KR20190126027A - 모듈형 ｉｇｂｔ를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택 - Google Patents

모듈형 ｉｇｂｔ를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택 Download PDF

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박건태
이세현
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현대일렉트릭앤에너지시스템(주)
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Abstract

본 발명은 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택을 개시한 것으로, 이러한 본 발명은 전력반도체소자로 4500V/1200A급 모듈형 IGBT를 구성하고, 이러한 모듈형 IGBT를 2개로 1암(ARM)을 구성하게 되는 2-병렬 회로의 2800VDC 2.5MW급 컨버터/인버터 전력스택을 구성한 것이며, 이에따라 전력 스택 조립 및 제작 공정 개선에 의한 신뢰성과 정확성을 확보하고, 전력스택의 조립에 필요한 설비소요를 감소시키며, 공장 전력시험시 시간과 비용을 절감할 수 있도록 한 것이다.

Description

모듈형 ＩＧＢＴ를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택{Converter and Inverter Power Stack Using the Module Type IGBT for the High Speed Railway}
본 발명은 고속전철용 추진제어장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전력반도체소자로 4500V/1200A급 모듈형 IGBT를 이용하여 2800VDC 2.5MW급의 컨버터/인버터 전력스택을 구성할 수 있도록 하는 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택에 관한 것이다.
고속전철은 추진제어장치를 구비하고 있으며, 상기 추진제어장치에 의해 전동기에 공급되는 전류를 제어함으로써 전동기를 구동하는 추진력을 발생시키게 되는 것이다.
상기 고속전철용 추진제어장치는 첨부된 도 1에서와 같이, 주변압기(10), 복수의 추진장치(20A)(20B) 및 복수의 제어기(30A)(30B)를 구비하며, 상기 추진장치(20A)(20B)는 복수의 컨버터(21)(22)와 인버터(23)를 각각 구비한 것이다.
따라서, 상기 주변압기(10)를 통해 가선전압 AC 25,000V로부터 감소된 AC 1,400V를 컨버터(21)(22)가 DC 2,800V로 변환하고, 인버터(23)를 통해 DC 2,800V를 AC 0 ~ 2,183V로 변환하여 열차 운행속도와 운전지령에 따라 가변하여 견인전동기(IM1,IM2)(IM3,IM4)에 전압을 공급하게 되는 것이다.
즉, 고속전철용 추진제어장치는 MCB(Main Circuit Breaker)를 투입한 후 주변압기(10)를 통해 가선전압 AC 25,000V로부터 감소된 AC 1,400V가 복수의 추진장치(20A)(20B)에 각각 구비되는 복수의 컨버터(21)(22)에 입력되면, 상기 컨버터(21)(22)는 입력된 AC 1,400V를 DC 2,800V로 승압시켜 DC링크에 에너지를 공급하게 된다.
여기서, 상기 컨버터(21)(22)는 일정 직류전압 제어를 수행하므로, 상기 DC링크 전압은 2,800V로 유지되고, 상기 DC링크 전압이 2,800V로 유지되는 것이 확인될 때, 상기 복수의 추진장치(20A)(20B)에 각각 구비되는 인버터(23)는 DC 2,800V를 AC 0 ~ 2,183V로 변환한 후 이를 열차 운행속도와 운전지령에 따라 가변하여 견인전동기(IM1,IM2)(IM3,IM4)에 각각 전압을 공급하게 되는 것이다.
한편, 첨부된 도 2에서와 같이, 고속전철용 추진제어장치의 전력회로는 복수의 컨버터 회로부(40)와 인버터 회로부(50) 및 제동쵸퍼(60)로 구성되며, 상기 복수의 컨버터 회로부(40)는 1,2군으로 이루어지는 단상 컨버터 2-병렬로 구성되면서, 1군과 2군의 컨버터(41)(42)가 각각 2개의 전력스택으로 이루어지고, 인버터 회로부(50)는 3개의 전력스택으로 구성된다.
이때, 상기 전력스택은 컨버터 회로부(40)와 인버터 회로부(50)의 전력변환시 사용되는 것으로, 이러한 전력스택은 첨부된 도 3,4에서와 같이, 전력변환을 위해 스위칭동작이 이루어지는 디스크형의 전력반도체소자(IG1)(IG2)와, 상기 디스크형의 전력반도체소자(IG1)(IG2)에 각각 병렬로 연결되는 디스크형의 다이오드(D1)(D2)와, 상기 전력반도체소자(IG1)(IG2)의 구동을 위한 제 1,2 게이트 드라이브 유니트(Gate Drive Unit)(GDU1)(GDU2)와, 상기 전력반도체소자(IG1)(IG2)의 스위칭동작중 턴-오프시 안정적인 턴-오프 동작을 위한 스너버 커패시터(SC; Snubber Capacitor), 그리고 상기 전력반도체소자(IG1)(IG2)의 스위칭 및 도통시 발생하는 스위칭 손실 및 도통 손실인 발열량을 냉각처리하도록 냉각파이프(71)를 통해 연결되는 냉각기(70)를 포함하여 구성하는 것이다.
그러나, 종래 고속차량용 2.5MW급 전력스택은 전력반도체소자(IG1)(IG2)와 다이오드(D1)(D2)의 용량이 4500V/2400A급의 디스크형(Disk Type)을 사용하고, 디스크형으로 각각 병렬 연결되는 전력반도체소자(IG1)(IG2)와 다이오드(D1)(D2)가 각각 2개 이상의 병렬 구성이 아닌 1개를 사용한 전력토폴로지(IG1, D1)(IG2, D2)로 구성되므로, 디스크형인 전력반도체소자(IG1)(IG2)와 다이오드(D1)(D2)는 특수기계장치로 압착하여 전력스택을 제작하여야 하는 한편, 특수기계장치를 이용하여 압착한 후 높은 압찰력을 유지하기 위한 구조물이 절대적으로 필요하지만, 이러한 구조물은 진동 내구성 등을 고려하여 설계되기 때문에 무게가 무겁고 차지하는 공간 및 부피가 큰 단점이 있다.
이에 따라, 디스크형인 전력반도체소자(IG1)(IG2)와 다이오드(D1)(D2)로 디스크형 IGBT를 구성한 후 이를 이용하여 2.5MW급 전력스택을 구성시, 종래에는 첨부된 도 4에서와 같은 전력스택 1개의 전체 어셈블리 무게가 약 107kG으로 운반 및 유지/보수가 불리한 단점을 가질 수 밖에 없는 것이다.
또한, 고속전철용 추진제어장치에 대한 신뢰성을 확인하고, 전력반도체소자(IG1)(IG2)에 대한 검증을 위하여 차량에 적용하기 전 공장에서 컨버터/인버터의 전력스택에 대해 전력시험을 수행하게 되는데, 전력반도체소자(IG1)(IG2)와 다이오드(D1)(D2)로 이루어지는 디스크형 IGBT를 이용하여 제작되는 전력스택은 50~75kN의 높은 압착력에 의해 압착되어야 하기 때문에 전력스택의 제작 상태 및 디스크형 IGBT의 성능과 신뢰성을 확인하도록 전력반도체소자(IG1)(IG2)로 디스크형 IGBT를 이용한 전력스택에 대한 전량 전수시험을 실시할 경우, 시험을 위한 M/H, 설비 소요 및 비용이 많이 소요되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 전력반도체소자로 4500V/1200A급 모듈형 IGBT를 구성하고, 이러한 모듈형 IGBT를 2개로 1암(ARM)을 구성하게 되는 2-병렬 회로의 2800VDC 2.5MW급 컨버터/인버터 전력스택을 구성함으로써, 전력 스택 조립 및 제작 공정 개선에 의한 신뢰성과 정확성을 확보하고, 전력스택의 조립에 필요한 설비소요를 감소시키며, 공장 전력시험시 시간과 비용을 절감할 수 있도록 하는 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택을 제공함에 그 목적이 있는 것이다.
상기 목적달성을 위한 본 발명 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택은, 전력변환을 위해 스위칭동작이 이루어지는 제 1 내지 제 4 IGBT와, 상기 제 1 내지 제 4 IGBT의 구동을 위한 제 1,2 게이트 드라이브 유니트와, 상기 제 1 내지 제 4 IGBT의 스위칭동작중 턴-오프시 안정적인 턴-오프 동작을 위한 스너버 커패시터를 포함하여 구성하고, 상기 제 1 IGBT 및 제 2 IGBT, 그리고 상기 제 3 IGBT 및 제 4 IGBT는 각각 병렬로 구성하며, 병렬로 구성되는 상기 제 1,2 IGBT와 상기 제 3,4 IGBT에는 각각 제 1,2 히트파이프를 통해 냉각기를 연결 구성한 것이다.
또한, 병렬로 구성되는 상기 제 1,2 IGBT와 상기 제 3,4 IGBT는 좌우 대칭으로 배열 구성하고, 상기 제 1,2 히트파이프는 상기 제 1,2 IGBT와 상기 제 3,4 IGBT의 냉각을 위해 상기 냉각기로부터 좌우 대칭인 상기 제 1,2 IGBT와 상기 제 3,4 IGBT로 연결되는 좌우 대칭형 구조인 것이다.
또한, 상기 제 1 내지 제 4 IGBT는 각각 전력반도체소자와 다이오드를 포함하는 모듈형 IGBT인 것이다.
또한, 상기 고속전철용 추진제어장치에는 전력회로로서 복수의 컨버터를 포함하되, 상기 복수의 컨버터는 각각 모듈형 IGBT로 구성하는 것이다.
또한, 상기 고속전철용 추진제어장치에는 전력회로로서 복수의 컨버터를 포함하되, 상기 복수의 컨버터 중 하나의 컨버터는 모듈형 IGBT로 구성하고, 다른 하나의 컨버터는 디스크형 IGBT로 구성하는 것이다.
이와 같이, 본 발명은 전력반도체소자로 4500V/1200A급 모듈형 IGBT를 구성하고, 이러한 모듈형 IGBT를 2개로 1암(ARM)을 구성하게 되는 2-병렬 회로의 2800VDC 2.5MW급 컨버터/인버터 전력스택을 구성한 것으로, 이를 통해 전력 스택 조립 및 제작 공정 개선에 의한 신뢰성과 정확성을 확보하고, 전력스택의 조립에 필요한 설비소요를 감소시키며, 공장 전력시험시 시간과 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있는 것이다.
즉, 본 발명은 철로 상에서 주행하는 컨버터/인버터 시스템으로 이루어진 고속차량용 추진제어장치의 동작 및 성능 확인에 유용하게 적용이 가능한 것으로, 특수기계장치 등의 설비소요가 감소되고 50~75kN의 압착력을 유지하기 위한 구조물이 불필요하기 때문에 무게를 감소시키는 효과를 기대할 수 있는 것이다.
또한, 동일 용량 및 성능 대비 호환이 가능한 종래 디스크형 IGBT를 적용한 전력스택과 비교시, 모듈형 IGBT를 적용하여 제작된 전력스택의 무게를 디스크형 IGBT 스택 무게의 80% 수준으로 기존 대비 20%가 감소된 약 85kG으로 감소시킬 수 있음은 물론, 전력스택의 신뢰성 및 성능을 검증하기 위하여 전수시험을 실시할 경우에 있어 시험에 소요되는 설비 및 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있는 것이다.
도 1은 종래 고속전철용 추진제어장치의 구성도.
도 2는 종래 고속전철용 추진제어장치의 컨버터와 인버터 및 쵸퍼 회로를 포함하는 전력회로도.
도 3은 종래 디스크형 IGBT가 적용되는 고속전철용 추진제어장치의 전력스택에 대한 회로도.
도 4는 종래 디스크형 IGBT가 적용되는 고속전철용 추진제어장치의 전력스택에 대한 구조도.
도 5는 본 발명의 실시예로 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택에 대한 회로도.
도 6은 본 발명의 실시예로 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택에 대한 구조도.
도 7은 본 발명의 실시예로 모듈형 IGBT와 히트파이프 및 냉각기의 개략적인 연결 구조도.
도 8은 본 발명의 실시예로 모듈형 IGBT를 적용한 전력스택의 전류 분담률 측정 파형도.
도 9는 본 발명의 실시예로 모듈형 IGBT와 디스크형 IGBT가 적용되는 전력회로의 컨버터 동작에 따른 입력전류 파형도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시예로 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택에 대한 회로도이고, 도 6은 본 발명의 실시예로 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택에 대한 구조도이며, 도 7은 본 발명의 실시예로 모듈형 IGBT와 히트파이프 및 냉각기의 개략적인 연결 구조도를 도시한 것이다.
첨부된 도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택은 전력변환을 위해 스위칭동작이 이루어지는 모듈형의 제 1 내지 제 4 IGBT(M11,M12)(M21,M22)와, 상기 모듈형의 제 1 내지 제 4 IGBT(M11,M12)(M21,M22)의 구동을 위한 제 1,2 게이트 드라이브 유니트(GDU1)(GDU2), 그리고 상기 모듈형의 제 1 내지 제 4 IGBT(M11,M12)(M21,M22)의 스위칭동작중 턴-오프시 안정적인 턴-오프 동작을 위한 스너버 커패시터(SC)를 포함하는 한편, 모듈형의 상기 제 1 IGBT(M11) 및 모듈형의 제 2 IGBT(M12), 그리고 상기 모듈형의 제 3 IGBT(M21) 및 모듈형의 제 4 IGBT(M22)를 각각 병렬로 구성함은 물론, 병렬로 구성되는 상기 모듈형의 제 1,2 IGBT(M11,M12)와 상기 모듈형의 제 3,4 IGBT(M21,M22)에 각각 제 1,2 히트파이프(101)(102)를 통해 냉각기(100)를 연결 구성하는 것이다.
이때, 상기 모듈형의 제 1 내지 제 4 IGBT(M11,M12)(M21,M22)는 각각 전력반도체소자(IG)와 다이오드(D)가 병렬 구성된 것이며, 병렬로 구성되는 상기 모듈형의 제 1,2 IGBT(M11,M12)와 상기 모듈형의 제 3,4 IGBT(M21,M22)는 좌우 대칭으로 배열 구성하고, 상기 제 1,2 히트파이프(101)(102)는 상기 모듈형의 제 1,2 IGBT(M11,M12)와 상기 모듈형의 제 3,4 IGBT(M21,M22)의 냉각을 위해 상기 냉각기(100)로부터 좌우 대칭인 상기 모듈형의 제 1,2 IGBT(M11,M12)와 상기 모듈형의 제 3,4 IGBT(M21,M22)로 연결되는 좌우 대칭형의 구조로 구성하는 것이다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 모듈형의 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택은 첨부된 도 5 내지 도 7에서와 같이, 전력변환을 위한 전력반도체소자(IG)와 다이오드(D)를 포함하는 모듈형의 IGBT(M11,M12,M21,M22)를 4개 구성하는 한편, 상기 4개의 모듈형 IGBT(M11,M12,M21,M22)에서 제 1,2 IGBT(M11,M12)를 병렬로 구성하는 한편, 제 3,4 IGBT(M21,M22)를 병렬로 구성한다.
그리고, 상기 병렬로 연결되는 상기 모듈형의 제 1,2 IGBT(M11,M12)와 상기 모듈형의 제 3,4 IGBT(M21,M22)에는 각각 구동을 위한 제 1,2 게이트 드라이브 유니트(GDU1)(GDU2)를 연결시킴은 물론, 상기 모듈형의 제 1,2 IGBT(M11,M12)와 상기 모듈형의 제 3,4 IGBT(M21,M22)가 상기 제 1,2 게이트 드라이브 유니트(GDU1)(GDU2)에 의해 스위칭동작을 하여 턴-오프시 안정적인 턴-오프 동작을 위한 스너버 커패시터(SC)가 연결되는 한편, 상기 모듈형의 제 1,2 IGBT(M11,M12)와 상기 모듈형의 제 3,4 IGBT(M21,M22)의 냉각을 위한 냉각기(100)를 좌우 대칭의 제 1,2 히트파이프(101)(102)를 연결시켜 전력스택을 구성하게 되는 것이다.
여기서, 첨부된 도 8은 상기와 같이 구성되는 본 발명 전력스택의 모듈형인 제 1 내지 제 4 IGBT(M11,M12)(M21,M22)를 첨부된 도 2의 전력회로에 포함되는 컨버터 회로부에 장착한 후 전력회로 시험을 한 컨버터 입력 전류의 파형도를 보여주는 것으로, 병렬로 연결되는 모듈형의 제 1,2 IGBT(M11,M12)와 모듈형의 제 3,4 IGBT(M21,M22)의 스위칭동작시 전류분담이 효율적으로 이루어지고, 이에따라 전력회로의 컨버터 회로부가 안정적인 컨버터 동작을 수행하고 있음을 확인할 수 있었다.
또한, 첨부된 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 모듈형 IGBT를 이용한 2개의 전력스택을 첨부된 도 2의 전력회로에 포함되는 컨버터 회로부에서 1군의 컨버터에 장착하고, 종래 디스크형 IGBT를 적용한 2개의 전력스택을 전력회로의 컨버터 회로부에서 2군의 컨버터에 장착하여, 모듈형과 디스크형의 IGBT가 혼용되는 전력스택이 적용되는 전력회로의 컨버터 회로부에 대한 입력전류 파형도를 보여주는 것으로, 이는 본 발명에서 제시하는 모듈형 IGBT의 전력스택과 종래 디스크형 IGBT의 전력스택의 상호간 간섭 및 지장없이 안정적으로 컨버터 동작이 이루어지고 있음을 확인할 수 있었으며, 이에따라 본 발명은 고속전철용 추진제어장치의 전반적인 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택에 대한 기술사상을 첨부도면과 함께 서술하였지만, 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
따라서, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와같은 변경은 청구범위 기재의 범위내에 있게 된다.
100; 냉각기 101; 제 1 히트파이프
102; 제 2 히트파이프

Claims (2)

  1. 전력변환을 위해 스위칭동작이 이루어지는 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22)와, 상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22)의 구동을 위한 제1 및 제2 게이트 드라이브 유니트와, 상기 제1 내지 제4 IGBT의 스위칭 동작중 턴-오프시 안정적인 턴-오프 동작을 위한 스너버 커패시터를 포함하여 구성하고,
    상기 제1 IGBT 및 제 2 IGBT(M11,M12)는 서로 병렬 연결되고, 상기 제3 IGBT 및 제4 IGBT(M21,M22)는 서로 병렬 연결되며, 병렬로 연결된 상기 제1 및 제2 IGBT(M11,M12)는 병렬 연결된 상기 제3 및 제4 IGBT(M21,M22)와 직렬 연결되어 스택 구조를 형성하며,
    병렬로 연결된 상기 제1 및 제2 IGBT(M11,M12)와, 병렬로 연결된 상기 제3 및 제4 IGBT(M21,M22)는 각각 서로 마주보도록 일정 간격으로 이격되어 배열되고, 상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12, M21,M22) 각각은 서로 분리된 기판들 상에 각각 배치되며,
    상기 기판들은, 상기 기판들 중 적어도 일부 사이에 빈 공간이 존재하도록 배치되고,
    상기 제1 게이트 드라이버 유니트는 상기 분리된 기판의 제1 및 제2 IGBT에 연결되고 상기 제2 게이트 드라이브 유니트는 상기 분리된 기판의 제3 및 제4 IGBT에 연결되고, 상기 스너버 커패시터는 상기 분리된 기판의 제1 내지 제4 IGBT에 연결되며,
    상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22) 각각은 상기 기판들 각각에 연결된 복수의 히트 파이프(101,102)를 통해 상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22)의 스위칭 동작에 의한 발열량을 냉각 처리하는 냉각기(100)에 연결되어 냉각되고,
    상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22)는 각각 전력반도체소자와 다이오드를 포함하는 4500V급 모듈형 IGBT인 것을 특징으로 하는 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택(200).
  2. 입력된 교류 전력을 각각 직류 전력으로 변환하는 복수의 컨버터(41,42)를 포함하고,
    상기 복수의 컨버터(41,42)는 상기 교류 전력이 입력되는 입력단에 병렬 연결되며,
    상기 복수의 컨버터 각각은 전력 스택(200)을 포함하고,
    상기 복수의 컨버터 각각의 전력 스택(200)은
    전력변환을 위해 스위칭동작이 이루어지는 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22)와, 상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22)의 구동을 위한 제1 및 제2 게이트 드라이브 유니트와, 상기 제1 내지 제4 IGBT의 스위칭 동작중 턴-오프시 안정적인 턴-오프 동작을 위한 스너버 커패시터를 포함하여 구성하고,
    상기 제1 IGBT 및 제 2 IGBT(M11,M12)는 서로 병렬 연결되고, 상기 제3 IGBT 및 제4 IGBT(M21,M22)는 서로 병렬 연결되며, 병렬로 연결된 상기 제1 및 제2 IGBT(M11,M12)는 병렬 연결된 상기 제3 및 제4 IGBT(M21,M22)와 직렬 연결되어 스택 구조를 형성하고,
    병렬로 연결된 상기 제1 및 제2 IGBT(M11,M12)와, 병렬로 연결된 상기 제3 및 제4 IGBT(M21,M22)는 각각 서로 마주보도록 일정 간격으로 이격되어 배열되고, 상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12, M21,M22) 각각은 서로 분리된 기판들 상에 각각 배치되며,
    상기 기판들은, 상기 기판들 중 적어도 일부 사이에 빈 공간이 존재하도록 배치되고,
    상기 제1 게이트 드라이버 유니트는 상기 분리된 기판의 제1 및 제2 IGBT에 연결되고 상기 제2 게이트 드라이브 유니트는 상기 분리된 기판의 제3 및 제4 IGBT에 연결되고, 상기 스너버 커패시터는 상기 분리된 기판의 제1 내지 제4 IGBT에 연결되며,
    상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22) 각각은 상기 기판들 각각에 연결된 복수의 히트 파이프(101,102)를 통해 상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22)의 스위칭 동작에 의한 발열량을 냉각 처리하는 냉각기(100)에 연결되어 냉각되고,
    상기 제1 내지 제4 IGBT(M11,M12,M21,M22)는 각각 전력반도체소자와 다이오드를 포함하는 4500V급 모듈형 IGBT인 것을 특징으로 하는 모듈형 IGBT를 이용한 고속전철용 추진제어장치의 전력스택을 갖는 고속 전철용 추진 장치.
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