KR20190114643A - Single crystal growth device and single crystal growth method of using the same - Google Patents

Single crystal growth device and single crystal growth method of using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20190114643A
KR20190114643A KR1020180037652A KR20180037652A KR20190114643A KR 20190114643 A KR20190114643 A KR 20190114643A KR 1020180037652 A KR1020180037652 A KR 1020180037652A KR 20180037652 A KR20180037652 A KR 20180037652A KR 20190114643 A KR20190114643 A KR 20190114643A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
single crystal
crystal growth
barrier member
observation window
growth apparatus
Prior art date
Application number
KR1020180037652A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102466502B1 (en
Inventor
이성수
김대성
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020180037652A priority Critical patent/KR102466502B1/en
Publication of KR20190114643A publication Critical patent/KR20190114643A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102466502B1 publication Critical patent/KR102466502B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Abstract

According to an embodiment of the present invention, a single crystal growth apparatus is a single crystal growth apparatus using a solution method. The single crystal growth apparatus comprises: a chamber; a crucible disposed inside the chamber; a barrier member disposed above the crucible and having an observation window; a pulling shaft passing through a center of the barrier member; and a moving member having one end coupled to a side surface of the chamber and the other end coupled to a side surface of the barrier member and moving to left and right sides to open and close the observation window.

Description

단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법{SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE AND SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD OF USING THE SAME}SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE AND SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD OF USING THE SAME}

본 발명은 단결정 성장 장치 및 이를 이용하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a single crystal growth apparatus and a method of using the same.

실리콘 카바이드(SiC) 단결정은 내마모성 등의 기계적 강도와 내열성 및 내부식성이 우수하여 반도체, 전자, 자동차, 기계 분야 등의 부품소재로 많이 사용되고 있다.Silicon carbide (SiC) single crystal is widely used as a component material for semiconductor, electronics, automobiles, and mechanical fields because of its excellent mechanical strength, heat resistance, and corrosion resistance.

실리콘 카바이드 단결정 성장 방법으로는, 탄소와 실리카를 섭씨 2000도 이상의 고온 전기로에서 반응시키는 애치슨 방법, 화학적 기상 증착법, 실리콘 카바이드를 원료로 하여 섭씨 2000도 이상의 고온에서 승화시켜 단결정을 성장시키는 승화법, 결정 인상법(crystal pulling method)을 응용한 용액법 등이 있다.Silicon carbide single crystal growth methods include the Acheson method of reacting carbon and silica in a high temperature electric furnace of more than 2000 degrees Celsius, the chemical vapor deposition method, the sublimation method of growing a single crystal by sublimation at a high temperature of 2000 degrees Celsius using silicon carbide as a raw material. And a solution method using a crystal pulling method.

그러나 애치슨 방법은 고순도의 실리콘 카바이드 단결정을 얻기가 매우 어렵고, 화학적 기상 증착법은 박막 수준으로 두께가 제한되는 문제가 있다. 승화법 역시 일반적으로 섭씨 2400도 이상의 고온에서 이루어지고, 마이크로 파이프 및 적층 결함과 같은 여러 결함이 발생할 가능성이 많아 생산 단가적 측면에서 한계가 있는바, 상기와 같은 한계가 없는 용액법으로, 실리콘 카바이드 용액법에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다.However, the Acheson method is very difficult to obtain a high purity silicon carbide single crystal, and the chemical vapor deposition method has a problem that the thickness is limited to the thin film level. The sublimation method is also generally performed at a high temperature of more than 2400 degrees Celsius, and there are limitations in terms of production cost due to the possibility of various defects such as micro pipes and lamination defects. As a solution method without the above limitations, silicon carbide There is a continuous study of solution methods.

실리콘 카바이드 용액법은 도가니에 담겨진 실리콘, 탄소가 포함된 액상의 원료에서 고상의 단결정을 뽑아내는 방법이다. 용액법에서의 온도 제어는 단결정의 석출 구동력을 좌우할 뿐 아니라, 용액 내의 원료의 농도, 용액의 순환에도 영향을 미치는 것으로, 도가니 내 용액의 온도 제어는 단결정 성장에 영향을 미치는 중요한 요인이다.The silicon carbide solution method is a method of extracting a solid phase single crystal from a liquid raw material containing silicon and carbon contained in a crucible. The temperature control in the solution method not only influences the precipitation driving force of the single crystal, but also affects the concentration of raw materials in the solution and the circulation of the solution. Temperature control of the solution in the crucible is an important factor affecting the single crystal growth.

특히, 용액법은 액상 금속을 활용하는 특성상, 탄소의 제한된 용해도로 인하여 온도 조건에 더욱 민감하며, 실제로 실리콘 카바이드 단결정이 석출, 성장되는 조건에서는, 약간의 온도 변화만으로도 석출 및 성장 양상이 급격하게 변화하게 되어, 공정 에러가 발생하기도 한다.In particular, the solution method is more sensitive to temperature conditions due to the limited solubility of carbon due to the nature of the use of liquid metal, and in fact, the precipitation and growth patterns change rapidly with a slight temperature change when silicon carbide single crystals are precipitated and grown. As a result, process errors may occur.

도가니 내 용액의 온도 편차를 줄여 도가니 내에서 불필요한 석출을 방지할필요성이 있으나, 만약, 열 발산을 차단하기 위하여 도가니 상측의 개방된 홀을 폐쇄해버리는 경우, 실리콘 카바이드의 성장 과정을 관찰할 수 없게 되는 문제가 발생하게 된다.It is necessary to reduce the temperature variation of the solution in the crucible to prevent unnecessary precipitation in the crucible, but if the open holes on the upper side of the crucible are closed to block heat dissipation, the growth process of silicon carbide cannot be observed. The problem arises.

상기 설명한 바와 같이, 기존의 용액법의 경우 열 발산을 차단하는 과정에 한계가 있는바, 효과적으로 열 발산을 차단시킬 수 있는 기술에 대한 개발이 필요하다.As described above, in the case of the conventional solution method, there is a limitation in the process of blocking heat dissipation, and thus, it is necessary to develop a technology capable of effectively blocking heat dissipation.

본 발명의 실시예들은 기존에 제안된 방법들의 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 제안된 것으로, 도가니 내부 종결정의 미결정 성장 양상을 관찰하고, 열 발산을 효과적으로 차단시킴으로써, 실리콘 카바이드 단결정 성장 공정상의 효율성과 편의성을 높이는, 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Embodiments of the present invention have been proposed to solve the above problems of the conventionally proposed methods, and by observing the microcrystalline growth behavior of the crucible internal seed crystals and effectively blocking the heat dissipation, the efficiency of the silicon carbide single crystal growth process It is an object of the present invention to provide a single crystal growing apparatus and a single crystal growing method using the same, which improves convenience.

다만, 본 발명의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제에 한정되지 않고 본 발명에 포함된 기술적 사상의 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.However, the problem to be solved by the embodiments of the present invention is not limited to the above-described problem can be variously extended within the scope of the technical idea included in the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치는, 용액법을 이용한 단결정 성장 장치로서, 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되는 도가니; 상기 도가니의 상부에 배치되며, 관측창을 구비하는 가로막이 부재; 상기 가로막이 부재의 중심을 관통하는 풀링 샤프트; 및 일단은 상기 챔버의 측면에, 타단은 상기 가로막이 부재의 측면에 결합되고, 좌우로 이동하여 상기 관측창을 개폐시키는 개폐 조절부를 갖는 이동 부재를 포함한다.A single crystal growth apparatus according to an embodiment of the present invention, a single crystal growth apparatus using a solution method, the chamber; A crucible disposed inside the chamber; A barrier member disposed above the crucible and having a viewing window; A pulling shaft passing through a center of the barrier member; And one end is coupled to the side of the chamber, the other end is coupled to the side of the barrier member, and includes a moving member having an opening and closing control unit for moving to the left and right to open and close the observation window.

상기 이동 부재는, 상기 챔버의 측면에 고정되는 제1 고정부; 상기 가로막이 부재의 측면에 고정되는 제2 고정부; 상기 제1 고정부 및 상기 제2 고정부 사이에 배치되어 상기 이동 부재를 지지시키는 지지부; 및 상기 지지부 내부에 삽입되는 상기 개폐 조절부를 포함하며, 상기 개폐 조절부는 상기 가로막이 부재 내부로 좌우 이동할 수 있다.The moving member may include a first fixing part fixed to a side of the chamber; A second fixing part fixed to a side of the barrier member; A support part disposed between the first fixing part and the second fixing part to support the moving member; And the opening and closing adjustment part inserted into the support part, and the opening and closing adjustment part may move left and right inside the barrier member.

상기 지지부는 내부가 빈 관 형태일 수 있다.The support may be in the form of a hollow tube.

상기 개폐 조절부가 상기 지지부에 삽입되고, 상기 개폐 조절부가 상기 관측창과 중첩하지 않는 경우에는, 상기 관측창은 완전히 개방된 상태가 될 수 있다.When the opening and closing adjustment part is inserted into the support part and the opening and closing adjustment part does not overlap with the observation window, the observation window may be in a completely open state.

상기 개폐 조절부가 상기 지지부의 내부에서 외부로 이동하여 상기 관측창을 가리는 경우에는, 상기 관측창은 닫힌 상태가 될 수 있다.When the opening and closing control unit moves outward from the inside of the support to cover the observation window, the observation window may be in a closed state.

상기 가로막이 부재에 구비된 관측창은 하나 이상일 수 있다.At least one observation window provided in the barrier member may be provided.

상기 가로막이 부재에는 하나 이상의 이동 부재가 구비될 수 있다.The barrier member may be provided with one or more moving members.

상기 가로막이 부재 및 상기 가로막이 부재의 측면에 결합된 상기 이동 부재는 상기 풀링 샤프트를 축으로 하여 함께 회전 이동할 수 있다.The diaphragm member and the movable member coupled to the side surface of the diaphragm member may rotate together with the pulling shaft as an axis.

상기 챔버는, 상기 이동 부재의 일단이 접촉되는 부분에 상기 이동 부재의 회전 이동 경로를 따라 배치된 홈 형태의 가이드부를 더 포함할 수 있다.The chamber may further include a groove-shaped guide part disposed along a rotational movement path of the moving member to a portion where one end of the moving member contacts.

상기 가로막이 부재는 하나 이상일 수 있다.The barrier member may be one or more.

상기 가로막이 부재가 복수인 경우, 상기 복수의 가로막이 부재는 서로 평행하게 배치될 수 있다.When there are a plurality of barrier members, the barrier members may be arranged in parallel to each other.

상기 복수의 가로막이 부재는 각각 독립적으로 회전 이동할 수 있다.The plurality of barrier members may be independently rotatable.

상기 가로막이 부재는, 단열 부재일 수 있다.The barrier member may be a heat insulating member.

상기 도가니의 외주면에 배치되는 단열부를 더 포함할 수 있다.It may further include a heat insulating part disposed on the outer circumferential surface of the crucible.

상기 단열부의 외측에 배치되는 발열부를 더 포함할 수 있다.The heating unit may further include a heat generating unit disposed outside the heat insulating unit.

본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 이용한 단결정 성장 방법은, 풀링 샤프트 하단에 구비된 종결정이 도가니 내부의 용액으로 이동하여 단결정을 성장시키는 단계; 및 이동 부재가 상기 도가니의 상부에 배치되는 가로막이 부재의 일부를 관통하도록 좌우 이동하여, 상기 가로막이 부재에 구비된 관측창의 개폐를 조절하는 단계를 포함한다.Single crystal growth method using a single crystal growth apparatus according to an embodiment of the present invention, the seed crystal provided at the bottom of the pulled shaft to move to the solution in the crucible to grow a single crystal; And moving the member left and right to penetrate a part of the barrier member disposed on the crucible, thereby controlling opening and closing of the observation window provided in the barrier member.

상기 가로막이 부재를 상기 풀링 샤프트를 축으로 하여 회전 이동시켜, 상기 가로막이 부재의 상기 관측창의 위치를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.And adjusting the position of the observation window of the barrier member by rotating the barrier member about the pull shaft.

본 발명의 실시예들에 따르면, 기존 용액법의 열 발산 차단 과정에서의 한계를 개선하기 위한 것으로, 가로막이 부재에 구비된 관측창을 통하여 실리콘 카바이드의 성장 과정의 관찰을 할 수 있도록 하며, 관측창의 개폐를 조절할 수 있도록 하여 관측창을 통한 열 발산을 효과적으로 차단시켜 실리콘 카바이드 단결정 성장 공정상의 효율성과 편의성을 높일 수 있다.According to embodiments of the present invention, to improve the limitation in the heat dissipation blocking process of the conventional solution method, it is possible to observe the growth process of silicon carbide through the observation window provided in the barrier member, The opening and closing of the window can be controlled to effectively block heat dissipation through the observation window, thereby increasing the efficiency and convenience of the silicon carbide single crystal growth process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 있어서, 관측창이 열린 모습을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 있어서, 관측창이 닫힌 모습을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 있어서, 가로막이 부재가 회전하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 이용한 단결정 성장 방법의 흐름도이다.1 is a view showing a single crystal growth apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a single crystal growth apparatus according to another embodiment of the present invention.
3 is a view showing an observation window opened in the single crystal growth apparatus according to the embodiment of the present invention.
4 is a view showing a view in which the observation window is closed in the single crystal growth apparatus according to the embodiment of the present invention.
5 is a view showing a state in which the barrier member rotates in the single crystal growth apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a flowchart of a single crystal growth method using a single crystal growth apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals designate like elements throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity.

또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향을 향하여 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.In addition, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" or "on" another part, it includes not only when the other part is "right on" but also another part in the middle. . On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle. In addition, to be referred to as "on" or "on" the reference part is to be located above or below the reference part, and to mean "to" or "on" necessarily toward the opposite direction of gravity. no.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수도 있는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it may further include other components, without excluding the other components unless otherwise stated.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a single crystal growth apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 단결정 성장 장치(10)는, 용액법을 이용한 단결정 성장 장치로서, 챔버(100), 챔버(100) 내부에 배치되는 도가니(200), 도가니(200)의 상부에 배치되며, 관측창(310)을 구비하는 가로막이 부재(300), 가로막이 부재(300)의 중심을 관통하는 풀링 샤프트(400), 및 일단은 챔버(100)의 측면에, 타단은 가로막이 부재(300)의 측면에 결합되는 이동 부재(500)를 포함한다. 이동 부재(500)는 가로막이 부재(300)의 관측창(310) 개폐를 조절하기 위한 것으로, 좌우로 이동하여 관측창(310)을 개폐시키는 개폐 조절부를 구비할 수 있다.As shown in FIG. 1, the single crystal growth apparatus 10 according to the exemplary embodiment of the present invention is a single crystal growth apparatus using a solution method, and includes a chamber 100, a crucible 200 disposed inside the chamber 100, The barrier member 300 disposed above the crucible 200 and having a viewing window 310, a pulling shaft 400 passing through the center of the barrier member 300, and one end of the chamber 100. On the side, the other end includes a moving member 500 coupled to the side of the barrier member 300. The moving member 500 is used to control the opening and closing of the observation window 310 of the barrier member 300, and may include an opening and closing control unit which moves left and right to open and close the observation window 310.

도가니(200)는 챔버(100) 내부에 배치되며, 상측이 개방된 용기 형태일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 실리콘 카바이드 단결정을 형성하기 위한 어떠한 형태로도 가능하다. 도가니(200)에는 실리콘 카바이드 성장에 주입되는 용융 원료가 장입되어 수용될 수 있다.The crucible 200 is disposed inside the chamber 100 and may be in the form of a container having an upper side opened. However, the present invention is not limited thereto and may be in any form for forming silicon carbide single crystal. The crucible 200 may be charged with a molten raw material injected into the growth of silicon carbide.

도가니(200)를 가열시키면, 도가니(200) 내부에 담긴 용액(110)은 탄소(C), 실리콘(Si)을 포함하는 용액(110)으로 변하게 되며, 계속하여 도가니(200)를 가열시켜 용액(110)이 과포화도 상태가 되면, 용액(110)과 접촉하는 종결정(410) 상에 실리콘 카바이드 단결정이 성장될 수 있다.When the crucible 200 is heated, the solution 110 contained in the crucible 200 is changed into a solution 110 containing carbon (C) and silicon (Si), and the crucible 200 is heated to continue the solution. When 110 is in a supersaturation state, silicon carbide single crystals may be grown on seed crystals 410 in contact with the solution 110.

풀링 샤프트(400)는 도가니(200)에 담긴 용액(110)으로 종결정(410)을 주입하는 역할을 한다. 풀링 샤프트(400)의 단부에는 실리콘 카바이드 종결정(410)이 연결될 수 있으며, 풀링 샤프트(400)의 상하 이동을 통하여 종결정(410)이 도가니(200) 내부로 이동될 수 있다.The pulling shaft 400 injects the seed crystal 410 into the solution 110 contained in the crucible 200. The silicon carbide seed crystal 410 may be connected to an end of the pulling shaft 400, and the seed crystal 410 may be moved into the crucible 200 through the vertical movement of the pulling shaft 400.

가로막이 부재(300)는 도가니(200) 상측에 배치된 것으로, 하나 이상의 관측창(310)을 구비할 수 있다. 가로막이 부재(300)는 도가니(200) 상측으로 발산되는 열을 차단시키는 역할을 하며, 이와 동시에 관측창(310)을 통하여 실리콘 카바이드의 성장 과정의 관찰을 할 수 있도록 하는 역할을 한다.The barrier member 300 is disposed above the crucible 200 and may include one or more observation windows 310. The barrier member 300 serves to block heat emitted to the upper side of the crucible 200, and at the same time, serves to observe the growth process of silicon carbide through the observation window 310.

실시예에 따라서는 가로막이 부재(300)는 단열 부재일 수 있으며, 단열 부재로 이루어진 가로막이 부재(300)의 경우, 도가니(200)의 상측을 단열 부재로 감싸는 구조가 된다는 점에서, 열 발산을 낮추는 효과가 있다.In some embodiments, the barrier member 300 may be a heat insulating member. In the case of the barrier member 300 including the heat insulating member, the barrier member 300 may have a structure in which the upper side of the crucible 200 is surrounded by the heat insulating member. Has the effect of lowering.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a single crystal growth apparatus according to another embodiment of the present invention.

가로막이 부재(300)가 하나인 도 1과 달리, 도 2의 단결정 성장 장치는 가로막이 부재(300)가 두 개일 수 있다. 가로막이 부재(300)가 복수인 경우, 복수의 가로막이 부재(300)는 서로 평행하게 배치될 수 있다. 가로막이 부재(300)가 복수인 경우, 가로막이 부재(300)가 하나인 경우에 비하여, 도가니(200) 상측으로 발산되는 열을 차단시키는 효과가 높아진다.Unlike FIG. 1, in which the barrier member 300 is one, the single crystal growth apparatus of FIG. 2 may have two barrier members 300. When there are a plurality of barrier members 300, the plurality of barrier members 300 may be arranged in parallel to each other. When there are a plurality of barrier members 300, the effect of blocking heat emitted to the upper side of the crucible 200 is higher than when the barrier members 300 are one.

도 1 및 도 2에서는 가로막이 부재(300)의 측면에 각각 두 개의 이동 부재(500)가 구비된 모습만을 도시하였으나, 이동 부재(500)의 개수, 위치가 도시된 바에 한정되는 것은 아니며, 가로막이 부재(300)에 하나 이상의 이동 부재(500)가 구비되는 모든 경우를 포함할 수 있다.In FIGS. 1 and 2, only the two moving members 500 are provided on the side surfaces of the barrier member 300, but the number and positions of the moving members 500 are not limited thereto. It may include any case where the member 300 is provided with one or more moving members 500.

이동 부재(500)는 가로막이 부재(300)의 일부를 관통하여 좌우 이동하는 것으로서, 좌우 방향으로의 이동을 통하여 가로막이 부재(300)에 구비된 관측창(310)의 개폐를 조절하는 역할을 한다. 가로막이 부재(300)를 관통하여 이동하는 이동 부재(500)에 대하여는 이하 도 3 및 도 4에서 후술하도록 한다.The moving member 500 moves left and right through a part of the barrier member 300, and controls the opening and closing of the observation window 310 provided in the barrier member 300 by moving in the left and right directions. do. The moving member 500 moving through the barrier member 300 will be described later with reference to FIGS. 3 and 4.

가이드부(600)는 챔버(100)의 측면에, 이동 부재(500)의 일단이 접촉되는 부분에 배치된 것으로서, 이동 부재(500)가 챔버(100)에 결합되도록 하는 역할을 한다. 일 실시예로서, 이동 부재(500)는 챔버(100)에 고정되도록 결합되어 회전 이동이 없이 고정된 형태일 수 있으나, 다른 실시예에 따라서는 이동 부재(500)는 풀링 샤프트(400)를 축으로 하여 가로막이 부재(300)와 함께 회전 이동되도록 챔버(100)의 가이드부(600)에 결합될 수도 있다. 회전 이동에 대하여는 도 5에서 설명하도록 한다. The guide part 600 is disposed at a side of the chamber 100 at which one end of the moving member 500 contacts, and serves to allow the moving member 500 to be coupled to the chamber 100. In one embodiment, the moving member 500 is coupled to be fixed to the chamber 100 may be a fixed form without a rotational movement, according to another embodiment the moving member 500 is a shaft axis of the pulling shaft 400 As a result, the barrier member 300 may be coupled to the guide part 600 of the chamber 100 so as to rotate together with the barrier member 300. The rotational movement will be described with reference to FIG. 5.

단열부(700)는 도가니(200)의 외주면에 배치될 수 있으며, 도가니(200)에서 방출되는 열을 차단하는 역할을 한다. 즉, 단열부(700)는 도가니(200) 내부의 온도를 단결정 성장 온도로 유지시키는 기능을 할 수 있다.The heat insulating part 700 may be disposed on an outer circumferential surface of the crucible 200, and serves to block heat emitted from the crucible 200. That is, the heat insulating part 700 may function to maintain the temperature inside the crucible 200 at the single crystal growth temperature.

실리콘 카바이드 단결정 성장에는 고온 상태가 필요하므로, 실시예에 따라서는, 단열부(700)로서 그라파이트 섬유를 압착시켜 일정 두께 이상으로 제작된 그라파이트 펠트(graphite felt)가 사용될 수 있다. 또한, 단열부(700)는 복수의 층으로 형성되어 도가니(200)를 둘러싸는 형태일 수 있으나, 단열부(700)의 형태가 이에 한정되는 것은 아니다.Since silicon carbide single crystal growth requires a high temperature state, according to an embodiment, graphite felt manufactured by compressing graphite fibers to a predetermined thickness or more may be used as the heat insulating part 700. In addition, the heat insulating part 700 may be formed in a plurality of layers to surround the crucible 200, but the shape of the heat insulating part 700 is not limited thereto.

발열부(800)는 단열부(700)의 외측에 배치되어 도가니(200)를 가열시키는 역할을 한다. 실시예에 따라서는 발열부(800)는 유도 코일일 수 있으며, 이 경우 유도 코일에 전류를 흘려 도가니(200)를 가열시킴으로써, 도가니(200) 내부에 장입된 용액(110)을 가열시킬 수 있다.The heat generating part 800 is disposed outside the heat insulating part 700 and serves to heat the crucible 200. According to an embodiment, the heating unit 800 may be an induction coil, and in this case, by heating a crucible 200 by flowing a current through the induction coil, the solution 110 charged in the crucible 200 may be heated. .

도 3은 이동 부재의 이동에 따른 가로막이 부재의 관측창의 개폐와 관련된도면으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 있어서, 관측창이 열린 모습을 나타낸 도면이다.3 is a view related to the opening and closing of the observation window of the barrier member according to the movement of the moving member. In the single crystal growth apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention, the view of the observation window is opened.

도 3에 도시된 바와 같이, 이동 부재(500)는 챔버(100)의 측면에 고정되는 제1 고정부(510), 가로막이 부재(300)의 측면에 고정되는 제2 고정부(520), 제1 고정부(510) 및 제2 고정부(520) 사이에 배치되어 이동 부재(500)를 지지시키는 지지부(530), 및 지지부(530) 내부에 삽입되는 개폐 조절부(540)를 포함할 수 있으며, 개폐 조절부(540)는 가로막이 부재(300) 내부로 이동할 수 있다.As shown in FIG. 3, the moving member 500 includes a first fixing part 510 fixed to the side of the chamber 100, a second fixing part 520 fixed to the side of the barrier member 300, A support part 530 disposed between the first fixing part 510 and the second fixing part 520 to support the moving member 500, and an opening / closing adjusting part 540 inserted into the support part 530. In addition, the opening and closing adjustment unit 540 may move into the barrier member 300.

지지부(530)는 내부가 빈 관 형태일 수 있으며, 지지부(530)의 빈 공간에 개폐 조절부(540)가 삽입된 경우, 도 3에서와 같이 가로막이 부재(300)의 관측창(310)은 열린 상태가 된다. 개폐 조절부(540)가 지지부(530)에 삽입되어 있지만 관측창(310)과 중첩되지 않는 경우에는, 가로막이 부재(300)의 관측창(310)이 완전히 개방된 상태에 있게 된다.The support part 530 may have an empty tube shape, and when the opening / closing control part 540 is inserted into the empty space of the support part 530, the observation window 310 of the barrier member 300 as shown in FIG. 3. Becomes open. When the opening and closing adjustment part 540 is inserted into the support part 530 but does not overlap with the observation window 310, the observation window 310 of the barrier member 300 is in a completely open state.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 있어서, 관측창이 닫힌 모습을 나타낸 도면이다.4 is a view showing a view in which the observation window is closed in the single crystal growth apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 4는 지지부(530)의 내부에 삽입되어 있던 개폐 조절부(540)가 지지부(530)의 외부로 이동한 모습으로, 개폐 조절부(540)가 가로막이 부재(300)의 관측창(310)을 가리고 있는 상태이다. 즉, 가로막이 부재(300)의 측면을 관통하여 개폐 조절부(540)가 좌우 이동함으로써, 가로막이 부재(300)의 관측창(310)을 가리게 되어 관측창(310)이 닫힌 상태가 된 경우이다.4 illustrates a state in which the opening / closing adjustment unit 540 inserted into the support unit 530 moves to the outside of the support unit 530, and the opening / closing adjustment unit 540 observes the observation window 310 of the barrier member 300. ) Is hidden. That is, when the opening and closing control unit 540 moves left and right through the side surface of the barrier member 300 to cover the observation window 310 of the barrier member 300 so that the observation window 310 is in a closed state. to be.

개폐 조절부(540)는 이동장치(미도시)에 의하여 좌우 방향으로 슬라이딩 이동을 할 수 있으며, 이동장치(미도시)는 모터와 기어의 조합에 의한 기계적인 장치일 수 있다. 실시예에 따라서는 이동장치(미도시)는 개폐 조절부(540)의 타단에 연결된 막대형 봉일 수 있다. 막대형 봉의 일단은 개폐 조절부(540)의 타단에 연결되고, 막대형 봉의 타단은 제1 고정부(510) 내지는 챔버(100)를 통과하여, 챔버(100) 외부로 돌출되는 형태일 수 있다. 실시예에 따라서는, 챔버(100) 외부로 돌출된 이동장치(미도시), 즉 막대형 봉은 파지할 수 있는 손잡이 형태일 수 있다. 손잡이를 좌우 이동함에 따라, 개폐 조절부(540)가 함께 좌우 방향으로 이동되도록 구성할 수 있으며, 이 경우 사용자는 손잡이를 좌우 이동시켜 손쉽게 관측창(310)을 개방하거나 폐쇄시킬 수 있다.The opening and closing control unit 540 may be slidably moved in a left and right direction by a moving device (not shown), and the moving device (not shown) may be a mechanical device by a combination of a motor and a gear. In some embodiments, the moving device (not shown) may be a rod-shaped rod connected to the other end of the opening / closing control unit 540. One end of the rod-shaped rod is connected to the other end of the opening and closing control unit 540, the other end of the rod-shaped rod may pass through the first fixing portion 510 or the chamber 100, protruding out of the chamber 100. . According to the exemplary embodiment, a moving device (not shown) protruding out of the chamber 100, that is, a rod-shaped rod may be in the form of a handle that can be gripped. As the handle is moved left and right, the opening and closing adjustment unit 540 may be configured to be moved together in the left and right direction, in which case the user can easily open or close the observation window 310 by moving the handle left and right.

본 발명의 다른 실시예로서, 가로막이 부재(300)는 풀링 샤프트(400)를 축으로 하여 회전 이동할 수 있다. 가로막이 부재(300)가 회전하는 경우, 가로막이 부재(300)에 구비된 관측창(310)의 위치도 함께 이동하게 되며, 사용자는 관측창(310)의 위치를 조절하여 관찰하고자 하는 위치에 관측창(310)을 위치시켜 실리콘 카바이드의 성장 과정을 관찰할 수 있게 된다. 이와 같이, 가로막이 부재(300)가 회전 이동을 하는 경우, 가로막이 부재(300)의 측면에 결합된 이동 부재(500)도 함께 회전 이동을 하게 되는데, 가로막이 부재(300) 및 이동 부재(500)의 회전 이동에 대하여는 도 5에서 살펴보도록 한다.As another embodiment of the present invention, the barrier member 300 may move in rotation about the pulling shaft 400. When the barrier member 300 rotates, the position of the observation window 310 provided in the barrier member 300 is also moved, and the user adjusts the position of the observation window 310 to a position to be observed. The observation window 310 may be positioned to observe the growth process of silicon carbide. As such, when the barrier member 300 rotates, the movable member 500 coupled to the side surface of the barrier member 300 also rotates together, and the barrier member 300 and the movable member ( The rotational movement of 500 will be described with reference to FIG. 5.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 있어서, 가로막이 부재가 회전하는 모습을 나타낸 도면이다.5 is a view showing a state in which the barrier member rotates in the single crystal growth apparatus according to another embodiment of the present invention.

구체적으로는, 두 개의 가로막이 부재(300)를 구비한 실시예에서, 각각의 가로막이 부재(300)가 회전하는 모습으로, 가로막이 부재(300) 및 가로막이 부재(300)의 측면에 결합된 이동 부재(500)가 함께 풀링 샤프트(400)를 축으로 회전 이동하는 모습을 도시한 것이다. 도 5(a)는 가로막이 부재(300)가 동일한 방향으로 회전하는 경우이고, 도 5(b)는 가로막이 부재(300)가 상이한 방향으로 회전하는 경우이다. 이와 같이 복수의 가로막이 부재(300)는 각각 독립적으로 회전 이동할 수 있다.Specifically, in the embodiment with two barrier members 300, each barrier member 300 is rotated, coupled to the side of the barrier member 300 and the barrier member 300 The moving member 500 is shown to rotate the shaft along the pull shaft 400 together. FIG. 5A illustrates a case where the barrier member 300 rotates in the same direction, and FIG. 5B illustrates a case where the barrier member 300 rotates in different directions. As such, the plurality of barrier members 300 may be independently rotatable.

또한, 도 5에서도 확인할 수 있듯이, 챔버(100)의 내부 측면에는, 이동 부재(500)의 일단이 접촉되는 부분에 이동 부재(500)의 회전 이동 경로를 따라 배치된 홈 형태의 가이드부(600)가 더 포함될 수 있다. 가로막이 부재(300)가 풀링 샤프트(400)를 축으로 하여 회전하는 경우, 제2 고정부(520)는 가로막이 부재(300)의 측면에 고정 결합된 상태로 일체화되어 함께 회전할 수 있으며, 챔버(100)의 측면과 연결되는 제1 고정부(510)는 홈 형태의 가이드부(600)에 끼워진 형태로 가이드라인을 따라 이동할 수 있다. 도 5에서는 가로막이 부재(300)가 두 개인 경우로서, 각각의 가로막이 부재(300)와 평행한 위치의 챔버(100) 측면에, 가이드부(600)가 두 개 배치된 것을 확인할 수 있다.In addition, as can be seen in Figure 5, the inner side of the chamber 100, the guide portion 600 of the groove shape disposed along the rotational movement path of the moving member 500 in a portion where one end of the moving member 500 contacts. ) May be further included. When the barrier member 300 rotates about the pulling shaft 400, the second fixing part 520 may be integrally rotated to the side of the barrier member 300 to be rotated together. The first fixing part 510 connected to the side surface of the chamber 100 may move along the guide line in a form of being fitted into the guide part 600 having a groove shape. In FIG. 5, when the barrier member 300 is two, it can be seen that two guide parts 600 are disposed on the side of the chamber 100 at a position parallel to each of the barrier members 300.

설명한 바와 같이, 본 발명의 단결정 성장 장치는, 도가니 상측을 가로막이 부재로 막아, 기존의 단결정 성장 장치에 비하여 열 차단 효과를 높임과 동시에, 이동 부재의 좌우 이동에 따라 가로막이 부재의 관측창 개폐를 조절할 수 있도록 하여 단결정 성장 중인 도가니 내부를 용이하게 관측 가능하게 함으로써 공정 중 관측 자유도를 높였다는 점에서 의의가 있다.As described, the single crystal growth apparatus of the present invention blocks the upper side of the crucible with a barrier member to increase the heat shielding effect as compared with the conventional single crystal growth apparatus, and simultaneously opens and closes the observation window of the barrier member according to the left and right movement of the movable member. It is important to increase the degree of freedom of observation during the process by making it possible to easily control the inside of the crucible during single crystal growth.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 이용한 단결정 성장 방법의 흐름도이다.6 is a flowchart of a single crystal growth method using a single crystal growth apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 이용한 단결정 성장 방법은, 풀링 샤프트 하단에 구비된 종결정이 도가니 내부의 용액으로 이동하여 단결정을 성장시키는 단계(S100), 및 이동 부재가 도가니의 상부에 배치되는 가로막이 부재 일부를 관통하도록 좌우 이동하여, 가로막이 부재에 구비된 관측창의 개폐를 조절하는 단계(S200)를 포함할 수 있다.As shown in Figure 6, the single crystal growth method using a single crystal growth apparatus according to an embodiment of the present invention, the seed crystal provided on the bottom of the pulling shaft to move to the solution in the crucible to grow the single crystal (S100) And moving the member left and right to penetrate a part of the barrier member disposed on the crucible, thereby controlling opening and closing of the observation window provided in the barrier member (S200).

도 6에 도시되지는 않았으나, 실시예에 따라서는 가로막이 부재를 풀링 샤프트를 축으로 하여 회전 이동시켜, 가로막이 부재의 관측창의 위치를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.Although not shown in FIG. 6, the barrier member may further include adjusting the position of the observation window of the barrier member by rotating the barrier member about an axis of the pulling shaft.

이 경우, 가로막이 부재의 측면에 결합된 이동 부재도 가로막이 부재와 함께 회전 이동하게 되는바, 이동된 위치에서 이동 부재의 개폐 조절부를 가로막이 부재를 관통하도록 좌우로 이동시켜 관측창의 개폐를 조절할 수 있음은 물론이다. 이와 같이, 관측창의 위치를 조절하는 단계를 더 포함하는 경우는, 사용자가 관찰하고자 하는 위치에서 실리콘 카바이드의 성장 과정을 관찰할 수 있다는 장점이 있다.In this case, the movable member coupled to the side of the barrier member is also rotated together with the barrier member. In the moved position, the opening and closing adjustment part of the movable member is moved left and right to penetrate the barrier member to control the opening and closing of the observation window. Of course it can. As such, in the case of further comprising adjusting the position of the observation window, there is an advantage that the user can observe the growth process of silicon carbide at the position to be observed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 이용한 단결정 성장 방법은, 가로막이 부재에 구비된 관측창의 개폐를 조절함으로써, 실리콘 카바이드의 성장 과정을 관찰할 수 있도록 하여 공정의 편의성을 높이면서 관측창을 통하여 발산되는 열을 효과적으로 차단시켜 공정의 효율성을 높이도록 할 수 있다.As described above, the single crystal growth method using the single crystal growth apparatus according to the embodiment of the present invention, by adjusting the opening and closing of the observation window provided in the barrier member, it is possible to observe the growth process of the silicon carbide to improve the convenience of the process While increasing, it can effectively block the heat dissipated through the observation window to increase the efficiency of the process.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

10: 단결정 성장 장치
100: 챔버
110: 용액
200: 도가니
300: 가로막이 부재
310: 관측창
400: 풀링 샤프트
410: 종결정
500: 이동 부재
510: 제1 고정부
520: 제2 고정부
530: 지지부
540: 개폐 조절부
600: 가이드부
700: 단열부
800: 발열부10: single crystal growth device
100: chamber
110: solution
200: crucible
300: barrier member
310: observation window
400: pulling shaft
410: seed crystal
500: moving member
510: first fixing part
520: second fixing part
530: support
540: opening and closing control unit
600: guide part
700: insulation
800: heating unit

Claims (17)

용액법을 이용한 단결정 성장 장치로서,
챔버;
상기 챔버 내부에 배치되는 도가니;
상기 도가니의 상부에 배치되며, 관측창을 구비하는 가로막이 부재;
상기 가로막이 부재의 중심을 관통하는 풀링 샤프트; 및
일단은 상기 챔버의 측면에, 타단은 상기 가로막이 부재의 측면에 결합되고, 좌우로 이동하여 상기 관측창을 개폐시키는 개폐 조절부를 갖는 이동 부재를 포함하는 단결정 성장 장치.As a single crystal growth apparatus using a solution method,
chamber;
A crucible disposed inside the chamber;
A barrier member disposed above the crucible and having a viewing window;
A pulling shaft passing through a center of the barrier member; And
And a moving member having one end coupled to a side surface of the chamber and the other end coupled to a side surface of the barrier member and moving left and right to open and close the observation window. 제1항에 있어서,
상기 이동 부재는,
상기 챔버의 측면에 고정되는 제1 고정부;
상기 가로막이 부재의 측면에 고정되는 제2 고정부;
상기 제1 고정부 및 상기 제2 고정부 사이에 배치되어 상기 이동 부재를 지지시키는 지지부; 및
상기 지지부 내부에 삽입되는 상기 개폐 조절부를 포함하며,
상기 개폐 조절부는 상기 가로막이 부재 내부로 좌우 이동하는 단결정 성장 장치.The method of claim 1,
The moving member,
A first fixing part fixed to a side of the chamber;
A second fixing part fixed to a side of the barrier member;
A support part disposed between the first fixing part and the second fixing part to support the moving member; And
It includes the opening and closing control unit is inserted into the support,
The opening and closing control unit is a single crystal growth apparatus to move left and right inside the barrier member. 제2항에 있어서,
상기 지지부는 내부가 빈 관 형태인 단결정 성장 장치.The method of claim 2,
The support portion is a single crystal growth apparatus having a hollow tube shape. 제2항에 있어서,
상기 개폐 조절부가 상기 지지부에 삽입되고, 상기 개폐 조절부가 상기 관측창과 중첩하지 않는 경우에는, 상기 관측창은 완전히 개방된 상태가 되는 단결정 성장 장치.The method of claim 2,
When the opening and closing adjustment part is inserted into the support portion, and the opening and closing adjustment part does not overlap with the observation window, the observation window is in a completely open state. 제2항에 있어서,
상기 개폐 조절부가 상기 지지부의 내부에서 외부로 이동하여 상기 관측창을 가리는 경우에는, 상기 관측창은 닫힌 상태가 되는 단결정 성장 장치.The method of claim 2,
When the opening and closing control unit moves from the inside of the support to the outside to cover the observation window, the observation window is in a closed state. 제1항에 있어서,
상기 가로막이 부재에 구비된 관측창은 하나 이상인 단결정 성장 장치.The method of claim 1,
Single crystal growth apparatus having at least one observation window provided in the barrier member. 제1항에 있어서,
상기 가로막이 부재에는 하나 이상의 이동 부재가 구비되는 단결정 성장 장치.The method of claim 1,
The barrier member is provided with one or more moving members. 제1항에 있어서,
상기 가로막이 부재 및 상기 가로막이 부재의 측면에 결합된 상기 이동 부재는 상기 풀링 샤프트를 축으로 하여 함께 회전 이동하는 단결정 성장 장치.The method of claim 1,
And the movable member coupled to the side wall of the diaphragm member and the diaphragm member to rotate together with respect to the pulling shaft. 제1항에 있어서,
상기 챔버는,
상기 이동 부재의 일단이 접촉되는 부분에 상기 이동 부재의 회전 이동 경로를 따라 배치된 홈 형태의 가이드부를 더 포함하는 단결정 성장 장치.The method of claim 1,
The chamber is
And a groove-shaped guide portion disposed along a rotational movement path of the movable member to a portion where one end of the movable member contacts. 제1항에 있어서,
상기 가로막이 부재는 하나 이상인 단결정 성장 장치.The method of claim 1,
The at least one barrier member is a single crystal growth apparatus. 제10항에 있어서,
상기 가로막이 부재가 복수인 경우, 상기 복수의 가로막이 부재는 서로 평행하게 배치되는 단결정 성장 장치.The method of claim 10,
When the barrier members are plural, the plurality of barrier members are arranged in parallel with each other. 제10항에 있어서,
상기 복수의 가로막이 부재는 각각 독립적으로 회전 이동하는 단결정 성장 장치.The method of claim 10,
The plurality of diaphragm members each independently move in rotation. 제1항에 있어서,
상기 가로막이 부재는 단열 부재인 단결정 성장 장치.The method of claim 1,
The barrier member is a single crystal growth apparatus that is a heat insulating member. 제1항에 있어서,
상기 도가니의 외주면에 배치되는 단열부를 더 포함하는 단결정 성장 장치.The method of claim 1,
Single crystal growth apparatus further comprises a heat insulating portion disposed on the outer peripheral surface of the crucible. 제14항에 있어서,
상기 단열부의 외측에 배치되는 발열부를 더 포함하는 단결정 성장 장치.The method of claim 14,
Single crystal growth apparatus further comprises a heat generating portion disposed outside the heat insulating portion. 단결정 성장 장치를 이용한 단결정 성장 방법에 있어서,
풀링 샤프트 하단에 구비된 종결정이 도가니 내부의 용액으로 이동하여 단결정을 성장시키는 단계; 및
이동 부재가 상기 도가니의 상부에 배치되는 가로막이 부재의 일부를 관통하도록 좌우 이동하여, 상기 가로막이 부재에 구비된 관측창의 개폐를 조절하는 단계를 포함하는 단결정 성장 방법.In the single crystal growth method using the single crystal growth apparatus,
Seed crystals provided at the bottom of the pulling shaft move to a solution in the crucible to grow single crystals; And
And moving the member left and right to penetrate a portion of the barrier member disposed above the crucible, thereby controlling the opening and closing of the observation window provided in the barrier member. 제16항에 있어서,
상기 가로막이 부재를 상기 풀링 샤프트를 축으로 하여 회전 이동시켜, 상기 가로막이 부재의 상기 관측창의 위치를 조절하는 단계를 더 포함하는 단결정 성장 방법.The method of claim 16,
And rotating the barrier member about the pulling shaft to adjust the position of the observation window of the barrier member.
KR1020180037652A 2018-03-30 2018-03-30 Single crystal growth device and single crystal growth method of using the same KR102466502B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180037652A KR102466502B1 (en) 2018-03-30 2018-03-30 Single crystal growth device and single crystal growth method of using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180037652A KR102466502B1 (en) 2018-03-30 2018-03-30 Single crystal growth device and single crystal growth method of using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190114643A true KR20190114643A (en) 2019-10-10
KR102466502B1 KR102466502B1 (en) 2022-11-10

Family

ID=68206262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180037652A KR102466502B1 (en) 2018-03-30 2018-03-30 Single crystal growth device and single crystal growth method of using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102466502B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06157187A (en) * 1992-11-24 1994-06-03 Hitachi Chem Co Ltd Single crystal growth furnace and production of single crystal
KR20130067141A (en) * 2011-12-13 2013-06-21 (주) 다애테크 Manufacturing equipment for sapphire ingot
KR20170103289A (en) * 2016-03-03 2017-09-13 주식회사 엘지화학 Manufacturing apparatus of silicon carbide single crystal

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06157187A (en) * 1992-11-24 1994-06-03 Hitachi Chem Co Ltd Single crystal growth furnace and production of single crystal
KR20130067141A (en) * 2011-12-13 2013-06-21 (주) 다애테크 Manufacturing equipment for sapphire ingot
KR20170103289A (en) * 2016-03-03 2017-09-13 주식회사 엘지화학 Manufacturing apparatus of silicon carbide single crystal

Also Published As

Publication number Publication date
KR102466502B1 (en) 2022-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5888647B2 (en) Crystal growth apparatus and crystal growth method
US20150013590A1 (en) Seed crystal holding shaft for use in single crystal production device, and method for producing single crystal
KR102136269B1 (en) Manufacturing apparatus for silicon carbide single crystal
JP6628640B2 (en) Apparatus and method for producing silicon carbide single crystal ingot
JP2016064958A (en) Manufacturing method of sic single crystal
KR20190114643A (en) Single crystal growth device and single crystal growth method of using the same
KR102103884B1 (en) Manufacturing apparatus for silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal
KR102153519B1 (en) Manufacturing apparatus for silicon carbide single crystal
KR101275382B1 (en) Single Crystal Cooling Apparatus and Single Crystal Grower including the same
JP6354615B2 (en) Method for producing SiC single crystal
KR102493182B1 (en) Single crystal growth apparatus and single crystal growth method of using the same
KR20190114642A (en) Single crystal growth device and single crystal growth method of using the same
US20210140065A1 (en) Semiconductor crystal growth apparatus
KR102068218B1 (en) Manufacturing apparatus for silicon carbide single crystal
KR102479333B1 (en) Manufacturing apparatus for silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal
RU111140U1 (en) INSTALLATION, FURNACE AND FURNACE HEATER FOR MANUFACTURE OF COMPOSITE OPTICAL MATERIAL ZINC SEALIDE / ZINC SULPHIDE
JPH1081593A (en) Production of cz silicon single crystal and apparatus therefor
KR102490095B1 (en) Manufacturing apparatus for siliconcarbide single crystal and manufacturing method of siliconcarbide single crystal
KR101977365B1 (en) The solution growth reactor for single crystal growth including that function for opening and closing the head of hot-zone
KR20210004199A (en) Manufacturing apparatus for siliconcarbide single crystal
US11105016B2 (en) Crystal growth apparatus with controlled center position of heating
KR20210004200A (en) Manufacturing apparatus for siliconcarbide single crystal
KR102142424B1 (en) Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same
KR20210004584A (en) Single crystal growth apparatus and single crystal growth method of using the same
KR102666732B1 (en) Single crystal growth apparatus and single crystal growth method of using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant