KR20200001446A - Light emitting display device - Google Patents

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KR20200001446A
KR20200001446A KR1020180165519A KR20180165519A KR20200001446A KR 20200001446 A KR20200001446 A KR 20200001446A KR 1020180165519 A KR1020180165519 A KR 1020180165519A KR 20180165519 A KR20180165519 A KR 20180165519A KR 20200001446 A KR20200001446 A KR 20200001446A
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light emitting
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electrode
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layer
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KR1020180165519A
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최용훈
김진태
심동민
이강주
김수강
김태식
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

The present application relates to in providing a light emitting display device which can improve light extraction efficiency of light emitted from a light emitting device. According to one embodiment of the present application, the light emitting display device comprises an overcoating layer provided on a substrate and comprising a plurality of convex parts, a first electrode provided on the plurality of convex parts, a light emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the light emitting layer. The first electrode has a surface shape corresponding to a surface shape of each of the plurality of convex parts, and the light emitting layer can have the surface shape different from that of each of the plurality of convex parts.

Description

발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Light emitting display device {LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 출원은 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present application relates to a light emitting display device.

발광 표시 장치는 고속의 응답 속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원이 필요하지 않는 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목 받고 있다.The light emitting display device has a high response speed, low power consumption, and unlike the liquid crystal display device, since the light emitting device does not require a separate light source, there is no problem in viewing angle.

발광 표시 장치는 2개의 전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 발광 소자의 발광을 통해서 영상을 표시한다. 이때, 발광 소자의 발광에 따라 발생되는 광은 전극과 기판 등을 통해서 외부로 방출된다.The light emitting display device displays an image through light emission of a light emitting device including a light emitting layer interposed between two electrodes. In this case, the light generated by the light emission of the light emitting device is emitted to the outside through the electrode and the substrate.

그러나, 발광 표시 장치는 발광층에서 발광된 광 중 일부의 광이 발광층과 전극 사이의 계면 및/또는 기판과 공기층 사이의 계면에서의 전반사 등으로 인하여 외부로 방출되지 못함에 따라 광 추출 효율이 감소하게 된다. 이에 따라, 발광 표시 장치는 낮은 광 추출 효율로 인하여 휘도가 저하되고, 소비 전력이 증가하는 문제점이 있다.However, in the light emitting display device, some light emitted from the light emitting layer is not emitted to the outside due to total reflection at the interface between the light emitting layer and the electrode and / or at the interface between the substrate and the air layer. do. Accordingly, the light emitting display device has a problem in that luminance is lowered due to low light extraction efficiency and power consumption is increased.

본 출원은 발광 소자에서 발광된 광의 광 추출 효율이 향상될 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present application is to provide a light emitting display device that can improve the light extraction efficiency of the light emitted from the light emitting device.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 기판 상에 마련되고 복수의 볼록부를 포함하는 오버코팅층, 복수의 볼록부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 제 1 전극은 복수의 볼록부 각각의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 가지며, 발광층은 복수의 볼록부 각각의 표면 형상과 다른 표면 형상을 가질 수 있다.The light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present application includes an overcoating layer provided on a substrate and including a plurality of convex portions, a first electrode provided on the plurality of convex portions, a light emitting layer provided on the first electrode, and a second provided on the light emitting layer. The first electrode has a surface shape that follows the surface shape of each of the plurality of convex portions as it is, and the light emitting layer may have a surface shape different from that of each of the plurality of convex portions.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 기판 상에 마련되고 복수의 볼록부를 갖는 비평탄부를 포함하는 오버코팅층, 비평탄부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 비평탄부는 단위 면적에 대해 1.05 ~ 2.0의 표면적 증가율을 가질 수 있다.The light emitting display device according to an example of the present application is provided on an overcoat layer including a non-flat portion having a plurality of convex portions, a first electrode provided on the non-flat portion, a light emitting layer provided on the first electrode, and a light emitting layer It includes a second electrode provided, the non-flat portion may have a surface area increase rate of 1.05 ~ 2.0 with respect to the unit area.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 개구 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하는 기판, 기판 상에 마련되고 개구 영역에 마련된 첨단부를 포함하는 비평탄부를 갖는 오버코팅층, 비평탄부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 제 1 전극은 비평탄부에 대해 등각(conformal)으로 형성되며, 발광층은 제 1 전극에 대해 비등각(non-conformal)으로 형성될 수 있다.A light emitting display device according to an example of the present application includes a substrate including a plurality of pixels having an opening region, an overcoating layer having a non-flat portion formed on the substrate and including a tip portion provided in the opening region, and a first provided on the non-flat portion. An electrode, a light emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the light emitting layer, wherein the first electrode is formed at a conformal angle to the non-flat portion, and the light emitting layer is non-angular with respect to the first electrode. conformal).

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 기판 상에 마련되고 복수의 볼록부를 포함하는 오버코팅층, 복수의 볼록부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 복수의 볼록부 각각은 정상부와 바닥부 사이의 전체 높이를 기준으로, 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에 대한 반높이 종횡비가 0.45 내지 0.7이며, 바닥부로부터 전체 높이의 4/5 높이에 대한 종횡비가 0.35 내지 0.6일 수 있다.The light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present application includes an overcoating layer provided on a substrate and including a plurality of convex portions, a first electrode provided on the plurality of convex portions, a light emitting layer provided on the first electrode, and a second provided on the light emitting layer. A plurality of convex portions each having a half height aspect ratio of 0.45 to 0.7 from a bottom to a half height of the entire height relative to the overall height between the top and the bottom; The aspect ratio for the / 5 height can be 0.35 to 0.6.

본 출원에 따른 발광 표시 장치는 발광 소자에서 발광된 광의 광 추출 효율이 향상되고, 이로 인하여 휘도가 향상되며 소비 전력이 감소될 수 있다.In the light emitting display device according to the present application, light extraction efficiency of light emitted from the light emitting device is improved, thereby improving luminance and reducing power consumption.

위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the effects of the present application mentioned above, other features and advantages of the present application will be described below, or will be clearly understood by those skilled in the art from such description and description.

도 1은 본 출원에 따른 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 제 1 화소를 나타내는 등가 회도로이다.
도 3은 본 출원의 일 예에 따른 화소를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 A 부분의 확대도이다.
도 5는 도 3에 도시된 비평탄부의 평면 구조를 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 선 I-I'의 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 볼록부의 단면에 대한 현미경 사진의 확대도이다.
도 8은 도 6에 도시된 볼록부의 접선 기울기를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치에서, 임의의 화소에 마련된 비평탄부를 나타내는 현미경 사진이다.
도 10은 도 9에 도시된 비평탄부에 대한 거칠기 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 11a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 종횡비에 따른 백색 화소의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.
도 11b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 종횡비에 따른 적색과 녹색 및 청색 화소 각각의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.
도 12a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 반높이 종횡비에 따른 백색 화소의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.
도 12b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 반높이 종횡비에 따른 적색과 녹색 및 청색 화소 각각의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.
도 13a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 4/5 높이 종횡비에 따른 백색 화소의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.
도 13b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 4/5 높이 종횡비에 따른 적색과 녹색 및 청색 화소 각각의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.
도 14는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적과 볼록부의 종횡비 간의 선형 관계를 나타내는 그래프이다.
도 15는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적과 볼록부의 4/5 높이 종횡비 간의 선형 관계를 나타내는 그래프이다.
도 16a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 종횡비에 따른 광 추출 효율을 나타내는 그래프이다.
도 16b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적 증가율에 따른 광 추출 효율을 나타내는 그래프이다.
도 16c는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적 증가율에 따른 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.
도 17a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 종횡비와 볼록부의 샤프니스 각각에 대한 광 추출 효율의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 17b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적 증가율과 볼록부의 4/5 높이 종횡비 각각에 대한 광 추출 효율의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 18은 본 출원의 일 예에 따른 볼록부와 발광층의 형상에 따른 광 경로를 나타내는 도면이다.
도 19는 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 화소의 실제 발광 이미지를 나타내는 사진이다.
1 is a view schematically illustrating a light emitting display device according to the present application.
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram illustrating the first pixel illustrated in FIG. 1.
3 is a cross-sectional view illustrating a pixel according to an example of the present application.
4 is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 3.
FIG. 5 is a plan view illustrating a planar structure of the non-flat unit illustrated in FIG. 3.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 5.
7 is an enlarged view of a micrograph of a cross section of the convex portion shown in FIG. 6.
FIG. 8 is a diagram for describing a tangential slope of the convex portion illustrated in FIG. 6.
9 is a photomicrograph of a non-flat portion provided in an arbitrary pixel in the light emitting display device according to an example of the present application.
FIG. 10 is a diagram illustrating a roughness measurement result of the non-flat portion illustrated in FIG. 9.
11A is a graph illustrating a current efficiency increase rate of a white pixel according to an aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application.
FIG. 11B is a graph showing the current efficiency increase rates of the red, green, and blue pixels according to the aspect ratio of the convex portion in the light emitting display device according to the present application.
12A is a graph showing a current efficiency increase rate of a white pixel according to a half height aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application.
FIG. 12B is a graph showing the current efficiency increase rates of the red, green, and blue pixels according to the half-height aspect ratio of the convex portion in the light emitting display device according to the present application.
13A is a graph illustrating a current efficiency increase rate of a white pixel according to a 4/5 height aspect ratio of the convex portion in the light emitting display device according to the present application.
FIG. 13B is a graph showing the current efficiency increase rates of the red, green, and blue pixels according to the 4/5 height aspect ratio of the convex portion in the light emitting display device according to the present application.
14 is a graph showing a linear relationship between the surface area of a non-flat portion and the aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application.
15 is a graph showing a linear relationship between the surface area of a non-flat portion and a 4/5 height aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application.
16A is a graph illustrating light extraction efficiency according to aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application.
16B is a graph illustrating light extraction efficiency according to an increase rate of the surface area of the non-flat portion in the light emitting display device according to the present application.
16C is a graph illustrating a current efficiency increase rate according to a surface area increase rate of the non-flat portion in the light emitting display device according to the present application.
17A is a graph illustrating distribution of light extraction efficiency for each aspect ratio of a convex portion and sharpness of the convex portion in the light emitting display device according to the present application.
17B is a graph showing the distribution of light extraction efficiency for each of the non-flat portion surface area increase rate and the 4/5 height aspect ratio of the convex portion in the light emitting display device according to the present application.
18 is a view showing an optical path according to the shape of the convex portion and the light emitting layer according to an example of the present application.
19 is a photo illustrating an actual light emitting image of a pixel in a light emitting display device according to an example of the present application.

본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present application, and a method of accomplishing the same will be apparent with reference to the examples described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present application is not limited to the examples disclosed below, but may be implemented in various forms, and only one example of the present application is intended to complete the disclosure of the present application, and is commonly used in the art to which the invention of the present application belongs. It is provided to fully inform those skilled in the art of the scope of the invention, and the invention of the present application is defined only by the scope of the claims.

본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.Shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the example of the present application are exemplary, and thus the present application is not limited to the illustrated items. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the example of the present application, when it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present application, the detailed description thereof will be omitted.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.In the case where 'comprises', 'haves', 'consists of' and the like mentioned in the present specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where the component is expressed in the singular, the plural includes the plural unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting a component, it is interpreted to include an error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of the description of the positional relationship, for example, if the positional relationship of the two parts is described as 'on', 'upon', 'lower', 'next to', etc. Alternatively, one or more other parts may be located between the two parts unless 'direct' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal after-term relationship is described as 'after', 'following', 'after', 'before', or the like, 'directly' or 'direct' This may include cases that are not continuous unless used.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be a second component within the technical spirit of the present application.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term "at least one" should be understood to include all combinations which can be presented from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of a first item, a second item, and a third item" means two items of the first item, the second item, and the third item, as well as two of the first item, the second item, and the third item, respectively. It can mean a combination of all items that can be presented from more than one.

본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various examples of the present application may be combined or combined with each other, in part or in whole, various technically interlocking and driving, each of the examples may be implemented independently of each other or may be implemented together in an association. .

이하에서는 본 출원에 따른 발광 표시 장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.Hereinafter, an example of a light emitting display device according to the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are shown in different drawings.

도 1은 본 출원에 따른 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically illustrating a light emitting display device according to the present application.

도 1을 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 화소 어레이부(10), 제어 회로(30), 데이터 구동 회로(50), 및 게이트 구동 회로(70)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting display device according to the present application may include a pixel array unit 10, a control circuit 30, a data driving circuit 50, and a gate driving circuit 70.

상기 화소 어레이부(10)는 기판 상에 마련된 복수의 게이트 라인(GL)과 복수의 데이터 라인(DL), 및 복수의 게이트 라인(GL)과 복수의 데이터 라인(DL)에 의해 정의되는 화소 영역에 형성된 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d)를 포함한다.The pixel array unit 10 includes a pixel area defined by a plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL, and a plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL provided on a substrate. And a plurality of pixels 12a, 12b, 12c, and 12d formed in the.

상기 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d) 각각은 인접한 게이트 라인(GL)으로부터 공급되는 게이트 신호와 인접한 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 신호에 따라 영상을 표시한다.Each of the plurality of pixels 12a, 12b, 12c, and 12d displays an image according to a gate signal supplied from an adjacent gate line GL and a data signal supplied from an adjacent data line DL.

일 예에 따른 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d) 각각은 화소 영역에 마련된 화소 회로와 화소 회로에 연결된 발광 소자를 포함한다.Each of the pixels 12a, 12b, 12c, and 12d according to an example includes a pixel circuit provided in a pixel area and a light emitting device connected to the pixel circuit.

상기 화소 회로는 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.The pixel circuit may include at least two thin film transistors and at least one capacitor.

상기 발광 소자는 화소 회로로부터 제공되는 데이터 신호에 의해 자체 발광하여 영상을 표시하는 자발광 소자를 포함할 수 있다. 여기서, 자발광 소자는 유기 발광 소자, 양자점 발광 소자, 또는 무기 발광 소자 등이 될 수 있다.The light emitting device may include a self-light emitting device that displays an image by self-emission by a data signal provided from a pixel circuit. The self-light emitting device may be an organic light emitting device, a quantum dot light emitting device, or an inorganic light emitting device.

상기 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d) 각각은 실제 빛이 발광되는 최소 단위의 영역으로 정의될 수 있으며, 서브 화소로 표현될 수 있다. 여기서, 서로 인접한 적어도 3개의 화소는 컬러 표시를 위한 하나의 단위 화소(12)를 구성할 수 있다.Each of the plurality of pixels 12a, 12b, 12c, and 12d may be defined as an area of a minimum unit where actual light is emitted, and may be represented as a sub-pixel. Here, at least three pixels adjacent to each other may constitute one unit pixel 12 for color display.

일 예에 따른 하나의 단위 화소(12)는 게이트 라인(GL)의 길이 방향을 따라 서로 인접하게 배열된 3개의 화소(12a, 12b, 12c)를 포함하거나 게이트 라인(GL)의 길이 방향을 따라 서로 인접하게 배열된 4개의 화소(12a, 12b, 12c, 12d)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 화소(12a)는 적색 화소, 제 2 화소(12b)는 녹색 화소, 제 3 화소(12b)는 청색 화소, 및 제 4 화소(12d)는 백색 화소일 수 있다. 여기서, 제 1 내지 제 3 화소(12a, 12b, 12c) 각각의 발광 소자는 각기 다른 컬러 광을 방출하거나 백색 광을 방출할 수 있다. 상기 제 1 내지 제 3 화소(12a, 12b, 12c)의 발광 소자 각각이 백색 광을 방출하는 경우, 제 1 내지 제 3 화소(12a, 12b, 12c)는 백색 광을 각기 다른 컬러 광으로 변환하는 각기 다른 파장 변환층(또는 컬러필터층)을 포함한다. 그리고, 제 4 화소(12d)의 발광 소자는 백색 광을 방출할 수 있으며, 이 경우, 제 4 화소(12d)는 파장 변환층(또는 컬러필터층)을 구비하지 않거나 제 1 내지 제 3 화소(12a, 12b, 12c) 중 어느 하나와 동일한 파장 변환층(또는 컬러필터층)을 포함할 수 있다.One unit pixel 12 according to an example includes three pixels 12a, 12b, and 12c arranged adjacent to each other along the length direction of the gate line GL or along the length direction of the gate line GL. Four pixels 12a, 12b, 12c, and 12d arranged adjacent to each other may be included. For example, the first pixel 12a may be a red pixel, the second pixel 12b may be a green pixel, the third pixel 12b may be a blue pixel, and the fourth pixel 12d may be a white pixel. The light emitting devices of the first to third pixels 12a, 12b, and 12c may emit different color light or white light. When each of the light emitting elements of the first to third pixels 12a, 12b, and 12c emits white light, the first to third pixels 12a, 12b, and 12c convert white light into different color light. Different wavelength conversion layers (or color filter layers) are included. The light emitting device of the fourth pixel 12d may emit white light. In this case, the fourth pixel 12d does not include the wavelength conversion layer (or the color filter layer) or the first to third pixels 12a. , 12b, and 12c may include the same wavelength conversion layer (or color filter layer).

다른 예에 따른 하나의 단위 화소(12)는 데이터 라인(DL)의 길이 방향을 따라 서로 인접하게 배열된 제 1 내지 제 4 화소(12a, 12b, 12c, 12d)를 포함할 수 있으며, 이러한 단위 화소(12)의 경우, 상대적으로 단순한 회로 구성을 갖는 게이트 구동 회로(70)에 연결되는 게이트 라인들(GL)의 개수가 증가하지만 상대적으로 복잡한 데이터 구동 회로(50)에 연결되는 데이터 라인들(DL)의 개수가 감소하게 된다.According to another example, one unit pixel 12 may include first to fourth pixels 12a, 12b, 12c, and 12d arranged adjacent to each other along the length direction of the data line DL. In the case of the pixel 12, the number of gate lines GL connected to the gate driving circuit 70 having a relatively simple circuit configuration increases, but the data lines connected to the relatively complex data driving circuit 50 ( The number of DLs is reduced.

상기 제어 회로(30)는 영상 신호를 기반으로 복수의 화소(12a, 12b, 12c, 12d) 각각에 대응되는 화소별 화소 데이터를 생성한다. 일 예에 따른 제어 회로(30)는 영상 신호, 즉 각 단위 화소(12)의 적색 입력 데이터와 녹색 입력 데이터 및 청색 입력 데이터를 기반으로 백색 화소 데이터를 추출하고, 추출된 백색 화소 데이터에 기초한 옵셋 데이터를 적색 입력 데이터와 녹색 입력 데이터 및 청색 입력 데이터 각각에 반영하여 적색 화소 데이터와 녹색 화소 데이터 및 청색 화소 데이터를 각각 산출하고, 산출된 적색 화소 데이터, 녹색 화소 데이터, 청색 화소 데이터, 및 백색 화소 데이터를 화소 배열 구조에 알맞도록 정렬해 데이터 구동 회로(50)에 공급할 수 있다.The control circuit 30 generates pixel data for each pixel corresponding to each of the plurality of pixels 12a, 12b, 12c, and 12d based on the image signal. The control circuit 30 according to an example extracts white pixel data based on an image signal, that is, red input data, green input data, and blue input data of each unit pixel 12, and an offset based on the extracted white pixel data. Reflecting the data to the red input data, the green input data, and the blue input data, respectively, calculates the red pixel data, the green pixel data, and the blue pixel data, respectively, and calculates the calculated red pixel data, green pixel data, blue pixel data, and white pixel. The data may be aligned to suit the pixel array structure and supplied to the data driver circuit 50.

상기 제어 회로(30)는 타이밍 동기 신호를 기반으로 데이터 제어 신호를 생성해 데이터 구동 회로(50)에 제공한다. 제어 회로(30)는 타이밍 동기 신호를 기반으로 게이트 제어 신호를 생성해 게이트 구동 회로(70)에 제공한다.The control circuit 30 generates a data control signal based on the timing synchronization signal and provides it to the data driving circuit 50. The control circuit 30 generates a gate control signal based on the timing synchronization signal and provides the gate control signal to the gate driving circuit 70.

상기 데이터 구동 회로(50)는 화소 어레이부(10)에 마련된 복수의 데이터 라인(DL)과 연결된다. 데이터 구동 회로(50)는 제어 회로(30)로부터 제공되는 화소별 화소 데이터와 데이터 제어 신호를 수신하고, 전원 회로로부터 제공되는 복수의 기준 감마 전압을 수신한다. 데이터 구동 회로(50)는 데이터 제어 신호와 복수의 기준 감마 전압을 이용하여 화소별 화소 데이터를 화소별 데이터 신호로 변환하고, 변환된 화소별 데이터 신호를 해당 데이터 라인(DL)에 공급한다.The data driving circuit 50 is connected to a plurality of data lines DL provided in the pixel array unit 10. The data driving circuit 50 receives pixel data and data control signals for each pixel provided from the control circuit 30 and receives a plurality of reference gamma voltages provided from the power supply circuit. The data driving circuit 50 converts the pixel data of each pixel into a pixel data signal using a data control signal and a plurality of reference gamma voltages, and supplies the converted pixel data signal to the corresponding data line DL.

상기 게이트 구동 회로(70)는 화소 어레이부(10)에 마련된 복수의 게이트 라인(GL)과 연결된다. 게이트 구동 회로(70)는 제어 회로(30)로부터 공급되는 게이트 제어 신호를 기반으로 정해진 순서에 따라 게이트 신호를 생성하여 해당하는 게이트 라인(GL)에 공급한다.The gate driving circuit 70 is connected to a plurality of gate lines GL provided in the pixel array unit 10. The gate driving circuit 70 generates a gate signal in a predetermined order based on the gate control signal supplied from the control circuit 30 and supplies the gate signal to the corresponding gate line GL.

일 예에 따른 게이트 구동 회로(70)는 박막 트랜지스터의 제조 공정에 따라 기판의 일측 가장자리 또는 양측 가장자리에 집적되어 복수의 게이트 라인(GL)과 일대일로 연결될 수 있다. 다른 예에 따른 게이트 구동 회로(70)는 집적 회로로 구성되어 기판에 실장되거나 연성 회로 필름에 실장되어 복수의 게이트 라인(GL)과 일대일로 연결될 수 있다.The gate driving circuit 70 according to an example may be integrated on one side edge or both side edges of the substrate according to a manufacturing process of the thin film transistor, and may be connected one-to-one with the plurality of gate lines GL. According to another example, the gate driving circuit 70 may be configured as an integrated circuit and mounted on a substrate or on a flexible circuit film to be connected one-to-one with a plurality of gate lines GL.

도 2는 도 1에 도시된 제 1 화소를 나타내는 등가 회도로이다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram illustrating the first pixel illustrated in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 본 예에 따른 발광 표시 장치의 제 1 화소(12a)는 화소 회로(PC) 및 발광 소자(ED)를 포함한다.2, the first pixel 12a of the light emitting display device according to the present example includes a pixel circuit PC and a light emitting element ED.

상기 화소 회로(PC)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 의해 정의된 화소 영역 내의 회로 영역에 마련되고, 인접한 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 및 제 1 구동 전원(VDD)에 연결된다. 이러한 화소 회로(PC)는 게이트 라인(GL)으로부터의 게이트 온 신호(GS)에 응답하여 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 신호(Vdata)에 따라 발광 소자(ED)의 발광을 제어한다. 일 예에 따른 화소 회로(PC)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT), 및 커패시터(Cst)를 포함한다.The pixel circuit PC is provided in a circuit region in a pixel region defined by the gate line GL and the data line DL, and the adjacent gate line GL, the data line DL, and the first driving power supply VDD. ) The pixel circuit PC controls the light emission of the light emitting device ED according to the data signal Vdata from the data line DL in response to the gate-on signal GS from the gate line GL. The pixel circuit PC according to an example includes a switching thin film transistor ST, a driving thin film transistor DT, and a capacitor Cst.

상기 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 게이트 라인(GL)에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인(DL)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다. 이러한 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 게이트 라인(GL)에 공급되는 게이트 온 신호(GS)에 따라 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 신호(Vdata)를 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급한다.The switching thin film transistor ST may include a gate electrode connected to the gate line GL, a first source / drain electrode connected to the data line DL, and a second source / drain electrode connected to the gate electrode of the driving thin film transistor DT. It may include. The switching thin film transistor ST is turned on according to the gate-on signal GS supplied to the gate line GL to drive the data signal Vdata supplied to the data line DL to the gate of the driving thin film transistor DT. Supply to the electrode.

상기 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 제 2 소스/드레인 전극에 연결된 게이트 전극, 제 1 구동 전원(VDD)에 연결된 드레인 전극, 및 발광 소자(ED)에 연결된 소스 전극을 포함할 수 있다. 이러한 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)로부터 공급되는 데이터 신호(Vdata)를 기반으로 하는 게이트-소스 전압에 따라 턴-온되어 제 1 구동 전원(VDD)으로부터 발광 소자(ED)에 공급되는 전류(또는 데이터 전류)를 제어한다.The driving thin film transistor DT includes a gate electrode connected to the second source / drain electrode of the switching thin film transistor ST, a drain electrode connected to the first driving power supply VDD, and a source electrode connected to the light emitting device ED. can do. The driving thin film transistor DT is turned on according to a gate-source voltage based on the data signal Vdata supplied from the switching thin film transistor ST, and thus is driven from the first driving power supply VDD to the light emitting device ED. Control the current (or data current) supplied.

상기 커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 접속되어 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급되는 데이터 신호(Vdata)에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 박막 트랜지스터(DT)의 턴-온시킨다. 이때, 커패시터(Cst)는 다음 프레임에서 스위칭 박막 트랜지스터(ST)를 통해 새로운 데이터 신호(Vdata)가 공급될 때까지 구동 박막 트랜지스터(DT)의 턴-온 상태를 유지시킬 수 있다.The capacitor Cst is connected between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DT to store a voltage corresponding to the data signal Vdata supplied to the gate electrode of the driving thin film transistor DT, and stores the voltage as the stored voltage. The driving thin film transistor DT is turned on. In this case, the capacitor Cst may maintain the turn-on state of the driving thin film transistor DT until a new data signal Vdata is supplied through the switching thin film transistor ST in the next frame.

상기 발광 소자(ED)는 화소 영역 내의 발광 영역에 마련되고 화소 회로(PC)로부터 공급되는 전류에 따라 발광한다.The light emitting device ED is provided in a light emitting area in the pixel area and emits light according to a current supplied from the pixel circuit PC.

일 예로서, 발광 소자(ED)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 연결된 제 1 전극, 제 2 구동 전원(VSS)에 연결된 제 2 전극, 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 마련된 발광층을 포함할 수 있다. 여기서, 발광층은 유기 발광층, 무기 발광층, 및 양자점 발광층 중 어느 하나를 포함하거나, 유기 발광층(또는 무기 발광층)과 양자점 발광층의 적층 또는 혼합 구조를 포함할 수 있다.As an example, the light emitting device ED may include a first electrode connected to a source electrode of the driving thin film transistor DT, a second electrode connected to a second driving power supply VSS, and a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode. It may include. The light emitting layer may include any one of an organic light emitting layer, an inorganic light emitting layer, and a quantum dot light emitting layer, or may include a stacked or mixed structure of an organic light emitting layer (or an inorganic light emitting layer) and a quantum dot light emitting layer.

이와 같은, 본 예에 따른 발광 표시 장치의 제 1 화소(12a)는 데이터 신호(Vdata)에 상응하는 전류에 따른 발광 소자(ED)의 발광을 통해 소정의 영상을 표시하게 된다.As described above, the first pixel 12a of the light emitting display device according to the present example displays a predetermined image through light emission of the light emitting device ED according to a current corresponding to the data signal Vdata.

이와 마찬가지로, 제 2 내지 제 4 화소(12b, 12c, 12d)는 제 1 화소(12a)와 실질적으로 동일한 구성을 가지므로, 이들에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.Similarly, since the second to fourth pixels 12b, 12c, and 12d have substantially the same configuration as the first pixel 12a, redundant description thereof will be omitted.

도 3은 본 출원의 일 예에 따른 화소를 나타내는 단면도이며, 도 4는 도 3에 도시된 A 부분의 확대도이며, 도 5는 도 3에 도시된 비평탄부의 평면 구조를 설명하기 위한 평면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a pixel according to an example of the present application, FIG. 4 is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a plan view illustrating a planar structure of the non-flat portion shown in FIG. 3. .

도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 출원의 일 예에 따른 화소는 기판(100), 및 기판(100) 상에 마련된 화소 영역(PA)을 포함할 수 있다.3 to 5, a pixel according to an example of the present application may include a substrate 100 and a pixel area PA provided on the substrate 100.

상기 기판(100)은 주로 유리 재질로 이루어지지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱 재질, 예로서, 폴리이미드 재질로 이루어질 수 있다. 플라스틱 재질을 기판(100)의 재질로 이용할 경우에는, 기판(100) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다. 이러한 기판(100)의 전면(前面) 전체는 1 이상의 버퍼층(110)에 의해 덮일 수 있다.The substrate 100 is mainly made of a glass material, but may be made of a transparent plastic material that can be bent or bent, for example, a polyimide material. When the plastic material is used as the material of the substrate 100, in consideration of a high temperature deposition process on the substrate 100, a polyimide having excellent heat resistance that can withstand high temperatures may be used. The entire front surface of the substrate 100 may be covered by one or more buffer layers 110.

상기 버퍼층(110)은 박막 트랜지스터의 제조 공정 중 고온 공정시 기판(100)에 함유된 물질이 트랜지스터층으로 확산되는 것을 차단하는 역할을 한다. 또한, 버퍼층(110)은 외부의 수분이나 습기가 발광 소자 쪽으로 침투하는 것을 방지하는 역할도 할 수 있다. 이와 같은, 버퍼층(110)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 이루어질 수 있다. 선택적으로, 버퍼층(110)은 경우에 따라서 생략될 수도 있다.The buffer layer 110 serves to block diffusion of the material contained in the substrate 100 into the transistor layer during the high temperature process of the thin film transistor manufacturing process. In addition, the buffer layer 110 may also serve to prevent external moisture or moisture from penetrating into the light emitting device. As such, the buffer layer 110 may be made of silicon oxide or silicon nitride. Optionally, the buffer layer 110 may be omitted in some cases.

상기 화소 영역(PA)은 회로 영역(CA) 및 개구 영역(OA)을 포함할 수 있다.The pixel area PA may include a circuit area CA and an opening area OA.

상기 회로 영역(CA)은 트랜지스터층, 보호층(130), 및 오버코트층(170)을 포함한다.The circuit area CA includes a transistor layer, a protection layer 130, and an overcoat layer 170.

상기 트랜지스터층은 구동 박막 트랜지스터(DT)를 포함할 수 있다.The transistor layer may include a driving thin film transistor DT.

일 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(DT)는 액티브층(111), 게이트 절연막(113), 게이트 전극(115), 층간 절연막(117), 드레인 전극(119d), 및 소스 전극(119s)을 포함한다.The driving thin film transistor DT according to an example includes an active layer 111, a gate insulating layer 113, a gate electrode 115, an interlayer insulating layer 117, a drain electrode 119d, and a source electrode 119s. .

상기 액티브층(111)은 기판(100) 또는 버퍼층(110) 상에 정의된 회로 영역(CA)의 구동 박막 트랜지스터 영역에 형성된 채널 영역(111c)과 드레인 영역(111d) 및 소스 영역(111s)을 포함한다. 즉, 액티브층(111)은 게이트 절연막(113)의 에칭 공정시 에칭 가스에 의해 도체화되는 드레인 영역(111d)과 소스 영역(111s), 및 에칭 가스에 의해 도체화되지 않은 채널 영역(111c)을 포함한다. 이때, 드레인 영역(111d)과 소스 영역(111s)은 채널 영역(111c)을 사이에 두고 서로 나란하도록 이격될 수 있다.The active layer 111 may include the channel region 111c, the drain region 111d, and the source region 111s formed in the driving thin film transistor region of the circuit region CA defined on the substrate 100 or the buffer layer 110. Include. That is, the active layer 111 is a drain region 111d and a source region 111s that are conductive by an etching gas during the etching process of the gate insulating film 113, and a channel region 111c that is not conductive by an etching gas. It includes. In this case, the drain region 111d and the source region 111s may be spaced apart from each other with the channel region 111c interposed therebetween.

일 예에 따른 액티브층(111)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 산화물(oxide) 및 유기물(organic material) 중 어느 하나로 이루어진 반도체 물질로 구성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 출원에 따른 액티브층(111)은 Zinc Oxide, Tin Oxide, Ga-In-Zn Oxide, In-Zn Oxide, 또는 In-Sn Oxide 등의 산화물로 이루어지거나, 산화물에 Al, Ni, Cu, Ta, Mo, Zr, V, Hf 또는 Ti 물질의 이온이 도핑된 산화물로 이루어질 수 있다.The active layer 111 according to an example may be formed of a semiconductor material made of any one of amorphous silicon, polycrystalline silicon, oxide, and organic material, but is not limited thereto. . For example, the active layer 111 according to the present application is made of an oxide such as Zinc Oxide, Tin Oxide, Ga-In-Zn Oxide, In-Zn Oxide, or In-Sn Oxide, or Al, Ni, Ions of Cu, Ta, Mo, Zr, V, Hf or Ti materials can be made of oxides doped.

상기 게이트 절연막(113)은 액티브층(111)의 채널 영역(111c) 상에 형성된다. 이러한 게이트 절연막(113)은 액티브층(111)을 포함하는 기판(100) 또는 버퍼층(110)의 전면(前面) 전체에 형성되지 않고, 액티브층(111)의 채널 영역(111c) 상에만 섬 형태로 형성될 수 있다.The gate insulating layer 113 is formed on the channel region 111c of the active layer 111. The gate insulating layer 113 is not formed on the entire surface of the substrate 100 or the buffer layer 110 including the active layer 111, but is formed only on the channel region 111c of the active layer 111. It can be formed as.

상기 게이트 전극(115)은 액티브층(111)의 채널 영역(111c)과 중첩되도록 게이트 절연막(113) 상에 형성된다. 게이트 전극(115)은 에칭 공정을 이용한 게이트 절연막(113)의 패터닝 공정시 에칭 가스에 의해 액티브층(111)의 채널 영역(111c)이 도체화되지 않도록 하는 마스크 역할을 한다. 이러한 게이트 전극(115)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.The gate electrode 115 is formed on the gate insulating layer 113 to overlap the channel region 111c of the active layer 111. The gate electrode 115 serves as a mask to prevent the channel region 111c of the active layer 111 from being conductive by the etching gas during the patterning process of the gate insulating layer 113 using the etching process. The gate electrode 115 may include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodium (Nd), copper (Cu), or their It may be made of an alloy, and may be made of a single layer or two or more layers of the metal or alloy.

상기 층간 절연막(117)은 게이트 전극(115)과 액티브층(111)의 드레인 영역(111d) 및 소스 영역(111s) 상에 형성된다. 즉, 층간 절연막(117)은 기판(100) 또는 버퍼층(110)의 전면(前面) 전체에 형성되어 게이트 전극(115)과 액티브층(111)의 드레인 영역(111d) 및 소스 영역(111s)을 덮는다. 이러한 층간 절연막(117)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 물질로 이루어지거나 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene) 또는 포토 아크릴(photo acryl)과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다.The interlayer insulating layer 117 is formed on the drain region 111d and the source region 111s of the gate electrode 115 and the active layer 111. That is, the interlayer insulating layer 117 is formed on the entire surface of the substrate 100 or the buffer layer 110 to form the drain region 111d and the source region 111s of the gate electrode 115 and the active layer 111. Cover. The interlayer insulating layer 117 may be made of an inorganic material such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or an organic material such as benzocyclobutene or photo acryl.

상기 드레인 전극(119d)은 액티브층(111)의 드레인 영역(111d)과 중첩되는 층간 절연막(117)에 마련된 제 1 콘택홀을 통해 액티브층(111)의 드레인 영역(111d)에 전기적으로 연결된다.The drain electrode 119d is electrically connected to the drain region 111d of the active layer 111 through a first contact hole provided in the interlayer insulating layer 117 overlapping the drain region 111d of the active layer 111. .

상기 소스 전극(119s)은 액티브층(111)의 소스 영역(111s)과 중첩되는 층간 절연막(117)에 마련된 제 2 콘택홀을 통해 액티브층(111)의 소스 영역(111s)에 전기적으로 연결된다.The source electrode 119s is electrically connected to the source region 111s of the active layer 111 through a second contact hole provided in the interlayer insulating layer 117 overlapping the source region 111s of the active layer 111. .

상기 드레인 전극(119d)과 소스 전극(111s) 각각은 동일한 금속 재질로 이루어지며, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.Each of the drain electrode 119d and the source electrode 111s is made of the same metal material, and includes, for example, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), Nickel (Ni), neodium (Nd), copper (Cu), or alloys thereof, and may be made of a single layer or two or more layers of the metal or alloy.

추가적으로, 회로 영역(CA)은 스위칭 박막 트랜지스터 및 커패시터를 더 포함한다.In addition, the circuit area CA further includes a switching thin film transistor and a capacitor.

상기 스위칭 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터와 실질적으로 동일한 구조를 가지도록 회로 영역(CA) 상에 마련되므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.Since the switching thin film transistor is provided on the circuit area CA to have substantially the same structure as the driving thin film transistor, a description thereof will be omitted.

상기 커패시터는 층간 절연막(117)을 사이에 두고 서로 중첩되는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(115)과 소스 전극(119s) 사이의 중첩 영역에 마련된다.The capacitor is provided in an overlapping region between the gate electrode 115 and the source electrode 119s of the driving thin film transistor DT overlapping each other with the interlayer insulating layer 117 therebetween.

부가적으로, 회로 영역(CA)에 마련된 트랜지스터는 광에 의해 문턱 전압이 쉬프트되는 특성을 가질 수 있는데, 이를 방지하기 위하여, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 액티브층(111)의 아래에 마련된 차광층(101)을 더 포함할 수 있다.In addition, the transistor provided in the circuit area CA may have a characteristic in which a threshold voltage is shifted by light. In order to prevent this, the light emitting display device according to the present application is provided with light blocking provided under the active layer 111. It may further comprise a layer (101).

상기 차광층(101)은 기판(100)과 액티브층(111) 사이에 마련되어 기판(100)을 통해서 액티브층(111) 쪽으로 입사되는 광을 차단함으로써 외부 광에 의한 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 최소화 내지 방지한다. 이러한 차광층(101)은 버퍼층(110)에 의해 덮일 수 있다. 선택적으로, 차광층(101)은 트랜지스터의 소스 전극에 전기적으로 연결되거나 별도의 바이어스 전원에 전기적으로 연결됨으로써 해당 트랜지스터의 하부 게이트 전극의 역할을 겸할 수도 있으며, 이 경우 광에 의한 특성 변화뿐만 아니라 바이어스 전압에 따른 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 최소화 내지 방지한다.The light blocking layer 101 is provided between the substrate 100 and the active layer 111 to block light incident to the active layer 111 through the substrate 100 to minimize the change in the threshold voltage of the transistor due to external light. prevent. The light blocking layer 101 may be covered by the buffer layer 110. Optionally, the light blocking layer 101 may be electrically connected to a source electrode of the transistor or electrically connected to a separate bias power source to serve as a lower gate electrode of the transistor, in which case the bias as well as the characteristic change by light Minimize or prevent variations in the threshold voltage of transistors with respect to voltage.

상기 보호층(130)은 트랜지스터층을 덮도록 기판(100) 상에 마련된다. 즉, 보호층(130)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(119d)과 소스 전극(119s) 및 층간 절연막(117)을 덮는다. 일 예에 따른 보호층(130)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 선택적으로, 보호층(130)은 패시베이션층의 용어로 표현될 수도 있다.The protective layer 130 is provided on the substrate 100 to cover the transistor layer. That is, the protection layer 130 covers the drain electrode 119d, the source electrode 119s, and the interlayer insulating layer 117 of the driving thin film transistor DT. The protective layer 130 according to an example may be made of an inorganic material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx). Alternatively, the protective layer 130 may be expressed in terms of a passivation layer.

상기 오버코트층(170)은 보호층(130)을 덮도록 기판(100) 상에 마련된다. 이러한 오버코트층(170)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가지도록 형성되어 기판(100) 상에 평탄면을 제공하는 역할을 한다. 일 예에 따른 오버코트층(170)은 포토 아크릴(photo acryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene), 폴리 이미드(polyimide), 및 불소 수지 등과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다.The overcoat layer 170 is provided on the substrate 100 to cover the protective layer 130. The overcoat layer 170 is formed to have a relatively thick thickness and serves to provide a flat surface on the substrate 100. The overcoat layer 170 according to an embodiment may be made of organic materials such as photo acryl, benzocyclobutene, polyimide, and fluorine resin.

상기 개구 영역(OA)은 각 화소에서 발생되는 광이 외부로 추출(또는 방출)되는 광 추출 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 개구 영역(OA)은 비평탄부(180), 및 발광 소자(ED)를 포함한다.The opening area OA may be defined as a light extraction area in which light generated in each pixel is extracted (or emitted) to the outside. The opening area OA according to an example includes the non-flat portion 180 and the light emitting device ED.

상기 비평탄부(180)는 굴곡(또는 요철) 형태를 가지도록 개구 영역(OA)와 중첩되는 오버코트층(170)에 마련됨으로써 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 진행 경로를 변경하여 화소의 광 추출 효율을 증가시킨다.The non-planar portion 180 is provided in the overcoat layer 170 overlapping with the opening region OA to have a curved (or uneven) shape, thereby changing the path of light emitted from the light emitting device ED to extract light from the pixel. Increase the efficiency.

일 예에 따른 비평탄부(180)는 복수의 볼록부(181)를 포함할 수 있다. 여기서, 복수의 볼록부(181) 각각은 마이크로 렌즈로 표현될 수 있다.The non-planar portion 180 according to an example may include a plurality of convex portions 181. Here, each of the plurality of convex portions 181 may be represented by a micro lens.

상기 복수의 볼록부(181) 각각은 발광 소자(ED)의 유효 발광 영역을 기반으로 화소에서 발생되는 광의 외부 추출 효율을 최대화할 수 있는 형상을 가지도록 개구 영역(OA)와 중첩되는 오버코트층(170)에 마련될 수 있다. 이러한 복수의 볼록부(181) 각각은 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 진행 경로를 기판(100) 쪽으로 변경하여 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 외부 추출 효율을 증가시킨다.Each of the plurality of convex portions 181 overlaps the opening region OA so as to have a shape capable of maximizing the external extraction efficiency of the light generated from the pixel based on the effective light emitting region of the light emitting device ED ( 170 may be provided. Each of the convex portions 181 changes the traveling path of the light emitted from the light emitting device ED toward the substrate 100 to increase the external extraction efficiency of the light emitted from the light emitting device ED.

일 예에 따른 복수의 볼록부(181) 각각은 뾰족한 형태의 정상부(181a)를 포함하는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 볼록부(181) 각각은 바닥부(181c)와 정상부(181a) 사이에 마련된 오목한 형태의 제 1 곡면부(181b)를 포함하며, 제 1 곡면부(181b)를 빗변으로 하는 삼각 형태의 단면을 가질 수 있다. Each of the plurality of convex portions 181 according to an example may have a cross-sectional shape including a top portion 181a having a pointed shape. For example, each of the plurality of convex portions 181 includes a concave first curved portion 181b provided between the bottom portion 181c and the top portion 181a, and the first curved portion 181b is hypotenuse. It may have a triangular cross section.

복수의 볼록부(181) 각각의 정상부(181a)는 끝단이 뾰족한 형태를 갖는 제 1 첨단부로 표현될 수도 있다. 이에 따라, 비평탄부(180)는 첨단부를 포함하며, 상기 첨단부는 평면적으로(또는 2차원적으로) 육각 형태를 가질 수 있으며, 이 경우, 비평탄부(180)는 평면적으로 벌집 구조를 가질 수 있다.The top portion 181a of each of the plurality of convex portions 181 may be represented by a first tip portion having a sharp tip. Accordingly, the non-flat portion 180 may include a tip portion, and the tip portion may have a hexagonal shape in plan (or two-dimensional), and in this case, the non-flat portion 180 may have a honeycomb structure in plan. .

상기 복수의 볼록부(181) 각각은 모든 방향에서 서로 연결될 수 있다. 즉, 복수의 볼록부(181) 각각의 바닥부(또는 밑면)(181c)는 모든 방향으로 인접한 볼록부들(181)의 바닥부(181c)와 연결될 수 있다. 이에 따라, 개구 영역(OA)와 중첩되는 오버코트층(170)(또는 비평탄부(180))는 복수의 볼록부(181) 사이에 배치되는 복수의 오목부(183)를 포함할 수 있다. 하나의 오목부(183)는 인접한 복수의 볼록부(181)에 의해 둘러싸일 수 있다. 하나의 오목부(183)를 둘러싸는 복수의 볼록부(181)는 평면적으로 육각 형태(또는 벌집 형태)로 배치될 수 있다. 이러한 복수의 볼록부(181)와 복수의 오목부(183)는 정상부(181a)를 갖는 비평탄부(180) 또는 마이크로 렌즈 어레이로 표현될 수 있다.Each of the plurality of convex portions 181 may be connected to each other in all directions. That is, the bottom portion (or bottom surface) 181c of each of the plurality of convex portions 181 may be connected to the bottom portion 181c of the convex portions 181 adjacent in all directions. Accordingly, the overcoat layer 170 (or the non-flat portion 180) overlapping the opening region OA may include a plurality of recesses 183 disposed between the plurality of convex portions 181. One concave portion 183 may be surrounded by a plurality of adjacent convex portions 181. The plurality of convex portions 181 surrounding one concave portion 183 may be arranged in a hexagonal shape (or honeycomb form) in plan view. The plurality of convex portions 181 and the plurality of concave portions 183 may be represented by a non-flat portion 180 or a micro lens array having a top portion 181a.

상기 복수의 오목부(183) 각각은 오버코트층(170)의 전면(170a)(또는 표면)으로부터 오목하게 마련될 수 있다. 이 경우, 복수의 오목부(183) 각각은, 오버코트층(170)의 전면(170a)을 기준으로, 서로 동일한 깊이를 가질 수 있지만, 공정 오차(또는 공정 마진) 범위 내에서 서로 다른 깊이를 가질 수 있다. 이러한 복수의 오목부(183) 각각은 일정한 간격을 가지도록 제 1 방향(X)을 따라 나란하게 배치되고 제 2 방향(Y)을 따라 지그재그 형태로 배치될 수 있다. 즉, 복수의 오목부(183) 각각은 일정한 간격을 갖는 격자 형태로 배치되되, 제 2 방향(Y)으로 따라 인접한 오목부들(183)끼리 엇갈리게 배치될 수 있다. 이에 따라, 인접한 3개의 오목부들(183) 각각의 중심부는 삼각 형태(TS)를 이룰 수 있다. 또한, 복수의 오목부(183) 각각은 주변에 배치된 6개의 오목부(183)에 의해 둘러싸일 수 있으며, 이때, 하나의 오목부(183)를 둘러싸는 6개의 오목부(183) 각각의 중심부는 평면적으로 6각 형태를 이룰 수 있다.Each of the plurality of recesses 183 may be recessed from the front surface 170a (or surface) of the overcoat layer 170. In this case, each of the plurality of recesses 183 may have the same depth with respect to the front surface 170a of the overcoat layer 170, but may have different depths within a process error (or process margin) range. Can be. Each of the plurality of recesses 183 may be arranged side by side along the first direction X to have a predetermined interval and may be disposed in a zigzag form along the second direction Y. FIG. That is, each of the plurality of recesses 183 may be disposed in the form of a grid having a predetermined interval, and adjacent recesses 183 may be alternately arranged in the second direction (Y). Accordingly, a central portion of each of the three adjacent recesses 183 may have a triangular shape TS. In addition, each of the plurality of recesses 183 may be surrounded by six recesses 183 disposed at the periphery, and at this time, each of the six recesses 183 surrounding one recess 183 may be The central portion can be hexagonal in plan.

복수의 볼록부(181) 각각은 오목부(183)들 사이의 경계부로 정의될 수 있다. 이에 따라, 복수의 오목부(183) 각각은 경계부에 의해 둘러싸이며 경계부로부터 오목하게 마련된 제 1 곡면부(181b)를 포함할 수 있다.Each of the plurality of protrusions 181 may be defined as a boundary between the recesses 183. Accordingly, each of the plurality of recesses 183 may include a first curved portion 181b surrounded by the boundary portion and provided concave from the boundary portion.

상기 복수의 볼록부(181)와 복수의 오목부(18)를 포함하는 비평탄부(180)는 포토 레지스트를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 오버코트층(170)의 개구 영역(OA) 상에 마스크 패턴을 형성한 후, 마스크 패턴을 이용한 오버코트층(170)의 에칭 공정을 통해 형성될 수 있다. 여기서, 포토 레지스트는 생산성의 향상을 위해 포지티브 포토 레지스트가 사용될 수 있다.The non-planar portion 180 including the plurality of convex portions 181 and the plurality of concave portions 18 may form a mask pattern on the opening region OA of the overcoat layer 170 through a photolithography process using photoresist. After forming, it may be formed through an etching process of the overcoat layer 170 using a mask pattern. Herein, a positive photoresist may be used for the photoresist to improve productivity.

일 예에 따른 볼록부(181)들의 정상부(181a) 간의 간격(또는 피치)(P)는 볼록부(181)의 바닥부(181c)의 직경과 동일하거나 볼록부(181)의 바닥부(181c)의 직경보다 작을 수 있다. 여기서, 볼록부(181)들의 정상부(181a) 간의 간격(P)이 볼록부(181)의 바닥부(181c)의 직경보다 클 경우, 화소 영역(PA)의 개구 영역(OA)에 마련되는 볼록부(181)들의 밀도가 감소함으로써 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 외부 추출 효율이 감소할 수 있다.An interval (or pitch) P between the top portions 181a of the convex portions 181 according to an example may be the same as the diameter of the bottom portion 181c of the convex portion 181, or the bottom portion 181c of the convex portion 181. May be smaller than the diameter. Here, when the distance P between the top portions 181a of the convex portions 181 is larger than the diameter of the bottom portion 181c of the convex portion 181, the convex provided in the opening region OA of the pixel region PA is provided. As the density of the portions 181 is reduced, the external extraction efficiency of the light emitted from the light emitting device ED may be reduced.

상기 발광 소자(ED)는 하부 발광(bottom emission) 방식에 따라 기판(100) 쪽으로 광을 방출한다. 일 예에 따른 발광 소자(ED)는 제 1 전극(E1), 발광층(EL), 및 제 2 전극(E2)을 포함한다.The light emitting device ED emits light toward the substrate 100 according to a bottom emission method. The light emitting device ED according to an example includes a first electrode E1, a light emitting layer EL, and a second electrode E2.

상기 제 1 전극(E1)은 화소 영역(PA) 상의 오버코트층(170) 상에 형성되어 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(119s)에 전기적으로 연결된다. 이때, 회로 영역(CA)에 인접한 제 1 전극(E1)의 일단은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(119s) 상으로 연장되고, 오버코트층(170)과 보호층(130)에 마련된 컨택홀(CH)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(119s)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제 1 전극(E1)은 비평탄부(180)와 직접적으로 접촉하기 때문에 비평탄부(180)의 형상을 따르는 형상을 갖는다. 즉, 제 1 전극(E1)은 상대적으로 얇은 두께를 가지도록 오버코트층(170) 상에 형성(또는 증착)되기 때문에 비평탄부(180)의 표면 형상(morphology)(또는 제 1 표면 형상)을 그대로 따르는 표면 형상(또는 제 2 표면 형상)을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 1 전극(E1)은 투명 도전 물질의 증착 공정에 의해 비평탄부(180)의 표면 형상(또는 모폴로지)를 그대로 따르는 등각(conformal) 형태로 형성됨으로써 비평탄부(180)와 동일한 형태의 단면 구조를 가질 수 있다.The first electrode E1 is formed on the overcoat layer 170 on the pixel area PA and is electrically connected to the source electrode 119s of the driving thin film transistor DT. In this case, one end of the first electrode E1 adjacent to the circuit area CA extends over the source electrode 119s of the driving thin film transistor DT, and the contact hole provided in the overcoat layer 170 and the protective layer 130. It is electrically connected to the source electrode 119s of the driving thin film transistor DT through CH. Since the first electrode E1 is in direct contact with the non-flat portion 180, the first electrode E1 has a shape that follows the shape of the non-flat portion 180. That is, since the first electrode E1 is formed (or deposited) on the overcoat layer 170 to have a relatively thin thickness, the surface morphology (or first surface shape) of the non-flat portion 180 is maintained as it is. It may have a surface shape that follows (or a second surface shape). Accordingly, the first electrode E1 is formed in a conformal shape that follows the surface shape (or morphology) of the non-flat portion 180 by the deposition process of the transparent conductive material, thereby forming the same shape as the non-flat portion 180. It may have a cross-sectional structure.

상기 제 1 전극(E1)은 발광 소자(ED)의 애노드 전극이 될 수 있다. 일 예에 따른 제 1 전극(E1)은 발광층(EL)에서 방출되는 광이 기판(100) 쪽으로 투과될 수 있도록 TCO(Transparent Conductive Oxide)와 같은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(E1)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 이루어질 수 있다.The first electrode E1 may be an anode of the light emitting device ED. The first electrode E1 according to an example may include a transparent conductive material such as transparent conductive oxide (TCO) so that light emitted from the emission layer EL may be transmitted toward the substrate 100. For example, the first electrode E1 may be made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기 발광층(EL)은 제 1 전극(E1) 상에 형성되어 제 1 전극(E1)에 직접적으로 접촉된다. 이때, 발광층(EL)은 제 1 전극(E1) 대비 상대적으로 두꺼운 두께를 가지도록 제 1 전극(E1) 상에 형성(또는 증착)됨으로써 복수의 볼록부(181) 각각의 표면 형상 또는 제 1 전극(E1)의 표면 형상과 다른 표면 형상(또는 제 3 표면 형상)을 갖는다. 예를 들어, 발광층(EL)은 복수의 볼록부(181) 각각의 제 1 곡면부(181b) 또는 제 1 전극(E1)의 표면 형상을 그대로 따르는 형상을 가지지만, 볼록부(181)의 정상부(181a)와 중첩되는 발광층(EL)의 정상부는 볼록부(181)의 정상부(181a)와 달리 뾰족하지 않는 곡면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 발광층(EL)은 증착 공정에 의해 제 1 전극(E1)의 표면 형상(또는 모폴로지)를 그대로 따르지 않는 비등각(non-conformal) 형태로 형성됨으로써 제 1 전극(E1)(또는 복수의 볼록부)과 다른 형태의 단면 구조를 가질 수 있다.The emission layer EL is formed on the first electrode E1 to directly contact the first electrode E1. In this case, the light emitting layer EL is formed (or deposited) on the first electrode E1 to have a thickness relatively thicker than that of the first electrode E1, so that the surface shape of each of the plurality of convex portions 181 or the first electrode is formed. It has a surface shape (or 3rd surface shape) different from the surface shape of (E1). For example, the light emitting layer EL has a shape that follows the surface shape of the first curved portion 181b or the first electrode E1 of each of the plurality of convex portions 181, but is at the top of the convex portion 181. The top portion of the light emitting layer EL overlapping the 181a may have a curved shape that is not pointed, unlike the top portion 181a of the convex portion 181. Accordingly, the light emitting layer EL is formed in a non-conformal form that does not conform to the surface shape (or morphology) of the first electrode E1 by a deposition process, thereby forming the first electrode E1 (or a plurality of light emitting layers). It may have a cross-sectional structure of a different form).

일 예에 따른 발광층(EL)은 볼록부(181)의 바닥부(181c) 또는 비평탄부(180)의 오목부(183)로 갈수록 점점 두꺼운 두께를 가지도록 형성된다. 예를 들어, 발광층(EL)은 볼록부(181)의 정상부(181a)을 포함하는 상측 영역에서 제 1 두께(T1)를 가지며, 볼록부(181)의 바닥부(181c)에서 제 1 두께(T1)보다 두꺼운 제 2 두께(T2)를 가질 수 있다. 이에 따라, 발광층(EL)은 두께에 따라 유효 발광 영역과 비유효 발광 영역을 가질 수 있다. 발광층(EL)의 유효 발광 영역은 볼록부(181)들의 상측 영역으로 설정될 수 있고, 발광층(EL)의 비유효 발광 영역은 볼록부(181)들의 하측 영역으로 설정될 수 있다.The light emitting layer EL according to an example is formed to have a thicker thickness toward the bottom portion 181c of the convex portion 181 or the concave portion 183 of the non-flat portion 180. For example, the emission layer EL has a first thickness T1 in an upper region including the top portion 181a of the convex portion 181, and has a first thickness (T) in the bottom portion 181c of the convex portion 181. It may have a second thickness T2 thicker than T1). Accordingly, the light emitting layer EL may have an effective light emitting area and an ineffective light emitting area depending on the thickness. The effective light emitting region of the light emitting layer EL may be set to the upper regions of the convex portions 181, and the ineffective light emitting region of the light emitting layer EL may be set to the lower regions of the convex portions 181.

일 예에 따른 발광층(EL)은 백색 광을 방출하기 위한 2 이상의 발광부를 포함한다. 예를 들어, 발광층(EL)은 제 1 광과 제 2 광의 혼합에 의해 백색 광을 방출하기 위한 제 1 발광부와 제 2 발광부를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 발광부는 제 1 광을 방출하는 것으로 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 제 2 발광부는 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 중 제 1 광의 보색 관계를 갖는 광을 방출하는 발광부를 포함할 수 있다.The light emitting layer EL according to an example includes two or more light emitting parts for emitting white light. For example, the light emitting layer EL may include a first light emitting part and a second light emitting part for emitting white light by mixing the first light and the second light. Here, the first light emitting unit emits the first light and may include any one of a blue light emitting unit, a green light emitting unit, a red light emitting unit, a yellow light emitting unit, and an yellow green light emitting unit. The second light emitting unit may include a blue light emitting unit, a green light emitting unit, a red light emitting unit, a yellow light emitting unit, and a light emitting unit which emits light having a complementary color relationship among the first light among yellow green.

다른 예에 따른 발광층(EL)은 청색 발광부, 녹색 발광부, 및 적색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소가 적색 화소일 경우, 적색 화소의 발광층은 적색 발광부를 포함할 수 있다. 화소가 녹색 화소일 경우, 녹색 화소의 발광층은 녹색 발광부를 포함할 수 있다. 그리고, 화소가 청색 화소일 경우, 청색 화소의 발광층은 청색 발광부를 포함할 수 있다.The light emitting layer EL according to another example may include any one of a blue light emitting part, a green light emitting part, and a red light emitting part. For example, when the pixel is a red pixel, the light emitting layer of the red pixel may include a red light emitting part. When the pixel is a green pixel, the light emitting layer of the green pixel may include a green light emitting part. When the pixel is a blue pixel, the light emitting layer of the blue pixel may include a blue light emitting part.

상기 제 2 전극(E2)은 발광층(EL) 상에 형성되어 발광층(EL)과 직접적으로 접촉된다. 이때, 제 2 전극(E2)은 발광층(EL) 대비 상대적으로 얇은 두께를 가지도록 발광층(EL) 상에 형성(또는 증착)된다. 이때, 제 2 전극(E2)은 상대적으로 얇은 두께를 가지도록 발광층(EL) 상에 형성(또는 증착)됨으로써 발광층(EL)의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)과 동일한 단면 구조를 가질 수 있다.The second electrode E2 is formed on the light emitting layer EL to directly contact the light emitting layer EL. In this case, the second electrode E2 is formed (or deposited) on the light emitting layer EL to have a thickness relatively thinner than that of the light emitting layer EL. In this case, the second electrode E2 may have a surface shape which is formed (or deposited) on the light emitting layer EL to have a relatively thin thickness and follows the surface shape of the light emitting layer EL as it is. Accordingly, the second electrode E2 may have the same cross-sectional structure as the emission layer EL.

일 예에 따른 제 2 전극(E2)은 발광 소자(ED)의 캐소드 전극이 될 수 있다. 일 예에 따른 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)에서 방출되어 입사되는 광을 기판(100) 쪽으로 반사시키기 위해 반사율이 높은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(E2)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄(Al)과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC(Ag/Pd/Cu) 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 다층 구조로 형성되거나, 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단층 구조를 포함할 수 있다.The second electrode E2 according to an example may be a cathode of the light emitting device ED. According to an embodiment, the second electrode E2 may include a metal material having a high reflectance in order to reflect the light emitted and emitted from the emission layer EL toward the substrate 100. For example, the second electrode E2 may have a stacked structure (Ti / Al / Ti) of aluminum (Al) and titanium (Ti), a stacked structure of aluminum (Al) and ITO (ITO / Al / ITO), and an APC ( Ag / Pd / Cu alloys and multi-layered structures such as APC alloys and ITO laminated structures (ITO / APC / ITO), or silver (Ag), aluminum (Al), molybdenum (Mo), gold (Au) , Magnesium (Mg), calcium (Ca), or barium (Ba) may include a single layer structure made of any one material or two or more alloy materials.

본 출원에 따른 개구 영역(OA)은 파장 변환층(150)을 더 포함할 수 있다.The opening region OA according to the present application may further include the wavelength conversion layer 150.

상기 파장 변환층(150)은 개구 영역(OA)과 중첩되도록 기판(100)과 오버코트층(170) 사이에 마련될 수 있다.The wavelength conversion layer 150 may be provided between the substrate 100 and the overcoat layer 170 to overlap the opening region OA.

일 예에 따른 파장 변환층(150)은 개구 영역(OA)과 중첩되도록 보호층(130) 상에 마련된다. 즉, 파장 변환층(150)은 보호층(130)에 지지되어 오버코트층(170)에 의해 덮임으로써 보호층(130)과 비평탄화층(180) 사이에 마련되어 개구 영역(OA)과 중첩될 수 있다.The wavelength conversion layer 150 according to an example is provided on the protective layer 130 to overlap the opening region OA. That is, the wavelength conversion layer 150 may be supported between the protective layer 130 and covered by the overcoat layer 170 to be provided between the protective layer 130 and the non-planarization layer 180 to overlap the opening region OA. have.

다른 예에 따른 파장 변환층(150)은 층간 절연막(117)과 보호층(130) 사이에 마련되거나 기판(100)과 층간 절연막(117) 사이에 마련되어 개구 영역(OA)과 중첩될 수 있다.The wavelength conversion layer 150 according to another example may be provided between the interlayer insulating layer 117 and the protection layer 130 or may be provided between the substrate 100 and the interlayer insulating layer 117 to overlap the opening region OA.

제 1 예에 따른 파장 변환층(150)은 발광 소자(ED)로부터 기판(100) 쪽으로 방출되는 광 중 화소에 설정된 색상의 파장만을 투과시키는 컬러필터를 포함한다. 예를 들어, 파장 변환층(150)은 적색, 녹색, 또는 청색의 파장만을 투과시킬 수 있다. 일 예로서, 본 출원에 따른 발광 표시 장치에서, 하나의 단위 화소는 인접한 제 1 내지 제 3 화소로 구성될 경우, 제 1 화소에 마련된 파장 변환층은 적색 컬러필터, 제 2 화소에 마련된 파장 변환층은 녹색 컬러필터, 및 제 3 화소에 마련된 파장 변환층은 청색 컬러필터를 각각 포함할 수 있다. 추가적으로, 본 출원에 따른 발광 표시 장치에서, 하나의 단위 화소는 파장 변환층이 형성되지 않은 백색 화소를 더 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 150 according to the first example includes a color filter that transmits only a wavelength of a color set to a pixel among light emitted from the light emitting device ED toward the substrate 100. For example, the wavelength conversion layer 150 may transmit only red, green, or blue wavelengths. As an example, in the light emitting display device according to the present application, when one unit pixel includes adjacent first to third pixels, the wavelength conversion layer provided on the first pixel includes a red color filter and a wavelength conversion provided on the second pixel. The layer may include a green color filter, and the wavelength conversion layer provided on the third pixel may include a blue color filter. Additionally, in the light emitting display device according to the present application, one unit pixel may further include a white pixel in which the wavelength conversion layer is not formed.

제 2 예에 따른 파장 변환층(150)은 발광 소자(ED)로부터 기판(100) 쪽으로 방출되는 광에 따라 재발광하여 화소에 설정된 색상의 광을 방출하는 크기를 갖는 양자점을 포함할 수 있다. 여기서, 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, CdZnSeS, ZnS, ZnSe, GaAs, GaP, GaAs-P, Ga-Sb, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, 또는 AlSb 등에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 화소의 파장 변환층은 CdSe 또는 InP의 양자점, 상기 제 2 화소의 파장 변환층은 CdZnSeS의 양자점, 및 상기 제 3 화소의 파장 변환층은 ZnSe의 양자점을 각각 포함할 수 있다. 이와 같이, 파장 변환층(150)이 양자점을 포함하는 발광 표시 장치는 높은 색재현율을 가질 수 있다.The wavelength conversion layer 150 according to the second example may include a quantum dot having a size that emits light of a color set in a pixel by re-emission according to light emitted from the light emitting device ED toward the substrate 100. Here, the quantum dot may be selected from CdS, CdSe, CdTe, CdZnSeS, ZnS, ZnSe, GaAs, GaP, GaAs-P, Ga-Sb, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, and the like. For example, the wavelength conversion layer of the first pixel may include a quantum dot of CdSe or InP, the wavelength conversion layer of the second pixel may include a quantum dot of CdZnSeS, and the wavelength conversion layer of the third pixel may include a quantum dot of ZnSe. have. As such, the light emitting display device in which the wavelength conversion layer 150 includes quantum dots may have high color reproducibility.

제 3 예에 따른 파장 변환층(150)은 양자점을 함유하는 컬러필터로 이루어질 수도 있다.The wavelength conversion layer 150 according to the third example may be formed of a color filter containing quantum dots.

본 출원에 따른 발광 표시 장치는 뱅크층(190) 및 봉지층(200)을 더 포함할 수 있다.The light emitting display device according to the present application may further include a bank layer 190 and an encapsulation layer 200.

상기 뱅크층(190)은 화소 영역(PA) 내의 개구 영역(OA)을 정의하는 것으로, 제 1 전극(E1)의 가장자리와 오버코트층(170) 상에 마련된다. 이러한 뱅크층(190)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지, 아크릴계(acryl) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 수지 등의 유기물로 형성할 수 있다. 또는, 뱅크층(190)은 검정색 안료를 포함하는 감광제로 형성할 수 있으며, 이 경우에는 뱅크층(190)은 인접한 화소 사이의 차광 부재의 역할을 겸하게 된다.The bank layer 190 defines an opening area OA in the pixel area PA, and is provided on the edge of the first electrode E1 and the overcoat layer 170. The bank layer 190 may be formed of an organic material such as a benzocyclobutene (BCB) resin, an acryl resin, or a polyimide resin. Alternatively, the bank layer 190 may be formed of a photoresist including a black pigment, in which case the bank layer 190 may serve as a light blocking member between adjacent pixels.

일 예에 따른 뱅크층(190)은 화소 영역(PA)의 회로 영역(CA) 상으로 연장된 제 1 전극(E1)의 가장자리를 덮도록 오버코트층(170)의 평탄면(170a) 상에 형성된다.The bank layer 190 according to an example is formed on the flat surface 170a of the overcoat layer 170 to cover the edge of the first electrode E1 extending on the circuit area CA of the pixel area PA. do.

다른 예에 따른 뱅크층(190)은 비평탄부(180)의 가장자리를 덮도록 마련될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 제 1 전극(E1), 뱅크층(190), 및 제 1 전극(E1)과 뱅크층(190) 사이의 단차부 상에 형성될 수 있는데, 이때, 발광층(EL)이 제 1 전극(E1)과 뱅크층(190) 사이의 단차부에서 얇은 두께로 형성될 경우, 제 2 전극(E2)과 제 1 전극(E1) 간에 전기적으로 접촉(또는 쇼트)이 발생될 수 있다. 이러한 문제점을 방지하기 위하여, 뱅크층(190)에 의해 정의되는 개구 영역(OA)은 평면적으로 오버코트층(170)의 비평탄부(180)보다 좁은 크기를 가지도록 형성될 수 있다. 일 예에 따른 뱅크층(190)의 끝단(190a)은 비평탄부(180)의 가장자리에 배치됨으로써 제 1 전극(E1)과 뱅크층(190) 사이의 단차를 감소시킨다. 즉, 뱅크층(190)의 끝단(190a)은 화소 영역(PA)의 회로 영역(CA)과 개구 영역(OA)의 경계부를 결정짓는 것으로, 복수의 볼록부(181) 중 최외곽 볼록부(181)의 제 1 곡면부(181b)와 중첩되는 제 1 전극(E1) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(190)의 끝단(190a)은 오버코트층(170)의 평탄면(170a)과 최외곽 볼록부(181)의 제 1 곡면부(181b)의 바닥부 사이에 위치할 수 있다.The bank layer 190 according to another example may be provided to cover the edge of the non-flat portion 180. That is, the light emitting layer EL may be formed on the first electrode E1, the bank layer 190, and a stepped portion between the first electrode E1 and the bank layer 190. In this case, the light emitting layer EL When a thin thickness is formed at the stepped portion between the first electrode E1 and the bank layer 190, electrical contact (or short) may occur between the second electrode E2 and the first electrode E1. have. In order to prevent such a problem, the opening area OA defined by the bank layer 190 may be formed to have a smaller size than the non-planar portion 180 of the overcoat layer 170 in plan view. The end 190a of the bank layer 190 according to an example is disposed at the edge of the non-flat portion 180 to reduce the step between the first electrode E1 and the bank layer 190. That is, the end 190a of the bank layer 190 determines the boundary between the circuit area CA and the opening area OA of the pixel area PA. The outermost convex part of the plurality of convex parts 181 may be determined. The electrode may be disposed on the first electrode E1 overlapping the first curved portion 181b of the 181. For example, the end 190a of the bank layer 190 may be located between the flat surface 170a of the overcoat layer 170 and the bottom portion of the first curved portion 181b of the outermost convex portion 181. have.

상기 발광 소자(ED)의 발광층(EL)과 제 2 전극(E2) 각각은 뱅크층(190) 상에도 형성된다. 즉, 발광층(EL)은 제 1 전극(E1)과 뱅크층(190)이 마련된 기판(100) 상에 형성되고, 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)을 덮도록 형성된다.Each of the light emitting layer EL and the second electrode E2 of the light emitting device ED is formed on the bank layer 190. That is, the emission layer EL is formed on the substrate 100 on which the first electrode E1 and the bank layer 190 are provided, and the second electrode E2 is formed to cover the emission layer EL.

상기 봉지층(encapsulation layer)(200)은 제 2 전극(E2), 즉 화소 전체를 덮도록 기판(100) 상에 형성된다. 이러한 봉지층(200)은 외부 충격으로부터 박막 트랜지스터 및 발광 소자(ED) 등을 보호하고, 산소 또는/및 수분 나아가 이물들(particles)이 발광 소자(ED)로 침투하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The encapsulation layer 200 is formed on the substrate 100 to cover the second electrode E2, that is, the entire pixel. The encapsulation layer 200 may protect the thin film transistor, the light emitting device ED, and the like from an external impact, and may prevent oxygen or / and moisture, and particles from penetrating into the light emitting device ED. have.

일 예에 따른 봉지층(200)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 그리고, 봉지층(200)은 적어도 하나의 유기막을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 봉지층(200)은 제 1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 및 제 2 무기 봉지층을 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 무기 봉지층은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiON), 티타늄 산화막(TiOx), 및 알루미늄 산화막(AlOx) 중 어느 하나의 무기 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 유기 봉지층은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리 아미드 수지(polyamide resin), 폴리 이미드 수지(polyimide resin), 및 벤조사이클로부텐 수지(benzocyclobutene resin) 중 어느 하나의 유기 물질로 이루어질 수 있다. 유기 봉지층은 이물질 커버층(particle cover layer)으로 표현될 수 있다.The encapsulation layer 200 according to an example may include at least one inorganic layer. The encapsulation layer 200 may further include at least one organic layer. For example, the encapsulation layer 200 may include a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer. The first and second inorganic encapsulation layers may include an inorganic material of any one of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), titanium oxide (TiOx), and aluminum oxide (AlOx). have. In addition, the organic encapsulation layer may include an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, and a benzocyclobutene resin ( benzocyclobutene resin). The organic encapsulation layer can be represented by a particle cover layer.

선택적으로, 봉지층(200)은 화소 전체를 둘러싸는 충진재로 변경될 수 있으며, 이 경우, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 충진재를 매개로 하여 기판(100) 상에 부착되는 봉지 기판(300)을 더 포함한다. 봉지 기판(300)은 글라스 재질, 플라스틱 재질, 또는 금속 재질로 이루어질 수 있다.Optionally, the encapsulation layer 200 may be changed to a filler surrounding the entire pixel. In this case, the light emitting display device according to the present application may be encapsulated on the substrate 100 via the filler. It includes more. The encapsulation substrate 300 may be made of glass, plastic, or metal.

추가적으로, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 기판(100)의 후면(또는 광 추출면)(100a)에 부착된 편광 필름을 더 포함할 수 있다. 상기 편광 필름은 화소에 마련된 박막 트랜지스터 및/또는 라인들 등에 의해 반사된 외부 광을 원편광 상태로 변경하여 발광 표시 장치의 시인성과 명암비를 향상시킨다.In addition, the light emitting display device according to the present application may further include a polarizing film attached to the rear surface (or light extraction surface) 100a of the substrate 100. The polarizing film improves visibility and contrast ratio of the light emitting display device by changing external light reflected by a thin film transistor and / or lines provided in a pixel to a circularly polarized state.

이와 같은, 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 화소의 유효 발광 영역(EA)에 마련된 비평탄부(180)에 의해 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 경로가 변경되어 광 추출 효율이 향상되고, 이로 인하여 휘도가 향상되고 소비 전력이 감소될 수 있다. 또한, 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 화소의 개구 영역(OA)에 마련된 복수의 볼록부(181)의 표면 형상과 다른 표면 형상을 갖는 발광층(EL)을 포함함으로써 광의 외부 추출 효율이 더욱 향상될 수 있다. 즉, 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 뾰족한 정상부(181a)를 갖는 볼록부들(181) 및 볼록부들(181)의 정상부(181a)와 중첩되는 볼록한 곡면 형상을 갖는 발광층(EL)을 포함함으로써 발광층(EL)의 내부에서 반복되는 전반사에 의해 외부로 추출되지 않는 광이 볼록부(181)의 정상부(181a) 상에 형성된 발광 소자(ED)의 볼록한 곡면 형상에 의해 반사되어 외부로 추출됨에 따라 광의 외부 추출 효율이 더욱 향상될 수 있다.As described above, in the light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present application, the path of the light emitted from the light emitting element ED is changed by the non-flat portion 180 provided in the effective light emitting area EA of the pixel, thereby improving light extraction efficiency. As a result, the luminance may be improved and power consumption may be reduced. In addition, the light emitting display device according to an example of the present application includes a light emitting layer EL having a surface shape different from that of the plurality of convex portions 181 provided in the opening area OA of the pixel, thereby increasing external extraction efficiency of light. Can be further improved. That is, the light emitting display device according to an example of the present application includes convex portions 181 having sharp top portions 181 a and light emitting layers EL having convex curved shapes overlapping with top portions 181 a of the convex portions 181. Therefore, the light that is not extracted to the outside by the total reflection repeated inside the light emitting layer EL is reflected by the convex curved shape of the light emitting element ED formed on the top portion 181a of the convex portion 181 to be extracted to the outside. Therefore, the external extraction efficiency of the light can be further improved.

도 6은 도 5에 도시된 선 I-I'의 단면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 볼록부의 단면에 대한 현미경 사진의 확대도이며, 도 8은 도 6에 도시된 볼록부에서 제 1 곡면부의 기울기를 설명하기 위한 도면으로서, 이는 본 출원에 따른 비평탄부와 발광 소자의 단면 구조를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 5, FIG. 7 is an enlarged view of a micrograph of the cross section of the convex portion shown in FIG. 6, and FIG. 8 is a first view of the convex portion shown in FIG. 6. As a view for explaining the slope of the curved portion, this is a view for explaining the cross-sectional structure of the non-flat portion and the light emitting device according to the present application.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 본 출원의 일 예에 따른 비평탄부(180)는 정상부(181a)(또는 제 1 첨단부)를 갖는 복수의 볼록부(181)를 포함함으로써 발광층(EL)의 내부에서 반복되는 전반사에 의해 외부로 추출되지 않는 광을 외부로 추출시킨다. 이에 따라, 광의 외부 추출 효율은 복수의 볼록부(181)와 발광 소자(ED) 간의 형상에 따라 결정될 수 있다.6 to 8, the non-planar portion 180 according to an example of the present application includes a plurality of convex portions 181 having a top portion 181a (or a first tip portion) of the emission layer EL. The light that is not extracted to the outside by the total reflection repeated inside is extracted to the outside. Accordingly, the external extraction efficiency of the light may be determined according to the shape between the plurality of convex portions 181 and the light emitting device ED.

상기 복수의 볼록부(181) 각각은 높이(H)를 기준으로, 하부 영역(LA), 중간 영역(MA), 및 상부 영역(UA)을 포함할 수 있다.Each of the convex portions 181 may include a lower region LA, an intermediate region MA, and an upper region UA based on the height H.

상기 하부 영역(LA)은 볼록부(181)의 바닥부(181c)와 정상부(181a) 사이의 전체 높이(H) 중 볼록부(181)의 바닥부(181c)와 반높이(H/2) 사이의 제 1 높이(h1)에 대응되는 영역으로 정의될 수 있다.The lower area LA includes the bottom portion 181c and the half height H / 2 of the convex portion 181 of the total height H between the bottom portion 181c and the top portion 181a of the convex portion 181. It may be defined as an area corresponding to the first height h1 therebetween.

상기 중간 영역(MA)은 하부 영역(MA)과 상부 영역(UA) 사이에 마련되는 것으로, 볼록부(181)의 바닥부(181c)와 정상부(181a) 사이의 전체 높이(H) 중 반높이(H/2)와 4/5 높이(4H/5) 사이의 제 2 높이(h2)에 대응되는 영역으로 정의될 수 있다.The intermediate region MA is provided between the lower region MA and the upper region UA, and is half the height of the entire height H between the bottom portion 181c and the top portion 181a of the convex portion 181. It may be defined as an area corresponding to the second height h2 between (H / 2) and 4/5 height (4H / 5).

상기 상부 영역(UA)은 중간 영역(MA) 상에 마련되는 것으로, 볼록부(181)의 바닥부(181c)와 정상부(181a) 사이의 전체 높이(H) 중 4/5 높이(4H/5)와 정상부(181a) 사이의 제 3 높이(h3)에 대응되는 영역으로 정의될 수 있다.The upper region UA is provided on the intermediate region MA, and is 4/5 of the total height H between the bottom portion 181c and the top portion 181a of the convex portion 181 (4H / 5). ) And an area corresponding to the third height h3 between the top portion 181a.

상기 복수의 볼록부(181) 각각은 반높이(H/2)를 기준으로, 하측 영역(또는 하측 볼록부)과 상측 영역(또는 상측 볼록부)을 포함할 수 있다. 이때, 복수의 볼록부(181) 각각의 하측 영역은 하부 영역(LA)을 포함하며, 복수의 볼록부(181) 각각의 상측 영역은 중간 영역(MA)과 상부 영역(UA)을 포함할 수 있다.Each of the plurality of convex portions 181 may include a lower region (or lower convex portion) and an upper region (or upper convex portion) based on the half height H / 2. In this case, the lower region of each of the plurality of convex portions 181 may include a lower region LA, and the upper region of each of the plurality of convex portions 181 may include an intermediate region MA and an upper region UA. have.

상기 복수의 볼록부(181) 각각은 정상부(181a)와 바닥부(181c) 사이에 오목한 형태로 마련된 제 1 곡면부(181b)를 포함함으로써 정상부(181a)에 해당하는 꼭지점, 바닥부(181c)에 해당하는 밑변, 및 제 1 곡면부(181b)에 해당하는 빗변(OS1, OS2)을 포함하는 삼각 형태의 단면 구조를 가질 수 있다.Each of the plurality of convex portions 181 includes a first curved portion 181b provided in a concave shape between the top portion 181a and the bottom portion 181c, thereby forming a vertex and bottom portion 181c corresponding to the top portion 181a. It may have a triangular cross-sectional structure including the bottom side corresponding to the hypotenuse side and the hypotenuse side OS1 and OS2 corresponding to the first curved portion 181b.

복수의 볼록부(181) 각각의 정상부(181a)는 화소의 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 뾰족한 첨단 구조로 형성되고, 복수의 볼록부(181) 각각의 제 1 곡면부(181b)는 정상부(181a)와 바닥부(181c) 사이에 오목한 곡선 형태로 형성된다. The top portion 181a of each of the plurality of convex portions 181 is formed in a sharp tip structure in order to increase the light extraction efficiency of the pixel, and the first curved portion 181b of each of the plurality of convex portions 181 is the top portion 181a. ) And the bottom portion 181c are formed in a concave curved shape.

상기 복수의 볼록부(181) 각각의 제 1 곡면부(181b)는 정상부(181a)로부터 바닥부(181c)로 갈수록 점점 작아지는 접선 기울기를 가질 수 있다. 여기서, 접선 기울기는 볼록부(181)의 바닥면(181c)과 나란한 수평선과 제 1 곡면부(181b) 간의 각도로 정의될 수 있다.The first curved portion 181b of each of the plurality of convex portions 181 may have a tangential slope that gradually decreases from the top portion 181a to the bottom portion 181c. Here, the tangential slope may be defined as an angle between a horizontal line parallel to the bottom surface 181c of the convex portion 181 and the first curved portion 181b.

일 예에 따른 제 1 곡면부(181b)는 볼록부(181)들의 4/5 높이(4H/5)를 포함하는 유효 발광 영역(EA)에서 에서 가장 큰 접선 기울기, 즉 최대 접선 기울기를 가질 수 있으며, 바람직하게는, 볼록부(181)의 중간 영역(MA)과 상부 영역(UA) 사이의 경계부인 4/5 높이(4H/5)에서 최대 접선 기울기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 곡면부(181b)는 볼록부(181)의 반높이(H/2)에서 제 1 접선 기울기(θ1) 및 볼록부(181)의 4/5 높이(4H/5)에서 제 2 접선 기울기(θ2)를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 접선 기울기(θ2)는 볼록부(181)들의 유효 발광 영역(EA)에서 발광되는 광이 발광 소자(ED)의 내부에 갇히지 않고 최대한 외부로 추출될 수 있도록 제 1 접선 기울기(θ1)보다 큰 각도를 가질 수 있다. 제 2 접선 기울기(θ2)가 제 1 접선 기울기(θ1)보다 작은 각도를 가질 경우, 볼록부(181)들의 상부 영역(UA)이 완만한 기울기를 가짐으로써 유효 발광 영역(EA)에서 발광되는 광이 전반사에 의해 외부로 추출되지 못하고 발광 소자(ED)의 내부에 갇히게 되어 광 추출 효율이 저하될 수 있다.According to an example, the first curved portion 181b may have the largest tangential slope, that is, the maximum tangential slope at, in the effective light emitting area EA including the 4/5 height 4H / 5 of the convex portions 181. Preferably, it may have a maximum tangential slope at 4/5 height 4H / 5, which is a boundary between the middle region MA and the upper region UA of the convex portion 181. For example, the first curved portion 181b is at the half height H / 2 of the convex portion 181 at the first tangential slope θ1 and at 4/5 the height 4H / 5 of the convex portion 181. It may include a second tangential slope θ2. In this case, the second tangent slope θ2 is the first tangent slope θ1 so that light emitted from the effective light emitting area EA of the convex portions 181 can be extracted to the outside without being trapped inside the light emitting device ED. It may have an angle greater than). When the second tangential slope θ2 has an angle smaller than the first tangential slope θ1, the light emitted from the effective light emission area EA is obtained by the upper region UA of the convex portions 181 having a gentle slope. Due to the total reflection, the light extraction efficiency may be deteriorated because the light is trapped inside the light emitting device ED without being extracted to the outside.

본 출원에 따른 발광 소자(ED)는 볼록부(181)들의 최대 접선 기울기에서 최대의 발광량을 가질 수 있다. 볼록부(181)들의 최대 접선 기울기가 유효 발광 영역(EA)에 위치할 경우, 발광 소자(ED)에서 발광된 광은 전반사 임계각보다 작은 각도로 진행할 수 있고, 이로 인한 다중 반사에 의해 외부 발광 효율이 증가함에 따라 최대의 광 추출 효율을 가질 수 있다. 이를 위해, 본 출원의 일 예는 볼록부(181)들의 최대 접선 기울기를 볼록부(181)들의 유효 발광 영역(EA), 예를 들어 중간 영역(MA)과 상부 영역(UA) 사이의 경계부인 4/5 높이(4H/5)에 위치시킴으로써 볼록부(181)들의 유효 발광 영역(EA)에서 발광된 광의 외부 추출 효율을 증가시킬 수 있다. 본 출원의 다른 예는 볼록부(181)들의 최대 접선 기울기를 볼록부(181)들의 4/5 높이(4H/5)에서 정상부(181a)로 갈수록 점점 증가시킴으로써 볼록부(181)들의 유효 발광 영역(EA)에서 발광된 광의 외부 추출 효율을 최대화할 수 있다.The light emitting device ED according to the present application may have a maximum light emission amount at the maximum tangential slope of the convex portions 181. When the maximum tangential slope of the convex portions 181 is located in the effective light emitting area EA, the light emitted from the light emitting device ED may proceed at an angle smaller than the total reflection critical angle, thereby causing external light emission efficiency due to multiple reflections. As this increases, it may have maximum light extraction efficiency. To this end, one example of the present application is that the maximum tangential slope of the convex portions 181 is the boundary between the effective light emitting region EA of the convex portions 181, for example, the middle region MA and the upper region UA. By positioning at the 4/5 height 4H / 5, the external extraction efficiency of the light emitted from the effective light emission area EA of the convex portions 181 can be increased. Another example of the present application is to increase the effective tangential slope of the convex portions 181 by gradually increasing the maximum tangential slope of the convex portions 181 from the 4/5 height (4H / 5) of the convex portions 181 to the top portion 181a. External extraction efficiency of the light emitted from (EA) can be maximized.

본 출원에 따른 발광 소자(ED)의 제 1 전극(E1)은 복수의 볼록부(181) 각각의 표면과 접촉되도록 형성되면서 상대적으로 얇은 두께를 가지므로 복수의 볼록부(181) 각각의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 갖는다. 예를 들어, 제 1 전극(E1)은 투명 도전 물질의 증착 공정에 의해 복수의 볼록부(181) 각각을 등각(conformal)으로 덮도록 형성된다. 일 예에 따른 제 1 전극(E1)은 복수의 볼록부(181) 각각의 정상부(181a) 상에 형성되는 뾰족한 형태의 제 2 첨단부(E1a), 및 복수의 볼록부(181) 각각의 제 1 곡면부(181b) 상에 형성되는 오목한 곡면 형태의 제 2 곡면부(E1b)를 포함할 수 있다. 여기서, 제 2 곡면부(E1b)는 제 2 첨단부(E1a)를 중심으로 대칭 구조를 가질 수 있다.The first electrode E1 of the light emitting device ED according to the present application is formed to be in contact with the surface of each of the plurality of convex portions 181, and thus has a relatively thin thickness, so that the surface shape of each of the plurality of convex portions 181 is formed. It has a surface shape that follows. For example, the first electrode E1 is formed to conformally cover each of the plurality of convex portions 181 by a process of depositing a transparent conductive material. According to an embodiment, the first electrode E1 may be formed on the top 181a of each of the plurality of convex portions 181, and may be formed on the top of the second tip portion E1a and each of the plurality of convex portions 181. The first curved portion 181b may include a second curved portion E1b having a concave curved shape. Here, the second curved portion E1b may have a symmetrical structure with respect to the second tip portion E1a.

본 출원에 따른 발광 소자(ED)의 발광층(EL)은 볼록부(181)의 형상에 따라 상부 영역(UA)에서 하부 영역(LA)으로 갈수록 점점 두꺼운 두께로 형성된다. 예를 들어, 증착 방식을 이용하여 발광층(EL)을 증착할 경우, 발광층(EL)의 증착 물질은 수직 방향(Z)으로의 직진성을 가지기 때문에 볼록부(181)들의 접선 기울기에 따라 볼록부(181)들의 상부 영역(UA)과 중간 영역(MA) 및 하부 영역(LA)에서 각기 다른 두께를 가질 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 상대적으로 큰 접선 기울기를 갖는 볼록부(181)들의 상부 영역(UA)에서 가장 얇은 두께를 가질 수 있고, 상대적으로 낮은 접선 기울기(또는 완만한 기울기)를 갖는 볼록부(181)들의 하부 영역(LA)에서 가장 두꺼운 두께를 가질 수 있다.The light emitting layer EL of the light emitting device ED according to the present application is formed to have a thicker thickness from the upper region UA to the lower region LA according to the shape of the convex portion 181. For example, when the light emitting layer EL is deposited using a deposition method, since the deposition material of the light emitting layer EL has a straightness in the vertical direction Z, the convex portion (181) may be formed according to the tangential slope of the convex portions 181. The upper region UA, the middle region MA, and the lower region LA of the 181 may have different thicknesses. That is, the light emitting layer EL may have the thinnest thickness in the upper region UA of the convex portions 181 having a relatively large tangential slope, and may have a convex portion having a relatively low tangential slope (or gentle slope). It may have the thickest thickness in the lower region LA of the 181.

상기 발광층(EL)이 유기 발광층을 포함하는 경우, 발광 소자(ED)의 발광은 주로 높은 전류 밀도를 갖는 영역에서 일어난다. 본 출원에 따른 발광 소자(ED)는 상대적으로 얇은 두께를 갖는 볼록부(181)들의 상부 영역(UA)과 중간 영역(MA)에서 상대적으로 높은 전류 밀도에 의해 상대적으로 강한 발광(SE)이 일어나게 되고, 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 볼록부(181)들의 하부 영역(LA)에서는 상대적으로 낮은 전류 밀도에 의해 상대적으로 약한(또는 미미한) 발광(WE)이 일어나게 된다. 이에 따라, 복수의 볼록부(181) 각각의 상부 영역(UA)과 중간 영역(MA)은 개구 영역(OA) 내의 유효 발광 영역(EA)(또는 부분 발광 영역)으로 정의될 수 있고, 복수의 볼록부(181) 각각의 하부 영역(LA)은 개구 영역(OA) 내의 비유효 발광 영역(NEA)(또는 비발광 영역)으로 정의될 수 있다.When the light emitting layer EL includes an organic light emitting layer, light emission of the light emitting device ED mainly occurs in a region having a high current density. The light emitting device ED according to the present application causes relatively strong light emission SE to occur due to a relatively high current density in the upper region UA and the middle region MA of the convex portions 181 having a relatively thin thickness. In the lower region LA of the convex portions 181 having a relatively thick thickness, relatively weak (or insignificant) light emission WE occurs due to a relatively low current density. Accordingly, the upper area UA and the middle area MA of each of the plurality of convex portions 181 may be defined as the effective light emitting area EA (or partial light emitting area) in the opening area OA. The lower area LA of each of the convex portions 181 may be defined as an ineffective light emitting area NEA (or a non-light emitting area) in the opening area OA.

본 출원에 따른 발광층(EL)은 제 1 전극(E1) 또는 복수의 볼록부(181) 각각을 비등각(non-conformal)으로 덮도록 형성된다. 일 예에 따른 발광층(EL)은 복수의 볼록부(181) 각각의 정상부(181a)와 중첩되는 융기부(ELa), 및 복수의 볼록부(181) 각각의 제 1 곡면부(181b)와 중첩되는 제 3 곡면부(ELb)를 포함할 수 있다.The light emitting layer EL according to the present application is formed to cover each of the first electrode E1 or the plurality of convex portions 181 with a non-conformal shape. The light emitting layer EL according to an example overlaps the ridge portion ELa overlapping the top portion 181a of each of the plurality of convex portions 181, and the first curved portion 181b of each of the plurality of convex portions 181. It may include a third curved portion (ELb).

상기 제 3 곡면부(ELb)는 제 1 전극(E1)의 제 2 곡면부(E1b) 상에 형성되며, 융기부(ELa)를 중심으로 대칭 구조를 가질 수 있다. 이러한 제 3 곡면부(ELb)를 갖는 발광층(EL)은 볼록부(181)의 바닥부(181c) 또는 비평탄부(180)의 오목부(183)로 갈수록 점점 두꺼운 두께를 가지도록 형성된다. 즉, 발광층(EL)의 제 3 곡면부(ELb)는 볼록부(181)의 정상부(181a)를 포함하는 상측 영역(MA, UA)에서 제 1 두께를 가지며, 볼록부(181)의 바닥부(181c)에서 제 1 두께보다 두꺼운 제 2 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 발광층(EL)은 상대적으로 얇은 제 1 두께로 인하여 높은 전류 밀도를 갖는 복수의 볼록부(181) 각각의 상측 영역(MA, UA)에서 강하게 발광함에 따라 높은 광 추출 효율을 가질 수 있다. 반면에, 발광층(EL)은 상대적으로 두꺼운 제 2 두께로 인하여 낮은 전류 밀도를 갖는 복수의 볼록부(181) 각각의 하측 영역(LA)에서 아주 미약하게 발광함에 따라 소비전력이 감소할 수 있다.The third curved portion ELb may be formed on the second curved portion E1b of the first electrode E1 and may have a symmetrical structure with respect to the ridge ELa. The light emitting layer EL having the third curved portion ELb is formed to have a thicker thickness toward the bottom portion 181c of the convex portion 181 or the concave portion 183 of the non-flat portion 180. That is, the third curved portion ELb of the light emitting layer EL has a first thickness in the upper regions MA and UA including the top portion 181a of the convex portion 181 and the bottom portion of the convex portion 181. At 181c, the second thickness may be thicker than the first thickness. Accordingly, the light emitting layer EL may have high light extraction efficiency as it emits light strongly in the upper regions MA and UA of each of the plurality of convex portions 181 having a high current density due to the relatively thin first thickness. . On the other hand, since the light emitting layer EL emits light very weakly in the lower area LA of each of the plurality of convex portions 181 having a low current density due to the relatively thick second thickness, power consumption may be reduced.

상기 융기부(ELa)는 복수의 볼록부(181) 각각의 뾰족한 정점부(181a)에 대해 비등각(non-conformal) 형태를 가지도록 볼록하게 형성될 수 있다. 즉, 융기부(ELa)는 복수의 볼록부(181) 각각의 정상부(181a)와 중첩되는 제 3 곡면부(ELb)로부터 볼록하게 돌출됨으로써 복수의 볼록부(181) 각각의 정상부(181a)를 덮는다. 이러한 융기부(ELa)는 볼록 돌기부로 표현될 수도 있다.The ridge ELa may be formed to be convex so as to have a non-conformal shape with respect to the sharp vertex 181a of each of the plurality of convex portions 181. That is, the raised portions ELa protrude convexly from the third curved portion ELb overlapping the top portions 181a of each of the plurality of convex portions 181 to thereby open the top portions 181a of each of the plurality of convex portions 181. Cover. The ridge ELa may be represented by a convex protrusion.

상기 융기부(ELa)는 발광층(EL)의 발광에 의해 발광층(EL)의 내부에서 전반사되면서 입사되는 광이 다시 발광층(EL)의 내부로 전반사되는 것을 방지하기 위한 곡률을 가지도록 형성된다. 일 예에 따른 융기부(ELa)는 볼록한 단면 형상의 돔(dome) 또는 벨(bell) 구조를 포함할 수 있다. 이러한 융기부(ELb)는 발광층(EL)의 발광에 의해 발광층(EL)의 내부에서 전반사되면서 입사되는 광을 기판(100) 쪽으로 반사시켜 발광층(EL)에서 발생되는 광의 외부 추출 효율을 증가시킨다. 예를 들어, 융기부(ELb)는 발광 소자(ED)의 유효 발광 영역(EA)에서 발광되어 입사되는 광을 기판(100) 쪽으로 반사시키는 오목 렌즈의 역할을 할 수 있다.The ridge ELa is formed to have a curvature to prevent the incident light from being totally reflected back into the light emitting layer EL while being totally reflected inside the light emitting layer EL by light emission of the light emitting layer EL. The ridge ELa according to an example may include a dome or bell structure having a convex cross-sectional shape. The ridge ELb reflects light incident on the inside of the light emitting layer EL by the light emission of the light emitting layer EL toward the substrate 100 to increase the external extraction efficiency of light generated in the light emitting layer EL. For example, the ridge ELb may serve as a concave lens that reflects the light emitted from the effective light emitting area EA of the light emitting device ED toward the substrate 100.

일 예에 따른 융기부(ELa)는 변곡부(IP)를 갖는 돔 구조를 포함할 수 있다. 즉, 일 예에 따른 융기부(ELa)는 정점부(AP), 변곡부(IP), 볼록면(CS1), 및 오목면(CS2)을 포함할 수 있다. 이러한 융기부(ELa)는 정점부(AP)를 중심으로 대칭 구조를 가질 수 있다.The ridge ELa according to an example may include a dome structure having the inflection portion IP. That is, the ridge part ELa according to an example may include a vertex part AP, an inflection part IP, a convex surface CS1, and a concave surface CS2. The ridge ELa may have a symmetrical structure around the vertex AP.

상기 정점부(AP)는 복수의 볼록부(181) 각각의 정상부(181a)와 중첩될 수 있다. 즉, 정점부(AP)는 뾰족한 형태를 갖는 제 1 전극(E1)의 제 2 첨단부(E1a)와 중첩될 수 있다.The vertex portion AP may overlap the top portion 181a of each of the plurality of convex portions 181. That is, the vertex part AP may overlap the second tip portion E1a of the first electrode E1 having a pointed shape.

상기 변곡부(IP)는 정점부(AP)와 제 3 곡면부(ELb) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 변곡부(IP)는 볼록부(181)의 정상부(181a)와 4/5 높이(4H/5) 사이의 제 1 곡면부(181b) 상에 위치함으로써 볼록부(181)의 정상부(181a)에서 전반사되는 광을 기판 쪽으로 반사시킬 수 있으며, 이를 통해 광의 외부 추출 효율을 증가시킬 수 있다. 이러한 변곡부(IP)는 변곡점으로도 표현될 수 있다.The inflection portion IP may be located between the vertex portion AP and the third curved portion ELb. For example, the inflection portion IP is located on the first curved portion 181b between the top portion 181a of the convex portion 181 and the 4/5 height 4H / 5 so that the top portion of the convex portion 181 is inclined. The light totally reflected at 181a may be reflected toward the substrate, thereby increasing the external extraction efficiency of the light. The inflection portion IP may also be expressed as an inflection point.

상기 볼록면(CS1)은 정점부(AP)로부터 볼록하게 형성될 수 있다. 즉, 볼록면(CS1)은 정점부(AP)와 변곡부(IP) 사이에 볼록하게 형성될 수 있다. 상기 오목면(CS2)은 볼록면(CS1)으로부터 오목하게 형성될 수 있다. 즉, 오목면(CS2)은 변곡부(IP)와 제 3 곡면부(ELb) 사이에 오목하게 형성될 수 있다. 이러한 볼록면(CS1)과 오목면(CS2)은 발광 소자(ED)로부터 융기부(ELa)로 입사되는 광의 진행 경로를 기판 쪽으로 반사시킴으로써 입사되는 광의 전반사를 방지하여 화소의 광 추출 효율을 향상시킨다.The convex surface CS1 may be formed convexly from the vertex portion AP. That is, the convex surface CS1 may be formed convexly between the vertex portion AP and the inflection portion IP. The concave surface CS2 may be concave from the convex surface CS1. That is, the concave surface CS2 may be formed concave between the curved portion IP and the third curved portion ELb. The convex surface CS1 and the concave surface CS2 reflect the traveling path of the light incident from the light emitting element ED to the ridge ELa toward the substrate, thereby preventing total reflection of the incident light, thereby improving light extraction efficiency of the pixel. .

본 출원에 따른 발광 소자(ED)의 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)의 표면과 접촉되도록 형성되면서 발광층(EL)보다 상대적으로 얇은 두께를 가지므로 발광층(EL)의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 갖는다. 예를 들어, 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)의 융기부(ELa)와 중첩되는 볼록한 돔부(E2a), 및 발광층(EL)의 제 3 곡면부(ELb) 상에 형성되는 제 4 곡면부(E2b)를 포함할 수 있다.Since the second electrode E2 of the light emitting device ED according to the present application is formed to be in contact with the surface of the light emitting layer EL and has a thickness relatively thinner than that of the light emitting layer EL, the second electrode E2 may follow the surface shape of the light emitting layer EL as it is. It has a surface shape. For example, the second electrode E2 is a convex dome portion E2a overlapping the raised portion ELa of the light emitting layer EL, and a fourth curved surface formed on the third curved portion ELb of the light emitting layer EL. It may include a part (E2b).

도 9는 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치에서, 임의의 화소에 마련된 비평탄부를 나타내는 현미경 사진이며, 도 10은 도 9에 도시된 비평탄부에 대한 거칠기 측정 결과를 나타내는 도면이다.FIG. 9 is a micrograph showing a non-flat portion provided in an arbitrary pixel in the light emitting display device according to an example of the present application, and FIG. 10 is a view illustrating a roughness measurement result of the non-flat portion shown in FIG. 9.

도 10 및 도 9를 도 5와 결부하면, 일 예에 따른 비평탄부(180)의 단위 면적(FA)(또는 단위 측정 면적)은 볼록부들(181)의 바닥면을 기준으로, 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y)으로 인접한 4개의 오목부(183)와 중첩되는 크기로 설정될 수 있다. 예를 들어, 단위 면적(FA)은 하나의 오목부(183) 및 하나의 오목부(183)를 둘러싸는 6개의 오목부(183) 각각의 절반을 포함하는 크기를 가질 수 있다. 이 경우, 단위 면적(FA)은 제 1 방향(X)으로 인접한 3개의 볼록부(181)의 정상부(181a)를 잇는 제 1 길이(또는 가로 넓이)(FAx), 및 하나의 오목부(183)를 사이에 두고 제 2 방향(Y)으로 인접한 2개의 볼록부(181)의 중간을 잇는 제 2 길이(또는 세로 넓이)(FAy)를 가질 수 있다.10 and 9, the unit area FA (or unit measurement area) of the non-flat portion 180 according to an example is based on the bottom surfaces of the convex portions 181 in a first direction ( X and the second concave portion 183 adjacent in the second direction (Y) may be set to a size overlapping. For example, the unit area FA may have a size including one recess 183 and half of each of the six recesses 183 surrounding the recess 183. In this case, the unit area FA is a first length (or width) FAx connecting the top portions 181a of the three convex portions 181 adjacent in the first direction X, and one concave portion 183. ) May have a second length (or vertical width) FAy between the two convex portions 181 adjacent to each other in the second direction Y.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 각 화소의 비평탄부(180)에 배치되는 볼록부들(181)의 형상과 높이에 따라 비평탄부(180)의 표면적과 발광 소자(ED)의 표면적이 상이할 수 있다. 즉, 발광 소자(ED)에서, 제 1 전극은 볼록부들(181)과 등각 형태로 형성되고, 발광층은 제 1 전극과 비등각 형태로 형성되며, 제 2 전극은 발광층과 등각 형태로 형성됨으로써 발광 소자(ED)의 최상층에 배치되는 제 2 전극의 표면적은 볼록부들(181)과 비등각 형태로 형성되는 발광층으로 인하여 비평탄부(180)의 표면적과 상이할 수 있다.In the light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present application, the surface area of the non-flat portion 180 and the surface area of the light emitting device ED differ according to the shape and height of the convex portions 181 disposed on the non-flat portions 180 of each pixel. can do. That is, in the light emitting device ED, the first electrode is formed in a conformal shape with the convex portions 181, the light emitting layer is formed in an isometric shape with the first electrode, and the second electrode is formed in a conformal shape with the light emitting layer to emit light. The surface area of the second electrode disposed on the uppermost layer of the device ED may be different from the surface area of the non-flat portion 180 due to the light emitting layer formed in an isometric shape with the convex portions 181.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치의 화소 어레이부 상에 설정된 서로 다른 제 1 내지 제 5 지점 각각의 단위 면적에 대한 제 2 전극의 표면적과 표면적 증가율(SIR), 및 비평탄부의 표면적과 표면적 증가율(SIR)을 각각 측정한 결과는 아래의 표 1과 같이 나타낼 수 있다.Surface area and surface area increase rate (SIR) of the second electrode for each unit area of each of the different first to fifth points set on the pixel array unit of the light emitting display device according to an example of the present application, and the surface area and surface area of the non-flat portion The results of measuring the increase rate (SIR), respectively, can be shown in Table 1 below.

[표 1]TABLE 1

Figure pat00001
Figure pat00001

표 1에서, 제 1-1 내지 제 5-1 실험 예 각각은 제 1 내지 제 5 지점 각각에 대한 단위 면적, 단위 면적에 배치된 비평탄부(180)의 표면적, 및 표면적 증가율(SIR)을 각각 측정한 결과이며, 제 1-2 내지 제 5-2 실험 예 각각은 제 1 내지 제 5 지점 각각의 단위 면적, 단위 면적에 배치된 제 2 전극의 표면적, 및 표면적 증가율(SIR)을 각각 측정한 결과이다. 여기서, 표 1 에서, 단위 면적은 볼록부들(181)의 바닥부를 기준으로 설정될 수 있고, 실험 예마다 상이한 값을 가지지만, 이는 측정 장치의 측정 오차에 따른 것으로, 측정 오차 범위 내에서 실질적으로 동일한 값을 갖는다. 제 1-1 내지 제 5-1 실험 예 각각의 표면적은 제조된 발광 표시 장치에서 제 1 전극과 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 발광 소자를 제거한 상태에서 비평탄부(180)의 단위 면적당 표면적을 측정한 결과이며, 제 1-2 내지 제 5-2 실험 예 각각의 표면적은 제조된 발광 표시 장치에서 제 1 전극과 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 발광 소자를 제거하지 않은 상태에서 제 2 전극의 단위 면적당 표면적을 측정한 결과이다.In Table 1, each of the experiment examples 1-1 to 5-1 shows the unit area for each of the first to fifth points, the surface area of the non-flat portion 180 disposed at the unit area, and the surface area increase rate (SIR), respectively. It is a measurement result, and each of the 1-2 th to 5-2 experimental examples measured the unit area of each of the first to fifth points, the surface area of the second electrode disposed on the unit area, and the surface area increase rate (SIR), respectively. The result is. Here, in Table 1, the unit area may be set based on the bottom of the convex portions 181, and has a different value for each experimental example, but this is due to the measurement error of the measuring device, substantially within the measurement error range. Have the same value. The surface area of each of the first to fifth exemplary embodiments is measured by measuring the surface area per unit area of the non-flat unit 180 in a state where the light emitting device including the first electrode, the light emitting layer, and the second electrode is removed from the manufactured light emitting display device. As a result, the surface area of each of the examples 1-2 to 5-2 was the unit of the second electrode without removing the light emitting device including the first electrode, the light emitting layer, and the second electrode in the manufactured light emitting display device. This is the result of measuring the surface area per area.

표 1에서 알 수 있듯이, 비평탄부(180)는 단위 면적보다 증가한 표면적을 가지는 것을 확인할 수 있고, 이 경우, 볼록부들(181)을 포함하는 비평탄부(180)는 단위 면적을 기준으로 1.25 ~ 1.34의 범위의 표면적 증가율(SIR)을 가지는 것을 확인할 수 있다. 반면, 제 2 전극은 단위 면적보다 크고 비평탄부(180)의 표면적보다 작은 표면적을 가지는 것을 확인할 수 있으며, 이 경우, 비평탄부(180) 상에 배치된 제 2 전극은 단위 면적을 기준으로 1.18 ~ 1.27의 범위의 표면적 증가율(SIR)을 가지는 것을 확인할 수 있다. 결과적으로, 비평탄부(180)는 볼록부들(181)의 전체 높이와 형상에 따라 단위 면적을 기준으로 증가하는 표면적 증가율(SIR)을 가지는 것으로 해석할 수 있으며, 제 2 전극은 발광층이 비평탄부(180)와 비등각 형태로 형성됨에 따라 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)보다 낮은 표면적 증가율(SIR)을 가지는 것을 확인할 수 있다. 예를 들어, 발광층은 볼록부(181)의 바닥부(181c) 또는 비평탄부(180)의 오목부(183)로 갈수록 점점 두꺼운 두께를 가짐으로써 제 2 전극은 오목부(183) 상에 형성되는 발광층의 표면적 감소로 인하여 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)보다 낮은 표면적 증가율(SIR)을 가질 수 있다.As can be seen in Table 1, it can be seen that the non-flat portion 180 has an increased surface area than the unit area, and in this case, the non-flat portion 180 including the convex portions 181 is 1.25 to 1.34 based on the unit area. It can be seen that it has a surface area increase rate (SIR) in the range of. On the other hand, it can be seen that the second electrode has a surface area larger than the unit area and smaller than the surface area of the non-flat part 180. In this case, the second electrode disposed on the non-flat part 180 has a unit area of about 1.18 ~ based on the unit area. It can be seen that it has a surface area increase rate (SIR) in the range of 1.27. As a result, the non-flat portion 180 may be interpreted as having a surface area increase rate (SIR) that increases with respect to the unit area according to the overall height and shape of the convex portions 181. 180 and as formed in an isometric shape, it can be seen that the surface area increase rate (SIR) is lower than the surface area increase rate (SIR) of the non-flat portion 180. For example, the light emitting layer has a thicker thickness toward the bottom portion 181c of the convex portion 181 or the concave portion 183 of the non-flat portion 180 so that the second electrode is formed on the concave portion 183. Due to the reduction in the surface area of the light emitting layer, the surface area increase rate SIR may be lower than the surface area increase rate SIR of the non-flat portion 180.

이와 같은, 본 출원에 따른 발광 표시 장치에서, 발광 소자(ED)의 발광 효율은 볼록부(181)의 형상에 따라 결정될 수 있으며, 광 추출 효율은 볼록부(181)의 형상과 발광 소자(ED)의 형상에 따라 결정될 수 있다. 그리고, 본 출원에 따른 발광 표시 장치의 전류 효율 상승률은 발광 소자(ED)의 발광 효율이 증가할수록 증가하게 된다. 이에 따라, 볼록부(181)의 형상은 발광 표시 장치의 발광 효율, 광 추출 효율 및 전류 효율 상승률을 결정짓는 변수가 될 수 있다. 이러한 볼록부(181)의 형상을 결정짓는 변수로는, 볼록부(181)의 직경(또는 지름)(D), 높이(H), 반높이 너비(F)(Full Width Half Max), 종횡비(Aspect Ratio)(AR), 반높이 종횡비(F_AR), 반높이 샤프니스(Rm), 4/5 높이 너비(F'), 4/5 높이 종횡비(F'_AR), 및 접선 기울기 등이 있을 수 있다.In the light emitting display device according to the present application, the light emitting efficiency of the light emitting device ED may be determined according to the shape of the convex portion 181, and the light extraction efficiency may be determined by the shape of the convex portion 181 and the light emitting device ED. Can be determined according to the shape of In addition, the current efficiency increase rate of the light emitting display device according to the present application increases as the light emission efficiency of the light emitting device ED increases. Accordingly, the shape of the convex portion 181 may be a variable that determines the light emission efficiency, the light extraction efficiency, and the current efficiency increase rate of the light emitting display device. Variables that determine the shape of the convex portion 181 include the diameter (or diameter) D, the height H, the full width half max, and the aspect ratio of the convex portion 181. Aspect Ratio (AR), Half Height Aspect Ratio (F_AR), Half Height Sharpness (Rm), 4/5 Height Width (F '), 4/5 Height Aspect Ratio (F'_AR), and Tangent Slope. .

상기 볼록부(181)의 종횡비(AR)는 볼록부(181)의 반직경(D/2)에 대한 높이(H)의 비를 의미하는 것으로, 높이(H)를 밑변의 반직경(D/2)으로 나눈 값(H/(D/2))으로 정의될 수 있다.The aspect ratio AR of the convex portion 181 means a ratio of the height H to the half diameter D / 2 of the convex portion 181, and the height H is the half diameter D / of the base side. It can be defined as a value divided by 2) (H / (D / 2)).

상기 볼록부(181)의 반높이 종횡부(F_AR)는 볼록부(181)의 반높이 너비(F)에 대한 높이(H)의 비를 의미하는 것으로, 반높이(H/2)를 반높이(H/2)에서의 반직경(F/2)으로 나눈 값((H/2)/(F/2))으로 정의되거나, 높이(H)를 반높이 너비(F)로 나눈 값(H/F)으로 정의될 수 있다. 여기서, 반높이 너비(F)는 볼록부(181)의 바닥부(181c)(또는 밑변)을 기준으로, 높이(H)의 절반 높이(또는 50% 지점)(H/2)에서의 밑변 폭을 의미할 수 있다.Half height vertical cross section (F_AR) of the convex portion 181 means the ratio of the height (H) to the half-height width (F) of the convex portion 181, half height (H / 2) half height Defined as half diameter (F / 2) divided by (H / 2) ((H / 2) / (F / 2)), or height (H) divided by half height width (F) (H / F). Here, the half-height width F is the base width at half height (or 50% point) H / 2 of the height H, based on the bottom 181c (or bottom) of the convex portion 181. It may mean.

상기 볼록부(181)의 반높이 샤프니스(Rm)는 종횡비(AR)에 대한 반높이 종횡비(F_AR)의 비를 의미하는 것으로, 반높이 종횡비(F_AR)를 종횡비(AR)로 나눈 값((F_AR)/(AR))으로 정의될 수 있다.The half-height sharpness Rm of the convex portion 181 means a ratio of the half-height aspect ratio F_AR to the aspect ratio AR, and a value obtained by dividing the half-height aspect ratio F_AR by the aspect ratio AR ((F_AR). ) / (AR)).

상기 4/5 높이 종횡비(F'_AR)는 4/5 높이(4H/5)에서의 너비(F')에 대한 종횡비로서, 4/5 높이(4H/5)에서의 반너비(F'/2)에 대한 4/5 높이(4H/5)의 비를 의미하는 것으로, 4/5 높이(4H/5)를 4/5 높이(4H/5)의 반너비(F'/2)로 나눈 값((4H/5)/(F'/2))으로 정의될 수 있다. 여기서, 볼록부(181)의 4/5 높이 너비(F')는 볼록부(181)의 바닥부(181c)(또는 밑변)을 기준으로, 볼록부(181)의 전체 높이(H) 중 4/5 높이(또는 80% 지점)(4H/5)에서의 밑변 폭을 의미할 수 있다.The 4/5 height aspect ratio F'_AR is an aspect ratio with respect to the width F 'at 4/5 height 4H / 5, and the half width F' / at 4/5 height 4H / 5. 2) 4/5 height (4H / 5) to 4/5 height (4H / 5) divided by 4/5 height (4H / 5) half width (F '/ 2) Value ((4H / 5) / (F '/ 2)). Here, the 4/5 height width F 'of the convex portion 181 is 4 out of the total height H of the convex portion 181 based on the bottom portion 181c (or the bottom side) of the convex portion 181. Base width at / 5 height (or 80% point) (4H / 5).

본 출원에 따른 볼록부(181)에서, 정상부(181a)의 형상을 결정짓는 변수로는 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 될 수 있다. 이에 따라, 본 출원에 따른 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)는 0.35 ~ 0.6의 범위를 가질 수 있다. 즉, 볼록부들(181)은 0.35 ~ 0.6의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)를 가짐으로써 뾰족한 첨단 구조를 갖는 정상부(181a)를 포함할 수 있다.In the convex portion 181 according to the present application, a variable that determines the shape of the top portion 181a may be a 4/5 height aspect ratio F′_AR. Accordingly, the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 according to the present application may have a range of 0.35 to 0.6. That is, the convex portions 181 may include a top portion 181a having a sharp tip structure by having a 4/5 height aspect ratio F′_AR of 0.35 to 0.6.

상기 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.35 ~ 0.6의 범위를 가질 경우, 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.35 미만이거나 0.6을 초과하는 경우보다 광 추출 효율이 증가하게 된다. 예를 들어, 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.6을 초과하는 경우, 볼록부들(181)의 높이(H)가 너무 높아짐에 따라 볼록부들(181)의 상부 영역(UA)에서의 접선 기울기가 증가하여 발광 소자(ED) 내에 갇히는 광량이 증가해 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 그리고, 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.35 미만일 경우, 볼록부들(181)의 상부 영역(UA)의 제 3 높이(h3)가 너무 낮아지거나 평탄해져 광도파로(waveguide)가 형성됨으로써 발광 소자(ED)에서 발광하는 광이 기판 쪽으로 진행하지 못하고 전반사를 반복하여 발광 소자(ED) 내에 갇히게 되어 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 특히, 볼록부들(181)가 0.35 미만의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)를 가질 경우, 볼록부들(181)의 정상부(181a)는 뾰족하지 못하고 벨(bell) 또는 가우시안 곡선의 단면 구조를 가지며, 이로 인해 발광 소자(ED)는 단순히 볼록부들(181)의 표면 형상을 그대로 따르는 형상을 가짐으로써 전술한 융기부(ELa)가 형성되지 않아 융기부(ELa)에 따른 효과를 기대할 수 없다.When the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 has a range of 0.35 to 0.6, the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 is less than 0.35 or greater than 0.6. In this case, the light extraction efficiency is increased. For example, if the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 exceeds 0.6, the upper region of the convex portions 181 as the height H of the convex portions 181 becomes too high. The tangential slope in the UA increases to increase the amount of light trapped in the light emitting device ED, thereby reducing light extraction efficiency. In addition, when the 4/5 height aspect ratio F′_AR of the convex portions 181 is less than 0.35, the third height h3 of the upper region UA of the convex portions 181 may become too low or flat to cause the optical waveguide ( As the waveguide is formed, the light emitted from the light emitting device ED may not travel toward the substrate, and the total reflection may be repeatedly trapped in the light emitting device ED, thereby reducing light extraction efficiency. In particular, when the convex portions 181 have a 4/5 height aspect ratio F'_AR of less than 0.35, the top portions 181a of the convex portions 181 are not sharp and have a cross-sectional structure of a bell or Gaussian curve. As a result, the light emitting device ED simply has a shape that follows the shape of the surfaces of the convex portions 181, so that the above-described ridge ELa is not formed, and thus the effect of the ridge ELa cannot be expected.

상기 볼록부(181)의 형상은 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.35 ~ 0.6의 범위를 가지더라도 종횡비(AR), 반높이 종횡비(F_AR), 및 반높이 샤프니스(Rm)에 따라 달라질 수 있다.The shape of the convex portion 181 is an aspect ratio AR, a half height aspect ratio F_AR, and a half height sharpness even though the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 has a range of 0.35 to 0.6. (Rm).

본 출원에 따른 발광 표시 장치에서 복수의 화소 각각의 개구 영역에 마련된 첨단부를 포함하는 비평탄부는 복수의 볼록부로 이루어지기 때문에 볼록부들의 각각의 형상과 볼록부들의 간격에 따른 표면적 증가율을 가질 수 있다. 상기 비평탄부의 표면적 증가율은 단위 면적에 대한 볼록부들의 면적을 비율로 나타낼 수 있다. 예를 들어, 비평탄부의 표면적 증가율은 단위 면적 내에 배치된 볼록부들의 면적을 단위 면적으로 나눈 값으로 정의될 수 있다. 이러한 비평탄부의 표면적 증가율은 단위 면적 내에 배치된 볼록부들의 형상을 대변하는 변수이기 때문에 발광 표시 장치의 발광 효율, 광 추출 효율 및 전류 효율 상승률을 결정짓는 추가적인 변수가 될 수 있다.In the light emitting display device according to the present application, since the non-flat portion including the tip portion provided in the opening area of each of the plurality of pixels is formed of a plurality of convex portions, the non-flat portion may have a surface area increase rate according to the shape of each convex portion and the spacing of the convex portions. . The increase rate of the surface area of the non-flat portion may represent the area of the convex portions with respect to the unit area as a ratio. For example, the increase rate of the surface area of the non-flat portion may be defined as a value obtained by dividing the area of the convex portions arranged in the unit area by the unit area. Since the increase rate of the surface area of the non-flat portion is a variable representing the shape of the convex portions disposed in the unit area, it may be an additional variable that determines the luminous efficiency, light extraction efficiency, and current efficiency increase rate of the light emitting display device.

본 출원의 일 예에 따른 비평탄부(180)는 단위 면적에 대해 1.05 ~ 2.0의 표면적 증가율을 가질 수 있다.The non-flat portion 180 according to an example of the present application may have a surface area increase rate of 1.05 to 2.0 with respect to the unit area.

본 출원의 일 예에 따른 화소의 광 추출 효율은 비평탄부(180)의 표면적 증가율이 1.05 ~ 2.0의 범위를 가지더라도 종횡비(AR), 반높이 샤프니스(Rm), 반높이 종횡비(F_AR), 및 4/5 높이 종횡비(F'_AR)에 따라 달라 질 수 있다. 이에 따라, 비평탄부(180)의 표면적 증가율이 1.05 ~ 2.0의 범위를 가질 경우, 볼록부들(181)은 0.35 ~ 0.48의 범위를 갖는 종횡비(AR), 0.45 ~ 0.60의 범위를 갖는 반높이 종횡비(F_AR), 0.45 ~ 0.6의 범위를 갖는 4/5 높이 종횡비(F'_AR), 및 1.1 ~ 2.0의 반높이 샤프니스(Rm)을 가질 수 있다.The light extraction efficiency of the pixel according to the example of the present application is an aspect ratio (AR), a half-height sharpness (Rm), a half-height aspect ratio (F_AR), even if the surface area increase rate of the non-flat portion 180 has a range of 1.05 to 2.0 It can vary depending on the 4/5 height aspect ratio (F'_AR). Accordingly, when the surface area increase rate of the non-flat portion 180 has a range of 1.05 to 2.0, the convex portions 181 may have an aspect ratio AR having a range of 0.35 to 0.48, and a half height aspect ratio having a range of 0.45 to 0.60. F_AR), a 4/5 height aspect ratio F'_AR having a range of 0.45 to 0.6, and a half height sharpness Rm of 1.1 to 2.0.

도 11a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 종횡비에 따른 백색 화소의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이며, 도 11b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 종횡비에 따른 적색과 녹색 및 청색 화소 각각의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.FIG. 11A is a graph illustrating a current efficiency increase rate of a white pixel according to an aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application, and FIG. 11B is a red and green color corresponding to an aspect ratio of the convex portion in the light emitting display device according to the present application. And a graph showing the current efficiency increase rate of each of the blue pixels.

도 6과 도 11a 및 도 11b를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부들(181)의 종횡비(AR)가 0.35 ~ 0.65의 범위를 가질 경우, 볼록부들(181)의 종횡비(AR)가 0.35 미만이거나 0.65를 초과하는 경우보다 전류 효율 상승률이 더 우수하다는 것을 확인할 수 있다. 즉, 발광 소자(ED)의 전류 효율 상승률은 볼록부들(181)의 종횡비(AR)가 0.65를 초과하는 경우에 감소되는 경향성을 가지는 반면에, 볼록부들(181)의 종횡비(AR)가 0.35 ~ 0.65의 범위를 가질 경우에 최대 값을 갖는 것을 확인할 수 있다.6, 11A, and 11B, in the light emitting display device according to the present application, when the aspect ratio AR of the convex portions 181 has a range of 0.35 to 0.65, the aspect ratio of the convex portions 181 may be determined. It can be seen that the current efficiency increase rate is better than that when AR) is less than 0.35 or more than 0.65. That is, the current efficiency increase rate of the light emitting device ED has a tendency to decrease when the aspect ratio AR of the convex portions 181 exceeds 0.65, while the aspect ratio AR of the convex portions 181 is 0.35˜. It can be seen that it has the maximum value in the range of 0.65.

또한, 볼록부들(181)의 종횡비(AR)가 0.35 미만일 경우, 볼록부들(181)의 높이(H)가 너무 낮아지거나 평탄해져 광도파로(waveguide)가 형성됨으로써 발광 소자(ED)로부터 입사되는 광이 기판 쪽으로 진행하지 못하고 전반사를 반복하여 발광 소자(ED) 내에 갇히게 되어 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 그리고, 볼록부들(181)의 종횡비(AR)가 0.65를 초과하는 경우, 볼록부들(181)의 높이(H)가 너무 높아짐으로써 종횡비(AR)이 낮아짐과 동시에 외부광의 반사율이 증가하여 블랙 휘도를 구현할 수 없게 된다.In addition, when the aspect ratio AR of the convex portions 181 is less than 0.35, the height H of the convex portions 181 becomes too low or flat to form an optical waveguide, thereby forming light incident from the light emitting device ED. The light extraction efficiency may be deteriorated because the total reflection is not repeated toward the substrate and is repeatedly trapped in the light emitting device ED. When the aspect ratio AR of the convex portions 181 exceeds 0.65, the height H of the convex portions 181 becomes too high, thereby decreasing the aspect ratio AR and increasing the reflectance of external light, thereby increasing the black luminance. It can't be implemented.

따라서, 본 출원에 따른 볼록부들(181)의 종횡비(AR)는 0.35 ~ 0.65를 가질 경우, 최대의 전류 효율 상승률을 가질 수 있으며, 이 경우, 발광 소자(ED)가 최대의 발광 효율을 가질 수 있다.Accordingly, when the aspect ratio AR of the convex parts 181 according to the present application has 0.35 to 0.65, the aspect ratio may have a maximum current efficiency increase, and in this case, the light emitting device ED may have the maximum light emission efficiency. have.

도 12a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 반높이 종횡비에 따른 백색 화소의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이며, 도 12b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 반높이 종횡비에 따른 적색과 녹색 및 청색 화소 각각의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.12A is a graph illustrating a current efficiency increase rate of a white pixel according to a half height aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application, and FIG. 12B is a half height aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application. The graph shows the current efficiency increase rate of each of the red, green, and blue pixels.

도 6과 도 12a 및 도 12b를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(F_AR)가 0.45 ~ 0.7의 범위를 가질 경우, 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(F_AR)가 0.45 미만이거나 0.7을 초과하는 경우보다 전류 효율 상승률이 더 우수하다는 것을 확인할 수 있다. 즉, 발광 소자(ED)의 전류 효율 상승률은 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(F_AR)가 0.7을 초과하는 경우에 감소되는 경향성을 가지는 반면에, 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(F_AR)가 0.45 ~ 0.7의 범위를 가질 경우에 최대 값을 갖는 것을 확인할 수 있다.6, 12A, and 12B, in the light emitting display device according to the present application, when the half-height aspect ratio F_AR of the convex portions 181 has a range of 0.45 to 0.7, the convex portions 181 may be formed. It can be seen that the current efficiency increase rate is better than when the half-height aspect ratio F_AR is less than 0.45 or more than 0.7. That is, the current efficiency increase rate of the light emitting device ED tends to decrease when the half height aspect ratio F_AR of the convex portions 181 exceeds 0.7, while the half height aspect ratio F_AR of the convex portions 181 is decreased. It can be seen that the maximum value is obtained when) is in the range of 0.45 to 0.7.

또한, 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(F_AR)가 0.45 미만일 경우, 볼록부들(181)의 중간 영역(MA)과 상부 영역(UA)의 높이(h2+h3)가 너무 낮아지거나 평탄해져 광도파로(waveguide)가 형성됨으로써 발광 소자(ED)에서 발광하는 광이 기판 쪽으로 진행하지 못하고 전반사를 반복하여 발광 소자(ED) 내에 갇히게 되어 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 그리고, 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(F_AR)가 0.7을 초과하는 경우, 볼록부들(181)의 높이(H)가 너무 높아짐으로써 반높이 종횡비(F_AR)가 낮아짐과 동시에 외부광의 반사율이 증가하여 블랙 휘도를 구현할 수 없게 된다.In addition, when the half-height aspect ratio F_AR of the convex portions 181 is less than 0.45, the height h2 + h3 of the middle region MA and the upper region UA of the convex portions 181 may become too low or become flat. Since the waveguide is formed, the light emitted from the light emitting device ED may not travel toward the substrate, and the total reflection may be repeatedly trapped in the light emitting device ED, thereby reducing light extraction efficiency. In addition, when the half-height aspect ratio F_AR of the convex portions 181 exceeds 0.7, the height H of the convex portions 181 becomes too high so that the half-height aspect ratio F_AR decreases and the reflectance of external light increases. As a result, black luminance cannot be realized.

따라서, 본 출원에 따른 볼록부들(181)의 반높이 종횡비(F_AR)는 0.45 ~ 0.7의 범위를 가질 경우, 최대의 전류 효율 상승률을 가질 수 있으며, 이 경우, 발광 소자(ED)가 최대의 발광 효율을 가질 수 있다.Therefore, when the half-height aspect ratio F_AR of the convex portions 181 according to the present application has a range of 0.45 to 0.7, it may have a maximum current efficiency increase rate. In this case, the light emitting device ED emits the maximum light. Can have efficiency.

한편, 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부들(181)의 반높이 샤프니스(Rm)가 1일 경우, 볼록부들(181)은 삼각 형태를 가지며, 상기 볼록부들(181)의 반높이 샤프니스(Rm)가 1 미만일 경우, 볼록부들(181)은 반원 형태를 가지며, 상기 볼록부들(181)의 반높이 샤프니스(Rm)가 1을 초과할 경우, 볼록부들(181)은 종(bell) 형태를 가질 수 있다. 이에 따라, 본 출원에 따른 볼록부들(181)의 반높이 샤프니스(Rm)는 제 1 곡면부(181b)의 최대 접선 기울기가 볼록부들(181)의 중간 영역(MA)과 상부 영역(UA) 사이에 위치할 수 있도록 1.1 ~ 2.0의 범위를 가질 수 있다. 여기서, 볼록부들(181)의 반높이 샤프니스(Rm)가 1.1 미만일 경우, 볼록부들(181)의 정상부(181a)가 뾰족하지 못하고 벨(bell) 또는 가우시안 곡선의 단면 구조를 가지며, 이로 인하여 볼록부들(181)의 정상부(181a) 상에 형성되는 발광층(EL)에 전술한 융기부(ELa)가 형성되지 않아 융기부(ELa)에 따른 효과를 기대할 수 없다. 그리고, 볼록부들(181)의 반높이 샤프니스(Rm)가 2.0을 초과할 경우, 볼록부(181)의 정상부(181a)가 뾰족하게 형성될 수 있지만, 볼록부들(181)의 중간 영역(MA)과 상부 영역(UA)의 높이(h2+h3)가 너무 낮아지거나 평탄해져 광도파로(waveguide)가 형성되어 광 추출 효율이 저하될 수 있다.Meanwhile, in the light emitting display device according to the present application, when the half height sharpness Rm of the convex portions 181 is 1, the convex portions 181 have a triangular shape and the half height sharpness of the convex portions 181. When Rm is less than 1, the convex portions 181 have a semicircular shape, and when the half-height sharpness Rm of the convex portions 181 exceeds 1, the convex portions 181 are bell shaped. It can have Accordingly, the half-height sharpness Rm of the convex portions 181 according to the present application has a maximum tangential slope of the first curved portion 181b between the middle region MA and the upper region UA of the convex portions 181. It can range from 1.1 to 2.0 to be located in. Here, when the half height sharpness Rm of the convex portions 181 is less than 1.1, the top portion 181a of the convex portions 181 is not sharp and has a cross-sectional structure of a bell or Gaussian curve, thereby convex portions Since the above-mentioned ridge ELa is not formed in the light emitting layer EL formed on the top 181a of 181, the effect of the ridge ELa cannot be expected. In addition, when the half height sharpness Rm of the convex portions 181 exceeds 2.0, the top portion 181a of the convex portion 181 may be sharply formed, but the middle area MA of the convex portions 181 may be increased. The height h2 + h3 of the upper region UA may become too low or flat to form a waveguide, thereby reducing light extraction efficiency.

도 13a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 4/5 높이 종횡비에 따른 백색 화소의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이며, 도 13b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 4/5 높이 종횡비에 따른 적색과 녹색 및 청색 화소 각각의 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.FIG. 13A is a graph illustrating a current efficiency increase rate of a white pixel according to a 4/5 height aspect ratio of the convex portion in the light emitting display device according to the present application, and FIG. 13B is a graph of the convex portion 4 / in the light emitting display device according to the present application. 5 is a graph showing the current efficiency increase rate of each of the red, green, and blue pixels according to the height aspect ratio.

도 6과 도 13a 및 도 13b를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치의 각 화소에 있어서, 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.35 ~ 0.6의 범위를 가질 경우, 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.35 미만이거나 0.6을 초과하는 경우보다 전류 효율 상승률이 더 우수하다는 것을 확인할 수 있다. 즉, 발광 소자(ED)의 전류 효율 상승률은 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.6을 초과하는 경우에 감소되는 경향성을 가지는 반면에, 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.35 ~ 0.6의 범위를 가질 경우에 최대 값을 갖는 것을 확인할 수 있다.6, 13A, and 13B, in each pixel of the light emitting display device according to the present application, when the 4/5 height aspect ratio F′_AR of the convex portions 181 has a range of 0.35 to 0.6. It can be seen that the current efficiency increase rate is better than that when the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 is less than 0.35 or more than 0.6. That is, the current efficiency increase rate of the light emitting device ED has a tendency to decrease when the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 exceeds 0.6, whereas four of the convex portions 181 is decreased. It can be seen that the maximum value is obtained when the / 5 height aspect ratio F'_AR is in the range of 0.35 to 0.6.

따라서, 본 출원에 따른 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.35 ~ 0.6의 범위를 가질 경우, 최대의 전류 효율 상승률을 가질 수 있으며, 이 경우, 발광 소자(ED)가 최대의 발광 효율을 가질 수 있다. 예를 들어, 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.4 ~ 0.5의 범위를 가질 경우, 백색 화소는 대략 50%, 적색 화소는 대략 70%, 녹색 화소는 대략 50%, 및 청색 화소는 대략 30%의 최대 전류 효율 상승률을 각각 가질 수 있다.Therefore, when the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 according to the present application has a range of 0.35 to 0.6, it may have a maximum current efficiency increase rate, in which case, the light emitting device ED Can have the maximum luminous efficiency. For example, when the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 is in the range of 0.4 to 0.5, the white pixels are about 50%, the red pixels are about 70%, and the green pixels are about 50%. , And the blue pixels may each have a maximum current efficiency increase rate of approximately 30%.

결과적으로, 본 출원에 따른 볼록부들(181)은 정상부(181a)가 뾰족한 첨단 구조를 가질 수 있도록 0.35 ~ 0.6의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)를 가질 수 있으며, 발광 소자(ED)의 유효 발광 영역이 볼록부(181)의 상측 영역에 위치할 수 있도록 1.1 ~ 2.0의 반높이 샤프니스(Rm)를 가질 수 있다. 예를 들어, 볼록부들(181)은 1.1 ~ 2.0의 반높이 샤프니스(Rm), 0.35 ~ 0.65의 종횡비(AR), 및 0.45 ~ 0.7의 반높이 종횡비(F_AR)를 가질 수 있다.As a result, the convex portions 181 according to the present application may have a 4/5 height aspect ratio F′_AR of 0.35 to 0.6 so that the top portion 181a may have a sharp tip structure. The effective light emitting region may have a half height sharpness Rm of 1.1 to 2.0 so that the effective light emitting region may be located in an upper region of the convex portion 181. For example, the convex portions 181 may have a half height sharpness Rm of 1.1 to 2.0, an aspect ratio AR of 0.35 to 0.65, and a half height aspect ratio F_AR of 0.45 to 0.7.

도 14는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적과 볼록부의 종횡비 간의 선형 관계를 나타내는 그래프이다.14 is a graph showing a linear relationship between the surface area of a non-flat portion and the aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application.

도 6, 도 9, 및 도 14를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 비평탄부(180)의 표면적이 증가할 수록 볼록부들(181)의 종횡비(AR)가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 예를 들어, 볼록부들(181)의 종횡비(AR)는 비평탄부(180)의 표면적에 따라 0.35 ~ 0.48의 범위를 갖는 것을 알 수 있다. 이러한 비평탄부(180)의 표면적에 대한 볼록부들(181)의 종횡비(AR)를 선형회귀분석한 2차 함수식에 따른 결정 계수(R2)에 따르면, 비평탄부(180)의 표면적에 대한 볼록부들(181)의 종횡비(AR)는 대략 58% 정도의 정합도를 가지는 것을 알 수 있다.6, 9, and 14, in the light emitting display device according to the present application, as the surface area of the non-flat portion 180 increases, the aspect ratio AR of the convex portions 181 increases. For example, it can be seen that the aspect ratio AR of the convex portions 181 has a range of 0.35 to 0.48 depending on the surface area of the non-flat portion 180. According to the determination coefficient R2 according to the quadratic function of linear aspect analysis of the aspect ratio AR of the convex portions 181 with respect to the surface area of the non-flat portion 180, the convex portions with respect to the surface area of the non-flat portion 180 are determined. It can be seen that the aspect ratio AR of 181 has a degree of registration of about 58%.

도 15는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적과 볼록부의 4/5 높이 종횡비 간의 선형 관계를 나타내는 그래프이다.15 is a graph showing a linear relationship between the surface area of a non-flat portion and a 4/5 height aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application.

도 6, 도 9, 및 도 15를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 비평탄부(180)의 표면적이 증가할 수록 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 예를 들어, 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)는 비평탄부(180)의 표면적에 따라 0.4 ~ 0.7의 범위를 갖는 것을 알 수 있다. 이러한 비평탄부(180)의 표면적에 대한 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)를 선형회귀분석한 2차 함수식에 따른 결정 계수(R2)에 따르면, 비평탄부(180)의 표면적에 대한 볼록부들(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)는 대략 52% 정도의 정합도를 가지는 것을 알 수 있다.6, 9, and 15, in the light emitting display device according to the present application, as the surface area of the non-flat portion 180 increases, the 4/5 height aspect ratio F′_AR of the convex portions 181 increases. You can see that. For example, it can be seen that the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 has a range of 0.4 to 0.7 depending on the surface area of the non-flat portion 180. According to the determination coefficient R2 according to the quadratic function of linear regression analysis of the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 with respect to the surface area of the non-flat portion 180, the non-flat portion 180 It can be seen that the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portions 181 with respect to the surface area has a degree of registration of about 52%.

도 16a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 종횡비에 따른 광 추출 효율을 나타내는 그래프이고,, 도 16b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적 증가율에 따른 광 추출 효율을 나타내는 그래프이며, 도 16c는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적 증가율에 따른 전류 효율 상승률을 나타내는 그래프이다.16A is a graph illustrating light extraction efficiency according to aspect ratio of a convex portion in the light emitting display device according to the present application, and FIG. 16B is light extraction efficiency according to a surface area increase rate of the non-flat portion in the light emitting display device according to the present application. 16C is a graph showing a current efficiency increase rate according to a surface area increase rate of the non-flat portion in the light emitting display device according to the present application.

도 6, 도 9, 및 도 16a를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 볼록부(181)의 종횡비(AR)가 0.35 ~ 0.48의 범위를 가질 경우, 대략 2400 ~ 3100cd/m2의 광 추출 효율을 가지는 것을 확인할 수 있다. 이러한 볼록부(181)의 종횡비(AR)에 대한 광 추출 효율을 선형회귀분석한 2차 함수식에 따른 결정 계수(R2)에 따르면, 볼록부(181)의 종횡비(AR)에 대한 광 추출 효율은 대략 45% 정도의 정합도를 가지는 것을 알 수 있다.6, 9, and 16A, when the aspect ratio AR of the convex portion 181 has a range of 0.35 to 0.48, the light emitting display device according to the present application extracts light of approximately 2400 to 3100 cd / m 2. It can be confirmed that it has efficiency. According to the determination coefficient R2 according to the quadratic function of the light extraction efficiency of the convex portion 181 with respect to the aspect ratio AR, the light extraction efficiency with respect to the aspect ratio AR of the convex portion 181 is It can be seen that the degree of registration is approximately 45%.

도 6, 도 9, 및 도 16b를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)이 1.1 ~ 2.0의 범위를 가질 경우, 대략 2200 ~ 3200cd/m2의 광 추출 효율을 가지는 것을 확인할 수 있다. 이러한 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)에 대한 광 추출 효율을 선형회귀분석한 2차 함수식에 따른 결정 계수(R2)에 따르면, 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)에 대한 광 추출 효율은 대략 63% 정도의 정합도를 가지는 것을 알 수 있다.6, 9, and 16B, in the light emitting display device according to the present application, when the surface area increase rate (SIR) of the non-flat portion 180 has a range of 1.1 to 2.0, light of approximately 2200 to 3200 cd / m 2 is obtained. It can be confirmed that the extraction efficiency. According to the coefficient of determination (R2) according to the quadratic function of linear extraction of the light extraction efficiency (SIR) of the non-flat portion 180, the light extraction with respect to the surface area increase (SIR) of the non-flat portion 180 It can be seen that the efficiency has a degree of matching of about 63%.

도 6, 도 9, 및 도 16c를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)이 1.1 ~ 2.0의 범위를 가질 경우, 대략 5% 이상의 전류 효율 상승률을 가지는 것을 확인할 수 있다. 이러한 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)에 대한 전류 효율 상승률을 선형회귀분석한 2차 함수식에 따른 결정 계수(R2)에 따르면, 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)에 대한 전류 효율 상승률은 대략 63% 정도의 정합도를 가지는 것을 알 수 있다.6, 9, and 16C, the light emitting display device according to the present application has a current efficiency increase rate of about 5% or more when the surface area increase rate (SIR) of the non-flat portion 180 has a range of 1.1 to 2.0. I can confirm that I have. According to the determination coefficient R2 according to the quadratic function that linearly regresses the current efficiency increase rate with respect to the surface area increase rate SIR of the non-flat portion 180, the current efficiency with respect to the surface area increase rate SIR of the non-flat portion 180 is linear. It can be seen that the rate of increase has a degree of matching of about 63%.

도 17a는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 볼록부의 종횡비와 볼록부의 샤프니스 각각에 대한 광 추출 효율의 분포를 나타내는 그래프이며, 도 17b는 본 출원에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 비평탄부의 표면적 증가율과 볼록부의 4/5 높이 종횡비 각각에 대한 광 추출 효율의 분포를 나타내는 그래프이다.FIG. 17A is a graph illustrating distribution of light extraction efficiency for each aspect ratio of a convex portion and sharpness of the convex portion in the light emitting display device according to the present application, and FIG. 17B is a surface area of the non-flat portion in the light emitting display device according to the present application. It is a graph which shows the distribution of the light extraction efficiency with respect to the increase rate and the 4/5 height aspect ratio of the convex part.

도 6, 도 9, 및 도 17a를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치의 광 추출 효율은 볼록부(181)의 종횡비(AR)와 볼록부(181)의 샤프니스(Rm)에 따라 상대적으로 넓은 산포도를 갖는 것을 알 수 있다. 예를 들어, 볼록부(181)가 0.38의 종횡비(AR)를 가질 경우, 광 추출 효율은 볼록부(181)의 샤프니스(Rm)에 따라 2700 ~ 3100cd/m2의 범위를 갖는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 볼록부(181)의 종횡비(AR)와 볼록부(181)의 샤프니스(Rm) 각각은 발광 표시 장치의 광 추출 효율을 충분히 대변할 수 없다는 것을 알 수 있다.6, 9, and 17A, the light extraction efficiency of the light emitting display device according to the present application is relatively dependent on the aspect ratio AR of the convex portion 181 and the sharpness Rm of the convex portion 181. It can be seen that it has a wide scatter. For example, when the convex portion 181 has an aspect ratio AR of 0.38, it may be confirmed that the light extraction efficiency has a range of 2700 to 3100 cd / m 2 depending on the sharpness Rm of the convex portion 181. Accordingly, it can be seen that the aspect ratio AR of the convex portion 181 and the sharpness Rm of the convex portion 181 cannot sufficiently represent the light extraction efficiency of the light emitting display device.

도 6, 도 9, 및 도 17b를 참조하면, 본 출원에 따른 발광 표시 장치의 광 추출 효율은 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)과 볼록부(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)에 따라 상대적으로 좁은 산포도를 갖는 것을 알 수 있다. 예를 들어, 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)이 1.35를 가질 경우, 광 추출 효율은 볼록부(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)에 따라 2900 ~ 3100cd/m2의 범위를 갖는 것을 확인할 수 있다. 특히, 본 출원에 따른 발광 표시 장치는 볼록부(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR)가 0.45 ~ 0.6의 범위를 가지고, 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)이 1.3 ~ 1.43의 범위를 가질 때 3000cd/m2 이상의 광 추출 효율을 가지는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)과 볼록부(181)의 4/5 높이 종횡비(F'_AR) 각각은 발광 표시 장치의 광 추출 효율을 충분히 대변할 수 있다는 것을 알 수 있다. 따라서, 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)은 발광 표시 장치의 발광 효율, 광 추출 효율 및 전류 효율 상승률을 결정짓는 추가적인 변수로 활용 가능할 수 있다. 이와 같은, 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)을 기반으로 하는 발광 표시 장치의 광 추출 효율 향상을 고려하면, 비평탄부(180)의 표면적 증가율(SIR)은 1.05 ~ 2.0의 범위를 가질 수 있으며, 이 경우 볼록부들(181)은 0.35 ~ 0.48의 범위를 갖는 종횡비(AR), 0.45 ~ 0.60의 범위를 갖는 반높이 종횡비(F_AR), 0.45 ~ 0.6의 범위를 갖는 4/5 높이 종횡비(F'_AR), 및 1.5 ~ 2.0의 반높이 샤프니스(Rm)을 가질 수 있다.6, 9, and 17B, the light extraction efficiency of the light emitting display device according to the present application is a surface area increase rate SIR of the non-flat portion 180 and a 4/5 height aspect ratio F of the convex portion 181. It can be seen that it has a relatively narrow scatter map according to '_AR). For example, when the surface area increase rate (SIR) of the non-planar portion 180 has 1.35, the light extraction efficiency is in the range of 2900 to 3100 cd / m2 depending on the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portion 181. It can be confirmed that having. In particular, in the light emitting display device according to the present application, the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portion 181 is in the range of 0.45 to 0.6, and the surface area increase rate SIR of the non-flat portion 180 is 1.3 to 1.43. When it has a range of it can be confirmed that the light extraction efficiency of 3000cd / m2 or more. Accordingly, it can be seen that the surface area increase rate SIR of the non-flat portion 180 and the 4/5 height aspect ratio F'_AR of the convex portion 181 can sufficiently represent the light extraction efficiency of the light emitting display device. . Therefore, the surface area increase rate SIR of the non-flat portion 180 may be used as an additional variable for determining the light emission efficiency, the light extraction efficiency, and the current efficiency increase rate of the light emitting display device. Considering the improvement in light extraction efficiency of the light emitting display device based on the surface area increase rate (SIR) of the non-flat portion 180, the surface area increase rate (SIR) of the non-flat portion 180 may range from 1.05 to 2.0. In this case, the convex portions 181 have an aspect ratio AR having a range of 0.35 to 0.48, a half height aspect ratio F_AR having a range of 0.45 to 0.60, and a 4/5 height aspect ratio F having a range of 0.45 to 0.6. '_AR) and half height sharpness (Rm) of 1.5 to 2.0.

도 18은 본 출원의 일 예에 따른 볼록부와 발광층의 형상에 따른 광 경로를 나타내는 시뮬레이션 도면이다.18 is a simulation diagram illustrating an optical path according to the shape of the convex portion and the light emitting layer according to an example of the present application.

도 18을 참조하면, 본 출원의 일 예에 따른 볼록부의 정상부와 발광층의 정상부는 서로 다른 형상(또는 비등각(non-conformal))을 갖는다. 즉, 본 출원의 일 예에 따른 볼록부의 정상부는 뾰족한 첨단 구조(또는 첨단부)를 가지며 발광층의 정상부는 볼록한 곡면 형태(또는 융기부)를 갖는다. 이러한 본 출원의 일 예는 볼록부의 정상부와 발광층의 정상부가 서로 다른 형태를 가짐으로써 발광 소자(ED)의 유효 발광 영역(ED)에서 발광되는 광이 발광 소자(ED) 내에서 볼록부의 정상부 쪽으로 전반사되어 진행한 후, 발광층의 볼록한 곡면 형태의 융기부에 의해 반사되어 기판 쪽으로 추출되는 것을 알 수 있다. 즉, 본 출원의 일 예는 볼록부의 정상부와 발광층의 융기부 사이로 진행하는 대부분의 광이 기판 쪽으로 추출되는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 각 화소의 개구 영역에 형성되는 복수의 볼록부들의 표면 형상과 다른 표면 형상을 갖는 발광층을 포함함으로써 광의 외부 추출 효율이 증가될 수 있다.Referring to FIG. 18, the top of the convex portion and the top of the light emitting layer according to an example of the present application have different shapes (or non-conformal). That is, the top of the convex portion according to an example of the present application has a sharp tip structure (or tip) and the top of the light emitting layer has a convex curved shape (or ridge). One example of the present application is that the top of the convex portion and the top of the light emitting layer have different shapes, so that the light emitted from the effective light emitting area ED of the light emitting element ED is totally reflected toward the top of the convex portion in the light emitting element ED. After proceeding, it can be seen that the light is reflected by the convex curved ridges of the light emitting layer and extracted toward the substrate. That is, in one example of the present application, it can be seen that most of the light traveling between the top of the convex portion and the ridge of the light emitting layer is extracted toward the substrate. Accordingly, the light emitting display device according to an example of the present application may include an emission layer having a surface shape different from that of the plurality of convex portions formed in the opening region of each pixel, thereby increasing the external extraction efficiency of light.

도 19는 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치에 있어서, 화소의 실제 발광 이미지를 나타내는 사진이다.19 is a photo illustrating an actual light emitting image of a pixel in a light emitting display device according to an example of the present application.

도 19에서 알 수 있듯이, 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치에서, 발광 소자는 개구 영역 상의 오버코트에 마련된 볼록부들의 형상에 따라 볼록부들의 상측 영역과 중첩되는 유효 발광 영역(EA)과 볼록부들의 하측 영역과 중첩되는 비유효 발광 영역(NEA)을 갖는다. 이러한 볼록부들 각각 상에 형성되는 발광 소자의 유효 발광 영역(EA)과 비유효 발광 영역(NEA)은 실제 발광 이미지에서 동일하게 나타내는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 볼록부들의 형상에 따른 발광 소자의 유효 발광 영역을 고려하여 볼록부들의 4/5 높이 종횡비를 설정하고, 나아가 볼록부들의 반높이 샤프니스를 설정함으로써 발광 소자의 발광 효율과 광 추출 효율을 극대화하면서 소비전력을 저감할 수 있다. 또한, 본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 볼록부들에 따른 비평탄부의 표면적 증가율을 설정하고, 표면적 증가율에 따른 볼록부들의 종횡비, 반높이 종횡비, 4/5 높이 종횡비, 및 샤프니스를 설정함으로써 발광 소자의 발광 효율과 광 추출 효율을 극대화하면서 소비전력을 저감할 수 있다.As can be seen in FIG. 19, in the light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present application, the light emitting device has an effective light emitting area EA and a convex that overlap the upper region of the convex parts according to the shape of the convex parts provided in the overcoat on the opening area. It has an ineffective light emitting area NEA overlapping with the lower area of the parts. It can be seen that the effective light emitting area EA and the ineffective light emitting area NEA of the light emitting device formed on each of the convex parts are the same in the actual light emitting image. Accordingly, the light emitting display device according to an example of the present application sets the 4/5 height aspect ratio of the convex portions in consideration of the effective light emitting area of the light emitting device according to the shape of the convex portions, and furthermore, sets the half height sharpness of the convex portions. The power consumption can be reduced while maximizing the luminous efficiency and light extraction efficiency of the light emitting device. In addition, the light emitting display device according to an example of the present application sets the surface area increase rate of the non-flat portion according to the convex portions, and sets the aspect ratio, half height aspect ratio, 4/5 height aspect ratio, and sharpness of the convex portions according to the surface area increase rate. The power consumption can be reduced while maximizing the luminous efficiency and light extraction efficiency of the light emitting device.

본 출원에 따른 발광 표시 장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.The light emitting display device according to the present application may be described as follows.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 기판 상에 마련되고 복수의 볼록부를 포함하는 오버코팅층, 복수의 볼록부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 제 1 전극은 복수의 볼록부 각각의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 가지며, 발광층은 복수의 볼록부 각각의 표면 형상과 다른 표면 형상을 가질 수 있다.The light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present application includes an overcoating layer provided on a substrate and including a plurality of convex portions, a first electrode provided on the plurality of convex portions, a light emitting layer provided on the first electrode, and a second provided on the light emitting layer. The first electrode has a surface shape that follows the surface shape of each of the plurality of convex portions as it is, and the light emitting layer may have a surface shape different from that of each of the plurality of convex portions.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 개구 영역을 갖는 복수의 화소를 기판, 기판 상에 마련되고 개구 영역에 마련된 복수의 오목부 및 인접한 오목부들 사이에 마련된 경계부를 포함하는 오버코팅층, 복수의 오목부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 제 1 전극은 복수의 오목부와 경계부 각각의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 가지며, 발광층은 제 1 전극의 표면 형상과 다른 표면 형상을 가질 수 있다.According to an exemplary embodiment, a light emitting display device includes a substrate, a plurality of pixels having an opening region, an overcoating layer including a plurality of recesses provided on the substrate, and a boundary portion provided between the adjacent recesses. And a first electrode provided on the concave portion, a light emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the light emitting layer, wherein the first electrode has a surface shape which follows the surface shape of each of the plurality of concave portions and the boundary portion. The light emitting layer may have a surface shape different from that of the first electrode.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 개구 영역을 갖는 복수의 화소를 기판, 기판 상에 마련되고 개구 영역에 마련된 첨단부를 포함하는 비평탄부를 갖는 오버코팅층, 비평탄부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 제 1 전극은 비평탄부의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 가지며, 발광층은 제 1 전극의 표면 형상과 다른 표면 형상을 가질 수 있다.According to an exemplary embodiment, a light emitting display device includes a substrate having a plurality of pixels having an opening region, an overcoating layer having a non-flat portion formed on the substrate and including a tip portion provided in the opening region, a first electrode provided on the non-flat portion, A light emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the light emitting layer, wherein the first electrode has a surface shape that follows the surface shape of the non-flat portion, and the light emitting layer has a surface shape different from that of the first electrode. Can have

본 출원의 일 예에서, 제 2 전극은 발광층의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 가질 수 있다.In one example of the present application, the second electrode may have a surface shape that follows the surface shape of the light emitting layer.

본 출원의 일 예에서, 복수의 볼록부 각각은 첨단 구조의 정상부를 가지며, 바닥부와 정상부 사이의 전체 높이를 기준으로 바닥부로부터 전체 높이의 4/5 높이에 대한 종횡비가 0.35 내지 0.6일 수 있다.In one example of the present application, each of the plurality of convex portions has a top portion of the advanced structure, and the aspect ratio for the 4/5 height of the entire height from the bottom portion can be 0.35 to 0.6 based on the overall height between the bottom portion and the top portion. have.

본 출원의 일 예에서, 복수의 볼록부 각각은 0.35 ~ 0.65의 종횡비 및 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에서 0.45 내지 0.7의 반높이 종횡비를 가질 수 있다.In one example of the present application, each of the plurality of convex portions may have an aspect ratio of 0.35 to 0.65 and a half height aspect ratio of 0.45 to 0.7 at half height of the entire height from the bottom.

본 출원의 일 예에서, 복수의 볼록부 각각은 첨단 구조를 갖는 정상부, 및 정상부와 바닥부 사이에 마련된 곡면부를 포함할 수 있다.In one example of the present application, each of the plurality of convex portions may include a top portion having a tip structure, and a curved portion provided between the top portion and the bottom portion.

본 출원의 일 예에서, 복수의 볼록부 각각의 곡면부는 볼록부의 바닥부와 정상부 사이의 전체 높이를 기준으로, 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에서의 제 1 접선 기울기 및 4/5 높이에서의 제 2 접선 기울기를 포함하며, 제 2 접선 기울기는 제 1 접선 기울기보다 클 수 있다.In one example of the present application, the curved portion of each of the plurality of convex portions has a first tangential slope at half height of the entire height from the bottom portion and 4/5 height relative to the overall height between the bottom portion and the top portion of the convex portion. A second tangential slope may be included, and the second tangential slope may be greater than the first tangential slope.

본 출원의 일 예에서, 복수의 볼록부 각각의 곡면부는 복수의 볼록부 각각의 반높이와 정상부 사이에서 최대 접선 기울기를 가질 수 있다.In an example of the present application, the curved portion of each of the plurality of convex portions may have a maximum tangential slope between the half height and the top of each of the plurality of convex portions.

본 출원의 일 예에서, 복수의 볼록부 각각의 곡면부는 볼록부의 바닥부와 정상부 사이의 전체 높이를 기준으로, 바닥부로부터 전체 높이의 4/5 높이에서 최대 접선 기울기를 가질 수 있다.In one example of the present application, the curved portion of each of the plurality of convex portions may have a maximum tangential slope at a height of 4/5 of the total height from the bottom portion, based on the overall height between the bottom portion and the top portion of the convex portion.

본 출원의 일 예에서, 발광층의 두께는 복수의 볼록부 각각의 바닥부로 갈수록 점점 두꺼워질 수 있다.In an example of the present application, the thickness of the light emitting layer may become thicker toward the bottom of each of the plurality of convex portions.

본 출원의 일 예에서, 발광층은 복수의 볼록부 각각의 바닥부를 기준으로, 복수의 볼록부 각각의 상측 영역과 중첩되는 유효 발광 영역 및 복수의 볼록부 각각의 하측 영역과 중첩되는 비유효 발광 영역을 포함할 수 있다.In an example of the present application, the light emitting layer may have an effective light emitting region overlapping with an upper region of each of the plurality of convex portions and an ineffective light emitting region overlapping a lower region of each of the plurality of convex portions, based on the bottom of each of the plurality of convex portions. It may include.

본 출원의 일 예에서, 발광층은 복수의 볼록부 각각의 정상부와 중첩되는 융기부를 포함하며, 융기부는 복수의 볼록부 각각의 정상부를 덮도록 볼록한 곡면 형태를 가질 수 있다.In an example of the present application, the light emitting layer may include a ridge overlapping the top of each of the plurality of convex portions, and the ridge may have a convex curved shape to cover the top of each of the plurality of convex portions.

본 출원의 일 예에서, 발광층은 복수의 볼록부 각각의 정상부와 중첩되는 융기부를 포함하며, 융기부는 변곡부를 갖는 돔 구조를 포함할 수 있다.In an example of the present application, the light emitting layer may include a ridge overlapping the top of each of the plurality of convex portions, and the ridge may include a dome structure having an inflection portion.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 기판 상에 마련되고 복수의 볼록부를 포함하는 오버코팅층, 복수의 볼록부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 복수의 볼록부 각각은 정상부와 바닥부 사이의 전체 높이를 기준으로, 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에 대한 반높이 종횡비가 0.45 내지 0.7이며, 바닥부로부터 전체 높이의 4/5 높이에 대한 종횡비가 0.35 내지 0.6일 수 있다.The light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present application includes an overcoating layer provided on a substrate and including a plurality of convex portions, a first electrode provided on the plurality of convex portions, a light emitting layer provided on the first electrode, and a second provided on the light emitting layer. A plurality of convex portions each having a half height aspect ratio of 0.45 to 0.7 from a bottom to a half height of the entire height relative to the overall height between the top and the bottom; The aspect ratio for the / 5 height can be 0.35 to 0.6.

본 출원의 일 예에서, 복수의 볼록부 각각의 종횡비는 0.35 ~ 0.65일 수 있다.In one example of the present application, the aspect ratio of each of the plurality of convex portions may be 0.35 to 0.65.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 기판 상에 마련되고 복수의 볼록부를 갖는 비평탄부를 포함하는 오버코팅층, 비평탄부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 비평탄부는 단위 면적에 대해 1.05 ~ 2.0의 표면적 증가율을 가질 수 있다.The light emitting display device according to an example of the present application is provided on an overcoat layer including a non-flat portion having a plurality of convex portions, a first electrode provided on the non-flat portion, a light emitting layer provided on the first electrode, and a light emitting layer It includes a second electrode provided, the non-flat portion may have a surface area increase rate of 1.05 ~ 2.0 with respect to the unit area.

본 출원의 일 예에서, 제 2 전극은 단위 면적에 대해 비평탄부의 표면적 증가율보다 낮은 표면적 증가율을 가질 수 있다.In an example of the present application, the second electrode may have a surface area increase rate lower than that of the non-flat portion with respect to the unit area.

본 출원의 일 예에서, 비평탄부는 단위 면적에 대해 1.3 ~ 1.43의 표면적 증가율을 가질 수 있다.In one example of the present application, the non-flat portion may have a surface area increase rate of 1.3 to 1.43 with respect to the unit area.

본 출원의 일 예에서, 수의 볼록부 각각은 정상부와 바닥부 사이의 전체 높이를 기준으로, 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에 대한 반높이 종횡비가 0.45 내지 0.6이며, 바닥부로부터 전체 높이의 4/5 높이에 대한 종횡비가 0.45 내지 0.6일 수 있다.In one example of the present application, each of the convex portions of the number has a half height aspect ratio of 0.45 to 0.6 with respect to the half height of the entire height from the bottom, based on the overall height between the top and the bottom, The aspect ratio for the 4/5 height can be 0.45 to 0.6.

본 출원의 일 예에서, 복수의 볼록부 각각의 종횡비는 0.35 ~ 0.48일 수 있다.In one example of the present application, the aspect ratio of each of the plurality of convex portions may be 0.35 to 0.48.

본 출원의 일 예에서, 복수의 볼록부 각각은 첨단 구조를 갖는 정상부, 및 정상부와 바닥부 사이에 마련된 곡면부를 포함하며, 복수의 볼록부 각각의 곡면부는 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에서의 제 1 접선 기울기 및 4/5 높이에서의 제 2 접선 기울기를 포함하며, 제 2 접선 기울기는 상기 제 1 접선 기울기보다 클 수 있다.In one example of the present application, each of the plurality of convex portions includes a top portion having an advanced structure, and a curved portion provided between the top portion and the bottom portion, wherein the curved portion of each of the plurality of convex portions is at a half height of the entire height from the bottom portion. A first tangential slope and a second tangential slope at 4/5 height, wherein the second tangential slope may be greater than the first tangential slope.

본 출원의 일 예에서, 제 2 접선 기울기는 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에서 정상부로 갈수록 점점 증가할 수 있다.In one example of the present application, the second tangential slope may increase gradually from the bottom to the top at half height of the entire height.

본 출원의 일 예에서, 발광층은 복수의 볼록부 각각의 정상부와 중첩되는 융기부를 포함하며, 융기부는 돔 구조를 포함할 수 있다.In an example of the present application, the light emitting layer may include a ridge overlapping the top of each of the plurality of convex portions, and the ridge may include a dome structure.

본 출원의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 개구 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하는 기판, 기판 상에 마련되고 개구 영역에 마련된 첨단부를 포함하는 비평탄부를 갖는 오버코팅층, 비평탄부 상에 마련된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 마련된 발광층, 및 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며, 제 1 전극은 비평탄부에 대해 등각(conformal)으로 형성되며, 발광층은 제 1 전극에 대해 비등각(non-conformal)으로 형성될 수 있다.A light emitting display device according to an example of the present application includes a substrate including a plurality of pixels having an opening region, an overcoating layer having a non-flat portion formed on the substrate and including a tip portion provided in the opening region, and a first provided on the non-flat portion. An electrode, a light emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the light emitting layer, wherein the first electrode is formed at a conformal angle to the non-flat portion, and the light emitting layer is non-angular with respect to the first electrode. conformal).

본 출원의 일 예에서, 발광층은 비평탄부의 첨단부와 중첩되는 융기부를 포함하며, 융기부는 첨단부를 덮도록 볼록한 곡면 형태를 가질 수 있다.In an example of the present application, the light emitting layer may include a ridge overlapping the tip of the non-flat portion, and the ridge may have a convex curved shape to cover the tip.

본 출원의 일 예에서, 개구 영역에 마련된 첨단부는 평면적으로 벌집 구조를 가질 수 있다.In one example of the present application, the tip portion provided in the opening region may have a honeycomb structure in plan.

본 출원의 일 예에서, 비평탄부는 단위 면적에 대해 1.05 ~ 2.0의 표면적 증가율을 가질 수 있다.In one example of the present application, the non-flat portion may have a surface area increase rate of 1.05 to 2.0 with respect to the unit area.

본 출원의 일 예에서, 제 2 전극은 발광층에 대해 등각(conformal)으로 형성되며, 제 2 전극은 단위 면적에 대해 비평탄부의 표면적 증가율보다 낮은 표면적 증가율을 가질 수 있다.In an example of the present application, the second electrode may be formed conformally to the light emitting layer, and the second electrode may have a surface area increase rate lower than that of the non-flat portion with respect to the unit area.

본 출원의 일 예에서, 비평탄부는 단위 면적에 대해 1.3 ~ 1.43의 표면적 증가율을 가질 수 있다.In one example of the present application, the non-flat portion may have a surface area increase rate of 1.3 to 1.43 with respect to the unit area.

본 출원의 일 예에서, 발광층은 비평탄부의 첨단부와 중첩되는 융기부를 포함하며, 융기부는 첨단부를 덮도록 볼록한 곡면 형태를 가질 수 있다.In an example of the present application, the light emitting layer may include a ridge overlapping the tip of the non-flat portion, and the ridge may have a convex curved shape to cover the tip.

상술한 본 출원의 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 출원의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the examples of the present application described above are included in at least one example of the present application, and are not necessarily limited to one example. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in at least one example of the present application may be combined or modified with respect to other examples by those skilled in the art to which the present application belongs. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present application.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present application described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical matters of the present application. It will be evident to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present application is represented by the following claims, and it should be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof are included in the scope of the present application.

10: 화소 어레이부 12: 단위 화소
12a: 제 1 화소 12b: 제 2 화소
12c: 제 3 화소 12d: 제 4 화소
100: 기판 130: 보호층
150: 파장 변환층 170: 오버코트층
180: 비평탄부 181: 볼록부
183: 오목부 190: 뱅크층
10: pixel array unit 12: unit pixel
12a: first pixel 12b: second pixel
12c: third pixel 12d: fourth pixel
100: substrate 130: protective layer
150: wavelength conversion layer 170: overcoat layer
180: non-flat portion 181: convex portion
183: recess 190: bank layer

Claims (23)

기판 상에 마련되고 복수의 볼록부를 포함하는 오버코팅층;
상기 복수의 볼록부 상에 마련된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 마련된 발광층; 및
상기 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 전극은 상기 복수의 볼록부 각각의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 가지며,
상기 발광층은 상기 복수의 볼록부 각각의 표면 형상과 다른 표면 형상을 갖는, 발광 표시 장치.
An overcoating layer provided on the substrate and including a plurality of convex portions;
A first electrode provided on the plurality of convex portions;
An emission layer provided on the first electrode; And
A second electrode provided on the light emitting layer;
The first electrode has a surface shape that follows the surface shape of each of the plurality of convex portions as it is,
And the light emitting layer has a surface shape different from that of each of the plurality of convex portions.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 상기 발광층의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 갖는, 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The second electrode has a surface shape that follows the surface shape of the light emitting layer as it is.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 볼록부 각각은 첨단 구조의 정상부를 가지며, 바닥부와 상기 정상부 사이의 전체 높이를 기준으로 상기 바닥부로부터 전체 높이의 4/5 높이에 대한 종횡비가 0.35 내지 0.6인, 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
Wherein each of the plurality of convex portions has a top portion of an advanced structure, and has an aspect ratio of a height of 4/5 of the entire height from the bottom portion based on the entire height between the bottom portion and the top portion, from 0.35 to 0.6.
제 3 항에 있어서,
상기 복수의 볼록부 각각은 0.35 ~ 0.65의 종횡비 및 상기 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에서 0.45 내지 0.7의 반높이 종횡비를 갖는, 발광 표시 장치.
The method of claim 3, wherein
And each of the plurality of convex portions has an aspect ratio of 0.35 to 0.65 and a half height aspect ratio of 0.45 to 0.7 at a half height of the entire height from the bottom portion.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 볼록부 각각은,
첨단 구조를 갖는 정상부; 및
상기 정상부와 상기 바닥부 사이에 마련된 곡면부를 포함하는, 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
Each of the plurality of convex portions,
A top having a tip structure; And
And a curved portion provided between the top portion and the bottom portion.
제 5 항에 있어서,
상기 복수의 볼록부 각각의 곡면부는 상기 볼록부의 바닥부와 상기 정상부 사이의 전체 높이를 기준으로, 상기 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에서의 제 1 접선 기울기 및 4/5 높이에서의 제 2 접선 기울기를 포함하며,
상기 제 2 접선 기울기는 상기 제 1 접선 기울기보다 큰, 발광 표시 장치.
The method of claim 5,
The curved portion of each of the plurality of convex portions is the first tangent slope at half height of the entire height from the bottom portion and the second tangent at 4/5 height based on the overall height between the bottom portion and the top portion of the convex portion. Contains the slope,
And the second tangent slope is greater than the first tangent slope.
제 5 항에 있어서,
상기 복수의 볼록부 각각의 곡면부는 상기 복수의 볼록부 각각의 반높이와 상기 정상부 사이에서 최대 접선 기울기를 갖는, 발광 표시 장치.
The method of claim 5,
And a curved portion of each of the plurality of convex portions has a maximum tangential slope between a half height of each of the plurality of convex portions and the top portion.
제 5 항에 있어서,
상기 복수의 볼록부 각각의 곡면부는 상기 볼록부의 바닥부와 상기 정상부 사이의 전체 높이를 기준으로, 상기 바닥부로부터 전체 높이의 4/5 높이에서 최대 접선 기울기를 갖는, 발광 표시 장치.
The method of claim 5,
And a curved portion of each of the plurality of convex portions has a maximum tangential slope at a height of 4/5 of the total height from the bottom portion, based on an overall height between the bottom portion and the top portion of the convex portion.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층의 두께는 상기 복수의 볼록부 각각의 바닥부로 갈수록 점점 두꺼워지는, 발광 표시 장치.
The method according to any one of claims 1 to 8,
The thickness of the light emitting layer is gradually thicker toward the bottom of each of the plurality of convex portions.
제 9 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 복수의 볼록부 각각의 바닥부를 기준으로, 상기 복수의 볼록부 각각의 상측 영역과 중첩되는 유효 발광 영역 및 상기 복수의 볼록부 각각의 하측 영역과 중첩되는 비유효 발광 영역을 포함하는, 발광 표시 장치.
The method of claim 9,
The light emitting layer includes an effective light emitting region overlapping an upper region of each of the plurality of convex portions and an ineffective light emitting region overlapping a lower region of each of the plurality of convex portions, based on a bottom portion of each of the plurality of convex portions. , Light emitting display device.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 복수의 볼록부 각각의 정상부와 중첩되는 융기부를 포함하며,
상기 융기부는 상기 복수의 볼록부 각각의 정상부를 덮도록 볼록한 곡면 형태를 갖는, 발광 표시 장치.
The method according to any one of claims 1 to 8,
The light emitting layer includes a raised portion overlapping with a top of each of the plurality of convex portions,
The raised portion has a curved shape that is convex to cover top portions of each of the plurality of convex portions.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 복수의 볼록부 각각의 정상부와 중첩되는 융기부를 포함하며,
상기 융기부는 변곡부를 갖는 돔 구조를 포함하는, 발광 표시 장치.
The method according to any one of claims 1 to 8,
The light emitting layer includes a raised portion overlapping with a top of each of the plurality of convex portions,
And the ridge includes a dome structure having a curved portion.
기판 상에 마련되고 복수의 볼록부를 갖는 비평탄부를 포함하는 오버코팅층;
상기 비평탄부 상에 마련된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 마련된 발광층; 및
상기 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며,
상기 비평탄부는 단위 면적에 대해 1.05 ~ 2.0의 표면적 증가율을 갖는, 발광 표시 장치.
An overcoating layer provided on the substrate and including a non-flat portion having a plurality of convex portions;
A first electrode provided on the non-flat portion;
An emission layer provided on the first electrode; And
A second electrode provided on the light emitting layer;
The non-flat portion has a surface area increase rate of 1.05 to 2.0 with respect to a unit area.
제 13 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 상기 단위 면적에 대해 상기 비평탄부의 표면적 증가율보다 낮은 표면적 증가율을 갖는, 발광 표시 장치.
The method of claim 13,
And the second electrode has a surface area increase rate lower than that of the non-flat portion with respect to the unit area.
제 13 항에 있어서,
상기 비평탄부는 단위 면적에 대해 1.3 ~ 1.43의 표면적 증가율을 갖는, 발광 표시 장치.
The method of claim 13,
The non-flat portion has a surface area increase rate of 1.3 to 1.43 with respect to a unit area.
제 13 항에 있어서,
상기 복수의 볼록부 각각은,
정상부와 바닥부 사이의 전체 높이를 기준으로, 상기 바닥부로부터 전체 높이의 반높이에 대한 반높이 종횡비가 0.45 내지 0.6이며,
상기 바닥부로부터 전체 높이의 4/5 높이에 대한 종횡비가 0.45 내지 0.6인, 발광 표시 장치.
The method of claim 13,
Each of the plurality of convex portions,
Based on the total height between the top and the bottom, the half-height aspect ratio from the bottom to the half-height of the full height is 0.45 to 0.6,
An aspect ratio light emitting display device, with an aspect ratio of 0.45 to 0.6 from a height of 4/5 of a total height from the bottom.
제 16 항에 있어서,
상기 복수의 볼록부 각각의 종횡비는 0.35 ~ 0.48인, 발광 표시 장치.
The method of claim 16,
An aspect ratio of each of the plurality of protrusions is 0.35 to 0.48.
제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 복수의 볼록부 각각의 정상부와 중첩되는 융기부를 포함하며,
상기 융기부는 돔 구조를 포함하는, 발광 표시 장치.
The method according to any one of claims 13 to 17,
The light emitting layer includes a raised portion overlapping with a top of each of the plurality of convex portions,
The ridge has a dome structure.
개구 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하는 기판;
상기 기판 상에 마련되고 상기 개구 영역에 마련된 첨단부를 포함하는 비평탄부를 갖는 오버코팅층;
상기 비평탄부 상에 마련된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 마련된 발광층; 및
상기 발광층 상에 마련된 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 전극은 상기 비평탄부에 대해 등각(conformal)으로 형성되며,
상기 발광층은 상기 제 1 전극에 대해 비등각(non-conformal)으로 형성된, 발광 표시 장치.
A substrate including a plurality of pixels having an opening region;
An overcoating layer having a non-flat portion provided on the substrate and including a tip portion provided in the opening region;
A first electrode provided on the non-flat portion;
An emission layer provided on the first electrode; And
A second electrode provided on the light emitting layer;
The first electrode is formed conformal to the non-flat portion,
And the light emitting layer is formed at a non-conformal angle with respect to the first electrode.
제 19 항에 있어서,
상기 비평탄부는 단위 면적에 대해 1.05 ~ 2.0의 표면적 증가율을 갖는, 발광 표시 장치.
The method of claim 19,
The non-flat portion has a surface area increase rate of 1.05 to 2.0 with respect to a unit area.
제 20 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 상기 발광층에 대해 등각(conformal)으로 형성되며,
상기 제 2 전극은 상기 단위 면적에 대해 상기 비평탄부의 표면적 증가율보다 낮은 표면적 증가율을 갖는, 발광 표시 장치.
The method of claim 20,
The second electrode is formed conformal to the light emitting layer,
And the second electrode has a surface area increase rate lower than that of the non-flat portion with respect to the unit area.
제 20 항에 있어서,
상기 비평탄부는 단위 면적에 대해 1.3 ~ 1.43의 표면적 증가율을 갖는, 발광 표시 장치.
The method of claim 20,
The non-flat portion has a surface area increase rate of 1.3 to 1.43 with respect to a unit area.
제 19 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 비평탄부의 첨단부와 중첩되는 융기부를 포함하며,
상기 융기부는 상기 첨단부를 덮도록 볼록한 곡면 형태를 갖는, 발광 표시 장치.
The method according to any one of claims 19 to 22,
The light emitting layer includes a raised portion overlapping the tip of the non-flat portion,
The raised portion has a curved shape that is convex to cover the tip portion.
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