KR20190116613A - 증착공정 배기가스 트랩용 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치 및 이를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩 - Google Patents

증착공정 배기가스 트랩용 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치 및 이를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유지보수주기가 늘어나 장시간 가동이 가능하여 생산성이 향상된 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩에 관한 것으로서, 본 발명의 일 형태에 따르면, 마이크로웨이브가 유입되는 도파관에 결합되며, 내부에 플라즈마가 형성되는 공간이 형성되고, 플라즈마 가스가 유입되는 아우터 컨덕터, 상기 도파관으로부터 상기 아우터 컨덕터로 유입되는 마이크로 웨이브를 투과시키는 쿼츠, 상기 아우터 컨덕터의 내부에 상기 아우터 컨덕터와 동축으로 배치되며, 내부에 증착공정의 후측에 배치되어 증착 후 배출되는 배기가스가 유입되는 인너 컨덕터를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로웨이브 플라즈마 발생장치가 제공된다.

Description

증착공정 배기가스 트랩용 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치 및 이를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩{Microwave Plasma Device for Exhaust Gas Trap of Deposition Process And Exhaust Gas Trap of Deposition Process Having the Same}
본 발명은 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 장치 및 이를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 및 디스플레이 증착공정 배기가스 라인 중 압력 및 유량 변화가 심한 공정에서도 메칭박스 없이 안정적인 플라즈마 트랩의 운전이 가능하며, 유지보수횟수가 줄어들어 장시간 가동이 가능하여 생산성이 향상된 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치 및 이를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩에 관한 것이다.
반도체나 디스플레이 부품 등 여러 분야의 부품에 증착공정이 수행되고 있다.
이러한 증착공정은 금속이나 고분자 등을 여러가지 수단으로 증기로 만들어 피증착물(타겟)의 표면에 부착시키는 공정으로서, 절연층이나 통전층, 또는 화학적 방어층 등을 형성하는 과정에 많이 적용된다.
이러한 증착공정은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 및 ALD(Atomic Layer Deposition)등 여러가지 방법이 제안되고 있다.
일반적으로 CVD 방법이 주로 수행되고 있으며, ALD의 경우, 반응원료를 각각 분리한 상태로 공급하여 반응가스간 화학반응으로 형성된 입자를 피증착물(타겟)의 표면에 증착하여 박막을 형성하는 방법으로서, 박막성장속도가 느리나, PVD나 CVD 증착법보다 박막도포성이 좋고, 이를 통한 미세한 박막두께의 조절이 용이한 장점이 있어 적용이 확대되고 있다.
한편, CVD 및 ALD 공정 등의 증착공정 시 투입된 공정가스(증착성분 및 증착에 필요한 성분이 함유된 공정가스)중 사용되지 않은 여분의 가스와 증착공정에서 생긴 새로운 분자 등은 외부로 배기되는데, 이렇게 배출되는 배기가스는 증착공정이후에 낮은 온도와 적은 에너지로 제3의 상으로 변화되며, 상기 제3의 상은 전도성(~수백 uΩ)을 갖고 점도성이 높은 유기물 형태로서, 배기를 위한 펌프 등의 각종 기계부품에 점성을 가진 끈적한 상태로 증착되거나 입자가 쌓여 기계부품의 구동력을 떨어뜨리고 배기가스 라인의 내벽을 막아 기계적인 고장이나 오작동이 발생시킬 우려가 있어 주기적인 유지보수가 강요된다.
한편, 이러한 증착공정에서 발생하는 배출가스를 처리하기 위해 일반적으로 Hot and cold 트랩을 사용하여 왔으나, 만족할 만한 수준의 트랩기능을 수행하지 못하고 있으며, Hot and cold 트랩의 잦은 유지보수 및 교체가 필요하다. 또한, 트랩성능을 보완하기 위해 플라즈마를 사용하여 분자간 본딩(bonding)을 끊어 미세입자화 하거나, 이를 별도의 가스와 반응시켜 분해 또는 결합하여 점성이 없고 크기가 매우 작은 분말입자화 하여 배출하는 플라즈마 방식의 트랩이 연구되고 있다.플라즈마 방식의 트랩에는 유도결합 플라즈마 트랩(10), 마이크로웨이브 플라즈마 트랩(70) 등이 연구되고 있다.
유도결합 플라즈마 트랩용 반응기(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, 쿼츠(15)와 같은 유전체로 만들어진 반응기가 필요하며 배기가스 혹은 배기가스에서 반응한 증착물질이 이러한 쿼츠 등의 유전체로 형성된 반응기(15)에 증착되어 전기장의 유도를 방해하여 플라즈마 생성을 억제시킬 수 있다.
종래의 유도결합 플라즈마 트랩용 반응기(10)는 유도전기장을 발생시키는 RF코일(17) 및 쿼츠로 형성된 반응기(15) 등으로 구성될 수 있다.
즉, 상기 반응기(15)는 유도전기장을 발생시키는 코일로 감싸져 있으며 쿼츠 등의 유전체를 통해 전기장이 전달되어 내부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
그런데, 배기가스를 처리하기 위한 플라즈마가 쿼츠 등의 유전체로 둘러싸여 있어, 반응에 의해 형성된 파우더와 같은 생성물이 반응기(15)에 증착되는 구조적 한계를 가지고 있다. 이렇게 증착된 막은 전기장을 불균형하게 하고 특히, 금속 성분을 포함하는 배기가스의 경우 증착된 막이 반응기 내부로 전기장의 유도를 막아 플라즈마 발생을 억제 시킬 수 있다.
도 3는 마이크로웨이브 플라즈마 트랩에 적용되는 플라즈마 토치를 도시한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이 마이크로웨이브 플라즈마 트랩에 사용되는 토치는 전자파가 전달되는 도파관(60)과 반응기(75) 및 쿼츠(80)가 구비될 수 있다.
즉, 상기 반응기(75)는 상기 도파관(60)을 수직으로 관통하는 형태로 구비되며, 내부에 플라즈마 생성을 위한 공간이 형성된다.
또한, 상기 도파관(60)의 마이크로웨이브가 상기 반응기(75) 내부로 유입되기 위하여, 상기 도파관(60)과 반응기가 만나는 부분은 개구되며, 그 위치에 쿼츠(80)가 구비된다.
상기 쿼츠(80)는 마이크로웨이브는 투과시키면서 가스의 유입은 차단시키는 기능을 수행하며, 이 쿼츠(80)로 인해 마이크로웨이브 전달영역과 플라즈마 영역이 구분된다.
상기 반응기의 상부로부터 플라즈마 가스와 증착공정 후 배기가스가 유입되어 상기 반응기 내부에서 플라즈마에 의한 처리가 이루어진다
예를 들어, 증착공정의 공정가스로서 TiCl4가 적용될 경우, 상기 반응기 내부에서 암모니아와 반응하여 Ti2(NH2), TiCl44(NH3) 또는 Ti, TiN분말 등이 발생하게 된다.
그런데, 플라즈마가 발생되는 위치가 쿼츠(80) 인근에서 발생되게 되어, 석출된 Ti2(NH2), TiCl44(NH3) 또는 Ti, TiN 들이 쿼츠(80)의 내주면 표면에 달라붙어 금속성분의 막을 형성하게 되며, 이로 인해 아크가 발생하여 쿼츠가 손상되거나 도파관으로부터 전달되는 마이크로웨이브가 투과되지 못하여 플라즈마가 소실될 수 있다.
따라서, 종래의 플라즈마 트랩을 사용하더라도 이러한 금속성분의 막을 제거하는 유지보수가 필요하게 되며, 그때마다 증착장비의 운전이 중지되어 생산성이 떨어지는 한편, 유지보수비용도 증가되는 문제점이 있다.
또한, 종래의 RF, MF, Microwave 등의 진공 플라즈마 장비들은 고정된 압력에서만 플라즈마가 발생되는 특성이 있으나, 실제 장비에서는 장비 내 압력의 변화가 심하게 발생되는 환경이 조성되어, 종래의 진공 플라즈마 장비를 적용하기 위해서 메칭박스 사용이 절대적으로 필요하다.
그러나 압력 및 유량의 변화하는 속도가 메칭박스와 통신하는 시간보다 더 빠른 공정에서는 플라즈마 방전이 불가능하여, 플라즈마 트랩으로의 적용이 불가능한 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 쿼츠와 같은 유전체의 오염이 방지되거나 억제되어 유지보수주기가 늘어 증착장비의 연속운전시간이 늘어나 생산성이 향상되며 유지보수비용이 줄어들 수 있으며, 메칭박스가 없어도 안정적인 플라즈마의 생성 및 유지가 가능하여 압력 및 유량의 변동이 큰 공정에서도 적용할 수 있는 증착공정 배기가스 트랩용 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩을 제공하는 것이 과제이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 형태에 따르면, 마이크로웨이브가 유입되는 도파관에 결합되며, 내부에 플라즈마가 형성되는 공간이 형성되고, 플라즈마 가스가 유입되는 아우터 컨덕터, 상기 도파관으로부터 상기 아우터 컨덕터로 유입되는 마이크로 웨이브를 투과시키는 쿼츠, 상기 아우터 컨덕터의 내부에 상기 아우터 컨덕터와 동축으로 배치되며, 내부에 증착공정의 후측에 배치되어 증착 후 배출되는 배기가스가 유입되는 인너 컨덕터를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로웨이브 플라즈마 발생장치가 제공된다.
상기 쿼츠는, 상기 아우터 컨덕터 내주면에, 양 단 사이에 구비될 수도 있고, 상기 도파관 내부에 구비되어 공정가스가 도파관 내부로 유입되는 것을 막을 수도 있다. 인너컨덕터의 끝단은 플라즈마 가스의 흐름방향으로 상기 쿼츠로부터 이격된 위치에 형성될 수 있다.
상기 인너 컨덕터의 끝단은, 상기 아우터 컨덕터의 내부에 위치될 수 있다.
상기 아우터 컨덕트에 유입되는 플라즈마 가스는 상기 아우터 컨덕터 내에서 스월을 형성할 수 있다.
상기 아우터 컨덕터 또는 인너 컨덕터에는 상기 배기가스로부터 금속원소를 분리해내기 위한 반응가스가 투입될 수 있다.
상기 반응가스는 수소를 포함할 수 있다.
상기 쿼츠는, 상기 아우터 컨덕터와 상기 도파관이 결합되는 부분에 배치될 수 있다.
상기 쿼츠는, 상기 아우터 컨덕터와 이격된 위치의 상기 도파관 내에 배치될 수 있다.
상기 아우터 컨덕터와 도파관의 연통된 부분의 상측에서, 상기 아우터 컨덕터와 인너 컨덕터 사이를 밀폐하는 금속판을 더 포함할 수 있다.
상기 금속판은 상기 아우터 컨덕터의 길이방향으로 그 위치가 조절 가능하게 구비될 수 있다.
상기 아우터 컨덕터와 도파관이 결합된 지점과 상기 아우터 컨덕터의 끝단 사이의 아우터 컨덕터에 구비되며, 상기 플라즈마 가스 또는 반응가스를 상기 아우터 컨덕터와 인너 컨덕터의 사이에 투입하기 위한 투입구를 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 형태에 따르면, 피가공물에 박막을 증착하는 증착부, 상기 증착부로부터 배출되는 배기가스 중 적어도 일부를 미세 파우더로 변환하는 상기 증착공정 배기가스 트랩용 마이크로 웨이브 플라즈마 토치, 상기 증착부로부터 배출되는 배기가스를 펌핑하는 펌프, 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 토치를 경유한 배기가스 중 파티클을 포집하는 파우더 콜렉터를 포함하는 마이크로 웨이브 플라즈마 토치가 구비되는 증착공정 배기가스 트랩이 제공된다.
본 발명의 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩에 따르면, 플라즈마 토치의 쿼츠의 오염이 방지되어 연속운전시간이 증대되며, 생산성이 향상되고, 유지보수비용이 절감되는 효과가 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
아래에서 설명하는 본 출원의 바람직한 실시예의 상세한 설명뿐만 아니라 위에서 설명한 요약은 첨부된 도면과 관련해서 읽을 때에 더 잘 이해될 수 있을 것이다. 본 발명을 예시하기 위한 목적으로 도면에는 바람직한 실시예들이 도시되어 있다. 그러나, 본 출원은 도시된 정확한 배치와 수단에 한정되는 것이 아님을 이해해야 한다.
도 1 및 도 2는 종래의 플라즈마 토치를 도시한 단면도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치를 도시한 단면도;
도 4는 도 3의 플라즈마 발생장치에서 플라즈마 반응이 일어나는 모습을 도시한 단면도;
도 5 및 도 6은 플라즈마 발생장치에서 일어나는 화학 반응을 나타낸 도면;
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치를 도시한 단면도;
도 8은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치를 도시한 단면도;
도 9는 본 발명의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치가 구비되는 증착공정 배기가스 트랩을 도시한 도면이다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 플라즈마 파워가 0.7kW, 1.2kW, 1.4kW일 때의 플라즈마 방전을 촬영한 사진;
도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 플라즈마 파워가 1.4kW일 때 석출된 파우더를 촬영한 사진;
도 15 및 도 16은 석출된 파우더의 스팩트럼 및 성분 중량비를 나타낸 드래프 및 표 이다.
이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 증착공정 배기가스 트랩용 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩의 일 실시예에 따른 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치(100)(이하, 설명의 편의를 위하여 '플라즈마 발생장치'로 칭하기로 함)는 도 3에 도시된 바와 같이, 아우터 컨덕터(110), 쿼츠(130) 및 인너 컨덕터(120)를 포함할 수 있다.
상기 아우터 컨덕터(110)는 도파관(60)에 결합되며, 접지가 이루어지며, 내부에 공간이 형성되며 상기 내부공간으로 플라즈마 가스가 유입될 수 있다.
상기 도파관(60)에는 마이크로웨이브(M/W)를 발진하는 마그네트론 등이 구비되어 상기 아우터 컨덕터(110)의 내부로 마이크로웨이브(M/W)를 전달할 수 있다.
한편, 상기 마이크로웨이브(M/W)는 표면효과(skin effect)에 의해 금속 등을 투과하지 못하며, 상기 아우터 컨덕터(110)는 일반적으로 고온 내열성이 뛰어난 금속 등의 재질로 제작되므로, 상기 아우터 컨덕터(110) 내부로 마이크로웨이브(M/W)가 유입되기 위하여, 상기 아우터 컨덕터(110)와 도파관(60)이 결합되는 부위가 개구된다.
그리고, 상기 개구된 부분이 마이크로웨이브(M/W) 투과가 가능한 쿼츠(130)로 폐쇄된다.
이 때, 상기 아우터 컨덕터(110)가 도파관(60)과 결합되어 개구되는 지점은 상기 아우터 컨덕터(110)의 양 단 사이이며, 따라서, 상기 쿼츠(130)도 상기 아우터 컨덕터(110)의 양 단 사이에 구비될 수 있다.
상기 인너 컨덕터(120)는 마이크로웨이브(M/W)가 투과하지 못하는 금속 등의 재질로 이루어질 수 있으며, 상기 아우터 컨덕터(110)의 내부에 상기 아우터 컨덕터(110)와 동축으로 배치될 수 있다.
상기 아우터 컨덕터(110)에는 플라즈마 가스가 유입되며, 상기 인너 컨덕터(120)에는 증착공정 후 배기되는 배기가스가 유입될 수 있다. 이 때, 상기 플라즈마 가스는 마이크로웨이브를 통해 플라즈마를 생성하거나 또는 생성된 플라즈마를 안정화 시키는 가스일 수 있다.
상기 아우터 컨덕터(110) 또는 인너 컨덕터(120)에는 반응가스가 유입될 수 있다. 상기 반응가스는 상기 플라즈마 가스와 함께 아우터 컨덕터(110)에 유입될 수도 있으며, 또는 배기가스와 함께 인너 컨덕터(120)에 유입될 수 있다.
이 때, 플라즈마 가스 및 배기가스, 반응가스는 모두 같은 흐름 방향을 가진다. 본 실시예에서는, 도면을 기준으로 상측에서 유입되어 하측으로 배출되는 흐름 방향을 가지는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.
한편, 상기 인너 컨덕터(120)의 끝단의 위치는 상기 아우터 컨덕터(110)의 내부에, 상기 플라즈마 가스의 흐름방향으로 상기 쿼츠(130)로부터 이격된 위치에 형성될 수 있다.
또는 상기 인너 컨덕터(120)의 끝단은 아우터 컨덕터(110)의 끝단과 같은 위치에 형성될 수도 있을 것이다.
그리고, 상기 아우터 컨덕터(110)에 유입되는 플라즈마 가스는 상기 아우터 컨덕터(110) 내에서 스월을 형성할 수 있다.
물론, 상기 플라즈마 가스는 반드시 스월을 일으킬 필요는 없는데, 이렇나 플라즈마 가스의 흐름에 의해 플라즈마에 의한 열로부터 인너 컨덕터(120)가 과열되는 것을 막을 수 있다.
이를 위하여, 상기 플라즈마 가스가 공급될 때 스월을 일으키는 방향으로 공급되거나 또는 아우터 컨덕터(110)의 내주면 또는 인너 컨덕터(120)의 외주면에 스월을 일으킬 수 있는 가이드(미도시)등의 별도 기구가 구비될 수 있다.
이 때, 상기 플라즈마 가스는, 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스를 포함할 수 있다.
또한, 반응가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다.
상기 배기가스는, 증착공정 후 배출되는 배기가스일 수 있다. ALD증착법을 이용한 TiN증착공정시 배출되는 TiCl4를 포함하는 공정가스인 것을 예로 들기로 한다.
물론, 상기 공정가스에는 TiCl4 외에도 TiN, HCl, N, NH3, TiH 등등 여타 다른 성분들이 포함될 수도 있다.
또한, 본 발명은 ALD 증착공정에 국한되지 아니하며, 여타 다른 증착공정에 적용될 수도 있으며, 반드시 증착공정이 아닌 다른 공정의 배기가스에도 적용될 수 있을 것이다.
또한, 본 발명은 반드시 TiCl4의 처리에 국한될 필요는 없으며, 예를 들어 NiCl2, LiCl, SiCl4 등의 다른 성분의 처리에 응용될 수도 있을 것이다.
따라서, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 도파관(60)과 쿼츠(130)를 통해 마이크로웨이브(M/W)가 아우터 컨덕터(110) 내부로 유입되며, 상기 아우터 컨덕터(110)의 상측을 통해 플라즈마 가스 및 반응가스가 유입된다.
그리고, 아우터 컨덕터(110) 내부로 유입된 마이크로웨이브(M/W)와 플라즈마 가스 및 반응 가스로 인한 플라즈마(210)가 형성될 수 있다. 이 때 형성된 플라즈마(210)은 가스들에 의해서 형성된 플라즈마이므로 파티클이 생성되지 아니하는 논파티클 플라즈마(210)라고 칭하기로 한다.
이 때, 유입된 마이크로웨이브(M/W)는 인너 컨덕터(120)를 투과하지 못하므로, 상기 인너 컨덕터(120) 내부에서는 플라즈마 반응이 일어나지 않으며, 상기 논파티클 플라즈마(210)는 아우터 컨덕터(110)와 인너 컨덕터(120)의 사이에서 발생할 수 있다.
또한, 인너 컨덕터(120)의 길이를 적당하게 조절함으로써, 마이크로웨이브로부터 발생되는 전기장의 세기를 인너 컨덕터(120)의 끝단 영역에서 전기장을 강하게 또한, 약하게 형성시킬 수 있다. 이에 따라 인너 컨덕터(120) 끝단 영역에서 플라즈마(220)가 발생할 수 있다. 이 때, 인너 컨덕터(120)의 끝단 영역에서 플라즈마를 발생시키기 위한 인너 컨덕터(120)의 길이는 통상의 당업자라면 반복적인 실험을 통해 도출할 수 있을 것이다.
설명을 위해 도 5에서 플라즈마가 쿼츠(130)이 구비되는 영역(210)에서 형성되는 것과 인너 컨덕터(120)의 끝단에서 형성되는 영역(220)이 분리되어 형성되는 것으로 설명하였지만, 실제로는 도 4에 도시한 바와 같이 플라즈마가 분리되어 형성될 수도 있으며, 또는 분리되지 않고 아우터 컨덕터(110)과 인너 컨덕터(120)의 사이 및 인너 컨덕터(120)의 하측 끝단 영역이 모두 함께 어우러져 형성될 수도 있다.
또한, 상기 아르곤이나 질소 또는 수소 등의 가스에 의해 발생하는 가스 플라즈마 영역 (210)에는 금속화합물 전구체가 유입되지 않으므로 분말 등의 파티클이 형성되지 않아 상기 쿼츠(130)에 분말 등이 쌓이는 일이 발생하지 않는다.
한편, 상기 인너 컨덕터(120) 내부로 유입된 배기가스는 인너 컨덕터(120) 내에서는 마이크로웨이브(M/W)를 조사받지 아니하므로 플라즈마 반응이 일어나지 아니하며, 인너 컨덕터(120)의 끝단에 형성되어 있는 플라즈마 영역(220)으로 유입되어 플라즈마에 의해 처리된다.
이 때, 상기 인너 컨덕터(120)의 끝단에서 발생되는 플라즈마를 앞서 설명한 논파티클 플라즈마(210)과 구별하기 위하여, 파티클 플라즈마(220)라 칭하기로 하는데, 이는 인너 컨덕터(120)의 끝단에서 토출되는 배기가스에 포함된 성분이 플라즈마(220)에 의해 해리되어 금속 분말 등의 파티클이 발생하기 때문이다.
본 실시예에서는, 상기 배기가스에 포함된 성분에 TiCl4가 포함된 것을 예로 들기로 한다.
도 5에 도시된 바와 같이, TiCl4가 반응가스인 H2와 플라즈마 반응을 하게 되면, 수소(H2) 2개 분자가 4H가 되며 TiCl4도 해리되어 Ti와 4Cl로 되고, 각 H 들이 염소(Cl)과 반응하여 염화수소(4HCl)가 되며, Ti가 파우더(230) 형태로 석출될 수 있다.
또는, 도 6에 도시된 바와 같이, TiCl4가 반응가스인 NH3와 반응하게 되면, Ti2NH2와 2HCl이 되어 Ti2NH2가 파우더(230) 형태로 석출될 수 있다.
또한, 발생되는 플라즈마가 마이크로웨이브(MicroWave)를 사용하는 HDP(High Density Plasma)이면 높은 전자밀도와 라디칼(Radical)로 인해 석출되는 파우더(230)입자의 크기가 나노스케일로 매우 조밀한 입자의 크기를 나타낼 수 있다.
이 때, 상기 파우더(230)가 석출되는 위치가 상기 인너 컨덕터(120)의 끝단이며, 이는 상기 쿼츠(130)와는 이격된 위치이므로, 석출된 파우더(230)가 쿼츠(130)에 쌓이는 현상이 줄어들 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 플라즈마 가스의 흐름에 의해 석출된 파우더(230)가 쿼츠(130)를 향해 비산되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 가스는 쿼츠(130)의 냉각기능도 수행할 수 있다.
따라서, 석출된 파우더(230)는 가스의 흐름에 의해 아우터 컨덕터(110) 및 인너 컨덕터(120)의 외측으로 배출될 수 있다.
한편, 본 발명의 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치의 다른 실시예에 따르면, 전술한 실시예와 비교하여, 쿼츠의 형태 및 위치가 변화될 수 있다.
즉, 전술한 실시예에서는 상기 퀴츠(130)가 도파관(60)과 아우터 컨덕터(110)이 결합되어 개구된 부분에 원통형으로 구비되나, 본 실시예에 따르면, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 쿼츠(132)가 상기 도파관(60) 내에 구비될 수 있다. 이 때, 상기 쿼츠(132)는 상기 도파관(60)과 아우터 컨덕터(110)가 결합되어 개구된 부분으로부터 마그네트론(20) 측으로 이격된 위치에 형성될 수 있다.
따라서, 상기 쿼츠(132)가 파티클 플라즈마(220)의 형성위치로부터 더욱 이격될 수 있어 오염의 방지효과가 더욱 커질 수 있으며, 상기 쿼츠(132)가 원통의 형태가 아닌 평판 플레이트형태로 형성될 수 있어 쿼츠의 부피가 작아질 뿐만 아니라 쿼츠의 형성이 보다 용이할 수 있어 쿼츠의 제작비용이 절감될 수 있다.
또 한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 아우터 컨덕터(110)의 상측에 마이크로웨이브가 아우터 컨덕터(110)의 상측으로 전달되는 것을 차폐하는 금속판(112)이 더 구비될 수 있다.
즉, 상기 도파관(60)을 통해 아우터 컨덕터(110)의 내부로 전달되는 마이크로 웨이브가 상기 아우터 컨덕터(110)의 상측으로 진행되는 것을 차폐하도록 상기 금속판(112)이 상기 아우터 컨덕터(110)와 도파관(60)의 연통된 부분의 상측에서, 상기 아우터 컨덕터(110)와 인너 컨덕터(120) 사이를 밀폐하도록 구비될 수 있다.
따라서, 상기 도파관(60)을 통해 아우터 컨덕터(110) 내부로 전달되는 마이크로 웨이브가 상기 아우터 컨덕터(110) 내부에서 상하로 분산되는 것이 방지되고 상기 인너 컨덕터(120)의 끝단 측으로 집중되어 상기 인너 컨덕터(120)의 끝단 측에 전기장이 보다 강하게 형성되도록 할 수 있다.
또한, 상기 금속판(112)의 위치를 상하로 조절함으로써 논파티클 플라즈마(210) 및 파티클 플라즈마(220)가 형성되는 위치를 조절할 수 있다.
따라서, 상기 금속판(112)을 상기 아우터 컨덕터(110)의 길이방향으로 위치가 조절되도록 구비함으로써 상기 논파티클 플라즈마(210) 및 파티클 플라즈마(220)가 형성되는 위치를 조절할 수 있다.
이 때, 상기 플라즈마 가스 또는 반응가스를 상기 아우터 컨덕터(110)와 인너 컨덕터(120)의 사이에 투입하기 위한 투입구(114)가 형성될 수 있다.
상기 투입구(114)는 상기 아우터 컨덕터(110)와 도파관(60)이 결합된 지점과 상기 아우터 컨덕터(110)의 끝단 사이의 아우터 컨덕터(110)의 외주면에 형성될 수 있으며, 상기 투입구(114)를 통해 유입되는 플라즈마 가스 및 반응가스가 상기 아우터 컨덕터(110)와 인너 컨덕터(120)사이에서 스월을 일으키도록 상기 아우터 컨덕터(110)의 내주면의 법선방향을 향하여 플라즈마 가스 및 반응가스를 토출하도록 형성될 수 있다.
따라서, 상기 투입구(114)를 통해 유입되는 플라즈마 가스 및 반응가스는 상기 아우터 컨덕터(110)의 도파관(60)과 연결된 지점의 높이와 상기 인너 컨덕터(120)의 끝단 사이의 높이에서 유입되어 상기 아우터 컨덕터(110)와 인너 컨덕터(120)의 사이에서 스월을 형성하면서 상기 인너 컨덕터(120)의 끝단측으로 유동함으로써 석출되는 파우더(230)가 상기 쿼츠(132) 측으로 비산되는 것을 차단할 수 있다.
물론, 이 때, 상기 쿼츠(132)는 상기 도파관(60)과 아우터 컨덕터(110)가 결합되어 개구된 부분에 원통형으로 배치될 수 있거나 또는 상기 도파관(60)내에 플레이트 형태로 배치될 수 도 있다.이하, 본 발명의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치가 구비되는 증착공정 배기가스 트랩의 일 실시예에 대해서 설명하기로 한다.
본 실시예에 따른 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치가 구비되는 증착공정 배기가스 트랩은 도 9에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생장치(100), 펌프(200), 및 파우더 콜렉터(300)를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 발생장치(100)는 전술한 실시예들의 플라즈마 발생장치(100)가 적용될 수 있으며, 피가공물에 박막을 증착하는 증착부(50)로부터 배출되는 배기가스에 포함된 성분 중 적어도 일부를 미세한 나노크기의 파우더로 변환할 수 있다.
여기서, 상기 피가공물에 박막을 증착하는 증착부(50)는 피가공물에 TiN을 ALD 증착공정으로서 증착하는 증착부인 것을 예로 들어 설명하기로 한다.
상기 증착부(50)에서는 TiN을 증착하기 위해 증발기(10: Vaporizer)에서 TiCl4를 기화시키며, 이를 질소(N2)와 혼합하여 TiN 증착 챔버(20)로 공급할 수 있다. 그리고, 상기 TiN 증착챔버(20)에는 N2와 NH3가 공급될 수도 있다.
한편, TiN 증착이 완료된 후, 사용된 가스가 배출되는데, 배출되는 배기가스에는 TiCl4가 다량 함유될 수 있다.
배출되는 TiCl4를 함유한 배기가스는 상기 플라즈마 발생장치(100)의 인너 컨덕터(120)으로 유입될 수 있다.
또한, TiN 증착공정에 공급되는 N2, NH3 가스 중 일부가 플라즈마 발생장치(100)의 아우터 컨덕터(110)으로 공급될 수 있다.
이를 위하여 각 N2, NH3의 공급유로(30, 40)로부터 플라즈마 발생장치(100)의 아우터 컨덕터(110)까지 분기되는 분기유로(32, 42)가 형성될 수 있으며, 각 분기유로(32, 42)에는 이를 개폐하는 밸브(34, 44)가 구비될 수 있다.
전술한 바와 같이 상기 플라즈마 발생장치(100)는 유입되는 배기가스에 포함된 TiCl4 등의 성분을 점성이 없는 나노 스케일의 파우더로 변환하여 배출 할 수 있다.
상기 플라즈마 발생장치(100)의 후단에는 펌프(200)가 구비될 수 있다. 상기 펌프(200)는 증착부(50)로부터 배출되는 배기가스를 펌핑하는 구성요소이다.
이 때, 상기 플라즈마 발생장치(100)가 펌프(200)의 전단에 구비되어 펌프(200)로 유입되는 배기가스에 포함된 성분을 점성이 없는 나노 스케일의 파우더로 변환시키므로 펌프(200)의 기계적인 마모를 최소화 하며, 잉여의 증착성분이 펌프(200)의 부품에 들러붙는 현상을 방지함으로써 펌프(200) 손상을 방지하여, 펌프(200)의 수명을 증대시킬 수 있으며, 유지보수주기도 길게 가져갈 수 있다.
한편, 상기 파우더 콜렉터(300)는 상기 펌프(200)의 후단에 위치되어 상기 펌프(200)로부터 토출되는 배기가스에 포함된 파우더(230)를 집진하여 제거하는 구성요소일 수 있다.
또한, 상기 파우더 콜렉터(300)의 후측에 스크러버(400)가 더 구비될 수 있다. 상기 스크러버(400)는 파우더(230)가 제거된 배기가스에 포함된 여러가지 유해물질(예를 들어 HCl)을 제거하는 구성요소일 수 있다.
또한, 상기 파우더 콜렉터(300)와 스크러버(400)의 사이에는 샘플링 포트(500)가 구비될 수 있다. 상기 샘플링 포트(500)를 통해 상기 스크러버(400)에 유입되기 전의 배기가스의 샘플을 채취할 수 있으며, 이 샘플의 분석을 통해 배기가스 중에 유독한 하이드로젠 등의 물질이 포함되어 있는지를 검출할 수 있다.
물론, 상기 샘플링 포트(500)에 유독물질을 감지하는 센서가 구비되어 실시간으로 유독물질 포함여부 및 농도를 계측할 수도 있을 것이다.
또한, 본 발명에 따른 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치는 압력 및 유량 변화가 심한 공정에서도 장시간 안정적인 플라즈마의 방전이 가능하다.
즉, 배경기술에 기술한 바와 같이, 종래의 플라즈마 발생장치(ICP, CCP, ECR Microwave 플라즈마 발생장치)는 매칭박스에 의존하여, 매칭박스와 통신하는 속도보다 압력/유량변화가 빠른 공정에서는 적용이 불가능 하였으나, 본 발명에 따른 마이크로 웨이브 플라즘 발생장치는 매칭박스를 사용하지 않고도 플라즈마의 방전이 가능하기 때문이다.
본 발명에 따르면, 약 수 mmTorr ~ 수십 Torr의 압력 범위의 가스 유동 상태에서 플라즈마를 연속발생시킬 수 있다. 이는, 상기 아우터 컨덕터(110)와 인너 컨덕터(120)의 사이에 수 mmTorr ~ 수십 Torr의 압력 및 가스 흐름에서 플라즈마 방전을 위한 문턱 전압 이상의 전기장이 항상 형성되기 때문이다.
따라서, 압력 변화에 대응하기 위한 별도의 메칭박스가 필요하지 않다. 이는 도파관 내부에 Microwave에 의해 형성된 전기장 인너 컨덕터(120)의 끝단 부위까지 전달되며, 접지된 아우터 컨턱터(110)와 인너 컨덕터(120)의 사이의 간격을 적절하게 조절하면, 원하는 압력범위에서 메칭박스 없이 플라즈마 방전을 위한 문턱전압 이상의 전기장 에너지가 형성될 수 있다.
따라서, 압력변동이 심한 공정에서도 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치 및 이를 적용한 배기가스 트랩을 구성할 수 있다.
이하에서는, 본 출원인이 실시한 실험을 통해 본 발명의 플라즈마 발생장치가 메칭박스 없이도 안정적인 플라즈마의 발생이 가능함을 실험한 결과를 설명하기로 한다.
먼저 본 실험에서 적용된 플라즈마 파워(Plasma Power)는 0.7kW 와 1.4kW이며, 이 때 공정가스를 넣기 전의 플라즈마 발생장치가 위치된 챔버내의 압력인 베이스 프레셔(Base Pressur)는 0.02Torr, 공정가스가 투입되어 플라즈마 발생장치에서 플라즈마가 발생되었을 때의 플라즈마 발생장치가 위치된 챔버의 압력인 워킹 프레셔(Working Pressur)는 28Torr, 질소(N2)와 암모지아(NH3)의 유량은 각각 75lpm, 2lpm(Liter Per minute)이고, 증착물질인 TiCl4는 대략 섭씨 100도로 가열되어 250mmHg의 압력일 때 실험하였다.
또한, 본 실험은 상기와 같은 조건에서, 질소(N2)가스를 0.1초 주입, TiCl4를 0.2초 주입, 암모니아(NH3)가스를 0.25초 주입, N2가스를 0.3초 주입하였다. 즉, 압력변동이 심한 환경임을 알 수 있다.
이러한 환경에서 운전한 결과, 플라즈마 파워(Plasma Power)가 0.7kW일 때 플라즈마가 방전되는 모습을 도 10에 표현하였고, 1.2kW일 때 플라즈마가 방전되는 모습을 도 11에 표현하였고, 1.4kW일 때 플라즈마 방전되는 모습을 도 12에 표현하였다. 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 압력변동이 큰 환경에서도 플라즈마가 안정적으로 발생함을 알 수 있다.
한편, 도 13은 플라즈마 파워(Plasma Power)가 1.4kW일 때 생성된 석출된 파우더를 나타낸 사진이며, 도 14는 도 13의 파우더를 확대한 사진이다. 상기 파우더는 도 9의 펌프 후단에서 채취하였으며, 사진에서 볼 수 있는 바와 같이 충분히 미세화된 파우더가 생성되어 펌프 등에 기계적인 고정을 야기할 위험이 없음을 알 수 있다.
한편, 도 14 및 도 15는 상기 파우더의 성분의 스펙터럼 및 중량비를 분석한 결과이다. 도 14 및 도 15을 통해 알 수 있는 바와 같이, 석출된 파우더의 Ti의 중량비가 61.37 Wt%에 달해 상용화에 문제가 없는 수준임을 알 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
100: 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치
110: 아우터 컨덕터 120: 인너 컨덕터
130: 쿼츠 200: 펌프
210: 논파티클 플라즈마 220: 파티클 플라즈마
230: 파우더 300: 파우더 콜렉터
400: 스크러버 500: 샘플링 포트

Claims (12)

  1. 마이크로웨이브가 유입되는 도파관에 결합되며, 내부에 플라즈마가 형성되는 공간이 형성되고, 플라즈마 가스가 유입되는 아우터 컨덕터;
    상기 도파관으로부터 상기 아우터 컨덕터로 유입되는 마이크로 웨이브를 투과시키는 쿼츠;
    상기 아우터 컨덕터의 내부에 상기 아우터 컨덕터와 동축으로 배치되며, 내부에 증착공정의 후측에 배치되어 증착 후 배출되는 배기가스가 유입되는 인너 컨덕터를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로웨이브 플라즈마 발생장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 쿼츠는,
    상기 아우터 컨덕터 내주면에, 양 단 사이에 구비되며, 상기 인너컨덕터의 끝단은 플라즈마 가스의 흐름방향으로 상기 쿼츠로부터 이격된 위치에 형성되는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로웨이브 플라즈마 발생장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인너 컨덕터의 끝단은,
    상기 아우터 컨덕터의 내부에 위치되는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로웨이브 플라즈마 발생장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 아우터 컨덕트에 유입되는 플라즈마 가스는 상기 아우터 컨덕터 내에서 스월을 형성하는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로웨이브 플라즈마 발생장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 아우터 컨덕터 또는 인너 컨덕터에는 상기 배기가스로부터 금속원소를 분리해내기 위한 반응가스가 투입되는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로웨이브 플라즈마 발생장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반응가스는 수소를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로웨이브 플라즈마 발생장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 쿼츠는, 상기 아우터 컨덕터와 상기 도파관이 결합되는 부분에 배치되는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 쿼츠는, 상기 아우터 컨덕터와 이격된 위치의 상기 도파관 내에 배치되는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 아우터 컨덕터와 도파관의 연통된 부분의 상측에서, 상기 아우터 컨덕터와 인너 컨덕터 사이를 밀폐하는 금속판을 더 포함하는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 금속판은 상기 아우터 컨덕터의 길이방향으로 그 위치가 조절 가능하게 구비되는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 아우터 컨덕트에 유입되는 플라즈마 가스를 상기 아우터 컨덕터와 도파관이 결합된 지점과 상기 아우터 컨덕터의 끝단 사이의 아우터 컨덕터에 구비되며, 상기 플라즈마 가스 또는 반응가스를 상기 아우터 컨덕터와 인너 컨덕터의 사이에 투입하기 위한 투입구를 포함하는 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치.
  12. 피가공물에 박막을 증착하는 증착부;
    상기 증착부로부터 배출되는 배기가스에 포함된 성분 중 적어도 일부를 미세 파우더로 변환하는 1항 내지 11항 중 어느 한 항의 증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치;
    상기 증착부로부터 배출되는 배기가스를 펌핑하는 펌프;
    증착공정 배기가스 트랩의 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치를 경유한 배기가스 중 파티클을 포집하는 파우더 콜렉터;
    를 포함하는 마이크로 웨이브 플라즈마 발생장치가 구비되는 증착공정 배기가스 트랩.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102546997B1 (ko) 2022-12-02 2023-06-23 이상주 반도체 배기가스 처리장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120049968A (ko) * 2010-11-10 2012-05-18 (주)트리플코어스코리아 상압 플라즈마 가스 스크러빙 장치
KR101557880B1 (ko) * 2014-07-07 2015-10-13 (주)클린팩터스 배기유체 처리용 저압 플라즈마 반응장치
KR20150139665A (ko) * 2014-06-03 2015-12-14 박영배 반도체 공정용 가스 스크러버
KR101579139B1 (ko) * 2014-12-11 2015-12-21 (주)그린사이언스 스월기류와해가스 공급부가 형성된 도파관을 포함하는 플라즈마 토치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101219302B1 (ko) * 2011-06-20 2013-01-25 (주)트리플코어스코리아 플라즈마를 이용한 파우더 처리장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120049968A (ko) * 2010-11-10 2012-05-18 (주)트리플코어스코리아 상압 플라즈마 가스 스크러빙 장치
KR20150139665A (ko) * 2014-06-03 2015-12-14 박영배 반도체 공정용 가스 스크러버
KR101557880B1 (ko) * 2014-07-07 2015-10-13 (주)클린팩터스 배기유체 처리용 저압 플라즈마 반응장치
KR101579139B1 (ko) * 2014-12-11 2015-12-21 (주)그린사이언스 스월기류와해가스 공급부가 형성된 도파관을 포함하는 플라즈마 토치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102546997B1 (ko) 2022-12-02 2023-06-23 이상주 반도체 배기가스 처리장치

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