KR20190117907A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20190117907A
KR20190117907A KR1020180040844A KR20180040844A KR20190117907A KR 20190117907 A KR20190117907 A KR 20190117907A KR 1020180040844 A KR1020180040844 A KR 1020180040844A KR 20180040844 A KR20180040844 A KR 20180040844A KR 20190117907 A KR20190117907 A KR 20190117907A
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김경모
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus, in which a polishing process of a substrate is performed, includes: a substrate holding unit on which the substrate is held; and a polishing brush polishing the substrate while rolling-rotating with respect to a surface of the substrate, thereby increasing processing efficiency of the substrate and improving polishing stability and polishing uniformity.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate Processing Unit {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of increasing processing efficiency of a substrate and improving polishing stability and polishing uniformity.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, with increasing interest in information display and increasing demand for using a portable information carrier, a lightweight flat panel display (FPD), which replaces a conventional display device, a cathode ray tube (CRT), is used. The research and commercialization of Korea is focused on.

이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of flat panel display devices, the light and low power consumption of the liquid crystal display device (LCD) has been the most noticeable display device, but the liquid crystal display device is not a light emitting device but a light receiving device, and the brightness and contrast ratio (contrast) Due to disadvantages such as ratio, viewing angle, and the like, development of a new display device capable of overcoming these disadvantages is being actively developed. Among these, one of the next-generation displays that are in the spotlight recently is an organic light emitting display (OLED).

일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.In general, a glass substrate having excellent strength and transmittance is used in a display apparatus. In recent years, since a display apparatus is aimed at slimming and high-pixel, a corresponding glass substrate should be prepared.

일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.For example, as one of the OLED processes, in the laser laser annealing (ELA) process in which a laser is injected to amorphous silicon (a-Si) and crystallized into polysilicon (poly-Si), polysilicon crystallizes and projections may occur on the surface. And such protrusions may generate mura-effects, so the glass substrate must be able to be polished to remove the protrusions.

이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, in recent years, various studies have been made to efficiently polish the surface of a substrate, but there is still a need for development thereof.

본 발명은 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to provide the substrate processing apparatus which can raise the processing efficiency of a board | substrate, and can improve polishing stability and polishing uniformity.

또한, 본 발명은 기판을 연마하는 연마브러쉬의 컨디셔닝 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to be able to improve the conditioning efficiency of the polishing brush for polishing the substrate.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는데 소요되는 시간을 단축하고, 생산성 및 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, it is an object of the present invention to shorten the time required to process a substrate and to improve productivity and yield.

또한, 본 발명은 기판을 연속적으로 공급하여 처리할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to be able to process and supply a board | substrate continuously.

또한, 본 발명은 설비를 간소화할 수 있으며, 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention can be to simplify the equipment, and to reduce the manufacturing cost.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명은, 기판이 거치되는 기판거치부와, 기판의 표면에 대해 구름 회전하며 기판을 연마하는 연마브러쉬를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention for achieving the above object of the present invention provides a substrate processing apparatus including a substrate mounting portion on which the substrate is mounted, and a polishing brush for rolling the substrate while rolling about the surface of the substrate.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of increasing the processing efficiency of the substrate and improving polishing stability and polishing uniformity.

또한, 본 발명에 따르면, 기판을 연마하는 연마브러쉬의 컨디셔닝 효율을 향상시키고, 컨디셔닝 시간에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of improving the conditioning efficiency of the polishing brush for polishing the substrate, and shortening the time required for conditioning time.

또한, 본 발명에 따르면, 기판을 처리하는데 소요되는 시간을 단축하고, 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to shorten the time required for processing the substrate and to obtain an advantageous effect of improving productivity and yield.

또한, 본 발명에 따르면, 기판을 연속적으로 공급하여 처리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, an advantageous effect of continuously supplying and processing a substrate can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면, 설비를 간소화하고, 제조 비용을 절감할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to simplify the equipment, reduce the manufacturing cost, and obtain an advantageous effect of improving the space utilization.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마브러쉬를 설명하기 위한 측면도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 컨디셔너를 설명하기 위한 측면도,
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 컨디셔너의 다른 실시예를 설명하기 위한 측면도,
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마브러쉬 제어부를 설명하기 위한 도면,
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 압력챔버의 압력 변화에 따른 브러쉬몸체의 형태 변화를 설명하기 위한 도면,
도 8 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention;
Figure 2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a side view for explaining a polishing brush,
3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a side view for explaining a conditioner;
4 is a side view for explaining another embodiment of the conditioner as the substrate processing apparatus according to the present invention;
5 is a substrate processing apparatus according to the present invention, which illustrates a polishing brush controller;
6 and 7 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining the shape change of the brush body according to the pressure change of the pressure chamber,
8 to 10 are views for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and may be described by referring to the contents described in the other drawings under these rules, and the contents determined to be obvious to those skilled in the art or repeated may be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마브러쉬를 설명하기 위한 측면도이다. 또한, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 컨디셔너를 설명하기 위한 측면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 컨디셔너의 다른 실시예를 설명하기 위한 측면도이다. 그리고, 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마브러쉬 제어부를 설명하기 위한 도면이고, 도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 압력챔버의 압력 변화에 따른 브러쉬몸체의 형태 변화를 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a side view for explaining a polishing brush. 3 is a side view illustrating a conditioner as a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a side view illustrating another embodiment of a conditioner as a substrate processing apparatus according to the present invention. And, Figure 5 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining a polishing brush control unit, Figures 6 and 7 are substrate processing apparatus according to the present invention, the shape of the brush body according to the pressure change of the pressure chamber It is a figure for demonstrating a change.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)이 거치되는 기판거치부(210)와, 기판(W)의 표면에 대해 구름 회전하며 기판(W)을 연마하는 연마브러쉬(232)를 포함한다.1 to 7, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a substrate mounting portion 210 on which the substrate W is mounted, and the substrate W while rolling on the surface of the substrate W. ), A polishing brush 232 for polishing.

이는, 기판(W)의 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 정확도 및 연마 균일도를 향상시키기 위함이다.This is to increase the processing efficiency of the substrate of the substrate W and to improve polishing accuracy and polishing uniformity.

즉, 기판보다 작은 크기를 갖는 판 형태의 원형 연마패드를 기판의 상면에 수직한 회전축을 중심으로 자전 회전시켜 기판을 연마하는 것도 가능하나, 연마패드가 접촉되는 기판의 영역별로(서로 다른 연마 부위별로) 연마패드를 기판에 가압하는 가압력의 오차가 발생하면 기판의 영역별로 연마량의 차이가 발생되고 연마 균일도가 저하되는 문제점이 있다.That is, it is possible to polish the substrate by rotating the plate-shaped circular polishing pad having a smaller size than the substrate about the rotation axis perpendicular to the upper surface of the substrate, but for each region of the substrate to which the polishing pad is in contact (different polishing sites). When the error of the pressing force for pressing the polishing pad to the substrate occurs, there is a problem that a difference in polishing amount occurs for each region of the substrate and polishing uniformity is lowered.

또한, 기판보다 큰 크기를 갖는 연마패드를 자전 회전시켜 기판을 연마하는 것도 가능하나, 큰 사이즈의 연마패드를 자전시키기 위해서는 매우 큰 회전 장비 및 설치 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되는 문제점이 있다.In addition, the polishing pad having a larger size than the substrate can be rotated to polish the substrate. However, since the rotating apparatus and the installation space are required to rotate the polishing pad of a large size, space efficiency and design freedom are reduced. There is a problem.

하지만, 본 발명은 기판(W)에 대해 구름 회전하는 연마브러쉬(232)에 의해 기판을 연마하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 기판의 일단에서 타단까지 기판을 동시에 연마하는 것이 가능하고, 기판의 일단에서 타단까지 연마브러쉬(232)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하고, 기판의 연마 균일도를 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the polishing of the substrate by the polishing brush 232 rolling in rotation with respect to the substrate (W), it is possible to simultaneously polish the substrate from one end to the other end of the substrate without significantly reducing the space efficiency and design freedom It is possible to achieve an advantageous effect of keeping the polishing amount by the polishing brush 232 uniformly from one end to the other end of the substrate as a whole and increasing the polishing uniformity of the substrate.

또한, 연마패드를 자전 회전시켜 기판을 연마하는 방식에서는, 연마패드와 기판의 사이에 공급된 슬러리가 연마패드의 외부로 곧바로 빠져나가지 못하고, 연마패드와 기판의 사이에 잔류된 상태로 회전함에 따라, 슬러리에 포함된 입자에 의하여 기판의 표면에 미세한 마이크로 스크래치가 발생하는 문제점이 있다.In addition, in the method of polishing the substrate by rotating the polishing pad by rotating, the slurry supplied between the polishing pad and the substrate does not immediately exit to the outside of the polishing pad, but rotates in a state remaining between the polishing pad and the substrate. There is a problem in that fine micro scratches are generated on the surface of the substrate by particles contained in the slurry.

하지만, 본 발명은 연마브러쉬(232)로 기판을 연마하는 것에 의하여, 기판(W)과 연마브러쉬(232)의 사이에 공급된 슬러리가 잔류되지 않고 곧바로 연마브러쉬(232)의 외부로 배출될 수 있으므로, 연마 공정 중에 슬러리 입자에 의한 마이크로 스크래치의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, according to the present invention, by polishing the substrate with the polishing brush 232, the slurry supplied between the substrate W and the polishing brush 232 may be discharged immediately to the outside of the polishing brush 232 without remaining. Therefore, an advantageous effect of minimizing the occurrence of micro scratches by the slurry particles during the polishing process can be obtained.

기판거치부(210)는 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에 배치되고, 로딩 파트에 공급된 기판(W)은 기판거치부(210)로 이송되어 기판거치부(210)에 안착된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트(300)를 통해 언로딩된다.The substrate mounting unit 210 is disposed between the loading part 100 and the unloading part 300, and the substrate W supplied to the loading part is transferred to the substrate mounting unit 210, thereby providing a substrate mounting unit 210. After being ground in the state seated in, it is unloaded through the unloading part 300.

보다 구체적으로, 로딩 파트(100)는 연마 처리될 기판(W)을 연마 파트(200)에 로딩하기 위해 마련된다.More specifically, the loading part 100 is provided for loading the substrate W to be polished into the polishing part 200.

로딩 파트(100)는 연마 파트(200)에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트(100)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The loading part 100 may be formed in various structures capable of loading the substrate W on the polishing part 200, and the present invention is not limited or limited by the structure of the loading part 100.

일 예로, 로딩 파트(100)는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(110)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러(110)의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러(110)가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 로딩 파트가 로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the loading part 100 may include a plurality of loading transfer rollers 110 spaced apart from each other at predetermined intervals, and the substrate W supplied on the plurality of loading transfer rollers 110 may be a loading transfer roller. As the 110 rotates, it is mutually cooperatively transported by a plurality of loading feed rollers. In some cases, the loading part may be configured to include a circulation belt which is circulated by the loading conveying roller.

아울러, 로딩 파트(100)에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트(100)로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.In addition, the substrate W supplied to the loading part 100 may be aligned in a posture and a position in which postures and positions are determined by an alignment unit (not shown) before being supplied to the loading part 100.

참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판(W)이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판(W)으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판(W)이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.For reference, as the substrate W used in the present invention, a rectangular substrate W having one side length larger than 1 m may be used. For example, as the substrate W to be subjected to the chemical mechanical polishing process, a sixth generation glass substrate W having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used. In some cases, it is also possible to use 7th and 8th generation glass substrates as the substrate to be processed. Alternatively, it is also possible to use a substrate (eg, a second generation glass substrate) whose length of one side is smaller than 1 m.

기판거치부(210)와, 연마 유닛(230)은 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에서 연마 파트(200)를 구성하도록 마련된다.The substrate mounting portion 210 and the polishing unit 230 are provided to constitute the polishing part 200 between the loading part 100 and the unloading part 300.

기판거치부(210)는 기판(W)을 거치 가능한 다양한 구조로 마련될 수 있으며, 기판거치부(210)의 구조 및 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The substrate mounting unit 210 may be provided in various structures capable of mounting the substrate W, and the structure and shape of the substrate mounting unit 210 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 기판거치부(210)는, 기판지지부(212)와, 기판지지부(212)의 상면에 구비되며 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(214)를 포함하고, 기판(W)은 표면패드(214)의 상면에 안착된다.For example, the substrate mounting portion 210 may include a substrate support portion 212 and a surface pad 214 provided on the upper surface of the substrate support portion 212 to suppress a slip by increasing a coefficient of friction for the substrate W. The substrate W is mounted on the top surface of the surface pad 214.

참고로, 본 발명에서 기판(W)을 연마한다 함은, 기판(W)에 대한 기계 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다. 이때, 슬러리는 연마브러쉬(232)의 내측 영역에서 공급되거나 연마브러쉬(232)의 외측 영역에서 공급될 수 있다.For reference, in the present invention, polishing the substrate W is defined as polishing the substrate W by a mechanical polishing process or a chemical mechanical polishing (CMP) process on the substrate W. For example, in the polishing part, a slurry for chemical polishing is supplied together while a mechanical polishing on the substrate W is performed, and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed. In this case, the slurry may be supplied from the inner region of the polishing brush 232 or from the outer region of the polishing brush 232.

기판지지부(212)는 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.The substrate support part 212 is provided to support the bottom surface of the substrate (W).

기판지지부(212)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판(W)의 저면을 지지하도록 구성될 수 있다.The substrate support 212 may be configured to support the bottom surface of the substrate W in various ways depending on the required conditions and design specifications.

이하에서는 기판지지부(212)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판지지부를 이용하여 기판을 저면을 지지하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the substrate support 212 is formed in a substantially rectangular plate shape will be described. In some cases, the substrate support may be formed in other shapes and structures, and it is also possible to support the bottom of the substrate by using two or more substrate supports.

아울러, 기판지지부(212)로서는 석정반이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 기판지지부가 금속 재질 또는 다공성 재질로 형성될 수 있으며, 기판지지부의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.In addition, a stone tablet may be used as the substrate support 212. In some cases, the substrate support part may be formed of a metal material or a porous material, and the present invention is not limited or limited by the material of the substrate support part.

기판지지부(212)의 상면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(214)가 구비된다.The upper surface of the substrate support 212 is provided with a surface pad 214 to suppress the slip by increasing the coefficient of friction for the substrate (W).

이와 같이, 기판지지부(212)의 상면에 표면패드(214)를 마련하고, 기판(W)이 표면패드(214)의 외표면에 안착되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)이 기판지지부(212)에 거치된 상태에서, 기판지지부(212)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As such, the surface pad 214 is provided on the upper surface of the substrate support 212, and the substrate W is seated on the outer surface of the surface pad 214, whereby the substrate W is attached to the substrate support 212. In the mounted state, the movement of the substrate W with respect to the substrate support 212 can be restrained (slip restrained), and an advantageous effect of stably maintaining the arrangement position of the substrate W can be obtained.

표면패드(214)는 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 표면패드(214)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 표면패드(214)는 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 폴리우레탄, 엔지니어링 플라스틱, 실리콘 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 표면패드를 논슬립 기능을 갖는 다른 재질로 형성하는 것도 가능하다.The surface pad 214 may be formed of various materials having adhesion to the substrate W, and the present invention is not limited or limited by the material of the surface pad 214. For example, the surface pad 214 may be formed using any one or more of polyurethane, engineering plastic, and silicone having excellent elasticity and adhesiveness (friction). In some cases, the surface pad may be formed of another material having a non-slip function.

또한, 표면패드(214)는 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다. 여기서, 표면패드(214)가 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다 함은, 표면패드(214)가 비교적 높은 연신율을 갖는 것으로도 표현될 수 있으며, 표면패드(214)가 쉽게 압축될 수 있는 푹신푹신한 재질로 형성된 것으로 정의된다.In addition, the surface pad 214 is formed to have a relatively high compression ratio. Here, the surface pad 214 is formed to have a relatively high compressibility, it can be expressed that the surface pad 214 has a relatively high elongation, the soft material that the surface pad 214 can be easily compressed Is defined as formed.

바람직하게, 표면패드(214)는 20~50%의 압축율을 갖도록 형성된다. 이와 같이, 표면패드(214)가 20~50%의 압축율을 갖도록 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 표면패드(214)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 표면패드(214)가 쉽게 압축될 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 최소화할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the surface pad 214 is formed to have a compression ratio of 20 to 50%. As such, by forming the surface pad 214 to have a compression ratio of 20 to 50%, even if foreign matter flows between the substrate W and the surface pad 214, the surface pad 214 is as easy as the thickness of the foreign matter. Since it can be compressed, it is possible to minimize the height deviation (specific portions of the substrate W locally protruded by foreign matter) due to the foreign matter, and as a specific portion of the substrate W locally protrudes An advantageous effect of minimizing the reduction of polishing uniformity can be obtained.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판지지부(212)가 접촉 방식으로 기판(W)을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판지지부가 기판의 저면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the above-described and illustrated embodiments of the present invention, the substrate support 212 is configured to support the substrate W in a contact manner, but in some cases, the substrate support portion may contact the bottom surface of the substrate in a non-contact manner. It is also possible to configure to support.

일 예로, 기판지지부는 기판의 저면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 기판의 저면(또는 표면패드의 저면)을 지지하도록 구성될 수 있다. 이때, 기판지지부는 기판의 저면에 기체(예를 들어, 공기)와 액체(예를 들어, 순수) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.For example, the substrate support unit may be configured to inject a fluid to the bottom of the substrate, and to support the bottom (or bottom of the surface pad) of the substrate by the injection force by the fluid. In this case, the substrate support unit may spray at least one of a gas (for example, air) and a liquid (for example, pure water) to the bottom surface of the substrate, and the type of fluid may vary depending on the required conditions and design specifications. can be changed.

경우에 따라서는, 기판지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 기판의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.In some cases, the substrate support may be configured to support the inner surface of the substrate in a non-contact manner by using magnetic force (for example, repulsive force) or floating force by ultrasonic vibration.

연마브러쉬(232)는 기판의 상부에서 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛을 구성하도록 마련된다.The polishing brush 232 is provided to constitute a polishing unit for polishing the upper surface of the substrate on the upper portion of the substrate.

보다 구체적으로, 연마브러쉬(232)는 기판에 대해 구름 회전하며 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다. 여기서, 연마브러쉬(232)가 기판에 대해 구름 회전한다 함은, 연마브러쉬의 회전축이 기판의 표면에 대해 수평하게 배치되거나 약간 경사지게 배치되는 것을 모두 포함하는 것으로 정의된다.More specifically, the polishing brush 232 rollingly rotates (planarizes) the surface of the substrate W while rolling about the substrate. Here, the rotation of the polishing brush 232 with respect to the substrate is defined as including both the axis of rotation of the polishing brush disposed horizontally or slightly inclined with respect to the surface of the substrate.

일 예로, 연마브러쉬(232)는 기판에 대해 수평한 회전축(231)을 중심으로 회전하도록 구성된다.For example, the polishing brush 232 is configured to rotate about a rotation axis 231 horizontal to the substrate.

연마브러쉬(232)는 기판에 대해 수평한 회전축(231)을 중심으로 회전 가능한 다양한 구조로 결합될 수 있으며, 연마브러쉬(232)의 회전 방식 및 회전 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The polishing brush 232 may be combined in various structures rotatable about a rotating shaft 231 horizontal to the substrate, and the present invention is not limited or limited by the rotating method and the rotating structure of the polishing brush 232. .

이때, 기판에 대한 연마브러쉬(232)의 접촉 면적은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.In this case, the contact area of the polishing brush 232 to the substrate may be changed in various ways depending on the required conditions and design specifications.

일 예로, 도 2 및 도 6을 참조하면, 연마브러쉬(232)는 기판의 표면에 선접촉되도록 구비된다.For example, referring to FIGS. 2 and 6, the polishing brush 232 is provided to be in line contact with the surface of the substrate.

여기서, 연마브러쉬(232)가 기판의 표면에 선접촉한다 함음, 기판(평면)에 대해 접촉하는 연마브러쉬(232)가 원형 형태 또는 구형 형태를 가지는 것으로 정의된다. 연마브러쉬(232)는 기판에 선접촉 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다. 일 예로, 연마브러쉬(232)는 원형 단면을 갖는 원형 롤 형태로 형성된다.Here, while the polishing brush 232 is in linear contact with the surface of the substrate, the polishing brush 232 in contact with the substrate (plane) is defined as having a circular or spherical shape. The polishing brush 232 may be formed in various structures capable of linear contact with the substrate. For example, the polishing brush 232 is formed in the shape of a circular roll having a circular cross section.

다른 일 예로, 도 7을 참조하면, 연마브러쉬(232)는 기판의 표면에 면접촉되도록 구성되는 것도 가능하다.As another example, referring to FIG. 7, the polishing brush 232 may be configured to be in surface contact with the surface of the substrate.

연마브러쉬(232)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마브러쉬(232)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마브러쉬(232)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The polishing brush 232 is formed of a material suitable for mechanical polishing of the substrate (W). For example, the abrasive brush 232 may be made of polyurethane, polyurea, polyester, polyether, epoxy, polyamide, polycarbonate, polyethylene, polypropylene, fluoropolymer, vinyl polymer, acrylic and methacrylic polymer, Silicon, latex, nitride rubber, isoprene rubber, butadiene rubber, and various copolymers of styrene, butadiene, and acrylonitrile may be formed, and the materials and properties of the abrasive brush 232 may be adjusted to the required conditions and design specifications. It can be changed in various ways.

바람직하게 연마브러쉬(232)는 기판이 이송되는 방향에 직교하는 방향을 따른 기판의 일단에서 타단까지 연속적으로 접촉 가능한 충분한 길이를 갖도록 형성된다. 경우에 따라서는 연마브러쉬를 기판보다 짧은 길이(기판이 이송되는 방향에 직교하는 방향을 따른 기판의 일단에서 타단까지의 길이보다 짧은 길이)로 형성하는 것도 가능하다.Preferably, the polishing brush 232 is formed to have a sufficient length for continuous contact from one end to the other end of the substrate in a direction orthogonal to the direction in which the substrate is transferred. In some cases, it is also possible to form the polishing brush with a length shorter than that of the substrate (shorter than the length from one end to the other end of the substrate in the direction orthogonal to the direction in which the substrate is conveyed).

연마브러쉬(232)는 갠트리(gantry) 유닛(201)에 의해 기판에 대해 이동하도록 구성된다.The abrasive brush 232 is configured to move relative to the substrate by the gantry unit 201.

일 예로, 갠트리 유닛(201)은, 기판이 이송되는 제1방향(예를 들어, X축 방향)을 따라 직선 이동하는 이동체(미도시)를 포함하며, 연마브러쉬(232)는 이동체에 장착되어 제1방향을 따라 이동하면서 기판(W)을 연마 한다.For example, the gantry unit 201 may include a moving body (not shown) that linearly moves along a first direction (eg, the X-axis direction) in which the substrate is transferred, and the polishing brush 232 is mounted to the moving body. The substrate W is polished while moving along the first direction.

이때, 이동체는 제1방향을 따라 배치된 가이드 레일(미도시)을 따라 이동하도록 구성된다. 가이드 레일에는 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, 이동체는 이동체에 마련된 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.At this time, the moving body is configured to move along a guide rail (not shown) disposed along the first direction. Permanent magnets of the N pole and the S pole are alternately arranged in the guide rail, and the movable body may be driven by the principle of a linear motor capable of precise position control by current control applied to a coil provided in the movable body.

본 발명에 실시예에서는 기판에 대해 연마브러쉬(232)가 이동하며 기판(W)을 연마하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마브러쉬의 위치가 고정된 상태에서 연마브러쉬에 대해 기판을 이동(예를 들어, 기판거치부를 이동)시키면서 기판을 연마하는 것도 가능하다.In the exemplary embodiment of the present invention, the polishing brush 232 is moved with respect to the substrate, and an example in which the substrate W is polished is described. However, in some cases, the substrate is mounted with respect to the polishing brush in a state where the polishing brush is fixed. It is also possible to polish the substrate while moving (for example, moving the substrate placement portion).

이와 같이, 기판에 수평한 회전축(231)을 중심으로 회전하는 연마브러쉬(232)에 의해 기판을 연마하는 것에 의하여, 기판의 연마 균일도 및 연마 효율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the polishing of the substrate by the polishing brush 232 rotating about the rotation axis 231 horizontal to the substrate can obtain an advantageous effect of improving the polishing uniformity and the polishing efficiency of the substrate.

즉, 기판보다 작은 크기를 갖는 판 형태의 원형 연마패드를 기판의 상면에 수직한 회전축을 중심으로 자전 회전시켜 기판을 연마하는 것도 가능하나, 연마패드가 접촉되는 기판의 영역별로(서로 다른 연마 부위별로) 연마패드를 기판에 가압하는 가압력의 오차가 발생하면 기판의 영역별로 연마량의 차이가 발생되고 연마 균일도가 저하되는 문제점이 있다.That is, it is possible to polish the substrate by rotating the plate-shaped circular polishing pad having a smaller size than the substrate about the rotation axis perpendicular to the upper surface of the substrate, but for each region of the substrate to which the polishing pad is in contact (different polishing sites). When the error of the pressing force for pressing the polishing pad to the substrate occurs, there is a problem that a difference in polishing amount occurs for each region of the substrate and polishing uniformity is lowered.

반대로, 기판보다 큰 크기를 갖는 연마패드를 사용할 수도 있으나, 큰 사이즈의 연마패드를 자전시키기 위해서는 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다.On the contrary, although a polishing pad having a size larger than that of the substrate may be used, a very large rotating equipment and a space are required to rotate the polishing pad of a large size, and thus there is a problem that space efficiency and design freedom are lowered and stability is lowered. .

하지만, 본 발명은 기판에 구름 회전(예를 들어, 기판에 대해 수평한 회전축을 중심으로 회전)하는 연마브러쉬(232)에 의해 기판을 연마하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 기판의 일단에서 타단까지 기판을 동시에 연마하는 것이 가능하고, 기판의 일단에서 타단까지 연마브러쉬(232)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하고, 연마 균일도를 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, the present invention is polished by a polishing brush 232 that rotates on the substrate (eg, rotates about a horizontal axis of rotation that is horizontal with respect to the substrate), so that the space efficiency and design freedom are not significantly reduced. It is possible to simultaneously polish the substrate from one end to the other end of the substrate, and the advantageous effect of maintaining the overall polishing amount uniformly by the polishing brush 232 from one end to the other end of the substrate and increasing the polishing uniformity can be obtained.

또한, 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치는 연마브러쉬(232)의 단위 시간당 연마량을 제어하는 연마브러쉬 제어부(250)를 포함한다.In addition, referring to FIG. 5, the substrate processing apparatus includes a polishing brush controller 250 that controls the polishing amount per unit time of the polishing brush 232.

연마브러쉬 제어부(250)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 연마브러쉬(232)에 의한 단위 시간당 연마량을 제어하도록 구성될 수 있다.The polishing brush control unit 250 may be configured to control the amount of polishing per unit time by the polishing brush 232 in various ways according to the required conditions and design specifications.

일 예로, 연마브러쉬 제어부(250)는 연마브러쉬(232)의 회전 속도(V)를 제어하여 연마브러쉬(232)에 의한 단위 시간당 연마량을 제어할 수 있다. 경우에 따라서는 기판에 대한 연마브러쉬의 높이(이격 간격)을 조절하여 연마브러쉬에 의한 단위 시간당 연마량을 제어하는 것도 가능하다.For example, the polishing brush controller 250 may control the polishing rate per unit time by the polishing brush 232 by controlling the rotational speed V of the polishing brush 232. In some cases, it is also possible to control the polishing amount per unit time by the polishing brush by adjusting the height (separation interval) of the polishing brush on the substrate.

다른 일 예로, 연마브러쉬 제어부(250)는 연마브러쉬(232)가 기판에 접촉되는 접촉 압력을 조절하여 연마브러쉬(232)에 의한 단위 시간당 연마량을 제어하는 것도 가능하다.As another example, the polishing brush controller 250 may control the polishing amount per unit time by the polishing brush 232 by adjusting the contact pressure at which the polishing brush 232 contacts the substrate.

보다 구체적으로, 연마브러쉬(232)는, 기판에 접촉되는 브러쉬몸체(232a)와, 브러쉬몸체(232a)의 내부에 형성되며 선택적으로 브러쉬몸체(232a)를 팽창 또는 수축시키는 압력챔버(232b)를 포함하고, 연마브러쉬 제어부(250)는 압력챔버(232b)의 압력 조절하여 기판에 대한 연마브러쉬(232)의 접촉 압력을 제어한다.More specifically, the polishing brush 232, the brush body 232a in contact with the substrate, and the pressure chamber 232b is formed inside the brush body 232a and selectively expands or contracts the brush body 232a. The polishing brush control unit 250 controls the contact pressure of the polishing brush 232 to the substrate by adjusting the pressure of the pressure chamber 232b.

이때, 압력챔버(232b)의 압력은 압력챔버(232b)에 공급되는 유체(예를 들어, 기체)의 공급 압력을 조절하여 제어될 수 있다.In this case, the pressure of the pressure chamber 232b may be controlled by adjusting the supply pressure of the fluid (for example, gas) supplied to the pressure chamber 232b.

보다 구체적으로, 도 6과 같이, 압력챔버(232b)의 압력이 제1압력(P1)으로 유지되면 브러쉬몸체(232a)가 팽창되며 기판에 선접촉되고, 도 7과 같이, 압력챔버(232b)의 압력이 제1압력(P1)보다 낮은 제2압력(P2)으로 유지되면 브러쉬몸체(232a)가 수축되며 기판에 면접촉된다.More specifically, as shown in FIG. 6, when the pressure in the pressure chamber 232b is maintained at the first pressure P1, the brush body 232a is expanded and is in line contact with the substrate. As shown in FIG. 7, the pressure chamber 232b is provided. When the pressure is maintained at the second pressure P2 lower than the first pressure P1, the brush body 232a is contracted and is in surface contact with the substrate.

이때, 제1압력(P1)과 제2압력(P2)은 하나로 정해진 압력값이거나, 소정의 범위로 정해질 수 있다. 아울러, 기판에 대한 연마브러쉬(232)의 접촉 압력은, 압력챔버(232b)의 압력이 제2압력(P2)에서 제1압력(P1)으로 높아짐에 따라 증가하게 된다.In this case, the first pressure P1 and the second pressure P2 may be pressure values determined as one or in a predetermined range. In addition, the contact pressure of the polishing brush 232 to the substrate increases as the pressure of the pressure chamber 232b increases from the second pressure P2 to the first pressure P1.

바람직하게, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)의 두께를 측정하는 두께측정부(260)를 포함하고, 연마브러쉬 제어부(250)는 기판(W)의 영역별 두께 편차에 따라 압력챔버(232b)의 압력을 조절한다.Preferably, the substrate processing apparatus 10 includes a thickness measuring unit 260 for measuring the thickness of the substrate W, and the polishing brush control unit 250 includes a pressure chamber (A) according to the thickness variation of each region of the substrate (W). Adjust the pressure of 232b).

두께측정부(260)로서는 기판(W)의 두께를 측정 가능한 통상의 두께 측정 센서가 사용될 수 있다. 일 예로, 두께측정부(260)로서는 하나 이상의 파장을 갖는 광을 조사하였다가 기판에서 반사된 반사광을 수신신호로 수신하는 광 센서가 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 광 센서 대신 기판의 두께를 측정 가능한 여타 다른 센서가 사용될 수 있으며, 두께측정부(260)의 종류 및 측정 방식에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.As the thickness measuring unit 260, a conventional thickness measuring sensor capable of measuring the thickness of the substrate W may be used. For example, an optical sensor that emits light having one or more wavelengths and receives reflected light reflected from the substrate as a reception signal may be used as the thickness measurement unit 260. In some cases, other sensors capable of measuring the thickness of the substrate may be used instead of the optical sensor, and the present invention is not limited or limited by the type and measuring method of the thickness measuring unit 260.

이와 같이, 기판(W)의 영역별 두께 편차를 측정하고, 기판(W)의 영역별 두께 편차에 따라 압력챔버(232b)의 압력을 조절하는 것에 의하여, 기판(W)의 두께 편차를 제거할 수 있다.In this way, by measuring the thickness variation for each region of the substrate W and adjusting the pressure of the pressure chamber 232b according to the thickness variation for each region of the substrate W, the thickness variation of the substrate W can be eliminated. Can be.

즉, 기판(W)이 최초 형성될 당시에 두께 분포가 균일하지 않거나, 연마 공정의 변수가 잘못 제어되면 두께 편차가 발생하기 때문에, 기판(W)의 연마 균일도를 높이기 위해서는 연마 공정 중에 기판의 두께 편차에 따라 연마브러쉬(232)에 의한 접촉 압력 조절이 이루어질 수 있어야 한다.That is, since the thickness distribution occurs when the thickness of the substrate W is not uniform at the time of initial formation of the substrate W or when the variable of the polishing process is incorrectly controlled, the thickness variation of the substrate during the polishing process is required to increase the polishing uniformity of the substrate W. According to the pressure control by the polishing brush 232 should be possible.

이에 본 발명은, 기판(W)의 두께 편차에 따라 압력챔버(232b)의 압력이 조절되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 영역별로 연마량을 서로 다르게 조절할 수 있으므로, 기판(W)의 두께 편차를 제거하여 기판(W)의 두께 프로파일을 전체적으로 균일하게 조절할 수 있으며, 기판(W)의 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Accordingly, the present invention, by adjusting the pressure of the pressure chamber 232b according to the thickness variation of the substrate (W), it is possible to adjust the amount of polishing different for each region of the substrate (W), the thickness of the substrate (W) By removing the deviation, the thickness profile of the substrate W may be uniformly adjusted as a whole, and an advantageous effect of improving the polishing quality of the substrate W may be obtained.

전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 연마브러쉬가 기판에 대해 수평한 회전축을 중심으로 기판에 대해 구름 회전하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마브러쉬가 기판의 표면에 대해 경사지게 배치된 회전축을 중심으로 기판에 대해 구름 회전하는 것도 가능하다.In the above-described and illustrated embodiments of the present invention, the abrasive brush rotates about the substrate about a horizontal axis of rotation, but in some cases, the abrasive brush is inclined with respect to the surface of the substrate. It is also possible to roll around the substrate about the axis of rotation.

가령, 연마브러쉬의 회전축은 기판의 표면에 대해 경사지게 배치될 수 있고, 연마브러쉬는 회전축의 기울기에 대응하여 일단에서 타단(또는 타단에서 일단)으로 갈수록 점진적으로 두꺼운 두께(또는 얇은 두께)(예를 들어, 사다리꼴 단면 형태)를 갖도록 형성될 수 있다.For example, the axis of rotation of the polishing brush may be inclined with respect to the surface of the substrate, and the polishing brush may be gradually thicker (or thinner) from one end to the other (or the other end) in response to the inclination of the rotation axis. For example, trapezoidal cross-sectional shape).

다르게는 연마브러쉬의 회전축이 기판의 표면에 대해 경사지게 배치된 상태에서, 연마브러쉬의 내부 압력(압력 챔버의 압력)을 조절하여 연마브러쉬를 전체적으로 기판에 균일한 압력으로 접촉시키는 것도 가능하다.Alternatively, it is also possible to adjust the internal pressure (pressure chamber pressure) of the polishing brush so that the polishing brush is brought into uniform contact with the substrate as a whole with the rotating shaft of the polishing brush inclined with respect to the surface of the substrate.

또한, 기판 처리 장치(10)는 연마브러쉬(232)의 외표면(기판에 접촉되는 표면)을 개질(컨디셔닝)하는 컨디셔너(240)를 포함한다.The substrate processing apparatus 10 also includes a conditioner 240 for modifying (conditioning) the outer surface (surface in contact with the substrate) of the polishing brush 232.

참고로, 컨디셔너(240)가 연마브러쉬(232)를 컨디셔닝한다 함은, 연마브러쉬(232)의 외표면을 미리 정해진 가압력으로 가압하며 미세하게 절삭하여 연마브러쉬(232)의 외표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 개질시키는 것으로 정의된다.For reference, the conditioner 240 condition the polishing brush 232, the fine pores formed on the outer surface of the polishing brush 232 by finely pressing the outer surface of the polishing brush 232 to a predetermined pressing force It is defined as modifying to appear on the surface.

다시 말해서, 컨디셔너(240)는 연마브러쉬(232)의 외표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 컨디셔너(240)의 외표면을 미세하게 절삭하여, 컨디셔너(240)의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 기판에 원활하게 공급되게 한다.In other words, the conditioner 240 finely cuts the outer surface of the conditioner 240 so as not to block the numerous foamed pores that serve to contain the slurry of the abrasive and chemical mixed on the outer surface of the polishing brush 232, The slurry filled in the foamed pores of the conditioner 240 is smoothly supplied to the substrate.

바람직하게, 컨디셔너(240)는 연마브러쉬(232)가 기판(W)을 연마하는 중에 연마브러쉬(232)를 컨디셔닝하도록 마련된다. 특히, 본 발명에서는 연마브러쉬(232)가 기판(W)에 수평한 회전축(231)을 중심으로 회전하며 기판(W)을 연마하고, 연마 공정 중에 연마브러쉬(232)의 외표면이 외부로 노출될 수 있으므로, 연마브러쉬(232)에 의한 기판의 연마 공정이 행해짐과 동시에 연마브러쉬(232)의 컨디셔닝 공정이 함께 행해질 수 있다.Preferably, the conditioner 240 is provided to condition the polishing brush 232 while the polishing brush 232 polishes the substrate (W). In particular, in the present invention, the polishing brush 232 rotates about the rotation axis 231 horizontal to the substrate W to polish the substrate W, and the outer surface of the polishing brush 232 is exposed to the outside during the polishing process. As such, the polishing process of the substrate by the polishing brush 232 may be performed and the conditioning process of the polishing brush 232 may be performed together.

이는, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하기 위함이다.This is to simplify the processing process of the substrate W and shorten the processing time.

즉, 기판을 연마하는 연마브러쉬(232)는 일정 사용 시간에 따라 주기적으로 개질(컨디셔닝) 또는 교체될 수 있어야 한다. 그런데, 연마브러쉬(232)의 개질에 소요되는 시간이 증가할수록 기판의 처리 효율 및 생산성이 저하되므로, 연마브러쉬(232)의 개질에 소요되는 시간을 단축할 수 있어야 한다.That is, the polishing brush 232 for polishing the substrate should be able to be modified (conditioned) or replaced periodically according to a certain use time. However, since the processing efficiency and productivity of the substrate decreases as the time required for reforming the polishing brush 232 increases, the time required for reforming the polishing brush 232 should be shortened.

그러나, 판 형태의 연마패드로 기판을 연마하는 기존 연마 방식에서는, 연마 공정 중에 연마패드의 연마면이 기판에 전체적으로 접촉되어 외부로 노출될 수 없으므로, 기판의 연마 공정과 연마패드의 개질 공정이 함께 행해질 수 없다. 따라서, 기존에는 연마패드의 개질 공정이 행해지는 중에 기판의 연마 공정이 중단되어야 함에 따라, 기판의 처리 효율 및 생산성이 저하되고, 기판의 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 특히, 연마패드의 개질 공정에는 수분(예를 들어, 10분) 이상의 시간이 소요되는데, 연마패드의 개질 공정 중에는 연마패드에 의한 기판의 연마 공정이 중단되므로, 불가피하게 기판의 처리 시간이 증가하고 처리 효율이 저하되는 문제점이 있다.However, in the conventional polishing method of polishing a substrate with a plate-shaped polishing pad, since the polishing surface of the polishing pad is in contact with the substrate and cannot be exposed to the outside during the polishing process, the polishing process of the substrate and the modifying process of the polishing pad are performed together. Can't be done. Therefore, conventionally, as the polishing process of the substrate is to be stopped while the polishing pad is being modified, the processing efficiency and productivity of the substrate are reduced, and the processing time of the substrate is increased. In particular, the modification process of the polishing pad takes more than a few minutes (for example, 10 minutes). During the modification process of the polishing pad, the polishing process of the substrate by the polishing pad is stopped, which inevitably increases the processing time of the substrate. There is a problem that the processing efficiency is lowered.

하지만, 본 발명은 연마브러쉬(232)에 의한 기판(W)의 연마 공정이 행해짐과 동시에 연마브러쉬(232)의 컨디셔닝 공정이 함께 행해지도록 하는 것에 의하여, 연마브러쉬(232)의 개질에 소요되는 시간을 단축하고, 기판(W)의 처리 효율 및 생산성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, the present invention allows the polishing brush 232 to be polished by the polishing process of the substrate W by the polishing brush 232 and the conditioning process of the polishing brush 232. The advantageous effect of shortening the time and improving the processing efficiency and productivity of the substrate W can be obtained.

더욱이, 연마브러쉬(232)를 별도의 컨디셔닝 위치로 이동시키지 않고 연마 위치에서 곧바로 컨디셔닝 공정이 행해지도록 하는 것에 의하여, 연마브러쉬(232)의 이동 경로를 최소화하고, 설계자유도 및 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, by allowing the conditioning process to be performed directly at the polishing position without moving the polishing brush 232 to a separate conditioning position, the movement path of the polishing brush 232 is minimized, and the design freedom and space utilization are improved. It is possible to obtain an advantageous effect.

바람직하게, 컨디셔너(240)는 연마브러쉬(232)를 기판(W)에 가압 가능하게 연마브러쉬(232)의 상부에 배치된다.Preferably, the conditioner 240 is disposed above the polishing brush 232 to press the polishing brush 232 to the substrate (W).

이와 같이, 연마브러쉬(232)의 상부에 컨디셔너(240)를 배치하고 컨디셔너(240)에 의해 연마브러쉬(232)가 기판(W)에 가압되도록 하는 것에 의하여, 연마브러쉬(232)의 브러쉬몸체(232a)가 수축되더라도, 브러쉬몸체(232a)와 기판(W)의 면접촉 상태를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by placing the conditioner 240 on top of the polishing brush 232 and by causing the polishing brush 232 to be pressed on the substrate (W) by the conditioner 240, the brush body of the polishing brush 232 ( Even if 232a is contracted, an advantageous effect of stably maintaining the surface contact state between the brush body 232a and the substrate W can be obtained.

컨디셔너(240)는 연마 공정 중에 연마브러쉬(232)를 컨디셔닝할 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있다.The conditioner 240 may be formed in various structures capable of conditioning the polishing brush 232 during the polishing process.

일 예로, 도 3을 참조하면, 컨디셔너(240)는 연마브러쉬(232)의 외주면에 선접촉되는 평면 컨디셔닝 패드(242)를 포함한다.For example, referring to FIG. 3, the conditioner 240 includes a planar conditioning pad 242 that is in line contact with the outer circumferential surface of the polishing brush 232.

예를 들어, 평면 컨디셔닝 패드(242)는 연마브러쉬(232)의 외주면에 선접촉 가능한 판 형태로 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 평면 컨디셔닝 패드를 연마브러쉬의 외주면에 선접촉 가능한 여타 다른 형태로 형성하는 것도 가능하다.For example, the planar conditioning pad 242 may be formed in the form of a plate which can be in line contact with the outer circumferential surface of the polishing brush 232. In some cases, it is also possible to form the planar conditioning pad in any other form capable of linear contact with the outer circumferential surface of the polishing brush.

다른 일 예로, 도 4를 참조하면, 컨디셔너(240)는 연마브러쉬(232)의 외주면에 면접촉되는 곡면 컨디셔닝 패드(242')를 포함한다. As another example, referring to FIG. 4, the conditioner 240 includes a curved conditioning pad 242 ′ that is in surface contact with an outer circumferential surface of the polishing brush 232.

바람직하게, 곡면 컨디셔닝 패드(242')는 연마브러쉬(232)의 외주면에 대응하는 곡면 형태로 형성되어 연마브러쉬(232)의 외주면에 면접촉된다. 이와 같이, 곡면 컨디셔닝 패드(242')가 연마브러쉬(232)의 외주면에 면접촉되도록 하는 것에 의하여, 연마브러쉬(232)와 곡면 컨디셔닝 패드(242')의 접촉 면적을 충분하게 확보할 수 있으므로, 연마브러쉬(232)의 컨디셔닝 시간을 단축하고 컨디셔닝 효율을 보다 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the curved conditioning pad 242 ′ is formed in a curved shape corresponding to the outer circumferential surface of the polishing brush 232 and is in surface contact with the outer circumferential surface of the polishing brush 232. As described above, the surface conditioning pad 242 'is brought into surface contact with the outer circumferential surface of the polishing brush 232, thereby sufficiently securing the contact area between the polishing brush 232 and the curved conditioning pad 242'. An advantageous effect of shortening the conditioning time of the polishing brush 232 and increasing the conditioning efficiency can be obtained.

더욱, 바람직하게, 컨디셔너(240)(평면 컨디셔닝 패드 또는 곡면 컨디셔닝 패드)는 연마브러쉬(232)의 길이 방향을 따라 연마브러쉬(232)의 일단에서 타단까지 연속적으로 접촉된다.More preferably, the conditioner 240 (plane conditioning pad or curved conditioning pad) is continuously contacted from one end to the other end of the polishing brush 232 along the longitudinal direction of the polishing brush 232.

이와 같이, 컨디셔너(240)가 연마브러쉬(232)의 길이 방향을 따라 연마브러쉬(232)의 일단에서 타단까지 연속적으로 접촉되도록 하는 것에 의하여, 연마브러쉬(232)의 컨디셔닝 균일도를 높이고, 컨디셔닝 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As such, the conditioner 240 is continuously contacted from one end to the other end of the polishing brush 232 along the longitudinal direction of the polishing brush 232, thereby increasing the conditioning uniformity of the polishing brush 232 and improving the conditioning time. An advantageous effect of shortening can be obtained.

컨디셔너(240)는 기판에 대해 연마브러쉬(232)를 이동시키는 갠트리 유닛(201)에 장착된다. 이와 같이, 컨디셔너(240)를 갠트리 유닛(201)에 장착하는 것에 의하여 컨디셔너(240)의 장착 및 이동 구조를 간소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 경우에 따라서는 캔트리 유닛과 이격된 여타 다른 구조물에 컨디셔너를 장착하는 것도 가능하다.The conditioner 240 is mounted to the gantry unit 201 that moves the polishing brush 232 relative to the substrate. In this manner, by attaching the conditioner 240 to the gantry unit 201, an advantageous effect of simplifying the mounting and moving structure of the conditioner 240 can be obtained. In some cases it is also possible to mount the conditioner on other structures spaced apart from the cantree unit.

한편, 도 8 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.8 to 10 are diagrams for describing a substrate treating apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent reference numerals are given to the same or equivalent components as those described above, and detailed description thereof will be omitted.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판거치부(210)는, 정해진 경로를 따라 이동하며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(214')와, 이송 벨트(214')의 내부에 배치되며 이송 벨트(214')를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하는 기판지지부(212)를 포함한다.8 to 10, according to another embodiment of the present invention, the substrate mounting unit 210 may include a transfer belt 214 ′ moving along a predetermined path and seating the substrate W on an outer surface thereof; And a substrate support 212 disposed inside the transfer belt 214 'and supporting the bottom surface of the substrate W with the transfer belt 214' interposed therebetween.

참고로, 전술한 실시예와 마찬가지로, 연마브러쉬(232)는 기판에 대해 수평한 회전축(231)을 중심으로 회전하며 기판(W)을 연마한다.For reference, similar to the above-described embodiment, the polishing brush 232 rotates about the rotation axis 231 horizontal to the substrate to polish the substrate (W).

이송 벨트(214')는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 정해진 경로를 따라 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(214')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하도록 구성될 수 있다.The transfer belt 214 'may be configured to move along a defined path in various ways depending on the desired conditions and design specifications. As an example, the transfer belt 214 'may be configured to rotate in a defined path.

이송 벨트(214')의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(214')는 롤러 유닛(217)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(214')의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(214')에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.Circular rotation of the transfer belt 214 'may be done in a variety of ways depending on the conditions and design specifications required. For example, the transfer belt 214 'is circulated and rotated along a path defined by the roller unit 217, and the substrate W seated on the transfer belt 214' is circulated by the rotation of the transfer belt 214 '. It is conveyed along this linear movement path.

이송 벨트(214')의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(217)은 제1롤러(217a)와, 제1롤러(217a)로부터 평행하게 이격되게 배치되는 제2롤러(217b)를 포함하며, 이송 벨트(214')는 제1롤러(217a)와 제2롤러(217b)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.The movement path (eg, circulation path) of the transfer belt 214 'may be variously changed according to the required conditions and design specifications. For example, the roller unit 217 includes a first roller 217a and a second roller 217b spaced apart from the first roller 217a in parallel, and the conveying belt 214 'includes the first roller. 217a and the second roller 217b are cyclically rotated in an endless loop manner.

참고로, 이송 벨트(214')의 외표면이라 함은, 이송 벨트(214')의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(214')의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(214')의 내표면이라 함은, 제1롤러(217a)와 제2롤러(217b)가 접촉되는 이송 벨트(214')의 내측 표면을 의미한다. For reference, the outer surface of the transfer belt 214 'means an outer surface exposed to the outside of the transfer belt 214', and the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 214 '. . In addition, the inner surface of the conveyance belt 214 'means the inner surface of the conveyance belt 214' to which the first roller 217a and the second roller 217b are in contact.

또한, 제1롤러(217a)와 제2롤러(217b) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(217a)는 고정되는 제2롤러(217b)는 제1롤러(217a)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(217a)에 대해 제2롤러(217b)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(214')의 장력을 조절할 수 있다.In addition, any one or more of the first roller 217a and the second roller 217b may be selectively configured to linearly move in a direction approaching and spaced apart from each other. For example, the second roller 217b to which the first roller 217a is fixed may be configured to linearly move in a direction approaching and spaced apart from the first roller 217a. As such, the tension of the transfer belt 214 'can be adjusted by allowing the second roller 217b to approach and be spaced apart from the first roller 217a according to manufacturing tolerances and assembly tolerances.

여기서, 이송 벨트(214')의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(214')를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.Here, adjusting the tension of the conveying belt 214 'is defined as adjusting the tension by pulling the loosening or loosening of the conveying belt 214'. In some cases, it is also possible to provide a separate tension adjusting roller and to adjust the tension of the transfer belt by moving the tension adjusting roller. However, it is preferable to move any one or more of the first roller and the second roller to improve the structure and space utilization.

또한, 기판 처리 장치는, 기판(W)을 로딩 파트(100)에서 연마 파트(200)로 이송하는 로딩 이송 공정 중에, 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(214')가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도를 동기화하는 로딩 제어부(미도시)를 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus includes a loading transfer speed at which the loading part 100 transfers the substrate W during a loading transfer step of transferring the substrate W from the loading part 100 to the polishing part 200, The belt 214 'includes a loading control unit (not shown) for synchronizing the belt conveying speed at which the substrate W is conveyed.

보다 구체적으로, 로딩 제어부는, 기판(W)의 일단이 이송 벨트(214')에 미리 정의된 안착 시작 위치(SP)에 배치되면, 로딩 이송 속도와 벨트 이송 속도를 동기화시킨다.More specifically, the loading control unit synchronizes the loading conveyance speed and the belt conveying speed when one end of the substrate W is disposed at a predefined seating start position SP in the conveying belt 214 '.

여기서, 이송 벨트(214')에 미리 안착 시작 위치(SP)라 함은, 이송 벨트(214')의 순환 회전에 의해 기판(W)이 이송되기 시작할 수 있는 위치로 정의되며, 안착 시작 위치(SP)에서는 이송 벨트(214')와 기판(W) 간의 접합성이 부여된다. 일 예로, 안착 시작 위치(SP)는 로딩 파트(100)에서부터 이송되는 기판(W)의 선단을 마주하는 기판수용부(216a)의 일변(또는 기판수용부의 일변에 인접한 위치)에 설정될 수 있다.Here, the starting start position SP in the transfer belt 214 'is defined as a position at which the substrate W can start being transferred by the rotational rotation of the transfer belt 214'. In SP, the bonding property between the conveyance belt 214 'and the board | substrate W is provided. For example, the seating start position SP may be set at one side (or a position adjacent to one side of the substrate receiving portion) facing the front end of the substrate W transferred from the loading part 100. .

참고로, 센서 또는 비젼 카메라와 같은 통상의 감지수단에 의하여 기판수용부(216a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 것으로 감지되면, 기판수용부(216a)의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 상태가 유지되도록 이송 벨트(214')의 회전이 정지된다.For reference, when one side of the board receiving portion 216a is detected as being positioned at the seating start position SP by a general sensing means such as a sensor or a vision camera, one side of the board receiving portion 216a may be placed at the seating starting position ( The rotation of the transfer belt 214 'is stopped so that the state positioned at SP is maintained.

그 후, 이송 벨트(214')의 회전이 정지된 상태에서, 감지수단에 의해 기판(W)의 선단이 안착 시작 위치(SP)에 배치된 것으로 감지되면, 로딩 제어부는 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(214')가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도가 서로 동일한 속도가 되도록 이송 벨트(214')를 회전(동기화 회전)시켜 기판(W)이 연마 위치로 이송되게 한다.Thereafter, when the rotation of the transfer belt 214 'is stopped, when the front end of the substrate W is detected by the sensing means as being disposed at the seating start position SP, the loading control part is configured to load the load part 100. The feed belt 214 'is rotated (synchronized rotation) so that the loading feed speed for feeding the substrate W and the belt feed speed for feeding the substrate W are the same speed. W) is transferred to the polishing position.

또한, 이송 벨트(214')는 연마가 완료된 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동한다.In addition, the transfer belt 214 ′ moves in a direction spaced apart from the bottom surface of the substrate W in a state in which the substrate W on which polishing is completed is transferred for a predetermined period or more.

보다 구체적으로, 도 10을 참조하면, 이송 벨트(214')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 바, 기판(W)은 이송 벨트(214')가 회전 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치(이송 벨트가 제2롤러의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(214')가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트()로부터 분리된다.More specifically, referring to FIG. 10, the transfer belt 214 ′ is configured to circulate and rotate along a predetermined path and to transfer the substrate W. The substrate W has the transfer belt 214 ′ as a rotation path. At the position where it starts to move along (the position at which the conveying belt starts to move along a curved path along the outer surface of the second roller), the conveying belt 214 'moves in a direction spaced apart from the bottom surface of the substrate W. Accordingly separated from the conveying belt ().

이와 같이, 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(214')가 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서는, 이송 벨트(214')가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동되게 하는 것에 의하여, 별도의 픽업 공정(예를 들어, 기판 흡착 장치를 이용한 픽업 공정)없이 이송 벨트(214')로부터 기판(W)을 자연스럽게 분리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, in the state in which the conveyance belt 214 'for conveying the substrate W conveys the substrate W for a predetermined period or more, the conveyance belt 214' is moved in a direction spaced apart from the bottom surface of the substrate W. By doing so, an advantageous effect of naturally separating the substrate W from the transfer belt 214 'can be obtained without a separate pick-up step (for example, a pick-up step using a substrate adsorption device).

기존에는 로딩 파트로 공급된 기판을 연마 파트로 로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 로딩 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 연마 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 더욱이, 기존에는 연마가 완료된 기판을 언로딩 파트로 언로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 연마 파트에서 기판(W)을 픽업한 후, 다시 기판을 언로딩 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판(W)을 언로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.Previously, in order to load the substrate supplied to the loading part into the polishing part, a separate pickup device (for example, a substrate adsorption device) had to be used to pick up the substrate from the loading part, and then put the substrate back on the polishing part. Therefore, there is a problem that the processing time increases so that the time required to load the substrate takes several seconds to several tens of seconds. Furthermore, in order to unload the substrate which has been polished previously into the unloading part, the substrate W is picked up from the polishing part using a separate pickup device (for example, a substrate adsorption device), and then the substrate is unloaded again. Since it had to be placed on the loading part, there is a problem that the processing time increases to take several seconds to several tens of seconds for unloading the substrate W.

하지만, 본 발명은 로딩 파트에 공급된 기판(W)이 순환 회전하는 이송 벨트(214')로 직접 이송된 상태에서, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지고, 기판(W)이 이송 벨트(214') 상에서 직접 언로딩 파트(300)로 이송되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, in the state in which the substrate W supplied to the loading part is directly transferred to the transfer belt 214 'which is circulated and rotated, the polishing process is performed on the substrate W, and the substrate W is transferred to the transfer belt ( By being directly transferred to the unloading part 300 on 214 ', an advantageous effect of simplifying the processing process of the substrate W and shortening the processing time can be obtained.

또한, 본 발명은 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 별도의 픽업 공정을 배제하고, 순환 회전하는 이송 벨트(214')를 이용하여 인라인 방식으로 기판(W)이 처리되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 로딩 시간 및 언로딩 공정을 간소화하고, 기판(W)의 로딩 및 언로딩에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention is to exclude the separate pick-up process during loading and unloading of the substrate (W), and to allow the substrate (W) to be processed in an in-line manner by using the transfer belt 214 'rotates, Advantageous effects of simplifying the loading time and unloading process of (W) and reducing the time required for loading and unloading the substrate (W) can be obtained.

더욱이, 본 발명에서는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 기판(W)을 픽업하기 위한 픽업 장치를 마련할 필요가 없기 때문에, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, in the present invention, since it is not necessary to provide a pickup device for picking up the substrate W during loading and unloading of the substrate W, it is possible to simplify the equipment and equipment and to improve the space utilization. Can be obtained.

이송 벨트의 다른 일 예로, 이송 벨트는 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 것도 가능하다.(미도시)As another example of the conveying belt, the conveying belt may be wound in one direction to another and may be configured to convey the substrate W (not shown).

여기서, 이송 벨트가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이송 벨트가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.Here, the transfer belt is wound from one direction to the other, reel to reel winding method of the conventional cassette tape (wound on the first reel and then again opposite to the second reel) It is defined as moving along a moving trajectory in the form of an open loop (winding) in the manner of winding.

이때, 기판은 이송 벨트의 이동 경로가 꺽여지는 위치(예를 들어, 도 12와 같이, 이송 벨트가 롤러의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트가 기판의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트로부터 분리될 수 있다.At this time, the substrate is in a position where the transfer path of the transfer belt is bent (for example, the position where the transfer belt starts to move along a curved path along the outer surface of the roller, as shown in FIG. 12). As it moves in a direction away from the bottom, it can be separated from the conveyance belt.

또한, 본 발명의 실시예에서는 이송 벨트(214')가 일단과 타단이 연속적으로 연결된 링 형상의 엔드리스(endless) 구조로 형성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 이송 벨트를 일단과 타단이 분리 가능한 구조로 형성하는 것도 가능하다. 이송 벨트의 일단과 타단이 분리되는 구조에서 체결부재를 이용한 통상의 패스너에 의해 이송 벨트의 일단과 타단이 선택적으로 분리 결합될 수 있다.In addition, in the embodiment of the present invention, the transfer belt 214 ′ has been described as an example of a ring-shaped endless structure in which one end and the other end are continuously connected. It is also possible to form a detachable structure. One end and the other end of the transfer belt may be selectively separated by a conventional fastener using a fastening member in a structure in which one end and the other end of the transfer belt are separated.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and modified within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. It will be appreciated that it can be changed.

100 : 로딩 파트 110 : 로딩 이송 롤러
200 : 연마 파트 210 : 기판거치부
212 : 기판지지부 214' : 이송벨트
230 : 연마 유닛 232 : 연마브러쉬
232a : 브러쉬몸체 232b : 압력챔버
240 : 컨디셔너 242 : 평면 컨디셔닝 패드
242' : 곡면 컨디셔닝 패드 250 : 연마브러쉬 제어부
260 : 두께측정부 300 : 언로딩 파트
310 : 언로딩 이송 롤러
100: loading part 110: loading feed roller
200: polishing part 210: substrate mounting portion
212: substrate support 214 ': transfer belt
230: polishing unit 232: polishing brush
232a: brush body 232b: pressure chamber
240: conditioner 242: flat conditioning pad
242 ': curved conditioning pad 250: abrasive brush control unit
260: thickness measurement unit 300: unloading part
310: unloading feed roller

Claims (20)

기판의 연마 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서,
기판이 거치되는 기판거치부와;
상기 기판의 표면에 대해 구름 회전하며 상기 기판을 연마하는 연마브러쉬를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus in which a substrate polishing process is performed,
A substrate mounting portion on which the substrate is mounted;
A polishing brush for rolling the substrate while rolling on the surface of the substrate;
Substrate processing apparatus comprising a.
제1항에 있어서,
상기 연마브러쉬는 상기 기판에 선접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And the polishing brush is in line contact with the substrate.
제2항에 있어서,
상기 연마브러쉬는 원형 단면 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The polishing brush has a circular cross-sectional shape.
제1항에 있어서,
상기 연마브러쉬는 상기 기판에 면접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And the polishing brush is in surface contact with the substrate.
제1항에 있어서,
상기 연마브러쉬에 의한 상기 기판의 단위 시간당 연마량을 제어하는 연마브러쉬 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And a polishing brush controller for controlling an amount of polishing per unit time of the substrate by the polishing brush.
제5항에 있어서,
상기 연마브러쉬는,
상기 기판에 접촉되는 브러쉬몸체와;
상기 브러쉬몸체의 내부에 형성되며, 선택적으로 상기 브러쉬몸체를 팽창 또는 수축시키는 압력챔버를; 포함하고,
상기 연마브러쉬 제어부는 상기 압력챔버의 압력을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
The polishing brush,
A brush body in contact with the substrate;
A pressure chamber formed inside the brush body and selectively expanding or contracting the brush body; Including,
And the polishing brush controller controls the pressure of the pressure chamber.
제6항에 있어서,
상기 압력챔버의 압력이 제1압력으로 유지되면, 상기 브러쉬몸체가 팽창되며 상기 기판에 선접촉되고,
상기 압력챔버의 압력이 상기 제1압력보다 낮은 제2압력으로 유지되면, 상기 브러쉬몸체가 수축되며 상기 기판에 면접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 6,
When the pressure of the pressure chamber is maintained at the first pressure, the brush body is inflated and in line contact with the substrate,
And when the pressure of the pressure chamber is maintained at a second pressure lower than the first pressure, the brush body is contracted and is in surface contact with the substrate.
제6항에 있어서,
상기 기판의 두께를 측정하는 두께측정부를 포함하고,
상기 연마브러쉬 제어부는 상기 기판의 영역별 두께 편차에 따라 상기 압력챔버의 압력 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 6,
Including a thickness measuring unit for measuring the thickness of the substrate,
The polishing brush control unit is a substrate processing apparatus, characterized in that for adjusting the pressure of the pressure chamber in accordance with the thickness variation of each area of the substrate.
제8항에 있어서,
상기 연마브러쉬 제어부는 상기 기판의 영역별 두께 편차에 따라 상기 연마브러쉬의 회전 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 8,
The polishing brush control unit is a substrate processing apparatus, characterized in that for controlling the rotational speed of the polishing brush according to the thickness variation of each area of the substrate.
제1항에 있어서,
상기 연마브러쉬는 상기 기판에 대해 수평한 회전축을 중심으로 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And the polishing brush rotates about a rotation axis horizontal to the substrate.
제1항에 있어서,
상기 연마브러쉬는 상기 기판에 대해 경사진 회전축을 중심으로 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And the polishing brush rotates about an axis of rotation inclined with respect to the substrate.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 연마브러쉬를 컨디셔닝하는 컨디셔너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 11,
And a conditioner for conditioning the polishing brush.
제12항에 있어서,
상기 컨디셔너는 상기 연마브러쉬가 상기 기판을 연마하는 중에 상기 연마브러쉬를 컨디셔닝하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
And the conditioner is configured to condition the polishing brush while the polishing brush polishes the substrate.
제12항에 있어서,
상기 컨디셔너는 상기 연마브러쉬를 상기 기판에 가압 가능하게 상기 연마브러쉬의 상부에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
And the conditioner is disposed above the polishing brush to press the polishing brush against the substrate.
제12항에 있어서,
상기 기판에 대해 상기 연마브러쉬를 이동시키는 갠트리 유닛을 포함하고,
상기 컨디셔너는 상기 갠트리 유닛에 장착된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
It includes a gantry unit for moving the polishing brush relative to the substrate,
And the conditioner is mounted to the gantry unit.
제12항에 있어서,
상기 컨디셔너는 상기 연마브러쉬의 외주면에 선접촉되는 평면 컨디셔닝 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
And the conditioner includes a planar conditioning pad in line contact with an outer circumferential surface of the polishing brush.
제12항에 있어서,
상기 컨디셔너는 상기 연마브러쉬의 외주면에 면접촉되는 곡면 컨디셔닝 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
And the conditioner includes a curved conditioning pad in surface contact with an outer circumferential surface of the polishing brush.
제12항에 있어서,
상기 컨디셔너는 상기 연마브러쉬의 길이 방향을 따라 상기 연마브러쉬의 일단에서 타단까지 연속적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
And the conditioner is in continuous contact from one end to the other end of the polishing brush in the longitudinal direction of the polishing brush.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판거치부는,
정해진 경로를 따라 이동 가능하게 구비되며 외표면에 상기 기판이 안착되는 이송 벨트와;
상기 이송 벨트의 내부에 배치되며 상기 이송 벨트를 사이에 두고 상기 기판의 저면을 지지하는 기판지지부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 11,
The substrate mounting portion,
A transfer belt provided to be movable along a predetermined path and having the substrate seated on an outer surface thereof;
A substrate support part disposed inside the transfer belt and supporting a bottom surface of the substrate with the transfer belt interposed therebetween;
Substrate processing apparatus comprising a.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판에 대한 연마가 행해지는 중에 상기 연마브러쉬의 위치가 고정되고, 상기 기판은 상기 연마브러쉬에 대해 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 11,
The position of the polishing brush is fixed while the polishing on the substrate is performed, the substrate is moved relative to the polishing brush.
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