KR20190119880A - Method of manufacturing a panel with light emitting devices - Google Patents

Method of manufacturing a panel with light emitting devices Download PDF

Info

Publication number
KR20190119880A
KR20190119880A KR1020180043387A KR20180043387A KR20190119880A KR 20190119880 A KR20190119880 A KR 20190119880A KR 1020180043387 A KR1020180043387 A KR 1020180043387A KR 20180043387 A KR20180043387 A KR 20180043387A KR 20190119880 A KR20190119880 A KR 20190119880A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
growth substrate
manufacturing
growth
Prior art date
Application number
KR1020180043387A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
황성민
임원택
Original Assignee
주식회사 소프트에피
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 소프트에피 filed Critical 주식회사 소프트에피
Priority to KR1020180043387A priority Critical patent/KR20190119880A/en
Priority to PCT/KR2019/004492 priority patent/WO2019199144A1/en
Publication of KR20190119880A publication Critical patent/KR20190119880A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

A method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel comprises: a step of forming a removal layer on a growth substrate; a step of growing a semiconductor light emitting part on the removal layer; a step of separating the semiconductor light emitting part from the growth substrate, - when the semiconductor light emitting part is separated into a plurality of semiconductor light emitting parts, a step of separating the semiconductor light emitting part from the growth substrate in a state where the removal layer between the growth substrate and each of the semiconductor light emitting parts is partly removed to leave a part of the removal layer - ; a step of attaching the substrate to some or all of the plurality of semiconductor light emitting parts. It is possible to perform a separation process without a laser lift off method.

Description

반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법{METHOD OF MANUFACTURING A PANEL WITH LIGHT EMITTING DEVICES}METHODS OF MANUFACTURING A PANEL WITH LIGHT EMITTING DEVICES

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 미니 엘이디(폭이 100㎛ 정도), 마이크로 엘이디폭이 100㎛ 미만의 소자)를 패널을 부착하되, 대부분의 공정이 웨이퍼 레벨에서 이루어지는, 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel as a whole, and in particular, a mini LED (a device having a width of about 100 μm) and a micro LED having a width of less than 100 μm is attached to a panel. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel, which is made at the wafer level.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자(LED, LD)를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting device refers to a semiconductor optical device that generates light through recombination of electrons and holes, for example, group III nitride semiconductor light emitting devices (LED, LD). The group III nitride semiconductor consists of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). In addition, GaAs type semiconductor light emitting elements used for red light emission, etc. are mentioned.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art.

도 1은 미국 등록특허공보 제8,349,116호에 제시된 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자(200)를 이송용 캐리어(100)를 이용하여 기판(300)으로 전사(transfer)하는 과정이 제시되어 있다. 210은 접합층, 220은 전극층, 250은 마이크로 LED 발광부, 260은 유전체 보호막, 310은 전기적 접점이다.FIG. 1 is a view illustrating an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel disclosed in US Patent No. 8,349,116. The semiconductor light emitting device 200 is transferred to a substrate 300 using a transfer carrier 100. The process of transferring is shown. Reference numeral 210 is a bonding layer, 220 is an electrode layer, 250 is a micro LED light emitting unit, 260 is a dielectric protective film, and 310 is an electrical contact.

도 2는 미국 등록특허공보 제8,794,501호에 제시된 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 지지용 캐리어 내지 지지 기판(400)에, 웨이퍼 상태의 마이크로 LED 발광부(250)를 부착한 다음(a), 레이저 리프트-오프, 습식 식각 등의 방법으로 성장 기판(230)을 제거하고(b), 연마, 습식 식각, 건식 식각 등의 방법으로 반도체 하부층(230)을 제거함으로써, 마이크로 LED 발광부(250)를 개별화하는 기술이 제시되어 있다. 이러한 상태에서, 필요한 공정을 거친 다음, 도 1에 제시된 것과 같은 이용송 캐리어(100)를 이용하여 마이크로 LED 발광부(250)를 기판(300)으로 이송시켜 반도체 발광소자 패널을 제조하게 된다. FIG. 2 is a view illustrating an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device panel disclosed in US Patent No. 8,794,501. First, a micro LED light emitting unit 250 in a wafer state on a support carrier or a support substrate 400 is illustrated. ), Then the growth substrate 230 is removed by laser lift-off or wet etching (b), and the semiconductor underlayer 230 is removed by polishing, wet etching, or dry etching. By doing so, a technique of individualizing the micro LED light emitting unit 250 is proposed. In this state, after the necessary process, the micro LED light emitting unit 250 is transferred to the substrate 300 by using the carrier carrier 100 as shown in Figure 1 to manufacture a semiconductor light emitting device panel.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This is described later in the section titled 'Details of the Invention.'

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all, provided that this is a summary of the disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법에 있어서, 성장 기판 위에 제거층을 형성하는 단계; 제거층 위에 반도체 발광부를 성장시키는 단계; 반도체 발광부를 성장 기판으로 분리하는 단계;로서, 반도체 발광부가 복수의 반도체 발광부로 개별화되어 있는 상태에서, 성장 기판과 각 반도체 발광부 사이의 제거층을 일부 제거하여 제거층이 일부만 남겨진 상태에서 복수의 반도체 발광부를 성장 기판으로부터 분리하는 단계: 그리고 복수의 반도체 발광부의 일부 또는 전부를 도통하도록 기판에 부착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure (According to one aspect of the present disclosure), a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel, comprising: forming a removal layer on a growth substrate; Growing a semiconductor light emitting part on the removal layer; Separating the semiconductor light emitting part into a growth substrate, wherein the semiconductor light emitting part is separated into a plurality of semiconductor light emitting parts, and a part of the removing layer between the growth substrate and each semiconductor light emitting part is removed so that a plurality of the removing layers remain. Separating the semiconductor light emitting part from the growth substrate; and attaching the semiconductor light emitting part to the substrate so as to conduct some or all of the plurality of semiconductor light emitting parts.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This is described later in the section titled 'Details of the Invention.'

도 1은 미국 등록특허공보 제8,349,116호에 제시된 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제8,794,501호에 제시된 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따라 반도체 발광부를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따라 반도체 발광부를 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따라 반도체 발광부를 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 9 내지 도 11은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 예들을 나타내는 도면,
도 12 내지 도 15는 본 개시에 따라 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 예들을 나타내는 도면,
도 16 및 도 17은 본 개시에 따라 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 18은 본 개시에 따라 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광부를 선택적으로 이송하는 방법의 예들을 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel shown in US Patent No. 8,349,116,
2 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel shown in US Patent No. 8,794,501;
3 illustrates an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting unit according to the present disclosure;
4 is a view showing still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting unit according to the present disclosure;
5 is a view showing still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting unit according to the present disclosure;
6 illustrates an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
7 is a view showing still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
8 is a view showing still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
9 to 11 show still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
12 to 15 illustrate examples of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel according to the present disclosure;
16 and 17 illustrate still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel according to the present disclosure;
18 illustrates another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel according to the present disclosure;
19 illustrates examples of a method for selectively transferring a semiconductor light emitting portion according to the present disclosure.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).

도 3은 본 개시에 따라 반도체 발광부를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 성장 기판(10; 예: 사파이어 기판)을 준비한다(단계①). 성장 기판(10)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si 등의 물질로 이루어질 수 있으며, 반도체의 성장이 가능하다면 특별한 제한은 없다. 이하, 반도체로 3족 질화물 반도체를 예로 하고, 성장 기판(10)으로 사파이어 기판을 예로 하여 설명한다. 다음으로, 반도체의 안정적 성장을 위한 버퍼층 내지 씨앗층(20; 예: AlN)을 성장 기판(10) 위에 준비한다(단계②). 버퍼층(20)은 GaN, AlGaN, AlN, CrN 등의 물질로 이루어질 수 있으며, 성장 기판(10)과 반도체의 격자 상수 및 열팽창 계수의 차이를 극복하고 양질의 반도체를 성장시킬 수 있는 물질이라면 특별한 제한은 없다. 마지막으로, 반도체 발광부(30; 예: LED)를 버퍼층(20) 위에 형성한다(단계③). 예를 들어, 반도체 발광부(30)는 n형 반도체층(Si-doped GaN), 활성층(예: InGaN/GaN 다중양자우물구조), p형 반도체층(Mg-doped GaN)으로 이루어질 수 있다. 반도체 발광부(30)는 PN 접합을 이용하고, 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 발광하는 구조라면 특별한 제한은 없다. 버퍼층(20)과 반도체 발광부(30)는 MOCVD와 같은 증착법을 통해 성장될 수 있다.3 is a view illustrating an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting unit according to the present disclosure. First, a growth substrate 10 (eg, a sapphire substrate) is prepared (step ①). The growth substrate 10 may be made of a material such as sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, etc., there is no particular limitation as long as the growth of the semiconductor is possible. Hereinafter, a group III nitride semiconductor is used as the semiconductor and a sapphire substrate is used as the growth substrate 10 as an example. Next, a buffer layer to seed layer 20 (for example, AlN) for stably growing the semiconductor is prepared on the growth substrate 10 (step ②). The buffer layer 20 may be made of a material such as GaN, AlGaN, AlN, CrN, and the like, and any material may be used to overcome the difference in lattice constants and thermal expansion coefficients of the growth substrate 10 and the semiconductor and grow a high-quality semiconductor. There is no. Finally, the semiconductor light emitting part 30 (for example, LED) is formed on the buffer layer 20 (step ③). For example, the semiconductor light emitting unit 30 may include an n-type semiconductor layer (Si-doped GaN), an active layer (for example, an InGaN / GaN multi-quantum well structure), and a p-type semiconductor layer (Mg-doped GaN). The semiconductor light emitting unit 30 is not particularly limited as long as it emits light by using a PN junction and recombination of electrons and holes. The buffer layer 20 and the semiconductor light emitting part 30 may be grown by a deposition method such as MOCVD.

도 4는 본 개시에 따라 반도체 발광부를 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 성장 기판(10; 예: 사파이어 기판)을 준비한다(단계①; 도 3 참조). 다음으로, 성장 기판(10) 위에 버퍼층(20)을 형성한다(단계②; 도 3 참조). 다음으로, 버퍼층(20) 위에 반도체 성장 방지막(21; 예: SiO2)을 형성한다(단계④). 다음으로, 반도체 성장 방지막(21)에 복수의 반도체 성장용 개구(22)를 형성한다(단계⑤). 복수의 반도체 성장용 개구(22)는 반도체 성장 방지막(21)을 포토리소그라피 공정과 건식 식각을 통해 패터닝하여 버퍼층(20)을 노출시킴으로써 형성될 수 있다. 또한 복수의 반도체 성장용 개구(22)를 가지는 반도체 성장 방지막(21)은 복수의 반도체 성장용 개구(22)에 대응하도록 포토레지스트(PR)를 형성한 다음, 반도체 성장 방지막(21)을 증착하고, 포토레지스트를 제거함으로써 형성할 수 있다. 반도체 성장 방지막(21)은 SiO2, SiNx과 같은 유전체 물질로 이루어질 수 있으며, 반도체의 성장이 억제되는 물질이라면 특별히 제한이 있는 것은 아니다. 복수의 반도체 성장용 개구(22)를 가지는 반도체 성장 방지막(21)을 먼저 형성하고, 버퍼층(20)을 형성하는 것도 가능하다. 복수의 반도체 성장용 개구(22)의 형상으로, 6각형, 4각형(예: 사다리꼴, 마름모꼴) 등을 예로 들 수 있으며, 반도체층의 성장이 가능하다면 특별히 제한이 있는 것은 아니다. 예시와 같이, C면 사파이어를 성장 기판(10)으로 할 때, 각 반도체 성장용 개구(22)의 면이 a축 방향을 가지도록 6각형, 4각형 등으로 구성할 수 있다. 성장용 개구(22)의 면이 a축 방향이면, 즉, 성장용 개구(22)에 의해 노출된 성장 기판(10)의 면이 a축 방향이며, 3족 질화물 반도체층(예: GaN)의 각 면은 m면이 형성된다. 3족 질화물 반도체층(예: GaN)의 m면은 m축 방향으로 성장이 잘 되지 않는 특성이 있으며, 따라서 성장되는 반도체 발광부(30)의 측면들(즉, 반도체 발광부(30)의 횡당면)이 성장용 개구(22)의 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다. 나아가, 성장 조건의 조정을 통해, 반도체 발광부(30) 상면을 면적을 성장용 개구(22)의 면적보다 작게 만들 수도 있으며, 이를 통해 각 반도체 발광부(30)가 접합(coalesce)되지 않는 것을 확실히 보장하는 것이 가능해지면, 성장용 개구(22)를 보다 밀하게 배치하는 것이 가능해진다. 이 경우에, 반도체 발광부(30)의 측면이 경사져서 광추출 효율을 높이는 것도 가능하다. 또한 반도체 발광부(30)의 횡단면이 대칭 형상을 가지게 형성함으로써, 이후 공정에서 반도체 발광부(30)의 방향을 특별히 고려할 필요가 없으므로, 공정(예: 팹 공정)의 편의도 도모할 수 있는 이점을 가진다. 한편, 6각형으로 된 성장용 개구(22)의 각 꼭지점들을 a축 방향을 향하게 하거나 원형으로 된 성장용 개구(22)를 이용하는 것을 고려할 수 있으며, 이 경우에는 성장용 개구(22) 보다 다소 큰 면적을 가지며, 측면들이 m면으로 된 반도체 발광부(30)를 성장될 수 있다. 한편, 성장이 완료된 반도체 발광부(30)는 습식 식각을 통해 그 측면을 방위가 바뀔 수 있으며, 예를 들어, m면으로 된 측면을 a면이 되도록 습식 식각하는 것이 가능하다. 4 is a diagram illustrating still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting unit according to the present disclosure. First, a growth substrate 10 (eg, a sapphire substrate) is prepared (step 1; see FIG. 3). Next, a buffer layer 20 is formed on the growth substrate 10 (step ②; see FIG. 3). Next, a semiconductor growth prevention film 21 (for example, SiO 2 ) is formed on the buffer layer 20 (step ④). Next, a plurality of semiconductor growth openings 22 are formed in the semiconductor growth prevention film 21 (step ⑤). The plurality of semiconductor growth openings 22 may be formed by patterning the semiconductor growth preventing film 21 through a photolithography process and dry etching to expose the buffer layer 20. In addition, the semiconductor growth prevention film 21 having the plurality of semiconductor growth openings 22 forms a photoresist PR so as to correspond to the plurality of semiconductor growth openings 22, and then deposits the semiconductor growth prevention film 21. It can form by removing a photoresist. The semiconductor growth prevention film 21 may be made of a dielectric material such as SiO 2 or SiN x, and is not particularly limited as long as the growth of the semiconductor is suppressed. It is also possible to first form the semiconductor growth preventing film 21 having the plurality of semiconductor growth openings 22 and to form the buffer layer 20. Examples of the shape of the plurality of semiconductor growth openings 22 include hexagonal and tetragonal shapes (eg, trapezoids, diamonds), and the like, and there is no particular limitation as long as the semiconductor layer can be grown. As an example, when the C surface sapphire is used as the growth substrate 10, the surface of each semiconductor growth opening 22 can be formed in a hexagon, a hexagon, or the like so as to have an a-axis direction. When the surface of the growth opening 22 is in the a-axis direction, that is, the surface of the growth substrate 10 exposed by the growth opening 22 is in the a-axis direction, and the group III nitride semiconductor layer (for example, GaN) Each face is formed with an m face. The m plane of the group III nitride semiconductor layer (eg, GaN) has a property of poor growth in the m-axis direction, and thus, the sides of the grown semiconductor light emitting portion 30 (that is, per side of the semiconductor light emitting portion 30). Surface) may have the same shape as that of the growth opening 22. Furthermore, by adjusting the growth conditions, the area of the upper surface of the semiconductor light emitting portion 30 may be made smaller than the area of the growth opening 22, thereby preventing the semiconductor light emitting portions 30 from being bonded. When it is possible to ensure surely, it becomes possible to arrange the growth openings 22 more densely. In this case, it is also possible to incline the side surface of the semiconductor light emitting portion 30 to increase the light extraction efficiency. In addition, since the cross-section of the semiconductor light emitting portion 30 is formed to have a symmetrical shape, there is no need to consider the direction of the semiconductor light emitting portion 30 in a subsequent process, it is possible to facilitate the process (for example, fab process) Has On the other hand, it is conceivable to use the growth openings 22 in which the vertices of the hexagonal growth openings 22 are oriented in the a-axis direction, or in this case, somewhat larger than the growth openings 22. The semiconductor light emitting part 30 having an area and having side surfaces thereof may be grown. On the other hand, the growth of the semiconductor light emitting unit 30 may change the orientation of the side through the wet etching, for example, it is possible to wet-etch the side of the m surface to be a surface.

정리하면, 성장용 개구(22)의 방위, 성장 조건, 에칭 조건을 조절함으로써, 반도체 발광부(30)의 형상을 제어할 수 있으며, 이를 통해 반도체 발광부(30)의 에측하지 못한 성장(abnormal growth)을 억제하는 한편, 최종적으로 팹 공정에 필요한 형상을 갖도록 하는 것이 가능해진다. 더 바람직하게는, 반도체 발광부(30)의 측면이 성장의 속도가 빠르지 않은 방위 내지 면을 가지도록 성장용 개구(22)를 설계함으로써, 전술한 이점을 가지게 하는 것이 가능하다. 복수의 반도체 성장용 개구(22)의 크기 및 간격은 성장될 반도체 발광부(30)의 크기에 따라 달라질 수 있으며, 예를 들어, 반도체 발광부(30)가 50㎛의 폭을 가진다면 마찬가지로 50㎛의 폭을 가지도록 형성된다. 간격은 이웃한 반도체 성장용 개구(22)에서 성장된 반도체 발광부(30)가 서로 접합(coalesce)되지 않는 폭인 것이 바람직하다. 마지막으로, 반도체 발광부(30)를 형성한다(단계③'). 반도체 성장 방지막(21)이 형성되어 있으므로, 반도체 발광부(30)의 성장은 복수의 반도체 성장용 개구(22)에서만 주로 이루어진다. 반도체 발광부(30)를 위에서 본 형상은 복수의 반도체 성장용 개구(22)의 형상에 의해 영향을 받아서, 6각형, 4각형(사다리꼴, 마름모꼴) 등으로 형성될 수 있다. 이러한 형상을 가짐으로써, 단순히 직사각형 내지 정사각형 형상을 가지는 경우에 비해 광취출 효율을 높이는 것이 가능해진다. 3족 질화물 반도체는 C면 사파이어 위에서 성장되는 경우에, 상면은 동일하게 C면이지만, 도 4에 표시된 형태로 m축과 a축 방향을 가진다(도 5 참조).In summary, the shape of the semiconductor light emitting portion 30 can be controlled by adjusting the orientation, growth conditions, and etching conditions of the growth opening 22, thereby making the semiconductor light emitting portion 30 unpredictable. While suppressing the growth, it is possible to finally have the shape required for the fab process. More preferably, it is possible to have the above-mentioned advantages by designing the growth openings 22 such that the side surfaces of the semiconductor light emitting portion 30 have orientations or planes at which the growth rate is not fast. The size and spacing of the plurality of semiconductor growth openings 22 may vary depending on the size of the semiconductor light emitting portion 30 to be grown. For example, if the semiconductor light emitting portion 30 has a width of 50 μm, the same may be 50. It is formed to have a width of μm. The interval is preferably a width at which the semiconductor light emitting portions 30 grown in the neighboring semiconductor growth openings 22 are not bonded to each other. Finally, the semiconductor light emitting portion 30 is formed (step ③ '). Since the semiconductor growth prevention film 21 is formed, the growth of the semiconductor light emitting portion 30 mainly occurs only in the plurality of semiconductor growth openings 22. The shape of the semiconductor light emitting portion 30 viewed from above may be formed into a hexagonal shape, a tetragonal shape (trapezoid, a lozenge) or the like by being influenced by the shape of the plurality of semiconductor growth openings 22. By having such a shape, it becomes possible to raise light extraction efficiency compared with the case where it has a rectangle or square shape only. When the group III nitride semiconductor is grown on the C surface sapphire, the upper surface is the same as the C surface, but has the m-axis and a-axis directions in the form shown in FIG. 4 (see FIG. 5).

도 5는 본 개시에 따라 반도체 발광부를 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 성장 기판(10; 예: 사파이어 기판)을 준비한다(단계①; 도 3 참조). 다음으로, 성장 기판(10) 위에 버퍼층(20; 예: AlN)을 형성한다(단계②; 도 3 참조). 다음으로, 버퍼층(20) 위에 식각 방지막(23; 예: SiO2)을 형성한다(단계: ⑤'). 식각 방지막(23)은 반도체 성장 방지막(22)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 다음으로, 버퍼층(20)과 성장 기판(10)을 건식 식각과 같은 방법을 통해 제거하며, 이 때 식각 방지막(23)이 형성된 영역은 제거되지 않고 유지된다. 제거되어 노출된 성장 기판(10)의 영역(11)이 반도체 성장 방지 영역으로 기능한다. 남겨진 버퍼층(20)의 형상은 도 5에 제시된 성장 방지용 개구(22)와 동일한 형태를 가질 수 있으며, 특별히 제한이 있는 것은 아니다. 마지막으로, 반도체 발광부(30)를 형성한다(단계③"). 성장 기판(10)의 노출된 영역(11)이 반도체 성장 방지막(21)과 같은 기능을 하므로, 반도체 발광부(30)의 성장은 남겨진 버퍼층(20) 위에서만 주로 이루어진다. 반도체 발광부(30)를 위에서 본 형상은 도 4에 제시된 반도체 발광부(30)의 형상과 동일하다.FIG. 5 is a diagram illustrating still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting unit according to the present disclosure. First, a growth substrate 10 (eg, a sapphire substrate) is prepared (step 1; see FIG. 3). Next, a buffer layer 20 (eg, AlN) is formed on the growth substrate 10 (step ②; see FIG. 3). Next, an etch stop layer 23 (eg, SiO 2 ) is formed on the buffer layer 20 (step ⑤ ′). The etch stop layer 23 may be formed in the same manner as the semiconductor growth stop layer 22. Next, the buffer layer 20 and the growth substrate 10 are removed by a method such as dry etching, and the region where the etch stop layer 23 is formed is maintained without being removed. The region 11 of the growth substrate 10 removed and exposed serves as a semiconductor growth prevention region. The shape of the remaining buffer layer 20 may have the same shape as the growth preventing opening 22 shown in FIG. 5, and is not particularly limited. Finally, the semiconductor light emitting part 30 is formed (step ③ "). Since the exposed region 11 of the growth substrate 10 functions as the semiconductor growth preventing film 21, the semiconductor light emitting part 30 is formed. The growth is mainly performed only on the remaining buffer layer 20. The shape of the semiconductor light emitting portion 30 seen from above is the same as that of the semiconductor light emitting portion 30 shown in FIG.

도 6은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 도 3에 제시된 방법에 따라 제조된 반도체 발광부(30)를 준비한다(단계③). 다음으로, 식각(예: ICP 에칭)을 통해 에피 레벨의 반도체 발광부(30)를 칩 레벨의 반도체 발광부(30)로 개별화한다(단계⑦). 여기에는, 건식 식각, 습식 식각 등의 방법이 사용될 수 있으며, 칩 레벨의 반도체 발광부(30)를 결과할 수만 있다면 특별한 제한은 없다. 개별화의 과정에서 버퍼층(20)은 일부 남겨져도 좋지만, 후속 공정을 고려하면 제거되는 것이 바람직하다. 마지막으로, 습식 식각을 통해, 반도체 발광부(30)와 성장 기판(10) 사이에 위치하는 버퍼층(20: 예 AlN)의 일부를 제거한다(단계⑧). 식각의 정도는 반도체 발광부(30)가 성장 기판(10)에 여전히 고정되어 있는 한편, 후속 공정에서 반도체 발광부(30)가 성장 기판(10)으로부터 쉽게 분리될 수 있는 정도로 한다. 이러한 의미에서 버퍼층(20)을 제거층이라 할 수 있으며, 제거층은 성장 기판(10)과 반도체 발광부(30)의 사이에서 습식 식각을 통해 그 일부가 제거될 수 있는 수 있다면 반드시 성장 기판(10)에 접하여 형성되어야 하는 것은 아니다. 예를 들어, AlN가 버퍼층(20)으로 사용되는 경우에, 습식 식각 용액으로 KOH(Potassium hydroxide), AZ400K, KOH: ethylene glycol(혼합용액), H3PO4 (Phosphoric acid) 등이 사용될 수 있으며, KOH 용액의 경우는 온도는 20~80℃ 정도가 적당하며, 필요시 에틸렌글리콜 용액을 첨가하여 80~200℃ 온도에서도 공정이 가능하다. 에칭 시간은 에칭 용액의 온도에 매우 의존적이다. 수분에서 수십 시간 동안 가능하다. 식각되고 남은 버퍼층(20)의 폭이 반도체 발광부(30)의 폭의 20% 이하가 되도록 식각 조건을 조절할 수 있다. 필요에 따라, 반도체 발광부(30)에 전극(50)을 형성하는 공정이 행해진다(단계⑨). 이 공정은 반도체 발광부(30)와 래터럴 칩(Lateral Chip), 플립 칩(Flip Chip), 수직형 칩(Vertical Chip)이냐에 따라 달라질 수 있으며, 이에 따라 전극의 갯수도 달라질 수 있다.6 is a view illustrating an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. First, a semiconductor light emitting unit 30 manufactured according to the method shown in FIG. 3 is prepared (step ③). Next, the epitaxial semiconductor light emitting part 30 is separated into the chip level semiconductor light emitting part 30 through etching (for example, ICP etching) (step ⑦). Here, a method such as dry etching or wet etching may be used, and there is no particular limitation as long as it can result in the semiconductor light emitting unit 30 at the chip level. The buffer layer 20 may be partially left in the process of individualization, but is preferably removed in consideration of the subsequent process. Finally, a portion of the buffer layer 20 (eg AlN) positioned between the semiconductor light emitting part 30 and the growth substrate 10 is removed by wet etching (step ⑧). The degree of etching is such that the semiconductor light emitting portion 30 is still fixed to the growth substrate 10 while the semiconductor light emitting portion 30 can be easily separated from the growth substrate 10 in a subsequent process. In this sense, the buffer layer 20 may be referred to as a removal layer, and if the removal layer can be partially removed through wet etching between the growth substrate 10 and the semiconductor light emitting part 30, the growth substrate ( It does not have to be formed in contact with 10). For example, when AlN is used as the buffer layer 20, KOH (Potassium hydroxide), AZ400K, KOH: ethylene glycol (mixed solution), H 3 PO 4 (Phosphoric acid) may be used as the wet etching solution. In case of KOH solution, the temperature is about 20 ~ 80 ℃, and if necessary, the process can be performed at 80 ~ 200 ℃ by adding ethylene glycol solution. The etching time is very dependent on the temperature of the etching solution. Possible to dozens of hours in minutes. The etching conditions may be adjusted such that the width of the buffer layer 20 remaining after etching is 20% or less of the width of the semiconductor light emitting part 30. As needed, the process of forming the electrode 50 in the semiconductor light-emitting part 30 is performed (step ⑨). This process may vary depending on whether the semiconductor light emitting unit 30, the lateral chip (Lateral Chip), flip chip (Flip Chip), vertical chip (Vertical Chip), and the number of electrodes can also vary.

도 7은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 도 4에 제시된 방법에 따라 제조된 반도체 발광부(30)를 준비한다(단계③'). 다음으로, 반도체 식각 방지막(21)을 제거한다(단계⑦'). 제거 과정에서 버퍼층(20)이 제거될 수 있음은 물론이다. 마지막으로, 습식 식각을 통해, 반도체 발광부(30)와 성장 기판(10) 사이에 위치하는 버퍼층(20: 예 AlN)의 일부를 제거한다(단계⑧). 도 6에 제시된 예와 달리 에피 성장의 과정에서 반도체 발광부(30)가 이미 개별화되어 있으므로, 단계⑦은 필요하지 않다. 필요에 따라, 반도체 발광부(30)에 전극(50)을 형성하는 공정이 행해진다(단계⑨).FIG. 7 illustrates another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. First, a semiconductor light emitting unit 30 manufactured according to the method shown in FIG. 4 is prepared (step ③ ′). Next, the semiconductor etch stop layer 21 is removed (step ⑦ '). Of course, the buffer layer 20 may be removed in the removal process. Finally, a portion of the buffer layer 20 (eg AlN) positioned between the semiconductor light emitting part 30 and the growth substrate 10 is removed by wet etching (step ⑧). Unlike the example shown in FIG. 6, since the semiconductor light emitting part 30 is already individualized in the process of epitaxial growth, step ⑦ is not necessary. As needed, the process of forming the electrode 50 in the semiconductor light-emitting part 30 is performed (step ⑨).

도 8은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 도 5에 제시된 방법에 따라 제조된 반도체 발광부(30)를 준비한다(단계③"). 다음으로, 습식 식각을 통해, 반도체 발광부(30)와 성장 기판10) 사이에 위치하는 버퍼층(20: 예 AlN)의 일부를 제거한다(단계⑧). 도 6에 제시된 예와 달리 에피 성장의 과정에서 반도체 발광부(30)가 이미 개별화되어 있으므로, 단계⑦은 필요하지 않으며, 성장 기판(10)의 노출 영역(11)이 구비되어 있어 식각액의 침투가 용이한 이점을 추가로 가진다. 필요에 따라, 반도체 발광부(30)에 전극(50)을 형성하는 공정이 행해진다(단계⑨).FIG. 8 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. First, a semiconductor light emitting unit 30 manufactured according to the method shown in FIG. 5 is prepared (step ③ ″). By using wet etching, a portion of the buffer layer 20 (eg AlN) positioned between the semiconductor light emitting part 30 and the growth substrate 10 is removed (step ⑧), unlike the example shown in FIG. Since the semiconductor light emitting portion 30 is already individualized, the step ⑦ is not necessary, and the exposed region 11 of the growth substrate 10 is provided, so that the etching liquid can be easily penetrated. The process of forming the electrode 50 in the semiconductor light emitting portion 30 is performed (step ⑨).

도 9 내지 도 11은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 예들을 나타내는 도면으로서, 도 6 내지 도 10에 제시된 예들과 달리, 단계⑧에 앞서 단계⑨가 행해진다. 이를 통해, 전극(50)을 형성하는 단계(단계⑨)에서 얇아진 버퍼층(20)으로 인해 성장 기판(10)과 반도체 발광부(30)가 분리되어 공정 불량을 일으키는 것을 방지할 수 있게 된다. 다만, 도 10에 제시된 예와 관련하여, 전극(50)을 형성하는 단계(단계⑨)가 반도체 식각 방지막(21; 도 4 참조)을 제거하는 단계(단계⑦')에 앞서 행해질 수도 있다.9 to 11 illustrate still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Unlike the examples shown in FIGS. 6 to 10, step 9 is performed before step 8. As a result, in the forming of the electrode 50 (step ⑨), the growth substrate 10 and the semiconductor light emitting part 30 may be separated from each other by the thin buffer layer 20, thereby preventing a process defect. However, in relation to the example shown in FIG. 10, the step (step ⑨) of forming the electrode 50 may be performed prior to the step (step ⑦ ′) of removing the semiconductor etch stop layer 21 (see FIG. 4).

도 12 내지 도 15는 본 개시에 따라 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 예들을 나타내는 도면으로서, 도 9에 제시된 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 도 10 및 도 11에 제시된 반도체 발광소자에 적용될 수 있음은 물론이다.12 to 15 are diagrams showing examples of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel according to the present disclosure, which will be described using the semiconductor light emitting device shown in FIG. 9 as an example. Of course, it can be applied to the semiconductor light emitting device shown in FIG.

먼저, 도 12에 제시된 바와 같이 적어도 반도체 발광부(30)를 고정물(60)로 덮어 고정한다(단계⑩; 고정물(60)이 전극(50)을 노출하도록 반도체 발광부(30)를 감싸는 것도 가능하다). 전술한 바와 같이, 전극(50)은 형성되지 않은 상태일 수 있다. 고정물(60)은 반도체 공정에서 널리 이용되는 에폭시, 폴리이미드 등일 수 있으며, 반도체 발광부(30)를 후속하는 공정에서 고정할 수 있는 물질이라면 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 에폭시를 도포한 다음 경화시킴으로써, 고정물(60)이 형성될 수 있다. 다음으로, 반도체 발광부(30)와 일체로 된 고정물(60)을 성장 기판(10)으로부터 분리한다(단계⑪). 일반적으로 고정물(60)과 성장 기판(10)의 결합력은 높지 않으므로, 반도체 발광부(30)와 성장 기판(10)의 분리하는 것에 초점을 맞춘 분리방법이 사용될 수 있다. 한편, 본 개시에 있어서, 반도체 발광부(30)와 성장 기판(10)은 이미 일부가 제거된 버퍼층(20)에 의해 서로 붙어 있으므로, 레이저 리프트 오프와 같은 방법을 사용하지 않고도, 이들을 분리하는 것이 가능하다. 예를 들어, 고정물(60)와 성장 기판(10) 양측에 진공 척을 부착하여, 분리되는 방향으로 힘을 가함으로써, 이들을 분리하는 것이 가능하다. 횡단력(shear stress)를 가할 수 있음은 물론이다. 즉, 기계적인 힘을 통해 이들을 분리할 수 있다. 필요에 따라, 성장 기판(10)과 계면 접착력이 높이 않은 물질을 선택하는 것도 가능하다. 다른 예로서, 단계⑨의 상태에서, 도 17(a)에 제시된 형태의 캐리어(71)를 준비한 다음, 습식 식각을 통해 버퍼층(20)을 제거하는 것도 가능하다. 또한, 버퍼층(20), 고정물(60) 및 성장 기판(10) 간의 열팽창 계수의 차이에 기인하는 열적 스트레스(thermal stress)를 이용하여 이들을 분리하는 것이 가능하다. 예를 들어, 성장 기판(10)로 사용되는 사파이어의 열팽창계수는 7×10-6℃ 정도이고, 고정물(60)로 일반적으로 사용되는 폴리머의 열팽창계수는 70×10-6℃ 정도로서, 약 10배 정도 차이를 보인다. 이러한 팽창계수 차이를 이용하여 가열 및 냉각 과정을 1회 내지 수차 반복하여 계면 사이에 열적 스트레스를 발생시켜 분리하는 것이 가능하다. 다음으로, 남겨진 잔류물을 에싱을 통해 제거한다(단계⑫). 잔류물의 제거는 산소 플라즈마를 이용한 에싱공정으로 쉽게 제거가 가능하다. 실제 버퍼층(20)의 두께는 30nm 정도여서 제거를 하지 않아도 문제가 없으며, 필요하다면, Ar 플라즈마를 이용하여 제거하는 것이 가능하다.First, as shown in FIG. 12, at least the semiconductor light emitting unit 30 is covered and fixed by the fixture 60 (step ⑩; it is also possible to surround the semiconductor light emitting unit 30 so that the fixture 60 exposes the electrode 50. Do). As described above, the electrode 50 may not be formed. The fixture 60 may be epoxy, polyimide, or the like widely used in a semiconductor process, and there is no particular limitation as long as it is a material capable of fixing the semiconductor light emitting unit 30 in a subsequent process. For example, the fixture 60 can be formed by applying and then curing the epoxy. Next, the fixture 60 integrated with the semiconductor light emitting portion 30 is separated from the growth substrate 10 (step VII). In general, since the bonding force between the fixture 60 and the growth substrate 10 is not high, a separation method focused on separating the semiconductor light emitting portion 30 and the growth substrate 10 may be used. On the other hand, in the present disclosure, since the semiconductor light emitting portion 30 and the growth substrate 10 are attached to each other by the buffer layer 20 having already been partially removed, it is not necessary to separate them without using a method such as laser lift-off. It is possible. For example, by attaching a vacuum chuck to both sides of the fixture 60 and the growth substrate 10 and applying a force in a separating direction, it is possible to separate them. Of course, it is possible to apply a shear stress. That is, they can be separated by mechanical force. If necessary, it is also possible to select a material having high interfacial adhesion with the growth substrate 10. As another example, in the state of step 9, it is also possible to prepare the carrier 71 of the type shown in Fig. 17 (a), and then remove the buffer layer 20 by wet etching. It is also possible to separate them using thermal stresses resulting from the difference in coefficient of thermal expansion between the buffer layer 20, the fixture 60 and the growth substrate 10. For example, the thermal expansion coefficient of the sapphire used as the growth substrate 10 is about 7 × 10 -6 ℃, the thermal expansion coefficient of the polymer generally used as the fixture 60 is about 70 × 10 -6 ℃, about 10 The difference is about twice. By using the expansion coefficient difference, it is possible to generate and separate thermal stress between the interfaces by repeating the heating and cooling processes one to several times. Next, the remaining residue is removed by ashing (step VII). The residue can be easily removed by an ashing process using an oxygen plasma. Since the thickness of the actual buffer layer 20 is about 30 nm, there is no problem even if it is not removed. If necessary, the buffer layer 20 can be removed using an Ar plasma.

도 13은 본 개시에 따라 플립 칩 형태인 반도체 발광소자를 캐리어로 이송하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 잔류물이 제거된 측(A)에 접착제를 이용하여 캐리어(70)를 부착한다(단계⑬). 캐리어(70)는 휨이 덜한 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 예를 들어, 유리, 사파이어 등으로 이루어질 수 있고, 특별한 제한은 없다. 다음으로, 고정물(60)의 일부를 제거하여 전극(50)을 노출시킨다(단계⑭). 다음으로, 전극 패드(81)가 마련된 기판(80)에 솔더링, 유테틱 본딩, 페이스트 등의 방법으로 전극(50)을 부착한다(단계⑮). 마지막으로, 고정물(60)과 캐리어(70)를 제거하여, 반도체 발광소자 패널을 완성한다.FIG. 13 is a view showing an example of a method of transferring a semiconductor light emitting device having a flip chip shape to a carrier according to the present disclosure. First, the carrier 70 is attached to the side A from which residue is removed using an adhesive. (Step ⑬) Carrier 70 is preferably made of a material of less bending, for example, may be made of glass, sapphire and the like, there is no particular limitation. Next, a part of the fixture 60 is removed to expose the electrode 50 (step VII). Next, the electrode 50 is attached to the substrate 80 provided with the electrode pad 81 by soldering, eutectic bonding, paste, or the like (step VII). Finally, the fixture 60 and the carrier 70 are removed to complete the semiconductor light emitting device panel.

도 14는 본 개시에 따라 수직형 칩 형태인 반도체 발광소자를 캐리어로 이송하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 전극(50)이 구비된 측(B)에 접착제를 이용하여 고정물(60)에 캐리어(70)를 부착하고(단계⑬'), 잔류물이 제거된 측(A)에서 반도체 발광부(30)에 추가의 전극(51)을 형성한다(단계⑭'). 다음으로, 전극 패드(81)가 마련된 기판(80)에 추가의 전극(51)을 부착한다(단계⑮'). 마지막으로, 고정물(60)과 캐리어(70)를 제거하여, 반도체 발광소자 패널을 완성한다.FIG. 14 is a view illustrating an example of a method of transferring a semiconductor light emitting device having a vertical chip shape to a carrier according to the present disclosure. First, a fixture 60 is formed by using an adhesive on a side B provided with an electrode 50. The carrier 70 is attached to the carrier 70 (step ′ '), and an additional electrode 51 is formed on the semiconductor light emitting portion 30 at the side A from which the residue is removed (step ′ ′). Next, the additional electrode 51 is attached to the board | substrate 80 with which the electrode pad 81 was provided (step # '). Finally, the fixture 60 and the carrier 70 are removed to complete the semiconductor light emitting device panel.

도 15는 본 개시에 따라 래트럴 칩 형태인 반도체 발광소자를 캐리어로 이송하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 버퍼층(20; 도 12 참조)이 제거된 측(A)의 반대 측(C)에 접착제를 이용하여 캐리어(70)를 부착한다(단계⑬"). 다음으로, 버퍼층(20; 도 12 참조)이 제거된 측(A)을 접착제를 이용하여 기판(80)에 부착한다(단계⑮"). 다음으로, 고정물(60)과 캐리어(70)를 제거하여, 전극(50)을 노출시키고, 3D 프린팅 등의 방법으로 배선(도시 생략)을 하여 반도체 발광소자 패널을 완성한다. 필요에 따라, 고정물(60)의 일부가 남겨지는 것도 가능하다.FIG. 15 is a view illustrating an example of a method of transferring a semiconductor light emitting device having a lattice chip shape to a carrier according to the present disclosure. First, an opposite side of the side A from which the buffer layer 20 (see FIG. 12) is removed ( The carrier 70 is attached to C) using an adhesive (step VII). Next, the side A from which the buffer layer 20 (see Fig. 12) is removed is attached to the substrate 80 using an adhesive. (Step ⑮ "). Next, the fixture 60 and the carrier 70 are removed, the electrode 50 is exposed, and wiring (not shown) is performed by 3D printing or the like to complete the semiconductor light emitting device panel. If necessary, a part of the fixture 60 may be left.

도 16 및 도 17은 본 개시에 따라 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 단계⑨를 통해 수직형 칩을 형성한 후에, 바로 고정물(60)과 캐리어(70)를 형성하고(단계⑩'''), 성장 기판(10)을 제거한 다음(단계⑪'''), 추가의 전극(51)을 형성하고(단계⑬''), 추가의 고정물(61)과 추가의 캐리어(76)를 부착한 다음(단계⑭'''), 고정물(60)과 캐리어(70)를 제거하고(단계⑭""), 전극(50)을 기판(80)에 마련된 전극 패드(81)에 본딩하여 반도체 발광소자 패널을 완성한다.16 and 17 are diagrams illustrating still another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel according to the present disclosure. After the vertical chip is formed through the step ⑨, the fixture 60 and the carrier 70 are immediately formed. Forming (step VII '), removing the growth substrate 10 (step VII'), then forming additional electrodes 51 (step VII '') and adding additional fixtures 61 and After attaching the carrier 76 (step ′ '″), the fixture 60 and the carrier 70 are removed (step ″ ″), and the electrode 50 is provided with an electrode pad provided on the substrate 80. 81) to complete the semiconductor light emitting device panel.

도 18은 본 개시에 따라 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 단계⑨를 통해 수직형 칩을 형성한 후에, 고정물(60)과 캐리어(70)의 부착없이, 성장 기판(10)을 캐리어로 이용하여 전극(50)과 기판(80)에 마련된 전극 패드(81)를 본딩하고(단계⑮""), 성장 기판(10)을 제거하여, 반도체 발광소자 패널을 완성한다.18 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel according to the present disclosure, after forming a vertical chip through step ⑨, without the attachment of the fixture 60 and the carrier 70, growth Bonding the electrode 50 and the electrode pad 81 provided on the substrate 80 using the substrate 10 as a carrier (step ″ ″) and removing the growth substrate 10 to complete the semiconductor light emitting device panel. do.

도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광부를 선택적으로 이송하는 방법의 예들을 나타내는 도면으로서, UV 반응성 테이프 또는 UV 반응성 물질이 부착된 플레이트를 캐리어(71)를 이용하여 UV를 조사함으로써 반도체 발광부(30)를 선택(하나, 하나 이상, 또는 전부)적으로 이송하거나(a), 반도체 발광부(30)에 닿지 않는 홈(72)을 구비하는 캐리어(73; 예: 패터닝된 실리콘 기판)를 이용하거나(b,c), 반도체 발광부(30)에 닿는 돌기(4)를 구비하는 캐리어(75: 예: 패터닝된 실리콘 기판)를 이용하는(d) 등의 방법이 가능하다. 한편 (e)에 도시된 바와 같이, 성장 기판(10)에 반도체 발광부(30)가 분리되지 않은 상태에서 캐리어(76)를 부착한 다음, 이를 유체(91; 예: 물)가 들어있는 챔버(90)에 넣고, 가열 및/또는 냉각을 1회 또는 수회 행함으로써, 물질들간의 열팽창 계수의 차이로 인해, 성장 기판(10)이 분리되도록 하는 것이 가능하다.19 is a view illustrating examples of a method for selectively transferring a semiconductor light emitting unit according to the present disclosure. The semiconductor light emitting unit 30 is irradiated with UV by using a carrier 71 on a UV reactive tape or a plate having a UV reactive material attached thereto. ) May be selectively (one, more than one, or all) transferred (a) or using a carrier 73 (eg, a patterned silicon substrate) having a groove 72 that does not touch the semiconductor light emitting portion 30 (b, c), (d) using a carrier 75 (eg, a patterned silicon substrate) having a projection 4 in contact with the semiconductor light emitting portion 30 is possible. Meanwhile, as shown in (e), the carrier 76 is attached to the growth substrate 10 in a state in which the semiconductor light emitting part 30 is not separated, and then the chamber containing the fluid 91 (for example, water) is included. It is possible to cause the growth substrate 10 to be separated due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the materials by placing it in the 90 and performing the heating and / or cooling once or several times.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법에 있어서, 성장 기판 위에 제거층을 형성하는 단계; 제거층 위에 반도체 발광부를 성장시키는 단계; 반도체 발광부를 성장 기판으로 분리하는 단계;로서, 반도체 발광부가 복수의 반도체 발광부로 개별화되어 있는 상태에서, 성장 기판과 각 반도체 발광부 사이의 제거층을 일부 제거하여 제거층이 일부만 남겨진 상태에서 복수의 반도체 발광부를 성장 기판으로부터 분리하는 단계: 그리고 복수의 반도체 발광부의 일부 또는 전부를 도통하도록 기판에 부착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(1) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel, comprising: forming a removal layer on a growth substrate; Growing a semiconductor light emitting part on the removal layer; Separating the semiconductor light emitting part into a growth substrate, wherein the semiconductor light emitting part is separated into a plurality of semiconductor light emitting parts, and a part of the removing layer between the growth substrate and each semiconductor light emitting part is removed so that a plurality of the removing layers remain. Separating the semiconductor light emitting portion from the growth substrate; and attaching the semiconductor light emitting portion to the substrate so as to conduct some or all of the plurality of semiconductor light emitting portions.

(2) 분리하기에 앞서, 성장 기판 위에서, 고정물을 이용하여 복수의 반도체 발광부를 감싸는 단계;를 더 포함하며, 복수의 반도체 발광부는 고정물에 고정된 상태에서 성장 기판으로부터 분리되고, 고정물에 고정된 상태에서 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(2) prior to separating, surrounding the plurality of semiconductor light emitting units using a fixture on the growth substrate, wherein the plurality of semiconductor light emitting units are separated from the growth substrate in a state of being fixed to the fixture, and fixed to the fixture. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel, characterized in that attached to the substrate in a state.

(3) 고정물을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(3) removing the fixture, the method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel further comprising.

(4) 성장시키는 단계에서, 복수의 반도체 발광부가 성장 기판에서 부분적으로 성장되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(4) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel, wherein in the growing step, a plurality of semiconductor light emitting portions are partially grown on a growth substrate.

(5) 부착하는 단계에 앞서, 고정물에 캐리어를 부착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(5) prior to the step of attaching, attaching a carrier to the fixture; manufacturing method of a semiconductor light emitting device panel comprising a.

(6) 부착하는 단계에서, 복수의 반도체 발광부의 선택적으로 이송시키는 캐리어를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(6) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel, wherein in the attaching step, a carrier for selectively transferring a plurality of semiconductor light emitting units is used.

(7) 분리하는 단계에서, 제거층과 성장 기판의 열팽창 계수의 차이를 이용하여 복수의 반도체 발광부를 성장 기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(7) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel, wherein in the separating step, the plurality of semiconductor light emitting parts are separated from the growth substrate by using a difference between the thermal expansion coefficients of the removal layer and the growth substrate.

(8) 제거층이 성장 기판에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(8) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel, wherein the removing layer is formed in contact with the growth substrate.

(9) 부착하는 단계에 앞서, 각 반도체 발광부에 추가의 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(9) prior to attaching, forming an additional electrode in each semiconductor light emitting portion.

(10) 추가의 전극 측에 추가의 고정물을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.(10) forming an additional fixture on an additional electrode side; further comprising a method for manufacturing a semiconductor light emitting device panel.

10: 성장 기판, 30: 반도체 발광부, 50: 전극, 60: 고정물, 70: 캐리어, 80: 기판10: growth substrate, 30: semiconductor light emitting portion, 50: electrode, 60: fixture, 70: carrier, 80: substrate

Claims (10)

반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법에 있어서,
성장 기판 위에 제거층을 형성하는 단계;
제거층 위에 반도체 발광부를 성장시키는 단계;
반도체 발광부를 성장 기판으로 분리하는 단계;로서, 반도체 발광부가 복수의 반도체 발광부로 개별화되어 있는 상태에서, 성장 기판과 각 반도체 발광부 사이의 제거층을 일부 제거하여 제거층이 일부만 남겨진 상태에서 복수의 반도체 발광부를 성장 기판으로부터 분리하는 단계: 그리고
복수의 반도체 발광부의 일부 또는 전부를 도통하도록 기판에 부착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel,
Forming a removal layer on the growth substrate;
Growing a semiconductor light emitting part on the removal layer;
Separating the semiconductor light emitting part into a growth substrate, wherein the semiconductor light emitting part is separated into a plurality of semiconductor light emitting parts, and a part of the removing layer between the growth substrate and each semiconductor light emitting part is removed so that a plurality of the removing layers remain. Separating the semiconductor light emitting portion from the growth substrate: and
Attaching to the substrate so as to conduct some or all of the plurality of semiconductor light emitting parts. 청구항 1에 있어서,
분리하기에 앞서, 성장 기판 위에서, 고정물을 이용하여 복수의 반도체 발광부를 감싸는 단계;를 더 포함하며,
복수의 반도체 발광부는 고정물에 고정된 상태에서 성장 기판으로부터 분리되고, 고정물에 고정된 상태에서 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Before separating, further comprising the step of wrapping the plurality of semiconductor light emitting portion using a fixture on the growth substrate,
And a plurality of semiconductor light emitting parts separated from the growth substrate in a state of being fixed to the fixture, and attached to the substrate in a state of being fixed to the fixture. 청구항 2에 있어서,
고정물을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.The method according to claim 2,
Removing the fixture; Method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel further comprising. 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 한 항에 있어서,
성장시키는 단계에서, 복수의 반도체 발광부가 성장 기판에서 부분적으로 성장되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
In the growing step, a plurality of semiconductor light emitting parts are partially grown on the growth substrate. 청구항 4에 있어서,
부착하는 단계에 앞서, 고정물에 캐리어를 부착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.The method according to claim 4,
Prior to the step of attaching, attaching a carrier to the fixture; manufacturing method of a semiconductor light emitting device panel comprising a. 청구항 1에 있어서,
부착하는 단계에서, 복수의 반도체 발광부의 선택적으로 이송시키는 캐리어를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
In the attaching step, a method for manufacturing a semiconductor light emitting device panel, characterized in that using a carrier for selectively transferring a plurality of semiconductor light emitting portion. 청구항 1에 있어서,
분리하는 단계에서, 제거층과 성장 기판의 열팽창 계수의 차이를 이용하여 복수의 반도체 발광부를 성장 기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
And separating the plurality of semiconductor light emitting parts from the growth substrate by using a difference between the thermal expansion coefficients of the removal layer and the growth substrate. 청구항 7에 있어서,
제거층이 성장 기판에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.The method according to claim 7,
A removal layer is formed in contact with a growth substrate. 청구항 1에 있어서,
부착하는 단계에 앞서, 각 반도체 발광부에 추가의 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
The method of manufacturing a semiconductor light emitting device panel further comprising the step of forming an additional electrode prior to the attaching, each semiconductor light emitting portion. 청구항 10에 있어서,
추가의 전극 측에 추가의 고정물을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법.


The method according to claim 10,
Forming an additional fixture on the side of the additional electrode; manufacturing method of a semiconductor light emitting device panel comprising a further.


KR1020180043387A 2018-04-13 2018-04-13 Method of manufacturing a panel with light emitting devices KR20190119880A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180043387A KR20190119880A (en) 2018-04-13 2018-04-13 Method of manufacturing a panel with light emitting devices
PCT/KR2019/004492 WO2019199144A1 (en) 2018-04-13 2019-04-15 Wafer for semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device panel by using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180043387A KR20190119880A (en) 2018-04-13 2018-04-13 Method of manufacturing a panel with light emitting devices

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200079278A Division KR20200096884A (en) 2020-06-29 2020-06-29 Method of manufacturing a panel with light emitting devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190119880A true KR20190119880A (en) 2019-10-23

Family

ID=68461021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180043387A KR20190119880A (en) 2018-04-13 2018-04-13 Method of manufacturing a panel with light emitting devices

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20190119880A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210112878A (en) * 2020-03-06 2021-09-15 웨이브로드 주식회사 Light emitting device and method of manufacturing the same
KR20220092827A (en) * 2020-08-20 2022-07-04 주식회사 소프트에피 Method of trransferring light emitting portion
KR102437208B1 (en) * 2021-03-03 2022-08-30 웨이브로드 주식회사 Method of transffering a light emitting device to a supporting substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210112878A (en) * 2020-03-06 2021-09-15 웨이브로드 주식회사 Light emitting device and method of manufacturing the same
KR20220092827A (en) * 2020-08-20 2022-07-04 주식회사 소프트에피 Method of trransferring light emitting portion
KR102437208B1 (en) * 2021-03-03 2022-08-30 웨이브로드 주식회사 Method of transffering a light emitting device to a supporting substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109390437B (en) Micro light-emitting diode device and manufacturing method thereof
JP5091233B2 (en) Vertical light emitting device and manufacturing method thereof
TWI764872B (en) Lift off process for chip scale package solid state devices on engineered substrate
KR100610632B1 (en) Manufacturing method of led having vertical structure
JP3520270B2 (en) Light emitting diode and method of manufacturing the same
US7781242B1 (en) Method of forming vertical structure light emitting diode with heat exhaustion structure
KR102532278B1 (en) Wafer for light emitting device and method of manufacturing a panel with the same
US12068166B2 (en) Semiconductor substrate
US8486730B2 (en) Method of separating light-emitting diode from a growth substrate
JP2013541221A (en) Light emitting device with improved extraction efficiency
JP2007266571A (en) Led chip, its manufacturing method, and light emitting device
KR20190119880A (en) Method of manufacturing a panel with light emitting devices
US20240118508A1 (en) Micro led array for optical communication
US20240120435A1 (en) Method for manufacturing a micro led display using parallel mass transport
KR100752348B1 (en) Method of producing light emitting diode having vertical structure
KR20060127623A (en) Method of manufacturing pattened substrate and manufacturing light emitting diode thereby
KR102275366B1 (en) Method of trransferring light emitting portion
US20050127388A1 (en) Light-emitting device and forming method thereof
KR20090028229A (en) Gan-based light emitting diode and method for fabricating the same
KR20200096884A (en) Method of manufacturing a panel with light emitting devices
JP2008282942A (en) Semiconductor element, and manufacturing method thereof
KR20060057855A (en) Gan-based compound semiconductor light emitting device and method thereof
US20120161175A1 (en) Vertical structure light emitting diode and method of manufacturing the same
KR20200076233A (en) Method For Transferring a Red Micro Light-Emitting Diode
KR20090028235A (en) Gan-based light emitting diode and method for fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application