KR20190136445A - Solar cell module contaning perovskite eolar cell and manufacturing method for the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 42
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 claims description 7
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 94
- 230000008569 process Effects 0.000 description 37
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 31
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 31
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N Formamidine Chemical compound NC=N PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
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- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
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Abstract
Description
본 발명은 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 태양 전지 모듈과 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module comprising a perovskite solar cell and a method of manufacturing the same.
태양전지는 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 일종의 에너지 전환소자로, 현재 가장 상업화된 대체 에너지 기술 중 하나이다.Solar cells are a type of energy conversion device that converts solar energy into electrical energy and are one of the most commercially available alternative energy technologies.
이 중 결정질 실리콘(crystalline silicon; c-Si) 태양전지는 대표적인 단일접합(single juction) 태양전지로서 현재 상업적 태양전지로 널리 사용되고 있다.Among them, crystalline silicon (c-Si) solar cells are widely used as commercial solar cells as representative single-junction solar cells.
그러나 결정질 실리콘 태양전지의 낮은 광전 변환 효율로 인해, 페로브스카이트 층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지나 더 나아가 서로 다른 밴드 갭을 가지는 흡수층을 포함하는 단일접합 태양전지를 연결하여 하나의 태양전지를 구성하는 텐덤 태양전지에 대한 개발이 활발히 진행되고 있다.However, due to the low photoelectric conversion efficiency of crystalline silicon solar cells, a single solar cell is connected by connecting a perovskite solar cell including a perovskite layer or even a single junction solar cell including an absorption layer having different band gaps. Development of tandem solar cells constituting the active is actively underway.
도 1은 텐덤 태양전지 가운데 일반적인 형태인 2-단자 텐덤 태양전지의 단면을 개략적으로 나타낸 것으로, 태양전지는 상대적으로 큰 밴드갭을 갖는 흡수층을 포함하는 단일접합 태양전지와 상대적으로 밴드갭이 작은 흡수층을 포함하는 단일접합 태양전지가 접합층을 매개로 하여 터널 접합된다.1 is a schematic cross-sectional view of a two-terminal tandem solar cell, which is a general type of tandem solar cells, wherein the solar cell includes a single junction solar cell including an absorption layer having a relatively large band gap and an absorption band having a relatively small band gap. A single junction solar cell comprising a tunnel is bonded through the junction layer.
이 중, 상대적으로 큰 밴드갭을 가지는 흡수층을 포함하는 단일접합 태양전지를 페로브스카이트(perovskite) 태양전지로 사용하는 페로브스카이트/결정질 실리콘 텐덤 태양전지는 30% 이상의 높은 광전 효율을 달성할 수 있어 많은 주목을 받고 있다.Among them, perovskite / crystalline silicon tandem solar cells using a single junction solar cell including a absorption layer having a relatively large band gap as a perovskite solar cell achieve high photoelectric efficiency of 30% or more. I can do it and am attracting much attention.
한편 태양전지는 다수의 태양전지 셀을 복수 개로 전기적으로 직렬 또는 병렬로써 연결하여 패키징 공정을 거쳐서 태양전지 모듈로써 사용한다.Meanwhile, a solar cell is used as a solar cell module through a packaging process by connecting a plurality of solar cells electrically in series or in parallel.
왜냐하면 각각의 단일 태양 전지 셀은 각 셀에서 발생되는 기전력이 상업적으로 사용하기에는 충분하지 못하기 때문이다. Because each single solar cell does not have sufficient electromotive force from each cell for commercial use.
태양전지 모듈을 제조하기 위한 모듈화 공정은 각각의 태양전지 셀의 양면에 리본을 접합시키는 태빙(tabbing)단계와 셀들을 서로 리본으로 연결하여 스트링(string)을 제작하는 단계를 거친다. 그 이후에, 스트링된 셀 배열을 밀봉재 상에 위치시킨 후 각 스트링을 전기적으로 연결시키는 어레이(array) 단계와 밀봉재와 백시트를 덮는 모듈세팅 단계 이후에 라미네이션 단계를 거친다.The modularization process for manufacturing a solar cell module goes through a tabbing step of bonding a ribbon to both sides of each solar cell and a step of connecting the cells with a ribbon to produce a string. Thereafter, the stringed cell array is placed on the sealant, followed by an array step of electrically connecting each string and a lamination step after a module setting step covering the sealant and the backsheet.
상기 모듈화 공정은 봉지재 등의 열경화를 위해 통상적으로 약 150℃를 넘는 고온이 필요하게 된다.The modularization process typically requires a high temperature of more than about 150 ° C. for thermal curing of the encapsulant.
종래의 상업적인 결정질 실리콘(crystalline silicon; c-Si) 태양전지는 이와 같은 고온 라미네이션 공정동안 열에 의한 퇴화(thermal deagradation)가 발생하지 않아 고온 공정이 별 다른 이슈로 떠오르지 않았다.Conventional commercial crystalline silicon (c-Si) solar cells do not cause thermal deagradation during such a high temperature lamination process, so the high temperature process has not emerged as an issue.
그러나 고효율의 페로브스카이트 태양전지 또는 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 텐덤 태양전지는 페보스브카이트 흡수층을 포함하는데, 상기 페로브스카이트 흡수층은 열 및 수분에 대한 안정성이 매우 낮은 것으로 알려져 있다.However, high-efficiency perovskite solar cells or tandem solar cells including perovskite solar cells include a perovskite absorber layer, which is known to have very low heat and moisture stability. have.
따라서 페로브스카이트 태양전지 또는 이를 포함하는 텐덤 태양전지는 종래에 사용되어 왔던 모듈화 공정 및 재료를 적용할 경우, 페로브스카이트 흡수층의 열분해로 인한 태양전지의 성능 저하와 신뢰성 문제가 발생된다.Accordingly, when the perovskite solar cell or the tandem solar cell including the same is applied to a modular process and material that has been used in the related art, performance degradation and reliability problems of the solar cell are generated due to thermal decomposition of the perovskite absorbing layer.
본 발명과 관련된 종래기술로는 대한민국 등록특허 10-1305087호(2013. 09. 10. 등록)가 있다. 상기 특허에서는 태양전지를 모듈화 하는 과정에서 태빙 방법과 장치 등이 개시되어 있다.The prior art related to the present invention is Republic of Korea Patent No. 10-1305087 (2013. 09. 10. registration). The patent discloses a tabbing method and apparatus in the process of modularizing a solar cell.
본 발명은 페로브스카이트 태양 전지를 포함하는 복수의 태양 전지로 구성된 태양 전지 모듈 및 제조 방법에 있어서, 페로브스카이트 흡수층의 열에 의한 퇴화 및/또는 파괴를 방지할 수 있는 모듈 공정 및 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a solar cell module and a manufacturing method comprising a plurality of solar cells including a perovskite solar cell, the module process and material that can prevent degradation and / or destruction by heat of the perovskite absorbing layer. It aims to provide.
보다 구체적으로 본 발명은 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 태양 전지 모듈 및 제조 방법에 있어서, 태양전지의 밀봉(encapsulation)을 위한 저온 봉지재(encapsulant) 및 저온 공정을 제공하는 것을 목적으로 한다.More specifically, an object of the present invention is to provide a low temperature encapsulant and a low temperature process for encapsulation of a solar cell in a solar cell module and manufacturing method including a perovskite solar cell.
더 나아가 본 발명은, 새로운 봉지 구조와 봉지 재료를 적용함으로써 투습도가 우수한 태양전지 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 새로운 목적으로 한다.Furthermore, it is a new object of the present invention to provide a solar cell module having excellent moisture permeability and a method of manufacturing the same by applying a new encapsulation structure and a sealing material.
새로운 봉지재 구조 및 재료를 가지는 본 발명의 태양전지는 수분 침투로 인한 태양전지 모듈의 성능 저하를 방지하고 더 나아가 태양전지 모듈의 신뢰성을 향상시키는 것을 또 다른 목적으로 한다.The solar cell of the present invention having a novel encapsulant structure and material is another object of preventing the performance degradation of the solar cell module due to moisture infiltration and further improving the reliability of the solar cell module.
페로브스카이트 흡수층의 열에 의한 퇴화 및/또는 파괴를 방지할 수 있고 태양전지 모듈의 성능 저하를 방지하고 더 나아가 태양전지 모듈의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 본 발명의 태양전지 모듈에 따르면, 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 태양전지; 상기 태양전지를 밀봉하는 제1 봉지재 및 제2 봉지재; 상기 제1 봉지재 상에 위치하는 제1 보호부재; 상기 제2 봉지재 상에 위치하는 제2 보호부재; 상기 제1 봉지재 및 제2 봉지재의 측면에 위치하고 상기 제1 보호부재와 제2 보호부재 사이에 위치하는 제 3 봉지재;를 포함하고, 상기 제3 봉지재의 투습도(WVTR)는 제2 봉지재의 투습도보다 작고, 제2 봉지재의 투습도는 제1 봉지재의 투습도보다 작은 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.According to the solar cell module of the present invention, which can prevent degradation and / or destruction by heat of the perovskite absorbing layer, and can prevent the degradation of the solar cell module and further improve the reliability of the solar cell module. Solar cells including skylight solar cells; A first encapsulation material and a second encapsulation material for sealing the solar cell; A first protective member positioned on the first encapsulant; A second protective member positioned on the second encapsulant; And a third encapsulation material disposed on side surfaces of the first encapsulation material and the second encapsulation material, the third encapsulation material being disposed between the first protection member and the second protection member. Less than the moisture permeability, the moisture permeability of the second encapsulation material is less than the moisture permeability of the first encapsulant; A solar cell module can be provided.
바람직하게는, 상기 태양전지는 페로브스카이트 태양전지 또는 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 텐덤 태양전지인 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.Preferably, the solar cell is a tandem solar cell comprising a perovskite solar cell or a perovskite solar cell; a solar cell module may be provided.
바람직하게는, 상기 제1 봉지재는 EVA 수지이고, 제2 봉지재는 올레핀계 수지인 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.Preferably, the first encapsulation material is an EVA resin, the second encapsulation material is an olefin resin; it can be provided a solar cell module characterized in that.
이 때, 상기 EVA 수지에서의 VA의 함량은 10~30 wt.%인 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.At this time, the content of VA in the EVA resin is 10 ~ 30 wt.%; Solar cell module can be provided.
바람직하게는, 상기 제1 보호부재는 유리를 포함하는 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.Preferably, the first protective member comprises a glass; a solar cell module can be provided.
바람직하게는, 상기 제2 보호부재는 TPT(Tedlar/PET/Tedlar), 유리, 금속 또는 폴리불화비닐라덴 수지층 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.Preferably, the second protective member includes at least one or more of TPT (Tedlar / PET / Tedlar), glass, metal or polyvinyl fluoride resin layer; may be provided with a solar cell module .
바람직하게는, 상기 제3 봉지재는 부틸고무를 포함하는 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.Preferably, the third encapsulant may include a butyl rubber; a solar cell module may be provided.
이 때, 상기 태양전지 모듈의 모서리에 위치하는 프레임; 상기 프레임과 상기 제3 봉지재 사이에 위치하는 모서리 봉지재를 포함하는 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.At this time, the frame located in the corner of the solar cell module; The solar cell module may include a corner encapsulant positioned between the frame and the third encapsulant.
바람직하게는, 상기 제1 봉지재의 투습도는 약 30 g/(㎡ㆍday) 정도이고, 제2 봉지재의 투습도는 0.7~4.5 g/(㎡ㆍday) 정도이고, 제3 봉지재의 투습도는 0.001~0.01 g/(㎡ㆍday) 인 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.Preferably, the water vapor transmission rate of the first encapsulation material is about 30 g / (
바람직하게는, 상기 모듈은 상기 제1 보호부재, 제2 보호부재 및 제3 봉지재를 에워 싸는 프레임을 더 포함하는 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.Preferably, the module may further include a frame surrounding the first protective member, the second protective member and the third encapsulant; may be provided with a solar cell module.
특히, 상기 태양전지의 평면 방향으로의 상기 프레임의 폭은 상기 제3 봉지재의 폭보다 더 큰 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공될 수 있다.In particular, the width of the frame in the planar direction of the solar cell is larger than the width of the third encapsulant; a solar cell module can be provided.
본 발명에 따르는 태양전지 모듈은 열에 의한 퇴화 및/또는 파괴를 방지할 수 있는 저온 봉지재 및 공정에 의해 제조될 수 있다.The solar cell module according to the present invention may be manufactured by a low temperature encapsulant and a process capable of preventing degradation and / or destruction by heat.
이로 인해 본 발명의 태양전지 모듈은 태양전지의 변환효율의 퇴화를 유발시키지 않아 모듈에서도 높은 효율을 달성할 수 있다.Therefore, the solar cell module of the present invention does not cause deterioration of the conversion efficiency of the solar cell can achieve high efficiency even in the module.
또한 본 발명의 태양전지 모듈은 봉지재의 새로운 구조 및 재료를 채택함으로써 태양전지 모듈에서의 투습도가 매우 낮은 효과를 얻을 수 있다.In addition, the solar cell module of the present invention can obtain the effect of very low moisture permeability in the solar cell module by adopting a new structure and material of the encapsulant.
이를 통해 본 발명의 태양전지 모듈은 수분에 의한 태양전지의 퇴화를 막음으로써 모듈에서의 신뢰성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.Through this, the solar cell module of the present invention can obtain the effect of improving the reliability in the module by preventing the degradation of the solar cell by moisture.
도 1은 본 발명을 포함한 일반적인 태양전지 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 2는 종래의 태양전지 모듈의 개략적인 사시도이다.
도 3은 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 태양전지 모듈에 프레임이 설치된 태양전지 모듈의 개략적인 사시도이다.
도 6은 도 4의 태양전지 모듈에 프레임이 설치된 태양전지 모듈의 다른 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 7은 도 4의 태양전지 모듈에 프레임이 설치된 태양전지 모듈의 또 다른 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 태양전지 모듈의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 공정도이다.
도 9은 본 발명에 따른 태양전지 셀 및 모듈을 나타낸 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a general solar cell module including the present invention.
2 is a schematic perspective view of a conventional solar cell module.
3 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.
4 is a schematic cross-sectional view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic perspective view of a solar cell module in which a frame is installed in the solar cell module of FIG. 4.
6 is a perspective view illustrating another embodiment of a solar cell module in which a frame is installed in the solar cell module of FIG. 4.
7 is a perspective view illustrating still another embodiment of a solar cell module in which a frame is installed in the solar cell module of FIG. 4.
8 is a process diagram schematically showing a method of manufacturing a solar cell module of the present invention.
9 is a cross-sectional view showing a solar cell and a module according to the present invention.
이하, 본원에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 태양전지 모듈 및 그 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a solar cell module including a perovskite solar cell according to a preferred embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof with reference to the accompanying drawings will be described in detail.
본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다.The present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, only this embodiment, the disclosure of the present invention is complete and complete the scope of the invention to those skilled in the art It is provided to inform you.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 또한, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals designate like elements throughout the specification. In addition, some embodiments of the invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are shown in different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.
본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) can be used. These terms are only to distinguish the components from other components, and the terms are not limited in nature, order, order or number of the components. If a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, that component may be directly connected to or connected to that other component, but between components It is to be understood that the elements may be "interposed" or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.
또한, 본 발명을 구현함에 있어서 설명의 편의를 위하여 구성요소를 세분화하여 설명할 수 있으나, 이들 구성요소가 하나의 장치 또는 모듈 내에 구현될 수도 있고, 혹은 하나의 구성요소가 다수의 장치 또는 모듈들에 나뉘어져서 구현될 수도 있다.In addition, in the implementation of the present invention may be described by subdividing the components for convenience of description, these components may be implemented in one device or module, or one component is a plurality of devices or modules It can also be implemented separately.
도 2는 종래의 태양전지 모듈을 도시한 사시도이고, 도 3은 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating a conventional solar cell module, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1.
도 2 및 도 3을 참조하면, 태양전지 모듈(100)은 복수의 태양전지(150)와, 복수의 태양전지(150)를 전기적으로 연결하는 배선재(142)를 포함한다. 그리고 태양전지 모듈(100)은 복수의 태양전지(150)와 이를 연결하는 배선재(142)을 둘러싸서 밀봉하는 제1 봉지재(131) 및 제2 봉지재(132)를 포함한 봉지재(130)와, 봉지재(130) 위에서 태양 전지(150)의 제1 면에 위치하는 제1 보호부재(110)과, 봉지재(130) 위에서 태양 전지(150)의 제2 면에 위치하는 제2 보호부재(120)를 포함한다.2 and 3, the
이 때, 제1 보호부재(110) 및 제2 보호부재(120)는 각기 외부의 충격, 습기, 자외선 등으로부터 태양 전지(150)를 보호할 수 있는 절연 물질로 구성될 수 있다. In this case, the first
한편 제1 보호부재(110)는 광이 투과할 수 있는 투광성 물질로 구성되고, 제2 보호부재(120)는 투광성 물질, 비투광성 물질, 또는 반사 물질 등으로 구성되는 시트로 구성될 수 있다. 일 예로, 제1 보호부재(110)는 유리 기판 등으로 구성될 수 있고, 제2 보호부재(120)는 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입을 가지거나, Glass, 알루미늄 등의 금속 또는 베이스 필름(예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET))의 적어도 일면에 형성된 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF) 수지층을 포함할 수 있다.Meanwhile, the first
이 때, 제1 보호부재(110)는 태양광, 특히 파장 범위가 380~1,100㎚ 범위에서의 태양광의 투과율을 높이기 철분(Fe)의 함유량을 낮춘 소위 말하는 백유리를 주로 사용한다. 아울러 전면 유리판(110)용 유리는 필요한 경우 강화처리를 하여 외부로부터의 충격이나 이물로부터 태양 전지(150)를 보호할 수 있다.At this time, the first
제1, 2보호부재를 모두 투명한 재료로 사용할 경우 양면에서 빛이 수광되기 때문에 발전량을 증가시킬 수 있다.When both the first and second protective members are used as transparent materials, light can be received from both sides, thereby increasing power generation.
본 발명에서의 복수 개의 태양전지(150)는 배선재(142)에 의하여 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결될 수 있으며, 특별히 전기적인 연결방식에 대해서는 본 발명에서는 제한하지 않는다. 배선재(142) 및 태양 전지(150)에 대해서는 추후에 좀더 상세하게 설명한다.The plurality of
버스리본(145)은 배선재(142)에 의하여 연결되어 하나의 열(列)을 형성하는 태양 전지(150)(즉, 태양 전지 스트링(string))의 배선재(142)의 양 끝단을 교대로 연결한다. 버스리본(145)은 태양 전지 스트링의 단부에서 이와 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. The
도 2 및 도 3을 참고하면, 봉지재(130)는 배선재(142)에 의하여 연결된 태양전지(150)의 제1 면에 위치하는 제1 봉지재(131)와, 태양전지(150)의 제2 면에 위치하는 제2 봉지재(132)를 포함할 수 있다. 2 and 3, the
제1 봉지재(131)와 제2 봉지재(132)는 수분과 산소의 유입되는 것을 방지하며 태양전지 모듈(100)의 각 요소들을 화학적으로 결합한다. 따라서 제1 및 제2 봉지재(131, 132)는 투광성 및 접착성을 가지는 절연 물질이 필수적으로 요구된다.The
구체적으로 제1 및 제2 봉지재(131, 132)로서 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지 등이 사용될 수 있다.Specifically, ethylene vinyl acetate copolymer resin (EVA), polyvinyl butyral, silicon resin, ester resin, or the like may be used as the first and
이 중 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA)가 종래에는 제1 및 제2 봉지재(131, 132)로서 주로 사용되어 왔다.Among them, ethylene vinyl acetate copolymer resin (EVA) has been mainly used as first and
EVA 수지는 다른 성분의 수지와 필적할만한 연화점 및 강도를 가지는 것에 더하여 다른 성분의 수지들은 가지지 못하는 특성인 UV와 같은 단파장의 태양광을 투과할 수 있다는 장점을 추가로 가지고 있기 때문이다. 이와 같은 높은 광투과도로 인해 EVA 수지는 태양전지 모듈의 봉지재로써 널리 사용되어 왔다.This is because EVA resins have a softening point and strength comparable to those of other components, in addition to the advantage of being able to transmit short wavelength solar light such as UV, which is a property that other components do not have. Due to such high light transmittance, EVA resin has been widely used as an encapsulant for solar cell modules.
이와 같은 EVA 수지의 우수한 장점에도 불과하고 EVA 수지는 다른 수지 대비 상대적으로 높은 공정온도를 요구한다. 그리고 더 나아가 EVA 수지는 다른 성분의 수지들 대비 투습도 측면에서도 더 낮은 투습도를 확보하기 어렵다.In addition to the superior advantages of EVA resin, EVA resin requires a relatively higher process temperature than other resins. And furthermore, EVA resin is difficult to secure lower moisture permeability in terms of moisture permeability compared to other components of the resin.
이와 같은 EVA 수지의 특성은 본 발명과 같이 페로브스카이트 흡수층을 포함한 태양전지 모듈에 봉지재로써 EVA 수지의 적용을 어렵게 한다. 왜냐하면 페로브스카이트 흡수층은 열과 수분에 매우 취약하기 때문이다. 더 나아가 페로브스카이트 흡수층을 포함한 태양전지 모듈이 지속적으로 열과 수분에 노출되면 태양전지 모듈은 신뢰성도 크게 떨어질 수 있다.Such properties of the EVA resin makes it difficult to apply the EVA resin as an encapsulant to the solar cell module including the perovskite absorbing layer as in the present invention. Because the perovskite absorber layer is very susceptible to heat and moisture. Furthermore, if the solar cell module including the perovskite absorber layer is continuously exposed to heat and moisture, the solar cell module may also be significantly unreliable.
따라서 도 2 및 3의 태양전지 모듈의 구조 및 재료는 본 발명의 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 태양전지 모듈에 적용되기에 매우 곤란한 실정이다.Therefore, the structure and material of the solar cell module of Figures 2 and 3 is very difficult to be applied to the solar cell module including the perovskite solar cell of the present invention.
도 4 및 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면도 또는 사시도이다. 4 and 5 are a cross-sectional view or a perspective view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
도 4에서 도시하는 바와 같이, 본 발명에서의 태양전지 모듈(200)은 구조적으로 종래의 태양전지 모듈(100)과는 달리 제1 봉지재(131)와 제2 봉지재(132)에 더하여 제3 봉지재(133)을 추가로 포함한다. As shown in FIG. 4, the solar cell module 200 according to the present invention is structurally different from the conventional
재료적인 특성을 먼저 살펴보면, 제1 봉지재(131)가 수광면에 위치할 경우 제2 봉지재(132) 대비 투광성 또는 광 투과도가 더욱 요구된다. 이와 같은 투광성을 갖춘 재료들 가운데 제1 봉지재(131)로 고려될 수 있는 재료로는, 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다.Looking at the material properties first, when the
이중 본 발명의 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 태양전지 모듈에 바람직한 제1 봉지재(131)는 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA) 또는 올레핀계 수지가 바람직하다. 이 중에서도 특히 UV through 특성을 가지며 단파장 가시광선 영역에서의 투과도가 높은 EVA 수지가 본 발명의 제1 봉지재(131)로 더욱 바람직하다. 왜냐하면 페로브스카이트 흡수층을 포함하는 본 발명의 태양전지는 종래의 결정질 실리콘 태양전지에 비해 짧은 파장대의 가시광선의 흡수율이 높아 광전 변환 효율이 우수한 특성을 가지기 때문이다.Among the preferred
EVA 수지는 올레핀계 수지인 LDPE(low density polyethylene)에 VA(vinyl acetate)가 랜덤하게 섞여서 고분자 주쇄를 형성하고 있다. 따라서 EVA 수지는 기본적으로 LDPE의 성질을 띠면서 VA가 어느 정도 포함되어 있느냐에 따라 기본성질이 결정된다.In EVA resin, VA (vinyl acetate) is randomly mixed with low density polyethylene (LDPE), an olefinic resin, to form a polymer main chain. Therefore, the EVA resin basically has the properties of LDPE, and the basic properties are determined by how much VA is contained.
EVA 수지는 통상적으로 VA의 함량이 증가함에 따라 광학적 투명도는 증가하고 결정성이나 녹는점 또는 연화점은 감소한다. 반면 EVA 수지의 투습도는 VA의 함량이 증가함에 따라 감소한다.EVA resins typically have increased optical clarity and decreased crystallinity, melting point or softening point with increasing VA content. On the other hand, the moisture permeability of EVA resin decreases with increasing VA content.
페로브스카이트 흡수층을 포함하는 본 발명에서의 태양전지는 광학적 투명도뿐만 아니라 연화점과 투습도도 매우 중요하다.The solar cell in the present invention including the perovskite absorbing layer is very important not only optical transparency but also softening point and moisture permeability.
특히 본 발명에서의 태양전지는 페로브스카이트 흡수층을 가지므로 모듈 공정(특히 라미네이션 공정) 동안 공정온도가 150℃를 넘지 않는 것이 바람직하며, 공정온도가 100℃를 넘지 않는 것이 보다 바람직하다.In particular, since the solar cell of the present invention has a perovskite absorbing layer, it is preferable that the process temperature does not exceed 150 ° C during the module process (especially the lamination process), and the process temperature does not exceed 100 ° C.
본 발명에서 요구되는 광투과도 및 공정온도의 상한 값은 본 발명의 제1 봉지재로서의 EVA 수지에서의 VA 함량의 하한치를 결정한다. 본 발명에서의 제1 봉지재로 EVA 수지가 사용될 때, EVA 수지에서의 VA의 하한값은 10 wt.% 이상이어야 한다. 만일 EVA 수지에서의 VA의 하한값이 10wt.% 보다 작으면, 제1 봉지재로서 EVA 수지는 너무 낮은 광투과도와 너무 높은 공정온도를 가지기 때문에 바람직하지 못하다. The upper limit values of the light transmittance and the process temperature required in the present invention determine the lower limit of the VA content in the EVA resin as the first encapsulant of the present invention. When EVA resin is used as the first encapsulant in the present invention, the lower limit of VA in the EVA resin should be 10 wt.% Or more. If the lower limit of VA in the EVA resin is less than 10 wt.%, The EVA resin as the first encapsulant is not preferable because it has too low light transmittance and too high process temperature.
한편 EVA 수지 내의 VA 함량이 지나치게 높으면, EVA 수지의 투습도가 지나치게 높아지게 된다. On the other hand, when the VA content in the EVA resin is too high, the moisture permeability of the EVA resin is too high.
태양전지 모듈은 주로 야외나 실외에 설치되므로 수분에 지속적으로 노출되게 된다. 특히 본 발명의 태양전지 모듈은 열 뿐만 아니라 수분에도 약한 페로브스카이트 흡수층을 포함하므로, 태양전지 모듈에서의 봉지재(130)는 반드시 낮은 투습도를 확보하여야 한다. 따라서 본 발명의 제1 봉지재로서의 EVA 수지는 VA의 상한값이 30 wt.% 이하이어야 한다. 만일 상기 VA의 함량이 30 wt.%를 초과하는 경우, 제1 봉지재의 투습도 역시 30 g/(㎡ㆍday)를 초과하게 되어 태양전지 모듈이 수분에 노출될 가능성이 너무 높아질 수 있다.Since solar cell modules are mainly installed outdoors or outdoors, they are continuously exposed to moisture. In particular, since the solar cell module of the present invention includes a perovskite absorption layer that is weak in moisture as well as heat, the
한편 본 발명에서의 제2 봉지재(132)는 제2 보호부재(120)가 광투과성을 가지는 못하는 소재로 이루어지는 경우 제1 봉지재(131)과는 달리 UV through 특성을 갖지 않아도 무방하다. 따라서 본 발명의 태양전지 모듈에서의 제2 봉지재(132)는 제1 봉지재(131)와는 달리 광투과도에 있어 보다 넓은 설계 자유도를 가질 수 있다.On the other hand, the
상기와 같은 본 발명의 제2 봉지재(132)의 광학적 자유도로 인해, 본 발명의 태양전지 모듈에서의 제2 봉지재(132)는 올레핀계 수지가 사용될 수 있다. 여기서 올레핀계 수지란 PE(polyethylene)이나 PP(polyprorhylene)과 같이 탄소가 사슬 모양으로 결합되어 있으나, 그 중에 탄소끼리의 이중결합이 하나 들어있는 수지를 말한다.Due to the optical freedom of the
다만 본 발명에서의 제2 봉지재(132)도 제1 봉지재(131)와 마찬가지로 낮은 모듈공정 온도 및 낮은 투습도를 가져야 한다. 특히 제2 봉지재(132)는 제1 봉지재(131) 대비 광 투과도에 있어 재료적인 자유도로 인해 제1 봉지재(131)보다 낮은 투습도 및 낮은 공정온도를 가질 수 있다.However, like the
이에 더하여 본 발명에서 제2 봉지재(132)가 올레핀계 수지이면 성분 및 밀도 등의 특성에 따라 매우 다양하게 공정 온도 및 투습도를 조절할 수 있다는 추가적인 장점이 있다. 예를 들어, 본 발명의 제2 봉지재(132)로 사용 가능한 HDPE(high density polyethylene)는 제2 봉지재(132)로 사용 가능한 LDPE(low density polyethylene) 대비 연화점이 높아 공정온도가 높아지는 단점이 있으나, 높은 밀도로 인해 투습도에 있어서는 보다 유리한 장점을 가질 수 있는 트레이드 오프(trade-off) 관계를 가진다.In addition, in the present invention, if the
따라서 본 발명의 제2 봉지재(132)의 투습도는 공정온도를 감안하여 0.5 ~ 10 g/(㎡ㆍday) 범위를 가지는 것이 바람직하며 0.7 ~ 4.5 g/(㎡ㆍday)의 범위를 가지는 것이 보다 바람직하다.Therefore, the water vapor transmission rate of the
한편 태양전지 모듈의 구조적인 관점에서 살펴 보면, 본 발명의 태양전지 모듈(200)은 종래의 태양전지 모듈(100) 대비 제3 봉지재(133)를 추가로 포함한다는 특징을 가진다.On the other hand, looking at the structural view of the solar cell module, the solar cell module 200 of the present invention has a feature that further includes a
앞에서 살펴본 바와 같이 태양전지 모듈은 주로 야외나 실외에 노출되므로 이로 인해 태양전지 모듈은 수분에 지속적으로 노출된다. 종래의 태양전지 모듈(100)은 구조적으로 제1 봉지재(131)와 제2 봉지재(132) 사이의 경계면을 따라 외부에서 수분이 유입될 수 있고, 더 나아가 유입된 수분도 태양전지 모듈(100)의 밀봉 구조로 인해 태양전지 모듈(100) 외부로 빠져나가기 어렵다는 문제가 있다. As described above, since the solar cell module is mainly exposed to the outdoors or outdoors, the solar cell module is continuously exposed to moisture. In the conventional
이와 같은 종래의 태양전지 모듈(100)의 문제점에 더하여, 본 발명의 태양전지 모듈(200)은 낮은 공정온도가 요구되므로 재료적으로 제1 봉지재(131)와 제2 봉지재(132) 사이의 결합력 또는 강성 확보가 쉽지 않게 된다. 이에 따라 본 발명의 태양전지 모듈(200)은 종래의 태양전지 모듈(100) 대비 제3 봉지재(133)를 추가로 포함한다.In addition to the problems of the conventional
본 발명의 제3 봉지재(133)는 제1 봉지재(131)와 제2 봉지재(132)의 경계면을 에워싸고 제1 보호부재(110)와 제2 보호부재(120) 사이에 위치한다.The
본 발명의 태양전지 모듈(200)에서의 제3 봉지재(133)는 제1 봉지재(131) 및 제2 봉지재(132)와는 달리 태양전지의 태양광 흡수에 별다른 관여를 하지 않는다. 따라서 본 발명의 제3 봉지재(133)는 광투과도는 요구되지 않는 반면 투습도는 가급적 낮은 것이 바람직하다.The
이와 같이 낮은 투습도 요구특성을 만족하기 위해 본 발명의 제3 봉지재(133)는 부틸고무가 바람직하다. 특히 부틸고무는 재료 자체적으로 넓은 온도범위에서 균열 없이 안정적으로 유지될 수 있고 고무라는 재질의 특성상 탄성을 가지므로 외부의 충격으로부터 태양전지 모듈을 기계적으로 보호할 수 있으며 산과 알칼리 등의 화학 약품에 대한 저항성도 높다. 또한 부틸고무는 본 발명의 태양전지 모듈(200)의 제1 보호부재(110) 및 제2 보호부재(120)로 사용되는 유리나 금속과의 접착력이 매우 뛰어난 장점을 가진다.As described above, the
본 발명의 태양전지 모듈의 제3 봉지재(133)가 부틸고무로 형성되게 되면, 무엇보다도 본 발명의 제3 봉지재(133)는 0.01 g/(㎡ㆍday) 미만의, 보다 바람직하게는 0.001 ~ 0.01 g/(㎡ㆍday)의 매우 낮은 투습도를 가지는 탁월한 장점을 가질 수 있다. 본 발명에서의 제3 봉지재(133)의 매우 낮은 투습도는 제1 봉지재(131)는 물론이거니와 제1 봉지재(131) 보다 더 낮은 투습도를 가지는 제2 봉지재(132)의 투습도 보다 낮다.When the
한편 도 5에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 태양전지 모듈(200)은 필요에 따라 제3 봉지재를 에워싸는 형상을 포함하는 프레임(190)을 추가로 포함할 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 5, the solar cell module 200 of the present invention may further include a
본 발명에서의 상기 프레임은 태양전지 모듈의 모서리에 위치하며 각 모서리에서 모듈에 가해지는 충격 및 스트레스를 기계적으로 막아주는 역할을 수행한다. 아울러 상기 프레임은 태양전지 모듈의 설치 시 버팀대 역할도 같이 수행할 수 있다.The frame in the present invention is located at the edge of the solar cell module and serves to mechanically prevent the impact and stress applied to the module at each corner. In addition, the frame may serve as a brace when installing the solar cell module.
또한 상기 프레임(190)과 태양전지 모듈(200) 사이에는 추가적으로 별도의 모서리 봉지재(edge sealant, 180)가 위치할 수도 있다. In addition, an
본 발명에서의 모서리 봉지재(180)는 상기 프레임(190)과 태양전지 모듈(200) 사이로 수분이나 이물의 침투를 방지함으로써 태양전지 모듈을 보호하는 기능을 수행한다. 따라서 본 모서리 봉지재(180)는 상기 제3 봉지재(133)와 동일한 재료이거나 또는 실리콘 수지와 같이 수분 등의 침투를 방지할 수 있는 재료로 이루어진다. The
본 발명에서의 상기 프레임의 태양전지 평면 방향으로의 폭(W1)은 상기 제3 봉지재(133)의 폭(W2)보다 큰 것이 바람직하다. 상기 프레임의 폭(W1)이 상기 제3 봉지재의 폭(W2)보다 더 큰 경우, 상기 프레임은 외부에서 태양전지 모듈에 가해지는 충격 및 스트레스로부터 태양전지 모듈(200)을 보호하는데 보다 효과적이기 때문이다.In the present invention, it is preferable that the width W1 of the frame in the solar cell plane direction is larger than the width W2 of the
다만 상기 프레임의 폭(W1)은 최대값은 상기 태양전지 모듈의 태양전지를 가리지 않는 값으로 결정된다. 왜냐하면 상기 프레임의 폭(W1)이 지나치게 커서 태양전지를 가리게 되면, 태양전지 모듈의 효율이 감소하기 때문이다.However, the maximum width W1 of the frame is determined to be a value that does not cover the solar cell of the solar cell module. This is because if the width W1 of the frame is too large to cover the solar cell, the efficiency of the solar cell module is reduced.
도 6 및 7은 본 발명의 태양전지 모듈에서 제3 봉지재와 모서리 봉지재의 구조 및 배치에 대한 다양한 실시예를 도시하고 있다.6 and 7 illustrate various embodiments of the structure and arrangement of the third encapsulant and the edge encapsulant in the solar cell module of the present invention.
도 6의 실시예는 도 5와 대비할 때, 제3 봉지재(133')의 형상이 상이한 차이점을 가진다.6, the shape of the
보다 구체적으로 살펴보면, 도 6에서의 제3 봉지재(133')는 제1 봉지재(131)와 제2 봉지재(132)의 측면뿐만 아니라 제1 보호부재(110) 및 제2 보호부재(120)의 측면까지 커버하는 형상을 가진다. 더 나아가 도 6의 제3 봉지재(133')는 제1 보호부재(110) 및 제2 보호부재(120)의 평면의 일부분까지 접촉하여 보호하는 형상을 가진다.More specifically, the
한편 도 7의 실시예는 도 6과 대비할 때, 도 7의 제3 봉지재(133")의 형상은 도 6의 제3 봉지재(133')의 형상과 유사하다. 다만 제 7의 태양전지 모듈은 별도의 모서리 봉지재(180)를 포함하지 않는다는 차이점이 있다. 따라서 도 7의 태양전지 모듈에서는 제3 봉지재(133")가 모서리 봉지재의 기능도 동시에 수행하여 구성이 보다 단순해진다는 추가적인 장점을 가진다.In contrast to FIG. 6, the embodiment of FIG. 7 has a shape similar to that of the
반면 도 7의 태양전지 모듈에서는 수분 등의 침투를 보다 확실히 방지하기 위해 도 6의 태양전지 모듈 대비 제3 봉지재(133")의 두께를 보다 두껍게 할 수도 있다.On the other hand, in the solar cell module of FIG. 7, the thickness of the
한편 도 5 내지 도 7의 모든 실시예들은 제3 봉지재(133, 133', 133")의 형상과는 무관하게 상기 프레임(190)의 태양전지 평면 방향으로의 폭(W1)은 상기 제3 봉지재(133, 133', 133")의 폭(W2)보다 크게 하는 것이 보다 바람직하다.Meanwhile, in all embodiments of FIGS. 5 to 7, the width W1 of the
도 8은 본 발명의 태양전지 모듈의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 공정도이다.8 is a process diagram schematically showing a method of manufacturing a solar cell module of the present invention.
도 8에서 도시된 바와 같이, 먼저 셀 검사에 의해 효율 및 색깔을 기준으로 등급별로 분류된 태양전지 셀들의 각각의 전극 위에 대응되는 각각의 배선재들을 정렬한다(S 100).As shown in FIG. 8, first, the respective wiring members are arranged on the electrodes of the solar cells classified by the grade based on the efficiency and the color by the cell inspection (S 100).
다음으로 분류된 태양전지 각 셀들은 태빙 단계(S 200)에서 수광면 및 그 반대면을 포함하는 양면에 배선재가 접합된다. 이 때 상기 배선재는 버스바 전극에 연접된 후 가열되면, 배선재의 솔더링 합금층이 용융되어 상기 배선재와 버스바 전극이 솔더링된다.Next, each of the classified solar cells is connected to a wiring member on both surfaces including a light receiving surface and an opposite surface in the tabbing step S 200. At this time, when the wiring member is connected to the busbar electrode and heated, the soldering alloy layer of the wiring member is melted to solder the wiring member and the busbar electrode.
다음으로 상기 배선재는 스트링 단계(S 300)와 레이 업(lay-up) 단계(S 400)에서 접합된 태양전지 셀들을 각각 직렬 연결하여 스트링(string)을 형성한다. 그 이후 상기 태양전지 스트링은 제1 보호부재(110) 및 제2 보호부재(120) 상에 위치하는 봉지재들(131, 132, 133) 사이에 복수열 위치된 후, 상기 각 스트링은 전기적으로 연결된다. Next, the wiring member forms a string by connecting the solar cells bonded in the string step S 300 and the lay-up step S 400 in series. Thereafter, the solar cell strings are positioned in a plurality of rows between the
다음으로 라미네이션 단계(S 500)는 상기 봉지재들로 덮여진 스트링을 진공에서 충분한 높은 온도로 압착가열하여 제1 보호부재, 봉지재, 태양전지 셀, 봉지재 및 제2 보호부재를 고정시키는 단계이다.Next, the lamination step (S 500) compresses and heats the string covered with the encapsulant to a sufficiently high temperature in a vacuum to fix the first protective member, the encapsulant, the solar cell, the encapsulant and the second protective member. to be.
이와 같은 제조 방법에 의해 본 발명의 태양전지 모듈은 모듈화 공정이 진행될 수 있다. By such a manufacturing method, the solar cell module of the present invention may undergo a modularization process.
특히 본 발명의 제1 봉지재(131)는 VA 함량 조절을 통해 종래의 EVA 수지 대비 낮은 공정온도를 확보할 수 있었다. 그리고 본 발명의 제2 봉지재(132)도 올레핀계 수지를 채용함으로써 낮은 공정온도를 확보하였다. 여기에 더하여 본 발명의 태양전지 모듈(200)은 제3 봉지재(133)를 구조적으로 더함으로써 낮은 투습도를 확보하였다.In particular, the
이와 같은 재료적 및 구조적 개선을 통해 본 발명의 태양전지 모듈은 상기 라미네이션 단계(S 500)에서 150℃ 보다 낮은 공정온도에서도 우수한 밀착력도 투습도를 달성할 수 있다.Through such material and structural improvements, the solar cell module of the present invention can achieve excellent adhesion and moisture permeability even at a process temperature lower than 150 ° C. in the lamination step S 500.
도 9는 본 발명의 태양전지 모듈의 제조 방법에 의해 제조된 태양전지 셀 및 모듈의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a solar cell and a module manufactured by the method of manufacturing a solar cell module of the present invention.
설명의 편의상 도 9에서는 태양전지 셀의 아래 부분에 아무런 구성요소가 없는 것으로 도시되어 있으나, 실제로는 셀의 윗부분과 동일하게 아래 부분에도 제2 봉지재 및 제2 보호부재가 존재한다. For convenience of description, in FIG. 9, there are no components in the lower portion of the solar cell, but in reality, the second encapsulation material and the second protective member are present in the lower portion as in the upper portion of the cell.
먼저 본 발명에서는 설명의 편의를 위해 텐덤(tandem) 태양전지를 본 발명의 태양전지 모듈의 셀로 도시하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 태양전지 셀은 페로브스카이트 태양전지와 같은 단일 접합(single junction) 태양전지 또는 상기 단일 접합 태양전지를 중간층을 매개로 접합시킨 텐덤(tandem) 태양전지 모두 사용 가능하다. First, in the present invention, for the convenience of description, a tandem solar cell is illustrated as a cell of the solar cell module of the present invention, but is not necessarily limited thereto. As described above, the solar cell of the present invention can use either a single junction solar cell such as a perovskite solar cell or a tandem solar cell in which the single junction solar cell is bonded through an intermediate layer. Do.
본 발명의 일 실시예인 도 9에서의 텐덤 태양전지는, 상대적으로 큰 밴드갭을 갖는 흡수층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지(170)와 상대적으로 밴드갭이 작은 흡수층을 포함하는 실리콘 태양전지(160)가 중간층(116)(이하 "터널 접합층", "중간층", "inter-layer"라고도 한다)을 매개로 하여 직접적으로 터널 접합된 2-단자 탠덤 태양전지(150)의 구조를 도시한다.The tandem solar cell of FIG. 9, which is an embodiment of the present invention, includes a perovskite
이에 따라, 탠덤 태양전지(150)로 입사된 광 중 단파장 영역의 광은 상부에 배치된 페로브스카이트 태양전지(120)에 흡수되어 전하를 생성하며, 페로브스카이트 태양전지(120)를 투과하는 장파장 영역의 광은 하부에 배치된 결정질 실리콘 태양전지(110)에 흡수되어 전하를 생성하게 된다.Accordingly, the light in the short wavelength region of the light incident on the tandem
또한 하부에 배치된 결정질 실리콘 태양전지(160)에서 장파장 영역의 광을 흡수하여 발전함으로써 문턱 파장(threshold wavelength)을 장파장 쪽으로 이동시킬 수 있으며, 결과적으로 전체 태양전지가 흡수하는 파장대를 넓힐 수 있다는 부가적인 이점이 있다.In addition, by absorbing and generating light in the long wavelength region in the crystalline silicon
이 때, 상기 결정질 실리콘 태양전지(160)와 전자전달층(123) 사이에도 전하 이동을 위하여 중간층(116)을 필요에 따라 삽입할 수도 있다. 이 경우 중간층(116)은 페로브스카이트 태양전지(170)를 투과하는 장파장의 광을 투과 손실 없이 하부에 배치된 실리콘 태양전지(160)로 입사될 수 있도록 투명 전도성 산화물, 탄소질 전도성 소재, 또는 금속성 소재를 사용하여 구현될 수 있다. 또한, 접합층(116)에 n형 또는 p형 물질을 도핑하여 사용할 수 있다.In this case, an
한편 단일접합 태양전지에서 표면에서의 입사광의 반사율을 줄이고, 태양전지로 입사된 광의 경로를 증가시키기 위해 표면에 텍스쳐 구조를 도입하는 것이 일반적이다. 따라서 본 발명에서의 탠덤 태양전지(150)에서의 결정질 실리콘 태양전지(160) 역시 표면에(적어도 후면에) 텍스쳐를 형성할 수 있다.Meanwhile, in a single junction solar cell, it is common to introduce a texture structure on the surface in order to reduce the reflectance of incident light on the surface and to increase the path of light incident on the solar cell. Thus, the crystalline silicon
이 때 본 발명에서의 상기 결정질 실리콘 태양전지(160)는 이종접합(hetero-junction) 실리콘 태양전지 또는 동종접합(homo-junction) 실리콘 태양전지로 구현될 수 있다.In this case, the crystalline silicon
이종접합 실리콘 태양전지인 경우, 결정질 실리콘 태양전지는, 제2 면에 텍스쳐 구조를 가지는 결정질 실리콘 기판(111), 상기 결정질 실리콘 기판의 제1 면 및 제2 면에 각각 위치하는 제1 면 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si:H)(112) 및 제2 면 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si:H)(113); 상기 제1 면 진성 비정질 실리콘층(112) 상에 위치하는 제1 도전형 비정질 실리콘층(114); 및 상기 제2 면 i형 비정질 실리콘층(113)의 상에 위치하는 제2 도전형 비정질 실리콘층(115)을 포함한다.In the case of a heterojunction silicon solar cell, the crystalline silicon solar cell includes a
이 때 도 9에 도시한 바와 같이, 상기 제1 면은 상기 결정질 실리콘 기판의 전면으로 상기 페로브스카이트 층이 형성되는 면이고 제2 면은 제1 면의 반대 면일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.In this case, as shown in FIG. 9, the first surface may be a surface on which the perovskite layer is formed on the front surface of the crystalline silicon substrate, and the second surface may be opposite to the first surface, but is not limited thereto. It is not.
예를 들어, 먼저 n 타입 결정질 실리콘 기판의 전후면에 매우 얇은 진성 비정질 실리콘(i-a-Si:H)을 패시배이션(passivation) 층으로 형성하고, p 타입의 고농도 비정질 실리콘(p-a-Si:H) 층을 에미터층(114)으로 전면에 형성하며 후면에는 고농도 비정질 실리콘 (n+-a-Si:H) 층을 후면전계(back surface field, 이하 BSF라 함) 층(115)으로 형성하는 구조를 가질 수 있다.For example, first, very thin intrinsic amorphous silicon (ia-Si: H) is formed as a passivation layer on the front and rear surfaces of an n-type crystalline silicon substrate, and then a high concentration of amorphous silicon (pa-Si: H) of p type is formed. ) Is formed on the front surface with the
본 발명에서의 진성 비정질 실리콘층은 수소화된 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si:H)을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 이는, 수소화(hydrogenation) 반응에 의해, 비정질 실리콘 내에 수소가 들어가서 비정질 실리콘의 미결합 상태(dangling bond)와 에너지 밴드 갭 내의 국부화된(localized) 에너지 상태를 감소시킬 수 있기 때문이다.As the intrinsic amorphous silicon layer in the present invention, it is more preferable to use a hydrogenated intrinsic amorphous silicon layer (i-a-Si: H). This is because by hydrogenation, hydrogen can enter the amorphous silicon to reduce the dangling bond of the amorphous silicon and the localized energy state in the energy band gap.
다만 수소화된 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si:H)을 사용하는 경우 후속 공정온도는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 150℃ 이하로 제한된다. 이는 공정온도가 150℃보다 높은 경우, 비정질 실리콘 내부의 수소결합이 파괴되기 때문이다. 따라서 후속 공정, 특히 금속 재질의 그리드 전극(grid electrode) 형성을 위한 공정에서의 소성(firing)도 낮은 온도에서 진행하여야 하는 제약이 있다.However, when using a hydrogenated intrinsic amorphous silicon layer (i-a-Si: H), the subsequent process temperature is limited to 200 ℃ or less, more preferably 150 ℃ or less. This is because when the process temperature is higher than 150 ° C., hydrogen bonding inside the amorphous silicon is broken. Therefore, there is a constraint that firing in a subsequent process, particularly a process for forming a grid electrode made of metal, also needs to proceed at a low temperature.
한편 본 발명에서의 실리콘 태양전지(160)는 동종접합(homojuction) 결정질 실리콘 태양전지로 구현될 수도 있다. 구체적으로, 에미터층(114)으로는 결정질 실리콘 기판(111)과 상이한 도전형을 갖는 불순물 도핑층이 사용되고, 후면 전계층(115)으로는 결정질 실리콘 기판(111)과 동일한 도전형을 갖는 불순물 도핑층이 사용됨으로써 동종접합 결정질 실리콘 태양전지(160)를 구현할 수 있다.Meanwhile, the silicon
결정질 실리콘 기판(111)의 제2 면에는 투명전극층(117)과 그리드 전극(118)을 포함하는 제2 전극이 위치한다.A second electrode including the
만일 이종접합 실리콘 태양전지인 경우, 앞에서 설명한 바와 같이, 비정질 실리콘 내부의 수소결합 파괴를 방지하기 위해, 제2 전극 (보다 자세하게는 버스바 전극(118))의 공정온도는 제1 전극(보다 자세하게는 버스바 전극(127))의 공정온도와 같이 150℃ 이하로 제한된다. 따라서 이 경우, 제2 전극은 제1 전극보다 먼저 형성되거나 또는 제2 전극과 제1 전극은 동시에 형성될 수 있다.In the case of a heterojunction silicon solar cell, as described above, in order to prevent hydrogen bond breakage inside the amorphous silicon, the process temperature of the second electrode (more specifically, the busbar electrode 118) is increased in detail. Is limited to 150 ° C. or less, such as the process temperature of the busbar electrode 127. Therefore, in this case, the second electrode may be formed before the first electrode, or the second electrode and the first electrode may be formed at the same time.
제2 전극은 상기 후면 전계층(115) 위에 위치하는 투명전극층(117)을 포함한다. 투명전극층 재료로 ITO (Indium Tin Oxide), ZITO (Zinc Indium Tin Oxide), ZIO (Zinc Indium Oxide), ZTO (Zinc Tin Oxide) 등의 투명 전도성 산화물을 사용할 경우, 투명전극층(117)은 스퍼터링을 통해 증착될 수 있다.The second electrode includes a
상기 투명전극층(117) 상에는, 버스바 전극(118)이 위치한다. 물론, 상기 투명전극층(117)을 형성하지 않고 후면전계층(115) 위에 바로 그리드 전극(118)를 형성할 수도 있으나, 비정질 실리콘은 금속 그리드를 통해 캐리어(carrier)를 모으기에는 상대적으로 캐리어(carrier) 이동도가 낮으므로 투명전극층(117)을 형성하는 것이 보다 바람직하다.The
또한 버스바 전극(118)은 투명전극 상에 위치하는 핑거전극 위에도 배치될 수 있다.The
이와는 달리, 동종접합 실리콘 태양전지인 경우, 제2 전극 및 제1 전극을 동시에 형성하는 것이 아니라, 700℃ 이상의 고온 소성 공정으로 제2 전극을 형성하는 공정과 유리 프릿을 포함하지 않는 제1 전극 페이스트를 이용하여 250℃ 이하의 저온 소성으로 제1 전극을 형성하는 공정을 이원화하여 진행할 수 있다.In contrast, in the case of homojunction silicon solar cells, the first electrode paste does not include a glass frit and a process of forming the second electrode by a high temperature baking process of 700 ° C. or more, instead of simultaneously forming the second electrode and the first electrode. The process of forming a 1st electrode by the low temperature baking of 250 degrees C or less can be dualized, and it can progress.
이와 같이 결정질 실리콘 태양전지(160)를 형성한 후에, 그 위에 필요에 따라 중간층(116)을 형성한 후 보통의 페로브스카이트 태양전지(170)를 형성함으로써, 본 발명에서의 보통의 텐덤 태양전지(150)를 구현할 수 있다.After the crystalline silicon
다음으로 상기 중간층(116) 상에 위치하는 전자전달층(123)은 페로브스카이트 층(124)에서 광전 변환된 전자를 태양전지 내의 다른 구성요소(예를 들면 도전성 구조물)로 전달해 주는 역할을 수행한다.Next, the
이 때, 전자전달층(123)은 전자 전도성 유기물 층, 전자 전도성 무기물 층 또는 실리콘(Si)을 포함한 층으로 형성될 수 있다.In this case, the
또한 본 발명의 텐덤 태양전지에서는 상기 전자전달층(123)과 상기 페로브스카이트층(124) 사이에서 전자 전달 특성을 개선하고, 전자전달층(123)과 페로브스카이트층(124)의 서로 다른 성분 및 결정구조 차이로 인한 계면에서의 결함을 최소화하는 기능을 수행할 수 있도록 버퍼층(123')을 추가할 수 있다. 더 나아가 만일 상기 전자전달층(123)이 전자전달의 기능을 충분히 수행하지 못하게 되더라도, 상기 버퍼층(123') 단독으로도 어느 정도는 전자전달층의 기능을 수행할 수도 있다.In addition, in the tandem solar cell of the present invention, the electron transfer characteristics between the
다음으로 본 발명의 보통의 텐덤 태양전지는 페로브스카이트 (흡수)층을 포함한다.Next, the ordinary tandem solar cell of the present invention includes a perovskite (absorption) layer.
본 발명에서의 페로브스카이트 층은 MA(Methylamminium) 성분 또는 FA(Formamidinium) 성분을 포함한다. 보다 구체적으로 ABX3로 대표되는 페로브스카이트 흡수층에서, A는 +1가의 C1-20의 알킬기, 아민기 치환된 알킬기, 유기 아미디늄 또는 알칼리 금속 중 하나 또는 둘 이상을 포함하고, B는 Pb2 +, Sn2 +, Cu2 +, Ca2 +, Sr2+, Cd2 +, Ni2 +, Mn2 +, Fe2 +, Co2 +, Pd2 +, Ge2 +, Yb2 +, Eu2 + 중 하나 또는 둘 이상을 포함하고 X는 F-, Cl-, Br-, I- 중 하나 이상을 포함한다.The perovskite layer in the present invention comprises a MA (Methylamminium) component or FA (Formamidinium) component. More specifically in the perovskite absorbent layer represented by ABX 3 , A comprises one or two or more of a + monovalent C 1-20 alkyl group, an amine group substituted alkyl group, an organic amidium or an alkali metal, and B is Pb 2 +, Sn 2 +,
현재까지 대표적인 페로브스카이트 (흡수)층으로 사용되는 MA(Methylamminium)PbI3의 밴드 갭은 약 (1.55~1.6)eV인 것으로 알려져 있다. 반면 또 다른 페로브스카이트 흡수층으로 사용하는 FA계의 밴드 갭은 상기 MA 계열의 밴드 갭보다 더 작은 것으로 알려져 있다. 일례로, FAPbI3의 밴드 갭은 약 1.45eV이다. 그러나 Br의 첨가는 FA계 페로브스카이트 흡수층의 밴드 갭을 기존 MA계 페로브스카이트 흡수층의 밴드 갭과 유사한 정도로 크게 할 수 있다. 밴드 갭 에너지가 높은 범위까지 포함하게 되면, 기존 실리콘 태양전지 대비, 단파장의 빛을 고밴드갭 페로브스카이트층이 흡수함으로써 광자 에너지와 밴드갭과의 차이로 생기는 열적 손실을 줄여 높은 전압을 발생시킬 수 있다. 그로 인해 종국적으로는 태양전지의 효율이 높아지게 된다.To date, the band gap of methylamminium (PbI 3 ) MA, which is used as a representative perovskite (absorption) layer, is known to be about (1.55 to 1.6) eV. On the other hand, the band gap of the FA system used as another perovskite absorbing layer is known to be smaller than the band gap of the MA series. In one example, the band gap of FAPbI 3 is about 1.45 eV. However, the addition of Br can increase the band gap of the FA-based perovskite absorber layer to a degree similar to that of the existing MA-based perovskite absorber layer. When the band gap energy is included in a high range, the high band gap perovskite layer absorbs light of a short wavelength compared to the conventional silicon solar cell, thereby reducing the thermal loss caused by the difference between the photon energy and the band gap, thereby generating a high voltage. Can be. As a result, the efficiency of the solar cell is eventually increased.
한편 상기 페로브스카이트 층을 구성하는 페로브스카이트 상(phase)은 열에 매우 취약하다. ABX3로 대표되는 페로브스카이트 층은 통상 AX 조성의 유기물과 BX2 조성의 무기물을 열처리하여 ABX3 성분의 전환된다. 따라서 상기 전환을 열처리나 후속 공정에서의 열처리시 온도 및 시간이 지나치게 높거나 길게 되면 전환된 ABX3의 열분해가 일어나게 되고, 그로 인한 광전 변환 효율의 저하가 발생할 수 있다.On the other hand, the perovskite phase constituting the perovskite layer is very susceptible to heat. The perovskite layer represented by ABX 3 is usually converted to ABX 3 component by heat-treating the organic material of AX composition and the inorganic material of BX 2 composition. Therefore, if the temperature and time are too high or long during the heat treatment or subsequent heat treatment in the subsequent process, thermal decomposition of the converted ABX 3 may occur, thereby resulting in a decrease in photoelectric conversion efficiency.
본 발명에서는 상기 페로브스카이트 층을 형성한 후 정공전달층(125)를 추가로 형성할 수 있다. 상기 정공전달층(125)은 페로브스카이트 층(124)에서 광전 변환된 정공을 태양전지 내 다른 구성요소로 전달해주는 역할을 수행한다.In the present invention, the
이 때, 정공전달층(125)는 정공 전도성 유기물 층, 정공 전도성 금속 산화물 또는 실리콘(Si)을 포함한 층으로 형성될 수 있다.In this case, the
상기 정공전달층 상에는 다시 필요에 따라 전면 투명 전극층(126) 및 전면 투명 전극층(126) 상의 버스바 전극(127)을 포함한 제1 전극이 위치한다. 물론, 버스바 전극(127)은 투명전극 상에 위치하는 핑거전극 위에도 배치될 수 있다.On the hole transport layer, a first electrode including the front
이때, 투명 전극층(126)은 페로브스카이트 태양전지(120)의 상면 전체에 형성되어, 페로브스카이트 태양전지(120)에서 생성된 전하를 포집하는 역할을 한다. 이러한 투명 전극층(126)은 다양한 투명 전도성 소재로서 구현될 수 있다. 즉, 투명 전도성 소재로는 중간층(116)의 투명 전도성 소재와 동일한 것이 이용될 수 있다.At this time, the
이 때, 제1 전극(구체적으로 버스바 전극(127))은 투명 전극층(126) 상에 배치되며, 투명 전극층(126) 중 일부 영역에 배치된다.In this case, the first electrode (specifically, the busbar electrode 127) is disposed on the
제1 전극(구체적으로 버스바 전극(127))은 유리 프릿을 포함하지 않는 제1 전극 페이스트를 선택적으로 도포한 후, 제1 온도에서 저온 소성하는 것에 의해 제조될 수 있다. 여기서, 이러한 제1 전극 페이스트는 금속 입자와 저온소성용 바인더인 유기물이 포함되어 있을 수 있으며, 제1 전극 페이스트에는 유리 프릿이 포함되지 않는다. 특히, 제1 온도는 150℃ 이하, 보다 구체적으로는 100 ~ 150℃일 수 있다.The first electrode (specifically, the busbar electrode 127) may be manufactured by selectively applying a first electrode paste that does not contain a glass frit, followed by low temperature baking at a first temperature. Here, the first electrode paste may include metal particles and an organic material which is a binder for low temperature firing, and the first electrode paste does not include glass frit. In particular, the first temperature may be 150 ° C. or less, more specifically 100 ° C. to 150 ° C.
이와 같이 제조된 태양전지 셀은, 앞에서의 도 8에서 도시된 본 발명의 태양전지 모듈의 제조 방법인 셀 검사 단계, 태빙 단계, 스트링 단계, 레이업 단계, 라미네이션 단계 등을 거쳐서 도 9와 같은 본 발명의 태양전지 모듈로 완성된다.The solar cell manufactured as described above is a method as illustrated in FIG. 9 through a cell inspection step, a tabbing step, a string step, a layup step, a lamination step, and the like, which is a method of manufacturing the solar cell module of the present invention illustrated in FIG. 8. The solar cell module of the invention is completed.
<< 실시예Example >>
본 실시예는 본 발명의 구조 및 재료를 적용한 도 4 내지 7의 태양전지 모듈(200, 실시예)과 종래의 구조 및 재료를 적용한 도 2 및 3의 태양전지 모듈(100, 비교예)의 투습도를 비교한 것이다.This embodiment is a moisture permeability of the solar cell module 200 (example) of Figures 4 to 7 to which the structure and material of the present invention is applied and the solar cell module 100 (comparative example) of Figures 2 and 3 to which the conventional structure and material are applied. Is a comparison.
먼저 본 발명에서의 투습도(water vapor transmission rate, 이하 WVTR)의 측정에 사용된 장비는 Permatran W3/33 계측기로 MOCON Corp.에서 제작된 것이다. 측정 조건은 실시예 및 비교예 각각 동일한 크기의 모듈 샘플 5개에 대해 측정하여 평균하였다. 측정온도는 10~40℃, 상대습도(RH) 35~100%의 조건에서 측정하였고, 최소 측정단위는 약 0.001 g/(㎡ㆍday)의 정밀도 조건에서 측정되었다.First, the equipment used to measure the water vapor transmission rate (WVTR) in the present invention was manufactured by MOCON Corp. with a Permatran W3 / 33 measuring instrument. Measurement conditions were measured and averaged for five module samples of the same size in each of Examples and Comparative Examples. The measurement temperature was measured under conditions of 10 to 40 ° C and 35 to 100% relative humidity (RH), and the minimum measurement unit was measured under a precision condition of about 0.001 g / (
본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈(200)은 최소 1.41에서 최대 1.49 g/(㎡ㆍday)의 투습도를 가지는 것으로 측정되었고, 평균 투습도는 약 1.45 g/(㎡ㆍday)인 것으로 측정되었다.The solar cell module 200 according to the embodiment of the present invention was measured to have a water vapor transmission rate of 1.49 g / (
반면 비교예에 따른 태양전지 모듈(100)은 최소 1.89에서 최대 22 1.49 g/(㎡ㆍday)의 투습도를 가지는 것으로 측정되었다.On the other hand, the
이로부터 본 발명의 태양전지 모듈은 종래의 태양전지 모듈 대비 매우 우수한 투습도를 가지는 것을 확인하였다.From this it was confirmed that the solar cell module of the present invention has a very excellent moisture permeability compared to the conventional solar cell module.
이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.Although the present invention has been described with reference to the drawings exemplified as above, the present invention is not limited to the embodiments and drawings disclosed herein, and various modifications may be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. It is obvious that modifications can be made. In addition, even if the above described embodiments of the present invention while not explicitly described and described the effect of the effect of the configuration of the present invention, it is obvious that the effect predictable by the configuration is also to be recognized.
Claims (10)
상기 태양전지를 밀봉하는 제1 봉지재 및 제2 봉지재;
상기 제1 봉지재 상에 위치하는 제1 보호부재;
상기 제2 봉지재 상에 위치하는 제2 보호부재;
상기 제1 봉지재 및 제2 봉지재의 측면에 위치하고 상기 제1 보호부재와 제2 보호부재 사이에 위치하는 제 3 봉지재;
상기 제3 봉지재의 투습도(WVTR)는 제2 봉지재의 투습도보다 작고, 제2 봉지재의 투습도는 제1 봉지재의 투습도보다 작은 것;을 특징으로 하는 태양전지 모듈.Solar cells, including perovskite solar cells;
A first encapsulation material and a second encapsulation material for sealing the solar cell;
A first protective member positioned on the first encapsulant;
A second protective member positioned on the second encapsulant;
A third encapsulation material positioned on side surfaces of the first encapsulation material and the second encapsulation material and positioned between the first protection member and the second protection member;
The moisture permeability (WVTR) of the third encapsulation material is less than the moisture permeability of the second encapsulation material, the moisture permeability of the second encapsulation material is less than the moisture permeability of the first encapsulation material; solar cell module, characterized in that.
상기 태양전지는 페로브스카이트 태양전지 또는 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 텐덤 태양전지인 것;
을 특징으로 하는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The solar cell is a tandem solar cell including a perovskite solar cell or a perovskite solar cell;
Solar cell module characterized in that.
상기 제1 봉지재는 EVA 수지이고, 제2 봉지재는 올레핀계 수지인 것;
을 특징으로 하는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The first encapsulant is EVA resin, and the second encapsulant is olefin resin;
Solar cell module characterized in that.
상기 EVA 수지에서의 VA의 함량은 10~30 wt.%인 것;
을 특징으로 하는 태양전지 모듈.The method of claim 3,
The content of VA in the EVA resin is 10 to 30 wt.%;
Solar cell module characterized in that.
상기 제1 보호부재는 유리를 포함하는 것;
을 특징으로 하는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The first protective member comprises glass;
Solar cell module characterized in that.
상기 제2 보호부재는 TPT(Tedlar/PET/Tedlar), 유리, 금속 또는 폴리불화비닐라덴 수지층 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것;
을 특징으로 하는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The second protective member comprises at least one of TPT (Tedlar / PET / Tedlar), glass, metal, or polyvinylidene fluoride resin layers;
Solar cell module characterized in that.
상기 제3 봉지재는 부틸고무를 포함하는 것;
을 특징으로 하는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The third encapsulant comprises butyl rubber;
Solar cell module characterized in that.
상기 태양전지 모듈의 모서리에 위치하는 프레임;
상기 프레임과 상기 제3 봉지재 사이에 위치하는 모서리 봉지재를 포함하는 것;
을 특징으로 하는 태양전지 모듈.The method of claim 7, wherein
A frame located at an edge of the solar cell module;
A corner encapsulant positioned between the frame and the third encapsulant;
Solar cell module characterized in that.
상기 모듈은 상기 제1 보호부재, 제2 보호부재 및 제3 봉지재를 에워 싸는 프레임을 더 포함하는 것;
을 특징으로 하는 태양전지 모듈.The method of claim 1,
The module further comprises a frame surrounding the first protective member, the second protective member and the third encapsulant;
Solar cell module characterized in that.
상기 태양전지의 평면 방향으로의 상기 프레임의 폭은 상기 제3 봉지재의 폭보다 더 큰 것;
을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
The method of claim 9,
The width of the frame in the planar direction of the solar cell is greater than the width of the third encapsulant;
Solar cell module characterized in that.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020180062163A KR102543008B1 (en) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | Solar cell module contaning perovskite eolar cell and manufacturing method for the same |
PCT/KR2019/001407 WO2019160264A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-01-31 | Solar cell module comprising perovskite solar cell and manufacturing method thereof |
EP19754151.9A EP3754729B8 (en) | 2018-02-14 | 2019-01-31 | Solar cell module comprising perovskite solar cell and manufacturing method thereof |
US16/970,197 US20210082634A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-01-31 | Solar cell module comprising perovskite solar cell and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR20190136445A true KR20190136445A (en) | 2019-12-10 |
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Country Status (1)
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