushes the chamber during extension driving, and is positioned outside the movement path of the chamber during shrinkage driving. 제9항에 있어서,
상기 챔버 구동부는 신축구동하는 실린더로 이루어지고;
상기 실린더는 상기 멀티챔버의 반경방향에 수직방향으로 신축구동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The chamber drive unit is made of a cylinder for stretching and driving;
And the cylinder is elastically driven in a direction perpendicular to the radial direction of the multichamber. 제9항에 있어서,
상기 멀티챔버를 지지하여 회전하는 멀티챔버 지지대가 구비되고;
상기 챔버 지지대의 둘레를 따라 기어부가 형성되어;
상기 챔버 구동부는, 상기 기어부와 기어결합되는 구동 피니언을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
A multichamber support for supporting and rotating the multichamber;
A gear portion is formed along a circumference of the chamber support;
And the chamber driver includes a drive pinion gear-coupled with the gear unit. 제8항에 있어서,
상기 로딩부로부터 상기 기판을 이송하여 상기 챔버에 인입하고, 상기 챔버로부터 기판 처리 공정이 완료된 상기 기판을 인출하여 상기 언로딩부로 이송하는 이송로봇이 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
And a transfer robot which transfers the substrate from the loading unit to the chamber, draws out the substrate from which the substrate processing process is completed, and transfers the substrate to the unloading unit. 제2항에 있어서,
이동중인 상기 챔버를 정지시켜 이동을 제한하고 위치를 고정하는 스토퍼가 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
And a stopper for stopping the chamber in motion to limit movement and fix the position. 제21항에 있어서,
상기 스토퍼를 이동시키는 스토퍼 구동부가 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 21,
And a stopper driver for moving the stopper. 제22항에 있어서,
상기 스토퍼 구동부는 신축구동하는 실린더로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method of claim 22,
The stopper drive unit substrate processing apparatus, characterized in that made of a stretch-driven cylinder. 제23항에 있어서,
상기 스토퍼 구동부는, 신장구동시 상기 스토퍼를 밀어 상기 챔버의 이동경로상에 위치하도록 하고, 수축구동시 상기 스토퍼를 당겨 상기 챔버의 이동경로의 외측에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 23, wherein
And the stopper driving unit pushes the stopper on the movement path of the chamber during extension driving, and pulls the stopper on the outside of the movement path of the chamber during contraction driving. 제9항에 있어서,
상기 멀티챔버는 상기 복수의 챔버가 일체를 이루도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
And the multichamber is formed such that the plurality of chambers are integrally formed. 제1항에 있어서,
상기 공급포트 및 도킹포트는, 도킹되면 개방되어 서로 통하고, 도킹이 해제되면 밀폐되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The supply port and the docking port, when docked is opened to communicate with each other, when the docking is released substrate processing apparatus characterized in that the. a) 기판이 수용된 챔버의 공급포트와 유체공급부의 도킹포트가 도킹되는 단계;
b) 상기 유체공급부로부터 상기 챔버에 공정유체가 공급되어 상기 기판의 처리가 수행되는 단계;
c) 상기 공급포트와 상기 도킹포트가 도킹 해제되는 단계;
를 포함하여 이루어지는 기판 처리 방법.a) docking a supply port of the chamber containing the substrate and a docking port of the fluid supply unit;
b) supplying a process fluid to the chamber from the fluid supply unit to perform processing of the substrate;
c) undocking said supply port and said docking port;
Substrate processing method comprising a. 제27항에 있어서,
상기 도킹포트를 이동시키는 도킹 구동부가 구비되며,
상기 단계 a)는, 상기 도킹 구동부의 구동에 의해 상기 도킹포트가 상기 공급포트를 향해 이동하여 상기 공급포트와 도킹되는 단계이고,
상기 단계 c)는, 상기 도킹 구동부의 구동에 의해 상기 도킹포트가 상기 공급포트와 이격되는 방향으로 이동하여 상기 공급포트와의 도킹이 해제되는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
A docking driver is provided to move the docking port.
Step a) is a step in which the docking port is moved toward the supply port and docked with the supply port by driving the docking driver.
The step c) is a substrate processing method, characterized in that the docking port is moved in a direction away from the supply port by the drive of the docking drive unit is released from the docking with the supply port. 제27항에 있어서,
상기 단계 a)에 선행하여, 상기 기판이 로딩되는 로딩부로부터 상기 기판이 이송되어 인입부에 위치하는 상기 챔버에 인입되는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
Prior to the step a), the substrate processing method further comprises the step of transferring the substrate from the loading portion to which the substrate is loaded and to be introduced into the chamber located in the inlet portion. 제29항에 있어서,
상기 단계 c)에 후행하여, 인출부에 위치하는 상기 챔버로부터 상기 기판이 인출되어 상기 기판이 언로딩되는 언로딩부로 이송되는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 29,
Subsequently to step c), the substrate is removed from the chamber located in the lead-out portion and is transferred to the unloading portion in which the substrate is unloaded. 제30항에 있어서,
상기 챔버는 챔버 구동부의 구동에 의해 상기 인입부와 인출부 사이를 반복하여 이동하는 일정한 이동경로를 형성하고,
상기 이동경로상에서 상기 단계 a)와 상기 단계 b) 및 상기 단계 c)가 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 30,
The chamber forms a constant movement path that repeatedly moves between the inlet and the outlet by driving a chamber drive unit.
And said step a), said step b) and said step c) are performed on said movement path. 제30항에 있어서,
복수 개의 상기 챔버로 이루어지는 멀티챔버가 구비되고;
상기 챔버 구동부는 상기 멀티챔버를 회전시키도록 이루어져, 상기 멀티챔버의 회전에 의해 상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버가 일정한 이동경로를 반복하여 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 30,
A multichamber consisting of a plurality of said chambers is provided;
The chamber driving unit is configured to rotate the multi-chamber, wherein the plurality of chambers constituting the multi-chamber by the rotation of the multi-chamber repeatedly moving a predetermined movement path. 제32항에 있어서,
상기 멀티챔버는, 회당 일정 각도씩 회전하여,
상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버가 상기 인입부에 순차로 도달하여 상기 기판을 상기 로딩부로부터 순차로 이송받고, 상기 인출부에 순차로 도달하여 상기 기판을 상기 언로딩부에 순차로 이송하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.33. The method of claim 32,
The multichamber is rotated by a predetermined angle per time,
A plurality of chambers constituting the multi-chamber to sequentially reach the inlet portion to receive the substrate sequentially from the loading portion, to sequentially reach the takeout portion to transfer the substrate sequentially to the unloading portion The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제33항에 있어서,
상기 멀티챔버는 회당 45도씩 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 33, wherein
And the multichamber rotates 45 degrees per revolution. 제33항에 있어서,
상기 멀티챔버는 회당 90도씩 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 33, wherein
And the multichamber rotates by 90 degrees per revolution. 제32항에 있어서,
상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버는, 상기 유체공급부를 중심으로 일정 간격 이격되어 배치되어, 상기 유체공급부를 중심으로 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.33. The method of claim 32,
The plurality of chambers constituting the multi-chamber are disposed at regular intervals around the fluid supply unit, and rotates around the fluid supply unit. 제32항에 있어서,
상기 도킹포트는 상기 멀티챔버를 이루는 복수의 챔버에 대응하는 복수로 구비되고,
상기 복수의 챔버에 각각 구비되는 공급포트와 상기 복수의 도킹포트가 동시에 도킹되어, 상기 복수의 챔버에 상기 공정유체가 동시에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
33. The method of claim 32,
The docking port is provided in plurality corresponding to the plurality of chambers constituting the multi-chamber,
And a supply port and a plurality of docking ports respectively provided in the plurality of chambers are simultaneously docked so that the process fluid is simultaneously supplied to the plurality of chambers.
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