KR20190114582A - Method for manufacturing quantum wires and quantum fabric, quantum wires and fabric manufactured by the same - Google Patents

Method for manufacturing quantum wires and quantum fabric, quantum wires and fabric manufactured by the same

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KR20190114582A
KR20190114582A KR1020180037510A KR20180037510A KR20190114582A KR 20190114582 A KR20190114582 A KR 20190114582A KR 1020180037510 A KR1020180037510 A KR 1020180037510A KR 20180037510 A KR20180037510 A KR 20180037510A KR 20190114582 A KR20190114582 A KR 20190114582A
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이귀화
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Abstract

The present invention relates to a quantum wire manufacturing method and a quantum wire and a quantum fabric manufactured thereby. Quantum dot enhanced film (QDEF) used in a display can be replaced, and for this purpose, the quantum wire manufacturing method for weaving quantum wire is provided to manufacture quantum wires for quantum dot application and implement various types of display, and a quantum wire and a quantum fabric manufactured thereby are provided. Specifically, the provided quantum wire manufacturing method comprises: a raw material supply step of supplying a quantum dot mixed with a polymer; and a quantum line forming step of forming a polymer mixed with quantum dots into a line after the raw material supply step.

Description

양자선 제조방법 및 이에 의해 제조된 양자선, 양자직물{Method for manufacturing quantum wires and quantum fabric, quantum wires and fabric manufactured by the same}Method for manufacturing quantum wires and quantum wires and quantum wires, quantum wires and fabric manufactured by the same

본 발명은 양자선 제조방법 및 이에 의해 제조된 양자선, 양자직물에 대한 발명으로서, 디스플레이에 사용되고 있는 QDEF(Quantum Dot Enhanced Film)을 대체할 수 있으며, 이를 위해, 양자점 응용을 위한 양자선을 제조하며, 다양한 형태의 디스플레이를 구현하도록 양자선을 직조하는 양자선 제조방법 및 이에 의해 제조된 양자선, 양자직물에 대한 발명이다.The present invention is a method for manufacturing quantum wires and quantum wires and quantum fabrics produced thereby, which can replace QDEF (Quantum Dot Enhanced Film) used in displays, and for this purpose, quantum wires for quantum dot applications are manufactured. The present invention relates to a quantum wire manufacturing method for weaving quantum wires to realize various types of displays, and quantum wires and quantum fabrics produced thereby.

특허발명 001은 InP 기판 상부에 격자 정합된 InAlAs 박막을 성장하는 단계와, 상기 InAlAs 박막 상부에 InP에 피층을 형성하는 단계로 이루어지되 상기 단계를 반복적으로 실행하여 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자선 제조방법에 대한 것이다.Patent Invention 001 comprises a step of growing a lattice matched InAlAs thin film on the InP substrate, and forming a layer on the InP on the InAlAs thin film, and repeatedly performing the above steps to form a multi-layer It is about a line manufacturing method.

특허발명 002는 전기분사 또는 전기방사로 다수의 양자점이 내부에 배치되는 양자점층을 형성하는 단계; 상기 양자점층 상에 전기분사 또는 전기방사로 상기 양자점층을 커버하는 베리어층을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 양자점 필름 제조방법에 대한 것이다.Patent 002 is an electrospray or electrospinning to form a quantum dot layer having a plurality of quantum dots disposed therein; It relates to a quantum dot film manufacturing method comprising the step of forming a barrier layer covering the quantum dot layer by electrospraying or electrospinning on the quantum dot layer.

특허발명 003은 인듐 및 인을 포함하는 코어층; 인듐 산화물을 포함하고 상기 코어층 상에 배치되는 코팅층; 및 아연 및 황을 포함하고 상기 코어층 상에 배치되는 쉘층을 포함하고, 상기 코팅층과 상기 쉘층이 혼재되어 배치되는 InP계 양자점에 대한 것이다.Patent Inventive 003 is a core layer comprising indium and phosphorus; A coating layer comprising indium oxide and disposed on the core layer; And a shell layer including zinc and sulfur and disposed on the core layer, wherein the coating layer and the shell layer are mixed with each other.

특허발명 004는 청색의 빛을 녹색(Green) 내지 적색(Red)으로 변환시키는 수 나노미터(nanometer) 크기의 양자점(Quantum Dot)을 사용하는 양자점 시트(Quantum Dot Sheet)로서, PET 등의 베이스필름에는 실리콘 수지(Silicone Resin) 등으로 코팅이 된 이형층(402a)이 형성되어 있으며, 이형층 위에 하드코팅층을 코팅을 해서 형성하는 것과, 하드코팅층 위에 수증기와 산소의 투과를 억제하는 베리어층(Barrier Layer)을 코팅에 의해 형성을 한 것과, 베리어층 위에 양자점과 수지가 혼합된 양자점층을 코팅으로 형성을 한 것과, 양자점층을 경화시킨것과, 경화된 양자점층 위에 접착제층을 코팅한 것과, 접착제층 위에 베리어층과 하드코팅층과 이형층이 있는 PET 필름과 같은 베이스필름을 베리어층을 접착제와 접착되게 부착한것과, 양면의 베이스필름과 이형층을 분리해 내는 구조로서 양자점층의 양면에 베리어층과 베리어층 다음에 하드코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 시트(Quantum Dot Sheet)에 대한 것이다.Patent Invention 004 is a quantum dot sheet using a quantum dot of several nanometers in size to convert blue light from green to red, and is a base film such as PET. There is formed a release layer 402a coated with a silicone resin (Silicone Resin), a hard coat layer is formed by coating on the release layer, and a barrier layer (Barrier) to suppress the permeation of water vapor and oxygen on the hard coat layer Layer) formed by coating, quantum dot layer mixed with quantum dot and resin on barrier layer by coating, cured quantum dot layer, coated adhesive layer on cured quantum dot layer, adhesive Base film such as PET film with barrier layer, hard coating layer and release layer on the layer is attached with barrier layer adhered with adhesive, and separates both sides of base film and release layer. As is for a quantum dot sheet (Quantum Dot Sheet) which on both sides of the quantum dot layer, wherein a hard coating layer formed on the barrier layer and the barrier layer and then.

KR 10-1998-067652A (공개일자 1998년10월15일)KR 10-1998-067652A (published 15 October 1998) KR 10-2016-0064537 A (공개일자 2016년06월08일)KR 10-2016-0064537 A (published June 08, 2016) KR 10-1641016 B1 (등록일자 2016년07월13일)KR 10-1641016 B1 (Registered July 13, 2016) KR 10-2017-0023376A (공개일자 2017년03월03일)KR 10-2017-0023376A (published March 03, 2017)

본 발명은 양자선 제조방법 및 이에 의해 제조된 양자선, 양자직물에 대한 발명으로서, 디스플레이에 사용되고 있는 QDEF(Quantum Dot Enhanced Film)을 대체할 수 있으며, 이를 위해, 양자점 응용을 위한 양자선을 제조하며, 다양한 형태의 디스플레이를 구현하도록 양자선을 직조하는 양자선 제조방법 및 이에 의해 제조된 양자선, 양자직물에 대한 발명이다.The present invention is a method for manufacturing quantum wires and quantum wires and quantum fabrics produced thereby, which can replace QDEF (Quantum Dot Enhanced Film) used in displays, and for this purpose, quantum wires for quantum dot applications are manufactured. The present invention relates to a quantum wire manufacturing method for weaving quantum wires to realize various types of displays, and quantum wires and quantum fabrics produced thereby.

종래 발명들의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 양자선 제조방법에 대한 발명으로서, 폴리머와 혼합된 양자점을 공급하는 원료공급단계;, 상기 원료공급단계 후, 양자점이 혼합된 폴리머를 선으로 성형하는 양자선 성형단계;를 포함한다.In order to solve the problems of the conventional invention, the present invention relates to a method for manufacturing a quantum wire, a raw material supply step of supplying a quantum dot mixed with a polymer ;, after the raw material supply step, molding a polymer mixed with a quantum dot by a line It includes; forming a quantum line.

본 발명의 양자선 제조방법에 대한 발명으로서, 앞에서 제시한 원료공급단계, 양자선 성형단계에 있어서, 상기 양자선 성형단계 후, 상기 양자선을 경화시키는 제1경화단계;, 상기 제1경화단계 후, 양자선을 코팅하는 표면처리단계;를 포함한다.In accordance with an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a quantum wire, wherein in the raw material supply step and the quantum wire forming step, the first curing step of curing the quantum wire after the quantum wire forming step; After, the surface treatment step of coating a quantum line; includes.

본 발명의 양자선 제조방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 발명에서 상기 제2경화단계 후, 양자선을 릴에 감는 권취단계;를 포함한다.It is an invention for a quantum wire manufacturing method of the present invention, after the second curing step in the above-described invention, winding the quantum wire wound on the reel; includes.

본 발명의 양자선 제조방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 발명에서, 상기 권취단계 후, 양자선을 천으로 직조하는 직조단계;를 포함한다.It is an invention for a quantum wire manufacturing method of the present invention, in the invention presented above, after the winding step, weaving step of weaving the quantum wire with a cloth; includes.

본 발명은 양자선에 대한 발명이며, 원주형사이며, 변형가능하며, 청구항 2의 제조방법으로 제도되는 것을 포함한다. The present invention relates to a quantum wire, is a columnar form, can be deformable, and includes the drawing by the manufacturing method of claim 2.

본 발명은 양자직물에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 양자선이 복수로 형성되며, 상호 교차되어 직조되는 것을 포함한다. The present invention relates to a quantum fabric, and includes a plurality of quantum wires described above, which are intersected and woven.

본 발명은 박판형상이며, 유연성이 존재하는 양자선을 제조하며, 다양한 형태의 디스플레이를 구현하도록 양자직물을 제조하는 것이다. 본 발명의 자동으로 양자선을 연속 생산하는 효과를 가지며, 복수의 양자선을 혼합하여 직조할 수 있는 효과를 가진다. The present invention is to produce a quantum wire having a thin plate shape, flexible, and to produce a quantum fabric to implement various types of displays. The present invention has the effect of automatically producing quantum wires continuously, and has the effect of weaving by mixing a plurality of quantum wires.

도 1은 본 발명의 양자선 제조방법을 나타낸 공정도.
도 2는 자외선 조사에 의해 비춰진 양자점을 나타낸 사진.
도 3은 본 발명의 양자선을 나타낸 사진.
도 4는 본 발명의 양자천을 나타낸 사진.
1 is a process chart showing a quantum wire manufacturing method of the present invention.
2 is a photograph showing quantum dots illuminated by ultraviolet irradiation.
Figure 3 is a photograph showing a quantum line of the present invention.
Figure 4 is a photograph showing a quantum cloth of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

[실시예 1-1] 본 발명은 양자선 제조방법에 대한 발명으로서, 폴리머와 혼합된 양자점을 공급하는 원료공급단계;, 상기 원료공급단계 후, 양자점이 혼합된 폴리머를 선으로 성형하는 양자선 성형단계;를 포함한다.Example 1-1 The present invention relates to a method for manufacturing a quantum wire, comprising: a raw material supplying step of supplying a quantum dot mixed with a polymer; and a quantum wire molding a polymer having a mixed quantum dot into a line after the raw material supplying step It includes a molding step.

나노크기의 입경을 가지는 다량의 양자점은 폴리머와 혼합된 상태로 존재하며, 상기 폴리머는 바인더 역할을 한다. 즉 폴리머에 수용된 양자점을 가지게 된다. 상기 폴리머는 압출과정을 통해 양자선을 생성한다. A large amount of quantum dots having a nano-sized particle diameter is present in a mixed state with a polymer, and the polymer serves as a binder. That is, they have quantum dots contained in the polymer. The polymer produces quantum wires through an extrusion process.

[실시예 1-2(a)] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 1-1에 있어서, 상기 원료공급단계 전, 양자점을 크기별로 보관하는 보관단계;를 포함한다. Example 1-2 (a) In Example 1-1 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, before the raw material supply step, the storage step of storing the quantum dots by size; includes.

양자점은 크기에 따라 반응색상을 변화시킨다. 따라서 동일한 사이즈의 양자점을 분리하여 크기별로 각각의 용기에 양자점을 보관한다. 양자점 보관에 앞서서, 크루드 상태의 양자점용액은 반응 부산물과 반응 잔재유기물들을 포함하므로 이를 제거하기 위해 솔벤트(에탄올, 아세톤등)을 이용하여 세척한다. 세척된 양자점은 각각의 용기에 입자 크기별로 분리하여 보관한다. 양자점 나노입자들은 서로 엉키지 않도록 헥산이나 톨루엔, 클로로포름과 같은 솔벤트에 분산하여 보관한다.Quantum dots change the response color depending on the size. Therefore, separate the quantum dots of the same size and store the quantum dots in each container by size. Prior to quantum dot storage, the crude quantum dot solution contains reaction by-products and reaction residues, so it is washed with solvents (ethanol, acetone, etc.) to remove them. Washed quantum dots are stored separately in particle size by particle size. Quantum dot nanoparticles are dispersed and stored in solvents such as hexane, toluene and chloroform so as not to entangle each other.

[실시예 1-2(b)] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 1-1에 있어서, 상기 보관단계 전, 양자점을 합성하는 양자점 합성단계;를 포함한다. Example 1-2 (b) In Example 1-1 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, a quantum dot synthesizing step of synthesizing the quantum dots before the storage step is included.

양자점은 용액공정법으로 합성되며, 양자점은 CdSe계 양자점과 또는 InP계 양자점을 사용한다. 양자점 합성은 각조성에 맞도록 프리커서를 만들며, 상기 프리커서 및 원소를 이용하여 코어를 제조하며, 상기 코어의 프리커서 및 원소를 이용하여 쉘을 쌓는과정으로 양자점을 합성한다. Quantum dots are synthesized by a solution process method, and quantum dots use CdSe-based quantum dots or InP-based quantum dots. Quantum dot synthesis generates precursors to suit each composition, and prepares cores using the precursors and elements, and synthesizes quantum dots by stacking shells using the precursors and elements of the cores.

[실시예 1-3] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 1-1에 있어서, 상기 원료공급단계 전, 양자점이 수용된 폴리머를 교반하는 교반단계;, 상기 교반단계는 제1혼합단계; 및 중합단계;를 포함한다. [Example 1-3] In Example 1-1 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, before the raw material supply step, the stirring step of stirring the polymer containing the quantum dot; The stirring step, the first mixing step; And a polymerization step.

상기 교반단계는 모노머 혼합단계 및 올리고머 중합단계를 포함한다. 상기 모노머 혼합단계는 양자점과 모노머의 중량비를 1:3 내지 1:10으로 형성하며, 바람직하게는 1:5를 형성한다. 올리고머 중합단계는 양자점 모노머 및 올리고머의 중량비를 1:4 내지 1:10으로 한다. 바람직하게는 1:6을 형성한다. 앞에서 제시한 모노머 혼합단계 및 올리고머 중합단계를 통해, 폴리머는 UV에 용이하게 경화되며, 공기와 유사한 굴절율을 확보할 수 있으며, 가시광선을 투과할 수 있다. 또한 내열성이 우수하여 온도변화에 따른 물성변화가 적으며, 내습성이 우수하여 습기에 의한 양자점 특성이 변화되지 않는다. The stirring step includes a monomer mixing step and an oligomer polymerization step. In the monomer mixing step, the weight ratio of the quantum dot and the monomer is 1: 3 to 1:10, and preferably 1: 5. In the oligomer polymerization step, the weight ratio of the quantum dot monomer and the oligomer is 1: 4 to 1:10. Preferably 1: 6. Through the monomer mixing step and oligomer polymerization step described above, the polymer is easily cured by UV, can secure a refractive index similar to air, and can transmit visible light. In addition, due to the excellent heat resistance, there is little change in physical properties due to temperature change, and excellent moisture resistance does not change the quantum dot characteristics due to moisture.

[실시예 1-4] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 1-3에 있어서, 상기 중압단계 중, 확산제 및 분산제를 혼합하는 제2혼합단계;를 포함한다.[Example 1-4] In Examples 1-3 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, a second mixing step of mixing a diffusion agent and a dispersant during the medium pressure step.

중합단계시, 점도는 2000cp 내지 2500cp를 형성한다. 이는 폴리머가 나노선 형태를 안정적으로 유지할 수 있는 임계적 의미를 가진다. 양자점 레진(모노머와 올리고머로 중합된 상태)은 교반용기에 보관된다. In the polymerization step, the viscosity forms 2000cp to 2500cp. This has the critical meaning that the polymer can stably maintain the nanowire morphology. Quantum dot resin (polymerized with monomer and oligomer) is stored in a stirring vessel.

[실시예 1-5] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 1-1에 있어서, 상기 성형단계는 양자점 레진을 노즐에 의해 압출하는 압출단계;를 포함한다.[Example 1-5] In Example 1-1 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, the molding step includes an extrusion step of extruding a quantum dot resin by a nozzle.

교반용기에 저장된 양자점 레진은 노즐을 통해 양자선으로 형상을 변화시킨다. 노즐에서 토출되는 양자선 두께는 레진의 분출속도 및 노즐직경에 따라 결정된다. 노즐직경은 노즐교체를 통해 변화시킬 수 있으며, 또는 노즐직경이 가변되는 엑츄에이터에 의해 변화될 수 있다. 레진 분출속도는 교반용기 내부압력을 조정하여 가변시킬 수 있다. 즉, 제어장치는 교반용기의 내부압력 및 노즐내경을 변화시켜 양자선 직경을 제어한다. 교반용기 내부압력은 교반용기에 공기압을 공급하여 이루어진다. 상기 공기압은 대기중의 공기를 정화시켜 공급한다. The quantum dot resin stored in the stirring vessel changes shape into quantum lines through the nozzle. The thickness of the quantum wire discharged from the nozzle is determined by the ejection speed and the nozzle diameter of the resin. The nozzle diameter may be changed through nozzle replacement, or may be changed by an actuator whose nozzle diameter is variable. The resin ejection rate can be varied by adjusting the internal pressure of the stirring vessel. That is, the controller controls the quantum wire diameter by changing the internal pressure and the nozzle inner diameter of the stirring vessel. The internal pressure of the stirring vessel is achieved by supplying air pressure to the stirring vessel. The air pressure purifies and supplies air in the atmosphere.

[실시예 1-6] 본 발명의 양자선 제조방법 실시예 1-1에 있어서, 상기 압출단계 후, 노즐로부터 압출된 양자선 외형을 측정하는 검출단계;를 포함한다. Example 1-6 The method for manufacturing quantum wires according to the present invention of Example 1-1 includes, after the extruding step, a detection step of measuring the appearance of the quantum wires extruded from the nozzle.

본 발명은 양자선의 외형품질을 판단하는 것이다. 노즐에서 압출되는 양자선 외형은 복수의 카메라에 의해 연속측정 되며, 화상처리에 의해 사이즈 불량을 검출한다. The present invention determines the appearance quality of quantum wires. The appearance of the quantum wires extruded from the nozzle is continuously measured by a plurality of cameras, and size defects are detected by image processing.

상기 검출단계는 양자선 외형을 촬영하여 영상신호를 만드는 비전센서(510);, 상기 비전센서의 신호를 이용하여 외형을 판단하는 제어기(520);로 이루어진다. 비전센서는 비접촉방식으로 양자선의 불량여부를 검사한다. 상기 비전센서는 양자선 외형을 실시간으로 측정하며, 영상신호를 제어기에 전송한다. 상기 제어기는 영상신호를 분석하여 사이즈의 정확성을 판별한다. 상기 비전센서에 사용되는 카메라는 라인스캔 카메라 또는 프레임 카메라를 사용한다. The detecting step includes a vision sensor 510 for capturing the external appearance of a quantum line to generate an image signal, and a controller 520 for determining the external appearance using the signal of the vision sensor. The vision sensor checks the quantum wire for defects in a non-contact manner. The vision sensor measures the external appearance of a quantum wire in real time and transmits an image signal to a controller. The controller analyzes the video signal to determine the accuracy of the size. The camera used in the vision sensor uses a line scan camera or a frame camera.

[실시예 1-7] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 1-1에 있어서, 상기 원료공급단계는 원료공급부로부터 양자점과 폴리머를 공급받아 혼합부로 정량 공급하는 정량공급단계;를 포함한다.[Example 1-7] In Example 1-1 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, the raw material supply step includes a quantitative supply step of receiving a quantum dot and the polymer from the raw material supply unit to quantitatively supply to the mixing unit.

양자점 및 폴리머는 교반기에 정해진 량을 정확하게 공급해야 한다. Quantum dots and polymers should be fed exactly to the stirrer.

[실시예 1-8] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 1-7에 있어서, 상기 정량공급단계 전, 폴리머공급부 내부에 액상 폴리머를 수용하는 폴리머용기(100);를 준비하며, 복수로 형성되며 각각의 용기에 동일크기의 양자점을 개별적으로 수용하는 양자점용기(200);를 준비하는 재료준비단계;를 포함한다. [Example 1-8] In Example 1-7 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, before the quantitative supply step, the polymer container 100 for receiving a liquid polymer in the polymer supply unit; And a material preparation step of preparing a quantum dot container 200 formed to individually accommodate quantum dots of the same size in each container.

양자점은 입자크기와 형상에 따라 나노입자의 밴드갭(band gap) 차이로 흡광 및 발광특성이 변한다. 따라서 양자점의 입자 크기가 작으면 밴드갭이 넓어지면서 보라색이 나타나며, 입자 크기가 커지면 밴드갭이 벌크상태에 가까워지면서 붉은색을 띠게된다. 이러한 현상은 반도체 양자점에서 일반적으로 찾아볼 수 있으며, 양자점의 입자 크기와 조성에 따라 발현하는 것이다. 이를 구현하기 위해, 다양한 입자 크기를 갖는 양자점이 사용된다. 하나의 용기에 폴리머와 양자점을 혼합하는 경우, 양자점 입자 크기별로 복수의 혼합용기를 사용해야 되는 단점이 존재한다. 이를 극복하기 위해 하나의 용기에서 폴리머만을 수용하며, 별도의 다른 용기들에는 다양한 크기별로 양자점만을 수용한다. 교반기는 폴리머 및 양자점을 혼합한다.The quantum dots vary in absorbance and emission characteristics due to the difference in the band gap of the nanoparticles according to the particle size and shape. Therefore, when the particle size of the quantum dot is small, the band gap becomes wider and purple, and when the particle size increases, the band gap becomes red as the band gap approaches the bulk state. This phenomenon is generally found in semiconductor quantum dots, and manifests according to the particle size and composition of the quantum dots. To implement this, quantum dots with various particle sizes are used. In the case of mixing the polymer and the quantum dots in one container, there is a disadvantage that a plurality of mixing containers must be used for each quantum dot particle size. To overcome this, only one polymer is contained in one container, and the other different containers only contain quantum dots of various sizes. The stirrer mixes the polymer and the quantum dots.

[실시예 1-9] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 1-7, 1-8에 있어서, 상기 교반용기는 상기 폴리머용기와 연통되는 폴리머공급관(310);, 상기 폴리머공급관에 형성되는 폴리머공급밸브(320);, 상기 양자점용기에 연통되는 양자점공급관(330);, 상기 양자점공급관에 형성되는 양자점공급밸브(340);, 상기 폴리머공급관 및 양자점공급관이 연통되는 교반용기(350);를 포함한다.[Example 1-9] In Examples 1-7 and 1-8 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, the stirring vessel is a polymer supply tube 310 in communication with the polymer container; A polymer supply valve 320; a quantum dot supply pipe 330 in communication with the quantum dot container; a quantum dot supply valve 340 formed in the quantum dot supply pipe; a stirring vessel 350 in which the polymer supply pipe and the quantum dot supply pipe communicate with each other; It includes.

교반용기는 폴리머공급관으로부터 폴리머를 공급받으며, 양자점공급관으로부터 선택된 양자점만을 공급받는다. 폴리머와 양자점은 교반용기 내부에서 혼합되며, 이는 교반기에 의해 혼합된다. 상기 혼합용기는 복수로 형성될 수 있다.The stirring vessel receives the polymer from the polymer supply pipe, and receives only the quantum dots selected from the quantum dot supply pipe. The polymer and the quantum dots are mixed inside the stirring vessel, which is mixed by the stirrer. The mixing vessel may be formed in plural.

[실시예 1-10] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 2-9에 있어서, 상기 교반용기 내부에 형성되는 교반기(360);를 포함한다. [Example 1-10] In Example 2-9 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, a stirrer 360 formed inside the stirring vessel; includes.

폴리머와 양자점을 교반하며, 이는 교반날개에 의해 이루어진다. 상기 교반기는 모터로부터 인가된 동력을 전달받아 회전된다. 상기 교반날개는 회전축의 외주면에 결합되며, 원주방향을 따라 복수로 형성된다.The polymer and the quantum dots are stirred, which is made by the stirring blade. The stirrer is rotated by receiving power applied from a motor. The stirring blade is coupled to the outer circumferential surface of the rotating shaft, it is formed in plurality in the circumferential direction.

[실시예 1-11] 본 발명의 양자선 제조방법 실시예 1-9, 1-10에 있어서, 상기 폴리머공급밸브, 양자점공급밸브 및 교반기 작동을 제어하는 제어기(370);를 포함한다.[Example 1-11] The method of manufacturing quantum wires of Examples 1-9 and 1-10 includes a controller 370 for controlling the operation of the polymer supply valve, the quantum dot supply valve, and the agitator.

제어기는 폴리머공급밸브 및 양자점공급밸브를 제어하여, 일정량의 폴리머 및 양자점을 공급하도록 한다. 또한, 제어기는 교반기 작동을 제어하기도 한다.The controller controls the polymer supply valve and the quantum dot supply valve to supply a certain amount of polymer and quantum dot. The controller also controls the stirrer operation.

[실시예 1-12] 본 발명의 양자선 제조방법 실시예 1-9에 있어서, 상기 혼합용기 일측에 착탈 가능하게 결합되며, 혼합용기 내부에 수용된 혼합물이 토출되는 노즐(380);을 포함한다.[Example 1-12] In the quantum wire manufacturing method of Examples 1-9, the nozzle 380 is detachably coupled to one side of the mixing container and discharges the mixture contained in the mixing container. .

노즐은 혼합물로 인해 분사구가 막힐 수 있다. 따라서 부품 교체 및 유지보수를 필요로 하므로, 노즐이 분리되어야 한다. 이를 위해, 노즐은 혼합용기에 나사 결합되거나 또는 볼트 등의 체결부재를 이용하여 혼합용기에 체결된다. 상기 볼트를 대체할 수 있으며, 동일한 목적과 효과를 발휘하는 대상이 치환되어 사용될 수 있다. The nozzle may clog the nozzles due to the mixture. Therefore, the nozzles must be disconnected, requiring parts replacement and maintenance. To this end, the nozzle is screwed to the mixing vessel or fastened to the mixing vessel using a fastening member such as a bolt. The bolt may be replaced, and an object having the same purpose and effect may be substituted and used.

[실시예 1-13] 본 발명의 양자선 제조방법 실시예 1-9에 있어서, 상기 교반용기 일측에 형성되며, 혼합용기 내부에 압축공기를 공급하는 공기공급장치(400);를 포함한다.[Example 1-13] The quantum wire manufacturing method of the present invention in Example 1-9, is formed on one side of the stirring vessel, the air supply unit 400 for supplying compressed air into the mixing vessel; includes.

교반용기 내부에 공급되는 압축공기는 공기공급장치에 의해서 공급된다. 상기 공기공급장치는 교반용기 일측에 연결되는 공기공급관(410);, 상기 공기공급관 일측에 형성되며, 압축공기를 발생시키는 공기압축기(420);, 상기 공기공급관 일측에 형성되며, 압축공기압력을 조절하는 압력조절밸브(430);를 포함한다.Compressed air supplied into the stirring vessel is supplied by an air supply device. The air supply device includes an air supply pipe 410 connected to one side of the stirring vessel; an air compressor 420 formed on one side of the air supply pipe and generating compressed air; and formed on one side of the air supply pipe, It includes; a pressure control valve 430 to adjust.

[실시예 1-14] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 1-13에 있어서, 상기 공기공급관 일측에 형성되는 필터(440);를 포함한다.[Example 1-14] In Examples 1-13 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, the filter 440 is formed on one side of the air supply pipe; includes.

교반용기 내부로 공급되는 공기에는 미세 분진등을 포함하면 안된다. 이물질 등이 공기와 함께 교반용기 내부에 공급되면, 양자선의 미세 균열 및 이물질 혼합등의 문제를 유발한다. 이를 방지하기 위해, 공기공급관 일측에는 이물질 제거용 필터를 장착한다. 상기 필터는 카트리지 형태로 제작되어 주기적으로 교체 가능하다. The air supplied into the stirring vessel shall not contain fine dust. When foreign matters are supplied to the inside of the stirring vessel together with air, problems such as fine cracking of quantum wires and mixing of foreign matters are caused. To prevent this, one side of the air supply pipe is equipped with a filter for removing foreign substances. The filter is manufactured in the form of a cartridge and can be replaced periodically.

[실시예 2-1] 본 발명의 양자선 제조방법은 실시예 1-1에 있어서, 상기 양자선 성형단계 후, 상기 양자선을 경화시키는 제1경화단계;, 상기 제1경화단계 후, 양자선을 코팅하는 표면처리단계;를 포함한다.[Example 2-1] The quantum wire manufacturing method of the present invention includes the first curing step of curing the quantum wire after the quantum wire forming step in Example 1-1; It includes; surface treatment step of coating a line.

[실시예 2-2] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 2-1에 있어서, 상기 표면처리단계 후, 상기 양자선을 재경화시키는 제2경화단계;를 포함한다. [Example 2-2] In Example 2-1 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, after the surface treatment step, a second curing step of re-curing the quantum wire; includes.

토출된 양자선은 UV 경화장치를 통과하면서 경화된다. 경화된 양자선은 필요에 따라 밝기를 증가시키도록 표면에 Cd2+ 등을 코팅한다. 상기 양자선은 UV 경화기(600)에 의해 경화되며, 자외선(UV) 경화는 자외선의 화학반응을 통해, 액체상태 또는 점성상태의 폴리머를 고체로 상태를 변형시킨다. 다른 실시예로서 압출된 양자선에 광개시제를 수용하여 자외선 반응에 따른 화학반응 효율을 향상시킬 수 있다. The discharged quantum wire is cured while passing through the UV curing device. The cured quantum wire is coated with Cd 2+ or the like on the surface to increase the brightness as needed. The quantum wire is cured by the UV curing machine 600, ultraviolet (UV) curing through the chemical reaction of the ultraviolet light, the state of the polymer in the liquid state or viscous state to a solid state. As another example, the photoinitiator may be accommodated in the extruded quantum wire to improve the chemical reaction efficiency according to the ultraviolet reaction.

양자선 표면에는 금속물질(카드뮴 등)을 코팅하며, 이는 양자선 밝기를 증가시킨다. 제1경과단계 후, 양자선은 반응기(700) 내부로 이동되며, 이동과정중 양자선은 표면처리 된다. 표면 처리된 양자선은 외부 산소 또는 기타 화학물질의 침투를 방지하며, 발광효과를 증대시킬 수 있다.The surface of the quantum wire is coated with a metallic material (such as cadmium), which increases the brightness of the quantum wire. After the first elapsed step, the quantum wire is moved into the reactor 700, and the quantum wire is surface treated during the movement process. Surface-treated quantum wires can prevent the penetration of external oxygen or other chemicals, and can enhance the luminous effect.

표면단계 후, UV에 의해 재경화단계를 통해 표면처리된 물질의 양자선 결합성을 증대시킬 수 있다. After the surface step, it is possible to increase the quantum line binding of the surface-treated material through the re-curing step by UV.

[실시예 3-1] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 2-1에 있어서, 상기 제2경화단계 후, 양자선을 릴에 감는 권취단계;를 포함한다.[Example 3-1] In Example 2-1 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, after the second curing step, winding the quantum wire wound on the reel; includes.

양자선은 420 nm 내지 670 nm 직경을 가진다. 양자선은 회전하는 릴에 권취된다. 릴의 원주속도는 양자선의 분출속도와 동일하게 설정하며, 이는 권취된 양자선의 인장 응력을 최소화 하기 위함이다. 상기 릴은 권취가이드를 위치시킨다. 상기 권취가이드는 릴의 축방향으로 왕복 이동되며, 권취가이드는 양자선의 감김위치를 변동시켜, 릴 표면에 균일하게 권취시키기 위함이다. 다른 실시예는 릴은 원주방향 회전과 동시에 축방향 왕복 이동을 한다. 이는 앞에서 제시한 바와 양자선이 릴 표면에 균일하게 권취시키기 위함이다. Quantum lines have a diameter of 420 nm to 670 nm. The quantum wire is wound on a rotating reel. The circumferential speed of the reel is set equal to the ejection speed of the quantum wires in order to minimize the tensile stress of the wound quantum wires. The reel locates the winding guide. The winding guide is reciprocated in the axial direction of the reel, the winding guide is to change the winding position of the quantum wire, to uniformly wound on the reel surface. In another embodiment, the reel makes axial reciprocating movement simultaneously with circumferential rotation. This is to make the quantum wire uniformly wound on the surface of the reel as described above.

[실시예 4-1] 본 발명의 양자선 제조방법의 실시예 3-1에 있어서, 상기 권취단계 후, 양자선을 천으로 직조하는 직조단계;를 포함한다.[Example 4-1] In Example 3-1 of the quantum wire manufacturing method of the present invention, after the winding step, weaving step of weaving the quantum wire with a cloth; includes.

릴에 권취된 양자선은 직조기에 의해 발광천으로 직조된다. 상기 발광천은 한종류의 양자선으로만 직조될 수 있으며, 또는 복수의 양자선을 혼합하여 직조할 수 있다.The quantum wire wound on the reel is woven into a light emitting cloth by a loom. The light emitting fabric may be woven with only one type of quantum wire, or may be woven by mixing a plurality of quantum wires.

[실시예 5-1] 본 발명은 양자선에 대한 것으로서, 원주형사이며, 변형가능하며, 실시예 2-1 및 실시예 2-2의 제조방법으로 제도되는 것을 포함한다.[Example 5-1] The present invention relates to a quantum wire, which is columnar shaped, can be deformed, and includes the drawing according to the manufacturing method of Example 2-1 and Example 2-2.

[실시예 6-1] 본 발명은 양자직물에 대한 것으로서, 실시예 5-1의 양자선이 복수로 형성되며, 상호 교차되어 직조되는 것을 포함한다. [Example 6-1] The present invention relates to a quantum fabric, which includes a plurality of quantum lines of Example 5-1 formed and intersected and woven.

100 : 폴리머용기 200 : 양자점용기
310 : 폴리머공급관 320 : 폴리머공급밸브
330 : 양자점공급관 340 : 양자점공급밸브
350 : 교반용기 360 : 교반기
370 : 제어기 380 : 노즐
400 : 공기공급장치 410 : 공기공급관
420 : 공기압축기 430 : 압력조절밸브
440 : 필터 510 : 비전센서
520 : 제어기 600 : UV경화기
700 : 반응기 800 : 용기
100: polymer container 200: quantum dot container
310: polymer supply pipe 320: polymer supply valve
330: quantum dot supply pipe 340: quantum dot supply valve
350: stirring vessel 360: stirrer
370 controller 380 nozzle
400: air supply device 410: air supply pipe
420: air compressor 430: pressure control valve
440: filter 510: vision sensor
520 controller 600 UV curing
700 reactor 800 vessel

Claims (6)

양자선 제조방법에 있어서,
폴리머와 혼합된 양자점을 공급하는 원료공급단계;,
상기 원료공급단계 후, 양자점이 혼합된 폴리머를 선으로 성형하는 양자선 성형단계;를 포함하는 양자선 제조방법.
In the quantum wire manufacturing method,
A raw material supply step of supplying a quantum dot mixed with a polymer;
And a quantum line forming step of forming a polymer mixed with quantum dots into a line after the raw material supplying step.
청구항 1에 있어서,
상기 양자선 성형단계 후, 상기 양자선을 경화시키는 제1경화단계;,
상기 제1경화단계 후, 양자선을 코팅하는 표면처리단계;를 포함하는 양자선 제조방법.
The method according to claim 1,
A first curing step of curing the quantum wire after the quantum wire forming step;
And a surface treatment step of coating the quantum wires after the first curing step.
청구항 2에 있어서,
상기 제2경화단계 후, 양자선을 릴에 감는 권취단계;를 포함하는 양자선 제조방법.
The method according to claim 2,
After the second curing step, winding the quantum wire wound on the reel; quantum wire manufacturing method comprising a.
청구항 3에 있어서,
상기 권취단계 후, 양자선을 천으로 직조하는 직조단계;를 포함하는 양자선 제조방법.
The method according to claim 3,
After the winding step, weaving step of weaving the quantum wire with a cloth; quantum wire manufacturing method comprising a.
양자선에 있어서,
원주형사이며, 변형가능하며, 청구항 2의 제조방법으로 제도되는 것을 포함하는 양자선.
In the quantum line,
A quantum wire which is cylindrical in shape, deformable, and which is drawn by the manufacturing method of claim 2.
양자직물에 있어서,
청구항 5의 양자선이 복수로 형성되며, 상호교차되어 직조되는 것을 포함하는 양자직물.
In quantum fabric,
A quantum fabric comprising a plurality of quantum wires of claim 5, wherein the quantum wires are interwoven and interwoven.
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