KR20200014679A - Radiation-sensitive composition and uses thereof - Google Patents

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아키토 나루코
아키유키 마츠모토
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

The present invention relates to a radiation-sensitive composition having excellent storage stability and high PCD and PED margin. Provided is a radiation-sensitive composition capable of forming a hardening film having low relative permittivity. The radiation-sensitive composition includes: a polymer component (A) having, in the same or different polymers, a structural unit (I) derived from maleimide and a structural unit (II) containing a group represented by an equation (II-1); and a radiation-sensitive compound (B). R^1, R^2, and R^3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, a group in which a part or whole of hydrogen atoms included in the preceding groups is substituted with a substituent group, or -SiR^A_3. R^A are each independently a C1-C10 alkyl group, and Q^1 is an ester bond or a divalent group represented by -Ar^1-O-, wherein Ar^1 is an arylene group or a group in which a part or whole of hydrogen atoms included in the arylene group is substituted with a substituent group.

Description

감방사선성 조성물 및 그의 용도{RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND USES THEREOF}Radiation-sensitive composition and its use {RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND USES THEREOF}

본 발명은, 감방사선성 조성물 및 그의 용도에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation sensitive composition and its use.

감방사선성 조성물은, 종래, 표시 소자가 갖는 경화막으로서, 층간 절연막, 보호막 및 스페이서 등의, 패턴 형상을 갖는 경화막을 형성하기 위해 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).The radiation sensitive composition is conventionally used for forming the cured film which has a pattern shape, such as an interlayer insulation film, a protective film, and a spacer, as a cured film which a display element has (for example, refer patent document 1).

일본공개특허공보 2012-159601호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-159601

표시 소자의 고성능화에 수반하여, 표시 소자가 다량의 전류를 필요로 하는 점에서, 상기 경화막에는 저(低)유전 특성이 요구된다. 또한, 경화막 형성 시에 있어서의 작업성 등의 관점에서, 감방사선성 조성물에는, 보존 후의 방사선 감도의 저하가 작고 보존 안정성이 우수한 것, Post Coating Delay(PCD) 마진 및 Post Exposure Delay(PED) 마진이 큰 것이 요망된다.With high performance of the display element, since the display element requires a large amount of current, low dielectric properties are required for the cured film. In addition, from the viewpoint of workability at the time of forming a cured film, the radiation-sensitive composition has a small decrease in radiation sensitivity after storage and excellent storage stability, Post Coating Delay (PCD) margin and Post Exposure Delay (PED). A large margin is desired.

즉 본 발명은, 보존 안정성이 우수하고, PCD 및 PED 마진이 높은 감방사선성 조성물로서, 비유전율이 낮은 경화막을 형성할 수 있는 감방사선성 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.That is, an object of the present invention is to provide a radiation-sensitive composition which is excellent in storage stability and has a high radiation-sensitive composition having a high PCD and PED margin, and can form a cured film having a low relative dielectric constant.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하게 위해 예의 검토를 행했다. 그 결과, 이하의 구성을 갖는 감방사선성 조성물에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 본 발명은, 예를 들면 이하의 [1]∼[9]에 관한 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors earnestly examined in order to solve the said subject. As a result, it discovered that the said subject can be solved by the radiation sensitive composition which has the following structures, and came to complete this invention. This invention relates to the following [1]-[9], for example.

[1] 동일한 또는 상이한 중합체 중에, 말레이미드에 유래하는 구조 단위 (Ⅰ)과 하기식 (Ⅱ-1)에 나타내는 기를 포함하는 구조 단위 (Ⅱ)를 갖는 중합체 성분 (A)와, 감방사선성 화합물 (B)를 함유하는 감방사선성 조성물.[1] A polymer component (A) having a structural unit (II) containing a structural unit (I) derived from maleimide and a group represented by the following formula (II-1) in the same or different polymer, and a radiation-sensitive compound A radiation sensitive composition containing (B).

Figure pat00001
Figure pat00001

[식 (Ⅱ-1) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 지환식 탄화수소기, 아릴기, 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기, 또는 -SiRA 3이고, RA는, 각각 독립적으로 탄소수 1∼10의 알킬기이고, Q1은, 에스테르 결합, 또는 -Ar1-O-로 나타나는 2가의 기(Ar1은 아릴렌기, 또는 아릴렌기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기임)이다.][In formula (II-1), R <1> , R <2> and R <3> are respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, group in which one part or all part of the hydrogen atom which these groups have substituted by the substituent. Or -SiR A 3 , R A is each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and Q 1 is a divalent group represented by an ester bond or -Ar 1 -O- (Ar 1 is an arylene group, or Some or all of the hydrogen atoms of the arylene group are substituted with substituents.

[2] 상기 중합체 성분 (A)가, 상기 구조 단위 (Ⅰ) 및 상기 구조 단위 (Ⅱ)로부터 선택되는 적어도 1종의 구조 단위를 갖는 중합체와 동일한 또는 상이한 중합체 중에, 가교성기를 포함하는 구조 단위 (Ⅲ)을 추가로 갖는 상기 [1]에 기재된 감방사선성 조성물.[2] The structural unit, wherein the polymer component (A) contains a crosslinkable group in the same or different polymer as the polymer having at least one structural unit selected from the structural unit (I) and the structural unit (II). The radiation sensitive composition as described in said [1] which further has (III).

[3] 상기 가교성기가, 옥시라닐기, 옥세타닐기 및 (메타)아크릴로일기로부터 선택되는 적어도 1종의 기인 상기 [2]에 기재된 감방사선성 조성물.[3] The radiation-sensitive composition according to the above [2], wherein the crosslinkable group is at least one group selected from an oxiranyl group, an oxetanyl group, and a (meth) acryloyl group.

[4] 상기식 (Ⅱ-1)에 나타내는 기에 있어서, R1, R2 및 R3이 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기인 상기 [1]∼[3] 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물.[4] The radiation of any of the above-mentioned [1] to [3], wherein R 1 , R 2, and R 3 are each independently a C1-C20 alkyl group in the group represented by the formula (II-1). Sex composition.

[5] 상기 감방사선성 화합물 (B)가, 감방사선성 산 발생제 (B1) 또는 감방사선성 염기 발생제 (B2)인 상기 [1]∼[4] 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물.[5] The radiation sensitive compound according to any one of the above [1] to [4], wherein the radiation sensitive compound (B) is a radiation sensitive acid generator (B1) or a radiation sensitive base generator (B2). Composition.

[6] 상기 감방사선성 화합물 (B)가, 옥심술포네이트 화합물 및 술폰이미드 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 감방사선성 산 발생제인 상기 [1]∼[4] 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물.[6] The radiation sensitive compound (B) according to any one of the above [1] to [4], wherein the radiation sensitive compound (B) is at least one radiation sensitive acid generator selected from an oxime sulfonate compound and a sulfonimide compound. Radiation-sensitive composition.

[7] 상기 [1]∼[6] 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물로 형성된 경화막.[7] A cured film formed of the radiation sensitive composition according to any one of [1] to [6].

[8] 상기 [1]∼[6] 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정 [1]과, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정 [2]와, 방사선이 조사된 상기 도막을 현상하는 공정 [3]과, 현상된 상기 도막을 가열하는 공정 [4]를 갖는, 경화막의 제조 방법.[8] step [1] of forming a coating film of the radiation-sensitive composition according to any one of the above [1] to [6] on a substrate, a step of irradiating at least a portion of the coating film with radiation [2], and And a process [3] of developing the said coating film irradiated with radiation, and a process [4] of heating the developed said coating film.

[9] 상기 [7]에 기재된 경화막을 구비하는 표시 소자.[9] A display element comprising the cured film according to the above [7].

본 발명에 의하면, 보존 안정성이 우수하고, PCD 및 PED 마진이 높은 감방사선성 조성물로서, 비유전율이 낮은 경화막을 형성할 수 있는 감방사선성 조성물을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the radiation sensitive composition which can form the cured film with low relative dielectric constant as a radiation sensitive composition excellent in storage stability and high in PCD and PED margin can be provided.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form to carry out invention)

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated.

본 명세서에 있어서 각 성분의 함유 비율 등에서 바람직한 상한값, 하한값을 각각 기재하고 있지만, 기재된 상한값 및 하한값의 임의의 조합으로부터 규정되는 수치 범위도 본 명세서에 기재되어 있는 것으로 한다.Although the upper limit and the lower limit which are preferable in the content rate of each component etc. are described in this specification, respectively, the numerical range prescribed | regulated from any combination of the upper limit and the lower limit described shall also be described in this specification.

[감방사선성 조성물][Radiation Composition]

본 발명의 감방사선성 조성물(간단히 「본 발명의 조성물」이라고도 함)은, 이하에 설명하는 중합체 성분 (A)와, 감방사선성 화합물 (B)를 함유한다. The radiation sensitive composition of this invention (it is also called "the composition of this invention" simply) contains the polymer component (A) and the radiation sensitive compound (B) demonstrated below.

<중합체 성분 (A)><Polymer component (A)>

중합체 성분 (A)는, 동일한 또는 상이한 중합체 중에, 말레이미드에 유래하는 구조 단위 (Ⅰ)과, 후술하는 식 (Ⅱ-1)에 나타내는 기를 포함하는 구조 단위 (Ⅱ)를 갖는다. The polymer component (A) has a structural unit (II) including the structural unit (I) derived from maleimide and the group shown by Formula (II-1) mentioned later in the same or different polymer.

또한, 중합체 성분 (A)는, 구조 단위 (Ⅰ) 및 구조 단위 (Ⅱ)로부터 선택되는 적어도 1종의 구조 단위를 갖는 중합체와 동일한 또는 상이한 중합체 중에, 후술하는 구조 단위 (Ⅲ)을 가질 수 있다. In addition, a polymer component (A) can have a structural unit (III) mentioned later in the same or different polymer as the polymer which has at least 1 sort (s) of structural unit chosen from a structural unit (I) and a structural unit (II). .

또한, 중합체 성분 (A)는, 구조 단위 (Ⅰ)∼(Ⅲ)으로부터 선택되는 적어도 1종의 구조 단위를 갖는 중합체와 동일한 또는 상이한 중합체 중에, 후술하는 구조 단위 (Ⅳ)를 가질 수 있다. In addition, a polymer component (A) can have a structural unit (IV) mentioned later in the same or different polymer as the polymer which has at least 1 sort (s) of structural unit chosen from structural unit (I)-(III).

이들 구조 단위의 상세는 이하에 설명한다.The detail of these structural units is demonstrated below.

《구조 단위 (Ⅰ)》Structural Unit (Ⅰ)

구조 단위 (Ⅰ)은, 말레이미드에 유래하는 구조 단위이다. 말레이미드에 유래하는 구조 단위란, 식 (Ⅰ-1)에 나타내는, 무치환의 말레이미드에 유래하는 구조 단위이다.Structural unit (I) is a structural unit derived from maleimide. The structural unit derived from maleimide is a structural unit derived from unsubstituted maleimide shown by Formula (I-1).

Figure pat00002
Figure pat00002

구조 단위 (Ⅱ)와 함께 구조 단위 (Ⅰ)을 갖는 중합체 성분 (A)를 이용함으로써, 본 발명의 조성물로 이루어지는 도막은, Post Coating Delay(PCD) 마진 및 Post Exposure Delay(PED) 마진이 커진다. 여기에서 PCD, PED 마진은 제조 공정의 지표이고, 이들이 클수록 최종 제품의 생산성이 우수한 것을 의미한다. 한편, 구조 단위 (Ⅱ)를 갖지만 구조 단위 (Ⅰ)을 갖지 않는 중합체 성분의 경우는, PCD 및 PED 마진이 작다. 또한, 중합체 성분 (A)는, 구조 단위 (Ⅰ)을 가짐으로써, 현상액에 대한 용해성을 높이거나, 얻어지는 경화막의 내열성을 높이거나 할 수 있다. 또한, 구조 단위 (Ⅱ)와 함께 구조 단위 (Ⅰ)을 갖는 중합체 성분 (A)를 함유하는 본 발명의 조성물은, 보존 후의 방사선 감도의 저하가 작고 보존 안정성이 우수하다.By using the polymer component (A) which has a structural unit (I) with a structural unit (II), the coating film which consists of a composition of this invention becomes large in Post Coating Delay (PCD) margin and Post Exposure Delay (PED) margin. Here, PCD and PED margins are indicative of the manufacturing process, which means that the higher the productivity of the final product. On the other hand, in the case of the polymer component having structural unit (II) but no structural unit (I), PCD and PED margins are small. In addition, a polymer component (A) can improve the solubility to a developing solution or the heat resistance of the obtained cured film by having a structural unit (I). Moreover, the composition of this invention containing the polymer component (A) which has a structural unit (I) with a structural unit (II) is small in the fall of the radiation sensitivity after storage, and is excellent in storage stability.

《구조 단위 (Ⅱ)》Structural Unit (II)

구조 단위 (Ⅱ)는, 식 (Ⅱ-1)에 나타내는 기를 포함한다.Structural unit (II) contains the group shown by Formula (II-1).

Figure pat00003
Figure pat00003

식 (Ⅱ-1) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 지환식 탄화수소기, 아릴기, 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기, 또는 -SiRA 3이다. RA는, 각각 독립적으로 탄소수 1∼10의 알킬기이다. Q1은, 에스테르 결합(-COO-), 또는 -Ar1-O-로 나타나는 2가의 기(Ar1은 아릴렌기, 또는 아릴렌기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기임)이다. 여기에서, 상기 에스테르 결합은, -COO-SiR1R2R3이 되도록 -SiR1R2R3과 결합한다. 또한, 상기 -Ar1-O-는, -Ar1-O-SiR1R2R3이 되도록 -SiR1R2R3과 결합한다. In formula (II-1), each of R 1 , R 2 and R 3 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, a group in which part or all of the hydrogen atoms of these groups are substituted with a substituent, Or -SiR A 3 . R A is each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Q 1 is an ester bond (-COO-) or a divalent group represented by -Ar 1 -O- (Ar 1 is an arylene group or a group in which part or all of hydrogen atoms of an arylene group are substituted with a substituent) . Here, the ester bond is bonded and -SiR 1 R 2 R 3 to be, -COO-SiR 1 R 2 R 3. In addition, the -Ar 1 -O- is bonded with -SiR 1 R 2 R 3 to be -Ar 1 -O-SiR 1 R 2 R 3 .

구조 단위 (Ⅱ)는, 1종의 구조 단위라도, 복수종의 구조 단위라도 좋다.The structural unit (II) may be one type of structural unit or a plurality of types of structural units.

방사선 조사에 의해 감방사선성 화합물 (B)로부터 발생하는, 산 또는 염기 등의 성분의 작용에 의해, 식 (Ⅱ-1)에 나타내는 기가 분해되어, 즉 -SiR1R2R3이 해리하여, 카복실기 또는 페놀성 수산기가 발생한다고 생각된다. 여기에서 -SiR1R2R3은 산 또는 염기 해리성기로서 카복실기 또는 페놀성 수산기의 보호기이다. 따라서, 본 발명의 조성물로 이루어지는 도막의 방사선 조사 부분에 있어서 식 (Ⅱ-1)에 나타내는 기가 분해되어 카복실기 또는 페놀성 수산기가 발생하고, 당해 부분이 현상액에 가용이 된다. 따라서 본 발명의 조성물은, 포지티브형의 감방사선성 조성물로서 적합하게 사용할 수 있다. 중합체 성분 (A)는, 구조 단위 (Ⅱ)를 가짐으로써, 현상액에 대한 용해성을 높이거나, 내열성을 향상시키거나 할 수 있다.By action of a component such as an acid or a base generated from the radiation-sensitive compound (B) by irradiation with radiation, the group represented by the formula (II-1) is decomposed, that is, -SiR 1 R 2 R 3 dissociates, A carboxyl group or phenolic hydroxyl group is considered to generate | occur | produce. Here, -SiR 1 R 2 R 3 is an protecting group of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group as an acid or base dissociable group. Therefore, in the irradiation part of the coating film which consists of a composition of this invention, the group shown by Formula (II-1) decomposes | generates, a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group is generated, and this part becomes soluble in a developing solution. Therefore, the composition of this invention can be used suitably as a positive radiation sensitive composition. By having a structural unit (II), a polymer component (A) can improve the solubility to a developing solution, or can improve heat resistance.

R1, R2 및 R3에 있어서의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등의 직쇄상 알킬기; 이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-헥실기 등의 분기상 알킬기를 들 수 있다. 상기 알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 1∼20, 보다 바람직하게는 1∼10이다. RA에 있어서의 알킬기로서도, 상기 예시된 기를 들 수 있다.As an alkyl group in R <1> , R <2> and R <3> , For example, linear alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group; And branched alkyl groups such as isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group and n-hexyl group. Carbon number of the said alkyl group becomes like this. Preferably it is 1-20, More preferably, it is 1-10. Examples of the alkyl group for R A include the groups exemplified above.

R1, R2 및 R3에 있어서의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 단환의 지환식 탄화수소기; 아다만틸기, 노르보르닐기, 트리사이클로데카닐기 등의 다환의 지환식 탄화수소기를 들 수 있다. 상기 지환식 탄화수소기의 탄소수는, 바람직하게는 3∼20이다. As alicyclic hydrocarbon group in R <1> , R <2> and R <3> , For example, Monocyclic alicyclic hydrocarbon groups, such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group; Polycyclic alicyclic hydrocarbon groups, such as an adamantyl group, norbornyl group, and a tricyclo decanyl group, are mentioned. Carbon number of the said alicyclic hydrocarbon group becomes like this. Preferably it is 3-20.

R1, R2 및 R3에 있어서의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 디메틸페닐기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. 상기 아릴기의 탄소수는, 바람직하게는 6∼20, 보다 바람직하게는 6∼10이다.As an aryl group in R <1> , R <2> and R <3> , a phenyl group, a tolyl group, a dimethylphenyl group, a 2,4, 6- trimethylphenyl group, a naphthyl group is mentioned, for example. Carbon number of the said aryl group becomes like this. Preferably it is 6-20, More preferably, it is 6-10.

Ar1에 있어서의 아릴렌기로서는, 예를 들면, 벤젠디일기, 톨루엔디일기, 자일렌디일기, 나프탈렌디일기를 들 수 있다. 상기 아릴렌기의 탄소수는, 바람직하게는 탄소수 6∼20, 보다 바람직하게는 6∼10이다.As an arylene group in Ar <1> , a benzenediyl group, toluenediyl group, xylenediyl group, naphthalenediyl group is mentioned, for example. Carbon number of the said arylene group becomes like this. Preferably it is C6-C20, More preferably, it is 6-10.

R1, R2 및 R3의 설명 및, Ar1의 설명으로 나타나는 상기 치환기로서는, 예를 들면, 알킬기, 지환식 탄화수소기, 아릴기, 할로겐 원자, 하이드록시기, 카복실기, 니트로기, 시아노기를 들 수 있다.As said substituent represented by description of R <1> , R <2> and R <3> and Ar <1> , it is an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitro group, a cyan, for example. Anger is mentioned.

R1, R2 및 R3은, 산 또는 염기의 작용에 의한 양호한 상기 해리성을 얻는 관점에서, 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기인 것이 바람직하다.It is preferable that R <1> , R <2> and R <3> are respectively independently C1-C20 alkyl groups from a viewpoint of obtaining the said favorable dissociation property by the action of an acid or a base.

-SiR1R2R3으로서는, 예를 들면, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 디에틸이소프로필실릴기, 트리이소프로필실릴기, 디메틸헥실실릴기, t-부틸디페닐실릴기, 디메틸페닐실릴기, 트리페닐실릴기, 트리스(트리메틸실릴)실릴기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, t-부틸디메틸실릴기가 바람직하다.Examples of —SiR 1 R 2 R 3 include, for example, trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, diethylisopropylsilyl group, triisopropylsilyl group, dimethylhexylsilyl group and t-butyl A diphenyl silyl group, a dimethylphenyl silyl group, a triphenyl silyl group, and the tris (trimethyl silyl) silyl group are mentioned. Among these, trimethylsilyl group, triethylsilyl group, triisopropylsilyl group and t-butyldimethylsilyl group are preferable.

구조 단위 (Ⅱ)는, 예를 들면, 식 (Ⅱ-2)에 나타내는 구조 단위이고, 바람직하게는 식 (Ⅱ-2-1) 또는 식 (Ⅱ-2-2)에 나타내는 구조 단위이다.Structural unit (II) is a structural unit represented by Formula (II-2), for example, Preferably it is a structural unit represented by Formula (II-2-1) or Formula (II-2-2).

Figure pat00004
Figure pat00004

식 (Ⅱ-2), (Ⅱ-2-1) 및 (Ⅱ-2-2) 중, R1∼R3 및 Q1은, 각각 식 (Ⅱ-1) 중에 있어서의 동일 기호와 동일한 의미이고, R4는, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. RB는, 알킬기, 지환식 탄화수소기, 아릴기, 할로겐 원자, 하이드록시기, 카복실기, 니트로기 또는 시아노기이다. n은 0∼4의 정수이다. RB가 2 이상 있을 때는, 각각 동일해도 상이해도 좋다.In formulas (II-2), (II-2-1) and (II-2-2), R 1 to R 3 and Q 1 are the same as the same symbols in formula (II-1), respectively. , R 4 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. R B is an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitro group or a cyano group. n is an integer of 0-4. When R B is to be at least 2, even if each of the same may be different.

《구조 단위 (Ⅲ)》Structural Unit (Ⅲ)

중합체 성분 (A)는, 구조 단위 (Ⅰ) 및 구조 단위 (Ⅱ)로부터 선택되는 적어도 1종의 구조 단위를 갖는 중합체와 동일한 또는 상이한 중합체 중에, 가교성기를 포함하는 구조 단위 (Ⅲ)을 갖는 것이 바람직하다. 구조 단위 (Ⅲ)은, 본 발명의 조성물의 경화 반응성이나, 얻어지는 경화막의 내열성을 높일 수 있다.The polymer component (A) has a structural unit (III) containing a crosslinkable group in the same or different polymer as the polymer having at least one structural unit selected from the structural unit (I) and the structural unit (II). desirable. Structural unit (III) can raise the hardening reactivity of the composition of this invention, and the heat resistance of the cured film obtained.

구조 단위 (Ⅲ)은, 1종의 구조 단위라도, 복수종의 구조 단위라도 좋다.The structural unit (III) may be one type of structural unit or a plurality of types of structural units.

본 명세서에 있어서 가교성기란, 예를 들면 가열 조건하에 있어서 동종의 기끼리(예를 들면 에폭시기끼리) 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 기를 말한다. 가교성기로서는, 예를 들면, 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조) 등의 에폭시기; (메타)아크릴로일기, 비닐기 등의 중합성 탄소-탄소 이중 결합 함유기; 환상 카보네이트기, 메틸올기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 옥시라닐기, 옥세타닐기 및 (메타)아크릴로일기가 바람직하고, 옥시라닐기 및 옥세타닐기가 보다 바람직하다.In this specification, a crosslinkable group means group which can form covalent bonds, for example by reacting groups of the same kind (for example, epoxy groups) under heating conditions. As a crosslinkable group, For example, epoxy groups, such as an oxiranyl group (1, 2- epoxy structure) and an oxetanyl group (1, 3- epoxy structure); Polymerizable carbon-carbon double bond-containing groups such as a (meth) acryloyl group and a vinyl group; A cyclic carbonate group and a methylol group are mentioned. Among these, an oxiranyl group, an oxetanyl group, and a (meth) acryloyl group are preferable, and an oxiranyl group and an oxetanyl group are more preferable.

구조 단위 (Ⅲ)은, 바람직하게는 식 (Ⅲ-1)로 나타난다.Structural unit (III), Preferably it is represented by Formula (III-1).

Figure pat00005
Figure pat00005

식 (Ⅲ-1) 중, R5는, 단결합 또는 알칸디일기이다. R6은, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. Q2는, 산소 원자, 에스테르 결합, 아미드 결합, 아릴렌기, 알칸디일기, 또는 이들(즉 산소 원자, 에스테르 결합, 아미드 결합, 아릴렌기, 알칸디일기)로부터 선택되는 2종 이상을 조합하여 이루어지는 기이다. 상기 기의 조합으로서는, 예를 들면, 아릴렌옥시기(-Ar2-O-; Ar2는 아릴렌기), 아르알킬렌옥시기(-Ar3-R-O-; Ar3은 아릴렌기, R은 알칸디일기)를 들 수 있다. Q2는, 에스테르 결합이 바람직하다. A는, 전술한 가교성기 또는 당해 가교성기를 포함하는 기이다.In formula (III-1), R 5 is a single bond or an alkanediyl group. R 6 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. Q 2 is formed by combining two or more selected from an oxygen atom, an ester bond, an amide bond, an arylene group, an alkanediyl group, or these (that is, an oxygen atom, an ester bond, an amide bond, an arylene group, an alkanediyl group) Qi. Examples of the combination of the above groups include, for example, an aryleneoxy group (-Ar 2 -O-; Ar 2 is an arylene group), an aralkyleneoxy group (-Ar 3 -RO-; Ar 3 is an arylene group, and R is an alkanedi Diary). As for Q <2> , an ester bond is preferable. A is group containing the above-mentioned crosslinkable group or the said crosslinkable group.

R5 및 Q2에 있어서의 알칸디일기는, 바람직하게는 탄소수 1∼10, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼5의 알칸디일기이고, 예를 들면, 메탄디일기, 에탄-1,2-디일기, 프로판-1,3-디일기를 들 수 있다. Q2에 있어서의 아릴렌기는, 바람직하게는 탄소수 6∼10의 아릴렌기이고, 예를 들면, 벤젠디일기, 톨루엔디일기, 나프탈렌디일기를 들 수 있다. 가교성기를 포함하는 기로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 단환의 지환식 탄화수소기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 트리사이클로데카닐기 등의 다환의 지환식 탄화수소기가 에폭시화 또는 환상 카보네이트화된 환을 들 수 있다.Alkanediyl group in R <5> and Q <2> , Preferably it is a C1-C10, More preferably, it is a C1-C5 alkanediyl group, For example, methanediyl group, ethane-1,2-di Diary, propane-1,3-diyl group. The arylene group in Q 2 is preferably an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a benzenediyl group, a toluenediyl group, and a naphthalenediyl group. As a group containing a crosslinkable group, polycyclic alicyclic hydrocarbon groups, such as monocyclic alicyclic hydrocarbon groups, such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and a tricyclo decanyl group, are epoxidized, for example. Or cyclic carbonated rings.

옥시라닐기를 포함하는 구조 단위로서는, 예를 들면, 식 (Ⅲ-1)∼(Ⅲ-7), (Ⅲ-18)로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다. 옥세타닐기를 포함하는 구조 단위로서는, 예를 들면, 식 (Ⅲ-8)∼(Ⅲ-11)로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다. 환상 카보네이트기를 포함하는 구조 단위로서는, 예를 들면, 하기식 (Ⅲ-12)∼(Ⅲ-16)으로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다. 메틸올기를 포함하는 구조 단위로서는, 예를 들면, 식 (Ⅲ-17)로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다. As a structural unit containing an oxiranyl group, the structural unit represented by Formula (III-1)-(III-7), (III-18) is mentioned, for example. As a structural unit containing an oxetanyl group, the structural unit represented by Formula (III-8)-(III-11) is mentioned, for example. As a structural unit containing a cyclic carbonate group, the structural unit represented by following formula (III-12)-(III-16) is mentioned, for example. As a structural unit containing a methylol group, the structural unit represented by Formula (III-17) is mentioned, for example.

Figure pat00006
Figure pat00006

식 (Ⅲ-1)∼(Ⅲ-18) 중, R6은, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다.In formulas (III-1) to (III-18), R 6 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

(메타)아크릴로일기를 포함하는 구조 단위로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌디(메타)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등의 디(메타)아크릴레이트 화합물; 트리스(2-하이드록시에틸)이소시아누레이트트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트 등의 트리(메타)아크릴레이트 화합물; 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트 등의 테트라(메타)아크릴레이트 화합물; 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트 등의 펜타(메타)아크릴레이트 화합물 등의 단량체에 유래하는 구조 단위를 들 수 있다.As a structural unit containing a (meth) acryloyl group, for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, and propylene glycol di ( Meta) acrylate, dipropylene di (meth) acrylate, tripropylene di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanedioldi (meth) acrylate, 1 Di (meth) acrylate compounds such as 6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and tripropylene glycol diacrylate; Tri (meth) acrylate compounds such as tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate and pentaerythritol tri (meth) acrylate; Tetra (meth) acrylate compounds such as pentaerythritol tetra (meth) acrylate; Structural units derived from monomers, such as penta (meth) acrylate compounds, such as dipentaerythritol penta (meth) acrylate, are mentioned.

(메타)아크릴로일기 또는 비닐기를 포함하는 구조 단위로서는, 예를 들면, 카복실기를 포함하는 구조 단위에 에폭시기 함유 불포화 화합물을 반응시켜 얻어지는 구조 단위, 에폭시기를 포함하는 구조 단위에 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 구조 단위, 하이드록시기를 포함하는 구조 단위에 이소시아네이트기를 포함하는 (메타)아크릴산 에스테르 또는 비닐 화합물을 반응시켜 얻어지는 구조 단위, 산무수물을 포함하는 구조 단위에 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 구조 단위도 들 수 있다.As a structural unit containing a (meth) acryloyl group or a vinyl group, for example, (meth) acrylic acid is reacted with the structural unit obtained by making an epoxy group containing unsaturated compound react with the structural unit containing a carboxyl group, and the structural unit containing an epoxy group. Structural unit obtained by making (meth) acrylic acid react with the structural unit obtained by making the structural unit obtained by making the (meth) acrylic acid ester or vinyl compound containing an isocyanate group react with the structural unit containing a hydroxyl group, and the structural unit containing an acid anhydride Also can be mentioned.

《구조 단위 (Ⅳ)》Structural Unit (IV)

중합체 성분 (A)는, 구조 단위 (Ⅰ)∼(Ⅲ)으로부터 선택되는 적어도 1종의 구조 단위를 갖는 중합체와 동일한 또는 상이한 중합체 중에, 구조 단위 (Ⅰ)∼(Ⅲ) 이외의 구조 단위 (Ⅳ)를 가져도 좋다. 구조 단위 (Ⅳ)에 의해, 중합체 성분 (A)의 감방사선 특성 및, 경화막의 비유전율, 내열성을 향상시킬 수 있다.The polymer component (A) is a structural unit (IV) other than the structural units (I) to (III) in the same or different polymer as the polymer having at least one structural unit selected from the structural units (I) to (III). You may have By structural unit (IV), the radiation sensitive characteristic of a polymer component (A), the dielectric constant of a cured film, and heat resistance can be improved.

구조 단위 (Ⅳ)는, 1종의 구조 단위라도, 복수종의 구조 단위라도 좋다.The structural unit (IV) may be one type of structural unit or a plurality of types of structural units.

구조 단위 (Ⅳ)를 부여하는 단량체로서는, 예를 들면, 카복실기, 산무수물기, 페놀성 수산기 및 불소화 하이드록시알킬기 등의 산성 관능기를 갖는 단량체를 들 수 있다. 산성 관능기를 갖는 단량체로서는, 예를 들면, 불포화 카본산 및 그의 무수물, (메타)아크릴산 하이드록시페닐 등의 (메타)아크릴산 하이드록시아릴에스테르; 4-(1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-하이드록시프로판-2-일)스티렌 등의 불소화 하이드록시알킬기 함유 화합물을 들 수 있다.As a monomer which gives a structural unit (IV), the monomer which has acidic functional groups, such as a carboxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, and a fluorinated hydroxyalkyl group, is mentioned, for example. As a monomer which has an acidic functional group, For example, (meth) acrylic-acid hydroxyaryl esters, such as unsaturated carboxylic acid, its anhydride, and (meth) acrylic-acid hydroxyphenyl; And fluorinated hydroxyalkyl group-containing compounds such as 4- (1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-hydroxypropan-2-yl) styrene.

불포화 카본산 및 그의 무수물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등의 불포화 모노카본산; 말레인산, 이타콘산, 시트라콘산, 푸마르산, 메사콘산 등의 불포화 디카본산 또는 그의 무수물; 숙신산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸], 프탈산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸] 등의 2가 이상의 다가 카본산의 모노[(메타)아크릴로일옥시알킬]에스테르를 들 수 있다.As unsaturated carbonic acid and its anhydride, For example, unsaturated monocarboxylic acids, such as (meth) acrylic acid, crotonic acid, (alpha)-chloroacrylic acid, cinnamic acid; Unsaturated dicarboxylic acids or anhydrides thereof such as maleic acid, itaconic acid, citraconic acid, fumaric acid and mesaconic acid; Mono [(meth) acryloyloxyalkyl] ester of bivalent or more polyvalent carbonic acid, such as succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] and phthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] Can be mentioned.

구조 단위 (Ⅳ)를 부여하는 단량체로서는, 산성 관능기를 갖는 단량체 이외에도, 예를 들면, (메타)아크릴산 쇄상 알킬에스테르, 지환 함유 (메타)아크릴산 에스테르, 방향환 함유 (메타)아크릴산 에스테르, 수산기 함유 (메타)아크릴산 에스테르, 알콕시기 함유 (메타)아크릴산 에스테르, N-치환 말레이미드 화합물, 불포화 디카본산 디에스테르, 비닐기 함유 방향족 화합물을 들 수 있고, 그 외, 바이사이클로 불포화 화합물, 테트라하이드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라하이드로피란 골격 또는 피란 골격을 갖는 불포화 화합물, 그 외의 불포화 화합물을 들 수도 있다.As a monomer which gives a structural unit (IV), besides the monomer which has an acidic functional group, it is a (meth) acrylic-acid chain alkyl ester, an alicyclic containing (meth) acrylic acid ester, an aromatic ring containing (meth) acrylic acid ester, and hydroxyl group containing ( Meta) acrylic acid esters, alkoxy group-containing (meth) acrylic acid esters, N-substituted maleimide compounds, unsaturated dicarboxylic acid diesters, vinyl group-containing aromatic compounds, and other bicyclounsaturated compounds, tetrahydrofuran skeletons, And unsaturated compounds having a furan skeleton, tetrahydropyran skeleton or pyran skeleton, and other unsaturated compounds.

(메타)아크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-부틸, (메타)아크릴산 sec-부틸, (메타)아크릴산 t-부틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 이소데실, (메타)아크릴산 n-라우릴, (메타)아크릴산 트리데실, (메타)아크릴산 n-스테아릴을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid chain alkyl ester include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, ( 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, and n-stearyl (meth) acrylate are mentioned.

지환 함유 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 사이클로헥실, (메타)아크릴산 2-메틸사이클로헥실, (메타)아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, (메타)아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, (메타)아크릴산 이소보르닐을 들 수 있다.As an alicyclic containing (meth) acrylic acid ester, For example, (meth) acrylic-acid cyclohexyl, (meth) acrylic acid 2-methylcyclohexyl, (meth) acrylic-acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, (Meth) acrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yloxyethyl and isobornyl (meth) acrylic acid are mentioned.

방향환 함유 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 페닐 등의 (메타)아크릴산 아릴에스테르; (메타)아크릴산 벤질 등의 (메타)아크릴산 아르알킬에스테르를 들 수 있다.As an aromatic ring containing (meth) acrylic acid ester, For example, (meth) acrylic-acid aryl ester, such as (meth) acrylic-acid phenyl; (Meth) acrylic-acid aralkyl ester, such as benzyl (meth) acrylic acid, is mentioned.

수산기 함유 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메타)아크릴산 3-하이드록시프로필, (메타)아크릴산 4-하이드록시 부틸, (메타)아크릴산 6-하이드록시헥실 등의 (메타)아크릴산 하이드록시알킬을 들 수 있다.As the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester, for example, (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 4-hydroxy butyl, (meth) acrylic acid 6-hydroxy (Meth) acrylic-acid hydroxyalkyl, such as oxyhexyl, is mentioned.

알콕시기 함유 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 메톡시메틸, (메타)아크릴산 에톡시메틸, (메타)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메타)아크릴산 알콕시알킬을 들 수 있다.As an alkoxy-group containing (meth) acrylic acid ester, (meth) acrylic-acid alkoxy alkyl, such as (meth) acrylic-acid methoxymethyl, (meth) acrylic-ethoxymethyl, (meth) acrylic-acid ethoxyethyl, is mentioned, for example.

N-치환 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-tert-부틸말레이미드 등의 N-알킬기 치환 말레이미드; N-사이클로헥실말레이미드 등의 N-사이클로알킬기 치환 말레이미드; N-페닐말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(9-아크리디닐)말레이미드, N-하이드록시페닐말레이미드 등의 N-방향환 함유기 치환 말레이미드를 들 수 있다.As an N-substituted maleimide compound, For example, N-alkyl-group substituted maleimide, such as N-methyl maleimide, N-ethyl maleimide, N-tert- butyl maleimide; N-cycloalkyl group substituted maleimide, such as N-cyclohexyl maleimide; N-aromatic ring containing group substituted maleimide, such as N-phenylmaleimide, N-benzyl maleimide, N- (9-acridinyl) maleimide, and N-hydroxyphenyl maleimide.

불포화 디카본산 디에스테르로서는, 예를 들면, 말레인산 디에틸, 푸마르산 디에틸, 이타콘산 디에틸을 들 수 있다.As unsaturated dicarboxylic acid diester, diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconic acid is mentioned, for example.

비닐기 함유 방향족 화합물로서는, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌, α-메틸-p-하이드록시스티렌을 들 수 있다.As a vinyl group containing aromatic compound, styrene, (alpha) -methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxy styrene, (alpha) -methyl- p-hydroxy styrene is mentioned, for example.

그 외의 불포화 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로니트릴, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, (메타)아크릴아미드, 아세트산 비닐을 들 수 있다.As another unsaturated compound, (meth) acrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, (meth) acrylamide, and vinyl acetate are mentioned, for example.

이들 중에서도, 구조 단위 (Ⅳ)로서는, 불포화 카본산, 불소화 하이드록시알킬기 함유 화합물, (메타)아크릴산 쇄상 알킬에스테르, 지환 함유 (메타)아크릴산 에스테르, 방향환 함유 (메타)아크릴산 에스테르, 수산기 함유 (메타)아크릴산 에스테르, 알콕시기 함유 (메타)아크릴산 에스테르, N-치환 말레이미드 화합물, 또는 비닐기 함유 방향족 화합물에 유래하는, 적어도 1종의 구조 단위가 바람직하다.Among these, as the structural unit (IV), an unsaturated carboxylic acid, a fluorinated hydroxyalkyl group-containing compound, a (meth) acrylic acid chain alkyl ester, an alicyclic-containing (meth) acrylic acid ester, an aromatic ring-containing (meth) acrylic acid ester, a hydroxyl group-containing (meth) ) At least one structural unit derived from an acrylic acid ester, an alkoxy group-containing (meth) acrylic acid ester, an N-substituted maleimide compound, or a vinyl group-containing aromatic compound is preferable.

《각 구조 단위의 함유 비율》<< content rate of each structural unit >>

중합체 성분 (A)에 있어서의 전체 구조 단위에 대한 구조 단위 (Ⅰ)의 함유 비율의 하한값은, 바람직하게는 3질량%, 보다 바람직하게는 5질량%, 더욱 바람직하게는 10질량%이고; 이 상한값은, 바람직하게는 60질량%, 보다 바람직하게는 50질량%, 더욱 바람직하게는 40질량%이다. 이러한 태양이면, 본 발명의 조성물은 보다 양호한 감방사선 특성 및 보존 안정성을 발휘하면서, 얻어지는 경화막은 비유전율 및 기판에 대한 밀착성이 보다 양호해지는 경향이 있다.The lower limit of the content ratio of the structural unit (I) to the total structural units in the polymer component (A) is preferably 3% by mass, more preferably 5% by mass, still more preferably 10% by mass; This upper limit becomes like this. Preferably it is 60 mass%, More preferably, it is 50 mass%, More preferably, it is 40 mass%. In such an aspect, the cured film obtained tends to have better relative dielectric constant and adhesion to the substrate while the composition of the present invention exhibits better radiation-sensitive characteristics and storage stability.

중합체 성분 (A)에 있어서의 전체 구조 단위에 대한 구조 단위 (Ⅱ)의 함유 비율의 하한값은, 바람직하게는 5질량%, 보다 바람직하게는 10질량%, 더욱 바람직하게는 15질량%이고; 이 상한값은, 바람직하게는 75질량%, 보다 바람직하게는 65질량%, 더욱 바람직하게는 55질량%이다. 이러한 태양이면, 본 발명의 조성물은 보다 양호한 감방사선 특성, PCD 마진 및 PED 마진을 발휘하면서, 얻어지는 경화막은 저유전율의 경향이 있다.The lower limit of the content ratio of the structural unit (II) to the total structural units in the polymer component (A) is preferably 5% by mass, more preferably 10% by mass, still more preferably 15% by mass; This upper limit becomes like this. Preferably it is 75 mass%, More preferably, it is 65 mass%, More preferably, it is 55 mass%. In such an aspect, the cured film obtained tends to have a low dielectric constant while the composition of the present invention exhibits better radiation-sensitive characteristics, PCD margin and PED margin.

중합체 성분 (A)가 구조 단위 (Ⅲ)을 갖는 경우, 중합체 성분 (A)에 있어서의 전체 구조 단위에 대한 구조 단위 (Ⅲ)의 함유 비율의 하한값은, 바람직하게는 5질량%, 보다 바람직하게는 8질량%, 더욱 바람직하게는 10질량%이고; 이 상한값은, 바람직하게는 60질량%, 보다 바람직하게는 50질량%, 더욱 바람직하게는 40질량%이다. 이러한 태양이면, 본 발명의 조성물은 보다 양호한 PCD 마진 및 PED 마진을 발휘하면서, 얻어지는 경화막은 내열성 및 기판에 대한 밀착성이 보다 양호해지는 경향이 있다.When a polymer component (A) has a structural unit (III), the lower limit of the content rate of the structural unit (III) with respect to all the structural units in a polymer component (A) becomes like this. Preferably it is 5 mass%, More preferably, Is 8% by mass, more preferably 10% by mass; This upper limit becomes like this. Preferably it is 60 mass%, More preferably, it is 50 mass%, More preferably, it is 40 mass%. In such an aspect, the cured film obtained tends to have better heat resistance and adhesion to the substrate while the composition of the present invention exhibits better PCD margin and PED margin.

중합체 성분 (A)가 구조 단위 (Ⅳ)를 갖는 경우, 중합체 성분 (A)에 있어서의 전체 구조 단위에 대한 구조 단위 (Ⅳ)의 함유 비율의 하한값은, 바람직하게는 3질량%, 보다 바람직하게는 5질량%이고; 이 상한값은, 바람직하게는 70질량%, 보다 바람직하게는 50질량%, 더욱 바람직하게는 40질량%이다. 이러한 태양이면, 본 발명의 조성물은 감방사선 특성이 보다 양호해진다.When a polymer component (A) has a structural unit (IV), the lower limit of the content rate of the structural unit (IV) with respect to the whole structural unit in a polymer component (A) becomes like this. Preferably it is 3 mass%, More preferably, Is 5% by mass; This upper limit becomes like this. Preferably it is 70 mass%, More preferably, it is 50 mass%, More preferably, it is 40 mass%. If it is such an aspect, the composition of this invention will become more radiation sensitive.

중합체 성분 (A)의 각 구조 단위의 함유 비율은, 중합체 성분 (A)를 구성하는 전체 구조 단위 중의 값이고, 예를 들면 NMR 분석에 의해 측정할 수 있다.The content rate of each structural unit of a polymer component (A) is a value in all the structural units which comprise a polymer component (A), and can be measured by NMR analysis, for example.

중합체 성분 (A)는, 예를 들면, 1종의 중합체로 이루어져도 좋고, 2종 이상의 중합체로 이루어져도 좋다. 2종 이상의 중합체로 이루어지는 경우(블렌드물)는, 예를 들면 NMR 분석에 의해, 블렌드물 전체가 구조 단위 (Ⅰ) 및 구조 단위 (Ⅱ)를 갖고 있는 것을 확인할 수 있으면, 블렌드물 중에 구조 단위 (Ⅰ) 또는 (Ⅱ)를 갖지 않는 중합체가 포함되어 있어도 좋다. 상기 블렌드물은, 예를 들면, 구조 단위 (Ⅰ)을 갖는 중합체와, 구조 단위 (Ⅱ)를 갖는 중합체의 혼합물이다.The polymer component (A) may be composed of, for example, one polymer or two or more polymers. When it consists of two or more types of polymers (blend material), if it can be confirmed that the whole blend has structural unit (I) and structural unit (II), for example by NMR analysis, a structural unit ( The polymer which does not have I) or (II) may be contained. The said blend is a mixture of the polymer which has a structural unit (I), and the polymer which has a structural unit (II), for example.

중합체 성분 (A)는, 동일 중합체 중에 구조 단위 (Ⅰ)과 구조 단위 (Ⅱ)를 갖는 공중합체가 바람직하다. 중합체 성분 (A)가 구조 단위 (Ⅲ) 및/또는 (Ⅳ)를 추가로 갖는 경우는, 중합체 성분 (A)는, 동일 중합체 중에 구조 단위 (Ⅰ)과 구조 단위 (Ⅱ)와 구조 단위 (Ⅲ) 및/또는 (Ⅳ)를 갖는 공중합체가 바람직하다.As for the polymer component (A), the copolymer which has a structural unit (I) and a structural unit (II) in the same polymer is preferable. When the polymer component (A) further has structural units (III) and / or (IV), the polymer component (A) is a structural unit (I), a structural unit (II) and a structural unit (III) in the same polymer. And / or copolymers having (IV) are preferred.

《중합체 성분 (A)의 합성 방법》<< Synthesis method of a polymer component (A) >>

중합체 성분 (A)는, 예를 들면 소정의 각 구조 단위에 대응하는 단량체를, 아조 화합물, 유기 과산화물 등의 라디칼 중합 개시제를 사용하여, 적당한 중합 용매 중에서 중합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 통상, 중합 시의 각 단량체의 배합비는, 얻어지는 중합체 성분 (A)에 있어서, 대응하는 구조 단위의 함유 비율과 일치한다. 또한, 중합체 성분 (A)로서는, 복수종의 중합체를 각각 합성하고, 그 후, 이들 복수종의 중합체를 혼합하여 이용할 수도 있다.A polymer component (A) can be manufactured by superposing | polymerizing the monomer corresponding to each predetermined structural unit in a suitable polymerization solvent using radical polymerization initiators, such as an azo compound and an organic peroxide, for example. In addition, the compounding ratio of each monomer at the time of superposition | polymerization generally corresponds with the content rate of the corresponding structural unit in the polymer component (A) obtained. In addition, as a polymer component (A), you may synthesize | combine plural types of polymers, respectively, and may mix and use these plural types of polymers after that.

《중합체 성분 (A)의 물성, 함유 비율》<< physical property of a polymer component (A), content rate >>

중합체 성분 (A)의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)의 하한값은, 바람직하게는 1,000, 보다 바람직하게는 3,000이고; 이 상한값은, 바람직하게는 50,000, 보다 바람직하게는 30,000이다. 또한, 중합체 성분 (A)의 Mw와 GPC법에 의한 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)의 상한값은, 바람직하게는 3.0이고; 그의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 1.1이라도 좋다.The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) of polystyrene conversion by the gel permeation chromatography (GPC) method of a polymer component (A) becomes like this. Preferably it is 1,000, More preferably, it is 3,000; This upper limit becomes like this. Preferably it is 50,000, More preferably, it is 30,000. Moreover, the upper limit of ratio (Mw / Mn) of the number average molecular weight (Mn) of polystyrene conversion by Mw of a polymer component (A) by GPC method becomes like this. Preferably it is 3.0; Although the lower limit is not specifically limited, 1.1 may be sufficient.

본 발명의 조성물의 전체 고형분에 차지하는 중합체 성분 (A)의 함유 비율의 하한값은, 바람직하게는 50질량%, 보다 바람직하게는 70질량%, 더욱 바람직하게는 85질량%이고; 이 상한값은, 바람직하게는 99질량%, 보다 바람직하게는 97질량%이다. 이러한 태양이면, 감방사선성 특성이나 얻어지는 경화막의 제(諸)특성(예를 들면, 방사선 감도, 내열성)을 보다 효과적으로 높일 수 있다. 또한, 전체 고형분이란, 유기 용매 이외의 전체 성분을 말한다.The lower limit of the content rate of the polymer component (A) which occupies for the total solid of the composition of this invention becomes like this. Preferably it is 50 mass%, More preferably, it is 70 mass%, More preferably, it is 85 mass%; This upper limit becomes like this. Preferably it is 99 mass%, More preferably, it is 97 mass%. If it is such an aspect, a radiation sensitive characteristic and the agent characteristic (for example, radiation sensitivity, heat resistance) of the cured film obtained can be raised more effectively. In addition, all solid content means all components other than an organic solvent.

<감방사선성 화합물 (B)><Radiation Compound (B)>

본 발명의 조성물은, 중합체 성분 (A)와 함께 감방사선성 화합물 (B)를 함유한다. 따라서, 본 발명의 조성물은, 방사선 조사 및 현상 처리에 의해, 패턴 형상을 갖는 막(이하 「패턴화막」이라고도 함)을 형성할 수 있다. 감방사선성 화합물 (B)로서는, 예를 들면, 감방사선성 산 발생제 (B1), 감방사선성 염기 발생제 (B2)를 들 수 있다.The composition of this invention contains a radiation sensitive compound (B) with a polymer component (A). Therefore, the composition of this invention can form the film (henceforth a "patterned film") which has a pattern shape by radiation irradiation and a development process. As a radiation sensitive compound (B), a radiation sensitive acid generator (B1) and a radiation sensitive base generator (B2) are mentioned, for example.

본 발명의 조성물에 있어서, 중합체 성분 (A) 100질량부에 대하여, 감방사선성 화합물 (B)의 함유량의 하한값은, 통상은 1질량부, 바람직하게는 2질량부, 보다 바람직하게는 3질량부이고; 이 상한값은, 통상은 30질량부, 바람직하게는 20질량부, 보다 바람직하게는 10질량부이다.In the composition of this invention, the lower limit of content of a radiation sensitive compound (B) with respect to 100 mass parts of polymer components (A) is 1 mass part normally, Preferably it is 2 mass parts, More preferably, it is 3 mass parts. Wealth; This upper limit is 30 mass parts normally, Preferably it is 20 mass parts, More preferably, it is 10 mass parts.

《감방사선성 산 발생제 (B1)》`` Radiation Acid Generator (B1) ''

감방사선성 산 발생제 (B1)(이하 「성분 (B1)」이라고도 함)은, 방사선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이다. 방사선으로서는, 예를 들면, 자외선, 원자외선, 가시광선, X선, 전자선을 들 수 있다.A radiation sensitive acid generator (B1) (henceforth "component (B1)") is a compound which generate | occur | produces an acid by irradiation. Examples of the radiation include ultraviolet rays, far ultraviolet rays, visible rays, X rays, and electron beams.

본 발명의 조성물로 형성되는 도막에 대한 방사선 조사 처리에 의해, 성분 (B1)에 기초하여 조사부에 산이 발생하고, 이 산의 작용에 기초하여 중합체 성분 (A)의 알칼리 현상액으로의 용해성이 변한다.By the irradiation process with respect to the coating film formed from the composition of this invention, an acid generate | occur | produces in a irradiation part based on component (B1), and the solubility of the polymer component (A) to alkaline developing solution changes based on the action | action of this acid.

성분 (B1)로서는, 예를 들면, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 카본산 에스테르 화합물, 퀴논디아지드 화합물을 들 수 있다.Examples of the component (B1) include an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, a sulfonic acid ester compound, a carboxylic acid ester compound, and a quinone diazide compound. Can be mentioned.

옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물 및 카본산 에스테르 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2014-157252호의 단락 [0078]∼[0106]에 기재된 화합물을 들 수 있고, 이들 산 발생제는 본 명세서에 기재되어 있는 것으로 한다.As a specific example of an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, a sulfonic acid ester compound, and a carboxylic acid ester compound, For example, Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-157252 And the compounds described in paragraphs [0078] to [0106], and these acid generators are described herein.

성분 (B1)로서는, 방사선 감도의 관점에서, 옥심술포네이트 화합물 및 술폰이미드 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 바람직하다.As a component (B1), at least 1 sort (s) of compound chosen from an oxime sulfonate compound and a sulfonimide compound is preferable from a radiation sensitivity viewpoint.

옥심술포네이트 화합물은, 식 (B1-1)에 나타내는 옥심술포네이트기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that an oxime sulfonate compound is a compound which has an oxime sulfonate group shown by Formula (B1-1).

Figure pat00007
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식 (B1-1) 중, Rb1은, 알킬기, 지환 함유 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기, 또는 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 치환기로 치환된 기이다.In formula (B1-1), R b1 is an alkyl group, an alicyclic containing hydrocarbon group, an aromatic ring containing hydrocarbon group, or a group in which part or all of the hydrogen atoms of these groups are substituted with a substituent.

알킬기로서는, 탄소수 1∼20, 바람직하게는 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기가 바람직하다. 지환 함유 탄화수소기로서는, 탄소수 4∼12의 지환을 갖는 탄화수소기가 바람직하다. 방향환 함유 탄화수소기로서는, 탄소수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 페닐기, 나프틸기, 톨릴기, 자일릴기가 보다 바람직하다. 상기 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼5의 알킬기, 알콕시기, 옥소기, 할로겐 원자를 들 수 있다.As an alkyl group, a C1-C20, Preferably C1-C12 linear or branched alkyl group is preferable. As an alicyclic containing hydrocarbon group, the hydrocarbon group which has a C4-C12 alicyclic ring is preferable. As an aromatic ring containing hydrocarbon group, a C6-C20 aryl group is preferable and a phenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, and a xylyl group are more preferable. As said substituent, a C1-C5 alkyl group, an alkoxy group, an oxo group, and a halogen atom are mentioned, for example.

옥심술포네이트 화합물에 대해서 예시하면, 예를 들면, (5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, 2-(옥틸술포닐옥시이미노)-2-(4-메톡시페닐)아세토니트릴, 4-메틸페닐술포닐옥시이미노-α-(4-메톡시페닐)아세토니트릴을 들 수 있다.Illustrative examples of the oxime sulfonate compound include, for example, (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino -5H-thiophene-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophene-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5 -p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, 2- (octylsulfonyloxyimino) -2- (4-methoxyphenyl) acetonitrile, 4-methylphenylsulfonyloxyimino-α- (4-methoxyphenyl) acetonitrile is mentioned.

술폰이미드 화합물로서는, N-술포닐옥시이미드 화합물이 바람직하고, 예를 들면, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-플루오로페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)디페닐말레이미드, (4-메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프탈이미드를 들 수 있다.As the sulfonimide compound, an N-sulfonyloxyimide compound is preferable, and for example, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (campsulsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoro Romethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-fluorophenylsulfonyloxy ) Phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) diphenylmaleimide, (4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- ( Trifluoromethylsulfonyloxy) naphthalimide is mentioned.

퀴논디아지드 화합물로서는, 예를 들면, 나프토퀴논디아지드 화합물을 들 수 있고, 페놀성 수산기를 1개 이상 갖는 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 아미드의 축합물이다. 퀴논디아지드 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 4,4'-디하이드록시디페닐메탄, 2,3,4,2',4'-펜타하이드록시벤조페논, 트리스(4-하이드록시페닐)메탄, 트리스(4-하이드록시페닐)에탄, 1,1-비스(4-하이드록시페닐)-1-페닐에탄, 1,3-비스[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 1,4-비스[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 4,6-비스[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]-1,3-디하이드록시벤젠 및 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀로부터 선택되는 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 클로라이드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드의 에스테르 화합물을 들 수 있다.As a quinone diazide compound, a naphthoquinone diazide compound is mentioned, for example, The compound which has one or more phenolic hydroxyl groups, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic-acid halide, or 1,2-naphtho Condensate of quinonediazidesulfonic acid amide. As a specific example of a quinone diazide compound, 4,4'- dihydroxy diphenylmethane, 2,3,4,2 ', 4'- pentahydroxy benzophenone, a tris (4-hydroxyphenyl), for example. Methane, tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 1,3-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl ] Benzene, 1,4-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene, 4,6-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1, Compound selected from 3-dihydroxybenzene and 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, and 1,2- And ester compounds of naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride or 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride.

성분 (B1)은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.A component (B1) can be used individually or in combination of 2 or more types.

《감방사선성 염기 발생제 (B2)》`` Radiation Base Generator (B2) ''

감방사선성 염기 발생제 (B2)(이하 「성분 (B2)」라고도 함)는, 방사선 조사에 의해 염기를 발생하는 화합물이다. 성분 (B2)로서는, 예를 들면 [〔(2,6-디니트로벤질)옥시〕카보닐]사이클로헥실아민, 2-니트로벤질사이클로헥실카바메이트, N-(2-니트로벤질옥시카보닐)피롤리딘, 비스[〔(2-니트로벤질)옥시〕카보닐]헥산-1,6-디아민, 트리페닐메탄올, O-카르바모일하이드록시아미드, O-카르바모일옥심, 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-모르폴리노에탄, (4-모르폴리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄올, 헥사암민코발트(Ⅲ)트리스(트리페닐메틸보레이트)를 들 수 있다.A radiation sensitive base generator (B2) (henceforth "component (B2)") is a compound which generate | occur | produces a base by irradiation. As the component (B2), for example, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine, 2-nitrobenzylcyclohexyl carbamate, N- (2-nitrobenzyloxycarbonyl) pi Lolidine, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexane-1,6-diamine, triphenylmethanol, O-carbamoylhydroxyamide, O-carbamoyl oxime, 4- (methylthio Benzoyl) -1-methyl-1-morpholinoethane, (4-morpholinobenzoyl) -1-benzyl-1-dimethylaminopropane, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholino Phenyl) -butanol and hexaammine cobalt (III) tris (triphenylmethyl borate) are mentioned.

성분 (B2)는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.A component (B2) can be used individually or in combination of 2 or more types.

<산화 방지제 (C)>Antioxidant (C)

본 발명의 조성물은, 산화 방지제 (C)를 함유함으로써, 당해 조성물로 형성되는 경화막 중에 있어서의 중합체 분자의 해열(解裂) 열화가 억제되어, 내광성 등을 향상시킬 수 있다.By containing antioxidant (C), the composition of this invention can suppress antipyretic deterioration of the polymer molecule in the cured film formed from the said composition, and can improve light resistance etc.

산화 방지제 (C)로서는, 예를 들면, 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물, 힌더드아민 구조를 갖는 화합물, 알킬포스파이트 구조를 갖는 화합물, 티오에테르 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다.As antioxidant (C), the compound which has a hindered phenol structure, the compound which has a hindered amine structure, the compound which has an alkyl phosphite structure, and the compound which has a thioether structure are mentioned, for example.

힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 일본공개특허공보 2008-208319호 기재의 힌더드페놀계 산화 방지제를 들 수 있다. 힌더드아민 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2008-208319호 기재의 힌더드아민계 광 안정제를 들 수 있다. 알킬포스파이트 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2002-30264호 기재의 인계 산화 방지제를 들 수 있다. 티오에테르 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 디(트리데실)3,3'-티오디프로피오네이트를 들 수 있다.Examples of the compound having a hindered phenol structure include tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate and pentaerythritol tetrakis [3- (3,5 -Di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and the hindered phenol-type antioxidant of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-208319. As a compound which has a hindered amine structure, the hindered amine light stabilizer of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-208319 is mentioned, for example. As a compound which has an alkyl phosphite structure, the phosphorus antioxidant of Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-30264 is mentioned, for example. As a compound which has a thioether structure, di (tridecyl) 3,3'- thiodipropionate is mentioned, for example.

산화 방지제 (C)를 이용하는 경우, 본 발명의 조성물에 있어서, 중합체 성분 (A) 100질량부에 대하여, 산화 방지제 (C)의 함유량의 하한값은, 통상은 0.1질량부, 바람직하게는 0.2질량부이고; 이 상한값은, 통상은 15질량부, 바람직하게는 10질량부, 보다 바람직하게는 5질량부이다. 산화 방지제 (C)의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 본 발명의 조성물로 형성되는 경화막 중에 있어서의 중합체 분자의 해열 열화를 보다 효과적으로 억제할 수 있다.When using antioxidant (C), in the composition of this invention, the lower limit of content of antioxidant (C) is 0.1 mass part normally with respect to 100 mass parts of polymer components (A), Preferably it is 0.2 mass part. ego; This upper limit is 15 mass parts normally, Preferably it is 10 mass parts, More preferably, it is 5 mass parts. By making content of antioxidant (C) into the said range, antipyretic deterioration of the polymer molecule in the cured film formed from the composition of this invention can be suppressed more effectively.

<산 확산 제어제 (D)><Acid Diffusion Control Agent (D)>

본 발명의 조성물은, 산 확산 제어제 (D)를 함유함으로써, 방사선 조사에 의해 감방사선성 산 발생제 (B1)로부터 발생한 산의 확산 길이를 적절히 제어할 수 있고, 패턴 현상성을 양호하게 할 수 있다. 산 확산 제어제 (D)로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2011-232632호에 기재된 산 확산 제어제를 이용할 수 있다.By containing the acid diffusion control agent (D), the composition of the present invention can appropriately control the diffusion length of the acid generated from the radiation-sensitive acid generator (B1) by irradiation with radiation, and improve the pattern developability. Can be. As an acid diffusion control agent (D), the acid diffusion control agent of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-232632 can be used, for example.

산 확산 제어제 (D)를 이용하는 경우, 본 발명의 조성물에 있어서, 중합체 성분 (A) 100질량부에 대하여, 산 확산 제어제 (D)의 함유량의 하한값은, 통상은 0.001질량부, 바람직하게는 0.005질량부이고; 이 상한값은, 통상은 2질량부, 바람직하게는 1질량부, 보다 바람직하게는 0.2질량부이다. 산 확산 제어제 (D)의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 현상성이 보다 향상된다.When using an acid diffusion control agent (D), in the composition of this invention, the lower limit of content of an acid diffusion control agent (D) is 0.001 mass part normally with respect to 100 mass parts of polymer components (A). Is 0.005 parts by mass; This upper limit is 2 mass parts normally, Preferably it is 1 mass part, More preferably, it is 0.2 mass part. By making content of an acid diffusion control agent (D) into the said range, pattern developability improves more.

<그 외의 성분 (E)><Other components (E)>

본 발명의 조성물은, 전술한 성분의 외에, 그 외의 성분 (E)를 추가로 함유할 수 있다. 그 외의 성분 (E)로서는, 예를 들면, 가교성 화합물, 밀착조제, 계면 활성제를 들 수 있다.The composition of this invention can contain other component (E) in addition to the component mentioned above. As another component (E), a crosslinkable compound, an adhesion | attachment adjuvant, surfactant is mentioned, for example.

가교성 화합물로서는, 예를 들면, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있고, 바람직하게는 (메타)아크릴로일옥시기를 2개 이상 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트이고, 보다 바람직하게는, (메타)아크릴로일옥시기를 2∼6개 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트이다.As a crosslinkable compound, the compound which has 2 or more of polymerizable carbon-carbon double bonds is mentioned, for example, Preferably it is a polyfunctional (meth) acrylate which has 2 or more of (meth) acryloyloxy groups. More preferably, it is polyfunctional (meth) acrylate which has 2-6 (meth) acryloyloxy groups.

상기 다관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트 등의, 알킬렌글리콜 또는 폴리알킬렌글리콜의 (메타)아크릴산 디에스테르; 사이클로헥산디메탄올디(메타)아크릴레이트, 트리사이클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트 등의, 모노 또는 폴리사이클로알칸디메탄올의 (메타)아크릴산 디에스테르; 트리메틸올프로판폴리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판폴리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨폴리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨폴리(메타)아크릴레이트 등의, 3가 이상의 다가 알코올의 (메타)아크릴산 폴리에스테르; 펜타에리트리톨 AO 변성 폴리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 AO 변성 폴리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 AO 변성 폴리(메타)아크릴레이트 등의, 3가 이상의 다가 알코올의 AO 변성 또는 카프로락톤 변성물의 (메타)아크릴산 폴리에스테르를 들 수 있다. 여기에서의 폴리는, 디, 트리, 테트라, 펜타, 헥사 또는 그 이상을 의미한다. 본 명세서에 있어서, AO 변성이란, 에틸렌옥사이드(EO) 변성 및 프로필렌옥사이드(PO) 변성 등의 알킬렌옥사이드(AO) 변성을 의미한다.As said polyfunctional (meth) acrylate, For example, alkylene glycol, such as ethylene glycol di (meth) acrylate, polyethyleneglycol di (meth) acrylate, and 1, 6- hexanediol di (meth) acrylate Or (meth) acrylic acid diesters of polyalkylene glycols; (Meth) acrylic acid diesters of mono or polycycloalkanedimethanol, such as cyclohexanedimethanol di (meth) acrylate and tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate; Of trivalent or higher polyhydric alcohols such as trimethylolpropanepoly (meth) acrylate, ditrimethylolpropanepoly (meth) acrylate, pentaerythritol poly (meth) acrylate, dipentaerythritol poly (meth) acrylate (Meth) acrylic acid polyester; AO modification or caprolactone of a trivalent or higher polyhydric alcohol such as pentaerythritol AO-modified poly (meth) acrylate, trimethylolpropane AO-modified poly (meth) acrylate, dipentaerythritol AO-modified poly (meth) acrylate (Meth) acrylic acid polyester of a modified product is mentioned. Poly here means di, tri, tetra, penta, hexa, or more. In the present specification, AO modification means alkylene oxide (AO) modification such as ethylene oxide (EO) modification and propylene oxide (PO) modification.

가교성 화합물을 이용하는 경우, 본 발명의 조성물에 있어서, 중합체 성분 (A) 100질량부에 대하여, 가교성 화합물의 함유량의 하한값은, 통상은 1질량부, 바람직하게는 3질량부이고; 이 상한값은, 통상은 20질량부, 바람직하게는 15질량부이다.When using a crosslinkable compound, in the composition of this invention, with respect to 100 mass parts of polymer components (A), the lower limit of content of a crosslinkable compound is 1 mass part normally, Preferably it is 3 mass parts; This upper limit is 20 mass parts normally, Preferably it is 15 mass parts.

본 발명의 조성물에 있어서, 전체 고형분에 차지하는, 중합체 성분 (A) 및 감방사선성 화합물 (B) 이외의 성분의 합계 함유 비율의 상한값은, 20질량%가 바람직한 경우가 있고, 15질량%가 바람직한 경우가 있고, 10질량%가 바람직한 경우가 있다.In the composition of this invention, 20 mass% may be preferable and the upper limit of the total content rate of components other than a polymer component (A) and a radiation sensitive compound (B) which occupies for total solid content may be preferable, and 15 mass% is preferable. In some cases, 10 mass% may be preferable.

<유기 용매><Organic solvent>

본 발명의 조성물은, 유기 용매를 함유할 수 있다. 유기 용매로서는, 본 발명의 조성물이 함유하는 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산하고, 상기 각 성분과 반응하지 않는 유기 용매가 이용된다.The composition of this invention can contain an organic solvent. As an organic solvent, the organic solvent which melt | dissolves or disperse | distributes each component which the composition of this invention contains uniformly and does not react with said each component is used.

유기 용매로서는, 예를 들면, 이소프로필알코올, 부탄올, 이소아밀알코올, 옥탄올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 알코올 용매; 아세트산 부틸, 락트산 에틸, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르 용매; 에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 등의 에테르 용매; N,N-디메틸아세토아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드 용매; 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤 용매; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소 용매를 들 수 있다.Examples of the organic solvent include alcohol solvents such as isopropyl alcohol, butanol, isoamyl alcohol, octanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monomethyl ether; Ester solvents such as butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 3-methoxypropionate methyl and 3-ethoxypropionate; Ether solvents such as ethylene glycol ethyl methyl ether and diethylene glycol methyl ethyl ether; Amide solvents such as N, N-dimethylacetoamide and N-methylpyrrolidone; Ketone solvents such as methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; Aromatic hydrocarbon solvent, such as toluene and xylene, is mentioned.

유기 용매는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.An organic solvent can be used individually or in combination of 2 or more types.

본 발명의 조성물 중의 유기 용매의 함유 비율의 하한값은, 바람직하게는 10질량%, 보다 바람직하게는 20질량%, 더욱 바람직하게는 30질량%이고; 이 상한값은, 바람직하게는 95질량%, 보다 바람직하게는 90질량%, 더욱 바람직하게는 85질량%이다.The lower limit of the content rate of the organic solvent in the composition of this invention becomes like this. Preferably it is 10 mass%, More preferably, it is 20 mass%, More preferably, it is 30 mass%; This upper limit becomes like this. Preferably it is 95 mass%, More preferably, it is 90 mass%, More preferably, it is 85 mass%.

이상에서 설명한 본 발명의 조성물은, 층간 절연막, 보호막 및 스페이서 등의 경화막, 특히 절연막 등, 표시 소자가 갖는 경화막의 형성 재료 등으로서 적합하게 이용할 수 있다.The composition of this invention demonstrated above can be used suitably as a formation material of the cured film which display elements, such as an interlayer insulation film, a protective film, and a spacer, especially an insulation film.

[경화막 및 그의 제조 방법]Cured Film and Its Manufacturing Method

본 발명의 경화막은, 본 발명의 조성물로 형성되고, 통상은 패턴 형상을 갖는다. 상기 패턴 형상으로서는, 요철 구조를 갖는 형상이라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 라인·앤드·스페이스 패턴, 도트 패턴, 홀 패턴, 격자 패턴을 들 수 있다.The cured film of this invention is formed from the composition of this invention, and usually has a pattern shape. The shape of the pattern is not particularly limited as long as it has a concave-convex structure, and examples thereof include line and space patterns, dot patterns, hole patterns, and lattice patterns.

경화막의 막두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 0.1∼10㎛이다.Although the film thickness of a cured film is not specifically limited, For example, it is 0.1-10 micrometers.

본 발명의 경화막의 제조 방법은, 본 발명의 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정 [1]과, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정 [2]와, 방사선이 조사된 상기 도막을 현상하는 공정 [3]과, 현상된 상기 도막을 가열하는 공정 [4]를 갖는다.The manufacturing method of the cured film of this invention is a process [1] of forming the coating film of the composition of this invention on a board | substrate, the process [2] of irradiating at least one part of the said coating film, and the said coating film irradiated with radiation Developing step [3] and heating the developed coating film [4].

<공정 [1]><Step [1]>

공정 [1]에서는, 기판 상에, 본 발명의 조성물로 이루어지는 도막을 형성한다. 구체적으로는, 용액 상태의 상기 조성물을 기판 표면에 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹을 행함으로써 유기 용매를 제거하여 도막을 형성한다.In process [1], the coating film which consists of a composition of this invention is formed on a board | substrate. Specifically, the composition in solution is applied to the surface of the substrate, and preferably, prebaking is performed to remove the organic solvent to form a coating film.

기판으로서는, 예를 들면, 유리 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 및, 이들의 표면에 각종 금속 박막이 형성된 기판을 들 수 있다. 플라스틱 기판으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱으로 이루어지는 수지 기판을 들 수 있다. 기판은, 도막과의 밀착성을 향상시키기 위해, 헥사메틸디실라잔(HMDS) 처리 등의 소수화 표면 처리가 되어 있어도 좋다.As a board | substrate, a glass substrate, a silicon substrate, a plastic substrate, and the board | substrate with which various metal thin films were formed in these surfaces are mentioned, for example. As a plastic substrate, the resin substrate which consists of plastics, such as a polyethylene terephthalate, a polybutylene terephthalate, a polyether sulfone, a polycarbonate, and a polyimide, is mentioned, for example. In order to improve the adhesiveness with a coating film, the board | substrate may be hydrophobized surface treatment, such as hexamethyldisilazane (HMDS) process.

도포 방법으로서는, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿 다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법을 들 수 있다.As a coating method, the spray method, the roll coating method, the rotary coating method (spin coating method), the slit die coating method, the bar coating method, and the inkjet method are mentioned, for example.

프리베이킹의 조건으로서는, 본 발명의 조성물에 있어서의 각 함유 성분의 종류, 함유 비율 등에 따라서도 상이하지만, 예를 들면, 60∼130℃에서 30초간∼10분간 정도로 할 수 있다. 형성되는 도막의 막두께는, 프리베이킹 후의 값으로서, 0.1∼10㎛가 바람직하다.As conditions of prebaking, although it changes also with the kind, content rate, etc. of each containing component in the composition of this invention, it can be made into about 30 second-10 minutes at 60-130 degreeC, for example. As for the film thickness of the coating film formed, 0.1-10 micrometers is preferable as a value after prebaking.

<공정 [2]><Step [2]>

공정 [2]에서는, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사한다. 구체적으로는, 공정 [1]에서 형성한 도막에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통하여 방사선을 조사한다. 이때 이용되는 방사선으로서는, 예를 들면, 자외선, 원자외선, 가시광선, X선, 전자선을 들 수 있다. 자외선으로서는, 예를 들면, ArF 레이저(193㎚), KrF 레이저(248㎚), g선(파장 436㎚), h선(파장 405㎚), i선(파장 365㎚)을 들 수 있다. 이들 방사선 중, 자외선이 바람직하고, 자외선 중에서도 g선, h선 및 i선 중 어느 하나 이상을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 방사선의 조사량으로서는, 10∼500mJ/㎠가 바람직하다. 고감도화를 위해, 방사선 조사 전에, 도막을 물 등의 액체로 적셔도 좋다.In step [2], at least part of the coating film is irradiated with radiation. Specifically, the coating film formed in step [1] is irradiated with radiation through a mask having a predetermined pattern. Examples of the radiation used at this time include ultraviolet rays, far ultraviolet rays, visible rays, X rays, and electron beams. As ultraviolet rays, ArF laser (193 nm), KrF laser (248 nm), g line (wavelength 436 nm), h line (wavelength 405 nm), i line | wire (wavelength 365 nm) are mentioned, for example. Among these radiations, ultraviolet rays are preferable, and among ultraviolet rays, radiation containing any one or more of g-rays, h-rays, and i-rays is more preferable. As an irradiation amount of radiation, 10-500mJ / cm <2> is preferable. For high sensitivity, the coating film may be wetted with a liquid such as water before irradiation.

<공정 [3]><Process [3]>

공정 [3]에서는, 방사선이 조사된 상기 도막을 현상한다. 구체적으로는, 공정 [2]에서 방사선이 조사된 도막에 대하여, 현상액을 이용하여 현상을 행하여, 방사선의 조사 부분을 제거한다. 고감도화를 위해, 현상 전에, 도막을 물 등의 액체로 적셔도 좋다.In step [3], the coating film irradiated with radiation is developed. Specifically, the coating film irradiated with radiation in step [2] is developed using a developing solution to remove the radiation portion. For high sensitivity, the coating film may be wetted with a liquid such as water before development.

현상액은, 통상은 알칼리 현상액이고, 예를 들면 염기성 화합물의 수용액을 들 수 있다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자바이사이클로[4.3.0]-5-노난을 들 수 있다. 상기 수용액에 있어서의 염기성 화합물의 농도는, 예를 들면 0.1∼10질량%이다. 상기 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액, 또는 감방사선성 조성물을 용해 가능한 각종 유기 용매를 소량 포함하는 알칼리 수용액을 현상액으로서 이용해도 좋다.A developing solution is usually an alkaline developing solution, for example, the aqueous solution of a basic compound is mentioned. Examples of the basic compound include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylaminoethanol, di-n-propylamine, Triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7 -Undecene and 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonane. The density | concentration of the basic compound in the said aqueous solution is 0.1-10 mass%, for example. You may use as aqueous solution the aqueous solution which added a suitable amount of water-soluble organic solvents, such as methanol and ethanol, and surfactant to the said aqueous solution, or the aqueous alkali solution containing the small amount of various organic solvents which can melt a radiation sensitive composition.

현상 방법으로서는, 예를 들면, 퍼들법, 디핑법, 요동 침지법, 샤워법을 들 수 있다. 현상 온도 및 현상 시간으로서는, 예를 들면 각각 20∼30℃, 30∼120초로 할 수 있다.As a developing method, the puddle method, the dipping method, the oscillation dipping method, and the shower method are mentioned, for example. As image development temperature and image development time, it can be set as 20-30 degreeC and 30-120 second, respectively, for example.

또한, 현상 후, 얻어진 패턴 형상을 갖는 막에 대하여 유수 세정에 의한 린스 처리 및/또는 압축 공기나 압축 질소를 이용한 풍건 처리를 행하는 것이 바람직하다. 또한, 고압 수은등 등에 의한 방사선을 전체 면에 조사(후 노광)함으로써, 상기 막 중에 잔존하는 감방사선성 화합물 (B)의 분해 처리를 행해도 좋다.Moreover, it is preferable to perform the rinse process by running water washing and / or the air drying process using compressed air or compressed nitrogen with respect to the film | membrane which has the obtained pattern shape after image development. Moreover, you may perform the decomposition | disassembly process of the radiation sensitive compound (B) which remain | survives in the said film by irradiating (post-exposure) the radiation by high pressure mercury lamp etc. to the whole surface.

<공정 [4]><Process [4]>

공정 [4]에서는, 현상된 상기 도막(패턴 형상을 갖는 막)을 가열한다. 이에 따라, 중합체 성분 (A) 유래의 성분의 경화 반응을 촉진하여, 경화막을 형성할 수 있다. 가열 방법으로서는, 예를 들면, 오븐이나 핫 플레이트 등의 가열 장치를 이용하여 가열하는 방법을 들 수 있다. 가열 온도는, 예를 들면 120∼250℃이다. 가열 시간은, 가열 기기의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면, 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5∼40분, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 10∼80분이다.In step [4], the developed coating film (film having a pattern shape) is heated. Thereby, hardening reaction of the component derived from a polymer component (A) can be accelerated | stimulated, and a cured film can be formed. As a heating method, the method of heating using heating apparatuses, such as an oven and a hotplate, is mentioned, for example. Heating temperature is 120-250 degreeC, for example. Although heating time changes with kinds of a heating apparatus, it is 5 to 40 minutes when heat processing on a hotplate, and 10 to 80 minutes when heat processing in oven.

이상과 같이 하여, 목적으로 하는 경화막, 특히 절연막을 기판 상에 형성할 수 있다.As mentioned above, the target cured film, especially an insulating film, can be formed on a board | substrate.

[표시 소자][Display element]

본 발명의 표시 소자는, 상기 경화막, 바람직하게는 상기 절연막을 구비하고 있다. 상기 절연막은, 표시 소자 중의 배선 간을 절연하는 막으로서 기능한다. 본 발명의 표시 소자는, 공지의 방법을 이용하여 제조할 수 있다. 본 발명의 표시 소자는, 상기 경화막을 구비하고 있기 때문에, 액정 표시 장치, 발광 다이오드(LED), TFT 어레이 등의 표시 장치에 적합하게 이용할 수 있다.The display element of this invention is equipped with the said cured film, Preferably the said insulating film. The said insulating film functions as a film | membrane which insulates the wiring in a display element. The display element of this invention can be manufactured using a well-known method. Since the display element of this invention is equipped with the said cured film, it can use suitably for display apparatuses, such as a liquid crystal display device, a light emitting diode (LED), and a TFT array.

일 실시 태양인 표시 장치는, 상기 표시 소자를 구비하고 있다. 상기 표시 장치로서는, 예를 들면, 액정 표시 장치, 유기 일렉트로루미네센스(EL) 표시 장치를 들 수 있다.The display apparatus which is one Embodiment is equipped with the said display element. As said display apparatus, a liquid crystal display device and an organic electroluminescent (EL) display apparatus are mentioned, for example.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 특별히 언급하지 않는 한, 「부」는 「질량부」를 의미한다.Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples. Unless otherwise specified, "part" means "part by mass".

[중합체 성분][Polymer component]

<중량 평균 분자량(Mw)><Weight average molecular weight (Mw)>

중합체 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은, 하기 조건하, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정했다.The weight average molecular weight (Mw) of the polymer component was measured by the gel permeation chromatography (GPC) method under the following conditions.

장치: 쇼와덴코사의 「GPC-101」Device: Showa Denko's `` GPC-101 ''

칼럼: 시마즈디엘씨사의 GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합Column: Combines GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 from Shimadzu Corporation

이동상: 테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 ℃

유속: 1.0mL/분Flow rate: 1.0mL / min

시료 농도: 1.0질량%Sample concentration: 1.0 mass%

시료 주입량: 100μLSample injection volume: 100 μL

검출기: 시차 굴절계Detector: parallax refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

<단량체><Monomer>

중합체 성분의 합성에 이용한 단량체를 이하에 나타낸다.The monomer used for the synthesis | combination of a polymer component is shown below.

《구조 단위 (Ⅰ)을 부여하는 단량체》<< Monomer which gives structural unit (I) >>

M-1   말레이미드M-1 maleimide

《구조 단위 (Ⅱ)를 부여하는 단량체》<< Monomer which gives structural unit (II) >>

M-2   메타크릴산 트리메틸실릴M-2 methacrylate trimethylsilyl

M-3   메타크릴산 트리에틸실릴M-3 triethylsilyl methacrylate

M-4   메타크릴산 트리이소프로필실릴M-4 'methacrylate triisopropylsilyl

M-5   메타크릴산 t-부틸디메틸실릴M-5 'methacrylate t-butyldimethylsilyl

《구조 단위 (Ⅲ)을 부여하는 단량체》<< monomer which gives structural unit (III) >>

M-6   메타크릴산 글리시딜M-6 methacrylate glycidyl

M-7   3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타크릴레이트M-7 3,4-Epoxycyclohexylmethyl methacrylate

M-8   3-메타크릴로일옥시메틸-3-에틸옥세탄M-8'3-Methylacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane

《구조 단위 (Ⅳ)를 부여하는 단량체》Monomers Confer Structural Unit (IV)

M-9   메타크릴산 1-에톡시에틸M-9 'methacrylate 1-ethoxyethyl

M-10 스티렌M-10 styrene

M-11 사이클로헥실말레이미드M-11 cyclohexylmaleimide

M-12 메타크릴산 벤질M-12 benzyl methacrylate

M-13 메타크릴산 2-하이드록시에틸M-13 2-hydroxyethyl methacrylate

M-14 메타크릴산M-14 methacrylic acid

M-15 4-(1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-하이드록시프로판-2-일)스티렌M-15 4- (1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-hydroxypropan-2-yl) styrene

[합성예 1](중합체 성분 (A-1)의 합성)Synthesis Example 1 (Synthesis of Polymer Component (A-1))

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 5부, 메틸-3-메톡시프로피오네이트 200부 넣었다. 이 플라스크에 단량체 (M-1): 말레이미드를 10부, 단량체 (M-2): 메타크릴산 트리메틸실릴을 20부 및 단량체 (M-9): 메타크릴산 1-에톡시에틸을 70부 투입하여 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 플라스크 내의 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지함으로써 중합체 성분 (A-1)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는 32.5질량%였다. 중합체 성분 (A-1)의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,000이었다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 5 parts of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts of methyl-3-methoxypropionate were placed. In this flask, 10 parts of monomer (M-1): maleimide, 20 parts of monomer (M-2): trimethylsilyl methacrylate and 70 parts of monomer (M-9): 1-ethoxyethyl methacrylate After input and nitrogen replacement, stirring was slowly started. The polymer solution containing the polymer component (A-1) was obtained by raising the temperature of the solution in a flask to 70 degreeC, and hold | maintaining this temperature for 6 hours. Solid content concentration of this polymer solution was 32.5 mass%. The weight average molecular weight (Mw) of polystyrene conversion of the polymer component (A-1) was 12,000.

[합성예 2∼20]Synthesis Examples 2 to 20

표 1에 나타내는 종류 및 사용량의 성분을 이용한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 조작하여, 중합체 성분 (A-2)∼(A-18) 및 비교용의 중합체 성분 (cA-19)∼(cA-20)을 조제했다. 이들 중합체의 Mw를 표 1에 나타낸다.The same procedures as in Synthesis Example 1 were conducted except that the components shown in Table 1 and the amounts used were used, and polymer components (A-2) to (A-18) and polymer components (cA-19) to (cA-) for comparison. 20) was prepared. Mw of these polymers is shown in Table 1.

Figure pat00008
Figure pat00008

[감방사선성 조성물의 조제][Preparation of radiation sensitive composition]

감방사선성 조성물의 조제에 이용한 감방사선성 산 발생제 (B1), 산화 방지제 (C), 산 확산 제어제 (D) 및 그 외의 성분 (E)를 이하에 나타낸다.The radiation sensitive acid generator (B1), antioxidant (C), acid diffusion control agent (D), and other component (E) used for preparation of a radiation sensitive composition are shown below.

<감방사선성 산 발생제 (B1)><Radiation Acid Generator (B1)>

B-1: (5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(BASF사의 「IRGACURE PAG 103」)B-1: (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile ("IRGACURE PAG 103" of BASF Corporation)

B-2: (5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(BASF사의 「IRGACURE PAG 121」)B-2: (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile ("IRGACURE PAG 121" of BASF Corporation)

B-3: 2-(옥틸술포닐옥시이미노)-2-(4-메톡시페닐)아세토니트릴(BASF사의 「CGI-725」)B-3: 2- (octylsulfonyloxyimino) -2- (4-methoxyphenyl) acetonitrile ("CGI-725" of BASF Corporation)

B-4: (5-캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(BASF사의 「CGI-1380」)B-4: (5-camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile ("CGI-1380" of BASF Corporation)

B-5: 4-메틸페닐술포닐옥시이미노-α-(4-메톡시페닐)아세토니트릴(미도리카가쿠사의 「PAI-101」)B-5: 4-methylphenylsulfonyloxyimino-α- (4-methoxyphenyl) acetonitrile ("PAI-101" of Midorigaku Corporation)

B-6: N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프탈이미드B-6: N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthalimide

<산화 방지제 (C)>Antioxidant (C)

C-1: 트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트(ADEKA사의 「아데카스터브 AO-20」)C-1: tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate (ADEKA STUB AO-20 by ADEKA Corporation)

C-2: 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트](ADEKA사의 「아데카스터브 AO-60」)C-2: pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (ADEKA STUB AO-60)

<산 확산 제어제 (D)><Acid Diffusion Control Agent (D)>

D-1: 4-디메틸아미노피리딘D-1: 4-dimethylaminopyridine

D-2: 2-페닐벤조이미다졸D-2: 2-phenylbenzoimidazole

<그 외의 성분 (E)><Other components (E)>

E-1: 디펜타에리트리톨펜타/헥사아크릴레이트(도아고세이사의 「아로닉스 M-402」)E-1: dipentaerythritol penta / hexaacrylate ("aronix M-402" of Toagosei Co., Ltd.)

[실시예 1]Example 1

중합체 성분 (A)로서의 (A-1)을 포함하는 중합체 용액((A-1) 100부(고형분)에 상당하는 양)에, 감방사선성 산 발생제 (B1)로서의 (B-1) 3부, 산화 방지제 (C)로서의 (C-1) 2부 및 산 확산 제어제 (D)로서의 (D-1) 0.1부를 혼합하고, 고형분 농도가 20질량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 첨가하여, 실시예 1의 감방사선성 조성물을 조제했다.(B-1) 3 as a radiation sensitive acid generator (B1) to the polymer solution (amount equivalent to (A-1) 100 parts (solid content)) containing (A-1) as a polymer component (A) 2 parts of (C-1) as an antioxidant (C) and 0.1 part of (D-1) as an acid diffusion control agent (D) were mixed, and propylene glycol monomethyl ether was added so that solid content concentration might be 20 mass%, , The radiation sensitive composition of Example 1 was prepared.

[실시예 2∼22 및 비교예 1∼2][Examples 2 to 22 and Comparative Examples 1 and 2]

표 2에 나타내는 종류 및 배합량의 성분을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 조작하여, 실시예 2∼22 및 비교예 1∼2의 감방사선성 조성물을 조제했다.Except having used the component of the kind and compounding quantity shown in Table 2, it carried out similarly to Example 1, and prepared the radiation sensitive composition of Examples 2-22 and Comparative Examples 1-2.

Figure pat00009
Figure pat00009

[평가][evaluation]

실시예 1∼22 및 비교예 1∼2의 감방사선성 조성물을 이용하여, 하기 평가를 실시했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.The following evaluation was performed using the radiation sensitive composition of Examples 1-22 and Comparative Examples 1-2. The evaluation results are shown in Table 2.

<방사선 감도><Radiation sensitivity>

60℃에서 60초간 HMDS(1,1,1,3,3,3-헥사메틸디실라잔) 처리한 실리콘 기판 상에, 상기 감방사선성 조성물을 스피너를 이용하여 도포한 후, (1a) 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 평균 막두께 3.0㎛의 도막을 형성하고, (2a) 이 도막에, 노광기(캐논사의 「MPA-600FA」(ghi선 혼합))를 이용하고, 라인·앤드·스페이스(60㎛:6㎛∼10㎛:1㎛)의 패턴을 갖는 마스크를 통하여, 노광량을 변량으로 하여 방사선을 조사하고, (3a) 방사선 조사 후의 도막에, 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에서 23℃에 있어서 80초간 퍼들법으로 현상한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 그 후 건조함으로써 패턴화막을 형성했다. 이때 라인·앤드·스페이스(40㎛:4㎛)의 4㎛ 스페이스에 대응하는 노광 부분이 완전히 용해하기 위해 필요한 최소 노광량을 조사했다. 이 노광량의 값이 150mJ/㎠ 이하인 경우, 방사선 감도는 우량으로 하고, 이 노광량의 값이 150mJ/㎠를 초과하는 경우, 방사선 감도는 양호라고 평가했다.After applying the radiation sensitive composition using a spinner on a silicon substrate treated with HMDS (1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane) at 60 ° C. for 60 seconds, (1a) 90 Prebaking at 2 degreeC on a hotplate for 2 minute (s) forms a coating film with an average film thickness of 3.0 micrometers, (2a) Line and end is used for this coating film using the exposure machine ("MPA-600FA" (ghi line mixing) of Canon Corporation) Irradiation with a variable exposure dose through a mask having a pattern of space (60 μm: 6 μm to 10 μm: 1 μm), and (3a) tetramethylammonium at a concentration of 2.38% by mass to the coating film after irradiation. After developing by the puddle method at 23 degreeC in the hydroxide aqueous solution for 80 second, the flowing water wash | cleaned with ultrapure water for 1 minute, and after that, the patterned film was formed. At this time, the minimum exposure amount required in order for the exposure part corresponding to the 4 micrometer space of a line and space (40 micrometer: 4 micrometers) to melt | dissolve completely was investigated. When the value of this exposure amount was 150 mJ / cm <2> or less, radiation sensitivity was made into the outstanding thing, and when the value of this exposure amount exceeded 150mJ / cm <2>, the radiation sensitivity was evaluated as favorable.

<비유전율><Dielectric constant>

사이잘 버프(마(麻) 버프)에 의해 연마하여 표면을 평활화한 SUS304제 기판 상에, 상기 감방사선성 조성물을 도포한 후, 도달 압력을 100㎩로 설정하여 진공하에서 용매를 제거한 후, 추가로 90℃에 있어서 2분간 프리베이킹하여 평균 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막에 대하여, 노광기(캐논제의 「MPA-600FA」)로 적산 조사량이 9,000J/㎡가 되도록 노광하고, 노광 후의 도막을 갖는 기판을 클린 오븐 내에서 220℃에서 1시간 가열함으로써, 기판 상에 절연막을 형성했다. 이 절연막 상에, 증착법에 의해 Pt/Pd 전극 패턴을 형성하여 유전율 측정용 샘플을 작성했다. 이 전극 패턴을 갖는 기판에 대해, 요코가와·휴렛팩커드 제조의 HP16451B 전극 및 HP4284A 프레시전 LCR 미터를 이용하여, 주파수 10㎑의 주파수로, CV법에 의해 비유전율의 측정을 행했다. 이 값이 3.5 이하인 경우를 「A」, 3.5를 초과하고 3.9 이하인 경우를 「B」, 3.9를 초과하는 경우를 「C」라고 판정했다. A 또는 B의 경우에 비유전율이 양호하고, C의 경우에 비유전율이 불량이라고 평가했다.After apply | coating the said radiation sensitive composition on the board | substrate made from SUS304 which grind | polished by the sisal buff (smooth buff) and smoothed the surface, after setting the reaching pressure to 100 Pa, removing a solvent under vacuum, it added further. Prebaked at 90 degreeC for 2 minutes, and formed the coating film of 3.0 micrometers of average film thicknesses. The obtained coating film was exposed by an exposure machine ("MPA-600FA made by Canon") so as to have an integrated irradiation amount of 9,000 J / m 2, and the substrate having the coated film after exposure was heated at 220 ° C. for 1 hour in a clean oven. An insulating film was formed in the. The Pt / Pd electrode pattern was formed on this insulating film by the vapor deposition method, and the sample for dielectric constant measurement was produced. About the board | substrate which has this electrode pattern, the dielectric constant was measured by CV method at the frequency of 10 kHz using the HP16451B electrode by the Yokogawa Hewlett-Packard company, and the HP4284A fresh LCR meter. When this value was 3.5 or less, "A" and the case exceeding 3.5 and the case below 3.9 "B" and the case exceeding 3.9 were determined as "C". In the case of A or B, the relative dielectric constant was good, and in the case of C, the relative dielectric constant was evaluated as poor.

<PCD 마진 및 PED 마진의 평가><Evaluation of PCD and PED Margin>

PCD 마진 및 PED 마진의 평가는 상기 <방사선 감도>와 동일하게 행했다. 또한, PCD(Post Coating Delay) 마진 평가의 경우는 상기 (1a)의 후, 상기 (2a)의 전에, PED(Post Exposure Delay) 마진 평가의 경우는 상기 (2a)의 후, 상기 (3a)의 전에, 상기 도막을 실온에서 20분간 방치하는 공정을 더했다. 이때, 라인·앤드·스페이스(40㎛:4㎛)의 4㎛ 스페이스에 대응하는 노광 부분이 완전히 용해하기 위해 필요한 최소 노광량을 조사했다. 이 측정값을 <방사선 감도>의 측정값과 비교하여, 최소 노광량의 증가율이 10% 미만인 경우를 「A」, 10% 이상 20% 미만인 경우를 「B」, 20% 이상인 경우를 「C」라고 판정했다. A 또는 B의 경우에 PCD, PED 마진이 양호하다고 평가할 수 있고, C의 경우에 PCD, PED 마진이 불량이라고 평가할 수 있다.Evaluation of PCD margin and PED margin was performed similarly to said <radiation sensitivity>. In the case of post coating delay (PCD) margin evaluation, after (1a), before (2a), and after PED (Post Exposure Delay) margin evaluation, after (2a), Before, the process of leaving the said coating film for 20 minutes at room temperature was added. At this time, the minimum exposure amount required in order for the exposure part corresponding to the 4 micrometer space of a line and space (40 micrometer: 4 micrometers) to melt | dissolve completely was investigated. Compare this measured value with the measured value of <radiation sensitivity>, and the case where the increase rate of minimum exposure amount is less than 10% is "A", and the case where it is 10% or more and less than 20% is "B" and the case where 20% or more is "C". Judging. In the case of A or B, the PCD and PED margins can be evaluated as good, and in the case of C, the PCD and PED margins can be evaluated as defective.

<경화막의 내열성><Heat Resistance of Curing Film>

상기 <방사선 감도>의 평가와 동일하게 하여 도막을 형성한 후, 230℃에서 가온(加溫)한 오븐을 이용하여 30분간 상기 도막을 가열하여, 경화막을 형성했다. 이 경화막을, 질소 분위기하, 열중량 측정 장치(SII 나노테크놀로지사 제조 EXSTAR TG/DTA7300)를 이용하여, 10℃/min로 승온하고, 이 막두께 변화율이 5% 미만인 경우를 「A」, 막두께 변화율이 5% 이상 10% 미만인 경우를 「B」, 막두께 변화율이 10% 이상인 경우를 「C」라고 하고, A 또는 B의 경우에 내열성이 양호하고, C의 경우에 내열성이 불량이라고 평가했다. 막두께는, 광 간섭식 막두께 측정 장치(다이닛폰 스크린사의 「람다 에이스 VM-1010」)를 이용하여 25℃에서 측정했다.After forming a coating film similarly to the said evaluation of <radiation sensitivity>, the said coating film was heated for 30 minutes using the oven heated at 230 degreeC, and the cured film was formed. When the cured film was heated at 10 ° C / min using a thermogravimetric measuring device (EXSTAR TG / DTA7300 manufactured by SII Nanotechnology, Inc.) under a nitrogen atmosphere, the case where the film thickness change rate was less than 5% was "A". When the thickness change rate is 5% or more and less than 10%, "B" and the case where the film thickness change rate is 10% or more are called "C", and heat resistance is good in the case of A or B, and heat resistance is bad in the case of C did. The film thickness was measured at 25 degreeC using the optical interference type film thickness measuring apparatus ("Lamda Ace VM-1010" of Dainippon Screen Corporation).

<보존 안정성의 평가><Evaluation of Preservation Stability>

조제한 감방사선성 조성물을 차광·밀폐성의 용기에 봉입했다. 25℃에서 7일간 경과 후 용기를 개봉하여, <방사선 감도>의 측정을 행하고, 7일간 보관 전후에서의 최소 노광량의 증가율을 계산했다. 이 값이 5% 미만인 경우를 「A」, 5% 이상 20% 미만인 경우를 「B」, 20% 이상인 경우를 「C」라고 판정했다. A 또는 B의 경우에 보존 안정성이 양호하고, C의 경우에 보존 안정성이 불량이라고 평가했다.The prepared radiation sensitive composition was enclosed in the light-shielding and airtight container. After 7 days had elapsed at 25 ° C, the container was opened, the <radiation sensitivity> was measured, and the increase rate of the minimum exposure amount before and after storage for 7 days was calculated. The case where this value was less than 5% was determined as "C" and the case where it was "B" and the case where it was 20% or more was "C" when it was "A" and 5% or more and less than 20%. In the case of A or B, the storage stability was good, and in the case of C, the storage stability was evaluated as poor.

Claims (9)

동일한 또는 상이한 중합체 중에, 말레이미드에 유래하는 구조 단위 (Ⅰ)과 하기식 (Ⅱ-1)에 나타내는 기를 포함하는 구조 단위 (Ⅱ)를 갖는 중합체 성분 (A)와,
감방사선성 화합물 (B)
를 함유하는 감방사선성 조성물:
Figure pat00010

[식 (Ⅱ-1) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 지환식 탄화수소기, 아릴기, 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기, 또는 -SiRA 3이고, RA는, 각각 독립적으로 탄소수 1∼10의 알킬기이고, Q1은, 에스테르 결합, 또는 -Ar1-O-로 나타나는 2가의 기(Ar1은 아릴렌기, 또는 아릴렌기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기임)임].
Polymer component (A) which has structural unit (II) containing the structural unit (I) derived from maleimide, and group shown by following formula (II-1) in the same or different polymer, and
Radiation-sensitive compound (B)
A radiation sensitive composition containing:
Figure pat00010

[In formula (II-1), R <1> , R <2> and R <3> are respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, group in which one part or all part of the hydrogen atom which these groups have substituted by the substituent. Or -SiR A 3 , R A is each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and Q 1 is a divalent group represented by an ester bond or -Ar 1 -O- (Ar 1 is an arylene group, or Some or all of the hydrogen atoms of the arylene group are substituted with substituents.
제1항에 있어서,
상기 중합체 성분 (A)가, 상기 구조 단위 (Ⅰ) 및 상기 구조 단위 (Ⅱ)로부터 선택되는 적어도 1종의 구조 단위를 갖는 중합체와 동일한 또는 상이한 중합체 중에, 가교성기를 포함하는 구조 단위 (Ⅲ)을 추가로 갖는 감방사선성 조성물.
The method of claim 1,
Structural unit (III) in which the said polymer component (A) contains a crosslinkable group in the same or different polymer as the polymer which has at least 1 sort (s) of structural unit chosen from the said structural unit (I) and the said structural unit (II). A radiation sensitive composition further having.
제2항에 있어서,
상기 가교성기가, 옥시라닐기, 옥세타닐기 및 (메타)아크릴로일기로부터 선택되는 적어도 1종의 기인 감방사선성 조성물.
The method of claim 2,
The radiation-sensitive composition in which at least 1 sort (s) of said crosslinkable group is chosen from an oxiranyl group, an oxetanyl group, and a (meth) acryloyl group.
제1항에 있어서,
상기식 (Ⅱ-1)에 나타내는 기에 있어서, R1, R2 및 R3이 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기인 감방사선성 조성물.
The method of claim 1,
In the group represented by the formula (II-1), each of R 1 , R 2, and R 3 independently represents a C 1-20 alkyl group.
제1항에 있어서,
상기 감방사선성 화합물 (B)가, 감방사선성 산 발생제 (B1) 또는 감방사선성 염기 발생제 (B2)인 감방사선성 조성물.
The method of claim 1,
The radiation sensitive composition whose said radiation sensitive compound (B) is a radiation sensitive acid generator (B1) or a radiation sensitive base generator (B2).
제1항에 있어서,
상기 감방사선성 화합물 (B)가, 옥심술포네이트 화합물 및 술폰이미드 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 감방사선성 산 발생제인 감방사선성 조성물.
The method of claim 1,
A radiation sensitive composition, wherein said radiation sensitive compound (B) is at least one radiation sensitive acid generator selected from an oxime sulfonate compound and a sulfonimide compound.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물로 형성된 경화막.The cured film formed from the radiation sensitive composition in any one of Claims 1-6. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정 [1]과,
상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정 [2]와,
방사선이 조사된 상기 도막을 현상하는 공정 [3]과,
현상된 상기 도막을 가열하는 공정 [4]
를 갖는, 경화막의 제조 방법.
Step [1] of forming the coating film of the radiation sensitive composition of any one of Claims 1-6 on a board | substrate,
Irradiating at least a portion of the coating film with radiation [2];
Developing the coating film irradiated with radiation [3];
Heating the developed coating film [4]
The manufacturing method of the cured film which has.
제7항에 기재된 경화막을 구비하는 표시 소자.The display element provided with the cured film of Claim 7.
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