KR20190143838A - Laser processing apparatus and method for manufacturing solar cell using the same - Google Patents

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Abstract

According to one aspect of the present invention, a laser processing apparatus capable of reducing or preventing the quality degradation caused by particles comprises: a chuck unit having one surface on which a substrate may be seated and having one or more holes along the edge thereof; a laser beam oscillating unit disposed on top of the chuck unit and irradiating a laser beam onto the substrate; a corner support unit disposed at the chuck unit and supporting at least one corner of the substrate; and a suction unit connected to the chuck unit and sucking the air through the holes.

Description

레이저 가공 장치 및 이를 이용한 태양 전지 제조 방법{Laser processing apparatus and method for manufacturing solar cell using the same}LASER PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL USING THE SAME

본 발명의 실시예들은 레이저 가공 장치 및 이를 이용한 태양 전지 제조 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판을 안정적으로 지지하고, 가공 시 발생하는 파티클에 의한 품질 저하를 방지할 수 있는 레이저 가공 장치 및 이를 이용한 태양 전지 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a laser processing apparatus and a method for manufacturing a solar cell using the same, and more particularly, a laser processing apparatus capable of stably supporting a substrate and preventing quality deterioration due to particles generated during processing. It relates to the used solar cell manufacturing method.

태양 전지는 광기전 효과를 나타내는 반도체를 사용하여 태양광 에너지를 전기로 직접 전환시키는 전기 장치이다. 이러한 태양광기전은 재생가능한 친환경 에너지 공급원으로, 미래의 중요한 에너지원이 될 전망이다. Solar cells are electrical devices that convert solar energy directly into electricity using semiconductors that exhibit a photovoltaic effect. Such photovoltaic is a renewable energy source and is expected to be an important energy source in the future.

이들 태양 전지의 구성은 대략 p-n 접합의 개념에 기반하며, 여기서 태양 복사선으로부터의 광자는 전자-정공 쌍으로 전환된다. 시판 태양 전지에 사용되는 반도체의 예는 단결정 규소, 다결정 규소, 비결정성 규소, 카드뮴 텔루라이드 및 구리 인듐 갈륨 디셀레나이드 등을 들 수 있다.The construction of these solar cells is roughly based on the concept of p-n junctions, where photons from solar radiation are converted into electron-hole pairs. Examples of semiconductors used in commercial solar cells include monocrystalline silicon, polycrystalline silicon, amorphous silicon, cadmium telluride, copper indium gallium diselenide, and the like.

그러나, 이러한 태양 전지의 상업화를 위해서는 높은 전환 효율, 장기간 안정성 및 저비용 제조가 필수적이다. 이를 위해 최근 각광받고 있는 것이 페로브스카이트(perovskite) 태양 전지이다.However, high conversion efficiency, long term stability and low cost manufacturing are essential for the commercialization of such solar cells. Perovskite solar cells have been in the spotlight recently for this purpose.

기존의 페로브스카이트 태양 전지는 2.5cm X 2.5cm 사이즈의 단위셀 위주로 제작되었으며, 따라서 레이저 에칭이 반드시 필요하지는 않았으나, 향후 대면적 페로브스카이트 태양 전지를 제작하기 위해서는 레이저 에칭이 필연적으로 수반된다.Conventional perovskite solar cells are mainly made of unit cells of 2.5cm x 2.5cm size. Therefore, laser etching is not necessary, but laser etching is inevitably required to manufacture large-area perovskite solar cells in the future. do.

도 1은 태양 전지의 레이저 에칭 시 수행되는 단계별 레이저 스크라이빙 공정을 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a step-by-step laser scribing process performed during laser etching of a solar cell.

도 1을 참조하면, 먼저 약 3mm 두께의 글래스 기판(2)을 세정한 후에 FTO 또는 ITO 층인 전면 전극층(3)을 증착한 후 1차의 레이저를 이용해 전면 전극을 패턴화하고, 이렇게 패턴화된 전면 전극 위에 페로브스카이트 층(4)을 증착한다. 이후 2차의 레이저를 이용하여 스크라이빙 공정을 수행하여 페로브스카이트 층(4)을 패터닝한다. 이후 스퍼터를 이용해 Au 층인 후면 전극층(5)을 증착한 후, 다시 3차의 레이저를 이용하여 후면 전극층(5)과 페로브스카이트 층(4)을 스크라이빙하는 과정을 거친다. 이로써 태양 전지 모듈 제작을 위한 셀 형성 공정이 완료된다.Referring to FIG. 1, first, the glass substrate 2 having a thickness of about 3 mm is cleaned, and then, the front electrode layer 3, which is an FTO or ITO layer, is deposited, and then the front electrode is patterned using a primary laser. The perovskite layer 4 is deposited on the front electrode. Thereafter, a scribing process is performed using a secondary laser to pattern the perovskite layer 4. After the deposition of the back electrode layer 5, which is an Au layer using a sputter, and then again the process of scribing the back electrode layer 5 and the perovskite layer 4 using a third laser. This completes the cell forming process for manufacturing the solar cell module.

상기 공정 중 레이저 스크라이빙 공정은 셀을 패턴화하고 아이솔레이션하는 공정으로써 제품의 수율에 매우 중요한 영향을 미치는 중요한 공정이다. 레이저 스크라이빙 공정은 도 1과 같이 P1, P2, P3 공정과 마지막 에지 아이솔레이션 공정을 포함할 수 있다.The laser scribing process is a process of patterning and isolating cells, which is an important process having a very important effect on the yield of products. The laser scribing process may include a P1, P2, and P3 process and a last edge isolation process as shown in FIG. 1.

한편 스크라이빙 공정의 경우 피가공재인 기판을 안정적으로 지지하는 것이 중요한데, 이를 위해 클램프로 고정하거나, 기판을 지지하는 선반 전면에 홀을 뚫어서 그 홀을 통해 진공을 만들어 고정하는 방법이 이용되었다.Meanwhile, in the scribing process, it is important to stably support the substrate, which is a workpiece. For this purpose, a method of fixing a clamp or drilling a hole in the front of a shelf supporting the substrate is used to make a vacuum through the hole.

그러나 클램프 고정 방식의 경우, 기판을 홀딩하는 클램프력에 의해 글래스 기판에 크랙 등이 발생하기 쉽고, 기판에 있어서 클램프가 결합된 부분은 가공을 할 수 없어 가공면적이 줄어드는 문제점이 있었다.However, in the clamp fixing method, cracks are easily generated in the glass substrate due to the clamping force holding the substrate, and a portion where the clamp is coupled in the substrate cannot be processed, thereby reducing the processing area.

또한, 진공 고정 방식의 경우, 선반 전면에 홀을 뚫게 되어 그 홀을 통해 공기를 흡입하는 과정에서 스크라이빙 공정 이후 기판 표면에 분진이나 가공 찌꺼기 등이 부착되는 문제점이 있었다.In addition, in the case of the vacuum fixing method, there is a problem in that dust or processing dregs are attached to the surface of the substrate after the scribing process in the process of sucking holes through the holes in the front of the shelf.

본 발명은 기판을 안정적으로 지지하고, 가공 시 발생하는 파티클에 의한 품질 저하를 감소 또는 방지할 수 있는 레이저 가공 장치 및 이를 이용한 태양 전지 제조 방법을 제공할 수 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention can provide a laser processing apparatus and a solar cell manufacturing method using the same that can stably support a substrate, and can reduce or prevent deterioration of quality caused by particles generated during processing. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 측면에 따르면, 일면에 기판이 안착될 수 있고, 가장자리를 따라 하나 이상의 홀을 갖는 척부와, 상기 척부의 상부에 배치되어 상기 기판 상에 레이저빔을 조사할 수 있는 레이저빔 발진부와, 상기 척부에 배치되어 상기 기판의 적어도 하나의 코너를 지지하는 코너 지지부 및 상기 척부에 연결되어 상기 하나 이상의 홀들을 통해 공기를 흡입하는 석션부를 구비하는, 레이저 가공 장치가 제공된다.According to an aspect of the invention, the substrate may be seated on one surface, the chuck having one or more holes along the edge, and a laser beam oscillator disposed on the chuck to irradiate a laser beam on the substrate; And a corner support part disposed on the chuck to support at least one corner of the substrate and a suction part connected to the chuck to suck air through the one or more holes.

상기 척부의 일측에 연결되며, 개구를 갖는 집진부를 더 구비할 수 있다.It is connected to one side of the chuck portion, it may further include a dust collector having an opening.

상기 집진부는 상기 석션부에 의해 흡입된 공기를 상기 개구를 통해 배출할 수 있다.The dust collecting part may discharge the air sucked by the suction part through the opening.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 가장자리를 따라 하나 이상의 홀을 갖는 척부의 상면에 기판을 안착시키는 단계 및 상기 기판 상에 레이저빔을 조사하는 단계를 포함하고, 상기 척부의 상면에 기판을 안착시키는 단계는, 상기 척부에 배치된 코너 지지부에 의해 상기 기판의 적어도 하나의 코너를 지지하는 단계 및 상기 하나 이상의 홀들을 통해 공기를 흡입하는 단계;를 포함하는, 태양 전지 제조 방법이 제공된다.According to another aspect of the invention, the method comprising the step of mounting the substrate on the upper surface of the chuck having one or more holes along the edge and irradiating a laser beam on the substrate, the step of mounting the substrate on the upper surface of the chuck The method may include: supporting at least one corner of the substrate and sucking air through the one or more holes by a corner support disposed on the chuck.

상기 척부의 상면에 기판을 안착시키는 단계는, 상기 척부의 상면에 상기 기판의 피가공면을 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다.The mounting of the substrate on the upper surface of the chuck portion may include contacting the workpiece surface of the substrate with the upper surface of the chuck portion.

상기 척부의 일측에 연결되며 개구를 갖는 집진부를 통해 공기를 배출하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include discharging air through a dust collector having an opening connected to one side of the chuck portion.

상술한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 안정적으로 지지하여 기판에 크랙 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to one embodiment of the present invention made as described above, it is possible to stably support the substrate to prevent the occurrence of cracks and the like on the substrate.

또한, 가공 시 발생하는 파티클이 기판 표면에 부착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the particles generated during processing can be prevented from adhering to the substrate surface.

또한, 가공 중에도 청결한 작업 환경을 조성할 수 있다.In addition, a clean work environment can be created even during processing.

또한, 기판의 가공 면적을 넓힐 수 있다.In addition, the processing area of the substrate can be increased.

물론 이러한 효과들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 태양 전지 제조 공정 중 단계별 스크라이빙 공정을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1의 레이저 가공 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 1의 레이저 가공 장치를 이용하여 기판에 스크라이빙 공정을 수행하는 모습을 도시한 사시도이다.
도 5는 도 1의 레이저 가공 장치에 기판이 설치된 모습을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 도 4의 VI-VI'선을 따라 절취한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.1 is a view showing a step-by-step scribing process of the solar cell manufacturing process.
2 is a perspective view schematically showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view schematically illustrating the laser processing apparatus of FIG. 1.
4 is a perspective view illustrating a scribing process performed on a substrate by using the laser processing apparatus of FIG. 1.
5 is a plan view schematically illustrating a state in which a substrate is installed in the laser processing apparatus of FIG. 1.
6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI 'of FIG. 4.
7 is a perspective view schematically showing a laser machining apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.As the present invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. The terms first, second, etc. used herein may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are only used to distinguish one component from another.

본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분"위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In this specification, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" or "on" another part, this includes not only the case where the other part is "right on" but also another part in the middle. do.

본 명세서에서 사용되는 x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.As used herein, the x-axis, y-axis, and z-axis are not limited to three axes on the Cartesian coordinate system, and may be interpreted in a broad sense including the same. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

이하, 본 발명에 따른 실시예들을 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명함에 있어 실질적으로 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings, and in the following description with reference to the drawings, substantially identical or corresponding components are given the same reference numbers, and redundant description thereof will be omitted. do. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 3은 도 1의 레이저 가공 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view schematically showing the laser processing apparatus of FIG. 1.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공 장치(10)는 척부(100), 코너 지지부(110), 석션부(120) 및 레이저빔 발진부(140)를 구비한다. 2 and 3, the laser processing apparatus 10 according to the exemplary embodiment includes a chuck 100, a corner support 110, a suction 120, and a laser beam oscillator 140. .

척부(100)의 상면에는 기판이 안착된다.The substrate is seated on the upper surface of the chuck portion 100.

척부(100)는 가공 중 기판(미도시)을 안정적으로 지지하는 역할을 하며, 이를 위해 척부(100)는 기판과의 흡착력을 높이는 한편, 흡착 과정에서 기판에 응력을 발생시키지 않도록 설계될 필요가 있다. 이때 기판의 안착면, 즉 기판에 있어서 척부(100)의 상면과 접촉하는 면은 기판의 피가공면일 수 있다. The chuck 100 serves to stably support a substrate (not shown) during processing. For this purpose, the chuck 100 needs to be designed so as to increase the adsorption force with the substrate and not generate stress on the substrate during the adsorption process. have. In this case, the seating surface of the substrate, that is, the surface in contact with the upper surface of the chuck portion 100 in the substrate may be a processing surface of the substrate.

기판은 글래스재를 포함할 수 있으며, 단순한 글래스 기판 외에도 글래스층 상에 ITO(Indium tin oxide), FTO(Fluorine doped tin oxide) 등의 전극층이 적층된 것일 수 있다.The substrate may include a glass material, and in addition to the simple glass substrate, an electrode layer such as indium tin oxide (ITO) or fluorine doped tin oxide (FTO) may be stacked on the glass layer.

척부(100)는 가장자리를 따라 복수의 홀(H)들을 갖는다. 복수의 홀(H)들은 척부(100)의 두께방향인 +z 방향으로 연장된 관통홀일 수 있으며, 이러한 홀(H)을 통해 하방으로 공기가 흡입되어 기판은 척부(100)의 상면에 밀착될 수 있다. 이 경우 척부(100)는 진공척(vacuum chuck)으로 기능하게 된다.The chuck 100 has a plurality of holes H along the edge. The plurality of holes H may be through holes extending in the + z direction, which is the thickness direction of the chuck 100, and air is sucked downward through the holes H so that the substrate is in close contact with the upper surface of the chuck 100. Can be. In this case, the chuck 100 functions as a vacuum chuck.

척부(100)의 중앙에는 사각형의 제1 개구(100OP)가 구비되며, 이로써 척부(100)는 사각형의 프레임 형상을 가질 수 있다. 따라서, 척부(100)는 그 가장자리 부분으로 기판을 지지하게 되며, 상기 가장자리 부분에는 전술한 바와 같이 복수의 홀(H)들이 형성되어 있다.The center of the chuck 100 is provided with a rectangular first opening 100OP, whereby the chuck 100 may have a rectangular frame shape. Therefore, the chuck unit 100 supports the substrate by its edge portion, and a plurality of holes H are formed in the edge portion as described above.

척부(100)는 다양한 재질로 형성될 수 있으나, 레이저 가공의 작업 조건에서도 충분히 견딜 수 있도록 내열성 및 내충격성이 강한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 척부(100)는 금속, 세라믹 등의 재료로 형성될 수 있다.The chuck unit 100 may be formed of various materials, but may include a material having high heat resistance and impact resistance so as to withstand the working conditions of the laser processing. For example, the chuck 100 may be formed of a material such as metal, ceramic, or the like.

척부(100)의 코너 측에는 코너 지지부(110)가 배치된다. The corner support part 110 is disposed in the corner side of the chuck part 100.

코너 지지부(110)는 척부(100)와 함께 기판을 지지하는 역할을 하며, 이를 위해 코너 지지부(110)는 구체적으로 기판의 코너를 지지한다. 따라서, 코너 지지부(110)는 척부(100)와 마찬가지로 금속, 세라믹 등의 단단한 재료로 형성될 수 있다.The corner support 110 serves to support the substrate together with the chuck 100, and for this purpose, the corner support 110 supports a corner of the substrate. Accordingly, the corner support 110 may be formed of a hard material, such as a metal or a ceramic, like the chuck 100.

일 실시예로, 코너 지지부(110)는 기판의 코너의 적어도 일부를 감싸도록 배치될 수 있다. 이로써 깨지거나 손상되기 쉬운 기판의 코너를 보호할 수 있을 뿐 아니라, 기판을 척부(100) 상의 소정의 위치에 정확히 배치시키는 얼라인 기능을 할 수 있다.In one embodiment, the corner support 110 may be disposed to surround at least a portion of the corner of the substrate. This not only protects the corners of the substrate which are easily broken or damaged, but also functions to align the substrate accurately at a predetermined position on the chuck 100.

일 실시예로, 코너 지지부(110)는 굴곡진 형태를 가질 수 있고, 예를 들면 "ㄱ"자 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 코너 지지부(110)는 적어도 기판의 코너와 결합되는 내측면이 "ㄱ"자 형상을 가질 수 있다.In one embodiment, the corner support 110 may have a curved shape, for example, may have a "-" shape. In detail, the corner support part 110 may have an “a” shape of at least an inner surface coupled to a corner of the substrate.

또한, 척부(100)에는 석션부(120)가 연결된다. In addition, the suction unit 120 is connected to the chuck unit 100.

석션부(120)는 복수의 홀(H)들을 통해 척부(100)의 하방(-z 방향)으로 공기를 흡입하는 역할을 한다. 구체적으로, 석션부(120)는 척부(100)와 기판 사이에 존재하는 공기를 흡입하여 척부(100)와 기판을 상호 밀착시키게 된다. The suction unit 120 serves to suck air downward (-z direction) of the chuck unit 100 through the plurality of holes H. Specifically, the suction unit 120 sucks air existing between the chuck unit 100 and the substrate to bring the chuck unit 100 and the substrate into close contact with each other.

석션부(120)는 척부(100)와 연결된 관(121)을 통해 공기를 흡입할 수 있고, 이를 위해 석션부(120)는 진공 펌프 등을 구비할 수 있다. 이때 공기를 흡입하는 과정은 척부(100)와 기판 사이의 공기를 직접 흡입하는 것일 수도 있고, 또는 척부(100) 하부의 공기를 흡입하여 척부(100)의 하부 공간을 진공 상태로 만드는 것일 수도 있다.The suction unit 120 may suck air through the pipe 121 connected to the chuck unit 100, and for this purpose, the suction unit 120 may include a vacuum pump. At this time, the process of sucking air may be to directly suck the air between the chuck 100 and the substrate, or to suck the air in the lower part of the chuck 100 to make the lower space of the chuck 100 into a vacuum state. .

이와 같이 석션부(120)가 공기를 흡입함에 따라, 척부(100)와 기판 사이의 공기는 복수의 홀(H)들을 통해 하방(-z 방향)으로 흡입되며, 이와 같이 흡입된 공기는 후술하는 집진부(130)로 유입될 수 있다.As the suction unit 120 sucks air as described above, air between the chuck unit 100 and the substrate is sucked downward (-z direction) through the plurality of holes H, and the air sucked in this way will be described later. It may flow into the dust collector 130.

척부(100)의 하부에는 집진부(130)가 결합될 수 있다. The dust collector 130 may be coupled to the lower portion of the chuck 100.

집진부(130)는 중앙부에 형성된 제2 개구(130OP) 및 제2 개구(130OP)로부터 척부(100)까지 연장되는 벽면(130W)을 구비한다. 이로써 집진부(130)에는 대략 깔때기 형상의 내부 공간이 형성될 수 있으며, 이 내부 공간으로 분진, 가공 찌꺼기 등의 파티클이 모일 수 있다.The dust collecting unit 130 has a second opening 130OP formed in the center portion and a wall surface 130W extending from the second opening 130OP to the chuck unit 100. As a result, the dust collecting unit 130 may have an internal space having a substantially funnel shape, and particles such as dust and processing waste may be collected into the internal space.

집진부(130)의 벽면(130W)을 깔때기 형상으로 형성함에 따라, 집진부(130)의 하부에 구비된 제2 개구(130OP)는 집진부(130)의 상부에 위치한 척부(100)의 제1 개구(100OP)보다 면적이 작다. As the wall surface 130W of the dust collecting unit 130 is formed in a funnel shape, the second opening 130OP provided at the lower portion of the dust collecting unit 130 may be a first opening of the chuck unit 100 located above the dust collecting unit 130. Smaller than 100OP).

도 2 등에는 집진부(130)의 벽면(130W)이 사다리꼴 형상을 갖는 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 개구(130OP)의 형상에 따라 벽면(130W) 또한 다양한 형태로 변형될 수 있다. Although the wall surface 130W of the dust collecting unit 130 has a trapezoidal shape in FIG. 2, etc., it is not necessarily limited thereto, and the wall surface 130W may also be modified in various shapes according to the shape of the second opening 130OP. Can be.

한편, 척부(100)에는 제1 이송부(101)가 연결될 수 있다. Meanwhile, the first transfer unit 101 may be connected to the chuck unit 100.

제1 이송부(101)는 척부(100)를 적어도 일방향으로 이동시키는 부분으로, 제1 이송부(101)에는 척부(100)를 이송하기 위한 구동부(미도시)가 더 구비될 수 있다. 예컨대, 이러한 구동부에는 정밀한 위치 제어를 위해 스텝 모터 및 볼 스크류가 이용될 수 있다. The first transfer unit 101 is a portion for moving the chuck unit 100 in at least one direction. The first transfer unit 101 may further include a driving unit (not shown) for transferring the chuck unit 100. For example, such a drive may use a step motor and a ball screw for precise position control.

제1 이송부(101)는 적어도 제1 방향(x축 방향)으로 움직일 수 있으며, 그 외에 다른 방향(y축 방향 및/또는 z축 방향)으로도 이동할 수 있다.The first transfer unit 101 may move in at least a first direction (x-axis direction) and may move in other directions (y-axis direction and / or z-axis direction).

척부(100)의 상부에는 레이저빔 발진부(140)가 배치될 수 있다.The laser beam oscillator 140 may be disposed on the chuck 100.

레이저빔 발진부(140)는 레이저빔을 생성하여 기판 상에 조사하게 되며, 이를 위해 레이저빔 발진부(140)는 레이저빔 생성기(미도시) 및 레이저빔의 경로를 전환시킬 수 있는 미러(미도시)를 구비할 수 있다. The laser beam oscillator 140 generates a laser beam and irradiates it onto the substrate. For this purpose, the laser beam oscillator 140 may switch a laser beam generator (not shown) and a mirror (not shown) capable of switching a path of the laser beam. It may be provided.

레이저빔 발진부(140)는 다양한 레이저를 이용할 수 있다. The laser beam oscillator 140 may use various lasers.

일 선택적 실시예로서, 레이저빔 발진부(140)는 Nd:YAG 레이저를 이용할 수 있으며, 예컨대 1064nm 및/또는 532nm의 파장을 갖는 레이저빔이 기판 상에 조사되도록 할 수 있다.As an optional embodiment, the laser beam oscillator 140 may use an Nd: YAG laser, for example, to allow a laser beam having a wavelength of 1064 nm and / or 532 nm to be irradiated onto the substrate.

이러한 레이저빔 발진부(140)에도 제2 이송부(141)가 연결될 수 있다. The second transfer unit 141 may also be connected to the laser beam oscillator 140.

제2 이송부(141)는 레이저빔 발진부(140)를 적어도 일방향으로 이동시키는 부분으로, 제2 이송부(141)에는 레이저빔 발진부(140)를 이송하기 위한 구동부(미도시)가 구비될 수 있다. 예컨대, 이러한 구동부는 제1 이송부(101)의 구동부와 마찬가지로 스텝 모터 및 볼 스크류가 이용될 수 있다.The second transfer unit 141 is a portion for moving the laser beam oscillator 140 in at least one direction, and the second transfer unit 141 may be provided with a driver (not shown) for transferring the laser beam oscillator 140. For example, such a driving unit may use a step motor and a ball screw like the driving unit of the first transfer unit 101.

제2 이송부(141) 또한 적어도 제1 방향(X축 방향)으로 움직일 수 있으며, 그 외에 다른 방향(Y축 방향 및/또는 Z축 방향)으로도 이동할 수 있다.The second transfer unit 141 may also move in at least the first direction (X-axis direction), and may move in other directions (Y-axis direction and / or Z-axis direction).

도 4는 도 1의 레이저 가공 장치를 이용하여 기판에 스크라이빙 공정을 수행하는 모습을 도시한 사시도이고, 도 5는 도 1의 레이저 가공 장치에 기판이 설치된 모습을 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 6은 도 4의 VI-VI’선을 따라 절취한 단면도이다.4 is a perspective view illustrating a scribing process performed on a substrate using the laser processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 5 is a plan view schematically illustrating a substrate installed on the laser processing apparatus of FIG. 1. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI 'of FIG. 4.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공 장치(10)는 다음과 같은 단계들을 거쳐 기판(1)에 스크라이빙 공정을 수행할 수 있다.4 to 6, the laser processing apparatus 10 according to the exemplary embodiment of the present invention may perform a scribing process on the substrate 1 through the following steps.

먼저 척부(100)의 상면에 기판(1)을 안착시키는 단계를 거친다.First, the substrate 1 is placed on the upper surface of the chuck 100.

이때 척부(100)의 상면과 접촉하는 기판(1)의 하면은 피가공면일 수 있으며, 이러한 기판(1)의 하면은 글래스층이나, 글래스층 상에 ITO(Indium tin oxide), FTO(Fluorine doped tin oxide) 등의 전극층이 적층된 것으로 구성될 수 있다.In this case, the lower surface of the substrate 1 in contact with the upper surface of the chuck 100 may be a processed surface, and the lower surface of the substrate 1 may be a glass layer, an indium tin oxide (ITO), or a fluorine doped (FTO) layer on the glass layer. electrode layer such as tin oxide).

이 단계에서 기판(1)은 척부(100)의 코너 측에 배치된 코너 지지부(110)에 의해 추가적으로 지지된다.In this step, the substrate 1 is additionally supported by the corner support 110 disposed at the corner side of the chuck 100.

이때 코너 지지부(110)는 기판(1)의 코너의 적어도 일부를 감싸도록 배치되어 깨지기 쉬운 기판(1)의 코너 부분을 보호하고, 기판(1)을 척부(100) 상의 소정의 위치에 얼라인하는 역할을 하게 된다.At this time, the corner support 110 is disposed to cover at least a part of the corner of the substrate 1 to protect the corner portion of the fragile substrate 1, and align the substrate 1 to a predetermined position on the chuck 100 It will play a role.

한편, 기판(1)은 가장자리부에 석션 영역(SA)을 포함할 수 있다. 이러한 석션 영역(SA)에 대응하도록, 척부(100)에는 복수의 홀(도 1의 H)들이 구비되며, 이러한 복수의 홀(도 1의 H)들은 기판(1) 또는 척부(100)의 두께방향인 +z 방향으로 연장된 관통홀일 수 있다.Meanwhile, the substrate 1 may include a suction area SA at an edge portion thereof. In order to correspond to the suction area SA, the chuck part 100 is provided with a plurality of holes (H in FIG. 1), and the plurality of holes (H in FIG. 1) are the thickness of the substrate 1 or the chuck part 100. It may be a through hole extending in the + z direction.

이 단계에서는 상기와 같은 복수의 홀(도 1의 H)들을 통해 척부(100)의 하방(-z 방향)으로 공기가 흡입된다.In this step, air is sucked downward (-z direction) of the chuck unit 100 through the plurality of holes (H in FIG. 1).

구체적으로, 척부(100)에 연결된 석션부(120)에 의해 척부(100)와 기판(1) 사이에 존재하는 공기가 흡입될 수 있으며, 이로써 척부(100)와 기판(1) 사이에 공기가 희박하게 되어 기판(1)은 척부(100) 상에 밀착하게 된다. 즉, 척부(100)는 진공척(vacuum chuck)의 역할을 하게 되며, 이를 위해 척부(100)와 석션부(120) 사이에는 공기 흡입용 관(121)이 연결될 수 있고, 석션부(120)에는 진공 펌프 등이 구비될 수 있다.Specifically, the air existing between the chuck 100 and the substrate 1 may be sucked by the suction unit 120 connected to the chuck 100, whereby air is provided between the chuck 100 and the substrate 1. The substrate 1 becomes thin and adheres on the chuck 100. That is, the chuck 100 serves as a vacuum chuck, and for this purpose, an air suction pipe 121 may be connected between the chuck 100 and the suction unit 120, and the suction unit 120. It may be provided with a vacuum pump or the like.

이후 척부(100)의 상면에 기판(1)이 안착된 상태에서, 기판(1) 상에 레이저빔을 조사하는 단계를 거친다.After the substrate 1 is mounted on the upper surface of the chuck 100, the laser beam is irradiated onto the substrate 1.

일 실시예로, 이 단계는 기판(1) 상에 레이저빔을 조사하여 기판(1)의 피가공면에 스크라이빙 패턴(SC)을 형성하는 단계일 수 있다. 이때 기판(1)의 피가공면은 기판(1)의 하면에 해당하며, 이로써 도 6에 도시된 바와 같이 기판(1)의 하면에 스크라이빙 패턴(SC)이 형성되게 된다. In one embodiment, this step may be a step of forming a scribing pattern (SC) on the workpiece surface of the substrate 1 by irradiating a laser beam on the substrate (1). In this case, the workpiece surface of the substrate 1 corresponds to the lower surface of the substrate 1, whereby the scribing pattern SC is formed on the lower surface of the substrate 1 as shown in FIG. 6.

구체적으로, 레이저빔 발진부(140)를 기판(1) 상의 원하는 위치로 이동시켜 기판(1)의 상면에 조사점(IP)을 설정한 후 레이저빔을 조사한다. 이때 기판(1)의 하면이 가공될 수 있도록 레이저빔의 초점거리를 적절히 조절함으로써 기판(1) 상면의 조사점(IP)의 대략 직하부에 스크라이빙 패턴(SC)이 형성될 수 있다.Specifically, the laser beam oscillation unit 140 is moved to a desired position on the substrate 1 to set the irradiation point IP on the upper surface of the substrate 1, and then irradiates the laser beam. In this case, the scribing pattern SC may be formed at approximately the lower portion of the irradiation point IP of the upper surface of the substrate 1 by appropriately adjusting the focal length of the laser beam so that the lower surface of the substrate 1 may be processed.

기판(1)의 하면에 스크라이빙 패턴(SC)이 연속적으로 형성될 수 있도록 레이저빔 발진부(140) 및 척부(100)는 서로 상대적으로 운동할 수 있다. 예컨대, 제1 이송부(101)를 이용하여 척부(100)를 제1 방향(x축 방향)으로 이송하면서 제1 방향(x축 방향)으로 연장된 스크라이빙 패턴(SC)을 형성한 다음, 제2 이송부(141)를 이용하여 레이저빔 발진부(140)를 제2 방향(y축 방향)으로 이송하면서 상기 스크라이빙 패턴(SC)을 복수 개 형성할 수 있다.The laser beam oscillator 140 and the chuck 100 may move relative to each other so that the scribing pattern SC may be continuously formed on the lower surface of the substrate 1. For example, by using the first transfer unit 101 to form the scribing pattern (SC) extending in the first direction (x-axis direction) while transferring the chuck 100 in the first direction (x-axis direction), A plurality of scribing patterns SC may be formed while transferring the laser beam oscillator 140 in the second direction (y-axis direction) using the second transfer unit 141.

한편, 이러한 스크라이빙 공정 중에 기판(1)의 하면에는 분진, 가공 찌꺼기 등의 파티클(P)이 발생하게 되는데, 이러한 파티클(P)은 척부(100) 하부에 결합된 집진부(130) 내부로 유입될 수 있다. On the other hand, during the scribing process, particles P, such as dust and processing debris, are generated on the lower surface of the substrate 1, and the particles P are collected into the dust collector 130 coupled to the lower part of the chuck 100. Can be introduced.

이때 파티클(P)의 유입을 촉진할 수 있도록 석션부(120)에 의해 흡입된 공기(AIR)가 집진부(130) 쪽으로 유동하게 된다. 즉, 기판(1)을 척부(100)에 밀착시키기 위해 석션부(120)가 기판(1)과 척부(100) 사이의 공기(AIR)를 흡입할 시, 흡입된 공기(AIR)는 척부(100)의 석션 영역(SA)에 위치한 복수의 홀(H)들을 통과한 후 집진부(130)의 내부로 유동하게 된다.At this time, the air (AIR) sucked by the suction unit 120 flows toward the dust collecting unit 130 to facilitate the inflow of particles (P). That is, when the suction unit 120 sucks air AIR between the substrate 1 and the chuck unit 100 to bring the substrate 1 into close contact with the chuck unit 100, the sucked air AIR is chucked ( After passing through the plurality of holes H positioned in the suction area SA of 100, the liquid flows into the dust collector 130.

이와 같은 공기(AIR)의 유동으로 인해 집진부(130) 내부로 파티클(P)의 유입이 촉진되는 한편, 집진부(130)의 제2 개구(130OP)를 통해 집진된 파티클(P)을 원활하게 배출할 수 있게 된다.The flow of air facilitates the inflow of particles P into the dust collecting unit 130, while smoothly discharging the collected particles P through the second opening 130OP of the dust collecting unit 130. You can do it.

한편, 도 4 등에 구체적으로 도시되어 있지는 않으나, 복수의 홀(H)을 통과한 공기(AIR)가 집진부(130) 내부로 유동하는 것은, 석션부(120)의 공기 흡입 경로 중 적어도 일부가 집진부(130)에 연결되어 흡입중인 공기가 곧바로 집진부(130)로 유입되거나, 석션부(120)의 공기 흡입 경로를 거쳐 소정의 공간에 저장된 공기가 집진부(130)로 제공되는 것일 수 있다. Although not specifically illustrated in FIG. 4, the air passing through the plurality of holes H flows into the dust collecting unit 130, and at least a part of the air suction path of the suction unit 120 is collected at the dust collecting unit. The air being sucked and connected to the 130 may directly flow into the dust collector 130, or air stored in a predetermined space may be provided to the dust collector 130 through an air suction path of the suction unit 120.

이와 같이 석션(suction) 작용에 의해 기판(1)의 가장자리의 비교적 좁은 부분을 지지한 상태에서 스크라이빙 공정을 수행함에 따라, 클램프 등으로 기판을 고정하는 경우에 비해 가공 면적을 넓힐 수 있을 뿐 아니라, 기판(1)의 전(全) 영역을 석션하는 경우에 비해 파티클(P)이 기판(1)의 피가공면에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 석션 작용을 통해 흡입된 공기(AIR)를 이용하여 파티클(P)을 한 곳에 집진하여 외부로 배출할 수 있는바, 가공품질의 향상은 물론, 청결한 작업 환경을 조성할 수 있다.As the scribing process is performed in a state in which a relatively narrow portion of the edge of the substrate 1 is supported by the suction action, the processing area can be widened as compared with the case of fixing the substrate by a clamp or the like. In addition, the particle P can be prevented from adhering to the workpiece surface of the substrate 1 as compared with the case of suctioning the entire region of the substrate 1. In addition, by using the air sucked through the suction (AIR) to collect the particles (P) in one place to be discharged to the outside, it is possible to improve the processing quality, as well as to create a clean working environment.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.7 is a perspective view schematically showing a laser machining apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 7에 도시된 실시예는, 도 1 등을 참조하여 전술한 실시예와 레이저빔 발진부를 이송하는 이송부의 구성을 제외하고는 대부분의 구성이 동일 또는 유사하므로, 이하에서는 설명의 편의를 위해 도 1 등을 참조하여 전술한 것과 중복된 내용은 축약 또는 생략하기로 한다. 7 is substantially the same or similar except for the embodiment described above with reference to FIG. 1 and the transfer unit for transporting the laser beam oscillator, the following description is made for convenience of description. Reference to 1 and the like and the content overlapping with the above will be abbreviated or omitted.

도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 가공 장치(20)는 척부(200), 코너 지지부(210), 석션부(220) 및 레이저빔 발진부(240)를 구비한다. Referring to FIG. 7, the laser processing apparatus 20 according to another exemplary embodiment of the present invention includes a chuck 200, a corner support 210, a suction 220, and a laser beam oscillator 240.

척부(200)의 상면에는 기판(1)이 안착되며, 이때 척부(200)의 상면과 접촉하는 기판(1)의 하면이 피가공면이 될 수 있다. The substrate 1 is seated on the upper surface of the chuck 200, and the lower surface of the substrate 1 in contact with the upper surface of the chuck 200 may be a processed surface.

이때 기판(1)은 척부(200)의 코너 측에 배치된 코너 지지부(210)에 의해 추가적으로 지지되며, 일 실시예로 코너 지지부(210)는 "ㄱ"자 형상을 가질 수 있다.In this case, the substrate 1 is additionally supported by the corner support part 210 disposed at the corner side of the chuck part 200, and in one embodiment, the corner support part 210 may have a "-" shape.

척부(200)는 가장자리를 따라 복수의 홀이 배치되며, 상기 복수의 홀은 척부(200)의 두께방향인 +z 방향으로 연장된 관통홀일 수 있다. The chuck 200 has a plurality of holes disposed along an edge thereof, and the plurality of holes may be through holes extending in a + z direction, which is a thickness direction of the chuck 200.

또한, 척부(200)에는 석션부(220)가 연결되어 척부(200)와 기판(1) 사이의 공기를 흡입하게 되는데, 이때 흡입된 공기는 상기 복수의 홀을 통해 척부(200)의 두께방향인 하방(-z 방향)으로 이동하게 된다. 이와 같은 석션 작용을 위해 척부(200)와 석션부(220) 사이에는 관(221)이 배치될 수 있다.In addition, the suction unit 220 is connected to the chuck unit 200 to suck air between the chuck unit 200 and the substrate 1, wherein the sucked air is in the thickness direction of the chuck unit 200 through the plurality of holes. Is moved downward (-z direction). The tube 221 may be disposed between the chuck 200 and the suction unit 220 for the suction operation.

척부(200)의 상부에는 레이저빔 발진부(240)가 배치될 수 있다. 이때 척부(200)와 레이저빔 발진부(240)의 상대적인 위치를 조정하기 위해, 척부(200)에는 제1 이송부(201)가 연결되고, 레이저빔 발진부(240)에는 제2 이송부(241)가 연결될 수 있다.The laser beam oscillator 240 may be disposed on the chuck 200. In this case, in order to adjust the relative positions of the chuck 200 and the laser beam oscillator 240, the first transfer unit 201 is connected to the chuck unit 200, and the second transfer unit 241 is connected to the laser beam oscillator 240. Can be.

이때 제2 이송부(241)는 절곡된 바(bar) 형상을 가지며, 기판(1) 상부에서 제2 방향(y축 방향)으로 연장된 것일 수 있다. 여기서, 제2 방향(y축 방향)은 복수의 스크라이빙 패턴을 형성하기 위해 스크라이빙 공정 중 레이저빔 발진부(240)가 이송되는 방향을 의미한다.In this case, the second transfer part 241 may have a bent bar shape and may extend in a second direction (y-axis direction) from the upper portion of the substrate 1. Here, the second direction (y-axis direction) refers to a direction in which the laser beam oscillator 240 is transferred during the scribing process to form a plurality of scribing patterns.

제2 이송부(241)는 레이저빔 발진부(240)를 이송하기 위한 구동부(미도시)를 구비할 수 있으며, 예컨대 상기 구동부에는 정밀한 위치 제어를 위해 스텝 모터 및 볼 스크류가 이용될 수 있다.The second transfer unit 241 may include a driving unit (not shown) for transferring the laser beam oscillation unit 240. For example, the driving unit may use a step motor and a ball screw for precise position control.

이와 같이 절곡된 바(bar) 형상을 갖는 제2 이송부(241)를 이용하여 레이저빔 발진부(240)를 이동시킴에 따라, 이동 중 발생할 수 있는 레이저빔 발진부(240)의 진동 등을 최소화할 수 있고, 제2 이송부(241)에 스케일(scale) 등을 부착하여 좀 더 정밀하게 위치를 제어할 수 있다.As the laser beam oscillator 240 is moved by using the second transfer part 241 having the bar shape bent as described above, vibration of the laser beam oscillator 240 that may occur during movement may be minimized. In addition, a scale or the like may be attached to the second transfer unit 241 to control the position more precisely.

제2 이송부(241) 외에도 척부(200)에 제1 이송부(201)가 연결되어 기판(1)의 레이저빔 발진부(240)에 대한 상대적인 위치를 조정할 수 있다.In addition to the second transfer unit 241, the first transfer unit 201 may be connected to the chuck unit 200 to adjust a position relative to the laser beam oscillator 240 of the substrate 1.

척부(200)의 상면에 기판(1)이 안착된 상태에서, 기판(1) 상에는 레이저빔을 조사하게 되는데, 이 단계는 기판(1) 상에 레이저빔을 조사하여 기판(1)의 하면인 피가공면에 스크라이빙 패턴을 형성하는 단계일 수 있다.In the state where the substrate 1 is seated on the upper surface of the chuck portion 200, the laser beam is irradiated onto the substrate 1. This step irradiates the laser beam onto the substrate 1, which is a lower surface of the substrate 1. It may be a step of forming a scribing pattern on the surface to be processed.

구체적으로, 레이저빔 발진부(240)를 기판(1) 상의 원하는 위치로 이동시켜 기판(1)의 상면에 조사점(IP)을 설정한 후 레이저빔을 조사한다. 이때 기판(1)의 하면이 가공될 수 있도록 레이저빔의 초점거리를 적절히 조절함으로써 기판(1) 상면의 조사점(IP)의 대략 직하부에 스크라이빙 패턴이 형성될 수 있다.Specifically, the laser beam oscillation unit 240 is moved to a desired position on the substrate 1 to set the irradiation point IP on the upper surface of the substrate 1, and then irradiates the laser beam. At this time, by adjusting the focal length of the laser beam so that the lower surface of the substrate 1 can be processed, a scribing pattern may be formed at approximately the lower portion of the irradiation point IP of the upper surface of the substrate 1.

한편, 이러한 스크라이빙 공정 중에 기판(1)의 하면에는 분진, 가공 찌꺼기 등의 파티클(P)이 발생하게 되는데, 이러한 파티클(P)은 척부(200)의 하부에 결합된 집진부(230) 내부로 유입될 수 있다.On the other hand, during the scribing process, particles P, such as dust and processing debris, are generated on the lower surface of the substrate 1. Can be introduced into.

집진부(230)는 중앙부에 형성된 제2 개구(230OP) 및 제2 개구(230OP)로부터 척부(200)까지 연장되는 벽면(230W)을 구비하며, 예컨대 집진부(230)의 벽면(230W)은 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. The dust collector 230 has a second opening 230OP formed in the center portion and a wall surface 230W extending from the second opening 230OP to the chuck 200, for example, the wall surface 230W of the dust collector 230 is trapezoidal. Can have

이때 파티클(P)의 유입을 촉진할 수 있도록 석션부(220)에 의해 흡입된 공기(AIR)가 집진부(230) 쪽으로 유동하게 된다. 즉, 기판(1)을 척부(200)에 밀착시키기 위해 석션부(220)가 기판(1)과 척부(200) 사이의 공기(AIR)를 흡입할 시, 흡입된 공기(AIR)는 척부(200)의 석션 영역(SA)에 위치한 복수의 홀(H)들을 통과한 후 집진부(230)의 내부로 유동하게 된다.At this time, the air (AIR) sucked by the suction unit 220 flows toward the dust collecting unit 230 to facilitate the introduction of particles (P). That is, when the suction unit 220 sucks air AIR between the substrate 1 and the chuck unit 200 to closely adhere the substrate 1 to the chuck unit 200, the sucked air AIR is the chuck unit ( After passing through the plurality of holes H positioned in the suction area SA of the 200, the fluid flows into the dust collector 230.

이로써 집진부(130) 내부로 파티클(P)의 유입이 촉진되는 한편, 집진부(230)의 제2 개구(130OP)를 통해 집진된 파티클(P)을 원활하게 배출할 수 있게 된다.As a result, the inflow of the particles P into the dust collector 130 is promoted, and the dust P collected through the second opening 130OP of the dust collector 230 can be smoothly discharged.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 안정적으로 지지하여 기판에 크랙 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가공 시 발생하는 파티클이 기판 표면에 부착되는 것을 방지할 수 있으며, 가공 중에도 청결한 작업 환경을 조성할 수 있다. 아울러, 기판의 가공 면적을 넓힐 수 있다.As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, the substrate may be stably supported to prevent occurrence of cracks or the like on the substrate. In addition, the particles generated during processing can be prevented from adhering to the substrate surface, it is possible to create a clean working environment during processing. In addition, the processing area of the substrate can be increased.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary and will be understood by those skilled in the art that various modifications and variations can be made therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

1: 기판
10, 20: 레이저 가공 장치
100, 200: 척부
100OP: 제1 개구
101, 201: 제1 이송부
110, 210: 코너 지지부
120, 220: 석션부
130, 230: 집진부
130OP, 230OP: 제2 개구
130W, 230W: 벽면
140, 240: 레이저빔 발진부
141, 241: 제2 이송부
H: 홀
SC: 스크라이빙 패턴1: substrate
10, 20: laser processing device
100, 200: chuck
100OP: first opening
101, 201: first transfer part
110, 210: corner support
120, 220: suction part
130, 230: dust collector
130OP, 230OP: second opening
130W, 230W: Wall panel
140, 240: laser beam oscillator
141, 241: second transfer part
H: Hall
SC: Scribing Pattern

Claims (6)

일면에 기판이 안착될 수 있고, 가장자리를 따라 하나 이상의 홀을 갖는 척부;
상기 척부의 상부에 배치되어 상기 기판 상에 레이저빔을 조사할 수 있는 레이저빔 발진부;
상기 척부에 배치되어 상기 기판의 적어도 하나의 코너를 지지하는 코너 지지부; 및
상기 척부에 연결되어 상기 하나 이상의 홀들을 통해 공기를 흡입하는 석션부;를 구비하는, 레이저 가공 장치.A chuck having a substrate on one surface, the chuck having one or more holes along an edge thereof;
A laser beam oscillator disposed on the chuck and capable of irradiating a laser beam onto the substrate;
A corner support part disposed on the chuck to support at least one corner of the substrate; And
And a suction part connected to the chuck to suck air through the one or more holes. 제 1 항에 있어서,
상기 척부의 일측에 연결되며, 개구를 갖는 집진부;를 더 구비하는, 레이저 가공 장치.The method of claim 1,
And a dust collector connected to one side of the chuck portion and having an opening. 제 2 항에 있어서,
상기 집진부는 상기 석션부에 의해 흡입된 공기를 상기 개구를 통해 배출하는, 레이저 가공 장치. The method of claim 2,
The dust collecting part discharges the air sucked by the suction part through the opening. 가장자리를 따라 하나 이상의 홀을 갖는 척부의 상면에 기판을 안착시키는 단계; 및
상기 기판 상에 레이저빔을 조사하는 단계;를 포함하고,
상기 척부의 상면에 기판을 안착시키는 단계는,
상기 척부에 배치된 코너 지지부에 의해 상기 기판의 적어도 하나의 코너를 지지하는 단계; 및
상기 하나 이상의 홀들을 통해 공기를 흡입하는 단계;를 포함하는, 태양 전지 제조 방법.Seating the substrate on an upper surface of the chuck having at least one hole along an edge; And
Irradiating a laser beam on the substrate;
Mounting the substrate on the upper surface of the chuck portion,
Supporting at least one corner of the substrate by a corner support disposed on the chuck; And
Inhaling air through the one or more holes. 제 4 항에 있어서,
상기 척부의 상면에 기판을 안착시키는 단계는, 상기 척부의 상면에 상기 기판의 피가공면을 접촉시키는 단계를 포함하는, 태양 전지 제조 방법.The method of claim 4, wherein
The mounting of the substrate on the upper surface of the chuck portion includes contacting the workpiece surface of the substrate with the upper surface of the chuck portion. 제 4 항에 있어서,
상기 척부의 일측에 연결되며 개구를 갖는 집진부를 통해 공기를 배출하는 단계를 더 포함하는, 태양 전지 제조 방법.The method of claim 4, wherein
And exhausting air through a dust collector having an opening connected to one side of the chuck portion.
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