KR20190137998A - Slurry circulation device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a slurry circulating device, which is possible to effectively remove iron components contained in slurry on a circulation flow path so as to reuse the slurry used in a wafer lapping process. The present invention provides a slurry circulating device, which includes: a slurry tank containing slurry to be supplied to a wafer lapping device; a supply pipe supplying the slurry to the wafer lapping device from the slurry tank; a collection pipe collecting the slurry used in a lapping process to the slurry tank from the wafer lapping device; a filtering unit provided on the collection pipe and filtering iron (Fe) components contained in the slurry used in the lapping process; and a flushing wash unit provided on the collection pipe and draining the iron components filtered in the filtering unit with pure water to remove the same.

Description

슬러리 순환장치 {Slurry circulation device}Slurry circulation device

본 발명은 웨이퍼 랩핑 공정에 사용된 슬러리를 재사용하기 위하여 순환 유로 상에서 슬러리에 포함된 철 성분을 효과적으로 제거할 수 있는 슬러리 순환장치에 관한 것이다.The present invention relates to a slurry circulator capable of effectively removing iron components contained in a slurry on a circulation passage for reusing a slurry used in a wafer lapping process.

일반적으로 실리콘 웨이퍼는 다결정의 실리콘을 단결정 실리콘 잉곳으로 성장시키는 성장 공정과, 성장된 단결정 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱 공정과, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑 공정과, 기계적인 연마에 의해 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭 공정과, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱 공정과, 그리고 웨이퍼를 세정하는 세정 공정 등을 거쳐 제조된다. Generally, a silicon wafer is used for a growth process for growing polycrystalline silicon into a single crystal silicon ingot, a slicing process for cutting the grown single crystal silicon ingot in the form of a wafer, a lapping process for uniformly flattening the thickness of the wafer, and mechanical polishing. It is manufactured through the etching process which removes or alleviates the damage which arose, the polishing process which mirror-mirrors a wafer surface, and the cleaning process which wash | cleans a wafer.

보통, 랩핑 공정 또는 폴리싱 공정은 웨이퍼를 상/하정반 사이에 밀착시킨 다음, 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 상/하정반 사이에 주입시키면서 웨이퍼에 화학적 기계적 연마(CMP)를 수행한다.Usually, lapping or polishing processes adhere the wafer between the upper and lower plates, and then perform chemical mechanical polishing (CMP) on the wafer while injecting a slurry between the wafer and the upper and lower plates.

도 1은 종래 기술에 따른 슬러리 순환장치가 도시된 구성도이고, 도 2는 도 1의 슬러리 공급탱크에 적용된 마그네틱 바가 도시된 사시도이다.1 is a block diagram showing a slurry circulation apparatus according to the prior art, Figure 2 is a perspective view showing a magnetic bar applied to the slurry supply tank of FIG.

종래 기술에 따르면, 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼 랩핑 장치(lapper : L)에 공급될 슬러리가 저장되는 슬러리 탱크(slurry tank : T)가 구비되고, 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)와 슬러리 탱크(T) 사이에 회수 배관(10)과 공급 배관(20)이 구비된다.According to the prior art, a slurry tank (T) for storing a slurry to be supplied to a wafer wrapper (L) as shown in FIGS. 1 to 2 is provided, and the wafer wrapping device (L) and The recovery piping 10 and the supply piping 20 are provided between the slurry tanks T. FIG.

따라서, 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)가 웨이퍼를 기계적 화학적 연마시키는 랩핑 공정을 진행하는 동안, 상기 슬러리 탱크(T)에 저장된 슬러리가 상기 공급 배관(20)을 통하여 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)에 공급되고, 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)에서 사용된 슬러리가 상기 회수 배관(10)을 통하여 상기 슬러리 탱크(T)로 회수된 다음, 재사용된다.Therefore, the slurry stored in the slurry tank T is supplied to the wafer lapping device L through the supply pipe 20 while the wafer lapping device L undergoes a lapping process of mechanically and chemically polishing the wafer. The slurry used in the wafer lapping apparatus L is recovered to the slurry tank T through the recovery pipe 10 and then reused.

물론, 슬러리는 고체 연마제(abrasive : A)가 함유된 점성이 높은 액체 형태로 구성되는데, 상기 슬러리 탱크(T)는 점성이 높은 슬러리가 굳어지는 것을 방지하기 위하여 슬러리를 교반시킬 수 있는 교반기 및 모터 등이 구비된다.Of course, the slurry consists of a highly viscous liquid form containing a solid abrasive (A), the slurry tank (T) is a stirrer and motor capable of stirring the slurry to prevent the highly viscous slurry from hardening Etc. are provided.

그런데, 랩핑 공정이 진행되면, 웨이퍼가 슬러리에 포함된 연마제에 의해 기계적 연마가 이루어지는 동시에 웨이퍼가 장착되는 금속 재질의 캐리어(carrier)와 정반들도 슬러리의 연마제(A)와 기계적 연마가 이루어지진다.However, when the lapping process is performed, the wafer is mechanically polished by the abrasive included in the slurry, and at the same time, the carrier and the plates of the metal on which the wafer is mounted are also mechanically polished with the abrasive A of the slurry.

이와 같이, 랩핑 공정에 사용된 슬러리 내부에는 캐리어와 정반들로부터 떨어져 나온 철 성분(Fe)을 비롯하여 마모된 연마제 및 미세 슬러지(sludge : a)가 포함되고, 철 성분(Fe)이 포함된 슬러리를 랩핑 공정에 재사용할 경우, 웨이퍼 표면에 스크레치(scratch)를 발생시킬 수 있다.As such, the slurry used in the lapping process includes a worn abrasive and fine sludge (a) including iron (Fe), which is separated from the carrier and the surface plates, and a slurry containing iron (Fe). When reused in a lapping process, scratches can be generated on the wafer surface.

따라서, 랩핑 공정에 사용된 슬러리에 포함된 철 성분(Fe)을 제거하기 위하여 상기 슬러리 탱크(T) 내부에 자력을 발생시킬 수 있는 마그네틱 바(magnetic bar : 30)가 구비된다.Therefore, in order to remove the iron component (Fe) contained in the slurry used in the lapping process, a magnetic bar (magnetic bar: 30) capable of generating a magnetic force inside the slurry tank T is provided.

그런데, 종래 기술에 따르면, 슬러리 탱크(T) 내부에 마그네틱 바(30)가 설치되더라도 랩핑 공정이 진행할수록 슬러리 내부에 철 성분(Fe)이 증가되고, 슬러리 내부에 철 성분이 증가될수록 철 성분(Fe) 주변에 미세 슬러지(a)가 응집되는 현상이 가속화될 뿐 아니라 마그네틱 바에 접착됨으로써, 마그네틱 바(30)에 의해 철 성분(Fe)을 제거하는 효과가 저하되며, 이러한 철 성분(Fe)이 포함된 슬러리가 랩핑 공정에 재사용될 수 밖에 없어 여전히 웨이퍼의 표면에 스크레치(scratch)를 발생시키는 문제점이 있다.However, according to the related art, even when the magnetic bar 30 is installed in the slurry tank T, as the lapping process proceeds, the iron component Fe increases, and as the iron component increases in the slurry, the iron component ( Not only the aggregation of fine sludge (a) around Fe) is accelerated but also adhered to the magnetic bar, thereby reducing the effect of removing the iron component (Fe) by the magnetic bar 30, and the iron component (Fe) Since the included slurry has to be reused in the lapping process, there is still a problem of causing scratches on the surface of the wafer.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼 랩핑 공정에 사용된 슬러리를 재사용하기 위하여 순환 유로 상에서 슬러리에 포함된 철 성분을 효과적으로 제거할 수 있는 슬러리 순환장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, to provide a slurry circulator capable of effectively removing the iron component contained in the slurry on the circulation flow path in order to reuse the slurry used in the wafer wrapping process. There is a purpose.

본 발명은, 웨이퍼 랩핑 장치로 공급될 슬러리를 담고 있는 슬러리 탱크; 상기 슬러리 탱크로부터 상기 웨이퍼 랩핑 장치로 슬러리를 공급하는 공급 배관; 상기 웨이퍼 랩핑 장치로부터 상기 슬러리 탱크로 랩핑 공정에 사용된 슬러리를 회수하는 회수 배관; 상기 회수 배관에 구비되고, 랩핑 공정에 사용된 슬러리에 포함된 철(Fe) 성분을 전자기력에 의해 걸러주는 필터링부; 및 상기 회수 배관에 구비되고, 상기 필터링부에 걸러진 철 성분을 순수와 함께 배수시켜 제거하는 수세식(flushing) 세정부;를 포함하는 슬러리 순환장치를 제공한다.The present invention is directed to a slurry tank containing slurry to be fed to a wafer wrapping apparatus; A supply pipe for supplying a slurry from the slurry tank to the wafer wrapping device; Recovery piping for recovering the slurry used in the lapping process from the wafer lapping apparatus to the slurry tank; A filtering unit provided in the recovery pipe and filtering the iron (Fe) component included in the slurry used in the lapping process by electromagnetic force; And a flushing washing unit provided in the recovery pipe and configured to drain and remove the iron component filtered through the filtering unit together with the pure water.

본 발명에 따른 슬러리 순환장치는, 웨이퍼 랩핑 장치로부터 슬러리 탱크로 슬러리가 회수되는 동안, 회수 배관에 구비된 필터링부가 랩핑 공정에 사용된 슬러리로부터 철 성분을 분리하고, 별도로 회수 배관에 구비된 수세식 세정부가 필터링부에 걸러진 철 성분을 순수와 함께 배수시킬 수 있다.In the slurry circulator according to the present invention, while the slurry is recovered from the wafer lapping apparatus to the slurry tank, the filtering unit provided in the recovery pipe separates the iron component from the slurry used in the lapping process, and is separately provided in the flush pipe. The government can drain the iron from the filtering section along with the pure water.

따라서, 랩핑 공정에 사용된 슬러리에 포함된 철 성분을 걸러주는 동시에 순환 유로 상에서 완전히 제거함으로써, 철 성분이 깨끗하게 제거된 슬러리를 랩핑 공정에 재사용할 수 있고, 랩핑 공정 중 슬러리에 포함된 철 성분으로 인하여 웨이퍼 표면에 발생하는 스크레치 불량률을 저감시킬 수 있는 이점이 있다.Therefore, by filtering out the iron component contained in the slurry used in the lapping process and completely removing it on the circulation passage, the slurry from which the iron component has been removed can be reused in the lapping process, and the iron contained in the slurry during the lapping process can be reused. Therefore, there is an advantage that can reduce the scratch failure rate generated on the wafer surface.

도 1은 종래 기술에 따른 슬러리 순환장치가 도시된 구성도.
도 2는 도 1의 슬러리 공급탱크에 적용된 마그네틱 바가 도시된 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 슬러리 순환장치가 도시된 구성도.
도 4는 본 발명에 따른 슬러리 순환장치의 주요부가 도시된 측단면도.
도 5는 도 4에 적용된 필터링부가 도시된 정단면도.
도 6 내지 도 7은 본 발명에 따른 슬러리 순환장치의 작동 상태가 도시된 측단면도.1 is a block diagram showing a slurry circulation device according to the prior art.
2 is a perspective view showing a magnetic bar applied to the slurry supply tank of FIG.
Figure 3 is a schematic view showing a slurry circulation device according to the present invention.
Figure 4 is a side cross-sectional view showing the main part of the slurry circulation apparatus according to the present invention.
FIG. 5 is a front sectional view showing the filtering unit applied to FIG. 4. FIG.
6 to 7 is a side cross-sectional view showing an operating state of the slurry circulator according to the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings for the present embodiment will be described in detail. However, the scope of the inventive idea of the present embodiment may be determined from the matters disclosed by the present embodiment, and the inventive idea of the present embodiment may be implemented by adding, deleting, or modifying components to the proposed embodiment. It will be said to include variations.

도 3은 본 발명에 따른 슬러리 순환장치가 도시된 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 슬러리 순환장치의 주요부가 도시된 측단면도이며, 도 5는 도 4에 적용된 필터링부가 도시된 정단면도이다.Figure 3 is a block diagram showing a slurry circulator according to the present invention, Figure 4 is a side cross-sectional view showing the main portion of the slurry circulator according to the present invention, Figure 5 is a front sectional view showing a filtering unit applied to FIG. .

본 발명에 따른 슬러리 순환장치는 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼 랩핑 장치(L)와 슬러리 탱크(T) 사이에 구비된 회수 배관(110) 및 공급 배관(120)과, 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)를 통과한 슬러리에 포함된 이물질을 걸러주는 세퍼레이터(seperator : S)와, 상기 세퍼레이터(S)를 통과한 슬러리에 포함된 철 성분(Fe)을 걸러주는 필터링부(130)와, 상기 필터링부(130)에 걸러진 철 성분(Fe)을 순수(DIW)와 함께 배수시켜 제거하는 수세식 세정부(140)를 포함한다.The slurry circulator according to the present invention includes a recovery pipe 110 and a supply pipe 120 provided between the wafer lapping device L and the slurry tank T as shown in FIGS. 3 to 5, and the wafer lapping. Separator (S) for filtering foreign matter contained in the slurry passed through the device (L), Filtering unit 130 for filtering the iron component (Fe) contained in the slurry passed through the separator (S), It includes a flush washing unit 140 for draining and removing the iron component (Fe) filtered by the filtering unit 130 together with the pure water (DIW).

상기 세퍼레이터(S)는 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)에서 회수되는 슬러리로부터 이물질을 1차적으로 걸러주기 위하여 메쉬(mesh) 형태의 필터로 구성되는데, 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)의 출구 측 상기 회수 배관(110)에 연결 설치된다.The separator (S) is composed of a mesh-shaped filter to primarily filter foreign matter from the slurry recovered in the wafer lapping device (L), the recovery pipe of the outlet side of the wafer lapping device (L) Connected to 110 is installed.

상기 필터링부(130)는 상기 세퍼레이터(S)에서 회수되는 슬러리로부터 철 성분(Fe)을 2차적으로 걸러주기 위하여 전자기력을 발생시키도록 구성되는데, 실시예에 따르면, 소정의 공간을 제공하는 필터 배관(131) 내측에 복수개의 마그넷(132,133)이 설치된 형태로 구성되고, 상기 세퍼레이터(S)의 출구 측 상기 회수 배관(110)에 연결 설치된다.The filtering unit 130 is configured to generate an electromagnetic force to secondaryly filter the iron component (Fe) from the slurry recovered in the separator (S), according to the embodiment, the filter pipe to provide a predetermined space A plurality of magnets 132 and 133 are provided inside the 131, and are connected to the recovery pipe 110 at the outlet side of the separator S.

상세하게, 상기 필터 배관(131)은 상기 회수 배관(110)과 연결될 수 있도록 PVC, SUS 등과 같이 상기 회수 배관(110)과 동일한 재질로 구성되고, 상기 마그넷들(132,133)이 설치될 수 있는 공간을 제공할 뿐 아니라 상기 마그넷들(132,133)에 의한 슬러리의 유동 정체가 발생되는 것을 방지하기 위하여 상기 회수 배관(110)의 직경보다 크게 구성된다.In detail, the filter pipe 131 is made of the same material as the recovery pipe 110 such as PVC, SUS, and so on so as to be connected to the recovery pipe 110, the space in which the magnets 132 and 133 may be installed. In addition to providing a larger than the diameter of the recovery pipe 110 to prevent the flow of the slurry caused by the magnets (132,133) is generated.

실시예에 따르면, 상기 필터 배관(131)의 입/출구(131a,131b)는 상기 회수 배관(110)의 직경보다 점차 커지도록 대칭된 형상으로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다.According to an embodiment, the inlet / outlet 131a and 131b of the filter pipe 131 may be configured in a symmetrical shape so as to become larger than the diameter of the recovery pipe 110, but is not limited thereto.

상기 마그넷들(132,133)은 동시에 전자기력을 온/오프시킬 수 있도록 구비되는데, 상기 필터 배관(131) 내측을 통과하는 슬러리와 효과적으로 접촉할 수 있도록 그 형상 및 그 설치 위치가 다양하게 구성될 수 있다.The magnets 132 and 133 may be provided to turn on / off electromagnetic force at the same time. The magnets 132 and 133 may have various shapes and installation positions so as to effectively contact the slurry passing through the inside of the filter pipe 131.

실시예에 따르면, 상기 필터 배관(131)의 내주면을 따라 슬러리의 유동 방향으로 길게 설치된 원통 형상의 제1마그넷(132)과, 상기 필터 배관(131)의 중심을 따라 슬러리의 유동 방향으로 길게 설치된 바(bar) 형상의 제2마그넷(133)으로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다.According to the embodiment, the cylindrical first magnet 132 is installed long in the flow direction of the slurry along the inner circumferential surface of the filter pipe 131, and is installed long in the flow direction of the slurry along the center of the filter pipe 131 It may be composed of a bar-shaped second magnet 133, but is not limited thereto.

이때, 상기 제1마그넷(132)은 상기 회수 배관(110)의 직경보다 그 내경이 더 크게 형성되어야 하고, 상기 필터 배관(131)의 입/출구(131a,131b)에 지지된 상태로 고정될 수 있다.In this case, the inner diameter of the first magnet 132 should be larger than that of the recovery pipe 110, and the first magnet 132 may be fixed to be supported by the inlet / outlet 131a and 131b of the filter pipe 131. Can be.

또한, 상기 제2마그넷(133)은 상기 회수 배관(110)의 직경보다 그 직경이 더 크게 형성되는데, 상기 제1,2마그넷(132,133) 사이로 유동되는 슬러리의 유속을 상기 회수 배관(110)을 따라 유동되는 슬러리의 유속보다 줄어들게 하여 슬러리에 포함된 철 성분(Fe)을 제거하는 시간을 확보할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.In addition, the second magnet 133 is formed larger than the diameter of the recovery pipe 110, the flow rate of the slurry flowing between the first and second magnets (132, 133) to the recovery pipe 110 It is preferable to be configured to reduce the flow rate of the slurry flowing along to ensure a time for removing the iron component (Fe) contained in the slurry.

물론, 상기 제2마그넷(133)은 복수개의 고정 부재(134a~134c,135a~135c)에 의해 상기 제1마그넷(132) 내측에 고정될 수 있고, 상기 제1,2마그넷(132,133)은 동시에 전류가 공급됨에 따라 자기력을 발생시킬 수 있도록 구성된다.Of course, the second magnet 133 may be fixed inside the first magnet 132 by a plurality of fixing members 134a to 134c and 135a to 135c, and the first and second magnets 132 and 133 may be fixed at the same time. It is configured to generate a magnetic force as the current is supplied.

실시예에 따르면, 상기 제1,2마그넷(132,133)은 슬러리로부터 철 성분(Fe)을 제거하기 위하여 5000gause/cm2 정도의 전자기력을 발생시키도록 구성될 수 있고, 상기 웨이퍼 랩핑 장치로 사용된 슬러리의 공급 여부에 따라 전자기력을 온/오프(on/off)시키도록 조절된다.According to an embodiment, the first and second magnets 132 and 133 may be configured to generate an electromagnetic force of about 5000 gause / cm 2 to remove the iron component (Fe) from the slurry, and the slurry used as the wafer lapping apparatus. It is adjusted to turn on / off the electromagnetic force according to the supply of.

상기 수세식 세정부(140)는 상기 필터링부(130)에 걸러진 철 성분을 순수와 함께 배수시키기 위하여 급수 유로(141) 및 배수 유로(142)로 구성되는데, 상기 필터링부(130)의 입구 측 상기 회수 배관(110)에 상기 급수 유로(141)가 구비되고, 상기 필터링부(130)의 출구 측 상기 회수 배관(110)에 상기 배수 유로(142)가 구비된다.The flush washing unit 140 is composed of a water supply passage 141 and a drain passage 142 in order to drain the iron component filtered by the filtering unit 130 together with the pure water, the inlet side of the filtering unit 130 The water supply passage 141 is provided in the recovery pipe 110, and the drain passage 142 is provided in the recovery pipe 110 at the outlet side of the filtering unit 130.

상세하게, 상기 급수 유로(141)는 고압의 순수를 공급하도록 구비되는데, 상기 회수 배관(110)과 급수 유로(141)의 연결 부분에 급수 밸브(143)가 구비되고, 상기 배수 유로(142)는 철 성분(Fe)을 순수와 함께 배수시키도록 구비되는데, 상기 회수 배관(110)과 배수 유로(142)의 연결 부분에 배수 밸브(144)가 구비된다.In detail, the water supply passage 141 is provided to supply high pressure pure water, and a water supply valve 143 is provided at a connection portion between the recovery pipe 110 and the water supply passage 141, and the drain passage 142. Is provided to drain the iron component (Fe) with the pure water, the drain valve 144 is provided at the connection portion of the recovery pipe 110 and the drain passage (142).

이때, 상기 급수 밸브(143)와 배수 밸브(144)는 3방(3-way) 밸브 또는 오토 밸브(auto valve)로 구성될 수 있으며, 슬러리 또는 순수 중 하나만 흐르도록 유로 방향을 조절한다.In this case, the water supply valve 143 and the drain valve 144 may be configured as a 3-way valve or an auto valve, and adjust the flow path direction so that only one of the slurry or the pure water flows.

실시예에 따르면, 상기 급수 밸브(143)와 배수 밸브(144)는 상기 제1,2마그넷(132,133)과 연동할 뿐 아니라 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)로 사용된 슬러리의 공급 여부에 따라 제어된다.According to an embodiment, the water supply valve 143 and the drain valve 144 are not only interlocked with the first and second magnets 132 and 133 but also controlled according to whether the slurry used as the wafer lapping apparatus L is supplied. .

즉, 상기 급수 밸브(143)와 배수 밸브(144)는 슬러리만 상기 필터링부(130)를 통과하도록 상기 회수 배관(110)을 개방시키거나, 순수만 상기 필터링부(130)를 통과하도록 상기 급수 유로(141)와 배수 유로(142)를 개방시키도록 차례대로(sequence) 제어된다.That is, the water supply valve 143 and the drain valve 144 open the recovery pipe 110 so that only the slurry passes through the filtering unit 130 or the water supply so that only pure water passes through the filtering unit 130. It is controlled in sequence to open the flow path 141 and the drain flow path 142.

도 6 내지 도 7은 본 발명에 따른 슬러리 순환장치의 작동 상태가 도시된 측단면도이다.6 to 7 are side cross-sectional views showing the operating state of the slurry circulator according to the present invention.

상기 웨이퍼 랩핑 장치(L : 도 3에 도시)의 랩핑 공정이 진행되면, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 슬러리 탱크(T)로부터 슬러리가 상기 공급 배관(120)을 통하여 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)로 공급되고, 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)에서 사용된 슬러리가 상기 회수 배관(110)을 따라 이동되는 동안, 상기 세퍼레이터부(S)에서 1차 이물질이 걸러지고, 상기 필터링부(130)에서 2차 철 성분이 걸러진 다음, 다시 상기 슬러리 탱크(T)로 회수되며, 상기와 같은 과정을 거치면서 슬러리가 재사용된다.When the lapping process of the wafer lapping apparatus L (shown in FIG. 3) is performed, as shown in FIG. 3, a slurry from the slurry tank T is passed through the supply pipe 120 to the wafer lapping apparatus L. While the slurry used in the wafer lapping apparatus (L) is moved along the recovery pipe (110), the primary foreign material is filtered in the separator (S), and in the filtering unit (130) After the iron component is filtered, the slurry is recovered to the slurry tank T, and the slurry is reused through the above process.

상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)에 사용된 슬러리가 공급되면, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 제1,2마그넷(132,133)은 전자기력을 온(on)시키고, 상기 급수 밸브(143)와 배수 밸브(144)는 상기 급수 유로(141)와 배수 유로(142)를 닫아주는 동시에 상기 회수 배관(110)을 열어주도록 제어된다.When the slurry used in the wafer lapping apparatus L is supplied, as shown in FIG. 6, the first and second magnets 132 and 133 turn on electromagnetic force, and the water supply valve 143 and the drain valve ( 144 is controlled to close the water supply passage 141 and the drain passage 142 and open the recovery pipe 110 at the same time.

따라서, 상기 회수 배관(110)을 따라 사용된 슬러리가 상기 필터링부(130)를 통과하게 되는데, 상기 제1,2마그넷(132,133)의 전자기력에 의해 슬러리에 포함된 철 성분(Fe)이 상기 제1,2마그넷(132,133) 표면에 부착되고, 철 성분(Fe)이 제거된 슬러리만 상기 슬러리 탱크(T)로 회수되도록 한다. Therefore, the slurry used along the recovery pipe 110 passes through the filtering unit 130, and the iron component (Fe) included in the slurry is generated by the electromagnetic force of the first and second magnets 132 and 133. Only the slurry attached to the surfaces of the first and second magnets 132 and 133 and from which the iron component (Fe) is removed is recovered to the slurry tank (T).

물론, 슬러리가 상기 제1,2마그넷(132,133) 사이를 통과하는 유량 및 유속 등을 조절하여 상기 제1,2마그넷(132,133)의 전자기력에 의해 철 성분이 충분히 걸러질 수 있는 시간을 확보할 수 있다.Of course, by adjusting the flow rate and the flow rate of the slurry passing between the first and second magnets (132,133), it is possible to secure a time that the iron component can be sufficiently filtered by the electromagnetic force of the first and second magnets (132,133). have.

다음, 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)의 랩핑 공정이 완료되고, 상기 웨이퍼 랩핑 장치(L)로 사용된 슬러리가 공급되지 않으면, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 제1,2마그넷(132,133)은 전자기력을 오프(off)시키고, 상기 급수 밸브(143)와 배수 밸브(144)는 상기 회수 배관(110)을 닫아주는 동시에 상기 급수 유로(141)와 배수 유로(142)를 열어주도록 제어된다.Next, when the lapping process of the wafer lapping device L is completed and the slurry used as the wafer lapping device L is not supplied, the first and second magnets 132 and 133 are electromagnetic force as shown in FIG. 7. Off and the water supply valve 143 and the drain valve 144 are closed to close the recovery pipe 110 and open the water supply passage 141 and the drain passage 142.

따라서, 상기 급수 유로(141)를 따라 순수가 상기 필터링부(130)를 통과하게 되는데, 순수와 함께 상기 제1,2마그넷(132,133)에 묻은 철 성분(Fe)이 쉽게 떨어지게 되고, 순수와 함께 철 성분(Fe)이 상기 배수 유로(142)를 통하여 배수되면서 완전히 제거되도록 한다.Accordingly, the pure water passes through the filtering unit 130 along the water supply passage 141, and the iron component (Fe) buried in the first and second magnets 132 and 133 together with the pure water falls easily, and together with the pure water. The iron component (Fe) is drained through the drain passage 142 to be completely removed.

물론, 미세 슬러지(s) 및 미세 연마제(a) 등이 철 성분(Fe)에 응집된 상태로 상기 제1,2마그넷(132,133)에 접착되더라도 상기 급수 유로(141)를 따라 공급되는 순수의 유량 및 유속 등을 조절하여 상기 제1,2마그넷(132,133)에 부착된 철 성분(Fe)을 깨끗하게 제거할 수 있다.Of course, even if the fine sludge (s) and the fine abrasive (a) is bonded to the first and second magnets (132, 133) in a state in which they are agglomerated with the iron component (Fe), the flow rate of the pure water supplied along the water supply passage 141 And the iron component (Fe) attached to the first and second magnets 132 and 133 by controlling the flow rate and the like.

상기와 같은 과정을 반복하면, 슬러리에 포함된 철 성분(Fe)을 전자기력에 의해 분리한 다음, 순수와 함께 철 성분을 완전히 배수시킴으로써, 순환 유로 상에서 슬러리에 포함된 철 성분(Fe)을 깨끗하게 제거할 수 있다.When the above process is repeated, the iron component (Fe) contained in the slurry is separated by electromagnetic force, and then the iron component is completely drained with pure water, thereby completely removing the iron component (Fe) contained in the slurry on the circulation passage. can do.

또한, 철 성분(Fe)이 깨끗하게 제거된 슬러리를 랩핑 공정에 재사용함으로써, 랩핑 공정 중 철 성분으로 인하여 웨이퍼 표면에 발생하는 스크레치 불량률을 저감시킬 수 있다.In addition, by recycling the slurry from which the iron component (Fe) has been cleanly removed to the lapping process, the scratch defect rate generated on the wafer surface due to the iron component during the lapping process can be reduced.

110 : 회수 배관 120 : 공급 배관
130 : 필터링부 131 : 필터 배관
132 : 제1마그넷 132 : 제2마그넷
140 : 수세식 세정기 141 : 급수 유로
142 : 배수 유로 143 : 급수 밸브
144 : 배수 밸브110: recovery piping 120: supply piping
130: filtering unit 131: filter piping
132: the first magnet 132: the second magnet
140: flush washer 141: water supply flow path
142: drain passage 143: water supply valve
144: drain valve

Claims (10)

웨이퍼 랩핑 장치로 공급될 슬러리를 담고 있는 슬러리 탱크;
상기 슬러리 탱크로부터 상기 웨이퍼 랩핑 장치로 슬러리를 공급하는 공급 배관;
상기 웨이퍼 랩핑 장치로부터 상기 슬러리 탱크로 랩핑 공정에 사용된 슬러리를 회수하는 회수 배관;
상기 회수 배관에 구비되고, 랩핑 공정에 사용된 슬러리에 포함된 철(Fe) 성분을 전자기력에 의해 걸러주는 필터링부; 및
상기 회수 배관에 구비되고, 상기 필터링부에 걸러진 철 성분을 순수와 함께 배수시켜 제거하는 수세식(flushing) 세정부;를 포함하는 슬러리 순환장치.A slurry tank containing a slurry to be supplied to a wafer wrapping apparatus;
A supply pipe for supplying a slurry from the slurry tank to the wafer lapping apparatus;
Recovery piping for recovering the slurry used in the lapping process from the wafer lapping apparatus to the slurry tank;
A filtering unit provided in the recovery pipe and filtering the iron (Fe) component included in the slurry used in the lapping process by electromagnetic force; And
And a flushing washing unit provided in the recovery pipe and configured to drain and remove the iron component filtered through the filtering unit together with pure water. 제1항에 있어서,
상기 필터링부는,
상기 회수 배관보다 직경이 크게 구성된 필터 배관과,
상기 필터 배관 내측에 철 성분을 포집하기 위하여 전자기력이 온/오프 가능하게 구비된 복수개의 마그넷을 포함하는 슬러리 순환장치.The method of claim 1,
The filtering unit,
A filter pipe configured to have a diameter larger than that of the recovery pipe,
Slurry circulation device including a plurality of magnets provided with an electromagnetic force on / off to collect the iron component inside the filter pipe. 제2항에 있어서,
상기 필터 배관의 입/출구는,
상기 회수 배관의 직경보다 점차 커지도록 연결되는 슬러리 순환장치.The method of claim 2,
Inlet / outlet of the filter pipe,
Slurry circulator connected to gradually increase than the diameter of the recovery pipe. 제2항에 있어서,
상기 마그넷은,
슬러리의 유동 방향을 따라 상기 필터 배관의 내주면에 설치된 원통 형상의 제1마그넷을 포함하는 슬러리 순환장치.The method of claim 2,
The magnet,
And a cylindrical first magnet provided on an inner circumferential surface of the filter pipe along a flow direction of the slurry. 제2항에 있어서,
상기 마그넷은,
슬러리의 유동 방향을 따라 상기 필터 배관의 중심에 설치된 바(bar) 형상의 제2마그넷을 포함하는 슬러리 순환장치.The method of claim 2,
The magnet,
Slurry circulator comprising a bar-shaped second magnet installed in the center of the filter pipe along the flow direction of the slurry. 제5항에 있어서,
상기 제2마그넷은,
상기 회수 배관의 직경보다 직경이 크게 구성되는 슬러리 순환장치.The method of claim 5,
The second magnet,
Slurry circulation device configured to have a diameter larger than the diameter of the recovery pipe. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수세식 세정부는,
상기 필터링부의 입구 측에 고압의 순수를 공급하는 급수 유로와,
상기 필터링부의 출구 측에 철 성분을 순수와 함께 배수시키는 배수 유로를 포함하는 슬러리 순환장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
The flush washing unit,
A water supply passage for supplying high pressure pure water to an inlet side of the filtering unit;
Slurry circulation device including a drain flow path for draining the iron component with the pure water on the outlet side of the filtering portion. 제7항에 있어서,
상기 수세식 세정부는,
상기 회수 배관과 급수 유로의 연결 부분에 구비된 급수밸브와,
상기 회수 배관과 배수 유로의 연결 부분에 구비된 배수밸브를 더 포함하는 슬러리 순환장치.The method of claim 7, wherein
The flush washing unit,
A water supply valve provided at a connection portion between the recovery pipe and the water supply flow path;
Slurry circulation device further comprising a drain valve provided in the connection portion of the recovery pipe and the drain passage. 제8항에 있어서,
상기 급수밸브와 배수밸브는,
각각 3방(3-way) 밸브로 구성되는 슬러리 순환장치.The method of claim 8,
The water supply valve and the drain valve,
Slurry circulator composed of three-way valves respectively. 제8항에 있어서,
상기 웨이퍼 랩핑 장치에 사용된 슬러리가 공급되면,
상기 필터링부는 전자기력을 온(on)시키고,
상기 수세식 세정부는 상기 급수 유로와 배수 유로를 닫아주는 동시에 상기 회수 배관을 열어주도록 작동하며,
상기 웨이퍼 랩핑 장치에 사용된 슬러리가 공급되지 않으면,
상기 필터링부는 전자기력을 오프(off)시키고,
상기 수세식 세정부는 상기 회수 배관을 닫아주는 동시에 상기 급수 유로와 배수 유로를 열어주도록 작동하는 슬러리 순환장치.The method of claim 8,
When the slurry used in the wafer lapping apparatus is supplied,
The filtering unit turns on the electromagnetic force (on),
The flush washing unit operates to close the water supply passage and the drain passage and simultaneously open the recovery pipe,
If the slurry used in the wafer lapping apparatus is not fed,
The filtering unit off the electromagnetic force (off),
The flushing washing unit closes the recovery pipe and simultaneously opens the water supply passage and the drain passage.
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